WO2020184603A1 - 光学部品および半導体レーザモジュール - Google Patents

光学部品および半導体レーザモジュール Download PDF

Info

Publication number
WO2020184603A1
WO2020184603A1 PCT/JP2020/010460 JP2020010460W WO2020184603A1 WO 2020184603 A1 WO2020184603 A1 WO 2020184603A1 JP 2020010460 W JP2020010460 W JP 2020010460W WO 2020184603 A1 WO2020184603 A1 WO 2020184603A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
clad
optical fiber
diameter
face
input
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/010460
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
早水 尚樹
橋本 博
那須 秀行
Original Assignee
古河電気工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 古河電気工業株式会社 filed Critical 古河電気工業株式会社
Priority to CN202080016444.8A priority Critical patent/CN113474954B/zh
Priority to KR1020217028197A priority patent/KR20210136012A/ko
Priority to EP20769587.5A priority patent/EP3940899A4/en
Priority to JP2021505099A priority patent/JPWO2020184603A1/ja
Publication of WO2020184603A1 publication Critical patent/WO2020184603A1/ja
Priority to US17/445,216 priority patent/US20210373256A1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4202Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
    • G02B6/4203Optical features
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02Optical fibres with cladding with or without a coating
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/255Splicing of light guides, e.g. by fusion or bonding
    • G02B6/2552Splicing of light guides, e.g. by fusion or bonding reshaping or reforming of light guides for coupling using thermal heating, e.g. tapering, forming of a lens on light guide ends
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/26Optical coupling means
    • G02B6/264Optical coupling means with optical elements between opposed fibre ends which perform a function other than beam splitting
    • G02B6/266Optical coupling means with optical elements between opposed fibre ends which perform a function other than beam splitting the optical element being an attenuator
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4206Optical features
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/421Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4296Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with sources of high radiant energy, e.g. high power lasers, high temperature light sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02218Material of the housings; Filling of the housings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02251Out-coupling of light using optical fibres
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02438Characterized by cooling of elements other than the laser chip, e.g. an optical element being part of an external cavity or a collimating lens
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02253Out-coupling of light using lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02255Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • H01S5/4043Edge-emitting structures with vertically stacked active layers

Definitions

  • the present invention relates to optical components and semiconductor laser modules.
  • Semiconductor laser modules are also used in industrial fields such as processing and welding.
  • a glass capillary for fixing the optical fiber is provided on the outer periphery of the optical fiber, and the glass capillary is fixed on the outer periphery of the glass capillary.
  • a configuration for providing a light absorber is disclosed.
  • the optical fiber and the glass capillary are fixed by a first fixing material such as resin.
  • the glass capillary and the light absorber are fixed by a second fixing material such as resin (Patent Document 1).
  • a part of the laser beam input to the optical fiber propagates in the clad mode without being coupled to the core portion.
  • Such laser light gradually leaks from the clad portion during propagation, passes through the two fixing materials and the glass capillary, reaches the light absorber, and is absorbed by the light absorber.
  • the coating of the optical fiber is removed and the clad portion is exposed. According to the configuration of Patent Document 1, it is possible to suppress damage to the coating.
  • the present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide an optical component and a semiconductor laser module in which the occurrence of damage is suppressed.
  • the optical component according to one aspect of the present invention includes an optical fiber having a core portion, a clad portion formed on the outer periphery of the core portion, and the optical fiber.
  • the clad portion includes a light absorber arranged on the outer periphery of the light absorber and a fixing material for fixing the light absorber and the optical fiber, and the clad portion extends in the longitudinal direction and has a main portion clad diameter. It has an input side end portion located on the light input side with respect to the main portion, and the input end face clad diameter on the input end surface of the input side end portion is smaller than the main portion clad diameter. ..
  • the optical component according to one aspect of the present invention is characterized in that the input side end portion has a tapered shape in which the clad diameter changes from the main portion clad diameter to a diameter substantially equal to the input end face clad diameter.
  • the optical component according to one aspect of the present invention is characterized in that the input side end portion has a clad diameter substantially equal to the input end face clad diameter.
  • the clad portion has an output side end portion located on the output side of light with respect to the main portion, and the output end face clad diameter at the output end surface of the output side end portion. Is smaller than the diameter of the main clad.
  • the optical component according to one aspect of the present invention is characterized by including an end cap connected to the input end face of the optical fiber and having an input end face having an area larger than that of the input end face of the optical fiber.
  • the optical component according to one aspect of the present invention is characterized in that the input end face clad diameter is 1.1 times or more and 1.4 times or less the core diameter of the core portion.
  • the optical component according to one aspect of the present invention is characterized in that the main clad diameter is larger than 125 ⁇ m.
  • the optical component according to one aspect of the present invention is characterized in that the main clad diameter is 500 ⁇ m or more.
  • the semiconductor laser module includes the optical component, a semiconductor laser element, and an optical system that guides a laser beam output from the semiconductor laser element to the input end surface of the optical component. It is a feature.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a semiconductor laser module including the optical component according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the optical component and the optical fiber according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating an input state of laser light to the optical fiber.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an input state of laser light to the optical fiber.
  • FIG. 5 is a diagram showing a required clad diameter with respect to the amount of clad propagating light.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the optical component and the optical fiber according to the second embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating an input state of laser light to the optical fiber.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating an input state of laser light to the optical fiber.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the optical component and the optical fiber according to the third embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the optical component according to the fourth embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a semiconductor laser module including the optical components according to the first embodiment.
  • the semiconductor laser module 100 includes a package 101 which is a housing, an LD height adjusting plate 102 which is sequentially loaded inside the package 101, submounts 103-1 to 103-6, and six semiconductor laser elements 104-1. It is provided with ⁇ 104-6.
  • Package 101 includes a lid, but is not shown in FIG. 1 for the sake of explanation.
  • the semiconductor laser module 100 includes a lead pin 105 that injects a current into the semiconductor laser elements 104-1 to 104-6.
  • the semiconductor laser module 100 includes first lenses 106-1 to 106-6 and second lenses 106-1 to 106-6, which are optical elements sequentially arranged on the optical path of the laser light output by the semiconductor laser elements 104-1 to 104-6. It includes lenses 107-1 to 107-6, mirrors 108-1 to 108-6, a third lens 109, an optical filter 110, and a fourth lens 111.
  • the first lens 106-1 to 106-6, the second lens 107-1 to 107-6, the mirror 108-1 to 108-6, the third lens 109, the optical filter 110, and the fourth lens 111 are each in the package 101. It is fixed inside.
  • the semiconductor laser module 100 includes an optical component 10 arranged so as to face the fourth lens 111, and an optical fiber 112 connected to the optical component 10 by fusion splicing or the like. One end of the optical fiber 112 on the side opposite to the side connected to the optical component 10 extends to the outside of the package 101.
  • the semiconductor laser elements 104-1 to 104-6 are arranged at different heights from the bottom surface of the package 101 by the LD height adjusting plate 102. Further, the first lens 106-1 to 106-6, the second lens 107-1 to 107-6, and the mirror 108-1 to 108-6 are arranged at the same height as one corresponding semiconductor laser element, respectively. There is.
  • a loose tube 114 is provided at the insertion portion of the optical fiber 112 into the package 101, and the boot 113 is externally fitted to a part of the package 101 so as to cover a part of the loose tube 114.
  • Each semiconductor laser element 104-1 to 104-6 is supplied with electric power from the lead pin 105 to output laser light.
  • Each of the output laser beams is made substantially parallel light by the first lenses 106-1 to 106-6 and the second lenses 107-1 to 107-6, respectively.
  • each laser beam is reflected in the direction of the optical fiber 112 by one mirror 108-1 to 108-6 arranged at the corresponding height.
  • each laser beam is focused by the third lens 109 and the fourth lens 111. That is, the first lens 106-1 to 106-6, the second lens 107-1 to 107-6, the mirrors 108-1 to 108-6, the third lens 109, and the fourth lens 111 are optical components of each laser beam. It constitutes an optical system that leads to.
  • the optical component 10 couples each laser beam focused by the fourth lens 111 to the optical fiber 112.
  • the optical fiber 112 outputs each coupled laser beam to the outside of the semiconductor laser module 100.
  • the package 101 which is a housing, is preferably made of a material having good thermal conductivity in order to suppress an internal temperature rise, and may be a metal member made of various metals.
  • the LD height adjusting plate 102 is fixed in the package 101, adjusts the height of the semiconductor laser elements 104-1 to 104-6, and the semiconductor laser elements 104-1 to 104-6 The optical paths of the output laser beams do not interfere with each other.
  • the LD height adjusting plate 102 may be integrally configured with the package 101.
  • the submounts 103-1 to 103-6 are fixed on the LD height adjusting plate 102, and assist the heat dissipation of the mounted semiconductor laser elements 104-1 to 104-6. Therefore, the submounts 103-1 to 103-6 are preferably made of a material having good thermal conductivity, and may be a metal member made of various metals.
  • the semiconductor laser elements 104-1 to 104-6 are high-output semiconductor laser elements having an output laser light intensity of 1 W or more and further 10 W or more.
  • the light intensity of the laser light output by the semiconductor laser devices 104-1 to 104-6 is, for example, 11 W.
  • the semiconductor laser elements 104-1 to 104-6 output laser light having a wavelength of, for example, 900 nm to 1000 nm.
  • the semiconductor laser module 100 includes six semiconductor laser elements 104-1 to 104-6, a plurality of semiconductor laser elements other than the six or one may be used.
  • the lead pin 105 supplies electric power to the semiconductor laser elements 104-1 to 104-6 via a bonding wire (not shown).
  • the power to be supplied may be a constant voltage, but may be a modulated voltage.
  • the first lenses 106-1 to 106-6 are, for example, cylindrical lenses having a focal length of 0.3 mm.
  • the first lenses 106-1 to 106-6 are arranged at positions where the output light of one corresponding semiconductor laser element is substantially parallel light in the vertical direction.
  • the second lenses 107-1 to 107-6 are, for example, cylindrical lenses having a focal length of 5 mm.
  • the second lenses 107-1 to 107-6 are arranged at positions where the output light of the semiconductor laser element is substantially parallel light in the horizontal direction.
  • the mirrors 108-1 to 108-6 may be mirrors provided with various metal films or dielectric films, and have high reflectance at the wavelength of the laser light output by the semiconductor laser elements 104-1 to 104-6. Is more preferable. Further, the mirrors 108-1 to 108-6 can be finely adjusted in the reflection direction so that the laser light of one corresponding semiconductor laser element is suitably coupled to the optical fiber 112.
  • the third lens 109 and the fourth lens 111 are, for example, cylindrical lenses having focal lengths of 12 mm and 5 mm and having orthogonal curvatures to each other, and collect the laser light output by the semiconductor laser elements 104-1 to 104-6. , Suitable for coupling to the optical fiber 112.
  • the positions of the third lens 109 and the fourth lens 111 with respect to the optical fiber 112 are such that, for example, the coupling efficiency of the laser light output by the semiconductor laser elements 104-1 to 104-6 to the optical fiber 112 is 85% or more. Has been adjusted.
  • the optical filter 110 is, for example, a low-pass filter that reflects light having a wavelength of 1060 nm to 1080 nm and transmits light having a wavelength of 900 nm to 1000 nm.
  • the optical filter 110 transmits the laser light output from the semiconductor laser elements 104-1 to 104-6, and the semiconductor laser elements 104-1 to 104-6 are irradiated with light having a wavelength of 1060 nm to 1080 nm from the outside. To prevent that.
  • the optical filter 110 is used to prevent the output laser light of the semiconductor laser elements 104-1 to 104-6 slightly reflected by the optical filter 110 from returning to the semiconductor laser elements 104-1 to 104-6. It is arranged at an angle to the optical axis.
  • the passing wavelength of the optical filter 110 is set to 1060 nm to 1080 nm, but the wavelength is not limited to this wavelength. However, the optical filter 110 is not always necessary.
  • the boot 113 is inserted with the optical fiber 112 to prevent damage due to bending of the optical fiber 112.
  • the boot 113 may be a metal boot, but the material is not particularly limited, and rubber, various resins, plastic, or the like may be used. However, boots 113 are not always necessary.
  • the loose tube 114 is inserted with an optical fiber 112 to prevent damage due to bending of the optical fiber 112. Further, the loose tube 114 is fixed to the optical fiber 112, and as a result, the position of the optical fiber 112 is prevented from being displaced when a pulling force is applied to the optical fiber 112 in the longitudinal direction. May be good. However, the loose tube 114 is not always necessary.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the optical component 10 and the optical fiber 112.
  • the optical component 10 includes an optical fiber 11, a fixing material 12, and a light absorber 13.
  • the optical fiber 11 is an optical fiber made of a quartz glass-based material, and has a core portion 11a and a clad portion 11b formed on the outer periphery of the core portion 11a.
  • the core portion 11a has a core diameter Aa that is substantially constant in the longitudinal direction.
  • the core diameter Aa is, for example, 100 ⁇ m.
  • the clad portion 11b includes a main portion 11ba extending in the longitudinal direction and an input side end portion 11bb located on the input side of the laser light L1 which is the laser light focused by the fourth lens 111 with respect to the main portion 11ba. It has an output side end portion 11bc located on the output side of the laser beam L1 with respect to the main portion 11ba.
  • the refractive index of the clad portion 11b is lower than that of the core portion 11a.
  • the main portion 11ba has a main portion clad diameter Aba that is substantially constant in the longitudinal direction.
  • the input side end portion 11bb has an input end surface 11c.
  • the clad diameter in the input end face 11c is defined as the input end face clad diameter Abb.
  • the input end face clad diameter Abb is smaller than the main clad diameter Aba.
  • the input side end portion 11bb has a tapered shape in which the clad diameter continuously changes from the main portion clad diameter Aba to the input end surface clad diameter Abb.
  • the clad diameter may be tapered so as to continuously change from the main clad diameter Aba to a diameter substantially equal to the input end face clad diameter Abb.
  • the output side end portion 11bc has an output end surface 11d.
  • the output end face clad diameter Abc which is the clad diameter of the output end face 11d, is smaller than the main clad diameter Aba.
  • the output side end portion 11bc has a tapered shape in which the clad diameter continuously changes from the main portion clad diameter Aba to the output end face clad diameter Abc.
  • the light absorber 13 is a tubular member, which is arranged on the outer periphery of the optical fiber 11 and is fixed to the main portion 11ba of the clad portion 11b by the fixing material 12.
  • the light absorber 13 has a light absorption property at the wavelength of the laser beam L1, and the absorption rate is, for example, 30% or more, preferably 70% or more at this wavelength.
  • the light absorber 13 absorbs the laser light L2 leaked from the clad portion 11b.
  • the light absorber 13 dissipates heat generated by light absorption, it is preferably made of a material having good thermal conductivity.
  • the light absorber 13 is preferably connected to the package 101 via a heat good conductor (not shown).
  • the thermally good conductor is preferably made of a material having a thermal conductivity of 0.5 W / mK or more, and is made of, for example, solder or a thermally conductive adhesive.
  • the fixing material 12 is made of a UV curable resin such as an epoxy resin or a urethane resin.
  • the refractive index of the fixing material 12 is preferably equal to or higher than the refractive index of the clad portion 11b of the optical fiber 11 at 25 ° C., and is in the operating temperature range of the semiconductor laser module 100 (for example, 15 ° C. to 100 ° C.). It is more preferable that the refractive index is equal to or higher than the refractive index of the clad portion 11b of the optical fiber 11.
  • the difference in the specific refractive index with respect to the clad portion 11b is 0% or more and 10% or less.
  • the fixing material 12 has a thickness of 1 ⁇ m or more and 800 ⁇ m or less in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the optical fiber 11. It is known that the UV curable resin can have a low refractive index by containing fluorine and a high refractive index by containing sulfur, and is used as a material for increasing or decreasing the refractive index. The refractive index can be adjusted by adjusting the content.
  • the optical fiber 112 is an optical fiber made of a quartz glass-based material, and is connected to the output end face 11d by fusion splicing or the like.
  • the optical fiber 112 includes a core portion 112a, a clad portion 112b formed on the outer periphery of the core portion 112a, and a coating 112c formed on the outer periphery of the clad portion 112b.
  • the coating 112c is removed in the vicinity of the output end surface 11d, and the clad portion 112b is exposed.
  • the optical fiber 112 may be, for example, a multimode optical fiber having a core diameter of 105 ⁇ m in the core portion 112a and a clad diameter of 125 ⁇ m in the clad portion 112b, but may be a single mode optical fiber.
  • the NA of the optical fiber 112 is, for example, 0.15 to 0.22.
  • the laser light L1 input to the optical fiber 11 propagates in the clad mode without being coupled to the core portion 11a.
  • the power of light can be suppressed.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the input state of the laser beams L1a, L1b, and L1c with respect to the optical fiber 11.
  • the laser beams L1a, L1b, and L1c are a part of the laser beam L1.
  • the contour C1 shown by the broken line indicates a case where the clad diameter in the input end surface 11c is the same as the clad diameter in the main portion 11ba.
  • the laser beams L1a, L1b, and L1c are all input to the clad portion 11b and propagate as the clad mode.
  • the laser beams L1a, L1b, and L1c hardly or at all bond to the clad, or are easily reflected by the tapered surface, or leak easily even if they are bonded. ..
  • the power of the laser light propagating in the clad mode can be suppressed, the power of the laser light L2 leaking from the clad portion 11b can also be suppressed.
  • the angle of the tapered surface of the input side end portion 11bb is preferably an angle at which the laser beam propagating in the clad mode is reduced.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the input state of the laser beams L1d, L1e, L1f, and L1g with respect to the optical fiber 11.
  • the laser beams L1d, L1e, L1f, and L1g are a part of the laser beam L1.
  • the laser beams L1d, L1e, L1f, and L1g are input to the clad portion 11b from the end face of the narrow input side end portion 11bb constituting the input end face 11c and propagate in the clad mode, but their power is limited because the area is small. ..
  • the input end face clad diameter Abb is preferably 1.4 times or less the core diameter Aa of the core portion 11a. If it is 1.4 times or less, the effect of suppressing the power of the laser beam propagating in the clad mode is preferably exhibited. However, if the input end face clad diameter Abb is too small, the exudation of the laser beam propagating through the core portion 11a to the clad portion 11b may reach the outer peripheral edge of the clad portion 11b. In order to prevent this, the input end face clad diameter Abb is preferably 1.1 times or more the core diameter Aa of the core portion 11a.
  • the main clad diameter Aba of the main portion 11ba of the clad portion 11b of the optical fiber 11 is larger than the clad diameter of the standard optical fiber of 125 ⁇ m, which is 500 ⁇ m in the present embodiment.
  • the ratio of the clad propagating light amount to the clad diameter is 0.04 W / ⁇ m.
  • the occurrence of damage to the fixing material is suppressed in the case of 0.04 W / ⁇ m
  • the larger the clad diameter the larger the amount of clad propagating light that can satisfy 0.04 W / ⁇ m.
  • the required clad diameter is defined as the clad diameter required to satisfy 0.04 W / ⁇ m for a certain amount of clad propagating light.
  • FIG. 5 is a diagram showing a required clad diameter with respect to the amount of clad propagating light.
  • the clad diameter is 250 ⁇ m, the occurrence of damage to the fixing material is suppressed even if the amount of clad propagating light is 10 W.
  • the clad diameter is 500 ⁇ m or more, the occurrence of damage to the fixing material is suppressed even if the amount of clad propagating light is 20 W or more. If the amount of clad propagating light can be increased in this way, the power of the laser beam L1 input to the optical component 10 can also be increased, which is suitable for increasing the output of the semiconductor laser module 100.
  • the output end face clad diameter Abc on the output end face 11d of the output side end 11bc is smaller than 500 ⁇ m of the main clad diameter Aba, so that the optical fiber 112 has a clad diameter of 125 ⁇ m.
  • the difference in clad diameter between the output side end portion 11bc and the clad portion 112b at the connection point is small.
  • the alignment and connection between the optical fiber 11 and the optical fiber 112 becomes easy.
  • the output side end portion 11bc is tapered, among the laser light propagating in the clad mode, the laser light that reaches the output side end portion 11bc without leaking at the main portion 11ba is leaked. Can be done.
  • optical fiber 112 having a configuration commonly used is connected to the optical component 10, handling becomes easy in an application using the semiconductor laser module 100.
  • the optical fiber 11 is manufactured by processing both ends of a large-diameter optical fiber having a main portion clad diameter Aba that is substantially constant in the longitudinal direction into a tapered shape by mechanical polishing or chemical polishing such as etching. Can be done.
  • the layer of the fixing material can be reduced by one layer as compared with the configuration of Patent Document 1.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the optical component 20 and the optical fiber 112 according to the second embodiment.
  • the optical component 20 can be used in place of the optical component 10 in, for example, the semiconductor laser module 100.
  • the optical component 20 includes an optical fiber 21, a fixing material 22, and a light absorber 23.
  • the optical fiber 21 is an optical fiber made of a quartz glass-based material, and has a core portion 21a and a clad portion 21b formed on the outer periphery of the core portion 21a.
  • the core portion 21a has a core diameter Ba that is substantially constant in the longitudinal direction.
  • the core diameter Ba is, for example, 100 ⁇ m.
  • the clad portion 21b has a main portion 21ba extending in the longitudinal direction, an input side end portion 21bb located on the input side of the laser beam L1 with respect to the main portion 21ba, and an output side of the laser beam L1 with respect to the main portion 21ba. It has an output side end portion 21 bc located.
  • the refractive index of the clad portion 21b is lower than that of the core portion 21a.
  • the main portion 21ba has a main portion clad diameter Bba that is substantially constant in the longitudinal direction.
  • the input side end portion 21bb has an input end surface 21c.
  • the clad diameter at the input end face 21c is defined as the input end face clad diameter Bbb.
  • the input end face clad diameter Bbb is smaller than the main clad diameter Bba.
  • the clad diameter of the input side end portion 21bb is substantially equal to the input end face clad diameter Bbb in the longitudinal direction.
  • the output side end portion 21bc has an output end surface 21d.
  • the output end face clad diameter Bbc which is the clad diameter of the output end face 21d, is smaller than the main clad diameter Bba. Further, the output side end portion 21bc has a clad diameter substantially equal to the output end face clad diameter Bbc in the longitudinal direction.
  • the light absorber 23 is arranged on the outer periphery of the optical fiber 21 and is fixed to the main portion 21ba of the clad portion 21b by the fixing material 22. Since the suitable absorption rate and the suitable material of the light absorber 23 are the same as those of the light absorber 13, the description thereof will be omitted. Since the suitable refractive index and suitable material of the fixing material 22 are the same as those of the fixing material 12, the description thereof will be omitted.
  • the optical fiber 112 is connected to the output end face 21d by a fusion splicing or the like.
  • the laser light L1 input to the optical fiber 21 propagates in the clad mode without being coupled to the core portion 21a.
  • the power of light can be suppressed.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining the input state of the laser beams L1h, L1i, and L1j with respect to the optical fiber 21.
  • the laser beams L1h, L1i, and L1j are a part of the laser beam L1.
  • the contour C2 shown by the broken line shows a case where the clad diameter in the input end surface 21c is the same as the clad diameter in the main portion 21ba.
  • the laser beams L1h, L1i, and L1j are all input to the clad portion 21b and propagate as the clad mode.
  • the laser beams L1i and L1j hardly or at all are bonded to the clad, or even if they are bonded, they are likely to leak.
  • the power of the laser light propagating in the clad mode can be suppressed, the power of the laser light L2 (see FIG. 6) leaking from the clad portion 21b can also be suppressed. As a result, it is possible to suppress the occurrence of damage to the fixing material 22.
  • An HR (High Reflection) film is provided at a location where the laser beam is vertically incident on the end face of the main portion 21ba, such as the laser beam L1h, to provide a laser beam incident on the main portion 21ba. It is preferable to greatly reduce the power.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining the input state of the laser beams L1m and L1n with respect to the optical fiber 11.
  • the laser beams L1m and L1n are a part of the laser beam L1.
  • the laser beams L1m and L1n are input to the clad portion 21b from the end face of the narrow input side end portion 21bb constituting the input end surface 21c and propagate in the clad mode, but their power is limited because the area is small.
  • the input end face clad diameter Bbb is preferably 1.4 times or less, preferably 1.1 times or more, the core diameter Ba of the core portion 21a for the same reason as in the case of the first embodiment shown in FIG. preferable.
  • the main portion clad diameter Bba of the main portion 21ba of the clad portion 21b of the optical fiber 21 is larger than the clad diameter of 125 ⁇ m of a standard optical fiber.
  • the main clad diameter Bba is 500 ⁇ m, but it may be larger than 500 ⁇ m.
  • the clad diameter is increased, the amount of clad propagating light that can suppress the occurrence of damage to the fixing material 22 can be increased.
  • the power of the laser beam L1 input to the optical component 20 can be increased, it is suitable for increasing the output of the semiconductor laser module 100.
  • the output end face clad diameter Bbc on the output end surface 21d of the output side end portion 21bc is smaller than 500 ⁇ m of the main clad diameter Bba, so that the optical fiber 21 and the optical fiber 112 are adjusted. Easy to connect and connect.
  • the optical fiber 21 is manufactured by processing both ends of a large-diameter optical fiber having a main portion clad diameter Bba substantially constant in the longitudinal direction into a small diameter by mechanical polishing or chemical polishing such as etching. Can be done.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the optical component 30 and the optical fiber 112 according to the third embodiment.
  • the optical component 30 can be used in place of the optical component 10 in, for example, the semiconductor laser module 100.
  • the optical component 30 has a configuration in which an end cap 14 is added to the configuration of the optical component 10.
  • the end cap 14 includes a cylindrical input portion 14a and a truncated cone-shaped output portion 14b.
  • the end face of the input unit 14a is the input end face 14aa
  • the end face of the output unit 14b is the output end face 14ba.
  • the end cap 14 is connected to the input end surface 11c of the optical fiber 11 at the output end surface 14ba by fusion splicing or the like. Since the output unit 14b has a truncated cone shape whose diameter decreases toward the output end surface 14ba side, the difference in diameter between the output end surface 14ba and the input end surface 11c of the optical fiber 11 is relatively small. Therefore, the alignment and connection between the optical fiber 11 and the end cap 14 become easy.
  • the input end face 14aa of the end cap 14 has a larger area than the input end face 11c of the optical fiber 11.
  • the material of the end cap 14 is preferably a material having a refractive index similar to that of the core portion 11a of the optical fiber 11, and for example, a quartz-based glass material having the same refractive index as the core portion 11a of the optical fiber 11. preferable.
  • the end cap 14 has a shape that is a combination of a cylindrical shape and a truncated cone shape, but the shape of the end cap is not limited to this.
  • the occurrence of damage to the fixing material 12 is suppressed, and the occurrence of damage to the input end face input by the laser beam L1 is suppressed.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the optical component 40 according to the fourth embodiment.
  • the optical component 40 can be used in place of the optical component 10 and the optical fiber 112 in the semiconductor laser module 100, for example.
  • the optical component 40 includes an optical fiber 41, a fixing material 42, a light absorber 43, and an end cap 44.
  • the optical fiber 41 is an optical fiber made of a quartz glass-based material, and includes a core portion 41a, a clad portion 41b formed on the outer periphery of the core portion 41a, and a coating 41d formed on the outer periphery of the clad portion 41b. ing.
  • the core portion 41a has a core diameter Ca that is substantially constant in the longitudinal direction.
  • the core diameter Ca is, for example, 100 ⁇ m.
  • the clad portion 41b has a main portion 41ba extending in the longitudinal direction and an input side end portion 41bb located on the input side of the laser beam L1 with respect to the main portion 41ba.
  • the refractive index of the clad portion 41b is lower than that of the core portion 41a.
  • the main portion 41ba has a main portion clad diameter Cba that is substantially constant in the longitudinal direction.
  • the main clad diameter Cba is, for example, 125 ⁇ m.
  • the input side end 41bb has an input end face 41c.
  • the input end face clad diameter which is the clad diameter of the input end face 41c, is smaller than the main clad diameter Cba.
  • the input side end portion 41bb has a tapered shape in which the clad diameter continuously changes from the main portion clad diameter Cba to the input end face clad diameter.
  • the light absorber 43 is arranged on the outer periphery of the optical fiber 41, and is fixed to the main portion 41ba of the clad portion 41b by the fixing material 42. Since the suitable absorption rate and the suitable material of the light absorber 43 are the same as those of the light absorber 13, the description thereof will be omitted. Since the suitable refractive index and suitable material of the fixing material 42 are the same as those of the fixing material 12, the description thereof will be omitted.
  • the coating 41d is removed from the input side end portion 41bb to at least the position where the light absorber 43 is provided, and the clad portion 41b is exposed.
  • a part of the tip side of the coating 41d may enter the inside of the light absorber 43, and a part of the tip side of the coating 41d and the light absorber 43 may overlap.
  • the coating 41d and the light absorber 43 can be collectively fixed by the fixing material 42.
  • the end cap 44 is the same as the end cap 14, and is connected to the input end surface 41c of the optical fiber 41 by fusion splicing or the like on the output end surface 44ba.
  • the input end surface 44aa of the end cap 44 has a larger area than the input end surface 41c of the optical fiber 41. As a result, the occurrence of damage to the input end face due to the power of the laser beam L1 is suppressed.
  • the optical fiber 41 since the input end face clad diameter is smaller than the main clad diameter Cba, the laser light L1 input to the optical fiber 41 propagates in the clad mode without being coupled to the core portion 41a. Power can be suppressed. Further, since the optical fiber 41 can have the same core diameter and clad diameter as the optical fiber 112, it can be handled in the same manner as the optical fiber 112.
  • the laser beam having a wavelength in the infrared region is taken as an example, but the wavelength is not limited to this.
  • the amount of energy absorbed by the fixing material is larger than that of the laser light having a wavelength in the infrared region, and the effect of the present invention may become more remarkable. ..
  • the present invention is not limited by the above embodiment.
  • the present invention also includes those configured by appropriately combining the above-described components. Further, further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Therefore, the broader aspect of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made.
  • the present invention can be used for optical components and semiconductor laser modules.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

光学部品(10)は、コア部(11a)と、前記コア部(11a)の外周に形成されたクラッド部(11b)とを有する光ファイバ(11)と、前記光ファイバ(11)の外周に配置された光吸収体(13)と、前記光吸収体(13)と前記光ファイバ(11)とを固着する固着材(12)と、を備え、前記クラッド部(11b)は、長手方向に延伸し、主部クラッド径(Aba)を有する主部(11ba)と、前記主部(11ba)に対して光の入力側に位置する入力側端部(11bb)とを有し、前記入力側端部(11bb)の入力端面(11c)における入力端面クラッド径(Abb)が前記主部クラッド径(Aba)よりも小さい。

Description

光学部品および半導体レーザモジュール
 本発明は、光学部品および半導体レーザモジュールに関する。
 加工や溶接といった産業分野においても、半導体レーザモジュールが用いられている。半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子から出力されたレーザ光を光ファイバに結合させる部分の構成として、光ファイバの外周に光ファイバを固定するガラスキャピラリを設け、ガラスキャピラリの外周にガラスキャピラリを固定する光吸収体を設ける構成が開示されている。光ファイバとガラスキャピラリとはたとえば樹脂などの第1固着材で固着される。ガラスキャピラリと光吸収体とはたとえば樹脂などの第2固着材で固着される(特許文献1)。この構成において、光ファイバに入力されたレーザ光の一部はコア部に結合せずにクラッドモードで伝搬する。このようなレーザ光は、伝搬中に徐々にクラッド部から漏洩し、2つの固着材とガラスキャピラリを透過して光吸収体に到達し、光吸収体によって吸収される。なお、レーザ光を光ファイバに結合させる部分においては、光ファイバの被覆は除去されており、クラッド部が露出している。特許文献1の構成によれば、被覆の損傷の抑制が可能とされている。
国際公開第2015/037725号
 産業分野において、光源のレーザ光の高パワー化が求められている。特許文献1の構成では、レーザ光が高パワー化するにつれて、レーザ光のうちクラッドモードで伝搬するレーザ光のパワーが大きくなる。その結果、クラッドモードで伝搬し、クラッド部から漏洩したレーザ光が、第1または第2固着材を損傷させるおそれがある。特に、第1固着材はクラッド部の外周に隣接しているため、漏洩したレーザ光のパワー密度が高く、第2固着材に比して損傷されやすい。
 本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、損傷の発生が抑制された光学部品および半導体レーザモジュールを提供することを目的とする。
 上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の一態様に係る光学部品は、コア部と、前記コア部の外周に形成されたクラッド部とを有する光ファイバと、前記光ファイバの外周に配置された光吸収体と、前記光吸収体と前記光ファイバとを固着する固着材と、を備え、前記クラッド部は、長手方向に延伸し、主部クラッド径を有する主部と、前記主部に対して光の入力側に位置する入力側端部とを有し、前記入力側端部の入力端面における入力端面クラッド径が前記主部クラッド径よりも小さいことを特徴とする。
 本発明の一態様に係る光学部品は、前記入力側端部は、クラッド径が前記主部クラッド径から前記入力端面クラッド径にほぼ等しい径まで変化するテーパ状であることを特徴とする。
 本発明の一態様に係る光学部品は、前記入力側端部は、前記入力端面クラッド径と略等しいクラッド径を有することを特徴とする。
 本発明の一態様に係る光学部品は、前記クラッド部は、前記主部に対して光の出力側に位置する出力側端部を有し、前記出力側端部の出力端面における出力端面クラッド径が前記主部クラッド径よりも小さいことを特徴とする。
 本発明の一態様に係る光学部品は、前記光ファイバの前記入力端面に接続された、前記光ファイバの前記入力端面よりも面積が大きい入力端面を有するエンドキャップを備えることを特徴とする。
 本発明の一態様に係る光学部品は、前記入力端面クラッド径は前記コア部のコア径の1.1倍以上1.4倍以下であることを特徴とする。
 本発明の一態様に係る光学部品は、前記主部クラッド径は125μmよりも大きいことを特徴とする。
 本発明の一態様に係る光学部品は、前記主部クラッド径は500μm以上であることを特徴とする。
 本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールは、前記光学部品と、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光を前記光学部品の前記入力端面に導く光学系と、を備えることを特徴とする。
 本発明によれば、光学部品および半導体レーザモジュールの損傷の発生が抑制されるという効果を奏する。
図1は、実施形態1に係る光学部品を備えた半導体レーザモジュールの模式的な平面図である。 図2は、実施形態1に係る光学部品および光ファイバの模式的な断面図である。 図3は、光ファイバに対するレーザ光の入力状態を説明する図である。 図4は、光ファイバに対するレーザ光の入力状態を説明する図である。 図5は、クラッド伝搬光量に対する必要クラッド径を示す図である。 図6は、実施形態2に係る光学部品および光ファイバの模式的な断面図である。 図7は、光ファイバに対するレーザ光の入力状態を説明する図である。 図8は、光ファイバに対するレーザ光の入力状態を説明する図である。 図9は、実施形態3に係る光学部品および光ファイバの模式的な断面図である。 図10は、実施形態4に係る光学部品の模式的な断面図である。
 以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態により本発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一または対応する要素には適宜同一の符号を付し、重複説明を適宜省略する。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。
(実施形態1)
 図1は、実施形態1に係る光学部品を備えた半導体レーザモジュールの模式的な平面図である。半導体レーザモジュール100は、筐体であるパッケージ101と、パッケージ101の内部に順に積載されたLD高さ調整板102と、サブマウント103-1~103-6と、6つの半導体レーザ素子104-1~104-6とを備える。パッケージ101は、蓋を備えるが、図1においては説明のために図示を省略している。半導体レーザモジュール100は、半導体レーザ素子104-1~104-6に電流を注入するリードピン105を備える。そして、半導体レーザモジュール100は、半導体レーザ素子104-1~104-6が出力するレーザ光の光路上に順に配置された光学素子である、第1レンズ106-1~106-6と、第2レンズ107-1~107-6と、ミラー108-1~108-6と、第3レンズ109と、光フィルタ110と、第4レンズ111とを備える。第1レンズ106-1~106-6、第2レンズ107-1~107-6、ミラー108-1~108-6、第3レンズ109、光フィルタ110、第4レンズ111は、それぞれパッケージ101の内部に固定されている。さらに、半導体レーザモジュール100は、第4レンズ111と対向して配置された光学部品10と、光学部品10に融着接続などで接続された光ファイバ112とを備える。光ファイバ112の光学部品10に接続された側とは反対側の一端は、パッケージ101の外部に延伸している。
 半導体レーザ素子104-1~104-6は、LD高さ調整板102によってパッケージ101の底面から互いに異なる高さに配置されている。さらに、第1レンズ106-1~106-6、第2レンズ107-1~107-6、ミラー108-1~108-6は、それぞれ対応する1つの半導体レーザ素子と同じ高さに配置されている。また、光ファイバ112のパッケージ101への挿入部には、ルースチューブ114が設けられ、ルースチューブ114の一部を覆うように、パッケージ101の一部にブーツ113が外嵌されている。
 各半導体レーザ素子104-1~104-6は、リードピン105から電力を供給されてレーザ光を出力する。出力された各レーザ光は、それぞれ第1レンズ106-1~106-6および第2レンズ107-1~107-6によって、略平行光とされる。つぎに、各レーザ光は、対応する高さに配置された1つのミラー108-1~108-6によって、光ファイバ112の方向に反射される。そして、各レーザ光は、第3レンズ109および第4レンズ111によって集光される。すなわち、第1レンズ106-1~106-6、第2レンズ107-1~107-6、ミラー108-1~108-6、第3レンズ109および第4レンズ111は、各レーザ光を光学部品に導く光学系を構成している。
 光学部品10は、第4レンズ111によって集光された各レーザ光を光ファイバ112に結合させる。光ファイバ112は、結合された各レーザ光を半導体レーザモジュール100の外部に出力する。
 つぎに、半導体レーザモジュール100の各構成要素についてより詳細に説明する。筐体であるパッケージ101は、内部の温度上昇を抑制するため、熱伝導性のよい材料からなることが好ましく、各種金属からなる金属部材であってよい。
 LD高さ調整板102は、上述したように、パッケージ101内に固定されており、半導体レーザ素子104-1~104-6の高さを調節し、半導体レーザ素子104-1~104-6が出力するレーザ光の光路が互いに干渉しないようにしている。なお、LD高さ調整板102は、パッケージ101と一体として構成されていてもよい。
 サブマウント103-1~103-6は、LD高さ調整板102上に固定されており、載置された半導体レーザ素子104-1~104-6の放熱を補助する。そのため、サブマウント103-1~103-6は、熱伝導性のよい材料からなることが好ましく、各種金属からなる金属部材であってよい。
 半導体レーザ素子104-1~104-6は、出力されるレーザ光の光強度が、1W以上、さらには、10W以上の高出力な半導体レーザ素子である。本実施形態において、半導体レーザ素子104-1~104-6の出力するレーザ光の光強度は、たとえば11Wである。また、半導体レーザ素子104-1~104-6は、たとえば、900nm~1000nmの波長のレーザ光を出力する。なお、半導体レーザモジュール100は6つの半導体レーザ素子104-1~104-6を備えているが、6つ以外の複数でもよく、1つでもよい。
 リードピン105は、不図示のボンディングワイヤを介して半導体レーザ素子104-1~104-6に電力を供給する。供給する電力は、一定の電圧であってよいが、変調電圧であってもよい。
 第1レンズ106-1~106-6は、たとえば焦点距離が0.3mmのシリンドリカルレンズである。第1レンズ106-1~106-6は、対応する1つの半導体レーザ素子の出力光を鉛直方向に略平行光とする位置に配置される。
 第2レンズ107-1~107-6は、たとえば焦点距離が5mmのシリンドリカルレンズである。第2レンズ107-1~107-6は、半導体レーザ素子の出力光を水平方向に略平行光とする位置に配置される。
 ミラー108-1~108-6は、各種の金属膜、または誘電体膜を備えるミラーであってよく、半導体レーザ素子104-1~104-6の出力するレーザ光の波長において、反射率が高いほど好ましい。また、ミラー108-1~108-6は、対応する1つの半導体レーザ素子のレーザ光を光ファイバ112に好適に結合するように、反射方向を微調整することができる。
 第3レンズ109と第4レンズ111とは、たとえばそれぞれ焦点距離が12mm、5mmの互いに曲率が直交したシリンドリカルレンズであり、半導体レーザ素子104-1~104-6が出力したレーザ光を集光し、光ファイバ112に好適に結合する。第3レンズ109と第4レンズ111とは、たとえば半導体レーザ素子104-1~104-6が出力したレーザ光の光ファイバ112への結合効率が85%以上となるように、光ファイバ112に対する位置が調整されている。
 光フィルタ110は、たとえば波長1060nm~1080nmの光を反射し、900nm~1000nmの光を透過するローパスフィルタである。その結果、光フィルタ110は、半導体レーザ素子104-1~104-6が出力したレーザ光を透過するとともに、波長1060nm~1080nmの光が半導体レーザ素子104-1~104-6に外部から照射されることを防止する。また、光フィルタ110は、光フィルタ110でわずかに反射された半導体レーザ素子104-1~104-6の出力レーザ光が半導体レーザ素子104-1~104-6に戻らないように、レーザ光の光軸に対して角度をつけて配置されている。光フィルタ110の通過波長として、1060nm~1080nmとしたが、この波長に限定するものではない。ただし、光フィルタ110は必ずしも必要ではない。
 ブーツ113は、光ファイバ112を挿通されており、光ファイバ112の曲げによる損傷を防止する。ブーツ113は、金属製のブーツであってよいが、材料は特に限定されず、ゴムや各種の樹脂、プラスチックなどであってもよい。ただし、ブーツ113は必ずしも必要ではない。
 ルースチューブ114は、光ファイバ112を挿通されており、光ファイバ112の曲げによる損傷を防止する。さらに、ルースチューブ114は、光ファイバ112と固着され、その結果、光ファイバ112に対して長手方向に引っ張る力が加えられた場合に、光ファイバ112の位置がずれることを防止する構成であってもよい。ただし、ルースチューブ114は必ずしも必要ではない。
(光学部品の構成)
 つぎに、光学部品10の構成について具体的に説明する。図2は、光学部品10および光ファイバ112の模式的な断面図である。
 光学部品10は、光ファイバ11と、固着材12と、光吸収体13と、を備えている。光ファイバ11は、石英ガラス系材料からなる光ファイバであって、コア部11aと、コア部11aの外周に形成されたクラッド部11bとを有する。
 コア部11aは、長手方向において略一定のコア径Aaを有する。コア径Aaはたとえば100μmである。
 クラッド部11bは、長手方向に延伸する主部11baと、主部11baに対して、第4レンズ111により集光されたレーザ光であるレーザ光L1の入力側に位置する入力側端部11bbと、主部11baに対して、レーザ光L1の出力側に位置する出力側端部11bcとを有している。クラッド部11bの屈折率はコア部11aの屈折率よりも低い。
 主部11baは、長手方向において略一定の主部クラッド径Abaを有する。入力側端部11bbは、入力端面11cを有する。入力端面11cにおけるクラッド径を入力端面クラッド径Abbとする。入力端面クラッド径Abbは主部クラッド径Abaよりも小さい。また、入力側端部11bbは、クラッド径が主部クラッド径Abaから入力端面クラッド径Abbまで連続的に変化するテーパ状である。ただし、クラッド径が主部クラッド径Abaから入力端面クラッド径Abbにほぼ等しい径まで連続的に変化するテーパ状であってもよい。
 出力側端部11bcは、出力端面11dを有する。出力端面11dにおけるクラッド径である出力端面クラッド径Abcは、主部クラッド径Abaよりも小さい。また、出力側端部11bcは、クラッド径が主部クラッド径Abaから出力端面クラッド径Abcまで連続的に変化するテーパ状である。
 光吸収体13は、筒状の部材であって、光ファイバ11の外周に配置されており、クラッド部11bの主部11baと、固着材12で固着される。光吸収体13は、レーザ光L1の波長において、光吸収性を有し、たとえばこの波長において、吸収率が30%以上、好ましくは70%以上である。その結果、光吸収体13は、クラッド部11bから漏洩したレーザ光L2を吸収する。また、光吸収体13は、光吸収により発生した熱を放熱するため、熱伝導性のよい材料からなることが好ましく、たとえばCu、Ni、ステンレス鋼、またはFeを含む金属部材、Ni、Cr、Tiを含む金属、もしくはCを含む表面メッキ層を備える部材、AlN、もしくはAlを含むセラミック部材、またはAlN、もしくはAlを含む表面を覆うセラミック層を備える部材からなることが好ましい。また、光吸収体13は、光吸収により発生した熱を放熱するため、パッケージ101に不図示の熱良導体を介して接続されていることが好ましい。熱良導体は、熱伝導率が0.5W/mK以上の材料からなることが好ましく、たとえばはんだや熱伝導性接着剤からなる。
 固着材12は、たとえばエポキシ樹脂、ウレタン系の樹脂などのUV硬化樹脂からなる。固着材12の屈折率は、25℃において光ファイバ11のクラッド部11bの屈折率と等しい、またはそれよりも高いことが好ましく、半導体レーザモジュール100の使用温度領域(たとえば、15℃~100℃)において、光ファイバ11のクラッド部11bの屈折率と等しい、またはそれよりも高いことがさらに好ましい。固着材12の屈折率は、たとえばクラッド部11bに対する比屈折率差が0%以上10%以下である。また、固着材12は、光ファイバ11の長手方向に直交する方向における厚さが1μm以上800μm以下とされていることが好ましい。なお、UV硬化樹脂は、例えば、フッ素を含有させることで低屈折率化でき、イオウを含有させることで高屈折率化できることが知られており、屈折率を高くする材料や、低くする材料の含有量を調整することで、屈折率を調整することができる。
 光ファイバ112は、石英ガラス系材料からなる光ファイバであって、出力端面11dに融着接続などで接続されている。光ファイバ112は、コア部112aと、コア部112aの外周に形成されたクラッド部112bと、クラッド部112bの外周に形成された被覆112cとを備えている。被覆112cは、出力端面11dの近傍では除去されており、クラッド部112bが露出している。光ファイバ112は、たとえばコア部112aのコア径が105μm、クラッド部112bのクラッド径が125μmのマルチモード光ファイバであってよいが、シングルモード光ファイバであってもよい。光ファイバ112のNAは、たとえば0.15~0.22である。
 この光学部品10では、入力端面クラッド径Abbが主部クラッド径Abaよりも小さいことによって、光ファイバ11に入力されたレーザ光L1のうち、コア部11aに結合せずにクラッドモードで伝搬するレーザ光のパワーを抑制することができる。
 図3は、光ファイバ11に対するレーザ光L1a、L1b、L1cの入力状態を説明する図である。レーザ光L1a、L1b、L1cは、レーザ光L1の一部である。また、破線で示した輪郭C1は、入力端面11cにおけるクラッド径が主部11baにおけるクラッド径と同じである場合を示している。輪郭C1の状態である場合、レーザ光L1a、L1b、L1cはいずれもクラッド部11bに入力し、クラッドモードとして伝搬する。しかしながら、光ファイバ11では、入力端面11cにおけるクラッド径が小さいので、レーザ光L1a、L1b、L1cはクラッドに殆どまたは全く結合せず、またはテーパ面で反射しやすく、または結合しても漏洩しやすい。その結果、クラッドモードで伝搬するレーザ光のパワーを抑制できるので、クラッド部11bから漏洩するレーザ光L2のパワーも抑制できる。これにより、固着材12の損傷の発生を抑制できる。入力側端部11bbのテーパ面の角度は、クラッドモードで伝搬するレーザ光が少なくなる角度とすることが好ましい。
 図4は、光ファイバ11に対するレーザ光L1d、L1e、L1f、L1gの入力状態を説明する図である。レーザ光L1d、L1e、L1f、L1gは、レーザ光L1の一部である。レーザ光L1d、L1e、L1f、L1gは、入力端面11cを構成する狭い入力側端部11bbの端面からクラッド部11bに入力し、クラッドモードで伝搬するが、面積が狭いのでそのパワーは制限される。
 図2に戻る。入力端面クラッド径Abbはコア部11aのコア径Aaの1.4倍以下であることが好ましい。1.4倍以下であれば、クラッドモードで伝搬するレーザ光のパワーを抑制する効果が好適に発揮される。しかし、入力端面クラッド径Abbが余り小さいと、コア部11aを伝搬するレーザ光のクラッド部11bへのしみ出しが、クラッド部11bの外周縁にまで達するおそれがある。これを防止するためには、入力端面クラッド径Abbはコア部11aのコア径Aaの1.1倍以上であることが好ましい。
 さらに、この光学部品10では、光ファイバ11のクラッド部11bの主部11baの主部クラッド径Abaが、標準的な光ファイバのクラッド径である125μmよりも大きく、本実施形態では500μmである。その結果、クラッドモードで伝搬したレーザ光L2が主部11baの外周面に到達し、固着材12を通過する際には、レーザ光L2のパワー密度は低減される。その結果、固着材12の損傷の発生をより一層抑制できる。
 たとえば、クラッドモードで伝搬するレーザ光のパワー(クラッド伝搬光量)を5Wとし、クラッド径が125μmとすると、クラッド径に対するクラッド伝搬光量の比率は0.04W/μmである。たとえば、0.04W/μmの場合に固着材の損傷の発生が抑制されるとすると、クラッド径が大きくなる程、0.04W/μmを満たすことができるクラッド伝搬光量は大きくなる。
 或るクラッド伝搬光量に対して0.04W/μmを満たすために必要なクラッド径を必要クラッド径とする。図5は、クラッド伝搬光量に対する必要クラッド径を示す図である。このように、クラッド径が250μmであればクラッド伝搬光量を10Wとしても固着材の損傷の発生が抑制される。クラッド径が500μm以上であればクラッド伝搬光量を20W以上としても固着材の損傷の発生が抑制される。このようにクラッド伝搬光量を大きくできると、光学部品10に入力させるレーザ光L1のパワーも大きくできるので、半導体レーザモジュール100の高出力化のためには好適である。
 また、この光学部品10では、出力側端部11bcの出力端面11dにおける出力端面クラッド径Abcは、主部クラッド径Abaの500μmよりも小さくなっているため、光ファイバ112が、クラッド径が125μmのマルチモード光ファイバである場合、接続箇所における出力側端部11bcとクラッド部112bとのクラッド径の差が小さい。その結果、光ファイバ11と光ファイバ112との調心や接続が容易になる。さらには、出力側端部11bcは、テーパ状になっているため、クラッドモードで伝搬するレーザ光のうち、主部11baで漏洩せずに出力側端部11bcに達したレーザ光を漏洩させることができる。
 また、光学部品10に、通常よく使用される構成の光ファイバ112が接続されているので、半導体レーザモジュール100を使用するアプリケーションにおいてハンドリングが容易になる。
 なお、光ファイバ11は、長手方向において略一定の主部クラッド径Abaを有する太径の光ファイバの両端部を、機械研磨や、エッチングなどの化学研磨によってテーパ状に加工することによって作製することができる。
 また、光学部品10の構成では、特許文献1の構成と比較して、固着材の層を1層減らすことができる。
(実施形態2)
 図6は、実施形態2に係る光学部品20および光ファイバ112の模式的な断面図である。光学部品20は、たとえば半導体レーザモジュール100において光学部品10と置き換えて用いることができる。
 光学部品20は、光ファイバ21と、固着材22と、光吸収体23と、を備えている。光ファイバ21は、石英ガラス系材料からなる光ファイバであって、コア部21aと、コア部21aの外周に形成されたクラッド部21bとを有する。
 コア部21aは、長手方向において略一定のコア径Baを有する。コア径Baはたとえば100μmである。
 クラッド部21bは、長手方向に延伸する主部21baと、主部21baに対してレーザ光L1の入力側に位置する入力側端部21bbと、主部21baに対してレーザ光L1の出力側に位置する出力側端部21bcとを有している。クラッド部21bの屈折率はコア部21aの屈折率よりも低い。
 主部21baは、長手方向において略一定の主部クラッド径Bbaを有する。入力側端部21bbは、入力端面21cを有する。入力端面21cにおけるクラッド径を入力端面クラッド径Bbbとする。入力端面クラッド径Bbbは主部クラッド径Bbaよりも小さい。また、入力側端部21bbは、長手方向において、クラッド径が入力端面クラッド径Bbbと略等しい。
 出力側端部21bcは、出力端面21dを有する。出力端面21dにおけるクラッド径である出力端面クラッド径Bbcは、主部クラッド径Bbaよりも小さい。また、出力側端部21bcは、長手方向において、クラッド径が出力端面クラッド径Bbcと略等しい。
 光吸収体23は、光ファイバ21の外周に配置されており、クラッド部21bの主部21baと固着材22で固着される。光吸収体23の好適な吸収率や好適な材料は、光吸収体13と同様なので説明を省略する。固着材22の好適な屈折率や好適な材料は、固着材12と同様なので説明を省略する。
 光ファイバ112は、出力端面21dに融着接続などで接続されている。
 この光学部品20では、入力端面クラッド径Bbbが主部クラッド径Bbaよりも小さいことによって、光ファイバ21に入力されたレーザ光L1のうち、コア部21aに結合せずにクラッドモードで伝搬するレーザ光のパワーを抑制することができる。
 図7は、光ファイバ21に対するレーザ光L1h、L1i、L1jの入力状態を説明する図である。レーザ光L1h、L1i、L1jは、レーザ光L1の一部である。また、破線で示した輪郭C2は、入力端面21cにおけるクラッド径が主部21baにおけるクラッド径と同じである場合を示している。輪郭C2の状態である場合、レーザ光L1h、L1i、L1jはいずれもクラッド部21bに入力し、クラッドモードとして伝搬する。しかしながら、光ファイバ21では、入力端面21cにおけるクラッド径が小さいので、レーザ光L1i、L1jはクラッドに殆どまたは全く結合せず、または結合しても漏洩しやすい。その結果、クラッドモードで伝搬するレーザ光のパワーを抑制できるので、クラッド部21bから漏洩するレーザ光L2(図6参照)のパワーも抑制できる。これにより、固着材22の損傷の発生を抑制できる。なお、レーザ光L1hのようにレーザ光が主部21baの端面に垂直に入射する箇所には、HR(High Reflection)膜を当該端面の当該箇所に設けて、主部21baに入射するレーザ光のパワーを大きく低減することが好ましい。
 図8は、光ファイバ11に対するレーザ光L1m、L1nの入力状態を説明する図である。レーザ光L1m、L1nは、レーザ光L1の一部である。レーザ光L1m、L1nは、入力端面21cを構成する狭い入力側端部21bbの端面からクラッド部21bに入力し、クラッドモードで伝搬するが、面積が狭いのでそのパワーは制限される。
 図6に戻る。入力端面クラッド径Bbbは、図2に示す実施形態1の場合と同様の理由で、コア部21aのコア径Baの1.4倍以下であることが好ましく、1.1倍以上であることが好ましい。
 さらに、この光学部品20では、光ファイバ21のクラッド部21bの主部21baの主部クラッド径Bbaが、標準的な光ファイバのクラッド径である125μmよりも大きい。本実施形態では主部クラッド径Bbaは500μmであるが、500μmより大きくてもよい。その結果、クラッドモードで伝搬したレーザ光L2が主部21baの外周面に到達し、固着材22を通過する際には、レーザ光L2のパワー密度は低減される。その結果、固着材22の損傷の発生をより一層抑制できる。
 光学部品10の場合と同様に、クラッド径を大きくすると、固着材22の損傷の発生を抑制できるクラッド伝搬光量を大きくできる。この場合、光学部品20に入力させるレーザ光L1のパワーも大きくできるので、半導体レーザモジュール100の高出力化のためには好適である。
 また、この光学部品20では、出力側端部21bcの出力端面21dにおける出力端面クラッド径Bbcは、主部クラッド径Bbaの500μmよりも小さくなっているため、光ファイバ21と光ファイバ112との調心や接続が容易になる。
 なお、光ファイバ21は、長手方向において略一定の主部クラッド径Bbaを有する太径の光ファイバの両端部を、機械研磨や、エッチングなどの化学研磨によって細径に加工することによって作製することができる。
(実施形態3)
 図9は、実施形態3に係る光学部品30および光ファイバ112の模式的な断面図である。光学部品30は、たとえば半導体レーザモジュール100において光学部品10と置き換えて用いることができる。
 光学部品30は、光学部品10の構成にエンドキャップ14を追加した構成を有する。エンドキャップ14は、円柱形状の入力部14aと、円錐台形状の出力部14bとを備える。入力部14aの端面が入力端面14aaであり、出力部14bの端面が出力端面14baである。エンドキャップ14は、出力端面14baにおいて光ファイバ11の入力端面11cと融着接続などで接続されている。なお、出力部14bは出力端面14ba側に向かって直径が小さくなる円錐台形状なので、出力端面14baと光ファイバ11の入力端面11cとの直径の差は比較的小さい。そのため、光ファイバ11とエンドキャップ14との調心や接続が容易になる。
 エンドキャップ14の入力端面14aaは、光ファイバ11の入力端面11cよりも面積が大きい。その結果、レーザ光L1が集光されて光学部品30に入力する場合、光ファイバ11の入力端面11cに直接入力する場合よりも、エンドキャップ14の入力端面14aaに入力する方が、レーザ光L1のビームのパワー密度が小さい状態で入力する。その結果、レーザ光L1のパワーによる入力端面の損傷の発生が抑制される。ここで、エンドキャップ14の材料は、光ファイバ11のコア部11aと同程度の屈折率を有する材料であることが好ましく、たとえば光ファイバ11のコア部11aと同じ石英系ガラス材料であることが好ましい。なお、エンドキャップ14は円柱形状と円錐台形状とを組み合わせた形状を有するが、エンドキャップの形状はこれには限定されない。
 光学部品30では、固着材12の損傷の発生が抑制され、かつレーザ光L1が入力する入力端面の損傷の発生が抑制される。
(実施形態4)
 図10は、実施形態4に係る光学部品40の模式的な断面図である。光学部品40は、たとえば半導体レーザモジュール100において光学部品10および光ファイバ112と置き換えて用いることができる。
 光学部品40は、光ファイバ41と、固着材42と、光吸収体43と、エンドキャップ44とを備えている。光ファイバ41は、石英ガラス系材料からなる光ファイバであって、コア部41aと、コア部41aの外周に形成されたクラッド部41bと、クラッド部41bの外周に形成された被覆41dとを備えている。
 コア部41aは、長手方向において略一定のコア径Caを有する。コア径Caはたとえば100μmである。
 クラッド部41bは、長手方向に延伸する主部41baと、主部41baに対してレーザ光L1の入力側に位置する入力側端部41bbとを有している。クラッド部41bの屈折率はコア部41aの屈折率よりも低い。
 主部41baは、長手方向において略一定の主部クラッド径Cbaを有する。主部クラッド径Cbaはたとえば125μmである。入力側端部41bbは、入力端面41cを有する。入力端面41cにおけるクラッド径である入力端面クラッド径は、主部クラッド径Cbaよりも小さい。また、入力側端部41bbは、クラッド径が主部クラッド径Cbaから入力端面クラッド径まで連続的に変化するテーパ状である。
 光吸収体43は、光ファイバ41の外周に配置されており、クラッド部41bの主部41baと固着材42で固着される。光吸収体43の好適な吸収率や好適な材料は、光吸収体13と同様なので説明を省略する。固着材42の好適な屈折率や好適な材料は、固着材12と同様なので説明を省略する。
 なお、本実施形態では、被覆41dは、入力側端部41bbから、少なくとも光吸収体43が設けられている位置までは除去されており、クラッド部41bが露出している。ただし、被覆41dの先端側の一部が光吸収体43の内部に入り込んでおり、被覆41dの先端側の一部と光吸収体43とが重なる状態となっていてもよい。この場合、被覆41dと光吸収体43とを固着材42にて一括して固定することもできる。
 エンドキャップ44は、エンドキャップ14と同様のものであって、出力端面44baにおいて光ファイバ41の入力端面41cと融着接続などで接続されている。
 エンドキャップ44の入力端面44aaは、光ファイバ41の入力端面41cよりも面積が大きい。その結果、レーザ光L1のパワーによる入力端面の損傷の発生が抑制される。
 この光学部品40では、入力端面クラッド径が主部クラッド径Cbaよりも小さいことによって、光ファイバ41に入力されたレーザ光L1のうち、コア部41aに結合せずにクラッドモードで伝搬するレーザ光のパワーを抑制することができる。また、光ファイバ41は光ファイバ112と同様のコア径、クラッド径を有するものとできるので、光ファイバ112と同様に取り扱うことができる。
 なお、上記実施形態では、赤外領域の波長のレーザ光を例に挙げたが、波長はこれに限定されない。例えば、緑色や青色のような短波長のレーザ光にあっては、固着材によるエネルギの吸収量が赤外領域の波長のレーザ光よりも大きく、本発明による効果がより顕著になる場合がある。
 また、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記の実施形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
 本発明は、光学部品や半導体レーザモジュールに利用することができる。
10、20、30、40 光学部品
11、21、41、112 光ファイバ
11a、21a、41a、112a コア部
11b、21b、41b、112b クラッド部
11ba、21ba、41ba 主部
11bb、21bb、41bb 入力側端部
11bc、21bc 出力側端部
11c、14aa、21c、41c、44aa 入力端面
11d、14ba、21d、44ba 出力端面
12、22、42 固着材
13、23、43 光吸収体
14、44 エンドキャップ
14a 入力部
14b 出力部
41d、112c 被覆
100 半導体レーザモジュール
101 パッケージ
102 LD高さ調整板
103-1~103-6 サブマウント
104-1~104-6 半導体レーザ素子
105 リードピン
106-1~106-6 第1レンズ
107-1~107-6 第2レンズ
108-1~108-6 ミラー
109 第3レンズ
110 光フィルタ
111 第4レンズ
113 ブーツ
114 ルースチューブ
Aa、Ba、Ca コア径
Aba、Bba、Cba 主部クラッド径
Abb、Bbb 入力端面クラッド径
Abc、Bbc 出力端面クラッド径
C1、C2 輪郭
L1、L1a、L1b、L1c、L1d、L1e、L1f、L1g、L1h、L1i、L1j、L1m、L1n、L2 レーザ光

Claims (9)

  1.  コア部と、前記コア部の外周に形成されたクラッド部とを有する光ファイバと、
     前記光ファイバの外周に配置された光吸収体と、
     前記光吸収体と前記光ファイバとを固着する固着材と、
     を備え、前記クラッド部は、長手方向に延伸し、主部クラッド径を有する主部と、前記主部に対して光の入力側に位置する入力側端部とを有し、前記入力側端部の入力端面における入力端面クラッド径が前記主部クラッド径よりも小さいことを特徴とする光学部品。
  2.  前記入力側端部は、クラッド径が前記主部クラッド径から前記入力端面クラッド径にほぼ等しい径まで変化するテーパ状であることを特徴とする請求項1に記載の光学部品。
  3.  前記入力側端部は、前記入力端面クラッド径と略等しいクラッド径を有することを特徴とする請求項1に記載の光学部品。
  4.  前記クラッド部は、前記主部に対して光の出力側に位置する出力側端部を有し、前記出力側端部の出力端面における出力端面クラッド径が前記主部クラッド径よりも小さいことを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載の光学部品。
  5.  前記光ファイバの前記入力端面に接続された、前記光ファイバの前記入力端面よりも面積が大きい入力端面を有するエンドキャップを備えることを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の光学部品。
  6.  前記入力端面クラッド径は前記コア部のコア径の1.1倍以上1.4倍以下であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一つに記載の光学部品。
  7.  前記主部クラッド径は125μmよりも大きいことを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載の光学部品。
  8.  前記主部クラッド径は500μm以上であることを特徴とする請求項1~7のいずれか一つに記載の光学部品。
  9.  請求項1~8のいずれか一つに記載の光学部品と、
     半導体レーザ素子と、
     前記半導体レーザ素子から出力されたレーザ光を前記光学部品の前記入力端面に導く光学系と、
     を備えることを特徴とする半導体レーザモジュール。
PCT/JP2020/010460 2019-03-12 2020-03-11 光学部品および半導体レーザモジュール WO2020184603A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202080016444.8A CN113474954B (zh) 2019-03-12 2020-03-11 光学部件以及半导体激光模块
KR1020217028197A KR20210136012A (ko) 2019-03-12 2020-03-11 광학 부품 및 반도체 레이저 모듈
EP20769587.5A EP3940899A4 (en) 2019-03-12 2020-03-11 OPTICAL COMPONENT AND SEMICONDUCTOR LASER MODULE
JP2021505099A JPWO2020184603A1 (ja) 2019-03-12 2020-03-11
US17/445,216 US20210373256A1 (en) 2019-03-12 2021-08-17 Optical part and semiconductor laser module

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-045001 2019-03-12
JP2019045001 2019-03-12

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US17/445,216 Continuation US20210373256A1 (en) 2019-03-12 2021-08-17 Optical part and semiconductor laser module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020184603A1 true WO2020184603A1 (ja) 2020-09-17

Family

ID=72426112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/010460 WO2020184603A1 (ja) 2019-03-12 2020-03-11 光学部品および半導体レーザモジュール

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210373256A1 (ja)
EP (1) EP3940899A4 (ja)
JP (1) JPWO2020184603A1 (ja)
KR (1) KR20210136012A (ja)
CN (1) CN113474954B (ja)
WO (1) WO2020184603A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11789203B2 (en) * 2021-06-07 2023-10-17 Mellanox Technologies, Ltd. Coupling element with embedded modal filtering for a laser and/or photodiode

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01316705A (ja) * 1988-06-17 1989-12-21 Fuji Photo Optical Co Ltd 高エネルギレーザ光の伝送装置
US20050196108A1 (en) * 2002-02-22 2005-09-08 Brown Joe D. Apparatus and method for coupling laser energy into small core fibers
US20120262938A1 (en) * 2011-04-15 2012-10-18 Nlight Photonics Corporation Cladding mode spatial filter
WO2015037725A1 (ja) 2013-09-12 2015-03-19 古河電気工業株式会社 半導体レーザモジュール
WO2017134911A1 (ja) * 2016-02-03 2017-08-10 古河電気工業株式会社 レーザ装置
JP2017223897A (ja) * 2016-06-17 2017-12-21 三菱電線工業株式会社 光コネクタ構造
JP2019028414A (ja) * 2017-07-28 2019-02-21 ファインガラステクノロジーズ株式会社 光ファイバ構造物

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8027557B2 (en) * 2007-09-24 2011-09-27 Nufern Optical fiber laser, and components for an optical fiber laser, having reduced susceptibility to catastrophic failure under high power operation
JP5588534B1 (ja) * 2013-03-28 2014-09-10 三星ダイヤモンド工業株式会社 光ファイバ、及びこれを用いたレーザ発振器
US9318876B1 (en) * 2015-01-22 2016-04-19 Trumpf Photonics, Inc. Arrangement of multiple diode laser module and method for operating the same
JP2017194514A (ja) * 2016-04-19 2017-10-26 株式会社フジクラ 光部品、ファイバレーザユニット、およびファイバレーザシステム

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01316705A (ja) * 1988-06-17 1989-12-21 Fuji Photo Optical Co Ltd 高エネルギレーザ光の伝送装置
US20050196108A1 (en) * 2002-02-22 2005-09-08 Brown Joe D. Apparatus and method for coupling laser energy into small core fibers
US20120262938A1 (en) * 2011-04-15 2012-10-18 Nlight Photonics Corporation Cladding mode spatial filter
WO2015037725A1 (ja) 2013-09-12 2015-03-19 古河電気工業株式会社 半導体レーザモジュール
WO2017134911A1 (ja) * 2016-02-03 2017-08-10 古河電気工業株式会社 レーザ装置
JP2017223897A (ja) * 2016-06-17 2017-12-21 三菱電線工業株式会社 光コネクタ構造
JP2019028414A (ja) * 2017-07-28 2019-02-21 ファインガラステクノロジーズ株式会社 光ファイバ構造物

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3940899A4

Also Published As

Publication number Publication date
EP3940899A4 (en) 2022-11-30
JPWO2020184603A1 (ja) 2020-09-17
CN113474954B (zh) 2024-03-22
US20210373256A1 (en) 2021-12-02
EP3940899A1 (en) 2022-01-19
KR20210136012A (ko) 2021-11-16
CN113474954A (zh) 2021-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9746627B2 (en) Semiconductor laser module
JP6147341B2 (ja) 半導体レーザモジュール
US9933585B2 (en) Low return loss silicon photonics package structure
JP2013137507A (ja) 光レセプタクルおよびこれを備えた光モジュール
CA3023857C (en) Optical module
WO2020196626A1 (ja) 光学部品および半導体レーザモジュール
WO2020184603A1 (ja) 光学部品および半導体レーザモジュール
US7397985B2 (en) High-power fused collimator and associated methods
CN104678517B (zh) 一种集成的半导体光学器件
WO2021010488A1 (ja) 半導体レーザモジュール、光源ユニット、光源装置および光ファイバレーザ
US10061092B2 (en) Semiconductor laser module
WO2020196562A1 (ja) 光ファイバにおける端部構造および半導体レーザモジュール
JP7012414B2 (ja) 端部構造および半導体レーザモジュール
JP2020181091A (ja) 半導体レーザモジュール
WO2016054986A1 (zh) 传能光纤连接器
JP2017026660A (ja) 光ファイバ端末
WO2018151100A1 (ja) 半導体レーザモジュール
JP2022154134A (ja) クラッド伝搬光除去機構
JP5856016B2 (ja) 光モジュール
JP2009192953A (ja) 光機能素子

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20769587

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021505099

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020769587

Country of ref document: EP

Effective date: 20211012