WO2019093649A1 - 신규한 화합물 및 이를 이용한유기 발광 소자 - Google Patents

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WO2019093649A1
WO2019093649A1 PCT/KR2018/010867 KR2018010867W WO2019093649A1 WO 2019093649 A1 WO2019093649 A1 WO 2019093649A1 KR 2018010867 W KR2018010867 W KR 2018010867W WO 2019093649 A1 WO2019093649 A1 WO 2019093649A1
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group
substituted
unsubstituted
oav
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PCT/KR2018/010867
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하재승
이성재
문현진
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주식회사 엘지화학
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/57—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton
    • C07C211/61—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton with at least one of the condensed ring systems formed by three or more rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Definitions

  • organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy.
  • the organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, excellent characteristics of luminance, driving voltage and response speed, and much research is proceeding.
  • the organic light emitting device generally has a structure including an anode and a cathode, and an organic layer between the anode and the cathode.
  • the organic material layer may have a multilayer structure composed of different materials.
  • the organic material layer may include a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • Patent Document 0001 Korean Patent Publication No. 10-2000-0051826 DISCLOSURE OF THE INVENTION
  • the present invention relates to a novel compound and an organic light emitting device comprising the same.
  • Ri, R 2 , R 4 and 3 ⁇ 4 are each independently hydrogen, deuterium, halogen, cyano, substituted or unsubstituted d-60 alkyl substituted or unsubstituted d- 60 alkoxy, substituted or unsubstituted d-60 thioalkyl 60 is an aryl, or tri (d-so alkyl) silyl, -, a substituted or unsubstituted C 3 - 60 cycloalkyl, substituted or unsubstituted C 6
  • a, b and d are each independently an integer of 0 to 4,
  • e is an integer of 0 to 3
  • Li and L < 2 > are each independently a single bond; Substituted or unsubstituted C 6 - 60 arylene; Or substituted or unsubstituted C 2 - 60 heteroarylene containing at least one hetero atom selected from the group consisting of N, O, and S, and Arr is represented by the following formula (2)
  • R 3 is selected from hydrogen, deuterium, halogen, cyano, substituted or unsubstituted d-60 alkyl, substituted or unsubstituted d-60 alkoxy, substituted or unsubstituted d- 60 thioalkyl, substituted or unsubstituted C 3 - 60 cycloalkyl, substituted or unsubstituted C 6 - 60 aryl, or tri (CHO-alkyl) silyl, and,
  • c is an integer of 0 to 7
  • Ar 2 is selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, naphthyl, dimethylfluorenyl, triphenylenyl, a substituent group represented by the following formula (3a) Any one of the aryls selected; Or dibenzofuranyl and dibenzothiophenyl, Ar 2 is unsubstituted or substituted with one to five deuterium atoms,
  • Ar 2 is the above-mentioned aryl.
  • the present invention also provides a plasma display panel comprising: a first electrode; A second electrode facing the first electrode; And at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes a compound represented by the formula (1) .
  • the compound represented by the general formula (1) can be used as a material of an organic material layer of an organic light emitting device and can improve the efficiency, the driving voltage and / or the lifetime of the organic light emitting device.
  • the compound represented by Formula 1 can be used as a hole injecting, hole transporting, hole injecting and transporting, hole controlling, light emitting, electron transporting, or electron injecting material.
  • Fig. 1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a light-emitting layer 3 and a cathode 4.
  • FIG. 2 is a schematic view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention which comprises a substrate 1, an anode 2, a hole injecting layer 5, a hole transporting layer 6, a hole adjusting layer 7, a light emitting layer 3, an electron transporting layer 8, And shows an example of an organic light emitting device.
  • the present invention provides a compound represented by the above formula (1).
  • substituted or unsubstituted A halogen group; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A carbonyl group; An ester group; Imide; An amino group; Phosphine oxide groups; An alkoxy group; An aryloxy group; An alkyloxy group; Arylthioxy group; An alkylsulfoxy group; Arylsulfoxy group; Silyl group; Boron group; An alkyl group; Cycloalkyl groups; An alkenyl group; An aryl group; Aralkyl groups; An aralkenyl group; An alkylaryl group; An alkylamine group; An aralkylamine group; A heteroarylamine group; An arylamine group; Arylphosphine groups; Or a heterocyclic group containing at least one of N, O and S atoms, or a substituted or unsubstituted
  • the "substituent group to which two or more substituents are connected” may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group, and two phenyl groups Can be interpreted as connected substituents.
  • the carbon number of the carbonyl group is not particularly limited
  • the compound may be a compound having the following structure
  • the ester group may be substituted with a straight-chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms in the ester group.
  • it may be a compound of the following structural formula
  • the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but is preferably 1 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.
  • the silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, But are not limited thereto.
  • the boron group specifically includes, but is not limited to, a trimethylboron group, a triethylboron group, a t-butyldimethylboron group, a triphenylboron group, and a phenylboron group.
  • examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
  • the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to one embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms.
  • alkyl group examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, Pentyl, neopentyl, tert-pentyl, n-butyl, n-butyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, N-heptyl, 1-methylnucleosilyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, Dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1, 1- Dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylnucleyl, 5-methylnyl, and the like, but are not limited thereto.
  • the alkenyl group may be straight-chain or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to one embodiment, the alkenyl group has 2 to 20 carbon atoms. According to another embodiment, the alkenyl group has 2 to 10 carbon atoms. According to another embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms.
  • the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms. According to one embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 20 carbon atoms.
  • the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms.
  • Specific examples include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3- 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but are not limited thereto.
  • the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to one embodiment, the aryl group has 6 to 30 carbon atoms. According to one embodiment, the aryl group has 6 to 20 carbon atoms.
  • the aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group or the like, But is not limited thereto.
  • polycyclic aryl group examples include, but are not limited to, a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a klycenyl group and a fluorenyl group.
  • a fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.
  • fluorenyl group examples include, but are not limited to, a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a klycenyl group and a fluorenyl group.
  • a fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.
  • the fluorenyl group examples include, but are not limited to
  • the heterocyclic group is a heterocyclic group containing at least one of 0, N, Si and S as a hetero atom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 60 carbon atoms.
  • heterocyclic group examples include a thiophene group, a furan group, a pyridine group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrimidyl group, A pyridazinyl group, an isoquinoline group, an indole group, an isoquinoline group, an isoquinoline group, an isoquinoline group, an isoquinoline group, an isoquinoline group, an isoquinoline group, A benzothiazole group, a benzothiophene group, a dibenzothiophene group, a benzofuranyl group, a phenanthroline group, a phenanthroline group, an isooxazolyl group, a benzooxazolyl group, , Thiadiazolyl group, phenothi
  • the aryl group in the aralkyl group, the aralkenyl group, the alkylaryl group and the arylamine group is the same as the aforementioned aryl group.
  • the alkyl group in the aralkyl group, the alkylaryl group, and the alkylamine group is the same as the alkyl group described above.
  • the heteroaryl among the heteroarylamines can be applied to the aforementioned heterocyclic group.
  • the alkenyl group in the aralkenyl group is the same as the above-mentioned alkenyl group.
  • the description of the aryl group described above can be applied except that arylene is a divalent group.
  • the description of the above-mentioned heterocyclic group can be applied except that the heteroarylene is a divalent group.
  • the description of the above-mentioned aryl group or cycloalkyl group can be applied except that the hydrocarbon ring is not a monovalent group and two substituents are bonded to each other.
  • the description of the above-mentioned heterocyclic group can be applied except that the heterocyclic ring is not a monovalent group and two substituents are bonded to each other.
  • R4 are hydrogen.
  • a, b, and d are zero.
  • the 3 ⁇ 4 is hydrogen or deuterium.
  • e is 3 and 3 ⁇ 4 is deuterium.
  • the silver is a single bond; Phenylene unsubstituted or substituted with one to four deuterium; Or unsubstituted or biphenylene substituted with one to eight deuterium.
  • L < 2 &gt is a single bond; Unsubstituted or. Or phenylene substituted with one to four deuterium; Or unsubstituted or biphenylene substituted with one to eight deuterium.
  • L 2 represents a single bond, and each independently represents a '; Or one of the following:
  • R < 3 > is hydrogen.
  • c is zero.
  • the compound represented by Formula 1 is represented by the following Formula 1-1-2:
  • Li and L < 2 > are each independently a single bond; Or phenylene,
  • Ar 2 is selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, naphthyl, dimethylfluorenyl, triphenylenyl, substituents represented by the following formula Lt; / RTI > Or dibenzofuranyl and dibenzothiophenyl, and Ar 2 is unsubstituted or substituted with one to five deuterium atoms,
  • the compound represented by Formula 1 is represented by the following Formula 1-3:
  • L < 2 &gt are each independently a single bond; Or phenylene; and 2 is phenyl, biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, naphthyl, dimethylfluorenyl, triphenylenyl, a substituent group represented by the following formula (3a) Wherein Ar < 2 > is unsubstituted or substituted with one to five deuterium atoms,
  • the compound represented by the formula (1) can be prepared by the following reaction scheme (1).
  • the antimony 1 is an amine-substituted antimony, which is obtained by reacting the compound represented by the formula 1-a and the compound represented by the formula 1-b or by reacting the compound represented by the formula 1-c and the compound represented by the formula 1-d To react with a compound represented by the formula (1) to produce a compound represented by the formula (1).
  • the reaction is preferably carried out in the presence of a palladium catalyst and a base, and the reaction for the amine-substituted reaction can be varied as is known in the art.
  • the above production method can be more specific in the production example to be described later.
  • the present invention also provides an organic light emitting device comprising the compound represented by the chemical lacquer 1 described above.
  • the present invention provides a liquid crystal display comprising: a first electrode; A second electrode facing the first electrode; And at least one organic layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic material layer contains a compound represented by Formula 1, to provide.
  • the organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked.
  • the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injecting layer, a hole transporting layer, a hole controlling layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer as organic layers.
  • the organic material layer may include a hole injecting layer, a hole transporting layer, a hole injecting and transporting layer, or a hole controlling layer, and the hole injecting layer, the hole transporting layer, the hole injecting and transporting layer,
  • the hole-controlling layer includes the compound represented by the above formula (1).
  • the organic layer may include a light emitting layer, and the light emitting layer includes a compound represented by the general formula (1).
  • the compound according to the present invention can be used as a dopant in a light emitting layer.
  • the organic material layer may include an electron transporting layer or an electron injecting layer, and the electron transporting layer or the electron injecting layer includes the compound represented by the above formula (1).
  • the electron mosquito, the electron injection layer, or the layer which simultaneously transports electrons and injects electrons includes the compound represented by the above formula (1).
  • the organic material layer may include a light emitting layer and an electron transporting layer, and the electron transporting layer may include a compound represented by the general formula (1).
  • the organic light emitting device according to the present invention may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.
  • the organic light emitting device according to the present invention may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, at least one organic material layer, and an anode are sequentially stacked on a substrate.
  • FIGS. Fig. 1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a light-emitting layer 3 and a cathode 4.
  • the compound represented by Formula 1 may be included in the light emitting layer.
  • FIG. 2 is a schematic view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention which comprises a substrate 1, an anode 2, a hole injecting layer 5, a hole transporting layer 6, a hole adjusting layer 7, a light emitting layer 3, an electron transporting layer 8, And shows an example of an organic light emitting device.
  • the compound represented by Formula 1 may be contained in at least one of the hole injecting layer, the hole transporting layer, the hole controlling layer, the light emitting layer, and the electron transporting layer.
  • the organic light emitting device according to the present invention can be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one of the organic material layers includes the compound represented by the above formula (1).
  • the organic layers may be formed of the same material or different materials.
  • the organic light emitting device according to the present invention can be manufactured by sequentially laminating a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate.
  • a metal oxide or a metal oxide having conductivity or a metal oxide having conductivity on the substrate may be formed on the substrate by using a PVD (physico-caliper deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation.
  • an organic light emitting device can be formed by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and a cathode material on a substrate.
  • the compound represented by Formula 1 may be formed into an organic layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method in the production of an organic light emitting device. have.
  • the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, ink jet printing, screen printing, spraying, coating, and the like, but is not limited thereto.
  • an organic light emitting device can be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and a cathode material from a cathode material on a substrate (WO 2003/012890).
  • the manufacturing method is not limited thereto.
  • the first electrode is an anode
  • the second electrode is a cathode
  • the first electrode is a cathode and the second electrode is a cathode.
  • As the anode material a material having a large work function is preferably used so that hole injection can be smoothly conducted to the organic material layer.
  • the positive electrode material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ⁇ 0: ⁇ 1 SN0 or 2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline, no.
  • the negative electrode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer.
  • the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Layer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, but the present invention is not limited thereto.
  • the hole injecting layer is a layer for injecting holes from an electrode.
  • the hole injecting material has a hole injecting effect, and has a hole injecting effect on the light emitting layer or a light emitting material.
  • a compound which prevents the migration of excitons to the electron injecting layer or the electron injecting material and is also excellent in the thin film forming ability is preferable.
  • the HOMO ratio of the hole injecting material be between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer.
  • the hole injecting material include organic materials such as porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic materials, quinacridone-based tetraphenylene-based organic materials, quinacridone-based organic materials, perylene ) Organic materials, anthraquinone, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
  • the hole transport layer is a layer that transports holes from the hole injection layer to the light emitting layer and transports holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer by using a hole transport material.
  • the light emitting material is preferably a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and receiving holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, and having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence.
  • the light emitting layer may include a host material and a dopant material.
  • the host material may be a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic ring-containing compound.
  • condensed aromatic ring derivative examples include anthracene derivatives, pyrene derivatives, Naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds.
  • heterocycle-containing compounds include, but are not limited to, carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder furan compounds, pyrimidine derivatives and the like .
  • splittable material examples include aromatic amine derivatives, styrylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, and metal complexes.
  • aromatic amine derivatives include condensed aromatic ring derivatives having substituted or unsubstituted arylamino groups, and examples thereof include pyrene, anthracene, chrysene, and peripherrhene having an arylamino group.
  • styrylamine compound include substituted or unsubstituted Wherein at least one aryl vinyl group is substituted with at least one aryl vinyl group, and at least one substituent selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an arylamino group is substituted or unsubstituted.
  • the electron transporting layer is a layer that receives electrons from the electron injecting layer and transports electrons to the light emitting layer.
  • the electron transporting material is a material capable of transferring electrons from the cathode well to the light emitting layer. Do. Specific examples include the A1 complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto.
  • the electron transporting layer can be used with any desired cathode material as used according to the prior art.
  • a suitable cathode material is a conventional material having a low work function followed by an aluminum layer or a silver bull. Specifically cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, in each case followed by an aluminum layer or a silver layer.
  • the electron injecting layer is a layer for injecting electrons from an electrode and has an ability to transmit and receive electrons and has an electron injecting effect from the cathode and an excellent electron injecting effect with respect to the light emitting layer or the light emitting material, A compound which prevents the migration of excitons to the hole injection layer and is excellent in the thin film forming ability is preferable.
  • fluorenone anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, A nitrogen-containing 5-membered ring derivative, and the like, but are not limited thereto.
  • Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8- Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8- hydroxyquinolinato) gallium, bis (10- Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8- quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (2-naphthalato) gallium, and the like But is not limited thereto.
  • the organic light emitting device according to the present invention may be a front emission type, a back emission type, or a both-sided emission type, depending on the material used.
  • the compound represented by Formula 1 may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to an organic light emitting device.
  • the preparation of the compound represented by Formula 1 and the organic light emitting device comprising the same will be described in detail in the following examples. However, the following examples are intended to illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.
  • Compound A2 was prepared in the same manner except that bromophenanthrene was used instead of 9-bromophenanthrene in the preparation of the compound A1.
  • Compound A4 was prepared in the same manner except that 4-bromobiphenyl was used instead of 9-bromophenanthrene in the preparation of the compound A1.
  • Compound A5 was prepared in the same manner except that 4-bromo-1,1 ', 4', 1 "-terphenyl was used instead of 9-bromophenanthrene in the preparation of compound A1.
  • Compound A6 was prepared in the same manner except that 4-bromo-dibenzo [b, d] furan was used instead of 9-bromophenanthrene in the preparation of the compound A1.
  • Compound B2 was prepared in the same manner except that 3-chlorophenylboronic acid was used instead of 4-chlorophenylboronic acid in the preparation of Compound B1.
  • Compound B3 was prepared in the same manner as in the preparation of Compound B1, except that 2-chlorophenylboronic acid was used instead of 4-chlorophenylboronic acid.
  • Compound B2 was prepared in the same manner except that 3-bromophenthrene was used instead of 9-bromophenanthrene and 3-chlorophenylboronic acid was used in place of 4-chlorophenylboronic acid in the preparation of the compound B1 .
  • Compound 2 was prepared in the same manner except that 1- (4-bromophenyl) naphthalene was used in place of 4-bromobiphenyl in the preparation of the compound 1.
  • Compound 3 was prepared in the same manner as in the preparation of Compound 1, except that 2-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene was used instead of 4-bromobiphenyl.
  • Compound 4 was prepared in the same manner as Compound 1, except that Compound A2 was used instead of Compound A1 and 2- (4-bromophenyl) naphthalene was used instead of 4-bromobiphenyl.
  • Compound 7 was prepared in the same manner as Compound 1, except that Compound A3 was used instead of Compound A1 and 4- (4-chlorophenyl) dibenzo [b, d] furan was used instead of 4- bromobiphenyl Respectively.
  • Compound 8 was prepared in the same manner as Compound 1, except that Compound B1 was used instead of Compound A1 and Compound A4 was used instead of 4-bromobiphenyl.
  • Compound 9 was prepared in the same manner as Compound 1, except that Compound B2 was used instead of Compound A1 and Compound A5 was used instead of 4-bromobiphenyl.
  • Compound 10 was prepared in the same manner as Compound 1, except that Compound B3 was used instead of Compound A1 and Compound A6 was used instead of 4-bromobiphenyl.
  • Compound 11 was prepared in the same manner as Compound 1, except that Compound B3 was used instead of Compound A1 and Compound A7 was used instead of 4-bromobiphenyl.
  • Step 2 Preparation of compound 12 (28.53 g, 69.67 mmol) and sodium tert-butoxide (9.19 g, 95.63 mmol) were added to a solution of the compound 1-A (20.0 g, 68.31 ⁇ ol), 9,9- And xylene (250 ml) was added thereto, followed by heating and stirring for 10 minutes.
  • Bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0.10 g, 0.20 ol ol) dissolved in xylene (20 ml) was added to the mixture and the mixture was heated with stirring for 1 hour. After completion of the reaction and filtration, it was layered with ruen and water. After removal of the solvent, the residue was recrystallized from ethyl acetate to obtain the compound 12 (35.5 g, yield 78.053 ⁇ 4).
  • Example 12 (20.0 g, 68.31 ⁇ ol), N- ([1,1'-biphenyl] -4- yl) -9,9-diphenyl] -911-fluorene prepared in Example 12 -2-amine (33.83 g, 69.67 ⁇ ol), the compound 13 (38.3 g, yield 75.57%) was prepared in the same manner as in the step 2 of Example 12.
  • N - ([1,1'-biphenyl] -2-yl) -9,9-diphenyl] (37.2 g, yield 73.40%) was prepared in the same manner as in step 2 of Example 12, using 3-fluoren-2-amine (33.83 g, 69.67 ⁇ ol).
  • Step 12 of Example 12 was repeated using 9- (3-chlorophenyl) phenanthrene (20.0 g, 69.26 ⁇ ol) and the compound 4-A prepared in Step 1 of Example 15 (29.29 g, 70.64 ⁇ ol) 2, the compound 16 (33.3 g, yield 72.12%) was prepared.
  • Methyl-2-iodobenzoate (50.0 g, 190.80 ⁇ ol) and (4-bromophenyl-2,3,5,6- (14) boronic acid (41.04 g, 200.34 mmol) were dissolved in tetrahydrofuran (79.11 g, 572.40 mil ol: water 200 ml) was added to the solution, and the mixture was stirred with heating for 10 minutes.
  • a glass substrate (corning 7059 glass) coated with a thin film of 1,000 A thick indium tin oxide was placed in distilled water containing a dispersant and washed with ultrasonic waves.
  • the detergent was a product of Fischer Co.
  • the distilled water was supplied by Millipore Co. Distilled water, which was secondly filtered with a filter of the product, was used. After the ITO was washed for 30 minutes, ultrasonic washing was repeated 10 times with distilled water twice. After the distilled water was washed, ultrasonic washing was performed in the order of isopropyl alcohol, acetone, and methanol solvent, followed by drying.
  • the following HI-1 compound was thermally vacuum deposited on the prepared ITO transparent electrode to a thickness of 500 A to form a hole injection layer.
  • Compound 1 prepared above was vacuum-deposited on the hole injection layer to a thickness of 900 A to form a hole transport layer.
  • the HT2 compound was vacuum-deposited to a thickness of 50 A on the hole transport layer to form a hole control layer .
  • the following HI compound and the following D1 compound were vacuum-deposited at a weight ratio of 25: 1 to a thickness of 300 A to form a light emitting layer.
  • the following compound E1 was vacuum-deposited to a thickness of 300 A to form an electron transporting layer.
  • Lithium fluoride (LiF) having a thickness of 12 A and aluminum having a thickness of 2,000 A were sequentially deposited on the electron transporting layer to form a cathode, thereby preparing an organic light emitting device.
  • An organic luminescent device was manufactured in the same manner as in Example 1-1 except that the compound described in the following Table 1 was used in place of the compound 1 as the liquid pellet.
  • the compounds of HI, HT3, HT4, HT7 and HT8 are as follows.
  • T95 means the time required for the luminance to be reduced to 95% from the initial luminance.
  • ITO Indium Tin Oxide
  • the substrate corning 7059 glass
  • the detergent was a product of Fischer Co.
  • the distilled water was supplied by Millipore Co. Distilled water, which was secondly filtered with a filter of the product, was used.
  • ultrasonic washing was repeated 10 times with distilled water twice.
  • ultrasonic washing was carried out in the order of isopropyl alcohol acetone and methanol solvent, followed by drying.
  • the following HI-1 compound was thermally vacuum deposited on the prepared ITEL transparent electrode to a thickness of 500 A to form a hole injection layer.
  • the HT1 compound shown below was vacuum-deposited to a thickness of 900 A to form a hole transport layer. Then, the compound 1 prepared above was vacuum-deposited to a thickness of 50 A on the hole transport layer to form a hole control layer. The following HI compound and the following D1 compound were vacuum deposited on the hole-transporting layer at a weight ratio of 25: 1 to a thickness of 300A to form a light emitting layer. The following E1 compound was thermally vacuum deposited on the light emitting layer to a thickness of 300 A to form an electron transporting layer. Lithium fluoride (LiF) having a thickness of 12A and aluminum having a thickness of 2,000A were sequentially deposited on the electron transport layer to form a cathode, thereby preparing an organic light emitting device.
  • LiF lithium fluoride
  • Example 2-1 An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 2-1, except that the compounds shown in the following Table 2 were used as the hole transporting layer and the hole controlling layer. Comparative Experimental Examples 2-1 to 2-6
  • HT3, HT4, HT5, HT7, and HT8 compounds are as follows.
  • T95 means the time required for the luminance to be reduced to 95% from the initial luminance.
  • the compound according to the present invention can play a role of hole transport and hole control in an organic electronic device including an organic light emitting device, and the device according to the present invention can improve efficiency, driving voltage, Excellent [Description of Symbols]
  • substrate 2 anode

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Abstract

본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

【발명의 명칭】
신규한 화합물 및 이를 이용한유기 발광 소자
【기술분야】
관련 출원 (들)과의 상호 인용
본 출원은 2017년 11월 10일자 한국 특허 출원 제 10-2017-0149680호 및 2018년 9월 13일자 한국 특허 출원 제 10— 2018-0109532호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며， 해당 한국 특허 출원들의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다. 본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
【배경기술】
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트， 빠른 웅답 시간을 가지며， 휘도， 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다. 유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물 층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물 층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며， 예컨대 정공주입층 정공수송층, 발광층， 전자수송층， 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고， 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤 (exci ton)이 형성되며， 이 액시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
【선행기술문헌】 【특허문헌】
(특허문헌 0001) 한국특허 공개번호 게 10-2000-0051826호 【발명의 내용】
【해결하려는 과제】
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
[과제의 해결 수단】
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
Figure imgf000003_0001
상기. 화학식 1에서，
Ri , R2 , R4 및 ¾는 각각 독립적으로 수소, 중수소， 할로겐， 시아노, 치환 또는 비치환된 d-60 알킬 치환 또는 비치환된 d-60 알콕시， 치환 또는 비치환된 d-60 티오알킬， 치환 또는 비치환된 C3-60 사이클로알킬, 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴， 또는 트리 (d-so 알킬)실릴이고,
a , b 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고，
e는 0 내지 3의 정수이고,
Li 및 L2는 각각 독립적으로 단일 결합; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N , 0， 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴렌이고, Arr 하기 화학식 2로 표시되고,
[화학식 2]
Figure imgf000004_0001
상기 화학식 2에서，
Ra, Rb , 및 Rc 중 하나가 에 결합하고, 나머지는 수소이고，
R3는 수소ᅳ 중수소 , 할로겐 , 시아노， 치환 또는 비치환된 d-60 알킬， 치환 또는 비치환된 d-60 알콕시， 치환 또는 비치환된 d-60 티오알킬， 치환 또는 비치환된 C3-60 사이클로알킬, 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴， 또는 트리 (CHO 알킬)실릴이고,
c는 0 내지 7의 정수이고,
Ar2는 페닐， 비페닐릴， 터페닐릴， 쿼터페닐릴， 나프틸， 디메틸플루오레닐， 트리페닐레닐， 하기 화학식 3a로 표시되는 치환기， 및 하기 화학식 3b로 표시되는 치환기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 아릴이거나; 또는 디벤조퓨라닐 및 디벤조티오페닐로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 헤테로아릴이고， 상기 Ar2는 비치환되거나 또는 1 내지 5개의 중수소로 치환되고
Figure imgf000004_0002
3a 3b
단， ¾가 에 결합하는 경우， Ar2는 상기 아릴이다. 또한, 본 발명은 제 1 전극; 상기 게 1 전극과 대향하여 구비된 제 2 전극; 및 상기 게 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층올 포함하는 유기 발광 소자로서， 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.
【발명의 효과】 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물 층의 재료로서 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및 /또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공주입， 정공수송， 정공주입 및 수송, 정공조절， 발광, 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
도 1은 기판 ( 1)， 양극 (2)， 발광층 (3)， 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1)， 양극 (2)， 정공주입층 (5)， 정공수송층 (6) , 정공조절층 (7)， 발광층 (3)， 전자수송층 (8) 및 음극 (4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】
이하 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다. 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
본 명세서에서， , 또는 는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다. 본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, 0 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나， 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대， "2 이상의 치환기가 연결된 치환기 "는 비페닐기일 수 있다. 즉， 비페닐기는 아릴기일 수도 있고， 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다. 본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수
1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으 에 는
Figure imgf000006_0001
본 명세서에 있어서， 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄， 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나
Figure imgf000006_0002
본 명세서에 있어서， 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure imgf000007_0001
본 명세서에 있어서， 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기， 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기， 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기， t-부틸디메틸붕소기， 트리페닐붕소기， 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소， 염소， 브롬 또는 요오드가 있다. 본 명세서에 있어서， 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸， 에틸， 프로필， n-프로필， 이소프로필， 부틸， n-부틸， 이소부틸， tert-부틸， sec-부틸， 1-메틸-부틸， 1-에틸-부틸， 펜틸， n-펜틸， 이소펜틸， 네오펜틸， tert-펜틸， 핵실， n-핵실， 1-메틸펜틸， 2-메틸펜틸， 4-메틸 -2-펜틸， 3 , 3-디메틸부틸， 2-에틸부틸, 헵틸， n-헵틸， 1-메틸핵실， 사이클로펜틸메틸，사이클로핵틸메틸， 옥틸， n-옥틸， tert-옥틸， 1—메틸헵틸, 2-에틸핵실, 2-프로필펜틸, n-노닐， 2 , 2-디메틸헵틸， 1-에틸-프로필， 1 , 1- 디메틸-프로필， 이소핵실， 2-메틸펜틸, 4-메틸핵실， 5-메틸핵실 등이 있으나， 이들에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐， 1-프로페닐， 이소프로페닐， 1-부테닐， 2-부테닐， 3-부테닐， 1-펜테닐， 2-펜테닐， 3-펜테닐， 3-메틸 -1-부테닐， 1 , 3-부타디에닐, 알릴， 1-페닐비닐 -1-일， 2-페닐비닐 -1-일， 2 , 2-디페닐비닐 -1-일， 2-페닐 -2- (나프틸 -1-일)비닐 -1-일, 2 , 2-비스 (디페닐 -1-일)비닐 -1—일, 스틸베닐기， 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다. . 본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며， 일 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필， 사이클로부틸， 사이클로펜틸， 3-메틸사이클로펜틸, 2 , 3- 디메틸사이클로펜틸， 사이클로핵실， 3-메틸사이클로핵실, 4- 메틸사이클로핵실, 2 , 3-디메틸사이클로핵실， 3，4，5-트리메틸사이클로핵실， 4-tert-부틸사이클로핵실， 사이클로헵틸， 사이클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되자 않는다. 본 명세서에 있어서， 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며， 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면， 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기， 바이페닐기， 터페닐기 등이 될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기， 안트라세닐기， 페난트릴기, 파이레닐기， 페릴레닐기， 크라이세닐기， 플루오레닐기 등이 될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서， 플루오레닐기는 치환될 수 있고， 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 경우，
Figure imgf000009_0001
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서， 헤테로고리기는 이종 원소로 0, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기， 피를기， 이미다졸기， 티아졸기， 옥사졸기， 옥사디아졸기， 트리아졸기， 피리딜기， 비피리딜기， 피리미딜기， 트리아진기， 아크리딜기， 피리다진기, 피라지닐기， 퀴놀리닐기， 퀴나졸린기， 퀴녹살리닐기， 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기， 피리도 피라지닐기， 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기， 카바졸기， 벤조옥사졸기， 벤조이미다졸기， 벤조티아졸기， 벤조카바졸기, 벤조티오펜기， 디벤조티오펜기， 벤조퓨라닐기， 페난쓰를린기 (phenanthrol ine) , 이소옥사졸릴기， 티아디아졸릴기， 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서， 아르알킬기， 아르알케닐기， 알킬아릴기， 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 아르알킬기， 알킬아릴기， 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고， 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 헤테로고리는 1가기가 아니고， 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 상기 화학식 1에서， 바람직하게는， ， ， 및 R4은 수소이다. 또한， 바람직하게는， a , b , 및 d는 0이다. 바람직하게는， ¾는 수소， 또는 중수소이다. 바람직하게는， e는 3이고， ¾는 중수소이다. 바람직하게는, 은 단일 결합; 비치환되거나, 또는 1개 내지 4개의 중수소로 치환된 페닐렌; 또는 비치환되거나， 또는 1개 내지 8개의 중수소로 치환된 비페닐릴렌이다. 바람직하게는， L2는 단일 결합; 비치환되거나, . 또는 1개 내지 4개의 중수소로 치환된 페닐렌; 또는 비치환되거나， 또는 1개 내지 8개의 중수소로 치환된 비페닐릴렌이다. 보다 바람직하게는, 및 L2는 각각 독립적으로' 단일 결합; 또는 하기 중 하나이다:
Figure imgf000010_0001
바람직하게는， R3는 수소이다. 또한， 바람직하게는， c는 0이다. 바람직하게는， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은， 하기 화학식 1-1 1-2로 표시된다:
Figure imgf000011_0001
상기 화학식 1-1 및 1-2에서，
Li 및 L2는 각각 독립적으로 단일 결합; 또는 페닐렌이고,
Ar2는 페닐， 비페닐릴, 터페닐릴， 쿼터페닐릴， 나프틸， 디메틸플루오레닐， 트리페닐레닐， 하기 화학식 3a로 표시되는 치환기， 및 하기 화학식 로 표시되는 치환기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 아릴이거나; 또는 디벤조퓨라닐 및 디벤조티오페닐로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 헤테로아릴이고， 상기 Ar2는 비치환되거나, 또는 1 내지 5개의 중수소로 치환된다:
Figure imgf000012_0001
바람직하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은， 하기 화학식 1- 3으로 표시된다:
Figure imgf000012_0002
상기 화학식 1-3에서，
및 L2는 각각 독립적으로 단일 결합; 또는 페닐렌이고， 2는 페닐， 비페닐릴， 터페닐릴， 쿼터페닐릴， 나프틸， 디메틸플루오레닐， 트리페닐레닐, 하기 화학식 3a로 표시되는 치환기， 및 하기 화학식 3b로 표시되는 치환기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 아릴이고 상기 Ar2는 비치환되거나， 또는 1 내지 5개의 중수소로 치환된다:
Figure imgf000013_0001
상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 대표적인 예는 다음과 같다:
Figure imgf000014_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV n
Figure imgf000015_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV
Figure imgf000016_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV 9L
Figure imgf000017_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV
Figure imgf000018_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV
Figure imgf000019_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV 6L
Figure imgf000020_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV
Figure imgf000021_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV
Figure imgf000022_0001
Z.980l0/8T0ZaM/X3d 61'9C60/610J OAV zz
Figure imgf000023_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV
Figure imgf000024_0001
Figure imgf000025_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV
Figure imgf000026_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV
Figure imgf000027_0001
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0
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Z.980l0/810ZHM/X3d 61?9ε60/610Ζ OAV
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Z.980lO/8lOZa¾/X3d
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상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반응식 1과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다.
[반웅식 1]
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상기 반웅식 1에서， X를 제외한 나머지는 앞서 정의한 바와 같으며，
X는 할로겐이고, 바람직하게는 브로모， 또는 클로로이다. 상기 반웅식 1은 아민 치환 반웅으로서， 상기 화학식 1-a로 표시되는 화합물과 상기 화학식 1-b로 표시되는 화합물을 반웅시키거나， 또는 상기 화학식 1-c로 표시되는 화합물과 상기 화학식 1-d로 표시되는 화합물을 반응시켜， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 반웅이다. 상기 반웅은 팔라듐 촉매와 염기 존재하에 수행하는 것이 바람직하며， 아민 치환 반웅을 위한 반웅기는 당업계에 알려진 바에 따라 변경이 가능하다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다. 또한, 본 발명은 상기 화학삭 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로， 본 발명은 제 1 전극; 상기 게 1 전극과 대향하여 구비된 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 게 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서， 상기 유기물충 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는， 유기 발광 소자를 제공한다. 본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나， 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대， 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층으로서 정공주입층， 정공수송층， 정공조절층， 발광층， 전자수송층， 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다. 또한， 상기 유기물 층은 정공주입층, 정공수송층， 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층， 또는 정공조절층을 포함할 수 있고， 상기 정공주입층， 정공수송층， 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층， 또는 정공조절층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 또한, 상기 유기물 층은 발광층을 포함할 수 있고， 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 특히， 본 발명에 따른 화합물은 발광층의 도펀트로 사용할 수 있다. 또한， 상기 유기물 층은 전자수송층， 또는 전자주입층을 포함할 수 있고， 상기 전자수송층， 또는 전자주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 또한, 상기 전자수송충， 전자주입층， 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 또한， 상기 유기물 층은 발광층 및 전자수송층을 포함하고 상기 전자수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판 상에 양극， 1층 이상의 유기물 층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조 (normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극， 1층 이상의 유기물 층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조 ( inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대， 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다. 도 1은 기판 ( 1)， 양극 (2)， 발광층 (3)， 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다. 도 2는 기판 ( 1)， 양극 (2)， 정공주입층 (5)， 정공수송층 (6) , 정공조절층 (7)， 발광층 (3)， 전자수송층 (8) 및 음극 (4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입충， 정공수송층， 정공조절층， 발광층 및 전자수송층 중 1층 이상에 포함될 수 있다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자는， 상기 유기물 층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한， 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우， 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. 예컨대， 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제 1 전극, 유기물층 및 제 2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때， 스퍼터링법 (sputter ing)이나 전자빔 증발법 (e-beam evaporat i on)과 같은 PVD(phys i cal Vapor Depos i t ion)방법을 이용하여， 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고， 그 위에 정공 주입층， 정공 수송층， 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후， 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도， 기판 상에 음극 물질부터 유기물층， 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. 또한， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물 층으로 형성될 수 있다. 여기서， 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅， 딥코팅， 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅， 스크린 프린팅， 스프레이법， 를 코팅 등을 의미하지만， 이들만으로 한정되는 것은 아니다. 이와 같은 방법 외에도， 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층， 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다 (W0 2003/012890) . 다만， 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로, 상기 게 1 전극은 양극이고, 상기 제 2 전극은 음극이거나, 또는 상기 제 1 전극은 음극이고， 상기 게 2 전극은 양극이다. 상기 양극 물질로는 통상 유기물 층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐， 크름， 구리， 아연， 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물， 인듐주석 산화물 ( IT0) , 인듐아연 산화물 ( IZ0)과 같은 금속 산화물; Ζη0:Α1 또는 SN02 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3- 메틸티오펜)， 폴리 [3 , 4— (에틸렌 -1 , 2-디옥시 )티오펜] (PED0T) , 폴리피를 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘， 나트륨， 칼륨, 티타늄， 인듐， 이트륨， 리튬, 가돌리늄， 알루미늄， 은， 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 Li02/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과， 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고， 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한， 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMOOiighest occupi ed molecul ar orbi tal )가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물 층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린 (porphyr in) , 올리고티오펜， 아릴아민 계열의 유기물， 핵사니트릴핵사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈 (quinacr idone)계열의 유기물， 페릴렌 (perylene) 계열의 유기물， 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나， 이들에만 한정 되는 것은 아니다. 상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물， 전도성 고분자， 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서， 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq3) ; 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴 (dimer i zed styryl ) 화합물; BAlq ; 10- 히드록시벤조 퀴놀린 -금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리 (P-페닐렌비닐렌 KPPV) 계열의 고분자; 스피로 ( spi ro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 해테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체， 피렌 유도체， 나프탈렌 유도체， 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물， 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체， 디벤조퓨란 유도체， 래더형 퓨란 화합물， 피리미딘 유도체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 도편트 재료로는 방향족 아민 유도체， 스트릴아민 화합물， 붕소 착체, 플루오란텐 화합물， 금속 착체 둥이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서， 아릴아미노기를 갖는 피렌， 안트라센， 크리센， 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로， 아릴기， 실릴기， 알킬기， 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민， 스티릴트리아민， 스티릴테트라아민 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 또한， 금속 착체로는 이리듐 착체， 백금 착체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서， 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 A1 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본 -금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히， 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버충이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘， 바륨， 칼슘， 이테르븀 및 사마륨이고， 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다. 상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수.송하는 능력을 갖고， 음극으로부터의 전자 주입 효과， 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논， 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논， 티오피란 다이옥사이드， 옥사졸， 옥사다이아졸, 트리아졸， 이미다졸， 페릴렌테트라카복실산， 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체， 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬， 비스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)아연， 비스 (8-하이드록시퀴놀리나토)구리， 비스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)망간， 트리스 (8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄， 트리스 (2-메틸 -8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄， 트리스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)갈륨， 비스 ( 10-하이드록시벤조 [h]퀴놀리나토)베릴륨， 비스 ( 10-하이드록시벤조 [h]퀴놀리나토)아연， 비스 (2-메틸 -8- 퀴놀리나토)클로로갈륨， 비스 (2—메틸 -8-퀴놀리나토 ) (o-크레졸라토)갈륨， 비스 (2-메틸 -8-퀴놀리나토 ) ( 1—나프를라토)알루미늄， 비스 (2-메틸 -8- 퀴놀리나토) (2-나프를라토)갈륨 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형， 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다. 또한， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며， 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[제조예]
제조예 1 : 화합물 A1 내지 A6의 제조
Figure imgf000044_0001
(화합물 A1의 제조)
9， 9-디페닐 -9H-플루오렌 -2-아민 (30 g, 89.97 隱 ol )과， 9- 브로모페난쓰렌 (23.6 g, 91.77 隱 ol ) , 및 소듐 _t_부톡사이드 ( 12. 11 gᅳ 125.9 mol )을 를루엔에 넣고 가열 교반한 뒤 환류시키고 [ 1ᅳ1 ' - 비스 (디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐 (658 mg, 1 mol%)을 넣었다. 상온으로 온도를 낮추고 반웅을 종결한 후, 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트를 이용해 재결정하여 화합물 A 38.9 g, 수율 85%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 510.65
(화합물 A2의 제조)
상기 화합물 A1의 제조에서 9-브로모페난쓰렌 대신 브로모페난쓰렌을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 A2 제조하였다.
MS[M+H]+= 510.65
(화합물 A3의 제조)
상기 화합물 A1의 제조에서 9-브로모페난쓰렌 브로모페난쓰렌을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 A3을 제조하였다.
' MS[M+H]+= 510.65 (화합물 A4의 제조)
상기 화합물 A1의 제조에서 9-브로모페난쓰렌 대신 4-브로모비페닐을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 A4를 제조하였다.
MS[M+H]+= 486.63 (화합물 A5의 제조)
상기 화합물 A1의 제조에서 9-브로모페난쓰렌 대신 4-브로모- 1，1' ;4'，1"-터페닐을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 A5을 제조하였다.
MS[M+H]+= 562.73
(화합물 A6의 제조)
상기 화합물 A1의 제조에서 9-브로모페난쓰렌 대신 4-브로모- 디벤조 [b,d]퓨란을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 A6을 제조하였다.
MS[M+H]+= 500.61
Figure imgf000045_0001
(화합물 al의 제조)
2ᅳ브로모 -9H-플루오렌 (100 g, 407.96 匪 ol)과 50 wt 소듐 하이드록사이드 수용액 (70 g, 897.51 醒 ol)을 디메틸설폭사이드 (1000 ml)에 첨가한 후， 160°C에서 1,4-디브로모부탄 (88.09 g, 407.96 隱 ol)을 적가하고 3시간 동안 가열 및.교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반웅올 종결한 후， 를루엔과 물로 추출한 뒤 컬럼 정제하여 상기 A1 화합물 (아이보리색 액체， 120 g, 수율 98%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 299.14
(화합물 A7의 제조)
화합물 Al(10 g, 33.55 隨 ol)과 9，9'-디페닐-911-플루오렌-2- 아민 (11.29 g, 33.89 隱 ol), 및 소듐 -t-부특사이드 (4.5 g, 46.97 mol)를 를루엔에 넣고 가열 및 교반한 뒤 . 환류시키고 [1，1'- 비스 (디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐 (490 mg, 2 瞧 ol%)을 넣었다. 상온으로 온도를 낮추고 반웅을 종결한 후， 클로로포름과 에틸아세테이트를 이용하여 재결정하여 화합물 A2을 제조하였다.
MS[M+H]+= 552.26
Figure imgf000046_0001
(화합물 B1의 제조)
9-브로모페난쓰렌 (50 g, 194.4 隱 ol)과 4—클로로페닐보로닉산 (31.93 g, 204.1 醒 ol)을 테트라하이드로퓨란 (300 ml)에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액 (150 ml)을 첨가하고， 테트라키스트리페닐- 포스피노팔라듐 (4.5 g, 2 mol%)를 넣은 후， 10시간 동안 가열 및 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반웅을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 층분리하였다. 용매 제거 후 흰색의 고체를 에틸아세테이트로 재결정하여 상기 화합물 B 50.53 g , 수율 90%)을 제조하였다.
■MS[M+H]+= 289.77
(화합물 B2의 제조)
상기 화합물 B1의 제조에서 4-클로로페닐보로닉산 대신 3- 클로로페닐보로닉산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 B2을 제조하였다.
MS[M+H]+= 289.77
(화합물 B3의 제조)
상기 화합물 B1의 제조에서 4-클로로페닐보로닉산 대신 2- 클로로페닐보로닉산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 B3을 제조하였다.
MS [M+H]+= 289.77
(화합물 B4의 제조)
상기 화합물 B1의 제조에서 9-브로모페난쓰렌 대신 3- 브로모페닌쓰렌을 사용하고, 4-클로로페닐보로닉산 대신 3- 클로로페닐보로닉산을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 B2을 제조하였다.
MS [M+H]+= 289.77
[실시예]
Figure imgf000047_0001
화합물 Al(15 g, 29.43 誦 ol )과， 4-브로모비페닐 (7 g, 30.02 隱 ol ) , 및 소듐 -t-부록사이드 (3.9 g, 41.2 mol )를 자일렌에 넣고 가열 및 교반한 뒤 환류시키고 [비스 (트라이 -t-부틸포스핀) ]팔라듐 (170 mg, 1 隱 ol%)을 넣었다. 상온으로 온도를 낮추고 반웅을 종결한 후, 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트를 이용하여 재결정하여 화합물 1(19.48 g, 수율 75%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 662.85
Figure imgf000048_0001
상기 화합물 1의 제조에서 4-브로모비페닐 대신 1-(4- 브로모페닐)나프탈렌을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 2를 제조하였다.
MS [M+H]+= 712.91
Figure imgf000048_0002
상기 화합물 1의 제조에서 4-브로모비페닐 대신 2-브로모 -9 ,9- 디메틸 -9H-플루오렌을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 3을 제조하였다.
MS[M+H]+= 702.91 실시예 4: 화합물 4의 제조
Figure imgf000049_0001
상기 화합물 1의 제조에서 화합물 A1 대신 화합물 A2를 사용하고, 4- 브로모비페닐 대신 2-(4-브로모페닐)나프탈렌을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 4를 제조하였다.
MS[M+H]+= 712.91
Figure imgf000049_0002
상기 화합물 1의 제조에서 화합물 A1 대신 화합물 A3를 사용하고， 4- 브로모비페닐 대신 4-브로모 -1，1 ' ; 4 '，1"-터페닐을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 5를 제조하였다.
MS[M+H]+= 738.95
Figure imgf000049_0003
상기 화합물 1의 제조에서 화합물 A1 대신 화합물 A3를 사용하고， 4- 브로모비페닐 대신 4—브로모-디벤조 [b , d]퓨란을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 6을 제조하였다. MS[M+H] += 676.83
Figure imgf000050_0001
상기 화합물 1의 제조에서 화합물 A1 대신 화합물 A3를 사용하고, 4- 브로모비페닐 대신 4-(4-클로로페닐)디벤조 [b , d]퓨란을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 7을 제조하였다.
MS[M+H]+= 752.93
Figure imgf000050_0002
상기 화합물 1의 제조에서 화합물 A1 대신 화합물 B1를 사용하고， 4- 브로모비페닐 대신 화합물 A4를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 8을 제조하였다.
MS [M+H]+= 738.95 실시예 9: 화합물 9의 제조
Figure imgf000051_0001
상기 화합물 1의 제조에서 화합물 A1 대신 화합물 B2를 사용하고， 4- 브로모비페닐 대신 화합물 A5를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 9를 제조하였다.
MS[M+H]+= 815.04
Figure imgf000051_0002
10
상기 화합물 1의 제조에서 화합물 A1 대신 화합물 B3를 사용하고， 4- 브로모비페닐 대신 화합물 A6를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 10을 제조하였다.
MS[M+H]+= 752.93 실시예 11: 화합물 11의 제조
Figure imgf000052_0001
11
상기 화합물 1의 제조에서 화합물 A1 대신 화합물 B3를 사용하고， 4- 브로모비페닐 대신 화합물 A7를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 화합물 11을 제조하였다.
MS[M+H]+= 804.36 실시예 12: 화합물 12의 제조
Figure imgf000052_0002
1-A
1-브로모-4-클로로벤젠-2，3,5，6-(14(50.00 g., 255.78 腿 ol)과 페난트렌 -9-일보론산 (59.64 g, 268.57 匪 ol)을 1,4-다이옥산 (600 ml)에 용해 후 포타슘 카보네이트 (106.05 g, 767.34 隱 ol ： 물 300 ml) 용액올 가한 후， 10분 동안 가열 교반하였다. 상기 용액에 1,4-다이옥산 (20 ml)에 용해시킨 1，1'-비스 (디페닐포스피노)페로센디클로로팔라듐 (IIK0.56 g, 0.77 薩 ol)을 가한 후 1시간 동안 가열 교반하였다. 반웅 종결 및 여과 후, 클로로포름과 물로 층분리 하였다. 용매 제거 후 핵산으로 재결정하여 상기 화합물 1-A(58.5 g, 수율 78.11%)를 제조하였다. 단계 2) 화합물 12의 제조
Figure imgf000053_0001
상기 제조한 화합물 1-A(20.0 g, 68.31 隱 ol), 9，9-트리페닐- - 플루오렌 -2-아민 (28.53 g, 69.67 瞧 ol), 및 소듐 터트 -부톡사이드 (9.19 g, 95.63 隱 ol)에 자일렌 (250 ml)을 가한 후， 10분 동안 가열 교반하였다. 상기 흔합물에 자일렌 (20 ml)에 용해시킨 비스 (트리-터트- 부틸포스핀)팔라듐 (0.10 g, 0.20 隱 ol)을 가한 후 1시간 동안 가열 교반하였다. 반웅 종결 및 여과 후, 를루엔과 물로 층분리 하였다. 용매 제거 후 에틸아세테이트로 재결정하여 상기 화합물 12(35.5 g, 수율 78.05¾)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 666
Figure imgf000053_0002
13
상기 실시예 12에서 제조한 화합물 1-A(20.0 g, 68.31 隱 ol), N- ([1，1'-비페닐 ]-4-일) -9,9-디페닐]-911-플루오렌-2-아민(33.83 g, 69.67 隱 ol)을 사용하여 상기 실시예 12의 단계 2와 동일한 방법으로 상기 화합물 13(38.3 g, 수율 75.57%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 742 실시예 14: 화합물 14의 제조
Figure imgf000054_0001
상기 실시예 12의 단계 1에서 제조한 화합물 1-A(20.0 g, 68.31 瞧 ol), Ν-([1,1'-비페닐 ]-2-일) -9，9-디페닐]- -플루오렌-2-아민(33.83 gᅳ 69.67 隱 ol)을 사용하여 상기 실시예 12의 단계 2와 동일한 방법으로 상기 화합물 14(37.2 g, 수율 73.40%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 742 실시예 15: 화합물 15의 제조
Figure imgf000054_0002
9 ,9-디페닐 -9H-플루오렌 -2-아민 (50.0 g, 149.96 隱 ol), 1- 브로모벤젠 -2,3,4,5,6-d5(24.30 g, 149.96 瞧 ol), 및 소듐 터트- 부톡사이드 (20.18 g, 209.94 隱 ol)에 를루엔 (400 ml)을 가한 후, 10분 동안 가열 교반하였다. 상기 흔합물에 를루엔 (20 ml)에 용해시킨 비스 (디페닐포스피노)페로센디클로로팔라듐 (IIK0.55 g, 0.75 隱 ol)을 가한 후 1시간 동안 가열 교반하였다. 반웅 종결 및 여과 후 를루엔과 물로 층분리 하였다. 용매 제거 후 에틸아세테이트로 재결정하여 상기 화합물 4- A(50.1 g, 수율 80.59%)를 제조하였다. 단계 2) 화합물 15의 제조
9-(4-클로로페닐)페난트렌 (20.0 g, 69.26 匪 ol)과 상기 제조한 화합물 4-A(29.29 g, 70.64 隱 ol)를 사용하여 상기 실시예 12의 단계 2와 동일한 방법으로 상기 화합물 15(34.5 g, 수율 74.70%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 667
Figure imgf000055_0002
9-(3-클로로페닐)페난트렌 (20.0 g, 69.26 隱 ol)과 상기 실시예 15의 단계 1에서 제조한 화합물 4-A(29.29 g, 70.64 誦 ol)를 사용하여 상기 실시예 12의 단계 2와 동일한 방법으로 상기 화합물 16(33.3 g, 수율 72.12%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 667
Figure imgf000055_0003
9-(4'-클로로 [1，1'-비페닐 ]-4-일)페난트렌 (20.0 g, 54.81 睡 ol)과 상기. 실시예 15의 단계 1에서 제조한 화합물 4-A(23.18 g, 55.91 隱 ol)를 사용하여 상기 실시예 12의 단계 2와 동일한 방법으로 상기 화합물 17(30.5 g, 수율 74.9 )을 제조하였다.
MS[M+H]+= 743
Figure imgf000056_0001
18
상기 실시예 12의 단계 1에서 제조한 화합물 1-A(20.0 g, 68.31 隱 ol)와 상기 실시예 15의 단계 1에서 제조한 화합물 4-A(28.88 g, 69.67 mmol)를 사용하여 상기 실시예 12의 단계 2와 동일한 방법으로 상기 화합물 18(34.9 g, 수율 76.15%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 671 실시예 19: 화합물 19의 제조
Figure imgf000056_0002
9, 9-디페닐 -9H-플루오렌 -2-아민 (50.0 g, 149.96 讓 ol), 4-브로모- 1，1'-비페닐 -2,2'，3，3'，4' ,5,5' ,6,6'-d9(36.31 g, 149.96 腿 ol)을 사용하여 상기 실시예 15의 단계 2와 동일한 방법으로 상기 화합물 8-A(58.3 g, 수율 78.59%)를 제조하였다. 단계 2) 화합물 19의 제조
Figure imgf000057_0001
9-(4-클로로페닐)페난트렌 (20.0 'g, 69.26 隱 ol )과 상기 제조한 화합물 8-A(34.94 g, 70.64 讓 ol )를 사용하여 상기 실시예 12의 단계 2와 동일한 방법으로 상기 화합물 19(38. 1 g, 수율 74. 14%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 747
Figure imgf000057_0002
상기 실시예 12의 단계 1에서 제조한 화합물 1-A(20.0 g, 68.31 醒 ol )와 상기 실시예 15의 단계 1에서 제조한 화합물 8-A(34.41 g, 69.67 mmol )를 사용하여 상기 실시예 12의 단계 2와 동일한 방법으로 상기 화합물 20(36.7 g, 수율 71.54%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 751 실시예 21: 화합물 21의 제조
단계 1) 화합물 10-A의 제조
Figure imgf000057_0003
메틸 -2-아이오도벤조에이트 (50.0 g, 190.80 隱 ol), (4-브로모페닐- 2,3,5,6-(14)보론산(41.04 g, 200.34 匪 ol)을 테트라하이드로퓨란 (3000 ml)에 용해 후， 포타슘 카보네이트 (79.11 g, 572.40 隱 ol ： 물 200 ml) 용액을 가한 후, 10분 동안 가열 교반하였다. 상기 용액에 테트라하이드로퓨란 (20 ml)에 용해시킨 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (0X1.10 g, 0.95 隱 ol)을 가한 후 1시간 동안 가열 교반하였다. 반웅 종결 및 여과 후, 클로로포름과 물로 층분리 하였다. 용매 제거 후 핵산으로 재결정하여 상기 화합물 10-A(43.0 g, 수율 76.35%)를 제조하였다. 단계 2) 화합물 10-B의 제조
Figure imgf000058_0001
상기 제조한 화합물 10— A(43.0 g, 145.68 隱 ol)를 테트라하이드로퓨란 (300 ml)에 용해 후 -78°C로 온도를 하감시켰다. 상기 용액에 페닐마그네슘 브로마이드 (55.47 g, 305.93 醒 ol)를 가한 후 30분 동안 교반하였다. 반웅 종결 후 1 N 염산 (300 ml)을 투입하여 층분리 하였다. 용매 제거 후 아세트산 (300 ml)을 투입하여 환류 및 교반하고 황산 (cat.)을 적가하였다. 반웅 종결 및 여과 후， 클로로포름과 탄산수소나트륨 수용액으로 층분리 하였다. 용매 제거 후 핵산으로 재결정하여 화합물 10-B(40.0 g, 수율 68.59%)를 제조하였다. 단계 3) 화합물 10-C의 제조
Figure imgf000059_0001
10-B 10-C
아닐린 (10.0 g, 107.38 誦 ol)과 상기 제조한 화합물 10-B 2.99 g,
149.96 瞧 ol)를 사용하여 상기 실시예 15의 단계 1과 동일한 방법으로 상기 화합물 10-C(40.0 g, 수율 90.29%)를 제조하였다.
Figure imgf000059_0002
9-(4-클로로페닐)페난트렌 (20.0 g, 69.26 隱 ol)과 상기 제조한 화합물 10-C(29.14 g, 70.64 誦 ol)를 사용하여 상기 실시예 12의 단계 2와 동일한 방법으로 상기 화합물 21(32.5 g, 수율 70.58%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 665
Figure imgf000059_0003
9-(3-클로로페닐)페난트렌 (20.0 g, 69.26 隱 ol)과 상기 실시예 21의 단계 3에서 제조한 화합물 10-C(29.14 g, 70.64 隱 ol)를 사용하여 상기 실시예 12의 단계 2와 동일한 방법으로 상기 화합물 22(32.0 g, 수율 69.49%)을 제조하였다.
MS[M+H]+='665 [실험예]
실험예 1-1
ΠΌ (인듐 주석 산화물)가 1,000 A 두께로 박막 코팅된 유리 기판 (corning 7059 glass)을， 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 세제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며， 증류수는 Millipore Co. 제품의 필터 (Filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후， 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후 이소프로필알콜, 아세톤， 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시켰다. 이렇게 준비된 IT0 투명 전극 위에 하기 HI-1 화합물을 500 A의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층올 형성하였다. 상기 정공 주입층 상에 앞서 제조한 화합물 1을 900 A의 두께로 진공 증착하여 정공 수송층을 형성한 후, 이어서 상기 정공 수송층 상에 하기 HT2 화합물을 50A의 두께로 진공 증착하여 정공 조절층을 형성하였다. 상기 정공 조절층 상에， 하기 HI 화합물과 하기 D1 화합물을 25:1의 중량비로 300 A의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 상에， 하기 E1 화합물을 300A의 두께로 진공 증착하여 전자 수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 상에， 순차적으로 12A 두께의 리튬 플루오라이드 (LiF)와 2,000A 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.
Figure imgf000061_0001
Figure imgf000061_0002
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1 A/sec를 유지하였고， 리튬풀루라이드는 0.2 A/sec , 알루미늄은 3. ~ 7 A/sec의 증착속도를 유지하였다. 실험예 1-2내지 1-4
상기 실험예 1-1에서 정공 수송층으로 화합물 1 대신 하기 표 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 유기 소자를 제조하였다. 비교실험예 1-1 내지 1-5
상기 실험예 1-1에서 정공수송충으로 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고는， 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 하기 표 1에서， ΗΊΊ , HT3 , HT4, HT7, 및 HT8 화합물은 하기와 같다.
Figure imgf000062_0001
Figure imgf000062_0002
HT7 HT8 상기 실험예 및 비교실험예에서 제조한 유기 발광 소자에 전류 (20 mA/cm2)를 안가하여, 전압， 효율， 색좌표， 및 수명을 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. T95는 휘도가 초기 휘도에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
【표 11
Figure imgf000062_0003
실험예 2-1
ITO (인듐 주석 산화물)가 1 , 000 Α 두께로 박막 코팅된 유리 기판 (corning 7059 glass)을， 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 세제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며， 증류수는 Millipore Co. 제품의 필터 (Filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후， 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후 이소프로필알콜 아세톤， 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시켰다. 이렇게 준비된 Ι Ό 투명 전극 위에 하기 HI-1 화합물을 500A의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 그 위에 하기 HT1 화합물을 900A의 두께로 진공 증착하여 정공 수송층을 형성한 후， 이어서 상기 정공 수송층 상에 앞서 제조한 화합물 1을 50A의 두께로 진공 증착하여 정공 조절층을 형성하였다. 상기 정공 조절층 상에 하기 HI 화합물과 하기 D1 화합물을 25:1의 중량비로 300A의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 상에 하기 E1 화합물을 300A의 두께로 열 진공 증착하여 전자 수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 상에 순차적으로 12A 두께의 리튬 플루오라이드 (LiF)와 2,000A 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여， 유기 발광소자를 제조하였다.
Figure imgf000063_0001
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1 A/sec를 유지하였고， 리튬플루라이드는 0.2 A/sec , 알루미늄은 3 ~ 7 A/sec의 증착속도를 유지하였다. 실험예 2-2 내지 2-24
상기 실험예 2-1에서 정공수송층과 정공조절층으로 하기 표 2에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고는， 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 비교실험예 2-1내지 2-6
상기 실험예 2-1에서 정공수송층과 정공조절층으 하기 표 2에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고 도
， 일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 하기 표 2에서， HT3 , HT4 , HT5 , HT7 , 및 HT8 화합물은 하기와 같다.
Figure imgf000064_0001
HT3 HT4 HT5
Figure imgf000064_0002
HT7 HT8 상기 실험예 및 비교실험예에서 제조한 유기 발광 소자에 전류 (20 mA/cm2)를 인가하여， 전압， 효율， 색좌표, 및 수명을 측정하고， 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. T95는 휘도가 초기 휘도에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
【표 2】
Figure imgf000065_0001
상기 표 1 및 2에 나타난 바와 같이 , 본 발명에 따른 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에서 정공 수송 및 정공 조절 역할을 할 수 있으며， 본 발명에 따른 소자는 효율， 구동 전압， 안정성 면쎄서 우수한 특성을 나타낼 수 있다 【부호의 설명】
1: 기판 2: 양극
3： 발광층 4: 음극
5: 정공주입층 6： 정공수송층
7： 정공조절층 8: 전자수송층

Claims

【특허청구범위】 【청구항 11 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 :
[화학식 1]
Figure imgf000067_0001
상기 화학식 1에서，
Ri , R2 , R4 및 ¾는 각각 독립적으로 수소， 중수소， 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 d-60 알킬， 치환 또는 비치환된 d-60 알콕시， 치환 또는 비치환된 C -60 티오알킬， 치환 또는 비치환된 C3-60 사이클로알킬 , 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴， 또는 트리 (d-so 알킬)실릴이고，
a , b 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고，
e는 0 내지 3의 정수이고，
Li 및 L2는 각각 독립적으로 단일 결합; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N , 0， 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴렌이고， Arr^ 하기 화학식 2로 표시되고，
Figure imgf000067_0002
상기 화학식 2에서，
Ra , ， 및 Rc 중 하나가 에 결합하고, 나머지는 수소이고，
R3는 수소， 중수소, 할로겐, 시아노， 치환 또는 비치환된 Cr 치환 또는 비치환된 d-60 알콕시， 치환 또는 비치환된 d-60 티오알킬， 치환 또는 비치환된 C3-60 사이클로알킬， 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴 , 또는 트리 (C o 알킬)실릴이고，
c는 0 내지 7의 정수이고,
Ar2는 페닐， 비페닐릴, 터페닐릴， 쿼터페닐릴, 나프틸， 디메틸플루오레닐， 트리페닐레닐, 하기 화학식 3a로 표시되는 치환기， 및 하기 화학식 3b로 표시되는 치환기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 아릴이거나; 또는 디벤조퓨라닐 및 디벤조티오페닐로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 헤테로아릴이고, 상기 Ar2는 비치환되거나， 또는 1
Figure imgf000068_0001
3a 3b
단， Rb가 에 결합하는 경우, Ar2는 상기 아릴이다.
【청구항 2】
제 1항에 있어서，
i , ， 및 R4은 수소인，
화합물.
【청구항 3]
제 1항에 있어서，
R5는 수소， 또는 중수소인 ,
화합물.
【청구항 4】
제 1항에 있어서， 은 단일 결합; 비치환되거나, 또는 1개 내지 4개의 중수소로 치환된 페닐렌; 또는 비치환되거나， 또는 1개 내지 8개의 중수소로 치환된 비페닐릴렌인，
화합물.
【청구항 5]
제 1항에 있어서,
L2는 단일 결합; 비치환되거나， 또는 1개 내지 4개의 중수소로 치환된 페닐렌; 또는 비치환되거나， 또는 1개 내지 8개의 중수소로 치환된 비페닐릴렌인，
화합물.
【청구항 6】
거 U항에 있어서，
R3는 수소인，
화합물.
【청구항 7]
거 U항에 있어서，
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은， 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시되는，
화합물：
Figure imgf000069_0001
[화학식 1-2]
Figure imgf000070_0001
상기 화학식 l-l 및 1—2에서,
Li 및 L2는 각각 독립적으로 단일 결합; 비치환되거나， 또는 1개 내지 4개의 중수소로 치환된 페닐렌; 또는 비치환되거나， 또는 1개 내지 8개의 중수소로 치환된 비페닐릴렌이고，
Ar2는 페닐， 비페닐릴， 터페닐릴 쿼터페닐릴， 나프틸， 디메틸플루오레닐， 트리페닐레닐， 하기 화학식 3a로 표시되는 치환기， 및 하기 화학식 3b로 표시되는 치환기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 아릴이거나; 또는 디벤조퓨라닐 및 디벤조티오페닐로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 헤테로아릴이고， 상기 Ar2는 비치환되거나， 또는 1
Figure imgf000070_0002
3a 3b
【청구항 8】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은， 하기 화학식 1-3으로 표시되는, 화합물:
[화학식 1-3]
Figure imgf000071_0001
상기 화학식 1-3에서ᅳ
및 ^는 각각 독립적으로 단일 결합; 비치환되거나， 또는 1개 내지 4개의 중수소로 치환된 페닐렌; 또는 비치환되거나, 또는 1개 내지 8개의 중수소로 치환된 비페닐릴렌이고，
Ar2는 페닐， 비페닐릴, 터페닐릴, 쿼터페닐릴, 나프틸， 디메틸플루오레닐， 트리페닐레닐 하기 화학식 3a로 표시되는 치환기， 및 하기 화학식 3b로 표시되는 치환기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 아릴이고, 상기 Ar2는 비치환되거나， 또는 1 내지 5개의 중수소로 치환된
Figure imgf000071_0002
【청구항 9】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기로 구성되는 군으로부 선택되는 어느 하나인,
화합물:
Figure imgf000072_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV ZL
Figure imgf000073_0001
Figure imgf000073_0002
Figure imgf000073_0003
Figure imgf000073_0004
Figure imgf000073_0005
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV
Figure imgf000074_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV PL
Figure imgf000075_0001
Figure imgf000076_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV 9Z
Figure imgf000077_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV LL
Figure imgf000078_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV
Figure imgf000079_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV 61
Figure imgf000080_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV 08
Figure imgf000081_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV L8
Figure imgf000082_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6^9C60/6T0Z OAV Z2
Figure imgf000083_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV £
Figure imgf000084_0001
6^9ε60/6Τ0ί OAV
/.980T0/8l0ia¾/13d
Figure imgf000085_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV 58
Figure imgf000086_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV 98
Figure imgf000087_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV 8
Figure imgf000088_0001
Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV
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Z.980lO/8lOZaM/X3d 6179C60/610Z OAV
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Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV
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90
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Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV ze
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Ζ.980ΪΟ/8ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 6179C60/610Z OAV
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【청구항 10]
제 1 전극; 상기 제 1 전극과 대향하여 구비된 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 게 1항 내지 제 9항 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자.
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