WO2020237913A1 - Oled显示面板及其制作方法 - Google Patents

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WO2020237913A1
WO2020237913A1 PCT/CN2019/106129 CN2019106129W WO2020237913A1 WO 2020237913 A1 WO2020237913 A1 WO 2020237913A1 CN 2019106129 W CN2019106129 W CN 2019106129W WO 2020237913 A1 WO2020237913 A1 WO 2020237913A1
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display panel
emitting device
oled display
cavity
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孙佳佳
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武汉华星光电半导体显示技术有限公司
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    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the invention relates to the field of display technology, in particular to an OLED display panel and a manufacturing method thereof.
  • O-cut OLED display panel
  • O-shaped hole in its non-edge display area.
  • a camera infrared sensor
  • earpiece a camera
  • CUP under-screen camera
  • infrared sensor a sensor that can be clearly imaged.
  • the OLED panel contains many film layers, the external light loses a lot after passing through the O-cut area, and eventually the CUP cannot be clearly imaged. Therefore, how to improve the light transmittance of the O-cut area has become a necessary and practical research proposition.
  • the EL material at a certain distance around the O-cut area is removed by etching, and then the TFE section process is completed, and finally laser or etching is used Method to remove the film in the O-cut area.
  • This scheme improves the light transmittance of the O-cut area by opening holes in this area.
  • the external water vapor directly enters the inside of the display panel from the film layer cut off on the side wall, thereby causing the device inside the display panel to fail.
  • An OLED display panel comprising an array substrate, a light emitting device layer arranged on the surface of the array substrate, and an encapsulation layer arranged on the light emitting device layer and the array substrate;
  • the OLED display panel is provided with a through hole that penetrates the array substrate, the light emitting device layer, and the encapsulation layer;
  • the through hole includes a laminated first cavity and a second cavity, the first cavity has a larger aperture than the second cavity, and the first cavity cuts off at least the through hole The light emitting device layer at the edge, and the water vapor conductive film layer in the thickness direction;
  • the array substrate includes a TFT device layer, a flat layer on the TFT device layer, and a pixel definition layer on the flat layer, the pixel definition layer is formed with pixel regions distributed in an array, the light emitting device The layer is correspondingly arranged in the pixel area;
  • the water vapor conductive film layer includes the flat layer and the pixel definition layer.
  • the TFT device layer includes a TFT device and a functional film layer covering the TFT device;
  • the first cavity can cut off the light-emitting device layer, the water vapor conductive film layer, and part or all of the functional film layer.
  • the encapsulation layer includes an organic layer and an inorganic layer alternately arranged, and the organic layer is wrapped in the inorganic layer.
  • the inorganic layer continuously covers at least the light-emitting device layer and the surface of the first cavity.
  • the organic layer only covers the light-emitting device layer outside the through hole.
  • the organic layer covers the light emitting device layer outside the through hole and part or all of the surface of the first cavity.
  • An OLED display panel comprising an array substrate, a light emitting device layer arranged on the surface of the array substrate, and an encapsulation layer arranged on the light emitting device layer and the array substrate;
  • the OLED display panel is provided with a through hole that penetrates the array substrate, the light emitting device layer, and the encapsulation layer;
  • the through hole includes a laminated first cavity and a second cavity, the first cavity has a larger diameter than the second cavity, and the first cavity cuts off at least the through hole The light emitting device layer at the edge and the water vapor conductive film layer in the thickness direction.
  • the array substrate includes a TFT device layer, a flat layer on the TFT device layer, and a pixel definition layer on the flat layer, and the pixel definition layer is formed with an array Distributed pixel area, the light-emitting device layer is correspondingly arranged in the pixel area;
  • the water vapor conductive film layer includes the pixel definition layer and the flat layer.
  • the TFT device layer includes a TFT device and a functional film layer covering the TFT device;
  • the first cavity can cut off the light emitting device layer, the water vapor conductive film layer, and part or all of the functional film layer.
  • the encapsulation layer includes an organic layer and an inorganic layer alternately arranged, and the organic layer is wrapped in the inorganic layer.
  • the inorganic layer continuously covers at least the light-emitting device layer and the surface of the first cavity.
  • the organic layer only covers the light-emitting device layer outside the through hole.
  • the organic layer covers the light emitting device layer outside the through hole and part or all of the surface of the first cavity.
  • the hole shape of the second cavity includes a circle, an oval or a polygon.
  • the TFT device is arranged to avoid the through hole.
  • An OLED display panel manufacturing method includes the following steps:
  • S10 Provide a substrate, provide an opening area on the surface of the substrate, and perform a thinning treatment on the opening area;
  • the removable part further includes the spacer layer, and the area where the film layer is removed will form an annular step at the edge of the recess.
  • the spacer layer includes at least a pixel definition layer and a flat layer.
  • the TFT device layer includes the TFT device and a functional film layer covering the TFT device.
  • the removed film layer further includes part or all of the functional film layer.
  • the present invention cuts off the water vapor intrusion channel on the side of the through hole by partitioning the part of the film around the through hole, which not only ensures the packaging reliability of the OLED device, but also improves the light transmittance of the through hole, thereby ensuring the under-screen Clear imaging of the camera.
  • FIG. 1a is a schematic diagram of a planar structure of an OLED display panel in an embodiment of the present invention
  • 1b is a schematic diagram of a cross-sectional structure of an OLED display panel with openings in an embodiment of the present invention
  • FIG. 1c is a flowchart of a method for manufacturing an OLED display surface in an embodiment of the present invention
  • FIG. 1d is a schematic diagram of the manufacturing process of an OLED display panel in an embodiment of the present invention.
  • 1e is a schematic diagram of the manufacturing process of an OLED display panel in an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1f is a schematic diagram of the manufacturing process of an OLED display panel in an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1g is a schematic diagram of the manufacturing process of an OLED display panel in an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an OLED display panel provided by an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is another OLED display panel provided by an embodiment of the present invention.
  • the present invention is aimed at the existing OLED display panel, because the display panel needs to be opened, but the side of the display panel opening is not fully protected, resulting in the technical defect of water vapor intruding into the OLED panel. This solution can solve the defect.
  • the present invention provides an OLED display panel.
  • the display panel 10 includes an array substrate and a light emitting device layer disposed on the surface of the array substrate. 105, and an encapsulation layer disposed on the light emitting device layer 105 and the array substrate.
  • the array substrate includes a substrate 103 and a TFT device layer 109 and a spacer layer 104 disposed on the substrate 103.
  • the spacer layer 104 at least includes a flat layer 1041 and a pixel definition layer 1042.
  • the TFT device layer 109 It also includes an active layer 1091, a buffer layer 1092, a gate insulating layer 1093 and 1094, a gate 1095, an intermediate dielectric layer 1096, and source and drain electrodes 1097 and 1098.
  • the film layers on the substrate 103 are respectively the buffer layer 1092, the gate insulating layers 1093 and 1094, the intermediate dielectric layer 1096, the flat layer 1041, and the pixel definition
  • the pixel defining layer 1042 is formed with pixel regions distributed in an array, the light emitting device layer 105 is correspondingly disposed in the pixel region, wherein the active layer 1091 is disposed on the buffer layer 1092, and Is covered by the gate insulating layer 1093, the gate 1095 is disposed on the gate insulating layer 1093 and is covered by the gate insulating layer 1094, and the gate 1095 is located in the active layer Above 1091, the source and drain electrodes 1097 and 1098 are respectively disposed on both sides of the active layer 1091, and penetrate the gate insulating layers 1093 and 1094 and the intermediate dielectric layer 1096.
  • the display panel 10 is provided with an opening area 110, and a through hole is provided in the opening area 110, so the TFT devices of the TFT device layer 109 are all arranged outside the opening area 110, and the TFT
  • the device includes the active layer 1091, the gate 1095, and source and drain electrodes 1097 and 1098.
  • the through hole in the opening area 110 is a stepped hole.
  • the stepped hole includes a stacked first cavity 101 and a second cavity 102, and the first cavity 101 is close to the light emitting device layer 105
  • the aperture of the first cavity 101 is larger than the aperture of the second cavity 102, and the first cavity 101 cuts at least the light emitting device layer 105 at the edge of the through hole, and The water vapor conductive film layer in the thickness direction of the light emitting device layer 105 is described.
  • the water vapor conductive film layer includes the flat layer 1041 and the pixel definition layer 1042.
  • the first cavity can cut off part or all of the light-emitting device layer 105, the flat layer 1041, the pixel definition layer 1042, and the TFT device layer.
  • the planar shape of the second cavity 102 includes a circle, an ellipse, and a polygon; the cross-sectional shape of the second cavity 102 includes a square, an inverted trapezoid, and an arc.
  • the first cavity 101 and the second cavity 102 can be made by laser technology and etching technology.
  • the encapsulation layer includes an organic layer and an inorganic layer alternately arranged, and the encapsulation layer covers the light emitting device layer 105, the first cavity 101, and a part of the second cavity 102.
  • the organic layer is wrapped in the inorganic layer, and the inorganic layer will cover the light-emitting device layer 105, the first cavity 101 and part of the second cavity 102, and the organic layer
  • the coverage area is less than or equal to the coverage area of the inorganic layer, and does not exceed the boundary between the first cavity 101 and the second cavity 102, that is, the organic layer can only cover the outside of the opening area 110
  • the surface of the light-emitting device layer 105 or the organic layer may cover the surface of the light-emitting device layer 105 outside the opening area 110 and part of the surface of the stepped hole.
  • the inorganic layer covers the film layer in the second cavity 102 in the direction perpendicular to the surface of the panel.
  • the encapsulation layer will cover at least the light emitting device layer 105, the pixel defining layer 1042 and the flat layer 1041 in the sidewall of the first cavity 101, and block the light emitting device layer 105
  • the pixel definition layer 1042 and the water vapor intrusion channel on the sidewall of the opening area 110 of the flat layer 1041 protect the OLED display panel from water vapor intrusion.
  • the encapsulation layer can cover any film layer below the intermediate dielectric layer 1096 to prevent water vapor from intruding.
  • the first cavity 101 will cut off the light emitting device layer 105, the pixel defining layer 1042 and the flat layer 1041 at the edge of the opening area 110.
  • the sidewall of the first cavity 101 includes the light emitting device layer 105, the pixel definition layer 1042, and the flat layer 1041.
  • the encapsulation layer includes a first inorganic layer 106, a first organic layer 108, and a second inorganic layer 107 that are stacked.
  • the first organic layer 108 is disposed between the first inorganic layer 106 and the second inorganic layer 107, and is completely covered by the first inorganic layer 106 and the second inorganic layer 107, so The boundaries of the first organic layer 108 are covered.
  • the first inorganic layer 106 will cover the surface of the light-emitting device layer 105 and part of the surface of the stepped hole, including the surface of the first cavity 101 and the surface of the second cavity 102 perpendicular to the surface of the panel.
  • the surface of the film in the direction.
  • the first organic layer 108 covers the surface of the light emitting device layer 105 outside the opening region 110, but does not cover the opening region 110.
  • the second inorganic layer 107 completely covers the first organic layer 108 and the first inorganic layer 106.
  • the encapsulation layer can protect the side surface of the opening area 110 to prevent moisture intrusion, and the encapsulation layer will cover at least the light emitting device layer 105, the flat layer 1041 and the pixel definition layer 1042, In order to solve the technical defect in the prior art that water vapor enters the inside of the OLED display panel from the light emitting device layer 105, the flat layer 1041, and the pixel definition layer 1042.
  • Figure 1c is a flow chart of the method of the present invention. The method includes the following steps:
  • a substrate 103 is provided, an opening area 110 is provided on the surface of the substrate 103, and the opening area 110 is thinned.
  • Figures 1d, 1e, 1f, and 1g are schematic diagrams of the manufacturing process of a preferred embodiment of the manufacturing method of the OLED display panel of the present invention. The method steps of this embodiment are described in detail below.
  • the substrate 103 is provided, the opening area 110 is provided on the substrate 103, and the opening area 110 of the substrate 103 is thinned, and the thickness of the thinning is less than The thickness of the substrate 103.
  • the TFT device layer 109 the light-emitting device layer 105, and the spacer layer 104 are prepared on the substrate 103 according to a normal manufacturing process, wherein the spacer layer 104 includes stacked layers A flat layer 1041 and a pixel definition layer 1042.
  • the TFT device layer 109 further includes an active layer 1091, a buffer layer 1092, gate insulating layers 1094 and 1094, a gate 1095, an intermediate dielectric layer 1096, and source and drain electrodes 1097 and 1098 .
  • the edge of the recess 114 that is, the light-emitting device layer 105 and the flat layer between the boundary of the recess 114 and the boundary of the opening region 110, are formed by laser technology or etching technology 1041 and the pixel definition layer 1042 are removed, thereby forming an annular step 115.
  • the removed film layer includes at least the light-emitting device layer 105, the flat layer 1041, and the pixel definition layer 1042, which can be removed to any film layer below the intermediate dielectric layer 1096.
  • the encapsulation layer is prepared on the substrate 103 according to a normal manufacturing process, including the first inorganic layer 106, the first organic layer 108, and the second inorganic layer 107.
  • first organic layer 108 is disposed between the first inorganic layer 106 and the second inorganic layer 107, and is completely separated by the first inorganic layer 106 and the second inorganic layer 107. cover.
  • the encapsulation layer will form two different degrees of depressions in the opening area 110, that is, an annular mesa 111 is formed on the periphery of the opening area 110 , And the groove 112 with a greater depth surrounded by the annular platform 111.
  • the first inorganic layer 106 and the second inorganic layer 107 can cover all areas outside the second cavity 102 to prevent the intrusion of water vapor.
  • the covering edge of the first organic layer 108 can extend to any position of the covering range of the first inorganic layer 106, but does not exceed the boundary of the groove 112 (that is, does not exceed the second cavity 102 boundary).
  • FIG. 2 it is a preferred embodiment of the present invention.
  • the difference from FIG. 1b is the coverage of the first organic layer 206.
  • the encapsulation layer includes a first inorganic layer 205, a first organic layer 206, and a second inorganic layer 207 that are stacked.
  • the sidewall of the first cavity 201 includes the light-emitting device layer 204, the pixel definition layer 203, and the flat layer 202, and the above three organic film layers are covered by the encapsulation layer to prevent moisture Three film layers invade the OLED display panel.
  • the first organic layer 206 will cover the surface of the light-emitting device layer 204 and part or all of the first cavity 201.
  • FIG. 3 it is a preferred embodiment of the present invention.
  • the difference from FIG. 1b is the depth of the first cavity 301.
  • the encapsulation layer includes a first inorganic layer 306, a first organic layer 307, and a second inorganic layer 308 that are stacked.
  • the sidewall of the first cavity 301 includes the light emitting device layer 305, the pixel definition layer 304, the flat layer 303, and the gate insulating layer 302.
  • the encapsulation layer will cover the light emitting device layer 305, the pixel definition layer 304, the flat layer 303, and the gate insulating layer 302 to prevent water vapor from entering the OLED display panel from the above four film layers.
  • the first organic layer 307 only covers the surface of the light-emitting device layer 305.
  • the present invention cuts off the water vapor intrusion channel on the side of the through hole by partitioning the part of the film around the through hole, which not only ensures the packaging reliability of the OLED device, but also improves the light transmittance of the through hole, thereby ensuring the under-screen Clear imaging of the camera.

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Abstract

一种OLED显示面板（10）及其制作方法，所述OLED显示面板（10）上设置有通孔，所述通孔包括第一孔腔（101）以及第二孔腔（102），所述第一孔腔（101）将所述通孔侧壁暴露的部分膜层切断，以此阻隔水汽从所述通孔侧壁侵入所述OLED显示面板（10）内的途径，所述第二孔腔（102）贯穿所述基板（103），保证屏下摄像头的清晰成像。

Description

OLED显示面板及其制作方法 技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制作方法。
 背景技术
目前有一种新型O-cut（O型切割） OLED显示面板，其特点是在其非边缘显示区内设计一种O形孔，此O形孔下方可放置摄像头、红外传感器、听筒等模组，由于此O形孔的位置可随意设置，因此可以实现CUP（屏下摄像头）、红外传感器、听筒等模组在面板显示区域的位置灵活性。然而，由于OLED面板内包含诸多膜层，导致外界光穿过O-cut区域后损失较大，最终导致CUP无法清晰成像。因此，如何提高O-cut区域的光透过率成为了一个必要且具实际意义的研究命题。
为解决此类问题，在现有技术中，在完成Array和EL段制程后，采用蚀刻的方法将O-cut区域周围某一距离的EL材料去除，然后完成TFE段制程，最后采用镭射或蚀刻方法去除O-cut区域的膜层。该方案通过在O-cut区域进行开孔来提高此区域的光透过率，然而，该方案只考虑了切断O-cut孔侧边EL膜层的水汽通道，而忽略了平坦层（PLN）和像素定义层（PDL）等有机膜层，导致外界水汽依然能从O-cut孔侧面通过裸露的PLN和PDL膜层直接进入OLED器件内部，从而导致OLED器件失效。
 技术问题
显示面板开孔的侧壁由于膜层被切断，使得外界的水汽由侧壁被切断的膜层直接进入显示面板的内部，从而导致显示面板内部的器件失效。
 技术解决方案
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
一种OLED显示面板，其包括阵列基板、设置于所述阵列基板表面的发光器件层，以及设置于所述发光器件层和所述阵列基板上的封装层；
所述OLED显示面板设置有通孔，所述通孔贯穿所述阵列基板、所述发光器件层以及所述封装层；
其中，所述通孔包括层叠的第一孔腔与第二孔腔，所述第一孔腔的孔径大于所述第二孔腔的孔径，且所述第一孔腔至少切断所述通孔边缘的所述发光器件层，以及厚度方向上的水汽传导膜层；
且所述阵列基板包括TFT器件层，位于所述TFT器件层上的平坦层，以及位于所述平坦层上的像素定义层，所述像素定义层形成有阵列分布的像素区，所述发光器件层对应设置于所述像素区内；
其中，所述水汽传导膜层包括所述平坦层以及所述像素定义层。
在本发明的一种实施例中，所述TFT器件层包括TFT器件以及包覆所述TFT器件的功能膜层；
则所述第一孔腔可切断所述发光器件层、所述水汽传导膜层以及部分或全部所述功能膜层。
在本发明的一种实施例中，所述封装层包括交替设置的有机层和无机层，所述有机层包覆于所述无机层内。
在本发明的一种实施例中，所述无机层至少连续地覆盖所述发光器件层以及所述第一孔腔表面。
在本发明的一种实施例中，所述有机层仅覆盖所述通孔之外的所述发光器件层。
在本发明的一种实施例中，所述有机层覆盖所述通孔之外的所述发光器件层以及部分或全部所述第一孔腔表面。
一种OLED显示面板，其包括阵列基板、设置于所述阵列基板表面的发光器件层，以及设置于所述发光器件层和所述阵列基板上的封装层；
所述OLED显示面板设置有通孔，所述通孔贯穿所述阵列基板、所述发光器件层以及所述封装层；
其中，所述通孔包括层叠的第一孔腔与第二孔腔，所述第一孔腔的孔径大于所述第二孔腔的孔径，且所述第一孔腔至少切断所述通孔边缘的所述发光器件层，以及厚度方向上的水汽传导膜层。
在本发明的一种实施例中，所述阵列基板包括TFT器件层，位于所述TFT器件层上的平坦层，以及位于所述平坦层上的像素定义层，所述像素定义层形成有阵列分布的像素区，所述发光器件层对应设置于所述像素区内；
则所述水汽传导膜层包括所述像素定义层以及所述平坦层。
在本发明的一种实施例中，所述TFT器件层包括TFT器件以及包覆所述TFT器件的功能膜层；
则所述第一孔腔可切断所述发光器件层、所述水汽传导膜层以及部分或全部所述功能膜层。
在本发明的一种实施例中，所述封装层包括交替设置的有机层和无机层，所述有机层包覆于所述无机层内。
在本发明的一种实施例中，所述无机层至少连续地覆盖所述发光器件层以及所述第一孔腔表面。
在本发明的一种实施例中，所述有机层仅覆盖所述通孔之外的所述发光器件层。
在本发明的一种实施例中，所述有机层覆盖所述通孔之外的所述发光器件层以及部分或全部所述第一孔腔表面。
在本发明的一种实施例中，所述第二孔腔的孔形包括圆形、椭圆形或多边形。
在本发明的一种实施例中，所述TFT器件避开所述通孔设置。
一种OLED显示面板的制作方法，所述方法包括以下步骤：
S10、提供一基板，在所述基板表面设置开孔区，并对所述开孔区进行减薄处理；
S20、在所述基板上制备TFT器件层、位于所述TFT器件层之上的发光器件层以及间隔层，其中，所述TFT器件层的TFT器件避开所述开孔区设置，且所述TFT器件层、所述发光器件层以及所述间隔层位于所述开孔区的部分形成凹陷；
S30、至少去除所述凹陷边缘的所述发光器件层；
S40、在所述基板上制备封装层，所述封装层至少连续地覆盖所述发光器件层、以及所述凹陷表面；
S50、将所述凹陷底部去除，形成通孔。
在本发明的一种实施例中，所述步骤S30中，可去除的部分还包括所述间隔层，且去除膜层的区域将在所述凹陷的边缘形成一环形阶部。
在本发明的一种实施例中，所述间隔层至少包括像素定义层和平坦层。
在本发明的一种实施例中，所述TFT器件层包括所述TFT器件以及包覆所述TFT器件的功能膜层。
在本发明的一种实施例中，去除的膜层还包括部分或全部所述功能膜层。
 有益效果
本发明通过将通孔周围的部分膜层隔断，以此切断通孔侧面的水汽入侵通道，既保证了OLED器件的封装可靠性，又提高了通孔的光透过性，从而保证了屏下摄像头的清晰成像。
 附图说明
图1a为本发明实施例中OLED显示面板平面结构示意图；
图1b为本发明实施例中OLED显示面板开孔截面结构示意图；
图1c为本发明实施例中OLED显示面制作方法流程图；
图1d为本发明实施例中OLED显示面板制程示意图；
图1e为本发明实施例中OLED显示面板制程示意图；
图1f为本发明实施例中OLED显示面板制程示意图；
图1g为本发明实施例中OLED显示面板制程示意图。
图2为本发明实施例提供的一种OLED显示面板。
图3为本发明实施例提供的另一种OLED显示面板。
 本发明的最佳实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的OLED显示面板，由于需要在显示面板上进行开孔，但是显示面板开孔侧面没有得到完全的保护，导致水汽侵入OLED面板内的技术缺陷，本方案能解决该缺陷。
如图1a、1b所示，分别为本发明开孔结构平面及截面示意图，本发明提供一种OLED显示面板，所述显示面板10包括：阵列基板、设置于所述阵列基板表面的发光器件层105，以及设置于所述发光器件层105和所述阵列基板上的封装层。
其中，所述阵列基板包括基板103以及设置于所述基板103上的TFT器件层109以及间隔层104，所述间隔层104又至少包括平坦层1041以及像素定义层1042，所述TFT器件层109又包括有源层1091、缓冲层1092、栅极绝缘层1093和1094、栅极1095、中间介电层1096以及源漏极1097和1098。具体的，所述基板103上的膜层依次往上分别为所述缓冲层1092、所述栅极绝缘层1093和1094、所述中间介电层1096、所述平坦层1041以及所述像素定义层1042，所述像素定义层1042形成有阵列分布的像素区，所述发光器件层105对应设置于所述像素区内，其中，所述有源层1091设置于所述缓冲层1092上，并被所述栅极绝缘层1093所覆盖，所述栅极1095设置于所述栅极绝缘层1093上并被所述栅极绝缘层1094所覆盖，且所述栅极1095位于所述有源层1091上方，所述源漏极1097和1098分别设置于所述有源层1091两侧，并贯穿所述栅极绝缘层1093和1094以及所述中间介电层1096。所述显示面板10设置有开孔区110，所述开孔区110内设置有通孔，所以所述TFT器件层109的TFT器件均设置于所述开孔区110之外，且所述TFT器件包括所述有源层1091、所述栅极1095以及源漏极1097和1098。
另外，所述开孔区110内的通孔为台阶孔，所述台阶孔包括层叠的第一孔腔101以及第二孔腔102，且所述第一孔腔101靠近所述发光器件层105一侧，其中，所述第一孔腔101的孔径大于所述第二孔腔102的孔径，且所述第一孔腔101至少切断所述通孔边缘的所述发光器件层105，以及所述发光器件层105厚度方向上的水汽传导膜层。
优选的，所述水汽传导膜层包括所述平坦层1041以及所述像素定义层1042。
优选的，所述第一孔腔可切断所述发光器件层105、所述平坦层1041、所述像素定义层1042以及所述TFT器件层中的部分或全部膜层。
优选的，所述第二孔腔102的平面形状包括圆形、椭圆形以及多边形；所述第二孔腔102的截面形状包括方形、倒梯形以及弧形。
优选的，所述第一孔腔101和所述第二孔腔102可采用镭射技术以及蚀刻技术制得。
所述封装层包括交替设置的有机层和无机层，并且所述封装层覆盖所述发光器件层105、所述第一孔腔101以及部分所述第二孔腔102。
其中，所述有机层包覆于所述无机层内，所述无机层将覆盖所述发光器件层105，所述第一孔腔101以及部分所述第二孔腔102，所述有机层的覆盖范围小于或等于所述无机层的覆盖范围，且不超过所述第一孔腔101与第二孔腔102相连接的边界，即所述有机层可仅覆盖所述开孔区110之外的所述发光器件层105表面，或者所述有机层可覆盖所述开孔区110之外的所述发光器件层105表面以及部分所述台阶孔表面。
优选的，所述无机层覆盖所述第二孔腔102中与所述面板表面垂直方向上的膜层。
优选的，所述封装层将至少覆盖所述第一孔腔101侧壁内的所述发光器件层105、所述像素定义层1042以及所述平坦层1041，阻断了所述发光器件层105、所述像素定义层1042以及所述平坦层1041在所述开孔区110侧壁上的水汽入侵通道，保护了所述OLED显示面板不被水汽侵入。
即，所述封装层可覆盖所述中间介电层1096以下任一膜层，防止水汽侵入。
本实施例中：
所述第一孔腔101将切断所述开孔区110边缘的所述发光器件层105、所述像素定义层1042以及所述平坦层1041。
即所述第一孔腔101的侧壁中包括所述发光器件层105、所述像素定义层1042以及所述平坦层1041。
所述封装层包括层叠设置的第一无机层106、第一有机层108以及第二无机层107。
其中，所述第一有机层108设置于所述第一无机层106和所述第二无机层107之间，且被所述第一无机层106和所述第二无机层107完全覆盖，所述第一有机层108边界均被覆盖。
所述第一无机层106将覆盖所述发光器件层105表面，并覆盖部分所述台阶孔表面，包括所述第一孔腔101表面以及所述第二孔腔102中与所述面板表面垂直方向上的膜层表面。
即覆盖所述第一孔腔101侧壁中的所述发光器件层105、所述像素定义层1042以及所述平坦层1041。
所述第一有机层108覆盖所述开孔区110之外的所述发光器件层105表面，未覆盖所述开孔区110。
所述第二无机层107完全覆盖所述第一有机层108以及所述第一无机层106。
综上，所述封装层可保护所述开孔区110的侧面，防止水汽侵入，且所述封装层将至少覆盖所述发光器件层105、所述平坦层1041以及所述像素定义层1042，以解决现有技术中水汽由所述发光器件层105、所述平坦层1041以及所述像素定义层1042侵入所述OLED显示面板内部的技术缺陷。
如图1c所示为本发明方法流程图，所述方法包括以下步骤：
S10、提供一基板103，在所述基板103表面设置开孔区110，并对所述开孔区110进行减薄处理。
S20、在所述基板103上制备TFT器件层109、位于所述TFT器件层109之上的发光器件层105以及间隔层104，其中，所述TFT器件层109的TFT器件避开所述开孔区110设置，且所述TFT器件层109、所述发光器件层105以及所述间隔层104位于所述开孔区110的部分形成凹陷114。
S30、至少去除所述凹陷114边缘的所述发光器件层105。
S40、在所述基板103上制备封装层，所述封装层至少连续地覆盖所述发光器件层105、以及所述凹陷114表面。
S50、将所述凹陷114底部去除，形成通孔。
如图1d、1e、1f、1g所示，为本发明所述OLED显示面板的制作方法一优选实施例的制程示意图，下面具体介绍本实施例的方法步骤。
S10，如图1c所示，提供所述基板103，在所述基板103上设置所述开孔区110，并在所述基板103的开孔区110进行减薄处理，且减薄的厚度小于所述基板103的厚度。
S20，如图1d所示，按照正常制程在所述基板103上制备所述TFT器件层109、所述发光器件层105以及所述间隔层104，其中，所述间隔层104又包括层叠设置的平坦层1041以及像素定义层1042，所述TFT器件层109又包括有源层1091、缓冲层1092、栅极绝缘层1094和1094、栅极1095、中间介电层1096以及源漏极1097和1098。
需要注意的是，由于所述开孔区110进行了减薄处理，所以上述膜层在所述开孔区将形成凹陷114。
S30，如图1e所示，采用镭射技术或者蚀刻技术将所述凹陷114的边缘，即所述凹陷114边界至所述开孔区110边界之间的所述发光器件层105、所述平坦层1041以及所述像素定义层1042去除，从而形成环形阶部115。
需要注意的是，去除的膜层至少包括所述发光器件层105、所述平坦层1041以及所述像素定义层1042，即可去除至所述中间介电层1096以下任一膜层。
S40，如图1f所示，按照正常制程在所述基板103上制备所述封装层，包括所述第一无机层106，所述第一有机层108以及所述第二无机层107。
需要注意的是，所述第一有机层108设置于所述第一无机层106和所述第二无机层107之间，且被所述第一无机层106和所述第二无机层107完全覆盖。
另外，所述封装层因S1的减薄处理以及S3的除膜处理，将在所述开孔区110内形成两种不同程度的凹陷，即所述开孔区110外围形成一环形台部111，以及所述环形台部111所围绕的深度更大的凹槽112。
S50，采用镭射技术或者蚀刻技术将所述凹陷114底部（即所述凹槽112底部）膜层以及所述基板103去除，形成通孔，得到如图1b所示的开孔结构。
所述第一无机层106和所述第二无机层107可将所述第二孔腔102之外的全部区域覆盖，防止水汽的入侵。
其中，所述第一有机层108的覆盖边缘可延伸至所述第一无机层106的覆盖范围的任一位置，但不超过所述凹槽112的边界（即不超过所述第二孔腔102的边界）。
如图2所示，为本发明一优选实施例，其与图1b的区别在于所述第一有机层206的覆盖范围。
在本实施例中，所述封装层包括层叠设置的第一无机层205、第一有机层206以及第二无机层207。
所述第一孔腔201的侧壁包括所述发光器件层204、所述像素定义层203以及所述平坦层202，并以所述封装层将以上三层有机膜层覆盖，防止水汽由以上三个膜层侵入所述OLED显示面板。
其中，所述第一有机层206将覆盖所述发光器件层204表面以及所述第一孔腔201的部分或全部。
如图3所示，为本发明一优选实施例，其与图1b的区别在于所述第一孔腔301的深度。
在本实施例中，所述封装层包括层叠设置的第一无机层306、第一有机层307以及第二无机层308。
所述第一孔腔301的侧壁包括所述发光器件层305、所述像素定义层304、所述平坦层303以及所述栅极绝缘层302。
则所述封装层将覆盖所述发光器件层305、所述像素定义层304、所述平坦层303以及所述栅极绝缘层302，防止水汽由以上四个膜层侵入所述OLED显示面板。
其中，所述第一有机层307仅覆盖所述发光器件层305表面。
本发明通过将通孔周围的部分膜层隔断，以此切断通孔侧面的水汽入侵通道，既保证了OLED器件的封装可靠性，又提高了通孔的光透过性，从而保证了屏下摄像头的清晰成像。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (20)

  1. 一种OLED显示面板，其包括阵列基板、设置于所述阵列基板表面的发光器件层，以及设置于所述发光器件层和所述阵列基板上的封装层；
    所述OLED显示面板设置有通孔，所述通孔贯穿所述阵列基板、所述发光器件层以及所述封装层；
    其中，所述通孔包括层叠的第一孔腔与第二孔腔，所述第一孔腔的孔径大于所述第二孔腔的孔径，且所述第一孔腔至少切断所述通孔边缘的所述发光器件层，以及厚度方向上的水汽传导膜层；
    且所述阵列基板包括TFT器件层，位于所述TFT器件层上的平坦层，以及位于所述平坦层上的像素定义层，所述像素定义层形成有阵列分布的像素区，所述发光器件层对应设置于所述像素区内；
    其中，所述水汽传导膜层包括所述平坦层以及所述像素定义层。
  2. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，所述TFT器件层包括TFT器件以及包覆所述TFT器件的功能膜层；
    则所述第一孔腔可切断所述发光器件层、所述水汽传导膜层以及部分或全部所述功能膜层。
  3. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，所述封装层包括交替设置的有机层和无机层，所述有机层包覆于所述无机层内。
  4. 根据权利要求3所述的OLED显示面板，其中，所述无机层至少连续地覆盖所述发光器件层以及所述第一孔腔表面。
  5. 根据权利要求4所述的OLED显示面板，其中，所述有机层仅覆盖所述通孔之外的所述发光器件层。
  6. 根据权利要求4所述的OLED显示面板，其中，所述有机层覆盖所述通孔之外的所述发光器件层以及部分或全部所述第一孔腔表面。
  7. 一种OLED显示面板，其包括阵列基板、设置于所述阵列基板表面的发光器件层，以及设置于所述发光器件层和所述阵列基板上的封装层；
    所述OLED显示面板设置有通孔，所述通孔贯穿所述阵列基板、所述发光器件层以及所述封装层；
    其中，所述通孔包括层叠的第一孔腔与第二孔腔，所述第一孔腔的孔径大于所述第二孔腔的孔径，且所述第一孔腔至少切断所述通孔边缘的所述发光器件层，以及厚度方向上的水汽传导膜层。
  8. 根据权利要求7所述的OLED显示面板，其中，所述阵列基板包括TFT器件层，位于所述TFT器件层上的平坦层，以及位于所述平坦层上的像素定义层，所述像素定义层形成有阵列分布的像素区，所述发光器件层对应设置于所述像素区内；
    则所述水汽传导膜层包括所述像素定义层以及所述平坦层。
  9. 根据权利要求8所述的OLED显示面板，其中，所述TFT器件层包括TFT器件以及包覆所述TFT器件的功能膜层；
    则所述第一孔腔可切断所述发光器件层、所述水汽传导膜层以及部分或全部所述功能膜层。
  10. 根据权利要求7所述的OLED显示面板，其中，所述封装层包括交替设置的有机层和无机层，所述有机层包覆于所述无机层内。
  11. 根据权利要求10所述的OLED显示面板，其中，所述无机层至少连续地覆盖所述发光器件层以及所述第一孔腔表面。
  12. 根据权利要求11所述的OLED显示面板，其中，所述有机层仅覆盖所述通孔之外的所述发光器件层。
  13. 根据权利要求11所述的OLED显示面板，其中，所述有机层覆盖所述通孔之外的所述发光器件层以及部分或全部所述第一孔腔表面。
  14. 根据权利要求7所述的OLED显示面板，其中，所述第二孔腔的孔形包括圆形、椭圆形或多边形。
  15. 根据权利要求9所述的OLED显示面板，其中，所述TFT器件避开所述通孔设置。
  16. 一种OLED显示面板的制作方法，所述方法包括以下步骤：
    S10、提供一基板，在所述基板表面设置开孔区，并对所述开孔区进行减薄处理；
    S20、在所述基板上制备TFT器件层、位于所述TFT器件层之上的发光器件层以及间隔层，其中，所述TFT器件层的TFT器件避开所述开孔区设置，且所述TFT器件层、所述发光器件层以及所述间隔层位于所述开孔区的部分形成凹陷；
    S30、至少去除所述凹陷边缘的所述发光器件层；
    S40、在所述基板上制备封装层，所述封装层至少连续地覆盖所述发光器件层、以及所述凹陷表面；
    S50、将所述凹陷底部去除，形成通孔。
  17. 根据权利要求16所述的OLED显示面板的制作方法，其中，所述步骤S30中，可去除的部分还包括所述间隔层，且去除膜层的区域将在所述凹陷的边缘形成一环形阶部。
  18. 根据权利要求17所述的OLED显示面板的制作方法，其中，所述间隔层至少包括像素定义层和平坦层。
  19. 根据权利要求16所述的OLED显示面板的制作方法，其中，所述TFT器件层包括所述TFT器件以及包覆所述TFT器件的功能膜层。
  20. 根据权利要求19所述的OLED显示面板的制作方法，其中，去除的膜层还包括部分或全部所述功能膜层。
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