TW202241072A - 電子裝置與天線饋入模組 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種電子裝置與天線饋入模組。電子裝置包括金屬殼體與天線饋入模組。金屬殼體開設一具有開口端與閉口端的槽孔。天線饋入模組包括載板與饋入電路。饋入電路包括饋入件與輻射件。輻射件包括耦合部、輻射支路及饋入部，饋入部耦接於饋入件，耦合部與金屬殼體之間具有耦合間隙，且耦合間隙小於0.5倍的槽孔寬度。饋入電路用以激發金屬殼體，金屬殼體及輻射件產生具有第一共振模態的第一共振路徑。饋入電路用以激發金屬殼體，耦合部與金屬殼體之間相互耦合並產生具有第二共振模態的第二共振路徑。第一共振模態與第二共振模態相異。

Description

電子裝置與天線饋入模組
本發明涉及一種電子裝置與天線饋入模組，特別是涉及一種能夠滿足低頻/高頻頻帶的寬頻操作需求的電子裝置與天線饋入模組。
目前，可攜式電子裝置(例如，筆記型電腦)在設計上日益精良，在產品外觀上皆朝向輕薄外型且寬螢幕的設計。在此情況下，裝配在產品內部的天線結構需設置在具有金屬機殼的產品底座部分，因此天線性能容易受到影響。此外，在IEEE 802.11ax的標準公布之後，現有電子裝置中的天線結構的操作頻帶已經無法滿足WI-FI ®6E的寬頻需求。
故，如何通過結構設計的改良，來克服上述的缺陷，已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種電子裝置與天線饋入模組。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種電子裝置，其包括一金屬殼體、一載板以及一饋入電路。金屬殼體上開設有一槽孔，槽孔包括一開口端與一閉口端。載板設置在金屬殼體中。饋入電路設置在載板中，饋入電路包括一饋入件與一輻射件，輻射件在金屬殼體上的垂直投影與槽孔至少部分重疊，輻射件包括一耦合部、一輻射支路及一饋入部，輻射支路位於耦合部與饋入部之間，饋入部耦接於饋入件，耦合部與金屬殼體之間具有一耦合間隙，且耦合間隙小於0.5倍的槽孔寬度。饋入電路用以激發金屬殼體，使金屬殼體及輻射件產生具有一第一共振模態的一第一共振路徑。饋入電路用以激發金屬殼體，使耦合部與金屬殼體之間相互耦合而形成一電氣路徑，並產生具有一第二共振模態的一第二共振路徑，且第一共振模態與第二共振模態相異。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是提供一種天線饋入模組，設置在具有一槽孔的一金屬殼體中，天線饋入模組包括一載板與一輻射件。載板設置在金屬殼體中。輻射件設置在載板上，輻射件在金屬殼體上的垂直投影與槽孔至少部分重疊，輻射件包括一耦合部、一輻射支路及一饋入部，輻射支路位於耦合部與饋入部之間，饋入部用以耦接於一饋入件，耦合部與金屬殼體之間具有一耦合間隙，耦合間隙小於0.5倍的槽孔寬度。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是提供一種電子裝置，其包括一金屬殼體、一載板以及一饋入電路。金屬殼體開設有一槽孔，槽孔包括一開口端與一閉口端。載板設置在金屬殼體中。饋入電路設置在載板中，饋入電路包括一饋入件、一輻射件、一電容元件及一連接件，輻射件在金屬殼體上的垂直投影與槽孔至少部分重疊，輻射件包括一輻射支路與一饋入部，饋入部耦接於饋入件，電容元件電性連接於輻射件，連接件耦接於輻射件與金屬殼體之間。饋入電路用以激發金屬殼體，使金屬殼體及輻射件產生具有一第一共振模態的一第一共振路徑，或者產生具有一第二共振模態的一第二共振路徑，且第一共振模態與第二共振模態相異。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是提供一種天線饋入模組，設置在具有一槽孔的一金屬殼體中，天線饋入模組包括一載板、一輻射件、一電容元件以及一連接件。載板設置在金屬殼體中。輻射件設置在載板上，輻射件在金屬殼體上的垂直投影與槽孔至少部分重疊，輻射件包括一輻射支路與一饋入部，饋入部用以耦接於一饋入件。電容元件電性連接於輻射件。連接件耦接於輻射件與金屬殼體之間。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的電子裝置與天線饋入模組，其能通過“饋入電路用以激發金屬殼體，使耦合部與金屬殼體之間相互耦合而形成一電氣路徑”以及“電容元件電性連接於輻射件，連接件耦接於輻射件與金屬殼體之間”的技術方案，以利用耦合電容或是實體的電容元件在低頻/高頻的特性不同，使金屬殼體的槽孔可重組出不同長度的共振路徑來滿足低頻/高頻頻帶的寬頻操作需求。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“電子裝置與天線饋入模組”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件，但這些元件不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。另外，本發明全文中的「連接(connect)」是兩個元件之間有實體連接且為直接連接或者是間接連接，且本發明全文中的「耦合(couple)」是兩個元件之間彼此分離且無實體連接，而是藉由一元件之電流所產生的電場能量(electric field energy)激發另一元件的電場能量。
[第一實施例]
參閱圖1所示，本發明提供一種電子裝置D，電子裝置D可具有收發無線射頻(Radio Frequency，RF)訊號的功能。舉例來說，電子裝置D可為一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer)或是一筆記型電腦(Notebook Computer)，而本發明將以電子裝置D為筆記型電腦作為舉例說明，但本發明不以此為限。另外，舉例來說，電子裝置D能產生一頻率範圍介於2400MHz至2500MHz之間與5150MHz至7125MHz之間的操作頻帶，然本發明亦不以此為限。
參閱圖2、圖3及圖4所示，圖2為本發明的電子裝置的局部示意圖，圖3為本發明的電子裝置的金屬殼體與天線饋入模組的立體示意圖，圖4為本發明的電子裝置的金屬殼體的槽孔示意圖。電子裝置D包括金屬殼體1、載板2以及饋入電路3，而天線饋入模組主要包含載板2與饋入電路3。金屬殼體1開設有一槽孔10，槽孔10包括一開口端101與一閉口端102。載板2設置在金屬殼體1上，而饋入電路3設置在載板2中。需說明的是，電子裝置D在殼體的結構設計上一般包括一上殼體以及一下殼體，上殼體可為筆記型電腦的C件，下殼體可為筆記型電腦的D件，而在本發明中開設有槽孔10的金屬殼體1是用以表示下殼體。舉例來說，槽孔10可以是沿著下殼體的側邊及底部形成並且呈一L型形狀，但本發明並不對槽孔10的形狀加以限制。另外，須說明的是，本發明亦不對載板2的材料加以限制。
參閱圖4與圖5所示，圖5為本發明的電子裝置的金屬殼體的槽孔與天線饋入模組的示意圖。圖4與圖5是以金屬殼體的槽孔與天線饋入模組在X-Y平面的投影作為示例說明。金屬殼體1上開設有一槽孔10，槽孔10包括一開口端101與一閉口端102。耦合部323與金屬殼體1之間具有一耦合間隙，且耦合間隙的寬度H小於0.5倍的槽孔寬度T。較佳者，耦合間隙的寬度H小於1mm。饋入電路3包括一饋入件31與一輻射件32，且輻射件32在金屬殼體1上的垂直投影與槽孔10至少部分重疊或完全重疊。輻射件32包括一輻射支路321、一饋入部322及一耦合部323。輻射支路321位於耦合部323與饋入部322之間。輻射支路321、饋入部322及耦合部323三者相接一於連接處。輻射支路321相對於該連接處沿著負X軸方向延伸且其延伸方向朝向閉口端102。饋入部322耦接於饋入件31。耦合部323、輻射支路321及饋入部322形成一T型形狀。另外，舉例來說，饋入件31可為一同軸電纜線(Coaxial cable)，輻射件32可為一金屬片、一微帶線、一金屬導線或者是其他具有導電效果的導電體，然本發明不以此為限。
參閱圖6所示，圖6為本發明的電子裝置第一實施例的第一共振路徑、第二共振路徑、第三共振路徑及第四共振路徑的示意圖。圖6是以金屬殼體的槽孔與天線饋入模組在X-Y平面的投影作為示例說明。饋入件31通過耦接饋入部322而饋電至輻射件32，使輻射件32激發金屬殼體1，使金屬殼體1在槽孔10的周邊區域形成天線輻射部，並產生具有多種不同頻率範圍的多種共振模態。舉例來說，饋入電路3用以激發金屬殼體1，使金屬殼體1及輻射件32產生具有一第一共振模態的一第一共振路徑P1；或者，饋入電路3用以激發金屬殼體1，使耦合部323與金屬殼體1之間相互耦合而產生一耦合式電容，並且該耦合式電容在耦合間隙形成一電氣路徑，並產生具有一第二共振模態的一第二共振路徑P2。此外，饋入電路3亦可激發金屬殼體1，使耦合部323與金屬殼體1之間相互耦合而產生一具有一第三共振模態的第三共振路徑P3與一具有一第四共振模態的第四共振路徑P4。值得一提的是，第一共振模態、第二共振模態、第三共振模態與第四共振模態彼此相異。
繼續參閱圖6所示，接著進一步具體描述第一共振路徑P1、第二共振路徑P2、第三共振路徑P3及第四共振路徑P4。在此之前，先行對槽孔10做進一步的界定，金屬殼體1在形成槽孔10的位置具有一第一槽孔壁11、一第二槽孔壁12、一第三槽孔壁13、一第四槽孔壁14以及一第五槽孔壁15。第一槽孔壁11平行於第五槽孔壁15，第二槽孔壁12垂直於第一槽孔壁11並且平行於第四槽孔壁14，第三槽孔壁13平行於第一槽孔壁11並且連接於第二槽孔壁12與第四槽孔壁14之間。圖6示出了第一共振路徑P1的路徑，第一共振路徑P1包含了一第一區段、一第二區段、一第三區段及一第四區段，其中，第一區段為饋入件31在金屬殼體1上的垂直投影位置311至第三槽孔壁13的水平線段，第二區段為與第三槽孔壁13的長度相同的垂直線段，第三區段為耦合部323耦合於金屬殼體1之間的一耦合點323P至第三槽孔壁13的水平線段，第四區段為耦合點323P至第五槽孔壁15的水平線段。第一共振路徑P1不會經過輻射件32。值得一提的是，第一共振路徑P1的路徑長度約為2400MHz的0.25倍波長，且第一共振路徑P1所貢獻的第一共振模態涵蓋一頻率範圍介於2400MHz至2484MHz之間的第一操作頻帶。
繼續參閱圖6所示，第二共振路徑P2包含了上述的第一區段、第二區段、第三區段，以及耦合點323P至金屬殼體1上的垂直投影位置311的垂直線段。第三共振路徑P3包括耦合點323P至饋入件31在金屬殼體1上的垂直投影位置311之間的垂直線段以及上述的第四區段。第四共振路徑P4包含饋入件31在金屬殼體1上的垂直投影位置311至輻射支路321的垂直線段，以及輻射支路321本身。第二共振路徑P2、第三共振路徑P3及第四共振路徑P4所貢獻的第二共振模態、第三共振模態及第四共振模態涵蓋了一頻率範圍介於5150MHz至7125MHz之間的第二操作頻帶。
由上述可知，第一共振路徑P1與第二共振路徑P2、第三共振路徑P3及第四共振路徑P4之間的差異在於，當天線操作頻率低於2500MHz時，耦合部323與金屬殼體1之間不會耦合，因此耦合部323與金屬殼體1之間等同於開路狀態，而饋入電路3激發金屬殼體1產生第一共振路徑P1；當天線操作頻率高於5000MHz時，耦合部323與金屬殼體1之間相互耦合而形成一電氣路徑，因此耦合部323與金屬殼體1之間等同為短路狀態，饋入電路3激發金屬殼體1產生第二共振路徑P2、第三共振路徑P3及第四共振路徑P4。
舉例來說，第二共振模態的中心頻率為5150MHz，第三共振模態的中心頻率為6200MHz，第四共振模態的中心頻率為6800MHz。因此，第二共振路徑P2的路徑長度約為5150MHz的0.5倍波長，第三共振路徑P3的路徑長度約為6200MHz的0.25倍波長，第四共振路徑P4的路徑長度約為6800MHz的0.25倍波長，但本發明不以此為限。也就是說，第二共振路徑P2、第二共振路徑P3及第四共振路徑P4會因為路徑長度的改變而調整各自對應的中心頻率及頻率範圍。
承上述，再次參閱圖4及圖5所示，槽孔10依據其延伸方向定義出一第一軸線L1與一第二軸線L2，第一軸線L1平行於槽孔10朝向開口端101延伸的延伸方向，第二軸線L2平行於槽孔10朝向閉口端102延伸的延伸方向，第一軸線L1與第二軸線L2相交於一交會點A，且閉口端102與交會點A之間的距離小於或等於第一操作頻帶(2400MHz至2484MHz)中的最低操作頻率所對應的0.25倍波長。藉此，本發明所設計出的槽孔天線結構，其槽孔10的尺寸相較於現有技術中的槽孔尺寸能夠縮小許多。舉例來說，一般的槽孔天線結構的槽孔長度為45mm左右，而本發明所設計的槽孔天線結構的槽孔10長度能夠縮小至10至13mm左右。
此外，如圖5所示，在本實施例中，輻射支路321在金屬殼體1上的垂直投影定義出一中心線L3，中心線L3與第四槽孔壁14之間具有一第一預定距離H1，中心線L3與第二槽孔壁12之間具有一第二預定距離H2，且第一預定距離H1小於第二預定距離H2。此外，饋入件31在金屬殼體1上的垂直投影位置311與第三槽孔壁13之間具有一第三預定距離H3，饋入件31在金屬殼體1上的垂直投影位置311與第五槽孔壁15之間具有一第四預定距離H4，且第三預定距離H3大於第四預定距離H4。藉此，本發明通過調整天線饋入模組中的輻射件32在槽孔10中的相對位置，以改變第一共振路徑P1、第二共振路徑P2、第二共振路徑P3及第四共振路徑P4的路徑長度，來調整第一共振模態21、第二共振模態22、第三共振模態23、第四共振模態24各自對應的中心頻率及頻率範圍，滿足不同的寬頻需求。
另外，值得一提的是，在本發明中，輻射支路321延伸方向是朝向閉口端102，藉以調降整體天線結構的輻射功率，以避免電磁波能量比吸收率(Specific Absorption Rate，SAR)值過高，但本發明不限於此。在其他實施例中，輻射支路321延伸方向也可以遠離閉口端102，也就是朝向開口端101，藉以提高整體天線結構的增益(Gain)及輻射效率。
[第二實施例]
參閱圖7與圖8所示，圖7為本發明的電子裝置第二實施例的第一共振路徑、第二共振路徑、第三共振路徑及第四共振路徑的示意圖，其是以金屬殼體的槽孔與天線饋入模組在X-Y平面的投影作為示例說明。圖8為本發明的電子裝置第二實施例的輻射件、電容元件與連接件的示意圖。由圖7與圖6的比較可知第二實施例與第一實施例之間的差別在於天線結構的架構。另外，須說明的是，第二實施例所提供的電子裝置D的其他結構與第一實施例相仿，在此不再贅述。
承上述，在本實施例中，金屬殼體1開設有一槽孔10，槽孔10包括一開口端101與一閉口端102。饋入電路包括一饋入件31、一輻射件32、一電容元件33及一連接件34，而電容元件33與連接件34共同組成一開關元件S。在本發明中，電容元件33的電容值小於或等於0.4 pF。另外，舉例來說，電容元件33可例如但不限於為一SMT電容，連接件34可例如但不限於為一彈簧式探針(pogo pin)。由圖8可知，在本實施例中，電容元件33耦接在連接件34與輻射支路321之間，且連接件34的一端耦接於電容元件33，連接件34的另一端接觸金屬殼體1。
承上述，饋入件31通過耦接饋入部322而饋電至輻射件32，使輻射件32激發金屬殼體1，使金屬殼體1在槽孔10的周邊區域形成天線輻射部，並產生具有多種不同頻率範圍的多種共振模態。
繼續參閱圖7所示，比較圖7與圖6可知，第二實施例中的第一共振路徑P1、第二共振路徑P2、第三共振路徑P3及第四共振路徑P4在路徑組成與第一實施例基本上相同，僅有在第三區段與第四區段的路徑界定上略有不同。具體來說，在本實施例中，第一共振路徑P1包含一第一區段、一第二區段、一第三區段及一第四區段，其中第一區段與第二區段的路徑界定與第一實施例相同，在此不再贅述，而第三區段為連接件34接觸於金屬殼體1的一接觸點341至第三槽孔壁13的水平線段，第四區段為接觸點341至第五槽孔壁15的水平線段。
承上述，第二共振路徑P2包含了上述的第一區段、第二區段、第三區段，以及接觸點341至饋入件31在金屬殼體1上的垂直投影位置311的垂直線段，第三共振路徑P3包括接觸點341至饋入件31在金屬殼體1上的垂直投影位置311之間的垂直線段以及上述的第四區段。第四共振路徑P4包含饋入件31在金屬殼體1上的垂直投影位置311至輻射支路321的垂直線段，以及輻射支路321本身。
由上述可知，第一共振路徑P1與第二共振路徑P2、第三共振路徑P3及第四共振路徑P4之間的差異在於，當天線操作頻率低於2500MHz時，電容元件33為開路狀態，饋入電路3激發金屬殼體1產生第一共振路徑P1；當天線操作頻率高於5000MHz時，電容元件33等同於短路狀態，饋入電路3激發金屬殼體1產生第二共振路徑P2、第三共振路徑P3及第四共振路徑P4，且其中，第二共振路徑P2及第二共振路徑P3均包含連接件34與電容元件33。
[第三實施例]
參閱圖9所示，圖9為本發明的電子裝置第三實施例的第一共振路徑、第二共振路徑、第三共振路徑及第四共振路徑的示意圖，其是以金屬殼體的槽孔與天線饋入模組在X-Y平面的投影作為示例說明。由圖9與圖7的比較可知第三實施例與第二實施例之間的差別在於天線結構的架構，更確切來說，差別是在於饋入電路3的結構不同。也就是說，本發明所提供的電子裝置D可以具有不同的天線結構的形式。另外，須說明的是，第三實施例所提供的電子裝置D的其他結構與前述第一及第二實施例相仿，在此不再贅述。
承上述，在本實施例中，電容元件33電性連接於輻射件32，而連接件34耦接於輻射件32與金屬殼體1之間。更進一步來說，由圖15至圖18可知，在本實施例中，電容元件33耦接於饋入件31與饋入部322之間，而連接件34的一端耦接於輻射支路321，連接件34的另一端接觸金屬殼體1。
繼續參閱圖9所示，比較圖9與圖7可知，第三實施例與第二實施例相比，第二共振路徑P2、第三共振路徑P3及第四共振路徑P4的路徑相同，僅有第一共振路徑P1的組成不同。具體來說，在本實施例中，第一共振路徑P1包含了一第一區段、一第二區段、一第三區段、連接件34接觸於金屬殼體1的一接觸點341至輻射支路321的垂直線段以及輻射支路321，其中，第一區段、第二區段、第三區段的路徑界定與第二實施例相同，不再贅述。
值得一提的是，繼續比較圖9與圖7可知，第二實施例中的電容元件33是耦接在連接件34與輻射支路321之間(見圖7)，而本實施例中的電容元件33則是耦接於饋入件31與饋入部322之間(見圖9)，也就是說第二實施例與本實施例中的電容元件33在饋入電路3的位置不同，因此，造成了第二實施例的第一共振路徑P1與本實施例的第一共振路徑P1亦有所不同。簡要地說，第二實施例的第一共振路徑P1是延伸至第五槽孔壁15，而本實施例的第一共振路徑P1則是延伸到輻射支路的一開路端3211。當第一共振路徑P1延伸至第五槽孔壁15時能夠提高天線結構所產生的第一共振模態所涵蓋的2400MHz至2484MHz之間的第一操作頻帶的天線增益(Gain)及輻射效率；而當第一共振路徑P1則是延伸到輻射支路的一開路端3211，能夠調降整體天線結構的輻射功率，以避免SAR值過高。
參閱圖10所示，圖10為本發明的天線結構的效能示意圖，虛線表示的曲線表示設置在電子裝置中的主天線(Main antenna)。由圖10可知，藉由本發明的天線結構設計，能夠使得第一共振模態的頻率範圍(2400MHz至2484MHz)以及第二共振模態、第三共振模態及第四共振模態共同涵蓋的頻率範圍(5150MHz至7125MHz)滿足使用者需求。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的電子裝置與天線饋入模組，其能通過“饋入電路3用以激發金屬殼體1，使耦合部323與金屬殼體1之間相互耦合而形成一電氣路徑”以及“電容元件33電性連接於輻射件32，連接件34耦接於輻射件32與金屬殼體1之間”的技術方案，以利用耦合式電容或是實體的電容元件在低頻/高頻的特性不同，使金屬殼體1的槽孔10可重組出不同長度的共振路徑來滿足低頻/高頻頻帶的寬頻操作需求。
進一步來說，本發明藉由槽孔10的設計(閉口端102與交會點A之間的距離小於或等於第一共振模態所涵蓋的第一操作頻帶中的最低操作頻率所對應的0.25倍波長，見圖4)，使得本發明所設計出的槽孔10的尺寸相較於現有技術中的槽孔尺寸能夠縮小許多。
更進一步來說，本發明通過調整天線饋入模組中的輻射件32在槽孔10中的相對位置(第一預定距離H1、第二預定距離H2、第三預定距離H3及第四預定距離H4)，以改變第一共振路徑P1、第二共振路徑P2、第二共振路徑P3及第四共振路徑P4的路徑長度，來調整第一共振模態21、第二共振模態22、第三共振模態23、第四共振模態24各自對應的中心頻率及頻率範圍，滿足不同的寬頻需求。此外，本發明亦可通過調整輻射支路321的延伸方向，來提高整體天線結構的增益(Gain)及輻射效率，或是避免SAR值過高。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
D:電子裝置 1:金屬殼體 10:槽孔 101:開口端 102:閉口端 11:第一槽孔壁 12:第二槽孔壁 13:第三槽孔壁 14:第四槽孔壁 15:第五槽孔壁 2:載板 3:饋入電路 31:饋入件 311:垂直投影位置 32:輻射件 321:輻射支路 3211:開路端 322:饋入部 323:耦合部 323P:耦合點 33:電容元件 34:連接件 341:接觸點 H:耦合間隙的寬度 T:槽孔的寬度 P1:第一共振路徑 P2:第二共振路徑 P3:第三共振路徑 P4:第四共振路徑 A:交會點 L1:第一軸線 L2:第二軸線 L3:中心線 H1:第一預定距離 H2:第二預定距離 H3:第三預定距離 H4:第四預定距離 S:開關元件
圖1為本發明的電子裝置的立體示意圖。
圖2為本發明的電子裝置的局部示意圖。
圖3為本發明的電子裝置的金屬殼體與天線饋入模組的立體示意圖。
圖4為本發明的電子裝置的金屬殼體的槽孔示意圖。
圖5為本發明的電子裝置的金屬殼體的槽孔與天線饋入模組的示意圖。
圖6為本發明的電子裝置第一實施例的第一共振路徑、第二共振路徑、第三共振路徑及第四共振路徑的示意圖。
圖7為本發明的電子裝置第二實施例的第一共振路徑、第二共振路徑、第三共振路徑及第四共振路徑的示意圖。
圖8為本發明的電子裝置第二實施例的輻射件、電容元件與連接件的示意圖。
圖9為本發明的電子裝置第三實施例的第一共振路徑、第二共振路徑、第三共振路徑及第四共振路徑的示意圖。
圖10為本發明的電子裝置的天線結構的效能示意圖。
1:金屬殼體
10:槽孔
2:載板
3:饋入電路
31:輻射件
32:饋入件

Claims (21)

  1. 一種電子裝置，其包括： 一金屬殼體，開設有一槽孔，該槽孔包括一開口端與一閉口端； 一載板，設置在該金屬殼體上；以及 一饋入電路，設置在該載板中，該饋入電路包括一饋入件與一輻射件，該輻射件在該金屬殼體上的垂直投影與該槽孔至少部分重疊，該輻射件包括一耦合部、一輻射支路及一饋入部，該輻射支路位於該耦合部與該饋入部之間，該饋入部耦接於該饋入件，該耦合部與該金屬殼體之間具有一耦合間隙，且該耦合間隙的寬度小於0.5倍的該槽孔寬度； 其中，該饋入電路用以激發該金屬殼體，使該金屬殼體及該輻射件產生具有一第一共振模態的一第一共振路徑； 其中，該饋入電路用以激發該金屬殼體，使該耦合部與該金屬殼體之間相互耦合而形成一電氣路徑，並產生具有一第二共振模態的一第二共振路徑，且該第一共振模態與該第二共振模態相異。
  2. 如請求項1所述的電子裝置，其中，該槽孔依據其延伸方向定義出一第一軸線與一第二軸線，該第一軸線平行於該槽孔朝向該開口端延伸的延伸方向，該第二軸線平行於該槽孔朝向該閉口端延伸的延伸方向，該第一軸線與該第二軸線相交於一交會點，且該閉口端與該交會點之間的距離小於或等於該第一操作頻帶中的最低操作頻率所對應的0.25倍波長。
  3. 如請求項1所述的電子裝置，其中，該輻射支路的延伸方向朝向該閉口端。
  4. 如請求項1所述的電子裝置，其中，該輻射支路的延伸方向遠離該閉口端。
  5. 如請求項1所述的電子裝置，其中，該金屬殼體在形成該槽孔的位置具有一第一槽孔壁、一第二槽孔壁、一第三槽孔壁、一第四槽孔壁以及一第五槽孔壁，該第一槽孔壁平行於該第五槽孔壁，該第二槽孔壁平行於該第四槽孔壁，該第三槽孔壁連接於該第二槽孔壁與該第四槽孔壁之間，該輻射支路在該金屬殼體上的垂直投影定義出一中心線，該中心線與該第四槽孔壁之間具有一第一預定距離，該中心線與該第二槽孔壁之間具有一第二預定距離，且該第一預定距離小於該第二預定距離。
  6. 如請求項5所述的電子裝置，其中，該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置與該第三槽孔壁之間具有一第三預定距離，該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置與該第五槽孔壁之間具有一第四預定距離，且該第三預定距離大於該第四預定距離。
  7. 如請求項5所述的電子裝置， 其中，該金屬殼體還包括一第一區段、一第二區段、一第三區段及一第四區段，該第一區段為該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置至該第三槽孔壁的水平線段，該第二區段為與該第三槽孔壁的長度相同的垂直線段，該第三區段為該耦合部耦合於該金屬殼體之間的一耦合點至該第三槽孔壁的水平線段，該第四區段為該耦合點至該第五槽孔壁的水平線段； 其中，該第一共振路徑包括該第一區段、該第二區段、該第三區段及該第四區段；其中，該第二共振路徑包括該第一區段、該第二區段、該第三區段以及該耦合點至該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置的垂直線段； 其中，該饋入電路用以激發該金屬殼體，使該耦合部與該金屬殼體之間相互耦合，以進一步產生一具有一第三共振模態的第三共振路徑與一具有一第四共振模態的第四共振路徑，該第三共振路徑包括該耦合點至該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置之間的垂直線段以及該第四區段，該第四共振路徑包括該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置至該輻射支路的垂直線段以及該輻射支路。
  8. 一種天線饋入模組，設置在具有一槽孔的一金屬殼體中 ，該天線饋入模組包括: 一載板，設置在該金屬殼體中；以及 一輻射件，設置在該載板上，該輻射件在該金屬殼體上的垂直投影與該槽孔至少部分重疊，該輻射件包括一耦合部、一輻射支路及一饋入部，該輻射支路位於該耦合部與該饋入部之間，該饋入部用以耦接於一饋入件，該耦合部與該金屬殼體之間具有一耦合間隙，該耦合間隙小於0.5倍的該槽孔寬度。
  9. 一種電子裝置，其包括: 一金屬殼體，開設有一槽孔，該槽孔包括一開口端與一閉口端； 一載板，設置在該金屬殼體中；以及 一饋入電路，設置在該載板中，該饋入電路包括一饋入件、一輻射件、一電容元件及一連接件，該輻射件在該金屬殼體上的垂直投影與該槽孔至少部分重疊，該輻射件包括一輻射支路與一饋入部，該饋入部耦接於該饋入件，該電容元件電性連接於該輻射件，該連接件耦接於該輻射件與該金屬殼體之間； 其中，該饋入電路用以激發該金屬殼體，使該金屬殼體及該輻射件產生具有一第一共振模態的一第一共振路徑，或者產生具有一第二共振模態的一第二共振路徑，且該第一共振模態與該第二共振模態相異。
  10. 如請求項9所述的電子裝置，其中，該電容元件耦接於該饋入件與該饋入部之間，該連接件的一端耦接於該輻射支路，該連接件的另一端接觸該金屬殼體。
  11. 如請求項10所述的電子裝置， 其中，該金屬殼體在形成該槽孔的位置具有一第一槽孔壁、一第二槽孔壁、一第三槽孔壁、一第四槽孔壁以及一第五槽孔壁，該第一槽孔壁平行於該第五槽孔壁，該第二槽孔壁平行於該第四槽孔壁，該第三槽孔壁連接於該第二槽孔壁與該第四槽孔壁之間； 其中，該金屬殼體還包括一第一區段、一第二區段、一第三區段及一第四區段，該第一區段為該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置至該第三槽孔壁的水平線段，該第二區段為與該第三槽孔壁的長度相同的垂直線段，該第三區段為該連接件接觸於該金屬殼體的一接觸點至該第三槽孔壁的水平線段，該第四區段為該耦合點至該第五槽孔壁的水平線段； 其中，該第一共振路徑包括該第一區段、該第二區段、該第三區段、該接觸點至該輻射支路的垂直線段以及該輻射支路；其中，該第二共振路徑包括該第一區段、該第二區段、該第三區段以及該接觸點至該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置的垂直線段； 其中，該饋入電路用以激發該金屬殼體，以進一步產生具有一第三共振模態的一第三共振路徑與具有一第四共振模態的一第四共振路徑，該第三共振路徑包括該接觸點至該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置的垂直線段以及該第四區段，該第四共振路徑包括該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置至該輻射支路的垂直線段以及該輻射支路。
  12. 如請求項9所述的電子裝置，其中，該電容元件耦接在該連接件與該輻射支路之間，該連接件的一端耦接於該電容元件，該連接件的另一端接觸該金屬殼體。
  13. 如請求項12所述的電子裝置， 其中，該金屬殼體在形成該槽孔的位置具有一第一槽孔壁、一第二槽孔壁、一第三槽孔壁、一第四槽孔壁以及一第五槽孔壁，該第一槽孔壁平行於該第五槽孔壁，該第二槽孔壁平行於該第四槽孔壁，該第三槽孔壁連接於該第二槽孔壁與該第四槽孔壁之間； 其中，該金屬殼體還包括一第一區段、一第二區段、一第三區段及一第四區段，該第一區段為該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置至該第三槽孔壁的水平線段，該第二區段為與該第三槽孔壁的長度相同的垂直線段，該第三區段為該連接件接觸於該金屬殼體的一接觸點至該第三槽孔壁的水平線段，該第四區段為該接觸點至該第五槽孔壁的水平線段； 其中，該第一共振路徑包括該第一區段、該第二區段、該第三區段及該第四區段；其中，該第二共振路徑包括該第一區段、該第二區段、該第三區段以及該接觸點至該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置的垂直線段； 其中，該饋入電路用以激發該金屬殼體，以進一步產生具有一第三共振模態的一第三共振路徑與具有一第四共振模態的一第四共振路徑，該第三共振路徑包括該接觸點至該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置之間的垂直線段以及該第四區段，該第四共振路徑包括該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置至該輻射支路的垂直線段以及該輻射支路。
  14. 如請求項9所述的電子裝置，其中，該電容元件的電容值小於或等於0.4 pF。
  15. 如請求項9所述的電子裝置，其中，該槽孔依據其延伸方向定義出一第一軸線與一第二軸線，該第一軸線平行於該槽孔朝向該開口端延伸的延伸方向，該第二軸線平行於該槽孔朝向該閉口端延伸的延伸方向，該第一軸線與該第二軸線相交於一交會點，且該閉口端與該交會點之間的距離小於或等於該第一操作頻帶中的最低操作頻率所對應的0.25倍波長。
  16. 如請求項9所述的電子裝置，其中，該金屬殼體在形成該槽孔的位置具有一第一槽孔壁、一第二槽孔壁、一第三槽孔壁、一第四槽孔壁以及一第五槽孔壁，該第一槽孔壁平行於該第五槽孔壁，該第二槽孔壁平行於該第四槽孔壁，該第三槽孔壁連接於該第二槽孔壁與該第四槽孔壁之間，該輻射支路在該金屬殼體上的垂直投影定義出一中心線，該中心線與該第四槽孔壁之間具有一第一預定距離，該中心線與該第二槽孔壁之間具有一第二預定距離，且該第一預定距離小於該第二預定距離。
  17. 如請求項16所述的電子裝置，其中，該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置與該第三槽孔壁之間具有一第三預定距離，該饋入件在該金屬殼體上的垂直投影位置與該第五槽孔壁之間具有一第四預定距離，且該第三預定距離大於該第四預定距離。
  18. 一種天線饋入模組，設置在具有一槽孔的一金屬殼體中，該天線饋入模組包括: 一載板，設置在該金屬殼體上； 一輻射件，設置在該載板上，該輻射件在該金屬殼體上的垂直投影與該槽孔至少部分重疊，該輻射件包括一輻射支路與一饋入部，該饋入部用以耦接於一饋入件； 一電容元件，電性連接於該輻射件；以及 一連接件，耦接於該輻射件與該金屬殼體之間。
  19. 如請求項18所述的天線饋入模組，其中，該電容元件耦接於該饋入件與該饋入部之間，該連接件的一端耦接於該輻射支路，該連接件的另一端接觸該金屬殼體。
  20. 如請求項18所述的天線饋入模組，其中，該電容元件耦接在該連接件與該輻射支路之間，該連接件的一端耦接於該電容元件，該連接件的另一端接觸該金屬殼體。
  21. 如請求項18所述的天線饋入模組，其中，該電容元件的電容值小於或等於0.4 pF。
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