CN115207632A - 电子装置与天线馈入模块 - Google Patents

Abstract

一种电子装置与天线馈入模块。电子装置包括金属壳体、载板以及馈入电路；金属壳体开设具有开口端与闭口端的槽孔；载板设置在金属壳体上；馈入电路设置在载板中，且包括馈入件与辐射件；辐射件包括耦合部、辐射支路以及馈入部，馈入部耦接于馈入件，耦合部与金属壳体之间具有耦合间隙，且耦合间隙的宽度小于0.5倍的槽孔宽度；馈入电路用以激发金属壳体，金属壳体及辐射件产生具有第一共振模态的第一共振路径；馈入电路用以激发金属壳体，耦合部与金属壳体之间相互耦合并产生具有第二共振模态的第二共振路径；第一共振模态与第二共振模态相异。本发明所提供的电子装置与天线馈入模块可重组出不同长度的共振路径来满足低频/高频频带的宽带操作需求。

Description

电子装置与天线馈入模块

技术领域

本发明涉及一种电子装置与天线馈入模块，尤其涉及一种能够满足低频/高频频带的 宽带操作需求的电子装置与天线馈入模块。

背景技术

目前，便携式电子装置(例如，笔记本型计算机)在设计上日益精良，在产品外观上皆朝向轻薄外型且宽荧幕的设计。在此情况下，装配在产品内部的天线结构需设置在具有金属机壳的产品底座部分，因此天线性能容易受到影响。此外，在IEEE 802.11ax的标准 公布之后，现有电子装置中的天线结构的操作频带已经无法满足

6E的宽带需求。

故，如何通过结构设计的改良，来克服上述的缺陷，已成为该项领域所欲解决的重要 课题之一。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种电子装置与天线馈入 模块。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是提供一种电子装置，其 包括一金属壳体、一载板以及一馈入电路。金属壳体上开设有一槽孔，槽孔包括一开口端 与一闭口端。载板设置在金属壳体上。馈入电路设置在载板中，馈入电路包括一馈入件与 一辐射件，辐射件在金属壳体上的垂直投影与槽孔至少部分重叠，辐射件包括一耦合部、 一辐射支路以及一馈入部，辐射支路位于耦合部与馈入部之间，馈入部耦接于馈入件，耦 合部与金属壳体之间具有一耦合间隙，且耦合间隙的宽度小于0.5倍的槽孔宽度。馈入电 路用以激发金属壳体，使金属壳体及辐射件产生具有一第一共振模态的一第一共振路径。 馈入电路用以激发金属壳体，使耦合部与金属壳体之间相互耦合而形成一电气路径，并产 生具有一第二共振模态的一第二共振路径，且第一共振模态与第二共振模态相异。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是提供一种天线馈入模 块，其设置在具有一槽孔的一金属壳体中，天线馈入模块包括一载板以及一辐射件。载板 设置在金属壳体中。辐射件设置在载板上，辐射件在金属壳体上的垂直投影与槽孔至少部 分重叠，辐射件包括一耦合部、一辐射支路以及一馈入部，辐射支路位于耦合部与馈入部 之间，馈入部用以耦接于一馈入件，耦合部与金属壳体之间具有一耦合间隙，耦合间隙的 宽度小于0.5倍的槽孔宽度。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是提供一种电子装置，其 包括一金属壳体、一载板以及一馈入电路。金属壳体开设有一槽孔，槽孔包括一开口端与 一闭口端。载板设置在金属壳体中。馈入电路设置在载板中，馈入电路包括一馈入件、一 辐射件、一电容元件以及一连接件，辐射件在金属壳体上的垂直投影与槽孔至少部分重叠， 辐射件包括一辐射支路与一馈入部，馈入部耦接于馈入件，电容元件电性连接于辐射件， 连接件耦接于辐射件与金属壳体之间。馈入电路用以激发金属壳体，使金属壳体及辐射件 产生具有一第一共振模态的一第一共振路径，或者产生具有一第二共振模态的一第二共振 路径，且第一共振模态与第二共振模态相异。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是提供一种天线馈入模 块，其设置在具有一槽孔的一金属壳体中，天线馈入模块包括一载板、一辐射件、一电容 元件以及一连接件。载板设置在金属壳体上。辐射件设置在载板上，辐射件在金属壳体上 的垂直投影与槽孔至少部分重叠，辐射件包括一辐射支路与一馈入部，馈入部用以耦接于 一馈入件。电容元件电性连接于辐射件。连接件耦接于辐射件与金属壳体之间。

本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的电子装置与天线馈入模块，其能通过 “馈入电路用以激发金属壳体，使耦合部与金属壳体之间相互耦合而形成一电气路径”以 及“电容元件电性连接于辐射件，连接件耦接于辐射件与金属壳体之间”的技术方案，以 利用耦合电容或是实体的电容元件在低频/高频的特性不同，使金属壳体的槽孔可重组出 不同长度的共振路径来满足低频/高频频带的宽带操作需求。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与 附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明的电子装置的立体示意图。

图2为本发明的电子装置的局部示意图。

图3为本发明的电子装置的金属壳体与天线馈入模块的立体示意图。

图4为本发明的电子装置的金属壳体的槽孔示意图。

图5为本发明的电子装置的金属壳体的槽孔与天线馈入模块的示意图。

图6为本发明的电子装置第一实施例的第一共振路径、第二共振路径、第三共振路径 及第四共振路径的示意图。

图7为本发明的电子装置第二实施例的第一共振路径、第二共振路径、第三共振路径 及第四共振路径的示意图。

图8为本发明的电子装置第二实施例的辐射件、电容元件与连接件的示意图。

图9为本发明的电子装置第三实施例的第一共振路径、第二共振路径、第三共振路径 及第四共振路径的示意图。

图10为本发明的电子装置的天线结构的效能示意图。

主要组件符号说明：

D 电子装置

1 金属壳体

10 槽孔

101 开口端

102 闭口端

11 第一槽孔壁

12 第二槽孔壁

13 第三槽孔壁

14 第四槽孔壁

15 第五槽孔壁

2 载板

3 馈入电路

31 馈入件

32 辐射件

321 辐射支路

3211 开路端

322 馈入部

323 耦合部

33 电容元件

34 连接件

341 接触点

H 耦合间隙的宽度

T 槽孔的宽度

P1 第一共振路径

P2 第二共振路径

P3 第三共振路径

P4 第四共振路径

A 交会点

L1 第一轴线

L2 第二轴线

L3 中心线

H1 第一预定距离

H2 第二预定距离

H3 第三预定距离

H4 第四预定距离

S 开关元件

323P 耦合点

311 垂直投影位置

X、Y、Z 方向

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“电子装置与天线馈入模块” 的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发 明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观 点与应用，在不背离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单 示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明 的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。另外，应当可以理解 的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一元件与另一元件。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者更多个的组合。另外，本发明全文中的“连接(connect)”是两个元件之间有实体连接且为 直接连接或者是间接连接，且本发明全文中的“耦合(couple)”是两个元件之间彼此分 离且无实体连接，而是藉由一元件的电流所产生的电场能量(electric field energy)激发另一元件的电场能量。

[第一实施例]

参阅图1所示，本发明提供一种电子装置D，电子装置D可具有收发无线射频(RadioFrequency，RF)信号的功能。举例来说，电子装置D可为一智能型手机(Smart Phone)、 一平板计算机(Tablet Computer)或是一笔记本型计算机(Notebook Computer)，而本发 明将以电子装置D为笔记本型计算机作为举例说明，但本发明不以此为限。另外，举例来 说，电子装置D能产生一频率范围介于2400MHz至2500MHz之间与5150MHz至7125 MHz之间的操作频带，然而本发明亦不以此为限。

参阅图2、图3及图4所示，图2为本发明的电子装置的局部示意图，图3为本发明 的电子装置的金属壳体与天线馈入模块的立体示意图，图4为本发明的电子装置的金属壳 体的槽孔示意图。电子装置D包括金属壳体1、载板2以及馈入电路3，而天线馈入模块 主要包含载板2与馈入电路3。金属壳体1开设有一槽孔10，槽孔10包括一开口端101 与一闭口端102。载板2设置在金属壳体1上，而馈入电路3设置在载板2中。需说明的 是，电子装置D在壳体的结构设计上一般包括一上壳体以及一下壳体，上壳体可为笔记本 型计算机的C件，下壳体可为笔记本型计算机的D件，而在本发明中开设有槽孔10的金 属壳体1是用以表示下壳体。举例来说，槽孔10可以是沿着下壳体的侧边及底部形成并 且呈一L型形状，但本发明并不对槽孔10的形状加以限制。另外，须说明的是，本发明 亦不对载板2的材料加以限制。

参阅图4与图5所示，图5为本发明的电子装置的金属壳体的槽孔与天线馈入模块的 示意图。图4与图5是以金属壳体的槽孔与天线馈入模块在X-Y平面的投影作为示例说明。金属壳体1上开设有一槽孔10，槽孔10包括一开口端101与一闭口端102。耦合部 323与金属壳体1之间具有一耦合间隙，且耦合间隙的宽度H小于0.5倍的槽孔宽度T。 较佳者，耦合间隙的宽度H小于1mm。馈入电路3包括一馈入件31与一辐射件32，且 辐射件32在金属壳体1上的垂直投影与槽孔10至少部分重叠或完全重叠。辐射件32包 括一辐射支路321、一馈入部322及一耦合部323。辐射支路321位于耦合部323与馈入 部322之间。辐射支路321、馈入部322及耦合部323三者相接一于连接处。辐射支路321 相对于该连接处沿着负X轴方向延伸且其延伸方向朝向闭口端102。馈入部322耦接于馈 入件31。耦合部323、辐射支路321及馈入部322形成一T型形状。另外，举例来说，馈 入件31可为一同轴电缆线(Coaxialcable)，辐射件32可为一金属片、一微带天线、一 金属导线或者是其他具有导电效果的导电体，然本发明不以此为限。

参阅图6所示，图6为本发明的电子装置第一实施例的第一共振路径、第二共振路径、 第三共振路径及第四共振路径的示意图。图6是以金属壳体的槽孔与天线馈入模块在X-Y 平面的投影作为示例说明。馈入件31通过耦接馈入部322而馈电至辐射件32，使辐射件32激发金属壳体1，使金属壳体1在槽孔10的周边区域形成天线辐射部，并产生具有多 种不同频率范围的多种共振模态。举例来说，馈入电路3用以激发金属壳体1，使金属壳 体1及辐射件32产生具有一第一共振模态的一第一共振路径P1；或者，馈入电路3用以 激发金属壳体1，使耦合部323与金属壳体1之间相互耦合而产生一耦合式电容，并且该 耦合式电容在耦合间隙形成一电气路径，并产生具有一第二共振模态的一第二共振路径 P2。此外，馈入电路3亦可激发金属壳体1，使耦合部323与金属壳体1之间相互耦合而 产生一具有一第三共振模态的第三共振路径P3与一具有一第四共振模态的第四共振路径 P4。值得一提的是，第一共振模态、第二共振模态、第三共振模态与第四共振模态彼此相 异。

继续参阅图6所示，接着进一步具体描述第一共振路径P1、第二共振路径P2、第三共振路径P3及第四共振路径P4。在此之前，先行对槽孔10做进一步的界定，金属壳体1 在形成槽孔10的位置具有一第一槽孔壁11、一第二槽孔壁12、一第三槽孔壁13、一第 四槽孔壁14以及一第五槽孔壁15。第一槽孔壁11平行于第五槽孔壁15，第二槽孔壁12 垂直于第一槽孔壁11并且平行于第四槽孔壁14，第三槽孔壁13平行于第一槽孔壁11并 且连接于第二槽孔壁12与第四槽孔壁14之间。图6示出了第一共振路径P1的路径，第 一共振路径P1包含了一第一区段、一第二区段、一第三区段及一第四区段，其中，第一 区段为馈入件31在金属壳体1上的垂直投影位置311至第三槽孔壁13的水平线段，第二 区段为与第三槽孔壁13的长度相同的垂直线段，第三区段为耦合部323耦合于金属壳体 1之间的一耦合点323P至第三槽孔壁13的水平线段，第四区段为耦合点323P至第五槽 孔壁15的水平线段。第一共振路径P1不会经过辐射件32。值得一提的是，第一共振路 径P1的路径长度约为2400MHz的0.25倍波长，且第一共振路径P1所贡献的第一共振模 态涵盖一频率范围介于2400MHz至2484MHz之间的第一操作频带。

继续参阅图6所示，第二共振路径P2包含了上述的第一区段、第二区段、第三区段，以及耦合点323P至金属壳体1上的垂直投影位置311的垂直线段。第三共振路径P3包括 耦合点323P至馈入件31在金属壳体1上的垂直投影位置311之间的垂直线段以及上述的 第四区段。第四共振路径P4包含馈入件31在金属壳体1上的垂直投影位置311至辐射支 路321的垂直线段，以及辐射支路321本身。第二共振路径P2、第三共振路径P3及第四 共振路径P4所贡献的第二共振模态、第三共振模态及第四共振模态涵盖了一频率范围介 于5150MHz至7125MHz之间的第二操作频带。

由上述可知，第一共振路径P1与第二共振路径P2、第三共振路径P3及第四共振路径P4之间的差异在于，当天线操作频率低于2500MHz时，耦合部323与金属壳体1之 间不会耦合，因此耦合部323与金属壳体1之间等同于开路状态，而馈入电路3激发金属 壳体1产生第一共振路径P1；当天线操作频率高于5000MHz时，耦合部323与金属壳体 1之间相互耦合而形成一电气路径，因此耦合部323与金属壳体1之间等同为短路状态， 馈入电路3激发金属壳体1产生第二共振路径P2、第三共振路径P3及第四共振路径P4。

举例来说，第二共振模态的中心频率为5150MHz，第三共振模态的中心频率为6200MHz，第四共振模态的中心频率为6800MHz。因此，第二共振路径P2的路径长度约为 5150MHz的0.5倍波长，第三共振路径P3的路径长度约为6200MHz的0.25倍波长，第 四共振路径P4的路径长度约为6800MHz的0.25倍波长，但本发明不以此为限。也就是 说，第二共振路径P2、第二共振路径P3及第四共振路径P4会因为路径长度的改变而调 整各自对应的中心频率及频率范围。

承上述，再次参阅图4及图5所示，槽孔10依据其延伸方向定义出一第一轴线L1与一第二轴线L2，第一轴线L1平行于槽孔10朝向开口端101延伸的延伸方向，第二轴线 L2平行于槽孔10朝向闭口端102延伸的延伸方向，第一轴线L1与第二轴线L2相交于一 交会点A，且闭口端102与交会点A之间的距离小于或等于第一操作频带(2400MHz至 2484MHz)中的最低操作频率所对应的0.25倍波长。藉此，本发明所设计出的槽孔天线 结构，其槽孔10的尺寸相较于现有技术中的槽孔尺寸能够缩小许多。举例来说，一般的 槽孔天线结构的槽孔长度为45mm左右，而本发明所设计的槽孔天线结构的槽孔10长度 能够缩小至10mm至13mm左右。

此外，如图5所示，在本实施例中，辐射支路321在金属壳体1上的垂直投影定义出一中心线L3，中心线L3与第四槽孔壁14之间具有一第一预定距离H1，中心线L3与第 二槽孔壁12之间具有一第二预定距离H2，且第一预定距离H1小于第二预定距离H2。此 外，馈入件31在金属壳体1上的垂直投影位置311与第三槽孔壁13之间具有一第三预定 距离H3，馈入件31在金属壳体1上的垂直投影位置311与第五槽孔壁15之间具有一第 四预定距离H4，且第三预定距离H3大于第四预定距离H4。藉此，本发明通过调整天线 馈入模块中的辐射件32在槽孔10中的相对位置，以改变第一共振路径P1、第二共振路 径P2、第二共振路径P3及第四共振路径P4的路径长度，来调整第一共振模态、第二共 振模态、第三共振模态、第四共振模态各自对应的中心频率及频率范围，满足不同的宽带 需求。

另外，值得一提的是，在本发明中，辐射支路321延伸方向是朝向闭口端102，借以调降整体天线结构的辐射功率，以避免电磁波能量比吸收率(Specific Absorption Rate，SAR)值过高，但本发明不限于此。在其他实施例中，辐射支路321延伸方向也可以远离 闭口端102，也就是朝向开口端101，借以提高整体天线结构的增益(Gain)及辐射效率。

[第二实施例]

参阅图7与图8所示，图7为本发明的电子装置第二实施例的第一共振路径、第二共振路径、第三共振路径及第四共振路径的示意图，其是以金属壳体的槽孔与天线馈入模块在X-Y平面的投影作为示例说明。图8为本发明的电子装置第二实施例的辐射件、电容 元件与连接件的示意图。由图7与图6的比较可知第二实施例与第一实施例之间的差别在 于天线结构的架构。另外，须说明的是，第二实施例所提供的电子装置D的其他结构与第 一实施例相仿，在此不再赘述。

承上述，在本实施例中，金属壳体1开设有一槽孔10，槽孔10包括一开口端101与一闭口端102。馈入电路包括一馈入件31、一辐射件32、一电容元件33及一连接件34， 而电容元件33与连接件34共同组成一开关元件S。在本发明中，电容元件33的电容值 小于或等于0.4pF。另外，举例来说，电容元件33可例如但不限于为一SMT电容，连接 件34可例如但不限于为一弹簧式探针(pogo pin)。由图8可知，在本实施例中，电容元 件33耦接在连接件34与辐射支路321之间，且连接件34的一端耦接于电容元件33，连 接件34的另一端接触金属壳体1。

承上述，馈入件31通过耦接馈入部322而馈电至辐射件32，使辐射件32激发金属壳体1，使金属壳体1在槽孔10的周边区域形成天线辐射部，并产生具有多种不同频率 范围的多种共振模态。

继续参阅图7所示，比较图7与图6可知，第二实施例中的第一共振路径P1、第二 共振路径P2、第三共振路径P3及第四共振路径P4在路径组成与第一实施例基本上相同， 仅有在第三区段与第四区段的路径界定上略有不同。具体来说，在本实施例中，第一共振 路径P1包含一第一区段、一第二区段、一第三区段及一第四区段，其中第一区段与第二 区段的路径界定与第一实施例相同，在此不再赘述，而第三区段为连接件34接触于金属 壳体1的一接触点341至第三槽孔壁13的水平线段，第四区段为接触点341至第五槽孔 壁15的水平线段。

承上述，第二共振路径P2包含了上述的第一区段、第二区段、第三区段，以及接触点341至馈入件31在金属壳体1上的垂直投影位置311的垂直线段，第三共振路径P3包 括接触点341至馈入件31在金属壳体1上的垂直投影位置311之间的垂直线段以及上述 的第四区段。第四共振路径P4包含馈入件31在金属壳体1上的垂直投影位置311至辐射 支路321的垂直线段，以及辐射支路321本身。

由上述可知，第一共振路径P1与第二共振路径P2、第三共振路径P3及第四共振路径P4之间的差异在于，当天线操作频率低于2500MHz时，电容元件33为开路状态，馈 入电路3激发金属壳体1产生第一共振路径P1；当天线操作频率高于5000MHz时，电容 元件33等同于短路状态，馈入电路3激发金属壳体1产生第二共振路径P2、第三共振路 径P3及第四共振路径P4，且其中，第二共振路径P2及第二共振路径P3均包含连接件34 与电容元件33。

[第三实施例]

参阅图9所示，图9为本发明的电子装置第三实施例的第一共振路径、第二共振路径、 第三共振路径及第四共振路径的示意图，其是以金属壳体的槽孔与天线馈入模块在X-Y 平面的投影作为示例说明。由图9与图7的比较可知第三实施例与第二实施例之间的差别在于天线结构的架构，更确切来说，差别是在于馈入电路3的结构不同。也就是说，本发 明所提供的电子装置D可以具有不同的天线结构的形式。另外，须说明的是，第三实施例 所提供的电子装置D的其他结构与前述第一及第二实施例相仿，在此不再赘述。

承上述，在本实施例中，电容元件33电性连接于辐射件32，而连接件34耦接于辐射件32与金属壳体1之间。更进一步来说，在本实施例中，电容元件33耦接于馈入件 31与馈入部322之间，而连接件34的一端耦接于辐射支路321，连接件34的另一端接触 金属壳体1。

继续参阅图9所示，比较图9与图7可知，第三实施例与第二实施例相比，第二共振路径P2、第三共振路径P3及第四共振路径P4的路径相同，仅有第一共振路径P1的组成 不同。具体来说，在本实施例中，第一共振路径P1包含了一第一区段、一第二区段、一 第三区段、连接件34接触于金属壳体1的一接触点341至辐射支路321的垂直线段以及 辐射支路321，其中，第一区段、第二区段、第三区段的路径界定与第二实施例相同，不 再赘述。

值得一提的是，继续比较图9与图7可知，第二实施例中的电容元件33是耦接在连接件34与辐射支路321之间(见图7)，而本实施例中的电容元件33则是耦接于馈入件 31与馈入部322之间(见图9)，也就是说第二实施例与本实施例中的电容元件33在馈 入电路3的位置不同，因此，造成了第二实施例的第一共振路径P1与本实施例的第一共 振路径P1亦有所不同。简要地说，第二实施例的第一共振路径P1是延伸至第五槽孔壁 15，而本实施例的第一共振路径P1则是延伸到辐射支路的一开路端3211。当第一共振路 径P1延伸至第五槽孔壁15时能够提高天线结构所产生的第一共振模态所涵盖的2400 MHz至2484MHz之间的第一操作频带的天线增益(Gain)及辐射效率；而当第一共振路 径P1是延伸到辐射支路的一开路端3211，则能够调降整体天线结构的辐射功率，以避免 SAR值过高。

参阅图10所示，图10为本发明的天线结构的效能示意图，虚线表示的曲线表示设置 在电子装置中的主天线(Main antenna)。由图10可知，藉由本发明的天线结构设计，能够使得第一共振模态的频率范围(2400MHz至2484MHz)以及第二共振模态、第三共振 模态及第四共振模态共同涵盖的频率范围(5150MHz至7125MHz)满足使用者需求。

[实施例的有益效果]

本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的电子装置与天线馈入模块，其能通过 “馈入电路3用以激发金属壳体1，使耦合部323与金属壳体1之间相互耦合而形成一电气路径”以及“电容元件33电性连接于辐射件32，连接件34耦接于辐射件32与金属壳 体1之间”的技术方案，以利用耦合式电容或是实体的电容元件在低频/高频的特性不同， 使金属壳体1的槽孔10可重组出不同长度的共振路径来满足低频/高频频带的宽带操作需 求。

进一步来说，本发明藉由槽孔10的设计(闭口端102与交会点A之间的距离小于或等于第一共振模态所涵盖的第一操作频带中的最低操作频率所对应的0.25倍波长，见图4)，使得本发明所设计出的槽孔10的尺寸相较于现有技术中的槽孔尺寸能够缩小许多。

更进一步来说，本发明通过调整天线馈入模块中的辐射件32在槽孔10中的相对位置 (第一预定距离H1、第二预定距离H2、第三预定距离H3及第四预定距离H4)，以改变 第一共振路径P1、第二共振路径P2、第二共振路径P3及第四共振路径P4的路径长度， 来调整第一共振模态、第二共振模态、第三共振模态、第四共振模态各自对应的中心频率 及频率范围，满足不同的宽带需求。此外，本发明亦可通过调整辐射支路321的延伸方向， 来提高整体天线结构的增益(Gain)及辐射效率，或是避免SAR值过高。

以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书 的范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等同技术变化，均包含于本发明的 权利要求书的范围内。

Claims (21)

1.一种电子装置，该电子装置包括：

一金属壳体，该金属壳体开设有一槽孔，该槽孔包括一开口端与一闭口端；

一载板，该载板设置在该金属壳体上；以及

一馈入电路，该馈入电路设置在该载板中，该馈入电路包括一馈入件与一辐射件，该辐射件在该金属壳体上的垂直投影与该槽孔至少部分重叠，该辐射件包括一耦合部、一辐射支路以及一馈入部，该辐射支路位于该耦合部与该馈入部之间，该馈入部耦接于该馈入件，该耦合部与该金属壳体之间具有一耦合间隙，且该耦合间隙的宽度小于0.5倍的该槽孔宽度；

其中，该馈入电路用以激发该金属壳体，使该金属壳体及该辐射件产生具有一第一共振模态的一第一共振路径；

其中，该馈入电路用以激发该金属壳体，使该耦合部与该金属壳体之间相互耦合而形成一电气路径，并产生具有一第二共振模态的一第二共振路径，且该第一共振模态与该第二共振模态相异。

2.如权利要求1所述的电子装置，其中，该槽孔依据其延伸方向定义出一第一轴线与一第二轴线，该第一轴线平行于该槽孔朝向该开口端延伸的延伸方向，该第二轴线平行于该槽孔朝向该闭口端延伸的延伸方向，该第一轴线与该第二轴线相交于一交会点，且该闭口端与该交会点之间的距离小于或等于一第一操作频带中的最低操作频率所对应的0.25倍波长。

3.如权利要求1所述的电子装置，其中，该辐射支路的延伸方向朝向该闭口端。

4.如权利要求1所述的电子装置，其中，该辐射支路的延伸方向远离该闭口端。

5.如权利要求1所述的电子装置，其中，该金属壳体在形成该槽孔的位置具有一第一槽孔壁、一第二槽孔壁、一第三槽孔壁、一第四槽孔壁以及一第五槽孔壁，该第一槽孔壁平行于该第五槽孔壁，该第二槽孔壁平行于该第四槽孔壁，该第三槽孔壁连接于该第二槽孔壁与该第四槽孔壁之间，该辐射支路在该金属壳体上的垂直投影定义出一中心线，该中心线与该第四槽孔壁之间具有一第一预定距离，该中心线与该第二槽孔壁之间具有一第二预定距离，且该第一预定距离小于该第二预定距离。

6.如权利要求5所述的电子装置，其中，该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置与该第三槽孔壁之间具有一第三预定距离，该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置与该第五槽孔壁之间具有一第四预定距离，且该第三预定距离大于该第四预定距离。

7.如权利要求5所述的电子装置，其中，该金属壳体还包括一第一区段、一第二区段、一第三区段以及一第四区段，该第一区段为该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置至该第三槽孔壁的水平线段，该第二区段为与该第三槽孔壁的长度相同的垂直线段，该第三区段为该耦合部耦合于该金属壳体之间的一耦合点至该第三槽孔壁的水平线段，该第四区段为该耦合点至该第五槽孔壁的水平线段；

其中，该第一共振路径包括该第一区段、该第二区段、该第三区段以及该第四区段；其中，该第二共振路径包括该第一区段、该第二区段、该第三区段以及该耦合点至该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置的垂直线段；

其中，该馈入电路用以激发该金属壳体，使该耦合部与该金属壳体之间相互耦合，以进一步产生具有一第三共振模态的一第三共振路径与具有一第四共振模态的一第四共振路径，该第三共振路径包括该耦合点至该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置之间的垂直线段以及该第四区段，该第四共振路径包括该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置至该辐射支路的垂直线段以及该辐射支路。

8.一种天线馈入模块，该天线馈入模块设置在具有一槽孔的一金属壳体中，该天线馈入模块包括:

一载板，该载板设置在该金属壳体中；以及

一辐射件，该辐射件设置在该载板上，该辐射件在该金属壳体上的垂直投影与该槽孔至少部分重叠，该辐射件包括一耦合部、一辐射支路以及一馈入部，该辐射支路位于该耦合部与该馈入部之间，该馈入部用以耦接于一馈入件，该耦合部与该金属壳体之间具有一耦合间隙，该耦合间隙的宽度小于0.5倍的该槽孔宽度。

9.一种电子装置，该电子装置包括:

一金属壳体，该金属壳体开设有一槽孔，该槽孔包括一开口端与一闭口端；

一载板，该载板设置在该金属壳体中；以及

一馈入电路，该馈入电路设置在该载板中，该馈入电路包括一馈入件、一辐射件、一电容元件以及一连接件，该辐射件在该金属壳体上的垂直投影与该槽孔至少部分重叠，该辐射件包括一辐射支路与一馈入部，该馈入部耦接于该馈入件，该电容元件电性连接于该辐射件，该连接件耦接于该辐射件与该金属壳体之间；

其中，该馈入电路用以激发该金属壳体，使该金属壳体及该辐射件产生具有一第一共振模态的一第一共振路径，或者产生具有一第二共振模态的一第二共振路径，且该第一共振模态与该第二共振模态相异。

10.如权利要求9所述的电子装置，其中，该电容元件耦接于该馈入件与该馈入部之间，该连接件的一端耦接于该辐射支路，该连接件的另一端接触该金属壳体。

11.如权利要求10所述的电子装置，其中，该金属壳体在形成该槽孔的位置具有一第一槽孔壁、一第二槽孔壁、一第三槽孔壁、一第四槽孔壁以及一第五槽孔壁，该第一槽孔壁平行于该第五槽孔壁，该第二槽孔壁平行于该第四槽孔壁，该第三槽孔壁连接于该第二槽孔壁与该第四槽孔壁之间；

其中，该金属壳体还包括一第一区段、一第二区段、一第三区段以及一第四区段，该第一区段为该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置至该第三槽孔壁的水平线段，该第二区段为与该第三槽孔壁的长度相同的垂直线段，该第三区段为该连接件接触于该金属壳体的一接触点至该第三槽孔壁的水平线段，该第四区段为该接触点至该第五槽孔壁的水平线段；

其中，该第一共振路径包括该第一区段、该第二区段、该第三区段、该接触点至该辐射支路的垂直线段以及该辐射支路；其中，该第二共振路径包括该第一区段、该第二区段、该第三区段以及该接触点至该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置的垂直线段；

其中，该馈入电路用以激发该金属壳体，以进一步产生具有一第三共振模态的一第三共振路径与具有一第四共振模态的一第四共振路径，该第三共振路径包括该接触点至该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置之间的垂直线段以及该第四区段，该第四共振路径包括该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置至该辐射支路的垂直线段以及该辐射支路。

12.如权利要求9所述的电子装置，其中，该电容元件耦接在该连接件与该辐射支路之间，该连接件的一端耦接于该电容元件，该连接件的另一端接触该金属壳体。

13.如权利要求12所述的电子装置，

其中，该金属壳体在形成该槽孔的位置具有一第一槽孔壁、一第二槽孔壁、一第三槽孔壁、一第四槽孔壁以及一第五槽孔壁，该第一槽孔壁平行于该第五槽孔壁，该第二槽孔壁平行于该第四槽孔壁，该第三槽孔壁连接于该第二槽孔壁与该第四槽孔壁之间；

其中，该金属壳体还包括一第一区段、一第二区段、一第三区段以及一第四区段，该第一区段为该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置至该第三槽孔壁的水平线段，该第二区段为与该第三槽孔壁的长度相同的垂直线段，该第三区段为该连接件接触于该金属壳体的一接触点至该第三槽孔壁的水平线段，该第四区段为该接触点至该第五槽孔壁的水平线段；

其中，该第一共振路径包括该第一区段、该第二区段、该第三区段以及该第四区段；其中，该第二共振路径包括该第一区段、该第二区段、该第三区段以及该接触点至该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置的垂直线段；

其中，该馈入电路用以激发该金属壳体，以进一步产生具有一第三共振模态的一第三共振路径与具有一第四共振模态的一第四共振路径，该第三共振路径包括该接触点至该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置之间的垂直线段以及该第四区段，该第四共振路径包括该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置至该辐射支路的垂直线段以及该辐射支路。

14.如权利要求9所述的电子装置，其中，该电容元件的电容值小于或等于0.4pF。

15.如权利要求9所述的电子装置，其中，该槽孔依据其延伸方向定义出一第一轴线与一第二轴线，该第一轴线平行于该槽孔朝向该开口端延伸的延伸方向，该第二轴线平行于该槽孔朝向该闭口端延伸的延伸方向，该第一轴线与该第二轴线相交于一交会点，且该闭口端与该交会点之间的距离小于或等于一第一操作频带中的最低操作频率所对应的0.25倍波长。

16.如权利要求9所述的电子装置，其中，该金属壳体在形成该槽孔的位置具有一第一槽孔壁、一第二槽孔壁、一第三槽孔壁、一第四槽孔壁以及一第五槽孔壁，该第一槽孔壁平行于该第五槽孔壁，该第二槽孔壁平行于该第四槽孔壁，该第三槽孔壁连接于该第二槽孔壁与该第四槽孔壁之间，该辐射支路在该金属壳体上的垂直投影定义出一中心线，该中心线与该第四槽孔壁之间具有一第一预定距离，该中心线与该第二槽孔壁之间具有一第二预定距离，且该第一预定距离小于该第二预定距离。

17.如权利要求16所述的电子装置，其中，该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置与该第三槽孔壁之间具有一第三预定距离，该馈入件在该金属壳体上的垂直投影位置与该第五槽孔壁之间具有一第四预定距离，且该第三预定距离大于该第四预定距离。

18.一种天线馈入模块，该天线馈入模块设置在具有一槽孔的一金属壳体中，该天线馈入模块包括:

一载板，该载板设置在该金属壳体上；

一辐射件，该辐射件设置在该载板上，该辐射件在该金属壳体上的垂直投影与该槽孔至少部分重叠，该辐射件包括一辐射支路与一馈入部，该馈入部用以耦接于一馈入件；

一电容元件，该电容元件电性连接于该辐射件；以及

一连接件，该连接件耦接于该辐射件与该金属壳体之间。

19.如权利要求18所述的天线馈入模块，其中，该电容元件耦接于该馈入件与该馈入部之间，该连接件的一端耦接于该辐射支路，该连接件的另一端接触该金属壳体。

20.如权利要求18所述的天线馈入模块，其中，该电容元件耦接在该连接件与该辐射支路之间，该连接件的一端耦接于该电容元件，该连接件的另一端接触该金属壳体。

21.如权利要求18所述的天线馈入模块，其中，该电容元件的电容值小于或等于0.4pF。

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