JP7671663B2

JP7671663B2 - 基板処理装置

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Publication number: JP7671663B2
Application number: JP2021155513A
Authority: JP
Inventors: 祐太山ノ内; 亨遠藤; 陸太青木
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2021-09-24
Filing date: 2021-09-24
Publication date: 2025-05-02
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Also published as: JP2023046743A

Description

本発明は、基板処理装置に関する。

従来、基板に処理流体を供給して基板を処理する基板処理ユニットと、基板処理ユニットに処理流体を供給する処理流体供給ユニットとを備えた基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１には、レジスト塗布ユニットを含む第１処理ユニット群と、第１処理ユニット群に所定の処理液を供給するケミカルユニットとを備えたレジスト塗布現像処理システムが記載されている。

特開２００６－３５１８５号公報

ところで、特許文献１のように、基板処理ユニット（レジスト塗布ユニット）と、基板処理ユニットに処理流体を供給する処理流体供給ユニット（ケミカルユニット）とを備えた基板処理装置では、所定量の処理流体を所定のタイミングで処理流体供給ユニットから基板処理ユニットに供給する必要がある。このため、処理流体供給ユニットには、処理流体の通過経路を開閉するバルブと、バルブを駆動するモータとが設けられる。

こうした開閉バルブのモータには、バルブ開閉時に加えて、バルブ開閉時以外の時にも待機電流が流れている。処理流体の供給を制御するために、モータを駆動し続けると、モータが高温になる。近年、基板の処理品質への要求増加に伴い、処理流体の温度への要求も高まっている。こうした中、本発明者は、モータの熱がバルブ等を介して処理流体に伝達され、処理流体の温度が上昇し、これが処理流体による基板の処理速度及び処理量の増加に影響し処理不良の原因となっていることを発見した。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、モータの発熱によって処理流体が高温になることを抑制することが可能な基板処理装置を提供することにある。

本発明の一局面による基板処理装置は、基板処理ユニットと、処理流体供給ユニットと、冷却用ガス供給部とを備える。前記基板処理ユニットは、基板に処理流体を供給して前記基板を処理する。前記処理流体供給ユニットは、前記基板処理ユニットに前記処理流体を供給する。前記冷却用ガス供給部は、前記処理流体供給ユニット内に配置される。前記処理流体供給ユニットは、前記処理流体の通過経路を開閉するバルブと、前記バルブを駆動するモータとを有する。前記冷却用ガス供給部は、前記モータの側面を通過するように冷却用ガスを吹き出す。

本発明の一態様においては、基板処理装置において、前記処理流体供給ユニットは、前記バルブ及び前記モータを支持する支持部材をさらに有してもよい。前記冷却用ガス供給部は、前記支持部材に沿うように前記冷却用ガスを吹き出してもよい。

本発明の一態様においては、基板処理装置において、前記処理流体供給ユニットは、複数の前記バルブと複数の前記モータとを有してもよい。前記支持部材は、前記モータ同士を仕切る仕切り板であってもよい。

本発明の一態様においては、基板処理装置において、前記処理流体供給ユニットは、複数の前記支持部材を有してもよい。前記複数の支持部材は、所定方向に互いに離隔してもよい。前記冷却用ガス供給部は、前記所定方向に延びる管部材であってもよい。前記冷却用ガス供給部は、前記冷却用ガスを吹き出す複数の吹出口を有してもよい。前記複数の吹出口は、前記所定方向に互いに離隔してもよい。

前記仕切り板が、前記所定方向に交差する方向に沿っていてもよい。隣り合う前記仕切り板が、前記モータを挟んで所定方向に対向していてもよい。前記複数の吹出口が、それぞれ複数の前記仕切り板に沿うように冷却用ガスを吹き出してもよい。
本発明の一態様においては、基板処理装置において、前記複数のモータは、上下方向に互いに離隔する第１モータおよび第２モータを含んでもよい。前記冷却用ガス供給部は、前記一対のモータの間を通過するように前記冷却用ガスを吹き出してもよい。

本発明の一態様においては、基板処理装置は、前記処理流体が内部を通過する配管をさらに備えてもよい。前記冷却用ガス供給部は、前記配管を避けつつ、前記モータの側面を通過するように冷却用ガスを吹き出してもよい。

本発明の一態様においては、基板処理装置は、複数の前記処理流体供給ユニットを備えてもよい。各前記処理流体供給ユニットは、複数の前記バルブおよび複数の前記モータを収容する筐体をさらに有していてもよい。前記複数の処理流体供給ユニットは、前記筐体の内部の空気が互いに通過可能な状態で上下方向に積層されてもよい。前記冷却用ガス供給部は、少なくとも最上段の前記処理流体供給ユニット内に配置されてもよい。前記冷却用ガス供給部が、最下段の前記処理流体供給ユニット内には配置されなくてもよい。

本発明によれば、モータの発熱によって処理流体が高温になることを抑制することが可能な基板処理装置を提供できる。

本発明の一実施形態の基板処理装置の模式的な平面図である。本発明の一実施形態の基板処理装置の処理ユニット及び流体ボックスを模式的に示す側面図である。本発明の一実施形態の基板処理装置の処理ユニット及び流体ボックスの構造を示す模式図である。本発明の一実施形態の基板処理装置の流体ボックスの構造を概略的に示す斜視図である。本発明の一実施形態の基板処理装置の処理流体供給部及び冷却用ガス供給部の構造を示す側面図である。本発明の一実施形態の基板処理装置の処理流体供給部及び冷却用ガス供給部の構造を示す正面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、図中、理解を容易にするために、Ｘ軸、Ｙ軸、及び、Ｚ軸を適宜図示している。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。また、図中、図面を見易くするために、断面を示すハッチングを省略する場合がある。

図１～図６を参照して、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１００を説明する。基板処理装置１００は基板Ｗを処理する。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。本実施形態では、基板Ｗは、半導体ウエハである。基板Ｗは、例えば、略円板状である。

まず、図１及び図２を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。詳しくは、図１は、基板処理装置１００の模式的な平面図である。図２は、基板処理装置１００の処理ユニット１及び流体ボックス１００Ｂを模式的に示す側面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。

図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の処理ユニット１と、流体キャビネット１００Ａと、複数の流体ボックス１００Ｂと、複数のロードポートＬＰと、インデクサロボットＩＲと、センタロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。なお、処理ユニット１は、本発明の「基板処理ユニット」の一例である。また、流体ボックス１００Ｂは、本発明の「処理流体供給ユニット」の一例である。

ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンタロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センタロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲと処理ユニット１との間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサロボットＩＲとセンタロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する載置台（パス）を設けて、インデクサロボットＩＲとセンタロボットＣＲとの間で載置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。

処理ユニット１の各々は、処理流体を基板Ｗの上面Ｗａ及び下面Ｗｂ（図３参照）に供給して、基板Ｗの上面Ｗａ及び下面Ｗｂを処理する。なお、処理ユニット１の各々は、処理流体を基板Ｗの上面Ｗａのみに供給して、基板Ｗの上面Ｗａのみを処理してもよい。

複数の処理ユニット１は、平面視においてセンタロボットＣＲを取り囲むように配置される複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の処理ユニット１（図１では３つの処理ユニット１）を含む。

流体キャビネット１００Ａは、処理流体を収容する。複数の流体ボックス１００Ｂは、それぞれ複数の処理ユニット１に対応している。具体的には、流体ボックス１００Ｂは、上下に複数（図２では３つ）積層されている。各流体ボックス１００Ｂは、処理ユニット１に隣接して配置される。処理ユニット１と流体ボックス１００Ｂとの境界部分には、隔離壁１ａが配置されている。隔離壁１ａは、処理ユニット１内の処理流体が流体ボックス１００Ｂ内に入ることを抑制する。なお、隔離壁１ａは、処理ユニット１又は流体ボックス１００Ｂに一体で設けられていてもよいし、処理ユニット１又は流体ボックス１００Ｂとは別体で設けられていてもよい。流体キャビネット１００Ａ内の処理流体は、いずれかの流体ボックス１００Ｂを介して、流体ボックス１００Ｂに対応する処理ユニット１に供給される。

続いて、制御装置１０１について説明する。制御装置１０１は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサロボットＩＲ、及びセンタロボットＣＲを制御する。また、制御装置１０１は、処理ユニット１及び流体ボックス１００Ｂを制御する。制御装置１０１は、制御部１０２と、記憶部１０３とを含む。

制御部１０２は、ＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）のようなプロセッサを含む。制御部１０２のプロセッサは、記憶部１０３の記憶装置が記憶しているコンピュータプログラムを実行して、処理ユニット１を制御する。

記憶部１０３は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定する。

記憶部１０３は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部１０３は、補助記憶装置をさらに有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくとも一方を含む。記憶部１０３はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０２は、記憶部１０３に記憶されているコンピュータプログラム及びデータに基づいて、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。

次に、図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の処理ユニット１及び流体ボックス１００Ｂについてさらに説明する。図３は、本実施形態の基板処理装置１００の処理ユニット１及び流体ボックス１００Ｂの構造を示す模式図である。

図３に示すように、処理ユニット１は、チャンバ２と、スピンチャック３と、スピンモータ部５と、第１ノズル１１と、第２ノズル１２とを備える。また、基板処理装置１００は、第１供給配管１３と、第２供給配管１４とを備える。制御装置１０１（制御部１０２）は、スピンチャック３及びスピンモータ部５を制御する。なお、第１供給配管１３及び第２供給配管１４は、本発明の「配管」の一例である。

チャンバ２は略箱形状を有する。チャンバ２は、基板Ｗ、スピンチャック３、スピンモータ部５、第１ノズル１１、第２ノズル１２、第１供給配管１３の一部、及び、第２供給配管１４の一部を収容する。

スピンチャック３は、基板Ｗを水平に保持する。スピンチャック３による基板Ｗの保持方法は、特に限定されるものではなく、例えば、基板Ｗの下面Ｗｂを吸着してもよいし、基板Ｗの周縁部を支持してもよい。

スピンモータ部５は、回転軸線ＡＸ１を中心として基板Ｗとスピンチャック３とを一体に回転させる。回転軸線ＡＸ１は、上下方向に延びる。

第１ノズル１１は、基板Ｗに処理流体を供給する。処理流体は、例えば、処理液又は処理ガスである。処理流体は、基板Ｗに接触する流体である限りは、特に限定されない。処理流体としての処理液は、例えば、薬液又はリンス液である。

薬液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）、フッ酸（ＨＦ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ₃）との混合液）、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、燐酸（Ｈ₃ＰＯ₄）、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、シュウ酸）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ）、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、界面活性剤、腐食防止剤、又は、疎水化剤である。

リンス液は、例えば、脱イオン水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、又は、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水である。

また、処理流体としての処理ガスは、例えば、基板Ｗと反応する反応ガス、又は、不活性ガスである。反応ガスは、例えば、オゾンガス、フッ素ガス、フッ化水素を含む気体、又は、ＩＰＡを含む気体である。不活性ガスは、例えば、窒素、ヘリウム、又は、アルゴンである。

本実施形態では、第１ノズル１１は、基板Ｗの上面Ｗａに処理液を供給する。処理液は、第１供給配管１３を介して第１ノズル１１に供給される。第１供給配管１３は、処理液が流通する管状部材である。

第２ノズル１２は、基板Ｗに処理流体を供給する。本実施形態では、第２ノズル１２は、基板Ｗの下面Ｗｂに処理液を供給する。処理液は、第２供給配管１４を介して第２ノズル１２に供給される。第２供給配管１４は、処理液が流通する管状部材である。

引き続き図３を参照して、流体ボックス１００Ｂについて説明する。流体ボックス１００Ｂは、略箱形状又は枠形状を有する。流体ボックス１００Ｂは、バルブ２１１及び２２１と、モータ２１２及び２２２（図４参照）とを有する。バルブ２１１及び２２１には、流体キャビネット１００Ａから分岐部２５を介して処理流体が供給される。

次に、図４から図６を参照して、流体ボックス１００Ｂの詳細構造について説明する。図４は、本実施形態の基板処理装置１００の流体ボックス１００Ｂの構造を概略的に示す斜視図である。図５は、本実施形態の基板処理装置１００の処理流体供給部２００及び冷却用ガス供給部３００の構造を示す側面図である。図６は、本実施形態の基板処理装置１００の処理流体供給部２００及び冷却用ガス供給部３００の構造を示す正面図である。

図４に示すように、流体ボックス１００Ｂは、処理ユニット１に処理流体を供給する処理流体供給部２００を有する。処理流体供給部２００の数は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、処理流体供給部２００として、６つの処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆが設けられる。各処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆは、流体キャビネット１００Ａ（図１参照）に接続されており、流体キャビネット１００Ａから処理流体が供給される。また、各処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆは、第１供給配管１３及び第２供給配管１４（図３参照）に接続される。各処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆは、第１ノズル１１及び第２ノズル１２（図３参照）に処理流体を所定のタイミングで所定時間供給する。

処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆは、互いに積層される。本実施形態では、処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆは、水平方向（ここではＸ方向）に積層される。処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆの各々には、上述した処理流体のうちの１つが供給される。本実施形態では、処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆの少なくとも１つには、高温の処理流体が供給される。また、処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆの少なくとも１つには、常温の処理流体が供給される。

図５及び図６に示すように、各処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆは、第１供給部２１０及び第２供給部２２０を有する。なお、各処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆは、第１供給部２１０及び第２供給部２２０のうちの一方のみを有してもよい。第１供給部２１０は、第１ノズル１１に処理流体を供給する。第２供給部２２０は、第２ノズル１２に処理流体を供給する。

第１供給部２１０は、バルブ２１１と、モータ（第１モータ）２１２と、流量計２１３と、接続配管２１４とを有する。バルブ２１１は、第１供給配管１３に接続される。バルブ２１１は、処理流体の通過経路を開閉する。なお、接続配管２１４及び第１供給配管１３等によって、処理流体が通過する通過経路が構成されている。バルブ２１１の種類は、特に限定されるものではないが、例えばニードルバルブである。モータ２１２は、バルブ２１１を駆動する。

流量計２１３は、流体キャビネット１００Ａに接続される。流量計２１３は、流通経路を通過する処理流体の量を計測する。接続配管２１４は、流量計２１３とバルブ２１１とを接続する。第１供給部２１０では、モータ２１２がバルブ２１１を駆動して、通過経路の開度を調整することによって、第１ノズル１１に供給される処理流体の量が調整される。より具体的には、制御部１０２は、流量計２１３の計測結果に基づいてモータ２１２を駆動することによって、第１ノズル１１に供給する処理流体の量を調整する。

第２供給部２２０は、バルブ２２１と、モータ（第２モータ）２２２と、流量計２２３と、接続配管２２４とを有する。バルブ２２１は、第２供給配管１４に接続される。バルブ２２１は、処理流体の通過経路を開閉する。なお、接続配管２２４及び第２供給配管１４等によって、処理流体が通過する通過経路が構成されている。バルブ２２１の種類は、特に限定されるものではないが、例えばニードルバルブである。モータ２２２は、バルブ２２１を駆動する。

流量計２２３は、流体キャビネット１００Ａに接続される。流量計２２３は、流通経路を通過する処理流体の量を計測する。接続配管２２４は、流量計２２３とバルブ２２１とを接続する。第２供給部２２０では、モータ２２２がバルブ２２１を駆動して、通過経路の開度を調整することによって、第２ノズル１２に供給される処理流体の量が調整される。より具体的には、制御部１０２は、流量計２２３の計測結果に基づいてモータ２２２を駆動することによって、第２ノズル１２に供給する処理流体の量を調整する。

ここで、基板Ｗの処理を続けると、モータ２１２及び２２２が駆動し続ける。このため、モータ２１２及び２２２が高温になる。モータ２１２及び２２２の熱は、バルブ２１１及び２２１を介して処理流体に伝達されるため、処理流体の温度が上昇する。よって、温度の上昇した処理流体が基板Ｗに供給されるため、基板Ｗに対する処理速度及び処理量が増加してしまう。

そこで、本実施形態では、基板処理装置１００は、モータ２１２及び２２２の温度が上昇するのを抑制するための冷却用ガス供給部３００を備える。冷却用ガス供給部３００は、冷却用ガスがモータ２１２の側面（ここでは下面）２１２ａ及びモータ２２２の側面（ここでは上面）２２２ａを通過するように、冷却用ガスを吹き出す。従って、冷却用ガスによってモータ２１２及び２２２の温度が高温になることを抑制できる。よって、モータ２１２及び２２２の熱が処理流体に伝達されることを抑制できるので、処理流体の温度が上昇することを抑制できる。その結果、温度の上昇した処理流体が基板Ｗに供給されることを抑制できるため、基板Ｗの処理速度及び処理量が増加することを抑制できる。このように、本実施形態では、基板処理装置１００が冷却用ガス供給部３００を備えることによって、モータ２１２及び２２２の発熱によって処理流体が高温になることを抑制できる。

また、例えば、処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆの１つがアンモニア水を供給し、処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆの他の１つが過酸化水素水を供給して、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）を基板Ｗに吐出する場合、過酸化水素水に対して少量のアンモニア水を混ぜることになる。この場合、アンモニア水の温度が上昇し、アンモニア水の体積が変化すると、アンモニアの希釈度が大きく変化する。つまり、処理流体を希釈して用いる場合、温度変化の影響が大きくなるため、処理流体の温度変化を抑制することは、特に有効である。

なお、本実施形態では、冷却用ガス供給部３００は、処理流体によって基板Ｗを処理している際は常時、冷却用ガスを吹き出すが、例えば、モータ２１２及び２２２の温度を計測し、モータ２１２及び２２２が所定温度以上になった場合のみ冷却用ガスを吹き出してもよい。

本実施形態では、冷却用ガス供給部３００は、処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆの積層方向（Ｘ方向）に延びる管部材である。なお、処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆの積層方向は、本発明の「所定方向」の一例である。冷却用ガス供給部３００は、冷却用ガスを吹き出す吹出口３００ａを有する。吹出口３００ａは、単数個であっても良いし、複数個あっても良い。以下、吹出口３００ａが複数ある実施態様について説明する。

複数の吹出口３００ａは、処理流体供給部２００の積層方向（Ｘ方向）に、互いに離隔する。冷却用ガス供給部３００には、流体キャビネット１００Ａから冷却用ガスが供給される。流体キャビネット１００Ａから冷却用ガス供給部３００に供給された冷却用ガスは、複数の吹出口３００ａから吹き出される。このように、冷却用ガス供給部３００は、複数の吹出口３００ａを有し、複数の吹出口３００ａは、積層方向（所定方向）に互いに離隔することによって、１つの冷却用ガス供給部３００によって、複数のモータ２１２及び２２２が高温になることを抑制できる。

冷却用ガスの種類は、特に限定されるものではないが、例えば、空気、又は、窒素等の不活性ガスを用いることができる。また、冷却用ガスの温度は、特に限定されるものではないが、例えば常温である。

各処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆは、支持部材２３０をさらに有する。支持部材２３０は、バルブ２１１及び２２１と、モータ２１２及び２２２とを支持する。本実施形態では、支持部材２３０は、仕切り板である。具体的には、複数のバルブ２１１及び複数のモータ２１２は、水平方向に所定間隔をおいて複数（ここでは６個）ずつ配置される。複数のバルブ２２１及び複数のモータ２２２は、水平方向に所定間隔をおいて複数（ここでは６個）ずつ配置される。複数のバルブ２１１及び複数のモータ２１２と、複数のバルブ２２１及び複数のモータ２２２とは、上下方向に所定間隔をおいて配置される。そして、支持部材２３０は、水平方向（Ｘ方向）に隣接するバルブ２１１同士、モータ２１２同士、バルブ２２１同士、モータ２２２同士を仕切る。言い換えると、複数のモータ２１２及び２２２は、上下方向に互いに離隔する一対のモータ２１２及び２２２を複数組（ここでは６組）含む。複数のバルブ２１１及び２２１は、上下方向に互いに離隔する一対のバルブ２１１及び２２１を複数組（ここでは６組）含む。

複数の支持部材２３０は、所定方向（Ｘ方向）に互いに離隔する。支持部材２３０は、板本体２３１と、２つの第１支持板部２３２と、２つの第２支持板部２３３とを有する。２つの第１支持板部２３２は、板本体２３１から水平方向に突出する。本実施形態では、２つの第１支持板部２３２は、板本体２３１から、処理ユニット１とは反対側（Ｘ方向の一方側Ｘ１）に突出する。２つの第１支持板部２３２は、上下方向に互いに離隔し、バルブ２１１及び２２１をそれぞれ支持する。２つの第２支持板部２３３は、板本体２３１から水平方向に突出する。本実施形態では、２つの第２支持板部２３３は、板本体２３１から、処理ユニット１とは反対側（Ｘ方向の一方側Ｘ１）に突出する。２つの第２支持板部２３３は、上下方向に互いに離隔し、流量計２１３及び２２３をそれぞれ支持する。２つの第２支持板部２３３は、２つの第１支持板部２３２に対して、処理流体供給部２００の積層方向（Ｘ方向）に対して交差する方向（Ｙ方向）に配置される。

第１供給配管１３は、バルブ２１１に接続する接続部１３ａと、接続部１３ａから正面側（Ｙ方向の一方側Ｙ１）に延びる第１部分１３ｂと、第１部分１３ｂから上方に延びる第２部分１３ｃとを有する。第２供給配管１４は、バルブ２２１に接続する接続部１４ａと、接続部１４ａから正面側（Ｙ方向の一方側Ｙ１）に延びる第１部分１４ｂと、第１部分１４ｂから上方に延びる第２部分１４ｃとを有する。

上述したように、支持部材２３０は、モータ２１２同士、モータ２２２同士を仕切る仕切り板である。従って、支持部材２３０に挟まれた空間の空気は、処理流体供給部２００Ａ～２００Ｆの積層方向（Ｘ方向）に流通しにくい。よって、支持部材２３０に挟まれた空間には、熱が籠りやすい。このため、支持部材２３０が仕切り板である場合に、本発明を適用してモータ２１２及び２２２の温度が高温になることを抑制することは、特に有効である。また、本実施形態では、隣接する支持部材２３０、モータ２１２及び２２２によって、空間Ｓ２００が形成される。空間Ｓ２００は、上方にモータ２１２が配置されるため、熱が籠りやすい。

本実施形態では、冷却用ガス供給部３００は、支持部材２３０に沿うように冷却用ガスを吹き出す。従って、空間Ｓ２００の空気が支持部材２３０に沿って背面側（Ｙ方向の他方側Ｙ２）に流れるため、空間Ｓ２００に熱が籠ることを抑制できる。よって、モータ２１２及び２２２が高温になることを効果的に抑制できる。具体的には、複数の吹出口３００ａは、冷却用ガス供給部３００のうち背面側（Ｙ方向の他方側Ｙ２）の部分に形成される。

また、本実施形態では、冷却用ガス供給部３００は、一対のモータ２１２及び２２２の間を通過するように冷却用ガスを吹き出す。従って、一対のモータ２１２及び２２２の間に籠る熱を効果的に背面側に導くことができる。よって、モータ２１２及び２２２が高温になることをより効果的に抑制できる。具体的には、冷却用ガス供給部３００は、正面側（Ｙ方向の一方側Ｙ１）から見て一対のモータ２１２及び２２２の間に配置される。

また、本実施形態では、冷却用ガス供給部３００は、第１供給配管１３及び第２供給配管１４を避けつつ、モータ２１２の側面２１２ａ及びモータ２２２の側面２２２ａを通過するように冷却用ガスを吹き出す。従って、第１供給配管１３及び第２供給配管１４の内部を通過する処理流体の温度が低下しすぎることを抑制できる。具体的には、図６に示すように、正面側から見て、吹出口３００ａは、第１供給配管１３及び第２供給配管１４に重なっていない。本実施形態では、正面側から見て、吹出口３００ａは、第２供給配管１４と支持部材２３０との間に配置される。

また、図５に示すように、冷却用ガス供給部３００は、背面側の少しだけ下方向に向かって冷却用ガスを吹き出す。本実施形態では、冷却用ガス供給部３００は、バルブ２１１とバルブ２２１との隙間の、上下方向の中心部Ｃ２００に向かって冷却用ガスを吹き出す。よって、モータ２１２とモータ２２２との間の空気を、効率良くバルブ２１１とバルブ２２１との間を通過させることができる。

また、本実施形態では、図６に示すように、正面側から見て、空間Ｓ２００は、第２供給配管１４によって、第１空間Ｓ２００ａと第２空間Ｓ２００ｂとに区分けされる。本実施形態では、１つの空間Ｓ２００に対して吹出口３００ａが２つ配置される。２つの吹出口３００ａの一方は、第１空間Ｓ２００ａの中心部に向かって冷却用ガスを吹き出し、２つの吹出口３００ａの他方は、第２空間Ｓ２００ｂの中心部に向かって冷却用ガスを吹き出す。

冷却用ガス供給部３００は、上下に積層された複数の流体ボックス１００Ｂのうち、少なくとも最上段の流体ボックス１００Ｂａ（図２参照）内に配置される。本実施形態では、複数の流体ボックス１００Ｂは、内部の空気が互いに通過可能な状態で上下方向に積層される。このため、最下段の流体ボックス１００Ｂｃ（図２参照）の熱、及び、１つ以上（ここでは１つ）の中段の流体ボックス１００Ｂｂ（図２参照）の熱は、最上段の流体ボックス１００Ｂａに溜まりやすい。よって、最上段の流体ボックス１００Ｂａのモータ２１２及び２２２が高温になりやすい。本実施形態では、上述したように、冷却用ガス供給部３００が少なくとも最上段の流体ボックス１００Ｂａ内に配置されることによって、高温になりやすい最上段の流体ボックス１００Ｂａのモータ２１２及び２２２が高温になることを抑制できる。従って、複数の流体ボックス１００Ｂ間でモータ２１２及び２２２の温度がばらつくことを抑制できる。よって、複数の流体ボックス１００Ｂ間で処理流体の温度がばらつくことを抑制できる。その結果、複数の処理ユニット１間で基板Ｗに対する処理速度及び処理量がばらつくことを抑制できる。

また、本実施形態では、冷却用ガス供給部３００は、少なくとも最下段の流体ボックス１００Ｂｃ内には配置されない。従って、少なくとも最下段の流体ボックス１００Ｂｃのモータ２１２及び２２２の温度が低くなりすぎることを抑制できる。よって、複数の流体ボックス１００Ｂ間で処理流体の温度がばらつくことをより抑制できる。

また、流体ボックス１００Ｂ内は、負圧に保持される。これにより、処理流体の揮発成分等が流体ボックス１００Ｂから外部に漏れることを抑制できる。具体的には、流体ボックス１００Ｂには、吸引装置（図示せず）が接続されており、１分当たり数１００リットル以上の空気が排気される。冷却用ガス供給部３００は、吸引装置による排気量（数１００リットル／分以上）よりも少ない量の冷却用ガスを流体ボックス１００Ｂ内に吹き出す。従って、流体ボックス１００Ｂ内が正圧になることを抑制できる。なお、冷却用ガス供給部３００が冷却用ガスを吹き出す量は、吸引装置による排気量の１０分の１以下であることが好ましい。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

例えば、上記の実施形態では、各流体ボックス１００Ｂが複数のバルブ２１１及び２２１と、複数のモータ２１２及び２２２とを有する例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、各流体ボックス１００Ｂが１つのバルブ２１１又は２２１と、１つのモータ２１２又は２２２とを有してもよい。

また、上記の実施形態では、流体ボックス１００Ｂが上下に３段積層される例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、流体ボックス１００Ｂは上下に積層されなくてもよい。また、例えば、流体ボックス１００Ｂは、上下に２つだけ積層されてもよいし、上下に４つ以上積層されてもよい。

また、上記の実施形態では、冷却用ガス供給部３００が少なくとも最下段の流体ボックス１００Ｂｃ内には配置されない例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、冷却用ガス供給部３００は、全ての流体ボックス１００Ｂｃ内に配置されてもよい。

また、上記の実施形態では、支持部材２３０が仕切り板である例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、支持部材２３０は、板状でなくてもよい。

また、上記の実施形態では、複数の処理流体供給部２００が積層される例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、１つの流体ボックス１００Ｂに対して、１つの処理流体供給部２００のみが設けられてもよい。

また、上記の実施形態では、複数の処理流体供給部２００が水平方向に積層される例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、複数の処理流体供給部２００が上下方向に積層されてもよい。この場合、冷却用ガス供給部３００は、上下方向に延びるように配置されてもよい。

また、上記の実施形態では、１つの流体ボックス１００Ｂ内に１つの冷却用ガス供給部３００が配置される例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、１つの流体ボックス１００Ｂ内に２つ以上の冷却用ガス供給部３００を配置してもよい。

また、上記の実施形態では、冷却用ガス供給部３００が一対のモータ２１２及び２２２の間を通過するように冷却用ガスを吹き出す例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、冷却用ガス供給部３００がモータ２１２又は２２２に向かって冷却用ガスを吹き出してもよい。

本発明は、基板処理装置に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。

１：処理ユニット（基板処理ユニット）
１３：第１供給配管（配管）
１４：第２供給配管（配管）
１００：基板処理装置
１００Ｂ、１００Ｂａ、１００Ｂｂ、１００Ｂｃ：流体ボックス（処理流体供給ユニット）
２１１、２２１：バルブ
２１２、２２２：モータ
２１２ａ、２２２ａ：側面
２３０：支持部材
３００：冷却用ガス供給部
Ｗ：基板

Claims

基板に処理流体を供給して前記基板を処理する基板処理ユニットと、
前記基板処理ユニットに前記処理流体を供給する処理流体供給ユニットと、
前記処理流体供給ユニット内に配置される冷却用ガス供給部と
を備え、
前記処理流体供給ユニットは、前記処理流体の通過経路を開閉する複数のバルブと、前記バルブをそれぞれ駆動する複数のモータと、隣り合う前記モータを仕切る複数の仕切り板であって、所定方向に互いに離隔し、前記所定方向に交差する方向に沿う仕切り板とを有し、隣り合う前記仕切り板が、前記モータを挟んで前記所定方向に対向しており、
前記冷却用ガス供給部は、前記所定方向に互いに離隔した複数の吹出口を有し、
前記複数の吹出口は、それぞれ、複数の前記モータの側面を通過するようにかつ複数の前記仕切り板に沿うように冷却用ガスを吹き出す、基板処理装置。
前記モータは、上下方向に互いに離隔する第１モータおよび第２モータを含み、
前記冷却用ガス供給部は、前記第１モータおよび前記第２モータの間を通過するように冷却用ガスを吹き出す、請求項１に記載の基板処理装置。
前記処理流体が内部を通過する配管をさらに備え、
前記冷却用ガス供給部は、前記配管を避けつつ、前記モータの側面を通過するように冷却用ガスを吹き出す、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
複数の前記処理流体供給ユニットを備え、
各前記処理流体供給ユニットは、複数の前記バルブおよび複数の前記モータを収容する筐体をさらに有し、
前記複数の処理流体供給ユニットは、前記筐体の内部の空気が互いに通過可能な状態で上下方向に積層され、
前記冷却用ガス供給部は、少なくとも最上段の前記処理流体供給ユニット内に配置され、
前記冷却用ガス供給部は、最下段の前記処理流体供給ユニット内には配置されない、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。