WO2020206718A1 - 一种有机发光二极管显示器及其制作方法 - Google Patents

一种有机发光二极管显示器及其制作方法 Download PDF

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刘明
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Definitions

  • the present invention relates to the field of display technology, in particular to an organic light emitting diode display and a manufacturing method thereof.
  • Top-emission OLED Organic Light-Emitting Diode, OLED
  • OLED Organic Light-Emitting Diode
  • the top electrode usually the cathode
  • metal such as magnesium-silver alloy
  • its thickness must be controlled in a small range (for example, less than 20 nm).
  • the voltage drop (IR-Drop) in different areas of the panel will be different due to the different distances of the supply circuits, and the final display effect will be uneven.
  • the current existing solution is to add auxiliary electrodes in addition to the display pixel area in the panel area.
  • the thin-layer transparent top electrode and the auxiliary electrode are connected, and the auxiliary electrodes uniformly distributed on the panel can make the potential of the thin-layer top electrode in different regions consistent.
  • the problem with this technology is that the auxiliary electrode is often the same as the bottom electrode of the pixel area. It is easily covered during the evaporation of organic materials, making it difficult for the top electrode to form effective contact with the auxiliary electrode, and thus unable to effectively reduce the voltage drop ( IR-drop), resulting in uneven panel light emission, reducing the display effect.
  • the purpose of the present invention is to provide an organic light emitting diode display and a manufacturing method thereof, which can improve the uniformity of light emission and the display effect.
  • the present invention provides a manufacturing method of an organic light emitting diode display, which includes:
  • a cathode is formed on the organic functional layer, and the cathode is connected to the auxiliary electrode through the electrical connection structure; wherein the cathode abuts against the side wall of the electrical connection structure, and the material of the electrical connection structure includes At least one of metal materials and metal alloys.
  • the present invention provides a manufacturing method of an organic light emitting diode display, which includes:
  • a cathode is formed on the organic functional layer, and the cathode is connected to the auxiliary electrode through the electrical connection structure.
  • the present invention also provides an organic light emitting diode display, which includes
  • the pixel definition layer is provided on the anode and the base substrate not covered by the anode; the pixel definition layer is provided with pixel openings;
  • the electrical connection structure is arranged on the auxiliary electrode
  • the organic functional layer is provided in the pixel opening, on the pixel defining layer, the auxiliary electrode and the electrical connection structure;
  • the cathode is arranged on the organic functional layer, and the cathode is connected to the auxiliary electrode through the electrical connection structure.
  • an electrical connection structure is provided on the auxiliary electrode, so that the cathode is connected to the auxiliary electrode through the electrical connection structure, so that effective contact is formed between the cathode and the auxiliary electrode, thereby reducing the voltage. Lowering makes the panel emit light evenly and improves the display effect.
  • 1 is a schematic structural diagram of the first step of the manufacturing method of the organic light emitting diode display of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic structural diagram of the second step to the third step of the manufacturing method of the organic light emitting diode display of the present invention
  • FIG. 3 is a schematic structural diagram of the fourth step of the manufacturing method of the organic light emitting diode display of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic structural diagram of the fifth step of the manufacturing method of the organic light emitting diode display of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic structural diagram of the sixth step of the manufacturing method of the organic light emitting diode display of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic structural diagram of the seventh step of the manufacturing method of the organic light emitting diode display of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic structural diagram of the eighth step of the manufacturing method of the organic light emitting diode display of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of the first step of the manufacturing method of the organic light emitting diode display of the present invention.
  • the manufacturing method of the organic light emitting diode display of the present invention includes:
  • an entire conductive layer 12 is fabricated on a base substrate 11, and the conductive layer 12 is patterned to form an anode 121 and an auxiliary electrode 122.
  • the material of the conductive layer 12 may be indium tin oxide.
  • the base substrate 11 includes a glass substrate and a switch array layer on the glass substrate.
  • the switch array layer includes a plurality of thin film transistors, and the anode is connected to the drain of the thin film transistor.
  • a pixel definition layer 13 is formed on the anode 121, the auxiliary electrode 122, and the base substrate 11 not covered by the anode 121 and the auxiliary electrode 122.
  • the material of the pixel definition layer 13 may be a photoresist material.
  • a via 131 is formed on the pixel definition layer 13 at a position corresponding to the auxiliary electrode 122.
  • step S103 the step of forming a via hole on the pixel definition layer corresponding to the position of the auxiliary electrode includes:
  • the pixel definition layer 13 when the material of the pixel definition layer 13 is a photoresist material, the pixel definition layer 13 can be exposed and developed to interact with the auxiliary electrode 122 A via 131 is formed at the corresponding position.
  • the via hole can be formed by etching and other processes.
  • the shape of the longitudinal section of the via 131 includes one of a rectangle and a trapezoid. Of course, other shapes are also possible. A raised portion may be provided on the side wall of the via hole 131.
  • the shape of the cross-section of the via 131 is not limited, for example, it may be a circle or a polygon.
  • a metal material is filled in the via hole 131 to form an electrical connection structure 30.
  • the electrical connection structure 30 is formed by one of electroplating, electrophoretic deposition, three-dimensional (3D) printing, and focused electron beam induced deposition.
  • the electroplating method can be specifically, the display obtained in the above steps is placed in an electroplating bath, the electroplating bath contains a plating solution of M+ and X- (M+ is a metal cation, X- is a plating solution), and the auxiliary electrode is used as a cathode.
  • M+ is a metal cation
  • X- is a plating solution
  • the auxiliary electrode is used as a cathode.
  • the 3D printing method can print metal nanoparticles to form an electrical connection structure.
  • the material of the electrical connection structure includes at least one of a metal material and a metal alloy.
  • the electrical connection structure 30 partially covers the auxiliary electrode 12, that is, the contact area between the electrical connection structure 30 and the auxiliary electrode 122 is smaller than the cross-sectional area of the auxiliary electrode 122 .
  • the pixel defining layer 13 on the auxiliary electrode 122 is removed, and a pixel opening 132 is formed on the remaining pixel defining layer 13 at a position corresponding to the anode 121.
  • the step S105 that is, the step of removing the pixel definition layer on the auxiliary electrode, and forming a pixel opening on the remaining pixel definition layer corresponding to the position of the anode includes:
  • the pixel definition layer 13 when the material of the pixel definition layer 13 is a photoresist material, the pixel definition layer 13 may be exposed and developed again to form the pixel opening 132 and to remove the pixels on the auxiliary electrode 122 The definition layer 13 is removed.
  • an organic functional layer 14 is formed in the pixel opening 132, the pixel defining layer 13, the auxiliary electrode 122 that is not covered by the electrical connection structure, and the electrical connection structure 30.
  • the organic functional layer 14 includes an organic light-emitting layer.
  • the organic functional layer 14 may include a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, and an electron transport layer in order from bottom to top.
  • the organic functional layer 14 is formed by inkjet printing or vapor deposition.
  • a cathode is formed on the organic functional layer, and the cathode is connected to the auxiliary electrode through the electrical connection structure.
  • a cathode 15 is formed on the organic functional layer 14, and the cathode 15 is connected to the auxiliary electrode 122 through the electrical connection structure 30.
  • the cathode 15 is made by vapor deposition, and the material of the cathode 15 is indium zinc oxide (IZO) or a Mg/Ag composite film.
  • the cathode 15 abuts against the side wall of the electrical connection structure 30, that is, the contact surface of the cathode 15 and the electrical connection structure 30 is located in the vertical direction.
  • the contact surface between the electrical connection structure 30 and the auxiliary electrode 122 is located in the horizontal direction.
  • the method may further include:
  • a flat layer 16 is formed on the cathode 15.
  • step S106 specifically includes:
  • S201 forming a hole injection layer, a hole transport layer, and an organic light emitting layer in the pixel opening;
  • step S107 may specifically be:
  • a cathode is formed on the electron transport layer, and the cathode is connected to the auxiliary electrode through the electrical connection structure.
  • the present invention also provides an organic light emitting diode display, which includes: a base substrate 11, a conductive layer 12, a pixel definition layer 13, an organic functional layer 14, a cathode 15 and an electrical connection structure 30.
  • the conductive layer 12 is located on the base substrate 11; the conductive layer 12 includes an anode 121 and an auxiliary electrode 122.
  • the pixel definition layer 13 is provided on the anode 121 and the base substrate 11 not covered by the anode 121; the pixel definition layer 13 is provided with a pixel opening 132.
  • the electrical connection structure 30 is provided on the auxiliary electrode 122.
  • the organic functional layer 14 is disposed in the pixel opening 132, on the pixel defining layer 13, the auxiliary electrode 122 and the electrical connection structure 30.
  • the cathode 15 is disposed on the organic functional layer 14, and the cathode 15 is connected to the auxiliary electrode 122 through the electrical connection structure 30.
  • the cathode 15 abuts against the side wall of the electrical connection structure 30.
  • the electrical connection structure 30 partially covers the auxiliary electrode 122.
  • the organic light emitting diode display can also include a flat layer 16, and the flat layer 16 is located on the cathode 15.
  • the organic light emitting diode display can be prepared by the above method.
  • the organic light emitting diode display of the present invention is provided with an electrical connection structure on the auxiliary electrode, the cathode is connected to the auxiliary electrode through the electrical connection structure, so that effective contact is formed between the cathode and the auxiliary electrode, and the contact between the cathode and the auxiliary electrode is improved.
  • Conductive properties thereby reducing the voltage drop, thereby making the panel emit light uniformly, and improving the display effect.
  • an electrical connection structure is provided on the auxiliary electrode, so that the cathode is connected to the auxiliary electrode through the electrical connection structure, so that effective contact is formed between the cathode and the auxiliary electrode, thereby reducing the voltage. Lowering makes the panel emit light evenly and improves the display effect.

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Abstract

一种有机发光二极管显示器及其制作方法，该方法包括：在衬底基板（11）上依次制作阳极（121）和辅助电极（122）以及像素定义层（13）；在所述像素定义层（13）上与所述辅助电极（122）的位置形成电连接结构（30）；将与所述阳极（121）对应的像素定义层（13）上形成像素开口（132）；在所述像素开口（132）内、所述像素定义层（13）、所述辅助电极（122）以及所述电连接结构（30）上形成有机功能层（14）和阴极（15）。

Description

一种有机发光二极管显示器及其制作方法 技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种有机发光二极管显示器及其制作方法。
 背景技术
顶发射型OLED（Organic Light-Emitting Diode，OLED）具有广阔的应用前景，但该类型的OLED要求顶电极（通常为阴极）具有一定的透明度。若采用金属（比如镁银合金）作为顶电极时，必须将其厚度控制在较小的范围（比如小于20 nm）。金属在如此薄的情况下，截面电流被大大地限制，导致导电性较差。将这类顶电极应用在大尺寸显示面板时，会由于供给电路距离不同，造成面板的不同区域的压降（IR-Drop）程度不一，最终显示效果的区域不均匀。
 技术问题
目前现有的解决办法是在面板区域内，除了显示像素区域外，额外增加辅助电极。在制备OLED时，使薄层透明顶电极与辅助电极导通，均匀分布在面板上的辅助电极可使不同区域的薄层顶电极电位一致。这一技术的问题是，辅助电极往往和像素区的底电极一样，在蒸镀有机材料的过程中容易被覆盖，使得顶电极难以与辅助电极形成有效的接触，进而无法有效地降低电压降（IR-drop），致使面板发光不均匀，降低了显示效果。
 技术解决方案
本发明的目的在于提供一种有机发光二极管显示器及其制作方法，能够提高发光均匀性和显示效果。
为解决上述技术问题，本发明提供一种有机发光二极管显示器的制作方法，其包括：
在衬底基板上制作导电层，对所述导电层进行图案化处理形成阳极和辅助电极；
在所述阳极、所述辅助电极以及未被所述阳极和所述辅助电极覆盖的衬底基板上形成像素定义层；
在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成过孔；
在所述过孔内填充金属材料，以形成电连接结构；
将所述辅助电极上的像素定义层去除，并在其余的像素定义层上对应于所述阳极的位置形成像素开口；
在所述像素开口内、所述像素定义层、所述辅助电极以及所述电连接结构上形成有机功能层；以及
在所述有机功能层上形成阴极，所述阴极通过所述电连接结构与所述辅助电极连接；其中所述阴极与所述电连接结构的侧壁抵接，所述电连接结构的材料包括金属材料、金属合金中的至少一种。
本发明提供一种有机发光二极管显示器的制作方法，其包括：
在衬底基板上制作导电层，对所述导电层进行图案化处理形成阳极和辅助电极；
在所述阳极、所述辅助电极以及未被所述阳极和所述辅助电极覆盖的衬底基板上形成像素定义层；
在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成过孔；
在所述过孔内填充金属材料，以形成电连接结构；
将所述辅助电极上的像素定义层去除，并在其余的像素定义层上对应于所述阳极的位置形成像素开口；
在所述像素开口内、所述像素定义层、所述辅助电极以及所述电连接结构上形成有机功能层；
在所述有机功能层上形成阴极，所述阴极通过所述电连接结构与所述辅助电极连接。
本发明还提供一种有机发光二极管显示器，其包括
衬底基板；
导电层，位于所述衬底基板上；所述导电层包括阳极和辅助电极；
像素定义层，设于在所述阳极以及未被所述阳极覆盖的衬底基板上；所述像素定义层上设置有像素开口；
电连接结构，设于所述辅助电极上；
有机功能层，设于所述像素开口内、所述像素定义层、所述辅助电极以及所述电连接结构上；
阴极，设于所述有机功能层上，所述阴极通过所述电连接结构与所述辅助电极连接。
 有益效果
本发明的有机发光二极管显示器及其制作方法，通过在辅助电极上设置电连接结构，从而使得阴极通过电连接结构与辅助电极连接，使得阴极与辅助电极之间形成有效的接触，进而降低了压降，使得面板发光均匀，提高了显示效果。
 附图说明
图1为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第一步的结构示意图；
图2为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第二步至第三步的结构示意图；
图3为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第四步的结构示意图；
图4为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第五步的结构示意图；
图5为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第六步的结构示意图；
图6为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第七步的结构示意图；
图7为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第八步的结构示意图。
 本发明的实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图1至7，图1为本发明有机发光二极管显示器的制作方法的第一步的结构示意图。
本发明的有机发光二极管显示器的制作方法包括：
S101、在衬底基板上制作导电层，对所述导电层进行图案化处理形成阳极和辅助电极；
如图1所示，例如，在衬底基板11上制作整层导电层12，对所述导电层12进行图案化处理形成阳极121和辅助电极122，该导电层12的材料可以为氧化铟锡。其中衬底基板11包括玻璃基板以及位于玻璃基板上的开关阵列层，所述开关阵列层包括多个薄膜晶体管，阳极与薄膜晶体管的漏极连接。
S102、在所述阳极、所述辅助电极以及未被所述阳极和所述辅助电极覆盖的衬底基板上形成像素定义层；
例如，如图2所示，在所述阳极121、所述辅助电极122以及未被所述阳极121和所述辅助电极122覆盖的衬底基板11上形成像素定义层13。为了简化制程工艺，降低生产成本，在一实施方式中，所述像素定义层13的材料可为光阻材料。
S103、在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成过孔；
如图2所示，在所述像素定义层13上对应于所述辅助电极122的位置形成过孔131。
也即所述步骤S103，所述在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成过孔的步骤包括：
S1031、对像素定义层进行第一次图案化处理，以使与所述辅助电极对应的像素定义层形成过孔。
例如，如图2所示，在一实施方式中，当所述像素定义层13的材料为光阻材料时，可对所述像素定义层13进行曝光、显影，以在与所述辅助电极122对应的位置形成过孔131。当所述像素定义层13的材料为其他材料时，可以采用蚀刻等工艺形成该过孔。
其中，所述过孔131的纵截面的形状包括长方形和梯形中的一种。当然还可以为其他形状。其所述过孔131的侧壁上可以设置凸起部。所述过孔131的横截面的形状不限，比如可以为圆形或者多边形等等。
S104、在所述过孔内填充金属材料，以形成电连接结构；
结合图2和图3，在所述过孔131内填充金属材料，以形成电连接结构30。
其中所述电连接结构30是通过电镀、电泳沉积、三维(3D)打印以及聚焦电子束诱导沉积中的一种形成的。
比如电镀方式具体可以为，将上述步骤得到的显示器放入电镀池中，电镀池中含有M+的X-的电镀液（M+为金属阳离子，X-为电镀液），辅助电极作为阴极，通过电镀生长电连接结构。
其中3D打印方式可以打印金属纳米颗粒以形成电连接结构。其中所述电连接结构的材料包括金属材料、金属合金中的至少一种。
在一实施方式中，所述电连接结构30部分覆盖所述辅助电极12，也即所述电连接结构30与所述辅助电极122之间的接触面积小于所述辅助电极122的横截面的面积。
S105、将所述辅助电极上的像素定义层去除，并在其余的像素定义层上对应于所述阳极的位置形成像素开口；
如图4所示，将所述辅助电极122上的像素定义层13去除，并在剩余的像素定义层13上对应于所述阳极121的位置形成像素开口132。
所述步骤S105，也即所述将所述辅助电极上的像素定义层去除，并在其余的像素定义层上对应于所述阳极的位置形成像素开口的步骤包括：
S1051、对所述像素定义层13进行第二次图案化处理，以将所述辅助电极122上的像素定义层去除以及形成像素开口132。
在一实施方式中，当所述像素定义层13的材料为光阻材料时，可对所述像素定义层13进行再次曝光、显影，以形成像素开口132和将所述辅助电极122上的像素定义层13去除。
S106、在所述像素开口内、所述像素定义层、所述辅助电极以及所述电连接结构上形成有机功能层；
如图5所示，在所述像素开口132内、所述像素定义层13、未被所述电连接结构覆盖的所述辅助电极122以及所述电连接结构30上形成有机功能层14。在一实施方式中，所述有机功能层14包括有机发光层。在另一实施方式中，所述有机功能层14从下至上依次可包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层以及电子传输层。在一实施方式中，所述有机功能层14通过喷墨打印方式或者蒸镀方式制作形成的。
S107、在所述有机功能层上形成阴极，所述阴极通过所述电连接结构与所述辅助电极连接。
如图6所示，在所述有机功能层14上形成阴极15，所述阴极15通过所述电连接结构30与所述辅助电极122连接。
其中，所述阴极15是采用蒸镀方式制作形成的，阴极15的材料是铟锌氧化物（IZO）或者是Mg/Ag复合薄膜。其中，所述阴极15与所述电连接结构30的侧壁抵接，也即所述阴极15与所述电连接结构30的接触面位于竖直方向上。电连接结构30与辅助电极122的接触面位于水平方向上。
所述方法还可包括：
S108、在所述阴极上形成平坦层。
如图7所示，在所述阴极15上形成平坦层16。
在另一实施例中，上述步骤S106具体包括：
S201、在所述像素开口内形成空穴注入层、空穴传输层、有机发光层；
S202、在所述有机发光层、所述像素定义层、所述辅助电极、所述电连接结构上形成电子传输层；
上述步骤S107具体可以为：
S203、在所述电子传输层上形成阴极，所述阴极通过所述电连接结构与所述辅助电极连接。
如图6和7，本发明还提供一种有机发光二极管显示器，其包括：衬底基板11、导电层12、像素定义层13、有机功能层14、阴极15以及电连接结构30。
导电层12位于所述衬底基板11上；所述导电层12包括阳极121和辅助电极122。
结合图1至5，像素定义层13设于在所述阳极121、以及未被所述阳极121覆盖的衬底基板11上；所述像素定义层13上设置有像素开口132。
电连接结构30设于所述辅助电极122上。
有机功能层14设于所述像素开口132内、所述像素定义层13、所述辅助电极122以及所述电连接结构30上。
阴极15设于所述有机功能层14上，所述阴极15通过所述电连接结构30与所述辅助电极122连接。
其中，所述阴极15与所述电连接结构30的侧壁抵接。
其中所述电连接结构30部分覆盖在所述辅助电极122上。
如图7所示，所述有机发光二极管显示器还可包平坦层16，所述平坦层16位于所述阴极15上。
该有机发光二极管显示器可以使用上述方法制备得到。
由于本发明的有机发光二极管显示器在辅助电极上设置电连接结构，从而使得阴极通过电连接结构与辅助电极连接，使得阴极与辅助电极之间形成有效的接触，提高了阴极与辅助电极之间的导电性能，从而降低了压降，进而使得面板发光均匀，提高了显示效果。
本发明的有机发光二极管显示器及其制作方法，通过在辅助电极上设置电连接结构，从而使得阴极通过电连接结构与辅助电极连接，使得阴极与辅助电极之间形成有效的接触，进而降低了压降，使得面板发光均匀，提高了显示效果。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (20)

  1. 一种有机发光二极管显示器的制作方法，其包括：
    在衬底基板上制作导电层，对所述导电层进行图案化处理形成阳极和辅助电极；
    在所述阳极、所述辅助电极以及未被所述阳极和所述辅助电极覆盖的衬底基板上形成像素定义层；
    在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成过孔；
    在所述过孔内填充金属材料，以形成电连接结构；
    将所述辅助电极上的像素定义层去除，并在其余的像素定义层上对应于所述阳极的位置形成像素开口；
    在所述像素开口内、所述像素定义层、所述辅助电极以及所述电连接结构上形成有机功能层；以及
    在所述有机功能层上形成阴极，所述阴极通过所述电连接结构与所述辅助电极连接；其中所述阴极与所述电连接结构的侧壁抵接，所述电连接结构的材料包括金属材料、金属合金中的至少一种。
  2. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其中
    所述在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成过孔的步骤包括：
    对所述像素定义层进行第一次图案化处理，以使与所述辅助电极对应的像素定义层形成过孔。
  3. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述电连接结构部分覆盖在所述辅助电极上。
  4. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述电连接结构是通过电镀、电泳沉积、3D打印以及聚焦电子束诱导沉积方式中的一种形成的。
  5. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其中
    所述将所述辅助电极上的像素定义层去除，并在其余的像素定义层上对应于所述阳极的位置形成像素开口的步骤包括：
    对所述像素定义层进行第二次图案化处理，以将所述辅助电极上的像素定义层去除以及形成像素开口。
  6. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述方法还包括：在所述阴极上形成平坦层。
  7. 一种有机发光二极管显示器的制作方法，其包括：
    在衬底基板上制作导电层，对所述导电层进行图案化处理形成阳极和辅助电极；
    在所述阳极、所述辅助电极以及未被所述阳极和所述辅助电极覆盖的衬底基板上形成像素定义层；
    在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成过孔；
    在所述过孔内填充金属材料，以形成电连接结构；
    将所述辅助电极上的像素定义层去除，并在其余的像素定义层上对应于所述阳极的位置形成像素开口；
    在所述像素开口内、所述像素定义层、所述辅助电极以及所述电连接结构上形成有机功能层；以及
    在所述有机功能层上形成阴极，所述阴极通过所述电连接结构与所述辅助电极连接。
  8. 根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述阴极与所述电连接结构的侧壁抵接。
  9. 根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述在所述像素定义层上对应于所述辅助电极的位置形成过孔的步骤包括：
    对所述像素定义层进行第一次图案化处理，以使与所述辅助电极对应的像素定义层形成过孔。
  10. 根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述电连接结构部分覆盖在所述辅助电极上。
  11. 根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述电连接结构是通过电镀、电泳沉积、3D打印以及聚焦电子束诱导沉积方式中的一种形成的。
  12. 根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其中
    所述电连接结构的材料包括金属材料、金属合金中的至少一种。
  13. 根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述将所述辅助电极上的像素定义层去除，并在其余的像素定义层上对应于所述阳极的位置形成像素开口的步骤包括：
    对所述像素定义层进行第二次图案化处理，以将所述辅助电极上的像素定义层去除以及形成像素开口。
  14. 根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述方法还包括：在所述阴极上形成平坦层。
  15. 一种有机发光二极管显示器，其包括
    衬底基板；
    导电层，位于所述衬底基板上；所述导电层包括阳极和辅助电极；
    像素定义层，设于在所述阳极以及未被所述阳极覆盖的衬底基板上；所述像素定义层上设置有像素开口；
    电连接结构，设于所述辅助电极上；
    有机功能层，设于所述像素开口内、所述像素定义层、所述辅助电极以及所述电连接结构上；以及
    阴极，设于所述有机功能层上，所述阴极通过所述电连接结构与所述辅助电极连接。
  16. 根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中所述阴极与所述电连接结构的侧壁抵接。
  17. 根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中所述电连接结构部分覆盖在所述辅助电极上。
  18. 根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中所述电连接结构是通过电镀、电泳沉积、3D打印以及聚焦电子束诱导沉积方式中的一种形成的。
  19. 根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中所述电连接结构的材料包括金属材料、金属合金中的至少一种。
  20. 根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中所述有机发光二极管显示器还包括：平坦层，设于所述阴极上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111900185B (zh) * 2020-06-17 2021-06-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN114335403B (zh) * 2021-12-15 2023-06-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法以及制作显示面板的机台
CN114784206A (zh) * 2022-03-31 2022-07-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及oled显示面板的制备方法
CN114709349B (zh) * 2022-04-02 2025-09-30 昆山国显光电有限公司 一种发光基板及其制备方法
CN115275049B (zh) * 2022-07-21 2025-09-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN115988900B (zh) * 2022-12-28 2024-11-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170077205A1 (en) * 2015-09-16 2017-03-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
CN106887528A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN108122944A (zh) * 2016-10-31 2018-06-05 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN108336107A (zh) * 2017-01-19 2018-07-27 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管（oled）阵列基板及其制备方法、显示装置
CN108538890A (zh) * 2018-04-20 2018-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 一种有机发光显示装置
CN109103215A (zh) * 2017-06-21 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107565048B (zh) * 2017-08-24 2020-05-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置
CN109244269B (zh) * 2018-09-19 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170077205A1 (en) * 2015-09-16 2017-03-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
CN106887528A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN108122944A (zh) * 2016-10-31 2018-06-05 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN108336107A (zh) * 2017-01-19 2018-07-27 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管（oled）阵列基板及其制备方法、显示装置
CN109103215A (zh) * 2017-06-21 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置
CN108538890A (zh) * 2018-04-20 2018-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 一种有机发光显示装置

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