KR20180075914A - 신규한 아민계 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자 - Google Patents

신규한 아민계 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자를 제공한다.

Description

신규한 아민계 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자{Novel amine-based compound and organic light emitting device comprising the same}
본 발명은 신규한 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다.
유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
한국특허 공개번호 제10-2000-0051826호
본 발명은 신규한 아민계 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure pat00001
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 화학식 1 또는 2에서,
Q1은
Figure pat00003
이고,
Q2는
Figure pat00004
이며,
X1 내지 X3는 각각 독립적으로, O 또는 S이고,
T1, T2, E 및 F는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-60 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상을 포함하는 C2-60 헤테로 방향족 고리이고,
상기 T1 고리 내 서로 이웃한 2개의 탄소 원자 및 상기 T2 고리 서로 이웃한 2개의 탄소 원자는 *1의 탄소 원자와 5각형 고리를 형성하고,
상기 Q1의 2개의 *는 상기 화학식 1 또는 2의 T2 고리 내 서로 이웃한 2개의 탄소 원자와 결합하여, E 고리 내 서로 이웃한 2개의 탄소 원자 및 T2 고리 내 서로 이웃한 2개의 탄소 원자는 X2 원자와 5각형 고리를 형성하고,
상기 Q2의 2개의 *는 상기 화학식 2의 T1 고리 내 서로 이웃한 2개의 탄소 원자와 결합하여, F 고리 내 서로 이웃한 2개의 탄소 원자 및 T1 고리 내 서로 이웃한 2개의 탄소 원자는 X3 원자와 5각형 고리를 형성하고,
L1 내지 L12는 각각 독립적으로, 결합; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상을 포함하는 C2-60 헤테로아릴렌이고,
Ar1 내지 Ar8은 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴알킬; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴알케닐; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노; 니트로; 히드록시; 카르보닐; 에스테르; 이미드; 아미드; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬; 치환 또는 비치환된 C1-60 티오알킬; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴알킬; 치환 또는 비치환된 C3-60 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C1-60 알콕시; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬티옥시; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴티옥시; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬술폭시; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 C2-60 알케닐; 치환 또는 비치환된 실릴; 치환 또는 비치환된 붕소; 치환 또는 비치환된 아민; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이거나, 또는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 고리를 형성하고,
a1 내지 a12는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수이고,
n1 및 n2는 각각 독립적으로, 1 또는 2이고,
n3 및 n4는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수이고,
b1 및 b2는 각각 독립적으로, 0 내지 6의 정수이고,
a1 내지 a12, n1 내지 n4, b1 및 b2가 각각 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.
상술한 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층 의 재료로서 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 상술한 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물은 발광층의 도펀트 재료로 사용될 수 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.
본 명세서에서,
Figure pat00005
는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미하고, 단일 결합은 L1 내지 L12로 표시되는 부분에 별도의 원자가 존재하지 않은 경우를 의미한다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다.
본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00006
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00007
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00008
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 사이클로펜틸메틸, 사이클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸, 2,3-디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 3-메틸사이클로헥실, 4-메틸사이클로헥실, 2,3-디메틸사이클로헥실, 3,4,5-트리메틸사이클로헥실, 4-tert-부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure pat00009
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종 원소로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
한편, 본 발명은 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물을 제공한다.
상기 화학식 1 또는 2에서,
X1는 O이고, X2 및 X3는 각각 독립적으로, O 또는 S일 수 있다.
또한, T1, T2, E 및 F는 각각 독립적으로, 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:
Figure pat00010
상기에서,
R3 내지 R7은 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노; 니트로; 히드록시; 카르보닐; 에스테르; 이미드; 아미드; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬; 치환 또는 비치환된 C1-60 티오알킬; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴알킬; 치환 또는 비치환된 C3-60 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C1-60 알콕시; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬티옥시; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴티옥시; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬술폭시; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 C2-60 알케닐; 치환 또는 비치환된 실릴; 치환 또는 비치환된 붕소; 치환 또는 비치환된 아민; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이거나, 또는 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 고리를 형성하고,
b3는 0 내지 3의 정수이고, b3가 2 이상인 경우, 2 이상의 R3은 서로 같거나 상이하며,
2개의 *는 상기 화학식 1 또는 2의 *1의 탄소 원자를 포함하는 5각형 고리를 형성하기 위한 결합 사이트를 의미하거나, 또는 상기 Q1의 X2 원자 또는 상기 Q2의 X3 원자를 포함하는 5각형 고리를 형성하기 위한 결합 사이트를 의미한다.
예를 들어, T1, T2, E 및 F가 각각
Figure pat00011
인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1A로 표시될 수 있다:
[화학식 1A]
Figure pat00012
이때, T1, T2, E 및 F가 다른 구조를 갖는 경우 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 상기 화학식 1 및 1A의 구조를 참조하여 이해될 수 있다.
구체적으로 예를 들어, T1, T2, E 및 F는 각각 독립적으로, 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:
Figure pat00013
또한, L1 내지 L12는 각각 독립적으로, 결합; 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:
Figure pat00014
상기에서,
Z1 및 Z4는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노; 아미노; 치환 또는 비치환된 C1-20 알킬; 치환 또는 비치환된 C1-20 할로알킬; 치환 또는 비치환된 C6-20 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 C2-20 헤테로고리기이고,
c1 및 c2는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수이고,
c3은 0 내지 2의 정수이고,
c1 내지 c3이 각각 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
예를 들어, L1 내지 L12는 각각 독립적으로, 결합; 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:
Figure pat00015
또한, Ar1 내지 Ar8은 각각 독립적으로, 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:
Figure pat00016
상기에서,
Y1은 O, S, N(Z13), 또는 C(Z14)(Z15)이고,
Y2는 N, 또는 C(Z16)이고,
Z11 내지 Z16은 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노; 아미노; 치환 또는 비치환된 C1-20 알킬; 치환 또는 비치환된 C1-20 할로알킬; 치환 또는 비치환된 C6-20 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 C2-20 헤테로고리기이고,
c11 및 c12는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수이고,
c11 및 c12가 각각 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
여기서, Z11 내지 Z16은 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 시아노; 메틸; 페닐; 또는 바이페닐일 수 있다.
예를 들어, Ar1 내지 Ar8은 각각 독립적으로, 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:
Figure pat00017
Figure pat00018
이때, Ar1은 Ar3와 동일하고, Ar2는 Ar4와 동일할 수 있다.
또한, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노; 아미노; 메틸; 또는 페닐일 수 있고, b1 및 b2는 각각 독립적으로, 0 또는 1일 수 있다.
예를 들어, R1 및 R2는 수소일 수 있다.
또한, n1 및 n2는 1이고, n3 및 n4는 0일 수 있다.
또한, 상기 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-8 및 2-1 내지 2-9 중 어느 하나로 표시될 수 있다:
[화학식 1-1]
Figure pat00019
[화학식 1-2]
Figure pat00020
[화학식 1-3]
Figure pat00021
[화학식 1-4]
Figure pat00022
[화학식 1-5]
Figure pat00023
[화학식 1-6]
Figure pat00024
[화학식 1-7]
Figure pat00025
[화학식 1-8]
Figure pat00026
[화학식 2-1]
Figure pat00027
[화학식 2-2]
Figure pat00028
[화학식 2-3]
Figure pat00029
[화학식 2-4]
Figure pat00030
[화학식 2-5]
Figure pat00031
[화학식 2-6]
Figure pat00032
[화학식 2-7]
Figure pat00033
[화학식 2-8]
Figure pat00034
[화학식 2-9]
Figure pat00035
상기 화학식 1-1 내지 1-8 및 2-1 내지 2-9에서,
X1, L1 내지 L6, Ar1 내지 Ar4, a1 내지 a6, n1 및 n2에 대한 설명은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
또한, 상기 화합물은 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:
Figure pat00036
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Figure pat00088
Figure pat00089
Figure pat00090
상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물은, 스피로[(디벤조잔텐 또는 디벤조티오잔텐)-(벤조플루오레노퓨란 또는 벤조플루오레노티오펜] 코어에 2개의 아미노기가 치환된 구조를 가져, 이를 이용한 유기 발광 소자는 구동 전압이 낮고 발광 효율이 우수하며 장수명의 특성을 나타낼 수 있다.
한편, 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물은 일례로 하기 반응식 1과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.
[반응식 1]
Figure pat00091
상기 반응식 1에서, X1, L1 내지 L6, Ar1 내지 Ar4, n1 및 n2에 대한 설명은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물은 상기 반응식 1을 참고하여 제조하고자 하는 화합물의 구조에 맞추어 출발 물질을 적절히 대체하여 제조할 수 있다.
한편, 본 발명은 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층 으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물은 발광층의 도펀트로 사용될 수 있다. 더욱 구체적으로, 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물은 청색 유기 발광 소자의 발광층에 사용되는 도펀트로 사용될 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층으로서 발광층 이외에, 상기 제1전극과 상기 발광층 사이의 정공주입층 및 정공수송층, 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이의 전자수송층 및 전자주입층을 더 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수 또는 더 많은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 중 1층 이상에 포함될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다(WO 2003/012890). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
일례로, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이거나, 또는 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층 의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 상술한 바와 같이 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물 이외에 추가적으로 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등을 더 포함할 수 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로, 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
< 제조예 1> A1~A3의 합성
Figure pat00092
A1의 합성
1-하이드록시 2-나프탈산 (50g, 266mmol), 메탄올 1000ml, 황산 100ml을 넣고 100시간 가열하여 환류 및 교반하였다. 반응 종결 확인 후 상온 냉각한 후 용액은 감압 농축 후 메틸렌클로라이드와 물로 추출하였다. 유기층을 분리하여 마그네슘설페이트로 무수처리 후 여과, 감압 농축 후 헥산을 과량 넣어 고체화하여 얻은 A1(33g, 69%,)을 얻었다
MS[M+H]+= 203.21
A2의 합성
A1을 아세트산 390ml을 넣고 상온 교반하면서 아세트산 80ml에 브롬 (11.8ml, 231mmol)을 희석하여 용액에 적가 하였다. 반응 용액은 실온에서 7시간 후 반응 완료 확인 후 생성된 고체를 여과하였고, 헥산 슬러리 후 A2(45g, 85%)를 얻었다.
MS[M+H]+=282.11
A3의 합성
상기의 과정으로 얻은 A2를 (50g, 178mmol)과 메틸렌클로라이드을 넣고 교반 하였다. 질소 분위기에서 피리딘 (28.1g, 356mmol)을 반응용액에 넣고 상온에서 20분 교반 하였다. 반응 용액은 0도로 냉각 후 질소 분위기에서 트리플루오로메탄설포닉 언하이드라이드 (65.24g, 231mmol)을 적가하였다. 3시간 교반 후 종결 확인하고 물 20ml을 넣고 1시간 교반하였다. 반응 용액은 감압 농축 후 컬럼분리하여 A3(45g, 61%)를 얻었다.
MS[M+H]+=414.16
< 제조예 2> B1~B5의 합성
Figure pat00093
B1의 합성
디벤조퓨란-4-보론산 (42.5g, 0.2mol), 비스무스(III)나이트레이트 펜타하이드레이트 (49.6g, 0.1mol), 톨루엔 400ml을 넣고 질소분위기에서 80도로 2시간동안 교반하였다. 반응완료 후 상온 냉각하고 생성된 고체를 여과하였다. 톨루엔으로 씻어준 후 B1(61.5g, 72%)을 얻었다.
MS[M+H]+= 214.19
B2의 합성
에틸시아노아세테이트(101.5, 0.895 mol)와 디메틸포름아마이드 230ml을 넣었다. 수산화칼륨(35.6g, 0.59mol), 사이안화칼륨(19.47g, 0.299mol)을 넣고 디메틸포름아마이드 100ml을 넣고 상온 교반 하였다. 반응 용액에 B1(61.5, 0.365mol)을 조금씩 넣은 후 60도에서 70시간 교반하였다.
반응 완료 후 수산화나트륨 수용액(25%) 200ml을 넣고 환류 교반하였다. 3시간 교반 후 상온 냉각 하였고, 에텔아세테이트와 물로 추출 하였다. 유기층은 분리하여 감압 농축 하였고 컬럼크로마토그래피로 분리정제하여 B2(10.0g, 15%)를 얻었다.
MS[M+H]+= 209.22
B3의 합성
B2(10.0g, 0.048mol), 에탄올 280ml, 수산화칼륨 수용액(71g,1.23mol) 80ml을 넣고 12시간 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 상온 냉각하였다. 반응 용액에 6N 염산 400ml을 넣고 산성화하였고 생성된 고체는 여과하였다. 고체는 메탄올로 씻어준 후 B3(9.3g, 87%)를 얻었다.
MS[M+H]+= 228.22
B4의 합성
B3(9.0g, 0.035mol), 황산 7ml을 넣고 3일간 환류교반하였다. 반응완료 후 상온 냉각 후 에틸아세테이트와 물로 추출하였다. 유기층은 분리하여 탄산수소나트륨 수용액으로 씻어주었다. 유기층은 감압 농축중에 메탄올을 과량 넣고 생성된 고체를 여과하여 B4(7.0 77%)를 얻었다.
MS[M+H]+= 242.25
B5의 합성
B4(7.0, 0.029mol)과 염산 10ml, 물 50ml을 넣고 0도로 냉각하여 1시간 교반 후 소듐나이트리트(6g, 0.83mol) 수용액 30ml을 반응용액에 적가 후 1시간 교반하였다. 요오드화칼륨(22.4g, 0.135mol) 수용액 35ml을 적가 할 때 적가하였다.(온도 상승 주의) 반응 완료 후 소듐사이오설페이트 수용액으로 씻은 후 에틸아세테이트와 물로 추출 하였다. 유기층은 분리 감압농축 후 컬럼크로마토그래피로 분리 정제하여 B5(5g, 49% )를 얻었다.
MS[M+H]+= 353.13
< 제조예 3> C1~C5의 합성
Figure pat00094
제조예 2에서 디벤조퓨란-4-보론산 대신 디벤조티오펜-4-보론산을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 C5(4.6g, 44% )를 얻었다.
MS[M+H]+= 369.19
< 제조예 4> H-1-1, I-1-1, J-1-1, K-1-1 및 P-1-1의 합성
Figure pat00095
H-1-1의 합성
메틸 5-브로모-2-아이오도벤조에이트(25.0g, 73mmol), 4-디벤조퓨란보론산(18.7g, 88mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(1.7g,0.15mmol), 포타슘카보네이트(20.2 g, 146.7mmol)을 넣고 톨루엔 125 mL, 테트라하이드로퓨란 125mL, 물 50 mL를 넣었다. 반응기의 온도를 80도로 승온시키고 10시간교반시켰다. 반응이 종료되면 반응기의 온도를 실온으로 낮추고 에틸아세테이트로 추출하고 유기층을 분리하였다. 유기층은 감압농축 후 컬럼크로마토그래피로 분리하여 H-1-1을 얻었다. (5.0g, 60.1%)
MS[M+H]+= 382.23
I-1-1의 합성
H-1-1(17.0g, 45mmol), 수산화나트륨(2.14g, 54mmol), 에탄올 170ml을 넣고 48시간 환류 교반 하였다. 얇은막 크로마토그래피로 반응 종결 확인 후 실온으로 냉각 하였다. 냉각된 용액에 2-노말 염산을 적가, 산성화하여 생성된 고체는 30분 교반 후 여과하였다. 디클로로메탄과 노말헥산으로 재결정 하여 I-1-1를 얻었다. (14.5g, 88.6%)
MS[M+H]+= 368.20
J-1-1의 합성
I-1-1(14.5g, 39mmol), 메탄설폰산 145ml를 넣고 80도로 승온 하여 3시간 교반 하였다. 얇은막크로마토그래피로 반응 종결확인 후 실온으로 냉각 시켰다. 반응 용액은 얼음물 150ml에 천천히 적가 후 30분 교반 하였다. 생성된 고체는 여과 후 물과 메탄올로 씻어 주어 J-1-1를 얻었다. (11.50g, 83.4%)
MS[M+H]+= 350.18
K-1-1의 합성
J-1-1(11.5g, 33mmol, 디클로로메탄 300ml을 넣고 상온 교반 하였다. 브롬(3.4ml, 66mmol)은 디클로로메탄 50ml에 희석하여 적가하였고, 8시간 상온 교반 하였다. 반응 완료 후 반응 용기에 아세톤 100ml을 넣고 교반하였다. 생성된 고체는 여과 후 아세톤으로 씻어 주었다. 고체는 모노클로로벤젠으로 재결정하여 K-1-1를 얻었다. (11.0g, 78%)
MS[M+H]+= 429.08
P-1-1의 합성
1-나프톨(22.26g, 154,4mmol)과 K-1-1(20g, 77,2mmol)을 1,2-다이클로로벤젠(300ml)에 첨가한 후 메탄설포닉 산(10ml)을 첨가하고, 160도에서 24시간동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 클로로포름과 물로 추출한 뒤 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트로 재결정하여 상기 화합물 P-1-1을 제조하였다. (31.6g, 수율 80%)
MS[M+H]+= 681.40
< 제조예 5> H-1-2, I-1-2, J-1-2, K-1-2 및 P-1-2의 합성
Figure pat00096
제조예 4 에서 디벤조퓨란-4-보론산 대신 디벤조퓨란-1-보론산을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 H-1-2 ~ P-1-2을 얻었다.
MS[M+H]+= 681.40
< 제조예 6> H-1-3, I-1-3, J-1-3, K-1-3 및 P-1-3의 합성
Figure pat00097
제조예 4 에서 디벤조퓨란-4-보론산 대신 디벤조티오펜-4-보론산을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 H-1-3 ~ P-1-3을 얻었다.
MS[M+H]+= 697.46
< 제조예 7> H-1-4, I-1-4, J-1-4, K-1-4, P-1-4의 합성
Figure pat00098
제조예 6 에서 디벤조티오펜-4-보론산 대신 디벤조티오펜-1-보론산을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 H-1-4 ~ P-1-4을 얻었다.
MS[M+H]+= 697.46
< 제조예 8> H-2-1, I-2-1, J-2-1, K-2-1 및 P-2-1의 합성
Figure pat00099
제조예 4 에서 메틸 5-브로모-2-아이오도벤조에이트 대신 제조예 1에서 합성한 A3를 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 H-2-1 ~ P-2-1을 얻었다.
MS[M+H]+= 731.46
< 제조예 9> H-2-2, I-2-2, J-2-2, K-2-1 및 P-2-2의 합성
Figure pat00100
제조예 8 에서 디벤조퓨란-4-보론산 대신 디벤조퓨란-1-보론산을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 H-2-2 ~ P-2-2를 얻었다.
MS[M+H]+= 731.46
< 제조예 10> H-2-3, I-2-3, J-2-3, K-2-3 및 P-2-3의 합성
Figure pat00101
제조예 8 에서 디벤조퓨란-4-보론산 대신 디벤조티오펜-4-보론산을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 H-2-3 ~ P-2-3을 얻었다.
MS[M+H]+= 747.52
< 제조예 11> H-2-4, I-2-4, J-2-4, K-2-4 및 P-2-4의 합성
Figure pat00102
제조예 10 에서 디벤조티오펜-4-보론산 대신 디벤조티오펜-1-보론산을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 H-2-4 ~ P-2-4를 얻었다.
MS[M+H]+= 747.52
< 제조예 12> H-3-2, I-3-2, J-3-2, K-3-2 및 P-3-2의 합성
Figure pat00103
제조예 4 에서 메틸 5-브로모-2-아이오도벤조에이트 대신 제조예 2에서 합성한 B5 를 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 H-3-2 ~ P-3-2를 얻었다.
MS[M+H]+= 771.48
< 제조예 13> H-3-1, I-3-1, J-3-1, K-3-1 및 P-3-1의 합성
Figure pat00104
제조예 12 에서 디벤조퓨란-4-보론산 대신 디벤조퓨란-1-보론산을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 H-3-1 ~ P-3-1을 얻었다.
MS[M+H]+= 771.48
< 제조예 14> H-3-4, I-3-4, J-3-4, K-3-4 및 P-3-4의 합성
Figure pat00105
제조예 12 에서 B5 대신 제조예 3에서 합성한 C5를 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 H-3-4 ~ P-3-4를 얻었다.
MS[M+H]+= 787.54
< 제조예 15> H-3-3, I-3-3, J-3-3, K-3-3 및 P-3-3의 합성
Figure pat00106
제조예 13 에서 B5 대신 제조예 3에서 합성한 C5를 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 H-3-3 ~ P-3-3을 얻었다.
MS[M+H]+= 787.54
< 제조예 16> 화합물 1 내지 21의 합성
화합물 1의 합성
Figure pat00107
P-1-1(10g, 14.7 mmol)와 4-(tert-부틸)-N-페닐아닐린(6.69g, 29.7mmol), 소듐-t-부톡사이드(3.53g, 36.7mmol)을 xylene에 넣고 가열교반한 뒤 환류시키고 [비스(트라이-t-부틸포스핀)]팔라듐(150 mg. 2 mol%)을 넣었다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트를 이용해 재결정하여 화합물 1을 제조하였다. (9.97 g, 수율 70 %)
MS[M+H]+= 970.24
화합물 2의 합성
Figure pat00108
상기 화합물 1의 합성에서 4-(tert-부틸)-N-페닐아닐린 대신 N-(4-(tert-부틸)페닐)-[1,1'-비페닐]-4-아민을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 2를 얻었다. (10.7 g, 수율 65%)
MS[M+H]+= 1122.44
화합물 3의 합성
Figure pat00109
상기 화합물 1의 합성에서 P-1-1 대신 P-1-2를, 4-(tert-부틸)-N-페닐아닐린 대신 비스(4-(tert-부틸)페닐)아민을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 3을 얻었다. (9.22 g, 수율 58%)
MS[M+H]+= 1082.46
화합물 4의 합성
Figure pat00110
상기 화합물 1의 합성에서 P-1-1 대신 P-1-2를, 4-(tert-부틸)-N-페닐아닐린 대신 N-(4-(tert-부틸)페닐)디벤조[b,d]퓨란-4-아민을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 4를 얻었다. (10.47 g, 수율 62%)
MS[M+H]+= 1082.46
화합물 5의 합성
Figure pat00111
상기 화합물 3의 합성에서 P-1-2 대신 P-1-3를 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 5를 얻었다. (9.92 g, 수율 63%)
MS[M+H]+= 1098.52
화합물 6의 합성
Figure pat00112
상기 화합물 1의 합성에서 P-1-1 대신 P-1-4를, 4-(tert-부틸)-N-페닐아닐린 대신 N-페닐-4-(트리메틸실릴)아닐린을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 6을 얻었다. (10.25 g, 수율 70%)
MS[M+H]+= 1018.45
화합물 7의 합성
Figure pat00113
상기 화합물 1의 합성에서 P-1-1 대신 P-2-1를 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 7을 얻었다. (9.49 g, 수율 68%)
MS[M+H]+= 1020.30
화합물 8의 합성
Figure pat00114
상기 화합물 5의 합성에서 P-1-3 대신 P-2-2를 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 8을 얻었다. (9.92 g, 수율 64%)
MS[M+H]+= 1132.52
화합물 9 의 합성
Figure pat00115
상기 화합물 4 의 합성에서 P-1-2 대신 P-2-3을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 9를 얻었다. (9.93 g, 수율 61%)
MS[M+H]+= 1216.52
화합물 10의 합성
Figure pat00116
상기 화합물 1의 합성에서 P-1-1 대신 P-2-4를 4-(tert-부틸)-N-페닐아닐린 대신 4-(tert-부틸)-N-(4-(트리메틸실릴)페닐)아닐린을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 10을 얻었다. (8.53 g, 수율 54%)
MS[M+H]+= 1180.73
화합물 11의 합성
Figure pat00117
상기 화합물 1의 합성에서 P-1-1 대신 P-3-2를 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 10 을 얻었다. (8.93 g, 수율 65%)
MS[M+H]+= 1060.32
화합물 12의 합성
Figure pat00118
상기 화합물 4의 합성에서 P-1-2 대신 P-3-2를 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 12를 얻었다. (10.29 g, 수율 64%)
MS[M+H]+= 1240.48
화합물 13의 합성
Figure pat00119
상기 화합물 10의 합성에서 P-2-4 대신 P-3-2를 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 13을 얻었다. (9.21 g, 수율 59%)
MS[M+H]+= 1204.69
화합물 14의 합성
Figure pat00120
상기 화합물 8 의 합성에서 P-2-2 대신 P-3-2를 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 14를 얻었다. (8.81 g, 수율 58%)
MS[M+H]+= 1172.54
화합물 15의 합성
Figure pat00121
상기 화합물 1의 합성에서 P-1-1 대신 P-3-1를 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 15를 얻었다. (8.66 g, 수율 63%)
MS[M+H]+= 1060.32
화합물 16의 합성
Figure pat00122
상기 화합물 6의 합성에서 P-1-4 대신 P-3-1을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 16을 얻었다. (8.87 g, 수율 63%)
MS[M+H]+= 1092.47
화합물 17 의 합성
Figure pat00123
상기 화합물 8 의 합성에서 P-2-2 대신 P-3-1를 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 17을 얻었다. (8.61 g, 수율 57%)
MS[M+H]+= 1172.54
화합물 18의 합성
Figure pat00124
상기 화합물 2의 합성에서 P-1-1 대신 P-3-1를 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 18을 얻었다. (9.53 g, 수율 61%)
MS[M+H]+= 1212.52
화합물 19의 합성
Figure pat00125
상기 화합물 1의 합성에서 P-1-1 대신 P-3-1를, 4-(tert-부틸)-N-페닐아닐린 대신 N-(4-(tert-부틸)페닐)디벤조[b,d]퓨란-1-아민을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 19를 얻었다. (8.63 g, 수율 54%)
MS[M+H]+= 1240.48
화합물 20의 합성
Figure pat00126
상기 화합물 8의 합성에서 P-2-2 대신 P-3-4를 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 20을 얻었다. (9.36 g, 수율 62%)
MS[M+H]+= 1188.60
화합물 21의 합성
Figure pat00127
상기 화합물 1의 합성에서 P-1-1 대신 P-3-3을 사용한 것을 제외하고는, 동일한 방법을 이용하여 화합물 21을 얻었다. (8.63 g, 수율 56%)
MS[M+H]+= 1076.38
< 실시예 1>
ITO(인듐 주석 산화물)가 1,000Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판(corning 7059 glass)을, 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 세제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며, 증류수는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene; HAT)을 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 그 위에 정공을 수송하는 물질로 HT1를 800Å으로 진공증착한 후 이어서 상기 정공 수송층 위에 HT2를 막두께 100Å으로 진공증착하여 정공 조절층을 형성하였다. 화합물 발광층으로 호스트 H1과 도판트로 제조예 16에서 합성한 화합물 1을 25:1의 비율로 300Å의 두께로 진공 증착하였다. 그 다음에 E1 화합물(300Å)을 전자수송층으로 열 진공 증착하였다. 상기 전자 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 2,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 전자 주입층 및 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1 Å/sec를 유지하였고, 리튬플루라이드는 0.2 Å/sec, 알루미늄은 3~7 Å/sec의 증착속도를 유지하였다.
[HAT] [HT1]
Figure pat00128
Figure pat00129
[H1] [HT2]
Figure pat00130
Figure pat00131
[E1]
Figure pat00132
실시예 2 내지 실시예 21
발광층 형성시 도펀트로서 화합물 1 대신 하기 표 1과 같이 변경하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 실시예 2 내지 21의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다.
비교예 1 및 2
발광층 형성시 도펀트로서 화합물 1 대신 각각 하기 BD1 및 BD2를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
[BD1] [BD2]
Figure pat00133
Figure pat00134
실험예 1
상기 실시예 1 내지 21, 비교예 1 및 비교예 2에서 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하여, 구동 전압, 전류효율, 색좌표 및 수명(T95)을 측정하였고, 그 결과를 표 1에 나타내었다. 수명(T95)은, 유기 발광 소자 구동 후 휘도가 초기 휘도(100%) 대비 95%가 되는데 걸리는 시간을 측정한 것이다.
Figure pat00135
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물을 도펀트로 사용하여 제조된 유기 발광 소자의 경우에 비교예의 유기 발광 소자에 비하여 구동전압, 전류효율 및 수명 측면에서 우수한 성능을 나타냄을 확인할 수 있다.
1: 기판 2: 양극
3: 발광층 4: 음극
5: 정공주입층 6: 정공수송층
7: 발광층 8: 전자수송층

Claims (14)

  1. 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00136

    [화학식 2]
    Figure pat00137

    상기 화학식 1 또는 2에서,
    Q1은
    Figure pat00138
    이고,
    Q2는
    Figure pat00139
    이며,
    X1 내지 X3는 각각 독립적으로, O 또는 S이고,
    T1, T2, E 및 F는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-60 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상을 포함하는 C2-60 헤테로 방향족 고리이고,
    상기 T1 고리 내 서로 이웃한 2개의 탄소 원자 및 상기 T2 고리 서로 이웃한 2개의 탄소 원자는 *1의 탄소 원자와 5각형 고리를 형성하고,
    상기 Q1의 2개의 *는 상기 화학식 1 또는 2의 T2 고리 내 서로 이웃한 2개의 탄소 원자와 결합하여, E 고리 내 서로 이웃한 2개의 탄소 원자 및 T2 고리 내 서로 이웃한 2개의 탄소 원자는 X2 원자와 5각형 고리를 형성하고,
    상기 Q2의 2개의 *는 상기 화학식 2의 T1 고리 내 서로 이웃한 2개의 탄소 원자와 결합하여, F 고리 내 서로 이웃한 2개의 탄소 원자 및 T1 고리 내 서로 이웃한 2개의 탄소 원자는 X3 원자와 5각형 고리를 형성하고,
    L1 내지 L12는 각각 독립적으로, 결합; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 O, N, Si 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상을 포함하는 C2-60 헤테로아릴렌이고,
    Ar1 내지 Ar8은 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴알킬; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴알케닐; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이고,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노; 니트로; 히드록시; 카르보닐; 에스테르; 이미드; 아미드; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬; 치환 또는 비치환된 C1-60 티오알킬; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴알킬; 치환 또는 비치환된 C3-60 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C1-60 알콕시; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬티옥시; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴티옥시; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬술폭시; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 C2-60 알케닐; 치환 또는 비치환된 실릴; 치환 또는 비치환된 붕소; 치환 또는 비치환된 아민; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이거나, 또는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 고리를 형성하고,
    a1 내지 a12는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수이고,
    n1 및 n2는 각각 독립적으로, 1 또는 2이고,
    n3 및 n4는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수이고,
    b1 및 b2는 각각 독립적으로, 0 내지 6의 정수이고,
    a1 내지 a12, n1 내지 n4, b1 및 b2가 각각 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
  2. 제1항에 있어서,
    T1, T2, E 및 F는 각각 독립적으로, 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인, 화합물:
    Figure pat00140

    상기에서,
    R3 내지 R7은 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노; 니트로; 히드록시; 카르보닐; 에스테르; 이미드; 아미드; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬; 치환 또는 비치환된 C1-60 티오알킬; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴알킬; 치환 또는 비치환된 C3-60 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C1-60 알콕시; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬티옥시; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴티옥시; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬술폭시; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 C2-60 알케닐; 치환 또는 비치환된 실릴; 치환 또는 비치환된 붕소; 치환 또는 비치환된 아민; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이거나, 또는 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 고리를 형성하고,
    b3는 0 내지 3의 정수이고, b3가 2 이상인 경우, 2 이상의 R3은 서로 같거나 상이하며,
    22개의 *는 상기 화학식 1 또는 2의 *1의 탄소 원자를 포함하는 5각형 고리를 형성하기 위한 결합 사이트를 의미하거나, 또는 상기 Q1의 X2 원자 또는 상기 Q2의 X3 원자를 포함하는 5각형 고리를 형성하기 위한 결합 사이트를 의미한다.
  3. 제1항에 있어서,
    L1 내지 L12는 각각 독립적으로, 결합; 또는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인, 화합물:
    Figure pat00141

    상기에서,
    Z1 및 Z4는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노; 아미노; 치환 또는 비치환된 C1-20 알킬; 치환 또는 비치환된 C1-20 할로알킬; 치환 또는 비치환된 C6-20 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 C2-20 헤테로고리기이고,
    c1 및 c2는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수이고,
    c3은 0 내지 2의 정수이고,
    c1 내지 c3이 각각 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
  4. 제3항에 있어서,
    L1 내지 L12는 각각 독립적으로, 결합; 또는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인, 화합물:
    Figure pat00142

  5. 제1항에 있어서,
    Ar1 내지 Ar8은 각각 독립적으로, 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인, 화합물:
    Figure pat00143

    상기에서,
    Y1은 O, S, N(Z13), 또는 C(Z14)(Z15)이고,
    Y2는 N, 또는 C(Z16)이고,
    Z11 내지 Z16은 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노; 아미노; 치환 또는 비치환된 C1-20 알킬; 치환 또는 비치환된 C1-20 할로알킬; 치환 또는 비치환된 C6-20 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 C2-20 헤테로고리기이고,
    c11 및 c12는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수이고,
    c11 및 c12가 각각 2 이상인 경우, 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.
  6. 제5항에 있어서,
    Ar1 내지 Ar8은 각각 독립적으로, 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인, 화합물:
    Figure pat00144

    Figure pat00145

  7. 제1항에 있어서,
    Ar1은 Ar3와 동일하고, Ar2는 Ar4와 동일한, 화합물.
  8. 제1항에 있어서,
    R1 및 R2는 수소인, 화합물.
  9. 제1항에 있어서,
    n1 및 n2는 1이고, n3 및 n4는 0인 화합물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-8 및 2-1 내지 2-9 중 어느 하나로 표시되는, 화합물:
    [화학식 1-1]
    Figure pat00146

    [화학식 1-2]
    Figure pat00147

    [화학식 1-3]
    Figure pat00148

    [화학식 1-4]
    Figure pat00149

    [화학식 1-5]
    Figure pat00150

    [화학식 1-6]
    Figure pat00151

    [화학식 1-7]
    Figure pat00152

    [화학식 1-8]
    Figure pat00153

    [화학식 2-1]
    Figure pat00154

    [화학식 2-2]
    Figure pat00155

    [화학식 2-3]
    Figure pat00156

    [화학식 2-4]
    Figure pat00157

    [화학식 2-5]
    Figure pat00158

    [화학식 2-6]
    Figure pat00159

    [화학식 2-7]
    Figure pat00160

    [화학식 2-8]
    Figure pat00161

    [화학식 2-9]
    Figure pat00162

    상기 화학식 1-1 내지 1-8 및 2-1 내지 2-9에서,
    X1, L1 내지 L6, Ar1 내지 Ar4, a1 내지 a6, n1 및 n2에 대한 설명은 제1항에서 정의한 바와 같다.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 화합물은 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인, 화합물:
    Figure pat00163

    Figure pat00164

    Figure pat00165

    Figure pat00166

    Figure pat00167

    Figure pat00168

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    Figure pat00170

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    Figure pat00172

    Figure pat00173

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    Figure pat00179

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    Figure pat00181

    Figure pat00182

    Figure pat00183

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    Figure pat00189

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    Figure pat00191

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    Figure pat00193

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    Figure pat00196

    Figure pat00197

    Figure pat00198

    Figure pat00199

    Figure pat00200

    Figure pat00201

    Figure pat00202

    Figure pat00203

    Figure pat00204

    Figure pat00205

    Figure pat00206

    Figure pat00207

    Figure pat00208

    Figure pat00209

    Figure pat00210

    Figure pat00211

    Figure pat00212

    Figure pat00213

    Figure pat00214

    Figure pat00215

    Figure pat00216

    Figure pat00217

  12. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 제1항 내지 제11항 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층인, 유기 발광 소자.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 화합물은 도펀트로서 포함되는, 유기 발광 소자.
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