WO2021149171A1 - タッチパネルを備えた表示装置およびタッチ位置特定方法 - Google Patents

タッチパネルを備えた表示装置およびタッチ位置特定方法 Download PDF

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Abstract

パネル面内での温度上昇が不均一であってもタッチ位置を精度良く特定することのできる表示装置を実現する。　補正値算出回路は、一定の時間間隔で取得されるセンサ値であるベースセンサ値（ＢＳＶ）と常温状態で有機ＥＬ素子が発光していない時のセンサ値である第１参照値（ＲＥＦ１）との差が閾値よりも大きいノードについては、常温状態で有機ＥＬ素子が発光している時のセンサ値である第２参照値（ＲＥＦ２）に対する第１参照値（ＲＥＦ１）の比を表す第３参照値（ＲＥＦ３）とベースセンサ値（ＢＳＶ）との積を入力値としてベース演算値算出回路（５３４）に与えることによって得られたベース演算値（ＢＣＶ）と第３参照値（ＲＥＦ３）との積を補正値として補正値記憶部（５３６）に格納する。

Description

タッチパネルを備えた表示装置およびタッチ位置特定方法
　以下の開示は、タッチパネルを備えた表示装置（例えば、有機ＥＬ表示装置）および当該表示装置においてタッチ位置を特定する方法に関する。
　近年、有機ＥＬ素子を含む画素回路を備えた有機ＥＬ表示装置が実用化されている。有機ＥＬ素子は、ＯＬＥＤ（Organic Light-Emitting Diode）とも呼ばれており、それに流れる電流に応じた輝度で発光する自発光型の表示素子である。このように有機ＥＬ素子は自発光型の表示素子であるので、有機ＥＬ表示装置は、バックライトおよびカラーフィルタなどを要する液晶表示装置に比べて、容易に薄型化を図ることができる。このような有機ＥＬ表示装置に関し、パネル（有機ＥＬパネル）の表面にタッチパネルを設ける技術も実用化されている。タッチパネルを備えた有機ＥＬ表示装置の例としては、スマートフォンやタブレット端末が挙げられる。
　タッチパネルを備えた有機ＥＬ表示装置では、タッチ検出（タッチパネルへのタッチの有無の判定およびタッチがあったときのタッチ位置の特定）を行うために、タッチパネルへの検出対象物（例えば、指）の接近の程度に応じて変化するセンサ値（デジタル容量値）が取得される。ところが、センサ値は、外部の温度変化や装置内部の発熱の影響を受ける。従って、タッチ検出の際には、温度に基づく補正処理が行われている。これにより、温度に変動があっても正常にタッチ検出が行われる。
　なお、本件に関連して、日本の特開２０１５－１２５６８７号公報には、検出データ（センサ値）のばらつきを調整するための調整パラメータを環境変動に応じて最適化することのできるタッチ検出装置の発明が開示されている。
日本の特開２０１５－１２５６８７号公報
　近年、図２８に示すような折り曲げ可能（折り畳み可能）な有機ＥＬ表示装置（以下、タッチパネルを備えた有機ＥＬ表示装置に着目する）の開発が進んでいる。このような有機ＥＬ表示装置では、パネルを折り曲げ可能とするために、パネルを構成する各層が薄型化されている。一般的な有機ＥＬ表示装置ではパネルの厚さは例えば約１３００μｍであるが、折り曲げ可能な有機ＥＬ表示装置ではパネルの厚さは例えば約３００μｍである。このように、折り曲げ可能な有機ＥＬ表示装置のパネルの厚さは、一般的な有機ＥＬ表示装置のパネルの厚さの約４分の１となっている。
　ところで、通常、有機ＥＬ表示装置においては、放熱目的のために、グラファイトシートが貼り付けられたサポートフィルムをパネル裏面に設けるという構成が採用されている。しかしながら、折り曲げ可能な有機ＥＬ表示装置では、薄型化の必要があるので、サポートフィルムは全く設けられない、もしくは、パネル裏面の一部にしか設けられない。そのため、放熱は充分に行われない。それ故、折り曲げ可能な有機ＥＬ表示装置に関しては、発熱が大きな問題となっている。具体的には、発熱の影響により、タッチ検出の誤動作や輝度むらが生じている。
　サポートフィルムが設けられていない場合、概して、ドライバが搭載されている領域から遠い領域では温度は低く、ドライバが搭載されている領域に近づくにつれて温度は上昇する。例えば、パネルの両端間の温度差が２５度程度に達する場合もある。上述したセンサ値は温度が高いほど大きくなるので、温度上昇の程度が大きい領域ほどセンサ値のシフト量（常温時のセンサ値と温度上昇後のセンサ値との差分）は大きくなる。パネル面内での温度上昇が不均一になると、パネル面内でのセンサ値のシフト量も不均一となり、上述した温度に基づく補正処理が正常に行われなくなる。その結果、ノイズが増加し、正常なタッチ検出が妨げられる。また、温度が高いほど電流が流れやすいので、温度が上昇している領域では有機ＥＬ素子の輝度が高くなる。従って、パネル面内での温度上昇が不均一になると、電流の流れやすさが不均一となって輝度むらが生じる。なお、パネル面内の温度分布は、表示パターンによっても変化する。
　以上のように、折り曲げ可能な有機ＥＬ表示装置では、パネル面内での温度上昇の不均一さに起因するタッチ検出の誤動作が生じている。なお、顕著に大型化されたパネルにおいては、サポートフィルムが設けられていても、パネル面内での温度上昇のばらつきが生じ得る。
　そこで、以下の開示は、パネル面内での温度上昇が不均一であってもタッチ位置を精度良く特定することのできる表示装置を実現することを目的とする。
　本開示のいくつかの実施形態に係る表示装置は、供給される電流の量に応じた輝度で発光する表示素子を有する表示パネルと、前記表示パネルの表面に設けられたタッチパネルとを備えた表示装置であって、
　前記タッチパネルへの検出対象物の接近の程度に応じて変化するセンサ値を取得するセンサ値取得回路と、
　前記検出対象物が前記タッチパネルに接触した位置であるタッチ位置を特定するタッチ位置特定回路と、
　前記タッチ位置特定回路によって前記タッチ位置の特定が行われる際に温度による影響が除去されるよう前記センサ値を補正するための補正値を求める補正値算出回路と
を備え、
　常温状態で前記表示素子が発光していない時のセンサ値である第１参照値と常温状態で前記表示素子が発光している時のセンサ値である第２参照値とが前記センサ値取得回路によって予め取得され、
　前記補正値算出回路は、
　　前記センサ値を取得する単位であるノード毎に前記補正値を格納する補正値記憶部と、
　　ノード毎に、入力値に対する所定の基準値の比を表すベース演算値を求めるベース演算値算出回路と
を含み、
　前記ベース演算値算出回路で求められるベース演算値には、上限値および下限値が定められており、
　前記補正値算出回路は、
　　前記センサ値取得回路によって一定の時間間隔で取得されるセンサ値であるベースセンサ値と前記第１参照値との差が所定の閾値未満であるノードについては、前記ベースセンサ値を前記入力値として前記ベース演算値算出回路に与えることによって得られたベース演算値を前記補正値として前記補正値記憶部に格納し、
　　前記ベースセンサ値と前記第１参照値との差が前記閾値よりも大きいノードについては、前記第２参照値に対する前記第１参照値の比を表す第３参照値と前記ベースセンサ値との積を前記入力値として前記ベース演算値算出回路に与えることによって得られたベース演算値と前記第３参照値との積を前記補正値として前記補正値記憶部に格納し、
　前記タッチ位置特定回路は、直近に前記センサ値取得回路によって取得されたセンサ値を前記補正値記憶部に格納された補正値を用いて補正することにより得られた値に基づいて、前記タッチ位置を特定する。
　本開示のいくつかの実施形態に係るタッチ位置特定方法は、供給される電流の量に応じた輝度で発光する表示素子を有する表示パネルと、前記表示パネルの表面に設けられたタッチパネルと、前記タッチパネルへの検出対象物の接近の程度に応じて変化するセンサ値を取得するセンサ値取得回路とを備えた表示装置において、前記検出対象物が前記タッチパネルに接触した位置であるタッチ位置を特定するタッチ位置特定方法であって、
　前記表示装置は、
　　前記タッチ位置の特定が行われる際に温度による影響が除去されるよう前記センサ値を補正するための補正値を前記センサ値を取得する単位であるノード毎に格納する補正値記憶部と、
　　ノード毎に、入力値に対する所定の基準値の比を表すベース演算値を求めるベース演算値算出回路と
を含み、
　前記ベース演算値算出回路で求められるベース演算値には、上限値および下限値が定められており、
　常温状態で前記表示素子が発光していない時のセンサ値である第１参照値と常温状態で前記表示素子が発光している時のセンサ値である第２参照値とが前記センサ値取得回路によって予め取得され、
　前記タッチ位置特定方法は、
　　前記センサ値取得回路によって一定の時間間隔で取得されるセンサ値であるベースセンサ値と前記第１参照値との差が所定の閾値未満であるか否かをノード毎に判定する判定ステップと、
　　前記補正値の算出およびその算出された補正値の前記補正値記憶部への格納を行う補正値算出ステップと、
　　直近に前記センサ値取得回路によって取得されたセンサ値を前記補正値記憶部に格納された補正値を用いて補正するセンサ値補正ステップと、
　　前記センサ値補正ステップによる補正後のセンサ値に基づいて前記タッチ位置の算出を行う位置算出ステップと
を含み、
　前記判定ステップで前記ベースセンサ値と前記第１参照値との差が前記閾値未満であると判定されたノードについては、前記補正値算出ステップにおいて、前記ベースセンサ値を前記入力値として前記ベース演算値算出回路に与えることによって得られたベース演算値が前記補正値として前記補正値記憶部に格納され、
　前記判定ステップで前記ベースセンサ値と前記第１参照値との差が前記閾値よりも大きいと判定されたノードについては、前記補正値算出ステップにおいて、前記第２参照値に対する前記第１参照値の比を表す第３参照値と前記ベースセンサ値との積を前記入力値として前記ベース演算値算出回路に与えることによって得られたベース演算値と前記第３参照値との積が前記補正値として前記補正値記憶部に格納される。
　本開示のいくつかの実施形態によれば、タッチ検出用の補正値を求める補正値算出回路は、ノード毎に補正値を格納する補正値記憶部と、入力値に対する基準値の比を表すベース演算値を求めるベース演算値算出回路とを含んでいる。ここで、ベース演算値算出回路によって求められるベース演算値については、上限値と下限値とが定められている。一定の時間間隔で取得されるセンサ値であるベースセンサ値と常温状態で表示素子が発光していない時に取得されたセンサ値である第１参照値との差が所定の閾値未満であるノード（すなわち、温度が低いノード）については、ベースセンサ値を入力値としてベース演算値算出回路に与えることによって補正値が求められる。このとき、ベース演算値の算出に関してオーバーフローは生じない。ベースセンサ値と第１参照値との差が所定の閾値よりも大きいノード（すなわち、温度が高いノード）については、まず、常温状態で表示素子が発光している時に取得されたセンサ値である第２参照値に対する第１参照値の比を表す第３参照値とベースセンサ値との積が求められる。そして、その積を入力値としてベース演算値算出回路に与えることによってベース演算値が求められ、そのベース演算値と第３参照値とを乗ずることによって補正値が求められる。このとき、ベース演算値算出回路に与えられる入力値は、ベースセンサ値に対して装置内部の温度上昇の影響を除去した値となる。従って、ベース演算値の算出に関してオーバーフローは生じない。以上より、各ノードの温度に関わらず、全てのノードに関して、タッチ検出用の補正処理が正常に行われるよう好適な補正値が求められる。それ故、タッチ位置の特定が精度良く行われる。以上のように、パネル面内での温度上昇が不均一であってもタッチ位置を精度良く特定することのできる表示装置が実現される。
第１の実施形態において、補正値算出回路の構成を示すブロック図である。 上記第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。 上記第１の実施形態において、画像表示に関する構成を示すブロック図である。 上記第１の実施形態において、第ｉ行第ｊ列の画素回路の一構成例を示す回路図である。 上記第１の実施形態において、タッチパネルに含まれるノードを模式的に示した図である。 上記第１の実施形態におけるタッチパネルの平面図の一例である。 上記第１の実施形態におけるタッチパネルの平面図の別の例（ダイヤモンドパターンと呼ばれる構成の例）である。 上記第１の実施形態において、タッチパネルコントローラの構成を示すブロック図である。 上記第１の実施形態において、タッチ位置を特定する手順を示すフローチャートである。 上記第１の実施形態において、補正値算出回路の別の構成例について説明するための図である。 上記第１の実施形態において、第１補正値について説明するための図である。 上記第１の実施形態において、第１補正値を用いたベースセンサ値の補正について説明するための図である。 上記第１の実施形態において、高温状態，常温状態，および低温状態での各ノードのデジタル容量値の例を示す図である。 上記第１の実施形態において、高温状態，常温状態，および低温状態での各ノードの第１補正値の例を示す図である。 上記第１の実施形態において、下限値が０．８に設定されている場合の各ノードの第１補正値の例を示す図である。 上記第１の実施形態において、第１補正値に基づく補正後のデジタル容量値（センサ値）の例を示す図である。 上記第１の実施形態において、第２補正値について説明するための図である。 上記第１の実施形態において、各ノードの第３参照値の例を示す図である。 上記第１の実施形態において、第２補正値に基づく補正について説明するための図である。 上記第１の実施形態の効果について説明するための図である。 上記第１の実施形態の変形例に関し、パネル全面が使用されている時の発光範囲について説明するための図である。 上記第１の実施形態の変形例に関し、パネルの半分が使用されている時の発光範囲について説明するための図である。 上記第１の実施形態の変形例に関し、パネルの折り曲げ部分のみが使用されている時の発光範囲について説明するための図である。 第２の実施形態における表示ドライバの構成を示すブロック図である。 上記第２の実施形態において、各ノードの調整係数の例を示す図である。 上記第２の実施形態において、調整係数に基づく電圧レベル（電圧値）の補正について説明するための図である。 上記第２の実施形態の変形例において、輝度補正処理に関連する構成を示すブロック図である。 折り曲げ可能な有機ＥＬ表示装置の斜視図である。
　以下、添付図面を参照しつつ、実施形態について説明する。なお、各実施形態では、タッチパネルを備えた表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
　＜１．第１の実施形態＞
　＜１．１　全体構成＞
　図２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬパネル（表示パネル）２と表示ドライバ（表示駆動回路）３とタッチパネル４とタッチパネルコントローラ５とホスト（主制御回路）６とによって構成されている。タッチパネル４は、有機ＥＬパネル２の表面に設けられている。有機ＥＬパネル２およびタッチパネル４は可撓性を有する。すなわち、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、折り曲げることが可能な（折り畳み可能な）、タッチパネル付きの超薄型ディスプレイである。
　タッチパネルコントローラ５は、タッチ検出を行うための駆動信号をタッチパネル４に対して出力する。タッチパネル４はユーザー（有機ＥＬ表示装置の操作者）の指またはタッチペンなどの検出対象物の接触あるいは接近を検知し、検知結果としてセンサ値（デジタル容量値）がタッチパネルコントローラ５によって取得される。そして、センサ値に基づいて特定されるタッチ位置の情報がタッチパネルコントローラ５からホスト６に送られる。ホスト６は、タッチ位置に応じて表示ドライバ３に制御信号を送信する。ホスト６は、また、表示ドライバ３に画像データを送信する。表示ドライバ３は、有機ＥＬパネル２内の表示部に所望の画像が表示されるよう、表示部内の走査線やデータ線を駆動する。
　＜１．２　画像表示のための構成要素＞
　図３は、画像表示に関する構成を示すブロック図である。図３に関し、表示部２０は有機ＥＬパネル２内の構成要素であり、ゲートドライバ３１、ソースドライバ３２、およびタイミングコントローラ３３は表示ドライバ３内の構成要素である。なお、有機ＥＬパネル２の内部にゲートドライバ３１が設けられることもある。
　表示部２０は、ｎ本の走査線Ｇ１～Ｇｎ、ｍ本のデータ線Ｄ１～Ｄｍ、および（ｍ×ｎ）個の画素回路２１を含んでいる。走査線Ｇ１～Ｇｎは、互いに平行に配置されている。データ線Ｄ１～Ｄｍは、互いに平行に配置されている。走査線Ｇ１～Ｇｎとデータ線Ｄ１～Ｄｍとは直交している。（ｍ×ｎ）個の画素回路２１は、走査線Ｇ１～Ｇｎとデータ線Ｄ１～Ｄｍとの交点に対応して配置されている。なお、表示部２０には、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給するハイレベル電源線およびローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給するローレベル電源線も配設されている（図３では不図示）。
　タイミングコントローラ３３は、ホスト６から送られる画像データＤＡＴを受け取り、デジタル映像信号ＤＶと、ゲートドライバ３１の動作を制御するゲート制御信号ＧＣＴＬと、ソースドライバ３２の動作を制御するソース制御信号ＳＣＴＬとを出力する。ゲート制御信号ＧＣＴＬには、ゲートスタートパルス信号、ゲートクロック信号などが含まれている。ソース制御信号ＳＣＴＬには、ソーススタートパルス信号、ソースクロック信号、ラッチストローブ信号などが含まれている。
　ゲートドライバ３１は、ｎ本の走査線Ｇ１～Ｇｎに接続されている。ゲートドライバ３１は、タイミングコントローラ３３から出力されたゲート制御信号ＧＣＴＬに基づいて、ｎ本の走査線Ｇ１～Ｇｎに走査信号を印加する。
　ソースドライバ３２は、ｍ本のデータ線Ｄ１～Ｄｍに接続されている。ソースドライバ３２は、図示しないｍビットのシフトレジスタ、サンプリング回路、ラッチ回路、およびｍ個のＤ／Ａコンバータなどを含んでいる。シフトレジスタは、縦続接続されたｍ個のレジスタを有している。シフトレジスタは、ソースクロック信号に基づき、初段のレジスタに供給されるソーススタートパルス信号のパルスを入力端から出力端へと順次に転送する。このパルスの転送に応じて、シフトレジスタの各段からサンプリングパルスが出力される。そのサンプリングパルスに基づいて、サンプリング回路はデジタル映像信号ＤＶを記憶する。ラッチ回路は、サンプリング回路に記憶された１行分のデジタル映像信号ＤＶをラッチストローブ信号に従って取り込んで保持する。Ｄ／Ａコンバータは、各データ線Ｄ１～Ｄｍに対応するように設けられている。Ｄ／Ａコンバータは、ラッチ回路に保持されたデジタル映像信号ＤＶをアナログ電圧に変換する。その変換されたアナログ電圧は、データ信号として全てのデータ線Ｄ１～Ｄｍに一斉に印加される。
　以上のようにして、ｎ本の走査線Ｇ１～Ｇｎに走査信号が印加され、ｍ本のデータ線Ｄ１～Ｄｍにデータ信号が印加されることにより、画像データＤＡＴに基づく画像が表示部２０に表示される。
　図４は、第ｉ行第ｊ列の画素回路２１の一構成例を示す回路図である。図４に示すように、画素回路２１は、２個のトランジスタ（駆動トランジスタＴ１および書き込み制御トランジスタＴ２）と１個の容量Ｃ１と１個の有機ＥＬ素子Ｌ１とを含んでいる。有機ＥＬ素子Ｌ１は、供給される電流の量に応じた輝度で発光する表示素子である。駆動トランジスタＴ１および書き込み制御トランジスタＴ２は、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。駆動トランジスタＴ１および書き込み制御トランジスタＴ２としては、酸化物ＴＦＴ（酸化物半導体をチャネル層に用いた薄膜トランジスタ）やアモルファスシリコンＴＦＴなどを採用することができる。酸化物ＴＦＴとしては、例えば、ＩｎＧａＺｎＯ（酸化インジウムガリウム亜鉛）を含むＴＦＴが挙げられる。酸化物ＴＦＴを採用することによって、例えば、高精細化や低消費電力化を図ることが可能となる。
　駆動トランジスタＴ１の制御端子、書き込み制御トランジスタＴ２の第２導通端子、および容量Ｃ１の一端は、互いに接続されている。なお、これらが互いに接続されている領域（配線）のことを「制御ノード」という。制御ノードには符号Ｎａを付す。駆動トランジスタＴ１については、制御端子は制御ノードＮａに接続され、第１導通端子はハイレベル電源線２２に接続され、第２導通端子は有機ＥＬ素子Ｌ１のアノード端子に接続されている。書き込み制御トランジスタＴ２については、制御端子は走査線Ｇｉに接続され、第１導通端子はデータ線Ｄｊに接続され、第２導通端子は制御ノードＮａに接続されている。容量Ｃ１については、一端は制御ノードＮａに接続され、他端は駆動トランジスタＴ１の第１導通端子に接続されている。有機ＥＬ素子Ｌ１については、アノード端子は駆動トランジスタＴ１の第２導通端子に接続され、カソード端子はローレベル電源線２３に接続されている。
　走査線Ｇｉの電圧がハイレベルになると、書き込み制御トランジスタＴ２はオン状態となり、制御ノードＮａにはデータ線Ｄｊの電圧が印加される。走査線Ｇｉの電圧がローレベルになると、書き込み制御トランジスタＴ２はオフ状態となる。書き込み制御トランジスタＴ２がオフ状態になると、制御ノードＮａはフローティング状態になり、容量Ｃ１には駆動トランジスタＴ１の制御端子－第１導通端子間の電圧が保持される。有機ＥＬ素子Ｌ１に供給される駆動電流は、駆動トランジスタＴ１の制御端子－第１導通端子間の電圧に応じて変化する。有機ＥＬ素子Ｌ１は、駆動電流の大きさに応じた輝度で発光する。このようにして各画素回路２１内の有機ＥＬ素子Ｌ１が発光することによって、表示部２０に画像が表示される。
　なお、図４に示した画素回路２１の構成は一例であって、様々な構成の画素回路を採用することができる。例えば、駆動トランジスタＴ１や有機ＥＬ素子Ｌ１の劣化を補償することができるようにした構成の画素回路を採用しても良い。
　＜１．３　タッチパネルの構成＞
　次に、タッチパネル４の構成について説明する。本実施形態においては、タッチ位置を特定するためのセンサ値はノード単位で取得される。図５は、タッチパネル４に含まれるノードを模式的に示した図である。図５に示す例では、タッチパネル４には１５個のノードＮ１～Ｎ１５が含まれている。従って、図５に示す例では、１５個のセンサ値によってタッチ位置が特定される。なお、図１１、図１７、および図２５では、各ノードに対応する値をノードを示す枠内に記している。　以下、タッチパネル４を構成するセンサ電極の構造の例について説明する。但し、以下に示す例には限定されない。
　図６は、タッチパネル４の平面図の一例である。図６に示すタッチパネル４は、センサ電極として、Ｎ本のドライブ線（送信側電極）Ｔｘ１～ＴｘＮとＭ本のセンス線（受信側電極）Ｒｘ１～ＲｘＭとを含んでいる。ドライブ線Ｔｘ１～ＴｘＮは、互いに平行に配置されている。センス線Ｒｘ１～ＲｘＭは、互いに平行に配置されている。ドライブ線Ｔｘ１～ＴｘＮとセンス線Ｒｘ１～ＲｘＭとは直交している。この例では、例えば、ドライブ線Ｔｘ１～ＴｘＮとセンス線Ｒｘ１～ＲｘＭとの１つの交点によって１つのノードが実現される。
　図７は、タッチパネル４の平面図の別の例（ダイヤモンドパターンと呼ばれる構成の例）である。図７に示すタッチパネル４は、センサ電極として、複数個の菱形パターンが縦方向に接続された複数個の送信側電極Ｔｘと複数個の菱形パターンが横方向に接続された複数個の受信側電極Ｒｘとを含んでいる。これに関し、送信側電極Ｔｘと受信側電極Ｒｘとを異なる層に形成する構成、送信側電極Ｔｘと受信側電極Ｒｘとを同じ層に形成する構成、メタルメッシュタイプと呼ばれる構成（従来のようなＩＴＯ膜を用いるのではなく銀や銅を用いる構成）などを採用することができる。この例では、例えば、送信側電極Ｔｘと受信側電極Ｒｘとの１つの交点によって１つのノードが実現される。
　＜１．４　タッチパネルコントローラの構成＞
　次に、図８を参照しつつ、タッチパネルコントローラ５の構成について説明する。タッチパネルコントローラ５は、タッチパネル駆動回路５１とセンサ値取得回路５２と補正値算出回路５３とタッチ位置特定回路５４とを含んでいる。タッチパネル駆動回路５１は、タッチ検出を行うための駆動信号ＳＤをタッチパネル４に与える。センサ値取得回路５２は、タッチパネル４から与えられる検出信号ＳＸに基づき、ノード毎のセンサ値ＳＶを取得する。なお、タッチパネル４から与えられる検出信号ＳＸはアナログ電圧であるので、センサ値取得回路５２にはＡ／Ｄコンバータが含まれている。センサ値取得回路５２によって取得されたセンサ値ＳＶは、補正値算出回路５３とタッチ位置特定回路５４とに送られる。なお、センサ値取得回路５２からタッチ位置特定回路５４にはセンサ値ＳＶが常時送られ、センサ値取得回路５２から補正値算出回路５３にはタッチがなされていない状態のセンサ値ＳＶが一定の時間間隔で送られる。補正値算出回路５３は、タッチがなされていない状態のセンサ値ＳＶを受け取り、タッチ位置の特定が行われる際に温度による影響が除去されるようセンサ値ＳＶを補正するための補正値ＣＶを算出する。なお、補正値算出回路５３についての詳しい説明は後述する。タッチ位置特定回路５４は、センサ値取得回路５２から与えられるセンサ値ＳＶと補正値算出回路５３から与えられる補正値ＣＶとに基づいて、タッチ位置を特定する。より詳しくは、タッチ位置特定回路５４は、直近にセンサ値取得回路５２によって取得されたセンサ値ＳＶを補正値算出回路５３から与えられた補正値ＣＶを用いて補正し、その補正によって得られた値に基づきタッチ位置を特定する。そして、タッチ位置特定回路５４は、タッチ位置情報ＴＤをホスト６に送信する。
　＜１．５　タッチ位置を特定する手順＞
　図９は、タッチ位置を特定する手順を示すフローチャートである。なお、常温状態で有機ＥＬ素子Ｌ１が発光していない時のセンサ値（以下、「第１参照値」という。）と常温状態で有機ＥＬ素子Ｌ１が発光している時のセンサ値（以下、「第２参照値」という。）とがセンサ値取得回路５２によって予め（この有機ＥＬ表示装置が工場から出荷される前に）取得され、それら第１参照値および第２参照値は補正値算出回路５３内に保持されているものと仮定する。また、センサ値取得回路５２によって一定の時間間隔で取得されるセンサ値（タッチがなされていない状態のセンサ値）ＳＶがベースセンサ値として補正値算出回路５３内に保持されるものと仮定する。また、ベースセンサ値を補正することによって得られるべき理想的な値のことを「基準値」という。なお、全てのノードについて、基準値は同じ値である。
　まず、ベースセンサ値と第１参照値との差が所定の閾値未満であるか否かの判定が行われる（ステップＳ１０）。判定後、処理はステップＳ２０に進む。詳しくは、ベースセンサ値と第１参照値との差が閾値未満であれば処理はステップＳ２０ａに進み、ベースセンサ値と第１参照値との差が閾値以上であれば処理はステップＳ２０ｂに進む。ステップＳ２０ａでは、ベースセンサ値と基準値とに基づき第１補正値が算出される。ステップＳ２０ｂでは、ベースセンサ値と第１参照値と第２参照値と基準値とに基づき第２補正値が算出される。第１補正値および第２補正値は、後述する補正値記憶部に格納される。以上のように、ステップＳ２０では、補正値ＣＶ（第１補正値、第２補正値）の算出およびその算出された補正値ＣＶの補正値記憶部への格納が行われる。なお、ステップＳ１０～Ｓ２０の処理は、ノード毎に行われる。従って、ベースセンサ値と第１参照値との差が閾値未満であるノードについては第１補正値の算出が行われ、ベースセンサ値と第１参照値との差が閾値以上であるノードについては第２補正値の算出が行われる。
　ステップＳ３０では、センサ値取得回路５２によるセンサ値ＳＶの取得が行われる。その後、ステップＳ２０で補正値記憶部に格納された補正値ＣＶを用いて、ステップＳ３０で取得されたセンサ値ＳＶ（すなわち、直近にセンサ値取得回路５２によって取得されたセンサ値ＳＶ）の補正が行われる（ステップＳ４０）。そして、ステップＳ４０による補正後のセンサ値に基づいてタッチ位置の算出が行われ（ステップＳ５０）、算出結果に基づきタッチ位置情報ＴＤが出力される（ステップＳ６０）。
　なお、実際には、図９において符号７１を付した部分の処理と図９において符号７２を付した部分の処理とは独立して行われる。詳しくは、符号７１を付した部分の処理は補正値算出回路５３によって一定の時間間隔で行われ、符号７２を付した部分の処理はセンサ値取得回路５２とタッチ位置特定回路５４とによって常時行われる。
　本実施形態においては、ステップＳ１０によって判定ステップが実現され、ステップＳ２０ａおよびステップＳ２０ｂによって補正値算出ステップが実現され、ステップＳ４０によってセンサ値補正ステップが実現され、ステップＳ５０によって位置算出ステップが実現されている。
　＜１．６　補正値の算出＞
　次に、タッチパネルコントローラ５内の補正値算出回路５３での補正値の算出について詳しく説明する。図１は、補正値算出回路５３の構成を示すブロック図である。図１に示すように、補正値算出回路５３は、ベースセンサ値記憶部５３０と参照値記憶部５３１と第３参照値算出回路５３２と第１乗算回路５３３とベース演算値算出回路５３４と第２乗算回路５３５と補正値記憶部５３６とを含んでいる。また、補正値算出回路５３には、ベース演算値算出回路５３４の入力データを制御する第１切換手段ＳＷ１とベース演算値算出回路５３４の出力データを制御する第２切換手段ＳＷ２とが含まれている。
　ベースセンサ値記憶部５３０には、ベースセンサ値（センサ値取得回路５２によって一定の時間間隔で取得されるセンサ値）ＢＳＶが格納される。参照値記憶部５３１には、上述した第１参照値ＲＥＦ１と第２参照値ＲＥＦ２とが格納される。第３参照値算出回路５３２は、第２参照値ＲＥＦ２に対する第１参照値ＲＥＦ１の比を表す第３参照値ＲＥＦ３を算出する。第１乗算回路５３３は、第３参照値ＲＥＦ３とベースセンサ値ＢＳＶとの積を求める。なお、典型的には、ベースセンサ値記憶部５３０はＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）によって実現され、参照値記憶部５３１はＲＯＭ（読み出し専用メモリ）によって実現される。
　ベース演算値算出回路５３４は、入力値に対する上述した基準値の比を表すベース演算値ＢＣＶを求める。ここで、ベース演算値ＢＣＶについては、ベース演算値算出回路５３４を実現するＩＣの制約により、上限値および下限値が定められている。すなわち、ベース演算値ＢＣＶは、所定範囲内の値である。ベース演算値算出回路５３４には、第１切換手段ＳＷ１による制御に基づき、入力値として「ベースセンサ値ＢＳＶ」または「第３参照値ＲＥＦ３とベースセンサ値ＢＳＶとの積」が与えられる。ベース演算値算出回路５３４で求められたベース演算値ＢＣＶは、第２切換手段ＳＷ２による制御に基づき、第１補正値ＣＶ１として補正値記憶部５３６に与えられる、もしくは、第２乗算回路５３５に与えられる。第２乗算回路５３５は、ベース演算値ＢＣＶと第３参照値ＲＥＦ３との積を求める。第２乗算回路５３５で求められた積は、第２補正値ＣＶ２として補正値記憶部５３６に与えられる。
　補正値記憶部５３６には、各ノードにつき１つの補正値が格納される。これに関し、ベースセンサ値ＢＳＶと第１参照値ＲＥＦ１との差が閾値未満であるノードについては第１補正値ＣＶ１が補正値記憶部５３６に格納され、ベースセンサ値ＢＳＶと第１参照値ＲＥＦ１との差が閾値以上であるノードについては第２補正値ＣＶ２が補正値記憶部５３６に格納される。なお、典型的には、補正値記憶部５３６はＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）によって実現される。
　なお、図１に示す構成によれば、補正値算出回路５３内で第１参照値ＲＥＦ１と第２参照値ＲＥＦ２とに基づいて第３参照値ＲＥＦ３が算出される。しかしながら、これには限定されず、図１０に示すように、第１参照値ＲＥＦ１と第２参照値ＲＥＦ２とに基づいて予め算出されている第３参照値ＲＥＦ３を格納する第３参照値記憶部５３７が補正値算出回路５３に設けられた構成を採用することもできる。この場合、典型的には、第３参照値記憶部５３７はＲＯＭ（読み出し専用メモリ）によって実現される。
　本実施形態においては、以上のような構成の補正値算出回路５３によって、第１補正値ＣＶ１および第２補正値ＣＶ２が求められる。ここで、図１１を参照しつつ、第１補正値ＣＶ１について説明する。なお、図１１におけるベースセンサ値ＢＳＶおよび基準値は、実際のセンサ値ではなく、基準値を１に換算した場合の値である。図１１から把握されるように、ベースセンサ値ＢＳＶと第１補正値ＣＶ１との積が基準値である。すなわち、第１補正値ＣＶ１は、基準値をベースセンサ値ＢＳＶで除することによって得られる。換言すれば、ベースセンサ値ＢＳＶの補正後の値を全てのノードで均一な値（基準値）にするために必要な係数が第１補正値ＣＶ１である。図１２は、第１補正値ＣＶ１を用いたベースセンサ値ＢＳＶの補正について説明するための図である。図１２では、ベースセンサ値ＢＳＶを太実線で表し、基準値を太点線で表している。各ノードに関してベースセンサ値ＢＳＶに第１補正値ＣＶ１を乗じると、得られる値は全てのノードにおいて基準値と等しくなる。なお、ベースセンサ値ＢＳＶは、温度が高いほど大きくなり、温度が低いほど小さくなる。例えば、図１３において、符号７４Ｈ，７４Ｍ，および７４Ｌを付した実線は、それぞれ、高温状態，常温状態，および低温状態での各ノードのベースセンサ値ＢＳＶ（デジタル容量値）を表している。ベースセンサ値ＢＳＶが大きいほど第１補正値ＣＶ１は小さくなり、ベースセンサ値ＢＳＶが小さいほど第１補正値ＣＶ１は大きくなる。従って、図１３に示す例の場合、高温状態，常温状態，および低温状態での各ノードの第１補正値ＣＶ１は、それぞれ、図１４において符号７５Ｌ，７５Ｍ，および７５Ｈを付した実線で表される値となる。高温状態，常温状態，および低温状態のいずれについても、各ノードに関してベースセンサ値ＢＳＶ（デジタル容量値）と第１補正値ＣＶ１との積を求めると、得られる値は全てのノードにおいて基準値（図１３で太実線で表される値）と等しくなる。
　以上より、タッチ位置を特定する際にノード毎に第１補正値ＣＶ１を用いてセンサ値ＳＶを補正することによって、パネル面内での温度上昇が不均一であっても、全てのノードのセンサ値ＳＶを標準的な状態で得られた値に換算することができる。これにより、温度による影響を除去してタッチ位置を特定することが可能となる。
　ところで、パネル裏面の全体にサポートフィルムが設けられている有機ＥＬ表示装置においては、補正値として上述の第１補正値ＣＶ１だけ用意されれば、タッチ位置を特定する際に温度による影響を除去することができた。しかしながら、サポートフィルムが全く設けられていない有機ＥＬ表示装置やサポートフィルムがパネル裏面の一部にしか設けられていない有機ＥＬ表示装置においては、補正値として第１補正値ＣＶ１だけ用意された場合にはタッチ位置を特定する際に温度による影響を除去することができないおそれが生じる。その理由として、以下の３点が挙げられる。
　１：ベース演算値算出回路５３４（図１参照）を含むＩＣにデジタル容量値の設定範囲（上限値および下限値）が定められており、基準値をベースセンサ値ＢＳＶで除することによって得られる値が設定範囲外の値となり得る。
　２：従来は局所的な温度変化は想定しておらず、ＩＣによっては局所的な温度変化に補正処理が対応できない。
　３：従来は外部環境の変化のみを考慮して補正処理が行われており、補正処理に関してモジュールの構成やユーザーの使用方法に起因する温度変化（装置内部の温度上昇）は考慮されていない。
　図１５は、下限値が０．８に設定されている場合の各ノードの第１補正値ＣＶ１の例を示す図である。図１５では、太実線は外部温度が常温（内部温度も常温）である場合の各ノードの第１補正値ＣＶ１の例を表しており、太点線は外部温度が高温（内部温度は常温）である場合の各ノードの第１補正値ＣＶ１の例を表しており、実線は外部温度も内部温度も高温である場合の各ノードの第１補正値ＣＶ１の例を表している。外部温度も内部温度も高温である場合には、多数のノードの第１補正値ＣＶ１が下限値の０．８となっている。仮に下限値が定められていなければ、外部温度も内部温度も高温である場合に多数のノードで第１補正値ＣＶ１が０．８よりも小さい値になると考えられる。
　図１６は、図１５に示した第１補正値ＣＶ１に基づく補正後のデジタル容量値（センサ値）の例を示す図である。なお、デジタル容量値の下限値は７５００であってデジタル容量値の上限値は８５００であると仮定する。外部温度が常温（内部温度も常温）である場合および外部温度が高温（内部温度は常温）である場合には、補正後の各ノードのデジタル容量値は図１６で太実線で表される値となる。これに対して、外部温度も内部温度も高温である場合には、補正後の各ノードのデジタル容量値は図１６で太点線で表される値となる。符号７７を付した枠部分に着目すると、多数のノードのデジタル容量値が上限値を超えている。このように補正後のデジタル容量値が上限値を超えると、タッチ検出の際の補正処理が正常に行われない。そこで、本実施形態においては、上述したように、補正値として第１補正値ＣＶ１および第２補正値ＣＶ２が用意される。
　本実施形態においては、第１補正値ＣＶ１に基づく補正後のデジタル容量値が下限値から上限値までの範囲外の値となる場合には第２補正値ＣＶ２に基づく補正が行われるという構成が採用されている。具体的には、ベースセンサ値ＢＳＶと第１参照値ＲＥＦ１との差が所定の閾値以上であれば、第１補正値ＣＶ１に基づく補正後のデジタル容量値が下限値から上限値までの範囲外の値となる旨の判断がなされ、第２補正値ＣＶ２に基づく補正が行われる（図９のステップＳ１０～Ｓ２０を参照）。
　図１７を参照しつつ、第２補正値ＣＶ２について説明する。なお、図１７におけるベースセンサ値および基準値は、デジタル容量値である。図１７から把握されるように、ベースセンサ値ＢＳＶと第３参照値ＲＥＦ３とベース演算値ＢＣＶとの積が基準値である。そして、第３参照値ＲＥＦ３とベース演算値ＢＣＶとの積が第２補正値ＣＶ２である。
　第２補正値ＣＶ２が算出される際には、まず、第３参照値算出回路５３２により第１参照値ＲＥＦ１を第２参照値ＲＥＦ２で除することによって第３参照値ＲＥＦ３が求められる。そして、第１乗算回路５３３によりベースセンサ値ＢＳＶと第３参照値ＲＥＦ３との積が求められる。ベースセンサ値ＢＳＶと第３参照値ＲＥＦ３との積は、ベース演算値算出回路５３４に入力値として与えられる。これにより、ベース演算値算出回路５３４は、基準値をベースセンサ値ＢＳＶと第３参照値ＲＥＦ３との積で除することによって、ベース演算値ＢＣＶを求める。そのベース演算値ＢＣＶと第３参照値ＲＥＦ３との積が第２補正値ＣＶ２として第２乗算回路５３５によって求められる。ベースセンサ値ＢＳＶと第１参照値ＲＥＦ１との差が所定の閾値以上であるノードについては、以上のようにして第２補正値ＣＶ２が算出される。
　図１８は、各ノードの第３参照値ＲＥＦ３の例を示す図である。図１８に示すように、第３参照値ＲＥＦ３は１以下の値となる。何故ならば、第３参照値ＲＥＦ３は第１参照値ＲＥＦ１を第２参照値ＲＥＦ２で除することによって算出される値であり、有機ＥＬ素子Ｌ１が発光していない時のセンサ値である第１参照値ＲＥＦ１よりも有機ＥＬ素子Ｌ１が発光している時のセンサ値である第２参照値ＲＥＦ２の方が大きいからである。
　図１９は、第２補正値ＣＶ２に基づく補正について説明するための図である。各ノードのベースセンサ値ＢＳＶが図１９で太実線で表される値である場合、各ノードのベースセンサ値ＢＳＶと第３参照値ＲＥＦ３（図１８参照）との積は、図１９で太点線で表される値となる。各ノードに関してベースセンサ値ＢＳＶと第３参照値ＲＥＦ３との積に更にベース演算値ＢＣＶを乗じると、得られる値は全てのノードにおいて基準値（図１９で実線で表される値）と等しくなる。タッチ位置特定回路５４でタッチ位置の特定が行われる際には、第３参照値ＲＥＦ３とベース演算値ＢＣＶとの積である第２補正値ＣＶ２に基づいてセンサ値ＳＶの補正が行われる。第２補正値ＣＶ２は第１補正値ＣＶ１と同様にベースセンサ値ＢＳＶに対する基準値の比に相当するので、タッチ位置の特定が行われる際に補正処理が第２補正値ＣＶ２を用いて行われても、温度による影響が除去されるようセンサ値ＳＶが補正される。
　＜１．７　効果＞
　本実施形態によれば、タッチ検出用の補正値として、第１補正値ＣＶ１および第２補正値ＣＶ２が用意される。すなわち、２種類の補正値が用意される。補正値を求めるための構成要素として入力値に対する基準値の比を表すベース演算値ＢＣＶを算出するベース演算値算出回路５３４が設けられているところ、ベース演算値ＢＣＶには上限値および下限値が定められている。換言すれば、ベース演算値算出回路５３４に与えることのできる入力値には制限がある。通常は、一定の時間間隔で取得されるセンサ値であるベースセンサ値ＢＳＶを入力値としてベース演算値算出回路５３４に与えることによってタッチ検出用の補正値を求めることができる。しかしながら、図２０に示すようにベースセンサ値ＢＳＶが正常に補正処理が行われる入力値の上限を超えている場合、ベースセンサ値ＢＳＶを入力値としてベース演算値算出回路５３４に与えると、オーバーフローが生じる。それ故、得られた補正値を用いても正常な補正処理は行われない。この点、本実施形態によれば、ベースセンサ値ＢＳＶと装置の出荷前に常温状態で有機ＥＬ素子Ｌ１が発光していない時に取得されたセンサ値である第１参照値ＲＥＦ１との差が所定の閾値よりも大きいノードについては、まず、装置の出荷前に常温状態で有機ＥＬ素子Ｌ１が発光している時に取得されたセンサ値である第２参照値ＲＥＦ２に対する第１参照値ＲＥＦ１の比を表す第３参照値ＲＥＦ３とベースセンサ値ＢＳＶとの積が求められる。そして、その積を入力値としてベース演算値算出回路５３４に与えることによってベース演算値ＢＣＶが求められ、そのベース演算値ＢＣＶに第３参照値ＲＥＦ３を乗ずることによって第２補正値ＣＶ２が求められる。ここで、第３参照値ＲＥＦ３とベースセンサ値ＢＳＶとの積は、図２０に示すように、正常に補正処理が行われる入力値（ベース演算値算出回路５３４への入力値）の上限以下となる。従って、第３参照値ＲＥＦ３とベースセンサ値ＢＳＶとの積を入力値としてベース演算値算出回路５３４に与えてもオーバーフローは生じない。よって、第２補正値ＣＶ２を用いてタッチ検出用の補正処理を正常に行うことができる。以上より、各ノードの温度に関わらず、全てのノードに関して、タッチ検出用の補正処理が正常に行われるよう好適な補正値が求められる。それ故、タッチ位置の特定が精度良く行われる。以上のように、本実施形態によれば、パネル面内での温度上昇が不均一であってもタッチ位置を精度良く特定することのできる有機ＥＬ表示装置が実現される。
　＜１．８　変形例＞
　上記第１の実施形態においては、全てのノードについて、第１補正値ＣＶ１または第２補正値ＣＶ２のいずれを用いて補正処理を行うのかを決定するために、ベースセンサ値ＢＳＶと第１参照値ＲＥＦ１との差が所定の閾値未満であるか否かの判定が行われていた。しかしながら、本発明はこれに限定されず、上記判定は必ずしも全てのノードについて行われる必要はない。これについて、以下に説明する。
　折り曲げ可能な有機ＥＬ表示装置に関しては、パネルの使用状態としては、パネル全面が使用されている状態（以下、「第１の状態」という。）、パネルの半分が使用されている状態（以下、「第２の状態」という。）、およびパネルの折り曲げ部分のみが使用されている状態（以下、「第３の状態」という。）が考えられる。第１の状態においては、図２１で符号８１を付した範囲内の有機ＥＬ素子Ｌ１が発光する。第２の状態においては、例えば、図２２で符号８２を付した範囲内の有機ＥＬ素子Ｌ１が発光する。第３の状態においては、例えば、図２３で符号８３を付した範囲内の有機ＥＬ素子Ｌ１が発光する。
　ところで、有機ＥＬパネル２の内部温度は、表示パターンに依存して変化するだけでなく、上記のような使用状態によっても変化する。通常、パネル全体のうち使用されていない部分については、内部温度が高温になることはない。従って、使用されていない部分に対応するノードについては第１補正値ＣＶ１を用いて補正処理を行えば良いと判断することができる。また、有機ＥＬパネル２の使用状態については、ホスト６が検知することができる。すなわち、ホスト６は、有機ＥＬパネル２の使用状態を検知する使用状態検知手段を有している。以上より、ユーザーによる有機ＥＬパネル２の使用状態を考慮して、以下のような制御を行うようにしても良い。
　ホスト６は、有機ＥＬパネル２の使用状態の情報をタッチパネルコントローラ５に与える。そして、有機ＥＬパネル２全体のうち使用中の部分に対応するノードについてのみ、タッチパネルコントローラ５内の補正値算出回路５３によって、補正値記憶部５３６に格納する補正値を第１補正値ＣＶ１または第２補正値ＣＶ２のいずれにするかを決定するためにベースセンサ値ＢＳＶと第１参照値ＲＥＦ１との差を所定の閾値と比較する判定処理（図９のステップＳ１０）が行われる。有機ＥＬパネル２全体のうち使用されていない部分に対応するノードについては、上記判定処理が行われることなく、第１補正値ＣＶ１（ベースセンサ値ＢＳＶを入力値としてベース演算値算出回路５３４に与えることによって得られたベース演算値ＢＣＶ）が補正値記憶部５３６に格納される。
　本変形例によれば、使用していない部分については、図９のステップＳ１０の処理が不要となる。これにより、温度に基づく補正処理に関して、全体の処理効率が高まる。
　＜２．第２の実施形態＞
　＜２．１　概要および構成＞
　上述したように、パネル面内での温度上昇が不均一になると、電流の流れやすさが不均一となって輝度むらが生じる。それ故、通常、有機ＥＬ表示装置では、そのような輝度むらの発生を抑制するための輝度補正処理が行われている。一般的には、有機ＥＬ表示装置が工場から出荷される際に内部のＲＯＭなどに輝度補正処理用のデータ（以下、「輝度むら補正データ」という。）が書き込まれ、有機ＥＬ表示装置が実際に使用される際に当該輝度むら補正データを用いて輝度補正処理が行われる。しかしながら、輝度むら補正データは、外部温度の変化や内部温度の変化を考慮したデータとはなっていない。そのため、温度の変化に応じた輝度の調整は行われていない。また、パネル面内の温度分布を把握するためには多数の温度センサ等が必要となり、それは部品点数の増加やコスト増を引き起こす。
　そこで、本実施形態においては、輝度むら補正データのみに基づいて輝度補正処理が行われるのではなく、パネル面内の温度分布が考慮されるよう、輝度むら補正データとタッチ検出用の補正値（上述の補正値記憶部５３６に格納されている補正値）ＣＶとに基づいて輝度補正処理が行われる。
　全体構成は上記第１の実施形態と同様であり、タッチ検出に関する処理についても上記第１の実施形態と同様に行われる。図２４は、本実施形態における表示ドライバ（表示駆動回路）３の構成を示すブロック図である。図２４に示すように、表示ドライバ３は、ゲートドライバ３１とソースドライバ３２とタイミングコントローラ３３と補正データ処理回路３４と輝度むら補正データ記憶部３５と温度補償データ記憶部３６とを含んでいる。なお、補正データ処理回路３４によって調整係数算出回路が実現される。
　タイミングコントローラ３３は、デジタル映像信号ＤＶとゲート制御信号ＧＣＴＬとソース制御信号ＳＣＴＬとを出力する。ゲートドライバ３１は、ゲート制御信号ＧＣＴＬに基づいて、ｎ本の走査線Ｇ１～Ｇｎに走査信号を印加する。ソースドライバ３２は、デジタル映像信号ＤＶとソース制御信号ＳＣＴＬとに基づいて、ｍ本のデータ線Ｄ１～Ｄｍにデータ信号を印加する。その際、ソースドライバ３２では、補正データ処理回路３４から送られる後述の調整係数ＡＦに基づいて、デジタル映像信号の表す電圧レベルを調整する輝度補正処理が行われる。
　輝度むら補正データ記憶部３５には、輝度補正処理用の輝度むら補正データＬＤが格納される。なお、上述したように、この輝度むら補正データＬＤは、外部温度の変化や内部温度の変化を考慮したデータとはなっていない。温度補償データ記憶部３６には、タッチパネルコントローラ５から送られる補正値（補正値記憶部５３６に格納されている補正値）ＣＶが格納される。なお、補正値ＣＶとして第２切換手段ＳＷ２を介してベース演算値算出回路５３４から出力された第１補正値ＣＶ１と第２乗算回路５３５から出力された第２補正値ＣＶ２とが直接的に温度補償データ記憶部３６に送られるようにしてもよい（図１参照）。補正データ処理回路３４は、輝度むら補正データ記憶部３５に格納されている輝度むら補正データＬＤと温度補償データ記憶部３６に格納されている補正値ＣＶとに基づいて、デジタル映像信号の表す電圧レベルを調整するための調整係数ＡＦを求める。なお、典型的には、輝度むら補正データ記憶部３５はＲＯＭ（読み出し専用メモリ）によって実現され、温度補償データ記憶部３６はＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）によって実現される。
　＜２．２　輝度補正処理＞
　ここで、輝度補正処理について説明する。上述したように、輝度補正処理は、デジタル映像信号の表す電圧レベル（電圧値）を調整する処理である。本実施形態においては、調整係数ＡＦに基づいて電圧レベルが調整される。ところで、ノードのサイズは画素のサイズよりも大きいので、各ノードは複数の画素に対応付けられている。従って、１つのノードについての調整係数ＡＦに基づいて、複数の画素についての電圧レベルの調整が行われる。本実施形態においては、補正後の電圧値は、補正前の電圧値を調整係数ＡＦで除することによって求められる。温度が高いほど電流が流れやすいので、温度が高いほど補正前の電圧値と補正後の電圧値との差を大きくする必要がある。それ故、温度が高いほど調整係数ＡＦは大きな値となり、温度が低いほど調整係数ＡＦは小さな値となる。
　仮に、各ノードの調整係数ＡＦが図２５に示すようなものであると仮定する。また、図２５において太枠で表しているノードに対応付けられている画素についての補正前の電圧値が図２６のＡ部に示す値であると仮定する。この場合、補正後の電圧値は、補正前の電圧値を１．１で除することによって求められる。すなわち、補正後の電圧値は、図２６のＢ部に示す値となる。
　＜２．３　効果＞
　本実施形態によれば、輝度むらの発生を抑制するための輝度補正処理に必要な調整係数ＡＦが、タッチ検出用の補正処理に用いられる補正値ＣＶを考慮して求められる。ここで、補正値ＣＶは、タッチ位置の特定が行われる際に温度による影響が除去されるようセンサ値ＳＶを補正するためのものである。すなわち、補正値ＣＶは、温度に応じた値である。それ故、調整係数ＡＦは、温度に応じた値となる。このように温度に応じた値である調整係数ＡＦに基づいて輝度補正処理（電圧レベルの調整）が行われるので、パネル面内での温度上昇が不均一であっても輝度むらの発生が抑制される。
　＜２．４　変形例＞
　上記第２の実施形態の変形例について説明する。図２７は、輝度補正処理に関連する構成を示すブロック図である。図２７から把握されるように、本変形例においては、ホスト６内に補正データ処理回路６０が設けられている。輝度むら補正データ記憶部３５は、上記第２の実施形態と同様、表示ドライバ３内に設けられている。補正値記憶部５３６に格納されている補正値ＣＶはタッチパネルコントローラ５からホスト６に送られ、輝度むら補正データ記憶部３５に格納されている輝度むら補正データＬＤは表示ドライバ３からホスト６に送られる。そして、補正データ処理回路６０は、表示ドライバ３から送られた輝度むら補正データＬＤとタッチパネルコントローラ５から送られた補正値ＣＶとに基づいて、上述の調整係数ＡＦを求める。その調整係数ＡＦはソースドライバ３２に送られ、上記第２の実施形態と同様、ソースドライバ３２にて調整係数ＡＦに基づき輝度補正処理が行われる。
　＜３．その他＞
　上記各実施形態（変形例を含む）ではタッチパネルを備えた表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、これには限定されない。タッチパネルを備えた表示装置であれば、無機ＥＬ表示装置やＱＬＥＤ表示装置などにも本発明を適用することができる。また、上記各実施形態（変形例を含む）では折り曲げることのできる表示装置を例に挙げて説明したが、これには限定されず、折り曲げることのできない表示装置にも本発明を適用することができる。
２…有機ＥＬパネル
３…表示ドライバ
４…タッチパネル
５…タッチパネルコントローラ
６…ホスト
５１…タッチパネル駆動回路
５２…センサ値取得回路
５３…補正値算出回路
５４…タッチ位置特定回路
５３０…ベースセンサ値記憶部
５３１…参照値記憶部
５３２…第３参照値算出回路
５３３…第１乗算回路
５３４…ベース演算値算出回路
５３５…第２乗算回路
５３６…補正値記憶部
５３７…第３参照値記憶部
Ｌ１…有機ＥＬ素子

Claims (15)

  1. 　供給される電流の量に応じた輝度で発光する表示素子を有する表示パネルと、前記表示パネルの表面に設けられたタッチパネルとを備えた表示装置であって、
    　前記タッチパネルへの検出対象物の接近の程度に応じて変化するセンサ値を取得するセンサ値取得回路と、
    　前記検出対象物が前記タッチパネルに接触した位置であるタッチ位置を特定するタッチ位置特定回路と、
    　前記タッチ位置特定回路によって前記タッチ位置の特定が行われる際に温度による影響が除去されるよう前記センサ値を補正するための補正値を求める補正値算出回路と
    を備え、
    　常温状態で前記表示素子が発光していない時のセンサ値である第１参照値と常温状態で前記表示素子が発光している時のセンサ値である第２参照値とが前記センサ値取得回路によって予め取得され、
    　前記補正値算出回路は、
    　　前記センサ値を取得する単位であるノード毎に前記補正値を格納する補正値記憶部と、
    　　ノード毎に、入力値に対する所定の基準値の比を表すベース演算値を求めるベース演算値算出回路と
    を含み、
    　前記ベース演算値算出回路で求められるベース演算値には、上限値および下限値が定められており、
    　前記補正値算出回路は、
    　　前記センサ値取得回路によって一定の時間間隔で取得されるセンサ値であるベースセンサ値と前記第１参照値との差が所定の閾値未満であるノードについては、前記ベースセンサ値を前記入力値として前記ベース演算値算出回路に与えることによって得られたベース演算値を前記補正値として前記補正値記憶部に格納し、
    　　前記ベースセンサ値と前記第１参照値との差が前記閾値よりも大きいノードについては、前記第２参照値に対する前記第１参照値の比を表す第３参照値と前記ベースセンサ値との積を前記入力値として前記ベース演算値算出回路に与えることによって得られたベース演算値と前記第３参照値との積を前記補正値として前記補正値記憶部に格納し、
    　前記タッチ位置特定回路は、直近に前記センサ値取得回路によって取得されたセンサ値を前記補正値記憶部に格納された補正値を用いて補正することにより得られた値に基づいて、前記タッチ位置を特定することを特徴とする、表示装置。
  2. 　前記ベースセンサ値と前記第１参照値との差が前記閾値よりも大きいノードに関し、前記第３参照値と前記ベースセンサ値との積と前記基準値との差は、前記ベースセンサ値と前記基準値との差よりも小さいことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記補正値算出回路は、
    　　前記第３参照値と前記ベースセンサ値との積を求める第１乗算回路と、
    　　前記ベース演算値と前記第３参照値との積を求める第２乗算回路と
    を更に含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の表示装置。
  4. 　前記補正値算出回路は、
    　　前記第１参照値と前記第２参照値とを格納する参照値記憶部と、
    　　前記第１参照値と前記第２参照値とに基づいて前記第３参照値を求める第３参照値算出回路と
    を更に含むことを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
  5. 　前記参照値記憶部は、読み出し専用メモリであることを特徴とする、請求項４に記載の表示装置。
  6. 　前記補正値算出回路は、前記第３参照値を格納する第３参照値記憶部を更に含み、
    　前記第３参照値記憶部は、読み出し専用メモリであることを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
  7. 　前記補正値算出回路は、前記ベースセンサ値を格納するベースセンサ値記憶部を更に含み、
    　前記ベースセンサ値記憶部および前記補正値記憶部は、ランダムアクセスメモリであることを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項に記載の表示装置。
  8. 　全てのノードについて、前記基準値は同じ値であることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項に記載の表示装置。
  9. 　前記ベースセンサ値が前記センサ値取得回路によって前記一定の時間間隔で取得されるのに応じて、前記補正値記憶部に格納される補正値は前記一定の時間間隔で更新されることを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項に記載の表示装置。
  10. 　前記表示パネルの使用状態を検知する使用状態検知手段を更に備え、
    　前記表示パネル全体のうち使用中の部分に対応するノードについてのみ、前記補正値算出回路によって、前記補正値記憶部に格納する補正値を決定するために前記ベースセンサ値と前記第１参照値との差を前記閾値と比較する判定処理が行われ、
    　前記表示パネル全体のうち使用されていない部分に対応するノードについては、前記判定処理が行われることなく、前記ベースセンサ値を前記入力値として前記ベース演算値算出回路に与えることによって得られたベース演算値が前記補正値として前記補正値記憶部に格納されることを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項に記載の表示装置。
  11. 　映像信号に基づき前記表示パネルを駆動する、前記表示パネルでの輝度むらの発生を抑制するための輝度補正処理を行う機能を有する表示駆動回路を更に備え、
    　前記表示駆動回路は、前記補正値を考慮して前記輝度補正処理を行うことを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の表示装置。
  12. 　前記表示駆動回路は、前記映像信号の表す電圧レベルを前記輝度補正処理によって調整するための調整係数を求める調整係数算出回路を含み、
    　前記補正値は、前記補正値算出回路から前記表示駆動回路に送られ、
    　前記調整係数算出回路は、前記輝度補正処理用の輝度むら補正データと前記補正値算出回路から送られた補正値とに基づいて前記調整係数を求めることを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
  13. 　前記タッチ位置の情報を前記タッチ位置特定回路から受け取って当該タッチ位置に応じた制御信号を前記表示駆動回路に与える主制御回路を備え、
    　前記主制御回路は、前記映像信号の電圧レベルを前記輝度補正処理によって調整するための調整係数を求める調整係数算出回路を含み、
    　前記補正値は、前記補正値算出回路から前記主制御回路に送られ、
    　前記調整係数算出回路は、前記輝度補正処理用の輝度むら補正データと前記補正値算出回路から送られた補正値とに基づいて前記調整係数を求めることを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
  14. 　前記表示パネルおよび前記タッチパネルは、折り畳み可能であることを特徴とする、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の表示装置。
  15. 　供給される電流の量に応じた輝度で発光する表示素子を有する表示パネルと、前記表示パネルの表面に設けられたタッチパネルと、前記タッチパネルへの検出対象物の接近の程度に応じて変化するセンサ値を取得するセンサ値取得回路とを備えた表示装置において、前記検出対象物が前記タッチパネルに接触した位置であるタッチ位置を特定するタッチ位置特定方法であって、
    　前記表示装置は、
    　　前記タッチ位置の特定が行われる際に温度による影響が除去されるよう前記センサ値を補正するための補正値を前記センサ値を取得する単位であるノード毎に格納する補正値記憶部と、
    　　ノード毎に、入力値に対する所定の基準値の比を表すベース演算値を求めるベース演算値算出回路と
    を含み、
    　前記ベース演算値算出回路で求められるベース演算値には、上限値および下限値が定められており、
    　常温状態で前記表示素子が発光していない時のセンサ値である第１参照値と常温状態で前記表示素子が発光している時のセンサ値である第２参照値とが前記センサ値取得回路によって予め取得され、
    　前記タッチ位置特定方法は、
    　　前記センサ値取得回路によって一定の時間間隔で取得されるセンサ値であるベースセンサ値と前記第１参照値との差が所定の閾値未満であるか否かをノード毎に判定する判定ステップと、
    　　前記補正値の算出およびその算出された補正値の前記補正値記憶部への格納を行う補正値算出ステップと、
    　　直近に前記センサ値取得回路によって取得されたセンサ値を前記補正値記憶部に格納された補正値を用いて補正するセンサ値補正ステップと、
    　　前記センサ値補正ステップによる補正後のセンサ値に基づいて前記タッチ位置の算出を行う位置算出ステップと
    を含み、
    　前記判定ステップで前記ベースセンサ値と前記第１参照値との差が前記閾値未満であると判定されたノードについては、前記補正値算出ステップにおいて、前記ベースセンサ値を前記入力値として前記ベース演算値算出回路に与えることによって得られたベース演算値が前記補正値として前記補正値記憶部に格納され、
    　前記判定ステップで前記ベースセンサ値と前記第１参照値との差が前記閾値よりも大きいと判定されたノードについては、前記補正値算出ステップにおいて、前記第２参照値に対する前記第１参照値の比を表す第３参照値と前記ベースセンサ値との積を前記入力値として前記ベース演算値算出回路に与えることによって得られたベース演算値と前記第３参照値との積が前記補正値として前記補正値記憶部に格納されることを特徴とする、タッチ位置特定方法。
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