TW202002544A - 抗干擾天線及其應用 - Google Patents

Abstract

本發明公開了一種抗干擾天線及其應用，其中所述抗干擾天線包括一參考地和至少一輻射源，其中所述輻射源被相鄰地設置於所述參考地，並且在所述輻射源和所述參考地之間形成一輻射縫隙，其中所述輻射源被接地，通過這樣的方式，所述抗干擾天線的抗干擾性能能夠得到大幅度的提高。

Description

抗干擾天線及其應用

本發明涉及天線領域，特別涉及一種抗干擾天線及其應用。

近年來，微波探測被廣泛地應用于智慧家居領域，其中利用微波探測的手段能夠採集用戶的動作，並在後續用於預測用戶的意圖，從而實現對家居產品的智慧控制。通常情況下，用於探測使用者的動作的微波是由抗干擾天線發射的，在抗干擾天線發射微波時需要遵守一定的發射功率，通常情況下，抗干擾天線的發射功率被要求低於1W（瓦），以盡可能地減少對其他頻段造成的干擾。

眾所周知的是，當兩個以上的頻段越接近時，越容易出現相互干擾的不良現象，對於被應用于微波探測的抗干擾天線來說，其發射的微波的頻段為5.8Ghz。隨著5G技術的應用和普及，可以預見的是，5G技術的大規模的應用必然會形成以5G網路為基礎的高速資料網路通道，並且在未來還會不斷地擴展到更多頻段的應用。5G技術的這些頻段的應用，導致被應用于微波探測的這些頻段被干擾的可能性大幅度地增加和被干擾的程度大幅度地增加，因此，提高用於微波探測的抗干擾天線的抗干擾性能刻不容緩。現有的提高用於探測抗干擾天線的抗干擾性的設計方式為抑制設計，例如，通過遮罩外來無線信號、信號濾波、軟體演算法等處理方式來實現抗干擾效果的技術路線均是抑制方式，然而這種通過抑制方式提高用於微波探測的抗干擾天線的抗干擾性能的設計方式僅能夠改善某個或者某幾個頻段的抗干擾效果，且改善後的效果不佳，仍然無法滿足需求。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述抗干擾天線的抗干擾性能能夠被有效地提升。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述抗干擾天線能夠有效地防止其接收或產生的電磁波信號被相鄰頻段的電磁輻射干擾，從而提高所述抗干擾天線的抗干擾性能。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述抗干擾天線的阻抗能夠被降低，以使所述抗干擾天線的頻寬變窄，從而有利於避免所述抗干擾天線接收或產生的電磁波信號被相鄰頻段的電磁輻射干擾。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述抗干擾天線的阻抗能夠被降低，以增強所述抗干擾天線於其輻射頻段的主輻射波的輻射能量，從而以降低所述抗干擾天線的諧波輻射的方式降低所述抗干擾天線的雜散輻射。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述抗干擾天線的阻抗能夠被降低，以在避免所述抗干擾天線接收或產生的電磁波信號被相鄰頻段的電磁輻射干擾的同時，能夠降低所述抗干擾天線的雜散輻射地降低所述抗干擾天線產生的電磁輻射對其他頻段的干擾。換言之，所述抗干擾天線的輻射抗擾度能夠被提升和對其他電子設備的雜散干擾能夠被降低。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述抗干擾天線提供至少一輻射源，其中所述輻射源被接地，通過這樣的方式，有利於降低所述抗干擾天線的內阻的阻抗，從而使得所述抗干擾天線的頻寬變窄，以有利於避免所述抗干擾天線接收或產生的電磁波信號被相鄰頻段的電磁輻射干擾，進而提高所述抗干擾天線的抗干擾性能。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述抗干擾天線提供一參考地，所述輻射源和所述參考地被電氣連接，以使所述輻射源被接地。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述輻射源提供至少一輻射源連接點，以供所述輻射源被電氣連接於所述參考地，因為所述輻射源的所述輻射源連接點與所述輻射源的邊緣具有預設距離，從而在微波激勵電信號的作用下，所述輻射源的邊緣與所述輻射源連接點將形成電感的電氣特性。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述輻射源的所述輻射源連接點與所述饋電點之間的距離大於或者等於1/64λ，從而在微波激勵電信號的作用下，所述輻射源的所述饋電點與所述輻射源連接點將形成電感的電氣特性。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述輻射源的所述輻射源連接點為所述輻射源的物理中點，這樣，所述抗干擾天線在諧振狀態下的內阻的阻抗會被有效地降低，從而有利於提高所述抗干擾天線的抗干擾性能。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述抗干擾天線提供一電氣連接元件，其中所述電氣連接元件的兩端分別連接於所述輻射源和所述參考地而使得所述輻射源接地，以能夠有效地降低所述抗干擾天線在諧振狀態下的內阻的阻抗，從而有利於提高所述抗干擾天線的抗干擾性能。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述輻射源的所述輻射源連接點與所述饋電點重合，並且所述抗干擾天線在諧振狀態下的內阻的阻抗會被有效地降低，從而有利於提高所述抗干擾天線的抗干擾效果。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述輻射源的所述輻射源連接點與所述饋電點重合，從而所述輻射源能夠在所述饋電點與所述參考地電氣連接，並且所述抗干擾天線在諧振狀態下的內阻的阻抗能夠被有效地降低，從而有利於提高所述抗干擾天線的抗干擾效果。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述抗干擾天線提供一連接部，以使所述輻射源被穩定地保持於所述參考地的一側，並使得所述輻射源以被電氣連接於所述參考地的方式被接地，從而在保證所述抗干擾天線的抗干擾性能的同時提高所述抗干擾天線的穩定性和可靠性。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述連接部包括至少一第一連接件和至少一第二連接件，所述第一連接件形成於所述輻射源，所述第二連接件形成於所述參考地，其中所述第一連接件和所述第二連接件被相互連接，以使所述輻射源被穩定地保持於所述參考地的一側。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述連接部的所述第一連接件和所述第二連接件中的至少一個連接件具有較大的面積，以便於導通地連接所述第一連接件和所述第二連接件，從而提高所述抗干擾天線的生產效率。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述第一連接件和所述第二連接件均具有較大的面積，通過這樣的方式，所述第一連接件和所述第二連接件的連接面積能夠被增加，以有利於保證所述抗干擾天線的電路穩定性，從而使所述抗干擾天線穩定地向外輻射或者接收電磁波信號。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述第一連接件和所述第二連接件以直接貼合的方式被連接，以在連接所述輻射源的所述接地點於所述參考地的同時，使得所述抗干擾天線的內阻被有效地降低。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述抗干擾天線提供一低阻抗的微波驅動電路，其中所述微波驅動電路具有低阻抗以能夠與低阻抗的所述抗干擾天線相匹配，從而有利於使所述抗干擾天線的頻寬變窄，進而有利於避免所述抗干擾天線接收或產生的電磁波信號被相鄰頻段的電磁輻射干擾。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述抗干擾電路能夠提供較大的激勵電流作用於所述輻射源，以保證所述抗干擾天線的穩定工作。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述微波驅動電路能夠將微波激勵電流直接地提供至所述輻射源，以有利於降低所述抗干擾天線的阻抗，和降低所述抗干擾天線對發射功率的要求。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述微波驅動電路提供一振盪單元和一耦合器，所述耦合器的一第一耦合部的兩端分別被直接地電氣連接於所述振盪單元和所述輻射源的所述饋電點，從而所述微波驅動電路能夠將微波激勵電流經所述振盪單元和所述耦合器的所述第一耦合部直接地提供至所述輻射源。

本發明的一個目的在於提供一種抗干擾天線及其應用，其中所述微波驅動電路提供一混頻檢波單元，所述混頻檢波單元被電氣連接於所述耦合器的一第二耦合部，所述第二耦合部通過感應地耦合於所述第一耦合部的方式獲得通過所述第一耦合部被提供至所述輻射源的微波激勵電流的變化，從而在後續在所述混頻檢波單元的配合下獲得檢測信號。

依本發明的一個方面，本發明提供一微波驅動電路，用於一種抗干擾天線，其中所述抗干擾天線具有一饋電點，其中所述微波驅動電路包括：

一振盪單元，其中所述振盪單元被設置以產生微波激勵電流；

一混頻檢波單元，其中所述混頻檢波單元具有一信號輸出埠；以及

一耦合器，其中所述耦合器包括一第一耦合部和被耦合於所述第一耦合部的一第二耦合部，其中所述第一耦合部的一個端部被電連接於所述振盪單元，所述第一耦合部的另一個端部被電連接於所述抗干擾天線的所述饋電點，以使得自所述振盪單元產生的微波激勵電流能夠經所述第一耦合部流向所述饋電點，其中所述混頻檢波單元被電連接於所述第二耦合部，其中所述信號輸出埠被設置為自所述第二耦合部引出。

根據本發明的一個實施例，所述第一耦合部和所述第二耦合部分別被設置為阻抗線，並且所述第一耦合部和所述第二耦合部被相鄰且相互平行地設置。

根據本發明的一個實施例，所述第一耦合部和所述第二耦合部分別為彎折微帶線；或者所述第一耦合部和所述第二耦合部分別為鋸齒微帶線；或者所述第一耦合部和所述第二耦合部分別為方形微帶線。

根據本發明的一個實施例，所述耦合部進一步包括一列第一延伸微帶線和一列第二延伸微帶線，每個所述第一延伸微帶線分別被電連接於所述第一耦合部並且分別自所述第一耦合部向所述第二耦合部方向延伸，每個所述第二延伸微帶線分別被電連接於所述第二耦合部並且分別自所述第二耦合部向所述第一耦合部方向延伸，其中所述第一延伸微帶線和所述第二延伸微帶線能夠相互感應地被耦合。

根據本發明的一個實施例，任意兩個所述第一延伸微帶線之間設有一個所述第二延伸微帶線，相應地，任意兩個所述第二延伸微帶線之間設有一個所述第一延伸微帶線。

根據本發明的一個實施例，所述振盪單元包括一三極電路處理器、一偏置電阻、一第一電容器、一第二電容器以及一第三電容器，其中所述三極電路處理器具有一第一連接端、一第二連接端以及一第三連接端，其中所述偏置電阻的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第一連接端和所述第二連接端，所述第一電容器的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第二連接端和所述第二電容器的一個端部，所述第二電容器的另一個端部被接地，所述第三電容器的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第一連接端和所述第二電容器的被接地的一端，所述三極電路處理器的所述第三連接端被電連接於所述耦合器的所述第一耦合部。

根據本發明的一個實施例，所述三極電路處理器是半導體MOS管，其中所述三極電路處理器的所述第三連接端是半導體MOS管的源極或者所述三極電路處理器是半導體三極管，其中所述三極電路處理器的所述第三連接端是半導體三極管的發射極。

根據本發明的一個實施例，所述振盪單元進一步包括一電感器，其中所述電感器的一個端部被電連接於所述三極電路處理器的所述第一連接端，所述電感器的另一個端部能夠被電連接於一個電源。

依本發明的另一個方面，本發明進一步提供一微波驅動電路，用於一種抗干擾天線，其中所述抗干擾天線具有一饋電點，其中所述微波驅動電路包括：

一振盪單元，其中所述振盪單元被設置以產生微波激勵電流；

一混頻檢波單元，其中所述混頻檢波單元具有一信號輸出埠；以及

一耦合器，其中所述耦合器包括一耦合部和兩電容器，其中所述耦合部的一個端部被電連接於所述振盪單元，所述耦合部的另一個端部被電連接於所述抗干擾天線的所述饋電點，以使得自所述振盪單元產生的微波激勵電流能夠經所述耦合部流向所述饋電點，其中兩個所述電容器的一個端部分別被電連接於所述耦合部的每個端部，兩個所述電容器的另一個端部被相互電連接和分別被電連接於所述混頻檢波單元，其中所述信號輸出埠被設於所述耦合器和任一所述電容器之間。

根據本發明的一個實施例，所述混頻檢波單元進一步包括一第一二極體和一第二二極體，其中所述第一二極體的一個端部和所述第二二極體的一個端部分別被電連接於每個所述電容器的一個端部。

根據本發明的一個實施例，所述振盪單元包括一三極電路處理器、一偏置電阻、一第一電容器、一第二電容器以及一第三電容器，其中所述三極電路處理器具有一第一連接端、一第二連接端以及一第三連接端，其中所述偏置電阻的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第一連接端和所述第二連接端，所述第一電容器的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第二連接端和所述第二電容器的一個端部，所述第二電容器的另一個端部被接地，所述第三電容器的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第一連接端和所述第二電容器的被接地的一端，所述三極電路處理器的所述第三連接端被電連接於所述耦合器的所述耦合部。

依本發明的另一個方面，本發明進一步提供一微波驅動電路，用於一種抗干擾天線，其中所述抗干擾天線具有一饋電點，其中所述微波驅動電路包括：

一振盪單元，其中所述振盪單元被設置以產生微波激勵電流並被電連接於所述抗干擾天線的所述饋電點，以使得自所述振盪單元產生的微波激勵電流能夠直接流向所述饋電點；

一混頻檢波單元；以及

一耦合器，其中所述耦合器的一個端部被電連接於所述振盪單元和所述抗干擾天線的所述饋電點，所述耦合器的另一個端部被電連接於所述混頻檢波單元。

根據本發明的一個實施例，所述混頻檢波單元包括一第一二極體和一第二二極體，其中所述第一二極體的一個端部和所述第二二極體的一個端部分別被電連接於所述耦合器的同一端部。

根據本發明的一個實施例，所述振盪單元包括一三極電路處理器、一偏置電阻、一第一電容器、一第二電容器以及一第三電容器，其中所述三極電路處理器具有一第一連接端、一第二連接端以及一第三連接端，其中所述偏置電阻的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第一連接端和所述第二連接端，所述第一電容器的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第二連接端和所述第二電容器的一個端部，所述第二電容器的另一個端部被接地，所述第三電容器的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第一連接端和所述第二電容器的被接地的一端，所述三極電路處理器的所述第三連接端被電連接於所述抗干擾天線的所述饋電點。

依本發明的另一個方面，本發明進一步提供一種抗干擾天線，其包括：

一參考地；和

至少一輻射源，其中所述輻射源被相鄰地設置於所述參考地，並且在所述輻射源和所述參考地之間形成一輻射縫隙，其中所述輻射源被接地。

根據本發明的一個實施例，所述輻射源和所述參考地被電氣連接，從而使所述輻射源被接地。

根據本發明的一個實施例，所述抗干擾天線進一步包括一電氣連接元件，其中所述輻射源具有至少一輻射源連接點，所述參考地具有至少一參考地連接點，其中所述電氣連接元件的兩端分別被電氣連接於所述輻射源的所述輻射源連接點和所述參考地的所述參考地連接點，從而使得所述輻射源和所述參考地被電氣連接。

根據本發明的一個實施例，所述抗干擾天線進一步包括一連接部，其中所述連接部包括一板狀的第一連接件和一板狀的第二連接件，其中所述輻射源和所述第一連接件被電氣連接，所述第二連接件形成所述參考地，其中所述第一連接件的至少一部分和所述第二連接件的至少一部分被電氣連接，從而使得所述輻射源和所述參考地被電氣連接。

根據本發明的一個實施例，所述抗干擾天線進一步包括一第一天線元件和一第二天線元件，其中所述第一天線元件包括一第一基板和分別被貼裝於所述第一基板的兩側的所述輻射源和所述第一連接件，其中所述第二天線元件包括一第二基板和被貼裝於所述第二基板的所述第二連接件，其中所述第一天線元件和所述第二天線元件以所述第一連接件和所述第二連接件相互靠近的方式被貼裝。

根據本發明的一個實施例，所述抗干擾天線進一步包括至少一第一導通件，其中所述第一天線元件具有至少一第一通孔，其貫穿所述輻射源、所述第一基板和所述第一連接件，其中所述第一導通件形成於所述第一天線元件的所述第一通孔，並且所述第一導通件被電氣連接於所述輻射源和所述第一連接件。

根據本發明的一個實施例，所述抗干擾天線進一步包括至少一第二導通件，其中所述第一天線元件具有至少一第二通孔，其貫穿所述輻射源、所述第一基板和所述第一連接件，其中所述第一連接件具有一第一絕緣缺口，所述第二通孔對應于和連通於所述第一絕緣缺口，其中所述第二導通件以所述第二導通件被電氣連接於所述輻射源的方式形成於所述第一天線元件的所述第二通孔，並且所述第一連接件的所述第一絕緣缺口阻止所述第二導通件與所述第一連接件被導通。

根據本發明的一個實施例，所述抗干擾天線進一步包括至少一第三導通件，其中所述第二天線元件具有至少一第三通孔，其貫穿所述第二基板和所述第二連接件，其中所述第二連接件具有至少一第二絕緣缺口，所述第三通孔對應于和連通於所述第二絕緣缺口，其中所述第三導通件形成於所述第二天線元件的所述第三通孔，並且所述第二連接件的所述第二絕緣缺口阻止所述第三導通件與所述第二連接件被導通，其中所述第二導通件被電氣連接於所述第三導通件。

根據本發明的一個實施例，所述抗干擾天線進一步包括一第一絕緣層和一第二絕緣層，其中所述第一絕緣層包覆所述第一連接件的至少一部分而使所述第一連接件形成至少一第一暴露部分，並且所述第一絕緣層以延伸至所述第一連接件的所述第一絕緣缺口的方式包覆所述第一基板的對應於所述第一絕緣缺口的一部分，其中所述第二絕緣層包覆所述第二連接件的至少一部分而使所述第二連接件形成至少一第二暴露部分，並且所述第二絕緣層以延伸至所述第二連接件的所述第二絕緣缺口的方式包覆所述第二基板的對應於所述第二絕緣缺口的一部分，其中所述第一連接件和所述第二連接件以所述第一連接件的每個所述第一暴露部分和所述第二連接件的每個所述第二暴露部分被電氣連接的方式相互電氣連接。

依本發明的另一個方面，本發明進一步提供一種抗干擾天線的抗干擾方法，其中所述抗干擾天線包括一參考地和鄰近地設置於所述參考地的至少一輻射源，在所述輻射源和所述參考地之間形成一輻射縫隙，其中所述抗干擾方法包括步驟：將所述輻射源接地，以降低所述抗干擾天線的內阻的阻抗，從而在微波激勵電信號自所述輻射源的一饋電點接入所述輻射源時，所述抗干擾天線能夠通過使頻寬變窄的方式阻止相鄰頻段的電磁輻射頻率或雜散輻射頻率干擾所述抗干擾天線接收或產生的電磁波信號。

根據本發明的一個實施例，在上述方法中，電氣連接所述輻射源和所述參考地，以將所述輻射源接地。

根據本發明的一個實施例，在上述方法中，在所述輻射源的物理中點電氣連接所述輻射源與所述參考地，並且所述饋電點與所述輻射源的物理中點的距離大於或者等於1/64λ。

根據本發明的一個實施例，在上述方法中，在環繞所述輻射源的物理中點的至少兩輻射源連接點分別電氣連接所述輻射源與所述參考地，並且所述饋電點與任一所述輻射源連接點之間的距離均大於或者等於1/64λ。

根據本發明的一個實施例，在上述方法中，在所述輻射源的所述饋電點通過一電感電氣連接所述輻射源與所述參考地。

根據本發明的一個實施例，在上述方法中，將具有低阻抗的一種抗干擾電路連接於所述輻射源的所述饋電點，以藉由所述抗干擾電路提供微波激勵電信號並自所述輻射源的所述饋電點接入所述輻射源。

根據本發明的一個實施例，在上述方法中，將所述輻射源的所述饋電點連接於所述抗干擾電路的一振盪電路單元的一三極電路處理器的第三連接端。

根據本發明的一個實施例，在上述方法中，經所述抗干擾電路的一混頻檢波電路單元將所述輻射源的所述饋電點連接於所述抗干擾電路的所述振盪電路單元的所述三極電路處理器的所述第三連接端。

依本發明的另一個方面，本發明進一步提供一種抗干擾天線的製造方法，其中所述製造方法包括如下步驟：

（a）貼裝一第一天線元件和一第二天線元件；和

（b）接地所述第一天線元件的至少一輻射源，以制得所述抗干擾天線。

根據本發明的一個實施例，在所述步驟（a）之前，所述製造方法進一步包括步驟：

（c）以所述輻射源和一第一連接件被電氣連接的方式分別貼裝所述輻射源和所述第一連接件於一第一基板的不同側，以形成所述第一天線元件；和

（d）貼裝一第二連接件於一第二基板的側部，以形成所述第二天線元件。

根據本發明的一個實施例，在所述步驟（b）中，電氣連接所述第一連接件的至少一部分和所述第二連接件的至少一部分，以接地所述輻射源。

根據本發明的一個實施例，在上述方法中，進一步包括步驟：

形成一第一絕緣層於所述第一連接件的至少一部分表面以使所述第一連接件形成至少一第一暴露部分；

形成一第二絕緣層於所述第二連接件的至少一部分表面以使所述第二連接件形成至少一第二暴露部分；以及

電氣連接所述第一連接件的所述第一暴露部分和所述第二連接件的所述第二暴露部分。

根據本發明的一個實施例，在所述步驟（c）中，形成一第一導通件於所述第一天線元件的貫穿所述輻射源和所述第一基板的一第一通孔，以使所述第一導通件電氣連接所述輻射源和所述第一連接件。

根據本發明的一個實施例，在所述步驟（c）中，形成一第一導通件於所述第一天線元件的貫穿所述輻射源、所述第一基板和所述第一連接件的一第一通孔，以使所述第一導通件電氣連接所述輻射源和所述第一連接件。

根據本發明的一個實施例，在上述方法中，進一步包括步驟：

形成一第四導通件於貫穿所述第一基板和所述第一連接件的一第四通孔；

形成一第五導通件於貫穿所述第二基板和所述第二連接件的一第五通孔；以及

電氣地連接所述第四導通件和所述第五導通件。

根據本發明的一個實施例，在上述方法中，進一步包括步驟：

形成一第四導通件於貫穿所述第一基板和所述第一連接件的一第四通孔；

形成一第五導通件於貫穿所述第二基板和所述第二連接件的一第五通孔，其中所述第四導通件和所述第五導通件一體地形成。

根據本發明的權利要求和說明書所公開的內容，本發明的技術方案具體如下文所述。

本領域技術人員應理解的是，在本發明的揭露中，術語“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”、“豎直”、“水準”、“頂”、“底” “內”、“外”等指示的方位或位置關係是基於附圖所示的方位或位置關係，其僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此上述術語不能理解為對本發明的限制。

可以理解的是，術語“一”應理解為“至少一”或“一個或多個”，即在一個實施例中，一個元件的數量可以為一個，而在另外的實施例中，該元件的數量可以為多個，術語“一”不能理解為對數量的限制。

參考本發明的說明書附圖之附圖1和圖2，依本發明的第一較佳實施例的一種抗干擾天線在接下來的描述中被揭露和被闡述，其中所述抗干擾天線包括一參考地10和至少一輻射源20，其中所述輻射源20被相鄰地設置於所述參考地10，並且在所述輻射源20和所述參考地10之間形成一輻射縫隙30，其中至少一個所述輻射源20被接地，這樣，能夠降低所述抗干擾天線的內阻的阻抗，以使所述抗干擾天線的頻寬變窄，從而有利於避免相鄰頻段的電磁輻射頻率或雜散輻射頻率干擾所述抗干擾天線接收或產生的電磁波信號。

具體地說，所述參考地10具有一第一側面101和對應於所述第一側面101的一第二側面102，其中所述輻射源20被相鄰地設置於所述參考地10的所述第一側面101。也就是說，所述抗干擾天線的所述輻射縫隙30形成於所述輻射源20與所述參考地10的所述第一側面101之間。

值得一提的是，本發明所涉及的所述輻射源20被相鄰地設置於所述參考地10是指所述輻射源20與所述參考地10的所述第一側面101沒有直接接觸，而是在所述輻射源20和所述參考地10的所述第一側面101之間預留間距，通過這樣的方式，所述抗干擾天線能夠在所述輻射源20和所述參考地10之間形成所述輻射縫隙30。

還值得一提的是，本發明所涉及的所述抗干擾天線在所述輻射源20和所述參考地10之間形成所述輻射縫隙30是指所述輻射源20的表面與所述參考地10的表面具有間距。例如，在附圖1和圖2示出的所述抗干擾天線的這個較佳的示例中，所述抗干擾天線在所述輻射源20和所述參考地10之間形成所述輻射縫隙30是指所述輻射源20的表面與所述參考地10的所述第一側面101之間具有高度差，從而在所述輻射源20和所述參考地10之間形成所述輻射縫隙30。另外，本發明的所述抗干擾天線中所涉及的形成在所述輻射源20和所述參考地10之間的所述輻射縫隙30可以是但不限於實體介質。

優選地，在附圖1和圖2示出的所述抗干擾天線的這個較佳示例中，所述輻射源20和所述參考地10被電氣連接，從而使得所述輻射源20被接地，這樣，能夠降低所述抗干擾天線的內阻的阻抗，以使所述抗干擾天線的頻寬變窄，從而有利於避免相鄰頻段的電磁輻射頻率或雜散輻射頻率干擾所述抗干擾天線接收或產生的電磁波信號。

具體地說，繼續參考附圖1和圖2，所述輻射源20具有至少一輻射源連接點21和一饋電點22，其中所述參考地10具有至少一參考地連接點11，其中所述輻射源20的所述輻射源連接點21和所述參考地10的所述參考地連接點11被電氣連接，從而使得所述輻射源20被接地，所述輻射源20的所述饋電點22能夠被接入微波激勵電信號。當微波激勵電信號自所述輻射源20的所述饋電點22被接入所述輻射源20後，所述抗干擾天線能夠產生初始的極化方向而在所述輻射源20處向外輻射能量。因為所述抗干擾天線的所述輻射源20和所述參考地10被電氣連接而將所述輻射源20接地，當微波激勵電信號自所述輻射源20的所述饋電點22被接入所述輻射源20後，所述輻射源20的所述輻射源連接點21和所述饋電點22之間呈電感特性而具有一定的阻抗，從而使得所述抗干擾天線能夠被激勵地產生初始的極化方向而在所述輻射源20處向外輻射能量，同時所述輻射源20的所述輻射源連接點21和所述饋電點22之間因呈電感特性而具有較低的阻抗，以使得所述抗干擾天線的頻寬變窄，從而所述抗干擾天線可以通過使頻寬變窄的方式防止所述抗干擾天線接收或產生的電磁波信號被相鄰頻段的電磁輻射頻率或雜散輻射頻率干擾，從而提高所述抗干擾天線的抗干擾性能。

優選地，所述輻射源20的所述輻射源連接點21與所述饋電點22之間的距離大於或者等於1/64λ，其中λ是所述抗干擾天線能夠接收或產生的電磁波信號的波長，以在微波激勵電信號的激勵作用下，使得所述輻射源20的所述輻射源連接點21與所述饋電點22之間能夠呈電感特性，且所述輻射源20的所述饋電點22偏離所述輻射源20的物理中點，以降低所述抗干擾天線對微波激勵電信號的激勵電流的強度要求，從而當微波激勵電信號自所述輻射源20的所述饋電點22被接入所述輻射源20時，所述抗干擾天線更容易產生初始的極化方向。

在附圖1和圖2示出的所述抗干擾天線的這個較佳示例中，所述輻射源20的所述輻射源連接點21是所述輻射源20的物理中點，即，所述輻射源20的物理中點與所述參考地10電氣連接而使所述輻射源20的物理中點被接地，從而使得所述抗干擾天線在產生初始的極化方向後能夠於所述輻射源20的周緣穩定地向外輻射能量。本領域技術人員應當理解的是，所述抗干擾天線的所述輻射源20的邊緣與所述輻射源20的所述饋電點22在微波激勵電信號的激勵作用下呈現出的電感和所述輻射源20與所述參考地10之間呈現出的分佈電容形成所述抗干擾天線的諧振回路，以用於接收或產生電磁波信號。

在附圖1和圖2示出的所述抗干擾天線的這個較佳示例中，所述抗干擾天線的所述輻射源20的所述輻射源連接點21的數量是一個。而在附圖3示出的所述抗干擾天線的一個變形示例中，所述抗干擾天線的所述輻射源20的所述輻射源連接點21的數量是兩個以上，其中這些所述輻射源連接點21環繞在所述輻射源20的物理中點，並且所述輻射源20的這些所述輻射源連接點21與所述輻射源20的邊緣均具有預設距離，這樣，在微波激勵電信號的激勵作用下，所述輻射源20的所述饋電點22與所述輻射源20的所述輻射源連接點21能夠呈現出電感的電氣特性，以在後續，當微波激勵電信號自所述輻射源20的所述饋電點22被接入所述輻射源20時，所述抗干擾天線具有較低的阻抗，從而使所述抗干擾天線的頻寬變窄。另外，在附圖3示出的所述抗干擾天線的這個較佳示例中，所述輻射源20的這些所述輻射源連接點21中的任意一個所述輻射源連接點21與所述饋電點22之間的距離大於或者等於1/64λ。

繼續參考附圖1和圖2，所述抗干擾天線包括至少一電氣連接元件40，其中所述電氣連接元件40的兩端分別延伸和被連接於所述輻射源20的所述輻射源連接點21和所述參考地10的所述參考地連接點11，以藉由所述電氣連接元件40使所述輻射源20和所述參考地10電氣連接，從而使得所述輻射源20被接地。

優選地，在附圖1和圖2示出的所述抗干擾天線的這個較佳示例中，所述輻射源20的所述輻射源連接點21正對所述參考地10的所述參考地連接點11，即，所述輻射源20的所述輻射源連接點21和所述參考地10的所述參考地連接點11之間的連線垂直於所述參考地10的延伸方向。

值得一提的是，所述電氣連接元件40被設置在所述輻射源20和所述參考地10之間，以使所述電氣連接元件40的兩端因分別與所述輻射源20的所述輻射源連接點21連接和與所述參考地10的所述參考地連接點11連接的方式電氣地連接所述輻射源20和所述參考地10的方式在本發明的所述抗干擾天線中不受限制。

例如，在本發明的所述抗干擾天線的一個較佳示例中，首先將所述輻射源20鄰近地保持於所述參考地10的所述第一側面101，並且在所述輻射源20和所述參考地10之間形成所述輻射縫隙30，其次，自所述參考地10的所述第二側面102開設至少一參考地穿孔12，且所述參考地穿孔12對應於所述輻射源20的所述輻射源連接點21。可以理解的是，若形成在所述輻射源20和所述參考地10之間的所述輻射縫隙30是實體介質，參考附圖1和圖2，則在所述參考地10開設所述參考地穿孔12的同時，所述輻射縫隙30也被開設至少一縫隙穿孔31，其中所述參考地10的所述參考地穿孔12對應于和連通於所述輻射縫隙30的所述縫隙穿孔31，並且所述參考地10的所述參考地穿孔12和所述輻射縫隙30的所述縫隙穿孔31對應於所述輻射源20的所述輻射源連接點21。接著，使成型材料依次自所述參考地10的所述參考地穿孔12和所述輻射縫隙30的所述縫隙穿孔31延伸至和被連接於所述輻射源20的所述輻射源連接點21，和使所述成型材料連接於所述參考地10，從而使所述成型材料形成用於電氣連接所述輻射源20和所述參考地10的所述電氣連接元件40。並且所述成型材料與所述參考地10相連接的位置形成所述參考地10的所述參考地連接點11。

值得一提的是，在本發明的所述抗干擾天線的一個較佳示例中，所述成型材料可以是但不限於金線、銀線等連接線，其中當所述成型材料被實施為所述連接線時，所述連接線能夠依次自所述參考地10的所述參考地穿孔12和所述輻射縫隙30的所述縫隙穿孔31延伸至和被連接於所述輻射源20的所述輻射源連接點21，且所述連接線能夠被連接於所述參考地10，以使所述連接線形成用於電氣連接所述輻射源20和所述參考地10的所述電氣連接元件40。或者，將所述連接線的一個端部首先連接於所述輻射源20的所述輻射源連接點21，然後將所述輻射源20鄰近地保持在所述參考地10的所述第一側面101和使所述連接線穿入所述參考地10的被預設的所述參考地穿孔12和被連接於所述參考地10，從而藉由所述連接線形成用於電氣連接所述輻射源20和所述參考地10的所述電氣連接元件40。而在本發明的所述抗干擾天線的另一個較佳示例中，所述成型材料也可以是但不限於流體，其中當所述成型材料被填充在所述參考地10的所述參考地穿孔12和所述輻射縫隙30的所述縫隙穿孔31且固化後，所述成型材料能夠形成電氣連接所述輻射源20和所述參考地10的所述電氣連接元件40。也就是說，可以利用金屬化過孔工藝使所述抗干擾天線的所述輻射源20和所述參考地10被電氣連接。

繼續參考附圖1和圖2，所述抗干擾天線進一步包括一遮罩罩50，其中所述遮罩罩50被設置於所述參考地10，並且所述遮罩罩50被保持在所述參考地10的所述第二側面102。

另外，所述抗干擾天線的所述輻射源20的形狀在本發明的所述抗干擾天線中不受限制，例如在附圖1、圖2和圖3示出的所述抗干擾天線的這些較佳示例中，所述輻射源20的形狀可以是四邊形，具體為正方形或長方形，而在附圖4和圖5示出的所述抗干擾天線的另一個較佳示例中，所述輻射源20的形狀可以是但不限於圓形或橢圓形。也就是說，在附圖1至圖5示出的所述抗干擾天線的這些較佳示例中，所述輻射源20的延伸方向和所述參考地10的延伸方向一致，從而使得所述抗干擾天線形成平板天線。

另外，與附圖4和圖5示出的所述抗干擾天線不同的是，在附圖6A示出的所述抗干擾天線的這個變形示例中，所述抗干擾天線進一步包括一附加電感60，其中所述附加電感60的一個端部被連接於所述輻射源20的所述輻射源連接點21，所述附加電感60的另一個端部被接地，通過這樣的方式，所述抗干擾天線的內阻的阻抗能夠被進一步降低。

與附圖5示出的所述抗干擾天線不同的是，在附圖6B示出的所述抗干擾天線的這個變形示例中，所述電氣連接元件40自所述輻射源20的所述輻射源連接點21經所述輻射源20和所述輻射縫隙30延伸至所述參考地10的所述第一側面101和連接於所述參考地10，並且所述附加電感60在所述輻射源20的正面電性地連接於所述電氣連接元件40和所述饋電點22。

與附圖5示出的所述抗干擾天線不同的是，在附圖6C示出的所述抗干擾天線的這個變形示例中，所述附加電感60被保持在所述參考地10和所述輻射源20之間，並且所述附加電感60的一個端部被電性地連接于所述連接線200的中部，所述附加電感60的另一個端部被電性地連接於所述參考地10而使得所述輻射源20被接地。與附圖6C示出的所述抗干擾天線不同的是，在附圖6D示出的所述抗干擾天線的這個變形示例中，所述附加電感60的一個端部被電性地連接于所述連接線200的中部，所述附加電感60的另一個端部被接地而使得所述輻射源20被接地，其中所述附加電感60的該另一個端部並不限制連接於所述參考地10地被接地。優選地，在附圖6C和圖6D示出的所述抗干擾天線的這兩個示例中，所述附加電感60位於所述輻射縫隙30的中部。

參考本發明的說明書附圖之附圖7和圖8，依本發明的第二較佳實施例的一種抗干擾天線在接下來的描述中被揭露和被闡述，其中所述抗干擾天線包括一參考地10A、兩輻射源20A以及一微帶連接部70A，其中兩個所述輻射源20A相鄰，且兩個所述輻射源20A由所述微帶連接部70A連接，其中每個所述輻射源20A與所述參考地10A之間均具有一輻射縫隙30A。也就是說，所述微帶連接部70A的兩端分別延伸以被連接於兩個所述輻射源20A。

具體地說，所述參考地10A具有一第一側面101A和對應於所述第一側面101A的一第二側面102A，其中兩個所述輻射源20A均被相鄰地設置於所述參考地10A的所述第一側面101A，以在每個所述輻射源20A和所述參考地10A的所述第一側面101A之間分別形成一個所述輻射縫隙30A。

參考附圖7和圖8，每個所述輻射源20A均具有至少一輻射源連接點21A，其中所述參考地10A具有至少兩參考地連接點11A，其中每個所述輻射源20A的所述輻射源連接點21A和所述參考地10A的所述參考地連接點11A被電氣連接。兩個所述輻射源20A中的一個所述輻射源20A具有一饋電點22A，另一個所述輻射源20A不設置所述饋電點22A，為了便於描述和理解，在本發明的所述抗干擾天線的這個較佳示例中，參考附圖7和圖8，將被設置有所述饋電點22A的所述輻射源20A定義為一主輻射源201A，和將另一個所述輻射源20A定義為一副輻射源202A。也就是說，所述主輻射源201A和所述副輻射源202A相鄰，且在所述主輻射源201A和所述副輻射源202A與所述參考地10A之間均形成所述輻射縫隙30A，其中所述微帶連接部70A的兩端分別延伸以被連接於所述主輻射源201A和所述副輻射源202A。

所述主輻射源201A的所述饋電點22A能夠被接入微波激勵電信號，其中當微波激勵電信號自所述主輻射源201A的所述饋電點22A被接入所述主輻射源201A後，微波激勵電信號能夠經所述微帶連接部70A進一步被接入所述副輻射源202A，此時，所述抗干擾天線能夠產生初始的極化方向而在所述輻射縫隙30A處向外輻射能量。因為所述抗干擾天線的所述主輻射源201A和所述副輻射源202A均與所述參考地10A被電氣連接，從而當微波激勵電信號自所述主輻射源201A的所述饋電點22A被接入所述主輻射源201A和微波激勵電信號自所述微帶連接部70A被接入所述副輻射源202A後，所述輻射源連接點21A和所述饋電點22A之間呈電感特性而具有較低的阻抗，從而所述抗干擾天線可以通過使頻寬變窄的方式防止其接收或產生的電磁波信號被相鄰頻段的電磁輻射頻率或雜散輻射頻率干擾，從而提高所述抗干擾天線的抗干擾性能。

優選地，所述主輻射源201A的所述輻射源連接點21A與所述饋電點22A之間的距離大於或者等於1/64λ，其中λ是所述抗干擾天線能夠接收或產生的電磁波信號的波長，以在微波激勵電信號的激勵作用下，使得所述主輻射源201A的所述輻射源連接點21A與所述饋電點22A之間能夠呈電感特性，且所述主輻射源201A的所述饋電點22A偏離所述主輻射源201A的物理中點，以降低所述抗干擾天線對微波激勵電信號的激勵電流的大小要求，從而當微波激勵電信號自所述主輻射源201A的所述饋電點22A被接入所述主輻射源201A時，所述抗干擾天線更容易產生初始的極化方向。

優選地，所述主輻射源201A的所述輻射源連接點21A是所述主輻射源201A的物理中點，即，所述主輻射源201A的物理中點與所述參考地10A電氣連接，從而所述主輻射源201A的所述輻射源連接點21A與所述主輻射源201A的邊緣具有預設距離，相應地，所述副輻射源202A的所述輻射源連接點21A是所述副輻射源202A的物理中點，即，所述副輻射源202A的物理中點與所述參考地10A電氣連接，從而所述副輻射源202A的所述輻射源連接點21A與所述副輻射源202A的邊緣具有預設距離，進而使得所述抗干擾天線在產生初始的極化方向後能夠於所述主輻射源201A和所述副輻射源202A的周緣穩定地向外輻射能量。這樣，在微波激勵電信號的激勵作用下，通過將所述主輻射源201A的物理中點和所述副輻射源202A的物理中點電氣連接於所述參考地10A的方式，當微波激勵電信號自所述主輻射源201A的所述饋電點22A被接入所述主輻射源201A和自所述微帶連接部70A被接入所述副輻射源202A時，所述抗干擾天線於所述主輻射源201A和所述副輻射源202A的周緣穩定地向外輻射能量的同時，所述主輻射源201A的所述饋電點22A與所述主輻射源201A的所述輻射源連接點21A之間，以及所述微帶連接部70A與所述副輻射源202A的所述輻射源連接點21A之間呈電感特性而使得所述抗干擾天線具有較低的阻抗，從而使所述抗干擾天線的頻寬變窄，進而防止其接收或產生的電磁波信號被相鄰頻段的電磁輻射頻率或雜散輻射頻率干擾，以提高所述抗干擾天線的抗干擾性能。

繼續參考附圖7和圖8，所述抗干擾天線包括至少兩電氣連接元件40A，其中至少一個所述電氣連接元件40A的兩端分別被連接於所述主輻射源201A的所述輻射源連接點21A和所述參考地10A的所述參考地連接點11A，以藉由所述電氣連接元件40A電氣連接所述主輻射源201A和所述參考地10A，另外的所述電氣連接元件40A的兩端分別被連接於所述副輻射源202A的所述輻射源連接點21A和所述參考地10A的所述參考地連接點11A，以藉由所述電氣連接元件40A電氣連接所述副輻射源202A和所述參考地10A。

可選地，所述主輻射源201A和所述副輻射源202A中的至少一個輻射源的所述輻射源連接點21A的數量可以是兩個以上。例如，在本發明的所述抗干擾天線的一個較佳示例中，所述主輻射源201A的所述輻射源連接點21A的數量為兩個以上，而所述副輻射源202A的所述輻射源連接點21A的數量是一個，其中所述主輻射源201A的這些所述輻射源連接點21A環繞在所述主輻射源201A的物理中點，而所述副輻射源202A的所述輻射源連接點21A為所述副輻射源202A的物理中點。在本發明的所述抗干擾天線的另一個較佳示例中，所述主輻射源201A的所述輻射源連接點21A的數量為一個，而所述副輻射源202A的所述輻射源連接點21A的數量為兩個以上，其中所述主輻射源201A的所述輻射源連接點21A為所述主輻射源201A的物理中點，而所述副輻射源202A的這些所述輻射源連接點21A環繞在所述副輻射源202A的物理中點。在本發明的所述抗干擾天線的另一個較佳示例中，所述主輻射源201A和所述副輻射源202A的所述輻射源連接點21A均為兩個以上，其中所述主輻射源201A的這些所述輻射源連接點21A環繞在所述主輻射源201A的物理中點，所述副輻射源202A的這些所述輻射源連接點21A環繞在所述副輻射源202A的物理中點。

繼續參考附圖7和圖8，所述抗干擾天線進一步包括一遮罩罩50A，其中所述遮罩罩50A被設置於所述參考地10A，並且所述遮罩罩50A被保持在所述參考地10A的所述第二側面102A。

參考本發明的說明書附圖之附圖9和圖10，依本發明的第三較佳實施例的一種抗干擾天線接下來的描述中被揭露和被闡述，其中所述抗干擾天線包括一參考地10B、四輻射源20B和三微帶連接部70B，其中所述參考地10B具有一第一側面101B和對應於所述第一側面101B的一第二側面102B，其中四個所述輻射源20B分別兩兩相鄰地設置於所述參考地10B的所述第一側面101B，並且在每個所述輻射源20B和所述參考地10B之間均形成一輻射縫隙30B，其中一個所述微帶連接部70B的兩端分別延伸以被連接於相鄰兩個所述輻射源20B，另外一個所述微帶連接部70B的兩端分別延伸以被連接於另外相鄰兩個所述輻射源20B，剩餘的所述微帶連接部70B的兩端分別連接用於連接相鄰所述輻射源20B的所述微帶連接部70B。

在本發明的所述抗干擾天線的接下來的描述中，為了便於說明和理解，將四個所述輻射源20B依次定義為一第一輻射源203B、一第二輻射源204B、一第三輻射源205B以及一第四輻射源206B，其中所述第一輻射源203B、所述第二輻射源204B、所述第三輻射源205B和所述第四輻射源206B以此順序順時針地設置，從而使得所述第一輻射源203B分別與所述第二輻射源204B和所述第四輻射源206B相鄰，所述第三輻射源205B分別與所述第二輻射源204B和所述第四輻射源206B相鄰，所述第一輻射源203B和所述第三輻射源205B相對，所述第二輻射源204B和所述第四輻射源206B相對。並且在所述第一輻射源203B與所述參考地10B之間形成所述輻射縫隙30B、在所述第二輻射源204B與所述參考地10B之間形成所述輻射縫隙30B、在所述第三輻射源205B與所述參考地10B之間形成所述輻射縫隙30B和在所述第四輻射源206B與所述參考地10B之間形成所述輻射縫隙30B。相應地，將三個所述微帶連接部70B別定義為一第一微帶連接部71B、一第二微帶連接部72B和一第三微帶連接部73B，其中所述第一微帶連接部71B的兩端分別延伸以被連接於所述第一輻射源203B和所述第二輻射源204B，所述第二微帶連接部72B的兩端分別延伸以被連接於所述第三輻射源205B和所述第四輻射源206B，其中所述第三微帶連接部73B的兩端分別延伸以被連接於所述第一微帶連接部71B和所述第二微帶連接部72B。

參考附圖9和圖10，在本發明的所述抗干擾天線的這個較佳示例中，所述第一輻射源203B、所述第二輻射源204B、所述第三輻射源205B和所述第四輻射源206B分別被電氣連接於所述參考地10B，從而當微波激勵電信號分別被接入所述第一輻射源203B、所述第二輻射源204B、所述第三輻射源205B和所述第四輻射源206B後，所述抗干擾天線能夠產生初始的極化方向而使所述抗干擾天線能夠接收或產生電磁波信號。

繼續參考附圖9和圖10，所述第一輻射源203B、所述第二輻射源204B、所述第三輻射源205B和所述第四輻射源206B均具有至少一輻射源連接點21B，其中所述參考地10B具有至少四參考地連接點11B，其中所述第一輻射源203B、所述第二輻射源204B、所述第三輻射源205B和所述第四輻射源206B的所述輻射源連接點21B均與所述參考地10B的所述參考地連接點11B被電氣連接。

所述第一輻射源203B、所述第二輻射源204B、所述第三輻射源205B和所述第四輻射源206B均具有一饋電點22B，以供被接入微波激勵電信號。所述第一輻射源203B、所述第二輻射源204B、所述第三輻射源205B和所述第四輻射源206B之中的任何一個輻射源的所述輻射源連接點21B與所述饋電點22B之間的距離大於或者等於1/64λ，其中λ是所述抗干擾天線能夠接收或產生的電磁波信號的波長，以在微波激勵電信號的激勵作用下，使得各輻射源的所述輻射源連接點21B與所述饋電點22B之間能夠呈電感特性而具有一定的阻抗，從而使得所述抗干擾天線能夠被激勵地產生初始的極化方向而在各輻射源處向外輻射能量，同時各所述輻射源的所述輻射源連接點21B和所述饋電點22B之間因呈電感特性而具有較低的阻抗，以使得所述抗干擾天線的頻寬變窄，從而所述抗干擾天線可以通過使頻寬變窄的方式防止所述抗干擾天線接收或產生的電磁波信號被相鄰頻段的電磁輻射頻率或雜散輻射頻率干擾，從而提高所述抗干擾天線的抗干擾性能。

進一步地，所述饋電點22B偏離相應的所述輻射源的物理中點，以降低所述抗干擾天線對微波激勵電信號的激勵電流的大小要求，從而當微波激勵電信號自所述第一輻射源203B的所述饋電點22B被接入所述的第一輻射源203B、自所述第二輻射源204B的所述饋電點22B被接入所述第二輻射源204B、自所述第三輻射源205B的所述饋電點22B被接入所述第三輻射源205B和自所述第四輻射源206B的所述饋電點22B被接入所述第四輻射源206B時，所述抗干擾天線更容易產生初始的極化方向。

優選地，所述第一輻射源203B的所述饋電點22B形成在所述第一輻射源203B與所述第一微帶連接部71B的連接位置，所述第二輻射源204B的所述饋電點22B形成在所述第二輻射源204B與所述第一微帶連接部71B的連接位置，所述第三輻射源205B的所述饋電點22B形成在所述第三輻射源205B與所述第二微帶連接部72B的連接位置，所述第四輻射源206B的所述饋電點22B形成在所述第四輻射源206B與所述第二微帶連接部72B的連接位置。

進一步地，所述抗干擾天線具有一天線饋電點250B，其中所述抗干擾天線饋電點250B形成於所述第三微帶連接部73B，其中微波激勵電信號能夠自所述抗干擾天線饋電點250B接入所述抗干擾天線，並經所述第二微帶連接部72B、所述第二微帶連接部72B和所述第一微帶連接部71B依次經所述第一輻射源203B的所述饋電點22B被接入所述第一輻射源203B、所述第二輻射源204B的所述饋電點22B被接入所述第二輻射源204B、所述第三輻射源205B的所述饋電點22B被接入所述第三輻射源205B和所述第四輻射源206B的所述饋電點22B被接入所述第四輻射源206B，此時，所述抗干擾天線的內阻能夠被有效地降低，從而使所述抗干擾天線的頻寬變窄，進而防止其接收或產生的電磁波信號被相鄰頻段的電磁輻射頻率或雜散輻射頻率干擾，以提高所述抗干擾天線的抗干擾性能。

優選地，當所述第一輻射源203B的所述輻射源連接點21B的數量是一個時，所述輻射源連接點21B為所述第一輻射源203B的物理中點；當所述第一輻射源203B的所述輻射源連接點21B的數量為兩個以上時，所述輻射源連接點21B環繞在所述第一輻射源203B的物理中點。當所述第二輻射源204B的所述輻射源連接點21B的數量是一個時，所述輻射源連接點21B為所述第二輻射源204B的物理中點；當所述第二輻射源204B的所述輻射源連接點21B的數量為兩個以上時，所述輻射源連接點21B環繞在所述第二輻射源204B的物理中點。當所述第三輻射源205B的所述輻射源連接點21B的數量是一個時，所述輻射源連接點21B為所述第三輻射源205B的物理中點；當所述第三輻射源205B的所述輻射源連接點21B的數量為兩個以上時，所述輻射源連接點21B環繞在所述第三輻射源205B的物理中點。當所述第四輻射源206B的所述輻射源連接點21B的數量是一個時，所述輻射源連接點21B為所述第四輻射源206B的物理中點；當所述第四輻射源206B的所述輻射源連接點21B的數量為兩個以上時，所述輻射源連接點21B環繞在所述第四輻射源206B的物理中點。

繼續參考附圖9和圖10，所述抗干擾天線包括至少四電氣連接元件40B，其中至少一個所述電氣連接元件40B的兩端分別連接於所述第一輻射源203B的所述輻射源連接點21B和所述參考地10B的至少一個所述參考地連接點11B，以將所述第一輻射源203B電氣連接於所述參考地10B，其中至少一個所述電氣連接元件40B的兩端分別連接於所述第二輻射源204B的所述輻射源連接點21B和所述參考地10B的至少一個所述參考地連接點11B，以將所述第二輻射源204B電氣連接於所述參考地10B，其中至少一個所述電氣連接元件40B的兩端分別連接於所述第三輻射源205B的所述輻射源連接點21B和所述參考地10B的至少一個所述參考地連接點11B，以將所述第三輻射源205B電氣連接於所述參考地10B，其中至少一個所述電氣連接元件40B的兩端分別連接於所述第四輻射源206B的所述輻射源連接點21B和所述參考地10B的至少一個所述參考地連接點11B，以將所述第四輻射源206B電氣連接於所述參考地10B。

繼續參考附圖9和圖10，所述抗干擾天線進一步包括一遮罩罩50B，其中所述遮罩罩50B被設置於所述參考地10B，並且所述遮罩罩50B被保持在所述參考地10B的所述第二側面102B。

可以理解的是，本文中的第一、第二、第三和第四僅用於描述本發明不同部件（或元件）的命名和使本發明的不同部件、元件和結構之間產生區分。除非特別地指出，否則其本身不具有次序或數目多少的含義。具體地說，在附圖11和圖12示出的所述抗干擾天線的這個具體的示例中，所述第一輻射源203B、所述第二輻射源204B、所述第三輻射源205B和所述第四輻射源206B僅用於描述本發明的不同位置的所述輻射源20B的命名和使不同位置的所述輻射源20B產生區分，其並不指代所述輻射源20B的次序或數目。

參考本發明的說明書附圖之附圖11和圖12，依本發明的第四較佳實施例的一種抗干擾天線在接下來的描述中被揭露和被闡述，其中所述抗干擾天線包括一參考地10C和至少一輻射源20C，其中所述輻射源20C被相鄰地設置於所述參考地10C，並且在所述輻射源20C和所述參考地10C之間形成一輻射縫隙30C，其中至少一個所述輻射源20C和所述參考地10C被電氣連接。

具體地說，所述參考地10C具有一第一側面101C和對應於所述第一側面101C的一第二側面102C，其中所述輻射源20C被相鄰地設置於所述參考地10C的所述第一側面101C。

參考附圖11和圖12，所述輻射源20C具有一輻射源連接點21C和一饋電點22C，其中所述輻射源20C的所述輻射源連接點21C和所述饋電點22C重合。所述參考地10C具有至少一參考地連接點11C。所述抗干擾天線進一步包括至少一電氣連接元件40C，其中所述電氣連接元件40C為電感，並且所述電氣連接元件40C的兩端分別被連接於所述輻射源20C的所述輻射源連接點21C和所述參考地10C的所述參考地連接點11C，以藉由所述電氣連接元件40C將所述輻射源20C電氣連接於所述參考地10C。例如，所述電氣連接元件40C可以是但不限於曲線連接線或螺紋連接線形成的電感。所述輻射源20C的所述饋電點22C能夠被接入微波激勵電信號。當微波激勵電信號自所述輻射源20C的所述饋電點22C被接入所述輻射源20C後，所述抗干擾天線能夠產生初始的極化方向而在所述輻射源20C處向外輻射能量。因為所述抗干擾天線的所述輻射源20C和所述參考地10C通過被實施為電感的所述電氣連接元件40C電氣連接，從而當微波激勵電信號自所述輻射源20C的所述饋電點22C被接入所述輻射源20C後，所述抗干擾天線具有較低的阻抗，從而所述抗干擾天線可以通過使頻寬變窄的方式放置其接收或產生的電磁波信號被相鄰頻段的電磁輻射頻率或雜散輻射頻率干擾，從而提高所述抗干擾天線的抗干擾性能。

參考說明書附圖13至圖15D，依本發明的第五較佳實施例的一種抗干擾天線將在接下來的描述中被闡述，所述抗干擾天線不僅能夠穩定地產生和接收電磁波信號，而且能夠有效地避免相鄰頻段的電磁波信號的干擾。具體來說，所述抗干擾天線包括一參考地10D、至少一輻射源20D以及一連接部80D，藉由所述連接部80D能夠使得所述輻射源20D被間隔地保持於所述參考地10D的一側，並在所述參考地10D和所述輻射源20D之間形成一輻射縫隙30D，和使所述輻射源20D被接地，通過這樣的方式，所述抗干擾天線的內阻的阻抗能夠被降低，所述抗干擾天線的頻寬變窄，從而所述抗干擾天線通過使頻寬變窄的方式避免相鄰頻段的電磁波信號對所述抗干擾天線產生的電磁波信號的干擾，以提高所述抗干擾天線的抗干擾的性能。

更具體地說，所述連接部80D能夠被電氣連接於所述參考地10D和所述輻射源20D，從而使得所述輻射源20D被間接地電氣連接於所述參考地10D，以使所述輻射源20D被接地。也就是說，在藉由所述連接部80D固定所述輻射源10於所述參考地10D的一側的同時所述輻射源20D被接地，通過這樣的方式，有利於在保障所述抗干擾天線的抗干擾性能的同時提高所述抗干擾天線的穩定性。

參考附圖13至圖15D，所述抗干擾天線的所述輻射源20D具有相互間隔的至少一輻射源連接點21D和一饋電點22D，其中所述輻射源20D以所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D被電氣連接於所述連接部80D和所述參考地10D被電氣連接於所述連接部80D的方式被接地，所述輻射源20D的所述饋電點22D能夠被接入微波激勵電信號。當微波激勵電信號自所述輻射源20D的所述饋電點22D被接入所述輻射源20D後，所述輻射源20D的所述饋電點22D和所述輻射源連接點21D之間呈電感特徵而使所述抗干擾天線具有較低的內阻阻抗，從而使得所述抗干擾天線的頻寬變窄，以有利於避免相鄰頻段的電磁波信號干擾所述抗干擾天線產生或者接收的電磁波信號，進而保證所述抗干擾天線的穩定性。

進一步地，參考附圖14至圖15D，所述抗干擾天線的所述連接部80D包括一第一連接件81D和一第二連接件82D，其中所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D被電氣連接於所述第一連接件81D，其中所述第二連接件82D被接地，其中所述第一連接件81D的至少一部分被電氣連接於所述第二連接件82D的至少一部分，以使得與所述第一連接件81D電氣連接的所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D被接地，從而所述輻射源20D被接地。

具體來說，參考附圖14至圖15D，所述抗干擾天線進一步包括一第一基板90D和一第二基板100D。所述輻射源20D和所述連接部80D的所述第一連接件81D分別被貼裝於所述第一基板90D的兩側，以藉由相互層疊的所述輻射源20D、所述第一基板90D和所述連接部80D的所述第一連接件81D形成所述抗干擾天線的一第一天線元件110D，其中所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D被電氣連接於所述連接部80D的所述第一連接件81D。相應地，所述連接部80D的所述第二連接件82D被貼裝於所述第二基板100D的一側，以藉由相互層疊的所述第二基板100D和所述連接部80D的所述第二連接件82D形成所述抗干擾天線的一第二天線元件120D。

所述第一天線元件110D以所述第一連接件81D朝向所述第二連接件82D的方式被貼裝於所述第二天線元件120D，並且使所述第一連接件81D的至少一部分和所述第二連接件82D的至少一部分被電氣連接，從而使得所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D經由所述第一連接件81D和所述第二連接件82D被接地。在所述第一天線元件110D和所述第二天線元件120D被貼裝在一起後，形成所述第二天線元件120D的所述第二連接件82D進一步形成所述抗干擾天線的所述參考地10D，形成所述第一天線元件110D的所述第一基板90D進一步形成所述輻射縫隙30D。

也就是說，所述抗干擾天線包括一個所述第一天線元件110D和一個所述第二天線元件120D，其中所述第一天線元件110D包括一個所述第一基板90D和分別被貼裝於所述第一基板90D的兩側的一個所述輻射源20D和一個所述第一連接件81D，並且所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D被電氣連接於所述第一連接件81D，其中所述第二天線元件120D包括一個所述第二基板100D和被貼裝於所述第二基板100D的一側的一個所述第二連接件82D，其中所述第一連接件81D被貼裝於和被導通地連接於所述第二連接件82D，以使所述第二連接件82D形成所述參考地10D和使所述第一基板90D形成所述輻射縫隙30D。

值得一提的是，所述輻射源20D、所述第一連接件81D以及所述第二連接件82D具有良好的導電性能。還值得一提的是，所述輻射源20D、所述第一連接件81D以及所述第二連接件82D具體材料不受限制，比如說，所述輻射源20D、所述第一連接件81D以及所述第二連接件82D的材料可以是但不限於銅、銅合金、銀、金。

優選地，參考附圖13至圖15D，所述連接部80D的所述第一連接件81D和所述第二連接件82D具有平整表面，以使所述第一連接件81D和所述第二連接件82D相互電氣連接的表面部分為平面表面，這樣，有利於所述第一連接件81D和所述第二連接件82D被穩定地電氣連接。在所述抗干擾天線的一個具體示例中，所述連接部80D的所述第一連接件81D和所述第二連接件82D被實施為具有平整外表面的金屬板，例如銅板，從而使得所述第一連接件81D和所述第二連接件82D相互電氣連接的表面部分為平面表面。換言之，在所述抗干擾天線的這個具體示例中，所述第一連接件81D和所述第二連接件82D均為板狀的連接件。

可選地，在本發明的所述抗干擾天線的一些變形示例中，所述連接部80D的所述第一連接件81D和所述第二連接件82D也可以為凹凸不平的結構，比如說，所述第一連接件81D和所述第二連接件82D被實施為具有至少一個凸起或是凹槽，並藉由所述第一連接件81D和所述第二連接件82D向外凸起或是向內凹陷的部分使所述第一連接件81D和所述第二連接件82D相互電氣連接，進而使得與所述第一連接件81D電氣連接的所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D和所述第二連接件82D被電氣連接。例如，所述第一連接件81D與所述第二連接件82D連接的表面部分為凸起表面，所述第二連接件82D與所述第一連接件81D連接的表面部分為平面表面；或者所述第二連接件82D與所述第一連接件81D連接的表面部分為凸起表面，所述第一連接件81D與所述第二連接件82D的表面部分為平面表面。

值得一提的是，附圖13至圖15D中示出的所述連接部80D的所述第一連接件81D和所述第二連接件82D的具體結構僅僅作為示意以用於揭露和解釋本發明的所述抗干擾天線的內容和特徵，其不能被視為對本發明所述抗干擾天線的內容和範圍的限制。

在本發明的所述抗干擾天線的一個較佳實施例中，所述連接部80D的所述第一連接件81D和所述第二連接件82D以被壓合的方式被相互貼合，從而使得所述第一連接件81D和所述第二連接件82D被電氣連接，進而使得與所述第一連接件81D電氣連接的所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D被電氣連接於所述第二連接件82D，進而使得所述輻射源20D被接地。

可選地，在本發明的所述抗干擾天線的另一個較佳示例中，所述連接部80D的所述第一連接件81D和所述第二連接件82D也可以通過一導電介質260D被電氣連接，從而使得與所述第一連接件81D電氣連接的所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D被電氣連接於所述第二連接件82D，進而使得所述輻射源20D被接地。

繼續參考附圖13至圖15D，所述抗干擾天線進一步包括一絕緣部130D，其中所述絕緣部130D包括一第一絕緣層131D和一第二絕緣層132D。所述第一絕緣層131D包覆所述第一連接件81D的一部分下表面，以允許所述第一連接件81D具有至少一個第一暴露部分810D。相應地，所述第二絕緣層132D包覆所述第二連接件82D的一部分上表面，以允許所述第二連接件82D具有至少一第二暴露部分820D。所述第一連接件81D的每個所述第一暴露部分810D和所述第二連接件82D的每個所述第二暴露部分820D被電氣連接，從而使得所述第一連接件81D和所述第二連接件82D被電氣地連接，以使得與所述第一連接件81D電氣連接的所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D被電氣連接於所述第二連接件82D，進而使得所述輻射源20D被接地。

具體地說，參考附圖14至圖15D，所述第一絕緣層131D具有至少一第一缺口1311D，其中所述第一絕緣層131D被貼裝於所述第一連接件81D以覆蓋於所述第一連接件81D的下表面的一部分，從而使得所述第一連接件81D的一部分下表面被暴露於所述第一絕緣層131D的所述第一缺口1311D而形成所述第一連接件81D的每個所述第一暴露部分810D。所述第一絕緣層131D的每個所述第一暴露部分810D分別朝向所述第二連接件82D和被電氣連接於所述第二連接件82D，從而使得所述第一連接件81D和所述第二連接件82D被電氣連接。例如，在附圖14至圖15D示出的所述抗干擾天線的這個具體示例中，所述第一連接件81D具有三個所述第一暴露部分810D，其中所述第一連接件81D的三個所述第一暴露部分810D中的兩個所述第一暴露部分810D分別位於所述第一連接件81D的一側的兩個轉角處，另一個所述第一暴露部分810D位於所述第一連接件81D的另一側的中部，從而使得所述第一連接件81D以所述第一連接件81D的一側的兩個轉角和另一個側的中部被連接於所述第二連接件82D的方式被電氣連接於所述第二連接件82D。

進一步地，所述第一絕緣層131D具有至少一第一容納槽1312D，以供容納連接所述第一連接件81D和所述第二連接件82D的所述導電介質260D，如錫等焊接材料，其中所述第一連接件81D的每個所述第一暴露部分810D分別對應於所述第一絕緣層131D的每個所述第一容納槽1312D。也就是說，所述導電介質260D焊接所述第一連接件81D的所述第一暴露部分810D和所述第二連接件82D的所述第二暴露部分820D，從而電氣地連接所述第一連接件81D和所述第二連接件82D而使所述輻射源20D被接地。

可選地，所述第一絕緣層131D可以通過噴塗絕緣材料於所述第一連接件81D的下表面的方式形成完全覆蓋所述第一連接件81D的下表面的所述第一絕緣層131D，並通過去除所述第一絕緣層131D的至少一部分的方式形成所述第一缺口1311D於所述第一絕緣層131D，進而在所述第一連接件81D對應於第一缺口1311D的位置形成所述第一容納槽1312D，並且所述第一連接件81D形成每個所述第一暴露部分810D。比如說，可以通過刮除、蝕刻或是腐蝕覆蓋於所述第一連接件81D的所述第一絕緣層131D的至少一部分的方式以使得所述第一連接件81D的至少一部分被暴露而形成所述第一連接件81D的每個所述第一暴露部分810D，以供在後續能夠使所述第一連接件81D被電氣連接於所述第二連接件82D。

可選地，將所述絕緣材料噴塗於所述第一連接件81D的下表面的一預設位置，並使得所述第一連接件81D的下表面的至少一部分被暴露而形成所述第一連接件81D的每個所述第一暴露部分810D，進而在所述第一絕緣層131D和所述第一連接件81D之間能夠形成至少一個所述第一容納槽1312D，以使得所述第一連接件81D的至少一部分能夠被電氣連接於所述第二連接件82D。

參考附圖14至圖15D，所述第二絕緣層132D具有一第二缺口1321D，所述第二絕緣層132D以被貼裝於所述第二連接件82D的方式覆蓋於所述第二連接件82D的上表面，其中所述第二連接件82D的一部分表面被暴露於所述第二絕緣層132D的所述第二缺口1321D而形成所述第二連接件82D的每個所述第二暴露部分820D，並在所述第二連接件82D對應於所述第二缺口1321D的部分能夠被電氣連接於所述第一連接件81D。

進一步地，在所述第二連接件82D對應於所述第二缺口1321D的部分與所述第二絕緣層132D之間形成一第二容納槽1322D，以供容納連接所述第一連接件81D和所述第二連接件82D的所述導電介質260D，如錫等焊接材料。

可選地，所述第二絕緣層132D的面積小於所述第二連接件82D的上表面的面積，當所述第二絕緣層132D被貼裝於所述第二連接件82D的上表面時，在所述第二絕緣層132D和所述第二連接件82D之間能夠形成所述第二容納槽1322D和形成所述第二連接件82D的每個所述第二暴露部分820D，以使得所述第二連接件82D的至少一部分能夠被電氣連接於所述第一連接件81D。

可選地，所述第二絕緣層132D通過噴塗所述絕緣材料於所述第二連接件82D的上表面的方式形成完全覆蓋於所述第二連接件82D的上表面的所述第二絕緣層132D，並通過去除所述第二絕緣層132D的至少一部分的方式形成所述第二缺口1321D於所述第二絕緣層132D和形成所述第二連接件82D的每個所述第二暴露部分820D，進而在所述第二絕緣層132D和所述第二連接件82D之間形成所述第二容納槽1322D。比如說，可以通過刮除、蝕刻或是腐蝕覆蓋於所述第二連接件82D的所述第二絕緣層132D的至少一部分的方式使得所述第二連接件82D的至少一部分被暴露而形成所述第二連接件82D的每個所述第二暴露部分820D，以供在後續能夠被電氣連接於所述第一連接件81D。

可選地，將所述絕緣材料噴塗於所述第二連接件82D的上表面的一預設位置，並使得所述第二連接件82D的上表面的至少一部分被暴露而形成所述第二連接件82D的每個所述第二暴露部分820D，進而在所述第二絕緣層132D和所述第二連接件82D之間能夠形成至少一個所述第二容納槽1322D，以使得所述第二連接件82D的至少一部分能夠被電氣連接於所述第一連接件81D。

值得一提的是，所述第一絕緣層131D的所述第一缺口1311D和所述第二絕緣層132D的所述第二缺口1321D的具體數量不受限制，所述第一缺口1311D和所述第二缺口1321D可以被實施為一個、兩個、三個甚至更多數量。另外，所述第一絕緣層131D的所述第一缺口1311D和所述第二絕緣層132D的所述第二缺口1321D的具體形狀不受限制，即，所述第一連接件81D與所述第二連接件82D電氣連接的部分的形狀不受限制，例如，所述第一絕緣層131D的所述第一缺口1311D和所述第二絕緣層132D的所述第二缺口1321D的形狀可以被實施為多邊形、圓形、橢圓形等。另外，所述第一絕緣層131D的所述第一缺口1311D和所述第二絕緣層132D的所述第二缺口1321D的具體位置不受限制。例如，所述第一絕緣層131D的所述第一缺口1311D分佈於所述第一絕緣層131D的兩側，和所述第二絕緣層132D的所述第二絕緣缺口1322D分佈於所述第二絕緣層132D的兩側，當所述第一絕緣層131D和所述第二絕緣層132D被分別設置於所述第一連接件81D和所述第二連接件82D時，形成的所述第一容納槽1312D和所述第二容納槽1322D分佈於所述第一連接件81D和所述第二連接件82D的兩側，通過這樣的方式，有利於保障所述第一連接件81D和所述第二連接件82D之間穩定地連接。

優選地，在本發明的所述抗干擾天線的一個較佳示例中，所述連接部80D的所述第一連接件81D被焊接於所述第二連接件82D。具體來說，焊接所述第一連接件81D和所述第二連接件82D的所述導電介質260D被容納於所述第一絕緣層131D的所述第一容納槽1312D和/或所述第二絕緣層132D的所述第二容納槽1322D內，所述第一絕緣層131D以所述第一絕緣層131D的所述第一缺口1311D對應於所述第二絕緣層132D的所述第二缺口1321D的方式被貼合於所述第二絕緣層132D，此時，所述第一絕緣層131D的所述第一容納槽1312D和所述第二絕緣層132D的所述第二容納槽1322D相連通，被容納於所述第一容納槽1312D和所述第二容納槽1322D內的所述導電介質260D使得所述第一連接件81D和所述第二連接件相互電氣連接，並保證所述第一連接件81D和所述第二連接件82D的平整度。舉例來說，通過加熱的方式使得容納於所述第一容納槽1312D和所述第二容納槽1322D內的所述導電介質融化，當所述導電介質260D凝固後，所述導電介質260D使得所述第一連接件81D被電氣連接於所述第二連接件82D。

值得一提的是，所述導電介質260D能夠被容納於所述第一絕緣層131D的所述第一容納槽1312D和所述第二絕緣層132D的所述第二容納槽1322D內，能夠保證所述第一絕緣層131D和所述第二絕緣層132D保持平整並完全貼合，以利於更穩固地電氣連接所述第一連接件81D和所述第二連接件82D。應該理解的是，即使被容納於所述第一絕緣層131D的所述第一容納槽1312D和所述第二絕緣層132D的所述第二容納槽1322D內的所述導電介質260D自所述第一絕緣層131D的所述第一容納槽1312D和所述第二絕緣層132D的所述第二容納槽1322D內溢出，溢出的所述導電介質260D被保持於所述第一絕緣層131D和所述第二絕緣層132D之間，以避免影響電路的穩定性，從而有利於所述抗干擾天線穩定地向外產生或是接收電磁波信號。

值得一提的是，藉由所述連接部80D能夠間接地使得所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D被電氣連接於所述參考地10D，由於所述連接部80D的所述第一連接件81D和所述第二連接件82D的面積較大，便於操作人員能夠快速地使得所述輻射源20D與所述參考地10D穩定地電氣連接，進而有利於提高所述抗干擾天線的製造效率，並且，增大了電氣連接的面積，有利於保障所述抗干擾天線的電路穩定連接，以保障所述抗干擾天線穩定地向外產生和接收電磁波信號。

進一步地，參考附圖15A和圖15B，所述抗干擾天線包括一導通部140D，其中所述導通部140D包括一第一導通件141D，所述第一導通件141D的兩端分別被電氣連接於所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D和所述第一連接件81D，進而使得所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D與所述第一連接件81D相互電氣連接。

優選地，所述第一導通件141D通過金屬化過孔工藝形成，並且所述第一導通件141D分別連接所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D和所述第一連接件81D。

具體地說，所述第一天線元件110D具有一第一通孔1101D，所述第一通孔1101D自所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D經所述第一基板90D延伸至所述第一連接件81D，即，所述第一天線元件110D的所述第一通孔1101D貫穿所述輻射源20D、所述第一基板90D和所述第一連接件81D。利用化學鍍或者電鍍的方式在所述第一天線元件110D的用於形成所述第一通孔1101D的周壁上形成一導電金屬層，即，所述導電金屬層同時形成於所述輻射源20D的周壁、所述第一基板90D的周壁和所述第一連接件81D的周壁而形成用於電氣連接所述輻射源20D和所述第一連接件81D的所述第一導通件141D。

所述抗干擾天線的所述導通部140D進一步包括一第二導通件142D，所述第二導通件142D被電氣連接於所述輻射源20D的所述饋電點22D，且所述第二導通件142D能夠被接入微波激勵電信號。

在本發明的所述抗干擾天線的一個較佳實施例中，所述第二導通件142D自所述輻射源20D的所述饋電點22D延伸至所述第一基板90D的下表面，並且所述第一連接件81D和所述第二導通件142D沒有被連接。

具體來說，所述第二導通件142D可以通過金屬化過孔工藝形成，其中所述第一天線元件110D具有一第二通孔1102D，所述第二通孔1102D自所述輻射源20D的所述饋電點22D經所述第一基板90D延伸至所述第一連接件81D，即，所述第二通孔1102D貫穿所述輻射源20D、所述第一基板90D和所述第一連接件81D，然後，利用化學鍍或是電鍍的方式在所述第一天線元件110D的用於形成所述第二通孔1102D的周壁形成一導電金屬層，即，所述導電金屬層同時形成於所述輻射源20D的周壁和所述第一基板90D的周壁而用於形成電氣連接所述輻射源20D的所述第二導通件142D。

進一步地，所述第一連接件81D具有一第一絕緣缺口811D，所述第一絕緣缺口811D貫穿所述第一連接件81D1，並且所述第一絕緣缺口811D環繞於所述第二導通件142D，通過這樣的方式，避免所述第二導通件142D被電氣連接於所述第一連接件81D。

優選地，在本發明的所述抗干擾天線的一個具體示例中，在形成所述第二導通件142D後，通過蝕刻或是腐蝕所述第一連接件81D的一部分的方式能夠形成環繞於所述第二導通件142D的所述第一絕緣缺口811D，以通過隔離所述第二導通件142D和所述第一連接件81D的防止所述第二導通件142D和所述第一連接件81D被連接。也就是說，在通過金屬化過孔工藝形成所述第二導通件142D時，所述第二導通件142D與所述第一連接件81D可以形成一體式結構，接著通過蝕刻或者腐蝕所述第一連接件81D的方式能夠形成所述第一連接件81D的所述第一絕緣缺口811D，從而隔離所述第一連接件81D和所述第二導通件142D，以避免所述第一連接件81D和所述第二導通件142D被電氣連接，參考附圖15B。

可選地，在本發明的所述抗干擾天線的另一個具體示例中，首先在所述第一連接件81D形成所述第一絕緣缺口811D，並使所述第一天線元件110D的所述第二通孔1102D對應于和連通於所述第一連接件81D的所述第一絕緣缺口811D，其次通過金屬化過孔工藝形成所述第二導通件142D，並通過使所述第一連接件81D的所述第一絕緣缺口811D環繞於所述第二導通件142D的四周的方式避免所述第二導通件142D與所述第一連接件81D被導通。

可選地，在本發明的所述抗干擾天線的一些實施例中，所述第一絕緣層131D具有對應於所述第二導通件142D的通孔，所述第一絕緣層131D以所述第一絕緣層131D的所述通孔對應於所述第二導通件142D的方式被貼裝於所述第一連接件81D，並使得所述第二導通件142D能夠穿過所述第一絕緣層131D的所述通孔，這樣，所述第一絕緣層131D能夠隔離所述第二導通件142D和所述第一連接件81D，從而阻止所述第二導通件142D和所述第一連接件81D被導通。在本發明的所述抗干擾天線的的一個具體的實施例中，所述第二導通件142D自所述輻射源20D的所述饋電點22D延伸至所述第一絕緣層131D的下表面。具體來說，所述輻射源20D和所述第一基板90D分別被所述第一天線元件110D的所述第二通孔1102D貫穿，並且所述第一天線元件110D的所述第二通孔1102D連通所述第一絕緣層131D的所述通孔，其中所述第一連接件81D具有所述第一絕緣缺口811D，所述第一連接件81D的所述第一絕緣缺口811D連通貫穿所述輻射源20D和所述第一基板90D的所述第二通孔1102D以及所述第一絕緣層131D的所述通孔。並且，所述第一連接件81D的所述第一絕緣缺口811D的尺寸大於貫穿所述第一基板90D和所述輻射源20D的所述第二通孔1102D和所述第一絕緣層131D的所述通孔。當所述第一絕緣層131D以所述通孔對應於所述第一連接件81D的所述第一絕緣缺口811D方式被貼裝於所述第一連接件81D，所述第一絕緣層131D能夠遮擋住部分的所述第一連接件81D的所述第一絕緣缺口811D，並且所述第一絕緣層131D對應於所述第一連接件81D的所述第一絕緣缺口811D的部分能夠向內凹陷並貼合所述第一基板90D。利用化學鍍或是電鍍的方式在界定所述第二通孔1102D的所述第二天線元件120D的周壁形成所述第二導通件142D，即，所述第二導通件142D形成於所述輻射源20D的周壁和所述第一基板90D的周壁，並且所述第二導通件142D自所述輻射源20D經過所述第一基板90D和所述第一連接件81D延伸至所述第一絕緣層131D。也就是說，在所述抗干擾天線的這個具體的實施例中，所述第二導通件142D和所述第一連接件81D相互間隔地設置，所述第二導通件142D僅連接所述輻射源20D和所述第一基板90D，以避免所述輻射源20D的所述饋電點22D與所述第一連接件81D導通。

在本發明的所述抗干擾天線的其他的實施例中，當所述第一絕緣層131D是通過噴塗所述絕緣材料噴塗於所述第一連接件81D而形成時，所述第一連接件81D被設置於所述第一基板90D的下表面，所述絕緣材料被噴塗於所述第一連接件81D的下表面、所述第一連接件81D界定所述第一絕緣缺口811D的內壁以及所述第一基板90D的下表面對應於所述第一絕緣缺口811D的部分，通過去除所述第一絕緣層131D的一部分的方式能夠形成所述第一絕緣層131D的所述通孔，接著利用化學鍍或是電鍍的方式在界定所述輻射源20D的周壁和所述第一基板90D的周壁形成所述第二導通件142D，並且所述第二導通件142D自所述輻射源20D的饋電點22D延伸至所述第一絕緣層131D，以使得所述第二導通件142D和所述第一連接件81D相互間隔，同樣能夠避免所述輻射源20D的所述饋電點22D與所述第一連接件81D導通。

繼續參考附圖15A和圖15B，所述抗干擾天線的所述導通部140D進一步包括一第三導通件143D，其中所述第三導通件143D的兩端能夠分別被連接於所述第二導通件142D和被接入微波激勵電信號，進而使得所述輻射源20D的所述饋電點22D被接入微波激勵電信號。並且，當所述輻射源20D的所述饋電點22D被接入微波激勵電信號時，所述輻射源20D的所述饋電點22D和所述輻射源連接點21D之間呈電感特性而具有一定的阻抗，以使得所述抗干擾天線的頻寬變窄，從而有利於避免相鄰頻段的電磁波信號干擾所述抗干擾天線產生或是接收的電磁波信號，並且所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D能夠穩定地電氣連接於所述參考地10D，從而有利於保障所述抗干擾天線的穩定性能。

在本發明的所述抗干擾天線的另一些實施例中，所述第三導通件143D自所述第二基板100D的一側延伸至另一側，並且所述第三導通件143D和所述第二連接件82D沒有被導通地連接。具體來說，所述第三導通件143D通過金屬化過孔工藝形成，所述第二天線元件120D具有一第三通孔1201D，其貫穿所述第二基板100D以及所述第二連接件82D，利用化學鍍或是電鍍的方式在所述第二天線元件120D的用於形成所述第三通孔1201D周壁形成一導電金屬層而形成所述第三導通件143D，即，所述第三導通件143D形成於所述第二基板100D的周壁，並且所述第三導通件143D自所述第二基板100D延伸至所述第二連接件82D和避免所述第三導通件143D被導通地連接所述第二連接件82D。

進一步地，所述第二連接件82D具有一第二絕緣缺口821D，所述第二絕緣缺口821D貫穿所述第二連接件82D，並且所述第二絕緣缺口821D環繞於所述第三導通件143D，以通過隔離所述第二連接件82D和所述第三導通件143D的方式阻止所述第二連接件82D和所述第三導通件143D被導通地連接。優選地，在形成所述第三導通件143D後，通過蝕刻或是腐蝕所述第二連接件82D的一部分的方式可以形成環繞於所述第三導通件143D的所述第二絕緣缺口821D，並使得所述第二連接件82D與所述第一連接件81D電氣連接的部分與所述第三導通件143D沒有被導通。

進一步地，在本發明的所述抗干擾天線的一些實施例中，所述第二絕緣層132D具有對應於所述第三導通件143D的通孔，所述第二絕緣層132D以所述通孔對應於所述第三導通件143D的方式被貼裝於所述第二連接件82D，並使得所述第三導通件143D能夠穿過所述第二絕緣層132D的所述通孔。並且所述第二絕緣層132D對應於所述第二連接件82D的所述第二絕緣缺口821D的部分能夠向內凹陷並貼合所述第二基板100D和界定所述第二連接件82D的所述第二絕緣缺口821D的內壁，通過這樣的方式，所述第二絕緣層132D能夠隔離所述第二連接件82D和所述第三導通件143D，以阻止所述第二連接件82D和所述第三導通件143D被導通地連接。

在本發明的所述抗干擾天線的其他的實施例中，所述第三導通件143D自所述第二基板100D延伸至所述第二絕緣層132D的上表面。所述第二基板100D和所述第二連接件82D被所述第二天線元件120D所述第三通孔1201D貫穿，並且所述第三通孔1201D連通所述第二絕緣層132D的所述通孔，其中所述第二連接件82D具有所述第二絕緣缺口821D，所述第二連接件82D的所述第二絕緣缺口821D連通所述第二天線元件120D的所述第三通孔1201D。優選地，所述第二連接件82D的所述第二絕緣缺口821D的尺寸大於所述第二天線元件120D的所述第三通孔1201D。利用化學鍍或是電鍍的方式在所述第二天線元件120D的用於形成所述第三通孔1201D的周壁形成所述導電金屬層而形成所述第三導通件143D，即，所述第三導通件143D形成於所述第二基板100D，且所述第三導通件143D自所述第二基板100D延伸至所述第二絕緣層132D。舉例來說，當所述第二絕緣層132D以所述通孔對應於所述第二連接件82D的所述第二絕緣缺口821D的方式被貼裝於所述第二連接件82D，所述第二絕緣層132D能夠遮擋住部分的所述第二連接件82D的所述第二絕緣缺口821D，且所述第二絕緣層132D對應於所述第二連接件82D的所述第二絕緣缺口821D的部分能夠向內凹陷並貼合所述第二基板100D，以藉由所述第二絕緣層132D隔離所述第三導通件143D和所述第二連接件82D而避免所述第三導通件143D和所述第二連接件82D被導通地連接，通過這樣的方式，能夠避免在所述第三導通件143D被電氣連接於所述第二導通件142D後，所述輻射源20D的所述饋電點22D與所述第二連接件82D導通。

可選地，在本發明的所述抗干擾天線的其他的實施例中，所述第二絕緣層132D是通過將所述絕緣材料噴塗於所述第二連接件82D而形成，所述絕緣材料能夠覆蓋於所述第二連接件82D界定所述第二絕緣缺口821D的內壁和所述第二基板100D的下表面對應於所述第一絕緣缺口811D的部分，去除所述第二絕緣層132D的一部分而形成所述第二絕緣層132D的所述通孔，利用化學鍍或是電鍍的方式在所述第二天線元件120D的所述第三通孔1201D和所述第二絕緣層132D形成所述第三導通件143D，使得所述第三導通件143D和所述第二連接件82D相互間隔，同樣能夠避免在所述第三導通件143D被電氣連接於所述第二導通件142D後，所述輻射源20D的所述饋電點22D與所述第二連接件82D導通。

值得一提的是，電氣連接所述第二導通件142D和所述第三導通件143D的方式在本發明的所述抗干擾天線中不受限制，例如可以通過導電介質導通所述第二導通件142D和所述第三導通件143D。可選地，所述第二導通件142D和所述第三導通件143D可以一體地形成。

優選地，被鄰近地保持於所述參考地10D的所述輻射源20D的左側邊緣與所述參考地10D的左側邊緣之間的水準距離大於1/16λ，所述輻射源20D的左側邊緣與所述參考地10D的左側邊緣之間的水準距離小於λ；且所述輻射源20D的右側邊緣與所述參考地10D的右側邊緣之間的水準距離大於1/64λ，所述輻射源20D 的右側邊緣與所述參考地10D的右側邊緣之間的水準距離小於1/4λ，其中所述λ是所述抗干擾天線能夠產生或是接收的電磁波信號的波長。值得一提的是，說明書附圖中的尺寸比例僅僅作為示意，不是實際尺寸比例，不能成為對本發明的所述抗干擾天線的內容和範圍的限制。

優選地，在附圖13至圖15D所示出的實施方式中，所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D被實施為所述輻射源20D的物理中心點。也就是說，通過將所述輻射源20D的物理中心點接地的方式能夠使得所述抗干擾天線產生初始的極化方向後能夠預所述輻射源20D穩定地向外輻射電磁波信號。

值得一提的是，所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D的具體數量和位置不受限制，所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D可以被實施為一個、兩個或是多個。本領域相關技術人員應該理解的是，本發明的說明書附圖及描述中所示出的所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D的具體數量和位置僅僅作為示例，不能成為對本發明所述抗干擾天線的內容及範圍的限制。

進一步地，所述抗干擾天線包括一遮罩罩50D，所述遮罩罩50D被安裝於所述第二基板100D，所述第二連接件82D和所述遮罩罩50D分別位於所述第二基板100D相對的兩側。所述遮罩罩50D具有良好的導電性能，本領域技術人員應該知曉，所述遮罩罩50D的具體材料不受限制，比如說，所述遮罩罩50D可以被實施為但不限於銅、銀、金或是其他金屬材料制得，以減少所述抗干擾天線產生的電磁波信號及反射電磁波信號對所述抗干擾天線的電路的影響。

附圖16至圖18B示出了所述抗干擾天線的一個變形示例，與附圖13至圖15D示出的所述抗干擾天線不同的是，在附圖16至圖18B示出的所述抗干擾天線的這個具體示例中，所述抗干擾天線的所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D和所述饋電點22D重合。具體來說，所述抗干擾天線進一步包括一阻抗元件150D，其中所述阻抗元件150D的一端被電氣連接於所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D，所述阻抗元件150D的另一端被電氣連接於所述連接部80D的所述第一連接件81D，通過這樣的方式，所述抗干擾天線的內阻的阻抗能夠被降低。優選地，所述阻抗元件150D可以被實施但不限於電感、阻抗線等。例如，在附圖16至圖18B是處的所述抗干擾天線的這個具體示例中，所述阻抗元件150D通過被電氣連接於所述第一導通件141D的方式被電氣連接於所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D。可選地，所述阻抗元件150D也可以被直接地電氣連接於所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D。

附圖19至圖21示出了所述抗干擾天線的一個變形示例，與附圖13至圖15D示出的所述抗干擾天線不同的是，在附圖19至圖21示出的所述抗干擾天線的這個具體示例中，所述抗干擾天線的所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D的具體數量被實施為六個。六個所述輻射源連接點21D相互間隔地環繞於所述輻射源20D的物理中心點，其中所述輻射源20D的每個所述輻射源連接點21D分別被電氣連接於所述連接部80D的所述第一連接件81D，當所述第一連接件81D被電氣連接於所述第二連接件82D後，所述輻射源20D的每個所述輻射源連接點21D均被電氣連接於所述第二連接件82D，進而所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D被連接於所述參考地10D而使所述輻射源20D被接地。

優選地，每個所述輻射源連接點21D距離所述輻射源20D的物理中心點的距離一致，且每個所述輻射源連接點21D與所述輻射源20D的邊緣存在一預定間隔，使得在所述輻射源20D的所述饋電點22D被接入微波激勵電信號後，所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D和所述饋電點22D之間能夠呈電感特性而具有一定的阻抗，以使得所述抗干擾天線的頻寬變窄，進而有利於防止所述抗干擾天線產生或是接收的電磁波信號被相鄰頻段的電磁波信號干擾。

進一步地，所述輻射源20D的所述饋電點22D偏離所述輻射源20D的物理中心，以降低所述抗干擾天線對微波激勵電信號的激勵電流的強度要求。優選地，所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D和所述饋電點22D之間的距離大於或是等於1/64λ，以使得所述輻射源20D的所述饋電點22D和所述輻射源連接點21D之間呈電感特性而具有一定的阻抗。

附圖22至圖24B示出了所述抗干擾天線的一個變形示例，與附圖13至圖15D示出的所述抗干擾天線不同的是，在附圖22至圖24B示出的所述抗干擾天線的這個具體示例中，所述抗干擾天線的所述導通部140D進一步包括至少一第四導通件144D和至少一第五導通件145D，其中所述第四導通件144D被電氣連接於所述第五導通件145D，所述第四導通件144D被電氣連接於所述第一連接件81D，所述第五導通件145D被電氣連接於所述第二連接件82D，進而使得與所述第一連接件81D電氣連接的所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D被電氣連接於所述參考地10D，以使得所述輻射源20D被接地。也就是說，在附圖22至圖24B示出的所述抗干擾天線的這個具體示例中，所述第一連接件81D可以沒有所述第一暴露部分810D，和所述第二連接件82D可以沒有所述第二暴露部分820D，其中所述第一連接件81D和所述第二連接件82D通過被電氣連接於所述第一連接件81D的所述第四導通件144D和被電氣連接於所述第二連接件82D的所述第五導通件145D被電氣連接。

優選地，所述第四導通件144D和所述第五導通件145D通過金屬化過孔的工藝形成。具體來說，所述第一天線元件110D具有至少一第四通孔1103D，其貫穿所述第一基板90D、所述第一連接件81D和所述第一絕緣層131D，所述第二天線元件120D具有至少一第五通孔1202D，其貫穿所述第二絕緣層132D、所述第二連接件82D和所述第二基板100D，其中所述第一天線元件110D的所述第四通孔1103D和所述第二天線元件120D的所述第五通孔1202D相連通。利用化學鍍或是電鍍的方式形成所述導電金屬層於所述第一天線元件110D的用於形成所述第四通孔1103D的周壁和所述第二天線元件120D的用於形成所述第五通孔1202D的周壁，進而形成所述第四導通件144D於所述第一基板90D、所述第一連接件81D以及所述第一絕緣層131D和形成所述第五導通件145D於所述第二絕緣層132D、所述第二連接件82D以及所述第二基板100D，其中所述第四導通件144D被導通地連接於所述第一連接件81D，所述第五導通件145D被導通地連接於所述第二連接件82D，其中所述第四導通件144D和所述第五導通件145D一體地形成，從而使得所述第四導通件144D和所述第五導通件145D被相互導通，通過這樣的方式，所述第一連接件81D和所述第二連接件82D被相互導通地連接。

可選地，所述第四導通件144D和所述第五導通件145D分別形成，然後再將所述第四導通件144D和所述第五導通件145D導通地連接。電氣連接所述第四導通件144D於所述第五導通件145D的同時使得所述第一基板90D被穩定地固定於所述第二基板100D的一側，進而保障被設置於所述第一基板90D的所述輻射源20D被穩定地保持於所述參考地10D的一側，有利於所述抗干擾天線穩定地向外輻射和接收電磁波信號。優選地，通過一焊錫材料使得所述第四導通件144D被焊接於所述第五導通件145D，同時所述第四導通件144D和所述第五導通件145D被電氣連接。比如說，將呈固液混合狀態的所述焊錫材料灌入所述第一基板90D、所述第一連接件81D、所述第一絕緣層131D、所述第二絕緣層132D、所述第二連接件82D以及所述第二基板100D相互對應的所述第四通孔1103D內，在所述焊錫材料凝固後，所述第四導通件144D被電氣連接於所述第五導通件145D，且所述第一基板90D的所述輻射源20D被穩定地保持於所述參考地10D的一側。

進一步地，被設置於所述第一基板90D的上表面的所述輻射源20D的面積小於所述第一基板90D的上表面的面積，並使得形成於所述第一基板90D的所述第四導通件144D與所述輻射源20D相互間隔，即，所述第四導通件144D與所述輻射源20D沒有被導通。優選地，可以通過蝕刻或是腐蝕等工藝自所述輻射源20D的邊緣向中心地減小覆蓋於所述第一基板90D的上表面的所述輻射源20D的面積。應該理解的是，在本發明的所述抗干擾天線的其他實施例中，所述第四導通件144D也可以被實施為自所述輻射源20D的上表面延伸至所述第二基板100D的下表面。

值得一提的是，所述第四導通件144D和所述第五導通件145D的具體數量不受限制，所述第四導通件144D和所述第五導通件145D可以被實施為一個、兩個、三個甚至更多數量，並且，所述第四導通件144D和所述第五導通件145D的位置不受限制。比如說，兩個所述第四導通件144D和兩個所述第五導通件145D可以分別位於所述第一基板90D和所述第二基板100D的左側；或是，兩個所述第四導通件144D可以分別位於所述第一基板90D的左側和右側，兩個所述第五導通件145D可以分別位於所述第二基板100D的左側和右側；或是，一個所述第四導通件144D和一個所述第五導通件145D分別位於所述第一基板90D和所述第二基板100D的左側，兩個所述第四導通件144D和兩個所述第五導通件145D位於所述第一基板90D和所述第二基板100D的右側。

附圖25至圖27示出了所述抗干擾天線的一個變形示例，與附圖22至圖24B示出的所述抗干擾天線不同的是，在附圖25至圖27示出的所述抗干擾天線的這個較佳示例中，所述抗干擾天線的所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D和所述饋電點22D重合。具體來說，所述抗干擾天線進一步包括所述阻抗元件150D，其中所述阻抗元件150D的一端被電氣連接於所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D，所述阻抗元件150D的另一端被電氣連接於所述連接部80D的所述第一連接件81D。優選地，所述阻抗元件150D可以被實施但不限於電感、阻抗線等。

附圖28至圖30示出了所述抗干擾天線的一個變形示例，與附圖22至圖24B示出的所述輻射源20D為長方形的所述抗干擾天線不同的是，在附圖28至圖30示出的所述抗干擾天線的這個具體示例中，所述抗干擾天線的所述輻射源20D為圓形。在所述抗干擾天線的另外示例中，所述輻射源20D還可以是橢圓形或者方形。

附圖31至圖33示出了所述抗干擾天線的一個變形示例，與附圖25至圖27示出的所述輻射源20D為長方形的所述抗干擾天線不同的是，在附圖31至圖33示出的所述抗干擾天線的這個具體示例中，所述抗干擾天線的所述輻射源20D為圓形。在所述抗干擾天線的另外示例中，所述輻射源20D還可以是橢圓形或者方形。

附圖34至圖36示出了所述抗干擾天線的一個變形示例，與附圖22至圖24B示出的所述抗干擾天線不同的是，在附圖34至圖36示出的所述抗干擾天線的這個較佳示例中，所述抗干擾天線的所述連接部80D的所述第一連接件81D和所述第二連接件82D之間不存在所述絕緣部130D。

進一步地，參考附圖34至圖36，所述輻射源20D具有兩長邊和兩短邊，所述輻射源20D的所述長邊的長度大於所述輻射源20D的短邊的長度，所述輻射源20D的所述饋電點22D偏離所述輻射源20D的物理中心，且所述輻射源20D的所述饋電點22D靠近所述輻射源20D的所述長邊，以利於當所述微波激勵信號自所述輻射源20D的所述饋電點22D被接入所述輻射源20D時，所述抗干擾天線更容易產生初始的極化方向。進一步地，所述輻射源20D的面積小於所述第一基板90D的面積，使得所述第一基板90D位於所述輻射源20D的兩個所述短邊的外側的部分分別形成一固定區域91D，即，所述輻射源20D位於兩個所述固定區域91D之間，所述抗干擾天線的至少一固定件160D被設置於所述固定區域91D。換句話說，所述固定件160D和所述輻射源20D相互間隔的設置，以避免所述固定件160D和所述輻射源20D連接。

參考附圖34至圖36，根據本發明的抗干擾天線的一些較佳實施例，所述第一基板90D、所述第一連接件81D、所述第二基板100D以及所述第二連接件82D分別設有通孔，其中所述第一基板90D的通孔和所述第一連接件81D的通孔相互對應且連通，所述第二基板100D通孔和所述第二連接件82D的通孔相互對應且相互連通，所述第一連接件81D以通孔對應於所述第二連接件82D的通孔的方式被貼合於所述第二連接件82D，所述固定件160D被設置於所述第一基板90D的通孔、所述第一連接件81D的通孔、所述第二基板100D的通孔和所述第二連接件82D的通孔，並使得所述第一基板90D被固定於所述第二基板100D，所述第一連接件81D始終貼合所述第二連接件82D。

進一步地，所述第一基板90D的通孔位於所述第一基板90D的所述固定區域91D，以便於將所述固定件160D定位於所述第一基板90D的所述固定區域91D，避免所述固定件160D與所述輻射源20D相連接。優選地，所述第一基板90D的每個所述固定區域91D內分佈兩個通孔，所述第一連接件81D的通孔、所述第二連接件82D的通孔以及所述第二基板100D的通孔的數量和所述第一基板90D的通孔的具體數量一致。

優選地，參考圖34至圖36，藉由所述焊接材料形成所述固定件160D，並將所述第一基板90D固定於所述第二基板100D，以保障所述第一連接件81D和所述第二連接件82D穩定連接。具體來說，將所述第一基板90D以第一連接件81D貼合於所述第二連接件82D的方式保持於所述第二基板100D的一側，並且所述第一基板90D的通孔、所述第一連接件81D的通孔、所述第二基板100D的通孔以及所述第二連接件82D的通孔相互連通，將呈固液混合態的所述焊接材料填充至所述第一基板90D的通孔、所述第一連接件81D的通孔、所述第二基板100D的通孔以及所述第二連接件82D的通孔內，待所述焊接材料固化後形成所述固定件160D於所述第一基板90D的通孔、所述第一連接件81D的通孔、所述第二基板100D的通孔以及所述第二連接件82D的通孔內，並使得所述第一基板90D和所述第二基板100D穩定地結合，以保障所述第一連接件81D始終貼合所述第二連接件82D。

在本發明的一些實施例中，所述固定件160D的兩端突出於所述第一基板90D的上表面和所述第二基板100D的下表面，優選地，突出於所述第一基板90D的上表面和所述第二基板100D的下表面的部分的橫截面直徑大於所述第一基板90D的通孔、所述第一連接件81D的通孔、所述第二基板100D的通孔以及所述第二連接件82D的通孔的直徑，以利於加強所述抗干擾天線的穩定性。在本發明的所述抗干擾天線的一些實施例中，形成於所述第一連接件81D的通孔、所述第一基板90D的通孔、所述第二連接件82D的通孔以及所述第二基板100D的通孔貫穿所述第一連接件81D、所述第一基板90D、所述第二連接件82D以及所述第二基板100D，所述焊接材料可以被同時填充至所述第一基板90D的通孔和所述第二基板100D的通孔。在本發明的所述抗干擾天線的另一些實施例中，形成於所述第一連接件81D的通孔、所述第二連接件82D的通孔以及所述第一基板90D的通孔貫穿所述第一連接件81D、所述第二連接件82D以及所述第一基板90D，所述第二基板100D的通孔被實施為盲孔。應該理解的是，在本發明其他的實施例中，所述第一基板90D、所述第一連接件81D、所述第二連接件82D以及所述第二基板100D沒有開設所述通孔，所述焊接材料直接附著於所述第一基板90D的所述固定區域91D，並自所述固定區域91D延伸至所述第二連接件82D，以將所述第一基板90D固定於所述第二基板100D的一側，且所述第一連接件81D貼合於所述第二連接件82D，即，所述固定件160D自所述第一基板90D延伸至所述第二連接件82D。

參考附圖37，所述第一基板90D的通孔於所述第一基板90D被設置為半孔，其中區別於附圖34至圖36示出的所述抗干擾天線的實施例，在附圖37示出的所述抗干擾天線的實施例中，所述第二連接件82D和所述第二基板100D的並未被設置有與所述第一基板90D的通孔相對應的通孔，以能夠通過焊接的方式於所述第一基板90D的通孔形成所述固定件160D，則所述第二連接件82D和所述第一基板90D的通孔的孔壁被所述連接件86固定連接，進而形成所述第一連接件81D被直接貼合固定於所述第二連接件82D的結構關係。

值得一提的是，由於所述第一基板90D的通孔被設置為半孔而具有更大的暴露角度，因此，所述固定件160D能夠採用自動化焊接的工藝于通孔被焊接固定於第二連接件82D和所述第一基板90D之間，以使得所述抗干擾天線具有更簡單的生產工藝和更穩定的一致性。

參考附圖38至圖40示出的所述抗干擾天線的另一個變形示例中，界定所述第一基板90D的通孔的孔壁、所述第一連接件81D的通孔的孔壁、所述第二連接件82D的通孔的孔壁以及所述第二基板100D的通孔的孔壁上設有一內螺紋，所述固定件160D表面設有與所述內螺紋相適配的一外螺紋，將所述第一基板90D以第一連接件81D貼合於所述第二連接件82D的方式保持於所述第二基板100D的一側，所述第一基板90D的通孔、所述第一連接件81D的通孔、所述第二基板100D的通孔以及所述第二連接件82D的通孔相互連通，所述固定件160D的所述外螺紋與所述第一基板90D、所述第一連接件81D、所述第二連接件92和所述第二基板100D的內螺紋相互配合，並且且所述固定件160D自所述第一基板90D延伸至所述第二基板100D，以將所述第一基板90D固定於所述第二基板100D，並且所述第一連接件81D始終貼合於所述第二連接件82D。可以理解的是，所述固定件160D可以被實施為一螺釘、一膨脹螺絲或是一螺栓和一螺帽的組合等等。

參考附圖41至圖43示出的所述抗干擾天線的另一個變形示例中，所述固定件160D包括一結合部161D和兩限位部162D，其中兩個所述限位部162D一體地自所述結合部161D的兩端向外延伸，所述固定件160D具有一初始狀態和一限位元狀態，當所述固定件160D處於初始狀態時，兩個所述限位部162D的延伸方向和所述結合部161D的延伸方向一致，所述固定件160D自所述第一基板90D的通孔延伸至所述第二基板100D的通孔，所述固定件160D的兩個所述限位部162D分別被保持於所述第一基板90D的上方和所述第二基板100D的下方。所述限位元部162D具有彈性，所述限位元部162D在外部作用力的作用下發生變形，所述限位部162D的延伸方向被改變，兩個所述限位部162D彎曲地延伸於所述結合部161D，並在兩個所述限位部162D和所述結合部161D之間形成一限位空間，所述第一基板90D、所述第一連接件81D、所述第二連接件82D以及所述第二基板100D被保持於所述限位空間內，位於所述第一基板90D上方的所述限位部162D貼合於所述第一基板90D，位於所述第二基板100D下方的所述限位部162D貼合於所述第二基板100D，進而將所述第一基板90D固定地保持於所述第二基板100D的一側，且所述第一連接件81D以貼合所述第二連接件82D的方式被穩定地連接於所述第二連接件82D。

依本發明的另一個方面，本發明進一步提供所述抗干擾天線的製造方法。

在所述製造方法的一個階段中，提供所述第一天線元件110D，其中所述第一天線元件110D包括所述第一基板90D、所述輻射源20D以及所述第一連接件81D，所述第一連接件81D和所述輻射源20D被分別被貼裝於所述第一基板90D的兩側，以使所述輻射源20D、所述第一基板90D和所述第一連接件81D相互層疊。所述輻射源20D和所述第一連接件81D具有良好的導電性，所述輻射源20D和所述第一連接件81D的材料可以是但不限於銅、銅合金、銀、金。

在所述製造方法的一個階段中，提供所述第二天線元件120D，其中所述第二天線元件120D包括所述第二基板100D和所述第二連接件82D，所述第二連接件82D被設置於所述第二基板100D的一側，所述第二連接件82D形成所述參考地10D。所述第二連接件82D具有良好的導電性，所述第二連接件82D的材料可以是但不限於銅、銅合金、銀、金。

在所述製造方法的一個階段中，藉由所述第一導通件141D電氣連接所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D於所述第一連接件81D，以使所述輻射源20D被接地。優選地，通過金屬化過孔的工藝形成所述第一導通件141D。

在所述製造方法的一個階段中，藉由所述第二導通件142D電氣連接所述輻射源20D的所述饋電點22D。優選地，通過金屬化過孔的工藝形成所述第二導通件142D。

在所述製造方法的一個階段中，形成環繞於所述第二導通件142D的所述第一絕緣缺口811D於所述第一連接件81D。優選地，可以通過蝕刻或是腐蝕所述第一連接件81D的方式形成所述第一絕緣缺口811D。

在所述製造方法的一個階段中，形成環繞於所述第三導通件143D的所述第二絕緣缺口821D於所述第二連接件82D。優選地，可以通過蝕刻或是腐蝕所述第二連接件82D的方式形成所述第二絕緣缺口821D。

在所述製造方法的一個階段中，電氣連接所述第二導通件142D於所述第三導通件143D。優選地，通過焊接所述第二導通件142D和所述第三導通件143D的方式使得所述第二導通件142D和所述第三導通件143D電性連接。

在所述製造方法的一個階段中，電氣連接所述第一連接件81D的至少一部分於所述第二連接件82D的至少一部分，進而使得與所述第一連接件81D電氣連接的所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D被電氣連接於所述第二連接件82D。

在本發明的一較佳實施例中，通過將所述第一連接件81D壓合於所述第二連接件82D的方式使得所述第一連接件81D被電氣連接於所述第二連接件82D。比如說，高溫下對所述第一連接件81D和所述第二連接件82D施加壓力，使得所述第一連接件81D和所述第二連接件82D相互貼合的部分融合，進而使得所述第一連接件81D和所述第二連接件82D電性連接。

在本發明的一較佳實施例中，設置所述第一絕緣層131D於所述第一連接件81D的下表面，並保持所述第一連接件81D的至少一部分被暴露於外界，進而使得所述第一連接件81D的至少一部分能夠被電氣連接於所述第二連接件82D。優選地，貼裝具有至少一個所述第一絕緣缺口811D的所述第一絕緣層131D於所述第一連接件81D，以使得所述第一連接件81D對應於所述第一絕緣缺口811D的部分能夠被電氣連接於所述第二連接件82D。優選地，噴塗所述絕緣材料於所述第一連接件81D的一預設位置，並使得所述第一連接件81D的至少一部分被暴露。優選地，通過噴塗所述絕緣材料的方式覆蓋所述第一連接件81D的下表面，並通過刮除、腐蝕以及蝕刻所述絕緣材料的方式使得所述第一連接件81D的至少一部分被暴露。

在本發明的一較佳實施例中，設置所述第二絕緣層132D於所述第二連接件82D的下表面，並保持所述第二連接件82D的至少一部分被暴露於外界，進而使得所述第二連接件82D的至少一部分能夠被電氣連接於所述第一連接件81D。優選地，貼裝具有至少一個所述第二絕緣缺口821D的所述第二絕緣層132D於所述第二連接件82D，以使得所述第一連接件81D對應於所述第一絕緣缺口811D的部分能夠被電氣連接於所述第二連接件82D。優選地，噴塗所述絕緣材料於所述第二連接件82D的一預設位置，並使得所述第二連接件82D的至少一部分被暴露。優選地，通過噴塗所述絕緣材料的方式覆蓋所述第二連接件82D的下表面，並通過刮除、腐蝕以及蝕刻所述絕緣材料的方式使得所述第二連接件82D的至少一部分被暴露。

在本發明的一較佳實施例中，通過電氣連接所述第四導通件144D和所述第五導通件145D方式導通與所述第四導通件144D電氣連接的所述第一連接件81D以及與所述第五導通件145D電氣連接的所述第二連接件82D，並使得所述輻射源20D被間隔地保持於所述參考地10D的一側。優選地，通過金屬化過孔的方式形成所述第四導通件144D和所述第五導通件145D。優選地，通過焊接的方式電氣連接所述第四導通件144D和所述第五導通件145D，並使得所述第一天線元件110D被穩定地保持於所述第二天線元件120D的一側。

在本發明的所述抗干擾天線的一些較佳實施例中，所述第一天線元件110D以所述第一天線元件110D的所述第一連接件81D貼合於所述第二連接件82D的方式被穩定地保持於所述第二天線元件120D的一側，並且電氣連接所述第一連接件81D於所述第二連接件82D。進一步地，藉由所述固定件160D自所述第一天線元件110D延伸至所述第二天線元件120D，並使得所述第一連接件81D和所述第二連接件82D以直接貼合的方式穩定地電氣連接。優選地，所述第一基板90D的通孔被設置為半孔，所述第二連接件82D和所述第二基板100D的並未被設置有與所述第一基板90D的通孔相對應的通孔，以能夠通過焊接的方式於所述第一基板90D的通孔形成所述固定件160D。優選地，填充一焊接材料於所述第一基板90D、所述第一連接件81D的通孔、所述第二連接件82D的通孔以及所述第二基板100D的通孔內，進而形成所述固定件160D於所述第一連接件81D的通孔、所述第二連接件82D的通孔以及所述第二基板100D的通孔。優選地，形成於所述固定件160D的外表面的一外螺紋與界定所述第一連接件81D的通孔的孔壁、所述第二連接件82D的通孔的孔壁以及所述第二基板100D的通孔的孔壁上的一內螺紋相互配合，且所述固定件160D自所述第一基板90D延伸至所述第二基板100D，以將所述第一基板90D固定於所述第二基板100D，以保障所述第一連接件81D始終貼合於所述第二連接件82D。優選地，以所述固定件160D的兩限位部162D分別被保持於所述第一基板90D的上方和所述第二基板100D的下方的方式設置所述固定件160D於所述第一基板90D的通孔、所述第一連接件81D的通孔、所述第二連接件82D的通孔以及所述第二基板100D的通孔，彎折兩個所述限位部162D，並使得兩個所述限位部162D分別貼合於所述第一基板90D和所述第二基板100D，進而將所述第一天線元件110D固定地保持於所述第二天線元件120D的一側。

值得一提的是，所述第一天線元件110D以所述第一天線元件110D的所述第一連接件81D貼合於所述第二連接件82D的方式被穩定地保持於所述第二天線元件120D的一側，通過這樣的方式，使得與所述第一連接件81D電氣連接的所述輻射源20D的所述輻射源連接點21D被電氣連接於所述參考地10D的同時，使得所述輻射源連接點21D與所述參考地10D之間的接地阻抗被降低，以進一步降低所述抗干擾天線的阻抗地提高所述抗干擾天線的抗干擾特性。

附圖44和圖45示出了依本發明的第六較佳實施例的一種抗干擾天線，其中所述抗干擾天線包括一參考地10E和至少一輻射源20E，其中所述輻射源20E被相鄰地設置於所述參考地10E，並且在所述輻射源20E和所述參考地10E之間形成一輻射縫隙30E，其中至少一個所述輻射源20E被接地，這樣，能夠降低所述抗干擾天線的內阻的阻抗，以使所述抗干擾天線的頻寬變窄，從而有利於避免相鄰頻段的電磁輻射頻率或雜散輻射頻率干擾所述抗干擾天線接收或產生的電磁波信號。

具體地說，所述參考地10E具有一第一側面101E和對應於所述第一側面101E的一第二側面102E，其中所述輻射源20E被相鄰地設置於所述參考地10E的所述第一側面101E。

值得一提的是，本發明所涉及的所述輻射源20E被相鄰地設置於所述參考地10E是指所述輻射源20E與所述參考地10E沒有直接接觸，而是在所述輻射源20E和所述參考地10E之間預留間距，通過這樣的方式，所述抗干擾天線能夠在所述輻射源20E和所述參考地10E之間形成所述輻射縫隙30E。

還值得一提的是，本發明所涉及的所述抗干擾天線在所述輻射源20E和所述參考地10E之間形成所述輻射縫隙30E是指所述輻射源20E的表面與所述參考地10E的表面具有間距。例如，在附圖44和圖45示出的所述抗干擾天線的這個較佳示例中，所述抗干擾天線在所述輻射源20E和所述參考地10E之間形成所述輻射縫隙30E是指所述輻射源20E的周面與所述參考地10E的所述第一側面101E之間具有間距，從而在所述輻射源20E和所述參考地10E之間形成所述輻射縫隙30E。由此可見，本發明的所述抗干擾天線中所涉及的形成在所述輻射源20E和所述參考地10E之間的所述輻射縫隙30E可以是但不限於實體介質。

在附圖44和圖45示出的所述抗干擾天線的這個具體示例中，所述輻射源20E的延伸方向與所述參考地10E的延伸方向相互垂直，從而使得所述抗干擾天線形成柱狀天線。並且，在附圖44和圖45示出的所述抗干擾天線的這個具體示例中，所述抗干擾天線可以進一步包括至少一附加電感60E，其中所述附加電感60E的一個端部被連接於所述輻射源20E的所述輻射源連接點21E，所述附加電感60E的另一個端被被接地。

進一步參考附圖44和圖45，所述參考地10E進一步具有一穿孔103E，其中所述輻射源20E具有一連接端2001E和對應於所述連接端2001E的一自由端2002E，其中所述輻射源20E在所述輻射源20E的所述連接端2001E自所述參考地10E的所述第一側面101E經所述穿孔103E延伸至所述第二側面102E後被保持在所述參考地10E的所述穿孔103E，從而使得所述輻射源20E被設置於所述參考地10E，並且在所述輻射源20E和所述參考地10E之間形成所述輻射縫隙30E。所述輻射源連接點21E形成於所述輻射源20E的所述連接端2001E，從而所述附加電感60E的一個端部自所述輻射源20E的所述連接端2001E被連接於所述輻射源連接點21E，所述附加電感60E的另一個端部被接地。

參考附圖46和圖47，依本發明的第七較佳實施例的一種抗干擾天線將在接下來的描述中被闡述，其中所述抗干擾天線能夠穩定地向外產生和接收電磁波信號，電磁波信號能夠形成一輻射區域170F，所述輻射區域170F能夠被移動，進而減小所述抗干擾天線產生的電磁波信號受到外界物體的遮擋和遮罩的概率，以避免所述輻射區域170F受到擠壓而變小，有利於保障所述抗干擾天線的穩定性能。進一步地，所述抗干擾天線能夠減小相鄰頻段的電磁波信號對其產生和接收的電磁波信號的干擾，以提高所述抗干擾天線的抗干擾性能，進一步地保障所述抗干擾天線穩定地向外產生和接收電磁波信號。

具體來說，所述抗干擾天線包括一參考地10F、一輻射源20F以及一輔助元件180F，其中所述輻射源20F被間隔地設置於所述參考地10F，所述輔助元件180F以對應於所述輻射源20F的方式被設置於所述參考地10F，並在所述輻射源20F和所述輔助元件180F之間形成一輻射縫隙30F。所述輻射源20F具有一輻射源接地點和一饋電點22F，其中所述輻射源20F的所述輻射源接地點被接地，和所述饋電點22F能夠被接入微波激勵電信號，以使得所述抗干擾天線能夠向外產生電磁波信號，進而形成所述輻射區域170F。微波激勵電信號當微波激勵電信號自所述饋電點22F被接入所述輻射源20F後，所述抗干擾天線能夠產生在所述輻射源22F處向外輻射的電磁波信號，電磁波信號能夠形成所述輻射區域170F。優選地，所述輻射源20F垂直於所述參考地10F，所述抗干擾天線產生的電磁波信號能夠以所述輻射源20F為中心軸地形成所述輻射區域170F。所述抗干擾天線進一步包括一基礎板190F，其中所述參考地10F被分別設置於所述基礎板190F的上表面。

進一步地，所述參考地10F具有一第一側面101F和相對於所述第一側面101F的所述第二側面102F，其中所述參考地10F的所述第二側面102F貼合於所述基礎板190F的上表面。所述參考地10F進一步具有一穿孔103F，其中所述穿孔103F自所述參考地10F的所述第一側面101F延伸至所述第二側面102F，所述基礎板190F具有一基板通孔191F，所述基板通孔191F自所述基礎板190F的上表面延伸至所述基礎板190F的下表面，所述基礎板190F的所述基板通孔191F和所述參考地10F的所述穿孔103F相互對應且相互連通，進而形成所述抗干擾天線的一容納空間，所述輻射源20F以被保持於所述抗干擾天線的所述容納空間內的方式電連接于被保持於所述基礎板190F的下表面的電路單元以獲得微波激勵電信號。

所述參考地10F具有良好的導電性能。值得一提的是，所述參考地10F的具體材料不受限制，比如說，所述參考地10F的材料可以被實施為但不限於銅、銀、金，進而所述參考地10F的所述第一側面101F能夠響應所述輻射源20F，所述參考地10F的所述第一側面101F反射所述輻射源20F產生的電磁波信號，進而形成使得所述輻射源20F能夠在所述參考地10F的所述第一側面101F處向外輻射電磁波信號並形成所述輻射區域170F。

進一步地，所述輔助元件180F具有一內部空間181F和連通所述內部空間181F的一輻射通孔182F，其中所述輔助元件180F以所述內部空間181F和所述輻射通孔182F對應於所述參考地10F的所述穿孔103F和所述基礎板190F的所述基板通孔191F的方式被設置於所述參考地10F，所述內部空間181F、所述輻射通孔182F以及所述容納空間相互連通，並且所述輻射源20F能夠被保持於所述輔助元件180F的所述內部空間181F和所述輻射通孔182F。所述輔助元件180F使得所述抗干擾天線產生的電磁波信號形成的所述輻射區域170F移動以避免所述輻射區域170F受到遮罩物體的擠壓而變小，有利於保障所述抗干擾天線的穩定性能。

具體地，所述輔助元件180F被電氣連接於所述參考地10F，並形成能夠響應所述輻射源20F的一輔助參考面1801F，當所述輻射源20F的所述饋電點22F被接入微波激勵電信號後，所述輻射源20F能夠自所述輔助參考面1801F向外輻射電磁波信號。進一步地，所述輔助參考面1801F和所述參考地10F的所述第一側面101F存在一預設距離，進而使得所述抗干擾天線產生的電磁波信號形成的所述輻射區域170F能夠被移動，以避免所述抗干擾天線產生的電磁波信號形成所述輻射區域170F被擠壓，有利於保障所述抗干擾天線穩定地向外產生和接收電磁波信號。

參考圖46和圖47，本發明的一較佳實施例，所述輔助元件180F進一步包括一延伸部183F和一輔助部184F，其中所述延伸部183F自所述輔助部184F的周緣一體地向下延伸並連接於所述參考地10F的所述第一側面101F，所述內部空間181F形成於所述延伸部183F和所述輔助部184F之間，所述輻射通孔182F形成於所述輔助部184F，所述輔助參考面1801F形成於所述輔助部184F的上表面，使得所述抗干擾天線產生的電磁波信號形成的所述輻射區域170F能夠沿著所述輔助元件180F的延伸方向被抬高。

優選地，所述輔助元件180F的所述延伸部183F垂直於所述參考地10F的所述第一側面101F，即，所述輔助元件180F的所述延伸部183F的延伸方向平行於所述輻射源20F的延伸方向，使得所述抗干擾天線產生的電磁波信號形成的所述輻射區域170F能夠沿所述輻射源20F的延伸方向被抬高。

優選地，所述輔助元件180F的所述輔助部184F為圓環狀，所述輔助元件180F整體呈圓柱狀。應該理解的是，所述輔助元件180F的所述輔助部184F的具體形狀僅僅作為示意，所述輔助元件180F的所述輔助部184F也可以被實施為橢圓形環狀或是多邊形環狀等結構，所述輔助元件180F具體實施方式不能成為對本發明所述抗干擾天線的內容和範圍的限制。

值得一提的是，形成於所述輔助部184F的所述輻射通孔182F的直徑大於所述輻射源20F的橫截面大小，進而能夠在所述輻射源20F和所述輔助元件180F之間形成所述輻射縫隙30F。優選地，所述輻射通孔182F的半徑與所述輻射源20F的橫截面的半徑差小於或等於λ/16，其中λ為所述抗干擾柱狀天線能夠產生的電磁波信號的波長。優選地，所述輻射源20F的中心軸線與所輻射通孔182F的中心重合，所述輻射源20F的軸心線所在的任一平面與所述輔助參考面1801F的截線長度大於或等於λ/32。舉例來說，在附圖46和圖47所示出的這個具體的實施例中，所述輻射源20F的軸心線所在的任一平面與所述輔助參考面1801F的截線長度為所述輔助部184F的外邊緣半徑與內邊緣半徑之差。

所述輔助元件180F具有良好的導電性能。本領域技術人員應該知曉，所述輔助元件180F的具體材料不受限制，比如說，所述輔助元件180F可以被實施為但不限於銅、銀、金、銅合金或是其他金屬材料制得，且所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F能夠響應所述輻射源20F，所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F能夠反射所述輻射源20F產生的電磁波信號，使得所述輻射源20F能夠自所述輔助參考面1801F向外輻射電磁波信號，進而使得所述抗干擾天線產生的電磁波信號形成的所述輻射區域170F被移動。

當所述輻射源20F的延伸方向上出現能夠遮罩電磁波信號的遮罩物體時，藉由所述輻射源20F和所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F突出於所述遮罩物體的外表面的方式能夠避免所述抗干擾天線產生的電磁波信號受到所述遮罩物體的干擾，進而所述抗干擾天線能夠穩定地向外產生和接收電磁波信號。優選地，所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F與所述參考地10F的所述第一側面101F之間的距離能夠被選擇，即，所述輔助元件180F的高度能夠被選擇，這樣在後續，能夠根據安裝需要選擇具有不同高度的所述輔助元件180F，以使得所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F能夠稍微地突出所述遮罩物體的外表面或是恰好與所述遮罩物體的外表面保持一致，以保持安裝完成後的美觀性。

值得一提的是，所述輔助元件180F的所述輔助部184F的外徑較小，能夠減小在安裝過程中對所述遮罩物體的破壞，進一步保持整體外觀的完整性和美觀性。優選地，所述輔助元件180F的所述輔助部184F的直徑小於或等於13mm。

為了保障所述抗干擾天線產生和接收電磁波信號的品質，所述輻射源20F的自由端，即遠離電路單元的一端至所述輔助元件180F的所述輻射通孔182F的距離能夠在一預設範圍內變化，以使得所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F與所述參考地10F的所述第一側面101F之間的距離也能夠在預設範圍內被選擇。優選地，所述輻射源20F的所述自由端和所述輻射通孔182F之間的距離大於或等於λ/16，其中所述λ為所述抗干擾柱狀天線產生的電磁波信號的波長。

優選地，所述輔助元件180F的所述延伸部183F一體地延伸於所述參考地10F的所述第一側面101F，以使得所述輔助元件180F和所述參考地10F穩定地電氣連接。優選地，所述輔助元件180F的所述延伸部183F被可拆卸安裝於所述參考地10F，以便於使用者維護所述抗干擾柱狀天線，或是更換合適的所述輔助元件180F，以滿足使用需求。

進一步地，所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F的延伸方向能夠被選擇，通過選擇具有不同延伸方向的所述輔助參考面1801F的所述輔助元件180F能夠改變所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F與所述輻射源20F之間的角度，進而調節所述抗干擾天線產生的電磁波信號能夠形成的所述輻射區域170F的大小。

參考圖46和圖47，所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F平行於所述參考地10F的所述第一側面101F，即，所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F垂直於所述柱狀輻射源，所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F與所述輻射源20F之間的夾角為90°，所述輻射源20F產生的電磁波信號能夠被垂直於所述輻射源20F的所述輔助參考面1801F所反射，進而形成所述輻射區域170F。

附圖49和圖50示出了所述抗干擾天線的一個變形示例，所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F與所述輻射源20F之間的夾角大於90°，相較於附圖46至圖48所示的所述抗干擾天線，圖49和圖50示出的所述抗干擾天線在所述輻射源20F處向外輻射的電磁波信號與所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F的入射角度增大，進而使得所述抗干擾天線產生的電磁波信號形成的所述輻射區域170F增大，有利於擴大所述抗干擾天線產生的電磁波信號的檢測範圍和檢測效率。

具體來說，所述輔助元件180F的所述輔助部184F傾斜向上地延伸於所述延伸部183F，即，所述輔助部184F靠近所述輻射源20F的一端與所述參考地10F的所述第一側面101F之間的距離大於所述輔助部184F遠離所述輻射源20F的一端與所述參考地10F的所述第一側面101F之間的距離。且所述輔助部184F環繞於所述輻射源20F。優選地，形成於所述輔助部184F的所述輔助參考面1801F為弧形曲面。

附圖51和圖52示出了所述抗干擾天線的另一個變形示例，所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F與所述輻射源20F之間的夾角小於90°，相較於附圖46和圖47所示的所述抗干擾天線，圖51和圖52示出的所述抗干擾天線在所述輻射源20F處向外輻射的電磁波信號與所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F的入射角度減小，進而使得所述抗干擾天線產生的電磁波信號形成的所述輻射區域170F被壓縮，有利於增強所述抗干擾天線產生的電磁波信號的靈敏度。

具體來說，所述輔助元件180F的所述輔助部184F傾斜向下地延伸於所述延伸部183F，即，所述輔助部184F靠近所述輻射源20F的一端與所述參考地10F的所述第一側面101F之間的距離小於所述輔助部184F遠離所述輻射源20F的一端與所述參考地10F的所述第一側面101F之間的距離。且所述輔助部184F環繞於所述輻射源20F。優選地，形成於所述輔助部184F的所述輔助參考面1801F為弧形曲面。

值得一提的是，所述抗干擾天線產生和接收的電磁波信號不僅能夠減小被外部遮罩物體遮罩或是阻擋的概率，而且所述抗干擾天線產生和接收的電磁波信號還能夠降低受到相鄰波段的電磁波信號的干擾。具體來說，以凸出於所述輔助元件180F的所述輔助參考面1801F的方式被電氣連接於所述電路單元50的所述輻射源20F能夠被接地，以利於所述輻射源20F在所述輔助參考地301出向外輻射的電磁波信號的頻段被降低，通過這樣的方式能夠降低所述抗干擾天線產生和接收的電磁波信號受到相鄰波段的電磁波信號的干擾。

所述抗干擾天線通過將所述輻射源20F電氣連接於所述參考地10F的方式使得所述輻射源20F被接地。具體來說，所述抗干擾天線包括一導通部件200F，所述導通部件200F的兩端分別延伸並連接於電路單元和所述參考地10F，且位於電路單元和所述參考地10F之間的所述導通部件200F電氣連接於電路單元和所述參考地10F，並使得與電路單元電氣連接的所述輻射源20F能夠被電氣連接於所述參考地10F，進而，所述抗干擾天線的阻抗被降低，以使得所述抗干擾天線的頻段降低，以利於減小所述抗干擾天線產生的電磁波信號被相鄰頻段的電磁波信號干擾的可能性，進而所述抗干擾天線能夠穩定地向外產生和接收電磁波信號。

優選地，所述導通部件200F利用金屬化過孔工藝形成。具體來說，所述參考地10F、和所述基礎板190F開設相互對應且相互連通的通孔，利用化學鍍或是電鍍等工藝在界定所述參考地10F的通孔、和所述基礎板190F的通孔的孔壁上形成所述導通部件200F，並使得所述導通部件200F被電氣連接於所述參考地10F和電路單元。所述導通部件200F為導電材料製成，且所述導通部件200F的具體實施方式不受限制。優選地，所述導通部件200F由銅、金、銀或是銅合金等金屬材質製成。應該理解的是，所述導通部件200F的具體實施方式僅僅作為示例，不能成為對本發明所述抗干擾天線的內容和範圍的限制。

所述抗干擾天線進一步地包括一阻抗元件210F，其中所述輻射源20F的所述饋電點22F藉由所述阻抗元件210F被電氣連接於電路單元，且藉由所述阻抗元件210F能夠使得所述輻射源20F被接地。優選地，通過將所述阻抗元件210F電氣連接於所述參考地10F的方式能夠使得所述輻射源20F被接地。具體來說，所述阻抗元件210F被電連接於所述輻射源20F的所述饋電點22F和電路單元，且所述阻抗元件210F被電氣連接於所述導通部件200F，進而使得所述阻抗元件210F被電氣連接於所述參考地10F，且所述輻射源20F也被電氣連接於所述參考地10F，以使得所述輻射源20F被接地。進一步地，定義所述阻抗元件210F與所述參考地10F的連接點為所述抗干擾天線的一接地點，在所述輻射源20F的所述饋電點22F能夠被接入所述電磁波信號時，所述饋電點22F和所述接地點之間能夠呈電感特性而具有一定的阻抗，從而，所述抗干擾天線的阻抗被降低，使得所述抗干擾天線的所述輻射源20F能夠向外輻射的電磁波信號的頻寬變窄，以利於減小所述抗干擾天線產生的電磁波信號被相鄰頻段的電磁波信號干擾的可能性，進而所述抗干擾天線能夠穩定地向外產生和接收電磁波信號。優選地，所述阻抗元件210F可以被實施但不限於阻抗線。

值得一提的是，本領域技術人員應當理解，所述阻抗元件210F可以是阻性元件、感性元件、也可以是容性阻抗元件，具體地，所述阻抗元件210F可以被設置為阻抗線，如被設置於所述基礎板190F的微帶線，只要所述阻抗元件210F能夠在所述微波激勵電信號的作用下呈現一定的阻抗即可，本發明對此不作限制。

還可以理解的是，所述導通部件200F被設置為具有導電特性而不限定於通過金屬化過孔工藝形成于通孔，也就是說，在一些實施例中，所述導通部件200F可以是被設置於所述基礎板190F的銅箔或其他導電材料並連接於所述參考地10F與電路單元之間，以使得所述參考地10F能夠被電性連接於電路單元，而在一些實施例中，所述導通部件200F也可以被設置為阻抗線並與所述阻抗元件210F直接相連而使得所述輻射源20F能夠藉由所述阻抗元件210F經所述導通部件200F被電性連接於所述參考地10F，本發明對此不作限制。

應該理解的是，將所述抗干擾天線的所述輻射源20F接地的方式僅僅作為示例，不能成為對本發明所述抗干擾天線的內容和範圍的限制，可以通過其他的實施方式使得所述輻射源20F接地。在本發明的一些實施方式中，所述輻射源20F的所述饋電點22F被直接連接於電路單元，所述阻抗元件210F的兩端分別電氣連接於所述輻射源20F的所述饋電點22F和所述參考地10F，能夠使得所述抗干擾天線的阻抗被降低。

可選地，所述輻射源20F的所述饋電點22F藉由所述阻抗元件210F被電氣連接於電路單元，且電路單元中的一預設位置被直接接地，以使得所述輻射源20F被接地。也就是說，在這些實施例中，所述抗干擾天線的所述接地點為電路單元的所述預設位置，所述接地點被電氣地連接於所述輻射源20F，且所述接地點和所述輻射源20F的所述饋電點22F相互間隔，在所述輻射源20F的所述饋電點22F能夠被接入所述電磁波信號時，所述饋電點22F和所述接地點之間能夠成電感特性而具有一定的阻抗，從而，所述抗干擾天線的阻抗被降低，使得所述抗干擾天線的所述輻射源20F能夠向外輻射的電磁波信號的頻寬變窄，以利於減小所述抗干擾天線產生的電磁波信號被相鄰頻段的電磁波信號干擾的可能性，進而所述抗干擾天線能夠穩定地向外產生和接收電磁波信號。

進一步地，所述抗干擾天線包括一遮罩罩50F，所述遮罩罩50F被安裝於所述參考地10F的所述第二側面102F。所述遮罩罩50F具有良好的導電性能，本領域技術人員應該知曉，所述遮罩罩50F的具體材料不受限制，比如說，所述遮罩罩50F可以被實施為但不限於銅、銀、金或是其他金屬材料制得，以減少所述抗干擾天線產生的電磁波信號及反射電磁波信號對所述抗干擾天線的電路的影響。並且，所述遮罩罩50F能夠通過抑制所述參考地10F的所述第二側面102F的副波瓣的方式增強所述參考地10F的所述第一側面101F的主波瓣，進而能夠擴大所述抗干擾天線產生的電磁波信號形成的所述輻射區域170F的範圍，有利於提高所述抗干擾天線的準確性。

參考本發明的說明書附圖之附圖53和圖54，其描述了依本發明的第八較佳實施例的一種抗干擾天線，其中抗干擾天線具有低阻抗的特性，以在降低抗干擾天線對發射功率的要求的基礎上使抗干擾天線的頻寬變窄，從而提高抗干擾天線的抗干擾性能。具體地說，抗干擾天線包括一參考地10G、至少一輻射源20G以及一微波驅動電路220G，其中所述參考地10G和所述輻射源20G以在所述參考地10G和所述輻射源20G之間形成一輻射縫隙30G的方式被相鄰地設置，並且所述輻射源20G被接地，其中所述微波驅動電路220G被電連接於所述輻射源20G，以提供微波激勵電流和通過檢測微波激勵電流的變化的方式獲得檢測信號。優選地，所述微波驅動電路220G可以被設置於所述參考地10G，例如所述微波驅動電路220G可以通過印刷工藝或者蝕刻工藝被設置於所述參考地10G。

值得一提的是，在附圖53和圖54示出的抗干擾天線中，以所述輻射源20G為一個板狀輻射源、並且所述參考地10G和所述輻射源20G相互平行為例來進一步揭露和闡述本發明的內容和特徵，但是其僅為示例，並不應被認為是對本發明的內容和範圍的限制。例如，在本發明的其他可能的示例中，所述輻射源20G可以呈柱狀，並且所述輻射源20G垂直於所述參考地10G。另外，在所述輻射源20G被實施為板狀輻射源時，所述輻射源20G的形狀可以是但不限於方形、圓形、橢圓形等。

還值得一提的是，在附圖53和圖54示出的抗干擾天線中，以所述輻射源20G的數量是一個為例來進一步揭露和闡述本發明的內容和特徵，其並不應被視為對本發明的內容和範圍的限制。例如，在本發明的其他可能的示例中，所述輻射源20G的數量可以是兩個以上。

另外，在附圖53和圖54示出的抗干擾天線中，所述參考地10G和所述輻射源20G被相鄰地分開，從而使得所述參考地10G和所述輻射源20G以在所述參考地10G和所述輻射源20G之間形成所述輻射縫隙30G的方式被相鄰地設置。換言之，所述參考地10G和所述輻射源20G之間沒有直接接觸，尤其是在所述參考地10G和所述輻射源20G之間預留間距，作為形成於所述參考地10G和所述輻射源20G之間的所述輻射縫隙30G。形成在所述參考地10G和所述輻射源20G之間的所述輻射縫隙30G可以是實體介質，例如，用於連接所述參考地10G和所述輻射源20G的介質層被保持在所述參考地10G和所述輻射源20G之間，以使所述參考地10G和所述輻射源20G被相鄰地設置，從而被保持在所述參考地10G和所述輻射源20G之間的介質層形成所述輻射縫隙30G。

進一步地，在附圖53和圖54示出的抗干擾天線中，所述輻射源20G被電氣連接於所述參考地10G，從而使得所述輻射源20G被接地，這樣，抗干擾天線的阻抗能夠被大幅度地降低，以使得抗干擾天線的頻寬變窄，從而有利於避免相鄰頻段的電磁輻射頻率或者雜散輻射頻率干擾本發明的抗干擾天線的電磁波信號。

更進一步地，所述參考地10G具有一參考地連接點11G，所述輻射源20G具有一輻射源連接點21G，其中所述參考地10G的所述參考地連接點11G和所述輻射源20G的所述輻射源連接點21G被電氣連接，從而使得所述參考地10G和所述輻射源20G被電氣連接，進而所述輻射源20G被接地。所述參考地10G的所述參考地連接點11G和所述輻射源20G的所述輻射源連接點21G的連接方式不受限制，例如可以通過但不限於金屬化過孔工藝電氣連接所述參考地10G的所述參考地連接點11G和所述輻射源20G的所述輻射源連接點21G。

所述輻射源20G進一步具有一饋電點22G，其中所述微波驅動電路220G被電連接於所述輻射源20G的所述饋電點22G，以藉由所述微波驅動電路220G將微波激勵電流自所述輻射源20G的所述饋電點22G供應至所述輻射源20G，從而使得抗干擾天線產生微波信號。當微波激勵電流自所述輻射源20G的所述饋電點22G被供應至所述輻射源20G後，抗干擾天線能夠產生初始的極化方向而在所述輻射源20G向外輻射能量從而產生微波信號。因為抗干擾天線的所述輻射源20G的所述輻射源連接點21G和所述參考地10G的所述參考地連接點11G被電氣連接而使得所述輻射源20G被接地，從而當微波激勵電流自所述輻射源20G的所述饋電點22G被供應至所述輻射源20G後，所述輻射源20G的所述輻射源連接點21G和所述饋電點22G之間呈電感特性而具有一定的阻抗，從而使得抗干擾天線能夠被激勵地產生初始的極化方向而在所述輻射源20G處向外輻射能量而產生微波信號，同時所述輻射源20G的所述輻射源連接點21G和所述饋電點22G之間因呈電感特性而具有較低的阻抗，以使抗干擾天線的頻寬變窄，從而抗干擾天線可以通過使頻寬變窄的方式防止抗干擾天線的微波信號被相鄰頻段的電磁輻射頻率或者雜散輻射頻率干擾，從而提高抗干擾天線的抗干擾性能。

優選地，所述輻射源20G的所述輻射源連接點21G和所述饋電點22G之間的距離大於或者等於1/64λ，其中λ是抗干擾天線能夠接收或產生的微波信號的波長，以在微波激勵電流的作用下，使得所述輻射源20G的所述輻射源連接點21G和所述饋電點22G之間呈電感特性。所述輻射源20G的所述饋電點22G偏離所述輻射源20G的物理中點，以降低抗干擾天線對發射功率的要求，從而當微波激勵電流自所述輻射源20G的所述饋電點22G被供應至所述輻射源20G時，抗干擾天線更容易產生初始的極化方向。所述微波驅動電路220G為低阻抗電路，以匹配低阻抗的抗干擾天線，從而有利於降低抗干擾天線的阻抗和降低抗干擾天線對發射功率的要求，當低阻抗的所述微波驅動電路220G將微波激勵電流自所述輻射源20G的所述饋電點22G供應至所述輻射源20G時，抗干擾天線能夠產生初始的極化方向，並由於抗干擾天線具有較低的阻抗而同時使抗干擾天線的頻寬變窄，進而避免抗干擾天線的微波信號被相鄰頻段的電磁輻射頻率或者雜散輻射頻率干擾。

具體地說，附圖55進一步示出了抗干擾天線的一類比電路230G，其中所述類比電路230G為抗干擾天線的所述參考地10G和所述輻射源20G在所述微波驅動電路220G供應的微波激勵電流的激勵作用下的等效電氣連接狀態，其中所述類比電路230G具有一第一模擬點231G和一第二模擬點232G，所述第一模擬點231G模擬所述輻射源20G的所述輻射源連接點21G，所述第二模擬點232G模擬所述輻射源20G的所述饋電點22G，其中所述微波驅動電路220G在所述類比電路230G的所述第二模擬點232G被電氣連接於所述類比電路230G。換言之，所述微波驅動電路220G將微波激勵電流自所述類比電路230G的所述第二模擬點232G被供應至所述類比電路230G。

值得一提的是，抗干擾天線的所述輻射源20G被接地而使得抗干擾天線的所述參考地10G和所述輻射源20G在所述饋電點22G被接入高頻的微波激勵電流時等效於所述類比電路230G，其中所述輻射源20G和所述參考地10G之間的結構多樣，只要所述輻射源20G和所述參考地10G之間的結構滿足當所述饋電點22G被接入高頻的微波激勵電流時等效於所述類比電路230G即可，本發明對此不作限制，也就是說，本發明的所述微波驅動電路220G能夠匹配在所述饋電點22G被接入高頻的微波激勵電流時等效於所述類比電路230G的微波天線結構。

具體地說，參考附圖55，所述微波驅動電路220G包括一振盪單元221G、一耦合器222G以及一混頻檢波單元223G。所述耦合器222G包括一第一耦合部2221G和被感應地耦合於所述第一耦合部2221G的一第二耦合部2222G，其中所述第一耦合部2221G的一個端部被電連接於所述振盪單元221G，所述第一耦合部2221G的另一個端部被電連接於所述輻射源20G的所述饋電點22G，其中所述振盪單元221G被接地，所述混頻檢波單元223G被電連接於所述第二耦合部2222G。在附圖55示出的示例中，所述耦合器222G的所述第一耦合部2221G的端部被電連接於所述類比電路230G的所述第二模擬點232G。

所述振盪單元221G能夠被電連接於一個電源240G，其中所述電源240G的電流在流經所述振盪單元221G時被振盪而形成微波激勵電流，所述振盪單元221G能夠將微波激勵電流經所述耦合器222G的所述第一耦合部2221G自所述輻射源20G的所述饋電點22G被直接地供應至所述輻射源20G，以使所述輻射源20G和所述參考地10G相互配合而產生微波信號。所述第二耦合部2222G通過感應地耦合所述第一耦合部2221G的方式獲得經所述第一耦合部2221G供應至所述輻射源20G的微波激勵電流變化，以在後續，所述混頻檢波單元223G和所述第二耦合部2222G相互配合而獲得檢測信號。

例如，在本發明的一個具體的示例中，所述電源240G提供的電流首先流經所述振盪單元221G而被所述振盪單元221G振盪後形成微波激勵電流，所述振盪單元221G其次將電流經所述耦合器222G的所述第一耦合部2221G自所述輻射源20G的所述饋電點22G被直接地供應至所述輻射源20G，以使所述輻射源20G和所述參考地10G相互配合而產生微波信號，從而形成一個檢測區域。在一個使用者進入所述檢測區域後會引起微波信號的變化，進而引起經所述耦合器222G的所述第一耦合部2221G自所述輻射源20G的所述饋電點22G被直接地供應至所述輻射源20G的微波激勵電流產生變化，其中所述第二耦合部2222G通過感應地耦合所述第一耦合部2221G的方式獲得經所述第一耦合部2221G供應至所述輻射源20G的微波激勵電流的變化，以在後續，所述混頻檢波單元223G和所述耦合器222G的所述第二耦合部2222G相互配合而獲得檢測信號，以檢測使用者在所述檢測區域的狀態。例如，本發明的抗干擾天線能夠檢測使用者在所述檢測區域的動作。

參考附圖55，所述混頻檢波單元223G具有一信號輸出埠2233G，其中所述信號輸出埠2233G被設置為自所述第二耦合部2222G引出，以用於輸出檢測信號。所述信號輸出埠2233G的類型在本發明中不受限制，其只要能夠輸出檢測信號即可。

繼續參考附圖55，所述振盪單元221G包括一三極電路處理器2211G、一偏置電阻2212G、一第一電容器2213G、一第二電容器2214G以及一第三電容器2215G，所述三極電路處理器2211G具有一第一連接端22111G、一第二連接端22112G以及一第三連接端22113G，其中所述三極電路處理器2211G的所述第一連接端22111G能夠被電連接於所述電源240G，所述偏置電阻2212G的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器2211G的所述第一連接端22111G和所述第二連接端22112G，所述第一電容器2213G的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器2211G的所述第二連接端22112G和所述第二電容器2214G的一個端部，所述第二電容器2214G的另一個端部被接地，所述第三電容器2215G的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器2211G的所述第一連接端22111G和所述第二電容器2214G的被接地的一端，所述三極電路處理器2211G的所述第三連接端22113G被電連接於所述耦合器222G的所述第一耦合部2221G。

也就是說，所述偏置電阻2212G被設置於所述第一連接端22111G和所述第二連接端22112G形成與所述三極電路處理器2211G並聯的連接關係，從而於所述第二連接端22112G為所述三極電路處理器2211G提供相對於所述第一連接端22111G的偏置電流，其中可以理解的是，在本發明的附圖中，所述偏置電阻2212G以等效電阻的形式被展示，即所述偏置電阻2212G可以為多個電阻串聯和／或並聯組合，而於所述第一連接端22111G和所述第二連接端22112G形成與所述三極電路處理器2211G並聯的，具有一定阻性特徵的所述偏置電阻2212G，本發明對此不作限制。

還可以理解的是，在本發明的附圖中，所述第一電容器2213G，所述第三電容器2215G同樣以等效電容的形式被展示，也就是說，所述第一電容器2213G，所述第三電容器2215G可以是電容元器件，也可以是利用微帶線與所述參考地10G之間的分佈電容，從而形成具有電容特性的所述第一電容器2213G和所述第三電容器2215G，本發明對此不作限制。

進一步地，所述振盪單元221G包括一電感器2216G，其中所述電感器2216G的一個端部被電連接於所述三極電路處理器2211G的所述第一連接端22111G，所述電感器2216G的另一個端部能夠被電連接於所述電源240G。

在本發明的一個較佳示例中，所述三極電路處理器2211G是一個半導體MOS管，其中所述三極電路處理器2211G的所述第三連接端22113G是所述半導體MOS管的源極。也就是說，所述振盪單元221G以所述半導體MOS管的所述源極被電連接於所述第一耦合部2221G的端部的方式被電連接於所述第一耦合部2221G的端部，從而所述振盪單元221G因振盪所述電源240G提供的電流而形成的微波激勵電流自所述半導體MOS管的所述源極進入所述第一耦合部2221G，並進一步自所述輻射源20G的所述饋電點22G被供應至所述輻射源20G。

在本發明的另一個較佳示例中，所述三極電路處理器2211G是一個半導體三極管，其中所述三極電路處理器2211G的所述第三連接端22113G是所述半導體三極管的發射極。也就是說，所述振盪單元221G以所述半導體三極管的所述發射極被電連接於所述第一耦合部2221G的端部的方式被電連接於所述第一耦合部2221G的端部，從而所述振盪單元221G因振盪所述電源240G提供的電流而形成的微波激勵電流自所述半導體三極管的所述發射極進入所述第一耦合部2221G，並進一步自所述輻射源20G的所述饋電點22G被供應至所述輻射源20G。

也就是說，所述第三連接端22113G為所述三極電路處理器2211G的匯流極，即電流彙集的埠，以能夠提供更大的微波激勵電流而匹配低阻抗的抗干擾天線，從而有利於降低抗干擾天線對發射功率的要求。

可以理解的是，區別于傳統微波微波天線的用於提供微波激勵電流的振盪電路，本發明的所述振盪單元221G被設置以所述三極電路處理器2211G的匯流極為微波激勵電流的輸出埠而能夠獲得更大的電流輸出，其中所述振盪單元221G的所述三極電路處理器2211G之外的電路結構並不構成對本發明的限制，如所述振盪單元221G可被設置為採用傳統的電容三點式的電路結構並以所述三級電路處理311的匯流極為微波激勵電流的輸出埠。

繼續參考附圖55，所述混頻檢波單元223G包括一第一二極體2231G和一第二二極體2232G，其中所述第一二極體2231G的一個端部和所述第二二極體2232G的一個端部被電連接於所述耦合器222G的所述第二耦合部2222G，所述第一二極體2231G的另一個端部和所述第二二極體2232G的另一個端部分別被接地。優選地，在附圖55示出的所述微波驅動電路220G的這個較佳示例中，所述第一二極體2231G的一個端部和所述第二二極體2232G的一個端部被電連接於所述耦合器222G的所述第二耦合部2222G的同一個位置。優選地，所述第一二極體2231G和所述第二二極體2232G具有不同的方向，通過這樣的方式，在所述第二耦合部2222G感應到流經所述第一耦合部2221G的微波激勵電流的變化後，所述混頻檢波單元223G的所述第一二極體2231G和所述第二二極體2232G能夠將微波激勵電流的變化處理成檢測信號，並在後續，檢測信號能夠自被設於所述第二耦合部2222G的所述信號輸出埠2233G輸出。

繼續參考附圖55，所述耦合器222G的所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G分別為阻抗線，其中所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G被相鄰地且相互平行地設置，以使所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G能夠被感應地耦合，這樣，所述第二耦合部2222G能夠感應流經所述第一耦合部2221G的微波激勵電流的變化。值得一提的是，在附圖55示出的所述微波驅動電路220G的這個示例中，所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G的耦合方式為電磁耦合，這樣，所述第二耦合部2222G能夠感應流經所述第一耦合部2221G的微波激勵電流的變化。

值得一提的是，本領域技術人員應當理解，所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G為于所述微波激勵電流的作用下具有阻抗特性的元件，如所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G能夠分別被設置為阻性元件、感性元件以及容性元件中的一種，具體地，在附圖55示出的所述微波驅動電路220G的這個較佳示例中，所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G為被相互耦合地設置的阻抗線，更具體地，所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G被設置為相鄰且相互平行的微帶線，以形成所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G之間能夠相互耦合的電學特性。

進一步地，所述耦合器222G包括一列第一延伸微帶線2224G和一列第二延伸微帶線2225G，其中每個所述第一延伸微帶線2224G分別被電連接於所述第一耦合部2221G和分別自所述第一耦合部2221G向所述第二耦合部2222G方向延伸，每個所述第二延伸微帶線2225G分別被電連接於所述第二耦合部2222G和分別自所述第二耦合部2222G向所述第一耦合部2221G方向延伸，其中所述第一延伸微帶線2224G和所述第二延伸微帶線2225G相互穿插而使所述第一延伸微帶線2224G和所述第二延伸微帶線2225G相互感應地耦合，通過這樣的方式，所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G的耦合效果被進一步提升。優選地，在相鄰兩個所述第一延伸微帶線2224G之間僅被保持有一個所述第二延伸微帶線2225G，在相鄰兩個所述第二延伸微帶線2225G之間僅被保持有一個所述第一延伸微帶線2224G。更優選地，所述第一延伸微帶線2224G的數量多於所述第二延伸微帶線2225G的數量，從而使得任意一個所述第二延伸微帶線2225G被保持在相鄰兩個所述第一延伸微帶線2224G之間。

在附圖55示出的所述微波驅動電路220G的這個較佳示例中，所述第一延伸微帶線2224G由自被實施為微帶線的所述第一耦合部2221G向所述第二耦合部2222G方向延伸的微帶線形成，相應地，所述第二延伸微帶線2225G由自被實施為微帶線的所述第二耦合部2222G向所述第一耦合部2221G方向延伸的微帶線形成。

圖56和圖57分別示出了所述微波驅動電路220G的兩個變形實施方式，與附圖55示出的所述微波驅動電路220G不同的是，在附圖56和圖57示出的所述微波驅動電路220G的這些示例中，所述耦合器222G的所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G分別為彎折微帶線，其中所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G被相鄰地且相互平行地設置，以使所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G能夠被感應地耦合，這樣，所述第二耦合部2222G能夠感應流經所述第一耦合部2221G的微波激勵電流的變化。相應地，在附圖56示出的所述微波驅動電路220G的這個示例中，所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G的耦合方式為電磁耦合，這樣，所述第二耦合部2222G能夠感應流經所述第一耦合部2221G的微波激勵電流的變化。

進一步地，所述第一二極體2231G的一個端部和所述第二二極體2232G的一個端部分別被電連接於所述第二耦合部2222G的兩端，其中所述第一二極體2231G和所述第二二極體2232G具有不同的方向，通過這樣的方式，在所述第二耦合部2222G感應到流經所述第一耦合部2221G的微波激勵電流的變化後，所述混頻檢波單元223G的所述第一二極體2231G和所述第二二極體2232G能夠將微波激勵電流的變化處理成檢測信號，並在後續，檢測信號能夠自被設於所述第二耦合部2222G的所述信號輸出埠2233G輸出。

需要注意的是，附圖56示出的所述微波驅動電路220G和附圖56示出的所述微波驅動電路220G的差異在於，在附圖56示出的所述微波驅動電路220G中，所述耦合器222G的所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G分別是鋸齒微帶線，即，形成所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G的鋸齒微帶線中的相鄰兩個微帶線段之間形成銳角夾角；而在附圖57示出的所述微波驅動電路220G中，所述耦合器222G的所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G分別為方形微帶線，即，形成所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G的方形微帶線的相鄰兩個微帶線段之間形成90°夾角。

附圖58示出了所述微波驅動電路220G的一個變形實施方式，與附圖55示出的所述微波驅動電路220G不同的是，在附圖58示出的所述微波驅動電路220G的這個示例中，所述耦合器222G不需要被設置所述第一延伸微帶線2224G和所述第二延伸微帶線2225G，而是通過減小形成在所述耦合器222G的所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G之間的距離的方式允許所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G感應地耦合，這樣，所述第二耦合部2222G能夠感應流經所述第一耦合部2221G的微波激勵電流的變化。相應地，在附圖58示出的所述微波驅動電路220G的這個示例中，所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G的耦合方式為電磁耦合，這樣，所述第二耦合部2222G能夠感應流經所述第一耦合部2221G的微波激勵電流的變化。

進一步地，所述第一二極體2231G的一個端部和所述第二二極體2232G的一個端部分別被電連接於所述第二耦合部2222G的兩端，其中所述第一二極體2231G和所述第二二極體2232G具有不同的方向，通過這樣的方式，在所述第二耦合部2222G感應到流經所述第一耦合部2221G的微波激勵電流的變化後，所述混頻檢波單元223G的所述第一二極體2231G和所述第二二極體2232G能夠將微波激勵電流的變化處理成檢測信號，並在後續，檢測信號能夠自被設於所述第二耦合部2222G的所述信號輸出埠2233G輸出。

附圖59示出了所述微波驅動電路220G的一個變形實施方式，與附圖58示出的所述微波驅動電路220G不同的是，在附圖59示出的所述微波驅動電路220G的這個示例中，所述第一耦合部2221G可以是一個阻抗線，如被承載於電路板的微帶線，而所述第二耦合部2222G是一個環繞在所述第一耦合部2221G半周的一個金屬薄片，例如但不限於銅片，通過這樣的方式，所述第二耦合部2222G能夠被感應地耦合於所述第一耦合部2221G。

附圖60示出了抗干擾天線的另一較佳實施例的一微波驅動電路220G，其中所述微波驅動電路220G包括一振盪單元221G、一耦合器222G以及一混頻檢波單元223G，其中所述振盪單元221G被電連接於所述輻射源20G的所述饋電點22G，所述耦合器222G的一個端部被電連接於所述振盪單元221G和所述輻射源20G的所述饋電點22G，所述耦合器222G的另一個端部被電連接於所述混頻檢波單元223G。在附圖60示出的示例中，所述耦合器222G被電連接於所述類比電路230G的所述第二模擬點232G。

所述振盪單元221G能夠被電連接於一個電源240G，其中所述電源240G的電流在流經所述振盪單元221G時被振盪而形成微波激勵電流，所述振盪單元221G能夠將微波激勵電流自所述輻射源20G的所述饋電點22G直接地供應至所述輻射源20G，以使所述輻射源20G和所述參考地10G相互配合而產生微波信號。所述耦合器222G能夠獲得所述振盪單元221G供應至所述輻射源20G的微波激勵電流的變化，以在後續，所述混頻檢波單元223G和所述耦合器222G相互配合而獲得檢測信號。

例如，在本發明的一個具體的示例中，所述電源240G提供的電流首先流經所述振盪單元221G而被所述振盪單元221G振盪後形成微波激勵電流，所述振盪單元221G其次將電流自所述輻射源20G的所述饋電點22G直接地供應至所述輻射源20G，以使所述輻射源20G和所述參考地10G相互配合而產生微波信號，從而形成一個檢測區域。在一個使用者進入所述檢測區域後會引起微波信號的變化，進而所述振盪單元221G供應至所述輻射源20G的微波激勵電流產生變化，其中所述耦合器222G能夠獲得被供應至所述輻射源20G的微波激勵電流的變化，以在後續，所述混頻檢波單元223G和所述耦合器222G相互配合而獲得所述檢測信號，以檢測使用者在所述檢測區域的姿態。例如，本發明的抗干擾天線能夠檢測使用者在所述檢測區域的動作。

優選地，參考附圖60，所述耦合器222G為一個電容器，以使所述耦合器222G形成一個電容耦合器，其中所述混頻檢波單元223G設有自所述耦合器222G引出的一信號輸出埠2233G，以用於輸出檢測信號。所述信號輸出埠2233G的類型在本發明中不受限制，其只要能夠輸出檢測信號即可。

繼續參考附圖60，所述振盪單元221G包括一三極電路處理器2211G、一偏置電阻2212G、一第一電容器2213G、一第二電容器2214G以及一第三電容器2215G，所述三極電路處理器2211G具有一第一連接端22111G、一第二連接端22112G以及一第三連接端22113G，其中所述三極電路處理器2211G的所述第一連接端22111G能夠被電連接於所述電源240G，所述偏置電阻2212G的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器2211G的所述第一連接端22111G和所述第二連接端22112G，所述第一電容器2213G的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器2211G的所述第二連接端22112G和所述第二電容器2214G的一個端部，所述第二電容器2214G的另一個端部被接地，所述第三電容器2215G的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器2211G的所述第一連接端22111G和所述第二電容器2214G的被接地的一端，所述三極電路處理器2211G的所述第三連接端22113G被電連接於所述輻射源20G的所述饋電點22G。

進一步地，所述振盪單元221G包括一電感器2216G，其中所述電感器2216G的一個端部被電連接於所述三極電路處理器2211G的所述第一連接端22111G，所述電感器2216G的另一個端部能夠被電連接於所述電源240G。

在本發明的一個較佳示例中，所述三極電路處理器2211G是一個半導體MOS管，其中所述三極電路處理器2211G的所述第三連接端22113G是所述半導體MOS管的源極。也就是說，所述振盪單元221G以所述半導體MOS管的所述源極被電連接於所述輻射源20G的所述饋電點22G的方式被電連接於所述輻射源20G的所述饋電點22G，從而所述振盪單元221G因振盪所述電源240G提供的電流而形成的微波激勵電流自所述半導體MOS管的所述源極被供應至所述輻射源20G。

在本發明的另一個較佳示例中，所述三極電路處理器2211G是一個半導體三極管，其中所述三極電路處理器2211G的所述第三連接端22113G是所述半導體三極管的發射極。也就是說，所述振盪單元221G以所述半導體三極管的所述發射極被電連接於所述輻射源20G的所述饋電點22G的方式被電連接於所述輻射源20G的所述饋電點22G，從而所述振盪單元221G因振盪所述電源240G提供的電流而形成的微波激勵電流自所述半導體三極管的所述發射極被供應至所述輻射源20G。

繼續參考附圖60，所述混頻檢波單元223G包括一第一二極體2231G和一第二二極體2232G，其中所述第一二極體2231G的一個端部和所述第二二極體2232G的一個端部被電連接於所述耦合器222G。優選地，所述第一二極體2231G和所述第二二極體2232G具有不同的方向，通過這樣的方式，在所述耦合器222G獲得被供應至所述輻射源20G的微波激勵電流的變化後，所述混頻檢波單元223G的所述第一二極體2231G和所述第二二極體2232G能夠將微波激勵電流的變化處理成檢測信號，並在後續，檢測信號能夠自所述信號輸出埠2233G輸出。

附圖61示出了抗干擾天線的另一較佳實施例的一微波驅動電路220G，其中所述微波驅動電路220G包括一振盪單元221G、一耦合器222G以及一混頻檢波單元223G。所述耦合器222G包括一耦合部22201G和兩電容器22202G，其中所述振盪單元221G被電連接於所述耦合部22201G的一個端部，所述耦合部22201G的另一個端部被電連接於所述輻射源20G的所述饋電點22G，其中每個所述電容器22202G的一個端部分別被電連接於所述耦合部22201G的每個端部，每個所述電容器22202G的另一個端部分別被電連接於所述混頻檢波單元223G。在附圖61示出的示例中，所述耦合器22201G的一個端部被電連接於所述類比電路230G的所述第二模擬點232G。

所述振盪單元221G能夠被電連接於一個電源240G，其中所述電源240G的電流在流經所述振盪單元221G時被振盪而形成微波激勵電流，所述振盪單元221G能夠將微波激勵電流經所述耦合部22201G自所述輻射源20G的所述饋電點22G直接地供應至所述輻射源20G，以使所述輻射源20G和所述參考地10G相互配合而產生微波信號。每個所述電容器22202G通過分別獲得流經所述耦合部22201G的兩個端部的微波激勵電流的方式獲得被供應至所述輻射源20G的微波激勵電流的變化，以在後續，所述混頻檢波單元223G和所述耦合部22201G相互配合而獲得檢測信號。

例如，在本發明的一個具體的示例中，所述電源240G提供的電流首先流經所述振盪單元221G而被所述振盪單元221G振盪後形成微波激勵電流，所述振盪單元221G其次將微波激勵電流經所述耦合部22201G自所述輻射源20G的所述饋電點22G直接地供應至所述輻射源20G，以使所述輻射源20G和所述參考地10G相互配合而產生微波信號，從而形成一個檢測區域。在一個使用者進入所述檢測區域後會引起微波信號的變化，進而所述振盪單元221G供應至所述輻射源20G的微波激勵電流產生變化，其中每個所述電容器22202G能夠獲得流經所述耦合部22201G的兩端的微波激勵電流，進而獲得被供應至所述輻射源20G的微波激勵電流的變化，以在後續，所述混頻檢波單元223G和所述耦合器222G相互配合而獲得所述檢測信號，以檢測使用者在所述檢測區域的姿態。例如，本發明的抗干擾天線能夠檢測使用者在所述檢測區域的動作。

優選地，參考附圖61，所述耦合部22201G為一個阻抗線，其中所述阻抗線的每個端部分別被電連接有一個所述電容器22202G。所述混頻檢波單元223G被設有一信號輸出埠2233G，以用於輸出檢測信號。所述信號輸出埠2233G的類型在本發明中不受限制，其只要能夠輸出檢測信號即可。優選地，所述信號輸出埠2233G被設置於所述耦合器222G和兩個所述電容器22202G中的任意一個所述電容器22202G之間即可。更優選地，兩個所述電容器22202G的用於電連接於所述混頻檢波單元223G的端部被相互電連接。

繼續參考附圖61，所述振盪單元221G包括一三極電路處理器2211G、一偏置電阻2212G、一第一電容器2213G、一第二電容器2214G以及一第三電容器2215G，所述三極電路處理器2211G具有一第一連接端22111G、一第二連接端22112G以及一第三連接端22113G，其中所述三極電路處理器2211G的所述第一連接端22111G能夠被電連接於所述電源240G，所述偏置電阻2212G的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器2211G的所述第一連接端22111G和所述第二連接端22112G，所述第一電容器2213G的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器2211G的所述第二連接端22112G和所述第二電容器2214G的一個端部，所述第二電容器2214G的另一個端部被接地，所述第三電容器2215G的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器2211G的所述第一連接端22111G和第二電容器2214G的被接地的一端，所述三極電路處理器2211G的所述第三連接端3111被電連接於所述耦合部22201G的一個端部。

進一步地，所述振盪單元221G包括一電感器2216G，其中所述電感器2216G的一個端部被電連接於所述三極電路處理器2211G的所述第一連接端22111G，所述電感器2216G的另一個端部能夠被電連接於所述電源240G。

可以理解的是，在本發明的一些實施例中，被連接於所述電源240G和所述第一連接端22111G之間的所述電感器2216G還能夠被設置以一電阻元件取代，從而在抗干擾天線工作時，所述電阻元件能夠等效於所述電感器2216G，本發明對此不作限制。

在本發明的一個較佳示例中，所述三極電路處理器2211G是一個半導體MOS管，其中所述三極電路處理器2211G的所述第三連接端22113G是所述半導體MOS管的源極。也就是說，所述振盪單元221G以所述半導體MOS管的所述源極被電連接於所述耦合部22201G的一個端部的方式被電連接於所述輻射源20G的所述饋電點22G，從而所述振盪單元221G因振盪所述電源240G提供的電流而形成的微波激勵電流經所述耦合部22201G自所述半導體MOS管的所述源極被供應至所述輻射源20G。

在本發明的另一個較佳示例中，所述三極電路處理器2211G是一個半導體三極管，其中所述三極電路處理器2211G的所述第三連接端22113G是所述半導體三極管的發射極。也就是說，所述振盪單元221G以所述半導體三極管的所述發射極被電連接於所述耦合部22201G的一個端部的方式被電連接於所述輻射源20G的所述饋電點22G，從而所述振盪單元221G因振盪所述電源240G提供的電流而形成的微波激勵電流經所述耦合部22201G自所述半導體三極管的所述發射極被供應至所述輻射源20G。

繼續參考附圖61，所述混頻檢波單元223G包括一第一二極體2231G和一第二二極體2232G，其中所述第一二極體2231G的一個端部和所述第二二極體2232G的一個端部分別被電連接於每個所述電容器22202G。優選地，所述第一二極體2231G和所述第二二極體2232G具有不同的方向，通過這樣的方式，每個所述電容器22202G在分別獲得流經所述耦合部22201G的每個端部的微波激勵電流後獲得流經所述耦合部22201G的微波激勵電流的變化，所述混頻檢波單元223G的所述第一二極體2231G和所述第二二極體2232G能夠將微波激勵電流的變化處理成檢測信號，並在後續，檢測信號能夠自被設於所述電容器22202G的所述信號輸出埠2233G輸出。

依本發明的另一個方面，本發明進一步提供一驅動方法，以供應微波激勵電流至一微波天線和檢測被供應的微波激勵電流的變化，其中所述驅動方法包括如下步驟：

自一微波天線的一輻射源20G的一饋電點22G直接地供應微波激勵電流至所述輻射源20G，以使所述輻射源20G和所述參考地10G相互配合而向外輻射微波信號；和

以耦合感應的方式檢測被供應至所述輻射源20G的微波激勵電流的變化。

進一步地，在所述步驟（a）中，允許自一三極電路處理器2211G的一第三連接端22113G發出的微波激勵電流經一第一耦合部2221G自所述輻射源20G的所述饋電點22G被供應至所述輻射源20G，從而在所述步驟（b）中，通過一第二耦合部321感應地耦合於所述第一耦合部2221G的方式檢測流經所述第一耦合部2221G的微波激勵電流的變化。

參考附圖55和圖58，在本發明的所述驅動方法的一個較佳示例中，所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G均是阻抗線。參考附圖56和圖57，在本發明的所述驅動方法的另一個較佳示例中，所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G均是彎折微帶線。參考附圖59，在本發明的所述驅動方法的另一個較佳示例中，所述第一耦合部2221G是阻抗線，所述第二耦合部2222G是環繞在所述第一耦合部2221G的半周的金屬薄片。

進一步地，參考附圖60，在所述步驟（a）中，允許所述三極電路處理器2211G的所述第三連接端22113G發出的微波激勵電流自所述輻射源20G的所述饋電點22G被直接地供應至所述輻射源20G，從而在所述步驟（c）中，通過被實施為電容器的一耦合器222G檢測被供應至所述輻射源20G的微波激勵電流的變化。

可選地，參考附圖61，在所述步驟（a）中，允許所述三極電路處理器2211G的所述第三連接端22113G發出的微波激勵電流經一耦合部22201G自所述輻射源20G的所述饋電點22G被供應至所述輻射源20G，從而在所述步驟（b）中，通過被連接於所述耦合部22201G的兩個端部的兩個電容器22202G檢測流經所述耦合部22201G的兩端的微波激勵電流的方式獲得微波激勵電流的變化。

本領域技術人員應當理解，所述第一耦合部2221G和所述第二耦合部2222G為被相互耦合地設置並于所述微波激勵電流的作用下具有阻抗特性的元件，如阻性元件、感性元件以及容性元件，其中優選地，所述第一耦合部2221G被設置為具有阻性和／或感性特徵的阻抗線，如微帶線，以使得與所述第一耦合部2221G電性連接的所述振盪單元221G所產生的微波激勵電流能夠經所述第一耦合部2221G流向所述饋電點22G。

值得一提的是，本發明中所涉及的第一電子元器件的一個端部和第二電子元器件的一個端部被電連接可以是指所述第一電子元器件的一個端部和第二電子元器件的一個端部被直接電連接，也可以是指第一電子元器件的一個端部和第二電子元器件的一個端部通過導線被間接電連接。例如，所述偏置電阻2212G的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器2211G的所述第一連接端22111G和所述第二連接端22112G可以是指所述偏置電阻2212G的兩個端部分別通過導線被間接電連接於所述三極電路處理器2211G的所述第一連接端22111G和所述第二連接端22112G。再例如，所述三極電路處理器2211G的所述第三連接端22113G被電連接於所述第一耦合部2221G的一個端部可以是指所述三極電路處理器2211G的所述第三連接端22113G通過導線被間接電連接於所述耦合部222的一個端部，所述三極電路處理器2211G的所述第三連接端22113G被電連接於所述輻射源20G的所述饋電點22G可以是指所述三極電路處理器2211G的所述第三連接端22113G通過導線被間接電連接於所述輻射源20G的所述饋電點22G。

本領域的技術人員可以理解的是，以上實施例僅為舉例，其中不同實施例的特徵可以相互組合，以得到根據本發明揭露的內容很容易想到但是在附圖中沒有明確指出的實施方式。

本領域的技術人員應理解，上述描述及附圖中所示的本發明的實施例只作為舉例而並不限制本發明。本發明的目的已經完整並有效地實現。本發明的功能及結構原理已在實施例中展示和說明，在沒有背離所述原理下，本發明的實施方式可以有任何變形或修改。

10‧‧‧參考地 101‧‧‧第一側面 102‧‧‧第二側面 11‧‧‧參考地連接點 12‧‧‧參考地穿孔 20‧‧‧輻射源 21‧‧‧輻射源連接點 22‧‧‧一饋電點 30‧‧‧輻射縫隙 31‧‧‧縫隙穿孔 40‧‧‧電氣連接元件 50‧‧‧遮罩罩 60‧‧‧附加電感 200‧‧‧連接線 10A‧‧‧參考地 101A‧‧‧第一側面 102A‧‧‧第二側面 11A‧‧‧參考地連接點 20A‧‧‧輻射源 201A‧‧‧主輻射源 202A‧‧‧副輻射源 21A‧‧‧輻射源連接點 22A‧‧‧饋電點 30A‧‧‧輻射縫隙 40A‧‧‧電氣連接元件 50A‧‧‧遮罩罩 70A‧‧‧微帶連接部 10B‧‧‧參考地 101B‧‧‧第一側面 102B‧‧‧第二側面 11B‧‧‧參考地連接點 22B‧‧‧饋電點 20B‧‧‧輻射源 203B‧‧‧第一輻射源 204B‧‧‧第二輻射源 205B‧‧‧第三輻射源 206B‧‧‧第四輻射源 21B‧‧‧輻射源連接點 250B‧‧‧天線饋電點 30B‧‧‧輻射縫隙 40B‧‧‧電氣連接元件 50B‧‧‧遮罩罩 70B‧‧‧微帶連接部 71B‧‧‧第一微帶連接部 72B‧‧‧第二微帶連接部 73B‧‧‧第三微帶連接部 10C‧‧‧參考地 101C‧‧‧第一側面 102C‧‧‧第二側面 11C‧‧‧參考地連接點 20C‧‧‧輻射源 21C‧‧‧輻射源連接點 22C‧‧‧饋電點 30C‧‧‧輻射縫隙 40C‧‧‧電氣連接元件 10D‧‧‧參考地 20D‧‧‧輻射源 21D‧‧‧輻射源連接點 22D‧‧‧饋電點 30D‧‧‧輻射縫隙 50D‧‧‧遮罩罩 80D‧‧‧連接部 81D‧‧‧第一連接件 810D‧‧‧第一暴露部分 811D‧‧‧第一絕緣缺口 82D‧‧‧第二連接件 821D‧‧‧第二絕緣缺口 820D‧‧‧第二暴露部分 86‧‧‧連接件 90D‧‧‧第一基板 91D‧‧‧固定區域 100D‧‧‧第二基板 110D‧‧‧第一天線元件 1101D‧‧‧第一通孔 1102D‧‧‧第二通孔 1103D‧‧‧第四通孔 120D‧‧‧第二天線元件 1201D‧‧‧第三通孔 1202D‧‧‧第五通孔 130D‧‧‧絕緣部 131D‧‧‧第一絕緣層 1311D‧‧‧第一缺口 1312D‧‧‧第一容納槽 132D‧‧‧第二絕緣層 1321D‧‧‧第二缺口 1322D‧‧‧第二容納槽 260D‧‧‧導電介質 140D‧‧‧導通部 141D‧‧‧第一導通件 142D‧‧‧第二導通件 143D‧‧‧第三導通件 144D‧‧‧第四導通件 145D‧‧‧第五導通件 150D‧‧‧阻抗元件 160D‧‧‧固定件 161D‧‧‧結合部 162D‧‧‧限位部 10E‧‧‧參考地 101E‧‧‧第一側面 102E‧‧‧第二側面 103E‧‧‧穿孔 20E‧‧‧輻射源 2001E‧‧‧連接端 2002E‧‧‧自由端 21E‧‧‧輻射源連接點 30E‧‧‧輻射縫隙 60E‧‧‧附加電感 10F‧‧‧參考地 101F‧‧‧第一側面 102F‧‧‧第二側面 103F‧‧‧穿孔 20F‧‧‧輻射源 22F‧‧‧饋電點 30F‧‧‧輻射縫隙 170F‧‧‧輻射區域 180F‧‧‧輔助元件 1801F‧‧‧輔助參考面 181F‧‧‧內部空間 182F‧‧‧輻射通孔 183F‧‧‧延伸部 184F‧‧‧輔助部 190F‧‧‧基礎板 191F‧‧‧基板通孔 200F‧‧‧導通部件 210F‧‧‧阻抗元件 50F‧‧‧遮罩罩 10G‧‧‧參考地 11G‧‧‧參考地連接點 20G‧‧‧輻射源 21G‧‧‧輻射源連接點 22G‧‧‧饋電點 220G‧‧‧微波驅動電路 221G‧‧‧振盪單元 2216G‧‧‧電感器 2211G‧‧‧三極電路處理器 22111G‧‧‧第一連接端 22112G‧‧‧第二連接端 22113G‧‧‧第三連接端 2212G‧‧‧偏置電阻 2213G‧‧‧第一電容器 2214G‧‧‧第二電容器 2215G‧‧‧第三電容器 222G‧‧‧耦合器 2221G‧‧‧第一耦合部 2222G‧‧‧第二耦合部 2224G‧‧‧第一延伸微帶線 2225G‧‧‧第二延伸微帶線 22201G‧‧‧耦合部 22202G‧‧‧電容器 223G‧‧‧混頻檢波單元 2231G‧‧‧第一二極體 2232G‧‧‧第二二極體 2233G‧‧‧信號輸出埠 30G‧‧‧輻射縫隙 230G‧‧‧類比電路 231G‧‧‧第一模擬點 232G‧‧‧第二模擬點 240G‧‧‧電源

圖1是依本發明的第一較佳實施例的一種抗干擾天線的立體示意圖。 圖2是沿著圖1中的A-A線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖3是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的一個變形實施方式的立體示意圖。 圖4是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的另一個變形實施方式的立體示意圖。 圖5是沿著圖4中的B-B線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖6A是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的另一個變形實施方式的剖視示意圖。 圖6B是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的另一個變形實施方式的剖視示意圖。 圖6C是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的另一個變形實施方式的剖視示意圖。 圖6D是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的另一個變形實施方式的剖視示意圖。 圖7是依本發明的第二較佳實施例的一種抗干擾天線的立體示意圖。 圖8是沿著圖7中的C-C線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖9是依本發明的第三較佳實施例的一種抗干擾天線的立體示意圖。 圖10是沿著圖9中的D-D線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖11是依本發明的第四較佳實施例的一種抗干擾天線的立體示意圖。 圖12是沿著圖11中的E-E線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖13是依本發明的第五較佳實施例的一種抗干擾天線的俯視示意圖。 圖14是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的分解示意圖。 圖15A是沿著圖13中的F-F線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖15B是圖15A中的a位置的局部放大示意圖。 圖15C是沿著圖13中的F'-F'線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線的一另一具體位置的剖視狀態。 圖15D是沿圖15C的a'位置的局部放大示意圖。 圖16是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的一個變形實施方式的俯視示意圖。 圖17是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的分解示意圖。 圖18A是沿著圖16中的G-G線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖18B是圖18A中的b位置的局部放大示意圖。 圖19是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的另一個變形實施方式的俯視示意圖。 圖20是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的分解示意圖。 圖21是沿著圖19中的H-H線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖22是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的另一個變形實施方式的俯視示意圖。 圖23是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的分解示意圖。 圖24A是沿著圖22中的I-I線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖24B是圖24A中的c位置的局部放大示意圖。 圖25是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的另一個變形實施方式的俯視示意圖。 圖26是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的分解示意圖。 圖27是沿著圖25中的J-J線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖28是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的另一個變形實施方式的俯視示意圖。 圖29是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的分解示意圖。 圖30是沿著圖28中的K-K線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖31是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的另一個變形實施方式的俯視示意圖。 圖32是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的分解示意圖。 圖33是沿著圖31中的L-L線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖34是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的另一個變形實施方式的俯視示意圖。 圖35是沿著圖34中的M-M線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖36是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的裝配過程示意圖。 圖37是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的一個變形示例的裝配過程示意圖。 圖38是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的另一個變形實施方式的俯視示意圖。 圖39是沿著圖38中的N-N線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖40是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的裝配過程示意圖。 圖41是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的另一個變形實施方式的俯視示意圖。 圖42是沿著圖41中的O-O線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖43是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的裝配過程示意圖。 圖44是依本發明的第六較佳實施例的一種抗干擾天線的立體示意圖。 圖45是沿著圖44中的P-P線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖46是依本發明的第七較佳實施例的一種抗干擾天線的立體示意圖。 圖47沿著圖46中的Q-Q線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖48是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的一個變形示例的剖視示意圖。 圖49是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的一個變形示例的剖視示意圖。 圖50是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的一個變形示例的剖視示意圖。 圖51是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的一個變形示例的剖視示意圖。 圖52是依本發明的上述較佳實施例的所述抗干擾天線的一個變形示例的剖視示意圖。 圖53是依本發明的第八較佳實施例的一種抗干擾天線的立體示意圖。 圖54沿著圖53中的R-R線剖開後的示意圖，其示意了所述抗干擾天線在一具體位置的剖視狀態。 圖55是依本發明的第一較佳實施例的一微波驅動電路的示意圖。 圖56是依本發明的上述較佳實施例的所述微波驅動電路的一個變形實施方式的示意圖。 圖57是依本發明的上述較佳實施例的所述微波驅動電路的一個變形實施方式的示意圖。 圖58是依本發明的上述較佳實施例的所述微波驅動電路的一個變形實施方式的示意圖。 圖59是依本發明的上述較佳實施例的所述微波驅動電路的一個變形實施方式的示意圖。 圖60是依本發明的第二較佳實施例的一微波驅動電路的示意圖。 圖61是依本發明的第三較佳實施例的一微波驅動電路的示意圖。

10‧‧‧參考地

20‧‧‧輻射源

21‧‧‧輻射源連接點

22‧‧‧饋電點

101‧‧‧第一側面

102‧‧‧第二側面

30‧‧‧輻射縫隙

50‧‧‧遮罩罩

Claims (39)

1. 一種微波驅動電路，用於一種抗干擾天線，其中所述抗干擾天線具有一饋電點，其特徵在於，包括： 一振盪單元，其中所述振盪單元被設置以產生微波激勵電流； 一混頻檢波單元，其中所述混頻檢波單元具有一信號輸出埠；以及 一耦合器，其中所述耦合器包括一第一耦合部和被耦合於所述第一耦合部的一第二耦合部，其中所述第一耦合部的一個端部被電連接於所述振盪單元，所述第一耦合部的另一個端部被電連接於所述抗干擾天線的所述饋電點，以使得自所述振盪單元產生的微波激勵電流能夠經所述第一耦合部流向所述饋電點，其中所述混頻檢波單元被電連接於所述第二耦合部，其中所述信號輸出埠被設置為自所述第二耦合部引出。
2. 如申請專利範圍第1項所述的微波驅動電路，其中所述第一耦合部和所述第二耦合部分別被設置為阻抗線，並且所述第一耦合部和所述第二耦合部被相鄰且相互平行地設置。
3. 如申請專利範圍第2項所述的微波驅動電路，其中所述第一耦合部和所述第二耦合部分別為彎折微帶線；或者所述第一耦合部和所述第二耦合部分別為鋸齒微帶線；或者所述第一耦合部和所述第二耦合部分別為方形微帶線。
4. 如申請專利範圍第2項所述的微波驅動電路，其中所述耦合部進一步包括一列第一延伸微帶線和一列第二延伸微帶線，每個所述第一延伸微帶線分別被電連接於所述第一耦合部並且分別自所述第一耦合部向所述第二耦合部方向延伸，每個所述第二延伸微帶線分別被電連接於所述第二耦合部並且分別自所述第二耦合部向所述第一耦合部方向延伸，其中所述第一延伸微帶線和所述第二延伸微帶線能夠相互感應地被耦合。
5. 如申請專利範圍第4項所述的微波驅動電路，其中任意兩個所述第一延伸微帶線之間設有一個所述第二延伸微帶線，相應地，任意兩個所述第二延伸微帶線之間設有一個所述第一延伸微帶線。
6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的微波驅動電路，其中所述振盪單元包括一三極電路處理器、一偏置電阻、一第一電容器、一第二電容器以及一第三電容器，其中所述三極電路處理器具有一第一連接端、一第二連接端以及一第三連接端，其中所述偏置電阻的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第一連接端和所述第二連接端，所述第一電容器的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第二連接端和所述第二電容器的一個端部，所述第二電容器的另一個端部被接地，所述第三電容器的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第一連接端和所述第二電容器的被接地的一端，所述三極電路處理器的所述第三連接端被電連接於所述耦合器的所述第一耦合部。
7. 如申請專利範圍第6項所述的微波驅動電路，其中所述三極電路處理器是半導體MOS管，其中所述三極電路處理器的所述第三連接端是半導體MOS管的源極或者所述三極電路處理器是半導體三極管，其中所述三極電路處理器的所述第三連接端是半導體三極管的發射極。
8. 如申請專利範圍第6項所述的微波驅動電路，其中所述振盪單元進一步包括一電感器，其中所述電感器的一個端部被電連接於所述三極電路處理器的所述第一連接端，所述電感器的另一個端部能夠被電連接於一個電源。
9. 一種微波驅動電路，用於一種抗干擾天線，其中所述抗干擾天線具有一饋電點，其特徵在於，包括： 一振盪單元，其中所述振盪單元被設置以產生微波激勵電流； 一混頻檢波單元，其中所述混頻檢波單元具有一信號輸出埠；以及 一耦合器，其中所述耦合器包括一耦合部和兩電容器，其中所述耦合部的一個端部被電連接於所述振盪單元，所述耦合部的另一個端部被電連接於所述抗干擾天線的所述饋電點，以使得自所述振盪單元產生的微波激勵電流能夠經所述耦合部流向所述饋電點，其中兩個所述電容器的一個端部分別被電連接於所述耦合部的每個端部，兩個所述電容器的另一個端部被相互電連接和分別被電連接於所述混頻檢波單元，其中所述信號輸出埠被設於所述耦合器和任一所述電容器之間。
10. 如申請專利範圍第9項所述的微波驅動電路，其中所述混頻檢波單元進一步包括一第一二極體和一第二二極體，其中所述第一二極體的一個端部和所述第二二極體的一個端部分別被電連接於每個所述電容器的一個端部。
11. 如申請專利範圍第9項或第10項所述的微波驅動電路，其中所述振盪單元包括一三極電路處理器、一偏置電阻、一第一電容器、一第二電容器以及一第三電容器，其中所述三極電路處理器具有一第一連接端、一第二連接端以及一第三連接端，其中所述偏置電阻的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第一連接端和所述第二連接端，所述第一電容器的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第二連接端和所述第二電容器的一個端部，所述第二電容器的另一個端部被接地，所述第三電容器的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第一連接端和所述第二電容器的被接地的一端，所述三極電路處理器的所述第三連接端被電連接於所述耦合器的所述耦合部。
12. 一種微波驅動電路，用於一種抗干擾天線，其中所述抗干擾天線具有一饋電點，其特徵在於，包括： 一振盪單元，其中所述振盪單元被設置以產生微波激勵電流並被電連接於所述抗干擾天線的所述饋電點，以使得自所述振盪單元產生的微波激勵電流能夠直接流向所述饋電點； 一混頻檢波單元；以及 一耦合器，其中所述耦合器的一個端部被電連接於所述振盪單元和所述抗干擾天線的所述饋電點，所述耦合器的另一個端部被電連接於所述混頻檢波單元。
13. 如申請專利範圍第12項所述的微波驅動電路，其中所述混頻檢波單元包括一第一二極體和一第二二極體，其中所述第一二極體的一個端部和所述第二二極體的一個端部分別被電連接於所述耦合器的同一端部。
14. 如申請專利範圍第12項或第13項所述的微波驅動電路，其中所述振盪單元包括一三極電路處理器、一偏置電阻、一第一電容器、一第二電容器以及一第三電容器，其中所述三極電路處理器具有一第一連接端、一第二連接端以及一第三連接端，其中所述偏置電阻的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第一連接端和所述第二連接端，所述第一電容器的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第二連接端和所述第二電容器的一個端部，所述第二電容器的另一個端部被接地，所述第三電容器的兩個端部分別被電連接於所述三極電路處理器的所述第一連接端和所述第二電容器的被接地的一端，所述三極電路處理器的所述第三連接端被電連接於所述抗干擾天線的所述饋電點。
15. 一種抗干擾天線，其特徵在於，包括： 一參考地；和 至少一輻射源，其中所述輻射源被相鄰地設置於所述參考地，並且在所述輻射源和所述參考地之間形成一輻射縫隙，其中所述輻射源被接地。
16. 如申請專利範圍第15項所述的抗干擾天線，其中所述輻射源和所述參考地被電氣連接，從而使所述輻射源被接地。
17. 如申請專利範圍第16項所述的抗干擾天線，進一步包括一電氣連接元件，其中所述輻射源具有至少一輻射源連接點，所述參考地具有至少一參考地連接點，其中所述電氣連接元件的兩端分別被電氣連接於所述輻射源的所述輻射源連接點和所述參考地的所述參考地連接點，從而使得所述輻射源和所述參考地被電氣連接。
18. 如申請專利範圍第16項所述的抗干擾天線，進一步包括一連接部，其中所述連接部包括一板狀的第一連接件和一板狀的第二連接件，其中所述輻射源和所述第一連接件被電氣連接，所述第二連接件形成所述參考地，其中所述第一連接件的至少一部分和所述第二連接件的至少一部分被電氣連接，從而使得所述輻射源和所述參考地被電氣連接。
19. 如申請專利範圍第18項所述的抗干擾天線，進一步包括一第一天線元件和一第二天線元件，其中所述第一天線元件包括一第一基板和分別被貼裝於所述第一基板的兩側的所述輻射源和所述第一連接件，其中所述第二天線元件包括一第二基板和被貼裝於所述第二基板的所述第二連接件，其中所述第一天線元件和所述第二天線元件以所述第一連接件和所述第二連接件相互靠近的方式被貼裝。
20. 如申請專利範圍第19項所述的抗干擾天線，進一步包括至少一第一導通件，其中所述第一天線元件具有至少一第一通孔，其貫穿所述輻射源、所述第一基板和所述第一連接件，其中所述第一導通件形成於所述第一天線元件的所述第一通孔，並且所述第一導通件被電氣連接於所述輻射源和所述第一連接件。
21. 如申請專利範圍第20項所述的抗干擾天線，進一步包括至少一第二導通件，其中所述第一天線元件具有至少一第二通孔，其貫穿所述輻射源、所述第一基板和所述第一連接件，其中所述第一連接件具有一第一絕緣缺口，所述第二通孔對應于和連通於所述第一絕緣缺口，其中所述第二導通件以所述第二導通件被電氣連接於所述輻射源的方式形成於所述第一天線元件的所述第二通孔，並且所述第一連接件的所述第一絕緣缺口阻止所述第二導通件與所述第一連接件被導通。
22. 如申請專利範圍第21項所述的抗干擾天線，進一步包括至少一第三導通件，其中所述第二天線元件具有至少一第三通孔，其貫穿所述第二基板和所述第二連接件，其中所述第二連接件具有至少一第二絕緣缺口，所述第三通孔對應于和連通於所述第二絕緣缺口，其中所述第三導通件形成於所述第二天線元件的所述第三通孔，並且所述第二連接件的所述第二絕緣缺口阻止所述第三導通件與所述第二連接件被導通，其中所述第二導通件被電氣連接於所述第三導通件。
23. 如申請專利範圍第22項所述的抗干擾天線，進一步包括一第一絕緣層和一第二絕緣層，其中所述第一絕緣層包覆所述第一連接件的至少一部分而使所述第一連接件形成至少一第一暴露部分，並且所述第一絕緣層以延伸至所述第一連接件的所述第一絕緣缺口的方式包覆所述第一基板的對應於所述第一絕緣缺口的一部分，其中所述第二絕緣層包覆所述第二連接件的至少一部分而使所述第二連接件形成至少一第二暴露部分，並且所述第二絕緣層以延伸至所述第二連接件的所述第二絕緣缺口的方式包覆所述第二基板的對應於所述第二絕緣缺口的一部分，其中所述第一連接件和所述第二連接件以所述第一連接件的每個所述第一暴露部分和所述第二連接件的每個所述第二暴露部分被電氣連接的方式相互電氣連接。
24. 一種抗干擾天線的抗干擾方法，其中所述抗干擾天線包括一參考地和鄰近地設置於所述參考地的至少一輻射源，在所述輻射源和所述參考地之間形成一輻射縫隙，其特徵在於，所述抗干擾方法包括步驟：將所述輻射源接地，以降低所述抗干擾天線的內阻的阻抗，從而在微波激勵電信號自所述輻射源的一饋電點接入所述輻射源時，所述抗干擾天線能夠通過使頻寬變窄的方式阻止相鄰頻段的電磁輻射頻率或雜散輻射頻率干擾所述抗干擾天線接收或產生的電磁波信號。
25. 如申請專利範圍第24項所述的抗干擾方法，其中在上述方法中，電氣連接所述輻射源和所述參考地，以將所述輻射源接地。
26. 如申請專利範圍第25項所述的抗干擾方法，其中在上述方法中，在所述輻射源的物理中點電氣連接所述輻射源與所述參考地，並且所述饋電點與所述輻射源的物理中點的距離大於或者等於1/64λ。
27. 如申請專利範圍第25項所述的抗干擾方法，其中在上述方法中，在環繞所述輻射源的物理中點的至少兩輻射源連接點分別電氣連接所述輻射源與所述參考地，並且所述饋電點與任一所述輻射源連接點之間的距離均大於或者等於1/64λ。
28. 如申請專利範圍第25項所述的抗干擾方法，其中在上述方法中，在所述輻射源的所述饋電點通過一電感電氣連接所述輻射源與所述參考地。
29. 如申請專利範圍第24項至第28項中任一項所述的抗干擾方法，其中在上述方法中，將具有低阻抗的一種抗干擾電路連接於所述輻射源的所述饋電點，以藉由所述抗干擾電路提供微波激勵電信號並自所述輻射源的所述饋電點接入所述輻射源。
30. 如申請專利範圍第29項所述的抗干擾電路，其中在上述方法中，將所述輻射源的所述饋電點連接於所述抗干擾電路的一振盪電路單元的一三極電路處理器的第三連接端。
31. 如申請專利範圍第30項所述的抗干擾電路，其中在上述方法中，經所述抗干擾電路的一混頻檢波電路單元將所述輻射源的所述饋電點連接於所述抗干擾電路的所述振盪電路單元的所述三極電路處理器的所述第三連接端。
32. 一種抗干擾天線的製造方法，其特徵在於，所述製造方法包括如下步驟： （a）貼裝一第一天線元件和一第二天線元件；和 （b）接地所述第一天線元件的至少一輻射源，以制得所述抗干擾天線。
33. 如申請專利範圍第32項所述的製造方法，其中在所述步驟（a）之前，所述製造方法進一步包括步驟： （c）以所述輻射源和一第一連接件被電氣連接的方式分別貼裝所述輻射源和所述第一連接件於一第一基板的不同側，以形成所述第一天線元件；和 （d）貼裝一第二連接件於一第二基板的側部，以形成所述第二天線元件。
34. 如申請專利範圍第33項所述的製造方法，其中在所述步驟（b）中，電氣連接所述第一連接件的至少一部分和所述第二連接件的至少一部分，以接地所述輻射源。
35. 如申請專利範圍第34項所述的製造方法，其中在上述方法中，進一步包括步驟： 形成一第一絕緣層於所述第一連接件的至少一部分表面以使所述第一連接件形成至少一第一暴露部分； 形成一第二絕緣層於所述第二連接件的至少一部分表面以使所述第二連接件形成至少一第二暴露部分；以及 電氣連接所述第一連接件的所述第一暴露部分和所述第二連接件的所述第二暴露部分。
36. 如申請專利範圍第35項所述的製造方法，其中在所述步驟（c）中，形成一第一導通件於所述第一天線元件的貫穿所述輻射源和所述第一基板的一第一通孔，以使所述第一導通件電氣連接所述輻射源和所述第一連接件。
37. 如申請專利範圍第35項所述的製造方法，其中在所述步驟（c）中，形成一第一導通件於所述第一天線元件的貫穿所述輻射源、所述第一基板和所述第一連接件的一第一通孔，以使所述第一導通件電氣連接所述輻射源和所述第一連接件。
38. 如申請專利範圍第34項所述的製造方法，其中在上述方法中，進一步包括步驟： 形成一第四導通件於貫穿所述第一基板和所述第一連接件的一第四通孔； 形成一第五導通件於貫穿所述第二基板和所述第二連接件的一第五通孔；以及 電氣地連接所述第四導通件和所述第五導通件。
39. 如申請專利範圍第34項所述的製造方法，其中在上述方法中，進一步包括步驟： 形成一第四導通件於貫穿所述第一基板和所述第一連接件的一第四通孔； 形成一第五導通件於貫穿所述第二基板和所述第二連接件的一第五通孔，其中所述第四導通件和所述第五導通件一體地形成。

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