WO2021053753A1 - 真空形成部材、真空形成装置及び荷電粒子装置 - Google Patents

真空形成部材、真空形成装置及び荷電粒子装置 Download PDF

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epk
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貴行 舩津
龍 菅原
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/10Lenses
    • H01J37/14Lenses magnetic
    • H01J37/141Electromagnetic lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/18Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel

Definitions

  • the lower surface of the flange member 13 that supports the beam irradiation device 1 and extends outward from the outer surface of the beam irradiation device 1 is connected to the upper surface of the support member 32 via an interval adjusting system 19.
  • the beam irradiation device 1 is arranged so as to penetrate the opening 321.
  • the support frame 3 can support the beam irradiation device 1 so as to be lifted by the upper surface of the support member 32.
  • the support frame 3 may function as a stopper for preventing the beam irradiation device 1 from moving toward the sample W so as to prevent the beam irradiation device 1 from colliding with the sample W.
  • the interval adjusting system 19 may move the beam irradiation device 1 along at least one of the X-axis direction, the Y-axis direction, the ⁇ X direction, the ⁇ Y direction, and the ⁇ Z direction.
  • the interval adjusting system 19 may be referred to as a position changing device.
  • the scanning electron microscope SEMa includes a position measuring device 15. ing.
  • the position measuring device 15 includes, for example, at least one of an encoder and a laser interferometer.
  • the position measuring device 15 may measure at least one of the position in the X direction and the position in the Y direction, the posture in the ⁇ X direction, and the posture in the ⁇ Y direction of the beam irradiation device 1.
  • this computer program is a computer program for making the control device 4 function so that the scanning electron microscope SEMa performs the operation described later.
  • the computer program executed by the arithmetic unit may be recorded in a memory (that is, a recording medium) included in the control device 4, or may be an arbitrary storage medium built in the control device 4 or externally attached to the control device 4. It may be recorded in (for example, a hard disk or a semiconductor memory). Alternatively, the arithmetic unit may download the computer program to be executed from an external device of the control device 4 via the network interface.
  • the control device 4 may generate information (hereinafter, referred to as “image information”) regarding the image of the sample W based on the detection result of the electron detector 114.
  • the image information may include information about the image of the surface WSu of the sample W.
  • the electron detector 114 detects the electrons generated when the electron beam EB is irradiated while the beam irradiation device 1 is scanning the surface WSu of the sample W with the electron beam EB.
  • the electron detector 114 is, for example, the electrons generated when the electron beam EB is irradiated to the first position of the surface WSu of the sample W, the sample W.
  • the beam passage space SPb2 To prevent the electron beam EB passing through the beam passage space SPb2 from passing through the differential exhaust system 12 (that is, leaking to the outside of the differential exhaust system 12) and / or a magnetic field outside the beam irradiation device 1.
  • at least a part of the differential exhaust system 12 may be composed of a high magnetic permeability material. ..
  • the beam passing space SPb2 may be a vacuum space during the period when the electron beam EB is not irradiated.
  • the vacuum pump 52 passes the beam passage space SPb3 through the exhaust passages EP1 to EP3 in a state where the differential exhaust system 12 (particularly, the injection surface 12LS) faces a part of the surface WSu of the sample W.
  • the vacuum pump 52 has a beam passage space SPb3 in a state where each of the exhaust passages EP1 to EP3 (particularly, the end portions thereof, substantially exhaust grooves 1251 to 1253) face a part of the surface WSu of the sample W.
  • the differential exhaust system 12 can form a vacuum region VSP including the beam passing space SPb3 between the beam irradiation device 1 and the surface WSu of the sample W.
  • the space SP1 includes, for example, a space in contact with at least one of the beam ejection port 1250 and the exhaust grooves 1251 to 1253.
  • the space SP1 includes a space facing (that is, touching) a portion of the surface WSu of the sample W located directly below at least one of the beam injection port 1250 and the exhaust grooves 1251 to 1253.
  • the differential exhaust system 12 forms a vacuum region VSP in the space SP1 by discharging gas from the space SP1 facing the surface WSu of the sample W. The gas discharged from the space SP1 is recovered by the vacuum pump 52 from the exhaust passages EP1 to EP3.
  • the vacuum region VSP is a region in which gas molecules are present only to such an extent that the electron beam EB irradiates the sample W appropriately.
  • the vacuum region VSP is, for example, a region where the pressure is 1 ⁇ 10 -3 Pascal or less (for example, generally on the order of 1 ⁇ 10 -3 Pascal to 1 ⁇ 10 -4 Pascal). That is, the pressure of the space SP1 in which the vacuum region VSP is formed is 1 ⁇ 10 -3 Pascal or less (for example, approximately on the order of 1 ⁇ 10 -3 Pascal to 1 ⁇ 10 -4 Pascal).
  • the beam passage space SPb2-1 includes a hole (that is, a through hole) that penetrates the vacuum forming member 121.
  • the beam passage space SPb2-1 penetrates the vacuum forming member 121 from the lower surface 121Sl of the vacuum forming member 121 toward the upper surface 121Su of the vacuum forming member 121.
  • the beam passing space SPb2-1 is a beam of the beam optical system 11 via one end of the beam passing space SPb2-1 (in FIG. 5, the end on the + Z side and the opening formed in the upper surface 121Su). It is connected to the passage space SPb1 (see FIG.
  • the vacuum forming member 122 further includes an exhaust passage EP1-2 forming a part of the exhaust passage EP1, an exhaust passage EP2-2 forming a part of the exhaust passage EP2, and an exhaust gas forming a part of the exhaust passage EP3.
  • a passage EP3-2 is formed.
  • the exhaust passage EPk-2 is a space (more specifically) outside the vacuum forming member 122 via the other end of the exhaust passage EPk-2 (in the example shown in FIG. 5, an opening formed in the lower surface 122Sl). Is connected to the exhaust passage EPk-3) formed in the vacuum forming member 123 described later. That is, the vacuum forming member 122 is connected to the vacuum forming members 121 and 123 so that a series of exhaust passages EPk is formed by connecting the exhaust passages EPk-2 to the exhaust passages EPk-1 and EPk-3, respectively. Combined (eg, stacked).
  • the number of exhaust passages EPk-1 may be half the number of exhaust passages EPk-21 integrated in the exhaust passage EPk-1.
  • FIG. 8B shows an example in which the number of exhaust passages EPk-1 is one and the number of exhaust passages EPk-21 is two.
  • the four exhaust passages EPk-31 # 1 to # 4 are connected to the space SP1 via their respective ends T32 # 1 to # 4 on the ⁇ Z side. That is, the four exhaust passages EPk-31 # 1 to # 4 are connected to the space SP1 via the positions C34 # 1 to # 4 where the respective ends T32 # 1 to # 4 on the ⁇ Z side exist. Will be done.
  • the differential exhaust system 12 passes through the exhaust passage EPk-31 # 2 and the groove portion T4 # 2 to the air pressure in the space near the groove portion T4 # 2 (that is, the exhaust passage EPk-31 # 2 and the space). It can be said that the atmospheric pressure at the connection position with SP1) can be adjusted.
  • the exhaust passage EPk-31 # 3 is considered to be connected to the space SP1 at the groove portion T4 # 3 corresponding to the end of the flow path through which the gas flowing toward the exhaust passage EPk-31 # 3 in the exhaust groove 125k. You may.
  • the differential exhaust system 12 is formed so as to satisfy the surface area condition that the surface areas of the inner walls of the plurality of upstream exhaust passages joining the same downstream exhaust passage are equal to each other. It may have been.
  • the surface area condition is the first position from the position where the first upstream exhaust passage is connected to the space SP1 to the position where the first upstream exhaust passage and the downstream exhaust passage are connected.
  • the surface area of the inner wall of the upstream exhaust passage is from the position where the second upstream exhaust passage is connected to the space SP1 to the position where the second upstream exhaust passage and the downstream exhaust passage are connected.
  • the condition may be equal to the surface area of the inner wall of the second upstream exhaust passage.
  • the distance from the through hole of the first upstream exhaust passage to the through hole of the downstream exhaust passage is the same downstream side from the through hole of the second upstream exhaust passage. It may be a condition that it is equal to the distance to the through hole of the exhaust passage of.
  • the second distance condition is that the distance between the exhaust passage EPk-31 # 1 and the exhaust passage EPk-21 # 1 is the same as that of the exhaust passage EPk-31 # 2 and the exhaust passage EPk-21 # 1. It may include the condition that it is equal to the distance between.
  • the differential exhaust system 12 has a gas pressure at a position where the first upstream exhaust passage is connected to the space SP1 and the first upstream exhaust passage and the downstream side.
  • the difference between the gas pressure at the position where the exhaust passage is connected to the exhaust passage is the gas pressure at the position where the second upstream exhaust passage is connected to the space SP1 and the difference between the gas pressure and the second upstream exhaust passage and the downstream side.
  • the differential exhaust may be performed so as to satisfy the first pressure difference condition that the difference from the gas pressure at the position where the exhaust passage is connected is equal.
  • the exhaust passage EPk-32 which can function as an aggregation path for consolidating a plurality of exhaust passages EPk-31 into the exhaust passage EPk-2, also has a plurality of exhaust passages EPk-21b.
  • the exhaust passage EPk-22b which can function as an exhaust passage EPk-22b, which can function as an exhaust passage EPk-1, it may have a shape extending away from the beam passage space SPb2-3 in one direction.
  • the position C23 # j where the exhaust passage EPk-32 # i is connected to the exhaust passage EPk-2 # j is higher than the end T32 # i on the ⁇ Z side of the exhaust passage EPk-31 # i (that is, the position).
  • This third distance condition is along the Z-axis direction of the first upstream exhaust passage when the first and second upstream exhaust passages merge into the same downstream exhaust passage.
  • the sum of the distance from the exhaust passage on the downstream side to the exhaust passage on the downstream side is the sum of the exhaust passages on the second upstream side from the + Z side end of the portion of the exhaust passage on the first upstream side extending along the Z-axis direction.
  • the vacuum forming member 1231d is a member for forming a vacuum region VSP.
  • the member for forming the vacuum region VSP includes, for example, a member that contributes to exhaust for forming the vacuum region VSP.
  • the member for forming the vacuum region VSP is a member for forming at least one inner wall of the beam passage space SPb2 and the exhaust passages EP1 to EP3 (that is, the inner wall defining the exhaust space).
  • the vacuum forming member 1231d is a member having an annular shape in the plane along the XY plane, and the inner wall thereof is the inner wall of the beam passage space SPb2 (particularly, the beam passage space SPb2-3).
  • the outer wall thereof is a member that constitutes the inner wall of the exhaust passage EP1 (particularly, the exhaust passage EP1-3).
  • the vacuum forming member 1232d is used as a part of the differential exhaust system 12d (in the example shown in FIG. 12, a part of the vacuum forming member 123d) and a part of the objective lens 14d (example shown in FIG. 21). Then, it is also used as a part of the yoke 142d).
  • the yoke portion 1242d is used as a member for forming the lens magnetic field and also as a member for forming the vacuum region VSP.
  • the yoke portion 1242d is used as a part of the objective lens 14d (a part of the yoke 142d in the example shown in FIG. 21) and a part of the differential exhaust system 12d (a vacuum in the example shown in FIG. 21). It is also used as a part of the forming member 123d).
  • the differential exhaust system 12d A part of the above may be arranged in the internal space of the yoke 142d (that is, the internal space of the objective lens 14d).
  • a part of the vacuum forming member 124d (specifically, a part of each of the vacuum forming members 122, 123 and 124d) is arranged in the internal space of the yoke 142d.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing the structure of the beam irradiation device 1e of the fifth embodiment.
  • the user may operate the mouse cursor 71j using a mouse which is an example of the input device.
  • the user may operate an arbitrary display object by using an arbitrary input device other than the mouse (for example, a keyboard, a touch pen, a touch panel, and a controller).
  • the display object 72j may be movable according to the operation content of the user using the input device. For example, the user may move the display object 72j toward an area where the user desires to perform the measurement by the beam irradiation device 1. In this case, the user alternately repeats the operation of moving the display object 72j and the second operation described above to measure each of the plurality of regions on the sample W by the beam irradiation device 1 at a predetermined magnification. Can be set as a power area.
  • the beam irradiation device 1l of the twelfth embodiment is inside the inner wall 12W of the differential exhaust system 12 forming the beam passage space SPb2 as compared with the beam irradiation device 1 of the first embodiment. It differs in that the objective lens 14 is arranged in the. That is, the beam irradiation device 1l is different from the beam irradiation device 1 in that the objective lens 14 is arranged in the beam passage space SPb2 formed inside the differential exhaust system 12. Other features of the beam irradiation device 1l may be the same as those of the beam irradiation device 1.
  • At least one of the scanning electron microscope SEMb of the second embodiment to the scanning electron microscope SEMk of the eleventh embodiment may also have the same structure as the scanning electron microscope SEMl of the twelfth embodiment. .. That is, even in at least one of the scanning electron microscope SEMb of the second embodiment to the scanning electron microscope SEMk of the eleventh embodiment, even if at least a part of the objective lens 14 is arranged in the beam passing space SPb2. Good.
  • the vacuum region VSP formed by the differential exhaust system 12 covers a part of the surface WSu of the sample W and / or faces a part of the surface WSu of the sample W while facing the surface of the stage 22 (eg, the surface WSu). It may not cover at least a part of the outer peripheral surface OS) and / or may not face at least a part of the surface of the stage 22 (for example, the outer peripheral surface OS).

Abstract

物体の面に接する空間から気体を排出して真空領域を形成する真空形成部材は、排出された気体が流入する第1流路と、排出された気体が流入する第2流路と、第1及び第2流路と接続し、第1及び第2流路を通過した気体が流入する第3流路とが形成され、真空領域の周囲の真空領域よりも気圧が高い空間の気体は、第1及び第2流路との少なくとも一方を介して排出され、第1及び第2流路は、第3流路を介して排気装置に接続可能であり、第1及び第2流路は、気体が排出される空間とそれぞれ互いに異なる位置で接続する。

Description

真空形成部材、真空形成装置及び荷電粒子装置
 本発明は、例えば、真空領域を形成するための真空形成部材、真空形成部材を備える真空形成装置、及び、荷電粒子を照射する荷電粒子装置の技術分野に関する。
 荷電粒子を照射する荷電粒子装置は、荷電粒子が気体分子との衝突によって散乱してしまうことを防止するために、真空領域を介して荷電粒子を照射する。例えば、特許文献1には、荷電粒子の一例である電子ビームが照射される被検物の検査対象部分の周囲を外気から遮断して局所的な真空領域を形成する走査型電子顕微鏡が記載されている。このような装置(更には、真空領域を形成する任意の装置)では、真空領域を適切に形成することが課題となる。
米国特許出願公開第2004/0144928号明細書
 第1の態様によれば、排気装置と接続可能であって、物体の面に接する空間の少なくとも一部から気体を排出して、真空領域を形成する真空形成部材であって、前記物体の前記面に接する前記空間の少なくとも一部から排出された気体が流入する第1流路と、前記物体の前記面に接する前記空間の少なくとも一部から排出された気体が流入する第2流路と、前記第1流路及び前記第2流路と接続し、前記第1流路を通過した前記気体及び前記第2流路を通過した前記気体が流入する第3流路とが形成され、前記真空領域の周囲の前記真空領域よりも気圧が高い空間の少なくとも一部の気体は、前記真空形成部材の前記第1流路と前記第2流路との少なくとも一方を介して排出され、前記第1流路及び前記第2流路は、前記第3流路を介して前記排気装置に接続可能であり、前記第1流路及び前記第2流路は、前記物体の前記面に接し前記気体が排出される前記空間と、それぞれ互いに異なる位置で接続する真空形成部材が提供される。
 第2の態様によれば、上述した第1の態様によって提供される真空形成部材と、荷電粒子を照射する荷電粒子照射装置とを備え、前記荷電粒子照射装置から照射される前記荷電粒子の通路は前記真空領域の少なくとも一部を含む荷電粒子装置が提供される。
 第3の態様によれば、排気装置と接続可能であって、物体の面に接する空間の少なくとも一部から気体を排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、前記真空形成部材に少なくとも一部が形成され、前記物体の前記面に接する空間の少なくとも一部から排出された気体が流入する第1流路と、前記真空形成部材に少なくとも一部が形成され、前記物体の前記面に接する空間の少なくとも一部から排出された気体が流入する第2流路とを備え、前記真空領域の周囲の前記真空領域よりも気圧が高い空間の少なくとも一部の気体は、前記真空形成部材の前記第1流路と前記第2流路との少なくとも一方を介して排出され、前記第1流路及び前記第2流路は、前記物体の前記面に接し前記気体が排出される前記空間と、それぞれ互いに異なる位置で接続し、前記物体の前記面に接する空間と前記第1流路との接続位置における気圧を調整可能である真空形成装置が提供される。
 第4の態様によれば、排気装置と接続可能な流路を有し、物体の面に接する空間の気体を前記流路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、前記真空形成部材が備える部材を用いて、荷電粒子を前記物体に導く光学素子とを備える荷電粒子装置が提供される。
 第5の態様によれば、排気装置と接続可能な流路を有し、物体の面に接する空間の気体を前記流路を介して排出して真空領域を形成する真空形成部材と、荷電粒子を前記物体に導くと共に、磁場を発生可能な磁極部材と前記磁極部材が内部に配置されるヨーク部材とを備える光学素子とを備え、前記真空形成部材は、前記ヨーク部材の少なくとも一部を構成する部材を備える荷電粒子装置が提供される。
 第6の態様によれば、排気装置と接続可能な流路を有し、物体の面に接する空間の気体を前記流路を介して排出して真空領域を形成する真空形成部材と、荷電粒子を前記物体に導くと共に、磁場を発生可能な磁極部材と前記磁極部材が内部に配置されるヨーク部材のうちの第1部分とを備える光学素子とを備え、前記真空形成部材は、前記ヨーク部材のうちの前記第1部分とは異なる第2部分を構成する部材として備える荷電粒子装置が提供される。
 第7の態様によれば、排気装置と接続可能な流路を有し、物体の面に接する空間の気体を前記流路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、荷電粒子を試料に導き、前記真空形成部材の少なくとも一部を挟みこむ及び/又は内部に包含するように配置され、且つ、前記物体の表面に対向可能である光学素子とを備える荷電粒子装置が提供される。
 第8の態様によれば、排気装置と接続可能な第1の管路を有し、物体の面に接する第1空間の気体を前記第1の管路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、前記真空領域を介して荷電粒子を試料に向けて照射する照射装置と、前記試料からの荷電粒子を検出する検出装置と、前記照射装置から照射される荷電粒子が通過する空間であって且つ前記試料と前記検出装置との間の空間を含む第2空間と接続する第2の管路とを備え、前記真空領域の周囲の前記真空領域よりも気圧が高い第1空間の少なくとも一部の気体は、前記第1の管路を介して排出され、前記第2の管路を介して、前記第2空間の少なくとも一部から気体を排出する荷電粒子装置が提供される。
 本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
図1は、第1実施形態の走査型電子顕微鏡の全体構造を示す断面図である。 図2は、第1実施形態の走査型電子顕微鏡が備えるビーム照射装置の構造を示す断面図である。 図3(a)から図3(c)のそれぞれは、対物レンズと差動排気系との位置関係の一例を示す断面図である。 図4(a)から図4(b)のそれぞれは、対物レンズの下面の形状の一例を示す断面図である。 図5は、第1実施形態の差動排気系の構造を示す断面図である。 図6は、第1実施形態の差動排気系の構造を、複数の真空形成部材をZ軸方向に沿って分離した状態で示す斜視図である。 図7は、第1実施形態の真空形成部材の下面を示す平面図である。 図8(a)は、第1実施形態の真空形成部材の下面を示す平面図であり、図8(b)は、第1実施形態の真空形成部材の上面を示す平面図である。 図9(a)は、第1実施形態の真空形成部材の下面を示す平面図であり、図9(b)は、第1実施形態の真空形成部材の上面を示す平面図である。 図10(a)は、第1実施形態の真空形成部材の下面を示す平面図であり、図10(b)は、第1実施形態の真空形成部材の上面を示す平面図である。 図11は、第1実施形態の差動排気系における排気通路の合流の様子を模式的に示す平面図である。 図12は、第2実施形態の走査型電子顕微鏡が備えるビーム照射装置の構造を示す断面図である。 図13は、第2実施形態の差動排気系の構造を示す断面図である。 図14(a)は、第2実施形態の真空形成部材の下面を示す平面図であり、図14(b)は、第2実施形態の真空形成部材の上面を示す平面図である。 図15(a)は、第2実施形態の真空形成部材の下面を示す平面図であり、図15(b)は、第2実施形態の真空形成部材の上面を示す平面図である。 図16は、第2実施形態の真空形成部材の下面を示す平面図である。 図17は、第2実施形態の差動排気系における排気通路の合流の様子を模式的に示す斜視図である。 図18は、排気通路を示す平面図である。 図19は、排気通路を示す平面図である。 図20は、第3実施形態の走査型電子顕微鏡が備えるビーム照射装置の構造を示す断面図である。 図21は、第4実施形態の走査型電子顕微鏡が備えるビーム照射装置の構造を示す断面図である。 図22は、第5実施形態の走査型電子顕微鏡が備えるビーム照射装置の構造を示す断面図である。 図23は、第6実施形態の走査型電子顕微鏡が備えるビーム照射装置の構造を示す断面図である。 図24は、第7実施形態の走査型電子顕微鏡が備えるビーム照射装置の構造を示す断面図である。 図25(a)は、第8実施形態の電子検出器に取り付けられるカバーを示す平面図であり、図25(b)は、図25(a)に示す電子検出器及びカバーのA-A’断面を示す断面図である。 図26は、第9実施形態の走査型電子顕微鏡が備えるビーム照射装置の構造を示す断面図である。 図27は、第10実施形態の走査型電子顕微鏡の構造を示す断面図である。 図28は、ビーム照射装置が電子ビームを照射可能な位置に試料が位置するように移動したステージを示す断面図である。 図29は、光学顕微鏡が試料の状態を計測可能な位置に試料が位置するように移動したステージを示す断面図である。 図30は、光学顕微鏡で計測された試料の表面の画像を表示するディスプレイを示す平面図である。 図31は、光学顕微鏡で計測された試料の表面の画像を表示するディスプレイを示す平面図である。 図32は、光学顕微鏡で計測された試料の表面の画像を表示するディスプレイを示す平面図である。 図33は、光学顕微鏡で計測された試料の表面の画像を表示するディスプレイを示す平面図である。 図34は、ベースラインチェック用の指標が形成されたステージを示す平面図である。 図35は、第11実施形態の走査型電子顕微鏡の全体構造を示す断面図である。 図36は、第12実施形態の走査型電子顕微鏡が備えるビーム照射装置の構造を示す断面図である。 図37は、第12実施形態の走査型電子顕微鏡が備えるビーム照射装置の他の構造を示す断面図である。 図38は、第1変形例においてステージが試料を保持する様子を示す断面図である。 図39は、第2変形例においてステージが試料を保持する様子を示す断面図である。 図40は、第3変形例においてステージが試料を保持する様子を示す断面図である。
 以下、図面を参照しながら、真空形成部材、真空形成装置及び荷電粒子装置の実施形態について説明する。以下では、局所的な真空領域VSPを介して電子ビームEBを試料Wに照射して当該試料Wに関する情報を取得する(例えば、試料Wの状態を計測する)走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)SEMを用いて、真空形成部材、真空形成装置及び荷電粒子装置の実施形態を説明する。試料Wは、例えば、半導体基板である。但し、試料Wは、半導体基板とは異なる物体であってもよい。試料Wは、例えば、直径が約300ミリメートルであり、厚さが約750マイクロメートルから800マイクロメートルとなる円板状の基板であってもよい。但し、試料Wは、任意のサイズを有する任意の形状の基板(或いは、物体)であってもよい。例えば、試料Wは、液晶表示素子等のディスプレイのための角形基板やフォトマスクのための角形基板であってもよい。
 また、以下の説明では、互いに直交するX軸、Y軸及びZ軸から定義されるXYZ直交座標系を用いて、走査型電子顕微鏡SEMを構成する各種構成要素の位置関係について説明する。尚、以下の説明では、説明の便宜上、X軸方向及びY軸方向のそれぞれが水平方向(つまり、水平面内の所定方向)であり、Z軸方向が鉛直方向(つまり、水平面に直交する方向であり、実質的には上下方向)であるものとする。更に、+Z側が上方(つまり、上側)に相当し、-Z側が下方(つまり、下側)に相当するものとする。また、-Z方向を重力方向と称してもよい。尚、Z軸方向は、走査型電子顕微鏡SEMが備える後述のビーム光学系11の光軸AXに平行な方向でもある。また、X軸、Y軸及びZ軸周りの回転方向(言い換えれば、傾斜方向)を、それぞれ、θX方向、θY方向及びθZ方向と称する。
 (1)第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMa
 はじめに、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEM(以降、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMを、“走査型電子顕微鏡SEMa”と称する)について説明する。
 (1-1)走査型電子顕微鏡SEMaの全体構造
 まずは、図1を参照しながら、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaの全体構造について説明する。図1は、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaの全体構造を示す断面図である。尚、図面の簡略化のために、図1は、走査型電子顕微鏡SEMaの一部の構成要素については、その断面を示していない。
 図1に示すように、走査型電子顕微鏡SEMaは、ビーム照射装置1と、ステージ装置2と、支持フレーム3と、制御装置4と、ポンプ系5とを備える。更に、ポンプ系5は、真空ポンプ51と、真空ポンプ52とを備える。
 ビーム照射装置1は、ビーム照射装置1から下方に向けて電子ビームEBを射出可能である。ビーム照射装置1は、ビーム照射装置1の下方に配置されるステージ装置2が保持する試料Wに対して電子ビームEBを照射可能である。この際、ビーム照射装置1は、ビーム照射装置1と試料Wの表面Wsuとの間に真空領域VSPを形成した上で、当該真空領域VSPを介して試料Wに電子ビームEBを照射する。つまり、第1実施形態では、電子ビームEBの通路は、真空領域VSPの少なくとも一部を含む。尚、ビーム照射装置1の詳細な構造については、後に図2等を参照しながら説明するため、ここでの説明を省略する。
 ステージ装置2は、ビーム照射装置1の下方(つまり、-Z側)に配置される。ステージ装置2は、定盤21と、ステージ22とを備える。定盤21は、床等の支持面SF上に配置される。ステージ22は、定盤21上に配置される。ステージ22と定盤21との間には、定盤21の振動のステージ22への伝達を防止するための不図示の防振装置が設置されている。
 ステージ22は、試料Wを保持可能である。例えば、ステージ22は、試料Wを真空吸着又は静電吸着することで試料Wを保持してもよい。ビーム照射装置1に対向する保持面(図1に示す例では、+Z側を向いている面)HSで試料Wを保持可能である。ステージ22は、保持した試料Wをリリース可能である。ステージ22は、制御装置4の制御下で、試料Wを保持したまま、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、θX方向、θY方向及びθZ方向のうちのうちの少なくとも一つに沿って移動可能である。ステージ22を移動させるために、ステージ装置2は、ステージ駆動系23を備えている。ステージ駆動系23は、例えば、任意のモータ(例えば、リニアモータ等)を用いて、ステージ22を移動させる。更に、ステージ装置2は、ステージ22の位置を計測する位置計測装置24を備えている。位置計測装置24は、例えば、エンコーダ及びレーザ干渉計のうちの少なくとも一方を含む。尚、ステージ22が試料Wを保持している場合には、制御装置4は、ステージ22の位置から試料Wの位置を特定可能である。尚、ステージ22は、ビーム照射装置1による電子ビームEBの位置と、ステージ22の位置(XYZ方向における位置)とを紐付けるための基準マークを備える基準板を有していてもよい。
 ステージ22がXY平面に沿って移動すると、XY平面に沿った方向における試料Wとビーム照射装置1との相対位置が変わる。このため、ステージ22がXY平面に沿って移動すると、XY平面に沿った方向における試料Wと試料Wの表面(具体的には、+Z側を向いた面)WSuにおける電子ビームEBの照射領域との相対位置が変わる。つまり、ステージ22がXY平面に沿って移動すると、XY平面に沿った方向において、電子ビームEBの照射領域が試料Wの表面WSuに対して移動する。尚、典型的には試料Wの表面WSuがXY平面に平行な面であるがゆえに、試料Wの表面WSuに沿った方向において、電子ビームEBの照射領域が試料Wの表面WSuに対して移動する。更に、ステージ22がXY平面に沿って移動すると、XY平面に沿った方向における試料Wと真空領域VSPとの相対位置が変わる。このため、ステージ22がXY平面に沿って移動すると、XY平面に沿った方向において、試料Wの表面WSuに対して真空領域VSPが移動する。この場合、制御装置4は、試料Wの表面WSuの所望位置に電子ビームEBが照射され且つ真空領域VSPが形成されるように、ステージ駆動系23を制御してステージ22をXY平面に沿って移動させてもよい。その結果、ステージ22が移動したとしても、電子ビーム照射装置1と試料Wとの間における電子ビームEBの通路(つまり、電子ビームEBが伝搬する経路又は空間)は、真空領域VSPの少なくとも一部に含まれる。つまり、走査型電子顕微鏡SEMaは、ステージ22が移動したとしても、真空領域VSPを介して試料Wに電子ビームEBを照射することができる。
 ステージ22がZ軸に沿って移動すると、Z軸に沿った方向における試料Wとビーム照射装置1との相対位置が変わる。このため、ステージ22がZ軸に沿って移動すると、Z軸に沿った方向における試料Wと電子ビームEBのフォーカス位置との相対位置が変わる。制御装置4は、試料Wの表面WSuに(或いは、表面WSuの近傍に)電子ビームEBのフォーカス位置が設定されるように、ステージ駆動系23を制御してステージ22をZ軸に沿って移動させてもよい。ここで、電子ビームEBのフォーカス位置は、電子ビーム照射装置1が備える後述のビーム光学系11(図2参照)の結像位置に対応する焦点位置又は電子ビームEBのぼけが最も少なくなるようなZ軸方向の位置であってもよい。
 更に、ステージ22がZ軸に沿って移動すると、試料Wとビーム照射装置1との間の間隔Dが変わる。このため、ステージ駆動系23は、制御装置4の制御下で、後述する間隔調整系19と協調しながら、間隔Dが所望間隔D_targetとなるようにステージ22を移動させてもよい。このとき、制御装置4は、位置計測装置24の計測結果(更には、後述するビーム照射装置1の位置(特に、差動排気系12の位置)を計測する位置計測装置15の計測結果)に基づいて、実際の間隔Dを特定すると共に、特定した間隔Dが所望間隔D_targetとなるようにステージ駆動系23及び間隔調整系19の少なくとも一方を制御する。このため、位置計測装置15及び24は、間隔Dを検出する検出装置としても機能し得る。尚、試料WのZ軸方向の厚み(寸法)が既知である場合、制御装置4は、実際の間隔Dに代えて又は加えて、ビーム照射装置1と基準面(例えば基準板の表面)とのZ軸方向における距離に関する情報と、試料WのZ軸方向の厚み(寸法)に関する情報とを用いて、ビーム照射装置1と試料Wとの間の間隔Dが所望間隔D_targetとなるように、ステージ駆動系23及び間隔調整系19のうち少なくとも一方を制御してもよい。
 支持フレーム3は、ビーム照射装置1を支持する。具体的には、支持フレーム3は、支持脚31と、支持部材32とを備える。支持脚31は、支持面SF上に配置される。支持脚31と支持面SFとの間には、支持面SFの振動の支持脚31への伝達を防止する又は低減するための不図示の防振装置が設置されていてもよい。支持脚31は、例えば、支持面SFから上方に延びる部材である。支持脚31は、支持部材32を支持する。支持部材32は、平面視において、中心に開口321が形成された環状のプレート部材である。支持部材32の上面には、間隔調整系19を介して、ビーム照射装置1を支持すると共にビーム照射装置1の外面から外側に延びるフランジ部材13の下面が連結されている。このとき、ビーム照射装置1は、開口321を貫通するように配置される。その結果、支持フレーム3は、ビーム照射装置1を支持部材32の上面で吊り上げるように支持することができる。この場合、支持フレーム3は、ビーム照射装置1が試料Wと衝突することを防ぐようにビーム照射装置1が試料Wに向かって移動することを防ぐストッパとして機能してもよい。但し、支持フレーム3は、ビーム照射装置1を支持することができる限りは、図1に示す支持方法とは異なる他の支持方法でビーム照射装置1を支持してもよい。例えば、支持フレーム3は、吊り下げ支持機構によりビーム照射装置1を支持してもよい。この場合、支持フレーム3を収容するチャンバの天板(言い換えれば、天井壁)に防振パッドが固定されると共に、防振パッドの下端に一端が接続され且つ鋼材より成るワイヤの他端が支持フレーム3に接続されてもよい。防振パッドは、例えば、エアダンパ及び/又はコイルばねを含んでいてもよい。尚、支持脚31と支持部材32との間に、支持面SFの振動の支持部材32への伝達を防止する又は低減するための不図示の防振装置が設置されていてもよい。
 間隔調整系19は、少なくともZ軸に沿ってビーム照射装置1を移動させることで、ビーム照射装置1と試料Wとの間の間隔Dを調整する。例えば、間隔調整系19は、間隔Dが所望間隔D_targetとなるように、ビーム照射装置1をZ軸方向に沿って移動させてもよい。このような間隔調整系19として、例えば、モータの駆動力を用いてビーム照射装置1を移動させる駆動系、ピエゾ素子の圧電効果によって発生する力を用いてビーム照射装置1を移動させる駆動系、クーロン力(例えば、少なくとも2つの電極間に発生する静電力)を用いてビーム照射装置1を移動させる駆動系、及び、ローレンツ力(例えば、コイルと磁極との間に発生する電磁力)を用いてビーム照射装置1を移動させる駆動系のうちのうちの少なくとも一つが用いられてもよい。但し、ビーム照射装置1と試料Wとの間の間隔Dを固定したままでよい場合には、間隔調整系19に代えて、シム等の間隔調整部材が、支持部材32とフランジ部材13との間に配置されていてもよい。また、間隔調整系19は、ビーム照射装置1をX軸方向、Y軸方向、θX方向、θY方向及びθZ方向のうちのうちの少なくとも一つに沿って移動させてもよい。この場合、間隔調整系19は、位置変更装置と称してもよい。
 間隔調整系19によって移動可能なビーム照射装置1のZ方向における位置(特に、差動排気系12のZ方向における位置)を計測するために、走査型電子顕微鏡SEMaは、位置計測装置15を備えている。位置計測装置15は、例えば、エンコーダ及びレーザ干渉計のうちの少なくとも一方を含む。尚、位置計測装置15は、ビーム照射装置1のX方向における位置及びY方向における位置、θX方向における姿勢及びθY方向における姿勢のうちのうちの少なくとも一つを計測してもよい。また、ビーム照射装置1のX方向における位置及びY方向における位置、θX方向における姿勢及びθY方向における姿勢のうちのうちの少なくとも一つを計測する計測装置が、位置計測装置15と別に設けられていてもよい。
 制御装置4は、走査型電子顕微鏡SEMaの動作を制御する。制御装置4は、例えば、演算装置とメモリとを含んでいてもよい。演算装置は、CPU(Central Processing Unit)、GPU(Graphics Processing Unit)、DSP(Digital Signal Processor)及びMCU(Micro Control Unit)のうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。制御装置4は、演算装置がコンピュータプログラムを実行することで、走査型電子顕微鏡SEMaの動作を制御する装置として機能する。このコンピュータプログラムは、制御装置4が行うべき後述する動作を制御装置4(例えば、演算装置)に行わせる(つまり、実行させる)ためのコンピュータプログラムである。つまり、このコンピュータプログラムは、走査型電子顕微鏡SEMaに後述する動作を行わせるように制御装置4を機能させるためのコンピュータプログラムである。演算装置が実行するコンピュータプログラムは、制御装置4が備えるメモリ(つまり、記録媒体)に記録されていてもよいし、制御装置4に内蔵された又は制御装置4に外付け可能な任意の記憶媒体(例えば、ハードディスクや半導体メモリ)に記録されていてもよい。或いは、演算装置は、実行するべきコンピュータプログラムを、ネットワークインタフェースを介して、制御装置4の外部の装置からダウンロードしてもよい。
 例えば、制御装置4は、電子ビームEBを試料Wに照射するように、ビーム照射装置1を制御する。例えば、制御装置4は、試料Wの表面WSuのXY面内の所望位置に電子ビームEBが照射されるように、ビーム照射装置1及びステージ駆動系23の少なくとも一方を制御する。例えば、制御装置4は、ビーム照射装置1と試料Wとの間の間隔Dが所望間隔D_targetとなるように、ステージ駆動系23及び間隔調整系19の少なくとも一方を制御する。
 制御装置4は、走査型電子顕微鏡SEMaの内部に設けられていなくてもよく、例えば、走査型電子顕微鏡SEMa外にサーバ等として設けられていてもよい。この場合、制御装置4と走査型電子顕微鏡SEMaとは、有線及び/又は無線のネットワーク(或いは、データバス及び/又は通信回線)で接続されていてもよい。有線のネットワークとして、例えばIEEE1394、RS-232x、RS-422、RS-423、RS-485及びUSBのうちのうちの少なくとも一つに代表されるシリアルバス方式のインタフェースを用いるネットワークが用いられてもよい。有線のネットワークとして、パラレルバス方式のインタフェースを用いるネットワークが用いられてもよい。有線のネットワークとして、10BASE-T、100BASE-TX及び1000BASE-Tのうちのうちの少なくとも一つに代表されるイーサネット(登録商標)に準拠したインタフェースを用いるネットワークが用いられてもよい。無線のネットワークとして、電波を用いたネットワークが用いられてもよい。電波を用いたネットワークの一例として、IEEE802.1xに準拠したネットワーク(例えば、無線LAN及びBluetooth(登録商標)の少なくとも一方)があげられる。無線のネットワークとして、赤外線を用いたネットワークが用いられてもよい。無線のネットワークとして、光通信を用いたネットワークが用いられてもよい。この場合、制御装置4と走査型電子顕微鏡SEMaとはネットワークを介して各種の情報の送受信が可能となるように構成されていてもよい。また、制御装置4は、ネットワークを介して走査型電子顕微鏡SEMaにコマンドや制御パラメータ等の情報を送信可能であってもよい。走査型電子顕微鏡SEMaは、制御装置4からのコマンドや制御パラメータ等の情報を、上記ネットワークを介して受信する受信装置を備えていてもよい。
 尚、演算装置が実行するコンピュータプログラムを記録する記録媒体としては、CD-ROM、CD-R、CD-RWやフレキシブルディスク、MO、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-R、DVD+R、DVD-RW、DVD+RW及びBlu-ray(登録商標)等の光ディスク、磁気テープ等の磁気媒体、光磁気ディスク、USBメモリ等の半導体メモリ、及び、その他プログラムを格納可能な任意の媒体のうちのうちの少なくとも一つが用いられてもよい。記録媒体には、コンピュータプログラムを記録可能な機器(例えば、コンピュータプログラムがソフトウェア及びファームウェア等の少なくとも一方の形態で実行可能な状態に実装された汎用機器又は専用機器)が含まれていてもよい。更に、コンピュータプログラムに含まれる各処理や機能は、制御装置4(つまり、コンピュータ)がコンピュータプログラムを実行することで制御装置4内に実現される論理的な処理ブロックによって実現されてもよいし、制御装置4が備える所定のゲートアレイ(FPGA、ASIC)等のハードウェアによって実現されてもよいし、論理的な処理ブロックとハードウェアの一部の要素を実現する部分的ハードウェアモジュールとが混在する形式で実現してもよい。
 走査型電子顕微鏡SEMaは、制御装置4の制御下で、例えば、試料Wの表面WSuを電子ビームEBで走査するように、試料Wに対して電子ビームEBを照射する。具体的には、走査型電子顕微鏡SEMaは、試料Wの表面WSuの第1面部分に真空領域VSPが形成されるように、ステージ駆動系23を制御してステージ22をXY平面に沿って移動させる。試料Wの表面WSuの第1面部分に真空領域VSPが形成されるようにステージ22が移動した後、ビーム照射装置1は、試料Wの表面WSuの第1面部分に電子ビームEBを照射する。この際、ビーム照射装置1は、ビーム照射装置1が備える不図示の偏向器(例えば、静電偏向器及び電磁偏向器の少なくとも一方)を用いて電子ビームEBを偏向することで、第1面部分を電子ビームEBで走査する。ビーム照射装置1が試料Wの表面WSuの第1面部分に電子ビームEBを照射している期間中は、ステージ駆動系23は、ステージ22をXY平面に沿って移動させなくてもよい。第1面部分の電子ビームEBでの走査が完了した後、走査型電子顕微鏡SEMaは、試料Wの表面WSuの第2面部分に真空領域VSPが形成されるように、ステージ駆動系23を制御してステージ22をXY平面に沿って移動させる。試料Wの表面WSuの第2面部分に真空領域VSPが形成されるようにステージ22が移動した後、ビーム照射装置1は、試料Wの表面WSuの第2面部分に電子ビームEBを照射する。この際、ビーム照射装置1は、ビーム照射装置1が備える不図示の偏向器を用いて電子ビームEBを偏向することで、第2面部分を電子ビームEBで走査する。ビーム照射装置1が試料Wの表面WSuの第2面部分に電子ビームEBを照射している期間中もまた、ステージ駆動系23は、ステージ22をXY平面に沿って移動させなくてもよい。以降、試料Wの表面WSuのうち電子ビームEBを照射するべき対象領域に対する電子ビームEBの照射(つまり、走査)が完了するまで同様の処理が繰り返される。
 試料Wに対して電子ビームEBが照射されると、試料Wからは、試料Wに対する電子ビームEBの照射によって生じた電子が放出される。試料Wに対する電子ビームEBの照射によって生じた電子は、試料Wからの反射電子及び試料Wからの散乱電子の少なくとも一方を含む。散乱電子は、2次電子を含んでいてもよい。試料Wに対する電子ビームEBの照射によって生じた電子は、ビーム照射装置1が備える後述の電子検出器114(図2参照)によって検出される。制御装置4は、電子検出器114の検出結果に基づいて、試料Wに関する情報を生成する(つまり、取得する)。例えば、制御装置4は、電子検出器114の検出結果に基づいて、試料Wの像に関する情報(以降、“像情報”と称する)を生成してもよい。特に、像情報は、試料Wの表面WSuの像に関する情報を含んでいてもよい。具体的には、電子検出器114は、ビーム照射装置1が試料Wの表面WSuを電子ビームEBで走査している期間中に、電子ビームEBが照射された場合に生じた電子を検出する。その結果、表面WSuの電子ビームEBでの走査に合わせて、電子検出器114は、例えば、試料Wの表面WSuの第1位置に電子ビームEBが照射された場合に生じた電子、試料Wの表面WSuの第2位置に電子ビームEBが照射された場合に生じた電子、・・・、及び、試料Wの表面WSuの第K(但し、Kは2以上の整数)位置に電子ビームEBが照射された場合に生じた電子を検出する。この場合、制御装置4は、電子検出器114の検出結果に基づいて、電子の検出量の分布に関する情報を生成することができる。つまり、制御装置4は、電子検出器114の検出結果(つまり、電子の検出結果に関する情報)と、電子ビームEBの照射位置に関する情報とに基づいて、電子の検出量に応じた特性を有する像(いわゆるSEM像であり、第1実施形態では、試料Wの表面WSuの像)に関する像情報を生成することができる。
 (1-2)ビーム照射装置1の構造
 続いて、図2を参照しながら、第1実施形態のビーム照射装置1の構造について説明する。図2は、第1実施形態のビーム照射装置1の構造を示す断面図である。
 図2に示すように、ビーム照射装置1は、ビーム光学系11と、差動排気系12と、支持部材13と、電子光学素子14とを備えている。
 ビーム光学系11は、筐体111を備えている。筐体111は、ビーム光学系11の光軸AXに沿って延びる(つまり、Z軸に沿って延びる)ビーム通過空間SPb1が内部に確保されている円筒状の部材である。ビーム通過空間SPb1は、電子ビームEBが通過する空間として用いられる。ビーム通過空間SPb1を通過する電子ビームEBが筐体111を通過する(つまり、筐体111の外部へ漏れ出す)ことを防止するために及び/又はビーム照射装置1の外部の磁場(いわゆる、外乱磁場)がビーム通過空間SPb1を通過する電子ビームEBに影響を与えることを防止するために、筐体111は、高透磁率材料から構成されていてもよい。高透磁率材料の一例として、パーマロイ及びケイ素鋼の少なくとも一方があげられる。これらの高透磁率材料の比透磁率は1000以上である。
 ビーム通過空間SPb1は、電子ビームEBが照射される期間中は、真空空間となる。具体的には、ビーム通過空間SPb1には、ビーム通過空間SPb1に接続するように(つまり、つながるように)筐体111に形成される排気通路(つまり、管路、以下同じ)112を介して真空ポンプ51が連結されている。真空ポンプ51は、ビーム通過空間SPb1が真空空間となるように、ビーム通過空間SPb1を排気(つまり、気体を排出)して大気圧よりも減圧する。このため、第1実施形態における真空空間は、大気圧よりも圧力が低い空間を意味していてもよい。特に、真空空間は、電子ビームEBの試料Wへの適切な照射を妨げないほどにしか気体分子が存在しない空間(言い換えれば、電子ビームEBの試料Wへの適切な照射を妨げない真空度となる空間)を意味していてもよい。ビーム通過空間SPb1は、筐体111の下面に形成されたビーム射出口(つまり、開口)119を介して、筐体111の外部の空間(より具体的には、後述する差動排気系12のビーム通過空間SPb2)に接続している。尚、ビーム通過空間SPb1は、電子ビームEBが照射されない期間中に真空空間となってもよい。
 ビーム光学系11は更に、電子銃113と、電子検出器114とを備える。電子銃113は、-Z側に向けて電子ビームEBを放出する。尚、電子銃113の代わりに、光が照射されたとき電子を放出する光電変換面を用いてもよい。電子検出器114は、pn接合又はpin接合の半導体を使用した半導体型電子検出装置(つまり、半導体検出装置)である。電子検出器114は、上述したように、試料Wに対する電子ビームEBの照射によって生じた電子(つまり、試料Wから放出された電子)を検出する。尚、電子検出器114は、差動排気系12に配置されてもよい。
 図面の簡略化のために図2では図示していないものの、ビーム光学系11は、電子銃113が放出した電子ビームEBを制御する電磁レンズを備えていてもよい。例えば、この電磁レンズは、電子ビームEBが所定の光学面(例えば、電子ビームEBの光路に交差する仮想面)上に形成する像の回転量(つまり、θZ方向の位置)、当該像の倍率、及び、結像位置に対応する焦点位置のいずれか一つを制御してもよい。尚、磁場を用いて電子ビームEBを制御する電磁レンズの代わりに、電場を用いて電子ビームEBを制御する静電レンズを用いてもよい。また、ビーム光学系11は、電子ビームEBを偏向して、試料Wの表面WSuでの電子ビームEBの照射位置(特に、表面WSuに沿った方向(例えば、X軸及びY軸の少なくとも一方に沿った方向)における照射位置)を制御可能な偏向器を備えていてもよい。
 差動排気系12は、ビーム光学系11から下方に延びる部材である。差動排気系12は、ビーム光学系11の下方(つまり、-Z側)に配置される。差動排気系12は、ビーム光学系11の下方において、ビーム光学系11に接続(つまり、連結)される。例えば、差動排気系12は、差動排気系12の上面がビーム光学系11の下面に接続されるように、ビーム光学系11に接続されてもよい。差動排気系12は、気密部材を介して、ビーム光学系11に接続されてもよい。気密部材として、例えば、Oリング及びベローズの少なくとも一方があげられる。差動排気系12は、ビーム光学系11と一体化されていてもよいし、ビーム光学系11から分離可能であってもよい。
 差動排気系12の内部には、ビーム通過空間SPb2が形成されている。ビーム通過空間SPb2は、差動排気系12の上面(図2に示す例では、+Z側の面)に形成された開口120を介して、ビーム光学系11のビーム通過空間SPb1に接続している。ビーム通過空間SPb2は、ビーム通過空間SPb1と共に、真空ポンプ51によって排気される(つまり、減圧される)。従って、ビーム通過空間SPb2は、電子ビームEBが照射される期間中は、真空空間となる。ビーム通過空間SPb2は、ビーム通過空間SPb1からの電子ビームEBが通過する空間として用いられる。ビーム通過空間SPb2を通過する電子ビームEBが差動排気系12を通過する(つまり、差動排気系12の外部へ漏れ出す)ことを防止するために及び/又はビーム照射装置1の外部の磁場(いわゆる、外乱磁場)がビーム通過空間SPb2を通過する電子ビームEBに影響を与えることを防止するために、差動排気系12の少なくとも一部は、高透磁率材料から構成されていてもよい。尚、ビーム通過空間SPb2は、電子ビームEBが照射されない期間中に真空空間となってもよい。
 差動排気系12は更に、試料Wの表面WSuの少なくとも一部に対向可能な射出面12LSを備える。ビーム照射装置1は、射出面12LSと表面WSuとの間の間隔D(つまり、Z軸方向におけるビーム照射装置1と試料Wとの間の間隔D)が所望間隔D_target(例えば、10μm以下且つ1μm以上)となるように、ステージ駆動系23及び間隔調整系19の少なくとも一方によって、試料Wに対して位置合わせされる。尚、間隔Dは、射出面12LSと表面WSuとのZ軸方向における距離と称してもよい。また、間隔調整系19を間隔制御装置と称してもよい。射出面12LSには、ビーム射出口(つまり、開口)1250が形成されている。尚、差動排気系12は、試料Wの表面WSuに対向可能な射出面12LSを備えていなくてもよい。
 ビーム通過空間SPb2は、ビーム射出口1250を介して、差動排気系12の外部のビーム通過空間SPb3に接続している。つまり、ビーム通過空間SPb1は、ビーム通過空間SPb2を介してビーム通過空間SPb3に接続している。このため、ビーム射出口1250は、ビーム通過空間SPb2(或いは、ビーム通過空間SPb1及びBPb2を含む空間)の試料W側の端部となる。但し、ビーム通過空間SPb2が確保されていなくてもよい。つまり、ビーム通過空間SPb1は、ビーム通過空間SPb2を介することなくビーム通過空間SPb3に直接接続していてもよい。ビーム通過空間SPb3は、試料Wの表面WSu上の空間(例えば、局所的な空間)である。ビーム通過空間SPb3は、試料Wの表面WSuに接する(つまり、面する)空間である。ビーム通過空間SPb3は、ビーム照射装置1と試料Wとの間(具体的には、射出面12LSと表面WSuとの間)において電子ビームEBが通過する空間である。ビーム通過空間SPb3は、ビーム通過空間SPb1及びSPb2と共に、真空ポンプ51によって排気される(つまり、減圧される)。つまり、真空ポンプ51は、差動排気系12(特に、射出面12LS)が試料Wの表面WSuの一部と対向した状態で、ビーム通過空間SPb3を排気する。真空ポンプ51は、ビーム通過空間SPb2(特に、その端部であり、実質的にはビーム射出口1250)が試料Wの表面WSuの一部と対向した状態で、ビーム通過空間SPb3を排気する。この場合、ビーム通過空間SPb1及びSPb2のそれぞれは、ビーム通過空間SPb3を排気するためにビーム通過空間SPb3と真空ポンプ51とを接続する排気通路(つまり、管路又は流路)としても機能可能である。その結果、ビーム通過空間SPb3は、電子ビームEBが照射される期間中は、真空空間となる。このため、電子銃113から放出された電子ビームEBは、いずれも真空空間であるビーム通過空間SPb1からSPb3の少なくとも一部を介して試料Wに照射される。尚、ビーム通過空間SPb3は、電子ビームEBが照射されない期間中に真空空間となってもよい。
 ビーム通過空間SPb3は、ビーム通過空間SPb1及びSPb2よりも真空ポンプ51から離れた位置にある。ビーム通過空間SPb2は、ビーム通過空間SPb1よりも真空ポンプ51から離れた位置にある。このため、ビーム通過空間SPb3の真空度は、ビーム通過空間SPb1及びSPb2の真空度よりも低くなる可能性があり、且つ、ビーム通過空間SPb2の真空度は、ビーム通過空間SPb1の真空度よりも低くなる可能性がある。尚、本実施形態における「空間Aの真空度よりも空間Bの真空度が低い」状態は、「空間Aの圧力よりも空間Bの圧力が高い」ことを意味する。この場合、真空ポンプ51は、真空度が最も低くなる可能性があるビーム通過空間SPb3の真空度を、電子ビームEBの試料Wへの適切な照射を妨げない真空度にすることができる程度の排気能力を有する。一例として、真空ポンプ51は、ビーム通過空間SPb3の圧力(つまり、気圧)を1×10-3パスカル以下に維持する(例えば、概ね1×10-3パスカルから1×10-4パスカルのオーダーで維持する)ことができる程度の排気能力を有していてもよい。このような真空ポンプ51として、例えば、主ポンプとして用いられるターボ分子ポンプ(或いは、拡散ポンプ、クライオポンプ及びスパッタイオンポンプのうちのうちの少なくとも一つを含む他の種類の高真空用ポンプ)と補助ポンプとして用いられるドライポンプ(或いは、他の種類の低真空用ポンプ)とが組み合わせられた真空ポンプが用いられてもよい。尚、真空ポンプ51の排気速度は、ビーム通過空間SPb3の圧力(つまり、気圧)を1×10-3パスカル以下に維持することができる程度の排気速度[m/s]であってもよい。
 但し、ビーム通過空間SPb3は、ビーム通過空間SPb1及びSPb2のように何らかの部材(具体的には、筐体111及び差動排気系12)によって周囲を取り囲まれた閉鎖空間ではない。つまり、ビーム通過空間SPb3は、何らかの部材によって周囲を取り囲まれていない開放空間である。このため、ビーム通過空間SPb3が真空ポンプ51によって減圧されたとしても、ビーム通過空間SPb3には、ビーム通過空間SPb3の周囲から気体が流入する。その結果、ビーム通過空間SPb3の真空度が低下する可能性がある。そこで、差動排気系12は、ビーム照射装置1と試料Wの表面WSuとの間において差動排気を行うことで、ビーム通過空間SPb3の真空度を維持する。つまり、差動排気系12は、ビーム照射装置1と試料Wの表面WSuとの間において差動排気を行うことで、ビーム照射装置1と試料Wとの間に、周囲と比較して相対的に高い真空度が維持された真空領域VSP(例えば、局所的な真空領域VSP)を形成する。尚、差動排気系12は、真空領域VSPを形成するがゆえに、真空形成装置と称されてもよい。
 差動排気を行うために、差動排気系12の射出面12LSには、ビーム射出口1250を取り囲む3つの環状の排気溝1251、1252及び1253(或いは、少なくとも一つの任意の形状の排気溝)が形成されている。排気溝1251、1252及び1253のそれぞれは、試料Wの表面WSuの少なくとも一部に対向可能である。排気溝1251、1252及び1253のそれぞれは、溝状の開口(言い換えれば、孔)である。但し、排気溝1251、1252及び1253のうちのうちの少なくとも一つに加えて又は代えて、溝状の形状とは異なる開口(言い換えれば、孔)が射出面12LSに形成されていてもよい。排気溝1253は、排気溝1251及び1252よりもビーム通過空間SPb3から遠い位置(言い換えれば、ビーム射出口1250から遠い位置)に形成されている。排気溝1252は、排気溝1251よりもビーム通過空間SPb3から遠い位置(言い換えれば、ビーム射出口1250から遠い位置)に形成されている。排気溝1251には、差動排気系12に形成された排気通路EP1を介して真空ポンプ52が連結されている。つまり、排気通路EP1の第1端(つまり、一方の端部)は、真空ポンプ52に接続され、排気通路EP1の第2端(つまり、他方の端部であり、実質的には、排気溝1251を形成する部分)は、射出面12LSと試料Wの表面WSuとの間の空間に接する。排気溝1252には、差動排気系12に形成された排気通路EP2を介して真空ポンプ52が連結されている。つまり、排気通路EP2の第1端(つまり、一方の端部)は、真空ポンプ52に接続され、排気通路EP2の第2端(つまり、他方の端部であり、実質的には、排気溝1252を形成する部分)は、射出面12LSと試料Wの表面WSuとの間の空間に接する。排気溝1253には、差動排気系12に形成された排気通路EP3を介して真空ポンプ52が連結されている。つまり、排気通路EP3の第1端(つまり、一方の端部)は、真空ポンプ52に接続され、排気通路EP3の第2端(つまり、他方の端部であり、実質的には、排気溝1253を形成する部分)は、射出面12LSと試料Wの表面WSuとの間の空間に接する。このため、差動排気系12は、排気溝1251から真空ポンプ52に至る1段目の排気通路EP1、排気溝1252から真空ポンプ52に至る2段目の排気通路EP2、及び、排気溝1253から排真空ポンプ52に至る3段目の排気通路EP3を介して、ビーム照射装置1と試料Wとの間において差動排気を行うことができる。つまり、図2に示す例では、差動排気系12は、排気段数が3段に設定された差動排気系である。尚、排気通路を、管路又は流路と称してもよい。但し、差動排気系12の排気段数が3段に限定されることはなく、排気段数が3段ではない場合には、射出面12LSに形成される排気溝の数及び当該排気溝に接続する排気通路の数は、排気段数の数に応じて適宜設定される。
 この場合、真空ポンプ52は、差動排気系12(特に、射出面12LS)が試料Wの表面WSuの一部と対向した状態で、排気通路EP1からEP3のそれぞれを介してビーム通過空間SPb3を排気する。真空ポンプ52は、排気通路EP1からEP3のそれぞれ(特に、その端部であり、実質的には排気溝1251から1253)が試料Wの表面WSuの一部と対向した状態で、ビーム通過空間SPb3を排気する。その結果、差動排気系12は、ビーム照射装置1と試料Wの表面WSuとの間に、ビーム通過空間SPb3を含む真空領域VSPを形成することができる。その結果、電子ビームEBの通路は、真空領域VSPの少なくとも一部を含むことになる。また、ビーム通過空間SPb3が試料Wの表面WSuのうちの少なくとも一部を覆うことから、真空領域VSPもまた、試料Wの表面WSuのうちの少なくとも一部を局所的に覆う。つまり、真空領域VSPは、試料Wの表面WSuのうちの少なくとも一部に接する(つまり、面する)。
 真空ポンプ52は、主として、ビーム通過空間SPb3の周囲の空間(特に、真空領域VSPが形成される空間の周囲に位置する、真空領域VSPよりも圧力が高い空間)の少なくとも一部を排気してビーム通過空間SPb3の真空度を相対的に高くするために用いられる。このため、真空ポンプ52は、真空ポンプ51が維持する真空度よりも低い真空度を維持することができる程度の排気能力を有していてもよい。つまり、真空ポンプ52の排気能力は、真空ポンプ51の排気能力よりも低くてもよい。例えば、真空ポンプ52は、ドライポンプ(或いは、他の種類の低真空用ポンプ)を含む一方でターボ分子ポンプ(或いは、他の種類の高真空用ポンプ)を含んでいない真空ポンプであってもよい。この場合、真空ポンプ52によって減圧される排気溝1251から1253及び排気通路EP1からEP3内の空間の真空度は、真空ポンプ51によって減圧されるビーム通過空間SPb1からSPb3の真空度よりも低くてもよい。尚、真空ポンプ52の排気速度は、真空ポンプ51が維持する真空度よりも低い真空度を維持することができる程度の排気速度[m/s]であってもよい。
 但し、排気抵抗を利用して真空領域VSPを形成する差動排気の原理を考慮すると、複数段の排気通路のうちのビーム通過空間SPb3に相対的に近い(言い換えれば、ビーム射出口1250に近い)排気通路は、ビーム通過空間SPb3から相対的に遠い(言い換えれば、ビーム射出口1250から相対的に遠い)排気通路と比較して、ビーム通過空間SPb3の真空度を高める際の寄与度が高くなる。このため、差動排気系12は、1段目の排気通路EP1の真空度が、2段目の排気通路EP2の真空度よりも高くなるように、及び/又は、2段目の排気通路EP2の真空度が、3段目の排気通路EP3の真空度よりも高くなるように、差動排気を行ってもよい。
 例えば、排気通路の長さは、当該排気通路の真空度に影響を与える。このため、1段目の排気通路EP1の長さが、2段目の排気通路EP2の長さと異なり、及び/又は、2段目の排気通路EP2の長さが、3段目の排気通路EP3の長さと異なっていてもよい。典型的には、同じ排気速度で排気通路を排気するという条件下では、排気通路が短くなるほど、当該排気通路の真空度が高くなる可能性が高くなる。なぜならば、排気通路が短くなるほど、排気通路内で気体分子が存在する空間(つまり、排気すべき空間)が小さくなるからである。このため、1段目の排気通路EP1が、2段目の排気通路EP2よりも短く、及び/又は、2段目の排気通路EP2が、3段目の排気通路EP3よりも短くてもよい。
 例えば、排気通路の容積は、当該排気通路の真空度に影響を与える。このため、1段目の排気通路EP1の容積が、2段目の排気通路EP2の容積と異なり、及び/又は、2段目の排気通路EP2の容積が、3段目の排気通路EP3の容積と異なっていてもよい。典型的には、同じ排気速度で排気通路を排気するという条件下では、排気通路の容積が少なくなるほど、当該排気通路の真空度が高くなる可能性が高くなる。なぜならば、排気通路の容積が少なくなるほど、排気通路内で気体分子が存在する空間(つまり、排気すべき空間)が小さくなるからである。このため、1段目の排気通路EP1の容積が、2段目の排気通路EP2の容積よりも少なく、及び/又は、2段目の排気通路EP2の容積が、3段目の排気通路EP3の容積よりも少なくてもよい。
 例えば、排気通路の内壁面の面積は、当該排気通路の真空度に影響を与える。このため、1段目の排気通路EP1の内壁面の面積が、2段目の排気通路EP2の内壁面の面積と異なり、及び/又は、2段目の排気通路EP2の内壁面の面積が、3段目の排気通路EP3の内壁面の面積と異なっていてもよい。典型的には、同じ排気速度で排気通路を排気するという条件下では、排気通路の内壁面の面積が小さくなるほど、当該排気通路の真空度が高くなる可能性が高くなる。なぜならば、排気通路の内壁面の面積が短くなるほど、排気通路内で気体分子が存在する内壁面(つまり、排気によって気体分子を回収すべき領域)が小さくなるからである。このため、1段目の排気通路EP1の内壁面の面積が、2段目の排気通路EP2の内壁面の面積よりも小さく、及び/又は、2段目の排気通路EP2の内壁面の面積が、3段目の排気通路EP3の内壁面の面積よりも小さくてもよい。
 このようにビーム通過空間SPb3を含む真空領域VSPが形成される一方で、試料Wの表面WSuのうちビーム通過空間SPb3に面していない部分(特に、ビーム通過空間SPb3から離れた部分)の少なくとも一部は、真空領域VSPよりも真空度が低い非真空領域に覆われていてもよい。典型的には、試料Wの表面WSuのうちビーム通過空間SPb3に面していない部分の少なくとも一部は、大気圧環境下にあってもよい。つまり、試料Wの表面WSuのうちビーム通過空間SPb3に面していない部分の少なくとも一部は、大気圧領域に覆われていてもよい。具体的には、差動排気系12は、ビーム通過空間SPb3を含む空間SP1(図2参照)に真空領域VSPを形成する。この空間SP1は、例えば、ビーム射出口1250及び排気溝1251から1253のうちのうちの少なくとも一つに接する空間を含む。空間SP1は、試料Wの表面WSuのうちビーム射出口1250及び排気溝1251から1253のうちのうちの少なくとも一つの直下に位置する部分に面する(つまり、接する)空間を含む。差動排気系12は、試料Wの表面WSuに面する空間SP1から気体を排出することで、空間SP1に真空領域VSPを形成する。空間SP1から排出された気体は、排気通路EP1からEP3を介して真空ポンプ52によって回収される。つまり、空間SP1から排出された気体は、排気通路EP1からEP3を通過して真空ポンプ52によって回収される。一方で、空間SP1の周囲の空間SP2(つまり、空間SP1の周囲において空間SP1に接続する(例えば、流体的に接続する)空間SP2であり、図2参照)には、真空領域VSPが形成されない。つまり、空間SP2は、空間SP1よりも圧力が高い空間となる。この空間SP2は、例えば、ビーム射出口1250及び排気溝1251から1253から離れた空間を含む。空間SP2は、例えば、試料Wの表面WSuのうち空間SP1が面する部分とは異なる部分に面する空間を含む。空間SP2は、空間SP1を経由することなくビーム射出口1250及び排気溝1251から1253(更には、ビーム通過空間SPb2及び排気通路EP1からEP3)に接続することができない空間を含む。空間SP2は、空間SP1を経由すればビーム射出口1250及び排気溝1251から1253(更には、ビーム通過空間SPb2及び排気通路EP1からEP3)に接続することができる空間を含む。空間SP2の圧力が空間SP1の圧力よりも高いがゆえに、空間SP2から空間SP1に対して気体が流入する可能性があるが、空間SP2から空間SP1に対して流入する気体は、排気溝1251から1253(更には、ビーム射出口1250)を介して、空間SP1から排出される。つまり、空間SP2の少なくとも一部の気体(特に、空間SP2から空間SP1に対して流入する気体)は、排気通路EP1からEP3(更には、ビーム通過空間SPb2)を介して、空間SP1から排出される。このため、空間SP1に形成される真空領域VSPの真空度が維持される。このため、真空領域VSPが局所的に形成される状態は、試料Wの表面WSu上において真空領域VSPが局所的に形成される状態(つまり、試料Wの表面WSuに沿った方向において真空領域VSPが局所的に形成される状態)を意味していてもよい。
 尚、真空領域VSPは、上述したように、電子ビームEBの試料Wへの適切な照射を妨げないほどにしか気体分子が存在しない領域である。具体的には、真空領域VSPは、例えば、圧力が1×10-3パスカル以下(例えば、概ね1×10-3パスカルから1×10-4パスカルのオーダーとなる)領域である。つまり、真空領域VSPが形成される空間SP1の圧力は、1×10-3パスカル以下(例えば、概ね1×10-3パスカルから1×10-4パスカルのオーダー)の圧力となる。一方で、真空領域VSPが形成されない空間SP2は、例えば、電子ビームEBの試料Wへの適切な照射を妨げかねないほどに相対的に多くの気体分子が存在する空間となっていてもよい。例えば、空間SP2の圧力は、例えば、1×10-2パスカル以上の圧力となっていてもよい。典型的には、空間SP2は、大気圧空間であってもよい。このように、空間SP1及びSP2は、その圧力(つまり、気圧)から区別されてもよい。
 このような真空領域VSPを差動排気によって形成するために、図2に示す例では、差動排気系12は、真空形成部材121と、真空形成部材122と、真空形成部材123と、真空形成部材124とを備えている。更に、真空形成部材124は、真空形成部材1241と、真空形成部材1242と、真空形成部材1243と、真空形成部材1244とを含む。差動排気系12は、このような複数の部材(つまり、真空形成部材121から124)が組み合わせられた構造体に相当する。一例として、真空形成部材121から124のそれぞれは、後述するように、板状の(更には、筒状の)部材であってもよい。この場合、差動排気系12は、このような板状の真空形成部材121から124が積層された(典型的には、Z軸方向に沿って積層された)積層体であってもよい。但し、差動排気系12は、真空領域VSPを形成可能である限りは、どのような構造を有していてもよい。尚、図2に示す差動排気系12の構造については、図4等を参照しながら後に詳細に説明するため、ここでの詳細な説明を省略する。
 支持部材13は、差動排気系12の外面から外側に向かって延びるフランジ部材である。支持部材13は、その下面の少なくとも一部で電子光学素子14を支持する。つまり、支持部材13は、支持部材13の下面の少なくとも一部が電子光学素子14を上方から吊り下げるように、電子光学素子14を支持する。支持部材13は、電子光学素子14が支持部材13から脱着可能な支持態様で電子光学素子14を支持してもよい。但し、支持部材13は、任意の支持態様で電子光学素子14を支持してもよい。
 或いは、支持部材13に代えて差動排気系12が電子光学素子14を支持してもよい。差動排気系12が電子光学素子14を支持する場合には、ビーム照射装置1は、支持部材13を備えていなくてもよい。差動排気系12が電子光学素子14を支持する場合には、差動排気系12は、電子光学素子14が差動排気系12から脱着可能な支持態様で電子光学素子14を支持してもよい。或いは、支持部材13が電子光学素子14を支持することに代えて、ビーム光学系11がその内部に電子光学素子14を備えていてもよく、この場合には、ビーム照射装置1は、支持部材13を備えていなくてもよい。
 電子光学素子14は、電子銃113が放出した電子ビームEBを試料Wに導くように電子ビームEBに作用する電磁場(つまり、電場及び/又は磁場)を発生させる光学素子である。このような電子光学素子14の一例として、電磁レンズ(言い換えれば、電子レンズ)があげられる。第1実施形態では、電子光学素子14が、対物レンズである例を用いて説明を進める。従って、以下の説明では、説明の便宜上、電子光学素子14を、“対物レンズ14”と称する。尚、対物レンズ14は、電磁場(いわゆる、レンズ磁場)を用いて、電子ビームEBを所定の縮小倍率で試料Wの表面WSuに結像させるように電子ビームEBを試料Wに導く電子光学素子である。つまり、対物レンズ14は、電磁場を用いて、電子ビームEBが試料Wの表面WSuに集束するように電子ビームEBを試料Wに導く電子光学素子である。
 対物レンズ14は、差動排気系12の側方に配置される。対物レンズ14は、差動排気系12の少なくとも一部の周囲に配置される。対物レンズ14は、差動排気系12を取り囲むように配置される。対物レンズ14は、差動排気系12を挟み込むように配置される。このため、対物レンズ14は、XY平面に平行な面上において、環状の、リング状又は枠状の形状を有する。尚、図2に示す例では、対物レンズ14は、差動排気系12のうちの相対的に下方に位置する部分(例えば、真空形成部材123及び124)の周囲に配置される。図2に示す例では、対物レンズ14は、差動排気系12のうちの相対的に下方に位置する部分(例えば、真空形成部材123及び124)を取り囲むように配置される。
 差動排気系12に上述したビーム通過空間SPb2が形成されているがゆえに、対物レンズ14は、ビーム通過空間SPb2の少なくとも一部を取り囲む及び/又は挟み込むように配置される。差動排気系12に上述した排気通路EP1からEP3が形成されているがゆえに、対物レンズ14は、排気通路EP1からEP3の少なくとも一部を取り囲む及び/又は挟み込むように配置される。
 対物レンズ14は、対物レンズ14の光軸(つまり、対物レンズ14が形成する電磁場が作用する領域のXY平面に沿った面内での中心を通る、Z軸に沿った軸)がビーム光学系11の光軸AXに一致するように配置されてもよい。この場合、対物レンズ14の光軸がビーム光学系11の光軸AXに一致していない場合と比較して、対物レンズ14は、電子ビームEBを適切に集束させることができる。
 対物レンズ14は、ステージ22が保持している試料Wの少なくとも一部に対向可能な位置に配置される。特に、対物レンズ14は、ステージ22が保持している試料Wとの間に差動排気系12を構成する部材を介在させることなく、ステージ22が保持している試料Wの少なくとも一部に対向可能な位置に配置される。対物レンズ14の下方に試料Wが配置されるため、対物レンズ14の下面14Slは、試料Wの少なくとも一部に対向可能な面となる。或いは、ステージ22が試料Wを保持していない場合には、対物レンズ14は、試料Wに加えて又は代えてステージ22の上面の少なくとも一部に対向可能な位置に配置されてもよい。特に、対物レンズ14は、ステージ22との間に差動排気系12を構成する部材を介在させることなく、ステージ22の上面の少なくとも一部に対向可能な位置に配置される。この場合、対物レンズ14の下面14Slは、ステージ22の上面の少なくとも一部に対向可能な面となる。或いは、ステージ22が試料Wを保持している場合であっても、ステージ22が保持している試料Wのサイズによっては、試料Wが差動排気系12の下方に存在する一方で、試料Wが対物レンズ14の下方に存在しない可能性がある。この場合においても、対物レンズ14は、ステージ22が保持する試料Wに加えて又は代えてステージ22の上面の少なくとも一部に対向可能な位置に配置されてもよい。
 対物レンズ14が試料Wに対向する場合には、対物レンズ14と差動排気系12との位置関係の第1の例を示す断面図である図3(a)に示すように、対物レンズ14は、対物レンズ14の下面14Slと試料Wの表面WSuとの間の距離D14が差動排気系12の射出面12LSと試料Wの表面WSuとの間の距離Dと同一になるように、差動排気系12に対して位置合わせされていてもよい。つまり、対物レンズ14は、対物レンズ14の下面14Slと差動排気系12の射出面12LSとが同じ高さとなる(つまり、Z軸に沿った位置が揃う)ように、差動排気系12に対して位置合わせされていてもよい。或いは、対物レンズ14と差動排気系12との位置関係の第2の例を示す断面図である図3(b)に示すように、対物レンズ14は、対物レンズ14の下面14Slと試料Wの表面WSuとの間の距離D14が差動排気系12の射出面12LSと試料Wの表面WSuとの間の距離Dよりも長くなるように、差動排気系12に対して位置合わせされていてもよい。つまり、対物レンズ14は、対物レンズ14の下面14Slが差動排気系12の射出面12LSよりも高い位置に位置する(つまり、試料Wからより離れる)ように、差動排気系12に対して位置合わせされていてもよい。或いは、対物レンズ14と差動排気系12との位置関係の第3の例を示す断面図である図3(c)に示すように、対物レンズ14は、対物レンズ14の下面14Slと試料Wの表面WSuとの間の距離D14が差動排気系12の射出面12LSと試料Wの表面WSuとの間の距離Dよりも短くなるように、差動排気系12に対して位置合わせされていてもよい。つまり、対物レンズ14は、対物レンズ14の下面14Slが差動排気系12の射出面12LSよりも低い位置に位置する(つまり、試料Wにより近づく)ように、差動排気系12に対して位置合わせされていてもよい。
 更に、図3(a)から図3(c)のそれぞれは、対物レンズ14の下面14Slと差動排気系12の射出面12LSとが平行である(更には、試料Wの表面WSuと平行である)例を示している。しかしながら、対物レンズ14の下面14Slの形状の第1の例を示す図4(a)に示すように、対物レンズ14の下面14Slの少なくとも一部は、差動排気系12の射出面12LS及び試料Wの表面WSuの少なくとも一方に対して傾斜していてもよい。更に、対物レンズ14の下面14Slの形状の第2の例を示す図4(b)に示すように、対物レンズ14の下面14Slは、差動排気系12の射出面12LS及び試料Wの表面WSuの少なくとも一方からの高さ(つまり、距離)が異なる複数の面を備えていてもよい。図4(b)は、対物レンズ14の下面14Slが、差動排気系12の射出面12LS及び試料Wの表面WSuの少なくとも一方からの高さが異なる2つの面14Sl-1及び14Sl-2を備える例を示している。
 対物レンズ14が試料Wに対向する場合には、制御装置4は、差動排気系12の射出面12LSと試料Wの表面WSuとの間の距離Dが所望間隔D_targetとなることに加えて又は代えて、対物レンズ14の下面14Slと試料Wの表面WSuとの間の距離D14が所望間隔D_target(或いは、所望間隔D_targetよりも大きい又は小さい間隔D_target14)となるように、ステージ駆動系23及び間隔調整系19の少なくとも一方を制御してもよい。
 再び図2において、対物レンズ14は、コイル141と、当該コイル141を少なくとも部分的に取り囲むヨーク142とを備えている。コイル141には、制御装置4の制御下で、所望の電流が流れる。その結果、コイル141は、コイル141に流れる電流に応じた磁場を発生可能である。コイル141が発生させた磁場は、ヨーク142の内部空間(つまり、ヨーク142によって囲まれ且つコイル141が配置される空間)に閉じ込められる。ヨーク142の内部空間に閉じ込められた磁場は、ヨーク142に形成されたポールピース143を介して、相対的に高密度の磁力線から構成されるレンズ磁場として、ヨーク142の内部空間から対物レンズ14の外側(特に、ビーム通過空間SPb2)に漏洩する。その結果、対物レンズ14が形成したレンズ磁場によって、電子ビームEBが試料Wに集束させられる。尚、図2に示す例では、ポールピース143は、レンズ磁場がヨーク142の内部空間からポールピース143の切り欠きを介してヨーク142の側方に向けて磁場を漏洩させてレンズ磁場を形成することが可能な形状を有している。つまり、ポールピース143は、Z軸方向に沿って互いに対向する上側ポールピース143pu及び下側ポールピース143plを含み、上側ポールピース143puと下側ポールピース143plとの間の間隙が、コイル141が発生させた磁場を漏洩させる切り欠きとして用いられる。このため、図2に示す例では、対物レンズ14は、対物レンズ14の下方に試料Wが配置されており且つヨーク142によって囲まれた空間(言い換えれば、ヨーク142の側方の空間)にレンズ磁場を発生させる、いわゆるアウトレンズタイプの電子レンズである。
 第1実施形態では対物レンズ14が差動排気系12を取り囲むため、差動排気系12は、対物レンズ14の内部空間(具体的には、ヨーク142の内部空間であり、コイル141が配置される空間)とは異なる位置に配置される。つまり、差動排気系12は、対物レンズ14の外部(具体的には、ヨーク142の外部)に配置される。
 (1-3)差動排気系12について
 (1-3-1)差動排気系12の構造
 続いて、図5から図10を参照しながら、差動排気系12の構造について更に詳細に説明する。図5は、第1実施形態の差動排気系12の構造を示す断面図である。図6は、第1実施形態の差動排気系12の構造を、真空形成部材121から真空形成部材124をZ軸方向に沿って分離した状態で示す斜視図である。図7は、真空形成部材121の下面(つまり、-Z側を向いた面、以下同じ)121Slを示す平面図である。図8(a)は、真空形成部材122の下面122Slを示す平面図であり、図8(b)は、真空形成部材122の上面(つまり、+Z側を向いた面、以下同じ)122Suを示す平面図である。図9(a)は、真空形成部材123の下面123Slを示す平面図であり、図9(b)は、真空形成部材123の上面123Suを示す平面図である。図10(a)は、真空形成部材124の下面124Slを示す平面図であり、図10(b)は、真空形成部材124の上面124Suを示す平面図である。
 図5から図7に示すように、真空形成部材121は、ビーム光学系11から下方に延びる筒状且つ板状の部材である。真空形成部材121は、ビーム光学系11の下方(つまり、-Z側)に配置される。真空形成部材121は、ビーム光学系11の下方において、ビーム光学系11に接続される。例えば、真空形成部材121は、真空形成部材121の上面121Suがビーム光学系11の下面に接続されるように、ビーム光学系11に接続されてもよい。真空形成部材121は、ビーム光学系11と一体化されていてもよいし、ビーム光学系11から分離可能であってもよい。
 真空形成部材121の内部には、ビーム通過空間SPb2の一部を構成するビーム通過空間SPb2-1が形成されている。ビーム通過空間SPb2-1は、真空形成部材121を貫通する孔(つまり、貫通孔)を含む。図5から図7に示す例では、ビーム通過空間SPb2-1は、真空形成部材121の下面121Slから真空形成部材121の上面121Suに向かって真空形成部材121を貫通している。ビーム通過空間SPb2-1は、ビーム通過空間SPb2-1の一方の端部(図5では、+Z側の端部であり、上面121Suに形成された開口)を介して、ビーム光学系11のビーム通過空間SPb1に接続している(図2参照)。ビーム通過空間SP2-1は更に、ビーム通過空間SPb2-1の他方の端部(図5では、-Z側の端部であり、下面121Slに形成された開口)を介して、真空形成部材121の外部の空間(より具体的には、後述する真空形成部材122のビーム通過空間SPb2-2)に接続している。
 真空形成部材121には、更に、排気通路EP1の一部を構成する排気通路EP1-1と、排気通路EP2の一部を構成する排気通路EP2-1と、排気通路EP3の一部を構成する排気通路EP3-1とが形成されている。排気通路EP1-1からEP3-1は、互いに分離した通路(つまり、空間)である。排気通路EP1-1からEP3-1は、ビーム通過空間SPb2-1から分離した通路である。排気通路EP1-1からEP3-1のそれぞれは、真空形成部材121の下面121Slから真空形成部材121の他の面(図5に示す例では、側面)に向かって真空形成部材121を貫通する孔(つまり、貫通孔)を含む。このため、排気通路EP1-1からEP3-1のそれぞれは、Z軸に沿って延びる通路部分と、Z軸に交差する方向に沿って延びる通路部分とを含んでいてもよい。排気通路EP1-1からEP3-1のそれぞれは、排気通路EP1-1からEP3-1のそれぞれの一方の端部(図5に示す例では、真空形成部材121の側面に形成された開口)を介して、真空ポンプ52に接続している。排気通路EP1-1からEP3-1のそれぞれは更に、排気通路EP1-1からEP3-1のそれぞれの他方の端部(図5に示す例では、下面121Slに形成された開口)を介して、真空形成部材121の外部の空間(より具体的には、後述する真空形成部材122に形成された排気通路EP1-2からEP3-2)に接続している。
 図5から図6及び図8(a)から図8(b)に示すように、真空形成部材122は、真空形成部材121から下方に延びる筒状且つ板状の部材である。真空形成部材122は、真空形成部材121の下方(つまり、-Z側)に配置される。真空形成部材122は、真空形成部材121の下方において、真空形成部材121に接続される。例えば、真空形成部材122は、真空形成部材122の上面122Suが真空形成部材121の下面121Slに接続されるように、真空形成部材121に接続されてもよい。真空形成部材122は、真空形成部材121と一体化されていてもよいし、真空形成部材121から分離可能であってもよい。
 真空形成部材122の内部には、ビーム通過空間SPb2の一部を構成するビーム通過空間SPb2-2が形成されている。ビーム通過空間SPb2-2は、真空形成部材122を貫通する孔(つまり、貫通孔)を含む。図5に示す例では、ビーム通過空間SPb2-2は、真空形成部材122の下面122Slから真空形成部材122の上面122Suに向かって真空形成部材122を貫通している。ビーム通過空間SPb2-2は、ビーム通過空間SPb2-2の一方の端部(図5に示す例では、+Z側の端部であり、上面122Suに形成された開口)を介して、真空形成部材121のビーム通過空間SPb2-1に接続している。ビーム通過空間SPb2-2は更に、ビーム通過空間SPb2-2の他方の端部(図5に示す例では、-Z側の端部であり、下面122Slに形成された開口)を介して、真空形成部材122の外部の空間(より具体的には、後述する真空形成部材123のビーム通過空間SPb2-3)に接続している。
 真空形成部材122には更に、排気通路EP1の一部を構成する排気通路EP1-2と、排気通路EP2の一部を構成する排気通路EP2-2と、排気通路EP3の一部を構成する排気通路EP3-2とが形成されている。尚、以下では、冗長的な説明を排除するために、“EP1”、“EP2”及び“EP3”という参照符号を、まとめて“EPk(但し、kは、1、2又は3)”と表記して説明を進める。
 排気通路EPk-2は、真空形成部材122を貫通する孔(つまり、貫通孔)を含む。図5及び図6に示す例では、排気通路EPk-2は、真空形成部材122の下面122Slから真空形成部材122の上面122Suに向かって真空形成部材122を貫通する孔を含む。排気通路EPk-2は、排気通路EPk-2の一方の端部(図5に示す例では、上面122Suに形成された開口)を介して、真空形成部材121の排気通路EPk-1に接続している。排気通路EPk-2は、排気通路EPk-2の他方の端部(図5に示す例では、下面122Slに形成された開口)を介して、真空形成部材122の外部の空間(より具体的には、後述する真空形成部材123に形成された排気通路EPk-3)に接続している。つまり、真空形成部材122は、排気通路EPk-2が排気通路EPk-1及びEPk-3のそれぞれに接続されることで一連の排気通路EPkが形成されるように、真空形成部材121及び123と組み合わせられる(例えば、積層される)。
 排気通路EPk-2は、それぞれがZ軸に沿って延びる複数の排気通路EPk-21と、Z軸に交差する方向に沿って延びる排気通路EPk-22とを含む。図6及び図8(b)に示す例では、排気通路EPk-2は、2つの排気通路EPk-21を含んでいるが、1つの又は3つ以上の排気通路EPk-21を含んでいてもよい。複数の排気通路EPk-21は、互いに分離した通路である。複数の排気通路EPk-21は、ビーム通過空間SPb2-2から分離した通路である。複数の排気通路EPk-21は、並列する通路である。複数の排気通路EPk-21のそれぞれは、複数の排気通路EPk-21のそれぞれの一方の端部(図6に示す例では、下面122Slに形成された開口)を介して、真空形成部材123に形成された排気通路EPk-3に接続している。排気通路EPk-22は、複数の排気通路EPk-21のそれぞれの他方の端部及び真空形成部材121の排気通路EPk-1のそれぞれに接続する通路である。排気通路EPk-22は、複数の排気通路EPk-21と真空形成部材121の排気通路EPk-1とを接続させる通路である。このような排気通路EPk-22は、上面122Suに形成された排気溝(言い換えれば、凹部、以下同じ)を含んでいてもよい。また、複数の排気通路EPk-21は、真空形成部材122を貫通する孔(つまり、貫通孔)を含んでいてもよい。このため、複数の排気通路EPk-21は、排気通路EPk-22を介して排気通路EPk-1に接続される。つまり、排気通路EPk-22は、複数の排気通路EPk-21の上方において(つまり、複数の排気通路EPk-21から+Z側にシフトした位置において)複数の排気通路EPk-21を排気通路EPk-1に集約する集約路として機能する。言い換えれば、排気通路EPk-22は、複数の排気通路EPk-21を介して回収された気体を集約した上で排気通路EPk-1に送り込む集約路として機能する。このため、複数の排気通路EPk-21を通過した気体は、排気通路EPk-22を介して、排気通路EPk-1に流入する(つまり、通過する)ことになる。この場合、複数の排気通路EPk-21は、真空形成部材123に形成された排気通路EPk-3と真空形成部材121に形成された排気通路EPk-1との間で並列接続されていると言える。複数の排気通路EPk-21は、並列接続されているので、複数の排気通路EPk-21を通過した気体は、複数の排気通路EPk-21のうちの他の1つを介することなく、排気通路EPk-1に流入する。
 排気通路EPk-1の本数は、排気通路EPk-1に集約される排気通路EPk-21の本数の半分であってもよい。図8(b)は、排気通路EPk-1の本数が1本であり、且つ、排気通路EPk-21の本数が2本である例を示している。
 図5から図6及び図9(a)から図9(b)に示すように、真空形成部材123は、真空形成部材122から下方に延びる筒状且つ板状の部材である。真空形成部材123は、真空形成部材122の下方(つまり、-Z側)に配置される。真空形成部材123は、真空形成部材122の下方において、真空形成部材122に接続される。例えば、真空形成部材123は、真空形成部材123の上面123Suが真空形成部材122の下面122Slに接続されるように、真空形成部材122に接続されてもよい。真空形成部材123は、真空形成部材122と一体化されていてもよいし、真空形成部材122から分離可能であってもよい。
 真空形成部材123の内部には、ビーム通過空間SPb2の一部を構成するビーム通過空間SPb2-3が形成されている。ビーム通過空間SPb2-3は、真空形成部材123を貫通する孔(つまり、貫通孔)を含む。図5に示す例では、ビーム通過空間SPb2-3は、真空形成部材123の下面123Slから真空形成部材123の上面123Suに向かって真空形成部材123を貫通している。ビーム通過空間SPb2-3は、ビーム通過空間SPb2-3の一方の端部(図5に示す例では、+Z側の端部であり、上面123Suに形成された開口)を介して、真空形成部材122のビーム通過空間SPb2-2に接続している。ビーム通過空間SP2-3は更に、ビーム通過空間SPb2-3の他方の端部(図5に示す例では、-Z側の端部であり、下面123Slに形成された開口)を介して、真空形成部材123の外部の空間(より具体的には、後述する真空形成部材124のビーム通過空間SPb2-4)に接続している。
 真空形成部材123には更に、排気通路EPkの一部を構成する排気通路EPk-3が形成されている。つまり、真空形成部材123には、排気通路EP1の一部を構成する排気通路EP1-3と、排気通路EP2の一部を構成する排気通路EP2-3と、排気通路EP3の一部を構成する排気通路EP3-3とが形成されている。
 排気通路EPk-3は、真空形成部材123を貫通する孔(つまり、貫通孔)を含む。図5及び図6に示す例では、排気通路EPk-3は、真空形成部材123の下面123Slから真空形成部材123の上面123Suに向かって真空形成部材123を貫通する孔を含む。排気通路EPk-3は、排気通路EPk-3の一方の端部(図5に示す例では、上面123Suに形成された開口)を介して、真空形成部材122の排気通路EPk-2に接続している。排気通路EPk-3は、排気通路EPk-3の他方の端部(図5に示す例では、下面123Slに形成された開口)を介して、真空形成部材123の外部の空間(より具体的には、後述する真空形成部材124に形成された排気通路EPk-4)に接続している。つまり、真空形成部材123は、排気通路EPk-3が排気通路EPk-2及びEPk-4のそれぞれに接続されることで一連の排気通路EPkが形成されるように、真空形成部材122及び124と組み合わせられる(例えば、積層される)。
 排気通路EPk-3は、それぞれがZ軸に沿って延びる複数の排気通路EPk-31と、Z軸に交差する方向に沿って延びる排気通路EPk-32と、Z軸に交差する方向に沿って延びる排気通路EPk-33とを含む。図6及び図9(b)に示す例では、排気通路EPk-3は、4つの排気通路EPk-31を含んでいるが、3つ以下又は5つ以上の排気通路EPk-31を含んでいてもよい。複数の排気通路EPk-31は、互いに分離した通路である。複数の排気通路EPk-31は、ビーム通過空間SPb2-3から分離した通路である。複数の排気通路EPk-31は、並列する通路である。排気通路EPk-32は、複数の排気通路EPk-31のそれぞれの一方の端部(具体的には、真空形成部材122側の端部)及び真空形成部材122の排気通路EPk-2(特に、複数の排気通路EPk-21)のそれぞれに接続する通路である。排気通路EPk-32は、複数の排気通路EPk-31と真空形成部材122の排気通路EPk-2とを接続させる通路である。このような排気通路EPk-32は、上面123Suに形成された排気溝を含んでいてもよい。また、複数の排気通路EPk-31は、真空形成部材123を貫通する孔(つまり、貫通孔)を含んでいてもよい。このため、複数の排気通路EPk-31は、排気通路EPk-32を介して排気通路EPk-2に接続される。つまり、排気通路EPk-32は、複数の排気通路EPk-31の上方において(つまり、複数の排気通路EPk-31から+Z側にシフトした位置において)複数の排気通路EPk-31を排気通路EPk-2に集約する集約路として機能する。言い換えれば、排気通路EPk-32は、複数の排気通路EPk-31を介して回収された気体を集約した上で排気通路EPk-2に送り込む集約路として機能する。このため、複数の排気通路EPk-31を通過した気体は、排気通路EPk-32を介して、排気通路EPk-2に流入する(つまり、通過する)ことになる。また、排気通路EPk-33は、複数の排気通路EPk-31のそれぞれの他方の端部(具体的には、真空形成部材124側の端部)及び真空形成部材124の排気通路EPk-4のそれぞれに接続する通路である。排気通路EPk-33は、複数の排気通路EPk-31と真空形成部材124の排気通路EPk-4とを接続させる通路である。このような排気通路EPk-33は、下面123Slに形成された排気溝を含んでいてもよい。このため、複数の排気通路EPk-31は、排気通路EPk-33を介して排気通路EPk-4に接続される。その結果、排気通路EPk-33は、排気通路EPk-4を介して回収された気体を複数の排気通路EPk-31のそれぞれに送り込む分配路として機能する。この場合、複数の排気通路EPk-31は、真空形成部材124に形成された排気通路EPk-4と真空形成部材122に形成された排気通路EPk-2との間で並列接続されていると言える。
 排気通路EPk-2の本数は、排気通路EPk-2に集約される排気通路EPk-31の本数の半分であってもよい。図9(b)は、排気通路EPk-2の本数が2本であり、且つ、排気通路EPk-31の本数が4本である例を示している。
 図5から図6及び図10(a)から図10(b)に示すように、真空形成部材124は、真空形成部材123から下方に延びる筒状且つ板状の部材である。真空形成部材124は、真空形成部材123の下方(つまり、-Z側)に配置される。真空形成部材124は、真空形成部材123の下方において、真空形成部材123に接続される。例えば、真空形成部材124は、真空形成部材124の上面124Suが真空形成部材123の下面123Slに接続されるように、真空形成部材123に接続されてもよい。真空形成部材124は、真空形成部材123と一体化されていてもよいし、真空形成部材123から分離可能であってもよい。
 真空形成部材124は、上述したように、真空形成部材1241から1244を含む。真空形成部材1241から1244のそれぞれは、真空形成部材123の下方(つまり、-Z側)に配置される。真空形成部材1241から1244のそれぞれは、真空形成部材123の下方において、真空形成部材123に接続される。例えば、真空形成部材1241から1244のそれぞれは、真空形成部材1241から1244のそれぞれの上面が真空形成部材123の下面123Slに接続されるように、真空形成部材123に接続されてもよい。真空形成部材1241から1244のそれぞれは、真空形成部材123と一体化されていてもよいし、真空形成部材123から分離可能であってもよい。
 真空形成部材124は、真空形成部材1241から1244が間に間隙を確保した上で積層された構造を有している。真空形成部材124は、真空形成部材1241から1244が入れ子状に積層された構造を有していてもよい。尚、第1実施形態における「真空形成部材1241から1244が入れ子状に積層された(言い換えれば、組み入れられた)構造」は、互いに同一の形状を有している真空形成部材1241から1244が積層された構造のみならず、少なくとも2つが異なる形状を有している真空形成部材1241から1244が積層された構造をも含んでいてもよい。
 真空形成部材1241の内部には、ビーム通過空間SPb2の一部を構成するビーム通過空間SPb2-4が形成されている。ビーム通過空間SPb2-4は、真空形成部材1241を貫通する孔(つまり、貫通孔)を含む。図5に示す例では、ビーム通過空間SPb2-4は、真空形成部材1241の下面(つまり、射出面12LSの一部)から真空形成部材1241の上面(つまり、上面124Suの一部)に向かって真空形成部材1241を貫通している。ビーム通過空間SPb2-4は、ビーム通過空間SPb2-4の一方の端部(図5に示す例では、+Z側の端部であり、真空形成部材1241の上面に形成された開口)を介して、真空形成部材123のビーム通過空間SPb2-3に接続している。ビーム通過空間SP2-4は更に、ビーム通過空間SPb2-4の他方の端部(図5に示す例では、-Z側の端部であり、真空形成部材1241の下面に形成されたビーム射出口1250)を介して、真空形成部材1241の外部の空間(より具体的には、ビーム通過空間SPb3)に接続している。
 真空形成部材1242は、排気通路EP1の一部を構成する排気通路EP1-4を、真空形成部材1241と共に形成する。具体的には、真空形成部材1242は、真空形成部材1242の内壁面と真空形成部材1241の外壁面との間に間隙が確保された状態で真空形成部材1242の内壁面が真空形成部材1241の外壁面に対向するように、真空形成部材1241に対して位置合わせされる。その結果、真空形成部材1242の内壁面(つまり、光軸AX側を向いた面)と真空形成部材1241の外壁面(つまり、光軸AXとは逆側を向いた面)との間の間隙が、排気通路EP1-4として利用可能となる。排気通路EP1-4は、排気通路EP1-4の一方の端部(図5及び図10(b)に示す例では、上面124Suに形成された環状の開口)を介して、真空形成部材123の排気通路EP1-3(特に、排気通路EP1-33)に接続している。排気通路EP1-4は、排気通路EP1-4の他方の端部(図5に示す例では、射出面12LSに形成された環状の開口(つまり、排気溝1251))を介して、真空形成部材124の外部の空間(より具体的には、差動排気系12と試料Wとの間の空間)に接続している。
 真空形成部材1243は、排気通路EP2の一部を構成する排気通路EP2-4を、真空形成部材1242と共に形成する。具体的には、真空形成部材1243は、真空形成部材1243の内壁面と真空形成部材1242の外壁面との間に間隙が確保された状態で真空形成部材1243の内壁面が真空形成部材1242の外壁面に対向するように、真空形成部材1242に対して位置合わせされる。その結果、真空形成部材1243の内壁面と真空形成部材1242の外壁面との間の間隙が、排気通路EP2-4として利用可能となる。排気通路EP2-4は、排気通路EP2-4の一方の端部(図5及び図10(b)に示す例では、上面124Suに形成された環状の開口)を介して、真空形成部材123の排気通路EP2-3(特に、排気通路EP2-33)に接続している。排気通路EP2-4は、排気通路EP2-4の他方の端部(図5及び図10(b)に示す例では、射出面12LSに形成された環状の開口(つまり、排気溝1252))を介して、真空形成部材124の外部の空間(より具体的には、差動排気系12と試料Wとの間の空間)に接続している。
 真空形成部材1244は、排気通路EP3の一部を構成する排気通路EP3-4を、真空形成部材1243と共に形成する。具体的には、真空形成部材1244は、真空形成部材1244の内壁面と真空形成部材1243の外壁面との間に間隙が確保された状態で真空形成部材1244の内壁面が真空形成部材1243の外壁面に対向するように、真空形成部材1243に対して位置合わせされる。その結果、真空形成部材1244の内壁面と真空形成部材1243の外壁面との間の間隙が、排気通路EP3-4として利用可能となる。排気通路EP3-4は、排気通路EP3-4の一方の端部(図5及び図10(b)に示す例では、上面124Suに形成された環状の開口)を介して、真空形成部材123の排気通路EP3-3(特に、排気通路EP3-33)に接続している。排気通路EP3-4は、排気通路EP3-4の他方の端部(図5及び図10(b)に示す例では、射出面12LSに形成された環状の開口(つまり、排気溝1253))を介して、真空形成部材124の外部の空間(より具体的には、差動排気系12と試料Wとの間の空間)に接続している。
 真空形成部材124の下面124Slに含まれる又は含む射出面12LSは、図6及び図10(a)に示すように、XY平面に沿った面内における形状が円形となる射出面121LSを含む。更に、射出面12LSは、図6及び図10(a)に示すように、射出面121LSからXY平面に沿った一の方向(図6及び図10(a)に示す例では、+Y側に向かう方向)に沿って外側に向かって突き出た射出面122LSを含んでいてもよい。但し、射出面12LSの形状が図6及び図10(a)に示す形状に限定されることはなく、その他の任意の形状(例えば、矩形又は楕円形状)であってもよい。
 尚、真空形成部材1241から1244のそれぞれは、ビーム通過空間SPb2-4及び排気通路EP1-4からEP3-4を形成可能である限りは、どのような形状を有していてもよい。真空形成部材124は、ビーム通過空間SPb2-4及び排気通路EP1-4からEP3-4を形成可能である限りは、どのような形状を有していてもよい。真空形成部材124は、ビーム通過空間SPb2-4及び排気通路EP1-4からEP3-4を形成可能である限りは、どのような形状を有していてもよい。真空形成部材124は、複数の真空形成部材1241から1244に分離されていなくてもよい。
 このように、第1実施形態では、真空形成部材である差動排気系12に形成された孔及び溝の少なくとも一方が相互に接続されるように真空形成部材121から124が組み合わされることで、3つの排気通路EP1からEP3が形成される。ここで、差動排気系12は、排気通路EP1からEP3のうちの少なくとも一つが差動排気系12内で占める体積の割合が所定範囲に収まる部材であってもよい。例えば、差動排気系12は、排気通路EP1からEP3のうちの少なくとも一つが差動排気系12内で占める体積の割合が20%以上且つ50%以下の範囲に収まる部材であってもよい。この場合、差動排気系12は、相対的に肉厚の部材となるがゆえに、排気通路EP1からEP3を構成する配管(つまり、管状の排気管)から構成される比較例の差動排気系と比較して、差動排気系12の振動が抑制されやすいという効果がある。
 第1実施形態では特に、上述したように、各排気通路EPkは、射出面12LSと真空ポンプ52との間において、4本の排気通路EPk-31が2本の排気通路EPk-21に合流し、2本の排気通路EPk-21が1本の排気通路EPk-1に合流している排気通路である。つまり、各排気通路EPkは、射出面12LSと真空ポンプ52との間において、N1(N1は任意の整数)本の排気通路EPk-31がN2(但し、N2は、N2<N1を満たす整数)本の排気通路EPk-21に合流し、N2本の排気通路EPk-21がN3(但し、N3は、N3<N2を満たす整数)本の排気通路EPk-1に合流している排気通路である。このような排気通路EPkの合流の様子が、図11に模式的に示されている。以下、差動排気系12における排気通路EPkの合流について更に詳細に説明を進める。
 (1-3-2)差動排気系12における排気通路EPkの合流について
 図11に示すように、真空ポンプ52には、排気通路EPk-1が接続される。尚、排気通路EPk-1は、真空ポンプ52に直接的に接続されていてもよいし、他の排気通路を介して真空ポンプ52に直接的に接続されていてもよい。排気通路EPk-1には、排気通路EPk-22を介して2本の排気通路EPk-21が接続される。具体的には、排気通路EPk-1には、排気通路EPk-22を構成する第1の排気通路EPk-22#1を介して、2本の排気通路EPk-21のうちの第1の排気通路EPk-21#1が接続される。第1の排気通路EPk-22#1は、排気通路EPk-22の一部であって、且つ、第1の排気通路EPk-21#1の+Z側の端部(つまり、試料Wとは反対側の端部、以下同じ)T21#1から排気通路EPk-1の-Z側の端部(つまり、試料W側の端部、以下同じ)T1に向かって延びる排気通路である。更に、排気通路EPk-1には、排気通路EPk-22を構成する第2の排気通路EPk-22#2を介して、2本の排気通路EPk-21のうちの第2の排気通路EPk-21#2が接続される。第2の排気通路EPk-22#2は、排気通路EPk-22の一部であって、且つ、第2の排気通路EPk-21#2の+Z側の端部T21#2から排気通路EPk-1の-Z側の端部T1に向かって延びる排気通路である。
 2本の排気通路EPk-21#1及び#2には、排気通路EPk-32を介して4本の排気通路EPk-31が接続される。具体的には、排気通路EPk-21#1には、排気通路EPk-32を構成する第1の排気通路EPk-32#1を介して、4本の排気通路EPk-31のうちの第1の排気通路EPk-31#1が接続される。第1の排気通路EPk-32#1は、排気通路EPk-32の一部であって、且つ、第1の排気通路EPk-31#1の+Z側の端部T31#1から排気通路EPk-22#1の-Z側の端部T22#1に向かって延びる排気通路である。更に、排気通路EPk-21#1には、排気通路EPk-32を構成する第2の排気通路EPk-32#2を介して、4本の排気通路EPk-31のうちの第2の排気通路EPk-31#2が接続される。第2の排気通路EPk-32#2は、排気通路EPk-32の一部であって、且つ、第2の排気通路EPk-31#2の+Z側の端部T31#2から排気通路EPk-22#1の端部T22#1に向かって延びる排気通路である。更には、排気通路EPk-21#2には、排気通路EPk-32を構成する第3の排気通路EPk-32#3を介して、4本の排気通路EPk-31のうちの第3の排気通路EPk-31#3が接続される。第3の排気通路EPk-32#3は、排気通路EPk-32の一部であって、且つ、第3の排気通路EPk-31#3の+Z側の端部T31#3から排気通路EPk-22#2の-Z側の端部T22#2に向かって延びる排気通路である。更に、排気通路EPk-21#2には、排気通路EPk-32を構成する第4の通路部分EPk-32#4を介して、4本の排気通路EPk-31のうちの第4の排気通路EPk-31#4が接続される。第4の排気通路EPk-32#4は、排気通路EPk-32の一部であって、且つ、第4の排気通路EPk-31#4の+Z側の端部T31#4から排気通路EPk-22#2の端部T22#2に向かって延びる排気通路である。
 4本の排気通路EPk-31#1から#4には、排気通路EPk-33を介して排気通路EPk-4が接続される。排気通路EPk-4は、排気溝125k(つまり、排気溝1251、1252又は1253)を介して、試料W上の空間(特に、上述したビーム通過空間SPb3を含む空間SP1)に接続される。このため、4本の排気通路EPk-31#1から#4は、排気通路EPk-4及び排気溝125kを介して、差動排気系12が気体を排出するべき空間SP1に接続される。この際、4本の排気通路EPk-31#1から#4と排気通路EPk-4とがそれぞれ異なる位置で接続されるがゆえに、4本の排気通路EPk-31#1から#4は、それぞれ異なる位置を介して、空間SP1に接続される。具体的には、4本の排気通路EPk-31#1から#4は、それぞれの-Z側の端部T32#1から#4をそれぞれ介して、空間SP1に接続される。つまり、4本の排気通路EPk-31#1から#4は、それぞれの-Z側の端部T32#1から#4が存在する位置C34#1から#4をそれぞれ介して、空間SP1に接続される。
 尚、4本の排気通路EPk-31#1から#4のそれぞれと排気溝125kとの間には、排気通路EPk-4内で排気溝125kから4本の排気通路EPk-31#1から#4のそれぞれに向かう気体が流れる4本の流路が形成されているとみなしてもよい。この場合、排気通路EPk-31#1は、排気溝125kのうちの排気通路EPk-31#1に向かう気体が流れる流路の端部に相当する溝部分T4#1で空間SP1に接続されているとみなしてもよい。この場合、差動排気系12は、排気通路EPk-31#1及び溝部分T4#1を介して、溝部分T4#1の近傍の空間の気圧(つまり、排気通路EPk-31#1と空間SP1との接続位置における気圧)を調整可能であるとも言える。同様に、排気通路EPk-31#2は、排気溝125kのうちの排気通路EPk-31#2に向かう気体が流れる流路の端部に相当する溝部分T4#2で空間SP1に接続されているとみなしてもよい。この場合、差動排気系12は、排気通路EPk-31#2及び溝部分T4#2を介して、溝部分T4#2の近傍の空間の気圧(つまり、排気通路EPk-31#2と空間SP1との接続位置における気圧)を調整可能であるとも言える。排気通路EPk-31#3は、排気溝125kのうちの排気通路EPk-31#3に向かう気体が流れる流路の端部に相当する溝部分T4#3で空間SP1に接続されているとみなしてもよい。この場合、差動排気系12は、排気通路EPk-31#3及び溝部分T4#3を介して、溝部分T4#3の近傍の空間の気圧(つまり、排気通路EPk-31#3と空間SP1との接続位置における気圧)を調整可能であるとも言える。排気通路EPk-31#4は、排気溝125kのうちの排気通路EPk-31#4に向かう気体が流れる流路の端部に相当する溝部分T4#4で空間SP1に接続されているとみなしてもよい。この場合、差動排気系12は、排気通路EPk-31#4及び溝部分T4#4を介して、溝部分T4#4の近傍の空間の気圧(つまり、排気通路EPk-31#4と空間SP1との接続位置における気圧)を調整可能であるとも言える。尚、「4本の排気通路EPk-31#1から#4がそれぞれ異なる位置を介して空間SP1に接続される」という状態は、「4本の排気通路EPk-31#1から#4がそれぞれ異なる位置で空間SP1に接続される」という状態と等価であるとみなしてもよい。更には、排気通路EPk-31#1及び#2に接続される排気通路EPk-21#1もまた、溝部分T4#1及び#2の少なくとも一方で空間SP1に接続されているとみなしてもよい。排気通路EPk-31#3及び#4に接続される排気通路EPk-21#2もまた、溝部分T4#3及び#4の少なくとも一方で空間SP1に接続されているとみなしてもよい。排気通路EPk-21#1から#2に接続される排気通路EPk-1もまた、溝部分T4#1から#4のうちの少なくとも一つで空間SP1に接続されているとみなしてもよい。
 このように、第1実施形態では、2本の排気通路EPk-21#1及び#2のそれぞれは、排気通路EPk-1を介して、真空ポンプ52に接続可能となる。4本の排気通路EPk-31#1から#4のそれぞれは、排気通路EPk-1並びに2本の排気通路EPk-21#1及び#2を介して、真空ポンプ52に接続可能となる。排気通路EPk-4は、排気通路EPk-1、2本の排気通路EPk-21#1及び#2、並びに、4本の排気通路EPk-31#1から#4を介して、真空ポンプ52に接続可能となる。この場合、空間SP1の気体は、排気溝125kを介して、排気通路EPk-4に流入する。つまり、空間SP1の気体は、排気通路EPk-4を介して排出される。排気通路EPk-4に排出された気体は、排気通路EPk-33を介して、4本の排気通路EPk-31#1から#4のうちの少なくとも一つに流入する。つまり、空間SP1の気体は、4本の排気通路EPk-31#1から#4のうちの少なくとも一つを介して排出される。4本の排気通路EPk-31#1から#4のうちの少なくとも一つに排出された気体は、排気通路EPk-33を介して、2本の排気通路EPk-21#1から#2のうちの少なくとも一つに流入する。つまり、空間SP1の気体は、2本の排気通路EPk-21#1から#2のうちの少なくとも一つを介して排出される。言い換えれば、空間SP1の気体は、4本の排気通路EPk-31#1から#4のうちの少なくとも一つを通過した後に、2本の排気通路EPk-21#1から#2のうちの少なくとも一つを通過する。2本の排気通路EPk-21#1から#2のうちの少なくとも一つに排出された気体は、排気通路EPk-22を介して、排気通路EPk-1に流入する。つまり、空間SP1の気体は、排気通路EPk-1を介して排出される。言い換えれば、空間SP1の気体は、2本の排気通路EPk-21#1から#2のうちの少なくとも一つを通過した後に、排気通路EPk-1を通過する。その結果、空間SP1の気体は、排気通路EPkを介して真空ポンプ52によって排出される。
 このように4本(或いは、N1本)の排気通路EPk-31#1から#4が2本(或いは、N2本)の排気通路EPk-21#1から#2に合流し、且つ、2本の排気通路EPk-21#1から#2が1本(或いは、N3本)の排気通路EPk-1に合流する場合には、差動排気系12は、以下の設計条件を満たすように形成されていてもよい。
 例えば、差動排気系12は、上流側の排気通路が空間SP1に接続される位置から当該上流側の排気通路と下流側の排気通路とが接続する位置までの当該上流側の排気通路の長さが、下流側の排気通路が真空ポンプ52に接続される位置から当該下流側の排気通路と上流側の排気通路とが接続する位置までの当該下流側の排気通路の長さよりも短くなるという第1の条件を満たすように形成されていてもよい。
 尚、第1実施形態における上流及び下流は、空間SP1から排出される気体の流れの上流及び下流をそれぞれ意味する。このため、上流側の排気通路は、下流側の排気通路よりも試料Wに近い。下流側の排気通路は、上流側の排気通路よりも真空ポンプ52に近い。
 第1の条件に関して、具体的には、排気通路EPk-31#i及びEPk-32#iから構成される排気通路EPk-3#i(但し、iは、1から4の間の整数)が上流側の排気通路である場合には、排気通路EPk-21#j及びEPk-22#jから構成される排気通路EPk-2#j(但し、jは、1又は2)が下流の排気通路となる。この場合、差動排気系12は、図11に示すように、(i)位置C34#1から位置C23#1までの排気通路EPk-3#1の長さが、位置C12から位置C23#1までの排気通路EPk-2#1の長さよりも短くなり、(ii)位置C34#2から位置C23#1までの排気通路EPk-3#2の長さが、位置C12から位置C23#1までの排気通路EPk-2#1の長さよりも短くなり、(iii)位置C34#3から位置C23#2までの排気通路EPk-3#3の長さが、位置C12から位置C23#2までの排気通路EPk-2#2の長さよりも短くなり、及び/又は(iv)位置C34#4から位置C23#2までの排気通路EPk-3#4の長さが、位置C12から位置C23#2までの排気通路EPk-2#2の長さよりも短くなるように形成されていてもよい。また、排気通路EPk-2#jが下流側の排気通路である場合には、排気通路EPk-1が上流の排気通路となる。この場合、差動排気系12は、図11に示すように、(i)位置C23#1から位置C12までの排気通路EPk-2#1の長さが、位置C1から位置C12までの排気通路EPk-1の長さよりも短くなり、及び/又は、(ii)位置C23#2から位置C12までの排気通路EPk-2#2の長さが、位置C1から位置C12までの排気通路EPk-1の長さよりも短くなるように形成されていてもよい。
 尚、位置C1は、排気通路EPk-1が真空ポンプ52に接続される位置である。位置C12は、排気通路EPk-2#jが排気通路EPk-1に接続される位置である。尚、排気通路EPk-2#jが排気通路EPk-1を介して真空ポンプ52に接続されるがゆえに、排気通路EPk-2#jが真空ポンプ52に接続される位置として、位置C1が用いられてもよいし、位置C12が用いられてもよい。位置C23#jは、排気通路EPk-3#iとその下流の排気通路EPk-2#jとが接続する位置である。位置C23#jは、典型的には、排気通路EPk-21#jの-Z側の端部T22#jの位置と同じになるが、端部T22#jの位置と異なる位置であってもよい。尚、第1実施形態では、同じ下流側の排気通路に合流する複数の上流側の排気通路は、同じ位置で下流側の排気通路と接続する。図11に示す例では、排気通路EPk-3#1及び#2は、同じ位置C23#1で排気通路EPk-2#1と接続し、排気通路EPk-3#3及び#4は、同じ位置C23#2で排気通路EPk-2#2と接続し、排気通路EPk-2#1及び#2は、同じ位置C12で排気通路EPk-1と接続する。つまり、排気通路EPk-3#1と排気通路EPk-2#1とは、排気通路EPk-3#2と排気通路EPk-2#1とが接続する位置で接続し、排気通路EPk-3#3と排気通路EPk-2#2とは、排気通路EPk-3#4と排気通路EPk-2#2とが接続する位置で接続し、排気通路EPk-2#1と排気通路EPk-1とは、排気通路EPk-2#2と排気通路EPk-1とが接続する位置で接続する。但し、同じ下流側の排気通路に合流する複数の上流側の排気通路は、それぞれ異なる位置で下流側の排気通路と異なる位置で接続してもよい。位置C34#iは、排気通路EPk-3#iが排気通路EPk-4に接続される位置である。尚、排気通路EPk-3#iが排気通路EPk-4を介して空間SP1に接続されるがゆえに、排気通路EPk-3#iが空間SP1に接続される位置として、位置C34#iが用いられてもよいし、排気溝125kのうちの排気通路EPk-3#iに向かう気体が流れる流路の端部に相当する溝部分T4#iの位置C#4iが用いられてもよい。同様に、排気通路EPk-2#jが排気通路EPk-3#i及び排気通路EPk-4を介して空間SP1に接続されるがゆえに、排気通路EPk-2#jが空間SP1に接続される位置として、位置C23#jが用いられてもよいし、位置C34#iが用いられてもよいし、位置C#4iが用いられてもよい。
 上述した第1の条件に加えて又は代えて、例えば、差動排気系12は、上流側の排気通路が空間SP1に接続される位置から当該上流側の排気通路と下流側の排気通路とが接続する位置までの当該上流側の排気通路の内壁の表面積が、下流側の排気通路が真空ポンプ52に接続される位置から当該下流側の排気通路と上流側の排気通路とが接続する位置までの当該下流側の排気通路の内壁の表面積よりも小さくなるという第2の条件を満たすように形成されていてもよい。具体的には、差動排気系12は、図11に示すように、(i)位置C34#1から位置C23#1までの排気通路EPk-3#1の内壁の表面積が、位置C12から位置C23#1までの排気通路EPk-2#1の内壁の表面積よりも小さくなり、(ii)位置C34#2から位置C23#1までの排気通路EPk-3#2の内壁の表面積が、位置C12から位置C23#1までの排気通路EPk-2#1の内壁の表面積よりも小さくなり、(iii)位置C34#3から位置C23#2までの排気通路EPk-3#3の内壁の表面積が、位置C12から位置C23#2までの排気通路EPk-2#2の内壁の表面積よりも小さくなり、及び/又は、(iv)位置C34#4から位置C23#2までの排気通路EPk-3#4の内壁の表面積が、位置C12から位置C23#2までの排気通路EPk-2#2の内壁の表面積よりも小さくなるように形成されていてもよい。また、差動排気系12は、図11に示すように、(i)位置C23#1から位置C12までの排気通路EPk-2#1の内壁の表面積が、位置C1から位置C12までの排気通路EPk-1の内壁の表面積よりも小さくなり、及び/又は、(ii)位置C23#2から位置C12までの排気通路EPk-2#2の内壁の表面積が、位置C1から位置C12までの排気通路EPk-1の内壁の表面積よりも小さくなるように形成されていてもよい。
 これら第1及び第2の条件が満たされる場合には、これら第1及び第2の条件が満たされない場合と比較して、真空ポンプ52からより離れた位置において複数の排気通路が合流することになる。その結果、真空ポンプ52の近傍において複数の排気通路がより少ない数の排気通路に合流する場合と比較して、真空度がより高い真空領域VSPを、より早く形成することができる。
 上述した第1及び第2の条件の少なくとも一方に加えて又は代えて、例えば、差動排気系12は、同じ下流側の排気通路に合流する複数の上流側の排気通路の圧力損失が互いに等しくなるという第3の条件を満たすように形成されていてもよい。例えば、排気通路EPk-1には、排気通路EPk-2#1及び#2が合流する。このため、差動排気系12は、排気通路EPk-2#1及び#2の圧力損失が互いに等しくなるように形成されていてもよい。例えば、排気通路EPk-2#1には、排気通路EPk-3#1及び#2が合流する。このため、差動排気系12は、排気通路EPk-3#1及び#2の圧力損失が互いに等しくなるように形成されていてもよい。例えば、排気通路EPk-2#2には、排気通路EPk-3#3及び#4が合流する。このため、差動排気系12は、排気通路EPk-3#3及び#4の圧力損失が互いに等しくなるように形成されていてもよい。例えば、差動排気系12は、排気通路EPk-3#1から#4のうちの少なくとも二つ(典型的には、全部)の圧力損失が互いに等しくなるように形成されていてもよい。
 第3の条件は、第1の上流側の排気通路が空間SP1に接続される位置から当該第1の上流側の排気通路と下流側の排気通路とが接続する位置までの当該第1の上流側の排気通路の圧力損失が、第2の上流側の排気通路が空間SP1に接続される位置から当該第2の上流側の排気通路と下流側の排気通路とが接続する位置までの当該第2の上流側の排気通路の圧力損失と等しくなるという条件であってもよい。例えば、第3の条件は、位置C34#1から位置C23#1までの排気通路EPk-3#1の圧力損失が、位置C34#2から位置C23#1までの排気通路EPk-3#2の圧力損失と等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第3の条件は、位置C34#3から位置C23#2までの排気通路EPk-3#3の圧力損失が、位置C34#4から位置C23#2までの排気通路EPk-3#4の圧力損失と等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第3の条件は、位置C23#1から位置C12までの排気通路EPk-2#1の圧力損失が、位置C23#2から位置C12までの排気通路EPk-2#2の圧力損失と等しくなるという条件を含んでいてもよい。
 このような第3の条件が満たされる場合には、第3の条件が満たされない場合と比較して、空間SP1から排出される気体の量が方位に依らずに偏りにくくなる。その結果、差動排気系12は、均一な真空度分布を有する真空領域VSPを形成しやすくなる。
 上述した第3の条件を満たすために、差動排気系12は、同じ下流側の排気通路に合流する複数の上流側の排気通路の長さが互いに等しくなるという長さ条件を満たすように形成されていてもよい。一例として、長さ条件は、第1の上流側の排気通路が空間SP1に接続される位置から当該第1の上流側の排気通路と下流側の排気通路とが接続する位置までの当該第1の上流側の排気通路の長さが、第2の上流側の排気通路が空間SP1に接続される位置から当該第2の上流側の排気通路と下流側の排気通路とが接続する位置までの当該第2の上流側の排気通路の長さと等しくなるという条件であってもよい。この場合、例えば、長さ条件は、位置C34#1から位置C23#1までの排気通路EPk-3#1の長さが、位置C34#2から位置C23#1までの排気通路EPk-3#2の長さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、長さ条件は、位置C34#3から位置C23#2までの排気通路EPk-3#3の長さが、位置C34#4から位置C23#2までの排気通路EPk-3#4の長さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、長さ条件は、位置C34#1から位置C23#1までの排気通路EPk-3#1の長さと、位置C34#2から位置C23#1までの排気通路EPk-3#2の長さと、位置C34#3から位置C23#2までの排気通路EPk-3#3の長さと、位置C34#4から位置C23#2までの排気通路EPk-3#4の長さとの少なくとも二つ(典型的には、全部)が等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、長さ条件は、位置C23#1から位置C12までの排気通路EPk-2#1の長さが、位置C23#2から位置C12までの排気通路EPk-2#2の長さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。
 上述した第3の条件を満たすために、差動排気系12は、同じ下流側の排気通路に合流する複数の上流側の排気通路の太さが互いに等しくなるという太さ条件を満たすように形成されていてもよい。一例として、太さ条件は、第1の上流側の排気通路が空間SP1に接続される位置から当該第1の上流側の排気通路と下流側の排気通路とが接続する位置までの当該第1の上流側の排気通路の太さが、第2の上流側の排気通路が空間SP1に接続される位置から当該第2の上流側の排気通路と下流側の排気通路とが接続する位置までの当該第2の上流側の排気通路の太さと等しくなるという条件であってもよい。この場合、例えば、太さ条件は、位置C34#1から位置C23#1までの排気通路EPk-3#1の太さが、位置C34#2から位置C23#1までの排気通路EPk-3#2の太さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、太さ条件は、位置C34#3から位置C23#2までの排気通路EPk-3#3の太さが、位置C34#4から位置C23#2までの排気通路EPk-3#4の太さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、太さ条件は、位置C34#1から位置C23#1までの排気通路EPk-3#1の太さと、位置C34#2から位置C23#1までの排気通路EPk-3#2の太さと、位置C34#3から位置C23#2までの排気通路EPk-3#3の太さと、位置C34#4から位置C23#2までの排気通路EPk-3#4の太さとの少なくとも二つ(典型的には、全部)が等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、太さ条件は、位置C23#1から位置C12までの排気通路EPk-2#1の太さが、位置C23#2から位置C12までの排気通路EPk-2#2の太さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。
 上述した第3の条件を満たすために、差動排気系12は、同じ下流側の排気通路に合流する複数の上流側の排気通路の内壁の表面積が互いに等しくなるという表面積条件を満たすように形成されていてもよい。一例として、表面積条件は、第1の上流側の排気通路が空間SP1に接続される位置から当該第1の上流側の排気通路と下流側の排気通路とが接続する位置までの当該第1の上流側の排気通路の内壁の表面積が、第2の上流側の排気通路が空間SP1に接続される位置から当該第2の上流側の排気通路と下流側の排気通路とが接続する位置までの当該第2の上流側の排気通路の内壁の表面積と等しくなるという条件であってもよい。この場合、例えば、表面積条件は、位置C34#1から位置C23#1までの排気通路EPk-3#1の内壁の表面積が、位置C34#2から位置C23#1までの排気通路EPk-3#2の内壁の表面積と等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、表面積条件は、位置C34#3から位置C23#2までの排気通路EPk-3#3の内壁の表面積が、位置C34#4から位置C23#2までの排気通路EPk-3#4の内壁の表面積と等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、表面積条件は、位置C34#1から位置C23#1までの排気通路EPk-3#1の内壁の表面積と、位置C34#2から位置C23#1までの排気通路EPk-3#2の内壁の表面積と、位置C34#3から位置C23#2までの排気通路EPk-3#3の内壁の表面積と、位置C34#4から位置C23#2までの排気通路EPk-3#4の内壁の表面積との少なくとも二つ(典型的には、全部)が等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、表面積条件は、位置C23#1から位置C12までの排気通路EPk-2#1の内壁の表面積が、位置C23#2から位置C12までの排気通路EPk-2#2の内壁の表面積と等しくなるという条件を含んでいてもよい。
 上述した第3の条件を満たすために、差動排気系12は、複数の上流側の排気通路が下流側の排気通路にそれぞれ接続される複数の位置と試料Wの表面WSuとの間の距離が互いに等しくなるという第1の距離条件を満たすように形成されていてもよい。尚、第1の距離条件における「距離」は、Z軸方向における距離(つまり、試料Wの表面WSuに交差する方向における距離)を意味していてもよい。一例として、第1の距離条件は、試料Wの表面WSuから第1の上流側の排気通路と下流側の排気通路とが接続する位置までの距離が、試料Wの表面WSuから第2の上流側の排気通路と下流側の排気通路とが接続する位置までの距離と等しくなるという条件であってもよい。この場合、例えば、第1の距離条件は、試料Wの表面WSuから排気通路EPk-3#1と排気通路EPk-2#1とが接続する位置C23#1までの距離が、試料Wの表面WSuから排気通路EPk-3#2と排気通路EPk-2#1とが接続する位置C23#1までの距離と等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第1の距離条件は、試料Wの表面WSuから排気通路EPk-3#3と排気通路EPk-2#2とが接続する位置C23#2までの距離が、試料Wの表面WSuから排気通路EPk-3#4と排気通路EPk-2#2とが接続する位置C23#2までの距離と等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第1の距離条件は、試料Wの表面WSuから排気通路EPk-2#1と排気通路EPk-1とが接続する位置C12までの距離が、試料Wの表面WSuから排気通路EPk-2#2と排気通路EPk-1とが接続する位置C12までの距離と等しくなるという条件を含んでいてもよい。
 複数の上流側の排気通路が合流する下流側の排気通路が複数存在する場合には、第1の距離条件は、更に、試料Wの表面WSuから第1の上流側の排気通路と第1の下流側の排気通路とが接続する位置までの距離が、試料Wの表面WSuから第2の上流側の排気通路と第2の下流側の排気通路とが接続する位置までの距離と等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、図11に示す例では、差動排気系12は、排気通路EPk-31#1及び#2が合流する排気通路EPk-2#1と、排気通路EPk-31#3及び#4が合流する排気通路EPk-2#2とを含む。この場合、第1の距離条件は、試料Wの表面WSuから排気通路EPk-3#1及び#2の少なくとも一方と排気通路EPk-2#1とが接続する位置C23#1までの距離が、試料Wの表面WSuから排気通路EPk-3#3及び#4の少なくとも一方と排気通路EPk-2#2とが接続する位置C23#2までの距離と等しくなるという条件を含んでいてもよい。但し、この場合であっても、第1の上流側の排気通路が第1の下流側の排気通路に合流する状況下において、試料Wの表面WSuから第1の下流側の排気通路と当該第1の下流側の排気通路の更に下流側に位置する第3の下流側の排気通路とが接続する位置までの距離は、試料Wの表面WSuから第1の上流側の排気通路と第1の下流側の排気通路とが接続する位置までの距離は異なる。典型的には、試料Wの表面WSuから第1の下流側の排気通路と第3の下流側の排気通路とが接続する位置までの距離は、試料Wの表面WSuから第1の上流側の排気通路と第1の下流側の排気通路とが接続する位置までの距離よりも大きくなる。例えば、図11に示す例では、試料Wの表面WSuから排気通路EPk-2#1及び#2の少なくとも一方と排気通路EPk-1とが接続する位置C12までの距離は、試料Wの表面WSuから排気通路EPk-3#1及び#2の少なくとも一方と排気通路EPk-2#1とが接続する位置C23#1までの距離よりも大きくなる。更に、試料Wの表面WSuから位置C12までの距離は、試料Wの表面WSuから排気通路EPk-3#3及び#4の少なくとも一方と排気通路EPk-2#2とが接続する位置C23#2までの距離よりも大きくなる。
 上述した第3の条件を満たすために、差動排気系12は、下流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分(典型的には、貫通孔)が、当該下流側の排気通路に合流する複数の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分から同じ距離(つまり、等距離)に位置するという第2の距離条件を満たすように形成されていてもよい。尚、第2の距離条件における「距離」は、Z軸に交差する方向における距離(例えば、試料Wの表面WSuに沿った方向における距離)を意味していてもよい。一例として、第2の距離条件は、第1の上流側の排気通路の貫通孔から下流側の排気通路の貫通孔までの距離が、第2の上流側の排気通路の貫通孔から同じ下流側の排気通路の貫通孔までの距離と等しくなるという条件であってもよい。この場合、例えば、第2の距離条件は、排気通路EPk-31#1と排気通路EPk-21#1との間の距離が、排気通路EPk-31#2と排気通路EPk-21#1との間の距離と等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第2の距離条件は、排気通路EPk-31#3と排気通路EPk-21#2との間の距離が、排気通路EPk-31#4と排気通路EPk-21#2との間の距離と等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第2の距離条件は、排気通路EPk-31#1と排気通路EPk-21#1との間の距離と、排気通路EPk-31#2と排気通路EPk-21#1との間の距離と、排気通路EPk-31#3と排気通路EPk-21#2との間の距離と、排気通路EPk-31#4と排気通路EPk-21#2との間の距離との少なくとも二つ(典型的には、全部)が等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第2の距離条件は、排気通路EPk-21#1と排気通路EPk-1との間の距離が、排気通路EPk-21#2と排気通路EPk-1との間の距離と等しくなるという条件を含んでいてもよい。尚、排気通路EPk-31#iと排気通路EPk-21#jとの間の距離は、排気通路EPk-31#iと排気通路EPk-21#jとを接続する排気通路EPk-32#iに沿った距離であってもよい。
 上述した第3の条件を満たすために、差動排気系12は、第1の上流側の排気通路が空間SP1に接続される位置における気体の圧力と第1の上流側の排気通路と下流側の排気通路とが接続する位置における気体の圧力との差が、第2の上流側の排気通路が空間SP1に接続される位置における気体の圧力と第2の上流側の排気通路と下流側の排気通路とが接続する位置における気体の圧力との差と等しくなるという第1の気圧差条件を満たすように差動排気を行ってもよい。例えば、気圧差条件は、位置C34#1における気体の圧力と位置C23#1における気体の圧力との差が、位置C34#2における気体の圧力と位置C23#1における気体の圧力との差と等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、気圧差条件は、位置C34#3における気体の圧力と位置C23#2における気体の圧力との差が、位置C34#4における気体の圧力と位置C23#2における気体の圧力との差と等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、気圧差条件は、位置C34#1における気体の圧力と位置C23#1における気体の圧力との差と、位置C34#2における気体の圧力と位置C23#1における気体の圧力との差と、位置C34#3における気体の圧力と位置C23#2における気体の圧力との差と、位置C34#4における気体の圧力と位置C23#2における気体の圧力との差との少なくとも二つ(典型的には、全部)が等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、気圧差条件は、位置C23#1における気体の圧力と位置C12における気体の圧力との差が、位置C23#2における気体の圧力と位置C12における気体の圧力との差と等しくなるという条件を含んでいてもよい。
 上述した第3の条件を満たすために、差動排気系12は、第1の上流側の排気通路が空間SP1に接続される位置における気体の圧力が、第2の上流側の排気通路が空間SP1に接続される位置における気体の圧力と等しくなるという気圧条件を満たすように差動排気を行ってもよい。例えば、気圧条件は、位置C34#1における気体の圧力が、位置C34#2における気体の圧力と等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、気圧条件は、位置C34#3における気体の圧力が、位置C34#4における気体の圧力と等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、気圧条件は、位置C34#1における気体の圧力と、位置C34#2における気体の圧力と、位置C34#3における気体の圧力と、位置C34#4における気体の圧力との少なくとも二つ(典型的には、全部)が等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、気圧条件は、位置C4#1における気体の圧力が、位置C4#2における気体の圧力と等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第3の条件は、位置C4#3における気体の圧力が、位置C4#4における気体の圧力と等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、気圧条件は、位置C4#1における気体の圧力と、位置C4#2における気体の圧力と、位置C4#3における気体の圧力と、位置C4#4における気体の圧力との少なくとも二つ(典型的には、全部)が等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、気圧条件は、位置C23#1における気体の圧力が、位置C23#2における気体の圧力と等しくなるという条件を含んでいてもよい。
 気圧差条件及び気圧条件の少なくとも一方を満たすために、真空ポンプ52は、制御装置4の制御下で、その排気レート(つまり、排気速度)を調整可能であってもよい。また、気圧差条件及び気圧条件の少なくとも一方を満たすために、制御装置4の制御下で、排気通路EPkの少なくとも一部の排気抵抗が調整可能であってもよい。例えば、ある排気通路の排気抵抗は、排気通路の長さに比例し且つ排気通路の断面積に反比例する。このため、一例として、排気通路EPkの少なくとも一部の長さ及び断面積の少なくとも一方が調整可能であってもよい。尚、排気通路EPkの断面積の調整は、排気通路EPkのある部分の断面積の調整を含んでいてもよいし、排気通路EPkの断面積の積分値(つまり、排気通路EPkの全体に渡る積分値)の調整を含んでいてもよいし、排気通路EPkの断面積の逆数の積分値の調整を含んでいてもよい。また、同じ下流側の排気通路に第1及び第2の上流側の排気通路が合流する場合には、第1の上流側の排気通路を排気するための排気レートと第1の上流側の排気通路の排気抵抗との積が、第2の上流側の排気通路を排気するための排気レートと第2の上流側の排気通路の排気抵抗との積と等しくなるように、排気レート及び/又は排気抵抗が調整されてもよい。
 上述した第1から第3の条件のうちの少なくとも一つに加えて又は代えて、例えば、差動排気系12は、同じ下流側の排気通路に合流する複数の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分(典型的には、貫通孔)の長さが互いに等しくなるという第4の条件を満たすように形成されていてもよい。例えば、第4の条件は、排気通路EPk-31#1の長さが、排気通路EPk-31#2の長さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第4の条件は、排気通路EPk-31#3の長さが、排気通路EPk-31#4の長さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第4の条件は、排気通路EPk-31#1の長さと、排気通路EPk-31#2の長さと、排気通路EPk-31#3の長さと、排気通路EPk-31#4の長さとのうちの少なくとも二つ(典型的には、全部)が等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第4の条件は、排気通路EPk-21#1の長さが、排気通路EPk-21#2の長さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。
 上述した第1から第4の条件のうちの少なくとも一つに加えて又は代えて、例えば、差動排気系12は、同じ下流側の排気通路に合流する複数の上流側の排気通路のうちののうちのZ軸方向に沿って延びる部分(典型的には、貫通孔)の太さが互いに等しくなるという第5の条件を満たすように形成されていてもよい。例えば、第5の条件は、排気通路EPk-31#1の太さが、排気通路EPk-31#2の太さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第5の条件は、排気通路EPk-31#3の太さが、排気通路EPk-31#4の太さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第5の条件は、排気通路EPk-31#1の太さと、排気通路EPk-31#2の太さと、排気通路EPk-31#3の太さと、排気通路EPk-31#4の太さとのうちの少なくとも二つ(典型的には、全部)が等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第5の条件は、排気通路EPk-21#1の太さが、排気通路EPk-21#2の太さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。
 上述した第1から第5の条件のうちの少なくとも一つに加えて又は代えて、例えば、差動排気系12は、同じ下流側の排気通路に合流する複数の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に交差する方向に沿って延びる部分(典型的には、溝)の長さが互いに等しくなるという第6の条件を満たすように形成されていてもよい。一例として、第6の条件は、第1の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分の試料Wとは反対側の端部から下流側の排気通路までの、第1の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に交差する方向に沿って延びる部分の長さが、第2の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分の試料Wとは反対側の端部から下流側の排気通路までの、第2の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に交差する方向に沿って延びる部分の長さと等しくなるという条件であってもよい。この場合、例えば、第6の条件は、排気通路EPk-31#1の端部T31#1から排気通路EPk-2#1(特に、その端部T22#1)までの排気通路EPk-32#1の長さが、排気通路EPk-31#2の端部T31#2から排気通路EPk-2#1(特に、その端部T22#1)までの排気通路EPk-32#2の長さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第6の条件は、排気通路EPk-31#3の端部T31#3から排気通路EPk-2#2(特に、その端部T22#2)までの排気通路EPk-32#3の長さが、排気通路EPk-31#4の端部T31#4から排気通路EPk-2#2(特に、その端部T22#2)までの排気通路EPk-32#4の長さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第6の条件は、排気通路EPk-31#1の端部T31#1から排気通路EPk-2#1までの排気通路EPk-32#1の長さと、排気通路EPk-31#2の端部T31#2から排気通路EPk-2#1までの排気通路EPk-32#2の長さと、排気通路EPk-31#3の端部T31#3から排気通路EPk-2#2までの排気通路EPk-32#3の長さと、排気通路EPk-31#4の端部T31#4から排気通路EPk-2#2までの排気通路EPk-32#4の長さとのうちの少なくとも二つ(典型的には、全部)が等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第6の条件は、排気通路EPk-21#1の端部T21#1から排気通路EPk-1(特に、その端部T1)までの、排気通路EPk-22#1の長さが、排気通路EPk-21#2の端部T21#2から排気通路EPk-1(特に、その端部T1)までの、排気通路EPk-22#2の長さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。
 上述した第1から第6の条件のうちの少なくとも一つに加えて又は代えて、例えば、差動排気系12は、同じ下流側の排気通路に合流する複数の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に交差する方向に沿って延びる部分(典型的には、溝)の太さが互いに等しくなるという第7の条件を満たすように形成されていてもよい。一例として、第7の条件は、第1の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分の試料Wとは反対側の端部から下流側の排気通路までの、第1の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に交差する方向に沿って延びる部分の太さが、第2の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分の試料Wとは反対側の端部から下流側の排気通路までの、第2の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に交差する方向に沿って延びる部分の太さと等しくなるという条件であってもよい。この場合、例えば、第7の条件は、排気通路EPk-31#1の端部T31#1から排気通路EPk-2#1(特に、その端部T22#1)までの排気通路EPk-32#1の太さが、排気通路EPk-31#2の端部T31#2から排気通路EPk-2#1(特に、その端部T22#1)までの排気通路EPk-32#2の太さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第7の条件は、排気通路EPk-31#3の端部T31#3から排気通路EPk-2#2(特に、その端部T22#2)までの排気通路EPk-32#3の太さが、排気通路EPk-31#4の端部T31#4から排気通路EPk-2#2(特に、その端部T22#2)までの排気通路EPk-32#4の太さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第7の条件は、排気通路EPk-31#1の端部T31#1から排気通路EPk-2#1までの排気通路EPk-32#1の太さと、排気通路EPk-31#2の端部T31#2から排気通路EPk-2#1までの排気通路EPk-32#2の太さと、排気通路EPk-31#3の端部T31#3から排気通路EPk-2#2までの排気通路EPk-32#3の太さと、排気通路EPk-31#4の端部T31#4から排気通路EPk-2#2までの排気通路EPk-32#4の太さとのうちの少なくとも二つ(典型的には、全部)が等しくなるという条件を含んでいてもよい。例えば、第7の条件は、排気通路EPk-21#1の端部T21#1から排気通路EPk-1(特に、その端部T1)までの、排気通路EPk-22#1の太さが、排気通路EPk-21#2の端部T21#2から排気通路EPk-1(特に、その端部T1)までの、排気通路EPk-22#2の太さと等しくなるという条件を含んでいてもよい。
 (1-3)第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaの技術的効果
 以上説明した第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaによれば、試料W上の空間SP1から気体を排出するための排気通路EPkは、試料W側から真空ポンプ52側に向かうにつれて複数の排気通路がより少ない数の排気通路に合流するという構造を有している。つまり、排気溝125kから回収された気体は、4本の排気通路EPk-3を通過し、その後、2本の排気通路EPk-2を通過し、その後、1本の排気通路EPk-1を通過することで回収される。このため、排気溝125kから回収された気体が単一の排気通路を介して回収される場合と比較して、均一な真空度分布を有する真空領域VSPを形成しやすくなる。更には、複数の排気通路が合流することなく真空ポンプ52に至る場合と比較して、走査型電子顕微鏡SEMaのサイズ(特に、差動排気系12のサイズ)を小さくすることができる。更には、第1実施形態では、真空ポンプ52よりも試料Wに近い側(つまり、真空ポンプ52から離れた位置)において複数の排気通路がより少ない数の排気通路に合流する(つまり、複数の上流側の排気通路が下流側の排気通路に接続する)。このため、真空ポンプ52の近傍において複数の排気通路がより少ない数の排気通路に合流する場合と比較して、真空度がより高い真空領域VSPを、より早く形成することができる。更には、第1実施形態では、差動排気系12の内部で複数の排気通路がより少ない数の排気通路に合流する。このため、差動排気系12の外部で複数の排気通路がより少ない数の排気通路に合流する場合と比較して、差動排気系12の外部で排気通路を真空ポンプ52に接続するための配管(例えば、チューブ)の数が少なくなる。その結果、真空ポンプ52の振動が配管を介して差動排気系12に伝達される技術的不都合が生じにくくなる。
 また、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaによれば、対物レンズ14が差動排気系12を取り囲むように配置される。このため、対物レンズ14は、試料Wの表面WSuに対向可能な位置に配置される。従って、対物レンズ14が試料Wの表面WSuに対向可能な位置に配置されない(例えば、対物レンズ14が差動排気系12の上方に配置される)比較例と比較して、対物レンズ14と試料Wの表面WSuとの間の距離D14(いわゆる、ワーキングディスタンス)を小さくすることができる。このため、対物レンズ14が形成するレンズ磁場を試料Wの表面WSuに近づけることができる。このため、対物レンズ14の焦点距離を短くすることができるがゆえに、走査型電子顕微鏡SEMaの分解能を向上させることができる。
 加えて、差動排気系12を取り囲む対物レンズ14自体を、ビーム照射装置1の外部の磁場(いわゆる、外乱磁場)がビーム通過空間SPb2を通過する電子ビームEBに影響を与えることを防止する磁場シールドとして利用可能となる。このため、差動排気系12の少なくとも一部(図2に示す例では、例えば、対物レンズ14が取り囲む真空形成部材123及び124)を、必ずしも高透磁率材料から構成しなくてもよくなる。従って、差動排気系12の設計の自由度が向上する。
 (2)第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMb
 続いて、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEM(以降、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMを、“走査型電子顕微鏡SEMb”と称する)について説明する。第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbは、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaと比較して、ビーム照射装置1に代えてビーム照射装置1bを備えているという点で異なっている。走査型電子顕微鏡SEMbのその他の特徴は、走査型電子顕微鏡SEMaと同一であってもよい。このため、以下では、図12を参照しながら、第2実施形態のビーム照射装置1bについて説明する。図12は、第2実施形態のビーム照射装置1bの構造を示す断面図である。
 尚、上述した第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaが備える構成要素(つまり、既に説明済みの構成要素)と同一の構成要素については、同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。以下の第3実施形態以降についても同様である。
 図12に示すように、第2実施形態のビーム照射装置1bは、第1実施形態のビーム照射装置1と比較して、差動排気系12に代えて、差動排気系12bを備えているという点で異なっている。ビーム照射装置1bのその他の特徴は、ビーム照射装置1と同一であってもよい。
 差動排気系12bは、差動排気系12と同様に、真空形成部材121、123及び124を備えている。一方で、差動排気系12bは、差動排気系12と比較して、真空形成部材122に代えて、真空形成部材122bを備えているという点で異なる。差動排気系12bのその他の特徴は、差動排気系12と同一であってもよい。
 真空形成部材122bは、側方に向かって気体を送り出してもよいという点で、上方に向かって気体を送り出す一方で側方に向かって気体を送り出さなくてもよい上述した真空形成部材122とは異なる。特に、真空形成部材122bは、光軸AXから離れる方向に向かって(つまり、ビーム通過空間SPb2から離れる方向に向かって)気体を送り出してもよい。気体を側方に向かって送り出すために、真空形成部材122bは、真空形成部材1221bと真空形成部材1222bとを備えている。以下、このような真空形成部材122bを備える差動排気系12bの構造について、図13から図16を参照しながら説明する。図13は、第2実施形態の差動排気系12bの構造を示す断面図である。図14(a)は、真空形成部材1221bの下面1221Slを示す平面図であり、図14(b)は、真空形成部材1221bの上面1221Suを示す平面図である。図15(a)は、真空形成部材1222bの下面1222Slを示す平面図であり、図15(b)は、真空形成部材1222bの上面1222Suを示す平面図である。図16は、真空形成部材121の下面121Slを示す平面図である。尚、以下では、特段の説明がない場合には、真空形成部材122bは、真空形成部材122と同様の特徴を有していてもよい。
 図13及び図14(a)から図14(b)に示すように、真空形成部材1221bは、真空形成部材123から上方に延びる筒状且つ板状の部材である。
 真空形成部材1221bの内部には、ビーム通過空間SPb2の一部を構成するビーム通過空間SPb2-21bが形成されている。ビーム通過空間SPb2-21bは、真空形成部材1221bを貫通する孔(つまり、貫通孔)を含む。図13及び図14(a)から図14(b)に示す例では、ビーム通過空間SPb2-21bは、真空形成部材1221bの下面1221Slから真空形成部材1221bの上面1221Suに向かって真空形成部材1221bを貫通している。ビーム通過空間SPb2-21bは、ビーム通過空間SPb2-21bの一方の端部(図13では、-Z側の端部であり、下面1221Slに形成された開口)を介して、真空形成部材123のビーム通過空間SPb2-3に接続している。ビーム通過空間SP2-21bは更に、ビーム通過空間SPb2-21bの他方の端部(図13では、+Z側の端部であり、上面1221Suに形成された開口)を介して、真空形成部材1221bの外部の空間(より具体的には、後述する真空形成部材1222bのビーム通過空間SPb2-22b)に接続している。
 真空形成部材1221bには、更に、排気通路EP1の一部を構成する複数の排気通路EP1-21bと、排気通路EP2の一部を構成する複数の排気通路EP2-21bと、排気通路EP3の一部を構成する複数の排気通路EP3-21bとが形成されている。つまり、真空形成部材1221bには、複数の排気通路EPk-21b(尚、kは、1、2又は3)が形成されている。図13及び図14(a)から図14(b)に示す例では、真空形成部材1221bには、2つの排気通路EPk-21bが形成されているが、1つの又は3つ以上の排気通路EPk-21bが形成されていてもよい。複数の排気通路EPk-21bは、互いに分離した通路である。複数の排気通路EPk-21bは、ビーム通過空間SPb2-21bから分離した通路である。複数の排気通路EPk-21bは、並列する通路である。
 排気通路EPk-21bは、真空形成部材1221bを貫通する孔(つまり、貫通孔)を含む。図13及び図14(a)から図14(b)に示す例では、排気通路EPk-21bは、真空形成部材1221bの下面1221Slから真空形成部材1221bの上面1221Suに向かって真空形成部材1221bを貫通する孔を含む。排気通路EPk-21bは、排気通路EPk-21bの一方の端部(図13及び図14(a)から図14(b)に示す例では、下面1221Slに形成された開口)を介して、真空形成部材123の排気通路EPk-3(特に、排気通路EPk-32)に接続している。このため、排気通路EPk-21bは、実質的には、上述した真空形成部材122に形成される排気通路EPk-21と等価であってもよい。排気通路EPk-21bは、上述した真空形成部材122に形成される排気通路EPk-21と同様の特徴を有していてもよい。この場合、各排気通路EPk-21bには、排気通路EPk-32を介して2本の排気通路EPk-31が合流してきてもよい。排気通路EPk-21bの本数は、排気通路EPk-21bに合流してくる排気通路EPk-31の本数の半分であってもよい。更に、排気通路EPk-21bは、排気通路EPk-21bの他方の端部(図13及び図14(a)から図14(b)に示す例では、上面1221Suに形成された開口)を介して、真空形成部材1221bの外部の空間(より具体的には、後述する真空形成部材1222bに形成された排気通路EPk-22b)に接続している。つまり、真空形成部材1221bは、排気通路EPk-21bが排気通路EPk-3及びEPk-22bのそれぞれに接続されることで一連の排気通路EPkが形成されるように、真空形成部材123及び1222bと組み合わせられる(例えば、積層される)。
 更に、図13及び図15(a)から図15(b)に示すように、真空形成部材1222bは、真空形成部材1221bから上方に延びる筒状且つ板状の部材である。真空形成部材1222bは、真空形成部材1221bの上方に配置される。真空形成部材1222bは、真空形成部材1221bの上方において、真空形成部材1221bに接続される。例えば、真空形成部材1222bは、真空形成部材1221bの上面1221Suが真空形成部材1222bの下面1222Slに接続されるように、真空形成部材1221bに接続されてもよい。真空形成部材1222bは、真空形成部材1221bと一体化されていてもよいし、真空形成部材1221bから分離可能であってもよい。
 真空形成部材1222bの内部には、ビーム通過空間SPb2の一部を構成するビーム通過空間SPb2-22bが形成されている。ビーム通過空間SPb2-22bは、真空形成部材1222bを貫通する孔(つまり、貫通孔)を含む。図13及び図15(a)から図15(b)に示す例では、ビーム通過空間SPb2-22bは、真空形成部材1222bの下面1222Slから真空形成部材1222bの上面1222Suに向かって真空形成部材1222bを貫通している。ビーム通過空間SPb2-22bは、ビーム通過空間SPb2-22bの一方の端部(図13では、-Z側の端部であり、下面1222Slに形成された開口)を介して、真空形成部材1221bのビーム通過空間SPb2-21bに接続している。ビーム通過空間SP2-22bは更に、ビーム通過空間SPb2-22bの他方の端部(図13では、+Z側の端部であり、上面1222Suに形成された開口)を介して、真空形成部材121のビーム通過空間SPb2-1に接続している。
 真空形成部材1222bには、排気通路EP1の一部を構成する排気通路EP1-22bと、排気通路EP2の一部を構成する排気通路EP2-22bと、排気通路EP3の一部を構成する排気通路EP3-22bとが形成されている。つまり、真空形成部材1222bには、排気通路EPk-22b(尚、kは、1、2又は3)が形成されている。図13及び図15(a)から図15(b)に示す例では、真空形成部材1222bには、1つの排気通路EPk-22bが形成されているが、2つ以上の排気通路EPk-22bが形成されていてもよい。排気通路EPk-22bは、ビーム通過空間SPb2-22bから分離した通路である。
 排気通路EPk-22bは、真空形成部材1222bを貫通する孔(つまり、貫通孔)を含む。図13及び図15(a)から図15(b)に示す例では、排気通路EPk-21bは、真空形成部材1222bの下面1222Slから真空形成部材1222bの上面1222Suに向かって真空形成部材1222bを貫通する。加えて、排気通路EPk-22b(つまり、排気通路EPk-22bを構成する貫通孔)は、XY平面に沿った面内において、ビーム通過空間SPb2-22bから一の方向に向かうように且つビーム通過空間SPb2-22bから離れるように延びる形状を有している。図15(a)から図15(b)に示す例では、排気通路EPk-22bは、XY平面に沿った面内において、ビーム通過空間SPb2-22bを間に挟み込む2つの端部からXY平面に沿った方向(図15(a)では、Y軸方向)に沿って延びる2つの通路部分EPk-221bと、当該2つの通路部分EPk-221bを接続するようにXY平面に沿った方向に沿って延びる通路部分EPk-222bとを含む。尚、2つの通路部分EPk-221b及び通路部分EPk-222bの少なくとも一部は、上面1222Suに形成された溝(つまり、排気溝)を含んでいてもよい。
 排気通路EPk-22bは、排気通路EPk-22bの第1部分(図13及び図15(a)から図15(b)に示す例では、-Y側の端部であって且つ下面1222Slに形成された開口)を介して、真空形成部材1221bの排気通路EPk-21bに接続している。特に、排気通路EPk-22bは、排気通路EPk-22bのうちの2つの通路部分EPk-221bを介して、排気通路EPk-21bに接続している。更に、排気通路EPk-22bは、排気通路EPk-22bの第2部分(図13及び図15(a)から図15(b)に示す例では、+Y側の端部であって且つ上面1222Suに形成された開口)を介して、真空形成部材121に形成された排気通路EPk-1に接続している。特に、図15(b)及び図16に示すように、排気通路EPk-22bは、排気通路EPk-22bのうちの通路部分EPk-222bを介して、排気通路EPk-1に接続している。このように、真空形成部材1222bは、排気通路EPk-22bが排気通路EPk-1及びEPk-21bのそれぞれに接続されることで一連の排気通路EPkが形成されるように、真空形成部材1221b及び1221と組み合わせられる(例えば、積層される)。
 尚、上述したように、排気通路EPk-22bがビーム通過空間SPb2-22bから一の方向に向かうように且つビーム通過空間SPb2-22bから離れるように延びる形状を有している。このため、第2実施形態では、図16に示すように、排気通路EP1-1から3-1もまた、XY平面に沿った面内において、ビーム通過空間SPb2-1から一の方向に向かってビーム通過空間SPb-1から離れた位置に形成されていてもよい。
 この場合、排気通路EPk-22bは、複数の排気通路EPk-21bの側方において(つまり、複数の排気通路EPk-21bからXY平面に沿った方向にシフトした位置において)複数の排気通路EPk-21bを排気通路EPk-1に集約する集約路として機能する。言い換えれば、排気通路EPk-22bは、複数の排気通路EPk-21bを介して回収された気体を複数の排気通路EPk-21bの側方において集約した上で排気通路EPk-1に送り込む集約路として機能する。このため、複数の排気通路EPk-21bを通過した気体は、排気通路EPk-22bを介して、排気通路EPk-1に流入する(つまり、通過する)ことになる。このため、排気通路EPk-22bは、実質的には、上述した真空形成部材122に形成される排気通路EPk-22と等価であってもよい。つまり、排気通路EPk-22bは、上述した真空形成部材122に形成される排気通路EPk-22と同様の特徴を有していてもよい。
 このように、第2実施形態においても、第1実施形態と同様に、各排気通路EPkは、射出面12LSと真空ポンプ52との間において、4本の排気通路EPk-31が2本の排気通路EPk-21bに合流し、2本の排気通路EPk-21bが1本の排気通路EPk-1に合流している排気通路である。つまり、各排気通路EPkは、射出面12LSと真空ポンプ52との間において、N1本の排気通路EPk-31がN2本の排気通路EPk-21bに合流し、N2本の排気通路EPk-21bがN3本の排気通路EPk-1に合流している排気通路である。このため、第2実施形態における排気通路EPkは、第1実施形態における排気通路EPkの合流に関する特徴と同一の特徴を有していてもよい。つまり、第1実施形態における排気通路EPkの合流に関する特徴の説明は、「排気通路EPk-21」及び「排気通路EPk-22」という表記を「排気通路EPk-21b」及び「排気通路EPk-22b」という表記に置き換えることで、第2実施形態における排気通路EPkの合流に関する特徴の説明として流用可能である。
 但し、上述したように、第2実施形態は、排気通路EPk-22bがビーム通過空間SPb2-22bから一の方向に向かって離れるように延びる形状を有しているという点で、排気通路EPk-22がビーム通過空間SPb2-2から一の方向に向かって離れるように延びる形状を有していなくてもよい第1実施形態とは異なる。このため、第2実施形態における排気通路EPkの合流の様子を模式的に示す斜視図である図17に示すように、第2実施形態では、排気通路EPk-2b#j(但し、jは、1又は2)を構成する排気通路EPk-22b#jが排気通路EPk-1と接続する位置C12は、排気通路EPk-2b#jを構成する排気通路EPk-21b#jの-Z側の端部T22#jよりも(つまり、位置C23#jよりも)、XY平面に沿った一の方向に離れた位置に配置される。言い換えれば、XY平面に沿った一の方向における位置C12は、XY平面に沿った一の方向における端部T22#jの位置C23#jとは異なる。更に、位置C12は、排気通路EPk-21b#jの+Z側の端部T21#jよりも、XY平面に沿った一の方向に離れた位置に配置される。言い換えれば、XY平面に沿った一の方向における位置C12は、XY平面に沿った一の方向における端部T21#jの位置とは異なる。このとき、位置C12は、位置C23#jよりも、XY平面に沿った一の方向において真空ポンプ52側に離れた位置に配置されていてもよい。更に、位置C12は、端部T21#jの位置よりも、XY平面に沿った一の方向において真空ポンプ52側に離れた位置に配置されていてもよい。
 尚、説明の簡略化のために図示しないものの、複数の排気通路EPk-31を排気通路EPk-2に集約する集約路として機能可能な排気通路EPk-32もまた、複数の排気通路EPk-21bを排気通路EPk-1に集約する集約路として機能可能な排気通路EPk-22bと同様に、ビーム通過空間SPb2-3から一の方向に向かって離れるように延びる形状を有していてもよい。この場合、排気通路EPk-32#iが排気通路EPk-2#jと接続する位置C23#jは、排気通路EPk-31#iの-Z側の端部T32#iよりも(つまり、位置C34#iよりも)、XY平面に沿った一の方向に離れた位置に配置されていてもよい。言い換えれば、XY平面に沿った一の方向における位置C23#jは、XY平面に沿った一の方向における端部T32#iの位置C34#iとは異なる。更に、位置C23#jは、排気通路EPk-31#iの+Z側の端部T31#iよりも、XY平面に沿った一の方向に離れた位置に配置されていてもよい。言い換えれば、XY平面に沿った一の方向における位置C23#jは、XY平面に沿った一の方向における端部T31#iの位置とは異なっていてもよい。更に、位置C23#jは、排気通路EPk-3#iが排気通路EPk-4を介して空間SP1に接続する位置C4#iよりも、XY平面に沿った一の方向に離れた位置に配置されていてもよい。言い換えれば、XY平面に沿った一の方向における位置C23#jは、XY平面に沿った一の方向における位置C4#iとは異なっていてもよい。このとき、位置C23#jは、位置C34#iよりも、XY平面に沿った一の方向において真空ポンプ52側に離れた位置に配置されていてもよい。更に、位置C23#jは、端部T31#iの位置よりも、XY平面に沿った一の方向において真空ポンプ52側に離れた位置に配置されていてもよい。更に、位置C23#jは、位置C4#iよりも、XY平面に沿った一の方向において真空ポンプ52側に離れた位置に配置されていてもよい。
 排気通路EPk-22bがビーム通過空間SPb2-22bから一の方向に向かって離れるように延びる形状を有している場合には、差動排気系12bは、以下の条件を満たすように形成されていてもよい。
 例えば、差動排気系12bは、排気通路EPk-21b#1の+Z側の端部T21#1から排気通路EPk-21b#1が排気通路EPk-22b#1を介して接続される排気通路EPk-1まで(特に、端部T1まで)のXY平面に沿った方向における距離Db1と、排気通路EPk-21b#2の+Z側の端部T21#2から排気通路EPk-21b#2が排気通路EPk-22b#2を介して接続される排気通路EPk-1まで(特に、端部T1まで)のXY平面に沿った方向における距離Db2との和が、排気通路EPk-21b#1の+Z側の端部T21#1から排気通路EPk-21b#2の+Z側の端部T21#2のXY平面に沿った方向における距離Db3よりも大きいという第3の距離条件を満たすように形成されていてもよい。この第3の距離条件が満たされる場合、距離Db1からDb3を示す平面図である図18に示すように、排気通路EPk-1は、排気通路EPk-21b#1及び#2から、排気通路EPk-21b#1の+Z側の端部T21#1と排気通路EPk-21b#2の+Z側の端部T21#2とを結ぶ方向と交差する方向(例えば、図18における左右方向)であって且つXY平面に沿った方向にシフトする。その結果、排気通路EPk-22bと排気通路EPk-1とが接続される位置C12は、端部T21#1及び#2のそれぞれの側方に位置することになる。つまり、排気通路EPk-22bは、ビーム通過空間SPb2-22bから一の方向に向かって離れるように延びる形状を有することになる。
 尚、複数の排気通路EPk-31を排気通路EPk-2に集約する集約路として機能可能な排気通路EPk-32が、ビーム通過空間SPb2-3から一の方向に向かうように且つビーム通過空間SPb2-3から離れるように延びる形状を有していてもよいことは上述したとおりである。この場合、第3の距離条件は、排気通路EPk-31#1の+Z側の端部T31#1から排気通路EPk-31#1が排気通路EPk-32#1を介して接続される排気通路EPk-2b#1まで(特に、端部T22#1まで)のXY平面に沿った方向における距離Db4と、排気通路EPk-31#2の+Z側の端部T31#2から排気通路EPk-31#2が排気通路EPk-32#2を介して接続される排気通路EPk-2b#1まで(特に、端部T22#1まで)のXY平面に沿った方向における距離Db5との和が、排気通路EPk-31b#1の+Z側の端部T31#1から排気通路EPk-31#2の+Z側の端部T31#2のXY平面に沿った方向における距離Db6よりも大きいという条件を含んでいてもよい。この条件が満たされる場合、排気通路EPk-2b#1は、排気通路EPk-31#1及び#2から、排気通路EPk-31#1の+Z側の端部T31#1と排気通路EPk-31#2の+Z側の端部T31#2とを結ぶ方向と交差する方向であって且つXY平面に沿った方向にシフトする。更に、第3の距離条件は、排気通路EPk-31#3の+Z側の端部T31#3から排気通路EPk-31#3が排気通路EPk-32#3を介して接続される排気通路EPk-2b#2まで(特に、端部T22#2まで)のXY平面に沿った方向における距離Db7と、排気通路EPk-31#4の+Z側の端部T31#4から排気通路EPk-31#4が排気通路EPk-32#4を介して接続される排気通路EPk-2b#2まで(特に、端部T22#2まで)のXY平面に沿った方向における距離Db8との和が、排気通路EPk-31b#3の+Z側の端部T31#3から排気通路EPk-31#4の+Z側の端部T31#4のXY平面に沿った方向における距離Db9よりも大きいという条件を含んでいてもよい。この条件が満たされる場合、排気通路EPk-2b#2は、排気通路EPk-31#3及び#4から、排気通路EPk-31#3の+Z側の端部T31#3と排気通路EPk-31#4の+Z側の端部T31#4とを結ぶ方向と交差する方向であって且つXY平面に沿った方向にシフトする。
 この第3の距離条件は、同じ下流側の排気通路に第1及び第2の上流側の排気通路が合流する場合には、第1の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分の+Z側の端部から下流側の排気通路までのXY平面に沿う方向における距離と、第2の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分の+Z側の端部から下流側の排気通路までの距離との和が、第1の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分の+Z側の端部から第2の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分の+Z側の端部までのXY平面に沿う方向における距離より大きいという条件と等価である。言い換えれば、第3の距離条件は、下流側の排気通路が、第1の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分の+Z側の端部と、第2の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分の+Z側の端部とを結ぶ方向と交差する方向であって、XY平面に沿う方向にシフトしているという条件と等価である。
 例えば、上述した第3の距離条件に加えて又は代えて、差動排気系12bは、距離Db1の2乗と距離Db2の2乗との和が距離Db3の2乗よりも大きいという第4の距離条件を満たすように形成されていてもよい。この第4の距離条件が満たされる場合、距離Db1からDb3を示す平面図である図19に示すように、XY平面に沿った面内において端部T21#1と端部T21#2とを結ぶ線分を直径とする円Cirの外側に、排気通路EPk-1(特に、端部T1)が位置する。このため、第4の距離条件が満たされる場合には、第4の距離条件が満たされない場合と比較して、排気通路EPk-22bと排気通路EPk-1とが接続される位置C12は、端部T21#1及び#2のそれぞれよりも側方に相対的に大きく離れることになる。つまり、排気通路EPk-22bは、ビーム通過空間SPb2-22bから一の方向に向かって相対的に大きく離れるように延びる形状を有することになる。
 尚、複数の排気通路EPk-31を排気通路EPk-2に集約する集約路として機能可能な排気通路EPk-32が、ビーム通過空間SPb2-3から一の方向に向かうように且つビーム通過空間SPb2-3から離れるように延びる形状を有していてもよいことは上述したとおりである。この場合、第4の距離条件は、距離Db4の2乗と距離Db5の2乗との和が距離Db6の2乗よりも大きいという条件を含んでいてもよい。この条件が満たされる場合、XY平面に沿った面内において端部T31#1と端部T31#2とを結ぶ線分を直径とする円の外側に、排気通路EPk-2b#1(特に、端部T22#1)が位置する。更に、第4の距離条件は、距離Db7の2乗と距離Db8の2乗との和が距離Db9の2乗よりも大きいという条件を含んでいてもよい。この条件が満たされる場合、XY平面に沿った面内において端部T31#3と端部T31#4とを結ぶ線分を直径とする円の外側に、排気通路EPk-2b#2(特に、端部T22#2)が位置する。
 この第4の距離条件は、同じ下流側の排気通路に第1及び第2の上流側の排気通路が合流する場合には、第1の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分の+Z側の端部から下流側の排気通路までのXY平面に沿う方向における距離の2乗と、第2の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分の+Z側の端部から下流側の排気通路までの距離の2乗との和が、第1の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分の+Z側の端部から第2の上流側の排気通路のうちのZ軸方向に沿って延びる部分の+Z側の端部までのXY平面に沿う方向における距離の2乗より大きいという条件と等価である。
 このような第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbは、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbが享受可能な効果と同様の効果を享受することができる。
 (3)第3実施形態の走査型電子顕微鏡SEMc
 続いて、第3実施形態の走査型電子顕微鏡SEM(以降、第3実施形態の走査型電子顕微鏡SEMを、“走査型電子顕微鏡SEMc”と称する)について説明する。第3実施形態の走査型電子顕微鏡SEMcは、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaと比較して、ビーム照射装置1に代えてビーム照射装置1cを備えているという点で異なっている。走査型電子顕微鏡SEMcのその他の特徴は、走査型電子顕微鏡SEMaと同一であってもよい。このため、以下では、図20を参照しながら、第3実施形態のビーム照射装置1cについて説明する。図20は、第3実施形態のビーム照射装置1cの構造を示す断面図である。
 図20に示すように、第3実施形態のビーム照射装置1cは、第1実施形態のビーム照射装置1と比較して、対物レンズ14に代えて、対物レンズ14cを備えているという点で異なっている。更に、第3実施形態のビーム照射装置1cは、第1実施形態のビーム照射装置1と比較して、支持部材13に代えて、支持部材13cを備えているという点で異なっている。更に、第3実施形態のビーム照射装置1cは、第1実施形態のビーム照射装置1と比較して、差動排気系12に代えて、差動排気系12cを備えているという点で異なっている。ビーム照射装置1cのその他の特徴は、ビーム照射装置1と同一であってもよい。
 対物レンズ14cは、ヨーク142に代えて、ヨーク142cを備えているという点で、第1実施形態の対物レンズ14とは異なる。対物レンズ14cのその他の特徴は、対物レンズ14と同一であってもよい。第3実施形態のヨーク142cは、第1実施形態のヨーク142と比較して、形状が異なると言う点で異なっている。具体的には、ヨーク142cは、ヨーク142cの内部空間から、ヨーク142cに形成されたポールピース143cの切り欠きを介してヨーク142cの内部空間の下方に向けて電磁場を漏洩させてレンズ磁場を形成することが可能な形状を有していると言う点で、ヨーク142とは異なる。つまり、ポールピース143cは、XY平面に沿った方向に沿って互いに対向する外側ポールピース143po及び内側ポールピース143piを含み、外側ポールピース143poと内側ポールピース143piとの間の間隙が、コイル141が発生させた電磁場を漏洩させる切り欠きとして用いられる。このため、対物レンズ14cは、ヨーク142c下方の空間にレンズ磁場を発生させる、いわゆるセミインレンズタイプの電子レンズであると言う点で、アウトレンズタイプの電子レンズである対物レンズ14とは異なる。ヨーク142cのその他の特徴は、ヨーク142と同一であってもよい。
 第3実施形態の支持部材13cは、対物レンズ14とは異なる形状を有する対物レンズ14cを支持可能な形状を有していると言う点で、第1実施形態の支持部材13とは異なる。尚、図20に示す支持部材13cの形状及び配置位置は一例に過ぎず、支持部材13cは、対物レンズ14cを支持可能である限りは、どのような形状を有していてもよいし、どのような位置に配置されていてもよい。このため、支持部材13cが対物レンズ14cを支持可能である限りは、支持部材13cの形状は、支持部材13の形状と同一であってもよい。支持部材13cのその他の特徴は、支持部材13と同一であってもよい。
 第3実施形態の差動排気系12cは、対物レンズ14とは異なる形状を有する対物レンズ14cに応じた形状を有していると言う点で、第1実施形態の差動排気系12とは異なる。具体的には、図20に示す例では、差動排気系12cは、対物レンズ14cに隣接する真空形成部材124cの形状が真空形成部材124とは異なると言う点で、差動排気系12とは異なる。図20に示す例では、真空形成部材124cは、対物レンズ14cに隣接する真空形成部材1244cの形状が真空形成部材1244とは異なると言う点で、真空形成部材124とは異なる。差動排気系12cのその他の特徴は、差動排気系12と同一であってもよい。但し、対物レンズ14cが配置可能である限りは、差動排気系12cは、差動排気系12と同一であってもよい。
 このような第3実施形態の走査型電子顕微鏡SEMcは、上述した第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaが享受可能な効果と同様の効果を享受することができる。加えて、対物レンズ14cがセミインレンズタイプの電子レンズであるがゆえに、対物レンズ14cが形成するレンズ磁場を試料Wの表面WSuにより一層近づけることができる。このため、対物レンズ14cの焦点距離をより一層短くすることができるがゆえに、走査型電子顕微鏡SEMcの分解能をより一層向上させることができる。
 尚、対物レンズ14cは、対物レンズ14cの少なくとも一部が差動排気系12cの少なくとも一部の下方に位置するように、配置されていてもよい。図20に示す例では、対物レンズ14cは、対物レンズ14cの少なくとも一部が差動排気系12cの真空形成部材124の少なくとも一部(例えば、真空形成部材1244cの少なくとも一部)の下方に位置するように、配置されている。この場合、対物レンズ14cの少なくとも一部が差動排気系12cの少なくとも一部の下方に位置しない場合と比較して、対物レンズ14cが形成するレンズ磁場を試料Wの表面WSuにより一層近づけることができる。このため、走査型電子顕微鏡SEMcの分解能をより一層向上させることができる。上述した第1又は第2の実施形態(更には、後述する他の実施形態)においても、対物レンズ14は、対物レンズ14の少なくとも一部が差動排気系12の少なくとも一部の下方に位置するように、配置されていてもよい。
 対物レンズ14cの少なくとも一部が差動排気系12cの少なくとも一部の下方に位置する場合には、対物レンズ14cは、差動排気系12cを下方から支持する支持部材として機能してもよい。図20に示す例では、ヨーク142cの少なくとも一部が差動排気系12cの少なくとも一部の下方に位置しているため、ヨーク142cが、差動排気系12cを下方から支持する支持部材として機能してもよい。更に、図20に示す例では、対物レンズ14cの少なくとも一部が差動排気系12cの少なくとも一部の側方(例えば、真空形成部材124の側方)に位置しているとも言える。この場合、対物レンズ14cは、差動排気系12cを側方から支持する支持部材として機能してもよい。図20に示す例では、ヨーク142cの少なくとも一部が差動排気系12cの少なくとも一部の側方に位置しているため、ヨーク142cが、差動排気系12cを側方から支持する支持部材として機能してもよい。上述した第1又は第2実施形態においても、対物レンズ14の少なくとも一部が差動排気系12の少なくとも一部の側方に位置しているため、対物レンズ14は、差動排気系12を側方から支持する支持部材として機能してもよい。後述する他の実施形態においても、対物レンズ14は、差動排気系12を支持する(例えば、下方から又は側方から)支持部材として機能してもよい。
 対物レンズ14cが差動排気系12cを支持する場合には、対物レンズ14cは、対物レンズ14cのうち差動排気系12cに接する面を介して、差動排気系12cを支持してもよい。この場合、対物レンズ14cのうち差動排気系12cに接する面は、差動排気系12cを支持する支持面として機能してもよい。更に、差動排気系12cは、差動排気系12cのうち対物レンズ14cに接する面を介して、対物レンズ14cによって支持されてもよい。この場合、差動排気系12cのうち対物レンズ14cに接する面は、対物レンズ14cによって支持される被支持面として機能してもよい。支持面は、被支持面に応じた形状を有していてもよい。支持面の形状は、被支持面の形状と相補の関係にあってもよい。
 尚、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbもまた、セミインレンズタイプの対物レンズ14cを備えていてもよい。
 (4)第4実施形態の走査型電子顕微鏡SEMd
 続いて、第4実施形態の走査型電子顕微鏡SEM(以降、第4実施形態の走査型電子顕微鏡SEMを、“走査型電子顕微鏡SEMd”と称する)について説明する。第4実施形態の走査型電子顕微鏡SEMdは、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaと比較して、ビーム照射装置1に代えてビーム照射装置1dを備えているという点で異なっている。走査型電子顕微鏡SEMdのその他の特徴は、走査型電子顕微鏡SEMaと同一であってもよい。このため、以下では、図21を参照しながら、第4実施形態のビーム照射装置1dについて説明する。図21は、第4実施形態のビーム照射装置1dの構造を示す断面図である。
 図21に示すように、第4実施形態のビーム照射装置1dは、第1実施形態のビーム照射装置1と比較して、差動排気系12に代えて、差動排気系12dを備えているという点で異なっている。更に、第4実施形態のビーム照射装置1dは、第1実施形態のビーム照射装置1と比較して、対物レンズ14に代えて、対物レンズ14dを備えているという点で異なっている。ビーム照射装置1dのその他の特徴は、ビーム照射装置1と同一であってもよい。
 第4実施形態の差動排気系12dは、対物レンズ14とは異なる対物レンズ14dに応じた形状を有していると言う点で、第1実施形態の差動排気系12とは異なる。具体的には、図21に示す例では、差動排気系12dは、対物レンズ14dに隣接する真空形成部材124dの形状が真空形成部材124とは異なると言う点で、差動排気系12とは異なる。図21に示す例では、真空形成部材124dは、対物レンズ14dに隣接する真空形成部材1244dの形状が真空形成部材1244とは異なると言う点で、真空形成部材124とは異なる。但し、対物レンズ14dが配置可能である限りは、真空形成部材124dの形状が真空形成部材124の形状と同一であってもよい。
 更に、第4実施形態の差動排気系12dは、真空形成部材123に代えて、真空形成部材123dを備えていると言う点で、第1実施形態の差動排気系12とは異なる。差動排気系12dのその他の特徴は、差動排気系12と同一であってもよい。第3実施形態の真空形成部材123dは、真空形成部材1231dと、真空形成部材1232dとを備えていると言う点で、第1実施形態の真空形成部材123とは異なる。真空形成部材1231dと真空形成部材1232dとが互いに分離可能であってもよいし、真空形成部材1231dと真空形成部材1232dとが一体化されていてもよい。真空形成部材123dのその他の特徴は、真空形成部材123と同一であってもよい。
 真空形成部材1231dは、真空領域VSPを形成するための部材である。真空領域VSPを形成するための部材は、例えば、真空領域VSPを形成するための排気に寄与する部材を含む。一例として、真空領域VSPを形成するための部材は、ビーム通過空間SPb2及び排気通路EP1からEP3のうちの少なくとも一つの内壁(つまり、排気される空間を規定する内壁)を構成するための部材を含む。図21に示す例では、真空形成部材1231dは、XY平面に沿った面内において環状の形状を有する部材であって、その内壁がビーム通過空間SPb2(特に、ビーム通過空間SPb2-3)の内壁を構成し且つその外壁が排気通路EP1(特に、排気通路EP1-3)の内壁を構成する部材である。
 真空形成部材1232dもまた、真空領域VSPを形成するための部材である。図21に示す例では、真空形成部材1232dは、排気通路EP2(特に、排気通路EP2-3)及び排気通路EP3(特に、排気通路EP3-3)のそれぞれの内壁を構成し且つ真空形成部材1231dと共に排気通路EP1(特に、排気通路EP1-3)の内壁を構成する部材である。
 続いて、第4実施形態の対物レンズ14dは、ヨーク142に代えて、ヨーク142dを備えていると言う点で、第1実施形態の対物レンズ14とは異なる。対物レンズ14dのその他の特徴は、対物レンズ14と同一であってもよい。第4実施形態のヨーク142dは、ヨーク部分1421dと、ヨーク部分1422dとを備えていると言う点で、第1実施形態のヨーク142とは異なる。ヨーク部分1421dとヨーク部分1422dとが互いに分離可能であってもよいし、ヨーク部分1421dとヨーク部分1422dとが一体化されていてもよい。ヨーク142dのその他の特徴は、ヨーク142と同一であってもよい。
 ヨーク部分1421dは、レンズ磁場を形成するための部材(特に、コイル141が発生させた磁場を、特定の切り欠きを介して対物レンズ14dの外部に漏洩させる部材)である。ヨーク部分1422dもまた、レンズ磁場を形成するための部材(特に、コイル141が発生させた磁場を、特定の切り欠きを介して対物レンズ14dの外部に漏洩させる部材)である。このため、第4実施形態では、コイル141が発生させた磁場は、ヨーク部分1421d及び/又は1422dの一部に相当するポールピース143dを介して、レンズ磁場として対物レンズ14dの外側(特に、ビーム通過空間SPb2)に漏洩する。図21に示す例では、ポールピース143dは、ヨーク部分1421dのうちビーム通過空間SPb2に最も近い内側端部14211dと、ヨーク部分1422dのうちビーム通過空間SPb2に最も近い内側端部14221dとを含む。この場合、ヨーク部分1421dの内側端部14211dが、ポールピース143dのうちの下側ポールピースを形成し、ヨーク部分1422dの内側端部14221dが、ポールピース143dのうちの上側ポールピースを形成する。このポールピース143dは、レンズ磁場がヨーク142dの内部空間からポールピース143dの切り欠きを介してヨーク142dの側方に向けて電磁場を漏洩させてレンズ磁場を形成することが可能な形状を有している。このため、図21に示す例では、対物レンズ14dは、ヨーク142dによって囲まれた空間(言い換えれば、ヨーク142dの側方の空間)にレンズ磁場を発生させる、いわゆるアウトレンズタイプの電子レンズである。
 第4実施形態では特に、真空形成部材1232dは、ヨーク部分1422dと同一の部材である。真空形成部材1232dは、ヨーク部分1422dである。真空形成部材1232dは、ヨーク部分1422dとしても用いられる。ヨーク部分1422dは、真空形成部材1232dと同一の部材である。ヨーク部分1422dは、真空形成部材1232dである。ヨーク部分1422dは、真空形成部材1232dとしても用いられる。このため、真空形成部材1232dは、真空領域VSPを形成するための部材として用いられると共に、レンズ磁場を形成するための部材としても用いられる。言い換えれば、真空形成部材1232dは、差動排気系12dの一部(図12に示す例では、真空形成部材123dの一部)として用いられると共に、対物レンズ14dの一部(図21に示す例では、ヨーク142dの一部)としても用いられる。同様に、ヨーク部分1242dは、レンズ磁場を形成するための部材として用いられると共に、真空領域VSPを形成するための部材として用いられる。言い換えれば、ヨーク部分1242dは、対物レンズ14dの一部(図21に示す例では、ヨーク142dの一部)として用いられると共に、差動排気系12dの一部(図21に示す例では、真空形成部材123dの一部)としても用いられる。
 このため、第4実施形態では、差動排気系12dの一部は、対物レンズ14dの一部としても用いられる。図21に示す例では、真空形成部材123dの一部は、ヨーク142dの一部としても用いられる。つまり、対物レンズ14dは、差動排気系12dの一部(例えば、真空形成部材123dの真空形成部材1232d)を用いて、レンズ磁場を発生させる。更に、対物レンズ14dの一部は、差動排気系12dの一部としても用いられる。図21に示す例では、ヨーク142dの一部は、真空形成部材123dの一部としても用いられる。つまり、差動排気系12dは、対物レンズ14dの一部(例えば、ヨーク部分1422d)を用いて、真空領域VSPを形成する。図21に示す例では、差動排気系12dは、ヨーク部分1422dを、排気通路EP1からEP3の少なくとも一部を規定する壁部材として用いることで、真空領域VSPを形成する。
 差動排気系12dの一部が対物レンズ14dの一部(特に、ヨーク142dの一部)として用いられるため、差動排気系12dの一部は、ヨーク142dとして機能可能な材料から構成される。例えば、差動排気系12dの一部は、軟磁性材料を含む材料から構成されていてもよい。例えば、差動排気系12dの一部は、高透磁率材料を含む材料から構成されていてもよい。図21に示す例では、真空形成部材123dのうちの真空形成部材1232dが対物レンズ14dの一部(特に、ヨーク142dの一部)として用いられるため、真空形成部材1232dは、ヨーク142dとして機能可能な材料から構成される。
 このような第4実施形態の走査型電子顕微鏡SEMdは、上述した第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaが享受可能な効果と同様の効果を享受することができる。
 尚、差動排気系12dの一部が対物レンズ14dの一部として用いられ、且つ、対物レンズ14dの一部が差動排気系12dの一部として用いられる場合には、差動排気系12dの一部がヨーク142dの内部空間(つまり、対物レンズ14dの内部空間)に配置されていてもよい。図21に示す例では、真空形成部材124dの一部(具体的には、真空形成部材122、123及び124dのそれぞれの一部)がヨーク142dの内部空間に配置されている。更に、差動排気系12dの一部がヨーク142dの内部空間に配置される場合には、コイル141は、ヨーク142dの内部空間において差動排気系12dの少なくとも一部を取り囲むように配置されてもよい。コイル141は、ヨーク142dの内部空間において差動排気系12dの少なくとも一部を挟み込むように配置されてもよい。差動排気系12dの一部が対物レンズ14dの一部として用いられ、且つ、対物レンズ14dの一部が差動排気系12dの一部として用いられる他の例を示す後述する第5実施形態から第7実施形態においても同様である。
 差動排気系12dの一部が対物レンズ14dの一部として用いられ、且つ、対物レンズ14dの一部が差動排気系12dの一部として用いられる場合には、差動排気系12dに排気通路EP1からEP3が形成されるがゆえに、排気通路EP1からEP3の一部がヨーク142dの内部空間に配置されていてもよい。つまり、排気通路EP1からEP3の一部の内壁を構成する部材がヨーク142dの内部空間に配置されていてもよい。図21に示す例では、排気通路EP2及びEP3のそれぞれの一部(具体的には、排気通路EP2-4及びEP3-4のそれぞれの一部)がヨーク空間142dの内部空間に配置されている。つまり、図21に示す例では、排気通路EP2-4及びEP3-4のそれぞれの一部の内壁を構成する部材(具体的には、真空形成部材1242、1243及び1244dの少なくとも一部)がヨーク空間142dの内部空間に配置されている。更に、排気通路EP1からEP3の一部がヨーク142dの内部空間に配置される場合には、コイル141は、ヨーク142dの内部空間において排気通路EP1からEP3の少なくとも一部を取り囲むように配置されてもよい。コイル141は、ヨーク142dの内部空間において排気通路EP1からEP3の少なくとも一部を挟み込むように配置されてもよい。つまり、コイル141は、ヨーク142dの内部空間において排気通路EP1からEP3の少なくとも一部の内壁を構成する部材を取り囲む及び/又は挟み込むように配置されてもよい。更に、排気通路EP1からEP3の少なくとも一部がヨーク142dの内部空間に配置される場合には、ヨーク142d(特に、真空領域VSPを形成するために用いられるヨーク部分1422d)には、ヨーク142dの内部空間からヨーク142dの外部へと排気通路EP1からEP3のうちの少なくとも一つを接続させるための貫通孔が形成されていてもよい。図21に示す例では、ヨーク部分1422dには、ヨーク142dの内部空間からヨーク142dの外部へと排気通路EP2及びEP3のそれぞれを接続させるための貫通孔が形成されている。この場合、貫通孔は、排気通路EP1からEP3の少なくとも一部として用いられてもよい。また、ヨーク142dには、単一の貫通孔が形成されてもよいし、複数の貫通孔が形成されてもよい。ヨーク142dに複数の貫通孔が形成される場合には、複数の貫通孔は、光軸AXに対して対称な位置に配置されてもよい。一例として、複数の貫通孔は、光軸AXに対して回転対称な位置(例えば、2回回転対称な位置又は4回回転対称な位置)に配置されてもよい。その結果、複数の貫通孔が光軸AXに対して非対称な位置に配置される場合と比較して、電子ビームEBの収差(例えば、非点収差)が低減可能となる。後述する第5実施形態から第7実施形態においても同様である。
 また、図21に示す差動排気系12d及び対物レンズ14dの構造は、差動排気系12dの一部が対物レンズ14dの一部として用いられ、且つ、対物レンズ14dの一部が差動排気系12dの一部として用いられるという条件を満たす構造の一具体例である。このため、差動排気系12dの一部が対物レンズ14dの一部として用いられ、且つ、対物レンズ14dの一部が差動排気系12dの一部として用いられる限りは、差動排気系12d及び対物レンズ14dのそれぞれは、どのような構造を有していてもよい。つまり、差動排気系12d及び対物レンズ14dの双方が、差動排気系12dの一部として用いられ且つ対物レンズ14dの一部として用いられる部材を備えている限りは、差動排気系12d及び対物レンズ14dのそれぞれは、どのような構造を有していてもよい。言い換えれば、差動排気系12d及び対物レンズ14dに兼用される部材が存在する限りは、差動排気系12d及び対物レンズ14dのそれぞれは、どのような構造を有していてもよい。差動排気系12dの一部が対物レンズ14dの一部として用いられ、且つ、対物レンズ14dの一部が差動排気系12dの一部として用いられる他の例を示す後述する第5実施形態から第7実施形態においても同様である。
 尚、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbもまた、第4実施形態(或いは、後述する第5実施形態から第7実施形態の少なくとも一つ)と同様に、差動排気系12bの一部を対物レンズ14dの一部として用い、且つ、対物レンズ14の一部を差動排気系12bの一部として用いてもよい。
 (5)第5実施形態の走査型電子顕微鏡SEMe
 続いて、第5実施形態の走査型電子顕微鏡SEM(以降、第5実施形態の走査型電子顕微鏡SEMを、“走査型電子顕微鏡SEMe”と称する)について説明する。第5実施形態の走査型電子顕微鏡SEMeは、第4実施形態の走査型電子顕微鏡SEMdと比較して、ビーム照射装置1dに代えてビーム照射装置1eを備えているという点で異なっている。走査型電子顕微鏡SEMeのその他の特徴は、走査型電子顕微鏡SEMdと同一であってもよい。このため、以下では、図22を参照しながら、第5実施形態のビーム照射装置1eについて説明する。図22は、第5実施形態のビーム照射装置1eの構造を示す断面図である。
 図22に示すように、第5実施形態のビーム照射装置1eは、第4実施形態のビーム照射装置1dと比較して、差動排気系12dに代えて、差動排気系12eを備えているという点で異なっている。更に、第5実施形態のビーム照射装置1eは、第4実施形態のビーム照射装置1dと比較して、対物レンズ14dに代えて、対物レンズ14eを備えているという点で異なっている。ビーム照射装置1eのその他の特徴は、ビーム照射装置1dと同一であってもよい。
 第5実施形態の対物レンズ14eは、セミインレンズタイプの電子レンズであるという点で、アウトレンズタイプの電子レンズである第4実施形態の対物レンズ14dとは異なる。対物レンズ14eのその他の特徴は、対物レンズ14dと同一であってもよい。対物レンズ14eをセミインレンズタイプの電子レンズとするために、対物レンズ14eは、ヨーク142dに代えて、ヨーク142eを備えていてもよいと言う点で、対物レンズ14dとは異なっていてもよい。第5実施形態のヨーク142eは、その一部が差動排気系12eとしても用いられるという点で、一部が差動排気系12dとして用いられる第4実施形態のヨーク142dと同じである。このため、ヨーク142eは、レンズ磁場を形成するための部材であるヨーク部分1421eと、レンズ磁場を形成し且つ真空領域VSPを形成するためのヨーク部分1422eとを備えている。対物レンズ14eのその他の特徴は、対物レンズ14dと同一であってもよい。
 更に、対物レンズ14eをセミインレンズタイプの電子レンズとするために、第5実施形態の差動排気系12eは、真空形成部材123d及び124に代えて、真空形成部材123e及び124eを備えていてもよいと言う点で、第4実施形態の差動排気系12dとは異なっていてもよい。差動排気系12eのその他の特徴は、差動排気系12dと同一であってもよい。第5実施形態の真空形成部材123eは、その一部が対物レンズ14eとしても用いられるという点で、一部が対物レンズ14dとして用いられる第4実施形態の真空形成部材123dと同じである。このため、真空形成部材123eは、真空領域VSPを形成し且つレンズ磁場を形成するための部材である真空形成部材1232eを備えている。真空形成部材123eのその他の特徴は、真空形成部材123dと同一であってもよい。また、第5実施形態の真空形成部材124eは、その一部が対物レンズ14eとしても用いられるという点で、対物レンズ14eとして用いられない真空形成部材124とは異なる。真空形成部材124eは、真空領域VSPを形成し且つレンズ磁場を形成するための真空形成部材1249eを含むという点で、真空領域VSPを形成し且つレンズ磁場を形成するための部材を含まなくてもよい真空形成部材124とは異なる。真空形成部材124eのその他の特徴は、真空形成部材124と同一であってもよい。
 真空形成部材123e、真空形成部材124e及びヨーク142eは、真空形成部材123e、真空形成部材124e及びヨーク142eがコイル141と共にセミインレンズタイプの電子レンズを構成するように配置される。つまり、レンズ磁場を形成するための真空形成部材1232e、真空形成部材1249e、ヨーク部分1421e及び1422eは、対物レンズ14eをセミインレンズタイプの電子レンズとすることが可能な位置に配置される。図22に示す例では、真空形成部材123eの全体が、レンズ磁場を形成するための真空形成部材1232eになっている。このため、真空形成部材123eは、その全体が真空形成部材1232eになっている(つまり、ヨーク部分1422eになっている)という点で、その一部が真空形成部材1232dになっている真空形成部材123dとは異なっている。更に、図22に示す例では、真空形成部材1241が、レンズ磁場を形成するための真空形成部材1249eとなっている。このため、真空形成部材124eは、真空形成部材1241が真空形成部材1249eになっている(つまり、ヨーク部分1422eになっている)という点で、真空形成部材124とは異なっている。
 その結果、ヨーク142eは、ヨーク142eの内部空間から、ヨーク142eに形成されたポールピース143eの切り欠きを介してヨーク142eの内部空間の下方に向けて電磁場を漏洩させてレンズ磁場を形成することが可能となる。図22に示す例では、ヨーク部分1422eの最も内側且つ最も下側の端部(具体的には、真空形成部材1241(つまり、真空形成部材1249e)の最も内側且つ最も下側の端部)14221eが、ポールピース143eの内側ポールピースを構成している。また、ヨーク部分1421eの最も内側且つ最も下側の端部14211eが、ポールピース143eの外側ポールピースを構成している。
 このような第5実施形態の走査型電子顕微鏡SEMeは、上述した第4実施形態の走査型電子顕微鏡SEMdが享受可能な効果と同様の効果を享受することができる。更には、対物レンズ14eがセミインレンズタイプの電子レンズであるがゆえに、走査型電子顕微鏡SEMeの分解能をより一層向上させることができる。
 (6)第6実施形態の走査型電子顕微鏡SEMf
 続いて、第6実施形態の走査型電子顕微鏡SEM(以降、第6実施形態の走査型電子顕微鏡SEMを、“走査型電子顕微鏡SEMf”と称する)について説明する。第6実施形態の走査型電子顕微鏡SEMfは、第4実施形態の走査型電子顕微鏡SEMdと比較して、ビーム照射装置1dに代えてビーム照射装置1fを備えているという点で異なっている。走査型電子顕微鏡SEMfのその他の特徴は、走査型電子顕微鏡SEMdと同一であってもよい。このため、以下では、図23を参照しながら、第6実施形態のビーム照射装置1fについて説明する。図23は、第6実施形態のビーム照射装置1fの構造を示す断面図である。
 図23に示すように、第6実施形態のビーム照射装置1fは、第4実施形態のビーム照射装置1dと比較して、差動排気系12dに代えて、差動排気系12fを備えているという点で異なっている。更に、第6実施形態のビーム照射装置1fは、第4実施形態のビーム照射装置1dと比較して、対物レンズ14dに代えて、対物レンズ14fを備えているという点で異なっている。更に、第6実施形態のビーム照射装置1fは、第4実施形態のビーム照射装置1dと比較して、支持部材13dを備えていなくてもよいという点で異なっている。ビーム照射装置1fのその他の特徴は、ビーム照射装置1dと同一であってもよい。
 第6実施形態の対物レンズ14fは、コイル141が差動排気系12fの少なくとも一部の上方又は直上に配置されるという点で、コイル141が差動排気系12dの少なくとも一部の側方に配置される第4実施形態の対物レンズ14fとは異なる。対物レンズ14fのその他の特徴は、対物レンズ14dと同一であってもよい。このため、対物レンズ14fは、その一部が差動排気系12fとしても用いられるヨーク142fを備えている。このヨーク142fは、レンズ磁場を形成し且つ真空領域VSPを形成するためのヨーク部分1422fを備えている。
 コイル141を差動排気系12fの少なくとも一部の上方又は直上に配置するために、第6実施形態の差動排気系12fは、それぞれの一部が対物レンズ14fとしても用いられる真空形成部材121fから124fを備えているという点で、第4実施形態の差動排気系12dとは異なっていてもよい。このため、真空形成部材121fは、真空領域VSPを形成するための部材である真空形成部材1211fと、真空領域VSPを形成し且つレンズ磁場を形成するための部材である真空形成部材1212fとを備える。真空形成部材122fは、真空領域VSPを形成するための部材である真空形成部材1221fと、真空領域VSPを形成し且つレンズ磁場を形成するための部材である真空形成部材1222fとを備える。真空形成部材123fは、真空領域VSPを形成するための部材である真空形成部材1231fと、真空領域VSPを形成し且つレンズ磁場を形成するための部材である真空形成部材1232fとを備える。真空形成部材124fは、真空領域VSPを形成するための部材である真空形成部材1248fと、真空領域VSPを形成し且つレンズ磁場を形成するための部材である真空形成部材1249fとを備える。差動排気系12fのその他の特徴は、差動排気系12dと同一であってもよい。
 真空形成部材121fから124f及びヨーク142fは、真空形成部材121fから124f及びヨーク142fがコイル141と共にアウトレンズタイプの電子レンズを構成するように配置される。つまり、レンズ磁場を形成するための真空形成部材1212f、真空形成部材1222f、真空形成部材1223f、真空形成部材1249f及びヨーク部分1422eは、対物レンズ14fをアウトレンズタイプの電子レンズとすることが可能な位置に配置される。図23に示す例では、ヨーク142fは、ビーム通過空間SPb2を取り囲むようにZ軸方向に沿って延びる筒状の内側壁部材142f-1と、内側壁部材142e-1の外周端部から外側に向かって広がる、XY平面に沿った円板状の天井壁部材142f-2と、ビーム通過空間SPb2を取り囲むように天井壁部材142f-2の外周端部から-Z側に向かって延びる外側壁部材142f-3と、外側壁部材142f-3の下側端部から内側に向かって延びる底壁部材142f-4とを含む。内側壁部材142f-1は、ヨーク部分1422fとして用いられる真空形成部材1212fから1232fの一部から構成される。天井壁部材142f-2は、ヨーク部分1422fとして用いられる真空形成部材1212fの一部から構成される。外側壁部材142f-3は、ヨーク部分1422fとして用いられる真空形成部材1212fから1232f及び1249fの一部から構成される。底壁部材142f-4は、ヨーク部分1422fとして用いられる真空形成部材1249fの一部から構成される。尚、図23に示す例では、真空形成部材1244の全体が真空形成部材1249fとして用いられている。
 その結果、ヨーク142fは、ヨーク142fの内部空間から、ヨーク142fに形成されたポールピースの切り欠きを介してヨーク142fの内部空間の側方に向けて電磁場を漏洩させてレンズ磁場を形成することが可能となる。図23に示す例では、内側壁部材142f-1の最も下側の端部が、ポールピースの上側ポールピースを構成している。また、底壁部材142f-4の内側の端部が、ポールピースの下側ポールピースを構成している。
 このように、第6実施形態では、相対的に上方に配置される真空形成部材121f及び122fの一部(つまり、真空形成部材1212f及び1222f)がヨーク142fとして用いられるがゆえに、真空形成部材121f及び122fがヨーク142fとしても用いられない場合と比較して、コイル141を差動排気系12fの上方又は直上に配置しやすくなる。特に、ヨーク142fの内部空間において、コイル141を差動排気系12fの上方又は直上に配置しやすくなる。更に、コイル141を差動排気系12fの少なくとも一部の上方又は直上に配置するために、コイル141は、ヨーク142fの内部空間の相対的に上方の位置に配置されてもよい。図23に示す例では、コイル141は、ヨーク142fの内部空間の最上部に配置されている。つまり、コイル141は、差動排気系12が備える最上部の真空形成部材121に配置されている。この場合、図23に示すように、コイル141は、排気通路EP1からEP3の少なくとも一部の上方又は直上に配置されてもよい。特に、コイル141は、排気通路EP1からEP3のうち真空形成部材121fに形成され且つZ軸に交差する方向に沿って延びる通路部分の少なくとも一部の上方又は直上に配置されてもよい。このように、第6実施形態の走査型電子顕微鏡SEMfでは、コイル141の配置の自由度が向上する。更には、第6実施形態の走査型電子顕微鏡SEMfは、上述した第4実施形態の走査型電子顕微鏡SEMdが享受可能な効果と同様の効果を享受することができる。
 尚、コイル141の配置の自由度が向上した結果、ビーム通過空間SPb2を拡大する余地が生ずる場合がある。例えば、図23は、上述した第1実施形態等と比較してビーム通過空間SPb2-4が拡大されている例を示している。この場合、この拡大したビーム通過空間SPb2に各種装置を配置してもよい。例えば、図23に示すように、拡大したビーム通過空間SPb2に電子検出器114等が配置されてもよい。
 (7)第7実施形態の走査型電子顕微鏡SEMg
 続いて、第7実施形態の走査型電子顕微鏡SEM(以降、第7実施形態の走査型電子顕微鏡SEMを、“走査型電子顕微鏡SEMg”と称する)について説明する。第7実施形態の走査型電子顕微鏡SEMgは、第6実施形態の走査型電子顕微鏡SEMgと比較して、ビーム照射装置1fに代えてビーム照射装置1gを備えているという点で異なっている。走査型電子顕微鏡SEMgのその他の特徴は、走査型電子顕微鏡SEMfと同一であってもよい。このため、以下では、図24を参照しながら、第7実施形態のビーム照射装置1gについて説明する。図24は、第7実施形態のビーム照射装置1gの構造を示す断面図である。
 図24に示すように、第7実施形態のビーム照射装置1gは、セミインレンズタイプの電子レンズである対物レンズ14gを備えているという点で、対物レンズ14fがアウトレンズタイプの電子レンズである第6実施形態のビーム照射装置1fとは異なる。ビーム照射装置1gのその他の特徴は、ビーム照射装置1fと同一であってもよい。
 対物レンズ14gをセミインレンズタイプの電子レンズとするために、対物レンズ14gは、ヨーク142fに代えてヨーク142gを備えている。ヨーク142gは、ヨーク142fと比較して、内側壁部材142f-1の下側端部から更に下方に延びる内側壁部材142g-5を備えているという点で異なる。内側壁部材142g-5は、ヨーク部分1422fとして用いられる真空形成部材1241から構成される。このため、第7実施形態では、真空形成部材1241は、真空領域VSPを形成し且つレンズ磁場を形成するための部材である真空形成部材1249fに相当する。対物レンズ14gのその他の特徴は、対物レンズ14fと同一であってもよい。
 その結果、ヨーク142gは、ヨーク142gの内部空間から、ヨーク142gに形成されたポールピースの切り欠きを介してヨーク142gの内部空間の下方に向けて電磁場を漏洩させてレンズ磁場を形成することが可能となる。図24に示す例では、内側壁部材142g-5の最も内側且つ最も下側の端部が、ポールピースの内側ポールピースを構成している。また、底壁部材142f-4の内側の端部が、ポールピースの外側ポールピースを構成している。
 このような第7実施形態の走査型電子顕微鏡SEMgは、上述した第6実施形態の走査型電子顕微鏡SEMfが享受可能な効果と同様の効果を享受することができる。更には、対物レンズ14gがセミインレンズタイプの電子レンズであるがゆえに、走査型電子顕微鏡SEMgの分解能をより一層向上させることができる。
 (8)第8実施形態の走査型電子顕微鏡SEMh
 続いて、第8実施形態の走査型電子顕微鏡SEM(以降、第8実施形態の走査型電子顕微鏡SEMを、“走査型電子顕微鏡SEMh”と称する)について説明する。第8実施形態の走査型電子顕微鏡SEMhは、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaと比較して、電子検出器114を保護するカバー115hを備えているという点で異なっている。走査型電子顕微鏡SEMhのその他の特徴は、走査型電子顕微鏡SEMaと同一であってもよい。このため、以下では、図25(a)及び図25(b)を参照しながら、反射電子検出器114に取り付けられるカバー115hについて説明する。図25(a)は、第8実施形態のカバー115hを示す平面図であり、図25(b)は、図25(a)に示すカバー115hのA-A’断面を示す断面図である。
 図25(a)及び図25(b)に示すように、第8実施形態の走査型電子顕微鏡SEMh(特に、ビーム光学系11)は、電子検出器114の少なくとも一部と試料Wとの間に位置するカバー115hを備えている。電子検出器114の下方に試料Wが存在するがゆえに、カバー115hの少なくとも一部は、電子検出器114の少なくとも一部の下方に配置される。カバー115hは、電子検出器114の少なくとも一部を覆う。カバー115hは、電子検出器114に直接取り付けられてもよい。或いは、カバー115hは、電子検出器114の近傍でカバー115hを支持可能な支持部材に取り付けられてもよい。
 カバー115hが存在する場合には、カバー115hが存在しない場合と比較して、電子検出器114の少なくとも一部に不要物質(例えば、塵やゴミ等)が付着する可能性が小さくなる。特に、電子検出器114の少なくとも一部に、電子ビームEBの試料Wへの照射に起因して発生する不要物質(例えば、塵やゴミ等)が付着する可能性が小さくなる。なぜならば、不要物質は、電子検出器114に付着する前にカバー115hに付着する可能性が高いからである。その結果、不要物質に起因した不具合(例えば、検出精度の悪化)が電子検出器114に発生する可能性が小さくなる。このように、カバー115は、電子検出器114の少なくとも一部に不要物質が付着することを防止するための部材として用いられてもよい。
 一例として、図25(a)及び図25(b)に示すように、電子検出器114は、少なくとも一つの電子検出面1141と、電子検出面1141で検出された電子に関する信号を不図示の信号処理回路(例えば、増幅回路)に伝送するための配線1142とを含んでいてもよい。図25(a)に示す例では、電子検出器114は、マトリクス状に配置される4つの電子検出面1141と、4つの電子検出面1141からそれぞれ延びる4つの配線1142とを含む。4つの電子検出面1141は、それらの間に電子ビームEBが通過可能な開口1143が形成されるように配置されている。従って、電子銃113からの電子ビームEBは、開口1143を介して試料Wに照射される。
 この場合、カバー115は、配線1142の少なくとも一部を覆っていてもよい。つまり、カバー115は、配線1142の少なくとも一部と試料Wとの間に配置されていてもよい。その結果、配線1142に不要物質が付着する可能性が小さくなる。従って、不要物質の付着に起因して配線1142に不具合が発生する可能性が小さくなる。例えば、不要物質の付着に起因して配線1142が断線してしまう可能性が小さくなる。
 一方で、電子検出面1141は、配線1142と比較して、相対的に面積及び/又は幅が大きい部材である。このため、不要物質の付着に起因して電子検出面1141が断線する可能性は、不要物質の付着に起因して配線1142が断線する可能性よりも小さい。このため、カバー115は、電子検出面1141の少なくとも一部を覆わなくてもよい。つまり、カバー115hは、電子検出面1141の少なくとも一部と試料Wとの間には配置されていなくてもよい。図25(a)及び図25(b)に示す例では、配線1142が電子検出面1141の周囲に形成されているがゆえに、カバー115hは、開口1151hが形成された板状の部材となっている。試料Wからの電子は、開口1151hを介して電子検出面1141に入射してもよいし、カバー115hを介して電子検出面1141に入射してもよい。但し、カバー115は、電子検出面1141の少なくとも一部を覆っていてもよい。つまり、カバー115hは、電子検出面1141の少なくとも一部と試料Wとの間に配置されていてもよい。
 このように、第8実施形態の走査型電子顕微鏡SEMhは、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbが享受可能な効果と同様の効果を享受しつつ、電子検出器114に不具合が発生する可能性を小さくすることができる。
 尚、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbから第7実施形態の走査型電子顕微鏡SEMgのうちの少なくとも一つもまた、第8実施形態の走査型電子顕微鏡SEMhと同様の構造を有していてもよい。つまり、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbから第7実施形態の走査型電子顕微鏡SEMgのうちの少なくとも一つもまた、カバー115hを備えていてもよい。
 (9)第9実施形態の走査型電子顕微鏡SEMi
 続いて、第9実施形態の走査型電子顕微鏡SEM(以降、第9実施形態の走査型電子顕微鏡SEMを、“走査型電子顕微鏡SEMi”と称する)について説明する。第9実施形態の走査型電子顕微鏡SEMiは、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaと比較して、ビーム照射装置1に代えてビーム照射装置1iを備えているという点で異なっている。走査型電子顕微鏡SEMiのその他の特徴は、走査型電子顕微鏡SEMaと同一であってもよい。このため、以下では、図26を参照しながら、第9実施形態のビーム照射装置1iについて説明する。図26は、第9実施形態のビーム照射装置1iの構造を示す断面図である。
 図26に示すように、第9実施形態のビーム照射装置1iは、第1実施形態のビーム照射装置1と比較して、差動排気系12に代えて、差動排気系12iを備えているという点で異なっている。ビーム照射装置1iのその他の特徴は、ビーム照射装置1と同一であってもよい。
 差動排気系12iは、差動排気系12と比較して、ビーム通過空間SPb2に面する開口125iが形成されているという点で異なる。開口125iは、ビーム通過空間SPb2のうち電子検出器114と試料Wとの間の空間部分に面する。つまり、開口125iは、電子検出器114から試料W側に向かって(つまり、-Z側に向かって)離れた位置に形成され、且つ、試料Wから電子検出器114側に向かって(つまり、+Z側に向かって)離れた位置に形成されている。更に、ビーム差動排気系12iは、差動排気系12と比較して、開口125iに接続された管路126iを備えているという点で異なる。差動排気系12iのその他の特徴は、差動排気系12と同一であってもよい。
 管路126iには、排気装置6iが接続されている。排気装置6iは、走査型電子顕微鏡SEMiが備えていてもよいし、走査型電子顕微鏡SEMiの外部の装置に配置されていてもよい。排気装置6iは、管路126i及び開口125iを介して、ビーム通過空間SPb2の少なくとも一部を排気する。ここで、上述したように、開口125iがビーム通過空間SPb2のうち電子検出器114と試料Wとの間の空間部分に面する。このため、排気装置6iは、ビーム通過空間SPb2のうち電子検出器114と試料Wとの間の空間部分から気体を排出する。その結果、ビーム通過空間SPb2のうち電子検出器114と試料Wとの間の空間部分に存在する不要物質は、電子検出器114に付着する前に管路126i及び開口125iを介してビーム通過空間SPb2から回収される可能性が相対的に高くなる。このため、走査型電子顕微鏡SEMiは、不要物質に起因した不具合が電子検出器114に発生する可能性を小さくすることができる。
 或いは、管路126iには、排気装置6iに加えて又は代えて、上述した真空ポンプ51又は52が接続されていてもよい。この場合であっても、管路126i及び開口125iを介して、ビーム通過空間SPb2のうち電子検出器114と試料Wとの間の空間部分から気体が排出される。その結果、ビーム通過空間SPb2のうち電子検出器114と試料Wとの間の空間部分に存在する不要物質は、電子検出器114に付着する前に管路126i及び開口125iを介してビーム通過空間SPb2から回収される可能性が相対的に高くなる。
 このように、第9実施形態の走査型電子顕微鏡SEMiは、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbが享受可能な効果と同様の効果を享受しつつ、電子検出器114に不具合が発生する可能性を小さくすることができる。
 尚、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbから第8実施形態の走査型電子顕微鏡SEMhのうちの少なくとも一つもまた、第9実施形態の走査型電子顕微鏡SEMiと同様の構造を有していてもよい。つまり、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbから第8実施形態の走査型電子顕微鏡SEMhのうちの少なくとも一つもまた、ビーム通過空間SPb2のうち電子検出器114と試料Wとの間の空間部分から気体を排出するための構造(つまり、開口125i及び管路126iに関する構造)を有していてもよい。
 (10)第10実施形態の走査型電子顕微鏡SEMj
 続いて、図27を参照しながら、第10実施形態の走査型電子顕微鏡SEM(以降、第10実施形態の走査型電子顕微鏡SEMを、“走査型電子顕微鏡SEMj”と称する)について説明する。図27は、第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMjの構造を示す断面図である。
 図27に示すように、第10実施形態の走査型電子顕微鏡SEMjは、上述した第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaと比較して、光学顕微鏡17jを備えているという点で異なる。走査型電子顕微鏡SEMjのその他の構造は、上述した走査型電子顕微鏡SEMaのその他の構造と同一であってもよい。
 光学顕微鏡17jは、試料Wの状態(例えば、試料Wの表面WSuの少なくとも一部の状態)を光学的に計測可能な装置である。つまり、光学顕微鏡17jは、試料Wの状態を光学的に計測して、試料Wに関する情報を取得可能な装置である。特に、光学顕微鏡17jは、試料Wの状態を大気圧環境下で計測可能であるという点で、試料Wの状態を真空環境下で計測するビーム照射装置1(特に、電子検出器114)とは異なる。
 光学顕微鏡17jは、ビーム照射装置1が電子ビームEBを試料Wに照射して試料Wの状態を計測する前に、試料Wの状態を計測してもよい。つまり、走査型電子顕微鏡SEMjは、光学顕微鏡17jを用いて試料Wの状態を計測した後に、ビーム照射装置1を用いて試料Wの状態を計測してもよい。ここで、光学顕微鏡17jが大気圧環境下で試料Wの状態を計測可能であるため、光学顕微鏡17jが試料Wの状態を計測している期間中は、ビーム照射装置1は、真空領域VSPを形成しなくてもよい。一方で、ビーム照射装置1は、光学顕微鏡17jが試料Wの状態の計測を完了した後に、真空領域VSPを形成して試料Wに電子ビームEBを照射する。但し、後述するように、光学顕微鏡17jが試料Wの状態を計測している期間中においても、ビーム照射装置1は、真空領域VSPを形成してもよい。
 ステージ22は、ビーム照射装置1が電子ビームEBを試料Wに照射する期間中は、ビーム照射装置1が電子ビームEBを照射可能な位置に試料Wが位置するように移動してもよい。ステージ22は、光学顕微鏡17jが試料Wの状態を計測する期間中は、光学顕微鏡17jが試料Wの状態を計測可能な位置に試料Wが位置するように移動してもよい。ステージ22は、ビーム照射装置1が電子ビームEBを照射可能な位置と、光学顕微鏡17jが計測可能な位置との間で移動してもよい。尚、図28は、ビーム照射装置1が電子ビームEBを照射可能な位置に試料Wが位置するように移動したステージ22を示す断面図である。図29は、光学顕微鏡17jが試料Wの状態を計測可能な位置に試料Wが位置するように移動したステージ22を示す断面図である。
 光学顕微鏡17jが試料Wの状態を計測可能な位置に試料Wが位置している期間(以降、説明の便宜上、この期間を“光学計測期間”と称する)の少なくとも一部において、ビーム照射装置1は、ステージ22の表面との間に真空領域VSPを形成してもよい。つまり、光学計測期間の少なくとも一部においても、ビーム照射装置1が電子ビームEBを試料Wに照射する期間中と同様に、ビーム照射装置1は、真空領域VSPを形成し続けてもよい。例えば、ビーム照射装置1は、光学計測期間の少なくとも一部において、ステージ22の表面のうち保持面HSとは異なる(典型的には、保持面HSの外側に位置する)外周面との間に真空領域VSPを形成してもよい。この場合、保持面HSに保持された試料Wが光学顕微鏡17jに対向している状態で、外周面がビーム照射装置1(特に、射出面12LS)と対向可能となるように、ステージ22の特性(例えば、形状及びサイズの少なくとも一方)が設定されていてもよい。
 走査型電子顕微鏡SEMjは、光学顕微鏡17jを用いた試料Wの状態の計測結果に基づいて、ビーム照射装置1を用いて試料Wの状態を計測してもよい。例えば、走査型電子顕微鏡SEMjは、まず、光学顕微鏡17jを用いて、試料Wのうちの所望領域の状態を計測してもよい。その後、走査型電子顕微鏡SEMjは、光学顕微鏡17jを用いた試料Wの所望領域の状態の計測結果に基づいて、ビーム照射装置1を用いて試料Wの同じ所望領域の状態(或いは、所望領域とは異なる領域の状態)を計測してもよい。この場合、試料Wの所望領域には、ビーム照射装置1を用いた試料Wの状態の計測のために利用可能な所定の指標物が形成されていてもよい。所定の指標物の一例として、例えば、試料Wとビーム照射装置1との位置合わせに用いられるマーク(例えば、フィデュシャルマーク及びアライメントマークの少なくとも一方)があげられる。
 或いは、試料Wの表面WSuには、微細な凹凸パターンが形成されている場合がある。例えば、試料Wが半導体基板である場合には、微細な凹凸パターンの一例として、レジストが塗布された半導体基板が露光装置によって露光され且つ現像装置によって現像された後に半導体基板に残るレジストパターンがあげられる。この場合、例えば、走査型電子顕微鏡SEMjは、まず、光学顕微鏡17jを用いて、試料Wのうちの所望領域に形成された凹凸パターンの状態を計測してもよい。その後、走査型電子顕微鏡SEMjは、光学顕微鏡17jを用いた試料Wの所望領域の状態の計測結果(つまり、所望領域に形成された凹凸パターンの状態の計測結果)に基づいて、ビーム照射装置1を用いて試料Wの同じ所望領域に形成された凹凸パターンの状態を計測してもよい。例えば、走査型電子顕微鏡SEMjは、光学顕微鏡17jの計測結果に基づいて、凹凸パターンの計測に最適な電子ビームEBが照射されるように電子ビームEBの特性を制御した上で、ビーム照射装置1を用いて試料Wの同じ所望領域に形成された凹凸パターンの状態を計測してもよい。
 光学顕微鏡17jを用いた試料Wの状態の計測結果に基づいてビーム照射装置1を用いた試料Wの状態の計測が行われる場合には、制御装置4は、光学顕微鏡17jを用いた試料Wの状態の計測結果が、走査型電子顕微鏡SEMjが備えるディスプレイ7jに表示されるように、ディスプレイ7jを制御してもよい。例えば、図30は、光学顕微鏡17jで計測された試料Wの表面の画像を表示するディスプレイ7jを示している。
 この場合、走査型電子顕微鏡SEMjのユーザは、ディスプレイ7jの表示内容を参照しながら、ディスプレイ7j上で、ビーム照射装置1を用いた試料Wの状態の計測に関する操作を入力してもよい。このため、ディスプレイ7jには、ユーザが操作可能な表示オブジェクトが表示されてもよい。この場合、ユーザは、走査型電子顕微鏡SEMjが備える入力装置を用いて、表示オブジェクトを操作してもよい。図30に示す例では、表示オブジェクトの一例であるマウスカーソル71jが表示されているが、それ以外の種類の表示オブジェクト(例えば、テキストボックス及びボタンの少なくとも一方を含むGUIウィジェット)が表示されてもよい。マウスカーソル71jが表示されている場合には、ユーザは、入力装置の一例であるマウスを用いて、マウスカーソル71jを操作してもよい。但し、ユーザは、マウス以外の任意の入力装置(例えば、キーボード、タッチペン、タッチパネル及びコントローラ)を用いて、任意の表示オブジェクトを操作してもよい。
 制御装置4は、ユーザの操作内容が入力装置を介して制御装置4に入力された場合には、操作内容に応じた所望の動作を行ってもよい。以下、制御装置4がユーザの操作内容に基づいて行う動作の一例について説明する。
 例えば、制御装置4は、ユーザが入力装置を用いて所定の第1操作(例えば、マウスの左クリックボタンを押下する操作)を行った場合には、第1操作に対応する第1動作を行ってもよい。一例として、図31に示すように、制御装置4は、ユーザが第1操作を行った場合には、ビーム照射装置1による計測が行われる予定の領域を示す表示オブジェクト72jをディスプレイ7j上に表示するようにディスプレイ7jを制御する第1動作を行ってもよい。図31に示す例では、表示オブジェクト72jは、ビーム照射装置1による計測が行われる範囲を囲む矩形のフレームを含む。
 例えば、制御装置4は、上述した表示オブジェクト72jが表示されている状態でユーザが入力装置を用いて所定の第2操作(例えば、マウスの左クリックボタンを押下する操作)を行った場合には、第2操作に対応する第2動作を行ってもよい。一例として、制御装置4は、図32に示すように、ユーザが第2操作を行った時点での表示オブジェクト72jに含まれる試料W上の領域を、所定の倍率でビーム照射装置1による計測を行うべき領域として設定する第2動作を行ってもよい。この場合、ビーム照射装置1による計測を行うべき領域として設定されたワークW上の領域の位置座標(例えば、X座標及びY座標)が、計測に関するレシピ情報として登録されてもよい。その結果、走査型電子顕微鏡SEMjは、レシピ情報に基づいて、設定された試料W上の領域に電子ビームEBを照射することで、当該領域を計測してもよい。
 表示オブジェクト72jは、入力装置を用いたユーザの操作内容に合わせて移動可能であってもよい。例えば、ユーザは、ビーム照射装置1による計測を行うことをユーザが希望する領域に向けて表示オブジェクト72jを移動させてもよい。この場合、ユーザは、表示オブジェクト72jを移動する操作と上述した第2操作とを交互に繰り返すことで、試料W上の複数の領域のそれぞれを、所定の倍率でビーム照射装置1による計測を行うべき領域として設定することができる。
 例えば、制御装置4は、上述した第2操作と合わせてユーザが入力装置を用いて所定の第3操作(例えば、マウスのクリックホイールを回転させる操作)を行った場合には、第3操作に対応する第3動作を行ってもよい。一例として、制御装置4は、クリックホイールの操作に応じてビーム照射装置1による計測の倍率を設定する第3動作を行ってもよい。この場合、上述した第2動作は、実質的に、ユーザが第2操作を行った時点での表示オブジェクト72jに含まれる試料W上の領域を、第3操作に基づいて設定される倍率でビーム照射装置1による計測を行うべき領域として設定する動作と等価であるとみなしてもよい。この場合、第3操作に基づいて設定される倍率が、計測に関するレシピ情報として登録されてもよい。また、制御装置4は、図33に示すように、第3操作に合わせて、設定された倍率を表示するようにディスプレイ7jを制御してもよい。また、制御装置4は、図33に示すように、第3操作に合わせて、表示オブジェクト72jの大きさを、設定された倍率に応じた大きさに代えてもよい。尚、クリックホイールを回転させる操作に代えて、マウスの右クリックボタンを押下することで表示されるプルダウンメニューから倍率を指定する操作が、第3操作として用いられてもよい。この場合、制御装置4は、マウスの右クリックボタンが押下された場合には、倍率を指定するためのプルダウンメニューを表示するようにディスプレイ7jを制御してもよい。
 このような第10実施形態の走査型電子顕微鏡SEMjは、走査型電子顕微鏡SEMaが享受可能な効果と同様の効果を享受することができる。加えて、第10実施形態の走査型電子顕微鏡SEMjは、光学顕微鏡17jを備えていない比較例の走査型電子顕微鏡と比較して、電子ビームEBを用いて試料Wの状態をより適切に計測することができる。
 尚、上述した説明では、走査型電子顕微鏡SEMjは、光学顕微鏡17jを用いて試料Wの状態を計測した後に、ビーム照射装置1を用いて試料Wの状態を計測している。しかしながら、走査型電子顕微鏡SEMjは、光学顕微鏡17jを用いた試料Wの状態の計測と、ビーム照射装置1を用いた試料Wの状態の計測とを並行して行ってもよい。例えば、走査型電子顕微鏡SEMjは、試料Wの所望領域の状態を、光学顕微鏡17j及びビーム照射装置1を用いて同時に計測してもよい。或いは、走査型電子顕微鏡SEMjは、光学顕微鏡17jを用いた試料Wの第1領域の状態の計測と、ビーム照射装置1を用いた試料Wの第2領域(但し、第2領域は第1領域とは異なる)の状態の計測とを並行して行ってもよい。
 また、走査型電子顕微鏡SEMjは、光学顕微鏡17jに加えて又は代えて、大気圧環境下で試料Wの状態を計測可能な任意の計測装置を備えていてもよい。任意の計測装置の一例として、回折干渉計があげられる。尚、回折干渉計は、例えば、光源光を分岐して計測光及び参照光を生成し、計測光を試料Wに照射して発生する反射光(或いは、透過光又は散乱光)と参照光とが干渉することで発生する干渉パターンを検出して試料Wの状態(例えば、試料Wの表面形状)を計測する計測装置である。尚、任意の計測装置の他の一例として、スキャトロメータが挙げられる。スキャトロメータは、試料Wに計測光を照射して、試料Wからの散乱光(回折光等)を受光して試料Wの状態を計測する計測装置である。
 また、走査型電子顕微鏡SEMjが光学顕微鏡17jを備えている場合には、ステージ22は、ビーム照射装置1が試料Wに電子ビームEBを照射可能となる第1位置と、光学顕微鏡17jが試料Wの状態を計測可能となる第2位置との間で移動する。この場合、ビーム照射装置1と光学顕微鏡17jとの位置関係が設計上の位置関係とは異なる位置関係になってしまう可能性がある。その結果、ビーム照射装置1と光学顕微鏡17jとの位置関係が設計上の位置関係にあるという前提でステージ22が移動すると、ステージ22が第1位置と第2位置との間で適切に移動することができなくなる可能性がある。例えば、ステージ22は、ビーム照射装置1が電子ビームEBを照射した試料W上の領域を光学顕微鏡17jが計測することができるように移動することができなくなる可能性がある。例えば、ステージ22は、光学顕微鏡17jが計測した試料W上の領域の少なくとも一部にビーム照射装置1が電子ビームEBを照射することができるように移動することができなくなる可能性がある。そこで、走査型電子顕微鏡SEMjは、ビーム照射装置1と光学顕微鏡17jとの位置関係を計測するためのベースラインチェックを行ってもよい。
 ベースラインチェックを行うために、ステージ22の上面を示す図34に示すように、ステージ22には、所定の指標221が形成されていてもよい。例えば、ステージ22の上面のうち保持面HSの周囲の外周面OSに指標221が形成されていてもよい。ステージ22の上面のうち保持面HSに指標221が形成されていてもよい。指標221は、ビーム照射装置1及び光学顕微鏡17jの双方が計測可能な指標である。例えば、指標221は、ビーム照射装置1からの電子ビームEBを反射可能であって且つ光学的に観察可能な反射部を含んでいてもよい。例えば、指標221は、100マイクロメートルから200マイクロメートル角のサイズを有する指標であるが、任意のサイズの指標であってもよい。
 走査型電子顕微鏡SEMjは、このような指標221が形成されたステージ22を用いてベースラインチェックを行う。
 具体的には、ビーム照射装置1は、この指標221に対して電子ビームEBを照射する。このため、ステージ22は、ビーム照射装置1からの電子ビームEBが照射される位置に指標221が位置するように定盤21上を移動する。つまり、ステージ22は、定盤21上において、ビーム照射装置1からの電子ビームEBが指標221に照射されるように移動する。指標221に電子ビームEBが照射されると、指標221に照射された電子ビームEBは、指標221に含まれる反射部によって反射される。指標221で反射された電子ビームEBは、電子検出器114によって検出される。指標221で反射された電子ビームEBを電子検出器114が検出したタイミングで、位置計測装置24がステージ22の位置を計測する。つまり、位置計測装置24は、指標221に電子ビームEBが照射されたときのステージ22の位置を計測する。指標221に電子ビームEBが照射されたときのステージ22の位置に関する第1位置情報は、位置計測装置24から制御装置4へと出力される。
 ここで、指標221は、ステージ22上の固定位置に形成されている。このため、指標221に電子ビームEBが照射されたときのステージ22の位置を計測する動作は、指標221に電子ビームEBが照射されたときの指標221の位置を計測する動作と実質的には等価である。更に、指標221に電子ビームEBが照射されているがゆえに、指標221に電子ビームEBが照射されたときのステージ22の位置を計測する動作は、電子ビームEBの照射位置を計測する動作と実質的には等価である。このため、第1位置情報は、実質的には、ステージ座標系での電子ビームEBの照射位置に関する情報を含んでいると言える。尚、ステージ座標系は、ステージ22の位置を規定するための座標系である。
 更には、ベースラインチェックを行う場合、光学顕微鏡17jは、この指標221の少なくとも一部を計測する。このため、ステージ22は、光学顕微鏡17jによる計測が行われる位置に指標221の少なくとも一部が位置するように定盤21上を移動する。つまり、ステージ22は、定盤21上において、光学顕微鏡17jが指標221の少なくとも一部を計測可能となるように移動する。光学顕微鏡17jが指標221の少なくとも一部を計測したタイミングで(つまり、光学顕微鏡17jによる計測が行われる位置に指標221の少なくとも一部が位置したタイミングで)位置計測装置24がステージ22の位置を計測する。光学顕微鏡17jが指標221の少なくとも一部を計測したときのステージ22の位置に関する第2位置情報は、位置計測装置24から制御装置4へと出力される。
 ここで、上述したように指標221がステージ22上の固定位置に形成されているがゆえに、光学顕微鏡17jが指標221の少なくとも一部を計測したときのステージ22の位置を計測する動作は、光学顕微鏡17jが指標221の少なくとも一部を計測したときの指標221の位置を計測する動作と実質的には等価である。更に、指標221を光学顕微鏡17jが計測しているがゆえに、光学顕微鏡17jが指標221の少なくとも一部を計測したときのときのステージ22の位置を計測する動作は、光学顕微鏡17jによる計測が行われる位置(典型的には、一定の広がりを有する領域であり、以下、“計測領域”と称する)を計測する動作と実質的には等価である。このため、第2位置情報は、実質的には、ステージ座標系での光学顕微鏡17jの計測領域の位置に関する情報を含んでいると言える。
 但し、第2位置情報だけでは、ステージ座標系での光学顕微鏡17jの計測領域の位置を高精度に(典型的には、ピンポイントで)特定できるとは限らない。というのも、第2位置情報は、一定の広がりを有する光学顕微鏡17jの計測領域のどこかに指標211が位置しているときのステージ22の位置に関する情報に過ぎない。このため、計測領域のどこに指標211が位置しているかによって、ステージ座標系と計測領域との位置関係が変わるからである。そこで、ステージ座標系での光学顕微鏡17jの計測領域の位置を高精度に特定するために、制御装置4は、光学顕微鏡17jの計測結果を用いてもよい。具体的には、光学顕微鏡17jの計測結果は、光学顕微鏡17jの計測領域内での指標221の位置(例えば、反射部の位置)に関する情報を含んでいると言える。このため、光学顕微鏡17jは、実質的には、指標221の位置(例えば、反射部の位置)を計測しているとも言える。つまり、制御装置4は、第2位置情報と光学顕微鏡17jの計測結果とを用いれば、光学顕微鏡17jが指標221の少なくとも一部を計測したときの指標221の位置及び計測領域の位置を、ステージ座標系内において相対的に高精度に特定可能となる。
 その後、制御装置4は、第1及び第2位置情報(更には、光学顕微鏡17jの計測結果)に基づいて、ビーム照射装置1と光学顕微鏡17jとの間の実際の位置関係を特定することができる。具体的には、第1及び第2位置情報がそれぞれ電子ビームEBの照射位置及び光学顕微鏡17jの計測領域の位置に関する情報であるがゆえに、制御装置4は、第1及び第2位置情報に基づいて、電子ビームEBの照射位置と光学顕微鏡17jの計測領域との間の実際の位置関係を特定することができる。従って、制御装置4は、第1及び第2位置情報に基づいて、ビーム照射装置1と光学顕微鏡17jとの実際の位置関係に応じた移動態様でステージ22が移動するように、ステージ22を制御する(具体的には、ステージ22を移動させるステージ駆動系23を制御する)ことができる。つまり、制御装置4は、第1及び第2位置情報に基づいて、ビーム照射装置1が試料Wに電子ビームを照射する際のステージ22の位置及び/又は光学顕微鏡17jが試料Wを計測する際のステージ22の位置を制御することができる。例えば、制御装置4は、ビーム照射装置1と光学顕微鏡17jとの実際の位置関係が設計上の位置関係とは異なる位置関係になっている場合には、ビーム照射装置1と光学顕微鏡17jとの実際の位置関係が設計上の位置関係になっている場合と比較して、ステージ22の移動量が第1及び第2位置情報に基づいて算出可能なオフセット量だけ多くなる又は少なくなるように、ステージ22を移動させることができる。その結果、制御装置4は、ビーム照射装置1と光学顕微鏡17jとの実際の位置関係が設計上の位置関係とは異なる位置関係になっている場合であっても、ステージ22を適切に移動させることができる。
 例えば、ビーム照射装置1が電子ビームEBを照射した試料W上の領域を光学顕微鏡17jが計測する場合には、制御装置4は、電子ビームEBが照射された試料W上の領域の位置に関する情報(つまり、ステージ座標系での電子ビームEBの照射位置に関する情報)と、ステージ座標系と光学顕微鏡17jの計測領域との位置関係に関する情報とに基づいて、電子ビームEBが照射された試料W上の領域(つまり、試料W上で電子ビームEBが照射された位置)を光学顕微鏡17jに計測させるために必要なステージ22の移動量を算出することができる。この際、制御装置4は、上述したように第1及び第2位置情報に基づいてステージ22の移動量を補正してもよい(つまり、オフセット量だけ多く又は少なくしてもよい)。その結果、制御装置4は、電子ビームEBを照射した試料W上の領域が光学顕微鏡17jの計測領域に含まれるように、ステージ22を移動させることができる。つまり、制御装置4は、第1及び第2位置情報に基づいて、ビーム照射装置1が電子ビームEBを照射した試料W上の領域を光学顕微鏡17jが計測することができるようにステージ22を移動させる(つまり、ステージ22の位置を制御する)ことができる。
 例えば、光学顕微鏡17jが計測した試料W上の領域の少なくとも一部にビーム照射装置1が電子ビームEBを照射する場合には、制御装置4は、光学顕微鏡17jが計測した試料W上の領域の位置に関する情報(つまり、ステージ座標系での光学顕微鏡17jの計測領域の位置に関する情報)と、ステージ座標系と電子ビームEBの照射位置との位置関係とに関する情報とに基づいて、光学顕微鏡17jが計測した試料W上の領域の少なくとも一部に電子ビームEBを照射するために必要なステージ22の移動量を算出することができる。この際、制御装置4は、上述したように第1及び第2位置情報に基づいてステージ22の移動量を補正してもよい(つまり、オフセット量だけ多く又は少なくしてもよい)。その結果、制御装置4は、光学顕微鏡17jが計測した試料W上の領域の少なくとも一部に電子ビームEBの照射位置が含まれるように、ステージ22を移動させることができる。つまり、制御装置4は、光学顕微鏡17jが計測した試料W上の領域の少なくとも一部にビーム照射装置1が電子ビームEBを照射することができるようにステージ22を移動させることができる。
 尚、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbから第9実施形態の走査型電子顕微鏡SEMiの少なくとも一つもまた、第10実施形態の走査型電子顕微鏡SEMjと同様の構造を有していてもよい。つまり、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbから第9実施形態の走査型電子顕微鏡SEMiのうちの少なくとも一つもまた、光学顕微鏡17jを備えていてもよい。
 (11)第11実施形態の走査型電子顕微鏡SEMk
 続いて、図35を参照しながら、第11実施形態の走査型電子顕微鏡SEM(以降、第14実施形態の走査型電子顕微鏡SEMを、“走査型電子顕微鏡SEMk”と称する)について説明する。図35は、第11実施形態の走査型電子顕微鏡SEMkの構造を示す断面図である。
 図35に示すように、第11実施形態の走査型電子顕微鏡SEMkは、上述した第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaと比較して、チャンバ181kと、空調機182kとを備えているという点で異なる。走査型電子顕微鏡SEMkのその他の構造は、上述した走査型電子顕微鏡SEMaのその他の構造と同一であってもよい。
 チャンバ181kは、少なくともビーム照射装置1と、ステージ装置2と、支持フレーム3とを収容する。但し、チャンバ181kは、ビーム照射装置1、ステージ装置2及び支持フレーム3の少なくとも一部を収容していなくてもよい。チャンバ181kは、走査型電子顕微鏡SEMkが備えるその他の構成要件(例えば、位置計測装置15、制御装置4及びポンプ系5の少なくとも一部)を収容していてもよい。
 チャンバ181kの外部の空間は、例えば、大気圧空間である。チャンバ181kの内部の空間(つまり、少なくともビーム照射装置1と、ステージ装置2と、支持フレーム3とを収容する空間)もまた、例えば、大気圧空間である。この場合、少なくともビーム照射装置1と、ステージ装置2と、支持フレーム3とは、大気圧空間に配置される。但し、上述したように、チャンバ181kの内部の大気圧空間内に、ビーム照射装置1が局所的な真空領域VSPを形成する。
 空調機182kは、チャンバ181kの内部の空間に気体(例えば、上述した不活性ガス及びクリーンドライエアーの少なくとも一方)を供給可能である。空調機182kは、チャンバ181kの内部の空間から気体を回収可能である。空調機182kがチャンバ181kの内部の空間から気体を回収することで、チャンバ181kの内部の空間の清浄度が良好に保たれる。この際、空調機182kは、チャンバ181kの内部の空間に供給する気体の温度及び湿度の少なくとも一方を制御することで、チャンバ181kの内部の空間の温度及び湿度の少なくとも一方を制御可能である。
 このような第11実施形態の走査型電子顕微鏡SEMkは、走査型電子顕微鏡SEMaが享受可能な効果と同様の効果を享受することができる。
 尚、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbから第10実施形態の走査型電子顕微鏡SEMjの少なくとも一つもまた、第11実施形態の走査型電子顕微鏡SEMkと同様の構造を有していてもよい。つまり、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbから第10実施形態の走査型電子顕微鏡SEMjのうちの少なくとも一つもまた、チャンバ181k及び空調機182kの少なくとも一方を備えていてもよい。
 (12)第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMl
 続いて、第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEM(以降、第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMを、“走査型電子顕微鏡SEMl”と称する)について説明する。第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMlは、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaと比較して、ビーム照射装置1に代えてビーム照射装置1lを備えているという点で異なっている。走査型電子顕微鏡SEMlのその他の特徴は、走査型電子顕微鏡SEMaと同一であってもよい。このため、以下では、図36を参照しながら、第12実施形態のビーム照射装置1lについて説明する。図36は、第12実施形態のビーム照射装置1iの構造を示す断面図である。
 図36に示すように、第12実施形態のビーム照射装置1lは、第1実施形態のビーム照射装置1と比較して、ビーム通過空間SPb2を形成する差動排気系12の内壁12Wよりも内側に対物レンズ14が配置されるという点で異なっている。つまり、ビーム照射装置1lは、ビーム照射装置1と比較して、差動排気系12の内部に形成されるビーム通過空間SPb2に対物レンズ14が配置されるという点で異なっている。ビーム照射装置1lのその他の特徴は、ビーム照射装置1と同一であってもよい。
 この場合、図36に示すように、対物レンズ14の全体が、差動排気系12の内壁12Wよりも内側に配置されていてもよい。対物レンズ14の全体が、差動排気系12のビーム通過空間SPb2に配置されていてもよい。
 或いは、第12実施形態のビーム照射装置1iの他の構造を示す断面図である図37に示すように、対物レンズ14の一部が、内壁12Wよりも内側に配置されている一方で、対物レンズ14の他の一部が、内壁12Wよりも内側に配置されていなくてもよい。対物レンズ14の一部が、ビーム通過空間SPb2に配置されている一方で、対物レンズ14の他の一部が、ビーム通過空間SPb2に配置されていなくてもよい。図37に示す例では、対物レンズ14のうちの少なくともポールピース143(つまり、ポールピース143を形成するヨーク142の少なくとも一部)が、内壁12Wよりも内側に(つまり、ビーム通過空間SPb2に)配置されている一方で、対物レンズ14の他の一部(例えば、ヨーク142の他の一部及びコイル141)が、内壁12Wよりも内側に(つまり、ビーム通過空間SPb2に)に配置されていない。
 第12実施形態では、対物レンズ14は、差動排気系12と一体化されていてもよい。或いは、対物レンズ14は、差動排気系12と一体化されていなくてもよい。例えば、対物レンズ14は、差動排気系12から分離可能であってもよい。この場合、対物レンズ14は、差動排気系12のビーム通過空間SPb2に挿入可能であってもよい。対物レンズ14は、差動排気系12のビーム通過空間SPb2から離脱可能であってもよい。対物レンズ14が差動排気系12から分離可能である場合には、対物レンズ14は、接続部材を介して差動排気系12に固定されていてもよいし、差動排気系12に固定されていなくてもよい。対物レンズ14を差動排気系12に固定するための接続部材は、気密性を確保可能な部材であってもよい。このような接続部材の一例として、Oリング及びベローズの少なくとも一方があげられる。
 尚、図36及び図37は、対物レンズ14の下面14Sl(或いは、対物レンズ14の最も下方に位置する部分であり、例えば、ポールピース143を形成するヨーク142の先端、以下この段落において同じ)が差動排気系12の射出面12LSよりも高い位置に配置される(つまり、試料Wからより離れる)ように対物レンズ14が配置される例(つまり、図3(b)と同様の例)を示している。しかしながら、対物レンズ14の下面14Slと差動排気系12の射出面12LSとが同じ高さとなる(つまり、Z軸に沿った位置が揃う)ように、対物レンズ14が配置されていてもよい(図3(a)参照)。対物レンズ14の下面14Slが差動排気系12の射出面12LSよりも低い位置に配置される(つまり、試料Wにより近づく)ように、対物レンズ14が配置されていてもよい(図3(c)参照)。
 このような第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMlは、走査型電子顕微鏡SEMaが享受可能な効果と同様の効果を享受することができる。
 尚、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbから第11実施形態の走査型電子顕微鏡SEMkの少なくとも一つもまた、第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMlと同様の構造を有していてもよい。つまり、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbから第11実施形態の走査型電子顕微鏡SEMkのうちの少なくとも一つにおいても、対物レンズ14の少なくとも一部がビーム通過空間SPb2に配置されていてもよい。
 (13)第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaから第11実施形態の走査型電子顕微鏡SEMkに共通する変形例
 (13-1)第1変形例
 上述した説明では、試料Wは、真空領域VSPが試料Wの表面WSuのうちの一部しか覆うことができない程度に大きいサイズを有している。一方で、第1変形例では、第1変形例においてステージ22が試料Wを保持する様子を示す断面図である図38に示すように、試料Wは、真空領域VSPが試料Wの表面WSuの全体を覆うことができる程度に小さいサイズを有していてもよい。或いは、試料Wは、真空領域VSPに含まれるビーム通過空間SPb3が試料Wの表面WSuの全体を覆うことができる程度に小さいサイズを有していてもよい。この場合、図38に示すように、差動排気系12が形成する真空領域VSPは、試料Wの表面WSuを覆う及び/又は試料Wの表面WSuに面する(つまり、接する)ことに加えて、ステージ22の表面(例えば、ステージ22の表面のうち保持面HSとは異なる外周面OS)の少なくとも一部を覆っていてもよい及び/又はステージ22の表面(例えば、外周面OS)の少なくとも一部に面していてもよい。外周面OSは、典型的には、保持面HSの周囲に位置する面を含む。尚、図38は、説明の便宜上、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaが、第1変形例で説明しているサイズが小さい試料Wに電子ビームEBを照射する例を示しているが、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbから第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMlのそれぞれもまた、第1変形例で説明しているサイズが小さい試料Wに電子ビームEBを照射してもよいことはいうまでもない。
 第1変形例では、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaから第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMlは、ビーム射出装置1の射出面12LSと試料Wの表面WSuとの間の間隔Dが所望間隔D_targetとなることに代えて、射出面12LSとステージ22の表面のうち保持面HS又は外周面OSとの間の間隔Do1が所望間隔D_targetとなるように、間隔調整系19及びステージ駆動系23の少なくとも一方を制御してもよい。
 (13-2)第2変形例
 第1変形例では、ステージ22の保持面HSとステージ22の外周面OSとが同じ高さに位置していた。一方で、第2変形例では、第2変形例においてステージ22が試料Wを保持する様子を示す断面図である図39に示すように、保持面HSと外周面OSとが異なる高さ(つまり、Z軸方向において異なる位置)に位置していてもよい。図39は、保持面HSが外周面OSよりも低い位置に位置する例を示しているが、保持面HSが外周面OSよりも高い位置に位置していてもよい。保持面HSが外周面OSよりも低い位置に位置する場合には、ステージ22には、実質的には、試料Wが収容される収容空間(つまり、試料Wを収容できるように窪んだ空間)が形成されていると言える。また、図39は、外周面OSが試料Wの表面WSuよりも高い位置に位置する例を示しているが、外周面OSが表面WSuよりも低い位置に位置していてもよいし、外周面OSが表面WSuと同じ高さに位置していてもよい。尚、図39は、説明の便宜上、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaが、第2変形例で説明した外周面OSとは高さが異なる保持面HSに保持された試料Wに電子ビームEBを照射する例を示しているが、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbから第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMlのそれぞれもまた、第2変形例で説明した外周面OSとは高さが異なる保持面HSに保持された試料Wに電子ビームEBを照射してもよいことはいうまでもない。
 第2変形例では、第1変形例と同様に、試料Wは、真空領域VSPが試料Wの表面WSuの全体を覆うことができる程度に小さいサイズを有していてもよい。この場合、第1変形例と同様に、差動排気系12が形成する真空領域VSPは、試料Wの表面WSuを覆う及び/又は試料Wの表面WSuに面することに加えて、ステージ22の表面(例えば、外周面OS)の少なくとも一部を覆っていてもよい及び/又はステージ22の表面(例えば、外周面OS)の少なくとも一部に面していてもよい。或いは、試料Wは、真空領域VSPが試料Wの表面WSuのうちの一部しか覆うことができない程度に大きいサイズを有していてもよい。この場合、差動排気系12が形成する真空領域VSPは、試料Wの表面WSuの一部を覆う及び/又は試料Wの表面WSuの一部に面する一方で、ステージ22の表面(例えば、外周面OS)の少なくとも一部を覆っていなくてもよい及び/又はステージ22の表面(例えば、外周面OS)の少なくとも一部に面していなくてもよい。
 第2変形例においても、第1変形例と同様に、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaから第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMlのうちの少なくとも一つは、射出面12LSと表面WSuとの間の間隔Dが所望間隔D_targetとなることに代えて、射出面12LSと外周面OSとの間の間隔Do1が所望間隔D_targetとなるように、間隔調整系19及びステージ駆動系23の少なくとも一方を制御してもよい。
 また、保持面HSは、試料Wを直接保持することに代えて、試料Wを保持するホルダを保持してもよい。つまり、保持面HSは、試料Wを保持するホルダを介して試料Wを間接的に保持してもよい。例えば、試料Wがホルダに保持され、保持面HSと外周面OSとが形成する段差(言い換えれば、収容空間又はポケット)にホルダが収容された状態で保持面HSがホルダを保持してもよい。
 (13-3)第3変形例
 第3変形例では、第3変形例においてステージ22が試料Wを保持する様子を示す断面図である図40に示すように、試料Wは、カバー部材25によって覆われていてもよい。つまり、試料Wとビーム照射装置1(特に、射出面12LS)との間にカバー部材25が配置されている状態で、電子ビームEBが試料Wに照射されてもよい。この際、カバー部材25に貫通孔が形成されていてもよく、電子ビームEBは、カバー部材25の貫通孔を介して試料Wに照射されてもよい。カバー部材25は、試料Wの表面WSuに接するように又は表面WSuとの間に間隙を確保するように試料Wの上方に配置されていてもよい。この場合、差動排気系12は、試料Wの表面WSuの少なくとも一部を覆う真空領域VSPに代えて、カバー部材25の表面25sの少なくとも一部を覆う真空領域VSPを形成してもよい。差動排気系12は、試料Wの表面WSuに接する真空領域VSPに代えて、カバー部材25の表面25sに接する真空領域VSPを形成してもよい。尚、図40は、説明の便宜上、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaが、第3変形例で説明したカバー部材25で覆われた試料Wに電子ビームEBを照射する例を示しているが、第2実施形態の走査型電子顕微鏡SEMbから第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMlのそれぞれもまた、第3変形例で説明したカバー部材25で覆われた試料Wに電子ビームEBを照射してもよいことはいうまでもない。
 第3変形例では、試料Wは、真空領域VSPが試料Wの表面WSuの全体を覆うことができる程度に小さいサイズを有していてもよいし、真空領域VSPが試料Wの表面WSuのうちの一部しか覆うことができない程度に大きいサイズを有していてもよい。
 第3変形例では、第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaから第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMlのうちの少なくとも一つは、射出面12LSと表面WSuとの間の間隔Dが所望間隔D_targetとなることに代えて、射出面12LSとカバー部材25の表面25sとの間の間隔Do2が所望間隔D_targetとなるように、間隔調整系19及びステージ駆動系23の少なくとも一方を制御してもよい。
 (14)その他の変形例
 上述した説明では、差動排気系12が備える排気通路EP1からEP3のそれぞれは、試料W側から真空ポンプ52側に向かうにつれて複数の排気通路がより少ない数の排気通路に合流するという構造を有している。しかしながら、排気通路EP1からEP3の少なくとも一つは、試料W側から真空ポンプ52側に向かうにつれて複数の排気通路がより少ない数の排気通路に合流するという構造を有していなくてもよい。例えば、排気通路EP1からEP3のそれぞれは、試料W側から真空ポンプ52側に向かう単一の排気通路であってもよい。
 上述した説明では、対物レンズ14は、差動排気系12の側方、下方又は内部に配置されている。しかしながら、対物レンズ14の配置位置が上述した位置に限定されることはない。対物レンズ14は、電子ビームEBを試料Wに集束させることができる限りは、どのような位置に配置されていてもよい。対物レンズ14は、電子ビームEBを試料Wに集束させることができる限りは、どのような構造を有していてもよい。
 走査型電子顕微鏡SEMに限らず、電子ビームEBを試料W(或いは、その他の任意の物体)に照射する任意の電子ビーム装置が、上述した第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaから第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMlのうちのうちの少なくとも一つと同様の構造を有していてもよい。任意の電子ビーム装置の一例として、電子ビームEBを用いて電子線レジストが塗布されたウェハを露光することでウェハにパターンを形成する電子ビーム露光装置、及び、電子ビームEBを母材に照射して発生する熱で母材を溶接する電子ビーム溶接装置の少なくとも一方があげられる。
 或いは、電子ビーム装置に限らず、電子ビームEBとは異なる任意の荷電粒子ビーム又はエネルギビーム(例えば、イオンビーム)を任意の試料W(或いは、その他の任意の物体)に照射する任意のビーム装置が上述した第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaから第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMlのうちのうちの少なくとも一つと同様の構造を有していてもよい。任意のビーム装置の一例として、集束したイオンビームを試料に照射し加工や観察を行う集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置、及び、軟X線領域(例えば5~15nmの波長域)のEUV(Extreme Ultraviolet)光を用いてレジストが塗布されたウェハを露光することでウェハにパターンを形成するEUV露光装置の少なくとも一方があげられる。
 或いは、ビーム装置に限らず、電子を含む任意の荷電粒子を、ビームとは異なる照射形態で任意の試料W(或いは、その他の任意の物体)に照射する任意の照射装置が上述した第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaから第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMlのうちのうちの少なくとも一つと同様の構造を有していてもよい。つまり、荷電粒子を照射(例えば、放出、生成、噴出又は)可能な照射系を備える任意の照射装置が、上述した第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaから第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMlのうちのうちの少なくとも一つと同様の構造を有していてもよい。任意の照射装置の一例として、プラズマを用いて物体をエッチングするエッチング装置、及び、プラズマを用いて物体に成膜処理を行う成膜装置(例えば、スパッタリング装置等のPVD(Physical Vapor Deposition)装置、及び、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置の少なくとも一方)の少なくとも一方があげられる。
 或いは、荷電粒子に限らず、任意の物質を照射と異なる形態で任意の試料W(或いは、その他の任意の物体)に真空下で作用させる任意の真空装置が上述した第1実施形態の走査型電子顕微鏡SEMaから第12実施形態の走査型電子顕微鏡SEMlのうちのうちの少なくとも一つと同様の構造を有していてもよい。任意の真空装置の一例として、真空中で蒸発又は昇華させた材料の蒸気を試料に到達させて蓄積させる事で膜を形成する真空蒸着装置があげられる。
 上述の各実施形態(各変形例を含む、以下この段落において同じ)の構成要件の少なくとも一部は、上述の各実施形態の構成要件の少なくとも他の一部と適宜組み合わせることができる。上述の各実施形態の構成要件のうちの一部が用いられなくてもよい。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態で引用した全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
 本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う真空形成部材、真空形成装置及び荷電粒子装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
 SEM 走査型電子顕微鏡
 1 ビーム照射装置
 11 ビーム光学系
 12 差動排気系
 12LS 射出面
 14 間隔調整系
 2 ステージ装置
 22 ステージ
 23 ステージ駆動系
 4 制御装置
 5 ポンプ系
 51、52 真空ポンプ
 SPb1、SPb2、SPb3 ビーム通過空間
 VSP 真空領域
 W 試料
 WSu 表面

Claims (94)

  1.  排気装置と接続可能であって、物体の面に接する空間の少なくとも一部から気体を排出して、真空領域を形成する真空形成部材であって、
     前記物体の前記面に接する前記空間の少なくとも一部から排出された気体が流入する第1流路と、
     前記物体の前記面に接する前記空間の少なくとも一部から排出された気体が流入する第2流路と、
     前記第1流路及び前記第2流路と接続し、前記第1流路を通過した前記気体及び前記第2流路を通過した前記気体が流入する第3流路と
     が形成され、
     前記真空領域の周囲の前記真空領域よりも気圧が高い空間の少なくとも一部の気体は、前記真空形成部材の前記第1流路と前記第2流路との少なくとも一方を介して排出され、
     前記第1流路及び前記第2流路は、前記第3流路を介して前記排気装置に接続可能であり、
     前記第1流路及び前記第2流路は、前記物体の前記面に接し前記気体が排出される前記空間と、それぞれ互いに異なる位置で接続する
     真空形成部材。
  2.  前記第1流路、第2流路及び第3流路の少なくとも一部は、前記真空形成部材に形成された孔を含む
     請求項1に記載の真空形成部材。
  3.  前記真空形成部材は複数の部材を含み、
     前記複数の部材の少なくとも1つには孔及び溝の少なくとも一方が形成され、
     前記複数の板状部材の前記孔及び前記溝の少なくとも一方が接続するように前記複数の部材が組み合わせられることで、前記第1流路、第2流路及び第3流路の少なくとも一部は形成される
     請求項1又は2に記載の真空形成部材。
  4.  前記複数の部材は、複数の板状部材を含み、
     前記真空形成部材は、前記複数の板状部材が積層されることで形成された積層体を含む
     請求項3に記載の真空形成部材。
  5.  前記複数の板状部材の前記孔及び前記溝の少なくとも一方が接続するように前記複数の板状部材が積層されることで、前記第1流路、第2流路及び第3流路の少なくとも一部は形成される
     請求項4に記載の真空形成部材。
  6.  前記複数の板状部材は前記物体の前記面と交差する方向に積層されている
     請求項4又は5に記載の真空形成部材。
  7.  前記複数の板状部材の少なくとも1つに形成された前記孔及び前記溝の少なくとも一方は、前記第1流路、第2流路及び第3流路のうち、前記物体の前記面と交差する方向の部分に含まれる
     請求項4から6のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  8.  前記複数の板状部材の少なくとも1つに形成された前記孔及び前記溝の少なくとも一方は、前記第1流路、第2流路及び第3流路のうち、前記物体の前記面に沿う方向の部分に含まれる
     請求項4から7のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  9.  前記真空形成部材において前記第1流路、第2流路及び第3流路が占める体積の割合は、2%~50%の範囲内である、
     請求項1から8のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  10.  前記物体の前記面の少なくとも一部は、前記真空領域の少なくとも一部に面する
     請求項1から9のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  11.  前記物体の前記面の少なくとも一部は、前記真空領域の少なくとも一部に覆われる
     請求項1から10のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  12.  前記物体の前記面の一部は、前記真空領域に面し、前記第1部材の前記面の他の一部は、大気圧領域に面する
     請求項1から11のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  13.  前記第1流路と前記物体の前記面に接する前記空間とが接続する位置から前記第1流路と前記第3流路とが接続する位置までの前記第1流路の長さは、前記第3流路と前記排気装置とが接続する位置から前記第1流路と前記第3流路とが接続する位置までの前記第3流路の長さより短い
     請求項1から12のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  14.  前記第1流路と前記第3流路とは、前記第2流路と前記第3流路とが接続する位置で接続する
     請求項1から13のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  15.  前記第1流路と前記第3流路とが接続する位置は、前記第1流路と前記物体の前記面に接する前記空間とが接続する位置よりも、前記物体の前記面に沿う方向において前記排気装置側に配置されている
     請求項1から14のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  16.  前記第1流路の圧力損失は、前記第2流路の圧力損失と等しい
     請求項1から15のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  17.  前記第1流路及び前記第2流路は、それぞれ前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分と、前記物体の前記面に沿う方向に延びる部分とを含み、
     それぞれ前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分は、前記物体側の端部と、前記物体と反対側の端部とを有し、
     前記物体の前記面に沿う方向に延びる部分は、前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部と前記第3流路とをつなぐ
     請求項1から16のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  18.  前記第1流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部から前記第3流路までの、前記物体の前記面に沿う方向における距離と、前記第2流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部から前記第3流路までの、前記物体の前記面に沿う方向における距離の和は、前記第1流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部から前記第2流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部までの、前記物体の前記面に沿う方向における距離より大きい
     請求項17に記載の真空形成部材。
  19.  前記第1流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部から前記第3流路までの、前記物体の前記面に沿う方向における距離の2乗と、前記第2流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部から前記第3流路までの、前記物体の前記面に沿う方向における距離の2乗の和は、前記第1流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部から前記第2流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部までの、前記物体の前記面に沿う方向における距離の2乗より大きい
     請求項17又は18に記載の真空形成部材。
  20.  前記第1流路と前記第3流路とが接続する位置は、前記第1流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部の位置よりも、前記物体の前記面に沿う方向において前記排気装置側に配置されている
     請求項17から19のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  21.  前記排気装置と前記物体の前記面に接する前記空間との間に設けられ、前記物体の前記面に接する前記空間を介して前記物体の前記面に接する前記空間の少なくとも一部から排出された気体が流入する第4流路と、
     前記排気装置と前記物体の前記面に接する前記空間との間に設けられ、前記物体の前記面に接する前記空間を介して前記物体の前記面に接する前記空間の少なくとも一部から排出された気体が流入する第5流路と、
     前記第4流路及び前記第5流路と前記排気装置との間に設けられ、一方の端部が前記第4流路及び前記第5流路と接続し、前記第4流路を通過した前記気体及び前記第5流路を通過した前記気体が流入する第6流路と、
     前記第3流路及び前記第6流路と前記排気装置との間に設けられ、一方の端部が前記第3流路及び前記第6流路と接続し、前記第3流路を通過した前記気体及び前記第6流路を通過した前記気体が流入する第7流路と、
     を備える
     請求項1から20のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  22.  前記第1流路及び前記第2流路の少なくとも一方と前記第3流路とが接続する位置から前記第3流路と前記第7流路とが接続する位置までの前記第3流路の長さは、前記第7流路と前記排気装置とが接続する位置から前記第3流路と前記第7流路とが接続する位置までの前記第7流路の長さより短い
     請求項21に記載の真空形成部材。
  23.  前記第1流路及び前記第2流路の少なくとも一方と前記第3流路とが接続する位置から前記第3流路と前記第7流路とが接続する位置までの前記第3流路の内壁の表面積は、前記第7流路と前記排気装置とが接続する位置から前記第3流路と前記第7流路とが接続する位置までの前記第7流路の内壁の表面積より小さい
     請求項21又は22に記載の真空形成部材。
  24.  前記第3流路、前記第6流路、及び、前記第7流路の少なくとも一部は、前記真空形成部材に形成されている
     請求項21から23のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  25.  前記第3流路と前記第7流路とは、前記第6流路と前記第7流路とが接続する位置で接続する
     請求項21から24のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  26.  前記第3流路と前記第7流路とが接続する位置は、前記第1流路及び前記第2流路の少なくとも一方と前記第3流路とが接続する位置よりも、前記物体の前記面に沿う方向において前記排気装置側に配置されている
     請求項21から25のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  27.  前記第3流路の圧力損失は、前記第6流路の圧力損失と等しい
     請求項21から26のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  28.  前記第1流路及び前記第2流路の少なくとも一方と前記第3流路とが接続する位置から前記第3流路と前記第7流路とが接続する位置までの前記第3流路の圧力損失は、前記第4流路及び前記第5流路の少なくとも一方と前記第6流路とが接続する位置から前記第6流路と前記第3流路とが接続する位置までの前記第6流路の圧力損失と等しい
     請求項21から27のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  29.  前記物体の前記面から、前記第4流路と前記第6流路とが接続する位置までの前記物体の前記面に交差する方向に沿った距離は、前記物体の前記面から、前記第1流路と前記第3流路とが接続する位置までの前記物体の前記面に交差する方向に沿った距離と等しい
     請求項21から28のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  30.  前記物体の前記面から前記第3流路と前記第7流路とが接続する位置までの前記物体の前記面に交差する方向に沿った距離は、前記物体の前記面から、前記第1流路と前記第3流路とが接続する位置までの前記物体の前記面に交差する方向に沿った距離と異なる
     請求項21から29のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  31.  前記物体の前記面から前記第3流路と前記第7流路とが接続する位置までの前記物体の前記面に交差する方向に沿った距離は、前記物体の前記面から、前記第1流路と前記第3流路とが接続する位置までの前記物体の前記面に交差する方向に沿った距離より大きい
     請求項21から30のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  32.  前記物体の前記面に沿う方向における、前記第1流路と前記第3流路とが接続する位置は、前記物体の前記面に沿う方向における、前記第3流路と前記第7流路とが接続する位置と異なる
     請求項21から31のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  33.  前記第3流路及び前記第6流路は、それぞれ前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分と、前記物体の前記面に沿う方向に延びる部分とを含み、
     それぞれ前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分は、前記物体側の端部と、前記物体と反対側の端部とを有し、
     前記物体の前記面に沿う方向に延びる部分は、前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部と前記第7流路とをつなぐ
     請求項21から32のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  34.  前記第3流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部から前記第7流路までの、前記物体の前記面に沿う方向に延びる部分の太さは、前記第6流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部から前記第7流路までの、前記物体の前記面に沿う方向に延びる部分の太さと等しい
     請求項33に記載の真空形成部材。
  35.  前記第3流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部から前記第7流路までの、前記物体の前記面に沿う方向における距離と、前記第6流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部から前記第7流路までの、前記物体の前記面に沿う方向における距離の和は、前記第3流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部から前記第6流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部までの、前記物体の前記面に沿う方向における距離より大きい
     請求項33又は34に記載の真空形成部材。
  36.  前記第3流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部から前記第7流路までの、前記物体の前記面に沿う方向における距離の2乗と、前記第6流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部から前記第7流路までの、前記物体の前記面に沿う方向における距離の2乗の和は、前記第3流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部から前記第6流路の前記物体の前記面に交差する方向に沿って延びる部分の前記物体と反対側の端部までの、前記物体の前記面に沿う方向における距離の2乗より大きい
     請求項33から35のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  37.  前記物体の前記面に接し前記気体が排出される前記空間と接続する開口を有し、
     前記第1流路及び前記第2流路は、前記開口を介して、前記物体の前記面に接し前記気体が排出される前記空間と接続する
     請求項1から36のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  38.  前記開口は、第1開口であり、
     前記真空形成部材は、前記物体の前記面に接し前記気体が排出される前記空間と接続し、前記第1開口とは異なる第2開口を有し、
     前記第2開口を介して前記物体の前記面に接する空間の少なくとも一部から排出された気体が流入する第8流路と、
     前記第2開口を介して前記物体の前記面に接する空間の少なくとも一部から排出された気体が流入する第9流路と、
     前記排気装置と前記第2開口との間に設けられ、前記第2の開口を介して前記第8流路及び前記第9流路と前記排気装置との間に設けられ、一方の端部が前記第8流路及び前記第9流路と接続し、前記第8流路を通過した前記気体及び前記第9流路を通過した前記気体が流入する第10流路と、
     を備える
     請求項37に記載の真空形成部材。
  39.  前記第1開口から前記第1流路及び前記第3流路を介して前記排気装置に至るまでの第1排気通路の長さは、前記第2開口から前記第8流路及び前記第10流路を介して前記排気装置に至るまでの第2排気通路の長さとは異なる
     請求項38に記載の真空形成部材。
  40.  前記第1開口から前記第1流路及び前記第3流路を介して前記排気装置に至るまでの第1排気通路の容積は、前記第2開口から前記第8流路及び前記第10流路を介して前記排気装置に至るまでの第2排気通路の容積とは異なる
     請求項38又は39に記載の真空形成部材。
  41.  前記第1開口から前記第1流路及び前記第3流路を介して前記排気装置に至るまでの第1排気通路の内壁の表面積は、前記第2開口から前記第8流路及び前記第10流路を介して前記排気装置に至るまでの第2排気通路の内壁の表面積とは異なる
     請求項38から40のいずれか一項に記載の真空形成部材。
  42.  請求項1から41のいずれか一項の真空形成部材と、
     荷電粒子を照射する荷電粒子照射装置と
     を備え、
     前記荷電粒子照射装置から照射される前記荷電粒子の通路は前記真空領域の少なくとも一部を含む荷電粒子装置。
  43.  請求項38から41のいずれか一項に記載の真空形成部材と、
     荷電粒子を照射する荷電粒子照射装置と、
    を備え、
     前記真空形成部材により形成された前記真空領域の少なくとも一部は前記荷電粒子の通路に含まれ、
     前記第2開口は、前記第1開口よりも、前記荷電粒子の前記通路から遠い位置に配置されている
     荷電粒子装置。
  44.  前記第1開口から前記第1流路及び前記第3流路を介して前記排気装置に至るまでの第1排気通路の長さは、前記第2開口から前記第8流路及び前記第10流路を介して前記排気装置に至るまでの第2排気通路の長さより短い
     請求項43に記載の荷電粒子装置。
  45.  前記第1開口から前記第1流路及び前記第3流路を介して前記排気装置に至るまでの第1排気通路の容積は、前記第2開口から前記第8流路及び前記第10流路を介して前記排気装置に至るまでの第2排気通路の容積より少ない
     請求項43又は44に記載の荷電粒子装置。
  46.  前記第1開口から前記第1流路及び前記第3流路を介して前記排気装置に至るまでの第1排気通路の内壁の表面積は、前記第2開口から前記第8流路及び前記第10流路を介して前記排気装置に至るまでの第2排気通路の内壁の表面積より小さい
     請求項43から45のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  47.  排気装置と接続可能であって、物体の面に接する空間の少なくとも一部から気体を排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、
     前記真空形成部材に少なくとも一部が形成され、前記物体の前記面に接する空間の少なくとも一部から排出された気体が流入する第1流路と、
     前記真空形成部材に少なくとも一部が形成され、前記物体の前記面に接する空間の少なくとも一部から排出された気体が流入する第2流路と
     を備え、
     前記真空領域の周囲の前記真空領域よりも気圧が高い空間の少なくとも一部の気体は、前記真空形成部材の前記第1流路と前記第2流路との少なくとも一方を介して排出され、
     前記第1流路及び前記第2流路は、前記物体の前記面に接し前記気体が排出される前記空間と、それぞれ互いに異なる位置で接続し、
     前記物体の前記面に接する空間と前記第1流路との接続位置における気圧を調整可能である
     真空形成装置。
  48.  前記物体の前記面に接する空間と前記第1流路との接続位置における気圧は、前記物体の前記面に接する空間と前記第2流路との接続位置における気圧と等しい
     請求項47に記載の真空形成装置。
  49.  排気装置と接続可能な流路を有し、物体の面に接する空間の気体を前記流路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、
     前記真空形成部材が備える部材を用いて、荷電粒子を前記物体に導く光学素子と
     を備える荷電粒子装置。
  50.  前記真空形成部材は、前記部材を用いて前記真空領域を形成し、且つ、前記光学素子は前記部材を用いて前記荷電粒子を導く
     請求項49に記載の荷電粒子装置。
  51.  前記真空形成部材は、前記真空領域を形成するとき排気される排気空間を規定する壁部材を備えており、
     前記部材は、前記壁部材の少なくとも一部を含む
     請求項49又は50に記載の荷電粒子装置。
  52.  前記排気空間は、前記荷電粒子が通過する通過空間の少なくとも一部を含む
     請求項51に記載の荷電粒子装置。
  53.  前記真空形成部材は、前記物体の前記面に対向可能な開口を備えており、
     前記排気空間は、前記開口を介して前記空間を排気する排気装置と前記開口とをつなぐ流路の少なくとも一部を含む
     請求項51又は52に記載の荷電粒子装置。
  54.  前記光学素子は、前記荷電粒子に電磁場を作用させて前記荷電粒子を試料に導く
     請求項49から53のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  55.  前記光学素子は、前記荷電粒子を集束する対物レンズを含む
     請求項49から54のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  56.  前記光学素子は、前記荷電粒子に作用させる磁場を囲い込むヨーク部材を備える
     請求項49から55のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  57.  前記光学素子は、前記磁場を発生可能な磁極部材を備える
     請求項56に記載の荷電粒子装置。
  58.  前記部材は、前記ヨーク部材の少なくとも一部を構成する
     請求項56又は57に記載の荷電粒子装置。
  59.  排気装置と接続可能な流路を有し、物体の面に接する空間の気体を前記流路を介して排出して真空領域を形成する真空形成部材と、
     荷電粒子を前記物体に導くと共に、磁場を発生可能な磁極部材と前記磁極部材が内部に配置されるヨーク部材とを備える光学素子と
     を備え、
     前記真空形成部材は、前記ヨーク部材の少なくとも一部を構成する部材を備える
     荷電粒子装置。
  60.  排気装置と接続可能な流路を有し、物体の面に接する空間の気体を前記流路を介して排出して真空領域を形成する真空形成部材と、
     荷電粒子を前記物体に導くと共に、磁場を発生可能な磁極部材と前記磁極部材が内部に配置されるヨーク部材のうちの第1部分とを備える光学素子と
     を備え、
     前記真空形成部材は、前記ヨーク部材のうちの前記第1部分とは異なる第2部分を構成する部材として備える
     荷電粒子装置。
  61.  前記部材は、前記磁極部材が発生した磁場を前記ヨーク部材の内部空間から外部へ漏れ出す磁場の磁力線を整えるポールピースを規定する
     請求項56から60のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  62.  前記ヨーク部材の内部空間に、前記真空形成部材の少なくとも一部が配置される
     請求項56から61のいずれか一項の一部に記載の荷電粒子装置。
  63.  前記ヨーク部材の内部空間に、前記真空領域を形成するために排気される排気空間の少なくとも一部が配置される
     請求項56から62のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  64.  前記真空領域を形成するとき排気される排気空間を規定する壁部材を備え、
     前記ヨーク部材の内部空間に、前記壁部材の少なくとも一部が配置される
     請求項56から63のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  65.  前記真空形成部材は、前記物体の表面に対向可能な開口を備えており、
     前記排気空間は、前記開口を介して前記空間を排気する排気装置と前記開口とをつなぐ流路を含む
     請求項63又は64に記載の荷電粒子装置。
  66.  前記ヨーク部材には、前記ヨーク部材の内部空間と前記ヨーク部材の外部とをつなぐ貫通孔が形成され、前記流路の少なくとも一部は、前記貫通孔を通過する
     請求項65に記載の荷電粒子装置。
  67.  前記磁極部材は、前記真空形成部材の少なくとも一部を取り囲む及び/又は挟み込むように配置される
     請求項56から66のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  68.  前記磁極部材は、前記ヨーク部材の内部空間において、前記真空形成部材の少なくとも一部を取り囲む及び/又は挟み込むように配置される
     請求項56から67のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  69.  前記真空形成部材は、前記物体の前記面に対向可能な開口を備えており、
     前記磁極部材は、前記開口を介して前記空間を排気する排気装置と前記開口とをつなぐ流路の少なくとも一部を取り囲む及び/又は挟み込むように配置される
     請求項56から68のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  70.  前記磁極部材は、前記真空形成部材の少なくとも一部の上方又は直上に配置される
     請求項56から69のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  71.  前記磁極部材は、前記ヨーク部材の内部空間において、前記真空形成部材の少なくとも一部の上方又は直上に配置される
     請求項56から70のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  72.  前記真空形成部材は、前記物体の表面に対向可能な開口を備えており、
     前記磁極部材は、前記開口を介して前記空間を排気する排気装置と前記開口とをつなぐ流路の少なくとも一部の上方又は直上に配置される
     請求項56から71のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  73.  前記光学素子は、前記物体の表面に対向可能である
     請求項49から72のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  74.  排気装置と接続可能な流路を有し、物体の面に接する空間の気体を前記流路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、
     荷電粒子を試料に導き、前記真空形成部材の少なくとも一部を挟みこむ及び/又は内部に包含するように配置され、且つ、前記物体の表面に対向可能である光学素子と
     を備える荷電粒子装置。
  75.  前記真空形成部材は、前記光学素子の外部に配置される
     請求項74に記載の荷電粒子装置。
  76.  前記真空形成部材は、前記光学素子の内部とは異なる位置に配置される
     請求項74又は75に記載の荷電粒子装置。
  77.  前記光学素子は、ヨーク部材と前記ヨーク部材の内部空間に配置され磁場を発生可能な磁極部材とを備え、
     前記真空形成部材は、前記ヨーク部材の外部に配置される
     請求項74から76のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  78.  前記光学素子は、ヨーク部材と前記ヨーク部材の内部空間に配置され磁場を発生可能な磁極部材とを備え、
     前記真空形成部材は、前記ヨーク部材の内部空間とは異なる位置に配置される
     請求項74から77のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  79.  前記光学素子は、前記真空形成部材及び/又は前記真空形成部材を支持する支持部材に対して着脱可能である
     請求項74から78のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  80.  前記光学素子は、前記物体の表面に対向可能な面を備えている
     請求項73から79のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  81.  前記面は、第1面であり、
     前記真空形成部材は、前記物体の表面に対向可能な第2面を備えている
     請求項80に記載の荷電粒子装置。
  82.  前記第1面は、前記第2面に対して傾斜している
     請求項81に記載の荷電粒子装置。
  83.  前記第1面は、前記第2面に対して平行である
     請求項81又は82に記載の荷電粒子装置。
  84.  前記物体の表面と前記第1面との間の距離は、前記物体の表面と前記第2面との間の距離と同じである
     請求項81から83のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  85.  前記物体の表面と前記第1面との間の距離は、前記物体の表面と前記第2面との間の距離と異なる
     請求項81から84のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  86.  前記光学素子は、前記物体の表面に対向可能であって且つ前記物体の表面からの距離が互いに異なる複数の面を備えている
     請求項80から85のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  87.  前記光学素子の少なくとも一部は、前記真空形成部材の少なくとも一部の下方に配置される
     請求項49から86のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  88.  前記光学素子の少なくとも一部は、前記真空形成部材の少なくとも一部を支持する
     請求項49から87のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  89.  前記光学素子の少なくとも一部は、前記真空形成部材の少なくとも一部を下方又は側方から支持する
     請求項49から88のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  90.  前記光学素子は、ヨーク部材と前記ヨーク部材の内部空間に配置され磁場を発生可能な磁極部材とを備え、
     前記ヨーク部材の少なくとも一部は、前記真空形成部材の少なくとも一部を支持する
     請求項49から89のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  91.  前記光学素子は、ヨーク部材と前記ヨーク部材の内部空間に配置され磁場を発生可能な磁極部材とを備え、
     前記ヨーク部材の少なくとも一部は、前記真空形成部材の少なくとも一部を下方から又は側方から支持する
     請求項49から90のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  92.  前記光学素子のうち前記真空形成部材の少なくとも一部を支持する面は、前記真空形成部材のうち前記ビーム光学素子によって支持される面の形状に応じた形状を有している
     請求項88から91のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  93.  前記ビーム光学素子のうち前記真空形成部材の少なくとも一部を支持する面の形状は、前記真空形成部材のうち前記ビーム光学素子によって支持される面の形状と相補の関係にある
     請求項88から92のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
  94.  排気装置と接続可能な第1の管路を有し、物体の面に接する第1空間の気体を前記第1の管路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、
     前記真空領域を介して荷電粒子を試料に向けて照射する照射装置と、
     前記試料からの荷電粒子を検出する検出装置と、
     前記照射装置から照射される荷電粒子が通過する空間であって且つ前記試料と前記検出装置との間の空間を含む第2空間と接続する第2の管路と
     を備え、
     前記真空領域の周囲の前記真空領域よりも気圧が高い第1空間の少なくとも一部の気体は、前記第1の管路を介して排出され、
     前記第2の管路を介して、前記第2空間の少なくとも一部から気体を排出する
     荷電粒子装置。
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