WO2018119885A1 - 一种oled薄膜封装结构及方法 - Google Patents
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Definitions
- the OLED thin film package mainly adopts a structure in which a barrier layer and a buffer layer are laminated, as shown in FIG. 1 (3-layer structure): including an OLED 2 disposed on the TFT substrate 1, and a barrier covering the OLED 2 The layer 3, the buffer layer 4 covering the barrier layer 3, and the outermost barrier layer 5 covering the buffer layer.
- the mold When preparing the two films at the same time, the mold must be replaced 4 times (the first one is already in the machine), because PECVD is currently used. Both the barrier layer and the buffer layer can be prepared, so many units are cost-effective in the development stage, and only a single process chamber is provided for simultaneously preparing two kinds of films, so that in addition to the mutual contamination between the two types of membranes, it is also required.
- the OLED thin film encapsulation structure wherein a thickness of the first barrier layer disposed around the OLED is equal to a sum of thicknesses of the first barrier layer and the first buffer layer disposed on the upper surface of the OLED.
- the OLED film packaging method further includes the following steps:
- a third barrier layer is disposed on the periphery and the upper surface of the second barrier layer and the second buffer layer.
- the opening size of the second mold is larger than the opening size of the first mold.
- FIG. 1 is a schematic diagram of a tertiary film package structure of a prior art OLED
- step 2(b) is a schematic diagram of step 2 of a prior art OLED film packaging method
- FIG. 4 is a schematic view showing the structure of an OLED five-layer film package of the present invention.
- FIG. 3 it is a schematic diagram of an OLED three-layer film package structure of the present invention, comprising: a TFT substrate 1 and an OLED 2 disposed on the TFT substrate.
- a first barrier layer 31 is disposed on the periphery and the upper surface of the OLED, and a first buffer layer 41 is disposed on the upper surface of the first barrier layer 31.
- the first barrier layer 31 and the first buffer layer 41 are further disposed.
- Second barrier layer 32 is a schematic diagram of an OLED three-layer film package structure of the present invention, comprising: a TFT substrate 1 and an OLED 2 disposed on the TFT substrate.
- a first barrier layer 31 is disposed on the periphery and the upper surface of the OLED, and a first buffer layer 41 is disposed on the upper surface of the first barrier layer 31.
- the first barrier layer 31 and the first buffer layer 41 are further disposed.
- Second barrier layer 32 is disposed.
- An OLED three-layer film packaging method includes the following steps:
- the first barrier layer is disposed on the periphery and the upper surface of the OLED
- the first mold may be used to prepare a first barrier layer and a first buffer layer, since the first buffer layer is a flat surface, and the first buffer layer area is the same as the opening area of the first mold. And the opening area of the second mold is larger than the opening area of the first mold.
- the mold can be prepared twice without changing the mold, avoiding frequent replacement of the mold to bring a large amount of particles, and the particles are regarded as one of the most important factors affecting the film packaging effect, water and oxygen will invade from the edge of the particle edge, effectively reducing the number of particles.
- the effect on the film package improves the effect of the film package.
- An OLED film packaging method includes the following steps:
- the first barrier layer is disposed on the periphery and the upper surface of the OLED
- a third barrier layer is disposed on the periphery and the upper surface of the second barrier layer and the second buffer layer.
- the opening area of the second mold is larger than the opening area of the first mold, and the opening area of the third mold is larger than the opening area of the second mold.
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Abstract
一种OLED薄膜封装结构，包括：TFT基板、OLED、第一阻挡层、第一缓冲层以及第二阻挡层；所述OLED设置在所述TFT基板上，所述第一阻挡层设置在OLED四周和上表面，第一缓冲层设置在所述第一阻挡层的上表面，第二阻挡层包覆第一阻挡层和第一缓冲层。一种OLED薄膜封装方法，包括以下步骤：用第一模具制备第一阻挡层；用第一模具制备第一缓冲层；用第二模具制备第二阻挡层。可以减少模具更换的次数，降低颗粒的个数，提高薄膜封装的效果。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2016年12月26日提交的名称为“一种OLED薄膜封装结构及方法”的中国专利申请CN201611216797.4的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文中。
本发明是应用于液晶显示领域的一种OLED薄膜封装的结构及方法。
OLED显示器是新一代的显示器，通过在OLED基板上制作有机薄膜，其中有机薄膜被包在阴极和阳极金属之间，给两电极加电压，则有机薄膜会发光。OLED显示器有诸多优点，其中包括可实现灵活的(flexible)显示。如以可绕曲的塑胶基板等为载体，再配合薄膜封装制程，即可实现可绕曲的OLED面板。
目前OLED薄膜封装主要采用阻挡层(barrier layer)和缓冲层(buffer layer)叠层的结构，如图1所示(3层结构)：包括设置在TFT基板1上的OLED2、包覆OLED2的阻挡层3、包覆阻挡层3的缓冲层4以及包覆缓冲层的最外层阻挡层5。
阻挡层采用无机材料，如氮化硅材料；缓冲层常采用有机或偏有机类材料。阻挡层起到阻隔水氧的作用；缓冲层主要为消除两层阻挡层间的应力，覆合不良和针孔等作用。阻挡层及缓冲层均可由等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)机台制备。
此时PECVD机台需配备模具(mask)，模具覆盖在OLED器件上，制程气体会透过模具开口区在OLED器件上生成薄膜，将OLED器件与外界空气隔离，从而达到薄膜封装的目的。
为避免OLED器件侧面有水氧入侵，需后一层薄膜面积大于前一层，保证OLED器件侧面与顶部有同样多的薄膜层数的保护，如图2(a)、图2(b)、图
2(c)、图2(d)和图2(e)所示，分别现有的OLED薄膜封装方法制备的五个步骤，依次在OLED上覆盖阻挡层和缓冲层，在图2(a)中，在OLED上覆盖一层阻挡层，在图2(b)中，在图2(a)的基础上覆盖一层缓冲层，以此类推，这样就需要后一层薄膜沉积用的模具开口区域大于前一层的，以5层薄膜结构为例，则需要5张不同的模具，单腔体同时制备两种薄膜时需更换4次模具(第1张已在机台中)，因目前PECVD对于阻挡层和缓冲层均可制备，所以许多单位在研发阶段为成本考量，只配备单个制程腔体用来同时制备两种薄膜，如此除需承担两种膜质间的相互污染外，还需要频繁更换模具(每制作一层薄膜需要更换一次模具)，频繁更换模具必然会带来大量颗粒，而颗粒被视为影响薄膜封装效果最主要的因素之一，水氧会从颗粒边缘缝隙侵入，减少颗粒数量对薄膜封装至关重要。
发明内容
本发明的目的在于克服现有设备频繁更换模具带来大量颗粒影响薄膜封装效果的缺点，减少模具的更换带来的薄膜封装效果不佳。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。
一种OLED薄膜封装结构，包括：TFT基板、OLED、第一阻挡层、第一缓冲层以及第二阻挡层；
其中，所述OLED设置在所述TFT基板上，所述第一阻挡层设置在OLED四周和上表面，第一缓冲层设置在所述第一阻挡层的上表面，第二阻挡层包覆第一阻挡层和第一缓冲层。
所述的OLED薄膜封装结构，其中，设置在OLED四周的第一阻挡层的厚度等于设置在OLED上表面的第一阻挡层与第一缓冲层的厚度之和。
所述的OLED薄膜封装结构，其中，还包括设置在第二阻挡层上表面的第二缓冲层以及包覆第二缓冲层与第二阻挡层的第三阻挡层。
所述的OLED薄膜封装结构，其中，设置在第一阻挡层和第一缓冲层四周的第二阻挡层的厚度等于第二缓冲层与设置在第一缓冲层上表面的第二阻挡层的厚度之和。
所述的OLED薄膜封装结构，其中，设置在OLED上表面的第一阻挡层的厚度与第一缓冲层的厚度相同。
所述的OLED薄膜封装结构，其中，设置在第二缓冲层上表面的第二阻挡层的厚度与第二缓冲层的厚度相同。
一种OLED薄膜封装方法，其中，包括以下步骤：
(1)、用第一模具制备第一缓冲层和第一阻挡层；
(2)、用第二模具制备第二阻挡层；
(3)、将OLED设置在TFT基板上；
(4)、将第一阻挡层设置在OLED四周和上表面
(5)、将第一缓冲层设置在阻挡层上表面；
(6)、将第二阻挡层覆盖在第一缓冲层和第一阻挡层四周和上表面。
所述的OLED薄膜封装方法，还包括以下步骤：
(7)、用第二模具制备第二缓冲层；
(8)、用第三模具制备第三阻挡层；
(9)、将第二缓冲层设置在第二阻挡层上表面；
(10)、将第三阻挡层设置在第二阻挡层和第二缓冲层的四周和上表面。
所述的OLED薄膜封装方法，其中，第二模具的开口尺寸大于第一模具的开口尺寸。
所述的OLED薄膜封装方法，其中，第三模具的开口尺寸大于第二模具的开口尺寸
通过将原本设置在阻挡层四周的缓冲层去掉，仅仅在阻挡层上表面设置缓冲层，可以减少模具更换的次数，降低颗粒的个数，提高薄膜封装的效果。
增加设置在OLED四周的阻挡层的厚度，保证原有膜的总厚度不改变，不影响阻挡作用。
在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：
图1是现有技术OLED三次薄膜封装结构示意图
图2(a)是现有技术OLED薄膜封装方法步骤1的示意图
图2(b)是现有技术OLED薄膜封装方法步骤2的示意图
图2(c)是现有技术OLED薄膜封装方法步骤3的示意图
图2(d)是现有技术OLED薄膜封装方法步骤4的示意图
图2(e)是现有技术OLED薄膜封装方法步骤5的示意图
图3是本发明OLED三层薄膜封装结构示意图。
图4是本发明OLED五层薄膜封装结构示意图。
在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例。
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
如图3所示，为本发明OLED三层薄膜封装结构示意图，包括：TFT基板1和设置在TFT基板上的OLED2。在所述OLED四周和上表面设置有第一阻挡层31，在所述第一阻挡层31上表面设置有第一缓冲层41，包覆第一阻挡层31和第一缓冲层41还设置有第二阻挡层32。
其中，设置在机发光二极管2四周的第一阻挡层的厚度等于设置在机发光二极管2上表面的第一阻挡层与第一缓冲层的厚度之和。而设置在OLED2上表面的第一阻挡层的厚度与所述第一缓冲层的厚度一致。这样的设置，通过增加设置在OLED2四周的阻挡层厚度，使设置在OLED四周的膜厚厚度不便，起到更好的阻挡作用。也就是说，在平行于OLED上表面方向上的三层膜的厚度之和与现有技术的平行于OLED上表面方向上的三层膜的厚度之和相同。平行于OLED四周方向上的两层膜的厚度与现有技术的平行于OLED四周方向上的两层膜的厚度相同。
缓冲层是有机材料，质地偏软，能够消除两层阻挡层间的应力，覆合不良和针孔。
如图2所示，为本发明OLED五层薄膜封装结构示意图，包括TFT基板1和设置在TFT基板1上的OLED2。在所述OLED2四周和上表面设置有第一阻挡层31，在所述第一阻挡层31上表面设置有第一缓冲层41，包覆第一阻挡层31和第一缓冲层41还设置有第二阻挡层32。还包括设置在第二阻挡层32上表面的第二缓冲层42以及包覆第二缓冲层42与第二阻挡层32的第三阻挡层33。
其中，设置在第一阻挡层31和第一缓冲层41四周的第二阻挡层的厚度等于第二缓冲层42与设置在第一缓冲层41上表面的第二阻挡层的厚度之和。设置在第二缓冲层42上表面的第二阻挡层的厚度与第二缓冲层42的厚度相同。增加设
置在第一阻挡层四周的第二阻挡层的厚度，使设置在OLED四周的膜厚厚度不便，起到更好的阻挡作用。在平行于OLED上表面方向上的五层膜的厚度之和与现有技术的平行于OLED上表面方向上的五层膜的厚度之和相同。平行于OLED四周方向上的三层膜的厚度与现有技术的平行于OLED四周方向上的五层膜的厚度相同。所起到的阻挡作用不变。
一种OLED三层薄膜封装方法，包括以下步骤：
(1)、用第一模具制备第一缓冲层和第一阻挡层；
(2)、用第二模具制备第二阻挡层；
(3)、将OLED设置在TFT基板上；
(4)、将第一阻挡层设置在OLED四周和上表面
(5)、将第一缓冲层设置在阻挡层上表面；
(6)、将第二阻挡层覆盖在第一缓冲层和第一阻挡层四周和上表面。
所述第一模具可以用来制备第一阻挡层和第一缓冲层，由于第一缓冲层为一层平面，且第一缓冲层面积与第一模具的开口面积相同。且第二模具的开口面积大于第一模具的开口面积。这样不必更换模具就可以制备两次模，避免频繁更换模具带来大量颗粒，而颗粒被视为影响薄膜封装效果最主要的因素之一，水氧会从颗粒边缘缝隙侵入，有效的减少颗粒数量对薄膜封装的影响，提高薄膜封装的效果。
一种OLED五层薄膜封装方法，包括以下步骤：
一种OLED薄膜封装方法，其中，包括以下步骤：
(1)、用第一模具制备第一缓冲层和第一阻挡层；
(2)、用第二模具制备第二阻挡层；
(3)、将OLED设置在TFT基板上；
(4)、将第一阻挡层设置在OLED四周和上表面
(5)、将第一缓冲层设置在阻挡层上表面；
(6)、将第二阻挡层覆盖在第一缓冲层和第一阻挡层四周和上表面。
(7)、用第二模具制备第二缓冲层；
(8)、用第三模具制备第三阻挡层；
(9)、将第二缓冲层设置在第二阻挡层上表面；
(10)、将第三阻挡层设置在第二阻挡层和第二缓冲层的四周和上表面。
用第一模具制备第一阻挡层和第一缓冲层，用第二模具制备第二阻挡层和第二缓冲层，用第三模具制备第三阻挡层，更换模具次数由现有技术的5次减少胃3此，这样这样不必更换模具就可以制备两次模，避免频繁更换模具带来大量颗粒，而颗粒被视为影响薄膜封装效果最主要的因素之一，水氧会从颗粒边缘缝隙侵入，有效的减少颗粒数量对薄膜封装的影响，提高薄膜封装的效果。第二模具的开口面积大于第一模具的开口面积，第三模具的开口面积大于第二模具的开口面积。
虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
Claims (10)
- 一种OLED薄膜封装结构，其中，包括:TFT基板、OLED、第一阻挡层、第一缓冲层以及第二阻挡层；其中，所述OLED设置在所述TFT基板上，所述第一阻挡层设置在OLED四周和上表面，第一缓冲层设置在所述第一阻挡层的上表面，第二阻挡层包覆第一阻挡层和第一缓冲层。
- 根据权利要求1所述的OLED薄膜封装结构，其中，设置在OLED四周的第一阻挡层的厚度等于设置在OLED上表面的第一阻挡层与第一缓冲层的厚度之和。
- 根据权利要求1所述的OLED薄膜封装结构，其中：还包括设置在第二阻挡层上表面的第二缓冲层以及包覆第二缓冲层与第二阻挡层的第三阻挡层。
- 根据权利要求3所述的OLED薄膜封装结构，其中：设置在第一阻挡层和第一缓冲层四周的第二阻挡层的厚度等于第二缓冲层与设置在第一缓冲层上表面的第二阻挡层的厚度之和。
- 根据权利要求1所述的OLED薄膜封装结构，其中：设置在OLED上表面的第一阻挡层的厚度与第一缓冲层的厚度相同。
- 根据权利要求3所述的OLED薄膜封装结构，其中：设置在第二缓冲层上表面的第二阻挡层的厚度与第二缓冲层的厚度相同。
- 一种OLED薄膜封装方法，其中，包括以下步骤：(1)、用第一模具制备第一缓冲层和第一阻挡层；(2)、用第二模具制备第二阻挡层；(3)、将OLED设置在TFT基板上；(4)、将第一阻挡层设置在OLED四周和上表面(5)、将第一缓冲层设置在阻挡层上表面；(6)、将第二阻挡层覆盖在第一缓冲层和第一阻挡层四周和上表面。
- 根据权利要求7所述的一种OLED薄膜封装方法，其中，还包括以下步骤：(7)、用第二模具制备第二缓冲层；(8)、用第三模具制备第三阻挡层；(9)、将第二缓冲层设置在第二阻挡层上表面；(10)、将第三阻挡层设置在第二阻挡层和第二缓冲层的四周和上表面。
- 根据根据权利要求7所述的一种OLED薄膜封装方法，其中，第二模具的开口尺寸大于第一模具的开口尺寸。
- 根据根据权利要求8所述的一种OLED薄膜封装方法，其中，第三模具的开口尺寸大于第二模具的开口尺寸。
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Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107799666B (zh) * | 2017-11-10 | 2019-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 封装结构、封装方法及电子器件 |
| US10581016B2 (en) | 2017-11-10 | 2020-03-03 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Package structure, packaging method and electronic device |
| CN108364994A (zh) * | 2018-04-04 | 2018-08-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示装置及其制备方法 |
| CN110752315B (zh) * | 2019-11-06 | 2021-04-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| CN112331620A (zh) * | 2020-11-04 | 2021-02-05 | 福建华佳彩有限公司 | 一种柔性薄膜封装结构及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104103660A (zh) * | 2013-04-04 | 2014-10-15 | 谢再锋 | 一种复合薄膜封装的有机发光二极管显示器及其制造方法 |
| CN104659051A (zh) * | 2013-11-20 | 2015-05-27 | 昆山国显光电有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
| CN105118933A (zh) * | 2015-09-02 | 2015-12-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜封装方法及有机发光装置 |
| US20160300896A1 (en) * | 2015-04-08 | 2016-10-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor, organic light emitting diode display, and method for manufacturing organic light emitting diode display |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI381569B (zh) * | 2008-12-30 | 2013-01-01 | Ind Tech Res Inst | 有機發光二極體裝置及其封裝方法 |
| KR102285384B1 (ko) * | 2014-09-15 | 2021-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 그 제조방법 및 표시 장치 |
| JP2016145374A (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 成膜方法、表示装置、及び表示装置の製造方法 |
| US9847511B2 (en) * | 2015-05-14 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Encapsulating film stacks for OLED applications |
| CN105098091A (zh) * | 2015-06-15 | 2015-11-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件的封装结构及其封装方法 |
| CN105609655B (zh) * | 2015-12-28 | 2018-06-12 | 天马微电子股份有限公司 | 有机发光显示面板的制作方法 |
| KR102478472B1 (ko) * | 2016-03-02 | 2022-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
| CN105679969B (zh) * | 2016-03-17 | 2017-11-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件的封装方法与oled封装结构 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104103660A (zh) * | 2013-04-04 | 2014-10-15 | 谢再锋 | 一种复合薄膜封装的有机发光二极管显示器及其制造方法 |
| CN104659051A (zh) * | 2013-11-20 | 2015-05-27 | 昆山国显光电有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
| US20160300896A1 (en) * | 2015-04-08 | 2016-10-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor, organic light emitting diode display, and method for manufacturing organic light emitting diode display |
| CN105118933A (zh) * | 2015-09-02 | 2015-12-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜封装方法及有机发光装置 |
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