WO2019101646A1 - Verfahren zur qualifizierung einer maske für die mikrolithographie - Google Patents

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Definitions

  • the invention relates to a method for qualifying a mask for microlithography.
  • the invention also relates to a system for qualifying a mask for microlithography.
  • structures of photomasks are imaged onto a wafer.
  • the structures which can be produced on the wafer depend on the mask structures on the other hand on the imaging properties of the projection exposure apparatus.
  • the core of the invention is to combine a detection of at least one aerial image of the mask with a simulation for determining the effect of the aerial image on the wafer to qualify a mask for microlithography. According to the invention, it has been recognized that this makes it possible to qualify the mask via the wafer structures which can be produced with its aid. This leads to a more reliable qualification of the mask.
  • a resist model and / or an etching model are used.
  • the resist model serves to predict the structures in the photoresist of the wafer, which result from the exposure of the same with the image of the mask.
  • the photoresist is a sacrificial layer. It is removed in the wafer manufacturing process after an etching step. It serves as an etching mask for structuring the later electrically used structures of the wafer.
  • the etching process is simulated by means of an etching model.
  • the prediction of the wafer structures that can be produced by means of the same can be compared with at least one predetermined boundary condition, which must be fulfilled by the wafer structures to be produced.
  • the boundary conditions result, for example, from the electrical functionality of the component to be produced, in particular the chip.
  • an error in the edge placement error must not be greater than that which does not lead to an electrical short circuit, or errors in the structure sizes may at most become so large that the requirements for the electrical capacitance are met. the.
  • a model for characterizing the lithography process is used to simulate the effect of the aerial image of the mask on the wafer.
  • This model may include a plurality of different submodels.
  • the model can image single or multiple, in particular all steps of this chain of action.
  • the different sub-steps of the model can be calibrated independently.
  • the model for characterizing the lithography process is also referred to as a computer-aided lithography model ("computational lithography model").
  • the invention in particular, it is provided to transmit actually measured aerial images to a wafer by means of a calibrated resist and etching model.
  • the effect of the mask is determined in particular via a simulation for the prediction of the processed wafer.
  • the combination of the aerial image already available in mask making with a calibrated resist and etch model for wafer processing allows the mask to be qualified already during mask production, i. before using the mask in the wafer exposure system.
  • a plurality of images of different mask structures is determined, in particular detected, for determining the at least one aerial image of the mask.
  • at least 10, in particular at least 20, in particular at least 30, in particular at least 50, in particular at least 100, in particular up to several thousand mask structures are determined, in particular detected.
  • the number of specific mask structures is usually less than 100,000, in particular less than 30,000, in particular less than 10,000.
  • the different mask structures may be structures which are arranged in different areas on the mask. They can also differ in their details, such as the line width, the line frequency, the number of lines or the alignment of the lines. They may differ in particular with regard to a parameter which is relevant for their imaging on the wafer.
  • a plurality of aerial images is recorded in the different focal planes of the at least one mask structure.
  • a plurality of aerial images are recorded in different focal planes of all of the mask structures to be determined.
  • a plurality of scanned images are billed for registration with registration data.
  • the use of registration data for the qualification of the individual masks can be particularly advantageous. This can in particular increase the accuracy.
  • the structures in the photoresist of the wafer are measured with an electron microscope.
  • the parameters describing the photoresist process can then be optimized in such a way that the deviations of the measured structures, in particular the Structure widths are minimized by the predicted with the model with the aerial images as input structures.
  • the etch model can be calibrated according to an electron microscopic measurement of the structures on the processed wafer.
  • the resist model and / or the etch model or the combined resist etch model is calibrated with the aid of wafer structures measured on a wafer.
  • the wafer structures are measured in particular by means of an electron microscope, in particular a scanning electron microscope.
  • the resist model and / or the etch model is part of a model for characterizing the lithography process, which comprises at least two submodels which are calibrated separately from one another.
  • a separate calibration of the processes up to aerial imaging and the processes taking place after that is provided.
  • the calibration is carried out in particular using illumination and imaging conditions as used in the exposure of the Wafers provided projection exposure system are actually provided.
  • the aerial image or images of the mask are not predicted with the aid of the model, but are detected directly, they can advantageously serve as input for the resist model and / or the etch model or the combined resist-etch model. It has been found that this leads to a considerable improvement in the prediction of the wafer structures that can be produced by means of the mask.
  • an optical model is used to determine the aerial image of the mask.
  • the input to this optical model is a selection of data to characterize the mask design, electron microscopic measurements of the mask structures, parameters to characterize the illumination used to illuminate the mask, and parameters to characterize the optical design used to image the mask onto the wafer used projection exposure system.
  • the optical model can also be calibrated using actual aerial image data and design input.
  • predetermined illumination and / or imaging conditions are used, which at least substantially correspond to those of a scanner to be used for imaging the mask actually.
  • the characteristic properties of the illumination setting provided for illuminating the mask and / or the properties of the projection exposure apparatus are taken into account.
  • registration data is used to calibrate the optical model. These can be determined by separate measurements on the mask.
  • a prediction error using a Merit function is minimized.
  • the sum of the quadratic deviations of all structures can be used as a merit function.
  • the effect chain from the mask to the formation of the aerial image can be simulated.
  • a selection of the following variables is specified as a boundary condition: maximum edge positioning error, maximum permitted variation of the line width or area of contact structures, asymmetries in line widths or edge positions, line roughness and process window size (ie in a sufficient range) wide range of dose and focus fluctuations meets the requirements for previous sizes).
  • maximum edge positioning error maximum permitted variation of the line width or area of contact structures
  • asymmetries in line widths or edge positions line roughness and process window size (ie in a sufficient range) wide range of dose and focus fluctuations meets the requirements for previous sizes).
  • uncertainties of the simulation and / or statistical fluctuations are taken into account when qualifying the mask.
  • aerial images for the entire process window of the wafer exposure in particular for the entire focus and / or dose range, in the qualification of the mask.
  • the qualification of the mask it can be used, in particular, that at least a certain proportion of the ascertained probability distribution, in particular at least 90%, in particular at least 95%, in particular at least 99%, in particular at least 99.9%, of the masks fulfill the predetermined boundary condition ,
  • the mask can be qualified in particular depending on whether the mask structures have at least a predetermined minimum probability, for example of at least 90%, in particular at least 95%, in particular at least 99%, in particular at least 99.9%, to wafer structures lead, which meet the at least one given boundary condition.
  • a predetermined minimum probability for example of at least 90%, in particular at least 95%, in particular at least 99%, in particular at least 99.9%, to wafer structures lead, which meet the at least one given boundary condition.
  • the expected fluctuations and knowledge of the lighting setting to be used can be determined and / or the optical data of the projection exposure apparatus are taken into account.
  • a system for qualifying a mask for microlithography preferably comprises a device for acquiring an aerial image of a mask structure, a device for measuring wafer structures which can be produced with the aid of the mask, and a computer for adapting parameters of a model for the prediction of wafer structures from a measured aerial image.
  • Fig. 1 shows schematically the different steps and relevant
  • Fig. 3 is a schematic representation of an alternative method for qualifying a mask for microlithography
  • FIG. 1 shows the different steps and intermediate stages of a lithography process 2.
  • the design 3 of a mask 1 is designed.
  • the design 3 um summarizes a plurality of structures to be imaged 4.
  • the mask 1 is produced.
  • actual mask structures 6 are produced.
  • the mask structures 6 are intended to reproduce the structures 4 to be imaged of the design 3 of the mask 1 as exactly as possible. They are formed on a wafer 8 during the production of a micro- or nano-structured component 7.
  • the micro- or nano-structured component 7 forms, in particular, a chip, in particular a memory chip or processor (CPU or GPU).
  • a lithography process is used. This is done using a projection exposure system.
  • an image of the mask structures 6 is generated. This can be over an aerial view 9 of the mask
  • the aerial image 9 of the mask 1 leads to the exposure of a photosensitive layer 11 on the wafer 8.
  • the photosensitive layer 11 used is in particular a photoresist.
  • the exposure of the photosensitive layer 11 on the wafer 8 also becomes as a patterning of the photosensitive layer
  • resist process 12 II or briefly referred to as resist process 12.
  • the patterning of the photosensitive layer 11 is followed by an etching process 13.
  • the wafer 8 is etched.
  • wafer structures 14 to be produced are formed.
  • the photosensitive layer 11 which forms a sacrificial layer can subsequently be removed.
  • the mask production step 5, the optical image 10, the resist process 12 and the etching process 13 form components of the lithography process 2.
  • the lithography process 2 and / or individual components thereof may be described by one or more simulation models.
  • the qualification of the mask 1 it is provided to determine the aerial image 9 of the mask 1 as well as its effect on the wafer 8 with the photosensitive layer 11, in particular up to the production of the wafer structures 14 of the component 7.
  • an approach integrating the various process steps 10, 12 and 13 is provided.
  • the qualification of the mask 1 described in more detail below is also referred to as a holistic mask qualification.
  • the combination of aerial image acquisition and simulation of the wafer structures resulting from a given aerial image with the help of a computer-aided lithography model leads to a significant improvement in the qualification of masks for microlithography.
  • the effect of the mask 1 in the lithography process 2 results from its aerial image 9.
  • the acquisition and measurement of the aerial image 9 of the mask 1 leads to a much more accurate input for a model for simulating the subsequent resist process 12 and / or the etching process 13 as the measurement of the mask structures 6 itself.
  • the aerial image 9 can also be determined, in particular simulated, from the measurement of characteristic variables of the mask structures 6 with the aid of a model of the optical image 10.
  • an aerial image generation simulator can be provided. This may be part of a computer-aided lithography platform.
  • Ligur 2 an example of the process flow during the qualification of the mask 1 is shown schematically.
  • the process development 15 and the mask qualification 16 are delimited by way of example in FIG. 2.
  • the center of the process flow is a calibrated computer-aided lithography model 17. This can include submodels for the previously described method steps in the production of the component 7.
  • To determine the result 18 of the qualification of the mask 1, one or more predetermined boundary conditions 19 are taken into account.
  • Boundary condition 19 may in particular serve a maximum allowable edge positionation error and / or a maximum permitted variation of the line width.
  • the measurement 20 of wafer structures 14 also serves as input for the lithography model 17. This can be done, in particular, by means of an electron microscopic method.
  • data for characterizing the aerial image 9 of the mask 1, in particular the mask structures 6, serve as input for the lithography model 17 for qualification of the mask 1.
  • an aerial image measurement 21 is performed.
  • the aerial image measurement 21 of the mask structures 6 can be combined with a registration measurement of the same.
  • This data can be forwarded to a server 22.
  • the server 22 may forward this data to the lithography model 17.
  • the data of the aerial image measurement 21 and, if appropriate, the registration measurement of the mask structures 6 can also be forwarded directly to the lithography model 17, ie. H. serve as input for the lithography model 17.
  • FIG. 3 shows by way of example an alternative of the qualification process flow according to FIG.
  • a requirement profile 24 for the aerial image 9 of the mask 1, in particular the mask structures 6, is determined from the boundary conditions 19 by means of a computer-aided simulation 23.
  • the requirement profile 24 is sufficient.
  • the method is basically suitable for arbitrary masks 1 for microlithography.
  • the advantages of the method are particularly pronounced with respect to masks 1 for EUV wavelengths, which are also referred to as EUV masks.
  • an aerial image 9 of the same is determined.
  • this is preferably detected directly.
  • the effect of the aerial image 9 on the wafer 8 with the photosensitive layer 11 for the production of the component 7 is determined by means of a simulation method 25, in particular predicted.
  • the simulation method 25 includes a model for describing the resist process 12 and / or the etching process 13 or a combined resist etching process. These models can be calibrated by means of surveys of the wafer structures 14, as will be described in more detail below.
  • aerial images 9 can be used.
  • aerial images 9 are under the same or very similar illumination and / or imaging conditions as in a lithography system provided for the subsequent wafer exposure measured.
  • the same wavelength, numerical aperture of the image, illumination setting and main beam angle is preferably used.
  • the optical model for describing the optical image 10 can be calibrated in particular with concrete aerial image data and design parameters for the description of a radiation source, a lighting setting and a projection exposure apparatus.
  • Various test structures of different geometry, size and pitch can be used to calibrate the optical model to describe the optical image 10.
  • the parameters of the optical model are adjusted to minimize the prediction error using a Merit function. In this case, for example, the sum of the quadratic deviations of all structures can be used as a merit function.
  • the simulation 25 for predicting the effect of the aerial image 9 on the photosensitive layer 11, and in particular for the production of the wafer structures 14, it is possible in particular to obtain electron microscope images of the structures in the photosensitive layer 11 after the exposure thereof or electron microscope images of the wafer layers.
  • Structures 14 are used.
  • the structures in the photosensitive layer 11 on the wafer 8 can be measured with an electron microscope, in particular with regard to their size ("critical dimension", CD).
  • the parameters describing the resist process 12 can then be optimized in such a way that the deviations of the measured structures from those predicted by means of the model with the measured aerial images 9 as input are minimized. This will calibrate the resist model. Accordingly, the wafer structures 14 can be measured electron microscopically.
  • the etching model is calibrated
  • a common calibration of a resist etching model can be carried out with the aid of electron microscopically measured wafer structures 14.
  • the aerial image data serves as input again.
  • the prediction of the wafer structures 14 that can be produced with the aid of the mask 1 can be substantially improved.
  • a plurality of aerial images 9, in particular of a plurality of different mask structures 6, can be accommodated.
  • at least 10, in particular at least 20, in particular at least 30, in particular at least 50, in particular at least 100, aerial photographs 9 of different mask structures 6 are included. It is also possible to include a few thousand aerial images 9 of different mask structures 6.
  • the qualification of the mask takes place by measuring a suitable selection of defined structures, the number of which can correspond to the aerial images.
  • an image of the entire mask can also be taken, for example by adding composed of many single images or with a mask movement
  • Scan synchronized readout of an image sensor (e.g., "TDI” Time Delay Integration).
  • the aerial images 9 are taken in particular using illumination and imaging conditions, in particular measured, as provided in the projection exposure apparatus provided for imaging the mask 1 on the wafer 8.
  • a so-called aerial image metrology system can be used.
  • AIMS aerial image metrology system
  • the aerial image 9 of the mask 1 leads to a considerable improvement, in particular the reliability of the prediction, of the wafer structures 14 that can be produced with the aid of the mask 1.
  • the aerial image 9 can also be determined by electron microscopy
  • Mask structures 6 are determined using the previously described optical model for simulating the optical image 10.
  • the actual detection of the aerial image 9 detects all effects relevant to the effect of the mask 1, in particular, for example, the surface roughness of the mask, the so-called mask error enhancement factor (MEEF), the three-dimensional structure of the mask Edges as well as the optically relevant parameters of the materials of the mask 1.
  • MEEF mask error enhancement factor
  • Corresponding parameters can be taken into account in a model for simulating the optical image 10.
  • this increases the uncertainty with respect to the prediction values, since the simulation usually uses approximations and these parameters are known only with limited accuracy. By actually capturing the aerial images 9, such uncertainties can be eliminated. This leads to an increased yield in the mask production process.
  • the predicted wafer structures 14 which can be produced with the aid of the aerial images 9 are compared with the requirements of these.
  • the requirements for the wafer structures 14 result from the electrical functionality of the component 7 to be produced. For example, the edge positioning error must not be so great that electrical short circuits can occur. If this can be ruled out, the mask 1 is considered positively qualified.
  • uncertainties of the simulation process in particular uncertainties in the description of the resist process 12 and / or the etching process 13, as well as statistical effects can be calculated.
  • a certain proportion of a suitably determined probability distribution fulfills the given requirements.

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Abstract

Zur Qualifizierung einer Maske (1) für die Mikrolithographie wird die Wirkung eines Luftbildes (9) der Maske (1) auf den Wafer (8) mittels einer Simulation zur Vorhersage der mittels der Maske (1) herstellbaren Wafer-Strukturen (14) ermittelt.

Description

Verfahren zur Qualifizierung einer Maske für die Mikrolithographie
Die vorliegende Patentanmeldung nimmt die Priorität der deutschen Pa- tentanmeldung DE 10 2017 220 872.4 in Anspruch, deren Inhalt durch Be- zugnahme hierin aufgenommen wird.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Qualifizierung einer Maske für die Mikrolithographie. Die Erfindung betrifft außerdem ein System zur Quali- fizierung einer Maske für die Mikrolithographie.
Bei der Mikrolithographie werden Strukturen von Fotomasken auf einen Wafer abgebildet. Die auf diese Weise auf dem Wafer herstellbaren Struk- turen hängen zum einen von den Maskenstrukturen zum anderen von den Abbildungseigenschaften der Projektionsbelichtungsanlage ab.
Für die Qualifizierung einer Fotomaske ist es entscheidend, beurteilen zu können, ob die Maskenstrukturen zur Herstellung von vorbestimmten Wafer- Strukturen geeignet sind oder nicht. Es ist eine Aufgabe der Erfm- dung, ein Verfahren und ein System zur Qualifizierung einer Maske für die Mikrolithographie zu verbessern.
Diese Aufgaben werden durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche der Erfindung gelöst.
Der Kern der Erfindung besteht darin, zur Qualifizierung einer Maske für die Mikrolithographie eine Erfassung mindestens eines Luftbildes der Maske mit einer Simulation zur Bestimmung der Wirkung des Luftbildes auf den Wafer zu kombinieren. Erfmdungsgemäß wurde erkannt, dass hierdurch eine Qualifizierung der Maske über die mit ihrer Hilfe herstellbaren Wafer-Strukturen möglich ist. Dies führt zu einer zuverlässigeren Qualifizierung der Maske.
Zum Bestimmen der Wirkung mindestens eines der ein oder mehreren Luftbilder auf den Wafer ein Resist-Modell und/oder ein Ätz-Modell ver- wendet.
Das Resist-Modell dient zur Vorhersage der Strukturen im Fotolack des Wafers, welche sich aus der Belichtung desselben mit dem Bild der Maske ergeben.
Der Fotolack ist eine Opferschicht. Er wird im Wafer-Herstellungsprozess nach einem Ätzschritt entfernt. Er dient als Ätzmaske zur Strukturierung der später elektrisch genutzten Strukturen des Wafers. Der Ätz-Prozess wird mittels eines Ätz-Modells simuliert.
Zur Qualifizierung der Maske wird die Vorhersage der mittels derselben herstellbaren Wafer- Strukturen mit mindestens einer vorgegebenen Rand- bedingung, welche von den herzustellenden Wafer-Strukturen erfüllt wer- den muss, verglichen.
Die Randbedingungen ergeben sich beispielsweise aus der elektrischen Funktionalität des herzustellenden Bauelements, insbesondere des Chips. Beispielsweise darf ein Fehler in der Kantenpositionierung („edge place- ment error“) höchstens so groß sein, dass er nicht zu einem elektrischen Kurzschluss führt, oder Fehler in den Strukturgrößen höchstens so groß werden, dass die Anforderungen an die elektrische Kapazität erfüllt wer- den. Mit Hilfe des erfmdungsgemäßen Verfahrens ist es möglich, die eigentlich relevanten Größen, insbesondere die Wafer-Strukturen, zur Qualifizierung der Maske zu verwenden. Es wird insbesondere die direkte Wirkung der Maske auf den Wafer qualifiziert, nicht lediglich einzelne Fehlerbeiträge, welche in der Regel nicht unabhängig voneinander sind. Hierdurch ist ins- besondere eine zuverlässigere Qualifizierung der Maske möglich.
Erfmdungsgemäß wurde insbesondere erkannt, dass bei einer separaten Vermessung von unterschiedlichen Beiträgen beispielsweise zum Kanten- positionierungsfehler keine Kompensationseffekte genutzt werden können. Eine integrale Qualifizierung der Maske gemäß der vorliegenden Erfm- dung führt zu einer verbesserten Charakterisierung der Maske sowie insbe- sondere zu einer höheren Maskenausbeute. Mit Hilfe des erfmdungsgemä- ßen Verfahrens ist es insbesondere nicht notwendig, eine Mehrzahl von Beiträgen zur Charakterisierung von Maskenfehlern separat zu bestimmen und/oder zu budgetieren.
Mit Hilfe des erfmdungsgemäßen Verfahrens kann insbesondere der Ertrag bei der Maskenherstellung und/oder der Waferherstellung erhöht bzw. der Ausschuss verringert werden.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung dient zur Simulation der Wirkung des Luftbildes der Maske auf den Wafer ein Modell zur Charakterisierung des Lithographieprozesses. Dieses Modell kann eine Mehrzahl unterschiedli- cher Teilmodelle umfassen. Es kann insbesondere die gesamte Wirkkette vom Maskendesign über die Maskenfertigung, die optische Abbildung der Maske, die Belichtung und Strukturierung einer strahlungsempfmdlichen Schicht auf dem Wafer, insbesondere einer sogenannten Resist-Schicht, und die Ätzung des Wafers mit der strukturierten Resist-Schicht zur Her- stellung des prozessierten Wafers umfassen. Das Modell kann insbesondere einzelne oder mehrere, insbesondere sämtliche Schritte dieser Wirkkette abbilden. Hierbei können die unterschiedlichen Teilschritte des Modells unabhängig voneinander kalibriert werden.
Das Modell zur Charakterisierung des Lithographieprozesses wird auch als rechnergestütztes Lithographiemodell („computational lithography model“) bezeichnet.
Erfindungsgemäß ist insbesondere vorgesehen, tatsächlich gemessene Luftbilder mittels eines kalibrierten Resist- und Ätz-Modells rechnerisch auf einen Wafer zu übertragen. Die Wirkung der Maske wird insbesondere über eine Simulation zur Vorhersage des prozessierten Wafers ermittelt.
Die Kombination des bereits in der Maskenherstellung zugänglichen Luft- bildes mit einem kalibrierten Resist- und Ätz-Modell für die Wafer- Prozessierung erlaubt die Qualifizierung der Maske bereits während der Masken-Produktion, d.h. vor Einsatz der Maske in der Waferbelichtungs- anlage.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird zum Bestimmen des mindestens einen Luftbildes der Maske eine Mehrzahl von Bildern unter- schiedlicher Masken- Strukturen bestimmt, insbesondere erfasst. Es werden insbesondere mindestens 10, insbesondere mindestens 20, insbesondere mindestens 30, insbesondere mindestens 50, insbesondere mindestens 100, insbesondere bis zu mehreren tausend Masken-Strukturen, bestimmt, ins- besondere erfasst. Üblicherweise liegt die Anzahl der bestimmten Masken- Strukturen bei weniger als 100 000, insbesondere weniger als 30 000, ins- besondere weniger als 10 000. Bei den unterschiedlichen Masken- Strukturen kann es sich um Strukturen handeln, welche in unterschiedlichen Bereichen auf der Maske angeordnet sind. Sie können sich auch in ihren Details, beispielsweise der Linienbreite, der Linienfrequenz, der Anzahl der Linien oder der Ausrichtung der Linien unterscheiden. Sie können sich insbesondere im Hinblick auf einen Para- meter unterscheiden, welcher für ihre Abbildung auf den Wafer relevant ist. Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird von der mindestens ei- nen Masken- Struktur eine Mehrzahl von Luftbildern in verschiedenen Fo- kusebenen aufgenommen. Vorzugsweise wird von sämtlichen der zu be- stimmenden Masken- Strukturen jeweils eine Mehrzahl von Luftbildern in verschiedenen Fokusebenen aufgenommen. Hierdurch können Fokus- Prozessschwankungen der Belichtungsanlage erfasst, insbesondere deren
Wirkung charakterisiert werden.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung werden mehrere Fuftbilder bezüglich ihrer Positionierung mit Registrationsdaten verrechnet.
Es wurde erkannt, dass die Verwendung von Registrationsdaten für die Qualifizierung der Einzelmasken besonders vorteilhaft sein kann. Hier- durch kann insbesondere die Genauigkeit gesteigert werden. Zur Kalibrierung des Resist-Modells werden die Strukturen im Fotolack des Wafers mit einem Elektronenmikroskop vermessen. Die den Fotolack- Prozess beschreibenden Parameter können daraufhin derart optimiert wer- den, dass die Abweichungen der gemessenen Strukturen, insbesondere der Strukturbreiten, von den mit dem Modell mit den Luftbildern als Input vorhergesagten Strukturen minimiert werden.
Das Ätz-Modell kann entsprechend nach einer elektronenmikroskopischen Vermessung der Strukturen auf dem prozessierten Wafer kalibriert werden.
Alternativ zu einer getrennten Kalibrierung des Resist-Modells und des Ätz-Modells kann auch eine gemeinsame Kalibrierung mittels der elektro- nenmikroskopisch vermessenen Strukturen auf dem prozessierten Wafer erfolgen. Als Input für das Modell dienen wiederum die Luftbilddaten der Masken- Strukturen.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird das Resist-Modell und/oder das Ätz-Modell oder das kombinierte Resist-Ätz-Modell mit Hil- fe von an einem Wafer vermessenen Wafer- Strukturen kalibriert.
Die Wafer-Strukturen werden insbesondere mit Hilfe eines Elektronenmik- roskops, insbesondere eines scannenden Elektronenmikroskops, vermes- sen.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist das Resist-Modell und/oder das Ätz-Modell Bestandteil eines Modells zur Charakterisierung des Lithographieprozesses, welches mindestens zwei Teilmodelle umfasst, welche getrennt voneinander kalibriert werden. Es ist insbesondere eine getrennte Kalibrierung der Prozesse bis zur Luftbilderzeugung und den nach dieser stattfmdenden Prozessen vorgesehen.
Die Kalibrierung erfolgt insbesondere unter Verwendung von Beleuch- tungs- und Abbildungsbedingungen, wie sie in der zur Belichtung des Wafers vorgesehenen Projektionsbelichtungsanlage tatsächlich vorgesehen sind.
Sofern das oder die Luftbilder der Maske nicht mit Hilfe des Modells vor- hergesagt, sondern direkt erfasst werden, können sie vorteilhaft als Input für das Resist-Modell und/oder das Ätz-Modell oder das kombinierte Re- sist-Ätz-Modell dienen. Es hat sich gezeigt, dass dies zu einer erheblichen Verbesserung der Vorhersage der mittels der Maske herstellbaren Wafer- Strukturen führt.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird zum Bestimmen des Luftbildes der Maske ein optisches Modell verwendet.
Als Input für dieses optische Modell dient eine Auswahl aus Daten zur Charakterisierung des Maskendesigns, elektronenmikroskopischer Mes- sungen der Masken- Strukturen, Parameter zur Charakterisierung des zur Beleuchtung der Maske verwendeten Beleuchtungssettings und Parameter zur Charakterisierung des optischen Designs der zur Abbildung der Maske auf den Wafer verwendeten Projektionsbelichtungsanlage.
Das optische Modell kann auch mit Hilfe von tatsächlich erfassten Luft- bilddaten und dem Designinput kalibriert werden.
Bei der Kalibrierung des optischen Modells werden typischerweise ver- schiedene Teststrukturen unterschiedlicher Geometrie, Größe und Pitch verwendet.
Zum Kalibrieren des optischen Modells werden insbesondere vorgegebene Beleuchtungs- und/oder Abbildungsbedingungen verwendet, welche zu- mindest im Wesentlichen denen eines zur Abbildung der Maske tatsächlich zu verwendenden Scanners entsprechen.
Vorzugsweise werden hierbei insbesondere die charakteristischen Eigen- schaften des zum Beleuchten der Maske vorgesehenen Beleuchtungsset- tings und/oder die Eigenschaften der Projektionsbelichtungsanlage berück- sichtigt.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung werden zur Kalibrierung des optischen Modells Registrationsdaten verwendet. Diese können durch se- parate Messungen an der Maske ermittelt werden.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird zum Kalibrieren des optischen Modells ein Vorhersagefehler unter Verwendung einer Merit- Funktion minimiert. Hierbei kann beispielsweise die Summe der quadrati- schen Abweichungen aller Strukturen als Merit-Funktion verwendet wer- den.
Mit Hilfe des optischen Modells kann die Wirkkette von der Maske zur Entstehung des Luftbildes simuliert werden.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird als Randbedingung eine Auswahl aus folgenden Größen vorgegeben: Maximaler Kantenpositionie- rungsfehler, maximal erlaubte Schwankung der Linienbreite oder der Flä- che von Kontaktstrukturen, Asymmetrien in Linienbreiten oder Kantenpo- sitionierungen, Linienrauigkeiten sowie Prozessfenstergröße (d.h. in einem hinreichend großen Bereich von Dosis- und Fokusschwankungen werden die Anforderungen an vorige Größen erfüllt). Als Randbedingung dienen insbesondere Anforderungen, welche sich aus der elektrischen Funktionalität des herzustellenden Bauelements ergeben.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung werden bei der Qualifizie- rung der Maske Unsicherheiten der Simulation und/oder statistische Schwankungen berücksichtigt.
Es ist insbesondere möglich, Luftbilder zum gesamten Prozessfenster der Waferbelichtung, insbesondere zum gesamten Fokus- und/oder Dosisbe- reich, in die Qualifizierung der Maske miteinzubeziehen. Es ist insbesonde- re möglich, bei der Qualifizierung Unsicherheiten im Resist-Modell und/oder im Ätz-Modell oder im kombinierten Resist-Ätz-Modell zu be- rücksichtigen. Es ist insbesondere möglich, statistische Effekte, insbeson- dere Schwankungen, bei der Qualifizierung zu berücksichtigen.
Als Kriterium für die Qualifizierung der Maske kann insbesondere dienen, dass mindestens ein bestimmter Anteil der ermittelten Wahrscheinlich- keitsverteilung, insbesondere mindestens 90 %, insbesondere mindestens 95 %, insbesondere mindestens 99 %, insbesondere mindestens 99,9 %, der Masken die vorgegebene Randbedingung erfüllen.
Die Maske kann insbesondere in Abhängigkeit davon qualifiziert werden, ob die Masken- Strukturen zumindest mit einer vorgegebenen Mindest- wahrscheinlichkeit, beispielsweise von mindestens 90 %, insbesondere mindestens 95 %, insbesondere mindestens 99 %, insbesondere mindestens 99,9 %, zu Wafer-Strukturen führen, welche die mindestens eine vorgege- bene Randbedingung erfüllen. Hierbei können die zu erwartenden Schwan- kungen sowie Kenntnisse des zu verwendenden Beleuchtungssettings und/oder der optischen Daten der Projektionsbelichtungsanlage berücksich- tigt werden.
Ein System zur Qualifizierung einer Maske für die Mikrolithographie um- fasst vorzugsweise eine Vorrichtung zur Erfassung eines Luftbildes einer Masken- Struktur, eine Vorrichtung zur Vermessung von Wafer- Strukturen, welche mit Hilfe der Maske herstellbar sind, sowie eine Recheneinrichtung zur Anpassung von Parametern eines Modells zur Vorhersage von Wafer- Strukturen aus einem gemessenen Luftbild.
Das System ermöglicht somit eine Vorhersage der Wafer-Strukturen mit Hilfe eines Simulations-Modells, bei welchem tatsächlich erfasste Luftbil- der einer Maske als Input dienen. Weitere Details und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der Beschrei- bung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch die unterschiedlichen Schritte und relevanten
Zwischenstufen eines Lithographieprozesses,
Fig. 2 schematisch einen Prozessablauf zur Qualifizierung einer
Maske für die Mikrolithographie,
Fig. 3 eine schematische Darstellung eines alternativen Verfahrens zur Qualifizierung einer Maske für die Mikrolithographie und
Fig. 4 eine stark vereinfachte Darstellung des Prozessflusses zur
Qualifizierung einer Maske für die Mikrolithographie. Im Folgenden werden die Details eines Verfahrens zur Qualifizierung einer Maske 1 für die Mikrolithographie anhand der Figuren beschrieben.
Figur 1 zeigt die unterschiedlichen Schritte und Zwischenstufen eines Li- thographieprozesses 2.
Zunächst wird das Design 3 einer Maske 1 entworfen. Das Design 3 um fasst eine Mehrzahl abzubildender Strukturen 4.
In einem Maskenfertigungsschritt 5 wird die Maske 1 hergestellt. Hierbei werden insbesondere tatsächliche Maskenstrukturen 6 hergestellt. Die Maskenstrukturen 6 sollen die abzubildenden Strukturen 4 des Designs 3 der Maske 1 möglichst exakt wiedergeben. Sie werden bei der Herstellung eines mikro- oder nano strukturierten Bauelements 7 auf einen Wafer 8 ab- gebildet. Das mikro- oder nano strukturierte Bauelement 7 bildet insbeson- dere einen Chip, insbesondere einen Speicherchip oder Prozessor (CPU oder GPU). Hierzu dient ein Lithographieverfahren. Dieses wird mit Hilfe einer Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt. Dabei wird ein Abbild der Maskenstrukturen 6 erzeugt. Dieses kann über ein Luftbild 9 der Maske
I charakterisiert werden. Der Zusammenhang zwischen der Maske 1 , ins- besondere deren Maskenstrukturen 6 und ihrem Luftbild 9, wird als opti- sche Abbildung 10 bezeichnet.
Das Luftbild 9 der Maske 1 führt zur Belichtung einer fotoempfindlichen Schicht 11 auf dem Wafer 8. Als fotoempfindliche Schicht 11 dient insbe- sondere ein Fotolack. Die Belichtung der fotoempfindlichen Schicht 11 auf dem Wafer 8 wird auch als Strukturierung der fotoempfindlichen Schicht
I I oder kurz als Resist-Prozess 12 bezeichnet. Auf die Strukturierung der fotoempfmdlichen Schicht 11 folgt ein Ätz- Prozess 13. Beim Ätz-Prozess 13 wird der Wafer 8 geätzt. Hierbei werden herzustellende Wafer- Strukturen 14 ausgebildet.
Die eine Opferschicht bildende fotoempfindliche Schicht 1 1 kann an- schließend entfernt werden.
Der Maskenfertigungsschritt 5, die optische Abbildung 10, der Resist- Prozess 12 und der Ätz-Prozess 13 bilden Bestandteile des Lithogra- phieprozesses 2.
Der Lithographieprozess 2 und/oder einzelne dessen Bestandteile können durch ein oder mehrere Simulationsmodelle beschrieben werden. Es ist insbesondere möglich, den Lithographieprozess 2 als Ganzes durch ein rechnergestütztes Lithographiemodell abzubilden. für tatsächliche Anwendungen ist es wesentlich, die Masken 1 dahinge- hend zu qualifizieren, ob sie zur Herstellung des Bauelements 7 geeignet sind oder nicht. Dies wird als Qualifizierung der Masken 1 bezeichnet.
Erfmdungsgemäß ist zur Qualifizierung der Maske 1 vorgesehen, das Luft- bild 9 der Maske 1 sowie die Wirkung desselben auf den Wafer 8 mit der fotoempfmdlichen Schicht 11 , insbesondere bis hin zur Herstellung der Wafer- Strukturen 14 des Bauelements 7, zu bestimmen. Hierfür ist ein über die verschiedenen Prozessschritte 10, 12 und 13 integrierender Ansatz vor- gesehen. In Anlehnung an die sogenannte holistische Lithographie wird die nachfolgend noch näher beschriebene Qualifizierung der Maske 1 auch als holistische Maskenqualifikation bezeichnet. Erfmdungsgemäß wurde erkannt, dass nicht die Maske an sich, sondern ihr Bild, insbesondere ihr Luftbild bzw. dessen Wirkung, auf die fotoempfmd- liche Schicht auf einem Wafer und die sich daraus ergebenden Wafer- Strukturen die eigentlich relevanten Größen zur Qualifizierung einer Mas- ke sind. Die Kombination aus Luftbild-Erfassung und Simulation der sich aus einem gegebenen Luftbild ergebenden Wafer-Strukturen mit Hilfe ei- nes rechnerunterstützten Lithographie-Modells führt zu einer wesentlichen Verbesserung der Qualifizierung von Masken für die Mikrolithographie.
Die Wirkung der Maske 1 im Lithographieprozess 2 ergibt sich aus ihrem Luftbild 9. Die Erfassung und Vermessung des Luftbildes 9 der Maske 1 führt zu einem wesentlich genaueren Input für ein Modell zur Simulation des nachfolgenden Resist-Prozesses 12 und/oder des Ätz-Prozesses 13 als die Vermessung der Maskenstrukturen 6 selbst.
Gemäß einer Alternative kann das Luftbild 9 auch aus der Vermessung charakteristischer Größen der Maskenstrukturen 6 mit Hilfe eines Modells der optischen Abbildung 10 bestimmt, insbesondere simuliert, werden. Hierfür kann ein Luftbild-Erzeugungs- Simulator vorgesehen sein. Dieser kann Bestandteil einer rechnergestützten Lithographie-Plattform sein.
In der Ligur 2 ist schematisch ein Beispiel des Prozessflusses bei der Quali- fizierung der Maske 1 dargestellt. Exemplarisch abgegrenzt sind in der Li- gur 2 die Prozessentwicklung 15 und die Maskenqualifikation 16. Im Zent- rum des Prozessflusses steht ein kalibriertes rechnergestütztes Lithogra- phiemodell 17. Dieses kann Teilmodelle für die vorhergehend beschriebe- nen Verfahrensschritte bei der Herstellung des Bauelements 7 umfassen. Zur Ermittlung des Ergebnisses 18 der Qualifizierung der Maske 1 werden eine oder mehrere vorgegebene Randbedingungen 19 berücksichtigt. Als Randbedingung 19 kann insbesondere ein maximal erlaubter Kantenpositi- onierungsfehler und/oder eine maximal erlaubte Variation der Linienbreite dienen.
Als Input für das Lithographiemodell 17 dient außerdem die Vermessung 20 von Wafer- Strukturen 14. Dies kann insbesondere mit Hilfe eines elekt- ronenmikroskopischen Verfahrens erfolgen.
Außerdem dienen als Input für das Lithographiemodell 17 zur Qualifizie- rung der Maske 1 Daten zur Charakterisierung des Luftbildes 9 der Maske 1, insbesondere der Maskenstrukturen 6. Hierfür wird insbesondere eine Luftbildmessung 21 durchgeführt.
Die Luftbildmessung 21 der Maskenstrukturen 6 kann mit einer Registrati- onsmessung derselben kombiniert werden. Diese Daten können an einen Server 22 weitergegeben werden. Der Server 22 kann diese Daten an das Lithographiemodell 17 weiterleiten.
Alternativ hierzu können die Daten der Luftbildmessung 21 sowie gegebe- nenfalls der Registrationsmessung der Maskenstrukturen 6 auch direkt an das Lithographiemodell 17 weitergegeben werden, d. h. als Input für das Lithographiemodell 17 dienen.
In Figur 3 ist eine Alternative des Qualifikationsprozessflusses gemäß Fi- gur 2 exemplarisch darstellt. Gemäß dieser Alternative wird aus den Rand- bedingungen 19 über eine rechnergestützte Simulation 23 ein Anforde - rungsprofil 24 für das Luftbild 9 der Maske 1 , insbesondere der Masken- strukturen 6, ermittelt. Zur Qualifizierung der Maske 1 wird sodann über- prüft, ob das Ergebnis der Luftbildmessung 21, gegebenenfalls nach Ver- rechnung mit einer Registrationsmessung, dem Anforderungsprofil 24 ge- nügt.
Das Verfahren ist grundsätzlich für beliebige Masken 1 für die Mikrolitho- graphie geeignet. Die Vorteile des Verfahrens sind im Hinblick auf Masken 1 für EUV- Wellenlängen, welche auch als EUV-Masken bezeichnet wer- den, besonders ausgeprägt.
Stark vereinfacht ist der Prozessfluss noch einmal in der Figur 4 schema- tisch dargestellt. Zur Qualifizierung der Maske 1 wird ein Luftbild 9 der- selben bestimmt. Zur Bestimmung des Luftbilds 9 der Maske 1 wird dieses vorzugsweise direkt erfasst. Die Wirkung des Luftbildes 9 auf den Wafer 8 mit der fotoempfindlichen Schicht 11 zur Herstellung des Bauelements 7 wird mit Hilfe eines Simulationsverfahrens 25 ermittelt, insbesondere vor- hergesagt. Das Simulations verfahren 25 umfasst ein Modell zur Beschrei- bung des Resist-Prozesses 12 und/oder des Ätz-Prozesses 13 oder eines kombinierten Resist-Ätz-Prozesses. Diese Modelle können, wie nachfol- gend noch näher beschrieben wird, mit Hilfe von Vermessungen der Wafer- Strukturen 14 kalibriert werden.
Im Folgenden werden weitere Details des Verfahrens beschrieben. Diese Details können im Wesentlichen beliebig miteinander kombiniert werden. Sie sind nicht als einschränkend für das Verfahren zu verstehen.
Zur Kalibrierung eines rechnergestützten Modells zur Simulation der opti- schen Abbildung 10 können tatsächlich vermessene Luftbilder 9 verwendet werden. Vorzugsweise werden derartige Luftbilder 9 unter gleichen oder sehr ähnlichen Beleuchtungs- und/oder Abbildungsbedingungen wie in einem für die spätere Waferbelichtung vorgesehenen Lithographie System vermessen. Insbesondere wird vorzugsweise die gleiche Wellenlänge, nu- merische Apertur der Abbildung, Beleuchtungs-Setting und Hauptstrahl- winkel verwendet. Das optische Modell zur Beschreibung der optischen Abbildung 10 kann insbesondere mit konkreten Luftbilddaten und Designparametern zur Be- schreibung einer Strahlungsquelle, eines Beleuchtungssettings und einer Projektionsbelichtungsanlage kalibriert werden. Zur Kalibrierung des opti- schen Modells zur Beschreibung der optischen Abbildung 10 können ver- schiedene Teststrukturen unterschiedlicher Geometrie, Größe und Pitch verwendet werden. Die Parameter des optischen Modells werden insbeson- dere derart angepasst, dass der Vorhersagefehler unter Verwendung einer Merit-Funktion minimiert wird. Hierbei kann beispielsweise die Summe der quadratischen Abweichungen aller Strukturen als Merit-Funktion ver- wendet werden.
Für die Simulation 25 zur Vorhersage der Wirkung des Luftbildes 9 auf die fotoempfindliche Schicht 11 sowie insbesondere für die Herstellung der Wafer- Strukturen 14 können insbesondere elektronenmikroskopische Bil- der der Strukturen in der fotoempfindlichen Schicht 11 nach der Belichtung derselben bzw. elektronenmikroskopische Bilder der Wafer-Strukturen 14 verwendet werden. Die Strukturen in der fotoempfindlichen Schicht 11 auf dem Wafer 8 können mit einem Elektronenmikroskop vermessen werden, insbesondere im Hinblick auf ihre Größe („critical dimension“, CD). Die den Resist-Prozess 12 beschreibenden Parameter können sodann derart op- timiert werden, dass die Abweichungen der gemessenen Strukturen von den mit Hilfe des Modells mit den gemessenen Luftbildern 9 als Input vor- hergesagten minimiert werden. Hierdurch wird das Resist-Modell kalib- riert. Entsprechend können die Wafer-Strukturen 14 elektronenmikroskopisch vermessen werden. Durch Optimierung der Parameter eines Ätz-Modells zur Simulation des Ätz-Prozesses 13 derart, dass sich aus den Strukturgrö- ßen in der fotoempfmdlichen Schicht 11 bestmöglich die Strukturgrößen der Wafer-Strukturen 14 auf dem prozessierten Wafer 8 ergeben, wird das Ätz-Modell kalibriert.
Anstelle einer getrennten Kalibrierung des Resist-Modells und des Ätz- Modells kann eine gemeinsame Kalibrierung eines Resist-Ätz-Modells mit Hilfe von elektronenmikroskopisch vermessenen Wafer-Strukturen 14 er- folgen. Als Input dienen wiederum die Luftbilddaten.
Durch Verwendung der tatsächlich gemessenen Luftbilder 9 der Maske 1 als Input für das Resist- und Ätz-Modell kann die Vorhersage der mit Hilfe der Maske 1 herstellbaren Wafer- Strukturen 14 wesentlich verbessert wer- den.
Zur Qualifizierung der Maske 1 kann eine Mehrzahl von Luftbildern 9, insbesondere von einer Mehrzahl unterschiedlicher Maskenstrukturen 6, aufgenommen werden. Es ist insbesondere vorgesehen, mindestens 10, ins- besondere mindestens 20, insbesondere mindestens 30, insbesondere min- destens 50, insbesondere mindestens 100, Luftbilder 9 unterschiedlicher Maskenstrukturen 6 aufzunehmen. Es können auch einige tausend Luftbil- der 9 unterschiedlicher Maskenstrukturen 6 aufgenommen werden. Bevor- zugt und in der Maskenqualifikation üblich findet die Qualifizierung der Maske durch Vermessung einer geeigneten Auswahl an definierten Struk- turen statt, deren Anzahl den Luftbildern entsprechen kann. Alternativ kann auch ein Bild der gesamten Maske aufgenommen werden, z.B. durch Zu- sammensetzen vieler Einzelbilder oder mit einer Maskenbewegung
(„Scan“) synchronisiertem Auslesen eines Bildsensors (z.B.„TDI“ Time delay Integration).
Die Luftbilder 9 werden insbesondere unter Verwendung von Beleuch- tungs- und Abbildungsbedingungen aufgenommen, insbesondere vermes- sen, wie sie in der zur Abbildung der Maske 1 auf den Wafer 8 vorgesehe- nen Projektionsbelichtungsanlage vorgesehen sind. Zur Vermessung des Luftbildes kann insbesondere ein sogenanntes Luftbildvermessungssystem („aerial image metrology System“, AIMS) verwendet werden. Lür Details sei auf die DE 10 2010 029 049 Al und die DE 10 2013 212 613 Al ver- wiesen.
Eine tatsächliche Erfassung des Luftbildes 9 der Maske 1 führt zu einer erheblichen Verbesserung, insbesondere der Zuverlässigkeit der Vorhersa- ge, der mit Hilfe der Maske 1 herstellbaren Wafer-Strukturen 14. Prinzipi- ell kann das Luftbild 9 auch aus einer elektronenmikroskopischen Vermes- sung der Maskenstrukturen 6 mit Hilfe des vorhergehend beschriebenen optischen Modells zur Simulation der optischen Abbildung 10 ermittelt werden.
Die tatsächliche Erfassung des Luftbildes 9 erfasst jedoch alle für die Wir- kung der Maske 1 relevanten Effekte, insbesondere beispielsweise auch die Oberflächenrauhigkeit der Maske, den sogenannten Maskenfehlerverstär- kungsfaktor („mask error enhancement factor“, MEEF), die dreidimensio- nale Struktur der Kanten sowie die optisch relevanten Parameter der Mate- rialien der Maske 1. Entsprechende Parameter können bei einem Modell zur Simulation der op- tischen Abbildung 10 berücksichtigt werden. Hierdurch vergrößert sich allerdings die Unsicherheit im Hinblick auf die Vorhersagewerte, da die Simulation in der Regel Näherungen verwendet und diese Parameter nur mit begrenzter Genauigkeit bekannt sind. Durch tatsächliche Erfassung der Luftbilder 9 können derartige Unsicherheiten eliminiert werden. Dies führt zu einer gesteigerten Ausbeute im Maskenproduktionsprozess.
Außerdem ist es möglich, Prozessfenster der Waferbelichtung zu vermes- sen. Hierzu kann in dem für die Waferbelichtung relevanten Fokusbereich gemessen werden. Außerdem oder alternativ kann die Wirkung von Dosis- schwankungen bei der Belichtung der Maske 1 gemessen werden.
Zur Qualifizierung der Maske 1 werden die vorhergesagten, mit Hilfe der Luftbilder 9 herstellbaren Wafer-Strukturen 14 mit den Anforderungen an diese verglichen. Die Anforderungen an die Wafer-Strukturen 14 ergeben sich aus der elektrischen Funktionalität des herzustellenden Bauelements 7. Beispielsweise darf der Kantenpositionierungsfehler nicht so groß sein, dass es zu elektrischen Kurzschlüssen kommen kann. Kann dies ausge- schlossen werden, gilt die Maske 1 als positiv qualifiziert.
In die Qualifizierung der Maske 1 können Unsicherheiten des Simulations- Prozesses, insbesondere Unsicherheiten bei der Beschreibung des Resist- Prozesses 12 und/oder des Ätz-Prozesses 13, sowie statistische Effekte hineingerechnet werden. Als Kriterium für die positive Qualifizierung einer Maske 1 kann insbesondere dienen, dass ein bestimmter Anteil einer ent- sprechend ermittelten Wahrscheinlichkeitsverteilung die vorgegebenen Anforderungen erfüllt. Für Details sei auf die vorhergehende Beschreibung verwiesen.

Claims

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Qualifizierung einer Maske (1) für die Mikrolithogra- phie umfassend die folgenden Schritte:
1.1. Bereitstellen einer Maske (1) mit auf einen Wafer (8) abzubilden- den Masken- Strukturen (6),
1.2. Vorgabe mindestens einer Randbedingung, welche von herzustel- lenden Wafer-Strukturen (14) auf einem Wafer (8) erfüllt werden muss,
1.3. Bestimmen mindestens eines Luftbildes (9) der Maske (1),
1.4. Bestimmen einer Wirkung mindestens eines der ein oder mehreren Luftbilder (9) auf den Wafer (8) mittels einer Simulation zur Vor- hersage der mittels der Maske (1) herstellbaren Wafer-Strukturen (14),
1.5. wobei zum Bestimmen der Wirkung mindestens eines der ein oder mehreren Luftbilder (9) auf den Wafer (8) ein Resist-Modell und/oder ein Ätz-Modell verwendet wird.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zum Bestimmen des mindestens einen Luftbildes (9) der Maske (1) eine
Mehrzahl von Bildern unterschiedlicher Masken- Strukturen (6) aufge- nommen wird.
3. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, dass von mindestens einer Masken- Struktur (6) eine
Mehrzahl von Luftbildern (9) in verschiedenen Fokusebenen aufge- nommen wird.
4. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass mehrere Luftbilder (9) bezüglich ihrer Positionie- rung mit Registrationsdaten verrechnet werden.
5. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass das Resist-Modell und/oder das Ätz-Modell mit Hilfe von an einem Wafer (8) vermessenen Wafer- Strukturen (14) kalibriert wird.
6. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass zur Kalibrierung des Resist-Modells und/oder des Ätz- Modells Strukturen auf dem Wafer mit einem Elektronenmikroskop vermessen werden.
7. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansnrpüche, dadurch ge
kennzeichnet, dass das Resist-Modell und/oder das Ätz-Modell Be- standteil eines Modells zur Charakterisierung des Lithographieprozes- ses (2) ist, welches mindestens zwei Teilmodelle umfasst, welche ge- trennt voneinander kalibriert werden.
8. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass zum Bestimmen des mindestens einen Luftbildes (9) der Maske (1) ein optisches Modell verwendet wird.
9. Verfahren gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das op- tische Modell mit Hilfe von Luftbilddaten kalibriert wird.
10. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 oder 9, dadurch gekenn zeichnet, dass zum Kalibrieren des optischen Modells vorgegebene Beleuchtungs- und/oder Abbildungsbedingungen verwendet werden, welche zumindest im Wesentlichen denen eines zur Abbildung der Maske (1) tatsächlich zu verwendenden Scanners entsprechen.
11. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekenn zeichnet, dass zur Kalibrierung des optischen Modells Registrations- daten verwendet werden.
12. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekenn zeichnet, dass zum Kalibrieren des optischen Modells ein Vorhersage- fehler unter Verwendung einer Merit-Funktion minimiert wird.
13. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass als Randbedingung eine Auswahl aus folgenden Größen vorgegeben wird: maximal erlaubter Kantenpositionierungs- fehler, maximal erlaubte Schwankung oder Abweichung der Linien- breite, maximal Schwankung oder Abweichung der Fläche einer Struk- tur, maximal erlaubte Asymmetrien der Linienbreite, maximal erlaubte Linienrauigkeit.
14. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, dass bei der Qualifizierung der Maske (1) Unsicherhei- ten der Simulation und/oder statistische Schwankungen berücksichtigt werden.
15. System zur Qualifizierung einer Maske (1) für die Mikrolithographie umfassend
15.1. eine Vorrichtung zur Erfassung eines Luftbildes (9) einer Mas- ken-Struktur (6) einer Maske (1) für die Mikrolithographie,
. eine Vorrichtung zur Vermessung von Wafer-Strukturen (14), welche mit Hilfe der Maske (1) herstellbar sind,
. eine Recheneinrichtung zur Vorhersage von Wafer-Strukturen (14) aus einem gemessenen Luftbild (9).
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7097757B2 (ja) 2017-06-18 2022-07-08 コベンター・インコーポレーテッド 仮想半導体デバイス製作環境におけるキーパラメータ識別、プロセスモデル較正、及び変動性解析のためのシステムと方法
TWI831968B (zh) 2019-05-10 2024-02-11 美商科文特股份有限公司 虛擬半導體裝置製造環境中之製程窗的最佳化系統及方法
CN112541545B (zh) * 2020-12-11 2022-09-02 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 基于机器学习预测刻蚀工艺后cdsem图像的方法
CN112561873B (zh) * 2020-12-11 2022-11-25 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 一种基于机器学习的cdsem图像虚拟测量方法
DE102021130149A1 (de) 2021-11-18 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Vermessung von Photomasken für die Halbleiterlithografie
TW202431039A (zh) * 2022-09-30 2024-08-01 美商蘭姆研究公司 製造程序的最佳化

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007033243A1 (de) * 2007-07-12 2009-01-15 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren und Anordnung zur Analyse einer Gruppe von Photolithographiemasken
DE102009007770A1 (de) * 2009-02-05 2010-08-12 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren zur Bestimmung von Korrekturen für Elektronenstrahl-Maskenschreiber
DE102010029049A1 (de) 2010-05-18 2011-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem für die Untersuchung eines Objekts mit EUV-Beleuchtungslicht sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
US20120137260A1 (en) * 2010-11-29 2012-05-31 Linyong Pang Virtual Photo-Mask Critical-Dimension Measurement
DE102013212613A1 (de) 2013-06-28 2014-12-31 Carl Zeiss Sms Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102017101340A1 (de) * 2016-02-08 2017-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Simulation eines fotolithographischen Prozesses zur Erzeugung einer Wafer-Struktur

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3900296B2 (ja) * 1994-09-16 2007-04-04 株式会社ルネサステクノロジ パタン形成方法及び集積回路の製造方法
JP3634550B2 (ja) * 1997-04-03 2005-03-30 株式会社ルネサステクノロジ 投影レンズの収差測定方法
JP4678372B2 (ja) 2004-06-29 2011-04-27 株式会社ニコン 管理方法及び管理システム、並びにプログラム
US7488933B2 (en) * 2005-08-05 2009-02-10 Brion Technologies, Inc. Method for lithography model calibration
US7749666B2 (en) 2005-08-09 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. System and method for measuring and analyzing lithographic parameters and determining optimal process corrections
KR20080068820A (ko) * 2005-11-16 2008-07-24 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 방법, 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크,그리고 디바이스 제조 방법
WO2008092936A2 (en) 2007-02-02 2008-08-07 Lexas Research Ltd. Method and apparatus for measuring process parameters of a plasma etch process
KR100881194B1 (ko) * 2007-05-16 2009-02-05 삼성전자주식회사 공간 영상 검사 장비를 이용한 마스크 측정 방법
JP5077656B2 (ja) 2007-06-18 2012-11-21 株式会社ニコン パターンデータ処理方法及びシステム、並びに露光方法及び装置
DE102008019341B4 (de) 2008-04-15 2020-09-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Analyse von Masken für die Photolithographie
JP4693869B2 (ja) * 2008-06-02 2011-06-01 株式会社東芝 パターン検証方法、パターン検証システム、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法
JP2010034402A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Toshiba Corp パターン形状予測方法
JP2010276960A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Toshiba Corp 位相シフトマスク又はそのマスクデータの作成方法、及び半導体装置の製造方法
JP5672800B2 (ja) * 2010-07-02 2015-02-18 凸版印刷株式会社 フォトマスクの評価システム及びその方法
DE102011079382B4 (de) * 2011-07-19 2020-11-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Analysieren und zum Beseitigen eines Defekts einer EUV Maske
US9311700B2 (en) 2012-09-24 2016-04-12 Kla-Tencor Corporation Model-based registration and critical dimension metrology
US9547892B2 (en) * 2014-05-06 2017-01-17 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for predicting wafer-level defect printability
WO2016096351A1 (en) 2014-12-17 2016-06-23 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for using patterning device topography induced phase
US9910348B2 (en) 2015-06-30 2018-03-06 Globalfoundries Inc. Method of simultaneous lithography and etch correction flow
DE102015220537A1 (de) * 2015-10-21 2016-10-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem Manipulator

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007033243A1 (de) * 2007-07-12 2009-01-15 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren und Anordnung zur Analyse einer Gruppe von Photolithographiemasken
DE102009007770A1 (de) * 2009-02-05 2010-08-12 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren zur Bestimmung von Korrekturen für Elektronenstrahl-Maskenschreiber
DE102010029049A1 (de) 2010-05-18 2011-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem für die Untersuchung eines Objekts mit EUV-Beleuchtungslicht sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
US20120137260A1 (en) * 2010-11-29 2012-05-31 Linyong Pang Virtual Photo-Mask Critical-Dimension Measurement
DE102013212613A1 (de) 2013-06-28 2014-12-31 Carl Zeiss Sms Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102017101340A1 (de) * 2016-02-08 2017-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Simulation eines fotolithographischen Prozesses zur Erzeugung einer Wafer-Struktur

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