WO2020114933A1 - Cvd-reaktor mit einem von einer schirmplatten-anordnung abgedeckten gaseinlassorgan - Google Patents

Cvd-reaktor mit einem von einer schirmplatten-anordnung abgedeckten gaseinlassorgan Download PDF

Info

Publication number
WO2020114933A1
WO2020114933A1 PCT/EP2019/083227 EP2019083227W WO2020114933A1 WO 2020114933 A1 WO2020114933 A1 WO 2020114933A1 EP 2019083227 W EP2019083227 W EP 2019083227W WO 2020114933 A1 WO2020114933 A1 WO 2020114933A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
gas
screen plate
susceptor
cvd reactor
gas outlet
Prior art date
Application number
PCT/EP2019/083227
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
James O'dowd
Original Assignee
Aixtron Se
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron Se filed Critical Aixtron Se
Priority to EP19813316.7A priority Critical patent/EP3891320A1/de
Priority to KR1020217020332A priority patent/KR20210096218A/ko
Priority to CN201980080267.7A priority patent/CN113166940B/zh
Publication of WO2020114933A1 publication Critical patent/WO2020114933A1/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45572—Cooled nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C23C16/303—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate

Definitions

  • the invention relates to a CVD reactor with a heatable from a heating device to a process temperature susceptor for receiving substrates to be treated, with a gas inlet member for introducing process gases into a gas permeable screen plate between a gas outlet surface of the gas inlet, covering and the Susceptor arranged process chamber, with a gas outlet channel surrounding a side wall of the susceptor and delimited radially outwards by a tubular gas guiding body.
  • the invention also relates to a screen plate arrangement for a CVD reactor.
  • CVD reactors of the type described above are known, for example from US Pat. No. 9,587,312, and are used for depositing semiconductor layers on substrates, in particular in a material system
  • AlGaN is operated at process temperatures of over 1,300 ° C.
  • the gas outlet surface of the gas inlet element is cooled by coolants so that the surface temperature reaches a maximum of 200 ° C.
  • the gas outlet surface of the gas inlet member is covered by a screen plate, which has been made gas-permeable, for example, by means of gas passage openings.
  • Shield plate serves on the one hand as a heat protection shield and on the other hand as a replacement body of a reactor inner lining, on which parasitic deposits can separate.
  • the object of the invention is to improve the handling of the CVD reactor.
  • a CVD reactor in which a susceptor consisting of, for example, graphite or coated graphite is heated to a process temperature by means of a heating device, which can be an IR heater or an RF heater
  • a heating device which can be an IR heater or an RF heater
  • Process gas fed into a process chamber is pyrolytically broken down.
  • the process gas is fed in with the aid of a gas inlet element, which preferably extends over the entire cross-sectional area of the process chamber and has gas outlet openings which are arranged like a shower head, through which the process gas enters the process chamber.
  • the gas outlet surface of the gas inlet element is covered with a screen plate which is gas permeable. It is essential that the screen plate has an edge area which is supported by support elements.
  • the support elements can be attached to the gas inlet element or to a process chamber ceiling. It is particularly advantageous if the support elements are formed by a support ring. It is also an advantage if the sections of one or more support elements which engage under the screen plate are arranged vertically above a gas outlet channel, the gas outlet channel being arranged radially outside the susceptor. It can also be provided that the shield plate is additionally fastened to the gas inlet element by means of a fastening means located in its central area. However, the edge-side support elements are all arranged such that they are arranged radially outside the radially inner edge of the gas outlet channel and only engage under the shield plate in this area.
  • the gas outlet channel is delimited by a side wall of the susceptor and a wall of a tubular gas guide body, the gas guide body surrounding the susceptor with a radial distance.
  • the susceptor can have a diameter of at least about 300 mm and can be rotated about an axis of rotation.
  • the underside of the screen plate can be spaced from the top of the susceptor by 9 to 20 mm.
  • the material thickness of the screen plate can be between 3 and 10 mm.
  • the support elements and in particular the support ring form radially inwardly projecting tongues.
  • the tongues can be sections of the support element or of the support ring that are reduced in thickness.
  • V angeord there can be six evenly distributed V angeord designated and radially inwardly projecting tongues from the support ring. It is provided that the tongues engage in recesses in the edge region of the shield plate, wherein the recesses can be formed by material-reduced recesses in the edge region of the shield plate.
  • An outer peripheral edge of the screen plate which is for example under the tongues, extends radially outside the radially inner wall of the gas outlet port, so that the susceptor is completely covered by the screen plate, the edge of which thus preferably extends radially outside of an edge edge of the susceptor.
  • the screen plate can touch the gas outlet surface of a gas outlet plate of the gas inlet member.
  • the screen plate can also have a small gap distance of, for example, 0.1 to 2 mm Have gas outlet area. Gas passage openings of the screen plate are preferably aligned with gas outlet openings of the gas outlet surface of the gas inlet valve.
  • the gas outlet plate forming the gas outlet surface of the gas inlet member can be cooled by means of a liquid coolant, coolant chambers being provided within the gas inlet member.
  • the tongues engage with radial clearance of approximately 0.1 to 1 mm in the recesses of the edge region of the screen plate, so that the screen plate, which can consist of graphite, coated graphite or quartz, can thermally expand .
  • the niches also extend, if preferred, vertically above the gas outlet channel or have a larger radial distance from a center of the process chamber than the radially outer edge of the susceptor and the inner wall of the gas outlet channel.
  • the screen plate which is preferably made of graphite, like the susceptor which is preferably made of graphite, can be coated with SiC, BrN or the like.
  • the broad side surface of the screen plate facing the gas outlet surface extends in a richly inclined manner in the edge area. In the edge area, the material thickness of the screen plate thus decreases in the radial outward direction.
  • the gas guide body delimiting the gas outlet channel in the radial outward direction has an upper side which carries a sealing ring.
  • the top can have a recess in which the sealing ring is located.
  • the sealing ring can consist of quartz.
  • the support ring can be supported on the sealing ring.
  • Fastening elements with which the support ring is attached to the gas inlet element or a cover of the reactor can be located radially outside the gas guide body.
  • the fasteners are in particular spring elements.
  • the fastening elements can have projections which engage under the support ring.
  • the invention also relates to a faceplate assembly for use in a CVD reactor, the faceplate assembly has a circular disk-shaped shield plate with gas passage openings, which is surrounded by a support ring that can be attached to the gas inlet element or to a reactor cover.
  • the support ring reaches under the edge of the screen plate.
  • the invention also relates to the use of such a screen plate arrangement in a CVD reactor when depositing semiconductor layers on substrates, it being provided in particular that the susceptor is heated to temperatures of at least 1,300 ° C. and the gas outlet surface of the Gas inlet member is kept at a maximum of 200 ° C, for which it is provided in particular that a coolant which heats up to a maximum of 80 ° C is fed into coolant channels of the gas inlet member.
  • a carrier gas for example hydrogen, NH3
  • an organometallic gallium compound and an organometallic aluminum compound are fed through the gas inlet element into the process chamber in order to deposit AlGaN on the substrates of the susceptor, which was rotated in particular during the deposition.
  • Fig. 1 shows schematically a CVD reactor in longitudinal section through a
  • FIG. 2 enlarges section II in FIG. 1,
  • FIG. 3 is a perspective top view of a screen plate arrangement arranged below a gas inlet device 5 with a screen plate carried by a support ring 20, 4 shows a perspective view of a section through the gas inlet element 5 and the screen plate arrangement 10, 20 arranged below it,
  • Fig. 5 as an exploded view of the shield plate 10 and the support ring 20
  • Fig. 6 is a bottom view of the support ring 20 and
  • the CVD reactor 1 has an externally gas-tight housing, within which a coated graphite susceptor 2 extends in a horizontal plane.
  • the upper side of the susceptor 2 has a large number of pocket-like depressions, in each of which a substrate 3 is arranged.
  • the susceptor 3 is in several parts. It has a cover part, the edge of which is supported on a tubular section which forms a susceptor side wall 27 pointing radially outwards.
  • a heating device 4 which is only indicated in the drawings and which can be an RF coil or an IR heating device, with which the susceptor 2 can be heated to temperatures of over 1,300 ° C can be heated.
  • the process chamber 12 into which the process gas is fed by means of a gas inlet element 5.
  • the process gas can consist of a hydride of the main V group and an organometallic compound of an element of the main III group.
  • the process gas is fed together with an inert gas, for example hydrogen, into the process chamber 12.
  • the gas inlet member 5 may have one or more gas distribution chambers 6 with which the two individual gases forming the process gas can be fed separately into the process chamber 12. For the sake of clarity, only a gas inlet 25 and a gas distribution chamber 6 are shown, the gas distribution chamber 6 being connected by means of gas outlet channels 7 to a gas outlet surface 9 'of a gas outlet plate 9 of the gas inlet member 5. Above the gas outlet plate 9 there are cooling channels 8 for introducing a cooling liquid with which the gas outlet plate 9 can be cooled.
  • a shield plate 10 consisting of coated graphite in particular, which has a circular disc-shaped shape.
  • the shield plate 10 has gas passage openings 11, which are aligned with the gas outlet channels 7, so that the process gas and the carrier gas can flow from the gas distribution chamber 6 through the gas outlet channels 7 and the gas passage channels 11 into the process chamber 12.
  • the diameter of the susceptor 2 is at least about 300 mm.
  • the diameter of the circular disk-shaped shield plate 10 is larger than the diameter of the susceptor 2.
  • the edge of the shield plate 10 thus extends vertically above a gas outlet channel 13 which extends radially inwards from the susceptor side wall 27 and radially outwards from a tubular gas guide body 14 is limited.
  • the gas guide body 14 has an upper side which is formed by a radially cranked head portion of the gas guide body 14.
  • the Obersei te of the gas guide body 14 has a recess 18 in which a best existing quartz sealing ring 17 is inserted.
  • Extending above the sealing ring 17 is an annular support element which forms a support ring 20.
  • the support ring 20 surrounds the shield plate 10 and has several, in the embodiment six arranged in a uniform circumferential distribution, from the base body of the support ring 20 to the radially inwardly projecting tongues 21.
  • the tongues 21 have a reduced material thickness and engage in Ni 16 of the edge region 19th the screen plate 10 a.
  • the niches 16 form material-reduced recesses in which the tongues 21 engage radially with movement.
  • the underpinned by the tongues 21 Randbe rich 19 has a gas outlet surface 9 'facing surface which extends inclined at the edge, so that the material thickness of the screen plate 10 in the Randbe rich 19 steadily decreases in the radial outward direction.
  • the support ring 20 is fastened by means of fastening elements 22 to the gas inlet 5.
  • the support ring 20 can also be attached to the reactor cover.
  • the fastening elements 22 are spring elements which have a supporting projection 23 which engage under the supporting ring 20.
  • the support ring 20 has recesses 24 which are located in the region of the outer edge of the support ring 20 and in which the six fastening elements 22 in the exemplary embodiment are arranged at a uniform angle V distribution.
  • the fastening elements 22 and the tongues 21 are in the exemplary embodiment in the same circumferential positions.
  • the edge edge of the shield plate 10 extends over its entire circumferential length around a center of the shield plate 10 vertically above the gas outlet channel 13. In other words, there is preferably no section of the edge of the shield plate 10 that is not radially outside the susceptor side wall 27 lies.
  • the support elements 20 also do not protrude in the radial inward direction over the susceptor side wall 27, but extend vertically above the gas outlet channel 13, so that all the support surfaces with which the ra dial outer edge region of the screen plate 10 is supported are arranged in a zone which are vertically above the gas outlet channel 13.
  • an additional fastening element can be provided with which the center of the shield plate 10 is connected to the gas inlet member.
  • a CVD reactor which is characterized in that a Randbe rich 19 of the screen plate 10 is supported by a support ring 20.
  • a CVD reactor which is characterized in that the outer
  • Edge of the screen plate 10 is carried by sections 21 of a support element 20, on which the edge of the screen plate 10 is supported, with support surfaces being formed, all of the edge-side support surfaces being arranged radially outside the side wall 27 of the susceptor 2 and in particular vertically above the gas outlet channel 13 .
  • a CVD reactor which is characterized by the support ring or support element 20 radially inwardly projecting tongues 21, which
  • Cover plate 10 at circumferentially spaced positions fen and in particular engage in recesses 16 of the edge region 19 of the screen plate 10.
  • a CVD reactor which is characterized in that the support ring 20 or the support elements are fastened by means of fastening elements 22 to the gas inlet element 5 or to a reactor cover.
  • a CVD reactor which is characterized by a between the upper side of the gas guide body 14 and the support ring forming the support ring 20 arranged sealing ring 17, which is arranged in particular in a recess of the gas guide body 14 and in particular consists of quartz.
  • a CVD reactor which is characterized in that the fastening elements 20 for fastening the support ring 20 are arranged radially outside the gas guide body 14 and / or are formed by spring elements.
  • a screen plate arrangement for use in a CVD reactor 1 with a circular disk-shaped, gas passage openings 11-containing screen plate 10 and a gas ring 5 or cover of the CVD reactor 1 attachable support ring 20 which surrounds the screen plate 10 and engages under the edge 19 of the screen plate 10 at least in regions.
  • a screen plate arrangement which is characterized in that the edge region 19 of the screen plate 10 forms material-reduced niches 16, in which tongues 21 of the support ring 20 engage.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor (1) mit einem von einer Heizeinrichtung (4) auf eine Prozesstemperatur aufheizbaren Suszeptor (2) zur Aufnahme von zu behandelnden Substraten (3), mit einem Gaseinlassorgan (5) zum Einleiten von Prozessgasen in eine zwischen einer eine Gasaustrittsfläche (9') des Gaseinlassorgans (5) abdeckenden, gasdurchlässigen Schirmplatte (10) und dem Suszeptor (2) angeordneten Prozesskammer (12). Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, dass ein Randbereich (19) der Schirmplatte (10) von einem Tragring (20) derart unterstützt wird, dass die Abstützflächen außerhalb einer Seitenwand (27) des Suszeptors (2) liegen.

Description

Beschreibung
CVD-Reaktor mit einem von einer Schirmplatten- Anordnung abgedeckten Gaseinlassorgan
Gebiet der Technik
[0001] Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor mit einem von einer Heizein richtung auf eine Prozesstemperatur aufheizbaren Suszeptor zur Aufnahme von zu behandelnden Substraten, mit einem Gaseinlassorgan zum Einleiten von Prozessgasen in eine zwischen einer eine Gasaustrittsfläche des Gaseinlass organs abdeckenden, gasdurchlässigen Schirmplatte und dem Suszeptor ange ordneten Prozesskammer, mit einem eine Seitenwand des Suszeptors umge benden, nach radial außen hin von einem rohrförmigen Gasleitkörper begrenz- ten Gasauslasskanal.
[0002] Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Schirmplatten- Anordnung für einen CVD-Reaktor.
Stand der Technik
[0003] CVD-Reaktoren der zuvor beschriebenen Art sind bekannt, beispiels weise aus der US 9,587,312 und werden zum Abscheiden von Halbleiterschich- ten auf Substraten verwendet, wobei insbesondere in einem Materialsystem
AlGaN bei Prozesstemperaturen von über 1.300°C gearbeitet wird. Die Gasaus trittsfläche des Gaseinlassorgans wird dabei mittels Kühlmitteln gekühlt, so dass die Oberflächentemperatur maximal 200°C erreicht. Die Gasaustrittsfläche des Gaseinlassorgans wird von einer Schirmplatte abgedeckt, die beispielsweise mittels Gasdurchtrittsöffnungen gasdurchlässig gemacht worden ist. Die
Schirmplatte dient einerseits als Hitzeschutzschild und andererseits als Aus tauschkörper einer Reaktor-Innenbekleidung, an der sich parasitäre Belegungen abscheiden können. [0004] Zum Stand der Technik gehören ferner die DE 10 2006 018 515 Al,
US 6,565,661 Bl, US 2008/0196666 Al, US 2011/0290183 Al, US 2017/0345626 Al, US 2017/0372910 Al, US 2018/0171472 Al.
Zusammenfassung der Erfindung
[0005] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den CVD-Reaktor handha- bungstechnisch zu verbessern.
[0006] Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Er findung.
[0007] Die Unter ansprüche stellen nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der nebengeordneten Ansprüche, sondern auch eigenständige Lösungen der Auf- gäbe dar.
[0008] Zunächst und im Wesentlichen wird ein CVD-Reaktor vorgeschlagen, bei dem ein aus beispielsweise Graphit oder beschichtetem Graphit bestehender Suszeptor mittels einer Heizeinrichtung, die eine IR-Heizung oder RF-Heizung sein kann, auf eine Prozesstemperatur aufgeheizt wird, bei der sich in eine Pro- zesskammer eingespeistes Prozessgas pyrolytisch zerlegt. Die Einspeisung des Prozessgases erfolgt mit Hilfe eines Gaseinlassorgans, welches bevorzugt sich über die gesamte Querschnittsfläche der Prozesskammer erstreckt und Gasaus trittsöffnungen aufweist, die duschkopfartig angeordnet sind, durch welche das Prozessgas in die Prozesskammer eintritt. Die Gasaustrittsfläche des Gasein- lassorgans ist mit einer Schirmplatte abgedeckt, die gasdurchlässig ist. Wesent lich ist, dass die Schirmplatte einen Randbereich aufweist, der von Tragelemen ten unterstützt wird. Die Tragelemente können am Gaseinlassorgan oder an einer Prozesskammerdecke befestigt sein. Es ist insbesondere vorteilhaft, wenn die Tragelemente von einem Tragring gebildet sind. Es ist ferner von Vorteil, wenn die die Schirmplatte untergreifenden Abschnitte eines oder mehrerer Tragelemente vertikal oberhalb eines Gasauslasskanals angeordnet sind, wobei der Gasauslasskanal radial außerhalb des Suszeptors angeordnet ist. Es kann auch vorgesehen sein, dass die Schirmplatte durch ein in ihrem Zentralbereich liegendes Befestigungsmittel zusätzlich am Gaseinlassorgan befestigt ist. Die randseitigen Tragelemente sind aber sämtlich so angeordnet, dass sie radial außerhalb des radial inneren Randes des Gasauslasskanales angeordnet sind und nur in diesem Bereich die Schirmplatte untergreifen. Es ist insbesondere vorgesehen, dass der Gasauslasskanal von einer Seitenwand des Suszeptors und einer Wandung eines rohrförmigen Gasleitkörpers begrenzt wird, wobei der Gasleitkörper den Suszeptor mit einem radialen Abstand umgibt. Der Sus- zeptor kann einen Durchmesser von mindestens etwa 300 mm aufweisen und um eine Drehachse drehangetrieben werden. Die Unterseite der Schirmplatte kann von der Oberseite des Suszeptors um 9 bis 20 mm beabstandet sein. Die Materialstärke der Schirmplatte kann zwischen 3 und 10 mm betragen. In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung bilden die Tragelemente und insbe sondere der Tragring radial einwärts ragende Zungen. Die Zungen können ma terialstärkeverminderte Abschnitte des Tragelementes beziehungsweise des Tragrings sein. Es können sechs in gleichmäßiger Umfangs Verteilung angeord nete und vom Tragring nach radial einwärts ragende Zungen vorgesehen sein. Es ist vorgesehen, dass die Zungen in Nischen des Randbereiches der Schirm platte eingreifen, wobei die Nischen von materialstärkeverminderten Ausneh mungen des Randbereichs der Schirmplatte gebildet sein können. Eine äußere Randkante der Schirmplatte, die beispielsweise von den Zungen Untergriffen wird, erstreckt sich radial außerhalb der radial inneren Wandung des Gasaus lasskanals, so dass der Suszeptor vollflächig von der Schirmplatte überdeckt wird, deren Rand somit bevorzugt radial außerhalb einer Randkante des Sus zeptors verläuft. Die Schirmplatte kann berührend an der Gasaustrittsfläche einer Gasaustrittsplatte des Gaseinlassorgans anliegen. Die Schirmplatte kann aber auch einen geringen Spaltabstand von beispielsweise 0,1 bis 2 mm zur Gasaustrittsfläche besitzen. Gasdurchtrittsöffnungen der Schirmplatte fluchten bevorzugt mit Gasaustrittsöffnungen der Gasaustrittsfläche des Gaseinlassor gans. Die die Gasaustrittsfläche ausbildende Gasaustrittsplatte des Gaseinlass organs kann mittels eines flüssigen Kühlmittels gekühlt werden, wobei inner halb des Gaseinlassorgans Kühlmittelkammern vorgesehen sind. In einer be vorzugten Ausgestaltung der Erfindung greifen die Zungen mit radialem Spiel von etwa 0,1 bis 1 mm in die Nischen des Randbereichs der Schirmplatte ein, so dass sich die Schirmplatte, die aus Graphit, beschichtetem Graphit oder Quarz bestehen kann, thermisch ausdehnen kann. Die Nischen erstrecken sich eben falls bevorzugt vertikal oberhalb des Gasauslasskanales beziehungsweise besit zen einen größeren Radialabstand zu einem Zentrum der Prozesskammer als der radial äußere Rand des Suszeptors und der Innenwand des Gasauslasska nals. Die bevorzugt aus Graphit bestehende Schirmplatte kann ebenso wie der bevorzugt aus Graphit bestehende Suszeptor mit SiC, BrN oder dergleichen beschichtet sein. In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass die zur Gasaustrittsfläche weisende Breitseitenfläche der Schirmplatte im Randbe reich geneigt verläuft. Im Randbereich vermindert sich die Materialstärke der Schirmplatte somit in Radialauswärtsrichtung. In einer Weiterbildung der Er findung ist vorgesehen, dass der den Gasauslasskanal in Radialauswärtsrich tung begrenzende Gasleitkörper eine Oberseite aufweist, die einen Dichtring trägt. Die Oberseite kann eine Vertiefung aufweisen, in der der Dichtring ein liegt. Der Dichtring kann aus Quarz bestehen. An dem Dichtring kann sich der Tragring abstützen. Befestigungselemente, mit denen der Tragring am Gasein lassorgan oder einem Deckel des Reaktors befestigt ist, können sich radial au ßerhalb des Gasleitkörpers befinden. Die Befestigungselemente sind insbeson dere Federelemente. Die Befestigungselemente können Vorsprünge aufweisen, die den Tragring untergreifen.
[0009] Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Schirmplatten- Anordnung zur Verwendung in einem CVD-Reaktor, wobei die Schirmplatten- Anordnung eine kreisscheibenförmige Schirmplatte mit Gasdurchtrittsöffnungen aufweist, die von einem am Gaseinlassorgan oder an einem Reaktordeckel befestigbaren Tragring umgeben ist. Der Tragring untergreift den Rand der Schirmplatte.
[0010] Die Erfindung betrifft darüber hinaus die Verwendung einer derartigen Schirmplatten- Anordnung in einem CVD-Reaktor beim Abscheiden von Halb leiterschichten auf Substraten, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass der Suszeptor auf Temperaturen von mindestens 1.300°C auf geheizt wird und die Gasaustrittsfläche des Gaseinlassorgans auf maximal 200°C gehalten wird, wozu insbesondere vorgesehen ist, dass in Kühlmittelkanäle des Gaseinlassor- ganes eine Kühlflüssigkeit eingespeist wird, die sich maximal auf 80°C erhitzt. Beim Abscheideverfahren werden zusammen mit einem Trägergas, beispiels weise Wasserstoff, NH3, eine metallorganische Gallium- Verbindung und eine metallorganische Aluminiumverbindung durch das Gaseinlassorgan in die Prozesskammer eingespeist, um auf den Substraten des insbesondere während des Abscheidens gedrehten Suszeptors AlGaN abzuscheiden.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
[0011] Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand bei gefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch einen CVD-Reaktor im Längsschnitt durch eine
Prozesskammer 12, Fig. 2 vergrößert den Ausschnitt II in Figur 1,
Fig. 3 perspektivisch eine Draufsicht auf ein unterhalb eines Gasein lassorganes 5 angeordnete Schirmplattenanordnung mit einer von einem Tragring 20 getragenen Schirmplatte, Fig. 4 perspektivisch einen Schnitt durch das Gaseinlassorgan 5 und die darunter angeordnete Schirmplattenanordnung 10, 20,
Fig. 5 als Explosionsdarstellung die Schirmplatte 10 und den Trag ring 20, Fig. 6 eine Unter ansicht des Tragrings 20 und
Fig. 7 eine Unteransicht der Schirmplatte 10.
Beschreibung der Ausführungsformen
[0012] Der CVD-Reaktor 1 besitzt ein nach außen gasdichtes Gehäuse, inner halb dessen sich ein aus beschichtetem Graphit bestehender Suszeptor 2 in ei ner Horizontalebene erstreckt. Die Oberseite des Suszeptors 2 besitzt eine Viel- zahl von taschenartigen Vertiefungen, in denen jeweils ein Substrat 3 angeord net ist. Der Suszeptor 3 ist mehrteilig. Er besitzt ein Deckelteil, dessen Rand sich auf einem rohrförmigen Abschnitt abstützt, der eine nach radial außen weisen de Suszeptorseitenwand 27 ausbildet. Innerhalb der insgesamt topfförmigen Suszeptor- Anordnung befindet sich eine lediglich in den Zeichnungen ange- deutete Heizeinrichtung 4, bei der es sich um eine RF-Spule oder um eine IR- Heizeinrichtung handeln kann, mit der der Suszeptor 2 auf Temperaturen von über 1.300°C aufgeheizt werden kann.
[0013] Oberhalb des Suszeptors 2 befindet sich die Prozesskammer 12, in die mittels eines Gaseinlassorganes 5 das Prozessgas eingespeist wird. Das Prozess- gas kann aus einem Hydrid der V-Hauptgruppe und einer metallorganischen Verbindung eines Elementes der III-Hauptgruppe bestehen. Das Prozessgas wird mit einem Inertgas, beispielsweise Wasserstoff, zusammen in die Prozess kammer 12 eingespeist. [0014] Das Gaseinlassorgan 5 kann ein oder mehrere Gasverteilkammern 6 besitzen, mit denen die beiden das Prozessgas bildenden Einzelgase getrennt voneinander in die Prozesskammer 12 eingespeist werden können. Der Über sicht halber ist lediglich ein Gaseinlass 25 und eine Gasverteilkammer 6 darge stellt, wobei die Gasverteilkammer 6 mittels Gasaustrittskanälen 7 mit einer Gasaustrittsfläche 9' einer Gasaustrittsplatte 9 des Gaseinlassorgans 5 verbun den sind. Oberhalb der Gasaustrittsplatte 9 befinden sich Kühlkanäle 8 zum Einleiten einer Kühlflüssigkeit, mit der die Gasaustrittsplatte 9 gekühlt werden kann.
[0015] Unterhalb der Gasaustrittsfläche 9', entweder in berührender Anlage an der Gasaustrittsfläche 9 oder mit einem Spaltabstand erstreckt sich eine aus insbesondere beschichtetem Graphit bestehende Schirmplatte 10, die eine kreis scheibenförmige Gestalt besitzt. Die Schirmplatte 10 besitzt Gasdurchtrittsöff nungen 11, die mit den Gasaustrittskanälen 7 fluchten, so dass das Prozessgas und das Trägergas von der Gasverteilkammer 6 durch die Gasaustrittskanäle 7 und die Gasdurchtrittskanäle 11 in die Prozesskammer 12 einströmen können.
[0016] Der Durchmesser des Suszeptors 2 beträgt mindestens etwa 300 mm. Der Durchmesser der kreisscheibenförmigen Schirmplatte 10 ist größer als der Durchmesser des Suszeptors 2. Der Rand der Schirmplatte 10 erstreckt sich so mit vertikal oberhalb eines Gasauslasskanales 13, der nach radial innen hin von der Suszeptorseitenwand 27 und nach radial außen hin von einem rohrförmi gen Gasleitkörper 14 begrenzt wird.
[0017] Der Gasleitkörper 14 besitzt eine Oberseite, die von einem radial ein wärts gekröpften Kopfabschnitt des Gasleitkörpers 14 gebildet ist. Die Obersei te des Gasleitkörpers 14 besitzt eine Vertiefung 18, in der ein aus Quarz beste hender Dichtring 17 einliegt. [0018] Oberhalb des Dichtrings 17 erstreckt sich ein ringförmiges Tragelement, welches einen Tragring 20 ausbildet.
[0019] Der Tragring 20 umgibt die Schirmplatte 10 und besitzt mehrere, beim Ausführungsbeispiel sechs in gleichmäßiger Umfangsverteilung angeordnete, vom Grundkörper des Tragrings 20 nach radial einwärts ragende Zungen 21. Die Zungen 21 besitzen eine verminderte Materialstärke und greifen in Ni schen 16 des Randbereichs 19 der Schirmplatte 10 ein. Die Nischen 16 bilden materialstärkereduzierte Ausnehmungen, in denen die Zungen 21 mit Bewe gungsspiel radial eingreifen. Der von den Zungen 21 untergriffene Randbe reich 19 besitzt eine zur Gasaustrittsfläche 9' weisende Oberfläche, die am Rand geneigt verläuft, so dass sich die Materialstärke der Schirmplatte 10 im Randbe reich 19 in Radialauswärtsrichtung stetig vermindert.
[0020] Der Tragring 20 ist mittels Befestigungselementen 22 am Gaseinlassor gan 5 befestigt. Der Tragring 20 kann aber auch am Reaktordeckel befestigt sein. Beim Ausführungsbeispiel sind die Befestigungselemente 22 Federelemen- te, die einen Tragvorsprung 23 aufweisen, die den Tragring 20 untergreifen.
Der Tragring 20 besitzt Aussparungen 24, die sich im Bereich des äußeren Ran des des Tragrings 20 befinden und in denen die im Ausführungsbeispiel sechs Befestigungselemente 22 in gleichmäßiger Winkel Verteilung angeordnet sind. Die Befestigungselemente 22 und die Zungen 21 befinden sich beim Ausfüh rungsbeispiel an denselben Umfangspositionen.
[0021] Die Randkante der Schirmplatte 10 erstreckt sich auf ihrer gesamten Umfangslänge um ein Zentrum der Schirmplatte 10 vertikal oberhalb über den Gasauslasskanal 13. Mit anderen Worten: Es gibt bevorzugt keinen Abschnitt des Randes der Schirmplatte 10, der nicht radial außerhalb der Suszeptorseiten- wand 27 liegt. Auch die Tragelemente 20 ragen nicht in Radialeinwärtsrichtung über die Suszeptorseitenwand 27, sondern erstrecken sich vertikal oberhalb des Gasauslasskanales 13, so dass sämtliche Abstützflächen, mit denen sich der ra dial äußere Randbereich der Schirmplatte 10 abstützt, in einer Zone angeordnet sind, die vertikal oberhalb des Gasauslasskanals 13 liegen. [0022] Es kann allerdings ein zusätzliches Befestigungselement vorgesehen sein, mit dem das Zentrum der Schirmplatte 10 mit dem Gaseinlassorgan ver bunden ist.
[0023] Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zu- mindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenstän dig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinatio nen auch kombiniert sein können, nämlich:
[0024] Ein CVD-Reaktor, der dadurch gekennzeichnet ist, dass ein Randbe reich 19 der Schirmplatte 10 von einem Tragring 20 unterstützt wird. [0025] Ein CVD-Reaktor, der dadurch gekennzeichnet ist, dass der äußere
Rand der Schirmplatte 10 von Abschnitten 21 eines Tragelementes 20 getragen ist, auf denen sich unter Ausbildung von Abstützflächen der Rand der Schirm platte 10 abstützt, wobei sämtliche randseitigen Abstützflächen radial außer halb der Seitenwand 27 des Suszeptors 2 und insbesondere vertikal oberhalb des Gasauslasskanals 13 angeordnet sind.
[0026] Ein CVD-Reaktor, der gekennzeichnet ist durch vom Tragring bezie hungsweise Tragelement 20 radial einwärts ragende Zungen 21, die die
Schirmplatte 10 an voneinander beabstandeten Umfangspositionen untergrei- fen und insbesondere in Nischen 16 des Randbereichs 19 der Schirmplatte 10 eingreifen.
[0027] Ein CVD-Reaktor, der dadurch gekennzeichnet ist, dass der Tragring 20 beziehungsweise die Tragelemente mittels Befestigungselementen 22 am Gas- einlassorgan 5 oder an einem Reaktordeckel befestigt sind.
[0028] Ein CVD-Reaktor, der gekennzeichnet ist durch einen zwischen der Oberseite des Gasleitkörpers 14 und dem die Tragelemente ausbildenden Trag ring 20 angeordneten Dichtring 17, welcher insbesondere in einer Vertiefung des Gasleitkörpers 14 angeordnet ist und insbesondere aus Quarz besteht. [0029] Ein CVD-Reaktor, der dadurch gekennzeichnet ist, dass die Befesti gungselemente 20 zur Befestigung des Tragrings 20 radial außerhalb des Gas leitkörpers 14 angeordnet sind und/ oder von Federelementen ausgebildet sind.
[0030] Eine Schirmplatten- Anordnung zur Verwendung in einem CVD-Reak tor 1 mit einer kreisscheibenförmigen, Gasdurchtrittsöffnungen 11 aufweisen- den Schirmplatte 10 und einem an einem Gaseinlassorgan 5 oder Deckel des CVD-Reaktors 1 befestigbaren Tragring 20, der die Schirmplatte 10 umgibt und zumindest bereichsweise den Rand 19 der Schirmplatte 10 untergreift.
[0031] Eine Schirmplatten- Anordnung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Randbereich 19 der Schirmplatte 10 materialstärkenverminderte Nischen 16 ausbildet, in welche Zungen 21 des Tragrings 20 eingreifen.
[0032] Eine Verwendung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Suszep- tor 2 auf eine Prozesstemperatur von größer 1.300°C aufgeheizt wird und eine Gasaustrittsfläche 9' des Gaseinlassorgans 5 auf einer Temperatur von nicht größer als 200°C gehalten wird und wobei innerhalb des CVD-Reaktors 1 Al- GaN abgeschieden wird.
[0033] Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritäts unterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender An meldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbe sondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/ oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Er- findung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorste henden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbeson dere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden kön- nen.
Liste der Bezugszeichen
1 CVD-Reaktor 27 Suszeptorseitenwand
2 Suszeptor
3 Substrat
4 Heizeinrichtung
5 Gaseinlassorgan
6 Gasverteilkammer
7 Gasaustrittskanal
8 Kühlkanal
9 Gasaustrittsplatte
9' Gasaustrittsfläche
10 Schirmplatte
11 Gasdurchtrittsöffnung
12 Prozesskammer
13 Gasauslasskanal
14 äußerer Gasleitkörper
15 innerer Gasleitkörper
16 Nische
17 Dichtring
18 Vertiefung
19 Randbereich
20 Tragring, Tragelement
21 Zunge
22 Befestigungselement
23 Tragvorsprung
24 Aussparung
25 Gaseinlass
26 Gasauslass

Claims

Ansprüche
CVD-Reaktor (1) mit einem von einer Heizeinrichtung (4) auf eine Pro zesstemperatur aufheizbaren Suszeptor (2) zur Aufnahme von zu behan delnden Substraten (3), mit einem Gaseinlassorgan (5), das mit einer von einem flüssigen Kühlmittel gekühlten Eintrittsplatte (9) eine Gasaustritts fläche (9') ausbildet, und mit einem zwischen Gasaustrittsfläche (9') und einer Prozesskammer (12) angeordneten, gasdurchlässigen Schirmplat te (10) zum Einleiten von Prozessgasen in die zwischen der der Gasaus trittsfläche (9') abdeckenden Schirmplatte (10) und dem Suszeptor (2) an geordneten Prozesskammer (12), wobei ein Randbereich (19) der aus Gra phit, beschichtetem Graphit oder Quarz bestehenden Schirmplatte (10) von einem Tragring (20) unterstützt wird.
CVD-Reaktor (1) mit einem von einer Heizeinrichtung (4) auf eine Pro zesstemperatur aufheizbaren Suszeptor (2) zur Aufnahme von zu behan delnden Substraten (3), mit einem Gaseinlassorgan (5) das mit einer von einem flüssigen Kühlmittel gekühlten Eintrittsplatte (9) eine Gasaustritts fläche (9') ausbildet, und mit einem zwischen Gasaustrittsfläche (9') und einer Prozesskammer (12) angeordneten, gasdurchlässigen Schirmplat te (10) zum Einleiten von Prozessgasen in die zwischen der die Gasaus trittsfläche (9') abdeckenden Schirmplatte (10) und dem Suszeptor (2) an geordneten Prozesskammer (12), mit einem eine Seitenwand (27) des Sus- zeptors (2) umgebenden, nach radial außen hin von einem rohrförmigen Gasleitkörper (14) begrenzten Gasauslasskanal (13), wobei der äußere Rand der aus Graphit, beschichtetem Graphit oder Quarz bestehenden Schirmplatte (10) von Abschnitten (21) eines Tragelementes (20) getragen ist, auf denen sich unter Ausbildung von Abstützflächen der Rand der Schirmplatte (10) abstützt, wobei sämtliche randseitigen Abstützflächen radial außerhalb der Seitenwand (27) des Suszeptors
(2) und vertikal oberhalb des Gasauslasskanals (13) angeordnet sind.
3. CVD-Reaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeich net durch vom Tragring beziehungsweise Tragelement (20) radial ein- wärts ragende Zungen (21), die die Schirmplatte (10) an voneinander be- abstandeten Umfangspositionen untergreifen und insbesondere in Ni schen (16) des Randbereichs (19) der Schirmplatte (10) eingreifen.
4. CVD-Reaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass der Tragring (20) beziehungsweise die Tragelemente mittels Befestigungselementen (22) am Gaseinlassorgan (5) oder an einem
Reaktordeckel befestigt sind.
5. CVD-Reaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeich net durch einen zwischen der Oberseite des Gasleitkörpers (14) und dem die Tragelemente ausbildenden Tragring (20) angeordneten Dichtring (17), welcher insbesondere in einer Vertiefung des Gasleitkörpers (14) ange ordnet ist und insbesondere aus Quarz besteht.
6. CVD-Reaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass die Befestigungselemente (22) zur Befestigung des Tragrings (20) radial außerhalb des Gasleitkörpers (14) angeordnet sind und/ oder von Federelementen ausgebildet sind.
7. Schirmplatten- Anordnung zur Verwendung in einem CVD-Reaktor (1) insbesondere gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche mit einer kreisscheibenförmigen, Gasdurchtrittsöffnungen (11) aufweisenden Schirmplatte (10) und einem an einem Gaseinlassorgan (5) oder Deckel des CVD-Reaktors (1) befestigbaren Tragring (20), der die Schirmplat te (10) umgibt und zumindest bereichs weise den Rand (19) der Schirm platte (10) untergreift.
8. Schirmplatten- Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Randbereich (19) der Schirmplatte (10) materialstärken vermin derte Nischen (16) ausbildet, in welche Zungen (21) des Tragrings (20) eingreifen.
9. Verwendung einer Schirmplatten- Anordnung gemäß einem der Ansprü che 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Suszeptor (2) auf eine Pro- zesstemperatur von größer 1.300°C aufgeheizt wird und eine Gasaustritts fläche (9') des Gaseinlassorgans (5) auf einer Temperatur von nicht größer als 200°C gehalten wird und wobei innerhalb des CVD-Reaktors (1) Al- GaN abgeschieden wird.
10. CVD-Reaktor oder Schirmplatten- Anordnung oder Verwendung, gekenn zeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
PCT/EP2019/083227 2018-12-04 2019-12-02 Cvd-reaktor mit einem von einer schirmplatten-anordnung abgedeckten gaseinlassorgan WO2020114933A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP19813316.7A EP3891320A1 (de) 2018-12-04 2019-12-02 Cvd-reaktor mit einem von einer schirmplatten-anordnung abgedeckten gaseinlassorgan
KR1020217020332A KR20210096218A (ko) 2018-12-04 2019-12-02 차폐 플레이트 어레인지먼트에 의해 덮인 가스 유입 부재를 구비한 cvd-반응기
CN201980080267.7A CN113166940B (zh) 2018-12-04 2019-12-02 具有被屏蔽板装置遮盖的进气机构的cvd反应器

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018130859.0A DE102018130859A1 (de) 2018-12-04 2018-12-04 CVD-Reaktor mit einem von einer Schirmplatten-Anordnung abgedeckten Gaseinlassorgan
DE102018130859.0 2018-12-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020114933A1 true WO2020114933A1 (de) 2020-06-11

Family

ID=68762749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2019/083227 WO2020114933A1 (de) 2018-12-04 2019-12-02 Cvd-reaktor mit einem von einer schirmplatten-anordnung abgedeckten gaseinlassorgan

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP3891320A1 (de)
KR (1) KR20210096218A (de)
DE (1) DE102018130859A1 (de)
TW (1) TW202030360A (de)
WO (1) WO2020114933A1 (de)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6565661B1 (en) 1999-06-04 2003-05-20 Simplus Systems Corporation High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method
DE102006018515A1 (de) 2006-04-21 2007-10-25 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit absenkbarer Prozesskammerdecke
US20080196666A1 (en) 2007-02-20 2008-08-21 Masato Toshima Shower head and cvd apparatus using the same
JP2010232402A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Sharp Corp 気相成長装置及び気相成長方法
US20110290183A1 (en) 2004-05-12 2011-12-01 Soo Young Choi Plasma Uniformity Control By Gas Diffuser Hole Design
CN104498904A (zh) * 2014-12-29 2015-04-08 华中科技大学 一种用于mocvd设备的喷淋头
US9017481B1 (en) * 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9587312B2 (en) 2011-07-12 2017-03-07 Aixtron Se Gas inlet member of a CVD reactor
US20170345626A1 (en) 2016-05-24 2017-11-30 Tokyo Electron Limited Localized Process Control Using A Plasma System
US20170372910A1 (en) 2016-06-22 2017-12-28 Tokyo Electron Limited Reinforcing structure, vacuum chamber and plasma processing apparatus
US20180171472A1 (en) 2016-12-15 2018-06-21 Asm Ip Holding B.V. Shower plate structure for exhausting deposition inhibiting gas

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6565661B1 (en) 1999-06-04 2003-05-20 Simplus Systems Corporation High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method
US20110290183A1 (en) 2004-05-12 2011-12-01 Soo Young Choi Plasma Uniformity Control By Gas Diffuser Hole Design
DE102006018515A1 (de) 2006-04-21 2007-10-25 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit absenkbarer Prozesskammerdecke
US20080196666A1 (en) 2007-02-20 2008-08-21 Masato Toshima Shower head and cvd apparatus using the same
JP2010232402A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Sharp Corp 気相成長装置及び気相成長方法
US9587312B2 (en) 2011-07-12 2017-03-07 Aixtron Se Gas inlet member of a CVD reactor
US9017481B1 (en) * 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
CN104498904A (zh) * 2014-12-29 2015-04-08 华中科技大学 一种用于mocvd设备的喷淋头
US20170345626A1 (en) 2016-05-24 2017-11-30 Tokyo Electron Limited Localized Process Control Using A Plasma System
US20170372910A1 (en) 2016-06-22 2017-12-28 Tokyo Electron Limited Reinforcing structure, vacuum chamber and plasma processing apparatus
US20180171472A1 (en) 2016-12-15 2018-06-21 Asm Ip Holding B.V. Shower plate structure for exhausting deposition inhibiting gas

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210096218A (ko) 2021-08-04
CN113166940A (zh) 2021-07-23
DE102018130859A1 (de) 2020-06-04
EP3891320A1 (de) 2021-10-13
TW202030360A (zh) 2020-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2010693B1 (de) Cvd-reaktor mit absenkbarer prozesskammerdecke
DE10043600B4 (de) Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem oder mehreren, insbesondere ebenfalls kristallinen Substraten
DE102011055061A1 (de) CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor
EP2408952B1 (de) Mocvd-reaktor mit einer örtlich verschieden an ein wärmeableitorgan angekoppelten deckenplatte
DE102011056589A1 (de) Gaseinlassorgan eines CVD-Reaktors
DE102012106796A1 (de) Thermische Behandlungsvorrichtung mit einem auf einem Substratträgersockel aufsetzbaren Substratträgerring
DE112008000169T5 (de) Gasbehandlungssysteme
DE102005055252A1 (de) CVD-Reaktor mit gleitgelagerten Suszeptorhalter
EP3802909A1 (de) Cvd reaktor mit tragring zum substrathandhaben und verwendung eines tragrings an einem cvd reaktor
EP3810827A1 (de) Anordnung zum messen der oberflächentemperatur eines suszeptors in einem cvd-reaktor
EP3871245B1 (de) Cvd-reaktor, schirmplatte für einen cvd-reaktor und verfahren zur beeinflussung der temperatur einer schirmplatte
WO2020114933A1 (de) Cvd-reaktor mit einem von einer schirmplatten-anordnung abgedeckten gaseinlassorgan
DE102017129699A1 (de) Vorrichtung zur Halterung und zum Transport eines Substrates
DE102014114947A1 (de) Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten sowie einen Suszeptor zur Verwendung in einer derartigen Vorrichtung
WO2021160835A1 (de) Gaseinlasseinrichtung für einen cvd-reaktor
DE102006013801A1 (de) Gaseinlassorgan mit gelochter Isolationsplatte
WO2021144161A1 (de) Cvd-reaktor mit doppelter vorlaufzonenplatte
WO2021209578A1 (de) Cvd-verfahren und cvd-reaktor mit austauschbaren mit dem substrat wärme austauschenden körpern
WO2022002848A2 (de) Transportring für einen cvd-reaktor
DE102019117479A1 (de) In einem CVD-Reaktor verwendbares flaches Bauteil
WO2021009019A1 (de) Gaseinlassorgan für einen cvd-reaktor
EP3976853A1 (de) Verfahren zum abscheiden einer epitaktischen schicht auf einer vorderseite einer halbleiterscheibe und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
DE202017105481U1 (de) Gaseinlassorgan für einen CVD- oder PVD-Reaktor
DE102020112568A1 (de) Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor
DE102020123546A1 (de) CVD-Reaktor mit einer Kühlfläche mit bereichsweise vergrößerter Emissivität

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19813316

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20217020332

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019813316

Country of ref document: EP

Effective date: 20210705