TW202121747A - 天線結構 - Google Patents
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Abstract
一種天線結構,包括:一非導體支撐元件、一第一饋入輻射部、一第一接地輻射部、一第二饋入輻射部,以及一第二接地輻射部。第一饋入輻射部和第二饋入輻射部皆耦接至一信號源。第一饋入輻射部具有一第一槽孔。第二饋入輻射部具有一第二槽孔。第一接地輻射部和第二接地輻射部皆耦接至一接地電位。第一接地輻射部係鄰近於第一饋入輻射部。第二接地輻射部係鄰近於第二饋入輻射部。第一饋入輻射部、第一接地輻射部、第二饋入輻射部,以及第二接地輻射部皆設置於非導體支撐元件上。
Description
本發明係關於一種天線結構(Antenna Structure),特別係關於一種寬頻帶之天線結構。
隨著行動通訊技術的發達,行動裝置在近年日益普遍,常見的例如:手提式電腦、行動電話、多媒體播放器以及其他混合功能的攜帶型電子裝置。為了滿足人們的需求,行動裝置通常具有無線通訊的功能。有些涵蓋長距離的無線通訊範圍,例如:行動電話使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系統及其所使用700MHz、850 MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的頻帶進行通訊,而有些則涵蓋短距離的無線通訊範圍,例如:Wi-Fi、Bluetooth系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。
天線(Antenna)為無線通訊領域中不可缺少之元件。倘若用於接收或發射信號之天線其頻寬(Bandwidth)不足,則很容易造成行動裝置之通訊品質下降。因此,如何設計出小尺寸、寬頻帶之天線元件,對天線設計者而言是一項重要課題。
在較佳實施例中,本發明提出一種天線結構,包括:一第一饋入輻射部,耦接至一信號源,其中該第一饋入輻射部具有一第一槽孔;一第一接地輻射部,耦接至一接地電位,其中該第一接地輻射部係鄰近於該第一饋入輻射部;一第二饋入輻射部,耦接至該信號源,其中該第二饋入輻射部具有一第二槽孔;一第二接地輻射部,耦接至該接地電位,其中該第二接地輻射部係鄰近於該第二饋入輻射部;以及一非導體支撐元件,其中該第一饋入輻射部、該第一接地輻射部、該第二饋入輻射部,以及該第二接地輻射部皆設置於該非導體支撐元件上。
在一些實施例中,該非導體支撐元件為平面式之一介質基板。
在一些實施例中,該非導體支撐元件為立體式並具有大致互相垂直之一第一表面和一第二表面。
在一些實施例中,該第一饋入輻射部和該第一接地輻射部皆位於該非導體支撐元件之該第一表面上。
在一些實施例中,該第二饋入輻射部和該第二接地輻射部皆位於該非導體支撐元件之該第二表面上。
在一些實施例中,該第一饋入輻射部係呈現一倒L字形。
在一些實施例中,該第一饋入輻射部包括互相耦接之一第一較窄部份和一第一較寬部份。
在一些實施例中,該第一槽孔係形成於該第一饋入輻射部之該第一較寬部份之內。
在一些實施例中,該第一接地輻射部係呈現一J字形。
在一些實施例中,該第一槽孔係呈現一矩形。
在一些實施例中,該第二饋入輻射部係呈現一L字形。
在一些實施例中,該第二饋入輻射部包括互相耦接之一第二較窄部份和一第二較寬部份。
在一些實施例中,該第二槽孔係形成於該第二饋入輻射部之該第二較寬部份之內。
在一些實施例中,該第二接地輻射部係呈現一倒J字形。
在一些實施例中,該第二槽孔係呈現一矩形。
在一些實施例中,該天線結構涵蓋一第一頻帶和一第二頻帶,該第一頻帶係介於2400MHz至2500MHz之間,而該第二頻帶係介於5150MHz至5850MHz之間。
在一些實施例中,該第一饋入輻射部之長度係大致等於該第二頻帶之0.25倍波長。
在一些實施例中,該第一接地輻射部之長度係大致等於該第一頻帶之0.25倍波長。
在一些實施例中,該第二饋入輻射部之長度係大致等於該第二頻帶之0.25倍波長。
在一些實施例中,該第二接地輻射部之長度係大致等於該第一頻帶之0.25倍波長。
為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉出本發明之具體實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解,硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式,而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語,故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤差範圍內,本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題,達到所述基本之技術效果。此外,「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此,若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置,則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置,或經由其它裝置或連接手段而間接地電性連接至該第二裝置。
以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例,以簡化說明。當然,這些特定的範例並非用以限定。例如,若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方,即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例,亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間,而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外,以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號或(且)標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的,並非用以限定所討論的不同實施例或(且)結構之間有特定的關係。
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構(Antenna Structure)100之俯視圖。天線結構100可應用於一行動裝置(Mobile Device)當中,例如:一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer),或是一筆記型電腦(Notebook Computer)。在第1圖之實施例中,天線結構100包括一非導體支撐元件(Nonconductive Supporting Element)110、一第一饋入輻射部(Feeding Radiation Element)120、一第一接地輻射部(Grounding Radiation Element)130、一第二饋入輻射部140,以及一第二接地輻射部150,其中第一饋入輻射部120、第一接地輻射部130、第二饋入輻射部140,以及第二接地輻射部150皆可由金屬材質所製成,例如:銅、銀、鋁、鐵,或是其合金。在一些實施例中,非導體支撐元件110為平面式之一介質基板(Dielectric Substrate),例如:一FR4(Flame Retardant 4)基板、一印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB),或是一軟性電路板(Flexible Circuit Board,FCB)。第一饋入輻射部120、第一接地輻射部130、第二饋入輻射部140,以及第二接地輻射部150皆可設置於非導體支撐元件110之同一表面上。
第一饋入輻射部120可以大致呈現一倒L字形。詳細而言,第一饋入輻射部120具有一第一端121和一第二端122,其中第一饋入輻射部120之第一端121係耦接至一信號源(Signal Source)190,而第一饋入輻射部120之第二端122為一開路端(Open End)。例如,信號源190可以是一射頻(Radio Frequency,RF)模組,其可用於激發天線結構100。在一些實施例中,第一饋入輻射部120包括互相耦接之一第一較窄部份124和一第一較寬部份125,其中第一較窄部份124係鄰近於第一饋入輻射部120之第一端121,而第一較寬部份125係鄰近於第一饋入輻射部120之第二端122。必須注意的是,本說明書中所謂「鄰近」或「相鄰」一詞可指對應之二元件間距小於一既定距離(例如:5mm或更短),亦可包括對應之二元件彼此直接接觸之情況(亦即,前述間距縮短至0)。在第一饋入輻射部120中,第一較寬部份125係與第一較窄部份124大致互相垂直。另外,一第一槽孔(Slot)128係形成於第一饋入輻射部120之第一較寬部份125之內,其中第一槽孔128可以大致呈現一矩形或一直條形。第一槽孔128之加入可增加第一饋入輻射部120上之不同共振電流路徑。
第一接地輻射部130可以大致呈現一J字形。詳細而言,第一接地輻射部130具有一第一端131和一第二端132,其中第一接地輻射部130之第一端131係耦接至一接地電位(Ground Voltage)VSS,而第一接地輻射部130之第二端132為一開路端。例如,前述之接地電位VSS可由天線結構100之一系統接地面(System Ground Plane)所提供(未顯示)。第一接地輻射部130之第二端132和第一饋入輻射部120之第二端122可以大致朝相反方向作延伸。在一些實施例中,第一接地輻射部130界定出一第一缺口區域(Notch Region)138,而第一饋入輻射部120之第二端122係延伸進入此第一缺口區域138之內。另外,第一接地輻射部130之第二端132係鄰近於第一饋入輻射部120之第一較寬部份125,使得第一接地輻射部130和第一饋入輻射部120之間可形成一第一耦合間隙(Coupling Gap)GC1。
第二饋入輻射部140可以大致呈現一L字形。詳細而言,第二饋入輻射部140具有一第一端141和一第二端142,其中第二饋入輻射部140之第一端141係耦接至信號源190,而第二饋入輻射部140之第二端142為一開路端。在一些實施例中,第二饋入輻射部140包括互相耦接之一第二較窄部份144和一第二較寬部份145,其中第二較窄部份144係鄰近於第二饋入輻射部140之第一端141,而第二較寬部份145係鄰近於第二饋入輻射部140之第二端142。在第二饋入輻射部140中,第二較寬部份145係與第二較窄部份144大致互相垂直。另外,一第二槽孔148係形成於第二饋入輻射部140之第二較寬部份145之內,其中第二槽孔148可以大致呈現一矩形或一直條形。第二槽孔148之加入可增加第二饋入輻射部140上之不同共振電流路徑。
第二接地輻射部150可以大致呈現一倒J字形。詳細而言,第二接地輻射部150具有一第一端151和一第二端152,其中第二接地輻射部150之第一端151係耦接至接地電位VSS,而第二接地輻射部150之第二端152為一開路端。第二接地輻射部150之第二端152和第二饋入輻射部140之第二端142可以大致朝相反方向作延伸。第二接地輻射部150之第二端152和第一接地輻射部130之第二端132可以朝互相靠近之方向作延伸。在一些實施例中,第二接地輻射部150界定出一第二缺口區域158,而第二饋入輻射部140之第二端142係延伸進入此第二缺口區域158之內。另外,第二接地輻射部150之第二端152係鄰近於第二饋入輻射部140之第二較寬部份145,使得第二接地輻射部150和第二饋入輻射部140之間可形成一第二耦合間隙GC2。
整體而言,天線結構100可沿其中心線呈現一線對稱結構。例如,第二饋入輻射部140可為第一饋入輻射部120之對稱鏡像,而第二接地輻射部150可為第一接地輻射部130之對稱鏡像,但亦不僅限於此。
第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構100之返回損失(Return Loss)圖,其中橫軸代表操作頻率(MHz),而縱軸代表返回損失(dB)。根據第2圖之量測結果,天線結構100可涵蓋一第一頻帶(Frequency Band)FB1和一第二頻帶FB2,其中第一頻帶FB1可介於2400MHz至2500MHz之間,而第二頻帶FB2可介於5150MHz至5850MHz之間。因此,天線結構100將至少可支援WLAN(Wireless Local Area Networks) 2.4GHz/5GHz之寬頻操作。在另一些實施例中,第二頻帶FB2更包括介於5850MHz至7500MHz之另一頻率區間,使得天線結構100還可應用於新世代5G通訊系統之sub-6GHz寬頻操作。
在一些實施例中,天線結構100之操作原理可如下列所述。第一接地輻射部130可由第一饋入輻射部120所耦合激發,以產生前述之第一頻帶FB1,而第一饋入輻射部120自身可單獨激發,以產生前述之第二頻帶FB2。另外,第二接地輻射部150可由第二饋入輻射部140所耦合激發,以產生前述之第一頻帶FB1,而第二饋入輻射部140自身可單獨激發,以產生前述之第二頻帶FB2。根據實際量測結果,第一槽孔128和第二槽孔148之設計可用於微調第一頻帶FB1之阻抗匹配(Impedance Matching),從而可增加第一頻帶FB1之操作頻寬(Operation Bandwidth)。必須注意的是,由於第一饋入輻射部120和第二饋入輻射部140兩者共用單一信號源190,故天線結構100僅需要單一電纜線(Cable)即可實施,此可降低天線結構100之整體製造成本。
在一些實施例中,天線結構100之元件尺寸可如下列所述。第一饋入輻射部120之長度L1可以大致等於天線結構100之第二頻帶FB2之0.25倍波長(λ/4)。第一接地輻射部130之長度L2可以大致等於天線結構100之第一頻帶FB1之0.25倍波長(λ/4)。第一槽孔128之長度L3可以小於或等於第一較寬部份125之長度L7之一半。第一較寬部份125之寬度W1可介於3mm至4mm之間。第一較窄部份124之寬度W2可介於0.5mm至1mm之間。第一槽孔128之寬度W3可介於1mm至1.5mm之間。第一耦合間隙GC1之寬度可小於或等於2mm。第二饋入輻射部140之長度L4可以大致等於天線結構100之第二頻帶FB2之0.25倍波長(λ/4)。第二接地輻射部150之長度L5可以大致等於天線結構100之第一頻帶FB1之0.25倍波長(λ/4)。第二槽孔148之長度L6可以小於或等於第二較寬部份145之長度L8之一半。第二較寬部份145之寬度W4可介於3mm至4mm之間。第二較窄部份144之寬度W5可介於0.5mm至1mm之間。第二槽孔148之寬度W6可介於1mm至1.5mm之間。第二耦合間隙GC2之寬度可小於或等於2mm。第二接地輻射部150之第二端152和第一接地輻射部130之第二端132之間距D1可以介於9mm至10mm之間。第一饋入輻射部120和第二饋入輻射部140之間距可介於0.5mm至1mm之間。以上尺寸範圍係根據多次實驗結果而求出,其有助於最佳化天線結構100之操作頻寬和阻抗匹配。
第3圖係顯示根據本發明另一實施例所述之天線結構300之立體圖。第3圖和第1圖相似。在第3圖之實施例中,天線結構300之一非導體支撐元件310為立體式並具有大致互相垂直之一第一表面E1和一第二表面E2,其中第一饋入輻射部120和第一接地輻射部130皆位於非導體支撐元件310之第一表面E1上,而第二饋入輻射部140和第二接地輻射部150皆位於非導體支撐元件310之第二表面E2上。根據實際量測結果,此種設計不但能增加天線設計彈性,更有助於擴大天線結構300之輻射場型(Radiation Pattern)之波束寬度(Beam Width)。第3圖之天線結構300之其餘特徵皆與第1圖之天線結構100類似,故此二實施例均可達成相似之操作效果。
在本發明另一實施例中,因應於通訊產品轉角處並非為直角設計(例如,弧形設計)的情形,非導體支撐元件310之第一表面E1和一第二表面E2可以係彼此不共面且不互相垂直,而可符合於筆記型電腦轉角處的機構設計(例如,第一表面E1和一第二表面E2貼合於一弧形面),其中第一饋入輻射部120和第一接地輻射部130皆位於非導體支撐元件310之第一表面E1上,而第二饋入輻射部140和第二接地輻射部150皆位於非導體支撐元件310之第二表面E2上。
第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之筆記型電腦400之示意圖。在第4圖之實施例中,前述之天線結構300可應用於筆記型電腦400當中,其中筆記型電腦400包括一上蓋外殼(Upper Cover Housing)411、一顯示器邊框(Display Frame)412、一鍵盤邊框(Keyboard Frame)413,以及一底座外殼(Base Housing)414。必須理解的是,上蓋外殼411、顯示器邊框412、鍵盤邊框413,以及底座外殼414即等同於筆記型電腦領域中俗稱之「A件」、「B件」、「C件」,以及「D件」。天線結構300可位於鍵盤邊框413和底座外殼414之間之一第一轉角421或一第二轉角422處。舉例而言,天線結構300可用雷雕(Laser Direct Structuring,LDS)技術製成,但亦不僅限於此。必須注意的是,此種設計可以微縮天線結構300之整體尺寸,同時更有效地利用筆記型電腦400之有限內部空間。
本發明提供一種新穎之天線結構,相較於傳統天線設計,其至少具有小尺寸、寬頻帶、單一饋入,以及低製造成本等優勢。因此,本發明之天線結構很適合應用於現今各種小型化之行動通訊裝置當中。
值得注意的是,以上所述之元件尺寸、元件形狀,以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之天線結構並不僅限於第1-4圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-4圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之,並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之天線結構當中。
在本說明書以及申請專利範圍中的序數,例如「第一」、「第二」、「第三」等等,彼此之間並沒有順序上的先後關係,其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。
本發明雖以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明的範圍,任何熟習此項技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可做些許的更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、300:天線結構
110、310:非導體支撐元件
120:第一饋入輻射部
121:第一饋入輻射部之第一端
122:第一饋入輻射部之第二端
124:第一饋入輻射部之第一較窄部份
125:第一饋入輻射部之第一較寬部份
128:第一槽孔
130:第一接地輻射部
131:第一接地輻射部之第一端
132:第一接地輻射部之第二端
138:第一缺口區域
140:第二饋入輻射部
141:第二饋入輻射部之第一端
142:第二饋入輻射部之第二端
144:第二饋入輻射部之第二較窄部份
145:第二饋入輻射部之第二較寬部份
148:第二槽孔
150:第二接地輻射部
151:第二接地輻射部之第一端
152:第二接地輻射部之第二端
158:第二缺口區域
190:信號源
400:筆記型電腦
411:上蓋外殼
412:顯示器邊框
413:鍵盤邊框
414:底座外殼
421:第一轉角
422:第二轉角
D1、D2:間距
E1:介質基板之第一表面
E2:介質基板之第二表面
FB1:第一頻帶
FB2:第二頻帶
GC1:第一耦合間隙
GC2:第二耦合間隙
L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8:長度
VSS:接地電位
W1、W2、W3、W4、W5、W6:寬度
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之俯視圖。
第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線結構之返回損失圖。
第3圖係顯示根據本發明另一實施例所述之天線結構之立體圖。
第4圖係顯示根據本發明一實施例所述之筆記型電腦之示意圖。
100:天線結構
110:非導體支撐元件
120:第一饋入輻射部
121:第一饋入輻射部之第一端
122:第一饋入輻射部之第二端
124:第一饋入輻射部之第一較窄部份
125:第一饋入輻射部之第一較寬部份
128:第一槽孔
130:第一接地輻射部
131:第一接地輻射部之第一端
132:第一接地輻射部之第二端
138:第一缺口區域
140:第二饋入輻射部
141:第二饋入輻射部之第一端
142:第二饋入輻射部之第二端
144:第二饋入輻射部之第二較窄部份
145:第二饋入輻射部之第二較寬部份
148:第二槽孔
150:第二接地輻射部
151:第二接地輻射部之第一端
152:第二接地輻射部之第二端
158:第二缺口區域
190:信號源
D1、D2:間距
GC1:第一耦合間隙
GC2:第二耦合間隙
L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8:長度
VSS:接地電位
W1、W2、W3、W4、W5、W6:寬度
Claims (20)
- 一種天線結構,包括: 一第一饋入輻射部,耦接至一信號源,其中該第一饋入輻射部具有一第一槽孔; 一第一接地輻射部,耦接至一接地電位,其中該第一接地輻射部係鄰近於該第一饋入輻射部; 一第二饋入輻射部,耦接至該信號源,其中該第二饋入輻射部具有一第二槽孔; 一第二接地輻射部,耦接至該接地電位,其中該第二接地輻射部係鄰近於該第二饋入輻射部;以及 一非導體支撐元件,其中該第一饋入輻射部、該第一接地輻射部、該第二饋入輻射部,以及該第二接地輻射部皆設置於該非導體支撐元件上。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線結構,其中該非導體支撐元件為平面式之一介質基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線結構,其中該非導體支撐元件為立體式並具有大致互相垂直之一第一表面和一第二表面。
- 如申請專利範圍第3項所述之天線結構,其中該第一饋入輻射部和該第一接地輻射部皆位於該非導體支撐元件之該第一表面上。
- 如申請專利範圍第3項所述之天線結構,其中該第二饋入輻射部和該第二接地輻射部皆位於該非導體支撐元件之該第二表面上。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線結構,其中該第一饋入輻射部係呈現一倒L字形。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線結構,其中該第一饋入輻射部包括互相耦接之一第一較窄部份和一第一較寬部份。
- 如申請專利範圍第7項所述之天線結構,其中該第一槽孔係形成於該第一饋入輻射部之該第一較寬部份之內。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線結構,其中該第一接地輻射部係呈現一J字形。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線結構,其中該第一槽孔係呈現一矩形。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線結構,其中該第二饋入輻射部係呈現一L字形。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線結構,其中該第二饋入輻射部包括互相耦接之一第二較窄部份和一第二較寬部份。
- 如申請專利範圍第12項所述之天線結構,其中該第二槽孔係形成於該第二饋入輻射部之該第二較寬部份之內。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線結構,其中該第二接地輻射部係呈現一倒J字形。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線結構,其中該第二槽孔係呈現一矩形。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線結構,其中該天線結構涵蓋一第一頻帶和一第二頻帶,該第一頻帶係介於2400MHz至2500MHz之間,而該第二頻帶係介於5150MHz至5850MHz之間。
- 如申請專利範圍第16項所述之天線結構,其中該第一饋入輻射部之長度係大致等於該第二頻帶之0.25倍波長。
- 如申請專利範圍第16項所述之天線結構,其中該第一接地輻射部之長度係大致等於該第一頻帶之0.25倍波長。
- 如申請專利範圍第16項所述之天線結構,其中該第二饋入輻射部之長度係大致等於該第二頻帶之0.25倍波長。
- 如申請專利範圍第16項所述之天線結構,其中該第二接地輻射部之長度係大致等於該第一頻帶之0.25倍波長。
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