WO2020145148A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2020145148A1
WO2020145148A1 PCT/JP2019/050870 JP2019050870W WO2020145148A1 WO 2020145148 A1 WO2020145148 A1 WO 2020145148A1 JP 2019050870 W JP2019050870 W JP 2019050870W WO 2020145148 A1 WO2020145148 A1 WO 2020145148A1
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WO
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light emitting
emitting element
color filter
display device
light
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PCT/JP2019/050870
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English (en)
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陽介 元山
浅木 玲生
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Sony Semiconductor Solutions Corp
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Sony Semiconductor Solutions Corp
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    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
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    • G02B5/00Optical elements other than lenses
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
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    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices

Definitions

  • the present disclosure relates to a display device including a plurality of light emitting elements.
  • organic EL display using an organic electroluminescence (EL) element as a light emitting element
  • an organic layer including at least a light emitting layer and a second electrode upper electrode, for example, on a first electrode (lower electrode, for example, anode electrode) formed separately for each pixel are formed.
  • Cathode electrode is formed.
  • a red light emitting element in which an organic layer that emits white light or red light and a red color filter layer are combined
  • a green light emission in which an organic layer that emits white light or green light and a green color filter layer are combined.
  • Each element a blue light emitting element in which an organic layer that emits white light or blue light and a blue color filter layer are combined, is provided as a sub-pixel, and one pixel is configured from these sub-pixels. Light from the light emitting layer is emitted to the outside through the second electrode (upper electrode).
  • a display device that solves such a problem is known from, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2013-152853.
  • the thickness of various layers constituting the light emitting element, the refractive index of the material constituting the various layers, the width and thickness of the color filter layer, etc. are specified. ing.
  • the side surface of the color filter layer is usually in a forward taper state or a reverse taper state.
  • such inclination of the side surface of the color filter layer is not taken into consideration.
  • the inclination angle (taper angle) of the side surface of the color filter layer is usually different for each light emitting element, improvement in viewing angle characteristics cannot be expected unless these are taken into consideration.
  • the pixel pitch is very small, the aspect ratio of the color filter layer becomes large, and the influence of the side taper state is large.
  • an object of the present disclosure is to provide a display device including a plurality of light emitting elements having a configuration and a structure in which color misregistration and color mixing are unlikely to occur.
  • a display device for achieving the above object is, A first light emitting element having a first light emitting region and a first color filter layer disposed above the first light emitting region; A second light emitting region, a second light emitting element including a second color filter layer disposed above the second light emitting region, and A first light emitting device including a third light emitting region and a third color filter layer disposed above the third light emitting region, A plurality of light emitting element groups each composed of are arranged on a substrate.
  • the shortest line segment connecting the boundary line of the bottom surface facing the light emitting region of the color filter layer and the end of the light emitting region is formed.
  • the angle ( ⁇ ) formed with the normal line of the substrate is the same in each light emitting element.
  • the display device according to the second aspect of the present disclosure from the orthogonal projection image of the boundary line of the bottom face facing the light emitting region of the color filter layer to the base, The distance (L) to the orthogonal projection image with respect to the substrate is the same in each light emitting element.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing the arrangement of color filter layers in the display device of Example 1, and a conceptual cross-sectional view of the display device of Example 1.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing the arrangement of color filter layers in the display device of Example 1, and a conceptual cross-sectional view of the display device of Example 1.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing the arrangement of light emitting regions in the display device of Example 1.
  • FIG. 4 is a conceptual cross-sectional view of the display device of the first embodiment for explaining that color mixing is unlikely to occur in the display device of the first embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing the arrangement of color filter layers in the display device of Example 2, and various conceptual cross-sectional views of the display device of Example 2.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing the arrangement of color filter layers in the display device of Example 1, and a conceptual cross-sectional view of the display device of Example 1.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing the arrangement of color filter layers in the display device of Example 1, and
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing the arrangement of color filter layers in the display device of Example 2, and various conceptual cross-sectional views of the display device of Example 2.
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing the arrangement of light emitting areas in the display device of Example 2.
  • FIG. 8 is various conceptual cross-sectional views of the display device of the second embodiment for explaining that color mixing is unlikely to occur in the display device of the second embodiment.
  • FIG. 9 is various conceptual cross-sectional views of the display device of the second embodiment for explaining that color mixing is unlikely to occur in the display device of the second embodiment.
  • FIG. 10 is various conceptual cross-sectional views of the display device according to the second embodiment for explaining that color mixing is unlikely to occur in the display device according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is various conceptual cross-sectional views of the display device according to the second embodiment for explaining that color mixing is unlikely to occur in the display device according to the second embodiment.
  • FIG. 11 is various conceptual cross-sectional views of the display device according to the second embodiment for explaining that color mixing is unlikely to occur in the display device according to the second embodiment.
  • FIG. 12A, FIG. 12B, and FIG. 12C are views for explaining the mechanism in which color mixing occurs in the second embodiment and the conventional display device.
  • FIG. 13 is a diagram schematically showing the arrangement of color filter layers in the display device of Example 3, and various conceptual cross-sectional views of the display device of Example 3.
  • FIG. 14 is a diagram schematically showing the arrangement of color filter layers in the display device of Example 3 and various conceptual cross-sectional views of the display device of Example 3.
  • FIG. 15 is a diagram schematically showing the arrangement of light emitting areas in the display device of Example 3.
  • FIG. 16 is a diagram schematically showing the arrangement of color filter layers in the display device of Example 4, and various conceptual cross-sectional views of the display device of Example 3.
  • 17A, 17B, 17C, 17D, 17E, 17F, and 17G are schematic partial cross-sectional views of various color filter layers.
  • FIG. 18 is a schematic partial cross-sectional view of the display device according to the first embodiment.
  • FIG. 19 is a diagram schematically showing the arrangement of a modification of the light emitting area in the display device of the second embodiment.
  • 20A and 20B show an example in which the display device of the present disclosure is applied to a lens interchangeable single-lens reflex type digital still camera. A front view of the digital still camera is shown in FIG. 20A, and a rear view thereof is shown in FIG. 20B.
  • FIG. 21 is an external view of a head mounted display showing an example in which the display device of the present disclosure is applied to the head mounted display.
  • FIG. 22 is a diagram schematically showing the arrangement of color filter layers in a conventional display device, and various conceptual cross-sectional views of the conventional display device.
  • FIG. 23 is various conceptual cross-sectional views of a conventional display device for explaining that color mixing occurs in the conventional display device.
  • 24A and 24B are conceptual diagrams of the light emitting elements of the first example and the second example having a resonator structure.
  • 25A and 25B are conceptual diagrams of the light emitting elements of the third example and the fourth example having a resonator structure.
  • 26A and 26B are conceptual diagrams of the light emitting elements of the fifth example and the sixth example having a resonator structure.
  • 27A is a conceptual diagram of a light emitting element of a seventh example having a resonator structure
  • FIGS. 27B and 27C are conceptual diagrams of a light emitting element of an eighth example having a resonator structure.
  • Example 1 display device according to first to second aspects of the present disclosure
  • Example 2 Modification of Example 1
  • Example 3 another modification of Example 1
  • Example 4 further modification of Example 1 6.
  • a color filter layer surrounded by a boundary line between the color filter layer top surface (light emission surface) and the color filter layer top surface (light emission surface).
  • the area (S top ) of the orthogonal projection image of the top surface region of the substrate is the same in the first light emitting element, the second light emitting element and the third light emitting element. can do.
  • the first light emitting element, the second light emitting element, and the third light emitting element may have different light emitting region areas (S EL ).
  • the display device is surrounded by a boundary line between the color filter layer top surface (light emission surface) and the color filter layer top surface (light emission surface).
  • the area (S top ) of the orthogonal projection image of the top surface region of the color filter layer with respect to the substrate (or the first substrate or the second substrate described later) is different in the first light emitting element, the second light emitting element, and the third light emitting element.
  • the first light emitting element, the second light emitting element, and the third light emitting element may have the same area (S EL ) of the light emitting region.
  • the first light emitting region, the second light emitting region, and the third light emitting region emit white light.
  • the first light emitting area may emit red light
  • the second light emitting area may emit green light
  • the third light emitting area may emit blue light.
  • the fourth light emitting element that emits white light and the fourth light emitting element that emits light of a color other than red light, green light, and blue light may be added.
  • the light emitting element group is composed of four light emitting elements arranged in 2 ⁇ 2, The first light emitting element is arranged adjacent to the two third light emitting elements, The second light emitting element is arranged adjacent to the two third light emitting elements, Each of the two third light-emitting elements may be arranged adjacent to the first light-emitting element and the second light-emitting element (so-called diagonal arrangement). In this case, the light emitting element group occupies a rectangular area, for example.
  • the light emitting element group includes one first light emitting element, one second light emitting element, and one third light emitting element,
  • the first light emitting element is arranged adjacent to the second light emitting element and the third light emitting element
  • the second light emitting element may be arranged adjacent to the first light emitting element and the third light emitting element.
  • the light emitting element group occupies a rectangular area, for example.
  • the first light emitting element, the second light emitting element, and the third light emitting element may be arranged in a stripe array, a delta array, a rectangular array, or a pentile array.
  • the shortest line segment that connects the boundary line of the bottom surface facing the light emitting region of the color filter layer and the end of the light emitting region is the base ( Alternatively, the angle ( ⁇ ) formed with the normal to the later-described first substrate or second substrate) is the same in each light emitting element.
  • the base body of the boundary line of the bottom surface facing the light emitting region of the color filter layer or the first substrate or the second substrate described later.
  • the distance (L) from the orthogonal projection image to the orthogonal projection image with respect to the base body (or the first substrate or the second substrate described later) at the end of the light emitting region is the same in each light emitting element.
  • “same” means, for example, that the display device is divided into four regions of the first quadrant, the second quadrant, the third quadrant, and the first quadrant, and the display device is divided into five areas including the central portion and the origin of each quadrant.
  • one or a plurality of light emitting element groups are appropriately selected, the angle ( ⁇ ) or the distance (L) of each light emitting element is calculated in the selected light emitting element group, and further, the angle ( ⁇ ) or the distance (L ) Average value ⁇ ave , L ave , and standard deviations ⁇ angle and ⁇ distance .
  • ⁇ angle / ⁇ ave ⁇ 0.015 ⁇ distance /L ave ⁇ 0.2
  • ⁇ angle / ⁇ ave >0.015 ⁇ distance /L ave >0.2 It means “different”. However, these regulations are examples.
  • the display device including the preferable modes and configurations described above (hereinafter, these are collectively referred to as “display device of the present disclosure”)
  • a structure made of a transparent resin (made of a transparent resin layer, for example, see JP-A-2014-089804) may be provided at the bottom including the bottom of the color filter layer in the boundary area between the adjacent color filter layers. ..
  • the color filter layer is made of a resin (for example, a photocurable resin) to which a colorant composed of a desired pigment or dye is added. By selecting the pigment or dye, the target red, green, or blue color can be obtained.
  • Such a color filter layer may be made of a known color resist material.
  • a transparent filter may be provided in the light emitting element that emits white light.
  • the display device and the like of the present disclosure are top emission type (top emission type) display devices (top emission type display devices) that emit light from the second substrate.
  • a color filter layer may be formed above the first substrate, but the color filter layer may be provided on the first substrate side (OCCF structure, On-chip color filter layer structure), and may be provided on the second substrate side.
  • the display device and the like of the present disclosure include a first substrate, a second substrate, and an image display unit sandwiched between the first substrate and the second substrate.
  • a plurality of light emitting elements including the above-described preferred forms and configurations are arranged in a two-dimensional matrix.
  • the light emitting element is formed on the first substrate side.
  • the light emitting element in the display device or the like of the present disclosure is formed on the first electrode, the organic layer formed on the first electrode, the second electrode formed on the organic layer, and the second electrode. It is composed of a protective layer (planarizing layer) and a color filter layer formed on the protective layer. Then, the light from the organic layer is emitted to the outside through the second electrode, the protective layer and the color filter layer.
  • the first electrode is provided for each light emitting element.
  • the organic layer is provided for each light emitting element, or is provided commonly to the light emitting elements.
  • the second electrode is provided commonly to the light emitting elements. That is, the second electrode is a so-called solid electrode.
  • the first substrate is arranged below the base body, and the second substrate is arranged above or above the top surface of the color filter layer.
  • the light emitting region is provided on the base.
  • the first electrode may be in contact with part of the organic layer, or alternatively, the first electrode may be in contact with part of the organic layer. it can.
  • the size of the first electrode may be smaller than that of the organic layer, or the size of the first electrode may be the same as that of the organic layer.
  • the size of the first electrode may be larger than that of the organic layer, or an insulating layer may be formed between the edge of the first electrode and the organic layer. You can also A region where the first electrode and the organic layer are in contact is a light emitting region.
  • the organic layer emits white light.
  • the organic layer is a red light emitting layer, a green light emitting layer, and It is possible to adopt a form having a laminated structure of a blue light emitting layer.
  • the organic layer may have a structure in which two layers of a blue light emitting layer that emits blue light and a yellow light emitting layer that emits yellow light are stacked, and emits white light as a whole.
  • a structure in which two layers, a blue light emitting layer that emits blue light and an orange light emitting layer that emits orange light are stacked, and emits white light as a whole.
  • the organic layer can be configured to include at least two light emitting layers that emit different colors.
  • the light emitted from the organic layer is It can be in the form of white light.
  • the organic layer includes a red light emitting layer that emits red light (wavelength: 620 nm to 750 nm), a green light emitting layer that emits green light (wavelength: 495 nm to 570 nm), and blue light (wavelength: 450 nm to 450 nm). It can have a structure in which three layers of a blue light emitting layer that emits light of 495 nm) are stacked, and emits white light as a whole.
  • it may have a structure in which two layers of a blue light emitting layer that emits blue light and a yellow light emitting layer that emits yellow light are stacked, and emits white light as a whole.
  • a red light emitting element is formed by combining such an organic layer that emits white light and a red color filter layer
  • a green light emitting element is formed by combining an organic layer that emits white light and a green color filter layer.
  • a blue light emitting element is configured by combining the organic layer that emits white light and the blue color filter layer.
  • One pixel is configured by a combination of sub-pixels such as a red light emitting element, a green light emitting element and a blue light emitting element.
  • one pixel may be configured by a red light emitting element, a green light emitting element, a blue light emitting element, and a light emitting element that emits white light (or a light emitting element that emits complementary color light).
  • the light emitting layers that emit different colors may be mixed and not clearly separated into respective layers.
  • the organic layer may have a form composed of one light emitting layer.
  • the light emitting element is, for example, a red light emitting element having an organic layer containing a red light emitting layer, a green light emitting element having an organic layer containing a green light emitting layer, or a blue light emitting element having an organic layer containing a blue light emitting layer.
  • a red light emitting element having an organic layer containing a red light emitting layer a green light emitting element having an organic layer containing a green light emitting layer, or a blue light emitting element having an organic layer containing a blue light emitting layer.
  • a green light emitting element having an organic layer containing a green light emitting layer
  • a blue light emitting element having an organic layer containing a blue light emitting layer.
  • Acrylic resins, SiN, SiON, SiC, amorphous silicon ( ⁇ -Si), Al 2 O 3 , and TiO 2 can be exemplified as the material forming the protective layer (flattening layer).
  • various protective methods such as various CVD methods, various coating methods, various PVD methods including a sputtering method and a vacuum evaporation method, various printing methods such as a screen printing method, and the like can be used.
  • an ALD (Atomic Layer Deposition) method can also be adopted as a method for forming the protective layer.
  • the protective layer may be shared by a plurality of light emitting elements, or may be provided individually in each light emitting element.
  • the protective layer and the second substrate are bonded, for example, via a resin layer (sealing resin layer).
  • Thermosetting adhesives such as acrylic adhesives, epoxy adhesives, urethane adhesives, silicone adhesives, and cyanoacrylate adhesives, as well as ultraviolet curable adhesives, as materials for forming the resin layer (sealing resin layer)
  • An adhesive may be mentioned.
  • An ultraviolet absorbing layer, a pollution preventing layer, a hard coat layer, an antistatic layer may be formed on the outermost surface of the display device that emits light (specifically, the outer surface of the second substrate).
  • a cover glass may be arranged.
  • an on-chip microlens may be provided on the light emitting side.
  • the on-chip microlens can be made of, for example, a well-known transparent resin material such as acrylic resin, and can be obtained by melt-flowing the transparent resin material, or can be obtained by etching back. It can be obtained by a combination of a photolithography technique using a gray tone mask and an etching method, or a method of forming a transparent resin material into a lens shape based on a nanoprint method.
  • the base body is formed on or above the first substrate.
  • An insulating material such as SiO 2 , SiN, or SiON can be exemplified as the material forming the substrate.
  • the base may be made of an insulating material having an etching selection ratio with an insulating layer or the like formed on or above the base.
  • the substrate is formed by a method suitable for the material forming the substrate, specifically, various CVD methods, various coating methods, various PVD methods including sputtering methods and vacuum deposition methods, various printing methods such as screen printing methods, and plating. It can be formed by a known method such as a method, an electrodeposition method, a dipping method, a sol-gel method, or the like.
  • a light emitting element drive unit is provided below or below the base body, although not limited thereto.
  • the light emitting element drive unit is, for example, a transistor (specifically, for example, a MOSFET) formed on a silicon semiconductor substrate that forms the first substrate, or thin film transistors (TFT) provided on various substrates that form the first substrate. It consists of It is possible to adopt a form in which the transistor or TFT forming the light emitting element drive section and the first electrode are connected to each other through a contact hole (contact plug) formed in the base.
  • the light emitting element drive section can have a known circuit configuration.
  • the second electrode is connected to the light emitting element drive section through a contact hole (contact plug) formed in the base body in the outer peripheral portion of the display device.
  • a light emitting element is formed on the first substrate side.
  • the second electrode may be a common electrode in the plurality of light emitting elements. That is, the second electrode may be a so-called solid electrode.
  • the first substrate or the second substrate may be a silicon semiconductor substrate, a high strain point glass substrate, a soda glass (Na 2 O ⁇ CaO ⁇ SiO 2 ) substrate, a borosilicate glass (Na 2 O ⁇ B 2 O 3 ⁇ SiO 2 ) substrate.
  • the materials forming the first substrate and the second substrate may be the same or different. However, the second substrate is required to be transparent to the light from the light emitting element.
  • the first electrode functions as an anode electrode as a material forming the first electrode
  • platinum Pt
  • gold Au
  • silver Ag
  • chromium Cr
  • tungsten W
  • nickel Ni
  • copper Cu
  • iron Fe
  • cobalt Co
  • tantalum Ta
  • a high work function metal or alloy for example, silver as a main component, and 0.3 mass% to 1 mass% of palladium
  • Examples thereof include Ag-Pd-Cu alloy containing Pd) and 0.3 mass% to 1 mass% of copper (Cu), Al-Nd alloy, and Al-Cu alloy).
  • the first electrode may be 0.1 ⁇ m to 1 ⁇ m.
  • a light reflection layer described later is provided, as a material forming the first electrode.
  • ITO Indium Tin Oxide, Sn-doped In 2 O 3 , crystalline ITO and amorphous ITO
  • the transparent conductive material include a transparent conductive material having a type oxide, an oxide having a YbFe 2 O 4 structure, a gallium oxide, a titanium oxide,
  • a hole injecting property such as an oxide of indium and tin (ITO) or an oxide of indium and zinc (IZO) is formed on a dielectric multilayer film or a reflective film having high light reflectivity such as aluminum (Al). It is also possible to have a structure in which excellent transparent conductive materials are laminated.
  • the first electrode when the first electrode is made to function as a cathode electrode, it is desirable that the first electrode be made of a conductive material having a small work function and a high light reflectance. It can also be used as a cathode electrode by improving the electron injection property by providing an appropriate electron injection layer.
  • the second electrode functions as a cathode electrode as a material (semi-light transmissive material or light transmissive material) forming the second electrode, the emitted light is transmitted, and moreover, electrons are efficiently transmitted to the organic layer (light emitting layer). It is desirable to use a conductive material having a small work function value so that it can be implanted selectively.
  • Al aluminum (Al), silver (Ag), magnesium (Mg), calcium (Ca), sodium (Na), strontium ( Sr), alkali metal or alkaline earth metal and silver (Ag)
  • alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag) (Mg-Ag alloy) alloy of magnesium-calcium (Mg-Ca alloy)
  • a metal or an alloy having a small work function such as an alloy of aluminum (Al) and lithium (Li) (Al—Li alloy), and among them, a Mg—Ag alloy is preferable, and a volume ratio of magnesium to silver is used.
  • Mg:Ag 5:1 to 30:1.
  • the thickness of the second electrode include 4 nm to 50 nm, preferably 4 nm to 20 nm, and more preferably 6 nm to 12 nm.
  • at least one material selected from the group consisting of Ag-Nd-Cu, Ag-Cu, Au and Al-Cu can be mentioned.
  • the second electrode is laminated from the organic layer side with the above-mentioned material layer and a so-called transparent electrode (for example, a thickness of 3 ⁇ 10 ⁇ 8 m to 1 ⁇ 10 ⁇ 6 m) made of, for example, ITO or IZO. It can also be a structure.
  • a bus electrode (auxiliary electrode) made of a low resistance material such as aluminum, aluminum alloy, silver, silver alloy, copper, copper alloy, gold or gold alloy is provided for the second electrode to reduce the resistance of the entire second electrode. May be planned.
  • the average light transmittance of the second electrode is 50% to 90%, preferably 60% to 90%.
  • the second electrode when the second electrode functions as an anode electrode, it is desirable that the second electrode is made of a conductive material that transmits emitted light and has a large work function value.
  • an electron beam vapor deposition method for example, an electron beam vapor deposition method, a hot filament vapor deposition method, a vapor deposition method including a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method (CVD method), a MOCVD method, an ion method, etc.
  • a method of forming the first electrode and the second electrode for example, an electron beam vapor deposition method, a hot filament vapor deposition method, a vapor deposition method including a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method (CVD method), a MOCVD method, an ion method, etc.
  • CVD method chemical vapor deposition method
  • MOCVD method a MOCVD method
  • an ion method etc.
  • Combination of plating method and etching method various printing methods such as screen printing method, inkjet printing method, metal mask printing method; plating method (electroplating method or electroless plat
  • the first electrode and the second electrode having a desired shape (pattern).
  • the second electrode may be formed based on a film forming method such as a vacuum evaporation method in which the energy of the film forming particles is small, or a MOCVD method. It is preferable from the viewpoint of preventing damage to the organic layer.
  • a non-light-emitting pixel or non-light-emitting sub-pixel
  • a dark spot may occur due to a leak current.
  • the organic layer is provided with a light emitting layer made of an organic light emitting material.
  • a light emitting layer made of an organic light emitting material.
  • it has a laminated structure of a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer, and also serves as a hole transport layer and an electron transport layer It may have a laminated structure with a light emitting layer, a laminated structure with a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer, or the like.
  • a physical vapor deposition method such as a vacuum deposition method
  • a printing method such as a screen printing method or an inkjet printing method
  • a layer of a laser absorption layer and an organic layer formed on a transfer substrate A laser transfer method in which an organic layer on a laser absorption layer is separated by irradiating a structure with a laser to transfer the organic layer, and various coating methods can be exemplified.
  • a so-called metal mask is used, and the organic layer can be obtained by depositing the material that has passed through the opening provided in the metal mask.
  • an insulating layer and an interlayer insulating layer are formed.
  • the insulating material constituting these SiO 2 , NSG (non-doped silicate glass), BPSG (boron phosphorus silicate glass) is used. ), construction PSG, BSG, AsSG, SbSG, PbSG, SOG ( spin on glass), LTO (low Temperature oxide, low temperature CVD-SiO 2), low-melting glass, SiO X materials such as glass paste (silicon oxide film Materials); SiN-based materials including SiON-based materials; SiOC; SiOF; SiCN.
  • Inorganic insulating materials such as (Nb 2 O 5 ), tin oxide (SnO 2 ) and vanadium oxide (VO x ) can be mentioned.
  • Materials of 5 or less specifically, for example, fluorocarbon, cycloperfluorocarbon polymer, benzocyclobutene, cyclic fluororesin, polytetrafluoroethylene, amorphous tetrafluoroethylene, polyaryl ether, fluorinated aryl ether, fluorine Polyimide, amorphous carbon, parylene (polyparaxylylene), fullerene fluoride), Silk (trademark of The Dow Chemical Co., coating type low dielectric constant interlayer insulating film material), Flare ( It is a trademark of Honeywell Electronic Materials Co., and polyallyl ether (PAE)-based material) can also be exemplified. And these can be used individually or in appropriate combination.
  • the substrate may be composed of the materials described above.
  • the insulating layer, the interlayer insulating layer, and the substrate are various CVD methods, various coating methods, various PVD methods including sputtering methods and vacuum deposition methods, various printing methods such as screen printing methods, plating methods, electrodeposition methods, dipping methods, sol- It can be formed based on a known method such as a gel method.
  • the display device and the like of the present disclosure including the various preferable forms and configurations described above can be configured to include an organic electroluminescence display device (organic EL display device), and the light emitting element can be an organic electroluminescence element ( It can be configured to include an organic EL element).
  • organic electroluminescence display device organic EL display device
  • the light emitting element can be an organic electroluminescence element ( It can be configured to include an organic EL element).
  • the organic EL display device preferably has a resonator structure in order to further improve the light extraction efficiency.
  • the first interface constituted by the interface between the first electrode and the organic layer (or the interlayer insulating layer is provided below the first electrode, and the light reflecting layer is provided below the interlayer insulating layer).
  • the light emitting layer is provided between the first interface formed by the interface between the light reflection layer and the interlayer insulating layer) and the second interface formed by the interface between the second electrode and the organic layer. The emitted light is resonated, and a part thereof is emitted from the second electrode.
  • the distance from the maximum light emitting position of the light emitting layer to the first interface is L 1
  • the optical distance is OL 1
  • the distance from the maximum light emitting position of the light emitting layer to the second interface is L 2
  • the optical distance is OL 2
  • m When 1 and m 2 are integers, the following expressions (1-1) and (1-2) are satisfied.
  • maximum peak wavelength of the spectrum of light generated in the light emitting layer (or a desired wavelength of light generated in the light emitting layer)
  • ⁇ 1 Phase shift amount of light reflected at the first interface (unit: radian).
  • ⁇ 2 ⁇ 1 ⁇ 0 ⁇ 2 Amount of phase shift of light reflected by the second interface (unit: radian).
  • the value of m 1 is larger than or equal to zero
  • the value of m 2 is independently a value of m 1, is a value of 0 or more
  • (m 1, m 2) (0,0 )
  • (m 1 , m 2 ) (0,1)
  • (m 1 , m 2 ) (1,0)
  • the distance L 1 from the maximum light emitting position of the light emitting layer to the first interface refers to the actual distance (physical distance) from the maximum light emitting position of the light emitting layer to the first interface, and is the second distance from the maximum light emitting position of the light emitting layer.
  • the distance L 2 to the interface refers to an actual distance (physical distance) from the maximum light emitting position of the light emitting layer to the second interface.
  • the optical distance is also called an optical path length, and generally refers to n ⁇ L when a light ray passes a distance L through a medium having a refractive index n. The same applies to the following.
  • the average refractive index n ave is the sum of the products of the refractive index and the thickness of each layer forming the organic layer (or the organic layer, the first electrode, and the interlayer insulating layer), and the organic layer (or the organic layer). , The first electrode and the interlayer insulating layer).
  • the first electrode or the light reflecting layer and the second electrode absorb part of the incident light and reflect the rest. Therefore, a phase shift occurs in the reflected light.
  • the phase shift amounts ⁇ 1 and ⁇ 2 are obtained by measuring the values of the real part and the imaginary part of the complex refractive index of the material forming the first electrode or the light reflecting layer and the second electrode using, for example, an ellipsometer, It can be obtained by performing a calculation based on the value (see, for example, "Principles of Optic", Max Born and Emil Wolf, 1974 (PERGAMON PRESS)).
  • the refractive index of the organic layer, the interlayer insulating layer, etc. can also be obtained by measuring using an ellipsometer.
  • Aluminum, aluminum alloys eg, Al—Nd or Al—Cu
  • Al/Ti laminated structure Al—Cu/Ti laminated structure
  • Cr chromium
  • silver Ag
  • silver silver
  • silver silver
  • Examples thereof include alloys (eg Ag-Pd-Cu, Ag-Sm-Cu).
  • Examples thereof include electron beam evaporation method, hot filament evaporation method, evaporation method including vacuum evaporation method, sputtering method, CVD method and ion plating method.
  • Coating method platting method (electroplating method or electroless plating method); lift-off method; laser ablation method; sol-gel method or the like.
  • the red light emitting element configured by combining the organic layer that emits white light and the red color filter layer is actually a light emitting layer.
  • the emitted red light is caused to resonate, and reddish light (light having a light spectrum peak in the red region) is emitted from the second electrode.
  • a green light emitting element configured by combining an organic layer that emits white light and a green color filter layer resonates the green light emitted from the light emitting layer to produce a greenish light (light in the green region). Light having a spectral peak) is emitted from the second electrode.
  • a blue light emitting element configured by combining an organic layer that emits white light and a blue color filter layer resonates the blue light emitted from the light emitting layer to produce a bluish light (in the blue region).
  • Light having a peak of the light spectrum is emitted from the second electrode. That is, a desired wavelength ⁇ (specifically, a red wavelength, a green wavelength, and a blue wavelength) of the light generated in the light emitting layer is determined, and the formula (1-1) and the formula (1-2) are determined.
  • various parameters such as OL 1 and OL 2 in each of the red light emitting element, the green light emitting element, and the blue light emitting element may be obtained to design each light emitting element.
  • JP-A 2012-216495 paragraph number [0041] discloses an organic EL element having a resonator structure in which an organic layer is a resonator, and the distance from a light emitting point (light emitting surface) to a reflecting surface is It is described that the film thickness of the organic layer is preferably 80 nm or more and 500 nm or less, and more preferably 150 nm or more and 350 nm or less, because the thickness can be adjusted appropriately.
  • the thickness of the hole transport layer (hole supply layer) and the thickness of the electron transport layer (electron supply layer) are approximately equal.
  • the electron transport layer (electron supply layer) may be thicker than the hole transport layer (hole supply layer), which is necessary for high efficiency at a low driving voltage and sufficient for the light emitting layer. It is possible to supply various electrons. That is, by providing the hole transport layer between the first electrode corresponding to the anode electrode and the light emitting layer and forming the hole transport layer with a thickness smaller than that of the electron transport layer, the supply of holes can be increased. It will be possible.
  • the display device can be used as, for example, a monitor device that constitutes a personal computer, or can be used as a monitor device that is incorporated in a television receiver, a mobile phone, a PDA (personal digital assistant, personal digital assistant), or a game machine. can do. Alternatively, it can be applied to an electronic view finder (EVF) or a head mounted display (HMD). Alternatively, electronic books, electronic newspapers such as electronic newspapers, billboards, posters, bulletin boards such as blackboards, rewritable papers as substitutes for printer paper, display units for home appliances, card display units such as point cards, electronic advertisements, images in electronic POPs. A display device can be configured.
  • EMF electronic view finder
  • HMD head mounted display
  • electronic books electronic newspapers such as electronic newspapers, billboards, posters, bulletin boards such as blackboards, rewritable papers as substitutes for printer paper
  • display units for home appliances card display units such as point cards, electronic advertisements, images in electronic POPs.
  • a display device can
  • the display device of the present disclosure can be used as a light emitting device to configure various lighting devices including a backlight device for a liquid crystal display device and a planar light source device.
  • Head-mounted display for example, (A) A frame attached to the observer's head, and (B) Image display device attached to the frame, Is equipped with The image display device (A) Display device of the present disclosure, and (B) An optical device that receives and emits light emitted from the display device of the present disclosure, Is equipped with The optical device is (B-1) A light guide plate in which light incident from the display device of the present disclosure propagates through the inside by total reflection and then is emitted toward an observer, (B-2) First deflection means (for example, a volume hologram diffraction grating film) that deflects the light incident on the light guide plate so that the light incident on the light guide plate is totally reflected inside the light guide plate.
  • First deflection means for example, a volume hologram diffraction grating film
  • Second deflecting means for deflecting the light propagated by the total reflection inside the light guide plate a plurality of times so that the light propagated by the total reflection inside the light guide plate is emitted from the light guide plate (for example, Volume hologram diffraction grating film), Consists of.
  • Example 1 relates to the display device according to the first aspect to the second aspect of the present disclosure.
  • the arrangement of the color filter layers in the display device of Example 1 is schematically shown in FIGS. 1A and 2A, and the arrangement of Example 1 along the arrow BB in FIG.
  • a conceptual cross-sectional view of the display device is shown in FIGS. 1B and 2B.
  • the layout of the light emitting regions in the display device of the first embodiment is schematically shown in FIG. 3, and a conceptual view of the display device of the first embodiment for explaining that color mixture is unlikely to occur in the display device of the first embodiment.
  • a cross-sectional view is shown in FIG.
  • a schematic partial cross-sectional view of the display device of Example 1 is shown in FIG. In FIG.
  • the display device is illustrated by ignoring the positional relationship between the color filter layer and the light emitting region.
  • the display device of Example 1 is an organic EL display device, and the light emitting element is an organic EL element.
  • the display device of Example 1 is a top emission type (top emission type) display device (top emission type display device) in which light is emitted from the second substrate, and the color filter layer is provided on the first substrate side. It is provided. That is, the color filter layer has an on-chip color filter layer structure (OCCF structure).
  • OCCF structure on-chip color filter layer structure
  • the display device of Example 1 or Examples 2 to 4 described later is A first light emitting element 10R including a first light emitting region 11R and a first color filter layer 51R disposed above the first light emitting region 11R, Second light emitting area 11G, second light emitting element 10G including second color filter layer 51G disposed above second light emitting area 11G, and A third light emitting element 11B including a third light emitting region 11B and a third color filter layer 51B disposed above the third light emitting region 11B, A plurality of light emitting element groups each composed of are arranged on the base 26.
  • the boundary line of the bottom surface facing the light emitting region 11 of the color filter layer 51 in the display device of Example 1, in the adjacent light emitting element, the boundary line of the bottom surface facing the light emitting region 11 of the color filter layer 51.
  • the shortest line segment (shown by a dotted line in FIG. 1B and FIG. 4) connecting the light emitting region 11 and the end of the light emitting region 11 is the normal line of the substrate 26 (or the first substrate 41 or the second substrate 42).
  • the formed angle ( ⁇ ) is the same in each light emitting element 10R, 10G, 10B.
  • the base 26 in the adjacent light emitting element, the base 26 (or the first substrate 41) at the boundary line of the bottom surface facing the light emitting region 11 of the color filter layer 51.
  • the second substrate 42 from the orthogonal projection image to the base 26 (or, alternatively, the first substrate 41 or the second substrate 42) at the end of the light emitting region 11 is the distance (L) from each light emitting element.
  • 10R, 10G, and 10B in FIG. 1B, these orthogonal projection images are shown by a dashed line.
  • the display device was surrounded by a boundary line between the color filter layer top surface (light emission surface) and the color filter layer top surface (light emission surface).
  • the area (S top ) of the orthogonal projection image of the top surface region of the color filter layers 51R, 51G, and 51B with respect to the base 26 (or the first substrate 41 or the second substrate 42) is the first light emitting element 10R, the second light emission.
  • the areas (S EL-R , S ER-G , and S EL-B ) of the light emitting regions 11R, 11G, and 11B are different in the first light emitting element 10R, the second light emitting element 10G, and the third light emitting element 10B. Specifically, as shown in (B) of FIG. 1, (B) and (C) of FIG. 5, and (B) and (C) of FIG. 13, S EL-G ⁇ S ER-R ⁇ S EL -B .
  • the first light emitting region 11R, the second light emitting region 11G, and the third light emitting region 11B emit white light.
  • One pixel is composed of three light emitting elements, a first light emitting element 10R, a second light emitting element 10G, and a third light emitting element 10B.
  • the first substrate 41 includes color filter layers 51R, 51G, 51B. That is, each of the light emitting regions 11R, 11G, 11B emits white light, and each of the light emitting elements 10R, 10G, 10B includes the light emitting regions 11R, 11G, 11B emitting white light and the color filter layers 51R, 51G, 51B. Composed of combinations.
  • the organic layer 33 emits white light as a whole.
  • the number of pixels is, for example, 1920 ⁇ 1080, one light emitting element (display element) constitutes one subpixel, and the number of light emitting elements (specifically, organic EL elements) is three times the number of pixels.
  • the first light emitting element 10R includes a red color filter layer 51R and emits red light.
  • the second light emitting element 10G includes a green color filter layer 51G and emits green light.
  • the third light emitting element 10B includes a blue color filter layer 51B and emits blue light.
  • the first light emitting elements 10R forming the plurality of light emitting element groups are arranged along the first direction
  • the second light emitting element 10G forming the plurality of light emitting element groups. are arranged along the first direction
  • the third light emitting elements 10B forming the plurality of light emitting element groups are arranged along the first direction. That is, in the display device of Example 1, the light emitting elements are arranged in stripes. That is, the array of sub-pixels is a stripe array.
  • the light emitting element is The first electrode 31 (31R, 31G, 31B), An organic layer 33 formed on the first electrode 31, The second electrode 32 formed on the organic layer 33, A protective layer (planarizing layer) 34 formed on the second electrode 32, and A color filter layer 51 (51R, 51G, 51B) formed on the protective layer 34, It consists of Then, the light from the organic layer 33 is emitted to the outside through the second electrode 32, the protective layer 34, and the color filter layer 51.
  • the first light emitting element 10R that emits red light is The first electrode 31R, An organic layer 33 formed on the first electrode 31R, The second electrode 32 formed on the organic layer 33, A protective layer (planarizing layer) 34 formed on the second electrode 32, and A color filter layer 51R formed on the protective layer 34, It consists of
  • the second light emitting element 10G that emits green light is The first electrode 31G, An organic layer 33 formed on the first electrode 31G, The second electrode 32 formed on the organic layer 33, A protective layer (planarizing layer) 34 formed on the second electrode 32, and A color filter layer 51G formed on the protective layer 34, It consists of
  • the third light emitting element 10B that emits blue light is The first electrode 31B, An organic layer 33 formed on the first electrode 31B, The second electrode 32 formed on the organic layer 33, A protective layer (planarizing layer) 34 formed on the second electrode 32, and A color filter layer 51B formed on the protective layer 34, It consists of
  • the first electrodes 31R, 31G, 31B are provided for each of the light emitting elements 10R, 10G, 10B.
  • the second electrode 32 is provided commonly to the light emitting elements 10R, 10G, and 10B. That is, the second electrode 32 is a so-called solid electrode.
  • a first substrate 41 is arranged below the base body 26 made of an insulating material, and a second substrate 42 is arranged above the top surfaces of the color filter layers 51R, 51G and 51B.
  • the light emitting region 11 (11R, 11G, 11B) formed by the region where the first electrode 31 (31R, 31G, 31B) and the organic layer 33 formed on the first electrode 31 contact each other is provided on the base body 26. ing. More specifically, the first electrode 31 (31R, 31G, 31B) is formed on the base body 26.
  • a light emitting element drive section is provided below the base body 26 made of SiON based on the CVD method.
  • the light emitting element drive unit can have a known circuit configuration.
  • the light emitting element drive unit is composed of a transistor (specifically, MOSFET) formed on a silicon semiconductor substrate corresponding to the first substrate 41.
  • the transistor 20 including a MOSFET includes a gate insulating layer 22 formed on a first substrate 41, a gate electrode 21 formed on the gate insulating layer 22, a source/drain region 24 formed on the first substrate 41, a source/drain region 24 It is composed of a channel forming region 23 formed between the drain regions 24, and an element isolation region 25 surrounding the channel forming region 23 and the source/drain regions 24.
  • the transistor 20 and the first electrode 31 are electrically connected to each other via a contact plug 27 provided on the base 26.
  • one transistor 20 is shown for one light emitting element driving unit.
  • the first electrode 31 is provided on the base body 26 for each light emitting element.
  • the insulating layer 28 having the opening 29 where the first electrode 31 is exposed at the bottom is formed on the base 26, and the organic layer 33 is at least the first electrode 31 exposed at the bottom of the opening 29.
  • the organic layer 33 is formed from above the first electrode 31 exposed at the bottom of the opening 29 to above the insulating layer 28, and the insulating layer 28 extends from the first electrode 31 to the substrate 26. Is formed over the top.
  • the portion of the organic layer 33 that actually emits light is surrounded by the insulating layer 28. That is, the region of the organic layer 33 surrounded by the insulating layer 28 corresponds to the light emitting region.
  • the insulating layer 28 and the second electrode 32 are covered with a protective layer 34 made of SiN.
  • the color filter layer 51 and the second substrate 42 are adhered over the entire surface by a resin layer (sealing resin layer) 35 made of an acrylic adhesive.
  • the second electrode 32 is connected to the light emitting element driving unit via a contact hole (contact plug) (not shown) formed in the base body 26 on the outer peripheral portion of the display device.
  • a contact hole contact plug
  • an auxiliary electrode connected to the second electrode 32 may be provided below the second electrode 32, and the auxiliary electrode may be connected to the light emitting element driving unit.
  • the first electrode 31 functions as an anode electrode
  • the second electrode 32 functions as a cathode electrode.
  • the first electrode 31 is made of a light reflecting material, specifically, an Al—Nd alloy
  • the second electrode 32 is made of a transparent conductive material such as ITO.
  • the first electrode 31 is formed based on a combination of a vacuum vapor deposition method and an etching method.
  • the second electrode 32 is formed by a film forming method such as a vacuum evaporation method in which the energy of film forming particles is small.
  • the first substrate 41 is made of a silicon semiconductor substrate
  • the second substrate 42 is made of a glass substrate.
  • the color filter layer when forming the color filter layer, it is usually composed of a photocurable resin to which a colorant composed of a desired pigment or dye is added. Then, for example, it is formed on the protective layer 34 based on the method described below.
  • the material for forming the blue color filter layer 51B, the material for forming the red color filter layer 51R, and the material for forming the green color filter layer 51G are in this order in order of high adhesion to the base. ..
  • the green color filter layer 51G having the highest adhesiveness is formed on the protective layer 34.
  • the green color filter layer 51G having a desired pattern shape is formed by coating the entire surface with a photosensitive material that constitutes the green color filter layer 51G and performing exposure, baking, and development.
  • the cross-sectional shape of the green color filter layer 51G obtained by applying, exposing, baking, and developing a photosensitive material when forming the green color filter layer 51G has opposite side surfaces as shown in FIG. 17A. It becomes a taper shape.
  • a photo-sensitive material that constitutes the red color filter layer 51R is applied to the entire surface, exposed, baked, and developed to form the red color filter layer 51R having a desired pattern shape.
  • the cross-sectional shape of the red color filter layer 51R obtained by applying, exposing, baking, and developing a photosensitive material when forming the red color filter layer 51R is as shown in FIG. 17B.
  • the side surface When not in contact with the layer 51G, the side surface has an inverse tapered shape.
  • FIG. 17C when one side is in contact with the green color filter layer 51G, one of the side surfaces has an inverse tapered shape and the other has a forward tapered shape.
  • FIG. 17G when both sides are in contact with the green color filter layer 51G, the side surfaces on both sides have a forward tapered shape.
  • a photo-sensitive material that constitutes the blue color filter layer 51B is applied to the entire surface, exposed, baked, and developed to form the blue color filter layer 51B having a desired pattern shape.
  • the blue color filter layer 51B is formed in a region where the green color filter layer 51G and the red color filter layer 51R are not formed.
  • the cross-sectional shape of the blue color filter layer 51B obtained by applying, exposing, baking, and developing a photosensitive material for forming the blue color filter layer 51B is as shown in FIG. 17D, FIG. 17E, or FIG. 17F.
  • the side surface has a forward tapered shape.
  • the cross-sectional shapes of the green color filter layer 51G, the red color filter layer 51R and the blue color filter layer 51B are the cross-sectional shapes shown in FIG. 17F ((B in FIG. 1). ) And also FIG. 2B)).
  • the boundary lines of the bottom surfaces facing the light emitting regions 11R, 11G, 11B of the color filter layers 51R, 51G, 51B. emitting region 11R also reference) and, 11G, end of 11B (reference numeral 11R R in FIG. 4, 11R L, 11G R, 11G L, 11B R, shortest line segment connecting the see also) and 11B L (FIG.
  • the angle ( ⁇ ) formed by the normal line of the base body 26 (or the first substrate 41 and the second substrate 42) by the dotted line 4 is also the same in each of the light emitting elements 10R, 10G, and 10B.
  • the base 26 (or the first reference numeral 52 1 , 52 2 , and 523 in FIG. 4) of the bottom surface of the color filter layers 51R, 51G, and 51B facing the light emitting regions 11R, 11G, and 11B (see also reference numerals 52 1 , 52 2 , and 52 3 ).
  • the base 26 From the orthogonal projection images (also see the dashed line in FIG. 4) on the substrate 41, the second substrate 42), the base 26 at the end of the light emitting regions 11R, 11G, 11B (or, alternatively, the first substrate 41 or the second substrate 42).
  • the distance (L) to the orthogonal projection image is the same in each of the light emitting elements 10R, 10G, and 10B.
  • the white light emitted from the right end portion 11G R of the second light emitting region 11G is closer to the white line than the boundary line 52 1 on the bottom surface of the green color filter layer 51G and the blue color filter layer 51B.
  • the blue color filter layer 51B on the right side of see arrow G 1 in FIG. 4
  • the sub-pixel that originally displays green will display blue.
  • the white light emitted from the right end portion 11B R of the third light emitting region 11B has a red color filter layer on the right side of FIG. 4 with respect to the boundary line 52 2 on the bottom surface of the blue color filter layer 51B and the red color filter layer 51R.
  • 51R see arrow B 1 in FIG.
  • the sub-pixel that originally displays blue will display red.
  • white light emitted from the right end 11R R of the first light emitting region 11R is the right of the green color filter layer in Figure 4 than the red color filter layer 51R and the green color filter layer boundary 52 3 of the bottom surface of 51G When entering 51G (see arrow R 1 in FIG. 4), the sub-pixel that originally displays red will display green.
  • white light emitted from the left end 11G L of the second light emitting region 11G is the than the boundary line 52 3 entering the left side of the red color filter layer 51R in Fig. 4 (see arrow G 2 in FIG. 4) Originally, the sub-pixel that displays green will display red.
  • the angle ( ⁇ ) in the green light emitting element is smaller than the angle ( ⁇ ) in the red light emitting element and the blue light emitting element, for example, a pixel is white.
  • the angle ⁇ at which the color mixture and the color shift start to occur is the smallest in the green light emitting element, when a certain pixel is viewed at an oblique angle larger than the angle ⁇ G , it is originally white. Pixels that appear to be visible in green are observed, and color mixing and color shift occur.
  • the shortest line segment connecting the boundary line of the bottom surface of the color filter layer and the end of the light emitting region is the base.
  • the angle ( ⁇ ) formed with the normal to the later-described first substrate or second substrate is the same in each light-emitting element, and in adjacent light-emitting elements, the base (or base) of the boundary line of the bottom surface of the color filter layer (or The distance (L) from the orthogonal projection image to the later-described first substrate or second substrate) to the orthogonal projection image to the base body (or the first substrate or second substrate to be described later) at the end of the light emitting region is set to each light emitting element.
  • the organic layer 33 is a hole injection layer (HIL: Hole Injection Layer), a hole transport layer (HTL: Hole Transport Layer), a light emitting layer, an electron transport layer (ETL: Electron Transport Layer), and It has a laminated structure of an electron injection layer (EIL).
  • the light emitting layer is composed of at least two light emitting layers that emit different colors, and the light emitted from the organic layer 33 is white.
  • the light emitting layer has a structure in which three layers of a red light emitting layer that emits red light, a green light emitting layer that emits green light, and a blue light emitting layer that emits blue light are stacked.
  • the light emitting layer may have a structure in which two layers of a blue light emitting layer which emits blue light and a yellow light emitting layer which emits yellow light are stacked, and a blue light emitting layer which emits blue light and an orange light which emits blue light are emitted.
  • a structure in which two layers of orange light emitting layers are stacked can be used.
  • the red light emitting element 10R for displaying red is provided with the red color filter layer 51R
  • the green light emitting element 10G for displaying green is provided with the green color filter layer 51G.
  • the blue light emitting element 10B to be displayed is provided with a blue color filter layer 51B.
  • the red light emitting element 10R, the green light emitting element 10G and the blue light emitting element 10B have the same configuration and structure except for the positional relationship of the color filter layers 51R, 51G and 51B and the light emitting regions 11R, 11G and 11B.
  • the hole injection layer is a layer that enhances hole injection efficiency and also functions as a buffer layer that prevents leakage, and has a thickness of, for example, about 2 nm to 10 nm.
  • the hole injection layer is made of, for example, a hexaazatriphenylene derivative represented by the following formula (A) or formula (B).
  • R 1 to R 6 are each independently hydrogen, halogen, a hydroxy group, an amino group, an allure amino group, a substituted or unsubstituted carbonyl group having 20 or less carbon atoms, and a substituted or non-substituted group having 20 or less carbon atoms.
  • Substituted carbonyl ester group C20 or less substituted or unsubstituted alkyl group, C20 or less substituted or unsubstituted alkenyl group, C20 or less substituted or unsubstituted alkoxy group, C30 or less
  • X 1 to X 6 are each independently a carbon or nitrogen atom.
  • the hole transport layer is a layer that enhances the efficiency of hole transport to the light emitting layer.
  • the electron transport layer is a layer that enhances the electron transport efficiency to the light emitting layer
  • the electron injection layer is a layer that enhances the electron injection efficiency to the light emitting layer.
  • the hole transport layer is made of, for example, 4,4′,4′′-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine (m-MTDATA) or ⁇ -naphthylphenyldiamine ( ⁇ NPD) having a thickness of about 40 nm. ..
  • the light emitting layer is a light emitting layer that emits white light by color mixing, and for example, as described above, is formed by stacking a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer.
  • red light emitting layer when an electric field is applied, a part of the holes injected from the first electrode 31 and a part of the electrons injected from the second electrode 32 are recombined to generate red light. To do.
  • a red light emitting layer contains, for example, at least one material selected from a red light emitting material, a hole transporting material, an electron transporting material, and a charge transporting material.
  • the red light emitting material may be a fluorescent material or a phosphorescent material.
  • the red light emitting layer having a thickness of about 5 nm is formed of, for example, 4,4-bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl (DPVBi) and 2,6-bis[(4′-methoxydiphenylamino)styryl]-1. 30% by mass of 5,5-dicyanonaphthalene (BSN).
  • DPVBi 4,4-bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl
  • BSN 5,5-dicyanonaphthalene
  • Such a green light emitting layer when an electric field is applied, a part of the holes injected from the first electrode 31 and a part of the electrons injected from the second electrode 32 are recombined to generate green light. To do.
  • a green light emitting layer contains, for example, at least one kind of material selected from a green light emitting material, a hole transporting material, an electron transporting material and both charge transporting materials.
  • the green light emitting material may be a fluorescent material or a phosphorescent material.
  • the green light emitting layer having a thickness of about 10 nm is made of, for example, DPVBi mixed with 5% by mass of coumarin 6.
  • Such a blue light emitting layer when an electric field is applied, a part of the holes injected from the first electrode 31 and a part of the electrons injected from the second electrode 32 are recombined to generate blue light. To do.
  • a blue light emitting layer contains, for example, at least one material selected from a blue light emitting material, a hole transporting material, an electron transporting material, and a charge transporting material.
  • the blue light emitting material may be a fluorescent material or a phosphorescent material.
  • the blue light-emitting layer having a thickness of about 30 nm is formed of, for example, DPVBi containing 2.5% by mass of 4,4′-bis[2- ⁇ 4-(N,N-diphenylamino)phenyl ⁇ vinyl]biphenyl (DPAVBi). It consists of a mixture.
  • the electron transport layer having a thickness of about 20 nm is made of 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3), for example.
  • the electron injection layer having a thickness of about 0.3 nm is made of, for example, LiF or Li 2 O.
  • each layer is an example, and the material is not limited to these materials.
  • the light emitting layer may be composed of a blue light emitting layer and a yellow light emitting layer, or may be composed of a blue light emitting layer and an orange light emitting layer.
  • the light emitting elements 10R, 10G, and 10B have a resonator structure in which the organic layer 33 is a resonator.
  • the thickness of the organic layer 33 is 8 ⁇ . It is preferably 10 ⁇ 8 m or more and 5 ⁇ 10 ⁇ 7 m or less, more preferably 1.5 ⁇ 10 ⁇ 7 m or more and 3.5 ⁇ 10 ⁇ 7 m or less.
  • the red light emitting element 10R actually resonates the red light emitted from the light emitting layer to produce reddish light (the peak of the optical spectrum in the red region). Of light) is emitted from the second electrode 32.
  • the green light emitting element 10G resonates the green light emitted from the light emitting layer and emits greenish light (light having a light spectrum peak in the green region) from the second electrode 32.
  • the blue light emitting element 10B causes the blue light emitted from the light emitting layer to resonate, and emits bluish light (light having a light spectrum peak in the blue region) from the second electrode 32.
  • a light emitting element driving unit is formed on a silicon semiconductor substrate (first substrate 41) based on a known MOSFET manufacturing process.
  • the base 26 is formed on the entire surface by the CVD method.
  • a connection hole is formed in the portion of the base 26 located above one of the source/drain regions of the transistor 20 based on the photolithography technique and the etching technique.
  • a metal layer is formed on the base body 26 including the connection holes, for example, by a sputtering method, and then the metal layer is patterned by a photolithography technique and an etching technique to form the first electrode on the base body 26. 31 can be formed. The first electrode 31 is separated for each light emitting element.
  • a contact hole (contact plug) 27 that electrically connects the first electrode 31 and the transistor 20 can be formed in the connection hole.
  • the insulating layer 28 is formed on the entire surface by the CVD method, and then the opening 29 is formed in a part of the insulating layer 28 on the first electrode 31 by the photolithography technique and the etching technique.
  • the first electrode 31 is exposed at the bottom of the opening 29.
  • the organic layer 33 is formed on the first electrode 31 and the insulating layer 28 by a PVD method such as a vacuum deposition method or a sputtering method, a coating method such as a spin coating method, a die coating method, or the like.
  • the second electrode 32 is formed on the entire surface based on, for example, a vacuum evaporation method. In this way, the organic layer 33 and the second electrode 32 can be formed on the first electrode 31.
  • the protective layer 34 is formed on the entire surface by, for example, the CVD method or the PVD method. Then, as described above, the color filter layers 51R, 51G and 51B are formed on the protective layer 34. Finally, the second substrate 42 and the color filter layers 51R, 51G, 51B are attached to each other via the resin layer (sealing resin layer) 35. In this way, the organic EL display device shown in FIG. 18 can be obtained.
  • Example 2 is a modification of Example 1. Arrangement of the color filter layers in the display device of Example 2 is schematically shown in FIGS. 5A and 6A, and in Example 2 along the arrow BB of FIG. A conceptual cross-sectional view of the display device is shown in FIGS. 5B and 6B, and a conceptual cross-section of the display device of the second embodiment taken along the arrow CC in FIG. 5A. 5C and 6C, and FIG. 5D is a conceptual cross-sectional view of the display device of the second embodiment taken along the line DD in FIG. 5A. ), FIG. 6D, and FIG. 5E and FIG. 6E are conceptual cross-sectional views of the display device of Example 2 taken along the arrow EE of FIG. 5A.
  • FIG. 8 conceptual sectional views of the display device of the second embodiment are shown in FIG. 8, FIG. 9, FIG. 10 and FIG. 11 for explaining that color mixing is unlikely to occur in the display device of the second embodiment.
  • 2A and 12B and 12C show the mechanism of color mixing in the conventional display device.
  • the light emitting element group includes four light emitting elements arranged in a 2 ⁇ 2 array, The first light emitting element 10R is arranged adjacent to the two third light emitting elements 10B, The second light emitting element 10G is disposed adjacent to the two third light emitting elements 10B, Each of the two third light emitting elements 10B is arranged adjacent to the first light emitting element 10R and the second light emitting element 10G. That is, in the display device of Example 2, the light emitting elements are arranged in a diagonal arrangement. That is, the array of sub-pixels is a diagonal array.
  • the light emitting element group occupies a rectangular area, for example.
  • the light emission of the color filter layers 51R, 51G and 51B in the adjacent light emitting elements regions 11R, 11G, 11B opposite to the boundary line 52 1 of the bottom surface, 52 2 and the light emitting region 11R, 11G, 11B end 11B R of, 11G L, 11B R, shortest line segment connecting the 11R L (FIG. 5 (B), the angle ( ⁇ ) formed by the normal line of the base body 26 (or, alternatively, the first substrate 41 and the second substrate 42) by the dotted line in FIGS. 8 and 9 is the respective light emitting elements 10R, 10G, The same is true for 10B.
  • the base 26 (or the first substrate 41 or the second substrate 41) of the bottom boundary lines 52 1 and 52 2 facing the light emitting regions 11R, 11G and 11B of the color filter layers 51R, 51G and 51B. from an orthogonal projection image with respect to the substrate 42), the light emitting region 11R, 11G, 11B end 11B R of, 11G L, 11B R, base 26 of 11R L (Alternatively, orthographic respect, the first substrate 41 second substrate 42)
  • the distance (L) to the image is the same in each light emitting element 10R, 10G, 10B.
  • FIG. 5B, FIG. 8 and FIG. 9 these orthogonal projection images are shown by a dashed line.
  • the cross-sectional shapes of the green color filter layer 51G, the red color filter layer 51R, and the blue color filter layer 51B are the cross-sectional shapes shown in FIGS. 17D and 17E (FIG. 5). (B) and (C) of FIG. 6, (B) and (C) of FIG. 6, and also FIG. 8 and FIG. 9).
  • the configuration and structure of the display device according to the second embodiment can be the same as the configuration and structure of the display device described in the first embodiment, and thus detailed description thereof will be omitted.
  • the white light emitted from the right end portion 11B R of the third light emitting region 11B is closer to the white line than the boundary line 52 1 on the bottom surface of the blue color filter layer 51B and the green color filter layer 51G.
  • the sub-pixel that originally displays blue will display green.
  • this area is displayed as “area in which color mixing occurs due to light from the third light emitting area”.
  • the white light emitted from the right end portion 11B R of the third light emitting region 11B is the green color filter layer on the right side of FIG. 8 with respect to the boundary line 53 1 between the top surfaces of the blue color filter layer 51B and the green color filter layer 51G.
  • blue light from the sub-pixel that displays blue is originally absorbed by the green color filter layer 51G, and is not emitted from the green color filter layer 51G.
  • this area-A is indicated by “area-A”.
  • the white light emitted from the left end 11G L of the second light emitting region 11G is, and enters the left of the blue color filter layer 51B of FIG. 8 the boundary lines 52 1, originally by-pixel for displaying green blue Will be displayed. In FIG. 8, this area is displayed as “area in which color mixture occurs due to light from the second light emitting area”.
  • the white light emitted from the right end portion 11B R of the third light emitting region 11B is emitted from the boundary line 52 2 on the bottom surface of the blue color filter layer 51B and the red color filter layer 51R. 9 also enters the red color filter layer 51R on the right side of FIG. 9, the sub-pixel that originally displays blue will display red. In FIG. 8, this area is displayed as “area in which color mixing occurs due to light from the third light emitting area”.
  • the white light emitted from the right end portion 11B R of the third light emitting region 11B is the red color filter layer on the right side of FIG. 8 with respect to the boundary line 53 2 between the top surfaces of the blue color filter layer 51B and the red color filter layer 51R.
  • the blue light originally from the sub-pixel displaying blue is absorbed by the red color filter layer 51R, and is not emitted from the red color filter layer 51R. In FIG. 8, this area is shown as “area-B”.
  • the subpixel that originally displays red is blue. Will be displayed. In FIG. 9, this area is displayed as “area in which color mixing occurs due to light from the first light emitting area”.
  • FIG. 10 shows the Z attenuation angle and the Y attenuation angle when white light emitted from the third light emitting region 11B and the second light emitting region 11G passes through the blue color filter layer 51B and the green color filter layer 51G. Further, the Z attenuation angle and the X attenuation angle when the white light emitted from the third light emitting region 11B and the first light emitting region 11R passes through the blue color filter layer 51B and the red color filter layer 51R are shown. Furthermore, although the relationship between the viewing angle and the relative intensities of X, Y, and Z is schematically shown in FIG. 12B, in the display device of Example 2, the changes in the relative intensities of X, Y, and Z are the same, No color mixture or color shift occurs.
  • FIG. 22(A) The layout of the color filter layers in the conventional display device is schematically shown in FIG. 22(A), and a conceptual cross-sectional view of the conventional display device along arrow BB in FIG. 22(A) is shown in FIG. (B) of.
  • FIG. 23 shows various conceptual sectional views of a conventional display device for explaining that color mixing occurs in the conventional display device.
  • the top surface region of the color filter layers 51R, 51G, and 51B surrounded by the boundary line between the color filter layer top surface (light emission surface) and the color filter layer top surface (light emission surface).
  • the area (S top ) of the orthogonal projection image of the substrate 26 is the same in the first light emitting element, the second light emitting element, and the third light emitting element.
  • the areas of the light emitting regions 111R, 111G, and 111B are also the same. Therefore, inevitably, the shortest line segment connecting the boundary line of the bottom surface facing the light emitting regions 111R, 111G, and 111B of the color filter layers 51R, 51G, and 51B and the ends of the light emitting regions 111R, 111G, and 111B is the base 26.
  • the base body 26 or, alternatively, the first substrate 41 at the boundary line of the bottom surface facing the light emitting regions 111R, 111G, 111B of the color filter layers 51R, 51G, 51B.
  • the second substrate 42 to the orthographic image of the base (or the first substrate 41 or the second substrate 42) at the end of the light emitting region (L R-1 , L R-2).
  • L G-1 , L G-2 , L B-1 , L B-2 are different in each light emitting element.
  • the white light emitted from the right end portion 11G R of the second light emitting region 11G is emitted from the boundary line 52 1 of the bottom surfaces of the green color filter layer 51G and the blue color filter layer 51B rather than the boundary line 52 1 .
  • the sub-pixel that originally displays green will display blue.
  • the white light emitted from the right end portion 11B R of the third light emitting region 11B has a red color filter layer on the right side of FIG. 23 with respect to the boundary line 52 2 on the bottom surface of the blue color filter layer 51B and the red color filter layer 51R. When it enters 51R (see arrow B 1 in FIG.
  • the sub-pixel that originally displays blue will display red.
  • the white light emitted from the right end portion 11R R of the first light emitting region 11R is emitted from the green color filter layer on the right side of FIG. 23 with respect to the boundary line 52 3 on the bottom surfaces of the red color filter layer 51R and the green color filter layer 51G.
  • the sub-pixel that originally displays red will display green.
  • Example 3 is also a modification of Example 1.
  • the arrangement of the color filter layers in the display device of Example 3 is schematically shown in FIGS. 13A and 14A, and an example similar to that of FIG. 5A along the arrow BB.
  • a conceptual cross-sectional view of the display device of Example 3 is shown in FIGS. 13B and 14B, and of the display device of Example 3 similar to that along the arrow CC of FIG. 13C and 14C are conceptual cross-sectional views, and a conceptual cross-sectional view of the display device of the third embodiment similar to that taken along the arrow DD of FIG. 5A. 13D and FIG. 14D, and FIG. 13D is a conceptual cross-sectional view of a display device of Example 3 similar to that taken along arrow EE of FIG. 5A. E) and (E) of FIG. 14, and the layout of the light emitting regions in the display device of Example 3 is schematically shown in FIG.
  • the light emitting element group includes one first light emitting element 10R, one second light emitting element 10G, and one third light emitting element 10B,
  • the first light emitting element 10R is arranged adjacent to the second light emitting element 10G and the third light emitting element 10B
  • the second light emitting element 10G is arranged adjacent to the first light emitting element 10R and the third light emitting element 10B.
  • the light emitting element group occupies a rectangular area, for example.
  • the light emitting regions 11R of the color filter layers 51R, 51G, and 51B in the adjacent light emitting elements are similar to the first embodiment. , 11G, 11B, and the shortest line segment (indicated by a dotted line in FIG. 13B) connecting the boundary line of the bottom surface and the end of the light emitting region 11R, 11G, 11B to the base body 26 (or the first line).
  • the angle ( ⁇ ) formed with the normal line of the substrate 41 and the second substrate 42) is the same in each light emitting element 10R, 10G, 10B.
  • the boundary line of the bottom surface facing the light emitting regions 11R, 11G, 11B of the color filter layers 51R, 51G, 51B is fixed to the base 26 (or the first substrate 41 or the second substrate 42).
  • the distance (L) from the projected image to the orthographic image with respect to the base body 26 (or the first substrate 41 or the second substrate 42) at the end of the light emitting regions 11R, 11G, 11B is set to the respective light emitting elements 10R, 10G, The same is true for 10B.
  • FIGS. 13B, 13C, and 13E these orthogonal projection images are shown by a chain line.
  • the cross-sectional shapes of the green color filter layer 51G, the red color filter layer 51R, and the blue color filter layer 51B are the cross-sectional shapes shown in FIGS. 17D, 17E, and 17G. (See also (B) and (C) of FIG. 13 and (B) of FIG. 14).
  • Example 3 The discussion regarding color mixing and color misregistration in each light emitting element in Example 3 is basically the same as the discussion regarding color mixing and color misregistration in each light emitting element of Example 2, and thus detailed description thereof is omitted. Further, except for the above points, the configuration and structure of the display device according to the third embodiment can be the same as the configuration and structure of the display device described in the second embodiment, so detailed description will be omitted.
  • Example 4 is also a modification of Example 1.
  • the layout of the color filter layers in the display device of Example 4 is schematically shown in FIG. 16(A), and a conceptual cross-section of the display device of Example 4 along the arrow BB in FIG. 16(A). The figure is shown in FIG.
  • the areas (S top-R , S top-G , S top-B ) of the orthogonal projection images of the base region 26 (or, alternatively, the first substrate 41 and the second substrate 42) in the surface region are the first light emitting element 10R, The second light emitting element 10G and the third light emitting element 10B are different.
  • the areas (S EL-R , S EL-G , S EL-B ) of the light emitting regions 11R, 11G and 11B are the same.
  • the light emitting regions 11R, 11G of the color filter layers 51R, 51G, 51B As shown in FIG. 16B, also in the fourth embodiment, as in the first embodiment, in the adjacent light emitting elements 10R, 10G, and 10B, the light emitting regions 11R, 11G of the color filter layers 51R, 51G, 51B,
  • the angle ( ⁇ ) formed with the normal line of the second substrate 42) is the same in each of the light emitting elements 10R, 10G, 10B.
  • the boundary line of the bottom surface facing the light emitting regions 11R, 11G, 11B of the color filter layers 51R, 51G, 51B is fixed to the base 26 (or the first substrate 41 or the second substrate 42).
  • the distance (L) from the projected image to the orthographic image with respect to the base body 26 (or the first substrate 41 or the second substrate 42) at the end of the light emitting regions 11R, 11G, 11B is set to the respective light emitting elements 10R, 10G, The same is true for 10B.
  • these orthogonal projection images are shown by a chain line.
  • these centers do not overlap.
  • Example 4 Since the discussion about color mixing and color shift in each light emitting element in Example 4 is basically the same as the discussion about color mixing and color shift in each light emitting element of Example 1, detailed description thereof will be omitted. Further, except for the above points, the configuration and structure of the display device according to the fourth embodiment can be the same as the configuration and structure of the display device described in the first embodiment, and thus detailed description will be omitted. Needless to say, the configuration and structure of the display device according to the fourth embodiment can be applied to the display device described in the second and third embodiments.
  • the present disclosure has been described above based on the preferred embodiments, the present disclosure is not limited to these embodiments.
  • the configurations and structural configurations of the display device (organic EL display device) and the light emitting element (organic EL element) described in the examples are examples, and can be changed as appropriate, and the manufacturing method of the display device is also an example. , Can be changed as appropriate.
  • one pixel is composed of three sub-pixels exclusively from the combination of the white light-emitting element and the color filter layer, but for example, one pixel is formed from four sub-pixels including a light-emitting element that emits white light. May be configured.
  • the three light emitting elements other than the light emitting element that emits white light may satisfy the requirements of the display device according to the first aspect to the second aspect of the present disclosure.
  • the first light emitting region 11R may emit red light
  • the second light emitting region 11G may emit green light
  • the third light emitting region 11B may emit blue light. That is, the light emitting element is a light emitting element in which the organic layer produces red, a light emitting element in which the organic layer produces green, and a light emitting element in which the organic layer produces blue, and these three types of light emitting elements (sub-pixels) are combined. Therefore, one pixel may be configured. Even in the display device having such a configuration, since the color filter layer is provided for the purpose of improving color purity, color mixing and color misregistration may occur.
  • FIG. 19 schematically showing the arrangement of a modified example of the light emitting regions 11R, 11G, 11B in the display device of the second embodiment
  • the two light emitting regions 11R and 11G have two corners in a plane shape. It can also be a notched shape.
  • FIG. 19 is a diagram only for showing the cutout portions in the first light emitting region 11R, the second light emitting region 11G, and the third light emitting region 11B, and ignores the relationship of the size of the light emitting regions. Illustrated.
  • the color filter layers 51R, 51G, and 51B may be formed on the surface side of the second substrate 42 that faces the first substrate 41.
  • the vertical arrangement of the color filter layers 51R, 51G, 51B is opposite to the vertical arrangement of the color filter layers 51R, 51G, 51B described in each embodiment.
  • the blue color filter layer 51B when viewed from the first substrate side, has an inverse taper and the green color filter layer 51G has a forward taper. Even in such a case, the display device needs to satisfy the requirements for the display device according to the first aspect and the second aspect of the present disclosure. The same applies to display devices in other examples.
  • a structure (transparent resin layer) made of a transparent resin may be provided in the bottom area including the bottom surface of the color filter layer in the boundary area between the adjacent color filter layers 51R, 51G, 51B.
  • the boundary line of the bottom face of the color filter layers 51R, 51G, 51B facing the light emitting regions 11R, 11G, 11B is located on the structure.
  • the light emitting element drive unit is composed of the MOSFET, but it may be composed of the TFT.
  • the first electrode and the second electrode may have a single-layer structure or a multi-layer structure.
  • a light-shielding layer is provided between a light-emitting element and a light-emitting element in order to prevent light emitted from the light-emitting element from entering the light-emitting element adjacent to the light-emitting element and causing optical crosstalk.
  • a groove may be formed between the light emitting element and the light emitting element, and the light shielding layer may be formed by filling the groove with a light shielding material.
  • the light-shielding material forming the light-shielding layer specifically, light such as titanium (Ti), chromium (Cr), tungsten (W), tantalum (Ta), aluminum (Al), or MoSi 2 can be shielded. Materials can be mentioned.
  • the light-shielding layer can be formed by an electron beam evaporation method, a hot filament evaporation method, an evaporation method including a vacuum evaporation method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, or the like.
  • the display device of the present disclosure can be applied to a lens interchangeable single-lens reflex type digital still camera.
  • a front view of the digital still camera is shown in FIG. 20A, and a rear view thereof is shown in FIG. 20B.
  • This interchangeable-lens single-lens reflex type digital still camera has, for example, an interchangeable taking lens unit (interchangeable lens) 212 on the front right side of a camera body (camera body) 211, and a photographer holds it on the front left side. It has a grip part 213 for doing.
  • a monitor 214 is provided in the rear surface of the camera body 211 substantially in the center.
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 215 is provided above the monitor 214.
  • the photographer can visually recognize the image of the subject guided from the photographing lens unit 212 and determine the composition.
  • the display device of the present disclosure can be used as the electronic viewfinder 215.
  • the display device of the present disclosure can be applied to a head mounted display.
  • the head mounted display 300 is composed of a transmissive head mounted display having a main body 301, an arm 302 and a lens barrel 303.
  • the body portion 301 is connected to the arm portion 302 and the eyeglasses 310.
  • the long-side end of the main body 301 is attached to the arm 302.
  • one side of the side surface of the main body 301 is connected to the eyeglasses 310 via a connecting member (not shown).
  • the main body 301 may be directly attached to the head of the human body.
  • the main body section 301 has a built-in control board and a display section for controlling the operation of the head mounted display 300.
  • the arm portion 302 supports the lens barrel 303 with respect to the body portion 301 by connecting the body portion 301 and the lens barrel 303. Specifically, the arm portion 302 fixes the lens barrel 303 to the body portion 301 by being coupled to the end portion of the body portion 301 and the end portion of the lens barrel 303. Further, the arm unit 302 has a built-in signal line for communicating data related to an image provided from the main unit 301 to the lens barrel 303.
  • the lens barrel 303 projects the image light provided from the main body 301 via the arm 302 through the lens 311 of the glasses 310 toward the eyes of the user wearing the head mounted display 300.
  • the display device of the present disclosure can be used as the display unit built in the main body unit 301.
  • the light reflection layer 37 may be formed below the first electrode 31 (on the side of the first substrate 41). That is, when the light reflecting layer 37 is provided on the base 26 and the first electrode 31 is provided on the interlayer insulating layer 38 that covers the light reflecting layer 37, the first electrode 31, the light reflecting layer 37, and the interlayer insulating layer 38 are provided. It may be composed of the above-mentioned materials.
  • the light reflection layer 37 may or may not be connected to the contact hole (contact plug) 27.
  • the first electrode and the second electrode have the same thickness in each light emitting portion.
  • the first electrode has a different thickness in each light emitting portion, and the second electrode has the same thickness in each light emitting portion.
  • the first electrode may have a different thickness or the same thickness in each light emitting portion, and the second electrode may have the same thickness in each light emitting portion.
  • the light emitting portions forming the first light emitting element 10 1 , the second light emitting element 10 2 and the third light emitting element 10 3 are represented by reference numerals 30 1 , 30 2 and 30 3
  • the first electrode is
  • the reference numerals 31 1 , 31 2 , 31 3 represent the second electrodes
  • the reference numerals 32 1 , 32 2 , 32 3 represent the second electrodes
  • the organic layers are represented by the reference numerals 33 1 , 33 2 , 33 3
  • the light reflecting layers are expressed by reference numeral 37 1, 37 2, 37 3, reference number 38 1 of the interlayer insulating layer, 38 2, 38 3, 38 1 ', 38 2', expressed in 38 3 '.
  • the materials used are examples and can be changed as appropriate.
  • the cavity lengths of the first light emitting element 10 1 , the second light emitting element 10 2 and the third light emitting element 10 3 which are derived from the equations (1-1) and (1-2) are set to the first light emitting element.
  • the element 10 1 , the second light emitting element 10 2 , and the third light emitting element 10 3 are shortened in this order, but the present invention is not limited to this, and the values of m 1 and m 2 are appropriately set to obtain the optimum resonance. You can decide the captain.
  • FIG. 24A shows a conceptual diagram of a light emitting element having a first example of a resonator structure
  • FIG. 24B shows a conceptual diagram of a light emitting element having a second example of a resonator structure, and light emission having a third example of a resonator structure
  • FIG. 25A shows a conceptual diagram of the element
  • FIG. 25B shows a conceptual diagram of a light emitting element having the fourth example of the resonator structure.
  • the interlayer insulating layers 38 and 38′ are formed below the first electrode 31 of the light emitting unit 30, and below the interlayer insulating layers 38 and 38′.
  • the light reflection layer 37 is formed.
  • the thicknesses of the interlayer insulating layers 38 and 38' are different in the light emitting parts 30 1 , 30 2 and 30 3 . Then, by appropriately setting the thicknesses of the interlayer insulating layers 38 1 , 38 2 , 38 3 , 38 1 ′, 38 2 ′, 38 3 ′, optimum resonance is generated with respect to the emission wavelength of the light emitting unit 30.
  • the optical distance can be set.
  • the first interface (shown by the dotted line in the drawing) is at the same level, while the second interface (shown by the one-dot chain line in the drawing). Level differs in the light emitting sections 30 1 , 30 2 , and 30 3 . Further, in the second example, in the light emitting units 30 1 , 30 2 , and 30 3 , the first interface has different levels, while the second interface has the same level in the light emitting units 30 1 , 30 2 , and 30 3 . is there.
  • the interlayer insulating layers 38 1 ′, 38 2 ′, and 38 3 ′ are composed of an oxide film in which the surface of the light reflecting layer 37 is oxidized.
  • the interlayer insulating layer 38 ′ made of an oxide film is made of, for example, aluminum oxide, tantalum oxide, titanium oxide, magnesium oxide, zirconium oxide, etc., depending on the material forming the light reflection layer 37. ..
  • the surface of the light reflection layer 37 can be oxidized by, for example, the following method. That is, the first substrate 41 having the light reflection layer 37 formed thereon is immersed in the electrolytic solution filled in the container. Further, the cathode is arranged so as to face the light reflection layer 37.
  • the light reflecting layer 37 is anodized using the light reflecting layer 37 as an anode.
  • the thickness of the oxide film formed by anodic oxidation is proportional to the potential difference between the light reflection layer 37 serving as the anode and the cathode. Therefore, anodic oxidation is performed in a state in which a voltage according to the light emitting portions 30 1 , 30 2 , and 30 3 is applied to each of the light reflection layers 37 1 , 37 2 , and 37 3 .
  • the interlayer insulating layers 38 1 ′, 38 2 ′, and 38 3 ′ made of oxide films having different thicknesses can be collectively formed on the surface of the light reflection layer 37.
  • the thickness of the light reflecting layers 37 1 , 37 2 , 37 3 and the thickness of the interlayer insulating layers 38 1 ′, 38 2 ′, 38 3 ′ differ depending on the light emitting portions 30 1 , 30 2 , 30 3 .
  • the base film 39 is provided below the light reflection layer 37, and the base film 39 has different thicknesses in the light emitting units 30 1 , 30 2 , and 30 3 . That is, in the illustrated example, the base film 39 is thicker in the order of the light emitting section 30 1 , the light emitting section 30 2 , and the light emitting section 30 3 .
  • the thicknesses of the light reflection layers 37 1 , 37 2 , 37 3 at the time of film formation are different in the light emitting portions 30 1 , 30 2 , 30 3 .
  • the second interface is at the same level, while the level of the first interface is in the light emitting parts 30 1 , 30 2 , and 30 3 . different.
  • the thicknesses of the first electrodes 31 1 , 31 2 , 31 3 are different in the light emitting sections 30 1 , 30 2 , 30 3 .
  • the light reflection layer 37 has the same thickness in each light emitting unit 30.
  • the level of the first interface is the same in the light emitting sections 30 1 , 30 2 , and 30 3 , while the level of the second interface is different in the light emitting sections 30 1 , 30 2 , and 30 3 .
  • the base film 39 is provided below the light reflection layer 37, and the base film 39 has different thicknesses in the light emitting units 30 1 , 30 2 , and 30 3 . That is, in the illustrated example, the base film 39 is thicker in the order of the light emitting section 30 1 , the light emitting section 30 2 , and the light emitting section 30 3 .
  • the second interface in the light emitting sections 30 1 , 30 2 , and 30 3 , the second interface has the same level, while the level of the first interface differs in the light emitting sections 30 1 , 30 2 , and 30 3 .
  • the first electrodes 31 1 , 31 2 , 31 3 also serve as light reflecting layers, and the optical constants (specifically, the phase constants) of the materials forming the first electrodes 31 1 , 31 2 , 31 3 are used.
  • the amount of shift) differs depending on the light emitting units 30 1 , 30 2 , and 30 3 .
  • the first electrode 31 1 of the light emitting portion 30 1 composed of copper (Cu)
  • the first electrode 31 3 of the first electrode 31 2 and the light emitting portion 30 3 of the light emitting portion 30 2 of aluminum (Al) Good are examples of the first electrode 31 1 of the light emitting portion 30 1 composed of copper (Cu), by forming the first electrode 31 3 of the first electrode 31 2 and the light emitting portion 30 3 of the light emitting portion 30 2 of aluminum (Al) Good.
  • the first electrodes 31 1 and 31 2 also serve as the light reflecting layer, and the optical constant (specifically, the amount of phase shift) of the material forming the first electrodes 31 1 and 31 2 is , Light emitting units 30 1 and 30 2 .
  • the first electrode 31 1 of the light emitting portion 30 1 composed of copper (Cu)
  • the seventh example is applied to the light emitting units 30 1 and 30 2 and the first example is applied to the light emitting unit 30 3 .
  • the thicknesses of the first electrodes 31 1 , 31 2 , 31 3 may be different or the same.
  • ⁇ Display device first aspect>> A first light emitting element having a first light emitting region and a first color filter layer disposed above the first light emitting region; A second light emitting region, a second light emitting element including a second color filter layer disposed above the second light emitting region, and A first light emitting device including a third light emitting region and a third color filter layer disposed above the third light emitting region, A plurality of light emitting element groups each of which is arranged on a substrate, In adjacent light emitting elements, the angle formed by the shortest line segment connecting the boundary line of the bottom surface facing the light emitting area of the color filter layer and the end of the light emitting area to the normal line of the substrate is the same in each light emitting element.
  • ⁇ Display device second mode>> A first light emitting element having a first light emitting region and a first color filter layer disposed above the first light emitting region; A second light emitting region, a second light emitting element including a second color filter layer disposed above the second light emitting region, and A first light emitting device including a third light emitting region and a third color filter layer disposed above the third light emitting region, A plurality of light emitting element groups each of which is arranged on a substrate, In adjacent light emitting elements, the distance from the orthogonal projection image of the boundary line of the bottom surface facing the light emitting area of the color filter layer to the substrate to the orthogonal projection image of the end portion of the light emitting area to the substrate is the same in each light emitting element.
  • the area of the orthogonal projection image of the top surface region of the color filter layers, which is surrounded by the boundary between the color filter layer top surface and the color filter layer top surface, on the base is the first light emitting element, the second light emitting element, and the second light emitting element.
  • [A05] The area of the orthogonal projection image of the top surface region of the color filter layers, which is surrounded by the boundary between the color filter layer top surface and the color filter layer top surface, on the base is the first light emitting element, the second light emitting element, and the second light emitting element.
  • [A06] The display device according to [A05], wherein the first light emitting element, the second light emitting element, and the third light emitting element have the same light emitting area.
  • [A07] The display device according to any one of [A01] to [A06], in which the first light emitting region, the second light emitting region, and the third light emitting region emit white light.
  • the first light emitting region emits red light
  • the second light emitting region emits green light
  • the third light emitting region emits blue light.
  • Display device [A09] The first light emitting elements forming the plurality of light emitting element groups are arranged along the first direction
  • the second light emitting elements forming the plurality of light emitting element groups are arranged along the first direction
  • the display device according to any one of [A01] to [A08], in which the third light emitting elements forming the plurality of light emitting element groups are arranged along the first direction.
  • the light emitting element group is composed of four light emitting elements arranged in a 2 ⁇ 2 array.
  • the first light emitting element is disposed adjacent to the two third light emitting elements
  • the second light emitting element is arranged adjacent to the two third light emitting elements
  • the display device according to any one of [A01] to [A08], in which each of the two third light emitting elements is arranged adjacent to the first light emitting element and the second light emitting element.
  • the light emitting element group includes one first light emitting element, one second light emitting element, and one third light emitting element, The first light emitting element is arranged adjacent to the second light emitting element and the third light emitting element
  • the second light emitting element is the display device according to any one of [A01] to [A08], which is arranged adjacent to the first light emitting element and the third light emitting element.

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Abstract

表示装置は、第1発光領域11R及び第1カラーフィルタ層51Rを備えた第1発光素子10、第2発光領域11G及び第2カラーフィルタ層51Gを備えた第2発光素子10G、並びに、第3発光領域11B及び第3カラーフィルタ層51Bを備えた第1発光素子10Gから構成された発光素子群が、複数、基体26上に配列されて成り、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層51の発光領域11と対向する底面の境界線と発光領域11の端部とを結ぶ最短の線分が基体26の法線と成す角度(θ)は、各発光素子において同じであり、あるいは又、カラーフィルタ層51の底面の境界線の基体26に対する正射影像から、発光領域11の端部の基体26に対する正射影像までの距離(L)は、各発光素子において同じである。

Description

表示装置
 本開示は、複数の発光素子を備えた表示装置に関する。
 近年、発光素子として有機電界発光(EL:Electroluminescence)素子を用いた表示装置(有機ELディスプレイ)の開発が進んでいる。この表示装置では、例えば、画素毎に分離して形成された第1電極(下部電極、例えば、アノード電極)の上に、少なくとも発光層を含む有機層、及び、第2電極(上部電極、例えば、カソード電極)が形成される。そして、例えば、白色光あるいは赤色光を発光する有機層と赤色カラーフィルタ層とが組み合わされた赤色発光素子、白色光あるいは緑色光を発光する有機層と緑色カラーフィルタ層とが組み合わされた緑色発光素子、白色光あるいは青色光を発光する有機層と青色カラーフィルタ層とが組み合わされた青色発光素子のそれぞれが、副画素として設けられ、これらの副画素から1画素が構成される。第2電極(上部電極)を介して、発光層からの光が外部に出射される。
 このような表示装置においては、色ズレや混色が、屡々、問題となる。そして、このような問題を解決する表示装置が、例えば、特開2013-152853公報から周知である。この特許公開公報に開示された表示装置にあっては、発光素子を構成する各種の層の厚さ、各種の層を構成する材料の屈折率、カラーフィルタ層の幅及び厚さ等が規定されている。
特開2013-152853公報
 ところで、実際の発光素子の製造工程において、カラーフィルタ層の側面は、通常、順テーパー状態あるいは逆テーパー状態となる。然るに、上記の特許公開公報にあっては、このようなカラーフィルタ層の側面の傾斜は考慮されていない。しかも、カラーフィルタ層の側面の傾斜角度(テーパー角度)は、通常、発光素子毎に異なっているので、これらを考慮しない限り、視野角特性の向上は見込めない。特に、画素ピッチが非常に小さい場合、カラーフィルタ層のアスペクト比が大きくなり、側面のテーパー状態の影響が大きい。
 従って、本開示の目的は、色ズレや混色が発生し難い構成、構造を有する発光素子の複数を備えた表示装置を提供することにある。
 上記の目的を達成するための本開示の第1の態様あるいは第2の態様に係る表示装置は、
 第1発光領域、及び、第1発光領域の上方に配設された第1カラーフィルタ層を備えた第1発光素子、
 第2発光領域、及び、第2発光領域の上方に配設された第2カラーフィルタ層を備えた第2発光素子、並びに、
 第3発光領域、及び、第3発光領域の上方に配設された第3カラーフィルタ層を備えた第1発光素子、
から構成された発光素子群が、複数、基体上に配列されて成る。
 そして、本開示の第1の態様の表示装置にあっては、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層の発光領域と対向する底面の境界線と発光領域の端部とを結ぶ最短の線分が基体の法線と成す角度(θ)は、各発光素子において同じである。また、本開示の第2の態様の表示装置にあっては、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層の発光領域と対向する底面の境界線の基体に対する正射影像から、発光領域の端部の基体に対する正射影像までの距離(L)は、各発光素子において同じである。
図1は、実施例1の表示装置におけるカラーフィルタ層の配置を模式的に示す図、及び、実施例1の表示装置の概念的な断面図である。 図2は、実施例1の表示装置におけるカラーフィルタ層の配置を模式的に示す図、及び、実施例1の表示装置の概念的な断面図である。 図3は、実施例1の表示装置における発光領域の配置を模式的に示す図である。 図4は、実施例1の表示装置において混色が発生し難いことを説明するための、実施例1の表示装置の概念的な断面図である。 図5は、実施例2の表示装置におけるカラーフィルタ層の配置を模式的に示す図、及び、実施例2の表示装置の概念的な各種断面図である。 図6は、実施例2の表示装置におけるカラーフィルタ層の配置を模式的に示す図、及び、実施例2の表示装置の概念的な各種断面図である。 図7は、実施例2の表示装置における発光領域の配置を模式的に示す図である。 図8は、実施例2の表示装置において混色が発生し難いことを説明するための、実施例2の表示装置の概念的な各種断面図である。 図9は、実施例2の表示装置において混色が発生し難いことを説明するための、実施例2の表示装置の概念的な各種断面図である。 図10は、実施例2の表示装置において混色が発生し難いことを説明するための、実施例2の表示装置の概念的な各種断面図である。 図11は、実施例2の表示装置において混色が発生し難いことを説明するための、実施例2の表示装置の概念的な各種断面図である。 図12A、図12B及び図12Cは、実施例2及び従来の表示装置において混色が発生するメカニズムを説明する図である。 図13は、実施例3の表示装置におけるカラーフィルタ層の配置を模式的に示す図、及び、実施例3の表示装置の概念的な各種断面図である。 図14は、実施例3の表示装置におけるカラーフィルタ層の配置を模式的に示す図、及び、実施例3の表示装置の概念的な各種断面図である。 図15は、実施例3の表示装置における発光領域の配置を模式的に示す図である。 図16は、実施例4の表示装置におけるカラーフィルタ層の配置を模式的に示す図、及び、実施例3の表示装置の概念的な各種断面図である。 図17A、図17B、図17C、図17D、図17E、図17F及び図17Gは、各種カラーフィルタ層の模式的な一部断面図である。 図18は、実施例1の表示装置の模式的な一部断面図である。 図19は、実施例2の表示装置における発光領域の変形例の配置を模式的に示す図である。 図20A及び図20Bは、本開示の表示装置をレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラに適用した例を示し、デジタルスチルカメラの正面図を図20Aに、背面図を図20Bに示す。 図21は、本開示の表示装置をヘッドマウントディスプレイに適用した例を示すヘッドマウントディスプレイの外観図である。 図22は、従来の表示装置におけるカラーフィルタ層の配置を模式的に示す図、及び、従来の表示装置の概念的な各種断面図である。 図23は、従来の表示装置において混色が発生することを説明するための、従来の表示装置の概念的な各種断面図である。 図24A及び図24Bは、共振器構造を有する第1例及び第2例の発光素子の概念図である。 図25A及び図25Bは、共振器構造を有する第3例及び第4例の発光素子の概念図である。 図26A及び図26Bは、共振器構造を有する第5例及び第6例の発光素子の概念図である。 図27Aは、共振器構造を有する第7例の発光素子の概念図であり、図27B及び図27Cは、共振器構造を有する第8例の発光素子の概念図である。
 以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
1.本開示の第1の態様~第2の態様に係る表示装置、全般に関する説明
2.実施例1(本開示の第1の態様~第2の態様に係る表示装置)
3.実施例2(実施例1の変形)
4.実施例3(実施例1の別の変形)
5.実施例4(実施例1の更に別の変形)
6.その他
〈本開示の第1の態様~第2の態様に係る表示装置、全般に関する説明〉
 本開示の第1の態様~第2の態様に係る表示装置において、カラーフィルタ層頂面(光出射面)とカラーフィルタ層頂面(光出射面)との境界線で囲まれたカラーフィルタ層の頂面領域の基体(あるいは後述する第1基板あるいは第2基板)に対する正射影像の面積(Stop)は、第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において同じである形態とすることができる。そして、この場合、第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において、発光領域の面積(SEL)は異なる形態とすることができる。
 あるいは又、本開示の第1の態様~第2の態様に係る表示装置において、カラーフィルタ層頂面(光出射面)とカラーフィルタ層頂面(光出射面)との境界線で囲まれたカラーフィルタ層の頂面領域の基体(あるいは後述する第1基板あるいは第2基板)に対する正射影像の面積(Stop)は、第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において異なる形態とすることができる。そして、この場合、第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において、発光領域の面積(SEL)は同じである形態とすることができる。
 以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第1の態様~第2の態様に係る表示装置において、第1発光領域、第2発光領域及び第3発光領域は白色光を発光する構成とすることができるし、あるいは又、第1発光領域は赤色光を発光し、第2発光領域は緑色光を発光し、第3発光領域は青色光を発光する構成とすることができるが、これに限定するものではなく、白色光を発光する第4発光素子、赤色光、緑色光、青色光以外の色の光を発光する第4発光素子を加えることもできる。
 第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子の配列、配置状態として、以下を例示することができる。即ち、
 複数の発光素子群を構成する第1発光素子は第1の方向に沿って配列されており、
 複数の発光素子群を構成する第2発光素子は第1の方向に沿って配列されており、
 複数の発光素子群を構成する第3発光素子は第1の方向に沿って配列されている形態(所謂ストライプ配列)とすることができる。あるいは又、
 発光素子群は、2×2に配列された4つの発光素子から構成されており、
 第1発光素子は、2つの第3発光素子に隣接して配置されており、
 第2発光素子は、2つの第3発光素子に隣接して配置されており、
 2つの第3発光素子のそれぞれは、第1発光素子及び第2発光素子に隣接して配置されている形態(所謂ダイアゴナル配列)とすることができる。この場合、発光素子群は、例えば、矩形の領域を占める。あるいは又、
 発光素子群は、1つの第1発光素子、1つの第2発光素子、及び、1つの第3発光素子から構成されており、
 第1発光素子は、第2発光素子及び第3発光素子に隣接して配置されており、
 第2発光素子は、第1発光素子及び第3発光素子に隣接して配置されている形態とすることができる。尚、この場合、発光素子群は、例えば、矩形の領域を占める。あるいは又、第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子の配列として、ストライプ配列、デルタ配列、レクタングル配列、ペンタイル配列を挙げることができる。
 本開示の第1の態様の表示装置にあっては、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層の発光領域と対向する底面の境界線と発光領域の端部とを結ぶ最短の線分が基体(あるいは後述する第1基板あるいは第2基板)の法線と成す角度(θ)は、各発光素子において同じである。また、本開示の第2の態様の表示装置にあっては、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層の発光領域と対向する底面の境界線の基体(あるいは後述する第1基板あるいは第2基板)に対する正射影像から、発光領域の端部の基体(あるいは後述する第1基板あるいは第2基板)に対する正射影像までの距離(L)は、各発光素子において同じである。ここで、「同じ」であるとは、例えば、表示装置を第1象限、第2象限、第3象限及び第1象限の4つの領域に分割し、各象限の中央部及び原点を含む5つの領域において、1又は複数の発光素子群を適宜選択し、選択された発光素子群において、各発光素子における角度(θ)あるいは距離(L)を求め、更には、角度(θ)あるいは距離(L)の平均値θave,Lave、標準偏差σangle,σdistanceを求める。そして、
σangle/θave  ≦0.015
σdistance/Lave≦0.2
であるとき、「同じ」であるとし、
σangle/θave  >0.015
σdistance/Lave>0.2
であるとき、「異なる」とする。但し、これらの規定は例示である。例えば、θave=76度、σangle=1.125度のとき、θaveの値が設計値から±5度あるいはそれ以上変化したときには「異なる」とする。或るカラーフィルタ層の端部領域の上に、隣接するカラーフィルタ層の端部領域が重なっている場合、或るカラーフィルタ層の端部を底面の境界線とする。
 以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第1の態様~第2の態様に係る表示装置(以下、これらを総称して、『本開示の表示装置等』と呼ぶ)にあっては、隣接するカラーフィルタ層の境界領域において、カラーフィルタ層底面を含む底部に、透明な樹脂から成る構造物(透明樹脂層から成り、例えば、特開2014-089804号公報参照)を設けてもよい。カラーフィルタ層は、所望の顔料や染料から成る着色剤を添加した樹脂(例えば、光硬化型の樹脂)によって構成されており、顔料や染料を選択することにより、目的とする赤色、緑色、青色等の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。このようなカラーフィルタ層は、周知のカラーレジスト材料から構成すればよい。白色光を出射する発光素子にあっては透明なフィルタを配設すればよい。
 本開示の表示装置等は、第2基板から光を出射するトップエミッション方式(上面発光方式)の表示装置(上面発光型表示装置)である。上面発光型表示装置にあっては、第1基板の上方に、例えば、カラーフィルタ層を形成すればよいが、カラーフィルタ層は、第1基板側に設けられていてもよいし(OCCF構造、オンチップカラーフィルタ層構造)、第2基板側に設けられていてもよい。本開示の表示装置等は、別の表現をすれば、第1基板、第2基板、及び、第1基板と第2基板とによって挟まれた画像表示部を備えており、画像表示部には、以上に説明した好ましい形態、構成を含む発光素子が、複数、2次元マトリクス状に配列されている。ここで、第1基板側に発光素子が形成されている。
 本開示の表示装置等における発光素子は、具体的には、第1電極、第1電極上に形成された有機層、有機層上に形成された第2電極、第2電極上に形成された保護層(平坦化層)、及び、保護層上に形成されたカラーフィルタ層から構成されている。そして、有機層からの光が第2電極、保護層及びカラーフィルタ層を介して外部に出射される。第1電極は、各発光素子毎に設けられている。有機層は、各発光素子毎に設けられており、あるいは又、発光素子に共通して設けられている。第2電極は、発光素子に共通して設けられている。即ち、第2電極は、所謂ベタ電極である。基体の下方には第1基板が配置されており、カラーフィルタ層頂面の上あるいは上方に第2基板が配置されている。発光領域は基体上に設けられている。
 本開示の表示装置等において、第1電極は有機層の一部と接している構成とすることができるし、あるいは又、第1電極の一部は有機層と接している構成とすることができる。これらの場合、具体的には、第1電極の大きさは有機層よりも小さい構成とすることができるし、あるいは又、第1電極の大きさは有機層と同じ大きさである構成とすることができるし、あるいは又、第1電極の大きさは有機層より大きい構成とすることもできるし、第1電極の縁部と有機層との間に絶縁層が形成されている構成とすることもできる。第1電極と有機層とが接する領域が、発光領域である。
 第1発光領域、第2発光領域及び第3発光領域が白色光を発光する構成とする場合、有機層は白色光を出射するが、この場合、有機層は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の積層構造を有する形態とすることができる。あるいは又、有機層は、青色光を発光する青色発光層、及び、黄色を発光する黄色発光層の2層が積層された構造とすることができ、全体として白色光を発光する。あるいは又、青色光を発光する青色発光層、及び、橙色を発光する橙色発光層の2層が積層された構造とすることができ、全体として白色光を発光する。
 本開示の表示装置等において、有機層は、上述したとおり、異なる色を発光する少なくとも2層の発光層から構成されている形態とすることができ、この場合、有機層から出射される光は白色光である形態とすることができる。具体的には、有機層は、赤色光(波長:620nm乃至750nm)を発光する赤色発光層、緑色光(波長:495nm乃至570nm)を発光する緑色発光層、及び、青色光(波長:450nm乃至495nm)を発光する青色発光層の3層が積層された構造とすることができ、全体として白色光を発光する。あるいは又、青色光を発光する青色発光層、及び、黄色を発光する黄色発光層の2層が積層された構造とすることができ、全体として白色光を発光する。あるいは又、青色光を発光する青色発光層、及び、橙色を発光する橙色発光層の2層が積層された構造とすることができ、全体として白色光を発光する。そして、このような白色光を発光する有機層と赤色カラーフィルタ層とを組み合わせることで赤色発光素子が構成され、白色光を発光する有機層と緑色カラーフィルタ層とを組み合わせることで緑色発光素子が構成され、白色光を発光する有機層と青色カラーフィルタ層とを組み合わせることで青色発光素子が構成される。赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子といった副画素の組合せによって1画素が構成される。場合によっては、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子及び白色光を出射する発光素子(あるいは補色光を出射する発光素子)によって1画素を構成してもよい。異なる色を発光する少なくとも2層の発光層から構成されている形態にあっては、実際には、異なる色を発光する発光層が混合し、明確に各層に分離されていない場合がある。
 あるいは又、有機層は、1層の発光層から構成されている形態とすることができる。この場合、発光素子を、例えば、赤色発光層を含む有機層を有する赤色発光素子、緑色発光層を含む有機層を有する緑色発光素子、あるいは、青色発光層を含む有機層を有する青色発光素子から構成することができる。そして、これらの3種類の発光素子(副画素)から1画素が構成される。
 保護層(平坦化層)を構成する材料として、アクリル系樹脂、SiN、SiON、SiC、アモルファスシリコン(α-Si)、Al23、TiO2を例示することができる。保護層の形成方法として、各種CVD法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種PVD法、スクリーン印刷法といった各種印刷法等の公知の方法に基づき形成することができる。また、保護層の形成方法として、更には、ALD(Atomic Layer Deposition)法を採用することもできる。保護層は、複数の発光素子において共通化されていてもよいし、各発光素子において個別に設けられていてもよい。保護層と第2基板とは、例えば、樹脂層(封止樹脂層)を介して接合される。樹脂層(封止樹脂層)を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。
 表示装置の光を出射する最外面(具体的には、第2基板の外面)には、紫外線吸収層、汚染防止層、ハードコート層、帯電防止層を形成してもよいし、保護部材(例えば、カバーガラス)を配してもよい。
 更には、本開示の表示装置等において、光出射側にオンチップマイクロレンズが設けられている構成とすることができる。オンチップマイクロレンズを設けることで、有機層からの光を所望の状態に発散させることができる結果、視野角特性の制御を行うことができる。オンチップマイクロレンズは、例えば、アクリル系樹脂等の周知の透明樹脂材料から構成することができ、透明樹脂材料を、メルトフローさせることで得ることができるし、あるいは又、エッチバックすることで得ることができるし、グレートーンマスクを用いたフォトリソグラフィ技術とエッチング法の組合せで得ることができるし、ナノプリント法に基づき透明樹脂材料をレンズ形状に形成するといった方法によって得ることもできる。
 本開示の表示装置等において、基体は第1基板の上あるいは上方に形成されている。基体を構成する材料として、絶縁材料、例えば、SiO2、SiN、SiONを例示することができる。あるいは又、基体の上や上方に形成される絶縁層等とエッチング選択比のある絶縁材料から基体を構成すればよい。基体は、基体を構成する材料に適した形成方法、具体的には、例えば、各種CVD法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種PVD法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、メッキ法、電着法、浸漬法、ゾル-ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。
 基体の下あるいは下方には、限定するものではないが、発光素子駆動部が設けられている。発光素子駆動部は、例えば、第1基板を構成するシリコン半導体基板に形成されたトランジスタ(具体的には、例えば、MOSFET)や、第1基板を構成する各種基板に設けられた薄膜トランジスタ(TFT)から構成されている。発光素子駆動部を構成するトランジスタやTFTと第1電極とは、基体に形成されたコンタクトホール(コンタクトプラグ)を介して接続されている形態とすることができる。発光素子駆動部は、周知の回路構成とすることができる。第2電極は、表示装置の外周部において、基体に形成されたコンタクトホール(コンタクトプラグ)を介して発光素子駆動部と接続される。第1基板側に発光素子が形成されている。第2電極は、前述したとおり、複数の発光素子において共通電極とされていてもよい。即ち、第2電極は、所謂ベタ電極とされていてもよい。
 第1基板あるいは第2基板を、シリコン半導体基板、高歪点ガラス基板、ソーダガラス(Na2O・CaO・SiO2)基板、硼珪酸ガラス(Na2O・B23・SiO2)基板、フォルステライト(2MgO・SiO2)基板、鉛ガラス(Na2O・PbO・SiO2)基板、表面に絶縁材料層が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁材料層が形成された石英基板、ポリメチルメタクリレート(ポリメタクリル酸メチル,PMMA)やポリビニルアルコール(PVA)、ポリビニルフェノール(PVP)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート(PET)に例示される有機ポリマー(高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチックフィルムやプラスチックシート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する)から構成することができる。第1基板と第2基板を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよい。但し、第2基板は発光素子からの光に対して透明であることが要求される。
 第1電極を構成する材料として、第1電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、白金(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、クロム(Cr)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、タンタル(Ta)といった仕事関数の高い金属あるいは合金(例えば、銀を主成分とし、0.3質量%乃至1質量%のパラジウム(Pd)と0.3質量%乃至1質量%の銅(Cu)とを含むAg-Pd-Cu合金や、Al-Nd合金、Al-Cu合金)を挙げることができる。更には、アルミニウム(Al)及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料を用いる場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入性を向上させることで、アノード電極として用いることができる。第1電極の厚さとして、0.1μm乃至1μmを例示することができる。あるいは又、後述する光反射層を設ける場合、第1電極を構成する材料として、酸化インジウム、インジウム-錫酸化物(ITO,Indium Tin Oxide,SnドープのIn23、結晶性ITO及びアモルファスITOを含む)、インジウム-亜鉛酸化物(IZO,Indium Zinc Oxide)、インジウム-ガリウム酸化物(IGO)、インジウム・ドープのガリウム-亜鉛酸化物(IGZO,In-GaZnO4)、IFO(FドープのIn23)、ITiO(TiドープのIn23)、InSn、InSnZnO、酸化錫(SnO2)、ATO(SbドープのSnO2)、FTO(FドープのSnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛(AZO)、ガリウム・ドープの酸化亜鉛(GZO)、BドープのZnO、AlMgZnO(酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム・ドープの酸化亜鉛)、酸化アンチモン、酸化チタン、NiO、スピネル型酸化物、YbFe24構造を有する酸化物、ガリウム酸化物、チタン酸化物、ニオブ酸化物、ニッケル酸化物等を母層とする透明導電性材料といった各種透明導電材料を挙げることができる。あるいは又、誘電体多層膜やアルミニウム(Al)といった光反射性の高い反射膜上に、インジウムとスズの酸化物(ITO)や、インジウムと亜鉛の酸化物(IZO)等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。一方、第1電極をカソード電極として機能させる場合、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入性を向上させることで、カソード電極として用いることもできる。
 第2電極を構成する材料(半光透過材料あるいは光透過材料)として、第2電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、有機層(発光層)に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましく、例えば、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ナトリウム(Na)、ストロンチウム(Sr)、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀(Ag)[例えば、マグネシウム(Mg)と銀(Ag)との合金(Mg-Ag合金)]、マグネシウム-カルシウムとの合金(Mg-Ca合金)、アルミニウム(Al)とリチウム(Li)の合金(Al-Li合金)等の仕事関数の小さい金属あるいは合金を挙げることができ、中でも、Mg-Ag合金が好ましく、マグネシウムと銀との体積比として、Mg:Ag=5:1~30:1を例示することができる。あるいは又、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Mg:Ca=2:1~10:1を例示することができる。第2電極の厚さとして、4nm乃至50nm、好ましくは、4nm乃至20nm、より好ましくは6nm乃至12nmを例示することができる。あるいは又、Ag-Nd-Cu、Ag-Cu、Au及びAl-Cuから成る群から選択された少なくとも1種類の材料を挙げることができる。あるいは又、第2電極を、有機層側から、上述した材料層と、例えばITOやIZOから成る所謂透明電極(例えば、厚さ3×10-8m乃至1×10-6m)との積層構造とすることもできる。第2電極に対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等の低抵抗材料から成るバス電極(補助電極)を設け、第2電極全体として低抵抗化を図ってもよい。第2電極の平均光透過率は50%乃至90%、好ましくは60%乃至90%であることが望ましい。一方、第2電極をアノード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。
 第1電極や第2電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法(CVD法)やMOCVD法、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ;スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法;メッキ法(電気メッキ法や無電解メッキ法);リフトオフ法;レーザアブレーション法;ゾル・ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状(パターン)を有する第1電極や第2電極を形成することが可能である。尚、有機層を形成した後、第2電極を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、MOCVD法といった成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素(あるいは非発光副画素)が生じる虞がある。
 有機層は有機発光材料から成る発光層を備えているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法(PVD法);スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法;転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで有機層を得ることができる。
 本開示の表示装置等においては、絶縁層、層間絶縁層が形成されるが、これらを構成する絶縁材料として、SiO2、NSG(ノンドープ・シリケート・ガラス)、BPSG(ホウ素・リン・シリケート・ガラス)、PSG、BSG、AsSG、SbSG、PbSG、SOG(スピンオングラス)、LTO(Low Temperature Oxide、低温CVD-SiO2)、低融点ガラス、ガラスペースト等のSiOX系材料(シリコン系酸化膜を構成する材料);SiON系材料を含むSiN系材料;SiOC;SiOF;SiCNを挙げることができる。あるいは又、酸化チタン(TiO2)、酸化タンタル(Ta25)、酸化アルミニウム(Al23)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化クロム(CrOx)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化ニオブ(Nb25)、酸化スズ(SnO2)、酸化バナジウム(VOx)といった無機絶縁材料を挙げることができる。あるいは又、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂といった各種樹脂や、SiOCH、有機SOG、フッ素系樹脂といった低誘電率絶縁材料(例えば、誘電率k(=ε/ε0)が例えば3.5以下の材料であり、具体的には、例えば、フルオロカーボン、シクロパーフルオロカーボンポリマー、ベンゾシクロブテン、環状フッ素系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アモルファステトラフルオロエチレン、ポリアリールエーテル、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、パリレン(ポリパラキシリレン)、フッ化フラーレン)を挙げることができるし、Silk(The Dow Chemical Co. の商標であり、塗布型低誘電率層間絶縁膜材料)、Flare(Honeywell Electronic Materials Co. の商標であり、ポリアリルエーテル(PAE)系材料)を例示することもできる。そして、これらを、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。場合によっては、基体を、以上に説明した材料から構成してもよい。絶縁層や層間絶縁層、基体は、各種CVD法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種PVD法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、メッキ法、電着法、浸漬法、ゾル-ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。
 以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の表示装置等は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置(有機EL表示装置)から成る構成とすることができるし、発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)から成る構成とすることができる。
 有機EL表示装置は、更に一層の光取出し効率の向上を図るために、共振器構造を有することが好ましい。具体的には、第1電極と有機層との界面によって構成された第1界面(あるいは、第1電極の下に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層の下に光反射層が設けられた構造にあっては、光反射層と層間絶縁層との界面によって構成された第1界面)と、第2電極と有機層との界面によって構成された第2界面との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を第2電極から出射させる。そして、発光層の最大発光位置から第1界面までの距離をL1、光学距離をOL1、発光層の最大発光位置から第2界面までの距離をL2、光学距離をOL2とし、m1及びm2を整数としたとき、以下の式(1-1)及び式(1-2)を満たしている。
0.7{-Φ1/(2π)+m1}≦2×OL1/λ≦1.2{-Φ1/(2π)+m1}       (1-1)
0.7{-Φ2/(2π)+m2}≦2×OL2/λ≦1.2{-Φ2/(2π)+m2}       (1-2)
ここで、
λ :発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長(あるいは又、発光層で発生した光の内の所望の波長)
Φ1:第1界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)。但し、-2π<Φ1≦0
Φ2:第2界面で反射される光の位相シフト量(単位:ラジアン)。但し、-2π<Φ2≦0
である。
 ここで、m1の値は0以上の値であり、m2の値は、m1の値と独立して、0以上の値であるが、(m1,m2)=(0,0)である形態、(m1,m2)=(0,1)である形態、(m1,m2)=(1,0)である形態、(m1,m2)=(1,1)である形態を例示することができる。
 発光層の最大発光位置から第1界面までの距離L1とは、発光層の最大発光位置から第1界面までの実際の距離(物理的距離)を指し、発光層の最大発光位置から第2界面までの距離L2とは、発光層の最大発光位置から第2界面までの実際の距離(物理的距離)を指す。また、光学距離とは、光路長とも呼ばれ、一般に、屈折率nの媒質中を距離Lだけ光線が通過したときのn×Lを指す。以下においても、同様である。従って、平均屈折率をnaveとしたとき、
OL1=L1×nave
OL2=L2×nave
の関係がある。ここで、平均屈折率naveとは、有機層(あるいは、有機層、第1電極及び層間絶縁層)を構成する各層の屈折率と厚さの積を合計し、有機層(あるいは、有機層、第1電極及び層間絶縁層)の厚さで除したものである。
 第1電極又は光反射層及び第2電極は入射した光の一部を吸収し、残りを反射する。従って、反射される光に位相シフトが生じる。この位相シフト量Φ1,Φ2は、第1電極又は光反射層及び第2電極を構成する材料の複素屈折率の実数部分と虚数部分の値を、例えばエリプソメータを用いて測定し、これらの値に基づく計算を行うことで求めることができる(例えば、"Principles of Optic", Max Born and Emil Wolf, 1974 (PERGAMON PRESS) 参照)。有機層や層間絶縁層等の屈折率もエリプソメータを用いて測定することで求めることができる。
 光反射層を構成する材料として、アルミニウム、アルミニウム合金(例えば、Al-NdやAl-Cu)、Al/Ti積層構造、Al-Cu/Ti積層構造、クロム(Cr)、銀(Ag)、銀合金(例えば、Ag-Pd-Cu、Ag-Sm-Cu)を挙げることができ、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、CVD法やイオンプレーティング法;メッキ法(電気メッキ法や無電解メッキ法);リフトオフ法;レーザアブレーション法;ゾル・ゲル法等によって形成することができる。
 このように、共振器構造を有する有機EL表示装置にあっては、実際には、白色光を発光する有機層と赤色カラーフィルタ層とを組み合わせることで構成された赤色発光素子は、発光層で発光した赤色光を共振させて、赤味がかった光(赤色の領域に光スペクトルのピークを有する光)を第2電極から出射する。また、白色光を発光する有機層と緑色カラーフィルタ層とを組み合わせることで構成された緑色発光素子は、発光層で発光した緑色光を共振させて、緑味がかった光(緑色の領域に光スペクトルのピークを有する光)を第2電極から出射する。更には、白色光を発光する有機層と青色カラーフィルタ層とを組み合わせることで構成された青色発光素子は、発光層で発光した青色光を共振させて、青味がかった光(青色の領域に光スペクトルのピークを有する光)を第2電極から出射する。即ち、発光層で発生した光の内の所望の波長λ(具体的には、赤色の波長、緑色の波長、青色の波長)を決定し、式(1-1)、式(1-2)に基づき、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子のそれぞれにおけるOL1,OL2等の各種パラメータを求めて、各発光素子を設計すればよい。例えば、特開2012-216495の段落番号[0041]には、有機層を共振部とした共振器構造を有する有機EL素子が開示されており、発光点(発光面)から反射面までの距離を適切に調整することが可能となるため、有機層の膜厚は、80nm以上500nm以下であることが好ましく、150nm以上350nm以下であることがより好ましいと記載されている。
 有機EL表示装置にあっては、正孔輸送層(正孔供給層)の厚さと電子輸送層(電子供給層)の厚さは、概ね等しいことが望ましい。あるいは又、正孔輸送層(正孔供給層)よりも電子輸送層(電子供給層)を厚くしてもよく、これによって、低い駆動電圧で高効率化に必要、且つ、発光層への十分な電子供給が可能となる。即ち、アノード電極に相当する第1電極と発光層との間に正孔輸送層を配置し、しかも、電子輸送層よりも薄い膜厚で形成することで、正孔の供給を増大させることが可能となる。そして、これにより、正孔と電子の過不足がなく、且つ、キャリア供給量も十分多いキャリアバランスを得ることができるため、高い発光効率を得ることができる。また、正孔と電子の過不足がないことで、キャリアバランスが崩れ難く、駆動劣化が抑制され、発光寿命を長くすることができる。
 表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータを構成するモニタ装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話、PDA(携帯情報端末,Personal Digital Assistant)、ゲーム機器に組み込まれたモニタ装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダ(Electronic View Finder,EVF)や頭部装着型ディスプレイ(Head Mounted Display,HMD)に適用することができる。あるいは又、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子POPにおける画像表示装置を構成することができる。本開示の表示装置を発光装置として使用し、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む各種照明装置を構成することができる。頭部装着型ディスプレイは、例えば、
 (イ)観察者の頭部に装着されるフレーム、及び、
 (ロ)フレームに取り付けられた画像表示装置、
を備えており、
 画像表示装置は、
 (A)本開示の表示装置、及び、
 (B)本開示の表示装置から出射された光が入射され、出射される光学装置、
を備えており、
 光学装置は、
 (B-1)本開示の表示装置から入射された光が内部を全反射により伝播した後、観察者に向けて出射される導光板、
 (B-2)導光板に入射された光が導光板の内部で全反射されるように、導光板に入射された光を偏向させる第1偏向手段(例えば、体積ホログラム回折格子膜から成る)、及び、
 (B-3)導光板の内部を全反射により伝播した光を導光板から出射させるために、導光板の内部を全反射により伝播した光を複数回に亙り偏向させる第2偏向手段(例えば、体積ホログラム回折格子膜から成る)、
から成る。
 実施例1は、本開示の第1の態様~第2の態様に係る表示装置に関する。実施例1の表示装置におけるカラーフィルタ層の配置を模式的に図1の(A)及び図2の(A)に示し、図1の(A)の矢印B-Bに沿った実施例1の表示装置の概念的な断面図を図1の(B)及び図2の(B)に示す。更に、実施例1の表示装置における発光領域の配置を図3に模式的に示し、実施例1の表示装置において混色が発生し難いことを説明するための、実施例1の表示装置の概念的な断面図を図4に示す。また、実施例1の表示装置の模式的な一部断面図を図18に示す。尚、図18においては、カラーフィルタ層と発光領域の位置関係を無視して表示装置を図示している。具体的には、実施例1の表示装置は有機EL表示装置から成り、発光素子は有機EL素子から成る。また、実施例1の表示装置は、第2基板から光を出射するトップエミッション方式(上面発光方式)の表示装置(上面発光型表示装置)であるし、カラーフィルタ層は、第1基板側に設けられている。即ち、カラーフィルタ層は、オンチップカラーフィルタ層構造(OCCF構造)を有する。
 実施例1あるいは後述する実施例2~実施例4の表示装置は、
 第1発光領域11R、及び、第1発光領域11Rの上方に配設された第1カラーフィルタ層51Rを備えた第1発光素子10R、
 第2発光領域11G、及び、第2発光領域11Gの上方に配設された第2カラーフィルタ層51Gを備えた第2発光素子10G、並びに、
 第3発光領域11B、及び、第3発光領域11Bの上方に配設された第3カラーフィルタ層51Bを備えた第3発光素子10B、
から構成された発光素子群が、複数、基体26上に配列されて成る。
 そして、本開示の第1の態様の表示装置に則って説明すると、実施例1の表示装置にあっては、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層51の発光領域11と対向する底面の境界線と発光領域11の端部とを結ぶ最短の線分(図1の(B)、図4において点線で示す)が基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)の法線と成す角度(θ)は、各発光素子10R,10G,10Bにおいて同じである。また、本開示の第2の態様の表示装置に則って説明すると、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層51の発光領域11と対向する底面の境界線の基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)に対する正射影像から、発光領域11の端部の基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)に対する正射影像までの距離(L)は、各発光素子10R,10G,10Bにおいて同じである。尚、図1の(B)において、これらの正射影像を一点鎖線で示す。
 ここで、実施例1あるいは後述する実施例2~実施例3の表示装置において、カラーフィルタ層頂面(光出射面)とカラーフィルタ層頂面(光出射面)との境界線で囲まれたカラーフィルタ層51R,51G,51Bの頂面領域の基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)に対する正射影像の面積(Stop)は、第1発光素子10R、第2発光素子10G及び第3発光素子10Bにおいて同じである。そして、第1発光素子10R、第2発光素子10G及び第3発光素子10Bにおいて、発光領域11R,11G,11Bの面積(SEL-R,SER-G,SEL-B)は異なる。具体的には、図1の(B)、図5の(B)及び(C)、図13の(B)及び(C)に示すように、SEL-G<SER-R<SEL-B である。
 また、実施例1あるいは後述する実施例2~実施例4の表示装置において、第1発光領域11R、第2発光領域11G及び第3発光領域11Bは白色光を発光する。
 1つの画素は、第1発光素子10R、第2発光素子10G及び第3発光素子10Bの3つの発光素子から構成されている。第1基板41はカラーフィルタ層51R,51G,51Bを備えている。即ち、各発光領域11R,11G,11Bは白色光を発光し、各発光素子10R,10G,10Bは、白色光を発光する発光領域11R,11G,11Bとカラーフィルタ層51R,51G,51Bとの組合せから構成されている。有機層33は、全体として白色光を発光する。画素数は、例えば1920×1080であり、1つの発光素子(表示素子)は1つの副画素を構成し、発光素子(具体的には有機EL素子)は画素数の3倍である。第1発光素子10Rは赤色カラーフィルタ層51Rを備えており、赤色光を出射する。第2発光素子10Gは緑色カラーフィルタ層51Gを備えており、緑色光を出射する。第3発光素子10Bは青色カラーフィルタ層51Bを備えており、青色光を出射する。
 更には、実施例1の表示装置において、複数の発光素子群を構成する第1発光素子10Rは第1の方向に沿って配列されており、複数の発光素子群を構成する第2発光素子10Gは第1の方向に沿って配列されており、複数の発光素子群を構成する第3発光素子10Bは第1の方向に沿って配列されている。即ち、実施例1の表示装置にあっては、発光素子は、ストライプ配列とされている。即ち、副画素の配列はストライプ配列である。
 実施例1あるいは後述する実施例2~実施例4の表示装置において、発光素子は、具体的には、
 第1電極31(31R,31G,31B)、
 第1電極31上に形成された有機層33、
 有機層33上に形成された第2電極32、
 第2電極32上に形成された保護層(平坦化層)34、及び、
 保護層34上に形成されたカラーフィルタ層51(51R,51G,51B)、
から構成されている。そして、有機層33からの光が第2電極32、保護層34及びカラーフィルタ層51を介して外部に出射される。
 具体的には、赤色光を出射する第1発光素子10Rは、
 第1電極31R、
 第1電極31R上に形成された有機層33、
 有機層33上に形成された第2電極32、
 第2電極32上に形成された保護層(平坦化層)34、及び、
 保護層34上に形成されたカラーフィルタ層51R、
から構成されている。また、緑色光を出射する第2発光素子10Gは、
 第1電極31G、
 第1電極31G上に形成された有機層33、
 有機層33上に形成された第2電極32、
 第2電極32上に形成された保護層(平坦化層)34、及び、
 保護層34上に形成されたカラーフィルタ層51G、
から構成されている。更には、青色光を出射する第3発光素子10Bは、
 第1電極31B、
 第1電極31B上に形成された有機層33、
 有機層33上に形成された第2電極32、
 第2電極32上に形成された保護層(平坦化層)34、及び、
 保護層34上に形成されたカラーフィルタ層51B、
から構成されている。
 第1電極31R,31G,31Bは、各発光素子10R,10G,10B毎に設けられている。第2電極32は、発光素子10R,10G,10Bに共通して設けられている。即ち、第2電極32は、所謂ベタ電極である。絶縁材料から構成された基体26の下方には第1基板41が配置されており、カラーフィルタ層51R,51G,51Bの頂面の上方に第2基板42が配置されている。第1電極31(31R,31G,31B)と第1電極31上に形成された有機層33が接する領域から構成された発光領域11(11R,11G,11B)は、基体26の上に設けられている。より具体的には、第1電極31(31R,31G,31B)は基体26上に形成されている。
 CVD法に基づき形成されたSiONから成る基体26の下方には、発光素子駆動部が設けられている。発光素子駆動部は周知の回路構成とすることができる。発光素子駆動部は、第1基板41に相当するシリコン半導体基板に形成されたトランジスタ(具体的には、MOSFET)から構成されている。MOSFETから成るトランジスタ20は、第1基板41上に形成されたゲート絶縁層22、ゲート絶縁層22上に形成されたゲート電極21、第1基板41に形成されたソース/ドレイン領域24、ソース/ドレイン領域24の間に形成されたチャネル形成領域23、並びに、チャネル形成領域23及びソース/ドレイン領域24を取り囲む素子分離領域25から構成されている。トランジスタ20と第1電極31とは、基体26に設けられたコンタクトプラグ27を介して電気的に接続されている。尚、図面においては、1つの発光素子駆動部につき、1つのトランジスタ20を図示した。
 また、基体26の上には、上述したとおり、各発光素子毎に第1電極31が設けられている。そして、底部に第1電極31が露出した開口部29を有する絶縁層28が基体26の上に形成されており、有機層33は、少なくとも、開口部29の底部に露出した第1電極31の上に形成されている。具体的には、有機層33は、開口部29の底部に露出した第1電極31の上から絶縁層28の上に亙り形成されているし、絶縁層28は、第1電極31から基体26の上に亙り形成されている。有機層33の実際に発光する部分は、絶縁層28によって囲まれている。即ち、絶縁層28によって囲まれた有機層33の領域が発光領域に相当する。絶縁層28及び第2電極32は、SiNから成る保護層34によって覆われている。カラーフィルタ層51と第2基板42とは、アクリル系接着剤から成る樹脂層(封止樹脂層)35により全面に亙って貼り合わされている。
 第2電極32は、表示装置の外周部において、基体26に形成された図示しないコンタクトホール(コンタクトプラグ)を介して発光素子駆動部と接続されている。尚、表示装置の外周部において、第2電極32の下方に第2電極32に接続された補助電極を設け、補助電極を発光素子駆動部と接続してもよい。
 第1電極31はアノード電極として機能し、第2電極32はカソード電極として機能する。第1電極31は、光反射材料、具体的には、Al-Nd合金から成り、第2電極32は、ITO等の透明導電材料から成る。第1電極31は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき形成されている。また、第2電極32は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されている。第1基板41はシリコン半導体基板から成り、第2基板42はガラス基板から成る。
 ところで、カラーフィルタ層の形成にあっては、通常、所望の顔料や染料から成る着色剤を添加した光硬化型の樹脂から構成されている。そして、例えば、保護層34の上に、以下に説明する方法に基づき形成される。現在のところ、青色カラーフィルタ層51Bを形成するための材料、赤色カラーフィルタ層51Rを形成するための材料、緑色カラーフィルタ層51Gを形成するための材料の順で、下地への密着性が高い。
 従って、先ず、最も密着性の高い緑色カラーフィルタ層51Gを保護層34の上に形成する。具体的には、緑色カラーフィルタ層51Gを構成する光感光性の材料を全面に塗布し、露光、ベーキング、現像を行うことで、所望のパターン形状を有する緑色カラーフィルタ層51Gを形成する。尚、緑色カラーフィルタ層51Gを形成する際の光感光性の材料の塗布、露光、ベーキング、現像によって、得られた緑色カラーフィルタ層51Gの断面形状は、図17Aに示すように、側面が逆テーパー形状となる。
 次いで、赤色カラーフィルタ層51Rを構成する光感光性の材料を全面に塗布し、露光、ベーキング、現像を行うことで、所望のパターン形状を有する赤色カラーフィルタ層51Rを形成する。尚、赤色カラーフィルタ層51Rを形成する際の光感光性の材料の塗布、露光、ベーキング、現像によって、得られた赤色カラーフィルタ層51Rの断面形状は、図17Bに示すように、緑色カラーフィルタ層51Gと接しない場合には、側面が逆テーパー形状となる。また、図17Cに示すように、緑色カラーフィルタ層51Gと片側が接する場合には、側面の一方は逆テーパー形状、他方は順テーパー形状となる。更には、図17Gに示すように、緑色カラーフィルタ層51Gと両側が接する場合には、両側の側面は順テーパー形状となる。
 最後に、青色カラーフィルタ層51Bを構成する光感光性の材料を全面に塗布し、露光、ベーキング、現像を行うことで、所望のパターン形状を有する青色カラーフィルタ層51Bを形成する。尚、青色カラーフィルタ層51Bは、緑色カラーフィルタ層51G、赤色カラーフィルタ層51Rが形成されていない領域に形成される。青色カラーフィルタ層51Bを形成する際の光感光性の材料の塗布、露光、ベーキング、現像によって、得られた青色カラーフィルタ層51Bの断面形状は、図17D、図17Eあるいは図17Fに示すように、側面が順テーパー形状となる。
 実施例1の表示装置にあっては、緑色カラーフィルタ層51G、赤色カラーフィルタ層51Rの断面形状及び青色カラーフィルタ層51Bの断面形状は、図17Fに示す断面形状となる(図1の(B)及び図2の(B)も参照)。
 ここで、前述したとおり、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層51R,51G,51Bの発光領域11R,11G,11Bと対向する底面の境界線(図4の参照番号521,522,523もを参照)と発光領域11R,11G,11Bの端部(図4の参照番号11RR,11RL,11GR,11GL,11BR,11BLも参照)とを結ぶ最短の線分(図4の点線も参照)が基体26(あるいは第1基板41、第2基板42)の法線と成す角度(θ)は、各発光素子10R,10G,10Bにおいて同じである。また、カラーフィルタ層51R,51G,51Bの発光領域11R,11G,11Bと対向する底面の境界線(図4の参照番号521,522,523もを参照)の基体26(あるいは第1基板41、第2基板42)に対する正射影像(図4の一点鎖線も参照)から、発光領域11R,11G,11Bの端部の基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)に対する正射影像(図4の一点鎖線も参照)までの距離(L)は、各発光素子10R,10G,10Bにおいて同じである。
 図4に模式的に示すように、第2発光領域11Gの右端部11GRから出射された白色光が、緑色カラーフィルタ層51Gと青色カラーフィルタ層51Bの底面の境界線521よりも図4の右側の青色カラーフィルタ層51Bに侵入すると(図4の矢印G1を参照)、本来、緑色を表示する副画素が青色を表示することになる。同様に、第3発光領域11Bの右端部11BRから出射された白色光が、青色カラーフィルタ層51Bと赤色カラーフィルタ層51Rの底面の境界線522よりも図4の右側の赤色カラーフィルタ層51Rに侵入すると(図4の矢印B1を参照)、本来、青色を表示する副画素が赤色を表示することになる。同様に、第1発光領域11Rの右端部11RRから出射された白色光が、赤色カラーフィルタ層51Rと緑色カラーフィルタ層51Gの底面の境界線523よりも図4の右側の緑色カラーフィルタ層51Gに侵入すると(図4の矢印R1を参照)、本来、赤色を表示する副画素が緑色を表示することになる。
 また、第3発光領域11Bの左端部11BLから出射された白色光が、境界線521よりも図4の左側の緑色カラーフィルタ層51Gに侵入すると(図4の矢印B2を参照)、本来、青色を表示する副画素が緑色を表示することになる。同様に、第1発光領域11Rの左端部11RLから出射された白色光が、境界線522よりも図4の左側の青色カラーフィルタ層51Bに侵入すると(図4の矢印R2を参照)、本来、赤色を表示する副画素が青色を表示することになる。同様に、第2発光領域11Gの左端部11GLから出射された白色光が、境界線523よりも図4の左側の赤色カラーフィルタ層51Rに侵入すると(図4の矢印G2を参照)、本来、緑色を表示する副画素が赤色を表示することになる。
 このように、例えば、或る画素を、図4の「A」に示す右斜め上から眺めたとき、混色や色ズレが生じるが、混色や色ズレが発生し始めるときの角度Θは、赤色発光素子10R、緑色発光素子10G及び青色発光素子10Bにおいて、同じである。例えば、或る画素が白色を表示する場合、混色や色ズレが発生し始めるときの角度Θが各発光素子において同じであるが故に、この或る画素を角度Θよりも大きな斜めの角度で眺めても、白色を表示した状態として観察されるので、混色や色ズレは生じない。
 もしも、角度(θ)が各発光素子において異なる場合、例えば、緑色発光素子における角度(θ)が、赤色発光素子及び青色発光素子における角度(θ)よりも小さい場合、例えば、或る画素が白色を表示するとき、混色や色ズレが発生し始めるときの角度Θが緑色発光素子において最も小さい場合には、この或る画素を角度ΘGよりも大きな斜めの角度で眺めたとき、本来、白色に見える画素が、緑色掛かって観察され、混色や色ズレが生じる。
 以上のとおり、実施例1あるいは後述する各種実施例の表示装置にあっては、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層の底面の境界線と発光領域の端部とを結ぶ最短の線分が基体(あるいは後述する第1基板あるいは第2基板)の法線と成す角度(θ)は、各発光素子において同じであるし、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層の底面の境界線の基体(あるいは後述する第1基板あるいは第2基板)に対する正射影像から、発光領域の端部の基体(あるいは後述する第1基板あるいは第2基板)に対する正射影像までの距離(L)は、各発光素子において同じである。従って、或る発光領域から出射され、隣接する発光素子を構成するカラーフィルタ層へと侵入する光の挙動の発光素子毎の相違を小さくすることができる結果、色ズレや混色が発生し難い。
 実施例1において、有機層33は、正孔注入層(HIL:Hole Injection Layer)、正孔輸送層(HTL:Hole Transport Layer)、発光層、電子輸送層(ETL:Electron Transport Layer)、及び、電子注入層(EIL:Electron InjectionLayer)の積層構造を有する。発光層は、異なる色を発光する少なくとも2層の発光層から構成されており、有機層33から出射される光は白色である。具体的には、発光層は、赤色を発光する赤色発光層、緑色を発光する緑色発光層、及び、青色を発光する青色発光層の3層が積層された構造を有する。発光層を、青色を発光する青色発光層、及び、黄色を発光する黄色発光層の2層が積層された構造とすることもできるし、青色を発光する青色発光層、及び、橙色を発光する橙色発光層の2層が積層された構造とすることができる。前述したとおり、赤色を表示すべき赤色発光素子10Rには赤色カラーフィルタ層51Rが備えられており、緑色を表示すべき緑色発光素子10Gには緑色カラーフィルタ層51Gが備えられており、青色を表示すべき青色発光素子10Bには青色カラーフィルタ層51Bが備えられている。赤色発光素子10R、緑色発光素子10G及び青色発光素子10Bは、カラーフィルタ層51R,51G,51B、及び、発光領域11R,11G,11Bの位置関係を除き、同じ構成、構造を有する。
 正孔注入層は、正孔注入効率を高める層であると共に、リークを防止するバッファ層として機能し、厚さは、例えば2nm乃至10nm程度である。正孔注入層は、例えば、以下の式(A)又は式(B)で表されるヘキサアザトリフェニレン誘導体から成る。尚、正孔注入層の端面が第2電極と接した状態になると、画素間の輝度バラツキ発生の主たる原因となり、表示画質の低下につながる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000001
 ここで、R1~R6は、それぞれ、独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルコキシ基、炭素数30以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数30以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、又は、シリル基から選ばれる置換基であり、隣接するRm(m=1~6)は環状構造を介して互いに結合してもよい。また、X1~X6は、それぞれ、独立に、炭素又は窒素原子である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000002
 正孔輸送層は発光層への正孔輸送効率を高める層である。発光層では、電界が加わると電子と正孔との再結合が起こり、光を発生する。電子輸送層は発光層への電子輸送効率を高める層であり、電子注入層は発光層への電子注入効率を高める層である。
 正孔輸送層は、例えば、厚さが40nm程度の4,4’,4”-トリス(3-メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m-MTDATA)又はα-ナフチルフェニルジアミン(αNPD)から成る。
 発光層は、混色により白色光を生じる発光層であり、例えば、上述したとおり、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層が積層されて成る。
 赤色発光層では、電界が加わることにより、第1電極31から注入された正孔の一部と、第2電極32から注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光が発生する。このような赤色発光層は、例えば、赤色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも1種類の材料を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが5nm程度の赤色発光層は、例えば、4,4-ビス(2,2-ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)に、2,6-ビス[(4’-メトキシジフェニルアミノ)スチリル]-1,5-ジシアノナフタレン(BSN)を30質量%混合したものから成る。
 緑色発光層では、電界が加わることにより、第1電極31から注入された正孔の一部と、第2電極32から注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光が発生する。このような緑色発光層は、例えば、緑色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも1種類の材料を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが10nm程度の緑色発光層は、例えば、DPVBiに、クマリン6を5質量%混合したものから成る。
 青色発光層では、電界が加わることにより、第1電極31から注入された正孔の一部と、第2電極32から注入された電子の一部とが再結合して、青色の光が発生する。このような青色発光層は、例えば、青色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも1種類の材料を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが30nm程度の青色発光層は、例えば、DPVBiに、4,4’-ビス[2-{4-(N,N-ジフェニルアミノ)フェニル}ビニル]ビフェニル(DPAVBi)を2.5質量%混合したものから成る。
 厚さが20nm程度の電子輸送層は、例えば、8-ヒドロキシキノリンアルミニウム(Alq3)から成る。厚さが0.3nm程度の電子注入層は、例えば、LiFあるいはLi2O等から成る。
 但し、各層を構成する材料は例示であり、これらの材料に限定するものではない。また、例えば、発光層は、青色発光層と黄色発光層から構成されていてもよいし、青色発光層と橙色発光層から構成されていてもよい。
 発光素子10R,10G,10Bは、有機層33を共振部とした共振器構造を有している。尚、発光面から反射面迄の距離(具体的には、発光面から第1電極31及び第2電極32迄の距離)を適切に調整するために、有機層33の厚さは、8×10-8m以上、5×10-7m以下であることが好ましく、1.5×10-7m以上、3.5×10-7m以下であることがより好ましい。共振器構造を有する有機EL表示装置にあっては、実際には、赤色発光素子10Rは、発光層で発光した赤色光を共振させて、赤味がかった光(赤色の領域に光スペクトルのピークを有する光)を第2電極32から出射する。また、緑色発光素子10Gは、発光層で発光した緑色光を共振させて、緑味がかった光(緑色の領域に光スペクトルのピークを有する光)を第2電極32から出射する。更には、青色発光素子10Bは、発光層で発光した青色光を共振させて、青味がかった光(青色の領域に光スペクトルのピークを有する光)を第2電極32から出射する。
 以下、図18に示した実施例1の発光素子の製造方法の概要を説明する。
  [工程-100]
 先ず、シリコン半導体基板(第1基板41)に発光素子駆動部を公知のMOSFET製造プロセスに基づき形成する。
  [工程-110]
 次いで、CVD法に基づき全面に基体26を形成する。
  [工程-120]
 次に、トランジスタ20の一方のソース/ドレイン領域の上方に位置する基体26の部分に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき接続孔を形成する。その後、接続孔を含む基体26の上に金属層を、例えば、スパッタリング法に基づき形成し、次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき金属層をパターニングすることで、基体26の上に第1電極31を形成することができる。第1電極31は、各発光素子毎に分離されている。併せて、接続孔内に第1電極31とトランジスタ20とを電気的に接続するコンタクトホール(コンタクトプラグ)27を形成することができる。
  [工程-130]
 次に、例えば、CVD法に基づき、全面に絶縁層28を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、第1電極31上の絶縁層28の一部に開口部29を形成する。開口部29の底部に第1電極31が露出している。
  [工程-140]
 その後、第1電極31及び絶縁層28の上に、有機層33を、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法といったPVD法、スピンコート法やダイコート法等のコーティング法等によって成膜する。次いで、例えば真空蒸着法等に基づき、全面に第2電極32を形成する。このようにして、第1電極31上に、有機層33及び第2電極32を形成することができる。
  [工程-150]
 その後、例えばCVD法又はPVD法によって、全面に保護層34を形成する。そして、前述したとおり、保護層34の上にカラーフィルタ層51R,51G,51Bを形成する。最後に、樹脂層(封止樹脂層)35を介して、第2基板42とカラーフィルタ層51R,51G,51Bとを貼り合わせる。こうして、図18に示した有機EL表示装置を得ることができる。
 実施例2は、実施例1の変形である。実施例2の表示装置におけるカラーフィルタ層の配置を図5の(A)及び図6の(A)に模式的に示し、図5の(A)の矢印B-Bに沿った実施例2の表示装置の概念的な断面図を図5の(B)、図6の(B)に示し、図5の(A)の矢印C-Cに沿った実施例2の表示装置の概念的な断面図を図5の(C)、図6の(C)に示し、図5の(A)の矢印D-Dに沿った実施例2の表示装置の概念的な断面図を図5の(D)、図6の(D)に示し、図5の(A)の矢印E-Eに沿った実施例2の表示装置の概念的な断面図を図5の(E)、図6の(E)に示し、実施例2の表示装置における発光領域の配置を図7に模式的に示す。また、実施例2の表示装置において混色が発生し難いことを説明するための、実施例2の表示装置の概念的な断面図を図8、図9、図10、図11に示し、実施例2及び従来の表示装置において混色が発生するメカニズムを図12A、図12B及び図12Cに示す。
 実施例2の表示装置において、発光素子群は、2×2に配列された4つの発光素子から構成されており、
 第1発光素子10Rは、2つの第3発光素子10Bに隣接して配置されており、
 第2発光素子10Gは、2つの第3発光素子10Bに隣接して配置されており、
 2つの第3発光素子10Bのそれぞれは、第1発光素子10R及び第2発光素子10Gに隣接して配置されている。即ち、実施例2の表示装置にあっては、発光素子は、ダイアゴナル配列とされている。即ち、副画素の配列はダイアゴナル配列である。発光素子群は、例えば、矩形の領域を占める。
 図5の(B)、(C)、図8、図9に示すように、実施例2においても、実施例1と同様に、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層51R,51G,51Bの発光領域11R,11G,11Bと対向する底面の境界線521,522と発光領域11R,11G,11Bの端部11BR,11GL,11BR,11RLとを結ぶ最短の線分(図5の(B)、図8、図9において点線で示す)が基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)の法線と成す角度(θ)は、各発光素子10R,10G,10Bにおいて同じである。また、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層51R,51G,51Bの発光領域11R,11G,11Bと対向する底面の境界線521,522の基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)に対する正射影像から、発光領域11R,11G,11Bの端部11BR,11GL,11BR,11RLの基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)に対する正射影像までの距離(L)は、各発光素子10R,10G,10Bにおいて同じである。尚、図5の(B)、図8、図9において、これらの正射影像を一点鎖線で示す。
 実施例2の表示装置にあっては、緑色カラーフィルタ層51G、赤色カラーフィルタ層51Rの断面形状及び青色カラーフィルタ層51Bの断面形状は、図17D及び図17Eに示す断面形状となる(図5の(B)、(C)、図6の(B)、(C)、図8、図9も参照)。
 以上の点を除き、実施例2の表示装置の構成、構造は、実施例1において説明した表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
 図8に模式的に示すように、第3発光領域11Bの右端部11BRから出射された白色光が、青色カラーフィルタ層51Bと緑色カラーフィルタ層51Gの底面の境界線521よりも図8の右側の緑色カラーフィルタ層51Gに侵入すると、本来、青色を表示する副画素が緑色を表示することになる。図8において、この領域を、「第3発光領域からの光によって混色が発生する領域」として表示する。尚、第3発光領域11Bの右端部11BRから出射された白色光が、青色カラーフィルタ層51Bと緑色カラーフィルタ層51Gの頂面の境界線531よりも図8の右側の緑色カラーフィルタ層51Gに侵入すると、本来、青色を表示する副画素からの青色光が緑色カラーフィルタ層51Gによって吸収されるので、緑色カラーフィルタ層51Gからは出射されない。図8において、この領域を、「領域-A」で示す。
 また、第2発光領域11Gの左端部11GLから出射された白色光が、境界線521よりも図8の左の青色カラーフィルタ層51Bに侵入すると、本来、緑色を表示する副画素が青色を表示することになる。図8において、この領域を、「第2発光領域からの光によって混色が発生する領域」として表示する。
 同様に、図9に模式的に示すように、第3発光領域11Bの右端部11BRから出射された白色光が、青色カラーフィルタ層51Bと赤色カラーフィルタ層51Rの底面の境界線522よりも図9の右側の赤色カラーフィルタ層51Rに侵入すると、本来、青色を表示する副画素が赤色を表示することになる。図8において、この領域を、「第3発光領域からの光によって混色が発生する領域」として表示する。尚、第3発光領域11Bの右端部11BRから出射された白色光が、青色カラーフィルタ層51Bと赤色カラーフィルタ層51Rの頂面の境界線532よりも図8の右側の赤色カラーフィルタ層51Rに侵入すると、本来、青色を表示する副画素からの青色光が赤色カラーフィルタ層51Rによって吸収されるので、赤色カラーフィルタ層51Rからは出射されない。図8において、この領域を、「領域-B」で示す。
 また、第1発光領域11Rの左端部11RLから出射された白色光が、境界線521よりも図9の左の青色カラーフィルタ層51Bに侵入すると、本来、赤色を表示する副画素が青色を表示することになる。図9において、この領域を、「第1発光領域からの光によって混色が発生する領域」として表示する。
 このように、例えば、或る画素を、図8及び図9の「A」に示す左斜め上から眺めたとき、混色や色ズレが生じるが、混色や色ズレが発生し始めるときの角度Θは、赤色発光素子10R及び緑色発光素子10Gにおいて同じである。例えば、或る画素が白色を表示する場合、混色や色ズレが発生し始めるときの角度Θが各発光素子において同じであるが故に、この或る画素を角度Θよりも大きな斜めの角度で眺めても、白色を表示した状態として観察されるので、混色や色ズレは生じない(図12A参照)。そして、混色を防止することができるので、画素を単色発光させたときの色純度が増加し、色度点が深くなる。それ故、色域が広くなり、表示装置の色表現の幅が広がる。
 図10に、第3発光領域11B及び第2発光領域11Gから出射される白色光が青色カラーフィルタ層51B及び緑色カラーフィルタ層51Gを通過するときのZ減衰角度及びY減衰角度を示す。また、第3発光領域11B及び第1発光領域11Rから出射される白色光が青色カラーフィルタ層51B及び赤色カラーフィルタ層51Rを通過するときのZ減衰角度及びX減衰角度を示す。更には、視野角とX,Y,Zの相対強度の関係を模式的に図12Bに示すが、実施例2の表示装置においては、X,Y,Zの相対強度の変化は同じであり、混色や色ズレは生じない。
 従来の表示装置におけるカラーフィルタ層の配置を模式的に図22の(A)に示し、図22の(A)の矢印B-Bに沿った従来の表示装置の概念的な断面図を図22の(B)に示す。また、従来の表示装置において混色が発生することを説明するための、従来の表示装置の概念的な各種断面図を図23に示す。従来の表示装置にあっては、カラーフィルタ層頂面(光出射面)とカラーフィルタ層頂面(光出射面)との境界線で囲まれたカラーフィルタ層51R,51G,51Bの頂面領域の基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)に対する正射影像の面積(Stop)は、第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において同じである。また、発光領域111R,111G,111Bの面積も同じである。従って、必然的に、カラーフィルタ層51R,51G,51Bの発光領域111R,111G,111Bと対向する底面の境界線と発光領域111R,111G,111Bの端部とを結ぶ最短の線分が基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)の法線と成す角度(θR-1,θR-2,θG-1,θG-2,θB-1,θB-2)は、各発光素子において異なるし、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層51R,51G,51Bの発光領域111R,111G,111Bと対向する底面の境界線の基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)に対する正射影像から、発光領域の端部の基体(あるいは又、第1基板41や第2基板42)に対する正射影像までの距離(LR-1,LR-2,LG-1,LG-2,LB-1,LB-2)は、各発光素子において異なる。
 図23に模式的に示すように、第2発光領域11Gの右端部11GRから出射された白色光が、緑色カラーフィルタ層51Gと青色カラーフィルタ層51Bの底面の境界線521よりも図23の右側の青色カラーフィルタ層51Bに侵入すると(図23の矢印G1を参照)、本来、緑色を表示する副画素が青色を表示することになる。同様に、第3発光領域11Bの右端部11BRから出射された白色光が、青色カラーフィルタ層51Bと赤色カラーフィルタ層51Rの底面の境界線522よりも図23の右側の赤色カラーフィルタ層51Rに侵入すると(図23の矢印B1を参照)、本来、青色を表示する副画素が赤色を表示することになる。同様に、第1発光領域11Rの右端部11RRから出射された白色光が、赤色カラーフィルタ層51Rと緑色カラーフィルタ層51Gの底面の境界線523よりも図23の右側の緑色カラーフィルタ層51Gに侵入すると(図23の矢印R1を参照)、本来、赤色を表示する副画素が緑色を表示することになる。
 また、第3発光領域11Bの左端部11BLから出射された白色光が、境界線521よりも図23の左側の緑色カラーフィルタ層51Gに侵入すると(図23の矢印B2を参照)、本来、青色を表示する副画素が緑色を表示することになる。同様に、第1発光領域11Rの左端部11RLから出射された白色光が、境界線522よりも図23の左側の青色カラーフィルタ層51Bに侵入すると(図23の矢印R2を参照)、本来、赤色を表示する副画素が青色を表示することになる。同様に、第2発光領域11Gの左端部11GLから出射された白色光が、境界線522よりも図23の左側の赤色カラーフィルタ層51Rに侵入すると(図23の矢印G2を参照)、本来、緑色を表示する副画素が赤色を表示することになる。
 このように、例えば、或る画素を、図23の「A」に示す右斜め上から眺めたとき、混色や色ズレが生じるが、混色や色ズレが発生し始めるときの角度Θは、赤色発光素子10R、緑色発光素子10G、青色発光素子10Bにおいて異なる。例えば、或る画素が白色を表示する場合、混色や色ズレが発生し始めるときの角度Θが緑色発光素子10Gにおいて最も小さい。従って、この或る画素を角度Θよりも大きな斜めの角度で眺めると、白色に見える画素が、緑色掛かって観察され、混色や色ズレが生じる(図12A及び図12C参照)。
 実施例3も、実施例1の変形である。実施例3の表示装置におけるカラーフィルタ層の配置を図13の(A)及び図14の(A)に模式的に示し、図5の(A)の矢印B-Bに沿ったと同様の実施例3の表示装置の概念的な断面図を図13の(B)、図14の(B)に示し、図5の(A)の矢印C-Cに沿ったと同様の実施例3の表示装置の概念的な断面図を図13の(C)、図14の(C)に示し、図5の(A)の矢印D-Dに沿ったと同様の実施例3の表示装置の概念的な断面図を図13の(D)、図14の(D)に示し、図5の(A)の矢印E-Eに沿ったと同様の実施例3の表示装置の概念的な断面図を図13の(E)、図14の(E)に示し、実施例3の表示装置における発光領域の配置を図15に模式的に示す。
 実施例3の表示装置において、発光素子群は、1つの第1発光素子10R、1つの第2発光素子10G、及び、1つの第3発光素子10Bから構成されており、
 第1発光素子10Rは、第2発光素子10G及び第3発光素子10Bに隣接して配置されており、
 第2発光素子10Gは、第1発光素子10R及び第3発光素子10Bに隣接して配置されている。尚、発光素子群は、例えば、矩形の領域を占める。
 図13の(B)、(C)、(E)に示すように、実施例3においても、実施例1と同様に、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層51R,51G,51Bの発光領域11R,11G,11Bと対向する底面の境界線と発光領域11R,11G,11Bの端部とを結ぶ最短の線分(図13の(B)において点線で示す)が基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)の法線と成す角度(θ)は、各発光素子10R,10G,10Bにおいて同じである。また、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層51R,51G,51Bの発光領域11R,11G,11Bと対向する底面の境界線の基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)に対する正射影像から、発光領域11R,11G,11Bの端部の基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)に対する正射影像までの距離(L)は、各発光素子10R,10G,10Bにおいて同じである。尚、図13の(B)、(C)、(E)において、これらの正射影像を一点鎖線で示す。
 実施例3の表示装置にあっては、緑色カラーフィルタ層51G、赤色カラーフィルタ層51Rの断面形状及び青色カラーフィルタ層51Bの断面形状は、図17D、図17E及び図17Gに示す断面形状となる(図13の(B)、(C)、図14の(B)も参照)。
 実施例3に各発光素子における混色や色ズレに関する議論は、基本的に、実施例2の各発光素子における混色や色ズレに関する議論と同様であるので、詳細な説明は省略する。また、以上の点を除き、実施例3の表示装置の構成、構造は、実施例2において説明した表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
 実施例4も実施例1の変形である。実施例4の表示装置におけるカラーフィルタ層の配置を図16の(A)に模式的に示し、図16の(A)の矢印B-Bに沿った実施例4の表示装置の概念的な断面図を図16の(B)に示す。
 実施例4の表示装置にあっては、カラーフィルタ層頂面(光出射面)とカラーフィルタ層頂面(光出射面)との境界線で囲まれたカラーフィルタ層51R,51G,51Bの頂面領域の基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)に対する正射影像の面積(Stop-R,Stop-G,Stop-B)は、第1発光素子10R、第2発光素子10G及び第3発光素子10Bにおいて異なる。第1発光素子10R、第2発光素子10G及び第3発光素子10Bにおいて、発光領域11R,11G,11Bの面積(SEL-R,SEL-G,SEL-B)は同じである。
 図16の(B)に示すように、実施例4においても、実施例1と同様に、隣接する発光素子10R,10G,10Bにおいて、カラーフィルタ層51R,51G,51Bの発光領域11R,11G,11Bと対向する底面の境界線と発光領域11R,11G,11Bの端部とを結ぶ最短の線分(図16の(B)において点線で示す)が基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)の法線と成す角度(θ)は、各発光素子10R,10G,10Bにおいて同じである。また、隣接する発光素子において、カラーフィルタ層51R,51G,51Bの発光領域11R,11G,11Bと対向する底面の境界線の基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)に対する正射影像から、発光領域11R,11G,11Bの端部の基体26(あるいは又、第1基板41や第2基板42)に対する正射影像までの距離(L)は、各発光素子10R,10G,10Bにおいて同じである。尚、図16の(B)において、これらの正射影像を一点鎖線で示す。
 また、カラーフィルタ層頂面(光出射面)とカラーフィルタ層頂面(光出射面)との境界線で囲まれたカラーフィルタ層51R,51G,51Bの頂面領域の中心、及び、発光領域11R,11G,11Bの中心を、基体の法線方向から眺めた場合、これらの中心は重なっていない。
 実施例4に各発光素子における混色や色ズレに関する議論は、基本的に、実施例1の各発光素子における混色や色ズレに関する議論と同様であるので、詳細な説明は省略する。また、以上の点を除き、実施例4の表示装置の構成、構造は、実施例1において説明した表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。尚、実施例4の表示装置の構成、構造を、実施例2、実施例3において説明した表示装置に適用することができることは云うまでもない。
 以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した表示装置(有機EL表示装置)、発光素子(有機EL素子)の構成、構造の構成は例示であり、適宜、変更することができるし、表示装置の製造方法も例示であり、適宜、変更することができる。実施例においては、専ら、白色発光素子とカラーフィルタ層の組合せから3つの副画素から1つの画素を構成したが、例えば、白色光を出射する発光素子を加えた4つの副画素から1つの画素を構成してもよい。この場合、白色光を出射する発光素子を除く3つの発光素子が、本開示の第1の態様~第2の態様に係る表示装置の要件を満足すればよい。
 あるいは又、第1発光領域11Rは赤色光を発光し、第2発光領域11Gは緑色光を発光し、第3発光領域11Bは青色光を発光する構成とすることができる。即ち、発光素子は、有機層が赤色を生じさせる発光素子、有機層が緑色を生じさせる発光素子、有機層が青色を生じさせる発光素子とし、これらの3種類の発光素子(副画素)を組み合わせることで、1つの画素を構成してもよい。このような構成の表示装置にあっても、色純度の向上等を目的としてカラーフィルタ層を設けるので、混色や色ズレが発生し得る。
 実施例2の表示装置における発光領域11R,11G,11Bの変形例の配置を模式的に図19に示すように、第1発光領域11R及び第2発光領域11Gの平面形状は、2つの隅が切り欠かれた形状とすることもできる。尚、図19は、第1発光領域11R、第2発光領域11G及び第3発光領域11Bにおける切り欠き部を示す目的のみの図であり、発光領域の大きさの関係を無視して発光領域を図示している。
 第1基板41と対向する第2基板42の面側にカラーフィルタ層51R,51G,51Bを形成してもよい。この場合、各カラーフィルタ層51R,51G,51Bの上下方向の配置状態は、各実施例において説明したカラーフィルタ層51R,51G,51Bの上下方向の配置状態と、天地が逆になる。例えば、図1に示す実施例1にあっては、第1基板側から眺めたとき、青色カラーフィルタ層51Bは逆テーパー、緑色カラーフィルタ層51Gは順テーパーとなる。このような場合にあっても、表示装置は、本開示の第1の態様~第2の態様に係る表示装置における規定を満足する必要がある。他の実施例における表示装置においても同様である。
 隣接するカラーフィルタ層51R,51G,51Bの境界領域において、カラーフィルタ層底面を含む底部の領域に、透明な樹脂から成る構造物(透明樹脂層)を設けてもよい。このような形態にあっては、カラーフィルタ層51R,51G,51Bの発光領域11R,11G,11Bと対向する底面の境界線は構造物上に位置する。
 実施例においては、発光素子駆動部をMOSFETから構成したが、TFTから構成することもできる。第1電極や第2電極を、単層構造としてもよいし、多層構造としてもよい。
 或る発光素子に隣接した発光素子に、或る発光素子から出射した光が侵入し、光学的クロストークが発生することを防止するために、発光素子と発光素子との間に遮光層を設けてもよい。即ち、発光素子と発光素子との間に溝部を形成し、この溝部を遮光材料で埋め込んで遮光層を形成してもよい。このように遮光層を設ければ、或る発光素子から出射した光が隣接発光素子に侵入する割合を低減させることができ、混色が発生し、画素全体の色度が所望の色度からずれてしまうといった現象の発生を抑制することができる。遮光層を構成する遮光材料として、具体的には、チタン(Ti)やクロム(Cr)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、MoSi2等の光を遮光することができる材料を挙げることができる。遮光層は、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、CVD法やイオンプレーティング法等によって形成することができる。
 本開示の表示装置をレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラに適用することができる。デジタルスチルカメラの正面図を図20Aに示し、背面図を図20Bに示す。このレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部(カメラボディ)211の正面右側に交換式の撮影レンズユニット(交換レンズ)212を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部213を有している。そして、カメラ本体部211の背面略中央にはモニタ214が設けられている。モニタ214の上部には、電子ビューファインダ(接眼窓)215が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ215を覗くことによって、撮影レンズユニット212から導かれた被写体の像を視認して構図決定を行うことが可能である。このような構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、電子ビューファインダ215として本開示の表示装置を用いることができる。
 あるいは又、本開示の表示装置をヘッドマウントディスプレイに適用することができる。図21に外観図を示すように、ヘッドマウントディスプレイ300は、本体部301、アーム部302及び鏡筒303を有する透過式ヘッドマウントディスプレイから構成されている。本体部301は、アーム部302及び眼鏡310と接続されている。具体的には、本体部301の長辺方向の端部はアーム部302に取り付けられている。また、本体部301の側面の一方の側は、接続部材(図示せず)を介して眼鏡310に連結されている。尚、本体部301は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。本体部301は、ヘッドマウントディスプレイ300の動作を制御するための制御基板や表示部を内蔵している。アーム部302は、本体部301と鏡筒303とを連結させることで、本体部301に対して鏡筒303を支える。具体的には、アーム部302は、本体部301の端部及び鏡筒303の端部と結合されることで、本体部301に対して鏡筒303を固定する。また、アーム部302は、本体部301から鏡筒303に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵している。鏡筒303は、本体部301からアーム部302を経由して提供される画像光を、眼鏡310のレンズ311を透して、ヘッドマウントディスプレイ300を装着するユーザの目に向かって投射する。上記の構成のヘッドマウントディスプレイ300において、本体部301に内蔵される表示部として、本開示の表示装置を用いることができる。
 共振器構造を設ける場合、第1電極31よりも下方に(第1基板41側に)光反射層37を形成してもよい。即ち、基体26の上に光反射層37を設け、光反射層37を覆う層間絶縁層38の上に第1電極31を設ける場合、第1電極31、光反射層37、層間絶縁層38を、前述した材料から構成すればよい。光反射層37は、コンタクトホール(コンタクトプラグ)27に接続されていてもよいし、接続されていなくともよい。
 以下、図24A(第1例)、図24B(第2例)、図25A(第3例)、図25B(第4例)、図26A(第5例)、図26B(第6例)、図27A(第7例)、並びに、図27B及び図27C(第8例)を参照して、第1例~第8例に基づき共振器構造について説明する。ここで、第1例~第4例、第7例において、第1電極及び第2電極は、各発光部において同じ厚さを有する。一方、第5例~第6例において、第1電極は、各発光部において異なる厚さを有し、第2電極は、各発光部において同じ厚さを有する。また、第8例において、第1電極は、各発光部において異なる厚さを有する場合もあるし、同じ厚さを有する場合もあり、第2電極は、各発光部において同じ厚さを有する。
 尚、以下の説明において、第1発光素子101、第2発光素子102及び第3発光素子103を構成する発光部を参照番号301,302,303で表し、第1電極を参照番号311,312,313で表し、第2電極を参照番号321,322,323で表し、有機層を参照番号331,332,333で表し、光反射層を参照番号371、372、373で表し、層間絶縁層を参照番号381,382,383,381’,382’,383’で表す。以下の説明において、使用する材料は例示であり、適宜、変更することができる。
 図示した例では、式(1-1)及び式(1-2)から導かれる第1発光素子101、第2発光素子102及び第3発光素子103の共振器長を、第1発光素子101、第2発光素子102、第3発光素子103の順で短くしたが、これに限定するものではなく、m1,m2の値を、適宜、設定することで最適な共振器長を決定すればよい。
 共振器構造の第1例を有する発光素子の概念図を図24Aに示し、共振器構造の第2例を有する発光素子の概念図を図24Bに示し、共振器構造の第3例を有する発光素子の概念図を図25Aに示し、共振器構造の第4例を有する発光素子の概念図を図25Bに示す。第1例~第6例、第8例の一部において、発光部30の第1電極31の下に層間絶縁層38,38’が形成されており、層間絶縁層38,38’の下に光反射層37が形成されている。第1例~第4例において、層間絶縁層38,38’の厚さは、発光部301,302,303において異なる。そして、層間絶縁層381,382,383,381’,382’,383’の厚さを適切に設定することで、発光部30の発光波長に対して最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
 第1例では、発光部301,302,303において、第1界面(図面においては、点線で示す)は同じレベルとされる一方、第2界面(図面においては、一点鎖線で示す)のレベルは、発光部301,302,303において異なる。また、第2例では、発光部301,302,303において、第1界面は異なるレベルとされる一方、第2界面のレベルは、発光部301,302,303において同じである。
 第2例において、層間絶縁層381’,382’,383’は、光反射層37の表面が酸化された酸化膜から構成されている。酸化膜から成る層間絶縁層38’は、光反射層37を構成する材料に依存して、例えば、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、マグネシウム酸化物、ジルコニウム酸化物等から構成される。光反射層37の表面の酸化は、例えば、以下の方法で行うことができる。即ち、容器の中に充填された電解液中に、光反射層37が形成された第1基板41を浸漬する。また、光反射層37と対向するように陰極を配置する。そして、光反射層37を陽極として、光反射層37を陽極酸化する。陽極酸化による酸化膜の膜厚は、陽極である光反射層37と陰極との電位差に比例する。それ故、光反射層371、372、373のそれぞれに発光部301,302,303に応じた電圧を印加した状態で陽極酸化を行う。これによって、厚さの異なる酸化膜から成る層間絶縁層381’,382’,383’を、一括して、光反射層37の表面に形成することができる。光反射層371、372、373の厚さ、層間絶縁層381’,382’,383’の厚さは、発光部301,302,303によって異なる。
 第3例にあっては、光反射層37の下に下地膜39が配設されており、下地膜39は、発光部301,302,303において、異なる厚さを有する。即ち、図示した例では、発光部301、発光部302、発光部303の順に、下地膜39の厚さは厚い。
 第4例にあっては、成膜時の光反射層371,372,373の厚さが、発光部301,302,303において異なる。第3例~第4例では、発光部301,302,303において、第2界面は同じレベルとされる一方、第1界面のレベルは、発光部301,302,303において異なる。
 第5例~第6例においては、第1電極311,312,313の厚さが、発光部301,302,303において異なる。光反射層37は各発光部30において同じ厚さを有する。
 第5例において、第1界面のレベルは、発光部301,302,303において同じである一方、第2界面のレベルは、発光部301,302,303において異なる。
 第6例においては、光反射層37の下に下地膜39が配設されており、下地膜39は、発光部301,302,303において、異なる厚さを有する。即ち、図示した例では、発光部301、発光部302、発光部303の順に、下地膜39の厚さは厚い。第6例では、発光部301,302,303において、第2界面は同じレベルとされる一方、第1界面のレベルは、発光部301,302,303において異なる。
 第7例において、第1電極311,312,313は光反射層を兼ねており、第1電極311,312,313を構成する材料の光学定数(具体的には、位相シフト量)が、発光部301,302,303によって異なる。例えば、発光部301の第1電極311を銅(Cu)から構成し、発光部302の第1電極312と発光部303の第1電極313をアルミニウム(Al)から構成すればよい。
 また、第8例において、第1電極311,312は光反射層を兼ねており、第1電極311,312を構成する材料の光学定数(具体的には、位相シフト量)が、発光部301,302によって異なる。例えば、発光部301の第1電極311を銅(Cu)から構成し、発光部302の第1電極312と発光部303の第1電極313をアルミニウム(Al)から構成すればよい。第8例では、例えば、発光部301,302に第7例を適用し、発光部303に第1例を適用している。第1電極311,312,313の厚さは、異なっていてもよいし、同じであってよい。
 尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
[A01]《表示装置:第1の態様》
 第1発光領域、及び、第1発光領域の上方に配設された第1カラーフィルタ層を備えた第1発光素子、
 第2発光領域、及び、第2発光領域の上方に配設された第2カラーフィルタ層を備えた第2発光素子、並びに、
 第3発光領域、及び、第3発光領域の上方に配設された第3カラーフィルタ層を備えた第1発光素子、
から構成された発光素子群が、複数、基体上に配列されて成り、
 隣接する発光素子において、カラーフィルタ層の発光領域と対向する底面の境界線と発光領域の端部とを結ぶ最短の線分が基体の法線と成す角度は、各発光素子において同じである表示装置。
[A02]《表示装置:第2の態様》
 第1発光領域、及び、第1発光領域の上方に配設された第1カラーフィルタ層を備えた第1発光素子、
 第2発光領域、及び、第2発光領域の上方に配設された第2カラーフィルタ層を備えた第2発光素子、並びに、
 第3発光領域、及び、第3発光領域の上方に配設された第3カラーフィルタ層を備えた第1発光素子、
から構成された発光素子群が、複数、基体上に配列されて成り、
 隣接する発光素子において、カラーフィルタ層の発光領域と対向する底面の境界線の基体に対する正射影像から、発光領域の端部の基体に対する正射影像までの距離は、各発光素子において同じである表示装置。
[A03]カラーフィルタ層頂面とカラーフィルタ層頂面との境界線で囲まれたカラーフィルタ層の頂面領域の基体に対する正射影像の面積は、第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において同じである[A01]又は[A02]に記載の表示装置。
[A04]第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において、発光領域の面積は異なる[A03]に記載の表示装置。
[A05]カラーフィルタ層頂面とカラーフィルタ層頂面との境界線で囲まれたカラーフィルタ層の頂面領域の基体に対する正射影像の面積は、第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において異なる[A01]又は[A02]に記載の表示装置。
[A06]第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において、発光領域の面積は同じである[A05]に記載の表示装置。
[A07]第1発光領域、第2発光領域及び第3発光領域は白色光を発光する[A01]乃至[A06]のいずれか1項に記載の表示装置。
[A08]第1発光領域は赤色光を発光し、第2発光領域は緑色光を発光し、第3発光領域は青色光を発光する[A01]乃至[A06]のいずれか1項に記載の表示装置。
[A09]複数の発光素子群を構成する第1発光素子は第1の方向に沿って配列されており、
 複数の発光素子群を構成する第2発光素子は第1の方向に沿って配列されており、
 複数の発光素子群を構成する第3発光素子は第1の方向に沿って配列されている[A01]乃至[A08]のいずれか1項に記載の表示装置。
[A10]発光素子群は、2×2に配列された4つの発光素子から構成されており、
 第1発光素子は、2つの第3発光素子に隣接して配置されており、
 第2発光素子は、2つの第3発光素子に隣接して配置されており、
 2つの第3発光素子のそれぞれは、第1発光素子及び第2発光素子に隣接して配置されている[A01]乃至[A08]のいずれか1項に記載の表示装置。
[A11]発光素子群は、1つの第1発光素子、1つの第2発光素子、及び、1つの第3発光素子から構成されており、
 第1発光素子は、第2発光素子及び第3発光素子に隣接して配置されており、
 第2発光素子は、第1発光素子及び第3発光素子に隣接して配置されている[A01]乃至[A08]のいずれか1項に記載の表示装置。
10,10R,10G,10B・・・発光素子、11,11R,11G,11B・・・発光領域、11GRR,11RL,11GR,11GL,11BR,11BL・・・発光領域の端部、20・・・トランジスタ、21・・・ゲート電極、22・・・ゲート絶縁層、23・・・チャネル形成領域、24・・・ソース/ドレイン領域、25・・・素子分離領域、26・・・基体、28・・・絶縁層、27・・・コンタクトプラグ、29・・・開口部、31・・・第1電極、32・・・第2電極、33・・・有機層、34・・・保護膜、35・・・樹脂層(封止樹脂層)、37・・・光反射層、38・・・層間絶縁層、39・・・下地膜、41・・・第1基板、42・・・第2基板、51R,51G,51B・・・カラーフィルタ層、521,522,523,531,532・・・カラーフィルタ層の境界線

Claims (20)

  1.  第1発光領域、及び、第1発光領域の上方に配設された第1カラーフィルタ層を備えた第1発光素子、
     第2発光領域、及び、第2発光領域の上方に配設された第2カラーフィルタ層を備えた第2発光素子、並びに、
     第3発光領域、及び、第3発光領域の上方に配設された第3カラーフィルタ層を備えた第1発光素子、
    から構成された発光素子群が、複数、基体上に配列されて成り、
     隣接する発光素子において、カラーフィルタ層の発光領域と対向する底面の境界線と発光領域の端部とを結ぶ最短の線分が基体の法線と成す角度は、各発光素子において同じである表示装置。
  2.  カラーフィルタ層頂面とカラーフィルタ層頂面との境界線で囲まれたカラーフィルタ層の頂面領域の基体に対する正射影像の面積は、第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において同じである請求項1に記載の表示装置。
  3.  第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において、発光領域の面積は異なる請求項2に記載の表示装置。
  4.  カラーフィルタ層頂面とカラーフィルタ層頂面との境界線で囲まれたカラーフィルタ層の頂面領域の基体に対する正射影像の面積は、第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において異なる請求項1に記載の表示装置。
  5.  第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において、発光領域の面積は同じである請求項4に記載の表示装置。
  6.  第1発光領域、第2発光領域及び第3発光領域は白色光を発光する請求項1に記載の表示装置。
  7.  第1発光領域は赤色光を発光し、第2発光領域は緑色光を発光し、第3発光領域は青色光を発光する請求項1に記載の表示装置。
  8.  複数の発光素子群を構成する第1発光素子は第1の方向に沿って配列されており、
     複数の発光素子群を構成する第2発光素子は第1の方向に沿って配列されており、
     複数の発光素子群を構成する第3発光素子は第1の方向に沿って配列されている請求項1に記載の表示装置。
  9.  発光素子群は、2×2に配列された4つの発光素子から構成されており、
     第1発光素子は、2つの第3発光素子に隣接して配置されており、
     第2発光素子は、2つの第3発光素子に隣接して配置されており、
     2つの第3発光素子のそれぞれは、第1発光素子及び第2発光素子に隣接して配置されている請求項1に記載の表示装置。
  10.  発光素子群は、1つの第1発光素子、1つの第2発光素子、及び、1つの第3発光素子から構成されており、
     第1発光素子は、第2発光素子及び第3発光素子に隣接して配置されており、
     第2発光素子は、第1発光素子及び第3発光素子に隣接して配置されている請求項1に記載の表示装置。
  11.  第1発光領域、及び、第1発光領域の上方に配設された第1カラーフィルタ層を備えた第1発光素子、
     第2発光領域、及び、第2発光領域の上方に配設された第2カラーフィルタ層を備えた第2発光素子、並びに、
     第3発光領域、及び、第3発光領域の上方に配設された第3カラーフィルタ層を備えた第1発光素子、
    から構成された発光素子群が、複数、基体上に配列されて成り、
     隣接する発光素子において、カラーフィルタ層の発光領域と対向する底面の境界線の基体に対する正射影像から、発光領域の端部の基体に対する正射影像までの距離は、各発光素子において同じである表示装置。
  12.  カラーフィルタ層頂面とカラーフィルタ層頂面との境界線で囲まれたカラーフィルタ層の頂面領域の基体に対する正射影像の面積は、第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において同じである請求項11に記載の表示装置。
  13.  第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において、発光領域の面積は異なる請求項12に記載の表示装置。
  14.  カラーフィルタ層頂面とカラーフィルタ層頂面との境界線で囲まれたカラーフィルタ層の頂面領域の基体に対する正射影像の面積は、第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において異なる請求項11に記載の表示装置。
  15.  第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子において、発光領域の面積は同じである請求項14に記載の表示装置。
  16.  第1発光領域、第2発光領域及び第3発光領域は白色光を発光する請求項11に記載の表示装置。
  17.  第1発光領域は赤色光を発光し、第2発光領域は緑色光を発光し、第3発光領域は青色光を発光する請求項11に記載の表示装置。
  18.  複数の発光素子群を構成する第1発光素子は第1の方向に沿って配列されており、
     複数の発光素子群を構成する第2発光素子は第1の方向に沿って配列されており、
     複数の発光素子群を構成する第3発光素子は第1の方向に沿って配列されている請求項11に記載の表示装置。
  19.  発光素子群は、2×2に配列された4つの発光素子から構成されており、
     第1発光素子は、2つの第3発光素子に隣接して配置されており、
     第2発光素子は、2つの第3発光素子に隣接して配置されており、
     2つの第3発光素子のそれぞれは、第1発光素子及び第2発光素子に隣接して配置されている請求項11に記載の表示装置。
  20.  発光素子群は、1つの第1発光素子、1つの第2発光素子、及び、1つの第3発光素子から構成されており、
     第1発光素子は、第2発光素子及び第3発光素子に隣接して配置されており、
     第2発光素子は、第1発光素子及び第3発光素子に隣接して配置されている請求項11に記載の表示装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220069002A1 (en) * 2020-08-27 2022-03-03 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting element
WO2025028395A1 (ja) * 2023-07-31 2025-02-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光装置および電子機器

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11778883B2 (en) * 2019-08-27 2023-10-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Display device, manufacture method, and electronic equipment
CN111490180A (zh) * 2020-04-23 2020-08-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置以及显示面板的制造方法
CN112102783B (zh) * 2020-11-05 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及电子设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012504852A (ja) * 2008-10-01 2012-02-23 ユニバーサル・ディスプレイ・コーポレーション 新規のoledディスプレイ構造
JP2013175433A (ja) * 2012-01-24 2013-09-05 Canon Inc 表示装置
US20160322432A1 (en) * 2015-04-30 2016-11-03 Novatek Microelectronics Corp. Sub-pixel arrangement structure of organic light emitting diode display
JP2018081831A (ja) * 2016-11-17 2018-05-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び、電子機器
JP2018124540A (ja) * 2017-02-01 2018-08-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、ヘッドマウントディスプレイ
CN108493211A (zh) * 2017-12-28 2018-09-04 友达光电股份有限公司 显示面板
JP2019029188A (ja) * 2017-07-31 2019-02-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008225179A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Sony Corp 表示装置、表示装置の駆動方法、および電子機器
JP5293497B2 (ja) * 2009-08-18 2013-09-18 ソニー株式会社 表示装置
JP5445364B2 (ja) * 2010-07-09 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 有機el装置、有機el装置の製造方法、ならびに電子機器
JP5919807B2 (ja) 2011-03-30 2016-05-18 ソニー株式会社 有機発光素子、有機発光素子の製造方法および表示装置
JP5741274B2 (ja) * 2011-07-22 2015-07-01 セイコーエプソン株式会社 有機el装置及び電子機器
JP2013152853A (ja) 2012-01-25 2013-08-08 Canon Inc 表示装置
JP6019997B2 (ja) * 2012-09-26 2016-11-02 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP6186698B2 (ja) 2012-10-29 2017-08-30 セイコーエプソン株式会社 有機el装置、電子機器
JP6111643B2 (ja) * 2012-12-17 2017-04-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
US20140339606A1 (en) * 2013-05-16 2014-11-20 Visera Technologies Company Limited Bsi cmos image sensor
JP2015069700A (ja) * 2013-09-26 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6318676B2 (ja) * 2014-02-14 2018-05-09 セイコーエプソン株式会社 有機発光装置の製造方法、有機発光装置、及び電子機器
JP2017147059A (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP6680565B2 (ja) * 2016-02-29 2020-04-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及び、表示装置の製造方法
CN107275360B (zh) * 2016-04-01 2020-10-16 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
JP6299845B1 (ja) * 2016-11-15 2018-03-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び、電子機器
CN108305565B (zh) * 2017-01-11 2020-06-30 刘敏钻 显示装置
CN107275502B (zh) * 2017-06-29 2019-11-12 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板和显示装置
KR102367247B1 (ko) * 2017-07-04 2022-02-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10353243B2 (en) * 2017-08-01 2019-07-16 Innolux Corporation Display device
US10367020B2 (en) * 2017-11-15 2019-07-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Polarizers for image sensor devices
KR102759192B1 (ko) * 2019-05-24 2025-01-31 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
WO2023095658A1 (ja) * 2021-11-26 2023-06-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光装置及び電子機器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012504852A (ja) * 2008-10-01 2012-02-23 ユニバーサル・ディスプレイ・コーポレーション 新規のoledディスプレイ構造
JP2013175433A (ja) * 2012-01-24 2013-09-05 Canon Inc 表示装置
US20160322432A1 (en) * 2015-04-30 2016-11-03 Novatek Microelectronics Corp. Sub-pixel arrangement structure of organic light emitting diode display
JP2018081831A (ja) * 2016-11-17 2018-05-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び、電子機器
JP2018124540A (ja) * 2017-02-01 2018-08-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、ヘッドマウントディスプレイ
JP2019029188A (ja) * 2017-07-31 2019-02-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置
CN108493211A (zh) * 2017-12-28 2018-09-04 友达光电股份有限公司 显示面板

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220069002A1 (en) * 2020-08-27 2022-03-03 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting element
US12154935B2 (en) * 2020-08-27 2024-11-26 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting element and black dye layers
WO2025028395A1 (ja) * 2023-07-31 2025-02-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光装置および電子機器

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Publication number Publication date
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