CN208655890U - 天线 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一天线，其包括一第一微带连接部、一第二微带连接部、一第三微带连接部、四辐射源和一参考地，其中任意两个所述辐射源之间具有间隙，并且每个所述辐射源分别被接地，其中所述第一微带连接部的两端分别延伸以被连接于相邻两个所述辐射源，所述第二微带连接部的两端分别延伸以被连接于另外相邻两个所述辐射源，所述第三微带连接部的两端分别延伸以被连接于所述第一微带连接部和所述第二微带连接部，其中所述参考地具有一第一侧面和对应于所述第一侧面的一第二侧面，其中每个所述辐射源分别以所述辐射源与所述参考地相邻的方式被保持在所述参考地的所述第一侧面，和在每个所述辐射源与所述参考地之间分别形成一辐射缝隙。

Description

天线
技术领域
本实用新型涉及微波领域，特别涉及一天线。
背景技术
ISM(Industrial Scientific Medical)Band是由ITU-R(ITURadiocommunication Sector，国际通信联盟无线电通信局)定义的供开放给诸如工业、科学和医学等机构使用的无需授权许可的频段，其在使用这些频段时需要遵守一定的发射功率(一般发射功率低于1W)且不对其他频段造成干扰。目前，在ITU-R开放的这些频段中被应用于微波探测的频段主要有2.4Ghz、5.8Ghz、 10.525Ghz、24.125Gh等频段，而近年来在被应用于微波探测的这几个频段附近已经密集地出现了新的频段的应用，例如5G技术的应用导致在被应用于微波探测的这几个频段附近密集地出现了新的频段应用。
因此，目前的依IEC(International Electrical Commission，国际电工委员会)标准的RS(Radiated Susceptibility，辐射抗扰度)测试频率点的上限也相应地被提高，也就是说，目前的被应用于微波探测的天线在一定的发射功率下满足不对其他频段造成干扰的同时，还要面对更为严格的RS(满足国际IEEE 及各国家与地区性的法律法规要求的)测试。众所周知的是，当两个以上的频段越接近时，越容易出现相互干扰的不良现象，对于被应用于微波探测的这几个频段来说，例如当5.8Ghz的频段被应用于微波探测而用于获得被探测的人或物体的动作时，5G技术的应用势必会导致5.8Ghz的频段容易被干扰，而一旦被应用于微波探测的5.8Ghz的频段被干扰，则探测结果的准确性也势必会受到影响。尤其是近年来，随着5G技术的逐渐成熟，5G技术必然会被逐渐的开放和被大规模的应用，可以预见的是，5G技术的大规模的应用必然会形成以5G网络为基础的高速数据网络通道，并且在未来还会不断地扩展到更多频段的应用。5G技术的这些频段的应用，导致被应用于微波探测的这些频段被干扰的可能性大幅度地增加和被干扰的程度大幅度地增加，因此，提高用于微波探测的天线的抗干扰性能刻不容缓。传统的提高用于微波探测的天线的抗干扰性的设计方式为抑制方式，例如通过屏蔽外来无线信号、信号滤波、软件算法处理等方式实现抗干扰效果的技术路线均是采用了抑制方式，这种通过抑制方式来提高用于微波探测的天线的抗干扰性能的设计方式仅能够改善某个或某几个频段的抗干扰效果，且改善后的抗干扰效果不佳，无法满足需求。
实用新型内容
本实用新型的一个目的在于提供一天线，其中所述天线的抗干扰性能能够被有效地提升。
本实用新型的一个目的在于提供一天线，其中所述天线能够有效地防止其接收或产生的电磁波信号被相邻频段的电磁辐射干扰，从而提高所述天线的抗干扰性能。
本实用新型的一个目的在于提供一天线，其中所述天线的阻抗能够被降低，以使所述天线的频宽变窄，从而有利于避免所述天线接收或产生的电磁波信号被相邻频段的电磁辐射干扰。
本实用新型的一个目的在于提供一天线，其中所述天线的阻抗能够被降低，在降低天线工作的频点阻抗的同时，对于非工作频点外的频率范围、呈现极低的甚至接近零欧的阻抗，以增强所述天线于其辐射频段的主辐射波的辐射能量，从而降低所述天线的谐波辐射地降低所述天线的杂散辐射。
本实用新型的一个目的在于提供一天线，其中所述天线的阻抗能够被降低，以在避免所述天线接收或产生的电磁波信号被相邻频段的电磁辐射干扰的同时，能够降低所述天线的杂散辐射地降低所述天线产生的电磁辐射对其他频段的干扰。换言之，所述天线的辐射抗扰度能够被提升和对其他电子设备的杂散干扰能够被降低。
本实用新型的一个目的在于提供一天线，其中所述天线提供一抗干扰电路，其中所述抗干扰电路具有低阻抗以能够与低阻抗的所述天线相匹配，从而有利于使所述天线的频宽变窄，进而有利于避免所述天线接收或产生的电磁波信号被相邻频段的电磁辐射干扰。
本实用新型的一个目的在于提供一天线，其中所述天线提供至少一辐射源，其中所述辐射源被接地，通过这样的方式，有利于降低所述天线的阻抗，从而使得所述天线的频宽变窄，以有利于避免所述天线接收或产生的电磁波信号被相邻频段的电磁辐射干扰，进而提高所述天线的抗干扰性能。
本实用新型的一个目的在于提供一天线，其中所述天线提供一参考地，所述辐射源和所述参考地被电气连接，以使所述辐射源被接地。
本实用新型的一个目的在于提供一天线，其中所述抗干扰电路能够提供较大的激励电流作用于所述辐射源，以保证所述天线的稳定工作。
本实用新型的一个目的在于提供一天线，其中所述辐射源提供至少一辐射源连接点，以供所述辐射源被电气连接于所述参考地，因为所述辐射源的所述辐射源连接点与所述辐射源的边缘具有预设距离，从而在微波激励电信号的作用下，所述辐射源的边缘与所述辐射源连接点将形成电感的电气特性。
本实用新型的一个目的在于提供一天线，其中所述辐射源的所述辐射源连接点与所述馈电点之间的距离大于或者等于1/64λ，从而在微波激励电信号的作用下，所述辐射源的所述馈电点与所述辐射源连接点将形成电感的电气特性。
本实用新型的一个目的在于提供一天线，其中所述辐射源的所述辐射源连接点为所述辐射源的物理中点，这样，所述天线的阻抗会被有效地降低，从而有利于提高所述天线的抗干扰性能。
本实用新型的一个目的在于提供一天线，其中所述天线提供一电气连接元件，其中所述电气连接元件的两端分别连接于所述辐射源和所述参考地，所述抗干扰电感能够有效地降低所述天线的阻抗，从而有利于提高所述天线的抗干扰性能。
本实用新型的一个目的在于提供一天线，其中所述辐射源的所述辐射源连接点与所述馈电点重合，并且所述天线的阻抗会被有效地降低，从而有利于提高所述天线的抗干扰效果。
本实用新型的一个目的在于提供一天线，其中所述辐射源的所述辐射源连接点与所述馈电点重合，从而所述辐射源能够在所述馈电点与所述参考地电气连接，并且所述天线的阻抗能够被有效地降低，从而有利于提高所述天线的抗干扰效果。
依本实用新型的一个方面，本实用新型提供一天线，其包括：
一第一微带连接部；
一第二微带连接部；
一第三微带连接部；
四辐射源，其中任意两个所述辐射源之间具有间隙，并且每个所述辐射源分别被接地，其中所述第一微带连接部的两端分别延伸以被连接于相邻两个所述辐射源，所述第二微带连接部的两端分别延伸以被连接于另外相邻两个所述辐射源，所述第三微带连接部的两端分别延伸以被连接于所述第一微带连接部和所述第二微带连接部；以及
一参考地，其中所述参考地具有一第一侧面和对应于所述第一侧面的一第二侧面，其中每个所述辐射源分别以所述辐射源与所述参考地相邻的方式被保持在所述参考地的所述第一侧面，和在每个所述辐射源与所述参考地之间分别形成一辐射缝隙。
根据本实用新型的一个实施例，至少一个所述辐射源和所述参考地被电气连接。
根据本实用新型的一个实施例，所述天线进一步包括至少一电气连接元件，其中所述电气连接元件的一个端部在所述辐射源的物理中点被连接于所述辐射源，所述电气连接元件的另一个端部被连接于所述参考地。
根据本实用新型的一个实施例，每个所述辐射源分别具有一馈电点，其中所述馈电点与所述辐射源的物理中点之间的距离大于或者等于1/64λ。
根据本实用新型的一个实施例，所述馈电点位于所述辐射源与所述第一微带连接部的连接位置或位于所述辐射源与所述第二微带连接部的连接位置。
根据本实用新型的一个实施例，所述天线进一步具有一天线馈电点，其中所述天线馈电点位于所述第三微带连接部。
根据本实用新型的一个实施例，所述天线进一步包括一抗干扰电路，其中所述抗干扰电路包括一振荡电路单元，所述振荡电路单元包括一三极电路处理器，其中所述三极电路处理器具有一第一连接端、一第二连接端以及一第三连接端，其中所述三极电路处理器的所述第一连接端能够被连接于一电源，所述三极电路处理器的所述第二连接端被接地，所述三极电路处理器的所述第三连接端被连接于所述天线馈电点。
根据本实用新型的一个实施例，所述振荡电路单元进一步包括一第一电感，其中所述第一电感的一个端部被连接于所述电源，所述第一电感的另一个端部被连接于所述三极电路处理器的所述第一连接端。
根据本实用新型的一个实施例，所述抗干扰电路进一步包括一混频检波电路单元，其中所述混频检波电路单元包括一第一二极管和一第二二极管，其中所述第一二极管的一个端部和所述第二二极管的一个端部分别同时被连接于所述三极电路处理器的所述第三连接端和所述辐射源的所述馈电点，所述第一二极管的另一个端部和所述第二二极管的另一个端部分别被接地。
根据本实用新型的一个实施例，所述振荡电路单元包括一第四电容和一第五电容，其中所述第四电容被设置在所述混频检波电路单元和所述三极电路处理器的所述第三连接端之间，所述第五电容被设置在所述混频检波电路单元和所述辐射源的所述馈电点之间。
根据本实用新型的一个实施例，所述三极电路处理器是MOS管，并且所述三极电路处理器的所述第三连接端为所述MOS管的源极。
根据本实用新型的一个实施例，所述三极电路处理器是三极管，并且所述三极电路处理器的所述第三连接端为所述三极管的发射极。
根据本实用新型的一个实施例，至少一个所述辐射源的形状为正方形；或者至少一个所述辐射源的形状为长方形；或者至少一个所述辐射源的形状为圆形；或者至少一个所述辐射源的形状为椭圆形。
附图说明
图1是依本实用新型的第一较佳实施例的一防电磁辐射干扰的天线的立体示意图。
图2是依本实用新型的上述较佳实施例的所述天线被沿着A-A线剖开后的内部结构示意图。
图3是依本实用新型的上述较佳实施例的所述天线的一个变形实施方式的立体示意图。
图4是依本实用新型的上述较佳实施例的所述天线的另一个变形实施方式的立体示意图。
图5是依本实用新型的上述较佳实施例的所述天线被沿着B-B线剖开后的内部结构示意图。
图6A是依本实用新型的上述较佳实施例的所述天线的一个变形实施方式的剖视示意图。
图6B是依本发明的上述较佳实施例的所述天线的另一个变形实施方式的剖视示意图。
图6C是依本发明的上述较佳实施例的所述天线的另一个变形实施方式的剖视示意图。
图6D是依本发明的上述较佳实施例的所述天线的另一个变形实施方式的剖视示意图。
图7A是依本实用新型的上述较佳实施例的所述天线的再一个变形实施方式的立体示意图。
图7B是依本实用新型的上述较佳实施例的所述天线被沿着C-C线剖开后的内部结构示意图。
图8是依本实用新型的上述较佳实施例的所述天线的一抗干扰电路的示意图。
图9是依本实用新型的第二较佳实施例的一防电磁辐射干扰的天线的立体示意图。
图10是依本实用新型的上述较佳实施例的所述天线被沿着D-D线剖开后的内部结构示意图。
图11是依本实用新型的第三较佳实施例的一防电磁辐射干扰的天线的立体示意图。
图12是依本实用新型的上述较佳实施例的所述天线被沿着E-E线剖开后的内部结构示意图。
图13是依本实用新型的第四较佳实施例的一防电磁辐射干扰的天线的立体示意图。
图14是依本实用新型的上述较佳实施例的所述天线被沿着F-F线剖开后的内部结构示意图。
具体实施方式
根据本实用新型的权利要求和说明书所公开的内容，本实用新型的技术方案具体如下文所述。
本领域技术人员应理解的是，在本实用新型的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本实用新型的限制。
可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，所述元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。
参考本实用新型的说明书附图之附图1和图2，依本实用新型的第一较佳实施例的一天线在接下来的描述中被揭露和被阐述，其中所述天线包括一参考地 10和至少一辐射源20，其中所述辐射源20被相邻地设置于所述参考地10，并且在所述辐射源20和所述参考地10之间形成一辐射缝隙30，其中至少一个所述辐射源20被接地，这样，能够降低所述天线的阻抗，以使所述天线的频宽变窄，从而有利于避免相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰所述天线接收或产生的电磁波信号。
具体地说，所述参考地10具有一第一侧面101和对应于所述第一侧面101 的一第二侧面102，其中所述辐射源20被相邻地设置于所述参考地10的所述第一侧面101。
值得一提的是，本实用新型所涉及的所述辐射源20被相邻地设置于所述参考地10是指所述辐射源20与所述参考地10没有直接接触，而是在所述辐射源 20和所述参考地10之间预留间距，通过这样的方式，所述天线能够在所述辐射源20和所述参考地10之间形成所述辐射缝隙30。
还值得一提的是，本实用新型所涉及的所述天线在所述辐射源20和所述参考地之间10之间形成所述辐射缝隙30是指所述辐射源20的表面与所述参考地 10的表面具有间距。例如，在附图1和图2示出的所述天线的这个较佳的示例中，所述天线在所述辐射源20和所述参考地10之间形成所述辐射缝隙30是指所述辐射源20的表面与所述参考地10的所述第一侧面101之间具有高度差，从而在所述辐射源20和所述参考地10之间形成所述辐射缝隙30。再例如，在附图7A和图7B示出的所述天线的这个较佳示例中，所述天线在所述辐射源20和所述参考地10之间形成所述辐射缝隙30是指所述辐射源20的周面与所述参考地10的所述第一侧面101之间具有间距，从而在所述辐射源20和所述参考地10之间形成所述辐射缝隙30。由此可见，本实用新型的所述天线中所涉及的形成在所述辐射源20和所述参考地10之间的所述辐射缝隙30可以是但不限于实体介质。
优选地，在附图1和图2示出的所述天线的这个较佳示例中，所述辐射源 20和所述参考地10被电气连接，从而使得所述辐射源20被接地，这样，能够降低所述天线的阻抗，以使所述天线的频宽变窄，从而有利于避免相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰所述天线接收或产生的电磁波信号。
具体地说，参考附图1和图2，所述辐射源20具有至少一辐射源连接点21 和一馈电点22，其中所述参考地10具有至少一参考地连接点11，其中所述辐射源20的所述辐射源连接点21和所述参考地10的所述参考地连接点11被电气连接，从而使得所述辐射源20被接地，所述辐射源20的所述馈电点22能够被接入微波激励电信号。当微波激励电信号自所述辐射源20的所述馈电点22被接入所述辐射源20后，所述天线能够产生初始的极化方向而在所述辐射源30处向外辐射能量。因为所述天线的所述辐射源20和所述参考地10被电气连接而将所述辐射源20接地，当微波激励电信号自所述辐射源20的所述馈电点22被接入所述辐射源20后，所述辐射源20的所述辐射源连接点21和所述馈电点22之间呈电感特性而具有一定的阻抗，从而使得所述天线能够被激励地产生初始的极化方向而在所述辐射源30处向外辐射能量，同时所述辐射源20的所述辐射源连接点 21和所述馈电点22之间因呈电感特性而具有较低的阻抗，以使得所述天线的频宽变窄，从而所述天线可以通过使频宽变窄的方式防止所述天线接收或产生的电磁波信号被相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰，从而提高所述天线的抗干扰性能。
优选地，所述辐射源20的所述辐射源连接点21与所述馈电点22之间的距离大于或者等于1/64λ，其中λ是所述天线能够接收或产生的电磁波信号的波长，以在微波激励电信号的激励作用下，使得所述辐射源20的所述辐射源连接点21 与所述馈电点22之间能够呈电感特性，且所述辐射源20的所述馈电点22偏离所述辐射源20的物理中点，以降低所述天线对微波激励电信号的激励电流的强度要求，从而当微波激励电信号自所述辐射源20的所述馈电点22被接入所述辐射源20时，所述天线更容易产生初始的极化方向。
在附图1和图2示出的所述天线的这个较佳示例中，所述辐射源20的所述辐射源连接点21是所述辐射源20的物理中点，即，所述辐射源20的物理中点与所述参考地10电气连接而使所述辐射源20的物理中点被接地，从而使得所述天线在产生初始的极化方向后能够于所述辐射源20的周缘稳定地向外辐射能量。本领域技术人员应当理解的是，所述天线的所述辐射源20的边缘与所述辐射源20的所述馈电点22在微波激励电信号的激励作用下呈现出的电感和所述辐射源20与所述参考地10之间呈现出的分布电容形成所述天线的谐振回路，以用于接收或产生电磁波信号。
在附图1和图2示出的所述天线的这个较佳示例中，所述天线的所述辐射源 20的所述辐射源连接点21的数量是一个。而在附图3示出的所述天线的另一个较佳示例中，所述天线的所述辐射源20的所述辐射源连接点21的数量是两个以上，其中这些所述辐射源连接点21环绕在所述辐射源20的物理中点，并且所述辐射源20的这些所述辐射源连接点21与所述辐射源20的边缘均具有预设距离，这样，在微波激励电信号的激励作用下，所述辐射源20的所述馈电点22与所述辐射源20的所述辐射源连接点21能够呈现出电感的电气特性，以在后续，当微波激励电信号自所述辐射源20的所述馈电点22被接入所述辐射源20时，所述天线具有较低的阻抗，从而使所述天线的频宽变窄。另外，在附图3示出的所述天线的这个较佳示例中，所述辐射源20的这些所述辐射源连接点21中的任意一个所述辐射源连接点21与所述馈电点22之间的距离大于或者等于1/64λ。
继续参考附图1和图2，所述天线包括至少一电气连接元件40，其中所述电气连接元件40的两端分别延伸和被连接于所述辐射源20的所述辐射源连接点 21和所述参考地10的所述参考地连接点11，以藉由所述电气连接元件40将所述辐射源20和所述参考地10电气连接，从而使得所述辐射源20被接地。
优选地，在附图1和图2示出的所述天线的这个较佳示例中，所述辐射源 20的所述辐射源连接点21正对所述参考地10的所述参考地连接点11，即，所述辐射源20的所述辐射源连接点21和所述参考地10的所述参考地连接点11之间的连线垂直于所述参考地10的延伸方向。
值得一提的是，所述电气连接元件40被设置在所述辐射源20和所述参考地 10之间，以使所述电气连接元件40的两端因分别与所述辐射源20的所述辐射源连接点21连接和与所述参考地10的所述参考地连接点11连接的方式电气地连接所述辐射源20和所述参考地10的方式在本实用新型的所述天线中不受限制。例如，在本实用新型的所述天线的一个较佳示例中，首先将所述辐射源20 邻近地保持于所述参考地10的所述第一侧面101，并且在所述辐射源20和所述参考地10之间形成所述辐射缝隙30，其次，自所述参考地10的所述第二侧面 102开设至少一参考地穿孔12，且所述参考地穿孔12对应于所述辐射源20的所述辐射源连接点21。可以理解的是，若形成在所述辐射源20和所述参考地10 之间的所述辐射缝隙30是实体介质，参考附图1和图2，则在所述参考地10开设所述参考地穿孔12的同时，所述辐射缝隙30也被开设至少一缝隙穿孔31，其中所述参考地10的所述参考地穿孔12连通所述辐射缝隙30的所述缝隙穿孔 31，并且所述参考地10的所述参考地穿孔12和所述辐射缝隙30的所述缝隙穿孔31对应于所述辐射源20的所述辐射源连接点21。接着，使成型材料依次自所述参考地10的所述参考地穿孔12和所述辐射缝隙30的所述缝隙穿孔31延伸至和被连接于所述辐射源20的所述辐射源连接点21，和使所述成型材料连接于所述参考地10，从而使所述成型材料形成用于电气连接所述辐射源20和所述参考地10的所述电气连接元件40。并且所述成型材料与所述参考地10相连接的位置形成所述参考地10的所述参考地连接点11。
值得一提的是，在本实用新型的所述天线的一个较佳示例中，所述成型材料可以是但不限于金线、银线等连接线，其中当所述成型材料被实施为所述连接线时，所述连接线能够依次自所述参考地10的所述参考地穿孔12和所述辐射缝隙 30的所述缝隙穿孔31延伸至和被连接于所述辐射源20的所述辐射源连接点21，且所述连接线能够被连接于所述参考地10，以使所述连接线形成用于电气连接所述辐射源20和所述参考地10的所述电气连接元件40。或者，将所述连接线的一个端部首先连接于所述辐射源20的所述辐射源连接点21，然后将所述辐射源20邻近地保持在所述参考地10的所述第一侧面101和使所述连接线穿入所述参考地10的被预设的所述参考地穿孔12和被连接于所述参考地10，从而藉由所述连接线形成用于电气连接所述辐射源20和所述参考地10的所述电气连接元件40。而在本实用新型的所述天线的另一个较佳示例中，所述成型材料也可以是但不限于流体，其中当所述成型材料被填充在所述参考地10的所述参考地穿孔12和所述辐射缝隙30的所述缝隙穿孔31且固化后，所述成型材料能够形成电气连接所述辐射源20和所述参考地10的所述电气连接元件40。也就是说，可以利用金属化过孔工艺使所述天线的所述辐射源20和所述参考地10被电气连接。
继续参考附图1和图2，所述天线进一步包括一屏蔽罩50，其中所述屏蔽罩 50被设置于所述参考地10，并且所述屏蔽罩50被保持在所述参考地10的所述第二侧面102。
另外，所述天线的所述辐射源20的形状在本实用新型的所述天线中不受限制，例如在附图1、图2和图3示出的所述天线的这些较佳示例中，所述辐射源 20的形状可以是四边形，具体为正方形或长方形，而在附图4和图5示出的所述天线的这些较佳示例中，所述辐射源20的形状可以是但不限于圆形或椭圆形。也就是说，在附图1至图5示出的所述天线的这些较佳示例中，所述辐射源20 的延伸方向和所述参考地10的延伸方向一致，从而使得所述天线形成平板天线。可选地，在附图7A和图7B示出的所述天线的这个变形示例中，所述辐射源20 的延伸方向与所述参考地10的延伸方向相互垂直，从而使得所述天线形成柱状天线。并且，在附图7A和图7B示出的所述天线的这个变形示例中，所述天线可以进一步包括至少一附加电感100，其中所述附加电感100的一个端部被连接于所述辐射源20的所述辐射源连接点21，所述附加电感100的另一个端被被接地。在附图6A至图6D示出的所述天线的这些较佳示例中，当所述辐射源20是平板天线时，所述天线也可以包括所述附加电感100，其中所述附加电感100的一个端部被连接于所述辐射源20的所述辐射源连接点21，所述附加电感100的另一个端部被接地。值得一提的是，在附图6A和图7B示出的所述天线的所述附加电感100用“□”来标示仅为举例，其并不是指代电阻。
进一步参考附图7A和图7B，所述参考地10进一步具有一穿孔103，其中所述辐射源20具有一连接端2001和对应于所述连接端2001的一自由端2002，其中所述辐射源20在所述辐射源20的所述连接端2001自所述参考地10的所述第一侧面101经所述穿孔103延伸至所述第二侧面102后被保持在所述参考地 10的所述穿孔103，从而使得所述辐射源20被设置于所述参考地10，并且在所述辐射源20和所述参考地10之间形成所述辐射缝隙30。所述辐射源连接点21 形成于所述辐射源20的所述连接端2001，从而所述附加电感100的一个端部自所述辐射源20的所述连接端2001被连接于所述辐射源连接点21，所述附加电感100的另一个端部被接地。
附图8示出了本实用新型的所述天线的一抗干扰电路60，其中所述辐射源20的所述馈电点22被接入所述抗干扰电路60，以允许微波激励电信号经所述抗干扰电路60自所述辐射源20的所述馈电点22被接入所述所述辐射源20。所述抗干扰电路60具有低阻抗，这样，能够为所述天线提供与所述天线的低阻抗相匹配的激励电流，而使得所述天线能够产生初始的极化方向，并由于所述天线具有较低的阻抗而同时使所述天线的频宽变窄，进而避免所述天线接收或产生的电磁波信号被相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰。
附图8进一步示出了所述天线的模拟电路70，其中所述模拟电路70为所述天线的所述辐射源20和所述参考地10于微波激励电信号的激励作用下的等效电气连接状态。在附图8中，所述模拟电路70具有一第一模拟点71和一第二模拟点72，其中所述第一模拟点71模拟所述辐射源20的所述辐射源连接点21，所述第二模拟点72模拟所述辐射源20的所述馈电点22。
具体地说，所述抗干扰电路60包括一振荡电路单元61和被连接于所述振荡电路单元61的一混频检波电路单元62，其中所述模拟电路70的所述第二模拟点72被连接于所述抗干扰电路60的所述振荡电路单元61，其中所述混频检波电路单元62被保持在所述振荡电路单元61和所述天线的所述辐射源20之间，以藉由所述混频检波电路单元62适配所述振荡电路单元61的低阻抗输出和所述天线的对地极低阻抗，从而保证所述天线的稳定性和可靠性。也就是说，在本实用新型的所述天线中，所述天线的所述辐射源20的所述馈电点22被连接于所述抗干扰电路60的所述振荡电路单元61。
所述抗干扰电路60可以被设置在所述参考地10，例如所述抗干扰电路60 可以通过印刷的方式被设置于所述参考地10，或者所述抗干扰电路60可以通过蚀刻的方式被设置在所述参考地10。值得一提的是，将所述抗干扰电路60设置在所述参考地10的方式在本实用新型的所述天线中不受限制。
优选地，所述抗干扰电路60的所述振荡电路单元61和所述混频检波电路单元62之间，以及所述混频检波电路单元62与所述辐射源20的所述馈电点22之间的连接方式为电容耦合连接方式，如此以使得所述混频检波电路单元62能够适配所述振荡电路单元61的低阻抗输出和所述天线的对地极低阻抗，从而能够有效地抑制耦合带来的差模干扰和抑制所述天线组接收到的共模干扰，从而提高所述天线的抗干扰性能。
具体地说，参考附图8，在本实用新型的所述天线中，所述抗干扰电路60 具有较低的阻抗而能够为所述辐射源20的所述馈电点22提供较大的与所述天线的低阻抗相匹配的激励电流，以保证所述天线的稳定性。具体地说，所述抗干扰电路60的所述振荡电路单元61包括一个三极电路处理器611、一个电感612、一个第一电阻613、一个第二电阻614、一个第一电容615、一个第二电容616、一个第三电容617、一个第四电容618以及一个第五电容619。所述三极电路处理器611具有一个第一连接端6111、一个第二连接端6112以及一个第三连接端 6113，其中所述电感612的一个端部被连接于一个电源VCC63，所述电感612的另一个端部被连接于所述三极电路处理器611的所述第一连接端6111。所述第一电阻613的一个端部被连接于所述三极电路处理器611的所述第一连接端 6111，所述第一电阻613的另一个端部被连接于所述三极电路处理器611的所述第二连接端6112。所述第一电容615的一个端部被连接于所述三极电路处理器 611的所述第二连接端6112，所述第一电容615的另一个端部被连接于所述第二电容616的一个端部，所述第二电容616的另一个端部被连接于一个接地点64。所述第三电容617的一个端部被连接于所述三极电路处理器611的所述第一连接端6111，所述第三电容617的另一个端部被连接于所述三极电路处理器611的所述第三连接端6113。所述第二电阻614的一个端部被连接于所述三极电路处理器611的所述第三连接端6113，所述第二电阻614的另一个端部被连接于所述接地点64。所述第四电容618的一个端部被连接于所述三极电路处理器611 的所述第三连接端6113，所述第四电容618的另一个端部被连接于所述第五电容619的一个端部，所述第五电容619的另一个端部被连接于所述天线的所述辐射源20的所述馈电点22。也就是说，所述辐射源20的所述馈电点22被直接连接于所述三极电路处理器611的所述第三连接端6113。
值得一提的是，在本实用新型的所述天线的一个较佳示例中，所述三极电路处理器611可以是一个MOS管，其中所述三极电路处理器611的所述第三连接端 6113是所述MOS管的源极。也就是说，所述天线的所述辐射源20的所述馈电点 22能够被直接连接于所述MOS管的源极，这样，所述抗干扰电路60能够为所述辐射源20提供较大的激励电流而与低阻抗的所述天线相匹配。在本实用新型的所述天线的另一个示例中，所述三极电路处理器611可以是一个三极管，其中所述三极电路处理器611的所述第三连接端6113是所述三极管的发射极。也就是说，所述天线的所述辐射源20的所述馈电点22能够被直接连接于所述三极管20的发射极，这样，所述抗干扰电路60能够为所述辐射源20提供较大的激励电流而与低阻抗的所述天线相匹配。
本领域技术人员应当理解，本实用新型通过以所述三极电路处理器611的所述第三连接端6113为所述辐射源20提供激励电流，其中所述三极电路处理器611的所述第三连接端6113为所述三极电路处理器611的汇流输出端，即电流汇集流出的端口，如此以使得所述振荡电路单元61具有较低的阻抗，从而为所述辐射源20提供较大的激励电流而与低阻抗的所述天线相匹配，其中在本实用新型的该原理下，所述抗干扰电路60的电路结构具有多种变形，本实用新型对此并不限制。
所述混频检波电路单元62包括一个第一二极管621和一个第二二极管622，其中所述第一二极管621的一个端部和所述第二二极管622的一个端部分别被连接于一个信号输出端口65，所述第一二极管621的另一个端部和所述第二二极管622的另一个端部分别被连接于所述接地点64。
所述抗干扰电路60和所述天线的所述辐射源20与所述参考地10的这种连接方式，能够使所述抗干扰电路60的所述振荡电路单元61和所述混频检波电路单元62与所述模拟电路70的直流电位互不影响，从而保证所述天线的稳定性和可靠性。并且所述抗干扰电路60通过在所述振荡电路单元61的所述第三电容 617和所述第四电路618与所述辐射源20的所述馈电点22之间设置所述第五电容619的方式，能够使所述振荡电路单元61、所述混频检波电路单元62和所述辐射源20的所述馈电点22形成电容耦合连接，如此以使得所述混频检波电路单元62能够适配所述振荡电路单元61的低阻抗输出和所述天线的对地极低阻抗，从而能够有效地抑制耦合带来的差模干扰和抑制所述天线组接收到的共模干扰，从而提高所述天线的抗干扰性能。
另外，在本实用新型的所述天线中，在所述三极电路处理器611的所述第一极端6111和所述电源VCC63之间设置所述电感612的方式，能够进一步降低所述抗振荡电路单元61的阻抗地使得所述振荡电路单元61能够为低阻抗的所述天线提供适宜的激励电流而与低阻抗的所述天线相匹配。
在本实用新型的所述天线中，所述辐射源20的所述辐射源连接点21被电气连接于所述参考地10的所述参考地连接点11，从而使得所述辐射源20的所述辐射源连接点21被连接于所述接地点64，通过这样的方式，当微波激励电信号自所述辐射源20的所述馈电点22被接入所述辐射源20后，所述辐射源20的所述辐射源连接点21和所述馈电点22之间呈电感特性而具有一定的阻抗，因而所述天线能够产生初始的极化方向而在所述辐射源30处向外辐射能量，同时所述辐射源20的所述辐射源连接点21和所述馈电点22之间呈电感特性而具有较低的阻抗，从而所述天线能够通过使频宽变窄的方式防止其接收或产生的电磁波信号被相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰，从而提高所述天线的抗干扰性能。
参考附图5，在本发明的所述天线的这个较佳示例中，一个连接线200自所述辐射源20的所述馈电点22经所述辐射源20、所述辐射缝隙30和所述参考地 10延伸至所述参考地10的所述第二侧面102，以在所述参考地10的所述第二侧面102电性地连接于所述抗干扰电路60。所述电气连接元件40自所述辐射源20 的所述辐射源连接点21经所述辐射源20、所述辐射缝隙30和所述参考地10延伸至所述参考地10的所述第二侧面102，以在所述参考地10的所述第二侧面102 电性地连接于所述接地点64。
与附图5示出的所述天线不同的是，在附图6A示出的所述天线的这个较佳示例中，所述电气连接元件40自所述辐射源20的所述辐射源连接点21经所述辐射源20、所述辐射缝隙30和所述参考地10延伸至所述参考地10的所述第二侧面102，所述附加电感100在所述参考地10的所述第二侧面102电性地连接于所述电气连接元件40和所述接地点64。
与附图5示出的所述天线不同的是，在附图6B示出的所述天线的这个较佳示例中，所述电气连接元件40自所述辐射源20的所述辐射源连接点21经所述辐射源20和所述辐射缝隙30延伸至所述参考地10的所述第一侧面101和连接于所述参考地，并且所述附加电感100在所述辐射源20的正面电性地连接于所述电气连接元件40和所述馈电点22。
与附图5示出的所述天线不同的是，在附图6C示出的所述天线的这个较佳示例中，所述附加电感100被保持在所述参考地10和所述辐射源20之间，并且所述附加电感100的一个端部被电性地连接于所述连接线200的中部，所述附加电感100的另一个端部被电性地连接于所述参考地10而使得所述辐射源20被接地。与附图6C示出的所述天线不同的是，在附图6D示出的所述天线的这个较佳的示例中，所述附加电感100的一个端部被电性地连接于所述连接线200的中部，所述附加电感100的另一个端部被接地而使得所述辐射源20被接地，其中所述附加电感100的该另一个端部并不限制连接于所述参考地10地被接地。优选地，在附图6C和图6D示出的所述天线的这两个示例中，所述附加电感100位于所述辐射缝隙30的中部。
参考本实用新型的说明书附图之附图9和图10，依本实用新型的第二较佳实施例的一天线在接下来的描述中被揭露和被阐述，其中所述天线包括一参考地 10A、两辐射源20A以及一微带连接部60A，其中两个所述辐射源20A相邻，且两个所述辐射源20A由所述微带连接部60A连接，其中每个所述辐射源20A与所述参考地10A之间均具有一辐射缝隙30A。
具体地说，所述参考地10A具有一第一侧面101A和对应于所述第一侧面 101A的一第二侧面102A，其中两个所述辐射源20A均被相邻地设置于所述参考地10A的所述第一侧面101A。
参考附图9和图10，每个所述辐射源20A均具有至少一辐射源连接点21A，其中所述参考地10A具有至少两参考地连接点11A，其中每个所述辐射源20A 的所述辐射源连接点21A和所述参考地10A的所述参考地连接点11A被电气连接。两个所述辐射源20A中的一个所述辐射源20A具有一馈电点22A，另一个所述辐射源20A不设置所述馈电点22A，为了便于描述和理解，在本实用新型的所述天线的这个较佳示例中，参考附图9和图10，将被设置有所述馈电点22A 的所述辐射源20A定义为一主辐射源201A，和将另一个所述辐射源20A定义为一副辐射源202A。也就是说，所述主辐射源201A和所述副辐射源202A相邻，且在所述主辐射源201A和所述副辐射源202A与所述参考地10A之间均形成所述辐射缝隙30A，其中所述微带连接部60A的两端分别延伸以被连接于所述主辐射源201A和所述副辐射源202A。
所述主辐射源201A的所述馈电点22A能够被接入微波激励电信号，其中当微波激励电信号自所述主辐射源201A的所述馈电点22A被接入所述主辐射源 201A后，微波激励电信号能够经所述微带连接部60A进一步被接入所述副辐射源202A，此时，所述天线能够产生初始的极化方向而在所述辐射缝隙30A处向外辐射能量。因为所述天线的所述主辐射源201A和所述副辐射源202A均与所述参考地10A被电气连接，从而当微波激励电信号自所述主辐射源201A的所述馈电点22A被接入所述主辐射源201A和微波激励电信号自所述微带连接部60A 被接入所述副辐射源202A后，所述辐射源连接点21A和所述馈电点22A之间呈电感特性而具有较低的阻抗，从而所述天线可以通过使频宽变窄的方式防止其接收或产生的电磁波信号被相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰，从而提高所述天线的抗干扰性能。
优选地，所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A与所述馈电点22A 之间的距离大于或者等于1/64λ，其中λ是所述天线能够接收或产生的电磁波信号的波长，以在微波激励电信号的激励作用下，使得所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A与所述馈电点22A之间能够呈电感特性，且所述主辐射源201A 的所述馈电点22A偏离所述主辐射源201A的物理中点，以降低所述天线对微波激励电信号的激励电流的大小要求，从而当微波激励电信号自所述主辐射源201A 的所述馈电点22A被接入所述主辐射源201A时，所述天线更容易产生初始的极化方向。
优选地，所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A是所述主辐射源201A 的物理中点，即，所述主辐射源201A的物理中点与所述参考地10A电气连接，从而所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A与所述主辐射源201A的边缘具有预设距离，相应地，所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A是所述副辐射源202A的物理中点，即，所述副辐射源202A的物理中点与所述参考地10A 电气连接，从而所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A与所述副辐射源 202A的边缘具有预设距离，进而使得所述天线在产生初始的极化方向后能够于所述主辐射源201A和所述副辐射源202A的周缘稳定地向外辐射能量。这样，在微波激励电信号的激励作用下，通过将所述主辐射源201A的物理中点和所述副辐射源202A的物理中点电气连接于所述参考地10A的方式，当微波激励电信号自所述主辐射源201A的所述馈电点22A被接入所述主辐射源201A和自所述微带连接部60A被接入所述副辐射源202A时，所述天线于所述主辐射源201A和所述副辐射源202A的周缘稳定地向外辐射能量的同时，所述主辐射源201A的所述馈电点22A与所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A之间，以及所述微带连接部60A与所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A之间呈电感特性而使得所述天线具有较低的阻抗，从而使所述天线的频宽变窄，进而防止其接收或产生的电磁波信号被相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰，以提高所述天线的抗干扰性能。
继续参考附图9和图10，所述天线包括至少两电气连接元件40A，其中至少一个所述电气连接元件40A的两端分别被连接于所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A和所述参考地10A的所述参考地连接点11A，以藉由所述电气连接元件40A电气连接所述主辐射源201A和所述参考地10A，另外的所述电气连接元件40A的两端分别被连接于所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A 和所述参考地10A的所述参考地连接点11A，以藉由所述电气连接元件40A电气连接所述副辐射源202A和所述参考地10A。
可选地，所述主辐射源201A和所述副辐射源202A中的至少一个辐射源的所述辐射源连接点21A的数量可以是两个以上。例如，在本实用新型的所述天线的一个较佳示例中，所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A的数量为两个以上，而所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A的数量是一个，其中所述主辐射源201A的这些所述辐射源连接点21A环绕在所述主辐射源201A的物理中点，而所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A为所述副辐射源202A 的物理中点。在本实用新型的所述天线的另一个较佳示例中，所述主辐射源201A 的所述辐射源连接点21A的数量为一个，而所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A的数量为两个以上，其中所述主辐射源201A的所述辐射源连接点21A 为所述主辐射源201A的物理中点，而所述副辐射源202A的这些所述辐射源连接点21A环绕在所述副辐射源202A的物理中点。在本实用新型的所述天线的另一个较佳示例中，所述主辐射源201A和所述副辐射源202A的所述辐射源连接点21A均为两个以上，其中所述主辐射源201A的这些所述辐射源连接点21A 环绕在所述主辐射源201A的物理中点，所述副辐射源202A的这些所述辐射源连接点21A环绕在所述副辐射源202A的物理中点。
继续参考附图9和图10，所述天线进一步包括一屏蔽罩50A，其中所述屏蔽罩50A被设置于所述参考地10A，并且所述屏蔽罩50A被保持在所述参考地 10A的所述第二侧面102A。
参考本实用新型的说明书附图之附图11和图12，依本实用新型的第三较佳实施例的一天线接下来的描述中被揭露和被阐述，其中所述天线包括一参考地 10B、四辐射源20B和三微带连接部60B，其中所述参考地10B具有一第一侧面 101B和对应于所述第一侧面101B的一第二侧面102B，其中四个所述辐射源20B 分别两两相邻地设置于所述参考地10B的所述第一侧面101B，并且在每个所述辐射源20B和所述参考地10B之间均形成一辐射缝隙30B，其中一个所述微带连接部60B的两端分别延伸以被连接于相邻两个所述辐射源20B，另外一个所述微带连接部60B的两端分别延伸以被连接于另外相邻两个所述辐射源20B，剩余的所述微带连接部60B的两端分别连接用于连接相邻所述辐射源20B的所述微带连接部60B。
在本实用新型的所述天线的接下来的描述中，为了便于说明和理解，将四个所述辐射源20B依次定义为一第一辐射源210B、一第二辐射源220B、一第三辐射源230B以及一第四辐射源240B，其中所述第一辐射源210B、所述第二辐射源 220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B以此顺序顺时针地设置，从而使得所述第一辐射源210B分别与所述第二辐射源220B和所述第四辐射源240B 相邻，所述第三辐射源230B分别与所述第二辐射源220B和所述第四辐射源240B 相邻，所述第一辐射源210B和所述第三辐射源230B相对，所述第二辐射源220B 和所述第四辐射源240B相对。并且在所述第一辐射源210B与所述参考地10B之间形成所述辐射缝隙30B、在所述第二辐射源220B与所述参考地10B之间形成所述辐射缝隙30B、在所述第三辐射源230B与所述参考地10B之间形成所述辐射缝隙30B和在所述第四辐射源240B与所述参考地10B之间形成所述辐射缝隙 30B。相应地，将三个所述微带连接部60B别定义为一第一微带连接部61B、一第二微带连接部62B和一第三微带连接部63B，其中所述第一微带连接部61B的两端分别延伸以被连接于所述第一辐射源210B和所述第二辐射源220B，所述第二微带连接部62B的两端分别延伸以被连接于所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B，其中所述第三微带连接部63B的两端分别延伸以被连接于所述第一微带连接部61B和所述第二微带连接部62B。
参考附图11和图12，在本实用新型的所述天线的这个较佳示例中，所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源 240B分别被电气连接于所述参考地10B，从而当微波激励电信号分别被接入所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B后，所述天线能够产生初始的极化方向而使所述天线能够接收或产生电磁波信号。
继续参考附图11和图12，所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B均具有至少一辐射源连接点21B，其中所述参考地10B具有至少四参考地连接点11B，其中所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B的所述辐射源连接点21B均与所述参考地10B的所述参考地连接点11B被电气连接。
所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B均具有一馈电点22B，以供被接入微波激励电信号。所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B之中的任何一个辐射源的所述辐射源连接点21B与所述馈电点22B之间的距离大于或者等于1/64λ，其中λ是所述天线能够接收或产生的电磁波信号的波长，以在微波激励电信号的激励作用下，使得各辐射源的所述辐射源连接点 21B与所述馈电点22B之间能够呈电感特性而具有一定的阻抗，从而使得所述天线能够被激励地产生初始的极化方向而在各辐射源处向外辐射能量，同时各所述辐射源的所述辐射源连接点21B和所述馈电点22B之间因呈电感特性而具有较低的阻抗，以使得所述天线的频宽变窄，从而所述天线可以通过使频宽变窄的方式防止所述天线接收或产生的电磁波信号被相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰，从而提高所述天线的抗干扰性能。
进一步地，所述馈电点22B偏离相应的所述辐射源的物理中点，以降低所述天线对微波激励电信号的激励电流的大小要求，从而当微波激励电信号自所述第一辐射源210B的所述馈电点22B被接入所述的第一辐射源210B、自所述第二辐射源220B的所述馈电点22B被接入所述第二辐射源220B、自所述第三辐射源 230B的所述馈电点22B被接入所述第三辐射源230B和自所述第四辐射源240B 的所述馈电点22B被接入所述第四辐射源240B时，所述天线更容易产生初始的极化方向。
优选地，所述第一辐射源210B的所述馈电点22B形成在所述第一辐射源 210B与所述第一微带连接部61B的连接位置，所述第二辐射源220B的所述馈电点22B形成在所述第二辐射源220B与所述第一微带连接部61B的连接位置，所述第三辐射源230B的所述馈电点22B形成在所述第三辐射源230B与所述第二微带连接部62B的连接位置，所述第四辐射源240B的所述馈电点22B形成在所述第四辐射源240B与所述第二微带连接部62B的连接位置。
进一步地，所述天线具有一天线馈电点70B，其中所述天线馈电点70B形成于所述第三微带连接部63B，其中微波激励电信号能够自所述天线馈电点70B接入所述天线，并经所述第二微带连接部62B、所述第二微带连接部62B和所述第一微带连接部61B依次经所述第一辐射源210B的所述馈电点22B被接入所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B的所述馈电点22B被接入所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B的所述馈电点22B被接入所述第三辐射源230B 和所述第四辐射源240B的所述馈电点22B被接入所述第四辐射源240B，此时，所述天线的内阻能够被有效地降低，从而使所述天线的频宽变窄，进而防止其接收或产生的电磁波信号被相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰，以提高所述天线的抗干扰性能。
优选地，当所述第一辐射源210B的所述辐射源连接点21B的数量是一个时，所述辐射源连接点21B为所述第一辐射源210B的物理中点；当所述第一辐射源 210B的所述辐射源连接点21B的数量为两个以上时，所述辐射源连接点21B环绕在所述第一辐射源210B的物理中点。当所述第二辐射源220B的所述辐射源连接点21B的数量是一个时，所述辐射源连接点21B为所述第二辐射源220B的物理中点；当所述第二辐射源220B的所述辐射源连接点21B的数量为两个以上时，所述辐射源连接点21B环绕在所述第二辐射源220B的物理中点。当所述第三辐射源230B的所述辐射源连接点21B的数量是一个时，所述辐射源连接点21B 为所述第三辐射源230B的物理中点；当所述第三辐射源230B的所述辐射源连接点21B的数量为两个以上时，所述辐射源连接点21B环绕在所述第三辐射源 230B的物理中点。当所述第四辐射源240B的所述辐射源连接点21B的数量是一个时，所述辐射源连接点21B为所述第四辐射源240B的物理中点；当所述第四辐射源240B的所述辐射源连接点21B的数量为两个以上时，所述辐射源连接点21B环绕在所述第四辐射源240B的物理中点。
继续参考附图11和图12，所述天线包括至少四电气连接元件40B，其中至少一个所述电气连接元件40B的两端分别连接于所述第一辐射源210B的所述辐射源连接点21B和所述参考地10B的至少一个所述参考地连接点11B，以将所述第一辐射源210B电气连接于所述参考地10B，其中至少一个所述电气连接元件40B的两端分别连接于所述第二辐射源220B的所述辐射源连接点21B和所述参考地10B的至少一个所述参考地连接点11B，以将所述第二辐射源220B电气连接于所述参考地10B，其中至少一个所述电气连接元件40B的两端分别连接于所述第三辐射源230B的所述辐射源连接点21B和所述参考地10B的至少一个所述参考地连接点11B，以将所述第三辐射源230B电气连接于所述参考地10B，其中至少一个所述电气连接元件40B的两端分别连接于所述第四辐射源240B的所述辐射源连接点21B和所述参考地10B的至少一个所述参考地连接点11B，以将所述第四辐射源240B电气连接于所述参考地10B。
继续参考附图11和图12，所述天线进一步包括一屏蔽罩50B，其中所述屏蔽罩50B被设置于所述参考地10B，并且所述屏蔽罩50B被保持在所述参考地 10B的所述第二侧面102B。
可以理解的是，本文中的第一、第二、第三和第四仅用于描述本实用新型不同部件(或元件)的命名和使本实用新型的不同部件、元件和结构之间产生区分。除非特别地指出，否则其本身不具有次序或数目多少的含义。具体地说，在附图 11和图12示出的所述天线的这个具体的示例中，所述第一辐射源210B、所述第二辐射源220B、所述第三辐射源230B和所述第四辐射源240B仅用于描述本实用新型的不同位置的所述辐射源20B的命名和使不同位置的所述辐射源20B产生区分，其并不指代所述辐射源20B的次序或数目。
参考本实用新型的说明书附图之附图13和图14，依本实用新型的第四较佳实施例的一天线在接下来的描述中被揭露和被阐述，其中所述天线包括一参考地10C和至少一辐射源20C，其中所述辐射源20C被相邻地设置于所述参考地10C，并且在所述辐射源20C和所述参考地10C之间形成一辐射缝隙30C，其中至少一个所述辐射源20C和所述参考地10C被电气连接。
具体地说，所述参考地10C具有一第一侧面101C和对应于所述第一侧面 101C的一第二侧面102C，其中所述辐射源20C被相邻地设置于所述参考地10C 的所述第一侧面101C。
参考附图13和图14，所述辐射源20C具有一辐射源连接点21C和一馈电点 22C，其中所述辐射源20C的所述辐射源连接点21C和所述馈电点22C重合。所述参考地10C具有至少一参考地连接点11C。所述天线进一步包括至少一电气连接元件40C，其中所述电气连接元件40C为电感，并且所述电气连接元件40C 的两端分别被连接于所述辐射源20C的所述辐射源连接点21C和所述参考地10C 的所述参考地连接点11C，以藉由所述电气连接元件40C将所述辐射源20C电气连接于所述参考地10C。例如，所述电气连接元件40C可以是但不限于曲线连接线或螺纹连接线形成的电感。所述辐射源20C的所述馈电点22C能够被接入微波激励电信号。当微波激励电信号自所述辐射源20C的所述馈电点22C被接入所述辐射源20C后，所述天线能够产生初始的极化方向而在所述辐射源30C 处向外辐射能量。因为所述天线的所述辐射源20C和所述参考地10C通过被实施为电感的所述电气连接元件40C电气连接，从而当微波激励电信号自所述辐射源20C的所述馈电点22C被接入所述辐射源20C后，所述天线具有较低的阻抗，从而所述天线可以通过使频宽变窄的方式放置其接收或产生的电磁波信号被相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰，从而提高所述天线的抗干扰性能。
根据本实用新型的另一个方面，本实用新型进一步提供一天线的制造方法，其中所述制造方法包括如下步骤：
(a)以在一辐射源20和一参考地10之间形成一辐射缝隙30的方式保持至少一个所述辐射源20于所述参考地10的第一侧面101；和
(b)将所述辐射源20接地，以制得所述天线。
进一步地，在所述步骤(b)中，电气连接所述辐射源20和所述参考地10，以将所述辐射源20接地。
值得一提的是，在本实用新型的所述制造方法的另一个较佳示例中，所述步骤(b)也可以在所述步骤(a)之前，从而首先电气连接所述辐射源20与所述参考地10，然后保持所述辐射源20于所述参考地10的所述第一侧面101，从而制得所述天线。
进一步地，在所述步骤(a)中，首先，在所述参考地10的所述第一侧面 101设置一实体介质；然后，设置所述辐射源20于所述实体介质，以使所述辐射源20保持在所述参考地10的一侧和使所述实体介质形成位于所述辐射源20 和所述参考地10之间的所述辐射缝隙30。或者，在所述步骤(a)中，首先，在所述辐射源20的一侧设置所述实体介质，然后以所述提示介质被保持在所述辐射源20和所述参考地10之间的方式保持所述辐射源20于所述参考地10的所述第一侧面101，以使所述实体介质形成位于所述辐射源20和所述参考地10之间的所述辐射缝隙30。
根据本实用新型的另一个方面，本实用新型进一步提供一天线的抗干扰方法，其中所述抗干扰方法包括步骤：将所述辐射源20接地，以降低所述天线的阻抗，从而在微波激励电信号自所述辐射源20的一馈电点22接入所述辐射源20时，所述天线能够通过使频宽变窄的方式阻止相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰所述天线接收或产生的电磁波信号。
本领域的技术人员可以理解的是，以上实施例仅为举例，其中不同实施例的特征可以相互组合，以得到根据本实用新型揭露的内容很容易想到但是在附图中没有明确指出的实施方式。
本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本实用新型的实施例只作为举例而并不限制本实用新型。本实用新型的目的已经完整并有效地实现。本实用新型的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本实用新型的实施方式可以有任何变形或修改。

Claims (24)

1.一天线，其特征在于，包括：
一第一微带连接部；
一第二微带连接部；
一第三微带连接部；
四辐射源，其中任意两个所述辐射源之间具有间隙，并且每个所述辐射源分别被接地，其中所述第一微带连接部的两端分别延伸以被连接于相邻两个所述辐射源，所述第二微带连接部的两端分别延伸以被连接于另外相邻两个所述辐射源，所述第三微带连接部的两端分别延伸以被连接于所述第一微带连接部和所述第二微带连接部；以及
一参考地，其中所述参考地具有一第一侧面和对应于所述第一侧面的一第二侧面，其中每个所述辐射源分别以所述辐射源与所述参考地相邻的方式被保持在所述参考地的所述第一侧面，和在每个所述辐射源与所述参考地之间分别形成一辐射缝隙。
2.根据权利要求1所述的天线，其中至少一个所述辐射源和所述参考地被电气连接。
3.根据权利要求2所述的天线，进一步包括至少一电气连接元件，其中所述电气连接元件的一个端部在所述辐射源的物理中点被连接于所述辐射源，所述电气连接元件的另一个端部被连接于所述参考地。
4.根据权利要求3所述的天线，其中每个所述辐射源分别具有一馈电点，其中所述馈电点与所述辐射源的物理中点之间的距离大于或者等于1/64λ。
5.根据权利要求4所述的天线，其中所述馈电点位于所述辐射源与所述第一微带连接部的连接位置或位于所述辐射源与所述第二微带连接部的连接位置。
6.根据权利要求4或5所述的天线，进一步具有一天线馈电点，其中所述天线馈电点位于所述第三微带连接部。
7.根据权利要求6所述的天线，进一步包括一抗干扰电路，其中所述抗干扰电路包括一振荡电路单元，所述振荡电路单元包括一三极电路处理器，其中所述三极电路处理器具有一第一连接端、一第二连接端以及一第三连接端，其中所述三极电路处理器的所述第一连接端能够被连接于一电源，所述三极电路处理器的所述第二连接端被接地，所述三极电路处理器的所述第三连接端被连接于所述天线馈电点。
8.根据权利要求7所述的天线，其中所述振荡电路单元进一步包括一第一电感，其中所述第一电感的一个端部被连接于所述电源，所述第一电感的另一个端部被连接于所述三极电路处理器的所述第一连接端。
9.根据权利要求7所述的天线，其中所述抗干扰电路进一步包括一混频检波电路单元，其中所述混频检波电路单元包括一第一二极管和一第二二极管，其中所述第一二极管的一个端部和所述第二二极管的一个端部分别同时被连接于所述三极电路处理器的所述第三连接端和所述辐射源的所述馈电点，所述第一二极管的另一个端部和所述第二二极管的另一个端部分别被接地。
10.根据权利要求9所述的天线，其中所述振荡电路单元包括一第四电容和一第五电容，其中所述第四电容被设置在所述混频检波电路单元和所述三极电路处理器的所述第三连接端之间，所述第五电容被设置在所述混频检波电路单元和所述辐射源的所述馈电点之间。
11.根据权利要求7所述的天线，其中所述三极电路处理器是MOS管，并且所述三极电路处理器的所述第三连接端为所述MOS管的源极。
12.根据权利要求8所述的天线，其中所述三极电路处理器是MOS管，并且所述三极电路处理器的所述第三连接端为所述MOS管的源极。
13.根据权利要求9所述的天线，其中所述三极电路处理器是MOS管，并且所述三极电路处理器的所述第三连接端为所述MOS管的源极。
14.根据权利要求10所述的天线，其中所述三极电路处理器是MOS管，并且所述三极电路处理器的所述第三连接端为所述MOS管的源极。
15.根据权利要求7所述的天线，其中所述三极电路处理器是三极管，并且所述三极电路处理器的所述第三连接端为所述三极管的发射极。
16.根据权利要求8所述的天线，其中所述三极电路处理器是三极管，并且所述三极电路处理器的所述第三连接端为所述三极管的发射极。
17.根据权利要求9所述的天线，其中所述三极电路处理器是三极管，并且所述三极电路处理器的所述第三连接端为所述三极管的发射极。
18.根据权利要求10所述的天线，其中所述三极电路处理器是三极管，并且所述三极电路处理器的所述第三连接端为所述三极管的发射极。
19.根据权利要求1至5中任一所述的天线，其中至少一个所述辐射源的形状为正方形；或者至少一个所述辐射源的形状为长方形；或者至少一个所述辐射源的形状为圆形；或者至少一个所述辐射源的形状为椭圆形。
20.根据权利要求6所述的天线，其中至少一个所述辐射源的形状为正方形；或者至少一个所述辐射源的形状为长方形；或者至少一个所述辐射源的形状为圆形；或者至少一个所述辐射源的形状为椭圆形。
21.根据权利要求7所述的天线，其中至少一个所述辐射源的形状为正方形；或者至少一个所述辐射源的形状为长方形；或者至少一个所述辐射源的形状为圆形；或者至少一个所述辐射源的形状为椭圆形。
22.根据权利要求8所述的天线，其中至少一个所述辐射源的形状为正方形；或者至少一个所述辐射源的形状为长方形；或者至少一个所述辐射源的形状为圆形；或者至少一个所述辐射源的形状为椭圆形。
23.根据权利要求9所述的天线，其中至少一个所述辐射源的形状为正方形；或者至少一个所述辐射源的形状为长方形；或者至少一个所述辐射源的形状为圆形；或者至少一个所述辐射源的形状为椭圆形。
24.根据权利要求10所述的天线，其中至少一个所述辐射源的形状为正方形；或者至少一个所述辐射源的形状为长方形；或者至少一个所述辐射源的形状为圆形；或者至少一个所述辐射源的形状为椭圆形。
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