WO2019150479A1

WO2019150479A1 - 造形システム、造形方法、材料保持装置及び基材

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Publication number: WO2019150479A1
Application number: PCT/JP2018/003187
Authority: WO
Inventors: 和樹上野; 慧関口; 茂樹江上
Original assignee: 株式会社ニコン
Priority date: 2018-01-31
Filing date: 2018-01-31
Publication date: 2019-08-08
Also published as: WO2019151237A1; TW201940306A

Abstract

造形システムは、第１特性を有する基材を支持する支持装置と、エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置とを備え、前記照射位置で前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に当該溶融した造形材料を再固化させ、前記再固化した造形材料から前記第１特性と異なる第２特性を有する造形物を前記基材に形成する。

Description

造形システム、造形方法、材料保持装置及び基材

　本発明は、例えば、基材に造形物を形成するための造形システム及び造形方法、並びに、この造形システムで用いられる材料保持装置及び基材の技術分野に関する。

　特許文献１には、粉状の材料をエネルギビームで溶融した後に、溶融した材料を再固化させることで基材に造形物を形成する造形システムが記載されている。このような造形システムでは、基材に造形物を形成した後に、造形物から基材を適切に取り除くことが技術的課題となる。

米国特許出願公開第２０１７／０１４９０９号明細書

　第１の態様によれば、第１特性を有する基材を支持する支持装置と、エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置とを備え、前記照射位置で前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に当該溶融した造形材料を再固化させ、前記再固化した造形材料から前記第１特性と異なる第２特性を有する造形物を前記基材に形成する造形システムが提供される。

　第２の態様によれば、第１粉粒体を支持する支持装置と、エネルギビームを前記第１粉粒体に照射する照射装置と、前記エネルギビームの照射位置に第２粉粒体を供給する供給装置とを備え、前記支持された前記第１粉粒体に前記エネルギビームを照射して第１造形物を造形し、前記第１造形物に前記エネルギビームを照射し且つ前記第２粉粒体を供給して第２造形物を造形する造形システムが提供される。

　第３の態様によれば、第１融点を有する基材を支持する支持装置と、エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、前記エネルギビームの照射位置に前記第１融点と異なる第２融点を有する造形材料を供給する供給装置とを備え、前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記供給装置によって前記造形材料を供給して、前記基材に造形物を造形する造形システムが提供される。

　第４の態様によれば、溶媒に対して第１の溶解度を有する基材を支持する支持装置と、エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置とを備え、前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記供給装置によって前記造形材料を供給して、前記基材に、前記溶媒に対して前記第１の溶解度と異なる第２の溶解度を有する造形物を造形する造形システムが提供される。

　第５の態様によれば、第１の切断性を有する基材を支持する支持装置と、エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置とを備え、前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記供給装置によって前記造形材料を供給して、前記基材に、前記第１の切断性と異なる第２の切断性を有する造形物を造形する造形システムが提供される。

　第６の態様によれば、第１特性を有する基材を支持する支持装置と、エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置とを備え、前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記供給装置によって前記造形材料を供給して、前記基材に、前記第１特性と異なる第２特性を有する造形物を造形する造形システムが提供される。

　第７の態様によれば、基材を支持する支持装置と、前記支持装置の下方に配置され、前記エネルギビームを前記基材に照射する照射装置とを備え、前記エネルギビームの照射位置で造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に前記溶融した造形材料を再固化させて、前記再固化された造形材料から造形物を前記基材に形成する造形システムが提供される。

　第８の態様によれば、第１特性を有する基材を用意することと、前記基材にエネルギビームを照射し且つ前記エネルギビームの照射位置に前記造形材料を供給して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に当該溶融した造形材料を再固化させ、前記再固化した造形材料から前記第１特性と異なる第２特性を有する造形物を前記基材に形成することとを含む造形方法が提供される。

　第９の態様によれば、第１粉粒体を支持することと、エネルギビームを前記第１粉粒体に照射することと、前記エネルギビームの照射位置に第２粉粒体を供給することとを含み、前記支持された前記第１粉粒体に前記エネルギビームを照射して第１造形物を造形し、前記第１造形物に前記エネルギビームを照射し且つ前記第２粉粒体を供給して第２造形物を造形する造形方法が提供される。

　第１０の態様によれば、第１融点を有する基材を支持することと、エネルギビームを前記基材に照射することと、前記エネルギビームの照射位置に前記第１融点と異なる第２融点を有する造形材料を供給することとを含み、前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記造形材料を供給して、前記基材に造形物を造形する造形方法が提供される。

　第１１の態様によれば、溶媒に対して第１の溶解度を有する基材を支持することと、エネルギビームを前記基材に照射することと、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置とを備え、前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記造形材料を供給して、前記基材に前記溶媒に対して前記第１の溶解度と異なる第２の溶解度を有する造形物を造形する造形方法が提供される。

　第１２の態様によれば、第１の切断性を有する基材を支持することと、エネルギビームを前記基材に照射することと、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給することとを含み、前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記造形材料を供給して、前記基材に前記第１の切断性と異なる第２の切断性を有する造形物を造形する造形方法が提供される。

　第１３の態様によれば、第１特性を有する基材を支持することと、エネルギビームを前記基材に照射することと、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給することとを含み、前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記造形材料を供給して、前記基材に、前記第１特性と異なる第２特性を有する造形物を造形する造形方法が提供される。

　第１４の態様によれば、基材を支持することと、前記基材の下方から前記エネルギビームを前記基材に照射することとを含み、前記エネルギビームの照射位置で造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に前記溶融した造形材料を再固化させて、前記再固化された造形材料から造形物を前記基材に形成する造形方法が提供される。

　第１５の態様によれば、基材を支持する支持装置と、エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置とを備える造形システムに用いられ、前記支持装置によって支持されることが可能であり、前記基材としての造形材料を保持する材料保持装置が提供される。

　第１６の態様によれば、基材を支持する支持装置と、エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置とを備える造形システムに用いられ、前記支持装置によって支持されることが可能であり、前記造形システムで造形される造形物の強度よりも低い強度を有する基材が提供される。

　第１７の態様によれば、基材を支持する支持装置と、エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置とを備える造形システムに用いられ、前記支持装置によって支持されることが可能であり、前記造形システムで造形される造形物の融点とは異なる融点を有する基材が提供される。

　第１８の態様によれば、基材を支持する支持装置と、エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置とを備える造形システムに用いられ、前記支持装置によって支持されることが可能であり、前記造形システムで造形される造形物の溶媒に対する溶解度よりも低い溶解度を有する基材が提供される。

　本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。

図１は、本実施形態の造形システムの構造を示す断面図である。図２は、造形動作の第１具体例の流れを示すフローチャートである。図３は、造形動作の第１具体例において、ステージに配置された基材を示す断面図である。図４（ａ）及び図４（ｂ）の夫々は、造形動作の第１具体例において、基材に光を照射して１層目の構造層を形成する様子を示す断面図である。図５（ａ）から図５（ｃ）の夫々は、造形動作の第１具体例において、１層目の構造層に光を照射して２層目の構造層を形成する様子を示す断面図である。図６は、造形動作の第１具体例によって形成された３次元構造物を示す断面図である。図７は、造形動作の第１具体例において、基材の少なくとも一部から３次元構造物を分離する様子を示す断面図である。図８は、造形動作の第２具体例の流れを示すフローチャートである。図９は、造形動作の第２具体例において、ステージに配置された基材を示す断面図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）の夫々は、造形動作の第２具体例において、基材に光を照射して１層目の構造層を形成する様子を示す断面図である。図１１は、造形動作の第２具体例によって形成された３次元構造物を示す断面図である。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）の夫々は、造形動作の第２具体例において、基材の少なくとも一部から３次元構造物を分離する様子を示す断面図である。図１３は、造形動作の第３具体例の流れを示すフローチャートである。図１４は、造形動作の第３具体例において、ステージに配置された基材を示す断面図である。図１５（ａ）から図１５（ｃ）の夫々は、造形動作の第３具体例において、基材に光を照射して１層目の構造層を形成する様子を示す断面図である。図１６（ａ）から図１６（ｃ）の夫々は、造形動作の第３具体例において、２層目以降の構造層を形成するために基材を上下反転させる様子を示す断面図である。図１７は、造形動作の第３具体例によって形成された３次元構造物を示す断面図である。図１８は、造形動作の第３具体例において、基材の少なくとも一部から３次元構造物を分離する様子を示す断面図である。図１９は、造形動作の第４具体例を行う造形システムの構造を示す断面図である。図２０は、造形動作の第４具体例の流れを示すフローチャートである。図２１は、造形動作の第４具体例において、ステージに配置された基材を示す断面図である。図２２は、造形動作の第４具体例において、基材に供給された造形材料を示す断面図である。図２３は、造形動作の第４具体例において、基材に光を照射して１層目の構造層を形成する様子を示す断面図である。図２４は、造形動作の第４具体例において、１層目の構造層が形成された基材を搬送する様子を示す断面図である。図２５は、造形動作の第４具体例を行う造形システムの他の構造を示す断面図である。図２６は、造形動作の第５具体例の流れを示すフローチャートである。図２７（ａ）から図２７（ｃ）の夫々は、造形動作の第５具体例において、基材に光を照射して１層目の構造層を形成する様子を示す断面図である。図２８（ａ）及び図２８（ｂ）の夫々は、造形動作の第５具体例において、基材の少なくとも一部から３次元構造物を分離する様子を示す断面図である。図２９は、造形動作の第６具体例の流れを示すフローチャートである。図３０は、造形動作の第６具体例において、ステージに配置された基材を示す断面図である。図３１は、造形動作の第６具体例において、ステージに配置された基材を示す断面図である。図３２（ａ）から図３２（ｃ）の夫々は、造形動作の第６具体例において、基材の少なくとも一部から３次元構造物を分離する様子を示す断面図である。図３３は、造形動作の第６具体例において、クラックが形成された基材を示す断面図である。図３４は、造形動作の第７具体例の流れを示すフローチャートである。図３５は、造形動作の第７具体例において、ステージに配置された基材を示す断面図である。図３６（ａ）及び図３６（ｂ）の夫々は、造形動作の第７具体例において、基材の少なくとも一部から３次元構造物を分離する様子を示す断面図である。

　以下、図面を参照しながら、造形システム、造形方法、材料保持装置及び基材の実施形態について説明する。以下では、造形材料Ｍを用いた付加加工を行うことで造形物を形成可能な造形システム１を用いて、造形システム、造形方法、材料保持装置及び基材の実施形態を説明する。

　また、以下の説明では、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸から定義されるＸＹＺ直交座標系を用いて、造形システム１を構成する各種構成要素の位置関係について説明する。尚、以下の説明では、説明の便宜上、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれが水平方向（つまり、水平面内の所定方向）であり、Ｚ軸方向が鉛直方向（つまり、水平面に直交する方向であり、実質的には上下方向或いは重力方向）であるものとする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸周りの回転方向（言い換えれば、傾斜方向）を、それぞれ、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向と称する。

　（１）造形システム１の全体構造
　初めに、図１を参照しながら、本実施形態の造形システム１の全体構造について説明する。図１は、本実施形態の造形システム１の構造の一例を示す断面図である。

　造形システム１は、３次元構造物（つまり、３次元方向のいずれの方向においても大きさを持つ３次元の物体であり、立体物、言い換えると、Ｘ、Ｙ及びＺ方向において大きさを持つ物体）ＳＴを形成可能である。造形システム１は、３次元構造物ＳＴを形成するための基礎（つまり、母材）となる基材ＢＭに、３次元構造物ＳＴを形成可能である。造形システム１は、基材ＢＭに付加加工を行うことで、３次元構造物ＳＴを形成可能である。基材ＢＭが後述するステージ１３である場合には、造形システム１は、ステージ１３上に、３次元構造物ＳＴを形成可能である。基材ＢＭがステージ１３によって保持されている物体である場合には、造形システム１は、物体上に、３次元構造物ＳＴを形成可能である。この場合、造形システム１は、物体と一体化された３次元構造物ＳＴを形成してもよい。物体と一体化された３次元構造物ＳＴを形成する動作は、物体に新たな構造物を付加する動作と等価である。或いは、造形システム１は、物体と分離可能な３次元構造物ＳＴを形成してもよい。尚、図１は、基材ＢＭが、ステージ１３によって保持されている物体である例を示している。また、以下でも、基材ＢＭがステージ１３によって保持されている物体である例を用いて説明を進める。

　造形システム１は、積層造形技術を用いて３次元構造物ＳＴを形成する。つまり、造形システム１は、積層造形技術を用いて３次元構造物ＳＴを形成する３Ｄプリンタであるとも言える。尚、積層造形技術は、ラピッドプロトタイピング（Ｒａｐｉｄ　Ｐｒｏｔｏｔｙｐｉｎｇ）、ラピッドマニュファクチャリング（Ｒａｐｉｄ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ）、又は、アディティブマニュファクチャリング（Ａｄｄｉｔｉｖｅ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ）とも称される。

　造形システム１は、造形材料Ｍを光ＥＬで加工して造形物を形成する。このような光ＬＥとして、例えば、赤外光、可視光及び紫外光のうちの少なくとも一つが使用可能であるが、その他の種類の光が用いられてもよい。光ＥＬは、例えばレーザ光である。更に、造形材料Ｍは、所定強度以上の光ＥＬの照射によって溶融可能な材料である。このような造形材料Ｍとして、例えば、金属製の材料及び樹脂製の材料の少なくとも一方が使用可能である。但し、造形材料Ｍとして、金属製の材料及び樹脂製の材料とは異なるその他の材料が用いられてもよい。造形材料Ｍは、粉状の又は粒状の材料である。つまり、造形材料Ｍは、粉粒体である。但し、造形材料Ｍは、粉粒体でなくてもよく、例えばワイヤ状の造形材料やガス状の造形材料が用いられてもよい。尚、造形システム１は、造形材料Ｍを荷電粒子線等のエネルギビームで加工して造形物を形成してもよい。

　造形材料Ｍを加工するために、造形システム１は、造形ヘッド１１と、ヘッド駆動系１２と、ステージ１３と、制御装置１４とを備える。更に、造形ヘッド１１は、照射系１１１と、材料ノズル（つまり造形材料Ｍを供給する供給系）１１２とを備えている。

　照射系１１１は、射出部１１３から光ＥＬを射出するための光学系（例えば、集光光学系）である。具体的には、照射系１１１は、光ＥＬを発する不図示の光源と、光ファイバ等の不図示の光伝送部材を介して光学的に接続されている。照射系１１１は、光伝送部材を介して光源から伝搬してくる光ＥＬを射出する。照射系１１１は、照射系１１１から下方（つまり、－Ｚ側）に向けて光ＥＬを照射する。照射系１１１の下方には、ステージ１３が配置されている。ステージ１３に基材ＢＭが搭載されている場合には、照射系１１１は、基材ＢＭに向けて光ＥＬを照射可能である。具体的には、照射系１１１は、光ＥＬが照射される（典型的には、集光される）領域として基材ＢＭに設定される所定形状の照射領域ＥＡに光ＥＬを照射する。更に、照射系１１１の状態は、制御装置１４の制御下で、照射領域ＥＡに光ＥＬを照射する状態と、照射領域ＥＡに光ＥＬを照射しない状態との間で切替可能である。尚、照射系１１１から射出される光ＥＬの方向は真下（つまり、Ｚ軸と一致する方向）には限定されず、例えば、Ｚ軸に対して所定の角度だけ傾いた方向であってもよい。

　材料ノズル１１２は、造形材料Ｍを供給する供給アウトレット１１４を有する。材料ノズル１１２は、供給アウトレット１１４から造形材料Ｍを供給（具体的には、噴射、噴出又は射出）する。材料ノズル１１２は、造形材料Ｍの供給源である不図示の材料供給装置と、不図示のパイプ等の粉体伝送部材を介して物理的に接続されている。材料ノズル１１２は、粉体伝送部材を介して材料供給装置から供給される造形材料Ｍを供給する。尚、図１において材料ノズル１１２は、チューブ状に描かれているが、材料ノズル１１２の形状は、この形状に限定されない。材料ノズル１１２は、材料ノズル１１２から下方（つまり、－Ｚ側）に向けて造形材料Ｍを供給する。材料ノズル１１２の下方には、ステージ１３が配置されている。ステージ１３に基材ＢＭが搭載されている場合には、材料ノズル１１２は、基材ＢＭに向けて造形材料Ｍを供給する。尚、材料ノズル１１２から供給される造形材料Ｍの進行方向はＺ軸に対して所定の角度（一例として鋭角）だけ傾いた方向であるが、真下（つまり、Ｚ軸と一致する方向）であってもよい。尚、複数の材料ノズル１１２を設けてもよい。

　本実施形態では、材料ノズル１１２は、照射系１１１が光ＥＬを照射する照射領域ＥＡに向けて造形材料Ｍを供給するように、照射系１１１に対して位置合わせされている。つまり、材料ノズル１１２が造形材料Ｍを供給する領域として基材ＢＭに設定される供給領域ＭＡと照射領域ＥＡとが一致する（或いは、少なくとも部分的に重複する）ように、材料ノズル１１２と照射系１１１とが位置合わせされている。尚、照射系１１１から射出された光ＥＬによって基材ＢＭに形成される溶融池ＭＰ（後述の図５（ｂ）参照）に、材料ノズル１１２が造形材料Ｍを供給するように位置合わせされていてもよい。また、材料ノズル１１２が造形材料Ｍを供給する供給領域ＭＡと、溶融池ＭＰの領域とが部分的に重畳するように位置合わせされてもよい。

　ヘッド駆動系１２は、造形ヘッド１１を移動させる。ヘッド駆動系１２は、造形ヘッド１１を、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の夫々に沿って移動させる。ヘッド駆動系１２は、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の夫々に加えて、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って造形ヘッド１１を移動させてもよい。ヘッド駆動系１２は、例えば、モータ等を含む。ヘッド駆動系１２が造形ヘッド１１を移動させると、ワークＷ上において、照射領域ＥＡもまたワークＷに対して移動する。従って、ヘッド駆動系１２は、造形ヘッド１１を移動させることで、ワークＷと照射領域ＥＡとの位置関係（言い換えれば、ワークＷを保持するステージ１３と照射領域ＥＡとの位置関係）を変更可能である。また、ヘッド駆動系１２は、造形ヘッド１１を移動させることで、ワークＷと供給領域ＭＡとの位置関係（言い換えれば、ワークＷを保持するステージ１３と供給領域ＭＡとの位置関係）を変更可能である。尚、ヘッド駆動系１２は、照射系１１１と材料ノズル１１２とを別々に移動させてもよい。具体的には、例えば、ヘッド駆動系１２は、射出部１１３の位置、射出部１１３の向き、供給アウトレット１１４の位置及び供給アウトレット１１４の向きの少なくとも一つを調整可能であってもよい。この場合、照射光学系１１１が光ＥＬを照射する照射領域ＥＡと、材料ノズル１１２が造形材料Ｍを供給する供給領域ＭＡとが別々に制御可能となる。

　ステージ１３は、基材ＢＭを保持可能である。ステージ１３は、更に、保持した基材ＢＭをリリース可能である。上述した照射系１１１は、ステージ１３が基材ＢＭを保持している期間の少なくとも一部において光ＥＬを照射する。更に、上述した材料ノズル１１２は、ステージ１３が基材ＢＭを保持している期間の少なくとも一部において造形材料Ｍを供給する。尚、材料ノズル１１２が供給した造形材料Ｍの一部は、基材ＢＭの表面から基材ＢＭの外部へと（例えば、ステージ１３の周囲へと）散乱する又はこぼれ落ちる可能性がある。このため、造形システム１は、ステージ１３の周囲に、散乱した又はこぼれ落ちた造形材料Ｍを回収する回収装置を備えていてもよい。

　制御装置１４は、造形システム１の動作を制御する。制御装置１４は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）等の演算装置や、メモリ等の記憶装置を含んでいてもよい。特に、本実施形態では、制御装置１４は、照射系１１１による光ＥＬの射出態様を制御する。射出態様は、例えば、光ＥＬの強度及び光ＥＬの射出タイミングの少なくとも一方を含む。光ＥＬがパルス光である場合には、射出態様は、例えば、パルス光の発光時間の長さ及びパルス光の発光時間と消光時間との比（いわゆる、デューティ比）の少なくとも一方を含んでいてもよい。更に、制御装置１４は、ヘッド駆動系１２による造形ヘッド１１の移動態様を制御する。移動態様は、例えば、移動量、移動速度、移動方向及び移動タイミングの少なくとも一つを含む。更に、制御装置１４は、材料ノズル１１２による造形材料Ｍの供給態様を制御する。供給態様は、例えば、供給量（特に、単位時間当たりの供給量）を含む。

　（２）造形システム１の動作
　続いて、造形システム１の動作について説明する。造形システム１は、基材ＢＭに３次元構造物ＳＴを形成するための造形動作を行う。本実施形態では特に、造形システム１は、３次元構造物ＳＴを形成した後に、形成した３次元構造物ＳＴから基材ＢＭの少なくとも一部を相対的に容易に取り除く（つまり、分離する）ことができるように、３次元構造物ＳＴを形成する。つまり、造形システム１は、基材ＢＭの少なくとも一部から相対的に容易に分離可能な３次元構造物ＳＴを形成するための造形動作を行う。言い換えれば、造形システム１は、基材ＢＭの少なくとも一部を相対的に容易に取り除くことが可能な３次元構造物ＳＴを形成するための造形動作を行う。ここで、相対的に容易に取り除く（相対的に容易に分離する）とは、基材ＢＭから３次元構造物ＳＴを取り除くこと（基材ＢＭから３次元構造物ＳＴを分離すること）が基材ＢＭと３次元構造物とが一体になる場合に対して容易であることを意味していてもよい。

　本実施形態では特に、造形システム１は、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成するために、基材ＢＭの特性と３次元構造物ＳＴの特性との違いを利用する。具体的には、造形システム１は、基材ＢＭとは特性が異なる３次元構造物ＳＴを基材ＢＭに形成することで、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成する。つまり、造形システム１は、第１特性を有する基材ＢＭに、第１特性とは異なる第２特性を有する３次元構造物ＳＴを形成することで、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成する。以下、このような造形動作の具体例として、造形動作の第１具体例から第７具体例について順に説明する。

　（２－１）造形動作の第１具体例
　造形動作の第１具体例は、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成するために、基材ＢＭが粒粒体（具体的には、粒状の又は粉状の造形材料Ｍ）である一方で３次元構造物ＳＴが固化した造形材料Ｍ（例えば、粒状の又は粉状の造形材料Ｍよりも大きな寸法を有する造形材料Ｍ）であるという特性の違いを利用する。尚、第１具体例では、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成するために、基材ＢＭを構成する分離可能な単位構成物である粒状の又は粉状の造形材料と３次元構造物ＳＴとの間における、大きさの違い、形状の違い、比表面積（表面積の体積に対する比率）の違い、かさ密度の違い、充填率（空間率）の違い、流動性の違い、付着力の違い等を利用してもよい。以下、図２のフローチャートを参照しながら、造形動作の第１具体例の流れについて説明する。

　図２に示すように、まずは、粒状の又は粉状の造形材料Ｍの集積物である基材ＢＭ（以下、第１具体例で用いられる基材ＢＭを、適宜“基材ＢＭ１”と称する）をステージ１３に配置（つまり、用意）する（図２のステップＳ１１）。

　基材ＢＭ１がそのまま単にステージ１３に配置されると、基材ＢＭ１を構成する造形材料Ｍの自重等に起因して、造形材料Ｍの集積物が崩れ落ちていく可能性がある。その結果、ステージ１３上には、例えば、錐状や凸状に造形材料Ｍが積みあがった状態にある基材ＢＭ１が配置される可能性がある。この場合、基材ＢＭ１の表面（具体的には、光ＥＬが照射される表面であって、＋Ｚ側の表面）が平面（特に、ＸＹ平面に沿った平面）になる可能性は相対的に低い。一方で、積層造形技術を用いて３次元構造物ＳＴを形成する場合には、造形システム１は、基材ＢＭ１の表面が平面である場合の方が、基材ＢＭ１の表面が平面でない場合と比較して、３次元構造物ＳＴを適切に形成することができる可能性が高くなる。このため、ステップＳ１１では、材料保持装置によって適切に保持された状態にある粒状の又は粉状の造形材料Ｍの集積物である基材ＢＭ１がステージ１３に配置されてもよい。例えば、図３に示すように、ケース１５１１に収容された状態にある粒状の又は粉状の造形材料Ｍの集積物である基材ＢＭ１がステージ１３に配置されてもよい。

　ケース１５１１は、基材ＢＭ１を構成する造形材料Ｍの崩れ落ちに起因して基材ＢＭ１の表面が平面にならなくなることを防止するために、基材ＢＭ１を構成する造形材料Ｍの崩れ落ちを防止可能な側壁部材１５１２を備えていてもよい。この場合、基材ＢＭ１を構成する造形材料Ｍは、側壁部材１５１２によって囲まれた領域において保持される。側壁部材１５１２は、Ｚ軸方向に延びた筒状の部材であってもよい。更に、必要に応じて、造形システム１（或いは、造形システム１の外部の装置又は造形システム１のユーザ）は、スキージングブレード等を用いて、基材ＢＭ１の表面が平面になるように基材ＢＭ１の表面をならしてもよい。更に、ケース１５１１は、その少なくとも一面（図３に示す例では、＋Ｚ側の上面）が、光ＥＬが通過可能な開口となっていてもよい。その結果、ケース１５１１に収容されている基材ＢＭ１に対する光ＥＬの照射がケース１５１１によって妨げられることはなくなる。

　その後、造形システム１は、制御装置１４の制御下で、積層造形技術を用いて、基材ＢＭ１に３次元構造物ＳＴを形成する（図２のステップＳ１２からステップＳ１３）。具体的には、造形システム１は、３次元構造物ＳＴをＺ軸方向に沿って輪切りにすることで得られる複数の構造層ＳＬを１層ずつ順に形成していくことで、３次元構造物ＳＴを形成する。つまり、造形システム１は、Ｚ軸方向に沿って並ぶ複数の構造層ＳＬを順に形成していくことで、３次元構造物ＳＴを形成する。その結果、複数の構造層ＳＬが積層された積層構造体である３次元構造物ＳＴが形成される。この際、造形システム１は、形成するべき３次元構造物ＳＴの３次元モデルデータ（例えば、ＣＡＤ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ　Ａｉｄｅｄ　Ｄｅｓｉｇｎ）データ）等に基づいて、基材ＢＭ１に３次元構造物ＳＴを形成してもよい。３次元モデルデータは、３次元構造物ＳＴの形状（特に、３次元形状）を表すデータを含んでいてもよい。

　第１具体例では特に、造形システム１は、まず、第１の積層造形法を用いて、３次元構造物ＳＴを構成する複数の構造層ＳＬのうちの１層目の構造層ＳＬを、基材ＢＭ１に形成する（図２のステップＳ１２）。その後、造形システム１は、第１の積層造形法とは異なる第２の積層造形法を用いて、３次元構造物ＳＴを構成する複数の構造層ＳＬのうちの２層目以降の構造層ＳＬを、１層目の構造層ＳＬ上に順に形成していく（図２のステップＳ１３）。

　第１の積層造形法は、基材ＢＭ１を構成する造形材料Ｍに光ＥＬを照射して造形物（更には、構造層ＳＬ）を形成することが可能な造形法である。つまり、第１の積層造形法は、予め供給されている造形材料Ｍに光ＥＬを照射して造形物（更には、構造層ＳＬ）を形成することが可能な造形法である。このような第１の積層造形法として、第１具体例では、造形システム１は、粉末焼結積層造形法（ＳＬＳ：Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ　Ｌａｓｅｒ　Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ法）等の粉末床溶融結合法（ＰＢＦ：Ｐｏｗｄｅｒ　Ｂｅｄ　Ｆｕｓｉｏｎ法）を用いる。但し、造形システム１は、第１の積層造形法として、その他の造形法（例えば、結合材噴射法（Ｂｉｎｄｅｒ　Ｊｅｔｔｉｎｇ）等）を用いてもよい。

　第１の積層造形法として粉末床溶融結合法を用いる場合には、図４（ａ）に示すように、造形システム１は、制御装置１４の制御下で、基材ＢＭ１の表面に相当する造形面ＭＳ上の所望領域に照射領域ＥＡを設定し、当該照射領域ＥＡに対して照射系１１１から光ＥＬを照射する。尚、照射系１１１から照射される光ＥＬが造形面ＭＳ上に占める領域を照射領域ＥＡと称してもよい。第１具体例においては、光ＥＬのフォーカス位置（つまり、集光位置、言い換えると、Ｚ軸方向或いは光ＥＬの進行方向において、光ＥＬが最も収斂している位置）が造形面ＭＳに一致しているが、造形面ＭＳからＺ軸方向にずれた位置に設定されてもよい。その結果、図４（ａ）に示すように、照射系１１１から射出された光ＥＬによって照射領域ＥＡの下方の造形材料Ｍ（つまり、基材ＢＭ１の一部を構成する造形材料Ｍ）が溶融する。この際、制御装置１４は、光ＥＬの照射によって溶融した造形材料Ｍがケース１５１１と接触しない（例えば、溶融した造形材料Ｍとケース１５１１との間に溶融していない造形材料Ｍが介在する）ように、光ＥＬの特性（例えば、強度及びフォーカス位置の少なくとも一方）を制御してもよい。また、制御装置１４は、光ＥＬの照射によって溶融した造形材料Ｍがケース１５１１と接触しないように、ステージ１３の移動速度及び光ＥＬの走査速度のうち少なくとも一方に代えて、光ＥＬの照射時間を制御してもよい。その後、造形ヘッド１１の移動に伴って溶融した造形材料Ｍに光ＥＬが照射されなくなると、溶融した造形材料Ｍは、冷却されて再度固化（つまり、凝固）する。その結果、図４（ｂ）に示すように、基材ＢＭ１の一部が、再固化した造形材料Ｍに相当する造形物に変換される。この際、光ＥＬの照射によって溶融した造形材料Ｍがケース１５１１と接触しないがゆえに、溶融した造形材料Ｍが、ケース１５１１と相対的に強固に結合するように再固化することはない。つまり、溶融した造形材料Ｍは、ケース１５１１と相対的に強固に結合しない状態で再固化する。従って、再固化した造形材料Ｍは、ケース１５１１と相対的に強固に結合することはない。

　このような光の照射ＥＬによる造形材料Ｍの溶融及び溶融した造形材料Ｍの再固化を含む一連の造形処理が、造形面ＭＳに対して造形ヘッド１１をＸＹ平面に沿って移動させながら繰り返される。この際、光ＥＬは、造形物を形成したい領域に設定された照射領域ＥＡに対して選択的に照射される一方で、造形物を形成したくない領域に設定された照射領域ＥＡに対して選択的に照射されない。尚、造形物を形成したくない領域には照射領域ＥＡが設定されないとも言える。つまり、造形システム１は、造形面ＭＳ上で所定の移動軌跡に沿って照射領域ＥＡを移動させながら、造形物を形成したい領域の分布（つまり、構造層ＳＬ１のパターン）に応じたタイミングで光ＥＬを造形面ＭＳに照射する。その結果、図４（ｃ）に示すように、造形面ＭＳ上に、再固化した造形材料Ｍによる造形物の集合体に相当する構造層ＳＬ（つまり、１層目の構造層ＳＬ）が形成される。尚、上述した説明では、造形面ＭＳに対して照射領域ＥＡを移動させたが、照射領域ＥＡに対して造形面ＭＳを移動させてもよい。

　一方で、第２の積層造形法は、材料ノズル１１２から供給される造形材料Ｍに光ＥＬを照射して造形物（更には、構造層ＳＬ）を形成することが可能な造形法である。つまり、第２の積層造形法は、材料ノズル１１２から造形材料Ｍを供給しながら照射系１１１から光ＥＬを照射して造形物（更には、構造層ＳＬ）を形成することが可能な造形法である。このような第２の積層造形法として、第１具体例では、造形システム１は、指向性エネルギー堆積方式（ＤＥＤ：Ｄｉｒｅｃｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）を用いる。特に、第１具体例では、造形システム１は、指向性エネルギー堆積方式の一例であるレーザ肉盛溶接法（ＬＭＤ：Ｌａｓｅｒ　Ｍｅｔａｌ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いるものとする。尚、レーザ肉盛溶接法は、ダイレクト・メタル・デポジション、ダイレクト・エナジー・デポジション、レーザクラッディング、レーザ・エンジニアード・ネット・シェイピング、ダイレクト・ライト・ファブリケーション、レーザ・コンソリデーション、シェイプ・デポジション・マニュファクチャリング、ワイヤ－フィード・レーザ・デポジション、ガス・スルー・ワイヤ、レーザ・パウダー・フージョン、レーザ・メタル・フォーミング、セレクティブ・レーザ・パウダー・リメルティング、レーザ・ダイレクト・キャスティング、レーザ・パウダー・デポジション、レーザ・アディティブ・マニュファクチャリング、レーザ・ラピッド・フォーミングと称してもよい。但し、造形システム１は、第２の積層造形法として、その他の造形法（例えば、レーザメタルフュージョン法（ＬＭＦ：Ｌａｓｅｒ　Ｍｅｔａｌ　Ｆｕｓｉｏｎ）法及びインクジェット法の少なくとも一方）を用いてもよい。

　第２の積層造形法としてレーザ肉盛溶接法を用いる場合には、図５（ａ）に示すように、造形システム１は、制御装置１４の制御下で、１層目の構造層ＳＬの表面（具体的には、光ＥＬが照射される表面であって、＋Ｚ側の表面）に相当する造形面ＭＳ上の所望領域に照射領域ＥＡを設定し、当該照射領域ＥＡに対して照射系１１１から光ＥＬを照射する。その結果、図５（ａ）に示すように、照射系１１１から射出された光ＥＬによって造形面ＭＳ上の所望領域に溶融池（つまり、１層目の構造層ＳＬを構成する造形材料Ｍが光ＥＬの照射によって溶融することで形成された、液状の造形材料Ｍのプール）ＭＰが形成される。更に、図５（ｂ）に示すように、造形システム１は、制御装置１４の制御下で、造形面ＭＳ上の所望領域に供給領域ＭＡを設定し、当該供給領域ＭＡに対して材料ノズル１１２から造形材料Ｍを供給する。ここで、上述したように照射領域ＥＡと供給領域ＭＡとが一致しているため、供給領域ＭＡは、溶融池ＭＰが形成された領域に設定されている。このため、造形システム１は、図５（ｂ）に示すように、溶融池ＭＰに対して、材料ノズル１１２から造形材料Ｍを供給する。その結果、溶融池ＭＰに供給された造形材料Ｍが溶融する。造形ヘッド１１の移動に伴って溶融池ＭＰに光ＥＬが照射されなくなると、溶融池ＭＰにおいて溶融した造形材料Ｍは、冷却されて再度固化（つまり、凝固）する。その結果、図５（ｃ）に示すように、再固化した造形材料Ｍが造形面ＭＳ上に堆積される。つまり、再固化した造形材料Ｍの堆積物による造形物が形成される。つまり、造形面ＭＳに造形材料Ｍの堆積物を付加する付加加工が行われることで、造形物が形成される。

　このような光の照射ＥＬによる溶融池ＭＰの形成、溶融池ＭＰへの造形材料Ｍの供給、供給された造形材料Ｍの溶融及び溶融した造形材料Ｍの再固化を含む一連の造形処理が、造形面ＭＳに対して造形ヘッド１１をＸＹ平面に沿って移動させながら繰り返される。この場合も、上述したように、光ＥＬは、造形物を形成したい領域に設定された照射領域ＥＡに対して選択的に照射される一方で、造形物を形成したくない領域に設定された照射領域ＥＡに対して選択的に照射されない。その結果、図５（ｄ）に示すように、造形面ＭＳ上に、再固化した造形材料Ｍによる造形物の集合体に相当する構造層ＳＬが形成される。つまり、１層目の構造層ＳＬ上に、２層目の構造層ＳＬが形成される。

　以降、必要に応じて、形成された構造層ＳＬの表面を新たな造形面ＭＳに設定した上で第２の積層造形法を用いて新たな構造層ＳＬを形成するための動作が繰り返されることで、３層目以降の構造層ＳＬが形成される。その結果、図６に示すように、Ｚ軸に沿って（つまり、溶融池ＭＰの底面から上面へと向かう方向に沿って）複数の構造層ＳＬが積層された積層構造物によって、３次元構造物ＳＴが形成される。

　３次元構造物ＳＴが形成された後には、基材ＢＭ１の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴが分離される（図２のステップＳ１４）。具体的には、第１具体例では、ケース１５１１から３次元造形物ＳＴが取り出されることで、基材ＢＭ１の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴが分離される。ここで、図６に示すように、３次元構造物ＳＴは、基材ＢＭ１を構成する粉状の又は粒状の造形材料Ｍ内で浮いている状態にある。３次元構造物ＳＴとケース１５１１との間には、溶融していない（その結果、再固化もしていない）粒状の又は粉状の造形材料Ｍが存在する。つまり、３次元構造物ＳＴは、基材ＢＭ１と相対的に強固に結合しておらず、且つ、ケース１５１１と相対的に強固に結合していない。言い換えれば、３次元構造物ＳＴは、基材ＢＭ１と一体化しておらず、且つ、ケース１５１１と一体化していない。なぜならば、上述したように、３次元構造物ＳＴを構成する最下層（つまり、１層目）の構造層ＳＬがケース１５１１と相対的に強固に結合していないからである。このため、３次元構造物ＳＴは、基材ＢＭ１から分離可能であり、且つ、ケース１５１１から分離可能な状態にある。従って、第１具体例では、図７に示すように、ケース１５１１から３次元造形物ＳＴが容易に取り出し可能である。つまり、ケース１５１１内に収容されている基材ＢＭ１から３次元造形物ＳＴが容易に取り出し可能である。このため、基材ＢＭ１の少なくとも一部（図７に示す例では、基材ＢＭ１の大部分又は全体）から３次元造形物ＳＴが分離可能である。つまり、３次元構造物ＳＴから基材ＢＭ１の少なくとも一部（図７に示す例では、基材ＢＭ１の大部分又は全体）を相対的に容易に取り除くことが可能である。

　ここで、３次元造形物ＳＴは、基材ＢＭ１を介してステージ１３によって支持されていると見なしてもよい。また、３次元造形物ＳＴは、ステージ１３と非接触であるとみなしてもよい。尚、３次元造形物ＳＴの全体とステージ１３との間に基材ＢＭ１が位置すると見なしてもよく、３次元造形物ＳＴの全体がステージ１３から離れていると見なしてもよい。

　ここで、３次元構造物ＳＴを構成する複数の構造層ＳＬの全てを第２の積層造形法（例えば、レーザ肉盛溶接法）で形成する比較例の造形システムは、通常、上述した造形材料Ｍの集積物である基材ＢＭ１ではなく、相対的に硬い固形状の基材（例えば、金属板等）を用いる。なぜならば、比較例の造形システムは、１層目の構造層ＳＬを形成する際に、基材の上面に溶融池ＭＰを形成する必要があるからである。この場合、金属板等の基材と相対的に強固に一体化された３次元構造物ＳＴが形成される。このため、比較例では、３次元構造物ＳＴから基材を取り除くことは、必ずしも容易ではない。しかるに、造形動作の第１具体例を行う造形システム１によれば、３次元構造物ＳＴから基材ＢＭ１を相対的に容易に取り除くことができるという、比較例の造形システムと比較して有益な技術的効果を享受可能である。

　尚、上述した説明では、基材ＢＭ１は、材料ノズル１１２が供給する造形材料Ｍと同じ造形材料Ｍの集積物である。しかしながら、基材ＢＭ１は、材料ノズル１１２が供給する造形材料Ｍとは異なる造形材料Ｍ１の集積物であってもよい。例えば、基材ＢＭ１は、材料ノズル１１２が供給する造形材料Ｍとは特性（例えば、種類、材質、融点、粒径及び光ＥＬの吸収特性等の少なくとも一つ）が異なる造形材料Ｍ１の集積物であってもよい。この場合であっても、造形材料Ｍ１に光ＥＬを照射して造形物（特に、１層目の構造層ＳＬ）を形成可能である限りは、上述した効果と同様の効果が享受可能である。

　また、上述した説明では、造形システム１は、第１の積層造形法（例えば、粉末床溶融結合法）を用いて１層目の構造層ＳＬを形成する際に、光ＥＬの照射によって溶融した造形材料Ｍがケース１５１１と接触しないように、造形材料Ｍを溶融させている。しかしながら、造形システム１は、光ＥＬの照射によって溶融した造形材料Ｍの少なくとも一部がケース１５１１と接触するように、造形材料Ｍを溶融させてもよい。この場合であっても、溶融した造形材料Ｍがケース１５１１と相対的に強固に結合するように再固化しなければ、基材ＢＭ１（更には、ケース１５１１）から相対的に容易に分離可能な３次元構造物ＳＴを形成可能であることに変わりはない。尚、光ＥＬの照射によって溶融した造形材料Ｍとケース１５１１とが接触する面積が小さくなればなるほど、３次元構造物ＳＴから基材ＢＭ１を相対的に容易に取り除くことができる可能性が高くなる。

　尚、第１具体例において、３次元構造物ＳＴを構成する複数の構造層ＳＬのうちの１層目の構造層ＳＬを基材ＢＭ１に形成する際に、材料ノズル１１２から造形材料Ｍを供給していてもよい。また、基材ＢＭ１の表面は平面である場合には限定されず曲面であってもよい。

　また、第１具体例において第１の積層造形法として粉末床溶融結合法を用いる場合、造形ヘッド１１の移動に代えて、或いは加えてステージ１３を移動させてもよく、造形ヘッド１１から射出される光の向き等を変えて照射領域ＥＡを移動させてもよい。

　尚、第１具体例において、３次元構造物ＳＴを第１の積層造型法のみで造形してもよい。この場合であっても、３次元構造物ＳＴは、基材ＢＭ１を構成する粉状の又は粒状の造形材料Ｍ内で浮いている状態にできるため、３次元構造物ＳＴを基材ＢＭ１から分離可能な状態、且つケース１５１１から分離可能な状態にすることができる。

　（２－２）造形動作の第２具体例
　造形動作の第２具体例は、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成するために、外部から印加される物理的衝撃に対する基材ＢＭ及び３次元構造物ＳＴの耐久性が違うという特性の違いを利用する。尚、第２具体例では、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成するために、基材ＢＭ及び３次元構造物ＳＴの強度（例えば、比例限度、弾性限度、降伏点または耐力、引っ張り強さ、圧縮強さ、剪断強さ、曲げ強さ、疲れ強さ、衝撃値等）が違うという特性の違いを利用してもよい。以下、図８のフローチャートを参照しながら、造形動作の第２具体例の流れについて説明する。

　図８に示すように、まずは、粒状の又は粉状の造形材料Ｍの塊を含む基材ＢＭ（以下、第２具体例で用いられる基材ＢＭを、適宜“基材ＢＭ２”と称する）をステージ１３に配置する（図８のステップＳ２１）。ここで、造形材料Ｍの塊では、固体の形状を維持したままステージ１３上に配置することができる程度に造形材料Ｍが固められている。この場合、図９に示すように、基材ＢＭ２は、上述した第１具体例において基材ＢＭ１をステージ１３に配置するために用いられたケース１５１１を必要とすることなく、ステージ１３上に配置可能である。

　基材ＢＭ２を構成する造形材料Ｍは、塊を形成するために集められた造形材料Ｍ（つまり、造形材料Ｍの集積物）に物理的作用、化学的作用、電気的作用、磁気的作用、光学的作用及び熱的作用のうちの少なくとも一つが加えられることで固められていてもよい。例えば、基材ＢＭ２を構成する造形材料Ｍは、造形材料Ｍの集積物に当該集積物を固めるように圧力が加えられる（つまり、圧縮される）ことで固められていてもよい。例えば、基材ＢＭ２を構成する造形材料Ｍは、造形材料Ｍが半溶融して（つまり、部分的に溶融して）周辺の造形材料Ｍと部分的に固着するように造形材料Ｍの集積物が加熱されることで固められていてもよい。この場合、造形システム１の外部の装置によって基材ＢＭ２を構成する造形材料Ｍが固められた後に、当該固められた造形材料Ｍから構成される基材ＢＭ２がステージ１３に配置されてもよい。或いは、造形システム１自身によって基材ＢＭ２を構成する造形材料Ｍが固められた後に、当該固められた造形材料Ｍから構成される基材ＢＭ２がステージ１３に配置されてもよい。この場合、造形システム１は、基材ＢＭ２を構成する造形材料Ｍを固めるための固化装置を備えていてもよい。或いは、造形システム１は、材料ノズル１１２からステージ１３に供給された造形材料Ｍに光ＥＬを照射して造形材料Ｍを固めることで、ステージ１３上に、固められた造形材料Ｍから構成される基材ＢＭ２を形成してもよい。この場合、造形システム１は、上述した固化装置を備えていなくても、基材ＢＭ２を形成することができる。尚、基材ＢＭ２は、造形材料Ｍを接着剤等の結合材で互いに結合させたものであってもよい。

　基材ＢＭ２は、３次元構造物ＳＴよりも物理的衝撃に対する耐久性が低くなるように相対的に弱く固められた造形材料Ｍの塊を含む。基材ＢＭ２は、３次元構造物ＳＴよりも物理的衝撃に対する耐久性が高くなるほどには強固に固められていない造形材料Ｍの塊を含む。上述したように、３次元構造物ＳＴは、一旦液体状に溶融した造形材料Ｍが再固化することで形成される造形物である。このため、物理的衝撃に対する３次元構造物ＳＴの耐久性は、比較的高くなる。一方で、上述したように造形材料Ｍの集積物に圧力が加えられることで形成される基材ＢＭ２は、基材ＢＭ２を構成する造形材料Ｍが主として摩擦力によって固着されているだけであるがゆえに、物理的衝撃に対する耐久性は相対的に低くなる。同様に、上述したように造形材料Ｍが半溶融して周辺の造形材料Ｍと部分的に固着することで形成される基材ＢＭ２は、当該基材ＢＭ２を構成する造形材料Ｍが部分的に固着しているだけであるがゆえに、物理的衝撃に対する耐久性は相対的に低くなる。従って、３次元構造物ＳＴよりも物理的衝撃に対する耐久性が低くなるように固められた造形材料Ｍから構成される基材ＢＭ２は、比較的容易に形成可能である。

　基材ＢＭ２の表面（具体的には、光ＥＬが照射される表面であって、＋Ｚ側の表面）は、平面（特に、ＸＹ平面に沿った平面）である。このため、基材ＢＭ２は、板状の又は円盤状の形状を有する。但し、基材ＢＭ２の表面は平面でなくてもよいし（例えば、曲面であってもよいし）、基材ＢＭ２は任意の形状を有していてもよい。

　その後、造形システム１は、制御装置１４の制御下で、積層造形技術を用いて、基材ＢＭ２に３次元構造物ＳＴを形成する（図８のステップＳ２２）。第２具体例では、造形システム１は、材料ノズル１１２から供給される造形材料Ｍに光ＥＬを照射して造形物（更には、構造層ＳＬ）を形成することが可能な上述した第２の積層造形法（例えば、上述したレーザ肉盛溶接法）を用いて、３次元構造物ＳＴを構成する複数の構造層ＳＬを、基材ＢＭ２に順に形成する。

　具体的には、１層目の構造層ＳＬを形成する場合には、図１０（ａ）に示すように、造形システム１は、制御装置１４の制御下で、基材ＢＭ２の表面（具体的には、光ＥＬが照射される表面であって、＋Ｚ側の表面）に相当する造形面ＭＳ上の所望領域に照射領域ＥＡを設定し、当該照射領域ＥＡに対して照射系１１１から光ＥＬを照射する。更に、図１０（ａ）に示すように、造形システム１は、制御装置１４の制御下で、造形面ＭＳ上の所望領域に供給領域ＭＡを設定し、当該供給領域ＭＡに対して材料ノズル１１２から造形材料Ｍを供給する。その結果、図１０（ａ）に示すように、造形面ＭＳ上の所望領域に溶融池ＭＰが形成され、且つ、当該溶融池ＭＰに造形材料Ｍが供給される。この際、溶融池ＭＰは、材料ノズル１１２から供給された造形材料Ｍに加えて、基材ＢＭ２の一部を構成する造形材料Ｍが溶融することで形成されてもよい。その後、造形ヘッド１１の移動に伴って溶融池ＭＰに光ＥＬが照射されなくなると、溶融池ＭＰにおいて溶融した造形材料Ｍは、冷却されて再度固化（つまり、凝固）する。その結果、図１０（ｂ）に示すように、再固化した造形材料Ｍの堆積物による造形物が造形面ＭＳに形成される。この際、上述したように基材ＢＭ２の一部を構成する造形材料Ｍが溶融することで溶融池ＭＰが形成されている場合には、基材ＢＭ２の一部が、再固化した造形材料Ｍに相当する造形物に変換される。このような光の照射ＥＬによる溶融池ＭＰの形成、溶融池ＭＰへの造形材料Ｍの供給、供給された造形材料Ｍの溶融及び溶融した造形材料Ｍの再固化を含む一連の造形処理が、造形物を形成したい領域の分布（つまり、構造層ＳＬのパターン）に応じたタイミングで光ＥＬを照射しながら且つ造形面ＭＳに対して造形ヘッド１１をＸＹ平面に沿って相対的に移動させながら繰り返される。その結果、図１０（ｃ）に示すように、造形面ＭＳ上に、再固化した造形材料Ｍによる造形物の集合体に相当する構造層ＳＬが形成される。つまり、基材ＢＭ２に、１層目の構造層ＳＬが形成される。

　以降、形成した構造層ＳＬの表面を新たな造形面ＭＳに設定した上で同様の動作が繰り返されることで、２層目以降の構造層ＳＬが形成される。その結果、図１１に示すように、３次元構造物ＳＴが形成される。尚、第２具体例における２層目以降の構造層ＳＬを形成する動作は、第１具体例における２層目以降の構造層ＳＬを形成する動作と同一であるため、その詳細な説明を省略する。

　３次元構造物ＳＴが形成された後には、基材ＢＭ２の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴが分離される（図８のステップＳ２３）。具体的には、上述したように、基材ＢＭ２は、３次元構造物ＳＴよりも物理的衝撃に対する耐久性が低い。言い換えると、基材ＢＭ２は、３次元構造物ＳＴよりも耐衝撃性が低い。つまり、基材ＢＭ２は、３次元構造物ＳＴよりも物理的衝撃によって粉砕（言い換えれば、破壊）されやすい。このため、基材ＢＭ２を粉砕することができる一方で３次元構造物ＳＴを粉砕しない程度の適切な強度の物理的衝撃が基材ＢＭ２に加えられれば、基材ＢＭ２を粉砕して基材ＢＭ２の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴを分離することができるはずである。このため、第２具体例では、基材ＢＭ２の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴを分離するために、造形システム１（或いは、造形システム１の外部の装置又は造形システム１のユーザ）は、図１２（ａ）に示すように、適切な強度の物理的衝撃を基材ＢＭ２に加える。例えば、造形システム１等は、ハンマー等の衝撃印加部材を用いて、適切な強度の物理的衝撃（つまり、衝撃印加部材の運動エネルギー等に起因した物理的作用）を基材ＢＭ２に加えてもよい。例えば、造形システム１等は、超音波等を基材ＢＭ２に加えて、適切な強度の物理的衝撃（つまり、超音波等の照射に起因した振動等の物理的作用）を基材ＢＭ２に加えてもよい。その結果、図１２（ｂ）に示すように、基材ＢＭ２が粉砕される。つまり、基材ＢＭ２が粉砕されて粉状の又は粒状の造形材料Ｍに分離する。このため、第２具体例においても、第１具体例と同様に、基材ＢＭ２の少なくとも一部（図１２（ｂ）に示す例では、基材ＢＭ２の大部分又は全体）から３次元造形物ＳＴが分離可能である。つまり、３次元構造物ＳＴから基材ＢＭ２の少なくとも一部（図１２（ｂ）に示す例では、基材ＢＭ２の大部分又は全体）を相対的に容易に取り除くことが可能である。

　ここで、３次元造形物ＳＴは、基材ＢＭ２を介してステージ１３によって支持されていると見なしてもよい。また、３次元造形物ＳＴは、ステージ１３と非接触であるとみなしてもよい。尚、３次元造形物ＳＴの全体とステージ１３との間に基材ＢＭ２が位置すると見なしてもよく、３次元造形物ＳＴの全体がステージ１３から離れていると見なしてもよい。

　但し、基材ＢＭ２に３次元構造物ＳＴが形成される過程で、基材ＢＭ２に何らかの物理的衝撃が加わる可能性がある。例えば、上述したように、基材ＢＭ２に３次元構造物ＳＴが形成される過程で材料ノズル１１２が造形材料Ｍを噴射している。このため、基材ＢＭ２には、造形材料Ｍの噴射に伴う物理的衝撃（典型的には、風圧又は噴射される造形材料Ｍが基材ＢＭ２にぶつかる衝撃に起因した物理的作用）が加わる可能性がある。仮に、基材ＢＭ２に３次元構造物ＳＴが形成される過程で基材ＢＭ２に加わる物理的衝撃で基材ＢＭ２が粉砕されてしまうと、そもそも３次元構造物ＳＴを基材ＢＭ２に形成することができない。このため、基材ＢＭ２は、基材ＢＭ２に３次元構造物ＳＴが形成される過程で基材ＢＭ２に加わる物理的衝撃によって破壊されない程度には高い耐久性又は耐衝撃性を有していてもよい。

　尚、上述した説明では、基材ＢＭ２は、材料ノズル１１２が供給する造形材料Ｍと同じ造形材料Ｍが固められた構造物である。しかしながら、基材ＢＭ２は、材料ノズル１１２が供給する造形材料Ｍとは異なる造形材料Ｍ２が固められた構造物であってもよい。例えば、基材ＢＭ２は、材料ノズル１１２が供給する造形材料Ｍとは特性（例えば、種類、材質、融点、粒径及び光ＥＬの吸収特性等の少なくとも一つ）が異なる造形材料Ｍ２が固められた構造物であってもよい。この場合であっても、造形材料Ｍ２に光ＥＬを照射して溶融池ＭＰを形成可能（その結果、造形物（特に、１層目の構造層ＳＬ）を形成可能）である限りは、上述した効果と同様の効果が享受可能である。

　尚、第２具体例において、１層目の構造層ＳＬを形成するとき、造形面ＭＳ上の所望領域である供給領域ＭＡに対して材料ノズル１１２から造形材料Ｍを供給しなくてもよい。言い換えると、１層目の構造層ＳＬを、基材ＢＭ２の一部を構成する造形材料Ｍを溶融させた後に再固化させて形成してもよい。

　また、上述した説明では、造形システム１は、同じ積層造形法を用いて３次元構造物ＳＴを形成している。しかしながら、造形システム１は、３次元構造物ＳＴを形成する過程で、使用する積層造形法を変えてもよい。つまり、造形システム１は、３次元構造物ＳＴの一部を形成するため、３次元構造物ＳＴの他の一部を形成するために用いる積層造形法とは異なる積層造形法を用いてもよい。後述する第３具体例から第７具体例においても同様である。

　（２－３）造形動作の第３具体例
　造形動作の第３具体例は、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成するために、基材ＢＭ及び３次元構造物ＳＴの光ＥＬに対する吸収特性及び透過特性の少なくとも一方の違いを利用する。以下、図１３のフローチャートを参照しながら、造形動作の第３具体例の流れについて説明する。

　図１３に示すように、まずは、光ＥＬを通過させることができるという特性を有している基材ＢＭ（以下、第３具体例で用いられる基材ＢＭを、適宜“基材ＢＭ３”と称する）をステージ１３に配置する（図１３のステップＳ３１）。このため、基材ＢＭは、光ＥＬを通過させることが可能な部材を含む。尚、ここで言う「光ＥＬを通過させる部材」は、光ＥＬに対する透過率が所定率（例えば、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％等）以上になる部材を意味していてもよい。

　基材ＢＭ３は、図１４に示すように、対向基板１５３１と対向する状態でステージ１３に配置される。基材ＢＭ３は、基材ＢＭ３よりも対向基板１５３１が下方（つまり、ステージ１３側又は－Ｚ側）に位置する状態で、ステージ１３に配置される。つまり、基材ＢＭ３は、対向基板１５３１よりも基材ＢＭ３が上方（つまり、造形ヘッド１１側又は＋Ｚ側）に位置する状態で、ステージ１３に配置される。図１４に示す例では、ステージ１３上に対向基板１５３１が位置し、対向基板１５３１の上方に基材ＢＭ３が位置している。

　基材ＢＭ３は、スペーサ１５３２を介して対向基板１５３１との間に空隙１５３３が確保される状態でステージ１３に配置される。尚、スペーサ１５３２は、筒状の部材であってもよく、Ｘ又はＹ方向において間隔を有するように配置された複数の柱状の部材であってもよい。空隙１５３３には、造形材料Ｍが収容されている。この場合、空隙１５３３には、基材ＢＭ３がステージ１３に配置されるタイミングに合わせて造形材料Ｍが供給されてもよいし、基材ＢＭ３がステージ１３に配置される前に造形材料Ｍが予め供給されていてもよい。基材ＢＭ３のうち空隙１５３３に面する面（図１４に示す例では、－Ｚ側を向いている面）１５３４は、平面であるが、曲面の部分を含んでいてもよく、曲面であってもよい。対向基板１５３１のうち空隙１５３３に面する面（図１４に示す例では、＋Ｚ側を向いている面）１５３５は、平面であるが、曲面の部分を含んでいてもよく、曲面であってもよい。基材ＢＭ３のうち空隙１５３３に面する面１５３４は、対向基板１５３１のうち空隙１５３３に面する面１５３５に平行であるが、平行でなくてもよい。

　その後、造形システム１は、基材ＢＭ３を介して空隙１５３３に収容された造形材料Ｍに光ＥＬを照射することで、３次元構造物ＳＴを構成する複数の構造層ＳＬのうちの１層目の構造層ＳＬを形成する（図１３のステップＳ３２）。具体的には、図１５（ａ）に示すように、造形システム１は、制御装置１４の制御下で、Ｚ軸方向において、光ＥＬのフォーカス位置を空隙１５３３内の任意の位置に合わせる。その上で造形システム１は、照射系１１１から光ＥＬを照射する。その結果、図１５（ａ）に示すように、空隙１５３３に収容された造形材料Ｍに対して、基材ＢＭ３を介して光ＥＬが照射される。つまり、空隙１５３３に収容された造形材料Ｍに対して、基材ＢＭ３のうち面１５３４の反対側の面１５３６から面１５３４に向かって基材ＢＭ３を通過する光ＥＬが照射される。このため、空隙１５３３に収容された造形材料Ｍのうち光ＥＬが照射された造形材料Ｍが溶融する。その後、造形ヘッド１１の移動に伴って溶融した造形材料Ｍに光ＥＬが照射されなくなると、溶融した造形材料Ｍは、冷却されて再度固化（つまり、凝固）する。その結果、図１５（ｂ）に示すように、空隙１５３３の一部に、再固化した造形材料Ｍに相当する造形物が形成される。このような光の照射ＥＬによる造形材料Ｍの溶融及び溶融した造形材料Ｍの再固化を含む一連の造形処理が、造形物を形成したい領域の分布パターン（つまり、構造層ＳＬのパターン）に応じたタイミングで光ＥＬを照射しながら且つ基材ＢＭ３に対して造形ヘッド１１をＸＹ平面に沿って相対的に移動させながら繰り返される。その結果、図１５（ｃ）に示すように、空隙１５３３に、凝固した造形材料Ｍによる造形物の集合体に相当する構造層ＳＬ（つまり、１層目の構造層ＳＬ）が形成される。つまり、基材ＢＭ３と対向基板１５３１との間に、基材ＢＭ３と対向基板１５３１とに面する構造層ＳＬが形成される。

　このように、第３具体例では、基材ＢＭ３を介した光ＥＬによって１層目の構造層ＳＬが形成される。このため、基材ＢＭ３のうち少なくとも１層目の構造層ＳＬを形成するために溶融させるべき造形材料Ｍに対応する部分が、光ＥＬが通過可能な部材から構成される。つまり、基材ＢＭ３は、少なくとも１層目の構造層ＳＬを形成するために溶融させるべき造形材料Ｍに対応する部分に、光ＥＬが通過可能な光通過領域を有している。典型的には、基材ＢＭ３のうち少なくとも造形材料Ｍを収容する空隙１５３３に面する部分が、光ＥＬが通過可能な部材から構成されてもよい。基材ＢＭ３は、少なくとも造形材料Ｍを収容する空隙１５３３に面する部分に、光ＥＬが通過可能な光通過領域を有していてもよい。尚、基材ＢＭ３の全体が、光ＥＬが通過可能な部材であってもよいし、基材ＢＭ３の一部が、光ＥＬが通過可能な部材であってもよい。

　基材ＢＭ３の表面のうち空隙１５３３に面する面１５３４が平面であるため、構造層ＳＬが面１５３４に接触するように形成されると、構造層ＳＬの表面のうち基材ＢＭ３に面する面（図１５（ｃ）に示す例では、＋Ｚ側を向いている面）もまた平面になる。同様に、対向基板１５３１の表面のうち空隙１５３３に面する面１５３５が平面であるため、構造層ＳＬが面１５３５に接触するように形成されると、構造層ＳＬの表面のうち対向基板１５３１に面する面（図１５（ｃ）に示す例では、－Ｚ側を向いている面）もまた平面になる。更に、面１５３４が面１５３５に平行であるため、構造層ＳＬの表面のうち基材ＢＭ３に面する面と、構造層ＳＬの表面のうち対向基板１５３１に面する面とが平行になる。つまり、第３具体例では、複数の構造層ＳＬが積層される方向（つまり、Ｚ軸方向）に沿って対向する２つの面が互いに平行な平面となる１層目の構造層ＳＬが形成される。このような１層目の構造層ＳＬは、当該１層目の構造層ＳＬの上における２層目以降の構造層ＳＬの適切な形成に寄与する。

　上述したように、基材ＢＭ３は、光ＥＬが通過可能であるという特性を有している。ここで、光ＥＬが基材ＢＭ３を通過する場合であっても、光ＥＬに対する基材ＢＭ３の透過率が１００％でない限りは、光ＥＬが基材ＢＭ３によって減衰することになる。ここで、光ＥＬに対する基材ＢＭ３の透過率が相対的に小さいと、基材ＢＭ３を介した光ＥＬの強度が相対的に小さくなる。基材ＢＭ３を介した光ＥＬの強度が相対的に小さくなると、光ＥＬの照射によって造形材料Ｍを溶融させることができなくなる可能性がある。このため、基材ＢＭ３は、基材ＢＭ３を介した光ＥＬによって造形材料Ｍを溶融させることができるほどに相対的に多くの光ＥＬを透過させることができるという特性を有していてもよい。基材ＢＭ３は、基材ＢＭ３を介した光ＥＬによって造形材料Ｍを溶融させることができなくなるほど相対的に大きくは光ＥＬを減衰させないという特性を有していてもよい。具体的には、基材ＢＭ３は、相対的に多くの光ＥＬを透過させることで基材ＢＭ３を介した光ＥＬによって造形材料Ｍを溶融させることができるほどに高い透過率を有していてもよい。但し、基材ＢＭ３による光ＥＬの減衰の程度は、基材ＢＭ３の透過率のみならず、基材ＢＭ３の厚さ（つまり、光ＥＬの光路に沿ったＺ軸方向における基材ＢＭ３のサイズ）にも影響を受ける。このため、基材ＢＭ３は、基材ＢＭ３を介した光ＥＬによって造形材料Ｍを溶融させることができるほどにしか光ＥＬを減衰させないように設定された透過率及び厚みを有していてもよい。

　一方で、造形材料Ｍは、光ＥＬを吸収することができるという特性を有している。ここで、造形材料Ｍが光ＥＬを吸収すればするほど、光ＥＬが造形材料Ｍを通過しにくくなる。このため、造形材料Ｍは、光が相対的に通過しにくいという特性を有しているとも言える。そうすると、上述した基材ＢＭ３は、実質的には、造形材料Ｍ（更には、造形材料Ｍから形成される３次元造形物ＳＴ）よりも光ＥＬが通過しやすいという特性を有していてもよい。つまり、基材ＢＭ３は、光ＥＬが相対的に通過しやすいという特性を有していてもよい。言い換えれば、基材ＢＭ３は、実質的には、造形材料Ｍ（更には、造形材料Ｍから形成される３次元造形物ＳＴ）よりも光ＥＬを吸収しにくいという特性を有していてもよい。つまり、基材ＢＭ３は、光ＥＬを相対的に吸収しにくいという特性を有していてもよい。

　他方で、光ＥＬが基材ＢＭ３を通過する場合であっても、光ＥＬに対する基材ＢＭ３の吸収率が０％でない限りは、光ＥＬが通過した基材ＢＭ３にも、光ＥＬの照射に起因した熱が発生する可能性がある。ここで、基材ＢＭ３に発生した熱が相対的に多いと、基材ＢＭ３が溶融してしまう可能性がある。空隙１５３３に構造層ＳＬが形成される過程で基材ＢＭ３が溶融してしまうと、空隙１５３３に構造層ＳＬ（特に、複数の構造層ＳＬが積層される方向に沿って対向する２つの面が互いに平行な平面となる構造層ＳＬ）を適切に形成することができなくなる可能性がある。更には、空隙１５３３に構造層ＳＬが形成される過程で基材ＢＭ３が溶融してしまうと、基材ＢＭ３と構造層ＳＬ（つまり、３次元造形物ＳＴ）とが一体化してしまう可能性がある。基材ＢＭ３と３次元造形物ＳＴとが一体化してしまうと、３次元構造物から基材ＢＭ３を容易に取り除くことができなくなる可能性がある。このため、基材ＢＭ３は、光ＥＬの照射によって基材ＢＭ３が溶融しない程度に高い融点を有していてもよい。一例として、基材ＢＭ３は、造形材料Ｍよりも高い融点を有していてもよい。或いは、光ＥＬの照射によって溶融しない程度に高い融点を有する基材ＢＭ３を用いることに加えて又は代えて、造形システム１は、光ＥＬの照射によって基材ＢＭ３が溶融しなくなるように光ＥＬの特性が制御してもよい。光ＥＬの特性は、光ＥＬのフォーカス位置を含んでいてもよい。この場合、例えば、造形システム１は、光ＥＬのフォーカス位置（つまり、光ＥＬの強度が最も高くなる位置）を、基材ＢＭ３から離れた位置に設定してもよい。例えば、造形システム１は、光ＥＬのフォーカス位置を、基材ＢＭ３から外れた空隙１５３３に設定してもよい。光ＥＬの特性は、光ＥＬの強度（或いは、強度分布）を含んでいてもよい。この場合、造形システム１は、例えば、基材ＢＭ３が分布する範囲における光ＥＬの強度が、基材ＢＭ３を溶融させない強度となるように、光ＥＬの強度（或いは、強度分布）を制御してもよい。

　以上説明した特性（特に、光ＥＬに対する透過率、光ＥＬに対する吸収率及び融点の少なくとも一つ）を満たす基材ＢＭ３の一例として、サファイアガラス基板があげられる。但し、基材ＢＭ３として、サファイアガラス基板とは異なる任意の構造物（例えば、石英ガラス基板等）が用いられてもよい。

　尚、構造層ＳＬの下面（対向基板１５３１側の面）は対向基板１５３１に接触していなくてもよい。言い換えると、構造層ＳＬと対向基板１５３１との間に溶融されていない造形材料Ｍが介在していてもよい。

　その後、造形システム１は、不図示のロボットアーム等を用いて、基材ＢＭ３の上下を反転させる（図１３のステップＳ３３）。具体的には、図１６（ａ）に示すように、基材ＢＭ３は、空隙１５３３に形成された構造層ＳＬが基材ＢＭ３よりも下方（つまり、ステージ１３側又は－Ｚ側）に位置する状態から、空隙１５３３に形成された構造層ＳＬが基材ＢＭ３よりも情報（つまり、造形ヘッド１１側又は＋Ｚ側）に位置する状態へと遷移するように、基材ＢＭ３の上下が反転させられる。この際、図１６（ｂ）に示すように、合わせて、対向基板１５３１、スペーサ１５３２及び溶融しなかった残りの造形材料Ｍが取り除かれる（図１３のステップＳ３３）。その結果、基材ＢＭ３は、図１６（ｃ）に示すように、ステージ１３上に基材ＢＭ３が配置され且つ基材ＢＭ３上に１層目の構造層ＳＬが配置されている状態で、ステージ１３上に配置される。

　その後、造形システム１は、１層目の構造層ＳＬの表面を造形面ＭＳに設定した上で、１層目の構造層ＳＬ上に２層目の構造層ＳＬを形成する（図１３のステップＳ３４）。更に、造形システム１は、必要に応じて、形成した構造層ＳＬの表面を新たな造形面ＭＳに設定した上で同様の動作を繰り返すことで、３層目以降の構造層ＳＬを形成する。この場合、図１３のステップＳ３３において基材ＢＭ３の上下が反転させられているため、造形システム１は、材料ノズル１１２から造形面ＭＳに対して基材ＢＭ３を介することなく光ＥＬを照射することで、構造層ＳＬを形成する。逆に言えば、図１３のステップＳ３３の処理は、基材ＢＭ３を介さない光ＥＬを用いて２層目以降の構造層ＳＬを形成するために、造形ヘッド１１に対する基材ＢＭ３の相対的な位置（特に、姿勢）を変更する処理であるとも言える。その結果、図１７に示すように、３次元構造物ＳＴが形成される。尚、第３具体例における２層目以降の構造層ＳＬを形成する動作は、第１具体例における２層目以降の構造層ＳＬを形成する動作と同一であるため、その詳細な説明を省略する。

　その後、３次元構造物ＳＴが形成された後には、基材ＢＭ３の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴが分離される（図１３のステップＳ３５）。具体的には、上述したように、光ＥＬの照射によって基材ＢＭ３と対向基板１５３１との間の空隙１５３３に収容された造形材料Ｍが溶融する一方で、基材ＢＭ３自体が溶融することはない。このため、図１７に示すように、溶融した後に再固化した造形材料Ｍが基材ＢＭ３と一体化することはない。つまり、形成された３次元構造物ＳＴと基材ＢＭ３とが一体化することはない。言い換えれば、形成された３次元構造物ＳＴと基材ＢＭ３とが相対的に強固に結合することはない。従って、図１８に示すように、形成された３次元構造物ＳＴと基材ＢＭ３とが一体化している場合と比較して、３次元構造物ＳＴと基材ＢＭ３とを相対的に容易に分離することができる。このため、第３具体例においても、第１具体例と同様に、基材ＢＭ３の少なくとも一部（図１８に示す例では、基材ＢＭ３の大部分又は全体）から３次元造形物ＳＴが分離可能である。つまり、３次元構造物ＳＴから基材ＢＭ３の少なくとも一部（図１８に示す例では、基材ＢＭ３の大部分又は全体）を相対的に容易に取り除くことが可能である。

　尚、上述した説明では、図１３のステップＳ３２において、基材ＢＭ３と対向基板１５３１との間の空隙１５３３に収容された造形材料Ｍから１層目の構造層ＳＬ（つまり、３次元構造物ＳＴの一部）が形成されている。しかしながら、図１３のステップＳ３２において、空隙１５３３に収容された造形材料Ｍから、３次元構造物ＳＴの土台となるベース層が形成されてもよい。この場合、図１３のステップＳ３４において、ベース層上に、３次元構造物ＳＴを構成する複数の構造層ＳＬが順に形成される。

　また、上述した説明では、基材ＢＭ３の上下を反転している。しかしながら、図１３のステップ３２において、１層目の構造層ＳＬが対向基板１５３１に接触している場合には、基材ＢＭ３の上下を反転せずに、基材ＢＭ３を対向基板１５３１から取り外して、ステップＳ３４以降を実施してもよい。この場合、１層目の構造層ＳＬの下面（対向基板１５３１側の面）は平面であってもよい。また、この場合、対向基板１５３１が造形材料Ｍよりも高い融点を有していてもよい。

　また、上述した説明において、３次元造形物ＳＴは、基材ＢＭ３を介してステージ１３によって支持されていると見なしてもよい。また、３次元造形物ＳＴは、ステージ１３と非接触であるとみなしてもよい。尚、３次元造形物ＳＴの全体とステージ１３との間に基材ＢＭ３が位置すると見なしてもよく、３次元造形物ＳＴの全体がステージ１３から離れていると見なしてもよい。

　また、上述した説明では、空隙１５３３には、材料ノズル１１２が供給する造形材料Ｍと同じ造形材料Ｍが収容されている。しかしながら、空隙１５３３には、材料ノズル１１２が供給する造形材料Ｍとは異なる造形材料Ｍ３が収容されていてもよい。例えば、空隙１５３３には、材料ノズル１１２が供給する造形材料Ｍとは特性（例えば、種類、材質、融点、粒径及び光ＥＬの吸収特性等の少なくとも一つ）が異なる造形材料Ｍ３が収容されていてもよい。この場合であっても、造形材料Ｍ３に光ＥＬを照射して造形物（例えば、１層目の構造層ＳＬ）を形成可能である限りは、上述した効果と同様の効果が享受可能である。

　（２－４）造形動作の第４具体例
　造形動作の第４具体例は、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成するために、上述した第３具体例と同様に、基材ＢＭ及び３次元構造物ＳＴの光ＥＬに対する吸収特性及び透過特性の少なくとも一方の違いを利用する。但し、第４具体例では、基材ＢＭに１層目の構造層ＳＬを形成した後に基材ＢＭの上下を反転させることなく２層目以降の構造層ＳＬを形成するという点で、１層目の構造層ＳＬを形成した後に基材ＢＭの上下を反転させた上で２層目以降の構造層ＳＬを形成する第３具体例とは異なる。第４具体例のその他の処理については、第３具体例のその他の処理と同一であってもよい。更に、基材ＢＭの上下を反転させることなく２層目以降の構造層ＳＬを形成するために、造形システム１に対して造形ヘッド１１ａ及びステージ１３ａが追加された造形システム１ａが用いられる。以下、図１９を参照して造形動作の第４具体例を行う造形システム１ａの構成について説明した後に、図２０のフローチャートを参照しながら、造形動作の第４具体例の流れについて説明する。

　図１９に示すように、造形システム１ａは、造形システム１と比較して、造形ヘッド１１ａ、ヘッド駆動系１２ａ及びステージ１３ａを更に備える。造形ヘッド１１ａは、照射系１１１ａを備える。

　照射系１１１ａは、射出部１１３ａから光ＥＬａを射出するための光学系（例えば、集光光学系）である。具体的には、照射系１１１ａは、光ＥＬａを発する不図示の光源と、光ファイバ等の不図示の光伝送部材を介して光学的に接続されている。照射系１１１ａは、光伝送部材を介して光源から伝搬してくる光ＥＬａを射出する。照射系１１１ａは、照射系１１１ａから上方（つまり、＋Ｚ側）に向けて光ＥＬａを照射する。照射系１１１ａの上方には、ステージ１３ａが配置されている。ここで、照射系１１１ａは、ステージ１３ａに対して重力方向側（つまり、－Ｚ側であり、下方）に位置するといってもよい。尚、光ＥＬａは、光ＥＬと同じ特性を有する光であるが、光ＥＬと異なる特性を有する光であってもよい。

　ヘッド駆動系１２ａは、造形ヘッド１１ａを移動させる。ヘッド駆動系１２ａは、造形ヘッド１１ａを、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の夫々に沿って移動させる。ヘッド駆動系１２ａは、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の夫々に加えて、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って造形ヘッド１１ａを移動させてもよい。ヘッド駆動系１２ａは、例えば、モータ等を含む。

　ステージ１３ａは、その上面で基材ＢＭを保持可能である。ステージ１３ａは、更に、保持した基材ＢＭをリリース可能である。上述した照射系１１１ａは、ステージ１３ａが基材ＢＭを保持している期間の少なくとも一部において光ＥＬａを照射する。但し、ステージ１３ａの上面に基材ＢＭが配置される一方で、ステージ１３ａの下方に照射系１１１ａが位置しているため、照射系１１１ａは、ステージ１３ａを介して基材ＢＭに向けて光ＥＬを照射する。このため、ステージ１３ａは、光ＥＬａが通過可能な光通過領域１３１ａを含む。例えば、ステージ１３ａのうち基材ＢＭを保持する部分が、光ＥＬａが通過可能な光通過領域１３１ａとなっていてもよい。尚、ステージ１３ａは、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の夫々に沿って移動可能であってもよく、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向に回転可能であってもよい。

　このような造形システム１ａは、図２０に示す造形動作の第４具体例を行う。具体的には、まずは、基材ＢＭ３がステージ１３ａに配置される（図２０のステップＳ４１）。但し、図２１に示すように、第４具体例では、対向基板１５３１及びスペーサ１５３２は、基材ＢＭ３と共に共にステージ１３に配置されなくてもよい。この場合、上述した面１５３４（つまり、空隙１５３３に面していた面であって、平面である面）が上方を向くように、基材ＢＭ３がステージ１３ａに配置される。

　その後、基材ＢＭ３に造形材料Ｍが供給される（図２０のステップＳ４２）。具体的には、図２２に示すように、基材ＢＭ３の面１５３４に造形材料Ｍが供給される。造形材料Ｍは、造形ヘッド１１の材料ノズル１１２から供給されてもよいし、その他の供給装置から供給されてもよい。或いは、面１５３４に予め造形材料Ｍが供給された基材ＢＭ３が、ステージ１３ａに配置されてもよい。尚、必要に応じて、造形システム１（或いは、造形システム１の外部の装置又は造形システム１のユーザ）は、スキージングブレード等を用いて、供給された造形材料Ｍを平らにならしてもよい。

　その後、造形システム１は、基材ＢＭ３を介して面１５３４に供給された造形材料Ｍに光ＥＬを照射することで、３次元構造物ＳＴを構成する複数の構造層ＳＬのうちの１層目の構造層ＳＬを形成する（図２０のステップＳ４３）。尚、第４具体例において１層目の構造層ＳＬを形成する処理は、第３具体例において１層目の構造層ＳＬを形成する処理と同一であってもよい。但し、第４具体例では、ステージ１３ａの上面に基材ＢＭが配置される一方で、ステージ１３ａの下方に照射系１１１ａが位置しているため、図２３に示すように、造形システム１ａは、基材ＢＭ３に加えてステージ１３ａを介して、面１５３４に供給された造形材料Ｍに光ＥＬを照射することで、１層目の構造層ＳＬを形成する。造形システム１ａは、基材ＢＭ３の光通過領域に加えてステージ１３ａの光通過領域１３１ａを介して、面１５３４に供給された造形材料Ｍに光ＥＬを照射することで、１層目の構造層ＳＬを形成する。

　その後、２層目以降の構造層ＳＬを形成するために、造形システム１は、１層目の構造層ＳＬが形成された基材ＢＭ３を搬送する（図２０のステップＳ４４）。具体的には、造形システム１は、不図示の搬送装置を用いて、１層目の構造層ＳＬが形成された基材ＢＭ３を、ステージ１３ａからステージ１３に搬送する。つまり、造形システム１は、１層目の構造層ＳＬが形成された基材ＢＭ３を、照射系１１１からの光ＥＬを照射可能な位置に搬送する。このとき、基材ＢＭ３の上下が反転されなくてもよい。なぜならば、照射系１１１がステージ１３の上方に位置しているがゆえに、基材ＢＭ３の上下が反転されなくても、照射系１１１は、基材ＢＭ３を介することなく１層目の構造層ＳＬに光ＥＬを照射可能だからである。

　その後、造形システム１は、１層目の構造層ＳＬの表面を造形面ＭＳに設定した上で、１層目の構造層ＳＬ上に２層目の構造層ＳＬを形成する（図２０のステップＳ４５）。更に、造形システム１は、必要に応じて、形成した構造層ＳＬの表面を新たな造形面ＭＳに設定した上で同様の動作を繰り返すことで、３層目以降の構造層ＳＬを形成する。尚、第４具体例における２層目以降の構造層ＳＬを形成する動作は、第３具体例における２層目以降の構造層ＳＬを形成する動作と同一であるため、その詳細な説明を省略する。その結果、３次元構造物ＳＴが形成される。

　その後、３次元構造物ＳＴが形成された後には、基材ＢＭ３の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴが分離される（図２０のステップＳ４６）。尚、第４具体例における基材ＢＭ３の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴを分離する動作は、第３具体例における基材ＢＭ３の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴを分離する動作と同一であるため、その詳細な説明を省略する。このように、第４具体例においても、第３具体例と同様に、基材ＢＭ４の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴが分離可能である。

　尚、上述した説明では、図２０のステップＳ４３において、基材ＢＭ３に供給された造形材料Ｍから１層目の構造層ＳＬ（つまり、３次元構造物ＳＴの一部）が形成されている。しかしながら、第４具体例においても、第３具体例と同様に、図２０のステップＳ４３において、基材ＢＭ３に供給された造形材料Ｍから、３次元構造物ＳＴの土台となるベース層が形成されてもよい。

　また、上述した説明では、基材ＢＭ３の面１５３４には、材料ノズル１１２が供給する造形材料Ｍと同じ造形材料Ｍが収容されている。しかしながら、面１５３４には、材料ノズル１１２が供給する造形材料Ｍとは異なる造形材料Ｍ４が供給されていてもよい。例えば、面１５３４には、材料ノズル１１２が供給する造形材料Ｍとは特性（例えば、種類、材質、融点、粒径及び光ＥＬの吸収特性等の少なくとも一つ）が異なる造形材料Ｍ４が収容されていてもよい。この場合であっても、造形材料Ｍ４に光ＥＬを照射して造形物（例えば、１層目の構造層ＳＬ）を形成可能である限りは、上述した効果と同様の効果が享受可能である。

　また、上述した説明では、１層目の構造層ＳＬを形成する際に基材ＢＭ３を保持するステージ１３ａと、２層目以降の構造層ＳＬを形成する際に基材ＢＭ３を保持するステージ１３とが別々に用意されている。しかしながら、単一のステージ１３ｂが１層目の構造層ＳＬ及び２層目以降の構造層ＳＬを形成する際に基材ＢＭ３を保持していてもよい。例えば、図２５に示すように、ステージ１３及びステージ１３ａに代えてステージ１３ｂを備える造形システム１ｂが、造形動作の第４具体例を行ってもよい。この場合、造形システム１ｂは、照射系１１１ａから基材ＢＭ３及びステージ１３ｂを介して光ＥＬを基材ＢＭ３に照射することで１層目の構造層ＳＬを形成し、その後基材ＢＭ３を搬送することなく、照射系１１１から基材ＢＭ３及びステージ１３ｂを介することなく光ＥＬを基材ＢＭ３に照射することで２層目の構造層ＳＬを形成してもよい。このため、ステージ１３ｂは、ステージ１３ａと同様に、光ＥＬａが通過可能な光通過領域１３１ｂを有する。

　尚、３次元造形物ＳＴは、基材ＢＭ３を介してステージ１３（１３ｂ）によって支持されていると見なしてもよい。また、３次元造形物ＳＴは、ステージ１３（１３ｂ）と非接触であるとみなしてもよい。尚、３次元造形物ＳＴの全体とステージ１３（１３ｂ）との間に基材ＢＭ３が位置すると見なしてもよく、３次元造形物ＳＴの全体がステージ１３（１３ｂ）から離れていると見なしてもよい。

　（２－５）造形動作の第５具体例
　造形動作の第５具体例は、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成するために、基材ＢＭ及び３次元構造物ＳＴの熱的特性の違いを利用する。以下、図２６のフローチャートを参照しながら、造形動作の第５具体例の流れについて説明する。

　図２６に示すように、まずは、造形材料Ｍ（更には、造形材料Ｍから形成される３次元構造物ＳＴ）とは熱的特性が異なる基材ＢＭ（以下、第５具体例で用いられる基材ＢＭを、適宜“基材ＢＭ５”と称する）をステージ１３に配置する（図２６のステップＳ５１）。第５具体例では、熱的特性は、融点に関する特性を含む。具体的には、基材ＢＭ５の融点は、造形材料Ｍの融点（つまり、３次元構造物ＳＴの融点）よりも低い。例えば、造形材料ＭとしてＳＵＳ３１６という種類のステンレス材料が用いられる場合には、造形材料Ｍの融点は概ね１４００度になる。この場合、基材ＢＭ４を構成する材料として、融点が概ね１８３度になる共晶はんだ、融点が概ね２２０度になる鉛フリーはんだ、融点が概ね２３２度になるスズ、融点が概ね３２７度になる鉛、及び、融点が概ね６６０度になるアルミニウムの少なくとも一つが用いられてもよい。尚、基材ＢＭ５は、ここに例示した金属に加えて又は代えて、その他の種類の金属、任意の樹脂及び任意の材料の少なくとも一つから構成されていてもよい。

　その後、造形システム１は、制御装置１４の制御下で、積層造形技術を用いて、基材ＢＭ５に３次元構造物ＳＴを形成する（図２６のステップＳ５２）。第５具体例では、造形システム１は、材料ノズル１１２から供給される造形材料Ｍに光ＥＬを照射して造形物（更には、構造層ＳＬ）を形成することが可能な上述した第２の積層造形法（例えば、上述したレーザ肉盛溶接法）を用いて、３次元構造物ＳＴを構成する複数の構造層ＳＬを、基材ＢＭ５に順に形成する。

　具体的には、１層目の構造層ＳＬを形成する場合には、図２７（ａ）に示すように、造形システム１は、制御装置１４の制御下で、基材ＢＭ５の表面（具体的には、光ＥＬが照射される表面であって、＋Ｚ側の表面）に相当する造形面ＭＳ上の所望領域に照射領域ＥＡを設定し、当該照射領域ＥＡに対して照射系１１１から光ＥＬを照射する。更に、図２７（ａ）に示すように、造形システム１は、制御装置１４の制御下で、造形面ＭＳ上の所望領域に供給領域ＭＡを設定し、当該供給領域ＭＡに対して材料ノズル１１２から造形材料Ｍを供給する。その結果、図２７（ａ）に示すように、造形面ＭＳ上の所望領域に溶融池ＭＰが形成され、且つ、当該溶融池ＭＰに造形材料Ｍが供給される。この際、溶融池ＭＰは、材料ノズル１１２から供給された造形材料Ｍに加えて、基材ＢＭ５の一部を構成する造形材料Ｍが溶融することで形成されてもよい。

　但し、基材ＢＭ５の融点が造形材料Ｍの融点よりも低いがゆえに、造形材料Ｍよりも基材ＢＭ５の方が溶融しやすい。仮に基材ＢＭ５が溶融しすぎて基材ＢＭ５の上面から下面に至る貫通孔が形成されてしまうと、当該貫通孔を介して溶融池ＭＰを構成する液状の材料が流出してしまう。つまり、基材ＢＭ５に溶融池ＭＰを適切に形成することができない可能性がある。このため、基材ＢＭ５は、基材ＢＭ５の上面から下面に至る貫通孔が形成されない程度の厚みを有していてもよい。或いは、基材ＢＭ５の上面から下面に至る貫通孔が形成されない程度の厚みを有する基材ＢＭ５を用いることに加えて又は代えて、造形システム１は、基材ＢＭ５の上面から下面に至る貫通孔が形成されないように光ＥＬの特性を制御してもよい。光ＥＬの特性は、光ＥＬのフォーカス位置を含んでいてもよい。この場合、例えば、造形システム１は、光ＥＬのフォーカス位置（つまり、光ＥＬの強度が最も高くなる位置）を、基材ＢＭ５から離れた位置に設定してもよい。例えば、造形システム１は、光ＥＬのフォーカス位置を、基材ＢＭ５の上方の空間に設定してもよい。光ＥＬの特性は、光ＥＬの強度（或いは、強度分布）を含んでいてもよい。この場合、例えば、造形システム１は、基材ＢＭ５が分布する範囲における光ＥＬの強度が、基材ＢＭ５を溶融させない強度となるように、光ＥＬの強度（或いは、強度分布）を制御してもよい。また、造形システム１は、基材ＢＭ５の下面を冷却して、基材ＢＭ５の上面から下面に至る貫通孔の形成を防ぐようにしてもよい。

　更に、基材ＢＭ５の上面から下面に至る貫通孔が形成されるほどには基材ＢＭ５が溶融しない場合であっても、基材ＢＭ５の融点が造形材料Ｍの融点よりも低い以上、光ＥＬの照射によって造形材料Ｍが溶融する場合には、基材ＢＭ５の一部もまた光ＥＬの照射によって多少なりとも溶融するはずである。ここで仮に基材ＢＭ５の融点のみならず基材ＢＭ５の沸点が造形材料Ｍの融点よりも低い場合には、溶融した基材ＢＭ５の一部は、溶融池ＭＰを形成することなくそのまま蒸発してしまう可能性がある。その結果、基材ＢＭ５に溶融池ＭＰを適切に形成することができない可能性がある。このため、基材ＢＭ５の沸点は、造形材料Ｍの融点よりも高くてもよい。

　その後、造形ヘッド１１の移動に伴って溶融池ＭＰに光ＥＬが照射されなくなると、溶融池ＭＰにおいて溶融した造形材料Ｍは、冷却されて再度固化（つまり、凝固）する。その結果、図２７（ｂ）に示すように、再固化した造形材料Ｍの堆積物による造形物が造形面ＭＳに形成される。このような光の照射ＥＬによる溶融池ＭＰの形成、溶融池ＭＰへの造形材料Ｍの供給、供給された造形材料Ｍの溶融及び溶融した造形材料Ｍの再固化を含む一連の造形処理が、造形物を形成したい領域の分布パターン（つまり、構造層ＳＬのパターン）に応じたタイミングで光ＥＬを照射しながら且つ造形面ＭＳに対して造形ヘッド１１をＸＹ平面に沿って相対的に移動させながら繰り返される。その結果、図２７（ｃ）に示すように、造形面ＭＳ上に、再固化した造形材料Ｍによる造形物の集合体に相当する構造層ＳＬが形成される。つまり、基材ＢＭ５に、１層目の構造層ＳＬが形成される。

　以降、形成した構造層ＳＬの表面を新たな造形面ＭＳに設定した上で同様の動作が繰り返されることで、２層目以降の構造層ＳＬが形成される。その結果、３次元構造物ＳＴが形成される。尚、第５具体例における２層目以降の構造層ＳＬを形成する動作は、第１具体例における２層目以降の構造層ＳＬを形成する動作と同一であるため、その詳細な説明を省略する。

　３次元構造物ＳＴが形成された後には、基材ＢＭ５の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴが分離される（図２６のステップＳ５３）。具体的には、上述したように、基材ＢＭ５の融点は、３次元構造物ＳＴの融点よりも低い。つまり、基材ＢＭ５は、３次元構造物ＳＴよりも熱によって溶融しやすい。このため、基材ＢＭ５を溶融させることができる一方で３次元構造物ＳＴを溶融させない程度の適切な熱が基材ＢＭ５に加えられれば、基材ＢＭ５を溶融して基材ＢＭ５の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴを分離することができるはずである。このため、第５具体例では、基材ＢＭ５の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴを分離するために、造形システム１（或いは、造形システム１の外部の装置又は造形システム１のユーザ）は、適切な熱量の熱を基材ＢＭ５に加える。例えば、造形システム１等は、ヒータ等の熱源を用いて、適切な熱量の熱（つまり、熱源が発する熱に起因した熱的作用）を基材ＢＭ５に加えてもよい。例えば、造形システム１等は、光及び電磁波等を基材ＢＭ５に照射することで、適切な熱量の熱（つまり、光及び電磁波の照射によって基材ＢＭ５に発生する熱に起因した熱的作用）を基材ＢＭ５に加えてもよい。その結果、図２８（ａ）に示すように、基材ＢＭ５が溶融していく。基材ＢＭ５の溶融に伴って基材ＢＭ５と３次元構造物ＳＴとの結合力も弱まる。このため、図２８（ｂ）に示すように、基材ＢＭ５の少なくとも一部（図２８（ｂ）に示す例では、基材ＢＭ５の大部分又は全体）から３次元構造物ＳＴが相対的に容易に分離可能となる。つまり、３次元構造物ＳＴから基材ＢＭ５の少なくとも一部（図２８（ｂ）に示す例では、基材ＢＭ５の大部分又は全体）を相対的に容易に取り除くことが可能である。

　尚、３次元造形物ＳＴは、基材ＢＭ５を介してステージ１３によって支持されていると見なしてもよい。また、３次元造形物ＳＴは、ステージ１３と非接触であるとみなしてもよい。尚、３次元造形物ＳＴの全体とステージ１３との間に基材ＢＭ５が位置すると見なしてもよく、３次元造形物ＳＴの全体がステージ１３から離れていると見なしてもよい。

　（２－６）造形動作の第６具体例
　造形動作の第６具体例は、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成するために、基材ＢＭ及び３次元構造物ＳＴの化学的特性の違いを利用する。以下、図２９のフローチャートを参照しながら、造形動作の第６具体例の流れについて説明する。

　図２９に示すように、まずは、造形材料Ｍ（更には、造形材料Ｍから形成される３次元構造物ＳＴ）とは化学的特性が異なる基材ＢＭ（以下、第６具体例で用いられる基材ＢＭを、適宜“基材ＢＭ６”と称する）をステージ１３に配置する（図２９のステップＳ６１）。第６具体例では、化学的特性は、所定の溶媒に対する反応度（特に、溶解度）に関する特性を含む。具体的には、基材ＢＭ６は、造形材料Ｍ及び３次元構造物ＳＴよりも所定の溶媒に対して反応しやすい（特に、反応して溶解しやすい）という特性を有している。基材ＢＭ６は、造形材料Ｍ及び３次元構造物ＳＴよりも所定の溶媒に対して高い反応度（高い溶解度）を有している。逆に言えば、造形材料Ｍ及び３次元構造物ＳＴは、基材ＢＭ６よりも所定の溶媒に対して反応しにくい（特に、反応して溶解しにくい）という特性を有している。特に、造形材料Ｍ及び３次元構造物ＳＴは、所定の溶媒に対して反応しない（特に、反応することなく溶解しない）という特性を有していてもよい。この場合、基材ＢＭ６は、所定の溶媒に対して反応する（特に、反応して溶解する）という特性を有している。

　このような特性を有する基材ＢＭ６を構成する材料の一例として、樹脂があげられる。例えば、基材ＢＭ６を構成する材料は、アクリル樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ：ＰｏｌｙＰｈｅｎｙｌｅｎｅ　Ｓｕｌｆｉｄｅ）樹脂、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ：ＰｏｌｙＢｕｔｙｌｅｎｅ　Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、ポリアミド（ＰＡ：ＰｏｌｙＡｍｉｄｅ）樹脂、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ：ＰｏｌｙＭｅｔｈｙｌ　Ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）樹脂、ポリスチレン（ＰＳ：ＰｏｌｙＳｔｙｒｅｎｅ）樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ：ＰｏｌｙＰｒｏｔｙｌｅｎｅ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ：ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ）樹脂及びＡＢＳ（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ　Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ　Ｓｔｙｒｅｎｅ共重合合成）樹脂の少なくとも一つを含んでいてもよい。この場合、所定の溶媒の一例として、これらの樹脂を溶解させることが可能である一方で造形材料Ｍを溶解させない（或いは、相対的に溶解させにくい）有機溶媒があげられる。有機溶媒の一例として、例えば、トルエン、クロロホルム、アセトン、メタノール及びテトラヒドロフランの少なくとも一つがあげられる。また、所定の溶媒は、例えば水溶性の無機酸であってもよい。水溶性の無機酸の一例として、硝酸があげられる。或いは、基材ＢＭ６を構成する材料は、樹脂に加えて又は代えて、金属等のその他の種類の材料を含んでいてもよい。

　その後、基材ＢＭ６に造形材料Ｍが供給される（図２９のステップＳ６２）。具体的には、図３０に示すように、基材ＢＭ６の表面（具体的には、光ＥＬが照射される表面であって、＋Ｚ側の表面）に造形材料Ｍが供給される。このとき、必要に応じて、造形システム１（或いは、造形システム１の外部の装置又は造形システム１のユーザ）は、スキージングブレード等を用いて、供給された造形材料Ｍを平らにならしてもよい。

　但し、第１具体例において説明したように、造形材料Ｍがそのまま単に基材ＢＭ６に供給されると、造形材料Ｍの自重等に起因して、造形材料Ｍの集積物が崩れ落ちていく可能性がある。このため、第６具体例においても、図３１に示すように、第１具体例のケース１５１１と同様に、造形材料Ｍの崩れ落ちを防止可能な側壁部材１５６１を備える基材ＢＭ６ａが用いられてもよい。言い換えれば、側壁部材１５６１によって囲まれた凹部１５６２が形成された基材ＢＭ６ａが用いられてもよい。尚、側壁部材１５６１及び凹部１５６２は、スキージングブレード等を用いて造形材料Ｍを平らにする際に、基材ＢＭ６ａ上に一定の厚みの造形材料Ｍの層を形成することにも寄与する。

　その後、造形システム１は、制御装置１４の制御下で、積層造形技術を用いて、基材ＢＭ６に３次元構造物ＳＴを形成する（図２９のステップＳ６３からステップＳ６４）。尚、第６具体例における３次元構造物ＳＴを形成する動作は、第１具体例における３次元構造物ＳＴを形成する動作と同一であるため、その詳細な説明を省略する。但し、第６具体例では、１層目の構造層ＳＬを形成する過程で、基材ＢＭ６上で溶融した造形材料Ｍが、基材ＢＭ６と相対的に強固に結合した状態で再固化してもよい。つまり、基材ＢＭ６と１層目の構造層ＳＬ（更には、３次元構造物ＳＴ）とが一体化されていてもよい。

　３次元構造物ＳＴが形成された後には、基材ＢＭ６の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴが分離される（図２９のステップＳ６５）。具体的には、上述したように、基材ＢＭ６は、造形材料Ｍ及び３次元構造物ＳＴよりも所定の溶媒に対して反応しやすいという特性を有している。つまり、基材ＢＭ６は、３次元構造物ＳＴよりも所定の溶媒に溶解しやすい。このため、３次元構造物ＳＴが形成されている基材ＢＭ６を所定の溶媒に浸すことで、基材ＢＭ６を溶解させて基材ＢＭ６の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴを分離することができるはずである。このため、第６具体例では、基材ＢＭ６の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴを分離するために、造形システム１（或いは、造形システム１の外部の装置又は造形システム１のユーザ）は、図３２（ａ）に示すように、３次元構造物ＳＴが形成されている基材ＢＭ６を所定の溶媒に浸す。その結果、図３２（ｂ）に示すように、基材ＢＭ６が溶媒に反応して溶解する。つまり、基材ＢＭ６に溶媒を介した化学的作用が加えられて基材ＢＭ６が溶解する。基材ＢＭ６の溶解に伴って基材ＢＭ６と３次元構造物ＳＴとの結合力も弱まる。このため、図３２（ｃ）に示すように、基材ＢＭ６の少なくとも一部（図３２（ｃ）に示す例では、基材ＢＭ６の大部分又は全体）から３次元構造物ＳＴが相対的に容易に分離可能となる。つまり、３次元構造物ＳＴから基材ＢＭ６の少なくとも一部（図３２（ｃ）に示す例では、基材ＢＭ６の大部分又は全体）を相対的に容易に取り除くことが可能である。

　このとき、溶媒に対する基材ＢＭ６の反応を促進するために、図３３に示すように、基材ＢＭ６の少なくとも一部にクラックが形成された後に、基材ＢＭ６が溶媒に浸されてもよい。その結果、クラックを介して溶媒が基材ＢＭ６の内部に浸透しやすくなるため、溶媒に対する基材ＢＭ６の反応が促進される。このため、基材ＢＭ６の少なくとも一部から３次元構造物ＳＴを分離しやすくなる。

　ここで、３次元造形物ＳＴは、基材ＢＭ６を介してステージ１３によって支持されていると見なしてもよい。また、３次元造形物ＳＴは、ステージ１３と非接触であるとみなしてもよい。尚、３次元造形物ＳＴの全体とステージ１３との間に基材ＢＭ６が位置すると見なしてもよく、３次元造形物ＳＴの全体がステージ１３から離れていると見なしてもよい。

　尚、上述の説明では、造形システム１は、第１具体例における３次元構造物ＳＴを形成する動作と同様の動作を行うことで、３次元構造物ＳＴを形成している。つまり、造形システム１は、第１の積層造形法（例えば、粉末床溶融結合法）を用いて１層目の構造層ＳＬを形成し、その後、第２の積層造形法（例えば、レーザ肉盛溶接法）を用いて２層目以降の構造層ＳＬを形成している。このように３次元構造物ＳＴを形成する理由の一つは、１層目の構造層ＳＬを形成している過程で光ＥＬの照射によって基材ＢＭ６が溶融してしまうのを防止するためである。しかしながら、基材ＢＭ６が金属から構成されている（或いは、相対的に融点が高い材料から構成されている）場合には、造形システム１は、第２の積層造形法（例えば、レーザ肉盛溶接法）を用いて１層目の構造層ＳＬ及び２層目以降の構造層ＳＬを形成してもよい。なぜならば、基材ＢＭ６の融点が相対的に高い場合には、光ＥＬが基材ＢＭ６に直接照射されたとしても、それほど多くの基材ＢＭ６が溶融することはないからである。更に、基材ＢＭ６の融点が相対的に高い場合には、基材ＢＭ６に溶融池ＭＰが形成されたとしても、基材ＢＭ６が溶融しすぎて基材ＢＭ６の上面から下面に至る貫通孔が形成を形成される可能性が相対的に低いからである。

　尚、造形システム１は、第１の積層造形法（例えば、粉末床溶融結合法）を用いて１層目の構造層ＳＬを形成し、その後、その第１の積層造型法を用いて２層目以降の構造層ＳＬを形成してもよい。

　（２－７）造形動作の第７具体例
　造形動作の第７具体例は、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成するために、基材ＢＭの厚みが３次元構造物ＳＴの厚みと異なるという特性の違いを利用する。以下、図３４のフローチャートを参照しながら、造形動作の第７具体例の流れについて説明する。

　図３４に示すように、まずは、基板１５７１をステージ１３に配置する（図３４のステップＳ７１）。基板１５７１は、熱の影響を相対的に受けにくい（言い換えれば、熱耐性が相対的に高い）という特性を有している。例えば、基板１５７１は、熱の影響を相対的に受けにくい材料（例えば、銅及びアルミの少なくとも一方又はその他の任意の金属）から構成されていてもよい。例えば、基板１５７１は、熱の影響を相対的に受けにくい構造（或いは、形状）を有していてもよい。このような構造の一例として、ハニカム構造があげられる。尚、ここで言う「熱の影響を相対的に受けにくい特性」は、基板１５７１上に配置される後述の基材ＢＭと比較して熱の影響を受けにくいという特性を意味していてもおい。特に、「熱の影響を相対的に受けにくい特性」は、後述の基材ＢＭに照射される光ＥＬによって基板１５７１に熱が伝達されたとしても当該熱によって溶融しにくい（或いは、溶融しない）という特性を意味していてもよい。

　その後、基材ＢＭ（以下、第７具体例で用いられる基材ＢＭを、適宜“基材ＢＭ７”と称する）をステージ１３に配置する（図３４のステップＳ７２）。このため、第７具体例では、図３５に示すように、基材ＢＭ７は、ステージ１３との間に基板１５７１を挟みこんだ状態でステージ１３に配置される。

　基材ＢＭ７の厚み（つまり、基材ＢＭ７の上面又下面に交差する方向であるＺ軸方向におけるサイズ）は、造形動作によって形成される３次元構造物ＳＴの厚みと異なる。具体的には、基材ＢＭ７の厚みは、３次元構造物ＳＴの厚みよりも薄い。例えば、基材ＢＭ７の厚みは、３次元構造物ＳＴを構成する各構造層ＳＬの厚みよりも薄くてもよい。基材ＢＭ７は、いわゆる薄膜状の部材であってもよい。

　その後、造形システム１は、制御装置１４の制御下で、積層造形技術を用いて、基材ＢＭ７に３次元構造物ＳＴを形成する（図３４のステップＳ７３）。第７具体例では、造形システム１は、材料ノズル１１２から供給される造形材料Ｍに光ＥＬを照射して造形物（更には、構造層ＳＬ）を形成することが可能な上述した第２の積層造形法（例えば、上述したレーザ肉盛溶接法）を用いて、３次元構造物ＳＴを形成する。つまり、第７具体例における３次元構造物ＳＴを形成する動作は、第２具体例における３次元構造物ＳＴを形成する動作と同一である。このため、その詳細な説明を省略する。但し、第７具体例において、造形システム１は、その他の積層造形法を用いて、３次元構造物ＳＴを形成してもよい。例えば、造形システム１は、基材ＢＭ７（或いは、造形面ＭＳ）に予め供給されている造形材料Ｍに光ＥＬを照射して造形物（更には、構造層ＳＬ）を形成することが可能な上述した第１の積層造形法（例えば、上述した粉末床溶融結合法）を用いて、３次元構造物ＳＴを構成する複数の構造層ＳＬを、基材ＢＭ７に順に形成してもよい。

　第７具体例では、基材ＢＭ７が相対的に薄いため、光ＥＬの照射によって基材ＢＭ７に局所的に熱が加わりやすい。このため、１層目の構造層ＳＬを形成する際に、光ＥＬの照射によって基材ＢＭ７の上面から下面に至る貫通孔が形成されてしまう可能性がある。このため、造形システム１は、基材ＢＭ７の上面から下面に至る貫通孔が形成されないように、光ＥＬの特性を制御してもよい。尚、基材ＢＭ７の上面から下面に至る貫通孔が形成されないように光ＥＬの特性を制御する動作は、第５具体例において説明した、基材ＢＭ５の上面から下面に至る貫通孔が形成されないように光ＥＬの特性を制御する動作と同一であってもよい。このため、その詳細な説明を省略する。また、造形システム１は、基材ＢＭ７の下面を冷却して基材ＢＭ７の上面から下面に至る貫通孔の形成を防いでもよい。

　３次元構造物ＳＴが形成された後には、基材ＢＭ７の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴが分離される（図３４のステップＳ５３）。具体的には、上述した３次元構造物ＳＴを形成する過程で、基材ＢＭ７の一部は、３次元構造物ＳＴの一部を構成するように３次元構造物ＳＴに取り込まれている。一方で、図３６（ａ）に示すように、基材ＢＭ７の他の一部は、３次元構造物ＳＴに取り込まれることなく、３次元構造物ＳＴに付随している。つまり、図３６（ａ）に示すように、３次元構造物ＳＴに取り込まれていない基材ＢＭ７の他の一部は、３次元構造物ＳＴからはみ出るように、３次元構造物ＳＴに付随している。ここで、基材ＢＭ７が相対的に薄いため、基材ＢＭ７の切断性（例えば、切断のしやすさを示す指標）は、３次元構造物ＳＴの切断性よりも高い。つまり、基材ＢＭ７は、３次元構造物ＳＴよりも切断しやすい。このため、３次元構造物ＳＴに取り込まれていない基材ＢＭ７は、カッター等の切断工具を用いて相対的に容易に切断（つまり、切除）可能である。このため、第７具体例では、基材ＢＭ７の少なくとも一部から３次元造形物ＳＴを分離するために、造形システム１（或いは、造形システム１の外部の装置又は造形システム１のユーザ）は、３次元構造物ＳＴに取り込まれていない基材ＢＭ７を切断する。例えば、造形システム１等は、カッターやニッパー、切断砥石等の切断工具を用いて、３次元構造物ＳＴに取り込まれていない基材ＢＭ７を切断してもよい。例えば、造形システム１等は、エネルギビーム（例えば、光及び電磁波等の少なくとも一方）を３次元構造物ＳＴに取り込まれていない基材ＢＭ７（特に、基材ＢＭ７と３次元構造物ＳＴとの境界）に照射することで、３次元構造物ＳＴに取り込まれていない基材ＢＭ７を切断してもよい。その結果、図３６（ｂ）に示すように、基材ＢＭ７の少なくとも一部（図３６（ｂ）に示す例では、基材ＢＭ７の大部分又は全体）から３次元構造物ＳＴが相対的に容易に分離可能となる。つまり、３次元構造物ＳＴから基材ＢＭ７の少なくとも一部（図３６（ｂ）に示す例では、基材ＢＭ７の大部分又は全体）を相対的に容易に取り除くことが可能である。

　尚、上述した説明では、ステージ１３に基板１５７１を配置した後に、基板１５７１に基材ＢＭ７が配置されている。しかしながら、ステージ１３に基板１５７１が配置されていなくてもよい。つまり、ステージ１３に基材ＢＭ７が配置されてもよい。

　また、３次元構造物ＳＴの下面（つまり、３次元構造物ＳＴを構成する最下層の構造層ＳＬの下面）は、基材ＢＭ７の一部を取り込んだ及び／又はハニカム構造を有する基板１５７１に接していたことに起因して、相対的に粗い面（言い換えれば、平坦でない面）となっている可能性がある。このため、造形システム１（或いは、造形システム１の外部の装置又は造形システム１のユーザ）は、３次元構造物ＳＴの下面を研磨して、３次元構造物ＳＴの下面を平坦な面にしてもよい。この場合、造形システム１等は、研磨部材で３次元構造物ＳＴの下面を研磨してもよいし、レーザ光等を３次元構造物ＳＴの下面に照射して３次元構造物ＳＴの下面を研磨してもよい。

　ここで、３次元造形物ＳＴは、基材ＢＭ７を介してステージ１３によって支持されていると見なしてもよい。また、３次元造形物ＳＴは、ステージ１３と非接触であるとみなしてもよい。尚、３次元造形物ＳＴの全体とステージ１３との間に基材ＢＭ７が位置すると見なしてもよく、３次元造形物ＳＴの全体がステージ１３から離れていると見なしてもよい。

　（３）変形例
　造形システム１は、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成するために、基材ＢＭ及び３次元構造物ＳＴの電気的特性の違いを利用してもよい。この場合、造形システム１は、３次元構造物ＳＴが形成された後には、基材ＢＭに対して電気的作用を加える（例えば、所望の電流を基材ＢＭに流す及び／又は所望の電圧を基材ＢＭに印加する）ことで、基材ＢＭの少なくとも一部から３次元造形物ＳＴを分離してもよい。

　造形システム１は、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成するために、基材ＢＭ及び３次元構造物ＳＴの磁気的特性の違いを利用してもよい。この場合、造形システム１は、３次元構造物ＳＴが形成された後には、基材ＢＭに対して磁気的作用を加える（例えば、所望の磁場強度の磁場内に基材ＢＭを配置する）ことで、基材ＢＭの少なくとも一部から３次元造形物ＳＴを分離してもよい。

　造形システム１は、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成するために、基材ＢＭ及び３次元構造物ＳＴの光学的特性の違いを利用してもよい。この場合、造形システム１は、３次元構造物ＳＴが形成された後には、基材ＢＭに対して光学的作用を加える（例えば、所望の光を基材ＢＭに照射する）ことで、基材ＢＭの少なくとも一部から３次元造形物ＳＴを分離してもよい。

　上述した説明では、造形システム１は、基材ＢＭの少なくとも一部から分離可能な３次元構造物ＳＴを形成する目的で、基材ＢＭとは特性が異なる３次元構造物ＳＴを基材ＢＭに形成している。しかしながら、造形システム１は、その他の目的で、基材ＢＭとは特性が異なる３次元構造物ＳＴを基材ＢＭに形成してもよい。

　上述した説明では、造形システム１は、造形ヘッド１１を移動させるヘッド駆動系１２を備えている。しかしながら、造形システム１は、ヘッド駆動系１２に加えて又は代えて、ステージ１３を移動させるステージ駆動系を備えていてもよい。ステージ駆動系は、ステージ１３をＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つの方向に移動させてもよい。ステージ駆動系によるステージ１３の移動により、ヘッド駆動系１２による造形ヘッド１１の移動と同様に、ステージ１３と造形ヘッド１１との間の相対的な位置関係（つまり、造形面ＭＳと照射領域ＥＡとの間の相対的な位置関係）が変更される。

　上述した説明では、造形システム１は、ヘッド駆動系１２を用いて造形ヘッド１１を移動させることで、造形面ＭＳに対して照射領域ＥＡを移動させている。しかしながら、造形システム１は、造形ヘッド１１を移動させることに加えて又は代えて、光ＥＬを偏向させることで造形面ＭＳに対して照射領域ＥＡを移動させてもよい。この場合、照射系１１１は、例えば、光ＥＬを偏向可能な光学系（例えば、ガルバノミラー等）を備えていてもよい。

　上述した説明では、造形システム１は、造形材料Ｍに光ＥＬを照射することで、造形材料Ｍを溶融させている。しかしながら、造形システム１は、任意のエネルギビームを造形材料Ｍに照射することで、造形材料Ｍを溶融させてもよい。この場合、造形システム１は、照射系１１１に加えて又は代えて、任意のエネルギビームを照射可能なビーム照射装置を備えていてもよい。任意のエネルギビームは、限定されないが、電子ビーム、イオンビーム等の荷電粒子ビーム又は電磁波を含む。

　上述の各実施形態の構成要件の少なくとも一部は、上述の各実施形態の構成要件の少なくとも他の一部と適宜組み合わせることができる。上述の各実施形態の構成要件のうちの一部が用いられなくてもよい。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態で引用した全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

　本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う造形システム、造形方法、材料保持装置及び基材もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

　１　造形システム
　１１　造形ヘッド
　１１１　照射系
　１１２　材料ノズル
　１３　ステージ
　１４　制御装置
　ＢＭ、ＢＭ１からＢＭ７　基材
　Ｍ　造形材料
　ＳＬ　構造層
　ＳＴ　３次元構造物

Claims

　第１特性を有する基材を支持する支持装置と、
　エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、
　前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置と
　を備え、
　前記照射位置で前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に前記溶融した造形材料を再固化させ、前記再固化した造形材料から前記第１特性と異なる第２特性を有する造形物を前記基材に形成する
　造形システム。
　前記基材の少なくとも一部と一体化した前記造形物を形成する
　請求項１に記載の造形システム。
　前記基材の少なくとも一部から分離可能な前記造形物を形成する
　請求項１又は２に記載の造形システム。
　前記基材の特性は、前記造形物の特性と比較して、前記基材が粉粒体である一方で前記造形物が粉粒体でないという点で異なっている
　請求項１から３のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記粉粒体は、粉状の又は粒状の前記造形材料を含む
　請求項４に記載の造形システム。
　前記基材は、粉状の又は粒状の前記造形材料の集合体を含む
　請求項５に記載の造形システム。
　前記基材の少なくとも一部を構成する前記造形材料に前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に、当該溶融した造形材料を、前記支持装置と結合させることなく再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第１の層を形成し、
　前記第１の層に供給される前記造形材料に前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第２の層を形成する
　請求項６に記載の造形システム。
　第１の形成方法を用いて前記第１の層を形成し、前記第１の形成方法とは異なる第２の形成方法を用いて前記第２の層を形成する
　請求項７に記載の造形システム。
　前記第１の形成方法は、ＰＢＦ（Ｐｏｗｄｅｒ　Ｂｅｄ　Ｆｕｓｉｏｎ：粉末床溶融結合方式）に準拠した形成方法であり、
　前記第２の形成方法は、ＤＥＤ（Ｄｉｒｅｃｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：指向性エネルギー堆積方式）に準拠した形成方法である
　請求項８に記載の造形システム。
　第１粉粒体を支持する支持装置と、
　エネルギビームを前記第１粉粒体に照射する照射装置と、
　前記エネルギビームの照射位置に第２粉粒体を供給する供給装置と
　を備え、
　前記支持された前記第１粉粒体に前記エネルギビームを照射して第１造形物を造形し、前記第１造形物に前記エネルギビームを照射し且つ前記第２粉粒体を供給して第２造形物を造形する
　造形システム。
　前記支持装置の支持面と前記第１造形物との間に前記第１粉粒体が位置する
　請求項１０に記載の造形システム。
　前記第１粉粒体は、粉粒体の塊を含む
　請求項１０又は１１に記載の造形システム。
　前記支持装置は、前記エネルギビームを通過させるビーム通過部を備え、
　前記照射装置は、前記ビーム通過部を介して前記第１粉粒体に前記エネルギビームを照射する
　請求項１０から１２のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記基材の特性は、前記造形物の特性と比較して、外部から印加される物理的衝撃に対する耐久性が異なるという点で異なっている
　請求項１から１３のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記基材は、前記耐久性が前記造形物よりも低く、
　前記耐久性が前記基材よりも高い前記造形物を形成する
　請求項１４に記載の造形システム。
　前記基材は、前記耐久性が前記造形物よりも低い一方で、前記基材上での前記造形物の形成に起因して前記基材に印加される物理的衝撃によって破壊されない程度に高い前記耐久性を有する
　請求項１４又は１５に記載の造形システム。
　前記基材は、圧縮によって固められた粉粒体の塊を含む
　請求項１４から１６のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記基材は、加熱によって部分的に溶融した粉粒体が再固化して集積した塊を含む
　請求項１４から１７のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記粉粒体は、粉状の又は粒状の前記造形材料を含む
　請求項１７又は１８に記載の造形システム。
　前記基材の少なくとも一部を構成する前記造形材料に前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に、当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第１の層を形成し、
　前記第１の層に供給される前記造形材料に前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第２の層を形成する
　請求項１９に記載の造形システム。
　前記基材の特性は、前記造形物の特性と比較して、前記エネルギビームに対する吸収特性及び透過特性の少なくとも一方が異なるという点で異なっている
　請求項１から２０のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記基材は、前記エネルギビームが通過可能な部材を含む
　請求項２１に記載の造形システム。
　前記基材は、前記造形材料の融点よりも高い融点を有する部材を含む
　請求項２２に記載の造形システム。
　前記基材に供給された前記造形材料に前記基材を介して前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に、当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第１の層を形成し、
　前記第１の層に供給される前記造形材料に前記基材を介することなく前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第２の層を形成する
　請求項２２又は２３からに記載の造形システム。
　前記基材の第１面に供給された前記造形材料に前記第１面とは反対側に位置する前記基材の第２面から前記第１面に向かって前記基材を通過する前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に、当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記基材の前記第１面に前記造形物の第１の層を形成し、
　前記第１の層に供給される前記造形材料に前記基材を介することなく前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第２の層を形成する
　請求項２２から２４のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記第１面は、平面を含む
　請求項２５に記載の造形システム。
　前記基材は、前記基材に対向する対向部材との間に空隙が形成されるように配置され、
　前記空隙に供給された前記造形材料に前記基材を介して前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に、当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記空隙に前記造形物の第１の層を形成し、
　前記第１の層に供給される前記造形材料に前記基材を介することなく前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第２の層を形成する
　請求項２２から２６のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記基材のうち前記造形材料に面する第３面及び前記対向部材のうち前記造形材料に面する第４面の少なくとも一方は、平面を含む
　請求項２７に記載の造形システム。
　前記第３面は、前記第４面に平行な面を含む
　請求項２８に記載の造形システム。
　第１のビーム装置からの前記エネルギビームの照射によって前記第１の層を形成し、
　前記第１のビーム装置とは異なる第２のビーム装置からの前記エネルギビームの照射によって前記第２の層を形成する
　請求項２４から２９のいずれか一項に記載の造形システム。
　第１のビーム装置からの前記エネルギビームの照射によって前記第１及び第２の層を形成することを含む
　請求項２４から３０のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記第１の層を形成し、
　前記第１のビーム装置からの前記エネルギビームが前記基材を介することなく前記基材に形成された前記第１の層に入射するように、前記基材と前記第１のビーム装置との相対位置を変更し、
　前記第２の層を形成する
　請求項３１に記載の造形システム。
　前記基材の特性は、前記造形物の特性と比較して、前記基材の熱的特性が前記造形物の熱的特性と異なるという点で異なっている
　請求項１から３２のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記熱的特性は、融点を含む
　請求項３３に記載の造形システム。
　前記基材は、第１の融点を有し、
　前記第１の融点よりも高い第２の融点の前記造形物を形成する
　請求項３４に記載の造形システム。
　前記熱的特性は、融点及び沸点を含む
　請求項３３に記載の造形システム。
　前記基材は、第１の沸点且つ第１の融点を有し、
　前記第１の沸点よりも低く且つ前記第１の融点よりも高い第２の融点の前記造形物を形成する
　請求項３６に記載の造形システム。
　第１融点を有する基材を支持する支持装置と、
　エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、
　前記エネルギビームの照射位置に前記第１融点と異なる第２融点を有する造形材料を供給する供給装置と
　を備え、
　前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記供給装置によって前記造形材料を供給して、前記基材に造形物を造形する
　造形システム。
　前記第１融点は前記第２融点よりも高い
　請求項３８に記載の造形システム。
　前記第１融点は前記第２融点よりも低い
　請求項３８に記載の造形システム。
　前記基材の特性は、前記造形物の特性と比較して、前記基材の化学的特性が前記造形物の化学的特性と異なるという点で異なっている
　請求項１から４０のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記基材は、前記造形物よりも所定物質に対して反応しやすいという化学的特性を有し、
　前記基材よりも前記所定物質に対して反応しにくいという化学的特性を有する前記造形物を形成する
　請求項４１に記載の造形システム。
　前記所定物質は、溶媒を含み、
　前記基材は、前記造形物よりも前記溶媒に対して溶解しやすいという化学的特性を有し、
　前記基材よりも前記溶媒に対して溶解しにくいという化学的特性を有している前記造形物を形成する
　請求項４２に記載の造形システム。
　前記所定物質は、溶媒を含み、
　前記基材は、前記溶媒に対して溶解するという化学的特性を有し、
　前記溶媒に対して溶解しないという化学的特性を有している前記造形物を形成する
　請求項４２又は４３に記載の造形システム。
　溶媒に対して第１の溶解度を有する基材を支持する支持装置と、
　エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、
　前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置と
　を備え、
　前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記供給装置によって前記造形材料を供給して、前記基材に、前記溶媒に対して前記第１の溶解度と異なる第２の溶解度を有する造形物を造形する
　造形システム。
　前記溶媒に対して、前記第１の溶解度は前記第２の溶解度よりも高い
　請求項４５に記載の造形システム。
　前記基材の特性は、前記造形物の特性と比較して、前記基材の表面と交差する方向の厚みが異なるという点で異なっている
　請求項１から４６のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記基材の前記厚みは、前記造形物の前記厚みよりも薄い
　請求項４７に記載の造形システム。
　第１の切断性を有する基材を支持する支持装置と、
　エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、
　前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置と
　を備え、
　前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記供給装置によって前記造形材料を供給して、前記基材に、前記第１の切断性と異なる第２の切断性を有する造形物を造形する
　造形システム。
　前記基材の第１方向における厚みは、前記造形物の前記第１方向における厚みよりも薄い
　請求項４９に記載の造形システム。
　第１特性を有する基材を支持する支持装置と、
　エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、
　前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置と
　を備え、
　前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記供給装置によって前記造形材料を供給して、前記基材に、前記第１特性と異なる第２特性を有する造形物を造形する
　造形システム。
　前記基材は、前記支持装置の支持面に位置する粉粒体であり、
　前記支持面と前記造形物との間に前記粉粒体が位置する
　請求項５１に記載の造形システム。
　前記基材は、粉粒体の塊を含む
　請求項５１又は５２に記載の造形システム。
　前記基材は、前記エネルギビームを通過させるビーム通過部を備え、
　前記照射装置は、前記ビーム通過部を介して前記造形材料に前記エネルギビームを照射する
　請求項５１から５３のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記基材は第１の融点を有し、
　前記造形物は前記第１の融点よりも高い第２の融点を有する
　請求項５１から５４のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記基材は第１の融点を有し、
　前記造形物は前記第１の融点よりも低い第２の融点を有する
　請求項５１から５４のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記基材は、溶媒に対して第１の溶解度を有し、
　前記造形物は、前記溶媒に対して前記第１の溶解度よりも低い第２の溶解度を有する
　請求項５１から５６のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記基材は、第１の切断性を有し、
　前記造形物は、前記第１の切断性よりも低い第２の切断性を有する
　請求項５１から５７のいずれか一項に記載の造形システム。
　基材を支持する支持装置と、
　前記支持装置の下方に配置され、前記エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と
　を備え、
　前記エネルギビームの照射位置で造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に前記溶融した造形材料を再固化させて、前記再固化された造形材料から造形物を前記基材に形成する
　造形システム。
　前記造形物は、前記基材を介して前記支持装置によって支持される
　請求項１から５９のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記造形物は、前記支持装置と非接触である
　請求項１から６０のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記造形物の全体と、前記支持装置との間に前記基材が位置する
　請求項１から６１のいずれか一項に記載の造形システム。
　前記造形物の全体は、前記支持装置から離れている
　請求項１から６２のいずれか一項に記載の造形システム。
　第１特性を有する基材を用意することと、
　前記基材にエネルギビームを照射し且つ前記エネルギビームの照射位置に前記造形材料を供給して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に当該溶融した造形材料を再固化させ、前記再固化した造形材料から前記第１特性と異なる第２特性を有する造形物を前記基材に形成することと
　を含む造形方法。
　前記形成することは、前記基材の少なくとも一部と一体化した前記造形物を形成することを含む
　請求項６４に記載の造形方法。
　前記形成することは、前記基材の少なくとも一部から分離可能な前記造形物を形成することを含む
　請求項６４又は６５に記載の造形方法。
　前記第１特性と前記第２特性との違いを利用して、前記造形物から前記基材の少なくとも一部を取り除くことを更に含む
　請求項６４から６６のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材の少なくとも一部を取り除くことは、前記基材に対して、物理的作用、化学的作用、電気的作用、磁気的作用、光学的作用及び熱的作用のうちの少なくとも一つを印加することで、前記造形物から前記基材の少なくとも一部を取り除くことを含む
　請求項６７に記載の造形方法。
　前記基材の特性は、前記造形物の特性と比較して、前記基材が粉粒体である一方で前記造形物が粉粒体でないという点で異なっている
　請求項６４から６８のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記粉粒体は、粉状の又は粒状の前記造形材料を含む
　請求項６９に記載の造形方法。
　前記基材を用意することは、前記基材を支持可能な支持装置に、粉状の又は粒状の前記造形材料の集合体である前記基材を用意することを含む
　請求項６９又は７０に記載の造形方法。
　前記形成することは、
　前記基材の少なくとも一部を構成する前記造形材料に前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に、当該溶融した造形材料を、前記支持装置と結合させることなく再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第１の層を形成することと、
　前記第１の層に供給される前記造形材料に前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第２の層を形成することと
　を含む請求項７０又は７１に記載の造形方法。
　前記形成することは、第１の形成方法を用いて前記第１の層を形成することと、前記第１の形成方法とは異なる第２の形成方法を用いて前記第２の層を形成することとを含む
　請求項７２に記載の造形方法。
　前記第１の形成方法は、ＰＢＦ（Ｐｏｗｄｅｒ　Ｂｅｄ　Ｆｕｓｉｏｎ：粉末床溶融結合方式）に準拠した形成方法であり、
　前記第２の形成方法は、ＤＥＤ（Ｄｉｒｅｃｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：指向性エネルギー堆積方式）に準拠した形成方法である
　請求項７３に記載の造形方法。
　前記造形物が形成された後に、前記基材を構成する粉粒体から前記造形物を取り出して前記造形物から前記基材の少なくとも一部を取り除くことを更に含む
　請求項６９から７４のいずれか一項に記載の造形方法。
　第１粉粒体を支持することと、
　エネルギビームを前記第１粉粒体に照射することと、
　前記エネルギビームの照射位置に第２粉粒体を供給することと
　を含み、
　前記支持された前記第１粉粒体に前記エネルギビームを照射して第１造形物を造形し、前記第１造形物に前記エネルギビームを照射し且つ前記第２粉粒体を供給して第２造形物を造形する
　造形方法。
　前記第１粉粒体は支持面に位置し、
　前記支持面と前記第１造形物との間に前記第１粉粒体が位置する
　請求項７６に記載の造形方法。
　前記第１粉粒体は、粉粒体の塊を含む
　請求項７６又は７７に記載の造形方法。
　前記照射することは、前記エネルギビームを通過させるビーム通過部を介して前記第１粉粒体に前記エネルギビームを照射する
　請求項７６から７８のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材の特性は、前記造形物の特性と比較して、外部から印加される物理的衝撃に対する耐久性が異なるという点で異なっている
　請求項６４から７９のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材を用意することは、前記耐久性が前記造形物よりも低い前記基材を用意することを含み、
　前記形成することは、前記耐久性が前記基材よりも高い前記造形物を形成することを含む
　請求項８０に記載の造形方法。
　前記基材を用意することは、前記耐久性が前記造形物よりも低い一方で、前記基材上での前記造形物の形成に起因して前記基材に印加される物理的衝撃によって破壊されない程度に高い前記耐久性を有する前記基材を用意することを含む
　請求項８０又は８１に記載の造形方法。
　前記基材を用意することは、圧縮によって固められた粉粒体の塊を含む前記基材を用意することを含む
　請求項８０から８２のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材を用意することは、加熱によって部分的に溶融した粉粒体が再固化して集積した塊を含む前記基材を用意することを含む
　請求項８０から８３のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記粉粒体は、粉状の又は粒状の前記造形材料を含む
　請求項８３又は８４に記載の造形方法。
　前記形成することは、
　前記基材の少なくとも一部を構成する前記造形材料に前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に、当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第１の層を形成することと、
　前記第１の層に供給される前記造形材料に前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第２の層を形成することと
　を含む請求項８５に記載の造形方法。
　前記基材に前記造形物が形成された後に、前記基材に対して、所定強度以上の物理的衝撃を印加して前記基材の少なくとも一部を破壊することを更に含む
　請求項８０から８６のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材の少なくとも一部を破壊することは、前記基材の少なくとも一部を破壊して前記造形物から前記基材の少なくとも一部を取り除くことを含む
　請求項８７に記載の造形方法。
　前記基材の特性は、前記造形物の特性と比較して、前記エネルギビームに対する吸収特性及び透過特性の少なくとも一方が異なるという点で異なっている
　請求項６４から８８のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材を用意することは、前記エネルギビームが通過可能な前記基材を用意することを含む
　請求項８９に記載の造形方法。
　前記基材を用意することは、前記造形材料の融点よりも高い融点を有する前記基材を用意することを含む
　請求項９０に記載の造形方法。
　前記形成することは、
　前記基材に供給された前記造形材料に前記基材を介して前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に、当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第１の層を形成することと、
　前記第１の層に供給される前記造形材料に前記基材を介することなく前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第２の層を形成することと
　を含む請求項９０又は９１に記載の造形方法。
　前記形成することは、
　前記基材の第１面に供給された前記造形材料に前記第１面とは反対側に位置する前記基材の第２面から前記第１面に向かって前記基材を通過する前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に、当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記基材の前記第１面に前記造形物の第１の層を形成することと、
　前記第１の層に供給される前記造形材料に前記基材を介することなく前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第２の層を形成することと
　を含む請求項９０から９２のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記第１面は、平面を含む
　請求項９３に記載の造形方法。
　前記基材を用意することは、前記基材に対向する対向部材との間に空隙を形成するように前記基材を配置することを含み、
　前記形成することは、
　前記空隙に供給された前記造形材料に前記基材を介して前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に、当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記空隙に前記造形物の第１の層を形成することと、
　前記第１の層に供給される前記造形材料に前記基材を介することなく前記エネルギビームを照射して前記造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に当該溶融した造形材料を再固化させることで、前記再固化した造形材料から、前記造形物の第２の層を形成することと
　を含む請求項９０から９４のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材のうち前記造形材料に面する第３面及び前記対向部材のうち前記造形材料に面する第４面の少なくとも一方は、平面を含む
　請求項９５に記載の造形方法。
　前記第３面は、前記第４面に平行な面を含む
　請求項９６に記載の造形システム。
　前記形成することは、
　第１のビーム装置からの前記エネルギビームの照射によって前記第１の層を形成することと、
　前記第１のビーム装置とは異なる第２のビーム装置からの前記エネルギビームの照射によって前記第２の層を形成することを含む
　請求項９２から９７のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記形成することは、第１のビーム装置からの前記エネルギビームの照射によって前記第１及び第２の層を形成することを含む
　請求項９２から９８のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記形成することは、
　前記第１の層を形成することと、
　前記第１のビーム装置からの前記エネルギビームが前記基材を介することなく前記基材に形成された前記第１の層に入射するように、前記基材と前記第１のビーム装置との相対位置を変更することと、
　前記第２の層を形成することと
　を含む請求項９９に記載の造形方法。
　前記造形物が形成された後に、前記基材から前記造形物を取り外して前記造形物から前記基材の少なくとも一部を取り除くことを更に含む
　請求項８９から１００のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材の特性は、前記造形物の特性と比較して、前記基材の熱的特性が前記造形物の熱的特性と異なるという点で異なっている
　請求項６４から１０１のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記熱的特性は、融点を含む
　請求項１０２に記載の造形方法。
　前記基材を用意することは、第１の融点の前記基材を用意することを含み、
　前記形成することは、前記第１の融点よりも高い第２の融点の前記造形物を形成することを含む
　請求項１０３に記載の造形方法。
　前記熱的特性は、融点及び沸点を含む
　請求項１０２に記載の造形方法。
　前記基材を用意することは、第１の沸点且つ第１の融点の前記基材を用意することを含み、
　前記形成することは、前記第１の沸点より低く及び前記第１の融点よりも高い第２の融点の前記造形物を形成することを含む
　請求項１０５に記載の造形方法。
　第１融点を有する基材を支持することと、
　エネルギビームを前記基材に照射することと、
　前記エネルギビームの照射位置に前記第１融点と異なる第２融点を有する造形材料を供給することと
　を含み、
　前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記造形材料を供給して、前記基材に造形物を造形する
　造形方法。
　前記第１融点は前記第２融点よりも高い
　請求項１０７に記載の造形方法。
　前記第１融点は前記第２融点よりも低い
　請求項１０７に記載の造形方法。
　前記基材に前記造形物が形成された後に、前記基材を加熱することで前記基材の少なくとも一部を溶融させることを更に含む
　請求項１０２から１０９のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材の少なくとも一部を溶融させることは、前記基材の少なくとも一部を溶融させて前記造形物から前記基材の少なくとも一部を取り除くことを含む
　請求項１１０に記載の造形方法。
　前記基材の特性は、前記造形物の特性と比較して、前記基材の化学的特性が前記造形物の化学的特性と異なるという点で異なっている
　請求項６４から１１１のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材を用意することは、前記造形物よりも所定物質に対して反応しやすいという化学的特性を有する前記基材を用意することを含み、
　前記形成することは、前記基材よりも前記所定物質に対して反応しにくいという化学的特性を有する前記造形物を形成することを含む
　請求項１１２に記載の造形方法。
　前記所定物質は、溶媒を含み、
　前記基材を用意することは、前記造形物よりも前記溶媒に対して溶解しやすいという化学的特性を有する前記基材を用意することを含み、
　前記形成することは、前記基材よりも前記溶媒に対して溶解しにくいという化学的特性を有している前記造形物を形成することを含む
　請求項１１３に記載の造形方法。
　前記所定物質は、溶媒を含み、
　前記基材を用意することは、前記溶媒に対して溶解するという化学的特性を有する前記基材を用意することを含み、
　前記形成することは、前記溶媒に対して溶解しないという化学的特性を有している前記造形物を形成することを含む
　請求項１１３又は１１４に記載の造形方法。
　溶媒に対して第１の溶解度を有する基材を支持することと、
　エネルギビームを前記基材に照射することと、
　前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給することと
　を含み、
　前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記造形材料を供給して、前記基材に前記溶媒に対して前記第１の溶解度と異なる第２の溶解度を有する造形物を造形する
　造形方法。
　前記溶媒に対して、前記第１の溶解度は前記第２の溶解度よりも高い
　請求項１１６に記載の造形方法。
　前記基材に前記造形物が形成された後に、前記基材に所定の化学的作用を印加することで前記基材の少なくとも一部を溶解させることを更に含む
　請求項１１２から１１７のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材の少なくとも一部を溶解させることは、前記基材にクラックを形成した後に、前記基材に所定の化学的作用を印加することで前記基材の少なくとも一部を溶解させることを含む
　請求項１１８に記載の造形方法。
　前記基材に前記化学的作用を印加することは、前記基材を所定物質に反応させることを含む
　請求項１１８又は１１９に記載の造形方法。
　前記基材に前記化学的作用を印加することは、前記基材を溶媒に溶解させることを含む
　請求項１１８から１２０のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材の少なくとも一部を溶解させることは、前記基材の少なくとも一部を溶解させて前記造形物から前記基材の少なくとも一部を取り除くことを含む
　請求項１１８から１２１のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材の特性は、前記造形物の特性と比較して、前記基材の表面と交差する方向の厚みが異なるという点で異なっている
　請求項６４から１２２のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材の前記厚みは、前記造形物の前記厚みよりも薄い
　請求項１２３に記載の造形方法。
　第１の切断性を有する基材を支持することと、
　エネルギビームを前記基材に照射することと、
　前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給することと
　を含み、
　前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記造形材料を供給して、前記基材に前記第１の切断性と異なる第２の切断性を有する造形物を造形する
　造形方法。
　前記基材の第１方向における厚みは、前記造形物の前記第１方向における厚みよりも薄い
　請求項１２５に記載の造形方法。
　前記基材に前記造形物が形成された後に、前記基材のうち前記造形物と一体化していない第１部分を、前記基材のうち前記造形物と一体化している第２部分から取り除くことを更に含む
　請求項１２３又は１２４に記載の造形方法。
　前記第１部分を取り除くことは、前記第１部分を取り除いて前記造形物から前記基材の少なくとも一部を取り除くことを含む
　請求項１２７に記載の造形方法。
　第１特性を有する基材を支持することと、
　エネルギビームを前記基材に照射することと、
　前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給することと
　を含み、
　前記基材に前記エネルギビームを照射し且つ前記造形材料を供給して、前記基材に、前記第１特性と異なる第２特性を有する造形物を造形する
　造形方法。
　前記基材は、支持装置の支持面に位置する粉粒体であり、
　前記支持面と前記造形物との間に前記粉粒体が位置する
　請求項１２９に記載の造形方法。
　前記基材は、粉粒体の塊を含む
　請求項１２９又は１３０に記載の造形方法。
　前記照射することは、前記エネルギビームを通過させる前記基材を介して前記造形材料に前記エネルギビームを照射する
　請求項１２９から１３１のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材は第１融点を有し、
　前記造形物は前記第１融点よりも高い第２融点を有する
　請求項１２９から１３２のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材は第１融点を有し、
　前記造形物は前記第１融点よりも低い第２融点を有する
　請求項１２９から１３２のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材は、溶媒に対して第１の溶解度を有し、
　前記造形物は、前記溶媒に対して前記第１の溶解度よりも低い第２の溶解度を有する
　請求項１２９から１３４のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記基材は、第１の切断性を有し、
　前記造形物は、前記第１の切断性よりも低い第２の切断性を有する
　請求項１２９から１３５のいずれか一項に記載の造形方法。
　基材を支持することと、
　前記基材の下方から前記エネルギビームを前記基材に照射することと
を含み、
　前記エネルギビームの照射位置で造形材料の少なくとも一部を溶融させた後に前記溶融した造形材料を再固化させて、前記再固化された造形材料から造形物を前記基材に形成する
　造形方法。
　前記造形物は、前記基材を介して前記支持装置によって支持される
　請求項６４から１３７のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記造形物は、前記基材を支持する支持装置と非接触である
　請求項６４から１３８のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記造形物の全体と、前記基材を支持する支持装置との間に前記基材が位置する
　請求項６４から１３９のいずれか一項に記載の造形方法。
　前記造形物の全体は、前記基材を支持する支持装置から離れている
　請求項６４から１４０のいずれか一項に記載の造形方法。
　請求項６４から１４１のいずれか一項に記載の造形方法を用いて前記造形物を形成する造形システム。
　基材を支持する支持装置と、エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置とを備える造形システムに用いられ、前記支持装置によって支持されることが可能であり、前記基材としての造形材料を保持する材料保持装置。
　前記材料保持装置によって保持される前記造形材料は粉体である
　請求項１４３に記載の材料保持装置。
　基材を支持する支持装置と、エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置とを備える造形システムに用いられ、前記支持装置によって支持されることが可能であり、前記造形システムで造形される造形物の強度よりも低い強度を有する基材。
　粉体の塊を有する
　請求項１３５に記載の基材。
　基材を支持する支持装置と、エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置とを備える造形システムに用いられ、前記支持装置によって支持されることが可能であり、前記造形システムで造形される造形物の融点とは異なる融点を有する基材。
　基材を支持する支持装置と、エネルギビームを前記基材に照射する照射装置と、前記エネルギビームの照射位置に造形材料を供給する供給装置とを備える造形システムに用いられ、前記支持装置によって支持されることが可能であり、前記造形システムで造形される造形物の溶媒に対する溶解度よりも低い溶解度を有する基材。