WO2021210911A1 - 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 - Google Patents

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WO2021210911A1
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김민준
이동훈
서상덕
김영석
정경석
이다정
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주식회사 엘지화학
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Definitions

  • the present invention relates to a novel compound and an organic light emitting device comprising the same.
  • the organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon in which electric energy is converted into light energy using an organic material.
  • the organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, and excellent luminance, driving voltage, and response speed characteristics, and thus many studies are being conducted.
  • An organic light emitting device generally has a structure including an anode and a cathode and an organic material layer between the anode and the cathode.
  • the organic material layer is often made of a multi-layered structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, and for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like.
  • a voltage when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected into the organic material layer from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer. When the injected holes and electrons meet, excitons are formed, and the excitons When it falls back to the ground state, it lights up.
  • Patent Document 0001 Korean Patent Publication No. 10-2000-0051826
  • the present invention relates to a novel compound and an organic light emitting device comprising the same.
  • the present invention provides a compound represented by the following formula (1):
  • L' is a single bond; Or a substituted or unsubstituted C 6-60 arylene,
  • L is a single bond; substituted or unsubstituted C 6-60 arylene; Or substituted or unsubstituted C 2-60 heteroarylene containing any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S,
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently, substituted or unsubstituted C 6-60 aryl; Or substituted or unsubstituted C 2-60 heteroaryl containing any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S,
  • substituted or unsubstituted refers to deuterium; halogen group; cyano group; nitro group; hydroxyl group; carbonyl group; ester group; imid; amino group; phosphine oxide group; alkoxy group; aryloxy group; alkyl thiooxy group; arylthioxy group; an alkyl sulfoxy group; arylsulfoxy group; silyl group; boron group; an alkyl group; cycloalkyl group; alkenyl group; aryl group; aralkyl group; aralkenyl group; an alkylaryl group; an alkylamine group; an aralkylamine group; heteroarylamine group; arylamine group; an arylphosphine group; Or substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of heteroaryl containing one or more of N, O and S atoms, or
  • examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
  • the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to an exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 20. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms.
  • the alkenyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 20. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 10. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms.
  • Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2-( Naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group, and the like, but are not limited thereto.
  • the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms.
  • the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.
  • the fluorenyl group is substituted, etc. can be
  • the present invention is not limited thereto.
  • heteroaryl is a heteroaryl containing at least one of O, N, Si and S as a heterogeneous element, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but it is preferably from 2 to 60 carbon atoms.
  • heteroaryl include xanthene, thioxanthen, thiophene, furan, pyrrole, imidazole, thiazole, oxazole, oxadiazole, triazole, pyridyl, bipyridyl, Pyrimidyl group, triazine group, acridyl group, pyridazine group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazoline group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidinyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino Pyrazinyl group, isoquinoline group, indole group,
  • the description of the above-described aryl group may be applied except that arylene is a divalent group.
  • the description of heteroaryl described above may be applied, except that heteroarylene is a divalent group.
  • the hydrocarbon ring is not a monovalent group, and the description of the above-described aryl group or cycloalkyl group may be applied, except that it is formed by combining two substituents.
  • the heterocycle is not a monovalent group, and the description of the above-described heteroaryl may be applied, except that it is formed by combining two substituents.
  • deuterated or substituted with deuterium means that at least one available hydrogen in each formula or substituent is substituted with deuterium.
  • at least 10% deuterated in each formula means that at least 10% of the available hydrogens have been replaced by deuterium.
  • each formula may be at least 20%, at least 30%, at least 40%, at least 50%, at least 60%, at least 70%, at least 80%, at least 90%, or 100% deuterated.
  • the present invention provides a compound represented by the above formula (1).
  • the organic light emitting device employing the compound is a compound in which a triazinyl group is substituted at another position of the core, Y 6 and Y 7 in Formula 1 are not CH or CD, that is, a compound substituted with a substituent other than deuterium , or may exhibit superior energy transfer characteristics and stability compared to an organic light emitting device employing a compound in which R is 9-phenylcarbazolyl in Formula 1 above. Accordingly, the organic light emitting device employing the compound may exhibit improved device characteristics with improved luminous efficiency and lifetime compared to an organic light emitting device employing a compound having no such structure.
  • At least one of Y 1 to Y 7 may be N.
  • one of Y 1 to Y 7 may be N.
  • one of Y 1 to Y 5 is N, and the others are each independently CH, CD, or C-L′-R,
  • one of Y 1 to Y 5 is N, and the others are each independently CH, or CD,
  • Y 6 and Y 7 are each independently CH, or CD; or
  • One of Y 1 to Y 5 is N, and one of the others is C-L′-R, and the others are each independently CH, or CD,
  • One of Y 6 and Y 7 may be N, and the other may be CH or CD.
  • one of Y 6 and Y 7 is N and the other is CH or CD; or
  • One of Y 1 to Y 5 is C-L′-R, and the others are each independently CH, or CD,
  • Y 1 To Y 5 are each independently CH, or CD,
  • one of Y 6 and Y 7 is N and the other is CH or CD; or
  • Y 1 to Y 3 and Y 5 is C-L′-R, each other is independently CH, or CD, Y 5 is CH, or CD,
  • One of Y 6 and Y 7 may be N, and the other may be CH or CD.
  • L' is a single bond; or unsubstituted or substituted C 6-20 arylene with deuterium.
  • L' is a single bond; phenylene unsubstituted or substituted with deuterium; Or it may be unsubstituted or naphthylene substituted with deuterium.
  • L' is a single bond, , or may be, but is not limited thereto.
  • R is C 6-60 aryl, or C 2-20 heteroaryl including any one heteroatom selected from the group consisting of N, O and S, 9-phenylcarbazole work is excluded,
  • X 1 is O or S
  • X 2 is O, S, or N(phenyl)
  • each Z is independently deuterium (D), C 1-10 alkyl, or C 6-20 aryl;
  • c is each independently an integer from 0 to 7
  • d is each independently an integer from 0 to 6
  • e is each independently an integer from 0 to 3
  • h is each independently an integer from 0 to 8
  • i is each independently an integer from 0 to 11;
  • L is a single bond; or unsubstituted or substituted C 6-20 arylene with deuterium.
  • L may be a single bond or any one selected from the group consisting of:
  • f is each independently an integer from 0 to 4,
  • L may be a single bond, or any one selected from the group consisting of:
  • L 1 And L 2 Each independently, a single bond; or unsubstituted or substituted C 6-20 arylene with deuterium.
  • L 1 and L 2 are each independently, a single bond; phenylene unsubstituted or substituted with deuterium; biphenyldiyl unsubstituted or substituted with deuterium; Or it may be unsubstituted or naphthylene substituted with deuterium.
  • p meaning the number of L is 0, 1, or 2, and when p is 2, two L's are the same or different from each other.
  • q indicating the number of L 1 is 0, 1, or 2, and when q is 2, two L 1 are the same or different from each other.
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently, C 6-20 aryl; or C 2-20 heteroaryl comprising one heteroatom selected from the group consisting of N, O and S;
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently phenyl, biphenylyl, terphenylyl, naphthyl, phenanthryl, chrysenyl, benzo [c] phenanthrenyl, fluoranthenyl, dibenzofuranyl, di benzothiophenyl, benzonaphthofuranyl, benzonaphthothiophenyl, carbazolyl, or benzocarbazolyl;
  • one of Ar 1 and Ar 2 may be phenyl, biphenylyl, or naphthyl.
  • one of Ar 1 and Ar 2 is , , or can be
  • Ar 1 and Ar 2 are both is, or can be
  • L 1 is a single bond
  • L 2 is a single bond
  • Ar 1 and Ar 2 is phenyl, naphthyl, or biphenylyl, the other is phenyl, biphenylyl, terphenylyl, naphthyl, phenanthryl, chrysenyl, benzo[c]phenanthrenyl, fluoran tenyl, dibenzofuranyl, dibenzothiophenyl, benzonaphthofuranyl, benzonaphthothiophenyl, carbazolyl, or benzocarbazolyl.
  • the compound may be represented by any one of the following Chemical Formulas 1-1 to 1-7:
  • n 0 or 1
  • L, L', R, L 1 , L 2 , p, q, Ar 1 and Ar 2 are as defined in Formula 1 above.
  • the substituent in Formula 1-1, can be bonded to any one of the carbon in the *a position, the carbon in the *b position, the carbon in the *c position, and the carbon in the *d position, and cannot be bonded to the carbon in the *e position and the carbon in the *f position. it means.
  • the compound represented by Formula 1 may be prepared by, for example, a preparation method as shown in Scheme 1 below.
  • the manufacturing method may be more specific in Preparation Examples to be described later.
  • X is halogen, preferably bromo, or chloro, and definitions of other substituents are the same as described above.
  • the compound represented by Formula 1 may be prepared through a Suzuki-coupling reaction of starting materials A1 and A2.
  • the Suzuki-coupling reaction is preferably performed in the presence of a palladium catalyst and a base, and the reactor for the Suzuki-coupling reaction may be appropriately changed.
  • the preparation method of the compound represented by Formula 1 may be more specific in Preparation Examples to be described later.
  • the present invention provides an organic light emitting device including the compound represented by the formula (1).
  • the present invention provides a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein the at least one organic material layer includes the compound represented by Formula 1 above.
  • the organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked.
  • the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. as an organic material layer.
  • the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.
  • the organic material layer may include a light emitting layer, wherein the organic material layer including the compound may be a light emitting layer.
  • the organic material layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron injection and transport layer, wherein the organic material layer including the compound may be a light emitting layer.
  • the organic material layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron suppression layer, a light emitting layer and an electron injection and transport layer, wherein the organic material layer including the compound may be a light emitting layer.
  • the organic material layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron suppression layer, a light emitting layer, an electron blocking layer and an electron injection and transport layer, wherein the organic material layer comprising the compound may be a light emitting layer.
  • the organic light emitting device according to the present invention has a structure (normal type) in which an anode, one or more organic material layers and a cathode are sequentially stacked on a substrate in which the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode can be
  • the organic light emitting device according to the present invention has an inverted type organic light emitting device in which a cathode, one or more organic material layers and an anode are sequentially stacked on a substrate in which a first electrode is a cathode and a second electrode is an anode can be
  • FIGS. 1 and 2 the structure of the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention is illustrated in FIGS. 1 and 2 .
  • FIG. 1 shows an example of an organic light emitting device including a substrate 1 , an anode 2 , a light emitting layer 3 , and a cathode 4 .
  • the compound represented by Formula 1 may be included in the light emitting layer.
  • FIG. 2 is a substrate (1), an anode (2), a hole injection layer (5), a hole transport layer (6), an electron blocking layer (7), a light emitting layer (3), a hole blocking layer (8), an electron injection and transport layer ( 9) and an example of an organic light-emitting device including a cathode 4 are shown.
  • the organic light emitting device according to the present invention may be manufactured using materials and methods known in the art, except that the light emitting layer includes the compound according to the present invention and is manufactured as described above.
  • the organic light emitting device may be manufactured by sequentially stacking an anode, an organic material layer, and a cathode on a substrate.
  • a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on a substrate to form an anode. and forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon.
  • an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material from a cathode material on a substrate (WO 2003/012890).
  • the manufacturing method is not limited thereto.
  • the first electrode is an anode
  • the second electrode is a cathode
  • the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode
  • anode material a material having a large work function is generally preferable to facilitate hole injection into the organic material layer.
  • the anode material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO 2 :Sb; conductive compounds such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.
  • the cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer.
  • the anode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof;
  • a multi-layered material such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but is not limited thereto.
  • the hole injection layer is a layer for injecting holes from the electrode, and as a hole injection material, it has the ability to transport holes, so it has a hole injection effect at the anode, an excellent hole injection effect with respect to the light emitting layer or the light emitting material, and is produced in the light emitting layer
  • a compound which prevents the movement of excitons to the electron injection layer or the electron injection material and is excellent in the ability to form a thin film is preferable.
  • the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer.
  • the hole injection material examples include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based organic material. of organic substances, anthraquinones, polyaniline and polythiophene-based conductive compounds, and the like, but are not limited thereto.
  • the hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports them to the light emitting layer.
  • the hole transport material is a material that can transport holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer and transfer them to the light emitting layer. material is suitable. Specific examples include, but are not limited to, an arylamine-based organic material, a conductive compound, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together.
  • the electron suppression layer is formed on the hole transport layer, preferably provided in contact with the light emitting layer, adjusts hole mobility, prevents excessive movement of electrons, and increases the probability of hole-electron coupling by increasing the efficiency of the organic light emitting device layer that plays a role in improving
  • the electron-blocking layer includes an electron-blocking material, and an arylamine-based organic material may be used as an example of the electron-blocking material, but is not limited thereto.
  • the emission layer may include a host material and a dopant material.
  • the compound represented by Chemical Formula 1 may be used.
  • a condensed aromatic ring derivative or a hetero ring-containing compound may be additionally used.
  • condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, and the like
  • heterocyclic-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder type Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.
  • examples of the dopant material include an aromatic amine derivative, a strylamine compound, a boron complex, a fluoranthene compound, and a metal complex.
  • the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamino group, and includes pyrene, anthracene, chrysene, and periflanthene having an arylamino group
  • the styrylamine compound is a substituted or unsubstituted derivative.
  • substituents selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an arylamino group are substituted or unsubstituted.
  • the metal complex includes an iridium complex, a platinum complex, and the like, but is not limited thereto.
  • the following compounds may be used as the dopant material, but is not limited thereto:
  • the hole blocking layer is formed on the light emitting layer, preferably provided in contact with the light emitting layer, to improve the efficiency of the organic light emitting device by controlling electron mobility and preventing excessive movement of holes to increase the hole-electron coupling probability layer that plays a role.
  • the hole blocking layer includes a hole blocking material, and examples of the hole blocking material include: azine derivatives including triazine; triazole derivatives; oxadiazole derivatives; phenanthroline derivatives; A compound into which an electron withdrawing group is introduced, such as a phosphine oxide derivative, may be used, but the present invention is not limited thereto.
  • the electron injection and transport layer is a layer that simultaneously serves as an electron transport layer and an electron injection layer for injecting electrons from the electrode and transporting the received electrons to the emission layer, and is formed on the emission layer or the hole blocking layer.
  • the electron injection and transport material a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer is suitable, and a material having high electron mobility is suitable.
  • specific electron injection and transport materials include Al complex of 8-hydroxyquinoline; complexes containing Alq 3 ; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes; and triazine derivatives, but is not limited thereto.
  • the electron injection and transport layer may also be formed as a separate layer such as an electron injection layer and an electron transport layer.
  • the electron transport layer is formed on the emission layer or the hole blocking layer, and the electron injection and transport material described above may be used as the electron transport material included in the electron transport layer.
  • the electron injection layer is formed on the electron transport layer, and the electron injection material included in the electron injection layer is LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, Thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, fluorenylidene methane, anthrone and the like may be used.
  • the electron injection material included in the electron injection layer is LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, Thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, fluorenylidene methane, anthrone and the like may be used.
  • Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-crezolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium, etc.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the organic light emitting device according to the present invention may be a bottom emission device, a top emission device, or a double-sided light emitting device, and in particular, may be a bottom emission device requiring relatively high luminous efficiency.
  • the compound according to the present invention may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to the organic light emitting device.
  • A_sm1 (15 g, 45 mmol) and A_sm2 (8.2 g, 54 mmol) were added to 300 mL of THF, stirred and refluxed. Thereafter, potassium carbonate (18.7 g, 135 mmol) was dissolved in 56 mL of water, and after sufficient stirring, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.4 mmol) was added. After the reaction for 12 hours, it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • A_P1 (10 g, 31.9 mmol) and HBF 4 (5.6 g, 63.8 mmol) were added to 100 mL of ACN in a nitrogen atmosphere and stirred.
  • NaNO 2 (4.4 g, 63.8 mmol) was dissolved in 20 mL of H 2 O and slowly added at 0°C.
  • the temperature was raised to room temperature, and 200 mL of water was added to dilute it. It was completely dissolved in chloroform, washed twice with water, the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure.
  • A_P2 (15 g, 53.1 mmol) and bis(pinacolato)diboron (14.8 g, 58.4 mmol) were refluxed in 300 mL of 1,4-dioxane in a nitrogen atmosphere and stirred. After potassium acetate (7.8 g, 79.6 mmol) was added and sufficiently stirred, bis(dibenzylideneacetone)palladium(0) (0.9 g, 1.6 mmol) and tricyclohexylphosphine (0.9 g, 3.2 mmol) were added. After reacting for 9 hours, cooling to room temperature, and separating the organic layer using chloroform and water, the organic layer was distilled.
  • B_sm1 15 g, 50.2 mmol
  • B_sm2 11.2 g, 60.2 mmol
  • potassium carbonate 20.8 g, 150.5 mmol
  • bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) 0.3 g, 0.5 mmol
  • B_P1 (10 g, 31.9 mmol) and HBF 4 (5.6 g, 63.8 mmol) were added to 100 mL of ACN in a nitrogen atmosphere and stirred.
  • NaNO 2 (4.4 g, 63.8 mmol) was dissolved in H 2 O 20 mL and slowly added at 0°C.
  • the temperature was raised to room temperature, and 200 mL of water was added to dilute it. It was completely dissolved in chloroform, washed twice with water, the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure.
  • B_P2 (15 g, 53.1 mmol) and bis(pinacolato)diboron (14.8 g, 58.4 mmol) were refluxed in 300 mL of 1,4-dioxane and stirred.
  • potassium acetate (7.8 g, 79.6 mmol) was added and sufficiently stirred, bis(dibenzylideneacetone)palladium(0) (0.9 g, 1.6 mmol) and tricyclohexylphosphine (0.9 g, 3.2 mmol) were added. After reacting for 6 hours, cooling to room temperature, and separating the organic layer using chloroform and water, the organic layer was distilled.
  • N_sm1 15 g, 68.2 mmol
  • N_sm2 (21.7 g, 81.8 mmol) were added to 300 mL of THF, stirred and refluxed. Thereafter, potassium carbonate (28.3 g, 204.5 mmol) was dissolved in 85 mL of water, and after sufficient stirring, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.7 mmol) was added. After the reaction for 8 hours, the mixture was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • N_P1 (10 g, 31.9 mmol) and HBF 4 (5.6 g, 63.8 mmol) were added to 100 mL of ACN in a nitrogen atmosphere and stirred.
  • NaNO 2 (4.4 g, 63.8 mmol) was dissolved in H 2 O 20 mL and slowly added at 0°C.
  • the temperature was raised to room temperature, and 200 mL of water was added to dilute it. It was completely dissolved in chloroform, washed twice with water, the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure.
  • N_P2 (15 g, 53.1 mmol) and bis(pinacolato)diboron (14.8 g, 58.4 mmol) were refluxed in 300 mL of 1,4-dioxane and stirred in a nitrogen atmosphere. After potassium acetate (7.8 g, 79.6 mmol) was added and sufficiently stirred, bis(dibenzylideneacetone)palladium(0) (0.9 g, 1.6 mmol) and tricyclohexylphosphine (0.9 g, 3.2 mmol) were added. After reacting for 9 hours, cooling to room temperature, and separating the organic layer using chloroform and water, the organic layer was distilled.
  • O_sm1 (15 g, 58.9 mmol) and O_sm2 (16.3 g, 70.7 mmol) were added to 300 mL of THF, stirred and refluxed. Thereafter, potassium carbonate (24.4 g, 176.8 mmol) was dissolved in 73 mL of water, and after sufficient stirring, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol) was added. After the reaction for 9 hours, it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • O_P1 (10 g, 31.9 mmol) and HBF 4 (5.6 g, 63.8 mmol) were added to 100 mL of ACN in a nitrogen atmosphere and stirred.
  • NaNO 2 (4.4 g, 63.8 mmol) was dissolved in H 2 O 20 mL and slowly added at 0°C.
  • the temperature was raised to room temperature, and 200 mL of water was added to dilute it. It was completely dissolved in chloroform, washed twice with water, the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure.
  • O_P2 (15 g, 53.1 mmol) and bis(pinacolato)diboron (14.8 g, 58.4 mmol) were refluxed in 300 mL of 1,4-dioxane and stirred in a nitrogen atmosphere. After potassium acetate (7.8 g, 79.6 mmol) was added and sufficiently stirred, bis(dibenzylideneacetone)palladium(0) (0.9 g, 1.6 mmol) and tricyclohexylphosphine (0.9 g, 3.2 mmol) were added. After reacting for 9 hours, cooling to room temperature, and separating the organic layer using chloroform and water, the organic layer was distilled.
  • subA-1 15 g, 30.9 mmol
  • sub1 7.2 g, 32.5 mmol
  • potassium carbonate 12.8 g, 92.8 mmol
  • bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) was added.
  • the reaction for 11 hours it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subB-1 (15 g, 34.5 mmol) and sub2 (9.9 g, 36.2 mmol) were added to 300 mL of THF in a nitrogen atmosphere, and the mixture was stirred and refluxed. Thereafter, potassium carbonate (14.3 g, 103.5 mmol) was dissolved in 43 mL of water, and after sufficient stirring, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol) was added. After the reaction for 11 hours, it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subC-1 15 g, 34.5 mmol
  • sub3 8.9 g, 36.2 mmol
  • potassium carbonate (14.3 g, 103.5 mmol) was dissolved in 43 mL of water, and after sufficient stirring, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol) was added. After the reaction for 12 hours, it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subD-1 15 g, 24.5 mmol
  • sub4 3.1 g, 25.8 mmol
  • potassium carbonate 10.2 g, 73.6 mmol
  • the mixture was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subF-1 15 g, 26.1 mmol
  • sub4 3.3 g, 27.4 mmol
  • potassium carbonate 10.8 g, 78.3 mmol
  • bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) 0.1 g, 0.3 mmol
  • subG-1 15 g, 25 mmol
  • sub5 4.5 g, 26.2 mmol
  • potassium carbonate 10.3 g, 74.9 mmol
  • bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) 0.1 g, 0.2 mmol
  • subG-2 (15 g, 34.5 mmol) and sub6 (17.5 g, 36.2 mmol) were added to 300 mL of THF in a nitrogen atmosphere, and the mixture was stirred and refluxed. Thereafter, potassium carbonate (14.3 g, 103.5 mmol) was dissolved in 43 mL of water, and after sufficient stirring, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol) was added. After the reaction for 9 hours, it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subH-1 15 g, 28.6 mmol
  • sub5 5.2 g, 30 mmol
  • potassium carbonate 11.8 g, 85.7 mmol
  • bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) 0.1 g, 0.3 mmol
  • subJ-1 15 g, 28 mmol
  • sub5 5.1 g, 29.4 mmol
  • potassium carbonate 11.6 g, 84.1 mmol
  • bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) 0.1 g, 0.3 mmol
  • subK-1 15 g, 30.9 mmol
  • sub8 (6.9 g, 32.5 mmol) were added to 300 mL of THF in a nitrogen atmosphere, and the mixture was stirred and refluxed.
  • potassium carbonate (12.8 g, 92.8 mmol) was dissolved in 38 mL of water, and after sufficient stirring, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol) was added. After the reaction for 12 hours, it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subL-1 15 g, 34.5 mmol
  • sub9 8.9 g, 36.2 mmol
  • potassium carbonate 14.3 g, 103.5 mmol
  • the reaction for 9 hours it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subK-3 15 g, 29.4 mmol
  • sub5 5.3 g, 30.8 mmol
  • potassium carbonate 12.2 g, 88.1 mmol
  • bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) 0.2 g, 0.3 mmol
  • subN-1 15 g, 30.9 mmol
  • sub5 5.6 g, 32.5 mmol
  • potassium carbonate 12.8 g, 92.8 mmol
  • bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) was added. After the reaction for 11 hours, it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subO-1 15 g, 34.5 mmol
  • sub12 9.9 g, 36.2 mmol
  • potassium carbonate 14.3 g, 103.5 mmol
  • bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) was added.
  • the reaction for 11 hours it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subN-2 (15 g, 26.1 mmol) and sub13 (5.4 g, 27.4 mmol) were added to 300 mL of THF in a nitrogen atmosphere, and the mixture was stirred and refluxed. Thereafter, potassium carbonate (10.8 g, 78.3 mmol) was dissolved in 32 mL of water, and after sufficient stirring, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.3 mmol) was added. After the reaction for 11 hours, it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subQ-1 15 g, 28.6 mmol
  • sub14 5.9 g, 30 mmol
  • potassium carbonate 11.8 g, 85.7 mmol
  • bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) 0.1 g, 0.3 mmol
  • subS-1 15 g, 28 mmol
  • sub15 6.5 g, 29.4 mmol
  • potassium carbonate 11.6 g, 84.1 mmol
  • bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) 0.1 g, 0.3 mmol
  • subT-1 15 g, 34.5 mmol
  • sub16 9 g, 36.2 mmol
  • potassium carbonate 14 g, 103.5 mmol
  • bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) 0.2 g, 0.3 mmol
  • subU-1 15 g, 27.7 mmol
  • sub18 6.6 g, 29.1 mmol
  • potassium carbonate (11.5 g, 83.2 mmol) was dissolved in 34 mL of water, and after sufficient stirring, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.3 mmol) was added.
  • the mixture was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subW-1 15 g, 34.5 mmol
  • sub19 9.9 g, 36.2 mmol
  • potassium carbonate (14.3 g, 103.5 mmol) was dissolved in 43 mL of water, and after sufficient stirring, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol) was added. After the reaction for 11 hours, it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subX-1 15 g, 34.5 mmol
  • sub20 10.1 g, 36.2 mmol
  • potassium carbonate (14.3 g, 103.5 mmol) was dissolved in 43 mL of water, and after sufficient stirring, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol) was added.
  • the mixture was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subY-1 15 g, 34.5 mmol
  • sub21 9 g, 36.2 mmol
  • potassium carbonate 14 g, 103.5 mmol
  • bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) 0.2 g, 0.3 mmol
  • subX-2 (15 g, 26.7 mmol) and sub22 (7.6 g, 28.1 mmol) were added to 300 mL of THF in a nitrogen atmosphere, and the mixture was stirred and refluxed. Thereafter, potassium carbonate (11.1 g, 80.2 mmol) was dissolved in 33 mL of water, and after sufficient stirring, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.3 mmol) was added. After the reaction for 11 hours, it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subAA-1 15 g, 30.9 mmol
  • sub23 7.4 g, 32.5 mmol
  • potassium carbonate 12.8 g, 92.8 mmol
  • bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) was added. After the reaction for 12 hours, it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subAA-2 15 g, 34.5 mmol
  • sub25 10.1 g, 36.2 mmol
  • potassium carbonate (14.3 g, 103.5 mmol) was dissolved in 43 mL of water, and after sufficient stirring, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol) was added. After the reaction for 9 hours, it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subAB-2 (15 g, 28.6 mmol) and sub26 (7.4 g, 30 mmol) were added to 300 mL of THF in a nitrogen atmosphere, and the mixture was stirred and refluxed. Thereafter, potassium carbonate (11.8 g, 85.7 mmol) was dissolved in 36 mL of water, and after sufficient stirring, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.3 mmol) was added. After the reaction for 8 hours, the mixture was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • subAB-3 (15 g, 25.6 mmol) and sub27 (5.7 g, 26.8 mmol) were added to 300 mL of THF in a nitrogen atmosphere, and the mixture was stirred and refluxed. Thereafter, potassium carbonate (10.6 g, 76.7 mmol) was dissolved in 32 mL of water, and after sufficient stirring, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.3 mmol) was added. After the reaction for 11 hours, it was cooled to room temperature, the organic layer and the water layer were separated, and the organic layer was distilled.
  • a glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 1,000 ⁇ was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves.
  • ITO indium tin oxide
  • a product manufactured by Fischer Co. was used as the detergent
  • distilled water that was secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as the distilled water.
  • ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water.
  • ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner.
  • the substrate was transported to a vacuum evaporator.
  • the following HI-1 compound was formed as a hole injection layer on the prepared ITO transparent electrode to a thickness of 1150 ⁇ , but the following A-1 compound was p-doped at a concentration of 1.5%.
  • the following HT-1 compound was vacuum-deposited on the hole injection layer to form a hole transport layer having a thickness of 800 ⁇ .
  • the following EB-1 compound was vacuum-deposited to a thickness of 150 ⁇ on the hole transport layer to form an electron blocking layer.
  • the compound 1 prepared in Synthesis Example 1 and the compound Dp-7 below were vacuum-deposited in a weight ratio of 98:2 to form a red light emitting layer having a thickness of 400 ⁇ .
  • a hole blocking layer was formed by vacuum-depositing the following HB-1 compound to a thickness of 30 ⁇ on the light emitting layer. Then, on the hole blocking layer, the following ET-1 compound and the following LiQ compound were vacuum-deposited at a weight ratio of 2:1 to form an electron injection and transport layer to a thickness of 300 ⁇ .
  • a cathode was formed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) to a thickness of 12 ⁇ and aluminum to a thickness of 1,000 ⁇ on the electron injection and transport layer.
  • the deposition rate of organic material was maintained at 0.4 ⁇ 0.7 ⁇ /sec
  • the deposition rate of lithium fluoride of the negative electrode was maintained at 0.3 ⁇ /sec
  • the deposition rate of aluminum was maintained at 2 ⁇ /sec
  • the vacuum degree during deposition was 2 x 10 -
  • an organic light emitting device was manufactured.
  • An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compound shown in Table 1 was used instead of Compound 1 in the organic light emitting device of Example 1.
  • An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compound shown in Table 1 was used instead of Compound 1 in the organic light emitting device of Example 1.
  • the lifetime T95 means the time required for the luminance to decrease from the initial luminance (6000 nit) to 95%.
  • the organic light emitting device of the Example using the compound represented by Formula 1 as the host material of the light emitting layer has superior luminous efficiency and It showed significantly improved lifespan characteristics.
  • the device according to the embodiment showed significantly lower driving voltage and improved efficiency characteristics compared to the device of Comparative Example employing Comparative Example compounds C-1 to C-12 as the host material of the light emitting layer. It can be seen that energy transfer from the compound represented by 1 to the red dopant was effectively achieved.
  • the organic light emitting device of the above embodiment has improved efficiency as well as lifetime characteristics, it is determined that the compound represented by Formula 1 has high stability with respect to electrons and holes. Therefore, it was confirmed that when the material represented by Formula 1 is used as the host material of the organic light emitting device, the driving voltage, luminous efficiency, and lifespan characteristics of the organic light emitting device can be improved. Considering that the luminous efficiency and lifespan characteristics of the organic light emitting device have a trade-off relationship with each other in general, it can be seen that the organic light emitting device of the embodiment exhibits significantly improved device characteristics compared to the device of the comparative example.
  • Substrate 2 Anode

Landscapes

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Abstract

본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자를 제공한다.

Description

신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
관련 출원(들)과의 상호 인용
본 출원은 2020년 4월 14일자 한국 특허 출원 제10-2020-0045516호 및 2021년 4월 13일자 한국 특허 출원 제10-2021-0048060호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며, 해당 한국 특허 출원들의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다.
유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
(특허문헌 0001) 한국특허 공개번호 제10-2000-0051826호
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000001
상기 화학식 1에서,
Y 1 내지 Y 5는 각각 독립적으로, N, C-H, C-D, 또는 C-L'―R이고,
여기서, L'는 단일결합; 또는 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴렌이고,
R은 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C 2-60 헤테로아릴이되, R은 9-페닐카바졸일은 아니고,
Y 6 및 Y 7은 각각 독립적으로, N, C-H, 또는 C-D이고,
단, Y 1 내지 Y 7 중 적어도 하나는 N이고,
L은 단일결합; 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C 2-60 헤테로아릴렌이고,
L 1 및 L 2는 각각 독립적으로, 단일결합; 또는 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴렌이고,
Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C 2-60 헤테로아릴이고,
p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다.
또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.
상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용되어, 유기 발광 소자의 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자억제층(7), 발광층(3), 정공저지층(8), 전자주입 및 수송층(9) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.
(용어의 정의)
본 명세서에서,
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000002
및
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000003
는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미하고, “D”는 중수소를 의미한다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환ㄱ기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐이기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다.
본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 기가 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000004
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 기가 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000005
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 기가 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000006
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 사이클로펜틸메틸, 사이클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸, 2,3-디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 3-메틸사이클로헥실, 4-메틸사이클로헥실, 2,3-디메틸사이클로헥실, 3,4,5-트리메틸사이클로헥실, 4-tert-부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐이기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴이기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000007
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴은 이종 원소로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로아릴의 예로는 잔텐(xanthene), 티오잔텐(thioxanthen), 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기, 아릴실릴기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서 있어서, 용어 "중수소화된 또는 중수소로 치환된"의 의미는 각 화학식 또는 치환기 내 적어도 하나의 이용가능한 수소가 중수소로 치환된 것을 의미한다. 일례로, 각 화학식에서 적어도 10% 중수소화된다는 것은, 이용가능한 수소의 적어도 10%가 중수소에 의해 치환된 것을 의미한다. 일례로, 각 화학식에서 적어도 20%, 적어도 30%, 적어도 40%, 적어도 50%, 적어도 60%, 적어도 70%, 적어도 80%, 적어도 90%, 또는 100% 중수소화될 수 있다.
(화합물)
본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 디벤조퓨란의 1번 탄소에 트리아지닐기가 치환되어 있고, 2번 탄소, 3번 탄소, 4번 탄소, 6번 탄소, 7번 탄소, 8번 탄소 및 9번 탄소 원자 중 적어도 하나가 "질소 원자"로 치환된 코어 구조를 갖는다. 특히, 상기 화합물은 상기 코어의 8번 및 9번 탄소 원자에는 중수소 외에는 치환기를 갖지 않으며, 선택적으로 치환될 수 있는 치환기인 "R" 에서 9-페닐카바졸일은 제외된다는 특징이 있다.
이때, R에서 제외되는 9-페닐카바졸일기의 구조는 하기와 같다:
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000008
.
또한, 상기 화합물을 채용한 유기 발광 소자는, 상기 코어의 다른 위치에 트리아지닐기가 치환된 화합물, 상기 화학식 1에서 Y 6 및 Y 7가 C-H 또는 C-D가 아닌, 즉 중수소 이외의 치환기로 치환된 화합물, 혹은 상기 화학식 1에서 R이 9-페닐카바졸일인 화합물을 채용한 유기 발광 소자에 비하여, 우수한 에너지 전달 특성 및 안정성을 나타낼 수 있다. 이에 따라, 상기 화합물을 채용한 유기 발광 소자는, 이러한 구조를 갖지 않는 화합물을 채용한 유기 발광 소자 대비 발광 효율 및 수명이 동시에 향상된 소자 특성을 나타낼 수 있다.
상기 화학식 1에서, Y 1 내지 Y 7 중 적어도 하나, 구체적으로는 Y 1 내지 Y 7 중 1개 또는 2개가 N일 수 있다.
바람직하게는, Y 1 내지 Y 7 중 하나가 N일 수 있다.
구체적으로, Y 1 내지 Y 5 중 하나가 N이고, 나머지는 각각 독립적으로, C-H, C-D, 또는 C-L'―R이고,
Y 6 및 Y 7은 각각 독립적으로, C-H, 또는 C-D일 수 있다.
보다 구체적으로, Y 1 내지 Y 5 중 하나는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로, C-H, 또는 C-D이고,
Y 6 및 Y 7은 각각 독립적으로, C-H, 또는 C-D이거나; 또는
Y 1 내지 Y 5 중 하나는 N이고, 나머지 중 하나는 C-L'―R이며, 나머지는 각각 독립적으로, C-H, 또는 C-D이고,
Y 6 및 Y 7은 각각 독립적으로, C-H, 또는 C-D일 수 있다.
또는, Y 1 내지 Y 5는 각각 독립적으로, C-H, C-D, 또는 C-L'―R이고,
Y 6 및 Y 7 중 하나가 N이고, 나머지는 C-H, 또는 C-D일 수 있다.
보다 구체적으로, Y 1 내지 Y 5는 각각 독립적으로, C-H, 또는 C-D이고,
Y 6 및 Y 7 중 하나가 N이고, 나머지는 C-H, 또는 C-D이거나; 또는
Y 1 내지 Y 5 중 하나는 C-L'―R이고, 나머지는 각각 독립적으로, C-H, 또는 C-D이고,
Y 6 및 Y 7 중 하나가 N이고, 나머지는 C-H, 또는 C-D일 수 있다.
또는, Y 1 내지 Y 5는 각각 독립적으로, C-H, 또는 C-D이고,
Y 6 및 Y 7 중 하나가 N이고, 나머지는 C-H, 또는 C-D이거나; 또는
Y 1 내지 Y 3 및 Y 5 중 하나는 C-L'―R이고, 나머지는 각각 독립적으로, C-H, 또는 C-D이고, Y 5는 C-H, 또는 C-D이고,
Y 6 및 Y 7 중 하나가 N이고, 나머지는 C-H, 또는 C-D일 수 있다.
또한, 상기 화학식 1에서, L'는 단일결합; 또는 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 C 6-20 아릴렌일 수 있다.
구체적으로, L'는 단일결합; 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 페닐렌; 또는 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 나프틸렌일 수 있다.
예를 들어, L'는 단일결합,
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000009
, 또는
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000010
일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 화학식 1에서, R은 C 6-60 아릴, 또는 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 헤테로원자를 포함하는 C 2-20 헤테로아릴이되, 9-페닐카바졸일은 제외되고,
여기서, R은 비치환되거나, 또는 중수소, C 1-10 알킬 및 C 6-20 아릴로 구성되는 군으로부터 선택되는 1개 이상, 예를 들어 1개 또는 2개의 치환기로 치환될 수 있다.
구체적으로, R은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나이다:
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000011
상기에서,
X 1은 O 또는 S이고,
X 2는 O, S, 또는 N(페닐)이고,
Z는 각각 독립적으로, 중수소(D), C 1-10 알킬, 또는 C 6-20 아릴이고,
a는 각각 독립적으로, 0 내지 5의 정수이고,
b는 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수이고,
c는 각각 독립적으로, 0 내지 7의 정수이고,
d는 각각 독립적으로, 0 내지 6의 정수이고,
e는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수이고,
h는 각각 독립적으로, 0 내지 8의 정수이고,
i는 각각 독립적으로, 0 내지 11의 정수이다.
예를 들어, R은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000012
.
또한, 상기 화학식 1에서, L은 단일결합; 또는 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 C 6-20 아릴렌일 수 있다.
구체적으로, L은 단일결합; 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 페닐렌; 또는 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 나프틸렌일 수 있다.
보다 구체적으로, L은 단일결합, 또는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000013
상기에서,
D는 중수소를 의미하고,
f는 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수이고,
g는 각각 독립적으로, 0 내지 6의 정수이다.
예를 들어, L은 단일결합, 또는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000014
.
또한, 상기 화학식 1에서, L 1 및 L 2는 각각 독립적으로, 단일결합; 또는 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 C 6-20 아릴렌일 수 있다.
구체적으로, L 1 및 L 2는 각각 독립적으로, 단일결합; 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 페닐렌; 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 비페닐디일; 또는 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 나프틸렌일 수 있다.
그리고, L 1 및 L 2 중 하나는 단일결합일 수 있다.
또한, L의 개수를 의미하는 p는 0, 1, 또는 2이고, p가 2인 경우 2개의 L은 서로 동일하거나 상이하다. 그리고, L 1의 개수를 의미하는 q는 0, 1, 또는 2이고, q가 2인 경우 2개의 L 1은 서로 동일하거나 상이하다.
이때, p+q는 0, 1, 2, 또는 3일 수 있다.
또한, 상기 화학식 1에서, Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로, C 6-20 아릴; 또는 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 1개의 헤테로원자를 포함하는 C 2-20 헤테로아릴이고,
여기서, Ar 1 및 Ar 2는 비치환되거나, 또는 중수소, C 1-10 알킬 및 C 6-20 아릴로 구성되는 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환될 수 있다.
구체적으로, Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로, 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 나프틸, 페난트릴, 크리세닐, 벤조[c]페난트레닐, 플루오란테닐, 디벤조퓨라닐, 디벤조티오페닐, 벤조나프토퓨라닐, 벤조나프토티오페닐, 카바졸일, 또는 벤조카바졸일이고,
여기서, Ar 1 및 Ar 2는 비치환되거나, 또는 중수소, C 1-10 알킬 및 C 6-20 아릴로 구성되는 군으로부터 선택되는 1개 이상, 예를 들어, 1개 또는 2개의 치환기로 치환될 수 있다.
구체적으로, Ar 1 및 Ar 2 중 하나는 페닐, 비페닐릴, 또는 나프틸일 수 있다.
예를 들어, Ar 1 및 Ar 2 중 하나는
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000015
,
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000016
, 또는
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000017
일 수 있다.
또한, 상기 화학식 1에서, Ar 1 및 Ar 2은 서로 동일할 수 있고, 또는 상이할 수 있다.
상기 Ar 1 및 Ar 2가 동일한 경우, Ar 1 및 Ar 2은 모두
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000018
이거나, 또는
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000019
일 수 있다.
또는, Ar 1 및 Ar 2가 모두
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000020
은 아닐 수 있다.
또한, 상기 화학식 1에서,
L 1이 단일결합이고, L 2는 단일결합,
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000021
, 또는
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000022
이면서,
Ar 1 및 Ar 2 중 하나는 페닐, 나프틸, 또는 비페닐릴이고, 나머지는 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 나프틸, 페난트릴, 크리세닐, 벤조[c]페난트레닐, 플루오란테닐, 디벤조퓨라닐, 디벤조티오페닐, 벤조나프토퓨라닐, 벤조나프토티오페닐, 카바졸일, 또는 벤조카바졸일 일 수 있다.
한편, 상기 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-7 중 어느 하나로 표시될 수 있다:
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000023
상기 화학식 1-1 내지 1-7에서,
n은 0 또는 1이고,
L, L', R, L 1, L 2, p, q, Ar 1 및 Ar 2는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
이때, 상기 화학식 1-1에서, n이 1인 경우, 치환기
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000024
의 결합 위치는 하기의 *a 위치의 탄소, *b 위치의 탄소, *c 위치의 탄소 및 *d 위치의 탄소 중 어느 하나이고,
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에서의 "*" 표시는 *a 위치의 탄소, *b 위치의 탄소, *c 위치의 탄소 및 *d 위치의 탄소 중 어느 하나와의 결합 위치를 의미한다.
[화학식 1-1]
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즉, 상기 화학식 1-1에서, 치환기
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은 *a 위치의 탄소, *b 위치의 탄소, *c 위치의 탄소 및 *d 위치의 탄소 중 어느 하나와 결합될 수 있고, *e 위치의 탄소 및 *f 위치의 탄소에는 결합될 수 없음을 의미한다.
상기 화학식 1-2 내지 1-7의 치환기
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의 결합 위치 또한 상기 화학식 1-1과 마찬가지로 이해될 수 있다.
일예로, 상기 화합물은 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나이다:
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.
한편, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 일례로 하기 반응식 1과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.
[반응식 1]
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상기 반응식 1에서, X는 할로겐이고, 바람직하게는 브로모, 또는 클로로이며, 다른 치환기에 대한 정의는 앞서 설명한 바와 같다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 출발물질 A1 및 A2의 Suzuki-coupling 반응을 통해 제조될 수 있다. 이러한 Suzuki-coupling 반응은 팔라듐 촉매와 염기의 존재 하에 수행하는 것이 바람직하며, 상기 Suzuki-coupling 반응을 위한 반응기는 적절히 변경될 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.
(유기 발광 소자)
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
일 구현예에서, 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고, 이때 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층일 수 있다.
다른 구현예에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자주입 및 수송층을 포함할 수 있고, 이때 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층일 수 있다.
또 다른 구현예에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자억제층, 발광층 및 전자주입 및 수송층을 포함할 수 있고, 이때 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층일 수 있다.
또 다른 구현예에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자억제층, 발광층, 전자저지층 및 전자주입 및 수송층을 포함할 수 있고, 이때 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 제1 전극이 양극이고, 제2 전극이 음극인, 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극이 음극이고, 제2 전극이 양극인, 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자억제층(7), 발광층(3), 정공저지층(8), 전자주입 및 수송층(9) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 발광층이 본 발명에 따른 화합물을 포함하고, 상술한 방법과 같이 제조되는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조할 수 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 유기물층 및 음극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다(WO 2003/012890). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
일례로, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이거나, 또는 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO 2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 화합물 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO 2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물 층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 화합물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 화합물, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자억제층은 상기 정공수송층 상에 형성되어, 바람직하게는 발광층에 접하여 구비되어, 정공이동도를 조절하고, 전자의 과다한 이동을 방지하여 정공-전자간 결합 확률을 높여줌으로써 유기 발광 소자의 효율을 개선하는 역할을 하는 층을 의미한다. 상기 전자억제층은 전자저지물질을 포함하고, 이러한 전자저지물질의 예로 아릴아민 계열의 유기물 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료로는 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물이 사용될 수 있다. 또한, 호스트 재료로는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 이외에 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등을 추가로 사용할 수 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
보다 구체적으로는, 상기 도펀트 재료로 하기와 같은 화합물이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
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상기 정공저지층은 발광층 상에 형성되어, 바람직하게는 발광층에 접하여 구비되어, 전자이동도를 조절하고 정공의 과다한 이동을 방지하여 정공-전자간 결합 확률을 높여줌으로써 유기 발광 소자의 효율을 개선하는 역할을 하는 층을 의미한다. 상기 정공저지층은 정공저지물질을 포함하고, 이러한 정공저지물질의 예로 트리아진을 포함한 아진류 유도체; 트리아졸 유도체; 옥사디아졸 유도체; 페난트롤린 유도체; 포스핀옥사이드 유도체 등의 전자흡인기가 도입된 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입 및 수송층은 전극으로부터 전자를 주입하고, 수취된 전자를 발광층까지 수송하는 전자수송층 및 전자주입층의 역할을 동시에 수행하는 층으로, 상기 발광층 또는 상기 정공저지층 상에 형성된다. 이러한 전자 주입 및 수송물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 전자 주입 및 수송물질의 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq 3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물; 트리아진 유도체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 또는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 플루오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물, 또는 질소 함유 5원환 유도체 등과 함께 사용할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입 및 수송층은 전자주입층 및 전자수송층과 같은 별개의 층으로도 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 전자 수송층은 상기 발광층 또는 상기 정공저지층 상에 형성되고, 상기 전자 수송층에 포함되는 전자 수송 물질로는 상술한 전자 주입 및 수송 물질이 사용될 수 있다. 또한, 전자 주입층은 상기 전자 수송층 상에 형성되고, 상기 전자 주입층에 포함되는 전자 주입 물질로는 LiF, NaCl, CsF, Li 2O, BaO, 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 플루오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 사용될 수 있다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 배면 발광(bottom emission) 소자, 전면 발광(top emission) 소자, 또는 양면 발광 소자일 수 있으며, 특히 상대적으로 높은 발광 효율이 요구되는 배면 발광 소자일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
합성예 A: 중간체 화합물 A의 합성
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질소 분위기에서 A_sm1(15 g, 45 mmol)와 A_sm2(8.2 g, 54 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.7 g, 135 mmol)를 물 56 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.4 mmol)을 투입하였다. 12 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 A_P1를 10.7 g 제조하였다. (수율 76%, MS: [M+H] += 313)
다음으로, 질소 분위기에서 A_P1(10 g, 31.9 mmol)와 HBF 4(5.6 g, 63.8 mmol)를 ACN 100 mL에 넣고 교반하였다. 이후 NaNO 2(4.4 g, 63.8 mmol)를 H 2O 20 mL에 녹여서 0℃에서 천천히 넣어주었다. 10 시간 반응 후 이를 room temperature까지 승온 후, 물 200 mL 를 넣어 희석하였다. 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 A_P2를 5.8 g 제조하였다. (수율 65%, MS: [M+H] += 282)
다음으로, 질소 분위기에서 A_P2(15 g, 53.1 mmol)와 bis(pinacolato)diboron(14.8 g, 58.4 mmol)를 1,4-dioxane 300 mL에 환류시키며 교반하였다. 이후 potassium acetate (7.8 g, 79.6 mmol)를 투입하고 충분히 교반한 후 bis(dibenzylideneacetone)palladium(0) (0.9 g, 1.6 mmol) 및 tricyclohexylphosphine(0.9 g, 3.2 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응하고 상온으로 식히고 클로로포름과 물을 이용하여 유기층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 A를 13.5 g 제조하였다. (수율 77%, MS: [M+H] += 330)
합성예 B: 중간체 화합물 B의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000123
질소 분위기에서 B_sm1(15 g, 50.2 mmol)와 B_sm2(11.2 g, 60.2 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(20.8 g, 150.5 mmol)를 물 62 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 B_P1를 12.5 g 제조하였다. (수율 80%, MS: [M+H] += 313)
다음으로, 질소 분위기에서 B_P1(10 g, 31.9 mmol)와 HBF 4(5.6 g, 63.8 mmol)를 ACN 100 mL에 넣고 교반하였다. 이후 NaNO 2(4.4 g, 63.8 mmol)를 H 2O 20 mL에 녹여서 0℃에서 천천히 넣어주었다. 10 시간 반응 후 이를 room temperature까지 승온 후, 물 200 mL 를 넣어 희석하였다. 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 B_P2를 5.6 g 제조하였다. (수율 62%, MS: [M+H] += 282)
다음으로, 질소 분위기에서 B_P2(15 g, 53.1 mmol)와 bis(pinacolato)diboron(14.8 g, 58.4 mmol)를 1,4-dioxane 300 mL에 환류시키며 교반하였다. 이후 potassium acetate (7.8 g, 79.6 mmol)를 투입하고 충분히 교반한 후 bis(dibenzylideneacetone)palladium(0) (0.9 g, 1.6 mmol) 및 tricyclohexylphosphine(0.9 g, 3.2 mmol)을 투입하였다. 6시간 반응하고 상온으로 식히고 클로로포름과 물을 이용하여 유기층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 B를 12.4 g 제조하였다. (수율 71%, MS: [M+H] += 330)
합성예 C: 중간체 화합물 C의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000124
상기 합성예 A에서 출발 물질로 A-sm1 대신 C-sm1을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 A와 동일한 방법을 사용하여 화합물 C를 제조하였다. (수율: 72%, MS: [M+H] += 330)
합성예 D: 중간체 화합물 D의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000125
상기 합성예 B에서 출발 물질로 B-sm2 대신 D-sm2를 사용한 것을 제외하고는, 합성예 B와 동일한 방법을 사용하여 화합물 D를 제조하였다. (수율: 76%, MS: [M+H] += 330)
합성예 E: 중간체 화합물 E의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000126
상기 합성예 B에서 출발 물질로 B-sm2 대신 A-sm2를 사용한 것을 제외하고는, 합성예 B와 동일한 방법을 사용하여 화합물 E를 제조하였다. (수율: 73%, MS: [M+H] += 296)
합성예 F: 중간체 화합물 F의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000127
상기 합성예 A에서 출발 물질로 A-sm1 대신 F-sm1을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 A와 동일한 방법을 사용하여 화합물 F를 제조하였다. (수율: 67%, MS: [M+H] += 330)
합성예 G: 중간체 화합물 G의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000128
상기 합성예 B에서 출발 물질로 B-sm1 대신 G-sm1을 사용하고, B-sm2 대신 D-sm2를 사용한 것을 제외하고는, 합성예 B와 동일한 방법을 사용하여 화합물 G를 제조하였다. (수율: 71%, MS: [M+H] += 330)
합성예 H: 중간체 화합물 H의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000129
상기 합성예 B에서 출발 물질로 B-sm1 대신 G-sm1을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 B와 동일한 방법을 사용하여 화합물 H를 제조하였다. (수율: 74%, MS: [M+H] += 330)
합성예 I: 중간체 화합물 I의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000130
상기 합성예 A에서 출발 물질로 A-sm1 대신 G-sm1을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 B와 동일한 방법을 사용하여 화합물 I를 제조하였다. (수율: 69%, MS: [M+H] += 296)
합성예 J: 중간체 화합물 J의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000131
상기 합성예 A에서 출발 물질로 A-sm1 대신 J-sm1을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 A와 동일한 방법을 사용하여 화합물 J를 제조하였다. (수율: 65%, MS: [M+H] += 330)
합성예 K: 중간체 화합물 K의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000132
상기 합성예 B에서 출발 물질로 B-sm1 대신 K-sm1을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 B와 동일한 방법을 사용하여 화합물 K를 제조하였다. (수율: 74%, MS: [M+H] += 330)
합성예 L: 중간체 화합물 L의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000133
상기 합성예 B에서 출발 물질로 B-sm1 대신 K-sm1을 사용하고, B-sm2 대신 D-sm2를 사용한 것을 제외하고는, 합성예 B와 동일한 방법을 사용하여 화합물 L을 제조하였다. (수율: 72%, MS: [M+H] += 330)
합성예 M: 중간체 화합물 M의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000134
상기 합성예 A에서 출발 물질로 A-sm1 대신 K-sm1을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 A와 동일한 방법을 사용하여 화합물 M을 제조하였다. (수율: 67%, MS: [M+H] += 296)
합성예 N: 중간체 화합물 N의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000135
질소 분위기에서 N_sm1(15 g, 68.2 mmol)와 N_sm2(21.7 g, 81.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(28.3 g, 204.5 mmol)를 물 85 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.7 mmol)을 투입하였다. 8 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 N_P1를 13.6 g 제조하였다. (수율 64%, MS: [M+H] += 313)
다음으로, 질소 분위기에서 N_P1(10 g, 31.9 mmol)와 HBF 4(5.6 g, 63.8 mmol)를 ACN 100 mL에 넣고 교반하였다. 이후 NaNO 2(4.4 g, 63.8 mmol)를 H 2O 20 mL에 녹여서 0℃에서 천천히 넣어주었다. 10 시간 반응 후 이를 room temperature까지 승온 후, 물 200 mL 를 넣어 희석하였다. 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 N_P2를 7.2 g 제조하였다. (수율 80%, MS: [M+H] += 282)
다음으로, 질소 분위기에서 N_P2(15 g, 53.1 mmol)와 bis(pinacolato)diboron(14.8 g, 58.4 mmol)를 1,4-dioxane 300 mL에 환류시키며 교반하였다. 이후 potassium acetate (7.8 g, 79.6 mmol)를 투입하고 충분히 교반한 후 bis(dibenzylideneacetone)palladium(0) (0.9 g, 1.6 mmol) 및 tricyclohexylphosphine(0.9 g, 3.2 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응하고 상온으로 식히고 클로로포름과 물을 이용하여 유기층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 N을 12.1 g 제조하였다. (수율 69%, MS: [M+H] += 330)
합성예 O: 중간체 화합물 O의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000136
질소 분위기에서 O_sm1(15 g, 58.9 mmol)와 O_sm2(16.3 g, 70.7 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(24.4 g, 176.8 mmol)를 물 73 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.6 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 O_P1를 11 g 제조하였다. (수율 60%, MS: [M+H] += 313)
다음으로, 질소 분위기에서 O_P1(10 g, 31.9 mmol)와 HBF 4(5.6 g, 63.8 mmol)를 ACN 100 mL에 넣고 교반하였다. 이후 NaNO 2(4.4 g, 63.8 mmol)를 H 2O 20 mL에 녹여서 0℃에서 천천히 넣어주었다. 10 시간 반응 후 이를 room temperature까지 승온 후, 물 200 mL 를 넣어 희석하였다. 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 O_P2를 5.9 g 제조하였다. (수율 66%, MS: [M+H] += 282)
다음으로, 질소 분위기에서 O_P2(15 g, 53.1 mmol)와 bis(pinacolato)diboron(14.8 g, 58.4 mmol)를 1,4-dioxane 300 mL에 환류시키며 교반하였다. 이후 potassium acetate (7.8 g, 79.6 mmol)를 투입하고 충분히 교반한 후 bis(dibenzylideneacetone)palladium(0) (0.9 g, 1.6 mmol) 및 tricyclohexylphosphine(0.9 g, 3.2 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응하고 상온으로 식히고 클로로포름과 물을 이용하여 유기층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 O를 11.5 g 제조하였다. (수율 66%, MS: [M+H] += 330)
합성예 P: 중간체 화합물 P의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000137
상기 합성예 N에서 출발 물질로 N-sm2 대신 P-sm2를 사용한 것을 제외하고는, 합성예 N과 동일한 방법을 사용하여 화합물 P를 제조하였다. (수율: 68%, MS: [M+H] += 330)
합성예 Q: 중간체 화합물 Q의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000138
상기 합성예 N에서 출발 물질로 N-sm2 대신 Q-sm2를 사용한 것을 제외하고는, 합성예 N과 동일한 방법을 사용하여 화합물 Q를 제조하였다. (수율: 63%, MS: [M+H] += 330)
합성예 R: 중간체 화합물 R의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000139
상기 합성예 N에서 출발 물질로 N-sm2 대신 R-sm2를 사용한 것을 제외하고는, 합성예 N과 동일한 방법을 사용하여 화합물 R을 제조하였다. (수율: 70%, MS: [M+H] += 296)
합성예 S: 중간체 화합물 S의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000140
상기 합성예 N에서 출발 물질로 N-sm1 대신 S-sm1을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 N과 동일한 방법을 사용하여 화합물 S를 제조하였다. (수율: 73%, MS: [M+H] += 330)
합성예 T: 중간체 화합물 T의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000141
상기 합성예 O에서 출발 물질로 O-sm1 대신 T-sm1을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 O와 동일한 방법을 사용하여 화합물 T를 제조하였다. (수율: 72%, MS: [M+H] += 330)
합성예 U: 중간체 화합물 U의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000142
상기 합성예 N에서 출발 물질로 N-sm1 대신 S-sm1을 사용하고, N-sm2 대신 U-sm2를 사용한 것을 제외하고는, 합성예 N과 동일한 방법을 사용하여 화합물 U를 제조하였다. (수율: 67%, MS: [M+H] += 330)
합성예 V: 중간체 화합물 V의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000143
상기 합성예 N에서 출발 물질로 N-sm1 대신 S-sm1을 사용하고, N-sm2 대신 R-sm2를 사용한 것을 제외하고는, 합성예 N과 동일한 방법을 사용하여 화합물 V를 제조하였다. (수율: 63%, MS: [M+H] += 296)
합성예 W: 중간체 화합물 W의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000144
상기 합성예 N에서 출발 물질로 N-sm1 대신 W-sm1을 사용하고, N-sm2 대신 U-sm2를 사용한 것을 제외하고는, 합성예 N과 동일한 방법을 사용하여 화합물 W를 제조하였다. (수율: 68%, MS: [M+H] += 330)
합성예 X: 중간체 화합물 X의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000145
상기 합성예 O에서 출발 물질로 O-sm1 대신 X-sm1을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 O와 동일한 방법을 사용하여 화합물 X를 제조하였다. (수율: 72%, MS: [M+H] += 330)
합성예 Y: 중간체 화합물 Y의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000146
상기 합성예 N에서 출발 물질로 N-sm1 대신 W-sm1을 사용하고, N-sm1 대신 S-sm1을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 N과 동일한 방법을 사용하여 화합물 Y를 제조하였다. (수율: 74%, MS: [M+H] += 330)
합성예 Z: 중간체 화합물 Z의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000147
상기 합성예 N에서 출발 물질로 N-sm1 대신 W-sm1을 사용하고, N-sm2 대신 R-sm2를 사용한 것을 제외하고는, 합성예 N과 동일한 방법을 사용하여 화합물 Z를 제조하였다. (수율: 68%, MS: [M+H] += 296)
합성예 AA: 중간체 화합물 AA의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000148
상기 합성예 N에서 출발 물질로 N-sm1 대신 AA-sm1을 사용하고, N-sm2 대신 U-sm2를 사용한 것을 제외하고는, 합성예 N과 동일한 방법을 사용하여 화합물 AA를 제조하였다. (수율: 63%, MS: [M+H] += 330)
합성예 AB: 중간체 화합물 AB의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000149
상기 합성예 O에서 출발 물질로 O-sm1 대신 AB-sm1을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 O와 동일한 방법을 사용하여 화합물 AB를 제조하였다. (수율: 71%, MS: [M+H] += 330)
합성예 AC: 중간체 화합물 AC의 합성
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000150
상기 합성예 N에서 출발 물질로 N-sm1 대신 AA-sm1을 사용하고, N-sm2 대신 R-sm2를 사용한 것을 제외하고는, 합성예 N과 동일한 방법을 사용하여 화합물 AC를 제조하였다. (수율: 65%, MS: [M+H] += 296)
합성예 1: 화합물 1의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000151
질소 분위기에서 화합물 A(15 g, 45.5 mmol)와 Trz1(15.2 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subA-1를 13.9 g 제조하였다. (수율 63%, MS: [M+H] += 485)
다음으로, 질소 분위기에서 subA-1(15 g, 30.9 mmol)와 sub1(7.2 g, 32.5 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(12.8 g, 92.8 mmol)를 물 38 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 1을 11.6 g 제조하였다. (수율 60%, MS: [M+H] += 627)
합성예 2: 화합물 2의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000152
질소 분위기에서 화합물 B(15 g, 45.5 mmol)와 Trz2(12.8 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subB-1를 13.6 g 제조하였다. (수율 69%, MS: [M+H] += 435)
다음으로, 질소 분위기에서 subB-1(15 g, 34.5 mmol)와 sub2(9.9 g, 36.2 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(14.3 g, 103.5 mmol)를 물 43 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 2를 14.5 g 제조하였다. (수율 67%, MS: [M+H] += 627)
합성예 3: 화합물 3의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000153
질소 분위기에서 화합물 C(15 g, 45.5 mmol)와 Trz2(12.8 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subC-1를 12.6 g 제조하였다. (수율 64%, MS: [M+H] += 435)
다음으로, 질소 분위기에서 subC-1(15 g, 34.5 mmol)와 sub3(8.9 g, 36.2 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(14.3 g, 103.5 mmol)를 물 43 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 12 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 3을 14.1 g 제조하였다. (수율 68%, MS: [M+H] += 601)
합성예 4: 화합물 4의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000154
질소 분위기에서 화합물 D(15 g, 45.5 mmol)와 Trz3(21.2 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subD-1를 21.1 g 제조하였다. (수율 76%, MS: [M+H] += 611)
다음으로, 질소 분위기에서 subD-1(15 g, 24.5 mmol)와 sub4(3.1 g, 25.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(10.2 g, 73.6 mmol)를 물 31 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.2 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 4를 12.8 g 제조하였다. (수율 80%, MS: [M+H] += 653)
합성예 5: 화합물 5의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000155
질소 분위기에서 화합물 E(15 g, 50.8 mmol)와 Trz4(25 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 8 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 5를 20.4 g 제조하였다. (수율 67%, MS: [M+H] += 601)
합성예 6: 화합물 6의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000156
질소 분위기에서 화합물 E(15 g, 50.8 mmol)와 Trz5(25.8 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 6을 20.4 g 제조하였다. (수율 65%, MS: [M+H] += 617)
합성예 7: 화합물 7의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000157
질소 분위기에서 화합물 E(15 g, 50.8 mmol)와 Trz6(28.5 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 7를 20.7 g 제조하였다. (수율 61%, MS: [M+H] += 667)
합성예 8: 화합물 8의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000158
질소 분위기에서 화합물 E(15 g, 50.8 mmol)와 Trz7(26.4 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 8를 24.2 g 제조하였다. (수율 76%, MS: [M+H] += 627)
합성예 9: 화합물 9의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000159
질소 분위기에서 화합물 F(15 g, 45.5 mmol)와 Trz8(19.5 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subF-1를 17 g 제조하였다. (수율 65%, MS: [M+H] += 575)
질소 분위기에서 subF-1(15 g, 26.1 mmol)와 sub4(3.3 g, 27.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(10.8 g, 78.3 mmol)를 물 32 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 12 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 9를 12.9 g 제조하였다. (수율 80%, MS: [M+H] += 617)
합성예 10: 화합물 10의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000160
질소 분위기에서 화합물 G(15 g, 45.5 mmol)와 Trz9(20.7 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subG-1를 21.9 g 제조하였다. (수율 80%, MS: [M+H] += 601)
다음으로, 질소 분위기에서 subG-1(15 g, 25 mmol)와 sub5(4.5 g, 26.2 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(10.3 g, 74.9 mmol)를 물 31 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.2 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 10을 13 g 제조하였다. (수율 75%, MS: [M+H] += 693)
합성예 11: 화합물 11의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000161
질소 분위기에서 화합물 G(15 g, 45.5 mmol)와 Trz2(12.8 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subG-2를 13.8 g 제조하였다. (수율 70%, MS: [M+H] += 435)
다음으로, 질소 분위기에서 subG-2(15 g, 34.5 mmol)와 sub6(17.5 g, 36.2 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(14.3 g, 103.5 mmol)를 물 43 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 11을 14 g 제조하였다. (수율 65%, MS: [M+H] += 627)
합성예 12: 화합물 12의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000162
질소 분위기에서 화합물 G(15 g, 45.5 mmol)와 Trz10(16.4 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subG-3를 14.2 g 제조하였다. (수율 61%, MS: [M+H] += 511)
다음으로, 질소 분위기에서 subG-3(10 g, 19.6 mmol), sub7(4.3 g, 20 mmol), sodium tert-butoxide(2.4 g, 25.4 mmol) 을 Xylene 200 mL에 넣고 교반 및 환류했다. 이후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 12를 9.5 g 얻었다. (수율 70%, MS: [M+H] += 692)
합성예 13: 화합물 13의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000163
질소 분위기에서 화합물 H(15 g, 45.5 mmol)와 Trz11(17.1 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subH-1를 16.2 g 제조하였다. (수율 68%, MS: [M+H] += 525)
다음으로, 질소 분위기에서 subH-1(15 g, 28.6 mmol)와 sub5(5.2 g, 30 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(11.8 g, 85.7 mmol)를 물 36 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 13를 10.9 g 제조하였다. (수율 62%, MS: [M+H] += 617)
합성예 14: 화합물 14의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000164
질소 분위기에서 화합물 I(15 g, 50.8 mmol)와 Trz12(23.7 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 14를 17.6 g 제조하였다. (수율 60%, MS: [M+H] += 577)
합성예 15: 화합물 15의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000165
질소 분위기에서 화합물 I(15 g, 50.8 mmol)와 Trz13(25 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 8 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 15를 21.7 g 제조하였다. (수율 71%, MS: [M+H] += 601)
합성예 16: 화합물 16의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000166
질소 분위기에서 화합물 I(15 g, 50.8 mmol)와 Trz14(25.1 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 16를 21.4 g 제조하였다. (수율 70%, MS: [M+H] += 603)
합성예 17: 화합물 17의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000167
질소 분위기에서 화합물 J(15 g, 45.5 mmol)와 Trz15(17.6 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 8 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subJ-1를 15.6 g 제조하였다. (수율 64%, MS: [M+H] += 535)
다음으로, 질소 분위기에서 subJ-1(15 g, 28 mmol)와 sub5(5.1 g, 29.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(11.6 g, 84.1 mmol)를 물 35 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 17을 13.7 g 제조하였다. (수율 78%, MS: [M+H] += 627)
합성예 18: 화합물 18의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000168
질소 분위기에서 화합물 K(15 g, 45.5 mmol)와 Trz1(15.2 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subK-1를 13.9 g 제조하였다. (수율 63%, MS: [M+H] += 485)
다음으로, 질소 분위기에서 subK-1(15 g, 30.9 mmol)와 sub8(6.9 g, 32.5 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(12.8 g, 92.8 mmol)를 물 38 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 12 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 18을 12.4 g 제조하였다. (수율 65%, MS: [M+H] += 617)
합성예 19: 화합물 19의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000169
질소 분위기에서 화합물 L(15 g, 45.5 mmol)와 Trz2(12.8 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 8 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subL-1를 13.6 g 제조하였다. (수율 69%, MS: [M+H] += 435)
다음으로, 질소 분위기에서 subL-1(15 g, 34.5 mmol)와 sub9(8.9 g, 36.2 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(14.3 g, 103.5 mmol)를 물 43 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 19를 13.2 g 제조하였다. (수율 64%, MS: [M+H] += 601)
합성예 20: 화합물 20의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000170
질소 분위기에서 subL-1(15 g, 34.5 mmol)와 sub10(10.1 g, 36.2 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(14.3 g, 103.5 mmol)를 물 43 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 12 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 20을 14.4 g 제조하였다. (수율 66%, MS: [M+H] += 633)
합성예 21: 화합물 21의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000171
질소 분위기에서 화합물 K(15 g, 45.5 mmol)와 Trz16(17.9 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subK-2를 16.7 g 제조하였다. (수율 68%, MS: [M+H] += 541)
다음으로, 질소 분위기에서 subK-2(10 g, 18.5 mmol), sub11(3.2 g, 18.9 mmol), sodium tert-butoxide(2.3 g, 24 mmol)을 Xylene 200 mL에 넣고 교반 및 환류했다. 이후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 21을 7.8 g 얻었다. (수율 63%, MS: [M+H] += 672)
합성예 22: 화합물 22의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000172
질소 분위기에서 화합물 K(15 g, 45.5 mmol)와 Trz17(16.4 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 12 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subK-3를 15.3 g 제조하였다. (수율 66%, MS: [M+H] += 511)
다음으로, 질소 분위기에서 subK-3(15 g, 29.4 mmol)와 sub5(5.3 g, 30.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(12.2 g, 88.1 mmol)를 물 37 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 22를 13.8 g 제조하였다. (수율 78%, MS: [M+H] += 603)
합성예 23: 화합물 23의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000173
질소 분위기에서 화합물 M(15 g, 50.8 mmol)와 Trz18(25.1 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 12 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 23을 19.9 g 제조하였다. (수율 65%, MS: [M+H] += 603)
합성예 24: 화합물 24의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000174
질소 분위기에서 화합물 M(15 g, 50.8 mmol)와 Trz19(25 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 8 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 24를 20.4 g 제조하였다. (수율 67%, MS: [M+H] += 601)
합성예 25: 화합물 25의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000175
질소 분위기에서 화합물 M(15 g, 50.8 mmol)와 Trz20(25.8 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 25를 19.7 g 제조하였다. (수율 63%, MS: [M+H] += 617)
합성예 26: 화합물 26의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000176
질소 분위기에서 화합물 N(15 g, 45.5 mmol)와 Trz1(15.2 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subN-1를 15.9 g 제조하였다. (수율 72%, MS: [M+H] += 485)
다음으로, 질소 분위기에서 subN-1(15 g, 30.9 mmol)와 sub5(5.6 g, 32.5 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(12.8 g, 92.8 mmol)를 물 38 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 26을 12.7 g 제조하였다. (수율 71%, MS: [M+H] += 577)
합성예 27: 화합물 27의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000177
질소 분위기에서 화합물 O(15 g, 45.5 mmol)와 Trz2(12.8 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 12 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subO-1를 15 g 제조하였다. (수율 76%, MS: [M+H] += 435)
다음으로, 질소 분위기에서 subO-1(15 g, 34.5 mmol)와 sub12(9.9 g, 36.2 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(14.3 g, 103.5 mmol)를 물 43 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 27을 15.8 g 제조하였다. (수율 73%, MS: [M+H] += 627)
합성예 28: 화합물 28의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000178
질소 분위기에서 화합물 N(15 g, 45.5 mmol)와 Trz8(12.8 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subN-2를 20.4 g 제조하였다. (수율 78%, MS: [M+H] += 575)
다음으로, 질소 분위기에서 subN-2(15 g, 26.1 mmol)와 sub13(5.4 g, 27.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(10.8 g, 78.3 mmol)를 물 32 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 28를 10.8 g 제조하였다. (수율 60%, MS: [M+H] += 693)
합성예 29: 화합물 29의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000179
질소 분위기에서 화합물 P(15 g, 45.5 mmol)와 Trz1(15.2 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subP-1를 13.7 g 제조하였다. (수율 62%, MS: [M+H] += 485)
다음으로, 질소 분위기에서 subP-1(10 g, 20.6 mmol), sub11(3.5 g, 21 mmol), sodium tert-butoxide(2.6 g, 26.8 mmol)을 Xylene 200 mL에 넣고 교반 및 환류했다. 이후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 29를 6.5g 얻었다. (수율 51%, MS: [M+H] += 616)
합성예 30: 화합물 30의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000180
질소 분위기에서 화합물 Q(15 g, 45.5 mmol)와 Trz21(17.1 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 12 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subQ-1를 16.5 g 제조하였다. (수율 69%, MS: [M+H] += 525)
다음으로, 질소 분위기에서 subQ-1(15 g, 28.6 mmol)와 sub14(5.9 g, 30 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(11.8 g, 85.7 mmol)를 물 36 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 12 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 30를 14.7 g 제조하였다. (수율 80%, MS: [M+H] += 643)
합성예 31: 화합물 31의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000181
질소 분위기에서 화합물 R(15 g, 50.8 mmol)와 Trz22(23.7 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 31을 18.7 g 제조하였다. (수율 64%, MS: [M+H] += 577)
합성예 32: 화합물 32의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000182
질소 분위기에서 화합물 R(15 g, 50.8 mmol)와 Trz23(23.6 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 32를 23.1 g 제조하였다. (수율 79%, MS: [M+H] += 575)
합성예 33: 화합물 33의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000183
질소 분위기에서 화합물 R(15 g, 50.8 mmol)와 Trz24(29.9 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 12 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 33을 26 g 제조하였다. (수율 74%, MS: [M+H] += 693)
합성예 34: 화합물 34의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000184
질소 분위기에서 화합물 S(15 g, 45.5 mmol)와 Trz15(17.6 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 12 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subS-1를 19 g 제조하였다. (수율 78%, MS: [M+H] += 535)
다음으로, 질소 분위기에서 subS-1(15 g, 28 mmol)와 sub15(6.5 g, 29.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(11.6 g, 84.1 mmol)를 물 35 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 34를 13.3 g 제조하였다. (수율 70%, MS: [M+H] += 677)
합성예 35: 화합물 35의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000185
질소 분위기에서 화합물 T(15 g, 45.5 mmol)와 Trz2(12.8 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subT-1를 14.4 g 제조하였다. (수율 73%, MS: [M+H] += 435)
다음으로, 질소 분위기에서 subT-1(15 g, 34.5 mmol)와 sub16(9.5 g, 36.2 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(14.3 g, 103.5 mmol)를 물 43 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 35를 17 g 제조하였다. (수율 80%, MS: [M+H] += 617)
합성예 36: 화합물 36의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000186
질소 분위기에서 화합물 S(15 g, 45.5 mmol)와 Trz25(18.8 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 8 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subS-2를 19.6 g 제조하였다. (수율 77%, MS: [M+H] += 561)
다음으로, 질소 분위기에서 subS-2(10 g, 17.8 mmol), sub17(4 g, 18.2 mmol), sodium tert-butoxide(2.2 g, 23.2 mmol) 을 Xylene 200 mL에 넣고 교반 및 환류했다. 이후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 36을 7.3g 얻었다. (수율 55%, MS: [M+H] += 742)
합성예 37: 화합물 37의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000187
질소 분위기에서 화합물 U(15 g, 45.5 mmol)와 Trz26(17.9 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subU-1를 18.7 g 제조하였다. (수율 76%, MS: [M+H] += 541)
다음으로, 질소 분위기에서 subU-1(15 g, 27.7 mmol)와 sub18(6.6 g, 29.1 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(11.5 g, 83.2 mmol)를 물 34 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 8 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 37을 13.5 g 제조하였다. (수율 71%, MS: [M+H] += 689)
합성예 38: 화합물 38의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000188
질소 분위기에서 화합물 V(15 g, 50.8 mmol)와 Trz27(22.3 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 12 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 38을 16.8 g 제조하였다. (수율 60%, MS: [M+H] += 551)
합성예 39: 화합물 39의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000189
질소 분위기에서 화합물 V(15 g, 50.8 mmol)와 Trz28(23.2 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 39를 20.1 g 제조하였다. (수율 70%, MS: [M+H] += 567)
합성예 40: 화합물 40의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000190
다음으로, 질소 분위기에서 화합물 V(15 g, 50.8 mmol)와 Trz29(30.4 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 40을 24.6 g 제조하였다. (수율 69%, MS: [M+H] += 703)
합성예 41: 화합물 41의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000191
질소 분위기에서 화합물 V(15 g, 50.8 mmol)와 Trz30(25.8 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 41을 23.8 g 제조하였다. (수율 76%, MS: [M+H] += 617)
합성예 42: 화합물 42의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000192
질소 분위기에서 화합물 W(15 g, 45.5 mmol)와 Trz2(12.8 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subW-1를 13 g 제조하였다. (수율 66%, MS: [M+H] += 435)
다음으로, 질소 분위기에서 subW-1(15 g, 34.5 mmol)와 sub19(9.9 g, 36.2 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(14.3 g, 103.5 mmol)를 물 43 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 42를 16.4 g 제조하였다. (수율 76%, MS: [M+H] += 627)
합성예 43: 화합물 43의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000193
질소 분위기에서 화합물 X(15 g, 45.5 mmol)와 Trz2(12.8 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subX-1를 14 g 제조하였다. (수율 71%, MS: [M+H] += 435)
다음으로, 질소 분위기에서 subX-1(15 g, 34.5 mmol)와 sub20(10.1 g, 36.2 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(14.3 g, 103.5 mmol)를 물 43 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 8 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 43를 14 g 제조하였다. (수율 64%, MS: [M+H] += 633)
합성예 44: 화합물 44의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000194
질소 분위기에서 화합물 Y(15 g, 45.5 mmol)와 Trz2(12.6 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subY-1를 15.8 g 제조하였다. (수율 80%, MS: [M+H] += 435)
다음으로, 질소 분위기에서 subY-1(15 g, 34.5 mmol)와 sub21(9.5 g, 36.2 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(14.3 g, 103.5 mmol)를 물 43 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 44를 14.9 g 제조하였다. (수율 70%, MS: [M+H] += 617)
합성예 45: 화합물 45의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000195
질소 분위기에서 화합물 X(15 g, 45.5 mmol)와 Trz31(18.8 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subX-2를 18.1 g 제조하였다. (수율 71%, MS: [M+H] += 561)
다음으로, 질소 분위기에서 subX-2(15 g, 26.7 mmol)와 sub22(7.6 g, 28.1 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(11.1 g, 80.2 mmol)를 물 33 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 45를 15.7 g 제조하였다. (수율 78%, MS: [M+H] += 753)
합성예 46: 화합물 46의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000196
질소 분위기에서 화합물 Z(15 g, 50.8 mmol)와 Trz32(21 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 8 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 46을 16.6 g 제조하였다. (수율 62%, MS: [M+H] += 527)
합성예 47: 화합물 47의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000197
질소 분위기에서 화합물 Z(15 g, 50.8 mmol)와 Trz33(22.3 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 47를 19.3 g 제조하였다. (수율 69%, MS: [M+H] += 551)
합성예 48: 화합물 48의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000198
질소 분위기에서 화합물 Z(15 g, 50.8 mmol)와 Trz34(25.7 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 12 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 48를 23.1 g 제조하였다. (수율 74%, MS: [M+H] += 615)
합성예 49: 화합물 49의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000199
질소 분위기에서 화합물 Z(15 g, 50.8 mmol)와 Trz35(25.8 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 49를 22.9 g 제조하였다. (수율 73%, MS: [M+H] += 617)
합성예 50: 화합물 50의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000200
질소 분위기에서 화합물 Z(15 g, 50.8 mmol)와 Trz36(25.8 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 8 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 50을 19.4 g 제조하였다. (수율 62%, MS: [M+H] += 617)
합성예 51: 화합물 51의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000201
질소 분위기에서 화합물 Z(15 g, 50.8 mmol)와 Trz37(27.8 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 8 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 51을 19.9 g 제조하였다. (수율 60%, MS: [M+H] += 653)
합성예 52: 화합물 52의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000202
질소 분위기에서 화합물 AA(15 g, 45.5 mmol)와 Trz1(15.2 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subAA-1를 17.2 g 제조하였다. (수율 78%, MS: [M+H] += 485)
다음으로, 질소 분위기에서 subAA-1(15 g, 30.9 mmol)와 sub23(7.4 g, 32.5 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(12.8 g, 92.8 mmol)를 물 38 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 12 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 52를 13.9 g 제조하였다. (수율 71%, MS: [M+H] += 633)
합성예 53: 화합물 53의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000203
질소 분위기에서 화합물 AB(15 g, 45.5 mmol)와 Trz2(12.8 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subAB-1를 14 g 제조하였다. (수율 71%, MS: [M+H] += 435)
다음으로, 질소 분위기에서 subAB-1(10 g, 23 mmol), sub24(6.3 g, 24.1 mmol), sodium tert-butoxide(2.9 g, 29.9 mmol)을 Xylene 200 mL에 넣고 교반 및 환류했다. 이후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 53을 8.6 g 얻었다. (수율 61%, MS: [M+H] += 617)
합성예 54: 화합물 54의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000204
질소 분위기에서 화합물 AA(15 g, 45.5 mmol)와 Trz2(12.8 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 8 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subAA-2를 12.6 g 제조하였다. (수율 64%, MS: [M+H] += 435)
다음으로, 질소 분위기에서 subAA-2(15 g, 34.5 mmol)와 sub25(10.1 g, 36.2 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(14.3 g, 103.5 mmol)를 물 43 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 54를 13.3 g 제조하였다. (수율 61%, MS: [M+H] += 633)
합성예 55: 화합물 55의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000205
질소 분위기에서 화합물 AB(15 g, 45.5 mmol)와 Trz21(17.1 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 8 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subAB-2를 15.5 g 제조하였다. (수율 65%, MS: [M+H] += 525)
다음으로, 질소 분위기에서 subAB-2(15 g, 28.6 mmol)와 sub26(7.4 g, 30 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(11.8 g, 85.7 mmol)를 물 36 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 8 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 55를 12.5 g 제조하였다. (수율 63%, MS: [M+H] += 693)
합성예 56: 화합물 56의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000206
질소 분위기에서 화합물 AB(15 g, 45.5 mmol)와 Trz38(20.1 g, 47.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(18.9 g, 136.5 mmol)를 물 57 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.2 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 subAB-3를 18.4 g 제조하였다. (수율 69%, MS: [M+H] += 587)
다음으로, 질소 분위기에서 subAB-3(15 g, 25.6 mmol)와 sub27(5.7 g, 26.8 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(10.6 g, 76.7 mmol)를 물 32 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.1 g, 0.3 mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 56을 13.4 g 제조하였다. (수율 73%, MS: [M+H] += 719)
합성예 57: 화합물 57의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000207
질소 분위기에서 화합물 AC(15 g, 50.8 mmol)와 Trz39(22.3 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 57를 22.1 g 제조하였다. (수율 79%, MS: [M+H] += 551)
합성예 58: 화합물 58의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000208
질소 분위기에서 화합물 AC(15 g, 50.8 mmol)와 Trz40(23.7 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 10 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 58을 19.3 g 제조하였다. (수율 66%, MS: [M+H] += 577)
합성예 59: 화합물 59의 제조
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000209
질소 분위기에서 화합물 AC(15 g, 50.8 mmol)와 Trz41(28.5 g, 53.4 mmol)를 THF 300 mL에 넣고 교반 및 환류하였다. 이후 potassium carbonate(21.1 g, 152.5 mmol)를 물 63 mL에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.3 g, 0.5 mmol)을 투입하였다. 9 시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 59를 24.7 g 제조하였다. (수율 73%, MS: [M+H] += 667)
실시예 1
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 정공주입층으로 하기 HI-1 화합물을 1150Å의 두께로 형성하되 하기 A-1 화합물을 1.5% 농도로 p-doping 하였다. 상기 정공주입층 위에 하기 HT-1 화합물을 진공 증착하여 막 두께 800Å의 정공수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공수송층 위에 막 두께 150Å으로 하기 EB-1 화합물을 진공 증착하여 전자억제층을 형성하였다.
이어서, 상기 전자억제층 위에 상기 합성예 1에서 제조한 화합물 1과 하기 Dp-7 화합물을 98:2의 중량비로 진공 증착하여 400Å 두께의 적색 발광층을 형성하였다.
상기 발광층 위에 막 두께 30Å으로 하기 HB-1 화합물을 진공 증착하여 정공저지층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공저지층 위에 하기 ET-1 화합물과 하기 LiQ 화합물을 2:1의 중량비로 진공 증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께로 리튬플로라이드(LiF)와 1,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000210
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 x 10 -7 ~ 5 x 10 -6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 2 내지 실시예 59
실시예 1의 유기 발광 소자에서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 1 내지 비교예 8
실시예 1의 유기 발광 소자에서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
Figure PCTKR2021004694-appb-img-000211
실험예
상기 실시예 1 내지 실시예 59 및 비교예 1 내지 비교예 8에서 제조한 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 전압, 효율을 측정(15mA/cm 2)하고 그 결과를 하기 표1애 나타냈다. 수명 T95는 휘도가 초기 휘도(6000 nit)에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
구분 물질 구동전압(V) 효율(cd/A) 수명 T95(hr) 발광색
실시예 1 화합물 1 3.93 18.1 124 적색
실시예 2 화합물 2 3.90 18.5 117 적색
실시예 3 화합물 3 3.92 18.6 120 적색
실시예 4 화합물 4 3.98 19.0 123 적색
실시예 5 화합물 5 3.87 18.8 112 적색
실시예 6 화합물 6 3.83 19.1 131 적색
실시예 7 화합물 7 3.95 19.2 126 적색
실시예 8 화합물 8 3.91 18.8 117 적색
실시예 9 화합물 9 3.84 18.9 125 적색
실시예 10 화합물 10 3.80 20.2 147 적색
실시예 11 화합물 11 3.78 19.7 138 적색
실시예 12 화합물 12 3.61 23.2 235 적색
실시예 13 화합물 13 3.87 19.8 123 적색
실시예 14 화합물 14 3.71 20.1 141 적색
실시예 15 화합물 15 3.68 20.4 118 적색
실시예 16 화합물 16 3.89 18.3 165 적색
실시예 17 화합물 17 4.01 17.1 138 적색
실시예 18 화합물 18 3.91 17.6 151 적색
실시예 19 화합물 19 3.87 19.1 178 적색
실시예 20 화합물 20 3.95 18.3 122 적색
실시예 21 화합물 21 3.83 19.5 209 적색
실시예 22 화합물 22 4.12 17.2 128 적색
실시예 23 화합물 23 3.95 20.2 171 적색
실시예 24 화합물 24 3.92 20.6 184 적색
실시예 25 화합물 25 3.68 21.2 198 적색
실시예 26 화합물 26 3.88 17.8 155 적색
실시예 27 화합물 27 3.81 17.4 178 적색
실시예 28 화합물 28 3.85 18.0 185 적색
실시예 29 화합물 29 3.75 21.5 201 적색
실시예 30 화합물 30 3.97 17.1 142 적색
실시예 31 화합물 31 3.90 18.2 160 적색
실시예 32 화합물 32 3.81 19.0 173 적색
실시예 33 화합물 33 3.88 18.0 147 적색
실시예 34 화합물 34 3.83 18.3 172 적색
실시예 35 화합물 35 3.76 19.2 188 적색
실시예 36 화합물 36 3.80 18.8 195 적색
실시예 37 화합물 37 3.98 17.3 138 적색
실시예 38 화합물 38 3.84 18.8 165 적색
실시예 39 화합물 39 3.71 19.1 188 적색
실시예 40 화합물 40 3.85 17.9 132 적색
실시예 41 화합물 41 3.80 18.6 157 적색
실시예 42 화합물 42 3.84 19.1 153 적색
실시예 43 화합물 43 3.87 18.8 136 적색
실시예 44 화합물 44 3.71 19.0 172 적색
실시예 45 화합물 45 3.90 17.7 121 적색
실시예 46 화합물 46 3.83 18.0 130 적색
실시예 47 화합물 47 3.62 19.3 188 적색
실시예 48 화합물 48 3.66 19.8 203 적색
실시예 49 화합물 49 3.70 20.2 190 적색
실시예 50 화합물 50 3.74 19.1 172 적색
실시예 51 화합물 51 3.73 18.6 160 적색
실시예 52 화합물 52 3.94 17.1 134 적색
실시예 53 화합물 53 3.89 18.0 175 적색
실시예 54 화합물 54 3.87 18.7 161 적색
실시예 55 화합물 55 3.83 17.3 133 적색
실시예 56 화합물 56 3.79 17.6 116 적색
실시예 57 화합물 57 3.67 19.8 197 적색
실시예 58 화합물 58 3.64 19.2 183 적색
실시예 59 화합물 59 3.78 18.0 157 적색
비교예 1 C-1 4.27 16.0 97 적색
비교예 2 C-2 4.33 16.3 101 적색
비교예 3 C-3 4.41 15.1 86 적색
비교예 4 C-4 4.26 13.4 67 적색
비교예 5 C-5 4.31 14.0 61 적색
비교예 6 C-6 4.48 13.2 38 적색
비교예 7 C-7 4.29 16.5 98 적색
비교예 8 C-8 4.40 14.2 55 적색
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 발광층의 호스트 물질로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용한 실시예의 유기 발광 소자는, 상기 화학식 1에 포함되지 않는 화합물을 사용한 비교예의 유기 발광 소자에 비하여 우수한 발광 효율 및 현저히 향상된 수명 특성을 나타내었다.
구체적으로, 실시예에 따른 소자는, 비교예 화합물 C-1 내지 C-12를 발광층의 호스트 물질로 채용한 비교예의 소자 대비 현저히 낮아진 구동 전압 및 향상된 효율 특성을 나타낸 것으로 보아, 호스트 물질인 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서 적색 도판트로의 에너지 전달이 효과적으로 이루어졌음을 알 수 있다. 또한, 상기 실시예의 유기 발광 소자가 효율뿐 아니라 수명 특성도 향상된 것으로 보아, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 전자와 정공에 대한 안정도 또한 높은 것으로 판단된다. 따라서, 유기 발광 소자의 호스트 물질로 상기 화학식 1로 표시되는 물질을 사용하는 경우, 유기 발광 소자의 구동 전압, 발광 효율 및 수명 특성을 향상시킬 수 있음을 확인할 수 있었다. 이는 일반적으로 유기 발광 소자의 발광 효율 및 수명 특성은 서로 트레이드-오프(Trade-off) 관계를 갖는 점을 고려할 때 실시예의 유기 발광 소자는 비교예 소자 대비 현저히 향상된 소자 특성을 나타낸다고 볼 수 있다.
[부호의 설명]
1: 기판 2: 양극
3: 발광층 4: 음극
5: 정공주입층 6: 정공수송층
7: 전자억제층 8: 정공저지층
9: 전자주입 및 수송층

Claims (13)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2021004694-appb-img-000212
    상기 화학식 1에서,
    Y 1 내지 Y 5는 각각 독립적으로, N, C-H, C-D, 또는 C-L'―R이고,
    여기서, L'는 단일결합; 또는 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴렌이고,
    R은 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C 2-60 헤테로아릴이되, R은 9-페닐카바졸일은 아니고,
    Y 6 및 Y 7은 각각 독립적으로, N, C-H, 또는 C-D이고,
    단, Y 1 내지 Y 7 중 적어도 하나는 N이고,
    L은 단일결합; 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C 2-60 헤테로아릴렌이고,
    L 1 및 L 2는 각각 독립적으로, 단일결합; 또는 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴렌이고,
    Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C 2-60 헤테로아릴이고,
    p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서,
    Y 1 내지 Y 5 중 하나가 N이고, 나머지는 각각 독립적으로, C-H, C-D, 또는 C-L'―R이고,
    Y 6 및 Y 7은 각각 독립적으로, C-H, 또는 C-D인,
    화합물.
  3. 제1항에 있어서,
    Y 1 내지 Y 5는 각각 독립적으로, C-H, C-D, 또는 C-L'―R이고,
    Y 6 및 Y 7 중 하나가 N이고, 나머지는 C-H, 또는 C-D인,
    화합물.
  4. 제1항에 있어서,
    L'는 단일결합; 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 페닐렌; 또는 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 나프틸렌인,
    화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    R은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인,
    화합물:
    Figure PCTKR2021004694-appb-img-000213
    상기에서,
    X 1은 O 또는 S이고,
    X 2는 O, S, 또는 N(페닐)이고,
    Z는 각각 독립적으로, 중수소(D), C 1-10 알킬, 또는 C 6-20 아릴이고,
    a는 각각 독립적으로, 0 내지 5의 정수이고,
    b는 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수이고,
    c는 각각 독립적으로, 0 내지 7의 정수이고,
    d는 각각 독립적으로, 0 내지 6의 정수이고,
    e는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수이고,
    h는 각각 독립적으로, 0 내지 8의 정수이고,
    i는 각각 독립적으로, 0 내지 11의 정수이다.
  6. 제1항에 있어서,
    L은 단일결합, 또는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인,
    화합물:
    Figure PCTKR2021004694-appb-img-000214
    상기에서,
    D는 중수소를 의미하고,
    f는 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수이고,
    g는 각각 독립적으로, 0 내지 6의 정수이다.
  7. 제1항에 있어서,
    L 1 및 L 2는 각각 독립적으로, 단일결합; 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 페닐렌; 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 비페닐디일; 또는 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 나프틸렌인,
    화합물.
  8. 제1항에 있어서,
    Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로, 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 나프틸, 페난트릴, 크리세닐, 벤조[c]페난트레닐, 플루오란테닐, 디벤조퓨라닐, 디벤조티오페닐, 벤조나프토퓨라닐, 벤조나프토티오페닐, 카바졸일, 또는 벤조카바졸일이고,
    여기서, Ar 1 및 Ar 2는 비치환되거나, 또는 중수소, C 1-10 알킬 및 C 6-20 아릴로 구성되는 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환되는,
    화합물.
  9. 제1항에 있어서,
    Ar 1 및 Ar 2 중 하나는 페닐, 비페닐릴, 또는 나프틸인,
    화합물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-7 중 어느 하나로 표시되는,
    화합물:
    Figure PCTKR2021004694-appb-img-000215
    상기 화학식 1-1 내지 1-7에서,
    n은 0 또는 1이고,
    L, L', R, L 1, L 2, p, q, Ar 1 및 Ar 2는 제1항에서 정의한 바와 같다.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 화합물은 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인,
    화합물:
    Figure PCTKR2021004694-appb-img-000216
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    .
  12. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 제1항 내지 제11항 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층인,
    유기 발광 소자.
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