WO2020199496A1 - 显示面板和显示面板的封装方法 - Google Patents

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WO2020199496A1
WO2020199496A1 PCT/CN2019/104143 CN2019104143W WO2020199496A1 WO 2020199496 A1 WO2020199496 A1 WO 2020199496A1 CN 2019104143 W CN2019104143 W CN 2019104143W WO 2020199496 A1 WO2020199496 A1 WO 2020199496A1
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WO
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inorganic
inorganic layer
metal
organic
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Application number
PCT/CN2019/104143
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English (en)
French (fr)
Inventor
梁晓明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • the present application relates to the field of display technology, and in particular to a display panel and a packaging method of the display panel.
  • OLED organic light-emitting diode
  • existing organic light-emitting diode (OLED) thin film packaging mainly adopts a laminated structure of an inorganic layer and an organic layer disposed on the organic light-emitting diode device, where the inorganic layer acts as a barrier to water and oxygen to prevent water vapor or oxygen from invading the organic light-emitting diode
  • the device causes performance degradation, but the inorganic film often has defects during the deposition process, and the ability to isolate water and oxygen is insufficient, while the organic layer increases the path of water and oxygen intrusion, and does not have the ability to isolate water and oxygen.
  • the existing organic light emitting diode (OLED) thin film packaging has defects and needs to be improved.
  • the present application provides a display panel and a packaging method of the display panel to alleviate the technical problem of insufficient water and oxygen isolation ability of organic light emitting diode (OLED) film packaging.
  • OLED organic light emitting diode
  • This application provides a display panel, including:
  • the metal layer is a flexible metal layer.
  • the flexible metal layer is an aluminum layer, a silver layer or a magnesium layer.
  • the inorganic layer includes a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer
  • the buffer layer includes a first metal layer and a second metal layer
  • the first inorganic layer Is formed on the display function layer the first metal layer is formed on the first inorganic layer
  • the second inorganic layer is formed on the first metal layer
  • the second metal layer is formed on the On the second inorganic layer
  • the third inorganic layer is formed on the second metal layer.
  • At least one of the buffer layers is an organic layer.
  • the inorganic layer includes a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer
  • the buffer layer includes a first metal layer and a first organic layer
  • the first inorganic layer Is formed on the display function layer the first metal layer is formed on the first inorganic layer
  • the second inorganic layer is formed on the first metal layer
  • the first organic layer is formed on the On the second inorganic layer
  • the third inorganic layer is formed on the first organic layer.
  • the inorganic layer includes a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer
  • the buffer layer includes a metal layer and an organic layer
  • the first inorganic layer is formed on the
  • the organic layer is formed on the first inorganic layer
  • the second inorganic layer is formed on the organic layer
  • the metal layer is formed on the second inorganic layer.
  • Three inorganic layers are formed on the metal layer.
  • the inorganic layer includes a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer
  • the buffer layer includes a first metal layer, a second metal layer, and a first organic layer
  • the first inorganic layer is formed on the display function layer
  • the first metal layer is formed on the first inorganic layer
  • the first organic layer is formed on the first metal layer
  • the second Two inorganic layers are formed on the first organic layer
  • the second metal layer is formed on the second inorganic layer
  • the third inorganic layer is formed on the second metal layer.
  • the inorganic layer includes a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer
  • the buffer layer includes a first metal layer, a second metal layer, and a first organic layer
  • the first inorganic layer is formed on the display function layer
  • the first organic layer is formed on the first inorganic layer
  • the first metal layer is formed on the first organic layer
  • the first Two inorganic layers are formed on the first metal layer
  • the second metal layer is formed on the second inorganic layer
  • the third inorganic layer is formed on the second metal layer.
  • the inorganic layer includes a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer
  • the buffer layer includes a first metal layer, a second metal layer, and a first organic layer
  • the first inorganic layer is formed on the display function layer
  • the first metal layer is formed on the first inorganic layer
  • the second inorganic layer is formed on the first metal layer.
  • Two metal layers are formed on the second inorganic layer
  • the first organic layer is formed on the second metal layer
  • the third inorganic layer is formed on the second metal layer.
  • the inorganic layer includes a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer
  • the buffer layer includes a first metal layer, a second metal layer, and a first organic layer
  • the first inorganic layer is formed on the display function layer
  • the first metal layer is formed on the first inorganic layer
  • the second inorganic layer is formed on the first metal layer.
  • An organic layer is formed on the second inorganic layer
  • the second metal layer is formed on the first organic layer
  • the third inorganic layer is formed on the second metal layer.
  • the inorganic layer includes a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer
  • the buffer layer includes a first metal layer, a first organic layer, and a second organic layer
  • the first inorganic layer is formed on the display function layer
  • the first metal layer is formed on the first inorganic layer
  • the first organic layer is formed on the first metal layer
  • the second Two inorganic layers are formed on the first inorganic layer
  • the second organic layer is formed on the second inorganic layer
  • the third inorganic layer is formed on the second organic layer.
  • the inorganic layer includes a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer
  • the buffer layer includes a first metal layer, a first organic layer, and a second organic layer
  • the first inorganic layer is formed on the display function layer
  • the first organic layer is formed on the first inorganic layer
  • the first metal layer is formed on the first organic layer
  • the first Two inorganic layers are formed on the first metal layer
  • the second organic layer is formed on the second inorganic layer
  • the third inorganic layer is formed on the second organic layer.
  • the inorganic layer includes a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer
  • the buffer layer includes a first metal layer, a first organic layer, and a second organic layer
  • the first inorganic layer is formed on the display function layer
  • the first organic layer is formed on the first inorganic layer
  • the second inorganic layer is formed on the first organic layer.
  • a metal layer is formed on the second inorganic layer
  • the second organic layer is formed on the first metal layer
  • the third inorganic layer is formed on the second organic layer.
  • the inorganic layer includes a first inorganic layer, a second inorganic layer, and a third inorganic layer
  • the buffer layer includes a first metal layer, a second metal layer, a first organic layer, and A second organic layer
  • the first inorganic layer is formed on the display function layer
  • the first metal layer is formed on the first inorganic layer
  • the first organic layer is formed on the first metal layer
  • the second inorganic layer is formed on the first organic layer
  • the second metal layer is formed on the second inorganic layer
  • the second organic layer is formed on the second metal layer
  • the third inorganic layer is formed on the second organic layer.
  • the present application also provides a packaging method of a display panel, including:
  • a buffer layer is formed on the display function layer, the buffer layer and the inorganic layer are alternately arranged, and at least one of the buffer layers is a metal layer.
  • forming a buffer layer on the display functional layer includes depositing the metal layer by an evaporation method.
  • forming a buffer layer on the display functional layer includes depositing the metal layer by using a chemical vapor deposition method.
  • forming a buffer layer on the display functional layer includes depositing the metal layer by using a plasma enhanced chemical vapor deposition method.
  • forming a buffer layer on the display functional layer includes depositing the metal layer by using a sputtering method.
  • the present application provides a display panel and a packaging method of the display panel.
  • the display panel includes: a display function layer; at least one inorganic layer formed on the display function layer; In the buffer layer with alternate inorganic layers, at least one of the buffer layers is a metal layer; by arranging a metal buffer layer on the inorganic layer, defects formed in the deposition process of the inorganic thin film can be filled, and the isolation of the thin film package is improved Water and oxygen capacity.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of the first structure of the display panel of this application.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a second structure of the display panel of this application.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of the third structure of the display panel of the application.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of the fourth structure of the display panel of the application.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of a fifth structure of the display panel of this application.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of the sixth structure of the display panel of the application.
  • FIG. 7 is a schematic diagram of the seventh structure of the display panel of this application.
  • FIG. 8 is a schematic diagram of the eighth structure of the display panel of this application.
  • FIG. 9 is a schematic diagram of the ninth structure of the display panel of this application.
  • FIG. 10 is a schematic diagram of the tenth structure of the display panel of this application.
  • FIG. 11 is a schematic diagram of the eleventh structure of the display panel of this application.
  • FIG. 12 is a schematic diagram of a twelfth structure of the display panel of this application.
  • FIG. 13 is a schematic diagram of the thirteenth structure of the display panel of this application.
  • FIG. 14 is a schematic diagram of the fourteenth structure of the display panel of this application.
  • 15 is a schematic diagram of the fifteenth structure of the display panel of this application.
  • FIG. 16 is a schematic flowchart of the packaging method of the display panel of this application.
  • the present application provides a display panel and a packaging method of the display panel to alleviate the technical problem of insufficient water and oxygen isolation ability of organic light emitting diode (OLED) film packaging.
  • OLED organic light emitting diode
  • the display panel provided by the embodiments of the present application includes: a display function layer; at least one inorganic layer formed on the display function layer; a buffer layer formed on the display function layer and alternately arranged with the inorganic layer, Wherein, at least one of the buffer layers is a metal layer.
  • the display panel includes a display function layer, an inorganic layer, and a buffer layer.
  • the display function layer includes a substrate 101 and an organic light emitting diode (OLED) device 102 disposed on the substrate 101.
  • the inorganic layer includes a first inorganic layer 201, a second inorganic layer 202, and a third inorganic layer 203.
  • the buffer layer includes a first metal layer 301 and a second metal layer 302.
  • the first inorganic layer 201 is formed on the display function layer, the first metal layer 301 is formed on the first inorganic layer 201, and the second inorganic layer 202 is formed on the first metal layer 301 Above, the second metal layer 302 is formed on the second inorganic layer 202, and the third inorganic layer 203 is formed on the second metal layer 302.
  • the first metal layer 301 and the second metal layer 302 are flexible metal layers.
  • flexible display panels are often opened and folded repeatedly during use. The bending operation, because the flexible metal layer has good ductility and flexibility, can meet the bending needs of the flexible screen.
  • the flexible metal layer is an aluminum layer, a silver layer or a magnesium layer. Since metal thin films have a good ability to isolate water and oxygen, they can fill up the defects in inorganic thin films during the deposition process, usually by evaporation, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), chemical vapor deposition (CVD), sputtering (Sputter) and other methods of deposition.
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • Sputter sputtering
  • the material of the inorganic layer is SiNx, SiOx, SiON, SiO 2 , Al 2 O 3, etc., which are deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition ( ALD), sputtering (sputter) and other methods of deposition.
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • ALD atomic layer deposition
  • sputtering sputter
  • the buffer layers is an organic layer.
  • FIG. 2 it is a schematic diagram of the second structure of the display panel of this application.
  • the display panel includes a display function layer, an inorganic layer, and a buffer layer.
  • the display function layer includes a substrate 101 and an organic light emitting diode (OLED) device 102 disposed on the substrate 101.
  • the inorganic layer includes a first inorganic layer 201, a second inorganic layer 202, and a third inorganic layer 203.
  • the buffer layer includes a first metal layer 301 and a first organic layer 311.
  • the first inorganic layer 201 is formed on the display function layer, the first metal layer 301 is formed on the first inorganic layer 201, and the second inorganic layer 202 is formed on the first metal layer 301 Above, the first organic layer 311 is formed on the second inorganic layer 202, and the third inorganic layer 203 is formed on the first organic layer 311.
  • the material of the first organic layer 311 is mainly SiOC, polymer, etc., and is deposited by means of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or inkjet printing (IJP).
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • IJP inkjet printing
  • the inorganic layer plays a role of blocking water and oxygen to prevent water vapor or oxygen from invading the display function layer and causing performance degradation.
  • the inorganic film often has defects during the deposition process, and the ability to isolate water and oxygen is insufficient; the organic layer can Effectively reduce the stress caused by the inorganic layer, but increase the path of water and oxygen intrusion, without the ability to isolate water and oxygen; the metal layer has a good ability to isolate water and oxygen, and can fill the defects in the inorganic film during the deposition process and extend Good performance and flexibility; the combination of the three enables the display panel to not only achieve flexible functions and significantly reduce the stress of the film, but also have good water and oxygen barrier properties, and effectively extend the life of the device.
  • the display panel may also have a variety of different structures.
  • the display panel includes a display function layer, an inorganic layer, and a buffer layer.
  • the display function layer includes a substrate 101 and an organic light emitting diode (OLED) device 102 disposed on the substrate 101.
  • the inorganic layer includes a first inorganic layer 201, a second inorganic layer 202, and a third inorganic layer 203.
  • the buffer layer includes a first metal layer 301 and a first organic layer 311.
  • the first inorganic layer 201 is formed on the display function layer, the first organic layer 311 is formed on the first inorganic layer 201, and the second inorganic layer 202 is formed on the first organic layer 311 Above, the first metal layer 301 is formed on the second inorganic layer 202, and the third inorganic layer 203 is formed on the first metal layer 301.
  • the display function layer includes a substrate 101 and an organic light emitting diode (OLED) device 102 disposed on the substrate 101, and the inorganic layer includes a first inorganic layer 201, a second inorganic layer 202, and a third inorganic layer 203,
  • the buffer layer includes a first metal layer 301, a second metal layer 302, and a first organic layer 311.
  • the first inorganic layer 201 is formed on the display function layer, the first organic layer 311 is formed on the first inorganic layer 201, and the first metal layer 301 is formed on the first organic layer 311
  • the second inorganic layer 202 is formed on the first metal layer 301
  • the second metal layer 302 is formed on the second inorganic layer 202
  • the third inorganic layer 203 is formed on the first metal layer 301.
  • the display function layer includes a substrate 101 and an organic light emitting diode (OLED) device 102 disposed on the substrate 101, and the inorganic layer includes a first inorganic layer 201, a second inorganic layer 202, and a third inorganic layer 203,
  • the buffer layer includes a first metal layer 301, a second metal layer 302, and a first organic layer 311.
  • the first inorganic layer 201 is formed on the display function layer, the first metal layer 301 is formed on the first inorganic layer 201, and the first inorganic layer 311 is formed on the first metal layer 301
  • the second inorganic layer 202 is formed on the first inorganic layer 311
  • the second metal layer 302 is formed on the second inorganic layer 202
  • the third inorganic layer 203 is formed on the first inorganic layer.
  • the display function layer includes a substrate 101 and an organic light emitting diode (OLED) device 102 disposed on the substrate 101, and the inorganic layer includes a first inorganic layer 201, a second inorganic layer 202, and a third inorganic layer 203,
  • the buffer layer includes a first metal layer 301, a second metal layer 302, and a first organic layer 311.
  • the first inorganic layer 201 is formed on the display function layer, the first metal layer 301 is formed on the first inorganic layer 201, and the second inorganic layer 202 is formed on the first metal layer 301 Above, the second metal layer 302 is formed on the second inorganic layer 202, the first organic layer 311 is formed on the second metal layer 302, and the third inorganic layer 203 is formed on the first On an organic layer 311.
  • the display function layer includes a substrate 101 and an organic light emitting diode (OLED) device 102 disposed on the substrate 101, and the inorganic layer includes a first inorganic layer 201, a second inorganic layer 202, and a third inorganic layer 203,
  • the buffer layer includes a first metal layer 301, a second metal layer 302, and a first organic layer 311.
  • the first inorganic layer 201 is formed on the display function layer, the first metal layer 301 is formed on the first inorganic layer 201, and the second inorganic layer 202 is formed on the first metal layer 301 Above, the first organic layer 311 is formed on the second inorganic layer 202, the second metal layer 302 is formed on the first organic layer 311, and the third inorganic layer 203 is formed on the first On the second metal layer 302.
  • the display function layer includes a substrate 101 and an organic light emitting diode (OLED) device 102 disposed on the substrate 101, and the inorganic layer includes a first inorganic layer 201, a second inorganic layer 202, and a third inorganic layer 203,
  • the buffer layer includes a first metal layer 301, a first organic layer 311, and a second organic layer 312.
  • the first inorganic layer 201 is formed on the display function layer, the first metal layer 301 is formed on the first inorganic layer 201, and the first inorganic layer 311 is formed on the first metal layer 301
  • the second inorganic layer 202 is formed on the first organic layer 311, the second organic layer 312 is formed on the second inorganic layer 202, and the third inorganic layer 203 is formed on the first organic layer 311. On the second organic layer 312.
  • the display function layer includes a substrate 101 and an organic light emitting diode (OLED) device 102 disposed on the substrate 101, and the inorganic layer includes a first inorganic layer 201, a second inorganic layer 202, and a third inorganic layer 203,
  • the buffer layer includes a first metal layer 301, a first organic layer 311, and a second organic layer 312.
  • the first inorganic layer 201 is formed on the display function layer, the first organic layer 311 is formed on the first inorganic layer 201, and the first metal layer 301 is formed on the first organic layer 311
  • the second inorganic layer 202 is formed on the first metal layer 301
  • the second organic layer 312 is formed on the second inorganic layer 202
  • the third inorganic layer 203 is formed on the first metal layer 301.
  • the display function layer includes a substrate 101 and an organic light emitting diode (OLED) device 102 disposed on the substrate 101, and the inorganic layer includes a first inorganic layer 201, a second inorganic layer 202, and a third inorganic layer 203,
  • the buffer layer includes a first metal layer 301, a first organic layer 311, and a second organic layer 312.
  • the first inorganic layer 201 is formed on the display function layer, the first organic layer 311 is formed on the first inorganic layer 201, and the second inorganic layer 202 is formed on the first organic layer 311 Above, the first metal layer 301 is formed on the second inorganic layer 202, the second organic layer 312 is formed on the first metal layer 301, and the third inorganic layer 203 is formed on the first On the second organic layer 312.
  • the display function layer includes a substrate 101 and an organic light emitting diode (OLED) device 102 disposed on the substrate 101, and the inorganic layer includes a first inorganic layer 201, a second inorganic layer 202, and a third inorganic layer 203,
  • the buffer layer includes a first metal layer 301, a first organic layer 311, and a second organic layer 312.
  • the first inorganic layer 201 is formed on the display function layer, the first organic layer 311 is formed on the first inorganic layer 201, and the second inorganic layer 202 is formed on the first organic layer 311 Above, the second organic layer 312 is formed on the second inorganic layer 202, the first metal layer 301 is formed on the second organic layer 312, and the third inorganic layer 203 is formed on the first On a metal layer 301.
  • the display function layer includes a substrate 101 and an organic light emitting diode (OLED) device 102 disposed on the substrate 101, and the inorganic layer includes a first inorganic layer 201, a second inorganic layer 202, and a third inorganic layer 203,
  • the buffer layer includes a first metal layer 301, a second metal layer 302, a first organic layer 311, and a second organic layer 312.
  • the first inorganic layer 201 is formed on the display function layer, the first metal layer 301 is formed on the first inorganic layer 201, and the first organic layer 311 is formed on the first metal layer 301
  • the second inorganic layer 202 is formed on the first organic layer 311, the second metal layer 302 is formed on the second inorganic layer 201, and the second organic layer 312 is formed on the first organic layer 311.
  • the third inorganic layer 203 is formed on the second organic layer 312.
  • the display function layer includes a substrate 101 and an organic light emitting diode (OLED) device 102 disposed on the substrate 101, and the inorganic layer includes a first inorganic layer 201, a second inorganic layer 202, and a third inorganic layer 203,
  • the buffer layer includes a first metal layer 301, a second metal layer 302, a first organic layer 311, and a second organic layer 312.
  • the first inorganic layer 201 is formed on the display function layer, the first metal layer 301 is formed on the first inorganic layer 201, and the first organic layer 311 is formed on the first metal layer 301
  • the second inorganic layer 202 is formed on the first organic layer 311
  • the second organic layer 312 is formed on the second inorganic layer 202
  • the second metal layer 302 is formed on the first organic layer 311.
  • the third inorganic layer 203 is formed on the second metal layer 302.
  • the display function layer includes a substrate 101 and an organic light emitting diode (OLED) device 102 disposed on the substrate 101, and the inorganic layer includes a first inorganic layer 201, a second inorganic layer 202, and a third inorganic layer 203,
  • the buffer layer includes a first metal layer 301, a second metal layer 302, a first organic layer 311, and a second organic layer 312.
  • the first inorganic layer 201 is formed on the display function layer, the first organic layer 311 is formed on the first inorganic layer 201, and the first metal layer 301 is formed on the first organic layer 311
  • the second inorganic layer 202 is formed on the first metal layer 301
  • the second organic layer 312 is formed on the second inorganic layer 202
  • the second metal layer 302 is formed on the first metal layer 301.
  • the third inorganic layer 203 is formed on the second metal layer 302.
  • the display function layer includes a substrate 101 and an organic light emitting diode (OLED) device 102 disposed on the substrate 101, and the inorganic layer includes a first inorganic layer 201, a second inorganic layer 202, and a third inorganic layer 203,
  • the buffer layer includes a first metal layer 301, a second metal layer 302, a first organic layer 311, and a second organic layer 312.
  • the first inorganic layer 201 is formed on the display function layer, the first organic layer 311 is formed on the first inorganic layer 201, and the first metal layer 301 is formed on the first organic layer 311
  • the second inorganic layer 202 is formed on the first metal layer 301
  • the second metal layer 302 is formed on the second inorganic layer 202
  • the second organic layer 312 is formed on the first metal layer 301.
  • the third inorganic layer 203 is formed on the second organic layer 312.
  • the encapsulation effect can prolong the service life of the display panel.
  • the packaging structure can also be formed by alternately stacking more inorganic layers and buffer layers.
  • the number of the inorganic layers and buffer layers can be changed as required.
  • the position of the buffer layer can also be adjusted as required, but it is necessary to ensure that both the lowermost layer and the uppermost layer of the packaging structure are inorganic layers, and the total number of inorganic layers and buffer layers is not less than three.
  • the present application also provides a packaging method of a display panel, and the specific steps include:
  • S1 Provide display function layer
  • S3 forming a buffer layer on the display function layer, the buffer layer and the inorganic layer are alternately arranged, and at least one of the buffer layers is a metal layer.
  • the metal layer is usually deposited by evaporation, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), chemical vapor deposition (CVD), sputtering (sputter), and other methods.
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • sputter sputtering
  • the buffer layer may also be an organic layer.
  • the organic layer is usually deposited by means of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or inkjet printing (IJP).
  • the inorganic layer is generally deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD), sputtering (sputter), etc.
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • ALD atomic layer deposition
  • sputter sputtering
  • the embodiment of the present application provides a display panel and a packaging method of the display panel.
  • the display panel includes: a display function layer; at least one inorganic layer formed on the display function layer; A buffer layer arranged alternately with the inorganic layer, wherein at least one of the buffer layers is a metal layer; by disposing a metal buffer layer on the inorganic layer, the defects formed in the deposition process of the inorganic thin film can be filled, and the thin film packaging is improved The ability to isolate water and oxygen.

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Abstract

一种显示面板和显示面板的封装方法，显示面板包括：显示功能层；形成于显示功能层上的至少一层无机层（201、202、203）；形成于显示功能层上、与无机层（201、202、203）交替设置的缓冲层，其中，至少一层缓冲层为金属层（301、302）；通过在无机层（201、202、203）上设置金属缓冲层，可以填补无机薄膜在沉积过程中形成的缺陷，提升了薄膜封装的隔绝水氧能力。

Description

显示面板和显示面板的封装方法 技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示面板的封装方法。
 背景技术
现有有机发光二极管（OLED）薄膜封装主要采用设置于有机发光二极管器件上的无机层和有机层的叠层结构，其中无机层起到阻隔水氧的作用，以防止水汽或氧侵入有机发光二极管器件而造成性能劣化，但无机薄膜在沉积的过程中往往会存在缺陷，隔绝水氧能力不足，而有机层增加了水氧入侵的路径，没有隔绝水氧的能力。
所以，现有有机发光二极管（OLED）薄膜封装存在缺陷，需要改进。
 技术问题
本申请提供一种显示面板和显示面板的封装方法，以缓解有机发光二极管（OLED）薄膜封装存在隔绝水氧能力不足的技术问题。
 技术解决方案
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供一种显示面板，包括：
显示功能层；
形成于所述显示功能层上的至少一层无机层；
形成于所述显示功能层上、与所述无机层交替设置的缓冲层，其中，至少一层所述缓冲层为金属层。
在本申请的显示面板中，所述金属层为柔性金属层。
在本申请的显示面板中，所述柔性金属层为铝层、银层或镁层。
在本申请的显示面板中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层和第二金属层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一金属层形成于所述第一无机层上，所述第二无机层形成于所述第一金属层上，所述第二金属层形成于所述第二无机层上，所述第三无机层形成于所述第二金属层上。
在本申请的显示面板中，至少一层所述缓冲层为有机层。
在本申请的显示面板中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层和第一有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一金属层形成于所述第一无机层上，所述第二无机层形成于所述第一金属层上，所述第一有机层形成于所述第二无机层上，所述第三无机层形成于所述第一有机层上。
在本申请的显示面板中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括金属层和有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述有机层形成于所述第一无机层上，所述第二无机层形成于所述有机层上，所述金属层形成于所述第二无机层上，所述第三无机层形成于所述金属层上。
在本申请的显示面板中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第二金属层、以及第一有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一金属层形成于所述第一无机层上，所述第一有机层形成于所述第一金属层上，所述第二无机层形成于所述第一有机层上，所述第二金属层形成于所述第二无机层上，所述第三无机层形成于所述第二金属层上。
在本申请的显示面板中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第二金属层、以及第一有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一有机层形成于所述第一无机层上，所述第一金属层形成于所述第一有机层上，所述第二无机层形成于所述第一金属层上，所述第二金属层形成于所述第二无机层上，所述第三无机层形成于所述第二金属层上。
在本申请的显示面板中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第二金属层、以及第一有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一金属层形成于所述第一无机层上，所述第二无机层形成于所述第一金属层上，所述第二金属层形成于所述第二无机层上，所述第一有机层形成于所述第二金属层上，所述第三无机层形成于所述第二金属层上。
在本申请的显示面板中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第二金属层、以及第一有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一金属层形成于所述第一无机层上，所述第二无机层形成于所述第一金属层上，所述第一有机层形成于所述第二无机层上，所述第二金属层形成于所述第一有机层上，所述第三无机层形成于所述第二金属层上。
在本申请的显示面板中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第一有机层、以及第二有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一金属层形成于所述第一无机层上，所述第一有机层形成于所述第一金属层上，所述第二无机层形成于所述第一无机层上，所述第二有机层形成于所述第二无机层上，所述第三无机层形成于所述第二有机层上。
在本申请的显示面板中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第一有机层、以及第二有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一有机层形成于所述第一无机层上，所述第一金属层形成于所述第一有机层上，所述第二无机层形成于所述第一金属层上，所述第二有机层形成于所述第二无机层上，所述第三无机层形成于所述第二有机层上。
在本申请的显示面板中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第一有机层、以及第二有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一有机层形成于所述第一无机层上，所述第二无机层形成于所述第一有机层上，所述第一金属层形成于所述第二无机层上，所述第二有机层形成于所述第一金属层上，所述第三无机层形成于所述第二有机层上。
在本申请的显示面板中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第二金属层、第一有机层、以及第二有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一金属层形成于所述第一无机层上，所述第一有机层形成于所述第一金属层上，所述第二无机层形成于所述第一有机层上，所述第二金属层形成于所述第二无机层上，所述第二有机层形成于所述第二金属层上，所述第三无机层形成于所述第二有机层上。
本申请还提供一种显示面板的封装方法，包括：
提供显示功能层；
在所述显示功能层上形成无机层；
在所述显示功能层上形成缓冲层，所述缓冲层与所述无机层交替设置，至少一层所述缓冲层为金属层。
在本申请的显示面板的封装方法中，在所述显示功能层上形成缓冲层包括：采用蒸镀法沉积所述金属层。
在本申请的显示面板的封装方法中，在所述显示功能层上形成缓冲层包括：采用化学气相沉积法沉积所述金属层。
在本申请的显示面板的封装方法中，在所述显示功能层上形成缓冲层包括：采用等离子体增强化学气相沉积法沉积所述金属层。
在本申请的显示面板的封装方法中，在所述显示功能层上形成缓冲层包括：采用溅镀法沉积所述金属层。
 有益效果
本申请提供一种显示面板和显示面板的封装方法，所述显示面板包括：显示功能层；形成于所述显示功能层上的至少一层无机层；形成于所述显示功能层上、与所述无机层交替设置的缓冲层，其中，至少一层所述缓冲层为金属层；通过在无机层上设置金属缓冲层，可以填补无机薄膜在沉积过程中形成的缺陷，提升了薄膜封装的隔绝水氧能力。
 附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请的显示面板的第一结构示意图；
图2为本申请的显示面板的第二结构示意图；
图3为本申请的显示面板的第三结构示意图；
图4为本申请的显示面板的第四结构示意图；
图5为本申请的显示面板的第五结构示意图；
图6为本申请的显示面板的第六结构示意图；
图7为本申请的显示面板的第七结构示意图；
图8为本申请的显示面板的第八结构示意图；
图9为本申请的显示面板的第九结构示意图；
图10为本申请的显示面板的第十结构示意图；
图11为本申请的显示面板的第十一结构示意图；
图12为本申请的显示面板的第十二结构示意图；
图13为本申请的显示面板的第十三结构示意图；
图14为本申请的显示面板的第十四结构示意图；
图15为本申请的显示面板的第十五结构示意图；
图16为本申请的显示面板的封装方法的流程示意图。
 本发明的实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本申请提供一种显示面板和显示面板的封装方法，以缓解有机发光二极管（OLED）薄膜封装存在隔绝水氧能力不足的技术问题。
本申请实施例提供的显示面板，包括：显示功能层；形成于所述显示功能层上的至少一层无机层；形成于所述显示功能层上、与所述无机层交替设置的缓冲层，其中，至少一层所述缓冲层为金属层。
如图1所示，为本申请的显示面板的第一结构示意图。所述显示面板包括显示功能层、无机层、缓冲层。所述显示功能层包括基板101和设置在所述基板101上的有机发光二极管（OLED）器件102，所述无机层包括第一无机层201、第二无机层202、第三无机层203，所述缓冲层包括第一金属层301、第二金属层302。
所述第一无机层201形成于所述显示功能层上，所述第一金属层301形成于所述第一无机层201上，所述第二无机层202形成于所述第一金属层301上，所述第二金属层302形成于所述第二无机层202上，所述第三无机层203形成于所述第二金属层302上。
在一种实施例中，所述第一金属层301和所述第二金属层302为柔性金属层。在现代通信行业中，手机、电视、平板、笔记本、数码相机等产品市场需求越来越大，各种显示设备也正向可弯折发展，柔性显示面板在使用时经常会反复进行打开、折叠弯曲的操作，由于柔性金属层具有好的延展性和柔性，可以满足柔性屏弯折的需求。
在一种实施例中，所述柔性金属层为铝层、银层或镁层。由于金属薄膜都具有很好的隔绝水氧的能力，在沉积过程中可以填补无机薄膜中的缺陷，通常采用蒸镀、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、化学气相沉积（CVD）、溅镀（sputter）等方法沉积。
在一种实施例中，所述无机层材料为SiNx、SiOx、SiON、SiO 2、Al 2O 3等，通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）、溅镀（sputter）等方式沉积。
在一种实施例中，至少一层所述缓冲层为有机层。如图2所示，为本申请的显示面板的第二结构示意图。所述显示面板包括显示功能层、无机层、缓冲层。所述显示功能层包括基板101和设置在所述基板101上的有机发光二极管（OLED）器件102，所述无机层包括第一无机层201、第二无机层202、第三无机层203，所述缓冲层包括第一金属层301、第一有机层311。
所述第一无机层201形成于所述显示功能层上，所述第一金属层301形成于所述第一无机层201上，所述第二无机层202形成于所述第一金属层301上，所述第一有机层311形成于所述第二无机层202上，所述第三无机层203形成于所述第一有机层311上。
所述第一有机层311材料主要为SiOC，polymer等，通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或者喷墨打印（IJP）的方式沉积。所述第一有机层311的作用是增加水氧的渗透通道长度，消除所述无机层间的应力，或者作为平坦化层。
所述无机层起到阻隔水氧的作用，以防止水汽或氧侵入所述显示功能层而造成性能劣化，但无机薄膜在沉积的过程中往往会存在缺陷，隔绝水氧能力不足；有机层可有效降低无机层造成的应力，却增加了水氧入侵的路径，没有隔绝水氧的能力；金属层具有很好的隔绝水氧的能力，在沉积过程中可以填补无机薄膜中的缺陷，且延展性和柔性好；三者的结合使得所述显示面板既能实现柔性功能和显著降低薄膜的应力，又具有良好的阻隔水氧性能，有效延长器件寿命。
根据所述缓冲层材质不同、数量不同、以及设置位置不同，所述显示面板还可以有多种不同的结构。
如图3所示，为本申请的显示面板的第三结构示意图。所述显示面板包括显示功能层、无机层、缓冲层。所述显示功能层包括基板101和设置在所述基板101上的有机发光二极管（OLED）器件102，所述无机层包括第一无机层201、第二无机层202、第三无机层203，所述缓冲层包括第一金属层301、第一有机层311。
所述第一无机层201形成于所述显示功能层上，所述第一有机层311形成于所述第一无机层201上，所述第二无机层202形成于所述第一有机层311上，所述第一金属层301形成于所述第二无机层202上，所述第三无机层203形成于所述第一金属层301上。
如图4所示，为本申请的显示面板的第四结构示意图。所述显示功能层包括基板101和设置在所述基板101上的有机发光二极管（OLED）器件102，所述无机层包括第一无机层201、第二无机层202、以及第三无机层203，所述缓冲层包括第一金属层301、第二金属层302、以及第一有机层311。
所述第一无机层201形成于所述显示功能层上，所述第一有机层311形成于所述第一无机层201上，所述第一金属层301形成于所述第一有机层311上，所述第二无机层202形成于所述第一金属层301上，所述第二金属层302形成于所述第二无机层202上，所述第三无机层203形成于所述第二金属层302上。
如图5所示，为本申请的显示面板的第五结构示意图。所述显示功能层包括基板101和设置在所述基板101上的有机发光二极管（OLED）器件102，所述无机层包括第一无机层201、第二无机层202、以及第三无机层203，所述缓冲层包括第一金属层301、第二金属层302、以及第一有机层311。
所述第一无机层201形成于所述显示功能层上，所述第一金属层301形成于所述第一无机层201上，所述第一无机层311形成于所述第一金属层301上，所述第二无机层202形成于所述第一无机层311上，所述第二金属层302形成于所述第二无机层202上，所述第三无机层203形成于所述第二金属层302上。
如图6所示，为本申请的显示面板的第六结构示意图。所述显示功能层包括基板101和设置在所述基板101上的有机发光二极管（OLED）器件102，所述无机层包括第一无机层201、第二无机层202、以及第三无机层203，所述缓冲层包括第一金属层301、第二金属层302、以及第一有机层311。
所述第一无机层201形成于所述显示功能层上，所述第一金属层301形成于所述第一无机层201上，所述第二无机层202形成于所述第一金属层301上，所述第二金属层302形成于所述第二无机层202上，所述第一有机层311形成于所述第二金属层302上，所述第三无机层203形成于所述第一有机层311上。
如图7所示，为本申请的显示面板的第七结构示意图。所述显示功能层包括基板101和设置在所述基板101上的有机发光二极管（OLED）器件102，所述无机层包括第一无机层201、第二无机层202、以及第三无机层203，所述缓冲层包括第一金属层301、第二金属层302、以及第一有机层311。
所述第一无机层201形成于所述显示功能层上，所述第一金属层301形成于所述第一无机层201上，所述第二无机层202形成于所述第一金属层301上，所述第一有机层311形成于所述第二无机层202上，所述第二金属层302形成于所述第一有机层311上，所述第三无机层203形成于所述第二金属层302上。
如图8所示，为本申请的显示面板的第八结构示意图。所述显示功能层包括基板101和设置在所述基板101上的有机发光二极管（OLED）器件102，所述无机层包括第一无机层201、第二无机层202、以及第三无机层203，所述缓冲层包括第一金属层301、第一有机层311、以及第二有机层312。
所述第一无机层201形成于所述显示功能层上，所述第一金属层301形成于所述第一无机层201上，所述第一无机层311形成于所述第一金属层301上，所述第二无机层202形成于所述第一有机层311上，所述第二有机层312形成于所述第二无机层202上，所述第三无机层203形成于所述第二有机层312上。
如图9所示，为本申请的显示面板的第九结构示意图。所述显示功能层包括基板101和设置在所述基板101上的有机发光二极管（OLED）器件102，所述无机层包括第一无机层201、第二无机层202、以及第三无机层203，所述缓冲层包括第一金属层301、第一有机层311、以及第二有机层312。
所述第一无机层201形成于所述显示功能层上，所述第一有机层311形成于所述第一无机层201上，所述第一金属层301形成于所述第一有机层311上，所述第二无机层202形成于所述第一金属层301上，所述第二有机层312形成于所述第二无机层202上，所述第三无机层203形成于所述第二有机层312上。
如图10所示，为本申请的显示面板的第十结构示意图。所述显示功能层包括基板101和设置在所述基板101上的有机发光二极管（OLED）器件102，所述无机层包括第一无机层201、第二无机层202、以及第三无机层203，所述缓冲层包括第一金属层301、第一有机层311、以及第二有机层312。
所述第一无机层201形成于所述显示功能层上，所述第一有机层311形成于所述第一无机层201上，所述第二无机层202形成于所述第一有机层311上，所述第一金属层301形成于所述第二无机层202上，所述第二有机层312形成于所述第一金属层301上，所述第三无机层203形成于所述第二有机层312上。
如图11所示，为本申请的显示面板的第十一结构示意图。所述显示功能层包括基板101和设置在所述基板101上的有机发光二极管（OLED）器件102，所述无机层包括第一无机层201、第二无机层202、以及第三无机层203，所述缓冲层包括第一金属层301、第一有机层311、以及第二有机层312。
所述第一无机层201形成于所述显示功能层上，所述第一有机层311形成于所述第一无机层201上，所述第二无机层202形成于所述第一有机层311上，所述第二有机层312形成于所述第二无机层202上，所述第一金属层301形成于所述第二有机层312上，所述第三无机层203形成于所述第一金属层301上。
如图12所示，为本申请的显示面板的第十二结构示意图。所述显示功能层包括基板101和设置在所述基板101上的有机发光二极管（OLED）器件102，所述无机层包括第一无机层201、第二无机层202、以及第三无机层203，所述缓冲层包括第一金属层301、第二金属层302、第一有机层311、以及第二有机层312。
所述第一无机层201形成于所述显示功能层上，所述第一金属层301形成于所述第一无机层201上，所述第一有机层311形成于所述第一金属层301上，所述第二无机层202形成于所述第一有机层311上，所述第二金属层302形成于所述第二无机层201上，所述第二有机层312形成于所述第二金属层302上，所述第三无机层203形成于所述第二有机层312上。
如图13所示，为本申请的显示面板的第十三结构示意图。所述显示功能层包括基板101和设置在所述基板101上的有机发光二极管（OLED）器件102，所述无机层包括第一无机层201、第二无机层202、以及第三无机层203，所述缓冲层包括第一金属层301、第二金属层302、第一有机层311、以及第二有机层312。
所述第一无机层201形成于所述显示功能层上，所述第一金属层301形成于所述第一无机层201上，所述第一有机层311形成于所述第一金属层301上，所述第二无机层202形成于所述第一有机层311上，所述第二有机层312形成于所述第二无机层202上，所述第二金属层302形成于所述第二有机层312上，所述第三无机层203形成于所述第二金属层302上。
如图14所示，为本申请的显示面板的第十四结构示意图。所述显示功能层包括基板101和设置在所述基板101上的有机发光二极管（OLED）器件102，所述无机层包括第一无机层201、第二无机层202、以及第三无机层203，所述缓冲层包括第一金属层301、第二金属层302、第一有机层311、以及第二有机层312。
所述第一无机层201形成于所述显示功能层上，所述第一有机层311形成于所述第一无机层201上，所述第一金属层301形成于所述第一有机层311上，所述第二无机层202形成于所述第一金属层301上，所述第二有机层312形成于所述第二无机层202上，所述第二金属层302形成于所述第二有机层312上，所述第三无机层203形成于所述第二金属层302上。
如图15所示，为本申请的显示面板的第十五结构示意图。所述显示功能层包括基板101和设置在所述基板101上的有机发光二极管（OLED）器件102，所述无机层包括第一无机层201、第二无机层202、以及第三无机层203，所述缓冲层包括第一金属层301、第二金属层302、第一有机层311、以及第二有机层312。
所述第一无机层201形成于所述显示功能层上，所述第一有机层311形成于所述第一无机层201上，所述第一金属层301形成于所述第一有机层311上，所述第二无机层202形成于所述第一金属层301上，所述第二金属层302形成于所述第二无机层202上，所述第二有机层312形成于所述第二金属层302上，所述第三无机层203形成于所述第二有机层312上。
由上述无机层与至少一层金属层交替层叠形成的显示面板，金属层具有很好的柔性和延展性，且隔绝水氧能力强，使得封装结构的致密性和均匀性好，可实现较佳的封装效果，延长显示面板的使用寿命。
需要说明的是，本申请提供的显示面板结构不以此为限，封装结构也可以由更多的无机层和缓冲层交替层叠形成，所述无机层、缓冲层的数量可根据需要改变，所述缓冲层的位置也可根据需要调整，但都需要保证封装结构的最下层和最上层都为无机层，且无机层和缓冲层总层数不小于三层。
如图16所示，本申请还提供一种显示面板的封装方法，具体步骤包括：
S1：提供显示功能层；
S2：在所述显示功能层上形成无机层；
S3：在所述显示功能层上形成缓冲层，所述缓冲层与所述无机层交替设置，至少一层所述缓冲层为金属层。
当所述缓冲层为金属层时，所述金属层通常采用蒸镀、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、化学气相沉积（CVD）、溅镀（sputter）等方法沉积。
在一种实施例中，所述缓冲层还可以是有机层，此时，所述有机层通常采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或者喷墨打印（IJP）的方式沉积。
所述无机层一般采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）、溅镀（sputter）等方式沉积。
根据上述实施例可知：
本申请实施例提供一种显示面板和显示面板的封装方法，所述显示面板包括：显示功能层；形成于所述显示功能层上的至少一层无机层；形成于所述显示功能层上、与所述无机层交替设置的缓冲层，其中，至少一层所述缓冲层为金属层；通过在无机层上设置金属缓冲层，可以填补无机薄膜在沉积过程中形成的缺陷，提升了薄膜封装的隔绝水氧能力。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (20)

  1. 一种显示面板，其包括：
    显示功能层；
    形成于所述显示功能层上的至少一层无机层；
    形成于所述显示功能层上、与所述无机层交替设置的缓冲层，其中，至少一层所述缓冲层为金属层。
  2. 如权利要求1所述的显示面板，其中，所述金属层为柔性金属层。
  3. 如权利要求2所述的显示面板，其中，所述柔性金属层为铝层、银层或镁层。
  4. 如权利要求1所述的显示面板，其中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层和第二金属层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一金属层形成于所述第一无机层上，所述第二无机层形成于所述第一金属层上，所述第二金属层形成于所述第二无机层上，所述第三无机层形成于所述第二金属层上。
  5. 如权利要求1所述的显示面板，其中，至少一层所述缓冲层为有机层。
  6. 如权利要求5所述的显示面板，其中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层和第一有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一金属层形成于所述第一无机层上，所述第二无机层形成于所述第一金属层上，所述第一有机层形成于所述第二无机层上，所述第三无机层形成于所述第一有机层上。
  7. 如权利要求5所述的显示面板，其中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括金属层和有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述有机层形成于所述第一无机层上，所述第二无机层形成于所述有机层上，所述金属层形成于所述第二无机层上，所述第三无机层形成于所述金属层上。
  8. 如权利要求5所述的显示面板，其中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第二金属层、以及第一有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一金属层形成于所述第一无机层上，所述第一有机层形成于所述第一金属层上，所述第二无机层形成于所述第一有机层上，所述第二金属层形成于所述第二无机层上，所述第三无机层形成于所述第二金属层上。
  9. 如权利要求5所述的显示面板，其中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第二金属层、以及第一有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一有机层形成于所述第一无机层上，所述第一金属层形成于所述第一有机层上，所述第二无机层形成于所述第一金属层上，所述第二金属层形成于所述第二无机层上，所述第三无机层形成于所述第二金属层上。
  10. 如权利要求5所述的显示面板，其中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第二金属层、以及第一有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一金属层形成于所述第一无机层上，所述第二无机层形成于所述第一金属层上，所述第二金属层形成于所述第二无机层上，所述第一有机层形成于所述第二金属层上，所述第三无机层形成于所述第二金属层上。
  11. 如权利要求5所述的显示面板，其中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第二金属层、以及第一有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一金属层形成于所述第一无机层上，所述第二无机层形成于所述第一金属层上，所述第一有机层形成于所述第二无机层上，所述第二金属层形成于所述第一有机层上，所述第三无机层形成于所述第二金属层上。
  12. 如权利要求5所述的显示面板，其中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第一有机层、以及第二有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一金属层形成于所述第一无机层上，所述第一有机层形成于所述第一金属层上，所述第二无机层形成于所述第一无机层上，所述第二有机层形成于所述第二无机层上，所述第三无机层形成于所述第二有机层上。
  13. 如权利要求5所述的显示面板，其中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第一有机层、以及第二有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一有机层形成于所述第一无机层上，所述第一金属层形成于所述第一有机层上，所述第二无机层形成于所述第一金属层上，所述第二有机层形成于所述第二无机层上，所述第三无机层形成于所述第二有机层上。
  14. 如权利要求5所述的显示面板，其中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第一有机层、以及第二有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一有机层形成于所述第一无机层上，所述第二无机层形成于所述第一有机层上，所述第一金属层形成于所述第二无机层上，所述第二有机层形成于所述第一金属层上，所述第三无机层形成于所述第二有机层上。
  15. 如权利要求5所述的显示面板，其中，所述无机层包括第一无机层、第二无机层、以及第三无机层，所述缓冲层包括第一金属层、第二金属层、第一有机层、以及第二有机层，所述第一无机层形成于所述显示功能层上，所述第一金属层形成于所述第一无机层上，所述第一有机层形成于所述第一金属层上，所述第二无机层形成于所述第一有机层上，所述第二金属层形成于所述第二无机层上，所述第二有机层形成于所述第二金属层上，所述第三无机层形成于所述第二有机层上。
  16. 一种显示面板的封装方法，其包括：
    提供显示功能层；
    在所述显示功能层上形成无机层；
    在所述显示功能层上形成缓冲层，所述缓冲层与所述无机层交替设置，至少一层所述缓冲层为金属层。
  17. 如权利要求16所述的显示面板的封装方法，其中，在所述显示功能层上形成缓冲层包括：采用蒸镀法沉积所述金属层。
  18. 如权利要求16所述的显示面板的封装方法，其中，在所述显示功能层上形成缓冲层包括：采用化学气相沉积法沉积所述金属层。
  19. 如权利要求16所述的显示面板的封装方法，其中，在所述显示功能层上形成缓冲层包括：采用等离子体增强化学气相沉积法沉积所述金属层。
  20. 如权利要求16所述的显示面板的封装方法，其中，在所述显示功能层上形成缓冲层包括：采用溅镀法沉积所述金属层。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110048017A (zh) * 2019-04-01 2019-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示面板的封装方法
CN115715109A (zh) * 2022-11-25 2023-02-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7727601B2 (en) * 1999-10-25 2010-06-01 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
CN101730949A (zh) * 2007-05-16 2010-06-09 Otb太阳能有限公司 用于将薄膜封装层组件施加至有机器件的方法，以及具有优选用该方法施加的薄膜封装层组件的有机器件
CN103594648A (zh) * 2012-08-15 2014-02-19 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104425754A (zh) * 2013-08-29 2015-03-18 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
KR20160066316A (ko) * 2014-12-02 2016-06-10 한국과학기술원 박막 봉지막
CN110048017A (zh) * 2019-04-01 2019-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示面板的封装方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5811177A (en) * 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US20050212419A1 (en) * 2004-03-23 2005-09-29 Eastman Kodak Company Encapsulating oled devices
KR100830334B1 (ko) * 2006-12-13 2008-05-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP6572885B2 (ja) * 2014-04-23 2019-09-11 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2016181373A (ja) * 2015-03-24 2016-10-13 パイオニア株式会社 発光装置
KR102422103B1 (ko) * 2015-05-28 2022-07-18 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치
CN105304685B (zh) * 2015-11-30 2018-06-01 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN108448006B (zh) * 2018-03-29 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 封装结构、电子装置以及封装方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7727601B2 (en) * 1999-10-25 2010-06-01 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
CN101730949A (zh) * 2007-05-16 2010-06-09 Otb太阳能有限公司 用于将薄膜封装层组件施加至有机器件的方法，以及具有优选用该方法施加的薄膜封装层组件的有机器件
CN103594648A (zh) * 2012-08-15 2014-02-19 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104425754A (zh) * 2013-08-29 2015-03-18 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
KR20160066316A (ko) * 2014-12-02 2016-06-10 한국과학기술원 박막 봉지막
CN110048017A (zh) * 2019-04-01 2019-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示面板的封装方法

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