WO2020183812A1

WO2020183812A1 - 半導体発光装置

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Publication number: WO2020183812A1
Application number: PCT/JP2019/046854
Authority: WO
Inventors: 秀之内海; 良宜田中
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2019-03-11
Filing date: 2019-11-29
Publication date: 2020-09-17
Anticipated expiration: 2021-09-11
Also published as: JPWO2020183812A1; JP7138767B2

Abstract

半導体発光装置は、基部、前記基部に向けて窪んだコンタクト孔が形成された主面を有する頂部、前記頂部および前記基部を接続する側壁、ならびに、前記主面および前記側壁を接続する角部から前記主面の接線方向に張り出し、前記主面を拡張させる主面拡張部を含むメサ構造を有し、光を生成する半導体発光層と、前記コンタクト孔内において前記半導体発光層に電気的に接続された電極と、を含む。

Description

半導体発光装置

　本発明は、半導体発光装置に関する。

　特許文献１には、半導体発光装置の一例としての端面発光形半導体レーザが開示されている。この端面発光形半導体レーザは、光を生成する半導体発光層と、半導体発光層に電気的に接続された電極と、を含む。

特開２００８－８５３３９号公報

　本発明の一実施形態は、半導体発光層に電極を適切に接続できる半導体発光装置を提供する。

　本発明の一実施形態は、基部、前記基部に向けて窪んだコンタクト孔が形成された主面を有する頂部、前記頂部および前記基部を接続する側壁、ならびに、前記主面および前記側壁を接続する角部から前記主面の接線方向に張り出し、前記主面を拡張させる主面拡張部を含むメサ構造を有し、光を生成する半導体発光層と、前記コンタクト孔内において前記半導体発光層に電気的に接続された電極と、を含む、半導体発光装置を提供する。

　この半導体発光装置によれば、メサ構造の主面が主面拡張部によって拡張されている。これにより、製造工程時において生じ得るコンタクト孔の位置ずれによる影響を低減できる。その結果、メサ構造の主面にコンタクト孔を適切に形成できるから、コンタクト孔内において電極を半導体発光層に適切に接続させることができる。

　本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。

図１は、本発明の一実施形態に係る半導体発光装置が搭載された半導体発光装置用ステムを示す分離斜視図である。図２は、図１に示す半導体発光装置用ステムの電気的構造を示す回路図である。図３は、図１に示す半導体発光装置の斜視図である。図４は、図３の一部切欠き斜視図である。図５は、図４の一部の領域の拡大斜視図である。図６は、図１に示す半導体発光装置の一部の領域の拡大断面図である。図７は、図６に示す発光ユニット層の一構造例を説明するための図である。図８は、図６に示すトンネル接合層の一構造例を説明するための図である。図９は、図６に示す領域IXの拡大図である。図１０は、図６に示す領域Xの拡大図である。図１１は、図６に示す領域XIの拡大図である。図１２は、図６に示す領域XIIの拡大図であって、第１形態例に係る絶縁層が形成された構造を示す拡大図である。図１３は、図６に示す領域XIIの拡大図であって、第２形態例に係る絶縁層が形成された構造を示す拡大図である。図１４は、図６に示す領域XIIの拡大図であって、第３形態例に係る絶縁層が形成された構造を示す拡大図である。図１５は、図６に示す領域XIIの拡大図であって、第４形態例に係る絶縁層が形成された構造を示す拡大図である。図１６Ａは、図３に示す半導体発光装置の製造方法の一例を説明するための斜視図である。図１６Ｂは、図１６Ａの後の工程を示す斜視図である。図１６Ｃは、図１６Ｂの後の工程を示す斜視図である。図１６Ｄは、図１６Ｃの後の工程を示す斜視図である。図１６Ｅは、図１６Ｄの後の工程を示す斜視図である。図１６Ｆは、図１６Ｅの後の工程を示す斜視図である。図１６Ｇは、図１６Ｆの後の工程を示す斜視図である。図１６Ｈは、図１６Ｇの後の工程を示す斜視図である。図１６Ｉは、図１６Ｈの後の工程を示す斜視図である。図１６Ｊは、図１６Ｉの後の工程を示す斜視図である。図１７は、図３に示す半導体発光装置が搭載された第１形態例に係るパッケージを、パッケージ本体を透過して示す平面図である。図１８は、図１７のXVIII-XVIII線に沿う断面図である。図１９は、図３に示す半導体発光装置が搭載された第２形態例に係るパッケージを示す平面図である。図２０は、図１９に示すパッケージの底面図である。図２１は、図１９に示すXXI-XXI線に沿う断面図である。図２２は、図３に示す半導体発光装置が搭載された第３形態例に係るパッケージを示す平面図である。図２３は、図２２に示すパッケージの正面図である。図２４は、図２２に示すパッケージの背面図である。図２５は、図２２に示すパッケージの底面図である。図２６は、図２２に示すXXVI-XXVI線に沿う断面図である。図２７は、図２２に示すXXVII-XXVII線に沿う断面図である。図２８は、図２２に示す筐体の要部を示す平面図である。図２９は、図２２に示す筐体の要部を示す平面図である。図３０は、図２２に示す筐体の要部を示す平面図である。

　図１は、本発明の一実施形態に係る半導体発光装置１が搭載された半導体発光装置用ステム２を示す分離斜視図である。半導体発光装置１は、この形態では、レーザ光を生成する半導体レーザ装置からなる。つまり、半導体発光装置用ステム２は、半導体レーザ装置用のステムである。

　図１を参照して、半導体発光装置用ステム２は、ステムベース３、第１リード端子４、第２リード端子５、第３リード端子６、第１絶縁体７、第２絶縁体８、ヒートシンク９、半導体発光装置１、フォトダイオード１０、第１導線１２、第２導線１３、キャップ１４および閉塞部材１５を含む。

　ステムベース３は、金属製（たとえば鉄製）の板状部材を含む。ステムベース３は、この形態では、円板状に形成されている。ステムベース３は、一方側の第１面１６、他方側の第２面１７、ならびに、第１面１６および第２面１７を接続する側面１８を有している。ステムベース３の側面１８において任意の領域には、複数（この形態では３つ）の切欠部が間隔を空けて形成されている。複数の切欠部は、第１切欠部１９、第２切欠部２０および第３切欠部２１を含む。

　第１切欠部１９は、ステムベース３の中央部に向かって凹状に窪んでいる。第２切欠部２０および第３切欠部２１は、それぞれ、ステムベース３の中央部に向かってＶ字状に窪んでいる。第２切欠部２０および第３切欠部２１は、ステムベース３の中央部を挟んで互いに対向している。第１切欠部１９、第２切欠部２０および第３切欠部２１は、第１リード端子４、第２リード端子５および第３リード端子６の配置を示していてもよい。

　第１リード端子４、第２リード端子５および第３リード端子６は、ステムベース３の第２面１７において、互いに間隔を空けて設けられている。第１リード端子４、第２リード端子５および第３リード端子６は、第２面１７の法線方向に沿って棒状、柱状または軸状にそれぞれ延びている。第１リード端子４は、ステムベース３の第２面１７に接続されている。これにより、第１リード端子４は、ステムベース３に電気的に接続されている。

　第２リード端子５は、ステムベース３の第２面１７側からステムベース３の第１面１６側に引き出された引き出し部２２を含む。第２リード端子５の引き出し部２２は、ステムベース３に形成された第１貫通孔２３を介して引き出されている。第３リード端子６は、ステムベース３の第２面１７側からステムベース３の第１面１６側に引き出された引き出し部２４を含む。第３リード端子６の引き出し部２４は、ステムベース３に形成された第２貫通孔２５を介して引き出されている。

　第１絶縁体７は、第１貫通孔２３内において、第２リード端子５およびステムベース３の間に介在している。第１絶縁体７は、ステムベース３から第２リード端子５を電気的に絶縁させる。第１絶縁体７は、第２リード端子５を支持している。第２絶縁体８は、第２貫通孔２５内において、第３リード端子６およびステムベース３の間に介在している。第２絶縁体８は、ステムベース３から第３リード端子６を電気的に絶縁させる。第２絶縁体８は、第３リード端子６を支持している。

　ヒートシンク９は、ステムベース３の第１面１６に設けられている。ヒートシンク９は、シリコン製、窒化アルミニウム製または金属製（たとえば鉄製）のブロック状または板状の部材を含む。ヒートシンク９は、第１面１６に対して一体的に形成されていてもよい。

　ヒートシンク９は、第１面１６の法線方向から見た平面視において、ステムベース３の中央部に対してステムベース３の周縁部側に配置されていてもよい。ヒートシンク９は、第１実装面２６を有している。第１実装面２６は、第１面１６の法線方向に沿って延びている。第１実装面２６は、ステムベース３の中央部に方向付けられている。

　半導体発光装置１は、ヒートシンク９の第１実装面２６に実装されている。半導体発光装置１およびヒートシンク９の間には、サブマウントが介在されていてもよい。半導体発光装置１は、第１面１６の法線方向に向けてレーザ光を照射する。半導体発光装置１は、ステムベース３を介して第１リード端子４に電気的に接続されている。

　フォトダイオード１０は、ステムベース３の第１面１６に実装されている。フォトダイオード１０は、第１面１６において、ステムベース３の中央部を挟んでヒートシンク９に対向する領域に実装されている。フォトダイオード１０は、具体的には、第１面１６に形成されたリセス部２７内に実装されている。リセス部２７は、底部に形成された第２実装面２８を有している。フォトダイオード１０は、第２実装面２８に実装されている。フォトダイオード１０は、ステムベース３を介して第１リード端子４に電気的に接続されている。

　第１導線１２は、ボンディングワイヤであってもよい。第１導線１２は、半導体発光装置１および第２リード端子５を電気的に接続する。第１導線１２は、具体的には、第２リード端子５の引き出し部２２に接続されている。これにより、半導体発光装置１は、第１導線１２を介して第２リード端子５に電気的に接続されている。

　第２導線１３は、ボンディングワイヤであってもよい。第２導線１３は、フォトダイオード１０および第３リード端子６を電気的に接続する。第２導線１３は、具体的には、第３リード端子６の引き出し部２４に接続されている。これにより、フォトダイオード１０は、第２導線１３を介して第３リード端子６に電気的に接続されている。

　キャップ１４は、金属製（たとえば鉄製）の筒状部材を含む。キャップ１４は、ステムベース３の第１面１６の上に取り付けられる。キャップ１４は、ヒートシンク９、半導体発光装置１、フォトダイオード１０、第２リード端子５の引き出し部２２、第３リード端子６の引き出し部２４、第１導線１２および第２導線１３を収容する。

　キャップ１４は、対向壁２９、側壁３０およびフランジ３１を含む。対向壁２９は、板状（この形態では円板状）に形成されている。対向壁２９は、ステムベース３の第１面１６に対向している。側壁３０は、筒状（この形態では円筒状）に形成され、対向壁２９の周縁に連なっている。側壁３０は、対向壁２９とは反対側において開口３２を区画している。

　フランジ３１は、開口３２の開口端に開口３２とは反対側に張り出している。フランジ３１は、開口３２の開口端に沿って環状（この形態では円環状）に形成されている。キャップ１４は、フランジ３１が第１面１６に取り付けられることによって、ステムベース３に固定される。キャップ１４には、光取り出し窓３３が形成されている。光取り出し窓３３は、対向壁２９に形成されている。光取り出し窓３３は、半導体発光装置１によって生成されたレーザ光をキャップ１４内からキャップ１４外に導く。

　閉塞部材１５は、光取り出し窓３３を閉塞する部材である。閉塞部材１５は、透光性を有する絶縁体または透明な絶縁体からなることが好ましい。閉塞部材１５は、この形態では、ガラスからなる。閉塞部材１５は、レーザ光の指向性を高めるためのレンズであってもよい。閉塞部材１５は、この形態では、キャップ１４の内側から光取り出し窓３３を閉塞している。閉塞部材１５は、キャップ１４の外側から光取り出し窓３３を閉塞していてもよい。

　図２は、半導体発光装置用ステム２の電気的構造を示す回路図である。

　図２を参照して、半導体発光装置１は、この形態では、カソードが第１リード端子４に電気的に接続され、アノードが第２リード端子５に電気的に接続される態様でステムベース３の上に搭載されている。フォトダイオード１０は、この形態では、カソードが第３リード端子６に電気的に接続され、アノードが第１リード端子４に電気的に接続される態様でステムベース３の上に搭載されている。

　半導体発光装置１およびフォトダイオード１０の接続態様は任意である。半導体発光装置１は、アノードが第１リード端子４に電気的に接続され、カソードが第２リード端子５に電気的に接続される態様で搭載されていてもよい。また、フォトダイオード１０は、アノードが第３リード端子６に電気的に接続され、カソードが第１リード端子４に電気的に接続される態様で搭載されていてもよい。

　また、この形態では、半導体発光装置用ステム２が、半導体発光装置１およびフォトダイオード１０を含む例について説明した。しかし、フォトダイオード１０を備えない半導体発光装置用ステム２が採用されてもよい。この場合、第３リード端子６は取り除かれてもよいし、開放端子として残存させていてもよい。

　図３は、図１に示す半導体発光装置１の斜視図である。図４は、図３の一部切欠き斜視図である。図５は、図４の一部の領域の拡大斜視図である。

　図３～図５を参照して、半導体発光装置１は、直方体形状に形成された基板４１を含む。基板４１は、この形態では、ＧａＡｓ（ガリウム－砒素）を含むｎ型の半導体基板からなる。基板４１は、ｎ型不純物としてのＳｉ（シリコン）、Ｔｅ（テルル）、および、Ｓｅ（セレン）の少なくとも１種を含む。

　基板４１は、一方側の第１主面４２、他方側の第２主面４３、ならびに、第１主面４２および第２主面４３を接続する基板側面４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，４４Ｄを含む。第１主面４２および第２主面４３は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状（この形態では、長方形状）に形成されている。

　基板側面４４Ａ～４４Ｄは、第１基板側面４４Ａ、第２基板側面４４Ｂ、第３基板側面４４Ｃおよび第４基板側面４４Ｄを含む。第１基板側面４４Ａおよび第２基板側面４４Ｂは、基板４１の長辺を形成している。第１基板側面４４Ａおよび第２基板側面４４Ｂは、第１方向Ｘに沿って延び、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに互いに対向している。第２方向Ｙは、具体的には、第１方向Ｘに直交している。

　第３基板側面４４Ｃおよび第４基板側面４４Ｄは、基板４１の短辺を形成している。第３基板側面４４Ｃおよび第４基板側面４４Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに互いに対向している。基板側面４４Ａ～４４Ｄのうちの少なくとも基板側面４４Ｃおよび基板側面４４Ｄは、鏡面化されていることが好ましい。基板側面４４Ａ～４４Ｄの全てが、鏡面化されていてもよい。基板側面４４Ａ～４４Ｄは、劈開面であってもよい。

　基板４１の厚さＴｓｕｂは、５０μｍ以上３５０μｍ以下であってもよい。厚さＴｓｕｂは、５０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上２５０μｍ以下、２５０μｍ以上３００μｍ以下、または、３００μｍ以上３５０μｍ以下であってもよい。

　第１基板側面４４Ａ（第２基板側面４４Ｂ）の長さＬ１は、２００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。長さＬ１は、２００μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上５００μｍ以下、５００μｍ以上６００μｍ以下、６００μｍ以上７００μｍ以下、７００μｍ以上８００μｍ以下、８００μｍ以上９００μｍ以下、または、９００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。

　第３基板側面４４Ｃ（第４基板側面４４Ｄ）の長さＬ２は、５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。長さＬ２は、５０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上２５０μｍ以下、２５０μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上３５０μｍ以下、３５０μｍ以上４００μｍ以下、４００μｍ以上４５０μｍ以下、または、４５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。

　半導体発光装置１は、半導体発光層４５をさらに含む。半導体発光層４５は、基板４１の第１主面４２の上に形成されている。半導体発光層４５は、光（この形態ではレーザ光）を生成する。半導体発光層４５は、８００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下のピーク波長を有する光を生成する。つまり、半導体発光層４５は、赤外領域の光を生成する。

　半導体発光層４５は、メサ構造５０を有している。メサ構造５０は、第１主面４２から第２主面４３とは反対側に向けて突出した台地状（リッジ状）に形成されている。メサ構造５０は、第１基板側面４４Ａおよび第２基板側面４４Ｂから内方に間隔を空け形成されている。メサ構造５０は、この形態では、第１主面４２の中央部において第２方向Ｙに沿って帯状に延びている。

　メサ構造５０（半導体発光層４５）の厚さＴｍｅｓａは、１μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。厚さＴｍｅｓａは、１μｍ以上５μｍ以下、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１５μｍ以下、１５μｍ以上２０μｍ以下、２０μｍ以上２５μｍ以下、２５μｍ以上３０μｍ以下、３０μｍ以上３５μｍ以下、または、３５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。厚さＴｍｅｓａは、３μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。

　メサ構造５０は、基部５１、頂部５２、第１側壁５３および第２側壁５４を含む。基部５１は、基板４１に連なっている。頂部５２は、メサ主面５５を有している。メサ主面５５は、基板４１の第１主面４２に対して平行に形成されている。

　第１側壁５３および第２側壁５４は、基部５１および頂部５２をそれぞれ接続している。第１側壁５３は、第１基板側面４４Ａ側の側壁である。第２側壁５４は、第２基板側面４４Ｂ側の側壁である。基部５１、頂部５２、第１側壁５３および第２側壁５４は、第２方向Ｙに沿って帯状にそれぞれ延びている。

　平面視において、頂部５２の周縁は、基部５１の周縁よりも内方に位置している。つまり、頂部５２の周縁に取り囲まれた領域の平面面積は、基部５１の周縁に取り囲まれた領域の平面面積未満である。第１側壁５３および第２側壁５４は、頂部５２から基部５１に向けて下り傾斜している。

　第１側壁５３および第２側壁５４は、具体的には、メサ主面５５の法線方向Ｚとの間で成す角度が、頂部５２から基部５１に向けて漸増する態様で、それぞれ下り傾斜している。これにより、メサ構造５０は、第２方向Ｙに沿う幅が頂部５２側から基部５１側に向けて漸増するテーパ形状（四角錐台形状）に形成されている。

　第１側壁５３および第２側壁５４は、基板４１の第１主面４２を横切っている。これにより、第１側壁５３の底部および第２側壁５４の底部からは、基板４１の第１主面４２側の表層部が露出している。

　基板４１の第１主面４２においてメサ構造５０の内外を接続する部分には、段差が形成されている。第１主面４２においてメサ構造５０の内側に位置する部分は、第１主面４２においてメサ構造５０の外側に位置する部分に対して頂部５２側に突出している。換言すると、第１主面４２においてメサ構造５０の外側に位置する部分は、第１主面４２においてメサ構造５０の内側に位置する部分に対して第２主面４３側に窪んでいる。基板４１の第１主面４２は、メサ構造５０の内外において面一に形成されていてもよい。

　メサ構造５０は、メサ主面５５を拡張させる主面拡張部６０を有している。主面拡張部６０は、この形態では、第１主面拡張部６１および第２主面拡張部６２を含む。第１主面拡張部６１は、メサ主面５５および第１側壁５３を接続する第１角部に形成されている。第２主面拡張部６２は、メサ主面５５および第２側壁５４を接続する第２角部に形成されている。

　第１主面拡張部６１は、メサ主面５５の表層部において、メサ主面５５からメサ主面５５の接線方向（この形態では第２方向Ｙ）に沿って張り出している。第１主面拡張部６１は、第１側壁５３に接続された第１接続部６３を有している。第１主面拡張部６１は、第１接続部６３を起点にメサ主面５５に向けて先太りとなる逆テーパ形状に形成されている。

　第１主面拡張部６１は、具体的には、第１拡張面６４および第１テーパ面６５を有している。第１拡張面６４は、メサ主面５５に対して面一に形成され、メサ主面５５を拡張している。

　第１テーパ面６５は、第１拡張面６４および第１側壁５３（第１接続部６３）を接続している。第１テーパ面６５は、法線方向Ｚに沿って第１側壁５３に対向するように、第１接続部６３から第１拡張面６４に向けて逆テーパ状に延びている。第１拡張面６４および第１側壁５３を接続する部分（第１主面拡張部６１の縁部）は、第１側壁５３の上の領域に位置している。

　第１主面拡張部６１は、法線方向Ｚに関して、第１厚さＴ１を有している。第１厚さＴ１は、法線方向Ｚにおける第１拡張面６４および第１接続部６３の間の厚さである。第１厚さＴ１は、２０００Å以上２５０００Å以下であってもよい。

　第１厚さＴ１は、２０００Å以上５０００Å以下、５０００Å以上７５００Å以下、７５００Å以上１００００Å以下、１００００Å以上１２５００Å以下、１２５００Å以上１５０００Å以下、１５０００Å以上１７５００Å以下、１７５００Å以上２００００Å以下、２００００Å以上２２５００Å以下、または、２２５００Å以上２５０００Å以下であってもよい。第１厚さＴ１は、５０００Å以上１５０００Å以下であることが好ましい。

　第２主面拡張部６２は、メサ主面５５の表層部において、メサ主面５５からメサ主面５５の接線方向（この形態では第２方向Ｙ）に張り出している。第２主面拡張部６２は、第２側壁５４に接続された第２接続部６６を有している。第２主面拡張部６２は、第２接続部６６を起点にメサ主面５５に向けて先太りとなる逆テーパ形状に形成されている。

　第２主面拡張部６２は、具体的には、第２拡張面６７および第２テーパ面６８を有している。第２拡張面６７は、メサ主面５５に対して面一に形成され、メサ主面５５を拡張している。

　第２テーパ面６８は、第２拡張面６７および第２側壁５４（第２接続部６６）を接続している。第２テーパ面６８は、法線方向Ｚに沿って第２側壁５４に対向するように、第２接続部６６から第２拡張面６７に向けて逆テーパ状に延びている。第２拡張面６７および第２側壁５４を接続する部分（第２主面拡張部６２の縁部）は、第２側壁５４の上の領域に位置している。

　第２主面拡張部６２は、法線方向Ｚに関して、第２厚さＴ２を有している。第２厚さＴ２は、法線方向Ｚにおける第２拡張面６７および第２接続部６６の間の厚さである。第２厚さＴ２は、５０００Å以上１５０００Å以下であってもよい。第２厚さＴ２は、２０００Å以上２５０００Å以下であってもよい。

　第２厚さＴ２は、２０００Å以上５０００Å以下、５０００Å以上７５００Å以下、７５００Å以上１００００Å以下、１００００Å以上１２５００Å以下、１２５００Å以上１５０００Å以下、１５０００Å以上１７５００Å以下、１７５００Å以上２００００Å以下、２００００Å以上２２５００Å以下、または、２２５００Å以上２５０００Å以下であってもよい。第２厚さＴ２は、５０００Å以上１５０００Å以下であることが好ましい。

　第２厚さＴ２は、第１厚さＴ１を超えていてもよい（Ｔ１＜Ｔ２）。第２厚さＴ２は、第１厚さＴ１未満であってもよい（Ｔ２＜Ｔ１）。第２厚さＴ２は、第１厚さＴ１と等しくてもよい（Ｔ１＝Ｔ２）。

　メサ構造５０は、さらに、第１端面７１および第２端面７２を含む。第１端面７１は、第３基板側面４４Ｃから露出している。第１端面７１は、具体的には、第３基板側面４４Ｃに対して面一に形成されている。第１端面７１は、鏡面化されている。第１端面７１は、この形態では、第３基板側面４４Ｃとの間で一つの劈開面を形成している。

　第２端面７２は、第４基板側面４４Ｄから露出している。第２端面７２は、具体的には、第４基板側面４４Ｄに対して面一に形成されている。第２端面７２は、鏡面化されている。第２端面７２は、この形態では、第４基板側面４４Ｄとの間で一つの劈開面を形成している。

　第１端面７１および第２端面７２は、共振器端面を形成している。半導体発光層４５で生成された光は、第１端面７１および第２端面７２の間を往復し、誘導放出によって増幅される。増幅された光の一部は、第１端面７１および第２端面７２からレーザ光として半導体発光層４５外に取り出される。半導体発光装置１は、第１端面７１および第２端面７２のいずれか一方を光取り出し窓３３に対向させた姿勢で、ヒートシンク９の第１実装面２６に実装される（図１参照）。

　メサ構造５０は、メサ主面５５に形成されたコンタクト孔７５を含む。コンタクト孔７５は、メサ主面５５において基部５１に向けて窪んでいる。コンタクト孔７５は、この形態では、メサ主面５５の周縁から内方に間隔を空けて形成されている。コンタクト孔７５は、平面視において第２方向Ｙに沿って帯状に延びている。

　コンタクト孔７５は、第１端面７１および第２端面７２に連通していてもよい。コンタクト孔７５は、第１端面７１および第２端面７２に連通しないようにメサ主面５５の周縁によって取り囲まれた領域内に形成されていてもよい。

　コンタクト孔７５は、平面視において第１主面拡張部６１の第１接続部６３よりも内方に間隔を空けて形成されていることが好ましい。コンタクト孔７５は、平面視において第２主面拡張部６２の第２接続部６６よりも内方に間隔を空けて形成されていることが好ましい。

　コンタクト孔７５の深さＤＣは、第１主面拡張部６１の第１厚さＴ１未満（ＤＣ＜Ｔ１）であることが好ましい。深さＤＣは、第１厚さＴ１の２分の１以下（ＤＣ≦Ｔ１／２）であることが好ましい。深さＤＣは、第１厚さＴ１の３分の１以下（ＤＣ≦Ｔ１／３）であることがさらに好ましい。

　深さＤＣは、第２主面拡張部６２の第２厚さＴ２未満（ＤＣ＜Ｔ２）であることが好ましい。深さＤＣは、第２厚さＴ２の２分の１以下（ＤＣ≦Ｔ２／２）であることが好ましい。深さＤＣは、第２厚さＴ２の３分の１以下（ＤＣ≦Ｔ２／３）であることがさらに好ましい。

　深さＤＣは、１Å以上２０００Å以下であってもよい。深さＤＣは、１Å以上２００Å以下、２００Å以上４００Å以下、４００Å以上６００Å以下、６００Å以上８００Å以下、８００Å以上１０００Å以下、１０００Å以上１２００Å以下、１２００Å以上１４００Å以下、１４００Å以上１６００Å以下、１６００Å以上１８００Å以下、または、１８００Å以上２０００Å以下であってもよい。深さＤＣは、１０Å以上１０００Å以下であることが好ましい。

　半導体発光装置１は、絶縁層８１をさらに含む。絶縁層８１は、半導体発光層４５を被覆している。絶縁層８１は、膜状に形成されている。絶縁層８１は、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含んでいてもよい。絶縁層８１は、この形態では、窒化シリコンを含む。絶縁層８１は、第１主面拡張部６１を介してメサ構造５０の頂部５２および第１側壁５３を被覆している。絶縁層８１は、第２主面拡張部６２を介してメサ構造５０の頂部５２および第２側壁５４を被覆している。

　絶縁層８１は、具体的には、頂部被覆部８２、側壁被覆部８３および基板被覆部８４を一体的に含む。頂部被覆部８２は、メサ構造５０の頂部５２を被覆している。側壁被覆部８３は、メサ構造５０の第１側壁５３および第２側壁５４を被覆している。基板被覆部８４は、基板４１の第１主面４２を被覆している。第１主面拡張部６１および第２主面拡張部６２は、頂部被覆部８２および側壁被覆部８３によって被覆されている。

　絶縁層８１には、コンタクト開口８５が形成されている。コンタクト開口８５は、コンタクト孔７５に連通するように頂部被覆部８２に形成されている。コンタクト開口８５は、コンタクト孔７５の内壁を露出させている。コンタクト開口８５の内壁は、コンタクト孔７５の内壁に沿って延びている。

　半導体発光装置１は、コンタクト電極８６をさらに含む。コンタクト電極８６は、コンタクト孔７５内において半導体発光層４５に電気的に接続されている。コンタクト電極８６は、膜状に形成されている。コンタクト電極８６は、コンタクト孔７５の内壁を被覆し、コンタクト開口８５を介して絶縁層８１の上に引き出されている。

　コンタクト電極８６は、メサ構造５０の頂部５２を被覆し、メサ構造５０の第１側壁５３および第２側壁５４を露出させている。コンタクト電極８６は、この形態では、第１主面拡張部６１および第２主面拡張部６２を含む頂部５２の周縁に取り囲まれた領域内だけに形成されている。

　コンタクト電極８６は、第１主面拡張部６１および第２主面拡張部６２のいずれか一方または双方を被覆していてもよい。コンタクト電極８６は、第１主面拡張部６１および第２主面拡張部６２のいずれか一方または双方を露出させていてもよい。コンタクト電極８６は、頂部５２から第１主面拡張部６１および第２主面拡張部６２を介してメサ構造５０の第１側壁５３および第２側壁５４を被覆していてもよい。

　コンタクト電極８６は、複数の電極層が積層された積層構造を有していてもよい。コンタクト電極８６は、半導体発光層４５側からこの順に積層された第１電極層および第２電極層を含んでいてもよい。

　第１電極層は、Ｔｉ（チタン）層およびＴｉＮ（窒化チタン）層のうちの少なくとも１つを含むバリア電極層であってもよい。第１電極層の厚さは、２００Å以上２０００Å以下であってもよい。第２電極層は、Ａｕ（金）層を含む低抵抗電極層であってもよい。低抵抗電極層は、シード層であってもよい。第２電極層の厚さは、１０００Å以上３０００Å以下であってもよい。

　半導体発光装置１は、第１端子電極９１および第２端子電極９２をさらに含む。第１端子電極９１は、コンタクト電極８６の上に形成されている。第１端子電極９１は、コンタクト電極８６を介して半導体発光層４５に電気的に接続されている。

　第１端子電極９１は、この形態では、コンタクト電極８６挟んでメサ構造５０の頂部５２を被覆し、メサ構造５０の第１側壁５３および第２側壁５４を露出させている。第１端子電極９１は、この形態では、第１主面拡張部６１および第２主面拡張部６２を含む頂部５２の周縁に取り囲まれた領域内だけに形成されている。

　第１端子電極９１は、第１主面拡張部６１および第２主面拡張部６２のいずれか一方または双方を被覆していてもよい。第１端子電極９１は、第１主面拡張部６１および第２主面拡張部６２のいずれか一方または双方を露出させていてもよい。第１端子電極９１は、頂部５２から第１主面拡張部６１および第２主面拡張部６２を介してメサ構造５０の第１側壁５３および第２側壁５４を被覆していてもよい。

　第１端子電極９１は、この形態では、単一の電極層からなる単層構造を有している。第１端子電極９１は、Ａｕ（金）層を含んでいてもよい。第１端子電極９１は、Ａｕ（金）めっき層であってもよい。

　第２端子電極９２は、基板４１の第２主面４３の上に形成されている。第２端子電極９２は、この形態では、第２主面４３の全面を被覆している。第２端子電極９２は、第２主面４３の周縁部を露出させるように第２主面４３の上に形成されていてもよい。第２端子電極９２は、複数の電極層を含む積層構造を有していてもよい。

　第２端子電極９２は、Ｎｉ（ニッケル）層、ＡｕＧｅ（金－ゲルマニウム合金）層、Ｔｉ（チタン）層およびＡｕ（金）層のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。第２端子電極９２は、Ｎｉ層、ＡｕＧｅ層、Ｔｉ層、および、Ａｕ層のうちの少なくとも２つを任意の態様で積層させた積層構造を有していてもよい。第２端子電極９２は、第２主面４３側からこの順に積層されたＮｉ層、ＡｕＧｅ層、Ｔｉ層、および、Ａｕ層を含んでいてもよい。

　第１端子電極９１がヒートシンク９に接続される場合、第２端子電極９２は、第１導線１２を介して第１リード端子４に接続される（図１参照）。第１端子電極９１が第１導線１２を介して第１リード端子４に接続される場合、第２端子電極９２は、ヒートシンク９に接続される（図１参照）。

　図６は、図１に示す半導体発光装置１の一部の領域の拡大断面図である。図７は、図６に示す発光ユニット層１０２の一構造例を説明するための図である。図８は、図６に示すトンネル接合層１０３の一構造例を説明するための図である。

　図６を参照して、半導体発光層４５は、この形態では、基板４１の第１主面４２の上に積層されたｎ型バッファ層１０１を含む。ｎ型バッファ層１０１は、ＧａＡｓ（ガリウム－砒素）を含む。ｎ型バッファ層１０１は、ｎ型不純物としてのＳｉ（シリコン）、Ｔｅ（テルル）、および、Ｓｅ（セレン）の少なくとも１種を含む。ｎ型バッファ層１０１のｎ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。

　半導体発光層４５は、ｎ型バッファ層１０１の上に積層された発光ユニット層１０２を含む。発光ユニット層１０２は、正孔および電子の結合によって光を生成する。半導体発光層４５は、この形態では、複数（この形態では３個）の発光ユニット層１０２を含む。複数の発光ユニット層１０２は、ｎ型バッファ層１０１側からこの順に積層された第１発光ユニット層１０２Ａ、第２発光ユニット層１０２Ｂおよび第３発光ユニット層１０２Ｃを含む。

　半導体発光層４５は、互いに隣り合う複数の発光ユニット層１０２Ａ～１０２Ｃの間の領域に介在するトンネル接合層１０３をさらに含む。トンネル接合層１０３は、トンネル効果に起因するトンネル電流を生成し、発光ユニット層１０２Ａ～１０２Ｃに供給する。トンネル接合層１０３は、この形態では、複数（この形態では２個）のトンネル接合層１０３を含む。複数のトンネル接合層１０３は、第１トンネル接合層１０３Ａおよび第２トンネル接合層１０３Ｂを含む。

　第１トンネル接合層１０３Ａは、第１発光ユニット層１０２Ａおよび第２発光ユニット層１０２Ｂの間の領域に介在している。第２トンネル接合層１０３Ｂは、第２発光ユニット層１０２Ｂおよび第３発光ユニット層１０２Ｃの間の領域に介在している。

　図７を参照して、第１発光ユニット層１０２Ａ、第２発光ユニット層１０２Ｂおよび第３発光ユニット層１０２Ｃは、基板４１側からこの順に積層されたｎ型クラッド層１１０（第１半導体層）、第１ガイド層１１１、活性層１１２、第２ガイド層１１３、および、ｐ型クラッド層１１４（第２半導体層）を含む積層構造をそれぞれ有している。

　ｎ型クラッド層１１０は、ＡｌＧａＡｓ（アルミニウム－ガリウム－砒素）を含む。ｎ型クラッド層１１０は、ｎ型不純物としてのＳｉ（シリコン）、Ｔｅ（テルル）、および、Ｓｅ（セレン）の少なくとも１種を含む。ｎ型クラッド層１１０のｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上１×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。ｎ型クラッド層１１０は、この形態では、基板４１側からこの順に積層された第１ｎ型クラッド層１１０Ａおよび第２ｎ型クラッド層１１０Ｂを含む。

　第１ｎ型クラッド層１１０Ａは、第１Ａｌ組成Ａを有するＡｌ_ＡＧａ_{（１－Ａ）}Ａｓを含む。第１Ａｌ組成Ａは、０．４以上０．６以下であってもよい。第１Ａｌ組成Ａは、０．４以上０．４５以下、０．４５以上０．５以下、０．５以上０．５５以下、または、０．５５以上０．６以下であってもよい。第１ｎ型クラッド層１１０Ａのｎ型不純物濃度は、５×１０^１７ｃｍ^－３以上１×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。

　第１ｎ型クラッド層１１０Ａの厚さは、５０００Å以上１００００Å以下であってもよい。第１ｎ型クラッド層１１０Ａの厚さは、５０００Å以上６０００Å以下、６０００Å以上７０００Å以下、７０００Å以上８０００Å以下、８０００Å以上９０００Å以下、または、９０００Å以上１００００Å以下であってもよい。

　第２ｎ型クラッド層１１０Ｂは、第１ｎ型クラッド層１１０Ａの第１Ａｌ組成Ａとは異なる第２Ａｌ組成Ｂを有するＡｌ_ＢＧａ_{（１－Ｂ）}Ａｓを含む。第２Ａｌ組成Ｂは、具体的には、第１Ａｌ組成Ａ未満（Ｂ＜Ａ）である。第２Ａｌ組成Ｂは、０．２以上０．４以下であってもよい。第２Ａｌ組成Ｂは、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、または、０．３５以上０．４以下であってもよい。

　第２ｎ型クラッド層１１０Ｂは、第１ｎ型クラッド層１１０Ａのｎ型不純物濃度とは異なるｎ型不純物濃度を有している。第２ｎ型クラッド層１１０Ｂのｎ型不純物濃度は、具体的には、第１ｎ型クラッド層１１０Ａのｎ型不純物濃度未満である。第２ｎ型クラッド層１１０Ｂのｎ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。

　第２ｎ型クラッド層１１０Ｂは、第１ｎ型クラッド層１１０Ａの厚さとは異なる厚さを有していてもよい。第２ｎ型クラッド層１１０Ｂは、第１ｎ型クラッド層１１０Ａの厚さを超える厚さを有していてもよい。

　第２ｎ型クラッド層１１０Ｂの厚さは、７０００Å以上１３０００Å以下であってもよい。第２ｎ型クラッド層１１０Ｂの厚さは、７０００Å以上８０００Å以下、８０００Å以上９０００Å以下、９０００Å以上１００００Å以下、１００００Å以上１１０００Å以下、１１０００Å以上１２０００Å以下、または、１２０００Å以上１３０００Å以下であってもよい。

　第１ガイド層１１１は、ｎ型クラッド層１１０のＡｌ組成（第１Ａｌ組成Ａおよび第２Ａｌ組成Ｂ）とは異なる第３Ａｌ組成Ｃを有するＡｌ_ＣＧａ_{（１－Ｃ）}Ａｓを含む。第３Ａｌ組成Ｃは、具体的には、ｎ型クラッド層１１０のＡｌ組成未満（Ｃ＜Ｂ＜Ａ）である。第３Ａｌ組成Ｃは、０を超えて０．２以下であってもよい。第３Ａｌ組成Ｃは、０を超えて０．０５以下、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、または、０．１５以上０．２以下であってもよい。第１ガイド層１１１は、不純物無添加であってもよい。

　第１ガイド層１１１の厚さは、５０Å以上２５０Å以下であってもよい。第１ガイド層１１１の厚さは、５０Å以上１００Å以下、１００Å以上１５０Å以下、１５０Å以上２００Å以下、または、２００Å以上２５０Å以下、であってもよい。

　活性層１１２は、ウェル層１１５およびバリア層１１６を含む多重量子井戸構造を有している。活性層１１２は、この形態では、基板４１側からこの順に積層されたウェル層１１５、バリア層１１６およびウェル層１１５を含む３層構造を有している。

　活性層１１２は、複数周期（２周期以上）に亘って交互に積層されたウェル層１１５およびバリア層１１６を含む多重量子井戸構造を有していてもよい。この場合、基板４１側を基準とする活性層１１２の最下層は、ウェル層１１５であってもよいし、バリア層１１６であってもよい。活性層１１２の最上層は、ウェル層１１５であってもよいし、バリア層１１６であってもよい。

　ウェル層１１５は、Ｉｎ組成αを有するＩｎ_αＧａ_{（１－α）}Ａｓを含む。Ｉｎ組成αは、０を超えて０．２以下であってもよい。Ｉｎ組成αは、０を超えて０．０５以下、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、または、０．１５以上０．２以下であってもよい。ウェル層１１５は、不純物無添加であってもよい。

　ウェル層１１５の厚さは、第１ガイド層１１１の厚さ未満であってもよい。ウェル層１１５の厚さは、１０Å以上１５０Å以下であってもよい。ウェル層１１５の厚さは、１０Å以上５０Å以下、５０Å以上１００Å以下、または、１００Å以上１５０Å以下であってもよい。

　バリア層１１６は、ｎ型クラッド層１１０のＡｌ組成（第１Ａｌ組成Ａおよび第２Ａｌ組成Ｂ）とは異なる第４Ａｌ組成Ｄを有するＡｌ_ＤＧａ_{（１－Ｄ）}Ａｓを含む。第４Ａｌ組成Ｄは、具体的には、ｎ型クラッド層１１０のＡｌ組成未満（Ｄ＜Ｂ＜Ａ）である。第４Ａｌ組成Ｄは、０を超えて０．２以下であってもよい。第４Ａｌ組成Ｄは、０を超えて０．０５以下、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、または、０．１５以上０．２以下であってもよい。バリア層１１６は、不純物無添加であってもよい。

　バリア層１１６は、ウェル層１１５とは異なる厚さを有していてもよい。バリア層１１６の厚さは、ウェル層１１５の厚さを超え、第１ガイド層１１１の厚さ未満であってもよい。バリア層１１６の厚さは、２０Å以上２００Å以下であってもよい。第１ガイド層１１１の厚さは、２０Å以上５０Å以下、５０Å以上１００Å以下、１００Å以上１５０Å以下、または、１５０Å以上２００Å以下であってもよい。

　第２ガイド層１１３は、ｎ型クラッド層１１０のＡｌ組成（第１Ａｌ組成Ａおよび第２Ａｌ組成Ｂ）とは異なる第５Ａｌ組成Ｅを有するＡｌ_ＥＧａ_{（１－Ｅ）}Ａｓを含む。第５Ａｌ組成Ｅは、具体的には、ｎ型クラッド層１１０のＡｌ組成未満（Ｅ＜Ｂ＜Ａ）である。第５Ａｌ組成Ｅは、０を超えて０．２以下であってもよい。第５Ａｌ組成Ｅは、０を超えて０．０５以下、０．０５以上０．１以下、０．１以上０．１５以下、または、０．１５以上０．２以下であってもよい。第２ガイド層１１３は、不純物無添加であってもよい。

　第２ガイド層１１３の厚さは、バリア層１１６の厚さを超えていてもよい。第２ガイド層１１３の厚さは、５０Å以上２５０Å以下であってもよい。第２ガイド層１１３の厚さは、５０Å以上１００Å以下、１００Å以上１５０Å以下、１５０Å以上２００Å以下、または、２００Å以上２５０Å以下であってもよい。

　ｐ型クラッド層１１４は、ＡｌＧａＡｓを含む。ｐ型クラッド層１１４は、ｐ型不純物としてのＣ（炭素）を含む。ｐ型クラッド層１１４のｐ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上１×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。ｐ型クラッド層１１４は、この形態では、基板４１側からこの順に積層された第１ｐ型クラッド層１１４Ａおよび第２ｐ型クラッド層１１４Ｂを含む。

　第１ｐ型クラッド層１１４Ａは、第６Ａｌ組成Ｆを有するＡｌ_ＦＧａ_{（１－Ｆ）}Ａｓを含む。第６Ａｌ組成Ｆは、０．２以上０．４以下であってもよい。第６Ａｌ組成Ｆは、０．２以上０．２５以下、０．２５以上０．３以下、０．３以上０．３５以下、または、０．３５以上０．４以下であってもよい。第１ｐ型クラッド層１１４Ａのｐ型不純物濃度は、１×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。

　第１ｐ型クラッド層１１４Ａの厚さは、８０００Å以上１５０００Å以下であってもよい。第１ｐ型クラッド層１１４Ａの厚さは、８０００Å以上９０００Å以下、９０００Å以上１００００Å以下、１００００Å以上１１０００Å以下、１１０００Å以上１２０００Å以下、１２０００Å以上１３０００Å以下、１３０００Å以上１４０００Å以下、または、１４０００Å以上１５０００Å以下であってもよい。

　第２ｐ型クラッド層１１４Ｂは、第１ｐ型クラッド層１１４Ａの第６Ａｌ組成Ｆとは異なる第７Ａｌ組成Ｇを有するＡｌ_ＧＧａ_{（１－Ｇ）}Ａｓを含む。第７Ａｌ組成Ｇは、具体的には、第６Ａｌ組成Ｆを超えている（Ｆ＜Ｇ）。第７Ａｌ組成Ｇは、０．４以上０．６以下であってもよい。第７Ａｌ組成Ｇは、０．４以上０．４５以下、０．４５以上０．５以下、０．５以上０．５５以下、または、０．５５以上０．６以下であってもよい。

　第２ｐ型クラッド層１１４Ｂは、第１ｐ型クラッド層１１４Ａのｐ型不純物濃度とは異なるｐ型不純物濃度を有している。第２ｐ型クラッド層１１４Ｂのｐ型不純物濃度は、具体的には、第１ｐ型クラッド層１１４Ａのｐ型不純物濃度を超えている。第２ｐ型クラッド層１１４Ｂのｐ型不純物濃度は、５×１０^１７ｃｍ^－３以上１×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。

　第２ｐ型クラッド層１１４Ｂは、第１ｐ型クラッド層１１４Ａの厚さとは異なる厚さを有していてもよい。第２ｐ型クラッド層１１４Ｂは、第１ｐ型クラッド層１１４Ａの厚さ未満の厚さを有していてもよい。第２ｐ型クラッド層１１４Ｂの厚さは、４０００Å以上１００００Å以下であってもよい。第２ｐ型クラッド層１１４Ｂの厚さは、４０００Å以上５０００Å以下、５０００Å以上６０００Å以下、６０００Å以上７０００Å以下、７０００Å以上８０００Å以下、８０００Å以上９０００Å以下、または、９０００Å以上１００００Å以下であってもよい。

　図８を参照して、第１トンネル接合層１０３Ａおよび第２トンネル接合層１０３Ｂは、基板４１側からこの順に積層されたｐ型トンネル接合層１２１およびｎ型トンネル接合層１２２をそれぞれ有している。トンネル接合層１０３は、ｐ型トンネル接合層１２１がｐ型クラッド層１１４に電気的に接続され、ｎ型トンネル接合層１２２がｎ型クラッド層１１０に電気的に接続される態様で、複数の発光ユニット層１０２Ａ～１０２Ｃの間の領域に介在される。

　ｐ型トンネル接合層１２１は、ＧａＡｓを含む。ｐ型トンネル接合層１２１は、ｐ型不純物としてのＣ（炭素）を含む。ｐ型トンネル接合層１２１は、ｐ型クラッド層１１４のｐ型不純物濃度とは異なるｐ型不純物濃度を有している。ｐ型トンネル接合層１２１のｐ型不純物濃度は、具体的には、ｐ型クラッド層１１４のｐ型不純物濃度を超えている。ｐ型トンネル接合層１２１のｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^２０ｃｍ^－３以下であってもよい。

　ｐ型トンネル接合層１２１の厚さは、１００Å以上１０００Å以下であってもよい。ｐ型トンネル接合層１２１の厚さは、１００Å以上２００Å以下、２００Å以上４００Å以下、４００Å以上６００Å以下、６００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上１０００Å以下であってもよい。

　ｎ型トンネル接合層１２２は、ＧａＡｓを含む。ｎ型トンネル接合層１２２は、ｎ型不純物としてのＳｉ（シリコン）、Ｔｅ（テルル）、および、Ｓｅ（セレン）の少なくとも１種を含む。ｎ型トンネル接合層１２２は、ｎ型クラッド層１１０のｎ型不純物濃度とは異なるｎ型不純物濃度を有している。ｎ型トンネル接合層１２２のｎ型不純物濃度は、具体的には、ｎ型クラッド層１１０のｎ型不純物濃度を超えている。ｎ型トンネル接合層１２２のｎ型不純物濃度は、５×１０^１７ｃｍ^－３以上５×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。

　ｎ型トンネル接合層１２２の厚さは、１００Å以上１０００Å以下であってもよい。ｎ型トンネル接合層１２２の厚さは、１００Å以上２００Å以下、２００Å以上４００Å以下、４００Å以上６００Å以下、６００Å以上８００Å以下、または、８００Å以上１０００Å以下であってもよい。

　図６を再度参照して、第３発光ユニット層１０２Ｃの上には、ｐ型コンタクト層１３１が形成されている。ｐ型コンタクト層１３１は、ＧａＡｓを含む。ｐ型コンタクト層１３１は、ｐ型不純物としてのＣ（炭素）を含む。ｐ型コンタクト層１３１は、ｐ型クラッド層１１４のｐ型不純物濃度とは異なるｐ型不純物濃度を有している。ｐ型コンタクト層１３１のｐ型不純物濃度は、具体的には、ｐ型クラッド層１１４のｐ型不純物濃度を超えている。ｐ型コンタクト層１３１のｐ型コンタクト層１３１は、５×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^２０ｃｍ^－３以下であってもよい。

　ｐ型コンタクト層１３１の厚さＴＣは、１０００Å以上５０００Å以下であってもよい。ｐ型コンタクト層１３１の厚さＴＣは、１０００Å以上２０００Å以下、２０００Å以上３０００Å以下、３０００Å以上４０００Å以下、または、４０００Å以上５０００Å以下であってもよい。

　このように、半導体発光層４５は、この形態では、ｎ型バッファ層１０１、第１発光ユニット層１０２Ａ、第１トンネル接合層１０３Ａ、第２発光ユニット層１０２Ｂ、第２トンネル接合層１０３Ｂ、第３発光ユニット層１０２Ｃおよびｐ型コンタクト層１３１を含むメサ構造５０を有している。

　メサ構造５０の基部５１は、ｎ型バッファ層１０１を含む。基部５１は、この形態では、基板４１の第１主面４２の表層部も含む。メサ構造５０の頂部５２は、ｐ型コンタクト層１３１を含む。メサ構造５０の第１側壁５３および第２側壁５４は、ｎ型バッファ層１０１、第１発光ユニット層１０２Ａ、第１トンネル接合層１０３Ａ、第２発光ユニット層１０２Ｂ、第２トンネル接合層１０３Ｂ、第３発光ユニット層１０２Ｃ、および、ｐ型コンタクト層１３１をそれぞれ含む。第１側壁５３および第２側壁５４は、この形態では、基板４１の第１主面４２の表層部も含む。

　以下、図９～図１２を参照して、メサ構造５０の細部の構造について具体的に説明する。図９は、図６に示す領域IXの拡大図である。図１０は、図６に示す領域Xの拡大図である。図１１は、図６に示す領域XIの拡大図である。図１２は、図６に示す領域XIIの拡大図である。図６～図１２では、第１端子電極９１の図示を省略している。

　メサ構造５０の第１側壁５３および第２側壁５４は、第１部分１４１、第２部分１４２および第３部分１４３をそれぞれ含む。第１部分１４１は、第１発光ユニット層１０２Ａが露出する部分である。第２部分１４２は、第２発光ユニット層１０２Ｂが露出する部分である。第３部分１４３は、第３発光ユニット層１０２Ｃが露出する部分である。メサ構造５０の第２側壁５４側の構造は、第１側壁５３側の構造と同様である。以下では、第１側壁５３側の構造を例にとって説明し、第２側壁５４側の構造についての説明は省略される。

　図９を参照して、第１部分１４１の第１角度θ１は、４５°以上７５°以下である。第１角度θ１は、第１部分１４１がメサ構造５０内において法線方向Ｚとの間で成す角度である。第１部分１４１は、第１角度θ１の範囲において、頂部５２側から基部５１側に向けて漸増していてもよい。第１角度θ１は、一例として、第１発光ユニット層１０２Ａの活性層１１２を基準に測定されてもよい。

　図１０を参照して、第２部分１４２の第２角度θ２は、第１部分１４１の第１角度θ１未満（θ２＜θ１）である。第２角度θ２は、第２部分１４２がメサ構造５０内において法線方向Ｚとの間で成す角度である。第２角度θ２は、第１角度θ１未満という条件において、３０°以上５０°以下である。第２部分１４２は、第２角度θ２の範囲において、頂部５２側から基部５１側に向けて漸増していてもよい。第２角度θ２は、一例として、第２発光ユニット層１０２Ｂの活性層１１２を基準に測定されてもよい。

　図１１を参照して、第３部分１４３の第３角度θ３は、第２部分１４２の第２角度θ２未満（θ３＜θ２＜θ１）である。第３角度θ３は、第３部分１４３がメサ構造５０内において法線方向Ｚとの間で成す角度である。第３角度θ３は、第２角度θ２未満という条件において、２０°以上４５°以下である。第３部分１４３は、第３角度θ３の範囲において、頂部５２側から基部５１側に向けて漸増していてもよい。第３角度θ３は、一例として、第３発光ユニット層１０２Ｃの活性層１１２を基準に測定されてもよい。

　図１２を参照して、第１主面拡張部６１は、ｐ型コンタクト層１３１を含む。第１主面拡張部６１は、具体的には、ｐ型コンタクト層１３１および第３発光ユニット層１０２Ｃの一部を含む。第３発光ユニット層１０２Ｃの一部は、この形態では、ｐ型クラッド層１１４である。第３発光ユニット層１０２Ｃの一部は、さらに具体的には、第２ｐ型クラッド層１１４Ｂである。

　第１主面拡張部６１の第１接続部６３は、メサ構造５０の第１側壁５３において頂部５２側の領域に形成されている。第１接続部６３は、この形態では、第１ｐ型クラッド層１１４Ａおよび第２ｐ型クラッド層１１４Ｂの間の境界部（境界近傍）に形成されている。つまり、第１テーパ面６５は、第１ｐ型クラッド層１１４Ａおよび第２ｐ型クラッド層１１４Ｂの間の境界部（境界近傍）を起点に屈曲し、法線方向Ｚに沿って第１側壁５３に対向する方向に向けて傾斜している。むろん、第１接続部６３は、第１ｐ型クラッド層１１４Ａまたは第２ｐ型クラッド層１１４Ｂに形成されていてもよい。

　第１角度θ１、第２角度θ２および第３角度θ３を正値とすると、第１テーパ面６５のテーパ角度θＴは負値となる。テーパ角度θＴは、第１テーパ面６５がメサ構造５０内において法線方向Ｚとの間で成す角度である。テーパ角度θＴの絶対値｜θＴ｜は、第３角度θ３の絶対値｜θ３｜未満（｜θＴ｜＜｜θ３｜）である。テーパ角度θＴは、－２５°以上－１０°以下であってもよい。テーパ角度θＴは、－２５°以上－２０°以下、－２０°以上－１５°以下、または、－１５°以上－１０°以下であってもよい。

　コンタクト孔７５は、ｐ型コンタクト層１３１に形成されている。コンタクト孔７５の深さＤＣは、ｐ型コンタクト層１３１の厚さＴＣ未満（ＤＣ＜ＴＣ）である。ｐ型コンタクト層１３１は、コンタクト孔７５の内壁の全域から露出している。

　絶縁層８１の頂部被覆部８２は、コンタクト孔７５の底壁と対向するようにコンタクト孔７５内に張り出したオーバハング部８２Ａを有している。コンタクト開口８５は、オーバハング部８２Ａに形成されている。コンタクト開口８５の内壁は、コンタクト孔７５の側壁よりも内側に位置している。コンタクト開口８５の内壁は、この形態では、平面視においてコンタクト孔７５の側壁によって取り囲まれた領域内に位置している。

　オーバハング部８２Ａおよびコンタクト孔７５の間の領域にはリセス１５１が形成されている。コンタクト電極８６は、コンタクト孔７５内においてリセス１５１に入り込み、コンタクト孔７５の側壁および底壁に接続されている。

　絶縁層８１は、図１３に示される形態を有していてもよい。図１３は、図６に示す領域XIIの拡大図であって、第２形態例に係る絶縁層８１が形成された構造を示す拡大図である。図１３では、第１端子電極９１の図示を省略している。

　第１形態例に係る絶縁層８１は、オーバハング部８２Ａを有していた。これに対して、第２形態例に係る絶縁層８１は、オーバハング部８２Ａを有していない。コンタクト開口８５の内壁は、図１３に示されるように、コンタクト孔７５の側壁に対して面一に形成されていてもよい。

　絶縁層８１は、図１４に示される形態を有していてもよい。図１４は、図６に示す領域XIIの拡大図であって、第３形態例に係る絶縁層８１が形成された構造を示す拡大図である。図１４では、第１端子電極９１の図示を省略している。

　第１形態例に係る絶縁層８１は、オーバハング部８２Ａを有していた。これに対して、第３形態例に係る絶縁層８１は、オーバハング部８２Ａを有していない。コンタクト開口８５の内壁は、図１４に示されるように、コンタクト孔７５の側壁に対してメサ構造５０の外側の領域に位置していてもよい。

　つまり、コンタクト開口８５は、コンタクト孔７５に加えて、メサ構造５０のメサ主面５５の一部を露出させていてもよい。この場合、コンタクト電極８６は、コンタクト孔７５およびコンタクト開口８５内において、コンタクト孔７５の側壁および底壁、ならびに、メサ構造５０のメサ主面５５に接続される。

　絶縁層８１は、図１５に示される形態を有していてもよい。図１５は、図６に示す領域XIIの拡大図であって、第４形態例に係る絶縁層８１が形成された構造を示す拡大図である。図１５では、第１端子電極９１の図示を省略している。

　第１形態例に係る絶縁層８１は、オーバハング部８２Ａを有していた。これに対して、第３形態例に係る絶縁層８１は、オーバハング部８２Ａを有していない。絶縁層８１（頂部被覆部８２）は、図１５に示されるように、コンタクト孔７５の側壁および底壁を被覆していてもよい。

　コンタクト開口８５の内壁は、コンタクト孔７５内に位置していてもよい。つまり、コンタクト開口８５は、コンタクト孔７５内においてコンタクト孔７５の底壁を露出させていてもよい。この場合、コンタクト電極８６は、コンタクト開口８５内においてコンタクト孔７５の底壁に接続される。

　図１６Ａ～図１６Ｊは、図３に示す半導体発光装置１の製造方法の一例を説明するための斜視図である。図１６Ａ～図１６Ｊでは、１つの半導体発光装置１が形成される領域を示している。

　図１６Ａを参照して、基板４１のベースとなるウエハ１６１が用意される。ウエハ１６１は、第１ウエハ主面１６２および第２ウエハ主面１６３を有している。第１ウエハ主面１６２および第２ウエハ主面１６３は、基板４１の第１主面４２および第２主面４３にそれぞれ対応している。次に、第１ウエハ主面１６２に複数の装置形成領域１６４が設定される。複数の装置形成領域１６４は、半導体発光装置１がそれぞれ形成される領域である。

　次に、図１６Ｂを参照して、半導体発光層４５（メサ構造５０）のベースとなる半導体積層構造１６５が、第１ウエハ主面１６２の上に形成される。半導体積層構造１６５は、第１ウエハ主面１６２側からこの順に積層されたｎ型バッファ層１０１、第１発光ユニット層１０２Ａ、第１トンネル接合層１０３Ａ、第２発光ユニット層１０２Ｂ、第２トンネル接合層１０３Ｂ、第３発光ユニット層１０２Ｃ、および、ｐ型コンタクト層１３１を含む。半導体積層構造１６５は、エピタキシャル成長法によって形成される。

　次に、図１６Ｃを参照して、半導体発光層４５（メサ構造５０）が形成される。この工程では、まず、所定パターンを有するマスク１６６が、半導体積層構造１６５の上に形成される。マスク１６６は、樹脂製のレジスト膜であってもよい。マスク１６６は、メサ構造５０を形成すべき領域を被覆し、それ以外の領域を露出させる開口１６６ａを有している。

　次に、半導体積層構造１６５の不要な部分が、マスク１６６を介するエッチング法によって除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法であることが好ましい。これにより、半導体発光層４５（メサ構造５０）が形成される。この工程では、ウエットエッチング法の処理条件が調整されて、主面拡張部６０を有するメサ構造５０が形成される。その後、マスク１６６は除去される。

　次に、図１６Ｄを参照して、絶縁層８１が、半導体発光層４５（メサ構造５０）を被覆するように第１ウエハ主面１６２の上に形成される。絶縁層８１は、ＣＶＤ（Chemical Vapor deposition）法によって形成されてもよい。

　次に、図１６Ｅを参照して、コンタクト開口８５が、絶縁層８１に形成される。この工程では、まず、所定パターンを有するマスク１６７が、半導体発光層４５（メサ構造５０）を被覆するように第１ウエハ主面１６２の上に形成される。マスク１６７は、樹脂製のレジスト膜であってもよい。マスク１６７は、コンタクト孔７５を形成すべき領域を露出させる開口１６７ａを有している。

　次に、絶縁層８１の不要な部分が、マスク１６７を介するエッチング法によって除去される。エッチング法は、ドライエッチング法であってもよいし、ウエットエッチング法であってもよい。これにより、コンタクト開口８５が、絶縁層８１に形成される。その後、マスク１６７は除去される。

　次に、図１６Ｆを参照して、コンタクト孔７５が、メサ構造５０のメサ主面５５に形成される。この工程では、絶縁層８１をマスクとするエッチング法によって、メサ主面５５においてコンタクト開口８５から露出する部分が除去される。エッチング法は、ドライエッチング法であってもよいし、ウエットエッチング法であってもよい。これにより、コンタクト孔７５が、メサ構造５０のメサ主面５５に形成される。

　次に、図１６Ｇを参照して、コンタクト電極８６のベースとなるベースコンタクト電極１６８が、半導体発光層４５（メサ構造５０）を被覆するように第１ウエハ主面１６２の上に形成される。ベースコンタクト電極１６８は、Ｔｉ層および／またはＴｉＮ層を含む第１電極層、ならびに、Ａｕ層を含む第２電極層を含む積層構造を有していてもよい。ベースコンタクト電極１６８は、スパッタ法によって形成されてもよい。

　次に、図１６Ｈを参照して、所定パターンを有するマスク１６９がベースコンタクト電極１６８の上に形成される。マスク１６９は、樹脂製のレジスト膜であってもよい。マスク１６９は、ベースコンタクト電極１６８においてコンタクト電極８６を形成すべき領域以外の領域を露出させる開口１６９ａを有している。

　次に、マスク１６９を介するエッチング法によって、ベースコンタクト電極１６８の不要な部分が除去される。エッチング法は、ドライエッチング法であってもよいし、ウエットエッチング法であってもよい。これにより、コンタクト電極８６が、メサ構造５０のメサ主面５５の上に形成される。

　次に、図１６Ｉを参照して、第１端子電極９１がコンタクト電極８６の上に形成され、第２端子電極９２が第２ウエハ主面１６３の上に形成される。第１端子電極９１は、Ａｕ層を含んでいてもよい。第１端子電極９１は、金めっき法によって形成されてもよい。第２端子電極９２は、Ｎｉ層、ＡｕＧｅ層、Ｔｉ層、および、Ａｕ層のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。第２端子電極９２は、スパッタ法によって形成されてもよい。

　次に、図１６Ｊを参照して、ウエハ１６１が、複数の装置形成領域１６４に沿って切断（劈開）される。これにより、複数の半導体発光装置１が、１枚のウエハ１６１から切り出される。以上を含む工程を経て、半導体発光装置１が製造される。

　図１６Ａ～図１６Ｊでは、コンタクト孔７５の形成工程（図１６Ｆ参照）に先立って、絶縁層８１の形成工程（図１６Ｄ参照）が実施された例について説明した。しかし、絶縁層８１の形成工程に先立って、コンタクト孔７５の形成工程が実施されてもよい。この場合、コンタクト孔７５は、絶縁層８１に代えて所定パターンを有するマスクを利用して形成される。

　以上、半導体発光装置１によれば、メサ構造５０の主面が第１主面拡張部６１および第２主面拡張部６２によって拡張されている。これにより、製造工程時において生じ得るコンタクト孔７５の位置ずれによる影響を低減できる。その結果、メサ構造５０のメサ主面５５にコンタクト孔７５を適切に形成できる。よって、コンタクト孔７５内においてコンタクト電極８６を半導体発光層４５に適切に接続させることができる。

　本発明の実施形態は、さらに他の形態で実施できる。

　前述の実施形態では、半導体発光層４５が、３個の発光ユニット層１０２および２個のトンネル接合層１０３を含む例について説明した。しかし、発光ユニット層１０２の個数は、任意であり、３個に限定されない。１個、２個もしくは３個、または、３個を超える発光ユニット層１０２が形成されていてもよい。また、トンネル接合層１０３の個数は、発光ユニット層１０２の個数に応じて調整されるものであり、２個に限定されるものではない。

　前述の実施形態では、第１主面拡張部６１、第２主面拡張部６２およびコンタクト孔７５が、メサ構造５０を有する半導体レーザ装置に適用された形態が示された。しかし、第１主面拡張部６１、第２主面拡張部６２およびコンタクト孔７５は、メサ構造を有する限り、如何なる種類の半導体発光装置にも適用できる。たとえば、第１主面拡張部６１、第２主面拡張部６２およびコンタクト孔７５は、半導体発光装置の一例としてのメサ構造を有する発光ダイオード等に適用することもできる。

　前述の実施形態において、各半導体部分の導電型が反転された構造が採用されてもよい。つまり、ｐ型の部分がｎ型とされ、ｎ型の部分がｐ型とされてもよい。

　前述の半導体発光装置１は、半導体発光装置用ステム２の他、種々の半導体発光装置用パッケージ（以下、単に「パッケージ」という。）に組み込まれることができる。以下、半導体発光装置１が組み込まれたパッケージの形態例を示す。

　図１７は、図３に示す半導体発光装置１が搭載された第１形態例に係るパッケージ２０１を、パッケージ本体２０２を透過して示す平面図である。図１８は、図１７のXVIII-XVIII線に沿う断面図である。

　図１７および図１８を参照して、パッケージ２０１は、パッケージ本体２０２、端子電極２０３、半導体発光装置１および導線２０４を含む。図１７では、半導体発光装置１の第１端子電極９１および端子電極２０３が、ハッチングによって示されている。

　パッケージ本体２０２は、透明樹脂または透光性樹脂を含む。パッケージ本体２０２は、透明樹脂または透光性樹脂の一例としてのエポキシ樹脂を含んでいてもよい。パッケージ本体２０２は、直方体形状に形成されている。

　パッケージ本体２０２は、一方側の第１面２０５、他方側の第２面２０６、ならびに、第１面２０５および第２面２０６を接続する複数の側面２０７Ａ，２０７Ｂ，２０７Ｃ，２０７Ｄを含む。複数の側面２０７Ａ～２０７Ｄは、具体的には、第１側面２０７Ａ、第２側面２０７Ｂ、第３側面２０７Ｃおよび第４側面２０７Ｄを含む。

　第１面２０５および第２面２０６は、それらの法線方向Ｚから見た平面視において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。複数の側面２０７Ａ～２０７Ｄは、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。第１側面２０７Ａおよび第２側面２０７Ｂは、第１方向Ｘに沿って延び、第２方向Ｙに対向している。第１側面２０７Ａおよび第２側面２０７Ｂは、パッケージ本体２０２の長辺を形成している。第３側面２０７Ｃおよび第４側面２０７Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに対向している。第３側面２０７Ｃおよび第４側面２０７Ｄは、パッケージ本体２０２の短辺を形成している。

　端子電極２０３は、パッケージ本体２０２内に配置されている。端子電極２０３は、この形態では、パッケージ本体２０２内において第４側面２０７Ｄ側の領域に配置されている。端子電極２０３は、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属を含んでいてもよい。

　端子電極２０３の外面には、めっき層が形成されていてもよい。めっき層は、単一のめっき層を含む単層構造を有していてもよい。めっき層は、複数のめっき層を含む積層構造を有していてもよい。めっき層は、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、および、Ｓｎのうちの少なくとも１つの金属を含んでいてもよい。

　端子電極２０３は、この形態では、端子本体２０８および複数の延出部２０９Ａ，２０９Ｂ，２０９Ｃを一体的に含む。複数の延出部２０９Ａ～２０９Ｃは、具体的には、第１延出部２０９Ａ、第２延出部２０９Ｂおよび第３延出部２０９Ｃを含む。

　端子本体２０８は、側面２０７Ａ～２０７Ｄから間隔を空けてパッケージ本体２０２内に配置されている。端子本体２０８は、直方体形状に形成されている。端子本体２０８は、第１面２０５側の第１端子面２１０、第２面２０６側の第２端子面２１１、ならびに、第１端子面２１０および第２端子面２１１を接続する複数の端子側面２１２Ａ，２１２Ｂ，２１２Ｃ，２１２Ｄを含む。複数の端子側面２１２Ａ～２１２Ｄは、具体的には、第１端子側面２１２Ａ、第２端子側面２１２Ｂ、第３端子側面２１２Ｃおよび第４端子側面２１２Ｄを含む。

　第１端子面２１０および第２端子面２１１は、平面視において四角形状（この形態では第２方向Ｙに沿って延びる長方形状）に形成されている。第２端子面２１１は、パッケージ本体２０２の第２面２０６から露出している。第２端子面２１１は、接続対象物に外部接続される外部端子として形成されている。第２端子面２１１は、第２面２０６に対して面一に形成されていてもよい。

　複数の端子側面２１２Ａ～２１２Ｄは、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。第１端子側面２１２Ａは、パッケージ本体２０２の第１側面２０７Ａに対向している。第２端子側面２１２Ｂは、パッケージ本体２０２の第２側面２０７Ｂに対向している。第３端子側面２１２Ｃは、パッケージ本体２０２の第３側面２０７Ｃに対向している。第４端子側面２１２Ｄは、パッケージ本体２０２の第４側面２０７Ｄに対向している。

　端子側面２１２Ａおよび第２端子側面２１２Ｂは、第１方向Ｘに沿って延び、第２方向Ｙに対向している。端子側面２１２Ａおよび第２端子側面２１２Ｂは、端子本体２０８の短辺を形成している。第３端子側面２１２Ｃおよび第４端子側面２１２Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに対向している。第３端子側面２１２Ｃおよび第４端子側面２１２Ｄは、端子本体２０８の長辺を形成している。

　第１延出部２０９Ａは、第１端子側面２１２Ａから第１側面２０７Ａに向けて帯状に引き出されている。第１延出部２０９Ａは、第１側面２０７Ａから露出する第１露出部２１３Ａを有している。第１露出部２１３Ａは、第１側面２０７Ａに対して面一に形成されていてもよい。

　第２延出部２０９Ｂは、第２端子側面２１２Ｂから第２側面２０７Ｂに向けて帯状に引き出されている。第２延出部２０９Ｂは、第２側面２０７Ｂから露出する第２露出部２１３Ｂを有している。第２延出部２０９Ｂは、第２側面２０７Ｂに対して面一に形成されていてもよい。

　第３延出部２０９Ｃは、第３端子側面２１２Ｃから第４側面２０７Ｄに向けて帯状に引き出されている。第３延出部２０９Ｃは、第４側面２０７Ｄから露出する第３露出部２１３Ｃを有している。第３延出部２０９Ｃは、第４側面２０７Ｄに対して面一に形成されていてもよい。

　複数の延出部２０９Ａ～２０９Ｃは、第１端子面２１０の一部をそれぞれ形成している。複数の延出部２０９Ａ～２０９Ｃは、この形態では、端子側面２１２Ａ～２１２Ｄにおいて第２端子面２１１から第１端子面２１０側に間隔を空けて形成されている。

　これにより、複数の延出部２０９Ａ～２０９Ｃは、対応する端子側面２１２Ａ～２１２Ｄとの間で段差部２１４を区画している。段差部２１４は、端子本体２０８に向かう湾曲状に形成されている。パッケージ本体２０２の一部は、段差部２１４に入り込んでいる。これにより、パッケージ本体２０２からの端子電極２０３の抜け落ちが抑制されている。

　半導体発光装置１は、端子電極２０３から間隔を空けてパッケージ本体２０２内に配置されている。半導体発光装置１は、この形態では、パッケージ本体２０２内において第３側面２０７Ｃ側の領域に配置されている。半導体発光装置１は、基板４１の第１主面４２をパッケージ本体２０２の第１面２０５に対向させた姿勢でパッケージ本体２０２内に配置されている。

　基板４１の長辺（第１基板側面４４Ａおよび第２基板側面４４Ｂ）は、パッケージ本体２０２の第１側面２０７Ａおよび第２側面２０７Ｂに対向している。基板４１の短辺（第３基板側面４４Ｃおよび第４基板側面４４Ｄ）は、パッケージ本体２０２の第３側面２０７Ｃおよび第４側面２０７Ｄに対向している。

　半導体発光装置１において、メサ構造５０の第１端面７１および第２端面７２は、平面視において第１方向Ｘに端子電極２０３の第２延出部２０９Ｂに対向している。半導体発光装置１で生成された光（レーザ光）は、パッケージ本体２０２の第３側面２０７Ｃから取り出される。

　半導体発光装置１の第２端子電極９２は、パッケージ本体２０２の第２面２０６から露出している。第２端子電極９２は、接続対象物に外部接続される外部端子として形成されている。第２端子電極９２は、パッケージ本体２０２の第２面２０６に対して面一に形成されていてもよい。

　導線２０４は、パッケージ本体２０２内において端子電極２０３（端子本体２０８）の第１端子面２１０、および、半導体発光装置１の第１端子電極９１に電気的に接続されている。導線２０４は、第１接合部２１５、第２接合部２１６およびワイヤ部２１７を一体的に含む。

　第１接合部２１５は、端子電極２０３（端子本体２０８）の第１端子面２１０に接続されている。第２接合部２１６は、半導体発光装置１の第１端子電極９１に接続されている。第２接合部２１６は、この形態では、平面視において第１方向Ｘに第１接合部２１５に対向している。第２接合部２１６は、さらに、平面視において第１方向Ｘに端子電極２０３の第２延出部２０９Ｂに対向している。

　ワイヤ部２１７は、第１接合部２１５から第２接合部２１６に向けてライン状に延びている。ワイヤ部２１７は、この形態では、第１接合部２１５および第２接合部２１６の間を第１方向Ｘに沿って直線状に延びている。つまり、ワイヤ部２１７は、半導体発光装置１のメサ構造５０に沿ってライン状に延びている。

　ワイヤ部２１７は、端子電極２０３側の第１領域２１７Ａ、および、半導体発光装置１側の第２領域２１７Ｂを有していてもよい。第１領域２１７Ａは、第１傾斜角度θＡを有し、第１接合部２１５およびメサ構造５０の頂部５２の間の領域を延びている。第２領域２１７Ｂは、第１傾斜角度θＡとは異なる第２傾斜角度θＢ（θＡ≠θＢ）を有し、メサ構造５０の頂部５２に対してパッケージ本体２０２の第１面２０５側の領域を延びている。パッケージ本体２０２の第１面２０５を基準とすると、第２傾斜角度θＢは、第１傾斜角度θＡ未満である。

　導線２０４は、金、銅、および、アルミニウムのうちの少なくとも1つの金属を含んでいてもよい。導線２０４は、ボンディングワイヤであってもよい。

　この形態では、半導体発光装置１の第２端子電極９２がパッケージ本体２０２の第２面２０６から露出している例について説明した。しかし、半導体発光装置１は、パッケージ本体２０２の第２面２０６から露出し、端子電極２０３とは別の外部端子を形成する第２の端子電極の上に配置されていてもよい。この場合、第２端子電極９２は、パッケージ本体２０２内において第２の端子電極に電気的に接続される。

　図１９は、図３に示す半導体発光装置１が搭載された第２形態例に係るパッケージ３０１を示す平面図である。図２０は、図１９に示すパッケージ３０１の底面図である。図２１は、図１９に示すXXI-XXI線に沿う断面図である。

　図１９～図２１を参照して、パッケージ３０１は、筐体３０２、半導体発光装置１、第１配線３０３および第２配線３０４を含む。筐体３０２は、内部空間３０５および光取り出し窓３０６を有している。半導体発光装置１は、内部空間３０５に収容されている。半導体発光装置１の光は、光取り出し窓３０６から取り出される。

　第１配線３０３は、内部空間３０５の内外に引き回されている。第１配線３０３は、内部空間３０５内に位置する第１端部３０７および内部空間３０５外に位置する第２端部３０８を有している。第１配線３０３の第１端部３０７は、内部空間３０５内において半導体発光装置１の第１端子電極９１に電気的に接続されている。第１配線３０３の第２端部３０８は、接続対象に外部接続される外部端子として形成されている。

　第２配線３０４は、内部空間３０５の内外に引き回されている。第２配線３０４は、内部空間３０５内に位置する第１端部３０９および内部空間３０５外に位置する第２端部３１０を有している。第２配線３０４の第１端部３０９は、内部空間３０５内において半導体発光装置１の第２端子電極９２に電気的に接続されている。第２配線３０４の第２端部３１０は、接続対象に外部接続される外部端子として形成されている。以下、パッケージ３０１の具体的な構造について説明する。

　図１９～図２１を参照して、筐体３０２は、直方体形状に形成されている。筐体３０２は、この形態では、絶縁体によって形成されている。筐体３０２は、一方側の第１主面３１１、他方側の第２主面３１２、ならびに、第１主面３１１および第２主面３１２を接続する複数の側面３１３Ａ，３１３Ｂ，３１３Ｃ，３１３Ｄを有している。複数の側面３１３Ａ～３１３Ｄは、具体的には、第１側面３１３Ａ、第２側面３１３Ｂ、第３側面３１３Ｃおよび第４側面３１３Ｄを含む。

　第１主面３１１および第２主面３１２は、それらの法線方向Ｚから見た平面視において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。複数の側面３１３Ａ～３１３Ｄは、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。第１側面３１３Ａおよび第２側面３１３Ｂは、第１方向Ｘに沿って延び、第２方向Ｙに対向している。第１側面３１３Ａおよび第２側面３１３Ｂは、筐体３０２の長辺を形成している。第３側面３１３Ｃおよび第４側面３１３Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに対向している。第３側面３１３Ｃおよび第４側面３１３Ｄは、筐体３０２の短辺を形成している。

　筐体３０２の内部には、半導体発光装置１を収容するための内部空間３０５が区画されている。内部空間３０５は、この形態では、平面視において四角形状に区画されている。内部空間３０５の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。

　第３側面３１３Ｃには、内部空間３０５に連通する第１窓３１５が区画されている。第１窓３１５は、半導体発光装置１の光を取り出す光取り出し窓３０６として形成されている。第１窓３１５は、第３側面３１３Ｃを正面から見た正面視において、四角形状に区画されている。第１窓３１５は、この形態では、第２方向Ｙに沿って延びる長方形状に区画されている。つまり、第３側面３１３Ｃは、第１窓３１５によって正面視において四角環状（この形態では長方形環状）に形成されている。

　第１主面３１１には、内部空間３０５に連通する第２窓３１６が区画されている。半導体発光装置１は、第２窓３１６を介して内部空間３０５に収容される。第２窓３１６は、この形態では、平面視において四角形状に区画されている。

　つまり、第１主面３１１は、第２窓３１６によって平面視において四角環状（この形態では長方形環状）に形成されている。第２窓３１６の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第２窓３１６の平面形状は、必ずしも内部空間３０５の平面形状に一致（整合）している必要はない。

　パッケージ３０１は、第１窓３１５（内部空間３０５）を閉塞する第１閉塞部材３１７を含む。第１閉塞部材３１７は、板状部材からなる。第１閉塞部材３１７は、半導体発光装置１の光を透過させる部材からなることが好ましい。第１閉塞部材３１７は、透光性を有する絶縁体または透明な絶縁体からなることが好ましい。

　第１閉塞部材３１７は、筐体３０２の第３側面３１３Ｃに取り付けられている。第１閉塞部材３１７は、具体的には、第１窓３１５の周囲に形成された第１支持部３１８の上に取り付けられている。第１支持部３１８は、この形態では、第１窓３１５に連通するように第３側面３１３Ｃの表層部に形成されたリセスによって区画されている。第１支持部３１８（リセス）は、この形態では、平面視において第１窓３１５を取り囲む四角環状（この形態では長方形環状）に区画されている。

　第１閉塞部材３１７は、第３側面３１３Ｃ側の第１板面３１９および第４側面３１３Ｄ側の第２板面３２０を有している。第１板面３１９および第２板面３２０は、第３側面３１３Ｃに平行な平坦面を有している。第１板面３１９は、第３側面３１３Ｃよりも側方に突出していてもよい。第１板面３１９は、第３側面３１３Ｃに対して第４側面３１３Ｄ側に位置していてもよい。第１板面３１９は、第３側面３１３Ｃと同一平面上に位置していてもよい。

　第２板面３２０は、第３側面３１３Ｃに対して第４側面３１３Ｄ側の領域において第１支持部３１８に取り付けられている。第２板面３２０は、接着剤を介して第１支持部３１８に取り付けられていてもよい。接着剤は、樹脂（たとえば赤外線硬化樹脂）を含んでいてもよい。

　パッケージ３０１は、第２窓３１６（内部空間３０５）を閉塞する第２閉塞部材３２１を含む。第２閉塞部材３２１は、板状部材からなる。第２閉塞部材３２１の材質は特に制限されないが、絶縁体を含むことが好ましい。絶縁体は、無機絶縁体または有機絶縁体であってもよい。第２閉塞部材３２１は、遮光性を有していてもよい。

　第２閉塞部材３２１は、筐体３０２の第１主面３１１に取り付けられている。第２閉塞部材３２１は、具体的には、第２窓３１６の周囲に形成された第２支持部３２２の上に取り付けられている。第２支持部３２２は、この形態では、第２窓３１６に連通するように第１主面３１１の表層部に形成されたリセスによって区画されている。第２支持部３２２（リセス）は、この形態では、平面視において第２窓３１６を取り囲む四角環状に区画されている。

　第２閉塞部材３２１は、第１主面３１１側の第１板面３２３および第２主面３１２側の第２板面３２４を有している。第１板面３２３および第２板面３２４は、第１主面３１１に平行な平坦面を有している。第１板面３２３は、第１主面３１１よりも上方に突出していてもよい。第１板面３２３は、第１主面３１１に対して第２主面３１２側に位置していてもよい。第１板面３２３は、第１主面３１１と同一平面上に位置していてもよい。

　第２板面３２４は、第１主面３１１に対して第２主面３１２側の領域において第２支持部３２２に取り付けられている。第２板面３２４は、接着剤を介して第２支持部３２２に取り付けられていてもよい。接着剤は、樹脂（たとえば赤外線硬化樹脂）を含んでいてもよい。

　筐体３０２は、具体的には、ベース層３３１およびフレーム層３３２を含む。筐体３０２の第１主面３１１は、フレーム層３３２によって形成されている。筐体３０２の第２主面３１２は、ベース層３３１によって形成されている。筐体３０２の側面３１３Ａ～３１３Ｄは、ベース層３３１およびフレーム層３３２によって形成されている。

　ベース層３３１は、直方体形状の板状部材からなる。ベース層３３１は、第１主面３１１側の第１面３３３、第２主面３１２側の第２面３３４、ならびに、第１面３３３および第２面３３４を接続する複数の側面３３５Ａ，３３５Ｂ，３３５Ｃ，３３５Ｄを含む。複数の側面３３５Ａ～３３５Ｄは、具体的には、第１側面３３５Ａ、第２側面３３５Ｂ、第３側面３３５Ｃおよび第４側面３３５Ｄを含む。

　第１面３３３は、内部空間３０５の一部を形成している。第２面３３４は、筐体３０２の第２主面３１２を形成している。側面３３５Ａ～３３５Ｄは、筐体３０２の側面３１３Ａ～３１３Ｄの一部をそれぞれ形成している。

　ベース層３３１は、無機絶縁体および有機絶縁体のいずれか一方または双方を含む。ベース層３３１は、無機絶縁体の一例としての酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムおよび窒化アルミニウムのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　ベース層３３１は、有機絶縁体の一例としての感光性樹脂および熱硬化性樹脂のいずれか一方または双方を含んでいてもよい。ベース層３３１は、有機絶縁体の一例としてのエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、アクリル樹脂、および、シリコーン樹脂のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。ベース層３３１は、この形態では、ガラス繊維にエポキシ樹脂が浸透されたガラスエポキシ基板からなる。

　フレーム層３３２は、平面視においてベース層３３１の内方領域を取り囲む環状（この形態では四角環状）に形成され、ベース層３３１の第１面３３３との間で内部空間３０５を区画する。フレーム層３３２は、第１主面３１１側の第１面３４３、第２主面３１２側の第２面３４４、第１面３４３および第２面３４４を接続する複数の内壁３４５Ａ，３４５Ｂ，３４５Ｃ，３４５Ｄ、ならびに、第１面３４３および第２面３４４を接続する複数の外壁３４６Ａ，３４６Ｂ，３４６Ｃ，３４６Ｄを含む。

　複数の内壁３４５Ａ～３４５Ｄは、具体的には、第１内壁３４５Ａ、第２内壁３４５Ｂ、第３内壁３４５Ｃおよび第４内壁３４５Ｄを含む。内壁３４５Ａ～３４５Ｄは、ベース層３３１の第１面３３３との間で内部空間３０５を区画している。

　複数の外壁３４６Ａ～３４６Ｄは、具体的には、第１外壁３４６Ａ、第２外壁３４６Ｂ、第３外壁３４６Ｃおよび第４外壁３４６Ｄを含む。外壁３４６Ａ～３４６Ｄは、筐体３０２の側面３１３Ａ～３１３Ｄの一部をそれぞれ形成している。

　前述の第１窓３１５および第１支持部３１８（リセス）は、フレーム層３３２において筐体３０２の第３側面３１３Ｃを形成する部分に形成されている。前述の第２窓３１６および第２支持部３２２（リセス）は、フレーム層３３２の第１面３４３に形成されている。

　フレーム層３３２は、無機絶縁体および有機絶縁体のいずれか一方または双方を含む。フレーム層３３２は、無機絶縁体の一例としての酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムおよび窒化アルミニウムのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　フレーム層３３２は、有機絶縁体の一例としての感光性樹脂および熱硬化性樹脂のいずれか一方または双方を含んでいてもよい。フレーム層３３２は、有機絶縁体の一例としてのエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、アクリル樹脂、および、シリコーン樹脂のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。フレーム層３３２は、この形態では、金型成形されたエポキシ樹脂からなる。

　第１配線３０３は、内部空間３０５から筐体３０２を貫通して第２主面３１２に引き出されている。第１配線３０３は、具体的には、ベース層３３１の第１面３３３の上からベース層３３１の内部を通過して、ベース層３３１の第２面３３４の上に引き出されている。

　第１配線３０３は、第１接続部３５１、第１貫通部３５２および第１外部端子部３５３を含む。第１接続部３５１は、第１配線３０３の第１端部３０７を形成している。第１外部端子部３５３は、第１配線３０３の第２端部３０８を形成している。

　第１接続部３５１は、ベース層３３１の第１面３３３において筐体３０２の第４側面３１３Ｄ側の領域に形成されている。第１接続部３５１は、膜状に形成されている。第１接続部３５１は、平面視において四角形状に形成されている。第１接続部３５１の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第１接続部３５１は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　第１貫通部３５２は、ベース層３３１を第１面３３３から第２面３３４に貫通し、第１面３３３および第２面３３４から露出している。第１貫通部３５２は、平面視において第１接続部３５１に重なっている。第１貫通部３５２は、ベース層３３１の第１面３３３から露出する部分において第１接続部３５１に電気的に接続されている。

　第１貫通部３５２は、平面視において円形状に形成されている。第１貫通部３５２の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第１接続部３５１は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　第１外部端子部３５３は、ベース層３３１の第２面３３４において筐体３０２の第４側面３１３Ｄ側の領域に形成されている。第１外部端子部３５３は、膜状に形成されている。第１外部端子部３５３は、第１貫通部３５２を被覆している。第１外部端子部３５３は、第１貫通部３５２に電気的に接続されている。

　第１外部端子部３５３は、平面視において四角形状に形成されている。第１外部端子部３５３の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第１外部端子部３５３は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　第２配線３０４は、内部空間３０５から筐体３０２を貫通して第２主面３１２に引き出されている。第２配線３０４は、具体的には、ベース層３３１の第１面３３３の上からベース層３３１の内部を通過して、ベース層３３１の第２面３３４の上に引き出されている。

　第２配線３０４は、第２接続部３６１、複数の第２貫通部３６２および第２外部端子部３６３を含む。第２接続部３６１は、第２配線３０４の第１端部３０９を形成している。第２外部端子部３６３は、第２配線３０４の第２端部３１０を形成している。

　第２接続部３６１は、ベース層３３１の第１面３３３において第１接続部３５１から間隔を空けて筐体３０２の第３側面３１３Ｃ側の領域に形成されている。第２接続部３６１は、膜状に形成されている。第２接続部３６１は、平面視において四角形状に形成されている。第２接続部３６１の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第２接続部３６１は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　複数の第２貫通部３６２は、ベース層３３１を第１面３３３から第２面３３４に貫通し、第１面３３３および第２面３３４から露出している。複数の第２貫通部３６２は、この形態では、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて形成されている。第２貫通部３６２の個数および配置は任意であり、特定の個数および配置に限定されない。

　複数の第２貫通部３６２は、平面視において第２接続部３６１に重なっている。複数の第２貫通部３６２は、ベース層３３１の第２面３３４から露出する部分において第２接続部３６１に電気的に接続されている。

　第２貫通部３６２は、平面視において円形状に形成されている。第２貫通部３６２の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第２接続部３６１は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　第２外部端子部３６３は、ベース層３３１の第２面３３４において第１外部端子部３５３から間隔を空けて筐体３０２の第３側面３１３Ｃ側の領域に形成されている。第２外部端子部３６３は、膜状に形成されている。第２外部端子部３６３は、複数の第２貫通部３６２を被覆している。第２外部端子部３６３は、複数の第２貫通部３６２に電気的に接続されている。

　第２外部端子部３６３は、平面視において四角形状に形成されている。第２外部端子部３６３の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第２外部端子部３６３は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　パッケージ３０１は、この形態では、サブマウント３７１をさらに含む。サブマウント３７１は、直方体形状に形成された板状部材からなる。サブマウント３７１は、第１主面３１１側の第１面３７２、第２主面３１２側の第２面３７３、ならびに、第１面３７２および第２面３７３を接続する側面３７４を含む。サブマウント３７１の第２面３７３は、第２配線３０４の第２接続部３６１に接続されている。サブマウント３７１は、Ｓｉ、ＧａＮ、ＳｉＣ、および、ＡｌＮのうちの少なくとも１種の材料を含んでいてもよい。

　サブマウント３７１は、１つまたは複数の貫通配線３７５を含む。貫通配線３７５は、サブマウント３７１を第１面３７２から第２面３７３に貫通し、第１面３７２および第２面３７３から露出している。貫通配線３７５は、第２面３７３において第２配線３０４の第２接続部３６１に電気的に接続されている。

　貫通配線３７５は、平面視において円形状に形成されている。貫通配線３７５の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。貫通配線３７５は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　半導体発光装置１は、基板４１の第１主面４２を筐体３０２の第１主面３１１に対向させた姿勢でサブマウント３７１の第１面３７２の上に配置されている。基板４１の長辺（第１基板側面４４Ａおよび第２基板側面４４Ｂ）は、筐体３０２の第１側面３１３Ａおよび第２側面３１３Ｂに対向している。基板４１の短辺（第３基板側面４４Ｃおよび第４基板側面４４Ｄ）は、筐体３０２の第３側面３１３Ｃおよび第４側面３１３Ｄに対向している。

　半導体発光装置１の第２端子電極９２は、貫通配線３７５に電気的に接続されている。これにより、第２端子電極９２は、貫通配線３７５を介して第２配線３０４に電気的に接続されている。第２端子電極９２は、導電性接合材を介して貫通配線３７５に接続されていてもよい。導電性接合材は、金属ペーストまたは半田であってもよい。

　半導体発光装置１の光取り出し面（この形態では、第３基板側面４４Ｃ（第１端面７１））は、平面視においてサブマウント３７１から筐体３０２の第３側面３１３Ｃに突出している。基板４１の第２主面４３は、法線方向Ｚにベース層３３１の第１面３３３に対向している。

　この構造によれば、半導体発光装置１の光（レーザ光）が、サブマウント３７１外の領域から取り出される。したがって、光（レーザ光）に対するサブマウント３７１の干渉（光の反射や吸収等）を抑制できる。むろん、半導体発光装置１の全域が、サブマウント３７１の上に位置していてもよい。

　パッケージ３０１は、１つまたは複数（この形態では２個）の導線３８０をさらに含む。導線３８０の個数は任意であり、特定の個数に限定されない。導線３８０は、半導体発光装置１の第１端子電極９１および第１配線３０３の第１接続部３５１にそれぞれ接続されている。

　これにより、第１端子電極９１は、導線３８０を介して第１配線３０３に電気的に接続されている。複数の導線３８０は、金、銅、および、アルミニウムのうちの少なくとも1つの金属を含んでいてもよい。複数の導線３８０は、ボンディングワイヤであってもよい。

　図２２は、図３に示す半導体発光装置１が搭載された第３形態例に係るパッケージ４０１を示す平面図である。図２３は、図２２に示すパッケージ４０１の正面図である。図２４は、図２２に示すパッケージ４０１の背面図である。図２５は、図２２に示すパッケージ４０１の底面図である。

　図２６は、図２２に示すXXVI-XXVI線に沿う断面図である。図２７は、図２２に示すXXVII-XXVII線に沿う断面図である。図２８は、図２２に示す筐体４０２の要部を示す平面図である。図２９は、図２２に示す筐体４０２の要部を示す平面図である。図３０は、図２２に示す筐体４０２の要部を示す平面図である。

　図２２～図２５を参照して、パッケージ４０１は、筐体４０２、半導体発光装置１、第１配線４０３および第２配線４０４を含む。筐体４０２は、内部空間４０５および光取り出し窓４０６を有している。半導体発光装置１は、内部空間４０５に収容されている。半導体発光装置１の光は、筐体４０２の光取り出し窓４０６から取り出される。

　第１配線４０３は、内部空間４０５の内外に引き回されている。第１配線４０３は、内部空間４０５内に位置する第１端部４０７および内部空間４０５外に位置する第２端部４０８を有している。第１配線４０３の第１端部４０７は、内部空間４０５内において半導体発光装置１の第１端子電極９１に電気的に接続されている。第１配線４０３の第２端部４０８は、接続対象に外部接続される外部端子として形成されている。

　第２配線４０４は、内部空間４０５の内外に引き回されている。第２配線４０４は、内部空間４０５内に位置する第１端部４０９および内部空間４０５外に位置する第２端部４１０を有している。第２配線４０４の第１端部４０９は、内部空間４０５内において半導体発光装置１の第２端子電極９２に電気的に接続されている。第２配線４０４の第２端部４１０は、接続対象に外部接続される外部端子として形成されている。

　パッケージ４０１は、この形態では、複数の半導体発光装置１を含むが、半導体発光装置１の個数は任意であり、特定の個数に限定されない。パッケージ４０１は、１個の半導体発光装置１だけを含んでいてもよい。以下、パッケージ４０１の具体的な構造について説明する。

　図２２～図２５を参照して、筐体４０２は、直方体形状に形成されている。筐体４０２は、この形態では、絶縁体によって形成されている。筐体４０２は、一方側の第１主面４１１、他方側の第２主面４１２、ならびに、第１主面４１１および第２主面４１２を接続する複数の側面４１３Ａ、４１３Ｂ，４１３Ｃ，４１３Ｄを有している。複数の側面４１３Ａ～４１３Ｄは、具体的には、第１側面４１３Ａ、第２側面４１３Ｂ、第３側面４１３Ｃおよび第４側面４１３Ｄを含む。

　第１主面４１１および第２主面４１２は、それらの法線方向Ｚから見た平面視において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。複数の側面４１３Ａ～４１３Ｄは、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。側面４１３Ａおよび第２側面４１３Ｂは、第１方向Ｘに沿って延び、第２方向Ｙに対向している。側面４１３Ａおよび第２側面４１３Ｂは、筐体４０２の長辺を形成している。第３側面４１３Ｃおよび第４側面４１３Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに対向している。第３側面４１３Ｃおよび第４側面４１３Ｄは、筐体４０２の短辺を形成している。

　第１主面４１１は、パッケージ４０１の頂面を形成している。第２主面４１２は、パッケージ４０１の底面を形成している。第２主面４１２は、平坦に形成されている。第３側面４１３Ｃは、パッケージ４０１の正面を形成している。第４側面４１３Ｄは、パッケージ４０１の背面を形成している。

　筐体４０２の第１方向Ｘの長さは、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよい。筐体４０２の第１方向Ｘの長さは、１ｍｍ以上２ｍｍ以下、２ｍｍ以上４ｍｍ以下、４ｍｍ以上６ｍｍ以下、６ｍｍ以上８ｍｍ以下、または、８ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよい。

　筐体４０２の第２方向Ｙの長さは、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよい。筐体４０２の第２方向Ｙの長さは、１ｍｍ以上２ｍｍ以下、２ｍｍ以上４ｍｍ以下、４ｍｍ以上６ｍｍ以下、６ｍｍ以上８ｍｍ以下、または、８ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよい。

　筐体４０２の法線方向Ｚの長さは、０．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよい。筐体４０２の法線方向Ｚの長さは、０．５ｍｍ以上１ｍｍ以下、１ｍｍ以上１．５ｍｍ以下、１．５ｍｍ以上２ｍｍ以下、または、２ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよい。

　図２２および図２６を参照して、筐体４０２の内部には、半導体発光装置１を収容するための内部空間４０５が区画されている。内部空間４０５は、この形態では、平面視において四角形状に区画されている。内部空間４０５の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。

　平面視において第４側面４１３Ｄおよび内部空間４０５の間の幅は、第３側面４１３Ｃおよび内部空間４０５の間の幅以上である。第４側面４１３Ｄおよび内部空間４０５の間の幅は、この形態では、第３側面４１３Ｃおよび内部空間４０５の間の幅を超えている。つまり、内部空間４０５は、この形態では、平面視において第４側面４１３Ｄに対して第３側面４１３Ｃ寄りの領域に区画されている。

　第３側面４１３Ｃには、内部空間４０５に連通する第１窓４１５が区画されている。第１窓４１５は、半導体発光装置１の光を取り出す光取り出し窓４０６として形成されている。第１窓４１５は、第３側面４１３Ｃを正面から見た正面視において、四角形状に区画されている。第１窓４１５は、この形態では第２方向Ｙに沿って延びる長方形状に区画されている。つまり、第３側面４１３Ｃは、第１窓４１５によって正面視において四角環状（この形態では長方形環状）に形成されている。

　第１主面４１１には、内部空間４０５に連通する第２窓４１６が区画されている。半導体発光装置１は、第２窓４１６を介して内部空間４０５に収容される。第２窓４１６は、この形態では、平面視において四角形状に区画されている。

　つまり、第１主面４１１は、第２窓４１６によって平面視において四角環状（この形態では長方形環状）に形成されている。第２窓４１６の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第２窓４１６の平面形状は、必ずしも内部空間４０５の平面形状に一致（整合）している必要はない。

　平面視において第４側面４１３Ｄおよび第２窓４１６の間の幅は、第３側面４１３Ｃおよび第２窓４１６の間の幅以上である。第４側面４１３Ｄおよび第２窓４１６の間の幅は、具体的には、第３側面４１３Ｃおよび第２窓４１６の間の幅を超えている。つまり、第２窓４１６は、この形態では、平面視において第４側面４１３Ｄに対して第３側面４１３Ｃ寄りの領域に区画されている。

　図２２および図２３を参照して、第３側面４１３Ｃ側のエッジ部には、第１エッジリセス４１７Ａおよび第２エッジリセス４１７Ｂが形成されている。第１エッジリセス４１７Ａは、第１側面４１３Ａおよび第３側面４１３Ｃを接続するエッジ部に形成されている。第２エッジリセス４１７Ｂは、第２側面４１３Ｂおよび第３側面４１３Ｃを接続するエッジ部に形成されている。

　第１エッジリセス４１７Ａは、平面視において内部空間４０５（第４側面４１３Ｄ）に向かう円弧状（凹湾曲状）に窪んでいる。第１エッジリセス４１７Ａは、第１主面４１１および第２主面４１２の間の領域を法線方向Ｚに沿って延び、第１主面４１１および第２主面４１２に接続されている。

　第２エッジリセス４１７Ｂは、平面視において内部空間４０５（第４側面４１３Ｄ）に向かう円弧状（凹湾曲状）に窪んでいる。第２エッジリセス４１７Ｂは、第１主面４１１および第２主面４１２の間の領域を法線方向Ｚに沿って延び、第１主面４１１および第２主面４１２に接続されている。

　第１エッジリセス４１７Ａの壁面は、この形態では、第１金属膜４１８によって被覆されている。第１金属膜４１８は、膜状に形成されている。第１金属膜４１８は、筐体４０２の第１主面４１１から露出している。第１金属膜４１８は、この形態では、筐体４０２の第２主面４１２からも露出している。第１金属膜４１８は、第１エッジリセス４１７Ａの壁面の全域を被覆していてもよい。第１金属膜４１８は、第２主面４１２から第１主面４１１側に間隔を空けて形成されていてもよい。第１金属膜４１８は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　第２エッジリセス４１７Ｂの壁面は、この形態では、第２金属膜４１９によって被覆されている。第２金属膜４１９は、膜状に形成されている。第２金属膜４１９は、筐体４０２の第１主面４１１から露出している。第２金属膜４１９は、この形態では、筐体４０２の第２主面４１２からも露出している。第２金属膜４１９は、第２エッジリセス４１７Ｂの壁面の全域を被覆していてもよい。第２金属膜４１９は、第２主面４１２から第１主面４１１側に間隔を空けて形成されていてもよい。第２金属膜４１９は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　図２２および図２４を参照して、第４側面４１３Ｄには、複数のリセス４２１Ａ，４２１Ｂ，４２１Ｃ，４２１Ｄ，４２１Ｅが形成されている。複数のリセス４２１Ａ～４２１Ｅは、側面４１３Ａ側から第２側面４１３Ｂ側に向けて第１リセス４２１Ａ、第２リセス４２１Ｂ、第３リセス４２１Ｃ、第４リセス４２１Ｄおよび第５リセス４２１Ｅを含む。

　複数のリセス４２１Ａ～４２１Ｅは、第２方向Ｙに沿って間隔を空けて形成されている。複数のリセス４２１Ａ～４２１Ｅは、平面視において内部空間４０５（第３側面４１３Ｃ）に向かう円弧状（凹湾曲状）にそれぞれ窪んでいる。

　複数のリセス４２１Ａ～４２１Ｅは、内部空間４０５（第２窓４１６）から第４側面４１３Ｄ側に間隔を空けて形成されている。複数のリセス４２１Ａ～４２１Ｅは、第１主面４１１および第２主面４１２の間の領域を法線方向Ｚに沿ってそれぞれ延び、第１主面４１１および第２主面４１２にそれぞれ接続されている。

　パッケージ４０１は、第１窓４１５（内部空間４０５）を閉塞する第１閉塞部材４２２を含む。第１閉塞部材４２２は、板状部材からなる。第１閉塞部材４２２は、半導体発光装置１の光を透過させる部材からなることが好ましい。第１閉塞部材４２２は、透光性を有する絶縁体または透明な絶縁体からなることが好ましい。

　第１閉塞部材４２２は、筐体４０２の第３側面４１３Ｃに取り付けられている。第１閉塞部材４２２は、具体的には、第１窓４１５の周囲に形成された第１支持部４２３に取り付けられている。第１支持部４２３は、この形態では、第１窓４１５に連通するように第３側面４１３Ｃの一部を切り欠いたリセスによって形成されている。第１支持部４２３は、平面視において第１窓４１５を取り囲む四角環状（この形態では長方形環状）に形成されている。

　第１閉塞部材４２２は、第３側面４１３Ｃ側の第１板面４２４および第４側面４１３Ｄ側の第２板面４２５を有している。第１板面４２４および第２板面４２５は、第３側面４１３Ｃ（第４側面４１３Ｄ）に平行な平坦面を有している。第１板面４２４は、第３側面４１３Ｃよりも上方に突出していてもよい。第１板面４２４は、第３側面４１３Ｃに対して第４側面４１３Ｄ側に位置していてもよい。第１板面４２４は、第３側面４１３Ｃと同一平面上に位置していてもよい。

　第２板面４２５は、第３側面４１３Ｃに対して第４側面４１３Ｄ側の領域に位置している。第２板面４２５は、接着剤を介して第１支持部４２３に取り付けられてもよい。接着剤は、樹脂（たとえば赤外線硬化樹脂）を含んでいてもよい。

　パッケージ４０１は、第２窓４１６（内部空間４０５）を閉塞する第２閉塞部材４２６を含む。第２閉塞部材４２６は、板状部材からなる。第２閉塞部材４２６の材質は、特に制限されないが、絶縁体を含むことが好ましい。絶縁体は、無機絶縁体または有機絶縁体であってもよい。第２閉塞部材４２６は、遮光性を有していてもよい。

　筐体４０２の第１主面４１１に取り付けられている。第２閉塞部材４２６は、具体的には、第２窓４１６の周囲に形成された第２支持部４２７に取り付けられている。第２支持部４２７は、この形態では、第２窓４１６に連通するように第１主面４１１の一部を切り欠いたリセスによって形成されている。第２支持部４２７は、平面視において第２窓４１６を取り囲む四角環状に形成されている。

　第２閉塞部材４２６は、第１主面４１１側の第１板面４２８および第２主面４１２側の第２板面４２９を有している。第１板面４２８および第２板面４２９は、第１主面４１１（第２主面４１２）に平行な平坦面を有している。第１板面４２８は、第１主面４１１よりも上方に突出していてもよい。第１板面４２８は、第１主面４１１に対して第２主面４１２側に位置していてもよい。第１板面４２８は、第１主面４１１と同一平面上に位置していてもよい。

　第２板面４２９は、第１主面４１１に対して第２主面４１２側の領域において第２支持部４２７に取り付けられる。第２板面４２９は、接着剤を介して第２支持部４２７に取り付けられてもよい。接着剤は、樹脂（たとえば赤外線硬化樹脂）を含んでいてもよい。

　図２６および図２７を参照して、筐体４０２は、複数の絶縁層が積層された積層構造を有している。以下では、筐体４０２が３層の絶縁層が積層された積層構造を有している例について説明するが、絶縁層の積層数は任意であり、３層に限定されない。筐体４０２は、４層以上の絶縁層が積層された積層構造を有していてもよい。

　複数の絶縁層は、無機絶縁体および有機絶縁体のいずれか一方または双方を含んでいてもよい。複数の絶縁層は、無機絶縁体の一例としての酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、および、窒化アルミニウムのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　複数の絶縁層は、有機絶縁体の一例としての感光性樹脂および熱硬化性樹脂のいずれか一方または双方を含んでいてもよい。複数の絶縁層は、有機絶縁体の一例としてのエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、アクリル樹脂およびシリコーン樹脂のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。複数の絶縁層は、この形態では、無機絶縁体（たとえば酸化アルミニウム）からなる。

　複数の絶縁層は、第１絶縁層４３１、第２絶縁層４３２および第３絶縁層４３３を含む。第１絶縁層４３１は、筐体４０２の第２主面４１２を形成している。第３絶縁層４３３は、筐体４０２の第１主面４１１を形成している。第１絶縁層４３１、第２絶縁層４３２および第３絶縁層４３３は、筐体４０２の側面４１３Ａ～４１３Ｄを形成している。

　第１絶縁層４３１は、第１厚さＴ１１を有している。第２絶縁層４３２は、第１厚さＴ１１以下の第２厚さＴ１２（Ｔ１２≦Ｔ１１）を有している。第２厚さＴ１２は、具体的には、第１厚さＴ１１未満（Ｔ１２＜Ｔ１１）である。第３絶縁層４３３は、第２厚さＴ１２以上の第３厚さＴ１３（Ｔ１２≦Ｔ１３）を有している。第３厚さＴ１３は、具体的には、第２厚さＴ１２を超えている（Ｔ１２＜Ｔ１３）。

　第１厚さＴ１１、第２厚さＴ１２および第３厚さＴ１３は、筐体４０２の法線方向Ｚの長さを画定する。第１厚さＴ１１、第２厚さＴ１２および第３厚さＴ１３は、一例に過ぎず、任意であり、前記大小条件に限定されない。第１厚さＴ１１、第２厚さＴ１２および第３厚さＴ１３は、互いに異なる値をそれぞれ有していてもよいし、互いに等しい値をそれぞれ有していてもよい。

　図２６および図２８を参照して、第１絶縁層４３１は、第１主面４１１側の第１面４３４、第２主面４１２側の第２面４３５、ならびに、第１面４３４および第２面４３５を接続する複数の側面４３６Ａ，４３６Ｂ，４３６Ｃ，４３６Ｄを含む。第２面４３５は、筐体４０２の第２主面４１２を形成している。複数の側面４３６Ａ～４３６Ｄは、具体的には、第１側面４３６Ａ、第２側面４３６Ｂ、第３側面４３６Ｃおよび第４側面４３６Ｄを含む。側面４３６Ａ～４３６Ｄは、筐体４０２の側面４１３Ａ～４１３Ｄの一部をそれぞれ形成している。

　第１絶縁層４３１は、ベース部４３７、マウント部４３８、第１枠部４３９および第２枠部４４０を含む。ベース部４３７、マウント部４３８、第１枠部４３９および第２枠部４４０は、第１面４３４を第２面４３５に向けて掘り下げた溝４４１によってそれぞれ区画されている。

　溝４４１は、第３側面４３６Ｃに連通し、内部空間４０５の一部および第１窓４１５の一部を形成している。溝４４１は、具体的には、第１絶縁層４３１において第１側面４３６Ａおよび第２側面４３６Ｂから内方に間隔を空けて第３側面４３６Ｃ側の領域に形成されている。溝４４１は、平面視においてＣ字状に形成されている。

　第１絶縁層４３１のベース部４３７は、具体的には、第４側面４３６Ｄ側の領域に形成されている。ベース部４３７は、第４側面４３６Ｄを形成している。ベース部４３７は、平面視において四角形状（この形態では第２方向Ｙに沿って延びる長方形状）に区画されている。ベース部４３７において第３側面４３６Ｃ側の端面は、この形態では、法線方向Ｚに沿って延びている。

　第１絶縁層４３１のマウント部４３８は、ベース部４３７の端面から第３側面４３６Ｃに向けて引き出されている。マウント部４３８は、平面視において四角形状（この形態では第２方向Ｙに沿って延びる長方形状）に区画されている。マウント部４３８において第３側面４３６Ｃ側の端面は、第３側面４３６Ｃから第４側面４３６Ｄ側に間隔を空けて形成されている。マウント部４３８の端面は、この形態では、法線方向Ｚに沿って延びている。

　第１絶縁層４３１の第１枠部４３９は、ベース部４３７の端面において第１側面４３６Ａ側の領域から第３側面４３６Ｃに向けて帯状に引き出されている。第１枠部４３９は、ベース部４３７から第１側面４３６Ａ側に間隔を空けて形成されている。第１枠部４３９は、第１側面４３６Ａを形成している。

　第１絶縁層４３１の第２枠部４４０は、ベース部４３７において第２側面４３６Ｂ側の領域から第３側面４３６Ｃに向けて帯状に引き出されている。第２枠部４４０は、ベース部４３７から第２側面４３６Ｂ側に間隔を空けて形成されている。第２枠部４４０は、第２側面４３６Ｂを形成している。

　この形態では、第１枠部４３９および第２枠部４４０がマウント部４３８から間隔を空けて形成された例について説明した。しかし、第１枠部４３９および第２枠部４４０は、マウント部４３８と一体を成していてもよい。

　第１絶縁層４３１は、第１支持部４２３（リセス）の一部を区画する第１切欠部４４２を含む。第１切欠部４４２は、第３側面４３６Ｃの一部を第４側面４３６Ｄに向けて切り欠くことによって形成されている。第１切欠部４４２は、第１枠部４３９の一部および第２枠部４４０にも形成されている。第１切欠部４４２は、溝４４１に連通している。

　図２６および図２９を参照して、第２絶縁層４３２は、第１主面４１１側の第１面４４４、第２主面４１２側の第２面４４５、ならびに、第１面４４４および第２面４４５を接続する複数の側面４４６Ａ，４４６Ｂ，４４６Ｃ，４４６Ｄを含む。複数の側面４４６Ａ～４４６Ｄは、具体的には、第１側面４４６Ａ、第２側面４４６Ｂ、第３側面４４６Ｃおよび第４側面４４６Ｄを含む。側面４４６Ａ～４４６Ｄは、筐体４０２の側面４１３Ａ～４１３Ｄの一部をそれぞれ形成している。

　第２絶縁層４３２は、ベース部４４７、第１枠部４４９および第２枠部４５０を含む。ベース部４４７、第１枠部４４９および第２枠部４５０は、第１面４４４および第２面４４５を貫通する切欠き穴４５１によってそれぞれ区画されている。

　切欠き穴４５１は、第３側面４４６Ｃ側の領域において、第３側面４４６Ｃから第４側面４４６Ｄに向けて第２絶縁層４３２を切り欠くことによって形成されている。切欠き穴４５１は、第１絶縁層４３１の溝４４１に連通し、第１絶縁層４３１のマウント部４３８を露出させている。切欠き穴４５１は、平面視において四角形状に形成されている。切欠き穴４５１は、内部空間４０５の一部および第１窓４１５の一部を形成している。

　第２絶縁層４３２のベース部４４７は、具体的には、第４側面４４６Ｄ側の領域に形成されている。ベース部４４７は、第４側面４４６Ｄを形成している。第２絶縁層４３２のベース部４４７は、第１絶縁層４３１のベース部４３７の上に配置されている。ベース部４４７は、平面視において四角形状（この形態では第２方向Ｙに沿って延びる長方形状）に区画されている。ベース部４４７において第３側面４４６Ｃ側の端面は、第１面４４４から第２面４４５に向かって下り傾斜した傾斜面を有している。

　第２絶縁層４３２の第１枠部４４９は、ベース部４４７において第１側面４４６Ａ側の領域から第３側面４４６Ｃに向けて帯状に引き出されている。第１枠部４４９は、第１側面４４６Ａを形成している。第１枠部４４９は、第１絶縁層４３１の第１枠部４３９の上に形成されている。第１枠部４４９は、第１枠部４３９の平面形状に整合する平面形状を有している。

　第２絶縁層４３２の第２枠部４５０は、ベース部４４７において第２側面４４６Ｂ側の領域から第３側面４４６Ｃに向けて帯状に引き出されている。第２枠部４５０は、第２側面４４６Ｂを形成している。第２枠部４５０は、第１絶縁層４３１の第２枠部４４０の上に形成されている。第２枠部４５０は、第２枠部４４０の平面形状に整合する平面形状を有している。

　第２絶縁層４３２は、第１支持部４２３（リセス）の一部を区画する第２切欠部４５２を含む。第２切欠部４５２は、第１枠部４４９の端部および第２枠部４５０の端部に形成されている。第２切欠部４５２は、第１絶縁層４３１の第１切欠部４４２に連なっている。

　図２６および図２９を参照して、第３絶縁層４３３は、第１主面４１１側の第１面４６４、第２主面４１２側の第２面４６５、ならびに、第１面４６４および第２面４６５を接続する複数の側面４６６Ａ，４６６Ｂ，４６６Ｃ，４６６Ｄを含む。複数の側面４６６Ａ～４６７Ｄは、具体的には、第１側面４６６Ａ、第２側面４６６Ｂ、第３側面４６６Ｃおよび第４側面４６６Ｄを含む。第１面４６４は、第１主面４１１を形成している。側面４６６Ａ～４６７Ｄは、筐体４０２の側面４１３Ａ～４１３Ｄの一部をそれぞれ形成している。

　第３絶縁層４３３は、ベース部４６７、第１枠部４６９、第２枠部４７０および第３枠部４７１を含む。ベース部４６７、第１枠部４６９、第２枠部４７０および第３枠部４７１は、第１面４６４および第２面４６５を貫通する貫通孔４７２によって区画されている。

　貫通孔４７２は、第３絶縁層４３３において第３側面４６６Ｃ側の領域に形成されている。貫通孔４７２は、第１絶縁層４３１の溝４４１および第２絶縁層４３２の切欠き穴４５１に連通し、第１絶縁層４３１のマウント部４３８および第２絶縁層４３２のベース部４４７の一部を露出させている。貫通孔４７２は、平面視において四角形状に形成されている。貫通孔４７２は、内部空間４０５の一部および第２窓４１６を形成している。

　第３絶縁層４３３のベース部４６７は、具体的には、第４側面４６６Ｄ側の領域に形成されている。ベース部４６７は、第４側面４６６Ｄを形成している。ベース部４６７は、第２絶縁層４３２のベース部４４７の上に配置されている。ベース部４６７は、平面視において四角形状（この形態では第２方向Ｙに沿って延びる長方形状）に区画されている。ベース部４６７において第３側面４６６Ｃ側の端面は、この形態では、法線方向Ｚに沿って延びている。

　第３絶縁層４３３の第１枠部４６９は、ベース部４６７において第１側面４６６Ａ側の領域から第３側面４６６Ｃに向けて帯状に引き出されている。第１枠部４６９は、第１側面４６６Ａを形成している。第１枠部４６９は、第２絶縁層４３２の第１枠部４４９の上に形成されている。第１枠部４６９は、第１枠部４４９の平面形状に整合する平面形状を有している。

　第３絶縁層４３３の第２枠部４７０は、ベース部４６７において第２側面４６６Ｂ側の領域から第３側面４６６Ｃに向けて帯状に引き出されている。第２枠部４７０は、第２側面４６６Ｂを形成している。第２枠部４７０は、第２絶縁層４３２の第２枠部４５０の上に形成されている。第２枠部４７０は、第２枠部４４０の平面形状に整合する平面形状を有している。

　第３絶縁層４３３の第３枠部４７１は、第１枠部４６９の先端部および第２枠部４７０の先端部を接続している。第３枠部４７１は、第３側面４６６Ｃを形成している。第３枠部４７１は、法線方向Ｚに第１絶縁層４３１の第１面４３４（溝４４１）に対向している。

　第３絶縁層４３３は、第２支持部４２７（リセス）を含む。また、第３絶縁層４３３は、第２支持部４２７（リセス）の一部を区画する第３切欠部４７３を含む。第３切欠部４７３は、第３側面４６６Ｃおよび第２面４６５を接続する角部に形成されている。第３切欠部４７３は、第２絶縁層４３２の第２切欠部４５２に連なっている。

　このように、筐体４０２は、第１絶縁層４３１、第２絶縁層４３２および第３絶縁層４３３を含む。また、筐体４０２の内部空間４０５は、第１絶縁層４３１、第２絶縁層４３２および第３絶縁層４３３によって、第１主面４１１から第２主面４１２に向かう下り階段状に区画されている。

　図２２、図２４および図２９を参照して、この形態では、複数の第１配線４０３が形成されている。複数の第１配線４０３は、第１配線４０３Ａ、第１配線４０３Ｂ、第１配線４０３Ｃおよび第１配線４０３Ｄを含む。第１配線４０３Ａ、第１配線４０３Ｂ、第１配線４０３Ｃおよび第１配線４０３Ｄは、第１側面４１３Ａ側から第２側面４１３Ｂ側に向けてこの順に形成されている。複数の第１配線４０３Ａ～４０３Ｄは、第２絶縁層４３２の上に形成され、内部空間４０５から内部空間４０５外に引き出されている。

　第１配線４０３Ａは、第２絶縁層４３２の上から内部空間４０５外に引き出され、第１リセス４２１Ａを介して筐体４０２の第１主面４１１の上に引き回されている。第１配線４０３Ｂは、第２絶縁層４３２の上から内部空間４０５外に引き出され、第２リセス４２１Ｂを介して筐体４０２の第１主面４１１の上に引き回されている。

　第１配線４０３Ｃは、第２絶縁層４３２の上から内部空間４０５外に引き出され、第３リセス４２１Ｃを介して筐体４０２の第１主面４１１の上に引き回されている。第１配線４０３Ｄは、第２絶縁層４３２の上から内部空間４０５外に引き出され、第４リセス４２１Ｄを介して筐体４０２の第１主面４１１の上に引き回されている。

　第１配線４０３Ａ、第１配線４０３Ｂ、第１配線４０３Ｃおよび第１配線４０３Ｄは、同様の構造を有している。以下では、第１配線４０３Ａの構造を例にとって説明し、第１配線４０３Ｂ、第１配線４０３Ｃおよび第１配線４０３Ｄの構造の説明については第１配線４０３Ａの説明が準用されるものとし、省略する。第１配線４０３Ｂ、第１配線４０３Ｃおよび第１配線４０３Ｄにおいて第１配線４０３Ａに対応する構造については、同一の参照符号が付される。

　第１配線４０３Ａは、第１接続部４８１、第１配線部４８２、第１外部配線部４８３および第１外部端子部４８４を含む。第１接続部４８１は、第１配線４０３Ａの第１端部４０７を形成している。第１外部端子部４８４は、第１配線４０３Ａの第２端部４０８を形成している。

　第１接続部４８１は、第２絶縁層４３２のベース部４４７において第３絶縁層４３３から露出する部分に形成されている。第１接続部４８１は、膜状に形成されている。第１接続部４８１は、平面視において四角形状に形成されている。第１接続部４８１の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第１接続部４８１は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　第１配線部４８２は、第１接続部４８１から第４側面４１３Ｄに向けて引き出されている。第１配線部４８２は、第１接続部４８１および第１リセス４２１Ａの間の領域に引き回されている。第１配線部４８２は、第１リセス４２１Ａ（第４側面４１３Ｄ）から露出している。

　第１配線部４８２は、膜状に形成されている。第１配線部４８２の一部は、第２絶縁層４３２および第３絶縁層４３３の間に介在している。第１配線部４８２の引き回し形態は任意であり、特定の形態に限定されない。第１配線部４８２は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　第１外部配線部４８３は、第１リセス４２１Ａの壁面に形成されている。第１外部配線部４８３は、膜状に形成されている。第１外部配線部４８３は、第１リセス４２１Ａの壁面において第１配線部４８２に電気的に接続されている。第１外部配線部４８３は、筐体４０２の第１主面４１１から露出している。第１外部配線部４８３は、この形態では、筐体４０２の第２主面４１２からも露出している。

　第１外部配線部４８３は、第１リセス４２１Ａの壁面の全域を被覆していてもよい。第１外部配線部４８３は、第２主面４１２から第１主面４１１側に間隔を空けて形成されていてもよい。第１外部配線部４８３は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　第１外部端子部４８４は、筐体４０２の第１主面４１１（第３絶縁層４３３のベース部４６７）の上に形成されている。第１外部端子部４８４は、膜状に形成されている。第１外部端子部４８４は、第１リセス４２１Ａから第３側面４１３Ｃ側に向けて帯状に延びている。第１外部端子部４８４は、第１外部配線部４８３において第１リセス４２１Ａから露出する部分に電気的に接続されている。

　第１外部端子部４８４の第２方向Ｙに沿う幅は、第１外部配線部４８３（第１リセス４２１Ａ）の第２方向Ｙに沿う幅以上である。第１外部端子部４８４の第２方向Ｙに沿う幅は、この形態では、第１外部配線部４８３（第１リセス４２１Ａ）の第２方向Ｙに沿う幅を超えている。第１外部配線部４８３は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　図２２、図２４および図２８を参照して、第２配線４０４は、第１絶縁層４３１の上に形成され、内部空間４０５から内部空間４０５外に引き出されている。第２配線４０４は、第１絶縁層４３１の上から内部空間４０５外に引き出され、第５リセス４２１Ｅを介して筐体４０２の第１主面４１１の上に引き回されている。

　第２配線４０４は、第２接続部４９１、第２配線部４９２、第２外部配線部４９３および第２外部端子部４９４を含む。第２接続部４９１は、第２配線４０４の第１端部４０９を形成している。第２外部端子部４９４は、第２配線４０４の第２端部４１０を形成している。

　第２接続部４９１は、第１絶縁層４３１のマウント部４３８に形成されている。第２接続部４９１は、膜状に形成されている。第２接続部４９１は、平面視において四角形状（この形態では第２方向Ｙに沿って延びる長方形状）に形成されている。第２接続部４９１の平面形状は、任意であり、特定の形状に限定されない。第２接続部４９１は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　第２配線部４９２は、第２接続部４９１から第４側面４１３Ｄに向けて引き出されている。第２配線部４９２は、第２接続部４９１および第５リセス４２１Ｅの間の領域に引き回されている。第２配線部４９２は、第５リセス４２１Ｅ（第４側面４１３Ｄ）から露出している。

　第２配線部４９２は、膜状に形成されている。第２配線部４９２の一部は、第１絶縁層４３１および第２絶縁層４３２の間に介在している。第２配線部４９２の引き回し形態は任意であり、特定の形態に限定されない。第２配線部４９２は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　第２外部配線部４９３は、第５リセス４２１Ｅの壁面に膜状に形成されている。第２外部配線部４９３は、第５リセス４２１Ｅの壁面において第２配線部４９２に電気的に接続されている。第２外部配線部４９３は、筐体４０２の第１主面４１１から露出している。第２外部配線部４９３は、この形態では、筐体４０２の第２主面４１２からも露出している。

　第２外部配線部４９３は、第５リセス４２１Ｅの壁面の全域を被覆していてもよい。第２外部配線部４９３は、第２主面４１２から第１主面４１１側に間隔を空けて形成されていてもよい。第２外部配線部４９３は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、および、Ａｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　第２外部端子部４９４は、筐体４０２の第１主面４１１（第３絶縁層４３３のベース部４６７）の上に形成されている。第２外部端子部４９４は、膜状に形成されている。第２外部端子部４９４は、第５リセス４２１Ｅから第３側面４１３Ｃ側に向けて帯状に延びている。第２外部端子部４９４は、第２外部配線部４９３において第５リセス４２１Ｅから露出する部分に電気的に接続されている。

　第２外部端子部４９４の第２方向Ｙに沿う幅は、第２外部配線部４９３（第５リセス４２１Ｅ）の第２方向Ｙに沿う幅以上である。第２外部端子部４９４の第２方向Ｙに沿う幅は、この形態では、第２外部配線部４９３（第５リセス４２１Ｅ）の第２方向Ｙに沿う幅を超えている。第２外部配線部４９３は、Ｃｕ、Ｎｉ、ＴｉおよびＡｕのうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

　複数の半導体発光装置１は、第１半導体発光装置１Ａ、第２半導体発光装置１Ｂ、第３半導体発光装置１Ｃおよび第４半導体発光装置１Ｄを含む。複数の半導体発光装置１Ａ～１Ｄは、筐体４０２の側面４１３Ａ側から第２側面４１３Ｂ側に向けてこの順に間隔を空けて配置されている。

　複数の半導体発光装置１Ａ～１Ｄは、基板４１の第１主面４２を筐体４０２の第１主面４１１に対向させた姿勢で第２配線４０４の第２接続部４９１の上にそれぞれ配置されている。基板４１の長辺（第１基板側面４４Ａおよび第２基板側面４４Ｂ）は、筐体４０２の側面４１３Ａおよび第２側面４１３Ｂに対向している。基板４１の短辺（第３基板側面４４Ｃおよび第４基板側面４４Ｄ）は、筐体４０２の第３側面４１３Ｃおよび第４側面４１３Ｄに対向している。

　複数の半導体発光装置１Ａ～１Ｄの第２端子電極９２は、それぞれ第２接続部４９１に電気的に接続されている。各第２端子電極９２は、導電性接合材を介して第２接続部４９１に接続されていてもよい。導電性接合材は、金属ペーストまたは半田であってもよい。

　複数の半導体発光装置１Ａ～１Ｄの光取り出し面（この形態では、第３基板側面４４Ｃ（第１端面７１））は、平面視において第１絶縁層４３１のマウント部４３８から筐体４０２の第３側面４１３Ｃに突出している。基板４４の第２主面４３は、法線方向Ｚに第１絶縁層４３１の溝４４１に対向している。

　この構造によれば、複数の半導体発光装置１Ａ～１Ｄの光（レーザ光）が、マウント部４３８外の領域から取り出される。したがって、光（レーザ光）に対するマウント部４３８の干渉（光の反射や吸収等）を抑制できる。むろん、複数の半導体発光装置１Ａ～１Ｄは、その全域がマウント部４３８の上に位置していてもよい。

　パッケージ４０１は、複数の導線４９０Ａ，４９０Ｂ，４９０Ｃ，４９０Ｄをさらに含む。複数の導線４９０Ａ～４９０Ｄは、１つまたは複数の第１導線４９０Ａ、１つまたは複数の第２導線４９０Ｂ、１つまたは複数の第３導線４９０Ｃおよび１つまたは複数の第４導線４９０Ｄを含む。この形態では、導線４９０Ａ～Ｄが２個ずつ設けられている。第１導線４９０Ａの個数、第２導線４９０Ｂの個数、第３導線４９０Ｃの個数および第４導線４９０Ｄの個数は任意であり、特定の個数に限定されない。

　複数の第１導線４９０Ａは、第１半導体発光装置１Ａの第１端子電極９１および第１配線４０３Ａの第１接続部４８１にそれぞれ接続されている。複数の第２導線４９０Ｂは、第２半導体発光装置１Ｂの第１端子電極９１および第１配線４０３Ｂの第１接続部４８１にそれぞれ接続されている。複数の第３導線４９０Ｃは、第３半導体発光装置１Ｃの第１端子電極９１および第１配線４０３Ｃの第１接続部４８１にそれぞれ接続されている。複数の第４導線４９０Ｄは、第４半導体発光装置１Ｄの第１端子電極９１および第１配線４０３Ｄの第１接続部４８１にそれぞれ接続されている。

　複数の導線４９０Ａ～４９０Ｄは、金、銅、および、アルミニウムのうちの少なくとも1つの金属を含んでいてもよい。複数の導線４９０Ａ～４９０Ｄは、ボンディングワイヤであってもよい。

　この形態では、複数の半導体発光装置１Ａ～１Ｄが互いに間隔を空けて配置された例について説明した。しかし、複数の半導体発光装置１Ａ～１Ｄを一体的に含む１つの半導体発光装置が配置されてもよい。この場合、１つの半導体発光装置は、複数のメサ構造５０から光（レーザ光）をそれぞれ放出するマルチ発光型のデバイスとなる。マルチ発光型の半導体発光装置は、前述のウエハ１６１の切断工程（図１６Ｊ参照）において複数の装置形成領域１６４を一体的に含む領域をウエハ１６１から切り出すことによって、製造される。

　この出願は、２０１９年３月１１日に日本国特許庁に提出された特願２０１９－０４４０７８号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれる。本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。

１　　　　半導体発光装置
２　　　　半導体レーザ装置用ステム
４１　　　基板
４２　　　基板の第１主面
４３　　　基板の第２主面
４５　　　半導体発光層
５０　　　メサ構造
５１　　　メサ構造の基部
５２　　　メサ構造の頂部
５３　　　メサ構造の第１側壁
５４　　　メサ構造の第２側壁
５５　　　メサ構造のメサ主面
６０　　　主面拡張部
６１　　　第１主面拡張部
６２　　　第２主面拡張部
６３　　　第１主面拡張部の第１接続部
６６　　　第２主面拡張部の第２接続部
７５　　　コンタクト孔
８１　　　絶縁層
８５　　　コンタクト開口
８６　　　コンタクト電極
９１　　　第１端子電極
９２　　　第２端子電極
１０２　　発光ユニット層
１０２Ａ　第１発光ユニット層
１０２Ｂ　第２発光ユニット層
１０２Ｃ　第３発光ユニット層
１０３　　トンネル接合層
１０３Ａ　第１トンネル接合層
１０３Ｂ　第２トンネル接合層
１１０　　ｎ型クラッド層
１１２　　活性層
１１４　　ｐ型クラッド層
１３１　　ｐ型コンタクト層
２０１　　パッケージ
３０１　　パッケージ
４０１　　パッケージ
ＤＣ　　　コンタクト孔の深さ
Ｔ１　　　第１主面拡張部の厚さ
Ｔ２　　　第１主面拡張部の厚さ
Ｘ　　　　第１方向
Ｙ　　　　第２方向
Ｚ　　　　法線方向

Claims

　基部、前記基部に向けて窪んだコンタクト孔が形成された主面を有する頂部、前記頂部および前記基部を接続する側壁、ならびに、前記主面および前記側壁を接続する角部から前記主面の接線方向に張り出し、前記主面を拡張させる主面拡張部を含むメサ構造を有し、光を生成する半導体発光層と、
　前記コンタクト孔内において前記半導体発光層に電気的に接続された電極と、を含む、半導体発光装置。
　前記主面拡張部は、前記コンタクト孔の深さを超える厚さを有している、請求項１に記載の半導体発光装置。
　前記電極は、前記主面拡張部の上から前記コンタクト孔に入り込んでいる、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
　前記側壁は、前記頂部から前記基部に向けて下り傾斜したテーパ形状に形成されており、
　前記主面拡張部は、前記主面の法線方向に前記側壁に対向している、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記主面拡張部は、前記側壁に接続された接続部を有し、前記接続部を起点に前記側壁の傾斜方向とは反対側に向けて傾斜した逆テーパ形状に形成されている、請求項４に記載の半導体発光装置。
　前記側壁は、前記主面の法線方向との間で成す角度が漸増する態様で下り傾斜している、請求項４または５に記載の半導体発光装置。
　前記主面拡張部は、平面視において前記側壁の上に位置する縁部を有している、請求項４～６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記半導体発光層を被覆し、前記コンタクト孔に連通するコンタクト開口を有する絶縁層をさらに含み、
　前記電極は、前記絶縁層の上から前記コンタクト開口に入り込んでいる、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記絶縁層は、前記主面拡張部を被覆している、請求項８に記載の半導体発光装置。
　前記半導体発光層は、前記メサ構造の前記基部側に形成された第１導電型の第１半導体層、前記メサ構造の前記頂部側に形成された第２導電型の第２半導体層、ならびに、前記第１半導体層および前記第２半導体層の間に介在する活性層を含む発光ユニット層を含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記半導体発光層は、前記メサ構造の前記頂部および前記主面拡張部を形成し、前記発光ユニット層に電気的に接続された第２導電型のコンタクト層を含み、
　前記コンタクト孔は、前記コンタクト層に形成されており、
　前記電極は、前記コンタクト層に電気的に接続されている、請求項１０に記載の半導体発光装置。
　前記半導体発光層は、前記基部側から前記頂部側に向けて積層された複数の前記発光ユニット層、および、複数の前記発光ユニット層の間に介在するトンネル接合層を含む、請求項１０または１１に記載の半導体発光装置。
　一方側の第１主面および他方側の第２主面を含む基板をさらに含み、
　前記半導体発光層は、前記基板の前記第１主面の上に形成されている、請求項１～１２のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記基板の前記第２主面の上に形成された端子電極をさらに含む、請求項１３に記載の半導体発光装置。
　前記電極の上に形成された主面端子電極をさらに含む、請求項１～１４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記半導体発光層は、前記主面の接線方向に向けて光を放出する、請求項１～１５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記半導体発光層は、平面視において一方方向に沿って延びる帯状に形成されており、前記一方方向に沿って光を放出する、請求項１６に記載の半導体発光装置。
　前記半導体発光層は、レーザ光を生成する、請求項１～１７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。