WO2020187847A1 - Optoelektronisches halbleiterbauelement, optoelektronische halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauelement, optoelektronische halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements Download PDF

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Definitions

  • a light emitting diode is a light emitting device based on semiconductor materials.
  • an LED includes a pn junction. When electrons and holes recombine with one another in the area of the pn junction, for example because a corresponding voltage is applied, electromagnetic radiation is generated.
  • the present invention is based on the object of providing an improved optoelectronic semiconductor component, an improved optoelectronic semiconductor device and an improved method for producing an optoelectronic semiconductor component.
  • An optoelectronic semiconductor device comprises a housing, a lead frame and an optoelectronic semiconductor ladder component.
  • the optoelectronic semiconductor component has a carrier with a roughened first main surface and with a mirror layer over a second main surface of the carrier and an optoelectronic semiconductor chip which is arranged over the roughened first main surface.
  • An area of the optoelectronic semiconductor chip is smaller than a roughened area of the carrier.
  • the carrier has a larger lateral extent than the lead frame and covers it completely.
  • the housing is assembled with the lead frame.
  • the lead frame is arranged on the side of the second main surface of the carrier.
  • a further part of the roughened first main surface can be arranged between the optoelectronic semiconductor chip and an edge of the carrier.
  • the optoelectronic semiconductor chip can, for example, comprise a first semiconductor layer of a first conductivity type and a second semiconductor layer of a second conductivity type, the first and the second semiconductor layer being arranged one above the other.
  • the first semiconductor layer can be arranged on a side facing the carrier.
  • a first main surface of the first semiconductor layer can be roughened.
  • the area of the carrier can be greater than 1.5 times the combined area of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the optoelectronic semiconductor chip can be connected to the roughened first main surface of the carrier by an amorphous inorganic connecting material.
  • a horizontal surface of the lead frame, over which the optoelectronic semiconductor component is applied can protrude in the vertical direction with respect to the housing. A step is thus formed between the lead frame and the housing.
  • the optoelectronic semiconductor device can further comprise a reflective potting compound which is introduced between the carrier and the housing.
  • the reflective casting compound can adjoin the carrier.
  • a method for producing an optoelectronic semiconductor device comprises the formation of an optoelectronic semiconductor chip, the roughening of a first main surface of a carrier, the formation of a mirror layer over a second main surface of the carrier and the arrangement of the optoelectronic semiconductor chip over the roughened first Main surface of the carrier.
  • An area of the optoelectronic semiconductor chip is smaller than an area of the carrier.
  • the method further comprises applying the carrier over a lead frame such that the lead frame is disposed on the side of the second major surface of the carrier.
  • the carrier has a greater lateral extent than the lead frame and covers it completely.
  • the formation of the optoelectronic semiconductor chips can comprise the formation of a first semiconductor layer of a first conductivity type over a growth substrate and the formation of a second semiconductor layer of a second conductivity type over the first semiconductor layer.
  • the method can further include applying an intermediate carrier over the second semiconductor layer and removing the wax include tumssubstrats.
  • the intermediate carrier can be applied to the optoelectronic semiconductor chips in such a way that the optoelectronic semiconductor chips are spaced from one another.
  • the optoelectronic semiconductor chips are attached to the roughened first main surface of the carrier via an amorphous, inorganic connecting material.
  • the lead frame is assembled with an enclosure.
  • the method can further include the introduction of a reflective casting compound between the carrier and the housing.
  • An optoelectronic semiconductor component comprises a carrier with a roughened first main surface and optoelectronic semiconductor chips which are arranged over the roughened first main surface.
  • a composite area of the optoelectronic semiconductor chips is smaller than an area of the carrier, and a region of the roughened first main surface is arranged between adjacent optoelectronic semiconductor chips.
  • a further part of the roughened first main surface can be arranged between the optoelectronic semiconductor chip and an edge of the carrier.
  • the optoelectronic semiconductor chips each comprise a first semiconductor layer of a first conductive ability type and a second semiconductor layer of a second conductivity type, the first and the second semiconductor layer being arranged one above the other.
  • the first semiconductor layer is arranged on a side facing the carrier, and a first main surface of the first semiconductor layer is roughened.
  • the optoelectronic semiconductor component can furthermore comprise a dielectric mirror layer over a second main surface of the carrier.
  • the surface of the carrier is greater than 1.5 times the combined surface of the optoelectronic semiconductor chips.
  • the optoelectronic semiconductor chips are connected to the roughened first main surface of the carrier by an amorphous inorganic connecting material.
  • An optoelectronic semiconductor device comprises a housing, a lead frame and the optoelectronic semiconductor component as described above.
  • the housing is joined to the lead frame.
  • the carrier of the optoelectronic semiconductor component has a greater lateral extent than the leadframe and completely covers it.
  • a horizontal surface of the lead frame, over which the optoelectronic semiconductor component is applied protrudes in the vertical direction with respect to the housing.
  • the optoelectronic semiconductor device furthermore comprises a reflective potting compound which is introduced between the carrier and the housing. The reflective casting compound is adjacent to the carrier, for example.
  • an optoelectronic semiconductor device comprises a housing and a lead frame, the housing being joined to the lead frame.
  • the semiconductor device further comprises a carrier with a first main surface and an optoelectronic semiconductor chip which is arranged over the first main surface.
  • An area of the optoelectronic semiconductor chip is smaller than an area of the carrier, and the carrier has a greater lateral extent than the lead frame and completely covers it.
  • a horizontal surface of the lead frame, over which the optoelectronic semiconductor component is applied protrudes in the vertical direction with respect to the housing.
  • a method for producing an optoelectronic semiconductor component comprises the formation of optoelectronic semiconductor chips, roughening a first main surface of a carrier, and arranging the optoelectronic semiconductor chips over the roughened first main surface of a carrier.
  • a combined area of the optoelectronic semiconductor chips is smaller than an area of the carrier.
  • a region of the roughened first main surface is arranged between neighboring optoelectronic semiconductor chips.
  • the formation of the optoelectronic semiconductor chips can be, for example, the formation of a first semiconductor layer from a first conductivity type over a growth substrate and forming a second semiconductor layer of a second conductivity type over the first semiconductor layer.
  • the method can further comprise applying an intermediate carrier over the second semiconductor layer and detaching the growth substrate.
  • the intermediate carrier is applied to the optoelectronic semiconductor chips in such a way that the optoelectronic semiconductor chips are spaced apart from one another.
  • the optoelectronic semiconductor chips are attached to the roughened first main surface of the carrier via an amorphous inorganic connecting material.
  • a method for producing an optoelectronic semiconductor device comprises forming an optoelectronic semiconductor chip, arranging the optoelectronic semiconductor chip over a first main surface of a carrier and applying the carrier over a lead frame.
  • An area of the optoelectronic semiconductor chip is smaller than an area of the carrier, the carrier of the optoelectronic semiconductor component has a larger lateral extent than the lead frame, and the carrier is applied to the lead frame in such a way that the carrier completely covers the lead frame.
  • the lead frame is joined together with an enclosure, and a horizontal surface of the lead frame, over which the optoelectronic semiconductor component is applied, protrudes in the vertical direction opposite the enclosure.
  • the method further comprises introducing a reflective casting compound between the carrier and the housing.
  • Figure 1 shows a plan view of an optoelectronic semiconductor component according to embodiments.
  • FIG. 2 shows a schematic vertical cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor device according to embodiments.
  • FIGS. 3A to 3C illustrate cross-sectional views of a workpiece when the method is carried out according to embodiments.
  • FIG. 4A summarizes a method according to embodiments.
  • FIG. 4B summarizes a method in accordance with further embodiments.
  • wafer or “semiconductor substrate”, which are used in the following description, can include any semiconductor-based structure that has a semiconductor surface. Wafer and structure are to be understood as including doped and undoped semiconductors, epitaxial semiconductor layers, possibly supported by a base substrate, and further semiconductor structures. For example, a layer made from a first semiconductor material can be grown on a growth substrate made from a second semiconductor material or from an insulating material, for example on a sapphire substrate. Further examples of materials for growth substrates include glass, silicon dioxide, quartz or a ceramic. Depending on the intended use, the semiconductor can be based on a direct or an indirect semiconductor material.
  • semiconductor materials particularly suitable for generating electromagnetic radiation include, in particular, nitride semiconductor compounds, by means of which, for example, ultraviolet, blue or longer-wave light can be generated, such as GaN, InGaN, AlN, AlGaN, AlGalnN, Al-GalnBN, Phosphide semiconductor compounds, through which, for example, green or longer-wave light can be generated, such as GaAsP, AlGalnP, GaP, AlGaP, and other semiconductor materials such as GaAs, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, SiC, ZnSe, ZnO, Ga 2 O 3 , Diamond, hexagonal BN and combinations of the mentioned materials.
  • the stoichiometric ratio of the compound semiconductor materials can vary.
  • semiconductor materials can include silicon, silicon-germanium and germanium.
  • the term “semiconductor” also includes organic semiconductor materials.
  • substrate generally includes insulating, conductive, or semiconductor substrates.
  • lateral and horizontal are intended to describe an orientation or alignment which runs essentially parallel to a first surface of a substrate or semiconductor body.
  • This can be, for example, the surface of a wafer or a chip (die).
  • the horizontal direction can for example be in a plane perpendicular to a growth direction when growing
  • Layers lie.
  • the term “vertical”, as it is used in this description, is intended to describe an orientation which runs essentially perpendicular to the first surface of a substrate or semiconductor body.
  • the vertical direction can, for example, be a direction of growth when growing
  • Electrically connected means a low-resistance electrical connection between the connected elements.
  • the electrically connected elements do not necessarily have to be directly connected to one another. Further elements can be arranged between electrically connected elements.
  • electrically connected also includes tunnel contacts between the connected elements.
  • FIG. 1 shows a view of an optoelectronic semiconductor component 10 according to embodiments.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 comprises a carrier 120 with a roughened first main surface 121 and epitaxially formed semiconductor regions or optoelectronic semiconductor chips 15 which are arranged over the roughened first main surface 121.
  • a combined area of the optoelectronic semiconductor chips 15 is smaller than a surface of the carrier 120.
  • a region of the roughened first main surface 121 is arranged between adjacent epitaxially formed semiconductor regions 15.
  • the roughened surface is illustrated in more detail in FIG.
  • the optoelectronic semiconductor chips 15 can be arranged over the first main surface 121 of the carrier 120 in such a way that a further part of the roughened first main surface 121 is arranged between the optoelectronic semiconductor chip 15 and an edge of the carrier.
  • the roughened first main surface 121 is roughened so that a multiplicity of structures 122 protruding from the carrier material are formed.
  • the protruding structures can each be different from one another and can be arranged in a random manner, that is to say at randomly selected distances from one another. Due to the roughness of the first main surface 121, the coupling-out efficiency from the carrier 120 is improved.
  • an average roughness Ra which indicates the average distance between a measuring point on the main surface 121 and a center line, can be in a range from 200 nm to 2 mm.
  • the center line can, for example, intersect the actual profile of the first main surface 121 in such a way that the sum of the profile deviations (in relation to the center line) becomes minimal.
  • the mean roughness R a thus corresponds to the arithmetic mean of the absolute deviation from the center line.
  • the optoelectronic semiconductor chips 15 are arranged in such a way that between them a respective area of the roughened first main surface 121 of the carrier is arranged. Furthermore, a part of the roughened first main surface 121 of the carrier is arranged between the optoelectronic semiconductor chips 15 and the edge of the carrier.
  • the carrier can for example be a sapphire carrier.
  • a material of the carrier 120 is essentially free of absorption and has a suitable refractive index and a suitable thermal conductivity.
  • the optoelectronic semiconductor chips 15 can be fastened to the carrier 120 via a suitable adhesive, for example an adaptive connection material 125 (see enlarged section of FIG. 2) and connected over the entire surface.
  • the connecting material can contain inorganic materials such as amorphous aluminum oxide or silicon oxide.
  • the connecting material cannot contain any organic materials.
  • the carrier 120 can be a sapphire carrier.
  • a thickness d of the carrier 120 can be up to approximately 350 mm.
  • a minimum thickness of the carrier can be about 50 mm
  • the semiconductor layers of the semiconductor chips 15 directly on the carrier ger 120, for example if the material of the carrier 120 is suitable as a growth substrate.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 can furthermore comprise a dielectric mirror layer 124 on the side of the second main surface 123.
  • a dielectric mirror layer encompasses any arrangement that reflects incident electromagnetic radiation to a large degree (for example> 90%) and is non-conductive.
  • a dielectric mirror layer can be made up of a sequence of very thin dielectric
  • Layers with different refractive indices can be formed.
  • the layers can alternately have a high refractive index (n> 1.7) and a low refractive index (n ⁇ 1.7) and be designed as a Bragg reflector.
  • the layer thickness can be l / 4, where l indicates the wavelength of the light to be reflected in the respective medium.
  • the layer seen from the incident light can have a greater layer thickness, for example 31/4. Due to the small layer thickness and the difference in the respective refractive indices, the dielectric mirror layer provides high reflectivity and is at the same time non-conductive.
  • a dielectric mirror layer can have 2 to 50 dielectric layers, for example.
  • a typical layer thickness of the individual layers can be about 30 to 90 nm, for example about 50 nm.
  • the layer stack can furthermore contain one or two or more layers that are thicker than approximately 180 nm, for example thicker than 200 nm.
  • a metallic layer 126 for example an Al layer, can additionally be arranged adjacent to the second main surface 123 of the carrier 120.
  • an optoelectronic semiconductor component comprises a carrier with a first main surface and optoelectronic semiconductor chips which are arranged over the first main surface. A combined area of the optoelectronic semiconductor chips is smaller than an area of the carrier.
  • FIG. 2 shows an optoelectronic device 30 which comprises an optoelectronic semiconductor component 10.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 can be constructed, for example, as described with reference to FIG. 1.
  • the optoelectronic semiconductor component can have only one optoelectronic semiconductor chip, an area of the semiconductor chip being smaller than an area of the carrier.
  • the optoelectronic device 30 shown in FIG. 2 comprises a lead frame 150 on which the optoelectronic semiconductor component 10 is applied.
  • a lateral extent s2 of the carrier 120 is greater than a lateral extent s1 of the
  • the carrier 120 completely covers the lead frame 150. More precisely, a part of the carrier 120 extends in all horizontal directions beyond an edge of the lead frame 150. As a result, there is no area of the surface of the lead frame 150
  • the optoelectronic semiconductor component 10 and the leadframe 150 are, for example, joined together in such a way that the optoelectronic semiconductor chips 15 overlap the leadframe 150. In other words, the optoelectronic semiconductor chips 15 extend in the horizontal direction not beyond the edge of the lead frame .
  • a mirror layer 124 for example a dielectric mirror Layer as described above, can be arranged over the second main surface 123 of the carrier 120.
  • the mirror layer 124 can for example be arranged between the carrier 120 and the leadframe 150. In this way, the radiation emitted in the direction of the leadframe 150 is reflected efficiently.
  • the optoelectronic semiconductor device 30 furthermore comprises a housing 155 which is joined to the leadframe 150.
  • the housing 155, the lead frame 150, and the carrier 120 may be joined together such that the lead frame 150 protrudes vertically from the housing 155 to a certain extent.
  • a horizontal surface of the lead frame 150 is located at a higher vertical position than a horizontal surface or mounting surface 156 of the housing 155.
  • a small gap 158 is formed opposite the housing 155.
  • the gap 158 has a vertical extent b.
  • the housing 155 can completely enclose the lead frame 150.
  • the lead frame can have a square shape, and the housing 155 adjoins all four sides of the lead frame.
  • the housing 155 may extend along the perimeter of the lead frame 150.
  • the housing 155 and the lead frame 150 can be assembled in such a way that the housing 155 and the lead frame do not overlap in the vertical direction.
  • a part of the housing 155 can overlap with the carrier 120 in the vertical direction.
  • a part of the housing 155 can overlap vertically with the part of the carrier 120 which is not covered with a semiconductor chip 15.
  • the optoelectronic semiconductor device 30 can furthermore comprise a reflective potting compound 157.
  • the reflective casting compound can contain TiO 2 -containing silicone hold.
  • the reflective potting compound covers the mounting surface 156 of the housing 155 and directly adjoins the carrier 120. As a result, absorption of the emitted electromagnetic radiation by the lead frame or the case 155 can be avoided. Furthermore, emitted electromagnetic radiation can be reflected by the reflective casting compound 157, as a result of which the efficiency of the component is increased.
  • Electromagnetic radiation 20 emitted by optoelectronic semiconductor chip 15 can be output via a side of semiconductor chip 15 facing away from housing 155. In a corresponding manner, electromagnetic radiation can also be absorbed by the optoelectronic semiconductor chips 15.
  • Supply lines or electrical contact elements for the electrical connection of the optoelectronic semiconductor chips 15 can for example be arranged in front of or behind the plane of the drawing shown. For example, leads can be routed through the lead frame 150.
  • a semiconductor device comprises a leadframe 150 and a carrier 120 with a first main surface 121 and one or more optoelectronic semiconductor chips which are arranged over the first main surface 121.
  • a (composite) area of the optoelectronic semiconductor chip (s) 15 is smaller than an area of the carrier 120.
  • the carrier 120 has a greater lateral extent s2 than the leadframe 150 and covers it completely.
  • this semiconductor device makes it possible to provide an optoelectronic semiconductor device with improved efficiency.
  • the protruding area of the carrier 120 serves as a spacer between the reflective potting compound 157 and the flanks of the optoelectronic semiconductor chip 15.
  • the reflective potting compound 157 is prevented from coming into the immediate vicinity of the light-emitting flanks of the optoelectronic semiconductor chip .
  • the lead frame 150 is completely covered by the carrier 120 and the reflective potting compound 157. In a corresponding manner, the lead frame is efficiently protected from aging.
  • the size of the semiconductor chips 15 can each be more than 10 ⁇ 10 mm 2 , for example 500 ⁇ 500 mm 2 or 700 ⁇
  • the individual optoelectronic semiconductor chips 15 can be identical to one another or also different. For example, they can emit light at different emission wavelengths, for example red and blue light.
  • the carrier can, for example, have a size of more than, for example, 300 ⁇ 300 mm 2 , for example 1 ⁇ 1 mm 2 or 3 ⁇ 3 mm 2 .
  • the carrier 120 can have an area which is greater than 1.5 times or twice or three times the combined area of the optoelectronic semiconductor chips 15.
  • the second main surface 123 of the carrier 120 can additionally be roughened.
  • a layer thickness of the reflective casting compound 157 can for example be greater than 30 mm, for example approximately 50 mm.
  • FIGS. 3A to 3C illustrate a workpiece 14 when carrying out a method for producing the optoelectronic semiconductor component described.
  • a first semiconductor layer 110 of a first conductivity type, for example n-type, an active zone 105 and a second semiconductor layer 100 of a second conductivity type, for example p-type, can be over a suitable growth substrate 140, for example made of GaN, are grown up epitaxially.
  • suitable growth substrate 140 for example made of GaN
  • layers made from other material systems can also be used.
  • the applied layer stack is then connected to an intermediate carrier 142 via a connecting material or an adhesive 141.
  • optoelectronic semiconductor chips 15 are transferred to the carrier via what is known as an expansion transfer method.
  • a distance between adjacent semiconductor chips 15 is increased. This can take place, for example, in that individual semiconductor chips are released from a semiconductor chip assembly.
  • FIG. 3A shows a vertical cross-sectional view of an example of a workpiece 14 in which two semiconductor chips 15 are connected to an intermediate carrier 142.
  • the semiconductor layer stack is then detached from the growth substrate 140, for example by a laser lift-off process.
  • a first main surface 110 of the first semiconductor layer 110 can be roughened, for example by etching in hot KOH.
  • FIG. 3B shows an example of a resulting workpiece with a roughened surface 111 of the first semiconductor layer 110.
  • the first main surface 111 of the first semiconductor layer 110 cannot be roughened either, as shown in the right-hand part of FIG. 3B. is clear.
  • a first main surface 121 of a carrier 120 for example a sapphire carrier, is roughened. This is illustrated in the lower part of FIG. 3B.
  • the two semiconductor chips 15 are connected to the roughened surface 121 of the carrier 120.
  • a connecting material 125 containing amorphous aluminum oxide or also another inorganic connecting material 125, for example SiO 2 can be applied to the first main surface 111 of the first semiconductor layer 110.
  • the connecting material 125 can also be applied to the roughened surface 121 of the carrier 120.
  • the connection material 125 can be applied by a method such as sputtering, by a PVD method or by an ALD (“atomic layer deposition”) method.
  • a conditioning method for example by a wet chemical pretreatment or a Plasma method is carried out, by which the number of OH groups is increased on the surface of the connecting material 125.
  • a conditioning method for example by a wet chemical pretreatment or a Plasma method is carried out, by which the number of OH groups is increased on the surface of the connecting material 125.
  • FIG. 30 shows a cross-sectional view of an example of a resulting optoelectronic semiconductor component 10 after the intermediate carrier 142 has been detached.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 can now be applied to the leadframe 150, which is joined to the associated housing 155 (see FIG. 2).
  • the reflective potting compound 157 is then introduced.
  • the reflective casting compound 157 can be applied by a dispersion method. Because the carrier 120 represents a spacer from the semiconductor chip 15, a high level of positional accuracy is not required when the reflective potting compound 157 is introduced. As a result, higher concentrations of the reflective material, for example TiO 2 , can also be used in the potting compound. As a result, higher reflectivity and hence improved efficiency can be obtained.
  • the reflective material for example TiO 2
  • FIG. 4A summarizes a method according to embodiments.
  • a method for producing an optoelectronic semiconductor component comprises the formation (S100) of optoelectronic semiconductor chips, the roughening (S110) of a first main surface of a carrier, and the arrangement (S120) of the optoelectronic semiconductor chips over the roughened first main surface of a carrier wherein a combined area of the optoelectronic semiconductor chips is larger than an area of the carrier and a region of the roughened first main surface is arranged between adjacent optoelectronic semiconductor chips.
  • the roughening of the first main surface of the carrier and the formation of the optoelectronic semiconductor chips can take place independently of one another and in any order.
  • the formation of the optoelectronic semiconductor chips can include the formation of a first semiconductor layer (S101) of a first conductivity type over a growth substrate and the formation (S102) of a second semiconductor layer a second conductivity type over the first semiconductor layer.
  • the method can furthermore comprise the application (S103) of an intermediate carrier over the second semiconductor layer and the detachment (S104) of the growth substrate.
  • a method for producing an optoelectronic semiconductor device comprises forming (S100) an optoelectronic semiconductor chip, arranging (S120) the optoelectronic semiconductor chip (15) over a first main surface of a carrier and that Applying (S130) the carrier over a lead frame.
  • An area of the optoelectronic semiconductor chip is smaller than an area of the carrier, the carrier of the optoelectronic semiconductor component has a larger lateral extent than the lead frame, and the carrier is applied to the lead frame in such a way that the carrier completely covers the lead frame.
  • the optoelectronic semiconductor device described here can be a general lighting device, for example.
  • the optoelectronic semiconductor device described here can also be used as a plant lighting device.

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst einen Träger (120) mit einer aufgerauten ersten Hauptoberfläche (121) und optoelektronische Halbleiterchips (15), die über der aufgerauten ersten Hauptoberfläche (121) angeordnet sind. Dabei ist eine zusammengesetzte Fläche der optoelektronischen Halbleiterchips (15) kleiner als eine Fläche des Trägers (120), und zwischen benachbarten optoelektronischen Halbleiterchips (15) ist ein Bereich der aufgerauten ersten Hauptoberfläche (121) angeordnet.

Description

OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT, OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES
OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS
BESCHREIBUNG
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2019 106 931.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Eine lichtemittierende Diode (LED) ist eine lichtemittierende Vorrichtung, die auf Halbleitermaterialien basiert. Beispiels- weise umfasst eine LED einen pn-Übergang. Wenn Elektronen und Löcher miteinander im Bereich des pn-Übergangs rekombinieren, beispielsweise weil eine entsprechende Spannung angelegt wird, wird elektromagnetische Strahlung erzeugt.
Generell wird nach Konzepten gesucht, mit denen die Auskoppel- effizienz von optoelektronischen Halbleiterbauelementen ver- bessert werden kann.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes optoelektronisches Halbleiterbauelement, eine verbesserte optoelektronische Halbleitervorrichtung und ein verbessertes Verfahren zur Herstellung eines optoelektroni- schen Halbleiterbauelements zur Verfügung zu stellen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Aufgabe durch den Gegenstand und das Verfahren der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterentwicklungen sind in den abhängi- gen Patentansprüchen definiert.
Eine optoelektronische Halbleitervorrichtung umfasst eine Ein- häusung, einen Leiterrahmen und ein optoelektronisches Halb- leiterbauelement. Das optoelektronische Halbleiterbauelement weist einen Träger mit einer aufgerauten ersten Hauptoberflä- che und mit einer Spiegelschicht über einer zweiten Hauptober- fläche des Trägers sowie einen optoelektronischen Halbleiter- chip auf, der über der aufgerauten ersten Hauptoberfläche an- geordnet ist. Eine Fläche des optoelektronischen Halbleiter- chips ist kleiner als eine aufgeraute Fläche des Trägers. Der Träger hat eine größere laterale Ausdehnung als der Leiterrah- men und bedeckt diesen vollständig. Die Einhäusung ist mit dem Leiterrahmen zusammengefügt. Der Leiterrahmen ist auf der Sei- te der zweiten Hauptoberfläche des Trägers angeordnet.
Beispielsweise kann ein weiterer Teil der aufgerauten ersten Hauptoberfläche zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und einem Rand des Trägers angeordnet sein.
Der optoelektronische Halbleiterchip kann beispielsweise eine erste Halbleiterschicht von einem ersten Leitfähigkeitstyp und eine zweite Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähig- keitstyp umfassen, wobei die erste und die zweite Halbleiter- schicht übereinander angeordnet sind.
Beispielsweise kann die erste Halbleiterschicht auf einer dem Träger zugewandten Seite angeordnet sein. Eine erste Haupt- oberfläche der ersten Halbleiterschicht kann aufgeraut sein.
Gemäß Aus führungs formen kann die Fläche des Trägers größer als das 1,5-fache der zusammengesetzten Fläche des optoelektroni- schen Halbleiterchips sein.
Beispielsweise kann der optoelektronische Halbleiterchip durch ein amorphes anorganisches Verbindungsmaterial mit der aufge- rauten ersten Hauptoberfläche des Trägers verbunden sein. Gemäß Aus führungs formen kann eine horizontale Oberfläche des Leiterrahmens, über welcher das optoelektronische Halbleiter- bauelement aufgebracht ist, in vertikaler Richtung gegenüber der Einhäusung hervorstehen. Es bildet sich somit eine Stufe zwischen Leiterrahmen und Einhäusung aus.
Gemäß Aus führungs formen kann die optoelektronische Halbleiter- vorrichtung ferner eine reflektierende Vergussmasse umfassen, die zwischen dem Träger und der Einhäusung eingebracht ist.
Die reflektierende Vergussmasse kann an den Träger angrenzen.
Ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halb- leitervorrichtung umfasst das Ausbilden eines optoelektroni- schen Halbleiterchips, das Aufrauen einer ersten Hauptoberflä- che eines Trägers, das Ausbilden einer Spiegelschicht über ei- ner zweiten Hauptoberfläche des Trägers und das Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips über der aufgerauten ersten Hauptoberfläche des Trägers. Eine Fläche des optoelektroni- schen Halbleiterchips ist kleiner als eine Fläche des Trägers. Das Verfahren umfasst ferner das Aufbringen des Trägers über einem Leiterrahmen, so dass der Leiterrahmen auf der Seite der zweiten Hauptoberfläche des Trägers angeordnet ist. Dabei hat der Träger eine größere laterale Ausdehnung als der Leiterrah- men und bedeckt diesen vollständig.
Beispielsweise kann das Ausbilden der optoelektronischen Halb- leiterchips das Ausbilden einer ersten Halbleiterschicht von einem ersten Leitfähigkeitstyp über einem Wachstumssubstrat und das Ausbilden einer zweiten Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp über der ersten Halbleiterschicht umfassen.
Das Verfahren kann ferner das Aufbringen eines Zwischenträgers über der zweiten Halbleiterschicht und das Ablösen des Wachs- tumssubstrats umfassen. Beispielsweise kann der Zwischenträger derart auf die optoelektronischen Halbleiterchips aufgebracht werden, dass die optoelektronischen Halbleiterchips voneinan- der beabstandet sind.
Gemäß Aus führungs formen werden die optoelektronischen Halb- leiterchips über ein amorphes anorganisches Verbindungsmateri- al an der aufgerauten ersten Hauptoberfläche des Trägers be- festigt.
Beispielsweise ist der Leiterrahmen mit einer Einhäusung zu- sammengefügt. Eine horizontale Oberfläche des Leiterrahmens, über welcher das optoelektronische Halbleiterbauelement aufge- bracht wird, steht in vertikaler Richtung gegenüber der Ein- häusung hervor.
Das Verfahren kann ferner das Einbringen einer reflektierenden Vergussmasse zwischen dem Träger und der Einhäusung umfassen.
Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfasst einen Trä- ger mit einer aufgerauten ersten Hauptoberfläche und opto- elektronische Halbleiterchips, die über der aufgerauten ersten Hauptoberfläche angeordnet sind. Eine zusammengesetzte Fläche der optoelektronischen Halbleiterchips ist kleiner als eine Fläche des Trägers, und zwischen benachbarten optoelektroni- schen Halbleiterchips ist ein Bereich der aufgerauten ersten Hauptoberfläche angeordnet.
Gemäß Aus führungs formen kann ein weiterer Teil der aufgerauten ersten Hauptoberfläche zwischen dem optoelektronischen Halb- leiterchip und einem Rand des Trägers angeordnet sein.
Beispielsweise umfassen die optoelektronische Halbleiterchips jeweils eine erste Halbleiterschicht von einem ersten Leitfä- higkeitstyp und eine zweite Halbleiterschicht von einem zwei- ten Leitfähigkeitstyp, wobei die erste und die zweite Halb- leiterschicht übereinander angeordnet sind.
Gemäß Aus führungs formen ist die erste Halbleiterschicht auf einer dem Träger zugewandten Seite angeordnet, und eine erste Hauptoberfläche der ersten Halbleiterschicht ist aufgeraut.
Das optoelektronisches Halbleiterbauelement kann ferner eine dielektrische Spiegelschicht über einer zweiten Hauptoberflä- che des Trägers umfassen.
Beispielsweise ist die Oberfläche des Trägers größer als das 1,5-fache der zusammengesetzten Fläche der optoelektronischen Halbleiterchips.
Beispielsweise sind die optoelektronischen Halbleiterchips durch ein amorphes anorganisches Verbindungsmaterial mit der aufgerauten ersten Hauptoberfläche des Trägers verbunden.
Eine optoelektronische Halbleitervorrichtung umfasst eine Ein- häusung, einen Leiterrahmen („lead frame") und das optoelekt- ronische Halbleiterbauelement wie vorstehend beschrieben. Die Einhäusung ist mit dem Leiterrahmen zusammengefügt.
Beispielsweise hat der Träger des optoelektronischen Halblei- terbauelements eine größere laterale Ausdehnung als der Lei- terrahmen und bedeckt diesen vollständig. Gemäß Ausführungs- formen steht eine horizontale Oberfläche des Leiterrahmens, über welcher das optoelektronische Halbleiterbauelement aufge- bracht ist, in vertikaler Richtung gegenüber der Einhäusung hervor. Gemäß Aus führungs formen umfasst die optoelektronische Halb- leitervorrichtung ferner eine reflektierende Vergussmasse, die zwischen dem Träger und der Einhäusung eingebracht ist. Die reflektierende Vergussmasse grenzt beispielsweise an den Trä- ger an.
Gemäß weiteren Aus führungs formen umfasst eine optoelektroni- sche Halbleitervorrichtung eine Einhäusung und einen Leiter- rahmen, wobei die Einhäusung mit dem Leiterrahmen zusammenge- fügt ist. Die Halbleitervorrichtung umfasst ferner, einen Trä- ger mit einer ersten Hauptoberfläche und einen optoelektroni- schen Halbleiterchip, der über der ersten Hauptoberfläche an- geordnet ist. Eine Fläche des optoelektronischen Halbleiter- chips ist kleiner als eine Fläche des Trägers, und der Träger hat eine größere laterale Ausdehnung als der Leiterrahmen und bedeckt diesen vollständig.
Beispielsweise steht eine horizontale Oberfläche des Leiter- rahmens, über welcher das optoelektronische Halbleiterbauele- ment aufgebracht ist, in vertikaler Richtung gegenüber der Einhäusung hervor.
Ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halb- leiterbauelements umfasst das Ausbilden von optoelektronischen Halbleiterchips, Aufrauen einer ersten Hauptoberfläche eines Trägers, und Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchips über der aufgerauten ersten Hauptoberfläche eines Trägers. Ei- ne zusammengesetzte Fläche der optoelektronischen Halbleiter- chips ist kleiner als eine Fläche des Trägers. Zwischen be- nachbarten optoelektronischen Halbleiterchips ist ein Bereich der aufgerauten ersten Hauptoberfläche angeordnet.
Das Ausbilden der optoelektronischen Halbleiterchips kann bei- spielsweise das Ausbilden einer ersten Halbleiterschicht von einem ersten Leitfähigkeitstyp über einem Wachstumssubstrat und das Ausbilden einer zweiten Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp über der ersten Halbleiterschicht umfassen.
Das Verfahren kann ferner das Aufbringen eines Zwischenträgers über der zweiten Halbleiterschicht und Ablösen des Wachs- tumssubstrats umfassen.
Gemäß Aus führungs formen wird der Zwischenträger derart auf die optoelektronischen Halbleiterchips aufgebracht, dass die opto- elektronischen Halbleiterchips voneinander beabstandet sind.
Beispielsweise werden die optoelektronischen Halbleiterchips über ein amorphes anorganisches Verbindungsmaterial an der aufgerauten ersten Hauptoberfläche des Trägers befestigt.
Gemäß weiteren Aus führungs formen umfasst ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung das Ausbilden eines optoelektronischen Halbleiterchips, das Anord- nen des optoelektronischen Halbleiterchips über einer ersten Hauptoberfläche eines Trägers und das Aufbringen des Trägers über einem Leiterrahmen. Dabei ist eine Fläche des optoelekt- ronischen Halbleiterchips kleiner als eine Fläche des Trägers, der Träger des optoelektronischen Halbleiterbauelements hat eine größere laterale Ausdehnung als der Leiterrahmen, und der Träger wird derart auf den Leiterrahmen aufgebracht, dass der Träger den Leiterrahmen vollständig bedeckt.
Gemäß Aus führungs formen ist der Leiterrahmen mit einer Einhäu- sung zusammengefügt, und eine horizontale Oberfläche des Lei- terrahmens, über welcher das optoelektronische Halbleiterbau- element aufgebracht wird, steht in vertikaler Richtung gegen- über der Einhäusung hervor. Gemäß weiteren Aus führungs formen umfasst das Verfahren ferner das Einbringen einer reflektierenden Vergussmasse zwischen dem Träger und der Einhäusung.
Die begleitenden Zeichnungen dienen dem Verständnis von Aus- führungsbeispielen der Erfindung. Die Zeichnungen veranschau- lichen Ausführungsbeispiele und dienen zusammen mit der Be- schreibung deren Erläuterung. Weitere Ausführungsbeispiele und zahlreiche der beabsichtigten Vorteile ergeben sich unmittel- bar aus der nachfolgenden Detailbeschreibung. Die in den
Zeichnungen gezeigten Elemente und Strukturen sind nicht not- wendigerweise maßstabsgetreu zueinander dargestellt. Gleiche Bezugszeichen verweisen auf gleiche oder einander entsprechen- de Elemente und Strukturen.
Figur 1 zeigt eine Draufsicht auf ein optoelektronisches Halb- leiterbauelement gemäß Aus führungs formen .
Figur 2 zeigt eine schematische vertikale Querschnittsansicht einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung gemäß Ausfüh- rungsformen.
Figur 3A bis 3C veranschaulichen Querschnittsansichten eines Werkstücks bei Durchführung des Verfahrens gemäß Ausführungs- formen.
Figur 4A fasst ein Verfahren gemäß Aus führungs formen zusammen.
Figur 4B fasst ein Verfahren gemäß weiteren Aus führungs formen zusammen.
In der folgenden Detailbeschreibung wird auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil der Offenbarung bilden und in denen zu Veranschaulichungszwecken spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind. In diesem Zusammenhang wird eine Richtungsterminologie wie "Oberseite", "Boden", "Vorder- seite", "Rückseite", "über", "auf", "vor", "hinter", "vorne", "hinten" usw. auf die Ausrichtung der gerade beschriebenen Fi- guren bezogen. Da die Komponenten der Ausführungsbeispiele in unterschiedlichen Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie nur der Erläuterung und ist in keiner Weise einschränkend.
Die Beschreibung der Ausführungsbeispiele ist nicht einschrän- kend, da auch andere Ausführungsbeispiele existieren und strukturelle oder logische Änderungen gemacht werden können, ohne dass dabei vom durch die Patentansprüche definierten Be- reich abgewichen wird. Insbesondere können Elemente von im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen mit Elementen von anderen der beschriebenen Ausführungsbeispiele kombiniert werden, sofern sich aus dem Kontext nichts anderes ergibt.
Die Begriffe "Wafer" oder "Halbleitersubstrat", die in der folgenden Beschreibung verwendet sind, können jegliche auf Halbleiter beruhende Struktur umfassen, die eine Halb- leiteroberfläche hat. Wafer und Struktur sind so zu verstehen, dass sie dotierte und undotierte Halbleiter, epitaktische Halbleiterschichten, gegebenenfalls getragen durch eine Basis- unterlage, und weitere Halbleiterstrukturen einschließen. Bei- spielsweise kann eine Schicht aus einem ersten Halbleitermate- rial auf einem Wachstumssubstrat aus einem zweiten Halbleiter- material oder aus einem isolierenden Material, beispielsweise auf einem Saphirsubstrat, gewachsen sein. Weitere Beispiele für Materialien von Wachstumssubstraten umfassen Glas, Silizi- umdioxid, Quarz oder eine Keramik. Je nach Verwendungszweck kann der Halbleiter auf einem direk- ten oder einem indirekten Halbleitermaterial basieren. Bei- spiele für zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung beson- ders geeignete Halbleitermaterialien umfassen insbesondere Nitrid-Halbleiterverbindungen, durch die beispielsweise ultra- violettes, blaues oder langwelligeres Licht erzeugt werden kann, wie beispielsweise GaN, InGaN, AlN, AlGaN, AlGalnN, Al- GalnBN, Phosphid-Halbleiterverbindungen, durch die beispiels- weise grünes oder langwelligeres Licht erzeugt werden kann, wie beispielsweise GaAsP, AlGalnP, GaP, AlGaP, sowie weitere Halbleitermaterialien wie GaAs, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, SiC, ZnSe, ZnO, Ga2O3, Diamant, hexagonales BN und Kombinationen der genannten Materialien. Das stöchiometrische Verhältnis der Verbindungshalbleitermaterialien kann variieren. Weitere Bei- spiele für Halbleitermaterialien können Silizium, Silizium- Germanium und Germanium umfassen. Im Kontext der vorliegenden Beschreibung schließt der Begriff „Halbleiter" auch organische Halbleitermaterialien ein.
Der Begriff „Substrat" umfasst generell isolierende, leitende oder Halbleitersubstrate.
Die Begriffe "lateral" und "horizontal", wie in dieser Be- schreibung verwendet, sollen eine Orientierung oder Ausrich- tung beschreiben, die im Wesentlichen parallel zu einer ersten Oberfläche eines Substrats oder Halbleiterkörpers verläuft.
Dies kann beispielsweise die Oberfläche eines Wafers oder ei- nes Chips (Die) sein.
Die horizontale Richtung kann beispielsweise in einer Ebene senkrecht zu einer Wachstumsrichtung beim Aufwachsen von
Schichten liegen. Der Begriff "vertikal", wie er in dieser Beschreibung verwen- det wird, soll eine Orientierung beschreiben, die im Wesentli- chen senkrecht zu der ersten Oberfläche eines Substrats oder Halbleiterkörpers verläuft. Die vertikale Richtung kann bei- spielsweise einer Wachstumsrichtung beim Aufwachsen von
Schichten entsprechen.
Soweit hier die Begriffe "haben", "enthalten", "umfassen", "aufweisen" und dergleichen verwendet werden, handelt es sich um offene Begriffe, die auf das Vorhandensein der besagten Elemente oder Merkmale hinweisen, das Vorhandensein von weite- ren Elementen oder Merkmalen aber nicht ausschließen. Die un- bestimmten Artikel und die bestimmten Artikel umfassen sowohl den Plural als auch den Singular, sofern sich aus dem Zusam- menhang nicht eindeutig etwas anderes ergibt.
Im Kontext dieser Beschreibung bedeutet der Begriff
„elektrisch verbunden" eine niederohmige elektrische Verbin- dung zwischen den verbundenen Elementen. Die elektrisch ver- bundenen Elemente müssen nicht notwendigerweise direkt mitei- nander verbunden sein. Weitere Elemente können zwischen elektrisch verbundenen Elementen angeordnet sein.
Der Begriff „elektrisch verbunden" umfasst auch Tunnelkontakte zwischen den verbundenen Elementen.
Figur 1 zeigt eine Ansicht eines optoelektronischen Halblei- terbauelements 10 gemäß Aus führungs formen . Das optoelektroni- sche Halbleiterbauelement 10 umfasst einen Träger 120 mit ei- ner aufgerauten ersten Hauptoberfläche 121 und epitaktisch ausgebildete Halbleiterbereiche oder optoelektronische Halb- leiterchips 15, die über der aufgerauten ersten Hauptoberflä- che 121 angeordnet sind. Eine zusammengesetzte Fläche der optoelektronischen Halbleiterchips 15 ist dabei kleiner als eine Fläche des Trägers 120. Weiterhin ist zwischen benachbar- ten epitaktisch ausgebildeten Halbleiterbereichen 15 ein Be- reich der aufgerauten ersten Hauptoberfläche 121 angeordnet.
Die aufgeraute Oberfläche ist näher in Figur 2 veranschau- licht. Beispielsweise können die optoelektronischen Halb- leiterchips 15 in der Weise über der ersten Hauptoberfläche 121 des Trägers 120 angeordnet sein, dass ein weiterer Teil der aufgerauten ersten Hauptoberfläche 121 zwischen dem opto- elektronischen Halbleiterchip 15 und einem Rand des Trägers angeordnet ist.
Weitere Elemente des optoelektronischen Halbleiterbauelements werden nun unter Bezugnahme auf Fig. 2 näher erläutert werden.
Die aufgeraute erste Hauptoberfläche 121 ist aufgeraut, so dass eine Vielzahl von gegenüber dem Trägermaterial hervorste- henden Strukturen 122 ausgebildet sind. Die hervorstehenden Strukturen können jeweils voneinander verschieden sein und können in zufälliger Weise, d.h. bei zufällig gewählten Ab- ständen zueinander angeordnet sein. Durch die Rauheit der ers- ten Hauptoberfläche 121 wird die Auskoppeleffizienz aus dem Träger 120 verbessert. Beispielsweise kann eine mittlere Rau- heit Ra die den mittleren Abstand eines Messpunktes auf der Hauptoberfläche 121 zu einer Mittellinie angibt, in einem Be- reich von 200 nm bis 2 mm liegen. Die Mittellinie kann bei- spielsweise das wirkliche Profil der ersten Hauptoberfläche 121 so schneiden, dass die Summe der Profilabweichungen (bezo- gen auf die Mittellinie) minimal wird. Die mittlere Rauheit Ra entspricht also dem arithmetischen Mittel der betragsmäßigen Abweichung von der Mittellinie.
Die optoelektronischen Halbleiterchips 15 sind derart angeord- net, dass zwischen ihnen jeweils ein Bereich der aufgerauten ersten Hauptoberfläche 121 des Trägers angeordnet ist. Weiter- hin ist ein Teil der aufgerauten ersten Hauptoberfläche 121 des Trägers jeweils zwischen den optoelektronischen Halb- leiterchips 15 und dem Rand des Trägers angeordnet. Der Träger kann beispielsweise ein Saphirträger sein. Insbesondere ist ein Material des Trägers 120 im Wesentlichen absorptionsfrei und hat einen geeigneten Brechungsindex und eine geeignete thermische Leitfähigkeit. Beispielsweise können die optoelekt- ronischen Halbleiterchips 15 über einen geeigneten Klebstoff, beispielsweise ein adaptives Verbindungsmaterial 125 (siehe vergrößerter Ausschnitt von Fig. 2) auf dem Träger 120 befes- tigt und vollflächig angebunden sein. Beispielsweise kann das Verbindungsmaterial anorganische Materialien wie beispielswei- se amorphes Aluminiumoxid oder Siliziumoxid enthalten. Gemäß weiteren Aus führungs formen kann das Verbindungsmaterial keine organischen Materialien enthalten. Beispielsweise kann der Träger 120 ein Saphirträger sein. Durch die Verwendung eines Verbindungsmaterials 125, das ein anorganisches, amorphes Ma- terial enthält, ist es möglich, eine verbesserte optische und thermische Anbindung des optoelektronischen Halbleiterchips 15 an den Träger 120 zu erzielen. Beispielsweise können Rückre- flexionen von elektromagnetischer Strahlung an der Grenzfläche zwischen Verbindungsmaterial 125 und Träger 120 vermieden wer- den .
Dadurch, dass die Fläche des Trägers 120 größer als die zusam- mengesetzte Fläche der einzelnen Halbleiterchips 15 ist, ist es möglich, den Träger 120 auch bei einer größeren Dicke zu vereinzeln. Gemäß Aus führungs formen kann eine Dicke d des Trä- gers 120 bis zu etwa 350 mm betragen. Beispielsweise kann eine Mindestdicke des Trägers etwa 50 mm betragen
Gemäß weiteren Aus führungs formen ist es auch möglich, die Halbleiterschichten der Halbleiterchips 15 direkt auf dem Trä- ger 120 auszubilden, beispielsweise wenn das Material des Trä- gers 120 als Wachstumssubstrat geeignet ist.
Gemäß Aus führungs formen kann das optoelektronische Halbleiter- bauelement 10 ferner eine dielektrische Spiegelschicht 124 auf der Seite der zweiten Hauptoberfläche 123 umfassen. Generell umfasst der Begriff „dielektrische Spiegelschicht" jegliche Anordnung, die einfallende elektromagnetische Strahlung zu ei- nem großen Grad (beispielsweise >90%) reflektiert und nicht leitend ist. Beispielsweise kann eine dielektrische Spiegel- schicht durch eine Abfolge von sehr dünnen dielektrische
Schichten mit jeweils unterschiedlichen Brechungsindizes aus- gebildet werden. Beispielsweise können die Schichten abwech- selnd einen hohen Brechungsindex (n>1,7) und einen niedrigen Brechungsindex (n<1,7) haben und als Bragg-Reflektor ausgebil- det sein. Beispielsweise kann die Schichtdicke l/4 betragen, wobei l die Wellenlänge des zu reflektierenden Lichts in dem jeweiligen Medium angibt. Die vom einfallenden Licht her gese- hene Schicht kann eine größere Schichtdicke, beispielsweise 3l/4 haben. Aufgrund der geringen Schichtdicke und des Unter- schieds der jeweiligen Brechungsindices stellt die dielektri- sche Spiegelschicht ein hohes Reflexionsvermögen bereit und ist gleichzeitig nicht leitend. Eine dielektrische Spiegel- schicht kann beispielsweise 2 bis 50 dielektrische Schichten aufweisen. Eine typische Schichtdicke der einzelnen Schichten kann etwa 30 bis 90 nm, beispielsweise etwa 50 nm betragen.
Der Schichtstapel kann weiterhin eine oder zwei oder mehrere Schichten enthalten, die dicker als etwa 180 nm, beispielswei- se dicker als 200 nm sind. Gegebenenfalls kann zusätzlich eine metallische Schicht 126, beispielsweise eine Al-Schicht, an- grenzend an die zweite Hauptoberfläche 123 des Trägers 120 an- geordnet sein. Auf diese Weise wird durch den Träger 120 ein guter Reflektor verwirklicht. Gemäß weiteren Ausgestaltungen umfasst ein optoelektronisches Halbleiterbauelement einen Träger mit einer ersten Hauptober- fläche und optoelektronische Halbleiterchips, die über der ersten Hauptoberfläche angeordnet sind. Eine zusammengesetzte Fläche der optoelektronischen Halbleiterchips ist kleiner als eine Fläche des Trägers.
Fig. 2 zeigt eine optoelektronische Vorrichtung 30, welche ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 10 umfasst. Das opto- elektronische Halbleiterbauelement 10 kann beispielsweise wie unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben aufgebaut sein. Gemäß weiteren Aus führungs formen kann das optoelektronische Halblei- terbauelement lediglich einen optoelektronischen Halbleiter- chip aufweisen, wobei eine Fläche des Halbleiterchips kleiner als eine Fläche des Trägers ist.
Die in Fig. 2 gezeigte optoelektronische Vorrichtung 30 um- fasst einen Leiterrahmen („lead frame") 150 auf dem das opto- elektronische Halbleiterbauelement 10 aufgebracht ist. Bei- spielsweise ist eine laterale Ausdehnung s2 des Trägers 120 größer als eine laterale Ausdehnung s1 des Leiterrahmens 150. Weiterhin überdeckt der Träger 120 den Leiterrahmen 150 voll- ständig. Genauer gesagt erstreckt sich ein Teil des Trägers 120 in allen horizontalen Richtungen über einen Rand des Lei- terrahmens 150 hinaus. Als Folge liegt kein Bereich der Ober- fläche des Leiterrahmens 150 frei, der durch ein reflektieren- des Material abgedeckt werden müsste. Das optoelektronische Halbleiterbauelement 10 und der Leiterrahmen 150 sind bei- spielsweise derart zusammengefügt, dass die optoelektronischen Halbleiterchips 15 mit dem Leiterrahmen 150 überlappen. Anders ausgedrückt, erstrecken sich die optoelektronischen Halb- leiterchips 15 in horizontaler Richtung nicht über den Rand des Leiterrahmens hinaus. Gemäß Aus führungs formen kann eine Spiegelschicht 124, beispielsweise eine dielektrische Spiegel- Schicht wie vorstehend beschrieben, über der zweiten Haupt- oberfläche 123 des Trägers 120 angeordnet sein. Die Spiegel- schicht 124 kann beispielsweise zwischen Träger 120 und Lei- terrahmen 150 angeordnet sein. Auf diese Weise wird die in Richtung Leiterrahmen 150 emittierte Strahlung effizient re- flektiert .
Die optoelektronische Halbleitervorrichtung 30 umfasst weiter- hin eine Einhäusung 155, die mit dem Leiterrahmen 150 zusam- mengefügt ist. Beispielsweise können die Einhäusung 155, der Leiterrahmen 150 und der Träger 120 derart zusammengefügt sein, dass der Leiterrahmen 150 zu einem gewissen Ausmaß über der Einhäusung 155 vertikal hervorsteht. Genauer gesagt ist eine horizontale Oberfläche des Leiterrahmens 150 bei einer höheren vertikalen Position angeordnet als eine horizontale Oberfläche oder Montageoberfläche 156 der Einhäusung 155. Als Ergebnis bildet sich ein kleiner Spalt 158 gegenüber der Ein- häusung 155. Der Spalt 158 hat eine vertikale Ausdehnung b.
Die Einhäusung 155 kann den Leiterrahmen 150 vollständig um- schließen. Beispielsweise kann der Leiterrahmen viereckig aus- gebildet sein, und die Einhäusung 155 grenzt an alle vier Sei- ten des Leiterrahmens an. Die Einhäusung 155 kann sich entlang dem Umfang des Leiterrahmens 150 erstrecken. Die Einhäusung 155 und der Leiterrahmen 150 können derart zusammengesetzt sein, dass die Einhäusung 155 und der Leiterrahmen in vertika- ler Richtung nicht überlappen. Ein Teil der Einhäusung 155 kann in vertikaler Richtung mit dem Träger 120 überlappen. Ein Teil der Einhäusung 155 kann mit dem Teil des Trägers 120 ver- tikal überlappen, der nicht mit einem Halbleiterchip 15 be- deckt ist.
Die optoelektronische Halbleitervorrichtung 30 kann weiterhin eine reflektierende Vergussmasse 157 umfassen. Beispielsweise kann die reflektierende Vergussmasse TiO2-haltiges Silikon ent- halten. Die reflektierende Vergussmasse bedeckt die Montage- oberfläche 156 der Einhäusung 155 und grenzt direkt an den Träger 120 an. Als Folge kann Absorption der emittierten elektromagnetischen Strahlung durch den Leiterrahmen oder die Einhäusung 155 vermieden werden. Weiterhin kann emittierte elektromagnetische Strahlung durch die reflektierende Verguss- masse 157 reflektiert werden, wodurch die Effizienz des Bau- elements erhöht wird.
Von dem optoelektronischen Halbleiterchip 15 emittierte elekt- romagnetische Strahlung 20 kann über eine von der Einhäusung 155 abgewandte Seite des Halbleiterchips 15 ausgegeben werden. In entsprechender Weise kann auch elektromagnetische Strahlung von den optoelektronischen Halbleiterchips 15 aufgenommen wer- den. Zuleitungen oder elektrische Kontaktelemente zum elektri- schen Anschluss der optoelektronischen Halbleiterchips 15 kön- nen beispielsweise vor oder hinter der dargestellten Zeichen- ebene angeordnet sein. Beispielsweise können Zuleitungen durch den Leiterrahmen 150 geführt werden.
Gemäß Aus führungs formen umfasst eine Halbleitervorrichtung ei- nen Leiterrahmen 150 sowie einen Träger 120 mit einer ersten Hauptoberfläche 121 und einem oder mehreren optoelektronischen Halbleiterchips, die über der ersten Hauptoberfläche 121 ange- ordnet sind. Eine (zusammengesetzte) Fläche des/der optoelekt- ronischen Halbleiterchips 15 ist kleiner als eine Fläche des Trägers 120. Der Träger 120 hat eine größere laterale Ausdeh- nung s2 als der Leiterrahmen 150 und bedeckt diesen vollstän- dig.
Insgesamt lässt sich durch diese Halbleitervorrichtung eine optoelektronische Halbleitervorrichtung mit einer verbesserten Effizienz zur Verfügung stellen. Insbesondere ist es möglich, die reflektierende Vergussmasse 157 in unmittelbarer Nähe der Auskoppeloberfläche der erzeugten elektromagnetischen Strah- lung des Trägers 120 zu positionieren. Dabei dient der über- stehende Bereich des Trägers 120 als ein Abstandshalter zwi- schen der reflektierenden Vergussmasse 157 und den Flanken des optoelektronischen Halbleiterchips 15. Als Folge wird vermie- den, dass die reflektierende Vergussmasse 157 in unmittelbare Nähe der lichtemittierenden Flanken des optoelektronischen Halbleiterchips gelangt. Bei der dargestellten Anordnung ist der Leiterrahmen 150 vollständig von dem Träger 120 und der reflektierenden Vergussmasse 157 bedeckt. In entsprechender Weise ist der Leiterrahmen effizient vor Alterung geschützt.
Beispielsweise kann eine Größe der Halbleiterchips 15 jeweils mehr als 10 x 10 mm 2 , beispielsweise 500 x 500 mm2 oder 700 x
500 mm 2 oder 900 x 500 mm 2 betragen. Die einzelnen optoelektro- nischen Halbleiterchips 15 können zueinander identisch oder auch verschieden sein. Beispielsweise können sie Licht bei je- weils unterschiedlichen Emissionswellenlängen, z.B. rotes und blaues Licht emittieren. Der Träger kann beispielsweise eine Größe von mehr als beispielsweise 300 x 300 mm2, beispielsweise 1 x 1 mm2 oder 3 x 3 mm2 haben. Beispielsweise kann der Träger 120 eine Fläche haben, die größer als das 1,5-fache oder das Doppelte oder das Dreifache der zusammengesetzten Fläche der optoelektronischen Halbleiterchips 15 ist.
Die zweite Hauptoberfläche 123 des Trägers 120 kann zusätzlich aufgeraut sein. Eine Schichtdicke der reflektierenden Verguss- masse 157 kann beispielsweise größer als 30 mm, beispielsweise etwa 50 mm, sein. Eine Gesamtgröße der optoelektronischen
Halbleitervorrichtung 30 mit Einhäusung 155 und Leiterrahmen
150 kann beispielsweise 3 x 3 mm2 oder mehr, beispielsweise 5 x 5 mm2 oder mehr betragen. Die Figuren 3A bis 3C veranschaulichen ein Werkstück 14 bei Durchführung eines Verfahrens zur Herstellung des beschriebe- nen optoelektronischen Halbleiterbauelements. Eine erste Halb- leiterschicht 110 von einem ersten Leitfähigkeitstyp, bei- spielsweise n-Typ, eine aktive Zone 105 sowie eine zweite Halbleiterschicht 100 von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, beispielsweise p-Typ, können über einem geeigneten Wachs- tumssubstrat 140, beispielsweise aus GaN, epitaktisch aufge- wachsen werden. Selbstverständlich können auch Schichten aus anderen Materialsystemen verwendet werden. Anschließend wird der aufgebrachte Schichtstapel über ein Verbindungsmaterial oder einen Klebstoff 141 mit einem Zwischenträger 142 verbun- den. Gemäß Aus führungs formen werden optoelektronische Halb- leiterchips 15 über ein sogenanntes Expansions- Übertragungsverfahren auf den Träger übertragen. Dabei wird insbesondere ein Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips 15 vergrößert. Dies kann beispielsweise dadurch erfolgen, dass einzelne Halbleiterchips aus einem Halbleiterchip-Verbund her- ausgelöst werden.
Figur 3A zeigt eine vertikale Querschnittsansicht eines Bei- spiels eines Werkstücks 14, bei dem zwei Halbleiterchips 15 mit einem Zwischenträger 142 verbunden sind. Anschließend wird der Halbleiterschichtstapel beispielsweise durch ein Laser- Lift-Off-Verfahren von dem Wachstumssubstrat 140 abgelöst. Beispielsweise kann eine erste Hauptoberfläche 110 der ersten Halbleiterschicht 110 aufgeraut werden, beispielsweise durch Ätzen in heißer KOH .
Figur 3B zeigt ein Beispiel eines sich ergebenden Werkstücks mit aufgerauter Oberfläche 111 der ersten Halbleiterschicht 110. Gemäß weiteren Aus führungs formen kann die erste Haupt- oberfläche 111 der ersten Halbleiterschicht 110 auch nicht aufgeraut werden, wie im rechtsseitigen Teil der Figur 3B ver- anschaulicht ist. Eine erste Hauptoberfläche 121 eines Trägers 120, beispielsweise eines Saphirträgers, wird aufgeraut. Dies ist im unteren Teil der Figur 3B veranschaulicht.
Sodann werden, wie in Figur 3C gezeigt ist, die beiden Halb- leiterchips 15 mit der aufgerauten Oberfläche 121 des Trägers 120 verbunden. Beispielsweise kann ein amorphes Aluminiumoxid enthaltendes Verbindungsmaterial 125 oder auch ein anderes an- organisches Verbindungsmaterial 125, beispielsweise SiO2, auf der ersten Hauptoberfläche 111 der ersten Halbleiterschicht 110 aufgebracht werden. Gemäß Ausgestaltungen kann das Verbin- dungsmaterial 125 auch auf der aufgerauten Oberfläche 121 des Trägers 120 aufgebracht werden. Beispielsweise kann das Ver- bindungsmaterial 125 durch ein Verfahren wie Sputtern, durch ein PVD-Verfahren oder durch ein ALD- („atomic layer depositi- on" ) Verfahren aufgebracht werden. Weiterhin kann ein Konditi- onierungsverfahren, beispielsweise durch eine nasschemische Vorbehandlung oder ein Plasmaverfahren durchgeführt wird, durch welches die Anzahl von OH-Gruppen an der Oberfläche des Verbindungsmaterial 125 erhöht wird. Als Folge wird das Anhaf- ten des optoelektronischen Halbleiterchips 15 an dem Träger verbessert .
Durch das Verfahren werden mit einem Übertragungsschritt meh- rere Halbleiterchips auf einen Träger 120 übertragen. Bei- spielsweise können bei diesem Verfahren eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips auf ein Trägersubstrat übertragen werden. Nach der Übertragung kann das Trägersub- strat in eine Vielzahl von Trägern 120 vereinzelt werden. Fi- gur 30 zeigt eine Querschnittsansicht eines Beispiels eines sich ergebenden optoelektronischen Halbleiterbauelements 10 nach Ablösen des Zwischenträgers 142. Zur Fertigstellung der optoelektronischen Halbleitervorrich- tung 30 kann nun das optoelektronische Halbleiterbauelement 10 auf den Leiterrahmen 150, der mit der zugehörigen Einhäusung 155 (s. Figur 2) zusammengefügt ist, aufgebracht werden. So- dann wird die reflektierende Vergussmasse 157 eingebracht.
Beispielsweise kann die reflektierende Vergussmasse 157 durch ein Dispersionsverfahren aufgebracht werden. Dadurch, dass der Träger 120 einen Abstandshalter zu dem Halbleiterchip 15 dar- stellt, ist eine hohe Ortsgenauigkeit bei Einbringung der re- flektierenden Vergussmasse 157 nicht erforderlich. Als Folge können auch höhere Konzentrationen des reflektierenden Materi- als, beispielsweise TiO2, in der Vergussmasse verwendet werden. Als Ergebnis kann ein höheres Reflexionsvermögen und somit ei- ne verbesserte Effizienz erhalten werden.
Figur 4A fasst ein Verfahren gemäß Aus führungs formen zusammen.
Gemäß Aus führungs formen umfasst ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements das Ausbilden (S100) von optoelektronischen Halbleiterchips, das Aufrauen (S110) einer ersten Hauptoberfläche eines Trägers, und das An- ordnen (S120) der optoelektronischen Halbleiterchips über der aufgerauten ersten Hauptoberfläche eines Trägers, wobei eine zusammengesetzte Fläche der optoelektronischen Halbleiterchips größer als eine Fläche des Trägers ist und zwischen benachbar- ten optoelektronischen Halbleiterchips ein Bereich der aufge- rauten ersten Hauptoberfläche angeordnet ist. Dabei können das Aufrauen der ersten Hauptoberfläche des Trägers und das Aus- bilden der optoelektronischen Halbleiterchips unabhängig von- einander und in beliebiger Reihenfolge erfolgen. Beispielswei- se kann das Ausbilden der optoelektronischen Halbleiterchips (S100) das Ausbilden einer ersten Halbleiterschicht (S101) von einem ersten Leitfähigkeitstyp über einem Wachstumssubstrat und das Ausbilden (S102) einer zweiten Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp über der ersten Halbleiter- schicht umfassen.
Das Verfahren kann weiterhin das Aufbringen (S103) eines Zwi- schenträgers über der zweiten Halbleiterschicht und Ablösen (S104) des Wachstumssubstrats umfassen.
Fig. 4B fasst ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektro- nischen Halbleitervorrichtung zusammen. Gemäß Aus führungs for- men umfasst ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektroni- schen Halbleitervorrichtung das Ausbilden (S100) eines opto- elektronischen Halbleiterchips, das Anordnen (S120) des opto- elektronischen Halbleiterchips (15) über einer ersten Haupt- oberfläche eines Trägers und das Aufbringen (S130) des Trägers über einem Leiterrahmen. Dabei ist eine Fläche des optoelekt- ronischen Halbleiterchips kleiner als eine Fläche des Trägers, der Träger des optoelektronischen Halbleiterbauelements hat eine größere laterale Ausdehnung als der Leiterrahmen, und der Träger wird derart auf den Leiterrahmen aufgebracht, dass der Träger den Leiterrahmen vollständig bedeckt.
Die hier beschriebene optoelektronische Halbleitervorrichtung kann beispielsweise eine allgemeine Beleuchtungseinrichtung sein. Die hier beschriebene optoelektronische Halbleitervor- richtung kann auch als Pflanzenbeleuchtungseinrichtung verwen- det werden.
Obwohl hierin spezifische Aus führungs formen veranschaulicht und beschrieben worden sind, werden Fachleute erkennen, dass die gezeigten und beschriebenen spezifischen Aus führungs formen durch eine Vielzahl von alternativen und/oder äquivalenten Ausgestaltungen ersetzt werden können, ohne vom Schutzbereich der Erfindung abzuweichen. Die Anmeldung soll jegliche Anpas- sungen oder Variationen der hierin diskutierten spezifischen Aus führungsformen abdecken. Daher wird die Erfindung nur durch die Ansprüche und deren Äquivalente beschränkt.
BEZUGSZE ICHENLISTE
10 optoelektronisches Halbleiterbauelement
14 Werkstück
15 optoelektronischer Halbleiterchip
20 emittierte elektromagnetische Strahlung
30 optoelektronische Halbleitervorrichtung
100 zweite Halbleiterschicht
105 aktive Zone
110 erste Halbleiterschicht
111 erste Hauptoberfläche der ersten Halbleiterschicht
120 Träger
121 erste Hauptoberfläche des Trägers
122 hervorstehende Strukturen
123 zweite Hauptoberfläche des Trägers
124 dielektrische Spiegelschicht
125 Verbindungsmaterial
126 metallische Schicht
140 Wachstumssubstrat
141 Klebstoff
142 Zwischenträger
150 Leiterrahmen
151 Oberfläche des Leiterrahmens
155 Einhäusung
156 Montageoberfläche der Einhäusung
157 reflektierende Vergussmasse
158 Spalt

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (30), die eine Einhäusung (155), einen Leiterrahmen (150) und ein optoelekt- ronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst,
wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement (10), einen Träger (120) mit einer aufgerauten ersten Haupt- oberfläche (121) und mit einer Spiegelschicht (124) über einer zweiten Hauptoberfläche (123) des Trägers (120); und
einen optoelektronischen Halbleiterchip (15) umfasst, der über der aufgerauten ersten Hauptoberfläche (121) angeord- net ist,
wobei eine Fläche des optoelektronischen Halbleiter- chips (15) kleiner als eine aufgeraute Fläche des Trägers (120) ist, der Träger eine größere laterale Ausdehnung als der Leiterrahmen hat und diesen vollständig bedeckt, die Einhäu- sung (155) mit dem Leiterrahmen (150) zusammengefügt ist und der Leiterrahmen auf der Seite der zweiten Hauptoberfläche des Trägers (120) angeordnet ist.
2. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (30) nach An- spruch 1, bei dem ein weiterer Teil der aufgerauten ersten Hauptoberfläche (121) zwischen dem optoelektronischen Halb- leiterchip (15) und einem Rand des Trägers (120) angeordnet ist.
3. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (30) nach An- spruch 1 oder 2, bei dem der optoelektronische Halbleiterchip (15) eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leit- fähigkeitstyp und eine zweite Halbleiterschicht (100) von ei- nem zweiten Leitfähigkeitstyp umfassen, wobei die erste und die zweite Halbleiterschicht (110, 100) übereinander angeord- net sind. 4. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (30) nach An- spruch 3, bei dem die erste Halbleiterschicht (110) auf einer dem Träger (120) zugewandten Seite angeordnet ist und eine erste Hauptoberfläche (111) der ersten Halbleiterschicht (110) aufgeraut ist.
5. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (30) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Fläche des Trägers
(120) größer als das 1,5-fache der zusammengesetzten Fläche des optoelektronischen Halbleiterchips (15) ist.
6. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (30) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der optoelektronische Halbleiterchip (15) durch ein amorphes anorganisches Verbin- dungsmaterial (125) mit der aufgerauten ersten Hauptoberfläche
(121) des Trägers (120) verbunden sind.
7. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (30) nach einem der vorhergehenden Ansprüche bei der eine horizontale Oberflä- che (151) des Leiterrahmens (150), über welcher das optoelekt- ronische Halbleiterbauelement (10) aufgebracht ist, in verti- kaler Richtung gegenüber der Einhäusung (155) hervorsteht.
8. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (30) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend eine reflektie- rende Vergussmasse (157), die zwischen dem Träger (120) und der Einhäusung (155) eingebracht ist.
9. Optoelektronische Halbleitervorrichtung (30) nach An- spruch 8, bei der die reflektierende Vergussmasse (157) an den Träger (120) angrenzt.
10. Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung (30), umfassend: Ausbilden (S100) eines optoelektronischen Halbleiter- chips ( 15 ) ;
Aufrauen (S110) einer ersten Hauptoberfläche (121) ei- nes Trägers (120);
Ausbilden einer Spiegelschicht (124) über einer zweiten Hauptoberfläche (123) des Trägers (120);
Anordnen (S120) des optoelektronischen Halbleiterchips (15) über der aufgerauten ersten Hauptoberfläche des Trägers, wobei eine Fläche des optoelektronischen Halbleiter- chips (15) kleiner als eine Fläche des Trägers (120) ist, und
Aufbringen des Trägers über einem Leiterrahmen, so dass der Leiterrahmen auf der Seite der zweiten Hauptoberfläche des Trägers (120) angeordnet ist,
wobei der Träger eine größere laterale Ausdehnung als der Leiterrahmen hat und diesen vollständig bedeckt.
11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem das Ausbilden der optoelektronischen Halbleiterchips (S100) das Ausbilden (S101) einer ersten Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfä- higkeitstyp über einem Wachstumssubstrat (140) und das Ausbil- den (S102) einer zweiten Halbleiterschicht (100) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp über der ersten Halbleiterschicht (110) umfasst.
12. Verfahren nach Anspruch 11, ferner mit Aufbringen
(S103) eines Zwischenträgers (142) über der zweiten Halb- leiterschicht und Ablösen des Wachstumssubstrats (S104) .
13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem der Zwischenträger (142) derart auf die optoelektronischen Halbleiterchips (15) aufgebracht wird, dass die optoelektronischen Halbleiterchips (15) voneinander beabstandet sind. 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, bei dem die optoelektronischen Halbleiterchips über ein amorphes anor- ganisches Verbindungsmaterial (125) an der aufgerauten ersten Hauptoberfläche des Trägers befestigt werden.
15. Verfahren nach einer der Ansprüche 10 bis 14, bei dem der Leiterrahmen (150) mit einer Einhäusung (155) zusammenge- fügt ist und eine horizontale Oberfläche (151) des Leiterrah- mens (150), über welcher das optoelektronische Halbleiterbau- element (10) aufgebracht wird, in vertikaler Richtung gegen- über der Einhäusung (155) hervorsteht.
16. Verfahren nach Anspruch 15, ferner umfassend das Ein- bringen einer reflektierenden Vergussmasse (157) zwischen dem Träger (120) und der Einhäusung (155) .
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