WO2020073596A1 - 一种显示器件及其制作方法 - Google Patents

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light emitting
thin film
light
film transistor
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刘兆松
任章淳
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • the present application relates to the field of display technology, in particular to a display device and a manufacturing method thereof.
  • OLED display devices Compared with LCD devices, the biggest advantage of OLED display devices is that they can produce large-sized, ultra-thin, flexible, transparent, and double-sided display devices.
  • the double-sided display function has become the main feature of a new generation of display devices, especially display devices in some public places.
  • the double-sided light-emitting design of the existing display device will reduce the single-sided light-emitting area and the resolution of the display device. Therefore, there is an urgent need for a display device to solve the above problems.
  • the double-sided light-emitting design of the existing display device leads to the problem that the light-emitting area on one side is reduced and the resolution is reduced.
  • a display device including a substrate and a light-emitting unit located above the substrate, the light-emitting unit includes a first light-emitting unit and a second light-emitting unit, and a light-emitting direction of the first light-emitting unit Opposite to the light-emitting direction of the second light-emitting unit;
  • the display device further includes a thin film transistor and a storage capacitor located above the substrate, the light of the first light emitting unit is emitted from a side away from the substrate, and the light of the second light emitting unit is emitted from the substrate
  • the thin film transistor and the storage capacitor are located in the orthographic projection range of the first light emitting unit on the substrate.
  • each light-emitting unit is electrically connected to at least two thin film transistors and at least one storage capacitor.
  • the thin film transistor includes a first thin film transistor and a second thin film transistor, the first light emitting unit is electrically connected to the first thin film transistor, and the second light emitting unit and the second The thin film transistor is electrically connected.
  • the thin film transistor includes an active layer, a gate insulating layer, a gate metal, and a source-drain metal layer electrically connected to the active layer.
  • the first light-emitting unit includes a first light-emitting material layer and a first cathode
  • the first luminescent material layer is disposed on the surface of the source-drain metal layer of the first thin film transistor.
  • the source-drain metal layer of the first thin film transistor is made of a non-transparent material
  • the first cathode is made of a transparent material
  • the second light emitting unit includes a second light emitting material and a second cathode
  • the second luminescent material is provided on the surface of the active layer of the second thin film transistor.
  • the active layer of the second thin film transistor is made of a transparent oxide semiconductor
  • the second cathode is made of a non-transparent material
  • the material for preparing the gate metal includes at least one of molybdenum, aluminum, copper, and titanium.
  • a method for manufacturing a display device including:
  • the substrate including a first region and a second region
  • first thin film transistor and a second thin film transistor each include an edge layer, a gate insulating layer, a gate metal, and Source-drain metal
  • first light emitting unit on the surface of the source and drain metal of the first thin film transistor, forming a second light emitting unit on the surface of the active layer of the second thin film transistor, the first light emitting unit being located in the first region, The second light emitting unit is located in the second area;
  • the light emitting direction of the first light emitting unit is opposite to the light emitting direction of the second light emitting unit, the light of the first light emitting unit is emitted from the side away from the substrate, and the light of the second light emitting unit is from The substrate is ejected.
  • the first light emitting unit includes a first light emitting material layer and a first cathode
  • the second light emitting unit includes a second light emitting material layer and a second cathode
  • the first cathode is made of transparent material
  • the second cathode is made of non-transparent material
  • a display device including a substrate and a light emitting unit located above the substrate, the light emitting unit including a first light emitting unit and a second light emitting unit, the first light emitting unit The light exit direction of is opposite to that of the second light emitting unit;
  • the display device further includes a thin film transistor and a storage capacitor located above the substrate, the light of the first light emitting unit is emitted from a side away from the substrate, and the light of the second light emitting unit is emitted from the substrate
  • the thin film transistor and the storage capacitor are located in the orthographic projection range of the first light emitting unit on the substrate.
  • each light-emitting unit is electrically connected to at least two thin film transistors and at least one storage capacitor.
  • the thin film transistor includes a first thin film transistor and a second thin film transistor, the first light emitting unit is electrically connected to the first thin film transistor, and the second light emitting unit and the second The thin film transistor is electrically connected.
  • the thin film transistor includes an active layer, a gate insulating layer, a gate metal, and a source-drain metal layer electrically connected to the active layer.
  • the first light-emitting unit includes a first light-emitting material layer and a first cathode
  • the first luminescent material layer is disposed on the surface of the source-drain metal layer of the first thin film transistor.
  • the source-drain metal layer of the first thin film transistor is made of a non-transparent material
  • the first cathode is made of a transparent material
  • the second light emitting unit includes a second light emitting material and a second cathode
  • the second luminescent material is provided on the surface of the active layer of the second thin film transistor.
  • the active layer of the second thin film transistor is made of a transparent oxide semiconductor
  • the second cathode is made of a non-transparent material
  • the material for preparing the gate metal includes at least one of molybdenum, aluminum, copper, and titanium.
  • the thin film transistor in the display device is arranged in the area where the top light emitting unit is located, thereby avoiding the thin film transistor from blocking the light emitted by the bottom light emitting unit, and improving the aperture ratio of the display device.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of a display device provided by an embodiment of the present application.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a film structure of a display device provided by an embodiment of the present application .
  • the present application provides a display device and a manufacturing method thereof to solve the problem that the double-sided light-emitting design of the existing display device leads to a reduction in the single-sided light-emitting area and a decrease in resolution.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of a display device according to an embodiment of the present application.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a film structure of a display device according to an embodiment of the present application.
  • the present application provides a display device 100 including a substrate 21 and a light emitting unit 20 located above the substrate 21, the light emitting unit 20 includes a first light emitting unit 11 and a second light emitting unit 12, the first light emitting unit 11 The light exit direction of is opposite to the light exit direction of the second light emitting unit 12.
  • the substrate 21 may be a glass substrate.
  • the display device 100 further includes a buffer layer disposed on the glass substrate 21, and the preparation material of the buffer layer may include at least one of silicon oxide and silicon nitride.
  • the thickness of the layer is from 1000 angstroms to 5000 angstroms.
  • the display device 100 further includes a thin film transistor 15 (including a first thin film transistor 151 and a second thin film transistor 152) and a storage capacitor 16 located above the substrate 21.
  • a thin film transistor 15 including a first thin film transistor 151 and a second thin film transistor 152
  • a storage capacitor 16 located above the substrate 21.
  • the thin film transistor 15 includes an active layer 17, a gate insulating layer 18, a gate metal 19, and a source-drain metal layer 22. Since the gate metal 19 and the source-drain metal layer 22 are generally made of non-transparent materials.
  • the thin film transistor 15 and the storage capacitor 16 are generally located below the light emitting unit. When the light emitting unit 20 is a bottom light emitting unit, the thin film transistor 15 and the storage capacitor 16 block part of the light emitted from the bottom light emitting unit, thereby reducing the aperture ratio of the display device 100 and affecting the resolution of the display device 100. However, when the light emitting unit 20 is a top light emitting unit, the light emitted from the top light emitting unit does not need to pass through the thin film transistor 15, so that it does not interfere with the light emission of the display device 100.
  • the preparation material of the active layer 17 includes a transparent oxide semiconductor, and the transparent oxide semiconductor includes but is not limited to indium zinc oxide.
  • the thickness of the active layer 17 may be 100 angstroms to 1000 angstroms.
  • the active layer 17 includes a middle channel and source-drain contact regions at both ends.
  • the material for preparing the gate insulating layer 18 may include at least one of silicon oxide and silicon nitride.
  • the thickness of the buffer layer is from 1000 angstroms to 3000 angstroms.
  • the material for preparing the gate metal 19 may include at least one of molybdenum, aluminum, copper, and titanium.
  • the thickness of the gate metal 19 may be 2000 to 8000 angstroms.
  • an interlayer dielectric layer is provided on the gate metal 19, and an active drain metal layer 22 is provided on the interlayer dielectric layer.
  • the preparation material of the interlayer dielectric layer includes at least one of silicon nitride and silicon oxide.
  • the interlayer dielectric layer may have a single-layer structure or a double-layer structure.
  • the light from the first light-emitting unit 11 is emitted from the side away from the substrate 21, the light from the second light-emitting unit 12 is emitted from the substrate 21, the thin-film transistor 15 and the The storage capacitor 16 is located in an orthographic projection range of the first light-emitting unit 11 on the substrate 21.
  • the present application improves the display device 100 by disposing the thin-film transistor 15 within the orthographic projection range of the first light-emitting unit 11 on the substrate 21, thereby preventing the thin-film transistor 15 from blocking the light emitted by the second light-emitting unit 12 Opening ratio.
  • each light emitting unit is electrically connected to at least two of the thin film transistors 15 and at least one of the storage capacitors 16.
  • the first light-emitting unit 11 is a top light-emitting unit
  • the second light-emitting unit 12 is a bottom light-emitting unit.
  • the first light-emitting units 11 and the second light-emitting units 12 are alternately distributed.
  • the first light-emitting unit 11 and the second light-emitting unit 12 are alternately distributed along a longitudinal direction and a lateral direction on a certain plane.
  • the thin film transistor 15 includes a first thin film transistor 151 and a second thin film transistor 152, the first light emitting unit 11 is electrically connected to the first thin film transistor 151, and the second light emitting unit 12 It is electrically connected to the second thin film transistor 152. It can be understood that a certain of the thin film transistors 15 is only electrically connected to one of the first light emitting unit 11 and the second light emitting unit 12. However, both the first thin film transistor 151 and the second thin film transistor 152 are located in the orthographic projection range of the first light emitting unit 11 on the substrate 21.
  • the bottom light emitting aperture ratio can be doubled without changing the resolution of the display device 100 and the top light emitting aperture ratio. Furthermore, the aperture ratio of the entire display device 100 is increased by one-third, thereby improving the quality of the display device 100.
  • the active layer 17 of the second thin film transistor 152 can be used as the anode of the second light emitting unit 12.
  • the first light-emitting unit 11 includes a first light-emitting material layer 112 and a first cathode 111. It should be explained that the first light-emitting unit 11 includes but is not limited to the first light-emitting material layer 112 and the first cathode 111.
  • the first luminescent material layer 112 is disposed on the surface of the source-drain metal layer 22 of the first thin-film transistor 151, and the source-drain metal layer 22 of the first thin-film transistor 151 simultaneously serves as The anode layer of the first light-emitting unit 11 is used. Furthermore, the separate preparation of the anode layer of the first light-emitting unit 11 is avoided, thereby saving the production cost of the display device 100 and improving the manufacturing efficiency of the display device.
  • the source-drain metal layer 22 of the first thin film transistor 151 is made of a non-transparent material, and the first cathode 111 is made of a transparent material.
  • the material for preparing the first cathode 111 includes but is not limited to at least one of magnesium and silver.
  • the surface of the source-drain metal layer 22 is covered with a transparent metal layer.
  • the material for preparing the transparent metal layer may include indium zinc oxide. In order to ensure the normal operation of the first luminescent material layer 112.
  • the first thin film transistor 151 and the second thin film transistor 152 are made of the same material.
  • the first thin film transistor 151 and the second thin film transistor 152 are made of different materials.
  • the material for preparing the source-drain metal layer 22 may include, but is not limited to, at least one of aluminum, titanium, and silver.
  • the second light-emitting unit 12 includes but is not limited to a first light-emitting material layer 122 and a second cathode 121, the first light-emitting material layer 122 is disposed on the active of the second thin film transistor 152 Layer 17 surface.
  • the active layer 17 of the second thin film transistor 152 is also used as the anode layer of the second light emitting unit 12. Furthermore, the separate preparation of the anode layer in the second light-emitting unit 12 is avoided, thereby saving the production cost of the display device, saving the photomask, and improving the manufacturing efficiency of the display device.
  • the active layer 17 of the second thin film transistor 152 is made of a transparent oxide semiconductor, and the second cathode 121 is made of a non-transparent material preparation.
  • the material for preparing the second cathode 121 includes but is not limited to aluminum.
  • a method for manufacturing a display device including:
  • a substrate 21 is provided, and the substrate 21 includes a first region 13 and a second region 14;
  • a first thin film transistor 151 and a second thin film transistor 152 located in the first region 13 are formed on the substrate 21.
  • a first light emitting unit 11 is formed on the surface of the source and drain metal of the first thin film transistor 151, and a second light emitting unit 12 is formed on the surface of the active layer 17 of the second thin film transistor 152.
  • the first light emitting unit 11 is located In the first area 13, the second light emitting unit 12 is located in the second area 14;
  • the light emitting direction of the first light emitting unit 11 is opposite to the light emitting direction of the second light emitting unit 12, the light of the first light emitting unit 11 is emitted from the side away from the substrate 21, and the second light emitting The light of the unit 12 is emitted from the substrate 21.
  • the first light emitting unit 11 includes a first light emitting material layer 112 and a first cathode 111
  • the second light emitting unit 12 includes a first light emitting material layer 122 and a second cathode 121;
  • the first cathode 111 is made of transparent material
  • the second cathode 121 is made of non-transparent material.
  • both the first luminescent material layer 112 and the first luminescent material layer 122 are prepared by an inkjet printing process.
  • the thin film transistor in the display device is arranged in the area where the top light emitting unit is located, thereby avoiding the thin film transistor from blocking the light emitted by the bottom light emitting unit, and improving the aperture ratio of the display device.

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Abstract

本申请提出了一种显示器件及其制作方法。所述显示器件包括基板、发光单元、薄膜晶体管和存储电容。所述发光单元包括第一发光单元和第二发光单元。所述第一发光单元的光线和所述第二发光单元的光线分别从所述基板的两侧射出。所述薄膜晶体管和所述存储电容位于所述第一发光单元在所述基板的正投影范围内。

Description

一种显示器件及其制作方法 技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示器件及其制作方法。
 背景技术
OLED显示器件与LCD器件相比，最大的优势就是可制备大尺寸、超薄、柔性、透明及双面显示的器件。
随着电子产品的形式渐趋多样化，双面显示功能成为新一代显示器件的主要特征，特别是一些公共场所的显示器件。现有显示器件的双面发光设计会使显示器件的单侧发光面积减少、解析度下降。因此，目前亟需一种显示器件以解决上述问题。
 技术问题
现有显示器件的双面发光设计导致单侧发光面积减少，解析度下降的问题。
 技术解决方案
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
根据本发明的一个方面，提供了一种显示器件，包括基板以及位于所述基板上方的发光单元，所述发光单元包括第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元的出光方向与所述第二发光单元的出光方向相反；
其中，所述显示器件还包括位于所述基板上方的薄膜晶体管和存储电容，所述第一发光单元的光线从远离所述基板的一侧射出，所述第二发光单元的光线从所述基板射出，所述薄膜晶体管和所述存储电容位于所述第一发光单元在所述基板的正投影范围内。
根据本申请一种实施例，每个所述发光单元与至少两个所述薄膜晶体管及至少一个所述存储电容电连接。
根据本申请一种实施例，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一发光单元与所述第一薄膜晶体管电连接，所述第二发光单元与所述第二薄膜晶体管电连接。
根据本申请一种实施例，所述薄膜晶体管包括有源层、栅绝缘层、栅极金属以及与所述有源层电连接的源漏极金属层。
根据本申请一种实施例，所述第一发光单元包括第一发光材料层和第一阴极；
其中，所述第一发光材料层设置于所述第一薄膜晶体管的源漏极金属层表面。
根据本申请一种实施例，所述第一薄膜晶体管的源漏极金属层采用非透明材料制备，所述第一阴极采用透明材料制备。
根据本申请一种实施例，所述第二发光单元包括第二发光材料和第二阴极；
其中，所述第二发光材料设置在所述第二薄膜晶体管的有源层表面。
根据本申请一种实施例，所述第二薄膜晶体管的有源层采用透明氧化物半导体制备，所述第二阴极采用非透明材料制备。
根据本申请一种实施例，所述栅极金属的制备材料包括钼、铝、铜、钛中的至少一者。
根据本申请的另一个实施例，还提供了一种显示器件的制作方法，包括：
提供一基板，所述基板包括第一区域和第二区域；
在所述基板上形成位于所述第一区域的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均包括有缘层、栅极绝缘层、栅极金属以及源漏极金属；
在所述第一薄膜晶体管的源漏极金属表面形成第一发光单元，在所述第二薄膜晶体管的有源层表面形成第二发光单元，所述第一发光单元位于所述第一区域，所述第二发光单元位于所述第二区域；
其中，所述第一发光单元的出光方向与所述第二发光单元的出光方向相反，所述第一发光单元的光线从远离所述基板的一侧射出，所述第二发光单元的光线从所述基板射出。
根据本申请一种实施例，所述第一发光单元包括第一发光材料层和第一阴极，所述第二发光单元包括第二发光材料层和第二阴极；
其中，所述第一阴极采用透明材料制备，所述第二阴极采用非透明材料制备。
根据本发明的又一个方面，还提供了一种显示器件，其包括基板以及位于所述基板上方的发光单元，所述发光单元包括第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元的出光方向与所述第二发光单元的出光方向相反；
其中，所述显示器件还包括位于所述基板上方的薄膜晶体管和存储电容，所述第一发光单元的光线从远离所述基板的一侧射出，所述第二发光单元的光线从所述基板射出，所述薄膜晶体管和所述存储电容位于所述第一发光单元在所述基板的正投影范围内。
根据本申请一种实施例，每个所述发光单元与至少两个所述薄膜晶体管及至少一个所述存储电容电连接。
根据本申请一种实施例，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一发光单元与所述第一薄膜晶体管电连接，所述第二发光单元与所述第二薄膜晶体管电连接。
根据本申请一种实施例，所述薄膜晶体管包括有源层、栅绝缘层、栅极金属以及与所述有源层电连接的源漏极金属层。
根据本申请一种实施例，所述第一发光单元包括第一发光材料层和第一阴极；
其中，所述第一发光材料层设置于所述第一薄膜晶体管的源漏极金属层表面。
根据本申请一种实施例，所述第一薄膜晶体管的源漏极金属层采用非透明材料制备，所述第一阴极采用透明材料制备。
根据本申请一种实施例，所述第二发光单元包括第二发光材料和第二阴极；
其中，所述第二发光材料设置在所述第二薄膜晶体管的有源层表面。
根据本申请一种实施例，所述第二薄膜晶体管的有源层采用透明氧化物半导体制备，所述第二阴极采用非透明材料制备。
根据本申请一种实施例，所述栅极金属的制备材料包括钼、铝、铜、钛中的至少一者。
 有益效果
本申请通过将显示器件中的薄膜晶体管设置在顶发光单元所在区域内，从而避免了薄膜晶体管对底发光单元发出光线的遮挡，提高了显示器件的开口率。
 附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的一种显示器件的结构示意图；
图2为本申请一实施例提供的一种显示器件的膜层结构示意图 。
本发明的实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本申请提供一种显示器件及其制作方法，以解决现有显示器件的双面发光设计导致单侧发光面积减少，解析度下降的问题。
请参阅图1，图1为本申请一实施例提供的一种显示器件的结构示意图。
请参阅图2，图2为本申请一实施例提供的一种显示器件的膜层结构示意图。
本申请提供了一种显示器件100，包括基板21以及位于所述基板21上方的发光单元20，所述发光单元20包括第一发光单元11和第二发光单元12，所述第一发光单元11的出光方向与所述第二发光单元12的出光方向相反。
在一种实施例中，所述基板21可以为玻璃基板。
在一种实施例中，所述显示器件100还包括设置在所述玻璃基板21上的缓冲层，所述缓冲层的制备材料可以包括氧化硅和氮化硅中的至少一者，所述缓冲层的厚度为1000埃米至5000埃米。
其中，所述显示器件100还包括位于所述基板21上方的薄膜晶体管15（包括第一薄膜晶体管151和第二薄膜晶体管152）和存储电容16。
在一种实施例中，所述薄膜晶体管15包括有源层17、栅绝缘层18、栅极金属19以及源漏极金属层22。由于栅极金属19和源漏极金属层22一般采用非透明材料制备。在显示器件100中，薄膜晶体管15和存储电容16通常位于发光单元的下方。当发光单元20为底发光单元时，薄膜晶体管15和存储电容16会将从底发光单元发出的部分光线遮光，从而降低显示器件100的开口率，影响显示器件100的解析度。但是当发光单元20为顶发光单元时，从顶发光单元发出的光不用经过薄膜晶体管15，从而不会对显示器件100的发光产生干扰。
在一种实施例中，所述有源层17的制备材料包括透明氧化物半导体，所述透明氧化物半导体包括但不限于氧化铟锌。所述有源层17的厚度可以为100埃米至1000埃米。
在一种实施例中，所述有源层17包括中部的沟道以及两端的源漏极接触区。
在一种实施例中，所述栅绝缘层18的制备材料可以包括氧化硅和氮化硅中的至少一者。所述缓冲层的厚度为1000埃米至3000埃米。
在一种实施例中，所述栅极金属19的制备材料可以包括钼、铝、铜、钛中的至少一者。所述栅极金属19的厚度可以为2000埃米至8000埃米。
在一种实施例中，所述栅极金属19上设置有层间介质层，所述层间介质层上设置有源漏极金属层22。所述层间介质层的制备材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一者。所述层间介质层可以为单层结构也可以为双层结构。
在一种实施例中，所述第一发光单元11的光线从远离所述基板21的一侧射出，所述第二发光单元12的光线从所述基板21射出，所述薄膜晶体管15和所述存储电容16位于所述第一发光单元11在所述基板21的正投影范围内。本申请通过将薄膜晶体管15设置在所述第一发光单元11在所述基板21的正投影范围内，进而避免薄膜晶体管15对所述第二发光单元12射出光的遮挡，提高了显示器件100的开口率。
在一种实施例中，为了完成发光单元20的驱动，每个所述发光单元与至少两个所述薄膜晶体管15及至少一个所述存储电容16电连接。
在一种实施例中，所述第一发光单元11为顶发光单元，所述第二发光单元12为底发光单元。
在一种实施例中，所述第一发光单元11与所述第二发光单元12交替分布。
在一种实施例中，所述第一发光单元11与所述第二发光单元12在某一平面上沿纵向和横向交替分布。
在一种实施例中，所述薄膜晶体管15包括第一薄膜晶体管151和第二薄膜晶体管152，所述第一发光单元11与所述第一薄膜晶体管151电连接，所述第二发光单元12与所述第二薄膜晶体管152电连接。可以理解的是，某一所述薄膜晶体管15仅与所述第一发光单元11与所述第二发光单元12的其中一者电连接。但是无论是第一薄膜晶体管151还是第二薄膜晶体管152均位于所述第一发光单元11在所述基板21的正投影范围。
通过将薄膜晶体管设置在所述第一发光单元11在所述基板21的正投影范围，能够在不改变显示器件100解析度和顶发光开口率的前提下，将底发光开口率提升一倍，进而将显示器件100整体的开口率提升三分之一，进而提高了显示器件100的品质。
在一种实施例中，所述第二薄膜晶体管152的有源层17可以作为所述第二发光单元12的阳极使用。
在一种实施例中，所述第一发光单元11包括第一发光材料层112和第一阴极111。需要解释的是，所述第一发光单元11包括但不限于第一发光材料层112和第一阴极111。
在一种实施例中，所述第一发光材料层112设置于所述第一薄膜晶体管151的源漏极金属层22表面，所述第一薄膜晶体管151的源漏极金属层22同时作为所述第一发光单元11的阳极层使用。进而避免了第一发光单元11阳极层的单独制备，从而节约了显示器件100的生产成本，提高了显示器件的制作效率。
在一种实施例中，所述第一薄膜晶体管151的源漏极金属层22采用非透明材料制备，所述第一阴极111采用透明材料制备。
在一种实施例中，所述第一阴极111的制备材料包括但不限于镁和银中的至少一者。
在一种实施例中，所述源漏极金属层22表面覆盖有一层透明金属层。
在一种实施例中，所述透明金属层的制备材料可以包括氧化铟锌。以保证所述第一发光材料层112的正常工作。
在一种实施例中，所述第一薄膜晶体管151和所述第二薄膜晶体管152的制备材料相同。
在一种实施例中，所述第一薄膜晶体管151和所述第二薄膜晶体管152的制备材料不同。
在一种实施例中，所述源漏极金属层22的制备材料可以包括但不限于铝、钛、银中的至少一者。
在一种实施例中，所述第二发光单元12包括但不限于第一发光材料层122和第二阴极121，所述第一发光材料层122设置在所述第二薄膜晶体管152的有源层17表面。所述第二薄膜晶体管152的有源层17同时作为所述第二发光单元12的阳极层使用。进而避免第二发光单元12中的阳极层的单独制备，从而节约了显示器件的生产成本，节省了光罩，提高了显示器件的制作效率。
在一种实施例中，为了满足第二发光单元12作为底发光单元的需求，所述第二薄膜晶体管152的有源层17采用透明氧化物半导体制备，所述第二阴极121采用非透明材料制备。
在一种实施例中，所述第二阴极121的制备材料包括但不限于铝。
根据本发明的另一个方面，还提供了一种显示器件的制作方法，包括：
提供一基板21，所述基板21包括第一区域13和第二区域14；
在所述基板21上形成位于第一区域13的第一薄膜晶体管151和第二薄膜晶体管152，所述第一薄膜晶体管151和所述第二薄膜晶体管152均包括有缘层、栅极绝缘层、栅极金属19以及源漏极金属；
在所述第一薄膜晶体管151的源漏极金属表面形成第一发光单元11，在所述第二薄膜晶体管152的有源层17表面形成第二发光单元12，所述第一发光单元11位于所述第一区域13，所述第二发光单元12位于所述第二区域14；
其中，所述第一发光单元11的出光方向与所述第二发光单元12的出光方向相反，所述第一发光单元11的光线从远离所述基板21的一侧射出，所述第二发光单元12的光线从所述基板21射出。
在一种实施例中，所述第一发光单元11包括第一发光材料层112和第一阴极111，所述第二发光单元12包括第一发光材料层122和第二阴极121；
其中，所述第一阴极111采用透明材料制备，所述第二阴极121采用非透明材料制备。
在一种实施例中，所述第一发光材料层112和所述第一发光材料层122均采用喷墨打印工艺制备。
有益效果：本申请通过将显示器件中的薄膜晶体管设置在顶发光单元所在区域内，从而避免了薄膜晶体管对底发光单元发出光线的遮挡，提高了显示器件的开口率。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (20)

  1. 一种显示器件，其包括基板以及位于所述基板上方的发光单元，所述发光单元包括第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元的出光方向与所述第二发光单元的出光方向相反，所述第一发光单元为顶发光单元，所述第二发光单元为底发光单元；
    其中，所述显示器件还包括位于所述基板上方的薄膜晶体管和存储电容，所述第一发光单元的光线从远离所述基板的一侧射出，所述第二发光单元的光线从所述基板射出，所述薄膜晶体管和所述存储电容位于所述第一发光单元在所述基板的正投影范围内。
  2. 根据权利要求1所述的显示器件，其中，每个所述发光单元与至少两个所述薄膜晶体管及至少一个所述存储电容电连接。
  3. 根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一发光单元与所述第一薄膜晶体管电连接，所述第二发光单元与所述第二薄膜晶体管电连接。
  4. 根据权利要求3所述的显示器件，其中，所述薄膜晶体管包括有源层、栅绝缘层、栅极金属以及与所述有源层电连接的源漏极金属层。
  5. 根据权利要求4所述的显示器件，其中，所述第一发光单元包括第一发光材料层和第一阴极；
    其中，所述第一发光材料层设置于所述第一薄膜晶体管的源漏极金属层表面。
  6. 根据权利要求5所述的显示器件，其中，所述第一薄膜晶体管的源漏极金属层采用非透明材料制备，所述第一阴极采用透明材料制备。
  7. 根据权利要求4所述的显示器件，其中，所述第二发光单元包括第二发光材料和第二阴极；
    其中，所述第二发光材料设置在所述第二薄膜晶体管的有源层表面。
  8. 根据权利要求7所述的显示器件，其中，所述第二薄膜晶体管的有源层采用透明氧化物半导体制备，所述第二阴极采用非透明材料制备。
  9. 根据权利要求4所述的显示器件，其中，所述栅极金属的制备材料包括钼、铝、铜、钛中的至少一者。
  10. 一种显示器件的制作方法，其包括：
    提供一基板，所述基板包括第一区域和第二区域；
    在所述基板上形成位于所述第一区域的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均包括有缘层、栅极绝缘层、栅极金属以及源漏极金属；
    在所述第一薄膜晶体管的源漏极金属表面形成第一发光单元，在所述第二薄膜晶体管的有源层表面形成第二发光单元，所述第一发光单元位于所述第一区域，所述第二发光单元位于所述第二区域；
    其中，所述第一发光单元的出光方向与所述第二发光单元的出光方向相反，所述第一发光单元的光线从远离所述基板的一侧射出，所述第二发光单元的光线从所述基板射出。
  11. 根据权利要求10所述的显示器件的制作方法，其中，所述第一发光单元包括第一发光材料层和第一阴极，所述第二发光单元包括第二发光材料层和第二阴极；
    其中，所述第一阴极采用透明材料制备，所述第二阴极采用非透明材料制备。
  12. 一种显示器件，其包括基板以及位于所述基板上方的发光单元，所述发光单元包括第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元的出光方向与所述第二发光单元的出光方向相反；
    其中，所述显示器件还包括位于所述基板上方的薄膜晶体管和存储电容，所述第一发光单元的光线从远离所述基板的一侧射出，所述第二发光单元的光线从所述基板射出，所述薄膜晶体管和所述存储电容位于所述第一发光单元在所述基板的正投影范围内。
  13. 根据权利要求12所述的显示器件，其中，每个所述发光单元与至少两个所述薄膜晶体管及至少一个所述存储电容电连接。
  14. 根据权利要求12所述的显示器件，其中，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一发光单元与所述第一薄膜晶体管电连接，所述第二发光单元与所述第二薄膜晶体管电连接。
  15. 根据权利要求14所述的显示器件，其中，所述薄膜晶体管包括有源层、栅绝缘层、栅极金属以及与所述有源层电连接的源漏极金属层。
  16. 根据权利要求15所述的显示器件，其中，所述第一发光单元包括第一发光材料层和第一阴极；
    其中，所述第一发光材料层设置于所述第一薄膜晶体管的源漏极金属层表面。
  17. 根据权利要求16所述的显示器件，其中，所述第一薄膜晶体管的源漏极金属层采用非透明材料制备，所述第一阴极采用透明材料制备。
  18. 根据权利要求15所述的显示器件，其中，所述第二发光单元包括第二发光材料和第二阴极；
    其中，所述第二发光材料设置在所述第二薄膜晶体管的有源层表面。
  19. 根据权利要求18所述的显示器件，其中，所述第二薄膜晶体管的有源层采用透明氧化物半导体制备，所述第二阴极采用非透明材料制备。
  20. 根据权利要求15所述的显示器件，其中，所述栅极金属的制备材料包括钼、铝、铜、钛中的至少一者。
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