WO2021246680A1 - 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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- C09J2301/414—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components presence of a copolymer
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- C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
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- C09J2463/00—Presence of epoxy resin
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- C09J2467/00—Presence of polyester
- C09J2467/006—Presence of polyester in the substrate
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- C09J2479/00—Presence of polyamine or polyimide
- C09J2479/08—Presence of polyamine or polyimide polyimide
- C09J2479/086—Presence of polyamine or polyimide polyimide in the substrate
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
Definitions
- the present invention relates to an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process, and more particularly, effectively protects the lower surface of the semiconductor package and the plurality of protruding electrodes formed on the lower surface of the semiconductor package during the EMI (Electro Magnetic Interference) shielding layer forming process of the semiconductor package. It relates to an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process.
- the BGA method achieves terminal contact with the outside using a number of protruding electrodes that are protruding from the bottom surface of the semiconductor package, that is, solder balls. ) to enable more signal transmission than the method.
- the BGA method is used as the main package type of next-generation high-speed memory, and the field of use of CSP (Chip Scale Package), which has been limited to portable information and communication devices such as mobile phones and digital cameras, is reduced to computers such as PCs and workstations. extended to the realm.
- CSP Chip Scale Package
- the metal coating technology for shielding by sputtering refers to forming a metal thin film for shielding electromagnetic waves on the remaining outer surfaces except for connection terminals of semiconductor devices through a sputtering process.
- Patent Document 1 Korean Patent Publication No. 10-1501735
- Patent Document 2 Korean Patent Publication No. 10-1662068
- Patent Document 1 relates to an EMI shield processing method of a semiconductor package, the tape attaching step of attaching the edge of the tape to the lower surface of the frame to form the tape on the inner periphery of the frame, the tape cutting step of forming holes in the tape at regular intervals , A semiconductor package adhesive installation step of arranging the lower edge of the semiconductor package on the upper surface of the tape so that the bump formed on the lower surface of the semiconductor package fits into the hole of the tape, and adhesively installing the semiconductor package on the upper surface of the tape at regular intervals; It is characterized in that it consists of a coating step of coating the semiconductor package adhered to the upper surface of the tape by coating from the upper surface and the upper surface of the tape, so that coating is performed on five surfaces except for the lower surface of the semiconductor package.
- Patent Document 1 In the case of the technology disclosed in Patent Document 1, there is a risk of excessive cost in the tape cutting step of forming holes in the tape at regular intervals, and when the semiconductor package is not accurately placed in the hole of the tape in the semiconductor package adhesion installation step There is a problem in that the thin film is poorly deposited during metal coating for shielding by EMI (Electro Magnetic Interference) sputtering.
- EMI Electro Magnetic Interference
- Patent Document 1 Korean Patent Publication No. 10-1501735 (Registered on March 5, 2015)
- Patent Document 2 Korean Patent Publication No. 10-1662068 (Registered on September 27, 2016)
- an object of the present invention is to have excellent adhesion characteristics, retention characteristics, separation characteristics and stress characteristics, so that the lower surface of the semiconductor package and the semiconductor package during the EMI shielding layer forming process of a semiconductor package having a plurality of protruding electrodes
- An object of the present invention is to provide an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process that effectively protects a plurality of protruding electrodes formed on a lower surface.
- an object of the present invention is to effectively maintain the stress balance in response to the topology of the lower surface of the semiconductor package in which a plurality of protruding electrodes are formed during the EMI shielding layer forming process by including the first base film of a plastic material or a metal material, and the semiconductor package
- An object of the present invention is to provide an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process that can easily secure the stress characteristics required for the adhesive tape for the manufacturing process.
- an object of the present invention is to reduce the degassing phenomenon by having excellent heat resistance at high temperatures by including the acrylic copolymer in the first adhesive layer, and to properly support the shape deformation of the second base film made of a metal material to cause the second base film to tear.
- the second base film is well wrapped to effectively protect the plurality of protruding electrodes, and the first adhesive layer has stronger adhesion than the second adhesive layer, so the EMI shielding layer forming process is completed
- An object of the present invention is to provide an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process that causes separation from the second adhesive layer when the adhesive tape is separated from the semiconductor package.
- an object of the present invention is to prevent air bubbles that may be generated in the first adhesive layer from being transferred to the second adhesive layer because the second base film contains a metal material, and when attached to the lower surface of the semiconductor package due to sufficient retention characteristics, the lower surface of the semiconductor package
- An object of the present invention is to provide an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process capable of maintaining a deformed shape between processes after a shape is deformed to correspond to a topology.
- an object of the present invention to impart sufficient adhesive properties between the semiconductor package and the adhesive tape in the region where the lower surface of the semiconductor package and the protruding electrode are in contact by the second adhesive layer containing silicon having a spiral network structure, and vacuum even if voids occur
- An object of the present invention is to provide an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process that prevents excessive expansion of voids between manufacturing processes.
- the adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process is an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process attached to a lower surface of a semiconductor package having a plurality of protruding electrodes formed thereon, the adhesive tape comprising: a first base film; a first adhesive layer laminated on the first base film and including an acrylic copolymer; a second base film laminated on the first adhesive layer, the second base film including a metal material to be deformed to correspond to the topology of the bottom surface of the semiconductor package and then to maintain the deformed shape between processes; and a second adhesive layer laminated on the second base film and including silicon having a spiral network structure.
- the first base film preferably includes a plastic material or a metal material.
- the first base film is formed of a single layer or a multilayer structure in which two or more of polyethylene terephthalate, polyimide, or polyolefin are stacked, and 10 ⁇ m to 150 ⁇ m It is preferable to have a thickness in the range.
- the first base film including at least 99 wt% of aluminum (Al), a tensile strength in the range of 4.8 kgf/mm 2 to 14.4 kgf/mm 2 , an elongation in the range of 6.4% to 19.2%, and 20 ⁇ m to a tensile strength in the range of 8 kgf/mm 2 to 31.2 kgf/mm 2 having a thickness in the range of 80 ⁇ m or comprising at least 99 wt % copper (Cu), an elongation in the range of 3.2% to 14.4%, and an elongation in the range of 20 ⁇ m to It is preferred to have a thickness in the range of 80 ⁇ m.
- Al aluminum
- Cu copper
- the first adhesive layer is, butyl acrylate - butyl methacrylate - methacrylic acid - methyl methacrylate - styrene (Styrene) copolymer and acrylic acid (Acrylic acid) - 2-ethylhexyl acrylic acid (2-Ethylhexyl acrylate) - 2-ethylhexyl methacrylate (2-Ethylhexyl methacrylate) - Glycidyl methacrylic acid (Glycidyl methacrylate) containing at least one copolymer it is preferable
- the first adhesive layer is, butyl acrylate - butyl methacrylate - methacrylic acid - methyl methacrylate - styrene (Styrene) copolymer 25 - 30 parts by weight of ethyl acetate 70-75 parts by weight of the first adhesive composition, and acrylic acid - 2-Ethylhexyl acrylate - 2-Ethylhexyl methacrylate - 25-30 parts by weight of a glycidyl methacrylate copolymer, 50-55 parts by weight of toluene, and 15-20 parts by weight of ethyl acetate are mixed with at least one of the second adhesive composition and an epoxy-based curing agent. 1 It is preferable to form by drying and curing after coating on a base film.
- the first adhesive layer is preferably formed by mixing 80-120 parts by weight of the first adhesive composition and 0.5-1.5 parts by weight of the epoxy-based curing agent, applying the mixture to the first base film, drying and curing.
- the first adhesive layer is prepared by mixing 40-60 parts by weight of the first adhesive composition, 40-60 parts by weight of the second adhesive composition, and 0.5-1.5 parts by weight of the epoxy-based curing agent and applied to the first base film. It is preferably formed by drying and curing after.
- the first adhesive layer has a thickness in the range of 100 ⁇ m to 700 ⁇ m and an adhesive strength of at least 500 gf/25 mm
- the second adhesive layer has a thickness in the range of 10 ⁇ m to 50 ⁇ m and 50 gf/25 mm to 500 gf/ It is desirable to have an adhesive force in the range of 25 mm.
- the thickness of the first adhesive layer decreases within a set thickness range as the size of the protruding electrodes increases, and increases in thickness within a set thickness range as the distance between the protruding electrodes increases, and the second adhesive layer It is preferable that the thickness of silver increases within a set thickness range as the size of the protruding electrodes increases, and the thickness decreases within a set thickness range as the spacing between the protruding electrodes increases.
- the second base film preferably has a thickness in the range of 1 ⁇ m to 10 ⁇ m.
- the second base film including at least 99 wt% of aluminum (Al) has a tensile strength in the range of 4.8 kgf/mm 2 to 14.4 kgf/mm 2 , an elongation in the range of 6.4% to 19.2%, and 10 ⁇ m to a tensile strength ranging from 8 kgf/mm 2 to 31.2 kgf/mm 2 having a thickness in the range of 35 ⁇ m or comprising at least 99 wt % copper (Cu), an elongation ranging from 3.2% to 14.4%, and an elongation ranging from 10 ⁇ m to It is preferred to have a thickness in the range of 35 ⁇ m.
- Al aluminum
- the second adhesive layer preferably includes a trimethylated silica-dimethyl siloxane copolymer.
- the manufacturing method of the adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process a first base film containing a plastic material or a metal material, a first adhesive layer containing an acrylic copolymer, and a first containing fluorine
- a first tape in which a release film is sequentially stacked, a second base film comprising a metal material, a second adhesive layer comprising silicone having a spiral network structure, and a second release film comprising fluorine are sequentially stacked on a second tape
- the manufacturing method of the adhesive tape for the semiconductor package manufacturing process a first base film containing a plastic material or a metal material, a first adhesive layer containing an acrylic copolymer, and a first containing fluorine A first tape in which 1 release film is sequentially laminated, a third tape in which the second base film is formed on a third release film by metal deposition, and a second adhesive layer comprising silicon having a spiral network structure and fluorine a second tape preparation step of preparing a fourth tape in which a second release film is sequentially stacked; and after removing the first release film from the first tape, the first adhesive layer and the second base film of the third tape are surface-contacted to laminate the first tape and the third tape, and the third tape a second tape laminating step of laminating the third tape and the fourth tape by surface-contacting the second base film and the second adhesive layer of the fourth tape after removing the third release film in the do.
- the adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process has excellent adhesive properties, holding properties, separation properties and stress properties, so that during the EMI shielding layer forming process of a semiconductor package having a plurality of protruding electrodes, the semiconductor package to effectively protect the plurality of protruding electrodes formed on the lower surface of the semiconductor package and the lower surface of the semiconductor package.
- the stress balance corresponds to the topology of the bottom surface of the semiconductor package in which a plurality of protruding electrodes are formed during the EMI shielding layer forming process to effectively maintain, and to easily secure the stress characteristics required for an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process.
- the adhesive tape for the semiconductor package manufacturing process according to the present invention has excellent heat resistance at high temperatures because the first adhesive layer contains the acrylic copolymer, thereby reducing the degassing phenomenon, and appropriately preventing the shape deformation of the second base film made of a metal material.
- the support prevents the second base film from being torn, and at the same time, even if the second base film is torn, it wraps the second base film well to effectively protect the plurality of protruding electrodes, and the first adhesive layer has stronger adhesion than the second adhesive layer to cause separation from the second adhesive layer when the adhesive tape is separated from the semiconductor package after the EMI shielding layer forming process is completed.
- the adhesive tape for the semiconductor package manufacturing process prevents air bubbles that may be generated in the first adhesive layer from being transferred to the second adhesive layer because the second base film contains a metal material, and due to sufficient retention properties, the semiconductor When attached to the bottom of the package, the shape is deformed to correspond to the topology of the bottom of the semiconductor package, and then the deformed shape can be maintained between processes.
- the adhesive tape for the semiconductor package manufacturing process according to the present invention has sufficient adhesive properties between the semiconductor package and the adhesive tape in the region where the lower surface of the semiconductor package and the protruding electrode are in contact by the second adhesive layer containing silicon having a spiral network structure. and to prevent excessive expansion of the voids during the manufacturing process in a vacuum state even if voids occur.
- FIG. 1 is a view showing a cross-sectional shape of an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a view illustrating a cross-sectional shape of the semiconductor package according to the present invention after removing the second release film from the adhesive tape for the semiconductor package manufacturing process shown in FIG. 1 .
- FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
- FIG. 4 is a view for explaining a method of manufacturing an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 5 is a view for explaining a method of manufacturing an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to a second embodiment of the present invention.
- FIG. 1 is a view showing a cross-sectional shape of the adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to an embodiment of the present invention
- FIG. 2 is a view after removing the second release film from the adhesive tape for the semiconductor package manufacturing process shown in FIG. It is a view showing the cross-sectional shape adhered to the lower surface of the semiconductor package of the present invention
- Figure 3 is a flowchart for explaining a method of manufacturing an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to an embodiment of the present invention
- Figure 4 is the present invention A view for explaining a method of manufacturing an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to a first embodiment
- FIG. 5 is a view for explaining a manufacturing method of an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process according to a second embodiment of the present invention to be.
- the adhesive tape for the semiconductor package manufacturing process typically used during the EMI shielding layer forming process has an adhesion characteristic, a retention characteristic, a separation characteristic, And there is a need to secure a stress characteristic.
- the base film and the adhesive layer of the adhesive tape are the size of the protruding electrode (eg, diameter or Regardless of the height), adhesion and adhesion should be possible in response to the topology of the bottom surface of the semiconductor package including the protruding electrode and the protruding electrode.
- the adhesive tape should adhere well without pushing the protruding electrode in a process environment for forming the EMI shielding layer, for example, in a high temperature and high vacuum environment. That is, the adhesive tape should be able to continuously maintain adhesive ability and adhesion ability even in an EMI shielding layer forming process environment.
- the adhesive tape self-denatures under the conditions of the EMI shielding layer forming process, but maintains a circular shape without deformation, discoloration and outgassing, and at the same time, gas and particles are adhered between processes It must be able to maintain adhesive and sealing ability to prevent penetration between the tape and the adhesive surface of the semiconductor package.
- the adhesive tape should be able to prevent excessive expansion of the voids between processes (especially during the process in a high vacuum environment) when voids are generated in the region where the lower surface of the semiconductor package and the protruding electrode contact during the EMI shielding layer forming process.
- the adhesive tape when the adhesive tape is separated from the semiconductor package at room temperature and atmospheric pressure after completing the EMI shielding layer forming process, it is easily separated with little force and at the same time, the lower surface of the semiconductor package and the There should be no adhesive material remaining on the surface of the protruding electrode.
- the adhesive tape must have an adhesive force that can easily separate the semiconductor package (or chip) through an automated facility that automatically separates the semiconductor package (or chip) from the adhesive tape, and a vacuum chuck ( It should not be punctured or torn by the vacuum chuck or lift pin.
- the maximum withstand tension of an automated facility that automatically separates a semiconductor package (or semiconductor chip) from an adhesive tape is around 500 gf/25 mm, it would be desirable for the adhesive tape to have an adhesive force lower than this in terms of separation characteristics.
- the adhesive tape maintains a constant spacing between adjacent semiconductor chips because a plurality of semiconductor packages, that is, a plurality of semiconductor chips, are seated and adhered to the adhesive tape during the EMI shielding layer forming process. Adequate levels of tensile stress and compressive stress must be secured so that the EMI shielding layer formation process can be carried out in the maintained state. That is, the adhesive tape should be able to stably maintain a stretched state and maintain a stress balance corresponding to the topology of the lower surface of the semiconductor package including the protruding electrode.
- the adhesive tape 100 for a semiconductor package manufacturing process is attached to the lower surface of the semiconductor package 10 on which a plurality of protruding electrodes 11 are formed. It relates to an adhesive tape 100 for use.
- the adhesive tape 100 for the semiconductor package manufacturing process as described above, the adhesion characteristics required during the EMI shielding layer forming process (Adhesion characteristic), retention characteristic (Retention characteristic), separation characteristic (Remove characteristic) ), and was created to secure the stress characteristic.
- the adhesive tape 100 for a semiconductor package manufacturing process includes a first base film 111 , a first adhesive layer 112 , a second base film 121 , and a second adhesive layer 122 . is comprised of
- the adhesive tape 100 for a semiconductor package manufacturing process according to an embodiment of the present invention may further include a second release film 123 , and the second release film 123 is an embodiment of the present invention. It will be described in more detail in the manufacturing method of the adhesive tape for the semiconductor package manufacturing process according to.
- the first base film 111 includes a plastic material or a metal material.
- the first base film 111 made of a plastic material is formed in a single layer or a multilayer structure in which two or more of polyethylene terephthalate, polyimide, or polyolefin are stacked.
- the first base film 111 may have a thickness in the range of 10 ⁇ m to 150 ⁇ m.
- the thickness of the first base film 111 is less than 10 ⁇ m, it may be very difficult for the user to handle the adhesive tape 100 for the semiconductor package manufacturing process according to the embodiment of the present invention, and the thickness thereof is 150 ⁇ m. If it exceeds, it may be difficult to maintain a stress balance corresponding to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10 on which the protruding electrode 11 is formed.
- the first base film 111 made of a metallic material contains at least 99 wt% of aluminum (Al) and has a tensile strength in the range of 4.8 kgf/mm 2 to 14.4 kgf/mm 2 , in the range of 6.4% to 19.2%. an elongation, and a tensile strength in the range of 8 kgf/mm 2 to 31.2 kgf/mm 2 having a thickness in the range of 20 ⁇ m to 80 ⁇ m, or comprising at least 99 wt % copper (Cu), in the range of 3.2% to 14.4% It is preferred to have an elongation, and a thickness in the range of 20 ⁇ m to 80 ⁇ m.
- the first base film 111 contains 99 wt% or more of aluminum (Al) or 99 wt% or more of copper (Cu), and 1 wt% or less to satisfy the above-described tensile strength range and elongation range.
- the additive may include any one or two or more selected from the group consisting of silicon (Si), iron (Fe), manganese (Mn), magnesium (Mg), zinc (Zn), and titanium (Ti).
- the reason why the first base film 111 must satisfy the tensile strength in the range of 4.8 kgf/mm 2 to 14.4 kgf/mm 2 while containing 99 wt% or more of aluminum (Al) is that the tensile strength is 4.8 kgf/ In the case of less than mm 2 , a phenomenon may occur that the taut state cannot be stably maintained without stretching during the manufacturing process of the semiconductor package 100 , and when the tensile strength is more than 14.4 kgf/mm 2 , the protruding electrode 11 This is because the stress balance cannot be maintained corresponding to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10 on which the ) is formed.
- the reason that the first base film 111 contains 99 wt% or more of aluminum (Al) and has an elongation in the range of 6.4% to 19.2% is, when the elongation is less than 6.4%, the semiconductor package 10 Accordingly, it may be difficult to deform the shape of the first base film 111 in response to the topology, and when the elongation is greater than 19.2%, it is difficult to continuously maintain the deformed shape of the first base film 111 between processes. because it is
- the reason why the first base film 111 must satisfy the tensile strength in the range of 8 kgf/mm 2 to 31.2 kgf/mm 2 while containing 99 wt% or more of copper (Cu) is that the tensile strength is 8 kgf/ In the case of less than mm 2 , a phenomenon may occur that the taut state cannot be stably maintained without stretching during the manufacturing process of the semiconductor package 100 , and when the tensile strength is more than 31.2 kgf/mm 2 , the protruding electrode 11 This is because the stress balance cannot be maintained corresponding to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10 on which the ) is formed.
- the reason why the first base film 111 contains 99 wt% or more of copper (Cu) and has to satisfy an elongation in the range of 3.2% to 14.4% is that when the elongation is less than 3.2%, the semiconductor package 10 Accordingly, it may be difficult to deform the shape of the first base film 111 in response to the topology, and when the elongation is greater than 14.4%, it is difficult to continuously maintain the deformed shape of the first base film 111 between processes. because it is
- the first base film 111 made of a metal material may have a thickness in the range of 10 ⁇ m to 150 ⁇ m.
- the thickness of the first base film 111 is less than 20 ⁇ m, it may be very difficult for the user to handle the adhesive tape 100 for the semiconductor package manufacturing process according to the embodiment of the present invention, and the thickness thereof is 80 ⁇ m. If it exceeds, it may be difficult to maintain a stress balance corresponding to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10 on which the protruding electrode 11 is formed.
- the first base film 111 is formed of the above material and structure to effectively maintain a stress balance in response to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10 on which the protruding electrode 11 is formed during the EMI shielding layer forming process. , to easily secure the stress characteristics required for an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process. That is, the first base film 111 is formed of the same material and structure as described above, thereby stably maintaining a taut state without stretching during the manufacturing process of the semiconductor package 100 and at the same time as the protruding electrode 11 is formed. It is possible to maintain a stress balance corresponding to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10 , and has a characteristic that deformation and deformation are small in a high temperature and high vacuum environment. In addition, since the first base film 111 includes a plastic material or a metal material, external air bubbles (gas, particles) are prevented from being transmitted to the first adhesive layer 112 .
- the first adhesive layer 112 is laminated on the first base film 111 and includes an acrylic copolymer.
- the first adhesive layer 112 has a thickness greater than that of the second adhesive layer 122 and has a stronger adhesive force than that of the second adhesive layer 122 . More specifically, the first adhesive layer 112 may have a thickness in a range of 100 ⁇ m to 700 ⁇ m and an adhesive strength of at least 500 gf/25 mm. That is, the first adhesive layer 112 has a thickness in a range of 100 ⁇ m to 700 ⁇ m and an adhesive strength of at least 500 gf/25 mm, for example, 500 gf/25 mm to 2500 gf/25 mm, so that the protruding electrode 11 can be impregnated therein. It can have a range of adhesive strength.
- the protrusion electrode 11 is impregnated in the adhesive tape 100 for the semiconductor package manufacturing process to form the protrusion electrode 11 between processes.
- the ability to provide a cushioning feeling may be reduced, and when the thickness exceeds 700 ⁇ m, the adhesive ability, sealing ability, and maintenance between the lower surface of the semiconductor package 10 and the adhesive tape 100 for the semiconductor package manufacturing process properties may be degraded.
- the first adhesive layer 112 has an adhesive strength of less than 500 gf/25mm
- the adhesive tape 100 for the semiconductor package manufacturing process is removed from the semiconductor package key 10
- the first adhesive layer 112 peeling may occur
- the adhesive strength is more than 2500 gf/25 mm
- the adhesive strength of the first adhesive layer 112 has a characteristic proportional to the thickness, so the adhesive tape for the semiconductor package manufacturing process Difficulty may arise in implementing the thickness of the first adhesive layer 112 required for (100).
- the first adhesive layer 112 is butyl acrylate - butyl methacrylate - methacrylic acid - methyl methacrylate - styrene ( Styrene) copolymer and acrylic acid - 2-Ethylhexyl acrylate - 2-Ethylhexyl methacrylate - Glycidyl methacrylate copolymer It is preferable to include at least one or more.
- the bonding order of each monomer may be changed, and the bonding method is an alternating copolymer, a block copolymer, a random copolymer, and the same arrangement. It may have an isotactic copolymer, a syndiotactic copolymer, an atactic copolymer, and the like, and is not limited to a specific bonding method.
- the first adhesive layer 112 butyl acrylate (Butyl acrylate) - butyl methacrylate (Butyl methacrylate) - methacrylic acid (Methacrylic acid) - methyl methacrylate (Methyl methacrylate) - styrene (Styrene) air Composite 25-30 parts by weight, ethyl acetate 70-75 parts by weight of the first adhesive composition, Acrylic acid - 2-Ethylhexyl acrylate - 2-Ethylhexyl methacrylate - At least one of 25-30 parts by weight of a glycidyl methacrylate copolymer, 50-55 parts by weight of toluene, and 15-20 parts by weight of ethyl acetate and an epoxy-based curing agent are mixed with the second adhesive composition. It is preferably formed by drying and curing after coating on the first base film 111 .
- the first adhesive layer 112 butyl acrylate - butyl methacrylate - methacrylic acid - methyl methacrylic acid (Methacrylic acid) Methyl methacrylate) -
- the adhesive strength and heat resistance are deteriorated, and at the same time, it becomes too soft, which causes the second base film 121 to tear as the cushion function is insufficient.
- it exceeds 30 parts by weight it becomes too hard to perform the cushioning role, so it is difficult to deform the shape to correspond to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10 causes
- the viscosity of the first adhesive composition is too high, so that the second adhesive composition and the epoxy-based curing agent are mixed This not only becomes difficult, but the surface of the first adhesive layer 112 is roughened in the process of application, and at the same time, a lot of degassing occurs in the process of drying and curing, resulting in a problem in that the properties of the first adhesive layer 112 are deteriorated. If it exceeds 75 parts by weight, since the viscosity of the first adhesive composition is too low, it is difficult to form a sufficient thickness for the first adhesive layer 112 in the process of application. causes
- the first adhesive layer 112 includes acrylic acid - 2-Ethylhexyl acrylate - 2-Ethylhexyl methacrylate, which is the main bonding agent of the second adhesive composition. ) -
- the glycidyl methacrylate copolymer is less than 25 parts by weight, the adhesive strength and heat resistance are lowered, and at the same time, the second base film 121 is torn as it becomes too soft to perform the cushioning role.
- it exceeds 30 parts by weight it becomes too hard to perform the cushioning role, so it is difficult to deform the shape to correspond to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10 creates difficult problems.
- the viscosity of the second adhesive composition is too high, so that the first adhesive composition and the epoxy-based composition Not only does it become difficult to mix with the curing agent, but at the same time, the surface of the first adhesive layer 112 becomes rough during application, and at the same time, a lot of degassing occurs during drying and curing, so that the properties of the first adhesive layer 112 are lowered. If it exceeds 75 parts by weight, it is difficult to form a sufficient thickness of the first adhesive layer 112 in the process of application because the viscosity of the second adhesive composition is too low, and the cushioning properties of the first adhesive layer 112 This lowers the problem.
- the first adhesive layer 112, the first adhesive layer 112, 80-120 parts by weight of the first adhesive composition and 0.5-1.5 parts by weight of the epoxy curing agent are mixed to form the first base film 111 It is preferable to be formed by drying and curing after coating.
- the first adhesive layer 112 when the first adhesive composition is less than 80 parts by weight, the adhesive strength and heat resistance are deteriorated and at the same time become too hard to perform the cushioning role, the lower surface of the semiconductor package 10 It causes a problem that the shape is difficult to deform to correspond to the topology, and when it exceeds 120 parts by weight, the second base film 121 is torn as it becomes too soft to perform a cushioning role.
- the first adhesive layer 112 is too soft because it is not sufficiently cured to perform the role of a cushion, so that the second base film 121 is torn. and, when it exceeds 1.5 parts by weight, it becomes too hard to perform a cushioning role, so that it is difficult to deform the shape to correspond to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10 .
- the first adhesive layer 112 is prepared by mixing 40-60 parts by weight of the first adhesive composition, 40-60 parts by weight of the second adhesive composition, and 0.5-1.5 parts by weight of the epoxy-based curing agent to form the first base film. It is more preferable to be formed by drying and curing after coating (111).
- the amount of the first adhesive composition is less than 40 parts by weight, the first adhesive layer 112 becomes too hard at the same time as the adhesive strength and heat resistance, so that the cushioning function is insufficient.
- the lower surface of the semiconductor package 10 It causes a problem that the shape is difficult to deform to correspond to the topology, and when it exceeds 60 parts by weight, the second base film 121 is torn as it becomes too soft to perform a cushioning role.
- the first adhesive layer 112 is too soft because it is not sufficiently cured to perform the role of a cushion, so that the second base film 121 is torn. and, when it exceeds 1.5 parts by weight, it becomes too hard to perform a cushioning role, so that it is difficult to deform the shape to correspond to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10 .
- the first adhesive layer 112 has excellent heat resistance at high temperatures due to material properties in relation to retention properties, thereby reducing the degassing phenomenon, and appropriately supporting the shape deformation of the second base film 121 made of a metallic material,
- the second base film 121 is prevented from being torn, and at the same time, even if the second base film 121 is torn, it is well wrapped around the protruding electrode 11 to effectively protect the second base film 121 .
- the EMI shielding layer forming process is completed from the semiconductor package 10 for the semiconductor package manufacturing process.
- the separation occurs in the second adhesive layer 122 .
- the first adhesive layer 112 has a thickness in the range of 100 ⁇ m to 700 ⁇ m, and as the size of the protruding electrode 11 increases, the thickness decreases within a set thickness range, and between the protruding electrodes 11 . It is preferable that the thickness increases within the set thickness range as the interval of .
- the reason that the thickness of the first adhesive layer 112 decreases within a set thickness range as the size of the protruding electrode 11 increases is that the thickness of the second adhesive layer 122 increases in the same environment, so that the semiconductor package manufacturing process While maintaining the overall thickness of the adhesive tape 100 for the semiconductor package 10, the adhesive properties, separation properties, holding properties and stress properties of the adhesive tape 100 for the semiconductor package manufacturing process required in the semiconductor package 10 manufacturing process are constant. in order to keep it
- the reason that the thickness of the first adhesive layer 112 increases within a set thickness range as the distance between the protruding electrodes 11 increases is that the thickness of the second adhesive layer 122 decreases in the same environment, so that the semiconductor Adhesive properties, separation properties, holding properties and stress of the adhesive tape 100 for the semiconductor package manufacturing process required in the semiconductor package 10 manufacturing process while maintaining the overall thickness of the adhesive tape 100 for the package manufacturing process constant In order to keep the characteristics constant.
- the distance between the protruding electrodes 11 is increased, the area of the lower surface of the semiconductor package 10 adhering to the second adhesive layer 122 increases, so that the EMI shielding layer is formed after the process of forming the semiconductor package.
- the thickness of the second adhesive layer 122 is reduced to reduce the thickness of the semiconductor package ( 10) lowers the adhesion to the lower surface.
- the second base film 121 is laminated on top of the first adhesive layer 112, and after being deformed to correspond to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10, a metal material is formed so that the deformed shape is maintained between processes.
- the second base film 121 preferably has a thickness in the range of 1 ⁇ m to 10 ⁇ m, as an embodiment. This is that when the thickness of the second base film 210 is less than 1 ⁇ m, it is very difficult for a user to handle the adhesive tape 100 for the semiconductor package manufacturing process, and it is difficult to maintain a deformed shape, and the second base film 210 is difficult to maintain. This is because, when the thickness of the film 121 is greater than 10 ⁇ m, it may be difficult to deform and maintain a stress balance corresponding to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10 on which the protruding electrode 11 is formed. The thickness within this range is advantageous when the size of the protruding electrode 11 is large, unlike other embodiments to be described later.
- the second base film 121 is manufactured in the form of a transfer film of metal deposition by depositing aluminum (Al) or copper (Cu) on a release film by a metal deposition method, and then the first adhesive layer 112 .
- Al aluminum
- Cu copper
- S100 manufacturing method of the adhesive tape 100 for the semiconductor package manufacturing process according to the second embodiment of the present invention.
- the second base film 121 includes at least 99 wt% of aluminum (Al) and has a tensile strength in the range of 4.8 kgf/mm 2 to 14.4 kgf/mm 2 , 6.4 of% to 19.2% of the elongation (elongation), and 10 ⁇ m to 35 ⁇ m range of the thickness of, or in, including copper (Cu), at least 99 or more wt% 8kgf / mm 2 to a tensile strength of 31.2 kgf / mm 2 range , an elongation in the range of 3.2% to 14.4%, and a thickness in the range of 10 ⁇ m to 35 ⁇ m.
- Al aluminum
- Cu copper
- the second base film 121 is deformed after being deformed to correspond to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10 on which the protruding electrode 11 is formed during the manufacturing process of the semiconductor package 10 . It can maintain its original shape independently and may contain 99 wt% or more of aluminum (Al) or 99 wt% or more of copper (Cu) so that denaturation and deformation do not occur in high temperature and high vacuum environments.
- the second base film 121 contains 99 wt% or more of aluminum (Al) or 99 wt% or more of copper (Cu), and 1 wt% or less to satisfy the above-described tensile strength range and elongation range.
- the additive may include any one or two or more selected from the group consisting of silicon (Si), iron (Fe), manganese (Mn), magnesium (Mg), zinc (Zn), and titanium (Ti).
- the reason why the second base film 121 should satisfy the tensile strength in the range of 4.8 kgf/mm 2 to 14.4 kgf/mm 2 while containing 99 wt% or more of aluminum (Al) is that the tensile strength is 4.8 kgf/ If it is less than mm 2 , the second base film 121 may be broken or torn due to external force applied during the manufacturing process of the adhesive tape 100 for the semiconductor package manufacturing process and the EMI shielding layer forming process. This is because, when the tensile strength is greater than 14.4 kgf/mm 2 , it is difficult to deform the shape of the second base film 121 to correspond to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10 .
- the reason why the second base film 121 contains 99 wt% or more of aluminum (Al) and has an elongation in the range of 6.4% to 19.2% is that when the elongation is less than 6.4%, the semiconductor package 10 Accordingly, it may be difficult to deform the shape of the second base film 121 in response to the topology, and when the elongation is greater than 19.2%, it is difficult to continuously maintain the deformed shape of the second base film 121 between processes. because it is
- the reason why the second base film 121 should satisfy the tensile strength in the range of 8 kgf/mm 2 to 31.2 kgf/mm 2 while containing 99 wt% or more of copper (Cu) is that the tensile strength is 8 kgf/ If it is less than mm 2 , the second base film 121 may be broken or torn due to external force applied during the manufacturing process of the adhesive tape 100 for the semiconductor package manufacturing process and the EMI shielding layer forming process. This is because, when the tensile strength exceeds 31.2 kgf/mm 2 , it is difficult to deform the shape of the second base film 121 corresponding to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10 .
- the reason why the second base film 121 must satisfy an elongation in the range of 3.2% to 14.4% while containing 99 wt% or more of copper (Cu) is that when the elongation is less than 3.2%, the semiconductor package 10 Accordingly, it may be difficult to deform the shape of the second base film 121 in response to the topology, and when the elongation exceeds 14.4%, it is difficult to continuously maintain the deformed shape of the second base film 121 between processes. because it is
- the second base film 121 may have a thickness in the range of 10 ⁇ m to 35 ⁇ m. This is that when the thickness of the second base film 210 is less than 10 ⁇ m, it is very difficult for a user to handle the adhesive tape 100 for the semiconductor package manufacturing process, and the thickness of the second base film 121 is 35 ⁇ m. This is because, in the case where the protrusion electrode 11 is formed, it may be difficult to deform the shape corresponding to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10 and to maintain the stress balance. The thickness within this range is advantageous when the size of the protruding electrode 11 is small, unlike the above-described exemplary embodiment.
- the second base film 121 includes a metal material, it prevents air bubbles (gas, particles) that may be generated in the first adhesive layer 112 from being transferred to the second adhesive layer 122, and has sufficient retention properties. Due to this, when the adhesive tape 100 for the semiconductor package manufacturing process is attached to the lower surface of the semiconductor package 10, the shape is deformed to correspond to the topology of the lower surface of the semiconductor package 10, and then the deformed form can be maintained between processes. That is, since the second base film 121 includes a metal material, it blocks the gas generated from the first adhesive layer 112 from being transmitted to the second adhesive layer 122 , and the second adhesive layer 122 . By supporting the flat surface, the adhesive ability and the adhesion ability with the lower surface of the semiconductor package 10 including the protruding electrode 11 are continuously maintained in a high temperature and high vacuum environment.
- the second adhesive layer 122 is laminated on the second base film 121 and includes silicon having a spiral network structure.
- the second adhesive layer 122 preferably has a smaller thickness than the first adhesive layer 112 and has an adhesive force that is weaker than that of the first adhesive layer 122 .
- the second adhesive layer 122 has a thickness in a range of 10 ⁇ m to 50 ⁇ m and a thickness of 50 ⁇ m to enable tight adhesion along the topology of the bottom surface of the semiconductor package 10 on which the protruding electrode 11 is formed. It may have an adhesion in the range of gf/25mm to 500 gf/25mm.
- the thickness of the second adhesive layer 122 is less than 10 ⁇ m, the required adhesive force cannot be secured, so that the adhesive ability, sealing ability, and retention characteristics with the lower surface of the semiconductor package 10 during the process are deteriorated. If the thickness exceeds 50 ⁇ m, the second adhesive layer 122 is pushed out to the side by pressing pressure when it is attached to the lower surface of the semiconductor package 10, resulting in a defect or the semiconductor package 10 after completion of the process. Problems that are difficult to remove from the package 10 may occur.
- the second adhesive layer 122 when the adhesive force is less than 50 gf / 25mm, the second adhesive layer 122 in the high-temperature and high-vacuum process environment of the EMI shielding layer forming process
- the lower surface of the semiconductor package 10 and A phenomenon in which the protruding electrode 11 is pushed out and peeled may occur, or a phenomenon in which gas and particles permeate between the second adhesive layer 122 and the adhesive surface of the semiconductor package 10 between processes may occur, and the adhesive strength is 500 If it exceeds gf/25mm, it is difficult to remove from the semiconductor package 10 at room temperature and atmospheric pressure after the EMI shielding layer forming process, or the adhesive material is on the lower surface of the semiconductor package 10 and the surface of the protruding electrode 11 . Residual problems may arise.
- the second adhesive layer 122 preferably includes a trimethylated silica-dimethyl siloxane copolymer.
- the second adhesive layer 122 includes a trimethylated silica-dimethyl siloxane copolymer, thereby reducing physical property deformation due to heat generated during the EMI shielding layer forming process, and semiconductor package manufacturing process It makes it easy to secure the adhesive properties, retention properties, separation properties and stress properties required for adhesive tapes for use.
- the second adhesive layer 122 has a siloxane bond as a basic skeleton and has a spiral network structure as a molecular structure, the lower surface of the semiconductor package 10 and the protruding electrode 11 and the Even if an air gap is generated between the second adhesive layers 122 , excessive expansion of the air gap is prevented in spite of a high temperature and high vacuum environment.
- the second adhesive layer 122 has a thickness in the range of 10 ⁇ m to 50 ⁇ m, and increases in thickness within a set thickness range as the size of the protruding electrode 11 increases, and between the protruding electrodes 11 . It is preferable that the thickness decreases within the set thickness range as the interval of the increases.
- the reason that the thickness of the second adhesive layer 122 increases within a set thickness range as the size of the protruding electrode 11 increases is that as the size of the protruding electrode 11 increases, the second adhesive layer 122 becomes This is to increase the adhesive force of the second adhesive layer 122 because there is a high possibility that the protrusion electrode 11 is pushed out and peeled off.
- the reason why the decrease of the second adhesive layer 122 increases within a set thickness range is that as the distance between the protruding electrodes 11 increases, the second adhesive layer ( As the area of the lower surface of the semiconductor package 10 adhering to the semiconductor package 10 increases, the second adhesive layer 122 is not easily removed after the EMI shielding layer forming process, or an adhesive material remains on the lower surface of the semiconductor package 10. This is to lower the adhesive force of the second adhesive layer 122 because a problem may occur.
- the second adhesive layer 122 in relation to the adhesive properties, contains silicon having a spiral network structure, thereby providing sufficient adhesive properties in a region where the lower surface of the semiconductor package 10 and the protruding electrode 11 are in contact, With respect to the separation characteristic, when the adhesive tape 100 for the semiconductor package manufacturing process is removed from the semiconductor package 10 after the EMI shielding layer forming process by having an adhesive force weaker than that of the first adhesive layer 112 , the first Separation occurs in the second adhesive layer 122 rather than the adhesive layer 112 .
- the adhesive tape 100 for a semiconductor package manufacturing process has excellent adhesive properties, holding properties, separation properties and stress properties, and the semiconductor package having a plurality of the protruding electrodes 11 ( During the EMI shielding layer forming process of 10), the lower surface 10 of the semiconductor package and the plurality of protruding electrodes 11 on the lower surface of the semiconductor package 10 are effectively protected.
- the manufacturing method (S100) of the adhesive tape 100 for a semiconductor package manufacturing process is configured to include a tape preparation step (S110) and a tape lamination step (S120).
- the manufacturing method ( S100 ) of the adhesive tape 100 for a semiconductor package manufacturing process according to the first embodiment of the present invention is configured to include a first tape preparation step ( S111 ) and a first tape lamination step ( S121 ).
- the first base film 111 including a plastic material or a metal material, the first adhesive layer 112 including an acrylic copolymer, and a first release film including fluorine
- the second base film 121 including a metal material, a second adhesive layer 122 including silicon having a spiral network structure, and fluorine
- the method of manufacturing the first tape 110 starts with a process in which a manufacturer prepares the first base film 111 including a plastic material or a metal material.
- the first base film 111 contains at least 99 wt% of aluminum (Al) and has a tensile strength in the range of 4.8 kgf/mm 2 to 14.4 kgf/mm 2 , and an elongation in the range of 6.4% to 19.2%.
- the first base film 111 is formed in a single layer or a multilayer structure in which two or more of polyethylene terephthalate, polyimide, or polyolefin are stacked, and 10 ⁇ m to 150 ⁇ m. It may have a thickness in the range of ⁇ m.
- the manufacturer stabilizes the acrylic composition in which the first adhesive composition and the epoxy curing agent are stirred and mixed, or the acrylic composition in which the first adhesive composition, the second adhesive composition and the epoxy curing agent are stirred and mixed.
- Stabilization of the acrylic composition is to remove air bubbles in the acrylic composition and at the same time induce chemical stability and an even crosslinking reaction of the acrylic composition.
- ultrasonic treatment or vacuum suction may be performed to remove air bubbles in the acrylic composition, and after removing the air bubbles, the prepared acrylic composition is heated for 4 to 12 hours to stabilize the acrylic composition in a thermal equilibrium state. can be paused
- the stabilization of the acrylic composition is preferably performed in a thermal equilibrium state in order to secure chemical stability and prevent rapid crosslinking reaction.
- the manufacturer applies the stabilized acrylic composition on the first base film 111 using a comma coater, a slot-die coater, a gravure coater, etc., and then dried and forming the first adhesive layer 112 by curing.
- the manufacturer applies the acrylic composition to a thickness greater than the final thickness of the first adhesive layer 112 using a comma coater, a slot-die coater, a gravure coater, or the like. It may be applied on the base film 111 .
- the comma coater, the slot die coater, the gravure coater, etc. may be controlled to apply the acrylic composition 2.5 times to 3.5 times thicker than the target thickness of the first adhesive layer 112 .
- the comma coater may be controlled to apply the acrylic composition to a coating thickness in the range of 250 ⁇ m to 2450 ⁇ m.
- the method of applying the stabilized acrylic composition on the first base film 111 may be performed by a spin coating method or a spraying method.
- the manufacturer may finally form the first adhesive layer 112 through a dry heat treatment and aging hardening process, and during this process, the thickness of the first adhesive layer 112 gradually decreases to reach a target thickness.
- Dry heat treatment is to remove the solvent in the acrylic composition and at the same time activate the crosslinking reaction, and may be performed using an infrared lamp or infrared/hot air combined drying, etc. can
- the dry heat treatment may be separately performed into primary, secondary, and tertiary dry heat treatment.
- the primary drying heat treatment is to remove the solvent in the acrylic composition and at the same time activate the crosslinking reaction, and can be carried out using an infrared lamp or infrared / hot air combined drying, etc., at a temperature in the range of 60°C to 80°C for 3 minutes. It may proceed for from 6 minutes.
- the secondary drying heat treatment is to remove the solvent in the acrylic composition and activate the crosslinking reaction at the same time as the primary dry heat treatment, and may be performed using an infrared lamp or infrared/hot air combined drying, etc. It can be carried out for the same time as the primary drying heat treatment at a high temperature.
- the secondary drying heat treatment may be performed at a temperature ranging from 90° C. to 120° C. for 3 minutes to 6 minutes.
- the tertiary dry heat treatment is to remove the solvent in the acrylic composition and at the same time activate the crosslinking reaction like the first and second dry heat treatment. It can be carried out for a longer time than the secondary dry heat treatment at a higher temperature than the dry heat treatment.
- the tertiary dry heat treatment may be performed at a temperature in the range of 190°C to 210°C for 9 minutes to 18 minutes.
- drying the first adhesive layer 112 while increasing the temperature stepwise in the first to third drying heat treatment process is to prevent the first adhesive layer 112 from drying and curing from the surface, through which Air bubbles in the first adhesive layer 112 may be easily removed.
- the first adhesive layer 112 having a more stable state and an even thickness can be realized by gradually decreasing the temperature to room temperature.
- the manufacturer matures the first adhesive layer 112 at 20° C. to 60° C. for 12 hours to 48 hours to stabilize and harden it. That is, the crosslinking reaction in the first adhesive layer 112 is stably performed through a rest period in which the first base film 111 and the first adhesive layer 112, which are heated in the dry heat treatment process, are slowly cooled to 20°C to 60°C. At the same time as finishing, the physical properties required for the first adhesive layer 112 are secured.
- the manufacturer attaches the first release film 113 containing fluorine on the first adhesive layer 112 .
- the first release film 113 may contain fluorine to protect the first adhesive layer 112 including the acrylic copolymer and at the same time to facilitate separation from the first adhesive layer 112, 3 gf It may have an adhesion in the range of /25mm to 8 gf/25mm.
- the first release film 113 can be peeled off naturally from the first adhesive layer 112 when the adhesive force is less than 3 gf/25mm, and when the adhesive force is more than 8 gf/25mm, the first release film 113 1 There is a problem in that the first adhesive layer 112 may be damaged in the process of removing the release film 113 .
- the manufacturer may manufacture the first tape 110 through the above-described process.
- the method of manufacturing the second tape 120 includes at least 99 wt% of aluminum (Al) 6 kgf / mm 2 to 12 kgf / mm 2 Tensile strength (Tensile strength), 8 Elongation in the range of % to 16%, and tensile in the range of 10 kgf/mm 2 to 26 kgf/mm 2 having a thickness in the range of 10 ⁇ m to 35 ⁇ m, or including at least 99 wt % of copper (Cu) It starts with the process of preparing the second base film 121 having a strength, an elongation in a range of 4% to 12%, and a thickness in a range of 10 ⁇ m to 35 ⁇ m.
- the manufacturer injects a trimethylated silica-dimethyl siloxane copolymer, an ethylbenzene solvent, and an epoxy-based curing agent into a mixing vessel and mixes through a stirring operation.
- the mixing process through the stirring operation may be performed at room temperature and under normal humidity conditions.
- the manufacturer stabilizes the stirred and mixed silicone-based composition.
- Stabilization of the silicone-based composition is to remove air bubbles in the silicone-based composition and at the same time induce chemical stability and an even crosslinking reaction of the silicone-based composition.
- ultrasonic treatment or vacuum suction may be performed to remove bubbles in the silicone-based composition, and after removing the bubbles, the prepared silicone-based composition is subjected to thermal equilibrium for 4 to 12 hours to stabilize the silicone-based composition. can be paused
- the stabilization of the silicone-based composition is preferably performed in a state of thermal equilibrium in order to secure chemical stability and prevent rapid crosslinking reaction.
- the manufacturer applies the stabilized silicone-based composition on the second base film 121 using a comma coater, a slot-die coater, a gravure coater, or the like, and then dried. and forming the second adhesive layer 122 by curing.
- the manufacturer applies the silicone-based composition to the second base to be thicker than the final thickness of the second adhesive layer 122 using a comma coater, a slot-die coater, a gravure coater, or the like. It may be applied on the film 121 .
- a comma coater, a slot-die coater, a gravure coater, etc. apply the silicone-based composition thicker than the target thickness of the second adhesive layer 122 by 2.5 to 3.5 times.
- the comma coater may be controlled to apply the silicone-based composition to a coating thickness in the range of 25 ⁇ m to 175 ⁇ m.
- the method of applying the stabilized silicone-based composition on the second base film 121 may be performed by spin coating or spraying.
- the manufacturer may finally form the second adhesive layer 122 through a dry heat treatment and aging hardening process. During this process, the thickness of the second adhesive layer 122 gradually decreases to reach a target thickness.
- Dry heat treatment is to remove the solvent in the silicone-based composition and activate the cross-linking reaction at the same time, and may be performed using an infrared lamp or infrared/hot air combined drying, etc. can
- the dry heat treatment may be separately performed into primary, secondary, and tertiary dry heat treatment.
- the primary drying heat treatment is to remove the solvent in the silicone-based composition and activate the crosslinking reaction at the same time, and may be performed using an infrared lamp or infrared/hot air combined drying, etc., at a temperature in the range of 60°C to 80°C for 3 minutes It may proceed for from 6 minutes.
- the secondary dry heat treatment is to remove the solvent in the silicone-based composition and activate the crosslinking reaction at the same time as the first dry heat treatment, and can be carried out using an infrared lamp or infrared/hot air combined drying, etc. It can be carried out for the same time as the primary drying heat treatment at a high temperature.
- the secondary drying heat treatment may be performed at a temperature ranging from 160° C. to 180° C. for 3 minutes to 6 minutes.
- the tertiary dry heat treatment is to remove the solvent in the silicone-based composition and activate the crosslinking reaction at the same time as the first and second dry heat treatment, and may be carried out using an infrared lamp or infrared/hot air combined drying, etc. It can be carried out for a longer time than the secondary dry heat treatment at a higher temperature than the dry heat treatment.
- the tertiary dry heat treatment may be performed at a temperature in the range of 190°C to 210°C for 9 minutes to 18 minutes.
- drying the second adhesive layer 122 while increasing the temperature stepwise in the first to third drying heat treatment process is to prevent the second adhesive layer 122 from drying and curing from the surface, through which Air bubbles in the second adhesive layer 122 may be easily removed.
- the second adhesive layer 122 having a more stable state and an even thickness can be realized by gradually decreasing the temperature to room temperature.
- the manufacturer matures the second adhesive layer 122 at 20° C. to 30° C. for 12 hours to 24 hours to stabilize and harden it. That is, the crosslinking reaction in the second adhesive layer 122 is stably performed through a rest period in which the second base film 121 and the second adhesive layer 122, which are heated in the dry heat treatment process, are slowly cooled down to 20° C. to 30° C. At the same time as finishing, the physical properties required for the second adhesive layer 122 are secured.
- the manufacturer attaches the second release film 123 containing fluorine on the second adhesive layer 122 .
- the second release film 123 may contain fluorine to protect the second adhesive layer 122 including silicon having a spiral network structure and to facilitate separation from the second adhesive layer 122 . and may have an adhesive force in the range of 3 gf/25mm to 8 gf/25mm.
- the second release film 123 can be peeled off naturally from the second adhesive layer 122 when the adhesive force is less than 3 gf/25mm, and when the adhesive force is more than 8 gf/25mm, the second release film 123 2
- the second adhesive layer 122 may be damaged in the process of removing the release film 123 .
- the manufacturer may manufacture the second tape 110 through the above-described process.
- the manufacturer removes the first release film 113 from the first tape 110, and attaches the first adhesive layer 112 and the second base film 121 to each other.
- This is a step of laminating the first tape 110 and the second tape 120 by surface contact.
- the adhesive tape 100 for a semiconductor manufacturing process is attached in a manner of contacting (11).
- the manufacturing method ( S100 ) of the adhesive tape 100 for a semiconductor package manufacturing process according to the second embodiment of the present invention is configured to include a second tape preparation step ( S112 ) and a second tape lamination step ( S122 ).
- the first base film 111 including a plastic material or a metal material, the first adhesive layer 112 including an acrylic copolymer, and a first release film including fluorine
- the method of manufacturing the first tape 110 is the same as that of the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted.
- the method of manufacturing the third tape 130 is performed by forming the second base film 121 on the third release film 131 by a metal deposition method. More specifically, the second base film 121 is formed by depositing aluminum (Al) or copper (Cu) on the third release film 131 by a metal deposition method to form the third metal deposition transfer film.
- the tape 130 may be manufactured. A sputtering method may be used as the metal deposition method, but the present invention is not limited thereto.
- the third release film 131 may have the same characteristics as the first release film 113 and the second release film 123 .
- the second base film 210 is preferably deposited on the third release film 131 to have a thickness in the range of 1 ⁇ m to 10 ⁇ m. A thickness within this range is advantageous when the size of the protruding electrode 11 is relatively large.
- the method of manufacturing the fourth tape 140 is performed by using the second release film 123 as a base film to form the second adhesive layer 122 .
- the method of forming the second adhesive layer 122 on the second base film 121 in the first embodiment is the same as that of the method, a detailed description thereof will be omitted.
- the second tape lamination step (S122) is, after the manufacturer removes the first release film 113 from the first tape 110, the first adhesive layer 112 and the third tape 130 2
- the first tape 110 and the third tape 130 are laminated by making a surface contact with the base film 121 , and the third release film 131 is removed from the third tape 130 , and then the third release film 131 is removed.
- This is a step of laminating the third tape 130 and the fourth tape 140 by making the base film 121 and the second adhesive layer 122 of the fourth tape 140 surface-contact.
- the adhesive tape 100 for a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention is attached in a manner of contacting (11).
- the first tape 110 to the fourth tape 120 are formed through an individual manufacturing process.
- the present invention relates to an adhesive tape for a semiconductor package manufacturing process, and can be used in an industrial field related to an EMI (Electro Magnetic Interference) shielding layer forming process of a semiconductor package.
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Abstract
본 발명은 복수의 돌출 전극이 형성된 반도체 패키지 하면에 부착되는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프에 관한 것으로, 제 1 기저필름, 상기 제 1 기저필름 상부에 적층되고 아크릴계 공중합체를 포함하는 제 1 접착층, 상기 제 1 접착층 상부에 적층되고 상기 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형된 후 공정 간 변형된 형태가 유지되도록 금속 재질을 포함하는 제 2 기저필름, 및 상기 제 2 기저필름 상부에 적층되고 나선형 망상 구조를 가지는 실리콘을 포함하는 제 2 접착층을 포함하여 구성된다.
Description
본 발명은 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 패키지의 EMI(Electro Magnetic Interference) 차폐층 형성 공정 시 반도체 패키지의 하면 및 반도체 패키지의 하면에 형성된 복수의 돌출 전극을 효과적으로 보호하게 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프에 관한 것이다.
반도체 패키지에서 외부와의 단자 접촉을 수행하는 방식으로 종래에는 PGA(Pin Grid Array) 방식이나 리드 프레임(Lead Frame) 방식이 많이 사용되었으나, 최근에는 BGA(Ball Grid Array) 방식이 많이 사용되고 있다.
BGA 방식은 반도체 패키지의 바닥면에 돌출 형성되는 수 많은 돌출 전극 즉, 솔더볼(Solder Ball)을 이용하여 외부와의 단자 접촉을 달성함으로써, 종래의 PGA(Pin Grid Array) 방식이나 리드 프레임(Lead Frame) 방식보다 더 많은 신호 전달을 가능하게 하였다.
BGA 방식은 이러한 특성으로 인하여, 차세대 고속 메모리의 주력 패키지 타입으로 사용되고 있고, 이동 전화나 디지털 카메라 등 휴대형 정보 통신 기기에 한정되어 있던 CSP(Chip Scale Package)의 사용 분야를 PC나 워크스테이션 등의 컴퓨터 영역으로까지 확장시키고 있다.
한편, 이동 전화와 같은 모바일 분야에서는 단말기의 휴대성을 증진시키기 위해 단말기의 크기를 줄여야 하는 필요성이 커지고 있고, 이에 따라 단말기의 크기를 줄이기 위해서는 상대적으로 단말기에서 차지하는 비중이 큰 PCB(Printed Circuit Board)의 크기를 줄여야 하는 필요성이 커지고 있다.
그러나, PCB의 크기가 줄어들면 PCB에 포함된 반도체 소자 사이의 간격이 좁아지면서 반도체 소자 상호 간의 전자파 간섭에 의한 에러가 발생할 수 밖에 없다. 이러한 소자 간의 전자파 간섭을 억제하기 위하여, 소자 차폐용 캡(CAP)을 씌우는 방법이나 EMI(Electro Magnetic Interference) 스퍼터링 기술에 의하여 소자의 외면에 차폐용 금속 코팅을 형성하는 기술이 개발 및 도입되고 있다. 이 중에서 스퍼터링에 의한 차폐용 금속 코팅 기술은 스퍼터링 공정을 통해 반도체 소자의 접속 단자를 제외한 나머지 외면에 전자파 차폐를 위한 금속 박막을 형성하는 것을 지칭한다.
이와 관련하여, BGA 타입 반도체 패키지의 전자파 차폐를 위한 스퍼터링 공정 시 접속 단자에 영향을 주지 않도록 하는 방법과 관련된 선행기술로서는 한국등록특허공보 제10-1501735호(특허문헌 1) 및 한국등록특허공보 제10-1662068호(특허문헌 2)가 개시된 바 있다.
특허문헌 1은 반도체 패키지의 EMI 쉴드 처리 공법에 관한 것으로, 프레임의 하면에 테이프의 가장자리를 부착하여 프레임의 내주에 테이프를 형성시키는 테이프 부착 단계, 상기 테이프에 홀을 일정 간격으로 형성시키는 테이프 커팅 단계, 반도체 패키지의 하면에 형성된 범프가 테이프의 홀에 끼워지도록 반도체 패키지의 하면 가장자리를 테이프의 상면에 배치하여 상기 반도체 패키지를 테이프의 상면에 일정 간격으로 접착설치하는 반도체 패키지 접착 설치 단계, 상기 테이프의 상부에서 코팅 작업 하여 테이프의 상면에 접착된 반도체 패키지와 테이프의 상면을 코팅처리하는 코팅 단계로 구성되어, 반도체 패키지의 하면을 제외한 5면 코팅이 이루어지는 것을 특징으로 한다.
그러나, 특허문헌 1에 개시된 기술의 경우 테이프에 홀을 일정 간격으로 형성시키는 테이프 커팅 단계에 과다한 비용이 발생할 위험이 있고, 반도체 패키지 접착 설치 단계에서 반도체 패키지를 테이프의 홀에 정확하게 배치하지 못하였을 때에 EMI(Electro Magnetic Interference) 스퍼터링에 의한 차폐용 금속 코팅 시 박막이 불량하게 증착되는 문제점이 있다.
<선행기술문헌>
(특허문헌 1) 한국등록특허공보 제10-1501735호 (2015.03.05. 등록)
(특허문헌 2) 한국등록특허공보 제10-1662068호 (2016.09.27. 등록)
전술한 문제점을 해소함에 있어, 본 발명의 목적은 접착 특성, 유지 특성, 분리 특성 및 응력 특성이 우수하여 복수의 돌출 전극을 구비한 반도체 패키지의 EMI 차폐층 형성 공정 시 반도체 패키지의 하면 및 반도체 패키지 하면에 형성된 복수의 돌출 전극을 효과적으로 보호하게 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프를 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 목적은 제 1 기저필름이 플라스틱 재질 또는 금속 재질을 포함함으로써 EMI 차폐층 형성 공정 시 복수의 돌출 전극이 형성된 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하여 응력 균형을 효과적으로 유지하게 하고, 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프에 요구되는 응력 특성을 용이하게 확보하게 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프를 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 목적은 제 1 접착층이 아크릴계 공중합체를 포함함으로써 고온에서 우수한 내열성을 가져 탈기 현상을 감소시키고, 금속 재질의 제 2 기저필름의 형태 변형을 적절하게 뒷받침하여 제 2 기저필름이 찢어지는 것을 방지함과 동시에 제 2 기저필름에 찢어짐이 발생하더라도 제 2 기저필름을 잘 감싸안아 복수의 돌출 전극을 효과적으로 보호하며, 제 1 접착층이 제 2 접착층보다 강한 접착력을 가져 EMI 차폐층 형성 공정 완료 후 반도체 패키지로부터 접착 테이프를 분리할 때 제 2 접착층에서 분리가 일어나게 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프를 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 목적은 제 2 기저필름이 금속 재질을 포함함으로써 제 1 접착층에서 발생할 수 있는 기포가 제 2 접착층에 전달되는 것을 방지시키고, 충분한 유지 특성으로 인하여 반도체 패키지 하면에 부착 시 반도체 패키지 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형된 후 공정 간 변형된 형태를 유지할 수 있게 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프를 제공함에 있다.
아울러, 본 발명의 목적은 제 2 접착층이 나선형 망상 구조를 가지는 실리콘을 포함함으로써 반도체 패키지의 하면과 돌출 전극이 접하는 영역에서 반도체 패키지와 접착 테이프 사이에 충분한 접착 특성을 부여하고, 공극이 발생하더라도 진공 상태의 제조 공정 간 공극이 과도하게 팽창하는 것을 방지하게 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프를 제공함에 있다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프는, 복수의 돌출 전극이 형성된 반도체 패키지 하면에 부착되는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프에 있어서, 제 1 기저필름; 상기 제 1 기저필름 상부에 적층되고, 아크릴계 공중합체를 포함하는 제 1 접착층; 상기 제 1 접착층 상부에 적층되고, 상기 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형된 후 공정 간 변형된 형태가 유지되도록 금속 재질을 포함하는 제 2 기저필름; 및 상기 제 2 기저필름 상부에 적층되고, 나선형 망상 구조를 가지는 실리콘을 포함하는 제 2 접착층;을 포함하여 구성된다.
이 경우, 상기 제 1 기저필름은, 플라스틱 재질 또는 금속 재질을 포함하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 제 1 기저필름은, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate), 폴리이미드(polyimide) 또는 폴리올레핀(Polyolefin) 중 어느 하나의 단일층 또는 둘 이상이 적층된 다층 구조로 형성되고, 10 ㎛ 내지 150 ㎛ 범위의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1 기저필름은, 적어도 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함하여 4.8 kgf/mm
2 내지 14.4 kgf/mm
2 범위의 인장 강도, 6.4 % 내지 19.2 % 범위의 연신율, 및 20 ㎛ 내지 80 ㎛ 범위의 두께를 가지거나, 적어도 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함하여 8 kgf/mm
2 내지 31.2 kgf/mm
2 범위의 인장 강도, 3.2 % 내지 14.4 % 범위의 연신율, 및 20 ㎛ 내지 80 ㎛ 범위의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
한편, 상기 제 1 접착층은, 부틸 아크릴산(Butyl acrylate) - 부틸 메타크릴산(Butyl methacrylate) - 메타크릴산(Methacrylic acid) - 메틸 메타크릴산(Methyl methacrylate) - 스타이렌(Styrene) 공중합체 및 아크릴산(Acrylic acid) - 2-에틸헥실 아크릴산(2-Ethylhexyl acrylate) - 2-에틸헥실 메타크릴산(2-Ethylhexyl methacrylate) - 글리시딜 메타크릴산(Glycidyl methacrylate) 공중합체 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 제 1 접착층은, 부틸 아크릴산(Butyl acrylate) - 부틸 메타크릴산(Butyl methacrylate) - 메타크릴산(Methacrylic acid) - 메틸 메타크릴산(Methyl methacrylate) - 스타이렌(Styrene) 공중합체 25-30 중량부, 아세트산 에틸 70-75 중량부의 제 1 접착조성물, 및 아크릴산(Acrylic acid) - 2-에틸헥실 아크릴산(2-Ethylhexyl acrylate) - 2-에틸헥실 메타크릴산(2-Ethylhexyl methacrylate) - 글리시딜 메타크릴산(Glycidyl methacrylate) 공중합체 25-30 중량부, 톨루엔 50-55 중량부, 아세트산 에틸 15-20 중량부의 제 2 접착조성물 중 적어도 어느 하나 이상과 에폭시계 경화제를 혼합하여 상기 제 1 기저필름에 도포한 후 건조 및 경화하여 형성되는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 제 1 접착층은, 상기 제 1 접착조성물 80-120 중량부 및 상기 에폭시계 경화제 0.5-1.5 중량부를 혼합하여 상기 제 1 기저필름에 도포한 후 건조 및 경화하여 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1 접착층은, 상기 제 1 접착조성물 40-60 중량부, 상기 제 2 접착조성물 40-60 중량부, 및 상기 에폭시계 경화제 0.5-1.5 중량부를 혼합하여 상기 제 1 기저필름에 도포한 후 건조 및 경화하여 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 제 1 접착층은, 100 ㎛ 내지 700 ㎛ 범위의 두께 및 적어도 500 gf/25mm 이상의 접착력을 가지고, 상기 제 2 접착층은, 10 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위의 두께 및 50 gf/25mm 내지 500 gf/25mm 범위의 접착력을 가지는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 제 1 접착층은, 상기 돌출 전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 두께가 감소하고, 상기 돌출 전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 두께가 증가하며, 상기 제 2 접착층은, 상기 돌출 전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 두께가 증가하고, 상기 돌출 전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 두께가 감소하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 제 2 기저필름은, 1 ㎛ 내지 10 ㎛ 범위의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
한편, 상기 제 2 기저필름은, 적어도 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함하여 4.8 kgf/mm
2 내지 14.4 kgf/mm
2 범위의 인장 강도, 6.4 % 내지 19.2 % 범위의 연신율, 및 10 ㎛ 내지 35 ㎛ 범위의 두께를 가지거나, 적어도 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함하여 8 kgf/mm
2 내지 31.2 kgf/mm
2 범위의 인장 강도, 3.2 % 내지 14.4 % 범위의 연신율, 및 10 ㎛ 내지 35 ㎛ 범위의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
한편, 상기 제 2 접착층은, 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) - 디메틸실록산(Dimethyl siloxane) 공중합체를 포함하는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프의 제조 방법은, 플라스틱 재질 또는 금속 재질을 포함하는 제 1 기저필름, 아크릴계 공중합체를 포함하는 제 1 접착층 및 불소를 포함하는 제 1 이형필름이 순차적으로 적층된 제 1 테이프, 금속 재질을 포함하는 제 2 기저필름, 나선형 망상 구조를 가지는 실리콘을 포함하는 제 2 접착층 및 불소를 포함하는 제 2 이형필름이 순차적으로 적층된 제 2 테이프를 제조하는 제 1 테이프 준비 단계; 및 상기 제 1 테이프에서 상기 제 1 이형필름을 제거하고, 상기 제 1 접착층과 상기 제 2 기저필름을 면 접촉시켜 상기 제 1 테이프와 상기 제 2 테이프를 합지하는 제 1 테이프 합지 단계;를 포함하여 구성된다.
한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프의 제조 방법은, 플라스틱 재질 또는 금속 재질을 포함하는 제 1 기저필름, 아크릴계 공중합체를 포함하는 제 1 접착층 및 불소를 포함하는 제 1 이형필름이 순차적으로 적층된 제 1 테이프와, 제 3 이형필름에 금속 증착 방식으로 상기 제 2 기저필름을 형성한 제 3 테이프, 및 나선형 망상 구조를 가지는 실리콘을 포함하는 제 2 접착층 및 불소를 포함하는 제 2 이형필름이 순차적으로 적층된 제 4 테이프를 제조하는 제 2 테이프 준비 단계; 및 상기 제 1 테이프에서 상기 제 1 이형필름을 제거한 후 상기 제 1 접착층과 상기 제 3 테이프의 상기 제 2 기저필름을 면 접촉시켜 상기 제 1 테이프와 상기 제 3 테이프를 합지하고, 상기 제 3 테이프에서 상기 제 3 이형필름을 제거한 후 상기 제 2 기저필름과 상기 제 4 테이프의 상기 제 2 접착층을 면 접촉시켜 상기 제 3 테이프와 상기 제 4 테이프를 합지하는 제 2 테이프 합지 단계;를 포함하여 구성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프는, 접착 특성, 유지 특성, 분리 특성 및 응력 특성이 우수하여 복수의 돌출 전극을 구비한 반도체 패키지의 EMI 차폐층 형성 공정 시 반도체 패키지의 하면 및 반도체 패키지 하면에 형성된 복수의 돌출 전극을 효과적으로 보호하게 한다.
또한, 본 발명에 의한 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프는, 제 1 기저필름이 플라스틱 재질 또는 금속 재질을 포함함으로써EMI 차폐층 형성 공정 시 복수의 돌출 전극이 형성된 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하여 응력 균형을 효과적으로 유지하게 하고, 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프에 요구되는 응력 특성을 용이하게 확보하게 한다.
또한, 본 발명에 의한 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프는, 제 1 접착층이 아크릴계 공중합체를 포함함으로써 고온에서 우수한 내열성을 가져 탈기 현상을 감소시키고, 금속 재질의 제 2 기저필름의 형태 변형을 적절하게 뒷받침하여 제 2 기저필름이 찢어지는 것을 방지함과 동시에 제 2 기저필름에 찢어짐이 발생하더라도 제 2 기저필름을 잘 감싸안아 복수의 돌출 전극을 효과적으로 보호하며, 제 1 접착층이 제 2 접착층보다 강한 접착력을 가져 EMI 차폐층 형성 공정 완료 후 반도체 패키지로부터 접착 테이프를 분리할 때 제 2 접착층에서 분리가 일어나게 한다.
또한, 본 발명에 의한 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프는, 제 2 기저필름이 금속 재질을 포함함으로써 제 1 접착층에서 발생할 수 있는 기포가 제 2 접착층에 전달되는 것을 방지시키고, 충분한 유지 특성으로 인하여 반도체 패키지 하면에 부착 시 반도체 패키지 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형된 후 공정 간 변형된 형태를 유지할 수 있게 한다.
아울러, 본 발명에 의한 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프는, 제 2 접착층이 나선형 망상 구조를 가지는 실리콘을 포함함으로써 반도체 패키지의 하면과 돌출 전극이 접하는 영역에서 반도체 패키지와 접착 테이프 사이에 충분한 접착 특성을 부여하고, 공극이 발생하더라도 진공 상태의 제조 공정 간 공극이 과도하게 팽창하는 것을 방지하게 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프의 단면 형상을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프에서 제 2 이형필름을 제거한 후 본 발명의 반도체 패키지의 하면에 접착시킨 단면 형상을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
<부호의 설명>
10: 반도체 패키지
11: 돌출 전극
100: 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프
110: 제 1 테이프
111: 제 1 기저필름
112: 제 1 접착층
113: 제 1 이형필름
120: 제 2 테이프
121: 제 2 기저필름
122: 제 2 접착층
123: 제 2 이형필름
130: 제 3 테이프
131: 제 3 이형필름
140: 제 4 테이프
본 발명에 있어 첨부된 도면은 종래 기술과의 차별성 및 명료성, 그리고 기술 파악의 편의를 위해 과장된 표현으로 도시되어 있을 수 있다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어로써, 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있으므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 기술적 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 한편, 실시예는 본 발명의 청구범위에 제시된 구성요소의 예시적 사항에 불과하고, 본 발명의 권리범위를 한정하는 것이 아니며, 권리범위는 본 발명의 명세서 전반에 걸친 기술적 사상을 토대로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프의 단면 형상을 도시한 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프에서 제 2 이형필름을 제거한 후 본 발명의 반도체 패키지의 하면에 접착시킨 단면 형상을 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이며, 도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 실시예에 대한 상술에 앞서, 통상적으로 EMI 차폐층 형성 공정 시 사용되는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프는 접착 특성(Adhesion characteristic), 유지 특성(Retention characteristic), 분리 특성(Remove characteristic), 및 응력 특성(Stress characteristic)을 확보할 필요성이 있다.
먼저, 접착 특성(Adhesion characteristic)의 측면에서 살펴보면, 접착 테이프의 기저필름 및 접착층은 반도체 패키지의 하면과 돌출 전극이 접하는 영역에서 공극(Air gap)이 발생하지 않도록 돌출 전극의 사이즈(예컨대, 직경 또는 높이)에 관계없이 돌출 전극 및 돌출 전극을 포함하는 반도체 패키지의 하면 토폴로지(Topology)에 대응하여 접착 및 밀착이 가능하여야 한다. 아울러, 접착 테이프는 EMI 차폐층을 형성하기 위한 공정 환경, 예컨대, 고온 및 고진공 환경에서 돌출 전극을 밀어내지 않고 잘 붙어 있어야 한다. 즉, 접착 테이프는 EMI 차폐층 형성 공정 환경에서도 접착 능력 및 밀착 능력을 지속적으로 유지할 수 있어야 한다.
다음으로, 유지 특성(Retention characteristic) 측면에서 살펴보면, 접착 테이프는 EMI 차폐층 형성 공정 조건 하에서 자체 변성이나, 변형, 변색 및 아웃개싱(Outgassing) 없이 원형 형태를 유지함과 동시에 공정 간 가스 및 파티클이 접착 테이프와 반도체 패키지 접착면 사이로 침투하는 것을 방지할 수 있도록 접착 능력 및 밀폐 능력을 유지할 수 있어야 한다. 아울러, 접착 테이프는 EMI 차폐층 형성 공정 시 반도체 패키지의 하면과 돌출 전극이 접하는 영역에서 공극이 발생할 경우 공정 간(특히, 고진공 환경의 공정 시) 공극이 과도하게 팽창하는 것을 방지할 수 있어야 한다.
다음으로, 분리 특성(Remove characteristic) 측면에서 살펴보면, 접착 테이프는 EMI 차폐층 형성 공정을 완료한 후 상온 및 대기압 상태에서 반도체 패키지로부터 분리할 때, 적은 힘으로도 쉽게 분리됨과 동시에 반도체 패키지의 하면 및 돌출 전극의 표면에 접착 물질이 잔류하지 않아야 한다. 특히, 접착 테이프는 접착 테이프에서 반도체 패키지(또는 칩)을 자동으로 분리하는 자동화 설비를 통해 반도체 패키지(또는 칩)를 용이하게 분리할 수 있는 접착력을 구비하여야 하고, 자동화 설비에서 사용되는 진공척(Vacuum chuck) 또는 리프트핀(Lift pin)에 의하여 구멍이 생기거나 찢어지지 않아야 한다. 통상적으로, 접착 테이프에서 반도체 패키지(또는 반도체 칩)을 자동으로 분리하는 자동화 설비의 최대 인내 장력은 500 gf/25mm 내외이기 때문에 접착 테이프는 이보다 낮은 접착력을 갖는 것이 분리 특성 측면에서 바람직하다 할 것이다.
그리고, 응력 특성(Stress characteristic) 측면에서 살펴보면, 접착 테이프는 EMI 차폐층 형성 공정 시 접착 테이프 상에 복수의 반도체 패키지 즉, 복수의 반도체 칩이 안착 및 접착되기 때문에 인접한 반도체 칩 사이의 간격을 일정하게 유지한 상태에서 EMI 차폐층 형성 공정을 진행할 수 있도록 적정 수준의 인장 응력 및 압축 응력을 확보하여야 한다. 즉, 접착 테이프는 팽팽히 펴진 상태를 안정적으로 유지함과 동시에 돌출 전극을 포함하는 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하여 응력 균형(Stress balance)을 유지할 수 있어야 한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)는, 복수의 돌출 전극(11)이 형성된 반도체 패키지(10) 하면에 부착되는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)는, 전술한 바와 같이 EMI 차폐층 형성 공정 시 요구되는 접착 특성(Adhesion characteristic), 유지 특성(Retention characteristic), 분리 특성(Remove characteristic), 및 응력 특성(Stress characteristic)을 확보하기 위해 창출된 것이다.
먼저, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)는 제 1 기저필름(111), 제 1 접착층(112), 제 2 기저필름(121), 및 제 2 접착층(122)을 포함하여 구성된다.
이 경우, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)는 제 2 이형필름(123)을 더 포함할 수 있는데, 상기 제 2 이형필름(123)에 대해서는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프의 제조 방법에서 보다 상세하게 설명하기로 한다.
상기 제 1 기저필름(111)은, 플라스틱 재질 또는 금속 재질을 포함한다.
이 경우, 플라스틱 재질의 상기 제 1 기저필름(111)은, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate), 폴리이미드(polyimide) 또는 폴리올레핀(Polyolefin) 중 어느 하나의 단일층 또는 둘 이상이 적층된 다층 구조로 형성될 수 있다.
이때, 상기 제 1 기저필름(111)은, 10 ㎛ 내지 150 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 상기 제 1 기저필름(111)은, 그 두께가 10 ㎛ 미만인 경우에는 사용자가 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)를 핸들링하기 매우 어려울 수 있고, 그 두께가 150 ㎛초과인 경우에는 상기 돌출 전극(11)이 형성된 상기 반도체 패키지(10) 하면의 토폴로지에 대응하여 응력 균형을 유지하기 어려울 수 있다.
한편, 금속 재질의 상기 제 1 기저필름(111)은, 적어도 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함하여 4.8 kgf/mm
2 내지 14.4 kgf/mm
2 범위의 인장 강도, 6.4 % 내지 19.2 % 범위의 연신율, 및 20 ㎛ 내지 80 ㎛ 범위의 두께를 가지거나, 적어도 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함하여 8 kgf/mm
2 내지 31.2 kgf/mm
2 범위의 인장 강도, 3.2 % 내지 14.4 % 범위의 연신율, 및 20 ㎛ 내지 80 ㎛ 범위의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 제 1 기저필름(111)은, 99 wt% 이상의 알루미늄(Al) 또는 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함하면서, 전술한 인장 강도 범위 및 연신율 범위를 만족하기 위하여 1 wt% 이하의 첨가물을 포함할 수 있다. 첨가물은 실리콘(Si), 철(Fe), 망간(Mn), 마그네슘(Mg), 아연(Zn) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다.
한편, 상기 제 1 기저필름(111)이 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함하면서 4.8 kgf/mm
2 내지 14.4 kgf/mm
2 범위의 인장 강도를 만족해야 하는 이유는, 인장 강도가 4.8 kgf/mm
2 미만인 경우에는 상기 반도체 패키지(100)의 제조 공정 간 늘어남없이 팽팽하게 당겨진 상태를 안정적으로 유지하지 못하는 현상이 발생할 수 있고, 인장 강도가 14.4 kgf/mm
2 초과인 경우에는 상기 돌출 전극(11)이 형성된 상기 반도체 패키지(10) 하면의 토폴로지에 대응하여 응력 균형을 유지하지 못하기 때문이다.
또한, 상기 제 1 기저필름(111)이 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함하면서 6.4 % 내지 19.2 % 범위의 연신율을 만족해야 하는 이유는, 연신율이 6.4 % 미만인 경우에는 상기 반도체 패키지(10)의 하면 토폴로지에 대응하여 상기 제 1 기저필름(111)의 형태 변형이 어려울 수 있고, 연신율이 19.2 % 초과인 경우에는 공정 간 상기 제 1 기저필름(111)이 변형된 형태를 지속적으로 유지하기 어렵기 때문이다.
한편, 상기 제 1 기저필름(111)이 99 wt% 이상의 구리(Cu)을 포함하면서 8 kgf/mm
2 내지 31.2 kgf/mm
2 범위의 인장 강도를 만족해야 하는 이유는, 인장 강도가 8 kgf/mm
2 미만인 경우에는 상기 반도체 패키지(100)의 제조 공정 간 늘어남없이 팽팽하게 당겨진 상태를 안정적으로 유지하지 못하는 현상이 발생할 수 있고, 인장 강도가 31.2 kgf/mm
2 초과인 경우에는 상기 돌출 전극(11)이 형성된 상기 반도체 패키지(10) 하면의 토폴로지에 대응하여 응력 균형을 유지하지 못하기 때문이다.
또한, 상기 제 1 기저필름(111)이 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함하면서 3.2 % 내지 14.4 % 범위의 연신율을 만족해야 하는 이유는, 연신율이 3.2 % 미만인 경우에는 상기 반도체 패키지(10)의 하면 토폴로지에 대응하여 상기 제 1 기저필름(111)의 형태 변형이 어려울 수 있고, 연신율이 14.4 % 초과인 경우에는 공정 간 상기 제 1 기저필름(111)이 변형된 형태를 지속적으로 유지하기 어렵기 때문이다.
한편, 금속 재질의 상기 제 1 기저필름(111)은, 10 ㎛ 내지 150 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 상기 제 1 기저필름(111)은, 그 두께가 20 ㎛ 미만인 경우에는 사용자가 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)를 핸들링하기 매우 어려울 수 있고, 그 두께가 80 ㎛초과인 경우에는 상기 돌출 전극(11)이 형성된 상기 반도체 패키지(10) 하면의 토폴로지에 대응하여 응력 균형을 유지하기 어려울 수 있다.
상기 제 1 기저필름(111)은 위와 같은 재질과 구조로 형성됨으로써 EMI 차폐층 형성 공정 시 상기 돌출 전극(11)이 형성된 상기 반도체 패키지(10)의 하면 토폴로지에 대응하여 응력 균형을 효과적으로 유지하게 하고, 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프에 요구되는 응력 특성을 용이하게 확보하게 한다. 즉, 상기 제 1 기저필름(111)은 위와 같은 재질과 구조로 형성됨으로써 상기 반도체 패키지(100)의 제조 공정 간 늘어남없이 팽팽하게 당겨진 상태를 안정적으로 유지함과 동시에 상기 돌출 전극(11)이 형성된 상기 반도체 패키지(10) 하면의 토폴로지에 대응하여 응력 균형을 유지할 수 있으며, 고온 및 고진공 환경에서 변성 및 변형이 작게 발생하는 특성을 가진다. 아울러, 상기 제 1 기저필름(111)은 플라스틱 재질 또는 금속 재질을 포함함으로써 외부에 존재하는 기포(가스, 파티클)가 상기 제 1 접착층(112)에 전달되는 것을 방지한다.
상기 제 1 접착층(112)은, 상기 제 1 기저필름(111) 상부에 적층되고, 아크릴계 공중합체를 포함한다.
상기 제 1 접착층(112)은, 상기 제 2 접착층(122)보다 두꺼운 두께를 가지고, 상기 제 2 접착층(122)의 접착력보다 강한 접착력을 가지는 것이 바람직하다. 보다 상세하게는, 상기 제 1 접착층(112)은, 100 ㎛ 내지 700 ㎛ 범위의 두께 및 적어도 500 gf/25mm 이상의 접착력을 가질 수 있다. 즉, 상기 제 1 접착층(112)은 상기 돌출 전극(11)을 내부에 함침할 수 있도록 100 ㎛ 내지 700 ㎛ 범위의 두께 및 적어도 500 gf/25mm 이상의 접착력 예컨대, 500 gf/25mm 내지 2500 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다.
여기서, 상기 제 1 접착층(112)은, 그 두께가 100 ㎛ 미만인 경우에는 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)에 상기 돌출 전극(11)을 함침하여 공정 간 상기 돌출 전극(11)에 대한 쿠션감을 제공하는 능력이 저하될 수 있고, 그 두께가 700 ㎛를 초과할 경우에는 상기 반도체 패키지(10)의 하면과 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100) 사이의 접착 능력, 밀폐 능력 및 유지 특성이 저하될 수 있다.
그리고, 상기 제 1 접착층(112)은, 그 접착력이 500 gf/25mm 미만인 경우에는 상기 반도체 패지키(10)로부터 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)를 제거할 때 상기 제 1 접착층(112)에서 박리가 발생하는 불량이 발생할 수 있고, 그 접착력이 2500 gf/25mm초과인 경우에는 상기 제 1 접착층(112)의 접착력이 그 두께와 비례하는 특성을 가지기 때문에 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)에 요구되는 상기 제 1 접착층(112)의 두께를 구현하는데 어려움이 발생할 수 있다.
재질 측면에 있어서, 상기 제 1 접착층(112)은, 부틸 아크릴산(Butyl acrylate) - 부틸 메타크릴산(Butyl methacrylate) - 메타크릴산(Methacrylic acid) - 메틸 메타크릴산(Methyl methacrylate) - 스타이렌(Styrene) 공중합체 및 아크릴산(Acrylic acid) - 2-에틸헥실 아크릴산(2-Ethylhexyl acrylate) - 2-에틸헥실 메타크릴산(2-Ethylhexyl methacrylate) - 글리시딜 메타크릴산(Glycidyl methacrylate) 공중합체 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 이때, 2가지 종류의 아크릴계 공중합체에서 각 단량체의 결합 순서는 변경될 수 있으며, 결합 방식은 교대 공중합체(Alternating copolymer), 블록 공중합체(Block copolymer), 랜덤 공중합체(Random copolymer), 동일배열 공중합체(Isotactic copolymer), 교대배열 공중합체(Syndiotactic copolymer), 불규칙배열 공중합체(Atactic copolymer) 등을 가질 수 있으며 특정한 결합 방식에 한정되는 것은 아니다.
한편, 상기 제 1 접착층(112)은, 부틸 아크릴산(Butyl acrylate) - 부틸 메타크릴산(Butyl methacrylate) - 메타크릴산(Methacrylic acid) - 메틸 메타크릴산(Methyl methacrylate) - 스타이렌(Styrene) 공중합체 25-30 중량부, 아세트산 에틸 70-75 중량부의 제 1 접착조성물, 아크릴산(Acrylic acid) - 2-에틸헥실 아크릴산(2-Ethylhexyl acrylate) - 2-에틸헥실 메타크릴산(2-Ethylhexyl methacrylate) - 글리시딜 메타크릴산(Glycidyl methacrylate) 공중합체 25-30 중량부, 톨루엔 50-55 중량부, 아세트산 에틸 15-20 중량부의 제 2 접착조성물 중 적어도 어느 하나 이상과 에폭시계 경화제를 혼합하여 상기 제 1 기저필름(111)에 도포한 후 건조 및 경화하여 형성되는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 제 1 접착층(112)은, 상기 제 1 접착조성물의 접착 주제인 부틸 아크릴산(Butyl acrylate) - 부틸 메타크릴산(Butyl methacrylate) - 메타크릴산(Methacrylic acid) - 메틸 메타크릴산(Methyl methacrylate) - 스타이렌(Styrene) 공중합체가 25 중량부 미만이면 접착력과 내열성이 떨어짐과 동시에 너무 부드러워져 쿠션 역할 수행이 미흡하게 됨에 따라 상기 제 2 기저필름(121)이 찢어지는 문제점을 발생시키고, 30 중량부 초과이면 너무 딱딱해져 쿠션 역할의 수행이 미흡하게 됨에 따라 상기 반도체 패키지(10)의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되기 어렵고 변형된 후에도 팽창으로 인해 변형된 형태의 독자적인 유지가 어려운 문제점을 발생시킨다.
또한, 상기 제 1 접착층(112)은, 상기 제 1 접착조성물의 용매인 아세트산 에틸이 70 중량부 미만이면 상기 제 1 접착조성물의 점도가 너무 높아져 상기 제 2 접착조성물 및 상기 에폭시계 경화제와의 혼합이 어려워 질 뿐만 아니라 도포하는 과정에서 상기 제 1 접착층(112)의 표면이 거칠어짐과 동시에 건조 및 경화하는 과정에서 탈기 현상이 많이 발생하여 상기 제 1 접착층(112)의 특성이 저하되는 문제점을 발생시키고, 75 중량부 초과이면 상기 제 1 접착조성물의 점도가 너무 낮아지기 때문에 도포하는 과정에서 상기 제 1 접착층(112)을 충분한 두께를 형성하기 어려워 상기 제 1 접착층(112)의 쿠션 특성이 저하되는 문제점을 발생시킨다.
또한, 상기 제 1 접착층(112)은, 상기 제 2 접착조성물의 접착 주제인 아크릴산(Acrylic acid) - 2-에틸헥실 아크릴산(2-Ethylhexyl acrylate) - 2-에틸헥실 메타크릴산(2-Ethylhexyl methacrylate) - 글리시딜 메타크릴산(Glycidyl methacrylate) 공중합체가 25 중량부 미만이면 접착력과 내열성이 떨어짐과 동시에 너무 부드러워져 쿠션 역할 수행이 미흡하게 됨에 따라 상기 제 2 기저필름(121)이 찢어지는 문제점을 발생시키고, 30 중량부 초과이면 너무 딱딱해져 쿠션 역할의 수행이 미흡하게 됨에 따라 상기 반도체 패키지(10)의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되기 어렵고 변형된 후에도 팽창으로 인해 변형된 형태의 독자적인 유지가 어려운 문제점을 발생시킨다.
또한, 상기 제 1 접착층(112)은, 상기 제 2 접착조성물의 용매인 톨루엔과 아세트산 에틸의 합이 65 중량부 미만이면 상기 제 2 접착조성물의 점도가 너무 높아져 상기 제 1 접착조성물 및 상기 에폭시계 경화제와의 혼합이 어려워 질 뿐만 아니라 도포하는 과정에서 상기 제 1 접착층(112)의 표면이 거칠어짐과 동시에 건조 및 경화하는 과정에서 탈기 현상이 많이 발생하여 상기 제 1 접착층(112)의 특성이 저하되는 문제점을 발생시키고, 75 중량부 초과이면 상기 제 2 접착조성물의 점도가 너무 낮아지기 때문에 도포하는 과정에서 상기 제 1 접착층(112)을 충분한 두께를 형성하기 어려워 상기 제 1 접착층(112)의 쿠션 특성이 저하되는 문제점을 발생시킨다.
한편, 상기 제 1 접착층(112)은, 상기 제 1 접착층(112)은, 상기 제 1 접착조성물 80-120 중량부 및 상기 에폭시계 경화제 0.5-1.5 중량부를 혼합하여 상기 제 1 기저필름(111)에 도포한 후 건조 및 경화하여 형성되는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 제 1 접착층(112)은, 상기 제 1 접착조성물이 80 중량부 미만이면 접착력과 내열성이 떨어짐과 동시에 너무 딱딱해져 쿠션 역할의 수행이 미흡하게 됨에 따라 상기 반도체 패키지(10)의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되기 어려운 문제점을 발생시키고, 120 중량부 초과이면 너무 부드러워져 쿠션 역할 수행이 미흡하게 됨에 따라 상기 제 2 기저필름(121)이 찢어지는 문제점을 발생시킨다.
또한, 상기 제 1 접착층(112)은, 상기 에폭시계 경화제가 0.5 중량부 미만이면 충분한 경화가 이루어지지 않아 너무 부드러워져 쿠션 역할 수행이 미흡하게 됨에 따라 상기 제 2 기저필름(121)이 찢어지는 문제점을 발생시키고, 1.5 중량부 초과이면 너무 딱딱해져 쿠션 역할의 수행이 미흡하게 됨에 따라 상기 반도체 패키지(10)의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되기 어려운 문제점을 발생시킨다.
한편, 상기 제 1 접착층(112)은, 상기 제 1 접착조성물 40-60 중량부, 상기 제 2 접착조성물 40-60 중량부, 및 상기 에폭시계 경화제 0.5-1.5 중량부를 혼합하여 상기 제 1 기저필름(111)에 도포한 후 건조 및 경화하여 형성되는 것이 보다 바람직하다.
이 경우, 상기 제 1 접착층(112)은, 상기 제 1 접착조성물이 40 중량부 미만이면 접착력과 내열성이 떨어짐과 동시에 너무 딱딱해져 쿠션 역할의 수행이 미흡하게 됨에 따라 상기 반도체 패키지(10)의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되기 어려운 문제점을 발생시키고, 60 중량부 초과이면 너무 부드러워져 쿠션 역할 수행이 미흡하게 됨에 따라 상기 제 2 기저필름(121)이 찢어지는 문제점을 발생시킨다.
또한, 상기 제 1 접착층(112)은, 상기 에폭시계 경화제가 0.5 중량부 미만이면 충분한 경화가 이루어지지 않아 너무 부드러워져 쿠션 역할 수행이 미흡하게 됨에 따라 상기 제 2 기저필름(121)이 찢어지는 문제점을 발생시키고, 1.5 중량부 초과이면 너무 딱딱해져 쿠션 역할의 수행이 미흡하게 됨에 따라 상기 반도체 패키지(10)의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되기 어려운 문제점을 발생시킨다.
상기 제 1 접착층(112)은, 유지 특성과 관련하여 재질 특성으로 인하여 고온에서 우수한 내열성을 가져 탈기 현상을 감소시키며, 금속 재질의 상기 제 2 기저필름(121)의 형태 변형을 적절하게 뒷받침하여 상기 제 2 기저필름(121)이 찢어지는 것을 방지함과 동시에 상기 제 2 기저필름(121)에 찢어짐이 발생하더라도 이를 잘 감싸안아 상기 돌출 전극(11)을 효과적으로 보호하게 한다.
또한, 상기 제 1 접착층(112)은, 분리 특성과 관련하여 상기 제 2 접착층(122)보다 강한 접착력을 가지므로 EMI 차폐층 형성 공정 완료 후 상기 반도체 패키지(10)로부터 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)를 분리할 때 상기 제 2 접착층(122)에서 분리가 일어나게 한다.
한편, 상기 제 1 접착층(112)은, 100 ㎛ 내지 700 ㎛ 범위의 두께를 갖되, 상기 돌출 전극(11)의 사이즈가 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 두께가 감소하고, 상기 돌출 전극(11) 사이의 간격이 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 두께가 증가하는 것이 바람직하다.
상기 돌출 전극(11)의 사이즈가 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 상기 제 1 접착층(112)의 두께가 감소하는 이유는 동일 환경에서 상기 제 2 접착층(122)의 두께가 증가하므로 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)의 전체 두께를 일정하게 유지하면서 상기 반도체 패키지(10) 제조 공정에서 요구되는 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)의 접착 특성, 분리 특성, 유지 특성 및 응력 특성을 일정하게 유지하기 위함이다.
또한, 상기 돌출 전극(11) 사이의 간격이 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 상기 제 1 접착층(112)의 두께가 증가하는 이유는 동일 환경에서 상기 제 2 접착층(122)의 두께가 감소하므로 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)의 전체 두께를 일정하게 유지하면서 상기 반도체 패키지(10) 제조 공정에서 요구되는 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)의 접착 특성, 분리 특성, 유지 특성 및 응력 특성을 일정하게 유지하기 위함이다. 특히, 상기 돌출 전극(11) 사이의 간격이 증가하는 경우, 상기 제 2 접착층(122)과 접착하는 상기 반도체 패키지(10)의 하면의 면적이 증가하여 EMI 차폐층을 형성 공정 후 따라 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)가 쉽게 제거되지 않거나 상기 반도체 패키지(10)의 하면에 접착 물질이 잔류하는 문제가 발생할 가능성이 크므로 상기 제 2 접착층(122)를 두께를 감소시켜 상기 반도체 패키지(10)의 하면과의 접착력을 낮추게 된다.
상기 제 2 기저필름(121)은, 상기 제 1 접착층(112) 상부에 적층되고, 상기 반도체 패키지(10)의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형된 후 공정 간 변형된 형태가 유지되도록 금속 재질을 포함한다.
상기 제 2 기저필름(121)은, 일 실시예로서, 1 ㎛ 내지 10 ㎛ 범위의 두께를 가지는 것이 바람직하다. 이는, 상기 제 2 기저필름(210)의 두께가 1 ㎛ 미만인 경우에는 사용자가 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)를 핸들링하기 매우 어려울 뿐만 아니라 변형된 형태의 유지가 어렵고, 상기 제 2 기저필름(121)의 두께가 10 ㎛ 초과인 경우에는 상기 돌출 전극(11)이 형성된 반도체 패키지(10) 하면의 토폴로지에 대응하여 형태 변형이 어렵고 응력 균형을 유지하기 어려울 수 있기 때문이다. 이러한 범위의 두께는 후술하는 다른 실시예와 달리 상기 돌출 전극(11)의 크기가 큰 경우에 유리하다.
예를 들어, 상기 제 2 기저필름(121)은, 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)를 이형필름에 금속 증착 방식으로 증착시켜 금속 증착의 전사필름 형태로 제조된 후 상기 제 1 접착층(112)에 합지될 수 있다. 이에 대하여는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)의 제조 방법(S100)에 대한 설명 부분에서 보다 상세하게 설명한다.
한편, 상기 제 2 기저필름(121)은, 다른 실시예로서, 적어도 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함하여 4.8 kgf/mm
2 내지 14.4 kgf/mm
2 범위의 인장 강도(Tensile strength), 6.4 % 내지 19.2 % 범위의 연신율(Elongation), 및 10 ㎛ 내지 35 ㎛ 범위의 두께를 가지거나, 적어도 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함하여 8kgf/mm
2 내지 31.2 kgf/mm
2 범위의 인장 강도, 3.2 % 내지 14.4 % 범위의 연신율, 및 10 ㎛ 내지 35 ㎛ 범위의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
보다 상세하게는, 상기 제 2 기저필름(121)은, 상기 반도체 패키지(10)의 제조 공정 시 상기 돌출 전극(11)이 형성된 반도체 패키지(10) 하면의 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형되 후 변형된 형태를 독자적으로 유지할 수 있고, 고온 및 고진공 환경에서 변성 및 변형이 발생하지 않도록 99 wt% 이상의 알루미늄(Al) 또는 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 제 2 기저필름(121)은, 99 wt% 이상의 알루미늄(Al) 또는 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함하면서, 전술한 인장 강도 범위 및 연신율 범위를 만족하기 위하여 1 wt% 이하의 첨가물을 포함할 수 있다. 첨가물은 실리콘(Si), 철(Fe), 망간(Mn), 마그네슘(Mg), 아연(Zn) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다.
한편, 상기 제 2 기저필름(121)이 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함하면서 4.8 kgf/mm
2 내지 14.4 kgf/mm
2 범위의 인장 강도를 만족해야 하는 이유는, 인장 강도가 4.8 kgf/mm
2 미만인 경우에는 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)의 제조 공정 및 EMI 차폐층 형성 공정 시 가해지는 외력에 의해 상기 제 2 기저필름(121)이 끊어지거나 찢어지는 현상이 발생할 수 있고, 인장 강도가 14.4 kgf/mm
2 초과인 경우에는 상기 반도체 패키지(10)의 하면 토폴로지에 대응하여 상기 제 2 기저필름(121)의 형태 변형이 어렵기 때문이다.
또한, 상기 제 2 기저필름(121)이 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함하면서 6.4 % 내지 19.2 % 범위의 연신율을 만족해야 하는 이유는, 연신율이 6.4 % 미만인 경우에는 상기 반도체 패키지(10)의 하면 토폴로지에 대응하여 상기 제 2 기저필름(121)의 형태 변형이 어려울 수 있고, 연신율이 19.2 % 초과인 경우에는 공정 간 상기 제 2 기저필름(121)이 변형된 형태를 지속적으로 유지하기 어렵기 때문이다.
한편, 상기 제 2 기저필름(121)이 99 wt% 이상의 구리(Cu)을 포함하면서 8 kgf/mm
2 내지 31.2 kgf/mm
2 범위의 인장 강도를 만족해야 하는 이유는, 인장 강도가 8 kgf/mm
2 미만인 경우에는 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)의 제조 공정 및 EMI 차폐층 형성 공정 시 가해지는 외력에 의해 상기 제 2 기저필름(121)이 끊어지거나 찢어지는 현상이 발생할 수 있고, 인장 강도가 31.2 kgf/mm
2 초과인 경우에는 상기 반도체 패키지(10)의 하면 토폴로지에 대응하여 상기 제 2 기저필름(121)의 형태 변형이 어렵기 때문이다.
또한, 상기 제 2 기저필름(121)이 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함하면서 3.2 % 내지 14.4 % 범위의 연신율을 만족해야 하는 이유는, 연신율이 3.2 % 미만인 경우에는 상기 반도체 패키지(10)의 하면 토폴로지에 대응하여 상기 제 2 기저필름(121)의 형태 변형이 어려울 수 있고, 연신율이 14.4 % 초과인 경우에는 공정 간 상기 제 2 기저필름(121)이 변형된 형태를 지속적으로 유지하기 어렵기 때문이다.
한편, 상기 제 2 기저필름(121)은, 10 ㎛ 내지 35 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 이는, 상기 제 2 기저필름(210)의 두께가 10 ㎛ 미만인 경우에는 사용자가 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)를 핸들링하기 매우 어렵고, 상기 제 2 기저필름(121)의 두께가 35 ㎛ 초과인 경우에는 상기 돌출 전극(11)이 형성된 반도체 패키지(10) 하면의 토폴로지에 대응하여 형태 변형이 어렵고 응력 균형을 유지하기 어려울 수 있기 때문이다. 이러한 범위의 두께는 전술한 일 실시예와 달리 상기 돌출 전극(11)의 크기가 작은 경우에 유리하다.
상기 제 2 기저필름(121)은 금속 재질을 포함함으로써 상기 제 1 접착층(112)에서 발생할 수 있는 기포(가스, 파티클)가 상기 제 2 접착층(122)에 전달되는 것을 방지시키고, 충분한 유지 특성으로 인하여 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)를 상기 반도체 패키지(10) 하면에 부착 시 상기 반도체 패키지(10) 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형된 후 공정 간 변형된 형태를 유지할 수 있게 한다. 즉, 상기 제 2 기저필름(121)은 금속 재질을 포함함으로써 상기 제 1 접착층(112)에서 발생하는 가스 등이 상기 제 2 접착층(122)에 전달되는 것을 차단하고, 상기 제 2 접착층(122)이 평탄하게 유지되도록 지지하여 고온 및 고진공 환경에서 상기 돌출 전극(11)을 구비한 상기 반도체 패키지(10)의 하면과 접착 능력 및 밀착 능력을 지속적으로 유지하게 한다.
상기 제 2 접착층(122)은, 상기 제 2 기저필름(121) 상부에 적층되고, 나선형 망상 구조를 가지는 실리콘을 포함한다.
상기 제 2 접착층(122)은, 상기 제 1 접착층(112)보다 작은 두께를 가지고, 상기 제 1접착층(122)의 접착력보다 약한 접착력을 가지는 것이 바람직하다. 보다 상세하게는, 상기 제 2 접착층(122)은, 상기 돌출 전극(11)이 형성된 상기 반도체 패키지(10)의 하면 토폴로지를 따라 빈틈없이 접착이 가능하도록, 10 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위의 두께 및 50 gf/25mm 내지 500 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다.
여기서, 상기 제 2 접착층(122)은, 그 두께가 10 ㎛ 미만인 경우에는 필요로 하는 접착력을 확보할 수 없어 공정 중에 상기 반도체 패키지(10)의 하면과의 접착 능력, 밀폐 능력 및 유지 특성이 저하되어 박리 현상이 발생할 수 있고, 50 ㎛ 초과인 경우에는 상기 반도체 패키지(10)의 하면에 부착 시 눌림 압력에 의해 측면으로 상기 제 2 접착층(122)이 밀려나와 불량이 발생하거나 공정 완료 후 상기 반도체 패키지(10)로부터 제거하기 어려운 문제가 발생할 수 있다.
그리고, 상기 제 2 접착층(122)은, 그 접착력이 50 gf/25mm 미만인 경우에는 EMI 차폐층 형성 공정의 고온 및 고진공 공정 환경에서 상기 제 2 접착층(122)이 상기 반도체 패키지(10)의 하면 및 상기 돌출 전극(11)으로부터 밀려나와 박리되는 현상이 발생하거나 공정 간 가스 및 파티클이 상기 제 2 접착층(122)과 상기 반도체 패키지(10) 접착면 사이로 침투되는 현상이 발생할 수 있고, 그 접착력이 500 gf/25mm 초과인 경우에는 EMI 차폐층 형성 공정 후 상온 및 대기압 상태에서 상기 반도체 패키지(10)로부터 제거하기 어렵거나 상기 반도체 패키지(10)의 하면 및 상기 돌출 전극(11)의 표면에 접착 물질이 잔류하는 문제가 발생할 수 있다.
재질 측면에 있어서, 상기 제 2 접착층(122)은, 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) - 디메틸실록산(Dimethyl siloxane) 공중합체를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제 2 접착층(122)은, 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) - 디메틸실록산(Dimethyl siloxane) 공중합체를 포함함으로써, EMI 차폐층 형성 공정 시 발생되는 열에 의한 물성 변형을 저감시키고, 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프에 요구되는 접착 특성, 유지 특성, 분리 특성 및 응력 특성을 용이하게 확보하게 한다.
나아가, 상기 제 2 접착층(122)은, 실록산 결합을 기본 골격으로 하여 나선형 망상 구조(Spiral network structure)를 분자 구조로 가지므로, 상기 반도체 패키지(10)의 하면 및 상기 돌출 전극(11)과 상기 제 2 접착층(122)의 사이에 공극(Air gap)이 발생하더라도, 고온 및 고진공 환경에도 불구하고 공극이 과도하게 팽창하는 것을 방지하게 한다.
한편, 상기 제 2 접착층(122)은, 10 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위의 두께를 갖되, 상기 돌출 전극(11)의 사이즈가 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 두께가 증가하고, 상기 돌출 전극(11) 사이의 간격이 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 두께가 감소하는 것이 바람직하다.
상기 돌출 전극(11)의 사이즈가 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 상기 제 2 접착층(122)의 두께가 증가하는 이유는 상기 돌출 전극(11)의 사이즈가 증가할수록 상기 제 2 접착층(122)이 상기 돌출 전극(11)으로부터 밀려나와 박리되는 현상이 발생할 가능성이 크므로 상기 제 2 접착층(122)의 접착력을 높이기 위함이다.
또한, 상기 돌출 전극(11) 사이의 간격이 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 상기 제 2 접착층(122)의 감소가 증가하는 이유는 상기 돌출 전극(11) 사이의 간격이 증가할수록 상기 제 2 접착층(122)과 접착하는 반도체 패키지(10)의 하면의 면적이 증가함에 따라 EMI 차폐층 형성 공정 후 상기 제 2 접착층(122)이 쉽게 제거되지 않거나 상기 반도체 패키지(10)의 하면에 접착 물질이 잔류하는 문제가 발생할 수 있으므로 상기 제 2 접착층(122)의 접착력을 낮추기 위함이다.
상기 제 2 접착층(122)은, 접착 특성과 관련하여, 나선형 망상 구조를 가지는 실리콘을 포함함으로써 상기 반도체 패키지(10)의 하면과 상기 돌출 전극(11)이 접하는 영역에서 충분한 접착 특성을 부여하고, 분리 특성과 관련하여, 상기 제 1 접착층(112)보다 약한 접착력을 가짐으로써 EMI 차폐층 형성 공정 후 상기 반도체 패키지(10)로부터 상기 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)를 제거할 때 상기 제 1 접착층(112)이 아닌 상기 제 2 접착층(122)에서 분리가 일어나게 한다.
이상에서와 같이, 본 발명에 의한 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)는, 접착 특성, 유지 특성, 분리 특성 및 응력 특성이 우수하여 복수의 상기 돌출 전극(11)을 구비한 상기 반도체 패키지(10)의 EMI 차폐층 형성 공정 시 상기 반도체 패키지의 하면(10) 및 상기 반도체 패키지(10) 하면에 복수의 상기 돌출 전극(11)을 효과적으로 보호하게 한다.
이하, 도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)의 제조 방법(S100)을 설명한다.
제 1 실시예와 제 2 실시예로 나누어 설명하기로 하며, 앞서, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)에서 상술한 구성에 대해서는 중복되는 설명을 일부 생략한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)의 제조 방법(S100)은 테이프 준비 단계(S110) 및 테이프 합지 단계(S120)를 포함하여 구성된다.
제 1 실시예
본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)의 제조 방법(S100)은 제 1 테이프 준비 단계(S111) 및 제 1 테이프 합지 단계(S121)를 포함하여 구성된다.
상기 제 1 테이프 준비 단계(S111)는, 플라스틱 재질 또는 금속 재질을 포함하는 상기 제 1 기저필름(111), 아크릴계 공중합체를 포함하는 상기 제 1 접착층(112) 및 불소를 포함하는 제 1 이형필름(113)이 순차적으로 적층된 제 1 테이프(110), 및 금속 재질을 포함하는 상기 제 2 기저필름(121), 나선형 망상 구조를 가지는 실리콘을 포함하는 제 2 접착층(122) 및 불소를 포함하는 제 2 이형필름(123)이 순차적으로 적층된 제 2 테이프(120)를 제조하는 단계이다.
먼저, 상기 제 1 테이프(110)를 제조하는 방법은, 제조자가 플라스틱 재질 또는 금속 재질을 포함하는 상기 제 1 기저필름(111)을 준비하는 과정으로 시작된다. 전술한 바와 같이, 상기 제 1 기저필름(111)은 적어도 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함하여 4.8 kgf/mm
2 내지 14.4 kgf/mm
2 범위의 인장 강도, 6.4 % 내지 19.2 % 범위의 연신율, 및 20 ㎛ 내지 80 ㎛ 범위의 두께를 가지거나, 적어도 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함하여 8 kgf/mm
2 내지 31.2 kgf/mm
2 범위의 인장 강도, 3.2 % 내지 14.4 % 범위의 연신율, 및 20 ㎛ 내지 80 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다. 또는 상기 제 1 기저필름(111)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate), 폴리이미드(polyimide) 또는 폴리올레핀(Polyolefin) 중 어느 하나의 단일층 또는 둘 이상이 적층된 다층 구조로 형성되고, 10 ㎛ 내지 150 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다.
이어, 제조자는 부틸 아크릴산(Butyl acrylate) - 부틸 메타크릴산(Butyl methacrylate) - 메타크릴산(Methacrylic acid) - 메틸 메타크릴산(Methyl methacrylate) - 스타이렌(Styrene) 공중합체 25-30 중량부, 아세트산 에틸 70-75 중량부의 상기 제 1 접착조성물(80-120 중량부) 및 상기 에폭시계 경화제(0.5-1.5 중량부)를 혼합 용기에 주입하고 교반 작업을 통해 혼합하거나, 부틸 아크릴산(Butyl acrylate) - 부틸 메타크릴산(Butyl methacrylate) - 메타크릴산(Methacrylic acid) - 메틸 메타크릴산(Methyl methacrylate) - 스타이렌(Styrene) 공중합체 25-30 중량부, 아세트산 에틸 70-75 중량부의 상기 제 1 접착조성물(40-60 중량부), 아크릴산(Acrylic acid) - 2-에틸헥실 아크릴산(2-Ethylhexyl acrylate) - 2-에틸헥실 메타크릴산(2-Ethylhexyl methacrylate) - 글리시딜 메타크릴산(Glycidyl methacrylate) 공중합체 25-30 중량부, 톨루엔 50-55 중량부, 아세트산 에틸 15-20 중량부의 상기 2 접착조성물(40-60중량부), 및 상기 에폭시계 경화제를 혼합 용기에 주입하고 교반 작업을 통해 혼합할 수 있따. 이때, 교반 작업을 통한 혼합 공정은 상온과 상습 조건에서 시행될 수 있다.
이때, 제조자는 상기 제 1 접착조성물 및 상기 에폭시계 경화제가 교반, 혼합된 아크릴계 조성물 또는 상기 제 1 접착조성물, 상기 제 2 접착조성물 및 에폭시계 경화제가 교반, 혼합된 아크릴계 조성물을 안정화시킨다. 아크릴계 조성물의 안정화는 아크릴계 조성물 내 기포를 제거함과 동시에 아크릴계 조성물의 화학적 안정성 및 고른 가교 반응을 유도하기 위한 것이다. 아크릴계 조성물의 안정화의 일 방편으로 아크릴계 조성물 내 기포를 제거하기 위해 초음파 처리 또는 진공 흡입을 진행할 수 있고, 기포 제거 후 아크릴계 조성물의 안정화를 위해 4시간 내지 12시간 동안 제조된 아크릴계 조성물을 열적 평형 상태에서 휴지시킬 수 있다. 아크릴계 조성물의 안정화는 화학적 안정성을 확보하고 급격한 가교 반응을 방지하기 위해 열적 평형 상태에서 진행하는 것이 바람직하다.
이어, 제조자는 콤마 코터(Comma coater), 슬롯다이 코터(Slot-die coater), 그라비아 코터(Gravure coater) 등을 이용하여 상기 제 1 기저필름(111) 상에 안정화된 아크릴계 조성물을 도포한 후 건조 및 경화하는 방식으로 상기 제 1 접착층(112)을 형성한다.
이때, 제조자는 콤마 코터(Comma coater), 슬롯다이 코터(Slot-die coater), 그라비아 코터(Gravure coater) 등을 이용하여 상기 제 1 접착층(112)의 최종 두께 보다 더 두껍게 아크릴계 조성물을 상기 제 1 기저필름(111) 상에 도포할 수 있다. 구체적으로, 콤마 코터, 슬롯다이 코터, 그라비아 코터 등은 상기 제 1 접착층(112)의 목표 두께 대비 2.5배 내지 3.5배 더 두껍게 아크릴계 조성물을 도포하도록 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 접착층(112)의 목표 두께가 100 ㎛ 내지 700 ㎛ 범위인 경우 콤마 코터는 250 ㎛ 내지 2450 ㎛ 범위의 도포 두께로 아크릴계 조성물을 도포하도록 제어될 수 있다. 상기 1 기저필름(111) 상에 안정화된 아크릴계 조성물을 도포하는 방법은 스핀코팅법 또는 스프레이법 등으로도 수행될 수 있다.
이어, 제조자는 건조 열처리 및 숙성 경화 과정을 통해 상기 제 1 접착층(112)을 최종 형성할 수 있으며, 이 과정 중 상기 제 1 접착층(112)의 두께가 점차 감소하여 목표 두께에 도달하게 된다.
보다 구체적으로, 제조자는 상기 제 1 접착층(112)에 대한 건조 열처리를 진행한다. 건조 열처리는 아크릴계 조성물 내 용매를 제거함과 동시에 가교 반응을 활성화시키기 위한 것으로, 적외선 램프 또는 적외선/열풍 병용 건조 등을 이용하여 진행할 수 있으며, 90℃ 내지 120℃ 범위의 온도에서 15분 내지 30분간 진행할 수 있다.
경우에 따라서는 건조 열처리는 1차, 2차, 3차 건조 열처리로 분리하여 수행될 수 있다.
이때, 1차 건조 열처리는 아크릴계 조성물 내 용매를 제거함과 동시에 가교 반응을 활성화시키기 위한 것으로, 적외선 램프 또는 적외선/열풍 병용 건조 등을 이용하여 진행할 수 있으며, 60℃ 내지 80℃ 범위의 온도에서 3분 내지 6분 동안 진행될 수 있다.
이어, 2차 건조 열처리는 1차 건조 열처리와 마찬가지로 아크릴계 조성물 내 용매를 제거함과 동시에 가교 반응을 활성화시키기 위한 것으로, 적외선 램프 또는 적외선/열풍 병용 건조 등을 이용하여 진행할 수 있으며, 1차 건조 열처리보다 높은 온도에서 1차 건조 열처리와 동일한 시간동안 진행될 수 있다. 예를 들어, 2차 건조 열처리는 90℃ 내지 120℃ 범위의 온도에서 3분 내지 6분 동안 진행될 수 있다.
이어, 3차 건조 열처리는 1차 및 2차 건조 열처리와 마찬가지로 아크릴계 조성물 내 용매를 제거함과 동시에 가교 반응을 활성화시키기 위한 것으로, 적외선 램프 또는 적외선/열풍 병용 건조 등을 이용하여 진행할 수 있으며, 2차 건조 열처리보다 높은 온도에서 2차 건조 열처리보다 긴 시간동안 진행될 수 있다. 예를 들어, 3차 건조 열처리를 190℃ 내지 210℃ 범위의 온도에서 9분 내지 18분 동안 진행할 수 있다.
여기서, 1차 내지 3차 건조 열처리 과정에서 단계적으로 온도를 상승시키면서 상기 제 1 접착층(112)을 건조시키는 것은 상기 제 1 접착층(112)이 표면부터 건조 및 경화되는 것을 방지하기 위한 것으로, 이를 통해 상기 제 1 접착층(112) 내 기포를 용이하게 제거할 수 있다. 아울러, 3차 건조 열처리를 진행한 후, 상온까지 서서히 온도를 감소시켜 줌으로써 보다 안정적인 상태 및 고른 두께를 갖는 상기 제 1 접착층(112)을 구현할 수 있다.
이어, 제조자는 20℃ 내지 60℃에서 12시간 내지 48시간동안 상기 제 1 접착층(112)을 숙성시켜 안정화 및 경화시킨다. 즉, 건조 열처리 과정에서 뜨거워진 상기 제 1 기저필름(111) 및 상기 제 1 접착층(112)을 20℃ 내지 60℃까지 천천히 식혀주는 휴지기를 통해 상기 제 1 접착층(112) 내 가교 반응을 안정적으로 마무리함과 동시에 상기 제 1 접착층(112)에 요구되는 물성을 확보하게 한다.
이어, 제조자는 상기 제 1 접착층(112) 상에 불소가 함유된 상기 제 1 이형필름(113)을 부착한다. 상기 제 1 이형필름(113)은 아크릴계 공중합체를 포함하는 상기 제 1 접착층(112)를 보호함과 동시에 상기 제 1 접착층(112)과의 분리가 용이하도록 불소가 함유된 것일 수 있으며, 3 gf/25mm 내지 8 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다. 이때, 상기 제 1 이형필름(113)은, 그 접착력이 3 gf/25mm 미만인 경우에는 자연적으로 상기 제 1 접착층(112)에서 벗겨질 수 있고, 그 접착력이 8 gf/25mm 초과인 경우에는 상기 제 1 이형필름(113)을 제거하는 과정에서 상기 제 1 접착층(112)이 손상될 수 문제점이 있다.
제조자는 상술한 공정 과정을 통해 상기 제 1 테이프(110)를 제조할 수 있다.
한편, 상기 제 2 테이프(120)를 제조하는 방법은, 제조자가 적어도 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함하여 6 kgf/mm
2 내지 12 kgf/mm
2 범위의 인장 강도(Tensile strength), 8 % 내지 16 % 범위의 연신율(Elongation), 및 10 ㎛ 내지 35 ㎛ 범위의 두께를 가지거나, 적어도 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함하여 10 kgf/mm
2 내지 26 kgf/mm
2 범위의 인장 강도, 4 % 내지 12 % 범위의 연신율, 및 10 ㎛ 내지 35 ㎛ 범위의 두께를 가지는 상기 제 2 기저필름(121)을 준비하는 과정으로 시작된다.
이어, 제조자는 트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) - 디메틸실록산(Dimethyl siloxane) 공중합체, 에틸벤젠(Ethylbenzene) 용매, 및 에폭시계 경화제를 혼합 용기에 주입하고 교반 작업을 통해 혼합한다. 이때, 교반 작업을 통한 혼합 공정은 상온과 상습 조건에서 시행될 수 있다.
이때, 제조자는 교반, 혼합된 실리콘계 조성물을 안정화시킨다. 실리콘계 조성물의 안정화는 실리콘계 조성물 내 기포를 제거함과 동시에 실리콘계 조성물의 화학적 안정성 및 고른 가교 반응을 유도하기 위한 것이다. 실리콘계 조성물의 안정화의 일 방편으로 실리콘계 조성물 내 기포를 제거하기 위해 초음파 처리 또는 진공 흡입을 진행할 수 있고, 기포 제거 후 실리콘계 조성물의 안정화를 위해 4시간 내지 12시간 동안 제조된 실리콘계 조성물을 열적 평형 상태에서 휴지시킬 수 있다. 실리콘계 조성물의 안정화는 화학적 안정성을 확보하고 급격한 가교 반응을 방지하기 위해 열적 평형 상태에서 진행하는 것이 바람직하다.
이어, 제조자는 콤마 코터(Comma coater), 슬롯다이 코터(Slot-die coater), 그라비아 코터(Gravure coater) 등을 이용하여 상기 제 2 기저필름(121) 상에 안정화된 실리콘계 조성물을 도포한 후 건조 및 경화하는 방식으로 상기 제 2 접착층(122)을 형성한다.
이때, 제조자는 콤마 코터(Comma coater), 슬롯다이 코터(Slot-die coater), 그라비아 코터(Gravure coater) 등을 이용하여 제 2 접착층(122)의 최종 두께 보다 더 두껍게 실리콘계 조성물을 상기 제 2 기저필름(121) 상에 도포할 수 있다. 구체적으로, 콤마 코터(Comma coater), 슬롯다이 코터(Slot-die coater), 그라비아 코터(Gravure coater) 등은 상기 제 2 접착층(122)의 목표 두께 대비 2.5배 내지 3.5배 더 두껍게 실리콘계 조성물을 도포하도록 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 접착층(122)의 목표 두께가 10 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위인 경우 콤마 코터는 25 ㎛ 내지 175 ㎛ 범위의 도포 두께로 실리콘계 조성물을 도포하도록 제어될 수 있다. 상기 제 2 기저필름(121) 상에 안정화된 실리콘계 조성물을 도포하는 방법은 스핀코팅법 또는 스프레이법 등으로도 수행될 수 있다.
이어, 제조자는 건조 열처리 및 숙성 경화 과정을 통해 상기 제 2 접착층(122)을 최종 형성할 수 있으며, 이 과정 중 상기 제 2 접착층(122)의 두께가 점차 감소하여 목표 두께에 도달하게 된다.
보다 구체적으로, 제조자는 상기 제 2 접착층(122)에 대한 건조 열처리를 진행한다. 건조 열처리는 실리콘계 조성물 내 용매를 제거함과 동시에 가교 반응을 활성화시키기 위한 것으로, 적외선 램프 또는 적외선/열풍 병용 건조 등을 이용하여 진행할 수 있으며, 160℃ 내지 180℃ 범위의 온도에서 15분 내지 30분간 진행할 수 있다.
경우에 따라서는 건조 열처리는 1차, 2차, 3차 건조 열처리로 분리하여 수행될 수 있다.
이때, 1차 건조 열처리는 실리콘계 조성물 내 용매를 제거함과 동시에 가교 반응을 활성화시키기 위한 것으로, 적외선 램프 또는 적외선/열풍 병용 건조 등을 이용하여 진행할 수 있으며, 60℃ 내지 80℃ 범위의 온도에서 3분 내지 6분 동안 진행될 수 있다.
이어, 2차 건조 열처리는 1차 건조 열처리와 마찬가지로 실리콘계 조성물 내 용매를 제거함과 동시에 가교 반응을 활성화시키기 위한 것으로, 적외선 램프 또는 적외선/열풍 병용 건조 등을 이용하여 진행할 수 있으며, 1차 건조 열처리보다 높은 온도에서 1차 건조 열처리와 동일한 시간동안 진행될 수 있다. 예를 들어, 2차 건조 열처리는 160℃ 내지 180℃ 범위의 온도에서 3분 내지 6분 동안 진행될 수 있다.
이어, 3차 건조 열처리는 1차 및 2차 건조 열처리와 마찬가지로 실리콘계 조성물 내 용매를 제거함과 동시에 가교 반응을 활성화시키기 위한 것으로, 적외선 램프 또는 적외선/열풍 병용 건조 등을 이용하여 진행할 수 있으며, 2차 건조 열처리보다 높은 온도에서 2차 건조 열처리보다 긴 시간동안 진행될 수 있다. 예를 들어, 3차 건조 열처리를 190℃ 내지 210℃ 범위의 온도에서 9분 내지 18분 동안 진행할 수 있다.
여기서, 1차 내지 3차 건조 열처리 과정에서 단계적으로 온도를 상승시키면서 상기 제 2 접착층(122)을 건조시키는 것은 상기 제 2 접착층(122)이 표면부터 건조 및 경화되는 것을 방지하기 위한 것으로, 이를 통해 상기 제 2 접착층(122) 내 기포를 용이하게 제거할 수 있다. 아울러, 3차 건조 열처리를 진행한 후, 상온까지 서서히 온도를 감소시켜 줌으로써 보다 안정적인 상태 및 고른 두께를 갖는 상기 제 2 접착층(122)을 구현할 수 있다.
이어, 제조자는 20℃ 내지 30℃에서 12시간 내지 24시간동안 상기 제 2 접착층(122)을 숙성시켜 안정화 및 경화시킨다. 즉, 건조 열처리 과정에서 뜨거워진 상기 제 2 기저필름(121) 및 상기 제 2 접착층(122)을 20℃ 내지 30℃까지 천천히 식혀주는 휴지기를 통해 상기 제 2 접착층(122) 내 가교 반응을 안정적으로 마무리함과 동시에 상기 제 2 접착층(122)에 요구되는 물성을 확보하게 한다.
이어, 제조자는 상기 제 2 접착층(122) 상에 불소가 함유된 상기 제 2 이형필름(123)을 부착한다. 상기 제 2 이형필름(123)은 나선형 망상 구조를 가지는 실리콘을 포함하는 포함하는 상기 제 2 접착층(122)를 보호함과 동시에 상기 제 2 접착층(122)과의 분리가 용이하도록 불소가 함유된 것일 수 있으며, 3 gf/25mm 내지 8 gf/25mm 범위의 접착력을 가질 수 있다. 이때, 상기 제 2 이형필름(123)은, 그 접착력이 3 gf/25mm 미만인 경우에는 자연적으로 상기 제 2 접착층(122)에서 벗겨질 수 있고, 그 접착력이 8 gf/25mm 초과인 경우에는 상기 제 2 이형필름(123)을 제거하는 과정에서 상기 제 2 접착층(122)이 손상될 수 문제점이 있다.
제조자는 상술한 공정 과정을 통해 상기 제 2 테이프(110)를 제조할 수 있다.
상기 제 1 테이프 합지 단계(S121)는, 제조자가 상기 제 1 테이프(110)에서 상기 제 1 이형필름(113)을 제거하고, 상기 제 1 접착층(112)과 상기 제 2 기저필름(121)을 면 접촉시켜 상기 제 1 테이프(110)와 상기 제 2 테이프(120)를 합지하는 단계이다.
이후, 사용자는 EMI 차폐층 형성 공정 전에 상기 제 2 테이프(120)의 상기 제 2 이형필름(123)을 제거하고, 상기 제 2 접착층(122)을 상기 반도체 패키지(10)의 하면 및 상기 돌출 전극(11)에 접촉시키는 방식으로 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 공정용 접착테이프(100)를 부착하게 된다.
제 2 실시예
본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)의 제조 방법(S100)은 제 2 테이프 준비 단계(S112) 및 제 2 테이프 합지 단계(S122)를 포함하여 구성된다.
상기 제 2 테이프 준비 단계(S112)는, 플라스틱 재질 또는 금속 재질을 포함하는 상기 제 1 기저필름(111), 아크릴계 공중합체를 포함하는 상기 제 1 접착층(112) 및 불소를 포함하는 제 1 이형필름(113)이 순차적으로 적층된 제 1 테이프(110), 및 제 3 이형필름(131)에 금속 증착 방식으로 상기 제 2 기저필름(121)을 형성한 제 3 테이프(130), 및 나선형 망상 구조를 가지는 실리콘을 포함하는 상기 제 2 접착층(122) 및 불소를 포함하는 상기 제 2 이형필름(123)이 순차적으로 적층된 제 4 테이프(140)를 제조하는 단계이다.
먼저, 상기 제 1 테이프(110)를 제조하는 방법은, 제 1 실시예와 내용이 동일하므로 자세한 설명을 생략한다.
한편, 상기 제 3 테이프(130)를 제조하는 방법은, 상기 제 3 이형필름(131)에 금속 증착 방식으로 상기 제 2 기저필름(121)을 형성하는 방식으로 수행된다. 보다 상세하게는, 상기 제 2 기저필름(121)은, 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)를 상기 제 3 이형필름(131)에 금속 증착 방식으로 증착시켜 금속 증착의 전사필름 형태의 상기 제 3 테이프(130)로 제조될 수 있다. 금속 증착 방식으로는 스퍼터링 방식 등의 사용이 가능하며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제 3 이형필름(131)은, 상기 제 1 이형필름(113) 및 상기 제 2 이형필름(123)과 동일한 특성을 가질 수 있다.
이 경우, 상기 제 2 기저필름(210)은 1 ㎛ 내지 10 ㎛ 범위의 두께를 가지도록 상기 제 3 이형필름(131)에 증착되는 것이 바람직하다. 이러한 범위의 두께는 상기 돌출 전극(11)의 크기가 상대적으로 큰 경우에 유리하다.
한편, 상기 제 4 테이프(140)를 제조하는 방법은, 상기 제 2 이형필름(123)을 기저필름으로 활용하여 상기 제 2 접착층(122)을 형성하는 방식으로 수행된다. 이에 대해서는, 제 1 실시예에서 상기 제 2 기저필름(121)에 상기 제 2 접착층(122)을 형성하는 방법과 내용이 동일하므로 자세한 설명을 생략한다.
상기 제 2 테이프 합지 단계(S122)는, 제조자가 상기 제 1 테이프(110)에서 상기 제 1 이형필름(113)을 제거한 후 상기 제 1 접착층(112)과 상기 제 3 테이프(130)의 상기 제 2 기저필름(121)을 면 접촉시켜 상기 제 1 테이프(110)와 상기 제 3 테이프(130)를 합지하고, 상기 제 3 테이프(130)에서 상기 제 3 이형필름(131)을 제거한 후 상기 제 2 기저필름(121)과 상기 제 4 테이프(140)의 상기 제 2 접착층(122)을 면 접촉시켜 상기 제 3 테이프(130)와 상기 제 4 테이프(140)를 합지하는 단계이다.
이후, 사용자는 EMI 차폐층 형성 공정 전에 상기 제 4 테이프(140)의 상기 제 2 이형필름(123)을 제거하고, 상기 제 2 접착층(122)을 상기 반도체 패키지(10)의 하면 및 상기 돌출 전극(11)에 접촉시키는 방식으로 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 공정용 접착테이프(100)를 부착하게 된다.
이상에서와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프(100)의 제조 방법(S100)은 개별 제조 공정을 통해 상기 제 1 테이프(110) 내지 상기 제 4 테이프(120)를 제조한 후 합지하여 상기 반도체 제조 공정용 접착테이프(100) 최종 제품을 제조하게 함으로써, 상기 제 1 테이프(110) 내지 상기 제 4 테이프(140)의 제조 공정에서 불량이 발생한 경우 불량이 발생한 개별 테이프만을 폐기하는 것이 가능하게 함으로써 전체적인 공정 수율을 향상시킨다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 기초로 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해해야 한다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 이하 기술할 청구범위에 의하며, 상술한 발명의 구체적 내용을 토대로 정해져야 할 것이다.
본 발명은 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프에 관한 것으로, 반도체 패키지의 EMI(Electro Magnetic Interference) 차폐층 형성 공정과 관련된 산업 분야에 이용 가능하다.
Claims (15)
- 복수의 돌출 전극이 형성된 반도체 패키지 하면에 부착되는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프에 있어서,제 1 기저필름;상기 제 1 기저필름 상부에 적층되고, 아크릴계 공중합체를 포함하는 제 1 접착층;상기 제 1 접착층 상부에 적층되고, 상기 반도체 패키지의 하면 토폴로지에 대응하도록 형태가 변형된 후 공정 간 변형된 형태가 유지되도록 금속 재질을 포함하는 제 2 기저필름; 및상기 제 2 기저필름 상부에 적층되고, 나선형 망상 구조를 가지는 실리콘을 포함하는 제 2 접착층;을 포함하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 제 1 기저필름은,플라스틱 재질 또는 금속 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프.
- 제2항에 있어서, 상기 제 1 기저필름은,폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate), 폴리이미드(polyimide) 또는 폴리올레핀(Polyolefin) 중 어느 하나의 단일층 또는 둘 이상이 적층된 다층 구조로 형성되고, 10 ㎛ 내지 150 ㎛ 범위의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프.
- 제2항에 있어서, 상기 제 1 기저필름은,적어도 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함하여 4.8 kgf/mm 2 내지 14.4 kgf/mm 2 범위의 인장 강도, 6.4 % 내지 19.2 % 범위의 연신율, 및 20 ㎛ 내지 80 ㎛ 범위의 두께를 가지거나, 적어도 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함하여 8 kgf/mm 2 내지 31.2 kgf/mm 2 범위의 인장 강도, 3.2 % 내지 14.4 % 범위의 연신율, 및 20 ㎛ 내지 80 ㎛ 범위의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 제 1 접착층은,부틸 아크릴산(Butyl acrylate) - 부틸 메타크릴산(Butyl methacrylate) - 메타크릴산(Methacrylic acid) - 메틸 메타크릴산(Methyl methacrylate) - 스타이렌(Styrene) 공중합체 및 아크릴산(Acrylic acid) - 2-에틸헥실 아크릴산(2-Ethylhexyl acrylate) - 2-에틸헥실 메타크릴산(2-Ethylhexyl methacrylate) - 글리시딜 메타크릴산(Glycidyl methacrylate) 공중합체 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프.
- 제5항에 있어서, 상기 제 1 접착층은,부틸 아크릴산(Butyl acrylate) - 부틸 메타크릴산(Butyl methacrylate) - 메타크릴산(Methacrylic acid) - 메틸 메타크릴산(Methyl methacrylate) - 스타이렌(Styrene) 공중합체 25-30 중량부, 아세트산 에틸 70-75 중량부의 제 1 접착조성물, 및 아크릴산(Acrylic acid) - 2-에틸헥실 아크릴산(2-Ethylhexyl acrylate) - 2-에틸헥실 메타크릴산(2-Ethylhexyl methacrylate) - 글리시딜 메타크릴산(Glycidyl methacrylate) 공중합체 25-30 중량부, 톨루엔 50-55 중량부, 아세트산 에틸 15-20 중량부의 제 2 접착조성물 중 적어도 어느 하나 이상과 에폭시계 경화제를 혼합하여 상기 제 1 기저필름에 도포한 후 건조 및 경화하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프.
- 제6항에 있어서, 상기 제 1 접착층은,상기 제 1 접착조성물 80-120 중량부 및 상기 에폭시계 경화제 0.5-1.5 중량부를 혼합하여 상기 제 1 기저필름에 도포한 후 건조 및 경화하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프.
- 제7항에 있어서, 상기 제 1 접착층은,상기 제 1 접착조성물 40-60 중량부, 상기 제 2 접착조성물 40-60 중량부, 및 상기 에폭시계 경화제 0.5-1.5 중량부를 혼합하여 상기 제 1 기저필름에 도포한 후 건조 및 경화하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프.
- 제5항에 있어서,상기 제 1 접착층은, 100 ㎛ 내지 700 ㎛ 범위의 두께 및 적어도 500 gf/25mm 이상의 접착력을 가지고,상기 제 2 접착층은, 10 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위의 두께 및 50 gf/25mm 내지 500 gf/25mm 범위의 접착력을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프.
- 제9항에 있어서,상기 제 1 접착층은, 상기 돌출 전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 두께가 감소하고, 상기 돌출 전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 두께가 증가하며,상기 제 2 접착층은, 상기 돌출 전극의 사이즈가 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 두께가 증가하고, 상기 돌출 전극 사이의 간격이 증가할수록 설정된 두께 범위 내에서 두께가 감소하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 제 2 기저필름은,1 ㎛ 내지 10 ㎛ 범위의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 제 2 기저필름은,적어도 99 wt% 이상의 알루미늄(Al)을 포함하여 4.8 kgf/mm 2 내지 14.4 kgf/mm 2 범위의 인장 강도, 6.4 % 내지 19.2 % 범위의 연신율, 및 10 ㎛ 내지 35 ㎛ 범위의 두께를 가지거나, 적어도 99 wt% 이상의 구리(Cu)를 포함하여 8 kgf/mm 2 내지 31.2 kgf/mm 2 범위의 인장 강도, 3.2 % 내지 14.4 % 범위의 연신율, 및 10 ㎛ 내지 35 ㎛ 범위의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프.
- 제1항에 있어서, 상기 제 2 접착층은,트리메틸레이티드 실리카(Trimethylated silica) - 디메틸실록산(Dimethyl siloxane) 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착테이프.
- 플라스틱 재질 또는 금속 재질을 포함하는 제 1 기저필름, 아크릴계 공중합체를 포함하는 제 1 접착층 및 불소를 포함하는 제 1 이형필름이 순차적으로 적층된 제 1 테이프, 및 금속 재질을 포함하는 제 2 기저필름, 나선형 망상 구조를 가지는 실리콘을 포함하는 제 2 접착층 및 불소를 포함하는 제 2 이형필름이 순차적으로 적층된 제 2 테이프를 제조하는 제 1 테이프 준비 단계; 및상기 제 1 테이프에서 상기 제 1 이형필름을 제거하고, 상기 제 1 접착층과 상기 제 2 기저필름을 면 접촉시켜 상기 제 1 테이프와 상기 제 2 테이프를 합지하는 제 1 테이프 합지 단계;를 포함하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프의 제조 방법.
- 플라스틱 재질 또는 금속 재질을 포함하는 제 1 기저필름, 아크릴계 공중합체를 포함하는 제 1 접착층 및 불소를 포함하는 제 1 이형필름이 순차적으로 적층된 제 1 테이프와, 제 3 이형필름에 금속 증착 방식으로 상기 제 2 기저필름을 형성한 제 3 테이프, 및 나선형 망상 구조를 가지는 실리콘을 포함하는 제 2 접착층 및 불소를 포함하는 제 2 이형필름이 순차적으로 적층된 제 4 테이프를 제조하는 제 2 테이프 준비 단계; 및상기 제 1 테이프에서 상기 제 1 이형필름을 제거한 후 상기 제 1 접착층과 상기 제 3 테이프의 상기 제 2 기저필름을 면 접촉시켜 상기 제 1 테이프와 상기 제 3 테이프를 합지하고, 상기 제 3 테이프에서 상기 제 3 이형필름을 제거한 후 상기 제 2 기저필름과 상기 제 4 테이프의 상기 제 2 접착층을 면 접촉시켜 상기 제 3 테이프와 상기 제 4 테이프를 합지하는 제 2 테이프 합지 단계;를 포함하는 반도체 패키지 제조 공정용 접착 테이프의 제조 방법.
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