WO2019237514A1 - 具有抗干扰设置的天线及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种天线，包括一参考地和至少一辐射源，其中所述辐射源被相邻地设置于所述参考地，以在所述辐射源和所述参考地之间形成一辐射缝隙，其中所述辐射源被电气连接于所述参考地以使所述辐射源接地，从而使所述天线的频宽变窄。当一电磁激励信号自所述辐射源的一馈电点被接入时，所述天线的频宽变窄可以防止所述天线接收或产生的电磁波信号受到附近的相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰。

Description

具有抗干扰设置的天线及其制造方法 技术领域

本发明涉及一天线，特别涉及具有抗干扰设置的一天线，其中该抗干扰方法防止该天线接收或产生的电磁波信号被相邻电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰，从而能提高该天线的抗干扰性能。

背景技术

ISM(Industrial Scientific Medical)Bands是由ITU-R(ITU Radiocommunication Sector，国际通信联盟无线电通信局)定义的供开放给诸如工业、科学和医学等机构使用的无需授权许可的频段，其在使用这些频段时需要遵守一定的发射功率(一般发射功率低于1W)且不对其他频段造成干扰。目前，在ITU-R开放的这些频段中被应用于微波探测的频段主要设在2.4Ghz、5.8Ghz、10.525Ghz、24.125Gh等频段，近年来有许多新的频段开始被频繁地应用于微波探测，例如5G技术的应用导致在既有的用于微波探测的频段外的新频段被应用在微波探测。众所周知地，当使用两个或更多靠近的频段时，会产生相互干扰。以上述的微波探测为例，当5.8GHz的频段被用于人体或物体运动探测时，该5.8GHz的频段将不可避免地会被5G技术的应用所干扰。结果5G技术的应用产生的干扰将导致得自5.8GHz频段的探测结果不准确。随着近年来5G技术的快速成熟，5G的系统必然会被逐渐的开放和大规模的应用。可以预见的是，5G技术的大规模的应用必然会形成以5G网络为基础的高速数据网络通道，并且在未来还会不断地扩展到更多频段的应用。换言之，用于微波探测的频段被5G技术的应用所干扰的可能性将大幅增加。因此，提高用于微波探测的天线的抗干扰性能刻不容缓。对此过去提高用于微波探测的天线的抗干扰性的方式为抑制方式，通过屏蔽外来无线信号、信号滤波、软件算法处理等方法去抑制前述干扰。然而，这些传统方式仅能为有限的频段提供有限的抗干扰性能。因此，目前需要有一个能提高对于不同频段抗干扰性能的天线，也就是提供本揭露主要指涉的这种天线。

发明内容

本发明的一个优势在于提供具有抗干扰设置及方法的一天线，其中所述抗干 扰设置提高了该天线的抗干扰性能。

本发明的一个优势在于提供具有抗干扰设置及方法的一天线，其中所述抗干扰设置有效地防止该天线接收或产生的电磁波信号被相邻电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰。

本发明的一个优势在于提供具有抗干扰设置及方法的一天线，其中所述天线的阻抗被降低，以使所述天线的频宽变窄，从而避免所述天线接收或产生的电磁波信号被相邻电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰。

本发明的一个优势在于提供具有抗干扰设置及方法的一天线，其中所述天线的阻抗能够被降低，在降低天线工作的频点阻抗的同时，对于非工作频点外的频率范围、呈现极低的甚至接近零欧的阻抗，以增强所述天线于其辐射频段的主辐射波的辐射能量，从而降低所述天线的谐波辐射地降低所述天线的杂散辐射。

本发明的一个优势在于提供具有抗干扰设置及方法的一天线，其中所述天线具有一抗干扰电路，其中所述抗干扰电路具有低阻抗以匹配所述低阻抗天线，以便使所述天线的频宽变窄，从而避免本发明的所述天线接收或产生的电磁波信号被任何相邻电磁辐射频率干扰。

本发明的一个优势在于提供具有抗干扰设置及方法的一天线，其中所述辐射源被接地，以降低所述天线的阻抗。

本发明的一个优势在于提供具有抗干扰设置及方法的一天线，其中所述辐射源被电气连接于所述参考地，以使所述辐射源被接地。

本发明的一个优势在于提供具有抗干扰设置及方法的一天线，其中所述抗干扰电路提供较大的激励电流予所述辐射源，以保证所述天线的稳定工作。

本发明的一个优势在于提供具有抗干扰设置及方法的一天线，其中所述辐射源具有至少一辐射源连接点，被电气连接于所述参考地。所述辐射源及其所述辐射源连接点的边缘之间具有预设距离，从而在微波激励电信号的激励下，产生电感的电气特性。

本发明的一个优势在于提供具有抗干扰设置及方法的一天线，其中\所述辐射源连接点与所述馈电点之间的距离大于或者等于1/64λ，从而在微波激励电信号的作用下，于所述馈电点与所述辐射源连接点之间产生电感的电气特性。

本发明的一个优势在于提供具有抗干扰设置及方法的一天线，其中藉由将所述辐射源的所述辐射源连接点形成于其物理中点，在共振状态下降低所述天线的 阻抗，从而提高所述天线的抗干扰性能。

本发明的一个优势在于提供具有抗干扰设置及方法的一天线，其中所述电气连接元件具有两端，分别被电气连接于所述辐射源和所述参考地，以在共振状态下降低所述天线的内阻抗，从而提高所述天线的抗干扰性能。

本发明的一个优势在于提供具有抗干扰设置及方法的一天线，其中所述辐射源连接点与所述馈电点重合，从而电气连接所述馈电点与所述参考地，以在共振状态下降低所述天线的内阻抗，从而提高所述天线的抗干扰性能。

本发明的其他优势和特征将显示于后续描述中，或藉由权利要求中特别指出的特定做法或组合体现。

依据本发明，本发明藉由提供一天线实现上述和其他目的及优势，所述天线包括：

一参考地；和

至少一辐射源，其中所述辐射源被相邻地设置于所述参考地，以在所述辐射源和所述参考地之间定义一辐射缝隙，其中所述辐射源被电气连接于所述参考地以将所述辐射源接地，从而使所述天线的频宽变窄。

依本发明的另一个方面，本发明还提供一天线的制造方法，其中所述天线包括至少一辐射源和一参考地，其中所述制造方法包括如下步骤：

(a)相邻地设置所述辐射源于所述参考地，以形成一辐射缝隙于所述辐射源和所述参考地之间；和

(b)将所述辐射源电气连接于所述参考地，以将所述辐射源被接地，从而使所述天线的频宽变窄。

依本发明的另一个方面，本发明提供一天线提高抗干扰性能的方法，其中所述天线包括至少一辐射源和一参考地，其中所述方法包括如下步骤：

(1)形成一辐射缝隙于所述辐射源和所述参考地之间。

(2)透过电气连接所述辐射源至所述参考地将所述辐射源接地，以降低所述天线的内阻抗，从而当一电磁激励信号自所述辐射源的一馈电点被接入时，所述天线的频宽变窄将防止所述天线接收或产生的电磁波信号受到附近的相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰。

通过对随后的描述和附图的理解，本发明进一步的目的和优势将得以充分体现。

本发明的这些和其它目的、特点和优势，通过下述的详细说明，附图和权利要求得以充分体现。

附图说明

图1是依本发明的一第一较佳实施例的具有抗干扰设置的一天线的立体示意图。

图2是依本发明的上述第一较佳实施例的所述天线的剖视图。

图3显示依本发明的上述第一较佳实施例的所述天线的一第一变形实施方式。

图4显示依本发明的上述第一较佳实施例的所述天线的一第二变形实施方式。

图5是依本发明的上述第一较佳实施例的第二变形实施方式的所述天线的剖视图。

图6A显示依本发明的上述第一较佳实施例的所述天线的一第三变形实施方式。

图7A显示依本发明的上述第一较佳实施例的所述天线的一第四变形实施方式。

图7B是依本发明的上述第一较佳实施例的第四变形实施方式的所述天线的剖视图。

图8是依本发明的上述第一较佳实施例的所述天线的一抗干扰电路图。

图9是依本发明的一第二较佳实施例的具有抗干扰设置的一天线的立体示意图。

图10是依本发明的上述第二较佳实施例的所述天线的剖视图。

图11是依本发明的一第三较佳实施例的具有抗干扰设置的一天线的立体示意图。

图12是依本发明的上述第三较佳实施例的所述天线的剖视图。

图13是依本发明的一第四较佳实施例的具有抗干扰设置的一天线的立体示意图。

图14是依本发明的上述第四较佳实施例的所述天线的剖视图。

图15显示依本发明的上述第四较佳实施例的一变形实施方式的所述天线。

具体实施方式

以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。

本领域技术人员应理解的是，在本发明的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本发明的限制。

可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。因此，上述用词不应作为本发明的元件在实际数字上的限制。

参考本发明的说明书附图之附图1和图2，依本发明的一较佳实施例的一天线将被阐述，其中所述天线包括一参考地10和至少一辐射源20，其中所述辐射源20被相邻地设置于所述参考地10的一第一侧面101，从而形成一天线主体。相应地，所述天线进一步包括一振荡电路，电气耦合于所述天线主体。

值得一提的是，本发明的所述辐射源20被与所述参考地10相邻地分开，即所述辐射源20与所述参考地10之间没有直接接触。尤其在所述参考地10和所述辐射源20之间预留一间距，作为两者之间的一辐射缝隙30。

此外，在所述参考地10和所述辐射源20之间形成的所述辐射缝隙30是指所述辐射源20的表面与所述参考地10的表面之间的表面差。例如，在附图1和图2示出的实施例中，在所述辐射源20和所述参考地10之间形成的所述辐射缝隙30是所述参考地10的所述第一侧面101与所述辐射源20的外表面之间的一高度差。再例如，在附图7A和图7B示出的实施例中，在所述辐射源20和所述参考地10之间形成的所述辐射缝隙30是所述辐射源20的周面与所述参考地10的所述第一侧面101之间的一间距。由此可见，在所述辐射源20和所述参考地10之间的所述辐射缝隙30的形成不限于其仅有的两种指定表面。如附图1和图 2所示，所述辐射源20和所述参考地10被电气连接，其中所述辐射源20被接地。值得一提的是，在传统天线的配置中所述辐射源并不接地，也不被电气连接于所述参考地。藉由将所述辐射源20接地，能够大幅降低本发明的所述天线的阻抗，以使所述天线的频宽变窄，从而有利于避免相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰本发明的所述天线接收或产生的电磁波信号。

参考附图1和图2，所述辐射源20具有至少一辐射源连接点21和一馈电点22。所述参考地10进一步具有至少一参考地连接点11。所述辐射源20的所述辐射源连接点21被电气连接至所述参考地10的所述参考地连接点11，从而使得所述辐射源20被接地。此外，所述辐射源20的所述馈电点22被设置以被连接到一激励电流。相应地，所述振荡电路被连接至所述天线主体的所述馈电点22以产生所述电磁波信号(微波激励电信号)一旦所述激励电流被所述辐射源20的所述馈电点22接入，所述天线将于一极化方向初始化，而所述辐射源20将向外放射地产生辐射能量。如上述地，所述辐射源20被电气连接至所述参考地10以将所述辐射源20接地。当所述激励电流自所述辐射源20的所述馈电点22被接入后，所述辐射源的所述辐射源连接点21和所述馈电点22之间由于两者之间的电感特性将产生一定的阻抗，从而将使得所述天线被激励并在一极化方向初始化以于所述辐射源20向外放射地产生辐射能量。同时，所述辐射源20的所述辐射源连接点21和所述馈电点22之间因其电感特性将具有较低的阻抗，以使得所述天线的频宽变窄，从而本发明的所述天线可以通过使频宽变窄的方式大幅降低所述天线接收或产生的电磁波信号受相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率影响导致的任何干扰。值得一提的是，所述辐射源20的所述馈电点22必将偏离其物理中点，从而容易被激励电流激励。此外，为了激励所述辐射源20，在所述辐射源20和所述参考地10之间必有一阻抗。即使所述辐射源20的所述辐射源连接点21被接地，由于在高频率激励信号下所述辐射源连接点21和所述馈电点22之间的电感特性，两者之间仍将产生阻抗。值得一提的是，所述阻抗即使产生了，这样的阻抗也相对低。

值得一提的是，所述天线的阻抗能够被降低，以在其辐射频段内增强其主辐射波的辐射能量，从而降低所述天线的谐波辐射。相应地，所述天线不仅在其辐射频段产生该电磁波，也会在其辐射频段的倍频产生谐波，也就是杂散辐射。

优选地，所述辐射源20的所述辐射源连接点21与所述馈电点22之间的距 离大于或者等于1/64λ，其中λ是所述天线接收或产生的电磁波信号的波长，以在微波激励电信号的激励作用下，所述电磁波信号将在所述辐射源20的所述辐射源连接点21与所述馈电点22之间产生电感特性。当所述辐射源20的所述馈电点22被偏离所述辐射源20的物理中点时，所述天线对用于所述电磁波信号的激励电流的大小要求将大幅降低。从而当所述激励电流自所述辐射源20的所述馈电点22被接入时，所述天线更容易被在极化方向初始化。

如图1和图2所示，所述辐射源20的所述辐射源连接点21优选地被定义为所述辐射源20的物理中点。换句话说，所述辐射源20的物理中点被电气连接于所述辐射源20的所述参考地10，从而藉由在其物理中点形成所述辐射源20的所述辐射源连接点21使得所述天线在产生初始的极化方向后能够通过所述辐射源20均匀且稳定地向外放射地产生辐射能量。本领域技术人员应当理解的是，所述辐射源20的边缘与所述辐射源20的所述馈电点22在激励电流的激励作用下产生电感，所述辐射源20与所述参考地10之间产生带有分布电容的所述天线的谐振回路，以用于接收或产生电磁波信号。

如图1和图2所示，其中仅有一所述辐射源20的辐射源连接点21。在图3所示的另一实施例当中有两个或更多所述辐射源20的辐射源连接点21，其中所述辐射源20的这些所述辐射源连接点21环绕着所述辐射源20的物理中点。此外，所述辐射源20的这些所述辐射源连接点21与所述辐射源20的边缘之间预设有一距离，这样，在所述电磁波信号的激励作用下，所述辐射源20的所述馈电点22与所述辐射源20的所述辐射源连接点21之间将产生电感特性。然后，当激励电流自所述辐射源20的所述馈电点22被接入所述辐射源20时，所述天线的阻抗将被降低，从而使所述天线的频宽变窄。另外，任一所述辐射源连接点21与所述馈电点22之间的距离皆大于或者等于1/64λ，如图3所示。

如图1和图2所示，所述天线进一步包括一电气连接元件40，其具有两端，分别被电气连接于所述辐射源20的所述辐射源连接点21和所述参考地10的所述参考地连接点11，以藉由所述电气连接元件40形成一电气连接媒介以将所述辐射源20和所述参考地10相互电气连接，从而使得所述辐射源20被接地。

如图1和图2所示，优选地，所述辐射源20的所述辐射源连接点21正对所述参考地10的所述参考地连接点11，也就是说，所述辐射源20的所述辐射源连接点21和所述参考地10的所述参考地连接点11之间的延伸方向垂直于所述 参考地10的第一侧面。

值得一提的是，所述电气连接元件40被优选地耦合于所述辐射源20和所述参考地10之间，以使所述电气连接元件40的两端能分别被电气连接于所述辐射源20的所述辐射源连接点21和所述参考地10的所述参考地连接点11，从而将所述辐射源20电气连接于所述参考地10。

可以理解的是，所述辐射源20与所述参考地10之间的电气连接应理解为在高频的激励电流下，所述辐射源20与所述参考地10之间呈现有阻抗的电气连接状态。本领域技术人员应当理解，在高频的激励电流下，电容元件、导线本身、电阻元件以及电感元件均能够呈现具有一定阻抗的电气连通状态，如此则所述电气连接件40可被设置为由导线、电容元件、电阻元件以及电感元件中的一种或几种构成，而能够于高频的激励电流下，形成所述辐射源20与所述参考地10之间呈现有阻抗的电气连接并发射电磁波。

以一所述较佳实施例为例，首先将所述辐射源20邻近地保持于所述参考地10的所述第一侧面101，以在所述辐射源20和所述参考地10之间形成所述辐射缝隙30，然后自所述参考地10的一相对的第二侧面102开设一参考地穿孔12，其中所述参考地穿孔12被延伸对应于所述辐射源20。可以理解的是，所述辐射源20和所述参考地10之间的所述辐射缝隙30是一实体介质，如图1和图2所示。换句话说在所述参考地穿孔12被形成的同时，一缝隙穿孔31也被开设于所述辐射缝隙30当中，其中所述参考地10的所述参考地穿孔12连通并延伸通过所述辐射缝隙30的所述缝隙穿孔31，并且所述参考地10的所述参考地穿孔12和所述辐射缝隙30的所述缝隙穿孔31对应于所述辐射源20的所述辐射源连接点21。接着，一成型材料被依次自所述参考地10的所述参考地穿孔12和所述辐射缝隙30的所述缝隙穿孔31延伸，以便连接所述成型材料于所述辐射源20的所述辐射源连接点21及连接所述成型材料于所述参考地10，从而使所述成型材料形成所述电气连接元件40以将所述辐射源20和所述参考地10相互电气连接。并且所述成型材料与所述参考地10之间的连接点成为了所述所述参考地的所述参考地连接点11。

值得一提的是，根据所述较佳实施例，所述成型材料可以是但不限于金线、银线或其他导线，其中当所述成型材料被实施为所述连接线时，所述连接线能够依次自所述参考地10的所述参考地穿孔12和所述辐射缝隙30的所述缝隙穿孔 31延伸至所述辐射源20的所述辐射源连接点21，及连接至所述参考地10，从而形成将所述辐射源20和所述参考地10相互电气连接的所述电气连接元件40。或者，将所述连接线的一个端部先连接于所述辐射源20的所述辐射源连接点21，然后将所述辐射源20保持在靠近所述参考地10的所述第一侧面101，并使所述连接线穿入所述参考地10的被预设的所述参考地穿孔12以连接于所述参考地10，从而形成将所述辐射源20和所述参考地10彼此电气连接的所述电气连接元件40。根据一实施例，所述成型材料也可以是但不限于流体，其中当所述成型材料被填充于所述参考地10的所述参考地穿孔12和所述辐射缝隙30的所述缝隙穿孔31后，当所述成型材料被固化后，所述成型材料将形成将所述辐射源20和所述参考地10彼此电气连接的所述电气连接元件40。

如图1和图2所示，所述天线进一步包括一屏蔽罩50，其中所述屏蔽罩50被耦合于所述参考地10的所述第二侧面102。相应地，所述天线的所述辐射源20的形状不受限制。例如，所述辐射源20的形状可以被设置为四边形，如图1-3所示。其也可以被设置为正方形。同样地，所述辐射源20的形状可以被设置为圆形或椭圆形，如图4和图5所示。也就是说，所述辐射源20的延伸方向和所述参考地10的延伸方向一致，即所述辐射源20与所述参考地10平行，从而形成一平板天线。在其他实施例中，如图7A和图7B所示，所述辐射源20的延伸方向与所述参考地10的延伸方向相互垂直，即所述辐射源20垂直于所述参考地10，从而形成一柱状天线。如图7A和7B所示，所述天线进一步包括至少一附加电感100，其中所述附加电感100的一个端部被电气连接于所述辐射源20的所述辐射源连接点21，而所述附加电感100的另一端部则被接地。所述辐射源连接点21形成于所述辐射源20的所述连接端2001，从而所述附加电感100的一个端部自所述辐射源20的所述连接端2001被连接于所述辐射源连接点21，所述附加电感100的另一个端部被接地。

如图8所示，所述天线进一步包括一抗干扰电路60，被电气连接于所述辐射源20的所述馈电点22，以允许激励电流经所述抗干扰电路60至所述辐射源20的所述馈电点22。所述抗干扰电路60具有低阻抗以提供所述激励电流以匹配所述天线的低阻抗，从而使所述天线能产生所述初始极化方向。由于所述天线的阻抗将被降低且所述天线的频宽将被变窄，从而避免所述天线接收或产生的电磁波信号受附近的相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率影响造成的一切干扰都 将被大幅降低。

如图8所示，所述天线进一步包括一模拟电路70，被电气连接于所述辐射源20和所述参考地10以便受到所述激励电流的激励。如图8所示，所述模拟电路70具有一第一模拟点71和一第二模拟点72，其中所述第一模拟点71模拟所述辐射源20的所述辐射源连接点21，所述第二模拟点72模拟所述辐射源20的所述馈电点22。值得一提的是，所述天线主体受到来自于所述振荡电路的所述激励电流激励，其表现如同被激动的所述模拟电路70。

具体地，所述抗干扰电路60包括一振荡电路单元61(即所述振荡电路)和被连接于所述振荡电路单元61的一混频检波电路单元62。相应地，所述模拟电路70的所述第二模拟点72被电气连接于所述抗干扰电路60的所述振荡电路单元61，其中所述混频检波电路单元62被设置及保持在所述振荡电路单元61和所述辐射源20之间。所述混频检波电路单元62适配所述振荡电路单元61的低阻抗输出和被接地的所述天线的低阻抗，从而保证所述天线的运作的稳定性和可靠性。换句话说，所述辐射源20的所述馈电点22被电气连接于所述抗干扰电路60的所述振荡电路单元61。

相应地，一旦所述天线的阻抗被降低，其频宽将会变窄以提高其抗干扰性能。该现有天线的阻抗可被设置低至50ohms。然而，囿于现有的振荡电路，现有天线的阻抗无法被进一步降到低于50ohms。相对地，本发明的所述振荡电路单元61被设置以匹配所述低阻抗天线以进一步降低所述天线的阻抗。换言之，适合所述低阻抗天线的所述激励电流的强度将较大。然而在所述天线的发射功率调节下，传统振荡电路无法提供如此大的激励电流。因此本发明的所述振荡电路单元61必有一低阻抗以匹配所述低阻抗天线。

相应地，所述抗干扰电路60可以被设置在所述参考地10，例如所述抗干扰电路60可以被印刷或被覆于所述参考地10，或者可被蚀刻于所述参考地10。值得一提的是，将所述抗干扰电路60形成于所述参考地10的方式在本发明中不受限制。

优选地，所述抗干扰电路60的所述振荡电路单元61和所述混频检波电路单元62之间，以及所述混频检波电路单元62与所述辐射源20的所述馈电点22之间的连接方式可以是电容耦合连接方式，如此以便所述混频检波电路单元62适配所述振荡电路单元61的低阻抗输出和被接地的所述天线的低阻抗，从而有效 地抑制耦合带来的差模干扰和抑制所述天线接收到的共模干扰，从而提高所述天线的抗干扰性能。值得一提的是，所述天线被用于人体运动探测。由于多普勒效应，该接收与传送的电磁波之间的波长将会有差异。因此藉由混频检波电路单元62获取用于计算相关移动数据的微分值以区分接收与传送的电磁波是必要的。换言之，当所述天线被用于数据传输时，所述混频检波电路单元62可以被关闭。

参考附图8，所述抗干扰电路60对所述辐射源20的所述馈电点22具有低阻抗和的较大的激励电流，其匹配所述天线的低阻抗。具体地说，所述抗干扰电路60的所述振荡电路单元61包括一个三极电路处理器611、一个电感612、一个第一电阻613、一个第二电阻614、一个第一电容615、一个第二电容616、一个第三电容617、一个第四电容618以及一个第五电容619。所述电感612的一端部被电气连接于一电源VCC 63，而所述电感612的另一端部被电气连接于所述三极电路处理器611的所述第一连接端6111。换句话说，所述三极电路处理器611的所述第一连接端6111透过所述电感被电气连接于一电源VCC 63。所述第一电阻613的一端部被电气连接于所述三极电路处理器611的所述第一连接端6111，而所述第一电阻613的另一端部被电气连接于所述三极电路处理器611的所述第二连接端6112。所述第一电容615的一端部被电气连接于所述三极电路处理器611的所述第二连接端6112，而所述第一电容615的另一端部被电气连接于所述第二电容616的一端部。所述第二电容616的另一端部被电气连接于一接地点64，从而将所述第二连接端6112接地。换句话说，三极电路处理器611的所述第二连接端6112被接地。所述第三电容617的一端部被电气连接于所述三极电路处理器611的所述第一连接端6111，而所述第三电容617的另一端部被电气连接于所述三极电路处理器611的所述第三连接端6113。所述第二电阻614的一端部被电气连接于所述三极电路处理器611的所述第三连接端6113，而所述第二电阻614的另一端部被电气连接于所述接地点64。所述第四电容618的一端部被电气连接于所述三极电路处理器611的所述第三连接端6113，而所述第四电容618的另一端部被电气连接于所述第五电容619的一端部。所述第五电容619的另一端部被电气连接于所述辐射源20的所述馈电点22。也就是说，所述辐射源20的所述馈电点22被直接电气连接于所述三极电路处理器611的所述第三连接端6113。相应地，当所述参考地10被接地(即所述振荡电路单元61具有零参考电位)，且所述馈电点22被电气连接于所述振荡电路单元61时，所 述天线主体将能接受所述激励电流以产生所述电磁波信号。

相应地，相较于传统振荡电路，所述三极管电路的所述第一端提供该激励电信号至所述辐射源20的所述馈电点22。当该电流微弱时，将难以匹配所述天线的低阻抗，使得该传统天线无法被激励。值得一提的是，本发明的所述三极电路处理器611可以是一个MOS管，其中所述三极电路处理器611的所述第三连接端6113是所述MOS管的源极。也就是说，所述辐射源20的所述馈电点22被直接电气连接于所述MOS管的源极，这样，所述抗干扰电路60将能为所述辐射源20的所述馈电点22提供较大的激励电流及降低所述天线的低阻抗。根据另一实施例，所述三极电路处理器611可以是一个三极管，其中所述三极电路处理器611的所述第三连接端6113是所述三极管的发射极。也就是说，所述辐射源20的所述馈电点22被直接电气连接于所述三极管20的发射极，从而所述抗干扰电路60能够为所述辐射源20的所述馈电点22提供一较大的激励电流以降低所述天线的阻抗。

应当理解本发明通过以所述三极电路处理器611的所述第三连接端6113为所述辐射源20提供所述激励电流。所述三极电路处理器611的所述第三连接端6113为所述三极电路处理器611的输出端。换句话说，电流被从所述三极电路处理器611的所述第三连接端6113输出，以降低所述振荡电路单元61的阻抗，从而为所述辐射源20的所述馈电点22提供较大的激励电流并降低所述天线的低阻抗。相应地，本发明在所述抗干扰电路60的配置方面不受限制。

所述混频检波电路单元62包括一第一二极管621和一第二二极管622，其中所述第一二极管621的一端部和所述第二二极管622的一端部分别被连接于一信号输出端口65，而所述第一二极管621的另一端部和所述第二二极管622的另一端部分别被连接于所述接地点64。

相应地，所述抗干扰电路60、所述辐射源20与所述参考地10的这种连接方式，能够使所述抗干扰电路60的所述振荡电路单元61和所述混频检波电路单元62与所述模拟电路70的直流电位互不影响，从而保证所述天线的稳定性和可靠性。如此，藉由设置所述抗干扰电路60以在所述振荡电路单元61的所述第三电容617和所述第四电路618与所述辐射源20的所述馈电点22之间设置所述第五电容619，能够使所述振荡电路单元61、所述混频检波电路单元62和所述辐射源20的所述馈电点22彼此电容耦合，如此以使得所述混频检波电路单元62适 配所述振荡电路单元61的低阻抗输出和所述天线相对地极的低阻抗，从而能够有效地抑制耦合带来的差模干扰和抑制所述天线接收上的共模干扰。换句话说，提高了所述天线的抗干扰性能。另外，在本发明的所述天线中，在所述三极电路处理器611的所述第一连接端6111和所述电源VCC63之间设置所述电感612，以进一步降低所述抗振荡电路单元61的干扰，以提供适宜的激励电流而与低阻抗的所述天线相匹配。

根据所述较佳实施例，所述辐射源20的所述辐射源连接点21被电气连接于所述参考地10的所述参考地连接点11，从而使得所述辐射源20的所述辐射源连接点21被连接于所述接地点64，通过这样的连接方式，当激励电流自所述辐射源20的所述馈电点22被接入后，所述辐射源20的所述辐射源连接点21和所述馈电点22之间将产生电感特性而提供一定的阻抗，因而所述天线能轻易在极化方向被初始化以稳定地向外放射地产生辐射能量。同时，所述辐射源20的所述辐射源连接点21和所述馈电点22之间将产生电感特性而具有较低的阻抗，使所述天线的频宽将变窄，从而防止其接收或产生的电磁波信号被相邻电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰，从而提高所述天线的抗干扰性能。

换句话说，当所述天线主体的阻抗被降低时，其相应的频宽将会变窄，从而所述天线主体产生的该电磁波信号的频率将会被更集中于该频宽内。结果将可防止所述天线主体产生的该电磁波信号遭受相邻电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰，从而提高所述天线的抗干扰性能。值得一提的是，当所述天线主体的所述阻抗被降低时，所述激励电流的大小将被相对地增加。所述振荡电路单元61的所述阻抗将被进一步降低，以提供所述激励电流予所述天线主体。

因此，藉由将所述辐射源20接地和将所述辐射源连接点21和所述辐射源20的所述馈电点22之间的距离设置为大于或者等于1/64λ，所述辐射源20的所述馈电点22和所述参考地连接点11之间的部份将在高频率激励电流(即所述模拟电路70的L0b元件)下被电感。从而当所述天线主体被该激励电流激励以产生该电磁波信号时，尤其当在所述辐射源20的所述物理中点提供所述参考地连接点11时，将降低所述天线主体的阻抗。

值得一提的是，可以提供一电感予所述天线主体，其中所述电感的一端部被连接至所述参考地连接点11，而所述电感的另一端部则被接地。因此所述辐射源连接点21和所述辐射源20的所述馈电点22之间的距离不被限制。当所述参 考地10被接地，所述电感的接地端可藉由连接于所述参考地10而被接地。

图9和图10显示了依本发明的一第二较佳实施例，作为一变形实施方式，其中所述天线包括一参考地10A、两辐射源20A以及一微带连接部60A。两个所述辐射源20A彼此相邻，且被所述微带连接部60A电气连接。所述微带连接部60A被实施为一微连接带。各所述辐射源20A与所述参考地10A之间均形成有一辐射缝隙30A。

相应地，所述参考地10A具有一第一侧面101A和相对的一第二侧面102A，其中所述辐射源20A均被设置于所述参考地10A的所述第一侧面101A。参考图9和图10，每个所述辐射源20A均具有至少一辐射源连接点21A。所述参考地10A具有至少两参考地连接点11A。所述辐射源20A的所述辐射源连接点21A均分别被电气连接所述参考地10A的所述参考地连接点11A。一个所述辐射源20A具有一馈电点22A，而另一个所述辐射源20A不含任何馈电点。为了便于描述和理解，将被设置有所述馈电点22A的所述辐射源20A定义为一主辐射源201A，将另一个不设置馈电点所述辐射源20A定义为一副辐射源202A，如图9和图10所示。也就是说，所述主辐射源201A和所述副辐射源202A彼此相邻。在各所述主辐射源201A和所述副辐射源202A与所述参考地10A之间均形成所述辐射缝隙30A，其中所述微带连接部60A的两端分别被电气连接于所述主辐射源201A和所述副辐射源202A。

所述激励电流被自所述主辐射源201A的所述馈电点22A接入。当激励电流自所述主辐射源201A的所述馈电点22A被接入后，所述激励电流能够经所述微带连接部60A传到所述副辐射源202A，此时，所述天线将被在极化方向初始化而通过在所述辐射缝隙30A稳定地向外放射地产生所述辐射能量。因为所述主辐射源201A和所述副辐射源202A均被电气连接于所述参考地10A，从而当激励电流自所述主辐射源201A的所述馈电点22A被接入并通过所述微带连接部60A被传至所述副辐射源202A后，所述辐射源连接点21和所述馈电点22之间将产生电感特性而提供一定的阻抗，从而所述天线的频宽将变窄而防止所述天线接收或产生的电磁波信号被相邻电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰，以提高所述天线的抗干扰性能。

优选地，所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A与所述馈电点22A之间的距离大于或者等于1/64λ，其中λ是所述天线接收或产生的电磁波信号的波 长。在电磁波信号的激励作用下，所述电磁波信号将使所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A与所述馈电点22A之间产生电感特性，当所述主辐射源201A的所述馈电点22A被偏离所述主辐射源201A的物理中点时，所述天线对用于所述电磁波信号的激励电流的大小要求将大幅降低。从而当所述激励电流自所述主辐射源201A的所述馈电点22A被接入时，所述天线更容易被在极化方向初始化。

优选地，所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A被定义为所述主辐射源201A的物理中点。即，所述主辐射源201A的物理中点被电气连接于所述参考地10A，以将所述主辐射源201A接地。因此所述辐射源连接点21A与所述主辐射源201A的边缘预设有一距离。相应地，所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A被定义为所述副辐射源202A的物理中点，其中所述副辐射源202A的物理中点被电气连接于所述参考地10A，从而所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A与所述副辐射源202A的边缘之间预设有一距离，进而使得所述天线在产生初始的极化方向后能够通过所述主辐射源201A和所述副辐射源202A均匀稳定地向外放射地产生所述辐射能量。在电磁波信号的激励作用下，并通过将所述主辐射源201A的物理中点和所述副辐射源202A的物理中点电气连接于所述参考地10A的方式，当所述激励电流自所述主辐射源201A的所述馈电点22A被接入并自所述微带连接部60A被接入所述副辐射源202A时，所述天线将能通过所述主辐射源201A和所述副辐射源202A均匀稳定地向外放射地产生辐射能量。同时，所述主辐射源201A的所述馈电点22A与所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A之间，以及所述微带连接部60A与所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A之间都将产生电感特性而降低所述天线的阻抗。因此，所述天线的频宽将被变窄，进而防止其接收或产生的电磁波信号被相邻电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰，以提高所述天线的抗干扰性能。

参考图9和图10，所述天线进一步包括至少两电气连接元件40A，其中一个所述电气连接元件40A具有两端，分别电气连接于所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A和所述参考地10A的一所述参考地连接点11A，丛而使所述电气连接元件40A形成一电气连接媒介以将所述主辐射源201A和所述参考地10A相互电气连接，以将所述主辐射源201A接地。另一所述电气连接元件40A的两端分别被连接于所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A和所述参考地10A 的另一所述参考地连接点11A。因此，所述电气连接元件40A形成一电气连接媒介以将所述副辐射源202A和所述参考地10A相互电气连接，从而将所述副辐射源202A接地。

优选地，所述主辐射源201A和所述副辐射源202A中的至少一个辐射源的所述辐射源连接点21A的数量可以是两个以上。例如，在一个实施例当中，所述主辐射源201A提供两个或更多辐射源连接点21A，而所述副辐射源202A仅提供一个辐射源连接点21A，其中所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A环绕着所述主辐射源201A的物理中点。所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A为所述副辐射源202A的物理中点。在另一个实施例中，所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A的数量为一个，而所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A的数量为两个或更多。所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A为所述主辐射源201A的物理中点。所述副辐射源202A的物理中点被所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A环绕。在其它实施例中，所述主辐射源201A提供两个或更多辐射源连接点21A，而所述副辐射源202A也提供两个或更多辐射源连接点21A。所述主辐射源201A的物理中点被所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A环绕。所述副辐射源202A的物理中点被所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A环绕。

参考图9和图10，所述天线进一步包括一屏蔽罩50A，其中所述屏蔽罩50A被耦合于所述参考地10A的所述第二侧面102A。

图11和图12显示了依本发明的一第三较佳实施例，作为另一种变形实施方式，其中所述天线包括一参考地10B、四辐射源20B和三微带连接部60B，其中所述参考地10B具有一第一侧面101B和相对的一第二侧面102B。四个所述辐射源20B分别被两两成对地形成、并被彼此相邻地设置于所述参考地10B的所述第一侧面101B。所述微带连接部60A被实施为一微连接带。各所述辐射源20B与所述参考地10A之间均形成有一辐射缝隙30B。所述第一微带连接部60B具有两端，分别成对地连接于两个相邻的所述辐射源20B。所述第二微带连接部60B具有两端，分别另外成对地连接于两个相邻的所述辐射源20B。所述第三微带连接部60B具有两端，连接于所述第一和第二微带连接部60B之间。

根据该较佳实施例，所述四个辐射源20B依次定义为一第一辐射源210B、一第二辐射源220B、一第三辐射源230B以及一第四辐射源240B，其中所述第 一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B以此顺序顺时针地设置。从而使得所述第一辐射源210B分别与所述第二辐射源220B和所述第四辐射源240B相邻。所述第三辐射源230B分别与所述第二辐射源220B和所述第四辐射源240B相邻。所述第一辐射源210B和所述第三辐射源230B相对。所述第二辐射源220B和所述第四辐射源240B相对。并且，在所述第一辐射源210B与所述参考地10B之间形成所述辐射缝隙30B。在所述第二辐射源220B与所述参考地10B之间形成所述辐射缝隙30B。在所述第三辐射源230B与所述参考地10B之间形成所述辐射缝隙30B。在所述第四辐射源240B与所述参考地10B之间形成所述辐射缝隙30B。如前述的，所述三个微带连接部60B被定义为所述第一微带连接部61B、所述第二微带连接部62B、和所述第三微带连接部63B。所述第一微带连接部61B的两端分别被电气连接于所述第一辐射源210B和所述第二辐射源220B，所述第二微带连接部62B的两端分别被电气连接于所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B，所述第三微带连接部63B的两端分别被电气连接于所述第一微带连接部61B和所述第二微带连接部62B。

参考图11和图12，所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B相应地被连接于所述参考地10B，其中当激励电流分别被接入所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B时，所述天线将在极化方向被初始化而使所述天线能够接收或产生电磁波信号。

参考图11和图12，所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B各具有至少一辐射源连接点21B。所述参考地10B具有至少四参考地连接点11B，分别被电气连接于所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B。

所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B各具有一馈电点22B，以供接入所述激励电流。优选地，所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B当中任一的所述辐射源连接点21B与所述馈电点22B之间的距离大于或者等于1/64λ，其中λ是所述天线接收或产生的电磁波信号的波长。以在电磁波信号的激励作用下，所述电磁波信号将使所述第一辐射源210B、所述第二 辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B当中任一的所述辐射源连接点21B与所述馈电点22B之间产生电感特性以提供一定的阻抗，从而所述天线在极化方向被初始化以稳定地向外放射地产生辐射能量。同时，所述辐射源连接点21B和所述馈电点22B之间和所述微带连接部60A之间都将产生电感特性，使所述天线的阻抗降低，因而使得所述天线的频宽变窄，以防止所述天线接收或产生的电磁波信号被相邻电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰，从而提高所述天线的抗干扰性能。

进一步地，相应的辐射源20B的所述馈电点22B被偏离其物理中点，以降低所述天线对激励电流的大小要求，此外，当激励电流分别自所述第一辐射源210B的所述馈电点22B、所述第二辐射源220B的所述馈电点22B、所述第三辐射源230B的所述馈电点22B和自所述第四辐射源240B的所述馈电点22B被接入时，所述天线将更容易在极化方向被初始化。

优选地，所述第一辐射源210B的所述馈电点22B为连接所述第一微带连接部61B的连接点。所述第二辐射源220B的所述馈电点22B为连接所述第一微带连接部61B的连接点。所述第三辐射源230B的所述馈电点22B为连接所述第二微带连接部62B的连接点。所述第四辐射源240B的所述馈电点22B为连接所述第二微带连接部62B的连接点。

进一步地，所述天线具有一天线馈电点70B，被电气连接于所述第三微带连接部63B，当所述激励电流自所述天线的所述天线馈电点70B被接入，其藉由所述第一微带连接部61B和所述第二微带连接部62B通过所述第三微带连接部63B至所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B的各所述馈电点22B，从而所述天线的频宽将变窄，进而防止其接收或产生的电磁波信号被相邻电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰，以提高所述天线的抗干扰性能。

此外，当所述第一辐射源210B的所述辐射源连接点21B的数量是一个时，所述辐射源连接点21B将被定义为所述第一辐射源210B的物理中点；当所述第一辐射源210B的所述辐射源连接点21B的数量为两个或更多时，所述辐射源连接点21B将环绕所述第一辐射源210B的物理中点。当所述第二辐射源220B的所述辐射源连接点21B的数量是一个时，所述辐射源连接点21B将被定义为所述第二辐射源220B的物理中点；当所述第二辐射源220B的所述辐射源连接点 21B的数量为两个或更多时，所述辐射源连接点21B将环绕所述第二辐射源220B的物理中点。当所述第三辐射源230B的所述辐射源连接点21B的数量是一个时，所述辐射源连接点21B为所述第三辐射源230B的物理中点；当所述第三辐射源230B的所述辐射源连接点21B的数量为两个以上时，所述辐射源连接点21B环绕在所述第三辐射源230B的物理中点。当所述第四辐射源240B的所述辐射源连接点21B的数量是一个时，所述辐射源连接点21B为所述第四辐射源240B的物理中点；当所述第四辐射源240B的所述辐射源连接点21B的数量为两个以上时，所述辐射源连接点21B环绕在所述第四辐射源240B的物理中点。

参考图11和图12，所述天线进一步包括至少四电气连接元件40B，其中至少一个所述电气连接元件40B的两端分别电气连接于所述第一辐射源210B的所述辐射源连接点21B和所述参考地10B的所述参考地连接点11B，以将所述第一辐射源210B电气连接于所述参考地10B。至少一个所述电气连接元件40B的两端分别电气连接于所述第二辐射源220B的所述辐射源连接点21B和所述参考地10B的所述参考地连接点11B，以将所述第二辐射源220B电气连接于所述参考地10B。至少一个所述电气连接元件40B的两端分别电气连接于所述第三辐射源230B的所述辐射源连接点21B和所述参考地10B的所述参考地连接点11B，以将所述第三辐射源230B电气连接于所述参考地10B。至少一个所述电气连接元件40B的两端分别电气连接于所述第四辐射源240B的所述辐射源连接点21B和所述参考地10B的所述参考地连接点11B，以将所述第四辐射源240B电气连接于所述参考地10B。

参考图11和图12，所述天线进一步包括一屏蔽罩50B，其中所述屏蔽罩50B被耦合于所述参考地10B的所述第二侧面102B。

可以理解的是，上述的第一、第二、第三和第四仅用于描述本发明不同部件(或元件)的命名，其不应对任何对于本发明的不同部件、元件和结构产生区分。除非特别地指出，否则元件的次序或数目多少不受限制。具体地说，在附图11和图12示出的所述天线的这个具体的示例中，所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B仅用于描述本发明当中不同位置的所述辐射源20B的不同位置，其并不指代所述辐射源20B的次序或数目。

图13和图14显示作为本发明的一变形实施方式的第四较佳实施例，其中所 述天线包括一参考地10C和至少一辐射源20C，其中所述辐射源20C被相邻地设置于所述参考地10C，以在所述辐射源20C和所述参考地10C之间界定一辐射缝隙30C，相应地，至少一个辐射源20C被电气连接于所述参考地10C。

具体地说，所述参考地10C具有一第一侧面101C和相对的一第二侧面102C，其中所述辐射源20C被设置于所述参考地10C的所述第一侧面101C。

参考附图13和图14，所述辐射源20C具有一辐射源连接点21C和一馈电点22C，其中所述辐射源连接点21C和所述馈电点22C重合。所述参考地10C具有至少一参考地连接点11C。所述天线进一步包括至少一电气连接元件40B，优选地，其中所述电气连接元件40B为电感，并且所述电气连接元件40C具有两端，分别被电气连接于所述辐射源20C的所述辐射源连接点21C和所述参考地10C的所述参考地连接点11C，以藉由所述电气连接元件40C将所述辐射源20C电气连接于所述参考地10C。例如，所述电气连接元件40C可以是但不限于曲线连接式电感或螺纹连接式电感。在所述激励电流被所述辐射源20C的所述馈电点22C接入后，所述天线在所述辐射源20C于一极化方向被初始化，以向外放射地稳定地产生所述辐射能量。由于所述辐射源20C被所述电气连接元件40C电气连接于所述参考地10C，在所述激励电流被所述辐射源20C的所述馈电点22C接入后，将降低所述天线的阻抗，从而所述天线的频宽将变窄以防止所述天线接收或的电磁波信号被相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰，从而提高了所述天线的抗干扰性能。

或者，将所述辐射源20C和所述参考地10C通过所述电气连接元件40C相互电气连接，其中于所述参考地10C形成一穿孔，并形成一金属层于所述穿孔的一壁，从而形成一金属化穿孔以作为所述电气连接元件40D以电气连接所述辐射源20C于所述参考地10C，如图15所示。值得一提的是，所述天线的所述馈电点被通过所述电气连接元件40D电气连接于所述振荡电路。

根据该较佳实施例，本发明进一步包括一天线的制造方法，其中包括如下步骤：

(c)以在一辐射源20和一参考地10之间形成所述辐射缝隙30，其中所述辐射源20被相邻地设置于所述参考地10的所述第一侧面101。

(d)将所述辐射源20接地，以形成所述天线。

相应地，在所述步骤(b)中，所述辐射源20被电气连接于所述参考地10，以 将所述辐射源20接地。

值得一提的是，所述步骤(b)也可以在所述步骤(a)之前，换句话说就是先电气连接所述辐射源20与所述参考地10，然后相邻地保持所述辐射源20于所述参考地10的所述第一侧面101。

在所述步骤(a)中，在所述参考地10的所述第一侧面101设置一实体介质；然后设置所述辐射源20于所述实体介质，以使所述辐射源20相邻地保持在所述参考地10，从而形成所述辐射缝隙30于所述辐射源20和所述参考地10之间。或者，先在所述辐射源20设置所述实体介质，然后配置所述介质于所述参考地10的所述第一侧面101，以相邻地保持所述辐射源20于所述参考地10，从而形成所述辐射缝隙30于所述辐射源20和所述参考地10之间。

本发明进一步提供所述天线的抗干扰方法，其包括步骤：将所述辐射源20接地，以降低所述天线的内阻抗；于所述辐射源20的所述馈电点22接入所述激励电流，以使所述天线的频宽变窄，从而大幅降低本发明的所述天线接收或产生的电磁波信号受到附近的相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率的任何干扰。

本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本发明的实施例只作为举例而并不限制本发明。

本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本发明的实施方式可以有任何变形或修改。因此，本发明包括所有下列权利要求的范围和精神所包含的所有的修改。

Claims (50)

1. 一天线，其特征在于，包括：

   一参考地；和

   至少一辐射源，其中所述辐射源被相邻地设置于所述参考地，以在所述辐射源和所述参考地之间形成一辐射缝隙，而形成一天线主体，其中所述辐射源被接地以降低所述天线的阻抗。
2. 如权利要求1所述的天线，其中所述辐射源被电气连接于所述参考地，以形成所述天线主体。
3. 如权利要求2所述的天线，其中所述参考地具有一参考地连接点，其中所述辐射源具有至少一辐射源连接点和一馈电点，其中所述辐射源连接点被电气连接于所述参考地的所述参考地连接点以使所述辐射源接地，其中所述馈电点偏离所述辐射源的物理中心地被设置，以当所述馈电点被接入一激励电流时，所述天线能够被激励而产生一电磁波信号。
4. 如权利要求3所述的天线，其中所述辐射源的所述辐射源连接点和所述馈电点之间的距离大于或等于1/64λ，其中λ为所述电磁波信号的波长。
5. 如权利要求3所述的天线，其中所述辐射源的所述辐射源连接点被定义为其物理中点。
6. 如权利要求3所述的天线，其中当提供两个或更多所述辐射源连接点时，所述辐射源的物理中点将被所述辐射源连接点环绕。
7. 如权利要求3所述的天线，进一步包括一电气连接元件，其具有两端，分别被电气连接于所述辐射源的所述辐射源连接点和所述参考地的所述参考地连接点，以将所述辐射源电气连接于所述参考地。
8. 如权利要求7所述的天线，其中所述电气连接元件处于流体状态下被填入所述辐射缝隙，再固化以将所述辐射源电气连接于所述参考地。
9. 如权利要求3所述的天线，其中的所述辐射源连接点与所述馈电点重合。
10. 如权利要求3所述的天线，进一步包括具有低阻抗的一抗干扰电路，其被电气连接于所述辐射源的所述馈电点，以容许所述激励电流通过所述抗干扰电路至所述辐射源的所述馈电点。
11. 如权利要求10所述的天线，其中所述抗干扰电路包括被电气连接于所述辐射源的所述馈电点的一振荡电路单元及被电气连接于所述振荡电路单元的一混频检波电路单元。
12. 如权利要求11所述的天线，其中所述振荡电路单元包括一三极电路处理器、一电感、一第一电阻、一第二电阻、一第一电容、一第二电容、一第三电容、一第四电容、和一第五电容，其中所述三极电路处理器包括一第一连接端、一第二连接端、和一第三连接端，其中所述电感的一端部被电气连接于一电源，而所述电感的另一端部被被电气连接于所述三极电路处理器的所述第一连接端，其中所述第一电阻的一端部被电气连接于所述三极电路处理器的所述第一连接端，而所述第一电阻的另一端部被电气连接于所述三极电路处理器的所述第二连接端，其中所述第一电容的一端部被电气连接于所述三极电路处理器的所述第二连接端，而所述第一电容的另一端部被电气连接于所述第二电容的一端部，其中所述第二电容的另一端部被电气连接于所述接地点，其中所述第三电容的一端部被电气连接于所述三极电路处理器的所述第一连接端，而所述第三电容的另一端部被电气连接于所述三极电路处理器的所述第三连接端，其中所述第二电阻的一端部被电气连接于所述三极电路处理器的所述第三连接端，而所述第二电阻的另一端部被电气连接于所述接地点，其中所述第四电容的一端部被电气连接于所述三极电路处理器的所述第三连接端，而所述第四电容的另一端部被电气连接于所述第五电容的一端部，其中所述第五电容的另一端部被电气连接于所述辐射源的所述馈电点。
13. 如权利要求12所述的天线，其中所述混频检波电路单元包括一第一二极管和一第二二极管，其中所述第一二极管的一端部和所述第二二极管的一端部被连接于一输出端，所述第一二极管的另一端部和所述第二二极管的另一端部被连接于所述接地点。
14. 如权利要求3所述的天线，进一步包括一模拟电路，电气连接于所述辐射源和所述参考地以被所述激励电流激励，其中所述模拟电路包括一第一模拟点模拟所述辐射源的所述辐射源连接点，和一第二模拟点模拟所述辐射源的所述馈电点。
15. 如权利要求1所述的天线，进一步包括一微带连接部，当两所述辐射源被提供时电气连接于两所述辐射源，其中所述辐射缝隙被形成于各所述辐射源和所述参考地之间。
16. 如权利要求15所述的天线，其中所述参考地具有两参考连接点，其中各所述辐射源具有至少一辐射源连接点，从而分别将所述辐射源的所述辐射源连接点电气连接于所述参考地的所述参考连接点。
17. 如权利要求16所述的天线，其中一所述辐射源具有一馈电点，以形成一主辐射源，而另一所述辐射源不含任何馈电点，以形成一副辐射源，其中所述微带连接部的两端部被电气连接于所述主辐射源和所述副辐射源，其中在所述主辐射源的所述馈电点收到一激励电流后，所述微带连接部被设置供所述激励电流自所述主辐射源通过至所述副辐射源，从而使所述天线主体被激励而产生一电磁波信号。
18. 如权利要求17所述的天线，其中所述主辐射源的所述辐射源连接点和所述馈电点之间的距离大于或等于1/64λ，其中λ为所述电磁波信号的波长。
19. 如权利要求18所述的天线，其中所述主辐射源的所述辐射源连接点被界定为其物理中点，其中所述主辐射源的所述馈电点偏离其所述物理中点。
20. 如权利要求16所述的天线，进一步包括至少两电气连接元件，其中一所述电气连接元件具有两端，分别电气连接于所述主辐射源的所述辐射源连接点和所述参考地的一所述参考地连接点，以将所述主辐射源电气地接地，其中另一所述电气连接元件具有两端分别电气连接于所述副辐射源的所述辐射源连接点和所述参考地的另一所述参考地连接点，以将所述副辐射源电气地接地。
21. 如权利要求1所述的天线，进一步包括一屏蔽罩，其中所述参考地具有一第一侧 面和相对的一第二侧面，其中所述辐射源被相邻地设置于所述参考地的所述第一侧面，而所述屏蔽罩被耦合于所述参考地的所述第二侧面。
22. 如权利要求1所述的天线，进一步包括第一至第三微带连接部，当四个所述辐射源被提供时电气连接四个所述辐射源，其中所述辐射缝隙被形成于各所述辐射源和所述参考地之间。
23. 如权利要求22所述的天线，其中所述参考地具有四参考连接点，其中各所述辐射源具有一馈电点和至少一辐射源连接点，从而分别将所述辐射源的所述辐射源连接点电气连接于所述参考地的所述参考连接点。
24. 如权利要求23所述的天线，其中所述辐射源被成对地形成，其中所述第一微带连接部具有两端部，被成对地电气连接于所述辐射源的所述馈电点，其中所述第二微带连接部具有两端部，被另成对地电气连接于所述辐射源的所述馈电点，其中所述第三微带连接部被电气连接于所述第一和第二微带连接部。
25. 如权利要求24所述的天线，进一步包括一天线馈电点，其中所述天线馈电点被电气连接于所述第三微带连接部。
26. 如权利要求24所述的天线，进一步包括至少四电气连接元件，其中所述电气连接元件分别被电气连接于所述辐射源的所述辐射源连接点和所述参考地的所述参考地连接点之间，以将所述辐射源电气地接地。
27. 如权利要求3所述的天线，进一步包括至少一附加电感，其中所述附加电感的一端部被电气连接于所述辐射源的所述辐射源连接点，而所述附加电感的另一端部被接地。
28. 如权利要求3所述的天线，进一步包括一电气连接元件，其包括一穿孔，形成于所述参考地，和一金属层，形成于所述穿孔的一壁，以形成一金属化穿孔以将所述辐射源电气连接于所述参考地。
29. 一天线，其特征在于，包括：

    一天线主体，包括一辐射源，其中所述辐射源包括被接地的一辐射源连接点和一馈电点；和

    一振荡电路单元，其包括一三极电路处理器，具有一第一连接端、一第二连接端、和一第三连接端，其中所述第一连接端被电气连接于一电源，所述第二连接端被接地，所述第三连接端被电气连接于所述辐射源的所述馈电点，其中所述第三连接端作为一输出端而提供一激励电流予所述辐射源的所述馈电点，从而所述天线主体被激励以产生一电磁波信号。
30. 如权利要求29所述的天线，其中所述天线主体进一步包括被电气连接于所述辐射源的一所述辐射源连接点的一参考地，从而将所述辐射源接地。
31. 如权利要求29所述的天线，其中所述三极电路处理器的所述第三连接端为一MOS管的源极。
32. 如权利要求29所述的天线，其中所述三极电路处理器的所述第三连接端为一三极管的发射极。
33. 如权利要求29所述的天线，其中所述振荡电路单元进一步包括具有两端的一电感，一端被电气连接于所述电源，另一端被电气连接于所述三极电路处理器的所述第一连接端。
34. 如权利要求29所述的天线，其中所述振荡电路单元进一步包括一第一电容和一第二电容，其中所述第一电容的一端部被电气连接于所述三极电路处理器的所述第二连接端，而所述第一电容的另一端部被电气连接于所述第二电容的一端部，其中所述第二电容的另一端部被接地。
35. 一天线的制造方法，其中所述天线包括至少一辐射源和一参考地，其特征在于包括如下步骤：

    (a)相邻地设置所述辐射源于所述参考地，以形成一辐射缝隙于所述辐射源和所述参 考地之间；和

    (b)将所述辐射源电气连接于所述参考地以形成一天线主体，其中所述辐射源被接地以使所述天线的频宽变窄。
36. 权利要求35所述的方法，其中在所述步骤(a)当中还包括设置一实体介质于所述辐射源和所述参考地之间以在两者间形成所述辐射缝隙的步骤。
37. 权利要求35所述的方法，其中在所述步骤(b)当中还包括电气连接所述辐射源的至少一辐射源连接点至所述参考地的一参考地连接点以将所述辐射源接地的步骤，以及于所述辐射源的一馈电点接入一激励电流，以使所述天线主体被激励而产生一电磁波信号的步骤。
38. 如权利要求37所述的方法，其中所述辐射源的所述辐射源连接点和所述馈电点之间的距离大于或等于1/64λ，其中λ为所述电磁波信号的波长。
39. 权利要求37所述的方法，其中在所述步骤(b)当中还包括分别电气连接一电气连接元件的两端于所述辐射源的所述辐射源连接点和所述参考地的所述参考地连接点，以将所述辐射源电气连接于所述参考地。
40. 如权利要求37所述的方法，进一步包括电气连接具有低阻抗的一抗干扰电路至所述辐射源的所述馈电点，以容许所述激励电流通过所述抗干扰电路至所述辐射源的所述馈电点的步骤。
41. 如权利要求37所述的方法，进一步包括一步骤：电气连接一模拟电路于所述辐射源和所述参考地以被所述激励电流激励，其中所述模拟电路包括一第一模拟点模拟所述辐射源的所述辐射源连接点，和一第二模拟点模拟所述辐射源的所述馈电点。
42. 如权利要求37所述的方法，进一步包括一步骤：当两所述辐射源被提供时，电气连接一微带连接部于两所述辐射源，其中所述辐射缝隙被形成于各所述辐射源和所述参考地之间。
43. 如权利要求42所述的方法，进一步包括如下步骤：

    为所述辐射源配置一馈电点，以形成一主辐射源；

    配置另一所述辐射源，其不含任何馈电点，以形成一副辐射源；和

    电气连接所述微带连接部的两端部至所述主辐射源和所述副辐射源，从而在所述主辐射源的所述馈电点收到所述激励电流后，所述微带连接部被设置供所述激励电流自所述主辐射源通过至所述副辐射源。
44. 如权利要求43所述的方法，进一步包括如下步骤：

    提供至少两电气连接元件；

    分别电气连接一所述电气连接元件的两端于所述主辐射源的所述辐射源连接点和所述参考地的一所述参考地连接点以将所述主辐射源电气地接地；和

    分别电气连接另一个所述电气连接元件的两端于所述副辐射源的所述辐射源连接点和所述参考地的另一个所述参考地连接点以将所述副辐射源电气地接地。
45. 如权利要求35所述的方法，其中所述步骤(a)进一步包括一步骤：将四辐射源定位于所述参考地，其中所述辐射缝隙位于各所述辐射源和所述参考地之间，其中所述步骤(b)进一步包括一步骤：分别电气连接所述辐射源的辐射源连接点至所述参考地的所述参考连接点。
46. 如权利要求45所述的方法，进一步包括如下步骤：

    两两相邻地设置所述四个辐射源；

    藉由一第一微带连接部成对连接两所述辐射源的两馈电点；

    藉由一第二微带连接部另成对连接两所述辐射源的两馈电点；和

    藉由一第三微带连接部将所述第一和第二微带连接部相互连接。
47. 如权利要求46所述的方法，进一步包括一步骤：将所述天线的一天线馈电点电气连接于所述第三微带连接部。
48. 一提高天线抗干扰性能的方法，其中所述天线包括至少一辐射源和一参考地，其 特征在于，包括如下步骤：

    (a)形成一辐射缝隙于所述辐射源和所述参考地之间；和

    (b)透过电气连接所述辐射源至所述参考地将所述辐射源接地，以降低所述天线的内阻抗，从而当一激励电流自所述辐射源的一馈电点被接入时，所述天线的频宽变窄将防止所述天线接收或产生的电磁波信号受到附近的相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰。
49. 如权利要求48所述的方法，进一步包括将一振荡电路单元电气连接至所述辐射源的所述馈电点的步骤，其中所述振荡电路单元包括具有一输出端的一三极电路处理器，以降低所述振荡电路单元的阻抗，从而为所述辐射源的所述馈电点提供一较大的激励电流并降低所述天线的所述内阻抗。
50. 如权利要求49所述的方法，进一步包括如下步骤：

    电气连接所述三极电路处理器的一第一端至一电源

    将所述三极电路处理器的一第二端电气接地；和

    电气连接所述三极电路处理器的一第三端，也就是所述输出端，至所述辐射源的所述馈电点。

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