WO2020139141A9 - Способ изготовления мемристора с наноконцентраторами электрического поля - Google Patents
Способ изготовления мемристора с наноконцентраторами электрического поля Download PDFInfo
- Publication number
- WO2020139141A9 WO2020139141A9 PCT/RU2019/000895 RU2019000895W WO2020139141A9 WO 2020139141 A9 WO2020139141 A9 WO 2020139141A9 RU 2019000895 W RU2019000895 W RU 2019000895W WO 2020139141 A9 WO2020139141 A9 WO 2020139141A9
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- layer
- tantalum
- electrode
- dioxide
- electric field
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Definitions
- the invention relates to a technology for the manufacture of memristors with a dielectric structure located between its two electrodes, which has a resistive memory, the operation of which is stabilized as a result of the introduction of an electric field into the specified dielectric structure, and can be used in the manufacture of memristors with the specified dielectric structure containing providing filamentary Zirconia layer switching mechanism.
- a well-known technology for the manufacture of a memristor with a dielectric structure between its two electrodes, which has a resistive memory and contains a layer of zirconium dioxide without introducing nanoconcentrators of an electric field into it does not meet the requirements of high stabilization of resistive memory operation.
- the level of modern technology for manufacturing a memristor with a dielectric structure located between its two electrodes, which has a resistive memory, the operation of which is stabilized as a result of the introduction of an electric field into the specified dielectric structure of nanoconcentrators for example, a method for producing a memristor switch including a dielectric substrate with an electrode deposited on it in the form of a conducting film deposited on the electrode, a nanoscale active layer, as well as a second electrode, made in the form of a scanning probe microscope probe, and an active layer made in in the form of a lithium fluoride film containing copper nanoclusters (see the utility model "Memristor switch" by RF patent N ° 159146, H01 L45 / 00, 2016), is characterized by a reserve for optimizing the manufacture of memristors due to the need for additional introduction of electric field nanoconcentrators.
- a method for manufacturing a memristor was chosen by obtaining a dielectric structure located between two electrodes, containing a layer of zirconium dioxide providing a filamentary switching mechanism and having a resistive memory, the operation of which is stabilized as a result of the introduction of an electric field in the specified dielectric structure in the form of nanoparticles of a semiconductor material ( see the 10th paragraph on page 5 of the description of the invention "Oxide memory resistor, including semiconductor nanoparticles" and item 12 of the formula of this invention "Method of manufacturing a memory resistor " according to application WO2013005040, G11C13 / 00, H01 L45 / 00, 2013).
- the technical result from the use of the proposed method is to increase the efficiency of manufacturing a memristor based on zirconium dioxide with nanoconcentrators of the electric field introduced into its active dielectric structure by providing an optimal combination of improved manufacturability of the said memristor and stabilizing the operation of the resistive memory of the memristor as a result of eliminating the need for additional introduction of nanoconcentrators electric field into the dielectric structure of a memristor based on yttrium-stabilized zirconium dioxide, located between its two electrodes and having a resistive memory, i.e., as a result of combining the introduction of electric field nanoconcentrators with the process of formation of the said dielectric structure in connection with the formation of these nanoconcentrators in the form of nanocrystalline tantalum inclusions in the areas of the intermediate deposited layer of tantalum oxide and the interface layer of titanium dioxide formed on the surface of one of the electrodes made of titanium nitride, with the partial replacement of nitrogen atoms by oxygen atoms during the deposition of
- the technical result in the case of manufacturing the second of the electrodes by deposition of tantalum by magnetron sputtering on a layer of zirconium dioxide stabilized with yttrium is to further improve the exchange of oxygen ions between the layer of zirconium dioxide stabilized by yttrium and the specified electrode as a result of the formation of an interface layer of tantalum dioxide during partial oxidation of tantalum in the process of deposition of tantalum on a layer of the specified zirconium dioxide.
- a layer of tantalum oxide and a layer of yttrium-stabilized zirconium dioxide are successively formed using magnetron sputtering; moreover, when tantalum oxide is deposited on the said electrode, accompanied by partial replacement of nitrogen atoms with oxygen atoms, an intermediate interface layer of titanium dioxide is formed on the surface of this electrode and in the areas of the specified interface layer and the deposited layer of tantalum oxide, adjacent to the surface boundary of their interface, the nanoconcentr
- an adhesion titanium layer 20 nm thick is sequentially sprayed on an oxidized silicon wafer
- the first electrode is in the form of a lower titanium nitride layer - TiN with a thickness of 20 nm, a tantalum oxide layer - Ta 2 0 5 with a thickness of 10 nm with the formation during deposition the specified tantalum oxide of the intermediate interface layer of titanium dioxide - TiU 2 with a thickness of 4 nm on the surface of the first electrode and nanoconcentrators of the electric field in the form of nanocrystalline inclusions of tantalum up to 3 nm in size, formed in the regions of the intermediate interface layer of titanium dioxide - TiU 2 and the deposited layer of tantalum oxide - Ta 2 0 5 adjacent to their surface interface, a layer of zirconium dioxide - Zr0 stabilized with yttrium, 10 nm thick, the second electrode in the form of an upper tantalum layer 8 nm thick with the formation of an
- a 20 nm thick layer of gold can be deposited on the surface of the second electrode by magnetron sputtering at a constant current at a temperature of 200 ° C.
- FIG. 1 shows a memristor structure obtained in accordance with the proposed method
- in fig. 2 characteristic volt-ampere characteristics of a memristor made in accordance with the proposed method, after 100 switching cycles
- in Fig. 3 data on the switching stability of the memristor made in accordance with the proposed method, depending on the number of pulse switching cycles.
- the proposed method for manufacturing a memristor is carried out in the following order.
- an adhesive titanium layer 20 nm thick (not shown in Fig. 1) is sprayed by DC magnetron sputtering and then successively by RF magnetron sputtering at a temperature of 300 ° C on it the first electrode (see Fig.
- the composition of the layers was controlled by X-ray photoelectron spectroscopy on control films. It was found by the method of transmission electron microscopy (X-TEM) that layers 2 of tantalum oxide and 4 of tantalum are amorphous, and layer 3 of zirconium oxide, stabilized with yttrium (Y), is characterized by a columnar polycrystalline structure.
- X-TEM transmission electron microscopy
- tantalum oxide layer at the interface with the titanium nitride (TiN) layer - in the area adjacent to the surface of the first 5 electrode (titanium nitride layer 1) of the tantalum oxide layer 2 nitrogen atoms were partially replaced by oxygen atoms with the formation of the titanium dioxide interface layer 5 and In the adjacent to the surface interface areas of the intermediate interface layer 6 of titanium dioxide (TiU 2 ) and the deposited layer 2 of tantalum oxide (Ta 2 0 5 ), the formation of nanocrystalline inclusions 7 of tantalum during the deposition of tantalum oxide.
- the transition layer 2 of oxidized tantalum was formed on the interface layer 5 of titanium dioxide located between the layer 3 of zirconium stabilized with yttrium and the second electrode 15 (layer 4 of tantalum), creating an excess of oxygen vacancies in the specified layer 3 of zirconium oxide.
- the resulting memristor structure demonstrates bipolar resistive switching (Fig. 2), which is characterized by a high resistance state (SHS) and a low resistance state (LHC). After several hundred cycles, switching between the indicated states is stabilized, which are characterized by a low scatter of resistance values (Fig. 3).
- yttrium-stabilized zirconium oxide Zr0 2 (Y)
- Zr0 2 (Y) yttrium-stabilized zirconium oxide
- Y yttrium-stabilized zirconium oxide
- Reproducible stable smooth resistive switching between nonlinear states is promising for adaptive programming of memristor elements in large passive cross-bar arrays.
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
На поверхности одного из электродов, изготовленного из нитрида титана последовательно формируют слой оксида тантала и слой диоксида циркония, стабилизированного иттрием, с использованием магнетронного распыления. Осаждение на указанный электрод оксида тантала, сопровождается частичным замещением атомов азота на атомы кислорода и формированием на поверхности этого электрода промежуточного интерфейсного слоя диоксида титана с образованием в участках указанного интерфейсного слоя и осаждаемого слоя оксида тантала, прилежащих к поверхностной границе их раздела, наноконцентраторов электрического поля в виде нанокристаллических включений тантала.
Description
Способ изготовления мемристора с наноконцентраторами
электрического поля
Изобретение относится к технологии изготовления мемристоров с диэлектрической структурой, расположенной между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью, работа которой которая стабилизирована в результате введения в указанную диэлектрическую структуру наноконцентраторов электрического поля, и может быть использовано при изготовлении мемристоров с указанной диэлектрической структурой, содержащей обеспечивающий филаментарный механизм переключения слой диоксида циркония.
Известная технология изготовления мемристора с диэлектрической структурой между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью и содержащей слой диоксида циркония без введения в неё наноконцентраторов электрического поля (см., например, изобретение «Способ получения энергонезависимого элемента памяти» в соответствии с патентом РФ N° 2468471 , H01 L21/8239, 2012), не удовлетворяет требованиям высокой стабилизации работы резистивной памяти.
Уровень современной технологии изготовления мемристора с диэлектрической структурой, расположенной между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью, работа которой стабилизирована в результате введения в указанную диэлектрическую структуру наноконцентраторов электрического поля, например способ получения мемристорного переключателя, включающего диэлектрическую подложку с нанесённым на неё электродом в виде проводящей пленки, нанесённый на электрод наноразмерный активный слой, а также второй электрод, выполненный в виде, зонда сканирующего зондового микроскопа, и активный слой, выполненный в
виде пленки фторида лития, содержащей нанокластеры меди (см. полезную модель «Мемристорный переключатель» по патенту РФ N° 159146, H01 L45/00, 2016), характеризуется резервом оптимизации изготовления мемристоров в связи с необходимостью проведения дополнительного введения наноконцентраторов электрического поля.
В качестве прототипа предлагаемого способа выбран способ изготовления мемристора путём получения расположенной между двумя электродами диэлектрической структуры, содержащей обеспечивающий филаментарный механизм переключения слой диоксида циркония и обладающей резистивной памятью, работу которой стабилизируют в результате введения в указанную диэлектрическую структуру наноконцентраторов электрического поля в виде наночастиц полупроводникового материала (см. 10-й абзац на с. 5 описания изобретения «Оксидный резистор памяти, включающий полупроводниковые наночастицы» и п. 12 формулы этого изобретения «Способ изготовления резистора памяти ...» по заявке WO2013005040, G11C13/00, H01 L45/00, 2013).
Недостатком указанного прототипа также является необходимость проведения дополнительного введения наноконцентраторов электрического поля в виде наночастиц полупроводникового материала.
Технический результат от использования предлагаемого способа - повышение эффективности изготовления мемристора на основе диоксида циркония с введёнными в его активную диэлектрическую структуру наноконцентраторами электрического поля за счёт обеспечения оптимального сочетания повышенных технологичности изготовления указанного мемристора и стабилизации работы резистивной памяти мемристора в результате исключения необходимости в дополнительном введении наноконцентраторов
электрического поля в диэлектрическую структуру мемристора на основе диоксида циркония, стабилизированного иттрием, расположенную между его двумя электродами и обладающую резистивной памятью, т. е. в результате совмещения введения наноконцентраторов электрического поля с процессом формирования упомянутой диэлектрической структуры в связи с образованием указанных наноконцентраторов в виде нанокристаллических включений тантала в прилежащих к поверхностной границе раздела участках промежуточного осаждаемого слоя оксида тантала и интерфейсного слоя диоксида титана, формируемого на поверхности одного из электродов, изготовленного из нитрида титана, при частичном замещении атомов азота на атомы кислорода в процессе осаждения на указанном электроде слоя оксида тантала, а также в результате одновременного улучшения обмена ионами кислорода между слоем диоксида циркония, стабилизированного иттрием, и указанным электродом и усилением при резистивном переключении потока ионов кислорода в связи с указанным формированием интерфейсного слоя диоксида титана.
Технический результат в случае изготовления второго из электродов осаждением тантала магнетронным распылением на слое диоксида циркония, стабилизированного иттрием, заключается в дополнительном улучшении обмена ионами кислорода между слоем диоксида циркония, стабилизированного иттрием, и указанным электродом в результате формирования интерфейсного слоя диоксида тантала при частичном окислении тантала в процессе осаждения тантала на слое указанного диоксида циркония.
Для достижения указанного технического результата в способе изготовления мемристора путём формирования расположенной между двумя электродами диэлектрической структуры, содержащей обеспечивающий филаментарный механизм переключения слой
диоксида циркония и обладающей резистивной памятью, работу которой стабилизируют в результате введения в указанную диэлектрическую структуру наноконцентраторов электрического поля, для совмещения введения наноконцентраторов электрического поля с процессом формирования упомянутой диэлектрической структуры и усиления в ней при резистивном переключении потока ионов кислорода на поверхности одного из электродов, изготовленного из нитрида титана, последовательно формируют слой оксида тантала и слой диоксида циркония, стабилизированного иттрием, с использованием магнетронного распыления, причём при осаждении на указанный электрод оксида тантала, сопровождаемом частичным замещением атомов азота на атомы кислорода, формируют на поверхности этого электрода промежуточный интерфейсный слой диоксида титана и в участках указанного интерфейсного слоя и осаждаемого слоя оксида тантала, прилежащих к поверхностной границе их раздела, образуемые при этом наноконцентраторы электрического поля в виде нанокристаллических включений тантала.
Для дополнительного усиления в диэлектрической структуре предлагаемого мемристра при резистивном переключении потока ионов кислорода в случае изготовления второго из электродов осаждением тантала магнетронным распылением на слое диоксида циркония, стабилизированного иттрием, сопровождаемым частичным окислением тантала, формируют на поверхности указанного слоя диоксида циркония промежуточный интерфейсный слой диоксида тантала.
В частном случае осуществления предлагаемого способа на окисленной пластине кремния последовательно напыляют адгезионный слой титана толщиной 20 нм, первый электрод в виде нижнего слоя нитрида титана - TiN толщиной 20 нм, слой оксида тантала - Та205 толщиной 10 нм с формированием при осаждении
указанного оксида тантала промежуточного интерфейсного слоя диоксида титана - ТЮ2 толщиной 4 нм на поверхности первого электрода и наноконцентраторов электрического поля в виде нанокристаллических включений тантала размерами до 3 нм, образуемых в участках промежуточного интерфейсного слоя диоксида титана - ТЮ2 и осаждаемого слоя оксида тантала - Та205, прилежащих к поверхностной границе их раздела, слой диоксида циркония - Zr0 , стабилизированного иттрием, толщиной 10 нм, второй электрод в виде верхнего слоя тантала толщиной 8 нм с формированием при осаждении указанного тантала промежуточного интерфейсного слоя диоксида тантала - Та02 толщиной 4 нм на поверхности указанного слоя диоксида циркония и использованием при напылениях указанных оксидов и нитрида ВЧ-магнетронного распыления при температуре 300°С и остальных указанных слоёв магнетронного распыления на постоянном токе при температуре 200°С.
При этом для улучшения работоспособности мемристора на поверхности второго электрода может быть напылён магнетронным распылением при постоянном токе при температуре 200°С слой золота толщиной 20 нм.
На фиг. 1 показана мемристорная структура, получаемая в соответствии с предлагаемым способом; на фиг. 2 - характерные вольтамперные характеристики мемристора, изготовленного в соответствии с предлагаемым способом, после 100 циклов переключения и на фиг. 3 - данные по устойчивости переключения мемристора, изготовленного в соответствии с предлагаемым способом, в зависимости от количества циклов импульсного переключения.
Предлагаемый способ изготовления мемристора осуществляют в следующем порядке.
На окисленной пластине кремния (на фиг. 1 не показана) при её температуре 200°С напыляют магнетронным распылением на постоянном токе адгезионный слой титана толщиной 20 нм (на фиг. 1 не показан) и затем последовательно ВЧ-магнетронным распылением при температуре 300 °С на нём первый электрод (см. фиг. 1 ) в виде слоя 1 нитрида титана (TiN) толщиной 20 нм, слой 2 оксида тантала (Та205) толщиной 10 нм и слой 3 оксида циркония (Zr02), стабилизированного иттрием, толщиной 10 нм, после чего магнетронным распылением на постоянном токе при температуре 200°С второй электрод в виде промежуточного слоя 4 тантала толщиной 8 нм и верхнего слоя 5 золота толщиной 20 нм с формированием при осаждении указанного оксида тантала (см. на фиг. 1 слой 2) промежуточного интерфейсного слоя 6 диоксида титана (ТЮ2) толщиной 4 нм на поверхности первого электрода и наноконцентраторов электрического поля в виде нанокристаллических включений 7 тантала размерами до 3 нм, образуемых в участках промежуточного интерфейсного слоя 6 диоксида титана (ТЮ2) и осаждаемого слоя 2 оксида тантала (Та205), прилежащих к поверхностной границе их раздела, а также с формированием при осаждении указанного тантала (см. на фиг. 1 слой 4) промежуточного интерфейсного слоя 8 диоксида тантала (Та02) толщиной 4 нм на поверхности указанного слоя 3 диоксида циркония.
Состав слоёв (см. на фиг. 1 ) контролировался методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии на контрольных плёнках. Методом просвечивающей электронной микроскопии поперечного сечения (Х-ТЕМ) было установлено, что слои 2 оксида тантала и 4 тантала являются аморфными, а слой 3 оксида циркония,
стабилизированного иттрием (Y), характеризуется колончатой поликристаллической структурой.
В процессе осаждения слоя оксида тантала на границе со слоем нитрида титана (TiN) - в прилежащем к поверхности первого 5 электрода (слой 1 нитрида титана) участке слоя 2 оксида тантала происходило частичное замещение атомов азота на атомы кислорода с формированием интерфейсного слоя 5 диоксида титана и в прилежащих к поверхностной границе раздела участках промежуточного интерфейсного слоя 6 диоксида титана (ТЮ2) и ю осаждаемого слоя 2 оксида тантала (Та205) формирование при осаждении оксида тантала нанокристаллических включений 7 тантала. Переходный слой 2 из окисленного тантала формировался на интерфейсном слое 5 диоксида титана, расположенном между слоем 3 оксида циркония, стабилизированного иттрием, и вторым 15 электродом (слой 4 тантала), создавая избыток кислородных вакансий в указанном слое 3 оксида циркония.
После электроформовки при отрицательном смещении полученная мемристорная структура демонстрирует биполярное резистивное переключение (рис. 2), для которого характерно го высокоомное состояние (СВС) и низкоомное состояние (СНС). После нескольких сотен циклов стабилизируется переключение между указанными состояниями, которые характеризуются низким разбросом значений сопротивления (рис. 3).
Полученный результат интерпретируется на основе механизма 25 формирования филаментов с центральной проводящей частью в слое 3 оксида циркония, стабилизированного иттрием, и воспроизводимых структурных превращений в слое 2 оксида тантала с формированием и разрушением более проводящей фазы оксида тантала со степенью окисления +4(Та02) (см. фиг. 1 ).
Повышенная стабилизация резистивных состояний объясняется наличием границ зёрен в слое 3 стабилизированного иттрием оксида циркония (Zr02(Y)) как предпочтительных мест для зарождения филаментов, наличием нанокристалл ических включений 7 тантала в качестве концентраторов электрического поля в слое оксида тантала 2 и улучшенным обменом кислородом между слоем 2 оксида тантала, слоем 3 оксида циркония, стабилизированного иттрием, и интерфейсным слоем 6 диоксида титана с первым электродом (слой 1 нитрида титана), а также интерфейсным слоем 8 диоксида тантала со вторым электродом (слой 4 тантала).
Воспроизводимое стабильное плавное резистивное переключение между нелинейными состояниями, достигаемое при использовании предлагаемого способа, перспективно для адаптивного программирования мемристорных элементов в больших пассивных массивах «кросс-бар».
Claims
1. Способ изготовления мемристора путём формирования расположенной между двумя электродами диэлектрической
5 структуры, содержащей обеспечивающий филаментарный механизм переключения слой диоксида циркония и обладающей резистивной памятью, работу которой стабилизируют в результате введения в указанную диэлектрическую структуру наноконцентраторов электрического поля, отличающийся тем, что для совмещения ю введения наноконцентраторов электрического поля с процессом формирования упомянутой диэлектрической структуры и усиления в ней при резистивном переключении потока ионов кислорода на поверхности одного из электродов, изготовленного из нитрида титана, последовательно формируют слой оксида тантала и слой диоксида is циркония, стабилизированного иттрием, с использованием магнетронного распыления, причём при осаждении на указанный электрод оксида тантала, сопровождаемом частичным замещением атомов азота на атомы кислорода, формируют на поверхности этого электрода промежуточный интерфейсный слой диоксида титана и в го участках указанного интерфейсного слоя и осаждаемого слоя оксида тантала, прилежащих к поверхностной границе их раздела, образуемые при этом наноконцентраторы электрического поля в виде нанокристаллических включений тантала.
2. Способ по п. 1 , отличающийся тем, что при изготовлении 25 второго из электродов осаждением тантала магнетронным распылением на слое диоксида циркония, стабилизированного иттрием, сопровождаемым частичным окислением тантала, формируют на поверхности указанного слоя диоксида циркония промежуточный интерфейсный слой диоксида тантала.
3. Способ по п. 1 и 2, отличающийся тем, что на окисленной пластине кремния последовательно напыляют адгезионный слой титана толщиной 20 нм, первый электрод в виде нижнего слоя нитрида титана - TiN толщиной 20 нм, слой оксида тантала - Та205
5 толщиной 10 нм с формированием при осаждении указанного оксида тантала промежуточного интерфейсного слоя диоксида титана - ТЮ2 толщиной 4 нм на поверхности первого электрода и наноконцентраторов электрического поля в виде нанокристаллических включений тантала размерами до 3 нм, образуемых в участках ю промежуточного интерфейсного слоя диоксида титана - ТЮ2 и осаждаемого слоя оксида тантала - Та205, прилежащих к поверхностной границе их раздела, слой диоксида циркония - Zr02> стабилизированного иттрием, толщиной 10 нм, второй электрод в виде верхнего слоя тантала толщиной 8 нм с формированием при is осаждении указанного тантала промежуточного интерфейсного слоя диоксида тантала - Та0 толщиной 4 нм на поверхности указанного слоя диоксида циркония и использованием при напылениях указанных оксидов и нитрида ВЧ-магнетронного распыления при температуре 300°С и остальных указанных слоёв магнетронного распыления на го постоянном токе при температуре 200°С.
4. Способ по п. 1 , отличающийся тем, что на поверхности второго электрода напыляют магнетронным распылением при постоянном токе при температуре 200 °С слой золота толщиной 20 нм.
10
ИЗМЕНЕННЫЙ ЛИСТ (СТАТЬЯ 19)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018146457A RU2706207C1 (ru) | 2018-12-26 | 2018-12-26 | Способ изготовления мемристора с наноконцентраторами электрического поля |
| RU2018146457 | 2018-12-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2020139141A1 WO2020139141A1 (ru) | 2020-07-02 |
| WO2020139141A9 true WO2020139141A9 (ru) | 2020-07-30 |
Family
ID=68579735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/RU2019/000895 WO2020139141A1 (ru) | 2018-12-26 | 2019-12-04 | Способ изготовления мемристора с наноконцентраторами электрического поля |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2706207C1 (ru) |
| WO (1) | WO2020139141A1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2769536C1 (ru) * | 2020-12-28 | 2022-04-01 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН) | Способ электроформовки при изготовлении элемента памяти |
| CN114824072B (zh) * | 2022-05-10 | 2022-09-13 | 山东科技大学 | 一种富氧缺位掺杂二氧化锆的忆阻器及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9236118B2 (en) * | 2008-12-19 | 2016-01-12 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Non-volatile resistance-switching thin film devices |
| GB201111513D0 (en) * | 2011-07-05 | 2011-08-17 | Ucl Business Plc | Memory resistors |
| RU2472254C9 (ru) * | 2011-11-14 | 2013-06-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (МФТИ) | Мемристор на основе смешанного оксида металлов |
| RU2524415C1 (ru) * | 2013-04-18 | 2014-07-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Мемристор на основе смешанного оксида металлов |
| RU149246U1 (ru) * | 2014-08-01 | 2014-12-27 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Элемент резистивной энергонезависимой памяти |
| JP2018152497A (ja) * | 2017-03-14 | 2018-09-27 | 東芝メモリ株式会社 | 抵抗変化素子及び記憶装置 |
-
2018
- 2018-12-26 RU RU2018146457A patent/RU2706207C1/ru active
-
2019
- 2019-12-04 WO PCT/RU2019/000895 patent/WO2020139141A1/ru active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020139141A1 (ru) | 2020-07-02 |
| RU2706207C1 (ru) | 2019-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2016123881A1 (zh) | 非挥发性阻变存储器件及其制备方法 | |
| AU2016361453B2 (en) | A memristor device and a method of fabrication thereof | |
| KR20060083368A (ko) | 산화막의 저항변화를 이용한 비휘발성 기억소자 및 그제조방법 | |
| JP5827414B2 (ja) | 混合金属酸化物をベースとするメモリスタ | |
| US20120113706A1 (en) | Memristors based on mixed-metal-valence compounds | |
| JP2018538701A5 (ru) | ||
| TW201241922A (en) | Nonvolatile memory element and method for manufacturing method same | |
| US8487289B2 (en) | Electrically actuated device | |
| TWI501356B (zh) | 具有混合式氧化物相結構之憶阻器 | |
| US20170346006A1 (en) | Resistance change element and method for manufacturing same | |
| WO2020139141A9 (ru) | Способ изготовления мемристора с наноконцентраторами электрического поля | |
| WO2022227882A1 (zh) | 一种单通道忆阻器及其制备方法 | |
| CN108321294B (zh) | 一种存储机制可调的薄膜阻变存储器及其制备方法 | |
| US10043973B2 (en) | Resistance random access memory device | |
| KR101004736B1 (ko) | 비휘발성 저항 메모리소자 및 이의 제조방법 | |
| CN115207026A (zh) | 一种含有纳米晶团簇的阻变存储器及其制备方法 | |
| RU189045U1 (ru) | Оксидный мемристор с концентраторами электрического поля | |
| WO2022260595A2 (en) | Non-volatile memory and methods of fabricating the same | |
| KR101069124B1 (ko) | 비휘발성 저항변화 메모리 소자 | |
| KR101176422B1 (ko) | 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 | |
| CN117529222B (zh) | 一种导电丝形成区域可控的拓扑相变忆阻器及其制备方法 | |
| KR20240066801A (ko) | 시냅스 소자 및 이의 제조 방법 | |
| CN116761501A (zh) | 忆阻器及其制备方法 | |
| KR20130014004A (ko) | 가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 19901526 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 19901526 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |