WO2020021653A1 - 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 - Google Patents

表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 Download PDF

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WO2020021653A1
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display device
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functional layer
electrodes
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惇 佐久間
青森　繁
康 浅岡
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シャープ株式会社
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    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays

Definitions

  • the present invention relates to a display device provided with a light emitting element.
  • Patent Document 1 discloses a method of forming an organic light emitting layer having a substantially uniform film thickness by an electrodeposition method in manufacturing an organic light emitting device.
  • a display device of the present invention includes a display device including a plurality of first electrodes, a functional layer, and a second electrode common to the plurality of first electrodes, which are stacked in this order. Wherein at least a part of the outer periphery of the plurality of first electrodes is opposed in a direction parallel to a substrate surface, or on a side of the first electrodes opposite to the functional layer, the plurality of first electrodes An electrodeposition electrode is provided to overlap the gap in a direction perpendicular to the substrate surface.
  • a method of manufacturing a display device includes stacking a plurality of first electrodes, a functional layer, and a second electrode common to the plurality of first electrodes in this order.
  • a method for manufacturing a display device comprising: at least a part of an outer periphery of the plurality of first electrodes in a direction parallel to a substrate surface, or on a side of the first electrode opposite to the functional layer.
  • a display device manufacturing apparatus includes a plurality of first electrodes, a functional layer, and a second electrode common to the plurality of first electrodes, which are stacked in this order.
  • a display device manufacturing apparatus wherein at least a part of an outer periphery of the plurality of first electrodes is opposed in a direction parallel to a substrate surface, or on a side of the first electrode opposite to the functional layer.
  • the complexity of the film forming process by the electrodeposition method can be reduced.
  • FIG. 2 is a schematic top view and a schematic cross-sectional view of the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • 5 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention.
  • 5 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing a functional layer of the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a process cross-sectional view for describing an example of the method for manufacturing the functional layer of the display device according to the first embodiment of the present invention. It is the schematic top view and schematic sectional drawing of the display device which concerns on Embodiment 2 of this invention.
  • FIG. 1 is a schematic top view and a schematic cross-sectional view of the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a process cross-sectional view for explaining one example of the method for manufacturing the functional layer of the display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic top view and a schematic cross-sectional view of a display device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 13 is a process cross-sectional view for describing an example of the method for manufacturing the functional layer of the display device according to the third embodiment of the present invention.
  • 14 is an example of a pattern of a pixel electrode of a display device according to Embodiment 3 of the present invention. It is the schematic top view and schematic sectional drawing of the display device which concerns on Embodiment 4 of this invention.
  • FIG. 13 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a display device according to Embodiment 4 of the present invention. It is a process sectional view for explaining an example of the manufacturing method of the functional layer of the display device concerning Embodiment 4 of the present invention. It is the schematic top view and schematic sectional drawing of the display device which concerns on Embodiment 5 of this invention. 15 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a display device according to Embodiment 5 of the present invention. It is a process sectional view for explaining an example of the manufacturing method of the bank layer, the electrodeposition electrode, and the functional layer of the display device concerning Embodiment 5 of the present invention. It is the schematic top view and schematic sectional drawing of the display device which concerns on the modification of this invention.
  • FIG. 14 is a schematic sectional view of a display device according to another modification of the present invention. It is a block diagram of the manufacturing device of the display device concerning each embodiment and modification of the present invention.
  • FIG. 1A is a schematic top view of a display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 1B is an enlarged view of a region A in FIG. 1A
  • FIG. 1C is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 1B. . Note that, for simplicity of illustration, the functional layer 6 and the second electrode 8, which will be described in detail later, are not illustrated in FIG.
  • the display device 1 includes a display area DA contributing to display and a frame area NA surrounding the display area DA.
  • a terminal T to which a signal for driving a light emitting element of the display device 1 described later in detail may be formed.
  • the display device 1 includes a TFT layer 2 on which a TFT (Thin Film Transistor) (not shown) is formed at a position overlapping with the display area DA in plan view. .
  • the display device 1 includes a plurality of first electrodes 4, a functional layer 6, and a second electrode 8 common to the plurality of first electrodes 4, which are stacked in this order on the TFT layer 2. In this specification, the direction from the first electrode 4 to the second electrode 8 of the display device 1 is described as “upward”.
  • the display device 1 includes the insulating film 10 between the TFT layer 2 and the first electrode 4. Each first electrode 4 is electrically connected to each transistor included in the TFT layer 2 via a contact portion 4H formed in a contact hole of the insulating film 10.
  • the first electrode 4 is formed on the TFT layer 2 in a plurality of islands.
  • the display device 1 includes a sub-pixel for each first electrode 4.
  • the display device 1 includes a plurality of first pixels PR, second pixels PG, and third pixels PB as sub-pixels.
  • the functional layer 6 includes a first functional layer 6R, a second functional layer 6G, and a third functional layer 6B that are individually formed for each pixel on the first electrode 4 and a plurality of pixels. And a common function layer 6D formed in common with the common function layer 6D. As individual function layers formed individually for each pixel, the first function layer 6R in the first pixel PR, the second function layer 6G in the second pixel PG, and the third function layer in the third pixel PB.
  • the functional layers 6B are respectively formed.
  • the first functional layer 6R, the second functional layer 6G, and the third functional layer 6B are used to regenerate holes and electrons transported from the first electrode 4 and the second electrode 8.
  • a light-emitting layer that emits light by bonding may be used.
  • the first functional layer 6R may be a red light emitting layer that emits red light
  • the second functional layer 6G may be a green light emitting layer that emits green light
  • the third functional layer 6B may emit blue light. It may be a blue light emitting layer that emits light.
  • the blue light is light having a light emission center wavelength in a wavelength band of 400 nm or more and 500 nm or less.
  • the green light is light having a light emission center wavelength in a wavelength band of more than 500 nm and 600 nm or less.
  • the red light is light having a light emission center wavelength in a wavelength band of more than 600 nm and 780 nm or less.
  • the second electrode 8 faces the plurality of first electrodes 4 via the functional layer 6 and is formed in common with the plurality of first electrodes 4.
  • a light emitting element is formed for each sub-pixel by each layer of the first electrode 4 to the second electrode 8, and the transistor included in the TFT layer 2 is driven, so that the light emitting element is driven.
  • Each of the light emitting elements may form a first pixel PR, a second pixel PG, and a third pixel PB shown in FIGS. 1B and 1C.
  • the plurality of first electrodes 4 may be anodes
  • the second electrodes 8 may be cathodes.
  • the functional layer 6 is common to the plurality of first electrodes between the second electrode 8 and the first functional layer 6R, the second functional layer 6G, and the third functional layer 6B.
  • the common function layer 6D is provided.
  • the present embodiment is not limited to this, and a common function common to the plurality of first electrodes is provided between the first electrode 4 and the first functional layer 6R, the second functional layer 6G, and the third functional layer 6B.
  • a layer 6D may be provided.
  • the common function layer 6D may be a hole transport layer that transports holes from the first electrode 4 as the anode to the individual function layers, and may transfer electrons from the second electrode 8 as the cathode, It may be an electron transport layer for transporting to an individual functional layer.
  • the first functional layer 6R, the second functional layer 6G, and the third functional layer 6B each include a convex portion 6A having a larger film thickness than the surroundings.
  • the common function layer 6D includes a convex portion 6C that reflects the shape of the convex portion 6A.
  • the functional layer 6 is provided with a thick film portion 6T having a larger film thickness than the other positions of the functional layer 6 at a position overlapping the convex portion 6C in a plan view.
  • the thick film portion 6T is formed at a position indicated by a dashed line, that is, a position including a position overlapping with the end 4E of the first electrode 4 indicated by a dotted line in plan view. You. In particular, in the present embodiment, the thick film portion 6T is formed at a position overlapping the entire periphery of the end 4E of the first electrode 4 in a plan view.
  • the shape of the protrusion 6 ⁇ / b> C may propagate to a shape above the functional layer 6.
  • the shape of the protrusion 6C may propagate to the shape of the second electrode 8, and the second electrode 8 overlaps with the thick film portion 6T in plan view.
  • the protrusion 8C may be provided.
  • the thickness of the functional layer 6 from the upper surface at the end of the first electrode 4 to the lower surface of the second electrode 8 is d1
  • the functional layer from the upper surface at the center of the first electrode 4 to the lower surface of the second electrode 8 is d1.
  • the film thickness of No. 6 is d2.
  • d1 is larger than d2 because the thick film portion 6T is formed at a position overlapping the end of the first electrode 4 in plan view. Therefore, the functional layer 6 has a film thickness at a position where it overlaps with at least a part of the ends of the plurality of first electrodes 4 in a plan view, and a position where the film thickness overlaps with the central part of the plurality of first electrodes 4 in a plan view. It is larger than the film thickness in.
  • the contact portion 4H is formed at a position overlapping the thick film portion 6T in a plan view.
  • the display device 1 includes, on the same layer as the first electrodes 4, electrodeposition electrodes 12 facing at least a part of the outer periphery of the plurality of first electrodes 4 in a direction parallel to the substrate surface. .
  • the electrodeposition electrode 12 is electrically separated from the TFT layer 2, the first electrode 4, and the second electrode 8.
  • the electrodeposition electrode 12 may be made of the same material as the first electrode 4. Further, the electrodeposition electrode 12 may be independently connected to a power supply voltage to which the first electrode 4 or the second electrode 8 is connected.
  • the first functional layer 6R, the second functional layer 6G, and the third functional layer 6B are not in contact with the electrodeposition electrode 12, but the common functional layer 6D is also formed at a position in contact with the electrodeposition electrode 12. I have.
  • the TFT layer 2 is formed (Step S1).
  • the TFT layer 2 may be formed by a conventionally known method, or may be formed on a large mother glass substrate (not shown).
  • a wiring or the like drawn from the terminal T in the frame area NA and the display area DA to the terminal T may be formed.
  • a wiring or the like drawn from the TFT layer 2 to the outer peripheral portion of the mother glass substrate may be formed.
  • a contact hole in which the contact portion 4H of the first electrode 4 is formed may be formed by patterning using photolithography or the like.
  • a plurality of first electrodes 4 are formed on the upper surface of the insulating film 10 at positions including the contact holes in the insulating film 10 (Step S3).
  • a plurality of first electrodes 4 may be obtained by forming a metal film by a sputtering method or the like, and patterning the metal film by etching together with photolithography.
  • the electrodeposition electrode 12 is formed on the same layer as the first electrode 4 so as to face at least a part of the outer periphery of the first electrode 4 in a direction parallel to the substrate surface (step S4).
  • steps S3 and S4 may be executed simultaneously.
  • steps S3 and S4 are realized by forming a first electrode 4 and an electrodeposition electrode 12 at a time by forming a metal film over the entire upper surface of the insulating film 10 and patterning the metal film. You may.
  • the functional layer 6 is formed (Step S5).
  • an electrodeposition method is employed as a method of manufacturing the first functional layer 6R, the second functional layer 6G, and the third functional layer 6B, which are individual functional layers, of the functional layers 6.
  • the structure obtained by performing the steps up to step S4 shown in FIG. 4A is dissolved in the material of any one of the functional layers 6 as shown in FIG. Then, it is immersed in the solution S in the electrodeposition bath (step S21). In FIG. 4, the material of the second functional layer 6G is dissolved in the solution S.
  • the structure Prior to step S21, for example, the structure may be subjected to a hydrophilic treatment by irradiating the upper surface of the structure illustrated in FIG. 4A with ultraviolet light.
  • the material of the second functional layer 6G has a functional group, and the functional group is positively or negatively charged.
  • the polarity at which the functional group of the material of the second functional layer 6G is charged is regarded as the polarity of the material of the second functional layer 6G.
  • Step S22 the electrodeposition of the second functional layer 6G is performed, and the material of the second functional layer 6G is adsorbed on the first electrode 4 (Step S22).
  • step S22 first, a voltage is applied to the first electrode 4, and a voltage having a polarity opposite to the polarity of the material of the solution S is applied.
  • the application of the voltage may be performed via the TFT of the TFT layer 2.
  • a voltage having the same polarity as that of the material of the solution S may be applied to the electrodeposition electrode 12.
  • the application of the voltage to the electrodeposition electrode 12 may be performed via an external device or may be performed via the TFT of the TFT layer 2. In the latter case, the TFT of the TFT layer 2 and the electrodeposition electrode 12 may be electrically connected through a contact portion formed inside the contact hole of the insulating film 10.
  • the electrodeposition process in the present embodiment is a horizontal electric field electrodeposition using an electric field generated between the first electrode 4 and the electrodeposition electrode 12.
  • the material of the solution S migrates due to the Coulomb interaction, and the material of the solution S is adsorbed on the first electrode 4. Therefore, as shown in FIG. 4C, the second functional layer 6G is formed only on the first electrode 4.
  • the substrate on which the second functional layer 6G is formed is taken out of the solution S and washed with, for example, n-hexane or the like (Step S23).
  • the electrodeposition step for forming the second functional layer 6G is completed.
  • a part of another individual functional layer may be electrodeposited while the substrate is immersed in a solution of another material.
  • the above-described electrodeposition process is repeated until the electrodeposition of the remaining first functional layer 6R and the third functional layer 6B is completed. 6 can perform patterning of the individual functional layers.
  • the common function layer 6D is formed in common with the plurality of first electrodes 4 by an evaporation method or the like, so that the step of forming the function layer 6 is completed, and step S5 is completed.
  • the common functional layer 6D reflects the shape of the lower convex portion 6A, so that the convex portion 6C is formed together with the formation of the common functional layer 6D.
  • Step S6 the display device 1 shown in FIG. 1 is obtained.
  • the laminate obtained by each of the above-described manufacturing methods is formed on a large-sized mother glass substrate, the laminate is cut together with the mother glass substrate, and the laminate is separated into individual display devices 1. May be singulated. Further, the display device 1 may be peeled off from the mother glass substrate, and a flexible display device 1 may be realized by attaching a base film or the like.
  • a part of the functional layer 6 is formed by horizontal electric field electrodeposition using an electric field generated between the first electrode 4 and the electrodeposition electrode 12. Therefore, it is not necessary to separately prepare a counter electrode such as a platinum electrode in the electrodeposition step of the functional layer 6, and the manufacturing process of the display device 1 is simplified.
  • the first electrode 4 and the electrodeposition electrode 12 are in the same layer and are made of the same material. For this reason, the first electrode 4 and the electrodeposition electrode 12 can be formed at the same time in the same process, and the manufacturing process is further simplified.
  • the film thickness of the functional layer 6 at a position overlapping with the end of the first electrode 4 is larger than the film thickness at other positions. Can be thick. For this reason, when driving the light emitting element in each sub-pixel of the display device 1, the electric field concentration at the end of each first electrode 4 is improved.
  • the contact hole of the insulating film 10 is formed at a position overlapping with the end of the functional layer 6 having the thickness d1. Therefore, by forming the contact hole of the insulating film 10 at the end of the first electrode, the film thickness of the functional layer 6 at a position overlapping the contact hole of the insulating film 10 is larger than the film thickness at other positions. Can be thick.
  • the thickness of the functional layer 6 is reduced on the inner side surface of the contact hole, and the occurrence of electric field concentration around the contact hole when driving the light emitting element can be reduced.
  • the contact hole does not necessarily have to be located at a position overlapping the end of the first electrode 4.
  • FIG. 5A is a top view of the display device 1 according to the present embodiment at a position corresponding to FIG. 1B.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view of the display device 1 according to the present embodiment at a position corresponding to FIG.
  • the configuration of the display device 1 according to the present embodiment is different from that of the display device 1 according to the previous embodiment in that each of the first electrodes 4 formed in an island shape has a comb tooth shape. Accordingly, the shapes of the functional layer 6 and the second electrode are different from those of the display device 1 according to the previous embodiment. Except for the above points, the display device 1 according to the present embodiment has the same configuration as the display device 1 according to the previous embodiment.
  • the first electrode 4 extends from one side of the rectangular electrode toward the side where the plurality of slits 4S are opposed to just before the opposed side.
  • the first electrode 4 forms a comb-like shape having the plurality of tooth-like portions 4L.
  • the electrodepositing electrode 12 is formed inside the slit 4S.
  • the functional layer 6 also has a protrusion 6C at a position overlapping with the end of the toothed portion 4L adjacent to the slit 4S.
  • FIG. 6 is a process cross-sectional view of the electrodeposition process of the functional layer 6 in the process of manufacturing the display device 1 according to the present embodiment.
  • the display device 1 according to the present embodiment can be manufactured by the same manufacturing method as the display device 1 according to the previous embodiment.
  • FIG. 6A illustrates a step of forming a second functional layer 6G by applying a voltage to the first electrode 4 to apply the material of the solution S to the first electrode 4 in step S23.
  • FIG. 6A an electric field is generated also between the electrodeposition electrode 12 adjacent to the inside of the slit 4S and the toothed portion 4L. Therefore, as shown in FIG. 6B, a second functional layer 6G having a convex portion 6A even at a position overlapping with the end of the toothed portion 4L adjacent to the slit 4S is obtained.
  • the first functional layer 6R, the third functional layer 6B, and the common functional layer 6D may be formed by the same procedure as described above.
  • the first electrode 4 since the first electrode 4 has a comb-teeth shape, the distance between the first electrode 4 and the nearest end is shorter at any position. Therefore, in the electrodeposition step, the difference between the electric field strength at the center of the first electrode 4 far from the end of the first electrode 4 and the electric field strength at the end of the first electrode 4 is reduced. Therefore, it is possible to reduce the thickness of the functional layer 6 from being extremely thin in the central portion with the first electrode 4.
  • FIG. 7A is a top view of the display device 1 according to the present embodiment at a position corresponding to FIG. 1B.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view of the display device 1 according to the present embodiment at a position corresponding to FIG. 1C.
  • the display device 1 according to the present embodiment is different from the display device 1 according to the first embodiment in that each island-shaped first electrode 4 includes a plurality of first electrodes 4A and first electrodes 4B. Are different. Accordingly, each of the first electrode 4A and the first electrode 4B has a contact portion 4H, and is electrically connected to a transistor of the individual TFT layer 2. Except for the above points, the display device 1 according to the present embodiment has the same configuration as the display device 1 according to the first embodiment.
  • the first electrode 4A and the first electrode 4B are electrically separated from each other. Further, the functional layer 6 also has a protrusion 6C at a position overlapping with the end of the adjacent first electrode 4A and first electrode 4B.
  • FIG. 8 is a process sectional view of the electrodeposition process of the functional layer 6 in the process of manufacturing the display device 1 according to the present embodiment.
  • the display device 1 according to the present embodiment can be manufactured by the same manufacturing method as the display device 1 according to the first embodiment.
  • steps S3 and S4 the first electrode 4A, the first electrode 4B, and the electrodeposition electrode 12 are formed at once by forming a metal film over the entire upper surface of the insulating film 10 and patterning the metal film. It may be realized by doing.
  • step S23 a step of applying a voltage for causing the material of the solution S to be adsorbed to the first electrode 4A is performed on the first electrode 4A to form the second functional layer 6G. Is shown. In this case, a voltage having the same polarity as that of the electrode 12 may be applied to the first electrode 4B.
  • the polarities of voltages applied to the first electrode 4A, the first electrode 4B, and the electrodeposition electrode 12 are exchanged. Therefore, as shown in FIG. 8B, the direction of the electric field is reversed from that in the case of FIG. 8A, and the material of the solution S is adsorbed on the first electrode 4B.
  • the second functional layer 6G is also formed in the first electrode 4B.
  • the first functional layer 6R, the third functional layer 6B, and the common functional layer 6D may be formed by the same procedure as described above.
  • FIG. 9 is a top view showing another example of the shape of the first electrode 4 in the present embodiment.
  • FIGS. 9A to 9C are enlarged top views in the vicinity of the second pixel PG in FIG. 7A.
  • the first electrode 4 may include, for example, a first electrode 4A and a first electrode 4B having a comb shape as shown in FIG. In this case, as shown in FIG. 9A, the toothed portions 4L of the first electrode 4A and the first electrode 4B enter between the slits 4S of the first electrode 4A and the first electrode 4B. It may be shaped.
  • the first electrode 4 may include the first electrode 4B at a position surrounding the first electrode 4A having a rectangular shape, for example, as shown in FIG. 9B. Further, the first electrode 4 may include, for example, as shown in FIG. 9C, a first electrode 4C and a first electrode 4D in addition to the first electrode 4A and the first electrode 4B. In this case, the first electrode 4C and the first electrode 4D may be individually connected to the transistors of the TFT layer 2.
  • the distance between the first electrode 4 and the closest end portion becomes shorter at any position.
  • the electric field between the first electrode 4 and the electrode 12 in the electrodeposition step becomes small, for example, in the center of the first electrode 4 far from the end of the first electrode 4.
  • the thickness of the functional layer 6 can be prevented from being extremely thin.
  • the display device 1 according to the present embodiment has an increased area of the first electrode 4 as compared with the display device 1 according to the previous embodiment. Therefore, the area of the functional layer 6 that overlaps with the first electrode 4 is improved, so that the area of the functional layer 6 that contributes to light emission can be increased, and luminous efficiency can be increased.
  • the first electrode 4A and the first electrode 4B are connected to separate transistors, the first electrode 4A and the first electrode 4B can be driven individually. For this reason, by driving the first electrode 4A and the first electrode 4B individually in one sub-pixel of the display device 1, the area gradation of the sub-pixel can be achieved when the display device 1 is used. The gradation value of the sub-pixel can be controlled finely.
  • FIG. 10A is a top view of the display device 1 according to the present embodiment at a position corresponding to FIG. 1B.
  • FIG. 10B is a cross-sectional view of the display device 1 according to the present embodiment at a position corresponding to FIG.
  • the display device 1 according to the present embodiment includes an electrodeposition electrode 12 between the TFT layer 2 and the first electrode 4 with an insulating film 10 interposed therebetween, as compared with the display device 1 according to the first embodiment. Further, the electrodeposition electrode 12 overlaps the entire periphery of each first electrode 4. Except for the above points, the display device 1 according to the present embodiment has the same configuration as the display device 1 according to the first embodiment.
  • the electrodeposition electrode 12 overlaps with the gap between the plurality of first electrodes 4 in the lower layer of the first electrode 4 opposite to the functional layer 6 in the direction perpendicular to the substrate surface.
  • the insulating film 10 includes a first insulating film 10A and a second insulating film 10B which are stacked in this order.
  • the electrodeposition electrode 12 is formed between the first insulating film 10A and the second insulating film 10B.
  • the contact portion 4H is formed inside a contact hole formed in the insulating film 10.
  • the contact part 4H and the electrodeposition electrode 12 are electrically insulated by the insulating film 10.
  • Step S31 the TFT layer 2 is formed (Step S31).
  • Step S31 may be performed similarly to step S1.
  • the first insulating film 10A is formed on the upper surface of the TFT layer 2 (Step S32).
  • the electrodeposition electrode 12 is formed on the upper surface of the first insulating film 10A (Step S33).
  • a second insulating film 10B is formed on the upper surface of the electrodeposition electrode 12 (Step S34).
  • Steps S32 and S34 may be performed in the same manner as step S2.
  • Step S33 may be performed by forming a metal film on the upper surface of the first insulating film 10A and then providing an opening in the metal film at a position where the contact portion 4H is formed.
  • a contact hole in which the contact portion 4H is formed may be formed by providing an opening of the insulating film 10 at a position overlapping with the opening of the electrodeposition electrode 12.
  • Step S35 a plurality of first electrodes 4 are formed at positions including the contact holes of the insulating film 10 and the electrodeposition electrode 12 (Step S35). Step S35 may be performed similarly to step S3. Next, the functional layer 6 is formed (Step S36).
  • step S36 as in step S5, by applying an appropriate voltage to the first electrode 4 and the electrodeposition electrode 12 in the solution S, the material of the solution S is adsorbed to the first electrode 4. Be executed.
  • step S36 as shown in FIG. 12A, an electric field is generated between the first electrode 4 and the electrodepositing electrode 12 via the second insulating film 10B. Since the electrodeposition electrode 12 overlaps the entire periphery of the end of the first electrode 4, electric field concentration occurs at the end of the first electrode 4 also in step S ⁇ b> 36. For this reason, as shown in FIG. 12B, a second functional layer 6G having a protrusion 6A at a position overlapping the end of the first electrode 4 is obtained. Thereafter, the first functional layer 6R, the third functional layer 6B, and the common functional layer 6D may be formed by the same procedure as described above. Next, a second electrode is formed (Step S37). Thus, the display device 1 shown in FIG. 10 is obtained.
  • the electrodeposition electrode 12 does not directly contact the solution S in step S36. For this reason, deterioration of the electrodeposition electrode 12 in the electrodeposition step can be reduced. Further, since the electrodeposition electrode 12 is formed between the first insulating film 10A and the second insulating film 10B, unnecessary electrical conduction between the electrodeposition electrode 12 and another metal layer can be reduced.
  • each first electrode 4 may have a comb shape as shown in FIG. Further, each first electrode 4 may be composed of a plurality of electrodes as shown in FIGS.
  • the electrodeposition electrode 12 overlaps the entire circumference of each first electrode 4, but is not limited to this, and the electrodeposition electrode 12 is at least the gap between the first electrodes 4.
  • the display device 1 has the above-described effect.
  • the electrodeposition electrode 12 overlaps with the entire circumference of each first electrode 4, the thick film portion 6T of the functional layer 6 can be efficiently formed over the entire circumference of each first electrode 4. .
  • FIG. 13A is a top view of the display device 1 according to the present embodiment at a position corresponding to FIG. 1B.
  • FIG. 13B is a cross-sectional view of the display device 1 according to the present embodiment at a position corresponding to FIG.
  • the display device 1 according to the present embodiment further includes a bank 14 at a position surrounding each first electrode 4 on the upper surface of the insulating film 10 as compared with the display device 1 according to the first embodiment.
  • the electrode 12 is formed at a position covering the top and side surfaces of the bank 14. Except for the above points, the display device 1 according to the present embodiment has the same configuration as the display device 1 according to the first embodiment.
  • the bank 14 may be an organic film having electrical insulation, and may define the position of each sub-pixel by separating the first electrodes 4 from each other. Although the electrodeposition electrode 12 and the bank 14 are in contact with each other, the electrodeposition electrode 12 and the bank 14 are electrically separated from other metal layers including the first electrode 4 and the like.
  • Steps S41 and S42 are formed (Steps S41 and S42). Steps S41 and S42 may be executed similarly to steps S1 and S2, respectively.
  • the banks 14 are formed on the upper surface of the insulating film 10 (Step S43).
  • the bank 14 shown in FIG. 15A may be formed by applying the material of the bank 14 by an ink jet method or the like and then patterning the material using photolithography.
  • the first electrode 4 is formed on the upper surface of the insulating film 10 surrounded by the bank 14 (Step S44).
  • the electrodeposition electrode 12 is formed on the upper surface and the side surface of the bank 14 (Step S45).
  • steps S44 and S45 the first electrode 4 and the electrodeposition electrode 12 are formed at once by forming a metal film over the entire upper surface of the insulating film 10 and over the upper surface and side surfaces of the bank 14, and patterning the metal film. It may be realized by forming. Thus, the first electrode 4 and the electrodeposition electrode 12 shown in FIG. 15B are formed.
  • Step S46 the functional layer 6 is formed (Step S46).
  • step S46 as shown in (c) of FIG. 15, by applying an appropriate voltage to the first electrode 4 and the electrodeposition electrode 12 in the solution S, as in step S5, the solution S This is performed by adsorbing a material to the first electrode 4.
  • the electrodeposition electrode 12 is provided between the bank 14 and the functional layer 6. That is, in the present embodiment, similarly to the bank 14, the electrodeposition electrode 12 is formed so as to be adjacent to the entire periphery of the end of the first electrode 4. Therefore, also in step S46, electric field concentration occurs at the end of the first electrode 4. For this reason, as shown in FIG. 15D, a second functional layer 6G having a protrusion 6A at a position overlapping the end of the first electrode 4 is obtained. Thereafter, the first functional layer 6R, the third functional layer 6B, and the common functional layer 6D may be formed by the same procedure as described above. Next, a second electrode is formed (Step S37). Thus, the display device 1 shown in FIG. 13 is obtained.
  • the banks 14 are formed at positions surrounding the entire periphery of each first electrode 4, and the electrodeposition electrodes 12 are formed on the upper surface and side surfaces of the banks 14. For this reason, when the display device 1 is used, the light emitted from the functional layer 6 is reflected on the electrodeposition electrode 12, so that the efficiency of extracting light emitted from the light emitting element is improved.
  • each first electrode 4 may have a comb shape as shown in FIG. Further, each first electrode 4 may be composed of a plurality of electrodes as shown in FIGS.
  • the electrodeposition electrode 12 faces the entire circumference of each first electrode 4, but is not limited to this, and the electrodeposition electrode 12 is at least one of the outer circumferences of each first electrode 4.
  • the display device 1 has the above-described effects by being opposed to the unit.
  • the bank 14 may be formed so as to surround at least a part of the periphery of each first electrode.
  • the electrodeposition electrode 12 faces the entire circumference of each first electrode 4, the thick film portion 6T of the functional layer 6 can be efficiently formed over the entire circumference of each first electrode 4. . Further, since the electrodepositing electrode 12 and the bank 14 are formed at positions surrounding the entire periphery of each first electrode, the efficiency of extracting light emitted from the light emitting element can be more efficiently improved.
  • FIG. 16A is a top view of the display device 1 according to the present modification at a position corresponding to FIG. 1B.
  • FIG. 16B is a cross-sectional view of the display device 1 according to the present modification at a position corresponding to FIG.
  • the display device 1 according to the present modification includes an electrodeposition electrode 12 at a position surrounding each first electrode 4 on the upper surface of the insulating film 10 as compared with the display device 1 according to the present embodiment.
  • a bank 14 is formed at a position that covers the upper surface and side surfaces of the bank 12. Except for the above points, the display device 1 according to the present modification has the same configuration as the display device 1 according to the present embodiment.
  • the display device 1 according to the present modification may be manufactured by replacing step S43 with steps S44 and S45 in the method for manufacturing the display device 1 according to the present embodiment.
  • the display device 1 according to this modification includes the electrodeposition electrode 12 inside the bank 14. For this reason, the display device 1 according to the present modification example can reduce the deterioration of the electrodeposition electrode 12 in the electrodeposition step, and can further reduce the electrodeposition electrode 12 and other metal layers, similarly to the display device 1 according to the previous embodiment. Unnecessary electrical continuity with the device can be reduced.
  • FIG. 17A is a schematic top view of the display device 1 according to the present embodiment.
  • 17B is an enlarged view of a region A in FIG. 17A
  • FIG. 17C is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 17B. . 17B, the functional layer 6 and the second electrode 8 are not shown.
  • the display device 1 includes a column driver CD and a row driver LD in the frame area NA as shown in FIG.
  • the column driver CD is formed at a position along one side of the rectangular display area DA which is horizontal to the row direction
  • the row driver LD is formed at a position along one side of the display area DA which is horizontal to the column direction.
  • the display device 1 includes a plurality of first electrodes 4 and a plurality of second electrodes 8 in the display area DA, as shown in FIG.
  • the first electrodes 4 are each formed along a column direction of the display area DA, and the second electrodes 8 are formed commonly along a plurality of first electrodes 4 along a row direction of the display area DA. You. In FIG. 17A, the first electrode 4 and the second electrode 8 are particularly emphasized.
  • the column driver CD and the row driver LD each include a plurality of transistors. Each transistor of the column driver CD is connected to each first electrode 4, and each transistor of the row driver LD is connected to each second electrode 8.
  • the column driver CD and the row driver LD can individually apply a voltage to any of the plurality of first electrodes 4 and the plurality of second electrodes 8 by controlling the respective transistors.
  • the display device 1 is a passive matrix type display device.
  • the display device 1 includes a plurality of first electrodes 4 and a functional layer 6 on a base film 16 with an insulating film 10 interposed therebetween. And a plurality of second electrodes 8 which are stacked in this order. Electrodeposition electrodes 12 are formed on the upper surface of the insulating film 10 between the plurality of first electrodes 4.
  • the base film 16 does not have to include a transistor connected to each first electrode 4 like the TFT layer 2. Accordingly, unlike the above-described embodiments, the contact hole in which the contact portion 4H is formed may not be formed in the insulating film 10.
  • the display device 1 according to the present embodiment may be obtained by the manufacturing method illustrated in the flowchart of FIG. 2, similarly to the method of manufacturing the display device 1 according to the first embodiment.
  • a base film 16 is formed instead of the TFT layer 2.
  • a column driver CD may be formed together.
  • a row driver LD may be formed together.
  • step S5 the functional layer 6 is formed by the electrodeposition method shown in the flowchart of FIG. Also in the present embodiment, the electrodeposition is performed using the horizontal electric field generated between the first electrode 4 and the electrodeposition electrode 12 formed between the plurality of first electrodes 4. For this reason, the functional layer 6 having the protrusion 6C at a position overlapping the end of each first electrode 4 is obtained.
  • the display device 1 according to the present embodiment has the same effects as the display device 1 according to the above-described embodiments. Further, the display device 1 according to the present embodiment can be applied to a passive matrix type display device. Therefore, there is no need to form a complicated circuit such as the TFT layer 2 below the first electrode 4 or the like, and the display device 1 can be manufactured more easily.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of a display device 1 according to another modification at a position corresponding to FIG.
  • the display device 1 according to the present modification has the same configuration as the display device 1 according to the first embodiment except that the common function layer 6D is not formed.
  • the second electrode 8 is formed directly on the first functional layer 6R, the second functional layer 6G, and the third functional layer 6B, which are individually formed for each pixel. For this reason, the second electrode 8 is in contact with the electrodeposition electrode 12.
  • the display device 1 according to the present modification is obtained by the same manufacturing method as the manufacturing method of the display device 1 according to the first embodiment by omitting the formation of the common function layer 6D in step S5 of the flowchart illustrated in FIG. You may be. That is, the first functional layer 6R, the second functional layer 6G, and the third functional layer 6B can be manufactured by the same method as the electrodeposition method shown in FIG.
  • the display device 1 according to this modification has the same effects as those of the above-described embodiments. Furthermore, since the common function layer 6D is not formed, the manufacturing process of the display device 1 according to the present modification can be further simplified.
  • FIG. 19 is a block diagram showing a display device manufacturing apparatus 20 used in the manufacturing process of the display device 1 in each of the above-described embodiments.
  • the display device manufacturing apparatus 20 includes a controller 22 and a film forming apparatus 24.
  • the controller 22 may control the film forming apparatus 24.
  • the film forming apparatus 24 may execute film formation of each layer of the display device 1.
  • the film forming device 24 may include an electrodeposition tank and an electrodeposition device.
  • the display device 1 may include a display panel having a flexible and bendable display element.
  • the display elements include a display element whose luminance and transmittance are controlled by a current, and a display element whose luminance and transmittance are controlled by a voltage.
  • the display device 1 according to each embodiment described above may include an OLED (Organic Light Emitting Diode) as a current control display element.
  • the display device according to the present embodiment may be an organic EL (Electro Luminescence) display.
  • the display device 1 according to each of the above embodiments may include an inorganic light emitting diode as a current control display element.
  • the display device according to the present embodiment may be a QLED display including an EL display QLED (quantum dot light emitting diode) such as an inorganic EL display.
  • a display element for voltage control there is a liquid crystal display element or the like.
  • the display device of aspect 1 is a display device including a plurality of first electrodes, a functional layer, and a second electrode common to the plurality of first electrodes, which are stacked in this order, wherein the plurality of first electrodes, the functional layer, and the second electrode are stacked in this order. At least a part of the outer periphery of one electrode is opposed in the direction parallel to the substrate surface, or on the side of the first electrode opposite to the functional layer, in the direction perpendicular to the gap between the plurality of first electrodes and the substrate surface. An electrodeposition electrode for superposition is provided.
  • a thickness at a position overlapping with an end of the first electrode is different from a center of the first electrode. It is thicker than the thickness at the overlapping position.
  • the first electrode further includes an insulating film on a side opposite to the functional layer, and further includes a TFT layer on the opposite side of the insulating film from the first electrode, wherein the insulating film includes: A contact hole is provided at a position overlapping an end of the first electrode, the first electrode is electrically connected to a transistor in the TFT layer via the contact hole, and the first electrode is connected to the first electrode.
  • the thickness at a position overlapping the contact hole is larger than the thickness at a position overlapping the center of the first electrode.
  • the electrodeposition electrode is provided between the TFT layer and the first electrode with the insulating film interposed therebetween, and the electrodeposition electrode overlaps at least a part of the outer periphery of the first electrode. I do.
  • the electrodeposition electrode overlaps the entire periphery of the first electrode.
  • the electrodeposition electrode is made of the same material as the first electrode, the electrodeposition electrode is provided on the same layer as the first electrode, and at least an end of the electrodeposition electrode and the first electrode is provided. Some are opposed.
  • a bank surrounding at least a part of the periphery of the first electrode is further provided, and the electrodeposition electrode overlaps at least a part of the bank.
  • the electrodeposition electrode is provided between the bank and the functional layer.
  • the electrodeposition electrode is provided inside the bank.
  • the first electrode has a comb shape.
  • a plurality of sub-pixels are provided for each of the plurality of first electrodes, and a plurality of the first electrodes are provided for each of the sub-pixels.
  • the electrodeposition electrode is connected to a power supply voltage connected to the first electrode or the second electrode.
  • the method for manufacturing a display device is a method for manufacturing a display device including a plurality of first electrodes, a functional layer, and a second electrode common to the plurality of first electrodes, which are stacked in this order. And at least a part of the outer periphery of the plurality of first electrodes in a direction parallel to the substrate surface, or on the side of the first electrode opposite to the functional layer, and a gap between the plurality of first electrodes.
  • Embodiment 14 includes an electrodeposition step of forming at least a part of the functional layer by an electrodeposition method using an electric field generated between at least a part of the plurality of first electrodes and the electrodeposition electrode. .
  • the display device manufacturing apparatus is a display device manufacturing apparatus including a plurality of first electrodes, a functional layer, and a second electrode common to the plurality of first electrodes, which are stacked in this order. And at least a part of the outer periphery of the plurality of first electrodes in a direction parallel to the substrate surface, or on the side of the first electrode opposite to the functional layer, and a gap between the plurality of first electrodes.
  • a film forming apparatus for forming an electrodeposition electrode that overlaps in a direction perpendicular to the substrate surface is provided.

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Abstract

表示デバイス（１）は、複数の第１電極（４）と、機能層（６）と、前記複数の第１電極に共通の第２電極（８）とを、この順に積層して備える。さらに、前記表示デバイスは、前記複数の第１電極の外周の少なくとも一部と、基板面の平行方向において対向する、または、前記第１電極の、前記機能層と反対側において、前記複数の第１電極の間隙と基板面の垂直方向において重畳する、電着用電極（１２）を備える。

Description

表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
　本発明は、発光素子を備えた表示デバイスに関する。
　特許文献１には、有機発光素子の製造において、膜厚が略均一である有機発光層を電着法によって形成する方法が開示されている。
日本国再公表特許公報「国際公開番号ＷＯ２００５／０１３６４５」
　特許文献１に記載の技術においては、上記電着法のために、別途白金電極等の対向電極が必要であり、成膜工程の煩雑化につながる。
　上記課題を解決するために、本発明の表示デバイスは、複数の第１電極と、機能層と、前記複数の第１電極に共通の第２電極とを、この順に積層して備えた表示デバイスであって、前記複数の第１電極の外周の少なくとも一部と、基板面の平行方向において対向する、または、前記第１電極の、前記機能層と反対側において、前記複数の第１電極の間隙と基板面の垂直方向において重畳する、電着用電極を備える。
　また、上記課題を解決するために、本発明の表示デバイスの製造方法は、複数の第１電極と、機能層と、前記複数の第１電極に共通の第２電極とを、この順に積層して備えた表示デバイスの製造方法であって、前記複数の第１電極の外周の少なくとも一部と、基板面の平行方向において対向する、または、前記第１電極の、前記機能層と反対側において、前記複数の第１電極の間隙と基板面の垂直方向において重畳する、電着用電極を形成する電着用電極形成工程を備える。
　また、上記課題を解決するために、本発明の表示デバイスの製造装置は、複数の第１電極と、機能層と、前記複数の第１電極に共通の第２電極とを、この順に積層して備えた表示デバイスの製造装置であって、前記複数の第１電極の外周の少なくとも一部と、基板面の平行方向において対向する、または、前記第１電極の、前記機能層と反対側において、前記複数の第１電極の間隙と基板面の垂直方向において重畳する、電着用電極を形成する成膜装置を備える。
　上記構成により、表示デバイスの製造において、電着法による成膜工程の煩雑化を低減できる。
本発明の実施形態１に係る表示デバイスの概略上面図および概略断面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの機能層の製造方法の１例を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの機能層の製造方法の１例を説明するための工程断面図である。 本発明の実施形態２に係る表示デバイスの概略上面図および概略断面図である。 本発明の実施形態２に係る表示デバイスの機能層の製造方法の１例を説明するための工程断面図である。 本発明の実施形態３に係る表示デバイスの概略上面図および概略断面図である。 本発明の実施形態３に係る表示デバイスの機能層の製造方法の１例を説明するための工程断面図である。 本発明の実施形態３に係る表示デバイスの画素電極のパターンの例である。 本発明の実施形態４に係る表示デバイスの概略上面図および概略断面図である。 本発明の実施形態４に係る表示デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態４に係る表示デバイスの機能層の製造方法の１例を説明するための工程断面図である。 本発明の実施形態５に係る表示デバイスの概略上面図および概略断面図である。 本発明の実施形態５に係る表示デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態５に係る表示デバイスのバンク層と電着電極と機能層との製造方法の１例を説明するための工程断面図である。 本発明の変形例に係る表示デバイスの概略上面図および概略断面図である。 本発明の実施形態６に係る表示デバイスの概略上面図および概略断面図である。 本発明の他の変形例に係る表示デバイスの概略断面図である。 本発明の各実施形態および変形例に係る表示デバイスの製造装置のブロック図である。
　〔実施形態１〕
　図１の（ａ）は、本実施形態に係る表示デバイス１の概略上面図である。図１の（ｂ）は、図１の（ａ）における、領域Ａの拡大図であり、図１の（ｃ）は、図１の（ｂ）における、Ｂ－Ｂ線矢視断面図である。なお、図示の簡単のために、図１の（ｂ）においては、後に詳述する機能層６および第２電極８の図示を行っていない。
　図１の（ａ）に示すように、本実施形態に係る表示デバイス１は、表示に寄与する表示領域ＤＡと、当該表示領域ＤＡの周囲を囲う額縁領域ＮＡとを備える。額縁領域ＮＡにおいては、後に詳述する表示デバイス１の発光素子を駆動するための信号が入力される端子Ｔが形成されていてもよい。
　平面視において表示領域ＤＡと重畳する位置において、図１の（ｃ）に示すように、本実施形態に係る表示デバイス１は、図示しないＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成されたＴＦＴ層２を備える。また、表示デバイス１は、ＴＦＴ層２上に、複数の第１電極４と、機能層６と、複数の第１電極４に共通の第２電極８とを、この順に積層して備える。なお、本明細書においては、表示デバイス１の第１電極４から第２電極８への方向を「上方向」として記載する。
　また、表示デバイス１は、ＴＦＴ層２と第１電極４との間に、絶縁膜１０を備える。各第１電極４は、絶縁膜１０のコンタクトホール内に形成されたコンタクト部４Ｈを介して、ＴＦＴ層２が備える各トランジスタと電気的に接続する。
　第１電極４は、ＴＦＴ層２上に複数島状に形成される。表示デバイス１は、第１電極４ごとに副画素を備えている。本実施形態においては、表示デバイス１は、第１画素ＰＲと、第２画素ＰＧと、第３画素ＰＢとを、副画素として、それぞれ複数備えている。
　本実施形態において、機能層６は、第１電極４の上層に、画素ごとに個別に形成された、第１機能層６Ｒ、第２機能層６Ｇ、および第３機能層６Ｂと、複数の画素に共通して形成された共通機能層６Ｄとを備える。画素ごとに個別に形成された個別機能層として、第１画素ＰＲにおいては、第１機能層６Ｒが、第２画素ＰＧにおいては、第２機能層６Ｇが、第３画素ＰＢにおいては、第３機能層６Ｂが、それぞれ形成されている。
　本実施形態において、機能層６の内、第１機能層６Ｒ、第２機能層６Ｇ、および第３機能層６Ｂは、第１電極４および第２電極８から輸送された正孔および電子の再結合により、光を発する発光層であってもよい。この場合、第１機能層６Ｒは赤色光を発する赤色発光層であってもよく、第２機能層６Ｇが緑色光を発する緑色発光層であってもよく、第３機能層６Ｂが青色光を発する青色発光層であってもよい。
　ここで、青色光とは、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光である。また、緑色光とは、５００ｎｍ超６００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光のことである。また、赤色光とは、６００ｎｍ超７８０ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光のことである。
　第２電極８は、機能層６を介して複数の第１電極４と対向し、複数の第１電極４に共通して形成されている。第１電極４から第２電極８の各層によって、副画素ごとに、発光素子が形成され、ＴＦＴ層２が備えるトランジスタが駆動されることにより、発光素子が駆動される。当該発光素子のそれぞれが、図１の（ｂ）および（ｃ）に示す、第１画素ＰＲ、第２画素ＰＧ、および第３画素ＰＢを形成してもよい。また、複数の第１電極４は陽極であってもよく、第２電極８は陰極であってもよい。
　なお、本実施形態においては、機能層６が、第２電極８と、第１機能層６Ｒ、第２機能層６Ｇ、および第３機能層６Ｂとの間において、複数の第１電極に共通の共通機能層６Ｄを備えている。しかしながら、本実施形態はこれに限られず、第１電極４と、第１機能層６Ｒ、第２機能層６Ｇ、および第３機能層６Ｂとの間において、複数の第１電極に共通の共通機能層６Ｄを備えていてもよい。例えば、共通機能層６Ｄは、陽極である第１電極４からの正孔を、個別機能層へ輸送する、正孔輸送層であってもよく、陰極である第２電極８からの電子を、個別機能層へ輸送する、電子輸送層であってもよい。
　本実施形態において、第１機能層６Ｒ、第２機能層６Ｇ、および第３機能層６Ｂは、周囲と比較して膜厚が大きい凸部６Ａを備える。さらに、共通機能層６Ｄは、凸部６Ａの形状を反映した、凸部６Ｃを備える。このため、機能層６は、平面視において、凸部６Ｃと重畳する位置に、機能層６の他の位置と比較して膜厚が大きい厚膜部６Ｔを備える。
　厚膜部６Ｔは、図１の（ｂ）において、１点鎖線にて示す位置、すなわち、平面視において、点線にて示す第１電極４の端部４Ｅと重畳する位置を含む位置に形成される。特に、本実施形態において、厚膜部６Ｔは、平面視において、第１電極４の端部４Ｅの全周と重畳する位置に形成されている。
　本実施形態においては、凸部６Ｃの形状が、機能層６よりも上層の形状に伝搬してもよい。例えば、図１の（ｃ）に示すように、凸部６Ｃの形状が第２電極８の形状に伝搬していてもよく、第２電極８は、平面視における、厚膜部６Ｔと重畳する位置において、凸部８Ｃを有していてもよい。
　ここで、第１電極４の端部の上面から第２電極８の下面までの機能層６の膜厚をｄ１、第１電極４の中心部の上面から第２電極８の下面までの機能層６の膜厚をｄ２とする。本実施形態において、厚膜部６Ｔが、平面視において、第１電極４の端部と重畳する位置に形成されていることから、ｄ１はｄ２よりも大きい。したがって、機能層６は、平面視において、複数の第１電極４の端部の少なくとも一部と重畳する位置における膜厚が、平面視において、複数の第１電極４の中心部と重畳する位置における膜厚よりも大きい。なお、コンタクト部４Ｈは、平面視において、厚膜部６Ｔと重畳する位置に形成されている。
　さらに、本実施形態において、表示デバイス１は、複数の第１電極４の外周の少なくとも一部と、基板面の平行方向において対向する電着用電極１２を、第１電極４と同一の層に備える。本実施形態において、電着用電極１２は、ＴＦＴ層２、第１電極４、および第２電極８から、電気的に遊離している。本実施形態において、電着用電極１２は、第１電極４と同一の材料から構成されていてもよい。また、電着用電極１２は、独立して、第１電極４または第２電極８が接続する電源電圧に接続されていてもよい。また、第１機能層６Ｒ、第２機能層６Ｇ、および第３機能層６Ｂは、電着用電極１２と接していないが、共通機能層６Ｄは、電着用電極１２と接する位置においても形成されている。
　本実施形態に係る表示デバイス１の製造方法について、図２のフローチャートを参照して説明する。
　はじめに、ＴＦＴ層２を形成する（ステップＳ１）。ＴＦＴ層２は、従来公知の手法によって形成されてもよく、図示しない大判のマザーガラス基板上に形成されてもよい。また、ステップＳ１におけるＴＦＴ層２のトランジスタの各電極の形成と併せて、額縁領域ＮＡにおける端子Ｔおよび表示領域ＤＡから端子Ｔへと引き出された配線等を形成してもよい。また、ＴＦＴ層２から、上述のマザーガラス基板の外周部へと引き出された配線等を形成しても良い。
　次いで、ＴＦＴ層２の上層に絶縁膜１０を形成する（ステップＳ２）。ステップＳ２において、フォトリソグラフィを使用したパターニング等により、第１電極４のコンタクト部４Ｈが形成されるコンタクトホールを形成してもよい。
　次いで、絶縁膜１０の上面において、絶縁膜１０のコンタクトホールを含む位置に、複数の第１電極４を形成する（ステップＳ３）。ステップＳ３において、スパッタ法等により金属膜を形成し、フォトリソグラフィを併用した、当該金属膜のエッチングによりパターニングすることにより、複数の第１電極４を得てもよい。
　次いで、第１電極４の外周の少なくとも一部と、基板面の平行方向において対向するように、電着用電極１２を第１電極４と同階層に形成する（ステップＳ４）。ここで、本実施形態のように、第１電極４と電着用電極１２とが、同一の材料からなる場合、ステップＳ３とＳ４とは同時に実行されてもよい。例えば、ステップＳ３とＳ４とは、絶縁膜１０の上面全面にわたって金属膜を形成し、当該金属膜をパターニングすることにより、一度に第１電極４と電着用電極１２とを形成することにより実現してもよい。
　次いで、機能層６を形成する（ステップＳ５）。本実施形態においては、機能層６の内、個別機能層である第１機能層６Ｒ、第２機能層６Ｇ、および第３機能層６Ｂの製造方法として、電着法を採用する。
　ここで、凸部６Ａを有する第２機能層６Ｇを形成するための電着法の１例について、図３に示すフローチャートと、図４に示す工程断面図とを用いて説明する。なお、図４を含む、本明細書における工程断面図は、何れも図１の（ｃ）に対応する位置における工程断面図である。
　はじめに、図４の（ａ）に示す、ステップＳ４までを実行して得られた構造体を、図４の（ｂ）に示すように、機能層６のうちの何れかの層の材料が溶解した、電着槽中の溶液Ｓに浸漬する（ステップＳ２１）。図４において、溶液Ｓには、第２機能層６Ｇの材料が溶解している。なお、ステップＳ２１に先立って、例えば、図４の（ａ）に示す構造体の上面に対する、紫外線の照射により、当該構造体の親水化処理を実行してもよい。
　ここで、第２機能層６Ｇの材料は官能基を有し、当該官能基は正または負の何れかに帯電している。本実施形態においては、第２機能層６Ｇの材料の官能基が帯電している極性を、第２機能層６Ｇの材料の極性とみなす。
　この状態において、第２機能層６Ｇの電着を実行し、第２機能層６Ｇの材料を第１電極４に吸着させる（ステップＳ２２）。ステップＳ２２においては、はじめに、第１電極４に対し電圧を印加し、溶液Ｓの材料の極性と反対の極性の電圧を印加する。電圧の印加は、ＴＦＴ層２のＴＦＴを介して行ってもよい。
　ここで、電着用電極１２に対し、溶液Ｓの材料の極性と同じ極性の電圧を印加してもよい。電着用電極１２に対する電圧の印加は、外部の装置を介して実行してもよく、ＴＦＴ層２のＴＦＴを介して実行してもよい。後者の場合、絶縁膜１０のコンタクトホールの内部に形成されたコンタクト部を介して、ＴＦＴ層２のＴＦＴと電着用電極１２とが電気的に接続されていてもよい。
　上述の電圧印加により、図４の（ｂ）に示すように、第１電極４と電着用電極１２との間に電界が発生する。すなわち、本実施形態における電着工程は、第１電極４と電着用電極１２との間に生じる電界を用いた、横電界電着である。本実施形態の場合、クーロン相互作用により溶液Ｓの材料が泳動し、第１電極４に溶液Ｓの材料が吸着される。したがって、図４の（ｃ）に示すように、第１電極４にのみ、第２機能層６Ｇが形成される。
　この際、電着用電極１２との距離が短い、第１電極４の端部において、電界集中が発生する。電界が集中する第１電極４の端部には、第１電極４の中央部よりも多くの溶液Ｓの材料が吸着する。このため、図４の（ｃ）に示すように、各第１電極４の端部に凸部６Ａが形成される。また、電圧が印加されない第１電極４の上面には、材料の吸着が発生しないため、第２機能層６Ｇは、第１電極４ごとに島状に形成される。
　次いで、図４の（ｄ）に示すように、第２機能層６Ｇが形成された基板を溶液Ｓ中から取り出し、例えば、ｎ－ヘキサン等により洗浄する（ステップＳ２３）。これにより、第２機能層６Ｇを形成するための電着工程が完了する。この後、別の材料の溶液に基板を浸漬した状態において他の個別機能層の一部を電着してもよい。本実施形態においては、この後、残る第１機能層６Ｒおよび第３機能層６Ｂの電着が完了するまで、上述の電着工程を繰り返すことにより、凸部６Ａの形成と併せて、機能層６の個別機能層のパターニングが実行できる。
　この後、共通機能層６Ｄを、蒸着法等により、複数の第１電極４に共通して形成することにより、機能層６の形成工程が完了し、ステップＳ５が完了する。この際、共通機能層６Ｄは、下層の凸部６Ａの形状を反映するため、凸部６Ｃが、共通機能層６Ｄの形成と併せて形成される。
　全ての機能層６の電着が完了した後、第２電極８を機能層６の上面に形成する（ステップＳ６）。これにより、図１に示す表示デバイス１が得られる。
　ここで、上述した各製造方法によって得られた積層体が、大判のマザーガラス基板上に形成された場合、マザーガラス基板とともに当該積層体を切断することにより、当該積層体を個々の表示デバイス１に個片化してもよい。また、表示デバイス１をマザーガラス基板から剥離し、基材フィルム等を貼り付けることにより、フレキシブルな表示デバイス１を実現してもよい。
　本実施形態においては、第１電極４と電着用電極１２との間に生じる電界を用いた、横電界電着により、機能層６の一部が形成される。このため、機能層６の電着工程に、別途白金電極等の対向電極を用意する必要がなく、表示デバイス１の製造工程が簡素化される。本実施形態においては、第１電極４と電着用電極１２とが同層であり、かつ、同一の材料から構成される。このため、第１電極４と電着用電極１２とを同一の工程にて一度に形成することができ、製造工程がより簡素化される。
　また、上述の横電界電着により機能層６の一部を形成することにより、第１電極４の端部と重畳する位置における、機能層６の膜厚を、他の位置における膜厚よりも厚くできる。このため、表示デバイス１の各副画素における発光素子の駆動時において、各第１電極４の端部における電界集中が改善される。
　また、本実施形態においては、図１の（ｃ）に示すように、絶縁膜１０のコンタクトホールは、膜厚ｄ１を有する機能層６の端部と重畳する位置に形成されている。したがって、絶縁膜１０のコンタクトホールを、第１電極の端部に形成することにより、絶縁膜１０のコンタクトホールと重畳する位置における、機能層６の膜厚を、他の位置における膜厚よりも厚くできる。
　このため、コンタクトホールの内側面において、機能層６の膜厚が低減し、発光素子を駆動する際に、コンタクトホールの周辺における電界集中が発生することを低減できる。なお、本実施形態においては、必ずしもコンタクトホールが第１電極４の端部と重畳する位置になくともよい。
　〔実施形態２〕
　図５の（ａ）は、本実施形態に係る表示デバイス１の、図１の（ｂ）に対応する位置における上面図である。図５の（ｂ）は、本実施形態に係る表示デバイス１の、図１の（ｃ）に対応する位置における断面図である。本実施形態に係る表示デバイス１は、前実施形態に係る表示デバイス１と比較して、島状に形成された各第１電極４が、櫛歯形状を有する点において構成が異なる。これに伴い、前実施形態に係る表示デバイス１と比較して、機能層６および第２電極の形状が異なる。上記点を除いて、本実施形態に係る表示デバイス１は、前実施形態に係る表示デバイス１と同一の構成を有する。
　図５の（ａ）に示すように、第１電極４は、矩形状の電極のある一辺から、複数のスリット４Ｓが対向する辺に向かって、対向する辺の手前まで延びている。これにより、第１電極４は、複数の歯状部４Ｌを有する櫛歯形状を形成する。スリット４Ｓの内側には、電着用電極１２が形成される。また、図５の（ｂ）に示すように、機能層６は、スリット４Ｓに隣接する歯状部４Ｌの端部と重畳する位置においても、凸部６Ｃを有する。
　図６は、本実施形態に係る表示デバイス１の製造工程における、機能層６の電着工程の工程断面図を示す。本実施形態に係る表示デバイス１は、前実施形態に係る表示デバイス１と同一の製造方法により製造できる。
　ここで、図６の（ａ）は、ステップＳ２３において、溶液Ｓの材料を第１電極４に吸着させるための電圧印加を、第１電極４に行い、第２機能層６Ｇを形成する工程を示す。この場合、図６の（ａ）に示すように、互いに隣接する、スリット４Ｓの内側の電着用電極１２と、歯状部４Ｌとの間においても電界が発生する。このため、図６の（ｂ）に示すように、スリット４Ｓに隣接する歯状部４Ｌの端部と重畳する位置においても凸部６Ａを有する、第２機能層６Ｇが得られる。この後、第１機能層６Ｒ、第３機能層６Ｂ、および共通機能層６Ｄを上述と同様の手順によって形成してもよい。
　本実施形態において、第１電極４が櫛歯形状を有することにより、第１電極４は、何れの位置においても、最も近接する端部との距離が近くなる。このため、電着工程において、第１電極４の端部から遠い第１電極４の中央部における電界強度と、第１電極４の端部における電界強度との差異が小さくなる。したがって、第１電極４との中央部において、機能層６の膜厚が極端に薄くなることを低減できる。
　〔実施形態３〕
　図７の（ａ）は、本実施形態に係る表示デバイス１の、図１の（ｂ）に対応する位置における上面図である。図７の（ｂ）は、本実施形態に係る表示デバイス１の、図１の（ｃ）に対応する位置における断面図である。本実施形態に係る表示デバイス１は、実施形態１に係る表示デバイス１と比較して、島状に形成された各第１電極４が、複数の第１電極４Ａおよび第１電極４Ｂからなる点において構成が異なる。これに伴い、第１電極４Ａおよび第１電極４Ｂのそれぞれがコンタクト部４Ｈを有し、それぞれ個別のＴＦＴ層２のトランジスタに電気的に接続されている。上記点を除いて、本実施形態に係る表示デバイス１は、実施形態１に係る表示デバイス１と同一の構成を有する。
　第１電極４Ａと第１電極４Ｂとは、互いに電気的に遊離している。また、機能層６は、隣接する第１電極４Ａと第１電極４Ｂとの端部と重畳する位置においても、凸部６Ｃを有する。
　図８は、本実施形態に係る表示デバイス１の製造工程における、機能層６の電着工程の工程断面図を示す。本実施形態に係る表示デバイス１は、実施形態１に係る表示デバイス１と同一の製造方法により製造できる。なお、ステップＳ３とＳ４とは、絶縁膜１０の上面全面にわたって金属膜を形成し、当該金属膜をパターニングすることにより、一度に第１電極４Ａと第１電極４Ｂと電着用電極１２とを形成することにより実現してもよい。
　ここで、図８の（ａ）においては、ステップＳ２３において、溶液Ｓの材料を第１電極４Ａに吸着させるための電圧印加を、第１電極４Ａに行い、第２機能層６Ｇを形成する工程を示す。この場合、第１電極４Ｂには、電着用電極１２と同じ極性の電圧を印加してもよい。
　これにより、図８の（ａ）に示すように、互いに隣接する、第１電極４Ａと、第１電極４Ｂとの間においても電界が発生する。このため、図８の（ｂ）に示すように、第１電極４Ａと重畳する位置に、第２機能層６Ｇが得られる。
　次いで、第１電極４Ａと第１電極４Ｂおよび電着用電極１２とにそれぞれ印加する電圧の極性を入れ替える。このため、図８の（ｂ）に示すように、電界の向きが図８の（ａ）の場合と反転し、第１電極４Ｂに溶液Ｓの材料の吸着が発生する。これにより、第１電極４Ｂにおいても第２機能層６Ｇが形成される。この後、第１機能層６Ｒ、第３機能層６Ｂ、および共通機能層６Ｄを上述と同様の手順によって形成してもよい。
　図９は、本実施形態における第１電極４の形状の他の例を示す上面図である。図９の（ａ）から（ｃ）のそれぞれは、図７の（ａ）における第２画素ＰＧ付近の拡大上面図である。
　第１電極４は、例えば、図９の（ａ）に示すように、櫛歯形状を有する第１電極４Ａおよび第１電極４Ｂを備えていてもよい。この場合、図９の（ａ）に示すように、第１電極４Ａおよび第１電極４Ｂの互いのスリット４Ｓの間に、第１電極４Ａおよび第１電極４Ｂの互いの歯状部４Ｌが入り込む形状であってもよい。
　また、第１電極４は、例えば、図９の（ｂ）に示すように、矩形状の第１電極４Ａの周囲を囲う位置に第１電極４Ｂを備えていてもよい。さらに、第１電極４は、例えば、図９の（ｃ）に示すように、第１電極４Ａおよび第１電極４Ｂの他に、第１電極４Ｃおよび第１電極４Ｄを備えていてもよい。この場合、第１電極４Ｃおよび第１電極４Ｄについても、ＴＦＴ層２のトランジスタに個別に接続されていてもよい。
　本実施形態において、各第１電極４が複数形成されることにより、第１電極４は、何れの位置においても、最も近接する端部との距離が近くなる。このため、前実施形態と同様に、第１電極４の端部から遠い第１電極４の中央部等において、電着工程における第１電極４と電着用電極１２との間の電界が小さくなり、機能層６の膜厚が極端に薄くなることを低減できる。
　さらに、本実施形態に係る表示デバイス１は、前実施形態に係る表示デバイス１と比較して、第１電極４の面積が増加する。このため、第１電極４と重畳する機能層６の面積が向上するため、発光に寄与する機能層６の面積を向上させ、発光効率を高めることができる。
　加えて、第１電極４Ａと第１電極４Ｂとは、互いに個別のトランジスタに接続されているため、第１電極４Ａと第１電極４Ｂとは、個別に駆動することが可能である。このため、表示デバイス１の１つの副画素において、第１電極４Ａと第１電極４Ｂとを個別に駆動することにより、表示デバイス１の使用時において、副画素の面積階調が可能となり、より細かく副画素の階調値を制御できる。
　〔実施形態４〕
　図１０の（ａ）は、本実施形態に係る表示デバイス１の、図１の（ｂ）に対応する位置における上面図である。図１０の（ｂ）は、本実施形態に係る表示デバイス１の、図１の（ｃ）に対応する位置における断面図である。本実施形態に係る表示デバイス１は、実施形態１に係る表示デバイス１と比較して、電着用電極１２を、ＴＦＴ層２と第１電極４との間に、絶縁膜１０を介して備える。また、電着用電極１２は、各第１電極４の全周と重畳する。上記点を除いて、本実施形態に係る表示デバイス１は、実施形態１に係る表示デバイス１と同一の構成を有する。
　すなわち、本実施形態において、電着用電極１２は、第１電極４の、機能層６と反対側の下層において、複数の第１電極４の間隙と、基板面の垂直方向において重畳している。
　本実施形態において、絶縁膜１０は、第１絶縁膜１０Ａと第２絶縁膜１０Ｂとを、この順に積層して備える。また、電着用電極１２は、第１絶縁膜１０Ａと第２絶縁膜１０Ｂとの間に形成されている。また、コンタクト部４Ｈは、絶縁膜１０に形成されたコンタクトホールの内部に形成される。コンタクト部４Ｈと電着用電極１２とは、絶縁膜１０によって電気的に絶縁されている。
　本実施形態に係る表示デバイス１の製造方法について、図１１のフローチャートと、図１２の工程断面図とを参照して説明する。
　はじめに、ＴＦＴ層２を形成する（ステップＳ３１）。ステップＳ３１はステップＳ１と同様に実行してもよい。次いで、ＴＦＴ層２の上面に第１絶縁膜１０Ａを形成する（ステップＳ３２）。次いで、第１絶縁膜１０Ａの上面に電着用電極１２を形成する（ステップＳ３３）。次いで、電着用電極１２の上面に第２絶縁膜１０Ｂを形成する（ステップＳ３４）。
　ステップＳ３２およびＳ３４は、ステップＳ２と同様に実行してもよい。また、ステップＳ３３は、金属膜を第１絶縁膜１０Ａの上面に形成した後、コンタクト部４Ｈが形成される位置に当該金属膜の開口を設けることにより、実行されてもよい。ステップＳ３４に次いで、電着用電極１２の開口と重畳する位置に、絶縁膜１０の開口を設けることにより、コンタクト部４Ｈが形成されるコンタクトホールを形成してもよい。
　次いで、絶縁膜１０および電着用電極１２のコンタクトホールを含む位置に、複数の第１電極４を形成する（ステップＳ３５）。ステップＳ３５はステップＳ３と同様に実行されてもよい。次いで、機能層６を形成する（ステップＳ３６）。
　ステップＳ３６においては、ステップＳ５と同様に、溶液Ｓ中において、第１電極４と電着用電極１２とに適切な電圧を印加することにより、溶液Ｓの材料を第１電極４に吸着させることにより実行される。
　ステップＳ３６においては、図１２の（ａ）に示すように、第２絶縁膜１０Ｂを介して、第１電極４と電着用電極１２との間に電界が生じる。電着用電極１２は第１電極４の端部の全周と重畳するため、ステップＳ３６においても、第１電極４の端部において電界集中が発生する。このため、図１２の（ｂ）に示すように、第１電極４の端部と重畳する位置に凸部６Ａを備えた第２機能層６Ｇが得られる。この後、第１機能層６Ｒ、第３機能層６Ｂ、および共通機能層６Ｄを上述と同様の手順によって形成してもよい。次いで、第２電極を形成する（ステップＳ３７）。これにより、図１０に示す表示デバイス１が得られる。
　本実施形態においては、ステップＳ３６において、電着用電極１２が直接溶液Ｓに接触しない。このため、電着工程における電着用電極１２の劣化を低減できる。さらに、電着用電極１２が第１絶縁膜１０Ａおよび第２絶縁膜１０Ｂの間に形成されていることにより、電着用電極１２と他の金属層との不要な電気的導通を低減できる。
　なお、本実施形態においても、各第１電極４は、図５に示すような、櫛歯形状を有していてもよい。また、各第１電極４は、図８および図９に示すように、複数の電極からなっていてもよい。
　また、本実施形態においては、電着用電極１２は、各第１電極４の全周と重畳しているが、これに限られず、電着用電極１２が、各第１電極４間における間隙の少なくとも一部と重畳することにより、表示デバイス１は上述の効果を奏する。しかしながら、電着用電極１２が、各第１電極４の全周と重畳していることにより、各第１電極４の全周にわたって、機能層６の厚膜部６Ｔを効率よく形成することができる。
　〔実施形態５〕
　図１３の（ａ）は、本実施形態に係る表示デバイス１の、図１の（ｂ）に対応する位置における上面図である。図１３の（ｂ）は、本実施形態に係る表示デバイス１の、図１の（ｃ）に対応する位置における断面図である。本実施形態に係る表示デバイス１は、実施形態１に係る表示デバイス１と比較して、絶縁膜１０の上面において、各第１電極４を囲う位置に、バンク１４をさらに備える、また、電着用電極１２は、バンク１４の上面および側面を覆う位置に形成されている。上記点を除いて、本実施形態に係る表示デバイス１は、実施形態１に係る表示デバイス１と同一の構成を有する。
　バンク１４は、電気絶縁性を有する有機膜であってもよく、各第１電極４の間を分離することにより、各副画素の位置を規定してもよい。電着用電極１２とバンク１４とは接するが、電着用電極１２とバンク１４とは、第１電極４を含む他の金属層等と電気的に遊離している。
　本実施形態に係る表示デバイス１の製造方法について、図１４のフローチャートと、図１５の工程断面図とを参照して説明する。
　はじめに、ＴＦＴ層２、絶縁膜１０、および第１電極４を形成する（ステップＳ４１およびＳ４２）。ステップＳ４１およびＳ４２は、それぞれ、ステップＳ１およびＳ２と同様に実行されてもよい。
　次いで、絶縁膜１０の上面に、バンク１４を形成する（ステップＳ４３）。この際、バンク１４の材料をインクジェット法等により塗布した後、フォトリソグラフィを使用してパターニングすることにより、図１５の（ａ）に示すバンク１４を形成してもよい。
　次いで、第１電極４を、バンク１４に囲まれた絶縁膜１０の上面に形成する（ステップＳ４４）。次いで、電着用電極１２をバンク１４の上面および側面に形成する（ステップＳ４５）。ステップＳ４４およびＳ４５は、絶縁膜１０の上面全面、かつ、バンク１４の上面および側面にわたって金属膜を形成し、当該金属膜をパターニングすることにより、一度に第１電極４と電着用電極１２とを形成することにより実現してもよい。これにより、図１５の（ｂ）に示す第１電極４と電着用電極１２とが形成される。
　次いで、機能層６を形成する（ステップＳ４６）。ステップＳ４６においては、図１５の（ｃ）に示すように、ステップＳ５と同様に、溶液Ｓ中において、第１電極４と電着用電極１２とに適切な電圧を印加することにより、溶液Ｓの材料を第１電極４に吸着させることにより実行される。
　本実施形態においては、バンク１４と機能層６との間に電着用電極１２を備える。すなわち、本実施形態においては、バンク１４と同様に、電着用電極１２が、第１電極４の端部の全周と隣接するように形成される。したがって、ステップＳ４６においても、第１電極４の端部において電界集中が発生する。このため、図１５の（ｄ）に示すように、第１電極４の端部と重畳する位置に凸部６Ａを備えた第２機能層６Ｇが得られる。この後、第１機能層６Ｒ、第３機能層６Ｂ、および共通機能層６Ｄを上述と同様の手順によって形成してもよい。次いで、第２電極を形成する（ステップＳ３７）。これにより、図１３に示す表示デバイス１が得られる。
　本実施形態においては、各第１電極４の全周を囲う位置に、バンク１４が形成され、当該バンク１４の上面および側面に電着用電極１２が形成されている。このため、表示デバイス１の使用時において、機能層６からの発光が電着用電極１２において反射するため、発光素子からの発光の取り出し効率が向上する。
　なお、本実施形態においても、各第１電極４は、図５に示すような、櫛歯形状を有していてもよい。また、各第１電極４は、図８および図９に示すように、複数の電極からなっていてもよい。
　また、本実施形態においては、電着用電極１２は、各第１電極４の全周と対向しているが、これに限られず、電着用電極１２が、各第１電極４の外周の少なくとも一部と対向することにより、表示デバイス１は上述の効果を奏する。また、同様に、バンク１４が各第１電極の周囲の少なくとも一部を囲むように形成されていてもよい。
　しかしながら、電着用電極１２が、各第１電極４の全周と対向していることにより、各第１電極４の全周にわたって、機能層６の厚膜部６Ｔを効率よく形成することができる。また、電着用電極１２およびバンク１４が各第１電極の全周囲を囲む位置に形成されていることにより、発光素子からの発光の取り出し効率を、より効率よく向上させることができる。
　〔変形例〕
　図１６の（ａ）は、本変形例に係る表示デバイス１の、図１の（ｂ）に対応する位置における上面図である。図１６の（ｂ）は、本変形例に係る表示デバイス１の、図１の（ｃ）に対応する位置における断面図である。本変形例に係る表示デバイス１は、本実施形態に係る表示デバイス１と比較して、絶縁膜１０の上面において、各第１電極４を囲う位置に、電着用電極１２を備え、電着用電極１２の上面および側面を覆う位置にバンク１４が形成されている。上記点を除いて、本変形例に係る表示デバイス１は、本実施形態に係る表示デバイス１と同一の構成を有する。
　本変形例に係る表示デバイス１は、本実施形態に係る表示デバイス１の製造方法において、ステップＳ４３と、ステップＳ４４およびＳ４５とを入れ替えることにより、製造されてもよい。本変形例に係る表示デバイス１は、バンク１４の内部に電着用電極１２を備える。このため、本変形例に係る表示デバイス１は、前実施形態に係る表示デバイス１と同様に、電着工程における電着用電極１２の劣化を低減でき、さらに、電着用電極１２と他の金属層との不要な電気的導通を低減できる。
　〔実施形態６〕
　図１７の（ａ）は、本実施形態に係る表示デバイス１の概略上面図である。図１７の（ｂ）は、図１７の（ａ）における、領域Ａの拡大図であり、図１７の（ｃ）は、図１７の（ｂ）における、Ｂ－Ｂ線矢視断面図である。なお、図示の簡単のために、図１７の（ｂ）においては、機能層６および第２電極８の図示を行っていない。
　本実施形態に係る表示デバイス１は、図１７の（ａ）に示すように、額縁領域ＮＡにおいて、カラムドライバＣＤとロウドライバＬＤとを備える。カラムドライバＣＤは、矩形の表示領域ＤＡの、行方向と水平な一辺に沿う位置に形成され、ロウドライバＬＤは、表示領域ＤＡの、列方向と水平な一辺に沿う位置に形成される。
　また、本実施形態に係る表示デバイス１は、図１７の（ａ）に示すように、表示領域ＤＡにおいて、複数の第１電極４と複数の第２電極８とを備える。第１電極４は、それぞれ、表示領域ＤＡの列方向に沿って形成され、第２電極８は、それぞれ、表示領域ＤＡの行方向に沿って、複数の第１電極４に共通して形成される。なお、図１７の（ａ）においては、特に第１電極４と第２電極８とを強調して示している。
　カラムドライバＣＤとロウドライバＬＤとは、それぞれ複数のトランジスタを備える。カラムドライバＣＤの各トランジスタは、各第１電極４に接続し、ロウドライバＬＤの各トランジスタは、各第２電極８に接続する。カラムドライバＣＤとロウドライバＬＤとは、それぞれのトランジスタを制御することにより、複数の第１電極４と複数の第２電極８との何れかに、個別に電圧を印加することができる。
　第１電極４と第２電極８との交点においては、表示デバイス１の副画素を構成する発光素子が形成される。このため、カラムドライバＣＤとロウドライバＬＤとの制御により、電圧が印加された第１電極４と第２電極８との交点における発光素子を駆動することができる。すなわち、本実施形態に係る表示デバイス１は、パッシブマトリクス方式の表示デバイスである。
　図１７の（ｂ）および（ｃ）に示すように、本実施形態に係る表示デバイス１は、基材フィルム１６上に、絶縁膜１０を介して、複数の第１電極４と、機能層６と、複数の第２電極８とを、この順に積層して備える。複数の第１電極４の間において、絶縁膜１０の上面には、電着用電極１２が形成されている。
　なお、基材フィルム１６は、ＴＦＴ層２のように、各第１電極４と接続するトランジスタを備えていなくともよい。これに伴い、絶縁膜１０には、前述までの実施形態と異なり、コンタクト部４Ｈが形成されるコンタクトホールが形成されていなくともよい。
　本実施形態に係る表示デバイス１は、実施形態１に係る表示デバイス１の製造方法と同様に、図２のフローチャートにおいて示される製造方法によって得られてもよい。ここで、ステップＳ１においては、ＴＦＴ層２の代わりに基材フィルム１６を形成する。また、ステップＳ２においては、コンタクトホールを形成する必要はない。また、ステップＳ３において、カラムドライバＣＤを併せて形成してもよい。また、ステップＳ６において、ロウドライバＬＤを併せて形成してもよい。
　さらに、ステップＳ５においては、図３のフローチャートにおいて示される電着法によって、機能層６が形成される。本実施形態においても、第１電極４と、当該複数の第１電極４の間に形成された電着用電極１２との間に生じる横電界を使用して電着を行う。このため、各第１電極４の端部と重畳する位置に凸部６Ｃを有する機能層６が得られる。
　本実施形態に係る表示デバイス１は、前述までの実施形態に係る表示デバイス１と同様の効果を奏する。さらに、本実施形態に係る表示デバイス１は、パッシブマトリクス方式の表示デバイスに適用することができる。このため、第１電極４より下層等に、ＴＦＴ層２のように複雑な回路を形成する必要が無く、より簡便に表示デバイス１を製造することができる。
　〔他の変形例〕
　図１８は、他の変形例に係る表示デバイス１の、図１の（ｃ）に対応する位置における断面図である。本変形例に係る表示デバイス１は、実施形態１に係る表示デバイス１と比較して、共通機能層６Ｄが形成されていない点を除いて、同一の構成を有する。
　本変形例においては、画素ごとに個別に形成された、第１機能層６Ｒ、第２機能層６Ｇ、および第３機能層６Ｂの上層に、直接第２電極８が形成されている。このため、第２電極８は、電着用電極１２と接する。
　本変形例に係る表示デバイス１は、図２に示すフローチャートのステップＳ５において、共通機能層６Ｄの形成を省略することにより、実施形態１に係る表示デバイス１の製造方法と同一の製造方法によって得られてもよい。すなわち、第１機能層６Ｒ、第２機能層６Ｇ、および第３機能層６Ｂは、図４に示す電着法と同一の手法により製造できる。
　本変形例に係る表示デバイス１は、前述の各実施形態と同様の効果を奏する。さらに、共通機能層６Ｄを形成しないため、本変形例に係る表示デバイス１は、製造工程をさらに簡素化することが可能である。
　図１９は、上述の各実施形態における表示デバイス１の製造工程において使用される、表示デバイスの製造装置２０を示すブロック図である。表示デバイスの製造装置２０は、コントローラ２２と成膜装置２４とを備える。コントローラ２２は、成膜装置２４を制御してもよい。成膜装置２４は、表示デバイス１の各層の成膜を実行してもよい。特に、成膜装置２４は、電着槽および電着装置を備えていてもよい。
　上述の各実施形態に係る表示デバイス１は、柔軟性を有し、屈曲可能な表示素子を備えた表示パネルを備えていてもよい。上記表示素子は、電流によって輝度や透過率が制御される表示素子と、電圧によって輝度や透過率が制御される表示素子とがある。
　例えば、上述の各実施形態に係る表示デバイス１は、電流制御の表示素子として、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えていてもよい。この場合、本実施形態に係る表示デバイスは、有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイであってもよい。
　または、上述の各実施形態に係る表示デバイス１は、電流制御の表示素子として、無機発光ダイオードを備えていてもよい。この場合、本実施形態に係る表示デバイスは、無機ＥＬディスプレイ等のＥＬディスプレイＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えた、ＱＬＥＤディスプレイであってもよい。
　また、電圧制御の表示素子としては、液晶表示素子等がある。
　〔まとめ〕
　様態１の表示デバイスは、複数の第１電極と、機能層と、前記複数の第１電極に共通の第２電極とを、この順に積層して備えた表示デバイスであって、前記複数の第１電極の外周の少なくとも一部と、基板面の平行方向において対向する、または、前記第１電極の、前記機能層と反対側において、前記複数の第１電極の間隙と基板面の垂直方向において重畳する、電着用電極を備える。
　様態２においては、前記第１電極と前記第２電極との間における前記機能層の厚さにおいて、前記第１電極の端部と重畳する位置における厚さは、前記第１電極の中心部と重畳する位置における厚さよりも厚い。
　様態３においては、前記第１電極の、前記機能層と反対側に、絶縁膜をさらに備え、該絶縁膜の、前記第１電極と反対側に、ＴＦＴ層をさらに備え、前記絶縁膜が、コンタクトホールを、前記第１電極の端部と重畳する位置に備え、前記第１電極が、前記コンタクトホールを介して、前記ＴＦＴ層におけるトランジスタと電気的に接続し、前記第１電極と前記第２電極との間における前記機能層の厚さにおいて、前記コンタクトホールと重畳する位置における厚さは、前記第１電極の中心部と重畳する位置における厚さよりも厚い。
　様態４においては、前記電着用電極を、前記ＴＦＴ層と前記第１電極との間に、前記絶縁膜を介して備え、前記電着用電極が、前記第１電極の外周の少なくとも一部と重畳する。
　様態５においては、前記電着用電極が前記第１電極の全周と重畳する。
　様態６においては、前記電着用電極が前記第１電極と同材料からなり、前記電着用電極を前記第１電極と同階層に備え、前記電着用電極と前記第１電極との端部の少なくとも一部が相対する。
　様態７においては、前記第１電極の周囲の少なくとも一部を囲むバンクをさらに備え、前記電着用電極が前記バンクの少なくとも一部と重畳する。
　様態８においては、前記電着用電極を、前記バンクと前記機能層との間に備える。
　様態９においては、前記電着用電極を、前記バンクの内部に備える。
　様態１０においては、前記第１電極が、櫛歯形状を有する。
　様態１１においては、前記複数の第１電極ごとに複数の副画素を備え、前記副画素ごとに前記第１電極を複数備える。
　様態１２においては、前記電着用電極が、前記第１電極または前記第２電極と接続する電源電圧に接続している。
　様態１３の表示デバイスの製造方法は、複数の第１電極と、機能層と、前記複数の第１電極に共通の第２電極とを、この順に積層して備えた表示デバイスの製造方法であって、前記複数の第１電極の外周の少なくとも一部と、基板面の平行方向において対向する、または、前記第１電極の、前記機能層と反対側において、前記複数の第１電極の間隙と基板面の垂直方向において重畳する、電着用電極を形成する電着用電極形成工程を備える。
　様態１４においては、前記機能層の少なくとも一部を、前記複数の第１電極の少なくとも一部と、前記電着用電極との間に生じる電界を用いた電着法により形成する電着工程を備える。
　様態１５の表示デバイスの製造装置は、複数の第１電極と、機能層と、前記複数の第１電極に共通の第２電極とを、この順に積層して備えた表示デバイスの製造装置であって、前記複数の第１電極の外周の少なくとも一部と、基板面の平行方向において対向する、または、前記第１電極の、前記機能層と反対側において、前記複数の第１電極の間隙と基板面の垂直方向において重畳する、電着用電極を形成する成膜装置を備える。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
１　　表示デバイス
２　　ＴＦＴ層
４　　第１電極
４Ｈ　コンタクト部
６　　機能層
８　　第２電極
１０　絶縁膜
１２　電着用電極
１４　バンク
２０　表示デバイスの製造装置

Claims (15)

  1. 　複数の第１電極と、機能層と、前記複数の第１電極に共通の第２電極とを、この順に積層して備えた表示デバイスであって、
    　前記複数の第１電極の外周の少なくとも一部と、基板面の平行方向において対向する、または、前記第１電極の、前記機能層と反対側において、前記複数の第１電極の間隙と基板面の垂直方向において重畳する、電着用電極を備えた表示デバイス。
  2. 　前記第１電極と前記第２電極との間における前記機能層の厚さにおいて、前記第１電極の端部と重畳する位置における厚さは、前記第１電極の中心部と重畳する位置における厚さよりも厚い請求項１に記載の表示デバイス。
  3. 　前記第１電極の、前記機能層と反対側に、絶縁膜をさらに備え、該絶縁膜の、前記第１電極と反対側に、ＴＦＴ層をさらに備え、
    　前記絶縁膜が、コンタクトホールを、前記第１電極の端部と重畳する位置に備え、
    　前記第１電極が、前記コンタクトホールを介して、前記ＴＦＴ層におけるトランジスタと電気的に接続し、
    　前記第１電極と前記第２電極との間における前記機能層の厚さにおいて、前記コンタクトホールと重畳する位置における厚さは、前記第１電極の中心部と重畳する位置における厚さよりも厚い請求項１または２に記載の表示デバイス。
  4. 　前記電着用電極を、前記ＴＦＴ層と前記第１電極との間に、前記絶縁膜を介して備え、
    　前記電着用電極が、前記第１電極の外周の少なくとも一部と重畳する請求項３に記載の表示デバイス。
  5. 　前記電着用電極が前記第１電極の全周と重畳する請求項４に記載の表示デバイス。
  6. 　前記電着用電極が前記第１電極と同材料からなり、前記電着用電極を前記第１電極と同階層に備え、前記電着用電極と前記第１電極との端部の少なくとも一部が、基板面の平行方向において対向する請求項１から３の何れか１項に記載の表示デバイス。
  7. 　前記第１電極の周囲の少なくとも一部を囲むバンクをさらに備え、前記電着用電極が前記バンクの少なくとも一部と重畳する請求項１から３の何れか１項に記載の表示デバイス。
  8. 　前記電着用電極を、前記バンクと前記機能層との間に備えた請求項７に記載の表示デバイス。
  9. 　前記電着用電極を、前記バンクの内部に備えた請求項７に記載の表示デバイス。
  10. 　前記第１電極が、櫛歯形状を有する請求項１から９の何れか１項に記載の表示デバイス。
  11. 　前記複数の第１電極ごとに複数の副画素を備え、前記副画素ごとに前記第１電極を複数備えた請求項１から１０の何れか１項に記載の表示デバイス。
  12. 　前記電着用電極が、前記第１電極または前記第２電極と接続する電源電圧に接続している請求項１から１１の何れか１項に記載の表示デバイス。
  13. 　複数の第１電極と、機能層と、前記複数の第１電極に共通の第２電極とを、この順に積層して備えた表示デバイスの製造方法であって、
    　前記複数の第１電極の外周の少なくとも一部と、基板面の平行方向において対向する、または、前記第１電極の、前記機能層と反対側において、前記複数の第１電極の間隙と基板面の垂直方向において重畳する、電着用電極を形成する電着用電極形成工程を備えた表示デバイスの製造方法。
  14. 　前記機能層の少なくとも一部を、前記複数の第１電極の少なくとも一部と、前記電着用電極との間に生じる電界を用いた電着法により形成する電着工程を備えた請求項１３に記載の表示デバイスの製造方法。
  15. 　複数の第１電極と、機能層と、前記複数の第１電極に共通の第２電極とを、この順に積層して備えた表示デバイスの製造装置であって、
    　前記複数の第１電極の外周の少なくとも一部と、基板面の平行方向において対向する、または、前記第１電極の、前記機能層と反対側において、前記複数の第１電極の間隙と基板面の垂直方向において重畳する、電着用電極を形成する成膜装置を備えた表示デバイスの製造装置。
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