WO2020022937A1 - Фоточувствительное устройство и способ его изготовления - Google Patents

Фоточувствительное устройство и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
WO2020022937A1
WO2020022937A1 PCT/RU2019/000517 RU2019000517W WO2020022937A1 WO 2020022937 A1 WO2020022937 A1 WO 2020022937A1 RU 2019000517 W RU2019000517 W RU 2019000517W WO 2020022937 A1 WO2020022937 A1 WO 2020022937A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
substrate
electrode
photosensitive
array
Prior art date
Application number
PCT/RU2019/000517
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Константин Павлович КОТЛЯР
Сергей Арсеньевич КУКУШКИН
Андрей Витальевич ЛУКЬЯНОВ
Андрей Викторович ОСИПОВ
Родион Романович РЕЗНИК
Генадий Викторович СВЯТЕЦ
Илья Петрович СОШНИКОВ
Георгий Эрнстович ЦЫРЛИН
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии"
Priority to DE112019003770.6T priority Critical patent/DE112019003770B4/de
Publication of WO2020022937A1 publication Critical patent/WO2020022937A1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H01L31/035227—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum wires, or nanorods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • H01L31/1856—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising nitride compounds, e.g. GaN
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites

Definitions

  • the group of inventions relates to the technology of solid-state electronics devices, namely, to the creation of photosensitive devices based on quasi-one-dimensional nanostructures of gallium nitride on silicon substrates with a layer of silicon carbide and can be used in the development of visible and near infrared photodetectors.
  • Photosensitive devices are widely used in modern technology: for example, in spectroscopy, in medicine, in measuring and navigation systems, in optical computing and switching systems, in optical communication and information transfer systems.
  • the most mass-sensitive photosensitive structures are produced on the basis of planar structures of group IV materials (silicon, germanium) of the Periodic system of elements Mendeleev, or A PI B n (asenides, and / or phosphides, antimonides, gallium-aluminum-indium nitrides).
  • group IV materials silicon, germanium
  • a PI B n asenides, and / or phosphides, antimonides, gallium-aluminum-indium nitrides.
  • the choice of materials is determined by the requirements for the devices: the spectral range of sensitivity, speed, ability and necessity of the production of integrated systems (i.e. systems that include various instruments / devices on the same substrate / plate).
  • the upper GaN layer of the epitaxial pin structure is etched to the n + -AlGaN layer by ion etching. Then, the surface of the mesa pin structures is subjected to heat treatment at a temperature of 450-550 ° C for 90-200 seconds to heal radiation and stoichiometric defects formed on the perimeter of pin diodes.
  • silicon has so far remained the main material of semiconductor microelectronics.
  • the efficiency of such devices is low due to the indirect nature of silicon, and obtaining high-quality heteroepitaxial layers on the Si surface necessary for creating nanostructures is complicated by the mismatch in the parameters of the constant lattices, which leads to a large number of defects in the growing material layer; the occurrence of stresses in the semiconductor layer A IP B n due to a significant difference in the linear expansion coefficients of Si and wide-gap semiconductors of the A Ill B v group of compounds such as: GaN, AIN, InN and solid solutions on their basis.
  • nanorod synthesis technology is attractive because of the prospects of reducing the number of defects (dislocations) in structures where materials with different parameters of crystal lattices are used, and increasing the efficiency of converting light energy into electrical energy, increasing sensitivity with decreasing element sizes, expanding / changing the operating spectral range of photodetectors.
  • nanorods nanowires
  • WO2009136906 a photodiode device is proposed containing semiconductor nanorods that are located on the substrate laterally between two electrodes.
  • the formation of arrays of laterally located nanowires and their contacts is a complex and expensive process.
  • a photo detector having a layered structure including an insulating substrate with a p-type GaN layer and an array of GaN nanowires formed thereon, enclosed in a planarizing layer of liquid glass, as well as an optically transparent electrode.
  • this application WO2018082251 describes a manufacturing method for the above-described photodetector, in which a p-type GaN layer is synthesized previously on an insulating substrate (sapphire or insulating silicon carbide). Then, using an Au catalyst, a matrix of GaN nanowires that have n-type conductivity is grown in the vapor-liquid-crystal mode. Then form a planarizing layer and an optically transparent electrode. Due to the fact that the photodetector function is performed exclusively by GaN nanowires, the device excludes the possibility of detecting light photons with an energy of less than 3.2 eV.
  • the photodetector described in WO2018082251 has a sensitivity in the region of 390-300 nm (UV radiation).
  • a sensitivity in the region of 390-300 nm UV radiation.
  • silicon As an insulating substrate, due to the difference in the parameters of the crystal lattices of materials in the matrix consisting of nanowires, defects in the crystal structure inevitably arise. This significantly reduces the photosensitivity of this heterostructure.
  • the consequence of the use of an insulating substrate is the need to form a special window for applying a second electrode, which provides electrical contact (conductivity) with a layer of gallium nitride with p-type conductivity.
  • the basis of the invention is the task of creating a new a photosensitive device for a wide spectrum of radiation having a layered structure formed on a silicon substrate, as well as the corresponding method for its manufacture.
  • the technical result achieved is the high crystalline perfection of the photosensitive structure due to the coordination of the crystal lattice parameters of the formed layers while expanding the range of absorbed radiation (infrared, visible, ultraviolet), which is converted into electrical energy by this heterostructure.
  • a photosensitive device has an electrode and a photosensitive layered structure formed on it containing a silicon substrate with p-type conductivity, having a surface with a crystallographic orientation (111), with a silicon carbide layer formed on it .
  • the silicon carbide layer has a planarizing dielectric layer of light transmitting polymer.
  • the planarizing layer contains an array of gallium nitride nanorods pre-synthesized perpendicular to the substrate, previously synthesized on a silicon carbide layer, and a light transmitting electrode is formed on the planarizing layer, which provides electrical contact with the nanorods.
  • the light transmitting electrode can be formed from any material suitable for these purposes (indium tin oxide, zinc oxide doped with fluorine, etc.). The best result was obtained using indium tin oxide.
  • a silicon carbide layer is formed on the silicon substrate having a surface with a crystallographic orientation of (111) by atom substitution with the formation of carbon-vacancy structures,
  • an array of gallium nitride nanorods oriented perpendicular to the substrate is formed on a silicon carbide layer obtained by molecular beam epitaxy with plasma activation of nitrogen,
  • an electrode is formed under the substrate
  • a planarizing dielectric layer from a solution of light transmitting polymer is applied to said array of gallium nitride nanorods;
  • a light transmitting electrode is formed on the planarizing layer.
  • the expression: “nanorods are oriented perpendicular to the substrate” does not mean that each rod is geometrically oriented strictly relative to the substrate at an angle of 90 °. Deviations within 10 degrees are possible.
  • the term “light transmitting” does not mean transparency only for visible electromagnetic radiation, the term extends to the infrared and ultraviolet range.
  • the electrode under the substrate can be formed by any method suitable for these purposes.
  • it can be formed by vacuum thermal deposition an ultrathin aluminum layer (about 10 nm) and a gold layer (50-200 nm thick), followed by heating in a chemically inert atmosphere or in vacuum (p ⁇ 1 * 10 4 Pa).
  • the light transmitting electrode can also be formed in any way suitable for these purposes.
  • it can be formed from indium-tin oxide by plasma spraying followed by annealing - heating to a temperature of T-250C.
  • Figure 1 the inventive photosensitive device (schematically).
  • Figure 2 image of a scanning electron microscopy of the formed structured array of gallium nitride nanorods
  • FIG. 3 is a graph of the conversion of light into electrical energy (quantum yield) versus wavelength.
  • the device includes: electrode 1, consisting of metal layers: A1 (thickness 10 nm or more) and Au (THICKNESS 50 nm or more); single-crystal substrate 2 of boron-doped silicon with the orientation of the (111) working surface with p-type conductivity (p ⁇ 0.1 Ohm * cm) and a heteroepitaxial structure located on it, having a silicon carbide layer 3 up to 100 nm thick and a planarizing layer , which is a dielectric and light transmitting polymer layer (in Fig. 1, position 4 is the polymer of the planarizing layer).
  • the planarizing layer contains an array of gallium nitride nanorods 5 pre-synthesized on a silicon carbide layer with p-type conductivity oriented perpendicular to the substrate and with a crystal structure coherent with the structure of the substrate.
  • the height of the nanorods is up to 2 ⁇ m, the diameter is up to 200 nm, the density of the nanorods is about 10 pcs * cm.
  • a light transmitting electrode 6 synthesized from indium tin oxide (In 2 O 3 : Sn) is formed on the planarizing layer.
  • the inventive device is obtained according to the following technology.
  • a silicon carbide layer 3 was synthesized on the surface of a silicon substrate 2 with a surface orientation of (111) by chemical substitution in a carbon-containing gas medium [the method is described in patent RU 2522812, publ. 07/20/2014.].
  • a single-crystal silicon substrate is placed in a graphite gas-permeable chamber, the chamber is placed in a reactor, air is pumped out, heating is carried out to 800 ° C and carbon monoxide is supplied at a pressure of 150 Pa in the reactor. Then the internal volume of the reactor is heated to a temperature of 1250 ° C and, in addition to CO, a silane gas SiH 4 is supplied, maintaining a pressure of 150 Pa in the reactor.
  • the formation of the lower electrode is realized by the method of vacuum thermal deposition of metal layers A1 (10 nm thick or more) and Au (THICKNESS 50 nm or more), and subsequent heating of the structure to 400 ° C in a chemically inert atmosphere (nitrogen or argon).
  • the planarizing layer was formed on a structured array of nanorods by applying a solution of a polymer of polymethyl methacrylate and / or its copolymers by centrifugation followed by heating to 120 ° C for polymerization.
  • the subsequent formation of the light-transmitting electrode was carried out by sputtering an In 2 O 3 : Sn target in a plasma discharge in an oxygen-containing medium (Ar: O 2 ), followed by annealing at temperatures up to 250 ° C.
  • the claimed device operates as follows: radiation (photon flux) passes through a light-transmitting electrode and interacts with an array of GaN nanorods, a SiC layer, and a Si substrate. A heterojunction and, as a result, an internal electric field are formed at the GaN / SiC / p-TnnaSi interfaces. Under the influence of light radiation absorbed by the array of nanorods, electron-hole pairs are formed in the nanorods, which are separated by the internal electric field of the heterojunction, which leads to the appearance of a potential difference on the electrodes.
  • the sensitivity region of the device is in the range from 400 to 1100 nm.
  • a silicon substrate with p-type conductivity is used in the claimed design and, accordingly, the method of its manufacture. This simplifies the design and manufacturing technology, and also improves the conductivity (sensitivity of the device), since there is no need to form a special window for applying the electrode.
  • the claimed device due to its design, due to applied manufacturing technology, allows you to operate in a wide range of absorbed radiation - from infrared to ultraviolet.
  • High crystalline perfection of the photosensitive structure is achieved by matching the parameters of the crystal lattices of the formed layers, which is explained by the following.
  • the silicon carbide layer is epitaxial, which ensures almost coherent conjugation of the lattice of gallium nitride nanostructures with a silicon carbide film. This allows you to grow crystalline gallium nitride nanorods with high crystallographic quality.
  • the SiC layer lies on the Si surface, above the pores formed during the synthesis of SiC on Si.
  • the presence of a SiC buffer layer lying on the Si surface above the pores makes it possible to significantly reduce the thermal elastic stresses arising both when the heterostructures are cooled from the growth temperature to room temperature and the elastic stresses associated with the difference in the lattice parameters of materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Группа изобретений относится к технологии устройств твердотельной электроники, а именно к созданию фоточувствительных приборов на основе квазиодномерных наноструктур нитрида галлия на подложках кремния со слоем карбида кремния и может быть использована при разработке фотоприемников видимого и ближнего ИК диапазона. Фоточувствительное устройство имеет электрод и сформированную на нем фоточувствительную слоистую структуру, содержащую подложку кремния с проводимостью р-типа, имеющую поверхность с кристаллографической ориентацией (111), со сформированным на ней слоем карбида кремния. На слое SiC имеется планаризующий слой диэлектрика из светопропускающего полимера. Планаризующий слой вмещает в себя предварительно синтезированный на слое SiC массив наностержней GaN, ориентированных перпендикулярно подложке, на планаризирующем слое сформирован светопропускающий электрод, который обеспечивает электрический контакт с наностержнями. Слои устройства формируют поэтапно. Вначале на подложке кремния, имеющей поверхность с кристаллографической ориентацией (111) формируют SiC методом замещения атомов с образованием углерод-вакансионных структур, затем на слое карбида кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота формируют массив наностержней GaN, ориентированных перпендикулярно подложке, после чего формируют электрод. Далее на массив наностержней GaN наносят планаризующий слой диэлектрика из раствора светопропускающего полимера, и - на пятом этапе на планаризующем слое формируют светопропускающий электрод. Достигаемый технический результат - высокое кристаллического совершенство фоточувствительной структуры за счет согласования параметров кристаллических решеток формируемых слоев при одновременном расширении диапазона поглощаемого излучения (ИК, видимый, УФ), которое преобразуется в электрическую энергию этой гетероструктурой.

Description

ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО
ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Область техники
Группа изобретений относится к технологии устройств твердотельной электроники, а именно к созданию фоточувствительных приборов на основе квазиодномерных наноструктур нитрида галлия на подложках кремния со слоем карбида кремния и может быть использована при разработке фотоприемников видимого и ближнего инфракрасного диапазона.
Предшествующий уровень техники Фоточувствительные устройства (фотодиоды и фоторезисторы) находят широкое применение в современной технике: например, в спектроскопии, в медицине, в измерительных и навигационных системах, в оптических вычислительных и коммутационных системах, в оптических системах связи и передачи информации. Наиболее массово фоточувствительные структуры производятся на основе планарных структур материалов IV группы (кремния, германия) Периодической системы элементов Д.И. Менделеева, или APIBn (асениды, и/или фосфиды, антимониды, нитриды галлия-алюминия- индия). Выбор материалов определяется предъявляемыми к приборам требованиями: спектральным диапазоном чувствительности, быстродействием, возможностью и необходимостью производства интегрированных систем (т.е. систем, включающих различные приборы/устройства на одной подложке/пластине).
Особый интерес представляют фоточувствительные устройства на основе структур материалов нитридов металлов III группы. К сожалению, в настоящее время отсутствует технология синтеза доступных подложек для качественного формирования таких структур. Подложки карбида кремния - наиболее подходящие точки зрения постоянных решёток не могут быть широко использованы в производстве из-за малых размеров и высокой стоимости. Примером фоточувствительных устройств на основе планарных гетероструктур нитридов металлов III группы на подложках карбида кремния или сапфира является описанные в патенте в RU25361 10 фоточувствительные устройства, изготовленные на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlGaN. Данные структуры могут работать в ультрафиолетовой области спектра (l<400 нм). В этом же патенте описана технология их изготовления. Данные структуры получают следующим способом. В начале, с использованием меза-технологии, при помощи ионного травления стравливают верхний слой GaN эпитаксиальной p-i-n структуры до слоя n+ -AlGaN. Затем поверхность меза p-i-n структур повергают термической обработке при температуре 450- 550°С в течение 90-200 сек для «залечивания» радиационных и стехиометрических дефектов, образовавшихся на периметре p-i-n диодов.
С другой стороны, кремний до настоящего времени остается основным материалом полупроводниковой микроэлектроники. Эффективность таких приборов невысока вследствие непрямозонной природе кремния, а получение на поверхности Si качественных гетероэпитаксиальных слоев, необходимых для создания наноструктур, осложняется рассогласованием по параметрам постоянных решеток, приводящим к большому количеству дефектов в растущем слое материала; возникновением напряжений в слое AIPBn полупроводника вследствие значительного различия коэффициентов линейного расширения Si и широкозонных полупроводников группы соединений AIllBv таких как: GaN, AIN, InN и твердых растворов на их основе.
Появление технологии синтеза наностержней привлекает перспективами снижения количества дефектов (дислокаций) в структурах, где используются материалы с различными параметрами кристаллических решеток, и увеличения эффективности преобразования световой энергии в электрическую, повышения чувствительности при снижении размеров элементов, расширения/изменения рабочего спектрального диапазона фотоприемников.
Основная часть исследований и изобретений описывает применение наностержней (нанопроволок) с их латеральным расположением на подложке. Так, например, в патенте US8390705 (В2) (опубл. 05.03.2015) и международной заявке WO2009136906 предлагается устройство фотодиода, содержащего полупроводниковые наностержни, которые расположены на подложке латерально между двух электродов. Однако, формирование массивов латерально расположенных нанопроволок и контактов к ним является сложным и дорогим процессом.
В международной заявке WO201 1087633 (опубл. 21.07.2011) предложено устройство, сформированное на подложках кремния с вертикально расположенными кремниевыми наностержнями, которые выращиваются методом химического газового осаждения с Аи катализатором в режиме пар-жидкость-кристалл в специальном окне, сформированном с помощью метода фотолитографии. Для создания работающей структуры и повышения фоточувствительности на торцевой части наностержня формируется микролинза. Такая структура является весьма сложной и дорогостоящей в производстве. Кроме того, спектральная область чувствительности кремниевых наностержней ограничивается диапазоном 500-1100 нм, причем в коротковолновой области спектра (l<700 нм) чувствительность существенно снижается. В международной заявке WO2018082251 (опубл. 11.05.2018), которая принята в качестве прототипа заявляемого устройства и способа, описан фотодетектор, имеющий слоистую структуру, включающую изолирующую подложку со слоем GaN с проводимостью p-типа и сформированный на нем массив нанопроволок GaN, заключенный в планаризирующий слой жидкого стекла, а также имеющий оптически прозрачный электрод.
Кроме того, в этой заявке WO2018082251 описан способ изготовления, выше описанного фотодетектора, в котором предварительно на изолирующей подложке (сапфир или изолирующий карбид кремния) синтезируют слой GaN p-типа проводимости. Затем, используя Аи катализатор, в режиме пар-жидкость-кристалл выращивают матрицу из нанопроволок GaN, которые имеют проводимость n-типа. После чего формируют планаризующий слой и оптически прозрачный электрод. Ввиду того, что функция фотодетектора выполняется исключительно нанопроволоками GaN, в устройстве исключается возможность детектирования световых фотонов энергией меньше 3,2 эВ. Таким образом, описанный в WO2018082251 фотодетектор имеет чувствительность в области 390-300 нм (УФ - излучение). В случае применения в качестве изолирующей подложки кремния вследствие различия в параметрах кристаллических решёток материалов в матрице, состоящей из нанопроволок, неизбежно возникают дефекты кристаллической структуры. Это существенно снижает фочувствительность данной гетероструктуры. Кроме того, следствием применения изолирующей подложки является необходимость формирования специального окна для нанесения второго электрода, который обеспечивает электрический контакт (проводимость) со слоем нитрида галлия с проводимостью р-типа.
Раскрытие изобретения
В основу изобретения поставлена задача создания нового фоточувствительного устройства для широкого спектра излучения, имеющего слоистую структуру, сформированную на кремниевой подложке, а также соответствующего способа его изготовления. Достигаемый технический результат- высокое кристаллического совершенство фоточувствительной структуры за счет согласования параметров кристаллических решеток формируемых слоев при одновременном расширении диапазона поглощаемого излучения (инфракрасный, видимый, ультрафиолетовый), которое преобразуется в электрическую энергию этой гетероструктурой.
Поставленная задача в первом объекте изобретения — фоточувствительном устройстве, решается тем, что оно имеет электрод и сформированную на нем фоточувствительную слоистую структуру, содержащую подложку кремния с проводимостью p-типа, имеющую поверхность с кристаллографической ориентацией (111), со сформированным на ней слоем карбида кремния. На слое карбида кремния имеется планаризующий слой диэлектрика из светопропускающего полимера. Планаризующий слой вмещает в себя предварительно синтезированный на слое карбида кремния массив наностержней нитрида галлия, ориентированных перпендикулярно подложке, на планаризирующем слое сформирован светопропускающий электрод, который обеспечивает электрический контакт с наностержнями.
Светопропускающий электрод может быть сформирован из любого приемлемого для этих целей материала (оксид индия-олова, оксид цинка легированный фтором и др.). Наилучший результат получен с применением оксида индия-олова.
Поставленная задача во втором объекте - способе изготовления фоточувствительного устройства, включающего электрод и сформированную на нем фоточувствительную слоистую структуру характеризуется тем, что ее слои формируют поэтапно:
- на первом этапе на подложке кремния, имеющей поверхность с кристаллографической ориентацией (111) формируют слой карбида кремния методом замещения атомов с образованием углерод- вакансионных структур,
- на втором этапе на слое карбида кремния, полученном методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, формируют массив наностержней нитрида галлия, ориентированных перпендикулярно подложке,
- на третьем этапе под подложкой формируют электрод,
- на четвертом этапе на упомянутый массив наностержней нитрида галлия наносят планаризующий слой диэлектрика из раствора светопропускающего полимера,
- на пятом этапе на планаризующем слое формируют светопропускающий электрод.
В контексте данной заявки выражение: "наностержни ориентированы перпендикулярно подложке", - не означает, что каждый стержень ориентирован по отношению к подложке геометрически строго под углом 90°. Возможны отклонения в пределах 10 градусов.
Также в контексте данной заявки термин "светопропускающий", не означает, прозрачность только для видимого электромагнитного излучения, термин распространяется и на инфракрасный и ультрафиолетовый диапазон.
Электрод под подложкой может быть сформирован любым приемлемым для этих целей способом. В частности, он может формироваться методом вакуумного термического осаждения ультратонкого слоя алюминия (около 10 нм) и слоя золота (толщиной 50- 200 нм), с последующим прогревом в химически инертной атмосфере или в вакууме (р~1 * 10 4 Па).
Светопропускающий электрод также быть сформирован любым приемлемым для этих целей способом. В частности, он может формироваться из оксида индия-олова методом плазменного распыления с последующим отжигом - нагревом до температуры Т-250С.
Для того, чтобы лучше продемонстрировать отличительные особенности изобретения, в качестве примера, не имеющего какого-либо ограничительного характера, ниже описан предпочтительный вариант реализации применительно к устройству, подложка которого выполнена из кремния, легированного бором (кристаллографическая ориентация (111)). Краткое описание чертежей
Пример реализации иллюстрируется Фигурами чертежей, на которых представлено:
Фиг.1 - заявляемое фоточувствительное устройство (схематично). Фиг.2 - изображение растровой электронной микроскопии сформированного структурированного массива наностержней нитрида галлия
Фиг. 3 - график зависимости преобразования света в электрическую энергию (квантового выхода) от длины волны.
Варианты осуществления изобретения
Представленное на Фиг.1 устройство имеет в своем составе: электрод 1, состоящий из слоев металлов: А1 (толщиной 10 нм и более) и Аи (ТОЛЩИНОЙ 50 нм и более); монокристаллическую подложку 2 из кремния, легированного бором, с ориентацией рабочей поверхности (111) с проводимостью p-типа (р~0,1 Ом*см) и расположенную на ней гетероэпитаксиальную структуру, имеющую слой 3 карбида кремния толщиной до 100 нм и планаризующий слой, представляющий собой диэлектрический и светопропускающий слой полимера (на Фиг. 1 позиция 4 - полимер планаризующего слоя) . Планаризующий слой вмещает в себе предварительно синтезированный на слое карбида кремния массив наностержней 5 нитрида галлия с проводимостью п-типа, ориентированных перпендикулярно подложке и с кристаллической структурой когерентной со структурой подложки. Высота наностержней составляет до 2 мкм, диаметр до 200 нм, плотность наностержней порядка 10 шт*см . На планаризирующем слое сформирован светопропускающий электрод 6, синтезированный из оксида индия-олова (In2O3:Sn).
Заявляемое устройство получено согласно следующей технологии.
На первом этапе на поверхности подложки 2 кремния с ориентацией поверхности (111) методом химического замещения в среде углеродсодержащих газов был синтезирован слой 3 карбида кремния [метод описан в патенте RU 2522812, опубл. 20.07.2014.]. Для этого подложку монокристаллического кремния помещают в графитовую газопроницаемую камеру, камеру помещают в реактор, откачивают воздух, осуществляют нагрев до 800°С и подают оксид углерода СО при давлении в реакторе 150 Па. Затем нагревают внутренний объем реактора до температуры 1250°С и дополнительно к СО подают газ силан SiH4, поддерживая в реакторе давление 150 Па. После выдержки подложки при указанных условиях в течение 10 минут подачу газов прекращают, газообразные продукты реакции откачивают и реактор охлаждается, после чего из реактора извлекают графитовую камеру с подложками. В результате на поверхности монокристаллического кремния был сформирован сплошной слой SiC, т.е. сформирована структура SiC/Si(l 11).
Процесс синтеза массива наностержней 5 нитрида галлия, имеющих кристаллическую структуру когерентную с подложкой, с проводимостью (легированием) n-типа, ориентированных перпендикулярно подложке, был реализован методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота ((МПЭ ПА). Остаточный вакуум в ростовой камере составляет не выше Ю 10 Па, температура образца в процессе роста управляемо изменяется в диапазоне от 450 до 950°С, потоки атомарного галлия и химически активного азота (полученный в результате активации в несамостоятельном плазменном разряде) составляют порядка 1014 частиц*сек *см . Сначала структуру SiC/Si(l 11) помещают в откачанную до сверхвысокого вакуума камеру роста установки МПЭ ПА, нагревают до температуры Ts = 950°С и выдерживают при этой температуре в течение 3 мин. Далее температура структуры снижается до Ts =845 °С и осуществляется одновременное осаждение галлия и химически активного азота из источников соответствующих материалов (расход азота Fn2=3 стандартных кубических сантиметров в минуту, мощность плазменного источника W=500 Вт, температура нагревателя источника галлия TGa=8l0°C).
Полученный структурированный массив наностержней 5 нитрида галлия представлен на Фиг. 2
Формирование нижнего электрода (электрод 1 под подложкой 2) реализовано методом вакуумного термического осаждения слоев металлов А1 (толщиной 10 нм и более) и Аи (ТОЛЩИНОЙ 50 НМ И более), и последующего прогрева структуры до 400°С в химически инертной атмосфере (азот или аргон).
Формирование планаризующего слоя на структурированном массиве наностержней осуществлялось путем нанесения раствора полимера полиметилметакрилата и/или его сополимеров методом центрифугирования с последующим прогревом до 120°С для полимеризации.
Последующее формирование светопропускающего электрода производилось методом распыления мишени In2O3:Sn в плазменном разряде в кислородсодержащей среде (Аг:О2) с последующим отжигом при температуре до 250°С.
Заявленное устройство функционирует следующим образом: излучение (поток фотонов) проходит через светоропускающий электрод взаимодействует с массивом наностержней GaN, слоем SiC и подложкой Si. На границах раздела GaN/SiC/p-TnnaSi образуется гетеропереход и, как следствие, внутреннее электрическое поле. Под воздействием поглощенного массивом наностержней светового излучения в наностержнях образуются электронно-дырочные пары, которые разделяются внутренним электрическим полем гетероперехода, что приводит к возникновению разности потенциалов на электродах.
Как видно из Фиг.З, область чувствительности устройства находится в диапазоне от 400 до 1100 нм.
Таким образом, в отличие от прототипа, в котором фоточувствительная структура сформирована на изолирующей подложке, в заявляемой конструкции, а соответственно и способе ее изготовления, использована кремниевая подложка с проводимостью p-типа. Это упрощает конструкцию и технологию изготовления, а также улучшает проводимость (чувствительность устройства), поскольку отпадает необходимость формирование специального окна для нанесения электрода. Кроме того, заявляемое устройство благодаря своей конструкции, обусловленной применяемой технологией изготовления, позволяет функционировать в широком диапазоне поглощаемого излучения - от инфракрасного до ультрафиолетового .
Высокое кристаллического совершенство фоточувствительной структуры достигается за счет согласования параметров кристаллических решеток формируемых слоев, что объясняется следующим.
Слой карбида кремния является эпитаксиальным, что обеспечивает практически когерентное сопряжение решетки наноструктур нитрида галлия с пленкой карбида кремния. Это позволяет выращивать кристаллические наностержни нитрида галлия, обладающие высоким кристаллографическим качеством.
Как видно из представленного изображения на Фиг. 2, слой SiC лежит на поверхности Si, над порами, образовавшимися в процессе синтеза SiC на Si. Наличие буферного слоя SiC, лежащего на поверхности Si, над порами, позволяет значительно снизить термические упругие напряжения, возникающие как при охлаждении гетероструктур от температуры роста до комнатной температуры, так и упругие напряжения, связанные с разницей параметров решетки материалов
Важным отличием слоев SiC, синтезированных по методу замещения атомов, от слоев SiC, выращенных другими методами [Gabriel Ferro. Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences, 40,56 (2015).], является образование углеродно-вакансионные структуры на поверхности SiC, которые, как установлено авторами, образуются только при синтезе SiC из Si методом замещения атомов. Полученная поверхностная кристаллическая структура является наиболее близкой по параметрам решетки к гексагональной фазе GaN типа вюрцит, что способствует росту массива наностержней GaN с когерентной с подложкой кристаллической структурой.

Claims

Формула изобретения
1.Фоточувствительное устройство, характеризующееся тем, что имеет электрод и сформированную на нем фоточувствительную слоистую структуру, содержащую подложку кремния с проводимостью р-типа, имеющую поверхность с кристаллографической ориентацией (111), со сформированным на ней слоем карбида кремния, на котором имеется планаризующий слой диэлектрика из светопропускающего полимера, вмещающего в себя предварительно синтезированный на слое карбида кремния массив наностержней нитрида галлия, ориентированных перпендикулярно подложке на планаризирующем слое сформирован светопропускающий электрод.
2. Фоточувствительное устройство по п. 1, отличающееся тем, что светопропускающий электрод сформирован из оксида индия-олова
3. Способ изготовления фоточувствительного устройства, включающего электрод и сформированную на нем фоточувствительную слоистую структуру, характеризующийся тем, что ее слои формируют поэтапно:
- на первом этапе на подложке кремния, имеющей поверхность с кристаллографической ориентацией (111) формируют слой карбида кремния методом замещения атомов с образованием углерод- вакансионных структур,
- на втором этапе на полученном слое карбида кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота формируют массив наностержней нитрида галлия, ориентированных перпендикулярно подложке,
- на третьем этапе под подложкой формируют электрод, - на четвертом этапе на упомянутый массив наностержней нитрида галлия наносят планаризующий слой диэлектрика из раствора светопропускающего полимера,
- на пятом этапе на планаризующем слое формируют светопропускающий электрод.
4. Способ по п.З, отличающийся тем, что электрод под подложкой формируют методом вакуумного термического осаждения слоя алюминия и слоя золота.
5. Способ по п.З, отличающийся тем, что светопропускающий электрод формируют из оксида индия-олова методом плазменного распыления с последующим отжигом.
PCT/RU2019/000517 2018-07-26 2019-07-23 Фоточувствительное устройство и способ его изготовления WO2020022937A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112019003770.6T DE112019003770B4 (de) 2018-07-26 2019-07-23 Fotosensitive Vorrichtung und Verfahren für deren Herstellung

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018127603A RU2685032C1 (ru) 2018-07-26 2018-07-26 Фоточувствительное устройство и способ его изготовления
RU2018127603 2018-07-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020022937A1 true WO2020022937A1 (ru) 2020-01-30

Family

ID=66168270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2019/000517 WO2020022937A1 (ru) 2018-07-26 2019-07-23 Фоточувствительное устройство и способ его изготовления

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE112019003770B4 (ru)
RU (1) RU2685032C1 (ru)
WO (1) WO2020022937A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2715472C1 (ru) * 2019-06-11 2020-02-28 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии" Изделие, содержащее основу из кремния и покрывающий слой в виде нанопленки углерода с кристаллической решеткой алмазного типа, и способ изготовления этого изделия
RU2727557C1 (ru) * 2019-12-17 2020-07-22 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии" Способ изготовления функционального элемента полупроводникового прибора
RU2730402C1 (ru) * 2020-02-03 2020-08-21 Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии" Функциональный элемент полупроводникового прибора

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2396634C2 (ru) * 2008-10-09 2010-08-10 Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОГЕННОГО p-n ПЕРЕХОДА НА ОСНОВЕ НАНОСТЕРЖНЕЙ ОКСИДА ЦИНКА
CN102376817A (zh) * 2010-08-11 2012-03-14 王浩 一种半导体光电器件的制备方法
WO2013190128A2 (en) * 2012-06-21 2013-12-27 Norwegian University Of Science And Technology (Ntnu) Solar cells
US9935217B1 (en) * 2005-11-29 2018-04-03 Banpil Photonics, Inc. High efficiency photovoltaic cells and manufacturing thereof
WO2018082251A1 (zh) * 2016-11-01 2018-05-11 华南师范大学 一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080191191A1 (en) 2005-06-27 2008-08-14 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light Emitting Diode of a Nanorod Array Structure Having a Nitride-Based Multi Quantum Well
WO2009135078A2 (en) * 2008-04-30 2009-11-05 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for fabricating optoelectromechanical devices by structural transfer using re-usable substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9935217B1 (en) * 2005-11-29 2018-04-03 Banpil Photonics, Inc. High efficiency photovoltaic cells and manufacturing thereof
RU2396634C2 (ru) * 2008-10-09 2010-08-10 Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОГЕННОГО p-n ПЕРЕХОДА НА ОСНОВЕ НАНОСТЕРЖНЕЙ ОКСИДА ЦИНКА
CN102376817A (zh) * 2010-08-11 2012-03-14 王浩 一种半导体光电器件的制备方法
WO2013190128A2 (en) * 2012-06-21 2013-12-27 Norwegian University Of Science And Technology (Ntnu) Solar cells
WO2018082251A1 (zh) * 2016-11-01 2018-05-11 华南师范大学 一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE112019003770T5 (de) 2021-04-15
DE112019003770B4 (de) 2024-01-18
RU2685032C1 (ru) 2019-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Patil-Chaudhari et al. Solar blind photodetectors enabled by nanotextured β-Ga2O3 films grown via oxidation of GaAs substrates
Cicek et al. AlxGa1− xN-based solar-blind ultraviolet photodetector based on lateral epitaxial overgrowth of AlN on Si substrate
WO2020022937A1 (ru) Фоточувствительное устройство и способ его изготовления
US11239391B2 (en) Nanostructure
US11626491B2 (en) Indium nitride nanopillar epitaxial wafer grown on aluminum foil substrate and preparation method of indium nitride nanopillar epitaxial wafer
JP2006261666A (ja) 高効率無機ナノロッド強化光起電素子
Mishra et al. Surface-engineered nanostructure-based efficient nonpolar GaN ultraviolet photodetectors
US9490318B2 (en) Three dimensional strained semiconductors
WO2021174527A1 (zh) 一种黑磷薄膜、其制备方法和应用
Lashkarev et al. Properties of zinc oxide at low and moderate temperatures
CN112086344B (zh) 一种铝镓氧/氧化镓异质结薄膜的制备方法及其在真空紫外探测中的应用
Ren et al. Solar-blind photodetector based on single crystal Ga2O3 film prepared by a unique ion-cutting process
JP5269414B2 (ja) 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置
Ding et al. Controllable carrier type in boron phosphide nanowires toward homostructural optoelectronic devices
Xie et al. Polarity-controlled ultraviolet/visible light ZnO nanorods/p-Si photodetector
CN108231545B (zh) 生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法
CN110364582A (zh) 一种基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器及其制备方法
Abdulgafour et al. Sensing devices based on ZnO hexagonal tube-like nanostructures grown on p-GaN heterojunction by wet thermal evaporation
Bakin et al. Vapour phase transport growth of ZnO layers and nanostructures
CN110444628B (zh) 红外探测器及其制作方法
Chen et al. High responsivity and multi-wavelength response photodetector based on single bandgap AlInN film by magnetron sputtering
CN116193946A (zh) 一种钙钛矿薄膜异质结及其制备方法和用途
Su et al. Fabrication of ZnO nanowall-network ultraviolet photodetector on Si substrates
US20100248499A1 (en) Enhanced efficiency growth processes based on rapid thermal processing of gallium nitride films
Kidalov et al. ZnO nanowires for photoelectric converter applications

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19840036

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

32PN Ep: public notification in the ep bulletin as address of the adressee cannot be established

Free format text: NOTING OF LOSS OF RIGHTS PURSUANT TO RULE 112(1) EPC (EPO FORM 1205 DATED 30/06/2021)

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19840036

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1