WO2019135506A1 - 하드마스크용 조성물 - Google Patents

하드마스크용 조성물 Download PDF

Info

Publication number
WO2019135506A1
WO2019135506A1 PCT/KR2018/015808 KR2018015808W WO2019135506A1 WO 2019135506 A1 WO2019135506 A1 WO 2019135506A1 KR 2018015808 W KR2018015808 W KR 2018015808W WO 2019135506 A1 WO2019135506 A1 WO 2019135506A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
hard mask
formula
composition
weight
polymer
Prior art date
Application number
PCT/KR2018/015808
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
최한영
양돈식
이은상
Original Assignee
동우화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우화인켐 주식회사 filed Critical 동우화인켐 주식회사
Publication of WO2019135506A1 publication Critical patent/WO2019135506A1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/02—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers

Definitions

  • the present invention relates to a composition for a hard mask.
  • a photoresist is applied on a film to be etched to form a photoresist layer, and a photoresist pattern is formed through exposure and development. Then, a predetermined pattern can be formed by partially removing the film to be etched by using the photoresist pattern as an etching mask. After the image transfer to the etch target film is performed, the photoresist pattern may be removed through an ashing and / or strip process.
  • An anti-reflection coating (ARC) layer may be formed between the etch target film and the photoresist layer to suppress the resolution degradation due to light reflection during the exposure process.
  • ARC anti-reflection coating
  • a resist under film that is, a hard mask, may be added between the etch target film and the photoresist layer in order to secure the etching resistance and etching selectivity of the photoresist for forming a desired pattern.
  • the resist undercoat film has sufficient etch resistance (or etching resistance) and heat resistance for a high-temperature etching process, and also has properties for forming a uniform thickness by, for example, a spin-on coating process, Solubility, flatness, and the like.
  • Korean Patent Laid-Open No. 10-2010-0082844 discloses an example of a composition for forming a resist lower film.
  • An object of the present invention is to provide a composition for a hard mask capable of forming a hard mask having excellent mechanical and chemical properties.
  • a polymer comprising a repeating unit represented by the following formula (1); And a solvent.
  • Ar 1 and Ar 3 are each independently an aryl group having 6 to 40 carbon atoms
  • Ar 2 and Ar 4 are each independently an arylene group having 6 to 40 carbon atoms
  • n is an integer of 1 to 200.
  • Ar 1 and Ar 3 are each independently an aryl group having 6 to 40 carbon atoms and Ar 2 is an arylene group having 6 to 40 carbon atoms).
  • linker compound comprises at least one selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (2-1) to (2-4):
  • hydroxyl group-containing aromatic compound comprises at least one selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (3-1), (3-2) and :
  • composition of claim 1 wherein the composition comprises from 5 to 30% by weight of the polymer and from 70 to 95% by weight of the solvent in the total weight of the composition.
  • composition for hard mask according to 1 above further comprising at least one of a crosslinking agent, a catalyst or a surfactant.
  • composition for a hard mask By using the composition for a hard mask according to embodiments of the present invention, it is possible to form a hard mask having excellent etching resistance and improved film-forming properties such as solubility, coating property and the like.
  • composition for a hard mask according to embodiments of the present invention may comprise a polymer that is condensed with a linker compound containing an aromatic compound and an arylene group.
  • the etching resistance from the linker compound is improved in addition to the etching resistance basically ensured from the aromatic compound, whereby the mechanical properties of the hard mask can be remarkably improved.
  • a high resolution photolithography process can be implemented using the hard mask formed from the composition for hard mask, and a target pattern having a desired fine line width can be formed.
  • Embodiments of the present invention provide a composition for a hard mask that includes a polymer containing a linker unit containing an arylene group having a specific structure, thereby significantly improving solubility and flatness.
  • a hard mask film may be formed using the composition for a hard mask, for example, applied between a photoresist layer and a film to be etched to be utilized as a resist under film.
  • the hard mask film may be partially removed through a photoresist pattern to form a hard mask, and the hard mask may be used as an additional etching mask.
  • the hard mask film or the hard mask may be utilized, for example, as a spin-on hard mask (SOH).
  • SOH spin-on hard mask
  • the composition for a hard mask according to embodiments of the present invention will be described in detail.
  • the compound or the resin represented by the formula means a representative formula including the isomer thereof.
  • carbon content may refer to the ratio of carbon mass to total mass per molecule of a compound.
  • composition for a hard mask includes a polymer (or a condensate) and a solvent, and may further include an additional agent such as a cross-linking agent, a catalyst, and the like.
  • the composition for a hard mask includes a polymer comprising a repeating unit represented by the following formula (1).
  • Ar 1 and Ar 3 may each independently be an aryl group having 6 to 40 carbon atoms
  • Ar 2 and Ar 4 may each independently be an arylene group having 6 to 40 carbon atoms, different.
  • n is an integer from 1 to 200;
  • composition for a hard mask according to the embodiments of the present invention includes a polymer containing a repeating unit represented by the above formula (1), thereby exhibiting excellent etching resistance and excellent film-forming properties such as solubility and flatness .
  • the repeating unit may include a linker unit derived from a linker compound represented by the following formula (2). That is, the moiety (excluding -Ar 4 -) linked to -Ar 4 - in the repeating unit is a linker unit.
  • Ar 1 and Ar 3 may each independently be an aryl group having 6 to 40 carbon atoms, and Ar 2 may be an arylene group having 6 to 40 carbon atoms.
  • the solubility and flatness of the hard mask can be improved through the structure including the arylene group. Further, through the structure including one aryl group at both ends, the etching resistance of the hard mask can be improved without impairing solubility and flatness of the hard mask.
  • the linker compound may include at least one of the compounds represented by the following formulas (2-1), (2-2), (2-3), and (2-4).
  • Ar 4 of Formula 1 may include at least one hydroxyl group (-OH).
  • a hydroxy group By including a hydroxy group, solubility in a solvent, adhesion to a substrate, and reactivity with the above-mentioned linker compound can be improved.
  • the Ar 4 may be derived from a hydroxyl group-containing aromatic compound.
  • a hydroxyl group-containing aromatic compound for example, as the above aromatic compounds containing a hydroxyl group, compounds of the following formula 3-1, formula 3-2, or formula 3-3 can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the polymer may be prepared using only the hydroxyl group-containing aromatic compound and the linker compound of Formula 2, and other aromatic compounds or linker compounds may not be used in the preparation of the polymer have. Accordingly, the etching resistance, solubility, and flatness are not deteriorated due to the addition of other compounds, and desired physical properties can be secured.
  • linkers or linkages in the main chain unit may be included within the scope of not interfering with the effect through the above-mentioned combination of the hydroxyl group-containing aromatic compound and the linker compound of Formula 2, Examples do not necessarily exclude it.
  • the hydroxyl group-containing aromatic compound and the linker compound of Formula 2 may be used in a molar ratio of, for example, about 1: 0.5 to 1: 1.5, but are not limited thereto.
  • the length of the polymer can be extended while repeating the repeating structure.
  • the formula (1) indicates that the above-mentioned units are included together, and does not necessarily define the bonding sequence and position.
  • the polydispersity index (PDI) (weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)) of the polymer can be from about 1.5 to 6.0, preferably from about 1.5 to 3.0 . Within this range, film formation properties such as favorable solubility, etch resistance, coating property and flatness can be improved together.
  • the content of the polymer is not particularly limited, but may be, for example, about 5 to 30% by weight of the total weight of the hard mask composition, and in one embodiment about 10 to 20% by weight.
  • the solvent used in the composition for a hard mask according to the embodiments of the present invention is not particularly limited and may include an organic solvent having sufficient solubility in the above-mentioned polycondensate.
  • the solvent may be selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), cyclohexanone, ethyl lactate, gamma-butyrolactone gamma -butyrolactone (GBL), acetyl acetone, and the like.
  • the content of the solvent is not particularly limited and may be included in the balance excluding the polycondensate and the additional agents described below.
  • the solvent may comprise from about 70% to about 95% by weight of the total weight of the composition for a hard mask.
  • composition for a hard mask according to embodiments of the present invention may further comprise additional agents such as crosslinking agents, catalysts, and surfactants.
  • the crosslinking agent is capable of crosslinking the repeating units contained in the polymer with each other, and can react with, for example, a hydroxyl group contained in the polymer.
  • the crosslinking agent By the crosslinking agent, the curing property of the composition for a hard mask can be further strengthened.
  • cross-linking agent examples include melamine, an amino resin, a glycoluril compound, and a bis-epoxy compound.
  • the cross-linking agent may be, for example, an etherified amino resin such as methylated or butylated melamine (specifically N-methoxymethyl-melamine or N-butoxymethyl-melamine) and methylated or butylated (Hydroxymethyl) -p (methoxymethyl) urea resin represented by the following general formula (7), urea resin (specific examples of which are Cymel U-65 Resin or UFR 80 Resin), glycoluril derivatives - cresol compounds and the like.
  • the bis-epoxy compound represented by the following general formula (8) and the melamine-based compound represented by the following general formula (9) can also be used as a crosslinking agent.
  • an acid catalyst or a basic catalyst may be used as the catalyst.
  • the acid catalyst may be a thermally activated acid catalyst.
  • an organic acid such as p-toluenesulfonic acid can be used.
  • a thermal acid generator (TAG) system compound may be used.
  • TAG thermal acid generator
  • the thermal acid generator system catalyst include pyridinium p-toluene sulfonate, 2,4,4,6-tetrabromocyclohexadiene, benzoin tosylate, 2-nitrobenzyltosyl Alkyl esters of organic sulfonic acids, and the like.
  • any one selected from among NH 4 OH or ammonium hydroxide represented by NR 4 OH (R is an alkyl group) can be used.
  • the content of the cross-linking agent may be about 1 to 30 parts by weight, preferably about 5 to 20 parts by weight, more preferably about 5 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the polycondensate.
  • the content of the catalyst may be about 0.001 to 5 parts by weight, preferably about 0.1 to 2 parts by weight, more preferably about 0.1 to 1 part by weight, per 100 parts by weight of the polycondensate .
  • composition for a hard mask according to the embodiments of the present invention may further include a surfactant for improving the surface property and adhesiveness of the hard mask.
  • a surfactant for improving the surface property and adhesiveness of the hard mask.
  • alkylbenzenesulfonate, alkylpyridinium salt, polyethylene glycol, quaternary ammonium salt and the like can be used, but not limited thereto.
  • the content of the surfactant may be, for example, about 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the polycondensate.
  • embodiments of the present invention provide a method of forming a pattern using the hard mask composition.
  • a hard mask can be formed by forming a film to be etched on a substrate, and coating and hardening the above-mentioned hard mask composition on the film to be etched.
  • a photoresist film is formed on the hard mask, and the photoresist film is selectively exposed and developed to form a photoresist pattern.
  • a hard mask pattern may be formed by selectively etching the hard mask using the photoresist pattern.
  • a predetermined target pattern can be formed by selectively removing the etching target film using the photoresist pattern and the hard mask pattern together as an etching mask.
  • the substrate may comprise a silicon wafer or a semiconductor substrate fabricated from a germanium wafer.
  • the etch target film may include an insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, etc., a conductive material such as metal or metal nitride, or a semiconductor material such as polysilicon.
  • a composition for a hard mask of the composition and the content (% by weight) shown in Table 1 below was prepared.
  • paratoluene sulfonic acid (5 mol% based on the hydroxyl group-containing aromatic compound) was used as an acid catalyst in the formation of the polymer (A).
  • A-1 (Weight-average molecular weight: 3500) produced by the condensation reaction of ethylene (1: 1 molar ratio)
  • A-2 (Weight-average molecular weight: 3200) produced by the condensation reaction of ethylene (1: 1 molar ratio)
  • A-3 (Weight-average molecular weight: 3300) produced by the condensation reaction at a molar ratio (1: 1 molar ratio)
  • A-4 (Weight-average molecular weight: 2500) produced by the condensation reaction of ethylene (1: 1 molar ratio)
  • A-5 (Weight-average molecular weight: 5,300) produced by the condensation reaction of ethylene (1: 1 molar ratio)
  • A-6 (Weight-average molecular weight: 4,700) produced by the condensation reaction of ethylene (1: 1 molar ratio)
  • A-7 (Weight-average molecular weight: 4,500) produced by a condensation reaction in a molar ratio (1: 1 molar ratio)
  • A-8 (Weight-average molecular weight: 3600) produced by the condensation reaction at a molar ratio (1: 1 molar ratio)
  • A-9 (Weight-average molecular weight: 3200) produced by the condensation reaction of ethylene (1: 1 molar ratio)
  • A-10 (Weight-average molecular weight: 2600) produced by a condensation reaction of ethylene (1: 1 molar ratio)
  • A-11 (Weight-average molecular weight: 2800) produced by the condensation reaction of polyoxyethylene (1: 1 molar ratio)
  • A-12 (Weight-average molecular weight: 2100) produced by the condensation reaction of ethylene (1: 1 molar ratio)
  • A'-1 (Weight-average molecular weight: 3800) produced by the condensation reaction of ethylene (1: 1 molar ratio)
  • A'-2 (Weight-average molecular weight: 4,500) produced by a condensation reaction in a molar ratio (1: 1 molar ratio)
  • A'-3 (Weight-average molecular weight: 1,700) produced by the condensation reaction of ethylene (1: 1 molar ratio)
  • compositions according to Examples and Comparative Examples were respectively coated on a silicon wafer by spin coating and baked at 200 ° C for 60 seconds to form a 1500 ⁇ thick hard mask layer.
  • Each of the formed hard mask layers was coated with an ArF photoresist and baked at 110 ° C for 60 seconds. Exposure was then performed using ASML (XT: 1450G, NA 0.93) exposure equipment, and then TMAH (2.38 wt% aqueous solution) And developed to obtain a line-and-space pattern of 60 nm.
  • the cross-section of the photoresist pattern as a further cured at 110 °C 60 seconds, and the photoresist pattern and the CHF 3 / CF 4, using a gas mixture proceeds for 20 seconds to dry etching for each of the said hard mask layer, and FE-SEM And the etching rate was measured to determine the etching resistance against the halogen plasma.
  • DELTA etching rate of 11 ⁇ / sec or more and less than 12 ⁇ / sec
  • ⁇ etching rate of 12 ⁇ / sec or more
  • compositions of the examples and comparative examples were stirred at 50 ° C for 1 hour and then 1) the dissolved state of the polymer at a heating temperature (50 ° C) was confirmed, and after cooling to room temperature, 2) , And further stirred at room temperature for 6 hours. (3) The dissolved state of the polymer was confirmed at the room temperature (25 DEG C), and the solubility was measured.
  • compositions of Examples and Comparative Examples were coated on a SiO 2 wafer substrate having a trench width of 10 ⁇ m and a depth of 0.50 ⁇ m and dried to form a hard mask film.
  • the thickness difference between the trench portion and the non-trench portion was measured by a scanning electron microscope (SEM) to evaluate flatness.
  • DELTA Thickness difference of 175 nm or more and less than 200 nm
  • Example 1 ⁇ ⁇ ⁇ Example 2 ⁇ ⁇ ⁇ Example 3 ⁇ ⁇ ⁇ Example 4 ⁇ ⁇ ⁇ Example 5 ⁇ ⁇ ⁇ Example 6 ⁇ ⁇ ⁇ Example 7 ⁇ ⁇ ⁇ Example 8 ⁇ ⁇ ⁇ Example 9 ⁇ ⁇ ⁇ Example 10 ⁇ ⁇ ⁇ Example 11 ⁇ ⁇ ⁇ Example 12 ⁇ ⁇ ⁇ Example 13 ⁇ ⁇ ⁇ Example 14 ⁇ ⁇ ⁇ Comparative Example 1 ⁇ ⁇ ⁇ Comparative Example 2 ⁇ ⁇ ⁇ Comparative Example 3 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은 특정 구조를 갖는 화합물의 중합체, 및 용매를 포함하는, 하드마스크용 조성물을 제공한다. 하드마스크용 조성물로부터 내에칭성, 용해성 및 평탄성이 동시에 향상된 하드마스크가 형성될 수 있다.

Description

하드마스크용 조성물
본 발명은 하드마스크용 조성물에 관한 것이다.
예를 들면, 반도체 제조, 마이크로일렉트로닉스 등의 분야에서, 회로, 배선, 절연 패턴 등과 같은 구조물들의 집적도가 지속적으로 향상됨에 따라, 상기 구조물들의 미세 패터닝을 위한 포토리소그래피 공정기술 또한 발전하고 있다.
일반적으로, 식각 대상막 상에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트 층을 형성하고, 노광 및 현상 공정을 통해 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 식각 대상막을 부분적으로 제거함으로써 소정의 패턴을 형성할 수 있다. 상기 식각 대상막에 대한 이미지 전사가 수행된 후, 상기 포토레지스트 패턴은 애싱(ashing) 및/또는 스트립(strip) 공정을 통해 제거될 수 있다.
상기 노광 공정 중 광반사에 의한 해상도 저하를 억제하기 위해 상기 식각 대상막 및 상기 포토레지스트 층 사이에, 반사방지코팅(anti-refractive coating; ARC) 층을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 ARC층에 대한 식각이 추가되기 때문에 상기 포토레지스트 층 또는 포토레지스트 패턴의 소모량 또는 식각량이 증가될 수 있다. 또한, 상기 식각 대상막의 두께가 증가하거나 원하는 패턴을 형성하기 위해 필요한 식각량이 증가하는 경우, 상기 포토레지스트 층 또는 포토레지스트 패턴의 충분한 식각 내성이 확보되지 않을 수 있다.
따라서, 원하는 패턴 형성을 위한 포토레지스트의 식각 내성 및 식각 선택비를 확보하기 위해 상기 식각 대상막 및 상기 포토레지스트 층 사이에 레지스트 하부막, 즉 하드마스크가 추가될 수 있다.
상기 레지스트 하부막은 예를 들면, 고온 식각 공정에 대한 충분한 내에칭성(또는 식각 내성) 및 내열성을 가지며, 또한 예를 들면 스핀-온 코팅 공정에 의해 균일한 두께로 형성되기 위한 특성, 예를 들어 용해성 및 평탄성 등을 만족하는 것이 바람직하다.
한국공개특허 제10-2010-0082844호는 레지스트 하부막 형성 조성물의 일 예를 개시하고 있다.
본 발명의 일 과제는 본 발명의 일 과제는 우수한 기계적, 화학적 특성을 갖는 하드마스크를 형성할 수 있는 하드마스크용 조성물을 제공하는 것이다.
1. 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 중합체; 및 용매를 포함하는, 하드마스크용 조성물:
[화학식 1]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000001
(화학식 1 중, Ar1과 Ar3는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 40의 아릴(aryl)기이며, Ar2과 Ar4는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 40의 아릴렌(arylene)기이고 서로 다르며, n은 1 내지 200의 정수임).
2. 위 1에 있어서, 상기 반복단위는 -Ar4-와 결합되며 하기 화학식 2로 표시되는 링커 화합물로부터 유래된 링커 단위를 포함하는, 하드마스크용 조성물:
[화학식 2]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000002
(화학식 1 중, Ar1과 Ar3는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 40의 아릴기이며, Ar2는 탄소수 6 내지 40의 아릴렌기임).
3. 위 2에 있어서, 상기 링커 화합물은 하기의 화학식 2-1 내지 화학식 2-4으로 표시되는 화합물들로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는, 하드마스크용 조성물:
[화학식 2-1]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000003
[화학식 2-2]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000004
[화학식 2-3]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000005
[화학식 2-4]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000006
4. 위 1에 있어서, 상기 Ar4는 적어도 하나 이상의 하이드록시기(-OH)를 포함하는 아릴렌기인, 하드마스크용 조성물.
5. 위 4에 있어서, 상기 Ar4는 하이드록시기 함유 방향족 화합물로부터 유래된, 하드마스크용 조성물.
6. 위 5에 있어서, 상기 하이드록시기 함유 방향족 화합물은 하기의 화학식 3-1, 3-2, 및 3-3으로 표시되는 화합물들로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는, 하드마스크용 조성물:
[화학식 3-1]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000007
[화학식 3-2]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000008
[화학식 3-3]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000009
7. 위 1에 있어서, 조성물 총 중량 중 상기 중합체 5 내지 30중량% 및 상기 용매 70 내지 95중량%을 포함하는, 하드마스크용 조성물.
8. 위 1에 있어서, 가교제, 촉매 또는 계면활성제 중 적어도 하나를 더 포함하는, 하드마스크용 조성물.
본 발명의 실시예들에 따른 하드마스크용 조성물을 사용하여 우수한 내에칭성을 가지며, 용해성, 코팅성 등과 같은 막 형성 특성이 향상된 하드마스크를 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 하드마스크용 조성물은 방향족 화합물 및 아릴렌기가 포함된 링커 화합물을 사용하여 축중합된 중합체를 포함할 수 있다. 상기 방향족 화합물로부터 기본적으로 확보되는 내에칭성에 부가하여 상기 링커 화합물로부터 내에칭성이 증진됨으로써, 하드마스크의 기계적 특성이 현저히 향상될 수 있다.
또한, 상기 링커 화합물로서 용해성 및 평탄성을 고려하여 선택된 화합물을 사용함으로써, 막 형성 특성을 함께 향상시킬 수 있다.
상기 하드마스크용 조성물로부터 형성된 하드마스크를 사용하여 고해상도의 포토리소그래피 공정이 구현될 수 있으며, 원하는 미세 선폭의 타겟 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 특정 구조의 아릴렌기가 포함된 링커 단위를 포함하는 중합체를 포함하며, 이에 따라 용해성 및 평탄성이 현저히 향상된 하드마스크용 조성물을 제공한다.
상기 하드마스크용 조성물을 사용하여 예를 들면 포토레지스트 층 및 식각 대상막 사이에 도포되어 레지스트 하부막으로 활용되는 하드마스크 막이 형성될 수 있다. 상기 하드마스크 막을 포토레지스트 패턴을 통해 부분적으로 제거하여 하드마스크를 형성할 수 있으며, 상기 하드마스크를 추가적인 식각 마스크로 사용할 수 있다.
상기 하드마스크 막 또는 하드마스크는, 예를 들면, 스핀-온 하드마스크(Spin-On Hardmask: SOH)로 활용될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예들에 따른 하드마스크용 조성물에 대해 상세히 설명한다. 본 출원에 사용된 화학식으로 표시되는 화합물 또는 수지의 이성질체가 있는 경우에는, 해당 화학식으로 표시되는 화합물 또는 수지는 그 이성질체까지 포함하는 대표 화학식을 의미한다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "방향족" 또는 "방향족 화합물"은 화합물 전체가 방향성을 만족시키는 화합물뿐만 아니라 화합물의 일부 구조 또는 그룹이 방향성을 만족하는 것까지 포괄하는 것으로 사용된다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "탄소 함량"은 화합물의 분자당 총 질량수 대비 탄소 질량수의 비율을 의미할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 하드마스크용 조성물은 중합체(또는 축합체) 및 용매를 포함하며, 가교제, 촉매 등과 같은 추가 제제를 더 포함할 수도 있다.
중합체
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 하드마스크용 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 중합체를 포함한다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000010
상기 화학식 1에서, Ar1과 Ar3는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 40의 아릴(aryl)기일 수 있으며, Ar2과 Ar4는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 40의 아릴렌(arylene)기일 수 있으며 서로 다르다. n은 1 내지 200의 정수이다.
본 발명의 실시예들에 따른 하드마스크용 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 중합체를 포함함으로써, 우수한 내에칭성을 나타낼 수 있으며 용해성, 평탄성 등의 막 형성 특성도 우수할 수 있다.
상기 반복단위는 하기의 화학식 2로 표시되는 링커 화합물로부터 유래된 링커 단위를 포함할 수 있다. 즉, 상기 반복단위에서 -Ar4-와 연결된(-Ar4-를 제외한) 부분이 링커 단위이다.
[화학식 2]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000011
상기 화학식 2 중, Ar1과 Ar3는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 40의 아릴기일 수 있으며, Ar2는 탄소수 6 내지 40의 아릴렌기일 수 있다.
상기 화학식 2의 링커 화합물의 경우, 아릴렌기를 포함하는 구조를 통해 하드마스크의 용해성 및 평탄성을 향상시킬 수 있다. 또한, 양단에 하나의 아릴기를 포함하는 구조를 통해 하드마스크의 용해성 및 평탄성을 저해하지 않으면서도 하드마스크의 내에칭성을 향상시킬 수 있다.
바람직한 일 실시예에 있어서, 상기 링커 화합물은 하기의 화학식 2-1, 화학식 2-2, 화학식 2-3, 또는 화학식 2-4로 표시되는 화합물들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000012
[화학식 2-2]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000013
[화학식 2-3]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000014
[화학식 2-4]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000015
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 화학식 1의 Ar4는 하나 이상의 하이드록시기(-OH)를 포함할 수 있다. 하이드록시기를 포함함에 따라, 용매에 대한 용해성, 기판에 대한 밀착성 및 상술한 링커 화합물과의 반응성이 향상될 수 있다.
상기 Ar4는 하이드록시기 함유 방향족 화합물로부터 유래될 수 있다. 예를 들면, 상기 히드록실기를 포함하는 방향족 화합물들로서 하기의 화합식 3-1, 화학식 3-2, 또는 화학식 3-3의 화합물들을 들 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
[화학식 3-1]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000016
[화학식 3-2]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000017
[화학식 3-3]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000018
일부 실시예들에 있어서, 상기 중합체는 상술한 하이드록시기 함유 방향족 화합물 화합물 및 상기 화학식 2의 링커 화합물 만을 사용하여 제조될 수 있으며, 다른 방향족 화합물 또는 링커 화합물은 상기 중합체 제조에 있어서 사용되지 않을 수 있다. 따라서, 다른 화합물들의 첨가에 따른 내에칭성, 용해성, 평탄성 저하를 방지하며 원하는 물성을 확보할 수 있다.
그러나, 일 실시예에 있어서, 상술한 하이드록시기 함유 방향족 화합물 및 상기 화학식 2의 링커 화합물 조합을 통한 효과를 저해하지 않는 범위 내에서 다른 링커 혹은 주쇄 단위의 결합이 포함될 수도 있으며, 본 발명의 실시예들이 반드시 이를 배제하는 것은 아니다.
상기 중합체 제조 시, 상술한 하이드록시기 함유 방향족 화합물 및 상기 화학식 2의 링커 화합물은 예를 들면, 약 1:0.5 내지 1:1.5의 몰비 범위로 사용될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
화학식 1로 표시된 바와 같이, 상기 반복구조가 반복되면서 상기 중합체의 길이가 연장될 수 있다. 그러나, 화학식 1은 상기의 유닛들이 함께 포함됨을 나타내며, 반드시 결합 순서, 위치를 한정하는 것은 아니다.
일 실시예에 있어서, 상기 중합체의 다분산지수(PDI, Polydispersity index)[중량평균분자량(Mw)/수평균분자량(Mn)]는 약 1.5 내지 6.0일 수 있으며, 바람직하게는 약 1.5 내지 3.0일 수 있다. 상기 범위에서 바람직한 용해성, 내에칭성과 함께 코팅성 및 평탄성과 같은 막 형성 특성이 함께 향상될 수 있다.
상기 중합체의 함량은 특별히 제한되지는 않으나, 예를 들면 하드마스크용 조성물 총 중량 중 약 5 내지 30중량%일 수 있으며, 일 실시예에 있어서 약 10 내지 20중량% 일 수 있다.
용매
본 발명의 실시예들에 따른 하드마스크용 조성물에 사용되는 용매는 특별히 제한되는 것은 아니며, 상술한 중축합체에 충분한 용해성을 갖는 유기 용매를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 용매는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(propylene glycol monomethyl ether acetate; PGMEA), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(propylene glycol monomethyl ether; PGME), 사이클로헥사논, 에틸락테이트, 감마-부티로락톤(γ-butyrolactone; GBL), 아세틸 아세톤(acetyl acetone)등을 포함할 수 있다.
상기 용매의 함량은 특별히 제한되지 않으며, 상기 중축합체 및 후술하는 추가 제제들을 제외한 잔량으로 포함될 수 있다. 예를 들면, 상기 용매는 하드마스크용 조성물 총 중량 중 약 70 내지 95중량%로 포함될 수 있다.
추가 제제
선택적으로, 본 발명의 실시예들에 따른 하드마스크용 조성물은 가교제, 촉매, 계면활성제와 같은 추가 제제를 더 포함할 수 있다.
상기 가교제는 상기 중합체에 포함된 반복단위들을 서로 가교할 수 있는 것으로서, 예를 들면, 상기 중합체에 포함된 히드록시기와 반응할 수 있다. 상기 가교제에 의해, 하드마스크용 조성물의 경화특성이 보다 강화될 수 있다.
상기 가교제의 예로서 멜라민, 아미노 수지, 글리콜루릴 화합물, 또는 비스에폭시 화합물 등을 들 수 있다.
상기 가교제는, 구체적인 예를 들면, 에테르화된 아미노 수지, 예를 들면 메틸화되거나 부틸화된 멜라민(구체적인 예로는, N-메톡시메틸-멜라민 또는 N-부톡시메틸-멜라민) 및 메틸화되거나 부틸화된 우레아(urea) 수지(구체적인 예로는, Cymel U-65 Resin 또는 UFR 80 Resin), 글리콜루릴 유도체(화학식 6 참조, 구체적인 예로는 Powderlink 1174), 화학식 7로 표시되는 비스(히드록시메틸)-p-크레졸 화합물 등을 포함할 수 있다. 또한, 하기 화학식 8로 표시되는 비스에폭시 계통의 화합물과 하기 화학식 9로 표시되는 멜라민 계통의 화합물도 가교제로 사용할 수 있다.
[화학식 6]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000019
[화학식 7]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000020
[화학식 8]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000021
[화학식 9]
Figure PCTKR2018015808-appb-I000022
상기 촉매로는 산 촉매 또는 염기성 촉매를 사용할 수 있다.
상기 산 촉매는 열 활성화된 산 촉매를 사용할 수 있다. 산 촉매의 예로는 p-톨루엔 술폰산과 같은 유기산이 사용될 수 있다. 상기 산 촉매로서 열산 발생제(thermal acid generator: TAG) 계통의 화합물을 사용할 수도 있다. 상기 열산 발생제 계통 촉매의 예로서 피리디늄 p-톨루엔 술포네이트(pyridinium p-toluene sulfonate), 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디엔온, 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트, 유기술폰산의 알킬에스테르 등을 들 수 있다.
상기 염기성 촉매로는 NH4OH 또는 NR4OH(R은 알킬기)로 표시되는 암모늄 히드록사이드 중 선택되는 어느 하나를 사용할 수 있다.
상기 가교제를 포함하는 경우, 가교제의 함량은 상기 중축합체 100중량부에 대하여 약 1 내지 30중량부일 수 있고, 바람직하게 약 5 내지 20 중량부, 보다 바람직하게는 약 5 내지 10 중량부일 수 있다.
상기 촉매를 포함하는 경우, 촉매의 함량은 상기 중축합체 100중량부에 대하여 약 0.001 내지 5중량부일 수 있고, 바람직하게는 약 0.1 내지 2중량부일 수 있고, 보다 바람직하게는 약 0.1 내지 1중량부일 수 있다.
상기 가교제 및 상기 촉매의 함량 범위 내에서, 상기 중축합체의 내에칭성, 내열성, 용해성, 평탄성을 열화시키지 않으면서, 적절한 가교 특성을 획득할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 하드마스크용 조성물은 하드마스크의 표면 특성, 접착성 향상을 위해 계면 활성제를 더 포함할 수도 있다. 계면활성제로는 알킬벤젠설폰산염, 알킬피리디늄염, 폴리에틸렌글리콜류, 4차 암모늄염등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 계면활성제의 함량은 예를 들면, 상기 중축합체 100중량부에 대하여 약 0.1 내지 10중량부일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 상기 하드마스크 조성물을 사용한 패턴 형성 방법을 제공한다.
예시적인 실시예들에 따르면, 기판 상에 식각 대상막을 형성하고, 상기 식각 대상막 상에 상술한 하드마스크용 조성물을 코팅 및 경화시켜 하드마스크를 형성할 수 있다. 상기 하드마스크 상에 포토레지스트 막을 형성하고, 상기 포토레지스트 막을 선택적으로 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 하드마스크를 선택적으로 식각하여 하드마스크 패턴이 형성될 수 있다.
이후, 상기 포토레지스트 패턴 및 상기 하드마스크 패턴을 함께 식각마스크로 사용하여 상기 식각 대상막을 선태적으로 제거함으로써, 소정의 타겟 패턴이 형성될 수 있다.
예를 들면, 상기 기판은 실리콘 웨이퍼 혹은 게르마늄 웨이퍼로부터 제조된 반도체 기판을 포함할 수 있다. 상기 식각 대상막은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등과 같은 절연 물질, 금속 혹은 금속 질화물과 같은 도전 물질, 폴리실리콘과 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 구체적인 실시예들 및 비교예들을 포함하는 실험예를 제시하나, 이는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예 및 비교예
하기 표 1에 기재된 조성 및 함량(중량%)의 하드마스크용 조성물을 제조하였다. 실시예 및 비교예들에 있어서, 중합체(A) 형성 시 산촉매로서 파라톨루엔술폰산(히드록실기 함유 방향족 화합물 대비 5mol%)이 사용되었다.
구분 중축합체(A) 용매(B) 가교제(C) 촉매(D) 계면활성제(E)
성분 함량 성분 함량 성분 함량 성분 함량 성분 함량
실시예 1 A-1 10 B-1 90 - - - - - -
실시예 2 A-2 10 B-1 90 - - - - - -
실시예 3 A-3 10 B-1 90 - - - - - -
실시예 4 A-4 10 B-1 90 - - - - - -
실시예 5 A-5 10 B-1 90 - - - - - -
실시예 6 A-6 10 B-1 90 - - - - - -
실시예 7 A-7 10 B-1 90 - - - - - -
실시예 8 A-8 10 B-1 90 - - - - - -
실시예 9 A-9 10 B-1 90 - - - - - -
실시예 10 A-10 10 B-1 90 - - - - - -
실시예 11 A-11 10 B-1 90 - - - - - -
실시예 12 A-12 10 B-1 90 - - - - - -
실시예 13 A-1 10 B-1 88 C-1 1 D-1 1 - -
실시예 14 A-1 10 B-1 89 - - - - E-1 1
비교예 1 A'-1 10 B-1 90 - - - - - -
비교예 2 A'-2 10 B-1 88 - - - - - -
비교예 3 A'-3 10 B-1 89 - - - - - -
A-1:
Figure PCTKR2018015808-appb-I000023
,
Figure PCTKR2018015808-appb-I000024
(1:1 몰비율)의 축합반응으로 생성된 공중합체(중량평균분자량: 3500)
A-2:
Figure PCTKR2018015808-appb-I000025
,
Figure PCTKR2018015808-appb-I000026
(1:1 몰비율)의 축합반응으로 생성된 공중합체(중량평균분자량: 3200)
A-3:
Figure PCTKR2018015808-appb-I000027
,
Figure PCTKR2018015808-appb-I000028
(1:1 몰비율)의 축합반응으로 생성된 공중합체(중량평균분자량: 3300)
A-4:
Figure PCTKR2018015808-appb-I000029
,
Figure PCTKR2018015808-appb-I000030
(1:1 몰비율)의 축합반응으로 생성된 공중합체(중량평균분자량: 2500)
A-5:
Figure PCTKR2018015808-appb-I000031
,
Figure PCTKR2018015808-appb-I000032
(1:1 몰비율)의 축합반응으로 생성된 공중합체(중량평균분자량: 5300)
A-6:
Figure PCTKR2018015808-appb-I000033
,
Figure PCTKR2018015808-appb-I000034
(1:1 몰비율)의 축합반응으로 생성된 공중합체(중량평균분자량: 4700)
A-7:
Figure PCTKR2018015808-appb-I000035
,
Figure PCTKR2018015808-appb-I000036
(1:1 몰비율)의 축합반응으로 생성된 공중합체(중량평균분자량: 4500)
A-8:
Figure PCTKR2018015808-appb-I000037
,
Figure PCTKR2018015808-appb-I000038
(1:1 몰비율)의 축합반응으로 생성된 공중합체(중량평균분자량: 3600)
A-9:
Figure PCTKR2018015808-appb-I000039
,
Figure PCTKR2018015808-appb-I000040
(1:1 몰비율)의 축합반응으로 생성된 공중합체(중량평균분자량: 3200)
A-10:
Figure PCTKR2018015808-appb-I000041
,
Figure PCTKR2018015808-appb-I000042
(1:1 몰비율)의 축합반응으로 생성된 공중합체(중량평균분자량: 2600)
A-11:
Figure PCTKR2018015808-appb-I000043
,
Figure PCTKR2018015808-appb-I000044
(1:1 몰비율)의 축합반응으로 생성된 공중합체(중량평균분자량: 2800)
A-12:
Figure PCTKR2018015808-appb-I000045
,
Figure PCTKR2018015808-appb-I000046
(1:1 몰비율)의 축합반응으로 생성된 공중합체(중량평균분자량: 2100)
A'-1:
Figure PCTKR2018015808-appb-I000047
,
Figure PCTKR2018015808-appb-I000048
(1:1 몰비율)의 축합반응으로 생성된 공중합체(중량평균분자량: 3800)
A'-2:
Figure PCTKR2018015808-appb-I000049
,
Figure PCTKR2018015808-appb-I000050
(1:1 몰비율)의 축합반응으로 생성된 공중합체(중량평균분자량: 4500)
A'-3:
Figure PCTKR2018015808-appb-I000051
,
Figure PCTKR2018015808-appb-I000052
(1:1 몰비율)의 축합반응으로 생성된 공중합체(중량평균분자량: 1700)
B: PGMEA
C: N-메톡시메틸-멜라민 수지
D: p-톨루엔 술폰산-피리딘염
E: 트리에틸렌글리콜
실험예
후술하는 평가 방법을 통해 표 1의 조성물들로 형성된 하드마스크층 또는 하드마스크의 내에칭성, 용해성 및 평탄성을 평가하였다. 평가 결과는 하기의 표 2에 나타낸다.
(1) 내에칭성 평가
실시예 및 비교예들에 따른 조성물을 각각 실리콘웨이퍼 위에 스핀-코팅법으로 코팅하고, 60초간 200℃ 에서 베이킹하여 두께 1500Å의 하드마스크 층을 형성시켰다. 형성된 각각의 하드마스크 층 위에 ArF용 포토레지스트를 코팅하고 110℃ 에서 60초간 베이킹 한 후 ASML(XT:1450G, NA 0.93)사의 노광장비를 사용해 각각 노광을 한 다음 TMAH(2.38wt% 수용액)으로 각각 현상하여 60nm의 라인- 앤드-스페이스(line and space) 패턴을 얻었다.
상기 포토레지스트 패턴을 110℃ 에서 60초간 더 경화하고, 상기 포토레지스트 패턴 및 CHF3/CF4 혼합가스를 사용하여 상기 하드마스크 층에 대해 각각 20초간 드라이 에칭을 진행하고, FE-SEM으로 단면을 각각 관찰하여 에칭 속도를 측정하여 할로겐플라즈마에 대한 내에칭성을 판정하였다.
< 내에칭성 판정>
◎: 에칭속도 10Å/Sec 미만
○: 에칭속도 10Å/Sec 이상 11Å/Sec 미만
△: 에칭속도 11Å/Sec 이상 12Å/Sec 미만
×: 에칭속도 12Å/Sec 이상
(2) 용해성
실시예 및 비교예의 조성물을 50℃에서 1시간 동안 교반한 뒤, 1) 가온 상태(50℃)에서의 중합체의 용해 상태를 확인하고, 상온으로 냉각한 뒤, 2) 상온 상태(25℃)에서의 중합체의 용해 상태를 확인하고, 추가적으로 상온에서 6시간 교반하고, 3) 상온 방치 상태(25℃)에서의 중합체의 용해상태를 재확인하여, 용해성을 측정하였다.
<용해성 판정>
◎: 상온 방치 상태에서 미용해 폴리머가 육안으로 확인되지 않음.
○: 상온 상태에서 미용해 폴리머가 육안으로 확인되지 않으나, 상온 방치 상태에서 소량의 미용해 폴리머가 육안으로 확인됨.
△: 가온 상태에서 미용해 폴리머가 육안으로 확인되지 않으나, 상온 상태에 미용해 폴리머가 육안으로 확인됨.
×: 가온 상태에서 미용해 폴리머가 소량 육안으로 확인됨.
(3) 평탄성 평가
실시예 및 비교예의 조성물들을 폭 10 ㎛, 깊이 0.50㎛의 트렌치를 포함하는 SiO2 웨이퍼 기판) 상에 도포 및 건조하여 하드마스크막을 형성하고, 트렌치 부분과 비트렌치 부분 사이의 두께차를 주사 전자현미경(SEM)을 이용하여 관찰하여 평탄성을 평가하였다.
< 평탄성 판정>
◎: 두께차 150nm 미만
○: 두께차 150nm 이상 175nm 미만
△: 두께차 175nm 이상 200nm 미만
×: 두께차 200nm 이상
구분 내에칭성 용해성 평탄성
실시예 1 ◎ ○ ○
실시예 2 ◎ ○ ○
실시예 3 ◎ ○ ○
실시예 4 ◎ ○ ○
실시예 5 ○ ◎ ◎
실시예 6 ○ ◎ ◎
실시예 7 ○ ◎ ◎
실시예 8 ◎ ○ ○
실시예 9 ○ ○ ○
실시예 10 ◎ ○ ○
실시예 11 ◎ ○ ○
실시예 12 ◎ ◎ ◎
실시예 13 ◎ ○ ○
실시예 14 ◎ ○ ○
비교예 1 △ ○ ○
비교예 2 × ◎ ◎
비교예 3 ○ △ △
표 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 링커 화합물 및 방향족 화합물이 사용된 하드 마스크의 경우 내에칭성, 용해성 및 평탄성이 전체적으로 균형있게 향상되었다.
반면 p-자이렌디올이 사용된 비교예 1 및 비교예 2의 경우 용해성 및 평탄성은 좋으나, 내에칭성이 실시예들에 비해 저하되었다.
1,4-페닐렌비스(디페닐메탄올)을 사용한 비교예 3의 경우, 내에칭성은 증가되었으나, 용해성 및 평탄성이 급격히 열화되었다.

Claims (8)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 중합체; 및 용매를 포함하는, 하드마스크용 조성물:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2018015808-appb-I000053
    (화학식 1 중, Ar1과 Ar3는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 40의 아릴(aryl)기이며, Ar2과 Ar4는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 40의 아릴렌(arylene)기이고 서로 다르며, n은 1 내지 200의 정수임).
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 반복단위는 -Ar4-와 결합되며 하기 화학식 2로 표시되는 링커 화합물로부터 유래된 링커 단위를 포함하는, 하드마스크용 조성물:
    [화학식 2]
    Figure PCTKR2018015808-appb-I000054
    (화학식 2 중, Ar1과 Ar3는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 40의 아릴기이며, Ar2는 탄소수 6 내지 40의 아릴렌기임).
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 링커 화합물은 하기의 화학식 2-1 내지 화학식 2-4으로 표시되는 화합물들로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는, 하드마스크용 조성물:
    [화학식 2-1]
    Figure PCTKR2018015808-appb-I000055
    [화학식 2-2]
    Figure PCTKR2018015808-appb-I000056
    [화학식 2-3]
    Figure PCTKR2018015808-appb-I000057
    [화학식 2-4]
    Figure PCTKR2018015808-appb-I000058
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 Ar4는 적어도 하나 이상의 하이드록시기(-OH)를 포함하는, 하드마스크용 조성물.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 Ar4는 하이드록시기 함유 방향족 화합물로부터 유래된, 하드마스크용 조성물.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 하이드록시기 함유 방향족 화합물은 하기의 화학식 3-1, 3-2, 및 3-3으로 표시되는 화합물들로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는, 하드마스크용 조성물:
    [화학식 3-1]
    Figure PCTKR2018015808-appb-I000059
    [화학식 3-2]
    Figure PCTKR2018015808-appb-I000060
    [화학식 3-3]
    Figure PCTKR2018015808-appb-I000061
  7. 청구항 1에 있어서, 조성물 총 중량 중 상기 중합체 5 내지 30중량% 및 상기 용매 70 내지 95중량%을 포함하는, 하드마스크용 조성물.
  8. 청구항 1에 있어서, 가교제, 촉매 또는 계면활성제 중 적어도 하나를 더 포함하는, 하드마스크용 조성물.
PCT/KR2018/015808 2018-01-05 2018-12-13 하드마스크용 조성물 WO2019135506A1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180001566A KR20190083753A (ko) 2018-01-05 2018-01-05 하드마스크용 조성물
KR10-2018-0001566 2018-01-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019135506A1 true WO2019135506A1 (ko) 2019-07-11

Family

ID=67143877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2018/015808 WO2019135506A1 (ko) 2018-01-05 2018-12-13 하드마스크용 조성물

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20190083753A (ko)
WO (1) WO2019135506A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116554444A (zh) * 2023-06-15 2023-08-08 嘉庚创新实验室 用于光刻介质组合物的聚合物以及光刻介质组合物

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100080148A (ko) * 2008-12-31 2010-07-08 제일모직주식회사 고분자, 고분자 조성물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 재료의 패턴화 방법
KR20130078745A (ko) * 2011-12-30 2013-07-10 제일모직주식회사 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
KR20140083695A (ko) * 2012-12-26 2014-07-04 제일모직주식회사 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
KR20160099997A (ko) * 2015-02-13 2016-08-23 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR20160126353A (ko) * 2015-04-23 2016-11-02 삼성에스디아이 주식회사 모노머, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009044742A1 (ja) 2007-10-01 2009-04-09 Nissan Chemical Industries, Ltd. レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びにレジスト下層膜形成組成物用添加剤

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100080148A (ko) * 2008-12-31 2010-07-08 제일모직주식회사 고분자, 고분자 조성물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 재료의 패턴화 방법
KR20130078745A (ko) * 2011-12-30 2013-07-10 제일모직주식회사 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
KR20140083695A (ko) * 2012-12-26 2014-07-04 제일모직주식회사 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
KR20160099997A (ko) * 2015-02-13 2016-08-23 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR20160126353A (ko) * 2015-04-23 2016-11-02 삼성에스디아이 주식회사 모노머, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116554444A (zh) * 2023-06-15 2023-08-08 嘉庚创新实验室 用于光刻介质组合物的聚合物以及光刻介质组合物
CN116554444B (zh) * 2023-06-15 2024-03-29 嘉庚创新实验室 用于光刻介质组合物的聚合物以及光刻介质组合物

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190083753A (ko) 2019-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014157881A1 (ko) 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
WO2018199419A1 (en) Resist underlayer composition and method of forming patterns using the resist underlayer composition
WO2013100365A1 (ko) 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
WO2013066067A1 (ko) 페놀계 단량체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 고분자 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물
WO2014065500A1 (ko) 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴형성방법
JP7386219B2 (ja) 芳香族下層
WO2011081316A2 (ko) 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법
WO2014104480A1 (ko) 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
WO2011081323A2 (ko) 포토레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법
WO2011081285A2 (ko) 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물
WO2011081321A2 (ko) 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법
WO2019190065A1 (ko) 하드마스크용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
WO2019093761A1 (ko) 하드마스크용 조성물
WO2019143121A1 (ko) 하드마스크용 조성물
WO2019135506A1 (ko) 하드마스크용 조성물
WO2023195636A1 (ko) 고평탄화 성능을 지닌 스핀 온 카본 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴화 방법
WO2019093757A1 (ko) 하드마스크용 조성물
WO2012005418A1 (ko) 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 소자의 패턴 형성 방법
WO2022245014A1 (ko) 증발감량이 적은 스핀 온 카본 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴화 방법
WO2019143107A1 (ko) 하드마스크용 조성물
WO2019143119A1 (ko) 하드마스크용 조성물
WO2019190064A1 (ko) 하드마스크용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
WO2015026194A1 (ko) 신규한 중합체 및 이를 포함하는 조성물
WO2019151692A1 (ko) 하드마스크용 조성물
WO2019151707A1 (ko) 하드마스크용 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18898413

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18898413

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1