WO2020144047A1 - Optoelektronisches halbleiterbauelement mit dielektrischen schichten und dessen herstellungsverfahren - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauelement mit dielektrischen schichten und dessen herstellungsverfahren Download PDF

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Laura KREINER
Martin Behringer
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • a light emitting diode is a light-emitting device that is based on semiconductor materials. LEDs are predominantly Lambertian emitters. That is, the emission pattern shows an intensity that depends on a cosine of an angle f, which is taken between a surface normal and the considered radiation direction.
  • Efforts are generally being made to improve the beam shaping of electromagnetic radiation emitted by optoelectronic semiconductor components.
  • the present invention has for its object to provide an improved optoelectronic semiconductor device and a method for producing the optoelectronic semiconductor device.
  • the object is achieved by the subject matter and the method of the independent claims.
  • An optoelectronic semiconductor component comprises a semiconductor body with a first main surface, a first dielectric layer over the first main surface, and a second dielectric layer on the side of the first dielectric layer facing away from the first main surface.
  • the second dielectric layer is structured into an ordered photonic structure.
  • the semiconductor body is suitable for emitting or receiving electromagnetic radiation via the first main surface.
  • the first main surface of the semiconductor body is roughened, and the first dielectric layer is suitable for flattening a roughening of the first main surface.
  • the ordered photonic structure has horizontally arranged structural elements. That is, the photonic structure is a horizontal photonic structure in accordance with embodiments.
  • the second dielectric layer has a larger refractive index than the first dielectric layer.
  • the second dielectric layer has a refractive index greater than 2.
  • the first dielectric layer contains silicon oxide.
  • the second dielectric layer can contain Nb 2 0s.
  • holes are structured in a first main surface of the second dielectric layer.
  • the holes can extend to an underside of the second dielectric layer.
  • an upper part of the second dielectric layer can be structured.
  • a depth to which the holes extend can be smaller than a layer thickness of the second dielectric layer.
  • the ordered photonic structure comprises a photonic crystal.
  • the ordered photonic structure can also comprise a photonic quasicrystal.
  • the ordered photonic structure can also include deterministic aperiodic structures.
  • a method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device includes forming a semiconductor body with a first main surface, roughening the first main surface, and forming a first dielectric layer over the first main surface.
  • a first main surface of the first dielectric layer facing away from the first main surface of the semiconductor body is formed planar.
  • the method further comprises forming a second dielectric layer on the side of the first dielectric layer facing away from the first main surface and structuring the second dielectric layer into an ordered photonic structure.
  • the semiconductor body is suitable for emitting or receiving electromagnetic radiation via the first main surface.
  • patterning the second dielectric layer may include forming holes in the dielectric layer.
  • the holes extend to a second main surface of the second dielectric layer.
  • the holes can also extend to a depth that is smaller than the layer thickness of the second dielectric layer.
  • An optoelectronic device comprises the optoelectronic semiconductor component described above.
  • the optoelectronic device can consist of a projector, a Headlights or other optical system selected.
  • FIG. 1A shows a cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor component in accordance with embodiments.
  • FIG. 1B shows a cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor component in accordance with further embodiments.
  • Figures IC and ID show top views of examples of optoelectronic semiconductor components.
  • FIGS. 2A to 2D show cross-sectional views of a workpiece when carrying out a method in accordance with embodiments.
  • FIG. 3A shows a perspective view of a workpiece in accordance with embodiments.
  • Figure 3B summarizes a method according to embodiments.
  • Figure 4 shows an optoelectronic device according to embodiments.
  • Wafer or “semiconductor substrate” used in the following description may include any semiconductor-based structure that has a semiconductor surface. Wafers and structures are to be understood to include doped and undoped semiconductors, epitaxial semiconductor layers, optionally supported by a base, and other semiconductor structures. For example, a layer made of a first semiconductor material rial on a growth substrate from a second semiconductor material or from an insulating material, for example on a sapphire substrate, grown. Other examples of materials for growth substrates include glass, silicon dioxide, quartz or a ceramic.
  • the semiconductor can be based on a direct or an indirect semiconductor material.
  • suitable semiconductor materials include, in particular, nitride semiconductor compounds, by means of which, for example, ultra violet, blue or longer-wave light can be generated, such as, for example, GaN, InGaN, A1N, AlGaN, AlGalnN, Al-GalnBN, phosphide semiconductor compounds , for example, green or long-wave light can be generated, such as GaAsP, AlGalnP, GaP, AlGaP, as well as other semiconductor materials such as GaAs, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, SiC, ZnSe, ZnO, Ga 2Ü3 , diamond, hexagonal BN and combinations of the materials mentioned.
  • the stoichiometric ratio of the compound semiconductor materials can vary.
  • Other examples of semiconductor materials can include silicon, silicon germanium and germanium. In the context of the present description, the term “
  • substrate generally encompasses insulating, conductive or semiconductor substrates.
  • lateral and horizontal are intended to describe an orientation or alignment that is essentially parallel to a first surface of a substrate or semiconductor body. This can be the surface of a wafer or a chip (die), for example.
  • the horizontal direction can lie, for example, in a plane perpendicular to a growth direction when layers are grown.
  • vertical is intended to describe an orientation which is essentially perpendicular to the first surface of a substrate or semiconductor body.
  • the vertical direction can, for example, correspond to a growth direction when layers are grown.
  • the term “ordered photonic structure” means a structure whose structure elements are arranged at predetermined locations.
  • the arrangement pattern of the structure elements is subject to a special order.
  • the functionality of the ordered photonic structure results from the arrangement of the structure elements.
  • the structural elements can be arranged, for example, in such a way that diffraction effects occur.
  • the structural elements can be arranged periodically so that a photonic crystal is realized.
  • the structural elements can also be arranged such that they have deterministic aperiodic structures, for example Represent bird spirals.
  • the structural elements can also be arranged in such a way that they implement a quasi-periodic crystal, for example an Archimedean lattice.
  • FIG. 1A shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor component 10 in accordance with embodiments.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 comprises a semiconductor body 109 with a first main surface 111.
  • a first dielectric layer 125 is arranged over the first main surface 111.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 furthermore comprises a second dielectric layer 130 on the side of the first dielectric layer 125 facing away from the first main surface 111.
  • the second dielectric layer 130 is structured into an ordered photonic structure.
  • the semiconductor body 109 is suitable for emitting or receiving electromagnetic radiation via the first main surface 111.
  • the first main surface 111 is roughened.
  • the first dielectric layer 125 is suitable for leveling the roughening of the first main surface 111.
  • a layer stack of a first dielectric layer 125 and a second dielectric layer 130 is arranged over the first main surface 111 of the semiconductor body 109.
  • the first dielectric layer 125 is designed such that it lines a roughening of the first main surface 111 of the semiconductor body 109 and finally forms a planar surface.
  • the term “roughening of the first main surface” relates to a surface texture of the entire first main surface.
  • the surface texture or roughening can have, for example, a profile depth of 0.1 to 5 gm. Distances between peaks or local maxima of the surface texture can also be in one area from 0.1 to 5 gm.
  • the roughening may be random and without periodicity. Due to the roughening 112, the coupling efficiency for generated electromagnetic radiation can be increased.
  • the second dielectric layer 130 is arranged over the first dielectric layer 125. According to embodiments, the second dielectric layer 130 directly adjoins the first dielectric layer 125. According to further embodiments, one or more additional dielectric layers can be arranged between the first dielectric layer 125 and the second dielectric layer 130. According to embodiments shown in FIG. 1A, the second dielectric layer 130 is structured into a photonic crystal.
  • the structural elements for forming the ordered photonic structure can comprise holes in the second, the dielectric layer. It is also possible for the structural elements to comprise protruding regions of the second, the dielectric layer.
  • the structural elements can each be identical. It is also possible for the structural elements to have a plurality of different structural elements. The structural elements can be arranged adjacent to one another in the horizontal direction and thus form a horizontal ordered photonic structure.
  • a plurality of identical holes can be formed in the second dielectric layer in order to form the ordered photonic structure.
  • the holes are formed and arranged in such a way that a two-dimensional photonic crystal is formed in the second dielectric layer 130.
  • a photonic crystal can usually only be coupled out such a radiation component that fulfills a Bragg condition.
  • the Bragg condition provides for example, a relationship between the wavelength of the radiation component, the direction of radiation of the radiation component and the lattice constant of the photonic crystal. Efficient coupling of radiation usually takes place only for those modes of radiation for which the Bragg condition for the lattice constant of the photonic crystal is fulfilled.
  • states are created by photonic crystals or other ordered photonic structures on the emission surface of the optoelectronic semiconductor component which predominantly decouple the light in the normal direction, i.e. favor perpendicular to the first main surface of the semiconductor body.
  • it is favorable to select a dielectric material that has a high refractive index.
  • the first main surface 111 of the semiconductor body 109 has a roughening 112, so that the coupling-out of electromagnetic radiation from the semiconductor body is improved by 109. Therefore, the dielectric material should on the one hand line the roughening but on the other hand be so smooth that structures in the 100 nm size range can be structured on the surface.
  • the refractive indices of the respective materials can be adapted to the requirements of the component.
  • a refractive index of the second dielectric layer 130 can be selected very large.
  • Nb 2 0s can be used as the material for the second dielectric layer 130.
  • the semiconductor body 109 can comprise, for example, a first semiconductor layer 110 of a first conductivity type, for example p-type, and a second semiconductor layer 120 of a second conductivity type, for example n-type.
  • the first and second semiconductor layers 110, 120 can contain GaN or a GaN-containing compound semiconductor material. In addition to GaN, other semiconductor materials can also be used.
  • An active zone 115 can be arranged between the first semiconductor layer 110 and the second semiconductor layer 120.
  • the active zone can have, for example, a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure (SQW, single quantum well) or a multiple quantum well structure (MQW, multi quantum well) for generating radiation.
  • Quantum well structure has no significance with regard to the dimensionality of the quantization. It therefore includes, among other things, quantum wells, quantum wires and quantum dots as well as any combination of these layers.
  • the first semiconductor layer 110 can be electrically controllable via a first contact element 133.
  • the second semiconductor layer 120 can be electrically controllable via a second contact element 135.
  • the second contact element 135 can be configured, for example, in such a way that it is insulated from the elements electrically connected to the first semiconductor layer 110 and to the first semiconductor layer 110.
  • FIG. 1A shows, for illustration, contacting of the semiconductor body 109 from one side of the first main surface 111.
  • the opto- Electronic semiconductor device 10 may include additional current spreading layers and other elements via which the respective semiconductor layers 110, 120 can be electrically connected.
  • the semiconductor body 109 can be arranged over a suitable substrate 100.
  • the substrate 100 can be constructed from a suitable insulating material, for example glass, ceramic, or a semiconductor material, for example silicon, silicon carbide.
  • the substrate 100 can also contain germanium, aluminum nitride (A1N) or aluminum oxide (A10, Al2O3) or combinations of these compounds.
  • a connection layer 102 may be arranged over the substrate 100.
  • the connection layer 102 can contain, for example, gold-tin, nickel-tin, gold-indium-tin, nickel-indium-tin, gold-gold, similar metallic soldering systems and non-conductive connection materials.
  • connection layer 102 serves for the mechanical connection of the substrate 100 with further components of the optoelectronic semiconductor component. Furthermore, an electrical connection can also be produced by the connection layer 102.
  • a metallic mirror layer 104 can be arranged over the connection layer 102.
  • the metallic mirror layer 104 can, for example, reflect electromagnetic radiation in the direction of the first main surface 111 of the semiconductor body.
  • the metallic mirror layer 104 can contain a metallic material with a good reflectivity, for example silver.
  • a dielectric mirror layer 106 can be arranged over the metallic mirror layer 104.
  • the term “dielectric mirror layer” encompasses any arrangement which reflects incident electromagnetic radiation to a large degree (for example> 90%) and is not conductive.
  • the dielectric mirror layer can be formed by a sequence of very thin dielectric layers with each The layers can, for example, alternately have a high refractive index (n> 1.7) and a low refractive index (n ⁇ 1.7) and can be designed as a Bragg reflector.
  • the layer thickness can be 1/4 , where l indicates the wavelength of the light to be reflected in the respective medium
  • the layer seen from the incident light can have a greater layer thickness, for example 3l / 4. Due to the small layer thickness and the difference in the respective refractive indices, the dielectric mirror layer adjusts high reflectivity ready and not at the same time t leading.
  • the dielectric mirror layer is thus suitable for isolating components of the semiconductor component from one another.
  • a dielectric mirror layer can have, for example, 2 to 50 dielectric layers.
  • a typical layer thickness of the individual layers can be approximately 30 to 90 nm, for example approximately 50 nm.
  • the layer stack can furthermore contain one or two or more layers which are thicker than approximately 180 nm, for example thicker than 200 nm.
  • contact holes can be formed in the dielectric mirror layer 106 in order, if necessary, to make electrical contacting of the second semiconductor layer 120 with an associated contact element.
  • the second semiconductor layer 120 is arranged above the dielectric mirror layer 106.
  • the second dielectric layer 130 is structured such that the holes 131 formed therein extend up to a second main surface 132 of the second dielectric layer.
  • the holes 131 extend to a depth corresponding to the layer thickness of the second dielectric layer 130.
  • the second dielectric layer can have a layer thickness of more than 500 nm.
  • FIG. 1B shows a cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor component in accordance with further embodiments.
  • the second dielectric layer 130 is structured here in such a way that the holes 131 do not extend to the second main surface 132 of the second dielectric layer. Accordingly, part of the second dielectric layer 130 remains as a continuous layer, and only an upper part of the second dielectric layer 130 is structured to form a photonic crystal.
  • FIG. IC shows a plan view of an example of an optoelectronic semiconductor component in accordance with embodiments.
  • a plurality of holes 131 are formed in the second dielectric layer 130.
  • the holes 131 are arranged according to a regular pattern.
  • the first contact element 133 and possibly the second contact element 135 can each be formed in an edge region of the optoelectronic semiconductor component 10.
  • FIG. ID shows a plan view of the optoelectronic semiconductor component 10 according to further embodiments.
  • FIG. ID shows approximately the same components as in FIG. IC. Deviating here is the first contact element 133 a corner of the optoelectronic semiconductor device 10 arranged. Furthermore, according to this embodiment, for example, a second contact element 135 for contacting the second semiconductor layer 120 is arranged on the back of the optoelectronic semiconductor component.
  • FIG. 2A shows a workpiece 16 in the production of the optoelectronic semiconductor component in accordance with embodiments.
  • a semiconductor body 109 is formed.
  • the semiconductor body 109 can comprise a first semiconductor layer 110 of a first conductivity type, a second semiconductor layer 120 of a second conductivity type and an active zone 115.
  • the semiconductor body 109 can be epitaxially grown on a suitable growth substrate (not shown) and then processed further, so that the layer sequence shown in FIG. 2A finally results.
  • a connection layer 102 for example followed by a metallic mirror layer 104 and a dielectric mirror layer 106, is applied over a suitable substrate 100.
  • the semiconductor body 109 is applied to this layer stack in such a way that the first main surface 111 of the semiconductor body 109 is exposed.
  • the first main surface 111 of the semiconductor body 109 is then roughened. This can be done, for example, by suitable etching processes or by mechanical roughening processes.
  • the first main surface 111 can be wet-chemically etched. If necessary, pre-structuring with a suitable mask can be carried out beforehand. be performed.
  • the first main surface 111 can also be dry-etched in a reactive plasma, for example using a photomask.
  • the workpiece 16 shown in FIG. 2B is obtained.
  • the first main surface 111 of the semiconductor body 109 is roughened.
  • the structures of the roughening 112 can each have a different size and a randomly selected location.
  • a first dielectric layer 125 is subsequently formed over the first main surface 111.
  • the first dielectric layer 125 may contain silicon oxide.
  • the first dielectric layer 125 can be leveled, for example, by a polishing process, for example a CMP (chemical mechanical polishing) process, for example to the height of the tips of the roughening 112.
  • a polishing process for example a CMP (chemical mechanical polishing) process, for example to the height of the tips of the roughening 112.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the second dielectric layer 130 can be applied.
  • the second dielectric layer 130 may, for example, contain niobium oxide or consist of niobium oxide.
  • the second dielectric layer 130 is subsequently structured into an ordered photonic structure.
  • holes 131 can be made in the first main surface 129 of the second die surface. dielectric layer 130 are etched.
  • the holes have, for example, a grid width d of 200 to 500 nm.
  • the grid width is composed of a horizontal expansion of the holes and a distance between adjacent holes.
  • the area coverage of the holes is approximately 50% with respect to the horizontal extent of the second dielectric layer 130.
  • the holes 131 may each extend to a depth t, the depth t being, for example can correspond to the layer thickness s of the dielectric layer 130. According to further embodiments, however, the depth t of the holes 131 can also be smaller than the layer thickness s of the second dielectric layer 130.
  • the etching process can be carried out more simply. Furthermore, a complete encapsulation of the semiconductor material is ensured.
  • structuring can be carried out using an EUV ("Extreme Ultra violet") lithography method.
  • a nano-imprint lithography method can also be used for structuring a photoresist material.
  • the second dielectric layer 130 can be etched using the patterned photomaske. For example, a plasma etching process can be used to etch the second dielectric layer 130.
  • the ordered photonic structure is formed in the second dielectric layer 130, which may contain niobium oxide or another material with a high refractive index, for example, a better coupling of the electromagnetic radiation and an improved formation of modes can be brought about.
  • the roughening 112 can be leveled by the presence of the first dielectric layer. Because the roughening 112 at the interface between the first semiconductor layer 110 and first ter dielectric layer 125, the coupling-out efficiency from the semiconductor body 109 can be increased.
  • FIG. 3B summarizes a method according to embodiments.
  • a method for producing an optoelectronic semiconductor component comprises forming (S100) a semiconductor body with a first main surface, roughening (S110) the first main surface and forming (S120) a surface above the first main surface, one of which the first main surface of the semiconductor body facing away from the first main surface of the first, the dielectric layer is planar.
  • the method further comprises forming (S130) on a second the dielectric layer on the side of the first dielectric layer facing away from the first main surface, and structuring (S140) the second dielectric layer into an ordered photonic structure.
  • the semiconductor body is suitable for emitting or receiving electromagnetic radiation via the first main surface.
  • FIG. 4 shows a schematic view of an optoelectronic device 20 according to embodiments.
  • the optoelectronic device 20 comprises the optoelectronic semiconductor component 10 described here.
  • the optoelectronic device can be a projector, a headlight or another optical system.

Abstract

Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst einen Halbleiterkörper (109) mit einer ersten Hauptoberfläche (111), eine erste dielektrische Schicht (125) über der ersten Hauptoberfläche (111), und eine zweite dielektrische Schicht (130) auf der von der ersten Hauptoberfläche (111) abgewandten Seite der ersten dielektrischen Schicht (125). Die zweite dielektrische Schicht (130) ist zu einer geordneten photonischen Struktur strukturiert. Der Halbleiterkörper (109) ist geeignet, elektromagnetische Strahlung (20) über die erste Hauptoberfläche (111) zu emittieren oder aufzunehmen. Die erste Hauptoberfläche (111) ist aufgeraut, und die erste dielektrische Schicht (125) ist geeignet, eine Aufrauung(112) der ersten Hauptoberfläche (111) einzuebnen.

Description

OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT DIELEKTRISCHEN SCHICHTEN UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN
BESCHRE IBUNG
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2019 100 624.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Eine Leuchtdiode (LED) ist eine lichtemittierende Vorrichtung, die auf Halbleitermaterialien basiert. Leuchtdioden sind über wiegend Lambertsche Emitter. Das heißt, das Emissionsmuster zeigt eine Intensität, die von einem Kosinus eines Winkels f abhängt, der zwischen einer Oberflächennormalen und der be trachteten Abstrahlrichtung eingenommen wird.
Generell werden Anstrengungen unternommen, um die Strahlfor mung von von optoelektronischen Halbleiterbauelementen emit tierter elektromagnetischer Strahlung zu verbessern.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes optoelektronisches Halbleiterbauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiter bauelements zur Verfügung zu stellen.
Gemäß Ausführungsformen wird die Aufgabe durch den Gegenstand und das Verfahren der unabhängigen Patentansprüche gelöst.
Zusammenfassung
Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterkörper mit einer ersten Hauptoberfläche, eine erste dielektrische Schicht über der ersten Hauptoberfläche, und ei ne zweite dielektrische Schicht auf der von der ersten Haupt oberfläche abgewandten Seite der ersten dielektrischen Schicht. Die zweite dielektrische Schicht ist zu einer geord neten photonischen Struktur strukturiert. Der Halbleiterkörper ist geeignet, elektromagnetische Strahlung über die erste Hauptoberfläche zu emittieren oder aufzunehmen. Die erste Hauptoberfläche des Halbleiterkörpers ist aufgeraut, und die erste dielektrische Schicht ist geeignet, eine Aufrauung der ersten Hauptoberfläche einzuebnen.
Gemäß Ausführungsformen weist die geordnete photonische Struk tur horizontal angeordnete Strukturelemente auf. Das heißt, die photonische Struktur ist gemäß Ausführungsformen eine ho rizontale photonische Struktur.
Beispielsweise hat die zweite dielektrische Schicht einen grö ßeren Brechungsindex als die erste dielektrische Schicht. Bei spielsweise hat die zweite dielektrische Schicht einen Bre chungsindex größer als 2.
Beispielsweise enthält die erste dielektrische Schicht Silizi umoxid. Die zweite dielektrische Schicht kann Nb20s enthalten.
Gemäß Ausführungsformen sind in einer ersten Hauptoberfläche der zweiten dielektrischen Schicht Löcher strukturiert. Die Löcher können sich bis zu einer Unterseite der zweiten die lektrischen Schicht erstrecken. Gemäß weiteren Ausführungsfor men kann ein oberer Teil der zweiten dielektrischen Schicht strukturiert sein. Weiterhin kann eine Tiefe, bis zu der sich die Löcher erstrecken, kleiner als eine Schichtdicke der zwei ten dielektrischen Schicht sein. Gemäß Ausführungsformen umfasst die geordnete photonische Struktur einen photonischen Kristall. Gemäß weiteren Ausfüh rungsformen kann die geordnete photonische Struktur auch einen photonischen Quasikristall umfassen. Weiterhin kann die geord nete photonische Struktur auch deterministische aperiodische Strukturen umfassen.
Ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halb leiterbauelements umfasst das Ausbilden eines Halbleiterkör pers mit einer ersten Hauptoberfläche, das Aufrauen der ersten Hauptoberfläche, und das Ausbilden einer ersten dielektrischen Schicht über der ersten Hauptoberfläche. Dabei wird eine von der ersten Hauptoberfläche des Halbleiterkörpers abgewandte erste Hauptoberfläche der ersten dielektrischen Schicht planar ausgebildet. Das Verfahren umfasst weiterhin das Ausbilden ei ner zweiten dielektrischen Schicht auf der von der ersten Hauptoberfläche abgewandten Seite der ersten dielektrischen Schicht und das Strukturieren der zweiten dielektrischen Schicht zu einer geordneten photonischen Struktur. Der Halb leiterkörper ist geeignet, elektromagnetische Strahlung über die erste Hauptoberfläche zu emittieren oder aufzunehmen.
Gemäß Ausführungsformen kann das Strukturieren der zweiten dielektrischen Schicht das Ausbilden von Löchern in der die lektrischen Schicht umfassen. Beispielsweise erstrecken sich die Löcher bis zu einer zweiten Hauptoberfläche der zweiten dielektrischen Schicht. Gemäß weiteren Ausführungsformen kön nen die Löcher sich auch bis zu einer Tiefe erstrecken, die kleiner als die Schichtdicke der zweiten dielektrischen Schicht ist.
Eine optoelektronische Vorrichtung umfasst das vorstehend be schriebene optoelektronische Halbleiterbauelement. Die opto elektronische Vorrichtung kann aus einem Projektor, einem Scheinwerfer oder einem anderen optischen System ausgewählt sein .
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Die begleitenden Zeichnungen dienen dem Verständnis von Aus führungsbeispielen der Erfindung. Die Zeichnungen veranschau lichen Ausführungsbeispiele und dienen zusammen mit der Be schreibung deren Erläuterung. Weitere Ausführungsbeispiele und zahlreiche der beabsichtigten Vorteile ergeben sich unmittel bar aus der nachfolgenden Detailbeschreibung. Die in den Zeichnungen gezeigten Elemente und Strukturen sind nicht not wendigerweise maßstabsgetreu zueinander dargestellt. Gleiche Bezugszeichen verweisen auf gleiche oder einander entsprechen de Elemente und Strukturen.
Figur 1A zeigt eine Querschnittsansicht eines optoelektroni schen Halbleiterbauelements gemäß Aus führungs formen .
Figur 1B zeigt eine Querschnittsansicht eines optoelektroni schen Halbleiterbauelements gemäß weiteren Aus führungs formen .
Figuren IC und ID zeigen Draufsichten auf Beispiele von opto elektronischen Halbleiterbauelementen .
Figuren 2A bis 2D zeigen Querschnittsansichten eines Werk stücks bei Durchführung eines Verfahrens gemäß Ausführungsfor men .
Figur 3A zeigt eine perspektivische Ansicht eines Werkstücks gemäß Aus führungs formen .
Figur 3B fasst ein Verfahren gemäß Aus führungs formen zusammen. Figur 4 zeigt eine optoelektronische Vorrichtung gemäß Ausfüh rungsformen .
Detailbeschreibung
In der folgenden Detailbeschreibung wird auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil der Offenbarung bilden und in denen zu Veranschaulichungszwecken spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind. In diesem Zusammenhang wird eine Richtungsterminologie wie "Oberseite", "Boden", "Vorder seite", "Rückseite", "über", "auf", "vor", "hinter", "vorne", "hinten" usw. auf die Ausrichtung der gerade beschriebenen Fi guren bezogen. Da die Komponenten der Ausführungsbeispiele in unterschiedlichen Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie nur der Erläuterung und ist in keiner Weise einschränkend.
Die Beschreibung der Ausführungsbeispiele ist nicht einschrän kend, da auch andere Ausführungsbeispiele existieren und strukturelle oder logische Änderungen gemacht werden können, ohne dass dabei vom durch die Patentansprüche definierten Be reich abgewichen wird. Insbesondere können Elemente von im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen mit Elementen von anderen der beschriebenen Ausführungsbeispiele kombiniert werden, sofern sich aus dem Kontext nichts anderes ergibt.
Die Begriffe "Wafer" oder "Halbleitersubstrat", die in der folgenden Beschreibung verwendet sind, können jegliche auf Halbleiter beruhende Struktur umfassen, die eine Halb leiteroberfläche hat. Wafer und Struktur sind so zu verstehen, dass sie dotierte und undotierte Halbleiter, epitaktische Halbleiterschichten, gegebenenfalls getragen durch eine Basis unterlage, und weitere Halbleiterstrukturen einschließen. Bei spielsweise kann eine Schicht aus einem ersten Halbleitermate- rial auf einem Wachstumssubstrat aus einem zweiten Halbleiter material oder aus einem isolierenden Material, beispielsweise auf einem Saphirsubstrat, gewachsen sein. Weitere Beispiele für Materialien von Wachstumssubstraten umfassen Glas, Silizi umdioxid, Quarz oder eine Keramik.
Je nach Verwendungszweck kann der Halbleiter auf einem direk ten oder einem indirekten Halbleitermaterial basieren. Bei spiele für zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung beson ders geeignete Halbleitermaterialien umfassen insbesondere Nitrid-Halbleiterverbindungen, durch die beispielsweise ultra violettes, blaues oder langwelligeres Licht erzeugt werden kann, wie beispielsweise GaN, InGaN, A1N, AlGaN, AlGalnN, Al- GalnBN, Phosphid-Halbleiterverbindungen, durch die beispiels weise grünes oder langwelligeres Licht erzeugt werden kann, wie beispielsweise GaAsP, AlGalnP, GaP, AlGaP, sowie weitere Halbleitermaterialien wie GaAs, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, SiC, ZnSe, ZnO, Ga2Ü3, Diamant, hexagonales BN und Kombinationen der genannten Materialien. Das stöchiometrische Verhältnis der Verbindungshalbleitermaterialien kann variieren. Weitere Bei spiele für Halbleitermaterialien können Silizium, Silizium- Germanium und Germanium umfassen. Im Kontext der vorliegenden Beschreibung schließt der Begriff „Halbleiter" auch organische Halbleitermaterialien ein.
Der Begriff „Substrat" umfasst generell isolierende, leitende oder Halbleitersubstrate.
Die Begriffe "lateral" und "horizontal", wie in dieser Be schreibung verwendet, sollen eine Orientierung oder Ausrich tung beschreiben, die im Wesentlichen parallel zu einer ersten Oberfläche eines Substrats oder Halbleiterkörpers verläuft. Dies kann beispielsweise die Oberfläche eines Wafers oder ei nes Chips (Die) sein. Die horizontale Richtung kann beispielsweise in einer Ebene senkrecht zu einer Wachstumsrichtung beim Aufwachsen von Schichten liegen.
Der Begriff "vertikal", wie er in dieser Beschreibung verwen det wird, soll eine Orientierung beschreiben, die im Wesentli chen senkrecht zu der ersten Oberfläche eines Substrats oder Halbleiterkörpers verläuft. Die vertikale Richtung kann bei spielsweise einer Wachstumsrichtung beim Aufwachsen von Schichten entsprechen.
Soweit hier die Begriffe "haben", "enthalten", "umfassen", "aufweisen" und dergleichen verwendet werden, handelt es sich um offene Begriffe, die auf das Vorhandensein der besagten Elemente oder Merkmale hinweisen, das Vorhandensein von weite ren Elementen oder Merkmalen aber nicht ausschließen. Die un bestimmten Artikel und die bestimmten Artikel umfassen sowohl den Plural als auch den Singular, sofern sich aus dem Zusam menhang nicht eindeutig etwas anderes ergibt.
Im Rahmen der vorliegende Offenbarung bedeutet der Begriff „geordnete photonische Struktur" eine Struktur, deren Struktu relemente an vorbestimmten Stellen angeordnet sind. Das Anord nungsmuster der Strukturelemente unterliegt einer speziellen Ordnung. Die Funktionalität der geordneten photonischen Struk tur ergibt sich über die Anordnung der Strukturelemente. Die Strukturelemente sind beispielsweise derart angeordnet, dass Beugungseffekte auftreten. Die Strukturelemente können bei spielsweise periodisch angeordnet sein, so dass ein photoni- scher Kristall verwirklicht wird. Gemäß weiteren Ausführungs formen können die Strukturelemente auch derart angeordnet sein, dass sie deterministische aperiodische Strukturen, bei spielsweise Vogel-Spiralen darstellen. Gemäß weiteren Ausfüh- rungsformen können die Strukturelemente auch derart angeordnet sein, dass sie einen quasiperiodischen Kristall, beispielswei se ein Archimedisches Gitter verwirklichen.
Figur 1A zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Halbleiterbauelements 10 gemäß Ausführungs formen. Das optoelektronische Halbleiterbauelement 10 umfasst einen Halbleiterkörper 109 mit einer ersten Hauptoberfläche 111. Eine erste dielektrische Schicht 125 ist über der ersten Hauptoberfläche 111 angeordnet. Das optoelektronische Halblei terbauelement 10 umfasst weiterhin eine zweite dielektrische Schicht 130 auf der von der ersten Hauptoberfläche 111 abge wandten Seite der ersten dielektrischen Schicht 125. Die zwei te dielektrische Schicht 130 ist zu einer geordneten photoni- schen Struktur strukturiert. Der Halbleiterkörper 109 ist ge eignet, elektromagnetische Strahlung über die erste Hauptober fläche 111 zu emittieren oder aufzunehmen. Die erste Haupt oberfläche 111 ist aufgeraut. Die erste dielektrische Schicht 125 ist geeignet, die Aufrauung der ersten Hauptoberfläche 111 einzuebnen .
Über der ersten Hauptoberfläche 111 des Halbleiterkörpers 109 ist ein Schichtstapel aus einer ersten dielektrischen Schicht 125 und einer zweiten dielektrischen Schicht 130 angeordnet. Die erste dielektrische Schicht 125 ist derart ausgestaltet, dass sie eine Aufrauung der ersten Hauptoberfläche 111 des Halbleiterkörpers 109 auskleidet und schließlich eine planare Oberfläche ausbildet. Der Begriff „Aufrauung der ersten Haupt oberfläche" betrifft eine Oberflächentextur der gesamten ers ten Hauptoberfläche. Die Oberflächentextur oder Aufrauung kann beispielsweise eine Profiltiefe von 0,1 bis 5 gm haben. Ab stände zwischen Peaks oder lokalen Maxima der Oberflächentex tur können ebenfalls in einem Bereich von 0,1 bis 5 gm liegen. Beispielsweise kann die Aufrauung zufällig und ohne Periodizi tät ausgebildet sein. Aufgrund der Aufrauung 112 kann die Aus koppeleffizienz für erzeugte elektromagnetische Strahlung er höht werden. Die zweite dielektrische Schicht 130 ist über der ersten dielektrischen Schicht 125 angeordnet. Gemäß Ausfüh rungsformen grenzt die zweite dielektrische Schicht 130 direkt an die erste dielektrische Schicht 125 an. Gemäß weiteren Aus führungsformen können eine oder mehrere zusätzliche dielektri sche Schichten zwischen der ersten dieelektrischen Schicht 125 und der zweiten dieelektrischen Schicht 130 angeordnet sein. Gemäß Ausführungsformen, die in Figur 1A gezeigt sind, ist die zweite dielektrische Schicht 130 zu einem photonischen Kris tall strukturiert.
Beispielsweise können die Strukturelemente zur Ausbildung der geordneten photonischen Struktur Löcher in der zweiten die lektrischen Schicht umfassen. Es ist auch möglich, dass die Strukturelemente hervorstehende Bereiche der zweiten die lektrischen Schicht umfassen. Die Strukturelemente können je weils identisch sein. Es ist auch möglich, dass die Struktu relemente mehrere voneinander verschiedene Strukturelemente aufweisen. Die Strukturelemente können in horizontaler Rich tung benachbart zueinander angeordnet sein und somit eine ho rizontale geordnete photonische Struktur ausbilden.
Gemäß Ausführungsformen kann zur Ausbildung der geordneten photonischen Struktur eine Vielzahl von identischen Löchern in der zweiten dielektrischen Schicht ausgebildet sein. Gemäß den in Fig. 1A dargestellten Ausführungsformen sind die Löcher derart ausgebildet und angeordnet, dass ein zwei-dimensionaler photonischer Kristall in der zweiten dielektrischen Schicht 130 ausgebildet ist. Über einen photonischen Kristall ist üb licherweise nur ein solcher Strahlungsanteil auskoppelbar, der eine Bragg-Bedingung erfüllt. Die Bragg-Bedingung stellt bei- spielsweise einen Zusammenhang zwischen der Wellenlänge des Strahlungsanteils, der Abstrahlrichtung des Strahlungsanteils und der Gitterkonstanten des photonischen Kristalls her. Eine effiziente Auskopplung einer Strahlung erfolgt üblicherweise nur für solche Moden der Strahlung, für die die Bragg- Bedingung für die Gitterkonstante des photonischen Kristalls erfüllt ist.
Beispielsweise werden durch photonische Kristalle oder andere geordnete photonische Strukturen an der Emissionsoberfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements Zustände geschaf fen, die die Lichtauskopplung vorwiegend in Normalenrichtung, d.h. senkrecht zur ersten Hauptoberfläche des Halbleiterkör pers begünstigen. Dafür ist es günstig, ein dielektrisches Ma terial auszuwählen, das einen hohen Brechungsindex aufweist. Gleichzeitig weist die erste Hauptoberfläche 111 des Halb leiterkörpers 109 eine Aufrauung 112 auf, so dass die Auskopp lung von elektromagnetischer Strahlung aus dem Halbleiterkör per 109 verbessert ist. Daher sollte das dielektrische Materi al einerseits die Aufrauung auskleiden andererseits aber so glatt sein, dass Strukturen im 100 nm Größenbereich auf der Oberfläche einstrukturiert werden können.
Durch die Verwendung eines Zwei-Schichtsystems mit einer ers ten und einer zweiten dielektrischen Schicht ist es nun mög lich, Materialien für die dielektrischen Schichten auszuwäh len, die diese Anforderungen erfüllen. Das Material der ersten dielektrischen Schicht ist ausgewählt, um die Aufrauung an der Oberfläche des Halbleiterkörpers 109 auszugleichen. Zusätzlich ist es auch möglich, Strukturen im 100 nm-Bereich in der Ober fläche der zweiten dielektrischen Schicht zu erzeugen. Bei Verwendung eines Zwei-Schichtsystems können die Brechungsindi zes der jeweiligen Materialien an die Anforderungen des Bau elements angepasst werden. Beispielsweise kann ein Brechungs- index der zweiten dielektrischen Schicht 130 sehr groß ausge wählt werden. Beispielsweise kann Nb20s als Material für die zweite dielektrische Schicht 130 verwendet werden.
Der Halbleiterkörper 109 kann beispielsweise eine erste Halb leiterschicht 110 von einem ersten Leitfähigkeitstyp, bei spielweise p-Typ, sowie eine zweite Halbleiterschicht 120 von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, beispielsweise n-Typ, umfas sen. Beispielsweise können die erste und die zweite Halb leiterschicht 110, 120 GaN oder ein GaN-haltiges Verbindungs halbleitermaterial enthalten. Außer GaN können auch andere Halbleitermaterialien verwendet werden. Eine aktive Zone 115 kann zwischen der ersten Halbleiterschicht 110 und der zweiten Halbleiterschicht 120 angeordnet sein.
Die aktive Zone kann beispielsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopf-Struktur (SQW, single quantum well) oder eine Mehrfach-Quantentopf-Struktur (MQW, multi quantum well) zur Strahlungserzeugung aufweisen. Die Bezeichnung „Quantentopf-Struktur" entfaltet hierbei keine Bedeutung hinsichtlich der Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte sowie jede Kombination dieser Schichten.
Die erste Halbleiterschicht 110 kann über ein erstes Kontakte lement 133 elektrisch ansteuerbar sein. Weiterhin kann die zweite Halbleiterschicht 120 über ein zweites Kontaktelement 135 elektrisch ansteuerbar sein. Das zweite Kontaktelement 135 kann beispielsweise so ausgestaltet sein, dass es gegenüber der ersten Halbleiterschicht 110 und mit der ersten Halb leiterschicht 110 elektrisch verbundenen Elementen isoliert ist. Figur 1A zeigt zur Veranschaulichung eine Kontaktierung des Halbleiterkörpers 109 von einer Seite der ersten Haupt oberfläche 111. Es ist aber selbstverständlich, dass das opto- elektronische Halbleiterbauelement 10 zusätzliche Stromaufwei tungsschichten und andere Elemente umfassen kann, über die die jeweiligen Halbleiterschichten 110, 120 jeweils elektrisch verbunden werden können. Beim Anlegen einer elektrischen Span nung zwischen dem ersten Kontaktelement 133 und dem zweiten Kontaktelement 135 kann eine Emission elektromagnetischer Strahlung in der aktiven Zone 115 bewirkt werden.
Der Halbleiterkörper 109 kann über einem geeigneten Substrat 100 angeordnet sein. Beispielsweise kann das Substrat 100 aus einem geeigneten isolierenden Material, beispielsweise Glas, Keramik, oder einem Halbleitermaterial, beispielsweise Silizi um, Siliziumcarbid, aufgebaut sein. Gemäß weiteren Ausfüh rungsformen kann das Substrat 100 auch Germanium, Aluminium nitrid (A1N) oder Aluminiumoxid (A10, AI2O3) oder Kombinationen dieser Verbindungen enthalten. Weiterhin kann eine Verbin dungsschicht 102 über dem Substrat 100 angeordnet sein. Die Verbindungsschicht 102 kann beispielsweise Gold-Zinn, Nickel- Zinn, Gold-Indium-Zinn, Nickel-Indium-Zinn, Gold-Gold, ähnli che metallische Lotsysteme und nichtleitende Verbindungsmate rialien enthalten. Die Verbindungsschicht 102 dient zum mecha nischen Verbinden des Substrats 100 mit weiteren Komponenten des optoelektronischen Halbleiterbauelements. Weiterhin kann durch die Verbindungsschicht 102 auch eine elektrische Verbin dung hergestellt werden. Über der Verbindungsschicht 102 kann eine metallische Spiegelschicht 104 angeordnet sein. Die me tallische Spiegelschicht 104 kann beispielsweise elektromagne tische Strahlung in Richtung der ersten Hauptoberfläche 111 des Halbleiterkörpers reflektieren. Die metallische Spiegel schicht 104 kann ein metallisches Material mit einem guten Re flexionsvermögen, beispielsweise Silber enthalten. Über der metallischen Spiegelschicht 104 kann eine dielektrische Spie gelschicht 106 angeordnet sein. Generell umfasst der Begriff „dielektrische Spiegel schicht" jegliche Anordnung, die einfallende elektromagneti sche Strahlung zu einem großen Grad (beispielsweise >90%) re flektiert und nicht leitend ist. Beispielsweise kann eine die lektrische Spiegelschicht durch eine Abfolge von sehr dünnen dielektrische Schichten mit jeweils unterschiedlichen Bre chungsindizes ausgebildet werden. Beispielsweise können die Schichten abwechselnd einen hohen Brechungsindex (n>l,7) und einen niedrigen Brechungsindex (n<l,7) haben und als Bragg- Reflektor ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Schichtdi cke l/4 betragen, wobei l die Wellenlänge des zu reflektieren den Lichts in dem jeweiligen Medium angibt. Die vom einfallen den Licht her gesehene Schicht kann eine größere Schichtdicke, beispielsweise 3l/4 haben. Aufgrund der geringen Schichtdicke und des Unterschieds der jeweiligen Brechungsindizes stellt die dielektrische Spiegelschicht ein hohes Reflexionsvermögen bereit und ist gleichzeitig nicht leitend. Die dielektrische Spiegelschicht ist somit geeignet, Komponenten des Halbleiter bauelements voneinander zu isolieren. Eine dielektrische Spie gelschicht kann beispielsweise 2 bis 50 dielektrische Schich ten aufweisen. Eine typische Schichtdicke der einzelnen Schichten kann etwa 30 bis 90 nm, beispielsweise etwa 50 nm betragen. Der Schichtstapel kann weiterhin eine oder zwei oder mehrere Schichten enthalten, die dicker als etwa 180 nm, bei spielsweise dicker als 200 nm sind.
Gemäß Ausführungsformen können Kontaktlöcher (nicht gezeigt) in der dielektrischen Spiegelschicht 106 ausgebildet sein, um gegebenenfalls eine elektrische Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 120 mit einem zugehörigen Kontaktelement zu ermöglichen. Über der dielektrischen Spiegelschicht 106 ist die zweite Halbleiterschicht 120 angeordnet. Wie in Figur 1A dargestellt ist, ist die zweite dielektrische Schicht 130 derart strukturiert, dass sich die in ihr ausge bildeten Löcher 131 bis zu einer zweiten Hauptoberfläche 132 der zweiten dielektrischen Schicht erstrecken. Entsprechend erstrecken sich die Löcher 131 bis zu einer Tiefe die der Schichtdicke der zweiten dielektrischen Schicht 130 ent spricht. Beispielsweise kann die zweite dielektrische Schicht eine Schichtdicke von mehr als 500 nm aufweisen.
Figur 1B zeigt eine Querschnittsansicht eines optoelektroni schen Halbleiterbauelements gemäß weiteren Ausführungsformen . In Figur 1B sind im Wesentlichen dieselben Komponenten wie in Figur 1A veranschaulicht. Abweichend von Figur 1A ist jedoch hier die zweite dielektrische Schicht 130 derart strukturiert, dass sich die Löcher 131 nicht bis zur zweiten Hauptoberfläche 132 der zweiten dielektrischen Schicht erstrecken. Entspre chend bleibt ein Teil der zweiten dielektrischen Schicht 130 als durchgängige Schicht bestehen, und nur ein oberer Teil der zweiten dielektrischen Schicht 130 ist zu einem photonischen Kristall strukturiert.
Figur IC zeigt eine Draufsicht auf ein Beispiels eines opto elektronischen Halbleiterbauelements gemäß Ausführungsformen . Eine Vielzahl von Löchern 131 ist in der zweiten dielektri schen Schicht 130 ausgebildet. Die Löcher 131 sind einem re gelmäßigen Muster entsprechend angeordnet. Beispielsweise kann das erste Kontaktelement 133 und gegebenenfalls das zweite Kontaktelement 135 jeweils in einem Randbereich des optoelekt ronischen Halbleiterbauelements 10 ausgebildet sein.
Figur ID zeigt eine Draufsicht auf das optoelektronische Halb leiterbauelement 10 gemäß weiteren Ausführungsformen . In Figur ID sind ungefähr dieselben Komponenten wie in Figur IC darge stellt. Abweichend ist hier das erste Kontaktelement 133 an eine Ecke des optoelektronischen Halbleiterbauelements 10 an geordnet. Weiterhin ist gemäß dieser Ausführungsform bei spielsweise ein zweites Kontaktelement 135 zum Kontaktieren der zweiten Halbleiterschicht 120 auf der Rückseite des opto elektronischen Halbleiterbauelements angeordnet.
Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die Figuren 2A bis 2D ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halb leiterbauelements gemäß Ausführungsformen beschrieben werden.
Figur 2A zeigt ein Werkstück 16 bei der Herstellung des opto elektronischen Halbleiterbauelements gemäß Ausführungsformen . Ein Halbleiterkörper 109 wird ausgebildet. Beispielsweise kann der Halbleiterkörper 109 eine erste Halbleiterschicht 110 von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht 120 von einem zweiten Leitfähigkeitstyp sowie eine aktive Zone 115 umfassen. Beispielsweise kann der Halbleiterkörper 109 auf einem geeignetem Wachstumssubstrat (nicht gezeigt) epitaktisch aufgewachsen werden und anschließend weiterverarbeitet werden, so dass sich schließlich die in Figur 2A dargestellte Schich tenfolge ergibt.
Wie in Figur 2A dargestellt ist, ist über einem geeigneten Substrat 100 beispielsweise eine Verbindungsschicht 102, ge folgt von einer metallischen Spiegelschicht 104 sowie einer dielektrischen Spiegelschicht 106 aufgebracht. Auf diesem Schichtstapel ist der Halbleiterkörper 109 derart aufgebracht, dass die erste Hauptoberfläche 111 des Halbleiterkörpers 109 frei liegt. Anschließend wird die erste Hauptoberfläche 111 des Halbleiterkörpers 109 aufgeraut. Dies kann beispielsweise durch geeignete Ätzverfahren oder durch mechanische Aufrau- ungsverfahren erfolgen. Beispielsweise kann die erste Haupt oberfläche 111 nasschemisch geätzt werden. Gegebenenfalls kann zuvor eine Vorstrukturierung mit einer geeigneten Maske durch- geführt werden. Gemäß weiteren Ausführungsformen kann die ers te Hauptoberfläche 111 auch beispielsweise unter Verwendung einer Photomaske in einem reaktiven Plasma trockengeätzt wer den .
Als Ergebnis wird beispielsweise das in Figur 2B gezeigte Werkstück 16 erhalten. Wie zu sehen ist, ist die erste Haupt oberfläche 111 des Halbleiterkörpers 109 aufgeraut. Dadurch kann die in der aktiven Zone 115 erzeugte elektromagnetische Strahlung effizient ausgekoppelt werden. Die Strukturen der Aufrauung 112 können jeweils unterschiedliche Größe und einen zufällig ausgewählten Ort haben.
Wie in Figur 2C dargestellt ist, wird nachfolgend eine erste dielektrische Schicht 125 über der ersten Hauptoberfläche 111 ausgebildet. Beispielsweise kann die erste dielektrische Schicht 125 Siliziumoxid enthalten. Die erste dielektrische Schicht 125 kann beispielweise durch ein Polierverfahren, bei spielsweise ein CMP- (chemisch-mechanisches Polier- ) Verfahren eingeebnet werden, beispielsweise auf die Höhe der Spitzen der Aufrauung 112. Als Ergebnis ist die erste Hauptoberfläche 126 der ersten dielektrischen Schicht 125 planar und glatt ausge bildet .
Anschließend kann, wie in Figur 2D dargestellt ist, die zweite dielektrische Schicht 130 aufgebracht werden. Die zweite die lektrische Schicht 130 kann beispielsweise Nioboxid enthalten oder aus Nioboxid bestehen.
Nachfolgend wird die zweite dielektrische Schicht 130 zu einer geordneten photonischen Struktur strukturiert.
Gemäß Ausführungsformen können, wie in Figur 3A gezeigt ist, Löcher 131 in die erste Hauptoberfläche 129 der zweiten die- lektrischen Schicht 130 geätzt werden. Die Löcher haben bei spielsweise eine Rasterbreite d von 200 bis 500 nm. Die Ras terbreite setzt sich dabei aus einer horizontalen Ausdehnung der Löcher und einem Abstand zwischen benachbarten Löchern zu sammen. Eine Flächenbedeckung der Löcher beträgt etwa 50 % in Bezug auf die horizontale Ausdehnung der zweiten dielektri schen Schicht 130. Wie unter Bezugnahme auf die Figuren 1A und 1B diskutiert, können sich die Löcher 131 jeweils bis zu einer Tiefe t erstrecken, wobei die Tiefe t beispielsweise der Schichtdicke s der dielektrischen Schicht 130 entsprechen kann. Gemäß weiteren Ausführungsformen kann die Tiefe t der Löcher 131 jedoch auch kleiner als die Schichtdicke s der zweiten dielektrischen Schicht 130 sein. In diesem Fall kann das Ätzverfahren einfacher ausgeführt werden. Weiterhin wird eine vollständige Verkapselung des Halbleitermaterials sicher gestellt. Beispielsweise kann eine Strukturierung unter Ver wendung eines EUV ( "Extreme Ultra violet" ) -Lithografieverfahren erfolgen. Gemäß weiteren Ausführungsformen kann auch ein Nano- Imprint-Lithografieverfahren für die Strukturierung eines Pho- toresistmaterials verwendet werden. Die zweite dielektrische Schicht 130 kann unter Verwendung der strukturierten Photomas ke geätzt werden. Beispielsweise kann ein Plasmaätzverfahren verwendet werden, um die zweite dielektrische Schicht 130 zu ätzen .
Dadurch, dass die geordnete photonische Struktur in der zwei ten dielektrischen Schicht 130, die beispielsweise Nioboxid oder ein anderes Material mit einem hohen Brechungsindex ent halten kann, ausgebildet ist, kann eine bessere Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung sowie eine verbesserte Aus bildung von Moden bewirkt werden. Gleichzeitig können durch Anwesenheit der ersten dielektrischen Schicht die Aufrauung 112 eingeebnet werden. Dadurch, dass die Aufrauung 112 an der Grenzfläche zwischen der ersten Halbleiterschicht 110 und ers- ter dielektrischer Schicht 125 vorliegen, kann die Auskoppel effizienz aus dem Halbleiterkörper 109 erhöht werden.
Figur 3B fasst ein Verfahren gemäß Ausführungsformen zusammen. Ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halb leiterbauelements umfasst das Ausbilden (S100) eines Halb leiterkörpers mit einer ersten Hauptoberfläche, das Aufrauen ( S110 ) der ersten Hauptoberfläche sowie das Ausbilden (S120) einer ersten dielektrischen Schicht über der ersten Hauptober fläche, wobei eine von der ersten Hauptoberfläche des Halb leiterkörpers abgewandte erste Hauptoberfläche der ersten die lektrischen Schicht planar ausgebildet ist. Das Verfahren um fasst weiterhin das Ausbilden (S130) auf einer zweiten die lektrischen Schicht auf der von der ersten Hauptoberfläche ab gewandten Seite der ersten dielektrischen Schicht, und das Strukturieren ( S140 ) der zweiten dielektrischen Schicht zu ei ner geordneten photonischen Struktur. Dabei ist der Halb leiterkörper geeignet, elektromagnetische Strahlung über die erste Hauptoberfläche zu emittieren oder aufzunehmen.
Figur 4 zeigt eine schematische Ansicht einer optoelektroni schen Vorrichtung 20 gemäß Ausführungsformen . Die optoelektro nische Vorrichtung 20 umfasst das hier beschriebene optoelekt ronische Halbleiterbauelement 10. Beispielsweise kann die optoelektronische Vorrichtung ein Projektor, ein Scheinwerfer oder ein anderes optisches System sein.
Wie beschrieben worden ist, ist es durch die spezielle Ausge staltung der dielektrischen Schichten möglich, die ausge strahlte elektromagnetische Strahlung auf einen beabsichtigten Bereich zu konzentrieren und somit eine verbesserte Strahlfor mung zu erzielen. Entsprechend kann eine höhere Direktionali- tät der emittierten elektromagnetischen Strahlung bei gleich zeitig hoher Auskoppeleffizienz erreicht werden. Obwohl hierin spezifische Ausführungsformen veranschaulicht und beschrieben worden sind, werden Fachleute erkennen, dass die gezeigten und beschriebenen spezifischen Ausführungsformen durch eine Vielzahl von alternativen und/oder äquivalenten Ausgestaltungen ersetzt werden können, ohne vom Schutzbereich der Erfindung abzuweichen. Die Anmeldung soll jegliche Anpas sungen oder Variationen der hierin diskutierten spezifischen Ausführungsformen abdecken. Daher wird die Erfindung nur durch die Ansprüche und deren Äquivalente beschränkt.
BEZUGSZE ICHENLISTE
10 Optoelektronisches Halbleiterbauelement
15 emittierte elektromagnetische Strahlung
16 Werkstück
20 Optoelektronische Vorrichtung
100 Substrat
102 Verbindungsschicht
104 metallische Spiegelschicht
106 dielektrische Spiegelschicht
109 Halbleiterkörper
110 erste Halbleiterschicht
111 erste Hauptoberfläche des Halbleiterkörpers
112 Aufrauung
115 aktive Zone
120 zweite Halbleiterschicht
125 erste dielektrische Schicht
126 erste Hauptoberfläche der ersten dielektrischen Schicht
129 erste Hauptoberfläche der zweiten dielektrischen
Schicht
130 zweite dielektrische Schicht
131 Loch
132 zweite Hauptoberfläche der zweiten dielektrischen
Schicht
133 erstes Kontaktelement
135 zweites Kontaktelement

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfassend:
einen Halbleiterkörper (109) mit einer ersten Haupt oberfläche (111),
eine erste dielektrische Schicht (125) über der ersten Hauptoberfläche (111), und
eine zweite dielektrische Schicht (130) auf der von der ersten Hauptoberfläche (111) abgewandten Seite der ersten die lektrischen Schicht (125), wobei die zweite dielektrische Schicht (130) zu einer geordneten photonischen Struktur struk turiert ist,
wobei der Halbleiterkörper (109) geeignet ist, elektro magnetische Strahlung (20) über die erste Hauptoberfläche (111) zu emittieren oder aufzunehmen,
die erste Hauptoberfläche (111) aufgeraut ist, und die erste dielektrische Schicht (125) geeignet ist, ei ne Aufrauung (112) der ersten Hauptoberfläche (111) einzueb nen .
2. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An spruch 1, bei dem die zweite dielektrische Schicht (130) einen größeren Brechungsindex als die erste dielektrische Schicht (125) hat.
3. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An spruch 1 oder 2, bei dem die zweite dielektrische Schicht (130) einen Brechungsindex größer als 2 hat.
4. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die erste dielektrische Schicht (125) Siliziumoxid enthält.
5. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die zweite dielektrische Schicht (130) Nb20s enthält.
6. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem in einer ersten Haupt oberfläche (129) der zweiten dielektrischen Schicht (130) Lö cher (131) strukturiert sind.
7. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An spruch 6, bei dem die Löcher (131) sich bis zu einer zweiten Hauptoberfläche (132) der zweiten dielektrischen Schicht (130) erstrecken .
8. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach An spruch 6, bei dem eine Tiefe der Löcher (131) kleiner als eine Schichtdicke der zweiten dieelektrischen Schicht (130) ist.
9. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die geordnete photoni- sche Struktur einen photonischen Kristall umfasst.
10. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die geordnete photonische Struktur einen photonischen Quasikristall umfasst.
11. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die geordnete photonische Struktur deterministische aperiodische Strukturen umfasst.
12. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) umfassend:
Ausbilden (S100) eines Halbleiterkörpers (109) mit ei ner ersten Hauptoberfläche (111), Aufrauen ( S110 ) der ersten Hauptoberfläche (Sill), Ausbilden (S120) einer ersten dielektrischen Schicht (125) über der ersten Hauptoberfläche (111), wobei eine von der ersten Hauptoberfläche (111) des Halbleiterkörpers (10) abgewandte erste Hauptoberfläche (126) der ersten dielektri schen Schicht (125) planar ausgebildet wird,
Ausbilden (S130) einer zweiten dielektrischen Schicht (130) über der von der ersten Hauptoberfläche (111) abgewand ten Seite der ersten dielektrischen Schicht (125), und
Strukturieren ( S140 ) der zweiten dielektrischen Schicht (130) zu einer geordneten photonischen Struktur,
wobei der Halbleiterkörper (109) geeignet ist, elektro magnetische Strahlung (20) über die erste Hauptoberfläche (111) zu emittieren oder aufzunehmen.
13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem das Strukturieren der zweiten dielektrischen Schicht (130) das Ausbilden von Lö chern (131) in der zweiten dielektrischen Schicht (130) um fasst.
14. Verfahren nach Anspruch 13, bei dem die Löcher (131) sich bis zu einer zweiten Hauptoberfläche (132) der zweiten dielektrischen Schicht (130) erstrecken.
15. Verfahren nach Anspruch 13, bei dem die Löcher (131) sich bis zu einer Tiefe erstrecken, die kleiner als die
Schichtdicke der zweiten dielektrischen Schicht (130) ist.
16. Optoelektronische Vorrichtung (20), umfassend das opto elektronische Halbleiterbauelement (10) nach einem der Ansprü che 1 bis 11.
17. Optoelektronische Vorrichtung (20) nach Anspruch 16, die ausgewählt ist aus einem Projektor oder einem Scheinwer fer .
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009010762A1 (en) * 2007-07-19 2009-01-22 Photonstar Led Limited Vertical led with conductive vias
DE102008030751A1 (de) * 2008-06-27 2009-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip
US20110089446A1 (en) * 2009-10-18 2011-04-21 Shih-Liang Ku Light-emitting diode having optical film structure thereon
WO2011085889A1 (de) * 2009-12-21 2011-07-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement
DE102010046792A1 (de) * 2010-09-28 2012-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2605296A2 (de) * 2011-12-16 2013-06-19 LG Innotek Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
DE102016101442A1 (de) * 2016-01-27 2017-07-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem solchen Konversionselement

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8729580B2 (en) * 2005-12-06 2014-05-20 Toshiba Techno Center, Inc. Light emitter with metal-oxide coating
US7622746B1 (en) * 2006-03-17 2009-11-24 Bridgelux, Inc. Highly reflective mounting arrangement for LEDs
EP1887634A3 (de) * 2006-08-11 2011-09-07 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
DE102008015551A1 (de) * 2008-03-25 2009-10-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit planarer Kontaktierung und Verfahren zu dessen Herstellung
JP5527327B2 (ja) * 2009-10-30 2014-06-18 日本電気株式会社 発光素子、光源装置及び投射型表示装置
WO2012035759A1 (ja) * 2010-09-14 2012-03-22 パナソニック株式会社 バックライト装置、およびそのバックライト装置を用いた液晶表示装置、およびそれらに用いる発光ダイオード
KR20130074072A (ko) * 2011-12-26 2013-07-04 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009010762A1 (en) * 2007-07-19 2009-01-22 Photonstar Led Limited Vertical led with conductive vias
DE102008030751A1 (de) * 2008-06-27 2009-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip
US20110089446A1 (en) * 2009-10-18 2011-04-21 Shih-Liang Ku Light-emitting diode having optical film structure thereon
WO2011085889A1 (de) * 2009-12-21 2011-07-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement
DE102010046792A1 (de) * 2010-09-28 2012-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2605296A2 (de) * 2011-12-16 2013-06-19 LG Innotek Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
DE102016101442A1 (de) * 2016-01-27 2017-07-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem solchen Konversionselement

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