CN111258498B - 一种flash存储器管理方法 - Google Patents

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Abstract

一种FLASH存储器管理方法，包括以下过程：初始化FLASH存储器；写入数据时更新读逻辑地址；读取数据时提示读取状态。S101：从定义的FLASH存储区逻辑地址0开始，依次向后查找是否存在STATUS标记为空的存储单元，若是进行S102，若否进行S103；S102：从当前逻辑地址依次向前查找是否存在通过CRC16校验的存储单元，若是进行S104,若否进行S103；S103：擦除整个FLASH存储器的存储区，设置定义FLASH存储器的存储区最大逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束；S104：设置当前存储单元逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束。本发明能够简化应用的复杂程度，实现存储器均衡磨损和随机掉电数据不丢失，同时使用CRC校验，保证数据的完整性和正确性。

Description

一种FLASH存储器管理方法
技术领域
本发明涉及存储器技术领域，尤其是涉及一种FLASH存储器管理方法。
背景技术
一般高级的单片机系统中，直接使用EMMC、UFS或其他带控制器管理的存储方案，且上层使用文件系统，比如手机、平板等，对于微单片机系统来说，考虑成本及系统复杂度的原因，大多直接采用MCU内部或片外的FLASH作为数据存储器，虽然硬件方案简单，但是如果直接通过固定地址存储对FLASH进行读写不能保证磨损均衡，影响FLASH使用寿命，而且如果系统随机掉电可能会导致数据丢失。若直接使用双页备份，每次写入需要都要擦除一页，对于数据量不大的情况下，存储密度和效率都比较低而且对FLASH寿命影响较大。
发明内容
本发明解决了FLASH存储器在擦除时磨损不均衡和系统随机掉电时数据丢失的问题，提出了一种FLASH存储器管理方法，能够简化应用的复杂程度，实现存储器均衡磨损和随机掉电数据不丢失，同时使用CRC校验，保证数据的完整性和正确性。
为实现上述目的，本发明提供以下的技术方案：
一种FLASH存储器管理方法，包括以下过程：初始化FLASH存储器；写入数据时更新读逻辑地址；读取数据时提示读取状态。
初始化FLASH存储器的作用是找出存有最新有效数据的读逻辑地址，系统随机断电时，FLASH存储器无法调用，同时其读逻辑地址存有最新有效数据不会丢失；写入数据时更新读逻辑地址作用是保护数据，而写入数据时不断的更新读逻辑地址，将新的读逻辑地址内存有新的数据，同时此时系统发生随机断电，新的读逻辑地址已经存到FLASH存储器，数据不会发生丢失；同时在更新读逻辑地址还有判断FLASH存储器的存储页逻辑地址的环节，每次写入需要判断当前逻辑地址是否为存储页最后一条逻辑地址，若是才擦除下一页，比现有技术中每次写入都要擦除一页更加方便，简化了写入数据的过程。写入数据时更新读逻辑地址还有一个作用是，通过不断变更读逻辑地址存储对FLASH进行读写，FLASH存储器内部擦除区域不定，使得FLASH存储器均衡磨损，延长FLASH使用寿命。
作为优选，所述初始化FLASH存储器具体包括以下步骤：
S101：从定义的FLASH存储区逻辑地址0开始，依次向后查找是否存在STATUS标记为空的存储单元，若是进行S102，若否进行S103；
S102：从当前逻辑地址依次向前查找是否存在通过CRC16校验的存储单元，若是进行S104,若否进行S103；
S103：擦除整个FLASH存储器的存储区，设置定义FLASH存储器的存储区最大逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束；
S104：设置当前存储单元逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束。
作为优选，所述写入数据时更新读逻辑地址的具体过程包括以下步骤：
S201：判断写入数据与FLASH存储器内部读出的应用数据是否一致，若是直接结束，不写入FLASH存储器，若否进行S202；
S202：计算写入逻辑地址；
S203：判断写入逻辑地址是否为存储页PAGE的最后一个，若是则擦除下一存储页PAGE的数据，再进行S204；
S204：计算、校验、打包数据，写入FLASH存储器，并将写入逻辑地址作为新的读逻辑地址。
作为优选，在步骤S202中，计算写入逻辑地址公式为：
写入逻辑地址=（读逻辑地址+1）% 总逻辑地址数。
作为优选，所述读取数据时提示读取状态的具体过程包括以下步骤：
S301：从当前读逻辑地址读取数据；
S302：判断数据是否存在通过CRC16校验，若是则提示读取成功，若否则提示读取失败。
作为优选，在所述写入数据时更新读逻辑地址前先进行初始化FLASH存储器；在所述读取数据时提示读取状态前先进行初始化FLASH存储器。
作为优选，先进行初始化FLASH存储器，再进行写入数据时更新读逻辑地址，最后进行读取数据时提示读取状态。
本发明有以下有益效果：通过写入数据时更新读逻辑地址，保证系统随机断电数据不会丢失；判断写入逻辑地址是否为存储页PAGE的最后一个，若是则擦除下一存储页PAGE的数据，简化了写入数据的过程；通过不断变更读逻辑地址存储对FLASH进行读写，FLASH存储器内部擦除区域不定，使得FLASH存储器均衡磨损，延长FLASH使用寿命。
附图说明
图1是实施例中FLASH存储器的结构图。
图2是实施例中初始化FLASH存储器的流程图。
图3是实施例中写入数据时更新读逻辑地址的流程图。
图4是实施例中读取数据时提示读取状态的流程图。
其中： 1、存储区 2、存储页PAGE 3、最小存储读写单元PACK。
具体实施方式
实施例：
本实施例提出一种FLASH存储器管理方法，包括以下过程：初始化FLASH存储器；写入数据时更新读逻辑地址；读取数据时提示读取状态。为方便说明，本实施例采用的FLASH存储器结构如下，参考图1，FLASH存储器的存储区1由M个存储页PAGE2构成，其中M大于等于2，存储页PAGE2由N个逻辑地址、N个最小存储读写单元PACK3及字节不足最小存储读写单元PACK3的DUMMY2部分，其中最小存储读写单元PACK3包括集成的特殊标记部STSTUS、数据存储部DATA、校核部CRC16和长度余数部DUMMY1。
存储页PAGE2是FLASH存储器的最小擦除单元；当特殊标记部STSTUS定长为1个字节，当其标记为空时，最小存储读写单元PACK3无存储数据；数据存储部DATA用于存储需要存储的数据，其字节不定长，根据需要进行配置；校核部CRC16，定长两个字节，对数据进行CRC16校核，通过CRC16校核的数据为有效数据，反之为无效数据，CRC16校核为本领域技术的常用技术，在此可以直接使用；长度余数部DUMMY1是存储区1最小编程长度余数，即STATUS+DATA+CRC16+DUMMY1必须为存储区1最小编程长度整数倍；DUMMY2部分为字节不足最小存储读写单元PACK3的部分；最小编程长度为单次写入的字节数，本实施例中单次写入的字节数为一个字节；本实施例中N个逻辑地址标志逻辑地址0到逻辑地址N-1，对应N个最小存储读写单元PACK3。
参考图,2，初始化FLASH存储器具体包括以下步骤：
S101：从定义的FLASH存储区1的逻辑地址0开始，依次向后查找是否存在STATUS标记为空的最小存储读写单元PACK3，若是进行S102，若否进行S103；
S102：从当前逻辑地址依次向前查找是否存在通过CRC16校验的最小存储读写单元PACK3，若是进行S104,若否进行S103；
S103：擦除整个FLASH存储器的存储区1，设置定义FLASH存储器的存储区1最大逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束，所述读逻辑地址为最新数据存储的最小存储读写单元PACK3所对应的逻辑地址；
S104：设置当前最小存储读写单元PACK3逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束。
参考图3，写入数据时更新读逻辑地址的具体过程包括以下步骤：
S201：判断写入数据与FLASH存储器内部读出的应用数据是否一致，若是直接结束，不写入FLASH存储器，若否进行S202；
S202：计算写入逻辑地址，计算写入逻辑地址公式为：
写入逻辑地址=（读逻辑地址+1）% 总逻辑地址数；
S203：判断写入逻辑地址是否为存储页PAGE的最后一个，若是则擦除下一存储页PAGE2的数据，再进行S204；
S204：计算、校验、打包数据，写入FLASH存储器，并将写入逻辑地址作为新的读逻辑地址。
参考图4，读取数据时提示读取状态的具体过程包括以下步骤：
S301：从当前读逻辑地址读取数据；
S302：判断数据是否存在通过CRC16校验，若是则提示读取成功，若否则提示读取失败。
本方法有两种工作状态：
A，在写入数据时更新读逻辑地址前先进行初始化FLASH存储器；在读取数据时提示读取状态前先进行初始化FLASH存储器。
B，先进行初始化FLASH存储器，再进行写入数据时更新读逻辑地址，最后进行读取数据时提示读取状态。
初始化FLASH存储器的作用是找出存有最新有效数据的读逻辑地址，系统随机断电时，FLASH存储器无法调用，同时其读逻辑地址存有最新有效数据不会丢失；写入数据时更新读逻辑地址作用是保护数据，而写入数据时不断的更新读逻辑地址，将新的读逻辑地址内存有新的数据，同时此时系统发生随机断电，新的读逻辑地址已经存到FLASH存储器，数据不会发生丢失；同时在更新读逻辑地址还有判断FLASH存储器的存储页逻辑地址的环节，每次写入需要判断当前逻辑地址是否为存储页最后一条逻辑地址，若是才擦除下一页，比现有技术中每次写入都要擦除一页更加方便，简化了写入数据的过程。写入数据时更新读逻辑地址还有一个作用是，通过不断变更读逻辑地址存储对FLASH进行读写，FLASH存储器内部擦除区域不定，使得FLASH存储器均衡磨损，延长FLASH使用寿命。
本发明有以下有益效果：通过写入数据时更新读逻辑地址，保证系统随机断电数据不会丢失；判断写入逻辑地址是否为存储页PAGE的最后一个，若是则擦除下一存储页PAGE的数据，简化了写入数据的过程；通过不断变更读逻辑地址存储对FLASH进行读写，FLASH存储器内部擦除区域不定，使得FLASH存储器均衡磨损，延长FLASH使用寿命。

Claims (6)

1.一种FLASH存储器管理方法，其特征是，包括以下过程：一种FLASH存储器管理方法，其特征是，包括以下过程：初始化FLASH存储器，找出存有最新有效数据的读逻辑地址；写入数据时更新读逻辑地址，新的读逻辑地址内存有新的数据，每次写入需要判断当前逻辑地址是否为存储页最后一条逻辑地址，若是才擦除下一页；读取数据时提示读取状态；
所述初始化FLASH存储器具体包括以下步骤：
S101：从定义的FLASH存储区逻辑地址0开始，依次向后查找是否存在STATUS标记为空的存储单元，若是进行S102，若否进行S103；
S102：从当前逻辑地址依次向前查找是否存在通过CRC16校验的存储单元，若是进行S104,若否进行S103；
S103：擦除整个FLASH存储器的存储区，设置定义FLASH存储器的存储区最大逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束；
S104：设置当前存储单元逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束。
2.根据权利要求1所述的一种FLASH存储器管理方法，其特征是，所述写入数据时更新读逻辑地址的具体过程包括以下步骤：
S201：判断写入数据与FLASH存储器内部读出的应用数据是否一致，若是直接结束，不写入FLASH存储器，若否进行S202；
S202：计算写入逻辑地址；
S203：判断写入逻辑地址是否为存储页PAGE的最后一个，若是则擦除下一存储页PAGE的数据，再进行S204；
S204：计算、校验、打包数据，写入FLASH存储器，并将写入逻辑地址作为新的读逻辑地址。
3.根据权利要求2所述的一种FLASH存储器管理方法，其特征是，在步骤S202中，计算写入逻辑地址公式为：
写入逻辑地址=（读逻辑地址+1）% 总逻辑地址数。
4.根据权利要求1所述的一种FLASH存储器管理方法，其特征是，所述读取数据时提示读取状态的具体过程包括以下步骤：
S301：从当前读逻辑地址读取数据；
S302：判断数据是否存在通过CRC16校验，若是则提示读取成功，若否则提示读取失败。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种FLASH存储器管理方法，其特征是，在所述写入数据时更新读逻辑地址前先进行初始化FLASH存储器；在所述读取数据时提示读取状态前先进行初始化FLASH存储器。
6.根据权利要求1-4任一项所述的一种FLASH存储器管理方法，其特征是，先进行初始化FLASH存储器，再进行写入数据时更新读逻辑地址，最后进行读取数据时提示读取状态。
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