WO2020213899A1 - 멀티-레이어 ｍｅｍｓ 스프링 핀 - Google Patents

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WO2020213899A1
WO2020213899A1 PCT/KR2020/004957 KR2020004957W WO2020213899A1 WO 2020213899 A1 WO2020213899 A1 WO 2020213899A1 KR 2020004957 W KR2020004957 W KR 2020004957W WO 2020213899 A1 WO2020213899 A1 WO 2020213899A1
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WO
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layer
plunger
spring pin
wave
tip
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PCT/KR2020/004957
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French (fr)
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전진국
차상훈
정창모
Original Assignee
주식회사 오킨스전자
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer

Definitions

  • the present invention relates to a multi-layer spring pin using MEMS, and more particularly, in performing an electrical inspection of a semiconductor device, the flexible MEMS one-layer spring pin is stacked in multiple stages to prevent bending and at the same time, a multi-stage spring area. It relates to a MEMS spring pin in which the upper and lower strokes are reinforced and the contact characteristics are reinforced by varying the length and shape of the connection tip for each layer through the multi-stage plunger region.
  • a test apparatus for inspecting electrical properties of a semiconductor device includes a spring pin. That is, when the end of the spring pin contacts an object to be inspected, that is, a ball terminal provided in a semiconductor device, an electrical signal is transmitted to the PCB substrate, so that the electrical characteristics of the object to be inspected may be detected.
  • the life of the spring pin is shortened, the replacement cycle is accelerated, and the cost increases.
  • an object of the present invention is to provide a multi-layer MEMS spring pin in the form of a multi-layer strip using a MEMS process.
  • Another object of the present invention is to provide a multi-layer MEMS spring pin in which springs are stacked in multiple stages in order to prevent bending of each layer and maintain contact characteristics.
  • Still another object of the present invention is to provide a multi-layer MEMS spring pin in which plungers are stacked in multiple layers to vary the length and shape of the tip.
  • another object of the present invention is to provide a multi-layer MEMS spring pin capable of processing a plurality of different signals using one pin.
  • the multi-layer MEMS spring pin of the present invention includes a lower layer spring pin in which a lower layer wave is connected between the lower layer top plunger and the lower layer bottom plunger, the upper layer top plunger and the upper layer bottom.
  • the lower top plunger may include a lower top body and a lower top tip
  • the upper top plunger may include an upper top body and an upper top tip
  • the middle layer top tip may extend upwardly than the upper/lower layer top tip.
  • the upper/lower layer top tips may extend upwardly than the middle layer top tips.
  • At least one intermediate layer interposer interposed between the upper wave and the lower wave may be further included.
  • the intermediate layer interposer may be bonded to one of the upper/lower waves.
  • the protrusion of the lower wave may correspond to the groove of the upper wave
  • the groove of the lower wave may correspond to the protrusion of the upper wave
  • the multi-layer MEMS spring pin includes a lower spring pin in which a lower wave is connected between a lower top plunger and a lower bottom plunger, and an upper spring in which an upper wave is connected between the upper top plunger and the upper bottom plunger.
  • the first insulating layer does not protrude to the upper side of the upper top plunger and the lower top plunger, and the second insulating layer does not protrude to the lower side of the upper bottom plunger and the lower bottom plunger. It should be.
  • an intermediate insulating layer positioned between the lower wave of the lower spring pin and the upper wave of the upper spring pin may be further included.
  • the lower top plunger may include a lower top body and a lower top tip
  • the upper top plunger may include an upper top body and an upper top tip
  • the vertical stroke is stabilized and the elastic force of each layer acts in a complex manner, so it can be used for a long time or even under excessive load. Despite this, the effect of maintaining the contact characteristics is expected.
  • 1 to 4 are a front perspective view, a bottom perspective view, a front view, and a side view respectively showing the configuration of a two-layer MEMS spring pin according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a perspective view showing a method of manufacturing a two-layer.
  • 6 to 8 are perspective views, front views, and side views respectively showing the configuration of a three-layer MEMS spring pin according to another embodiment of the present invention.
  • 9 and 10 are side views each showing the configuration of a three-layer MEMS spring pin including various interposers.
  • FIG. 11 is a partially enlarged view showing the configuration of a three-layer MEMS spring pin according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a perspective view of a MEMS spring pin according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a side configuration diagram of FIG. 12.
  • FIG. 14 and 15 are side views of a MEMS spring pin according to another embodiment of the present invention each including an intermediate insulating layer.
  • upper layer spring pin 241 first insulating layer
  • Embodiments described in the present specification will be described with reference to a plan view and a cross-sectional view, which are ideal schematic diagrams of the present invention. Accordingly, the shape of the exemplary diagram may be modified by manufacturing technology and/or tolerance. Accordingly, embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown, but also include a change in form generated according to the manufacturing process. Accordingly, the regions illustrated in the drawings have schematic properties, and the shapes of the regions illustrated in the drawings are intended to illustrate a specific shape of the region of the device, and are not intended to limit the scope of the invention.
  • the multi-layer MEMS spring pin of the present invention will be described as being used in a final test socket for convenience of description, but is not limited thereto and may also be used in a burn-in test socket.
  • a test socket is a connection terminal (for example, a conductive ball) of a semiconductor device to be inspected and a test device.
  • connection terminals eg, contact pads
  • the spring pin of the test socket electrically connects an external device, such as a conductive ball of a semiconductor device and a contact pad of the test device, to conduct electrical inspection between the semiconductor device and the test device. Perform.
  • the single-layer spring pin is formed into a plate material having a much smaller thickness compared to the width in a substantially two-dimensional strip shape compared to a conventional pogo pin, MEMS (Micro Electro Mechanical System, Micro Electro Mechanical System) process It has the advantage that continuous production is possible and precision processing is guaranteed.
  • MEMS Micro Electro Mechanical System, Micro Electro Mechanical System
  • the two-layer MEMS spring pin 100 is integrally extended from the top plunger 110 and the top plunger 110 connected to the conductive ball or contact pad, and is a two-layer (two-layer). layer), and a bottom plunger 130 connected to the contact pad or conductive ball and extending integrally with the elastic body 120.
  • the spring pin 100 of the present invention is a bidirectional symmetric type in which the top plunger 110 and the bottom plunger 130 are integrally connected through an elastic body at both ends, but it is not necessarily symmetrical, and the top plunger 110 ) And the bottom plunger 130 may be provided in an asymmetrical form.
  • the top plunger 110 includes a top body 112 and a top tip 114 extending from the top body 112 and having a smaller diameter than the top body 112.
  • the bottom plunger 130 includes a bottom body 132 and a bottom tip 134 extending from the bottom body 132 and having a diameter smaller than that of the bottom body 132.
  • an upper top plunger and a lower top plunger may be bonded to each other through an adhesive or fastening means. Or it can be provided in one piece. In any case, the top plunger 110 operates integrally. The same is true for the bottom plunger 130.
  • the elastic body 120 extends directly from the body 112.
  • the body 112 may be directly supported by the test socket or may be installed in the test socket while being mounted on the barrel.
  • the two-layer elastic body 120 includes a lower wave 120a and an upper wave 120b.
  • Each of the waves 120a and 120b is connected only through the top/bottom plungers 110 and 130 and does not interfere with each other.
  • the upper/lower waves 120b and 120a are separated from each other in the vertical direction at intervals or are independent structures that are not interconnected even if they are not separated.
  • the lower wave 120a repeats protrusions and grooves on one side based on the center line
  • the upper wave 120b repeats protrusions and grooves on the other side.
  • the protrusion of the lower wave 120a corresponds to the groove of the upper wave 120b
  • the groove of the lower wave 120a corresponds to the protrusion of the upper wave 120b and crosses each other. . It is symmetric about the center line.
  • the groove of the lower wave 120a overlaps with the protrusion of the upper wave 120b
  • the protrusion of the lower wave 120a overlaps with the groove of the upper wave 120b, thereby forming a symmetrical structure of the center line.
  • the one-layer elastic body structure becomes a left-right asymmetric structure around the center line due to the uneven structure, but when the two-layer elastic bodies intersect each other and overlap, it eventually becomes a left-right symmetric structure.
  • the contact characteristics are simple, and there is a fatal defect that the contact characteristics deteriorate due to long use.
  • springs having a plurality of elastic forces have elasticity in combination, contact characteristics can be maintained due to strong stroke even against repeated use or excessive load.
  • Each layer of the present invention may be provided in the form of a strip through a MEMS process, a press process, or an etching process. As shown in FIG. 5, each layer 100a, 110b may be prepared in advance and finally combined. Alternatively, the lower layer 100a may be formed through a deposition and etching process, and the upper layer 100b may be formed on the lower layer 100a through a deposition and etching process.
  • the three-layer MEMS spring pin 200 includes a lower layer spring pin 210 to which a lower layer wave 216 is connected between the lower layer top plunger 212 and the lower layer bottom plunger 214, The upper spring pin 220 to which the upper wave 226 is connected between the upper top plunger 222 and the upper bottom plunger 224, the middle top tip interposed between the upper top plunger 222 and the lower top plunger 212 232, and a middle layer bottom tip 234 interposed between the upper bottom plunger 224 and the lower bottom plunger 214.
  • the lower top plunger 212 includes a lower top body 212a and a lower top tip 212b extending from the lower top body 212a and having a diameter smaller than that of the lower top body 212a.
  • the upper top plunger 222 includes an upper top body 222a and an upper top tip 222b extending from the upper top body 222a and having a diameter smaller than that of the upper top body 222a.
  • the middle layer top tip 232 may be provided in a shape and size corresponding to the upper/lower layer top tips 222b and 212b.
  • the middle layer top tip 232 may extend upwardly than the upper/lower layer top tips 222b and 212b. Since the middle layer top tip 232 protrudes, it may be suitable for connection with a plane such as a contact pad.
  • the middle layer top tip 232 and the upper/lower layer top tips 222b and 212b may have different shapes. In the middle layer top tip 232, a contact point may be disposed in the center, and the upper/lower layer top tip 222b and 212b may have contact points disposed on both sides.
  • the middle layer top tip 232 may be further shortened downward than the upper/lower layer top tips 222b and 212b of the upper/lower top plungers 222 and 212. Since the upper/lower top tips 222b and 212b protrude, it may be suitable for connection with a spherical shape such as a conductive ball.
  • the interposer 236 may be an electrical conductor or an insulator.
  • the middle layer interposer 236 is installed between the upper/lower waves 226 and 216 and may be integrally connected to the upper wave 226 or the lower wave 216 through an adhesive or the like.
  • the intermediate layer interposer 236 is for preventing the upper/lower waves 226 and 216 from bending in the transverse direction, and when bonded to both the upper/lower waves 226 and 216, the upper/lower waves 226 and 216 ) Cannot act independently of elasticity. Accordingly, it may be bonded to one of the upper/lower waves 226 and 216.
  • the intermediate layer interposer 236 is not independently positioned, but is fixed to either the upper wave 226 or the lower wave 216.
  • only one middle interposer 236 may exist, and as shown in FIG. 10, two may be positioned between the upper wave 226 and the lower wave 216.
  • the upper middle layer interposer 236 may be fixed to the upper wave 226 and the lower middle layer interposer 236 may be fixed to the lower wave 216.
  • the upper middle layer interposer 236 may be fixed to the lower wave 216 and the lower middle layer interposer 236 may be fixed to the upper wave 226.
  • the reason for fixing to different waves is to ensure that the upper wave 226 and the lower wave 216 have equal elasticity.
  • the protrusion of the lower wave 216 corresponds to the groove of the upper wave 226, and the groove of the lower wave 216 corresponds to the protrusion of the upper wave 226 and crosses each other.
  • the lower layer bottom plunger 214 includes a lower layer bottom body 214a and a lower layer bottom tip 214b having a smaller diameter.
  • the upper bottom plunger 224 includes an upper bottom body 224a and an upper bottom tip 224b having a diameter smaller than that.
  • the middle layer bottom tip 234 may be provided in a shape and size corresponding to the upper/lower bottom tips 224b and 214b.
  • each layer is manufactured using a MEMS process, it is possible to precisely manufacture the plunger and contribute to mass production.
  • the processing of the contact tip that forms the contact with the conductive ball or the conductive pad in the plunger is more detailed, and the conductivity is improved by forming various alloys on the plunger through deposition or plating process. can do.
  • connection tip When the plunger is stacked with a four-layer or five-layer, the connection tip can be three-dimensionally designed in a crown shape.
  • FIG. 12 is a perspective view of a multi-layer MEMS spring pin according to another embodiment of the present invention
  • FIG. 13 is a side view.
  • the lower spring pin 210 to which the lower wave 216 is connected between the lower top plunger 212 and the lower bottom plunger 214, and the upper wave between the upper top plunger 222 and the upper bottom plunger 224 ( It includes an upper spring pin 220 to which 226 is connected.
  • the middle top plunger and the middle bottom tip is omitted, and the first insulation positioned between the upper top plunger 222 and the lower top plunger 212 and between the upper bottom plunger 224 and the lower bottom plunger 214, respectively.
  • a layer 241 and a second insulating layer 242 are included.
  • the lower spring pin 210 and the upper spring pin 220 can individually elastically operate, and are electrically separated from each other by the insulating layer 240.
  • the lower top plunger 212 includes a lower top body 212a and a lower top tip 212b extending from the lower top body 212a and having a diameter smaller than that of the lower top body 212a
  • the upper top plunger ( The 222 includes an upper top body 222a and an upper top tip 222b extending from the upper top body 222a and having a diameter smaller than that of the upper top body 222a.
  • the first insulating layer 241 positioned on the top side is shown to be positioned between the upper top tip 222b and the lower top tip 212b, and a second insulating layer positioned on the bottom side ( It is shown that 242 is positioned on the upper bottom tip 224b and the lower bottom tip 214b.
  • first insulating layer 241 may be positioned between the upper top body 222a and the lower top body 212a, and similarly, the second insulating layer 242 may be provided with an upper bottom body 224a and a lower bottom body. 214a).
  • first insulating layer 241 may be located entirely between the lower top plunger 212 and the upper top plunger 222, and the second insulating layer 242 is similarly formed between the lower bottom plunger 214 and the upper bottom. It may be located in the entire between the plungers 224.
  • first insulating layer 241 does not protrude further upwards than the upper/lower top tips 222b and 212b, and the second insulating layer 242 is the upper/lower bottom tip 224b, Do not protrude downward than 214b).
  • first insulating layer 241 and the second insulating layer 242 are prevented from protruding from the top plunger and the bottom plunger, respectively, so that signal transmission and detection are possible.
  • the present invention adds the first insulating layer 241 and the second insulating layer 242 between the lower spring pin 210 and the upper spring pin 220, so that the lower spring pin 210 and the upper spring pin ( 210) can be used as individual pins.
  • voltage and current can be applied to elements that need to be tested, such as balls of a package, and signals of different frequencies can be applied.
  • the present invention shown in FIGS. 14 and 15 is between the lower wave 216 of the lower spring pin 210 and the upper wave 226 of the upper spring pin 220 in the configuration of the present invention described with reference to FIG. An example in which the intermediate insulating layers 243, 244, and 245 are applied is shown.
  • the first insulating layer 241 and the second insulating layer 242 described above are positioned between the upper/lower top plungers and the upper/lower bottom plungers, respectively, and the upper spring pin 220 and the lower spring pin 210 ) It is joined to all.
  • the intermediate insulating layer 243 positioned between the lower wave 216 and the upper wave 216 is attached only to the lower wave 216 or the upper wave 226.
  • the lower wave 216 and the upper wave 226 are individually elasticized by pressure.
  • FIG. 15 it is illustrated that the two intermediate insulating layers 244 and 245 are positioned between the lower wave 216 and the upper wave 226. At this time, the two intermediate insulating layers 244 and 245 are attached to different waves, respectively.
  • the intermediate insulating layer 244 positioned on the upper side of the drawing is attached to the lower wave 216, and the intermediate insulating layer 245 positioned at the lower side is attached to the upper wave 226.
  • intermediate insulating layer 244 may be attached to the upper wave 226 and the intermediate insulating layer 245 may be attached to the lower wave 216.
  • the reason for fixing to different waves is to ensure that the upper wave 226 and the lower wave 216 have equal elasticity.
  • the one-layer spring pin is easily elastically deformed, and it is difficult to maintain the contact characteristics due to repeated use, but the multi-layer spring pin uses a plurality of pins to maintain the contact characteristics.
  • the plunger is composed of multiple layers, it can be seen that the technical idea is a configuration that provides the shape and shape of various connection tips. Within the scope of the basic technical idea of the present invention, many other modifications may be made to those of ordinary skill in the art.
  • the present invention provides a multi-layered fin in which an elastic force individually acts by using a fine pattern forming process such as a MEMS process, and has industrial applicability.

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Abstract

본 발명의 쓰리-레이어 MEMS 스프링 핀은, 하층 탑 플런저와 하층 바텀 플런저 사이에 하층 웨이브가 연결되는 하층 스프링 핀, 상층 탑 플런저와 상층 바텀 플런저 사이에 상층 웨이브가 연결되는 상층 스프링 핀, 상기 상층 탑 플런저와 상기 하층 탑 플런저 사이에 개재되는 중층 탑 팁, 및 상기 상층 바텀 플런저와 상기 하층 바텀 플런저 사이에 개재되는 중층 바텀 팁을 포함한다. 이와 같은 본 발명의 구성에 의하면, 휨을 방지하고, 다층 스프링의 의하여 스트로크가 안정화되고, 다층 플런저에 의하여 콘택 특성이 강화되는 작용효과가 기대된다.

Description

멀티-레이어 ＭＥＭＳ 스프링 핀
본 발명은, MEMS를 이용한 멀티-레이어 스프링 핀에 관한 것으로, 더욱 자세하게는, 반도체 기기의 전기적 검사를 수행함에 있어서, 휘기 쉬운 MEMS 원-레이어 스프링 핀을 다단으로 적층하여 휨을 방지하는 동시에 다단 스프링 영역에 의하여 상하 스트로크가 강화되고 다단 플런저 영역을 통해서 각 레이어마다 접속 팁의 길이와 모양을 달리하여 콘택 특성이 강화되는 MEMS 스프링 핀에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 기기의 전기적 특성 검사를 위한 테스트 장치는 스프링 핀을 포함하여 구성된다. 즉, 스프링 핀의 단부가 검사 대상물 즉, 반도체 기기에 마련된 볼 단자에 접촉하면, 전기적 신호가 PCB 기판으로 전송되어, 상기 검사 대상물의 전기적 특성을 검출할 수 있다.
종래에는 상술한 스프링 핀을 제조하는데 있어서, 예컨대 동판을 기계적으로 또는 물리적으로 가공하는 방법으로 제조하였다. 이러한 가공 방법은 스프링 핀 제작 생산율을 낮추고, 비용을 상승시키는 문제가 있다.
다른 한편, 스프링 핀이 검사 대상물에 접촉될 때, 기계적인 충격이 스프링 핀에 전달되고, 수만 번 테스트를 반복하게 됨에 따라 스프링이 그 충격에 의해 탄성 변형된다. 스프링의 탄성이 저하되면 복원력을 상실하고, 콘택 특성이 악화되어 검사의 신뢰성이 저하된다. 결국 테스트 핀을 교체해야 한다.
스프링 핀에서 스프링의 탄성이 유지되지 못하면, 스프링 핀의 수명이 짧아지고, 교체 주기가 빨라지며, 비용 상승의 원인이 된다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
한국 공개 특허 10-2017-0055618
따라서 본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 멤스 공정을 이용하여 다층 스트립 형태의 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 각 레이어의 휨을 방지하고, 콘택 특성을 유지하기 위하여 스프링을 다단으로 적층되는 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 플런저를 다층으로 적층하여 선단의 길이와 형상을 다양화하는 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀을 제공하는 것이다.
아울러 본 발명의 다른 목적은 하나의 핀을 이용하여 서로 다른 복수의 신호 처리가 가능한 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀을 제공하는 것이다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀은, 하층 탑 플런저와 하층 바텀 플런저 사이에 하층 웨이브가 연결되는 하층 스프링 핀, 상층 탑 플런저와 상층 바텀 플런저 사이에 상층 웨이브가 연결되는 상층 스프링 핀, 상기 상층 탑 플런저와 상기 하층 탑 플런저 사이에 개재되는 중층 탑 팁, 및 상기 상층 바텀 플런저와 상기 하층 바텀 플런저 사이에 개재되는 중층 바텀 팁을 포함한다.
본 발명의 실시예에서, 상기 하층 탑 플런저는, 하층 탑 바디 및 하층 탑 팁을 포함하고, 상기 상층 탑 플런저는, 상층 탑 바디 및 상층 탑 팁을 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 중층 탑 팁은 상기 상/하층 탑 팁보다 상방으로 더 연장될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 상/하층 탑 팁은 상기 중층 탑 팁보다 상방으로 더 연장될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 상층 웨이브와 상기 하층 웨이브 사이에 개재되는 하나 이상의 중층 인터포저를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 중층 인터포저는 상기 상/하층 웨이브 중 하나와 접합될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 하층 웨이브의 돌부는 상기 상층 웨이브의 홈부와 대응되고, 상기 하층 웨이브의 홈부는 상기 상층 웨이브의 돌부와 대응될 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따른 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀은, 하층 탑 플런저와 하층 바텀 플런저 사이에 하층 웨이브가 연결되는 하층 스프링 핀과, 상층 탑 플런저와 상층 바텀 플런저 사이에 상층 웨이브가 연결되는 상층 스프링 핀과, 상기 상층 탑 플런저와 상기 하층 탑 플런저 사이에 개재되는 제1절연층과 상기 상층 바텀 플런저와 상기 하층 바텀 플런저 사이에 개재되는 제2절연층을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1절연층은 상기 상층 탑 플런저 및 상기 하층 탑 플런저의 상부측으로 돌출되지 않으며, 상기 제2절연층은 상기 상층 바텀 플런저 및 상기 하층 바텀 플런저의 하부측으로 돌출되지 않는 것으로 한다.
본 발명의 실시예에서, 상기 하층 스프링 핀의 하층 웨이브와 상기 상층 스프링 핀의 상층 웨이브의 사이에 위치하는 중간절연층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 중간절연층은 둘 이상이며, 각각 상기 하층 웨이브와 상기 상층 웨이브에 교번하여 부착될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 하층 탑 플런저는, 하층 탑 바디 및 하층 탑 팁을 포함하고, 상기 상층 탑 플런저는, 상층 탑 바디 및 상층 탑 팁을 포함할 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 구성에 의하면 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.
첫째, 스프링 핀을 제작함에 있어서, 투-레이어 혹은 쓰리-레이어의 멀티-레이어로 스프링을 적층함으로써, 무엇보다도 상하 스트로크가 안정화되고 각 레이어마다 가지는 탄성력이 복합적으로 작용하기 때문에 장시간 사용이나 과도한 하중에도 불구하고 콘택 특성이 유지되는 작용효과가 기대된다.
둘째, 멤스 공정이나 식각 공정을 이용하기 때문에, 연속 공정에 의한 대량 생산이 가능하고, 불량률이 현저히 저감되어 공정 수율이 크게 개선되는 작용효과가 기대된다.
셋째, 플런저를 다단 레이어로 적층하면, 각 레이어마다 선단의 길이나 모양을 변경하여 콘택 특성을 다양화할 수 있는 작용효과가 기대된다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에서 하나의 핀을 이용하여 복수의 신호를 공급할 수 있는 구조를 제공하여, 적용 범위를 높이고 테스트 신뢰성을 높일 수 있는 효과가 기대된다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 투-레이어 MEMS 스프링 핀의 구성을 각각 나타내는 정면 사시도, 저면 사시도, 정면도, 및 측면도.
도 5는 투-레이어의 제조 방법을 나타내는 사시도.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 의한 쓰리-레이어 MEMS 스프링 핀의 구성을 각각 나타내는 사시도, 정면도, 및 측면도.
도 9 및 도 10은 다양한 중층 인터포저를 포함하는 쓰리-레이어 MEMS 스프링 핀의 구성을 각각 나타내는 측면도.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 쓰리-레이어 MEMS 스프링 핀의 구성을 나타내는 부분 확대도.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 MEMS 스프링 핀의 사시도이다.
도 13은 도 12의 측면 구성도이다.
도 14와 도 15는 각각 중간절연층을 포함하는 본 발명의 다른 실시예에 따른 MEMS 스프링 핀의 측면 구성도이다.
-부호의 설명-
100: 투-레이어 MEMS 스프링 핀 110: 탑 플런저
120: 투-레이어 탄성체 120a: 하층 웨이브
120b: 상층 웨이브 130: 바텀 플런저
200: 쓰리-레이어 MEMS 스프링 핀 210:하층 스프링 핀
220:상층 스프링 핀 241:제1절연층
242:제2절연층 243, 244, 245:중간절연층
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해 질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려 주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
본 발명의 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀은 설명의 편의를 위하여 최종(final) 테스트 소켓에 사용되는 것으로 설명하겠지만, 여기에 제한되는 것은 아니고 번인(burn-in) 테스트 소켓에도 사용될 수 있다.
테스트 소켓(Test socket)은 패키지 IC, MCM 등의 반도체 집적 회로 장치, 집적 회로가 형성된 웨이퍼 등의 반도체 기기의 전기적 검사에서, 검사 대상인 반도체 기기의 접속 단자(가령, 도전 볼)와, 테스트 장치의 접속 단자(가령, 콘택 패드)를 서로 전기적으로 접속하기 위하여, 반도체 기기와 테스트 장치 사이에 배치되는 것으로 한다.
도면에는 도시되어 있지 않지만, 테스트 소켓의 스프링 핀은, 외부 기기 가령, 반도체 기기의 도전 볼(ball)과 테스트 장치의 콘택 패드(pad)를 전기적으로 연결하여, 반도체 기기와 테스트 장치 사이에서 전기적 검사를 수행한다.
특히, 싱글-레이어 스프링 핀은 통상의 포고 핀과 비교하여 실질적으로 2차원의 스트립 형태로 폭에 비해 두께가 많이 작은 판재 형태로 성형되기 때문에, MEMS(Micro Electro Mechanical System, 미세전자기계시스템) 공정을 이용하여 연속 제작이 가능하고, 정밀 가공이 보장되는 장점이 있다.
이하, 상기한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 MEMS를 이용한 멀티-레이터 스프링 핀의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 투-레이어 MEMS 스프링 핀(100)은, 도전 볼 혹은 콘택 패드와 접속되는 탑 플런저(110), 탑 플런저(110)로부터 일체로 연장되고 투-레이어(two-layer)로 적층되는 탄성체(120), 및 콘택 패드 혹은 도전 볼과 접속되고 탄성체(120)와 일체로 연장되는 바텀 플런저(130)를 포함한다.
이와 같이 본 발명의 스프링 핀(100)은 양단에 탑 플런저(110)와 바텀 플런저(130)가 탄성체를 매개로 일체로 연결되는 양 방향 대칭 타입 이지만, 반드시 대칭일 필요는 없고, 탑 플런저(110)와 바텀 플런저(130)가 비대칭 형태로 제공될 수 있다.
탑 플런저(110)는, 탑 바디(112), 및 탑 바디(112)에서 연장되고, 탑 바디(112)보다 직경이 작은 탑 팁(114)을 포함한다. 바텀 플런저(130)는, 바텀 바디(132), 및 바텀 바디(132)에서 연장되고, 바텀 바디(132)보다 직경이 작은 바텀 팁(134)을 포함한다.
탑 플런저(110)는, 상층 탑 플런저와 하층 탑 플런저가 접착제 내지 체결 수단을 통하여 상호 접합될 수 있다. 혹은 일체로 제공될 수 있다. 어떤 경우이든 탑 플런저(110)는 일체로 동작한다. 바텀 플런저(130)도 마찬가지이다.
따라서 탄성체(120)는 바디(112)로부터 직접 연장된다. 바디(112)가 직접 테스트 소켓에 지지되거나 혹은 배럴에 탑재된 상태로 테스트 소켓에 설치될 수 있다.
투-레이어 탄성체(120)는 하층 웨이브(120a), 및 상층 웨이브(120b)를 포함한다. 각 웨이브(120a, 120b)는 오직 탑/바텀 플런저(110, 130)를 통해서만 연결되고, 상호 간섭하지 않는다. 가령, 상/하층 웨이브(120b, 120a)는 간격을 두고 상하 방향에서 상호 분리되거나 분리되지 않더라도 상호 연결되지 않는 독립된 구조이다.
하층 웨이브(120a)는 중심선을 기준으로 일측에서 돌부와 홈부가 반복되고, 상층 웨이브(120b)는 타측에서 돌부와 홈부가 반복된다.
따라서 중심선의 일측 기준으로 보면, 하층 웨이브(120a)의 돌부는 상층 웨이브(120b)의 홈부와 대응되고, 하층 웨이브(120a)의 홈부는 상층 웨이브(120b)의 돌부와 대응되어 상호 교차하는 구조이다. 중심선에 대하여 대칭이다. 하층 웨이브(120a)의 홈부는 상층 웨이브(120b)의 돌부와 오버랩 되고, 하층 웨이브(120a)의 돌부는 상층 웨이브(120b)의 홈부와 오버랩 되어, 중심선의 대칭 구조이다.
원-레이어 탄성체 구조는 요철 구조에 의하여 중심선을 중심으로 좌우 비대칭 구조가 되나, 투-레이어 탄성체가 상호 교차하면서 중복하게 되면 결국 좌우 대칭 구조가 된다.
코일 스프링 구조와 대비하여 선 스프링 구조에서는 수직으로 작용하는 하중에 대하여 요철이 형성되는 지그재그의 종 방향에서는 충격을 흡수하기 쉽지만, 횡 방향으로는 하중에 매우 취약한 구조이다. 따라서 이를 투-레이어로 형성하면 횡 방향의 하중에 대하여 휨을 방지할 수 있다.
또한, 원-레이어 탄성체는 오직 하나의 탄성 계수만이 존재하기 때문에 콘택 특성이 단순하고, 장시간 사용으로 콘택 특성이 악화되는 치명적인 결함이 있다. 그러나 투-레이어 탄성체는 다수의 탄성력을 가지는 스프링이 복합적으로 탄력을 가지기 때문에 반복 사용이나 과다 하중에 대하여도 강력한 스트로크로 인하여 콘택 특성이 유지될 수 있다.
본 발명의 각 레이어는, 멤스(MEMS) 공정, 프레스(Press) 공정, 혹은 에칭(Etch) 공정 등을 통해 스트립(strip) 형태로 제공될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이 각 레이어(100a, 110b)를 미리 준비하여 두고, 최종적으로 이를 결합할 수 있다. 혹은 증착 및 식각 공정을 통하여 하층 레이어(100a)를 성형하고, 연속해서 하층 레이어(100a) 상에 증착 및 식각 공정을 통하여 상층 레이어(100b)를 성형할 수 있다.
이하, 본 발명에 의한 쓰리-레이어(three-layer) MEMS 스프링 핀을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 쓰리-레이어 MEMS 스프링 핀(200)은, 하층 탑 플런저(212)와 하층 바텀 플런저(214) 사이에 하층 웨이브(216)가 연결되는 하층 스프링 핀(210), 상층 탑 플런저(222)와 상층 바텀 플런저(224) 사이에 상층 웨이브(226)가 연결되는 상층 스프링 핀(220), 상층 탑 플런저(222)와 하층 탑 플런저(212) 사이에 개재되는 중층 탑 팁(232), 및 상층 바텀 플런저(224)와 하층 바텀 플런저(214) 사이에 개재되는 중층 바텀 팁(234)을 포함한다.
하층 탑 플런저(212)는, 하층 탑 바디(212a) 및 하층 탑 바디(212a)로부터 연장되고 하층 탑 바디(212a)보다 직경이 작은 하층 탑 팁(212b)을 포함한다.
상층 탑 플런저(222)는, 상층 탑 바디(222a) 및 상층 탑 바디(222a)로부터 연장되고 상층 탑 바디(222a)보다 직경이 작은 상층 탑 팁(222b)을 포함한다.
중층 탑 팁(232)은 상/하층 탑 팁(222b, 212b)과 대응되는 형상과 크기로 제공될 수 있다.
혹은 중층 탑 팁(232)은 상/하층 탑 팁(222b, 212b)보다 상방으로 더 연장될 수 있다. 중층 탑 팁(232)이 돌출되기 때문에 콘택 패드와 같이 평면과 접속하기 적합할 수 있다. 내지는 중층 탑 팁(232)과 상/하층 탑 팁(222b, 212b)은 형상 자체가 상이할 수 있다. 중층 탑 팁(232)은 접점이 중앙에 배치되고, 상/하층 탑 팁(222b, 212b)은 접점이 양측에 배치될 수 있다.
혹은 도 11을 참조하면, 중층 탑 팁(232)은 상/하층 탑 플런저(222, 212)의 상/하층 탑 팁(222b, 212b)보다 하방으로 더 단축될 수 있다. 상/하층 탑 팁(222b, 212b)이 돌출되기 때문에 도전 볼과 같이 구 형상과 접속하기 적합할 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상층 웨이브(226)와 하층 웨이브(216) 사이에 개재되는 하나 이상의 중층 인터포저(236)를 더 포함한다.
상기 중층 인터포저(236)는 전기적 전도체이거나 절연체를 사용할 수 있다.
중층 인터포저(236)는 상/하층 웨이브(226, 216) 사이에 설치되고, 접착제 등을 통해 상층 웨이브(226) 혹은 하층 웨이브(216)와 일체로 연결될 수 있다. 이때, 중층 인터포저(236)는 상/하층 웨이브(226, 216)가 횡 방향으로 휘는 것을 방지하기 위한 것으로, 상/하층 웨이브(226, 216) 모두에 접합되면 상/하층 웨이브(226, 216)가 독립적으로 탄성 작용할 수 없다. 따라서 상/하층 웨이브(226, 216) 중 하나와 접합될 수 있다.
즉, 중층 인터포저(236)는 독립적으로 위치하지 않고, 상층 웨이브(226) 또는 하층 웨이브(216) 중 하나에 고정된다.
중층 인터포저(236)는 도 9에 도시한 바와 같이 하나만 존재 할 수 있고, 도 10과 같이 두 개가 상층 웨이브(226)와 하층 웨이브(216)의 사이에 위치할 수 있다.
도 10과 같이 두 개의 중층 인터포저(236)가 존재하는 경우, 각기 다른 웨이브에 고정될 수 있다. 즉, 도면에서 상부에 위치하는 중층 인터포저(236)는 상층 웨이브(226)에 고정되고 하부에 위치하는 중층 인터포저(236)는 하층 웨이브(216)에 고정될 수 있다.
반대로 상부에 위치하는 중층 인터포저(236)는 하층 웨이브(216)에 고정되고 하부에 위치하는 중층 인터포저(236)는 상층 웨이브(226)에 고정될 수 있다.
이처럼 다수의 중층 인터포저(236)를 사용할 때 각각 다른 웨이브에 고정하는 이유는 상기 상층 웨이브(226)와 하층 웨이브(216)가 균등한 탄성력을 가지도록 하기 위함이다.
하층 웨이브(216)는 중심선의 일측 기준으로 돌부와 홈부가 반복되고, 상층 웨이브(226)는 중심선의 타측 기준으로 돌부와 홈부가 반복된다. 따라서 중심선의 일측 기준으로 보면, 하층 웨이브(216)의 돌부는 상층 웨이브(226)의 홈부와 대응되고, 하층 웨이브(216)의 홈부는 상층 웨이브(226)의 돌부와 대응되어 상호 교차하는 구조이다.
마찬가지로, 하층 바텀 플런저(214)는, 하층 바텀 바디(214a) 및 이보다 직경이 작은 하층 바텀 팁(214b)을 포함한다. 상층 바텀 플런저(224)는, 상층 바텀 바디(224a) 및 이보다 직경이 작은 상층 바텀 팁(224b)을 포함한다. 중층 바텀 팁(234)은 상/하층 바텀 팁(224b, 214b)과 대응되는 형상과 크기로 제공될 수 있다.
이와 같이, 각 레이어를 MEMS 공정을 이용하여 제작하면 플런저의 정밀 제작이 가능하고, 대량 생산에 이바지할 수 있다. 특히, 플런저를 MEMS 공정에 의하여 제공하게 되면, 플런저에서 도전 볼이나 도전 패드와 콘택을 형성하는 접촉 팁의 가공이 더욱 세밀하고, 플런저 상에 증착이나 도금 공정을 통하여 다양한 합금을 형성하여 도전성을 개선할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 도면에 도시되어 있지 않지만, 포-레이어 이상으로 제공될 수 있다.
포-레이어 혹은 파이브-레이어로 플런저를 적층하면, 이때 접속 팁은 크라운 형태로 입체적으로 설계될 수 있다.
특히 각 레이어마다 탄성 계수를 달리할 수 있어 콘택 특성이 다양할 수 있다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티-레이어 ＭＥＭＳ 스프링 핀의 사시도이고, 도 13은 측면도이다.
도 12와 도 13에 도시한 바와 같이 본 발명의 다른 실시예는 앞서 설명한 쓰리-레이어 MEMS 스프링 핀(200)의 구조를 이용한다.
즉, 하층 탑 플런저(212)와 하층 바텀 플런저(214) 사이에 하층 웨이브(216)가 연결되는 하층 스프링 핀(210), 상층 탑 플런저(222)와 상층 바텀 플런저(224) 사이에 상층 웨이브(226)가 연결되는 상층 스프링 핀(220)을 포함한다.
다만 중층 탑 플런저와 중층 바텀 팁의 사용을 생략하고, 상층 탑 플런저(222)와 하층 탑 플런저(212) 사이 및 상층 바텀 플런저(224)와 하층 바텀 플런저(214) 사이에 각각 위치하는 제1절연층(241)과 제2절연층(242)을 포함한다.
이와 같은 구조에서 상기 하층 스프링 핀(210)과 상층 스프링 핀(220)은 개별적으로 탄성 동작을 할 수 있을 뿐만 아니라 절연층(240)에 의해 상호 전기적으로 분리된 구조가 된다.
그 밖에 하층 탑 플런저(212)는, 하층 탑 바디(212a) 및 하층 탑 바디(212a)로부터 연장되고 하층 탑 바디(212a)보다 직경이 작은 하층 탑 팁(212b)을 포함하며, 상층 탑 플런저(222)는, 상층 탑 바디(222a) 및 상층 탑 바디(222a)로부터 연장되고 상층 탑 바디(222a)보다 직경이 작은 상층 탑 팁(222b)을 포함한다.
도 12와 도 13에서는 탑측에 위치하는 제1절연층(241)이 상층 탑 팁(222b)과 하층 탑 팁(212b)의 사이에 위치하는 것으로 도시하고, 바텀측에 위치하는 제2절연층(242)이 상층 바텀 팁(224b)과 하층 바텀 팁(214b)에 위치하는 것으로 도시하였다.
그러나 제1절연층(241)이 상층 탑 바디(222a)와 하층 탑 바디(212a)의 사이에 위치할 수 있으며, 마찬가지로 제2절연층(242)이 상층 바텀 바디(224a)와 하층 바텀 바디(214a)에 위치할 수 있다.
아울러 제1절연층(241)이 하층 탑 플런저(212)와 상층 탑 플런저(222)의 사이 전체에 위치할 수 있으며, 동일하게 제2절연층(242)이 하층 바텀 플런저(214)와 상층 바텀 플런저(224)의 사이 전체에 위치할 수 있다.
이와 같은 배치에서 중요한 점은 제1절연층(241)은 상/하층 탑 팁(222b, 212b)보다 상방으로 더 돌출되지 않도록 하고, 제2절연층(242)은 상/하층 바텀 팁(224b, 214b)보다 하향으로 돌출되지 않도록 한다.
즉, 제1절연층(241)과 제2절연층(242)이 각각 탑 플런저와 바텀 플런저보다 돌출되지 않도록 함으로써, 신호의 전달 및 검출이 가능하도록 한다.
이처럼 본 발명은 하층 스프링 핀(210)과 상층 스프링 핀(220)의 사이에 제1절연층(241) 및 제2절연층(242)을 부가하여, 하층 스프링 핀(210)과 상층 스프링 핀(210)이 개별 핀으로 사용될 수 있게 한다.
따라서 하층 스프링 핀(210)과 상층 스프링 핀(220)에 서로 구분되는 개별적인 신호를 인가할 수 있다.
예를 들어 전압과 전류를 각각 패키지의 볼 등 시험이 필요한 요소에 인가할 수 있으며, 서로 다른 주파수의 신호를 인가할 수도 있다.
이처럼 하나의 구조이지만 실질적으로 두 개의 핀을 이용하여 서로 다른 다양한 신호를 시험 대상에 공급할 수 있어, 파인 피치(fine pitch) 대응이 용이하게 된다.
도 14와 도 15는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 측면 구성도이다.
도 14와 도 15에 도시한 본 발명은 앞서 도 13을 참조하여 설명한 본 발명의 구성에서 하층 스프링 핀(210)의 하층 웨이브(216)와 상층 스프링 핀(220)의 상층 웨이브(226)의 사이에 중간절연층(243, 244, 245)를 적용한 예를 도시하였다.
앞서 설명한 제1절연층(241)과 제2절연층(242)은 각각 상/하층 탑 플런저의 사이와 상/하층 바텀 플런저의 사이에 위치하며, 상층 스프링 핀(220)과 하층 스프링 핀(210) 모두에 접합되는 것이다.
도 14에서 하층 웨이브(216)와 상층 웨이브(216)의 사이에 위치하는 중간절연층(243)은 하층 웨이브(216) 또는 상층 웨이브(226)에만 부착되어 있다.
따라서 하층 웨이브(216)와 상층 웨이브(226)는 개별적으로 압력에 의해 탄성 작용을 하게 된다.
또한, 도 15에서는 두 개의 중간절연층(244, 245)가 하층 웨이브(216)와 상층 웨이브(226)의 사이에 위치하는 것을 도시하였다. 이때 두 중간절연층(244, 245)은 각각 서로 다른 웨이브에 부착된다.
즉, 도면상 상부측에 위치하는 중간절연층(244)은 하층 웨이브(216)에 부착되고, 하부측에 위치하는 중간절연층(245)은 상층 웨이브(226)에 부착된다.
반대로 중간절연층(244)이 상층 웨이브(226)에 부착되고, 중간절연층(245)은 하층 웨이브(216)에 부착될 수 있다.
이처럼 다수의 중간절연층(244, 245)를 사용할 때 각각 다른 웨이브에 고정하는 이유는 상기 상층 웨이브(226)와 하층 웨이브(216)가 균등한 탄성력을 가지도록 하기 위함이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 원-레이어 스프링 핀은 탄성 변형이 용이하고, 반복 사용으로 인하여 콘택 특성을 유지하기 곤란하지만, 멀티-레이어 스프링 핀은 복수 핀을 이용하여 콘택 특성이 유지되는 특히 플런저를 다층으로 구성하면 다양한 접속 팁의 형상과 모양을 제공하는 구성을 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다. 이와 같은 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능할 것이다.
본 발명은 MEMS 공정등의 미세 패턴 형성 공정을 이용하여, 탄성력이 개별작용하는 다층 구조의 핀을 제공하는 것으로 산업상 이용 가능성이 있다.

Claims (12)

  1. 하층 탑 플런저와 하층 바텀 플런저 사이에 하층 웨이브가 연결되는 하층 스프링 핀;
    상층 탑 플런저와 상층 바텀 플런저 사이에 상층 웨이브가 연결되는 상층 스프링 핀;
    상기 상층 탑 플런저와 상기 하층 탑 플런저 사이에 개재되는 중층 탑 팁, 및
    상기 상층 바텀 플런저와 상기 하층 바텀 플런저 사이에 개재되는 중층 바텀 팁을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하층 탑 플런저는, 하층 탑 바디 및 하층 탑 팁을 포함하고,
    상기 상층 탑 플런저는, 상층 탑 바디 및 상층 탑 팁을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 중층 탑 팁은 상기 상/하층 탑 팁보다 상방으로 더 연장되는 것을 특징으로 하는 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 상/하층 탑 팁은 상기 중층 탑 팁보다 상방으로 더 연장되는 것을 특징으로 하는 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 상층 웨이브와 상기 하층 웨이브 사이에 개재되는 하나 이상의 중층 인터포저를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 중층 인터포저는 상기 상/하층 웨이브 중 하나와 접합되는 것을 특징으로 하는 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 하층 웨이브의 돌부는 상기 상층 웨이브의 홈부와 대응되고,
    상기 하층 웨이브의 홈부는 상기 상층 웨이브의 돌부와 대응되는 것을 특징으로 하는 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀.
  8. 하층 탑 플런저와 하층 바텀 플런저 사이에 하층 웨이브가 연결되는 하층 스프링 핀;
    상층 탑 플런저와 상층 바텀 플런저 사이에 상층 웨이브가 연결되는 상층 스프링 핀;
    상기 상층 탑 플런저와 상기 하층 탑 플런저 사이에 개재되는 제1절연층; 및
    상기 상층 바텀 플런저와 상기 하층 바텀 플런저 사이에 개재되는 제2절연층을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1절연층은 상기 상층 탑 플런저 및 상기 하층 탑 플런저의 상부측으로 돌출되지 않으며,
    상기 제2절연층은 상기 상층 바텀 플런저 및 상기 하층 바텀 플런저의 하부측으로 돌출되지 않는 것을 특징으로 하는 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 하층 스프링 핀의 하층 웨이브와 상기 상층 스프링 핀의 상층 웨이브의 사이에 위치하는 중간절연층을 더 포함하는 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 중간절연층은 둘 이상이며,
    각각 상기 하층 웨이브와 상기 상층 웨이브에 교번하여 부착되는 것을 특징으로 하는 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 하층 탑 플런저는, 하층 탑 바디 및 하층 탑 팁을 포함하고,
    상기 상층 탑 플런저는, 상층 탑 바디 및 상층 탑 팁을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 멀티-레이어 MEMS 스프링 핀.
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