WO2020183769A1

WO2020183769A1 - 表示装置

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Publication number: WO2020183769A1
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Inventors: 天風中村; 幸次朗池田; 奥山　健太郎
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Priority date: 2019-03-14
Filing date: 2019-10-11
Publication date: 2020-09-17
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Abstract

画素電極を有する第１基板と、共通電極を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、ポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、前記第２基板の端面に対向する発光素子と、を備え、第１位置において前記共通電極は前記画素電極から第１距離だけ離間しており、前記第１位置より前記発光素子から離間した第２位置において前記共通電極は前記画素電極から第２距離だけ離間しており、前記第２距離は、前記第１距離より小さい、表示装置。

Description

表示装置

　本発明の実施形態は、表示装置に関する。

　高分子分散液晶（ＰＤＬＣ；Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ）を用いて透明と散乱を切り替える表示装置が提案されている。これは、映り込み防止などを目的としたものであり、ＰＤＬＣに対して部分的に電圧を印加して透明と散乱を切り替える技術である。ＰＤＬＣを使用した透明な表示装置には、導光板の端部に光源を配置するエッジライト方式が採用されている。しかし、エッジライト方式をＰＤＬＣ表示装置に用いると、光源から離れるにつれて輝度が低下するという問題があった。

特開２０１２－１５１０８１号公報

　本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

　本実施形態によれば、画素電極を有する第１基板と、共通電極を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、ポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、前記第２基板の端面に対向する発光素子と、を備え、第１位置において前記共通電極は前記画素電極から第１距離だけ離間しており、前記第１位置より前記発光素子から離間した第２位置において前記共通電極は前記画素電極から第２距離だけ離間しており、前記第２距離は、前記第１距離より小さい、表示装置が提供される。

図１は、本実施形態の表示装置の一例を示す平面図である。図２は、図１に示した表示パネルの表示部を示す断面図である。図３は、図１に示したＡ－Ｂ線における表示装置を概略的に示す断面図である。図４は、図１に示したＣ－Ｄ線、Ｅ－Ｆ線における表示装置を概略的に示す断面図である。図５は、電極間距離、電界強度、規格化輝度の関係を示す図である。図６は、表示装置の第２構成例を示す断面図である。図７は、表示装置の第３構成例を示す断面図である。図８は、表示装置の第４構成例を示す断面図である。図９は、図１に示したＣ－Ｄ線、Ｅ－Ｆ線における表示装置を概略的に示す断面図である。図１０は、表示装置の第５構成例を示す断面図である。図１１は、図１に示したＣ－Ｄ線、Ｅ－Ｆ線における表示装置を概略的に示す断面図である。図１２は、表示装置の第６構成例を示す断面図である。図１３は、図１２に示したＧ－Ｈ線における表示装置を概略的に示す断面図である。

　以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

　[第１構成例]　
　図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一例を示す平面図である。　
　一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を「上側」（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を「下側」（あるいは、単に下）と称する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよいし、第１部材から離間していてもよい。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。

　本実施形態においては、表示装置ＤＳＰの一例として、高分子分散型液晶を適用した液晶表示装置について説明する。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、配線基板１と、ＩＣチップ２と、発光素子ＬＤと、を備えている。

　表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、液晶層ＬＣと、シールＳＬと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、Ｘ－Ｙ平面と平行な平板状に形成されている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、平面視で、重畳している。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、シールＳＬによって接着されている。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持され、シールＳＬによって封止されている。図１において、液晶層ＬＣ及びシールＳＬは、異なる斜線で示している。

　図１において拡大して模式的に示すように、液晶層ＬＣは、ポリマー３１と、液晶分子３２と、を含む高分子分散型液晶を備えている。一例では、ポリマー３１は、液晶性ポリマーである。ポリマー３１は、一方向に沿って延出した筋状に形成されている。例えば、ポリマー３１の延出方向ＤＲ１は、第１方向Ｘに沿った方向である。液晶分子３２は、ポリマー３１の隙間に分散され、その長軸が第１方向Ｘに沿うように配向される。ポリマー３１及び液晶分子３２の各々は、光学異方性あるいは屈折率異方性を有している。ポリマー３１の電界に対する応答性は、液晶分子３２の電界に対する応答性より低い。

　一例では、ポリマー３１の配向方向は、電界の有無にかかわらずほとんど変化しない。一方、液晶分子３２の配向方向は、液晶層ＬＣにしきい値以上の高い電圧が印加された状態では、電界に応じて変化する。液晶層ＬＣに電圧が印加されていない状態では、ポリマー３１及び液晶分子３２のそれぞれの光軸は互いに平行であり、液晶層ＬＣに入射した光は、液晶層ＬＣ内でほとんど散乱されることなく透過する（透明状態）。液晶層ＬＣに電圧が印加された状態では、ポリマー３１及び液晶分子３２のそれぞれの光軸は互いに交差し、液晶層ＬＣに入射した光は、液晶層ＬＣ内で散乱される（散乱状態）。

　表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示部ＤＡと、表示部ＤＡを囲む額縁状の非表示部ＮＤＡと、を備えている。シールＳＬは、非表示部ＮＤＡに位置している。表示部ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された画素ＰＸを備えている。

　図１において拡大して示すように、各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極（第１電極）ＰＥ、共通電極（共通電極）ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、第３方向Ｚにおいて共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣ（特に、液晶分子３２）を駆動している。容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。なお、第１基板ＳＵＢ１は、複数の画素電極ＰＥを有している。第２基板ＳＵＢ２は、少なくとも１つの共通電極ＣＥを有している。

　配線基板１は、第１基板ＳＵＢ１の延出部Ｅｘに電気的に接続されている。配線基板１は、折り曲げ可能なフレキシブルプリント回路基板である。ＩＣチップ２は、配線基板１に電気的に接続されている。ＩＣチップ２は、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバなどを内蔵している。なお、ＩＣチップ２は、延出部Ｅｘに電気的に接続されていてもよい。配線基板１及びＩＣチップ２は、表示パネルＰＮＬからの信号を読み出す場合もあるが、主として表示パネルＰＮＬに信号を供給する信号源として機能する。

　発光素子ＬＤは、延出部Ｅｘに重畳している。複数の発光素子ＬＤは、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて並んでいる。これらの発光素子ＬＤは、第２基板ＳＵＢ２の端面（第１端面）Ｅ２１に対向し、端面Ｅ２１に向けて光を出射する。なお、第２基板ＳＵＢ２は、端面Ｅ２１の反対側に端面（第２端面）Ｅ２２を有しており、発光素子ＬＤから発光された光は、端面Ｅ２２まで到達する。

　図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの表示部ＤＡを示す断面図である。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に設けられている。　
　第１基板ＳＵＢ１は、透明基板（第２透明基板）１０と、有機絶縁膜（第２有機絶縁膜）１１と、容量絶縁膜１２と、容量電極１３と、スイッチング素子ＳＷと、画素電極ＰＥと、配向膜ＡＬ１と、を備えている。

　透明基板１０は、主面１０Ａと、主面１０Ａの反対側の主面１０Ｂと、を備えている。スイッチング素子ＳＷは、主面１０Ｂ側に配置されている。スイッチング素子ＳＷは、半導体層の下にゲート電極が位置するボトムゲート型であってもよいし、半導体層の上にゲート電極が位置するトップゲート型であってもよい。半導体層は、例えばアモルファスシリコンによって形成されるが、多結晶シリコンや酸化物半導体によって形成されてもよい。

　有機絶縁膜１１は、スイッチング素子ＳＷを覆っている。また、有機絶縁膜１１は、透明基板１０と画素電極ＰＥとの間に位置している。なお、図１に示した走査線Ｇ及び信号線Ｓは、透明基板１０と有機絶縁膜１１との間に配置されているが、ここでは図示を省略している。走査線Ｇと、走査線Ｇと交差する信号線Ｓと、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷと、スイッチング素子ＳＷに重畳する有機絶縁膜１１は、透明基板１０上に位置している。容量電極１３は、有機絶縁膜１１及び容量絶縁膜１２の間に配置されている。画素電極ＰＥは、容量絶縁膜１２と配向膜ＡＬ１との間において、画素ＰＸ毎に配置されている。画素電極ＰＥは、容量電極１３の開口部ＯＰを介してスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、容量絶縁膜１２を挟んで、容量電極１３と重畳し、画素ＰＸの容量ＣＳを形成している。配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥを覆っている。配向膜ＡＬ１は、液晶層ＬＣに接している。

　第２基板ＳＵＢ２は、透明基板（第１透明基板）２０と、共通電極ＣＥと、有機絶縁膜（第１有機絶縁膜）２１と、配向膜ＡＬ２と、を備えている。透明基板２０は、主面２０Ａと、主面２０Ａの反対側の主面２０Ｂと、を備えている。透明基板２０の主面２０Ａは、透明基板１０の主面１０Ｂと向かい合っている。有機絶縁膜２１は、主面２０Ａに設けられており、透明基板２０と共通電極ＣＥとの間に位置している。共通電極ＣＥは、液晶層ＬＣと有機絶縁膜２１との間に設けられている。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置され、第３方向Ｚにおいて、複数の画素電極ＰＥと対向している。配向膜ＡＬ２は、共通電極ＣＥを覆っている。また、配向膜ＡＬ２は、液晶層ＬＣに接している。なお、第２基板ＳＵＢ２は、走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、スイッチング素子ＳＷの直上に遮光層を備えていてもよい。

　透明基板１０及び２０は、ガラス基板やプラスチック基板などの絶縁基板である。有機絶縁膜１１及び２１は、アクリル樹脂などの透明な絶縁材料によって形成されている。容量絶縁膜１２は、シリコン窒化物などの無機絶縁膜である。容量電極１３、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成された透明電極である。配向膜ＡＬ１及びＡＬ２は、例えば第１方向Ｘに沿って配向処理されている。なお、配向処理とは、ラビング処理であってもよいし、光配向処理であってもよい。

　図３は、図１に示したＡ－Ｂ線における表示装置ＤＳＰを概略的に示す断面図である。ここでは、本発明の主要な構成のみを示し、他の部材の図示を省略している。　
　カバー部材ＣＭは、透明基板２０の上に位置している。発光素子ＬＤは、カバー部材ＣＭ、透明基板２０、液晶層ＬＣ、シールＳＬと第２方向Ｙに対向している。発光素子ＬＤは、端面Ｅ２１から端面Ｅ２２への方向で、端面Ｅ２１側に位置するシールＳＬと対向している。また、発光素子ＬＤは、配線基板Ｆに電気的に接続されている。なお、発光素子ＬＤと透明基板２０との間に導光体が介在していても良い。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に印加される電圧によって発光素子ＬＤから液晶層ＬＣへ入射した光の散乱状態を変化させる。

　ここで、発光素子ＬＤに近い第１位置Ｐ１と、第１位置Ｐ１より発光素子ＬＤから離間した第２位置Ｐ２と、を定義する。第２基板ＳＵＢ２は、第１位置Ｐ１と、第２位置Ｐ２と、を有している。第２位置Ｐ２は、第１位置Ｐ１と端面Ｅ２２との間に位置している。有機絶縁膜２１は、第１位置Ｐ１において膜厚Ｔ１を有し、第２位置Ｐ２において膜厚Ｔ２を有している。膜厚Ｔ１は、膜厚Ｔ２より小さい。有機絶縁膜２１の膜厚は、発光素子ＬＤから離れるに連れて大きくなっている。つまり、有機絶縁膜２１の膜厚は、第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２へ漸次大きくなる。そのため、有機絶縁膜２１の第１基板ＳＵＢ１側の面２１１は、透明基板２０に対して斜面である。このような、有機絶縁膜２１の形状によって、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間の電極間距離Ｄは、発光素子ＬＤから離れるに連れて小さくなる。第１位置Ｐ１において共通電極ＣＥは画素電極ＰＥから第１距離Ｄ１だけ離間している。第２位置Ｐ２において共通電極ＣＥは画素電極ＰＥから第２距離Ｄ２だけ離間している。第２距離Ｄ２は、第１距離Ｄ１より小さい。換言すると、第１位置Ｐ１における画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の第１距離Ｄ１は、第２位置Ｐ２における画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の第２距離Ｄ２よりも大きい。つまり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の距離は、第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２へ漸次小さくなる。また、端面Ｅ２１側に位置するシールＳＬの厚さＳＬＴ１は、端面Ｅ２２側に位置するシールＳＬの厚さＳＬＴ２よりも大きい。液晶層ＬＣの厚さＬＣＴは、端面Ｅ２１から端面Ｅ２２へ漸次小さくなる。

　高分子分散型液晶を適用した表示装置ＤＳＰにおいては、発光素子ＬＤは、第２基板ＳＵＢ２の端面Ｅ２１と対向して位置している。そのため、発光素子ＬＤから発光された光は、配線、遮光層、有機絶縁膜などによって吸収されたり、散乱に用いられたりすることによって、発光素子ＬＤから遠ざかるに連れて減少していく。すなわち、入光側から反入光側にかけて表示装置ＤＳＰの輝度が低下する恐れがある。ここで、入光側とは、発光素子ＬＤが位置する側である端面Ｅ２１側に相当し、反入光側とは、端面Ｅ２１の反対側の端面Ｅ２２側に相当する。

　本実施形態によれば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間の電極間距離Ｄが、発光素子ＬＤから遠ざかるに連れて小さくなるため、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間の電界強度が発光素子ＬＤから遠ざかるに連れて強くなる。そのため、入光側から反入光側にかけての輝度の低下を抑制することができる。よって、表示装置ＤＳＰの表示品位の低下を抑制することができる。

　図４は、図１に示したＣ－Ｄ線、Ｅ－Ｆ線における表示装置ＤＳＰを概略的に示す断面図である。図４（ａ）は、Ｃ－Ｄ線における断面図である。Ｃ－Ｄ線の位置は、図３に示した第１位置Ｐ１であるとする。図４（ｂ）は、Ｅ－Ｆ線における断面図である。Ｅ－Ｆ線の位置は、図３に示した第２位置Ｐ２であるとする。

　図４（ａ）に示すように、第１位置Ｐ１においては、有機絶縁膜２１は均一の膜厚Ｔ１を有している。また、第１距離Ｄ１は、第１位置Ｐ１において均一である。表示装置ＤＳＰは、第１位置Ｐ１に第１スペーサＳＰ１を有している。第１スペーサＳＰ１は、高さＨ１を有している。このようなスペーサは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に所定のセルギャップを形成し、例えば、画素ＰＸごとに配置されている。図４（ｂ）に示すように、第２位置Ｐ２においては、有機絶縁膜２１は均一の膜厚Ｔ２を有している。また、第２距離Ｄ２は、第２位置Ｐ２において均一である。本実施形態では、入光側から反入光側に向かう方向に対して垂直な方向においては、有機絶縁膜２１の膜厚及び電極間距離Ｄは均一である。換言すると、図１に示した表示装置ＤＳＰのＹ－Ｚ断面では、有機絶縁膜２１の膜厚及び電極間距離Ｄは位置によって変化するが、Ｘ－Ｚ断面では、有機絶縁膜２１の膜厚及び電極間距離Ｄは一定である。表示装置ＤＳＰは、第２位置Ｐ２に第２スペーサＳＰ２を有している。第２スペーサＳＰ２は、高さＨ２を有している。第１スペーサＳＰ１の高さＨ１は、第２スペーサＳＰ２の高さＨ２よりも高い。つまり、スペーサの高さは、電極間距離と同様に、入光側から反入光側にかけて小さくなっている。

　なお、本実施形態では有機絶縁膜２１の形状によって電極間距離を調整しているが、スペーサの高さによって調整しても良い。この場合、有機絶縁膜２１の膜厚は入光側から反入光側にかけて均一であっても良いし、形成されていなくても良い。また、後述するが、電極間距離を調整するための有機絶縁膜は、第２基板ＳＵＢ２ではなく、第１基板ＳＵＢ１に形成されていても良い。または、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の両方に形成されていても良い。入光側から反入光側へ電極間距離を小さくしていく度合いは用途に応じて任意に変えることができる。

　図５は、電極間距離、電界強度、規格化輝度の関係を示す図である。　
　図５（ａ）は、入光側から反入光側にかけて電極間距離Ｄが均一である場合を示している。すなわち、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とは等しい。例えば、均一な電極間距離Ｄは、約３μｍである。このとき、第１位置Ｐ１での輝度Ｌ１及び第２位置Ｐ２での輝度Ｌ２の比は、５：２である。第１位置Ｐ１の輝度Ｌ１に対して第２位置Ｐ２の輝度Ｌ２は、６０％減少している。輝度が均一に視認されるためには、輝度が低下しないと仮定した場合の輝度Ｌ１及びＬ２が２：５になるように第１距離Ｄ１及び第２距離Ｄ２を設定すれば良い。

　図５（ｂ）は、電界強度と規格化輝度の関係を示すグラフである。　
　グラフの横軸は、電界強度［ＭＶ／ｍ］を示し、グラフの縦軸は、規格化輝度を示している。図５（ａ）に示した電極間距離Ｄが３μｍである場合の電界強度を電界強度Ｖ０とする。電極間距離Ｄが３μｍより小さい場合には、電界強度は電界強度Ｖ０より大きくなり規格化輝度も増加する。また、電極間距離Ｄが３μｍより大きい場合には、電界強度は電界強度Ｖ０より小さくなり規格化輝度も減少する。ここでは、電界強度Ｖ０より小さい電界強度Ｖ１が第１位置Ｐ１にかかり、電界強度Ｖ０より大きい電界強度Ｖ２が第２位置Ｐ２にかかるようにする。入光側から反入光側にかけての輝度の低下が生じないと仮定すると、電界強度がＶ１のとき、規格化輝度Ｌ１１が第１位置Ｐ１で得られ、電界強度がＶ２のとき、規格化輝度Ｌ１２が第２位置Ｐ２で得られる。規格化輝度Ｌ１１及びＬ１２の比は、２：５に近い数値となる。

　図５（ｃ）は、入光側から反入光側にかけて電極間距離Ｄが小さくなる場合を示している。第１位置Ｐ１において、電極間距離Ｄは、電界強度Ｖ１が得られる第１距離Ｄ１に設定されている。また、第２位置Ｐ２において、電極間距離Ｄは、電界強度Ｖ２が得られる第２距離Ｄ２に設定されている。このとき、例えば、第１距離Ｄ１は３μｍより大きく、第２距離Ｄ２は３μｍより小さい。例えば、第１距離Ｄ１は約４．４μｍであり、第２距離Ｄ２は約２．５μｍである。このように電極間距離を調整することによって、均一な電圧を与えた場合にも、電界強度は入光側から反入光側にかけて増加し、視認される輝度を均一にすることができる。

　[第２構成例]　
　図６は、表示装置ＤＳＰの第２構成例を示す断面図である。図６に示す表示装置ＤＳＰは、図３に示した表示装置ＤＳＰと比較して、有機絶縁膜２１の形状が異なっている。

　有機絶縁膜２１は、入光側から反入光側にかけて段階的に膜厚が大きくなっている。有機絶縁膜２１は、第１領域ＡＲ１において膜厚Ｔ１１を有し、第２領域ＡＲ２において膜厚Ｔ１２を有し、第３領域ＡＲ３において膜厚Ｔ１３を有し、第４領域ＡＲ４において膜厚Ｔ１４を有している。膜厚Ｔ１２はＴ１１より大きく、膜厚Ｔ１３は膜厚Ｔ１２より大きく、膜厚Ｔ１４は膜厚Ｔ１３より大きい。すなわち、面２１１は、階段状に形成されている。このような有機絶縁膜２１の形状により、電極間距離Ｄは、入光側から反入光側にかけて段階的に小さくなっている。表示装置ＤＳＰは、第１領域ＡＲ１においては電極間距離Ｄ１１を有し、第２領域ＡＲ２においては電極間距離Ｄ１２を有し、第３領域ＡＲ３においては電極間距離Ｄ１３を有し、第４領域ＡＲ４においては電極間距離Ｄ１４を有する。電極間距離Ｄ１２は電極間距離Ｄ１１より小さく、電極間距離Ｄ１３は電極間距離Ｄ１２より小さく、電極間距離Ｄ１４は電極間距離Ｄ１３より小さい。なお、図示した例では、有機絶縁膜２１の膜厚は４段階であったが、３段階以内でも良いし、５段階以上でもよい。　
　このような第２構成例においても、上記した第１構成例と同様の効果を得ることができる。

　[第３構成例]　
　図７は、表示装置ＤＳＰの第３構成例を示す断面図である。図７に示す表示装置ＤＳＰは、図３に示した表示装置ＤＳＰと比較して、有機絶縁膜２１の形状が異なっている。　
　有機絶縁膜２１の面２１１は、湾曲し、透明基板２０側に凹んでいる。　
　このような第３構成例においても、上記した第１構成例と同様の効果を得ることができる。

　[第４構成例]　
　図８は、表示装置ＤＳＰの第４構成例を示す断面図である。図８に示す表示装置ＤＳＰは、図３に示した表示装置ＤＳＰと比較して、第２基板ＳＵＢ２の有機絶縁膜ではなく、第１基板ＳＵＢ１の有機絶縁膜１１によって電極間距離を調整している点で異なっている。　
　有機絶縁膜１１は、第１位置Ｐ１において膜厚Ｔ２１を有し、第２位置Ｐ２において膜厚Ｔ２２を有している。膜厚Ｔ２１は、膜厚Ｔ２２より小さい。有機絶縁膜１１の膜厚は、発光素子ＬＤから離れるに連れて大きくなっている。そのため、有機絶縁膜１１の第２基板ＳＵＢ２側の面１１１は、透明基板１０に対して斜面である。このような、有機絶縁膜１１の形状によって、電極間距離Ｄは、発光素子ＬＤから離れるに連れて小さくなる。第２距離Ｄ２は、第１距離Ｄ１より小さい。　
　図３及び図８に示したように、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の少なくとも一方は、有機絶縁膜を有し、有機絶縁膜の第１位置Ｐ１における膜厚は、有機絶縁膜の第２位置Ｐ２における膜厚より小さい。

　図９は、図１に示したＣ－Ｄ線、Ｅ－Ｆ線における表示装置ＤＳＰを概略的に示す断面図である。図９（ａ）は、Ｃ－Ｄ線における断面図である。Ｃ－Ｄ線の位置は、図８に示した第１位置Ｐ１であるとする。図９（ｂ）は、Ｅ－Ｆ線における断面図である。Ｅ－Ｆ線の位置は、図８に示した第２位置Ｐ２であるとする。

　図９（ａ）に示すように、第１位置Ｐ１においては、有機絶縁膜１１は均一の膜厚Ｔ２１を有している。また、第１距離Ｄ１は、第１位置Ｐ１において均一である。第１スペーサＳＰ１は、高さＨ１１を有している。図９（ｂ）に示すように、第２位置Ｐ２においては、有機絶縁膜１１は均一の膜厚Ｔ２２を有している。また、第２距離Ｄ２は、第２位置Ｐ２において均一である。第２スペーサＳＰ２は、高さＨ１２を有している。第１スペーサＳＰ１の高さＨ１１は、第２スペーサＳＰ２の高さＨ１２よりも高い。スペーサの高さは、電極間距離と同様に、入光側から反入光側にかけて小さくなっている。　
　このような第４構成例においても、上記した第１構成例と同様の効果を得ることができる。なお、第４構成例の有機絶縁膜１１の形状を図６に示したような階段状に形成しても良いし、図７に示したような窪んだ形状としても良い。

　[第５構成例]　
　図１０は、表示装置ＤＳＰの第５構成例を示す断面図である。図１０に示す表示装置ＤＳＰは、図３に示した表示装置ＤＳＰと比較して、第２基板ＳＵＢ２の有機絶縁膜２１及び第１基板ＳＵＢ１の有機絶縁膜１１の両方によって電極間距離を調整している点で異なっている。　
　有機絶縁膜１１は、第１位置Ｐ１において膜厚Ｔ３１を有し、第２位置Ｐ２において膜厚Ｔ３２を有している。膜厚Ｔ３１は、膜厚Ｔ３２より小さい。有機絶縁膜１１の膜厚は、発光素子ＬＤから離れるに連れて大きくなっている。そのため、有機絶縁膜１１の第２基板ＳＵＢ２側の面１１１は、透明基板１０に対して斜面である。有機絶縁膜２１は、第１位置Ｐ１において膜厚Ｔ４１を有し、第２位置Ｐ２において膜厚Ｔ４２を有している。膜厚Ｔ４１は、膜厚Ｔ４２より小さい。有機絶縁膜２１の膜厚は、発光素子ＬＤから離れるに連れて大きくなっている。そのため、有機絶縁膜２１の第１基板ＳＵＢ１側の面２１１は、透明基板２０に対して斜面である。このような、有機絶縁膜１１及び２１の形状によって、電極間距離Ｄは、発光素子ＬＤから離れるに連れて小さくなる。第２距離Ｄ２は、第１距離Ｄ１より小さい。

　図１１は、図１に示したＣ－Ｄ線、Ｅ－Ｆ線における表示装置ＤＳＰを概略的に示す断面図である。図１１（ａ）は、Ｃ－Ｄ線における断面図である。Ｃ－Ｄ線の位置は、図１０に示した第１位置Ｐ１であるとする。図１１（ｂ）は、Ｅ－Ｆ線における断面図である。Ｅ－Ｆ線の位置は、図１０に示した第２位置Ｐ２であるとする。

　図１１（ａ）に示すように、第１位置Ｐ１においては、有機絶縁膜１１は均一の膜厚Ｔ３１を有し、有機絶縁膜２１は均一の膜厚Ｔ４１を有している。また、第１距離Ｄ１は、第１位置Ｐ１において均一である。第１スペーサＳＰ１は、高さＨ２１を有している。図１１（ｂ）に示すように、第２位置Ｐ２においては、有機絶縁膜１１は均一の膜厚Ｔ３２を有し、有機絶縁膜２１は均一の膜厚Ｔ４２を有している。また、第２距離Ｄ２は、第２位置Ｐ２において均一である。第２スペーサＳＰ２は、高さＨ２２を有している。第１スペーサＳＰ１の高さＨ２１は、第２スペーサＳＰ２の高さＨ２２よりも高い。スペーサの高さは、電極間距離と同様に、入光側から反入光側にかけて小さくなっている。　
　このような第５構成例においても、上記した第１構成例と同様の効果を得ることができる。なお、第５構成例の有機絶縁膜１１及び２１の形状を図６に示したような階段状に形成しても良いし、図７に示したような窪んだ形状としても良い。

　[第６構成例]　
　図１２は、表示装置ＤＳＰの第６構成例を示す断面図である。第６構成例は、第１構成例と比較して、第１基板ＳＵＢ１の有機絶縁膜１１が走査線Ｇ、信号線Ｓ、スイッチング素子ＳＷと重なる位置に配置され、画素電極ＰＥと重なる位置に配置されていない点で異なっている。　
　図１２は、画素ＰＸの第１基板ＳＵＢ１の構成を示している。第１基板ＳＵＢ１は、走査線Ｇと、走査線Ｇと交差する信号線Ｓと、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷと、金属配線Ｍと、有機絶縁膜１１と、容量電極１３と、画素電極ＰＥ等を備えている。

　２本の走査線Ｇは、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。２本の信号線Ｓは、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。画素ＰＸは、２本の信号線Ｓと、２本の走査線Ｇとで区画された領域に相当する。スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇと信号線Ｓとの交差部に配置されている。

　有機絶縁膜１１は、パターン化されており、平面視で格子状に形成されている。すなわち、有機絶縁膜１１は、走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、スイッチング素子ＳＷのそれぞれに重畳している。有機絶縁膜１１は、走査線Ｇに重畳する第１部１１Ｘと、信号線Ｓに重畳する第２部１１Ｙと、を備えている。第１部１１Ｘは、発光素子ＬＤに近接した第１側面Ｅ１と、第１側面Ｅ１の反対側の第２側面Ｅ２と、を有している。第１側面Ｅ１及び第２側面Ｅ２は、ポリマー３１の延出方向ＤＲ１に沿って延出している。第２部１１Ｙは、第３側面Ｅ３と、第３側面Ｅ３の反対側の第４側面Ｅ４と、を有している。　
　なお、図１２において、有機絶縁膜１１が配置された領域を第１基板ＳＵＢ１の第１領域Ａ１と称し、有機絶縁膜１１が配置されていない領域を第１基板ＳＵＢ１の第２領域Ａ２と称する。第２領域Ａ２は、第１領域Ａ１によって囲まれた内側に位置している。

　金属配線Ｍは、第１領域Ａ１に配置され、平面視で格子状に形成されている。すなわち、金属配線Ｍは、走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、スイッチング素子ＳＷのそれぞれに重畳している。金属配線Ｍは、走査線Ｇ及び第１部１１Ｘに重畳する第１配線部ＭＸと、信号線Ｓ及び第２部１１Ｙに重畳する第２配線部ＭＹと、を備えている。

　容量電極１３は、一点鎖線で示すように、複数の画素ＰＸに亘って配置され、さらには第１基板ＳＵＢ１のほぼ全域に亘って配置されている。つまり、容量電極１３は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２のそれぞれに配置されている。容量電極１３は、第１領域Ａ１において、スイッチング素子ＳＷ、走査線Ｇ、信号線Ｓ、有機絶縁膜１１のそれぞれに重畳している。

　画素電極ＰＥは、第２領域Ａ２において、容量電極１３に重畳している。図１２に示した例において、画素電極ＰＥは、有機絶縁膜１１が配置された領域の内側に設けられている。なお、画素電極ＰＥは、第１部１１Ｘ及び第２部１１Ｙのそれぞれに重畳するように設けられてもよい。図１２に示した例では、スペーサＳＰは、スイッチング素子ＳＷに重畳している。

　図１３は、図１２に示したＧ－Ｈ線における表示装置ＤＳＰを概略的に示す断面図である。図１３は、図２に示した構成に加えて、第１基板ＳＵＢ１において信号線Ｓ、絶縁膜８及び９、金属配線Ｍを図示し、第２基板ＳＵＢ２において遮光層ＢＭを図示している。　
　絶縁膜８は、透明基板１０を覆っている。なお、絶縁膜８と透明基板１０との間に、走査線Ｇと同一の材料で形成された他の導電層（遮光層または反射層）を設けてもよい。信号線Ｓは、絶縁膜８の上に形成されている。信号線Ｓは、第１方向Ｘに隣接する画素電極ＰＥの間に位置している。絶縁膜９は、信号線Ｓ及び絶縁膜８を覆っている。

　有機絶縁膜１１は、絶縁膜９の上に位置している。有機絶縁膜１１の第２部１１Ｙは、信号線Ｓの直上に位置し、第１方向Ｘに隣接する画素電極ＰＥの間に位置している。第２部１１Ｙの第３側面Ｅ３及び第４側面Ｅ４は、容量電極１３によって覆われている。第３側面Ｅ３及び第４側面Ｅ４の各々は、第１方向Ｘに沿って、信号線Ｓと画素電極ＰＥとの間に位置している。第６構成例においては、有機絶縁膜１１は、透明基板１０と画素電極ＰＥとの間に設けられていない。このため、有機絶縁膜１１が透明基板１０と画素電極ＰＥとの間（あるいは表示部ＤＡの全域）に亘って設けられている場合と比較して、有機絶縁膜１１の総体積が小さい。これにより、表示パネルＰＮＬを伝播する光が、有機絶縁膜１１に入射する確率が減少するため、有機絶縁膜１１による光吸収を抑制することができる。したがって、表示品位の低下を抑制することができる。金属配線Ｍの第２配線部ＭＹは、有機絶縁膜１１の上に位置している。第２配線部ＭＹは、信号線Ｓの直上に位置している。また、第２配線部ＭＹは、容量電極１３と接し互いに電気的に接続されている。第２部１１Ｙは、信号線Ｓと第２配線部ＭＹとの間に位置している。

　第２基板ＳＵＢ２において、遮光層ＢＭは、透明基板２０と有機絶縁膜２１との間に位置している。遮光層ＢＭは、第２部１１Ｙの第３側面Ｅ３及び第４側面Ｅ４の直上、及び、信号線Ｓの直上に位置している。有機絶縁膜２１は、第６構成例においては、第１乃至第３構成例に示した構成を有していれば良い。　
　このような第６構成例においても、上記した第１構成例と同様の効果を得ることができる。

　以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を得ることができる。

　なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

　本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。　
（１）　
　画素電極を有する第１基板と、　
　共通電極を有する第２基板と、　
　前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、ポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、　
　前記第２基板の端面に対向する発光素子と、を備え、　
　第１位置において前記共通電極は前記画素電極から第１距離だけ離間しており、　
　前記第１位置より前記発光素子から離間した第２位置において前記共通電極は前記画素電極から第２距離だけ離間しており、　
　前記第２距離は、前記第１距離より小さい、表示装置。　
（２）　
　前記第２基板は、第１透明基板と、前記第１透明基板と前記共通電極との間に位置する第１有機絶縁膜を有し、　
　前記第１有機絶縁膜の前記第１位置における膜厚は、前記第１有機絶縁膜の前記第２位置における膜厚より小さい、（１）に記載の表示装置。　
（３）　
　前記第１有機絶縁膜の膜厚は、前記第１位置から前記第２位置へ漸次大きくなる、（２）に記載の表示装置。　
（４）　
　前記第１有機絶縁膜の前記第１基板側の面は、階段状である、（２）に記載の表示装置。　
（５）　
　前記第１有機絶縁膜の前記第１基板側の面は、湾曲している、（２）に記載の表示装置。　
（６）　
　さらに、前記第１位置における第１スペーサと、前記第２位置における第２スペーサと、を備え、　
　前記第１スペーサの高さは、前記第２スペーサの高さよりも高い、（１）に記載の表示装置。　
（７）　
　前記第１基板は、第２透明基板と、前記第２透明基板と前記画素電極との間に位置する第２有機絶縁膜を有し、　
　前記第２有機絶縁膜の前記第１位置における膜厚は、前記第２有機絶縁膜の前記第２位置における膜厚より小さい、（１）に記載の表示装置。　
（８）　
　前記第２基板は、第１透明基板と、前記第１透明基板と前記共通電極との間に位置する第１有機絶縁膜を有し、
　前記第１有機絶縁膜の前記第１位置における膜厚は、前記第１有機絶縁膜の前記第２位置に置ける膜厚より小さい、（７）に記載の表示装置。

（９）
　前記第１基板は、第２透明基板を有し、
　前記第２透明基板上には、走査線と、前記走査線と交差する信号線と、前記走査線及び前記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に重畳する第２有機絶縁膜と、を備え、　
　前記第２有機絶縁膜は、前記第２透明基板と前記画素電極との間に設けられていない、（１）に記載の表示装置。　
（１０）
　前記第２有機絶縁膜は、前記走査線と前記信号線とに重畳する、（９）に記載の表示装置。

（１１）　
　前記第１距離は、３μｍより大きく、前記第２距離は、３μｍより小さい、（１）に記載の表示装置。　
（１２）
　第１電極を有する第１基板と、
　第２電極と、第１端面と、前記第１端面の反対側の第２端面と、を有する第２基板と、
　前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、
　前記第１端面に対向する発光素子と、を備え、
　前記第２基板は、第１位置と、前記第１位置と前記第２端面との間に位置する第２位置と、を有し、
　前記第１位置における前記第１電極と前記第２電極との間の距離は、前記第２位置における前記第１電極と前記第２電極との間の距離よりも大きい、表示装置。

（１３）
　前記第１電極と前記第２電極との間の距離は、前記第１位置から前記第２位置へ漸次小さくなる、（１２）に記載の表示装置。

（１４）
　前記第１基板と前記第２基板の少なくとも一方は、有機絶縁膜を有し、
　前記有機絶縁膜の前記第１位置における膜厚は、前記有機絶縁膜の前記第２位置における膜厚より小さい、（１２）に記載の表示装置。

（１５）
　前記液晶層は、シールによって前記第１基板と前記第２基板との間に封止され、
　前記発光素子は、前記シールと対向する、（１２）に記載の表示装置。

（１６）
　第１基板と、
　第１端面と、前記第１端面の反対側の第２端面と、を有する第２基板と、
　シールによって前記第１基板と前記第２基板との間に封止される液晶層と、
　前記第１端面から前記第２端面への方向で、前記第１端面の側に位置するシールと対向する発光素子と、を備え、
　前記第１端面の側に位置するシールの厚さは、前記第２端面の側に位置するシールの厚さよりも大きい、表示装置。

（１７）
　前記発光素子は前記第１端面と対向する、（１６）に記載の表示装置。

（１８）
　前記液晶層の厚さは、前記第１端面から前記第２端面へ漸次小さくなる、（１６）に記載の表示装置。

（１９）
　前記第２基板は、第１位置と、前記第１位置と前記第２端面との間に位置する第２位置と、を有し、
　前記第１基板と前記第２基板の少なくとも一方は、有機絶縁膜を有し、
　前記有機絶縁膜の前記第１位置における膜厚は、前記有機絶縁膜の前記第２位置における膜厚より小さい、（１６）に記載の表示装置。

（２０）
　前記第１基板は、複数の第１電極を有し、
　前記第２基板は、少なくとも１つの第２電極を有し、
　前記液晶層は、高分子分散型液晶を含み、
　前記第１電極と前記第２電極との間に印加される電圧によって、前記発光素子から前記液晶層へ入射した光の散乱状態を変化させる、（１６）に記載の表示装置。

Claims

　画素電極を有する第１基板と、
　共通電極を有する第２基板と、
　前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、ポリマーと、液晶分子とを含む液晶層と、
　前記第２基板の端面に対向する発光素子と、を備え、
　第１位置において前記共通電極は前記画素電極から第１距離だけ離間しており、
　前記第１位置より前記発光素子から離間した第２位置において前記共通電極は前記画素電極から第２距離だけ離間しており、
　前記第２距離は、前記第１距離より小さい、表示装置。
　前記第２基板は、第１透明基板と、前記第１透明基板と前記共通電極との間に位置する第１有機絶縁膜を有し、
　前記第１有機絶縁膜の前記第１位置における膜厚は、前記第１有機絶縁膜の前記第２位置における膜厚より小さい、請求項１に記載の表示装置。
　前記第１有機絶縁膜の膜厚は、前記第１位置から前記第２位置へ漸次大きくなる、　請求項２に記載の表示装置。
　前記第１有機絶縁膜の前記第１基板側の面は、階段状である、請求項２に記載の表示装置。
　前記第１有機絶縁膜の前記第１基板側の面は、湾曲している、請求項２に記載の表示装置。
　さらに、前記第１位置における第１スペーサと、前記第２位置における第２スペーサと、を備え、
　前記第１スペーサの高さは、前記第２スペーサの高さよりも高い、請求項１に記載の表示装置。
　前記第１基板は、第２透明基板と、前記第２透明基板と前記画素電極との間に位置する第２有機絶縁膜を有し、
　前記第２有機絶縁膜の前記第１位置における膜厚は、前記第２有機絶縁膜の前記第２位置における膜厚より小さい、請求項１に記載の表示装置。
　前記第２基板は、第１透明基板と、前記第１透明基板と前記共通電極との間に位置する第１有機絶縁膜を有し、
　前記第１有機絶縁膜の前記第１位置における膜厚は、前記第１有機絶縁膜の前記第２位置における膜厚より小さい、請求項７に記載の表示装置。
　前記第１基板は、第２透明基板を有し、
　前記第２透明基板上に、走査線と、前記走査線と交差する信号線と、前記走査線及び前記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に重畳する第２有機絶縁膜と、を備え、
　前記第２有機絶縁膜は、前記第２透明基板と前記画素電極との間に設けられていない、請求項１に記載の表示装置。
　前記第２有機絶縁膜は、前記走査線と前記信号線とに重畳する、請求項９に記載の表示装置。
　前記第１距離は、３μｍより大きく、前記第２距離は、３μｍより小さい、請求項１に記載の表示装置。
　第１電極を有する第１基板と、
　第２電極と、第１端面と、前記第１端面の反対側の第２端面と、を有する第２基板と、
　前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、
　前記第１端面に対向する発光素子と、を備え、
　前記第２基板は、第１位置と、前記第１位置と前記第２端面との間に位置する第２位置と、を有し、
　前記第１位置における前記第１電極と前記第２電極との間の距離は、前記第２位置における前記第１電極と前記第２電極との間の距離よりも大きい、表示装置。
　前記第１電極と前記第２電極との間の距離は、前記第１位置から前記第２位置へ漸次小さくなる、請求項１２に記載の表示装置。
　前記第１基板と前記第２基板の少なくとも一方は、有機絶縁膜を有し、
　前記有機絶縁膜の前記第１位置における膜厚は、前記有機絶縁膜の前記第２位置における膜厚より小さい、請求項１２に記載の表示装置。
　前記液晶層は、シールによって前記第１基板と前記第２基板との間に封止され、
　前記発光素子は、前記シールと対向する、請求項１２に記載の表示装置。
　第１基板と、
　第１端面と、前記第１端面の反対側の第２端面と、を有する第２基板と、
　シールによって前記第１基板と前記第２基板との間に封止される液晶層と、
　前記第１端面から前記第２端面への方向で、前記第１端面の側に位置するシールと対向する発光素子と、を備え、
　前記第１端面の側に位置するシールの厚さは、前記第２端面の側に位置するシールの厚さよりも大きい、表示装置。
　前記発光素子は前記第１端面と対向する、請求項１６に記載の表示装置。
　前記液晶層の厚さは、前記第１端面から前記第２端面へ漸次小さくなる、請求項１６に記載の表示装置。
　前記第２基板は、第１位置と、前記第１位置と前記第２端面との間に位置する第２位置と、を有し、
　前記第１基板と前記第２基板の少なくとも一方は、有機絶縁膜を有し、
　前記有機絶縁膜の前記第１位置における膜厚は、前記有機絶縁膜の前記第２位置における膜厚より小さい、請求項１６に記載の表示装置。
　前記第１基板は、複数の第１電極を有し、
　前記第２基板は、少なくとも１つの第２電極を有し、
　前記液晶層は、高分子分散型液晶を含み、
　前記第１電極と前記第２電極との間に印加される電圧によって、前記発光素子から前記液晶層へ入射した光の散乱状態を変化させる、請求項１６に記載の表示装置。