CN111864036A - 一种显示面板的制备方法及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种显示面板的制备方法及显示面板。该显示面板的制备方法包括提供阵列基板，阵列基板上设置有发光器件；通过在阵列基板的表面形成封装加固层，封装加固层围绕发光器件，形成薄膜封装层，薄膜封装层位于发光器件远离阵列基板的一侧且与封装加固层接触。封装加固层能够与薄膜封装层发生化学反应，使得薄膜封装层与阵列基板之间的结合更为紧密，从而将薄膜封装层与阵列基板的表面的附着力增加，防止了水氧通过薄膜封装层与阵列基板之间的间隙渗入发光器件，提升了薄膜封装层对显示面板的封装效果，保护发光器件免受水氧侵蚀，保证了发光器件的使用寿命。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制备方法及显示面板。
背景技术
微型发光二极管(Micro-Light-Emitting Diode，Micro LED)是LED的微缩化和矩阵化技术，Micro LED既继承了LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，又具有自发光无需背光源的特点，而且体积小、轻薄，还能轻易实现节能的效果。
Micro LED显示产品的基本构成是基板、发光结构以及封装三大模块，目前，MicroLED存在封装效果不良，导致水氧容易入侵发光器件，损害发光器件。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板的制备方法及显示面板，以提升薄膜封装层对显示面板的封装效果，保证发光器件的使用寿命。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法，该方法包括：
提供阵列基板，阵列基板上设置有发光器件；
在阵列基板的表面形成封装加固层，封装加固层围绕发光器件；
形成薄膜封装层，薄膜封装层位于发光器件远离阵列基板的一侧，且与封装加固层接触；
其中，封装加固层能够与薄膜封装层发生化学反应，以增加薄膜封装层与阵列基板的表面的附着力。
可选地，在阵列基板的表面形成封装加固层包括：
对阵列基板的表面进行氧离子轰击，以在阵列基板的表面形成封装加固层。
可选地，封装加固层包括羟基。
可选地，薄膜封装层的材料包括氧化铝。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括：
阵列基板，阵列基板上设置有发光器件，阵列基板的表面形成有封装加固层，封装加固层围绕发光器件；
薄膜封装层，薄膜封装层位于发光器件远离阵列基板的一侧，且与封装加固层接触；
其中，封装加固层能够与薄膜封装层发生化学反应，以增加薄膜封装层与阵列基板的表面的附着力。
可选地，封装加固层包括羟基。
可选地，薄膜封装层的材料包括氧化铝。
本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括提供阵列基板，阵列基板上设置有发光器件；通过在阵列基板的表面形成封装加固层，封装加固层围绕发光器件，形成薄膜封装层，薄膜封装层位于发光器件远离阵列基板的一侧且与封装加固层接触。封装加固层能够与薄膜封装层发生化学反应，使得薄膜封装层与阵列基板之间的结合更为紧密，从而将薄膜封装层与阵列基板的表面的附着力增加，防止了水氧通过薄膜封装层与阵列基板之间的间隙渗入发光器件，提升了薄膜封装层对显示面板的封装效果，保护发光器件免受水氧侵蚀，保证了发光器件的使用寿命。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法流程图；
图2是本发明实施例提供的阵列基板表面的一种羟基示意图；
图3是本发明实施例提供的阵列基板表面的另一种羟基示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法流程图；
图5是本发明实施例提供的阵列基板表面的氧原子和铝原子结合示意图。
图6为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
正如背景技术所提到的，Micro LED存在封装效果不良的问题。其具体在于，通常先在基板上设置发光结构，然后对发光结构进行封装以保护发光结构。对发光结构的封装是以薄膜封装的形式，将发光结构以及基板上未设置有发光结构的区域全部覆盖，这样，虽然能够防止水氧从发光结构的正上方入侵发光结构，但是由于薄膜封装与基板之间的结合不够紧密，薄膜封装与基板之间存在间隙，水氧会通过薄膜封装与基板之间的间隙渗入发光结构，即从发光结构的侧面入侵发光结构，导致发光结构被水氧侵蚀，影响发光结构的使用寿命。有鉴于此，本发明实施例提供一种显示面板的制备方法及显示面板，以解决上述问题。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法流程图，如图1所示，该方法包括：
S10，提供阵列基板，阵列基板上设置有发光器件。
具体地，所提供的阵列基板可包括衬底和驱动电路，驱动电路包括薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，TFT)，TFT位于衬底上。阵列基板上设置的发光器件形成在TFT上，位于阵列基板的显示区。发光器件可包括依次叠层设置的阳极、发光层以及阴极。以此，依次通过驱动电路、阳极、发光层以及阴极在显示面板的显示侧实现多色显示。
S11，在阵列基板的表面形成封装加固层，封装加固层围绕发光器件。
具体地，阵列基板的表面指的是阵列基板的设置有发光器件的一个表面。在阵列基板的表面形成封装加固层，封装加固层可位于阵列基板的非显示区且围绕发光器件。可以是对阵列基板的表面进行处理以在阵列基板的表面形成封装加固层，例如是对衬底的表面进行处理后，衬底的表面就形成一封装加固层，即封装加固层不是单独地在阵列基板的表面附加一个膜层，而是对阵列基板的表面本身进行处理，使得阵列基板的表面本身形成有封装加固层。封装加固层能够与下一个步骤(即S12)中的薄膜封装层发生化学反应，封装加固层与薄膜封装层发生化学反应后将使得薄膜封装层与阵列基板之间的结合更为紧密，从而将薄膜封装层与阵列基板的表面的附着力增加，避免了水氧通过薄膜封装层与阵列基板的表面之间的间隙渗入发光器件，保护发光器件免受水氧侵蚀，保证了发光器件的使用寿命。
S12，形成薄膜封装层，薄膜封装层位于发光器件远离阵列基板的一侧，且与封装加固层接触；其中，封装加固层能够与薄膜封装层发生化学反应，以增加薄膜封装层与阵列基板的表面的附着力。
具体地，在形成薄膜封装层的过程中，除了要保证薄膜封装层覆盖发光器件以及覆盖阵列基板的未设置有发光器件的表面，以从发光器件的正上方保护发光器件之外，还要保证薄膜封装层与阵列基板的表面上的封装加固层相接触，以保证封装加固层与薄膜封装层能够发生化学反应，进而增加薄膜封装层与阵列基板的表面的附着力。
可选地，封装加固层包括羟基。
具体地，阵列基板的表面存在羟基，图2是本发明实施例提供的阵列基板表面的一种羟基示意图，可参考图2，图2中示意出阵列基板10和发光器件20，阵列基板10的表面有由氧原子a和氢原子b组成的羟基c。在下一个步骤(即S22)形成薄膜封装层的过程中，羟基c能够与形成薄膜封装层的原材料发生配体交换反应，以此实现薄膜封装层和阵列基板的表面的结合，阵列基板的表面的羟基与形成薄膜封装层的原材料发生的配体交换反应的数量越多，所形成的薄膜封装层与阵列基板的表面之间的结合越紧密，薄膜封装层与阵列基板的表面之间的间隙越小，从而越能够阻挡水氧通过薄膜封装层与阵列基板的表面之间的间隙渗入发光器件。然而，通常情况下，阵列基板的表面的羟基非常稀少，从而发生的配体交换反应的数量很少，所形成的薄膜封装层与阵列基板的表面之间的结合不够紧密，薄膜封装层与阵列基板的表面之间的间隙较大，水氧容易通过间隙渗入发光器件。
本实施例在阵列基板的表面形成封装加固层，封装加固层包括羟基，相当于增加了阵列基板表面的羟基的数目，图3是本发明实施例提供的阵列基板表面的另一种羟基示意图，可参考图3，图3中示意出阵列基板10和发光器件20，阵列基板10的表面有由氧原子a’和氢原子b’组成的羟基c’，大大增加了阵列基板的表面的羟基与形成薄膜封装层的原材料发生的配体交换反应的数量，使得薄膜封装层与阵列基板之间的结合更为紧密，从而增加了薄膜封装层与阵列基板的表面的附着力，减小了薄膜封装层与阵列基板的表面之间的间隙，从而避免了水氧通过薄膜封装层与阵列基板的表面之间的间隙渗入发光器件，保护发光器件免受水氧侵蚀，保证了发光器件的使用寿命。
图4是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法流程图，如图4所示，该方法包括：
S30，提供阵列基板，阵列基板上设置有发光器件。
S31，对阵列基板的表面进行氧离子轰击，以在阵列基板的表面形成封装加固层，封装加固层围绕发光器件。
具体地，本实施例中，通过离子轰击的方法在阵列基板的表面形成封装加固层，即通过离子轰击的方法轰击阵列基板的表面，以在阵列基板的表面形成一层封装加固层。据此，可对阵列基板的表面进行氧离子轰击，氧离子与阵列基板的表面的真空中的氢气进行碰撞，从而在阵列基板的表面形成一层包括羟基的封装加固层，改善了原先阵列基板的表面仅存在稀少的羟基的情况，增加了阵列基板的表面的羟基与形成薄膜封装层的原材料发生的配体交换反应的数量，从而增加了薄膜封装层与阵列基板的表面的附着力。
S32，形成薄膜封装层，薄膜封装层位于发光器件远离阵列基板的一侧，且与封装加固层接触；其中，封装加固层能够与薄膜封装层发生化学反应，以增加薄膜封装层与阵列基板的表面的附着力。
可选地，薄膜封装层的材料包括氧化铝。
具体地，形成氧化铝薄膜封装层的过程中，形成氧化铝薄膜封装层的原材料与封装粘固层发生化学反应，从而形成的氧化铝薄膜封装层与阵列基板的表面的结合更为紧密，更有利于阻挡水氧入侵发光器件。本实施例中，形成氧化铝薄膜封装层的原材料与封装加固层可发生配体交换反应。
示例性地，封装加固层包括羟基，薄膜封装层的材料包括氧化铝，形成氧化铝薄膜封装层的原材料包括水和三甲基铝。那么，三甲基铝中的铝原子和羟基中的氢原子发生配体交换反应，铝原子和羟基中的氧原子结合并附着在阵列基板的表面形成氧化铝，即氧化铝薄膜封装层在阵列基板的表面形成，羟基中的氢原子和三甲基铝中的甲基结合形成甲烷挥发，图5是本发明实施例提供的阵列基板表面的氧原子和铝原子结合示意图，可参考图5，图5示意出三甲基铝中的铝原子d和羟基中的氢原子发生配体交换反应后，阵列基板的表面附着有铝原子d和羟基中的氧原子a’。
本发明实施例还提供了一种显示面板，图6为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图6所示，该显示面板包括：阵列基板10，阵列基板10上设置有发光器件20，阵列基板10的表面形成有封装加固层30，封装加固层30围绕发光器件20；薄膜封装层(未示出)，薄膜封装层位于发光器件20远离阵列基板10的一侧，且与封装加固层30接触；其中，封装加固层30能够与薄膜封装层发生化学反应，以增加薄膜封装层与阵列基板10的表面的附着力。
具体地，在阵列基板10上设置发光器件20后，发光器件20位于阵列基板的显示区AA，在阵列基板10的非显示区NAA形成封装加固层30，封装加固层30围绕发光器件。封装加固层30能够在形成薄膜封装层的过程中与形成薄膜封装层的原材料发生化学反应，使得薄膜封装层与阵列基板10之间的结合更为紧密，从而增加了所形成的薄膜封装层与阵列基板10的表面之间的附着力，防止了水氧通过薄膜封装层与阵列基板10之间的间隙渗入发光器件20，提升了薄膜封装层对显示面板的封装效果，使得保护发光器件20免受水氧侵蚀，保证了发光器件20的使用寿命。
可选地，封装加固层包括羟基。
可选地，薄膜封装层的材料包括氧化铝。
本发明实施例提供的显示面板可由上述技术方案中的显示面板的制备方法进行制备，且能够实现与上述显示面板的制备方法所达到的技术效果相同的技术效果，此处不再赘述。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (7)
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供阵列基板，所述阵列基板上设置有发光器件；
在所述阵列基板的表面形成封装加固层，所述封装加固层围绕所述发光器件；
形成薄膜封装层，所述薄膜封装层位于所述发光器件远离所述阵列基板的一侧，且与所述封装加固层接触；
其中，所述封装加固层能够与所述薄膜封装层发生化学反应，以增加所述薄膜封装层与所述阵列基板的表面的附着力。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述阵列基板的表面形成封装加固层包括：
对所述阵列基板的表面进行氧离子轰击，以在所述阵列基板的表面形成封装加固层。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述封装加固层包括羟基。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述薄膜封装层的材料包括氧化铝。
5.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板，所述阵列基板上设置有发光器件，所述阵列基板的表面形成有封装加固层，所述封装加固层围绕所述发光器件；
薄膜封装层，所述薄膜封装层位于所述发光器件远离所述阵列基板的一侧，且与所述封装加固层接触；
其中，所述封装加固层能够与所述薄膜封装层发生化学反应，以增加所述薄膜封装层与所述阵列基板的表面的附着力。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述封装加固层包括羟基。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜封装层的材料包括氧化铝。
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