WO2021241923A1 - 유기 발광 소자, 이의 제조방법 및 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물 - Google Patents

유기 발광 소자, 이의 제조방법 및 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물 Download PDF

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김수연
박민지
김동준
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Definitions

  • R21 to R24 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; And two or more groups selected from the group consisting of or adjacent to each other may combine with each other to form a benzene ring.
  • Z1 is -CN; Or an amine group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a C6 to C40 aryl group and a C2 to C40 heteroaryl group, or may be represented by Formula 1-1.
  • Ar31 and Ar41 are a substituted or unsubstituted C6 to C60 aryl group
  • L1' and L2' are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; Or it may be a C6 to C40 arylene group.
  • Y1 to Y5 are the same as or different from each other, each independently represent N or C(Rb), at least one of Y1 to Y5 is N, and when C(Rb) is 2 or more, each Rb is the same as or different from each other,
  • r1 to r4 are each independently an integer of 1 to 3
  • r5 to r9 are each independently an integer of 1 to 5
  • the substituents in parentheses are the same or different from each other.
  • Z 1 to Z 3 of Formula A-1 may be the same as or different from each other, and each independently represent N or CH, and at least one of Z 1 to Z 3 may be N.
  • L1 to L9 of Formulas A-1 to A-7 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; a substituted or unsubstituted C6 to C60 arylene group; Or it may be a substituted or unsubstituted C2 to C60 heteroarylene group.
  • L1 to L9 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; Or it may be a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group.
  • L2 is a direct bond.
  • L9 is a naphthylene group.
  • Ar1 to Ar9 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C6 to C60 aryl group; Or it may be a substituted or unsubstituted C2 to C60 heteroaryl group.
  • Ar11 and Ar12 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C6 to C40 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C2 to C40 heteroaryl group,
  • n' and n' are each 0 or 1
  • the heterocyclic compound has a high glass transition temperature (Tg) and excellent thermal stability. This increase in thermal stability is an important factor in providing driving stability to the device.
  • heterocyclic compound represented by Formula 1 and the compound represented by Formula 2 are the same as described above.
  • composition may further include materials known in the art, such as solvents and additives.
  • the organic light emitting device includes a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, and at least one of the organic material layers is It includes a heterocyclic compound represented by Formula 1, and a heterocyclic compound represented by Formula 2 above.
  • a glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 1,500 ⁇ was washed with distilled water and ultrasonic waves. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent such as acetone, methanol, isopropyl alcohol, etc., dried, and UVO-treated for 5 minutes using UV in a UV washer. After transferring the substrate to a plasma cleaner (PT), plasma treatment was performed to remove the ITO work function and residual film in a vacuum state, and then transferred to a thermal deposition equipment for organic deposition.
  • ITO indium tin oxide
  • lithium fluoride (LiF) is deposited on the electron transport layer to a thickness of 10 ⁇ to form an electron injection layer, and then an aluminum (Al) cathode is deposited to a thickness of 1,200 ⁇ on the electron injection layer to form a cathode.
  • An organic electroluminescent device was prepared.
  • the light emitting layer is used as a combination of the heterocyclic compound of Formula 1 and the heterocyclic compound of Formula 2 in the organic light emitting device, compared to when the light emitting layer is used as a single compound, improved driving voltage, efficiency and lifespan characteristics are exhibited.
  • a donor (p-host) with good hole transport ability and an acceptor (n-host) with good electron transport ability are used as hosts of the light emitting layer, the driving voltage to which electrons and holes are injected can be lowered, and the effective recombination zone Through the formation, it corresponds to the result of improving the efficiency and lifespan.

Abstract

본 명세서는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 유기물층 중 1층 이상이 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물에 관한 것이다.

Description

유기 발광 소자, 이의 제조방법 및 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물
본 명세서는 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물에 관한 것이다.
본 명세서는 2020년 5월 26일 한국 특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2020-0063179호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
전계 발광 소자는 자체 발광형 표시 소자의 일종으로서, 시야각이 넓고, 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다.
유기 발광 소자는 2개의 전극 사이에 유기 박막을 배치시킨 구조를 가지고 있다. 이와 같은 구조의 유기 발광 소자에 전압이 인가되면, 2개의 전극으로부터 주입된 전자와 정공이 유기 박막에서 결합하여 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 발하게 된다. 상기 유기 박막은 필요에 따라 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다.
유기 박막의 재료는 필요에 따라 발광 기능을 가질 수 있다. 예컨대, 유기 박막 재료로는 그 자체가 단독으로 발광층을 구성할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있고, 또는 호스트-도펀트계 발광층의 호스트 또는 도펀트 역할을 할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다. 그 외에도, 유기 박막의 재료로서, 정공 주입, 정공 수송, 전자 차단, 정공 차단, 전자 수송, 전자 주입 등의 역할을 수행할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다.
유기 발광 소자의 성능, 수명 또는 효율을 향상시키기 위하여, 유기 박막의 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
본 발명은 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물을 제공하고자 한다.
본 출원의 일 실시상태는, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
상기 유기물층 중 1층 이상이 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 하기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000001
[화학식 2]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000002
상기 화학식 1 및 2에 있어서,
X 및 X'는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; S; 또는 NRa이고,
L1, L1', L2 및 L2'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기이고,
N-Het 및 N-Het' 은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 포함하는 단환 또는 다환의 헤테로고리기이고,
Ar' 및 Z1은 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)RR'; -SiRR'R"; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R1 내지 R6 및 R1' 내지 R5'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)RR'; -SiRR'R"; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성하며,
상기 Ra, R, R', 및 R"은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
m, p, b, 및 c는 0 내지 3의 정수이고
q 및 d는 1 내지 6의 정수이며,
a는 0 내지 2의 정수이고,
a가 2이거나, m, p, b, c, q 및 d가 2 이상인 경우, 괄호 안의 치환기는 각각 같거나 상이하다.
또한, 본 출원의 다른 실시상태는, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물을 제공한다.
마지막으로, 본 출원의 일 실시상태는, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기물층용 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 화학식 1 및 화학식 2의 헤테로고리 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층 재료로서 사용할 수 있다. 상기 화학식 1 및 화학식 2의 헤테로고리 화합물은 유기 발광 소자에서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전하 생성층 등의 재료로서 사용될 수 있다. 특히, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물은 동시에 유기 발광 소자의 발광층의 재료로서 사용될 수 있다. 또한, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물과 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 동시에 유기 발광 소자에 사용하는 경우 소자의 구동전압을 낮추고, 광효율을 향상시키며, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 4는 각각 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 적층구조를 개략적으로 나타낸 도이다.
100: 기판
200: 양극
300: 유기물층
301: 정공 주입층
302: 정공 수송층
303: 발광층
304: 정공 저지층
305: 전자 수송층
306: 전자 주입층
400: 음극
이하 본 출원에 대해서 자세히 설명한다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치, 즉 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에 있어서, "치환 또는 비치환"이란 중수소; 할로겐기; -CN; C1 내지 C60의 알킬기; C2 내지 C60의 알케닐기; C2 내지 C60의 알키닐기; C3 내지 C60의 시클로알킬기; C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; C6 내지 C60의 아릴기; C2 내지 C60의 헤테로아릴기; 실릴기; 포스핀옥사이드기; 및 아민기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기, 또는 상기 예시된 치환기 중에서 선택된 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, "화학식 또는 화합물 구조에 치환기가 표시되지 않은 경우"는 탄소 원자에 수소 원자가 결합된 것을 의미한다. 다만, 중수소( 2H, Deuterium)는 수소의 동위원소이므로, 일부 수소 원자는 중수소일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, "화학식 또는 화합물 구조에 치환기가 표시되지 않은 경우"는 치환기로 올 수 있는 위치가 모두 수소 또는 중수소인 것을 의미할 수 있다. 즉, 중수소의 경우 수소의 동위원소로, 일부의 수소 원자는 동위원소인 중수소일 수 있으며, 이 때 중수소의 함량은 0% 내지 100%일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, "화학식 또는 화합물 구조에 치환기가 표시되지 않은 경우"에 있어, 중수소의 함량이 0%, 수소의 함량이 100%, 치환기는 모두 수소 등 중수소를 명시적으로 배제하지 않는 경우에는 수소와 중수소는 화합물에 있어 혼재되어 사용될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 중수소는 수소의 동위원소(isotope)중 하나로 양성자(proton) 1개와 중성자(neutron) 1개로 이루어진 중양성자(deuteron)를 원자핵(nucleus)으로 가지는 원소로서, 수소-2로 표현될 수 있으며, 원소기호는 D 또는 2H로 쓸 수도 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 동위원소는 원자 번호(atomic number, Z)는 같지만, 질량수(mass number, A)가 다른 원자를 의미하는 동위원소는 같은 수의 양성자(proton)를 갖지만, 중성자(neutron)의 수가 다른 원소로도 해석할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 특정 치환기의 함량 T%의 의미는 기본이 되는 화합물이 가질 수 있는 치환기의 총 개수를 T1으로 정의하고, 그 중 특정의 치환기의 개수를 T2로 정의하는 경우 T2/T1×100 = T%로 정의할 수 있다.
즉, 일 예시에 있어서,
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000003
로 표시되는 페닐기에 있어 중수소의 함량 20%라는 것은 페닐기가 가질 수 있는 치환기의 총 개수는 5(식 중 T1)개이고, 그 중 중수소의 개수가 1(식 중 T2)인 경우 20%로 표시될 수 있다. 즉, 페닐기에 있어 중수소의 함량이 20%인 것은 하기 구조식으로 표시될 수 있다.
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000004
또한, 본 출원의 일 실시상태에 있어서, "중수소의 함량이 0%인 페닐기"의 경우 중수소 원자가 포함되지 않은, 즉 수소 원자 5개를 갖는 페닐기를 의미할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 할로겐기는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 탄소수 1 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 60, 구체적으로 1 내지 40, 더욱 구체적으로, 1 내지 20일 수 있다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, sec-부틸기, 1-메틸-부틸기, 1-에틸-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2-에틸부틸기, 헵틸기, n-헵틸기, 1-메틸헥실기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실메틸기, 옥틸기, n-옥틸기, tert-옥틸기, 1-메틸헵틸기, 2-에틸헥실기, 2-프로필펜틸기, n-노닐기, 2,2-디메틸헵틸기, 1-에틸-프로필기, 1,1-디메틸-프로필기, 이소헥실기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다. 구체적인 예로는 비닐기, 1-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1-펜테닐기, 2-펜테닐기, 3-펜테닐기, 3-메틸-1-부테닐기, 1,3-부타디에닐기, 알릴기, 1-페닐비닐-1-일기, 2-페닐비닐-1-일기, 2,2-디페닐비닐-1-일기, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일기, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일기, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알키닐기는 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알키닐기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 시클로알킬기는 탄소수 3 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 시클로알킬기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 시클로알킬기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 60, 구체적으로 3 내지 40, 더욱 구체적으로 5 내지 20일 수 있다. 구체적으로, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 3-메틸시클로펜틸기, 2,3-디메틸시클로펜틸기, 시클로헥실기, 3-메틸시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 2,3-디메틸시클로헥실기, 3,4,5-트리메틸시클로헥실기, 4-tert-부틸시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 헤테로시클로알킬기는 헤테로 원자로서 O, S, Se, N 또는 Si를 포함하고, 탄소수 2 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 헤테로시클로알킬기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로시클로알킬기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 헤테로시클로알킬기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 아릴기는 탄소수 6 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 아릴기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 아릴기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 아릴기는 스피로기를 포함한다. 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 60, 구체적으로 6 내지 40, 더욱 구체적으로 6 내지 25일 수 있다. 상기 아릴기의 구체적인 예로는 페닐기, 비페닐기, 트리페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 크라이세닐기, 페난트레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 페날레닐기, 파이레닐기, 테트라세닐기, 펜타세닐기, 플루오레닐기, 인데닐기, 아세나프틸레닐기, 벤조플루오레닐기, 스피로비플루오레닐기, 2,3-디히드로-1H-인데닐기, 이들의 축합고리기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
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,
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,
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,
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,
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,
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등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 헤테로아릴기는 헤테로 원자로서 S, O, Se, N 또는 Si를 포함하고, 탄소수 2 내지 60인 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 상기 다환이란 헤테로아릴기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로아릴기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기 등일 수도 있다. 상기 헤테로아릴기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 25일 수 있다. 상기 헤테로아릴기의 구체적인 예로는 피리딜기, 피롤릴기, 피리미딜기, 피리다지닐기, 푸라닐기, 티오펜기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 옥사졸릴기, 이속사졸릴기, 티아졸릴기, 이소티아졸릴기, 트리아졸릴기, 푸라자닐기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 디티아졸릴기, 테트라졸릴기, 파이라닐기, 티오파이라닐기, 디아지닐기, 옥사지닐기, 티아지닐기, 디옥시닐기, 트리아지닐기, 테트라지닐기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 퀴나졸리닐기, 이소퀴나졸리닐기, 퀴노졸리릴기, 나프티리딜기, 아크리디닐기, 페난트리디닐기, 이미다조피리디닐기, 디아자나프탈레닐기, 트리아자인덴기, 인돌릴기, 인돌리지닐기, 벤조티아졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티오펜기, 벤조푸란기, 디벤조티오펜기, 디벤조푸란기, 카바졸릴기, 벤조카바졸릴기, 디벤조카바졸릴기, 페나지닐기, 디벤조실롤기, 스피로비(디벤조실롤), 디히드로페나지닐기, 페녹사지닐기, 페난트리딜기, 이미다조피리디닐기, 티에닐기, 인돌로[2,3-a]카바졸릴기, 인돌로[2,3-b]카바졸릴기, 인돌리닐기, 10,11-디히드로-디벤조[b,f]아제핀기, 9,10-디히드로아크리디닐기, 페난트라지닐기, 페노티아티아지닐기, 프탈라지닐기, 나프틸리디닐기, 페난트롤리닐기, 벤조[c][1,2,5]티아디아졸릴기, 5,10-디히드로디벤조[b,e][1,4]아자실리닐, 피라졸로[1,5-c]퀴나졸리닐기, 피리도[1,2-b]인다졸릴기, 피리도[1,2-a]이미다조[1,2-e]인돌리닐기, 5,11-디히드로인데노[1,2-b]카바졸릴기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 트리아진기는 1,3,5-트리아진, 및 1,2,4-트리아진을 포함한다.
본 명세서에 있어서, 상기 아민기는 모노알킬아민기; 모노아릴아민기; 모노헤테로아릴아민기; -NH 2; 디알킬아민기; 디아릴아민기; 디헤테로아릴아민기; 알킬아릴아민기; 알킬헤테로아릴아민기; 및 아릴헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 상기 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 디비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, 비페닐나프틸아민기, 페닐비페닐아민기, 비페닐플루오레닐아민기, 페닐트리페닐레닐아민기, 비페닐트리페닐레닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다. 또한, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 -P(=O)RrRf로 표시될 수 있고, Rr 및 Rf는 치환기를 나타낼 수 있다. 포스핀옥사이드기는 구체적으로 아릴기로 치환될 수 있으며, 상기 아릴기는 전술한 예시가 적용될 수 있다. 예컨대, 포스핀옥사이드기는 디페닐포스핀옥사이드기, 디나프틸포스핀옥사이드 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 Si를 포함하고 상기 Si 원자가 라디칼로서 직접 연결되는 치환기이며, -SiR 104R 105R 106로 표시되고, R 104 내지 R 106은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 “인접한”기로 해석될 수 있다.
인접한 기들이 형성할 수 있는 지방족 또는 방향족 탄화수소 고리, 또는 지방족 또는 방향족 헤테로고리는 1가기가 아닌 것을 제외하고는 전술한 시클로알킬기, 아릴기, 시클로헤테로알킬기 및 헤테로아릴기로 예시된 구조들이 적용될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태는, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
상기 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3 또는 화학식 4로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
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[화학식 4]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000012
상기 화학식 3 및 4에 있어서,
R1 내지 R6, L1, L2, Z1, N-Het, X, m, p 및 q의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)RR'; -SiRR'R"; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 수소; 또는 중수소일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 수소일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, X는 O일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, X는 S일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, X는 NRa일 수 있다.
특히, 상기 X가 O 또는 S인 경우, 코어구조의 중앙에 전기음성도가 높은 O 및 S 원자를 갖기 때문에 전자 전달 능력이 우수하며, 엑시톤 블로킹(Blocking)에서도 적합한 특징을 갖게 된다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra는 C6 내지 C40의 단환 또는 다환의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra는 C6 내지 C40의 단환의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ra는 페닐기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, N-Het는 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 포함하는 단환 또는 다환의 헤테로고리기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het는 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 3개 이하로 포함하는 단환 또는 다환의 헤테로고리기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het는 치환 또는 비치환되고, N을 1개 또는 2개 포함하는 단환 또는 다환의 헤테로고리기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het는 C6 내지 C60의 아릴기 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 포함하는 단환 또는 다환의 C2 내지 C60의 헤테로고리기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het는 C6 내지 C60의 아릴기 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고, 트리아진기; 피리미딘기; 피리딘기; 퀴놀린기; 퀴나졸린기; 페난트롤린기; 이미다졸기; 벤조티아졸기; 또는 벤조[4,5]티에노[2,3-d]피리미딘기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het는 트리아진기; 피리미딘기; 피리딘기; 퀴나졸린기; 페난트롤린기; 벤조[4,5]퓨로[2,3-d]피리미딘기; 또는 벤조[4,5]티에노[2,3-d]피리미딘기일 수 있고, 상기 치환기들은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het는 트리아진기; 피리미딘기; 피리딘기; 퀴나졸린기; 페난트롤린기; 벤조[4,5]퓨로[2,3-d]피리미딘기; 또는 벤조[4,5]티에노[2,3-d]피리미딘기일 수 있고, 상기 치환기들은 실릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 디메틸플루오레닐기, 디벤조퓨란기, 및 디벤조티오펜기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het는 실릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 디메틸플루오레닐기, 디벤조퓨란기, 및 디벤조티오펜기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 트리아진기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 피리미딘기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 피리딘기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 퀴나졸린기; 페난트롤린기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 벤조[4,5]퓨로[2,3-d]피리미딘기; 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 벤조[4,5]티에노[2,3-d]피리미딘기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 트리페닐레닐기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 피리딘기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 및 스피로비플루오렌기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 트리아진기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 피리미딘기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 피리딘기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 퀴놀린기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 퀴나졸린기; 페난트롤린기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 이미다졸기; 벤조티아졸기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 벤조[4,5]티에노[2,3-d]피리미딘기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 N-Het은 다시 -CN; 페닐기; P(=O)RR'; 또는 SiRR'R"로 치환될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접결합; C6 내지 C40의 아릴렌기; 또는 C2 내지 C40의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접결합; C6 내지 C40의 아릴렌기; 또는 C2 내지 C40의 이종원소로 N을 포함하는 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접결합; 페닐렌기; 비페닐렌기; 나프틸렌기; 또는 2가의 피리딘기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접결합; 또는 C6 내지 C40의 아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로, 직접결합; 또는 페닐렌기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, Z1은 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)RR'; -SiRR'R"; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R', 및 R"은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R', 및 R"은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R', 및 R"은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 C1 내지 C60의 알킬기; 또는 C6 내지 C60의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R', 및 R"은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 메틸기; 또는 페닐기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R', 및 R"은 페닐기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, Z1은 -CN; 또는 치환 또는 비치환된 아민기이거나, 하기 화학식 1-1로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000013
상기 화학식 1-1에 있어서,
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000014
는 상기 화학식 1의 L2와 연결되는 위치를 의미하며,
X1은 O; S; N(R31); 또는 C(R32)(R33)이고,
R21 내지 R25는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족고리를 형성하고,
n은 0 내지 3의 정수이고,
n이 2 이상인 경우 괄호 안의 치환기는 서로 같거나 상이하며,
상기 R31 내지 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족고리를 형성할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 R21 내지 R25는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족고리를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R21 내지 R25는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족고리를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R21 내지 R25는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; C6 내지 C60의 아릴기; 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 C6 내지 C60의 방향족고리를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R21 내지 R25는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; C6 내지 C40의 아릴기; 및 C2 내지 C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 C6 내지 C40의 방향족고리를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R21 내지 R25는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 페닐기; 비페닐기; 트리페닐레닐기; 또는 디벤조티오펜기이거나, 서로 인접한 기는 결합하여 페닐고리를 형성할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R21 내지 R24는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족고리를 형성할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R21 내지 R24는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족고리를 형성할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R21 내지 R24는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 방향족고리를 형성할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R21 내지 R24는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 방향족고리를 형성할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R21 내지 R24는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 및 C6 내지 C30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 C6 내지 C30의 방향족고리를 형성할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R21 내지 R24는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 및 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 벤젠 고리를 형성할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R25는 수소; 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R25는 수소; 또는 중수소일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, X1은 O일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, X1은 S일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, X1은 N(R31)일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, X1은 C(R32)(R33)일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 R31 내지 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족고리를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R31 내지 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 방향족고리를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R31 내지 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C1 내지 C40의 알킬기; 및 C6 내지 C40의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 C6 내지 C40의 방향족고리를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R31 내지 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기 및 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 플루오레닐기를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R31은 페닐기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R32 및 R33은 메틸기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R32 및 R33은 서로 결합하여 플루오레닐기를 형성할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, Z1은 치환 또는 비치환된 아민기이거나, 상기 화학식 1-1로 표시될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, Z1은 치환 또는 비치환된 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 O 또는 S를 포함하는 헤테로아릴기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, Z1은 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 치환 또는 비치환된 나프토벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, Z1은 치환 또는 비치환된 아민기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프토벤조퓨란기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, Z1은 -CN; 또는 C6 내지 C60의 아릴기 및 C2내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아민기이거나, 상기 화학식 1-1로 표시될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Z1은 -CN; 또는 C6 내지 C40의 아릴기 및 C2내지 C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아민기이거나, 상기 화학식 1-1로 표시될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Z1은 -CN; 또는 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 디메틸플루오레닐기, 디벤조티오펜기 및 디벤조퓨란기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아민기이거나, 상기 화학식 1-1로 표시될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 Z1이 치환 또는 비치환된 아민기를 갖는 경우 하기 화학식 1-2로 표시될 수 있다.
[화학식 1-2]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000015
상기 화학식 1-2에 있어서,
Ar21 및 Ar22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, Ar21 및 Ar22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar21 및 Ar22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar21 및 Ar22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C1 내지 C20의 알킬기, C6 내지 C40의 아릴기 및 C2 내지 C40의 헤테로아릴기 중 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 또는 C6 내지 C40의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar21 및 Ar22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C1 내지 C10의 알킬기, C6 내지 C20의 아릴기 및 C2 내지 C20의 헤테로아릴기 중 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 C6 내지 C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar21 및 Ar22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C6 내지 C40의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 또는 C6 내지 C40의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar21 및 Ar22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 비페닐기; 나프틸기; 디메틸플루오레닐기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar21 및 Ar22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 나프틸기, 디벤조티오펜기 또는 카바졸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 비페닐기; 나프틸기; 디메틸플루오레닐기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1-2는 하기 화학식 1-2-1 내지 1-2-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 1-2-1]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000016
[화학식 1-2-2]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000017
[화학식 1-2-3]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000018
상기 화학식 1-2-1 내지 1-2-3에 있어서,
X11은 O; S; 또는 N(R103)이며,
Ar31 및 Ar41은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기이고,
L31은 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 아릴렌기이며,
R101 및 R102는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
R103은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기이며,
r' 및 s'은 각각 0 내지 4의 정수이고,
m' 및 p'은 각각 0 내지 5의 정수이며,
q'은 0 내지 3의 정수이고,
r', s', m', p' 및 q'가 각각 2 이상인 경우, 각 괄호 안의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, Ar31 및 Ar41은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar31 및 Ar41은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar31 및 Ar41은 C1 내지 C10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar31 및 Ar41은 페닐기; 비페닐기; 나프틸기; 또는 디메틸플루오레닐기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, L31은 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L31은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L31은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L31은 직접결합; 또는 C6 내지 C40의 아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L31은 직접결합; 또는 단환 또는 다환의 C6 내지 C40의 아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L31은 직접결합; 또는 페닐렌기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R101 및 R102는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R101 및 R102는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, R103은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R103은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R103은 C6 내지 C40의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R103은 C6 내지 C20의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, R103은 페닐기일 수 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물은 열 안정성이 높으면서도, 특히 상기 N-Het'가 링커 없이 연결되는 경우는, 적절한 분자량과 밴드갭을 갖는다. 이러한 화합물을 유기 발광 소자의 발광층에 사용할 경우, 전자와 정공의 유실을 막아, 효과적인 전자와 정공의 재결합 되는 영역(recombination zone)의 형성을 돕게 된다. 이처럼 재결합 효율이 증가하면, 전류 효율이 증가하므로, 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 유기 발광 소자 내 유기 물질로 사용할 경우 유기 발광 소자의 높은 효율 및 수명 증가를 기대할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2은 하기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000019
[화학식 2-2]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000020
[화학식 2-3]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000021
상기 화학식 2-1 내지 2-3에서 각 치환기의 정의는 화학식 2와 동일하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2은 상기 화학식 2-2 또는 2-3으로 표시될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2은 하기 화학식 2-4 내지 2-7 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2-4]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000022
[화학식 2-5]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000023
[화학식 2-6]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000024
[화학식 2-7]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000025
상기 화학식 2-4 내지 2-7에서 각 치환기의 정의는 화학식 2와 동일하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1' 및 L2'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L1' 및 L2'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L1' 및 L2'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; C6 내지 C40의 아릴렌기; 또는 C2 내지 C40의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L1' 및 L2'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 C6 내지 C40의 아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L1' 및 L2'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 C6 내지 C20의 단환 또는 다환의 아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L1' 및 L2'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 C6 내지 C10의 단환의 아릴렌기; 또는 C10 내지 C20의 다환의 아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L1' 및 L2'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 페닐렌기; 비페닐렌기; 또는 나프탈렌기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, X'는 O; 또는 S일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 X'는 O일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 X'는 S일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, N-Het'는 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 포함하는 단환 또는 다환의 헤테로고리기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het'는 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 3개 이하로 포함하는 단환 또는 다환의 헤테로고리기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het'는 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 2개 이하로 포함하는 단환 또는 다환의 헤테로고리기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het'는 치환 또는 비치환되고, N을 1개 또는 2개 포함하는 단환 또는 다환의 헤테로고리기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het'는 트리아진기; 피리미딘기; 피리딘기; 퀴나졸린기; 페난트롤린기; 벤조[4,5]퓨로[2,3-d]피리미딘기; 또는 벤조[4,5]티에노[2,3-d]피리미딘기일 수 있고, 상기 치환기들은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het'는 트리아진기; 피리미딘기; 퀴나졸린기; 벤조[4,5]퓨로[2,3-d]피리미딘기; 또는 벤조[4,5]티에노[2,3-d]피리미딘기일 수 있고, 상기 치환기들은 아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프틸기, 디메틸플루오레닐기, 트리페닐렌기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기 및 아릴기로 치환 또는 비치환된 카바졸기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het'는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기, 디메틸플루오레닐기, 트리페닐렌기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기 및 페닐기로 치환된 카바졸기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 트리아진기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 피리미딘기; 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기 및 디벤조퓨란기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 퀴나졸린기; 페닐기, 비페닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 벤조[4,5]퓨로[2,3-d]피리미딘기; 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 및 디벤조퓨란기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 벤조[4,5]티에노[2,3-d]피리미딘기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het'는 C6 내지 C60의 아릴기 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 포함하는 단환 또는 다환의 C2 내지 C60의 헤테로고리기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het'는 C6 내지 C60의 아릴기 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된, 트리아진기; 피리미딘기; 피리딘기; 퀴놀린기; 퀴나졸린기; 이미다졸기; 벤조티아졸기; 벤조퓨로[3,2-d]피리미딘기; 또는 벤조[4,5]티에노[2,3-d]피리미딘기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, N-Het'는 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 트리페닐레닐기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 및 카바졸기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 트리아진기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 피리미딘기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 피리딘기; 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 퀴나졸린기; 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 벤조퓨로[3,2-d]피리미딘기; 또는 페닐기 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 벤조[4,5]티에노[2,3-d]피리미딘기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 N-Het'은 다시 페닐기; 또는 나프틸기로 치환될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 N-Het'는 하기 화학식 A로 표시될 수 있다.
[화학식 A]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000026
상기 화학식 A에서,
*는 상기 화학식 2의 N-Het'가 결합하는 위치이며,
Y1 내지 Y5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 C(Rb)이고, Y1 내지 Y5 중 적어도 하나는 N이며, C(Rb)가 2 이상일 경우, 각각의 Rb는 서로 같거나 상이하며,
상기 Rb는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A의 *는 상기 화학식 2의 L1'과 연결되는 위치를 의미한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A는 하기 화학식 A-1 내지 A-7 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 A-1]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000027
[화학식 A-2]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000028
[화학식 A-3]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000029
[화학식 A-4]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000030
[화학식 A-5]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000031
[화학식 A-6]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000032
[화학식 A-7]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000033
상기 화학식 A-1 내지 A-7에 있어서,
*는 상기 화학식 2와 N-Het'가 결합하는 위치이며,
Z 1 내지 Z 16는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 CH이고, Z 1 내지 Z 3 중 적어도 하나는 N이며, Z 4 내지 Z 6 중 적어도 하나는 N이며, Z 7 및 Z 8 중 적어도 하나는 N이며, Z 9 및 Z 10 중 적어도 하나는 N이며, Z 11 및 Z 12 중 적어도 하나는 N이며, Z 13 및 Z 14 중 적어도 하나는 N이고, Z 15 및 Z 16 중 적어도 하나는 N이고,
L11 내지 L19는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기이고,
Ar1 내지 Ar9은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
X2 내지 X4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; 또는 S이고,
q1 내지 q9은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며, 상기 q1 내지 q9이 각각 2인 경우 괄호 안의 치환기는 서로 동일하거나 상이하고,
r1 내지 r4는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이며, r5 내지 r9은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이며, 상기 r1 내지 r9이 각각 2 이상인 경우 괄호 안의 치환기는 서로 동일하거나 상이하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A-1의 Z 1 내지 Z 3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 CH이고, Z 1 내지 Z 3 중 적어도 하나는 N일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 1은 N이고, Z 2 및 Z 3는 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 2는 N이고, Z 1 및 Z 3는 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 3는 N이고, Z 1 및 Z 2는 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 1은 CH이고, Z 2 및 Z 3는 N이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 2는 CH이고, Z 1 및 Z 3는 N이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 3는 CH이고, Z 1 및 Z 2는 N이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 1 내지 Z 3는 N이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A-2의 Z 4 내지 Z 6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 CH이고, Z 4 내지 Z 6 중 적어도 하나는 N일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 4은 N이고, Z 5 및 Z 6은 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 5는 N이고, Z 4 및 Z 6은 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 6는 N이고, Z 4 및 Z 5는 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 4은 CH이고, Z 5 및 Z 6은 N이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 5는 CH이고, Z 4 및 Z 6은 N이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 6는 CH이고, Z 4 및 Z 5는 N이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 4 내지 Z 6는 N이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A-3의 Z 7 및 Z 8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 CH이고, Z 7 및 Z 8 중 적어도 하나는 N일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 7은 N이고, Z 8은 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 8은 N이고, Z 7은 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 7 및 Z 8은 N이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A-4의 Z 9 및 Z 10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 CH이고, Z 9 및 Z 10 중 적어도 하나는 N일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 9는 N이고, Z 10은 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 10은 N이고, Z 9는 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 9 및 Z 10은 N이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A-5의 Z 11 및 Z 12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 CH이고, Z 11 및 Z 12 중 적어도 하나는 N일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 11은 N이고, Z 12는 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 12은 N이고, Z 11은 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 11 및 Z 12는 N이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A-6의 Z 13 및 Z 14는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 CH이고, Z 13 및 Z 14 중 적어도 하나는 N일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 13은 N이고, Z 14는 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 14는 N이고, Z 13은 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 13 및 Z 14는 N이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A-7의 Z 15 및 Z 16는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 CH이고, Z 15 및 Z 16 중 적어도 하나는 N일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 15은 N이고, Z 16는 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 16는 N이고, Z 15은 CH이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z 15 및 Z 16는 N이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A-1 내지 A-7의 L1 내지 L9은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1 내지 L9은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1 내지 L9은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1 내지 L9은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴렌기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1 내지 L9은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1 내지 L9은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 페닐렌기; 또는 나프틸렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L1은 직접결합이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L1은 페닐렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L1은 나프틸렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L2는 직접결합이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L2는 페닐렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L2는 나프틸렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L3은 직접결합이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L3은 페닐렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L3은 나프틸렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L4는 직접결합이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L4는 페닐렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L4는 나프틸렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L5는 직접결합이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L5는 페닐렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L5는 나프틸렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L6는 직접결합이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L6는 페닐렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L6는 나프틸렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L7는 직접결합이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L7는 페닐렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L7는 나프틸렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L8는 직접결합이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L8는 페닐렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L8는 나프틸렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L9는 직접결합이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L9는 페닐렌기이다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L9는 나프틸렌기이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A-5 내지 A-7의 X2 내지 X4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; 또는 S일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 X2은 O; 또는 S일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 X2은 O이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 X2은 S이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 X3은 O; 또는 S일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 X3은 O이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 X3은 S이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 X4은 O; 또는 S일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 X4은 O이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 X4은 S이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A-1 내지 A-7의 q1 내지 q9은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며, 상기 q1 내지 q9이 각각 2인 경우 괄호 안의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A-1 내지 A-7의 Ar1 내지 Ar9은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar9은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar9은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar9은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 비페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar9은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 비페닐기; 터페닐기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 디메틸플루오레닐기; 트리페닐렌기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 또는 페닐기로 치환된 카바졸기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar9은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 비페닐기; 터페닐기; 트리페닐기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A-1 내지 A-7의 r1 내지 r4는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이며, r5 내지 r8은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이며, 상기 r1 내지 r9이 각각 2 이상인 경우 괄호 안의 치환기는 서로 동일하거나 상이하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, Ar' 은 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)RR'; -SiRR'R"; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
상기 화학식 2의 Ar'이 치환 또는 비치환된 아민기인 화합물의 경우 더욱 강한 도너 특성을 가지기 때문에 이를 유기 발광 소자의 유기물층에 사용하는 경우, 홀 주입을 더욱 도움으로 인하여 도판트의 홀 트랩 현상을 해소시키기 때문에 유기 발광 소자의 효율을 더욱 개선시킬 수 있다.
또한, 상기 화학식 2의 Ar'이 치환 또는 비치환된 아민기인 화합물의 경우, 더 낮은 HOMO 및 LUMO 레벨을 가지기 때문에, 유기 발광 소자의 유기물층에 사용할 경우 exciplex 형성에 유리한 에너지 준위 차이를 가짐으로써, 유기 발광 소자의 효율과 수명을 더욱 개선시킬 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, Ar' 은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar' 은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar' 은 C6 내지 C40의 아릴기; C2 내지 C40의 헤테로아릴기; 및 C1 내지 C40의 알킬기, C6 내지 C40의 아릴기 및 C2 내지 C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar' 은 C6 내지 C40의 아릴기; C2 내지 C40의 헤테로아릴기; 및 알킬기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기 및 C2 내지 C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, Ar' 은 페닐기; 비페닐기; 나프틸기; 터페닐기; 카바졸기; 페닐고리가 축합된 카바졸기; 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 디메틸플루오레닐기, 디벤조퓨란기 및 디벤조티오펜기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아민기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar'은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; 또는 하기 화학식 B로 표시되는 기일 수 있다.
[화학식 B]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000034
상기 화학식 B에서,
L21 및 L22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴렌기이고,
Ar11 및 Ar12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기이고,
m' 및 n'은 각각 0 또는 1이고,
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000035
는 상기 화학식 2의 L2'과 결합하는 위치를 의미한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar11 및 Ar12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar11 및 Ar12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar11 및 Ar12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C1 내지 C10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 C2 내지 C20의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar11 및 Ar12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 비페닐기; 나프틸기; 디메틸플루오레닐기; 디벤조티오펜기; 또는 디벤조퓨란기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, L21 및 L22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L21 및 L22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L21 및 L22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, L21 및 L22는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 페닐렌기; 비페닐렌기; 또는 나프탈렌기일 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 2의 헤테로고리 화합물을 유기 발광 소자의 유기물층에 포함하는 경우 더 우수한 효율 및 수명 효과를 보인다. 이 결과는 두 화합물을 동시에 포함하는 경우 엑시플렉스(exciplex) 현상이 일어남을 예상할 수 있다.
상기 엑시플렉스(exciplex) 현상은 두 분자간 전자 교환으로 donor(p-host)의 HOMO level, acceptor(n-host) LUMO level 크기의 에너지를 방출하는 현상이다. 두 분자간 엑시플렉스(exciplex) 현상이 일어나면 Reverse Intersystem Crossing(RISC)이 일어나게 되고 이로 인해 형광의 내부양자 효율이 100%까지 올라갈 수 있다. 정공 수송 능력이 좋은 donor(p-host)와 전자 수송 능력이 좋은 acceptor(n-host)가 발광층의 호스트로 사용될 경우 정공은 p-host로 주입되고, 전자는 n-host로 주입되기 때문에 구동 전압을 낮출 수 있고, 그로 인해 수명 향상에 도움을 줄 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중 어느 하나로 표시될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
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본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화합물 중 어느 하나로 표시될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
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또한, 상기 화학식 1 및 2의 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송용 물질, 발광층 물질, 전자 수송층 물질 및 전하 생성층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 및 2의 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 에너지 밴드갭을 미세하게 조절이 가능하게 하며, 한편으로 유기물 사이에서의 계면에서의 특성을 향상되게 하며 물질의 용도를 다양하게 할 수 있다.
한편, 상기 헤테로고리 화합물은 유리 전이 온도(Tg)가 높아 열적 안정성이 우수하다. 이러한 열적 안정성의 증가는 소자에 구동 안정성을 제공하는 중요한 요인이 된다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 헤테로고리 화합물은 다단계 화학반응으로 제조할 수 있다. 일부 중간체 화합물이 먼저 제조되고, 그 중간체 화합물들로부터 화학식 1 또는 2의 화합물이 제조될 수 있다. 보다 구체적으로, 본 출원의 일 실시상태에 따른 헤테로고리 화합물은 후술하는 제조예를 기초로 제조될 수 있다.
또한, 본 출원의 다른 실시상태는, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물을 제공한다.
상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물에 대한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
상기 조성물 내 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 : 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 중량비는 1 : 10 내지 10 : 1일 수 있고, 1 : 8 내지 8 : 1일 수 있고, 1 : 5 내지 5 : 1 일 수 있으며, 1 : 2 내지 2 : 1일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 조성물은 유기 발광 소자의 유기물 형성시 이용할 수 있고, 특히 발광층의 호스트 형성시 보다 바람직하게 이용할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하고, 인광 도펀트와 함께 사용할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하고, 이리듐계 도펀트와 함께 사용할 수 있다.
상기 인광 도펀트 재료로는 당 기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있다.
예컨대, LL'MX', LL'L"M, LMX'X", L 2MX' 및 L 3M로 표시되는 인광 도펀트 재료를 사용할 수 있으나, 이들 예에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
여기서, L, L', L", X' 및 X"는 서로 상이한 2좌 배위자이고, M은 8 면상 착체를 형성하는 금속이다.
M은 이리듐, 백금, 오스뮴 등이 될 수 있다.
L은 sp2 탄소 및 헤테로 원자에 의하여 상기 이리듐계 도펀트로 M에 배위되는 음이온성 2좌 배위자이고, X는 전자 또는 정공을 트랩하는 기능을 할 수 있다. L의 비한정적인 예로는 2-(1-나프틸)벤조옥사졸, (2-페닐벤조옥사졸), (2-페닐벤조티아졸), (2-페닐벤조티아졸), (7,8-벤조퀴놀린), (티오펜기피리진), 페닐피리딘, 벤조티오펜기피리진, 3-메톡시-2-페닐피리딘, 티오펜기피리진, 톨릴피리딘 등이 있다. X' 및 X"의 비한정적인 예로는 아세틸아세토네이트(acac), 헥사플루오로아세틸아세토네이트, 살리실리덴, 피콜리네이트, 8-히드록시퀴놀리네이트 등이 있다.
더욱 구체적인 예를 하기에 표시하나, 이들 예로만 한정되는 것은 아니다.
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본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 이리듐계 도펀트로는 녹색 인광 도펀트로 Ir(ppy) 3이 사용될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 도펀트의 함량은 발광층 전체를 기준으로 1% 내지 15%, 바람직하게는 3% 내지 10%, 더욱 바람직하게는 5% 내지 10%의 함량을 가질 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 조성물은 둘 이상의 화합물이 단순 혼합되어 있는 형태이며, 유기 발광 소자의 유기물층 형성 전에 파우더 상태의 재료를 혼합할 수도 있고, 적정 온도 이상에서 액상 상태로 되어있는 화합물을 혼합할 수 있다. 상기 조성물은 각 재료의 녹는점 이하에서는 고체 상태이며, 온도를 조정하면 액상으로 유지할 수 있다.
상기 조성물은 추가로 용매, 첨가제 등 당 기술분야에 공지된 재료들이 추가로 포함될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 전술한 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
구체적으로, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 제1 전극, 제2 전극 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극일 수 있고, 상기 제2 전극은 음극일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극일 수 있고, 상기 제2 전극은 양극일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 청색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 2에 따른 헤테로고리 화합물은 청색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 녹색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물은 녹색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 적색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물은 적색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자는 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층. 전자 주입층, 전자 수송층, 전자 저지층 및 정공 저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공 저지층, 전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 한 층을 포함하고, 상기 정공 저지층, 전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 한 층이 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 호스트 물질을 포함하며, 상기 호스트 물질은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
도 1 내지 3에 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 전극과 유기물층의 적층 순서를 예시하였다. 그러나, 이들 도면에 의하여 본 출원의 범위가 한정될 것을 의도한 것은 아니며, 당 기술분야에 알려져 있는 유기 발광 소자의 구조가 본 출원에도 적용될 수 있다.
도 1에 따르면, 기판(100) 상에 양극(200), 유기물층(300) 및 음극(400)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자가 도시된다. 그러나, 이와 같은 구조에만 한정되는 것은 아니고, 도 2와 같이, 기판 상에 음극, 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자가 구현될 수도 있다.
도 3은 유기물층이 다층인 경우를 예시한 것이다. 도 3에 따른 유기 발광 소자는 정공 주입층(301), 정공 수송층(302), 발광층(303), 정공 저지층(304), 전자 수송층(305) 및 전자 주입층(306)을 포함한다. 그러나, 이와 같은 적층 구조에 의하여 본 출원의 범위가 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 발광층을 제외한 나머지 층은 생략될 수도 있고, 필요한 다른 기능층이 더 추가될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기물층용 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 2의 헤테로고리 화합물을 예비 혼합(pre-mixed)하여 열 진공 증착 방법을 이용하여 형성하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
상기 예비 혼합(pre-mixed)은 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 2의 헤테로고리 화합물을 유기물층에 증착하기 전 먼저 재료를 섞어서 하나의 공원에 담아 혼합하는 것을 의미한다.
예비 혼합된 재료는 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기물층용 조성물로 언급될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 2의 헤테로고리 화합물 이외의 재료를 하기에 예시하지만, 이들은 예시를 위한 것일 뿐 본 출원의 범위를 한정하기 위한 것은 아니며, 당 기술분야에 공지된 재료들로 대체될 수 있다.
양극 재료로는 비교적 일함수가 큰 재료들을 이용할 수 있으며, 투명 전도성 산화물, 금속 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다. 상기 양극 재료의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO 2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
음극 재료로는 비교적 일함수가 낮은 재료들을 이용할 수 있으며, 금속, 금속 산화물 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다. 상기 음극 재료의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO 2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
정공 주입 재료로는 공지된 정공 주입 재료를 이용할 수도 있는데, 예를 들면, 미국 특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 문헌 [Advanced Material, 6, p.677 (1994)]에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류, 예컨대 트리스(4-카바조일-9-일페닐)아민(TCTA), 4,4',4"-트리[페닐(m-톨릴)아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDAPB), 용해성이 있는 전도성 고분자인 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid) 또는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), 폴리아닐린/캠퍼술폰산(Polyaniline/Camphor sulfonic acid) 또는 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)(Polyaniline/Poly(4-styrene-sulfonate))등을 사용할 수 있다.
정공 수송 재료로는 피라졸린 유도체, 아릴아민계 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐디아민 유도체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 또는 고분자 재료가 사용될 수도 있다.
전자 수송 재료로는 옥사디아졸 유도체, 안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 벤조퀴논 및 이의 유도체, 나프토퀴논 및 이의 유도체, 안트라퀴논 및 이의 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 및 이의 유도체, 디페노퀴논 유도체, 8-히드록시퀴놀린 및 이의 유도체의 금속 착체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 물질 뿐만 아니라 고분자 물질이 사용될 수도 있다.
전자 주입 재료로는 예를 들어, LiF가 당업계 대표적으로 사용되나, 본 출원이 이에 한정되는 것은 아니다.
발광 재료로는 적색, 녹색 또는 청색 발광재료가 사용될 수 있으며, 필요한 경우, 2 이상의 발광 재료를 혼합하여 사용할 수 있다. 이 때, 2 이상의 발광 재료를 개별적인 공급원으로 증착하여 사용하거나, pre-mixed하여 예비 혼합 후 하나의 공급원으로 증착하여 사용할 수 있다. 또한, 발광 재료로서 형광 재료를 사용할 수도 있으나, 인광 재료로서 사용할 수도 있다. 발광 재료로는 단독으로서 양극과 음극으로부터 각각 주입된 정공과 전자를 결합하여 발광시키는 재료가 사용될 수도 있으나, 호스트 재료와 도펀트 재료가 함께 발광에 관여하는 재료들이 사용될 수도 있다.
발광 재료의 호스트를 혼합하여 사용하는 경우에는, 동일 계열의 호스트를 혼합하여 사용할 수도 있고, 다른 계열의 호스트를 혼합하여 사용할 수도 있다. 예를 들어, n 타입 호스트 재료 또는 p 타입 호스트 재료 중 어느 두 종류 이상의 재료를 선택하여 발광층의 호스트 재료로 사용할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 헤테로고리 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 명세서를 더욱 상세하게 설명하지만, 이들은 본 출원을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 출원 범위를 한정하기 위한 것은 아니다.
<제조예>
<제조예 1> 화합물 1-25의 제조
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1) 화합물 1-25-5의 제조
1-브로모-5-클로로-3-플루오로-2-아이오도벤젠(1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene) 200.0g(596.4mM), (2-메톡시페닐)보론산((2-methoxyphenyl)boronic acid) 82.4g(542.2mM), Pd(PPh 3) 4 31.3g(27.1mM), K 2CO 3 150.0g(1084.4mM)를 1,4-dioxane/H 2O 1L/200mL에 녹인 후 24시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 증류수와 디클로로메탄(DCM, Dichloromethane)을 넣고 추출하였고 유기층은 MgSO 4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:10)로 정제하여 화합물 1-25-5 137g(80.0%)을 얻었다.
2) 화합물 1-25-4의 제조
화합물 1-25-5 82g(259.8mM), BBr 3 49mL(519.7mM)를 DCM 800mL에 녹인 후 1시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 증류수와 DCM을 넣고 추출하였고 유기층은 MgSO 4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:1)로 정제하여 화합물 1-25-4 65.3g(83.0%)을 얻었다.
3) 화합물 1-25-3의 제조
화합물 1-25-4 65.3g(216.5mM), K 2CO 3 59.9g(433.1mM)를 디메틸포름아미드(DMF, dimethylformamide) 300mL에 녹인 후 4시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 증류수와 DCM을 넣고 추출하였고 유기층은 MgSO 4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:5)로 정제하였고 메탄올로 재결정하여 화합물 1-25-3 54.8g(90.0%)을 얻었다.
4) 화합물 1-25-2의 제조
화합물 1-25-3 10.0g(35.5mM), N-페닐-[1,1'-비페닐]-4-아민(N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine) 8.7g(35.5mM), Pd 2(dba) 3 1.6g(1.8mM), Sphos 1.5g(3.6mM), NaOtBu 10.2g(106.5mM)를 톨루엔(Toluene) 100mL에 녹인 후 1시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 감압여과 후 여액을 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:4)로 정제하였고 메탄올로 재결정하여 화합물 1-25-2 14.2g(89.6%)을 얻었다.
5) 화합물 1-25-1의 제조
화합물 1-25-2 14.0g(31.4mM), 4,4,4',4',5,5,5',5'-옥타메틸-2,2'-비(1,3,2-디옥사보로란)(4,4,4',4',5,5,5',5'-octamethyl-2,2'-bi(1,3,2-dioxaborolane)) 12.0g(47.1mM), Pd 2(dba) 3 2.2g(2.4mM), Sphos 1.3g(3.1mM), KOAc 9.2g(94.2mM)를 1,4-Dioxane 140mL에 녹인 후 1시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 감압여과 후 여액을 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:3)로 정제하였고 메탄올로 재결정하여 화합물 1-25-1 15.3g(90.8%)을 얻었다.
6) 화합물 1-25의 제조
화합물 1-25-1 15.0g(27.9mM), 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 8.2g(30.7mM), Pd(PPh 3) 4 1.6g(1.4mM), K 2CO 3 11.6g(83.7mM)를 1,4-dioxane/H 2O 150mL/30mL 에 녹인 후 1시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 추출 후 여액을 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:1)로 정제하였고 메탄올로 재결정하여 목적화합물 1-25 16.5g(92.1%)을 얻었다.
상기 제조예 1에서 N-페닐-[1,1'-비페닐]-4-아민(N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine) 대신 하기 표 1의 중간체 A를 사용하고, 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 대신 하기 표 1의 중간체 B를 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1과 동일하게 합성하여 하기 목적 화합물을 합성하였다.
[표 1]
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<제조예 2> 화합물 1-56의 제조
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000052
1) 화합물 1-56-2의 제조
1-브로모-3-클로로디벤조[b,d]퓨란(1-bromo-3-chlorodibenzo[b,d]furan) 10.0g(35.5mM), 4,4,4',4',5,5,5',5'-옥타메틸-2,2'-비(1,3,2-디옥사보로란)(4,4,4',4',5,5,5',5'-octamethyl-2,2'-bi(1,3,2-dioxaborolane)) 13.5g(53.3mM), PdCl 2(dppf) 1.3g(1.8mM), KOAc 10.5g(106.5mM)를 1,4-dioxane 100mL 에 녹인 후 1시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 감압여과 후 여액을 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:5)로 정제하였고 화합물 1-56-2 9.8g(81.4%)을 얻었다.
2) 화합물 1-56-1의 제조
화합물 1-56-2 9.0g(27.4mM), 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 8.1g(30.1mM), Pd(PPh 3) 4 1.6g(1.4mM), K 2CO 3 11.4g(82.2mM)를 1,4-dioxane/H 2O 100mL/20mL 에 녹인 후 1시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 감압 여과하였다. DCB에 녹여 silica 정제 후 MeOH 재결정하여 화합물 1-56-1 10.9g(91.6%)을 얻었다.
3) 화합물 1-56의 제조
화합물 1-56-1 10.0g(23.0mM), 디([1,1'-비페닐]-4-일)아민(di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amine) 8.1g(25.3mM), Pd 2(dba) 3 1.1g(1.2mM), Sphos 0.9g(2.3mM), NaOtBu 6.6g(69.0mM)를 Xylene 100mL에 녹인 후 1시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 감압 여과하였다. DCB에 녹여 silica 정제 후 MeOH 재결정하여 목적화합물 1-56 15.7g(94.8%)을 얻었다.
<제조예 3> 화합물 1-91의 제조
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000053
1) 화합물 1-91-2의 제조
상기 제조예 2의 화합물 1-56-2의 제조와 동일하게 제조하였다.
2) 화합물 1-91-1의 제조
상기 제조예 2의 화합물 1-56-1의 제조와 동일하게 제조하였다.
3)화합물 1-91의 제조
화합물 1-91-1 10.0g(23.0mM), N-페닐-N-(4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)페닐)나프탈렌-1-아민(N-phenyl-N-(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)naphthalen-1-amine) 10.7g(25.3mM), Pd 2(dba) 3 1.1g(1.2mM), Xphos 1.1g(2.3mM), NaOH 2.8g(69.0mM) 를 1,4-Dioxane/H 2O 100mL/20mL 에 녹인 후 1시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 감압 여과하였다. DCB 녹여 silica 정제 후 MeOH 재결정하여 목적화합물 1-91 14.7g(92.2%)을 얻었다.
상기 제조예 3에서 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 대신 하기 표 2의 중간체 A를 사용하고, N-페닐-N-(4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)페닐)나프탈렌-1-아민 대신 하기 표 2의 중간체 B를 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 2와 동일하게 합성하여 하기 목적 화합물을 합성하였다.
[표 2]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000054
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000055
<제조예 4> 화합물 2-33 합성
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000056
1) 화합물 2-33-2의 제조
1-브로모-4-클로로나프토[2,3-b]벤조퓨란(1-bromo-4-chloronaphtho[2,3-b]benzofuran) 30.0g(90.5mM), 4,4,4',4',5,5,5',5'-옥타메틸-2,2'-비(1,3,2-디옥사보로란)(4,4,4',4',5,5,5',5'-octamethyl-2,2'-bi(1,3,2-dioxaborolane)) 34.5g(135.8mM), PdCl 2(dppf) 3.3g(4.5mM), KOAc 26.6g(271.5mM)를 1,4-dioxane 300mL에 녹인 후 24시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 감엽여과 후 여액을 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:4)로 정제하여 화합물 2-33-2 31.2g(91.0%)을 얻었다.
2) 화합물 2-33-1의 제조
화합물 2-33-2 30g(79.2mM), 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 23.3(87.1mM), Pd(PPh 3) 4 4.6g(4.0mM), K 2CO 3 32.8g(237.6mM) 를 1,4-Dioxane/H 2O 300mL/60mL에 녹인 후 1시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 감압여과 후 DCB에 녹여 silica 정제하였다. MeOH 재결정 정제하여 화합물 2-33-1 35.3g(92.0%)을 얻었다.
3) 화합물 2-33의 제조
화합물 2-33-1 10.0g(20.7mM), (4-(나프탈렌-1-일)페닐)보론산((4-(naphthalen-1-yl)phenyl)boronic acid) 6.2g(24.8mM), Pd 2(dba) 3 0.9g(1.0mM), Xphos 1.0g(2.1mM), NaOH 2.5g(62.1mM)를 1,4-Dioxane/H 2O(100mL/20mL) 에 녹인 후 2시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 감압여과 후 DCB에 녹여 silica 정제하였다. 메탄올 재결정하여 목적화합물 2-33 12.5g(92.8%)을 얻었다
상기 제조예 4에서 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 대신 하기 표 3의 중간체 A를 사용하고, (4-(나프탈렌-1-일)페닐)보론산((4-(naphthalen-1-yl)phenyl)boronic acid) 대신 하기 표 3의 중간체 B를 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 4와 동일한 방법으로 합성하여, 목적 화합물을 합성하였다.
[표 3]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000057
<제조예 5> 화합물 2-45 합성
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000058
1) 화합물 2-45-2의 제조
1-브로모-4-클로로나프토[2,3-b]벤조퓨란(1-bromo-4-chloronaphtho[2,3-b]benzofuran) 30.0g(90.5mM), [1,1'-비페닐]-4-일보론산([1,1'-biphenyl]-4-ylboronic acid) 17.9g(90.5mM), Pd(PPh 3) 4 5.2g(4.5mM), K 2CO 3 31.3g(226.3mM)를 1,4-Dioxane/H 2O 300mL/60mL 에 녹인 후 2시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 DCM으로 추출 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:5)로 정제하여 화합물 2-45-2 29.7g(81.1%)을 얻었다.
2) 화합물 2-45-1의 제조
화합물 2-45-2 29.0g(71.6mM), 4,4,4',4',5,5,5',5'-옥타메틸-2,2'-비(1,3,2-디옥사보로란)(4,4,4',4',5,5,5',5'-octamethyl-2,2'-bi(1,3,2-dioxaborolane)) 27.3g(107.4mM), Pd 2(dba) 3 3.3g(3.6mM), Sphos 3.0g(7.2mM), KOAc 21.1g(214.8mM)를 1,4-dioxane 300mL에 녹인 후 1시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 감엽여과 후 여액을 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:2)로 정제하여 화합물 2-45-1 32.7g(92.0%)을 얻었다.
3) 화합물 2-45의 제조
화합물 2-45-1 10.0g(20.1mM), 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 5.9g(22.1mM), Pd 2(dba) 3 0.9g(1.0mM), Xphos 1.0g(2.0mM), NaOH 2.4g(60.3mM)를 1,4-dioxane/H 2O 100mL/20mL에 녹인 후 1시간 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 추출 후 여액을 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:2)로 정제한 후 MeOH 재결정하여 목적화합물 2-45 10.3g(85.1%)을 얻었다.
상기 제조예 5에서 [1,1'-비페닐]-4-일보론산([1,1'-biphenyl]-4-ylboronic acid) 대신 하기 표 4의 중간체 A를 사용하고, 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 대신 하기 표 4의 중간체 B를 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 5와 동일하게 합성하여 하기 목적 화합물을 합성하였다.
[표 4]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000059
<제조예 6> 화합물 2-90 합성
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000060
1) 화합물 2-90-2의 제조
상기 제조예 4의 화합물 2-33-2의 제조에서 1-브로모-4-클로로나프토[2,3-b]벤조퓨란 대신 1-브로모-3-클로로나프토[2,3-b]벤조퓨란(1-bromo-3-chloronaphtho[2,3-b]benzofuran)을 사용한 것을 제외하고 화합물 2-33-2의 제조와 동일하게 합성하였다.
2) 화합물 2-90-1의 제조
상기 제조예 4의 화합물 2-33-1의 제조에서 화합물 2-33-2 대신 화합물 2-90-2를 사용한 것을 제외하고 화합물 2-33-1의 제조와 동일하게 합성하였다.
3) 화합물 2-90의 제조
상기 제조예 4의 화합물 2-33의 제조에서 화합물 2-33-1 대신 2-90-1을 사용하고, (4-(나프탈렌-1-일)페닐)보론산 대신 [1,1'-비페닐]-4-일보론산([1,1'-biphenyl]-4-ylboronic acid)을 사용한 것을 제외하고 화합물 2-33의 제조와 동일하게 합성하였다.
상기 제조예 6에서 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 대신 하기 표 5의 중간체 A를 사용하고, (4-(나프탈렌-1-일)페닐)보론산((4-(naphthalen-1-yl)phenyl)boronic acid) 대신 하기 표 5의 중간체 B를 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 5와 동일하게 합성하여 하기 목적 화합물을 합성하였다.
[표 5]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000061
<제조예 7> 화합물 2-165 합성
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000062
1) 화합물 2-165-2의 제조
상기 제조예 4의 2-33-2의 제조에서 1-브로모-4-클로로나프토[2,3-b]벤조퓨란 대신 1-브로모-3-클로로나프토[2,1-b]벤조퓨란(1-bromo-3-chloronaphtho[2,1-b]benzofuran)을 사용한 것을 제외하고 화합물 2-33-2의 제조와 동일하게 합성하였다.
2) 화합물 2-165-1의 제조
상기 제조예 4의 2-33-1의 제조에서 화합물 2-33-2 대신 화합물 2-165-2를 사용한 것을 제외하고 화합물 2-33-1의 제조와 동일하게 합성하였다.
3) 화합물 2-165의 제조
상기 제조예 4의 2-33의 제조에서 화합물 2-33-1 대신 화합물 2-165-1을 사용한 것을 제외하고 화합물 2-33의 제조와 동일하게 합성하였다.
상기 제조예 7에서 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진(2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 대신 하기 표 6의 중간체 A를 사용하고, (4-(나프탈렌-1-일)페닐)보론산((4-(naphthalen-1-yl)phenyl)boronic acid) 대신 하기 표 6의 중간체 B를 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 6과 동일하게 합성하여 하기 목적 화합물을 합성하였다.
[표 6]
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000063
상기 제조예 1 내지 제조예 7에 기재된 화합물 이외의 나머지 본원 화학식 1 및 화학식 2의 헤테로고리 화합물도 전술한 제조예에 기재된 방법과 마찬가지로 제조하였다.
하기 표 7 및 표 8은 합성된 화합물의 1H NMR 자료 및 FD-MS 자료이며, 하기 자료를 통하여, 목적하는 화합물이 합성되었음을 확인할 수 있다.
화합물 번호 1H NMR(CDCl 3, 400Mz)
1-25 δ = 8.83~8.79(d, 4H), 8.55(s, 1H), 8.35~8.33(d, 1H), 7.89~7.70(m, 5H), 7.65~7.41(m, 10H), 7.36~7.21(m, 8H), 7.12~7.07(t, 1H),
1-26 δ = 8.82~8.80(d, 2H), 8.79~8.60(m, 4H), 8.12~8.08(m, 3H), 7.98(s, 1H), 7.90~7.81(m, 3H), 7.60~7.41(m, 10H), 7.36~7.21(m, 8H), 7.12~7.07(t, 1H),
1-27 δ = 8.85(s, 1H), 8.79~8.75(d, 4H), 8.53(s, 1H), 8.32~8.30(d, 1H), 7.89~7.70(m, 5H), 7.65~7.41(m, 10H), 7.36~7.21(m, 8H), 7.12~7.07(t, 1H),
1-28 δ = 8.82~8.80(d, 2H), 8.64(s, 1H), 8.35~8.32(m, 3H), 7.98(s, 1H), 7.89~7.70(m, 5H), 7.63~7.41(m, 10H), 7.35~7.21(m, 8H), 7.12~7.07(t, 1H),
1-33 δ = 8.83~8.79(d, 4H), 8.57(s, 1H), 8.33~8.32(d, 1H), 7.89~7.70(m, 5H), 7.65~7.41(m, 10H), 7.38~7.21(m, 10H), 7.11~7.07(t, 1H),
1-37 δ = 8.80(s, 1H), 8.68~8.66(d, 4H), 8.45(s, 1H), 7.80~7.75(m, 4H), 7.65~7.58(m, 3H), 7.49~7.46(m, 4H), 7.45~7.29(m, 4H), 7.24~7.22(m, 4H), 7.15~7.12(d, 1H), 7.08~7.00(m, 2H), 1.38(s, 6H)
1-38 δ = 8.80(s, 1H), 8.68~8.66(d, 4H), 8.45(s, 1H), 7.80~7.75(m, 4H), 7.66~7.55(m, 5H), 7.50~7.46(m, 4H), 7.43~7.29(m, 6H), 7.24~7.22(m, 4H), 7.15~7.12(d, 1H), 7.08~7.00(m, 2H), 1.38(s, 6H)
1-39 δ = 8.85~8.76(m, 2H), 8.65~8.62(d, 4H), 8.43(s, 1H), 7.79~7.73(m, 4H), 7.67~7.55(m, 5H), 7.49~7.46(m, 4H), 7.43~7.29(m, 6H), 7.24~7.22(m, 4H), 7.15~7.12(d, 1H), 7.08~7.00(m, 2H), 1.37(s, 6H)
1-56 δ = 8.83~8.79(d, 4H), 8.59(s, 1H), 8.55~8.54(d, 1H), 7.99(s, 1H), 7.68~7.41(m, 14H), 7.35~7.21(m, 12H), 7.12~7.07(t, 1H),
1-85 δ = 8.84~8.80(d, 4H), 8.64(s, 1H), 8.58~8.56(d, 1H), 8.00(s, 1H), 7.75~7.70(d, 4H), 7.68~7.41(m, 14H), 7.36~7.21(m, 8H), 7.12~7.07(t, 1H),
1-86 δ = 8.48(s, 1H), 8.40~8.38(d, 1H), 8.37~8.33(m, 4H), 8.23(s, 1H), 7.94(s, 1H), 7.72~7.70(d, 2H), 7.63~7.51(m, 11H), 7.47~7.22(m, 12H), 7.16~7.06(m, 2H)
1-87 δ = 8.82~8.80(d, 2H), 8.64(s, 1H), 8.55~8.53(m, 3H), 7.98(s, 1H), 7.74~7.70(d, 4H), 7.68~7.41(m, 15H), 7.36~7.21(m, 8H), 7.05~7.03(t, 1H),
1-88 δ = 8.57~8.54(m, 2H), 8.30~8.24(m, 2H), 8.02~7.93(m, 3H), 7.72~7.59(m, 9H), 7.53~7.41(m, 5H), 7.54~7.30(t, 3H), 7.26~7.21(m, 8H), 7.10~7.06(t, 1H)
1-89 δ = 8.50~8.46(m, 2H), 8.28~8.26(m, 2H), 7.99~7.93(m, 3H), 7.68~7.59(m, 9H), 7.52~7.30(m, 8H), 7.26~7.21(m, 8H), 7.10~7.06(t, 1H)
1-91 δ = 8.84~8.80(d, 4H), 8.63(s, 1H), 8.57~8.56(d, 1H), 8.00(s, 1H), 7.70~7.70(d, 4H), 7.68~7.41(m, 14H), 7.36~7.21(m, 7H), 7.12~7.07(t, 1H),
1-92 δ = 8.85~8.84(d, 4H), 8.64(s, 1H), 8.57~8.56(d, 1H), 7.98(s, 1H), 7.75~7.74(d, 4H), 7.67~7.44(m, 14H), 7.35~7.20(m, 10H), 7.12~7.07(t, 1H),
1-94 δ = 8.84~8.80(d, 4H), 8.60(s, 1H), 8.44~8.43(d, 1H), 7.99(s, 1H), 7.76~7.74(d, 4H), 7.68~7.41(m, 12H), 7.36~7.21(m, 8H), 7.12~7.07(t, 1H), 1.33(s, 6H)
1-97 δ = 8.83~8.81(d, 4H), 8.63(s, 1H), 8.57~8.55(d, 1H), 8.01(s, 1H), 7.89~7.81(m, 2H), 7.74~7.71(d, 2H), 7.66~7.57(m, 7H), 7.52~7.35(m, 3H), 7.31~7.17(m, 10H), 7.12~7.09(t, 1H)
1-98 δ = 8.82~8.80(d, 4H), 8.60(s, 1H), 8.55~8.53(d, 1H), 7.99(s, 1H), 7.86~7.84(d, 2H), 7.70~7.68(d, 2H), 7.63~7.57(m, 7H), 7.50~7.40(m, 3H), 7.31~7.17(m, 10H), 7.12~7.09(t, 1H)
1-99 δ = 8.79~8.76(d, 4H), 8.65(s, 1H), 8.59(s, 1H), 8.44~8.43(d, 1H), 7.98(s, 1H), 7.86~7.81(m, 2H), 7.74~7.71(d, 2H), 7.64~7.58(m, 7H), 7.52~7.35(m, 3H), 7.31~7.17(m, 10H), 7.12~7.09(t, 1H)
1-100 δ = 8.81~8.80(d, 2H), 8.64(s, 1H), 8.55~8.53(m, 3H), 7.98(s, 1H), 7.85~7.84(d, 2H), 7.70~7.68(d, 2H), 7.63~7.57(m, 8H), 7.49~7.40(m, 3H), 7.30~7.18(m, 10H), 7.12~7.09(t, 1H)
2-33 δ = 9.36(s, 1H), 8.90~8.88(d, 4H), 8.62~8.60(d, 1H), 8.17~8.08(m, 4H), 8.00~7.92(m, 4H), 7.77~7.75(d, 2H), 7.70~7.67(t, 3H), 7.64~7.50(m, 9H), 7.40~7.37(t, 1H)
2-34 δ = 8.82~8.79(m, 3H), 8.42~8.39(d, 2H), 8.16~8.06(m, 5H), 7.98~7.84(m, 5H), 7.76~7.74(d, 2H), 7.67~7.49(m, 12H), 7.38~7.25(t, 1H)
2-35 δ = 8.81~8.79(m, 3H), 8.41~8.39(d, 2H), 8.15~8.07(m, 5H), 7.97~7.84(m, 5H), 7.75~7.73(d, 2H), 7.63~7.49(m, 12H), 7.38~7.25(t, 1H)
2-37 δ = 9.15(s, 1H), 8.40~8.38(d, 1H), 8.28~8.21(m, 2H), 8.06~7.81(m, 15H), 7.65~7.40(m, 12H), 7.31~7.27(t, 1H)
2-40 δ = 9.35(s, 1H), 8.90~8.88(d, 4H), 8.61~8.59(d, 1H), 8.19~8.15(m, 3H), 8.06~7.88(m, 9H), 7.70~7.52(m, 10H), 7.40~7.36(t, 1H)
2-45 δ = 8.93~8.92(d, 4H), 8.89~8.87(d, 1H), 8.25(s, 1H), 8.13(s, 1H), 8.04~8.00(m, 4H), 7.95~7.89(m, 4H), 7.85~7.82(d, 1H), 7.67~7.65(m, 6H), 7.60~7.52(m, 4H), 7.41~7.39(t, 1H)
2-46 δ = 8.81~8.80(d, 4H), 8.77~8.76(d, 2H), 8.20(s, 1H), 8.10(s, 1H), 8.08~7.97(m, 6H), 7.93~7.85(m, 4H), 7.80~7.75(d, 1H), 7.67~7.65(m, 7H), 7.60~7.52(m, 4H), 7.41~7.39(t, 1H)
2-47 δ = 8.92~8.90(m, 3H), 8.88~8.86(d, 2H), 8.35~8.34(d, 1H), 8.20(s, 1H), 8.11(s, 1H), 8.08~7.90(m, 9H), 7.83~7.72(m, 4H), 7.67~7.65(m, 4H), 7.60~7.52(m, 3H), 7.41~7.39(t, 1H)
2-90 δ = 9.27(s, 1H), 8.91~8.89(d, 4H), 8.79(s, 1H), 8.15(s, 1H), 8.10(s, 1H), 8.00~7.85(m, 8H), 7.68~7.60(m, 7H), 7.56~7.54(m, 3H), 7.41~7.37(t, 1H)
2-91 δ = 9.28(s, 1H), 8.91~8.89(d, 4H), 8.80(s, 1H), 8.16(s, 1H), 8.11(s, 1H), 8.02~7.85(m, 10H), 7.69~7.60(m, 7H), 7.56~7.54(m, 3H), 7.41~7.37(t, 1H)
2-93 δ = 9.25(s, 1H), 8.91~8.89(m, 3H), 8.79~8.68(m, 2H), 8.15(s, 1H), 8.10(s, 1H), 8.00~7.85(m, 10H), 7.68~7.60(m, 7H), 7.56~7.54(m, 3H), 7.41~7.37(t, 1H)
2-165 δ = 8.95~8.93(d, 4H), 8.85(s, 1H), 8.50(s, 1H), 8.15~8.10(m, 3H), 8.00~7.85(m, 7H), 7.69~7.60(m, 3H), 7.55~7.50(m, 3H), 7.41~7.37(t, 1H)
2-167 δ = 8.96~8.91(m, 5H), 8.54~8.50(m, 3H), 8.15~8.11(m, 3H), 8.00~7.89(m, 7H), 7.71~7.60(m, 5H), 7.55~7.50(m, 3H), 7.41~7.37(t, 1H)
2-168 δ = 8.95~8.90(m, 5H), 8.55~8.50(m, 3H), 8.16~8.10(m, 3H), 7.99~7.85(m, 9H), 7.70~7.59(m, 7H), 7.55~7.50(m, 3H), 7.41~7.37(t, 1H)
화합물 FD-Mass 화합물 FD-Mass
1-25 m/z= 542.7620 (C45H30N4O, 642.2420) 1-26 m/z= 692.8220 (C49H32N4O, 692.2576)
1-27 m/z= 641.7740 (C46H31N3O, 641.2467) 1-28 m/z= 641.7740 (C46H31N3O, 641.2467)
1-33 m/z= 748.9040 (C51H32N4OS, 748.2297) 1-37 m/z= 682.8270 (C48H34N4O, 682.2733)
1-38 m/z= 758.9250 (C54H38N4O, 758.3046) 1-39 m/z= 757.9370 (C55H39N3O, 757.3093)
1-56 m/z= 718.8600 (C51H34N4O, 718.2733) 1-85 m/z= 718.8600 (C51H34N4O, 718.2733)
1-86 m/z= 717.8720 (C52H35N3O, 717.2780) 1-87 m/z= 717.8720 (C52H35N3O, 717.2780)
1-88 m/z= 691.8340 (C50H33N3O, 691.2624) 1-89 m/z= 747.9160 (C52H33N3OS, 747.2344)
1-91 m/z= 692.8220 (C49H32N4O, 692.2576) 1-92 m/z= 768.9200 (C55H36N4O, 768.2889)
1-94 m/z= 758.9250 (C54H38N4O, 758.3046) 1-97 m/z= 732.8430 (C51H32N4O2, 732.2525)
1-98 m/z= 748.9040 (C51H32N4OS, 748.2297) 1-99 m/z= 731.8550 (C52H33N3O2, 731.2573)
1-100 m/z= 731.8550 (C52H33N3O2, 731.2573)
2-33 m/z= 651.7690 (C47H29N3O, 651.2311) 2-34 m/z= 650.7810 (C48H30N2O, 650.2358)
2-35 m/z= 650.7810 (C48H30N2O, 650.2358) 2-37 m/z= 700.8410 (C52H32N2O, 700.2515)
2-40 m/z= 651.7690 (C47H29N3O, 651.2311) 2-45 m/z= 601.7090 (C43H27N3O, 601.2154)
2-46 m/z= 677.8070 (C49H31N3O, 677.2467 2-47 m/z= 651.7690 (C47H29N3O, 651.2311)
2-90 m/z= 601.7090 (C43H27N3O, 601.2154) 2-91 m/z= 651.7690 (C47H29N3O, 651.2311)
2-93 m/z= 651.7690 (C47H29N3O, 651.2311) 2-165 m/z= 525.6110 (C37H23N3O, 525.1841)
2-167 m/z= 665.7520 (C47H27N3O2, 665.2103) 2-168 m/z= 701.8290 (C51H31N3O, 701.2467)
<실험예 1>
-유기 발광 소자의 제작(적색 single Host & mixed Host)
1-1) 실험예 (적색 single Host & mixed Host)
1,500Å의 두께로 인듐틴옥사이드(ITO)가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 아세톤, 메탄올, 이소프로필 알코올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV 세정기에서 UV를 이용하여 5분간 UVO처리하였다. 이후 기판을 플라즈마 세정기(PT)로 이송시킨 후, 진공상태에서 ITO 일함수 및 잔막 제거를 위해 플라즈마 처리를 하여, 유기증착용 열증착 장비로 이송하였다.
상기 ITO 투명 전극(양극)위에 공통층인 정공 주입층 2-TNATA(4,4',4"-Tris[2-naphthyl(phenyl)amino] triphenylamine) 및 정공 수송층 NPB(N,N'-Di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine)을 형성시켰다.
그 위에 발광층을 다음과 같이 열 진공 증착시켰다. 발광층은 호스트로 하기 표 9에 기재된 화학식 1 및 화학식 2 조합 화합물, 적색 인광 도펀트로 (piq) 2(Ir)(acac)을 사용하여 호스트에 (piq) 2(Ir)(acac)를 3% 도핑하여 500Å 증착하였다. 이후 정공 저지층으로 BCP를 60Å 증착하였으며, 그 위에 전자 수송층으로 Alq3를 200Å 증착하였다. 마지막으로 전자 수송층 위에 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 10Å의 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성한 후, 전자 주입층 위에 알루미늄(Al) 음극을 1,200Å의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
한편, OLED 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10 -6~10 -8torr 하에서 진공 승화 정제하여 OLED 제작에 사용하였다.
상기와 같이 제작된 유기 전계 발광 소자에 대하여 맥사이언스사의 M7000으로 전계 발광(EL)특성을 측정하였으며, 그 측정 결과를 가지고 맥사이언스사에서 제조된 수명측정장비(M6000)를 통해 기준 휘도가 6,000 cd/m 2 일 때, T 90을 측정하였다. 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 특성은 하기 표 9와 같았다.
화합물 비율
(N:P)		 Turn-on
(V)		 구동전압
(V)		 효율
(cd/A)		 색좌표
(x, y)		 수명
(T 90)
비교예 1 A - 3.59 5.91 20.8 (0.681, 0.319) 30
비교예 2 B - 3.21 5.65 19.9 (0.682, 0.316) 25
비교예 3 C - 3.57 5.99 26.0 (0.683, 0.315) 36
비교예 4 D - 3.55 5.90 22.0 (0.681, 0.318) 35
비교예 5 E - 3.49 5.91 21.9 (0.680, 0.319) 65
비교예 6 F - 3.61 5.95 24.9 (0.683, 0.316) 70
비교예 7 1-25 - 2.53 3.73 39.48 (0.685, 0.315) 100
비교예 8 1-26 - 2.49 3.68 37.88 (0.687, 0.312) 97
비교예 9 1-27 - 2.89 3.99 30.39 (0.686, 0.313) 71
비교예 10 1-28 - 3.31 4.52 25.55 (0.686, 0.313) 55
비교예 11 1-33 - 2.40 3.45 45.29 (0.686, 0.313) 200
비교예 12 1-37 - 2.30 3.37 56.49 (0.685, 0.315) 438
비교예 13 1-38 - 2.35 3.38 52.05 (0.686, 0.313) 278
비교예 14 1-39 - 2.71 3.79 41.31 (0.686, 0.313) 168
비교예 15 1-56 - 2.41 3.65 30.14 (0.685, 0.315) 105
비교예 16 1-85 - 2.25 3.37 73.98 (0.687, 0.312) 400
비교예 17 1-86 - 2.48 4.00 49.39 (0.686, 0.313) 109
비교예 18 1-87 - 2.77 4.37 34.79 (0.686, 0.313) 67
비교예 19 1-88 - 2.25 3.80 54.64 (0.684, 0.315) 250
비교예 20 1-89 - 2.45 3.72 43.86 (0.685, 0.315) 105
비교예 21 1-91 - 2.40 3.38 49.27 (0.684, 0.315) 150
비교예 22 1-92 - 2.44 3.41 47.91 (0.685, 0.315) 141
비교예 23 1-94 - 2.34 3.38 55.48 (0.686, 0.313) 440
비교예 24 1-97 - 2.33 3.52 51.26 (0.685, 0.315) 205
비교예 25 1-98 - 2.20 3.25 52.70 (0.685, 0.315) 200
비교예 26 1-99 - 2.41 3.39 35.90 (0.685, 0.315) 100
비교예 27 1-100 - 2.80 3.79 29.13 (0.684, 0.315) 67
비교예 28 2-33 - 2.45 3.90 35.21 (0.685, 0.314) 73
비교예 29 2-34 - 2.90 4.41 30.11 (0.687, 0.312) 55
비교예 30 2-35 - 3.40 5.00 25.39 (0.686, 0.313) 30
비교예 31 2-37 - 2.40 4.01 33.15 (0.686, 0.313) 70
비교예 32 2-40 - 2.43 3.92 34.29 (0.686, 0.313) 69
비교예 33 2-45 - 2.49 4.30 32.49 (0.685, 0.315) 50
비교예 34 2-46 - 2.43 3.85 30.15 (0.686, 0.313) 67
비교예 35 2-47 - 2.50 4.00 33.31 (0.685, 0.315) 80
비교예 36 2-90 - 2.51 4.21 28.30 (0.685, 0.314) 50
비교예 37 2-91 - 2.45 3.90 31.00 (0.686, 0.313) 63
비교예 38 2-93 - 2.40 3.82 33.40 (0.685, 0.314) 70
비교예 39 2-165 - 2.60 4.22 28.00 (0.686, 0.313) 35
비교예 40 2-167 - 2.49 4.00 54.64 (0.685, 0.314) 60
비교예 41 2-168 - 2.44 4.01 43.86 (0.684, 0.315) 75
비교예 42 1-85:A 1:1 3.20 5.00 45.30 (0.686, 0.313) 150
비교예 43 1-85:D 1:1 3.25 5.05 45.90 (0.686, 0.313) 155
비교예 44 C:2-33 1:1 2.60 4.05 40.10 (0.685, 0.314) 110
비교예 45 D:2-34 1:1 2.61 4.10 40.15 (0.685, 0.314) 115
실시예 36 1-85:2-33 5:1 2.23 3.38 68.35 (0.686, 0.313) 768
실시예 37 1-85:2-33 3:1 2.21 3.37 72.10 (0.686, 0.313) 800
실시예 38 1-85:2-33 1:1 2.20 3.30 75.11 (0.686, 0.313) 825
실시예 39 1-85:2-33 1:3 2.22 3.28 71.50 (0.686, 0.313) 797
실시예 40 1-85:2-33 1:5 2.24 3.25 66.32 (0.686, 0.313) 755
실시예 41 1-86:2-33 5:1 2.40 3.92 55.13 (0.687, 0.312) 630
실시예 42 1-86:2-33 3:1 2.31 3.71 62.10 (0.687, 0.312) 759
실시예 43 1-86:2-33 1:1 2.20 3.60 65.35 (0.686, 0.313) 930
실시예 44 1-86:2-33 1:3 2.30 3.55 60.00 (0.686, 0.313) 800
실시예 45 1-86:2-33 1:5 2.42 3.50 55.35 (0.686, 0.313) 690
실시예 46 1-87:2-33 3:1 2.63 4.25 45.11 (0.687, 0.312) 371
실시예 47 1-87:2-33 1:1 2.51 3.85 49.35 (0.686, 0.313) 450
실시예 48 1-87:2-33 1:3 2.40 3.61 46.35 (0.685, 0.315) 400
실시예 49 1-25:2-91 1:1 2.31 3.42 50.15 (0.685, 0.315) 315
실시예 50 1-26:2-33 1:1 2.55 3.61 55.10 (0.687, 0.312) 410
실시예 51 1-37:2-91 1:1 2.25 3.30 65.39 (0.685, 0.315) 590
실시예 52 1-85:2-34 1:1 2.45 3.85 60.13 (0.686, 0.313) 610
실시예 53 1-85:2-35 1:1 2.80 4.38 49.53 (0.686, 0.313) 450
실시예 54 1-98:2-33 1:1 2.15 3.19 72.93 (0.685, 0.315) 850
실시예 55 1:98:2-168 1:1 2.19 3.20 63.84 (0.685, 0.315) 700
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000064
본 발명의 화학식 1의 헤테로고리 화합물은 열 안정성이 높으면서도, 적절한 분자량과 밴드갭을 갖는다. 발광층의 적절한 밴드갭은 전자와 정공의 유실을 막아, 효과적인 recombination zone의 형성을 돕는다. 따라서 상기 표 9의 소자 평가에서 알 수 있듯이 비교예보다 본 발명의 화합물이 개선된 퍼포먼스를 보임을 확인할 수 있었다.
특히, N-Het의 치환기가
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000065
triazine 계열의 화합물인 경우,
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000066
나
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000067
pyrimidne 등의 다른 ET 화합물에 비해 효율과 수명 특성이 우수하며, 이는 다른 ET 계열들과 비교하여 전자와 전공의 수송이 효율적으로 일어나, 효율적인 recombination zone을 형성하여 우수한 퍼포먼스를 보임을 확인할 수 있었다.
반면, N-Het의 치환기가
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000068
와
Figure PCTKR2021005956-appb-img-000069
계열인 경우, N 원자의 위치에 따라, 전자와 전공 수송 특성이 차이가 나며, 이는 소자의 문턱전압(Turn-on voltage) 조절이 용이하지만, 효율과 수명특성이 좋지 못하다.
상기 비교예에서 알 수 있듯 화학식 2의 헤테로고리 화합물을 단독으로 사용하는 경우 열 안정성이 높지만, HOMO 준위가 낮아 적절한 밴드갭을 갖지 않아, 전공 주입이 용이하지 못해, 전하의 불균형으로 구동전압이 높고 수명이 낮은 퍼포먼스를 보인다.
즉 상기 표 9에서 알 수 있듯 화학식 1의 헤테로고리 화합물과 화학식 2 의 헤테로고리 화합물의 조합 소자평가 결과를 통해, 상기 발명에 해당하는 화합물을 유기 발광 소자의 발광층으로 사용하는 경우, 그렇지 않은 경우에 비하여 구동전압, 효율 및 수명 특성에서 우수한 효과를 나타냄을 확인할 수 있다.
또한, 유기 발광 소자에 화학식 1의 헤테로고리 화합물과 화학식 2의 헤테로고리 화합물의 조합으로 발광층을 사용할 경우, 단일 화합물로 발광층을 사용하였을 때 비교하여, 개선된 구동전압, 효율 및 수명 특성을 보인다. 이는, 정공 수송 능력이 좋은 donor(p-host)와 전자 수송 능력이 좋은 acceptor(n-host)가 발광층의 호스트로 함께 사용될 경우, 전자와 전공이 주입되는 구동전압을 낮출 수 있고, 효과적인 recombination zone의 형성을 통해, 효율 및 수명을 향상시키는 결과에 해당한다.
1-2) 실험예 (2stack Red N+P mixed host)
1,500Å의 두께로 인듐틴옥사이드(ITO, Indium Tinoxide)가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 아세톤, 메탄올, 이소프로필 알코올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV(Ultraviolet) 세정기에서 UV를 이용하여 5분간 UVO(Ultraviolet Ozone)처리하였다. 이후 기판을 플라즈마 세정기(PT)로 이송시킨 후, 진공상태에서 ITO 일함수 및 잔막 제거를 위해 플라즈마 처리를 하여, 유기증착용 열증착 장비로 이송하였다.
상기 ITO 투명 전극(양극)위에 공통층인 정공 주입층 2-TNATA(4,4',4"-Tris[2-naphthyl(phenyl)amino] triphenylamine) 및 정공 수송층 NPB(N,N'-Di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine)을 형성시켰다.
그 위에 발광층을 다음과 같이 열 진공 증착시켰다. 발광층은 적색 호스트로 하기 표 10에 기재된 화합물, 적색 인광 도펀트로 (piq) 2(Ir)(acac)을 사용하여 호스트에 (piq) 2(Ir)(acac)를 2% 도핑하여 400Å 증착하였다.
이후, 전자 수송층으로 Alq3 를 120Å 증착하였며, 그 위에 전하 생성층으로 Bphen를 120Å 증착하였으며, 그 위에 또한 전하 생성층으로 MoO 3 를 100Å 증착하였다. 정공 수송층 NPB(N,N'-Di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine)을 형성시켰다.
그 위에 발광층을 다음과 같이 열 진공 증착시켰다. 발광층은 적색 호스트로 하기 표 10에 기재된 화합물, 적색 인광 도펀트로 (piq) 2(Ir)(acac)을 사용하여 호스트에 (piq) 2(Ir)(acac)를 2% 도핑하여 400Å 증착하였다.
이후 전자 수송층으로 Alq3 를 300Å 증착하였다. 마지막으로 전자 수송층 위에 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 20Å 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성한 후, 전자 주입층 위에 알루미늄(Al) 음극을 1,200Å의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
한편, OLED 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10 -6~10 -8torr 하에서 진공 승화 정제하여 OLED 제작에 사용하였다.
상기와 같이 제작된 유기 전계 발광 소자에 대하여 맥사이언스사의 M7000으로 전계 발광(EL)특성을 측정하였으며, 그 측정 결과를 가지고 맥사이언스사에서 제조된 수명측정장비(M6000)를 통해 기준 휘도가 6,000 cd/m2 일 때, T 90을 측정하였다. 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 특성은 하기 표 10과 같았다.
발광층
화합물		 비율
(p:n)		 Turn-on
(V)		 구동전압
(V)		 효율
(cd/A)		 색좌표
(x, y)		 수명
(T 90)
비교예 2-1 Single host(1-85) - 4.16 5.31 93.75 (0.686, 0.313) 260
비교예 2-2 Single host(1-86) - 5.51 6.00 70.11 (0.686, 0.313) 120
비교예 2-3 1-86:D 1:1 6.41 7.90 45.50 (0.685, 0.315) 70
비교예 2-4 G:2-33 1:1 7.15 8.35 44.11 (0.686, 0.313) 65
실시예 2-1 1-85:2-33 2:1 3.70 4.98 129.39 (0.686, 0.313) 790
실시예 2-2 1-85:2-33 1:1 3.51 4.79 135.83 (0.686, 0.313) 950
실시예 2-3 1-85:2-33 1:2 3.33 4.43 128.36 (0.686, 0.313) 800
실시예 2-4 1-86:2-33 2:1 3.98 5.80 86.37 (0.686, 0.313) 480
실시예 2-5 1-86:2-33 1:1 3.76 5.59 110.91 (0.686, 0.313) 800
실시예 2-6 1-86:2-33 1:2 3.55 5.35 90.35 (0.686, 0.313) 690
실시예 2-7 1-25:2-33 1:1 5.11 6.35 60.37 (0.686, 0.313) 300
실시예 2-8 1-37:2-33 1:1 4.60 5.11 113.91 (0.686, 0.313) 800
실시예 2-9 1-88:2-33 1:1 4.38 4.68 90.85 (0.685, 0.315) 870
실시예 2-10 1-86:2:34 1:1 4.99 6.05 100.95 (0.685, 0.315) 750
상기 소자 평가 결과로부터 알 수 있듯이, 2-스택의 경우, 발광층이 두 번 증착되는 경우로, 단일 발광층에 비해 효율이 증가되는 결과를 확인할 수 있다.
또한, 상기 표 10에서도 마찬가지로, 화학식 1의 헤테로고리 화합물과 화학식 2의 헤테로고리 화합물의 조합 소자 평가 결과를 통해, 상기 발명에 해당하는 화합물을 유기 발광 소자의 발광층으로 사용하는 경우, 그렇지 않은 경우에 비하여 구동전압, 효율 및 수명 특성에서 우수한 효과를 나타냄을 확인할 수 있다.
또한, 유기 발광 소자에 화학식 1의 헤테로고리 화합물과 화학식 2의 헤테로고리 화합물의 조합으로 발광층을 사용할 경우, 단일 화합물로 발광층을 사용하였을 때 비교하여, 개선된 구동전압, 효율 및 수명 특성을 보인다. 이는, 정공 수송 능력이 좋은 donor(p-host)와 전자 수송 능력이 좋은 acceptor(n-host)가 발광층의 호스트로 사용될 경우, 전자와 전공이 주입되는 구동전압을 낮출 수 있고, 효과적인 recombination zone의 형성을 통해, 효율 및 수명을 향상시키는 결과에 해당한다.

Claims (16)

  1. 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
    상기 유기물층 중 1층 이상이 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 하기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000070
    [화학식 2]
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000071
    상기 화학식 1 및 2에 있어서,
    X 및 X'는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; S; 또는 NRa이고,
    L1, L1', L2 및 L2'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기이고,
    N-Het 및 N-Het' 은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 포함하는 단환 또는 다환의 헤테로고리기이고,
    Ar' 및 Z1은 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)RR'; -SiRR'R"; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    R1 내지 R6 및 R1' 내지 R5'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)RR'; -SiRR'R"; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성하며,
    상기 Ra, R, R', 및 R"은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
    m, p, b, 및 c는 0 내지 3의 정수이고
    q 및 d는 1 내지 6의 정수이며,
    a는 0 내지 2의 정수이고,
    a가 2이거나, m, p, b, c, q 및 d가 2 이상인 경우, 괄호 안의 치환기는 각각 같거나 상이하다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 3]
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000072
    [화학식 4]
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000073
    상기 화학식 3 및 4에 있어서,
    R1 내지 R6, L1, L2, Z1, N-Het, X, m, p 및 q의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1의 Z1은 -CN; 또는 치환 또는 비치환된 아민기이거나, 하기 화학식 1-1로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 1-1]
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000074
    상기 화학식 1-1에 있어서,
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000075
    는 상기 화학식 1의 L2와 연결되는 위치를 의미하며,
    X1은 O; S; N(R31); 또는 C(R32)(R33)이고,
    R21 내지 R25는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족고리를 형성하고,
    n은 0 내지 3의 정수이고,
    n이 2 이상인 경우 괄호 안의 치환기는 서로 같거나 상이하며,
    상기 R31 내지 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족고리를 형성할 수 있다.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 2은 하기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 2-1]
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000076
    [화학식 2-2]
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000077
    [화학식 2-3]
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000078
    상기 화학식 2-1 내지 2-3에서 각 치환기의 정의는 화학식 2와 동일하다.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 2은 하기 화학식 2-4 내지 2-7 중 어느 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 2-4]
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000079
    [화학식 2-5]
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000080
    [화학식 2-6]
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000081
    [화학식 2-7]
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000082
    상기 화학식 2-4 내지 2-7에서 각 치환기의 정의는 화학식 2와 동일하다.
  6. 청구항 1에 있어서,
    R1 내지 R6 및 R1' 내지 R5'은 수소인 것인 유기 발광 소자.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중 어느 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000083
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000084
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000085
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000086
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000087
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화합물 중 어느 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000088
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000089
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000090
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000091
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000092
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000093
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000094
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 유기물층은 정공 저지층, 전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 한 층을 포함하고, 상기 정공 저지층, 전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 한 층이 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 호스트 물질을 포함하며, 상기 호스트 물질은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송층. 전자주입층, 전자수송층, 전자차단층 및 정공차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  13. 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000095
    [화학식 2]
    Figure PCTKR2021005956-appb-img-000096
    상기 화학식 1 및 2에 있어서,
    X 및 X'는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; S; 또는 NRa이고,
    L1, L1', L2 및 L2'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기이고,
    N-Het 및 N-Het' 은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환되고, N을 1개 이상 포함하는 단환 또는 다환의 헤테로고리기이고,
    Ar' 및 Z1은 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)RR'; -SiRR'R"; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    R1 내지 R6 및 R1' 내지 R5'은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; -P(=O)RR'; -SiRR'R"; 및 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로 고리를 형성하며,
    상기 Ra, R, R', 및 R"은 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
    m, p, b, 및 c는 0 내지 3의 정수이고
    q 및 d는 1 내지 6의 정수이며,
    a는 0 내지 2의 정수이고,
    a가 2이거나, m, p, b, c, q 및 d가 2 이상인 경우, 괄호 안의 치환기는 각각 같거나 상이하다.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 조성물 내 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 : 상기 화학식 2로 표시되는 헤테로고리 화합물의 중량비는 1 : 10 내지 10 : 1인 것인 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물.
  15. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 유기물층을 형성하는 단계는 청구항 13에 따른 유기물층용 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법.
  16. 청구항 15에 있어서, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 상기 화학식 1의 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 2의 헤테로고리 화합물을 예비 혼합(pre-mixed)하여 열 진공 증착 방법을 이용하여 형성하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114805320A (zh) * 2021-01-29 2022-07-29 三星Sdi株式会社 用于有机光电器件的化合物、用于有机光电器件的组合物、有机光电器件及显示器件

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115322179A (zh) * 2021-05-11 2022-11-11 三星Sdi株式会社 用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组合物、有机光电装置和显示装置
WO2023149718A1 (ko) * 2022-02-04 2023-08-10 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자, 상기 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물 및 상기 유기 발광 소자의 제조방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US20160293856A1 (en) * 2015-04-06 2016-10-06 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent Materials and Devices
KR20190035503A (ko) * 2017-09-25 2019-04-03 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20190079341A (ko) * 2017-12-27 2019-07-05 삼성에스디아이 주식회사 유기 화합물, 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20200017728A (ko) * 2018-08-09 2020-02-19 덕산네오룩스 주식회사 이종 화합물의 혼합물을 호스트로 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20200017727A (ko) * 2018-08-09 2020-02-19 덕산네오룩스 주식회사 이종 화합물의 혼합물을 호스트로 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20200063179A (ko) 2017-10-17 2020-06-04 코스탈 콘탁트 치스테메 게엠베하 플러그 커넥터 부분

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101627755B1 (ko) * 2013-06-13 2016-06-07 제일모직 주식회사 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101915712B1 (ko) * 2017-03-24 2018-11-06 희성소재 (주) 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물
KR102038031B1 (ko) * 2017-09-15 2019-10-30 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US20160293856A1 (en) * 2015-04-06 2016-10-06 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent Materials and Devices
KR20190035503A (ko) * 2017-09-25 2019-04-03 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20200063179A (ko) 2017-10-17 2020-06-04 코스탈 콘탁트 치스테메 게엠베하 플러그 커넥터 부분
KR20190079341A (ko) * 2017-12-27 2019-07-05 삼성에스디아이 주식회사 유기 화합물, 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20200017728A (ko) * 2018-08-09 2020-02-19 덕산네오룩스 주식회사 이종 화합물의 혼합물을 호스트로 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20200017727A (ko) * 2018-08-09 2020-02-19 덕산네오룩스 주식회사 이종 화합물의 혼합물을 호스트로 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114805320A (zh) * 2021-01-29 2022-07-29 三星Sdi株式会社 用于有机光电器件的化合物、用于有机光电器件的组合物、有机光电器件及显示器件

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