WO2020015052A1 - 一种柔性oled器件及其制备方法 - Google Patents

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    • C08F214/02—Monomers containing chlorine
    • C08F214/04—Monomers containing two carbon atoms
    • C08F214/06—Vinyl chloride

Definitions

  • the present invention relates to the field of display technology, and in particular, to a flexible OLED device and a preparation method thereof.
  • OLED Organic Light Emitting Display
  • the main application areas of OLED display technology include mobile phones, televisions, micro display devices, VR devices, and vehicle display devices.
  • OLED display technology will replace TFT-LCD products and become the next generation mainstream display technology.
  • OLED devices The most important performance indicators of OLED devices include luminous efficiency and device lifetime. At present, the improvement of the luminous efficiency of OLED devices mainly depends on the development of new functional materials and the optimization of device structures. However, in addition to the development of materials and device structures, device lifetime also depends on device packaging. Because OLED devices are highly sensitive to water and oxygen, the presence of water and oxygen is the main reason for reducing the service life of the device.
  • packaging technology is usually used to package the OLED device.
  • the most commonly used packaging technology is to use chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), or atomic layer deposition (ALD) and other methods to sequentially prepare an inorganic layer and an organic layer or two on a vapor-deposited OLED device. This is an alternate multilayer structure to block water and oxygen from contact with the OLED device.
  • CVD chemical vapor deposition
  • PVD physical vapor deposition
  • ALD atomic layer deposition
  • the object of the present invention is to provide a flexible OLED device and a preparation method thereof, which can reduce production costs and improve production efficiency.
  • the present invention also provides a method for preparing a flexible OLED device, which includes:
  • a barrier material is vapor-deposited on the surface of the light-emitting layer, wherein the barrier material includes a prepolymer, a photoinitiator, and a crosslinking agent; the material of the prepolymer includes, but is not limited to, vinyl chloride, propylene, and styrene; Materials of the cross-linking agent include, but are not limited to, N, N'-methylenebisacrylamide; and
  • a surface of the barrier material is irradiated with a light beam to form a barrier layer on the surface of the light emitting layer, and the barrier layer is used to block water and oxygen.
  • the material of the photoinitiator includes, but is not limited to, 2-hydroxy-4 '-(2-hydroxyethoxy) -2-methylphenylacetone and 2-butanone acid.
  • a range of a vapor deposition rate ratio of the photoinitiator to the prepolymer is 1: 8 to 1:25.
  • a range of a vapor deposition rate ratio of the crosslinking agent to the prepolymer is 1:10 to 1:50.
  • the flexible substrate includes a flexible substrate and a driving layer disposed on the flexible substrate, wherein the driving layer includes a buffer layer, a switch array layer, and an ITO layer.
  • the invention also provides a method for preparing a flexible OLED device, which comprises:
  • a barrier material is vapor-deposited on the surface of the light-emitting layer, wherein the barrier material includes a precursor, a photoinitiator, and a crosslinking agent;
  • a surface of the barrier material is irradiated with a light beam to form a barrier layer on the surface of the light emitting layer, and the barrier layer is used to block water and oxygen.
  • the material of the prepolymer includes, but is not limited to, vinyl chloride, propylene, and styrene.
  • the material of the crosslinking agent includes, but is not limited to, N, N'-methylenebisacrylamide.
  • the material of the photoinitiator includes, but is not limited to, 2-hydroxy-4 '-(2-hydroxyethoxy) -2-methylphenylacetone and 2-butanone acid.
  • a range of a vapor deposition rate ratio of the photoinitiator to the prepolymer is 1: 8 to 1:25.
  • a range of a vapor deposition rate ratio of the crosslinking agent to the prepolymer is 1:10 to 1:50.
  • the flexible substrate includes a flexible substrate and a driving layer disposed on the flexible substrate, wherein the driving layer includes a buffer layer, a switch array layer, and an ITO layer.
  • the invention provides a flexible OLED device, which includes:
  • a barrier layer is located on the light-emitting layer, wherein the barrier layer is formed by vapor-depositing a barrier material on the surface of the light-emitting layer and irradiating a light beam onto the surface of the barrier material during the evaporation process; the barrier layer Used to block water and oxygen; wherein the barrier material includes a prepolymer, a photoinitiator, and a cross-linking agent.
  • the material of the prepolymer includes, but is not limited to, vinyl chloride, acrylic, and styrene.
  • the material of the cross-linking agent includes, but is not limited to, N, N'-methylenebisacrylamide.
  • the material of the photoinitiator includes the material of the photoinitiator including, but not limited to, 2-hydroxy-4 '-(2-hydroxyethoxy) -2-methylphenylacetone And 2-butanone.
  • the evaporation rate ratio of the photoinitiator to the prepolymer ranges from 1: 8 to 1:25.
  • the ratio of the evaporation rate of the cross-linking agent to the prepolymer ranges from 1:10 to 1:50.
  • the flexible substrate includes a flexible substrate and a driving layer disposed on the flexible substrate, wherein the driving layer includes a buffer layer, a switch array layer, and an ITO layer.
  • a polymer precursor, a cross-linking agent, and a photoinitiator are separately deposited on the surface of the light-emitting layer, and a light-induced method is used to cause a polymerization reaction to occur.
  • a barrier layer is formed on the surface of the OLED device, thereby effectively blocking water and oxygen, reducing the production cost and improving the production efficiency while increasing the service life.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of a first step of a method for manufacturing a flexible OLED device according to the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic structural diagram of a second step of a method for manufacturing a flexible OLED device according to the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic structural diagram of a third step of a method for manufacturing a flexible OLED device according to the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic structural diagram of a fourth step of a method for manufacturing a flexible OLED device according to the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of a first step of a method for manufacturing a flexible OLED device according to the present invention.
  • the invention provides a method for preparing a flexible OLED device, including the following steps:
  • the flexible substrate may include a flexible substrate 101 and a driving layer 102.
  • the driving layer 102 may include a buffer layer, a switch array layer (TFT layer), an ITO layer, and the like. Specifically, a buffer layer, a switch array layer, and an ITO layer are sequentially prepared on the flexible substrate 101.
  • the switching array layer includes a plurality of switching elements (TFTs).
  • a light-emitting material is vapor-deposited on the surface of the driving layer 102, that is, the ITO surface, to obtain the light-emitting layer 103.
  • the light-emitting layer 103 may include multiple light-emitting units, such as red light-emitting units , Green light emitting unit and blue light emitting unit.
  • the thickness of the light emitting layer 103 is the same as that of a standard device.
  • a barrier material is vapor-deposited on the surface of the light-emitting layer.
  • the barrier material includes a prepolymer 104, a photoinitiator 105, and a crosslinking agent 106.
  • the prepolymer 104 dark gray oval in the figure
  • the photoinitiator 105 light gray circle in the figure
  • the crosslinking agent 106 are simultaneously deposited on the surface of the light-emitting layer 103.
  • the material of the prepolymer 104 includes, but is not limited to, vinyl chloride, acrylic, and styrene.
  • the material of the photoinitiator 105 includes, but is not limited to, 2-hydroxy-4 '-(2-hydroxyethoxy) -2-methylphenylacetone (Irgacure 2959) and 2-butanone acid (2-KBA).
  • the material of the crosslinking agent 106 includes N, N'-methylenebisacrylamide.
  • the evaporation rate ratio of the photoinitiator 105 to the precursor 104 ranges from 1: 8 to 1:25.
  • a range of a vapor deposition rate ratio of the crosslinking agent 106 to the prepolymer 104 is 1:10 to 1:50.
  • a surface of the barrier material is irradiated with a light beam to form a barrier layer on a surface of the light emitting layer.
  • the surface of the barrier material ie, the evaporation surface
  • the light beam may include visible light and ultraviolet light.
  • the prepolymer 104, the photoinitiator 105, and the crosslinking agent 106 are polymerized to form a barrier layer 201 on the surface of the light-emitting layer 103.
  • the barrier layer 201 is used to block water. And oxygen.
  • the substrate may be heat-treated afterwards to release the stress, thereby completing the fabrication of the OLED device.
  • the substrate is annealed at 50 ⁇ 80oC for 2 ⁇ 10min, and then cooled at room temperature.
  • the present invention also provides a flexible OLED device.
  • the flexible OLED device includes flexible substrates 101, 102, a light emitting layer 103, and a barrier layer 201.
  • the flexible substrate may include a flexible substrate 101 and a driving layer 102.
  • the driving layer 102 may include a buffer layer, a switch array layer (TFT layer), an ITO layer, and the like.
  • the flexible substrate is specifically formed by sequentially preparing a buffer layer, a switch array layer, and an ITO layer on the flexible substrate 101.
  • the switching array layer includes a plurality of switching elements (TFTs).
  • the light emitting layer 103 is located on the flexible substrates 101 and 102.
  • the light emitting layer may include a plurality of light emitting units, such as a red light emitting unit, a green light emitting unit, and a blue light emitting unit.
  • a light-emitting layer 103 is vapor-deposited on the surface of the driving layer 102, that is, the surface of the ITO, by using an evaporation device.
  • the thickness of the light-emitting layer 103 is the same as that of a standard device.
  • a barrier layer 201 is located on the light-emitting layer 103, wherein the barrier layer 201 is formed by vapor-depositing a barrier material on the surface of the light-emitting layer 103 and irradiating a light beam onto the surface of the barrier material during the evaporation process.
  • the barrier material includes a prepolymer 104, a photoinitiator 105, and a crosslinking agent 106.
  • the material of the prepolymer 104 includes, but is not limited to, vinyl chloride, propylene, and styrene.
  • the material of the photoinitiator 105 includes, but is not limited to, 2-hydroxy-4 '-(2-hydroxyethoxy) -2-methylphenylacetone (Irgacure 2959) and 2-butanone acid (2-KBA).
  • the material of the crosslinking agent 106 includes N, N'-methylenebisacrylamide.
  • the evaporation rate ratio of the photoinitiator 105 to the precursor 104 ranges from 1: 8 to 1:25.
  • a range of a vapor deposition rate ratio of the crosslinking agent 106 to the prepolymer 104 is 1:10 to 1:50.
  • the surface of the barrier material (that is, the evaporation surface) is irradiated with a light beam, and the light beam may include visible light and ultraviolet light.
  • the prepolymer 104, the photoinitiator 105, and the crosslinking agent 106 are polymerized to form a barrier layer 201 on the surface of the light emitting layer 103, and the barrier layer 201 is used to block water and oxygen.
  • a polymer precursor, a cross-linking agent, and a photoinitiator are separately deposited on the surface of the light-emitting layer, and a light-induced method is used to cause a polymerization reaction to occur.
  • a barrier layer is formed on the surface of the OLED device, thereby effectively blocking water and oxygen, while increasing the service life, reducing the production cost and improving the production efficiency.

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Abstract

一种柔性OLED器件及其制备方法，该方法包括：制备柔性基底（101、102）；在柔性基底（101、102）上制作发光层（103）；在所述发光层（103）的表面蒸镀阻隔材料，其中所述阻隔材料包括前聚体（104）、光引发剂（105）以及交联剂（106）；在蒸镀的过程中，向所述阻隔材料的表面照射光束，以在发光层（103）的表面形成用于阻隔水和氧的阻隔层（201）。

Description

一种柔性OLED器件及其制备方法 技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种柔性OLED器件及其制备方法。
 背景技术
目前，由于有机发光二极管（Organic Light Emitting Display，OLED）器件具有低功耗、高对比度、广视角、轻薄柔性等特点，因此被广泛地应用。OLED显示技术主要应用领域包括手机、电视、微型显示设备、VR设备、车载显示设备等，OLED显示技术将取代TFT-LCD产品，成为下一代主流显示技术。
OLED器件最主要的性能指标包括发光效率和器件的使用寿命。目前，OLED器件的发光效率的提升主要依靠新型功能材料的发展以及器件结构的优化。然而，对于器件使用寿命除了依赖于材料和器件结构的发展之外，还依赖于器件的封装。由于OLED器件对于水和氧气敏感度较高，因此水氧的存在是造成器件的使用寿命降低的主要原因。
为了延长器件的使用寿命，通常采用封装技术对OLED器件进行封装。现有，最常使用的封装技术是利用化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）或原子层沉积（ALD）等方法在蒸镀好的OLED器件上先后制备无机层和有机层或两者交替的多层结构，以阻挡水和氧气与OLED器件的接触。
 技术问题
但是，这种封装技术由于封装时间长，降低了生产效率；且这种封装技术所采用的设备比较昂贵、材料费用较高，增加了生产成本。
 技术解决方案
本发明的目的在于提供一种柔性OLED器件及其制备方法，能够降低生产成本和提高生产效率。
为解决上述技术问题，本发明还提供一种柔性OLED器件的制备方法，其包括：
制备柔性基底；
在柔性基底上制作发光层；
在所述发光层的表面蒸镀阻隔材料，其中所述阻隔材料包括前聚体、光引发剂以及交联剂；所述前聚体的材料包括但不限于氯乙烯、丙烯以及苯乙烯；所述交联剂的材料包括但不限于N,N’-亚甲基双丙烯酸酰胺；以及
在蒸镀的过程中，向所述阻隔材料的表面照射光束，以在所述发光层的表面形成阻隔层，所述阻隔层用于阻隔水和氧。
在本发明的柔性OLED器件的制备方中，所述光引发剂的材料包括但不限于2-羟基-4'-（2-羟乙氧基）-2-甲基苯丙酮和2-丁酮酸。
在本发明的柔性OLED器件的制备方中，所述光引发剂与所述前聚体的蒸镀速率比的范围为1:8~1:25。
在本发明的柔性OLED器件的制备方中，所述交联剂与所述前聚体的蒸镀速率比的范围为1:10~1:50。
在本发明的柔性OLED器件的制备方中，所述柔性基底包括柔性衬底和设置在所述柔性衬底上的驱动层，其中所述驱动层包括缓冲层、开关阵列层以及ITO层。
本发明还提供一种柔性OLED器件的制备方法，其包括：
制备柔性基底；
在柔性基底上制作发光层；
在所述发光层的表面蒸镀阻隔材料，其中所述阻隔材料包括前聚体、光引发剂以及交联剂；
在蒸镀的过程中，向所述阻隔材料的表面照射光束，以在所述发光层的表面形成阻隔层，所述阻隔层用于阻隔水和氧。
在本发明的柔性OLED器件的制备方中，所述前聚体的材料包括但不限于氯乙烯、丙烯以及苯乙烯。
在本发明的柔性OLED器件的制备方中，所述交联剂的材料包括但不限于N,N’-亚甲基双丙烯酸酰胺。
在本发明的柔性OLED器件的制备方中，所述光引发剂的材料包括但不限于2-羟基-4'-（2-羟乙氧基）-2-甲基苯丙酮和2-丁酮酸。
在本发明的柔性OLED器件的制备方中，所述光引发剂与所述前聚体的蒸镀速率比的范围为1:8~1:25。
在本发明的柔性OLED器件的制备方中，所述交联剂与所述前聚体的蒸镀速率比的范围为1:10~1:50。
在本发明的柔性OLED器件的制备方中，所述柔性基底包括柔性衬底和设置在所述柔性衬底上的驱动层，其中所述驱动层包括缓冲层、开关阵列层以及ITO层。
本发明提供一种柔性OLED器件，其包括：
柔性基底；
发光层，位于所述柔性基底上；
阻隔层，位于所述发光层上，其中所述阻隔层是在所述发光层表面蒸镀阻隔材料，并在蒸镀过程中，向所述阻隔材料的表面照射光束形成的；所述阻隔层用于阻隔水和氧；其中所述阻隔材料包括前聚体、光引发剂以及交联剂。
在本发明的柔性OLED器件中，所述前聚体的材料包括但不限于氯乙烯、丙烯以及苯乙烯。
在本发明的柔性OLED器件中，所述交联剂的材料包括但不限于N,N’-亚甲基双丙烯酸酰胺。
在本发明的柔性OLED器件中，所述光引发剂的材料包括所述光引发剂的材料包括但不限于2-羟基-4'-（2-羟乙氧基）-2-甲基苯丙酮和2-丁酮酸。
在本发明的柔性OLED器件中，所述光引发剂与所述前聚体的蒸镀速率比的范围为1:8~1:25。
在本发明的柔性OLED器件中，所述交联剂与所述前聚体的蒸镀速率比的范围为1:10~1:50。
在本发明的柔性OLED器件中，所述柔性基底包括柔性衬底和设置在所述柔性衬底上的驱动层，其中所述驱动层包括缓冲层、开关阵列层以及ITO层。
 有益效果
本发明的柔性OLED器件及其制备方法，通过将高分子前聚体、交联剂以及光引发剂分别蒸镀到发光层的表面，并利用光诱导的方法，使其发生聚合反应，从而在OLED器件的表面形成阻隔层，进而有效地阻隔水、氧，在提高使用寿命的同时，降低了生产成本，提高了生产效率。
 附图说明
图1为本发明的柔性OLED器件的制备方法的第一步的结构示意图。
图2为本发明的柔性OLED器件的制备方法的第二步的结构示意图。
图3为本发明的柔性OLED器件的制备方法的第三步的结构示意图。
图4为本发明的柔性OLED器件的制备方法的第四步的结构示意图。
 本发明的实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图1至4，图1为本发明的柔性OLED器件的制备方法的第一步的结构示意图。
本发明提供一种柔性OLED器件的制备方法，包括如下步骤：
S101、制备柔性基底；
如图1所示，该柔性基底可包括柔性衬底101和驱动层102，其中驱动层102可包括缓冲层、开关阵列层（TFT层）以及ITO层等。具体是在柔性衬底101上依次制备缓冲层、开关阵列层以及ITO层。其中开关阵列层包括多个开关元件（TFT）。
S102、在柔性基底上制作发光层；
如图2所示，具体地，利用蒸镀设备，在驱动层102的表面也即ITO表面蒸镀发光材料，以得到该发光层103，发光层103可包括多个发光单元，比如红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元。其中发光层103的厚度与标准器件的厚度相同。
S103、在所述发光层的表面蒸镀阻隔材料；
如图3所示，该阻隔材料包括前聚体104、光引发剂105以及交联剂106。例如，利用蒸镀设备，在上述发光层103的表面同时蒸镀前聚体104（图中深灰色椭圆）、光引发剂105（图中浅灰色圆）以及交联剂106。
其中，为了提高阻隔层的阻隔效果，从而更好地延长OLED器件的使用寿命，该前聚体104的材料包括但不限于氯乙烯、丙烯、苯乙烯。该光引发剂105的材料包括但不限于2-羟基-4'-(2-羟乙氧基)-2-甲基苯丙酮（Irgacure 2959）和2-丁酮酸（2-KBA）。该交联剂106的材料包括N,N’-亚甲基双丙烯酸酰胺。
为了进一步提高阻隔层的阻隔效果，从而更好地延长OLED器件的使用寿命，优选地，该光引发剂105与前聚体104的蒸镀速率比的范围为1:8~1:25。
该交联剂106与前聚体104的蒸镀速率比的范围为1:10~1:50。
S104、在蒸镀过程中，向阻隔材料的表面照射光束，以在所述发光层的表面形成阻隔层。
在对前聚体104、光引发剂105以及交联剂106蒸镀过程中，对上述阻隔材料的表面（也即蒸镀面）进行光束照射，其中光束可以包括可见光和紫外光。
如图4所示，经过照射后，使前聚体104、光引发剂105以及交联剂106发生聚合反应，从而可以在发光层103的表面形成阻隔层201，该阻隔层201用于阻隔水和氧气。
可以理解的，之后可再对基板进行热处理，以释放应力，从而完成OLED器件的制作。
例如，对基板进行50~80oC退火处理，处理时间2~10min，然后进行室温冷却。
如图4所示，本发明还提供一种柔性OLED器件，该柔性OLED器件包括柔性基底101、102、发光层103、阻隔层201。
该柔性基底可包括柔性衬底101和驱动层102，其中驱动层102可包括缓冲层、开关阵列层（TFT层）以及ITO层等。柔性基底具体是在柔性衬底101上依次制备缓冲层、开关阵列层以及ITO层形成的。其中开关阵列层包括多个开关元件（TFT）。
该发光层103位于所述柔性基底101、102上，该发光层可包括多个发光单元，比如红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元。结合图2，具体是利用蒸镀设备，在驱动层102的表面也即ITO表面蒸镀发光层103，其中发光层103的厚度与标准器件的厚度相同。
阻隔层201位于所述发光层103上，其中所述阻隔层201是在所述发光层103的表面蒸镀阻隔材料，并在蒸镀过程中，向所述阻隔材料的表面照射光束形成的。
结合图3，其中所述阻隔材料包括前聚体104、光引发剂105以及交联剂106。
其中，前聚体104的材料包括但不限于氯乙烯、丙烯、苯乙烯。光引发剂105的材料包括但不限于2-羟基-4'-(2-羟乙氧基)-2-甲基苯丙酮（Irgacure 2959）和2-丁酮酸（2-KBA）。交联剂106的材料包括N,N’-亚甲基双丙烯酸酰胺。
为了进一步提高阻隔层的阻隔效果，从而更好地延长OLED器件的使用寿命，优选地，该光引发剂105与前聚体104的蒸镀速率比的范围为1:8~1:25。
该交联剂106与前聚体104的蒸镀速率比的范围为1:10~1:50。
具体地，在对前聚体104、光引发剂105以及交联剂106蒸镀过程中，对上述阻隔材料的表面（也即蒸镀面）进行光束照射，其中光束可以包括可见光和紫外光。经过照射后，使前聚体104、光引发剂105以及交联剂106发生聚合反应，从而可以在发光层103的表面形成阻隔层201，该阻隔层201用于阻隔水和氧气。
本发明的柔性OLED器件及其制备方法，通过将高分子前聚体、交联剂以及光引发剂分别蒸镀到发光层的表面，并利用光诱导的方法，使其发生聚合反应，从而在OLED器件表面形成阻隔层，进而有效地阻隔水、氧，在提高使用寿命的同时，降低了生产成本，提高了生产效率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (19)

  1. 一种柔性OLED器件的制备方法，其包括：
    制备柔性基底；
    在柔性基底上制作发光层；
    在所述发光层的表面蒸镀阻隔材料，其中所述阻隔材料包括前聚体、光引发剂以及交联剂；所述前聚体的材料包括但不限于氯乙烯、丙烯以及苯乙烯；所述交联剂的材料包括但不限于N,N’-亚甲基双丙烯酸酰胺；以及
    在蒸镀的过程中，向所述阻隔材料的表面照射光束，以在所述发光层的表面形成阻隔层，所述阻隔层用于阻隔水和氧。
  2. 根据权利要求1所述的柔性OLED器件的制备方法，其中
    所述光引发剂的材料包括但不限于2-羟基-4'-（2-羟乙氧基）-2-甲基苯丙酮和2-丁酮酸。
  3. 根据权利要求1所述的柔性OLED器件的制备方法，其中
    所述光引发剂与所述前聚体的蒸镀速率比的范围为1:8~1:25。
  4. 根据权利要求1所述的柔性OLED器件的制备方法，其中
    所述交联剂与所述前聚体的蒸镀速率比的范围为1:10~1:50。
  5. 根据权利要求1所述的柔性OLED器件的制备方法，其中
    所述柔性基底包括柔性衬底和设置在所述柔性衬底上的驱动层，其中所述驱动层包括缓冲层、开关阵列层以及ITO层。
  6. 一种柔性OLED器件的制备方法，其包括：
    制备柔性基底；
    在柔性基底上制作发光层；
    在所述发光层的表面蒸镀阻隔材料，其中所述阻隔材料包括前聚体、光引发剂以及交联剂；以及
    在蒸镀的过程中，向所述阻隔材料的表面照射光束，以在所述发光层的表面形成阻隔层，所述阻隔层用于阻隔水和氧。
  7. 根据权利要求6所述的柔性OLED器件的制备方法，其中
    所述前聚体的材料包括但不限于氯乙烯、丙烯以及苯乙烯。
  8. 根据权利要求6所述的柔性OLED器件的制备方法，其中
    所述交联剂的材料包括但不限于N,N’-亚甲基双丙烯酸酰胺。
  9. 根据权利要求6所述的柔性OLED器件的制备方法，其中
    所述光引发剂的材料包括但不限于2-羟基-4'-（2-羟乙氧基）-2-甲基苯丙酮和2-丁酮酸。
  10. 根据权利要求6所述的柔性OLED器件的制备方法，其中
    所述光引发剂与所述前聚体的蒸镀速率比的范围为1:8~1:25。
  11. 根据权利要求6所述的柔性OLED器件的制备方法，其中
    所述交联剂与所述前聚体的蒸镀速率比的范围为1:10~1:50。
  12. 根据权利要求6所述的柔性OLED器件的制备方法，其中
    所述柔性基底包括柔性衬底和设置在所述柔性衬底上的驱动层，其中所述驱动层包括缓冲层、开关阵列层以及ITO层。
  13. 一种柔性OLED器件，其包括：
    柔性基底；
    发光层，位于所述柔性基底上；以及
    阻隔层，位于所述发光层上，其中所述阻隔层是在所述发光层的表面蒸镀阻隔材料，并在蒸镀过程中，向所述阻隔材料的表面照射光束形成的；所述阻隔层用于阻隔水和氧；其中所述阻隔材料包括前聚体、光引发剂以及交联剂。
  14. 根据权利要求13所述的柔性OLED器件，其中所述前聚体的材料包括但不限于氯乙烯、丙烯以及苯乙烯。
  15. 根据权利要求13所述的柔性OLED器件，其中所述交联剂的材料包括但不限于N,N’-亚甲基双丙烯酸酰胺。
  16. 根据权利要求13所述的柔性OLED器件，其中所述光引发剂的材料包括但不限于2-羟基-4'-（2-羟乙氧基）-2-甲基苯丙酮和2-丁酮酸。
  17. 根据权利要求13所述的柔性OLED器件，其中
    所述光引发剂与所述前聚体的蒸镀速率比的范围为1:8~1:25。
  18. 根据权利要求13所述的柔性OLED器件，其中
    所述交联剂与所述前聚体的蒸镀速率比的范围为1:10~1:50。
  19. 根据权利要求13所述的柔性OLED器件，其中
    所述柔性基底包括柔性衬底和设置在所述柔性衬底上的驱动层，其中所述驱动层包括缓冲层、开关阵列层以及ITO层。
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