WO2019167530A1 - 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 - Google Patents

太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 Download PDF

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WO2019167530A1
WO2019167530A1 PCT/JP2019/003277 JP2019003277W WO2019167530A1 WO 2019167530 A1 WO2019167530 A1 WO 2019167530A1 JP 2019003277 W JP2019003277 W JP 2019003277W WO 2019167530 A1 WO2019167530 A1 WO 2019167530A1
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WO
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paste
passivation film
solar cell
cell element
glass component
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PCT/JP2019/003277
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宏明 ▲高▼橋
祐太 入江
拓実 杉原
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京セラ株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Definitions

  • the present disclosure relates to a solar cell element and a method for manufacturing the solar cell element.
  • Some solar cell elements include, for example, an antireflection film mainly on the front side that receives light.
  • This antireflection film can also function as, for example, a passivation film.
  • a solar cell element and a method for manufacturing the solar cell element are disclosed.
  • One aspect of the solar cell element includes a semiconductor substrate, a passivation film, and an electrode.
  • the passivation film is located on the semiconductor substrate.
  • the electrode has a main body portion and a plurality of connection portions.
  • the main body is located on the passivation film.
  • Each of the plurality of connection portions is positioned in a state where the main body portion and the semiconductor substrate are connected.
  • the said main-body part contains a metal and a 1st glass component.
  • Each of the plurality of connecting portions contains the metal, the first glass component, and a second glass component made of a material different from the first glass component.
  • 1 aspect of the manufacturing method of a solar cell element has a 1st process, a 2nd process, a 3rd process, and a 4th process.
  • a semiconductor substrate is prepared.
  • a passivation film is formed on the semiconductor substrate.
  • a first paste containing a metal and a first glass component, and a second paste containing a second glass component made of a material different from the first glass component are applied so as to overlap each other.
  • the fourth step by heating the first paste and the second paste, a main body containing the metal and the first glass component, the metal, and the first glass on the passivation film.
  • the body portion is formed on the passivation film by heating a portion other than the first portion of the first paste, and the first portion of the first paste By heating the second portion of the second paste, the connection portion located in a state where the main body portion and the semiconductor substrate are connected is formed by firing through the passivation film.
  • FIG. 1 is a plan view showing an appearance of an example of the solar cell element according to the first embodiment viewed from the front side.
  • FIG. 2 is a plan view showing an appearance of an example of the solar cell element according to the first embodiment viewed from the back side.
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of a virtual cut surface portion of the solar cell element taken along line III-III in FIGS.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a virtual cut surface portion of the solar cell element taken along line IV-IV in FIGS. 1 and 2.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a virtual cut surface portion of the solar cell element taken along the line VV in FIGS. 1 and 2.
  • FIG. 7A is a diagram illustrating an external appearance of an example of the semiconductor substrate prepared in the first step, as viewed from the first surface side.
  • FIG. 7B is a diagram illustrating an example of a virtual cut surface portion of the semiconductor substrate along the line VIIb-VIIb in FIG.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a virtual cut surface portion corresponding to the virtual cut surface portion of FIG. 7B in a state where the first passivation film and the second passivation film are formed on the semiconductor substrate.
  • FIG. 9 is a plan view showing an example of a state in which the 2a paste is applied on the first passivation film.
  • FIG. 10 is a plan view showing an example of a state in which the 1a paste is applied on the first passivation film.
  • FIG. 11 is a plan view showing an example of a state in which the second b paste is applied on the second passivation film.
  • FIG. 12 is a plan view showing an example of a state in which the first b paste and the first c paste are applied on the second passivation film.
  • FIG. 13 is a flowchart showing an example of the operation flow of the third step of applying the paste according to the second embodiment.
  • FIG. 14 is a plan view showing an example of a state in which the 1a paste is applied on the first passivation film.
  • FIG. 15 is a plan view showing an example of a state in which the 2a paste is applied on the first passivation film.
  • FIG. 16 is a plan view showing an example of a state in which the first b paste and the first c paste are applied on the second passivation film.
  • FIG. 17 is a plan view showing an example of a state in which the second b paste is applied on the second passivation film.
  • FIG. 18 is a plan view showing an appearance of an example of the solar cell element according to the third embodiment viewed from the front side.
  • FIG. 19 is a plan view showing an appearance of an example of the solar cell element according to the third embodiment viewed from the back side.
  • a solar cell element in which an antireflection film exists on the front side that mainly receives light is known.
  • the antireflection film not only reduces the reflection of light but can also function as a passivation film that exhibits a passivation effect. For example, if the area of the portion of the semiconductor substrate whose front side surface is covered with the passivation film is increased, the passivation effect can be enhanced.
  • a plurality of minute through holes are provided in the antireflection film by laser irradiation or etching, and the front side including the bus bar electrode and the finger electrode is positioned on the antireflection film and in the plurality of minute through holes. It is conceivable to form an electrode.
  • the bus bar electrode and the finger electrode can be formed, for example, by applying a metal paste containing a metal and a glass component on the antireflection film and baking the metal paste.
  • the firing temperature and the amount and type of glass frit contained in the metal paste can be limited.
  • the adhesive strength between the electrode and the semiconductor substrate cannot be sufficiently increased, and the electrode may easily peel from the semiconductor substrate.
  • the photoelectric conversion efficiency of the solar cell element is likely to decrease, and the reliability of the solar cell element may be decreased.
  • a part of the second conductivity type region once formed in the surface layer of the first conductivity type semiconductor substrate may be removed. is there.
  • the second conductivity type dopant is introduced again into the portion of the surface layer of the semiconductor substrate facing the through hole after forming the minute through hole.
  • the introduction of the second conductivity type dopant is performed twice on the surface layer of the semiconductor substrate, the manufacturing process of the solar cell element may be complicated.
  • the long and narrow finger electrode when forming a long and narrow finger electrode, it is not easy to apply a thin and long metal paste so as to pass through a minute through hole formed in the antireflection film. For this reason, for example, when manufacturing a solar cell element, the apparatus and process for performing highly accurate alignment may be complicated. In addition, for example, the long and narrow finger electrode may not sufficiently enter the minute through hole, resulting in a poor connection between the electrode and the semiconductor substrate, leading to a decrease in photoelectric conversion efficiency of the solar cell element.
  • the present inventors have created a technology that can easily improve the quality of solar cell elements.
  • FIG. 1 to 5 a right-handed XYZ coordinate system is attached.
  • the longitudinal direction of the front bus bar electrode 61 is the + Y direction
  • the longitudinal direction of the front finger electrode 62 is the + X direction
  • the direction orthogonal to both the + X direction and the + Y direction is the + Z direction.
  • the solar cell element 10 according to the first embodiment is a PERC (Passivated Emitter and Rear Cell) type solar cell element.
  • the solar cell element 10 includes a surface 10 fs that mainly receives light (also referred to as a front surface) and a surface 10 bs that is positioned on the opposite side of the front surface (also referred to as a back surface).
  • a front surface 10fs is positioned in the + Z direction
  • the back surface 10bs is positioned in the ⁇ Z direction.
  • the solar cell element 10 includes, for example, a semiconductor substrate 1, a first passivation film 5, a second passivation film 9, a front electrode 6, and a back electrode 7.
  • the semiconductor substrate 1 includes, for example, a first surface 1fs, a second surface 1bs, and a third surface 1ss.
  • the first surface 1fs is located on the front surface 10fs side.
  • the second surface 1bs is located on the back surface 10bs side.
  • the second surface 1bs is located on the opposite side of the semiconductor substrate 1 from the first surface 1fs.
  • the first surface 1fs and the second surface 1bs are positioned in opposite directions.
  • the third surface 1ss is located in a state where the first surface 1fs and the second surface 1bs are connected.
  • the third surface 1 ss is an end surface constituting the outer peripheral edge of the semiconductor substrate 1.
  • the first surface 1fs is positioned in a state facing the + Z direction.
  • the second surface 1bs faces the ⁇ Z direction.
  • the semiconductor substrate 1 has a flat plate shape having a thickness along the + Z direction. For this reason, the first surface 1fs and the second surface 1bs are positioned in a state of constituting a plate surface of the semiconductor substrate 1 along the XY plane.
  • the semiconductor substrate 1 has a first semiconductor region 2 and a second semiconductor region 3.
  • the first semiconductor region 2 is located in a state of being constituted by a semiconductor having the first conductivity type.
  • the second semiconductor region 3 is located in a state of being constituted by a semiconductor having a second conductivity type opposite to the first conductivity type.
  • the first semiconductor region 2 is located on the second surface 1bs side of the semiconductor substrate 1.
  • the second semiconductor region 3 is located on the first surface 1 fs side of the semiconductor substrate 1.
  • the second semiconductor region 3 is located in the surface layer portion located on the first surface 1 fs side of the semiconductor substrate 1. In the example of FIGS. 3 to 5, the second semiconductor region 3 is located on the first semiconductor region 2.
  • the semiconductor substrate 1 is a silicon substrate.
  • a polycrystalline or single crystal silicon substrate is employed as the silicon substrate.
  • the silicon substrate has a thickness of 250 ⁇ m or less or 150 ⁇ m or less.
  • the silicon substrate has a rectangular outer shape in plan view, for example. If the semiconductor substrate 1 having such a shape is employed, a gap between the solar cell elements 10 may be reduced when a solar cell module is manufactured by arranging a plurality of solar cell elements 10.
  • the first conductivity type is p-type and the second conductivity type is n-type
  • an impurity such as boron or gallium as a dopant element in a polycrystalline or single crystal silicon crystal.
  • a p-type silicon substrate can be manufactured.
  • the n-type second semiconductor region 3 can be generated by diffusing impurities such as phosphorus as an n-type dopant in the surface layer portion on the first surface 1fs side of the p-type silicon substrate.
  • the semiconductor substrate 1 in which the p-type first semiconductor region 2 and the n-type second semiconductor region 3 are stacked can be formed. Thereby, the semiconductor substrate 1 has a pn junction located at the interface between the first semiconductor region 2 and the second semiconductor region 3.
  • the first surface 1fs of the semiconductor substrate 1 may have, for example, a fine uneven structure (texture) for reducing reflection of irradiated light.
  • a third semiconductor region having a first conductivity type that is the same as the first conductivity type (for example, p-type) of the first semiconductor region 2 in the surface layer portion on the second surface 1bs side of the semiconductor substrate 1. May be present.
  • the third semiconductor region is located on the second surface 1 bs side of the semiconductor substrate 1. Located in a state where an electric field is formed. Thereby, in the vicinity of the second surface 1bs of the semiconductor substrate 1, minority carrier recombination caused by photoelectric conversion in response to light irradiation in the semiconductor substrate 1 can be reduced.
  • the third semiconductor region can be formed, for example, by diffusing a dopant element such as aluminum in the surface layer portion of the semiconductor substrate 1 on the second surface 1bs side.
  • the first passivation film 5 is located on the semiconductor substrate 1, for example. Specifically, the first passivation film 5 is located on the first surface 1 fs of the semiconductor substrate 1, for example. For example, the first passivation film 5 can reduce recombination of minority carriers generated by photoelectric conversion in response to light irradiation in the semiconductor substrate 1.
  • a material of the first passivation film 5 for example, silicon nitride can be employed.
  • the first passivation film 5 may be positioned, for example, in a state where it is composed of one layer or two or more layers including different materials.
  • the first semiconductor region 2 has p-type conductivity and the second semiconductor region 3 has n-type conductivity.
  • the silicon nitride film has a positive fixed charge.
  • the passivation effect by the first passivation film 5 can be increased by the silicon nitride film having a positive fixed charge located on the n-type second semiconductor region 3.
  • the first passivation film 5 can also function as an antireflection film by appropriately adjusting the thickness, for example.
  • the refractive index and the thickness of the first passivation film 5 are such that the reflectance of light in a wavelength range that can be absorbed by the semiconductor substrate 1 and contribute to power generation in sunlight is low (low reflection condition).
  • the refractive index of the first passivation film 5 may be about 1.8 to 2.5, and the thickness of the first passivation film 5 may be about 20 nm to 120 nm.
  • the second passivation film 9 is located on the semiconductor substrate 1, for example. Specifically, the second passivation film 9 is located on the second surface 1bs of the semiconductor substrate 1, for example. For example, the second passivation film 9 can reduce recombination of minority carriers generated by photoelectric conversion according to light irradiation in the semiconductor substrate 1.
  • a material of the second passivation film 9 for example, aluminum oxide or the like can be adopted.
  • the second passivation film 9 may be positioned, for example, in a state where it is composed of one layer or two or more layers including different materials.
  • the first semiconductor region 2 has p-type conductivity and the second semiconductor region 3 has n-type conductivity.
  • the aluminum oxide film has a negative fixed charge.
  • the passivation effect by the second passivation film 9 can be increased by the film of aluminum oxide having a negative fixed charge located on the p-type first semiconductor region 2.
  • Front electrode 6 As shown in FIGS. 1 and 3 to 5, the front electrode 6 is located, for example, on the front surface 10 fs side of the solar cell element 10.
  • the front electrode 6 can be formed by, for example, applying and baking a metal paste in which a metal, a glass frit, and an organic vehicle are mixed.
  • the front electrode 6 has, for example, main body portions 61a and 62a and a plurality of connection portions 61b and 62b.
  • the main body portions 61a and 62a are located on the first passivation film 5, for example.
  • Each of the plurality of connection portions 61b and 62b is positioned in a state where, for example, the main body portions 61a and 62a and the semiconductor substrate 1 are connected.
  • the front electrode 6 includes, for example, a front bus bar electrode 61 and a plurality of front finger electrodes 62.
  • the front bus bar electrode 61 has an elongated shape in the + Y direction as the first direction.
  • the front electrode 6 has three front bus bar electrodes 61 parallel to each other.
  • the width of the front bus bar electrode 61 is, for example, about 2 mm to 3 mm.
  • each of the plurality of front finger electrodes 62 is located, for example, in a state of intersecting the front bus bar electrode 61 and has a shape that is longer than that of the front bus bar electrode 61. In the example of FIG.
  • the front electrode 6 has a number of front finger electrodes 62 that are parallel to each other and are positioned orthogonal to the three front bus bar electrodes 61.
  • the width of the front finger electrode 62 is, for example, about 20 ⁇ m to 200 ⁇ m.
  • the front bus bar electrode 61 includes, for example, a main body portion (also referred to as a front first main body portion) 61 a located on the first passivation film 5, and the front first main body portion 61 a and the first of the semiconductor substrate 1.
  • Each of the plurality of front finger electrodes 62 includes, for example, a main body portion (also referred to as a front second main body portion) 62 a located on the first passivation film 5, and the front second main body portion 62 a and the first of the semiconductor substrate 1.
  • a connection portion (also referred to as a front surface second connection portion) 62b that connects the first surface 1fs.
  • the front first connection portion 61 b and the front second connection portion 62 b are positioned in a state of penetrating the first passivation film 5.
  • the front first body portion 61a and the front second body portion 62a contain a metal and a first glass component.
  • a metal and a first glass component For example, when silver or copper is applied to the metal, bonding using solder is possible when bonding the wiring material to the front bus bar electrode 61 in order to electrically connect adjacent solar cell elements 10 in series. It becomes.
  • the concentration of the metal is, for example, about 80% by mass to 98% by mass
  • the concentration of the first glass component is, for example, 2% by mass to 20% by mass. It is said to be about.
  • the front first connecting portion 61b and the front second connecting portion 62b contain a metal and a first glass component, similarly to the front first main body portion 61a and the front second main body portion 62a.
  • These front 1st connection part 61b and front 2nd connection part 62b contain further the 2nd glass component from which a material differs from the 1st glass component.
  • silver or copper is applied to the metal in the front first connection 61b and the front second connection 62b.
  • the concentration of the metal is, for example, about 60 mass% to 96 mass%, and the concentration of the first glass component is, for example, 2 mass% to 20 mass%.
  • the concentration of the second glass component is, for example, about 2% by mass to 20% by mass.
  • the front first connecting portion 61b and the front second connecting portion 62b are, for example, a metal paste containing a metal and a first glass component (also referred to as a first paste, particularly a first paste used on the front surface 10fs side is referred to as a first a paste) And a paste containing the second glass component (also referred to as the second paste, in particular, the second paste used on the front surface 10 fs side is referred to as the second a paste) is formed by firing through the first passivation film 5. obtain.
  • a metal paste containing a metal and a first glass component also referred to as a first paste, particularly a first paste used on the front surface 10fs side is referred to as a first a paste
  • a paste containing the second glass component also referred to as the second paste, in particular, the second paste used on the front surface 10 fs side is referred to as the second a paste
  • the front first body portion 61a and the front second body portion 62a of the front electrode 6 are necessary for firing the first passivation film 5 in addition to the metal and the first glass component.
  • the second glass component is not included.
  • the ratio of the glass component which occupies for the front 1st main body part 61a and the front 2nd main body part 62a of the front electrode 6 can be reduced.
  • the electrical resistance of the front first body portion 61a and the front second body portion 62a in the front electrode 6 can be reduced.
  • the front electrode 6 can be made thin, and light can easily enter the semiconductor substrate 1 on the front surface 10fs.
  • the photoelectric conversion efficiency in the solar cell element 10 can be easily improved. Further, for example, the amount of material used for forming the front bus bar electrode 61 and the front finger electrode 62 can be reduced. Therefore, for example, the quality in the solar cell element 10 can be improved easily.
  • the first front film is formed by combining the application of the first paste containing the first glass component and the metal that is difficult to cause the firing of the first passivation film 5 and the second glass component containing the second glass component.
  • the 1 connection part 61b and the front 2nd connection part 62b can be formed.
  • the front first connection portion 61b and the front second connection portion 62b are formed.
  • the breadth of choices expands about various conditions, such as the calcination temperature regarding metal pastes, such as 1a paste, and the content and kind of the glass component contained in a metal paste.
  • the adhesive strength between the first front connection portion 61b and the second front connection portion 62b and the semiconductor substrate 1 can be sufficiently increased.
  • the front bus bar electrode 61 and the plurality of front finger electrodes 62 are hardly peeled off from the semiconductor substrate 1, and the reliability in the solar cell element 10 can be easily improved. Therefore, the quality in the solar cell element 10 can be improved easily.
  • the first glass component for example, includes both the bismuth oxide (Bi 2 O 3) and silicon oxide (SiO 2) is applied.
  • the mass ratio of bismuth oxide in the first glass component is, for example, about 1 to 10 times the mass ratio of silicon oxide in the first glass component.
  • the first glass component contains bismuth oxide at a rate of about 40 to 90 parts by mass in terms of oxide.
  • the second glass component for example, those containing both sodium oxide (Na 2 O) or sodium oxide (Na 2 O) and silicon oxide (SiO 2) is applied.
  • the mass ratio of sodium oxide in the second glass component is, for example, one time the mass ratio of silicon oxide in the second glass component. To about 10 times.
  • the second glass component when the second glass component is 100 parts by mass, the second glass component contains sodium oxide at a ratio of about 40 parts by mass to 90 parts by mass in terms of oxide.
  • the inclusion in the first glass component and the inclusion in the second glass component may be reversed.
  • the concentration of the first glass component (also referred to as the first concentration) in the front first main body portion 61a and the front second main body portion 62a is the first concentration in each of the front first connection portion 61b and the front second connection portion 62b. If the concentration is lower than the concentration of the glass component that is the sum of the first glass component and the second glass component (also referred to as the second concentration), the electrical resistance of the front first body portion 61a and the front second body portion 62a can be reduced. Thereby, for example, the front electrode 6 including the front bus bar electrode 61 and the front finger electrode 62 can be thinned. As a result, for example, light can easily enter the semiconductor substrate 1 on the front surface 10fs side.
  • the photoelectric conversion efficiency in the solar cell element 10 can be easily improved.
  • the analysis of the first concentration and the second concentration is performed by, for example, energy dispersive X-ray analysis (EDX), secondary ion mass spectrometry (SIMS), or secondary ion mass spectrometry (SIMS). Can do.
  • EDX energy dispersive X-ray analysis
  • SIMS secondary ion mass spectrometry
  • SIMS secondary ion mass spectrometry
  • the front first connection portion 61b is located inside the front bus bar electrode 61, and the front second connection portion 62b is , Located at a part of the front finger electrode 62.
  • the adhesive strength of the front bus bar electrode 61 to the semiconductor substrate 1 is improved.
  • the front bus bar electrode 61 is not affected by the external force applied by the wiring material. Hard to peel off from the semiconductor substrate 1.
  • the reliability in the solar cell element 10 can be easily improved. Therefore, for example, the quality of the solar cell element can be easily improved.
  • the solar cell element 10 may further include a first glass portion 11 located on the first passivation film 5.
  • This 1st glass part 11 contains a 2nd glass component.
  • each of the plurality of front second connection portions 62 b has a plurality of front surfaces.
  • Each finger electrode 62 is located at a first intersection CR ⁇ b> 1 between the front second main body portion 62 a and the first glass portion 11.
  • the first a paste and the second a paste are applied on the first passivation film 5 so as to intersect with each other, and the first a paste and the second a paste are baked to obtain the first This can be realized by causing local firing penetration of the passivation film 5.
  • the front second connection portion can be formed without performing high-precision alignment between the region where the first a paste is applied and the region where the second a paste is applied.
  • 62b can be formed easily.
  • a good connection between the front electrode 6 and the semiconductor substrate 1 can be easily realized.
  • the photoelectric conversion efficiency in the solar cell element 10 can be easily improved. Therefore, for example, the quality in the solar cell element 10 can be improved easily.
  • the first glass portion 11 is positioned along a virtual line (also referred to as a first virtual line) VL1 along the first direction (+ Y direction)
  • the front finger electrodes 62 may have a discontinuous shape interrupted in a region between the front finger electrodes 62.
  • the first glass portion 11 is positioned along each of a plurality (for example, 10) of linear first virtual lines VL ⁇ b> 1 that are parallel to each other.
  • the 1st glass part 11 may be located in linear form, for example, and may be located in linear form so that it may curve. If such a configuration is adopted, for example, an increase in the area of the first glass portion 11 that occupies the first passivation film 5 can be reduced.
  • the decrease in the incidence of light on the semiconductor substrate 1 due to the presence of the first glass portion 11 can be reduced.
  • the photoelectric conversion efficiency in the solar cell element 10 can be easily improved.
  • the shape of the first glass part 11 is a thin film, light is likely to pass through the first glass part 11, and light to the semiconductor substrate 1 due to the presence of the first glass part 11. The reduction in incidence can be reduced.
  • the back surface electrode 7 is located on the back surface 10 bs side of the solar cell element 10, for example.
  • the back electrode 7 can be formed, for example, by applying and baking a metal paste in which a metal, glass frit, and organic vehicle are mixed.
  • the back electrode 7 includes, for example, main body portions 71a and 72a and a plurality of connection portions 71b and 72b.
  • the main body portions 71a and 72a are located on the second passivation film 9, for example.
  • Each of the plurality of connection portions 71b and 72b is positioned in a state where, for example, the main body portions 71a and 72a and the semiconductor substrate 1 are connected.
  • the back electrode 7 includes, for example, a back bus bar electrode 71 and a plurality of back finger electrodes 72.
  • the back bus bar electrode 71 has a shape elongated in the + Y direction as the first direction.
  • the back electrode 7 has three back bus bar electrodes 71 parallel to each other.
  • each of the three back surface bus bar electrodes 71 has a plurality of (four in the example of FIG. 2) island-shaped portions arranged along the first direction.
  • the width of the back bus bar electrode 71 is, for example, about 2 mm to 3 mm.
  • Each of the plurality of back surface finger electrodes 72 is located, for example, in a state of intersecting with the back surface bus bar electrode 71 and has a shape that is longer than that of the back surface bus bar electrode 71.
  • the back surface electrode 7 has a large number of back surface finger electrodes 72 parallel to each other and positioned in a state orthogonal to the three back surface bus bar electrodes 71.
  • the width of the back finger electrode 72 is, for example, about 20 ⁇ m to 200 ⁇ m.
  • the back surface bus bar electrode 71 includes, for example, a main body portion (also referred to as a back surface first main body portion) 71 a located on the second passivation film 9, and the back surface first main body portion 71 a and the second of the semiconductor substrate 1. And a connection portion (also referred to as a back first connection portion) 71b connecting the surface 1bs.
  • Each of the plurality of back surface finger electrodes 72 includes, for example, a main body portion (also referred to as a back surface second main body portion) 72 a located on the second passivation film 9, and the back surface second main body portion 72 a and the first of the semiconductor substrate 1.
  • a connecting portion (also referred to as a rear surface second connecting portion) 72b connecting the two surfaces 1bs.
  • the back surface first connection portion 71 b and the back surface second connection portion 72 b are located in a state of penetrating the second passivation film 9.
  • the back surface first main body portion 71a and the back surface second main body portion 72a contain a metal and a first glass component.
  • a metal and a first glass component For example, if silver or copper is applied to the metal, bonding using solder is possible when bonding the wiring material to the backside bus bar electrode 71 in order to electrically connect adjacent solar cell elements 10 in series. It becomes.
  • the concentration of the metal is, for example, about 80% by mass to 98% by mass
  • the concentration of the first glass component is, for example, 2% by mass to 20% by mass. It is said to be about.
  • the back surface first connection portion 71b and the back surface second connection portion 72b contain a metal and a first glass component, similarly to the back surface first main body portion 71a and the back surface second main body portion 72a.
  • These back surface 1st connection part 71b and back surface 2nd connection part 72b contain a 2nd glass component further.
  • silver or copper is applied to the back surface first connection portion 71b as the metal, similarly to the back surface first main body portion 71a.
  • the back surface second connection portion 72b aluminum or aluminum containing a small amount of silver is applied to the back surface second connection portion 72b.
  • an ohmic contact is provided between the back surface second connection portion 72 b and the p-type first semiconductor region 2. Can be easily realized.
  • the concentration of the metal is, for example, about 60 mass% to 96 mass%
  • the concentration of the first glass component is, for example, 2 mass% to 20 mass%.
  • the concentration of the second glass component is, for example, about 2% by mass to 20% by mass.
  • the back surface first connection portion 71b and the back surface second connection portion 72b are, for example, a metal paste containing a metal and a first glass component (the first paste, particularly used on the back surface 10bs side, mainly composed of silver or copper).
  • the second passivation film 9 may be formed by firing through.
  • the back surface 1st main body part 71a and the back surface 2nd main body part 72a of the back surface electrode 7 it is required for baking penetration of the 2nd passivation film 9 besides a metal and a 1st glass component, for example
  • the second glass component is not included.
  • the ratio of the glass component which occupies for the back surface 1st main-body part 71a and the back surface 2nd main-body part 72a of the back surface electrode 7 can be reduced, for example.
  • the electrical resistance of the back surface 1st main-body part 71a and the back surface 2nd main-body part 72a in the back surface electrode 7 is reduced, for example.
  • the back electrode 7 can be made thin, and if the solar cell element 10 is of a type that receives light even on the back surface 10bs, light easily enters the semiconductor substrate 1 on the back surface 10bs. Therefore, for example, the photoelectric conversion efficiency in the solar cell element 10 can be easily improved. Further, for example, the amount of material used to form the backside bus bar electrode 71 and the backside finger electrode 72 can be reduced. Therefore, for example, the quality in the solar cell element 10 can be improved easily.
  • the back surface first layer is formed by combining the application of the first paste containing the first glass component and the metal that hardly causes the firing of the second passivation film 9 and the second glass component.
  • the 1 connection part 71b and the back surface 2nd connection part 72b can be formed.
  • firing penetration of the second passivation film 9 is locally generated at a position where the first b paste and the second b paste overlap and a position where the first c paste and the second b paste overlap.
  • the back surface first connection portion 71b and the back surface second connection portion 72b can be formed.
  • the breadth of choices expands about various conditions, such as the calcination temperature regarding metal pastes, such as 1b paste and 1c paste, and content and kind of the glass component contained in metal paste.
  • the combination of the first b paste and the second b paste and the combination of the first c paste and the second b paste for forming the back surface first connection portion 71b and the back surface second connection portion 72b.
  • the adhesive strength between the back surface first connection portion 71b and the back surface second connection portion 72b and the semiconductor substrate 1 can be sufficiently increased.
  • the back surface bus bar electrode 71 and the plurality of back surface finger electrodes 72 are less likely to be peeled off from the semiconductor substrate 1, and the reliability of the solar cell element 10 can be easily improved. Therefore, the quality in the solar cell element 10 can be improved easily.
  • the concentration (first concentration) of the first glass component in the back surface first body portion 71a and the back surface second body portion 72a is the first in each of the back surface first connection portion 71b and the back surface second connection portion 72b. If the concentration of the glass component and the second glass component is lower than the concentration of the glass component (second concentration), the electrical resistance of the back surface first main body portion 71a and the back surface second main body portion 72a can be reduced. Thereby, for example, the back surface electrode 7 including the back surface bus bar electrode 71 and the back surface finger electrode 72 can be made thin.
  • the solar cell element 10 is of a type that receives light even on the back surface 10bs, light can easily enter the semiconductor substrate 1 on the back surface 10bs side. Therefore, for example, the photoelectric conversion efficiency in the solar cell element 10 can be easily improved. Further, at this time, for example, the amount of a material such as a metal for forming the back surface bus bar electrode 71 and the back surface finger electrode 72 can be reduced. Therefore, for example, the quality in the solar cell element 10 can be improved easily.
  • the back surface first connection portion 71 b is located inside the back surface bus bar electrode 71, and the back surface second connection portion 72 b is , Located on a part of the back finger electrode 72.
  • the adhesive strength of the back surface bus-bar electrode 71 with respect to the semiconductor substrate 1 improves, for example.
  • the back surface bus bar electrode 71 is connected regardless of the application of external force by the wiring material. Hard to peel off from the semiconductor substrate 1.
  • the reliability in the solar cell element 10 can be easily improved. Therefore, for example, the quality in the solar cell element 10 can be improved easily.
  • the solar cell element 10 may further include a second glass portion 12 located on the second passivation film 9.
  • This 2nd glass part 12 contains a 2nd glass component.
  • each of the plurality of back surface second connection portions 72 b has a plurality of back surfaces.
  • Each finger electrode 72 is located at a second intersection CR ⁇ b> 2 between the second back main body portion 72 a and the second glass portion 12.
  • the first b paste and the second b paste are applied on the second passivation film 9 so as to cross each other, and the first c paste and the second b paste are applied so as to cross each other.
  • the first b paste, the first c paste, and the second b paste are fired to cause local firing penetration of the second passivation film 9.
  • the first paste and the second paste are applied so as to cross each other, the first paste and the second paste are baked, and the second passivation film 9 is locally baked through. Can be realized.
  • the back surface second connection portion can be formed without performing high-precision alignment between the region where the first paste is applied and the region where the second paste is applied.
  • 72b can be formed easily.
  • a good connection between the back electrode 7 and the semiconductor substrate 1 can be easily realized.
  • the photoelectric conversion efficiency in the solar cell element 10 can be easily improved. Therefore, for example, the quality in the solar cell element 10 can be improved easily.
  • the second glass portion 12 is positioned along a virtual line (also referred to as a second virtual line) VL ⁇ b> 2 along the first direction (+ Y direction).
  • the back surface finger electrodes 72 may have a discontinuous shape interrupted in a region between the back surface finger electrodes 72.
  • the second glass portion 12 is positioned along each of a plurality of (for example, ten) linear second virtual lines VL ⁇ b> 2 that are parallel to each other.
  • the 2nd glass part 12 may be located in linear form, for example, and may be located in linear form so that it may curve.
  • an increase in the area of the second glass portion 12 occupying the second passivation film 9 can be reduced.
  • the solar cell element 10 is of a type that receives light even on the back surface 10bs, the decrease in the incidence of light on the semiconductor substrate 1 due to the presence of the second glass portion 12 can be reduced.
  • the photoelectric conversion efficiency in the solar cell element 10 can be easily improved.
  • the shape of the second glass portion 12 is a thin film shape, light is easily transmitted through the second glass portion 12, and light to the semiconductor substrate 1 due to the presence of the second glass portion 12. The reduction in incidence can be reduced.
  • the solar cell element 10 can be manufactured by performing the first step ST1 to the fourth step ST4 shown in FIG. 6A and FIG. 6B in this order.
  • the semiconductor substrate 1 includes a first semiconductor region 2 of a first conductivity type and a second semiconductor region 3 of a second conductivity type.
  • the semiconductor substrate 1 has, for example, a first surface 1fs, a second surface 1bs, and a third surface 1ss.
  • the first surface 1 fs is located on the second semiconductor region 3 side of the semiconductor substrate 1.
  • the second surface 1 fs is located on the first semiconductor region 2 side of the semiconductor substrate 1.
  • Such a semiconductor substrate 1 can be prepared as follows, for example. First, for example, a semiconductor substrate is manufactured by slicing a first conductivity type polycrystalline silicon ingot manufactured using, for example, an existing Czochralski (CZ) method or a casting method. Although there is no particular limitation on the shape and size of the semiconductor substrate 1, a semiconductor substrate 1 having, for example, a square front and back surface with sides of about 150 mm to 160 mm is employed. The layer damaged by mechanical damage and contamination of the cut surface of the semiconductor substrate is removed by a very small amount of etching using an alkaline or acidic aqueous solution on the surface of the semiconductor substrate.
  • CZ Czochralski
  • a texture is formed on one main surface of the semiconductor substrate by wet etching using an alkaline or acidic aqueous solution or dry etching using a reactive ion etching (RIE) method.
  • RIE reactive ion etching
  • a second semiconductor region 3 of the second conductivity type is formed on the surface layer portion on the one main surface side having the texture of the semiconductor substrate by using a coating thermal diffusion method or a vapor phase thermal diffusion method.
  • thermal diffusion method for example, phosphorous phosphorus pentoxide in a paste form is applied to one main surface of a semiconductor substrate to thermally diffuse phosphorus.
  • vapor phase thermal diffusion method for example, heat treatment is performed at a temperature of about 600 ° C. to 800 ° C.
  • a second step ST2 is performed in which the first passivation film 5 is formed on the first surface 1fs of the semiconductor substrate 1 and the second passivation film 9 is formed on the second surface 1bs of the semiconductor substrate 1.
  • the first passivation film 5 is formed on the first surface 1 fs of the semiconductor substrate 1
  • the second passivation film 9 is formed on the second surface 1 bs of the semiconductor substrate 1.
  • the first passivation film 5 is formed using, for example, a plasma CVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition: PECVD) method or a sputtering method.
  • PECVD plasma-enhanced chemical vapor deposition
  • the first passivation film 5 containing silicon nitride is formed using PECVD.
  • a mixed gas of silane and ammonia is diluted with nitrogen gas, the reaction pressure is set to about 50 Pa to 200 Pa, and plasma is obtained by glow discharge decomposition.
  • the first passivation film 5 can be formed on the first surface 1 fs of the semiconductor substrate 1.
  • the second passivation film 9 is formed by using, for example, an atomic layer deposition (ALD) method or the like.
  • ALD atomic layer deposition
  • the second passivation film 9 containing aluminum oxide is formed using the ALD method.
  • the following steps [A] to [D] are repeated a plurality of times while the semiconductor substrate 1 placed in the chamber of the film forming apparatus is heated to a temperature range of about 100 ° C. to 250 ° C. Do.
  • the second passivation film 9 can be formed on the second surface 1bs of the semiconductor substrate 1.
  • An aluminum material such as trimethylaluminum (TMA) is supplied onto the semiconductor substrate 1 together with a carrier gas such as argon gas or nitrogen gas, and the aluminum material is adsorbed onto the second surface 1bs of the semiconductor substrate 1.
  • TMA trimethylaluminum
  • B By purifying the inside of the chamber of the film forming apparatus with nitrogen gas, the aluminum raw material in the chamber is removed. At this time, aluminum materials other than the components chemically adsorbed at the atomic layer level among the aluminum materials physically adsorbed and chemically adsorbed on the semiconductor substrate 1 are removed.
  • an oxidizing agent such as water or ozone gas into the chamber of the film forming apparatus, the alkyl group contained in TMA is removed and replaced with an OH group. As a result, an atomic layer of aluminum oxide is formed on the second surface 1bs of the semiconductor substrate 1.
  • D The inside of the chamber of the film forming apparatus is cleaned with nitrogen gas to remove the oxidizing agent in the chamber.
  • a third step ST3 for applying the first paste and the second paste on the first passivation film 5 and the second passivation film 9 is performed.
  • the 3A process ST31 to the 3D process ST34 shown in FIG. 6B are performed in the order described.
  • a combination of the first paste and the second paste for example, a combination of the first a paste Pa1 and the second a paste Pa2 used on the front surface 10fs side, and a first b paste Pa3 and a first c paste Pa4 used on the back surface 10bs side, for example.
  • a combination of the second b paste Pa5 are employed.
  • the second a paste Pa2 is applied on the first passivation film 5.
  • a screen printing method or the like is applied to a region corresponding to the pattern of the front surface first connection portion 61 b and the front surface second connection portion 62 b and the first glass portion 11 in the solar cell element 10.
  • the second a paste Pa2 is applied.
  • the second a paste Pa ⁇ b> 2 is applied on the first passivation film 5 along each of a plurality of (for example, ten) linear first virtual lines VL ⁇ b> 1 that are parallel to each other.
  • the thickness of the second a paste Pa2 after being dried after application is, for example, about 30 ⁇ m.
  • the first a paste Pa1 is applied on the first passivation film 5.
  • the first a paste Pa ⁇ b> 1 is applied to the region corresponding to the pattern of the front electrode 6 on the first passivation film 5 by using a screen printing method or the like.
  • the thickness of the first a paste Pa1 after application is, for example, about 30 ⁇ m.
  • the first a paste Pa1 and the second a are overlapped so that the first portion Pt1 where the first a paste Pa1 is located and the second portion Pt2 where the second a paste Pa2 is located overlap.
  • Paste Pa2 is applied.
  • the first a paste Pa ⁇ b> 1 is applied to the region corresponding to the pattern of the front bus bar electrode 61 on the first passivation film 5.
  • the first a paste Pa1 is applied so as to cover the second a paste Pa2 applied to the region corresponding to the pattern of the front first connection portion 61b.
  • the first a paste Pa1 is applied so as to cover the second a paste Pa2 applied to the region corresponding to the pattern of the front first connection portion 61b. It can be easily applied.
  • a plurality of the second a paste Pa2 applied to the region corresponding to the pattern of the front surface second connection portion 62b and the first glass portion 11 on the first passivation film 5 are crossed.
  • the first-a paste Pa1 is applied to a region corresponding to the pattern of the front finger electrode 62.
  • the first paste (first a paste Pa1, first b paste Pa3, first c paste Pa4) contains a metal and a first glass component.
  • the metal and the first glass component correspond to the metal and the first glass component contained in the front electrode 6.
  • the first a paste Pa1 includes a metal powder, a glass frit of a first glass component (also referred to as a first glass frit), and an organic vehicle.
  • the metal powder for example, silver powder, copper powder, or a powder of a mixture of silver and copper is applied.
  • the particle size of the metal powder is set to about 0.05 ⁇ m to 20 ⁇ m, for example.
  • the particle size of the metal powder may be set to about 0.1 ⁇ m to 5 ⁇ m, for example.
  • the concentration of the metal powder in the first a paste Pa1 is set to, for example, about 75% by mass to 85% by mass of the total mass of the paste.
  • the concentration of the first glass frit in the first a paste Pa1 is set to about 2% by mass to 15% by mass, for example.
  • the concentration of the first glass frit in the first a paste Pa1 may be set to about 5% by mass to 10% by mass, for example.
  • An organic vehicle is obtained by dissolving a binder in an organic solvent.
  • the organic solvent for example, terpineol, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol diethyl ether, or 2-ethoxyethanol is applied.
  • the binder contains, for example, ethyl cellulose or a phenol resin.
  • the concentration of the organic vehicle in the first a paste Pa1 is set to about 5% by mass to 20% by mass, for example.
  • the concentration of the organic vehicle in the first a paste Pa1 may be set to about 10% by mass to 15% by mass, for example.
  • the 1a paste Pa1 may contain an appropriate amount of other trace components such as a dispersant.
  • the second glass component is contained in the second paste (the second a paste Pa2 and the second b paste Pa5).
  • this second glass component corresponds to the second glass component contained in the front electrode 6.
  • the second a paste Pa2 includes a glass frit (also referred to as a second glass frit) as a second glass component and an organic vehicle.
  • the concentration of the second glass frit in the second a paste Pa2 is set to about 2% by mass to 15% by mass, for example.
  • the concentration of the second glass frit in the second a paste Pa2 may be set to about 5% by mass to 10% by mass, for example.
  • the organic vehicle of the 2a paste Pa2 for example, the same organic vehicle as the 1a paste Pa1 can be applied.
  • the concentration of the organic vehicle in the second a paste Pa2 is set to about 85% by mass to 98% by mass, for example.
  • the concentration of the organic vehicle in the second a paste Pa2 may be set to about 90% to 95% by mass, for example.
  • the second b paste Pa5 is applied on the second passivation film 9.
  • a screen printing method or the like is applied to a region corresponding to the pattern of the back surface first connection portion 71 b and the back surface second connection portion 72 b and the second glass portion 12 in the solar cell element 10.
  • the second b paste Pa5 is applied.
  • the second b paste Pa5 is applied on the second passivation film 9 along each of a plurality of (for example, ten) linear second virtual lines VL2 parallel to each other.
  • the thickness of the second b paste Pa5 after being dried after application is, for example, about 30 ⁇ m.
  • the component of the second b paste Pa5 may be the same as that of the second a paste Pa2, or the concentration of the second glass frit may be appropriately changed depending on the material and film thickness of the passivation film 9.
  • the first b paste Pa3 is applied on the second passivation film 9.
  • the first b paste Pa3 is applied to the region corresponding to the pattern of the backside bus bar electrode 71 of the backside electrode 7 on the second passivation film 9 by using a screen printing method or the like. To do.
  • the thickness of the first b paste Pa3 after application is, for example, about 30 ⁇ m.
  • the component of the 1b paste Pa3 may be the same as that of the 1a paste Pa1, and as a metal powder, for example, a small amount of aluminum or nickel is added to a silver powder, a copper powder, or a powder of a mixture of silver and copper. It may be a thing.
  • the first c paste Pa4 is applied on the second passivation film 9.
  • the first c paste Pa4 is applied to the region corresponding to the pattern of the back surface finger electrode 72 of the back surface electrode 7 on the second passivation film 9 by using a screen printing method or the like. To do.
  • the thickness of the first c paste Pa4 after application is, for example, about 40 ⁇ m to 60 ⁇ m.
  • the first c paste Pa4 contains a metal and a first glass component. The metal and the first glass component correspond to the metal and the first glass component contained in the back surface finger electrode 72 of the back surface electrode 7.
  • the first c paste Pa4 includes a metal powder, a first glass frit, and an organic vehicle.
  • aluminum powder is applied to the metal powder.
  • the particle size of the aluminum powder is set to about 3 ⁇ m to 20 ⁇ m, for example.
  • the concentration of the metal powder in the first c paste Pa4 is set to, for example, about 60% by mass to 85% by mass of the total mass of the paste.
  • the concentration of the first glass frit in the first c paste Pa4 is set to about 1% by mass to 15% by mass, for example.
  • the concentration of the first glass frit in the first c paste Pa4 may be set to about 5% by mass to 10% by mass, for example.
  • An organic vehicle is obtained by dissolving a binder in an organic solvent.
  • the organic solvent for example, terpineol, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol diethyl ether, or 2-ethoxyethanol is applied.
  • the binder contains, for example, ethyl cellulose or a phenol resin.
  • the concentration of the organic vehicle in the first c paste Pa4 is set to about 5% by mass to 25% by mass, for example.
  • the concentration of the organic vehicle in the first c paste Pa4 may be set to about 10% by mass to 15% by mass, for example.
  • the first c paste Pa4 may contain an appropriate amount of other trace components selected from, for example, a dispersant, silver, zinc oxide, silicon oxide, aluminum oxide, and the like.
  • the paste Pa3, the first c paste Pa4, and the second b paste Pa5 are applied.
  • the first b paste Pa ⁇ b> 3 is applied to the region corresponding to the pattern of the back surface bus bar electrode 71 on the second passivation film 9.
  • the first b paste Pa3 is applied so as to cover the second b paste Pa5 applied to the region corresponding to the pattern of the back surface first connection portion 71b.
  • the first b paste Pa3 is applied so as to cover the second b paste Pa5 applied to the region corresponding to the pattern of the back surface first connection portion 71b. It can be easily applied. Also, here, for example, a plurality of the second b paste Pa5 applied to the region corresponding to the pattern of the back surface second connection part 72b and the second glass part 12 on the second passivation film 9 are crossed. The first c paste Pa4 is applied to a region corresponding to the pattern of the back finger electrode 72.
  • the fourth step ST4 for forming the front electrode 6 and the back electrode 7 is performed by heating the first a paste Pa1, the second a paste Pa2, the first b paste Pa3, the first c paste Pa4, and the second b paste Pa5. .
  • the front first body portion 61a and the front second body portion 62a containing the metal and the first glass component, and the metal, the first glass component and the second glass component are added.
  • Front electrode 6 including front first connecting portion 61b and front second connecting portion 62b is formed.
  • the back first body portion 71 a and the back second body portion 72 a containing the metal and the first glass component, and the metal, the first glass component and the second glass component are contained.
  • the back surface electrode 7 including the back surface first connection portion 71b and the back surface second connection portion 72b to be formed is formed.
  • the atmosphere when the first a paste Pa1, the second a paste Pa2, the first b paste Pa3, the first c paste Pa4, and the second b paste Pa5 is heated is, for example, the air.
  • the maximum temperature for heating the first a paste Pa1, the second a paste Pa2, the first b paste Pa3, the first c paste Pa4, and the second b paste Pa5 is, for example, about 720 ° C. to 790 ° C. At this time, the maximum temperature is maintained, for example, for about 10 seconds to 30 seconds.
  • the fourth step ST4 for example, on the first passivation film 5 side, for example, a portion other than the first portion Pt1 of the first a paste Pa1 is heated, whereby the first a paste Pa1 is baked. Thereby, the front first body portion 61a and the front second body portion 62a are formed on the first passivation film 5. Further, for example, the first portion Pt1 overlapping the second portion Pt2 of the second a paste Pa2 in the first a paste Pa1 is heated, so that the mixture of the first a paste Pa1 and the second a paste Pa2 is fired. Is done. Thereby, firing penetration of the first passivation film 5 occurs, and the front first connection portion 61b and the front second connection portion 62b are formed.
  • the fourth step ST4 for example, on the second passivation film 9 side, for example, a portion other than the first portion Pt1 of the first b paste Pa3 and the first c paste Pa4 is heated, so that the first b The paste Pa3 and the first c paste Pa4 are baked. Thereby, the back surface first main body portion 71 a and the back surface second main body portion 72 a are formed on the second passivation film 9. Further, for example, the first portion Pt1 that is superimposed on the second portion Pt2 of the second b paste Pa5 of the first b paste Pa3 and the first c paste Pa4 is heated, so that the first b paste Pa3 and the second b paste Pa5 are heated.
  • the back surface first connection portion 71b is formed by baking the mixture of the first b paste Pa3 and the second b paste Pa5
  • the back surface first connection portion 71b is formed by baking the mixture of the first c paste Pa4 and the second b paste Pa5.
  • Two connecting portions 72b are formed.
  • the first a paste Pa1 the first b paste Pa3, and the first c paste Pa4
  • the second a paste Pa2 and the second b paste Pa5 for example, there is a second glass frit containing sodium oxide or a second glass component containing both sodium oxide and silicon oxide.
  • the first glass frit and the second glass frit do not melt unless heated to 800 ° C. or higher.
  • each of the first a paste Pa1 and the second a paste Pa2 has a low ability of firing through the first passivation film 5 containing silicon nitride.
  • each of the first b paste Pa3, the first c paste Pa4, and the second b paste Pa5 has a low ability to burn through the second passivation film 9 containing aluminum oxide.
  • the second passivation film 9 is baked. Penetration is difficult to occur.
  • the front first body portion 61a and the front surface second body portion 62a are formed on the first passivation film 5, and the back surface first body portion 71a and the back surface second body portion are formed on the second passivation film 9. 72a is formed.
  • both the first glass component and the second glass component may exist in the portion where the first a paste Pa1 and the second a paste Pa2 are superimposed.
  • both the first glass frit and the second glass frit exist in a portion where the first a paste Pa1 and the second a paste Pa2 are overlapped.
  • the glass containing at least three components can be melted, for example, when heated from about 400 ° C. to about 500 ° C. For this reason, for example, the mixture of the first a paste Pa1 and the second a paste Pa2 has a high capability of firing through the first passivation film 5 containing silicon nitride.
  • each of the mixture of the first b paste Pa3 and the second b paste Pa5 and the mixture of the first c paste Pa4 and the second b paste Pa5 has a high ability to bak through the second passivation film 9 containing aluminum oxide.
  • the first passivation film 5 and the second passivation film 9 can be fired and penetrated.
  • the first passivation film 5 is fired and penetrated to form the front first connection portion 61b and the front second connection portion 62b
  • the second passivation film 9 is fired and penetrated. 1 connection part 71b and back 2nd connection part 72b are formed.
  • a part of the first a paste Pa1 and the second a paste Pa2 overlap each other on the first passivation film 5 and the second passivation film 9, or a part of the first b paste Pa3.
  • the second b paste Pa5 and the part of the first c paste Pa4 and the second b paste Pa5 may be appropriately set so that the region to which the second a paste Pa2 and the second b paste Pa5 are applied is appropriately set. it can.
  • the size of the region to which the second a paste Pa2 and the second b paste Pa5 are applied is, for example, the alignment accuracy in the application of the first a paste Pa1 and the second a paste Pa2 by screen printing or the like, and the first b paste Pa3 and It can be appropriately set according to the alignment accuracy in the application of the first c paste Pa4 and the second b paste Pa5.
  • the photoelectric conversion efficiency in the solar cell element 10 can be easily improved.
  • the time required for manufacturing the solar cell element 10 can be shortened. For this reason, productivity in mass production of the solar cell element 10 can be improved.
  • the third step ST3 after applying the second a paste Pa2 and the second b paste Pa5 on the first passivation film 5 and the second passivation film 9, respectively, It is conceivable to apply the 1a paste Pa1, the first b paste Pa3, and the first c paste Pa4.
  • the first a paste Pa1 exists on the second a paste Pa2.
  • the melted first a paste Pa1 has a higher mass density than the melted second a paste Pa2 depending on the presence or absence of metal.
  • the heating time of the first a paste Pa1 and the second a paste Pa2 and the heating time of the first b paste Pa3, the first c paste Pa4 and the second b paste Pa5 can be shortened.
  • the photoelectric conversion efficiency in the solar cell element 10 can be easily improved.
  • the time required for manufacturing the solar cell element 10 can be shortened. For this reason, the productivity in mass-producing the solar cell element 10 can be improved.
  • the front electrode 6 includes the front first main body 61a and the front second main body 62a on the first passivation film 5, and the front first main body 61a and the front first main body 61a. It has the front 1st connection part 61b and the front 2nd connection part 62b in the state which has connected the front 2nd main-body part 62a and the semiconductor substrate 1.
  • the front first body portion 61a and the front second body portion 62a contain a metal and a first glass component
  • the front face first connection portion 61b and the front face second connection portion 62b comprise a metal and a first glass component.
  • a second glass component a second glass component.
  • the back surface electrode 7 includes the back surface first main body portion 71 a and the back surface second main body portion 72 a on the second passivation film 9, the back surface first main body portion 71 a and the back surface second main body portion 72 a, and the semiconductor substrate 1. And a back surface first connection portion 71b and a back surface second connection portion 72b.
  • the back surface first main body portion 71a and the back surface second main body portion 72a contain a metal and a first glass component
  • the back surface first connection portion 71b and the back surface second connection portion 72b include a metal and a first glass component.
  • a second glass component a second glass component.
  • the front first body portion 61a, the back surface first body portion 71a, the front surface second body portion 62a, and the back surface second body portion 72a include metal and the first glass component.
  • the second glass component necessary for firing through the first passivation film 5 and the second passivation film 9 is not included.
  • the ratio of the glass component which occupies for the front 1st main body part 61a, the back surface 1st main body part 71a, the front surface 2nd main body part 62a, and the back surface 2nd main body part 72a can be reduced.
  • the electrical resistance of the front electrode 6 and the back electrode 7 can be reduced.
  • the front electrode 6 and the back electrode 7 can be made thin, and light can easily enter the semiconductor substrate 1. Therefore, for example, the photoelectric conversion efficiency in the solar cell element 10 can be easily improved. Further, for example, the amount of material used for the front electrode 6 and the back electrode 7 can be reduced. Therefore, for example, the quality in the solar cell element 10 can be improved easily.
  • first first connection portion 61b and the front first connecting portion 61b may be combined with the application of the first a paste Pa1 that hardly causes the firing of the first passivation film 5 and the application of the second a paste Pa2 including the second glass component.
  • Two connecting portions 62b can be formed.
  • the back surface first connection portion 71b is formed by combining the application of the first b paste Pa3 and the first c paste Pa4, which hardly causes firing penetration of the second passivation film 9, and the application of the second b paste Pa5 including the second glass component.
  • the back surface 2nd connection part 72b can be formed.
  • the first passivation film 5 is locally fired and penetrated at the place where the first a paste Pa1 and the second a paste Pa2 are overlapped, and the front first connection portion 61b and the front second connection portion 62b are formed.
  • the back surface first connection portion 71b can be formed by causing the second passivation film 9 to be locally fired at a location where the first b paste Pa3 and the second b paste Pa5 are overlapped.
  • the back surface second connection portion 72b can be formed by locally causing the second passivation film 9 to be fired and penetrated at a place where the first c paste Pa4 and the second b paste Pa5 are overlapped.
  • the range of options expands regarding various conditions such as the firing temperature and the content and type of the glass component according to the first a paste Pa1, the first b paste Pa2, and the first c paste Pa3.
  • a combination of the first a paste Pa1 and the second a paste Pa2 for forming the front first connecting portion 61b and the front second connecting portion 62b, and the back first connecting portion 71b and the back second connecting portion 72b are formed.
  • the adhesive strength between the semiconductor substrate 1 and the first front connection part 61b, the first rear connection part 71b, the second front connection part 62b, the second rear connection part 72b, and the semiconductor substrate 1 can be sufficiently increased.
  • the front electrode 6 and the back electrode 7 are difficult to peel from the semiconductor substrate 1. Therefore, for example, the reliability in the solar cell element 10 can be easily improved. Therefore, the quality in the solar cell element 10 can be improved easily.
  • the first a paste Pa1 and the second a paste Pa2 are formed on the first passivation film 5, and the first portion Pt1 of the first a paste Pa1 is used. It coat
  • the first b paste Pa3 and the second b paste Pa5 are superimposed on the second passivation film 9 so that the first portion Pt1 of the first b paste Pa3 and the second portion Pt2 of the second b paste Pa5 overlap.
  • the first c paste Pa4 and the second b paste Pa5 are applied so that the first part Pt1 of the first c paste Pa4 and the second part Pt2 of the second b paste Pa5 overlap each other.
  • the first a paste Pa1, the first b paste Pa3, and the first c paste Pa4 each include a metal and a first glass frit
  • the second a paste Pa2 and the second b paste Pa5 each include a second glass frit.
  • a portion of the first a paste Pa1 that does not overlap with the second a paste Pa2 and a portion of the first b paste Pa3 and the first c paste Pa4 that does not overlap with the second b paste Pa5 are baked.
  • the front first body 61a, the back first body 71a, the front second body 62a, and the back second body 72a are formed.
  • the overlapping first portion Pt1 of the first a paste Pa1 and second portion Pt2 of the second a paste Pa2 are heated to cause firing penetration of the first passivation film 5, and the front first connection A portion 61b and a front second connection portion 62b are formed.
  • first portion Pt1 of the first b paste Pa3 and the first c paste Pa4 and the second portion Pt2 of the second b paste Pa5 that are superposed are heated to cause the second passivation film 9 to be fired and penetrated.
  • the back surface first connection portion 71b and the back surface second connection portion 72b are formed.
  • a first paste (first paste) is formed on each of the first passivation film 5 and the second passivation film 9.
  • the second paste (second a paste Pa2 and second b paste Pa5) may be applied. If such a configuration is adopted, for example, since the first paste contains metal, the first a paste Pa1, the first b paste Pa3 and the first c applied on the first passivation film 5 and the second passivation film 9 are used.
  • the existence area of the paste Pa4 can be easily recognized by image processing or the like.
  • the second a paste Pa2 can be easily applied locally on the first a paste Pa1 applied on the first passivation film 5.
  • the second b paste Pa5 can be easily applied locally on the first b paste Pa3 and the first c paste Pa4 applied on the second passivation film 9.
  • the size of the first glass part 11 and the second glass part 12 formed by heating and cooling the second a paste Pa2 and the second b paste Pa5 can be reduced, so that light enters the semiconductor substrate 1 It becomes easy to do. Therefore, for example, the photoelectric conversion efficiency in the solar cell element 10 can be easily improved.
  • the first a paste Pa1 may be applied on the first passivation film 5.
  • the first a paste Pa1 is applied to a region corresponding to the pattern of the front electrode 6 in the solar cell element 10 using a screen printing method or the like.
  • the second a paste Pa2 may be applied on the first passivation film 5.
  • the screen printing method or the like is used in the area corresponding to the pattern of the front first connecting portion 61 b and the front second connecting portion 62 b and the first glass portion 11 in the solar cell element 10.
  • the second a paste Pa ⁇ b> 2 is applied on the first passivation film 5 along each of a plurality of (for example, ten) linear first virtual lines VL ⁇ b> 1 parallel to each other.
  • the third A step ST31 and the third B step ST32 for example, the first portion Pt1 of the first a paste Pa1 and the second portion Pt2 of the second a paste Pa2 are overlapped on the first passivation film 5.
  • the first a paste Pa1 and the second a paste Pa2 are applied.
  • Paste Pa2 is applied.
  • the width of the front bus bar electrode 61 is, for example, about 2 mm to 3 mm, the second a paste Pa2 is easily applied on the first a paste Pa1 applied to the region corresponding to the pattern of the front bus bar electrode 61. can do.
  • the first passivation film 5 it intersects with the first a paste Pa ⁇ b> 1 applied to the region corresponding to the pattern of the front finger electrode 62 and corresponds to the pattern of the front second connection part 62 b and the first glass part 11.
  • the second a paste Pa2 is applied to the area to be processed.
  • the first b paste Pa3 and the first c paste Pa4 may be applied on the second passivation film 9.
  • the first b paste Pa3 and the first c paste Pa4 are applied to a region corresponding to the pattern of the back electrode 7 in the solar cell element 10 using a screen printing method or the like.
  • the second b paste Pa5 is applied on the second passivation film 9.
  • the screen printing method or the like is used. 2b paste Pa5 is applied.
  • the second b paste Pa5 is applied on the second passivation film 9 along each of a plurality of (for example, ten) linear second virtual lines VL2 parallel to each other.
  • the second passivation is performed such that the first part Pt1 of the first b paste Pa3 and the first c paste Pa4 and the second part Pt2 of the second b paste Pa5 overlap.
  • the first b paste Pa3, the first c paste Pa4 and the second b paste Pa5 are applied.
  • the second b is formed on the first b paste Pa3 applied to the region corresponding to the pattern of the back surface bus bar electrode 71 and the region corresponding to the pattern of the back surface first connection portion 71b.
  • Paste Pa5 is applied.
  • the width of the back surface bus bar electrode 71 is, for example, about 2 mm to 3 mm, the second b paste Pa5 is easily applied on the first b paste Pa3 applied to the region corresponding to the pattern of the back surface bus bar electrode 71. can do.
  • the second paste may be applied after applying the first paste on at least one of the first passivation film 5 and the second passivation film 9.
  • the first b paste Pa3 and the first c paste Pa4 are applied on the second passivation film 9 and the process of applying the second a paste Pa2 after applying the first a paste Pa1 on the first passivation film 5. Then, at least one of the processes of applying the second b paste Pa5 may be performed.
  • the first glass portion 11 is along the first direction (+ Y direction) on the first passivation film 5. Alternatively, they may be continuously located along the first virtual line VL1.
  • the second a paste Pa2 for example, on the first passivation film 5, along each of a plurality of (for example, ten) linear first virtual lines VL1 parallel to each other.
  • the second a paste Pa2 may be applied to the region corresponding to the pattern of the front surface second connection portion 62b and the first glass portion 11.
  • the second glass portion 12 has a first direction (+ Y direction) on the second passivation film 9. It may be continuously located along the second virtual line VL1 along the line.
  • the second b paste Pa5 for example, on the second passivation film 9, along each of a plurality of (for example, ten) linear second virtual lines VL2 parallel to each other. Then, the second b paste Pa5 may be applied to a region corresponding to the pattern of the back surface second connection part 72b and the second glass part 12.
  • the front electrode 6 includes a front auxiliary electrode 63 having a shape similar to that of the front finger electrode 62 and electrically connecting the plurality of front finger electrodes 62. Also good.
  • the front auxiliary electrode 63 is located along, for example, the edges of the semiconductor substrate 1 on the + X direction side and the ⁇ X direction side, respectively.
  • the back surface electrode 7 includes a back surface auxiliary electrode 73 having a shape similar to that of the back surface finger electrode 72 and electrically connecting the plurality of back surface finger electrodes 72. Also good.
  • the back surface auxiliary electrode 73 is located along the edge portions of the semiconductor substrate 1 on the + X direction side and the ⁇ X direction side, respectively.
  • the third A step ST31 and the third B step ST32 may be performed after the third C step ST33 and the third D step ST34 are performed.
  • the 3A process ST31, the 3B process ST32, the 3C process ST33, and the 3D process ST34 may be performed in an arbitrary order.
  • the back electrode 7 may be formed after the front electrode 6 is formed, or the front electrode 6 may be formed after the back electrode 7 is formed. It may be formed.
  • the heat treatment corresponding to the 4th process ST4 is performed, and then the 3C process ST33 and the 3D process ST34 are performed. Later, a heat treatment corresponding to the fourth step ST4 may be performed.
  • the heat treatment corresponding to the fourth step ST4 is performed, and then, after the third A step ST31 and the third B step ST32 are performed, A heat treatment corresponding to the four step ST4 may be performed.
  • the solar cell element 10 according to each of the first to third embodiments may be, for example, a solar cell element 10 that does not receive light on the back surface 10bs side.
  • the back surface electrode 7 may have the collecting electrode located over the entire surface of the back surface 10bs excluding the region where the back surface bus bar electrode 71 exists.
  • the number of front bus bar electrodes 61 in the front electrode 6 and the number of back bus bar electrodes 71 in the back electrode 7 are not limited to three, and may be two or less. There may be four or more.
  • the first glass part 11 and the second glass part 12 have a linear shape when viewed in plan, but the present invention is not limited thereto. However, it may have other forms such as a dot shape.

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Abstract

太陽電池素子（１０）は、半導体基板（１）と、パッシベーション膜（５）と、電極（６）と、を備えている。パッシベーション膜（５）は、半導体基板（１）上に位置している。電極（６）は、本体部（６１ａ、６２ａ）および複数の接続部（６１ｂ、６２ｂ）、を有する。本体部（６１ａ、６２ａ）は、パッシベーション膜（５）上に位置している。複数の接続部（６１ｂ、６２ｂ）のそれぞれは、本体部（６１ａ、６２ａ）と半導体基板（１）とを接続している状態で位置している。本体部（６１ａ、６２ａ）は、金属と、第１ガラス成分と、を含有する。複数の接続部（６１ｂ、６２ｂ）のそれぞれは、金属と、第１ガラス成分と、該第１ガラス成分とは材料が異なる第２ガラス成分と、を含有する。

Description

太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法
　本開示は、太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法に関する。
　太陽電池素子には、例えば、主として光を受ける前面の側に反射防止膜が存在しているものがある。この反射防止膜は、例えば、パッシベーション膜としても機能し得る。
　このような太陽電池素子では、例えば、半導体基板における前面の側の主面のうち、パッシベーション膜によって覆われている部分の面積が大きければ、パッシベーション効果が高まり得る。このため、例えば、前面の側の電極のほとんどの部分を反射防止膜の上に位置させ、この電極の一部を、反射防止膜に形成された貫通孔を介して、半導体基板に接続させた太陽電池素子が提案されている（例えば、特開昭６４－４１２７７号公報、特開平２－１２３７７０号公報および特開昭６４－８９５６９号公報の記載を参照）。
　太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法が開示される。
　太陽電池素子の一態様は、半導体基板と、パッシベーション膜と、電極と、を備えている。前記パッシベーション膜は、前記半導体基板上に位置している。前記電極は、本体部および複数の接続部、を有する。前記本体部は、前記パッシベーション膜上に位置している。前記複数の接続部のそれぞれは、前記本体部と前記半導体基板とを接続している状態で位置している。前記本体部は、金属と、第１ガラス成分と、を含有する。前記複数の接続部のそれぞれは、前記金属と、前記第１ガラス成分と、該第１ガラス成分とは材料が異なる第２ガラス成分と、を含有する。
　太陽電池素子の製造方法の一態様は、第１工程と、第２工程と、第３工程と、第４工程と、を有する。前記第１工程では、半導体基板を準備する。前記第２工程では、前記半導体基板上にパッシベーション膜を形成する。前記第３工程では、前記パッシベーション膜の上に、金属および第１ガラス成分を含有する第１ペーストと、該第１ガラス成分とは材料が異なる第２ガラス成分を含有する第２ペーストと、を前記第１ペーストの第１部分と前記第２ペーストの第２部分とが重畳するように、それぞれ塗布する。前記第４工程では、前記第１ペーストおよび前記第２ペーストを加熱することで、前記パッシベーション膜の上に、前記金属および前記第１ガラス成分を含有する本体部と、前記金属、前記第１ガラス成分および前記第２ガラス成分を含有する接続部と、を含んでいる電極を形成する。前記第４工程において、前記第１ペーストのうちの前記第１部分以外の部分を加熱することで前記パッシベーション膜上に前記本体部を形成するとともに、前記第１ペーストのうちの前記第１部分と前記第２ペーストの前記第２部分とを加熱することで前記パッシベーション膜の焼成貫通によって前記本体部と前記半導体基板とを接続している状態で位置している前記接続部を形成する。
図１は、第１実施形態に係る太陽電池素子の一例を前面側から見た外観を示す平面図である。 図２は、第１実施形態に係る太陽電池素子の一例を裏面側から見た外観を示す平面図である。 図３は、図１および図２のIII－III線に沿った太陽電池素子の仮想的な切断面部の一例を示す図である。 図４は、図１および図２のIV－IV線に沿った太陽電池素子の仮想的な切断面部の一例を示す図である。 図５は、図１および図２のＶ－Ｖ線に沿った太陽電池素子の仮想的な切断面部の一例を示す図である。 図６（ａ）および図６（ｂ）は、第１実施形態に係る太陽電池素子の製造方法における動作フローの一例を示す流れ図である。 図７（ａ）は、第１工程で準備された半導体基板の一例の第１面側から見た外観を示す図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のVIIb-VIIb線に沿った半導体基板の仮想的な切断面部の一例を示す図である。 図８は、半導体基板上に第１パッシベーション膜および第２パッシベーション膜が形成された状態における、図７（ｂ）の仮想的な切断面部に対応する仮想的な切断面部の一例を示す図である。 図９は、第１パッシベーション膜上に第２ａペーストが塗布された状態の一例を示す平面図である。 図１０は、第１パッシベーション膜上に第１ａペーストが塗布された状態の一例を示す平面図である。 図１１は、第２パッシベーション膜上に第２ｂペーストが塗布された状態の一例を示す平面図である。 図１２は、第２パッシベーション膜上に第１ｂペーストおよび第１ｃペーストが塗布された状態の一例を示す平面図である。 図１３は、第２実施形態に係るペーストを塗布する第３工程の動作フローの一例を示す流れ図である。 図１４は、第１パッシベーション膜上に第１ａペーストが塗布された状態の一例を示す平面図である。 図１５は、第１パッシベーション膜上に第２ａペーストが塗布された状態の一例を示す平面図である。 図１６は、第２パッシベーション膜上に第１ｂペーストおよび第１ｃペーストが塗布された状態の一例を示す平面図である。 図１７は、第２パッシベーション膜上に第２ｂペーストが塗布された状態の一例を示す平面図である。 図１８は、第３実施形態に係る太陽電池素子の一例を前面側から見た外観を示す平面図である。 図１９は、第３実施形態に係る太陽電池素子の一例を裏面側から見た外観を示す平面図である。
　例えば、光を主に受光する前面側に反射防止膜が存在している太陽電池素子が知られている。この反射防止膜は、例えば、光の反射を低減するだけでなく、パッシベーション効果を発揮するパッシベーション膜としても機能し得る。そして、例えば、パッシベーション膜によって半導体基板のうちの前面側の面が覆われている部分の面積が増大すれば、パッシベーション効果が高まり得る。
　このため、反射防止膜にレーザーの照射あるいはエッチングによって複数の微小な貫通孔を設け、反射防止膜上および複数の微小な貫通孔内に位置するように、バスバー電極およびフィンガー電極を含む前面側の電極を形成することが考えられる。このとき、バスバー電極およびフィンガー電極は、例えば、反射防止膜上に金属とガラス成分とを含む金属ペーストを塗布し、この金属ペーストを焼成することで形成され得る。
　しかしながら、例えば、金属ペーストを焼成する際に、反射防止膜に対する焼成貫通を生じないようにする必要がある。このため、例えば、焼成温度ならびに金属ペーストに含有されるガラスフリットの量および種類が限定され得る。これにより、例えば、電極と半導体基板との接着強度を十分に高めることができず、電極が半導体基板から剥離しやすくなる場合がある。その結果、例えば、太陽電池素子の光電変換効率が低下しやすく、太陽電池素子の信頼性の低下を招く場合がある。
　また、例えば、レーザーの照射によって反射防止膜に微小な貫通孔を形成すると、第１導電型の半導体基板の表層に一旦形成された第２導電型の領域の一部も除去してしまう場合がある。この場合には、例えば、微小な貫通孔を形成した後に、半導体基板の表層のうちの貫通孔に面した部分に対して、第２導電型のドーパントを再度導入することが考えられる。ただし、半導体基板の表層に対して第２導電型のドーパントの導入を２回も実施すると、太陽電池素子の製造工程の複雑化を招くおそれがある。
　また、例えば、長細いフィンガー電極の形成については、反射防止膜に形成された微小な貫通孔を通るように長細く金属ペーストを塗布することは容易でない。このため、例えば、太陽電池素子を製造する際に、高精度な位置合わせを行う装置および工程の複雑化を招く場合がある。また、例えば、長細いフィンガー電極が微小な貫通孔に十分に入り込まずに電極と半導体基板との接続不良が生じて、太陽電池素子の光電変換効率の低下を招く場合もある。
　これらの問題は、太陽電池素子の前面側とは逆の裏面側において、パッシベーション膜の上に電極を形成する場合にも生じ得る。
　したがって、太陽電池素子については、例えば、信頼性および光電変換効率などの品質を容易に向上させることは容易でない。
　そこで、本発明者らは、太陽電池素子について、品質を容易に向上させることができる技術を創出した。
　これについて、以下、第１実施形態から第３実施形態を図面に基づいて説明する。図面においては同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。図面は模式的に示されたものである。図１から図５、図７（ａ）から図１２および図１４から図１９には、右手系のＸＹＺ座標系が付されている。このＸＹＺ座標系では、前面バスバー電極６１の長手方向が＋Ｙ方向とされ、前面フィンガー電極６２の長手方向が＋Ｘ方向とされ、＋Ｘ方向と＋Ｙ方向との両方に直交する方向が＋Ｚ方向とされている。
　＜１．第１実施形態＞
　　＜１－１．太陽電池素子の構成の概要＞
　第１実施形態に係る太陽電池素子１０の構成を、図１から図５に基づいて説明する。第１実施形態に係る太陽電池素子１０は、ＰＥＲＣ（Passivated Emitter and Rear Cell）型の太陽電池素子である。
　図１から図５で示されるように、太陽電池素子１０は、主に光を受光する面（前面ともいう）１０ｆｓと、この前面の逆側に位置している面（裏面ともいう）１０ｂｓと、を有する。図１から図５の例では、前面１０ｆｓが、＋Ｚ方向を向いている状態で位置しており、裏面１０ｂｓが、－Ｚ方向を向いている状態で位置している。
　太陽電池素子１０は、例えば、半導体基板１と、第１パッシベーション膜５と、第２パッシベーション膜９、前面電極６と、裏面電極７と、を有する。
　　＜１－２．半導体基板＞
　図３から図５で示されるように、半導体基板１は、例えば、第１面１ｆｓと、第２面１ｂｓと、第３面１ｓｓと、を有する。第１面１ｆｓは、前面１０ｆｓ側に位置している。第２面１ｂｓは、裏面１０ｂｓ側に位置している。換言すれば、第２面１ｂｓは、半導体基板１のうちの第１面１ｆｓとは逆側に位置している。さらに換言すれば、第１面１ｆｓと第２面１ｂｓとは相互に逆向きである状態で位置している。第３面１ｓｓは、第１面１ｆｓと第２面１ｂｓとを接続している状態で位置している。換言すれば、第３面１ｓｓは、半導体基板１の外周縁を構成している端面である。図３から図５の例では、第１面１ｆｓは、＋Ｚ方向を向いている状態で位置している。第２面１ｂｓは、－Ｚ方向を向いている。半導体基板１は、＋Ｚ方向に沿った厚さを有する平板状の形態を有する。このため、第１面１ｆｓおよび第２面１ｂｓは、それぞれＸＹ平面に沿った半導体基板１の板面を構成している状態で位置している。
　また、半導体基板１は、第１半導体領域２と、第２半導体領域３と、を有する。第１半導体領域２は、例えば、第１導電型を有する半導体によって構成されている状態で位置している。第２半導体領域３は、例えば、第１導電型とは逆の第２導電型を有する半導体によって構成されている状態で位置している。第１半導体領域２は、半導体基板１のうちの第２面１ｂｓの側に位置している。第２半導体領域３は、半導体基板１のうちの第１面１ｆｓの側に位置している。具体的には、第２半導体領域３は、半導体基板１のうちの第１面１ｆｓ側に位置している表層部に位置している。図３から図５の例では、第１半導体領域２上に第２半導体領域３が位置している。
　ここで、例えば、半導体基板１がシリコン基板である場合を想定する。この場合には、シリコン基板として、多結晶または単結晶のシリコン基板が採用される。シリコン基板は、例えば、２５０μｍ以下あるいは１５０μｍ以下の厚さを有する。また、シリコン基板は、例えば、平面視して矩形状の外形を有する。このような形状を有する半導体基板１が採用されれば、複数の太陽電池素子１０を並べて太陽電池モジュールが製造される際に、太陽電池素子１０同士の間の隙間が小さくなり得る。
　また、例えば、第１導電型がｐ型であるとともに第２導電型がｎ型である場合には、例えば、多結晶あるいは単結晶のシリコンの結晶に、ドーパント元素として、ボロンあるいはガリウムなどの不純物を含有させることで、ｐ型のシリコン基板が製作され得る。この場合には、ｐ型のシリコン基板の第１面１ｆｓ側の表層部にｎ型のドーパントとしてのリンなどの不純物を拡散させることで、ｎ型の第２半導体領域３が生成され得る。このとき、ｐ型の第１半導体領域２とｎ型の第２半導体領域３とが積層された半導体基板１が形成され得る。これにより、半導体基板１は、第１半導体領域２と第２半導体領域３との界面に位置しているｐｎ接合部を有する。
　ここで、半導体基板１の第１面１ｆｓは、例えば、照射された光の反射を低減するための微細な凹凸構造（テクスチャ）を有していてもよい。
　また、例えば、半導体基板１のうちの第２面１ｂｓ側の表層部に、第１半導体領域２の第１導電型（例えば、ｐ型）と同一である第１導電型を有する第３半導体領域が存在していてもよい。このとき、例えば、第３半導体領域が含有するドーパントの濃度が、第１半導体領域２が含有するドーパントの濃度よりも高ければ、第３半導体領域は、半導体基板１の第２面１ｂｓ側において内部電界を形成している状態で位置している。これにより、半導体基板１の第２面１ｂｓの近傍では、半導体基板１において光の照射に応じた光電変換によって生じる少数キャリアの再結合が低減され得る。その結果、太陽電池素子１０における光電変換効率の低下が生じにくい。第３半導体領域は、例えば、半導体基板１のうちの第２面１ｂｓ側の表層部に、アルミニウムなどのドーパント元素が拡散されることで形成され得る。
　　＜１－３．第１パッシベーション膜＞
　図１および図３から図５で示されるように、第１パッシベーション膜５は、例えば、半導体基板１の上に位置している。具体的には、第１パッシベーション膜５は、例えば、半導体基板１の第１面１ｆｓ上に位置している。第１パッシベーション膜５は、例えば、半導体基板１において、光の照射に応じた光電変換によって生成される少数キャリアの再結合を低減することができる。第１パッシベーション膜５の素材としては、例えば、窒化珪素などが採用され得る。第１パッシベーション膜５は、例えば、１層あるいは互いに異なる素材を含む２層以上によって構成されている状態で位置していてもよい。
　ここで、例えば、第１半導体領域２がｐ型の導電型を有するとともに第２半導体領域３がｎ型の導電型を有する場合を想定する。この場合には、例えば、窒化珪素の膜は正の固定電荷を有する。このため、ｎ型の第２半導体領域３の上に位置している正の固定電荷を持つ窒化珪素の膜によって、第１パッシベーション膜５によるパッシベーション効果が増大し得る。この第１パッシベーション膜５は、例えば、厚さが適宜調整されることで、反射防止膜としても機能し得る。このとき、第１パッシベーション膜５の屈折率および厚さは、太陽光のうち、半導体基板１に吸収されて発電に寄与し得る波長範囲の光に対して、反射率が低い条件（低反射条件ともいう）を実現することが可能な値に適宜設定され得る。例えば、第１パッシベーション膜５の屈折率を１．８から２．５程度とし、この第１パッシベーション膜５の厚さを、２０ｎｍから１２０ｎｍ程度とすることが考えられる。
　　＜１－４．第２パッシベーション膜＞
　図２から図５で示されるように、第２パッシベーション膜９は、例えば、半導体基板１の上に位置している。具体的には、第２パッシベーション膜９は、例えば、半導体基板１の第２面１ｂｓ上に位置している。第２パッシベーション膜９は、例えば、半導体基板１において、光の照射に応じた光電変換によって生成される少数キャリアの再結合を低減することができる。第２パッシベーション膜９の素材としては、例えば、酸化アルミニウムなどが採用され得る。第２パッシベーション膜９は、例えば、１層あるいは互いに異なる素材を含む２層以上によって構成されている状態で位置していてもよい。
　ここで、例えば、第１半導体領域２がｐ型の導電型を有するとともに第２半導体領域３がｎ型の導電型を有する場合を想定する。この場合には、例えば、酸化アルミニウムの膜は負の固定電荷を有する。このため、ｐ型の第１半導体領域２の上に位置している負の固定電荷を持つ酸化アルミニウムの膜によって、第２パッシベーション膜９によるパッシベーション効果が増大し得る。
　　＜１－５．前面電極＞
　図１および図３から図５で示されるように、前面電極６は、例えば、太陽電池素子１０の前面１０ｆｓの側に位置している。この前面電極６は、例えば、金属と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、が混合された金属ペーストなどの塗布および焼成によって形成され得る。
　第１実施形態では、前面電極６は、例えば、本体部６１ａ，６２ａと、複数の接続部６１ｂ，６２ｂと、を有する。本体部６１ａ，６２ａは、例えば、第１パッシベーション膜５上に位置している。複数の接続部６１ｂ，６２ｂのそれぞれは、例えば、本体部６１ａ，６２ａと半導体基板１とを接続している状態で位置している。
　また、第１実施形態では、前面電極６は、例えば、前面バスバー電極６１と、複数の前面フィンガー電極６２とを有する。前面バスバー電極６１は、第１方向としての＋Ｙ方向に細長い形状を有する。図１の例では、前面電極６は、相互に平行な３本の前面バスバー電極６１を有する。前面バスバー電極６１の幅は、例えば、２ｍｍから３ｍｍ程度とされる。また、複数の前面フィンガー電極６２のそれぞれは、例えば、前面バスバー電極６１に交差している状態で位置しており、前面バスバー電極６１よりも細長い形状を有する。図１の例では、前面電極６は、３本の前面バスバー電極６１に直交している状態で位置している、相互に平行な多数の前面フィンガー電極６２を有する。前面フィンガー電極６２の幅は、例えば、２０μｍから２００μｍ程度とされる。
　ここでは、前面バスバー電極６１は、例えば、第１パッシベーション膜５上に位置している本体部（前面第１本体部ともいう）６１ａと、この前面第１本体部６１ａと半導体基板１の第１面１ｆｓとを接続している接続部（前面第１接続部ともいう）６１ｂと、を有する。複数の前面フィンガー電極６２のそれぞれは、例えば、第１パッシベーション膜５上に位置している本体部（前面第２本体部ともいう）６２ａと、この前面第２本体部６２ａと半導体基板１の第１面１ｆｓとを接続している接続部（前面第２接続部ともいう）６２ｂと、を有する。図３および図５の例では、前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂは、それぞれ第１パッシベーション膜５を貫通している状態で位置している。
　ここで、前面第１本体部６１ａおよび前面第２本体部６２ａは、金属と、第１ガラス成分と、を含有する。金属に、例えば、銀あるいは銅が適用されれば、隣り合う太陽電池素子１０を電気的に直列に接続するために前面バスバー電極６１に配線材を接合する際に、はんだを用いた接合が可能となる。前面第１本体部６１ａおよび前面第２本体部６２ａでは、金属の濃度は、例えば、８０質量％から９８質量％程度とされ、第１ガラス成分の濃度は、例えば、２質量％から２０質量％程度とされる。
　また、ここで、前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂは、前面第１本体部６１ａおよび前面第２本体部６２ａと同様に、金属と、第１ガラス成分と、を含有する。これらの前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂは、さらに、第１ガラス成分とは材料が異なる第２ガラス成分、を含有する。前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂでも、前面第１本体部６１ａおよび前面第２本体部６２ａと同様に、金属に、例えば、銀あるいは銅が適用される。このとき、例えば、第１導電型がｐ型であるとともに第２導電型がｎ型である場合には、前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂと、ｎ型の第２半導体領域３と、の間におけるオーミックコンタクトが容易に実現され得る。
　前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂでは、金属の濃度は、例えば、６０質量％から９６質量％程度とされ、第１ガラス成分の濃度は、例えば、２質量％から２０質量％程度とされ、第２ガラス成分の濃度は、例えば、２質量％から２０質量％程度とされる。前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂは、例えば、金属と第１ガラス成分とを含む金属ペースト（第１ペーストともいう、特に前面１０ｆｓ側に用いる第１ペーストを第１ａペーストという）と、第２ガラス成分を含むペースト（第２ペーストともいう、特に前面１０ｆｓ側に用いる第２ペーストを第２ａペーストという）との重畳箇所で、第１パッシベーション膜５の焼成貫通が生じて形成され得る。
　上記構成が採用されれば、例えば、前面電極６の前面第１本体部６１ａおよび前面第２本体部６２ａには、金属および第１ガラス成分の他に、第１パッシベーション膜５の焼成貫通に必要な第２ガラス成分までは含まれていない。このため、例えば、前面電極６の前面第１本体部６１ａおよび前面第２本体部６２ａに占めるガラス成分の割合を低減することができる。これにより、例えば、前面電極６における前面第１本体部６１ａおよび前面第２本体部６２ａの電気抵抗が低減され得る。その結果、例えば、前面電極６を細くすることが可能となり、前面１０ｆｓにおいて、半導体基板１に光が入射しやすくすることができる。したがって、例えば、太陽電池素子１０における光電変換効率を容易に向上させることができる。また、例えば、前面バスバー電極６１および前面フィンガー電極６２を形成するための素材の使用量を低減することができる。したがって、例えば、太陽電池素子１０における品質を容易に向上させることができる。
　また、例えば、第１パッシベーション膜５の焼成貫通が生じにくい金属と第１ガラス成分とを含む第１ａペーストの塗布と、第２ガラス成分を含む第２ａペーストの塗布と、を組み合わせて、前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂを形成することができる。ここでは、例えば、第１ａペーストと第２ａペーストとが重畳している箇所で局所的に第１パッシベーション膜５の焼成貫通を生じさせて、前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂを形成することができる。このため、例えば、第１ａペーストなどの金属ペーストに関する焼成温度ならびに金属ペーストに含有されるガラス成分の含有量および種類などの諸条件について、選択肢の幅が拡がる。また、例えば、前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂを形成するための第１ａペーストと第２ａペーストとの組合せについても選択の余地がある。これにより、例えば、前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂと半導体基板１との接着強度を十分に高めることができる。その結果、例えば、前面バスバー電極６１および複数の前面フィンガー電極６２が半導体基板１から剥離しにくくなり、太陽電池素子１０における信頼性を容易に向上させることができる。したがって、太陽電池素子１０における品質を容易に向上させることができる。
　ここで、第１ガラス成分には、例えば、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）および酸化珪素（ＳｉＯ２）の双方を含むものが適用される。この場合には、第１ガラス成分における酸化ビスマスの質量の比率は、例えば、第１ガラス成分における酸化珪素の質量の比率の１倍から１０倍程度とされる。さらに、例えば、第１ガラス成分を１００質量部とした場合には、第１ガラス成分は、酸化物換算で４０質量部から９０質量部程度の割合で酸化ビスマスを含有する。また、第２ガラス成分には、例えば、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）あるいは酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）および酸化珪素（ＳｉＯ２）の双方を含むものが適用される。例えば、第２ガラス成分が、酸化ナトリウムおよび酸化珪素の双方を有する場合には、第２ガラス成分における酸化ナトリウムの質量の比率は、例えば、第２ガラス成分における酸化珪素の質量の比率の１倍から１０倍程度とされる。さらに、例えば、第２ガラス成分を１００質量部とした場合には、第２ガラス成分は、酸化物換算で４０質量部から９０質量部程度の割合で酸化ナトリウムを含有する。ここで、例えば、第１ガラス成分における含有物と第２ガラス成分における含有物とは逆であってもよい。
　また、例えば、前面第１本体部６１ａおよび前面第２本体部６２ａにおける第１ガラス成分の濃度（第１濃度ともいう）が、前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂのそれぞれにおける第１ガラス成分と第２ガラス成分とを合計したガラス成分の濃度（第２濃度ともいう）よりも低ければ、前面第１本体部６１ａおよび前面第２本体部６２ａの電気抵抗が低減され得る。これにより、例えば、前面バスバー電極６１および前面フィンガー電極６２を含む前面電極６を細くすることが可能となる。その結果、例えば、前面１０ｆｓ側において、半導体基板１に光が入射しやすくすることができる。したがって、例えば、太陽電池素子１０における光電変換効率を容易に向上させることができる。また、このとき、例えば、前面バスバー電極６１および前面フィンガー電極６２を形成するための金属などの素材の使用量を低減することができる。したがって、例えば、太陽電池素子１０における品質を容易に向上させることができる。
　第１濃度および第２濃度の分析は、例えば、エネルギー分散型Ｘ線分析法（ＥＤＸ；Energy dispersive X-ray spectrometry）または二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ；Secondary Ion Mass Spectrometry）などで実施することができる。
　ここで、例えば、図１で示されるように、前面電極６を平面透視した場合に、前面第１接続部６１ｂは、前面バスバー電極６１の内部に位置しており、前面第２接続部６２ｂは、前面フィンガー電極６２の一部に位置している。このため、例えば、半導体基板１に対する前面バスバー電極６１の接着強度が向上する。これにより、例えば、隣り合う太陽電池素子１０を電気的に直列に接続するために前面バスバー電極６１に配線材を接合しても、この配線材による外力の付与に拘わらず、前面バスバー電極６１が半導体基板１から剥離しにくい。その結果、例えば、太陽電池素子１０における信頼性を容易に向上させることができる。したがって、例えば、太陽電池素子における品質を容易に向上させることができる。
　ここで、例えば、図１および図４で示されるように、太陽電池素子１０は、第１パッシベーション膜５上に位置している、第１ガラス部１１をさらに備えていてもよい。この第１ガラス部１１は、第２ガラス成分を含有する。ここで、例えば、図１で示されるように、第１パッシベーション膜５、前面電極６および第１ガラス部１１を平面透視した場合に、複数の前面第２接続部６２ｂのそれぞれは、複数の前面フィンガー電極６２のそれぞれにおける前面第２本体部６２ａと第１ガラス部１１との第１交差部ＣＲ１に位置している。このような構成は、例えば、第１パッシベーション膜５の上に、第１ａペーストと、第２ａペーストと、を互いに交差するように塗布し、第１ａペーストおよび第２ａペーストを焼成して、第１パッシベーション膜５の局所的な焼成貫通を生じさせることで、実現され得る。このため、例えば、細い前面フィンガー電極６２の形成についても、第１ａペーストを塗布する領域と第２ａペーストを塗布する領域との間における位置合わせを高精度で行わなくても、前面第２接続部６２ｂを容易に形成することができる。換言すれば、例えば、前面電極６と半導体基板１との間における良好な接続が容易に実現され得る。その結果、例えば、太陽電池素子１０における光電変換効率を容易に向上させることができる。したがって、例えば、太陽電池素子１０における品質を容易に向上させることができる。
　ここで、例えば、図１で示されるように、第１ガラス部１１は、第１方向（＋Ｙ方向）に沿った仮想的な線（第１仮想線ともいう）ＶＬ１に沿って位置し、複数の前面フィンガー電極６２どうしの間の領域において途切れている不連続な形態を有していてもよい。図１の例では、相互に平行な複数（例えば、１０本）の直線状の第１仮想線ＶＬ１のそれぞれに沿って、第１ガラス部１１が位置している。ここでは、第１ガラス部１１は、例えば、直線状に位置していてもよいし、湾曲するように線状に位置していてもよい。このような構成が採用されれば、例えば、第１パッシベーション膜５の上を占める第１ガラス部１１の面積の増大を低減することができる。このため、例えば、第１ガラス部１１の存在による半導体基板１への光の入射の減少が低減され得る。その結果、例えば、太陽電池素子１０における光電変換効率を容易に向上させることができる。ここで、例えば、第１ガラス部１１の形状が、厚さが薄い膜状であれば、第１ガラス部１１を光が透過しやすく、第１ガラス部１１の存在による半導体基板１への光の入射の減少が低減され得る。
　　＜１－６．裏面電極＞
　図２から図５で示されるように、裏面電極７は、例えば、太陽電池素子１０の裏面１０ｂｓの側に位置している。この裏面電極７は、例えば、金属と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、が混合された金属ペーストなどの塗布および焼成によって形成され得る。
　第１実施形態では、裏面電極７は、例えば、本体部７１ａ，７２ａと、複数の接続部７１ｂ，７２ｂと、を有する。本体部７１ａ，７２ａは、例えば、第２パッシベーション膜９上に位置している。複数の接続部７１ｂ，７２ｂのそれぞれは、例えば、本体部７１ａ，７２ａと半導体基板１とを接続している状態で位置している。
　また、第１実施形態では、裏面電極７は、例えば、裏面バスバー電極７１と、複数の裏面フィンガー電極７２とを有する。裏面バスバー電極７１は、第１方向としての＋Ｙ方向に細長い形状を有する。図２の例では、裏面電極７は、相互に平行な３本の裏面バスバー電極７１を有する。第１実施形態では、３本の裏面バスバー電極７１のそれぞれは、第１方向に沿って並んでいる複数（図２の例では４つ）の島状の部分を有する。裏面バスバー電極７１の幅は、例えば、２ｍｍから３ｍｍ程度とされる。また、複数の裏面フィンガー電極７２のそれぞれは、例えば、裏面バスバー電極７１に交差している状態で位置しており、裏面バスバー電極７１よりも細長い形状を有する。図２の例では、裏面電極７は、３本の裏面バスバー電極７１に直交している状態で位置している、相互に平行な多数の裏面フィンガー電極７２を有する。裏面フィンガー電極７２の幅は、例えば、２０μｍから２００μｍ程度とされる。
　ここでは、裏面バスバー電極７１は、例えば、第２パッシベーション膜９上に位置している本体部（裏面第１本体部ともいう）７１ａと、この裏面第１本体部７１ａと半導体基板１の第２面１ｂｓとを接続している接続部（裏面第１接続部ともいう）７１ｂと、を有する。複数の裏面フィンガー電極７２のそれぞれは、例えば、第２パッシベーション膜９上に位置している本体部（裏面第２本体部ともいう）７２ａと、この裏面第２本体部７２ａと半導体基板１の第２面１ｂｓとを接続している接続部（裏面第２接続部ともいう）７２ｂと、を有する。図３および図５の例では、裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂは、それぞれ第２パッシベーション膜９を貫通している状態で位置している。
　ここで、裏面第１本体部７１ａおよび裏面第２本体部７２ａは、金属と、第１ガラス成分と、を含有する。金属に、例えば、銀あるいは銅が適用されれば、隣り合う太陽電池素子１０を電気的に直列に接続するために裏面バスバー電極７１に配線材を接合する際に、はんだを用いた接合が可能となる。裏面第１本体部７１ａおよび裏面第２本体部７２ａでは、金属の濃度は、例えば、８０質量％から９８質量％程度とされ、第１ガラス成分の濃度は、例えば、２質量％から２０質量％程度とされる。
　また、ここで、裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂは、裏面第１本体部７１ａおよび裏面第２本体部７２ａと同様に、金属と、第１ガラス成分と、を含有する。これらの裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂは、さらに、第２ガラス成分、を含有する。裏面第１接続部７１ｂにも、裏面第１本体部７１ａと同様に、金属として、例えば、銀あるいは銅が適用される。これにより、太陽電池モジュールを作製時において、隣り合う太陽電池素子１０を電気的に直列に接続するために、裏面バスバー電極７１に配線材を接合する際には、はんだを用いた接合が可能となる。また、裏面第２接続部７２ｂには、金属として、例えば、アルミニウムあるいはアルミニウムに少量の銀を含有したものが適用される。このとき、例えば、第１導電型がｐ型であるとともに第２導電型がｎ型である場合には、裏面第２接続部７２ｂとｐ型の第１半導体領域２との間において、オーミックコンタクトが容易に実現され得る。
　裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂでは、金属の濃度は、例えば、６０質量％から９６質量％程度とされ、第１ガラス成分の濃度は、例えば、２質量％から２０質量％程度とされ、第２ガラス成分の濃度は、例えば、２質量％から２０質量％程度とされる。裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂは、例えば、金属と第１ガラス成分とを含む金属ペースト（第１ペースト、特に裏面１０ｂｓ側に用いて、銀あるいは銅を主成分とするものを第１ｂペースト、アルミニウムを主成分とするものを第１ｃペーストという）と、第２ガラス成分を含むペースト（第２ペースト、特に裏面１０ｂｓ側に用いるものを第２ｂペーストという）との重畳箇所で、第２パッシベーション膜９の焼成貫通が生じて形成され得る。
　上記構成が採用されれば、例えば、裏面電極７の裏面第１本体部７１ａおよび裏面第２本体部７２ａには、金属および第１ガラス成分の他に、第２パッシベーション膜９の焼成貫通に必要な第２ガラス成分までは含まれていない。このため、例えば、裏面電極７の裏面第１本体部７１ａおよび裏面第２本体部７２ａに占めるガラス成分の割合を低減することができる。これにより、例えば、裏面電極７における裏面第１本体部７１ａおよび裏面第２本体部７２ａの電気抵抗が低減される。その結果、例えば、裏面電極７を細くすることが可能となり、太陽電池素子１０が裏面１０ｂｓでも受光するタイプのものであれば、裏面１０ｂｓにおいて、半導体基板１に光が入射しやすくなる。したがって、例えば、太陽電池素子１０における光電変換効率を容易に向上させることができる。また、例えば、裏面バスバー電極７１および裏面フィンガー電極７２を形成するための素材の使用量を低減することができる。したがって、例えば、太陽電池素子１０における品質を容易に向上させることができる。
　また、例えば、第２パッシベーション膜９の焼成貫通を生じにくい金属と第１ガラス成分とを含む第１ペーストの塗布と、第２ガラス成分を含む第２ペーストの塗布と、を組み合わせて、裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂを形成することができる。ここでは、例えば、第１ｂペーストと第２ｂペーストとが重畳している箇所および第１ｃペーストと第２ｂペーストとが重畳している箇所で局所的に第２パッシベーション膜９の焼成貫通を生じさせて、裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂを形成することができる。このため、例えば、第１ｂペーストおよび第１ｃペーストなどの金属ペーストに関する焼成温度ならびに金属ペーストに含有されるガラス成分の含有量および種類などの諸条件について、選択肢の幅が拡がる。また、例えば、裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂを形成するための第１ｂペーストと第２ｂペーストとの組合せおよび第１ｃペーストと第２ｂペーストとの組合せについても選択の余地がある。これにより、例えば、裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂと半導体基板１との接着強度を十分に高めることができる。その結果、例えば、裏面バスバー電極７１および複数の裏面フィンガー電極７２が半導体基板１から剥離しにくくなり、太陽電池素子１０における信頼性を容易に向上させることができる。したがって、太陽電池素子１０における品質を容易に向上させることができる。
　ここで、例えば、裏面第１本体部７１ａおよび裏面第２本体部７２ａにおける第１ガラス成分の濃度（第１濃度）が、裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂのそれぞれにおける第１ガラス成分と第２ガラス成分とを合計したガラス成分の濃度（第２濃度）よりも低ければ、裏面第１本体部７１ａおよび裏面第２本体部７２ａの電気抵抗が低減され得る。これにより、例えば、裏面バスバー電極７１および裏面フィンガー電極７２を含む裏面電極７を細くすることが可能となる。その結果、例えば、太陽電池素子１０が裏面１０ｂｓでも受光するタイプのものであれば、裏面１０ｂｓ側において、半導体基板１に光が入射しやすくすることができる。したがって、例えば、太陽電池素子１０における光電変換効率を容易に向上させることができる。また、このとき、例えば、裏面バスバー電極７１および裏面フィンガー電極７２を形成するための金属などの素材の使用量を低減することができる。したがって、例えば、太陽電池素子１０における品質を容易に向上させることができる。
　ここで、例えば、図２で示されるように、裏面電極７を平面透視した場合に、裏面第１接続部７１ｂは、裏面バスバー電極７１の内部に位置しており、裏面第２接続部７２ｂは、裏面フィンガー電極７２の一部に位置している。このため、例えば、半導体基板１に対する裏面バスバー電極７１の接着強度が向上する。これにより、例えば、隣り合う太陽電池素子１０を電気的に直列に接続するために裏面バスバー電極７１に配線材を接合しても、この配線材による外力の付与に拘わらず、裏面バスバー電極７１が半導体基板１から剥離しにくい。その結果、例えば、太陽電池素子１０における信頼性を容易に向上させることができる。したがって、例えば、太陽電池素子１０における品質を容易に向上させることができる。
　ここで、例えば、図２および図４で示されるように、太陽電池素子１０は、第２パッシベーション膜９上に位置している、第２ガラス部１２をさらに備えていてもよい。この第２ガラス部１２は、第２ガラス成分を含有する。ここで、例えば、図２で示されるように、第２パッシベーション膜９、裏面電極７および第２ガラス部１２を平面透視した場合に、複数の裏面第２接続部７２ｂのそれぞれは、複数の裏面フィンガー電極７２のそれぞれにおける裏面第２本体部７２ａと第２ガラス部１２との第２交差部ＣＲ２に位置している。このような構成は、例えば、第２パッシベーション膜９の上に、第１ｂペーストと第２ｂペーストとを互いに交差するように塗布するとともに、第１ｃペーストと第２ｂペーストとを互いに交差するように塗布し、第１ｂペースト、第１ｃペーストおよび第２ｂペーストを焼成して、第２パッシベーション膜９の局所的な焼成貫通を生じさせることで、実現され得る。換言すれば、上記構成は、例えば、第１ペーストと第２ペーストとを互いに交差するように塗布し、第１ペーストおよび第２ペーストを焼成して、第２パッシベーション膜９の局所的な焼成貫通を生じさせることで、実現され得る。このため、例えば、細い裏面フィンガー電極７２の形成についても、第１ペーストを塗布する領域と第２ペーストを塗布する領域との間における位置合わせを高精度で行わなくても、裏面第２接続部７２ｂを容易に形成することができる。換言すれば、例えば、裏面電極７と半導体基板１との間における良好な接続が容易に実現され得る。その結果、例えば、太陽電池素子１０における光電変換効率を容易に向上させることができる。したがって、例えば、太陽電池素子１０における品質を容易に向上させることができる。
　ここで、例えば、図２で示されるように、第２ガラス部１２は、第１方向（＋Ｙ方向）に沿った仮想的な線（第２仮想線ともいう）ＶＬ２に沿って位置し、複数の裏面フィンガー電極７２どうしの間の領域において途切れている不連続な形態を有していてもよい。図２の例では、相互に平行な複数（例えば、１０本）の直線状の第２仮想線ＶＬ２のそれぞれに沿って、第２ガラス部１２が位置している。ここでは、第２ガラス部１２は、例えば、直線状に位置していてもよいし、湾曲するように線状に位置していてもよい。このような構成が採用されれば、例えば、第２パッシベーション膜９の上を占める第２ガラス部１２の面積の増大を低減することができる。このため、例えば、太陽電池素子１０が裏面１０ｂｓでも受光するタイプのものであれば、第２ガラス部１２の存在による半導体基板１への光の入射の減少が低減され得る。その結果、例えば、太陽電池素子１０における光電変換効率を容易に向上させることができる。ここで、例えば、第２ガラス部１２の形状が、厚さが薄い膜状であれば、第２ガラス部１２を光が透過しやすく、第２ガラス部１２の存在による半導体基板１への光の入射の減少が低減され得る。
　　＜１－７．太陽電池素子の製造方法＞
　次に、太陽電池素子１０の製造方法の一例について、図６（ａ）から図１２に基づいて説明する。ここでは、図６（ａ）および図６（ｂ）で示される第１工程ＳＴ１から第４工程ＳＴ４をこの記載の順に実施することで、太陽電池素子１０を製造することができる。
　まず、半導体基板１を準備する第１工程ＳＴ１を実施する。ここでは、図７（ａ）および図７（ｂ）で示されるように、半導体基板１は、第１導電型の第１半導体領域２と、第２導電型の第２半導体領域３と、を有する。この半導体基板１は、例えば、第１面１ｆｓと、第２面１ｂｓと、第３面１ｓｓと、を有する。第１面１ｆｓは、半導体基板１のうちの第２半導体領域３の側に位置している。第２面１ｆｓは、半導体基板１のうちの第１半導体領域２の側に位置している。
　このような半導体基板１は、例えば、次のようにして準備され得る。まず、例えば、既存のチョクラルスキー（Czochralski：ＣＺ）法または鋳造法などを用いて作製された第１導電型の多結晶シリコンのインゴットを、スライスして半導体基板を作製する。半導体基板１の形状および大きさには特段の制限は無いが、半導体基板１には、例えば１辺が１５０ｍｍから１６０ｍｍ程度の正方形状の表裏面を有するものなどが採用される。この半導体基板の表面に対する、アルカリ性または酸性の水溶液を用いたごく微量のエッチングにより、半導体基板の切断面の機械的なダメージおよび汚染を受けた層を除去する。次に、アルカリ性もしくは酸性の水溶液を用いた湿式エッチングあるいは反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）法を用いた乾式エッチングによって、半導体基板の一主面にテクスチャを形成する。次に、半導体基板のテクスチャを有する一主面側の表層部に、塗布熱拡散法または気相熱拡散法などを用いて、第２導電型の第２半導体領域３を形成する。塗布熱拡散法では、例えば、ペースト状にした五酸化二リンを半導体基板の一主面に塗布してリンを熱拡散させる。気相熱拡散法では、例えば、オキシ塩化リンなどの拡散ガスを含む雰囲気中で６００℃から８００℃程度の温度で熱処理を施して燐ガラスを半導体基板の一主面に形成し、この半導体基板に対して不活性ガスの雰囲気中で比較的高温（８５０℃程度）で熱処理を施す。このとき、例えば、第２面１ｂｓ側に第２半導体領域が形成されていれば、フッ硝酸の水溶液への浸漬などによって第２面１ｂｓ側の第２半導体領域をエッチングで除去し、半導体基板１の第２面１ｂｓにおいて第１導電型を有する第１半導体領域２を露出させる。また、第２半導体領域３の形成時に一主面に付着した燐ガラスをエッチングで除去する。
　次に、半導体基板１の第１面１ｆｓの上に第１パッシベーション膜５を形成し、半導体基板１の第２面１ｂｓの上に第２パッシベーション膜９を形成する第２工程ＳＴ２を実施する。ここでは、図８で示されるように、半導体基板１の第１面１ｆｓの上に第１パッシベーション膜５を形成するとともに、半導体基板１の第２面１ｂｓの上に第２パッシベーション膜９を形成する。
　ここでは、第１パッシベーション膜５は、例えば、プラズマＣＶＤ（plasma-enhanced chemical vapor deposition：ＰＥＣＶＤ）法またはスパッタリング法を用いて形成される。例えば、ＰＥＣＶＤ法を用いて、窒化珪素を含有する第１パッシベーション膜５を形成する場合を想定する。この場合には、例えば、シランとアンモニアとの混合ガスを、窒素ガスで希釈し、反応圧力を５０Ｐａから２００Ｐａ程度にして、グロー放電分解でプラズマ化させたものを、加熱された半導体基板１の第１面ｆｓ上に堆積させる。これにより、半導体基板１の第１面１ｆｓの上に第１パッシベーション膜５が形成され得る。また、ここでは、第２パッシベーション膜９は、例えば、原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）法などを用いて形成される。例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウムを含有する第２パッシベーション膜９を形成する場合を想定する。この場合には、例えば、成膜装置のチャンバー内に載置した半導体基板１を１００℃から２５０℃程度の温度域まで加熱した状態で、次の工程［Ａ］から［Ｄ］を複数回繰り返し行う。これにより、半導体基板１の第２面１ｂｓの上に第２パッシベーション膜９が形成され得る。［Ａ］トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）などのアルミニウム原料を、アルゴンガスまたは窒素ガスなどのキャリアガスとともに、半導体基板１上に供給して、半導体基板１の第２面１ｂｓ上にアルミニウム原料を吸着させる。［Ｂ］窒素ガスで成膜装置のチャンバー内を浄化することで、チャンバー内のアルミニウム原料を除去する。このとき、半導体基板１に物理吸着および化学吸着したアルミニウム原料のうち、原子層レベルで化学吸着した成分以外のアルミニウム原料が除去される。［Ｃ］水またはオゾンガスなどの酸化剤を、成膜装置のチャンバー内に供給することで、ＴＭＡに含まれるアルキル基を除去してＯＨ基に置換させる。これにより、半導体基板１の第２面１ｂｓ上に酸化アルミニウムの原子層が形成される。［Ｄ］窒素ガスによって成膜装置のチャンバー内を浄化することで、チャンバー内の酸化剤を除去する。
　次に、第１パッシベーション膜５および第２パッシベーション膜９の上に、第１ペーストと第２ペーストとを塗布する第３工程ＳＴ３を実施する。ここでは、例えば、図６（ｂ）で示される第３Ａ工程ＳＴ３１から第３Ｄ工程ＳＴ３４をこの記載の順に実施する。また、第１ペーストと第２ペーストとの組合せとしては、例えば、前面１０ｆｓ側に用いる第１ａペーストＰａ１と第２ａペーストＰａ２との組合せ、ならびに裏面１０ｂｓ側に用いる第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４と第２ｂペーストＰａ５との組合せ、が採用される。
　第３Ａ工程ＳＴ３１では、例えば、第１パッシベーション膜５の上に、第２ａペーストＰａ２を塗布する。ここでは、例えば、図９で示されるように、太陽電池素子１０における前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂならびに第１ガラス部１１のパターンに対応する領域に、スクリーン印刷法などを用いて、第２ａペーストＰａ２を塗布する。図９の例では、第１パッシベーション膜５の上に、相互に平行な複数（例えば、１０本）の直線状の第１仮想線ＶＬ１のそれぞれに沿って、第２ａペーストＰａ２を塗布する。このとき、塗布後に乾燥された後の第２ａペーストＰａ２の厚さは、例えば、３０μｍ程度とされる。
　第３Ｂ工程ＳＴ３２では、例えば、第１パッシベーション膜５の上に、第１ａペーストＰａ１を塗布する。ここでは、例えば、図１０で示されるように、第１パッシベーション膜５の上の前面電極６のパターンに対応する領域に、スクリーン印刷法などを用いて、第１ａペーストＰａ１を塗布する。このとき、塗布後の第１ａペーストＰａ１の厚さは、例えば、３０μｍ程度とされる。
　第３Ａ工程ＳＴ３１および第３Ｂ工程ＳＴ３２では、例えば、第１ａペーストＰａ１が位置する第１部分Ｐｔ１と第２ａペーストＰａ２が位置する第２部分Ｐｔ２とが重畳するように、第１ａペーストＰａ１と第２ａペーストＰａ２とを塗布する。ここでは、例えば、第１パッシベーション膜５上のうち、前面バスバー電極６１のパターンに対応する領域に第１ａペーストＰａ１を塗布する。これにより、前面第１接続部６１ｂのパターンに対応する領域に塗布された第２ａペーストＰａ２を覆うように、第１ａペーストＰａ１が塗布される。このとき、前面バスバー電極６１の幅が、例えば、２ｍｍから３ｍｍ程度あれば、前面第１接続部６１ｂのパターンに対応する領域に塗布された第２ａペーストＰａ２を覆うように、第１ａペーストＰａ１を容易に塗布することができる。また、ここでは、例えば、第１パッシベーション膜５上のうちの前面第２接続部６２ｂおよび第１ガラス部１１のパターンに対応する領域に塗布された第２ａペーストＰａ２に交差するように、複数の前面フィンガー電極６２のパターンに対応する領域に第１ａペーストＰａ１を塗布する。
　ここで、第１ペースト（第１ａペーストＰａ１、第１ｂペーストＰａ３、第１ｃペーストＰａ４）には、金属および第１ガラス成分が含まれている。第１ａペーストＰａ１では、この金属および第１ガラス成分は、前面電極６に含まれている金属および第１ガラス成分に相当する。具体的には、第１ａペーストＰａ１は、金属粉末、第１ガラス成分のガラスフリット（第１ガラスフリットともいう）および有機ビヒクルを有する。金属粉末には、例えば、銀の粉末または銅の粉末または銀と銅との混合物の粉末が適用される。金属粉末の粒径は、例えば、０．０５μｍから２０μｍ程度に設定される。金属粉末の粒径は、例えば、０．１μｍから５μｍ程度に設定されてもよい。第１ａペーストＰａ１における金属粉末の濃度は、例えば、ペースト総質量の７５質量％から８５質量％程度に設定される。第１ａペーストＰａ１における第１ガラスフリットの濃度は、例えば、２質量％から１５質量％程度に設定される。第１ａペーストＰａ１における第１ガラスフリットの濃度は、例えば、５質量％から１０質量％程度に設定されてもよい。有機ビヒクルは、有機溶剤にバインダーを溶解させたものである。ここで、有機溶剤には、例えば、ターピネオール、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジエチルエーテルまたは２－エトキシエタノールなどが適用される。バインダーには、例えば、エチルセルロースまたはフェノール樹脂などが含有される。第１ａペーストＰａ１における有機ビヒクルの濃度は、例えば、５質量％から２０質量％程度に設定される。第１ａペーストＰａ１における有機ビヒクルの濃度は、例えば、１０質量％から１５質量％程度に設定されてもよい。第１ａペーストＰａ１には、例えば、分散剤などのその他の微量の成分が適当量含有されていてもよい。
　また、ここで、第２ペースト（第２ａペーストＰａ２、第２ｂペーストＰａ５）には、第２ガラス成分が含まれている。第２ａペーストＰａ２では、この第２ガラス成分は、前面電極６に含まれている第２ガラス成分に相当する。具体的には、第２ａペーストＰａ２には、第２ガラス成分のガラスフリット（第２ガラスフリットともいう）および有機ビヒクルを有する。第２ａペーストＰａ２における第２ガラスフリットの濃度は、例えば、２質量％から１５質量％程度に設定される。第２ａペーストＰａ２における第２ガラスフリットの濃度は、例えば、５質量％から１０質量％程度に設定されてもよい。第２ａペーストＰａ２の有機ビヒクルには、例えば、第１ａペーストＰａ１の有機ビヒクルと同様なものが適用され得る。第２ａペーストＰａ２における有機ビヒクルの濃度は、例えば、８５質量％から９８質量％程度に設定される。第２ａペーストＰａ２における有機ビヒクルの濃度は、例えば、９０質量％から９５質量％程度に設定されてもよい。
　第３Ｃ工程ＳＴ３３では、例えば、第２パッシベーション膜９の上に、第２ｂペーストＰａ５を塗布する。ここでは、例えば、図１１で示されるように、太陽電池素子１０における裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂならびに第２ガラス部１２のパターンに対応する領域に、スクリーン印刷法などを用いて第２ｂペーストＰａ５を塗布する。図１１の例では、第２パッシベーション膜９の上に、相互に平行な複数（例えば、１０本）の直線状の第２仮想線ＶＬ２のそれぞれに沿って、第２ｂペーストＰａ５を塗布する。このとき、塗布後に乾燥された後の第２ｂペーストＰａ５の厚さは、例えば、３０μｍ程度とされる。また、第２ｂペーストＰａ５の成分は、第２ａペーストＰａ２と同等でも良いし、パッシベーション膜９の材質や膜厚などにより第２ガラスフリットの濃度を適宜変更したものでもよい。
　第３Ｄ工程ＳＴ３４では、例えば、第２パッシベーション膜９の上に、第１ｂペーストＰａ３を塗布する。ここでは、例えば、図１２で示されるように、第２パッシベーション膜９の上の裏面電極７の裏面バスバー電極７１のパターンに対応する領域に、スクリーン印刷法などを用いて第１ｂペーストＰａ３を塗布する。このとき、塗布後の第１ｂペーストＰａ３の厚さは、例えば、３０μｍ程度とされる。第１ｂペーストＰａ３の成分は、第１ａペーストＰａ１と同等でもよいし、金属粉末として、例えば、銀の粉末または銅の粉末または銀と銅との混合物の粉末に少量のアルミニウムもしくはニッケルなどを添加したものでもよい。
　さらに、第３Ｄ工程ＳＴ３４では、例えば、第２パッシベーション膜９の上に、第１ｃペーストＰａ４を塗布する。ここでは、例えば、図１２で示されるように、第２パッシベーション膜９の上の裏面電極７の裏面フィンガー電極７２のパターンに対応する領域に、スクリーン印刷法などを用いて第１ｃペーストＰａ４を塗布する。このとき、塗布後の第１ｃペーストＰａ４の厚さは、例えば、４０μｍから６０μｍ程度とされる。第１ｃペーストＰａ４には、金属および第１ガラス成分が含まれている。この金属および第１ガラス成分は、裏面電極７の裏面フィンガー電極７２に含まれている金属および第１ガラス成分に相当する。具体的には、第１ｃペーストＰａ４は、金属粉末、第１ガラスフリットおよび有機ビヒクルを有する。金属粉末には、例えば、アルミニウムの粉末が適用される。アルミニウム粉末の粒径は、例えば、３μｍから２０μｍ程度に設定される。第１ｃペーストＰａ４における金属粉末の濃度は、例えば、ペースト総質量の６０質量％から８５質量％程度に設定される。第１ｃペーストＰａ４における第１ガラスフリットの濃度は、例えば、１質量％から１５質量％程度に設定される。第１ｃペーストＰａ４における第１ガラスフリットの濃度は、例えば、５質量％から１０質量％程度に設定されてもよい。有機ビヒクルは、有機溶剤にバインダーを溶解させたものである。ここで、有機溶剤には、例えば、ターピネオール、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジエチルエーテルまたは２－エトキシエタノールなどが適用される。バインダーには、例えば、エチルセルロースまたはフェノール樹脂などが含有される。第１ｃペーストＰａ４における有機ビヒクルの濃度は、例えば、５質量％から２５質量％程度に設定される。第１ｃペーストＰａ４における有機ビヒクルの濃度は、例えば、１０質量％から１５質量％程度に設定されてもよい。第１ｃペーストＰａ４には、例えば、分散剤、銀、酸化亜鉛、酸化シリコン、酸化アルミニウムなどから選択される、その他の微量の成分が適当量含有されていてもよい。
　第３Ｃ工程ＳＴ３３および第３Ｄ工程ＳＴ３４では、例えば、第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４が位置する第１部分Ｐｔ１と第２ｂペーストＰａ５が位置する第２部分Ｐｔ２とが重畳するように、第１ｂペーストＰａ３、第１ｃペーストＰａ４および第２ｂペーストＰａ５を塗布する。ここでは、例えば、第２パッシベーション膜９上のうち、裏面バスバー電極７１のパターンに対応する領域に第１ｂペーストＰａ３を塗布する。これにより、裏面第１接続部７１ｂのパターンに対応する領域に塗布された第２ｂペーストＰａ５を覆うように、第１ｂペーストＰａ３が塗布される。このとき、裏面バスバー電極７１の幅が、例えば、２ｍｍから３ｍｍ程度あれば、裏面第１接続部７１ｂのパターンに対応する領域に塗布された第２ｂペーストＰａ５を覆うように、第１ｂペーストＰａ３を容易に塗布することができる。また、ここでは、例えば、第２パッシベーション膜９上のうちの裏面第２接続部７２ｂおよび第２ガラス部１２のパターンに対応する領域に塗布された第２ｂペーストＰａ５に交差するように、複数の裏面フィンガー電極７２のパターンに対応する領域に第１ｃペーストＰａ４を塗布する。
　次に、第１ａペーストＰａ１、第２ａペーストＰａ２、第１ｂペーストＰａ３、第１ｃペーストＰａ４および第２ｂペーストＰａ５を加熱することで、前面電極６および裏面電極７を形成する第４工程ＳＴ４を実施する。これにより、例えば、第１パッシベーション膜５の上に、金属および第１ガラス成分を含有する前面第１本体部６１ａおよび前面第２本体部６２ａと、金属、第１ガラス成分および第２ガラス成分を含有する前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂと、を含む前面電極６が形成される。また、例えば、第２パッシベーション膜９の上に、金属および第１ガラス成分を含有する裏面第１本体部７１ａおよび裏面第２本体部７２ａと、金属、第１ガラス成分および第２ガラス成分を含有する裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂと、を含んでいる裏面電極７が形成される。ここで、第１ａペーストＰａ１、第２ａペーストＰａ２、第１ｂペーストＰａ３、第１ｃペーストＰａ４および第２ｂペーストＰａ５が加熱される際の雰囲気は、例えば、大気とされる。第１ａペーストＰａ１、第２ａペーストＰａ２、第１ｂペーストＰａ３、第１ｃペーストＰａ４および第２ｂペーストＰａ５の加熱における最高温度は、例えば、７２０℃から７９０℃程度とされる。このとき、最高温度には、例えば、１０秒間から３０秒間程度保持される。
　この第４工程ＳＴ４では、例えば、第１パッシベーション膜５側においては、例えば、第１ａペーストＰａ１のうちの第１部分Ｐｔ１以外の部分が加熱されることで、第１ａペーストＰａ１が焼成される。これにより、第１パッシベーション膜５上に前面第１本体部６１ａおよび前面第２本体部６２ａが形成される。また、例えば、第１ａペーストＰａ１のうちの第２ａペーストＰａ２の第２部分Ｐｔ２に重畳している第１部分Ｐｔ１が加熱されることで、第１ａペーストＰａ１と第２ａペーストＰａ２との混合物が焼成される。これにより、第１パッシベーション膜５の焼成貫通が生じて、前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂが形成される。また、この第４工程ＳＴ４では、例えば、第２パッシベーション膜９側においては、例えば、第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４のうちの第１部分Ｐｔ１以外の部分が加熱されることで、第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４が焼成される。これにより、第２パッシベーション膜９上に裏面第１本体部７１ａおよび裏面第２本体部７２ａが形成される。また、例えば、第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４のうちの第２ｂペーストＰａ５の第２部分Ｐｔ２に重畳している第１部分Ｐｔ１が加熱されることで、第１ｂペーストＰａ３と第２ｂペーストＰａ５との混合物および第１ｃペーストＰａ４と第２ｂペーストＰａ５との混合物が焼成される。これにより、第２パッシベーション膜９の焼成貫通が生じて、裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂが形成される。換言すれば、例えば、第１ｂペーストＰａ３と第２ｂペーストＰａ５との混合物の焼成により、裏面第１接続部７１ｂが形成され、第１ｃペーストＰａ４と第２ｂペーストＰａ５との混合物の焼成により、裏面第２接続部７２ｂが形成される。
　ここでは、第１ａペーストＰａ１、第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４には、例えば、酸化ビスマスおよび酸化珪素の双方を含む第１ガラス成分、を含有する第１ガラスフリットが存在している。第２ａペーストＰａ２および第２ｂペーストＰａ５には、例えば、酸化ナトリウムあるいは酸化ナトリウムおよび酸化珪素の双方を含む第２ガラス成分、を含有する第２ガラスフリットが存在している。この場合には、例えば、第１ガラスフリットおよび第２ガラスフリットは、８００℃以上まで加熱されなければ、溶融しない。このため、例えば、第１ａペーストＰａ１および第２ａペーストＰａ２のそれぞれは、窒化シリコンを含有する第１パッシベーション膜５を焼成貫通する能力が低い。これにより、例えば、第１パッシベーション膜５上において第１ａペーストＰａ１が単独で存在している部分あるいは第２ａペーストＰａ２が単独で塗布された部分では、第１パッシベーション膜５の焼成貫通が生じにくい。また、例えば、第１ｂペーストＰａ３、第１ｃペーストＰａ４および第２ｂペーストＰａ５のそれぞれは、酸化アルミニウムを含有する第２パッシベーション膜９を焼成貫通する能力が低い。これにより、例えば、第２パッシベーション膜９上において第１ｂペーストＰａ３または第１ｃペーストＰａ４が単独で存在している部分あるいは第２ｂペーストＰａ５が単独で塗布された部分では、第２パッシベーション膜９の焼成貫通が生じにくい。その結果、例えば、第１パッシベーション膜５上に前面第１本体部６１ａおよび前面第２本体部６２ａが形成されるとともに、第２パッシベーション膜９上に裏面第１本体部７１ａおよび裏面第２本体部７２ａが形成される。
　一方、例えば、第１ａペーストＰａ１と第２ａペーストＰａ２とが重畳している部分では、第１ａペーストＰａ１および第２ａペーストＰａ２との混合が生じ得る。また、例えば、加熱によって第１ａペーストＰａ１と第２ａペーストＰａ２との混合が促進される。このため、例えば、第１ａペーストＰａ１と第２ａペーストＰａ２とが重畳された部分では、第１ガラス成分および第２ガラス成分の双方が存在し得る。換言すれば、例えば、第１ａペーストＰａ１と第２ａペーストＰａ２とが重畳された部分では、第１ガラスフリットおよび第２ガラスフリットの双方が存在している。これにより、第１ａペーストＰａ１と第２ａペーストＰａ２とが重畳された部分では、酸化ビスマス、酸化珪素および酸化ナトリウムを含む少なくとも３つの成分が存在している。この少なくとも３つ成分を含むガラスは、例えば、４００℃から５００℃程度まで加熱されれば、溶融し得る。このため、例えば、第１ａペーストＰａ１と第２ａペーストＰａ２との混合物は、窒化シリコンを含有する第１パッシベーション膜５を焼成貫通する能力が高い。また、例えば、第１ｂペーストＰａ３と第２ｂペーストＰａ５との混合物および第１ｃペーストＰａ４と第２ｂペーストＰａ５との混合物のそれぞれは、酸化アルミニウムを含有する第２パッシベーション膜９を焼成貫通する能力が高い。これにより、例えば、第１パッシベーション膜５および第２パッシベーション膜９上において第１ペーストと第２ペーストとが重畳された部分では、第１パッシベーション膜５および第２パッシベーション膜９の焼成貫通を生じ得る。その結果、例えば、第１パッシベーション膜５の焼成貫通が生じて、前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂが形成されるとともに、第２パッシベーション膜９の焼成貫通が生じて、裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂが形成される。
　上記構成が採用されれば、例えば、第１パッシベーション膜５および第２パッシベーション膜９の上において、第１ａペーストＰａ１の一部分と第２ａペーストＰａ２とが重畳するように、または第１ｂペーストＰａ３の一部分と第２ｂペーストＰａ５とが重畳するとともに第１ｃペーストＰａ４の一部分と第２ｂペーストＰａ５とが重畳するように、第２ａペーストＰａ２および第２ｂペーストＰａ５を塗布する領域の大きさを適宜設定することができる。このとき、第２ａペーストＰａ２および第２ｂペーストＰａ５を塗布する領域の大きさは、例えば、スクリーン印刷などによる第１ａペーストＰａ１と第２ａペーストＰａ２との塗布における位置合わせの精度ならびに第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４と第２ｂペーストＰａ５との塗布における位置合わせの精度に応じて適宜設定され得る。これにより、例えば、金属ペーストを塗布する領域の高精度な位置合わせを行う必要がなくなる。その結果、例えば、太陽電池素子１０における光電変換効率を容易に向上させることができる。また、別の観点からいえば、例えば、太陽電池素子１０の製造に要する時間の短縮化が図られる。このため、太陽電池素子１０の量産における生産性が向上し得る。
　また、ここでは、例えば、上述したように、第３工程ＳＴ３において、第１パッシベーション膜５および第２パッシベーション膜９のそれぞれの上に、第２ａペーストＰａ２ならびに第２ｂペーストＰａ５を塗布した後に、第１ａペーストＰａ１ならびに第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４を塗布することが考えられる。この場合には、例えば、第１ａペーストＰａ１と第２ａペーストＰａ２とが重畳している部分では、第２ａペーストＰａ２上に第１ａペーストＰａ１が存在している状態となる。このとき、例えば、第１ａペーストＰａ１および第２ａペーストＰａ２の加熱時に、金属の有無によって、溶融した第１ａペーストＰａ１の方が、溶融した第２ａペーストＰａ２よりも質量密度が高くなる。このため、例えば、第２ａペーストＰａ２と第１ａペーストＰａ１との混合が促進されやすい。これは、第２ｂペーストＰａ５と第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４とについても同様である。これにより、例えば、第１ａペーストＰａ１および第２ａペーストＰａ２の加熱時間ならびに第１ｂペーストＰａ３、第１ｃペーストＰａ４および第２ｂペーストＰａ５の加熱時間の短縮化などを図ることができる。その結果、例えば、太陽電池素子１０における光電変換効率を容易に向上させることができる。また、別の観点からいえば、例えば、太陽電池素子１０の製造に要する時間の短縮化が図られる。このため、太陽電池素子１０を量産する際における生産性が向上し得る。
　　＜１－８．第１実施形態のまとめ＞
　第１実施形態に係る太陽電池素子１０では、例えば、前面電極６は、第１パッシベーション膜５上の前面第１本体部６１ａおよび前面第２本体部６２ａと、これらの前面第１本体部６１ａおよび前面第２本体部６２ａと半導体基板１とを接続している状態にある前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂと、を有する。ここで、前面第１本体部６１ａおよび前面第２本体部６２ａが、金属と第１ガラス成分とを含有し、前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂが、金属と第１ガラス成分と第２ガラス成分とを含有する。また、例えば、裏面電極７は、第２パッシベーション膜９上の裏面第１本体部７１ａおよび裏面第２本体部７２ａと、これらの裏面第１本体部７１ａおよび裏面第２本体部７２ａと半導体基板１とを接続している状態にある裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂと、を有する。ここでも、裏面第１本体部７１ａおよび裏面第２本体部７２ａが、金属と第１ガラス成分とを含有し、裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂが、金属と第１ガラス成分と第２ガラス成分とを含有する。
　このような構成が採用されれば、例えば、前面第１本体部６１ａ、裏面第１本体部７１ａ、前面第２本体部６２ａおよび裏面第２本体部７２ａには、金属および第１ガラス成分の他に、第１パッシベーション膜５および第２パッシベーション膜９の焼成貫通に必要な第２ガラス成分は含まれない。このため、例えば、前面第１本体部６１ａ、裏面第１本体部７１ａ、前面第２本体部６２ａおよび裏面第２本体部７２ａに占めるガラス成分の割合を低減することができる。これにより、例えば、前面電極６および裏面電極７の電気抵抗が低減され得る。その結果、前面電極６および裏面電極７を細くすることが可能となり、半導体基板１に光が入射しやすくなる。よって、例えば、太陽電池素子１０における光電変換効率を容易に向上させることができる。また、例えば、前面電極６および裏面電極７の素材の使用量を低減することができる。したがって、例えば、太陽電池素子１０における品質を容易に向上させることができる。
　また、例えば、第１パッシベーション膜５の焼成貫通を生じにくい第１ａペーストＰａ１の塗布と、第２ガラス成分を含む第２ａペーストＰａ２の塗布と、を組み合わせて、前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂを形成することができる。例えば、第２パッシベーション膜９の焼成貫通を生じにくい第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４の塗布と、第２ガラス成分を含む第２ｂペーストＰａ５の塗布と、を組み合わせて、裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂを形成することができる。ここでは、例えば、第１ａペーストＰａ１と第２ａペーストＰａ２とを重畳させた箇所で局所的に第１パッシベーション膜５の焼成貫通を生じさせて前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂを形成することができる。例えば、第１ｂペーストＰａ３と第２ｂペーストＰａ５とを重畳させた箇所で局所的に第２パッシベーション膜９の焼成貫通を生じさせて、裏面第１接続部７１ｂを形成することができる。例えば、第１ｃペーストＰａ４と第２ｂペーストＰａ５とを重畳させた箇所で局所的に第２パッシベーション膜９の焼成貫通を生じさせて、裏面第２接続部７２ｂを形成することができる。このため、例えば、第１ａペーストＰａ１、第１ｂペーストＰａ２および第１ｃペーストＰａ３に係る焼成温度ならびにガラス成分の含有量および種類などの諸条件について、選択肢の幅が拡がる。また、例えば、前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂを形成するための第１ａペーストＰａ１と第２ａペーストＰａ２との組合せならびに裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂを形成するための第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４と第２ｂペーストＰａ５との組合せについても選択の余地がある。これにより、例えば、前面第１接続部６１ｂ、裏面第１接続部７１ｂ、前面第２接続部６２ｂおよび裏面第２接続部７２ｂと半導体基板１との接着強度を十分に高めることができる。その結果、例えば、前面電極６および裏面電極７が半導体基板１から剥離しにくくなる。よって、例えば、太陽電池素子１０における信頼性を容易に向上させることができる。したがって、太陽電池素子１０における品質を容易に向上させることができる。
　また、例えば、第１実施形態に係る太陽電池素子１０の製造方法では、第１パッシベーション膜５の上に、第１ａペーストＰａ１と第２ａペーストＰａ２とを、第１ａペーストＰａ１の第１部分Ｐｔ１と第２ａペーストＰａ２の第２部分Ｐｔ２とが重畳するように塗布する。また、例えば、第２パッシベーション膜９の上に、第１ｂペーストＰａ３と第２ｂペーストＰａ５とを、第１ｂペーストＰａ３の第１部分Ｐｔ１と第２ｂペーストＰａ５の第２部分Ｐｔ２とが重畳するように塗布し、第１ｃペーストＰａ４と第２ｂペーストＰａ５とを、第１ｃペーストＰａ４の第１部分Ｐｔ１と第２ｂペーストＰａ５の第２部分Ｐｔ２とが重畳するように塗布する。ここで、第１ａペーストＰａ１、第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４は、それぞれ金属と第１ガラスフリットとを含み、第２ａペーストＰａ２および第２ｂペーストＰａ５は、それぞれ第２ガラスフリットを含む。そして、第１ａペーストＰａ１および第２ａペーストＰａ２を加熱して、第１パッシベーション膜５の上に前面電極６を形成し、第１ｂペーストＰａ３、第１ｃペーストＰａ４および第２ｂペーストＰａ５を加熱して、第２パッシベーション膜９の上に裏面電極７を形成する。このとき、例えば、第１ａペーストＰａ１のうちの第２ａペーストＰａ２と重畳していない部分、ならびに第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４のうちの第２ｂペーストＰａ５と重畳していない部分が焼成されて、前面第１本体部６１ａ、裏面第１本体部７１ａ、前面第２本体部６２ａおよび裏面第２本体部７２ａが形成される。また、例えば、重畳している、第１ａペーストＰａ１の第１部分Ｐｔ１と、第２ａペーストＰａ２の第２部分Ｐｔ２と、が加熱されて第１パッシベーション膜５の焼成貫通が生じ、前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂが形成される。また、例えば、重畳している、第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４の第１部分Ｐｔ１と、第２ｂペーストＰａ５の第２部分Ｐｔ２と、が加熱されて第２パッシベーション膜９の焼成貫通が生じ、裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂが形成される。
　このような構成が採用されれば、例えば、第１パッシベーション膜５の上において、第１ａペーストＰａ１の一部分と第２ａペーストＰａ２とが重畳するように、第２ａペーストＰａ２を塗布する領域の大きさを適宜設定することができる。また、例えば、第２パッシベーション膜９の上において、第１ｂペーストＰａ３の一部分および第１ｃペーストＰａ４の一部分と第２ｂペーストＰａ５とが重畳するように、第２ｂペーストＰａ５を塗布する領域の大きさを適宜設定することができる。これにより、例えば、金属ペーストを塗布する領域の高精度な位置合わせを行う必要がなくなる。その結果、例えば、太陽電池素子１０における光電変換効率を容易に向上させることができる。また、別の観点からいえば、例えば、太陽電池素子１０の製造に要する時間の短縮化が図られる。このため、太陽電池素子１０の量産における生産性が向上し得る。
　＜２．他の実施形態＞
　本開示は上述の第１実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
　　＜２－１．第２実施形態＞
　上記第１実施形態に係る第３工程ＳＴ３において、例えば、図１３から図１７で示されるように、第１パッシベーション膜５および第２パッシベーション膜９のそれぞれの上に、第１ペースト（第１ａペーストＰａ１、第１ｂペーストＰａ３、第１ｃペーストＰａ４）を塗布した後に、第２ペースト（第２ａペーストＰａ２、第２ｂペーストＰａ５）を塗布してもよい。このような構成が採用されれば、例えば、第１ペーストは金属を含むため、第１パッシベーション膜５および第２パッシベーション膜９の上に塗布された第１ａペーストＰａ１、第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４の存在領域を、画像処理などによって容易に認識することができる。このため、例えば、第１パッシベーション膜５の上に塗布された第１ａペーストＰａ１の上に第２ａペーストＰａ２を容易に局所的に塗布することができる。また、例えば、第２パッシベーション膜９の上に塗布された第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４の上に第２ｂペーストＰａ５を容易に局所的に塗布することができる。これにより、例えば、第１パッシベーション膜５および第２パッシベーション膜９上において、第２ａペーストＰａ２および第２ｂペーストＰａ５を塗布する領域を低減することができる。その結果、例えば、第２ａペーストＰａ２および第２ｂペーストＰａ５の加熱および冷却によって形成される第１ガラス部１１および第２ガラス部１２のサイズを低減することができるため、半導体基板１に光が入射しやすくなる。したがって、例えば、太陽電池素子１０における光電変換効率を容易に向上させることができる。
　この場合には、第３Ａ工程ＳＴ３１では、例えば、第１パッシベーション膜５の上に、第１ａペーストＰａ１を塗布してもよい。例えば、図１４で示されるように、第１パッシベーション膜５を平面視して、太陽電池素子１０における前面電極６のパターンに対応する領域に、スクリーン印刷法などを用いて第１ａペーストＰａ１を塗布する。第３Ｂ工程ＳＴ３２では、例えば、第１パッシベーション膜５の上に、第２ａペーストＰａ２を塗布してもよい。例えば、図１５で示されるように、太陽電池素子１０における前面第１接続部６１ｂおよび前面第２接続部６２ｂならびに第１ガラス部１１のパターンに対応する領域に、スクリーン印刷法などを用いて第２ａペーストＰａ２を塗布する。図１５の例では、第１パッシベーション膜５の上に、相互に平行な複数（例えば、１０本）の直線状の第１仮想線ＶＬ１のそれぞれに沿って、第２ａペーストＰａ２を塗布する。ここでも、第３Ａ工程ＳＴ３１および第３Ｂ工程ＳＴ３２では、例えば、第１ａペーストＰａ１の第１部分Ｐｔ１と第２ａペーストＰａ２の第２部分Ｐｔ２とが重畳するように、第１パッシベーション膜５の上に、第１ａペーストＰａ１と第２ａペーストＰａ２とを塗布する。例えば、第１パッシベーション膜５上のうち、前面バスバー電極６１のパターンに対応する領域に塗布された第１ａペーストＰａ１の上であって、前面第１接続部６１ｂのパターンに対応する領域に第２ａペーストＰａ２を塗布する。このとき、前面バスバー電極６１の幅が、例えば、２ｍｍから３ｍｍ程度あれば、前面バスバー電極６１のパターンに対応する領域に塗布された第１ａペーストＰａ１の上に、第２ａペーストＰａ２を容易に塗布することができる。また、例えば、第１パッシベーション膜５上において、前面フィンガー電極６２のパターンに対応する領域に塗布された第１ａペーストＰａ１に交差するとともに前面第２接続部６２ｂおよび第１ガラス部１１のパターンに対応する領域に第２ａペーストＰａ２を塗布する。
　また、第３Ｃ工程ＳＴ３３では、例えば、第２パッシベーション膜９の上に、第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４を塗布してもよい。例えば、図１６で示されるように、太陽電池素子１０における裏面電極７のパターンに対応する領域に、スクリーン印刷法などを用いて、第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４を塗布する。第３Ｄ工程ＳＴ３４では、例えば、第２パッシベーション膜９の上に、第２ｂペーストＰａ５を塗布する。例えば、図１７で示されるように、太陽電池素子１０における裏面第１接続部７１ｂおよび裏面第２接続部７２ｂならびに第２ガラス部１２のパターンに対応する領域に、スクリーン印刷法などを用いて第２ｂペーストＰａ５を塗布する。図１７の例では、第２パッシベーション膜９の上に、相互に平行な複数（例えば、１０本）の直線状の第２仮想線ＶＬ２のそれぞれに沿って、第２ｂペーストＰａ５を塗布する。ここで、第３Ｃ工程ＳＴ３３および第３Ｄ工程ＳＴ３４では、例えば、第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４の第１部分Ｐｔ１と第２ｂペーストＰａ５の第２部分Ｐｔ２とが重畳するように、第２パッシベーション膜９の上に、第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４と第２ｂペーストＰａ５とを塗布する。例えば、第２パッシベーション膜９上のうち、裏面バスバー電極７１のパターンに対応する領域に塗布された第１ｂペーストＰａ３の上であって、裏面第１接続部７１ｂのパターンに対応する領域に第２ｂペーストＰａ５を塗布する。このとき、裏面バスバー電極７１の幅が、例えば、２ｍｍから３ｍｍ程度あれば、裏面バスバー電極７１のパターンに対応する領域に塗布された第１ｂペーストＰａ３の上に、第２ｂペーストＰａ５を容易に塗布することができる。また、例えば、第２パッシベーション膜９上において、裏面フィンガー電極７２のパターンに対応する領域に塗布された第１ｃペーストＰａ４に交差するとともに裏面第２接続部７２ｂおよび第２ガラス部１２のパターンに対応する領域に第２ｂペーストＰａ５を塗布する。
　また、ここでは、例えば、第１パッシベーション膜５および第２パッシベーション膜９の少なくとも一方の上に、第１ペーストを塗布した後に第２ペーストを塗布してもよい。換言すれば、第１パッシベーション膜５の上に、第１ａペーストＰａ１を塗布した後に第２ａペーストＰａ２を塗布する処理ならびに第２パッシベーション膜９の上に、第１ｂペーストＰａ３および第１ｃペーストＰａ４を塗布した後に第２ｂペーストＰａ５を塗布する処理、の少なくとも一方の処理が実行されてもよい。
　　＜２－２．第３実施形態＞
　上記第１実施形態および上記第２実施形態のそれぞれにおいて、例えば、図１８で示されるように、第１ガラス部１１は、第１パッシベーション膜５の上において、第１方向（＋Ｙ方向）に沿った第１仮想線ＶＬ１に沿って連続的に位置していてもよい。この場合には、第２ａペーストＰａ２を塗布する際に、例えば、第１パッシベーション膜５上に、相互に平行な複数（例えば、１０本）の直線状の第１仮想線ＶＬ１のそれぞれに沿って、前面第２接続部６２ｂおよび第１ガラス部１１のパターンに対応する領域に、第２ａペーストＰａ２を塗布してもよい。
　また、上記第１実施形態および上記第２実施形態のそれぞれにおいて、例えば、図１９で示されるように、第２ガラス部１２は、第２パッシベーション膜９の上において、第１方向（＋Ｙ方向）に沿った第２仮想線ＶＬ１に沿って連続的に位置していてもよい。この場合には、第２ｂペーストＰａ５を塗布する際に、例えば、第２パッシベーション膜９の上に、相互に平行な複数（例えば、１０本）の直線状の第２仮想線ＶＬ２のそれぞれに沿って、裏面第２接続部７２ｂおよび第２ガラス部１２のパターンに対応する領域に、第２ｂペーストＰａ５を塗布してもよい。
　また、例えば、図１８で示されるように、前面電極６は、複数の前面フィンガー電極６２を電気的に接続している、前面フィンガー電極６２と同様の形状を有する前面補助電極６３を含んでいてもよい。この前面補助電極６３は、例えば、半導体基板１の＋Ｘ方向の側および－Ｘ方向の側にそれぞれ存在している縁部に沿って位置している。また、例えば、図１９で示されるように、裏面電極７は、複数の裏面フィンガー電極７２を電気的に接続している、裏面フィンガー電極７２と同様の形状を有する裏面補助電極７３を含んでいてもよい。この裏面補助電極７３は、例えば、半導体基板１の＋Ｘ方向の側および－Ｘ方向の側にそれぞれ存在している縁部に沿って位置している。
　＜３．その他＞
　上記第１実施形態から上記第３実施形態のそれぞれにおいて、例えば、第３Ｃ工程ＳＴ３３および第３Ｄ工程ＳＴ３４が行われた後に、第３Ａ工程ＳＴ３１および第３Ｂ工程ＳＴ３２が行われてもよい。さらに、例えば、第３Ａ工程ＳＴ３１、第３Ｂ工程ＳＴ３２、第３Ｃ工程ＳＴ３３および第３Ｄ工程ＳＴ３４は、任意の順番で行われてもよい。
　上記第１実施形態から上記第３実施形態のそれぞれにおいて、例えば、前面電極６が形成された後に、裏面電極７が形成されてもよいし、裏面電極７が形成された後に、前面電極６が形成されてもよい。この場合には、例えば、第３Ａ工程ＳＴ３１および第３Ｂ工程ＳＴ３２が行われた後に、第４工程ＳＴ４に相当する加熱処理が行われ、その後、第３Ｃ工程ＳＴ３３および第３Ｄ工程ＳＴ３４が行われた後に、第４工程ＳＴ４に相当する加熱処理が行われてもよい。また、例えば、第３Ｃ工程ＳＴ３３および第３Ｄ工程ＳＴ３４が行われた後に、第４工程ＳＴ４に相当する加熱処理が行われ、その後、第３Ａ工程ＳＴ３１および第３Ｂ工程ＳＴ３２が行われた後に、第４工程ＳＴ４に相当する加熱処理が行われてもよい。
　上記第１実施形態から上記第３実施形態のそれぞれに係る太陽電池素子１０は、例えば、裏面１０ｂｓ側では受光しないタイプの太陽電池素子１０とされてもよい。この場合には、例えば、裏面電極７は、裏面フィンガー電極７２の代わりに、裏面１０ｂｓのうちの裏面バスバー電極７１が存在している領域を除く全面にわたって集電電極が位置していてもよい。
　上記第１実施形態から上記第３実施形態のそれぞれにおいて、例えば、前面電極６における前面バスバー電極６１の本数ならびに裏面電極７における裏面バスバー電極７１の本数は、３本に限られず、２本以下であってもよいし、４本以上であってよい。
　上記第１実施形態および上記第２実施形態のそれぞれにおいて、例えば、第１ガラス部１１および第２ガラス部１２は、平面視した場合に、線状の形状を有していたが、これに限られず、点状などのその他の形態を有していてもよい。
　上記第１実施形態から上記第３実施形態および上記の複数の変形例のそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、いうまでもない。
　１　半導体基板
　１ｂｓ　第２面
　１ｆｓ　第１面
　１ｓｓ　第３面
　２　第１半導体領域
　３　第２半導体領域
　５　第１パッシベーション膜
　６　前面電極
　７　裏面電極
　９　第２パッシベーション膜
　１０　太陽電池素子
　１０ｂｓ　裏面
　１０ｆｓ　前面
　１１　第１ガラス部
　１２　第２ガラス部
　６１　前面バスバー電極
　６１ａ　本体部（前面第１本体部）
　６１ｂ　接続部（前面第１接続部）
　６２　前面フィンガー電極
　６２ａ　本体部（前面第２本体部）
　６２ｂ　接続部（前面第２接続部）
　７１　裏面バスバー電極
　７１ａ　本体部（裏面第１本体部）
　７１ｂ　接続部（裏面第１接続部）
　７２　裏面フィンガー電極
　７２ａ　本体部（裏面第２本体部）
　７２ｂ　接続部（裏面第２接続部）
　ＣＲ１　第１交差部
　ＣＲ２　第２交差部
　Ｐａ１　第１ａペースト
　Ｐａ２　第２ａペースト
　Ｐａ３　第１ｂペースト
　Ｐａ４　第１ｃペースト
　Ｐａ５　第２ｂペースト
　Ｐｔ１　第１部分
　Ｐｔ２　第２部分
　ＳＴ１　第１工程
　ＳＴ２　第２工程
　ＳＴ３　第３工程
　ＳＴ３１　第３Ａ工程
　ＳＴ３２　第３Ｂ工程
　ＳＴ３３　第３Ｃ工程
　ＳＴ３４　第３Ｄ工程
　ＳＴ４　第４工程
　ＶＬ１　第１仮想線
　ＶＬ２　第２仮想線

Claims (10)

  1. 　半導体基板と、
    　該半導体基板上に位置しているパッシベーション膜と、
    　該パッシベーション膜上に位置している本体部および、該本体部と前記半導体基板とを接続している状態で位置している複数の接続部、を有する電極と、を備え、
    　前記本体部は、金属と、第１ガラス成分と、を含有し、
    　前記複数の接続部のそれぞれは、前記金属と、前記第１ガラス成分と、前記第１ガラス成分とは材料が異なる第２ガラス成分と、を含有する、太陽電池素子。
  2. 　請求項１に記載の太陽電池素子であって、
    　前記本体部における前記第１ガラス成分の第１濃度は、前記複数の接続部のそれぞれにおける、前記第１ガラス成分と前記第２ガラス成分とを合計したガラス成分の第２濃度よりも低い、太陽電池素子。
  3. 　請求項１または請求項２に記載の太陽電池素子であって、
    　前記電極は、第１方向に長細いバスバー電極と、該バスバー電極に交差している状態で位置している、前記バスバー電極よりも細長い複数のフィンガー電極と、を含み、
    　前記電極を平面透視した場合に、前記複数の接続部は、前記バスバー電極の内部に位置している第１接続部と、前記複数のフィンガー電極のそれぞれの一部に位置している第２接続部と、を有する、太陽電池素子。
  4. 　請求項３に記載の太陽電池素子であって、
    　前記パッシベーション膜上に位置し、前記第２ガラス成分を含有するガラス部、をさらに備え、
    　前記パッシベーション膜、前記電極および前記ガラス部を平面透視した場合に、前記複数の第２接続部のそれぞれは、前記複数のフィンガー電極のそれぞれにおける前記本体部と前記ガラス部との交差部に位置している、太陽電池素子。
  5. 　請求項４に記載の太陽電池素子であって、
    　前記ガラス部は、前記第１方向に沿った仮想線に沿って位置し、前記複数のフィンガー電極どうしの間の領域において途切れている不連続な形態を有する、太陽電池素子。
  6. 　請求項１から請求項５の何れか１つの請求項に記載の太陽電池素子であって、
    　前記半導体基板は、第１面と、該第１面とは逆向きの第２面と、を有するとともに、前記第２面の側に位置しているｐ型の導電型の第１半導体領域と、前記第１面の側に位置しているｎ型の導電型の第２半導体領域と、を含み、
    　前記パッシベーション膜は、前記第２半導体領域の上に位置し、窒化珪素を含む、太陽電池素子。
  7. 　請求項１から請求項５の何れか１つの請求項に記載の太陽電池素子であって、
    　前記半導体基板は、第１面と、該第１面とは逆向きの第２面と、を有するとともに、前記第２面の側に位置しているｐ型の導電型の第１半導体領域と、前記第１面の側に位置しているｎ型の導電型の第２半導体領域と、を含み、
    　前記パッシベーション膜は、前記第１半導体領域の上に位置しており、酸化アルミニウムを含む、太陽電池素子。
  8. 　半導体基板を準備する第１工程と、
    　前記半導体基板上にパッシベーション膜を形成する第２工程と、
    　前記パッシベーション膜の上に、金属および第１ガラス成分を含有する第１ペーストと、前記第１ガラス成分とは材料が異なる第２ガラス成分を含有する第２ペーストと、を前記第１ペーストの第１部分と前記第２ペーストの第２部分とが重畳するように、それぞれ塗布する第３工程と、
    　前記第１ペーストおよび前記第２ペーストを加熱することで、前記パッシベーション膜の上に、前記金属および前記第１ガラス成分を含有する本体部と、前記金属、前記第１ガラス成分および前記第２ガラス成分を含有する接続部と、を含む電極を形成する第４工程と、を有し、
    　該第４工程において、前記第１ペーストのうちの前記第１部分以外の部分を加熱することで前記パッシベーション膜上に前記本体部を形成するとともに、前記第１ペーストのうちの前記第１部分と前記第２ペーストの前記第２部分とを加熱することで前記パッシベーション膜の焼成貫通によって前記本体部と前記半導体基板とを接続している状態で位置している前記接続部を形成する、太陽電池素子の製造方法。
  9. 　請求項８に記載の太陽電池素子の製造方法であって、
    　前記第３工程において、前記パッシベーション膜の上に、前記第２ペーストを塗布した後に前記第１ペーストを塗布する、太陽電池素子の製造方法。
  10. 　請求項８に記載の太陽電池素子の製造方法であって、
    　前記第３工程において、前記パッシベーション膜の上に、前記第１ペーストを塗布した後に前記第２ペーストを塗布する、太陽電池素子の製造方法。
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