WO2020222464A1 - 근접 노광을 위한 기판 변형 장치 및 이를 이용한 근접 노광을 위한 기판 변형 방법 - Google Patents

근접 노광을 위한 기판 변형 장치 및 이를 이용한 근접 노광을 위한 기판 변형 방법 Download PDF

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exposure mask
sensor
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오제훈
이창규
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한양대학교에리카산학협력단
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate modification apparatus for proximity exposure and a substrate modification method for proximity exposure using the same, and in particular, the exposure so that the distance between the exposure mask and the substrate to be exposed is constant along the plane direction of the exposure mask.
  • the present invention relates to an apparatus for deforming a substrate for near exposure and a method for deforming a substrate for near exposure using the same.
  • the photolithography process is a technology for forming a fine pattern that is widely used in manufacturing semiconductor devices, printed electronic circuits, and display panels.
  • the photolithography process may include a series of processes such as a coating step, an exposure step, a developing step, and an etching step.
  • a mask on which a fine pattern is formed is provided on a substrate or wafer coated with a photoresist and irradiated with light, so that the fine pattern of the mask is formed on the substrate or wafer coated with the photoresist. It can be transferred to a wafer.
  • the photoresist of the substrate or wafer may cause a photochemical reaction, whereby the physical properties of the photoresist may be changed.
  • the exposure step may be classified into a contact type, a projection type, and a proximity type according to a separation distance between the substrate or wafer and the mask.
  • the contact exposure may be performed by irradiating parallel light while the substrate or wafer and the mask are in contact.
  • the contact exposure has a simple structure and a high pattern accuracy, but has a disadvantage of being corroded or damaged by contact.
  • Projection-type exposure may be performed by providing a projection lens at a distance between the substrate or wafer and the mask, so that light that has passed through the mask is irradiated to the wafer through the projection lens.
  • the projection type exposure has the advantage of being able to form a finer pattern than the above-described contact type exposure because it is possible to reduce the pattern of the mask and transfer it onto the substrate or wafer through the projection lens.
  • the apparatus for projection-type exposure requires a complex optical system system including a projection lens, and is expensive, amounting to tens of billions of dollars, and has a disadvantage of lowering productivity due to a reduced exposure area.
  • Proximity exposure may be performed by irradiating parallel light while maintaining a separation distance between the substrate or wafer and the mask at ⁇ several hundred ⁇ m. Unlike the above-described contact exposure and projection exposure, the proximity exposure does not cause a problem due to contact, and is used in various fields such as displays, PCBs, and MEMS due to the advantages of productivity and cost.
  • exposure light emitted from a light source is irradiated to a mask having a pattern that transmits light through an optical system, and exposure light transmitted through the pattern among the exposure light irradiated to the mask is A method of exposing the entire surface of the substrate with a pattern formed on the mask by repeatedly projecting the resist applied to the first region of the substrate disposed close to the mask to expose the resist over the entire surface of the substrate.
  • the exposure light is irradiated to the mask, wherein the exposure light emitted from the light source is transmitted through a light integrator to convert it into a plurality of point light sources, and the furnace is converted into a plurality of point light sources by passing through the light integrator.
  • the light is converted into parallel light in a collimating mirror, and the exposure light converted into parallel light is reflected from a plane mirror equipped with actuators arranged in a two-dimensional shape on the back surface and irradiated to the mask.
  • the actuators arranged in a two-dimensional shape are arranged in a position corresponding to the surface of the substrate to be exposed, pass through the pinhole of a pinhole camera having a scale guide for vision and an imaging camera on the scale guide for vision.
  • an exposure method for controlling individual actuators of actuators arranged in the two-dimensional shape based on information about a point light source of the optical integrator obtained from an image obtained by imaging a projected image with the imaging camera.
  • One technical problem to be solved by the present invention is to provide a substrate modification method for near exposure by deforming a substrate to be exposed in consideration of deflection due to its own weight of an exposure mask.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to measure the position of the exposure target substrate, the position of the exposure mask, and the exposure mask and the exposure mask so that the relative distance between the exposure mask and the exposure target substrate becomes a predetermined distance. It is to provide a substrate modification method for near exposure by adjusting the position of at least one of the substrates to be exposed.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a substrate modification method for near exposure in which the uniformity of the spacing between an exposure mask and an exposure target substrate is increased.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a method for modifying a substrate for proximity exposure with improved patterning resolution.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a substrate deformation apparatus for proximity exposure, including a first plate made of the same material as the exposure mask.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to control the deformation of the surface direction of the first plate by adjusting the height of the separation distance adjustment unit, and according to the control of the surface direction deformation of the first plate, the exposure target on the first plate It is to provide a substrate deformation apparatus for close exposure in which a substrate is deformed.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a substrate deformation apparatus for proximity exposure, including a plurality of spaced interval adjustment units provided along the surface direction of the first plate.
  • the technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above.
  • the present invention provides a substrate deformation apparatus for close exposure.
  • the substrate modification apparatus for the proximity exposure includes: a mask holder on which an exposure mask is mounted, a first plate spaced apart from the exposure mask in a predetermined direction and on which an exposure target substrate is mounted, a position adjusting unit configured to adjust a position of the exposure mask, A separation distance adjusting unit for adjusting a separation distance between the exposure mask and the exposure target substrate, a first sensor measuring a position of at least one of the exposure mask and the exposure target substrate, and a separation distance between the exposure mask and the exposure target substrate A second sensor for measuring A, and a first control to reduce the relative distance between the exposure mask and the substrate to be exposed through the position control unit according to a measurement result from the first sensor, and the second control after the first control According to a measurement result from the sensor, a control unit for performing a second control for deforming the substrate to be exposed according to the sagging of the exposure mask through the separation interval adjusting unit.
  • the exposure target substrate is performed through the first sensor. After obtaining the position of, mounting the exposure mask on the mask holder, and obtaining the position of the exposure mask through the first sensor, the distance between the exposure mask and the substrate to be exposed reaches a predetermined distance. A distance between the exposure mask and a direction of the substrate to be exposed may be reduced through the position adjusting unit.
  • the predetermined distance may be within a measurable distance of the second sensor.
  • a uniformity of a separation distance between the exposure mask and the substrate to be exposed may increase after the second control compared to before the second control.
  • the spaced space adjusting part is provided between the first plate and the second plate, and along a surface direction of the first plate It can be provided in plurality.
  • the height of the spacing adjustment unit is adjusted to control the surface direction deformation of the first plate, and according to the surface direction deformation control of the first plate, The substrate to be exposed may be deformed.
  • the first sensor may be a displacement sensor
  • the second sensor may be a gap measurement sensor
  • the first plate may be made of the same material as the exposure mask.
  • the first plate may have concave portions and convex portions alternately along a surface direction of the first plate, and the spacing adjustment portion may directly contact the convex portion.
  • the present invention provides a substrate modification method for close exposure.
  • the method of modifying a substrate for proximity exposure includes preparing a substrate to be exposed on a first plate, a first measuring step of measuring a position of the substrate to be exposed, and facing the substrate to be exposed.
  • a predetermined distance between the exposure mask and the substrate to be exposed is A position adjustment step of adjusting the position of at least one of the exposure mask and the exposure target substrate, after the position adjustment step, a third measurement step of measuring a distance between the exposure mask and the exposure target substrate, and the third measurement
  • the step of deforming the substrate to be exposed so that the distance between the exposure mask and the substrate to be exposed is constant along the surface direction of the exposure mask.
  • the first measuring step and the second measuring step may be performed by a displacement sensor, and the third measuring step may be performed by a gap measuring sensor.
  • the predetermined distance may be within a measurable distance of the distance measurement sensor.
  • the uniformity of the separation distance between the exposure mask and the substrate to be exposed may increase after the third measurement step compared to before the third measurement step.
  • the exposure target substrate in the step of deforming the exposure target substrate, may be deformed according to the sagging of the exposure mask.
  • a mask holder on which an exposure mask is mounted, a first plate spaced apart from the exposure mask in a predetermined direction and on which an exposure target substrate is mounted, a position adjusting unit for adjusting a position of the exposure mask, and the exposure A spacing distance adjusting unit for adjusting a spacing distance between a mask and the substrate to be exposed, a first sensor for measuring a position of at least one of the exposure mask and the substrate to be exposed, and measuring a spacing distance between the exposure mask and the substrate to be exposed
  • a substrate deforming apparatus for proximity exposure may be provided, including a control unit for performing a second control for deforming the substrate to be exposed according to the sagging of the exposure mask through the separation interval adjusting unit.
  • the exposure target substrate may be deformed, thereby increasing the uniformity of the separation distance between the exposure mask and the exposure target substrate. Therefore, in the proximity exposure, the patterning resolution can be improved.
  • FIG. 1 is a view for explaining a substrate deformation apparatus for proximity exposure according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 2 and 3 are views for explaining a separation interval adjusting unit according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of deforming a substrate for proximity exposure according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • 5 is a diagram for explaining steps S110 and S120 of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining steps S130 and S140 of the present invention.
  • step S150 of the present invention is a diagram for explaining step S150 of the present invention.
  • step S160 of the present invention is a diagram for explaining step S160 of the present invention.
  • step S170 of the present invention is a view for explaining step S170 of the present invention.
  • 10 and 11 are diagrams for explaining a modified example of the present invention.
  • first, second, and third are used to describe various components, but these components should not be limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another component. Accordingly, what is referred to as a first component in one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment.
  • first component in one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment.
  • second component in another embodiment.
  • Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiment.
  • 'and/or' is used to mean including at least one of the elements listed before and after.
  • connection is used to include both indirectly connecting a plurality of constituent elements and direct connecting.
  • ... unit means units that process at least one function or operation, which can be implemented by hardware or software or a combination of hardware and software. have.
  • the large-area mask due to a large amount of deflection due to its own weight, a phenomenon in which a separation distance deviation between the large-area mask and the substrate increases over the entire exposed area. Accordingly, the patterning resolution may be lowered due to the deviation of the separation distance.
  • an object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of effectively responding to a decrease in patterning resolution due to sagging of a mask, particularly a large area mask, due to its own weight in proximity exposure.
  • FIG. 1 is a view for explaining a substrate deformation apparatus for close exposure according to an embodiment of the present invention
  • Figures 2 and 3 are views for explaining a separation interval adjusting unit according to an embodiment of the present invention.
  • the substrate deformation apparatus for the proximity exposure includes a mask holder 10, a position adjustment unit 20, a first plate 30, a separation distance adjustment unit 40, and a second plate 50. , And a control unit 60 may be included.
  • the mask holder 10 may mount the exposure mask EM. Specifically, the mask holder 10 may be mounted by holding both sides of the exposure mask EM as illustrated in FIG. 1.
  • the mask holder 10 even when the exposure mask EM mounted on the mask holder 10 is moved up and down for position adjustment, the two-dimensional exposure mask EM set initially The position of the image can be stably maintained.
  • the position adjusting unit 20 may adjust the position of the exposure mask EM. Specifically, as shown in FIG. 1, when the exposure mask EM is mounted on the mask holder 10, the position adjusting unit 20 may be configured to be the mask holder on which the exposure mask EM is mounted ( 10) can be moved.
  • the position adjustment unit 20 can move the position of the mask holder 10 up and down, and as the mask holder 10 moves up and down, it is mounted on the mask holder 10
  • the exposed exposure mask EM can be moved up and down.
  • the first plate 30 may mount the substrate ES to be exposed. Specifically, the first plate 30 may be spaced apart from the exposure mask EM in a predetermined direction to mount the exposure target substrate ES. Here, the predetermined direction may be below the exposure mask EM.
  • the first plate 30 may be formed of the same material as the exposure mask EM. In addition, the first plate 30 may be formed to have the same thickness as the exposure mask EM.
  • the first plate 30 may have a deflection amount equal to that of the exposure mask EM due to its own weight.
  • the separation distance difference between the large area mask and the substrate increases over the entire exposure area, and the patterning resolution may decrease due to the separation distance difference. I can.
  • the first plate 30 may be formed of the same material and thickness as the exposure mask EM. Accordingly, the first plate 30 has a deflection amount equal to that of the exposure mask EM due to its own weight, and the exposure target substrate ES mounted on the first plate 30 and the exposure mask ( EM)'s separation distance deviation can be minimized.
  • the patterning resolution can be improved.
  • the first plate 30 is formed of the same material and thickness as the exposure mask EM, the exposure target substrate ES mounted on the first plate 30 And even when the separation distance difference between the exposure mask EM occurs, this can be minimized.
  • the separation distance adjustment unit 40 may be provided.
  • the separation distance adjusting part 40 may be located on the second plate 50.
  • the spaced interval adjusting unit 40 is provided between the first plate 30 and the second plate 50, and may be provided in plurality along the surface direction of the first plate 30. I can.
  • a plurality of the spaced distance adjusting units 40 may be provided on the second plate 50 along the surface direction of the first plate 30.
  • the separation distance adjusting part 40 may include a main body 41, a first fixing part 43, a second fixing part 45, and an adjusting part 47.
  • the main body 41 of the spacing adjustment part 40 is coupled to one surface of the second plate 50, and the second fixing part 45 is the first plate 30 Can be combined on one side of.
  • the first fixing part 43, the second fixing part 45, and the adjusting part 47 are, as shown in FIG. 3, the first fixing part 43, the adjusting part 47 , It may be provided on the main body 41 in the order of the second fixing part 45.
  • the first and second fixing portions 43 and 45 may be fixed.
  • the height of the separation distance adjusting part 40 can be adjusted by manipulating the adjusting part 47 (1) (2).
  • the distance between the first and second fixing parts 43 and 45 may be increased, and the spacing gap adjusting part 40 may be lengthened, Conversely, when the adjusting part 47 rotates in a counterclockwise direction, the distance between the first and second fixing parts 43 and 45 becomes close, so that the separation distance adjusting part 40 may be shortened.
  • the deformation of the surface direction of the first plate 30 may be controlled.
  • the exposure target substrate ES on the first plate 30 may be deformed according to the surface direction deformation control of the first plate 30.
  • the first plate 30 is formed of the same material and thickness as the exposure mask EM, a possible deviation can be minimized.
  • the separation distance between the exposure target substrate ES mounted on the first plate 30 and the exposure mask EM can be precisely controlled.
  • the uniformity of the separation gap G between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES may be increased through the separation gap adjusting unit 40.
  • the separation interval adjustment unit 40, the main body 41, the first fixing part 43, the second fixing part 45, and the adjustment part 47 may include at least one of a servo motor-based actuator electromagnet suction system, a piezo actuator, or a voice coil motor.
  • the controller 60 may perform a first control and a second control.
  • control unit 60 may perform a first control to reduce a relative distance between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES through the position control unit 20.
  • control unit 60 may perform a second control of deforming the exposure target substrate ES according to the sagging of the exposure mask EM through the separation interval adjusting unit 40.
  • the substrate deformation apparatus for proximity exposure may further include a first sensor S1 and a second sensor S2.
  • the first sensor S1 may measure the position of at least one of the exposure mask EM and the exposure target substrate ES.
  • the first sensor S1 may be a displacement sensor.
  • the first sensor S1 may EM) and the position of at least one of the exposure target substrate ES may be quickly measured.
  • the second sensor S2 may measure a separation distance G between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES.
  • the second sensor S2 may be a gap measuring sensor.
  • the second sensor S2 may have a high resolution of precisely measuring the separation distance G between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES.
  • the substrate deformation apparatus for the proximity exposure further includes the first and second sensors S1 and S2, the control unit 60, according to the measurement result from the first sensor S1, The relative distance between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES can be reduced through the position adjusting unit 20, that is, the first control can be performed.
  • the exposure target substrate ES is deformed according to the deflection of the exposure mask EM through the spacing interval adjusting unit 40 It is possible to perform the second control to let.
  • FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of deforming a substrate for proximity exposure according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a view for explaining steps S110 and S120 of the present invention
  • FIG. 6 is a flowchart illustrating steps S130 and S120 of the present invention.
  • Fig. 7 is a view for explaining step S150 of the present invention
  • Fig. 8 is a diagram for explaining step S160 of the present invention
  • Fig. 9 is a diagram for explaining step S170 of the present invention It is a drawing.
  • the substrate modification method for the proximity exposure includes: preparing a substrate to be exposed (S110), a first measuring step (S120), preparing an exposure mask (S130), a second measuring step (S140), and It may include the adjusting step (S150), the third measuring step (S160), and the exposure target substrate deformation step (S170).
  • S110 preparing a substrate to be exposed
  • S120 preparing an exposure mask
  • S140 preparing an exposure mask
  • S140 second measuring step
  • It may include the adjusting step (S150), the third measuring step (S160), and the exposure target substrate deformation step (S170).
  • an exposure target substrate ES may be prepared. Specifically, as shown in FIG. 5, an exposure target substrate ES may be prepared on the first plate 30. Although not shown, it goes without saying that a material to be patterned and a photosensitive film may be stacked on the exposure target substrate ES. In addition, the exposure target substrate ES may be made of a flexible material so that it can be deformed according to the deformation of the first plate 30.
  • the first plate 30 is formed of the same material and thickness as the exposure mask EM, and the first plate 30 has a deflection amount due to its own weight of the exposure mask EM. It can have the same amount of deflection as
  • a first measurement may be performed.
  • the control unit 60 may generate a control signal to perform the first measurement.
  • the first measurement may include measuring the position of the exposure target substrate ES.
  • the position may be understood to mean the height of the exposure target substrate ES.
  • the exposure is performed through the first sensor S1. It may include obtaining the location of the target substrate ES.
  • the control unit 60 may acquire a position of a predetermined point, for example, 20 to 30 points along the surface direction of the exposure target substrate ES through the first sensor S1.
  • the first sensor S1 may be a displacement sensor.
  • the displacement sensor may be at least one of a laser type, a white interference type, a contact type (CMM), and an eddy current type sensor.
  • the first sensor (S1) is a laser sensor
  • the laser of the laser sensor (S1) is directly irradiated to the exposure target substrate (ES), and the exposure target substrate (ES) is the first sensor (S1) Even if it is located at a long distance from, it is possible to quickly measure the position of the exposure target substrate ES.
  • the exposure mask EM may be non-mounted on the mask holder 10.
  • an exposure mask EM may be prepared. Specifically, the exposure mask EM may be prepared by being mounted on the mask holder 10 so as to face the substrate ES to be exposed.
  • the exposure mask EM is the target of exposure so that a sufficient safety distance can be secured between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES to prevent collision between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES. It may be mounted spaced apart from the substrate ES.
  • the mask holder 10 grips and mounts both sides of the exposure mask EM, and the exposure mask EM mounted on the mask holder 10 controls the position. Even when it is moved up and down for a risk, the position on the two-dimensional image of the exposure mask EM set at an initial stage can be stably maintained.
  • a second measurement may be performed.
  • the control unit 60 may generate a control signal to perform the second measurement.
  • the second measurement may include measuring the position of the exposure mask EM.
  • the second measurement may include acquiring the position of the exposure mask EM through the first sensor S1 as illustrated in FIG. 6.
  • the control unit 60 may acquire a position of a predetermined point, for example, 20 to 30 points along the surface direction of the exposure mask EM through the first sensor S1.
  • the point of step S140 may correspond to the point of step 120, that is, the same point based on the plane direction.
  • the first sensor S1 may be a laser sensor.
  • the laser of the laser sensor S1 is directly irradiated to the exposure mask EM, so that the position of the exposure mask EM can be quickly measured.
  • step S150 a position of at least one of the exposure mask EM and the exposure target substrate ES may be adjusted.
  • the control unit 60 may generate a control signal to adjust the position.
  • the exposure mask EM and the exposure target substrate ES become a predetermined distance.
  • EM) position can be adjusted.
  • the position of the exposure mask EM may be moved in the direction of the exposure target substrate ES. That is, the control unit 60 may adjust the position of the exposure mask EM through the position adjusting unit 20.
  • the position of the exposure target substrate ES may be adjusted to become the predetermined distance (not shown).
  • the predetermined distance may mean within a measurable distance of the second sensor S2.
  • the predetermined distance may be within 50 ⁇ m.
  • the controller 60 may control the position control unit 20 so that the distance between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES is within a predetermined distance. More specifically, the control unit 60 may control the position control unit 20 such that a distance between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES is within a predetermined distance. have.
  • the second sensor S2 may be a distance measurement sensor.
  • it may be at least one of an electric field type sensor and a vision type sensor.
  • the second sensor S2 is an electric field sensor
  • due to the characteristics of the electric field sensor when the measurement object is located at a far distance from the electric field sensor, it may be difficult to accurately measure the location of the measurement object.
  • the first measuring step (S120) and the second measuring step (S140) may be performed first, and thereafter, the position adjusting step (S150) is performed according to steps S120 and S140. Accordingly, the position of the exposure mask EM may be adjusted so that the relative distance between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES becomes the predetermined distance.
  • the relative distance between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES may be adjusted within the measurable distance of the second sensor S2, for example, the electric field sensor, which is not easy to measure the long distance. There is.
  • a third measurement may be performed.
  • the control unit 60 may generate a control signal to perform the third measurement.
  • the third measurement may include measuring a distance G between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES after the position adjustment step S150.
  • step S150 the position of the exposure mask EM is adjusted to be the predetermined distance, and then step S160, that is, using the second sensor, the exposure mask EM and the substrate to be exposed.
  • step S160 that is, using the second sensor, the exposure mask EM and the substrate to be exposed.
  • the step of measuring the interval G between (ES) can be easily performed.
  • the distance G between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES measured through the third measurement is the exposure target substrate EM, as shown by Ga1 to Ga7 in FIG. 8. They may be different from each other along the direction of the plane of the plane.
  • the distance G between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES may be controlled to be constant along the plane direction of the exposure mask EM.
  • step S170 the exposure target substrate ES may be deformed.
  • the control unit 60 may generate a control signal to deform the exposure target substrate ES.
  • the control unit 60 determines the distance G between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES.
  • the exposure target substrate ES may be deformed so as to be constant along the plane direction of EM).
  • the uniformity of the spacing G between the exposure mask EM and the substrate ES to be exposed may be increased after the step S170, compared to before the step S170.
  • control of each step may be performed through the control unit 60 of the substrate deformation apparatus for the proximity exposure.
  • 10 and 11 are diagrams for explaining a modified example of the present invention.
  • the first plate 30 according to the modified example of the present invention alternately includes a convex portion 30a and a concave portion 30b along the surface direction of the first plate 30.
  • block portion 30a of the first plate 30 may directly contact the spacing adjustment portion 40.
  • the first plate 30 alternately has the convex portion 30a and the concave portion 30b, and the convex portion 30a is formed with the spacing adjustment portion 40
  • the uniformity of the spacing G between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES may increase.
  • the first plate 30 has the convex portion 30a and the concave portion 30b alternately, so that the first plate 30 can be easily deformed. This means that since the thickness of the concave portion 30b is thin, the deformation resistance is small, and thus the first plate 30 can be easily deformed by the spacing adjustment unit 40.
  • the first plate 30 has the same shape as the sag due to its own weight of the exposure mask EM, meaning that the first plate 30 can be easily deformed.
  • the first plate 30 alternately has the convex portion 30a and the concave portion 30b, and the convex portion 30a is formed with the spacing adjustment portion 40 As shown in FIG. After the (40b1 to 40b8) is driven, the uniformity of the separation distance (Gb1 to Gb7) between the exposure mask EM and the exposure target substrate ES may increase.
  • the exposure target substrate may be deformed, so that the uniformity of the separation distance between the exposure mask and the exposure target substrate may increase. Therefore, in the proximity exposure, the patterning resolution can be improved.

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Abstract

노광 마스크가 거치되는 마스크 홀더, 상기 노광 마스크로부터 소정 방향으로 이격하며, 노광 대상 기판이 거치되는 제1 플레이트, 상기 노광 마스크의 위치를 조절하는 위치 조절부, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 이격 간격을 조절하는 이격 간격 조절부, 상기 노광 마스크 및 상기 노광 대상 기판 중 적어도 하나의 위치를 측정하는 제1 센서, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격을 측정하는 제2 센서, 및 상기 제1 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 위치 조절부를 통하여 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 상대적인 거리를 줄이는 제1 제어와, 상기 제1 제어 후에 상기 제2 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 이격 간격 조절부를 통하여 상기 노광 마스크의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판을 변형시키는 제2 제어를 수행하는 제어부를 포함하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치가 제공된다.

Description

근접 노광을 위한 기판 변형 장치 및 이를 이용한 근접 노광을 위한 기판 변형 방법
본 발명은 근접 노광을 위한 기판 변형 장치 및 이를 이용한 근접 노광을 위한 기판 변형 방법에 관련된 것으로, 상세하게는, 노광 마스크와 노광 대상 기판 간의 간격이 상기 노광 마스크의 면 방향을 따라 일정해지도록 상기 노광 대상 기판을 변형시키는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치 및 이를 이용한 근접 노광을 위한 기판 변형 방법에 관련된 것이다.
포토리소그래피(Photolithography) 공정은 반도체 소자, 인쇄전자회로, 및 디스플레이 패널 등의 제작에 널리 이용되고 있는 미세 패턴 형성 기술이다. 상기 미세 패턴을 형성하기 위해, 포토리소그래피 공정은 코팅 단계, 노광 단계, 현상 단계, 및 에칭 단계 등의 일련의 과정을 포함할 수 있다.
포토리소그래피 공정 중 노광 단계에서, 포토레지스트(photo resist)가 코팅된 기판 또는 웨이퍼 상에, 미세 패턴이 형성된 마스크를 제공하고 광을 조사하여, 상기 마스크의 미세 패턴을 상기 포토레지스트가 코팅된 기판 또는 웨이퍼에 전사시킬 수 있다.
상기 노광 단계에서 광을 조사함으로써, 상기 기판 또는 웨이퍼의 포토레지스트가 광화학 반응을 일으킬 수 있고, 이로써, 상기 포토레지스트의 물성이 변화할 수 있다.
이후, 현상 단계 및 에칭 단계를 수행하여, 상기 물성이 변화한 포토레지스트의 부분만 남기거나 또는 제거하여, 상기 기판 또는 웨이퍼 상에 상기 미세 패턴을 형성할 수 있는 것이다.
상기 노광 단계는, 상기 기판 또는 웨이퍼와, 상기 마스크 간의 이격 거리에 따라, 접촉식, 투영식, 및 근접식으로 분류될 수 있다.
접촉식 노광은, 상기 기판 또는 웨이퍼와, 상기 마스크를 접촉시킨 상태에서, 평행광을 조사하는 방법으로 수행될 수 있다. 상기 접촉식 노광은, 구조가 단순하며, 높은 패턴 정밀도를 구현할 수 있지만, 접촉에 의해 부식되거나 파손되는 단점이 있다.
투영식 노광은, 상기 기판 또는 웨이퍼와, 상기 마스크 간의 이격에 투영 렌즈를 제공하여, 상기 마스크를 통과한 광이 상기 투영 렌즈를 거쳐, 상기 웨이퍼로 조사되는 방법으로 수행될 수 있다. 상기 투영식 노광은, 상기 투영 렌즈를 통해, 상기 마스크의 패턴을 축소하여 상기 기판 또는 웨이퍼 상에 전사하는 것이 가능하기 때문에, 상술된 접촉식 노광보다 더 미세한 패턴을 형성할 수 있는 장점이 있다. 하지만, 상기 투영식 노광을 위한 장치는, 투영 렌즈를 포함한 복잡한 광학계 시스템을 요구하기 때문에, ~수백억에 달하는 고가이며, 축소된 노광 영역으로 인해 생산성이 저하되는 단점이 있다.
근접식 노광은, 상기 기판 또는 웨이퍼와, 상기 마스크 간의 이격 거리를 ~수백 μm로 유지한 상태에서, 평행광을 조사하는 방법으로 수행될 수 있다. 상기 근접식 노광은, 상술된 접촉식 노광 및 투영식 노광과 달리, 접촉에 따른 문제가 발생하지 않고, 생산성 및 비용 측면의 장점으로 인해, 디스플레이, PCB, 및 MEMS 등 다양한 분야에 사용되고 있다.
예를 들어, 대한민국특허 등록공보 KR101432888B1에는, 광원으로부터 발사된 노광광을 광학계를 개재해서 광을 투과하는 패턴이 형성된 마스크에 조사하고, 그 마스크에 조사된 노광광 중 상기 패턴을 투과한 노광광을 상기 마스크와 근접해서 배치된 기판의 제1 영역에 도포된 레지스트 상에 투사해서 그 레지스트를 노광하는 것을 상기 기판의 전체면에 걸쳐서 반복함으로써, 상기 마스크에 형성된 패턴으로 상기 기판의 전면을 노광하는 방법으로서, 상기 노광광을 상기 마스크에 조사하는 것을, 상기 광원으로부터 발사된 노광광을 광 인티그레이터를 투과시켜서 복수의 점광원으로 변환하고, 그 광 인티그레이터를 투과해서 복수의 점광원으로 변환된 노광광을 콜리메이트 미러에서 평행광으로 변환하고, 그 평행광으로 변환된 노광광을 이면에 액튜에이터를 2차원 형상으로 배열해서 장비한 평면 거울에서 반사해서 상기 마스크에 조사함으로써 행하고, 상기 평면 거울의 이면에 2차원 형상으로 배열한 액튜에이터를, 상기 노광하는 기판의 표면에 상당하는 위치에 핀홀이 배치되고 목시용 눈금 가이드와 촬상 카메라를 구비하는 핀홀 카메라의 상기 핀홀을 통과해서 상기 목시용 눈금 가이드 상에 투영된 상을 상기 촬상 카메라로 촬상해 얻은 화상으로부터 얻어지는 상기 광 인티그레이터의 점광원에 관한 정보에 기초해서 상기 2차원 형상으로 배열된 액튜에이터의 개개의 액튜에이터를 제어하는 노광 방법이 개시되어 있다.
최근 디스플레이 분야에서, 전체 화면의 크기는 대형화되는 동시에, 개별 화소의 패턴 크기는 작아지는 기술이 요구되고 있다. 하지만, 종래의 근접식 노광 방법으로써는, 이에 대응할 수 있는 기술적 한계에 다다르고 있다.
이러한 기술적 한계가 발생하는 것은, 근접식 노광의 경우, 기판 또는 웨이퍼와, 마스크 간의 이격 거리가 멀어질수록 회절 현상이 발생하여 패터닝 분해능이 저하되는데, 마스크가 대면적일 경우에, 자중에 의한 처짐량이 커지면서, 전체 노광 영역에 대해, 마스크와, 기판 또는 웨이퍼 간의 이격 거리 편차가 커지기 때문이다. 따라서, 이러한 이격 거리 편차에 의해 패터닝 분해능이 저하될 수 있다.
또한, 기판 또는 웨이퍼와, 마스크의 이격에 제공되는 광 경로 상에는, 어떠한 요소도 존재해서는 안되기 때문에, 대면적 마스크의 자중에 의한 처짐을 직접적으로 제어하기 어려운 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 노광 마스크의 자중에 의한 처짐을 고려하여, 노광 대상 기판을 변형시키는, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 노광 대상 기판의 위치를 측정하고, 노광 마스크의 위치를 측정하여, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 상대적인 거리가 미리 정해진 거리가 되도록 상기 노광 마스크 및 상기 노광 대상 기판 중 적어도 하나의 위치를 조절하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 노광 마스크와 노광 대상 기판의 이격 간격 균일도가 증가하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 패터닝 분해능이 향상된, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 노광 마스크와 동일한 재질로 이루어진 제1 플레이트를 포함하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 이격 간격 조절부의 높이를 조절하여 제1 플레이트의 면 방향 변형을 제어하고, 상기 제1 플레이트의 면 방향 변형 제어에 따라, 상기 제1 플레이트 상의 노광 대상 기판이 변형되는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 제1 플레이트의 면 방향을 따라 복수 개 마련되는 이격 간격 조절부를 포함하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 근접 노광을 위한 기판 변형 장치를 제공한다.
상기 근접 노광을 위한 기판 변형 장치는, 노광 마스크가 거치되는 마스크 홀더, 상기 노광 마스크로부터 소정 방향으로 이격하며, 노광 대상 기판이 거치되는 제1 플레이트, 상기 노광 마스크의 위치를 조절하는 위치 조절부, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 이격 간격을 조절하는 이격 간격 조절부, 상기 노광 마스크 및 상기 노광 대상 기판 중 적어도 하나의 위치를 측정하는 제1 센서, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격을 측정하는 제2 센서, 및 상기 제1 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 위치 조절부를 통하여 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 상대적인 거리를 줄이는 제1 제어와, 상기 제1 제어 후에 상기 제2 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 이격 간격 조절부를 통하여 상기 노광 마스크의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판을 변형시키는 제2 제어를 수행하는 제어부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 제어는, 상기 노광 마스크를 상기 마스크 홀더에 비-거치하고, 상기 제1 플레이트 상에 노광 대상 기판을 거치한 상태에서, 상기 제1 센서를 통하여 상기 노광 대상 기판의 위치를 획득하고, 상기 노광 마스크를 상기 마스크 홀더에 거치하고, 상기 제1 센서를 통하여 상기 노광 마스크의 위치를 획득한 후, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 거리가 미리 정해진 거리에 이르도록 상기 위치 조절부를 통하여 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 방향 간의 거리를 줄일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 미리 정해진 거리는, 상기 제2 센서의 측정 가능 거리 이내일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 제어 전에 비하여 상기 제2 제어 후에, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격 균일도가 증가할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 이격 간격 조절부가 위치하는 제2 플레이트를 더 포함하며, 상기 이격 간격 조절부는, 상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트 사이에 마련되되, 상기 제1 플레이트의 면 방향을 따라 복수 개 마련될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 제어는, 상기 이격 간격 조절부의 높이를 조절하여 상기 제1 플레이트의 면 방향 변형을 제어하고, 상기 제1 플레이트의 면 방향 변형 제어에 따라, 상기 제1 플레이트 상의 노광 대상 기판이 변형될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 센서는 변위 센서이고, 상기 제2 센서는 간격 측정 센서로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 플레이트는 상기 노광 마스크와 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 플레이트는, 상기 제1 플레이트의 면 방향을 따라 오목부와 볼록부를 교번하여 가지고, 상기 이격 간격 조절부는, 상기 불록부와 직접 접촉할 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 근접 노광을 위한 기판 변형 방법을 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 근접 노광을 위한 기판 변형 방법은, 제1 플레이트 상에 노광 대상 기판을 준비하는 단계, 상기 노광 대상 기판의 위치를 측정하는 제1 측정 단계, 상기 노광 대상 기판과 대향하는 노광 마스크를 준비하는 단계, 상기 노광 마스크의 위치를 측정하는 제2 측정 단계, 상기 제1 및 제2 측정 단계의 측정 결과에 따라, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 상대적인 거리가 미리 정해진 거리가 되도록 상기 노광 마스크 및 상기 노광 대상 기판 중 적어도 하나의 위치를 조절하는 위치 조절 단계, 상기 위치 조절 단계 후에, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 간격을 측정하는 제3 측정 단계, 및 상기 제3 측정 단계의 측정 결과에 따라, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 간격이 상기 노광 마스크의 면 방향을 따라 일정해지도록 상기 노광 대상 기판을 변형시키는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 측정 단계 및 상기 제2 측정 단계는, 변위 센서에 의해 수행되고, 상기 제3 측정 단계는, 간격 측정 센서에 의해 수행될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 미리 정해진 거리는, 상기 간격 측정 센서의 측정 가능 거리 이내일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제3 측정 단계 전에 비하여 상기 제3 측정 단계 후에, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격 균일도가 증가할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 노광 대상 기판을 변형시키는 단계는, 상기 노광 마스크의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판을 변형시킬 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 노광 마스크가 거치되는 마스크 홀더, 상기 노광 마스크로부터 소정 방향으로 이격하며, 노광 대상 기판이 거치되는 제1 플레이트, 상기 노광 마스크의 위치를 조절하는 위치 조절부, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 이격 간격을 조절하는 이격 간격 조절부, 상기 노광 마스크 및 상기 노광 대상 기판 중 적어도 하나의 위치를 측정하는 제1 센서, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격을 측정하는 제2 센서, 및 상기 제1 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 위치 조절부를 통하여 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 상대적인 거리를 줄이는 제1 제어와, 상기 제1 제어 후에 상기 제2 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 이격 간격 조절부를 통하여 상기 노광 마스크의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판을 변형시키는 제2 제어를 수행하는 제어부를 포함하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치가 제공될 수 있다,
이에 따라, 상기 노광 마스크의 자중에 의한 처짐에 따라, 상기 노광 대상 기판을 변형시켜, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격 균일도가 증가할 수 있다. 따라서, 근접 노광에 있어서, 패터닝 분해능이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 근접 노광을 위한 기판 변형 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 이격 간격 조절부를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 근접 노광을 위한 기판 변형 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5는 본 발명의 단계 S110 및 S120을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 단계 S130 및 S140을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 단계 S150을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 단계 S160을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 단계 S170을 설명하기 위한 도면이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 게재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 형상 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 명세서에 기재된 "…부", "…기", "모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
최근 디스플레이 분야에서, 전체 화면의 크기는 대형화되는 동시에, 개별 화소의 패턴 크기는 작아지는 기술이 요구되고 있다.
이러한 시대의 흐름에 맞춰, 미세 패턴이 형성된 대면적 마스크를 이용해, 기판 상에 상기 대면적 마스크의 미세 패턴을 전사하는 근접 노광 방법이 이용되고 있다.
하지만, 상기 대면적 마스크의 경우, 자중에 의한 처짐량이 큰 것으로 인해, 전체 노광 영역에 대해, 상기 대면적 마스크와 상기 기판 간의 이격 거리 편차가 커지는 현상이 발생한다. 이에 따라, 상기 이격 거리 편차에 의해 패터닝 분해능이 저하될 수 있다.
또한, 상기 대면적 마스크와 상기 기판의 이격에 제공되는 광 경로 상에는, 어떠한 요소도 존재해서는 안되기 때문에, 상기 대면적 마스크의 자중에 의한 처짐을 직접적으로 제어하기 어려운 실정이다.
따라서, 본 발명에서는, 근접 노광에 있어서, 마스크 특히, 대면적의 마스크의 자중에 의한 처짐에 따른 패터닝 분해능 저하에, 효과적으로 대응할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 목표로 한다.
상기 목표를 달성하기 위해, 이하 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 근접 노광을 위한 기판 변형 장치가 설명된다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 근접 노광을 위한 기판 변형 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 2 및 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 이격 간격 조절부를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 상기 근접 노광을 위한 기판 변형 장치는, 마스크 홀더(10), 위치 조절부(20), 제1 플레이트(30), 이격 간격 조절부(40), 제2 플레이트(50), 및 제어부(60)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 마스크 홀더(10)는, 노광 마스크(EM)를 거치할 수 있다. 구체적으로, 상기 마스크 홀더는(10), 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 노광 마스크(EM)의 양측 부를 파지하여 거치할 수 있다.
이에 따라, 상기 마스크 홀더(10)는, 상기 마스크 홀더(10)에 거치된 상기 노광 마스크(EM)가 위치 조절을 위해 상하로 이동되는 경우에도, 초기에 설정된 상기 노광 마스크(EM)의 2차원 상의 위치를 안정적으로 유지시킬 수 있다.
상기 위치 조절부(20)는, 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 조절할 수 있다. 구체적으로, 상기 위치 조절부(20)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 마스크 홀더(10)에 상기 노광 마스크(EM)가 거치되면, 상기 노광 마스크(EM)가 거치된 상기 마스크 홀더(10)를 이동시킬 수 있다.
즉, 상기 위치 조절부(20)는, 상기 마스크 홀더(10)의 위치를 상·하로 이동시킬 수 있고, 상기 마스크 홀더(10)가 상·하로 이동함에 따라, 상기 마스크 홀더(10)에 거치된 노광 마스크(EM)가 상·하로 이동할 수 있는 것이다.
상기 제1 플레이트(30)는, 노광 대상 기판(ES)을 거치할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 플레이트(30)는, 상기 노광 마스크(EM)로부터 소정 방향으로 이격하여, 상기 노광 대상 기판(ES)을 거치할 수 있다. 여기에서, 상기 소정 방향은, 상기 노광 마스크(EM)의 하방일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 플레이트(30)는, 상기 노광 마스크(EM)와 동일한 재료로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 플레이트(30)는, 상기 노광 마스크(EM)와 동일한 두께로 형성될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 플레이트(30)는, 상기 노광 마스크(EM)의 자중에 의한 처짐량과 동일한 처짐량을 가질 수 있다.
상술된 바와 같이, 대면적 마스크의 경우, 자중에 의한 처짐량이 큰 것에 의해, 전체 노광 영역에 대해 상기 대면적 마스크와 기판 간의 이격 거리 편차가 커지는 바, 상기 이격 거리 편차에 의해 패터닝 분해능이 저하될 수 있다.
하지만, 이와는 달리, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1 플레이트(30)는 상기 노광 마스크(EM)와 동일한 재료 및 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1 플레이트(30)는 상기 노광 마스크(EM)의 자중에 의한 처짐량과 동일한 처짐량을 가지는 바, 상기 제1 플레이트(30) 상에 거치된 노광 대상 기판(ES)과 상기 노광 마스크(EM)의 이격 거리 편차가 최소화될 수 있는 것이다.
이에 따라, 패터닝 분해능이 향상될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1 플레이트(30)가 상기 노광 마스크(EM)과 동일한 재료 및 두께로 형성됨에도 불구하고, 상기 제1 플레이트(30) 상에 거치된 노광 대상 기판(ES)과 상기 노광 마스크(EM)의 이격 거리 편차가 발생하는 경우에도, 이를 최소화할 수 있다.
상술된 이격 거리 편차의 최소화를 위해, 상기 이격 간격 조절부(40)가 제공될 수 있다.
상기 이격 간격 조절부(40)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제2 플레이트(50) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 상기 이격 간격 조절부(40)는, 상기 제1 플레이트(30)와 상기 제2 플레이트(50) 사이에 마련되되, 상기 제1 플레이트(30)의 면 방향을 따라, 복수 개로 마련될 수 있다.
보다 구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 이격 간격 조절부(40)는, 상기 제1 플레이트(30)의 면 방향을 따라, 상기 제2 플레이트(50) 상에 복수 개로 마련될 수 있다
도 3을 참조하면, 상기 이격 간격 조절부(40)는, 본체(41), 제1 고정부(43), 제2 고정부(45), 및 조절부(47)로 구성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 이격 간격 조절부(40)의 본체(41)는, 상기 제2 플레이트(50)의 일 면에 결합되고, 상기 제2 고정부(45)는 제1 플레이트(30)의 일 면에 결합될 수 있다.
상기 제1 고정부(43), 상기 제2 고정부(45), 및 상기 조절부(47)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 고정부(43), 상기 조절부(47), 상기 제2 고정부(45)의 순서로 상기 본체(41) 상에 제공될 수 있다.
상기 본체(41)가 상기 제2 플레이트(50)의 일 면과 결합한 후에, 상기 제1 및 제2 고정부(43, 45)를 고정할 수 있다.
상기 제1 및 제2 고정부(43, 45)를 고정한 후에, 상기 조절부(47)를 조작하여(①), 상기 이격 간격 조절부(40)의 높이를 조절할 수 있다(②). 예를 들어, 상기 조절부(47)가 시계 방향으로 회전하는 경우, 상기 제1 및 제2 고정부(43, 45) 사이의 거리가 멀어져, 상기 이격 간격 조절부(40)가 길어질 수 있고, 반대로 상기 조절부(47)가 반 시계 방향으로 회전하는 경우, 상기 제1 및 제2 고정부(43, 45) 사이의 거리가 가까워져, 상기 이격 간격 조절부(40)가 짧아질 수 있다.
상기 이격 간격 조절부(40)의 높이를 조절하는 것에 의해, 상기 제1 플레이트(30)의 면 방향 변형을 제어할 수 있다. 상기 제1 플레이트(30)의 면 방향 변형 제어에 따라, 상기 제1 플레이트(30) 상의 노광 대상 기판(ES)이 변형될 수 있다.
이에 따라, 상술된 바와 같이, 상기 제1 플레이트(30)가 상기 노광 마스크(EM)과 동일한 재료 및 두께로 형성됨에도 불구하고, 발생할 수 있는 편차를 최소화할 수 있는 것이다.
또한, 상술된 바와 같이, 상기 이격 간격 조절부(40)는, 복수 개로 마련되는 바, 상기 제1 플레이트(30)의 면 방향 변형을 정밀하게 제어할 수 있다.
따라서, 상기 제1 플레이트(30) 상에 거치된 노광 대상 기판(ES)과 상기 노광 마스크(EM)의 이격 거리를 정밀 조절할 수 있다.
즉, 상기 이격 간격 조절부(40)를 통해, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 이격 간격(G) 균일도가 증가할 수 있는 것이다.
한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 이격 간격 조절부(40)는, 상기 본체(41), 제1 고정부(43), 제2 고정부(45), 및 조절부(47)로 구성되는 것과는 달리, 서보 모터(Servo motro) 기반의 액추에이터(actuator) 전자석 흡입 시스템, 피에조 액추에이터(PZT actuator), 또는 보이스 코일 모터(Voice coil motor) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수도 있다.
상기 제어부(60)는, 제1 제어 및 제2 제어를 수행할 수 있다.
구체적으로, 상기 제어부(60)는, 상기 위치 조절부(20)를 통하여, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 상대적인 거리를 줄이는 제1 제어를 수행할 수 있다.
또한, 상기 제어부(60)는, 상기 이격 간격 조절부(40)를 통하여 상기 노광 마스크(EM)의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판(ES)을 변형시키는 제2 제어를 수행활 수 있다.
이를 위해, 본 발명의 실시 예에 따른 근접 노광을 위한 기판 변형 장치는, 제1 센서(S1) 및 제2 센서(S2)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 제1 센서(S1)는, 상기 노광 마스크(EM) 및 상기 노광 대상 기판(ES) 중 적어도 하나의 위치를 측정할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 센서(S1)는 변위 센서일 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 센서(S1)는, 상기 노광 마스크(EM) 및 상기 노광 대상 기판(ES) 중 적어도 하나가 상기 제1 센서(S1)로부터 먼 거리에 위치하는 경우에도, 상기 노광 마스크(EM) 및 상기 노광 대상 기판(ES) 중 적어도 하나의 위치를 빠르게 측정할 수 있다.
상기 제2 센서(S2)는, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 이격 간격(G)을 측정할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 센서(S2)는 간격 측정 센서일 수 있다.
이에 따라, 상기 제2 센서(S2)는, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 이격 간격(G)을 정밀하게 측정하는 고분해능을 가질 수 있다.
상기 근접 노광을 위한 기판 변형 장치가, 상기 제1 및 제2 센서(S1, S2)를 더 포함하는 것에 의해, 상기 제어부(60)는, 상기 제1 센서(S1)로부터의 측정 결과에 따라, 상기 위치 조절부(20)를 통하여 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 상대적인 거리를 줄이는 즉, 제1 제어를 수행할 수 있는 것이다.
또한, 상기 제1 제어 후에 상기 제2 센서(S32)로부터의 측정 결과에 따라, 상기 이격 간격 조절부(40)를 통하여 상기 노광 마스크(EM)의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판(ES)을 변형시키는 제2 제어를 수행할 수 있는 것이다.
이하, 상기 제어부(60)를 통해 상기 근접 노광을 위한 기판 변형 장치를 제어함으로써, 근접 노광을 위한 기판을 변형하는 방법이 설명된다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 근접 노광을 위한 기판 변형 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 5는 본 발명의 단계 S110 및 S120을 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 발명의 단계 S130 및 S140을 설명하기 위한 도면이고, 도 7은 본 발명의 단계 S150을 설명하기 위한 도면이고, 도 8은 본 발명의 단계 S160을 설명하기 위한 도면이고, 도 9는 본 발명의 단계 S170을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 상기 근접 노광을 위한 기판 변형 방법은, 노광 대상 기판 준비 단계(S110), 제1 측정 단계(S120), 노광 마스크 준비 단계(S130), 제2 측정 단계(S140), 위치 조절 단계(S150), 제3 측정 단계(S160), 및 노광 대상 기판 변형 단계(S170)를 포함할 수 있다. 이하, 각 단계에 대해 상세히 설명하기로 한다.
단계 S110
단계 S110에서, 노광 대상 기판(ES)을 준비할 수 있다. 구체적으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 플레이트(30) 상에 노광 대상 기판(ES)을 준비할 수 있다. 도시하지는 않았으나, 상기 노광 대상 기판(ES) 상에는 패터닝 될 소재와 감광막이 적층될 수 있음은 물론이다. 또한 상기 노광 대상 기판(ES)은 제1 플레이트(30)의 변형에 따라 같이 변형될 수 있도록 플렉서블한 소재로 이루어질 수 있다.
상술된 바와 같이, 상기 제1 플레이트(30)는, 상기 노광 마스크(EM)와 동일한 재료 및 두께로 형성되는 바, 상기 제1 플레이트(30)는, 상기 노광 마스크(EM)의 자중에 의한 처짐량과 동일한 처짐량을 가질 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 플레이트(30) 상에 거치된 노광 대상 기판(ES)과 상기 노광 마스크(EM)의 이격 거리 편차가 최소화될 수 있다.
단계 S120
단계 S120에서, 제1 측정을 수행할 수 있다. 구체적으로, 상기 제어부(60)는, 상기 제1 측정을 수행하도록 제어신호를 생성할 수 있다. 상기 제1 측정은, 상기 노광 대상 기판(ES)의 위치를 측정하는 것을 포함할 수 있다. 여기서 위치라 함은, 상기 노광 대상 기판(ES)의 높이를 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 제1 측정은, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1 플레이트(30) 상에 노광 대상 기판(ES)을 거치한 상태에서, 상기 제1 센서(S1)를 통하여 상기 노광 대상 기판(ES)의 위치를 획득하는 것을 포함할 수 있다.
상기 제어부(60)는 상기 제1 센서(S1)를 통하여 상기 노광 대상 기판(ES)의 면 방향을 따라 소정 포인트 예를 들어, 20 내지 30 포인트의 위치를 획득할 수 있다.
상술된 바와 같이, 상기 제1 센서(S1)는, 변위 센서일 수 있다. 예를 들어, 상기 변위 센서는, 레이저식, 백색 간섭식, 접촉식(CMM), 및 와전류식 센서 중에서 적어도 어느 하나일 수 있다.
상기 제1 센서(S1)가, 레이저 센서인 경우, 상기 레이저 센서(S1)의 레이저가 상기 노광 대상 기판(ES)에 직접 조사되어, 상기 노광 대상 기판(ES)이 상기 제1 센서(S1)로부터 먼 거리에 위치하는 경우에도, 상기 노광 대상 기판(ES)의 위치를 빠르게 측정할 수 있다.
이때, 상기 노광 마스크(EM)는, 상기 마스크 홀더(10)에 비-거치될 수 있다.
단계 S130
단계 S130에서, 노광 마스크(EM)를 준비할 수 있다. 구체적으로, 상기 노광 마스크(EM)는, 상기 노광 대상 기판(ES)과 대향하도록, 상기 마스크 홀더(10)에 거치하여 준비할 수 있다.
이 때 노광 마스크(EM)와 노광 대상 기판(ES) 간의 충돌을 방지할 수 있도록 노광 마스크(EM)와 노광 대상 기판(ES) 간에 충분한 안전거리가 확보될 수 있도록 노광 마스크(EM)는 노광 대상 기판(ES)으로부터 이격되어 거치될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 마스크 홀더는(10), 상기 노광 마스크(EM)의 양측 부를 파지하여 거치하는 바, 상기 마스크 홀더(10)에 거치된 상기 노광 마스크(EM)가 위치 조절을 위해 상·하로 이동되는 경우에도, 초기에 설정된 상기 노광 마스크(EM)의 2차원 상의 위치를 안정적으로 유지시킬 수 있다.
단계 S140
단계 S140에서, 제2 측정을 수행할 수 있다. 구체적으로, 상기 제어부(60)는, 상기 제2 측정을 수행하도록 제어신호를 생성할 수 있다. 상기 제2 측정은, 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 측정하는 것을 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 제2 측정은, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제1 센서(S1)를 통하여 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 획득하는 것을 포함할 수 있다.
상기 제어부(60)는 상기 제1 센서(S1)를 통하여 상기 노광 마스크(EM)의 면 방향을 따라 소정 포인트 예를 들어, 20 내지 30 포인트의 위치를 획득할 수 있다. 단계 S140의 포인트는 단계 120의 포인트와 대응 즉, 면 방향을 기준으로 동일한 포인트 일 수 있다.
상술된 바와 같이, 상기 제1 센서(S1)는, 레이저 센서일 수 있다.
이에 따라, 상기 레이저 센서(S1)의 레이저가 상기 노광 마스크(EM)에 직접 조사되어, 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 빠르게 측정할 수 있다.
단계 S150
단계 S150에서, 상기 노광 마스크(EM) 및 상기 노광 대상 기판(ES) 중 적어도 하나의 위치를 조절할 수 있다. 구체적으로, 상기 제어부(60)는, 상기 위치를 조절하도록 제어신호를 생성할 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 측정 단계의 측정 결과에 따라, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 상대적인 거리가 미리 정해진 거리가 되도록, 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 조절할 수 있다. 예를 들어, 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 상기 노광 대상 기판(ES) 방향으로 이동시킬 수 있다. 즉, 상기 제어부(60)는 상기 위치 조절부(20)를 통하여 노광 마스크(EM)의 위치를 조절할 수 있다.
이 때, 상기 미리 정해진 거리가 되도록, 상기 노광 대상 기판(ES)의 위치를 조절할 수 있다(미도시).
여기에서, 상기 미리 정해진 거리란, 상기 제2 센서(S2)의 측정 가능 거리 이내를 의미할 수 있다. 예를 들어, 미리 정해진 거리는 50 μm 이내일 수 있다.
이를 위하여, 상기 제어부(60)는 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 거리가 미리 정해진 거리 이내가 되도록 위치 조절부(20)를 제어할 수 있다. 보다 구체적으로 상기 제어부(60)는 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 거리가 가장 먼 지점에서의 거리가 미리 정해진 거리 이내가 되도록 상기 위치 조절부(20)를 제어할 수 있다.
상술된 바와 같이 상기 제2 센서(S2)는 간격 측정 센서일 수 있다. 예를 들어, 전계식, 및 비전(Vision)식 센서 중에서 적어도 어느 하나일 수 있다.
상기 제2 센서(S2)가 전계 센서인 경우, 전계 센서의 특성 상, 측정 대상이 상기 전계 센서와 먼 거리에 위치하는 경우, 상기 측정 대상의 위치를 정확하게 측정하기 어려울 수 있다.
하지만, 본 발명의 실시 예에 따르면, 제1 측정 단계(S120) 및 제2 측정 단계(S140)가 먼저 수행될 수 있고, 이후, 단계 S120 및 단계 S140에 따라 위치 조절 단계(S150)가 수행되는 것에 의해, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 상대적인 거리가 상기 미리 정해진 거리가 되도록, 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 조절할 수 있다.
이에 따라, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 상대적인 거리가, 상기 먼 거리 측정이 용이하지 않은 제2 센서(S2) 예를 들어, 전계 센서의 측정 가능 거리 이내로 조절될 수 있는 것이다.
단계 S160
단계 S160에서, 제3 측정을 수행할 수 있다. 구체적으로, 상기 제어부(60)는, 상기 제3 측정을 수행하도록 제어신호를 생성할 수 있다. 상기 제3 측정은, 상기 위치 조절 단계(S150) 후에, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES) 간의 간격(G)을 측정하는 것을 포함할 수 있다.
단계 S150에서 상술된 바와 같이, 상기 미리 정해진 거리가 되도록 상기 노광 마스크(EM)의 위치를 조절한 바, 이후 단계 S160 즉, 상기 제2 센서를 이용해, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES) 간의 간격(G)을 측정하는 단계가 용이하게 수행될 수 있다.
이때, 상기 제3 측정을 통해 측정된 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES) 간의 간격(G)은, 도 8에 Ga1~ Ga7로 도시된 것과 같이, 상기 노광 대상 기판(EM)의 면 방향을 따라 서로 상이할 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES) 간의 간격(G)이 상기 노광 마스크(EM)의 면 방향을 따라 일정해지도록 제어할 수 있다.
이하, 후술되는 단계에서, 상기 제어 방법을 설명하기로 한다.
단계 S170
단계 S170에서, 노광 대상 기판(ES)을 변형시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 제어부(60)는, 상기 노광 대상 기판(ES)을 변형시키도록 제어신호를 생성할 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 상기 제어부(60)는 상기 제3 측정 단계의 측정 결과에 따라, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES) 간의 간격(G)이 상기 노광 대상 기판(EM)의 면 방향을 따라 일정해지도록, 상기 노광 대상 기판(ES)을 변형시킬 수 있다.
상기 노광 대상 기판(ES)의 변형은, 상기 이격 간격 조절부(40)에 의해 수행될 수 있다.
구체적으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES) 간의 이격 간격(Gb1~ G7)이 상기 노광 대상 기판(EM)의 면 방향을 따라 일정해지도록, 상기 복수 개로 마련된 이격 간격 조절부(40b1~ 40b8)의 높이를 조절할 수 있다.
이에 따라, 단계 S170 전과 비교하여, 단계 S170 후에 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 이격 간격(G) 균일도가 증가할 수 있다.
이상, 상술된 S110~단계 S170에서, 각 단계의 제어는, 상기 근접 노광을 위한 기판 변형 장치의 제어부(60)를 통해 수행될 수 있음은 물론이다.
이하, 도 10 및 도 11을 참조하여, 본 발명의 변형 예가 설명된다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 변형 예에 따른 제1 플레이트(30)는, 상기 제1 플레이트(30)의 면 방향을 따라 볼록부(30a)와 오목부(30b)를 교번하여 가질 수 있다.
또한, 상기 제1 플레이트(30)의 불록부(30a)는, 상기 이격 간격 조절부(40)와 직접 접촉할 수 있다.
본 발명의 변형 예에 따르면, 상기 제1 플레이트(30)가 상기 볼록부(30a)와 상기 오목부(30b)를 교번하여 가지며, 상기 불록부(30a)가 상기 이격 간격 조절부(40)와 직접 접촉하는 것에 의해, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 이격 간격(G) 균일도가 증가할 수 있다.
이는, 상기 제1 플레이트(30)가 상기 볼록부(30a)와 상기 오목부(30b)를 교번하여 가지는 것에 의해, 상기 제1 플레이트(30)의 변형이 용이하기 때문일 수 있다. 이는 오목부(30b)의 두께가 얇기 때문에 변형 저항이 적어, 제1 플레이트(30)가 이격 간격 조절부(40)에 의하여 쉽게 변형될 수 있음을 의미한다.
구체적으로, 상기 노광 마스크(EM)의 자중에 의한 처짐과 동일한 형상으로, 상기 제1 플레이트(30)의 변형이 용이하다는 것을 의미한다.
본 발명의 변형 예에 따르면, 상기 제1 플레이트(30)가 상기 볼록부(30a)와 상기 오목부(30b)를 교번하여 가지며, 상기 불록부(30a)가 상기 이격 간격 조절부(40)와 직접 접촉하는 것에 의해, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 복수 개로 마련된 이격 간격 조절부(40a1~ 40a8)가 구동되기 전과 비교하여, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 복수 개로 마련된 이격 간격 조절부(40b1~ 40b8)가 구동된 후에, 상기 노광 마스크(EM)와 상기 노광 대상 기판(ES)의 이격 간격(Gb1~ Gb7) 균일도가 증가할 수 있다.
이상, 상술된 본 발명의 실시 예 및 변형 예에 따르면, 근접 노광에 있어서, 상기 노광 마스크의 자중에 의한 처짐에 따른 패터닝 분해능 저하에, 효과적으로 대응할 수 있다.
즉, 상기 노광 마스크의 자중에 의한 처짐에 따라, 상기 노광 대상 기판을 변형시켜, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격 균일도가 증가할 수 있다. 따라서, 근접 노광에 있어서, 패터닝 분해능이 향상될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.

Claims (14)

  1. 노광 마스크가 거치되는 마스크 홀더;
    상기 노광 마스크로부터 소정 방향으로 이격하며, 노광 대상 기판이 거치되는 제1 플레이트;
    상기 노광 마스크의 위치를 조절하는 위치 조절부;
    상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 이격 간격을 조절하는 이격 간격 조절부;
    상기 노광 마스크 및 상기 노광 대상 기판 중 적어도 하나의 위치를 측정하는 제1 센서;
    상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격을 측정하는 제2 센서; 및
    상기 제1 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 위치 조절부를 통하여 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 상대적인 거리를 줄이는 제1 제어와, 상기 제1 제어 후에 상기 제2 센서로부터의 측정 결과에 따라, 상기 이격 간격 조절부를 통하여 상기 노광 마스크의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판을 변형시키는 제2 제어를 수행하는 제어부를 포함하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 제어는,
    상기 노광 마스크를 상기 마스크 홀더에 비-거치하고, 상기 제1 플레이트 상에 노광 대상 기판을 거치한 상태에서, 상기 제1 센서를 통하여 상기 노광 대상 기판의 위치를 획득하고,
    상기 노광 마스크를 상기 마스크 홀더에 거치하고, 상기 제1 센서를 통하여 상기 노광 마스크의 위치를 획득한 후,
    상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 거리가 미리 정해진 거리에 이르도록 상기 위치 조절부를 통하여 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 방향 간의 거리를 줄이는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 미리 정해진 거리는,
    상기 제2 센서의 측정 가능 거리 이내인, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 제어 전에 비하여 상기 제2 제어 후에, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격 균일도가 증가하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 이격 간격 조절부가 위치하는 제2 플레이트를 더 포함하며,
    상기 이격 간격 조절부는, 상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트 사이에 마련되되, 상기 제1 플레이트의 면 방향을 따라 복수 개 마련되는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 제어는,
    상기 이격 간격 조절부의 높이를 조절하여 상기 제1 플레이트의 면 방향 변형을 제어하고, 상기 제1 플레이트의 면 방향 변형 제어에 따라, 상기 제1 플레이트 상의 노광 대상 기판이 변형되는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 센서는 변위 센서이고,
    상기 제2 센서는 간격 측정 센서로 이루어진, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 플레이트는 상기 노광 마스크와 동일한 재질로 이루어진, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 플레이트는, 상기 제1 플레이트의 면 방향을 따라 오목부와 볼록부를 교번하여 가지고,
    상기 이격 간격 조절부는, 상기 불록부와 직접 접촉하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 장치.
  10. 제1 플레이트 상에 노광 대상 기판을 준비하는 단계;
    상기 노광 대상 기판의 위치를 측정하는 제1 측정 단계;
    상기 노광 대상 기판과 대향하는 노광 마스크를 준비하는 단계;
    상기 노광 마스크의 위치를 측정하는 제2 측정 단계;
    상기 제1 및 제2 측정 단계의 측정 결과에 따라, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 상대적인 거리가 미리 정해진 거리가 되도록 상기 노광 마스크 및 상기 노광 대상 기판 중 적어도 하나의 위치를 조절하는 위치 조절 단계;
    상기 위치 조절 단계 후에, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 간격을 측정하는 제3 측정 단계; 및
    상기 제3 측정 단계의 측정 결과에 따라, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판 간의 간격이 상기 노광 마스크의 면 방향을 따라 일정해지도록 상기 노광 대상 기판을 변형시키는 단계;를 포함하는 근접 노광을 위한 기판 변형 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 측정 단계 및 상기 제2 측정 단계는, 변위 센서에 의해 수행되고,
    상기 제3 측정 단계는, 간격 측정 센서에 의해 수행되는, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 미리 정해진 거리는, 상기 간격 측정 센서의 측정 가능 거리 이내인, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 노광 대상 기판을 변형시키는 단계에 의하여, 상기 노광 마스크와 상기 노광 대상 기판의 이격 간격 균일도가 증가하는, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 노광 대상 기판을 변형시키는 단계는,
    상기 노광 마스크의 처짐에 따라 상기 노광 대상 기판을 변형시키는, 근접 노광을 위한 기판 변형 방법.
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