CN110764712A - 一种提高耗损平均技术效率的方法 - Google Patents
一种提高耗损平均技术效率的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110764712A CN110764712A CN201911056059.1A CN201911056059A CN110764712A CN 110764712 A CN110764712 A CN 110764712A CN 201911056059 A CN201911056059 A CN 201911056059A CN 110764712 A CN110764712 A CN 110764712A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- flash memory
- memory block
- wear leveling
- data
- data state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
- G06F3/0646—Horizontal data movement in storage systems, i.e. moving data in between storage devices or systems
- G06F3/0652—Erasing, e.g. deleting, data cleaning, moving of data to a wastebasket
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
- G06F3/0671—In-line storage system
- G06F3/0673—Single storage device
- G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种提高耗损平均技术效率的方法,本发明会提高耗损平均技术的判断,并且有效率提升高耗损平均技术的效能。比现有的闪存耗损平均技术,更能达到延长闪存的使用期限。
Description
技术领域
本发明涉及提高耗损效率技术领域,具体为一种提高耗损平均技术效率的方法。
背景技术
闪存是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位,区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,闪存与EEPROM不同的是,EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据,闪存通常被用来保存设置信息,如在电脑的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。
在闪存存储的应用上相当的广泛,无论是车载系统,亦是行动载具、平版计算机或手机,都需要有一定的使用期限(Lifetime)。此时则需要耗损平均技术(Wear-leveling)来有效的延长使用期限。然而,有效率的使用每一个闪存区块(Block)会直接影响闪存的使用期限。所以在闪存存储系统中,如何有效率的使用闪存存储中的闪存区块是不可或缺的。
现有的耗损平均技术即是记录每一个闪存区块的擦除次数(Erase count)。再平均的使用每一个闪存区块。以达到每一个闪存区块的擦除次数落在相同的区间。每当需要抓取某个闪存区块时,则去排序目前所有空的闪存区块的擦除次数。进而取得擦除次数最小的闪存区块使用。并且将需要丢弃的闪存区块擦除,再将擦除次数增加一次。并记录擦除次数到静态随机存取存储器,或者写入闪存存储中。即可达到擦除次数平均分散在每一个闪存区块。
发明内容
本发明的目的在于提供一种提高耗损平均技术效率的方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种提高耗损平均技术效率的方法,包括一张数据使用频率记录表,该记录表记录每一个闪存区块的使用情况,将所述闪存区块分为两种状态。一个是热数据状态,另一个则是冷数据状态。
优选的,一种提高耗损平均技术效率的方法,包括以下步骤:
A、当需要执行耗损平均技术之前,则将闪存区块的擦除次数及数据使用频率记录表交插比较;
B、从闪存区块的擦除次数记录表,取得最大擦除次数的闪存区块,与数据使用频率记录表相互比较;
C、如果取得的闪存区块为冷数据状态时,则不做耗损平均技术,再次寻找下一个闪存区块;
D、此闪存区块的数据是热数据状态时,则执行耗损平均技术,将冷资料写入此闪存区块。
优选的,所述步骤D之后还包括以下步骤:
E、反之,此次取得最小擦除次数的闪存区块,再与数据使用频率记录表相互比较;
F、如果取得的闪存区块为热数据状态时,则不做耗损平均技术;
G、反之,如果取得的闪存区块为冷数据状态时,则进行耗损平均技术,將热资料写入此闪存区块。
优选的,所述闪存区块基于主机写入的逻辑区块地址所映像到的闪存区块,即在数据使用频率记录表计数加一。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明会提高耗损平均技术的判断,并且有效率提升高耗损平均技术的效能。比现有的闪存耗损平均技术,更能达到延长闪存的使用期限。
附图说明
图1为本发明流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1,本发明提供如下技术方案:一种提高耗损平均技术效率的方法,包括一张数据使用频率记录表,该记录表记录每一个闪存区块的使用情况,将所述闪存区块分为两种状态:一个是热数据状态,另一个则是冷数据状态。
本发明中,一种提高耗损平均技术效率的方法,包括以下步骤:
A、当需要执行耗损平均技术之前,则将闪存区块的擦除次数及数据使用频率记录表交插比较;
B、从闪存区块的擦除次数记录表,取得最大擦除次数的闪存区块,与数据使用频率记录表相互比较;
C、如果取得的闪存区块为冷数据状态时,则不做耗损平均技术,再次寻找下一个闪存区块;
D、此闪存区块的数据是热数据状态时,则执行耗损平均技术,将冷资料写入此闪存区块。
步骤D之后还包括以下步骤:
E、反之,此次取得最小擦除次数的闪存区块,再与数据使用频率记录表相互比较;
F、如果取得的闪存区块为热数据状态时,则不做耗损平均技术;
G、反之,如果取得的闪存区块为冷数据状态时,则进行耗损平均技术,將热资料写入此闪存区块。
本发明中,闪存区块基于主机写入的逻辑区块地址所映像到的闪存区块,即在数据使用频率记录表计数加一,热数据状态和冷数据状态的区分,可自行定义某个门槛值。小于门槛值则定义为冷数据状态,大于门槛值则定义为热数据状态。
综上所述,本发明会提高耗损平均技术的判断,并且有效率提升高耗损平均技术的效能。比现有的闪存耗损平均技术,更能达到延长闪存的使用期限。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (4)
1.一种提高耗损平均技术效率的方法,其特征在于:包括一张数据使用频率记录表,该记录表记录每一个闪存区块的使用情况,将所述闪存区块分为两种状态:一个是热数据状态,另一个则是冷数据状态。
2.根据权利要求1所述的一种提高耗损平均技术效率的方法,其特征在于:包括以下步骤:
A、当需要执行耗损平均技术之前,则将闪存区块的擦除次数及数据使用频率记录表交插比较;
B、从闪存区块的擦除次数记录表,取得最大擦除次数的闪存区块,与数据使用频率记录表相互比较;
C、如果取得的闪存区块为冷数据状态时,则不做耗损平均技术,再次寻找下一个闪存区块;
D、此闪存区块的数据是热数据状态时,则执行耗损平均技术,将冷资料写入此闪存区块。
3.根据权利要求2所述的一种提高耗损平均技术效率的方法,其特征在于:所述步骤D之后还包括以下步骤:
E、反之,此次取得最小擦除次数的闪存区块,再与数据使用频率记录表相互比较;
F、如果取得的闪存区块为热数据状态时,则不做耗损平均技术;
G、反之,如果取得的闪存区块为冷数据状态时,则进行耗损平均技术,将热资料写入此闪存区块。
4.根据权利要求1所述的一种提高耗损平均技术效率的方法,其特征在于:所述闪存区块基于主机写入的逻辑区块地址所映像到的闪存区块,即在数据使用频率记录表计数加一。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911056059.1A CN110764712A (zh) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 一种提高耗损平均技术效率的方法 |
PCT/CN2019/119657 WO2021082107A1 (zh) | 2019-10-31 | 2019-11-20 | 一种提高耗损平均技术效率的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911056059.1A CN110764712A (zh) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 一种提高耗损平均技术效率的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110764712A true CN110764712A (zh) | 2020-02-07 |
Family
ID=69335515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911056059.1A Withdrawn CN110764712A (zh) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 一种提高耗损平均技术效率的方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110764712A (zh) |
WO (1) | WO2021082107A1 (zh) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102543177B (zh) * | 2010-12-17 | 2016-01-06 | 西安奇维测控科技有限公司 | 一种固态盘静态磨损平衡算法 |
TW201239619A (en) * | 2011-03-21 | 2012-10-01 | Silicon Motion Inc | Writing method of a flash memory and flash memory device |
CN102799534B (zh) * | 2012-07-18 | 2015-11-25 | 上海宝存信息科技有限公司 | 基于固态存储介质的存储系统及方法、冷热数据识别方法 |
JP5683558B2 (ja) * | 2012-11-01 | 2015-03-11 | 東芝情報システム株式会社 | フラッシュメモリ制御装置、フラッシュメモリ制御方法及びフラッシュメモリ制御用プログラム |
CN103092766B (zh) * | 2012-12-28 | 2015-09-30 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种用于nand flash的均衡损耗实现方法 |
CN104102459A (zh) * | 2014-07-03 | 2014-10-15 | 优佰特电子科技(无锡)有限公司 | 一种闪存设备的数据处理方法及闪存设备 |
CN106990926A (zh) * | 2017-06-14 | 2017-07-28 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种固态硬盘磨损均衡的处理方法 |
US20190228827A1 (en) * | 2018-01-23 | 2019-07-25 | Goke Us Research Laboratory | Dynamic Management of a NAND Flash Memory |
CN108897492B (zh) * | 2018-05-30 | 2021-06-29 | 新华三技术有限公司 | 一种数据写入方法和装置 |
CN109542358A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-03-29 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种固态硬盘冷热数据分离方法、装置及设备 |
-
2019
- 2019-10-31 CN CN201911056059.1A patent/CN110764712A/zh not_active Withdrawn
- 2019-11-20 WO PCT/CN2019/119657 patent/WO2021082107A1/zh active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021082107A1 (zh) | 2021-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9548108B2 (en) | Virtual memory device (VMD) application/driver for enhanced flash endurance | |
US8954654B2 (en) | Virtual memory device (VMD) application/driver with dual-level interception for data-type splitting, meta-page grouping, and diversion of temp files to ramdisks for enhanced flash endurance | |
US7937521B2 (en) | Read disturbance management in a non-volatile memory system | |
US9547589B2 (en) | Endurance translation layer (ETL) and diversion of temp files for reduced flash wear of a super-endurance solid-state drive | |
US8959280B2 (en) | Super-endurance solid-state drive with endurance translation layer (ETL) and diversion of temp files for reduced flash wear | |
US9665481B2 (en) | Wear leveling method based on timestamps and erase counts, memory storage device and memory control circuit unit | |
US20070245064A1 (en) | Method Of Flash Memory Management | |
TWI585770B (zh) | 記憶體管理方法、記憶體控制電路單元及記憶體儲存裝置 | |
US9274943B2 (en) | Storage unit management method, memory controller and memory storage device using the same | |
US20110238903A1 (en) | Method and device of managing a reduced wear memory | |
CN101324862B (zh) | 闪存存储管理方法 | |
CN106775436B (zh) | 数据存取方法、存储器控制电路单元与存储器 | |
CN104765569A (zh) | 数据写入方法、存储器控制电路单元与存储器储存装置 | |
CN105867834A (zh) | 存储装置数据整理方法 | |
TW201403319A (zh) | 記憶體儲存裝置、其記憶體控制器與資料寫入方法 | |
TWI517165B (zh) | 資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置 | |
CN102880432B (zh) | 利用数据有限寿命提高闪存芯片写入速度的方法、系统及其控制器 | |
TWI435216B (zh) | 用來進行超區塊管理之方法以及記憶裝置及控制器 | |
TW201526006A (zh) | 資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置 | |
CN109119123B (zh) | 一种高中低阶闪存的分类方法 | |
CN110764712A (zh) | 一种提高耗损平均技术效率的方法 | |
CN107765989B (zh) | 一种存储设备控制芯片、存储设备及存储设备管理方法 | |
US11960761B2 (en) | Memory control method, memory storage device and memory control circuit unit | |
CN106469019B (zh) | 存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储器储存装置 | |
CN111258498B (zh) | 一种flash存储器管理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WW01 | Invention patent application withdrawn after publication | ||
WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20200207 |