WO2019223120A1 - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

显示面板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2019223120A1
WO2019223120A1 PCT/CN2018/099509 CN2018099509W WO2019223120A1 WO 2019223120 A1 WO2019223120 A1 WO 2019223120A1 CN 2018099509 W CN2018099509 W CN 2018099509W WO 2019223120 A1 WO2019223120 A1 WO 2019223120A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
inorganic
display panel
inorganic material
gas
Prior art date
Application number
PCT/CN2018/099509
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
郭天福
Original Assignee
武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 filed Critical 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Priority to US16/092,006 priority Critical patent/US10741792B2/en
Publication of WO2019223120A1 publication Critical patent/WO2019223120A1/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs

Definitions

  • the present invention relates to the field of display technology, and in particular, to a display panel and a manufacturing method thereof.
  • the encapsulation layer of a conventional display panel is used to prevent external water and oxygen from contacting the organic light-emitting material in the display panel, so as to protect the organic light-emitting material and ensure the service life of the display panel.
  • the encapsulation layer in the above-mentioned conventional display panel generally includes an inorganic material layer and an organic material layer, and the combination of the inorganic material layer and the organic material layer is used to improve the sealing property of the above-mentioned conventional display panel to the organic light-emitting material therein.
  • An object of the present invention is to provide a display panel and a manufacturing method thereof, which can improve the fluidity of an organic material when it is disposed on an inorganic material layer.
  • a display panel manufacturing method includes the following steps: step A, providing a base layer on a substrate; step B, setting a thin film transistor device layer on the base layer; step C, An organic light emitting diode device layer is provided on the thin film transistor device layer; step D, a first inorganic material is provided on the organic light emitting diode device layer; step E, a surface of the first inorganic material is modified to form A first inorganic layer, the first inorganic layer is used to block water vapor outside the display panel from contacting the organic light emitting diode device layer, and a material for improving an organic buffer layer to be disposed on the first inorganic layer Fluidity when provided on the surface of the first inorganic layer; step F, providing the organic buffer layer on the first inorganic layer; step G, providing a second organic buffer layer on the organic buffer layer An organic layer; the step E includes: step e1, passing a trimethylaluminum gas to a surface of the first inorganic material, so that
  • the material corresponding to the first inorganic layer is one or more combinations of silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon oxycarbide; the material of the organic buffer layer For resin.
  • a method for manufacturing a display panel includes the following steps: step A, providing a base layer on a substrate; step B, setting a thin film transistor device layer on the base layer; step C, An organic light emitting diode device layer is provided on the thin film transistor device layer; step D, a first inorganic material is provided on the organic light emitting diode device layer; step E, a surface of the first inorganic material is modified to form A first inorganic layer, the first inorganic layer is used to block water vapor outside the display panel from contacting the organic light emitting diode device layer, and a material for improving an organic buffer layer to be disposed on the first inorganic layer Fluidity when provided on the surface of the first inorganic layer; step F, providing the organic buffer layer on the first inorganic layer; step G, providing a second inorganic layer on the organic buffer layer .
  • the step E includes: Step e1, passing trimethylaluminum gas to the surface of the first inorganic material, so that the hydroxyl groups on the surface of the first inorganic material and The trimethylaluminum gas reacts so that an aluminum-containing alkane compound is formed on the surface of the first inorganic material; step e2, toward the surface of the first inorganic material where the aluminum-containing alkane compound is formed.
  • a hydroxyl-containing alkyl alcohol gas is passed in to convert a hydroxyl group in the aluminum-containing alkane compound on the surface of the first inorganic material into an alkoxy chain.
  • the hydroxyl-containing alkyl alcohol gas is one or a combination of one or more of ethanol gas and methanol gas.
  • the step e1 includes: spraying the trimethylaluminum gas at a first predetermined speed on a surface of the first inorganic material for a first predetermined time, so that the top three The force of the air flow corresponding to the base aluminum gas is applied to the surface of the first inorganic material, so that the hydroxyl group on the surface of the first inorganic material reacts with the trimethyl aluminum gas, thereby making the first inorganic material Aluminium-containing alkane compounds are formed on the surface.
  • the step e2 includes: spraying a hydroxyl-containing alkyl alcohol gas at a second predetermined speed on a surface of the first inorganic material on which the aluminum-containing alkane compound is formed. For a second predetermined time, a force of a gas stream corresponding to the hydroxyl-containing alkyl alcohol gas is applied to the surface of the first inorganic material, so that the hydroxyl group in the aluminum-containing alkane compound and the hydroxyl-containing The hydroxy alkyl alcohol gas reacts to convert a hydroxy group in the aluminum-containing alkane compound on the surface of the first inorganic material into an alkoxy chain.
  • the material corresponding to the first inorganic layer is one or more combinations of silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon oxycarbide; the material of the organic buffer layer For resin.
  • the organic buffer layer is used to cover particulate foreign matter on the first inorganic layer, and is used to planarize a surface of a device including the first inorganic layer, And for slowing down the stress generated by the first inorganic layer.
  • a contact angle of a material of the organic buffer layer on a surface of the first inorganic layer subjected to modification treatment is less than 5 degrees.
  • a display panel comprising: a substrate; a base layer, the base layer being disposed on the substrate; a thin film transistor device layer, the thin film transistor device layer being disposed on the base layer; organic A light emitting diode device layer, the organic light emitting diode device layer being disposed on the thin film transistor device layer; a first inorganic layer, the first inorganic layer being disposed on the organic light emitting diode device layer, and the first inorganic layer Is formed by providing a first inorganic material on the organic light emitting diode device layer and modifying the surface of the first inorganic material, and the first inorganic layer is used to apply the organic light emitting diode device A layer that blocks water vapor outside the display panel, and a material for improving the fluidity of the material of the organic buffer layer to be disposed on the first inorganic layer when disposed on the surface of the first inorganic layer; organic A buffer layer, the organic buffer layer is disposed on the first inorganic layer; a second inorganic
  • the first inorganic layer is made by passing a trimethylaluminum gas to a surface of the first inorganic material provided on the organic light emitting diode device layer, so that the first inorganic layer A hydroxyl group on the surface of an inorganic material reacts with the trimethylaluminum gas, so that an aluminum-containing alkane compound is formed on the surface of the first inorganic material, and the aluminum-containing alkane compound is formed on the surface of the first inorganic material.
  • a hydroxyl group-containing alkyl alcohol gas is introduced into the surface of the first inorganic material to convert a hydroxyl group in the aluminum-containing alkane compound on the surface of the first inorganic material into an alkoxy chain.
  • the hydroxyl-containing alkyl alcohol gas is one or a combination of one or more of ethanol gas and methanol gas.
  • the aluminum-containing alkane compound on the surface of the first inorganic material is obtained by injecting the trimethylaluminum gas at a first predetermined speed toward the surface of the first inorganic material. For a predetermined time, so that the force of the air flow corresponding to the trimethylaluminum gas is applied to the surface of the first inorganic material, so that the hydroxyl group on the surface of the first inorganic material and the trimethylaluminum gas To form.
  • the alkoxy chain is formed by injecting a hydroxyl-containing alkyl alcohol gas at a second predetermined speed on a surface of the first inorganic material on which the aluminum-containing alkane compound is formed. For a second predetermined time, the force of the air flow corresponding to the hydroxyl-containing alkyl alcohol gas is applied to the surface of the first inorganic material, so that the hydroxyl group in the aluminum-containing alkane compound and the It is formed by the reaction of a hydroxyl-containing alkyl alcohol gas.
  • a first bent portion is provided at a side edge of the second inorganic layer, and the first bent portion covers a combination of the first inorganic layer and the organic buffer layer.
  • One side; a second bent portion is provided at a side edge of the first inorganic layer, and the second bent portion covers one side of the organic light emitting diode device layer.
  • a third bent portion is provided at a side edge of the organic buffer layer, and the third bent portion covers the second bent portion of the first inorganic layer.
  • the organic buffer layer is configured to cover particulate foreign matter on the first inorganic layer, and is used to planarize a surface of a device including the first inorganic layer, and to For slow-releasing the stress generated by the first inorganic layer.
  • the material corresponding to the first inorganic layer is silicon nitride, silicon oxynitride, carbon oxide One or more combinations of silicon compounds; the material of the organic buffer layer is a resin.
  • a contact angle of a material of the organic buffer layer on a surface of the first inorganic layer subjected to the modification treatment is less than 5 degrees.
  • the size of the buffer can be reduced.
  • the contact angle of the material of the organic buffer layer on the surface of the first inorganic material subjected to the modification treatment can improve the fluidity of the organic material when it is disposed on the inorganic material layer.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a first embodiment of a display panel according to the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a first inorganic material corresponding to a first inorganic layer in the display panel shown in FIG. 1 before a modification process.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a first inorganic material corresponding to a first inorganic layer in the display panel shown in FIG. 1 after modification treatment.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of a second embodiment of a display panel of the present invention.
  • FIG. 5 is a flowchart of a display panel manufacturing method of the present invention.
  • FIG. 6 is a flowchart of steps of modifying the surface of the first inorganic material to form a first inorganic layer in the display panel manufacturing method shown in FIG. 5.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a first embodiment of a display panel of the present invention
  • FIG. 2 is a diagram corresponding to a first inorganic layer 105 in the display panel shown in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of the first inorganic material corresponding to the first inorganic layer 105 in the display panel shown in FIG. 1 after the modification process.
  • the display panel of this embodiment includes a substrate 101, a base layer 102, a thin film transistor device layer 103, an organic light emitting diode device layer 104, a first inorganic layer 105, an organic buffer layer 106, and a second inorganic layer 107.
  • the display panel of this embodiment is suitable for an OLED (Organic Light Emitting Diode, organic light emitting diode display panel).
  • OLED Organic Light Emitting Diode, organic light emitting diode display panel
  • the base layer 102 is disposed on the substrate 101.
  • the thin film transistor device layer 103 is disposed on the base layer 102.
  • the organic light emitting diode device layer 104 is disposed on the thin film transistor device layer 103.
  • the first inorganic layer 105 is disposed on the organic light emitting diode device layer 104.
  • the first inorganic layer 105 is obtained by disposing a first inorganic material on the organic light emitting diode device layer 104, and The surface of the first inorganic material is modified, the first inorganic layer 105 is used to block the organic light emitting diode device layer 104 from water vapor outside the display panel, and is used to improve The fluidity of the material of the organic buffer layer 106 on the first inorganic layer 105 when it is disposed on the surface of the first inorganic layer 105.
  • the modification treatment refers to a treatment in which a highly polar hydroxyl group is changed to a weakly polar or non-polar organic functional group.
  • the purpose of modifying the surface of the first inorganic material is to reduce the contact angle of the material of the organic buffer layer 106 on the surface of the first inorganic layer 105 so that the contact angle is less than 5 degrees, so that The fluidity of the material of the organic buffer layer 106 when it is disposed on the surface of the first inorganic layer 105 is improved.
  • the organic buffer layer 106 is disposed on the first inorganic layer 105.
  • the second inorganic layer 107 is disposed on the organic buffer layer 106.
  • the material corresponding to the first inorganic layer 105 is one or a combination of one or more of silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon oxycarbide.
  • the material of the organic buffer layer 106 is resin.
  • the material corresponding to the base layer 102 is polyimide.
  • the first inorganic layer 105, the organic buffer layer 106, and the second inorganic layer 107 constitute an encapsulation layer
  • the packaging layer having a sandwich structure of the first inorganic layer 105, the organic buffer layer 106, and the second inorganic layer 107 is used to prevent water vapor outside the display panel from entering the display panel and interacting with the display panel.
  • the organic light emitting diode device layer 104 is in contact.
  • the first inorganic layer 105 is made by passing trimethylaluminum gas to the surface of the first inorganic material provided on the organic light emitting diode device layer 104, so that the The surface hydroxyl group 105 2 reacts with the trimethylaluminum gas, so that an aluminum-containing alkane compound is formed on the surface of the first inorganic material, and the first inorganic material is formed toward the first aluminum-containing alkane compound.
  • a hydroxyl-containing alkyl alcohol (R-OH) gas is passed on the surface of the inorganic material to convert a hydroxyl group (-OH) in the aluminum-containing alkane compound on the surface of the first inorganic material to an alkoxy group.
  • Chain (-0-R) 1053 to form. Among them, R is a weakly polar alkyl chain.
  • the hydroxyl-containing alkyl alcohol gas is one or a combination of one or more of ethanol gas and methanol gas.
  • the aluminum-containing alkane compound on the surface of the first inorganic material is obtained by spraying the trimethylaluminum gas onto the surface of the first inorganic material at a first predetermined speed for a predetermined time, so that The force of the air flow corresponding to the trimethyl aluminum gas is applied to the surface of the first inorganic material, so that the hydroxyl group 1052 on the surface of the first inorganic material reacts with the trimethyl aluminum gas (fully reacted) To form
  • the alkoxy chain 1053 is by spraying a hydroxyl-containing alkyl alcohol gas at a second predetermined speed on a surface of the first inorganic material on which the aluminum-containing alkane compound is formed for a second predetermined time, The force of the air flow corresponding to the hydroxyl-containing alkyl alcohol gas is applied to the surface of the first inorganic material, so that the hydroxyl group in the aluminum-containing alkane compound and the hydroxyl-containing alkyl group Alcohol gas is formed (reacted fully).
  • a first bent portion 1071 is provided at a side edge of the second inorganic layer 107, and the first bent portion 1071 covers the first inorganic layer 105 and the first bent portion 1071.
  • a second bent portion 1051 is provided at a side edge of the first inorganic layer 105, and the second bent portion 1051 covers one side of the organic light emitting diode device layer 104.
  • the organic buffer layer 106 is used to cover the particulate foreign matter on the first inorganic layer 105, and is used to cover the foreign particles.
  • the surface of the device including the first inorganic layer 105 is planarized, and is used for slowing down the stress generated by the first inorganic layer 105.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of a second embodiment of a display panel of the present invention. This embodiment is similar to the first embodiment described above, except that:
  • a third bent portion 1061 is provided at a side edge of the organic buffer layer 106, and the third bent portion 1061 covers the second bent portion 1051 of the first inorganic layer 105 .
  • FIG. 5 is a flowchart of a display panel manufacturing method of the present invention
  • FIG. 6 is a modification process of a surface of a first inorganic material in the display panel manufacturing method shown in FIG.
  • the display panel manufacturing method of the present invention includes the following steps:
  • Step C (503), providing an organic light emitting diode device layer 104 on the thin film transistor device layer 103
  • Step D (504).
  • a first inorganic material is disposed on the organic light emitting diode device layer 104.
  • the modification treatment refers to a treatment in which a highly polar hydroxyl group is changed to a weakly polar or non-polar organic functional group.
  • the purpose of modifying the surface of the first inorganic material is to reduce the contact angle of the material of the organic buffer layer 106 on the surface of the first inorganic layer 105 so that the contact angle is less than 5 degrees, so that The fluidity of the material of the organic buffer layer 106 when it is disposed on the surface of the first inorganic layer 105 is improved.
  • Step F (506), providing the organic buffer layer 106 on the first inorganic layer 105.
  • Step G (507), providing a second inorganic layer 107 on the organic buffer layer 106.
  • the material corresponding to the first inorganic layer 105 is one or a combination of one or more of silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon oxycarbide.
  • the material of the organic buffer layer 106 is resin.
  • the material corresponding to the base layer 102 is polyimide.
  • the organic buffer layer 106 is used to cover the particulate foreign matter on the first inorganic layer 105, and is used to planarize the surface of a device including the first inorganic layer 105, and for slow release The stress generated by the first inorganic layer 105.
  • the step E (505) includes:
  • Step el introducing trimethylaluminum gas to the surface of the first inorganic material, so that the hydroxyl group 1052 on the surface of the first inorganic material reacts with the trimethylaluminum gas, so that An aluminum-containing alkane compound is formed on a surface of the first inorganic material;
  • Step e2 passing a hydroxyl-containing alkyl alcohol gas to the surface of the first inorganic material on which the aluminum-containing alkane compound is formed, so as to pass all the surface of the first inorganic material. Conversion of hydroxyl groups in aluminum-containing alkane compounds to alkoxy chains 1053
  • the hydroxyl-containing alkyl alcohol gas is one or a combination of one or more of ethanol gas and methanol gas.
  • step F (506) is:
  • the material of the organic buffer layer 106 is sprayed on the first inorganic layer 105 to form the organic buffer layer 10
  • step el (5051) is:
  • Hydroxyl-containing alkyl alcohol gas is sprayed at a second predetermined speed on a surface of the first inorganic material on which the aluminum-containing alkane compound is formed, so that the hydroxyl-containing alkyl group is The force of the gas stream corresponding to the alcohol gas is applied to the surface of the first inorganic material, so that the hydroxyl group in the aluminum-containing alkane compound reacts (fully reacts) with the hydroxyl-containing alkyl alcohol gas, so that The hydroxyl group in the aluminum-containing alkane compound on the surface of the first inorganic material is converted into an alkoxy chain 1053
  • step G (507) is:
  • a second inorganic layer 107 is provided on the organic buffer layer 106 and on one side of the combination of the first inorganic layer 105 and the organic buffer layer 106, and is provided at a side edge of the second inorganic layer 107 Have the first bend
  • the first bending portion 1071 covers one side of the combination of the first inorganic layer 105 and the organic buffer layer 106.
  • step D (504) is:
  • a first inorganic material is provided on the organic light emitting diode device layer 104 and one side of the organic light emitting diode device layer 104, and a second bent portion is provided at a side edge of the first inorganic layer 105 1051.
  • the second bent portion 1051 covers one side of the organic light emitting diode device layer 104.
  • step F ( 6 ) is:
  • the organic buffer layer 106 is provided on the surface of the first inorganic material subjected to the modification treatment, it is possible to reduce The contact angle of the material of the organic buffer layer 106 on the surface of the first inorganic material subjected to the modification treatment can improve the fluidity of the organic material when it is disposed on the inorganic material layer.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制造方法。该方法包括：在基板上依次设置基底层、薄膜晶体管器件层、有机发光二极管器件层和第一无机材料；对第一无机材料的表面进行改性处理，以提高有机缓冲层的材料的流动性；在第一无机材料的表面上依次设置有机缓冲层和第二无机层。本发明能提高有机材料在设置于无机材料层上时的流动性。

Description

显示面板及其制造方法
技术领域
[0001] 本发明涉及显示技术领域， 特别涉及一种显示面板及其制造方法。
背景技术
[0002] 传统的显示面板的封装层用于阻止外界的水氧与显示面板内的有机发光材料接 触， 以保护有机发光材料， 确保显示面板的使用寿命。
[0003] 上述传统的显示面板中的封装层一般包括无机材料层和有机材料层， 无机材料 层与有机材料层的组合用于提高上述传统的显示面板对其中的有机发光材料的 密封性。
[0004] 在实践中， 发明人发现现有技术至少存在以下问题：
[0005] 无机材料层和有机材料层之间的截面的性能差异较大， 当有机材料设置于无机 材料层上时， 有机材料在无机材料层上的流动性较差， 此时， 不利于提高有机 材料层的平坦性。
[0006] 故， 有必要提出一种新的技术方案， 以解决上述技术问题。
[0007] 发明内容
[0008] 本发明的目的在于提供一种显示面板及其制造方法， 其能提高有机材料在设置 于无机材料层上时的流动性。
[0009] 为解决上述问题， 本发明的技术方案如下：
[0010] 一种显示面板制造方法， 所述显示面板制造方法包括以下步骤： 步骤 A、 在基 板上设置基底层； 步骤 B、 在所述基底层上设置薄膜晶体管器件层； 步骤 C、 在 所述薄膜晶体管器件层上设置有机发光二极管器件层； 步骤 D、 在所述有机发光 二极管器件层上设置第一无机材料； 步骤 E、 对所述第一无机材料的表面进行改 性处理， 以形成第一无机层， 所述第一无机层用于阻隔所述显示面板外的水汽 接触所述有机发光二极管器件层， 以及用于提高待设置于所述第一无机层上的 有机缓冲层的材料在设置于所述第一无机层的表面上时的流动性； 步骤 F、 在所 述第一无机层上设置所述有机缓冲层； 步骤 G、 在所述有机缓冲层上设置第二无 机层； 所述步骤 E包括： 步骤 el、 向所述第一无机材料的表面通入三甲基铝气体 ， 以使所述第一无机材料的表面的羟基与所述三甲基铝气体发生反应， 使得所 述第一无机材料的表面形成含铝的烷烃类化合物； 步骤 e2、 向形成有所述含铝的 烷烃类化合物的所述第一无机材料的表面通入含羟基的烷基醇气体， 以将所述 第一无机材料的表面的所述含铝的烷烃类化合物中的羟基转换为烷氧基链； 所 述有机缓冲层用于包覆所述第一无机层上的颗粒状异物， 并用于对包括所述第 一无机层的器件的表面进行平坦化， 以及用于缓释所述第一无机层所产生的应 力； 所述有机缓冲层的材料在经过改性处理的所述第一无机层的表面的接触角 小于 5度。
[0011] 在上述显示面板制造方法中， 所述第一无机层所对应的材料为氮化硅、 氮氧化 硅、 碳氧化硅中的一种或一种以上的组合； 所述有机缓冲层材料为树脂。
[0012] 一种显示面板制造方法， 所述显示面板制造方法包括以下步骤： 步骤 A、 在基 板上设置基底层； 步骤 B、 在所述基底层上设置薄膜晶体管器件层； 步骤 C、 在 所述薄膜晶体管器件层上设置有机发光二极管器件层； 步骤 D、 在所述有机发光 二极管器件层上设置第一无机材料； 步骤 E、 对所述第一无机材料的表面进行改 性处理， 以形成第一无机层， 所述第一无机层用于阻隔所述显示面板外的水汽 接触所述有机发光二极管器件层， 以及用于提高待设置于所述第一无机层上的 有机缓冲层的材料在设置于所述第一无机层的表面上时的流动性； 步骤 F、 在所 述第一无机层上设置所述有机缓冲层； 步骤 G、 在所述有机缓冲层上设置第二无 机层。
[0013] 在上述显示面板制造方法中， 所述步骤 E包括： 步骤 el、 向所述第一无机材料 的表面通入三甲基铝气体， 以使所述第一无机材料的表面的羟基与所述三甲基 铝气体发生反应， 使得所述第一无机材料的表面形成含铝的烷烃类化合物； 步 骤 e2、 向形成有所述含铝的烷烃类化合物的所述第一无机材料的表面通入含羟基 的烷基醇气体， 以将所述第一无机材料的表面的所述含铝的烷烃类化合物中的 羟基转换为烷氧基链。
[0014] 在上述显示面板制造方法中， 所述含羟基的烷基醇气体为乙醇气体、 甲醇气体 中的一种或一种以上的组合。 [0015] 在上述显示面板制造方法中， 所述步骤 el包括： 向所述第一无机材料的表面以 第一预定速度喷射所述三甲基铝气体第一预定时间， 以使所述三甲基铝气体所 对应的气流的作用力施加至所述第一无机材料的表面， 使得所述第一无机材料 的表面的羟基与所述三甲基铝气体反应， 从而使得所述第一无机材料的表面形 成含铝的烷烃类化合物。
[0016] 在上述显示面板制造方法中， 所述步骤 e2包括： 向形成有所述含铝的烷烃类化 合物的所述第一无机材料的表面以第二预定速度喷射含羟基的烷基醇气体第二 预定时间， 以使所述含羟基的烷基醇气体所对应的气流的作用力施加至所述第 一无机材料的表面， 使得所述含铝的烷烃类化合物中的羟基与所述含羟基的烷 基醇气体反应， 从而将所述第一无机材料的表面的所述含铝的烷烃类化合物中 的羟基转换为烷氧基链。
[0017] 在上述显示面板制造方法中， 所述第一无机层所对应的材料为氮化硅、 氮氧化 硅、 碳氧化硅中的一种或一种以上的组合； 所述有机缓冲层材料为树脂。
[0018] 在上述显示面板制造方法中， 所述有机缓冲层用于包覆所述第一无机层上的颗 粒状异物， 并用于对包括所述第一无机层的器件的表面进行平坦化， 以及用于 缓释所述第一无机层所产生的应力。
[0019] 在上述显示面板制造方法中， 所述有机缓冲层的材料在经过改性处理的所述第 一无机层的表面的接触角小于 5度。
[0020] 一种显示面板， 所述显示面板包括： 基板； 基底层， 所述基底层设置于所述基 板上； 薄膜晶体管器件层， 所述薄膜晶体管器件层设置于所述基底层上； 有机 发光二极管器件层， 所述有机发光二极管器件层设置于所述薄膜晶体管器件层 上； 第一无机层， 所述第一无机层设置于所述有机发光二极管器件层上， 所述 第一无机层是通过在所述有机发光二极管器件层上设置第一无机材料， 并对所 述第一无机材料的表面进行改性处理来形成的， 所述第一无机层用于将所述有 机发光二极管器件层与所述显示面板外的水汽相阻隔， 以及用于提高待设置于 所述第一无机层上的有机缓冲层的材料在设置于所述第一无机层的表面上时的 流动性； 有机缓冲层， 所述有机缓冲层设置于所述第一无机层上； 第二无机层 所述第二无机层设置于所述有机缓冲层上。 [0021] 在上述显示面板中， 所述第一无机层是通过向设置于所述有机发光二极管器件 层上的所述第一无机材料的表面通入三甲基铝气体， 以使所述第一无机材料的 表面的羟基与所述三甲基铝气体发生反应， 使得所述第一无机材料的表面形成 含铝的烷烃类化合物， 并向形成有所述含铝的烷烃类化合物的所述第一无机材 料的表面通入含羟基的烷基醇气体， 以将所述第一无机材料的表面的所述含铝 的烷烃类化合物中的羟基转换为烷氧基链来形成的。
[0022] 在上述显示面板中， 所述含羟基的烷基醇气体为乙醇气体、 甲醇气体中的一种 或一种以上的组合。
[0023] 在上述显示面板中， 所述第一无机材料的表面的含铝的烷烃类化合物是通过向 所述第一无机材料的表面以第一预定速度喷射所述三甲基铝气体第一预定时间 ， 以使所述三甲基铝气体所对应的气流的作用力施加至所述第一无机材料的表 面， 从而使得所述第一无机材料的表面的羟基与所述三甲基铝气体反应来形成 的。
[0024] 在上述显示面板中， 所述烷氧基链是通过向形成有所述含铝的烷烃类化合物的 所述第一无机材料的表面以第二预定速度喷射含羟基的烷基醇气体第二预定时 间， 以使所述含羟基的烷基醇气体所对应的气流的作用力施加至所述第一无机 材料的表面， 从而使得所述含铝的烷烃类化合物中的羟基与所述含羟基的烷基 醇气体反应来形成的。
[0025] 在上述显示面板中， 第二无机层的侧部边缘处设置有第一弯折部， 所述第一弯 折部包覆所述第一无机层与所述有机缓冲层的组合的一侧； 所述第一无机层的 侧部边缘处设置有第二弯折部， 所述第二弯折部包覆所述有机发光二极管器件 层的一侧。
[0026] 在上述显示面板中， 所述有机缓冲层的侧部边缘处设置有第三弯折部， 所述第 三弯折部包覆所述第一无机层的所述第二弯折部。
[0027] 在上述显示面板中， 所述有机缓冲层用于包覆所述第一无机层上的颗粒状异物 ， 并用于对包括所述第一无机层的器件的表面进行平坦化， 以及用于缓释所述 第一无机层所产生的应力。
[0028] 在上述显示面板中， 所述第一无机层所对应的材料为氮化硅、 氮氧化硅、 碳氧 化硅中的一种或一种以上的组合； 所述有机缓冲层材料为树脂。
[0029] 在上述显示面板中， 所述有机缓冲层的材料在经过改性处理的所述第一无机层 的表面的接触角小于 5度。
[0030] 在本发明中， 由于对所述第一无机材料的表面进行改性处理， 并在经过改性处 理的所述第一无机材料的表面上设置有机缓冲层， 因此能减小所述有机缓冲层 的材料在经过改性处理的所述第一无机材料的表面的接触角， 从而能提高有机 材料在设置于无机材料层上时的流动性。
[0031] 为让本发明的上述内容能更明显易懂， 下文特举优选实施例， 并配合所附图式
， 作详细说明如下。
发明概述
技术问题
问题的解决方案
发明的有益效果
对附图的简要说明
附图说明
[0032] 图 1为本发明的显示面板的第一实施例的示意图。
[0033] 图 2为图 1所示的显示面板中的第一无机层所对应的第一无机材料在经过改性处 理前的示意图。
[0034] 图 3为图 1所示的显示面板中的第一无机层所对应的第一无机材料在经过改性处 理后的示意图。
[0035] 图 4为本发明的显示面板的第二实施例的示意图。
[0036] 图 5为本发明的显示面板制造方法的流程图。
[0037] 图 6为图 5所示的显示面板制造方法中对第一无机材料的表面进行改性处理， 以 形成第一无机层的步骤的流程图。
[0038] 具体实施方式
[0039] 本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、 示例或例证。 此外， 本说明书和所 附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”， 除非另外指 定或从上下文可以清楚确定单数形式。
[0040] 参考图 1、 图 2和图 3， 图 1为本发明的显示面板的第一实施例的示意图， 图 2为 图 1所示的显示面板中的第一无机层 105所对应的第一无机材料在经过改性处理 前的示意图， 图 3为图 1所示的显示面板中的第一无机层 105所对应的第一无机材 料在经过改性处理后的示意图。
[0041] 本实施例的显示面板包括基板 101、 基底层 102、 薄膜晶体管器件层 103、 有机 发光二极管器件层 104、 第一无机层 105、 有机缓冲层 106、 第二无机层 107。
[0042] 本实施例的显示面板适用于 OLED （Organic Light Emitting Diode， 有机发光二 极管显示面板） 。
[0043] 所述基底层 102设置于所述基板 101上。 所述薄膜晶体管器件层 103设置于所述 基底层 102上。 所述有机发光二极管器件层 104设置于所述薄膜晶体管器件层 103 上。
[0044] 所述第一无机层 105设置于所述有机发光二极管器件层 104上， 所述第一无机层 105是通过在所述有机发光二极管器件层 104上设置第一无机材料， 并对所述第 一无机材料的表面进行改性处理来形成的， 所述第一无机层 105用于将所述有机 发光二极管器件层 104与所述显示面板外的水汽相阻隔， 以及用于提高待设置于 所述第一无机层 105上的有机缓冲层 106的材料在设置于所述第一无机层 105的表 面上时的流动性。
[0045] 其中， 改性处理是指将强极性的羟基变为弱极性或无极性的有机官能团的处理 。 对所述第一无机材料的表面进行改性处理的目的是减小所述有机缓冲层 106的 材料在所述第一无机层 105的表面的接触角， 以使该接触角小于 5度， 从而提高 所述有机缓冲层 106的材料在设置于所述第一无机层 105的表面上时的流动性。
[0046] 所述有机缓冲层 106设置于所述第一无机层 105上。 所述第二无机层 107设置于 所述有机缓冲层 106上。
[0047] 所述第一无机层 105所对应的材料为氮化硅、 氮氧化硅、 碳氧化硅中的一种或 一种以上的组合。
[0048] 所述有机缓冲层 106的材料为树脂。 所述基底层 102所对应的材料为聚酰亚胺。
[0049] 所述第一无机层 105、 所述有机缓冲层 106和所述第二无机层 107组成封装层， 具有所述第一无机层 105、 所述有机缓冲层 106和所述第二无机层 107的夹层结构 的所述封装层用于防止所述显示面板外的水汽进入所述显示面板内并与所述有 机发光二极管器件层 104相接触。
[0050] 所述第一无机层 105是通过向设置于所述有机发光二极管器件层 104上的所述第 一无机材料的表面通入三甲基铝气体， 以使所述第一无机材料的表面的羟基 105 2与所述三甲基铝气体发生反应， 使得所述第一无机材料的表面形成含铝的烷烃 类化合物， 并向形成有所述含铝的烷烃类化合物的所述第一无机材料的表面通 入含羟基的烷基醇 (R-OH) 气体， 以将所述第一无机材料的表面的所述含铝的 烷烃类化合物中的羟基 (-OH) 转换为烷氧基链 (-0-R) 1053来形成的。 其中， R为弱极性烷基链。
[0051] 所述含羟基的烷基醇气体为乙醇气体、 甲醇气体中的一种或一种以上的组合。
[0052] 作为本实施例的一种改进：
[0053] 所述第一无机材料的表面的含铝的烷烃类化合物是通过向所述第一无机材料的 表面以第一预定速度喷射所述三甲基铝气体第一预定时间， 以使所述三甲基铝 气体所对应的气流的作用力施加至所述第一无机材料的表面， 从而使得所述第 一无机材料的表面的羟基 1052与所述三甲基铝气体反应 (充分反应) 来形成的
[0054] 所述烷氧基链 1053是通过向形成有所述含铝的烷烃类化合物的所述第一无机材 料的表面以第二预定速度喷射含羟基的烷基醇气体第二预定时间， 以使所述含 羟基的烷基醇气体所对应的气流的作用力施加至所述第一无机材料的表面， 从 而使得所述含铝的烷烃类化合物中的羟基与所述含羟基的烷基醇气体反应 (充 分反应) 来形成的。
[0055] 在本实施例中， 所述第二无机层 107的侧部边缘处设置有第一弯折部 1071， 所 述第一弯折部 1071包覆所述第一无机层 105与所述有机缓冲层 106的组合的一侧
[0056] 所述第一无机层 105的侧部边缘处设置有第二弯折部 1051， 所述第二弯折部 105 1包覆所述有机发光二极管器件层 104的一侧。
[0057] 所述有机缓冲层 106用于包覆所述第一无机层 105上的颗粒状异物， 并用于对包 括所述第一无机层 105的器件的表面进行平坦化， 以及用于缓释所述第一无机层 105所产生的应力。
[0058] 参考图 4， 图 4为本发明的显示面板的第二实施例的示意图。 本实施例与上述第 一实施例相似， 不同之处在于：
[0059] 所述有机缓冲层 106的侧部边缘处设置有第三弯折部 1061， 所述第三弯折部 106 1包覆所述第一无机层 105的所述第二弯折部 1051。
[0060] 参考图 5和图 6， 图 5为本发明的显示面板制造方法的流程图， 图 6为图 5所示的 显示面板制造方法中对第一无机材料的表面进行改性处理， 以形成第一无机层 1 05的步骤的流程图。
[0061] 本发明的显示面板制造方法包括以下步骤：
[0062] 步骤 A (501) 、 在基板 101上设置基底层 102。
[0063] 步骤 B (502) 、 在所述基底层 102上设置薄膜晶体管器件层 103。
[0064] 步骤 C (503) 、 在所述薄膜晶体管器件层 103上设置有机发光二极管器件层 104
[0065] 步骤 D (504) 、 在所述有机发光二极管器件层 104上设置第一无机材料。
[0066] 步骤 E (505) 、 对所述第一无机材料的表面进行改性处理， 以形成第一无机层 105 , 所述第一无机层 105用于阻隔所述显示面板外的水汽接触所述有机发光二 极管器件层 104， 以及用于提高待设置于所述第一无机层 105上的有机缓冲层 106 的材料在设置于所述第一无机层 105的表面上时的流动性。
[0067] 其中， 改性处理是指将强极性的羟基变为弱极性或无极性的有机官能团的处理 。 对所述第一无机材料的表面进行改性处理的目的是减小所述有机缓冲层 106的 材料在所述第一无机层 105的表面的接触角， 以使该接触角小于 5度， 从而提高 所述有机缓冲层 106的材料在设置于所述第一无机层 105的表面上时的流动性。
[0068] 步骤 F (506) 、 在所述第一无机层 105上设置所述有机缓冲层 106。
[0069] 步骤 G (507) 、 在所述有机缓冲层 106上设置第二无机层 107。
[0070] 所述第一无机层 105所对应的材料为氮化硅、 氮氧化硅、 碳氧化硅中的一种或 一种以上的组合。
[0071] 所述有机缓冲层 106的材料为树脂。 所述基底层 102所对应的材料为聚酰亚胺。 [0072] 所述有机缓冲层 106用于包覆所述第一无机层 105上的颗粒状异物， 并用于对包 括所述第一无机层 105的器件的表面进行平坦化， 以及用于缓释所述第一无机层 105所产生的应力。
[0073] 所述步骤 E (505) 包括：
[0074] 步骤 el (5051) 向所述第一无机材料的表面通入三甲基铝气体， 以使所述第 一无机材料的表面的羟基 1052与所述三甲基铝气体发生反应， 使得所述第一无 机材料的表面形成含铝的烷烃类化合物；
[0075] 步骤 e2 (5052) 向形成有所述含铝的烷烃类化合物的所述第一无机材料的表 面通入含羟基的烷基醇气体， 以将所述第一无机材料的表面的所述含铝的烷烃 类化合物中的羟基转换为烷氧基链 1053
[0076] 所述含羟基的烷基醇气体为乙醇气体、 甲醇气体中的一种或一种以上的组合。
[0077] 所述步骤 F (506) 为：
[0078] 在所述第一无机层 105上喷涂有机缓冲层 106的材料， 以形成所述有机缓冲层 10
6。
[0079] 作为本实施例的一种改进， 所述步骤 el (5051) 为：
[0080] 向所述第一无机材料的表面以第一预定速度喷射所述三甲基铝气体第一预定时 间， 以使所述三甲基铝气体所对应的气流的作用力施加至所述第一无机材料的 表面， 使得所述第一无机材料的表面的羟基 1052与所述三甲基铝气体反应 (充 分反应) ， 从而使得所述第一无机材料的表面形成含铝的烷烃类化合物。
[0081] 所述步骤 e2 ( 52) 为：
[0082] 向形成有所述含铝的烷烃类化合物的所述第一无机材料的表面以第二预定速度 喷射含羟基的烷基醇气体第二预定时间， 以使所述含羟基的烷基醇气体所对应 的气流的作用力施加至所述第一无机材料的表面， 使得所述含铝的烷烃类化合 物中的羟基与所述含羟基的烷基醇气体反应 (充分反应) ， 从而将所述第一无 机材料的表面的所述含铝的烷烃类化合物中的羟基转换为烷氧基链 1053
[0083] 所述步骤 G (507) 为：
[0084] 在所述有机缓冲层 106上以及所述第一无机层 105与所述有机缓冲层 106的组合 的一侧设置第二无机层 107 所述第二无机层 107的侧部边缘处设置有第一弯折 部 1071， 所述第一弯折部 1071包覆所述第一无机层 105与所述有机缓冲层 106的 组合的一侧。
[0085] 所述步骤 D (504) 为：
[0086] 在所述有机发光二极管器件层 104上以及所述有机发光二极管器件层 104的一侧 设置第一无机材料， 所述第一无机层 105的侧部边缘处设置有第二弯折部 1051， 所述第二弯折部 1051包覆所述有机发光二极管器件层 104的一侧。
[0087] 所述步骤 F ( 6) 为：
[0088] 在所述第一无机层 105上以及所述第一无机层 105的所述第二弯折部 1051的外侧 喷涂有机缓冲层 106的材料， 以形成所述有机缓冲层 106， 所述有机缓冲层 106的 侧部边缘处设置有第三弯折部 1061， 所述第三弯折部 1061包覆所述第一无机层 1 05的所述第二弯折部 1051。
[0089] 在本发明中， 由于对所述第一无机材料的表面进行改性处理， 并在经过改性处 理的所述第一无机材料的表面上设置有机缓冲层 106 , 因此能减小所述有机缓冲 层 106的材料在经过改性处理的所述第一无机材料的表面的接触角， 从而能提高 有机材料在设置于无机材料层上时的流动性。
[0090] 综上所述， 虽然本发明已以优选实施例揭露如上， 但上述优选实施例并非用以 限制本发明， 本领域的普通技术人员， 在不脱离本发明的精神和范围内， 均可 作各种更动与润饰， 因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims

权利要求书
[权利要求 1] 一种显示面板制造方法， 其中， 所述显示面板制造方法包括以下步骤 步骤 A、 在基板上设置基底层；
步骤 B、 在所述基底层上设置薄膜晶体管器件层； 步骤 C、 在所述薄膜晶体管器件层上设置有机发光二极管器件层； 步骤 D、 在所述有机发光二极管器件层上设置第一无机材料； 步骤 E、 对所述第一无机材料的表面进行改性处理， 以形成第一无机 层， 所述第一无机层用于阻隔所述显示面板外的水汽接触所述有机发 光二极管器件层， 以及用于提高待设置于所述第一无机层上的有机缓 冲层的材料在设置于所述第一无机层的表面上时的流动性； 步骤 F、 在所述第一无机层上设置所述有机缓冲层； 步骤 G、 在所述有机缓冲层上设置第二无机层； 所述步骤 E包括：
步骤 el、 向所述第一无机材料的表面通入三甲基铝气体， 以使所述第 一无机材料的表面的羟基与所述三甲基铝气体发生反应， 使得所述第 一无机材料的表面形成含铝的烷烃类化合物；
步骤 e2、 向形成有所述含铝的烷烃类化合物的所述第一无机材料的表 面通入含羟基的烷基醇气体， 以将所述第一无机材料的表面的所述含 铝的烷烃类化合物中的羟基转换为烷氧基链；
所述有机缓冲层用于包覆所述第一无机层上的颗粒状异物， 并用于对 包括所述第一无机层的器件的表面进行平坦化， 以及用于缓释所述第 一无机层所产生的应力；
所述有机缓冲层的材料在经过改性处理的所述第一无机层的表面的接 触角小于 5度。
[权利要求 2] 根据权利要求 1所述的显示面板制造方法， 其中， 所述第一无机层所 对应的材料为氮化硅、 氮氧化硅、 碳氧化硅中的一种或一种以上的组 合； 所述有机缓冲层材料为树脂。
[权利要求 3] 一种显示面板制造方法， 其中， 所述显示面板制造方法包括以下步骤 步骤 A、 在基板上设置基底层；
步骤 B、 在所述基底层上设置薄膜晶体管器件层； 步骤 C、 在所述薄膜晶体管器件层上设置有机发光二极管器件层； 步骤 D、 在所述有机发光二极管器件层上设置第一无机材料； 步骤 E、 对所述第一无机材料的表面进行改性处理， 以形成第一无机 层， 所述第一无机层用于阻隔所述显示面板外的水汽接触所述有机发 光二极管器件层， 以及用于提高待设置于所述第一无机层上的有机缓 冲层的材料在设置于所述第一无机层的表面上时的流动性； 步骤 F、 在所述第一无机层上设置所述有机缓冲层； 步骤 G、 在所述有机缓冲层上设置第二无机层。
[权利要求 4] 根据权利要求 3所述的显示面板制造方法， 其中， 所述步骤 E包括： 步骤 el、 向所述第一无机材料的表面通入三甲基铝气体， 以使所述第 一无机材料的表面的羟基与所述三甲基铝气体发生反应， 使得所述第 一无机材料的表面形成含铝的烷烃类化合物；
步骤 e2、 向形成有所述含铝的烷烃类化合物的所述第一无机材料的表 面通入含羟基的烷基醇气体， 以将所述第一无机材料的表面的所述含 铝的烷烃类化合物中的羟基转换为烷氧基链。
[权利要求 5] 根据权利要求 4所述的显示面板制造方法， 其中， 所述含羟基的烷基 醇气体为乙醇气体、 甲醇气体中的一种或一种以上的组合。
[权利要求 6] 根据权利要求 4所述的显示面板制造方法， 其中， 所述步骤 el包括： 向所述第一无机材料的表面以第一预定速度喷射所述三甲基铝气体第 一预定时间， 以使所述三甲基铝气体所对应的气流的作用力施加至所 述第一无机材料的表面， 使得所述第一无机材料的表面的羟基与所述 三甲基铝气体反应， 从而使得所述第一无机材料的表面形成含铝的烷 烃类化合物。
[权利要求 7] 根据权利要求 4所述的显示面板制造方法， 其中， 所述步骤 e2包括： 向形成有所述含铝的烷烃类化合物的所述第一无机材料的表面以第二 预定速度喷射含羟基的烷基醇气体第二预定时间， 以使所述含羟基的 烷基醇气体所对应的气流的作用力施加至所述第一无机材料的表面， 使得所述含铝的烷烃类化合物中的羟基与所述含羟基的烷基醇气体反 应， 从而将所述第一无机材料的表面的所述含铝的烷烃类化合物中的 羟基转换为烷氧基链。
[权利要求 8] 根据权利要求 3所述的显示面板制造方法， 其中， 所述第一无机层所 对应的材料为氮化硅、 氮氧化硅、 碳氧化硅中的一种或一种以上的组 合；
所述有机缓冲层材料为树脂。
[权利要求 9] 根据权利要求 3所述的显示面板制造方法， 其中， 所述有机缓冲层用 于包覆所述第一无机层上的颗粒状异物， 并用于对包括所述第一无机 层的器件的表面进行平坦化， 以及用于缓释所述第一无机层所产生的 应力。
[权利要求 10] 根据权利要求 3所述的显示面板制造方法， 其中， 所述有机缓冲层的 材料在经过改性处理的所述第一无机层的表面的接触角小于 5度。
[权利要求 11] 一种显示面板， 其中， 所述显示面板包括：
基板；
基底层， 所述基底层设置于所述基板上；
薄膜晶体管器件层， 所述薄膜晶体管器件层设置于所述基底层上； 有机发光二极管器件层， 所述有机发光二极管器件层设置于所述薄膜 晶体管器件层上；
第一无机层， 所述第一无机层设置于所述有机发光二极管器件层上， 所述第一无机层是通过在所述有机发光二极管器件层上设置第一无机 材料， 并对所述第一无机材料的表面进行改性处理来形成的， 所述第 一无机层用于将所述有机发光二极管器件层与所述显示面板外的水汽 相阻隔， 以及用于提高待设置于所述第一无机层上的有机缓冲层的材 料在设置于所述第一无机层的表面上时的流动性；
有机缓冲层， 所述有机缓冲层设置于所述第一无机层上；
第二无机层， 所述第二无机层设置于所述有机缓冲层上。
[权利要求 12] 根据权利要求 11所述的显示面板， 其中， 所述第一无机层是通过向设 置于所述有机发光二极管器件层上的所述第一无机材料的表面通入三 甲基铝气体， 以使所述第一无机材料的表面的羟基与所述三甲基铝气 体发生反应， 使得所述第一无机材料的表面形成含铝的烷烃类化合物 ， 并向形成有所述含铝的烷烃类化合物的所述第一无机材料的表面通 入含羟基的烷基醇气体， 以将所述第一无机材料的表面的所述含铝的 烷烃类化合物中的羟基转换为烷氧基链来形成的。
[权利要求 13] 根据权利要求 12所述的显示面板， 其中， 所述含羟基的烷基醇气体为 乙醇气体、 甲醇气体中的一种或一种以上的组合。
[权利要求 14] 根据权利要求 12所述的显示面板， 其中， 所述第一无机材料的表面的 含铝的烷烃类化合物是通过向所述第一无机材料的表面以第一预定速 度喷射所述三甲基铝气体第一预定时间， 以使所述三甲基铝气体所对 应的气流的作用力施加至所述第一无机材料的表面， 从而使得所述第 一无机材料的表面的羟基与所述三甲基铝气体反应来形成的。
[权利要求 15] 根据权利要求 12所述的显示面板， 其中， 所述烷氧基链是通过向形成 有所述含铝的烷烃类化合物的所述第一无机材料的表面以第二预定速 度喷射含羟基的烷基醇气体第二预定时间， 以使所述含羟基的烷基醇 气体所对应的气流的作用力施加至所述第一无机材料的表面， 从而使 得所述含铝的烷烃类化合物中的羟基与所述含羟基的烷基醇气体反应 来形成的。
[权利要求 16] 根据权利要求 11所述的显示面板， 其中， 第二无机层的侧部边缘处设 置有第一弯折部， 所述第一弯折部包覆所述第一无机层与所述有机缓 冲层的组合的一侧；
所述第一无机层的侧部边缘处设置有第二弯折部， 所述第二弯折部包 覆所述有机发光二极管器件层的一侧。
[权利要求 17] 根据权利要求 16所述的显示面板， 其中， 所述有机缓冲层的侧部边缘 处设置有第三弯折部， 所述第三弯折部包覆所述第一无机层的所述第
Figure imgf000017_0001
[权利要求 18] 根据权利要求 11所述的显示面板， 其中， 所述有机缓冲层用于包覆所 述第一无机层上的颗粒状异物， 并用于对包括所述第一无机层的器件 的表面进行平坦化， 以及用于缓释所述第一无机层所产生的应力。
[权利要求 19] 根据权利要求 11所述的显示面板， 其中， 所述第一无机层所对应的材 料为氮化硅、 氮氧化硅、 碳氧化硅中的一种或一种以上的组合； 所述有机缓冲层材料为树脂。
[权利要求 20] 根据权利要求 11所述的显示面板， 其中， 所述有机缓冲层的材料在经 过改性处理的所述第一无机层的表面的接触角小于 5度。
PCT/CN2018/099509 2018-05-21 2018-08-09 显示面板及其制造方法 WO2019223120A1 (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/092,006 US10741792B2 (en) 2018-05-21 2018-08-09 Inorganic material having alkoxy chain encapsulating a display panel

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810485968.6 2018-05-21
CN201810485968.6A CN108682680B (zh) 2018-05-21 2018-05-21 显示面板及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019223120A1 true WO2019223120A1 (zh) 2019-11-28

Family

ID=63806915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2018/099509 WO2019223120A1 (zh) 2018-05-21 2018-08-09 显示面板及其制造方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN108682680B (zh)
WO (1) WO2019223120A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111211238A (zh) * 2018-11-21 2020-05-29 陕西坤同半导体科技有限公司 薄膜封装结构、薄膜封装方法及凹孔的设计方法
CN111864036A (zh) * 2020-07-23 2020-10-30 昆山梦显电子科技有限公司 一种显示面板的制备方法及显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106158901A (zh) * 2015-03-24 2016-11-23 上海和辉光电有限公司 一种混合型薄膜及其制备方法、以及柔性oled显示器
WO2017141870A1 (ja) * 2016-02-18 2017-08-24 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び有機ｅｌ表示装置
CN107302014A (zh) * 2017-07-17 2017-10-27 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板，其显示装置及其制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106158901A (zh) * 2015-03-24 2016-11-23 上海和辉光电有限公司 一种混合型薄膜及其制备方法、以及柔性oled显示器
WO2017141870A1 (ja) * 2016-02-18 2017-08-24 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び有機ｅｌ表示装置
CN107302014A (zh) * 2017-07-17 2017-10-27 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板，其显示装置及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108682680B (zh) 2020-12-04
CN108682680A (zh) 2018-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101720474B1 (ko) 반도체 소자들을 처리하기 위한 방법 및 구조
US8772066B2 (en) Method for hybrid encapsulation of an organic light emitting diode
WO2013002026A1 (ja) ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法、および電子デバイス
CN112289838A (zh) 一种柔性基板及其制备方法、柔性显示装置
WO2019223120A1 (zh) 显示面板及其制造方法
CN105143121A (zh) 用于控制片材和载体之间的结合的促进的加工
WO2011059675A3 (en) Curing non-carbon flowable cvd films
TW200526521A (en) Porous-film-forming composition, preparation method of the composition, porous film and semiconductor device
WO2007083654A1 (ja) シリカ質膜の製造法およびそれにより製造されたシリカ質膜付き基板
WO2004039903A1 (ja) 低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液および該塗布液の調製方法
US10741792B2 (en) Inorganic material having alkoxy chain encapsulating a display panel
US20130164690A1 (en) Silicon Oxynitride Film Formation Method and Substrate Equipped with Silicon Oxynitride Film Formed Thereby
US10882279B2 (en) Organic-inorganic adhesive composition and gas barrier film and method for producing same
TWI633577B (zh) 製造二氧化矽層的方法、二氧化矽層以及電子裝置
JP2012119679A5 (zh)
WO2009011303A1 (ja) Ｓｉ層凝集抑制方法、半導体装置の製造方法及び真空処理装置
CN108448006A (zh) 封装结构、电子装置以及封装方法
KR101448141B1 (ko) 에너지 저감형 고온용 무분진 단열재 및 그 제조방법
TW201906932A (zh) 固體有機矽材料、使用其而成之積層體及發光元件
KR20140059514A (ko) 투명 방열 코팅제 제조방법
JP6056899B2 (ja) 表面処理装置、プライマー処理装置および撥液膜形成装置
JP2004292642A (ja) 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置
CN110943180A (zh) 一种柔性oled器件封装结构及其封装方法
WO2011013709A1 (ja) 発光素子、発光素子の製造方法及び発光素子保護層形成用組成物
KR20150086037A (ko) 그래핀 봉지막의 제조 방법 및 이를 갖는 유기 전자 소자의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18920002

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18920002

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1