WO2021025158A1 - 光変調器及びそれを用いた光送信装置 - Google Patents

Abstract

光変調器において、電気回路要素が設けられた中継基板部分から発生する漏洩マイクロ波の影響を抑制して良好な光変調特性を実現する。　信号入力端子と光変調素子の信号電極とを接続する信号導体パターン及びグランド導体パターンを有する中継基板と、筺体と、を備える光変調器であって、信号導体パターンは電気回路要素を含む部品搭載部を有し、信号導体パターンを挟む２つのグランド導体パターンは、それらの平面視形状が、部品搭載部を中心とする平面視正方形の部品搭載範囲において、当該部品搭載部における信号導体パターンの延在方向に延びる直線に関して非対称に形成され、平面視正方形である上記部品搭載範囲は、部品搭載部における信号導体パターンの延在方向を一の辺の方向とし、部品搭載部の中心から当該中心に対し最も近い隣接する信号導体パターン上の部分までの距離を一辺の長さとする。

Description

光変調器及びそれを用いた光送信装置

　本発明は、信号入力端子と光変調素子の信号電極との間の電気信号の伝搬を中継する中継基板を備える光変調器及び当該光変調器を用いた光送信装置に関する。

　高速／大容量光ファイバ通信システムにおいては、導波路型の光変調素子を組み込んだ光変調器が多く用いられている。中でも、電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ₃（以下、ＬＮともいう）を基板に用いた光変調素子は、光の損失が少なく且つ広帯域な光変調特性を実現し得ることから、高速／大容量光ファイバ通信システムに広く用いられている。

　このＬＮ基板を用いた光変調素子では、マッハツェンダ型光導波路と、当該光導波路に変調信号である高周波電気信号を印加するための信号電極が設けられている。そして、光変調素子に設けられたこれらの信号電極は、当該光変調素子を収容する光変調器の筺体内に設けられた中継基板を介して、当該筺体に設けられた信号入力端子であるリードピンやコネクタと接続される。これにより、光変調器に変調動作を行わせるための電子回路が搭載された回路基板に上記信号入力端子であるリードピンやコネクタが接続されることで、当該電子回路から出力された電気信号が上記中継基板を介して上記光変調素子の信号電極に印加される。

　光ファイバ通信システムにおける変調方式は、近年の伝送容量の増大化の流れを受け、ＱＰＳＫ（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ　Ｐｈａｓｅ　Ｓｈｉｆｔ　Ｋｅｙｉｎｇ）やＤＰ－ＱＰＳＫ（Ｄｕａｌ　Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ　－　Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ　Ｐｈａｓｅ
　Ｓｈｉｆｔ　Ｋｅｙｉｎｇ）等、多値変調や、多値変調に偏波多重を取り入れた伝送フォーマットが主流となっており、基幹光伝送ネットワークにおいて用いられるほか、メトロネットワークにも導入されつつある。

　ＱＰＳＫ変調を行う光変調器（ＱＰＳＫ光変調器）やＤＰ－ＱＰＳＫ変調を行う光変調器（ＤＰ－ＱＰＳＫ光変調器）は、所謂ネスト型と呼ばれる入れ子構造になった複数のマハツェンダ型光導波路を備え、そのそれぞれが少なくとも一つの信号電極を備える。したがって、これらの光変調器は、複数の信号電極を備えるものとなり、これらの信号電極に与えられる高周波電気信号が協働して上記ＤＰ－ＱＰＳＫ変調動作を行う。

　このような光変調器では、中継基板上に形成された信号線路に、高周波特性を改善等するための電気フィルタ等の電気回路要素を実装する場合があり得る（特許文献１、２）。

　図１５は、そのような電気回路要素が搭載された中継基板を備える従来の光変調器の構成の一例を示す平面図である。光変調器２２００は、例えばＬＮ基板上に形成されたＤＰ－ＱＰＳＫ変調器である光変調素子２２０２と、当該光変調素子２２０２を収容する筺体２２０４と、を備える。ここで、筺体２２０４は、ケース２２１４ａとカバー２２１４ｂとで構成されている。光変調器２２００は、また、ケース２２１４ａに固定されて上記光変調素子２２０２への光の入出力を行う入力光ファイバ２２０８および出力光ファイバ２２１０と、を有する。

　筺体２２０４のケース２２１４ａには、さらに、外部の電子回路から光変調素子２２０２を駆動する高周波電気信号を入力するための４つの信号入力端子２２２４ａ、２２２４ｂ、２２２４ｃ、２２２４ｄ（以下、総称して信号入力端子２２２４ともいう）が設けられている。信号入力端子２２２４は、具体的には、例えば高周波同軸コネクタである電気コネクタ２２１６ａ、２２１６ｂ、２２１６ｃ、２２１６ｄ（以下、総称して電気コネクタ２２１６ともいう）の中心電極である。信号入力端子２２２４のそれぞれから入力された高周波電気信号は、筺体２２０４内に収容された中継基板２２１８を介して、光変調素子２２０２に設けられた４つの信号電極２２１２ａ、２２１２ｂ、２２１２ｃ、２２１２ｄ（以下、総称して信号電極２２１２ともいう）の一端にそれぞれ入力され、信号電極２２１２の他端に設けられた所定のインピーダンスを有する終端器２２２０により終端される。

　光変調素子２２０２は、２つの出力光導波路２２２６ａ、２２２６ｂから２つの変調光を出力し、当該出力された２つの光は、偏波合成プリズム等で構成される偏波合成部２２２８により一つのビームに合波される。当該合波された光は、出力光ファイバ２２１０を介して筺体２２０４の外部へ出力される。

　図１６は、図１５に示す光変調器２２００における中継基板２２１８およびその周辺を示す図である。光変調素子２２０２には、信号電極２２１２のそれぞれがコプレーナ線路（ＣＰＷ、Ｃｏｐｌａｎａｒ　Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）を構成するように、グランド電極２２２２ａ、２２２２ｂ、２２２２ｃ、２２２２ｄ、２２２２ｅが設けられている。

　また、中継基板２２１８上には、４つの信号入力端子２２２４と光変調素子２２０２の４つの信号電極２２１２とをそれぞれ接続する信号導体パターン２２３０ａ、２２３０ｂ、２２３０ｃ、２２３０ｄ（以下、総称して信号導体パターン２２３０という）が形成されている。これらの信号導体パターン２２３０は、中継基板２２１８上において、当該信号導体パターン２２３０を基板面方向において挟むように配置されたグランド導体パターン２２４０ａ、２２４０ｂ、２２４０ｃ、２２４０ｄ、２２４０ｅと共に、高周波信号線路を構成する。

　中継基板２２１８の４つの信号導体パターン２２３０には、それぞれ、例えば高周波特性を改善するための電気フィルタが搭載された、部品搭載部２２５０ａ、２２５０ｂ、２２５０ｃ、２２５０ｄ（以下、総称して部品搭載部２２５０ともいう）が設けられている。図１７及び図１８は、図１６に示す中継基板２２１８のＪ部の部分詳細図、および図１６におけるＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ断面矢視図である。これらの図は、部品搭載部２２５０の一例として、部品搭載部２２５０ｂの構成を示したものであり、他の部品搭載部２２５０ａ、２２５０ｃ、２２５０ｄも同様の構成を有し得る。

　部品搭載部２２５０ｂは、例えば特許文献１に記載の電気フィルタと同様の構成を有する。すなわち、部品搭載部２２５０ｂは、信号導体パターン２２３０ｂの一部に電気回路要素として形成された薄膜抵抗２２５２ｂ（図示クロスハッチング部分）と、信号導体パターン２２３０ｂ上に搭載されたコンデンサ２２５４ｂとで構成されている。また、部品搭載部２２５０ｂの信号導体パターン２２３０ｂは、例えば他の部分よりも幅広に形成されている。

　薄膜抵抗２２５２ｂは、信号導体パターン２２３０ｂの一部分が所望の抵抗値を有するように当該部分を所望の厚さで形成したものであり、例えば他の部分の厚さより薄く形成されて構成される。また、コンデンサ２２５４ｂは、例えば単板コンデンサであり、その下面電極部分が、薄膜抵抗２２５２ｂの一方の端部に接続された信号導体パターン２２３０ｂの幅広部分の上に、例えばハンダにより固定されている。一方、コンデンサ２２５４ｂの上面電極は、例えば導体ワイヤ２２７０を用いたワイヤボンディングにより、薄膜抵抗２２５２ｂの他方の端部に接続された信号導体パターン２２３０ｂの幅広部分の上に接続されている。これにより、部品搭載部２２５０ｂは、薄膜抵抗２２５２ｂとコンデンサ２２５４ｂとが並列に接続されて成る電気フィルタを構成している。

　ところで、上述したようなＤＰ-ＱＰＳＫ光変調器は、現在では１００Ｇｂ／ｓの伝送レートで使用さることが多いが、この伝送レートを４００Ｇｂ／ｓへ拡大するための開発も進められている。このような変調器動作の高周波化に伴って、上述のような部品搭載部２２５０に搭載される電気回路要素（コンデンサ２２５４ｂ等）として高周波特性に優れた部品を選定したり、部品搭載部２２５０のインピーダンスを信号導体パターン２２３０の線路インピーダンスに整合させること等が行われている。

　しかしながら、上述した部品搭載部２２５０は、例えば電気回路要素と信号導体パターン２２３０との物理的な形状の差や、当該電気回路要素の実装位置ずれなどに起因して、信号導体パターン２２３０を伝搬する高周波（マイクロ波）電気信号にとっての不連続点と成り得る。その結果、部品搭載部２２５０から上記マイクロ波電気信号の一部が漏洩し、漏洩マイクロ波２２９０（図１６）となって、隣接する信号導体パターン２２３０や光変調素子２２０２上の信号電極２２１２に対し、ノイズとして作用し得る。

　特に、光変調器２２００のように、複数の信号電極２２１２に与えられる高周波電気信号が協働してＤＰ－ＱＰＳＫ変調を行う光変調器においては、すべての高周波電気信号が雑音等の影響を受けることなく光変調素子２２０２の信号電極２２１２に入力されることが望ましく、上記のようなノイズの発生は、光変調素子２２０２の動作に悪影響を及ぼし得る。

　また、光変調器２２００の小型化への要請は不変であり、光変調器２２００の筺体２２０４の小型化に伴って中継基板２２１８の小型化が進んでいる。その結果、狭い中継基板２２１８では複数の異なる高周波信号が近接集中して伝搬することとなって、上記のような漏洩マイクロ波に起因する信号導体パターン２２３０等の高周波信号線路間での電気的なクロストークは、無視し得なくなりつつある。

　すなわち、従来の光変調器では、中継基板上に設けられた部品搭載部から発生し得る漏洩マイクロ波に起因する高周波電気信号間のクロストークを軽減して、良好な変調特性を実現することが求められている。

特開２００９－２４４３２５号公報 特開２０１８－５４９２９号公報

　上記背景より、光変調器において、光変調素子の信号電極のそれぞれと信号入力端子のそれぞれとを電気的に接続する中継基板において電気フィルタ等を構成する電気回路要素が設けられた部分から発生し得る漏洩マイクロ波の影響を効果的に抑制して、良好な光変調特性を実現することが求められている。

　本発明の一の態様は、複数の信号電極を備える光変調素子と、前記信号電極のそれぞれに印加する電気信号を入力する複数の信号入力端子と、前記信号入力端子と前記信号電極とを電気的に接続する複数の信号導体パターン、及び複数のグランド導体パターンが形成された中継基板と、前記光変調素子および前記中継基板を収容する筺体と、を備える光変調器であって、少なくとも一つの前記信号導体パターンは、電気回路要素を含む少なくとも一つの部品搭載部を有し、前記少なくとも一つの信号導体パターンを前記中継基板上において挟む２つの前記グランド導体パターンは、それらの平面視形状が、前記部品搭載部を中心とする平面視正方形の部品搭載範囲において、当該部品搭載部における前記少なくとも一つの前記信号導体パターンの延在方向に延びる直線に関して互いに非対称に形成されており、前記平面視正方形の範囲である前記部品搭載範囲は、前記部品搭載部における前記少なくとも一つの信号導体パターンの延在方向を一の辺の方向とし、前記部品搭載部の中心から、当該中心に対し最も近い隣接する前記信号導体パターン上の部分までの距離を一辺の長さとする。
　本発明の他の態様は、複数の信号電極を備える光変調素子と、前記信号電極のそれぞれに印加する電気信号を入力する複数の信号入力端子と、前記信号入力端子と前記信号電極とを電気的に接続する複数の信号導体パターン、及び複数のグランド導体パターンが形成された中継基板と、前記光変調素子および前記中継基板を収容する筺体と、を備える光変調器であって、少なくとも一つの前記信号導体パターンは、電気回路要素を含むされた少なくとも一つの部品搭載部を有し、前記少なくとも一つの信号導体パターンを前記中継基板上において挟む２つの前記グランド導体パターンは、前記部品搭載部を中心とする平面視正方形の部品搭載範囲において、ビアの有無、ビア径、又はビアの数が、互いに異なることで非対称に形成されており、前記部品搭載範囲は、前記部品搭載部における前記少なくとも一つの信号導体パターンの延在方向を一の辺の方向とし、前記少なくとも一つの信号導体パターンから、最も近い隣接する前記信号導体パターンまでの距離を一辺の長さとする、平面視正方形の範囲である。
　本発明の他の態様によると、前記２つの前記グランド導体パターンは、当該２つの前記グランド導体パターンのそれぞれのエッジから前記少なくとも一つの前記信号導体パターンの対向するエッジまでの距離が、前記部品搭載範囲において互いに異なる部分を有するように形成されている。
　本発明の他の態様によると、前記２つの前記グランド導体パターンの一方の前記グランド導体パターンは、前記部品搭載範囲において、前記少なくとも一つの前記信号導体パターンの延在方向と直交する方向に測った幅が、前記２つの前記グランド導体パターンの他方の前記グランド導体パターンの幅に比べて狭い部分を含んでいる。
　本発明の他の態様によると、前記２つの前記グランド導体パターンのうち、一方の前記グランド導体パターンは、前記部品搭載範囲において断絶した区間を有し、他方の前記グランド導体パターンは、前記部品搭載範囲において断絶した区間を有さない。
　本発明の他の態様によると、前記２つの前記グランド導体パターンの前記他方のグランド導体パターンは、前記部品搭載部を構成する前記信号導体パターンの部分までの離間距離が、対応する部品搭載範囲内における当該信号導体パターンの他の部分までの離間距離に比べて長く形成されている部分を有する。
　本発明の他の態様によると、前記光変調素子は、それぞれが一対の前記電気信号により変調される２つの変調光を生成するよう構成され、前記中継基板は、前記一対の前記電気信号を、隣接する一対の前記信号導体パターンにより伝搬するよう構成される。
　本発明の他の態様は、上記いずれかの光変調器と、当該光変調器に変調動作を行わせるための電気信号を出力する電子回路と、を備える光送信装置である。

　本発明によれば、中継基板のうち電気回路要素が設けられた部品搭載部から発生し得る漏洩マイクロ波の影響を効果的に抑制して、良好な光変調特性を実現することができる。
　なお、この明細書には、２０１９年８月８日に出願された日本国特許出願・特願２０１９－１４６２４２号の全ての内容が含まれるものとする。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る光変調器の平面図である。 図２は、図１に示す光変調器の側面図である。 図３は、図１に示す光変調器のＡ部詳細図である。 図４は、部品搭載部の他の例を示す図である。 図５は、第１の実施形態に係る光変調器の第１の変形例に係る中継基板の構成を示す図である。 図６は、第１の実施形態に係る光変調器の第２の変形例に係る中継基板の構成を示す図である。 図７は、第１の実施形態に係る光変調器の第３の変形例に係る中継基板の構成を示す図である。 図８は、第１の実施形態に係る光変調器の第４の変形例に係る中継基板の構成を示す図である。 図９は、第１の実施形態に係る光変調器の第５の変形例に係る中継基板の構成を示す図である。 図１０は、第１の実施形態に係る光変調器の第６の変形例に係る中継基板の構成を示す図である。 図１１は、第１の実施形態に係る光変調器の第７の変形例に係る中継基板の構成を示す図である。 図１２は、第１の実施形態に係る光変調器の第８の変形例に係る中継基板の構成を示す図である。 図１３は、第１の実施形態に係る光変調器の第９の変形例に係る中継基板の構成を示す図である。 図１４は、本発明の第２の実施形態に係る光送信装置の構成を示す図である。 図１５は、従来の光変調器の構成の一例を示すである。 図１６は、従来の光変調器における中継基板の周辺を示す部分詳細図である。 図１７は、図１６に示すＪ部の詳細を示す部分詳細図である。 図１８は、図１７に示す部分詳細図のXVIII-XVIII断面矢視図である。

　本発明は、中継基板の部品搭載部で漏洩し得るマイクロ波の方向を、当該部品搭載部を挟む周辺の電極構成を非対称にする事によって変化させ、自身の信号電極や隣接する信号電極等への影響を低減させるものである。具体的には、以下に示す実施形態及びその変形例に示す光変調器は、光変調素子と、電気回路要素を含む部品搭載部が設けられた中継基板と、を備える。そして、これらの光変調器では、上述した課題を解決すべく、部品搭載部が設けられた少なくとも一つの信号導体パターンの所定の部品搭載範囲において、当該少なくとも一つの信号導体パターンを挟む２つのグランド導体パターンが、当該信号導体パターンの延在方向に関して非対称に形成されている。具体的には、上記部品搭載範囲において、上記信号導体パターンと、隣接する２つのグランド導体パターンと、の離間距離が互いに非対称であるか、上記２つのグランド導体パターンの幅が互いに非対称であるか、又は、当該２つのグランド導体パターンにおけるビアの有無、ビアの径、及び又はビアの数が互いに異なっている。これにより、上記光変調器では、部品搭載部から発生して隣接する信号導体パターンに向かう漏洩マイクロ波の強度が低減され、隣接する信号導体パターンとのクロストークが低減される。

　以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
　［第１の実施形態］
　まず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る光変調器１００の構成を示す平面図、図２は、光変調器１００の側面図、図３は、図１におけるＡ部の部分詳細図である。

　光変調器１００は、光変調素子１０２と、光変調素子１０２を収容する筺体１０４と、光変調素子１０２に光を入射するための入力光ファイバ１０８と、光変調素子１０２から出力される光を筺体１０４の外部へ導く出力光ファイバ１１０と、を備える。

　光変調素子１０２は、例えば４００Ｇｂ／ｓの光変調を行うＤＰ－ＱＰＳＫ変調器であり、例えばＬＮ基板上に設けられた４つのマッハツェンダ型光導波路を備える。４つのマッハツェンダ型光導波路には、当該マッハツェンダ型光導波路を伝搬する光波をそれぞれ変調する４つの信号電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ（以下、総称して信号電極１１２ともいう）が設けられている。また、従来技術として知られているように、光変調素子１０２のＬＮ基板の表面には、例えば、上記４つの信号電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄのそれぞれがコプレーナ線路（ＣＰＷ、Ｃｏｐｌａｎａｒ　Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）を構成するように、グランド電極１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ、１２２ｄ、１２２ｅ（図３参照。図１においては不図示。）が設けられている。

　具体的には、上記グランド電極１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ、１２２ｄ、１２２ｅ（以下、総称してグランド電極１２２ともいう）は、ＬＮ基板表面の面内において信号電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄをそれぞれ挟むように配され、４つの信号電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄと共に所定の動作周波数において所定の特性インピーダンスを有するコプレーナ線路を構成する。

　４つの信号電極１１２には、４つの高周波電気信号（変調信号）がそれぞれ入力される。これらの高周波電気信号は、協働して上記４つのマッハツェンダ型光導波路における光波の伝搬を制御し、全体として４００Ｇｂ／ｓのＤＰ－ＱＰＳＫ変調の動作を行う。

　具体的には、４つの信号電極１１２のそれぞれには、１対が２つの高周波電気信号で構成される２対の高周波電気信号が印加される。光変調素子１０２は、それぞれの一対の電気信号により変調される２つの変調光を生成するよう構成されている。生成された２つの変調光は、光変調素子１０２の一部を構成する２つの出力光導波路１２６ａ、１２６ｂからそれぞれ出力される。本実施形態では、一方の対を成す２つの高周波電気信号が、信号電極１１２ａ、１１２ｂに印加されて、出力光導波路１２６ａから出力される変調光を生成し、他の対を成す他の２つの高周波電気信号が、信号電極１１２ｃ、１１２ｄに印加されて、出力光導波路１２６ｂから出力される変調光を生成する。これらの２つの変調光は、偏波合成プリズム等で構成される偏波合成部１２８により一つのビームに合波された後、出力光ファイバ１１０を介して筺体１０４の外部へ出力される。

　筺体１０４は、光変調素子１０２が固定されるケース１１４ａとカバー１１４ｂとで構成されている。なお、筺体１０４内部における構成の理解を容易するため、図１においては、カバー１１４ｂの一部のみを図示左方に示しているが、実際には、カバー１１４ｂは、箱状のケース１１４ａの全体を覆うように配されて筺体１０４の内部を気密封止する。ケース１１４ａは、金属、又は例えば金メッキされたセラミック等で構成されており、電気的には導電体として機能する。また、筺体１０４には通常、ＤＣ制御用等の複数のピンが設置され得るが、本図面では省略している。

　ケース１１４ａは、光変調素子１０２の信号電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄのそれぞれに印加する高周波の電気信号を入力する信号入力端子１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ（以下、総称して信号入力端子１２４ともいう）を備えた同軸コネクタである電気コネクタ１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ（以下、総称して電気コネクタ１１６ともいう）が設けられている。

　電気コネクタ１１６のそれぞれは、例えば、プッシュオン型の同軸コネクタのソケットであって、円筒状のグランド導体を含み、信号入力端子１２４は、当該円筒状のグランド導体の中心線にそって延在する中心導体（芯線）で構成される。上記円筒状のグランド導体のそれぞれは、ケース１１４ａに電気的に接続され且つ固定される。したがって、ケース１１４ａは、グランド電位を供給するグランドラインの一部を構成する。また、信号入力端子１２４のそれぞれは、中継基板１１８を介して光変調素子１０２の信号電極１１２のそれぞれの一端に電気的に接続されている。

　光変調素子１０２の信号電極１１２の他端は、所定のインピーダンスを有する終端器１２０により終端されている。これにより、信号電極１１２のそれぞれの一端に入力された電気信号は、進行波として信号電極１１２内をそれぞれ伝搬する。

　図３は、中継基板１１８及びその周囲の構成を示している。中継基板１１８には、信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ、３３０ｄ（以下、総称して信号導体パターン３３０ともいう）と、グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｃ、３４０ｄ、３４０ｅ、３４０ｆ（以下、総称してグランド導体パターン３４０ともいう）と、が形成されている。

　中継基板１１８は、オモテ面（信号導体パターン３３０およびグランド導体パターン３４０が形成された図３に示す面）に対向するウラ面の例えば全面に、ウラ面グランド導体（不図示）が形成されている。ウラ面グランド導体は、例えばハンダ、ロウ材、あるいは導電性接着剤等により筺体１０４のケース１１４ａに固定される。これにより、ウラ面グランド導体はグランドライン構成要素となる。グランド導体パターン３４０のそれぞれは、適切なビア（不図示）を介してウラ面グランド導体と接続されてグランドラインに接続される。

　グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｃ、３４０ｄ、３４０ｅ、３４０ｆは、それぞれ、信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ、３３０ｄを中継基板１１８のオモテ面の面内において挟むように設けられている。これにより、信号導体パターン３３０は、それぞれ、グランド導体パターン３４０と共にコプレーナ線路を構成している。

　信号導体パターン３３０は、本実施形態では図示上下方向に延在し、中継基板１１８の辺のうち図示下側の辺において、その一端が信号入力端子１２４と接続されている。ここで、中継基板１１８の辺のうち信号導体パターン３３０と信号入力端子１２４とが接続される側の辺を信号入力辺３１８ａという。

　光変調素子１０２の信号電極１１２は、それぞれ、中継基板１１８の辺のうち図示上側の辺において、例えば導体ワイヤ３２６を用いたワイヤボンディングにより、中継基板１１８の信号導体パターン３３０の他端と電気的に接続されている。導体ワイヤ３２６は、例えば金ワイヤであるものとすることができる。ここで、中継基板１１８の辺のうち信号導体パターン３３０と光変調素子１０２の信号電極１１２とが接続される側の辺を信号出力辺３１８ｂという。本実施形態では、信号入力辺３１８ａと信号出力辺３１８ｂとは、平面視において中継基板１１８の相対向する２辺を構成している。図３における中継基板１１８の辺のうち、信号入力辺３１８ａ、信号出力辺３１８ｂ以外の、他の対向する２辺を、サイドエッジ（側方辺）３１８ｃ、３１８ｄというものとする。

　光変調素子１０２において信号電極１１２と共にコプレーナ線路を構成するグランド電極１２２は、それぞれ、上記と同様に例えば導体ワイヤ３２６を用いたワイヤボンディングにより、中継基板１１８の信号出力辺３１８ｂにおいてグランド導体パターン３４０のそれぞれの一端と電気的に接続されている。なお、上述した導体ワイヤ３２６を用いたワイヤボンディングは一例であって、これには限られない。導体ワイヤ３２６のワイヤボンディングに代えて、例えば金リボン等の導体リボンを用いたリボンボンディングを用いることもできる。

　信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ、３３０ｄのそれぞれは、例えば電気フィルタを構成する電気回路要素が設けられた部分（図示の濃い影付き部分）である部品搭載部３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃ、３５０ｄ（以下、総称して部品搭載部３５０ともいう）を有する。ここで、電気回路要素とは、回路を構成する機能要素としての能動素子及び又は受動素子をいい、専ら電気接続のために設けられる配線パターンやランド（パッド）は含まれない。

　部品搭載部３５０は、例えば、図１７、１９に示す部品搭載部２２５０と同様に、他より幅広に設けられた信号導体パターン３３０の部分に、コンデンサ等の電気回路要素が搭載され及び又は薄膜抵抗等の電気回路要素が形成されることにより構成されているものとすることができる。すなわち、例えば、図１７、１９に示す信号導体パターン２２３０ｂと同様に信号導体パターン３３０に幅広部分が形成され、コンデンサ２２５４ｂと同様のコンデンサが搭載されると共に、信号導体パターン３３０の上記幅広部の一部に薄膜抵抗２２５２ｂと同様の薄膜抵抗が形成されて、部品搭載部３５０が構成され得る。

　本実施形態では、特に、信号導体パターン３３０ａを中継基板１１８上において挟む２つのグランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂが、部品搭載部３５０ａを中心とする平面視正方形の部品搭載範囲３６０ａにおいて、部品搭載部３５０ａにおける信号導体パターン３３０ａの延在方向に延びる直線に関して互いに非対称な平面視形状で形成されている。

　また、部品搭載範囲３６０ａは、部品搭載部３５０ａにおける信号導体パターン３３０ａの延在方向を一の辺の方向とし、部品搭載部３５０ａの中心から、当該中心に対し最も近い隣接する信号導体パターン３３０ｂ上の部分（例えば、当該部分における信号導体パターン３３０ｂの幅方向中心）までの距離（ピッチ）Ｗ１１を一辺の長さとする、平面視正方形の範囲として規定される。

　ここで、部品搭載部３５０の中心は、当該部品搭載部３５０が含むいずれかの電気回路要素の中心、又は部品搭載部３５０を構成する電気回路要素を包含する外接矩形（後述）の中心とすることができる。なお、図３においては、説明のため、部品搭載部３５０の幅方向の境界線（図示左右の境界線）は、対応する信号導体パターン３３０の当該部品搭載部３５０における幅方向のエッジ位置を示しているものとする。また、図３においては信号導体パターン３３０のうち部品搭載部３５０の部分の幅が他の部分よりも幅広となっているが、これには限られない。信号導体パターン３３０のうち部品搭載部３５０の部分の幅は、他の部分と同じ幅であってもよいし、他の部分よりも狭い幅を有していてもよい。

　本実施形態では、グランド導体パターン３４０ａが切欠き部３４２ａ（図示斜線部分）を有することにより、グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂは、当該グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂのそれぞれのエッジから信号導体パターン３３０ａの対向するエッジまでの離間距離（ギャップ）が、部品搭載範囲３６０ａにおいて互いに異なる部分（すなわち非対称な部分）を有するように形成されている。また、本実施形態では、信号導体パターン３３０が、サイドエッジ３１８ｄと平行に、且つ直線状に形成されていることから、部品搭載範囲３６０ａの一辺の長さｗ１１は、信号導体パターン３３０ａの幅方向中心線と、信号導体パターン３３０ｂの幅方向中心線と、の間の距離（ピッチ）ｗ２１に等しい。すなわち、ｗ１１＝ｗ２１である。

　なお、信号導体パターン３３０ａとグランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂとは、それらの導体パターン間の間隔（離間距離）や、信号導体パターン３３０ａの形成幅等を調整することにより、例えば部品搭載部３５０ａの内外において信号導体パターン３３０ａの特性インピーダンスが所定の値となるように形成され得る。

　一般に、信号導体とグランド導体とで構成される高周波信号線路においては、信号導体とグランド導体との距離が小さいほど、信号導体への高周波信号の閉じ込めは強くなる。

　中継基板１１８では、部品搭載範囲３６０ａにおいて、信号導体パターン３３０ａからグランド導体パターン３４０ａ及び３４０ｂまでの離間距離が相異なる部分が存在する。このため部品搭載部３５０ａから発生する漏洩マイクロ波は、隣接するグランド導体パターンとの離間距離が大きい方向、すなわちグランド導体パターン３４０ａの方向に偏って（例えば図３において、部品搭載部３５０ａから延びる２つの一点鎖線の矢印が挟む方向範囲において）、他の方向より大きな強度を持つように放出されることとなる。

　一方で、信号導体パターン３３０ａは部品搭載範囲３６０ａ内外において例えば同じ特性インピーダンスを持つように構成され得るので、当該部品搭載部３５０ａから発生する漏洩マイクロ波の総量は、グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂが対称に形成される場合とほぼ同等である。

　その結果、上記一点鎖線矢印が挟む方向範囲以外の方向における漏洩マイクロ波の強度は、相対的に低減されることとなり、部品搭載部３５０ａから発生する漏洩マイクロ波に起因する信号導体パターン３３０ａから３３０ｂへのクロストークが低減される。

　同様に、本実施形態では、グランド導体パターン３４０ｅ、３４０ｆは、グランド導体パターン３４０ｆが切欠き部３４２ｄ（図示斜線部分）を有することにより、グランド導体パターン３４０ｅ、３４０ｆのそれぞれのエッジから信号導体パターン３３０ｄの対向するエッジまでの離間距離（ギャップ）が部品搭載範囲３６０ｄにおいて互いに異なる部分を有するように構成されている。

　ここで、部品搭載範囲３６０ｄは、部品搭載部３５０ｄにおける信号導体パターン３３０ｄの延在方向を一の辺の方向とし、部品搭載部３５０ｄの中心から、当該中心に対し最も近い隣接する信号導体パターン３３０ｃ上の部分（例えば、当該部分における信号導体パターン３３０ｃの幅方向中心）までの距離（ピッチ）Ｗ１２を一辺の長さとする、平面視正方形の範囲として規定される。なお、本実施形態では、信号導体パターン３３０が、サイドエッジ３１８ｄと平行に、且つ直線状に形成されていることから、部品搭載範囲３６０ｄの一辺の長さｗ１２は、信号導体パターン３３０ｄの幅方向中心線と、信号導体パターン３３０ｃの幅方向中心線と、の間の距離（ピッチ）ｗ２２に等しい。すなわち、ｗ１２＝ｗ２２である。

　これにより、グランド導体パターン３４０ｅ、３４０ｆは、部品搭載範囲３６０ｄにおいて、部品搭載部３５０ｄにおける信号導体パターン３３０ｄの延在方向に延びる直線に関して互いに非対称な平面視形状で形成されるため、部品搭載部３５０ｄから発生する漏洩マイクロ波は、例えば図３において部品搭載部３５０ｄから延びる２つの一点鎖線の矢印が挟む方向範囲において、他の方向より大きな強度を有するものとなる。その結果、部品搭載部３５０ｄから発生する漏洩マイクロ波に起因する信号導体パターン３３０ｄから３３０ｃへのクロストークが低減される。

　特に、ＤＰ－ＱＰＳＫ変調を行う光変調器１００のように、それぞれ一対の高周波電気信号により変調される２つの変調光を生成する光変調器では、対を成す２つの高周波電気信号は、互いの間の位相差にも情報が乗せられていることが多い。このため、対を成す２つの高周波電気信号間のクロストークは、強度雑音に加えて位相雑音をも発生することとなり、対をなさない高周波電気信号の間のクロストークよりも、光変調器１００の変調特性に大きな影響を与え得る。

　上記対をなす高周波電気信号は、一般に、中継基板上において隣接する２つの信号導体パターンを用いて中継されるので、そのような隣接する２つの信号導体パターン間のクロストークを抑制することが極めて重要となる。

　本実施形態の光変調器１００では、隣接する信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂにより、２対の高周波電気信号のうち一方の対を成す２つの高周波電気信号をそれぞれ伝搬させ、他の隣接する信号導体パターン３３０ｃ、３３０ｄにより、他方の対をなす２つの高周波電気信号を伝搬させるよう構成されている。そして、上記構成により、信号導体パターン３３０ａから信号導体パターン３３０ｂへのクロストーク、すなわち、一方の対を構成する２つの高周波電気信号の一方から他方へのクロストークが低減される。また、上記構成により、信号導体パターン３３０ｄから信号導体パターン３３０ｃへのクロストーク、すなわち、他の対を構成する２つの高周波電気信号の一方から他方へのクロストークも低減される。その結果、光変調器１００では、漏洩マイクロ波の影響を効果的に低減して、良好な光変調特性を実現することができる。

　なお、本実施形態では、部品搭載部３５０は、図１７、図１８に示す部品搭載部２２５０ｂと同様の構成を有するものとしたが、これには限られない。部品搭載部３５０は、例えば、図４に示すように、信号導体パターン３３０ａを分断して挿入された、互いに中継基板の面方向に並列に接続される２つのチップ部品である電気回路要素３５２ａ、３５２ｂで構成されていてもよい。この場合、部品搭載部３５０の範囲は、当該部品搭載部３５０を構成する電気回路要素３５２ａ、３５２ｂを包含する外接矩形（図示一点鎖線の矩形）の範囲とすることができる。

　この場合、部品搭載部３５０ａの中心は、部品搭載部３５０ａの範囲を示す一点鎖線の矩形の中心とすることができる。また、あるいは、部品搭載部３５０ａを構成するこれらの複数の電気回路要素３５２ａ、３５２ｂのいずれかの形状の中心（例えば、図４にプラス記号で示された電気回路要素３５２ａの形状中心３６２ａ）を部品搭載部３５０ａの中心としてもよい。

　また、このように、部品搭載部３５０において信号導体パターン３３０が分断部を有する場合の、当該部品搭載部３５０における信号導体パターン３３０の延在方向は、部品搭載部３５０に含まれるいずれかの電気回路要素についての、信号導体パターン３３０から流れ込む高周波信号の伝搬方向、または信号導体パターン３３０へ流れ出す高周波信号の伝搬方向とすることができる。なお、図４には、一例として、電気回路要素３５２ａについての、信号導体パターンから流れ込む高周波信号の伝搬方向３６２ｂが、部品搭載部３５０ａにおける信号導体パターン３３０ａの延在方向として描かれている。

　なお、本実施形態では、２つの信号導体パターン３３０ａ、３３０ｄについて定義される２つの部品搭載範囲３６０ａ、３６０ｄについて、信号導体パターン３３０と２つのグランド導体パターン３４０との離間距離が互いに非対称に形成されているが、これには限られない。また、一つの信号導体パターン３３０には複数の部品搭載部３５０および部品搭載範囲３６０が設けられていてもよいし、図３のように４つの信号導体パターンのそれぞれに部品搭載部３５０および部品搭載範囲３６０が設けられていてもよい。したがって、中継基板１１８上における漏洩マイクロ波の発生状況に応じて、少なくとも一つの信号導体パターン３３０の少なくとも一つの部品搭載範囲３６０において、上記離間距離が互いに非対称に構成されているものとすることができる。

　なお、部品搭載範囲３６０を上述のように、"部品搭載部３５０における信号導体パターン３３０の延在方向を一の辺の方向とし、当該部品搭載部３５０の中心から、当該中心に対し最も近い隣接する信号導体パターン３３０上の部分までの距離を一辺の長さとする、平面視正方形の範囲"、とするのは、マイクロ波の実効的電界がこの範囲に分布しているため、この部分で電極構成を非対称にする事で効果的にマイクロ波の実効的電界分布に影響を与える事が出来、結果として効果的に漏洩マイクロ波の方向を調整する事が可能であるためである。

　次に、光変調器１００に用いられる中継基板の変形例について説明する。
　＜第１変形例＞
　図５は、第１の変形例に係る中継基板５１８の構成を示す図であり、図３に示す第１の実施形態の部分詳細図に相当する図である。この中継基板５１８は、図１に示す光変調器１００において中継基板１１８に代えて用いることができる。なお、図５において、図３に示す中継基板１１８の構成要素と同じ構成要素については、図３における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図３についての説明を援用する。

　中継基板５１８は、中継基板１１８と同様の構成を有するが、信号導体パターン３３０ｂおよび３３０ｃの部品搭載部３５０ｂ、３５０ｃについての部品搭載範囲３６０ｂ、３６０ｃにおいても、信号導体パターン３３０ｂおよび３３０ｃを挟むそれぞれ２つのグランド導体パターンが、部品搭載部３５０ｂ、３５０ｃにおける当該信号導体パターン３３０ｂおよび３３０ｃの延在方向に延びる直線に関して非対称に構成されている。

　ここで、部品搭載範囲３６０ｂは、部品搭載範囲３６０ａと同様に、部品搭載部３５０ｂにおける信号導体パターン３３０ｂの延在方向を一の辺の方向とし、部品搭載部３５０ｂの中心から、当該中心に対し最も近い隣接する信号導体パターン３３０ａ上の部分（例えば、当該部分における信号導体パターン３３０ａの幅方向中心）までの距離（ピッチ）ｗ１３を一辺の長さとする、平面視正方形の範囲として規定される。なお、本実施形態では、信号導体パターン３３０が、サイドエッジ３１８ｄと平行に、且つ直線状に形成されていることから、部品搭載範囲３６０ｂの一辺の長さｗ１３は、信号導体パターン３３０ｂの幅方向中心線と、信号導体パターン３３０ａの幅方向中心線と、の間の距離（ピッチ）ｗ２１に等しい。すなわち、ｗ１３＝ｗ２１である。

　また、部品搭載範囲３６０ｃは、部品搭載範囲３６０ｄと同様に、部品搭載部３５０ｃにおける信号導体パターン３３０ｃの延在方向を一の辺の方向とし、部品搭載部３５０ｃの中心から、当該中心に対し最も近い隣接する信号導体パターン３３０ｄ上の部分（例えば、当該部分における信号導体パターン３３０ｄの幅方向中心）までの距離（ピッチ）ｗ１４を一辺の長さとする、平面視正方形の範囲として規定される。なお、本実施形態では、信号導体パターン３３０が、サイドエッジ３１８ｄと平行に、且つ直線状に形成されていることから、部品搭載範囲３６０ｃの一辺の長さｗ１４は、信号導体パターン３３０ｃの幅方向中心線と、信号導体パターン３３０ｄの幅方向中心線と、の間の距離（ピッチ）ｗ２２に等しい。すなわち、ｗ１４＝ｗ２２である。

　より具体的には、中継基板５１８は、中継基板１１８と同様の構成を有するが、グランド導体パターン３４０ｃ、３４０ｄに代えて、グランド導体パターン５４０ｃ、５４０ｄを備える点が異なる。グランド導体パターン５４０ｃは、グランド導体パターン３４０ｃと同様の構成を有するが、部品搭載範囲３６０ｂ内に、切欠き部３４２ｂ（図示斜線部分）を有する点が異なる。これにより、グランド導体パターン３４０ｂ、５４０ｃは、当該グランド導体パターン３４０ｂ、５４０ｃのそれぞれのエッジから信号導体パターン３３０ｂの対向するエッジまでの離間距離（ギャップ）が部品搭載範囲３６０ｂにおいて互いに異なる部分を有するように形成される。

　このため、部品搭載部３５０ａと同様に、部品搭載部３５０ｂから発生する漏洩マイクロ波は、切欠き部３４２ｂの存在により高周波信号の閉じ込めが弱くなるグランド導体パターン５４０ｃに向かって、例えば図５において部品搭載部３５０ｂから延びる２つの一点鎖線の矢印が挟む方向範囲において、他の方向より大きな強度を有するものとなる。その結果、部品搭載部３５０ｂから発生する漏洩マイクロ波に起因する、信号導体パターン３３０ｂから信号導体パターン３３０ａへのクロストークが低減される。

　したがって、中継基板５１８では、一方の対を成す２つの高周波電気信号をそれぞれ伝搬する信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂ相互のクロストークが効果的に抑制される。

　同様に、グランド導体パターン５４０ｄは、グランド導体パターン３４０ｄと同様の構成を有するが、部品搭載範囲３６０ｃ内に、切欠き部３４２ｃ（図示斜線部分）を有する点が異なる。これにより、グランド導体パターン５４０ｄ、３４０ｅは、当該グランド導体パターン５４０ｄ、３４０ｅのそれぞれのエッジから信号導体パターン３３０ｃの対向するエッジまでの離間距離（ギャップ）が、部品搭載範囲３６０ｃにおいて互いに異なる部分を有するように形成される。

　その結果、部品搭載部３５０ｃから発生する漏洩マイクロ波は、切欠き部３４２ｃの存在により高周波信号の閉じ込めが弱くなるグランド導体パターン５４０ｄの方向、例えば図５において部品搭載部３５０ｃから延びる２つの一点鎖線の矢印が挟む方向範囲において、他の方向より大きな強度を有するものとなる。その結果、部品搭載部３５０ｃから発生する漏洩マイクロ波に起因する、信号導体パターン３３０ｃから信号導体パターン３３０ｄへのクロストークが低減される。

　したがって、中継基板５１８では、他方の対を成す２つの高周波電気信号をそれぞれ伝搬する信号導体パターン３３０ｃ、３３０ｄ相互のクロストークも効果的に抑制される。

　その結果、中継基板５１８では、中継基板１１８を用いる場合よりも更に良好な光変調特性が実現され得る。

　なお、第１の実施形態および第１の変形例では、信号導体パターン３３０は直線状に形成されているものとしたが、これには限られない。以下に示す他の変形例および実施形態においても同様に、信号導体パターン３３０は、求められる電気的特性、信号入力端子１２４の配置、及び又は光変調素子１０２の信号電極１１２の配置等に応じて、曲線や屈曲を含む任意の形状で構成されるものとすることができる。

　ここで、ＬＮ基板を用いた光変調素子を有する光変調器においては、典型的には、中継基板の外形寸法は、例えば数ｍｍ×十数ｍｍである。このサイズの中継基板では、平面視正方形である部品搭載範囲３６０の一辺の長さは、例えば数百μｍ程度であり、当該部品搭載範囲内においては、一般に、信号導体パターン３３０は直線と見なし得る。

　＜第２変形例＞
　図６は、第２の変形例に係る中継基板７１８の構成を示す図であり、図３に示す第１の実施形態の部分詳細図に相当する図である。この中継基板７１８は、図１に示す光変調器１００において中継基板１１８に代えて用いることができる。なお、図６において、図３に示す中継基板１１８の構成要素と同じ構成要素については、図３における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図３についての説明を援用する。

　中継基板７１８は、中継基板１１８と同じ位置に信号導体パターン３３０が形成され、これらの信号導体パターン３３０は、中継基板１１８と同様に、それぞれ部品搭載部３５０を有している。したがって、中継基板７１８では、信号導体パターン３３０の部品搭載部３５０のそれぞれについて、中継基板１１８と同様に、部品搭載範囲３６０ａ、３６０ｄが定義される。

　中継基板７１８は、中継基板１１８と同様の構成を有するが、グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｆに代えて、グランド導体パターン７４０ａ、７４０ｆを備える点が異なる。グランド導体パターン７４０ａは、図３に示す中継基板１１８のグランド導体パターン３４０ａと同様の構成を有するが、部品搭載範囲３６０ａにおいて断絶した（すなわち導体が設けられていない）区間７４２ａを有する点がグランド導体パターン３４０ａと異なる。

　このため、中継基板７１８においては、グランド導体パターン３４０ａを用いる場合に比べて、部品搭載範囲３６０ａにおける信号導体パターン３３０ａの、グランド導体パターン７４０ａの側での高周波信号の閉じ込め効果がより弱くなる。従って、部品搭載範囲３６０ａにおいて発生する漏洩マイクロ波は、図３に示す中継基板１１８に比べて、グランド導体パターン７４０ａの側へより偏在し易くなる。その結果、中継基板７１８においては、中継基板１１８に比べて、信号導体パターン３３０ａから３３０ｂへの上記漏洩マイクロ波に起因するクロストークがより低減される。

　同様に、グランド導体パターン７４０ｆは、図３に示す中継基板１１８のグランド導体パターン３４０ｆと同様の構成を有するが、部品搭載範囲３６０ｄにおいて断絶した区間７４２ｄを有する点がグランド導体パターン３４０ｆと異なる。このため、部品搭載範囲３６０ｄにおいて発生する漏洩マイクロ波は、図３に示す中継基板１１８に比べて、グランド導体パターン７４０ｆの側へより偏在し易くなる。その結果、中継基板７１８においては、中継基板１１８に比べて、信号導体パターン３３０ｄから３３０ｃへの上記漏洩マイクロ波に起因するクロストークがより低減される。

　特に、図６のようにグランド導体パターン７４０ａ、７４０ｆに断絶した区間７４２ａ、７４２ｄを設ける構成は、図３に示すような切欠き部３４２ａ、３４２ｄを設ける構成に比べて、グランド導体パターン７４０ａ、７４０ｆのグランド強度を、グランド導体パターン３４０ｂ、３４０ｅに対して大きく弱めることができる（すなわち、グランドラインに対するグランド導体パターン７４０ａ、７４０ｆのインピーダンスを、グランドラインに対するグランド導体パターン３４０ｂ、３４０ｅのインピーダンスより高くすることができる）。このため、本変形例の中継基板７１８は、部品搭載範囲３６０における２つのグランド導体パターン３４０の非対称部分の長さをできるだけ短くした状態で部品搭載部３５０から発生する漏洩マイクロ波の伝搬方向を偏らせたい場合に有効な構成である。

　＜第３変形例＞
　図７は、第３の変形例に係る中継基板８１８の構成を示す図であり、図３に示す第１の実施形態の部分詳細図に相当する図である。この中継基板８１８は、図１に示す光変調器１００において中継基板１１８に代えて用いることができる。なお、図７において、図３、図５、図６に示す中継基板１１８、５１８、７１８の構成要素と同じ構成要素については、図３、図５、図６における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図３、図５、図６についての説明を援用する。

　中継基板８１８は、図５に示す第１変形例の中継基板５１８と同様の構成を有するが、グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｆに代えて、図６に示す第２変形例の中継基板７１８と同様のグランド導体パターン７４０ａ、７４０ｆを備え、かつ、グランド導体パターン５４０ｃ、５４０ｄに代えて、グランド導体パターン８４０ｃ、８４０ｄを備える。

　グランド導体パターン８４０ｃ、８４０ｄは、図５に示す中継基板５１８のグランド導体パターン５４０ｃ、５４０ｄと同様の構成を有するが、部品搭載範囲３６０ｂ、３６０ｃにおいて、それぞれ断絶した区間８４２ｂ、８４２ｃを有する点がグランド導体パターン５４０ｃ、５４０ｄと異なる。

　上記の構成を有する中継基板８１８は、グランド導体パターン７４０ａ、７４０ｆを備えることから、図６に示す第２変形例の中継基板７１８と同様に、図３に示す中継基板１１８に比べて、信号導体パターン３３０ａから３３０ｂへのクロストーク、および信号導体パターン３３０ｄから３３０ｃへのクロストークがより低減される。

　また、中継基板８１８は、グランド導体パターン８４０ｃ、８４０ｄのそれぞれに、導体が形成されない区間８４２ｂ、８４２ｃを有することから、部品搭載範囲３６０ｂ、３６０ｃにおいて発生する漏洩マイクロ波は、図５に示す中継基板５１８に比べて、グランド導体パターン８４０ｃ、８４０ｄの側へより偏在し易くなる。その結果、中継基板８１８においては、中継基板５１８に比べて、信号導体パターン３３０ｂから３３０ａ、および３３０ｃから３３０ｄへの、漏洩マイクロ波に起因するクロストークが、より低減される。

　＜第４変形例＞
　図８は、第４の変形例に係る中継基板９１８の構成を示す図であり、図３に示す第１の実施形態の部分詳細図に相当する図である。この中継基板９１８は、図７に示す第３変形例の中継基板８１８と同様に、図１に示す光変調器１００において中継基板１１８に代えて用いることができる。なお、図８において、図３、図７に示す中継基板１１８、８１８の構成要素と同じ構成要素については、図３、図７における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図３、図７についての説明を援用する。

　中継基板９１８は、図７に示す第３変形例の中継基板８１８と同様の構成を有し、中継基板８１８と同様に、図５に示す第１変形例の中継基板５１８に比べて、信号導体パターン３３０ａ－３３０ｂ間、および３３０ｃ－３３０ｄ間の、漏洩マイクロ波に起因するクロストークがより低減される。

　中継基板９１８は、上述のとおり図７に示す第３変形例の中継基板８１８と同様の構成を有するが、グランド導体パターン３４０ｂ、３４０ｅに代えて、グランド導体パターン９４０ｂ、９４０ｅを有する点が、図７に示す第３変形例の中継基板８１８と異なる。グランド導体パターン９４０ｂは、図７に示す第３変形例の中継基板８１８のグランド導体パターン３４０ｂと同様の構成を有するが、部品搭載範囲３６０ａ、３６０ｂにおいて、それぞれ、部品搭載部３５０ａ、３５０ｂと対向するエッジに凹部９４２ａ、９４２ｂが設けられている点が異なる。

　すなわち、中継基板９１８では、導体が設けられていない区間７４２ａを有する一方のグランド導体パターン７４０ａに対向する他方のグランド導体パターン９４０ｂは、部品搭載部３５０ａを構成する信号導体パターン３３０ａの部分までの離間距離が、対応する部品搭載範囲３６０ａ内における信号導体パターン３３０ａの他の部分までの離間距離に比べて長く形成されている凹部９４２ａを有する。

　通常、部品搭載部３５０ａにおいて電気回路要素を信号導体パターン３３０ａ上に実装する場合には、製造ばらつき等により、当該電気回路要素の実装位置が変動し得る。このような実装位置のずれは、例えば図７に示す中継基板８１８では、グランド導体パターン７４０ａに比べて信号導体パターン３３０ａとの離間距離が狭いグランド導体パターン３４０ｂの方向に向かって発生した場合に、信号導体パターン３３０ａの特性インピーダンスを変動させ得る。

　中継基板９１８では、グランド導体パターン３４０ｂに代えて、凹部９４２ａを有するグランド導体パターン９４０ｂを備えるので、部品搭載部３５０ａにおける電気回路要素の実装位置がグランド導体パターン９４０ｂ側にずれた場合でも、部品搭載部３５０ａとグランド導体パターン９４０ｂとの離間距離に対する上記実装位置のずれ量の比は、凹部９４２ａを設けない中継基板８１８の場合に比べて小さくなる。

　このため、中継基板９１８では、部品搭載範囲３６０ａにおいて、上記実装位置のずれに起因する信号導体パターン３３０ａの特性インピーダンスの変動を、中継基板８１８に比べて緩和（小さく）することができる。

　同様に、中継基板９１８では、導体が設けられていない区間８４２ｂを有する一方のグランド導体パターン８４０ｃに対向する他方のグランド導体パターン９４０ｂは、部品搭載部３５０ｂを構成する信号導体パターン３３０ｂの部分までの離間距離が、対応する部品搭載範囲３６０ｂ内における信号導体パターン３３０ｂの他の部分までの離間距離に比べて長く形成されている凹部９４２ｂを有する。したがって、中継基板９１８では、部品搭載範囲３６０ｂにおいて、部品搭載部３５０ｂにおける電気回路要素の実装位置のずれに起因する信号導体パターン３３０ｂの特性インピーダンスの変動を、中継基板８１８に比べて緩和（小さく）することができる。

　また、同様に、中継基板９１８のグランド導体パターン９４０ｅは、図７に示す第３変形例の中継基板８１８のグランド導体パターン３４０ｅと同様の構成を有するが、部品搭載範囲３６０ｃ、３６０ｄにおいて、それぞれ、信号導体パターン３３０ｃ、３３０ｄと対向するエッジに凹部９４２ｃ、９４２ｄが設けられている点が異なる。

　すなわち、中継基板９１８では、導体が設けられていない区間８４２ｃを有する一方のグランド導体パターン８４０ｄに対向する他方のグランド導体パターン９４０ｅは、部品搭載部３５０ｃを構成する信号導体パターン３３０ｃの部分までの離間距離が、対応する部品搭載範囲３６０ｃ内における信号導体パターン３３０ｃの他の部分までの離間距離に比べて長く形成されている凹部９４２ｃを有する。また、中継基板９１８では、導体が設けられていない区間７４２ｄを有する一方のグランド導体パターン７４０ｆに対向する他方のグランド導体パターン９４０ｅは、部品搭載部３５０ｄを構成する信号導体パターン３３０ｄの部分までの離間距離が、対応する部品搭載範囲３６０ｄ内における信号導体パターン３３０ｄの他の部分までの離間距離に比べて長く形成されている凹部９４２ｄを有する。

　これにより、中継基板９１８では、部品搭載範囲３６０ｃ、３６０ｄにおいて、それぞれ、部品搭載部３５０ｃ、３５０ｄにおける電気回路要素の実装位置のずれに起因する信号導体パターン３３０ｃ、３３０ｄの特性インピーダンスの変動を、中継基板８１８に比べて緩和（小さく）することができる。

　なお、図８においては、凹部９４２ａ、９４２ｂ、９４２ｃ、９４２ｄ（以下、総称して凹部９４２ともいう）は、対応する信号導体パターン３３０の延在方向に沿って部品搭載部３５０の長さよりも長く構成されるものとしたが、これには限られない。凹部９４２は、対応する信号導体パターン３３０の延在方向に沿って部品搭載部３５０の長さよりも短く構成されていてもよい。

　＜第５変形例＞
　図９は、第５の変形例に係る中継基板１０１８の構成を示す図であり、図３に示す第１の実施形態の部分詳細図に相当する図である。この中継基板１０１８は、図３に示す光変調器１００において中継基板１１８に代えて用いることができる。なお、図９において、図３に示す中継基板１１８の構成要素と同じ構成要素については、図３における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図３についての説明を援用する。

　中継基板１０１８は、図３に示す第１の実施形態の中継基板１１８と同じ位置に信号導体パターン３３０が形成されており、それぞれの信号導体パターン３３０には、中継基板１１８と同様に、部品搭載部３５０が設けられている。したがって、中継基板１０１８では、部品搭載部３５０のそれぞれについて、中継基板１１８と同じ部品搭載範囲３６０が定義される。

　上述した第１の実施形態および第１ないし第４の変形例に係る、図３、図５、図６、図７に示す中継基板１１８、５１８、８１８、９１８では、部品搭載範囲３６０において信号導体パターン３３０を挟む２つのグランド導体パターン１０４０が互いに非対称な輪郭形状を有するように構成されている。これに対し、本変形例に係る中継基板１０１８では、部品搭載範囲３６０において、信号導体パターン３３０を挟む２つのグランド導体パターンは、それら２つのグランド導体パターンに設けられたビアの径及び数が異なることで、ビアの形成態様に関して互いに非対称に構成されている。

　具体的には、本変形例の中継基板１０１８は、図３に示す中継基板１１８と同様の構成を有するが、グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｃ、３４０ｄ、３４０ｅ、３４０ｆに代えて、グランド導体パターン１０４０ａ、１０４０ｂ、１０４０ｃ、１０４０ｄ、１０４０ｅ、１０４０ｆ（総称してグランド導体パターン１０４０ともいう）を備える点が、中継基板１１８と異なる。

　グランド導体パターン１０４０ａ、１０４０ｂ、１０４０ｃ、１０４０ｄ、１０４０ｅ、１０４０ｆは、それぞれ、グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｃ、３４０ｄ、３４０ｅ、３４０ｆと同様の構成を有する。

　ただし、グランド導体パターン１０４０ａ、１０４０ｆは、図３に示す中継基板１１８のグランド導体パターン３４０ａ、３４０ｆとは異なり、切欠き部３４２ａ、３４２ｄを有さない。また、グランド導体パターン１０４０ａ、１０４０ｂ、１０４０ｃ、１０４０ｄ、１０４０ｅ、１０４０ｆは、それぞれ、例えば互いに同じ径を有する複数のビア１０７０を有している。なお、図９では、冗長な記載を避けるため、グランド導体パターン１０４０のそれぞれについて一つのビアにのみ符号１０７０を付しているが、当該符号１０７０が付された円と同じ径の他の円も、同様にビア１０７０であるものと理解されたい。

　そして、特に、中継基板１０１８では、信号導体パターン３３０を挟む２つのグランド導体パターン１０４０は、部品搭載範囲３６０において、それらのグランド導体パターンに設けられたビアの径および数が互いに異なるように構成されている。具体的には、部品搭載範囲３６０ａにおいては、グランド導体パターン１０４０ｂにビア１０７０が６個設けられているのに対し、グランド導体パターン１０４０ａには、４個のビア１０７０と、ビア１０７０より径の小さい１個のビア１０７２が設けられている。

　一般に、信号導体とグランド導体とで構成される高周波信号線路においては、グランド導体からグランドラインまでのインピーダンスが小さいほど（すなわち、いわゆるグランド強化が充分であるほど）、信号導体への高周波信号の閉じ込めは強くなる。

　中継基板１０１８の部品搭載範囲３６０ａでは、グランド導体パターン１０４０ａ、１０４０ｂにビアが上述の構成で設けられていることから、中継基板１０１８の裏面に設けられたグランドラインを構成するウラ面グランド導体（不図示）に対するグランド導体パターン１０４０ａのインピーダンスは、当該ウラ面グランド導体に対するグランド導体パターン１０４０ｂのインピーダンスよりも高い。すなわち、部品搭載範囲３６０ａにおいては、信号導体パターン３３０ａにおける高周波の閉じ込め効果は、グランド導体パターン１０４０ａ側の方が、グランド導体パターン１０４０ｂ側よりも低くなる。

　したがって、部品搭載部３５０ａで発生する漏洩マイクロ波は、グランド導体パターン１０４０ａの方向に偏って（例えば図９において、部品搭載部３５０ａから延びる２つの一点鎖線の矢印が挟む方向範囲において）、他の方向より大きな強度を持つように伝搬することとなる。

　その結果、上記一点鎖線矢印が挟む方向範囲以外の方向範囲における漏洩マイクロ波の強度は、相対的に低減されることとなり、部品搭載部３５０ａから発生する漏洩マイクロ波に起因する、信号導体パターン３３０ａから３３０ｂへのクロストークが低減される。

　同様に、中継基板１０１８の部品搭載範囲３６０ｂにおいては、グランド導体パターン１０４０ｂにビア１０７０が６個設けられているのに対し、グランド導体パターン１０４０ｃには、４個のビア１０７０と、ビア１０７０より径の小さい１個のビア１０７２が設けられている。このため、上記と同様に、ウラ面グランド導体に対するグランド導体パターン１０４０ｃのインピーダンスは、当該ウラ面グランド導体に対するグランド導体パターン１０４０ｂのインピーダンスよりも高くなり、部品搭載部３５０ｂから発生する漏洩マイクロ波に起因する、信号導体パターン３３０ｂから３３０ａへのクロストークが低減される。

　さらに、部品搭載範囲３６０ｃ、３６０ｄについても同様である。すなわち、部品搭載範囲３６０ｃ、３６０ｄにおいては、グランド導体パターン１０４０ｄ上の対応する部分に、それぞれ、ビア１０７０が６個設けられているのに対し、グランド導体パターン１０４０ｄ、１０４０ｆには、４個のビア１０７０と、ビア１０７０より径の小さい１個のビア１０７２が設けられている。

　このため、部品搭載部３５０ｃ、３５０ｄで発生する漏洩マイクロ波は、それぞれ、グランド導体パターン１０４０ｄ、１０４０ｆの方向に向かって偏在することとなる。その結果、信号導体パターン３３０ｃから３３０ｄ、信号導体パターン３３０ｄから３３０ｃ、信号導体パターン３３０ｄから３３０ｃへの、漏洩マイクロ波に起因するクロストークが、それぞれ低減されることとなる。

　なお、本変形例では信号導体パターンを挟む２つのグランド導体パターンにおいてビアの径および数が互いに異なるように構成されているものとして説明したが、それに限定されることはない。例えば、ビアの径は前記２つのグランド導体パターンにおいてそれぞれ同じであるが数のみが互いに異なるようにしてもよいし、またビアの数は前記２つのグランド導体パターンにおいてそれぞれ同じであるが、少なくとも一部のビアの径が他のビアの径と異なるようにしてもよい。

　＜第６変形例＞
　図１０は、第６の変形例に係る中継基板１１１８の構成を示す図であり、図３に示す第１の実施形態の部分詳細図に相当する図である。この中継基板１１１８は、図１に示す光変調器１００において中継基板１１８に代えて用いることができる。なお、図１０において、図３、図９に示す中継基板１１８、１０８０の構成要素と同じ構成要素については、図３、図９における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図３、図９についての説明を援用する。

　中継基板１１１８では、部品搭載範囲３６０において、信号導体パターン３３０を挟む２つのグランド導体パターンに、互いに異なる数のビアが設けられている。また、当該２つのグランド導体パターンは、部品搭載範囲３６０において、信号導体パターン３３０の延在方向と直交する方向に測った幅が互いに異なっている部分を含むように形成されている。

　具体的には、中継基板１１１８は、図９に示す第５変形例の中継基板１０１８と同様の構成を有するが、グランド導体パターン１０４０ａ、１０４０ｃ、１０４０ｄ、１０４０ｆに代えて、グランド導体パターン１１４０ａ、１１４０ｃ、１１４０ｄ、１１４０ｆを有する点が異なる。

　グランド導体パターン１１４０ａは、図９に示す第５変形例の中継基板１０１８のグランド導体パターン１０４０ａと同様の構成を有するが、ビア１０７２に代えて、当該ビア１０７２の位置にビア１０７０を備える。すなわち、中継基板１１１８は、部品搭載範囲３６０ａにおいて、グランド導体パターン１１４０ａおよび１０４０ｂに、同じ径を持つビア１０７０が互いに異なる数で設けられている。

　また、グランド導体パターン１１４０ａは、部品搭載範囲３６０ａに、幅狭部１１７４ａ（図示斜線部分）を有する。この幅狭部１１７４ａは、信号導体パターン３３０ａの延在方向と直交する方向に測った幅が、部品搭載範囲３６０ａ内に延在するグランド導体パターン１０４０ｂの部分の幅方向長さよりも短く形成されている。

　これにより、中継基板１１１８では、部品搭載範囲３６０ａにおいて、グランド導体パターン１１４０ａは、グランド導体パターン１０４０ｂに比べてグランドライン（例えばウラ面グランド導体）に対するインピーダンスが高い部分として幅狭部１１７４ａを含むこととなる。

　このため、部品搭載範囲３６０ａにおいて、信号導体パターン３３０ａにおける高周波信号の閉じ込め効果は、幅狭部１１７４ａを有するグランド導体パターン１１４０ａ側において、グランド導体パターン１０４０ｂ側よりも低下することとなる。

　したがって、部品搭載部３５０ａで発生する漏洩マイクロ波は、グランド導体パターン１１４０ａの方向に偏って（例えば図１０において、部品搭載部３５０ａから延びる２つの一点鎖線の矢印が挟む方向範囲において）、他の方向より大きな強度を持つように放出されることとなる。

　その結果、上記一点鎖線矢印が挟む方向範囲以外の方向範囲における漏洩マイクロ波の強度は、相対的に低減されることとなり、信号導体パターン３３０ａから３３０ｂへの上記漏洩マイクロ波に起因するクロストークが低減される。

　同様に、グランド導体パターン１１４０ｃは、部品搭載範囲３６０ｂに、幅狭部１１７４ｂ（図示斜線部分）を有する。この幅狭部１１７４ｂは、信号導体パターン３３０ｂの延在方向と直交する方向に測った幅が、部品搭載範囲３６０ｂ内に延在するグランド導体パターン１０４０ｂの部分の幅方向長さよりも短く形成されている。

　このため、部品搭載部３５０ｂで発生する漏洩マイクロ波は、グランド導体パターン１１４０ｃの方向に偏って放出されることとなり、信号導体パターン３３０ｂから３３０ａへの上記漏洩マイクロ波に起因するクロストークが低減される。

　また、同様に、中継基板１１１８では、グランド導体パターン１１４０ｄ、１１４０ｆが、それぞれ、部品搭載範囲３６０ｃ、３６０ｄのそれぞれにおいて、グランド導体パターン１０４０ｅと異なる数のビア１０７０を有する。また、中継基板１１１８では、グランド導体パターン１１４０ｄ、１１４０ｆは、それぞれ、部品搭載範囲３６０ｃ、３６０ｄに、幅狭部１１７４ｃ、１１７４ｄを有する。幅狭部１１７４ｃ、１１７４ｄは、それぞれ、信号導体パターン３３０ｃ、３３０ｄの延在方向と直交する方向に測った幅が、部品搭載範囲３６０ｃ、３６０ｄ内にそれぞれ延在するグランド導体パターン１０４０ｃの部分の幅方向長さよりも短く形成されている。

　このため、部品搭載部３５０ｃ、３５０ｄで発生する漏洩マイクロ波は、それぞれ、グランド導体パターン１１４０ｄ、１１４０ｆの方向へ偏在して伝搬することとなる。その結果、信号導体パターン３３０ｂから３３０ａ、３３０ｃから３３０ｄ、及び３３０ｄから３３０ｃへの、上記漏洩マイクロ波に起因するクロストークが低減される。

　なお、図１０に示す中継基板１１１８では、幅狭部１１７４ａ等はビア１０７０の径よりも広い幅で形成されているが、これには限られない。幅狭部１１７４ａ等は、ビア１０７０の径よりも狭い幅で形成されるものとしてもよい。

　＜第７変形例＞
　図１１は、第７の変形例に係る中継基板１２１８の構成を示す図であり、図３に示す第１の実施形態の部分詳細図に相当する図である。この中継基板１２１８は、図１０に示す第６変形例の中継基板１１１８と同様に、図１に示す光変調器１００において中継基板１１８に代えて用いることができる。なお、図１１において、図１０に示す中継基板１１１８の構成要素と同じ構成要素については、図１０における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図１０についての説明を援用する。

　中継基板１２１８は、図１０に示す第６の変形例の中継基板１１１８と同様の構成を有するが、グランド導体パターン１１４０ａ、１０４０ｂ、１０４０ｃ、１１４０ｄ、１１４０ｅ、１０４０ｆに代えて、グランド導体パターン１２４０ａ、１２４０ｂ、１２４０ｃ、１２４０ｄ、１２４０ｅ、１２４０ｆを備える点が異なる。

　グランド導体パターン１２４０ａ、１２４０ｃ、１２４０ｄ、１２４０ｆは、図１０に示す第６の変形例の中継基板１１１８のグランド導体パターン１１４０ａ、１１４０ｃ、１１４０ｄ、１１４０ｆと同様の構成を有するが、部品搭載範囲３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃ、３６０ｄに、図１０に示す第６の変形例の幅狭部１１７４ａ、１１７４ｂ、１１７４ｃ、１１７４ｄと同様であって且つビア１０７０の径よりも狭い幅を有する幅狭部１２７４ａ、１２７４ｂ、１２７４ｃ、１２７４ｄをそれぞれ備える点が異なる。

　すなわち、幅狭部１２７４ａ、１２７４ｂは、それぞれ、信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂの延在方向と直交する方向に測った幅が、部品搭載範囲３６０ａ、３６０ｂ内にそれぞれ延在するグランド導体パターン１２４０ｂの部分の幅方向長さよりも短く、且つ、ビア１０７０の径よりも狭く形成されている。また、幅狭部１２７４ｃ、１２７４ｄは、それぞれ、信号導体パターン３３０ｃ、３３０ｄの延在方向と直交する方向に測った幅が、部品搭載範囲３６０ｃ、３６０ｄ内にそれぞれ延在するグランド導体パターン１２４０ｅの部分の幅方向長さよりも短く、且つ、ビア１０７０の径よりも狭く形成されている。

　これにより、グランド導体パターン１２４０ａ、１２４０ｃ、１２４０ｄ、１２４０ｆは、図１０に示す第６の変形例の中継基板１１１８の幅狭部１１７４ａ、１１７４ｂ、１１７４ｃ、１１７４ｄに比べてグランドラインとの間のインピーダンスが更に高い幅狭部１２７４ａ、１２７４ｂ、１２７４ｃ、１２７４ｄを有することとなり、信号導体パターン３３０ａと３３０ｂとの間、および３３０ｃと３３０ｄとの間の、漏洩マイクロ波に起因するクロストークが低減される。

　また、中継基板１２１８のグランド導体パターン１２４０ｂ、１２４０ｅは、図１０に示す第６の変形例の中継基板１１１８のグランド導体パターン１０４０ｂ、１０４０ｅと同様の構成を有するが、それぞれ、部品搭載範囲３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃ、３６０ｄに、図８に示す第４変形例の中継基板９１４の凹部９４２ａ、９４２ｂ、９４２ｃ、９４２ｄと同様の凹部１２７６ａ、１２７６ｂ、１２７６ｃ、１２７６ｄ（以下、総称して凹部１２７６ともいう）を備える点が、図１０に示す第６の変形例の中継基板１１１８と異なる。

　すなわち、中継基板１２１８では、グランド導体パターン１２４０ｂは、部品搭載部３５０ａ、３５０ｂを構成する信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂの部分までの離間距離が、それぞれ、対応する部品搭載範囲３６０ａ、３６０ｂ内における信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂの他の部分までの離間距離に比べて長く形成されている凹部１２７６ａ、１２７６ｂを有する。また、グランド導体パターン１２４０ｅは、部品搭載部３５０ｃ、３５０ｄを構成する信号導体パターン３３０ｃ、３３０ｄの部分までの離間距離が、それぞれ、対応する部品搭載範囲３６０ｃ、３６０ｄ内における信号導体パターン３３０ｃ、３３０ｄの他の部分までの離間距離に比べて長く形成されている凹部１２７６ｄ、１２７６ｄを有する。

　その結果、中継基板１２１８では、図８に示す第４変形例の中継基板９１４と同様に、部品搭載部３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃ、３５０ｄを構成する電気回路要素を信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ、３３０ｄに実装する際に、当該電気回路要素の実装位置が隣接するグランド導体パターン１２４０ｂ、１２４０ｅの方向へずれた場合でも、当該実装位置のずれに起因する信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ、３３０ｄの特性インピーダンスの変動を、中継基板１１１８に比べて緩和することができる。

　なお、図１０及び図１１においては、幅狭部１１７４ａ、１２７４等にビアが設けられているものとしたが、これには限られない。幅狭部１１７４ａ、１２７４等にビアが設けられない構成においても、上記と同様の効果を奏することができる。

　また、本変形例の中継基板１２１８および図１０に示す第７変形例の中継基板１１１８では、部品搭載範囲３６０において、２つのグランド導体パターンが、互いに異なる数のビアを有し、且つ、信号導体パターン３３０の延在方向と直交する方向に測った幅が互いに異なっている部分を含むように形成されているものとしたが、これには限られない。例えば、部品搭載範囲３６０において、２つのグランド導体パターンは、信号導体パターン３３０の延在方向と直交する方向に測った幅が互いに異なっている部分を含むように形成されているが、互いに同数のビアを有するか又は全くビアを有さないものとしてもよい。このように構成しても、上記２つのグランド導体パターンとグランドラインとのインピーダンスを互いに異なるものとして、上述した効果と同様の効果を奏するものとすることができる。

　＜第８変形例＞
　図１２は、第８の変形例に係る中継基板１３１８の構成を示す図であり、図３に示す第１の実施形態の部分詳細図に相当する図である。この中継基板１３１８は、図１に示す光変調器１００において中継基板１１８に代えて用いることができる。なお、図１２において、図３に示す中継基板１１８の構成要素と同じ構成要素については、図３における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図３についての説明を援用する。

　中継基板１３１８は、図３に示す中継基板１１８と同様の構成を有するが、グランド導体パターン３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｃ、３４０ｄ、３４０ｅ、３４０ｆに代えて、グランド導体パターン１３４０ａ、１３４０ｂ、１３４０ｃ、１３４０ｄ、１３４０ｅ、１３４０ｆを備える点が異なる。

　グランド導体パターン１３４０ａ、１３４０ｆは、図３に示す中継基板１１８のグランド導体パターン３４０ａ、３４０ｆと同様の構成を有するが、切欠き部３４２ａ、３４２ｄを備えない点が異なる。また、本変形例では、グランド導体パターン１３４０ａ、１３４０ｃ、１３４０ｄ、１３４０ｆは、部品搭載範囲３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃ、３６０ｄにおいてはビアを有さない。ただし、これらのグランド導体パターン１３４０ａ、１３４０ｃ、１３４０ｄ、１３４０ｆは、部品搭載範囲３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃ、３６０ｄの外側においては、不図示のビアを有していてもよい。

　グランド導体パターン１３４０ｂ、１３４０ｅは、部品搭載範囲３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃ、３６０ｄにおいて、それぞれ、２つのビア１３７０を有する。ここで、グランド導体パターン１３４０ｂ、１３４０ｅは、部品搭載範囲３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃ、３６０ｄの外において、それぞれ、不図示のビアを有していてもよい。

　すなわち、中継基板１３１８では、部品搭載範囲３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃ、３６０ｄにおいては、それぞれ、グランド導体パターン１３４０ｂ、１３４０ｅにのみビア１３７０が存在し、グランド導体パターン１３４０ａ、１３４０ｃ、１３４０ｄ、１３４０ｆにはビアが存在しない。

　これにより、中継基板１３１８では、部品搭載範囲３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃ、３６０ｄにおいて、グランド導体パターン１３４０ｂ、１３４０ｅのそれぞれとグランドラインとの間のインピーダンスが、グランド導体パターン１３４０ａ、１３４０ｃ、１３４０ｄ、１３４０ｆに比べて低下する。

　このため、中継基板１３１８では、部品搭載範囲３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃ、３６０ｄにおいて、信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ、３３０ｄにおける高周波信号の閉じ込め効果は、それぞれ、グランド導体パターン１３４０ａ、１３４０ｃ、１３４０ｄ、１３４０ｆの側が、グランド導体パターン１３４０ｂ、１３４０ｅの側に比べて相対的に低下する。

　その結果、部品搭載部３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃ、３５０ｄで発生する漏洩マイクロ波は、それぞれ、グランド導体パターン１３４０ａ、１３４０ｃ、１３４０ｄ、１３４０ｆの方向に偏って放出されることとなる。

　したがって、信号導体パターン３３０ａと３３０ｂとの間、３３０ｃと３３０ｄとの間の、上記漏洩マイクロ波に起因するクロストークが低減される。

　＜第９変形例＞
　図１３は、第９の変形例に係る中継基板１４１８の構成を示す図であり、図３に示す第１の実施形態の部分詳細図に相当する図である。この中継基板１４１８は、図５、図１２に示す第１変形例および第８変形例の中継基板５１８、１３１８と同様に、図１に示す光変調器１００において中継基板１１８に代えて用いることができる。なお、図１３において、図３、図５、図１２に示す中継基板１１８、５１８、１３１８の構成要素と同じ構成要素については、図３、図５、図１２における符号と同じ符号を用いて示すものとし、上述した図３、図５、図１２についての説明を援用する。

　中継基板１３１８は、図３に示す中継基板１１８と同様の構成を有するが、グランド導体パターン３４０ｂ、３４０ｅに代えて、図１２に示す第８変形例の中継基板１３１８のグランド導体パターン１３４０ｂ、１３４０ｅを備え、また、グランド導体パターン３４０ｃ、３４０ｄに代えて、図５に示す第１変形例の中継基板５１８のグランド導体パターン５４０ｃ、５４０ｄを備える。

　これにより、中継基板１４１８では、図１２に示す中継基板１３１８と同様に、部品搭載範囲３６０において一方のグランド導体パターンにのみビア１３７０が設けられていることにより、信号導体パターン３３０間のクロストーク低減効果を有する。また、中継基板１４１８では、図５に示す中継基板５１８における切り欠き３４２ａ、３４２ｂ、３４２ｃ、３４２ｄも形成されていることから、図１２に示す中継基板１３１８よりも更に高いクロストーク低減効果が発揮される。

　［第２実施形態］
　次に、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態は、第１の実施形態に係る光変調器１００並びにその変形例に係る中継基板５１８、７１８、８１８、９１８、１０１８、１１１８、１２１８、１３１８、１４１８を用いた光変調器１００、のいずれかの光変調器を搭載した光送信装置である。

　図１４は、本実施形態に係る光送信装置の構成を示す図である。この光送信装置２１００は、光変調器２１０２と、光変調器２１０２に光を入射する光源２１０４と、変調信号生成部２１０６と、変調データ生成部２１０８と、を有する。

　光変調器２１０２は、上述した第１の実施形態に係る光変調器１００並びにその変形例に係る中継基板５１８、７１８、８１８、９１８、１０１８、１１１８、１２１８、１３１８、１４１８を用いた光変調器１００、のいずれかの光変調器であるものとすることができる。ここで、冗長な記載を避けて理解を容易にするため、以下では、光変調器２１０２は、第１の実施形態に係る光変調器１００であるものとする。

　変調データ生成部２１０８は、外部から与えられる送信データを受信して、当該送信データを送信するための変調データ（例えば、送信データを所定のデータフォーマットに変換又は加工したデータ）を生成し、当該生成した変調データを変調信号生成部２１０６へ出力する。

　変調信号生成部２１０６は、光変調器２１０２に変調動作を行わせるための電気信号を出力する電子回路（ドライブ回路）であり、変調データ生成部２１０８が出力した変調データに基づき、光変調器２１０２に当該変調データに従った光変調動作を行わせるための高周波信号である変調信号を生成して、光変調器２１０２に入力する。当該変調信号は、光変調器２１０２が備える光変調素子１０２の４つの信号電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄに対応する４つの高周波電気信号から成る。ここで、信号電極１１２ａ、１１２ｂに入力される高周波電気信号は一方の対をなし、光変調素子１０２の一方の出力光導波路１２６ａから出力される出力光を変調する。また、信号電極１１２ｃ、１１２ｄに入力される高周波電気信号は他方の対をなし、光変調素子１０２の他方の出力光導波路１２６ｂから出力される出力光を変調する。

　当該４つの高周波電気信号は、光変調器２１０２の電気コネクタ１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄのそれぞれの信号入力端子１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄから中継基板１１８の信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ、３３０ｄへ入力され、これらの信号導体パターン３３０ａ等を介して、光変調素子１０２の信号電極１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄに入力される。

　これにより、光源２１０４から出力された光は、光変調器２１０２により、例えばＤＰ－ＱＰＳＫ変調され、変調光となって光送信装置２１００から出力される。

　特に、光送信装置２１００では、光変調器２１０２として、第１の実施形態に係る光変調器１００並びにその変形例に係る中継基板５１８、７１８、８１８、９１８、１０１８、１１１８、１２１８、１３１８、１４１８を用いた光変調器１００、のいずれかの光変調器を用いる。このため、光送信装置２１００では、上述した空間漏洩マイクロ波に起因した、光変調素子１０２を駆動する高周波電気信号間のクロストーク増加、特に、対をなす２つの高周波電気信号を伝搬する信号線路間の空間漏洩マイクロ波に起因するクロストークを、効果的に低減することができる。したがって、光送信装置２１００では、安定且つ良好な光変調特性を確保して、安定且つ良好な伝送特性を実現することができる。

　なお、本発明は上記実施形態およびその変形例の構成に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能である。

　例えば、上述した中継基板１１８、５１８、７１８、８１８、９１８、１０１８、１１１８、１２１８、１３１８、１４１８では、２つ以上の信号導体パターン３３０の部品搭載範囲３６０について、２つのグランド導体パターン３４０が互いに非対称に形成された部分を含むものとしたが、これには限られない。中継基板１１８、５１８、７１８、８１８、９１８、１０１８、１１１８、１２１８、１３１８、１４１８のいずれの構成においても、中継基板１１８等における漏洩マイクロ波の発生状況に応じて、少なくとも一つの信号導体パターン３３０の部品搭載範囲３６０について、２つのグランド導体パターン３４０が互いに非対称に形成された部分を含むものとすることができる。

　また、上述した第１の実施形態およびその変形例においては、信号導体パターン３３０のすべてに、それぞれ一つの部品搭載部３５０が設けられているものとしたが、これには限られない。部品搭載部３５０は、少なくとも一つの信号導体パターン３３０に設けられていればよく、また、一つの信号導体パターン３３０に対して複数設けられていてもよい。すなわち、少なくとも一つの信号導体パターン３３０に少なくとも一つの部品搭載部３５０が設けられているものとすることができる。

　また、図９、図１０、図１１、図１２、図１３に示す中継基板１０１８、１１１８、１２１８、１３１８、１４１８のグランド導体パターンに形成されているビアの数は一例であって、これには限られない。図９、図１０、図１１、図１２、図１３について上述した特徴構成の要旨を超えない限りにおいて、任意の数およびサイズのビアを任意の態様で設けるものとすることができる。例えば、図９に示す第５変形例に係る中継基板１０１８では、部品搭載範囲３６０において２つのグランド導体パターンに設けられるビアの数及び径が互いに異なる限りにおいて、これら２つのグランド導体パターンには任意の数およびサイズのビアを任意の態様で設けるものとすることができる。

　また、上述した第１の実施形態及びその変形例に係る中継基板１１８、５１８等の特徴構成は、これらを任意に組み合わせて一つの中継基板を構成するものとすることができる。例えば、図９に示すビアの非対称性により漏洩マイクロ波の伝搬方向を偏らせる特徴構成を、図３に示す構成と組み合わせて一つの中継基板を構成するものとすることができる。また、図８に示す第４変形例の中継基板９１８の凹部９４２又は図１１に示す第７変形例の中継基板１２１８の凹部１２７６を、他の変形例に係る中継基板に適用して、部品搭載部３５０における電気回路要素の実装位置ずれによる信号導体パターン３３０のインピーダンス変動を低減してもよい。

　また、上述した実施形態では、光変調素子１０２は、ＬＮ基板を用いて構成されるＤＰ－ＱＰＳＫ変調器であるものとしたが、これには限られない。例えば、光変調素子１０２は、半導体基板を用いて構成される任意の光変調素子であってもよい。

　また、上述した実施形態では、筺体１０４には光変調素子１０２および中継基板１１８等が収容されるものとしたが、これらに加えて、光変調素子１０２を動作させるための電子回路素子（ドライバ素子）も、筺体１０４内に収容されるものとすることができる。

　以上説明したように、上述した実施形態に係る光変調器１００は、複数の信号電極１１２を備える光変調素子１０２と、信号電極１１２のそれぞれに印加する電気信号を入力する複数の信号入力端子１２４と、中継基板１１８と、光変調素子１０２および中継基板１１８を収容する筺体１０４と、備える。中継基板１１８は、信号入力端子１２４と信号電極１１２とを電気的に接続する複数の信号導体パターン３３０、及び複数のグランド導体パターン３４０が形成されている。そして、少なくとも一つの信号導体パターン３３０は、電気回路要素を含む少なくとも一つの部品搭載部３５０を有する。上記少なくとも一つの信号導体パターン３３０を中継基板１１８上において挟む２つのグランド導体パターン３４０は、部品搭載部３５０を中心とする平面視正方形の部品搭載範囲３６０において、平面視形状が上記少なくとも一つの信号導体パターン３３０に関して互いに非対称に形成されている。ここで、上記部品搭載範囲３６０は、部品搭載部３５０における上記少なくとも一つの信号導体パターン３３０の延在方向を一の辺の方向とし、上記少なくとも一つの信号導体パターン３３０から、最も近い隣接する信号導体パターン３３０までの距離を一辺の長さとする、平面視正方形の範囲である。

　また、中継基板１０１８、１３１８等において一例を示したように、少なくとも一つの信号導体パターン３３０を挟む２つのグランド導体パターン（例えば１０４０ａ、１０４０ｂ、又は１３４０ａ、１３４０ｂ）は、部品搭載部３５０を中心とする平面視正方形の部品搭載範囲３６０において、ビアの有無、ビア径又はビアの数が、互いに異なることで非対称に形成されている。

　これらの構成によれば、中継基板１１８のうち電気回路要素が設けられた部品搭載部３５０から発生し得る漏洩マイクロ波の伝搬方向を偏らせて、信号導体パターン３３０間のクロストークを抑制し、良好な光変調特性を実現することができる。

　また、中継基板１１８、５１８等における切欠き部３４２ａ等として一例を示したように、少なくとも一つの信号導体パターン３３０を挟む２つのグランド導体パターンは、当該２つのグランド導体パターンのそれぞれのエッジから上記少なくとも一つの信号導体パターン３３０の対向するエッジまでの距離が、部品搭載範囲３６０において互いに異なる部分を有するように形成されている。

　この構成によれば、グランド導体パターンの形状を変更するだけで、部品搭載部３５０から発生する漏洩マイクロ波の伝搬方向を容易に偏らせ、信号導体パターン３３０間のクロストークを抑制し、良好な光変調特性を実現することができる。

　また、中継基板１１１８等における幅狭部１１７４ａ等として一例を示したように、少なくとも一つの信号導体パターン３３０を挟む２つのグランド導体パターンの一方は、部品搭載範囲３６０において、上記少なくとも一つの信号導体パターン３３０の延在方向と直交する方向に測った幅が上記２つのグランド導体パターンの他方に比べて狭い幅狭部を含んでいる。

　この構成によれば、部品搭載部３５０から発生する漏洩マイクロ波の伝搬方向の偏りを強めて、信号導体パターン３３０間のクロストークを抑制し、良好な光変調特性を実現することができる。

　また、中継基板８１８等における区間７４２ａ等として一例を示したように、少なくとも一つの信号導体パターン３３０を挟む２つのグランド導体パターンのうちの一方のグランド導体パターンは、部品搭載範囲３６０において断絶した区間を有する。

　この構成によれば、部品搭載部３５０から発生する漏洩マイクロ波の伝搬方向の偏りを更に強めて、信号導体パターン３３０間のクロストークを抑制し、更に良好な光変調特性を実現することができる。

　また、中継基板９１８、１２１８における凹部９４２ａ、１２７６ａ等として一例を示したように、少なくとも一つの信号導体パターン３３０を挟む２つのグランド導体パターンのうち、上記の幅狭部又は上記断絶した区間を含まない他方のグランド導体パターンは、部品搭載部３５０における信号導体パターン３３０までの離間距離が、当該部品搭載部３５０以外の部分における当該信号導体パターン３３０までの離間距離より長く形成されている。

　この構成によれば、部品搭載部３５０における電気回路要素の実装位置ズレに対する信号導体パターン３３０の特性インピーダンスの変化を抑制して、製造ばらつきを低減しつつ、信号導体パターン３３０間のクロストークを抑制して良好な光変調特性を実現することができる。

　また、光変調器１００は、それぞれが一対の電気信号により変調される２つの変調光を生成するよう構成された、例えばＤＰ－ＱＰＳＫ変調を行う光変調素子１０２を用いることができ、中継基板１１８等は、上記一対の電気信号を、隣接する一対の信号導体パターン、例えば信号導体パターン３３０ａ、３３０ｂにより伝搬するよう構成され得る。

　この構成によれば、隣接する信号導体パターン３３０により伝搬される、対をなす２つの高周波電気信号間でのクロストークを効果的に低減して、良好な光変調特性を実現することができる。

　また、上述した第２の実施形態に係る光送信装置は、第１の実施形態又はその変形例に示したいずれかの中継基板を用いた光変調器１００と、当該光変調器１００に変調動作を行わせるための電気信号を出力する電子回路である変調信号生成部２１０６等と、を備える。この構成によれば、例えば伝送レートの高速化に伴って顕著となる漏洩マイクロ波の伝搬を抑制し、光変調素子１０２を駆動する複数の高周波電気信号間のクロストーク等を効果的に低減して、安定且つ良好な伝送特性を実現することができる。

　１００、２１０２、２２００…光変調器、１０２、２２０２…光変調素子、１０４、１６０４、２２０４…筺体、１０８、２２０８…入力光ファイバ、１１０、２２１０…出力光ファイバ、１１２、１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、２２１２、２２１２ａ、２２１２ｂ、２２１２ｃ、２２１２ｄ…信号電極、１１４ａ、２２１４ａ…ケース、１１４ｂ、２２１４ｂ…カバー、１１６、１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、２２１６、２２１６ａ、２２１６ｂ、２２１６ｃ、２２１６ｄ…電気コネクタ、１１８、５１８、６１８、７１８、８１８、９１８、１０１８、１１１８、１２１８、１３１８、１４１８、２２１８…中継基板、１２０、２２２０…終端器、１２２、１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ、１２２ｄ、１２２ｅ、２２２２ａ、２２２２ｂ、２２２２ｃ、２２２２ｄ、２２２２ｅ…グランド電極、１２４、１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ、２２２４、２２２４ａ、２２２４ｂ、２２２４ｃ、２２２４ｄ…信号入力端子、１２６ａ、１２６ｂ…出力光導波路、３１８ａ…信号入力辺、３１８ｂ…信号出力辺、３１８ｃ、３１８ｄ…サイドエッジ、３２６、２２７０…導体ワイヤ、３３０、３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ、３３０ｄ、２２３０、２２３０ａ、２２３０ｂ、２２３０ｃ、２２３０ｄ…信号導体パターン、３４０、３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｃ、３４０ｄ、３４０ｅ、３４０ｆ、５４０ｃ、５４０ｄ、７４０ａ、７４０ｆ、８４０ｃ、８４０ｄ、９４０ｂ、９４０ｅ、１０４０ａ、１０４０ｂ、１０４０ｃ、１０４０ｄ、１０４０ｅ、１０４０ｆ、１１４０ａ、１１４０ｃ、１１４０ｄ、１１４０ｆ、１２４０ａ、１２４０ｂ、１２４０ｃ、１２４０ｄ、１２４０ｅ、１２４０ｆ、１３４０ａ、１３４０ｂ、１３４０ｃ、１３４０ｄ、１３４０ｅ、１３４０ｆ、２２４０ａ、２２４０ｂ、２２４０ｃ、２２４０ｄ、２２４０ｅ…グランド導体パターン、３４２ａ、３４２ｂ、３４２ｃ、３４２ｄ…切欠き部、３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃ、３５０ｄ、２２５０ａ、２２５０ｂ、２２５０ｃ、２２５０ｄ…部品搭載部、３５２ａ、３５２ｂ…電気回路要素、３６０ａ、３６０ｂ、３６０ｃ、３６０ｄ、２２６０ａ、２２６０ｂ、２２６０ｃ、２２６０ｄ…部品搭載範囲、３６２ａ…形状中心、３６２ｂ…伝搬方向、７４２ａ、７４２ｄ、８４２ｂ、８４２ｃ…区間、９４２、９４２ａ、９４２ｂ、９４２ｃ、９４２ｄ、１２７６、１２７６ａ、１２７６ｂ、１２７６ｃ、１２７６ｄ…凹部、１０７０、１０７２、１３７０…ビア、１１７４ａ、１１７４ｂ、１１７４ｃ、１１７４ｄ、１２７４ａ、１２７４ｂ、１２７４ｃ、１２７４ｄ…幅狭部、２１００…光送信装置、２１０４…光源、２１０６…変調信号生成部、２１０８…変調データ生成部、２２５２ｂ…薄膜抵抗、２２５４ｂ…コンデンサ、２２９０…漏洩マイクロ波。

Claims (8)

1. 　複数の信号電極を備える光変調素子と、
   　前記信号電極のそれぞれに印加する電気信号を入力する複数の信号入力端子と、
   　前記信号入力端子と前記信号電極とを電気的に接続する複数の信号導体パターン、及び複数のグランド導体パターンが形成された中継基板と、
   　前記光変調素子および前記中継基板を収容する筺体と、
   　を備える光変調器であって、
   　少なくとも一つの前記信号導体パターンは、電気回路要素を含む少なくとも一つの部品搭載部を有し、
   　前記少なくとも一つの信号導体パターンを前記中継基板上において挟む２つの前記グランド導体パターンは、それらの平面視形状が、前記部品搭載部を中心とする平面視正方形の部品搭載範囲において、当該部品搭載部における前記少なくとも一つの前記信号導体パターンの延在方向に延びる直線に関して互いに非対称に形成されており、
   　前記平面視正方形の範囲である前記部品搭載範囲は、前記部品搭載部における前記少なくとも一つの信号導体パターンの延在方向を一の辺の方向とし、前記部品搭載部の中心から、当該中心に対し最も近い隣接する前記信号導体パターン上の部分までの距離を一辺の長さとする、
   　光変調器。
2. 　複数の信号電極を備える光変調素子と、
   　前記信号電極のそれぞれに印加する電気信号を入力する複数の信号入力端子と、
   　前記信号入力端子と前記信号電極とを電気的に接続する複数の信号導体パターン、及び複数のグランド導体パターンが形成された中継基板と、
   　前記光変調素子および前記中継基板を収容する筺体と、
   　を備える光変調器であって、
   　少なくとも一つの前記信号導体パターンは、電気回路要素を含む少なくとも一つの部品搭載部を有し、
   　前記少なくとも一つの信号導体パターンを前記中継基板上において挟む２つの前記グランド導体パターンは、前記部品搭載部を中心とする平面視正方形の部品搭載範囲において、ビアの有無、ビア径、又はビアの数が、互いに異なることで非対称に形成されており、
   　前記部品搭載範囲は、前記部品搭載部における前記少なくとも一つの信号導体パターンの延在方向を一の辺の方向とし、前記少なくとも一つの信号導体パターンから、最も近い隣接する前記信号導体パターンまでの距離を一辺の長さとする、平面視正方形の範囲である、
   　光変調器。
3. 　前記２つの前記グランド導体パターンは、当該２つの前記グランド導体パターンのそれぞれのエッジから前記少なくとも一つの前記信号導体パターンの対向するエッジまでの距離が、前記部品搭載範囲において互いに異なる部分を有するように形成されている、
   　請求項１または２に記載の光変調器。
4. 　前記２つの前記グランド導体パターンの一方の前記グランド導体パターンは、前記部品搭載範囲において、前記少なくとも一つの前記信号導体パターンの延在方向と直交する方向に測った幅が、前記２つの前記グランド導体パターンの他方の前記グランド導体パターンの幅に比べて狭い部分を含んでいる、
   　請求項１または２に記載の光変調器。
5. 　前記２つの前記グランド導体パターンのうち、一方の前記グランド導体パターンは、前記部品搭載範囲において断絶した区間を有し、他方の前記グランド導体パターンは、前記部品搭載範囲において断絶した区間を有さない、
   　請求項１または２に記載の光変調器。
6. 　前記２つの前記グランド導体パターンの前記他方のグランド導体パターンは、前記部品搭載部を構成する前記信号導体パターンの部分までの離間距離が、対応する部品搭載範囲内における当該信号導体パターンの他の部分までの離間距離に比べて長く形成されている部分を有する、
   　請求項４又は５に記載の光変調器。
7. 　前記光変調素子は、それぞれが一対の前記電気信号により変調される２つの変調光を生成するよう構成され、
   　前記中継基板は、前記一対の前記電気信号を、隣接する一対の前記信号導体パターンにより伝搬するよう構成される、
   　請求項１ないし６のいずれか一項に記載の光変調器。
8. 　請求項１ないし７のいずれか一項に記載の光変調器と、
   　当該光変調器に変調動作を行わせるための電気信号を出力する電子回路と、
   　を備える、
   　光送信装置。

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