CN110752315B - 一种显示面板及其制备方法 - Google Patents
一种显示面板及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110752315B CN110752315B CN201911075040.1A CN201911075040A CN110752315B CN 110752315 B CN110752315 B CN 110752315B CN 201911075040 A CN201911075040 A CN 201911075040A CN 110752315 B CN110752315 B CN 110752315B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting unit
- layer
- thickness
- buffer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 161
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8721—Metallic sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及一种显示面板及其制备方法,其中包括:基板;至少两种发光单元,其设置于所述基板上;封装层,所述封装层包括:第一阻水层,设于所述基板上且包覆所述发光单元;缓冲层,其设置于所述第一阻水层上,所述缓冲层对应于不同的发光单元的厚度不同;第二阻水层,设于所述基板上且包覆所述缓冲层和所述第一阻水层。本发明通过调整不同发光单元所对应的缓冲层的厚度,以此调节不同发光单元的光学微腔长度,从而对显示面板的器件性能进行改善。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
有机发光显示装置(英文全称:Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的工作原理是:当电力供应至适当电压时,正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合,在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对),而此激发态在通常的环境中是不稳定的,激发态的激子复合并将能量传递给发光材料,使其从基态能级跃迁为激发态,激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子,释放出光能,产生光亮,依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色,构成基本色彩。
OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄,构造简单,成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点,已经成为当今最重要的显示技术之一。
由于OLED采用的是有机材料,而有机材料对氧气和水汽特别敏感,会发生反应使有机材料变质,从而导致OLED发光效率变低、寿命下降。因此,就需要对OLED进行封装处理达到隔绝水氧的效果,提升OLED器件的性能。现有的OLED封装方法主要有包括Dam andfill(框胶加填充材料)、face seal(面对面封装)、frit(玻璃粉封装)和TFE(thin filmencapsulation,薄膜封装)等。其中,TFE封装可以做到更薄和可弯曲,特别适合柔性OLED封装。TFE封装中的有机层主要是起缓冲应力、延长水氧渗透路径的作用。对于上发光器件来讲,微腔效应需要作为重点考量对象,因此需要调节不同发光单元对应的有机层的厚度来调节微腔效应使之达到最佳的器件效果。因此需要寻求一种新型的显示面板及其制备方法以达到上述效果。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种显示面板及其制备方法,其能够通过改变不同发光单元对应的缓冲层的厚度来调节各发光单元的光学微腔长度,以此对显示面板的器件性能进行改善。
为了解决上述问题,本发明的一个实施方式提供了一种显示面板,其中包括:基板;至少两种发光单元,其设置于所述基板上;封装层,所述封装层包括:第一阻水层,设于所述基板上且包覆所述发光单元;缓冲层,其设置于所述第一阻水层上,所述缓冲层对应于不同的发光单元的厚度不同;第二阻水层,设于所述基板上且包覆所述缓冲层和所述第一阻水层。
进一步的,其中所述发光单元为红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元中的一种,所述显示面板具有红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元,所述缓冲层对应于所述红色发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述绿色发光单元的厚度;所述缓冲层对应于所述绿发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述蓝色发光单元的厚度。
进一步的,其中所述第一阻水层、所述第二阻水层的制备原料均包括硅的氧化物、硅的氮化物、铝的氧化物中的一种或多种。
进一步的,其中所述第一阻水层、所述第二阻水层的制备方式均包括化学气相沉积法,原子层沉积法或溅射镀膜法中的一种或多种。
进一步的,其中所述发光单元包括:第一电极,其设置于所述基板上;空穴注入层,其设置于所述第一电极上;空穴传输层,其设置于所述空穴注入层上;发光层,其设置于所述空穴传输层上;第二电极,其设置于所述发光层上。
进一步的,其中所述空穴注入层、空穴传输层、发光层的制备方式均包括蒸镀技术或者打印技术。
本发明的另一个实施方式还提供了一种本发明所涉及的显示面板的制备方法,其中包括:提供一基板;在所述基板上形成至少两种发光单元;在所述发光单元上形成封装层,其中包括:在所述基板上形成第一阻水层,且所述第一阻水层包覆所述发光单元;在所述第一阻水层上形成缓冲层,所述缓冲层对应于不同的发光单元的厚度不同;在所述基板上形成第二阻水层,且所述第二阻水层延伸包覆所述缓冲层和所述第一阻水层。
进一步的,其中所述发光单元为红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元中的一种,所述显示面板具有红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元,所述缓冲层对应于所述红色发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述绿色发光单元的厚度;所述缓冲层对应于所述绿发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述蓝色发光单元的厚度。
进一步的,其中所述缓冲层对应于所述红色发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述绿色发光单元的厚度;所述缓冲层对应于所述绿发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述蓝色发光单元的厚度的步骤中包括:在对应于所述红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元的第一阻水层上均制备第一厚度的缓冲层;在对应于所述绿色发光单元、蓝色发光单元的第一厚度的缓冲层上均制备第二厚度的缓冲层;在对应于所述蓝色发光单元的第二厚度的缓冲层上制备第三厚度的缓冲层。
进一步的,其中所述缓冲层对应于所述红色发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述绿色发光单元的厚度;所述缓冲层对应于所述绿发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述蓝色发光单元的厚度的步骤中包括:在对应于所述红色发光单元的第一阻水层上制备第一厚度的缓冲层;在对应于所述绿色发光单元的第一阻水层上制备第一厚度的缓冲层以及第二厚度的缓冲层;在对应于所述蓝色发光单元的第一阻水层上制备第一厚度的缓冲层、第二厚度的缓冲层以及第三厚度的缓冲层。
本发明的优点是:本发明涉及一种显示面板及其制备方法,其中包括:基板;至少两种发光单元,其设置于所述基板上;封装层,所述封装层包括:第一阻水层,设于所述基板上且包覆所述发光单元;缓冲层,其设置于所述第一阻水层上,所述缓冲层对应于不同的发光单元的厚度不同;第二阻水层,设于所述基板上且包覆所述缓冲层和所述第一阻水层。本发明通过调整不同发光单元所对应的缓冲层的厚度,以此调节不同发光单元的光学微腔长度,从而对显示面板的器件性能进行改善。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的显示面板结构示意图。
图2是实施例2的显示面板制备步骤图一。
图3是实施例2的显示面板制备步骤图二。
图4是实施例2的显示面板制备步骤图三。
图5是实施例2的显示面板制备步骤图四。
图6是实施例2的显示面板制备步骤图五。
图7是实施例2的显示面板制备步骤图六。
图8是实施例2的显示面板制备步骤图七。
图9是实施例3的显示面板制备步骤图一。
图10是实施例3的显示面板制备步骤图二。
图11是实施例3的显示面板制备步骤图三。
图12是实施例3的显示面板制备步骤图四。
图13是实施例3的显示面板制备步骤图五。
图14是实施例3的显示面板制备步骤图六。
图中部件标识如下:
100、显示面板
1、基板 2、发光单元
3、封装层 4、掩膜板
21、红色发光单元 22、绿色发光单元
23、蓝色发光单元
31、第一阻水层 32、缓冲层
33、第二阻水层
321、第一厚度的缓冲层 322、第二厚度的缓冲层
323、第三厚度的缓冲层
具体实施方式
以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例,以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容,以举例证明本发明可以实施,使得本发明公开的技术内容更加清楚,使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现,本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例,下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。
本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是附图中的方向,本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明,而不是用来限定本发明的保护范围。
在附图中,结构相同的部件以相同数字标号表示,各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外,为了便于理解和描述,附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的,本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。
当某些组件,被描述为“在”另一组件“上”时,所述组件可以直接置于所述另一组件上;也可以存在一中间组件,所述组件置于所述中间组件上,且所述中间组件置于另一组件上。当一个组件被描述为“安装至”或“连接至”另一组件时,二者可以理解为直接“安装”或“连接”,或者一个组件通过一中间组件“安装至”或“连接至”另一个组件。
实施例1
如图1所示,一种显示面板100,其中包括:基板1、至少两种发光单元2、封装层3。
其中所述发光单元2设置于所述基板1上。其中所述发光单元2可以区分为红色发光单元21、绿色发光单元22、蓝色发光单元23中的一种。其中每一种所述发光单元2包括:第一电极,其设置于所述基板1上;空穴注入层,其设置于所述第一电极上;空穴传输层,其设置于所述空穴注入层上;发光层,其设置于所述空穴传输层上;第二电极,其设置于所述发光层上。其中所述空穴注入层、空穴传输层、发光层的制备方式均包括蒸镀技术或者打印技术。
如图1所示,本实施例所述的显示面板100具有3种发光单元2,分别为红色发光单元21、绿色发光单元22、蓝色发光单元23。
如图1所示,所述封装层3包括:第一阻水层31、缓冲层32、第二阻水层33。
其中所述第一阻水层31设于所述基板1上且包覆所述发光单元2;所述第一阻水层31的制备方式包括化学气相沉积法,原子层沉积法或溅射镀膜法中的一种或多种。其制备原料包括硅的氧化物、硅的氮化物、铝的氧化物中的一种或多种。由此可以使第一阻水层31具有良好的阻水氧性能,防止水氧侵蚀造成器件老化。
其中所述缓冲层32设置于所述第一阻水层31上,所述缓冲层32对应于不同的发光单元2的厚度不同。具体的,所述缓冲层32对应于所述红色发光单元21的厚度小于所述缓冲层32对应于所述绿色发光单元22的厚度;所述缓冲层32对应于所述绿发光单元22的厚度小于所述缓冲层32对应于所述蓝色发光单元23的厚度。由此,通过调整不同发光单元2所对应的缓冲层32的厚度,以此调节不同发光单元2的光学微腔长度,从而对显示面板100的器件性能进行改善。
其中所述第二阻水层33设于所述基板1上且包覆所述缓冲层32和所述第一阻水层31。所述第二阻水层33的制备方式包括化学气相沉积法,原子层沉积法或溅射镀膜法中的一种或多种。所述第二阻水层33的制备原料均包括硅的氧化物、硅的氮化物、铝的氧化物中的一种或多种。由此可以使第二阻水层33具有良好的阻水氧性能,防止水氧侵蚀造成器件老化。
实施例2
本实施方式提供了一种本发明所涉及的显示面板100的制备方法,包括下述步骤。
如图2所示,提供一基板1;在所述基板1上形成红色发光单元21、绿色发光单元22、蓝色发光单元23。
如图3所示,在所述基板1上形成第一阻水层31,且所述第一阻水层31包覆所述红色发光单元21、绿色发光单元22、蓝色发光单元23。
如图4所示,在对应于所述红色发光单元21、绿色发光单元22、蓝色发光单元23的第一阻水层31上均制备第一厚度的缓冲层321。
如图5所示,采用掩膜板4对所述绿色发光单元22和蓝色发光单元23以外的地区进行遮挡。
如图6所示,在对应于所述绿色发光单元22、蓝色发光单元23的第一厚度的缓冲层321上均制备第二厚度的缓冲层322。
如图7所示,采用掩膜板4对所述蓝色发光单元23以外的地区进行遮挡。
如图8所示,在对应于所述蓝色发光单元23的第二厚度的缓冲层322上制备第三厚度的缓冲层323,至此,所述第一厚度的缓冲层321、第二厚度的缓冲层322、第三厚度的缓冲层323联合形成所述缓冲层32。并且所述缓冲层32对应于所述红色发光单元21的厚度小于所述缓冲层32对应于所述绿色发光单元22的厚度;所述缓冲层32对应于所述绿发光单元22的厚度小于所述缓冲层32对应于所述蓝色发光单元23的厚度。实现了通过调整不同发光单元2所对应的缓冲层32的厚度,以此调节不同发光单元2的光学微腔长度,从而对显示面板的器件性能进行改善的效果。
如图1所示,所述显示面板100的制备方法还包括:在所述基板1上形成第二阻水层33,且所述第二阻水层33延伸包覆所述缓冲层32和所述第一阻水层31。由此所述第一阻水层31、缓冲层32、第二阻水层33共同形成封装层3,实现防止水氧入侵的效果。
实施例3
本实施方式提供了一种本发明所涉及的显示面板100的制备方法,包括下述步骤。
如图9所示,提供一基板1;在所述基板1上形成红色发光单元21、绿色发光单元22、蓝色发光单元23。在所述基板1上形成第一阻水层31,且所述第一阻水层31包覆所述红色发光单元21、绿色发光单元22、蓝色发光单元23。采用掩膜板4对所述红色发光单元21以外的地区进行遮挡。
如图10所示,在对应于所述红色发光单元21的第一阻水层31上制备第一厚度的缓冲层321。
如图11所示,采用掩膜板4对所述绿色发光单元22以外的地区进行遮挡。
如图12所示,在对应于所述绿色发光单元22的第一阻水层31上制备第一厚度的缓冲层321以及第二厚度的缓冲层322。
如图13所示,采用掩膜板4对所述蓝色发光单元23以外的地区进行遮挡。
如图14所示,在对应于所述蓝色发光单元23的第一阻水层31上制备第一厚度的缓冲层321、第二厚度的缓冲层322以及第三厚度的缓冲层323。至此,对应于所述红色发光单元21的所述第一厚度的缓冲层321;对应于所述绿色发光单元22的第二厚度的缓冲层322和第三厚度的缓冲层323;对应于所述蓝色发光单元23的第一厚度的缓冲层321、第二厚度的缓冲层322以及第三厚度的缓冲层323联合形成所述缓冲层32。并且所述缓冲层32对应于所述红色发光单元21的厚度小于所述缓冲层32对应于所述绿色发光单元22的厚度;所述缓冲层32对应于所述绿发光单元22的厚度小于所述缓冲层32对应于所述蓝色发光单元23的厚度。实现了通过调整不同发光单元2所对应的缓冲层32的厚度,以此调节不同发光单元2的光学微腔长度,从而对显示面板的器件性能进行改善的效果。
以上对本发明所提供的显示面板及其制备方法进行了详细介绍。应理解,本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的,用于帮助理解本发明的方法及其核心思想,而并不用于限制本发明。在每个示例性实施方式中对特征或方面的描述通常应被视作适用于其他示例性实施例中的类似特征或方面。尽管参考示例性实施例描述了本发明,但可建议所属领域的技术人员进行各种变化和更改。本发明意图涵盖所附权利要求书的范围内的这些变化和更改,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
至少两种发光单元,其设置于所述基板上;
封装层,所述封装层包括:
第一阻水层,设于所述基板上且包覆所述发光单元;
缓冲层,其设置于所述第一阻水层上,所述缓冲层对应于不同的发光单元的厚度不同;
第二阻水层,设于所述基板上且包覆所述缓冲层和所述第一阻水层;
所述发光单元为红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元中的一种,所述显示面板具有红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元,所述缓冲层对应于所述红色发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述绿色发光单元的厚度;所述缓冲层对应于所述绿色发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述蓝色发光单元的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一阻水层、所述第二阻水层的制备原料均包括硅的氧化物、硅的氮化物、铝的氧化物中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一阻水层、所述第二阻水层的制备方式均包括化学气相沉积法,原子层沉积法或溅射镀膜法中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光单元包括:
第一电极,其设置于所述基板上;
空穴注入层,其设置于所述第一电极上;
空穴传输层,其设置于所述空穴注入层上;
发光层,其设置于所述空穴传输层上;
第二电极,其设置于所述发光层上。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述空穴注入层、空穴传输层、发光层的制备方式均包括蒸镀技术或者打印技术。
6.一种权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在所述基板上形成至少两种发光单元;
在所述发光单元上形成封装层,其中包括:
在所述基板上形成第一阻水层,且所述第一阻水层包覆所述发光单元;
在所述第一阻水层上形成缓冲层,所述缓冲层对应于不同的发光单元的厚度不同;
在所述基板上形成第二阻水层,且所述第二阻水层延伸包覆所述缓冲层和所述第一阻水层;
所述发光单元为红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元中的一种,所述显示面板具有红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元,所述缓冲层对应于所述红色发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述绿色发光单元的厚度;所述缓冲层对应于所述绿色发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述蓝色发光单元的厚度。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述缓冲层对应于所述红色发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述绿色发光单元的厚度;所述缓冲层对应于所述绿色 发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述蓝色发光单元的厚度的步骤中包括:
在对应于所述红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元的第一阻水层上均制备第一厚度的缓冲层;
在对应于所述绿色发光单元、蓝色发光单元的第一厚度的缓冲层上均制备第二厚度的缓冲层;
在对应于所述蓝色发光单元的第二厚度的缓冲层上制备第三厚度的缓冲层。
8.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述缓冲层对应于所述红色发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述绿色发光单元的厚度;所述缓冲层对应于所述绿色发光单元的厚度小于所述缓冲层对应于所述蓝色发光单元的厚度的步骤中包括:
在对应于所述红色发光单元的第一阻水层上制备第一厚度的缓冲层;
在对应于所述绿色发光单元的第一阻水层上制备第一厚度的缓冲层以及第二厚度的缓冲层;
在对应于所述蓝色发光单元的第一阻水层上制备第一厚度的缓冲层、第二厚度的缓冲层以及第三厚度的缓冲层。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911075040.1A CN110752315B (zh) | 2019-11-06 | 2019-11-06 | 一种显示面板及其制备方法 |
PCT/CN2019/118729 WO2021088109A1 (zh) | 2019-11-06 | 2019-11-15 | 一种显示面板及其制备方法 |
US16/625,790 US20210351379A1 (en) | 2019-11-06 | 2019-11-15 | Display panel and method for fabricating same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911075040.1A CN110752315B (zh) | 2019-11-06 | 2019-11-06 | 一种显示面板及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110752315A CN110752315A (zh) | 2020-02-04 |
CN110752315B true CN110752315B (zh) | 2021-04-27 |
Family
ID=69282396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911075040.1A Active CN110752315B (zh) | 2019-11-06 | 2019-11-06 | 一种显示面板及其制备方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210351379A1 (zh) |
CN (1) | CN110752315B (zh) |
WO (1) | WO2021088109A1 (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106784372A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种oled薄膜封装结构及方法 |
CN107994126A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-05-04 | 华南理工大学 | 一种oled发光结构的制备方法及oled发光结构 |
CN108807716A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-11-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN109686855A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种薄膜封装结构及薄膜封装方法 |
CN110311054A (zh) * | 2019-07-16 | 2019-10-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004327373A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Shoka Kagi Kofun Yugenkoshi | 光色純度調整可能な有機elフルカラーパネル及びその製造方法 |
WO2007096538A2 (fr) * | 2006-02-27 | 2007-08-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Diode organique electroluminescente a electrode transparente multi-couche. |
CN105489632A (zh) * | 2016-01-15 | 2016-04-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及其制造方法、oled显示面板和oled显示装置 |
KR102656795B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2024-04-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치와 그의 제조방법 |
CN107154465A (zh) * | 2017-05-26 | 2017-09-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件的封装组件及封装方法、显示装置 |
CN109285959B (zh) * | 2017-07-21 | 2020-07-10 | 上海和辉光电有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板制作方法 |
-
2019
- 2019-11-06 CN CN201911075040.1A patent/CN110752315B/zh active Active
- 2019-11-15 WO PCT/CN2019/118729 patent/WO2021088109A1/zh active Application Filing
- 2019-11-15 US US16/625,790 patent/US20210351379A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106784372A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种oled薄膜封装结构及方法 |
CN107994126A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-05-04 | 华南理工大学 | 一种oled发光结构的制备方法及oled发光结构 |
CN108807716A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-11-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN109686855A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种薄膜封装结构及薄膜封装方法 |
CN110311054A (zh) * | 2019-07-16 | 2019-10-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021088109A1 (zh) | 2021-05-14 |
US20210351379A1 (en) | 2021-11-11 |
CN110752315A (zh) | 2020-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6836070B2 (en) | Organic electro-luminescent display and method of sealing the same | |
KR100885843B1 (ko) | 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 | |
US20040075382A1 (en) | Electroluminescent devices and cathodes | |
CN110265441B (zh) | 一种显示面板及其显示装置 | |
WO2018040294A1 (zh) | 一种薄膜封装结构及有机发光二极管器件 | |
CN108493351A (zh) | 薄膜封装结构、显示装置及显示装置的制备方法 | |
US11335882B2 (en) | Organic light-emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
KR101777123B1 (ko) | 백색 유기 발광 소자 | |
CN110896096A (zh) | 一种显示面板及其制备方法 | |
CN110335964B (zh) | 一种显示面板 | |
CN110718644B (zh) | 一种彩膜基板及其制备方法、oled显示装置 | |
CN110752315B (zh) | 一种显示面板及其制备方法 | |
CN109244260B (zh) | 一种显示面板的制备方法 | |
US8299457B2 (en) | Filler for sealing organic light emitting device and method for manufacturing the organic light emitting device using the same | |
CN111162188A (zh) | 薄膜封装结构及其制备方法和显示面板 | |
CN211719621U (zh) | 一种量子点器件及显示装置 | |
CN112652726A (zh) | Oled器件透明阴极及其制作方法 | |
US20210366731A1 (en) | Mask, usage method thereof, and manufacturing method of encapsulation layer | |
KR100497154B1 (ko) | 실리콘 캐비티를 이용하여 봉지화한 유기발광소자 및 그제조방법 | |
CN111621742B (zh) | 一种掩膜板及其应用方法、封装层的制备方法 | |
CN220235341U (zh) | 一种Micro-OLED透明阴极结构 | |
CN113130773B (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
US20240172469A1 (en) | Quantum dot light emitting diode, method for manufacturing the same, and display device | |
KR101194859B1 (ko) | 전계발광소자 및 그의 제조방법 | |
US11751426B2 (en) | Hybrid thin film permeation barrier and method of making the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |