WO2019168218A1 - 비냉각형 적외선 센서용 감지막 형성방법과 그에 따라 형성된 비냉각형 적외선 센서용 감지막 및 비냉각형 적외선 센서 제조방법과 그에 따라 제조된 적외선 센서 - Google Patents

비냉각형 적외선 센서용 감지막 형성방법과 그에 따라 형성된 비냉각형 적외선 센서용 감지막 및 비냉각형 적외선 센서 제조방법과 그에 따라 제조된 적외선 센서 Download PDF

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infrared sensor
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amorphous silicon
silicon film
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이완규
전호승
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한국과학기술원
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Definitions

  • the present invention relates to a method for forming a sensing film for an uncooled infrared sensor, and more particularly, to a method for forming a sensing film that is compatible with a CMOS manufacturing process and has improved sensitivity and performance.
  • infrared sensors can be classified into photon and thermal type according to the principle of operation.
  • the quantum type is mainly a semiconductor material, which has good characteristics but has the disadvantage of operating at liquid nitrogen temperature (-193 °C).
  • thermal materials have a slightly lower performance than semiconductors, but operate at room temperature. Therefore, an infrared sensor using quantum materials that require cooling is called a cooling infrared sensor, and is mainly studied for military purposes.
  • An infrared sensor using thermal materials is called an uncooled infrared sensor and is mainly used for civilian use.
  • the uncooled infrared sensor can be divided into three types, a bolometer type, a thermocouple type and a pyroelectric type, depending on the sensing method.
  • the uncooled infrared sensor is manufactured in a three-dimensional structure in which a sensing unit that detects infrared rays on a substrate is floating in the air, and a three-dimensional structure is mainly applied to a bolometer-type infrared sensor.
  • the vanadium oxide film (VO x ) and the amorphous silicon (a-Si: H, B) film are used as representative materials used as heat sensing materials in an uncooled infrared sensor.
  • amorphous silicon is compatible with standard CMOS manufacturing processes, which can significantly increase the price competitiveness of infrared sensors and infrared thermal imager products having the same.
  • amorphous silicon has a relatively low temperature resistance coefficient (TCR), which is poor in sensitivity, and has a problem in that performance is low due to the large resistance value that affects the noise level during signal reproduction.
  • Patent Document Korea Patent Registration 10-1498522 B1, Korea Patent Registration 10-1439263 B1
  • An object of the present invention is to provide a method for forming a sensing film for an uncooled infrared sensor having improved sensitivity and performance.
  • a method of forming a sensing film for an uncooled infrared sensor including: forming an amorphous silicon film; And a crystallization step of crystallizing the amorphous silicon film by heat treatment at a temperature range of 400 ° C. or less, and forming a transition metal catalyst layer so that the crystallization step may be performed at a temperature range of 400 ° C. or less. Further before or after the amorphous film forming step, wherein the crystalline step is characterized in that the amorphous silicon film is in contact with the transition metal catalyst layer.
  • the present invention prepares a metal catalyst layer in contact with an amorphous silicon film, and promotes the formation of silicon crystal nuclei while silicide is formed by the reaction of a transition metal catalyst material and amorphous silicon at 400 ° C. or lower, thereby reducing amorphous silicon even at a low temperature of 400 ° C. or lower.
  • the film can be crystallized and applied to the manufacturing process of infrared sensors.
  • the transition metal catalyst layer in a thickness range of 5 to 50 nm.
  • the step of injecting the n-type impurity particles into the amorphous silicon film it is preferable to further perform the step of injecting the n-type impurity particles into the amorphous silicon film.
  • the accelerated kinetic energy of the impurity particles accumulates in the amorphous silicon layer during the heat treatment, thereby promoting crystal nucleation and increasing the crystallization rate, and the n-type impurity particles detect the crystalline silicon material. Lowering the resistance of the membrane can further improve the performance.
  • the amorphous film forming step may be performed by doping the n-type impurity into the silicon film after forming the silicon film in which the crystalline or crystalline and amorphous are mixed, but doping the n-type impurity so that the silicon film is amorphous silicon.
  • a sensing film for an uncooled infrared sensor is a sensing film for detecting infrared rays in an uncooled infrared sensor, and is a crystalline silicon material obtained by crystallizing an amorphous silicon film at a temperature of 400 ° C. or less, and having a crystalline process of 400.
  • the transition metal catalyst layer is formed on the upper or lower portion of the amorphous silicon film so as to be carried out at a temperature below the °C, the crystallization is carried out, the metal silicide layer is formed in the contact portion of the crystalline silicon material and the transition metal catalyst layer It is done.
  • the thickness of the transition metal catalyst layer formed on the upper or lower portion of the amorphous silicon film is preferably in the range of 5 ⁇ 50nm.
  • the n-type impurity may be doped into the crystalline silicon material, and the n-type impurity may be rapidly and uniformly crystallized while lowering the temperature of crystallizing the amorphous silicon film to a low temperature. Lowering improves the performance of the infrared sensor.
  • a method of manufacturing an uncooled infrared sensor comprising: forming an infrared sensing film, wherein the forming of the infrared sensing film comprises: forming an amorphous silicon film. Forming step; And a crystallization step of crystallizing the amorphous silicon film by heat treatment at a temperature range of 400 ° C. or less, and forming a transition metal catalyst layer so that the crystallization step may be performed at a temperature range of 400 ° C. or less. Further before or after the amorphous film forming step, wherein the crystalline step is characterized in that the amorphous silicon film is in contact with the transition metal catalyst layer.
  • the step of crystallizing the amorphous silicon layer in the present invention is carried out at 400 °C or less, it can be applied to a process for manufacturing a conventional uncooled infrared sensor.
  • it since it is compatible with the conventional CMOS manufacturing process, it can be applied to the conventional infrared sensor manufacturing process for almost all kinds and technical nodes formed of microbolometer-type structures, not limited to specific technical nodes.
  • the transition metal catalyst layer in a thickness range of 5 to 50 nm.
  • the step of injecting the n-type impurity particles into the amorphous silicon film when the step of injecting the n-type impurity particles into the amorphous silicon film is further performed, the step of forming the infrared sensing film can be performed more quickly and uniformly at a low temperature, and lower the resistance of the infrared sensing film to lower the performance of the uncooled infrared sensor. This has the effect of being improved.
  • the amorphous film forming step may be performed by doping the n-type impurity into the silicon film after forming the silicon film in which the crystalline or crystalline and amorphous are mixed, but doping the n-type impurity so that the silicon film is amorphous silicon.
  • An uncooled infrared sensor is an uncooled infrared sensor including an infrared sensing film, wherein the infrared sensing film is a crystalline silicon material in which an amorphous silicon film is crystalline at a temperature of 400 ° C. or less, and a crystalline process is performed.
  • the transition metal catalyst layer is formed on the upper or lower portion of the amorphous silicon film so as to be carried out at a temperature of 400 ° C. or lower, crystallization is performed, and the metal silicide layer is formed at the portion where the crystalline silicon material and the transition metal catalyst layer are in contact with each other.
  • the thickness of the transition metal catalyst layer formed on or below the amorphous silicon film is preferably in the range of 5 to 50 nm.
  • the non-cooling infrared sensor of the present invention includes an infrared sensing film made of a crystalline silicon material manufactured by crystallizing an amorphous silicon film at a temperature of 400 ° C. or less, and a transition metal catalyst layer for crystallizing at a temperature of 400 ° C. or less is an infrared sensing film.
  • the structure is in contact with.
  • the n-type impurity may be doped into the crystalline silicon material, and the n-type impurity may be rapidly and uniformly crystallized while lowering the temperature for crystallizing the amorphous silicon film to a low temperature. Lowering the resistance improves the performance of the infrared sensor.
  • the present invention configured as described above has an effect of providing a crystalline silicon film having improved sensitivity and performance as a sensing film for an uncooled infrared sensor by crystallizing the amorphous silicon film at a low temperature.
  • the present invention has the advantage that it is compatible with the existing CMOS manufacturing process, it is not limited to a specific technical node, and excellent effect in that it can be applied to almost all kinds and technical nodes formed of a microbolometer-type structure have.
  • FIG. 1 is a flowchart illustrating a method of forming a sensing film for an uncooled infrared sensor according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a flowchart illustrating a method of forming a sensing film for an uncooled infrared sensor according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of forming a sensing film for an uncooled infrared sensor according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of forming a sensing film for an uncooled infrared sensor according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a flowchart illustrating a method of forming a sensing film for an uncooled infrared sensor according to a first embodiment of the present invention.
  • an amorphous silicon film is first formed.
  • the amorphous silicon film of the present embodiment serves as a base of the sensing film for an uncooled infrared sensor, and is a part of a process for manufacturing an uncooled infrared sensor, which is not applied to a general substrate. Therefore, a process for manufacturing an uncooled infrared sensor is generally applied to the process until the amorphous silicon film is formed, and a process conventionally applied may be applied without limitation.
  • a process for manufacturing an uncooled infrared sensor is generally applied to the process until the amorphous silicon film is formed, and a process conventionally applied may be applied without limitation.
  • an electrode / reflective layer is formed on a wafer on which a signal acquisition circuit (ROIC) implemented by CMOS technology is formed, and a sacrificial layer and a SiN support layer are formed.
  • ROIC signal acquisition circuit
  • a method of forming a sensing film for an infrared sensor made of amorphous silicon may be applied without limitation, and in addition, all methods of forming an amorphous silicon film may be applied within a range that does not impair the essence of the present invention.
  • a transition metal catalyst layer is formed on the surface of the amorphous silicon film.
  • the transition metal catalyst layer deposits a transition metal capable of reacting with silicon included in the amorphous silicon layer to form silicide, and the type of transition metal is not limited as long as it is a material capable of forming silicide, and the deposition method is not particularly limited. Do not.
  • the amorphous silicon film in contact with the transition metal catalyst layer is subjected to heat treatment to crystalline the amorphous silicon.
  • An object of the present invention is to crystallize an amorphous silicon film to form a sensing film made of a crystalline silicon material.
  • heat treatment is performed at a temperature of 400 ° C. or less so as not to affect the structure of the previously stacked sensors, and in general, amorphous silicon is crystallized only at a temperature of 700 ° C. or higher, but in this embodiment, a transition metal catalyst layer is formed on the amorphous silicon film.
  • amorphous silicon could be crystallized at a temperature of 400 ° C or lower.
  • the transition metal and silicon react with each other to form metal silicide even in the temperature range of 400 ° C.
  • the reaction heat generated during the silicide formation reaction generates silicon crystal nuclei in the amorphous silicon. It is used as a driving force to promote and catalyze the formation of crystal nuclei, so that the amorphous silicon is crystallized in the temperature range of 400 °C or less.
  • the thickness of the transition metal catalyst layer is too thin, there is a problem in that the reaction for forming silicide is completed quickly so as not to obtain a driving force for generating silicon crystal nuclei.
  • the reaction rate is fast, so that a relatively thicker transition metal is sufficient to produce silicon nuclei.
  • the specific thickness may be adjusted according to the type of transition metal, but a sufficient reaction occurs to form silicon crystal nuclei only when the transition metal catalyst layer is formed to a thickness of at least 5 nm.
  • the thickness of the transition metal catalyst layer is thick, it is preferable to form an ultrathin film having a thickness in the range of 50 nm or less, since the effect on the process is not large compared to the increase in the material ratio.
  • the amorphous silicon may be crystalline by only a low temperature heat treatment of 400 ° C. or less, thereby crystallizing the amorphous silicon without affecting other material layers constituting the infrared sensor.
  • the sensing film of the crystalline silicon material formed by crystallizing the amorphous silicon layer has a higher TCR (Temperature Coefficient of Resistance) value, which is a temperature coefficient for resistance, than the amorphous silicon, thereby increasing the sensitivity of the sensor.
  • TCR Tempoture Coefficient of Resistance
  • crystalline silicon has a lower resistance than amorphous silicon, and a decrease in electrical resistance reduces the background noise values, for example, Johnson noise and Background fluctuation noise, in the electric circuit.
  • the sensing film forming method of the present embodiment it is possible to manufacture a high-performance sensor that is cleaner, higher in sensitivity, and better in image quality.
  • a subsequent process for manufacturing the uncooled infrared sensor may be performed.
  • a SiN protective film may be formed on the surface of the sensing film made of silicon crystallized at 400 ° C. or less. It can be carried out to form a process.
  • FIG. 2 is a flowchart illustrating a method of forming a sensing film for an uncooled infrared sensor according to a second embodiment of the present invention.
  • the transition metal catalyst layer is first formed and then the amorphous silicon film is formed thereon.
  • the formation order is different, the principle that the amorphous silicon is crystallized even when the transition metal catalyst layer and the amorphous silicon film are in contact with each other and heat treated at 400 ° C. or lower is the same.
  • the transition metal catalyst layer is generally the same in that it is laminated on a structure for manufacturing an uncooled infrared sensor.
  • a low temperature heat treatment of 400 ° C. or less was used to prepare a sensing film for an uncooled infrared sensor made of crystalline silicon.
  • silicides generated by the reaction between the transition metal catalyst layer and the amorphous silicon layer and crystal nuclei generated by the silicides are controlled by 'diffusion', and the process speed may be improved because the speed during the low temperature heat treatment process may be relatively slow. Additional processes can be performed for further.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of forming a sensing film for an uncooled infrared sensor according to a third embodiment of the present invention.
  • the third embodiment further performs a process of injecting n-type impurity particles into the amorphous silicon film after forming the amorphous silicon film, and the subsequent steps are the same as those of the first embodiment.
  • the accelerated kinetic energy of the impurity particles is accumulated during the heat treatment process, and the kinetic energy accumulated in the amorphous silicon layer acts as a reaction driving force between the amorphous silicon and the transition metal catalyst, thereby causing crystal nuclei.
  • the result is that it promotes production and speeds up crystallization.
  • the resistance film of the crystalline silicon material doped with the n-type impurity particles has a lower resistance due to the n-type impurity particles, the performance can be further improved.
  • the type and implantation method of n-type impurities are not particularly limited.
  • the crystal state of the crystalline silicon may be completely collapsed and amorphous according to the amount of dose.
  • the crystalline silicon is amorphous. Therefore, in the above-described embodiments, in the process of forming the amorphous silicon film, it is also possible to form an amorphous silicon film by forming a silicon film in the form of crystalline silicon or a mixture of crystalline silicon and amorphous silicon, and then doping with an n-type impurity. Do.
  • FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of forming a sensing film for an uncooled infrared sensor according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the fourth embodiment is the same as the second embodiment except that the process of injecting n-type impurity particles into the amorphous silicon film is further performed after the amorphous silicon film is formed.
  • Another embodiment of the present invention is characterized in that a non-cooling infrared sensor and a method of manufacturing the same are formed by crystallizing amorphous silicon at a temperature of 400 ° C. or lower by the above-described method to form a sensing film.
  • the temperature for crystallizing amorphous silicon is 400 ° C. or less, all conventional methods for manufacturing and cooling non-cooled infrared sensors can be applied.
  • amorphous silicon film since it is composed of only processes compatible with CMOS manufacturing processes, it is not limited to a specific technical node, but almost all kinds and technical nodes formed of a microbolometer-type structure. Applicable
  • the conventional equipment for forming an amorphous silicon sensing film for an uncooled infrared sensor and a device for manufacturing an uncooled infrared sensor using the same can be used as it is, additional facilities and equipment costs are not required to apply the new method. In addition, it is very economically effective in manufacturing a sensor with higher sensitivity and performance.
  • the thermal imaging camera device made by applying the present invention is an infrared thermal imaging device that realizes a small, precise, high sensitivity, and good image quality.

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Abstract

본 발명은 비냉각형 적외선 센서용 감지막 형성방법에 관한 것으로, 비냉각형 적외선 센서에서 적외선을 감지하는 감지막을 형성하는 방법으로서, 비정질 실리콘막을 형성하는 비정질막 형성 단계; 및 비정질 실리콘막을 400℃이하의 온도 범위에서 열처리하여 결정질화하는 결정질화 단계를 포함하며, 상기 결정질화 단계가 400℃이하의 온도 범위에서 수행될 수 있도록, 전이금속 촉매층을 형성하는 촉매 형성 단계를 상기 비정질막 형성 단계의 전 또는 후에 더 수행하고, 상기 결정질화 단계는 전이금속 촉매층이 접하는 비정질 실리콘막에 대하여 수행되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 비정질 실리콘막을 저온에서 결정화함으로써, 비냉각형 적외선 센서용 감지막으로 감도와 성능이 향상된 결정질 실리콘막을 제공할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 기존의 CMOS 제조공정과 호환이 가능한 장점이 있으며, 특정한 기술적 노드에 국한되지 않고 마이크로볼로미터 형의 구조체로 형성되는 거의 모든 종류 및 기술적 노드에 적용할 수 있는 기술인 점에서 뛰어난 효과가 있다.

Description

비냉각형 적외선 센서용 감지막 형성방법과 그에 따라 형성된 비냉각형 적외선 센서용 감지막 및 비냉각형 적외선 센서 제조방법과 그에 따라 제조된 적외선 센서
본 발명은 비냉각형 적외선 센서용 감지막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 CMOS 제조공정과 호환이 가능하면서 감도와 성능이 향상된 감지막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 적외선 센서는 작동 원리에 따라 크게 양자형(photon)과 열형(thermal)으로 나눌 수 있는데, 양자형은 주로 반도체 재료로서 특성은 좋으나 액체 질소 온도(-193℃)에서 작용한다는 단점이 있는 반면에, 열형 재료들은 반도체에 비해 성능은 다소 떨어지지만 상온에서 동작한다는 장점이 있다. 따라서 냉각이 필요한 양자형 재료들을 사용한 적외선 센서를 냉각형 적외선 센서로 호칭하며 주로 군수용의 목적으로 연구되고 있으며, 열형 재료들을 사용한 적외선 센서를 비냉각형 적외선 센서로 호칭하며 민수용으로 주로 사용되고 있다. 이 중 비냉각형 적외선 센서는 감지 방식에 따라서 볼로미터(Bolometer)형과 열전쌍(Thermocouple)형 및 초전기(Pyroelectric)형의 3가지 형태로 나눌 수 있다. 비냉각형 적외선 센서는 기판 위에 적외선을 검지하는 감지부가 공중에 떠서 위치하는 3차원 구조로 제작되며, 특히 볼로미터형 적외선 센서의 경우에 3차원 구조를 주로 적용하고 있다.
비냉각형 적외선 센서에서 열감지 물질로 사용되는 대표적인 물질은 바나듐 산화물 막(VOx)과 비정질 실리콘(a-Si:H, B)막이 이용되고 있다. 이 중에서 비정질 실리콘은 표준 CMOS 제조공정과 호환이 가능하여 적외선 센서 및 이를 탑재한 적외선 열 영상장치 제품의 가격 경쟁력을 월등히 높일 수 있는 장점이 있다. 하지만 비정질 실리콘은 온도저항계수(TCR)가 상대적으로 낮아 감도가 좋지 못하며, 신호 재생시 잡음의 수준에 영향을 주는 저항값이 크게 나타나서 성능도 낮은 문제가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 실리콘 산화물과 바나듐 산화물을 함께 사용하는 기술 등이 개발되었으나, 공정이 복잡하고 CMOS 제조공정과 호환이 불가능한 단점이 있다.
[선행기술문헌] 한국 등록특허 10-1498522 B1, 한국 등록특허 10-1439263 B1
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 감도와 성능이 향상된 비냉각형 적외선 센서용 감지막을 형성하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 비냉각형 적외선 센서용 감지막 형성방법은, 비냉각형 적외선 센서에서 적외선을 감지하는 감지막을 형성하는 방법으로서, 비정질 실리콘막을 형성하는 비정질막 형성 단계; 및 비정질 실리콘막을 400℃이하의 온도 범위에서 열처리하여 결정질화하는 결정질화 단계를 포함하며, 상기 결정질화 단계가 400℃이하의 온도 범위에서 수행될 수 있도록, 전이금속 촉매층을 형성하는 촉매 형성 단계를 상기 비정질막 형성 단계의 전 또는 후에 더 수행하고, 상기 결정질화 단계는 전이금속 촉매층이 접하는 비정질 실리콘막에 대하여 수행되는 것을 특징으로 한다.
종래에 비정질 실리콘막의 단점을 보완하기 위하여, 비정질 실리콘막을 결정질화하는 방법이 고려되었으나, 결정질화를 위해서는 700℃이상의 고온이 필요하기 때문에 센서 제조과정에서 적용하지 못하였다.
본 발명은 비정질 실리콘막에 금속촉매층이 접하도록 준비하며, 400℃이하에서 전이금속 촉매물질과 비정질 실리콘의 반응으로 실리사이드가 형성되면서 실리콘 결정핵의 생성을 촉진함으로써, 400℃이하의 저온에서도 비정질 실리콘막을 결정질화할 수 있으며, 적외선 센서 제조과정에도 적용할 수 있다.
촉매 형성 단계에서 전이금속 촉매층을 5~50nm의 두께 범위로 형성하는 것이 바람직하다.
이때, 비정질 실리콘막에 n형 불순물 입자를 주입하는 단계를 더 수행하는 것이 바람직하다. n형 불순물 입자를 주입함으로써, 열처리 과정에서 불순물입자의 가속된 운동에너지가 비정질 실리콘층에 축적되어 결정핵 생성을 촉진하고 결정화 속도를 높이는 결과를 얻을 수 있으며, n형 불순물 입자가 결정질 실리콘 재질 감지막의 저항을 더 낮추어 성능이 더욱 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 비정질막 형성 단계가, 결정질 또는 결정질과 비정질이 혼합된 실리콘막을 형성한 뒤에 실리콘막에 n형 불순물을 도핑하되, 실리콘막이 비정질 실리콘이 되도록 n형 불순물을 도핑하여 수행될 수도 있다.
본 발명의 다른 형태에 의한 비냉각형 적외선 센서용 감지막은, 비냉각형 적외선 센서에서 적외선을 감지하는 감지막으로서, 비정질 실리콘막을 400℃이하의 온도에서 결정질화 시킨 결정질 실리콘 재질이며, 결정질화 공정이 400℃이하의 온도 범위에서 수행될 수 있도록 비정질 실리콘막의 상부 또는 하부에 전이금속 촉매층을 형성한 뒤에 결정질화를 수행하여, 결정질 실리콘 재질과 전이금속 촉매층이 접하는 부분에 금속실리사이드층이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이때, 비정질 실리콘막의 상부 또는 하부에 형성되는 전이금속 촉매층의 두께가 5~50nm의 범위인 것이 바람직하다.
그리고 결정질 실리콘 재질의 감지막에는 n형 불순물이 도핑될 수 있으며, n형 불순물은 비정질 실리콘막을 결정질화하는 온도를 저온으로 낮추면서도, 결정질화가 빠르고 균일하게 진행되며, 제조된 결정질 실리콘 재질 감지막의 저항을 낮춰서 적외선 센서의 성능을 향상시킨다.
본 발명의 또 다른 형태에 의한 비냉각형 적외선 센서 제조방법은, 적외선 감지막을 형성하는 단계를 포함하는 비냉각형 적외선 센서의 제조방법으로서, 상기 적외선 감지막을 형성하는 단계가, 비정질 실리콘막을 형성하는 비정질막 형성 단계; 및 비정질 실리콘막을 400℃이하의 온도 범위에서 열처리하여 결정질화하는 결정질화 단계를 포함하며, 상기 결정질화 단계가 400℃이하의 온도 범위에서 수행될 수 있도록, 전이금속 촉매층을 형성하는 촉매 형성 단계를 상기 비정질막 형성 단계의 전 또는 후에 더 수행하고, 상기 결정질화 단계는 전이금속 촉매층이 접하는 비정질 실리콘막에 대하여 수행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 비정질 실리콘층을 결정질화하는 단계가 400℃ 이하에서 수행되기 때문에, 종래의 비냉각형 적외선 센서를 제조하는 공정에 적용할 수 있다. 특히 기존의 CMOS 제조공정과 호환이 가능하기 때문에, 특정한 기술적 노드에 국한되지 않고 마이크로볼로미터 형의 구조체로 형성되는 거의 모든 종류 및 기술적 노드에 대한 종래의 적외선 센서 제조과정에 모두 적용할 수 있다.
촉매 형성 단계에서 전이금속 촉매층을 5~50nm의 두께 범위로 형성하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 비정질 실리콘막에 n형 불순물 입자를 주입하는 단계를 더 수행하는 경우, 적외선 감지막을 형성하는 단계가 저온에서 더욱 빠르고 균일하게 진행될 수 있으며, 적외선 감지막의 저항을 낮춰 비냉각형 적외선 센서의 성능이 향상되는 효과가 있다.
또한, 비정질막 형성 단계가, 결정질 또는 결정질과 비정질이 혼합된 실리콘막을 형성한 뒤에 실리콘막에 n형 불순물을 도핑하되, 실리콘막이 비정질 실리콘이 되도록 n형 불순물을 도핑하여 수행될 수도 있다.
본 발명의 마지막 형태에 의한 비냉각형 적외선 센서는, 적외선 감지막을 포함하는 비냉각형 적외선 센서로서, 상기 적외선 감지막이, 비정질 실리콘막을 400℃이하의 온도에서 결정질화 시킨 결정질 실리콘 재질이며, 결정질화 공정이 400℃이하의 온도 범위에서 수행될 수 있도록 비정질 실리콘막의 상부 또는 하부에 전이금속 촉매층을 형성한 뒤에 결정질화를 수행하여, 결정질 실리콘 재질과 전이금속 촉매층이 접하는 부분에 금속실리사이드층이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
비정질 실리콘막의 상부 또는 하부에 형성되는 전이금속 촉매층의 두께가 5~50nm의 범위인 것이 바람직하다.
본 발명의 비냉각형 적외선 센서는, 비정질 실리콘막을 400℃이하의 온도에서 결정질화하여 제조된 결정질 실리콘 재질의 적외선 감지막을 포함하며, 400℃이하의 온도에서 결정질화하기 위한 전이금속 촉매층이 적외선 감지막에 접촉되어 있는 구조이다.
이때, 결정질 실리콘 재질의 감지막에는 n형 불순물이 도핑될 수 있으며, n형 불순물은 비정질 실리콘막을 결정질화하는 온도를 저온으로 낮추면서도, 결정질화가 빠르고 균일하게 진행되며, 제조된 결정질 실리콘 재질 감지막의 저항을 낮춰서 적외선 센서의 성능을 향상시킨다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명은, 비정질 실리콘 막을 저온에서 결정화함으로써, 비냉각형 적외선 센서용 감지막으로 감도와 성능이 향상된 결정질 실리콘막을 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 기존의 CMOS 제조공정과 호환이 가능한 장점이 있으며, 특정한 기술적 노드에 국한되지 않고 마이크로볼로미터 형의 구조체로 형성되는 거의 모든 종류 및 기술적 노드에 적용할 수 있는 기술인 점에서 뛰어난 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 첫 번째 실시예에 따른 비냉각형 적외선 센서용 감지막을 형성하는 방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명의 두 번째 실시예에 따른 비냉각형 적외선 센서용 감지막을 형성하는 방법을 나타낸 순서도이다.
도 3은 본 발명의 세 번째 실시예에 따른 비냉각형 적외선 센서용 감지막을 형성하는 방법을 나타낸 순서도이다.
도 4는 본 발명의 네 번째 실시예에 따른 비냉각형 적외선 센서용 감지막을 형성하는 방법을 나타낸 순서도이다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 첫 번째 실시예에 따른 비냉각형 적외선 센서용 감지막을 형성하는 방법을 나타낸 순서도이다.
본 실시예에서는 먼저 비정질 실리콘막을 형성한다.
본 실시예의 비정질 실리콘막은 비냉각형 적외선 센서용 감지막의 기초가 되는 것으로서, 일반 기판에 적용되는 것이 아닌 종래에 비냉각형 적외선 센서를 제조하기 위한 과정의 일부이다. 따라서 비정질 실리콘막을 형성하기 전까지의 과정은 일반적으로 비냉각형 적외선 센서를 제조하기 위한 과정이 적용되며, 종래에 적용되던 과정이 제한 없이 적용될 수 있다. 예를 들면, 비정질 실리콘막을 감지막으로서 사용하는 비냉각형 적외선 센서의 일반적인 구조에 따라서, CMOS 기술로 구현된 신호취득회로(ROIC)가 형성된 웨이퍼 상에 전극/반사층을 형성하고, 희생층과 SiN 지지층 및 IR흡수층을 순차적으로 형성한 구조위에 비정질 실리콘막을 형성할 수 있다.
그리고 종래에 비정질 실리콘 재질의 적외선 센서용 감지막을 형성하는 방법이 제한 없이 적용될 수 있으며, 그 밖에 본 발명의 본질을 해하지 않는 범위에서 비정질 실리콘막을 형성하는 방법들이 모두 적용될 수 있다.
다음으로 비정질 실리콘막의 표면에 전이금속 촉매층을 형성한다.
전이금속 촉매층은 비정질 실리콘층에 포함된 실리콘과 반응하여 실리사이드를 형성할 수 있는 전이금속을 증착한 것이며, 전이금속의 종류는 실리사이드를 형성할 수 있는 물질이면 제한되지 않고, 증착 방법도 특별히 제한되지 않는다.
그리고 전이금속 촉매층이 접촉하고 있는 비정질 실리콘막을 열처리하여 비정질 실리콘을 결정질화한다.
본 발명은 비정질 실리콘막을 결정질화하여 결정질 실리콘 재질의 감지막을 형성하는 것을 목적으로 한다. 이때, 기 적층된 센서의 구조 등에 영향을 미치지 않도록 400℃이하의 온도에서 열처리를 수행하며, 일반적으로 비정질 실리콘은 700℃ 이상의 온도에서만 결정질화되지만 본 실시예에서는 비정질 실리콘막의 위에 전이금속 촉매층을 형성함으로써 400℃이하의 온도에서 비정질 실리콘을 결정질화 할 수 있었다. 구체적으로 전이금속 촉매층과 비정질 실리콘층이 접촉하는 부분에서는 400℃이하의 온도 범위에서도 전이금속과 실리콘이 반응하여 금속실리사이드를 형성하며, 실리사이드 형성 반응 과정에서 발생한 반응열이 비정질 실리콘에 실리콘 결정핵을 생성하는 구동력으로 사용되어 결정핵의 생성을 촉진 및 촉매함으로써 400℃이하의 온도 범위에서 비정질 실리콘이 결정질화된다. 이때, 전이금속 촉매층의 두께가 너무 얇은 경우에는 실리사이드를 형성하는 반응이 빠르게 완료되어 실리콘 결정핵을 생성하는 구동력을 얻지 못하는 문제가 있다. 확산속도가 상대적으로 빠른 전이금속의 경우에는 반응속도가 빠르기 때문에, 상대적으로 더 두껍게 형성하여야 실리콘 결정핵 생성에 충분한 반응이 수행된다. 결국 전이금속의 종류에 따라서 구체적인 두께가 조절되겠지만, 적어도 5nm 이상의 두께로 전이금속 촉매층을 형성하여야 실리콘 결정핵을 생성하기에 충분한 반응이 일어난다. 전이금속 촉매층의 두께가 두꺼운 경우에는 재료비가 증가하는 것에 비하여, 공정에 미치는 영향이 크지 않으므로 50nm 이하 두께범위의 극박막으로 형성하는 것이 바람직하다.
본 실시예에 따르면, 400℃이하의 저온 열처리만으로 비정질 실리콘을 결정질화하여 적외선 센서를 구성하는 다른 물질층에 영향을 미치지 않은 상태로 비정질 실리콘을 결정질화할 수 있다. 또한, 비정질 실리콘층을 결정질화하여 형성된 결정질 실리콘 재질의 감지막은, 비정질 실리콘에 비하여 저항에 대한 온도계수인 TCR(Temperature Coefficient of Resistance) 값이 높아서 센서의 감도가 높아진다. 또한 결정질 실리콘은 비정질 실리콘에 비하여 저항이 낮고, 전기 저항의 감소는 전기회로에서 백그라운드의 노이즈 값, 예를들면 존슨 노이즈(Johnson noise), 백그라운드 플럭추에이션 노이즈(Background fluctuation noise)를 감소 시켜 픽셀의 신호출력에서 노이즈 대 시그널 값을 크게 만들어 주기 때문에 픽셀의 성능을 높이게 된다. 따라서, 본 실시예의 감지막 형성방법을 적용하는 경우, 보다 깨끗하고 감도가 높고 화질이 좋은 고성능의 센서를 제조할 수 있다.
본 실시예의 방법에 의해서 비냉각형 적외선 센서용 감지막을 형성한 뒤에는 비냉각형 적외선 센서를 제조하기 위한 이후 공정을 수행할 수 있으며, 예를 들면 400℃이하에서 결정화된 실리콘 재질의 감지막의 표면에 SiN 보호막을 형성하는 공정을 수행할 수 있다.
도 2는 본 발명의 두 번째 실시예에 따른 비냉각형 적외선 센서용 감지막을 형성하는 방법을 나타낸 순서도이다.
도 1의 첫 번째 실시예와는, 전이금속 촉매층을 먼저 형성한 뒤에 그 위에 비정질 실리콘막을 형성하는 점에서 차이가 있다. 형성 순서에는 차이가 있지만, 전이금속 촉매층과 비정질 실리콘막이 서로 접하여 400℃ 이하에서 열처리하여도 비정질 실리콘이 결정질화되는 원리는 동일하다.
또한, 전이금속 촉매층도 일반적으로 비냉각형 적외선 센서를 제조하기 위한 구조 위에 적층되는 점도 동일하다.
상기한 차이점을 제외한 다른 부분은 첫 번째 실시예와 동일하므로, 구체적인 설명은 생략한다.
상기한 첫 번째 실시예와 두 번째 실시예를 통해서 400℃ 이하의 저온 열처리를 통해서 결정질 실리콘 재질의 비냉각형 적외선 센서용 감지막을 제조할 수 있었다. 하지만, 전이금속 촉매층과 비정질 실리콘층의 반응으로 실리사이드가 생성되고 실리사이드에 의해서 결정핵이 생성되는 것은 '확산'에 의해서 제어되며, 저온 열처리 과정에서의 속도가 상대적으로 느릴 수 있기 때문에, 공정 속도 향상을 위한 추가적인 공정을 더 수행할 수 있다.
도 3은 본 발명의 세 번째 실시예에 따른 비냉각형 적외선 센서용 감지막을 형성하는 방법을 나타낸 순서도이다.
세 번째 실시예는, 비정질 실리콘막을 형성한 뒤에 비정질 실리콘막에 n형 불순물 입자를 주입하는 공정을 추가로 수행하며, 이후 단계는 첫 번째 실시예와 같다.
비정질 실리콘층에 n형 불순물 입자를 주입함으로써, 열처리 과정에서 불순물입자의 가속된 운동에너지가 축적되고, 비정질 실리콘층에 축적된 운동에너지는 비정질 실리콘과 전이금속 촉매의 반응 구동력으로 작용하여, 결정핵 생성을 촉진하고 결정화 속도를 높이는 결과를 얻을 수 있다. 나아가 n형 불순물 입자가 도핑된 결정질 실리콘 재질의 감지막은 n형 불순물 입자로 인하여 저항이 더 낮아지기 때문에, 성능이 더욱 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
n형 불순물의 종류와 주입 방법은 특별히 제한되지 않는다.
한편, 결정질 실리콘에 n형 불순물을 도핑할 경우에 도즈(dose)량에 따라서 결정질 실리콘의 결정상태가 완전히 무너져서 비정질화될 수 있다. 예를들면 As의 경우 1014/cm2 이상으로 도핑하는 경우에 결정질 실리콘이 비정질화된다. 따라서, 상기한 실시예들에서 비정질 실리콘막을 형성하는 과정에서, 결정질 실리콘 또는 결정질 실리콘과 비정질 실리콘이 혼합된 형태의 실리콘막을 형성한 뒤에 n형 불순물을 도핑하여 비정질화함으로써 비정질 실리콘막을 형성하는 것도 가능하다.
도 4는 본 발명의 네 번째 실시예에 따른 비냉각형 적외선 센서용 감지막을 형성하는 방법을 나타낸 순서도이다.
네 번째 실시예는, 비정질 실리콘막을 형성한 뒤에 비정질 실리콘막에 n형 불순물 입자를 주입하는 공정을 추가로 수행하는 것을 제외하고 두 번째 실시예와 같다.
n형 불순물 입자 주입에 따른 효과는 세 번째 실시예의 경우와 동일하므로, 구체적인 설명은 생략한다.
본 발명의 다른 형태인 비냉각형 적외선 센서와 그 제조방법은, 상기한 방법으로 비정질 실리콘을 400℃ 이하의 온도에서 결정질화하여 감지막을 형성하는 것에 특징이 있다.
상기한 감지막 형성방법은 비정질 실리콘을 결정질화하는 온도가 400℃ 이하이기 때문에, 종래의 모든 비냉각형 적외선 센서의 제조방법 및 구조를 적용할 수 있다.
또한 종래의 비정질 실리콘막을 감지막으로 사용하는 경우와 마찬가지로 CMOS 제조공정과 호환이 가능한 공정들로만 구성되어 있기 때문에, 특정한 기술적 노드에 국한되지 않고 마이크로볼로미터 형의 구조체로 형성되는 거의 모든 종류 및 기술적 노드에 적용할 수 있다.
나아가 종래에 비냉각형 적외선 센서용 비정질 실리콘 감지막을 형성하기 위한 장비 및 이를 이용하여 비냉각형 적외선 센서를 제조하기위한 장비를 그대로 사용할 수 있기 때문에, 새로운 방법을 적용하기 위하여 추가 시설 및 장비 비용이 필요하지 않으며, 감도와 성능이 더 뛰어난 센서를 제조할 수 있는 점에서 경제적 효과가 매우 뛰어나다.
최종적으로, 본 발명을 적용하여 만들어진 열영상 카메라 장치는 작고, 정밀하며, 감도가 높고 화질이 좋은 영상을 실현하는 적외선 열영상 장치가 된다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 통하여 설명하였는데, 상술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화가 가능함은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 특정 실시예가 아니라 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (14)

  1. 비냉각형 적외선 센서에서 적외선을 감지하는 감지막을 형성하는 방법으로서,
    비정질 실리콘막을 형성하는 비정질막 형성 단계; 및
    비정질 실리콘막을 400℃이하의 온도 범위에서 열처리하여 결정질화하는 결정질화 단계를 포함하며,
    상기 결정질화 단계가 400℃이하의 온도 범위에서 수행될 수 있도록, 전이금속 촉매층을 형성하는 촉매 형성 단계를 상기 비정질막 형성 단계의 전 또는 후에 더 수행하고,
    상기 결정질화 단계는 전이금속 촉매층이 접하는 비정질 실리콘막에 대하여 수행되는 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 센서용 감지막 형성방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 촉매 형성 단계에서 전이금속 촉매층을 5~50nm의 두께 범위로 형성하는 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 센서용 감지막 형성방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 비정질 실리콘막에 n형 불순물 입자를 주입하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 센서용 감지막 형성방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 비정질막 형성 단계가, 결정질 또는 결정질과 비정질이 혼합된 실리콘막을 형성한 뒤에 실리콘막에 n형 불순물을 도핑하되, 실리콘막이 비정질 실리콘이 되도록 n형 불순물을 도핑하여 수행되는 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 센서용 감지막 형성방법.
  5. 비냉각형 적외선 센서에서 적외선을 감지하는 감지막으로서,
    비정질 실리콘막을 400℃이하의 온도에서 결정질화 시킨 결정질 실리콘 재질이며,
    결정질화 공정이 400℃이하의 온도 범위에서 수행될 수 있도록 비정질 실리콘막의 상부 또는 하부에 전이금속 촉매층을 형성한 뒤에 결정질화를 수행하여, 결정질 실리콘 재질과 전이금속 촉매층이 접하는 부분에 금속실리사이드층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 센서용 감지막.
  6. 청구항 5에 있어서,
    비정질 실리콘막의 상부 또는 하부에 형성되는 전이금속 촉매층의 두께가 5~50nm의 범위인 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 센서용 감지막.
  7. 청구항 5에 있어서,
    결정질 실리콘 재질에 n형 불순물이 도핑된 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 센서용 감지막.
  8. 적외선 감지막을 형성하는 단계를 포함하는 비냉각형 적외선 센서의 제조방법으로서,
    상기 적외선 감지막을 형성하는 단계가,
    비정질 실리콘막을 형성하는 비정질막 형성 단계; 및
    비정질 실리콘막을 400℃이하의 온도 범위에서 열처리하여 결정질화하는 결정질화 단계를 포함하며,
    상기 결정질화 단계가 400℃이하의 온도 범위에서 수행될 수 있도록, 전이금속 촉매층을 형성하는 촉매 형성 단계를 상기 비정질막 형성 단계의 전 또는 후에 더 수행하고,
    상기 결정질화 단계는 전이금속 촉매층이 접하는 비정질 실리콘막에 대하여 수행되는 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 센서 제조방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 촉매 형성 단계에서 전이금속 촉매층을 5~50nm의 두께 범위로 형성하는 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 센서 제조방법.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 비정질 실리콘막에 n형 불순물 입자를 주입하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 센서 제조방법.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 비정질막 형성 단계가, 결정질 또는 결정질과 비정질이 혼합된 실리콘막을 형성한 뒤에 실리콘막에 n형 불순물을 도핑하되, 실리콘막이 비정질 실리콘이 되도록 n형 불순물을 도핑하여 수행되는 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 센서 제조방법.
  12. 적외선 감지막을 포함하는 비냉각형 적외선 센서로서,
    상기 적외선 감지막이,
    비정질 실리콘막을 400℃이하의 온도에서 결정질화 시킨 결정질 실리콘 재질이며,
    결정질화 공정이 400℃이하의 온도 범위에서 수행될 수 있도록 비정질 실리콘막의 상부 또는 하부에 전이금속 촉매층을 형성한 뒤에 결정질화를 수행하여, 결정질 실리콘 재질과 전이금속 촉매층이 접하는 부분에 금속실리사이드층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 센서.
  13. 청구항 12에 있어서,
    비정질 실리콘막의 상부 또는 하부에 형성되는 전이금속 촉매층의 두께가 5~50nm의 범위인 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 센서.
  14. 청구항 12에 있어서,
    상기 감지막에 n형 불순물이 도핑된 것을 특징으로 하는 비냉각형 적외선 센서.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0669528A (ja) * 1992-08-20 1994-03-11 Natl Space Dev Agency Japan<Nasda> 半導体光検出装置
JPH09318436A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Nikon Corp 熱型赤外線センサ及びその製造方法並びにこれを用いたイメージセンサ
KR0151810B1 (ko) * 1994-06-14 1998-10-01 윤창주 적외선 감지소자의 제조방법
KR100291974B1 (ko) * 1993-06-22 2001-11-22 야마자끼 순페이 반도체장치 및 그제조방법
KR100413473B1 (ko) * 1999-09-08 2003-12-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수소 플라즈마와 전계를 이용한 비정질막의 결정화 방법
KR100653263B1 (ko) * 2000-12-29 2006-12-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘막의 결정화 방법
JP2013520832A (ja) * 2010-02-26 2013-06-06 株式会社テラセミコン 多結晶シリコン層の製造方法及びこのための金属混入層形成装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100921703B1 (ko) * 2007-10-29 2009-10-15 주식회사 티지솔라 태양전지 제조방법
KR100965778B1 (ko) * 2008-01-16 2010-06-24 서울대학교산학협력단 고효율 다결정 실리콘 태양전지 및 그 제조방법
KR100984618B1 (ko) * 2008-12-16 2010-09-30 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막 실리콘 태양전지의 제조방법
KR101011806B1 (ko) * 2009-04-30 2011-02-07 노코드 주식회사 다결정 실리콘 박막의 제조방법
KR101129035B1 (ko) * 2010-04-12 2012-03-23 주식회사 테라세미콘 금속 혼입층 형성장치
KR101118275B1 (ko) * 2010-07-13 2012-03-20 노코드 주식회사 다결정 실리콘 박막의 제조방법
KR101193226B1 (ko) * 2011-07-29 2012-10-19 노코드 주식회사 다결정 실리콘 박막의 제조방법
KR20130060002A (ko) * 2011-11-29 2013-06-07 노코드 주식회사 저온 다결정 박막의 제조방법
KR101498522B1 (ko) 2013-07-17 2015-03-04 한국광기술원 마이크로 볼로미터용 고특성 산화물 박막 제조방법
KR101439263B1 (ko) 2013-11-22 2014-09-11 한국광기술원 마이크로 볼로미터용 적외선 감지 박막 제조방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0669528A (ja) * 1992-08-20 1994-03-11 Natl Space Dev Agency Japan<Nasda> 半導体光検出装置
KR100291974B1 (ko) * 1993-06-22 2001-11-22 야마자끼 순페이 반도체장치 및 그제조방법
KR0151810B1 (ko) * 1994-06-14 1998-10-01 윤창주 적외선 감지소자의 제조방법
JPH09318436A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Nikon Corp 熱型赤外線センサ及びその製造方法並びにこれを用いたイメージセンサ
KR100413473B1 (ko) * 1999-09-08 2003-12-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수소 플라즈마와 전계를 이용한 비정질막의 결정화 방법
KR100653263B1 (ko) * 2000-12-29 2006-12-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘막의 결정화 방법
JP2013520832A (ja) * 2010-02-26 2013-06-06 株式会社テラセミコン 多結晶シリコン層の製造方法及びこのための金属混入層形成装置

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