WO2019117384A1 - 전자기 차폐용 스퍼터링 타겟 및 이의 제조방법 - Google Patents

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WO2019117384A1
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shielding
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electromagnetic shielding
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권오집
홍길수
박주현
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엘티메탈 주식회사
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    • B22F2003/248—Thermal after-treatment

Definitions

  • the present invention relates to a sputtering target used for sputtering, and more particularly to a sputtering target for electromagnetic shielding which makes it possible to form a thin film capable of electromagnetic shielding.
  • the volume of electronic devices is gradually decreasing. As the volume of the electronic device is reduced, the size and weight of the electronic device can be reduced.
  • the volume reduction is possible due to the miniaturization of the semiconductor circuit, specifically the reduction in the line width and integration.
  • a film for electromagnetic wave shielding and a plating method have been widely used.
  • a film for shielding electromagnetic waves it is inevitable that the shape and the thickness of the target material increase, and in the case of plating, it is difficult to apply the wet processing to the microcircuit parts such as semiconductors.
  • the present invention relates to a metal target used in a sputtering process for electromagnetic shielding and a method of manufacturing the same.
  • a high-purity metal source material is adopted, And introducing a process of controlling the crystal orientation, thereby providing a sputtering target capable of effective electromagnetic wave shielding and a method of manufacturing the same.
  • the present invention provides, as an example, a target used in a sputtering process, which is made of at least one of a material having an FCC crystal structure and a material having a BCC crystal structure, A thin film formed to a thickness of ⁇ ⁇ exhibits a sputtering target having an electromagnetic shielding function of 60 dB or more.
  • the material may be any one of copper, stainless steel, an alloy of nickel and iron, and silver.
  • the material is an alloy of nickel and iron, and a thin film formed to a thickness of 5 ⁇ by a sputtering process can have an electromagnetic shielding function of 75 dB or more.
  • the present invention provides a method of manufacturing a sputtering target using a raw material powder made of a material having at least one of a material having an FCC crystal structure and a material having a BCC crystal structure, A second step of forming a molded body by applying pressure to the molding die, a third step of sintering the formed body formed in the second step, a step of sintering the sintered body obtained through the third step, A fifth step of subjecting the first heat treated body obtained through the fourth step to hot isostatic pressing, a fourth step of vacuum heat treating the second heat treated body, a fifth step of hot isostatic pressing the first heat treated body through the fourth step, A seventh step of joining the secondary heat treatment body through the sixth step to the backing plate, and an eighth step of surface-processing the joined body through the seventh step It proposes a method for producing sintered target.
  • a thin film formed by the above manufacturing method and formed to a thickness of 5 ⁇ by sputtering process shows a sputtering target having an electromagnetic shielding function of 60 dB or more.
  • the electromagnetic wave shielding film can be formed by the sputtering method, so that the shape and the material of the object material are not limited.
  • the shielding film has an excellent shielding performance, and the thickness of the shielding film is reduced, and the weight is reduced, which is advantageous in coping with miniaturization of the semiconductor circuit, reduction in line width and integration.
  • FIG. 1 is a flowchart showing a method of manufacturing a sputtering target for electromagnetic shielding according to an embodiment of the present invention.
  • electromagnetic shielding The main purpose of electromagnetic shielding (EMI shielding) is to reflect or absorb electromagnetic waves generated from a part or an external device to maintain the inherent performance of the electronic device.
  • the material for shielding electromagnetic waves must be electrically conductive and have a large surface area.
  • metals with favorable electrical characteristics have been mainly used, and film and plating methods have been used.
  • Conductive inorganic materials, conductive polymers, and organic / inorganic composite materials are used for shielding electromagnetic waves.
  • the conductive inorganic material examples include metals such as copper, iron, and beryllium, and ceramics such as ferrite.
  • Conductive inorganic materials have high electrical conductivity and magnetic susceptibility, which meet the specifications of 40dB for commercial use and 80dB for military use.
  • the feature is shielding concept using reflection property because it has good reflectance and skin depth ( ⁇ ) that electromagnetic wave is absorbed effectively is very small.
  • Metals are heavy in weight, oxidized (in the air), difficult to process, and expensive.
  • ceramics must be heat-treated at a high temperature, the workability is poor and the ceramic tends to break.
  • Examples of the conductive polymer include organic polymers (mostly aromatic) containing unsaturated carbon rings such as polyacetylene, polyaniline and polypyrrole.
  • Conductive polymer is an absorbent shielding paint, not a reflective shield because of its large skin depth ( ⁇ ).
  • Communication equipment requires absorbent shielding (stealth technology, radio wave, microwave absorber). So far, the price is very expensive.
  • An example of a composite of organic / inorganic materials is a conductive filler.
  • a conductive filler When used as a shielding material using a conductive filler, it exhibits excellent conductivity even in a small amount, but there is a lot of space between the fillers, which may cause an electromagnetic wave leakage phenomenon.
  • homogeneous dispersibility is very important, and it is sensitive to the type, quantity and form of the filler.
  • methods such as plating, vacuum deposition, conductive coating, and grounding can be used.
  • Plating technology began in the 1960s to decorate automotive parts and industrial parts, and in the 1980s it developed into an electroless method in the field of electromagnetic shielding. Plating technology has evolved over the past few decades from certain plastics and uses partial plating. Such a plating method has a high manufacturing cost, complicated production process, difficulty in selecting a post-processing company, and adherence to a material, which are hardly used for electromagnetic wave shielding at present.
  • Vacuum deposition has a disadvantage that its price is high, long-term reliability is a problem, and productivity is very low.
  • Conductive coatings containing metal components are used in conductive coatings. Coatings containing metal components are divided into three types: nickel (Ni), copper (Cu), and silver (Ag). Recently, a copper / silver (Cu / Ag) composite system has been applied. Nickel (Ni) forms have dominated the market in the past, but their use is limited by their high resistance and unstable electrical properties. Although copper type was not activated until several years ago due to functional aspect and marketing shortage, it has recently developed remarkably with advantages of electric stability, development of low resistance type, development of water-soluble type technology and low price type. Recently, (Cu) / Ag (Ag / Cu) / Ag (Cu / Ag) type has been converted into a lightweight trend. The silver form has a function superior to that of any conductive coating. The shielding effect is much better than copper or nickel, but it is expensive.
  • Table 1 compares the electromagnetic wave shielding performance of the above three methods.
  • the grounding method includes floatation, one-point grounding, multi-point grounding, and mixed grounding.
  • the ground wire does not work as an antenna.
  • the wavelength ⁇ at 10 MHz frequency is 30 m, so the ground wire should be 1.5 m or less.
  • a general electromagnetic shielding performance can be obtained by using the above-described method.
  • a sputtering target capable of forming an electromagnetic shielding thin film meeting such a demand is presented.
  • a sputtering target is a target used in a sputtering process and is made of at least one of a material having an FCC (planar core cubic) crystal structure and a material having a BCC (body center cubic structure) crystal structure And has a electromagnetic shielding function of 60 dB or more when a thin film having a thickness of 5 ⁇ m is formed using a sputtering process. On the other hand, even when a thin film having a thickness of 1 mu m is formed, it is possible to have an electromagnetic shielding function of 60 dB or more.
  • the electromagnetic wave shielding function is 60 dB or more, the electromagnetic wave can be shielded by 99.9999% or more.
  • the electromagnetic wave shielding thin film having a thickness of 5 ⁇ m is formed, the effect on the thickness of the product is very small. Therefore, in the present invention, such a thickness (5 ⁇ thickness) and a shielding function (60 dB or more) are set as basic standards.
  • the material having the FCC crystal structure copper (Cu), nickel (Ni), silver (Ag) and the like can be used. Among them, silver (Ag) alone has a good electromagnetic shielding function. On the other hand, stainless steel (SUS), iron (Fe), or the like can be used as a material having a BCC crystal structure.
  • Such materials are transition metals and are +2 or +3 elements.
  • the characteristics of these elements are relatively high in ionization energy, electronegativity, and electron affinity, and excellent electromagnetic shielding functions can be obtained by utilizing them.
  • the sputtering target according to an embodiment of the present invention can have an electromagnetic shielding function of 60 dB or more when a thin film having a thickness of 1 ⁇ is formed using a sputtering process when the material is silver, It is possible to have an electromagnetic shielding function of 80 dB or more.
  • the material of the sputtering target may be copper or stainless steel.
  • a thin film is formed of a mixture of copper and stainless steel in the form of a clad
  • a copper (Cu) thin film may be first formed to a thickness of 1 to 10 ⁇ m on a target to be formed with an electromagnetic wave shielding layer, and then a stainless steel (SUS) thin film may be formed thereon to a thickness of 1 ⁇ m.
  • Cu copper
  • SUS stainless steel
  • the shielding rate is reduced by a chemical reaction such as oxidation.
  • the stainless steel thin film is formed on the copper thin film, the stainless steel thinly coated on the copper surface can prevent oxidation of copper.
  • the shielding performance can be maintained for a long time.
  • a thin film having a thickness of 5 ⁇ ⁇ of Cu / SUS When a thin film having a thickness of 5 ⁇ ⁇ of Cu / SUS is formed using a sputtering process, it may have an electromagnetic shielding function of 60 dB or more.
  • the sputtering target according to the embodiment of the present invention may be an alloy of a material having an FCC crystal structure and a material having a BCC crystal structure.
  • the alloy material an alloy of nickel and iron may be used.
  • a sputtering target of a nickel-iron alloy can have an electromagnetic shielding function of 75 dB or more when a thin film having a thickness of 5 ⁇ is formed by a sputtering process.
  • alloys of copper and stainless steel are also expected to have excellent electromagnetic shielding capabilities.
  • FIG. 1 is a flowchart showing a method of manufacturing a sputtering target for electromagnetic shielding according to an embodiment of the present invention.
  • a method of manufacturing a sputtering target according to an embodiment of the present invention is a method of manufacturing a sputtering target by selecting a material having an electromagnetic wave shielding performance from among a raw material having a BCC and FCC crystal structure and measuring a surface orientation ratio of the surface of the sputtering target In order to increase the weight, the surface orientation ratio was adjusted by rolling or heat treatment.
  • a method of manufacturing a sputtering target includes the steps of: S1) planarizing a raw material powder into a forming mold; S2) forming a formed body by applying pressure to the forming mold; S3) sintering the formed body; S4) subjecting the sintered body to a first vacuum heat treatment; S5) hot isostatic pressing (HIP) molding of the primary heat treatment body; S6) adjusting the surface fraction by subjecting the hot isostatic pressed body to a secondary vacuum heat treatment; S7) bonding the secondary heat treatment body to a backing plate (BP); S8) surface processing the bonded body.
  • the raw material powder in steps S1) to S3) is a raw material powder selected from the group consisting of FCC and a crystal structure of raw material powder composed of two or more kinds of raw materials selected from the group consisting of FCC and BCC .
  • the crystal structure is selected from the group consisting of FCC and BCC, a combination of copper and stainless steel or nickel and iron is suitable.
  • the step S2) is preferably performed at a pressure ranging from 100 to 300 MPa for 1 to 60 minutes.
  • the step S3) is preferably performed at a sintering temperature of 40 to 80% of the melting point of the selected element for 1 to 20 hours and a pressure of 10 to 100 MPa (for example, in the case of copper, 864 < 0 > C). Also, it is preferable that the step S4) is carried out at a temperature of the step S3) for 1 to 20 hours.
  • step S5) is preferably performed at a temperature of step S3) and a pressure of 100 to 200 MPa for 1 to 10 hours.
  • step S6) is preferably performed at a temperature of 30 to 50% of the melting point of the selected element for 1 to 10 hours.
  • the above-described sputtering target for electromagnetic shielding can be manufactured, and such a sputtering target can be used for forming a thin film layer for electromagnetic shielding.
  • the copper (Cu) raw material powder having an FCC crystal structure having a purity of 4N or more and the stainless steel (SUS) raw material powder having a BCC crystal structure were each cast into a molding mold having a diameter of 101.6 mm and then flattened and maintained at a pressure of 200 MPa for 1 minute To prepare copper and stainless steel formed bodies each having a diameter of 101.6 mm and a thickness of 13 mm.
  • the sintered body having a diameter of 101.6 mm and a thickness of 10 mm was manufactured using the hot press (HP) equipment at a temperature of 850 ° C, a pressure of 17.5 MPa and a holding time of 6 hours.
  • the sintered body was subjected to a first vacuum heat treatment under conditions of a temperature of 500 ° C and a holding time of 4 hours.
  • the primary vacuum heat treated sintered body was hot isostatic pressed using a hot isostatic pressure (HIP) equipment at a temperature of 500 ° C, a pressure of 100 MPa, and a holding time of 4 hours in order to densify the internal structure.
  • the sintered body formed by hot isostatic pressing was subjected to a secondary vacuum heat treatment under the conditions of 500 ° C and 3 hrs of holding time to uniformize the crystal orientation of the internal structure to prepare a sintered body of the sputtering target.
  • a backing plate (BP) was bonded to a sintered body of a secondary heat-treated sputtering target at a temperature of 300 ° C using indium (In). Finally, a sputtering target was prepared. Finally, Or less to complete the sputtering target.
  • the sintering temperature was 1,100 ° C, and the primary vacuum heat treatment temperature, hot isostatic pressing temperature and secondary vacuum heat treatment temperature were set to 700 ° C.
  • the rest of the manufacturing process was the same as that of the copper mold, .
  • Example 1 a raw material powder in which a raw material powder of nickel (Ni) having an FCC crystal structure and an iron (Fe) raw material powder having a BCC crystal structure were mixed was used, and the remaining manufacturing process was the same as that of Example 1
  • the sputtering target was produced in the same manner as in the case of the molded body.
  • Example 1 raw material powder of silver (Ag) having an FCC crystal structure was used as the raw material powder.
  • the sintering temperature of the silver compact was set to 750 ⁇ , and the first vacuum heat treatment temperature, the hot isostatic pressing temperature and the second vacuum heat treatment The temperature was set to 450 ° C, and the rest of the manufacturing process was applied in the same manner as in the copper mold of Example 1 to prepare a sputtering target.
  • Thin films of various thicknesses were formed on the sputtering targets of Examples 1 to 3 and the electromagnetic wave shielding performance according to the thickness was measured.
  • the thickness of the SUS was 1 ⁇ m in the same thickness (3, 5 ⁇ m). The results are summarized in Table 2.
  • the electromagnetic wave shielding ability was measured using a conventional electromagnetic wave shielding film (thickness of 100 to 2,000 mu m (0.1 to 2.0 mm)) as compared with the above [Experimental Example 1]. The results are summarized in Table 3.
  • Type Shielding Capacity (dB) Cu (2 mm) 75 Ni (2 mm) 40 Ag (2 mm) 80
  • the film thickness can be reduced by about 200 times or more even if the same shielding ability is obtained by sputtering compared to the electromagnetic wave shielding film, and the effect can be more than 99.9999% 60dB or more.

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Abstract

본 발명은 스퍼터링 타겟 및 이의 제조방법과 관련된다. 본 발명은 실시예로 스퍼터링 공정에 사용되는 타겟으로서, FCC 결정구조를 가진 소재와 BCC 결정구조를 가진 소재 중 적어도 어느 하나의 소재로 이루어지고, 스퍼터링 공정을 이용하여 5㎛ 두께를 가진 박막을 형성한 경우 60dB 이상의 전자기 차폐 기능을 가지는 스퍼터링 타겟 및 이의 제조방법을 제시한다.

Description

전자기 차폐용 스퍼터링 타겟 및 이의 제조방법
본 발명은 스퍼터링에 사용되는 스퍼터링 타겟에 관한 것으로서, 상세하게는 전자기 차폐가 가능한 박막을 형성할 수 있게 하는 전자기 차폐용 스퍼터링 타겟과 관련된다.
최근 반도체의 발달과 함께 전자기기의 부피는 점점 줄어들고 있다. 전자기기의 부피가 감소함에 따라 전자기기 제품의 소형, 경량화가 가능해 졌다. 부피감소가 가능해 진 것은 반도체 회로의 미세화에 따른 것이고 구체적으로는 선폭의 감소 및 집적화에 의한 것이 주된 원인이다.
하지만 선폭이 감소함에 따라, 외부에서의 전기파, 자기파 등의 영향에 의해 전자기기 제품의 오작동이 발생할 수 있다. 또한 전자기기 제품 자체에서도 전자기파가 발생하고, 최근 국제보건기구에서 전자기파(EMI)를 발암가능성 유해물질 2B 등급으로 규정하는 추세에 따라 전자기파를 효과적으로 차폐하기 위한 방안이 필요하게 되었다.
전자기파를 차폐하기 위하여 종래에는 전자기파 차폐용 필름 및 도금의 방법이 널리 사용되었다. 전자기파 차폐용 필름의 경우 대상물질의 형상의 제약 및 두께의 증가가 불가피하고, 도금의 경우 습식 처리로 반도체와 같은 미세 회로 부품에 적용이 어렵다는 문제가 있다.
이에 따라 최근에는 대한민국 공개특허 제10-2006-0020353호와 같이 스퍼터링 방법으로 전자기파를 차단하기 위한 도금층을 형성하려는 시도가 이루어지고 있다. 스퍼터링 방법은 형상의 제약이 없으며, 얇은 박막으로 EMI 차폐를 구현할 수 있다는 장점을 가진다.
하지만 종래기술은 도금층의 두께에 대한 고려가 없어 전자기기 제품의 소형, 경량화에 대응하기 어려우며 전자기파 차폐 기능을 측정하는 방법으로서 저항에 의한 측정법을 제시하고 있어 전기전도도가 우수한 재료를 사용하는 경우 저항이 낮게 측정될 수 있으므로 실제의 차폐 기능을 알 수 없다.
본 발명은 전자기 차폐용 스퍼터링 공정(Sputtering Process)에 사용되는 금속 타겟(Metal Target) 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 전자기기의 전자기파 차폐 기능을 향상시키기 위하여 고순도 금속 원소재를 채택하고 조직을 치밀화하고 면 결정 배향을 조절하는 공정을 도입함으로써 효과적인 전자기파 차폐가 가능한 스퍼터링 타겟과 이를 제조하는 방법을 제시한다.
그 외 본 발명의 세부적인 목적은 이하에 기재되는 구체적인 내용을 통하여 이 기술분야의 전문가나 연구자에게 자명하게 파악되고 이해될 것이다.
위 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 실시예로, 스퍼터링 공정에 사용되는 타겟으로서, FCC 결정구조를 가진 소재와 BCC 결정구조를 가진 소재 중 적어도 어느 하나의 소재로 이루어지고, 스퍼터링 공정을 이용하여 5㎛ 두께로 형성한 박막이 60dB 이상의 전자기 차폐 기능을 가지는 스퍼터링 타겟을 제시한다.
여기에서 상기 소재는, 구리, 스테인리스강, 니켈과 철의 합금, 은 중의 어느 하나일 수 있다.
또한 상기 소재는 니켈과 철의 합금이고, 스퍼터링 공정을 이용하여 5㎛ 두께로 형성한 박막이 75dB 이상의 전자기 차폐 기능을 가질 수 있다.
한편 위 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 실시예로, FCC 결정구조를 가진 소재와 BCC 결정구조를 가진 소재 중 적어도 어느 하나의 소재로 이루어진 원료 분말로 스퍼터링 타겟을 제조하는 방법으로서, 원료 분말을 성형 몰드에 투입하여 평탄화하는 제1 단계, 상기 성형 몰드에 압력을 가하여 성형체를 형성하는 제2 단계, 상기 제2 단계에서 형성된 상기 성형체를 소결하는 제3 단계, 상기 제3 단계를 거친 소결체를 1차 진공열처리하는 제4 단계, 상기 제4 단계를 거친 1차 열처리체를 열간등방압 성형하는 제5 단계, 상기 제5 단계를 거친 열간등방압 성형체를 2차 진공열처리하여 면분율을 조정하는 제6 단계, 상기 제6 단계를 거친 2차 열처리체를 백킹플레이트에 접합하는 제7 단계 및 상기 제7 단계를 거친 접합체를 표면 가공하는 제8 단계를 포함하는 스퍼터링 타겟 제조방법을 제시한다.
또한 위 제조방법에 의해 제조되고 스퍼터링 공정을 이용하여 5㎛ 두께로 형성한 박막이 60dB 이상의 전자기 차폐 기능을 가지는 스퍼터링 타겟을 제시한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 스퍼터링 방법으로 전자기파 차폐막을 형성할 수 있도록 함으로써 대상 물질의 형상이나 재질에 제약이 없다.
또한 우수한 차폐 성능을 가지면서도 차폐막의 두께가 감소하고, 중량이 감소함으로써 반도체 회로의 미세화, 선폭의 감소 및 집적화에 대응하기에 적합하다는 효과가 있다.
그 외 본 발명의 효과들은 이하에 기재되는 구체적인 내용을 통하여, 또는 본 발명을 실시하는 과정 중에 이 기술분야의 전문가나 연구자에게 자명하게 파악되고 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자기 차폐용 스퍼터링 타겟의 제조방법을 나타내는 순서도.
상술한 본 발명의 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자기 차폐용 스퍼터링 타겟의 제조방법에 대해 상세하게 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일유사한 구성에 대해서는 동일유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.
전자기파 차폐(EMI Shielding)의 주된 목적은 부품 또는 외부에서 발생하는 전자기파를 반사(Reflection) 또는 흡수(Absorption)시켜 전자기기 고유의 성능을 유지하는 것이다. 이러한 목적에 따라 전자기파를 차폐하기 위한 소재는 전기적으로 도체여야 하고 넓은 표면적을 갖는 것이 유리하다. 전통적으로 전기적인 특성이 유리한 금속이 주로 사용되어 왔으며, 그 형태는 필름(Film) 및 도금에 의한 방식이 사용되었다.
전자기파 차폐를 위한 재료로는 전도성 무기재료, 도전성 고분자, 유기/무기물의 합성물(composite) 등이 사용된다.
전도성 무기재료의 예로는 구리, 철, 베릴륨 등의 금속과 페라이트 등의 세라믹이 있다. 전도성 무기재료는 높은 전기전도도 및 자기 자화율을 갖고 있어서 상업적 용도로는 40dB, 군사용 용도로는 80dB의 규격을 만족시킨다. 특징으로는 반사율이 좋고 전자기파가 효과적으로 흡수되는 스킨뎁스(skin depth(б))가 아주 작기 때문에 반사 성질을 이용한 차폐개념이다. 금속의 경우는 무게가 무겁고 산화(공기중)되며, 가공이 힘들고 가격이 비싸다. 한편, 세라믹은 고온에서 열처리해야하므로 가공성이 나쁘고 부러지기 쉬운 단점이 있다.
도전성 고분자의 예로는, 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리아닐린(poly aniline), 폴리피롤(polypyrrole) 등의 불포화 탄소고리를 함유한 유기 고분자(대부분 방향족)를 들 수 있다. 도전성 고분자는 스킨뎁스(skin depth(б))가 커서 반사성 차폐가 아닌 흡수성 차폐 도료이다. 통신 장비의 경우 흡수성 차폐재를 요구한다(스텔스(stealth)기술, 라디오파(radio wave), 전자파흡수체(microwave absorber)). 현재까지는 가격이 매우 비싼 단점이 있다.
유기/무기물의 합성물(composite)의 예로는 전도성 충진제가 있다. 전도성 충진제를 사용하여 차폐재로 사용하는 경우 적은 양으로도 우수한 전도성을 보이지만 충진제 사이에 공간이 많아서 전자기파 누출 현상이 발생할 수 있다. 또한 균일한 분산성이 매우 중요하며 충진제의 종류, 양, 형태에 민감하다.
전자기 차폐의 방법으로는 도금, 진공증착, 도전성 코팅, 접지 등의 방법이 사용될 수 있다.
도금기술은 자동차부품의 장식과 공업용 부품의 응용에 1960년대부터 시작되었으며, 1980년대에 들어 전자기파 차폐 분야에서 무전해 방식으로 발달되었다. 도금기술은 지난 수십년간 특정 플라스틱에서의 기술이 진전되었으며 부분 도금 방식이 사용되고 있다. 이러한 도금 방식은 높은 제조원가, 복잡한 생산공정, 후가공업체 선정의 어려움 및 소재와의 부착성 문제가 발생되는 장점이 있어 현재에는 전자기파 차폐용으로는 거의 사용되지 않고 있다.
진공증착은 가격이 고가이며 장기적인 신뢰성이 문제가 되고 생산성이 매우 떨어지는 단점이 있어 현재 컴퓨터 및 휴대용 단말기에 극히 일부 적용되고 있다.
도전성 코팅에서는 금속 성분을 포함한 도전성 코팅제가 사용된다. 금속성분이 포함된 코팅제는 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag)의 세종류로 구분되며 최근 구리/은(Cu/Ag) 복합제도 적용되고 있다. 니켈(Ni) 형태는 예전 시장의 주류를 이루어 왔으나 높은 저항 및 불안한 전기적 특성에 의해 사용에 제한이 있다. 구리 형태는 기능적인 면과 마케팅 부족에 의해 수년전까지 활성화되지 못했으나 최근 전기적 안정성, 저저항 형태의 개발, 수용성 형태의 기술개발 및 저가형이라는 장점으로 비약적인 발전을 하였으나 최근에는 전기전자 제품의 소형화, 경량화 추세로 전환되면서 구리/은(Cu/Ag) 형태로 바뀌었다가 현재는 휴대폰 단말기 등에 은(Ag) 형태가 전량　적용되고 있는 실정이다. 은 형태는 어떤 도전성 코팅제보다 우수한 기능을 갖고 있다. 차폐효과도 구리나 니켈 형태보다 매우 우수하나 가격이 비싸다는 단점이 있다.
위 3가지 방식에 대한 전자기파 차폐 성능을 비교하여 표 1에 나타내었다.
코팅 유형항 목 Ni Cu Ag 도금 진공증착
도막두께(mile) 2.0 2.0 2.0 0.1 0.02
저항(Ω/sq.) ＜0.500 ＜0.050 0.01 0.075 0.15
차폐효과 +40dB +75dB +80dB +60dB +60dB
접지능력 Low Excellent Excellent Excellent Excellent
사출플라스틱 Excellent Excellent Excellent Limited Limited
부분차폐 Excellent Excellent Excellent Fair Excellent
내마모성 Poor Excellent Excellent Excellent Poor
내습사이클 Poor Excellent Excellent Good Poor
환경문제 Fair Excellent Excellent Poor Excellent
한편, 접지의 방법에는 비접지(floation), 일점접지, 다점접지, 혼합접지 등이 있으며 보통 10MHz 이상에선 다점접지가 유용하다.
접지선의 길이가 λ/20이하로 해야 접지선이 안테나 작용을 하지 않는다. 예로서 10MHz 주파수의 파장 λ는 30m 이므로 접지선은 1.5m이하로 해야 한다.
상술한 바와 같은 방법을 이용하여 일반적인 전자기 차폐 성능을 얻을 수 있다. 다만, 최근 반도체 회로의 미세화와 이에 따른 제품의 소형, 경량화 추세에 대응하기 위해서는 우수한 차폐 성능을 가지면서도 차폐막의 두께를 작게 할 수 있는 방안이 필요하다. 본 발명에서는 이러한 요구에 맞는 전자기 차폐 박막을 형성할 수 있는 스퍼터링 타겟을 제시한다.
본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 타겟은, 스퍼터링 공정에 사용되는 타겟으로서, FCC(면심입방구조) 결정구조를 가진 소재와 BCC(체심입방구조) 결정구조를 가진 소재 중 적어도 어느 하나의 소재로 이루어지고, 스퍼터링 공정을 이용하여 5㎛ 두께를 가진 박막을 형성한 경우 60dB 이상의 전자기 차폐 기능을 가진다. 한편 더 바람직하게는 1㎛ 두께를 가진 박막을 형성한 경우에도 60dB 이상의 전자기 차폐 기능을 가질 수 있다.
60dB 이상의 전자기파 차폐 기능을 가진 경우 전자기파를 99.9999% 이상 차폐할 수 있다. 또한 5㎛ 두께를 가진 전자기파 차폐 박막이 형성되는 경우 제품의 두께에 미치는 영향이 매우 적다고 할 수 있다. 따라서 본 발명에서는 이러한 두께(5㎛ 두께)와 차폐 기능(60dB 이상)을 기본적인 기준으로 설정하였다.
FCC 결정구조를 가진 소재로는 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag) 등을 사용할 수 있다. 이 중 은(Ag)은 단독으로도 우수한 전자기 차폐 기능을 가진다. 한편 BCC 결정구조를 가진 소재로는 스테인리스강(SUS), 철(Fe) 등을 사용할 수 있다.
이와 같은 소재들은 전이금속으로 +2가 또는 +3가의 원소이다. 이들 원소의 특징은 이온화에너지, 전기음성도, 전자친화도 등이 상대적으로 크며 이를 활용하여 우수한 전자기 차폐 기능을 얻을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 타겟은 소재가 은인 경우 스퍼터링 공정을 이용하여 1㎛ 두께를 가진 박막을 형성한 경우 60dB 이상의 전자기 차폐 기능을 가질 수 있고, 이에 더하여 5㎛ 두께를 가진 박막을 형성한 경우 80dB 이상의 전자기 차폐 기능을 가질 수 있다.
한편 스퍼터링 타겟의 소재는 구리 또는 스테인리스강일 수 있다. 이 경우에는 구리와 스테인리스강이 클래드(clad) 형태의 혼합체로 박막을 형성하도록 함이 바람직하다
즉 예를 들면 전자기파 차폐층을 형성하고자 하는 대상에 먼저 구리(Cu) 박막을 1~10㎛ 형성한 후 그 위에 스테인리스강(SUS) 박막을 1㎛ 두께로 형성할 수 있다. 이에 따라 구리와 스테인리스강의 2개의 박막층이 형성된다. 이하의 설명에서는 이를 Cu/SUS로 표시한다.
구리 단독으로 존재하는 경우 산화 등의 화학반응으로 차폐율이 감소되는 문제가 발생할 수 있는데 이와 같이 스테인리스강 박막을 구리 박막 위에 형성하면 구리 표면에 얇게 입혀진 스테인리스강이 구리의 산화를 방지할 수 있어 전자파 차폐 성능을 장기간 유지할 수 있다.
스퍼터링 공정을 이용하여 Cu/SUS의 5㎛ 두께를 가진 박막을 형성한 경우 60dB 이상의 전자기 차폐 기능을 가질 수 있다.
더 나아가 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 타겟은 FCC 결정구조를 가진 소재와 BCC 결정구조를 가진 소재의 합금일 수 있다. 합금 소재로는 니켈과 철의 합금을 사용할 수 있다. 니켈과 철의 합금의 스퍼터링 타겟은, 스퍼터링 공정을 이용하여 5㎛ 두께를 가진 박막을 형성한 경우 75dB 이상의 전자기 차폐 기능을 가질 수 있다. 한편 니켈과 철의 합금 외에도 구리와 스테인리스강의 합금도 우수한 전자기 차폐 기능을 가질 것으로 예상된다.
다음으로 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 타겟의 제조방법에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자기 차폐용 스퍼터링 타겟의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 타겟의 제조방법은, BCC, FCC 결정 구조로 이루어진 원소재 중에 특히 전자기파 차폐 성능을 가진 소재를 선택하여 스퍼터링 타겟으로 제조하는 것으로서, 스퍼터링 타겟의 표면의 면 배향율을 가중하기 위하여 압연 또는 열처리 등의 방법으로 면 배향률을 조정하였다.
BCC 결정 구조나 FCC 결정 구조를 가지는 경우 조직을 치밀화하고 면 결정 배향을 조절하는 것이 비교적 용이하다.
구체적으로 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 타겟의 제조방법은 S1) 원료분말을 성형 몰드에 투입하여 평탄화하는 단계; S2) 성형 몰드에 압력을 가하여 성형체를 형성하는 단계; S3) 성형체를 소결하는 단계; S4) 상기 소결체를 1차 진공열처리하는 단계; S5) 1차 열처리체를 열간등방압(HIP: Hot Isostatic Pressure) 성형하는 단계; S6) 열간등방압 성형체를 2차 진공열처리하여 면분율을 조정하는 단계; S7) 상기 2차 열처리체를 백킹플레이트(BP: Backing Plate)에 접합하는 단계; S8) 상기 접합체를 표면 가공하는 단계를 포함한다.
위의 S1) ~ S3) 단계의 원료 분말은 결정구조가 FCC로 이루어진 군에서 선택된 원료 분말이거나, 결정구조가 FCC로 이루어진 군과 BCC로 이루어진 군에서 각각 선택된 2종 이상의 원소재로 이루어진 원료 분말인 것이 바람직하다. 결정구조가 FCC로 이루어진 군에서는 은이 적합하며 결정구조가 FCC로 이루어진 군과 BCC로 이루어진 군에서 각각 선택하는 경우는 구리와 스테인리스강 또는 니켈과 철의 조합이 적합하다.
상기 S2) 단계는 1 내지 60분 동안 100 내지 300MPa 범위의 압력으로 수행되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 S3) 단계는 1 내지 20시간 동안 선택된 원소의 용융점의 40 내지 80%의 소결온도 및 10 내지 100MPa의 압력으로 수행되는 것이 바람직하다(예를 들어 구리의 경우 용융점이 1080℃ 이므로 432 내지 864℃의 온도로 소결한다). 또한 상기 S4) 단계는 1 내지 20시간 동안 S3) 단계의 온도로 행해지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 S5) 단계는 1 내지 10시간 동안 S3) 단계의 온도 및 100 내지 200MPa의 압력으로 수행되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 S6) 단계는 1 내지 10시간 동안 선택된 원소의 용융점의 30 내지 50%의 온도로 수행되는 것이 바람직하다.
이러한 방법에 의해 상술한 전자기 차폐용 스퍼터링 타겟을 제조할 수 있으며, 이러한 스퍼터링 타겟은 전자기 차폐용 박막층 형성에 사용될 수 있다.
다음으로 전자기 차폐용 스퍼터링 타겟 제조방법의 실시예에 대하여 상세하게 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 한 형태를 예시하는 것에 불과할 뿐이며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1]
순도가 4N 이상인 FCC 결정구조로 이루어진 구리(Cu) 원료 분말과 BCC 결정구조로 이루어진 스테인리스강(SUS) 원료 분말을 각각 직경 101.6mm 성형몰드에 600g을 투입하여 평탄화 한 후 200MPa의 압력으로 1분간 유지하여 직경 101.6mm 및 두께 13mm의 구리와 스테인리스강 성형체를 각각 제조하였다.
제조된 구리 성형체는 열간가압(HP : Hot Press) 장비를 사용하여 850℃ 온도, 17.5MPa의 압력 및 6hr의 유지시간의 조건으로 직경 101.6mm 및 두께 10mm의 소결체를 제조하였다. 또한 제조된 소결체는 500℃ 온도 및 4hr 유지시간의 조건으로 1차 진공 열처리를 진행하였다. 1차 진공열처리된 소결체는 내부 조직의 치밀화를 위해 열간등방압(HIP : Hot Isostatic Pressure) 장비를 사용하여 500℃ 온도, 100MPa의 압력 및 4hr의 유지시간의 조건으로 열간등방압 성형을 진행하였다. 열간등방압 성형된 소결체는 내부 조직의 면 결정 배향을 고르게 하기 위하여 500℃ 온도 및 3hr 유지시간의 조건으로 2차 진공 열처리를 진행하여 스퍼터링 타겟의 소결체를 제조하였다.
2차 열처리된 스퍼터링 타겟의 소결체에 300℃ 온도에서 인듐(In)을 사용하여 백킹플레이트(BP : Backing Plate)를 접합하여 스퍼터링 타겟을 제조하였으며, 마지막으로 스퍼터링 타겟의 기본 조건인 표면 조도가 1㎛ 이하가 되도록 표면 가공하여 스퍼터링 타겟을 완성하였다.
한편 제조된 스테인리스강 성형체는 소결 온도를 1,100℃로 하고, 1차 진공 열처리 온도, 열간등방압 성형 온도 및 2차 진공 열처리 온도를 700℃로 하였으며 나머지 제조공정은 구리 성형체와 동일하게 적용하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
[실시예 2]
상기 실시예 1에서 원료 분말을 FCC 결정구조로 이루어진 니켈(Ni) 원료 분말과 BCC 결정구조로 이루어진 철(Fe) 원료 분말이 혼합된 원료 분말을 이용하였으며, 나머지 제조공정은 실시예 1의 스테인리스강 성형체와 동일하게 적용하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
[실시예 3]
상기 실시예 1에서 원료 분말을 FCC 결정구조로 이루어진 은(Ag) 원료 분말을 이용하였으며, 은 성형체의 소결 온도를 750℃로 하고, 1차 진공 열처리 온도, 열간등방압 성형 온도 및 2차 진공 열처리 온도를 450℃로 하였으며 나머지 제조공정은 실시예 1의 구리 성형체와 동일하게 적용하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
[실험예 1]
위 실시예 1 내지 3의 스퍼터링 타겟에 대하여 다양한 두께로 박막을 형성하였으며 두께에 따른 전자파 차폐 성능을 측정하였다. 여기에서 Cu/SUS의 경우 SUS의 두께는 전 두께(3, 5㎛)에 동일하게 1㎛로 하였다. 이에 대한 결과를 표 2에 정리하였다.
두께(㎛) Cu/SUS Ni-Fe Ag
차폐능(dB) 차폐능(dB) 차폐능(dB)
1 - 64 77
5 60 78 85
10 75 85 94
[실험예 2]
위 [실험예 1]과 대비되는 것으로서, 기존에 사용되는 전자파 차폐 필름(두께 100~2,000㎛ (0.1~2.0 mm))을 이용하여 전자파 차폐능을 측정하였다. 이에 대한 결과를 표 3에 정리하였다.
Type 차폐능 (dB)
Cu (2mm) 75
Ni (2mm) 40
Ag (2mm) 80
위 실험예 1과 실험예 2의 결과를 보았을 때 전자파 차폐 필름에 비해 스퍼터링한 경우 같은 정도의 차폐능을 가지더라도 막 두께는 약 200배 이상 감소할 수 있으며 그 효과는 99.9999% 이상 차폐할 수 있는 60dB 이상의 결과를 얻을 수 있었다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (5)

  1. 스퍼터링 공정에 사용되는 타겟으로서,
    FCC 결정구조를 가진 소재와 BCC 결정구조를 가진 소재 중 적어도 어느 하나의 소재로 이루어지고,
    스퍼터링 공정을 이용하여 5㎛ 두께로 형성한 박막이 60dB 이상의 전자기 차폐 기능을 가지는
    스퍼터링 타겟.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소재는,
    구리, 스테인리스강, 니켈과 철의 합금, 은 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟
  3. 제2항에 있어서,
    상기 소재는 니켈과 철의 합금이고,
    스퍼터링 공정을 이용하여 5㎛ 두께로 형성한 박막이 75dB 이상의 전자기 차폐 기능을 가지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  4. FCC 결정구조를 가진 소재와 BCC 결정구조를 가진 소재 중 적어도 어느 하나의 소재로 이루어진 원료 분말로 스퍼터링 타겟을 제조하는 방법으로서,
    원료 분말을 성형 몰드에 투입하여 평탄화하는 제1 단계,
    상기 성형 몰드에 압력을 가하여 성형체를 형성하는 제2 단계,
    상기 제2 단계에서 형성된 상기 성형체를 소결하는 제3 단계,
    상기 제3 단계를 거친 소결체를 1차 진공열처리하는 제4 단계,
    상기 제4 단계를 거친 1차 열처리체를 열간등방압 성형하는 제5 단계
    상기 제5 단계를 거친 열간등방압 성형체를 2차 진공열처리하여 면분율을 조정하는 제6 단계
    상기 제6 단계를 거친 2차 열처리체를 백킹플레이트에 접합하는 제7 단계 및
    상기 제7 단계를 거친 접합체를 표면 가공하는 제8 단계
    를 포함하는 스퍼터링 타겟 제조방법.
  5. 제4항의 방법으로 제조되고,
    스퍼터링 공정을 이용하여 5㎛ 두께로 형성한 박막이 60dB 이상의 전자기 차폐 기능을 가지는
    스퍼터링 타겟.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030063372A (ko) * 2000-11-02 2003-07-28 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 물리적 증착 타겟 및 금속물질 제조방법
KR20060026114A (ko) * 2006-03-03 2006-03-22 김호욱 전자파 차단을 위한 스퍼터링용 타겟재료
KR100877551B1 (ko) * 2008-05-30 2009-01-07 윤점채 전자파 차폐 기능을 갖는 반도체 패키지, 그 제조방법 및 지그
KR20100028365A (ko) * 2008-09-04 2010-03-12 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 전자기파간섭 억제용 복합시트
KR20160123134A (ko) * 2015-04-15 2016-10-25 희성금속 주식회사 텅스텐 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이에 의해 제조된 텅스텐 스퍼터링 타겟
KR20160149720A (ko) * 2015-06-19 2016-12-28 희성금속 주식회사 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이로부터 제조된 스퍼터링 타겟

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100583197B1 (ko) 2004-08-31 2006-05-26 삼성전자주식회사 리니어 압축기의 제어 장치 및 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030063372A (ko) * 2000-11-02 2003-07-28 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 물리적 증착 타겟 및 금속물질 제조방법
KR20060026114A (ko) * 2006-03-03 2006-03-22 김호욱 전자파 차단을 위한 스퍼터링용 타겟재료
KR100877551B1 (ko) * 2008-05-30 2009-01-07 윤점채 전자파 차폐 기능을 갖는 반도체 패키지, 그 제조방법 및 지그
KR20100028365A (ko) * 2008-09-04 2010-03-12 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 전자기파간섭 억제용 복합시트
KR20160123134A (ko) * 2015-04-15 2016-10-25 희성금속 주식회사 텅스텐 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이에 의해 제조된 텅스텐 스퍼터링 타겟
KR20160149720A (ko) * 2015-06-19 2016-12-28 희성금속 주식회사 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이로부터 제조된 스퍼터링 타겟

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