WO2020110663A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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WO2020110663A1
WO2020110663A1 PCT/JP2019/043900 JP2019043900W WO2020110663A1 WO 2020110663 A1 WO2020110663 A1 WO 2020110663A1 JP 2019043900 W JP2019043900 W JP 2019043900W WO 2020110663 A1 WO2020110663 A1 WO 2020110663A1
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WO
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liquid
pipe
processing liquid
processing
substrate
Prior art date
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PCT/JP2019/043900
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English (en)
French (fr)
Inventor
池田　昌秀
平井　信行
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Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D19/00—Degasification of liquids
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D19/00—Degasification of liquids
    • B01D19/02—Foam dispersion or prevention
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D24/00—Filters comprising loose filtering material, i.e. filtering material without any binder between the individual particles or fibres thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D29/00—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D36/00—Filter circuits or combinations of filters with other separating devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus.
  • the substrate processing apparatus includes a nozzle that discharges the processing liquid toward the substrate, and a processing liquid supply pipe that supplies the processing liquid to the nozzle.
  • the substrate is, for example, a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device.
  • the processing liquid is, for example, a resist liquid or a rinse liquid.
  • Substrate processing equipment may be equipped with a filter device in order to suppress the occurrence of high resistance defects.
  • the filter device is attached to the processing liquid supply pipe to separate bubbles from the processing liquid flowing through the processing liquid supply pipe.
  • a substrate processing apparatus that performs etching processing includes a filter device (see, for example, Patent Document 1).
  • the treatment liquid having a high dissolved oxygen concentration is supplied to the semiconductor wafer.
  • copper contained in the semiconductor wafer is oxidized to grow a copper oxide film, which causes a high resistance defect.
  • the copper contained in the semiconductor wafer is corroded to cause a high resistance defect.
  • the oxygen contained in the treatment liquid can be reduced and the occurrence of the high resistance defect can be suppressed.
  • An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the utilization efficiency of processing liquid.
  • the substrate processing apparatus of the present invention processes a substrate using a processing liquid.
  • the substrate processing apparatus includes a liquid storage unit, a first pipe, a filter unit, a processing liquid separation unit, a bubble removal line, and a second pipe.
  • the liquid storage section stores the processing liquid.
  • One end of the first pipe is connected to the liquid storage part, and the processing liquid is circulated.
  • the filter unit is attached to the first pipe to remove foreign matter from the processing liquid.
  • the treatment liquid separation unit stores bubbles of the treatment liquid and separates the treatment liquid from the bubbles.
  • the bubble removal line is connected to the filter unit to guide the bubbles from the filter unit to the treatment liquid separation unit.
  • the second pipe is connected to the processing liquid separation unit and guides the processing liquid separated from the bubbles to the liquid storage unit.
  • the substrate processing apparatus further comprises a pump.
  • the pump is attached to the first pipe and drives the processing liquid.
  • the pump is located upstream of the filter unit with respect to the direction in which the treatment liquid flows in the first pipe.
  • the filter unit includes a filter housing and a filter membrane.
  • the filter membrane is arranged inside the filter casing, and partitions the internal space of the filter casing into an upstream side chamber and a downstream side chamber.
  • the upstream chamber is located upstream of the downstream chamber with respect to the direction in which the processing liquid flows in the first pipe.
  • the filter housing has a bubble removal opening to which the bubble removal line connects. The bubble removal opening is provided on the upper wall of the filter housing, and connects the bubble removal line to one of the upstream chamber and the downstream chamber.
  • the filter unit includes a filter housing and a filter membrane.
  • the filter membrane is arranged inside the filter casing, and partitions the internal space of the filter casing into an upstream side chamber and a downstream side chamber.
  • the upstream chamber is located upstream of the downstream chamber with respect to the direction in which the processing liquid flows in the first pipe.
  • the bubble removal line includes an upstream line and a downstream line.
  • the filter housing has an upstream side bubble removing opening and a downstream side bubble removing opening.
  • the upstream line is connected to the upstream bubble removal opening.
  • the downstream line is connected to the downstream bubble removal opening.
  • the upstream side bubble removal opening is provided on the upper wall of the filter housing, and connects the upstream side line to the upstream side chamber.
  • the downstream bubble removal opening is provided on the upper wall of the filter housing, and connects the downstream line to the downstream chamber.
  • the processing liquid separation unit includes a processing liquid separation casing and a partition plate.
  • the partition plate is disposed inside the treatment liquid separation casing, and divides the internal space of the treatment liquid separation casing into an inflow chamber and an outflow chamber.
  • the partition plate has a first end and a second end opposite to the first end.
  • the processing liquid separation casing has a first wall, a second wall, a bubble inlet, and a liquid outlet.
  • the first wall connects with the first end of the partition plate.
  • the second wall faces the first wall.
  • the bubble removal line is connected to the bubble inlet.
  • the second pipe is connected to the liquid outlet.
  • the second end of the partition plate is separated from the second wall.
  • the foam inflow port communicates the inflow chamber with the foam removal line.
  • the liquid outlet communicates the outflow chamber with the second pipe. The distance from the second wall to the bubble inlet is longer than the distance from the second wall to the second end of the partition plate.
  • the first pipe includes a circulation pipe.
  • the circulation pipe circulates the processing liquid so that the processing liquid flowing from the liquid storage unit returns to the liquid storage unit.
  • the filter unit includes a first filter unit attached to the circulation pipe.
  • the bubble removal line includes a first bubble removal line connected to the first filter unit.
  • the first pipe includes a recovery pipe.
  • the processing liquid which has been used for processing the substrate, flows into the recovery pipe.
  • the recovery pipe returns the processing liquid to the liquid storage section.
  • the filter unit includes a second filter unit attached to the recovery pipe.
  • the bubble removal line includes a second bubble removal line connected to the second filter unit.
  • the liquid storage unit includes a processing liquid container and a heater.
  • the processing liquid container stores the processing liquid.
  • the heater heats the processing liquid container.
  • the substrate processing apparatus includes a plurality of towers.
  • the substrate processing apparatus also includes a fluid box provided for each of the plurality of towers.
  • the fluid boxes house the liquid storage portion, the first pipe, the filter portion, the treatment liquid separation portion, the bubble removal line, and the second pipe, respectively.
  • Each of the plurality of towers includes a plurality of processing tanks.
  • the plurality of processing tanks are arranged vertically. Each of the plurality of processing tanks accommodates the substrate. The substrate is processed in the processing bath.
  • the processing liquid is an etching liquid used for etching the substrate.
  • the composition of the treatment liquid contains phosphoric acid.
  • the treatment liquid has a foaming property.
  • the utilization efficiency of the processing liquid can be improved.
  • FIG. 1 is a diagram showing a substrate processing apparatus 1 according to this embodiment.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a fluid box 2, a liquid storage unit 3, a circulation mechanism 4, a recovery mechanism 5, a first bubble removal line 6a, and a second bubble removal line 6b.
  • the processing liquid separation unit 7 and the return pipe 8 are provided.
  • the liquid reservoir 3 is housed in the fluid box 2.
  • the liquid storage unit 3 stores the processing liquid L1.
  • the processing liquid L1 is used for processing the substrate W.
  • the substrate W is a semiconductor wafer.
  • the processing liquid L1 is an etching liquid, and the substrate processing apparatus 1 performs etching processing.
  • the processing liquid L1 of the present embodiment is an etching liquid containing phosphoric acid in its composition.
  • the treatment liquid L1 of the present embodiment has foamability. In other words, the treatment liquid L1 is a liquid in which bubbles are easily generated.
  • the circulation mechanism 4 circulates the treatment liquid L1.
  • the circulation mechanism 4 includes a circulation pipe 41, a circulation pump 42, and a circulation filter unit 43.
  • the circulation pipe 41 is an example of the first pipe. A part of the circulation pipe 41 is housed in the fluid box 2. The circulation pipe 41 circulates the processing liquid L1. Specifically, the processing liquid L1 stored in the liquid storage unit 3 flows into the circulation pipe 41. The circulation pipe 41 circulates the processing liquid L1 so that the processing liquid L1 flowing from the liquid storage unit 3 returns to the liquid storage unit 3.
  • both ends of the circulation pipe 41 are connected to the liquid storage section 3.
  • the inflow ends into which the processing liquid L1 flows are arranged so as to be immersed in the processing liquid L1 stored in the liquid storage section 3.
  • the outflow ends from which the processing liquid L1 flows out are arranged so as to be immersed in the processing liquid L1 stored in the liquid storage section 3.
  • the circulation pump 42 is housed in the fluid box 2.
  • the circulation pump 42 is attached to the circulation pipe 41 and drives the processing liquid L1 by the pressure of the fluid.
  • the circulation pump 42 drives the processing liquid L1 by the pressure of the fluid so as to flow through the circulation pipe 41.
  • the circulation pump 42 is, for example, a bellows pump.
  • the circulation filter unit 43 is an example of a first filter unit.
  • the circulation filter unit 43 is housed in the fluid box 2.
  • the circulation filter unit 43 is attached to the circulation pipe 41 and removes foreign matter from the processing liquid L1.
  • the foreign matter includes bubbles of the processing liquid L1.
  • the bubbles of the treatment liquid L1 are likely to be generated in the circulation pump 42.
  • the circulation pump 42 is located upstream of the circulation filter unit 43 with respect to the direction in which the processing liquid L1 flows in the circulation pipe 41. Therefore, the circulation filter unit 43 can remove bubbles generated in the circulation pump 42 from the treatment liquid L1. Further, bubbles of the treatment liquid L1 may be generated in the circulation filter unit 43.
  • the circulation filter unit 43 removes bubbles generated in the circulation filter unit 43 from the treatment liquid L1.
  • the foreign matter may include particles removed from the substrate W, as described below.
  • the circulation filter unit 43 removes particles from the processing liquid L1.
  • the recovery mechanism 5 recovers the processing liquid L1 used for processing the substrate W.
  • the recovery mechanism 5 has a recovery pipe 51, a recovery pump 52, and a recovery filter section 53.
  • the recovery pipe 51 is an example of the first pipe. A part of the recovery pipe 51 is housed in the fluid box 2.
  • the recovery pipe 51 circulates the treatment liquid L1. Specifically, the processing liquid L1 used for processing the substrate W flows into the recovery pipe 51. Further, the recovery pipe 51 guides the inflowing processing liquid L1 to the liquid storage section 3.
  • one end of the recovery pipe 51 is connected to the liquid storage section 3.
  • the outflow ends through which the processing liquid L1 flows out are connected to the liquid storage section 3.
  • the outflow end of the circulation pipe 41 is arranged so as to be immersed in the treatment liquid L1 stored in the liquid storage portion 3. By immersing the outflow end of the circulation pipe 41 in the treatment liquid L1, it is possible to reduce the amount of bubbles of the treatment liquid L1 generated in the liquid storage section 3.
  • the recovery pump 52 is attached to the recovery pipe 51 and drives the processing liquid L1. Specifically, the recovery pump 52 drives the processing liquid L1 so that the processing liquid L1 flows through the recovery pipe 51.
  • the recovery pump 52 is arranged outside the fluid box 2.
  • the recovery pump 52 may be housed in the fluid box 2.
  • the recovery pump 52 is, for example, a diaphragm pump. However, the recovery pump 52 may be the same type of pump as the circulation pump 42.
  • the recovery filter unit 53 is an example of a second filter unit.
  • the recovery filter unit 53 is housed in the fluid box 2.
  • the recovery filter unit 53 is attached to the recovery pipe 51 and removes foreign matter from the processing liquid L1.
  • the foreign matter includes particles removed from the substrate W. Since the recovery mechanism 5 has the recovery filter section 53, it is possible to suppress the particles removed from the substrate W from flowing into the liquid storage section 3.
  • the foreign matter includes bubbles of the processing liquid L1.
  • the bubbles of the treatment liquid L1 are likely to be generated in the recovery pump 52.
  • the recovery pump 52 is located upstream of the recovery filter unit 53 with respect to the direction in which the processing liquid L1 flows in the recovery pipe 51. Therefore, the recovery filter unit 53 can remove bubbles generated in the recovery pump 52 from the treatment liquid L1. Further, the bubbles of the processing liquid L1 may be generated in the recovery filter unit 53.
  • the collection filter unit 53 removes bubbles generated in the collection filter unit 53 from the treatment liquid L1.
  • the recovery filter unit 53 removes particles having a relatively large size. Therefore, particles having a relatively small size may pass through the recovery filter section 53 and flow into the liquid storage section 3. As a result, particles having a relatively small size may flow into the circulation pipe 41.
  • the circulation filter unit 43 removes the particles that could not be removed by the recovery filter unit 53 from the treatment liquid L1.
  • the first bubble removal line 6 a is housed in the fluid box 2.
  • the first bubble removal line 6a is connected to the circulation filter unit 43 and guides bubbles of the treatment liquid L1 from the circulation filter unit 43 to the treatment liquid separation unit 7.
  • the bubbles of the treatment liquid L1 flow from the circulation filter unit 43 toward the treatment liquid separation unit 7 due to the pressure applied to the treatment liquid L1 by the circulation pump 42.
  • the treatment liquid L1 may be guided to the treatment liquid separation unit 7 via the first bubble removal line 6a.
  • gas may be introduced to the treatment liquid separation unit 7 via the first bubble removal line 6a.
  • the gas is, for example, air.
  • the second bubble removal line 6b is housed in the fluid box 2.
  • the second bubble removal line 6b is connected to the recovery filter unit 53 to guide the bubbles of the treatment liquid L1 from the recovery filter unit 53 to the treatment liquid separation unit 7.
  • the pressure applied to the treatment liquid L1 by the recovery pump 52 causes the bubbles of the treatment liquid L1 to flow from the recovery filter unit 53 toward the treatment liquid separation unit 7.
  • the treatment liquid L1 may be guided to the treatment liquid separation unit 7 via the second bubble removal line 6b.
  • gas may be guided to the treatment liquid separation unit 7 via the second bubble removal line 6b.
  • the gas is, for example, air.
  • the processing liquid separation unit 7 is housed in the fluid box 2.
  • the treatment liquid separation unit 7 stores bubbles of the treatment liquid L1 and separates the treatment liquid L1 from the bubbles. Specifically, the treatment liquid separation unit 7 stores bubbles of the treatment liquid L1 guided from the circulation filter unit 43 to the treatment liquid separation unit 7 via the first bubble removal line 6a. Further, the treatment liquid separation unit 7 stores the bubbles of the treatment liquid L1 guided from the recovery filter unit 53 to the treatment liquid separation unit 7 via the second bubble removal line 6b.
  • the return pipe 8 is an example of the second pipe.
  • the return pipe 8 is housed in the fluid box 2.
  • the return pipe 8 is connected to the processing liquid separation unit 7.
  • the return pipe 8 guides the processing liquid L1 separated from the bubbles by the processing liquid separation unit 7 to the liquid storage unit 3.
  • one end of the return pipe 8 is connected to the treatment liquid separation unit 7, and the other end of the return pipe 8 is connected to the liquid storage unit 3.
  • the processing liquid separation unit 7 is located above the liquid storage unit 3, and the processing liquid L1 is discharged from the processing liquid separation unit 7 to the liquid storage unit 3 by its own weight.
  • the treatment liquid L1 can be discharged from the treatment liquid separation unit 7 to the liquid storage unit 3 by the pressure applied to the treatment liquid L1 by the circulation pump 42.
  • the treatment liquid L1 can be discharged from the treatment liquid separation unit 7 to the liquid storage unit 3 by the pressure applied to the treatment liquid L1 by the recovery pump 52.
  • the other end of the return pipe 8 is arranged so as to be immersed in the processing liquid L1 stored in the liquid storage section 3.
  • the other end of the return pipe 8 By immersing the other end of the return pipe 8 in the processing liquid L1, it is possible to reduce the amount of bubbles of the processing liquid L1 generated in the liquid storage section 3.
  • the return pipe 8 may guide the treatment liquid L1 flowing into the treatment liquid separation unit 7 to the liquid storage unit 3 via the first bubble removal line 6a. Similarly, the return pipe 8 may guide the processing liquid L1 that has flowed into the processing liquid separation unit 7 via the second bubble removal line 6b to the liquid storage unit 3.
  • the substrate processing apparatus 1 of this embodiment has been described above with reference to FIG. According to this embodiment, the treatment liquid L1 separated from bubbles can be collected. Therefore, the utilization efficiency of the processing liquid L1 is improved.
  • the circulation filter unit 43 is attached to the circulation pipe 41. Therefore, the dissolved oxygen concentration of the processing liquid L1 supplied to the substrate W (semiconductor wafer) can be reduced as compared with the case where no filter device is attached to the circulation pipe 41. As a result, it is possible to suppress the occurrence of high resistance defects in the semiconductor wafer.
  • the processing liquid L1 separated from the bubbles is collected in the liquid storage section 3. Therefore, the dissolved oxygen concentration of the treatment liquid L1 stored in the liquid storage portion 3 can be reduced as compared with the case where bubbles of the treatment liquid L1 are collected in the liquid storage portion 3. As a result, it is possible to reduce the dissolved oxygen concentration of the processing liquid L1 supplied to the substrate W (semiconductor wafer) and suppress the occurrence of high resistance defects in the semiconductor wafer.
  • the liquid reservoir 3 has a processing liquid container 31 and a first heater 32.
  • the processing liquid container 31 stores the processing liquid L1.
  • the first heater 32 heats the processing liquid container 31.
  • the treatment liquid L1 is heated by the first heater 32 heating the treatment liquid container 31.
  • the temperature of the processing liquid L1 supplied to the substrate W can be maintained at a specified temperature higher than room temperature.
  • the specified temperature is a temperature at which a specified processing rate can be realized for the substrate W.
  • the specified temperature indicates a temperature at which a specified etching rate for the substrate W can be realized. Since the temperature of the processing liquid L1 is the specified temperature, the specified processing result can be achieved for the substrate W within the specified time. In the present embodiment, the specified etching amount for the substrate W can be achieved within the specified time.
  • the liquid storage unit 3 of this embodiment further includes a temperature detection sensor 33.
  • the temperature detection sensor 33 detects the temperature of the processing liquid L1 stored in the processing liquid container 31.
  • the first heater 32 is controlled based on the output of the temperature detection sensor 33.
  • the circulation mechanism 4 preferably has a second heater 44.
  • the second heater 44 heats the processing liquid L1 flowing through the circulation pipe 41. Since the second heater 44 heats the processing liquid L1, it becomes difficult for the temperature of the processing liquid L1 supplied to the substrate W to become lower than the specified temperature.
  • the second heater 44 is housed in the fluid box 2. Specifically, the second heater 44 is located upstream of the circulation pump 42 with respect to the direction in which the processing liquid L1 flows in the circulation pipe 41. Therefore, the second heater 44 heats the processing liquid L1 flowing into the circulation pipe 41.
  • the circulation mechanism 4 of this embodiment further includes a flow meter 45.
  • the flow meter 45 is housed in the fluid box 2.
  • the flow meter 45 measures the flow rate of the processing liquid L1 flowing through the circulation pipe 41.
  • the circulation pump 42 is controlled based on the output of the flow meter 45.
  • the substrate processing apparatus 1 further includes a degassing line 9.
  • a part of the degassing line 9 is housed in the fluid box 2.
  • the degassing line 9 is connected to the processing liquid separation unit 7 and discharges gas from the processing liquid separation unit 7 to the outside of the fluid box 2.
  • the gas vent line 9 discharges gas to the outside of the substrate processing apparatus 1.
  • the gas is generated by the processing liquid separation unit 7 separating the processing liquid L1 from bubbles.
  • the gas may be the gas introduced to the treatment liquid separation unit 7 via the first bubble removal line 6a. Further, the gas may be the gas introduced to the treatment liquid separation unit 7 via the second bubble removal line 6b.
  • the gas vent line 9 has a gas flow pipe 91.
  • a part of the gas flow pipe 91 is housed in the fluid box 2.
  • One end of the gas flow pipe 91 is connected to the processing liquid separation unit 7.
  • the gas flow pipe 91 is a tubular member, and the gas flow pipe 91 allows gas to flow.
  • the gas flows through the gas flow pipe 91 by the pressure applied to the treatment liquid L1 by the circulation pump 42. Further, gas flows through the gas flow pipe 91 by the pressure applied to the treatment liquid L1 by the recovery pump 52.
  • the substrate processing apparatus 1 further includes a stock solution supply mechanism 10.
  • the stock solution supply mechanism 10 supplies the stock solution L2 of the processing solution L1 to the solution storage unit 3.
  • the stock solution supply mechanism 10 includes a main pipe 11, a branch pipe 12, a first opening/closing valve 13, a second opening/closing valve 14, a flow meter 15, and a flow rate adjusting valve 16.
  • a part of the main pipe 11 is housed in the fluid box 2.
  • the main pipe 11 guides the stock solution L2 to the liquid storage section 3.
  • one end of the main pipe 11 is arranged so as to be immersed in the treatment liquid L1 stored in the liquid storage portion 3. By immersing one end of the main pipe 11 in the treatment liquid L1, it is possible to reduce the amount of bubbles of the treatment liquid L1 generated in the liquid storage section 3.
  • the first opening/closing valve 13 is housed in the fluid box 2.
  • the first opening/closing valve 13 is attached to the main pipe 11.
  • the first opening/closing valve 13 can be switched between an open state and a closed state.
  • the first opening/closing valve 13 is in the open state, the undiluted solution L2 is guided to the liquid storage section 3 through the main pipe 11.
  • the first on-off valve 13 is in the closed state, the first on-off valve 13 stops the flow of the stock solution L2 toward the liquid storage section 3 via the main pipe 11.
  • the branch pipe 12 is housed in the fluid box 2.
  • the branch pipe 12 branches from the main pipe 11 and guides the stock solution L2 to the liquid reservoir 3.
  • one end of the branch pipe 12 is arranged so as to be immersed in the treatment liquid L1 stored in the liquid storage portion 3. By immersing one end of the branch pipe 12 in the treatment liquid L1, it is possible to reduce the amount of bubbles of the treatment liquid L1 generated in the liquid storage section 3.
  • the second opening/closing valve 14 is housed in the fluid box 2.
  • the second opening/closing valve 14 is attached to the branch pipe 12.
  • the second opening/closing valve 14 can be switched between an open state and a closed state.
  • the stock solution L2 is guided to the liquid storage section 3 via the branch pipe 12.
  • the second opening/closing valve 14 stops the flow of the stock solution L2 toward the liquid storage section 3 via the branch pipe 12.
  • the flow meter 15 and the flow rate adjusting valve 16 are housed in the fluid box 2.
  • the flow meter 15 and the flow rate adjusting valve 16 are attached to the branch pipe 12.
  • the flow meter 15 measures the flow rate of the stock solution L2 flowing through the branch pipe 12.
  • the flow rate adjusting valve 16 adjusts the flow rate of the stock solution L2 flowing through the branch pipe 12. Specifically, the stock solution L2 flows through the branch pipe 12 at a flow rate corresponding to the opening degree of the flow rate adjusting valve 16.
  • the opening degree indicates the degree to which the flow rate adjusting valve 16 is open.
  • the flow rate adjusting valve 16 is controlled based on the output of the flow meter 15.
  • the substrate processing apparatus 1 further includes a diluent supply mechanism 20.
  • the diluent supply mechanism 20 supplies the diluent L3 to the liquid reservoir 3.
  • the diluent L3 is, for example, DIW (deionized water: deionized water).
  • the diluting solution L3 dilutes the stock solution L2.
  • the diluent supply mechanism 20 has a primary pipe 21, a diluent container 22, a secondary pipe 23, and a pump 24.
  • a part of the primary pipe 21 is housed in the fluid box 2.
  • the primary pipe 21 guides the diluent L3 to the diluent container 22.
  • the diluent container 22, the secondary pipe 23, and the pump 24 are housed in the fluid box 2.
  • the diluent container 22 stores the diluent L3.
  • the secondary pipe 23 is connected to the diluent container 22 and guides the diluent L3 to the liquid storage unit 3.
  • the pump 24 is attached to the secondary pipe 23. By driving the pump 24, the diluent L3 in the diluent container 22 flows toward the liquid reservoir 3.
  • one end of the secondary pipe 23 is arranged so as to be immersed in the treatment liquid L1 stored in the liquid storage section 3. By immersing one end of the secondary pipe 23 in the treatment liquid L1, it is possible to reduce the amount of bubbles of the treatment liquid L1 generated in the liquid reservoir 3.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a control device 100.
  • the control device 100 controls the operation of each unit of the substrate processing apparatus 1.
  • the control device 100 includes a control unit 101 and a storage unit 102.
  • the control unit 101 has a processor.
  • the processor is, for example, a CPU (Central Processing Unit) or an MPU (Micro Processing Unit).
  • the processor may be a general purpose computer.
  • the storage unit 102 stores data and computer programs.
  • the storage unit 102 has a main storage device and an auxiliary storage device.
  • the main storage device is, for example, a semiconductor memory.
  • the auxiliary storage device is, for example, a hard disk drive or a semiconductor memory.
  • the auxiliary storage device may be composed of a hard disk drive and a semiconductor memory.
  • the storage unit 102 may include removable media.
  • the processor of the control unit 101 executes the computer program stored in the storage unit 102 to control the operation of each unit of the substrate processing apparatus 1.
  • the processor of the control unit 101 includes a circulation pump 42, a recovery pump 52, a first heater 32, a second heater 44, a first opening/closing valve 13, a second opening/closing valve 14, a flow rate adjusting valve 16, and a pump 24.
  • the processor of the control unit 101 controls the operation of the circulation pump 42 based on the output of the flow meter 45.
  • the processor of the control unit 101 controls the temperature of the first heater 32 based on the output of the temperature detection sensor 33.
  • the processor of the control unit 101 controls the opening degree of the flow rate adjusting valve 16 based on the output of the flow meter 15.
  • FIG. 2 is a diagram showing the circulation filter unit 43 and the first bubble removal line 6a in the present embodiment.
  • the circulation filter unit 43 has a filter membrane 401, an upstream chamber 402, and a downstream chamber 403.
  • the first bubble removal line 6a has an upstream line 61a and a downstream line 62a.
  • the filter film 401 removes foreign matter from the processing liquid L1.
  • the filter film 401 has a mesh shape.
  • the upstream chamber 402 and the downstream chamber 403 are opposed to each other with the filter membrane 401 interposed therebetween.
  • the upstream chamber 402 is located upstream of the downstream chamber 403 with respect to the direction in which the processing liquid L1 flows in the circulation pipe 41.
  • the upstream line 61a is connected to the circulation filter unit 43 to guide bubbles of the processing liquid L1 from the upstream chamber 402 to the processing liquid separating unit 7.
  • the treatment liquid L1 may be introduced to the treatment liquid separation unit 7 via the upstream line 61a.
  • the gas may be guided to the treatment liquid separation unit 7 via the upstream line 61a.
  • the downstream line 62a is connected to the circulation filter unit 43 to guide bubbles of the processing liquid L1 from the downstream chamber 403 to the processing liquid separating unit 7.
  • the treatment liquid L1 may be guided to the treatment liquid separation unit 7 via the downstream line 62a.
  • the gas may be guided to the treatment liquid separation unit 7 via the downstream line 62a.
  • the bubbles of the treatment liquid L1, the treatment liquid L1, and the gas may be collectively referred to as “bubbles of the treatment liquid L1”.
  • the upstream line 61a has an upstream flow pipe 611a and a flow rate adjusting valve 612a.
  • the upstream distribution pipe 611a is a tubular member. One end of the upstream flow pipe 611a is connected to the circulation filter unit 43.
  • the upstream circulation pipe 611a circulates bubbles or the like of the treatment liquid L1.
  • the flow rate adjusting valve 612a is attached to the upstream flow pipe 611a and adjusts the flow rate of bubbles or the like of the processing liquid L1 flowing through the upstream flow pipe 611a. Specifically, bubbles of the treatment liquid L1 flow through the upstream flow pipe 611a at a flow rate corresponding to the opening degree of the flow rate adjustment valve 612a.
  • the opening degree of the flow rate adjusting valve 612a is controlled by the control device 100 (processor of the control unit 101) described with reference to FIG.
  • the downstream line 62a has a downstream flow pipe 621a and a flow rate adjustment valve 622a.
  • the downstream side distribution pipe 621a is a tubular member. One end of the downstream flow pipe 621a is connected to the circulation filter unit 43.
  • the downstream side circulation pipe 621a circulates bubbles and the like of the treatment liquid L1.
  • the flow rate adjusting valve 622a is attached to the downstream flow pipe 621a and adjusts the flow rate of bubbles or the like of the processing liquid L1 flowing through the downstream flow pipe 621a. Specifically, bubbles of the treatment liquid L1 flow through the downstream flow pipe 621a at a flow rate corresponding to the opening of the flow rate adjustment valve 622a.
  • the opening degree of the flow rate adjusting valve 622a is controlled by the control device 100 (processor of the control unit 101) described with reference to FIG.
  • FIG. 3 is a diagram showing the recovery filter unit 53 and the second bubble removal line 6b in the present embodiment.
  • the recovery filter unit 53 has a filter membrane 501, an upstream chamber 502, and a downstream chamber 503.
  • the second bubble removal line 6b has an upstream line 61b and a downstream line 62b.
  • the filter film 501 removes foreign matter from the processing liquid L1.
  • the filter film 501 has a mesh shape.
  • the upstream chamber 502 and the downstream chamber 503 face each other with the filter film 501 interposed therebetween.
  • the upstream chamber 502 is located upstream of the downstream chamber 503 with respect to the direction in which the processing liquid L1 flows in the recovery pipe 51.
  • the upstream line 61b is connected to the recovery filter section 53 to guide bubbles and the like of the processing liquid L1 from the upstream chamber 502 to the processing liquid separating section 7.
  • the downstream line 62b is connected to the recovery filter section 53 to guide bubbles and the like of the processing liquid L1 from the downstream chamber 503 to the processing liquid separating section 7.
  • the upstream line 61b has an upstream flow pipe 611b and a flow rate adjusting valve 612b.
  • the upstream distribution pipe 611b is a tubular member. One end of the upstream distribution pipe 611b is connected to the recovery filter section 53.
  • the upstream circulation pipe 611b allows the bubbles and the like of the processing liquid L1 to flow therethrough.
  • the flow rate adjustment valve 612b is attached to the upstream flow pipe 611b and adjusts the flow rate of bubbles or the like of the processing liquid L1 flowing through the upstream flow pipe 611b. Specifically, bubbles of the treatment liquid L1 flow through the upstream flow pipe 611b at a flow rate corresponding to the opening degree of the flow rate adjustment valve 612b.
  • the opening degree of the flow rate adjusting valve 612b is controlled by the control device 100 (processor of the control unit 101) described with reference to FIG.
  • the downstream line 62b has a downstream distribution pipe 621b and a flow rate adjusting valve 622b.
  • the downstream distribution pipe 621b is a tubular member. One end of the downstream flow pipe 621b is connected to the recovery filter unit 53.
  • the downstream circulation pipe 621b circulates bubbles or the like of the treatment liquid L1.
  • the flow rate adjustment valve 622b is attached to the downstream flow pipe 621b and adjusts the flow rate of bubbles or the like of the processing liquid L1 flowing through the downstream flow pipe 621b. Specifically, bubbles of the treatment liquid L1 flow through the downstream flow pipe 621b at a flow rate corresponding to the opening of the flow rate adjustment valve 622b.
  • the opening degree of the flow rate adjusting valve 622b is controlled by the control device 100 (processor of the control unit 101) described with reference to FIG.
  • FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the circulation filter unit 43 in this embodiment.
  • the circulation filter unit 43 further includes a housing 411 in addition to the filter membrane 401, the upstream chamber 402 and the downstream chamber 403.
  • the housing 411 is an example of a filter housing.
  • the filter membrane 401 is arranged inside the housing 411 and partitions the internal space of the housing 411 into an upstream chamber 402 and a downstream chamber 403.
  • the housing 411 has a processing liquid inlet 412 and a processing liquid outlet 413. Further, the housing 411 has an upper wall 411a.
  • the processing liquid inlet 412 is located upstream of the processing liquid outlet 413 with respect to the direction in which the processing liquid L1 flows through the circulation pipe 41.
  • the treatment liquid inflow port 412 is connected to the circulation pipe 41 so that the circulation pipe 41 communicates with the upstream chamber 402.
  • the treatment liquid outlet 413 is connected to the circulation pipe 41 to connect the circulation pipe 41 to the downstream chamber 403.
  • the processing liquid L1 flowing through the circulation pipe 41 flows into the upstream chamber 402 (inside the housing 411) via the processing liquid inlet 412, then passes through the filter membrane 401, and flows into the downstream chamber 403.
  • the processing liquid L1 that has flowed into the downstream chamber 403 flows out of the housing 411 (circulation pipe 41) via the processing liquid outlet 413.
  • the processing liquid inlet 412 and the processing liquid outlet 413 are arranged near the upper wall 411a.
  • the housing 411 further has an upstream bubble removal opening 405 and a downstream bubble removal opening 406.
  • the upstream defoaming opening 405 is connected to the upstream line 61a.
  • the downstream bubble removal opening 406 is connected to the downstream line 62a.
  • the upstream defoaming opening 405 is connected to the upstream flow pipe 611a.
  • the downstream bubble removal opening 406 is connected to the downstream flow pipe 621a.
  • bubbles and the like of the processing liquid L1 collect near the upper wall 411a.
  • the upstream defoaming opening 405 is provided in the upper wall 411a to connect the upstream chamber 402 to the upstream line 61a (upstream distribution pipe 611a).
  • the downstream bubble removal opening 406 is provided in the upper wall 411a and connects the downstream chamber 403 to the downstream line 62a (downstream distribution pipe 621a). Bubbles and the like of the treatment liquid L1 accumulated near the upper wall 411a flow into the upstream line 61a (upstream flow pipe 611a) from the upstream chamber 402 through the upstream bubble removal opening 405. Further, bubbles of the treatment liquid L1 accumulated near the upper wall 411a flow into the downstream line 62a (downstream distribution pipe 621a) from the downstream chamber 403 through the downstream bubble removal opening 406.
  • the circulation filter unit 43 has been described above with reference to FIG. According to the circulation filter unit 43 described with reference to FIG. 4, bubbles or the like of the processing liquid L1 can be guided to the processing liquid separating unit 7.
  • the structure of the recovery filter unit 53 is the same as that of the circulation filter unit 43, and therefore its explanation is omitted.
  • FIG. 5 is a top view showing the treatment liquid separation unit 7 in this embodiment.
  • the treatment liquid separating unit 7 includes a housing 71, a first connector 711, a second connector 712, a third connector 713, a fourth connector 714, a fifth connector 715, and a first connector 711. 6 connector 716.
  • the housing 71 is an example of a processing liquid separation housing.
  • the housing 71 has a rectangular parallelepiped shape, and has a first side wall 701, a second side wall 702, a third side wall 703, and a fourth side wall 704.
  • the first side wall 701 faces the second side wall 702, and the third side wall 703 faces the fourth side wall 704.
  • the third side wall 703 is connected to one end of the first side wall 701 and is connected to one end of the second side wall 702.
  • the fourth side wall 704 is connected to the other end of the first side wall 701 and is connected to the other end of the second side wall 702.
  • the first connector 711 projects from the housing 71.
  • the first connector 711 projects from the first side wall 701.
  • the first connector 711 is connected to the upstream line 61a of the first bubble removal line 6a.
  • the first connector 711 is connected to the upstream distribution pipe 611a.
  • the second connector 712 projects from the housing 71.
  • the second connector 712 projects from the first side wall 701.
  • the second connector 712 is connected to the downstream line 62a of the first bubble removal line 6a.
  • the second connector 712 is connected to the downstream distribution pipe 621a.
  • the third connector 713 projects from the housing 71.
  • the third connector 713 projects from the first side wall 701.
  • the third connector 713 is connected to the upstream line 61b of the second bubble removal line 6b.
  • the third connector 713 is connected to the upstream distribution pipe 611b.
  • the fourth connector 714 projects from the housing 71.
  • the fourth connector 714 projects from the first side wall 701.
  • the fourth connector 714 is connected to the downstream line 62b of the second bubble removal line 6b.
  • the fourth connector 714 is connected to the downstream distribution pipe 621b.
  • the fifth connector 715 projects from the housing 71.
  • the fifth connector 715 projects from the third side wall 703.
  • the fifth connector 715 is connected to the return pipe 8.
  • the sixth connector 716 protrudes from the housing 71.
  • the sixth connector 716 protrudes from the third side wall 703.
  • the sixth connector 716 is connected to the degassing line 9.
  • the sixth connector 716 is connected to the gas flow pipe 91.
  • the treatment liquid separation unit 7 further includes a partition plate 72, an inflow chamber 73, and an outflow chamber 74.
  • the partition plate 72 is arranged inside the housing 71 and partitions the internal space of the housing 71 into an inflow chamber 73 and an outflow chamber 74.
  • the first connector 711 to the fourth connector 714 face the inflow chamber 73.
  • the fifth connector 715 and the sixth connector 716 face the outflow chamber 74.
  • FIG. 6 is a side view showing the processing liquid separation unit 7 in this embodiment. Specifically, FIG. 6 shows a view of the treatment liquid separation unit 7 as seen from the first side wall 701 side. 6 shows a cross section of the first connector 711 to the fourth connector 714. As shown in FIG. 6, the first side wall 701 has a first foam inlet 711a, a second foam inlet 712a, a third foam inlet 713a, and a fourth foam inlet 714a.
  • the first bubble inlet 711a communicates the inflow chamber 73 described with reference to FIG. 5 with the outside of the housing 71.
  • the first connector 711 is provided at a position corresponding to the first bubble inflow port 711a. Therefore, the first bubble inlet 711a is connected to the upstream line 61a (upstream circulation pipe 611a) of the first bubble removal line 6a, and the inflow chamber 73 and the first bubble removal line described with reference to FIG.
  • the upstream side line 61a (upstream side distribution pipe 611a) of 6a is connected.
  • the second bubble inlet 712a communicates the inflow chamber 73 described with reference to FIG. 5 with the outside of the housing 71.
  • the second connector 712 is provided at a position corresponding to the second bubble inlet 712a. Therefore, the second bubble inlet 712a is connected to the downstream line 62a (downstream circulation pipe 621a) of the first bubble removal line 6a, and the inflow chamber 73 and the first bubble removal line described with reference to FIG.
  • the downstream side line 62a of 6a (downstream side distribution pipe 621a) is connected.
  • the third bubble inlet 713a connects the inflow chamber 73 described with reference to FIG. 5 to the outside of the housing 71.
  • the third connector 713 is provided at a position corresponding to the third bubble inflow port 713a. Therefore, the third bubble inlet 713a is connected to the upstream line 61b (upstream circulation pipe 611b) of the second bubble removal line 6b, and the inflow chamber 73 and the second bubble removal line described with reference to FIG.
  • the upstream side line 61b (upstream side distribution pipe 611b) of 6b is connected.
  • the fourth bubble inlet 714a connects the inflow chamber 73 described with reference to FIG. 5 to the outside of the housing 71.
  • the fourth connector 714 is provided at a position corresponding to the fourth bubble inflow port 714a. Therefore, the fourth bubble inlet 714a is connected to the downstream line 62b (downstream circulation pipe 621b) of the second bubble removal line 6b, and the inflow chamber 73 and the second bubble removal line described with reference to FIG.
  • the downstream side line 62b of 6b (downstream side distribution pipe 621b) is connected.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the treatment liquid separation unit 7 in this embodiment. Specifically, FIG. 7 shows a cross section taken along line VII-VII of FIG. As shown in FIG. 7, the third side wall 703 has a liquid outlet 715a and a gas outlet 716a. The liquid outlet 715a and the gas outlet 716a communicate the outflow chamber 74 with the outside of the housing 71.
  • the fifth connector 715 described with reference to FIG. 5 is provided at a position corresponding to the liquid outlet 715a. Further, the sixth connector 716 described with reference to FIG. 5 is provided at a position corresponding to the gas outlet 716a. Therefore, the liquid outlet 715a is connected to the return pipe 8 to connect the outflow chamber 74 and the return pipe 8 to each other. Further, the gas outlet 716a is connected to the gas vent line 9 (gas distribution pipe 91), and connects the outflow chamber 74 and the gas vent line 9 (gas distribution pipe 91).
  • the housing 71 has an upper wall 705 and a lower wall 706 facing the upper wall 705.
  • the liquid outlet 715a is provided at a position closer to the lower wall 706 than the gas outlet 716a.
  • the upper wall 705 is an example of the first wall
  • the lower wall 706 is an example of the second wall.
  • the partition plate 72 has a first end 721 and a second end 722 opposite to the first end 721.
  • the first end 721 of the partition plate 72 is connected to the upper wall 705.
  • the second end 722 of the partition plate 72 is separated from the lower wall 706.
  • the distance D1 from the lower wall 706 to the first bubble inlet 711a is longer than the distance D2 from the lower wall 706 to the second end 722 of the partition plate 72.
  • the distance from the lower wall 706 to the second bubble inlet 712a, the distance from the lower wall 706 to the third bubble inlet 713a, and the distance from the lower wall 706 to the fourth bubble inlet 714a are also the first bubble inlet 711a. Is longer than the distance D2.
  • the bubbles of the processing liquid L1 flowing into the inflow chamber 73 from the first bubble inflow port 711a to the fourth bubble inflow port 714a are stored in the inflow chamber 73.
  • the bubbles of the treatment liquid L1 are also stored in the outflow chamber 74 via the gap between the lower wall 706 and the second end 722 of the partition plate 72.
  • the bubbles of the processing liquid L1 are stored in the lower part of the internal space of the housing 71.
  • the bubbles of the processing liquid L1 are stored in the housing 71, and thus are separated into the processing liquid L1 and the gas.
  • the treatment liquid L1 separated from the bubbles flows into the return pipe 8 from the liquid outlet 715a and is collected in the liquid storage unit 3 described with reference to FIG.
  • the gas separated from the bubbles is located above the liquid surface of the treatment liquid L1 and flows into the gas vent line 9 (gas distribution pipe 91) via the gas outlet 716a.
  • the treatment liquid L1 may flow into the treatment liquid separation unit 7 (inflow chamber 73) via the upstream line 61a of the first bubble removal line 6a.
  • the processing liquid L1 passes through the gap between the lower wall 706 and the second end 722 of the partition plate 72 and flows into the return pipe 8 from the liquid outlet 715a.
  • the treatment liquid L1 passes through the downstream line 62a of the first bubble removal line 6a, the upstream line 61b of the second bubble removal line 6b, and the downstream line 62b of the second bubble removal line 6b into the treatment liquid separation unit 7 (inflow).
  • the processing liquid L1 flows into the chamber 73
  • the processing liquid L1 flows into the return pipe 8 from the liquid outlet 715a.
  • the gas may flow into the treatment liquid separation unit 7 (inflow chamber 73) via the upstream line 61a of the first bubble removal line 6a.
  • the gas since the gas is lighter than the bubbles of the treatment liquid L1 and the treatment liquid L1, the gas flows into the treatment liquid separation unit 7 (inflow chamber 73) before the bubbles of the treatment liquid L1 and the treatment liquid L1.
  • the gas flowing into the inflow chamber 73 passes through the gap between the lower wall 706 and the second end 722 of the partition plate 72, and then flows into the gas vent line 9 (gas distribution pipe 91) from the gas outlet 716a.
  • Gas passes through the downstream line 62a of the first bubble removal line 6a, the upstream line 61b of the second bubble removal line 6b, and the downstream line 62b of the second bubble removal line 6b into the treatment liquid separation unit 7 (inflow chamber 73). Similarly, the gas flows into the degassing line 9 (gas distribution pipe 91) from the gas outlet 716a.
  • the processing liquid separation unit 7 has been described above with reference to FIGS. 5 to 7. According to the treatment liquid separation unit 7 described with reference to FIGS. 5 to 7, the upstream line 61a and the downstream line 62a of the first bubble removal line 6a, and the upstream line 61b of the second bubble removal line 6b and The treatment liquid L1 can be recovered from the bubbles of the treatment liquid L1 guided by the downstream line 62b.
  • the distance D1 from the lower wall 706 to the first bubble inlet 711a is longer than the distance D2 from the lower wall 706 to the second end 722 of the partition plate 72.
  • the distance from the lower wall 706 to the second bubble inlet 712a, the distance from the lower wall 706 to the third bubble inlet 713a, and the distance from the lower wall 706 to the fourth bubble inlet 714a are also the first bubble inlet 711a. Is longer than the distance D2. Therefore, it is possible to reduce the possibility that bubbles of the processing liquid L1 will flow into the degassing line 9.
  • FIG. 8 is a plan view showing the substrate processing apparatus 1 according to this embodiment.
  • the substrate processing apparatus 1 further includes a fluid cabinet 110, a plurality of fluid boxes 2, a plurality of towers TW, a plurality of load ports LP, an indexer robot IR, and a center robot CR.
  • a fluid cabinet 110 a plurality of fluid boxes 2
  • a plurality of towers TW a plurality of load ports LP
  • an indexer robot IR an indexer robot IR
  • a center robot CR a center robot CR.
  • the control device 100 controls the load port LP, the indexer robot IR, the center robot CR, and the processing unit 1A.
  • Each of the load ports LP accommodates a plurality of substrates W stacked.
  • the indexer robot IR carries the substrate W between the load port LP and the center robot CR.
  • the center robot CR transports the substrate W between the indexer robot IR and the tower TW (processing unit 1A).
  • Each of the processing units 1A discharges the processing liquid L1 onto the substrate W to process the substrate W.
  • the fluid cabinet 110 contains the stock solution L2 and the diluting solution L3.
  • the plurality of towers TW are arranged so as to surround the center robot CR in a plan view.
  • the substrate processing apparatus 1 includes four towers TW, but the number of towers TW is not limited to four.
  • the substrate processing apparatus 1 may include one tower TW.
  • the substrate processing apparatus 1 may include two towers TW, three towers TW, or five or more towers TW.
  • Each tower TW includes a plurality of processing units 1A stacked vertically.
  • each tower TW includes three processing units 1A, but the number of processing units 1A included in each tower TW is not limited to three.
  • Each tower TW may include one processing unit 1A.
  • each tower TW may include two processing units 1A or four or more processing units 1A.
  • a plurality of fluid boxes 2 are provided corresponding to a plurality of towers TW, respectively.
  • Each fluid box 2 supplies the processing liquid L1 to all the processing units 1A included in the corresponding tower TW.
  • the fluid cabinet 110 supplies the stock solution L2 and the diluting solution L3 to each fluid box 2.
  • FIG. 9 is a diagram showing the tower TW in the present embodiment. As shown in FIG. 9, the tower TW accommodates a part of the circulation pipe 41, a part of the recovery mechanism 5, and a plurality of processing units 1A.
  • Each processing unit 1A has a flow meter 111, a flow rate adjusting valve 112, an opening/closing valve 113, a liquid supply pipe 120, and a chamber 130.
  • the chamber 130 is an example of a processing tank.
  • the liquid supply pipe 120 circulates the processing liquid L1. Specifically, the liquid supply pipe 120 is connected to the circulation pipe 41 to guide the processing liquid L1 to the chamber 130.
  • the flow meter 111, the flow rate adjusting valve 112, and the opening/closing valve 113 are attached to the liquid supply pipe 120.
  • the flow rate adjusting valve 112 and the opening/closing valve 113 are controlled by the control device 100 (processor of the control unit 101).
  • the flow meter 111 measures the flow rate of the processing liquid L1 flowing through the liquid supply pipe 120.
  • the flow rate adjusting valve 112 adjusts the flow rate of the processing liquid L1 flowing through the liquid supply pipe 120. Specifically, the processing liquid L1 flows through the liquid supply pipe 120 at a flow rate corresponding to the opening degree of the flow rate adjusting valve 112. In the present embodiment, the flow rate adjusting valve 112 is controlled based on the output of the flow meter 111.
  • the on-off valve 113 can be switched between an open state and a closed state.
  • the open/close valve 113 is in the open state, the processing liquid L1 is guided to the chamber 130 via the liquid supply pipe 120.
  • the open/close valve 113 is in the closed state, the open/close valve 113 stops the flow of the processing liquid L1 toward the chamber 130 via the liquid supply pipe 120.
  • the recovery mechanism 5 further includes a recovery container 54.
  • the recovery pipe 51 has a primary pipe 511 and a secondary pipe 512.
  • the tower TW accommodates the primary pipe 511, a part of the secondary pipe 512, the recovery pump 52, and the recovery container 54.
  • the primary pipe 511 circulates the processing liquid L1 that has been used for processing the substrate W. Specifically, the primary pipe 511 is connected to each chamber 130 and guides the processing liquid L1 from each chamber 130 to the recovery container 54.
  • the processing liquid L1 that has been used for processing the substrate W may be referred to as the “processing liquid L1 that has been used”.
  • the plurality of chambers 130 are arranged vertically, and the recovery container 54 is arranged at a position lower than the lowermost chamber 130.
  • the used processing liquid L1 is discharged from each chamber 130 to the collection container 54 by its own weight.
  • the recovery container 54 stores the used processing liquid L1.
  • the secondary pipe 512 circulates the used processing liquid L1. Specifically, the secondary pipe 512 is connected to the recovery container 54 and guides the processing liquid L1 to the liquid storage unit 3 described with reference to FIG.
  • the recovery pump 52 is attached to the secondary pipe 512. By driving the recovery pump 52, the processing liquid L1 flows from the recovery container 54 into the secondary pipe 512, and the processing liquid L1 flows through the secondary pipe 512 to the liquid storage section 3.
  • FIG. 10 is a diagram showing the processing unit 1A in the present embodiment.
  • the processing unit 1A further includes a nozzle 132, a spin chuck 134, a cup 136, and a nozzle moving unit 138.
  • the chamber 130 houses the nozzle 132, the spin chuck 134, the cup 136, and the nozzle moving unit 138. Further, the chamber 130 accommodates the substrate W transferred by the central robot CR described with reference to FIG.
  • the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment is a single-wafer type that processes the substrates W one by one, and the chamber 130 stores the substrates W one by one.
  • the spin chuck 134 rotates the substrate W around the rotation axis AX1 while holding the substrate W horizontally.
  • the spin chuck 134 includes, for example, a sandwiching chuck or a vacuum chuck.
  • the operation of the spin chuck 134 is controlled by the control device 100 (processor of the control unit 101).
  • the cup 136 has a substantially cylindrical shape.
  • the cup 136 is arranged around the spin chuck 134 and receives the used processing liquid L1 discharged from the substrate W.
  • the cup 136 has a liquid reservoir 136a.
  • the liquid reservoir 136 a is provided below the cup 136.
  • the processing liquid L1 received by the cup 136 falls to the liquid reservoir 136a by its own weight.
  • the recovery pipe 51 (primary pipe 511) is connected to the liquid reservoir 136a.
  • the processing liquid L1 collected in the liquid reservoir 136a flows into the recovery pipe 51 (primary pipe 511) by its own weight.
  • the nozzle moving unit 138 rotates about the rotation axis AX2 to move the nozzle 132 horizontally. Specifically, the nozzle moving unit 138 horizontally moves the nozzle 132 between the standby position and the processing position.
  • the standby position indicates a first specified position outside the spin chuck 134 with respect to the rotation axis AX1.
  • the processing position indicates the second specified position above the substrate W.
  • the operation of the nozzle moving unit 138 is controlled by the control device 100 (processor of the control unit 101).
  • the nozzle 132 ejects the processing liquid L1 toward the substrate W.
  • the substrate W is processed in the chamber 130 by the nozzle 132 discharging the processing liquid L1 toward the substrate W.
  • the liquid supply pipe 120 supplies the processing liquid L1 to the nozzle 132.
  • the start/stop of supply of the processing liquid L1 to the nozzle 132 is switched by the opening/closing valve 113.
  • the flow rate of the processing liquid L1 supplied to the nozzle 132 is detected by the flow meter 111.
  • the flow rate can be changed by the flow rate adjusting valve 112.
  • the opening/closing valve 113 is opened, the processing liquid L1 is supplied to the nozzle 132 from the liquid supply pipe 120 at a flow rate corresponding to the opening degree of the flow rate adjusting valve 112. As a result, the processing liquid L1 is ejected from the nozzle 132.
  • the first defoaming line 6a and the second defoaming line 6b are connected to the processing liquid separation unit 7, but the first defoaming line 6a and the second defoaming line 6b are separated. It may not be connected to the section 7.
  • bubbles of the processing liquid are discharged. You may drop it by its own weight.
  • the upper wall 705 of the housing 71 has an opening, and bubbles of the processing liquid and the like fall into the internal space of the housing 71 through the opening of the upper wall 705.
  • the treatment liquid L1 is the etching liquid containing phosphoric acid, but the treatment liquid L1 is not limited to the etching liquid containing phosphoric acid.
  • the processing liquid L1 may be an etching liquid containing no phosphoric acid.
  • the treatment liquid L1 may be a sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture solution (sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture: SPM).
  • the treatment liquid L1 has a foaming property, but the treatment liquid L1 may be a liquid having no foaming property. Even when the treatment liquid L1 does not have foamability, bubbles are generated in the circulation pump 42 and the recovery pump 52. Further, even if the treatment liquid L1 does not have foamability, bubbles may be generated in the circulation filter unit 43 and the recovery filter unit 53.
  • the first bubble removal line 6a has the upstream line 61a and the downstream line 62a, but the first bubble removal line 6a includes the upstream line 61a and the downstream line.
  • One of 62a and 62a may be included.
  • the second bubble removal line 6b may have one of the upstream side line 61b and the downstream side line 62b.
  • the substrate processing apparatus 1 includes the first bubble removal line 6a and the second bubble removal line 6b, but one of the first bubble removal line 6a and the second bubble removal line 6b. May be omitted.
  • the substrate processing apparatus 1 includes the circulation filter unit 43 and the recovery filter unit 53, but one of the circulation filter unit 43 and the recovery filter unit 53 may be omitted.
  • the circulation pump 42 drives the processing liquid L1, but the element that drives the processing liquid L1 is not limited to the circulation pump 42.
  • the circulation mechanism 4 may include a circulation container and a gas supply mechanism as the elements that drive the processing liquid L1.
  • the circulation container stores the processing liquid L1 flowing through the circulation pipe 41.
  • the gas supply mechanism blows gas onto the liquid surface of the processing liquid L1 stored in the circulation container.
  • the treatment liquid L1 flows through the circulation pipe 41 due to the pressure of the gas blown onto the liquid surface of the treatment liquid L1.
  • the recovery pump 52 drives the used processing liquid L1, but the element that drives the used processing liquid L1 is not limited to the recovery pump 52.
  • the recovery mechanism 5 may include a gas supply mechanism as an element that drives the used processing liquid L1.
  • the gas supply mechanism blows gas onto the liquid surface of the used processing liquid L1 stored in the recovery container 54.
  • the used treatment liquid L1 flows through the recovery pipe 51 (secondary pipe 512) due to the pressure of the gas blown onto the liquid surface of the used treatment liquid L1.
  • the used processing liquid L1 may flow to the liquid storage section 3 by its own weight. Specifically, by arranging the liquid storage part 3 at a position lower than the lowermost chamber 130 among the plurality of chambers 130, the used processing liquid L1 flows to the liquid storage part 3 by its own weight. be able to.
  • the substrate processing apparatus 1 includes the recovery mechanism 5, but the recovery mechanism 5 may be omitted.
  • the substrate processing apparatus 1 performs the etching process on the substrate W
  • the present invention can also be applied to the substrate processing apparatus that performs a process different from the etching process on the substrate W.
  • the present invention can be applied to a substrate processing apparatus that cleans a substrate W.
  • the processing liquid L1 is the etching liquid, but the processing liquid L1 is not limited to the etching liquid.
  • the processing liquid L1 can be a cleaning liquid.
  • the cleaning liquid is used for cleaning the substrate W.
  • the treatment liquid L1 may be SC1 (ammonia-hydrogen peroxide mix: mixed solution of ammonia hydrogen peroxide solution) or SC2 (hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture: hydrogen peroxide solution).
  • the treatment liquid L1 may be a rinse liquid such as DIW or IPA (isopropyl alcohol). The rinse liquid is used to remove the chemical liquid supplied to the substrate W from the substrate W.
  • the substrate processing apparatus 1 is a single wafer type that processes the substrates W one by one, but the substrate processing apparatus 1 is a batch type that simultaneously processes a plurality of substrates W. Good.
  • the substrate W is a semiconductor wafer, but the substrate W is not limited to a semiconductor wafer.
  • the substrate W is a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a flat panel display such as an organic EL display, a substrate for an optical disc, a substrate for a magnetic disc, or a substrate for a magneto-optical disc.
  • the opening degree of the flow rate adjusting valve 612a is controlled by the control device 100 (processor of the control unit 101), but the opening degree of the flow rate adjusting valve 612a can be adjusted by an operator. Similarly, the opening degree of the flow rate adjusting valve 622a can be adjusted by the operator.
  • the fluid box 2 is provided for each tower TW, but the fluid box 2 may not be provided for each tower TW.
  • the number of fluid boxes 2 may be smaller than the number of towers TW.
  • the substrate processing apparatus 1 may include one fluid box 2.
  • the processing liquid L1 is supplied from one fluid box 2 to all the processing units 1A.
  • the present invention is preferably used in a substrate processing apparatus that processes a substrate using a processing liquid.

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Abstract

基板処理装置（１）は、処理液（Ｌ１）を用いて基板（Ｗ）を処理する。基板処理装置（１）は、液貯留部（３）と、第１配管（４１、５１）と、フィルタ部（４３、５３）と、処理液分離部（７）と、泡抜きライン（６ａ、６ｂ）と、第２配管（８）とを備える。液貯留部（３）は、処理液（Ｌ１）を貯留する。第１配管（４１、５１）は、液貯留部（３）にその一端が接続し、処理液（Ｌ１）を流通させる。フィルタ部（４３、５３）は、第１配管（４１、５１）に取り付けられて、処理液（Ｌ１）から異物を除去する。処理液分離部（７）は、処理液（Ｌ１）の泡を貯留し、泡から処理液（Ｌ１）を分離する。泡抜きライン（６ａ、６ｂ）は、フィルタ部（４３、５３）に接続して、泡をフィルタ部（４３、５３）から処理液分離部（７）へ導く。第２配管（８）は、処理液分離部（７）に接続して、泡から分離された処理液（Ｌ１）を液貯留部（３）に導く。

Description

基板処理装置
　本発明は、基板処理装置に関する。
　処理液を用いて基板を処理する基板処理装置が知られている。例えば、基板処理装置は、基板に向けて処理液を吐出するノズルと、ノズルに処理液を供給する処理液供給配管とを備える。基板は、例えば、半導体ウエハ、又は液晶表示装置用ガラス基板である。処理液は、例えば、レジスト液、又はリンス液である。
　基板処理装置は、高抵抗不良の発生を抑制するために、フィルタ装置を備えることがある。フィルタ装置は、処理液供給配管に取り付けられて、処理液供給配管を流通する処理液から気泡（泡）を分離する。例えば、エッチング処理を行う基板処理装置が、フィルタ装置を備える（例えば、特許文献１参照。）。具体的には、処理液（エッチング液）から気泡を分離させない場合、溶存酸素濃度が高い処理液が半導体ウエハに供給される。その結果、半導体ウエハに含まれる銅が酸化して酸化銅膜が成長し、高抵抗不良が発生する。また、半導体ウエハに含まれる銅が腐食して、高抵抗不良が発生する。フィルタ装置を用いて処理液から気泡を分離することにより、処理液に含まれる酸素を減少させて、高抵抗不良の発生を抑制することができる。
特開２０１３－２１１５２５号公報
　しかしながら、特許文献１の基板処理装置は、フィルタ装置によって処理液から分離した泡を外部に排出している。泡は処理液を含むため、泡を外部に排出することは、処理液の利用効率を下げることにつながる。
　本発明は上記課題に鑑みてなされた。本発明の目的は、処理液の利用効率を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
　本発明の基板処理装置は、処理液を用いて基板を処理する。当該基板処理装置は、液貯留部と、第１配管と、フィルタ部と、処理液分離部と、泡抜きラインと、第２配管とを備える。前記液貯留部は、前記処理液を貯留する。前記第１配管は、前記液貯留部にその一端が接続し、前記処理液を流通させる。前記フィルタ部は、前記第１配管に取り付けられて、前記処理液から異物を除去する。前記処理液分離部は、前記処理液の泡を貯留し、前記泡から前記処理液を分離する。前記泡抜きラインは、前記フィルタ部に接続して、前記泡を前記フィルタ部から前記処理液分離部へ導く。前記第２配管は、前記処理液分離部に接続して、前記泡から分離された前記処理液を前記液貯留部に導く。
　ある実施形態において、基板処理装置は、ポンプを更に備える。前記ポンプは、前記第１配管に取り付けられて、前記処理液を駆動する。前記ポンプは、前記第１配管を前記処理液が流れる方向に対して、前記フィルタ部よりも上流側に位置する。
　ある実施形態において、前記フィルタ部は、フィルタ筐体と、フィルタ膜とを備える。前記フィルタ膜は、前記フィルタ筐体の内部に配置されて、前記フィルタ筐体の内部空間を上流側室と下流側室とに区画する。前記上流側室は、前記第１配管を前記処理液が流れる方向に対して、前記下流側室よりも上流側に位置する。前記フィルタ筐体は、前記泡抜きラインが接続する泡抜き開口を有する。前記泡抜き開口は、前記フィルタ筐体の上壁に設けられて、前記上流側室及び前記下流側室の一方に前記泡抜きラインを連通させる。
　ある実施形態において、前記フィルタ部は、フィルタ筐体と、フィルタ膜とを備える。前記フィルタ膜は、前記フィルタ筐体の内部に配置されて、前記フィルタ筐体の内部空間を上流側室と下流側室とに区画する。前記上流側室は、前記第１配管を前記処理液が流れる方向に対して、前記下流側室よりも上流側に位置する。前記泡抜きラインは、上流側ラインと、下流側ラインとを含む。前記フィルタ筐体は、上流側泡抜き開口と、下流側泡抜き開口とを有する。前記上流側泡抜き開口には、前記上流側ラインが接続する。前記下流側泡抜き開口には、前記下流側ラインが接続する。前記上流側泡抜き開口は、前記フィルタ筐体の上壁に設けられて、前記上流側室に前記上流側ラインを連通させる。前記下流側泡抜き開口は、前記フィルタ筐体の上壁に設けられて、前記下流側室に前記下流側ラインを連通させる。
　ある実施形態において、前記処理液分離部は、処理液分離筐体と、仕切り板とを備える。前記仕切り板は、前記処理液分離筐体の内部に配置されて、前記処理液分離筐体の内部空間を流入室と流出室とに区画する。前記仕切り板は、第１端部と、前記第１端部とは反対側の第２端部とを有する。前記処理液分離筐体は、第１壁と、第２壁と、泡流入口と、液流出口とを有する。前記第１壁は、前記仕切り板の前記第１端部と接続する。前記第２壁は、前記第１壁に対向する。前記泡流入口には、前記泡抜きラインが接続する。前記液流出口には、前記第２配管が接続する。前記仕切り板の前記第２端部は、前記第２壁から離れている。前記泡流入口は、前記流入室と前記泡抜きラインとを連通させる。前記液流出口は、前記流出室と前記第２配管とを連通させる。前記第２壁から前記泡流入口までの距離は、前記第２壁から前記仕切り板の前記第２端部までの距離よりも長い。
　ある実施形態において、前記第１配管は、循環配管を含む。前記循環配管は、前記液貯留部から流入した前記処理液が前記液貯留部へ戻るように前記処理液を循環させる。前記フィルタ部は、前記循環配管に取り付けられる第１フィルタ部を含む。前記泡抜きラインは、前記第１フィルタ部に接続する第１泡抜きラインを含む。
　ある実施形態において、前記第１配管は、回収配管を含む。前記回収配管には、前記基板の処理に用いられた後の前記処理液が流入する。前記回収配管は、前記処理液を前記液貯留部に戻す。前記フィルタ部は、前記回収配管に取り付けられる第２フィルタ部を含む。前記泡抜きラインは、前記第２フィルタ部に接続する第２泡抜きラインを含む。
　ある実施形態において、前記液貯留部は、処理液容器と、ヒータとを備える。前記処理液容器は、前記処理液を貯留する。前記ヒータは、前記処理液容器を加熱する。
　ある実施形態において、基板処理装置は、複数のタワーを備える。また、基板処理装置は、前記複数のタワーのそれぞれに対して設けられる流体ボックスを備える。前記流体ボックスはそれぞれ、前記液貯留部、前記第１配管、前記フィルタ部、前記処理液分離部、前記泡抜きライン及び前記第２配管を収容する。前記複数のタワーはそれぞれ複数の処理槽を備える。前記複数の処理槽は上下方向に配置されている。前記複数の処理槽はそれぞれ前記基板を収容する。前記基板は、前記処理槽内において処理される。
　ある実施形態において、前記処理液は、前記基板のエッチング処理に使用するエッチング液である。
　ある実施形態において、前記処理液の組成は、燐酸を含む。
　ある実施形態において、前記処理液は、発泡性を有する。
　本発明によれば、処理液の利用効率を向上させることができる。
本発明の実施形態における基板処理装置を示す図である。 本発明の実施形態における循環フィルタ部及び第１泡抜きラインを示す図である。 本発明の実施形態における回収フィルタ部及び第２泡抜きラインを示す図である。 本発明の実施形態における循環フィルタ部の構成を示す図である。 本発明の実施形態における処理液分離部を示す上面図である。 本発明の実施形態における処理液分離部を示す側面図である。 本発明の実施形態における処理液分離部を示す断面図である。 本発明の実施形態における基板処理装置を示す平面図である。 本発明の実施形態におけるタワーを示す図である。 本発明の実施形態における処理ユニットを示す図である。
　以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。但し、本発明は、以下の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
　まず図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１を説明する。図１は、本実施形態における基板処理装置１を示す図である。図１に示すように、基板処理装置１は、流体ボックス２と、液貯留部３と、循環機構４と、回収機構５と、第１泡抜きライン６ａと、第２泡抜きライン６ｂと、処理液分離部７と、戻し配管８とを備える。
　液貯留部３は、流体ボックス２に収容される。液貯留部３は、処理液Ｌ１を貯留する。処理液Ｌ１は、基板Ｗの処理に用いられる。本実施形態において、基板Ｗは半導体ウエハである。また、処理液Ｌ１はエッチング液であり、基板処理装置１はエッチング処理を行う。具体的には、本実施形態の処理液Ｌ１は、その組成に燐酸を含むエッチング液である。また、本実施形態の処理液Ｌ１は、発泡性を有する。換言すると、処理液Ｌ１は、泡が発生し易い液体である。
　循環機構４の一部は、流体ボックス２に収容される。循環機構４は、処理液Ｌ１を循環させる。循環機構４は、循環配管４１と、循環ポンプ４２と、循環フィルタ部４３とを有する。
　循環配管４１は第１配管の一例である。循環配管４１の一部は、流体ボックス２に収容される。循環配管４１は、処理液Ｌ１を流通させる。具体的には、液貯留部３に貯留された処理液Ｌ１が、循環配管４１に流入する。循環配管４１は、液貯留部３から流入した処理液Ｌ１が液貯留部３へ戻るように処理液Ｌ１を循環させる。
　詳しくは、循環配管４１の両端は、液貯留部３に接続する。具体的には、循環配管４１の両端のうち、処理液Ｌ１が流入する流入端は、液貯留部３に貯留された処理液Ｌ１に浸るように配置される。好ましくは、循環配管４１の両端のうち、処理液Ｌ１が流出する流出端も、液貯留部３に貯留された処理液Ｌ１に浸るように配置される。循環配管４１の流出端が処理液Ｌ１に浸ることにより、液貯留部３において処理液Ｌ１の泡が発生する量を低減することができる。
　循環ポンプ４２は、流体ボックス２に収容される。循環ポンプ４２は、循環配管４１に取り付けられて、処理液Ｌ１を流体の圧力により駆動する。具体的には、循環ポンプ４２は、循環配管４１を流通するように処理液Ｌ１を流体の圧力により駆動する。循環ポンプ４２は、例えばベローズポンプである。
　循環フィルタ部４３は、第１フィルタ部の一例である。循環フィルタ部４３は、流体ボックス２に収容される。循環フィルタ部４３は、循環配管４１に取り付けられて、処理液Ｌ１から異物を除去する。
　異物は、処理液Ｌ１の泡を含む。処理液Ｌ１の泡は、循環ポンプ４２において発生し易い。本実施形態において、循環ポンプ４２は、循環配管４１を処理液Ｌ１が流れる方向に対して、循環フィルタ部４３よりも上流側に位置する。したがって、循環フィルタ部４３は、循環ポンプ４２において発生した泡を処理液Ｌ１から除去することができる。また、処理液Ｌ１の泡は、循環フィルタ部４３において発生する場合がある。循環フィルタ部４３は、循環フィルタ部４３において発生した泡を処理液Ｌ１から除去する。なお、後述するように、異物は、基板Ｗから除去されたパーティクルを含む場合がある。循環フィルタ部４３は、処理液Ｌ１からパーティクルを除去する。
　回収機構５の一部は、流体ボックス２に収容される。回収機構５は、基板Ｗの処理に用いられた処理液Ｌ１を回収する。回収機構５は、回収配管５１と、回収ポンプ５２と、回収フィルタ部５３とを有する。
　回収配管５１は第１配管の一例である。回収配管５１の一部は、流体ボックス２に収容される。回収配管５１は、処理液Ｌ１を流通させる。具体的には、回収配管５１には、基板Ｗの処理に用いられた後の処理液Ｌ１が流入する。また、回収配管５１は、流入した処理液Ｌ１を液貯留部３まで導く。
　詳しくは、回収配管５１の一端は、液貯留部３に接続する。具体的には、回収配管５１の両端のうち、処理液Ｌ１が流出する流出端が、液貯留部３に接続する。好ましくは、循環配管４１の流出端は、液貯留部３に貯留された処理液Ｌ１に浸るように配置される。循環配管４１の流出端が処理液Ｌ１に浸ることにより、液貯留部３において処理液Ｌ１の泡が発生する量を低減することができる。
　回収ポンプ５２は、回収配管５１に取り付けられて、処理液Ｌ１を駆動する。具体的には、回収ポンプ５２は、処理液Ｌ１が回収配管５１を流通するように処理液Ｌ１を駆動する。本実施形態において、回収ポンプ５２は、流体ボックス２の外部に配置される。なお、回収ポンプ５２は、流体ボックス２に収容されてもよい。回収ポンプ５２は、例えばダイアフラムポンプである。但し、回収ポンプ５２は、循環ポンプ４２と同じ種類のポンプであってもよい。
　回収フィルタ部５３は、第２フィルタ部の一例である。回収フィルタ部５３は、流体ボックス２に収容される。回収フィルタ部５３は、回収配管５１に取り付けられて、処理液Ｌ１から異物を除去する。
　異物は、基板Ｗから除去されたパーティクルを含む。回収機構５が回収フィルタ部５３を有することにより、基板Ｗから除去されたパーティクルが液貯留部３に流入することを抑制できる。
　また、異物は、処理液Ｌ１の泡を含む。処理液Ｌ１の泡は、回収ポンプ５２において発生し易い。本実施形態において、回収ポンプ５２は、回収配管５１を処理液Ｌ１が流れる方向に対して、回収フィルタ部５３よりも上流側に位置する。したがって、回収フィルタ部５３は、回収ポンプ５２において発生した泡を処理液Ｌ１から除去することができる。また、処理液Ｌ１の泡は、回収フィルタ部５３において発生する場合がある。回収フィルタ部５３は、回収フィルタ部５３において発生した泡を処理液Ｌ１から除去する。
　なお、回収フィルタ部５３は、サイズが比較的大きいパーティクルを除去する。したがって、サイズが比較的小さいパーティクルは、回収フィルタ部５３を通過して、液貯留部３に流入する可能性がある。その結果、サイズが比較的小さいパーティクルが、循環配管４１に流入する可能性がある。循環フィルタ部４３は、回収フィルタ部５３で除去できなかったパーティクルを処理液Ｌ１から除去する。
　第１泡抜きライン６ａは、流体ボックス２に収容される。第１泡抜きライン６ａは、循環フィルタ部４３に接続して、処理液Ｌ１の泡を循環フィルタ部４３から処理液分離部７へ導く。本実施形態では、循環ポンプ４２が処理液Ｌ１に付与する圧力によって、処理液Ｌ１の泡が循環フィルタ部４３から処理液分離部７へ向けて流れる。なお、第１泡抜きライン６ａを介して処理液分離部７に処理液Ｌ１が導かれる場合がある。また、第１泡抜きライン６ａを介して処理液分離部７にガスが導かれる場合がある。ガスは、例えば空気である。
　第２泡抜きライン６ｂは、流体ボックス２に収容される。第２泡抜きライン６ｂは、回収フィルタ部５３に接続して、処理液Ｌ１の泡を回収フィルタ部５３から処理液分離部７へ導く。本実施形態では、回収ポンプ５２が処理液Ｌ１に付与する圧力によって、処理液Ｌ１の泡が回収フィルタ部５３から処理液分離部７へ向けて流れる。なお、第２泡抜きライン６ｂを介して処理液分離部７に処理液Ｌ１が導かれる場合がある。また、第２泡抜きライン６ｂを介して処理液分離部７にガスが導かれる場合がある。ガスは、例えば空気である。
　処理液分離部７は、流体ボックス２に収容される。処理液分離部７は、処理液Ｌ１の泡を貯留し、泡から処理液Ｌ１を分離する。具体的には、処理液分離部７は、第１泡抜きライン６ａを介して循環フィルタ部４３から処理液分離部７へ導かれた処理液Ｌ１の泡を貯留する。また、処理液分離部７は、第２泡抜きライン６ｂを介して回収フィルタ部５３から処理液分離部７へ導かれた処理液Ｌ１の泡を貯留する。
　戻し配管８は第２配管の一例である。戻し配管８は、流体ボックス２に収容される。戻し配管８は、処理液分離部７に接続する。戻し配管８は、処理液分離部７によって泡から分離された処理液Ｌ１を液貯留部３に導く。
　詳しくは、戻し配管８の一端は処理液分離部７に接続し、戻し配管８の他端は液貯留部３に接続する。処理液分離部７は、液貯留部３の上方に位置しており、処理液Ｌ１は、自重によって処理液分離部７から液貯留部３へ排出される。あるいは、処理液Ｌ１は、循環ポンプ４２が処理液Ｌ１に付与する圧力によって、処理液分離部７から液貯留部３へ排出され得る。同様に、処理液Ｌ１は、回収ポンプ５２が処理液Ｌ１に付与する圧力によって、処理液分離部７から液貯留部３へ排出され得る。
　本実施形態では、戻し配管８の他端は、液貯留部３に貯留された処理液Ｌ１に浸るように配置される。戻し配管８の他端が処理液Ｌ１に浸ることにより、液貯留部３において処理液Ｌ１の泡が発生する量を低減することができる。
　なお、戻し配管８は、第１泡抜きライン６ａを介して処理液分離部７に流入した処理液Ｌ１を液貯留部３に導く場合がある。同様に、戻し配管８は、第２泡抜きライン６ｂを介して処理液分離部７に流入した処理液Ｌ１を液貯留部３に導く場合がある。
　以上、図１を参照して本実施形態の基板処理装置１を説明した。本実施形態によれば、泡から分離した処理液Ｌ１を回収することができる。よって、処理液Ｌ１の利用効率が向上する。
　また、本実施形態によれば、循環配管４１に循環フィルタ部４３が取り付けられる。したがって、循環配管４１にフィルタ装置を取り付けない場合と比べて、基板Ｗ（半導体ウエハ）に供給される処理液Ｌ１の溶存酸素濃度を低減させることができる。その結果、半導体ウエハにおいて高抵抗不良が発生することを抑制できる。
　また、本実施形態によれば、泡から分離した処理液Ｌ１を液貯留部３へ回収する。したがって、処理液Ｌ１の泡を液貯留部３へ回収する場合に比べて、液貯留部３に貯留されている処理液Ｌ１の溶存酸素濃度を低減させることができる。その結果、基板Ｗ（半導体ウエハ）に供給される処理液Ｌ１の溶存酸素濃度を低減させて、半導体ウエハにおいて高抵抗不良が発生することを抑制できる。
　続いて図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１を更に説明する。図１に示すように、液貯留部３は、処理液容器３１と、第１ヒータ３２とを有する。
　処理液容器３１は、処理液Ｌ１を貯留する。第１ヒータ３２は、処理液容器３１を加熱する。第１ヒータ３２が処理液容器３１を加熱することにより、処理液Ｌ１が加熱される。
　第１ヒータ３２によって処理液Ｌ１を加熱することにより、基板Ｗに供給される処理液Ｌ１の温度を、室温よりも高い規定温度に維持することができる。規定温度は、基板Ｗに対して規定の処理レートを実現できる温度を示す。本実施形態において、規定温度は、基板Ｗに対して規定のエッチングレートを実現できる温度を示す。処理液Ｌ１の温度が規定温度であることにより、基板Ｗに対して、規定時間内に規定の処理結果を達成できる。本実施形態では、基板Ｗに対して、規定時間内に規定のエッチング量を達成できる。
　図１に示すように、本実施形態の液貯留部３は、温度検知センサ３３を更に有する。温度検知センサ３３は、処理液容器３１に貯留されている処理液Ｌ１の温度を検知する。本実施形態において、第１ヒータ３２は、温度検知センサ３３の出力に基づいて制御される。
　図１に示すように、循環機構４は、第２ヒータ４４を有することが好ましい。第２ヒータ４４は、循環配管４１を流通する処理液Ｌ１を加熱する。第２ヒータ４４が処理液Ｌ１を加熱することにより、基板Ｗに供給される処理液Ｌ１の温度が規定温度よりも低くなり難くなる。
　本実施形態において、第２ヒータ４４は、流体ボックス２に収容される。詳しくは、第２ヒータ４４は、循環配管４１を処理液Ｌ１が流れる方向に対して、循環ポンプ４２よりも上流側に位置する。したがって、第２ヒータ４４は、循環配管４１に流入する処理液Ｌ１を加熱する。
　図１に示すように、本実施形態の循環機構４は、流量計４５を更に有する。流量計４５は、流体ボックス２に収容される。流量計４５は、循環配管４１を流通する処理液Ｌ１の流量を計測する。本実施形態において、循環ポンプ４２は、流量計４５の出力に基づいて制御される。
　図１に示すように、基板処理装置１は、ガス抜きライン９を更に備える。ガス抜きライン９の一部は流体ボックス２に収容される。ガス抜きライン９は、処理液分離部７に接続して、処理液分離部７から流体ボックス２の外部へガスを排出する。あるいは、ガス抜きライン９は、基板処理装置１の外部へガスを排出する。ガスは、処理液分離部７が泡から処理液Ｌ１を分離することにより発生する。あるいは、ガスは、第１泡抜きライン６ａを介して処理液分離部７へ導かれたガスであり得る。また、ガスは、第２泡抜きライン６ｂを介して処理液分離部７へ導かれたガスであり得る。
　詳しくは、ガス抜きライン９は、ガス流通管９１を有する。ガス流通管９１の一部は流体ボックス２に収容される。ガス流通管９１の一端は処理液分離部７に接続する。ガス流通管９１は管状の部材であり、ガス流通管９１は、ガスを流通させる。具体的には、循環ポンプ４２が処理液Ｌ１に付与する圧力によって、ガス流通管９１をガスが流れる。また、回収ポンプ５２が処理液Ｌ１に付与する圧力によって、ガス流通管９１をガスが流れる。
　図１に示すように、基板処理装置１は、原液供給機構１０を更に備える。原液供給機構１０は、処理液Ｌ１の原液Ｌ２を液貯留部３へ供給する。詳しくは、原液供給機構１０は、主配管１１と、分岐配管１２と、第１開閉弁１３と、第２開閉弁１４と、流量計１５と、流量調整弁１６とを有する。
　主配管１１の一部は、流体ボックス２に収容される。主配管１１は、原液Ｌ２を液貯留部３へ導く。本実施形態では、主配管１１の一端は、液貯留部３に貯留された処理液Ｌ１に浸るように配置される。主配管１１の一端が処理液Ｌ１に浸ることにより、液貯留部３において処理液Ｌ１の泡が発生する量を低減することができる。
　第１開閉弁１３は、流体ボックス２に収容される。第１開閉弁１３は、主配管１１に取り付けられる。第１開閉弁１３は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。第１開閉弁１３が開状態である場合、原液Ｌ２が主配管１１を介して液貯留部３に導かれる。第１開閉弁１３が閉状態である場合、第１開閉弁１３は、主配管１１を介して液貯留部３へ向かう原液Ｌ２の流れを止める。
　分岐配管１２は、流体ボックス２に収容される。分岐配管１２は、主配管１１から分岐して、原液Ｌ２を液貯留部３へ導く。本実施形態では、分岐配管１２の一端は、液貯留部３に貯留された処理液Ｌ１に浸るように配置される。分岐配管１２の一端が処理液Ｌ１に浸ることにより、液貯留部３において処理液Ｌ１の泡が発生する量を低減することができる。
　第２開閉弁１４は、流体ボックス２に収容される。第２開閉弁１４は、分岐配管１２に取り付けられる。第２開閉弁１４は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。第２開閉弁１４が開状態である場合、原液Ｌ２が分岐配管１２を介して液貯留部３に導かれる。第２開閉弁１４が閉状態である場合、第２開閉弁１４は、分岐配管１２を介して液貯留部３へ向かう原液Ｌ２の流れを止める。
　流量計１５及び流量調整弁１６は、流体ボックス２に収容される。流量計１５及び流量調整弁１６は、分岐配管１２に取り付けられる。流量計１５は、分岐配管１２を流れる原液Ｌ２の流量を計測する。流量調整弁１６は、分岐配管１２を流れる原液Ｌ２の流量を調整する。詳しくは、原液Ｌ２が、流量調整弁１６の開度に対応する流量で分岐配管１２を流れる。開度は、流量調整弁１６が開いている程度を示す。本実施形態において、流量調整弁１６は、流量計１５の出力に基づいて制御される。
　図１に示すように、基板処理装置１は、希釈液供給機構２０を更に備える。希釈液供給機構２０は、希釈液Ｌ３を液貯留部３へ供給する。希釈液Ｌ３は、例えばＤＩＷ（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ　ｗａｔｅｒ：脱イオン水）である。希釈液Ｌ３は、原液Ｌ２を希釈する。詳しくは、希釈液供給機構２０は、一次配管２１と、希釈液容器２２と、二次配管２３と、ポンプ２４とを有する。
　一次配管２１の一部は、流体ボックス２に収容される。一次配管２１は、希釈液Ｌ３を希釈液容器２２へ導く。希釈液容器２２、二次配管２３、及びポンプ２４は、流体ボックス２に収容される。希釈液容器２２は、希釈液Ｌ３を貯留する。二次配管２３は、希釈液容器２２に接続し、希釈液Ｌ３を液貯留部３へ導く。ポンプ２４は、二次配管２３に取り付けられる。ポンプ２４が駆動することにより、希釈液容器２２内の希釈液Ｌ３が液貯留部３に向けて流れる。
　なお、二次配管２３の一端は、液貯留部３に貯留された処理液Ｌ１に浸るように配置される。二次配管２３の一端が処理液Ｌ１に浸ることにより、液貯留部３において処理液Ｌ１の泡が発生する量を低減することができる。
　図１に示すように、基板処理装置１は、制御装置１００を備える。制御装置１００は、基板処理装置１の各部の動作を制御する。具体的には、制御装置１００は、制御部１０１及び記憶部１０２を備える。
　制御部１０１はプロセッサを有する。プロセッサは、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、又はＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）である。あるいは、プロセッサは、汎用演算機であり得る。
　記憶部１０２は、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。記憶部１０２は、主記憶装置と、補助記憶装置とを有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリーである。補助記憶装置は、例えば、ハードディスクドライブ又は半導体メモリーである。補助記憶装置は、ハードディスクドライブ及び半導体メモリーによって構成されてもよい。なお、記憶部１０２は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。
　制御部１０１のプロセッサは、記憶部１０２が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、基板処理装置１の各部の動作を制御する。具体的には、制御部１０１のプロセッサは、循環ポンプ４２、回収ポンプ５２、第１ヒータ３２、第２ヒータ４４、第１開閉弁１３、第２開閉弁１４、流量調整弁１６、及びポンプ２４を制御する。例えば、制御部１０１のプロセッサは、流量計４５の出力に基づいて、循環ポンプ４２の動作を制御する。また、制御部１０１のプロセッサは、温度検知センサ３３の出力に基づいて、第１ヒータ３２の温度を制御する。また、制御部１０１のプロセッサは、流量計１５の出力に基づいて、流量調整弁１６の開度を制御する。
　続いて図２を参照して、本実施形態の循環フィルタ部４３及び第１泡抜きライン６ａを更に説明する。図２は、本実施形態における循環フィルタ部４３及び第１泡抜きライン６ａを示す図である。
　図２に示すように、循環フィルタ部４３は、フィルタ膜４０１と、上流側室４０２と、下流側室４０３とを有する。また、第１泡抜きライン６ａは、上流側ライン６１ａと、下流側ライン６２ａとを有する。
　フィルタ膜４０１は、処理液Ｌ１から異物を除去する。フィルタ膜４０１は、メッシュ状である。上流側室４０２及び下流側室４０３は、フィルタ膜４０１を介して対向する。上流側室４０２は、循環配管４１を処理液Ｌ１が流れる方向に対して、下流側室４０３よりも上流側に位置する。
　上流側ライン６１ａは、循環フィルタ部４３に接続して、処理液Ｌ１の泡を上流側室４０２から処理液分離部７へ導く。なお、上流側ライン６１ａを介して処理液分離部７に処理液Ｌ１が導かれる場合がある。また、上流側ライン６１ａを介して処理液分離部７にガスが導かれる場合がある。
　下流側ライン６２ａは、循環フィルタ部４３に接続して、処理液Ｌ１の泡を下流側室４０３から処理液分離部７へ導く。なお、下流側ライン６２ａを介して処理液分離部７に処理液Ｌ１が導かれる場合がある。また、下流側ライン６２ａを介して処理液分離部７にガスが導かれる場合がある。以下、処理液Ｌ１の泡、処理液Ｌ１、及びガスを纏めて、「処理液Ｌ１の泡等」と記載する場合がある。
　詳しくは、上流側ライン６１ａは、上流側流通管６１１ａと、流量調整弁６１２ａとを有する。上流側流通管６１１ａは管状の部材である。上流側流通管６１１ａの一端は、循環フィルタ部４３に接続する。上流側流通管６１１ａは、処理液Ｌ１の泡等を流通させる。流量調整弁６１２ａは、上流側流通管６１１ａに取り付けられて、上流側流通管６１１ａを流れる処理液Ｌ１の泡等の流量を調整する。詳しくは、処理液Ｌ１の泡等が、流量調整弁６１２ａの開度に対応する流量で上流側流通管６１１ａを流れる。流量調整弁６１２ａの開度は、図１を参照して説明した制御装置１００（制御部１０１のプロセッサ）によって制御される。
　下流側ライン６２ａは、下流側流通管６２１ａと、流量調整弁６２２ａとを有する。下流側流通管６２１ａは管状の部材である。下流側流通管６２１ａの一端は、循環フィルタ部４３に接続する。下流側流通管６２１ａは、処理液Ｌ１の泡等を流通させる。流量調整弁６２２ａは、下流側流通管６２１ａに取り付けられて、下流側流通管６２１ａを流れる処理液Ｌ１の泡等の流量を調整する。詳しくは、処理液Ｌ１の泡等が、流量調整弁６２２ａの開度に対応する流量で下流側流通管６２１ａを流れる。流量調整弁６２２ａの開度は、図１を参照して説明した制御装置１００（制御部１０１のプロセッサ）によって制御される。
　続いて図３を参照して、本実施形態の回収フィルタ部５３及び第２泡抜きライン６ｂを更に説明する。図３は、本実施形態における回収フィルタ部５３及び第２泡抜きライン６ｂを示す図である。
　図３に示すように、回収フィルタ部５３は、フィルタ膜５０１と、上流側室５０２と、下流側室５０３とを有する。また、第２泡抜きライン６ｂは、上流側ライン６１ｂと、下流側ライン６２ｂとを有する。
　フィルタ膜５０１は、処理液Ｌ１から異物を除去する。フィルタ膜５０１は、メッシュ状である。上流側室５０２及び下流側室５０３は、フィルタ膜５０１を介して対向する。上流側室５０２は、回収配管５１を処理液Ｌ１が流れる方向に対して、下流側室５０３よりも上流側に位置する。
　上流側ライン６１ｂは、回収フィルタ部５３に接続して、処理液Ｌ１の泡等を上流側室５０２から処理液分離部７へ導く。下流側ライン６２ｂは、回収フィルタ部５３に接続して、処理液Ｌ１の泡等を下流側室５０３から処理液分離部７へ導く。
　詳しくは、上流側ライン６１ｂは、上流側流通管６１１ｂと、流量調整弁６１２ｂとを有する。上流側流通管６１１ｂは管状の部材である。上流側流通管６１１ｂの一端は、回収フィルタ部５３に接続する。上流側流通管６１１ｂは、処理液Ｌ１の泡等を流通させる。流量調整弁６１２ｂは、上流側流通管６１１ｂに取り付けられて、上流側流通管６１１ｂを流れる処理液Ｌ１の泡等の流量を調整する。詳しくは、処理液Ｌ１の泡等が、流量調整弁６１２ｂの開度に対応する流量で上流側流通管６１１ｂを流れる。流量調整弁６１２ｂの開度は、図１を参照して説明した制御装置１００（制御部１０１のプロセッサ）によって制御される。
　下流側ライン６２ｂは、下流側流通管６２１ｂと、流量調整弁６２２ｂとを有する。下流側流通管６２１ｂは管状の部材である。下流側流通管６２１ｂの一端は、回収フィルタ部５３に接続する。下流側流通管６２１ｂは、処理液Ｌ１の泡等を流通させる。流量調整弁６２２ｂは、下流側流通管６２１ｂに取り付けられて、下流側流通管６２１ｂを流れる処理液Ｌ１の泡等の流量を調整する。詳しくは、処理液Ｌ１の泡等が、流量調整弁６２２ｂの開度に対応する流量で下流側流通管６２１ｂを流れる。流量調整弁６２２ｂの開度は、図１を参照して説明した制御装置１００（制御部１０１のプロセッサ）によって制御される。
　続いて図４を参照して、本実施形態の循環フィルタ部４３を更に説明する。図４は、本実施形態における循環フィルタ部４３の構成を示す図である。図４に示すように、循環フィルタ部４３は、フィルタ膜４０１、上流側室４０２及び下流側室４０３に加えて、筐体４１１を更に有する。筐体４１１はフィルタ筐体の一例である。
　フィルタ膜４０１は、筐体４１１の内部に配置されて、筐体４１１の内部空間を上流側室４０２と下流側室４０３とに区画する。筐体４１１は、処理液流入口４１２と、処理液流出口４１３とを有する。また、筐体４１１は上壁４１１ａを有する。
　処理液流入口４１２は、循環配管４１を処理液Ｌ１が流れる方向に対して、処理液流出口４１３よりも上流側に位置する。処理液流入口４１２は、循環配管４１と接続して、循環配管４１を上流側室４０２と連通させる。処理液流出口４１３は、循環配管４１と接続して、循環配管４１を下流側室４０３と連通させる。
　循環配管４１を流れる処理液Ｌ１は、処理液流入口４１２を介して上流側室４０２（筐体４１１の内部）に流入した後、フィルタ膜４０１を通過して、下流側室４０３に流入する。下流側室４０３に流入した処理液Ｌ１は、処理液流出口４１３を介して筐体４１１の外部（循環配管４１）へ流出する。本実施形態において、処理液流入口４１２及び処理液流出口４１３は、上壁４１１ａ付近に配置される。処理液Ｌ１が筐体４１１内部に充填されて、処理液Ｌ１の液面が上壁４１１ａ付近まで達すると、処理液Ｌ１が循環フィルタ部４３（筐体４１１）を通過するようになる。
　筐体４１１は、上流側泡抜き開口４０５と、下流側泡抜き開口４０６とを更に有する。上流側泡抜き開口４０５は、上流側ライン６１ａと接続する。下流側泡抜き開口４０６は、下流側ライン６２ａと接続する。具体的には、上流側泡抜き開口４０５は上流側流通管６１１ａと接続する。下流側泡抜き開口４０６は下流側流通管６２１ａと接続する。
　本実施形態において、処理液Ｌ１の泡等は、上壁４１１ａ付近に溜まる。上流側泡抜き開口４０５は、上壁４１１ａに設けられて、上流側室４０２を上流側ライン６１ａ（上流側流通管６１１ａ）に連通させる。また、下流側泡抜き開口４０６は、上壁４１１ａに設けられて、下流側室４０３を下流側ライン６２ａ（下流側流通管６２１ａ）に連通させる。上壁４１１ａ付近に溜まった処理液Ｌ１の泡等は、上流側室４０２から上流側泡抜き開口４０５を介して上流側ライン６１ａ（上流側流通管６１１ａ）に流入する。また、上壁４１１ａ付近に溜まった処理液Ｌ１の泡等は、下流側室４０３から下流側泡抜き開口４０６を介して下流側ライン６２ａ（下流側流通管６２１ａ）に流入する。
　以上、図４を参照して循環フィルタ部４３について説明した。図４を参照して説明した循環フィルタ部４３によれば、処理液Ｌ１の泡等を処理液分離部７へ導くことができる。なお、回収フィルタ部５３の構成は、循環フィルタ部４３と同様であるため、その説明は割愛する。
　続いて図５～図７を参照して、本実施形態の処理液分離部７を更に説明する。図５は、本実施形態における処理液分離部７を示す上面図である。図５に示すように、処理液分離部７は、筐体７１と、第１コネクタ７１１と、第２コネクタ７１２と、第３コネクタ７１３と、第４コネクタ７１４と、第５コネクタ７１５と、第６コネクタ７１６とを有する。筐体７１は、処理液分離筐体の一例である。
　筐体７１は、直方体状であり、第１側壁７０１と、第２側壁７０２と、第３側壁７０３と、第４側壁７０４とを有する。第１側壁７０１は第２側壁７０２と対向し、第３側壁７０３は第４側壁７０４と対向する。第３側壁７０３は、第１側壁７０１の一方の端部と接続するとともに、第２側壁７０２の一方の端部と接続する。第４側壁７０４は、第１側壁７０１の他方の端部と接続するとともに、第２側壁７０２の他方の端部と接続する。
　第１コネクタ７１１は、筐体７１から突出する。本実施形態では、第１コネクタ７１１は、第１側壁７０１から突出する。第１コネクタ７１１は、第１泡抜きライン６ａの上流側ライン６１ａと接続する。具体的には、第１コネクタ７１１は、上流側流通管６１１ａと接続する。
　第２コネクタ７１２は、筐体７１から突出する。本実施形態では、第２コネクタ７１２は、第１側壁７０１から突出する。第２コネクタ７１２は、第１泡抜きライン６ａの下流側ライン６２ａと接続する。具体的には、第２コネクタ７１２は、下流側流通管６２１ａと接続する。
　第３コネクタ７１３は、筐体７１から突出する。本実施形態では、第３コネクタ７１３は、第１側壁７０１から突出する。第３コネクタ７１３は、第２泡抜きライン６ｂの上流側ライン６１ｂと接続する。具体的には、第３コネクタ７１３は、上流側流通管６１１ｂと接続する。
　第４コネクタ７１４は、筐体７１から突出する。本実施形態では、第４コネクタ７１４は、第１側壁７０１から突出する。第４コネクタ７１４は、第２泡抜きライン６ｂの下流側ライン６２ｂと接続する。具体的には、第４コネクタ７１４は、下流側流通管６２１ｂと接続する。
　第５コネクタ７１５は、筐体７１から突出する。本実施形態では、第５コネクタ７１５は、第３側壁７０３から突出する。第５コネクタ７１５は、戻し配管８と接続する。
　第６コネクタ７１６は、筐体７１から突出する。本実施形態では、第６コネクタ７１６は、第３側壁７０３から突出する。第６コネクタ７１６は、ガス抜きライン９と接続する。具体的には、第６コネクタ７１６は、ガス流通管９１と接続する。
　図５に示すように、処理液分離部７は、仕切り板７２と、流入室７３と、流出室７４とを更に有する。仕切り板７２は、筐体７１の内部に配置されて、筐体７１の内部空間を流入室７３と流出室７４とに区画する。第１コネクタ７１１～第４コネクタ７１４は、流入室７３と対向する。第５コネクタ７１５及び第６コネクタ７１６は、流出室７４と対向する。
　図６は、本実施形態における処理液分離部７を示す側面図である。詳しくは、図６は、処理液分離部７を第１側壁７０１側から見た図を示す。また、図６は、第１コネクタ７１１～第４コネクタ７１４の断面を示す。図６に示すように、第１側壁７０１は、第１泡流入口７１１ａと、第２泡流入口７１２ａと、第３泡流入口７１３ａと、第４泡流入口７１４ａとを有する。
　第１泡流入口７１１ａは、図５を参照して説明した流入室７３を筐体７１の外部と連通させる。第１コネクタ７１１は、第１泡流入口７１１ａに対応する位置に設けられる。したがって、第１泡流入口７１１ａは、第１泡抜きライン６ａの上流側ライン６１ａ（上流側流通管６１１ａ）と接続し、図５を参照して説明した流入室７３と、第１泡抜きライン６ａの上流側ライン６１ａ（上流側流通管６１１ａ）とを連通させる。
　同様に、第２泡流入口７１２ａは、図５を参照して説明した流入室７３を筐体７１の外部と連通させる。第２コネクタ７１２は、第２泡流入口７１２ａに対応する位置に設けられる。したがって、第２泡流入口７１２ａは、第１泡抜きライン６ａの下流側ライン６２ａ（下流側流通管６２１ａ）と接続し、図５を参照して説明した流入室７３と、第１泡抜きライン６ａの下流側ライン６２ａ（下流側流通管６２１ａ）とを連通させる。
　また、第３泡流入口７１３ａは、図５を参照して説明した流入室７３を筐体７１の外部と連通させる。第３コネクタ７１３は、第３泡流入口７１３ａに対応する位置に設けられる。したがって、第３泡流入口７１３ａは、第２泡抜きライン６ｂの上流側ライン６１ｂ（上流側流通管６１１ｂ）と接続し、図５を参照して説明した流入室７３と、第２泡抜きライン６ｂの上流側ライン６１ｂ（上流側流通管６１１ｂ）とを連通させる。
　また、第４泡流入口７１４ａは、図５を参照して説明した流入室７３を筐体７１の外部と連通させる。第４コネクタ７１４は、第４泡流入口７１４ａに対応する位置に設けられる。したがって、第４泡流入口７１４ａは、第２泡抜きライン６ｂの下流側ライン６２ｂ（下流側流通管６２１ｂ）と接続し、図５を参照して説明した流入室７３と、第２泡抜きライン６ｂの下流側ライン６２ｂ（下流側流通管６２１ｂ）とを連通させる。
　図７は、本実施形態における処理液分離部７を示す断面図である。詳しくは、図７は、図５のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿った断面を示す。図７に示すように、第３側壁７０３は、液流出口７１５ａと、ガス流出口７１６ａとを有する。液流出口７１５ａ及びガス流出口７１６ａは、流出室７４を筐体７１の外部と連通させる。
　図５を参照して説明した第５コネクタ７１５は、液流出口７１５ａに対応する位置に設けられる。また、図５を参照して説明した第６コネクタ７１６は、ガス流出口７１６ａに対応する位置に設けられる。したがって、液流出口７１５ａは、戻し配管８と接続し、流出室７４と戻し配管８とを連通させる。また、ガス流出口７１６ａは、ガス抜きライン９（ガス流通管９１）と接続し、流出室７４とガス抜きライン９（ガス流通管９１）とを連通させる。
　また、図７に示すように、筐体７１は、上壁７０５と、上壁７０５に対向する下壁７０６とを有する。液流出口７１５ａは、ガス流出口７１６ａよりも下壁７０６に近い位置に設けられる。なお、上壁７０５は第１壁の一例であり、下壁７０６は第２壁の一例である。
　本実施形態において、仕切り板７２は、第１端部７２１、及び第１端部７２１とは反対側の第２端部７２２を有する。仕切り板７２の第１端部７２１は、上壁７０５に接続する。一方、仕切り板７２の第２端部７２２は、下壁７０６から離れている。
　更に、本実施形態において、下壁７０６から第１泡流入口７１１ａまでの距離Ｄ１は、下壁７０６から仕切り板７２の第２端部７２２までの距離Ｄ２よりも長い。下壁７０６から第２泡流入口７１２ａまでの距離、下壁７０６から第３泡流入口７１３ａまでの距離、及び下壁７０６から第４泡流入口７１４ａまでの距離も、第１泡流入口７１１ａと同様に、距離Ｄ２より長い。
　第１泡流入口７１１ａ～第４泡流入口７１４ａから流入室７３に流入した処理液Ｌ１の泡は、流入室７３に貯留される。また、処理液Ｌ１の泡は、下壁７０６と仕切り板７２の第２端部７２２との隙間を介して、流出室７４にも貯留される。換言すると、処理液Ｌ１の泡は、筐体７１の内部空間の下部に貯留される。処理液Ｌ１の泡は、筐体７１内に貯留されることにより、処理液Ｌ１とガスとに分離する。泡から分離した処理液Ｌ１は、液流出口７１５ａから戻し配管８に流入して、図１を参照して説明した液貯留部３へ回収される。一方、泡から分離したガスは、処理液Ｌ１の液面よりも上方に位置し、ガス流出口７１６ａを介してガス抜きライン９（ガス流通管９１）に流入する。
　なお、既に説明したように、第１泡抜きライン６ａの上流側ライン６１ａを介して、処理液分離部７（流入室７３）へ処理液Ｌ１が流入する場合がある。この場合、処理液Ｌ１は、下壁７０６と仕切り板７２の第２端部７２２との隙間を通過して、液流出口７１５ａから戻し配管８に流入する。第１泡抜きライン６ａの下流側ライン６２ａ、第２泡抜きライン６ｂの上流側ライン６１ｂ、及び第２泡抜きライン６ｂの下流側ライン６２ｂを介して処理液Ｌ１が処理液分離部７（流入室７３）へ流入した場合も同様に、処理液Ｌ１は、液流出口７１５ａから戻し配管８に流入する。
　また、既に説明したように、第１泡抜きライン６ａの上流側ライン６１ａを介して、処理液分離部７（流入室７３）へガスが流入する場合がある。この場合、ガスは、処理液Ｌ１及び処理液Ｌ１の泡よりも軽いため、処理液Ｌ１及び処理液Ｌ１の泡よりも先に処理液分離部７（流入室７３）に流入する。流入室７３に流入したガスは、下壁７０６と仕切り板７２の第２端部７２２との隙間を通過して、ガス流出口７１６ａからガス抜きライン９（ガス流通管９１）に流入する。第１泡抜きライン６ａの下流側ライン６２ａ、第２泡抜きライン６ｂの上流側ライン６１ｂ、及び第２泡抜きライン６ｂの下流側ライン６２ｂを介してガスが処理液分離部７（流入室７３）へ流入した場合も同様に、ガスは、ガス流出口７１６ａからガス抜きライン９（ガス流通管９１）に流入する。
　以上、図５～図７を参照して処理液分離部７について説明した。図５～図７を参照して説明した処理液分離部７によれば、第１泡抜きライン６ａの上流側ライン６１ａ及び下流側ライン６２ａ、並びに第２泡抜きライン６ｂの上流側ライン６１ｂ及び下流側ライン６２ｂによって導かれた処理液Ｌ１の泡から処理液Ｌ１を回収することができる。
　更に、本実施形態において、下壁７０６から第１泡流入口７１１ａまでの距離Ｄ１は、下壁７０６から仕切り板７２の第２端部７２２までの距離Ｄ２よりも長い。下壁７０６から第２泡流入口７１２ａまでの距離、下壁７０６から第３泡流入口７１３ａまでの距離、及び下壁７０６から第４泡流入口７１４ａまでの距離も、第１泡流入口７１１ａと同様に、距離Ｄ２より長い。したがって、処理液Ｌ１の泡がガス抜きライン９に流入する可能性を低減することができる。
　続いて図８～図９を参照して、本実施形態の基板処理装置１を更に説明する。図８は、本実施形態における基板処理装置１を示す平面図である。図８に示すように、基板処理装置１は、流体キャビネット１１０と、複数の流体ボックス２と、複数のタワーＴＷと、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲとを更に備える。各タワーＴＷは、複数の処理ユニット１Ａを有する。制御装置１００（制御部１０１のプロセッサ）は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、及び処理ユニット１Ａを制御する。
　ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲとタワーＴＷ（処理ユニット１Ａ）との間で基板Ｗを搬送する。処理ユニット１Ａの各々は、基板Ｗに処理液Ｌ１を吐出して、基板Ｗを処理する。流体キャビネット１１０は、原液Ｌ２及び希釈液Ｌ３を収容する。
　複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。なお、本実施形態において、基板処理装置１は４つのタワーＴＷを備えるが、タワーＴＷの数は４つに限定されない。基板処理装置１はタワーＴＷを１つ備えてもよい。あるいは、基板処理装置１は、２つのタワーＴＷ、３つのタワーＴＷ、又は５つ以上のタワーＴＷを備えてもよい。
　各タワーＴＷは、上下方向に積層された複数の処理ユニット１Ａを備える。なお、本実施形態において、各タワーＴＷは３つの処理ユニット１Ａを備えるが、各タワーＴＷに含まれる処理ユニット１Ａの数は３つに限定されない。各タワーＴＷは処理ユニット１Ａを１つ備えてもよい。あるいは、各タワーＴＷは、２つの処理ユニット１Ａ、又は４つ以上の処理ユニット１Ａを備えてもよい。
　複数の流体ボックス２は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応して設けられる。各流体ボックス２は、対応するタワーＴＷに含まれる全ての処理ユニット１Ａに処理液Ｌ１を供給する。流体キャビネット１１０は、各流体ボックス２に原液Ｌ２及び希釈液Ｌ３を供給する。
　続いて図９を参照して、本実施形態のタワーＴＷ、処理ユニット１Ａ及び回収機構５を更に説明する。図９は、本実施形態におけるタワーＴＷを示す図である。図９に示すように、タワーＴＷは、循環配管４１の一部と、回収機構５の一部と、複数の処理ユニット１Ａとを収容する。
　各処理ユニット１Ａは、流量計１１１と、流量調整弁１１２と、開閉弁１１３と、液供給配管１２０と、チャンバー１３０と有する。チャンバー１３０は、処理槽の一例である。
　液供給配管１２０は、処理液Ｌ１を流通させる。具体的には、液供給配管１２０は、循環配管４１に接続して、チャンバー１３０へ処理液Ｌ１を導く。流量計１１１、流量調整弁１１２、及び開閉弁１１３は、液供給配管１２０に取り付けられる。本実施形態において、流量調整弁１１２及び開閉弁１１３は、制御装置１００（制御部１０１のプロセッサ）によって制御される。
　流量計１１１は、液供給配管１２０を流れる処理液Ｌ１の流量を計測する。流量調整弁１１２は、液供給配管１２０を流れる処理液Ｌ１の流量を調整する。詳しくは、処理液Ｌ１が、流量調整弁１１２の開度に対応する流量で液供給配管１２０を流れる。本実施形態において、流量調整弁１１２は、流量計１１１の出力に基づいて制御される。
　開閉弁１１３は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。開閉弁１１３が開状態である場合、処理液Ｌ１が液供給配管１２０を介してチャンバー１３０に導かれる。開閉弁１１３が閉状態である場合、開閉弁１１３は、液供給配管１２０を介してチャンバー１３０へ向かう処理液Ｌ１の流れを止める。
　回収機構５は、回収容器５４を更に備える。また、回収配管５１は、一次配管５１１と、二次配管５１２とを有する。図９に示すように、タワーＴＷは、一次配管５１１と、二次配管５１２の一部と、回収ポンプ５２と、回収容器５４とを収容する。
　一次配管５１１は、基板Ｗの処理に使用された後の処理液Ｌ１を流通させる。具体的には、一次配管５１１は、各チャンバー１３０に接続して、各チャンバー１３０から回収容器５４へ処理液Ｌ１を導く。以下、基板Ｗの処理に使用された後の処理液Ｌ１を「使用後の処理液Ｌ１」と記載する場合がある。本実施形態において、複数のチャンバー１３０は上下方向に配置されており、回収容器５４は、最も下側のチャンバー１３０よりも下方の位置に配置される。使用後の処理液Ｌ１は、自重によって各チャンバー１３０から回収容器５４へ排出される。
　回収容器５４は、使用後の処理液Ｌ１を貯留する。二次配管５１２は、使用後の処理液Ｌ１を流通させる。具体的には、二次配管５１２は、回収容器５４に接続して、図１を参照して説明した液貯留部３へ処理液Ｌ１を導く。回収ポンプ５２は、二次配管５１２に取り付けられる。回収ポンプ５２が駆動することにより、回収容器５４から二次配管５１２へ処理液Ｌ１が流入し、二次配管５１２を介して液貯留部３まで処理液Ｌ１が流れる。
　続いて図１０を参照して、処理ユニット１Ａについて説明する。図１０は、本実施形態における処理ユニット１Ａを示す図である。図１０に示すように、処理ユニット１Ａは、ノズル１３２と、スピンチャック１３４と、カップ１３６と、ノズル移動ユニット１３８とを更に有する。
　チャンバー１３０は、ノズル１３２、スピンチャック１３４、カップ１３６、及びノズル移動ユニット１３８を収容する。また、チャンバー１３０は、図８を参照して説明したセンターロボットＣＲによって搬送された基板Ｗを収容する。本実施形態の基板処理装置１は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であり、チャンバー１３０には基板Ｗが１枚ずつ収容される。
　スピンチャック１３４は、基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線ＡＸ１まわりに基板Ｗを回転させる。スピンチャック１３４は、例えば、挟持式のチャック、又はバキューム式のチャックを備える。スピンチャック１３４の動作は、制御装置１００（制御部１０１のプロセッサ）によって制御される。
　カップ１３６は略筒形状を有する。カップ１３６は、スピンチャック１３４の周りに配置されて、基板Ｗから排出された使用後の処理液Ｌ１を受け止める。カップ１３６は、液溜り部１３６ａを有する。液溜り部１３６ａは、カップ１３６の下部に設けられる。カップ１３６が受け止めた処理液Ｌ１は、自重によって液溜り部１３６ａまで落ちる。この結果、液溜り部１３６ａに、使用後の処理液Ｌ１が集められる。回収配管５１（一次配管５１１）は、液溜り部１３６ａに接続する。液溜り部１３６ａに集められた処理液Ｌ１は、自重によって回収配管５１（一次配管５１１）に流入する。
　ノズル移動ユニット１３８は、回動軸線ＡＸ２の回りに回動して、ノズル１３２を水平に移動させる。具体的には、ノズル移動ユニット１３８は、待機位置と処理位置との間で、ノズル１３２を水平に移動させる。待機位置は、回転軸線ＡＸ１に対してスピンチャック１３４よりも外側の第１規定位置を示す。処理位置は、基板Ｗの上方の第２規定位置を示す。ノズル移動ユニット１３８の動作は、制御装置１００（制御部１０１のプロセッサ）によって制御される。
　ノズル１３２は、基板Ｗに向けて処理液Ｌ１を吐出する。ノズル１３２が基板Ｗに向けて処理液Ｌ１を吐出することで、チャンバー１３０内で基板Ｗが処理される。液供給配管１２０は、ノズル１３２へ処理液Ｌ１を供給する。
　ノズル１３２に対する処理液Ｌ１の供給開始及び供給停止は、開閉弁１１３によって切り替えられる。ノズル１３２に供給される処理液Ｌ１の流量は、流量計１１１によって検出される。流量は、流量調整弁１１２によって変更可能である。開閉弁１１３が開状態になると、処理液Ｌ１が、流量調整弁１１２の開度に対応する流量で液供給配管１２０からノズル１３２に供給される。その結果、ノズル１３２から処理液Ｌ１が吐出される。
　以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。なお、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
　例えば、本発明の実施形態において、第１泡抜きライン６ａ及び第２泡抜きライン６ｂは処理液分離部７と接続したが、第１泡抜きライン６ａ及び第２泡抜きライン６ｂは処理液分離部７と接続していなくてもよい。例えば、第１泡抜きライン６ａの下流側の端部、及び第２泡抜きライン６ｂの下流側の端部から、処理液分離部７の筐体７１の内部空間へ、処理液の泡等を自重で落下させてもよい。この場合、筐体７１の上壁７０５は開口を有し、処理液の泡等は、上壁７０５の開口を介して筐体７１の内部空間に落下する。
　また、本発明の実施形態において、処理液Ｌ１は、燐酸を含むエッチング液であったが、処理液Ｌ１は、燐酸を含むエッチング液に限定されない。処理液Ｌ１は、燐酸を含まないエッチング液であってもよい。例えば、処理液Ｌ１は、硫酸過酸化水素水混合液（ｓｕｌｆｕｒｉｃ　ａｃｉｄ／ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｐｅｒｏｘｉｄｅ　ｍｉｘｔｕｒｅ：ＳＰＭ）であり得る。
　また、本発明の実施形態において、処理液Ｌ１は発泡性を有したが、処理液Ｌ１は、発泡性を有しない液体であってもよい。処理液Ｌ１が発泡性を有しない場合であっても、循環ポンプ４２及び回収ポンプ５２において泡が発生する。また、処理液Ｌ１が発泡性を有しない場合であっても、循環フィルタ部４３及び回収フィルタ部５３において泡が発生する可能性がある。
　また、本発明の実施形態において、第１泡抜きライン６ａは、上流側ライン６１ａと、下流側ライン６２ａとを有したが、第１泡抜きライン６ａは、上流側ライン６１ａと、下流側ライン６２ａとのうちの一方を有してもよい。同様に、第２泡抜きライン６ｂは、上流側ライン６１ｂと、下流側ライン６２ｂとのうちの一方を有してもよい。
　また、本発明の実施形態において、基板処理装置１は、第１泡抜きライン６ａ及び第２泡抜きライン６ｂを備えたが、第１泡抜きライン６ａ及び第２泡抜きライン６ｂのうちの一方は省略されてもよい。
　また、本発明の実施形態において、基板処理装置１は循環フィルタ部４３及び回収フィルタ部５３を備えたが、循環フィルタ部４３及び回収フィルタ部５３のうちの一方は省略されてもよい。
　また、本発明の実施形態では、循環ポンプ４２が処理液Ｌ１を駆動したが、処理液Ｌ１を駆動する要素は循環ポンプ４２に限定されない。例えば、循環機構４は、処理液Ｌ１を駆動する要素として、循環容器と、ガス供給機構とを備えてもよい。循環容器は、循環配管４１を流れる処理液Ｌ１を貯留する。ガス供給機構は、循環容器に貯留された処理液Ｌ１の液面にガスを吹き付ける。この場合、処理液Ｌ１の液面に吹き付けられたガスの圧力によって、処理液Ｌ１が循環配管４１を流通する。
　また、本発明の実施形態では、回収ポンプ５２が使用後の処理液Ｌ１を駆動したが、使用後の処理液Ｌ１を駆動する要素は回収ポンプ５２に限定されない。例えば、回収機構５は、使用後の処理液Ｌ１を駆動する要素として、ガス供給機構を備えてもよい。ガス供給機構は、回収容器５４に貯留された使用後の処理液Ｌ１の液面にガスを吹き付ける。この場合、使用後の処理液Ｌ１の液面に吹き付けられたガスの圧力によって、使用後の処理液Ｌ１が回収配管５１（二次配管５１２）を流通する。あるいは、使用後の処理液Ｌ１は、自重によって液貯留部３まで流れてもよい。具体的には、複数のチャンバー１３０のうち最も下側に位置するチャンバー１３０よりも下方の位置に液貯留部３を配置することにより、使用後の処理液Ｌ１を自重によって液貯留部３まで流すことができる。
　また、本発明の実施形態において、基板処理装置１は回収機構５を備えたが、回収機構５は省略されてもよい。
　また、本発明の実施形態において、基板処理装置１は、基板Ｗのエッチング処理を行ったが、本発明は、基板Ｗに対してエッチング処理とは異なる処理を行う基板処理装置にも適用できる。例えば、本発明は、基板Ｗを洗浄する基板処理装置に適用することができる。
　また、本発明の実施形態において、処理液Ｌ１はエッチング液であったが、処理液Ｌ１は、エッチング液に限定されない。例えば、処理液Ｌ１は洗浄液であり得る。洗浄液は、基板Ｗの洗浄に用いられる。例えば、処理液Ｌ１は、ＳＣ１（ａｍｍｏｎｉａ－ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｐｅｒｏｘｉｄｅ　ｍｉｘｔｕｒｅ：アンモニア過酸化水素水混合液）、又は、ＳＣ２（ｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｃ　ａｃｉｄ／ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｐｅｒｏｘｉｄｅ　ｍｉｘｔｕｒｅ：塩酸過酸化水素水）であり得る。あるいは、処理液Ｌ１は、例えば、ＤＩＷ又はＩＰＡ（イソプロピルアルコール）のようなリンス液であってもよい。リンス液は、基板Ｗに供給された薬液を基板Ｗから除去するために用いられる。
　また、本発明の実施形態において、基板処理装置１は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であったが、基板処理装置１は、複数の基板Ｗを同時に処理するバッチ型であってもよい。
　また、本発明の実施形態において、基板Ｗは半導体ウエハであったが、基板Ｗは半導体ウエハに限定されない。基板Ｗは、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ用の基板、光ディスク用の基板、磁気ディスク用の基板、又は光磁気ディスク用の基板等であり得る。
　また、本発明の実施形態において、流量調整弁６１２ａの開度は、制御装置１００（制御部１０１のプロセッサ）によって制御されたが、流量調整弁６１２ａの開度は、作業者によって調整され得る。同様に、流量調整弁６２２ａの開度も、作業者によって調整され得る。
　また、本発明の実施形態において、流体ボックス２はタワーＴＷごとに設けられたが、流体ボックス２はタワーＴＷごとに設けられなくてもよい。タワーＴＷの数に対して、流体ボックス２の数は少なくてもよい。例えば、基板処理装置１は、流体ボックス２を一つ備えてもよい。この場合、一つの流体ボックス２から全ての処理ユニット１Ａに処理液Ｌ１が供給される。
　本発明は、処理液を用いて基板を処理する基板処理装置に好適に用いられる。
１　　　　基板処理装置
２　　　　流体ボックス
３　　　　液貯留部
４　　　　循環機構
５　　　　回収機構
６ａ　　　第１泡抜きライン
６ｂ　　　第２泡抜きライン
７　　　　処理液分離部
８　　　　戻し配管
９　　　　ガス抜きライン
１０　　　原液供給機構
２０　　　希釈液供給機構
４１　　　循環配管
４２　　　循環ポンプ
４３　　　循環フィルタ部
５１　　　回収配管
５２　　　回収ポンプ
５３　　　回収フィルタ部
１００　　制御装置
１３０　　チャンバー
１３２　　ノズル
１３４　　スピンチャック
１３６　　カップ
１３６ａ　液溜り部
４０１　　フィルタ膜
５０１　　フィルタ膜
Ｌ１　　　処理液
ＴＷ　　　タワー
Ｗ　　　　基板

Claims (12)

  1. 　処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、
    　前記処理液を貯留する液貯留部と、
    　前記液貯留部にその一端が接続し、前記処理液を流通させる第１配管と、
    　前記第１配管に取り付けられて、前記処理液から異物を除去するフィルタ部と、
    　前記処理液の泡を貯留し、前記泡から前記処理液を分離する処理液分離部と、
    　前記フィルタ部に接続して、前記泡を前記フィルタ部から前記処理液分離部へ導く泡抜きラインと、
    　前記処理液分離部に接続して、前記泡から分離された前記処理液を前記液貯留部に導く第２配管と
    　を備える、基板処理装置。
  2. 　前記第１配管に取り付けられて、前記処理液を駆動するポンプを更に備え、
    　前記ポンプは、前記第１配管を前記処理液が流れる方向に対して、前記フィルタ部よりも上流側に位置する、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記フィルタ部は、
    　フィルタ筐体と、
    　前記フィルタ筐体の内部に配置されて、前記フィルタ筐体の内部空間を上流側室と下流側室とに区画するフィルタ膜と
    　を備え、
    　前記上流側室は、前記第１配管を前記処理液が流れる方向に対して、前記下流側室よりも上流側に位置し、
    　前記フィルタ筐体は、前記泡抜きラインが接続する泡抜き開口を有し、
    　前記泡抜き開口は、前記フィルタ筐体の上壁に設けられて、前記上流側室及び前記下流側室の一方に前記泡抜きラインを連通させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記フィルタ部は、
    　フィルタ筐体と、
    　前記フィルタ筐体の内部に配置されて、前記フィルタ筐体の内部空間を上流側室と下流側室とに区画するフィルタ膜と
    　を備え、
    　前記上流側室は、前記第１配管を前記処理液が流れる方向に対して、前記下流側室よりも上流側に位置し、
    　前記泡抜きラインは、上流側ラインと、下流側ラインとを含み、
    　前記フィルタ筐体は、
    　前記上流側ラインが接続する上流側泡抜き開口と、
    　前記下流側ラインが接続する下流側泡抜き開口と
    　を有し、
    　前記上流側泡抜き開口は、前記フィルタ筐体の上壁に設けられて、前記上流側室に前記上流側ラインを連通させ、
    　前記下流側泡抜き開口は、前記フィルタ筐体の上壁に設けられて、前記下流側室に前記下流側ラインを連通させる、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  5. 　前記処理液分離部は、
    　処理液分離筐体と、
    　前記処理液分離筐体の内部に配置されて、前記処理液分離筐体の内部空間を流入室と流出室とに区画する仕切り板と
    　を備え、
    　前記仕切り板は、第１端部と、前記第１端部とは反対側の第２端部とを有し、
    　前記処理液分離筐体は、
    　前記仕切り板の前記第１端部が接続する第１壁と、
    　前記第１壁に対向する第２壁と、
    　前記泡抜きラインが接続する泡流入口と、
    　前記第２配管が接続する液流出口と
    　を有し、
    　前記仕切り板の前記第２端部は、前記第２壁から離れており、
    　前記泡流入口は、前記流入室と前記泡抜きラインとを連通させ、
    　前記液流出口は、前記流出室と前記第２配管とを連通させ、
    　前記第２壁から前記泡流入口までの距離は、前記第２壁から前記仕切り板の前記第２端部までの距離よりも長い、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  6. 　前記第１配管は、前記液貯留部から流入した前記処理液が前記液貯留部へ戻るように前記処理液を循環させる循環配管を含み、
    　前記フィルタ部は、前記循環配管に取り付けられる第１フィルタ部を含み、
    　前記泡抜きラインは、前記第１フィルタ部に接続する第１泡抜きラインを含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  7. 　前記第１配管は、前記基板の処理に用いられた後の前記処理液が流入する回収配管を含み、
    　前記回収配管は、前記処理液を前記液貯留部に戻し、
    　前記フィルタ部は、前記回収配管に取り付けられる第２フィルタ部を含み、
    　前記泡抜きラインは、前記第２フィルタ部に接続する第２泡抜きラインを含む、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  8. 　前記液貯留部は、前記処理液を貯留する処理液容器と、前記処理液容器を加熱するヒータとを備える、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  9. 　複数のタワーと、
    　前記複数のタワーのそれぞれに対して設けられる流体ボックスと
    　を備え、
    　前記流体ボックスはそれぞれ、前記液貯留部、前記第１配管、前記フィルタ部、前記処理液分離部、前記泡抜きライン及び前記第２配管を収容し、
    　前記複数のタワーはそれぞれ複数の処理槽を備え、
    　前記複数の処理槽は上下方向に配置されており、
    　前記複数の処理槽はそれぞれ前記基板を収容し、
    　前記基板は、前記処理槽内において処理される、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  10. 　前記処理液は、前記基板のエッチング処理に使用するエッチング液である、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  11. 　前記処理液の組成は、燐酸を含む、請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 　前記処理液は、発泡性を有する、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理装置。
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