WO2021082107A1 - 一种提高耗损平均技术效率的方法 - Google Patents

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张盛豪
魏智汎
王展南
谢享奇
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江苏华存电子科技有限公司
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    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0646—Horizontal data movement in storage systems, i.e. moving data in between storage devices or systems
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    • G06F3/0673—Single storage device
    • G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]

Definitions

  • the invention relates to the technical field of improving the loss efficiency, in particular to a method for improving the average technical efficiency of the loss.
  • Flash memory is a long-life non-volatile memory (the stored data information can still be maintained in the event of a power failure). Data deletion is not in a single byte unit but in a fixed block. The block size is generally 256KB to 20MB. Flash memory is a variant of electronically erasable read-only memory (EEPROM). The difference between flash memory and EEPROM is that EEPROM can be erased and rewritten at the byte level instead of the entire chip. Most of the chips in flash memory need to be erased. except. Because it can still save data when power is off, flash memory is usually used to save setting information, such as saving data in the computer's BIOS (basic program), PDA (personal digital assistant), and digital camera.
  • BIOS basic program
  • PDA personal digital assistant
  • flash storage is quite extensive, whether it is a vehicle-mounted system, a mobile vehicle, a flat computer or a mobile phone, it needs a certain lifetime (Lifetime). At this time, wear-leveling is required to effectively extend the service life. However, the efficient use of each flash block (Block) will directly affect the life span of the flash memory. Therefore, in the flash storage system, how to efficiently use the flash memory block in the flash storage is indispensable.
  • the existing wear averaging technology is to record the erase count of each flash memory block. Every flash block is used evenly. In order to achieve the erasure times of each flash memory block fall in the same interval. Whenever a flash block needs to be fetched, the erase times of all the current empty flash blocks are sorted. Then, the flash memory block with the smallest number of erasing times can be used. And erase the flash block that needs to be discarded, and then increase the number of erasing times. And record the number of erasures to the static random access memory, or write it into the flash memory. That is to say, the erasing times are evenly dispersed in each flash memory block.
  • the object of the present invention is to provide a method for improving the average technical efficiency of wear and tear, so as to solve the above-mentioned problems in the background art.
  • the present invention provides the following technical solution: a method for improving the average technical efficiency of wear and tear, including a data usage frequency record table, the record table records the use of each flash memory block, the flash memory block Divided into two states. One is the hot data state and the other is the cold data state.
  • a method for improving the average loss of technical efficiency includes the following steps:
  • the loss averaging technique is executed to write cold data into the flash memory block.
  • step D the following steps are further included:
  • the flash memory block is mapped to the flash memory block based on the logical block address written by the host, that is, the count in the data usage frequency record table is incremented by one.
  • the beneficial effects of the present invention are: the present invention can improve the judgment of the loss averaging technology, and efficiently improve the performance of the high loss averaging technology. Compared with the existing flash memory loss averaging technology, it can extend the life of flash memory better.
  • Figure 1 is a flow chart of the present invention.
  • the present invention provides the following technical solution: a method for improving the average technical efficiency of wear and tear, including a data usage frequency record table, the record table records the use of each flash memory block, the flash memory block Divided into two states: one is the hot data state, and the other is the cold data state.
  • a method for improving the average technical efficiency of loss includes the following steps:
  • the loss averaging technique is executed to write cold data into the flash memory block.
  • Step D also includes the following steps:
  • the flash memory block is mapped to the flash memory block based on the logical block address written by the host, that is, the data usage frequency record table counts plus one, and the distinction between the hot data state and the cold data state can be defined by oneself. Threshold value. Less than the threshold value is defined as the cold data state, and greater than the threshold value is defined as the hot data state.
  • the present invention can improve the judgment of the loss averaging technology, and efficiently improve the performance of the high loss averaging technology. Compared with the existing flash memory loss averaging technology, it can extend the life of flash memory better.

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Abstract

一种提高耗损平均技术效率的方法，包括一张数据使用频率记录表、记录每一个闪存区块的使用情况，闪存区块分为两种状态：一种是热数据状态，另一种是冷数据状态；能提高耗损平均技术的判断，并有效率提升高耗损平均技术的效能，比现有的闪存耗损平均技术更能延长闪存的使用期限。

Description

一种提高耗损平均技术效率的方法 技术领域
本发明涉及提高耗损效率技术领域，具体为一种提高耗损平均技术效率的方法。
背景技术
闪存是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。
在闪存存储的应用上相当的广泛，无论是车载系统，亦是行动载具、平版计算机或手机，都需要有一定的使用期限(Lifetime)。此时则需要耗损平均技术(Wear-leveling)来有效的延长使用期限。然而，有效率的使用每一个闪存区块(Block)会直接影响闪存的使用期限。所以在闪存存储系统中，如何有效率的使用闪存存储中的闪存区块是不可或缺的。
现有的耗损平均技术即是记录每一个闪存区块的擦除次数(Erase count)。再平均的使用每一个闪存区块。以达到每一个闪存区块的擦除次数落在相同的区间。每当需要抓取某个闪存区块时，则 去排序目前所有空的闪存区块的擦除次数。进而取得擦除次数最小的闪存区块使用。并且将需要丢弃的闪存区块擦除，再将擦除次数增加一次。并记录擦除次数到静态随机存取存储器，或者写入闪存存储中。即可达到擦除次数平均分散在每一个闪存区块。
发明内容
本发明的目的在于提供一种提高耗损平均技术效率的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种提高耗损平均技术效率的方法，包括一张数据使用频率记录表，该记录表记录每一个闪存区块的使用情况，将所述闪存区块分为两种状态。一个是热数据状态，另一个则是冷数据状态。
优选的，一种提高耗损平均技术效率的方法，包括以下步骤：
A、当需要执行耗损平均技术之前，则将闪存区块的擦除次数及数据使用频率记录表交插比较；
B、从闪存区块的擦除次数记录表，取得最大擦除次数的闪存区块，与数据使用频率记录表相互比较；
C、如果取得的闪存区块为冷数据状态时，则不做耗损平均技术，再次寻找下一个闪存区块；
D、此闪存区块的数据是热数据状态时，则执行耗损平均技术，将冷资料写入此闪存区块。
优选的，所述步骤D之后还包括以下步骤：
E、反之，此次取得最小擦除次数的闪存区块，再与数据使用频 率记录表相互比较；
F、如果取得的闪存区块为热数据状态时，则不做耗损平均技术；
G、反之，如果取得的闪存区块为冷数据状态时，则进行耗损平均技术，將热资料写入此闪存区块。
优选的，所述闪存区块基于主机写入的逻辑区块地址所映像到的闪存区块，即在数据使用频率记录表计数加一。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明会提高耗损平均技术的判断，并且有效率提升高耗损平均技术的效能。比现有的闪存耗损平均技术，更能达到延长闪存的使用期限。
附图说明
图1为本发明流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明提供如下技术方案：一种提高耗损平均技术效率的方法，包括一张数据使用频率记录表，该记录表记录每一个闪存区块的使用情况，将所述闪存区块分为两种状态：一个是热数据状态，另一个则是冷数据状态。
本发明中，一种提高耗损平均技术效率的方法，包括以下步骤：
A、当需要执行耗损平均技术之前，则将闪存区块的擦除次数及数据使用频率记录表交插比较；
B、从闪存区块的擦除次数记录表，取得最大擦除次数的闪存区块，与数据使用频率记录表相互比较；
C、如果取得的闪存区块为冷数据状态时，则不做耗损平均技术，再次寻找下一个闪存区块；
D、此闪存区块的数据是热数据状态时，则执行耗损平均技术，将冷资料写入此闪存区块。
步骤D之后还包括以下步骤：
E、反之，此次取得最小擦除次数的闪存区块，再与数据使用频率记录表相互比较；
F、如果取得的闪存区块为热数据状态时，则不做耗损平均技术；
G、反之，如果取得的闪存区块为冷数据状态时，则进行耗损平均技术，將热资料写入此闪存区块。
本发明中，闪存区块基于主机写入的逻辑区块地址所映像到的闪存区块，即在数据使用频率记录表计数加一，热数据状态和冷数据状态的区分，可自行定义某个门槛值。小于门槛值则定义为冷数据状态，大于门槛值则定义为热数据状态。
综上所述，本发明会提高耗损平均技术的判断，并且有效率提升高耗损平均技术的效能。比现有的闪存耗损平均技术，更能达到延长闪存的使用期限。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术 人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (4)

  1. 一种提高耗损平均技术效率的方法，其特征在于：包括一张数据使用频率记录表，该记录表记录每一个闪存区块的使用情况，将所述闪存区块分为两种状态：一个是热数据状态，另一个则是冷数据状态。
  2. 根据权利要求1所述的一种提高耗损平均技术效率的方法，其特征在于：包括以下步骤：
    A、当需要执行耗损平均技术之前，则将闪存区块的擦除次数及数据使用频率记录表交插比较；
    B、从闪存区块的擦除次数记录表，取得最大擦除次数的闪存区块，与数据使用频率记录表相互比较；
    C、如果取得的闪存区块为冷数据状态时，则不做耗损平均技术，再次寻找下一个闪存区块；
    D、此闪存区块的数据是热数据状态时，则执行耗损平均技术，将冷资料写入此闪存区块。
  3. 根据权利要求2所述的一种提高耗损平均技术效率的方法，其特征在于：所述步骤D之后还包括以下步骤：
    E、反之，此次取得最小擦除次数的闪存区块，再与数据使用频率记录表相互比较；
    F、如果取得的闪存区块为热数据状态时，则不做耗损平均技术；
    G、反之，如果取得的闪存区块为冷数据状态时，则进行耗损平均技术，將热资料写入此闪存区块。
  4. 根据权利要求1所述的一种提高耗损平均技术效率的方法， 其特征在于：所述闪存区块基于主机写入的逻辑区块地址所映像到的闪存区块，即在数据使用频率记录表计数加一。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102543177A (zh) * 2010-12-17 2012-07-04 西安奇维测控科技有限公司 一种固态盘静态磨损平衡算法
TW201239619A (en) * 2011-03-21 2012-10-01 Silicon Motion Inc Writing method of a flash memory and flash memory device
CN102799534A (zh) * 2012-07-18 2012-11-28 上海宝存信息科技有限公司 基于固态存储介质的存储系统及方法、冷热数据识别方法
CN103092766A (zh) * 2012-12-28 2013-05-08 北京时代民芯科技有限公司 一种用于nand flash的均衡损耗实现方法
JP2014092833A (ja) * 2012-11-01 2014-05-19 Toshiba Information Systems (Japan) Corp フラッシュメモリ制御装置、フラッシュメモリ制御方法及びフラッシュメモリ制御用プログラム
CN104102459A (zh) * 2014-07-03 2014-10-15 优佰特电子科技（无锡）有限公司 一种闪存设备的数据处理方法及闪存设备
CN106990926A (zh) * 2017-06-14 2017-07-28 郑州云海信息技术有限公司 一种固态硬盘磨损均衡的处理方法
CN108897492A (zh) * 2018-05-30 2018-11-27 新华三技术有限公司 一种数据写入方法和装置
CN109542358A (zh) * 2018-12-03 2019-03-29 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种固态硬盘冷热数据分离方法、装置及设备
US20190228827A1 (en) * 2018-01-23 2019-07-25 Goke Us Research Laboratory Dynamic Management of a NAND Flash Memory

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102543177A (zh) * 2010-12-17 2012-07-04 西安奇维测控科技有限公司 一种固态盘静态磨损平衡算法
TW201239619A (en) * 2011-03-21 2012-10-01 Silicon Motion Inc Writing method of a flash memory and flash memory device
CN102799534A (zh) * 2012-07-18 2012-11-28 上海宝存信息科技有限公司 基于固态存储介质的存储系统及方法、冷热数据识别方法
JP2014092833A (ja) * 2012-11-01 2014-05-19 Toshiba Information Systems (Japan) Corp フラッシュメモリ制御装置、フラッシュメモリ制御方法及びフラッシュメモリ制御用プログラム
CN103092766A (zh) * 2012-12-28 2013-05-08 北京时代民芯科技有限公司 一种用于nand flash的均衡损耗实现方法
CN104102459A (zh) * 2014-07-03 2014-10-15 优佰特电子科技（无锡）有限公司 一种闪存设备的数据处理方法及闪存设备
CN106990926A (zh) * 2017-06-14 2017-07-28 郑州云海信息技术有限公司 一种固态硬盘磨损均衡的处理方法
US20190228827A1 (en) * 2018-01-23 2019-07-25 Goke Us Research Laboratory Dynamic Management of a NAND Flash Memory
CN108897492A (zh) * 2018-05-30 2018-11-27 新华三技术有限公司 一种数据写入方法和装置
CN109542358A (zh) * 2018-12-03 2019-03-29 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种固态硬盘冷热数据分离方法、装置及设备

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