WO2021005633A1 - アウトフェージング増幅器及び通信装置 - Google Patents

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WO2021005633A1
WO2021005633A1 PCT/JP2019/026774 JP2019026774W WO2021005633A1 WO 2021005633 A1 WO2021005633 A1 WO 2021005633A1 JP 2019026774 W JP2019026774 W JP 2019026774W WO 2021005633 A1 WO2021005633 A1 WO 2021005633A1
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signal
transistor
amplified
amplitude
output
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PCT/JP2019/026774
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拓真 鳥居
優治 小松崎
政毅 半谷
新庄 真太郎
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三菱電機株式会社
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • HELECTRICITY
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    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
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    • HELECTRICITY
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    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02Transmitters
    • H04B1/04Circuits

Definitions

  • the present invention relates to an outfading amplifier and a communication device.
  • Non-Patent Document 1 discloses an outfading amplifier that amplifies a communication signal with high efficiency.
  • This out-fading amplifier includes two amplifiers connected in parallel.
  • one of the two amplifiers will be referred to as a first amplifier, and the other amplifier will be referred to as a second amplifier.
  • the outfading amplifier disclosed in Non-Patent Document 1 the phase of the first input signal given to the first amplifier and the phase of the second input signal given to the second amplifier are controlled. Then load modulation is performed. By performing load modulation, this out-fading amplifier realizes high-efficiency operation in a back-off operating range in which the output power is lower than the saturated output.
  • the amplitude of the first input signal and the amplitude of the second input signal are equal, and the respective amplitudes of the first input signal and the second input signal are the power of the first input signal. And, it increases with the increase of the total power with the power of the second input signal. Further, the phase difference between the phase of the first input signal and the phase of the second input signal decreases as the total power increases.
  • the outfading amplifier disclosed in Non-Patent Document 1 always has the amplitude of the first input signal even if the total power of the power of the first input signal and the power of the second input signal changes. It operates on the assumption that the amplitude of the second input signal is equal. Therefore, there is a problem that the range of output power in which the efficiency of the outfading amplifier becomes higher than the desired efficiency is limited.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and even if the total power of the power of the first signal and the power of the second signal changes, the amplitude of the first signal is always generated. It is an object of the present invention to obtain an outfading amplifier and a communication device capable of extending the range of output power in which the efficiency is higher than the desired efficiency than those operating on the assumption that the amplitude of the second signal is equal to that of the second signal. ..
  • the outfasing amplifier according to the present invention has a first transistor that amplifies the first signal and outputs the first signal after amplification, and a second signal that amplifies the second signal and outputs the second signal after amplification.
  • a first transistor that amplifies the first signal and outputs the first signal after amplification
  • a second signal that amplifies the second signal and outputs the second signal after amplification.
  • the first signal after amplification output from the first transistor and the first signal output from the second transistor are output. It is provided with a synthesis circuit for synthesizing the second signal after amplification.
  • the amplitude of the first signal to be amplified is larger than the amplitude of the second signal to be amplified, and the phase difference between the phase of the first signal to be amplified and the phase of the second signal to be amplified is constant.
  • the synthesis circuit is a combination of two signals whose amplitudes are different from each other and whose phases are different from each other, from the first signal after amplification output from the first transistor and from the second transistor.
  • the outphasing amplifier was configured so as to synthesize the output second signal after amplification.
  • the outfading amplifier according to the present invention always has the amplitude of the first signal and the amplitude of the second signal even if the total power of the power of the first signal and the power of the second signal changes. It is possible to extend the range of output powers where the efficiency is higher than the desired efficiency than those that operate on the assumption that
  • FIG. It is a block diagram which shows the communication apparatus which includes the out-fading amplifier 2 which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a block diagram which shows the out-fading amplifier 2 which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is explanatory drawing which shows the relationship between the total power ⁇ P, and the operation mode (1)-(3).
  • total power .SIGMA.P the amplitude A 2 of the amplitude A 1 and the second signal P in2 of the first signal P in1 is an explanatory diagram showing the relationship between the operating modes (1) - (3).
  • total power .SIGMA.P the phase phi 2 of the phase phi 1 and a second signal P in2 of the first signal P in1 is an explanatory diagram showing the relationship between the operating modes (1) - (3).
  • FIG. It is explanatory drawing which shows the relationship between the total power ⁇ P, and the operation mode (4)-(6).
  • total power .SIGMA.P the amplitude A 2 of the amplitude A 1 and the second signal P in2 of the first signal P in1 is an explanatory diagram showing the relationship between the operating modes (4) - (6).
  • total power .SIGMA.P the phase phi 2 of the phase phi 1 and a second signal P in2 of the first signal P in1 is an explanatory diagram showing the relationship between the operating modes (4) - (6).
  • FIG. 1 is a configuration diagram showing a communication device including the outfading amplifier 2 according to the first embodiment.
  • the communication device is a device that transmits and receives communication signals, and includes an outfading amplifier 2.
  • the signal distributor 1 included in the communication device is realized by, for example, a quadrature modulator, a DAC (Digital Analog Converter), and a DDS (Digital Digital Synthesize).
  • Signal splitter 1 a communication signal transmitted by the communication device, or, the communication signal received by the communication device, and distributed to the first signal P in1 and a second signal P in2, first Each of the signal Pin1 and the second signal Pin2 is output to the outfading amplifier 2.
  • the first signal Pin 1 is represented as A 1 sin ( ⁇ t + ⁇ 1 ), and the second signal Pin 2 is represented as A 2 sin ( ⁇ t + ⁇ 2 ).
  • a 1 is the amplitude of the first signal Pin 1 and A 2 is the amplitude of the second signal Pin 2 .
  • ⁇ 1 is the phase of the first signal Pin 1 and ⁇ 2 is the phase of the second signal Pin 2 .
  • is the angular frequency and t is the time.
  • Signal splitter 1 outputs a first signal P in1 having a controlled amplitude A 1 and phase phi 1, and a second signal P in2 which controls the amplitude A 2 and the phase phi 2 to the out-phasing amplifier 2.
  • the outfading amplifier 2 amplifies the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1 and amplifies the second signal Pin 2 output from the signal distributor 1.
  • FIG. 2 is a configuration diagram showing an outfading amplifier 2 according to the first embodiment.
  • the input terminal 11 is a terminal for inputting the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1.
  • the input terminal 12 is a terminal for inputting the second signal Pin 2 output from the signal distributor 1.
  • the first transistor 13 is realized by, for example, a FET (Field Effect Transistor), an HBT (Heterojunction Bipolar Transistor), or a HEMT (High Electron Mobility Transistor).
  • FET Field Effect Transistor
  • HBT Heterojunction Bipolar Transistor
  • HEMT High Electron Mobility Transistor
  • the gate terminal which is the input terminal 13a of the first transistor 13, is connected to each of the input terminal 11 and the gate bias terminal 15.
  • the drain terminal, which is the output terminal 13b of the first transistor 13, is connected to one end of the first transmission line 18 of the synthesis circuit 17 and one end of the first compensation susceptance circuit 19 which will be described later.
  • the first transistor 13 amplifies the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1, and amplifies the amplified first signal Pin 1'to the first transmission line 18 and the first transmission line 18 of the synthesis circuit 17. Output to each of the compensation susceptance circuits 19.
  • the threshold voltage Vthre1 is the minimum voltage required to drive the first transistor 13.
  • the gate bias voltage V g1 is, among the threshold voltage V thre1 following voltage, generally if equal to the threshold voltage V thre1 voltage from the input terminal 11, only when the first signal P in1 is input , The first transistor 13 performs the amplification operation of the first signal Pin1 . Therefore, the gate bias voltage V g1 is, if approximately equal voltage to the threshold voltage V thre1, in the presence or absence of the first signal P in1 to the input terminal 13a of the first transistor 13, the operation of the first transistor 13 It is possible to switch.
  • the second transistor 14 is realized by, for example, FET, HBT, or HEMT, and has the same electrical characteristics as the first transistor 13 such as the maximum power that can be output. However, the same electrical characteristics are not limited to those that are exactly the same, and the electrical characteristics may be different as long as there is no practical problem.
  • the second transistor 14 is a source-grounded transistor.
  • the gate terminal, which is the input terminal 14a of the second transistor 14, is connected to the input terminal 12, and the drain terminal, which is the output terminal 14b of the second transistor 14, is a second transmission line described later in the synthesis circuit 17. It is connected to one end of 20 and each of the gate bias terminals 16 described later.
  • the second transistor 14 amplifies the second signal Pin 2 output from the signal distributor 1, and amplifies the amplified second signal Pin 2'to the second transmission line 20 of the synthesis circuit 17 and the second transmission line 20 described later. Output to each of the compensation susceptance circuits 21 of 2.
  • the second transistor 14 is the sum of the amplitude A 2 and the gate bias voltage V g2 of the second signal P in2 are when the above threshold voltage V thre2, performs the amplifying operation of the second signal P in2 .
  • the threshold voltage Vthre2 is the minimum voltage required to drive the second transistor 14.
  • the gate bias terminal 15 is connected to each of the input terminal 11 and the input terminal 13a of the first transistor 13, and is a terminal for inputting the gate bias voltage Vg1 .
  • the gate bias terminal 16 is connected to each of the input terminal 12 and the input terminal 14a of the second transistor 14, and is a terminal for inputting the gate bias voltage Vg2 .
  • the synthesis circuit 17 includes a first transmission line 18, a first compensation susceptance circuit 19, a second transmission line 20, a second compensation susceptance circuit 21, and a synthesis point 22. Synthesizing circuit 17, a first transistor a first signal P in1 the amplified output from 13 'and, after amplification outputted from the second transistor 14 and the second signal P in2' and the combination point 22 Synthesize with.
  • the synthesis circuit 17 outputs the combined signal C of the amplified first signal Pin 1'and the amplified second signal Pin 2'to the output terminal 23 described later. For example, when the total power ⁇ P shown below is smaller than the first threshold value Th 1 , the amplitude A 1 of the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1 is the first output from the signal distributor 1.
  • Total power ⁇ P includes a power of the first signal P in1 output from the signal divider 1 in outphasing amplifier 2, and the power of the second signal P in2 are outputted from the signal distributor 1 in outphasing amplifier 2 It is the total power of.
  • One end of the first transmission line 18 is connected to each of the output terminal 13b of the first transistor 13 and one end of the first compensation susceptance circuit 19, and the other end of the first transmission line 18 is a synthesis point. It is connected to 22.
  • the electrical length ⁇ 1 of the first transmission line 18 is a quarter length of the wavelength ⁇ of the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1.
  • ⁇ 1 ⁇ / 4.
  • the characteristic impedance of the first transmission line 18 is Z 1 .
  • One end of the first compensating susceptance circuit 19 is connected to each of the output terminal 13b of the first transistor 13 and one end of the first transmission line 18, and the other end of the first compensating susceptance circuit 19 is grounded. Is connected to.
  • the first compensating susceptance circuit 19 is a circuit having a susceptance component, and the susceptance of the first compensating susceptance circuit 19 is B 1 .
  • each "j" in “jB 1 " and “-jB 2 " shown in FIG. 2 is a symbol indicating an imaginary number.
  • One end of the second transmission line 20 is connected to each of the output terminal 14b of the second transistor 14 and one end of the second compensating susceptance circuit 21, and the other end of the second transmission line 20 is a synthesis point. It is connected to 22.
  • the wavelength ⁇ of Pin 1 and the wavelength ⁇ of the second signal Pin 2 may be different.
  • the characteristic impedance of the second transmission line 20 is Z 2 .
  • One end of the second compensating susceptance circuit 21 is connected to each of the output terminal 14b of the second transistor 14 and one end of the second transmission line 20, and the other end of the second compensating susceptance circuit 21 is grounded. Is connected to.
  • the second compensating susceptance circuit 21 is a circuit having a susceptance component, and the susceptance of the second compensating susceptance circuit 21 is ⁇ B 2 .
  • the other end of the first transmission line 18, the other end of the second transmission line 20, and the output terminal 23 are connected to the synthesis point 22.
  • the first signal P in1 the amplified transmitted by the first transmission line 18 and 'a second signal P in2 the amplified transmitted by the second transmission line 20' are combined by the combining point 22 To.
  • the output terminal 23 is a terminal for outputting the combined signal C output from the combined circuit 17 to the outside.
  • the operation mode of the outfading amplifier 2 changes when the amplitude A 1 and the phase ⁇ 1 of the first signal Pin 1 and the amplitude A 2 and the phase ⁇ 2 of the second signal Pin 2 change.
  • the outfading amplifier 2 can operate in a plurality of operation modes.
  • the outfading amplifier 2 has, for example, an operation mode (1), an operation mode (2), and an operation mode (3) as a plurality of operation modes. Details of the operation modes (1) to (3) will be described later.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram showing the relationship between the total power ⁇ P and the operation modes (1) to (3).
  • the outfading amplifier 2 operates in the operation mode (1) when the total power ⁇ P is small, operates in the operation mode (2) when the total power ⁇ P is medium, and operates in the operation mode (2).
  • ⁇ P When ⁇ P is large, it is shown to operate in the operation mode (3).
  • the total power ⁇ P When the total power ⁇ P is small, the total power ⁇ P is smaller than the first threshold value Th 1 .
  • the total power ⁇ P is medium, the total power ⁇ P is power equal to or higher than the first threshold value Th 1 and smaller than the second threshold value Th 2 .
  • the total power ⁇ P is large, the total power ⁇ P is power having a second threshold value Th 2 or more.
  • the first threshold Th 1 ⁇ the second threshold Th 2 .
  • Figure 4 is a total power .SIGMA.P, the amplitude A 2 of the amplitude A 1 and the second signal P in2 of the first signal P in1, is a diagram showing the relationship between the operating modes (1) - (3) ..
  • the amplitude A 1 shown in FIG. 4 is the amplitude of the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2
  • the amplitude A 2 shown in FIG. 4 is the amplitude of the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2. It is the amplitude of the second signal Pin2 output to 2.
  • Figure 5 is a total power .SIGMA.P, the phase phi 2 of the phase phi 1 and a second signal P in2 of the first signal P in1, is a diagram showing the relationship between the operating modes (1) - (3) ..
  • the phase ⁇ 1 shown in FIG. 5 is the phase of the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2
  • the phase ⁇ 2 shown in FIG. 5 is the phase of the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2. This is the phase of the second signal Pin 2 output to 2.
  • the operation mode (1) is a mode that operates when the following conditions (1) to (3) are satisfied, and is called a different amplitude heterophase synthesis mode (see FIGS. 3 to 5).
  • Condition (1) The total power ⁇ P is smaller than the first threshold value Th 1 .
  • Condition (2) As shown in FIG. 4, the amplitude A1 of the first signal Pin1 output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2 is the second signal P output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2. It is larger than the amplitude A 2 of in 2 .
  • Condition (3) As shown in FIG.
  • phase difference between the phase ⁇ 2 of in2 is constant.
  • the constant phase difference is not limited to the one that is strictly constant, and the phase difference may be changed within a range where there is no practical problem.
  • the operation mode (2) is a mode that operates when the following conditions (4) to (6) are satisfied, and is called an same-amplitude heterophase synthesis mode (see FIGS. 3 to 5).
  • Condition (4) The total power ⁇ P is equal to or greater than the first threshold value Th 1 and smaller than the second threshold value Th 2 .
  • Condition (5) As shown in FIG. 4, the amplitude A1 of the first signal Pin1 output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2 and the second signal P output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2. in2 and amplitude a 2 are equal.
  • the amplitude A 1 and the amplitude A 2 are equal is not limited to exactly the same, and the amplitude A 1 and the amplitude A 2 may be different within a range where there is no practical problem.
  • Condition (6) As the total power ⁇ P increases, as shown in FIG. 5, the phase ⁇ 1 of the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2 and the outfading amplifier 2 from the signal distributor 1 The phase difference between the second signal Pin 2 and the phase ⁇ 2 output to
  • the operation mode (3) is a mode that operates when the following conditions (7) to (9) are satisfied, and is called an in-amplitude in-phase synthesis mode (see FIGS. 3 to 5).
  • Condition (7) The total power ⁇ P is equal to or higher than the second threshold value Th 2 .
  • Condition (8) As shown in FIG. 4, the amplitude A1 of the first signal Pin1 output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2 and the second signal P output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2. in2 and amplitude a 2 are equal.
  • the fact that the amplitude A 1 and the amplitude A 2 are equal is not limited to exactly the same, and the amplitude A 1 and the amplitude A 2 may be different within a range where there is no practical problem.
  • the fact that the phase ⁇ 1 and the phase ⁇ 2 are equal is not limited to exactly the same, and the phase ⁇ 1 and the phase ⁇ 2 may be different within a range where there is no practical problem.
  • the signal distributor 1 When the signal distributor 1 receives the communication signal transmitted by the communication device or the communication signal received by the communication device, the signal distributor 1 transmits the communication signal to the first signal Pin1 and the second signal Pin2 . Distribute to. When the total power ⁇ P is smaller than the first threshold value Th 1 , the signal distributor 1 operates the outfading amplifier 2 in the operation mode (1). Therefore, as shown below, the signal distributor 1 sets the communication signal. The signal Pin1 and the second signal Pin2 of the above are distributed. Signal splitter 1 when total power ⁇ P is smaller than the first threshold value Th 1, as shown in FIG.
  • the amplitude A 1 of the first signal P in1 is, the amplitude A of the second signal P in2
  • the communication signal is distributed to the first signal Pin 1 and the second signal Pin 2 so as to be larger than 2 .
  • the signal distributor 1 when total power ⁇ P is smaller than the first threshold value Th 1, as shown in FIG. 5, even if the sum power ⁇ P is changed, the phase ⁇ of the first signal P in1 1 And, the communication signal is divided into the first signal Pin 1 and the second signal Pin 2 so that the phase difference between the second signal Pin 2 and the phase ⁇ 2 is constant.
  • the operating mode (1) also vary the size of the total power .SIGMA.P, the sum of the amplitude A 1 and the gate bias voltage V g1 of the first signal P in1 is always threshold of the first transistor 13 The voltage is V thr1 or higher.
  • the total power ⁇ P when the total power ⁇ P is smaller than P 0 shown in FIG. 4, the total sum of the amplitude A 2 of the second signal Pin 2 and the gate bias voltage V g 2 is from the threshold voltage V thre 2 . Is also small.
  • the total power ⁇ P is P 0 or more, the total sum of the amplitude A 2 of the second signal Pin 2 and the gate bias voltage V g 2 is the threshold voltage V thre 2 or more.
  • the signal distributor 1 outputs the first signal Pin 1 to the input terminal 13a of the first transistor 13 via the input terminal 11, and outputs the second signal Pin 2 to the input terminal 13a via the input terminal 12. Output to the input terminal 14a of the transistor 14 of 2.
  • the sum of the amplitude A 1 and the gate bias voltage V g1 of the first signal P in1 is always because it is the threshold voltage V thre1 above, the first signal P from the signal distributor 1 When in1 is output to the input terminal 13a of the first transistor 13, the first transistor 13 is always driven.
  • the total power ⁇ P when the total power ⁇ P is smaller than P 0 , the total sum of the amplitude A 2 of the second signal Pin 2 and the gate bias voltage V g 2 is smaller than the threshold voltage V thre 2 . Therefore, when the total power ⁇ P is smaller than P 0 , even if the second signal Pin 2 is output from the signal distributor 1 to the input terminal 14a of the second transistor 14, the second transistor 14 is not driven.
  • the impedance seen from the second transistor 14 on the synthesis circuit 17 side is a high impedance Z Open that is close to open.
  • total power ⁇ P increases, as total power ⁇ P approaches the first threshold value Th 1, the first transistor 13 approaches the peak of the efficiency, the slope of the amplitude A 1 of the first signal P in1 to the total power ⁇ P Becomes gradual. Also, the amplitude A 1 of the first signal P in1, the difference between the amplitude A 2 of the second signal P in2 is reduced.
  • the total power ⁇ P increases and the total power ⁇ P becomes P 0 , the total sum of the amplitude A 2 of the second signal Pin 2 and the gate bias voltage V g 2 is required to drive the second transistor 14.
  • the threshold voltage Vthre2 which is the amplitude, is reached, and the second transistor 14 is driven.
  • the impedance seen from the second transistor 14 on the synthesis circuit 17 side becomes a high impedance Z that is close to open. It will be lower than Open .
  • the amplitude A 2 of the second signal Pin 2 is smaller than the amplitude A 1 of the first signal Pin 1, the first signal is amplified by the first transistor 13 and then transmitted by the first transmission line 18. and 'the amplitude a 1 of the' signal P in1, after being amplified by the second transistor 14 is different from the 'amplitude a 2' of the second signal P in2 transmitted by the second transmission line 20. Further, the phase phi 1 of the first signal P in1, the phase difference between the phase phi 2 of the second signal P in2 is constant, the phase phi 1 of the first signal P in1, the second signal P in2 phase ⁇ 2 and is different. Therefore, at the synthesis point 22 of the synthesis circuit 17, the synthesis of the first signal Pin1'and the second signal Pin2 ' is the synthesis of two signals having different amplitudes and different phases. Is.
  • phase phi 1 of the first signal P in1 the phase difference between the phase phi 2 of the second signal P in2 is constant, the first signal P in1 'transmitted by the first transmission line 18 phase phi 1 and the phase phi 2 '' and the second signal P in2 transmitted by the second transmission line 20 'is different. Therefore, at the combination point 22 of the combining circuit 17, a first signal P in1 'and the second signal P in2' synthesis and it is equal in amplitude to each other, and mutual phase difference of the two signals It is synthetic.
  • the sum power ⁇ P is when first a threshold Th 1, the load Z out2 viewed combining circuit 17 side from the load Z out1 and a second transistor 14 viewed combining circuit 17 side from the first transistor 13
  • respective load Z out1, Z out2, characteristic impedance Z 1, characteristic impedance Z 2 the relationship between the susceptance B 1 and the susceptance -B 2 is expressed by the following equation (1) (2).
  • both the first transistor 13 and the second transistor 14 operate at the peak efficiency. Therefore, when both the first transistor 13 and the second transistor 14 are driven when the total power ⁇ P is the first threshold value Th 1 , the case where only the first transistor 13 is driven is higher than the case where only the first transistor 13 is driven. However, when the output power of the outfading amplifier 2 is high, the efficiency of the outfading amplifier 2 reaches its peak.
  • the amplitude A 2 of the second signal P in2 has a equal to the amplitude A 1 of the first signal P in1.
  • the fact that the amplitude A 1 and the amplitude A 2 are equal is not limited to exactly the same, and the amplitude A 1 and the amplitude A 2 may be different within a range where there is no practical problem. For example, if the difference between the amplitude A 1 and the amplitude A 2 is about 5%, there is no practical problem.
  • the signal distributor 1 When the signal distributor 1 receives the communication signal transmitted by the communication device or the communication signal received by the communication device, the signal distributor 1 transmits the communication signal to the first signal Pin1 and the second signal Pin2 . Distribute to. When the total power ⁇ P is equal to or greater than the first threshold value Th 1 and smaller than the second threshold value Th 2 , the signal distributor 1 operates the outfading amplifier 2 in the operation mode (2). As shown in the above, the communication signal is distributed to the first signal Pin 1 and the second signal Pin 2 . Signal distributor 1, total power ⁇ P is the first threshold value Th 1 or more, and when the second is smaller than the threshold value Th 2, as shown in FIG.
  • the amplitude A of the first signal P in1 The communication signal is distributed to the first signal Pin 1 and the second signal Pin 2 so that 1 and the amplitude A 2 of the second signal Pin 2 are equal to each other.
  • the signal for use is distributed to the first signal Pin1 and the second signal Pin2 .
  • the signal distributor 1 outputs the first signal Pin 1 to the input terminal 13a of the first transistor 13 via the input terminal 11, and outputs the second signal Pin 2 to the input terminal 13a via the input terminal 12. Output to the input terminal 14a of the transistor 14 of 2.
  • the amplitude A 1 of the first signal P in1, the amplitude A 2 are equal to the second signal P in2, with increasing total power .SIGMA.P, the amplitude A 1 and amplitude A 2 Both will increase.
  • the phase phi 1 of the first signal P in1 the phase difference between the phase phi 2 of the second signal P in2 is reduced.
  • the phase ⁇ 1 of the first signal Pin 1 shifts from 90 ° to 0 °
  • the phase ⁇ 2 of the second signal Pin 2 shifts from ⁇ 90 ° to 0 °.
  • phase phi 1 of the first signal P in1 is shifted from 70 ° to 20 °
  • the phase phi 2 of the second signal P in2 are displaced to -20 ° from -70 °
  • both the first transistor 13 and the second transistor 14 are always driven.
  • the electrical characteristics of the first transistor 13 and the electrical characteristics of the second transistor 14 are the same. Accordingly, after being amplified by the first transistor 13, the 'amplitude A 1 of the' first signal P in1 transmitted by the first transmission line 18, after being amplified by the second transistor 14, the second the 'amplitude a 2' of the second signal P in2 transmitted by the transmission line 20 is equal.
  • each of the load seen from the first transistor 13 on the composite circuit 17 side and the load seen from the second transistor 14 on the composite circuit 17 side are modulated according to the phase difference ⁇ .
  • the impedance of the load changes the phase ⁇ 1 of the first signal Pin 1 from 90 ° to 0 ° and the phase ⁇ 2 of the second signal Pin 2 from ⁇ 90 ° to 0 °. It decreases in the process and is modulated to low impedance Z Low .
  • the low impedance Z Low means a load capable of achieving the maximum output power P Max that both the first transistor 13 and the second transistor 14 can output.
  • the output power of each of the first transistor 13 and the second transistor 14 changes according to the modulation of the load.
  • the impedance is high load, with a small output power than most of the output power P Max, the efficiency of the outphasing amplifier 2 reaches the peak.
  • the signal distributor 1 When the signal distributor 1 receives the communication signal transmitted by the communication device or the communication signal received by the communication device, the signal distributor 1 transmits the communication signal to the first signal Pin1 and the second signal Pin2 . Distribute to.
  • the signal distributor 1 operates the outfading amplifier 2 in the operation mode (3) when the total power ⁇ P is equal to or higher than the second threshold value Th 2. Therefore, as shown below, the signal distributor 1 sets the communication signal to the first. It is distributed to the signal Pin1 and the second signal Pin2 .
  • the amplitude A 1 of the first signal P in1, the amplitude A of the second signal P in2 The communication signal is distributed to the first signal Pin 1 and the second signal Pin 2 so that 2 is equal to each other.
  • the signal distributor 1 with an increase of total power .SIGMA.P, the amplitude A 1 and amplitude A as both 2 increases, the communication signal, a first signal P in1 second signal P in2 Distribute to and. Further, the signal distributor 1, when total power ⁇ P is a second threshold value Th 2 or more, as shown in FIG. 5, the first signal P in1 and phase phi 1, the second signal P in2 The communication signal is distributed to the first signal Pin 1 and the second signal Pin 2 so that the phases ⁇ 2 are equal to each other.
  • the signal distributor 1 outputs the first signal Pin 1 to the input terminal 13a of the first transistor 13 via the input terminal 11, and outputs the second signal Pin 2 to the input terminal 13a via the input terminal 12. Output to the input terminal 14a of the transistor 14 of 2.
  • the amplitude A 1 of the first signal Pin 1 and the amplitude A 2 of the second signal Pin 2 are equal, and the phase ⁇ 1 of the first signal Pin 1 and the second signal Pin 1 are the same.
  • the phase ⁇ 2 of the signal Pin 2 is equal. Therefore, each of the load of the composite circuit 17 side seen from the first transistor 13 and the load of the composite circuit 17 side seen from the second transistor 14 are not modulated.
  • the amplitude A 2 of the signal Pin 2 of the above is increased.
  • FIG. 6 shows a load Z out1 in which the combined circuit 17 is seen from the first transistor 13 and a load Z out2 in which the combined circuit 17 is seen from the second transistor 14 in the operation modes (1) to (3). It is explanatory drawing.
  • operating mode (1) the sum power ⁇ P is smaller than P 0, the sum of the amplitude A 2 and the gate bias voltage V g2 of the second signal P in2 is, if less than the threshold voltage V thre2, load Z
  • the out2 becomes a high impedance Z Open close to open, and the load Z out1 becomes an impedance Z High .
  • Impedance Z High is lower than High Impedance Z Open but higher than Low Impedance Z Low .
  • the sum power ⁇ P becomes P 0 or more, the sum of the amplitude A 2 and the gate bias voltage V g2 of the second signal P in2 reaches the threshold voltage V thre2, the load Z out2 Impedance drops from high impedance Z Open .
  • each of the impedance of the load Z out1 and load Z out1 is descend.
  • the impedances of the load Z out 1 and the load Z out 1 are fixed to the low impedance Z Low , and load modulation does not occur.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram showing the efficiency characteristics of the outfading amplifier 2 shown in FIG. 2 and the efficiency characteristics of the outfading amplifier described in Non-Patent Document 1.
  • the horizontal axis is the output power of the outfading amplifier 2 shown in FIG. 2 and the outfading amplifier described in Non-Patent Document 1.
  • the vertical axis represents the efficiencies of the outfading amplifier 2 shown in FIG. 2 and the outfading amplifier described in Non-Patent Document 1.
  • the outfading amplifier described in Non-Patent Document 1 has an output power when the operation mode is an operation mode in which in-amplitude in-phase synthesis is performed and an output power in which an in-amplitude in-phase synthesis is performed. In each, efficiency peaks.
  • Non-Patent Document 1 Since the outfading amplifier described in Non-Patent Document 1 is an amplifier that always operates on the premise that the amplitude of the first signal and the amplitude of the second signal are equal, different amplitude heterophase synthesis is shown in FIG. The efficiency of the outfading amplifier described in Non-Patent Document 1 in the operation mode to be performed is not described.
  • the outfading amplifier 2 shown in FIG. 2 has the output power when the operation mode is the operation mode (2) in which the same amplitude heterophase synthesis is performed, and the same.
  • the efficiency reaches its peak in each of the output powers in the operation mode (3) in which the amplitude common mode synthesis is performed.
  • the efficiency at the output power when the operation mode is the operation mode (1) in which the different amplitude and different phase synthesis is performed becomes close to the peak efficiency.
  • the efficiency at the output power when the total power ⁇ P is P 0 or more is the efficiency at the output power when the operation mode (2) is set and the efficiency at the output power when the operation mode (3) is set. The efficiency is almost the same as each.
  • FIG. 8 is an explanatory diagram showing a result of simulating the relationship between output power and efficiency in the outfading amplifier 2 shown in FIG.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram showing a result of simulating the relationship between output power and efficiency in the outfading amplifier described in Non-Patent Document 1.
  • the outfading amplifier described in Non-Patent Document 1 has an output power range of 12 dB at which an efficiency of 40% or more can be obtained, as shown in FIG. ..
  • the range of output power at which an efficiency of 40% or more can be obtained is 16 dB. Therefore, the out-fading amplifier 2 shown in FIG. 2 has a wider range of output power in which the efficiency becomes higher than the desired efficiency as compared with the out-fading amplifier described in Non-Patent Document 1.
  • the total power of the power of the first signal amplified by the first transistor 13 and the power of the second signal amplified by the second transistor 14 is greater than the first threshold value.
  • the amplitude of the first signal to be amplified is larger than the amplitude of the second signal to be amplified, and the position of the phase of the first signal to be amplified and the phase of the second signal to be amplified. If the phase difference is constant, the synthesis circuit 17 and the first signal after amplification output from the first transistor 13 as a synthesis of two signals having different amplitudes and different phases from each other.
  • the outphasing amplifier 2 was configured so as to synthesize the amplified second signal output from the second transistor 14.
  • the amplitude of the first signal and the amplitude of the second signal are always equal even if the total power of the power of the first signal and the power of the second signal changes. It is possible to extend the range of output power in which the efficiency is higher than the desired efficiency, as compared with the one that operates on the premise.
  • FIG. 10 is a configuration diagram showing an outfading amplifier 2 according to the second embodiment.
  • the same reference numerals as those in FIG. 2 indicate the same or corresponding parts, and thus the description thereof will be omitted.
  • the second transistor 24 is realized by, for example, FET, HBT, or HEMT.
  • the second transistor 24 is different from the first transistor 13 in electrical characteristics such as the maximum power that can be output, and the maximum power of the second signal Pin2'after amplification that can be output is the first transistor 13. It is larger than the maximum power of the first signal Pin1'after amplification that can be output.
  • the maximum power of the outputable amplification of the second signal Pin2'of the second transistor 24 is the output-capable first amplification of the first transistor 13.
  • a second transistor 24 is used that is 3 dB greater than the maximum power of the signal Pin1 '.
  • the second transistor 24 is a source-grounded transistor.
  • the gate terminal which is the input terminal 24a of the second transistor 24, is connected to each of the input terminal 12 and the gate bias terminal 16.
  • the drain terminal which is the output terminal 24b of the second transistor 24, is connected to one end of the second transmission line 27 of the synthesis circuit 25 and the second compensating susceptance circuit 21, which will be described later.
  • the second transistor 24 amplifies the second signal Pin 2 output from the signal distributor 1, and amplifies the amplified second signal Pin 2'to the second transmission line 27 and the second transmission line 27 of the synthesis circuit 25. Output to each of the compensation susceptance circuits 21.
  • the second transistor 24 is the sum of the amplitude A 2 and the gate bias voltage V g2 of the second signal P in2 are when the above threshold voltage V thre2, performs the amplifying operation of the second signal P in2 ..
  • the synthesis circuit 25 includes a first transmission line 26, a first compensation susceptance circuit 19, a second transmission line 27, a second compensation susceptance circuit 21, and a synthesis point 22.
  • Synthesis circuit 25 includes a first transistor a first signal P in1 the amplified output from 13 'and, after amplification outputted from the second transistor 24 and the second signal P in2' and the combination point 22 Synthesize with.
  • the synthesis circuit 25 outputs the combined signal C of the first signal Pin 1'after amplification and the second signal Pin 2'after amplification to the output terminal 23. For example, when the total power ⁇ P is smaller than the first threshold value Th 1 , the amplitude A 1 of the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1 is the second signal output from the signal distributor 1.
  • the synthesis circuit 25 combines the two signals, which have different amplitudes and different phases, with the amplified first signal Pin 1'output from the first transistor 13.
  • the amplified second signal Pin2'output from the second transistor 24 is combined.
  • the amplitude A 1 of the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1 is the second signal output from the signal distributor 1.
  • the synthesis circuit 25 has the first signal Pin1'after amplification output from the first transistor 13 as a synthesis of two signals having different amplitudes and different phases from each other. , The amplified second signal Pin2'output from the second transistor 24 is combined.
  • One end of the first transmission line 26 is connected to each of the output terminal 13b of the first transistor 13 and one end of the first compensation susceptance circuit 19, and the other end of the first transmission line 26 is a synthesis point. It is connected to 22.
  • the electrical length ⁇ 1 of the first transmission line 26 is a quarter length of the wavelength ⁇ of the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1.
  • ⁇ 1 ⁇ / 4.
  • Characteristic impedance of the first transmission line 26 is Z 3.
  • One end of the second transmission line 27 is connected to each of the output terminal 24b of the second transistor 24 and one end of the second compensation susceptance circuit 21, and the other end of the second transmission line 27 is a synthesis point. It is connected to 22.
  • the characteristic impedance of the second transmission line 27 is Z 4 .
  • the characteristic impedance Z 3 of the first transmission line 26 is higher than the characteristic impedance Z 4 of the second transmission line 27.
  • the maximum power of the amplified second signal Pin2'that can be output from the second transistor 24 is ⁇ times the maximum power of the amplified first signal Pin1 ' that can be output from the first transistor 13. If so, for example, the characteristic impedance Z 3 is ⁇ times the characteristic impedance Z 4 . ⁇ is a value greater than 1.
  • the other end of the first transmission line 26, the other end of the second transmission line 27, and the output terminal 23 are connected to the synthesis point 22.
  • the operation mode of the outfading amplifier 2 changes when the amplitude A 1 and the phase ⁇ 1 of the first signal Pin 1 and the amplitude A 2 and the phase ⁇ 2 of the second signal Pin 2 change.
  • the outfading amplifier 2 can operate in a plurality of operation modes.
  • the outfading amplifier 2 has, for example, an operation mode (4), an operation mode (5), and an operation mode (6) as a plurality of operation modes. Details of the operation modes (4) to (6) will be described later.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing the relationship between the total power ⁇ P and the operation modes (4) to (6).
  • the outfading amplifier 2 operates in the operation mode (4) when the total power ⁇ P is small, operates in the operation mode (5) when the total power ⁇ P is medium, and operates in the operation mode (5).
  • ⁇ P is large, it is shown to operate in the operation mode (6).
  • the total power ⁇ P is small, the total power ⁇ P is smaller than the first threshold value Th 1 .
  • the total power ⁇ P is medium, the total power ⁇ P is power equal to or higher than the first threshold value Th 1 and smaller than the second threshold value Th 2 .
  • the total power ⁇ P is power having a second threshold value Th 2 or more.
  • the first threshold Th 1 ⁇ the second threshold Th 2 .
  • Figure 12 is a total power .SIGMA.P, the amplitude A 2 of the amplitude A 1 and the second signal P in2 of the first signal P in1, is a diagram showing the relationship between the operating modes (4) - (6) ..
  • the amplitude A 1 shown in FIG. 12 is the amplitude of the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2
  • the amplitude A 2 shown in FIG. 12 is the amplitude of the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2. It is the amplitude of the second signal Pin2 output to 2.
  • Figure 13 is a total power .SIGMA.P, the phase phi 2 of the phase phi 1 and a second signal P in2 of the first signal P in1, is a diagram showing the relationship between the operating modes (4) - (6) ..
  • the phase ⁇ 1 shown in FIG. 13 is the phase of the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2
  • the phase ⁇ 2 shown in FIG. 13 is the phase of the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2. This is the phase of the second signal Pin 2 output to 2.
  • the operation mode (4) is a mode that operates when the following conditions (11) to (13) are satisfied, and is called a different amplitude heterophase synthesis mode (1) (see FIGS. 11 to 13).
  • Condition (11) The total power ⁇ P is smaller than the first threshold value Th 1 .
  • Condition (12) As shown in FIG. 12, the amplitude A1 of the first signal Pin1 output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2 is the second signal P output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2. It is larger than the amplitude A 2 of in 2 .
  • the amplitude A1 of the first signal Pin1 output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2 is output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2 as shown in FIG.
  • phase difference between the phase ⁇ 2 of in2 is constant.
  • the constant phase difference is not limited to the one that is strictly constant, and the phase difference may be changed within a range where there is no practical problem.
  • the operation mode (5) is a mode that operates when the following conditions (14) to (16) are satisfied, and is called a different amplitude heterophase synthesis mode (2) (see FIGS. 11 to 13).
  • Condition (14) The total power ⁇ P is equal to or greater than the first threshold value Th 1 and smaller than the second threshold value Th 2 .
  • Condition (15) As shown in FIG. 12, the amplitude A 2 of the second signal P in2 are outputted from the signal distributor 1 to the out-phasing amplifier 2, a first signal P output from the signal divider 1 in outphasing amplifier 2 in1 greater than the amplitude a 1 of.
  • Condition (16) As the total power ⁇ P increases, as shown in FIG. 13, the phase ⁇ 1 of the first signal Pin 1 output from the signal distributor 1 to the outfading amplifier 2 and the outfading amplifier 2 from the signal distributor 1 phase difference between the phase phi 2 of the second signal P in2 is reduced to be output to.
  • the operation mode (6) is a mode that operates when the following conditions (17) to (19) are satisfied, and is called a different amplitude in-phase synthesis mode (see FIGS. 11 to 13).
  • Condition (17) The total power ⁇ P is equal to or higher than the second threshold value Th 2 .
  • Condition (18) As shown in FIG. 12, the amplitude A 2 of the second signal P in2 are outputted from the signal distributor 1 to the out-phasing amplifier 2, a first signal P output from the signal divider 1 in outphasing amplifier 2 in1 greater than the amplitude a 1 of.
  • Condition (19) As shown in FIG.
  • the fact that the phase ⁇ 1 and the phase ⁇ 2 are equal is not limited to exactly the same, and the phase ⁇ 1 and the phase ⁇ 2 may be different within a range where there is no practical problem.
  • the signal distributor 1 When the signal distributor 1 receives the communication signal transmitted by the communication device or the communication signal received by the communication device, the signal distributor 1 transmits the communication signal to the first signal Pin1 and the second signal Pin2 . Distribute to. When the total power ⁇ P is smaller than the first threshold value Th 1 , the signal distributor 1 operates the outfading amplifier 2 in the operation mode (4). Therefore, as shown below, the signal distributor 1 sets the communication signal to the first. The signal Pin1 and the second signal Pin2 of the above are distributed. Signal splitter 1 when total power ⁇ P is smaller than the first threshold value Th 1, as shown in FIG.
  • the amplitude A 1 of the first signal P in1 is, the amplitude A of the second signal P in2
  • the communication signal is distributed to the first signal Pin 1 and the second signal Pin 2 so as to be larger than 2 .
  • the amplitude A 1 of the first signal P in1 is, to be smaller than the amplitude A 2 of the second signal P in2
  • signal distributor 1 a communication signal, a first signal P in1 first It is distributed to the signal Pin 2 of 2 .
  • the signal distributor 1 when total power ⁇ P is smaller than the first threshold value Th 1, as shown in FIG. 13, be total power ⁇ P is changed, the phase ⁇ of the first signal P in1 1
  • the communication signal is divided into the first signal Pin 1 and the second signal Pin 2 so that the phase difference between the second signal Pin 2 and the phase ⁇ 2 is constant.
  • the sum of the amplitude A 1 and the gate bias voltage V g1 of the first signal P in1 is always threshold of the first transistor 13 The voltage is V thr1 or higher.
  • the total power ⁇ P when the total power ⁇ P is smaller than P 0 , the total sum of the amplitude A 2 of the second signal Pin 2 and the gate bias voltage V g 2 is smaller than the threshold voltage V thre 2 .
  • the total power ⁇ P is P 0 or more, the total sum of the amplitude A 2 of the second signal Pin 2 and the gate bias voltage V g 2 is the threshold voltage V thre 2 or more.
  • the signal distributor 1 outputs the first signal Pin 1 to the input terminal 13a of the first transistor 13 via the input terminal 11, and outputs the second signal Pin 2 to the input terminal 13a via the input terminal 12. Output to the input terminal 24a of the transistor 24 of 2.
  • the sum of the amplitude A 1 and the gate bias voltage V g1 of the first signal P in1 is always because it is the threshold voltage V thre1 above, the first signal P from the signal distributor 1 When in1 is output to the input terminal 13a of the first transistor 13, the first transistor 13 is always driven.
  • the total power ⁇ P when the total power ⁇ P is smaller than P 0 , the total sum of the amplitude A 2 of the second signal Pin 2 and the gate bias voltage V g 2 is smaller than the threshold voltage V thre 2 . Therefore, when the total power ⁇ P is smaller than P 0 , the second transistor 24 is not driven even if the second signal Pin 2 is output from the signal distributor 1 to the input terminal 24a of the second transistor 24.
  • the impedance seen from the second transistor 24 on the synthesis circuit 25 side is a high impedance Z Open that is close to open.
  • total power ⁇ P increases, as total power ⁇ P approaches the first threshold value Th 1, the first transistor 13 approaches the peak of the efficiency, the slope of the amplitude A 1 of the first signal P in1 to the total power ⁇ P Becomes gradual.
  • total power ⁇ P increases and the sum of the amplitude A 2 and the gate bias voltage V g2 of the second signal P in2 reaches the threshold voltage V thre2 of the second transistor 24, the second transistor 24 is driven.
  • the impedance seen from the second transistor 24 on the synthesis circuit 25 side becomes a high impedance Z that is close to open. It will be lower than Open .
  • the first signal is amplified by the first transistor 13 and then transmitted by the first transmission line 26. and 'the amplitude a 1 of the' signal P in1, different from the second after being amplified by the transistor 24, 'the amplitude a 2 of the' second signal P in2 transmitted by the second transmission line 27.
  • the phase phi 1 of the first signal P in1 the phase difference between the phase phi 2 of the second signal P in2 is constant, the first signal P in1 'transmitted by the first transmission line 26 phase phi 1 the phase phi 2 'are different' and the second signal P in2 transmitted by the second transmission line 27 '.
  • the synthesis of the first signal Pin1'and the second signal Pin2 ' is the synthesis of two signals having different amplitudes and different phases. Is. Further, if the amplitude A 2 of the second signal Pin 2 is larger than the amplitude A 1 of the first signal Pin 1, it is amplified by the first transistor 13 and then transmitted by the first transmission line 26. and 'the amplitude a 1 of the' first signal P in1, different from the second after being amplified by the transistor 24, 'the amplitude a 2 of the' second signal P in2 transmitted by the second transmission line 27 ..
  • the phase phi 1 of the first signal P in1 is constant
  • the amplitude A 1 of the first signal P in1, the amplitude A 2 of the second signal P in2 are close, the first signal P in1 transmitted by the first transmission line 26 and 'the amplitude a 1 of the' there is a case where the equal 'amplitude a 2' of the second signal P in2 transmitted by the second transmission line 27.
  • the combination point 22 of the combining circuit 25 a first signal P in1 'and the second signal P in2' synthesis and are equal in amplitude to each other, and mutual phase difference of the two signals It is synthetic.
  • both the first transistor 13 and the second transistor 24 operate at the peak efficiency. Therefore, when both the first transistor 13 and the second transistor 24 are driven when the total power ⁇ P is the first threshold value Th 1 , the case where only the first transistor 13 is driven is higher than the case where only the first transistor 13 is driven. However, when the output power of the outfading amplifier 2 is high, the efficiency of the outfading amplifier 2 reaches its peak.
  • the signal distributor 1 When the signal distributor 1 receives the communication signal transmitted by the communication device or the communication signal received by the communication device, the signal distributor 1 transmits the communication signal to the first signal Pin1 and the second signal Pin2 . Distribute to. When the total power ⁇ P is equal to or higher than the first threshold value Th 1 and smaller than the second threshold value Th 2 , the signal distributor 1 operates the outfading amplifier 2 in the operation mode (5). As shown in the above, the communication signal is distributed to the first signal Pin 1 and the second signal Pin 2 . Signal distributor 1, total power ⁇ P is the first threshold value Th 1 or more, and when the second is smaller than the threshold value Th 2, as shown in FIG.
  • the amplitude A of the second signal P in2 to be greater than the amplitude a 1 of the first signal P in1, the communication signals are distributed into a first signal P in1 and a second signal P in2.
  • the signal distributor 1 with an increase of total power .SIGMA.P, the amplitude A 1 and amplitude A as both 2 increases, the communication signal, a first signal P in1 second signal P in2 Distribute to and. Further, the signal distributor 1, with an increase of total power .SIGMA.P, the phase phi 1 of the first signal P in1, as the phase difference between the phase phi 2 of the second signal P in2 is reduced, communication
  • the signal for use is distributed to the first signal Pin1 and the second signal Pin2 .
  • the signal distributor 1 outputs the first signal Pin 1 to the input terminal 13a of the first transistor 13 via the input terminal 11, and outputs the second signal Pin 2 to the input terminal 13a via the input terminal 12. Output to the input terminal 24a of the transistor 24 of 2.
  • the amplitude A 2 of the second signal P in2 is greater than the amplitude A 1 of the first signal P in1, with increasing total power .SIGMA.P, the amplitude A 1 and amplitude A 2 Both will increase.
  • the phase phi 1 of the first signal P in1 With the increase of the total power .SIGMA.P, the phase phi 1 of the first signal P in1, the phase difference between the phase phi 2 of the second signal P in2 is reduced.
  • the phase ⁇ 1 of the first signal Pin 1 shifts from 90 ° to 0 °
  • the phase ⁇ 2 of the second signal Pin 2 shifts from ⁇ 90 ° to 0 °.
  • phase phi 1 of the first signal P in1 is shifted from 70 ° to 20 °
  • the phase phi 2 of the second signal P in2 are displaced to -20 ° from -70 ° It may be a thing.
  • both the first transistor 13 and the second transistor 24 are always driven. Accordingly, after being amplified by the second transistor 24, the second transmission line 27 'amplitudes A 2' of the second signal P in2 transmitted by is amplified by the first transistor 13, first greater than 'the amplitude a 1 of the' first signal P in1 transmitted by the transmission line 26.
  • the synthesis of the first signal Pin1'and the second signal Pin2 ' is the synthesis of two signals having different amplitudes and different phases. Is.
  • Each of the load of the composite circuit 25 side seen from the first transistor 13 and the load of the composite circuit 25 side seen from the second transistor 24 are modulated according to the phase difference ⁇ .
  • the impedance of the load changes the phase ⁇ 1 of the first signal Pin 1 from 90 ° to 0 ° and the phase ⁇ 2 of the second signal Pin 2 from ⁇ 90 ° to 0 °. It decreases in the process and is modulated to low impedance Z Low .
  • the output power of each of the first transistor 13 and the second transistor 24 changes according to the modulation of the load. Compared with low-impedance Z Low, the impedance is high load, with a small output power than most of the output power P Max, the efficiency of the outphasing amplifier 2 reaches the peak.
  • the signal distributor 1 When the signal distributor 1 receives the communication signal transmitted by the communication device or the communication signal received by the communication device, the signal distributor 1 transmits the communication signal to the first signal Pin1 and the second signal Pin2 . Distribute to. When the total power ⁇ P is equal to or higher than the second threshold value Th 2 , the signal distributor 1 operates the outfading amplifier 2 in the operation mode (6). Therefore, as shown below, the signal distributor 1 uses the communication signal as the first signal. It is distributed to the signal Pin1 and the second signal Pin2 . Signal distributor 1, when total power ⁇ P is a second threshold value Th 2 or more, as shown in FIG.
  • the amplitude A 2 of the second signal P in2 are amplitude A of the first signal P in1
  • the communication signal is distributed to the first signal Pin 1 and the second signal Pin 2 so as to be larger than 1 .
  • the signal distributor 1 with an increase of total power .SIGMA.P, the amplitude A 1 and amplitude A as both 2 increases, the communication signal, a first signal P in1 second signal P in2 Distribute to and. Further, the signal distributor 1, when total power ⁇ P is a second threshold value Th 2 or more, as shown in FIG. 13, the first signal P in1 and phase phi 1, the second signal P in2
  • the communication signal is distributed to the first signal Pin 1 and the second signal Pin 2 so that the phases ⁇ 2 are equal to each other.
  • the signal distributor 1 outputs the first signal Pin 1 to the input terminal 13a of the first transistor 13 via the input terminal 11, and outputs the second signal Pin 2 to the input terminal 13a via the input terminal 12. Output to the input terminal 24a of the transistor 24 of 2.
  • the amplitude A 2 of the second signal P in2 is greater than the amplitude A 1 of the first signal P in1, and of the first signal P in1 and phase phi 1, the second The phase ⁇ 2 of the signal Pin 2 is equal. Therefore, at the synthesis point 22 of the synthesis circuit 25, the synthesis of the first signal Pin1'and the second signal Pin2 ' is the synthesis of two signals having different amplitudes and the same phase with each other. Is. In operating mode (6), each of the output power of the first transistor 13 and second transistor 24, to reach the maximum output power P Max, the amplitude A 1 of the first signal P in1, second The amplitude A 2 of the signal Pin 2 of the above is increased.
  • both the first transistor 13 and the second transistor 24 reach the peak efficiency. Further, when the total power ⁇ P is the first threshold value Th 1, the amplitude A 1 of the first signal P in1, the amplitude A 2 of the second signal P in2 are different.
  • the total power ⁇ P is the first threshold value Th 1 , for example, it is assumed that the output power of the first transistor 13 is 10 dBm and the first transistor 13 reaches the peak of efficiency with a power gain of 10 dB.
  • the signal distributor 1 the power of the first signal P in1 is to determine the amplitude A 1 so as to 0dBm, the first signal P in1 having the amplitude A 1, the input terminal It outputs to the input terminal 13a of the first transistor 13 via 11.
  • the signal distributor 1, the power of the second signal P in2 is by determining the amplitude A 2 so that 2dBm, a second signal P in2 having the amplitude A 2, via the input terminal 12 , Output to the input terminal 24a of the second transistor 24.
  • the maximum power of the outputable amplification of the second signal Pin2'of the second transistor 24 is the output-capable first amplification of the first transistor 13.
  • a second transistor 24 is used that is 3 dB greater than the maximum power of the signal Pin1 '.
  • the maximum power of the first signal Pin1'after amplification that can be output by the first transistor 13 and The output power of the outfading amplifier 2 is 3 dB larger than that in the case where the maximum power of the second signal Pin2'after the output of the second transistor 14 after amplification is equal. Therefore, the out-fading amplifier 2 shown in FIG. 10 when operating in the operation mode (4) has a higher efficiency than the desired efficiency as compared with the out-fading amplifier 2 shown in FIG. 2 when operating in the operation mode (1).
  • the range of output power which is also high, can be expanded by 3 dB.
  • each of the electric length theta 2 of the first transmission line 18 of electrical length theta 1 and the second transmission line 20 is a first length of a quarter of a wavelength lambda.
  • the electrical length theta 11 of the first transmission line 31 the sum of the electrical length theta 12 of the second transmission line 32, out-phasing amplifier is one of the length of half of the wavelength ⁇ 2 will be described.
  • FIG. 14 is a configuration diagram showing an outfading amplifier 2 according to the third embodiment.
  • the same reference numerals as those in FIG. 2 indicate the same or corresponding parts, and thus description thereof will be omitted.
  • One end of the first transmission line 31 is connected to each of the output terminal 13b of the first transistor 13 and one end of the first compensation susceptance circuit 19, and the other end of the first transmission line 31 is a synthesis point. It is connected to 22.
  • the electrical length of the first transmission line 31 is ⁇ 11
  • the characteristic impedance of the first transmission line 31 is Z 1 .
  • One end of the second transmission line 32 is connected to each of the output terminal 14b of the second transistor 14 and one end of the second compensating susceptance circuit 21, and the other end of the second transmission line 32 is a synthesis point. It is connected to 22.
  • the electrical length of the second transmission line 32 is ⁇ 12
  • the characteristic impedance of the second transmission line 32 is Z 2 .
  • the electrical length theta 11 of the first transmission line 31 Shigumashita sum of the electrical length theta 12 of the second transmission line 32, as shown in the following equation (3), the first length of half of the wavelength ⁇ That's right.
  • the electric length ⁇ 11 of the first transmission line 31 is 120 degrees
  • the electric length ⁇ 12 of the second transmission line 32 is 60. It may be a degree. However, this is only an example.
  • the electric length ⁇ 11 of the first transmission line 31 may be 130 degrees
  • the electric length ⁇ 12 of the second transmission line 32 may be 50 degrees.
  • the electrical length theta 11 of the first transmission line 26, the sum of the electrical length theta 12 of the second transmission line 27, the out-phasing amplifier 2 is the length of lambda / 2 will be described ..
  • FIG. 15 is a configuration diagram showing an outfading amplifier 2 according to the third embodiment.
  • the same reference numerals as those in FIG. 10 indicate the same or corresponding parts, and thus the description thereof will be omitted.
  • One end of the first transmission line 33 is connected to each of the output terminal 13b of the first transistor 13 and one end of the first compensation susceptance circuit 19, and the other end of the first transmission line 33 is a synthesis point. It is connected to 22.
  • the electrical length of the first transmission line 33 is ⁇ 13
  • the characteristic impedance of the first transmission line 33 is Z 3 .
  • One end of the second transmission line 34 is connected to each of the output terminal 24b of the second transistor 24 and one end of the second compensation susceptance circuit 21, and the other end of the second transmission line 34 is a synthesis point. It is connected to 22.
  • the electrical length of the second transmission line 34 is ⁇ 14
  • the characteristic impedance of the second transmission line 34 is Z 4 .
  • the electric length ⁇ 13 of the first transmission line 33 is 140 degrees
  • the electric length ⁇ 14 of the second transmission line 34 is 40. It may be a degree.
  • the synthesis circuit 17 shown in FIG. 2 includes a first transmission line 18, a first compensation susceptance circuit 19, a second transmission line 20, and a second compensation susceptance circuit 21.
  • first transmission line 18, the first compensation susceptance circuit 19, the second transmission line 20, and the second compensation susceptance circuit 21 is concentrated. It may be replaced with a constant circuit.
  • FIG. 16 is a circuit diagram showing an example of the synthesis circuit 17.
  • the coil 51 and the coil 52 are lumped constant circuits replaced with the first transmission line 18, and like the first transmission line 18, the first after amplification output from the first transistor 13.
  • the signal Pin1' is transmitted.
  • One end of the coil 51 is connected to the output terminal 13b of the first transistor 13, and the other end of the coil 51 is connected to one end of the coil 52 and one end of the capacitor 53.
  • One end of the coil 52 is connected to the other end of the coil 51 and one end of the capacitor 53, and the other end of the coil 52 is connected to the synthesis point 22.
  • the capacitor 53 is a lumped constant circuit that replaces the first compensating susceptance circuit 19.
  • One end of the capacitor 53 is connected to the other end of the coil 51 and one end of the coil 52, and the other end of the capacitor 53 is grounded.
  • the capacitor 54 is a lumped constant circuit replaced with the second transmission line 20, and like the second transmission line 20, the amplified second signal Pin 2 output from the second transistor 14. 'Transmit.
  • One end of the capacitor 54 is connected to each of the output terminal 14b of the second transistor 14 and one end of the coil 55, and the other end of the capacitor 54 is connected to each of the synthesis point 22 and one end of the coil 56.
  • the coil 55 and the coil 56 are lumped constant circuits that have been replaced in place of the second compensating susceptance circuit 21.
  • One end of the coil 55 is connected to each of the output terminal 14b of the second transistor 14 and one end of the capacitor 54, and the other end of the coil 55 is grounded.
  • One end of the coil 56 is connected to the other end of the capacitor 54 and each of the synthesis points 22, and the other end of the coil 56 is grounded.
  • each of the first transmission line 18, the first compensation susceptance circuit 19, the second transmission line 20, and the second compensation susceptance circuit 21 is replaced with a lumped constant circuit.
  • An example is shown. However, this is only an example, and in the synthesis circuit 17 shown in FIG. 14, each of the first transmission line 31, the first compensation susceptance circuit 19, the second transmission line 32, and the second compensation susceptance circuit 21 , It may be replaced with a lumped constant circuit as shown in FIG. Further, in the synthesis circuit 25 shown in FIG. 15, each of the first transmission line 33, the first compensation susceptance circuit 19, the second transmission line 34, and the second compensation susceptance circuit 21 is as shown in FIG. It may be replaced with a lumped constant circuit.
  • the present invention is suitable for outfading amplifiers and communication devices.

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Abstract

第1のトランジスタ(13)により増幅される第1の信号の電力と第2のトランジスタ(14)により増幅される第2の信号の電力との総和電力が、第1の閾値よりも小さいとき、増幅される第1の信号の振幅が、増幅される第2の信号の振幅よりも大きく、増幅される第1の信号と増幅される第2の信号との位相差が一定であれば、合成回路(17)が、互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成として、第1のトランジスタ(13)から出力された増幅後の第1の信号と、第2のトランジスタ(14)から出力された増幅後の第2の信号とを合成するように、アウトフェージング増幅器(2)を構成した。

Description

アウトフェージング増幅器及び通信装置
 この発明は、アウトフェージング増幅器及び通信装置に関するものである。
 以下の非特許文献1には、通信用信号を高効率に増幅するアウトフェージング増幅器が開示されている。このアウトフェージング増幅器は、並列に接続されている2つの増幅器を備えている。以下、2つの増幅器のうちの一方の増幅器を第1の増幅器と称し、他方の増幅器を第2の増幅器と称する。
 非特許文献1に開示されているアウトフェージング増幅器は、第1の増幅器に与えられる第1の入力信号の位相と、第2の増幅器に与えられる第2の入力信号の位相とが制御されることで、負荷変調が行われる。このアウトフェージング増幅器は、負荷変調が行われることで、出力電力が飽和出力よりも低いバックオフの動作範囲で、高効率動作が実現される。バックオフの動作範囲では、第1の入力信号の振幅と第2の入力信号の振幅とが等しく、第1の入力信号及び第2の入力信号におけるそれぞれの振幅が、第1の入力信号の電力と、第2の入力信号の電力との総和電力の増加に伴って増加する。また、第1の入力信号の位相と第2の入力信号の位相との位相差が、総和電力の増加に伴って減少する。
H.chireix "High Power Outphasing Modulation," Proceedings of the institute of radio Engineers,vol23, Nov, 1935
 非特許文献1に開示されているアウトフェージング増幅器は、第1の入力信号の電力と、第2の入力信号の電力との総和電力が変化しても、常に、第1の入力信号の振幅と第2の入力信号の振幅とが等しいという前提で動作する。このため、アウトフェージング増幅器の効率が、所望の効率よりも高くなる出力電力の範囲が制限されてしまうという課題があった。
 この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、第1の信号の電力と、第2の信号の電力との総和電力が変化しても、常に、第1の信号の振幅と第2の信号の振幅とが等しいという前提で動作するものよりも、効率が所望の効率よりも高くなる出力電力の範囲を広げることができるアウトフェージング増幅器及び通信装置を得ることを目的とする。
 この発明に係るアウトフェージング増幅器は、第1の信号を増幅し、増幅後の第1の信号を出力する第1のトランジスタと、第2の信号を増幅し、増幅後の第2の信号を出力する第2のトランジスタと、第1のトランジスタにより増幅される第1の信号の電力と第2のトランジスタにより増幅される第2の信号の電力との総和電力が、第1の閾値よりも小さいとき、増幅される第1の信号の振幅が、増幅される第2の信号の振幅よりも大きく、増幅される第1の信号の位相と増幅される第2の信号の位相との位相差が一定であれば、互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成として、第1のトランジスタから出力された増幅後の第1の信号と、第2のトランジスタから出力された増幅後の第2の信号とを合成する合成回路とを備えるようにしたものである。
 この発明によれば、第1のトランジスタにより増幅される第1の信号の電力と第2のトランジスタにより増幅される第2の信号の電力との総和電力が、第1の閾値よりも小さいとき、増幅される第1の信号の振幅が、増幅される第2の信号の振幅よりも大きく、増幅される第1の信号の位相と増幅される第2の信号の位相との位相差が一定であれば、合成回路が、互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成として、第1のトランジスタから出力された増幅後の第1の信号と、第2のトランジスタから出力された増幅後の第2の信号とを合成するように、アウトフェージング増幅器を構成した。したがって、この発明に係るアウトフェージング増幅器は、第1の信号の電力と、第2の信号の電力との総和電力が変化しても、常に、第1の信号の振幅と第2の信号の振幅とが等しいという前提で動作するものよりも、効率が所望の効率よりも高くなる出力電力の範囲を広げることができる。
実施の形態1に係るアウトフェージング増幅器2を備える通信装置を示す構成図である。 実施の形態1に係るアウトフェージング増幅器2を示す構成図である。 総和電力ΣPと、動作モード(1)~(3)との関係を示す説明図である。 総和電力ΣPと、第1の信号Pin1の振幅A及び第2の信号Pin2の振幅Aと、動作モード(1)~(3)との関係を示す説明図である。 総和電力ΣPと、第1の信号Pin1の位相φ及び第2の信号Pin2の位相φと、動作モード(1)~(3)との関係を示す説明図である。 動作モード(1)~(3)において、第1のトランジスタ13から合成回路17を見た負荷Zout1と、第2のトランジスタ14から合成回路17を見た負荷Zout2とを示す説明図である。 図2に示すアウトフェージング増幅器2の効率特性及び非特許文献1に記載のアウトフェージング増幅器の効率特性を示す説明図である。 図2に示すアウトフェージング増幅器2における出力電力と効率との関係をシミュレーションした結果を示す説明図である。 非特許文献1に記載のアウトフェージング増幅器における出力電力と効率との関係をシミュレーションした結果を示す説明図である。 実施の形態2に係るアウトフェージング増幅器2を示す構成図である。 総和電力ΣPと、動作モード(4)~(6)との関係を示す説明図である。 総和電力ΣPと、第1の信号Pin1の振幅A及び第2の信号Pin2の振幅Aと、動作モード(4)~(6)との関係を示す説明図である。 総和電力ΣPと、第1の信号Pin1の位相φ及び第2の信号Pin2の位相φと、動作モード(4)~(6)との関係を示す説明図である。 実施の形態3に係るアウトフェージング増幅器2を示す構成図である。 実施の形態3に係るアウトフェージング増幅器2を示す構成図である。 合成回路17の一例を示す回路図である。
 以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。
実施の形態1.
 図1は、実施の形態1に係るアウトフェージング増幅器2を備える通信装置を示す構成図である。
 通信装置は、通信用信号を送受信する装置であり、アウトフェージング増幅器2を備えている。
 通信装置に含まれている信号分配器1は、例えば、直交変調器、DAC(Digital Analog Convertor)、及び、DDS(Direct Digital Synthesize)によって実現される。
 信号分配器1は、通信装置により送信される通信用信号、又は、通信装置により受信された通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配し、第1の信号Pin1及び第2の信号Pin2のそれぞれをアウトフェージング増幅器2に出力する。
 第1の信号Pin1は、Asin(ωt+φ)のように表され、第2の信号Pin2は、Asin(ωt+φ)のように表される。
 Aは、第1の信号Pin1の振幅、Aは、第2の信号Pin2の振幅である。φは、第1の信号Pin1の位相、φは、第2の信号Pin2の位相である。ωは、角周波数、tは、時刻である。
 信号分配器1は、通信用信号を第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する際、第1の信号Pin1の振幅A及び位相φを制御し、第2の信号Pin2の振幅A及び位相φを制御する。
 信号分配器1は、振幅A及び位相φを制御した第1の信号Pin1と、振幅A及び位相φを制御した第2の信号Pin2とをアウトフェージング増幅器2に出力する。
 アウトフェージング増幅器2は、信号分配器1から出力された第1の信号Pin1を増幅し、信号分配器1から出力された第2の信号Pin2を増幅する。
 図2は、実施の形態1に係るアウトフェージング増幅器2を示す構成図である。
 図2において、入力端子11は、信号分配器1から出力された第1の信号Pin1を入力するための端子である。
 入力端子12は、信号分配器1から出力された第2の信号Pin2を入力するための端子である。
 第1のトランジスタ13は、例えば、FET(Field Effect Transistor)、HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)、又は、HEMT(High Electron Mobility Transistor)によって実現される。
 図2に示すアウトフェージング増幅器2では、第1のトランジスタ13が、ソース接地のトランジスタである例を示している。
 第1のトランジスタ13の入力端子13aであるゲート端子は、入力端子11及びゲートバイアス端子15のそれぞれと接続されている。
 第1のトランジスタ13の出力端子13bであるドレイン端子は、後述する合成回路17の第1の伝送線路18の一端及び第1の補償サセプタンス回路19の一端のそれぞれと接続されている。
 第1のトランジスタ13は、信号分配器1から出力された第1の信号Pin1を増幅し、増幅後の第1の信号Pin1’を合成回路17の第1の伝送線路18及び第1の補償サセプタンス回路19のそれぞれに出力する。
 第1のトランジスタ13の入力端子13aは、ゲートバイアス端子15を介して、第1のトランジスタ13のスレッシュホールド電圧Vthre1以下のゲートバイアス電圧Vg1が印加されている。
 したがって、第1のトランジスタ13は、第1の信号Pin1の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg1との総和が、スレッシュホールド電圧Vthre1以上のとき、第1の信号Pin1の増幅動作を行う。スレッシュホールド電圧Vthre1は、第1のトランジスタ13の駆動に必要な最小電圧である。
 なお、ゲートバイアス電圧Vg1が、スレッシュホールド電圧Vthre1以下の電圧のうち、概ねスレッシュホールド電圧Vthre1に等しい電圧であれば、入力端子11から、第1の信号Pin1が入力されたときだけ、第1のトランジスタ13が、第1の信号Pin1の増幅動作を行う。よって、ゲートバイアス電圧Vg1が、概ねスレッシュホールド電圧Vthre1に等しい電圧であれば、第1のトランジスタ13の入力端子13aに対する第1の信号Pin1の有無で、第1のトランジスタ13の動作を切り替えることが可能である。
 第2のトランジスタ14は、例えば、FET、HBT、又は、HEMTによって実現され、出力可能な最大電力等の電気的な特性が第1のトランジスタ13と同じである。たたし、電気的な特性の同一は、厳密に同一であるものに限るものではなく、実用上問題のない範囲で、電気的な特性が異なっていてもよい。
 図2に示すアウトフェージング増幅器2では、第2のトランジスタ14が、ソース接地のトランジスタである例を示している。
 第2のトランジスタ14の入力端子14aであるゲート端子は、入力端子12と接続されており、第2のトランジスタ14の出力端子14bであるドレイン端子は、合成回路17の後述する第2の伝送線路20の一端及び後述するゲートバイアス端子16のそれぞれと接続されている。
 第2のトランジスタ14は、信号分配器1から出力された第2の信号Pin2を増幅し、増幅後の第2の信号Pin2’を合成回路17の第2の伝送線路20及び後述する第2の補償サセプタンス回路21のそれぞれに出力する。
 第2のトランジスタ14の入力端子14aは、ゲートバイアス端子16を介して、第2のトランジスタ14のスレッシュホールド電圧Vthre2以下のゲートバイアス電圧Vg2が印加されている。
 したがって、第2のトランジスタ14は、第2の信号Pin2の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg2との総和が、スレッシュホールド電圧Vthre2以上のとき、第2の信号Pin2の増幅動作を行う。スレッシュホールド電圧Vthre2は、第2のトランジスタ14の駆動に必要な最小電圧である。
 ゲートバイアス端子15は、入力端子11及び第1のトランジスタ13の入力端子13aのそれぞれと接続されており、ゲートバイアス電圧Vg1を入力するための端子である。
 ゲートバイアス端子16は、入力端子12及び第2のトランジスタ14の入力端子14aのそれぞれと接続されており、ゲートバイアス電圧Vg2を入力するための端子である。
 合成回路17は、第1の伝送線路18、第1の補償サセプタンス回路19、第2の伝送線路20、第2の補償サセプタンス回路21及び合成点22を備えている。
 合成回路17は、第1のトランジスタ13から出力された増幅後の第1の信号Pin1’と、第2のトランジスタ14から出力された増幅後の第2の信号Pin2’とを合成点22で合成する。
 合成回路17は、増幅後の第1の信号Pin1’と、増幅後の第2の信号Pin2’との合成信号Cを後述する出力端子23に出力する。
 例えば、以下に示す総和電力ΣPが、第1の閾値Thよりも小さいとき、信号分配器1から出力された第1の信号Pin1の振幅Aが、信号分配器1から出力された第2の信号Pin2の振幅Aよりも大きく、第1の信号Pin1の位相と第2の信号Pin2の位相との位相差が一定である場合を想定する。この場合、合成回路17は、互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成として、第1のトランジスタ13から出力された増幅後の第1の信号Pin1’と、第2のトランジスタ14から出力された増幅後の第2の信号Pin2’とを合成する。
 総和電力ΣPは、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の電力と、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の電力との総和の電力である。
 第1の伝送線路18の一端は、第1のトランジスタ13の出力端子13b及び第1の補償サセプタンス回路19の一端のそれぞれと接続されており、第1の伝送線路18の他端は、合成点22と接続されている。
 第1の伝送線路18の電気長θは、信号分配器1から出力された第1の信号Pin1の波長λの4分の1の長さである。θ=λ/4である。
 第1の伝送線路18の特性インピーダンスは、Zである。
 第1の補償サセプタンス回路19の一端は、第1のトランジスタ13の出力端子13b及び第1の伝送線路18の一端のそれぞれと接続されており、第1の補償サセプタンス回路19の他端は、グランドと接続されている。
 第1の補償サセプタンス回路19は、サセプタンス成分を有する回路であり、第1の補償サセプタンス回路19のサセプタンスは、Bである。なお、図2に記載の“jB”及び“-jB”におけるそれぞれの“j”は、虚数を示す記号である。
 第2の伝送線路20の一端は、第2のトランジスタ14の出力端子14b及び第2の補償サセプタンス回路21の一端のそれぞれと接続されており、第2の伝送線路20の他端は、合成点22と接続されている。
 第2の伝送線路20の電気長θは、信号分配器1から出力された第2の信号Pin2の波長λの4分の1の長さである。θ=λ/4である。
 第1の信号Pin1の波長λと第2の信号Pin2の波長λとは同一の波長であるため、θ=θである。ただし、第1の信号Pin1の波長λと第2の信号Pin2の波長λとの同一は、厳密に同一であるものに限るものではなく、実用上問題のない範囲で、第1の信号Pin1の波長λと第2の信号Pin2の波長λとが異なっていてもよい。
 第2の伝送線路20の特性インピーダンスは、Zである。
 第2の補償サセプタンス回路21の一端は、第2のトランジスタ14の出力端子14b及び第2の伝送線路20の一端のそれぞれと接続されており、第2の補償サセプタンス回路21の他端は、グランドと接続されている。
 第2の補償サセプタンス回路21は、サセプタンス成分を有する回路であり、第2の補償サセプタンス回路21のサセプタンスは、-Bである。
 合成点22には、第1の伝送線路18の他端、第2の伝送線路20の他端及び出力端子23のそれぞれが接続されている。
 第1の伝送線路18により伝送された増幅後の第1の信号Pin1’と、第2の伝送線路20により伝送された増幅後の第2の信号Pin2’とが合成点22で合成される。
 出力端子23は、合成回路17から出力された合成信号Cを外部に出力するための端子である。
 次に、図2に示すアウトフェージング増幅器2の動作について説明する。
 アウトフェージング増幅器2は、第1の信号Pin1の振幅A及び位相φと、第2の信号Pin2の振幅A及び位相φとが変化することで動作モードが変化する。アウトフェージング増幅器2は、複数の動作モードで動作することが可能である。
 アウトフェージング増幅器2は、複数の動作モードとして、例えば、動作モード(1)と、動作モード(2)と、動作モード(3)とを有している。動作モード(1)~(3)の詳細は後述する。
 図3は、総和電力ΣPと、動作モード(1)~(3)との関係を示す説明図である。
 図3の例では、アウトフェージング増幅器2は、総和電力ΣPが小であるとき、動作モード(1)で動作し、総和電力ΣPが中であるとき、動作モード(2)で動作し、総和電力ΣPが大であるとき、動作モード(3)で動作することを示している。
 総和電力ΣPが小は、総和電力ΣPが第1の閾値Thよりも小さい電力である。総和電力ΣPが中は、総和電力ΣPが第1の閾値Th以上の電力であり、かつ、第2の閾値Thよりも小さい電力である。総和電力ΣPが大は、総和電力ΣPが第2の閾値Th以上の電力である。第1の閾値Th<第2の閾値Thである。
 図4は、総和電力ΣPと、第1の信号Pin1の振幅A及び第2の信号Pin2の振幅Aと、動作モード(1)~(3)との関係を示す説明図である。
 図4に示す振幅Aは、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の振幅であり、図4に示す振幅Aは、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の振幅である。
 図5は、総和電力ΣPと、第1の信号Pin1の位相φ及び第2の信号Pin2の位相φと、動作モード(1)~(3)との関係を示す説明図である。
 図5に示す位相φは、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の位相であり、図5に示す位相φは、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の位相である。
[動作モード(1)]
 動作モード(1)は、以下の条件(1)~(3)を満足するときに動作するモードであり、異振幅異相合成モードと呼ばれる(図3~図5を参照)。
条件(1)
 総和電力ΣPが、第1の閾値Thよりも小さい。
条件(2)
 信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の振幅Aが、図4に示すように、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の振幅Aよりも大きい。
条件(3)
 図5に示すように、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の位相φと、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の位相φとの位相差が一定である。位相差が一定は、厳密に一定であるものに限るものではなく、実用上問題のない範囲で、位相差が変化していてもよい。
[動作モード(2)]
 動作モード(2)は、以下の条件(4)~(6)を満足するときに動作するモードであり、同振幅異相合成モードと呼ばれる(図3~図5を参照)。
条件(4)
 総和電力ΣPが、第1の閾値Th以上であり、かつ、第2の閾値Thよりも小さい。
条件(5)
 図4に示すように、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の振幅Aと、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の振幅Aとが等しい。振幅Aと振幅Aとが等しいは、厳密に等しいものに限るものではなく、実用上問題のない範囲で、振幅Aと振幅Aとが異なっていてもよい。
条件(6)
 総和電力ΣPの増加に伴って、図5に示すように、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の位相φと、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の位相φとの位相差が減少する。
[動作モード(3)]
 動作モード(3)は、以下の条件(7)~(9)を満足するときに動作するモードであり、同振幅同相合成モードと呼ばれる(図3~図5を参照)。
条件(7)
 総和電力ΣPが、第2の閾値Th以上である。
条件(8)
 図4に示すように、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の振幅Aと、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の振幅Aとが等しい。振幅Aと振幅Aとが等しいは、厳密に等しいものに限るものではなく、実用上問題のない範囲で、振幅Aと振幅Aとが異なっていてもよい。
条件(9)
 図5に示すように、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の位相φと、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の位相φとが等しい。位相φと位相φとが等しいは、厳密に等しいものに限るものではなく、実用上問題のない範囲で、位相φと位相φとが異なっていてもよい。
 以下、アウトフェージング増幅器2が動作モード(1)で動作するときの動作を説明する。
 信号分配器1は、通信装置により送信される通信用信号、又は、通信装置により受信された通信用信号を受けると、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、総和電力ΣPが第1の閾値Thよりも小さいときは、アウトフェージング増幅器2を動作モード(1)で動作させるため、以下に示すように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、総和電力ΣPが第1の閾値Thよりも小さいときは、図4に示すように、第1の信号Pin1の振幅Aが、第2の信号Pin2の振幅Aよりも大きくなるように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 また、信号分配器1は、総和電力ΣPが第1の閾値Thよりも小さいときは、図5に示すように、総和電力ΣPが変化しても、第1の信号Pin1の位相φと、第2の信号Pin2の位相φとの位相差が一定となるように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 動作モード(1)において、総和電力ΣPの大きさが変化しても、第1の信号Pin1の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg1との総和が、常に、第1のトランジスタ13のスレッシュホールド電圧Vthre1以上である。
 動作モード(1)において、総和電力ΣPが、図4に示すPよりも小さい場合、第2の信号Pin2の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg2との総和が、スレッシュホールド電圧Vthre2よりも小さい。総和電力ΣPがP以上である場合、第2の信号Pin2の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg2との総和が、スレッシュホールド電圧Vthre2以上である。
 信号分配器1は、第1の信号Pin1を、入力端子11を介して、第1のトランジスタ13の入力端子13aに出力し、第2の信号Pin2を、入力端子12を介して、第2のトランジスタ14の入力端子14aに出力する。
 動作モード(1)では、第1の信号Pin1の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg1との総和が、常に、スレッシュホールド電圧Vthre1以上であるため、信号分配器1から第1の信号Pin1が第1のトランジスタ13の入力端子13aに出力されると、第1のトランジスタ13は、常に駆動する。
 動作モード(1)では、総和電力ΣPがPよりも小さい場合、第2の信号Pin2の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg2との総和が、スレッシュホールド電圧Vthre2よりも小さい。したがって、総和電力ΣPがPよりも小さい場合、信号分配器1から第2の信号Pin2が第2のトランジスタ14の入力端子14aに出力されても、第2のトランジスタ14が駆動しない。
 動作モード(1)では、総和電力ΣPがP以上である場合、第2の信号Pin2の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg2との総和が、スレッシュホールド電圧Vthre2以上である。したがって、総和電力ΣPがP以上である場合、信号分配器1から第2の信号Pin2が第2のトランジスタ14の入力端子14aに出力されると、第2のトランジスタ14が駆動する。
 第1のトランジスタ13のみが駆動し、第2のトランジスタ14が駆動していない場合、第2のトランジスタ14から合成回路17側を見たインピーダンスは、開放に近い高インピーダンスZOpenである。
 総和電力ΣPが上昇して、総和電力ΣPが第1の閾値Thに近づくにつれて、第1のトランジスタ13が効率のピークに近づき、総和電力ΣPに対する第1の信号Pin1の振幅Aの傾きが緩やかとなる。また、第1の信号Pin1の振幅Aと、第2の信号Pin2の振幅Aとの差が小さくなる。
 また、総和電力ΣPが上昇して、総和電力ΣPがPになると、第2の信号Pin2の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg2との総和が、第2のトランジスタ14の駆動に必要な振幅であるスレッシュホールド電圧Vthre2に達し、第2のトランジスタ14が駆動する。
 第2のトランジスタ14が駆動していない状態から、第2のトランジスタ14が駆動している状態に変化すると、第2のトランジスタ14から合成回路17側を見たインピーダンスが、開放に近い高インピーダンスZOpenよりも低くなる。
 第2の信号Pin2の振幅Aが、第1の信号Pin1の振幅Aよりも小さければ、第1のトランジスタ13により増幅された後、第1の伝送線路18により伝送された第1の信号Pin1’の振幅A’と、第2のトランジスタ14により増幅された後、第2の伝送線路20により伝送された第2の信号Pin2’の振幅A’とは異なる。
 また、第1の信号Pin1の位相φと、第2の信号Pin2の位相φとの位相差が一定であり、第1の信号Pin1の位相φと、第2の信号Pin2の位相φとが異なる。
 したがって、合成回路17の合成点22における、第1の信号Pin1’と第2の信号Pin2’との合成は、互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成である。
 総和電力ΣPが上昇して、総和電力ΣPが第1の閾値Thになり、第2の信号Pin2の振幅Aが、第1の信号Pin1の振幅Aと等しくなると、第1のトランジスタ13から合成回路17側を見たインピーダンスと、第2のトランジスタ14から合成回路17側を見たインピーダンスとが等しくなる。また、第1のトランジスタ13及び第2のトランジスタ14におけるそれぞれの効率がピークとなる。
 第1のトランジスタ13の電気的な特性と、第2のトランジスタ14の電気的な特性とが同一である。
 したがって、第1の伝送線路18により伝送された第1の信号Pin1’の振幅A’と、第2の伝送線路20により伝送された第2の信号Pin2’の振幅A’とは等しい。
 また、第1の信号Pin1の位相φと、第2の信号Pin2の位相φとの位相差が一定であり、第1の伝送線路18により伝送された第1の信号Pin1’の位相φ’と第2の伝送線路20により伝送された第2の信号Pin2’の位相φ’とが異なる。
 このため、合成回路17の合成点22における、第1の信号Pin1’と第2の信号Pin2’との合成は、互いの振幅が等しく、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成である。
 なお、総和電力ΣPが第1の閾値Thであるとき、第1のトランジスタ13から合成回路17側を見た負荷Zout1及び第2のトランジスタ14から合成回路17側を見た負荷Zout2のそれぞれは、第1の伝送線路18の特性インピーダンスZ、第1の補償サセプタンス回路19のサセプタンスB、第2の伝送線路20の特性インピーダンスZ及び第2の補償サセプタンス回路21のサセプタンス-Bによって決まる。
 それぞれの負荷Zout1,Zout2と、特性インピーダンスZ、特性インピーダンスZ、サセプタンスB及びサセプタンス-Bとの関係は、以下の式(1)(2)のように表される。

Figure JPOXMLDOC01-appb-I000001
 式(1)及び式(2)では、説明の簡単化のため、Z=Z=Zとしている。
 Rは、出力端子23に接続されている、アウトフェージング増幅器2の外部負荷であり、Δφ=φ-φである。
 総和電力ΣPが第1の閾値Thであるときは、第1のトランジスタ13及び第2のトランジスタ14の双方が効率のピークで動作する。したがって、総和電力ΣPが第1の閾値Thであるときに、第1のトランジスタ13及び第2のトランジスタ14の双方が駆動している場合、第1のトランジスタ13のみが駆動している場合よりも、アウトフェージング増幅器2の出力電力が高いときに、アウトフェージング増幅器2の効率がピークに達する。
 ここでは、総和電力ΣPが第1の閾値Thであるときに、第2の信号Pin2の振幅Aが、第1の信号Pin1の振幅Aと等しくなるとしている。しかし、振幅Aと振幅Aとが等しいは、厳密に等しいものに限るものではなく、実用上問題のない範囲で、振幅Aと振幅Aとが異なっていてもよい。例えば、振幅Aと振幅Aとの差が5%程度であれば、実用上問題がない。
 以下、アウトフェージング増幅器2が動作モード(2)で動作するときの動作を説明する。
 信号分配器1は、通信装置により送信される通信用信号、又は、通信装置により受信された通信用信号を受けると、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、総和電力ΣPが第1の閾値Th以上であり、かつ、第2の閾値Thよりも小さいときは、アウトフェージング増幅器2を動作モード(2)で動作させるため、以下に示すように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、総和電力ΣPが第1の閾値Th以上であり、かつ、第2の閾値Thよりも小さいときは、図4に示すように、第1の信号Pin1の振幅Aと、第2の信号Pin2の振幅Aとが等しくなるように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 また、信号分配器1は、総和電力ΣPの増加に伴って、振幅A及び振幅Aの双方が増加するように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 さらに、信号分配器1は、総和電力ΣPの増加に伴って、第1の信号Pin1の位相φと、第2の信号Pin2の位相φとの位相差が減少するように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、第1の信号Pin1を、入力端子11を介して、第1のトランジスタ13の入力端子13aに出力し、第2の信号Pin2を、入力端子12を介して、第2のトランジスタ14の入力端子14aに出力する。
 動作モード(2)では、第1の信号Pin1の振幅Aと、第2の信号Pin2の振幅Aとが等しく、総和電力ΣPの増加に伴って、振幅A及び振幅Aの双方が増加する。
 また、動作モード(2)では、総和電力ΣPの増加に伴って、第1の信号Pin1の位相φと、第2の信号Pin2の位相φとの位相差が減少する。例えば、第1の信号Pin1の位相φが90°から0°に変移し、第2の信号Pin2の位相φが-90°から0°に変移する。しかし、これは一例に過ぎず、第1の信号Pin1の位相φが70°から20°に変移し、第2の信号Pin2の位相φが-70°から-20°に変移するものであってもよい。
 動作モード(2)では、第1のトランジスタ13及び第2のトランジスタ14の双方が常に駆動する。第1のトランジスタ13の電気的な特性と、第2のトランジスタ14の電気的な特性とが同一である。
 したがって、第1のトランジスタ13により増幅された後、第1の伝送線路18により伝送された第1の信号Pin1’の振幅A’と、第2のトランジスタ14により増幅された後、第2の伝送線路20により伝送された第2の信号Pin2’の振幅A’とは、等しい。
 一方、第1の伝送線路18により伝送された第1の信号Pin1’の位相φ’と、第2の伝送線路20により伝送された第2の信号Pin2’の位相φ’との間に位相差Δφが生じる。
 したがって、合成回路17の合成点22における、第1の信号Pin1’と第2の信号Pin2’との合成は、互いの振幅が等しく、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成である。
 第1のトランジスタ13から合成回路17側を見た負荷及び第2のトランジスタ14から合成回路17側を見た負荷のそれぞれは、位相差Δφに応じて変調される。具体的には、負荷のインピーダンスは、第1の信号Pin1の位相φが90°から0°に変移し、第2の信号Pin2の位相φが-90°から0°に変移する過程で低下して、低インピーダンスZLowへと変調される。低インピーダンスZLowは、第1のトランジスタ13及び第2のトランジスタ14の双方が出力可能な最大限の出力電力PMaxを達成できる負荷を意味する。
 第1のトランジスタ13及び第2のトランジスタ14におけるそれぞれの出力電力は、負荷の変調に応じて変化する。
 低インピーダンスZLowと比べて、インピーダンスが高い負荷では、最大限の出力電力PMaxよりも小さい出力電力で、アウトフェージング増幅器2の効率がピークに達する。
 以下、アウトフェージング増幅器2が動作モード(3)で動作するときの動作を説明する。
 信号分配器1は、通信装置により送信される通信用信号、又は、通信装置により受信された通信用信号を受けると、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、総和電力ΣPが第2の閾値Th以上であるとき、アウトフェージング増幅器2を動作モード(3)で動作させるため、以下に示すように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、総和電力ΣPが第2の閾値Th以上であるときは、図4に示すように、第1の信号Pin1の振幅Aと、第2の信号Pin2の振幅Aとが等しくなるように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 また、信号分配器1は、総和電力ΣPの増加に伴って、振幅A及び振幅Aの双方が増加するように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 さらに、信号分配器1は、総和電力ΣPが第2の閾値Th以上であるときは、図5に示すように、第1の信号Pin1の位相φと、第2の信号Pin2の位相φとが等しくなるように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、第1の信号Pin1を、入力端子11を介して、第1のトランジスタ13の入力端子13aに出力し、第2の信号Pin2を、入力端子12を介して、第2のトランジスタ14の入力端子14aに出力する。
 動作モード(3)では、第1の信号Pin1の振幅Aと、第2の信号Pin2の振幅Aとが等しく、かつ、第1の信号Pin1の位相φと、第2の信号Pin2の位相φとが等しい。
 したがって、第1のトランジスタ13から合成回路17側を見た負荷及び第2のトランジスタ14から合成回路17側を見た負荷のそれぞれは、変調されない。
 合成回路17の合成点22における、第1の信号Pin1’と第2の信号Pin2’との合成は、互いの振幅が等しく、かつ、互いの位相が等しい、2つの信号の合成である。
 動作モード(3)では、第1のトランジスタ13及び第2のトランジスタ14におけるそれぞれの出力電力が、最大限の出力電力PMaxに達するまで、第1の信号Pin1の振幅Aと、第2の信号Pin2の振幅Aとが上昇する。
 図6は、動作モード(1)~(3)において、第1のトランジスタ13から合成回路17を見た負荷Zout1と、第2のトランジスタ14から合成回路17を見た負荷Zout2とを示す説明図である。
 動作モード(1)では、総和電力ΣPがPよりも小さく、第2の信号Pin2の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg2との総和が、スレッシュホールド電圧Vthre2未満であれば、負荷Zout2が、開放に近い高インピーダンスZOpenとなり、負荷Zout1が、インピーダンスZHighとなる。インピーダンスZHighは、高インピーダンスZOpenよりも低いが、低インピーダンスZLowよりも高い。ZOpen>ZHigh>ZLowである。
 動作モード(1)では、総和電力ΣPがP以上となり、第2の信号Pin2の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg2との総和が、スレッシュホールド電圧Vthre2に達すると、負荷Zout2のインピーダンスが、高インピーダンスZOpenから低下する。
 動作モード(2)では、第1の信号Pin1の位相φと第2の信号Pin2の位相φとの位相差の減少に伴って、負荷Zout1及び負荷Zout1のそれぞれのインピーダンスが低下する。
 動作モード(3)では、負荷Zout1及び負荷Zout1のそれぞれのインピーダンスが、低インピーダンスZLowに固定され、負荷変調が生じない。
 図7は、図2に示すアウトフェージング増幅器2の効率特性及び非特許文献1に記載のアウトフェージング増幅器の効率特性を示す説明図である。
 図7において、横軸は、図2に示すアウトフェージング増幅器2及び非特許文献1に記載のアウトフェージング増幅器におけるそれぞれの出力電力である。
 縦軸は、図2に示すアウトフェージング増幅器2及び非特許文献1に記載のアウトフェージング増幅器におけるそれぞれの効率である。
 非特許文献1に記載のアウトフェージング増幅器は、動作モードが、同振幅異相合成が行われる動作モードであるときの出力電力、及び、同振幅同相合成が行われる動作モードであるときの出力電力のそれぞれで、効率がピークに達する。
 非特許文献1に記載のアウトフェージング増幅器は、常に、第1の信号の振幅と第2の信号の振幅とが等しいという前提で動作する増幅器であるため、図7には、異振幅異相合成が行われる動作モードでの、非特許文献1に記載のアウトフェージング増幅器の効率を表記していない。
 図2に示すアウトフェージング増幅器2は、非特許文献1に記載のアウトフェージング増幅器と同様に、動作モードが、同振幅異相合成が行われる動作モード(2)であるときの出力電力、及び、同振幅同相合成が行われる動作モード(3)であるときの出力電力のそれぞれで、効率がピークに達する。
 図2に示すアウトフェージング増幅器2は、動作モードが、異振幅異相合成が行われる動作モード(1)であるときの出力電力の効率が、ピークの効率に近くなる状況がある。
 例えば、総和電力ΣPがP以上であるときの出力電力での効率は、動作モード(2)であるときの出力電力での効率及び動作モード(3)であるときの出力電力での効率のそれぞれと、ほぼ同様の効率である。
 図8は、図2に示すアウトフェージング増幅器2における出力電力と効率との関係をシミュレーションした結果を示す説明図である。
 図9は、非特許文献1に記載のアウトフェージング増幅器における出力電力と効率との関係をシミュレーションした結果を示す説明図である。
 例えば、所望の効率が40%以上の効率であるとき、非特許文献1に記載のアウトフェージング増幅器では、図9に示すように、40%以上の効率が得られる出力電力の範囲が12dBである。
 一方、図2に示すアウトフェージング増幅器2では、図8に示すように、40%以上の効率が得られる出力電力の範囲が16dBである。
 したがって、図2に示すアウトフェージング増幅器2は、非特許文献1に記載のアウトフェージング増幅器よりも、効率が所望の効率よりも高くなる出力電力の範囲が広くなる。
 以上の実施の形態1では、第1のトランジスタ13により増幅される第1の信号の電力と第2のトランジスタ14により増幅される第2の信号の電力との総和電力が、第1の閾値よりも小さいとき、増幅される第1の信号の振幅が、増幅される第2の信号の振幅よりも大きく、増幅される第1の信号の位相と増幅される第2の信号の位相との位相差が一定であれば、合成回路17が、互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成として、第1のトランジスタ13から出力された増幅後の第1の信号と、第2のトランジスタ14から出力された増幅後の第2の信号とを合成するように、アウトフェージング増幅器2を構成した。したがって、アウトフェージング増幅器2は、第1の信号の電力と、第2の信号の電力との総和電力が変化しても、常に、第1の信号の振幅と第2の信号の振幅とが等しいという前提で動作するものよりも、効率が所望の効率よりも高くなる出力電力の範囲を広げることができる。
実施の形態2.
 実施の形態2では、第1のトランジスタ13の電気的な特性と、第2のトランジスタ24の電気的な特性とが異なるアウトフェージング増幅器2について説明する。
 図10は、実施の形態2に係るアウトフェージング増幅器2を示す構成図である。図10において、図2と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
 第2のトランジスタ24は、例えば、FET、HBT、又は、HEMTによって実現される。
 第2のトランジスタ24は、出力可能な最大電力等の電気的な特性が第1のトランジスタ13と異なり、出力可能な増幅後の第2の信号Pin2’の最大電力が、第1のトランジスタ13の出力可能な増幅後の第1の信号Pin1’の最大電力よりも大きい。
 図10に示すアウトフェージング増幅器2では、例えば、第2のトランジスタ24の出力可能な増幅後の第2の信号Pin2’の最大電力が、第1のトランジスタ13の出力可能な増幅後の第1の信号Pin1’の最大電力よりも3dB大きくなるような、第2のトランジスタ24が用いられる。
 図10に示すアウトフェージング増幅器2では、第2のトランジスタ24が、ソース接地のトランジスタである例を示している。
 第2のトランジスタ24の入力端子24aであるゲート端子は、入力端子12及びゲートバイアス端子16のそれぞれと接続されている。
 第2のトランジスタ24の出力端子24bであるドレイン端子は、後述する合成回路25の第2の伝送線路27の一端及び第2の補償サセプタンス回路21のそれぞれと接続されている。
 第2のトランジスタ24は、信号分配器1から出力された第2の信号Pin2を増幅し、増幅後の第2の信号Pin2’を合成回路25の第2の伝送線路27及び第2の補償サセプタンス回路21のそれぞれに出力する。
 第2のトランジスタ24の入力端子24aは、ゲートバイアス端子16を介して、第2のトランジスタ24のスレッシュホールド電圧Vthre2以下のゲートバイアス電圧Vg2が印加されている。
 したがって、第2のトランジスタ24は、第2の信号Pin2の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg2との総和が、スレッシュホールド電圧Vthre2以上のとき、第2の信号Pin2の増幅動作を行う。
 合成回路25は、第1の伝送線路26、第1の補償サセプタンス回路19、第2の伝送線路27、第2の補償サセプタンス回路21及び合成点22を備えている。
 合成回路25は、第1のトランジスタ13から出力された増幅後の第1の信号Pin1’と、第2のトランジスタ24から出力された増幅後の第2の信号Pin2’とを合成点22で合成する。
 合成回路25は、増幅後の第1の信号Pin1’と、増幅後の第2の信号Pin2’との合成信号Cを出力端子23に出力する。
 例えば、総和電力ΣPが、第1の閾値Thよりも小さいとき、信号分配器1から出力された第1の信号Pin1の振幅Aが、信号分配器1から出力された第2の信号Pin2の振幅Aよりも大きく、第1の信号Pin1の位相と第2の信号Pin2の位相との位相差が一定である場合を想定する。この場合、合成回路25は、互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成として、第1のトランジスタ13から出力された増幅後の第1の信号Pin1’と、第2のトランジスタ24から出力された増幅後の第2の信号Pin2’とを合成する。
 また、総和電力ΣPが、第1の閾値Thよりも小さいとき、信号分配器1から出力された第1の信号Pin1の振幅Aが、信号分配器1から出力された第2の信号Pin2の振幅Aよりも小さく、第1の信号Pin1の位相と第2の信号Pin2の位相との位相差が一定である場合を想定する。この場合も、合成回路25は、互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成として、第1のトランジスタ13から出力された増幅後の第1の信号Pin1’と、第2のトランジスタ24から出力された増幅後の第2の信号Pin2’とを合成する。
 第1の伝送線路26の一端は、第1のトランジスタ13の出力端子13b及び第1の補償サセプタンス回路19の一端のそれぞれと接続されており、第1の伝送線路26の他端は、合成点22と接続されている。
 第1の伝送線路26の電気長θは、信号分配器1から出力された第1の信号Pin1の波長λの4分の1の長さである。θ=λ/4である。
 第1の伝送線路26の特性インピーダンスは、Zである。
 第2の伝送線路27の一端は、第2のトランジスタ24の出力端子24b及び第2の補償サセプタンス回路21の一端のそれぞれと接続されており、第2の伝送線路27の他端は、合成点22と接続されている。
 第2の伝送線路27の電気長θは、信号分配器1から出力された第2の信号Pin2の波長λの4分の1の長さである。θ=λ/4である。
 第1の信号Pin1の波長λと第2の信号Pin2の波長λとは等しいため、θ=θである。
 第2の伝送線路27の特性インピーダンスは、Zである。
 第1の伝送線路26の特性インピーダンスZは、第2の伝送線路27の特性インピーダンスZよりも高い。
 第2のトランジスタ24から出力可能な増幅後の第2の信号Pin2’の最大電力が、第1のトランジスタ13から出力可能な増幅後の第1の信号Pin1’の最大電力のα倍であれば、例えば、特性インピーダンスZは、特性インピーダンスZのα倍である。αは、1よりも大きい値である。
 合成点22には、第1の伝送線路26の他端、第2の伝送線路27の他端及び出力端子23のそれぞれが接続されている。
 第1の伝送線路26により伝送された増幅後の第1の信号Pin1’と、第2の伝送線路27により伝送された増幅後の第2の信号Pin2’とが合成点22で合成される。
 次に、図10に示すアウトフェージング増幅器2の動作について説明する。
 アウトフェージング増幅器2は、第1の信号Pin1の振幅A及び位相φと、第2の信号Pin2の振幅A及び位相φとが変化することで動作モードが変化する。アウトフェージング増幅器2は、複数の動作モードで動作することが可能である。
 アウトフェージング増幅器2は、複数の動作モードとして、例えば、動作モード(4)と、動作モード(5)と、動作モード(6)とを有している。動作モード(4)~(6)の詳細は後述する。
 図11は、総和電力ΣPと、動作モード(4)~(6)との関係を示す説明図である。
 図11の例では、アウトフェージング増幅器2は、総和電力ΣPが小であるとき、動作モード(4)で動作し、総和電力ΣPが中であるとき、動作モード(5)で動作し、総和電力ΣPが大であるとき、動作モード(6)で動作することを示している。
 総和電力ΣPが小は、総和電力ΣPが第1の閾値Thよりも小さい電力である。総和電力ΣPが中は、総和電力ΣPが第1の閾値Th以上の電力であり、かつ、第2の閾値Thよりも小さい電力である。総和電力ΣPが大は、総和電力ΣPが第2の閾値Th以上の電力である。第1の閾値Th<第2の閾値Thである。
 図12は、総和電力ΣPと、第1の信号Pin1の振幅A及び第2の信号Pin2の振幅Aと、動作モード(4)~(6)との関係を示す説明図である。
 図12に示す振幅Aは、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の振幅であり、図12に示す振幅Aは、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の振幅である。
 図13は、総和電力ΣPと、第1の信号Pin1の位相φ及び第2の信号Pin2の位相φと、動作モード(4)~(6)との関係を示す説明図である。
 図13に示す位相φは、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の位相であり、図13に示す位相φは、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の位相である。
[動作モード(4)]
 動作モード(4)は、以下の条件(11)~(13)を満足するときに動作するモードであり、異振幅異相合成モード(1)と呼ばれる(図11~図13を参照)。
条件(11)
 総和電力ΣPが、第1の閾値Thよりも小さい。
条件(12)
 信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の振幅Aが、図12に示すように、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の振幅Aよりも大きい。
 又は、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の振幅Aが、図12に示すように、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の振幅Aよりも小さい。
条件(13)
 図13に示すように、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の位相φと、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の位相φとの位相差が一定である。位相差が一定は、厳密に一定であるものに限るものではなく、実用上問題のない範囲で、位相差が変化していてもよい。
[動作モード(5)]
 動作モード(5)は、以下の条件(14)~(16)を満足するときに動作するモードであり、異振幅異相合成モード(2)と呼ばれる(図11~図13を参照)。
条件(14)
 総和電力ΣPが、第1の閾値Th以上であり、かつ、第2の閾値Thよりも小さい。
条件(15)
 図12に示すように、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の振幅Aが、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の振幅Aよりも大きい。
条件(16)
 総和電力ΣPの増加に伴って、図13に示すように、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の位相φと、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の位相φとの位相差が減少する。
[動作モード(6)]
 動作モード(6)は、以下の条件(17)~(19)を満足するときに動作するモードであり、異振幅同相合成モードと呼ばれる(図11~図13を参照)。
条件(17)
 総和電力ΣPが、第2の閾値Th以上である。
条件(18)
 図12に示すように、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の振幅Aが、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の振幅Aよりも大きい。
条件(19)
 図13に示すように、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第1の信号Pin1の位相φと、信号分配器1からアウトフェージング増幅器2に出力される第2の信号Pin2の位相φとが等しい。位相φと位相φとが等しいは、厳密に等しいものに限るものではなく、実用上問題のない範囲で、位相φと位相φとが異なっていてもよい。
 以下、アウトフェージング増幅器2が動作モード(4)で動作するときの動作を説明する。
 信号分配器1は、通信装置により送信される通信用信号、又は、通信装置により受信された通信用信号を受けると、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、総和電力ΣPが第1の閾値Thよりも小さいときは、アウトフェージング増幅器2を動作モード(4)で動作させるため、以下に示すように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、総和電力ΣPが第1の閾値Thよりも小さいときは、図12に示すように、第1の信号Pin1の振幅Aが、第2の信号Pin2の振幅Aよりも大きくなるように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。又は、第1の信号Pin1の振幅Aが、第2の信号Pin2の振幅Aよりも小さくなるように、信号分配器1は、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 また、信号分配器1は、総和電力ΣPが第1の閾値Thよりも小さいときは、図13に示すように、総和電力ΣPが変化しても、第1の信号Pin1の位相φと、第2の信号Pin2の位相φとの位相差が一定となるように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 動作モード(4)において、総和電力ΣPの大きさが変化しても、第1の信号Pin1の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg1との総和が、常に、第1のトランジスタ13のスレッシュホールド電圧Vthre1以上である。
 動作モード(4)において、総和電力ΣPがPよりも小さい場合、第2の信号Pin2の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg2との総和が、スレッシュホールド電圧Vthre2よりも小さい。総和電力ΣPがP以上である場合、第2の信号Pin2の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg2との総和が、スレッシュホールド電圧Vthre2以上である。
 信号分配器1は、第1の信号Pin1を、入力端子11を介して、第1のトランジスタ13の入力端子13aに出力し、第2の信号Pin2を、入力端子12を介して、第2のトランジスタ24の入力端子24aに出力する。
 動作モード(4)では、第1の信号Pin1の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg1との総和が、常に、スレッシュホールド電圧Vthre1以上であるため、信号分配器1から第1の信号Pin1が第1のトランジスタ13の入力端子13aに出力されると、第1のトランジスタ13は、常に駆動する。
 動作モード(4)では、総和電力ΣPがPよりも小さい場合、第2の信号Pin2の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg2との総和が、スレッシュホールド電圧Vthre2よりも小さい。したがって、総和電力ΣPがPよりも小さい場合、信号分配器1から第2の信号Pin2が第2のトランジスタ24の入力端子24aに出力されても、第2のトランジスタ24が駆動しない。
 動作モード(4)では、総和電力ΣPがP以上である場合、第2の信号Pin2の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg2との総和が、スレッシュホールド電圧Vthre2以上である。したがって、総和電力ΣPがP以上である場合、信号分配器1から第2の信号Pin2が第2のトランジスタ24の入力端子24aに出力されると、第2のトランジスタ24が駆動する。
 第1のトランジスタ13のみが駆動し、第2のトランジスタ24が駆動していない場合、第2のトランジスタ24から合成回路25側を見たインピーダンスは、開放に近い高インピーダンスZOpenである。
 総和電力ΣPが上昇して、総和電力ΣPが第1の閾値Thに近づくにつれて、第1のトランジスタ13が効率のピークに近づき、総和電力ΣPに対する第1の信号Pin1の振幅Aの傾きが緩やかとなる。
 また、総和電力ΣPが上昇して、第2の信号Pin2の振幅Aとゲートバイアス電圧Vg2との総和が、第2のトランジスタ24のスレッシュホールド電圧Vthre2に達すると、第2のトランジスタ24が駆動する。
 第2のトランジスタ24が駆動していない状態から、第2のトランジスタ24が駆動している状態に変化すると、第2のトランジスタ24から合成回路25側を見たインピーダンスが、開放に近い高インピーダンスZOpenよりも低くなる。
 第2の信号Pin2の振幅Aが、第1の信号Pin1の振幅Aよりも小さければ、第1のトランジスタ13により増幅された後、第1の伝送線路26により伝送された第1の信号Pin1’の振幅A’と、第2のトランジスタ24により増幅された後、第2の伝送線路27により伝送された第2の信号Pin2’の振幅A’とは異なる。
 また、第1の信号Pin1の位相φと、第2の信号Pin2の位相φとの位相差が一定であり、第1の伝送線路26により伝送された第1の信号Pin1’の位相φ’と第2の伝送線路27により伝送された第2の信号Pin2’の位相φ’とが異なる。
 したがって、合成回路25の合成点22における、第1の信号Pin1’と第2の信号Pin2’との合成は、互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成である。
 また、第2の信号Pin2の振幅Aが、第1の信号Pin1の振幅Aよりも大きければ、第1のトランジスタ13により増幅された後、第1の伝送線路26により伝送された第1の信号Pin1’の振幅A’と、第2のトランジスタ24により増幅された後、第2の伝送線路27により伝送された第2の信号Pin2’の振幅A’とは異なる。
 また、第1の信号Pin1の位相φと、第2の信号Pin2の位相φとの位相差が一定であり、第1の伝送線路26により伝送された第1の信号Pin1’の位相φ’と第2の伝送線路27により伝送された第2の信号Pin2’の位相φ’とが異なる。
 したがって、合成回路25の合成点22における、第1の信号Pin1’と第2の信号Pin2’との合成は、互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成である。
 動作モード(4)では、第1の信号Pin1の振幅Aと、第2の信号Pin2の振幅Aとが近くなると、第1の伝送線路26により伝送された第1の信号Pin1’の振幅A’と、第2の伝送線路27により伝送された第2の信号Pin2’の振幅A’とが等しくなる場合がある。
 この場合、合成回路25の合成点22における、第1の信号Pin1’と第2の信号Pin2’との合成は、互いの振幅が等しく、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成である。
 総和電力ΣPが第1の閾値Thであるときは、第1のトランジスタ13及び第2のトランジスタ24の双方が効率のピークで動作する。したがって、総和電力ΣPが第1の閾値Thであるときに、第1のトランジスタ13及び第2のトランジスタ24の双方が駆動している場合、第1のトランジスタ13のみが駆動している場合よりも、アウトフェージング増幅器2の出力電力が高いときに、アウトフェージング増幅器2の効率がピークに達する。
 以下、アウトフェージング増幅器2が動作モード(5)で動作するときの動作を説明する。
 信号分配器1は、通信装置により送信される通信用信号、又は、通信装置により受信された通信用信号を受けると、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、総和電力ΣPが第1の閾値Th以上であり、かつ、第2の閾値Thよりも小さいときは、アウトフェージング増幅器2を動作モード(5)で動作させるため、以下に示すように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、総和電力ΣPが第1の閾値Th以上であり、かつ、第2の閾値Thよりも小さいときは、図12に示すように、第2の信号Pin2の振幅Aが、第1の信号Pin1の振幅Aよりも大きくなるように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 また、信号分配器1は、総和電力ΣPの増加に伴って、振幅A及び振幅Aの双方が増加するように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 さらに、信号分配器1は、総和電力ΣPの増加に伴って、第1の信号Pin1の位相φと、第2の信号Pin2の位相φとの位相差が減少するように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、第1の信号Pin1を、入力端子11を介して、第1のトランジスタ13の入力端子13aに出力し、第2の信号Pin2を、入力端子12を介して、第2のトランジスタ24の入力端子24aに出力する。
 動作モード(5)では、第2の信号Pin2の振幅Aが、第1の信号Pin1の振幅Aよりも大きく、総和電力ΣPの増加に伴って、振幅A及び振幅Aの双方が増加する。
 また、動作モード(5)では、総和電力ΣPの増加に伴って、第1の信号Pin1の位相φと、第2の信号Pin2の位相φとの位相差が減少する。例えば、第1の信号Pin1の位相φが90°から0°に変移し、第2の信号Pin2の位相φが-90°から0°に変移する。しかし、これは一例に過ぎず、第1の信号Pin1の位相φが70°から20°に変移し、第2の信号Pin2の位相φが-70°から-20°に変移するものであってもよい。
 動作モード(5)では、第1のトランジスタ13及び第2のトランジスタ24の双方が常に駆動する。
 したがって、第2のトランジスタ24により増幅された後、第2の伝送線路27により伝送された第2の信号Pin2’の振幅A’は、第1のトランジスタ13により増幅された後、第1の伝送線路26により伝送された第1の信号Pin1’の振幅A’よりも大きい。
 一方、第1の伝送線路26により伝送された第1の信号Pin1’の位相φ’と、第2の伝送線路27により伝送された第2の信号Pin2’の位相φ’との間に位相差Δφが生じる。
 したがって、合成回路25の合成点22における、第1の信号Pin1’と第2の信号Pin2’との合成は、互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成である。
 第1のトランジスタ13から合成回路25側を見た負荷及び第2のトランジスタ24から合成回路25側を見た負荷のそれぞれは、位相差Δφに応じて変調される。具体的には、負荷のインピーダンスは、第1の信号Pin1の位相φが90°から0°に変移し、第2の信号Pin2の位相φが-90°から0°に変移する過程で低下し、低インピーダンスZLowへと変調される。
 第1のトランジスタ13及び第2のトランジスタ24におけるそれぞれの出力電力は、負荷の変調に応じて変化する。
 低インピーダンスZLowと比べて、インピーダンスが高い負荷では、最大限の出力電力PMaxよりも小さい出力電力で、アウトフェージング増幅器2の効率がピークに達する。
 以下、アウトフェージング増幅器2が動作モード(6)で動作するときの動作を説明する。
 信号分配器1は、通信装置により送信される通信用信号、又は、通信装置により受信された通信用信号を受けると、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、総和電力ΣPが第2の閾値Th以上であるとき、アウトフェージング増幅器2を動作モード(6)で動作させるため、以下に示すように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、総和電力ΣPが第2の閾値Th以上であるときは、図12に示すように、第2の信号Pin2の振幅Aが、第1の信号Pin1の振幅Aよりも大きくなるように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 また、信号分配器1は、総和電力ΣPの増加に伴って、振幅A及び振幅Aの双方が増加するように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 さらに、信号分配器1は、総和電力ΣPが第2の閾値Th以上であるときは、図13に示すように、第1の信号Pin1の位相φと、第2の信号Pin2の位相φとが等しくなるように、通信用信号を、第1の信号Pin1と第2の信号Pin2とに分配する。
 信号分配器1は、第1の信号Pin1を、入力端子11を介して、第1のトランジスタ13の入力端子13aに出力し、第2の信号Pin2を、入力端子12を介して、第2のトランジスタ24の入力端子24aに出力する。
 動作モード(6)では、第2の信号Pin2の振幅Aが、第1の信号Pin1の振幅Aよりも大きく、かつ、第1の信号Pin1の位相φと、第2の信号Pin2の位相φとが等しい。
 したがって、合成回路25の合成点22における、第1の信号Pin1’と第2の信号Pin2’との合成は、互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が等しい、2つの信号の合成である。
 動作モード(6)では、第1のトランジスタ13及び第2のトランジスタ24におけるそれぞれの出力電力が、最大限の出力電力PMaxに達するまで、第1の信号Pin1の振幅Aと、第2の信号Pin2の振幅Aとが上昇する。
 図10に示すアウトフェージング増幅器2では、総和電力ΣPが第1の閾値Thであるとき、第1のトランジスタ13及び第2のトランジスタ24の双方が効率のピークに達する。
 また、総和電力ΣPが第1の閾値Thであるとき、第1の信号Pin1の振幅Aと、第2の信号Pin2の振幅Aとが異なる。総和電力ΣPが第1の閾値Thであるとき、例えば、第1のトランジスタ13の出力電力が10dBmであり、第1のトランジスタ13が、電力利得10dBで効率のピークに達する場合を想定する。また、総和電力ΣPが第1の閾値Thであるとき、第2のトランジスタ24の出力電力が13dBmであり、第2のトランジスタ24が、電力利得9dBで効率のピークに達する場合を想定する。これらの想定の場合、信号分配器1は、第1の信号Pin1の電力が0dBmとなるように振幅Aを決定して、当該振幅Aを有する第1の信号Pin1を、入力端子11を介して、第1のトランジスタ13の入力端子13aに出力する。また、信号分配器1は、第2の信号Pin2の電力が2dBmとなるように振幅Aを決定して、当該振幅Aを有する第2の信号Pin2を、入力端子12を介して、第2のトランジスタ24の入力端子24aに出力する。
 図10に示すアウトフェージング増幅器2では、例えば、第2のトランジスタ24の出力可能な増幅後の第2の信号Pin2’の最大電力が、第1のトランジスタ13の出力可能な増幅後の第1の信号Pin1’の最大電力よりも3dB大きくなるような、第2のトランジスタ24が用いられる。
 上記のような第2のトランジスタ24が用いられる場合、図2に示すアウトフェージング増幅器2のように、第1のトランジスタ13の出力可能な増幅後の第1の信号Pin1’の最大電力と、第2のトランジスタ14の出力可能な増幅後の第2の信号Pin2’の最大電力とが等しい場合と比べて、アウトフェージング増幅器2の出力電力が3dB大きくなる。
 したがって、動作モード(4)で動作するときの図10に示すアウトフェージング増幅器2は、動作モード(1)で動作するときの図2に示すアウトフェージング増幅器2と比べて、効率が所望の効率よりも高くなる出力電力の範囲を3dB広げることができる。
実施の形態3.
 図2に示すアウトフェージング増幅器2では、第1の伝送線路18の電気長θ及び第2の伝送線路20の電気長θのそれぞれが、波長λの4分の1の長さである。
 実施の形態3では、第1の伝送線路31の電気長θ11と、第2の伝送線路32の電気長θ12との総和が、波長λの2分の1の長さであるアウトフェージング増幅器2について説明する。
 図14は、実施の形態3に係るアウトフェージング増幅器2を示す構成図である。図14において、図2と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
 第1の伝送線路31の一端は、第1のトランジスタ13の出力端子13b及び第1の補償サセプタンス回路19の一端のそれぞれと接続されており、第1の伝送線路31の他端は、合成点22と接続されている。
 第1の伝送線路31の電気長は、θ11であり、第1の伝送線路31の特性インピーダンスは、Zである。
 第2の伝送線路32の一端は、第2のトランジスタ14の出力端子14b及び第2の補償サセプタンス回路21の一端のそれぞれと接続されており、第2の伝送線路32の他端は、合成点22と接続されている。
 第2の伝送線路32の電気長は、θ12であり、第2の伝送線路32の特性インピーダンスは、Zである。
 第1の伝送線路31の電気長θ11と、第2の伝送線路32の電気長θ12との総和Σθは、以下の式(3)に示すように、波長λの2分の1の長さである。

Σθ=θ11+θ12=λ/2             (3)

 例えば、λ/2の長さが、180度の電気長であれば、例えば、第1の伝送線路31の電気長θ11が120度で、第2の伝送線路32の電気長θ12が60度であればよい。しかし、これは一例に過ぎず、例えば、第1の伝送線路31の電気長θ11が130度で、第2の伝送線路32の電気長θ12が50度であってもよい。
 また、図10に示すアウトフェージング増幅器2では、第1の伝送線路26の電気長θ及び第2の伝送線路27の電気長θのそれぞれが、λ/4の長さである。
 実施の形態3では、第1の伝送線路26の電気長θ11と、第2の伝送線路27の電気長θ12との総和が、λ/2の長さであるアウトフェージング増幅器2について説明する。
 図15は、実施の形態3に係るアウトフェージング増幅器2を示す構成図である。図15において、図10と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
 第1の伝送線路33の一端は、第1のトランジスタ13の出力端子13b及び第1の補償サセプタンス回路19の一端のそれぞれと接続されており、第1の伝送線路33の他端は、合成点22と接続されている。
 第1の伝送線路33の電気長は、θ13であり、第1の伝送線路33の特性インピーダンスは、Zである。
 第2の伝送線路34の一端は、第2のトランジスタ24の出力端子24b及び第2の補償サセプタンス回路21の一端のそれぞれと接続されており、第2の伝送線路34の他端は、合成点22と接続されている。
 第2の伝送線路34の電気長は、θ14であり、第2の伝送線路34の特性インピーダンスは、Zである。
 第1の伝送線路33の電気長θ13と、第2の伝送線路34の電気長θ14との総和Σθは、以下の式(4)に示すように、λ/2の長さである。

Σθ=θ13+θ14=λ/2             (4)

 例えば、λ/2の長さが、180度の電気長であれば、例えば、第1の伝送線路33の電気長θ13が140度で、第2の伝送線路34の電気長θ14が40度であればよい。しかし、これは一例に過ぎず、例えば、第1の伝送線路33の電気長θ13が100度で、第2の伝送線路34の電気長θ14が80度であってもよい。
 図2に示す合成回路17は、第1の伝送線路18、第1の補償サセプタンス回路19、第2の伝送線路20及び第2の補償サセプタンス回路21を備えている。
 しかし、これは一例に過ぎず、図16に示すように、第1の伝送線路18、第1の補償サセプタンス回路19、第2の伝送線路20及び第2の補償サセプタンス回路21のそれぞれが、集中定数回路に置き換えられていてもよい。
 図16は、合成回路17の一例を示す回路図である。
 コイル51及びコイル52は、第1の伝送線路18の代わりに置き換えられた集中定数回路であり、第1の伝送線路18と同様に、第1のトランジスタ13から出力された増幅後の第1の信号Pin1’を伝送する。
 コイル51の一端は、第1のトランジスタ13の出力端子13bと接続され、コイル51の他端は、コイル52の一端及びコンデンサ53の一端のそれぞれと接続されている。
 コイル52の一端は、コイル51の他端及びコンデンサ53の一端のそれぞれと接続され、コイル52の他端は、合成点22と接続されている。
 コンデンサ53は、第1の補償サセプタンス回路19の代わりに置き換えられた集中定数回路である。
 コンデンサ53の一端は、コイル51の他端及びコイル52の一端のそれぞれと接続され、コンデンサ53の他端は、接地されている。
 コンデンサ54は、第2の伝送線路20の代わりに置き換えられた集中定数回路であり、第2の伝送線路20と同様に、第2のトランジスタ14から出力された増幅後の第2の信号Pin2’を伝送する。
 コンデンサ54の一端は、第2のトランジスタ14の出力端子14b及びコイル55の一端のそれぞれと接続され、コンデンサ54の他端は、合成点22及びコイル56の一端のそれぞれと接続されている。
 コイル55及びコイル56は、第2の補償サセプタンス回路21の代わりに置き換えられた集中定数回路である。
 コイル55の一端は、第2のトランジスタ14の出力端子14b及びコンデンサ54の一端のそれぞれと接続され、コイル55の他端は、接地されている。
 コイル56の一端は、コンデンサ54の他端及び合成点22のそれぞれと接続され、コイル56の他端は、接地されている。
 ここでは、図2に示す合成回路17において、第1の伝送線路18、第1の補償サセプタンス回路19、第2の伝送線路20及び第2の補償サセプタンス回路21のそれぞれが、集中定数回路に置き換えられていている例を示している。
 しかし、これは一例に過ぎず、図14に示す合成回路17において、第1の伝送線路31、第1の補償サセプタンス回路19、第2の伝送線路32及び第2の補償サセプタンス回路21のそれぞれが、図16に示すような集中定数回路に置き換えられていているものであってもよい。
 また、図15に示す合成回路25において、第1の伝送線路33、第1の補償サセプタンス回路19、第2の伝送線路34及び第2の補償サセプタンス回路21のそれぞれが、図16に示すような集中定数回路に置き換えられていているものであってもよい。
 なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
 この発明は、アウトフェージング増幅器及び通信装置に適している。
 1 信号分配器、2 アウトフェージング増幅器、11 入力端子、12 入力端子、13 第1のトランジスタ、13a 入力端子、13b 出力端子、14 第2のトランジスタ、14a 入力端子、14b 出力端子、15 ゲートバイアス端子、16 ゲートバイアス端子、17 合成回路、18 第1の伝送線路、19 第1の補償サセプタンス回路、20 第2の伝送線路、21 第2の補償サセプタンス回路、22 合成点、23 出力端子、24 第2のトランジスタ、24a 入力端子、24b 出力端子、25 合成回路、26 第1の伝送線路、27 第2の伝送線路、31,33 第1の伝送線路、32,34 第2の伝送線路、51,52 コイル、53 コンデンサ、54 コンデンサ、55,56 コイル。

Claims (15)

  1.  第1の信号を増幅し、増幅後の第1の信号を出力する第1のトランジスタと、
     第2の信号を増幅し、増幅後の第2の信号を出力する第2のトランジスタと、
     前記第1のトランジスタにより増幅される第1の信号の電力と前記第2のトランジスタにより増幅される第2の信号の電力との総和電力が、第1の閾値よりも小さいとき、前記増幅される第1の信号の振幅が、前記増幅される第2の信号の振幅よりも大きく、前記増幅される第1の信号の位相と前記増幅される第2の信号の位相との位相差が一定であれば、
     互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成として、前記第1のトランジスタから出力された増幅後の第1の信号と、前記第2のトランジスタから出力された増幅後の第2の信号とを合成する合成回路と
     を備えたアウトフェージング増幅器。
  2.  前記総和電力が、前記第1の閾値以上であり、かつ、第2の閾値よりも小さいとき、前記増幅される第1の信号の振幅と、前記増幅される第2の信号の振幅とが等しく、前記総和電力の増加に伴って、前記増幅される第1の信号の位相と前記増幅される第2の信号の位相との位相差が減少すれば、
     前記合成回路は、互いの振幅が等しく、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成として、前記第1のトランジスタから出力された増幅後の第1の信号と、前記第2のトランジスタから出力された増幅後の第2の信号とを合成することを特徴とする請求項1記載のアウトフェージング増幅器。
  3.  前記総和電力が、前記第2の閾値以上であるとき、前記増幅される第1の信号の振幅と、前記増幅される第2の信号の振幅とが等しく、前記増幅される第1の信号の位相と前記増幅される第2の信号の位相とが等しければ、
     前記合成回路は、互いの振幅が等しく、かつ、互いの位相が等しい、2つの信号の合成として、前記第1のトランジスタから出力された増幅後の第1の信号と、前記第2のトランジスタから出力された増幅後の第2の信号とを合成することを特徴とする請求項2記載のアウトフェージング増幅器。
  4.  前記合成回路は、
     前記第1のトランジスタの出力端子と一端が接続されており、前記第1のトランジスタから出力された増幅後の第1の信号を伝送する第1の伝送線路と、
     前記第2のトランジスタの出力端子と一端が接続されて、前記第1の伝送線路の他端と他端が接続されており、前記第2のトランジスタから出力された増幅後の第2の信号を伝送する第2の伝送線路とを備えていることを特徴とする請求項1記載のアウトフェージング増幅器。
  5.  前記増幅される第1の信号の波長と前記増幅される第2の信号の波長とが同じ波長であり、
     前記第1の伝送線路の電気長は、前記増幅される第1の信号の波長の4分の1の長さであり、
     前記第2の伝送線路の電気長は、前記増幅される第2の信号の波長の4分の1の長さであることを特徴とする請求項4記載のアウトフェージング増幅器。
  6.  前記増幅される第1の信号の波長と前記増幅される第2の信号の波長とが同じ波長であり、
     前記第1の伝送線路の電気長と前記第2の伝送線路の電気長との総和が、前記増幅される第1の信号の波長の2分の1の長さであることを特徴とする請求項4記載のアウトフェージング増幅器。
  7.  前記第2のトランジスタから出力可能な増幅後の第2の信号の最大電力が、前記第1のトランジスタから出力可能な増幅後の第1の信号の最大電力よりも大きいことを特徴とする請求項1記載のアウトフェージング増幅器。
  8.  前記総和電力が、前記第1の閾値よりも小さいときに、前記増幅される第1の信号の振幅が、前記増幅される第2の信号の振幅よりも小さくても、
     前記合成回路は、互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成として、前記第1のトランジスタから出力された増幅後の第1の信号と、前記第2のトランジスタから出力された増幅後の第2の信号とを合成することを特徴とする請求項7記載のアウトフェージング増幅器。
  9.  前記総和電力が、前記第1の閾値以上であり、かつ、第2の閾値よりも小さいとき、前記増幅される第2の信号の振幅が、前記増幅される第1の信号の振幅よりも大きく、前記総和電力の増加に伴って、前記増幅される第1の信号の位相と前記増幅される第2の信号の位相との位相差が減少すれば、
     前記合成回路は、互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が異なる、2つの信号の合成として、前記第1のトランジスタから出力された増幅後の第1の信号と、前記第2のトランジスタから出力された増幅後の第2の信号とを合成することを特徴とする請求項8記載のアウトフェージング増幅器。
  10.  前記総和電力が、前記第2の閾値以上であるとき、前記増幅される第2の信号の振幅が、前記増幅される第1の信号の振幅よりも大きく、前記増幅される第1の信号の位相と前記増幅される第2の信号の位相とが等しければ、
     前記合成回路は、互いの振幅が異なり、かつ、互いの位相が等しい、2つの信号の合成として、前記第1のトランジスタから出力された増幅後の第1の信号と、前記第2のトランジスタから出力された増幅後の第2の信号とを合成することを特徴とする請求項9記載のアウトフェージング増幅器。
  11.  前記合成回路は、
     前記第1のトランジスタの出力端子と一端が接続されており、前記第1のトランジスタから出力された増幅後の第1の信号を伝送する第1の伝送線路と、
     前記第2のトランジスタの出力端子と一端が接続されて、前記第1の伝送線路の他端と他端が接続されており、前記第2のトランジスタから出力された増幅後の第2の信号を伝送する第2の伝送線路とを備え、
     前記第1の伝送線路の特性インピーダンスが前記第2の伝送線路の特性インピーダンスよりも高いことを特徴とする請求項8記載のアウトフェージング増幅器。
  12.  前記増幅される第1の信号の波長と前記増幅される第2の信号の波長とが同じ波長であり、
     前記第1の伝送線路の電気長は、前記増幅される第1の信号の波長の4分の1の長さであり、
     前記第2の伝送線路の電気長は、前記増幅される第2の信号の波長の4分の1の長さであることを特徴とする請求項11記載のアウトフェージング増幅器。
  13.  前記増幅される第1の信号の波長と前記増幅される第2の信号の波長とが同じ波長であり、
     前記第1の伝送線路の電気長と前記第2の伝送線路の電気長との総和が、前記増幅される第1の信号の波長の2分の1の長さであることを特徴とする請求項11記載のアウトフェージング増幅器。
  14.  前記第1のトランジスタの入力端子は、前記第1のトランジスタのスレッシュホールド電圧以下のバイアス電圧が印加されており、
     前記第2のトランジスタの入力端子は、前記第2のトランジスタのスレッシュホールド電圧以下のバイアス電圧が印加されていることを特徴とする請求項1記載のアウトフェージング増幅器。
  15.  通信用信号として、前記増幅される第1の信号及び前記増幅される第2の信号のそれぞれを増幅する増幅器として、請求項1から請求項14のうちのいずれか1項記載のアウトフェージング増幅器を備えていることを特徴とする通信装置。
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