WO2021241425A1 - 太陽電池および太陽電池製造方法 - Google Patents

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WO2021241425A1
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淳一 中村
紳平 岡本
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株式会社カネカ
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Definitions

  • the present invention relates to a solar cell and a method for manufacturing a solar cell.
  • the first collection is arranged so as to be bridged between the base electrode, the plurality of first connection electrodes and the second connection electrodes stacked alternately on the first base electrode and the second base electrode, and the plurality of first connection electrodes.
  • a back-contact type solar cell including an electric body and a second current collector arranged so as to be bridged between a plurality of second connection electrodes is known.
  • the second current collector of the first base electrode is used.
  • a configuration in which an insulating material is laminated in a region intersecting the body and a region intersecting the first current collector of the second base electrode is also known (see, for example, Patent Document 1).
  • the first current collector and the second current collector made of a metal wire or the like are positioned with respect to the first connection electrode and the second connection electrode and soldered or the like. It is necessary to join with.
  • the arrangement pitch of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer is reduced in order to improve the current collection efficiency, the first connection electrode and the second connection electrode are miniaturized and the pitch is narrowed, so that the first current collector And the positioning of the second current collector becomes difficult, and the connection of the first current collector and the second current collector to the first connection electrode and the second connection electrode may be uncertain.
  • An object of the present invention is to provide a solar cell and a method for manufacturing a solar cell in which the current collector is reliably connected to the connection electrode.
  • a plurality of solar cells according to one aspect of the present invention are formed on the semiconductor substrate and the back surface side of the semiconductor substrate in a band shape extending in the first direction, and are alternately provided in the second direction intersecting the first direction.
  • the first electrode insulating material and the intermediate so as to connect between the second electrode insulating material, the first current collector laminated across the intermediate insulating material, and the plurality of the second connecting regions. It is provided with a second current collector laminated over the insulating material.
  • the material of the first current collector and the second current collector may be solder or a conductive adhesive.
  • the solar cell according to the embodiment of the present invention has a first connection electrode laminated on the back surface side of the first connection region of the first base electrode and a back surface side of the second connection region of the second base electrode.
  • a second connection electrode to be laminated may be further provided.
  • the solar cell according to the embodiment of the present invention has a first transparent electrode interposed between the first semiconductor layer and the first base electrode, and an interposition between the second semiconductor layer and the second base electrode.
  • a second transparent electrode may be further provided.
  • the intermediate insulating material may be white.
  • a plurality of strip-shaped first semiconductor layers and a plurality of strip-shaped second semiconductor layers extending in the first direction are provided on the back surface side of the semiconductor substrate as the first direction.
  • a part of the first band-shaped region overlapping the central portion of the second direction of the semiconductor layer, the plurality of first connection regions arranged in the second direction, and the back surface side of the metal layer, respectively.
  • the first band-shaped region of the metal layer is formed by a step of laminating a first insulating material on a second insulating region complementary to the two connection regions and etching using the first conductive paste and the first insulating material as a mask.
  • the second conductive paste is laminated in a strip extending in the second direction in each of the plurality of regions straddling the first connection region and the plurality of regions straddling the second connection region on the back surface side of the first insulating material. It is equipped with a process.
  • the present invention it is possible to provide a solar cell in which the current collector is reliably connected to the connection electrode.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA of the solar cell of FIG. It is a flowchart which shows the procedure of the manufacturing method of the solar cell of FIG. It is sectional drawing which shows one process of the manufacturing method of the solar cell of FIG. It is sectional drawing which shows the next process of FIG. 4A of the manufacturing method of the solar cell of FIG. It is sectional drawing which shows the next process of FIG. 4B of the manufacturing method of the solar cell of FIG. It is sectional drawing which shows the next process of FIG. 4C of the manufacturing method of the solar cell of FIG. It is sectional drawing which shows the next process of FIG. 4D of the manufacturing method of the solar cell of FIG.
  • FIG. 1 is a back view of the solar cell 1 according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of the solar cell 1.
  • the solar cell 1 is a so-called heterojunction back contact type solar cell.
  • the solar cell 1 is formed on the semiconductor substrate 11 and the back surface side of the semiconductor substrate 11 (the side opposite to the incident surface of light) in a band shape extending in the first direction, respectively, and alternately in the second direction intersecting the first direction.
  • the plurality of first semiconductor layers 21 and the plurality of second semiconductor layers 22 provided are laminated in a strip shape extending in the first direction at the center of the back surface side of the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 in the second direction.
  • a plurality of second connection electrodes 52 that are partially laminated on the side and are provided side by side in the second direction so as to be offset from the first connection electrode 51, and are laminated in a region of the first base electrode 41 that does not have the first connection electrode 51.
  • a plurality of intermediate insulating materials 71 laminated on the back surface side of the region where the electrodes 41 are not laminated and on the back surface side of the region where the second transparent electrode 32 and the second base electrode 42 of the second semiconductor layer 22 are not laminated.
  • a second current collector 82 laminated over the one electrode insulating material 61 and the intermediate insulating material 71 is provided.
  • the semiconductor substrate 11 is formed of a crystalline silicon material such as single crystal silicon or polycrystalline silicon.
  • the semiconductor substrate 11 is, for example, an n-type semiconductor substrate in which a crystalline silicon material is doped with an n-type dopant. Examples of the n-type dopant include phosphorus (P).
  • the semiconductor substrate 11 functions as a photoelectric conversion substrate that absorbs incident light from the light receiving surface side to generate optical carriers (electrons and holes). By using crystalline silicon as the material of the semiconductor substrate 11, relatively high output (stable output regardless of illuminance) can be obtained even when the dark current is relatively small and the intensity of the incident light is low.
  • the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 have different conductive types from each other.
  • the first semiconductor layer 21 is formed of a p-type semiconductor
  • the second semiconductor layer 22 is formed of an n-type semiconductor.
  • the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 can be formed of, for example, an amorphous silicon material containing a dopant that imparts a desired conductive type.
  • Examples of the p-type dopant include boron (B), and examples of the n-type dopant include phosphorus (P) described above.
  • the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 are each formed in a band shape extending in the first direction.
  • a plurality of first semiconductor layers 21 and a plurality of second semiconductor layers 22 are alternately provided in a second direction intersecting the first direction.
  • the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 are preferably arranged so as to cover substantially the entire surface of the semiconductor substrate 11.
  • the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 attract carriers generated in the semiconductor substrate 11 to collect electric charges.
  • the first transparent electrode 31 and the second transparent electrode 32 are thin layers that collect current from the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 and supply electric charges to the first base electrode 41 and the second base electrode 42. Further, the first transparent electrode 31 and the second transparent electrode 32 have adhesiveness caused by a difference in material between the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 and the first base electrode 41 and the second base electrode 42. It functions as an intermediate layer that prevents a decrease and an increase in electrical resistance at the interface.
  • the first transparent electrode 31 and the second transparent electrode 32 have a width smaller than that of the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 in the second direction so as not to come into contact with each other, and the first semiconductor layer 21 and the first semiconductor layer 21 in the first direction.
  • the two semiconductor layers 22 are laminated over substantially the entire length.
  • the first transparent electrode 31 and the second transparent electrode 32 can be formed of the same material.
  • Examples of the material forming the first transparent electrode 31 and the second transparent electrode 32 include ITO (Indium Tin Oxide) and zinc oxide (ZnO).
  • the first base electrode 41 is laminated on each of the first transparent electrodes 31 so as to extend in the first direction
  • the second base electrode 42 is laminated on each of the second transparent electrodes 32 so as to extend in the first direction.
  • the first base electrode 41 and the second base electrode 42 take out electric charges from the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 via the first transparent electrode 31 and the second transparent electrode 32.
  • the first base electrode 41 and the second base electrode 42 are formed of a metal such as copper.
  • the first connection electrodes 51 are laminated on the back surface side of the first connection region set in each first base electrode 41 so as to be aligned in the second direction.
  • the second connection electrode 52 is laminated on the back surface side of the second connection region set in each of the second base electrodes 42 so as to be aligned in the second direction at a position deviated from the first connection electrode in the first direction.
  • the region where the first connection electrodes 51 are laminated is the first connection region
  • the region where the second connection electrodes 52 are laminated is the second connection region.
  • the size and shape of the first connection region and the second connection region are not particularly limited as long as they can enable electrical connection, but in the present embodiment, the first connection region is each first base electrode.
  • the central portion of the second direction of 41 is a rectangular region
  • the second connection region is a rectangular region of the central portion of the second direction of each of the second base electrodes 42.
  • the first connection electrode 51 electrically connects the first base electrode 41 and the first current collector 81 by interposing between the first base electrode 41 and the first current collector 81.
  • the second connection electrode 52 electrically connects the second base electrode 42 and the second current collector 82 by interposing between the second base electrode 42 and the second current collector 82.
  • the first connection electrode 51 and the second connection electrode 52 insulate the height position of the connection surface of the first base electrode 41 and the second base electrode 42 with respect to the first current collector 81 and the second current collector 82.
  • the first current collector 81 and the second collector 82 to the first connection electrode 51 and the second connection electrode 52 are raised so as to be substantially equal to the back surfaces of the material 61 and the second electrode insulating material 62. Ensure electrical connections.
  • the first connection electrode 51 and the second connection electrode 52 are arranged so as to be offset in the first direction so as to prevent a short circuit between the first current collector 81 and the second current collector 82. Further, the first connection electrode 51 and the second connection electrode 52 are the first base electrode 41 and the second base electrode 42 so that the electrical resistance from both ends of the first base electrode 41 and the second base electrode 42 is reduced. It is preferably arranged in the central portion in one direction.
  • the first connection electrode 51 and the second connection electrode 52 can be formed from a conductive paste such as silver paste.
  • the first connection electrode 51 and the second connection electrode 52 are made of the same material as the first base electrode 41 and the second base electrode 42 in order to improve the adhesiveness with the first base electrode 41 and the second base electrode 42. It is preferably formed.
  • the first electrode insulating material 61 is a first insulating region that is complementary to the first connection region of the first base electrode 41 (a region excluding the first connection region from the entire region of the first base electrode 41 in a plan view). By being laminated on the back surface side of the region, the portion exposed from the first connection electrode 51 of the first base electrode 41 is covered.
  • the second electrode insulating material 62 is a second insulation which is a region complementary to the second connection region of the second base electrode 42 (a region excluding the second connection region from the entire region of the second base electrode 42 in a plan view). By being laminated on the back surface side of the region, the portion exposed from the second connection electrode 52 of the second base electrode 42 is covered.
  • the first electrode insulating material 61 and the second electrode insulating material 62 are formed of an insulating material containing, for example, an epoxy resin as a main component.
  • the first electrode insulating material 61 may be partially overlapped with the first connection electrode 51 so as not to form a gap between the first electrode insulating material 61 and the first connection electrode 51 even if there is an error in the stacking position.
  • the second electrode insulating material 62 may be laminated so as to partially overlap with the second connecting electrode 52.
  • the first electrode insulating material 61 and the second electrode insulating material 62 are combined with the first connecting electrode 51 and the second connecting electrode 52 to form a band-shaped region having a linear side edge, so that the first connecting electrode 51 and the second electrode insulating material 62 can be formed.
  • the second connection electrode 52 may be surrounded by each. That is, the first electrode insulating material 61 and the second electrode insulating material 62 may have an opening that exposes the first connecting electrode 51 or the second connecting electrode 52.
  • the intermediate insulating material 71 includes a first connection electrode 51, a second connection electrode 52, a first electrode insulating material 61, and a first electrode insulating material 71 on the back surface side of the semiconductor substrate 11 on which the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 are arranged.
  • the two-electrode insulating material 62 is arranged so as to fill the region where the two-electrode insulating material 62 is not laminated.
  • the intermediate insulating material 71 is formed of an insulating material containing, for example, an epoxy resin as a main component.
  • the intermediate insulating material 71 is preferably white. That is, the intermediate insulating material 71 preferably contains a light diffusing material. As a result, the amount of carrier generation can be increased by reflecting the light transmitted through the semiconductor substrate 11, the first semiconductor layer 21, and the second semiconductor layer 22 and returning the light to the semiconductor substrate 11.
  • the first current collector 81 and the second current collector 82 are also used as terminals for connecting the first connection electrode 51 and the second connection electrode 52, respectively, and extracting electric power from the solar cell 1.
  • the first current collector 81 and the second current collector 82 can be formed by solder or a conductive adhesive.
  • FIG. 3 shows the procedure of the manufacturing method of the solar cell 1.
  • the solar cell manufacturing method of FIG. 3 is an embodiment of the solar cell manufacturing method according to the present invention.
  • the solar cell manufacturing method of the present embodiment includes a semiconductor layer laminating step (step S1), a transparent electrode laminating step (step S2), a metal layer laminating step (step S3), and a first conductive paste laminating step (step S4). ), The first insulating material laminating step (step S5), the etching step (step S6), the second insulating material laminating step (step S7 step), and the second conductive paste laminating step (step S8). Be prepared.
  • the semiconductor layer laminating step of step S1 by laminating the semiconductor material on the back surface side of the semiconductor substrate 11, a plurality of strip-shaped first semiconductor layers 21 and a plurality of strips extending in the first direction, respectively.
  • the second semiconductor layer 22 is alternately formed in the second direction.
  • the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 can be formed in order by forming a mask on the back surface of the semiconductor substrate 11 and laminating semiconductor materials by, for example, a film forming technique such as CVD. can.
  • the first transparent electrode 31 and the second transparent electrode are covered on the entire back surface side of the semiconductor substrate 11 so as to cover the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22.
  • the transparent electrode layer 30 made of the material forming 32 is laminated.
  • the transparent electrode layer 30 can be laminated by a film forming technique such as sputtering.
  • the first base electrode 41 and the second base cover the back surface side of the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 via the transparent electrode layer 30.
  • a metal layer 40 made of a metal forming the electrode 42 is laminated.
  • the metal layer 40 can be laminated by, for example, sputtering, plating, or the like.
  • first conductive paste laminating step S4 As shown in FIG. 4D, a plurality of first band-shaped regions overlapping the central portion of each first semiconductor layer 21 in the second direction on the back surface side of the metal layer 40.
  • a plurality of second strips that are part of the above and overlap with the central portion of the second semiconductor layer 22 in the second direction among the plurality of first connection regions arranged in the second direction and the back surface side of the metal layer 40.
  • the first connection electrode 51 and the second connection are formed by laminating the first conductive paste on a plurality of second connection regions that are a part of the region and are arranged in the second direction at positions deviated from the first connection region.
  • the electrode 52 is formed.
  • the first band-shaped region is a region forming the first base electrode 41
  • the second band-shaped region is a region forming the second base electrode 42.
  • the first conductive paste may contain metal particles such as silver paste, a binder for adhering the metal particles to each other, a binder such as glass, and a solvent for adjusting the viscosity at the time of printing.
  • metal particles such as silver paste
  • a binder for adhering the metal particles to each other such as glass
  • a binder such as glass such as glass
  • solvent for adjusting the viscosity at the time of printing.
  • Such a first conductive paste can be selectively laminated by using a printing technique such as screen printing.
  • the first conductive paste laminating step includes a step of printing the first conductive paste and a step of firing the printed first conductive paste.
  • the firing step may be performed at the same time as those firing steps.
  • the solvent is volatilized from the first conductive paste to dry the printed paste. It is preferable to have a process.
  • the first insulating region and the second strip-shaped region complementary to the first connection region in the first strip-shaped region on the back surface side of the metal layer 40.
  • the first insulating material is laminated in the second insulating region complementary to the second connecting region in the above.
  • the first insulating material laminated in the first insulating region forms the first electrode insulating material 61
  • the first insulating material laminated in the second insulating region forms the second electrode insulating material 62.
  • the first insulating material for example, a paste-like resin composition containing a thermosetting resin as a main component can be used. Such a first insulating material can be selectively laminated by using a printing technique such as screen printing.
  • the first insulating material laminating step includes a step of printing the first insulating material and a step of firing (heat curing) the printed first conductive paste.
  • the first insulating material laminating step is performed with the viscosity contained in the resin composition after printing. It may have a step of drying the adjusting solvent.
  • the first insulating material laminating step may be performed before the first conductive paste laminating step.
  • the contact area of the first connecting electrode 51 and the second connecting electrode 52 with respect to the first base electrode 41 and the second base electrode 42 can be increased. can.
  • the contact area of the first connecting electrode 51 and the second connecting electrode 52 with respect to the first current collector 81 and the second current collector 82 is increased. can do.
  • the first conductive paste and the first insulating material may cause bleeding in printing, but the easiness of bleeding may vary depending on the material and printing conditions. Therefore, by considering the size of each component and the bleeding of the first conductive paste and the first insulating material, the order of the first insulating material laminating step and the first conductive paste laminating step is selected. The connection between each component can be more secure.
  • the transparent electrode layer 30 and the metal layer 40 other than the first band-shaped region and the second band-shaped region are etched by using the first conductive paste and the first insulating material as masks. Remove the part. As a result, the remaining transparent electrode layer 30 forms the first transparent electrode 31 and the second transparent electrode 32, and the remaining metal layer 40 forms the first base electrode 41 and the second base electrode 42.
  • the first connection electrode 51, the second connection electrode 52, the first electrode insulating material 61 and the second electrode insulating material 62, which are the constituent elements of the solar cell 1, are subjected to the etching mask of the transparent electrode layer 30 and the metal layer 40. Since the formation step and the peeling step of the dedicated etching mask are not required, the manufacturing cost of the solar cell 1 can be reduced.
  • the intermediate insulating material is laminated by laminating the second insulating material on the back surface side of the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 exposed by etching. Form 71.
  • the second conductive paste is laminated in a strip extending in the second direction in the region straddling the second connection region.
  • the first current collector 81 and the second current collector 82 are formed by the second insulating material.
  • the solder paste As the second conductive paste, since the first current collector 81 and the second current collector 82 having a small electric resistance can be formed, a solder paste containing solder particles and a flux is particularly preferably used.
  • the solder paste is dried or reflowed in the second insulating layer laminating step to form the first current collector 81 and the second current collector 82 which are not easily deformed.
  • a part of the solder forming the first current collector 81 and the second current collector 82 is used for connection with the other conductor. be able to.
  • the second conductive paste can be selectively laminated by using a printing technique such as screen printing. Therefore, the first current collector 81 and the second current collector 82 are more accurate and reliable than the case where a member such as a metal wire is connected while being positioned with respect to the first connection electrode 51 and the second connection electrode 52. Can be connected to the first connection electrode 51 and the second connection electrode 52.
  • the first current collector 81 and the second current collector 82 are the first base electrode 41, the second base electrode 42, the first transparent electrode 31, and the second transparent body. It is possible to prevent a short circuit caused by contact with the electrode 32, the first semiconductor layer 21, the second semiconductor layer 22, and the semiconductor substrate 11.
  • the solar cell 1 can be manufactured at a relatively low cost, but the reliability of the connection of the first current collector 81 and the second current collector 82 to the first connection electrode 51 and the second connection electrode 52 is reliable. High sex.
  • FIG. 5 illustrates a solar cell string 100 having a plurality of solar cells 1.
  • the solar cell string 100 includes a plurality of solar cells 1 arranged side by side in the first direction, and one of two adjacent solar cells 1 adjacent to the first collector 81 of the solar cell 1 on one side.
  • a wiring material 2 for connecting the second collector 82 of the solar cell 1 is provided.
  • the solar cell string 100 is a solar cell string having a so-called single ring structure. Specifically, in the solar cell string 100, each solar cell 1 is arranged so that the end portion on one side in the first direction overlaps the back side of the end portion on the other side in the first direction of the adjacent solar cell 1. ..
  • the wiring material 2 is not particularly limited, but can be formed from, for example, a strip formed by knitting a metal wire, a strip-shaped metal foil, a metal wire, or the like.
  • the wiring material 2 may be joined to the first current collector 81 and the second current collector 82 by the conductive paste forming the first current collector 81 and the second current collector 82.
  • the wiring material 2 is heated in an appropriate position on the back surface side of a plurality of solar cells 1 arranged side by side. Thereby, the first current collector 81 and the second current collector 82 can be reflowed and the wiring material 2 can be connected.
  • the first current collector 81 and the second current collector 82 may be connected by using the heat of the heating process when the solar cell string 100 is sealed in the solar cell module.
  • the solar cell according to the present invention may not have a transparent electrode.
  • the solar cell according to the present invention may include further components such as an intrinsic semiconductor layer, a passivation layer, an antireflection film, and a protective film.
  • the first connection electrode and the second connection electrode can be omitted. Therefore, the solar cell according to the present invention is not limited to the one manufactured by the solar cell manufacturing method according to the present invention.
  • the first base electrode and the second base electrode are formed by a subtractive method or an additive method, and then the first insulating material and the second insulating material are formed by laminating the first insulating material. It may be manufactured by doing so.
  • the first collectors and the second collectors of two or more solar cells may be electrically connected in parallel, that is, the first collectors and the second collectors of two or more solar cells may be connected by one or a plurality of wiring materials.
  • the first current collector and the opening of the second electrode insulating material formed in the first connection region and the opening of the second electrode insulating material are formed in the first connection region.
  • the first conductive paste laminating step can be omitted. That is, in the solar cell according to the present invention, the first connection electrode and the second connection electrode can be omitted.

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Abstract

本発明は、接続電極に対する集電体の接続が確実な太陽電池を提供する。本発明の一態様に係る太陽電池（１）は、半導体基板（１１）と、半導体基板（１１）に交互に設けられる複数の第１半導体層（２１）および複数の第２半導体層（２２）と、第１半導体層（２１）および第２半導体層（２２）に積層される第１ベース電極（４１）および第２ベース電極（４２）と、第１ベース電極（４１）の第１接続領域と相補的な第１絶縁領域に積層される第１電極絶縁材（６１）および第２ベース電極（４２）の第２接続領域と相補的な第２絶縁領域に積層される第２電極絶縁材（６２）と、第１半導体層（２１）の第１ベース電極（４１）が積層されていない領域および第２半導体層（２２）の第２ベース電極（４２）が積層されていない領域に積層される中間絶縁材（７１）と、複数の第１接続領域の間を接続するよう第２電極絶縁材（６２）および中間絶縁材（７１）に跨って積層される第１集電体（８１）、および複数の第２接続領域の間を接続するよう第１電極絶縁材（６１）および中間絶縁材（７１）に跨って積層される第２集電体（８２）と、を備える。

Description

太陽電池および太陽電池製造方法
　本発明は、太陽電池および太陽電池製造方法に関する。
　半導体基板の裏面に交互に形成される複数の帯状の第１半導体層および第２半導体層と、第１半導体層および第２半導体層にそれぞれ積層される複数の帯状の第１ベース電極および第２ベース電極と、第１ベース電極および第２ベース電極に互い違いに積層される複数の第１接続電極および第２接続電極と、複数の第１接続電極の間に架け渡すよう配置される第１集電体と、複数の第２接続電極の間に架け渡すよう配置される第２集電体と、を備えるバックコンタクト型の太陽電池が知られている。
　このような太陽電池において、第１ベース電極と第２集電体との短絡、および第２ベース電極と第１集電体との短絡を防止するために、第１ベース電極の第２集電体と交差する領域および第２ベース電極の第１集電体と交差する領域に絶縁材料を積層する構成も知られている（例えば特許文献１参照）。
特開２０１５－１５９２８６号公報
　上述のようなバックコンタクト型の太陽電池を製造する場合、第１接続電極および第２接続電極に対して、金属線等からなる第１集電体および第２集電体を位置決めして半田等で接合する必要がある。集電効率を向上するために第１半導体層および第２半導体層の配設ピッチを小さくすると、第１接続電極および第２接続電極が小型化および狭ピッチ化されるため、第１集電体および第２集電体の位置決めが難しくなり、第１接続電極および第２接続電極に対する第１集電体および第２集電体の接続が不確実となるおそれがある。
　本発明は、接続電極に対する集電体の接続が確実な太陽電池および太陽電池製造方法を提供することを課題とする。
　本発明の一態様に係る太陽電池は、半導体基板と、前記半導体基板の裏面側に、それぞれ第１方向に延びる帯状に形成され、前記第１方向と交差する第２方向に交互に設けられる複数の第１半導体層および複数の第２半導体層と、前記第１半導体層の前記第２方向の中央部の裏面側に積層される帯状の第１ベース電極、および前記第２半導体層の前記第２方向の中央部の裏面側に積層される帯状の第２ベース電極と、それぞれの前記第１ベース電極の、前記第２方向に並ぶようそれぞれの前記第１ベース電極に設定される第１接続領域と相補的な第１絶縁領域の裏面側に積層される第１電極絶縁材および、それぞれの前記第２ベース電極の、前記第１接続領域と前記第１方向にずれた位置で前記第２方向に並ぶようそれぞれの前記第２ベース電極に設定される第２接続領域と相補的な第２接続領域の裏面側に積層される第２電極絶縁材と、前記第１半導体層の前記第１ベース電極が積層されていない領域の裏面側および前記第２半導体層の前記第２ベース電極が積層されていない領域の裏面側に積層される中間絶縁材と、複数の前記第１接続領域の間を接続するよう前記第２電極絶縁材および前記中間絶縁材に跨って積層される第１集電体、および複数の前記第２接続領域の間を接続するよう前記第１電極絶縁材および前記中間絶縁材に跨って積層される第２集電体と、を備える。
　本発明の前記態様に係る太陽電池において、前記第１集電体および前記第２集電体の材質は、半田または導電性接着剤であってもよい。
　本発明の前記態様に係る太陽電池は、前記第１ベース電極の前記第１接続領域の裏面側に積層される第１接続電極、および前記第２ベース電極の前記第２接続領域の裏面側に積層される第２接続電極を、さらに備えてもよい。
　本発明の前記態様に係る太陽電池は、前記第１半導体層と前記第１ベース電極との間に介在する第１透明電極と、前記第２半導体層と前記第２ベース電極との間に介在する第２透明電極と、をさらに備えてもよい。
　本発明の前記態様に係る太陽電池において、前記中間絶縁材は、白色であってもよい。
　本発明の別の態様に係る太陽電池製造方法は、半導体基板の裏面側に、それぞれ第１方向に延びる複数の帯状の第１半導体層および複数の帯状の第２半導体層を前記第１方向と交差する第２方向に交互に設ける工程と、前記第１半導体層および前記第２半導体層の裏面側を覆うよう金属層を積層する工程と、前記金属層の裏面側のうち、それぞれの前記第１半導体層の前記第２方向の中央部と重なる第１帯状領域の一部であって、前記第２方向に並ぶ複数の第１接続領域、および前記金属層の裏面側のうち、それぞれの前記第２半導体層の前記第２方向の中央部と重なる複数の第２帯状領域の一部であって、前記第１接続領域とずれた位置で前記第２方向に並ぶ複数の第２接続領域に、第１導電性ペーストを積層する工程と、前記金属層の裏面側のうち、前記第１帯状領域における前記第１接続領域と相補的な第１絶縁領域、および前記第２帯状領域における前記第２接続領域と相補的な第２絶縁領域に、第１絶縁材料を積層する工程と、前記第１導電性ペーストおよび前記第１絶縁材料をマスクとするエッチングにより前記金属層の前記第１帯状領域および前記第２帯状領域以外の部分を除去する工程と、前記エッチングにより露出した前記第１半導体層および前記第２半導体層の裏面側に第２絶縁材料を積層する工程と、前記第１絶縁材料および前記第１絶縁材料の裏面側の複数の前記第１接続領域に跨る領域および複数の前記第２接続領域に跨る領域に、それぞれ第２導電性ペーストを前記第２方向に延びる帯状に積層する工程と、を備える。
　本発明によれば、接続電極に対する集電体の接続が確実な太陽電池を提供できる。
本発明の一実施形態に係る太陽電池の裏面図である。 図１の太陽電池のＡ－Ａ線断面図である。 図１の太陽電池の製造方法の手順を示すフローチャートである 図１の太陽電池の製造方法の一工程を示す断面図である。 図１の太陽電池の製造方法の図４Ａの次の工程を示す断面図である。 図１の太陽電池の製造方法の図４Ｂの次の工程を示す断面図である。 図１の太陽電池の製造方法の図４Ｃの次の工程を示す断面図である。 図１の太陽電池の製造方法の図４Ｄの次の工程を示す断面図である。 図１の太陽電池の製造方法の図４Ｅの次の工程を示す断面図である。 図１の太陽電池の製造方法の図４Ｆの次の工程を示す断面図である。 図１の太陽電池の製造方法の図４Ｇの次の工程を示す断面図である。 図１の太陽電池を用いた太陽電池ストリングの裏面図である。
　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、便宜上、ハッチングや部材符号等を省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。また、図面における種々部材の寸法は、便宜上、見やすいように調整されている。
　図１は、本発明の一実施形態に係る太陽電池１の裏面図である。図２は、太陽電池１のＡ－Ａ線断面図である。
　太陽電池１は、いわゆるヘテロ接合バックコンタクト型の太陽電池セルである。太陽電池１は、半導体基板１１と、半導体基板１１の裏面側（光の入射面と反対側）に、それぞれ第１方向に延びる帯状に形成され、第１方向と交差する第２方向に交互に設けられる複数の第１半導体層２１および複数の第２半導体層２２と、第１半導体層２１および第２半導体層２２の裏面側の第２方向中央部にそれぞれ第１方向に延びる帯状に積層される複数の第１透明電極３１および複数の第２透明電極３２と、第１透明電極３１および第２透明電極３２の裏面側に略全面にそれぞれ積層される複数の第１ベース電極４１および複数の第２ベース電極４２と、それぞれの第１ベース電極４１の裏面側に部分的に積層され、第２方向に並んで設けられる複数の第１接続電極５１、およびそれぞれの第２ベース電極４２の裏面側に部分的に積層され、第１接続電極５１とずらして第２方向に並んで設けられる複数の第２接続電極５２と、第１ベース電極４１の第１接続電極５１がない領域に積層される第１電極絶縁材６１、および第２ベース電極４２の第２接続電極５２がない領域に積層される第２電極絶縁材６２と、第１半導体層２１の第１透明電極３１および第１ベース電極４１が積層されていない領域の裏面側並びに第２半導体層２２の第２透明電極３２および第２ベース電極４２が積層されていない領域の裏面側に積層される中間絶縁材７１と、複数の第１接続電極５１の間を接続するよう第２電極絶縁材６２および中間絶縁材７１に跨って積層される第１集電体８１と、複数の第２接続電極５２の間を接続するよう第１電極絶縁材６１および中間絶縁材７１に跨って積層される第２集電体８２と、を備える。
　半導体基板１１は、単結晶シリコンまたは多結晶シリコン等の結晶シリコン材料で形成される。半導体基板１１は、例えば結晶シリコン材料にｎ型ドーパントがドープされたｎ型の半導体基板である。ｎ型ドーパントとしては、例えばリン（Ｐ）が挙げられる。半導体基板１１は、受光面側からの入射光を吸収して光キャリア（電子および正孔）を生成する光電変換基板として機能する。半導体基板１１の材料として結晶シリコンが用いられることにより、暗電流が比較的に小さく、入射光の強度が低い場合であっても比較的高出力（照度によらず安定した出力）が得られる。
　第１半導体層２１および第２半導体層２２は、互いに異なる導電型を有する。例として、第１半導体層２１はｐ型半導体から形成され、第２半導体層２２はｎ型半導体から形成される。第１半導体層２１および第２半導体層２２は、例えば所望の導電型を付与するドーパントを含有するアモルファスシリコン材料で形成することができる。ｐ型ドーパントとしては、例えばホウ素（Ｂ）が挙げられ、ｎ型ドーパントとしては、例えば上述したリン（Ｐ）が挙げられる。
　第１半導体層２１および第２半導体層２２は、それぞれ第１方向に延びる帯状に形成される。太陽電池１では、複数の第１半導体層２１および複数の第２半導体層２２が第１方向と交差する第２方向に交互に設けられる。第１半導体層２１および第２半導体層２２は、半導体基板１１の略全面を覆うように配設されることが好ましい。第１半導体層２１および第２半導体層２２は、半導体基板１１内に発生したキャリアを誘引して電荷を収集する。
　第１透明電極３１および第２透明電極３２は、第１半導体層２１および第２半導体層２２から集電し、第１ベース電極４１および第２ベース電極４２に電荷を供給する薄層である。また、第１透明電極３１および第２透明電極３２は、第１半導体層２１および第２半導体層２２と、第１ベース電極４１および第２ベース電極４２との材質の違い等によって生じる密着性の低下や界面における電気抵抗の増大を防止する中間層として機能する。
　第１透明電極３１および第２透明電極３２は、互いに接触しないよう、第２方向に第１半導体層２１および第２半導体層２２よりも小さい幅で、第１方向に第１半導体層２１および第２半導体層２２の略全長に亘って積層されている。
　第１透明電極３１と第２透明電極３２とは、同じ材料から形成することができる。第１透明電極３１および第２透明電極３２を形成する材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を挙げることができる。
　第１ベース電極４１は、それぞれの第１透明電極３１に第１方向に延びるよう積層され、第２ベース電極４２は、それぞれの第２透明電極３２に第１方向に延びるよう積層される。第１ベース電極４１および第２ベース電極４２は、第１透明電極３１および第２透明電極３２を介して第１半導体層２１および第２半導体層２２から電荷を取り出す。第１ベース電極４１および第２ベース電極４２は、例えば銅等の金属から形成される。
　第１接続電極５１は、第２方向に並ぶようそれぞれの第１ベース電極４１に設定される第１接続領域の裏面側にそれぞれ積層される。第２接続電極５２は、第１接続電極と第１方向にずれた位置で第２方向に並ぶようそれぞれの第２ベース電極４２に設定される第２接続領域の裏面側にそれぞれ積層される。逆にいうと、第１接続電極５１が積層されている領域が第１接続領域であり、第２接続電極５２が積層されている領域が第２接続領域である。第１接続領域および第２接続領域の大きさおよび形状は電気的接続を可能にできるものであれば特に限定されるものではないが、本実施形態において、第１接続領域は各第１ベース電極４１の第２方向中央部の方形状の領域とされ、第２接続領域は各第２ベース電極４２の第２方向中央部の方形状の領域とされている。
　第１接続電極５１は、第１ベース電極４１と第１集電体８１との間に介在することにより第１ベース電極４１と第１集電体８１を電気的に接続する。第２接続電極５２は、第２ベース電極４２と第２集電体８２との間に介在することにより第２ベース電極４２と第２集電体８２を電気的に接続する。第１接続電極５１および第２接続電極５２は、第１ベース電極４１および第２ベース電極４２の第１集電体８１および第２集電体８２に対する接続面の高さ位置を第１電極絶縁材６１および第２電極絶縁材６２の裏面と略等しくなるように嵩上することによって、第１接続電極５１および第２接続電極５２への第１集電体８１および第２集電体８２の電気的接続を確実にする。
　第１接続電極５１および第２接続電極５２は、第１集電体８１と第２集電体８２との短絡を防止できるよう第１方向にずらして配設される。また、第１接続電極５１および第２接続電極５２は、第１ベース電極４１および第２ベース電極４２の両端部からの電気抵抗が小さくなるよう第１ベース電極４１および第２ベース電極４２の第１方向中央部に配設されることが好ましい。
　第１接続電極５１および第２接続電極５２は、例えば銀ペースト等の導電性ペーストから形成され得る。第１接続電極５１および第２接続電極５２は、第１ベース電極４１および第２ベース電極４２との接着性を向上するために、第１ベース電極４１および第２ベース電極４２と同種の材料によって形成されることが好ましい。
　第１電極絶縁材６１は、第１ベース電極４１の第１接続領域と相補的な領域（平面視における第１ベース電極４１の全体領域から第１接続領域を除いた領域）である第１絶縁領域の裏面側に積層されることにより、第１ベース電極４１の第１接続電極５１から露出する部分を被覆する。第２電極絶縁材６２は、第２ベース電極４２の第２接続領域と相補的な領域（平面視における第２ベース電極４２の全体領域から第２接続領域を除いた領域）である第２絶縁領域の裏面側に積層されることにより、第２ベース電極４２の第２接続電極５２から露出する部分を被覆する。第１電極絶縁材６１および第２電極絶縁材６２は、例えばエポキシ樹脂等を主成分とする絶縁性を有する材料から形成される。
　第１電極絶縁材６１は、積層位置に誤差があっても第１接続電極５１との間に隙間を形成しないよう第１接続電極５１と部分的に重複して積層されもよい。同様に、第２電極絶縁材６２は、第２接続電極５２と部分的に重複して積層されもよい。さらに、第１電極絶縁材６１および第２電極絶縁材６２は、第１接続電極５１および第２接続電極５２と合わせて側縁が直線状の帯状領域を形成できるよう、第１接続電極５１および第２接続電極５２をそれぞれ取り囲んでもよい。つまり、第１電極絶縁材６１および第２電極絶縁材６２は、第１接続電極５１または第２接続電極５２を露出する開口を有してもよい。
　中間絶縁材７１は、第１半導体層２１および第２半導体層２２が配設された半導体基板１１の裏面側の、第１接続電極５１、第２接続電極５２、第１電極絶縁材６１および第２電極絶縁材６２が積層されていない領域を埋めるよう配設される。換言すると、中間絶縁材７１は、第１接続電極５１、第２接続電極５２、第１電極絶縁材６１および第２電極絶縁材６２と合わせて、半導体基板１１の裏面側を連続的に覆う。中間絶縁材７１は、例えばエポキシ樹脂等を主成分とする絶縁性を有する材料から形成される。
　中間絶縁材７１は、白色であることが好ましい。つまり、中間絶縁材７１は、光拡散材を含有することが好ましい。これにより、半導体基板１１、第１半導体層２１および第２半導体層２２を透過した光を反射して半導体基板１１に戻すことによってキャリア生成量を増大することができる。
　第１集電体８１および第２集電体８２は、第１接続電極５１および第２接続電極５２をそれぞれ接続し、太陽電池１から電力を取り出すための端子としても使用される。第１集電体８１および第２集電体８２は、半田または導電性接着剤によって形成することができる。
　図３に、太陽電池１の製造方法の手順を示す。図３の太陽電池製造方法は、本発明に係る太陽電池製造方法の一実施形態である。
　本実施形態の太陽電池製造方法は、半導体層積層工程（ステップＳ１）と、透明電極積層工程（ステップＳ２）と、金属層積層工程（ステップＳ３）と、第１導電性ペースト積層工程（ステップＳ４）と、第１絶縁材料積層工程（ステップＳ５）と、エッチング工程（ステップＳ６）と、第２絶縁材料積層工程（ステップＳ７工程）と、第２導電性ペースト積層工程（ステップＳ８）と、を備える。
　ステップＳ１の半導体層積層工程では、図４Ａに示すように、半導体基板１１の裏面側に半導体材料を積層することによって、それぞれ第１方向に延びる複数の帯状の第１半導体層２１および複数の帯状の第２半導体層２２を第２方向に交互に形成する。具体的には、第１半導体層２１および第２半導体層２２は、半導体基板１１の裏面にマスクを形成し、例えばＣＶＤ等の成膜技術によって半導体材料を積層することによって順番に形成することができる。
　ステップＳ２の透明電極積層工程では、図４Ｂに示すように、第１半導体層２１および第２半導体層２２を覆うよう、半導体基板１１の裏面側の全面に第１透明電極３１および第２透明電極３２を形成する材料からなる透明電極層３０を積層する。透明電極層３０は、例えばスパッタリング等の成膜技術によって積層することができる。
　ステップＳ３の金属層積層工程では、図４Ｃに示すように、透明電極層３０を介して第１半導体層２１および第２半導体層２２の裏面側を覆うよう、第１ベース電極４１および第２ベース電極４２を形成する金属からなる金属層４０を積層する。この金属層４０は、例えばスパッタリング、メッキ等により積層することができる。
　ステップＳ４の第１導電性ペースト積層工程では、図４Ｄに示すように、金属層４０の裏面側のうち、それぞれの第１半導体層２１の第２方向の中央部と重なる複数の第１帯状領域の一部であって、第２方向に並ぶ複数の第１接続領域、および金属層４０の裏面側のうち、それぞれの第２半導体層２２の第２方向の中央部と重なる複数の第２帯状領域の一部であって、第１接続領域とずれた位置で第２方向に並ぶ複数の第２接続領域に、第１導電性ペーストを積層することにより、第１接続電極５１および第２接続電極５２を形成する。なお、第１帯状領域は第１ベース電極４１を形成する領域であり、第２帯状領域は第２ベース電極４２を形成する領域である。
　第１導電性ペーストは、例えば銀ペースト等の金属粒子と、金属粒子同士を接着する樹脂、ガラス等のバインダと、印刷時の粘度を調節する溶剤と、を含むものとすることができる。このような第１導電性ペーストは、例えばスクリーン印刷等の印刷技術を用いて選択的に積層することができる。
　このため、第１導電性ペースト積層工程は、第１導電性ペーストを印刷する工程と、印刷された第１導電性ペーストを焼成する工程とを含む。焼成工程は、後述する工程が焼成工程を含む場合、それらの焼成工程と同時に行ってもよい。この場合、印刷後に他の工程を行う間に第１導電性ペーストが変形しないようにするために、第１導電性ペースト積層工程は、第１導電性ペーストから溶剤を揮発させて印刷した乾燥させる工程を有することが好ましい。
　ステップＳ５の第１絶縁材料積層工程では、図４Ｅに示すように、金属層４０の裏面側のうち、第１帯状領域における第１接続領域と相補的な第１絶縁領域、および第２帯状領域における第２接続領域と相補的な第２絶縁領域に、第１絶縁材料を積層する。第１絶縁領域に積層された第１絶縁材料は、第１電極絶縁材６１を形成し、第２絶縁領域に積層された第１絶縁材料は第２電極絶縁材６２を形成する。
　第１絶縁材料としては、例えば熱硬化性樹脂を主成分とするペースト状の樹脂組成物を用いることができる。このような第１絶縁材料は、例えばスクリーン印刷等の印刷技術を用いて選択的に積層することができる。
　このため、第１絶縁材料積層工程は、第１絶縁材料を印刷する工程と、印刷された第１導電性ペーストを焼成（熱硬化）する工程とを含む。印刷後焼成前に他の工程を行う場合、焼成までの間に印刷された第１絶縁材料が変形しないようにするために、第１絶縁材料積層工程は、印刷後に樹脂組成物に含まれる粘度調節用の溶剤を乾燥させる工程を有してもよい。
　第１絶縁材料積層工程は、第１導電性ペースト積層工程よりも先に行ってもよい。第１絶縁材料積層工程を第１導電性ペースト積層工程の後に行う場合、第１接続電極５１および第２接続電極５２の第１ベース電極４１および第２ベース電極４２に対する接触面積を大きくすることができる。第１絶縁材料積層工程を第１導電性ペースト積層工程の前に行う場合、第１接続電極５１および第２接続電極５２の第１集電体８１および第２集電体８２に対する接触面積を大きくすることができる。第１導電性ペーストおよび第１絶縁材料は、印刷に滲みが生じるおそれがあるが、その材料および印刷条件によって滲みやすさが異なり得る。このため、各構成要素の大きさおよび第１導電性ペーストおよび第１絶縁材料のにじみを考慮して、第１絶縁材料積層工程と第１導電性ペースト積層工程との順番を選択することによって、各構成要素間の接続をより確実にすることができる。
　ステップＳ６のエッチング工程では、図４Ｆに示すように、第１導電性ペーストおよび第１絶縁材料をマスクとするエッチングにより透明電極層３０および金属層４０の第１帯状領域および第２帯状領域以外の部分を除去する。これにより、残留する透明電極層３０が第１透明電極３１および第２透明電極３２を形成するとともに、残留する金属層４０が第１ベース電極４１および第２ベース電極４２を形成する。
　このように、太陽電池１の構成要素である第１接続電極５１、第２接続電極５２、第１電極絶縁材６１および第２電極絶縁材６２を、透明電極層３０および金属層４０のエッチングマスクとして使用することによって、専用のエッチングマスクの形成工程および剥離工程が不要となるため、太陽電池１の製造コストを低減することができる。
　ステップＳ７の第２絶縁層積層工程では、図４Ｇに示すように、エッチングにより露出した第１半導体層２１および第２半導体層２２の裏面側に第２絶縁材料を積層することにより、中間絶縁材７１を形成する。
　ステップＳ８の第２導電性ペースト積層工程では、図４Ｈに示すように、第１導電性ペースト、第１絶縁材料および第１絶縁材料の裏面側の複数の第１接続領域に跨る領域および複数の第２接続領域に跨る領域に、それぞれ第２導電性ペーストを第２方向に延びる帯状に積層する。これにより、第２絶縁材料によって、第１集電体８１および第２集電体８２が形成される。
　第２導電性ペーストとしては、電気抵抗が小さい第１集電体８１および第２集電体８２を形成することができるため、半田粒子とフラックスとを含む半田ペーストが特に好適に用いられる。第２導電性ペーストとして半田ペーストを用いることによって、第２絶縁層積層工程において半田ペーストを乾燥またはリフローして容易に変形しない第１集電体８１および第２集電体８２を形成した後、太陽電池１を他の太陽電池１または外部回路に接続する際に、第１集電体８１および第２集電体８２を形成する半田の一部を他の導体との接続のために利用することができる。
　第２導電性ペーストは、例えばスクリーン印刷等の印刷技術を用いて選択的に積層することができる。このため、金属線等の部材を第１接続電極５１および第２接続電極５２に対して位置決めしながら接続する場合と比べて、第１集電体８１および第２集電体８２を正確かつ確実に第１接続電極５１および第２接続電極５２に接続することができる。このとき、中間絶縁材７１が形成されていることによって、第１集電体８１および第２集電体８２が第１ベース電極４１、第２ベース電極４２、第１透明電極３１、第２透明電極３２、第１半導体層２１、第２半導体層２２および半導体基板１１と接触することにより生じる短絡を防止できる。
　以上のように、太陽電池１は、比較的安価に製造することができながら、第１集電体８１および第２集電体８２の第１接続電極５１および第２接続電極５２に対する接続の信頼性が高い。
　図５に、複数の太陽電池１を有する太陽電池ストリング１００を例示する。太陽電池ストリング１００は、第１方向に並んで配置される複数の太陽電池１と、隣接し合う２つの太陽電池１のうち、一方側の太陽電池１の第１集電体８１と方側の太陽電池１の第２集電体８２とを接続する配線材２と、を備える。
　太陽電池ストリング１００は、いわゆるシングリング構造の太陽電池ストリングである。具体的には、太陽電池ストリング１００において、それぞれの太陽電池１は、第１方向一方側の端部が隣接する太陽電池１の第１方向他方側の端部の裏側に重なるよう配置されている。
　配線材２は、特に限定されないが、例えば金属線を編んで形成される帯状体、帯状の金属箔、金属線等から形成することができる。配線材２は、第１集電体８１および第２集電体８２を形成する導電性ペーストによって第１集電体８１および第２集電体８２に接合され得る。例として、第１集電体８１および第２集電体８２が半田から形成される場合、並べて配置した複数の太陽電池１の裏面側に配線材２を適切な位置に配置した状態で加熱することによって、第１集電体８１および第２集電体８２をリフローして配線材２を接続することができる。第１集電体８１および第２集電体８２は、太陽電池ストリング１００を太陽電池モジュールに封止する際の加熱プロセスの熱を用いて接続してもよい。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、種々の変更および変形が可能である。例えば、本発明に係る太陽電池は、透明電極を有しないものであってもよい。また、本発明に係る太陽電池は、上述した構成要素以外に、真性半導体層、パッシベーション層、反射防止膜、保護フィルム等のさらなる構成要素を備えてもよい。
　本発明に係る太陽電池において、第１接続電極および第２接続電極は省略可能である。このため、本発明に係る太陽電池は、本発明に係る太陽電池製造方法によって製造されたものに限定されない。例として、本発明に係る太陽電池は、第１ベース電極および第２ベース電極をサブトラクティブ法またはアディティブ法によって形成した後、第１絶縁材料の積層により第１絶縁材および第２絶縁材を形成することによって製造されてもよい。
　本発明に係る太陽電池は、電気的に並列に、つまり２つ以上の太陽電池の第１集電体同士および第２集電体同士が１または複数の配線材によって接続されてもよい。
　本発明に係る太陽電池製造方法において、第１接続領域に形成される第１電極絶縁材の開口および第２接続領域に形成される第２電極絶縁材の開口の中に第１集電体および第２集電体を形成する第２導電性ペーストを確実に充填することができる場合、第１導電性ペースト積層工程は省略することができる。つまり、本発明にかかる太陽電池において、第１接続電極および第２接続電極は省略することができる。
　１　太陽電池
　２　配線材
　１１　半導体基板
　２１　第１半導体層
　２２　第２半導体層
　３０　透明電極層
　３１　第１透明電極
　３２　第２透明電極
　４０　金属層前記第２方向に延びる
　４１　第１ベース電極
　４２　第２ベース電極
　５１　第１接続電極
　５２　第２接続電極
　６１　第１電極絶縁材
　６２　第２電極絶縁材
　７１　中間絶縁材
　８１　第１集電体
　８２　第２集電体
　１００　太陽電池ストリング

Claims (6)

  1. 　半導体基板と、
    　前記半導体基板の裏面側に、それぞれ第１方向に延びる帯状に形成され、前記第１方向と交差する第２方向に交互に設けられる複数の第１半導体層および複数の第２半導体層と、
    　前記第１半導体層の前記第２方向の中央部の裏面側に積層される帯状の第１ベース電極、および前記第２半導体層の前記第２方向の中央部の裏面側に積層される帯状の第２ベース電極と、
    　それぞれの前記第１ベース電極の、前記第２方向に並ぶようそれぞれの前記第１ベース電極に設定される第１接続領域と相補的な第１絶縁領域の裏面側に積層される第１電極絶縁材および、それぞれの前記第２ベース電極の、前記第１接続領域と前記第１方向にずれた位置で前記第２方向に並ぶようそれぞれの前記第２ベース電極に設定される第２接続領域と相補的な第２絶縁領域の裏面側に積層される第２電極絶縁材と、
    　前記第１半導体層の前記第１ベース電極が積層されていない領域の裏面側および前記第２半導体層の前記第２ベース電極が積層されていない領域の裏面側に積層される中間絶縁材と、
    　複数の前記第１接続領域の間を接続するよう前記第２電極絶縁材および前記中間絶縁材に跨って積層される第１集電体、および複数の前記第２接続領域の間を接続するよう前記第１電極絶縁材および前記中間絶縁材に跨って積層される第２集電体と、
    を備える太陽電池。
  2. 　前記第１集電体および前記第２集電体の材質は、半田または導電性接着剤である、請求項１に記載の太陽電池。
  3. 　前記第１ベース電極の前記第１接続領域の裏面側に積層される第１接続電極、および前記第２ベース電極の前記第２接続領域の裏面側に積層される第２接続電極を、さらに備える、請求項１または２に記載の太陽電池。
  4. 　前記第１半導体層と前記第１ベース電極との間に介在する第１透明電極と、
    　前記第２半導体層と前記第２ベース電極との間に介在する第２透明電極と、
    　をさらに備える、請求項１から３のいずれかに記載の太陽電池。
  5. 　前記中間絶縁材は、白色である請求項１から４のいずれかに記載の太陽電池。
  6. 　半導体基板の裏面側に、それぞれ第１方向に延びる複数の帯状の第１半導体層および複数の帯状の第２半導体層を前記第１方向と交差する第２方向に交互に設ける工程と、
    　前記第１半導体層および前記第２半導体層の裏面側を覆うよう金属層を積層する工程と、
    　前記金属層の裏面側のうち、それぞれの前記第１半導体層の前記第２方向の中央部と重なる複数の第１帯状領域の一部であって、前記第２方向に並ぶ複数の第１接続領域、および前記金属層の裏面側のうち、それぞれの前記第２半導体層の前記第２方向の中央部と重なる複数の第２帯状領域の一部であって、前記第１接続領域とずれた位置で前記第２方向に並ぶ複数の第２接続領域に、第１導電性ペーストを積層する工程と、
    　前記金属層の裏面側のうち、前記第１帯状領域における前記第１接続領域と相補的な第１絶縁領域、および前記第２帯状領域における前記第２接続領域と相補的な第２絶縁領域に、第１絶縁材料を積層する工程と、
    　前記第１導電性ペーストおよび前記第１絶縁材料をマスクとするエッチングにより前記金属層の前記第１帯状領域および前記第２帯状領域以外の部分を除去する工程と、
    　前記エッチングにより露出した前記第１半導体層および前記第２半導体層の裏面側に第２絶縁材料を積層する工程と、
    　前記第１導電性ペースト、前記第１絶縁材料および前記第１絶縁材料の裏面側の複数の前記第１接続領域に跨る領域および複数の前記第２接続領域に跨る領域に、それぞれ第２導電性ペーストを前記第２方向に延びる帯状に積層する工程と、
    を備える、太陽電池製造方法。
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