WO2019068607A1 - Method for producing a luminous pixel arrangement - Google Patents

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WO2019068607A1
WO2019068607A1 PCT/EP2018/076581 EP2018076581W WO2019068607A1 WO 2019068607 A1 WO2019068607 A1 WO 2019068607A1 EP 2018076581 W EP2018076581 W EP 2018076581W WO 2019068607 A1 WO2019068607 A1 WO 2019068607A1
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Dietmar Keiper
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Aixtron Se
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    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
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    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Definitions

  • the invention relates to a method for the production of pixels illuminated on a substrate, which radiate when passing electric current, the pixels each comprising: an electron transport layer ETL, a hole transport layer HTL, a hole blocking layer HBL or electron blocking layer EBL and a light emitting layer EML-R, EML-G, EML-B or other color combinations.
  • OLED layers consist of organic molecules that shine when passing current. Structured layers are first deposited on the substrate, among other things, in order to supply power to the red-glowing, green-shining or blue-shining or luminous pixels in other colors so that they light up.
  • Such electron transport layers, hole transport layers or hole / electron blocking layers are deposited in the prior art by various methods.
  • the most widely used at the time of application, technologically used method is a high vacuum method in which a source material is evaporated in a process chamber. The free path of the vapor molecules is greater than the expansion of the vacuum chamber, so that the vapor molecules arrive essentially in a straight-line path from the source to the substrate. For structuring a mask is used. For the production of the light-emitting layer is also a
  • Layer systems of a pixel arrangement are also known from US 2016/0079316 AI, US 6,903,378 B2 or US 9,385,348 B2. The content of these documents is fully incorporated in the disclosure of this application. Moreover, it is known to print layers at atmospheric pressure on the substrate, wherein plungers or pressure jets are used. The starting materials are dissolved in solvents, the solvent then having to evaporate. These starting materials may be polymers, small molecules with masses ⁇ 1000 g / mol or particles with sphere-equivalent diameters ⁇ 10 ⁇ m.
  • the high vacuum process requires long Abpump réelle, which increases the cycle time.
  • the use of a solvent requires drying of the deposited films.
  • the quality of the layers, especially the light-emitting layers, suffers when the solvent does not completely evaporate.
  • the high vacuum process also has the disadvantage that the substantially straight-line movement of the molecules in the process chamber lead to shadowing effects in the deposition using a mask.
  • US 2016/0164046 Al describes a method in which a layer sequence for OLED displays is to be deposited in successively arranged process chambers. In the individual process chambers processes are carried out either under vacuum conditions or under reduced pressures.
  • US 6,337,102 B2 describes the deposition of organic layers using a carrier gas at pressures in the range between 0.001 Torr and 100 Torr.
  • the invention has for its object to provide an efficient method for producing a pixel array, which provides layers of high quality, especially for electroluminescent application.
  • the process should work with the highest possible pressures to avoid long pump-down times.
  • the layers in particular the organic charge transport layers, be manufactured in gas atmospheres with a total pressure of at least 0.001 mbar, preferably of at least 0.01 mbar or 0.1 mbar to a maximum of 10 mbar. All layers are thus manufactured in a gas atmosphere in which the free path of the molecules is at most 10%, preferably in the range from 1% to 0.01% characteristic length of the process chamber, wherein the characteristic length may be the distance between a gas inlet member and a substrate.
  • the use of masks is required.
  • the invention therefore proposes to print the light-emitting layer onto the substrate or onto already deposited layers, it being possible to use printing punches or pressure jets in the printing process.
  • light-emitting particles are dissolved in a solvent and this liquid is printed on the substrate.
  • the particulates can be quantum dots (CANdots®), in particular CdSe-
  • the application of the light-emitting layer takes place in a process similar to the high-pressure or gravure printing process.
  • the application can be done pixel by pixel or line by line. However, the application can also take place with a process similar to inkjet printing with a liquid jet.
  • a PVD or CVD process in particular an OVPD process, is preferably used.
  • the PVD or CVD process is preferably carried out in a process chamber in which the total pressure is in the range of 0.01 mbar and 10 mbar, preferably 0.1 mbar to 1 mbar.
  • the process chamber has a substrate holder on which the substrate is placed and cooled.
  • a gas inlet member is arranged, which has nozzle-like arranged gas outlet nozzles.
  • the structuring of these layers can be done with the aid of a mask.
  • the substrate holder can be cooled and the gas inlet member heated. It is therefore preferred that the process chamber of this PVD or CVD reactor is also used to dry the previously deposited light-emitting layer. In this case, the substrate previously printed with the light-emitting layer is brought into the process chamber and placed on the substrate holder. The substrate holder does not have to be cooled for this process step. The gas inlet member is heated.
  • the resulting heat leads to the evaporation of the solvent in which the light-emitting particles, in particular quantum dots, are dissolved.
  • the total pressure can even be lowered further, for example to pressures of 0.01 mbar or 0.001 mbar.
  • the method is preferably carried out in a system of interlinked process chambers, wherein only one layer is deposited in each process chamber. Depending on requirements, however, it is also possible for one or more layers to be deposited in the same process chamber and in particular consecutively. It may be provided a central transfer chamber, which is purged with a high purity gas. With this transfer chamber a plurality of process chambers is connected, each having a closable portal through which the substrate can be brought into the process chamber.
  • the process chambers in which the electron transport layer, the hole transport layer and / or the hole / electron blocking layer are deposited are preferably PVD or CVD reactors, in particular OVPD reactors, as are known in principle from the prior art. They have a substrate holder for placing the substrate and a gas inlet member for introducing the gaseous starting materials, which either condense on the substrate or react on the substrate to form a layer. Masks can be used to pattern the layer. The substrate holder and the gas inlet member are tempered, either heated or cooled, depending on the process carried out in the PVD or CVD reactor.
  • the process chambers in which the light-emitting layers are deposited have a printing device with either plungers or pressure-jet devices, here the printing process can be carried out as a wet-chemical process at atmospheric pressure.
  • the total pressure in these process chambers usually ranges between 100 mbar and 1050 mbar.
  • the printing process can also be carried out in a range between 200 mbar and atmospheric pressure. However, the minimum total pressure during printing can also be higher, for example 400 mbar, 500 mbar, 600 mbar, 700 mbar or 800 mbar.
  • the method according to the invention for producing pixels applied to a substrate may comprise at least one electron transport layer ETL, a hole transport layer HTL, a hole blocking layer HBL or an electron blocking layer EBL.
  • a method according to the invention is further characterized in that it comprises at least one electron transport layer ETL, a hole transport layer HTL. It may further comprise a hole blocking layer HBL or an electron blocking layer EBL.
  • the relevant coating steps can each be carried out in a chamber in which only one layer is deposited in a series production. However, it is also provided that several different layers are deposited in a process chamber, in particular successively. It can be a cluster facility. However, the individual process chambers can also be arranged in an in-line arrangement and be spaced from each other with a transfer chamber.
  • the invention thus relates to a method for producing electroluminescent quantum dot layers with organic transport layers for transporting the electrons or the holes, in which the pressure difference between the deposited organic films and the quantum dot printed with liquid process Films no more than four orders of magnitude gene (0.1 mbar - 1000 mbar). However, it is also envisaged that the pressure difference is not more than six orders of magnitude (0.001 - 1000 mbar). Typically, however, the pressure difference is only three orders of magnitude (1-1000 mbar).
  • the invention relates to a method for the production of electroluminescent quantum dot layers with organic transport layers, in which after the liquid process in which the quantum dot film is deposited, the process chamber in which a subsequent coating step is carried out under vacuum conditions , Is heated to selectively evaporate the solvent with which the quantum dot film has been deposited.
  • a carrier gas into the PVD or CVD chamber
  • the solvent which may preferably be an organic solvent
  • the evaporation of the solvent which is used in printing the light-emitting layers can be carried out in the same process chamber in which a PVD or CVD process is subsequently carried out.
  • the trained in particular as a shower head gas inlet member is heated to up to 200 ° C or higher up to 500 ° C.
  • the substrate holder can optionally not be cooled in this case.
  • an attraction force between substrate and substrate holder may be modified such that the substrate temperature is higher than it is in the subsequent deposition.
  • the substrate holder may for this purpose have an "electrostatic chuck” (ESC) or a magnetic device for attracting the substrate or a mask.
  • ESC electrostatic chuck
  • the ESC can act directly or indirectly on the substrate.
  • BSC BackSide Cooling Gas
  • the coupling of the substrate to the substrate holder can also be modified in such a way that, for example, the gas composition in a gap between the substrate and the substrate holder is selectively changed in order to temporarily change the substrate temperature.
  • the Substrate holder to a temperature of about in the range of 100 ° C to - 50 ° C, typically cooled from about 20 ° C, so that a gas entering through the gas inlet member, which is conveyed with an inert gas can condense on the substrate.
  • a gas entering through the gas inlet member which is conveyed with an inert gas can condense on the substrate.
  • the drying time is about 60 seconds.
  • all process steps in which a layer is deposited, ie the CVD or PVD deposition processes is carried out in a gas phase environment in which the mean free path is smaller than a characteristic length of the process chamber.
  • the total pressures are preferably above 0.01 mbar or 0.1 mbar.
  • the total pressures can also be in a range between 0.1 mbar to 10 mbar. Only for other process steps, for example. Drying steps, the total pressure in the process chamber can be set to lower values.
  • an HIL layer hole injection layer
  • EIL layer electron injection layer
  • cathode layers for electrically contacting the structures described with the control electronics.
  • the inventive method combines the known from the prior art ago printing a light-emitting layer and the deposition of blocking / transport layers in the OVPD process while pressure stamp can be used in the printing process can OVPD method, a mask arrangement can be used for structuring.
  • the minimum pressure in both process sections is preferably at least 0.01 mbar, but may also be only 0.1 mbar.
  • the total pressure at which the printing takes place is greater than the total pressure in the OVPD method, wherein the quotient of the two pressures is at least 10, preferably min. at least 100 is. It may also be provided that the minimum pressure during printing is at least 900 mbar.
  • Fig. 1 shows schematically the section through an OVPD reactor
  • Fig. 2c schematically shows a method of printing a light-emitting layer
  • FIG. 3a shows an arrangement consisting of a plurality of OVPD reactors or pressure devices
  • 3b shows a second embodiment of an arrangement consisting of several reactors
  • FIG. 4 shows a first embodiment of a layer system 22
  • FIG. 5 shows a second embodiment of a layer system 22
  • FIG. 6 shows a third exemplary embodiment of a layer system 22.
  • FIG. 3a shows schematically an arrangement of seven process chambers 11 to 17, each having loading and unloading portals, not shown, through which a substrate from a transport conveyor, not shown. direction of the transfer chamber 10 in the individual process chambers 11 to 17 can be promoted.
  • a deposition process for depositing a layer is carried out, for example in the process chamber 11 a hole transport layer HTL, in the process chamber 12 an electron blocking layer EBL, in the process chamber 13 a red light emitting layer EML-R, in the process chamber 14 a green light emitting layer EML-G, in the process chamber 15 a blue light emitting layer EML-B, in the process chamber a hole blocking layer HBL and in the process chamber 17 an electron layer ETL deposited.
  • a substrate 4 In the process chambers 11, 12, 16 and 17, layers are deposited on a substrate 4 using an OVPD reactor, as shown schematically in FIG. 1, using a mask.
  • the substrate 4 lies on a substrate holder 3 cooled by means of cooling elements 5.
  • a gas inlet member 6 in the form of a shower head with a gas outlet surface 6, into which gas outlet openings 9 open, through which a vapor, in particular an organic starting material the process chamber 1 between gas inlet member 2 and substrate holder 3 can enter.
  • the gas outlet plate whose underside forms the gas outlet surface 6, is heated by means of heating elements 8 to temperatures above 200 °, but also to higher temperatures.
  • a supply line 7 is provided, through which an inert gas transports an organic vapor which condenses in the openings of the mask, not shown, on the substrate 4.
  • the process chambers 11 - 17 are arranged around a transfer chamber.
  • the process chambers 11, 12 and 13, 14, 15 and 16, 17 are arranged one behind the other in a line.
  • the individual process chambers are separated from one another by transfer chambers 10.
  • In the process chamber 11, 12, two or more mutually different layers can be deposited.
  • In the process chamber 13, 14, 15, the light-emitting layers are deposited.
  • In the process chamber 16, 17 also deposited two or more mutually different layers or only one layer.
  • a printing process takes place in the process chambers 13, 14 and 15, in which the red-shining, green-shining or blue-shining layers are deposited.
  • a printing device a jet printing device can be used with which dissolved in a solvent organic particles or inorganic particles but also on the substrate 4 or on the substrate 4 previously deposited layers is deposited.
  • the steps 13, 14, 15 can also be carried out in one chamber or in one or more chambers.
  • the steps 11, 12, 15, 16 can also be carried out in one or more chambers.
  • Figures 3a and 3b show alternatives in this regard as examples.
  • Figures 2a to 2c show schematically a printing process in which a plunger 18 is used, the raised zones 19 has.
  • the raised zone 19 having the side of the plunger 18 has in the figure 2 upwards and is wetted with a liquid.
  • This is a solvent 21 in which quantum dots 20 are contained.
  • the liquid is distributed on the surface in such a way that approximately one monolayer of the quantum dots 20 is formed on the raised zones 19, as shown in FIG. 2b.
  • FIG. 4 shows schematically typical layer sequences 22, as they can be applied to a substrate 4 in the apparatus shown in Figure 3.
  • the reference numeral 23 denotes a single-layer or multi-layer anode.
  • Reference numeral 24 denotes a single-layer or multi-layered cathode.
  • the gas atmosphere is preferably more than 90% nitrogen, argon or another noble gas.
  • the gas atmosphere may also have other compositions.
  • a method which is characterized in that the electron transport layer ETL, the hole transport layer HTL, hole blocking layer HBL and / or the electron blocking layer EBL in a CVD or PVD process, in particular OVPD process, at a total pressure between 0, 1 mbar and 10 mbar is performed.
  • All disclosed features are essential to the invention (individually, but also in combination with one another).
  • the disclosure content of the associated / attached priority documents (copy of the prior application) is hereby also incorporated in full in the disclosure of the application, also for the purpose of defining features of these documents in claims of the present application. to take with you.
  • the subclaims characterize, even without the features of a claimed claim, with their features independent inventive developments of the prior art, in particular in order to make divisional applications based on these claims.
  • each claim may additionally have one or more of the features described in the preceding description, in particular with reference numerals and / or given in the reference numerals.
  • the invention also relates to design forms in which individual features mentioned in the above description are not realized, in particular insofar as they are recognizably dispensable for the respective intended use or can be replaced by other technically equivalent means.

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Abstract

The invention relates to a method for producing pixels which are applied on a substrate (4) and are luminous upon conducting electric current through them, wherein the pixels each comprise: an electron transport layer (ETL), a hole transport layer (HTL), a hole blocking layer (HBL) or an electron blocking layer (EBL) and a light-emitting layer (EML-R, EML-G, EML-B). The invention provides for the layers (ETL, HTL, HBL, EBL, EML-R, EML-G, EML-B) each to be fabricated in a gas atmosphere with a total pressure of at least 0.001 mbar, wherein the total pressure is intended to be at least greater than 0.01 mbar. Light-emitting particles contained in a solvent can be used for depositing the light-emitting layer. The solvent can be vapor-deposited at a total pressure of < 10 mbar, in particular < 0.01 mbar, in a process chamber.

Description

Beschreibung  description
Verfahren zur Herstellung einer leuchtenden Pixelanordnung Gebiet der Technik Method for producing a luminous pixel arrangement Field of technology
[0001] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von auf einem Substrat aufgebrachten, beim Hindurchleiten von elektrischem Strom leuchtenden Pixeln, wobei die Pixel jeweils aufweisen: eine Elektronentransport- schicht ETL, eine Löchertransportschicht HTL, eine Löcherblockierschicht HBL oder Elektronenblockierschicht EBL und eine lichtemittierende Schicht EML-R, EML-G, EML-B oder andere Farbkombinationen. [0001] The invention relates to a method for the production of pixels illuminated on a substrate, which radiate when passing electric current, the pixels each comprising: an electron transport layer ETL, a hole transport layer HTL, a hole blocking layer HBL or electron blocking layer EBL and a light emitting layer EML-R, EML-G, EML-B or other color combinations.
Stand der Technik State of the art
[0002] Es ist bekannt, auf einem transparenten Substrat strukturierte, selbstleuchtende organische Schichten abzuscheiden. Derartige OLED-Schichten be- stehen aus organischen Molekülen, die beim Hindurchleiten von Strom leuchten. Auf dem Substrat werden zunächst unter anderem strukturierte Schichten abgeschieden, um die rot leuchtenden, grün leuchtenden oder blau leuchtenden oder in anderen Farben leuchtenden Pixel mit Strom zu versorgen, so dass sie leuchten. Derartige Elektronentransportschichten, Löchertransportschichten oder Löcher-/ Elektronen-Blockierschichten werden im Stand der Technik mit verschiedenen Verfahren abgeschieden. Das zum Zeitpunkt der Anmeldung verbreitetste, technologisch genutzte Verfahren ist ein Hochvakuumverfahren, bei dem in einer Prozesskammer ein Ausgangsstoff verdampft wird. Die freie Weglänge der Dampfmoleküle ist größer als die Ausdehnung der Vakuum- kammer, so dass die Dampfmoleküle im Wesentlichen auf einem gradlinigen Weg von der Quelle zum Substrat gelangen. Zur Strukturierung wird eine Maske verwendet. [0003] Zur Herstellung der lichtemittierenden Schicht wird ebenfalls ein It is known to deposit on a transparent substrate structured, self-luminous organic layers. Such OLED layers consist of organic molecules that shine when passing current. Structured layers are first deposited on the substrate, among other things, in order to supply power to the red-glowing, green-shining or blue-shining or luminous pixels in other colors so that they light up. Such electron transport layers, hole transport layers or hole / electron blocking layers are deposited in the prior art by various methods. The most widely used at the time of application, technologically used method is a high vacuum method in which a source material is evaporated in a process chamber. The free path of the vapor molecules is greater than the expansion of the vacuum chamber, so that the vapor molecules arrive essentially in a straight-line path from the source to the substrate. For structuring a mask is used. For the production of the light-emitting layer is also a
Hochvakuumverfahren verwendet. Alternative Verfahren zur Abscheidung der organischen Schichten benutzen Trägergase, um die in Dampfform gebrachten organischen Moleküle zum Substrat zu transportieren. Eine diesbezügliche Vorrichtung wird bspw. in der DE 10 2015 118 765 AI beschrieben. High vacuum method used. Alternative methods for depositing the organic layers use carrier gases to transport the vaporized organic molecules to the substrate. A related device is described, for example, in DE 10 2015 118 765 AI.
[0004] Schichtensysteme einer Pixelanordnung, wie sie bspw. für die Herstellung von Displays benötigt wird, sind auch bekannt aus den US 2016/0079316 AI, US 6,903,378 B2 oder US 9,385,348 B2. Der Inhalt dieser Schriften wird vollinhaltlich mit in den Offenbarungsgehalt dieser Anmeldung einbezogen. [0005] Darüber hinaus ist es bekannt, Schichten bei Atmosphärendruck auf das Substrat aufzudrucken, wobei Druckstempel oder Druckstrahlen verwendet werden. Die Ausgangsstoffe werden in Lösemittel gelöst, wobei das Lösemittel anschließend verdampfen muss. Diese Ausgangsstoffe können Polymere, kleine Moleküle mit Massen < 1000 g/ mol oder Partikel mit kugeläquivalenten Durchmessern < 10 μιτι sein. Layer systems of a pixel arrangement, as required, for example, for the production of displays, are also known from US 2016/0079316 AI, US 6,903,378 B2 or US 9,385,348 B2. The content of these documents is fully incorporated in the disclosure of this application. Moreover, it is known to print layers at atmospheric pressure on the substrate, wherein plungers or pressure jets are used. The starting materials are dissolved in solvents, the solvent then having to evaporate. These starting materials may be polymers, small molecules with masses <1000 g / mol or particles with sphere-equivalent diameters <10 μm.
[0006] Die im Stand der Technik bekannten Verfahren weisen insbesondere folgende technologische Nachteile auf: The methods known in the prior art have in particular the following technological disadvantages:
[0007] Der Hochvakuumprozess benötigt lange Abpumpzeiten, was die Taktzeit erhöht. Die Verwendung eines Lösemittels erfordert das Trocknen der ab- geschiedenen Filme. Die Qualität der Schichten, insbesondere der lichtemittierenden Schichten leidet, wenn das Lösemittel nicht vollständig verdampft. Der Hochvakuumprozess hat darüber hinaus den Nachteil, dass die im Wesentlichen gradlinige Bewegung der Moleküle in der Prozesskammer zu Schatteneffekten bei der Abscheidung unter der Verwendung einer Maske führen. [0008] Die US 2016/0164046 AI beschreibt ein Verfahren, bei dem in hintereinander angeordneten Prozesskammern eine Schichtenfolge für OLED-Displays abgeschieden werden soll. In den einzelnen Prozesskammern werden Prozesse entweder unter Vakuumbedingungen oder unter reduzierten Drucken durch- geführt. The high vacuum process requires long Abpumpzeiten, which increases the cycle time. The use of a solvent requires drying of the deposited films. The quality of the layers, especially the light-emitting layers, suffers when the solvent does not completely evaporate. The high vacuum process also has the disadvantage that the substantially straight-line movement of the molecules in the process chamber lead to shadowing effects in the deposition using a mask. US 2016/0164046 Al describes a method in which a layer sequence for OLED displays is to be deposited in successively arranged process chambers. In the individual process chambers processes are carried out either under vacuum conditions or under reduced pressures.
[0009] Die US 6,337,102 B2 beschreibt das Abscheiden von organischen Schichten unter Verwendung eines Trägergases bei Drucken im Bereich zwischen 0,001 Torr und 100 Torr. US 6,337,102 B2 describes the deposition of organic layers using a carrier gas at pressures in the range between 0.001 Torr and 100 Torr.
[0010] Aus der DE 10 2016 011 319 AI ist es bekannt, eine Oberfläche durch Gasphasenabscheidung vorzubeschichten. Die Schrift offenbart darüber hinaus die Verwendung der Nanoimprint-Lithografie oder der Verwendung von Nano- imprint-Stempeln, um die Oberfläche derart vorzubereiten, dass eine selektive Abscheidung auf gedruckten Bereichen der Oberfläche stattfinden soll. From DE 10 2016 011 319 AI it is known to pre-coat a surface by vapor deposition. The document also discloses the use of nanoimprint lithography or the use of nanoimprint stamping to prepare the surface to selectively deposit on printed areas of the surface.
Zusammenfassung der Erfindung Summary of the invention
[0011] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein effizientes Verfahren zur Herstellung einer Pixelanordnung anzugeben, welches Schichten mit hoher Qualität insbesondere für elektrolumineszente Anwendung liefert. Das Verfahren soll mit möglichst hohen Drucken arbeiten, damit lange Abpumpzeiten vermieden werden. The invention has for its object to provide an efficient method for producing a pixel array, which provides layers of high quality, especially for electroluminescent application. The process should work with the highest possible pressures to avoid long pump-down times.
[0012] Zur Lösung der Aufgabe wird vorgeschlagen, dass die Schichten, ins- besondere die organischen Ladungstransportschichten, in Gasatmosphären mit einem Totaldruck von mindestens 0,001 mbar, bevorzugt von mindestens 0,01 mbar oder 0,1 mbar bis maximal 10 mbar gefertigt werden. Sämtliche Schichten werden somit in einer Gasatmosphäre gefertigt, bei der die freie Weglänge der Moleküle maximal 10 %, bevorzugt im Bereich 1 % bis 0,01 %, einer charakteristischen Länge der Prozesskammer entspricht, wobei die charakteristische Länge der Abstand zwischen einem Gaseinlassorgan und einem Substrat sein kann. Bei der Herstellung der lichtemittierenden Schichten, bei denen im Stand der Technik entweder ein Hochvakuumverfahren oder ein CVD- oder PVD- Verfahren verwendet wird, ist die Verwendung von Masken erforderlich. Es handelt sich dabei um sogenannte dünne Metallmasken (FMM) mit eng benachbarten Öffnungen mit Kantenlängen oder Durchmessern in der Größenordnung von 10 μιτι. Die Verwendung derartiger Masken ist insbesondere dann technologisch anspruchsvoll, wenn großflächige Substrate beschichtet werden sollen. Die Erfindung schlägt deshalb vor, die lichtemittierende Schicht auf das Substrat bzw. auf bereits abgeschiedene Schichten aufzudrucken, wobei beim Druckverfahren Druckstempel oder Druckstrahlen verwendet werden können. Bei diesem Druckprozess werden lichtemittierende Partikel in einem Lösungsmittel gelöst und diese Flüssigkeit auf das Substrat aufgedruckt. Bei den Parti- kein kann es sich um Quantum-Dots (CANdots®), insbesondere um CdSe-To achieve the object, it is proposed that the layers, in particular the organic charge transport layers, be manufactured in gas atmospheres with a total pressure of at least 0.001 mbar, preferably of at least 0.01 mbar or 0.1 mbar to a maximum of 10 mbar. All layers are thus manufactured in a gas atmosphere in which the free path of the molecules is at most 10%, preferably in the range from 1% to 0.01% characteristic length of the process chamber, wherein the characteristic length may be the distance between a gas inlet member and a substrate. In the fabrication of the light-emitting layers using either a high vacuum process or a CVD or PVD process in the prior art, the use of masks is required. These are so-called thin metal masks (FMM) with closely adjacent openings with edge lengths or diameters in the order of 10 μm. The use of such masks is particularly technologically demanding when large-area substrates are to be coated. The invention therefore proposes to print the light-emitting layer onto the substrate or onto already deposited layers, it being possible to use printing punches or pressure jets in the printing process. In this printing process, light-emitting particles are dissolved in a solvent and this liquid is printed on the substrate. The particulates can be quantum dots (CANdots®), in particular CdSe-
Partikel handeln oder auch andere Cd-freie Partikel. Bei der Verwendung eines Druckstempels erfolgt das Aufbringen der lichtemittierenden Schicht in einer dem Hochdruck- oder Tiefdruckverfahren ähnlichen Prozess. Das Aufbringen kann pixelweise oder linienweise erfolgen. Das Aufbringen kann aber auch mit einem dem Tintenstrahldrucken ähnlichen Prozess mit einem Flüssigkeitsstrahl erfolgen. Zum Aufbringen der Elektronentransportschicht, Löchertransportschicht, Löcherblockierschicht oder Elektronenblockierschicht wird bevorzugt ein PVD- oder CVD-Prozess, insbesondere ein OVPD-Prozess, verwendet. Der PVD- oder CVD-Prozess wird bevorzugt in einer Prozesskammer durchgeführt, in der der Total druck im Bereich von 0,01 mbar und 10 mbar, bevorzugt 0,1 mbar bis 1 mbar, liegt. Die Prozesskammer besitzt einen Substrathalter, auf den das Substrat aufgelegt und gekühlt wird. Oberhalb des Substrathalters ist ein Gaseinlassorgan angeordnet, welches duschkopfartig angeordnete Gasaustrittsdüsen aufweist. Die Strukturierung dieser Schichten kann mit Hilfe einer Mas- ke erfolgen. In einer bevorzugten Ausgestaltung ist der Substrathalter kühlbar und das Gaseinlassorgan beheizbar. Es ist deshalb bevorzugt vorgesehen, dass die Prozesskammer dieses PVD- oder CVD-Reaktors auch dazu benutzt wird, die zuvor abgeschiedene lichtemittierende Schicht zu trocknen. Dabei wird zuvor mit der lichtemittierenden Schicht bedrucktes Substrat in die Prozesskam- mer gebracht und auf den Substrathalter aufgelegt. Der Substrathalter muss für diesen Prozessschritt nicht gekühlt werden. Das Gaseinlassorgan wird beheizt. Die dabei entstehende Wärme führt zum Verdampfen des Lösemittels, in dem die lichtemittierenden Partikel, insbesondere Quantum-Dots, gelöst sind. Bei diesem Trocknungsverfahren kann der Totaldruck sogar weiter abgesenkt wer- den, bspw. auf Drücke von 0,01 mbar oder 0,001 mbar. Das Verfahren wird bevorzugt in einem System von miteinander verketteten Prozesskammern durchgeführt, wobei in jeder Prozesskammer jeweils nur eine Schicht abgeschieden wird. Je nach Bedarf können aber auch ein oder mehrere Schichten in derselben Prozesskammer und insbesondere aufeinander folgend abgeschieden werden. Es kann eine zentrale Transferkammer vorgesehen sein, die mit einem Reinstgas gespült wird. Mit dieser Transferkammer ist eine Vielzahl von Prozesskammern verbunden, die jeweils ein verschließbares Portal besitzen, durch das das Substrat in die Prozesskammer gebracht werden kann. Die Prozesskammern, in denen die Elektronentransportschicht, die Löchertransportschicht und/ oder die Löcher-/ Elektronen-Blockierschicht abgeschieden werden, sind bevorzugt PVD- oder CVD-Reaktoren, insbesondere OVPD-Reaktoren, wie sie grundsätzlich aus dem Stand der Technik bekannt sind. Sie besitzen einen Substrathalter zum Auflegen des Substrates und ein Gaseinlassorgan, zum Einlassen der gasförmigen Ausgangsstoffe, die entweder auf dem Substrat konden- sieren oder auf dem Substrat zu einer Schicht reagieren. Zur Strukturierung der Schicht können Masken verwendet werden. Der Substrathalter und das Gaseinlassorgan werden je nach im PVD- oder CVD-Reaktor durchgeführten Prozess temperiert, entweder geheizt oder gekühlt. Die Prozesskammern, in denen die lichtemittierenden Schichten abgeschieden werden, besitzen eine Druckvorrich- tung mit entweder Druckstempeln oder Druckstrahleinrichtungen, wobei hier der Druckprozess als nasschemischer Prozess bei Atmosphärendruck durchgeführt werden kann. Der Totaldruck in diesen Prozesskammern bewegt sich üblicherweise im Bereich zwischen 100 mbar und 1050 mbar. Der Druckprozess kann auch in einem Bereich zwischen 200 mbar und Atmosphärendruck durch- geführt werden. Der minimale Totaldruck beim Aufdrucken kann aber auch höher, beispielsweise 400 mbar, 500 mbar, 600 mbar, 700 mbar oder 800 mbar betragen. Particles act or other Cd-free particles. When using a printing stamp, the application of the light-emitting layer takes place in a process similar to the high-pressure or gravure printing process. The application can be done pixel by pixel or line by line. However, the application can also take place with a process similar to inkjet printing with a liquid jet. For applying the electron transport layer, hole transport layer, hole blocking layer or electron blocking layer, a PVD or CVD process, in particular an OVPD process, is preferably used. The PVD or CVD process is preferably carried out in a process chamber in which the total pressure is in the range of 0.01 mbar and 10 mbar, preferably 0.1 mbar to 1 mbar. The process chamber has a substrate holder on which the substrate is placed and cooled. Above the substrate holder, a gas inlet member is arranged, which has nozzle-like arranged gas outlet nozzles. The structuring of these layers can be done with the aid of a mask. In a preferred embodiment, the substrate holder can be cooled and the gas inlet member heated. It is therefore preferred that the process chamber of this PVD or CVD reactor is also used to dry the previously deposited light-emitting layer. In this case, the substrate previously printed with the light-emitting layer is brought into the process chamber and placed on the substrate holder. The substrate holder does not have to be cooled for this process step. The gas inlet member is heated. The resulting heat leads to the evaporation of the solvent in which the light-emitting particles, in particular quantum dots, are dissolved. In this drying process, the total pressure can even be lowered further, for example to pressures of 0.01 mbar or 0.001 mbar. The method is preferably carried out in a system of interlinked process chambers, wherein only one layer is deposited in each process chamber. Depending on requirements, however, it is also possible for one or more layers to be deposited in the same process chamber and in particular consecutively. It may be provided a central transfer chamber, which is purged with a high purity gas. With this transfer chamber a plurality of process chambers is connected, each having a closable portal through which the substrate can be brought into the process chamber. The process chambers in which the electron transport layer, the hole transport layer and / or the hole / electron blocking layer are deposited are preferably PVD or CVD reactors, in particular OVPD reactors, as are known in principle from the prior art. They have a substrate holder for placing the substrate and a gas inlet member for introducing the gaseous starting materials, which either condense on the substrate or react on the substrate to form a layer. Masks can be used to pattern the layer. The substrate holder and the gas inlet member are tempered, either heated or cooled, depending on the process carried out in the PVD or CVD reactor. The process chambers in which the light-emitting layers are deposited have a printing device with either plungers or pressure-jet devices, here the printing process can be carried out as a wet-chemical process at atmospheric pressure. The total pressure in these process chambers usually ranges between 100 mbar and 1050 mbar. The printing process can also be carried out in a range between 200 mbar and atmospheric pressure. However, the minimum total pressure during printing can also be higher, for example 400 mbar, 500 mbar, 600 mbar, 700 mbar or 800 mbar.
[0013] Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von auf einem Substrat aufgebrachten Pixeln kann zumindest eine Elektronentransportschicht ETL, eine Löchertransportschicht HTL eine Löcherblockierschicht HBL oder eine Elektronenblockierschicht EBL aufweisen. Ein erfindungs gemäßes Verfahren ist darüber hinaus dadurch gekennzeichnet, dass es zumindest eine Elektronentransportschicht ETL, eine Löchertransportschicht HTL aufweist. Es kann darüber hinaus eine Löcherblockierschicht HBL oder eine Elektronenblockierschicht EBL aufweisen. Die diesbezüglichen Beschichtungsschritte können jeweils in einer Kammer durchgeführt werden, in der bei einer Serienproduktion jeweils nur eine Schicht abgeschieden wird. Es ist aber auch vorgesehen, dass in einer Prozesskammer insbesondere aufeinander folgend mehrere verschiedene Schichten abgeschieden werden. Es kann dabei um eine Cluster- Anlage handeln. Die einzelnen Prozesskammern können aber auch in einer inline- Anordnung angeordnet sein und jeweils mit einer Transferkammer voneinander beabstandet sein. The method according to the invention for producing pixels applied to a substrate may comprise at least one electron transport layer ETL, a hole transport layer HTL, a hole blocking layer HBL or an electron blocking layer EBL. A method according to the invention is further characterized in that it comprises at least one electron transport layer ETL, a hole transport layer HTL. It may further comprise a hole blocking layer HBL or an electron blocking layer EBL. The relevant coating steps can each be carried out in a chamber in which only one layer is deposited in a series production. However, it is also provided that several different layers are deposited in a process chamber, in particular successively. It can be a cluster facility. However, the individual process chambers can also be arranged in an in-line arrangement and be spaced from each other with a transfer chamber.
[0014] Die Erfindung betrifft somit eine Methode zur Herstellung von elektro- lumineszierenden Quantum-Dot-Schichten mit organischen Transportschichten zum Transport der Elektronen oder der Löcher, bei denen der Druckunterschied zwischen den abgeschiedenen organischen Filmen und der mit Flüssig- prozess gedruckten Quantum-Dot-Filmen nicht mehr als vier Größenordnun- gen (0,1 mbar - 1000 mbar) beträgt. Es ist aber auch vorgesehen, dass der Druckunterschied nicht mehr als sechs Größenordnungen beträgt (0,001 - 1000 mbar). Typischerweise beträgt der Druckunterschied aber nur drei Größenordnungen (1 - 1000 mbar). Die Erfindung betrifft insbesondere eine Me- thode zur Herstellung von elektrolumineszenten Quantum-Dot-Schichten mit organischen Transportschichten, bei denen nach dem Flüssigkeitsprozess, bei der dem Quantum-Dot-Film abgeschieden wird, die Prozesskammer, in der ein nachfolgender Beschichtungsschritt unter Vakuumbedingungen durchgeführt wird, aufgeheizt wird, um gezielt das Lösungsmittel, mit dem der Quantum- Dot-Film abgeschieden worden ist, zu verdampfen. Durch Einleiten eines Trägergases in die PVD- oder CVD-Kammer wird das Lösungsmittel, bei welchem es sich bevorzugt um ein organisches Lösungsmittel handeln kann, abgeführt. Das Verdampfen des Lösemittels, welches beim Aufdrucken der lichtemittierenden Schichten verwendet wird, kann in derselben Prozesskammer durchge- führt werden, in der nachfolgend ein PVD- oder CVD-Prozess durchgeführt wird. Das insbesondere als shower head ausgebildete Gaseinlassorgan wird dabei auf bis zu 200° C oder höher bis zu 500°C aufgeheizt. Insbesondere kann der Substrathalter optional dabei nicht gekühlt werden. Ferner kann eine Anziehungskraft zwischen Substrat und Substrathalter derart modifiziert sein, dass die Substrattemperatur höher ist, als sie bei der dann folgenden Abschei- dung ist. Der Substrathalter kann hierzu einen "Electrostatic Chuck" (ESC) oder eine magnetische Vorrichtung zur Anziehung des Substrates oder einer Maske aufweisen. Das ESC kann direkt oder indirekt auf das Substrat einwirken. Es ist auch vorgesehen, ein "BackSideCooling Gas" (BSC) zur Erhöhung der Wärme- leitung von Substrat zu Substrathalter zu verwenden. Die Ankopplung des Substrates an dem Substrathalter kann aber auch derart modifiziert sein, dass beispielsweise die Gaszusammensetzung in einem Spalt zwischen Substrat und Substrathalter gezielt geändert wird, um die Substrattemperatur kurzzeitig zu ändern. Wird anschließend an diesen Trocknungsprozess eine insbesondere organische Transportschicht (ETL, HTL, HBL, EBL) abgeschieden, so wird der Substrathalter auf eine Temperatur von etwa im Bereich von 100°C bis - 50°C, typischerweise von etwa 20°C gekühlt, so dass ein durch das Gaseinlassorgan eintretender Dampf, der mit einem Inertgas gefördert wird, auf dem Substrat kondensieren kann. Es ist aber auch möglich, die Temperatur des Gaseinlassor- ganes auf Bereich bis 500° C zu heizen, um das Lösemittel zu verdampfen. Die Trocknungszeit beträgt etwa 60 Sekunden. Besonders bevorzugt ist vorgesehen, dass sämtliche Prozessschritte, bei denen eine Schicht abgeschieden wird, also die CVD- oder PVD-Abscheideprozesse in einer Gasphasenumgebung durchgeführt wird, in der die mittlere freie Weglänge kleiner ist als eine charakteristi- sehe Länge der Prozesskammer. Die Total drücke liegen bevorzugt bei über 0,01 mbar oder 0,1 mbar. Die Totaldrücke können auch in einem Bereich zwischen 0,1 mbar bis 10 mbar liegen. Lediglich für anderweitige Prozessschritte, bspw. Trocknungsschritte, kann der Totaldruck in der Prozesskammer auf niedrigere Werte gesetzt werden. Vor der Abscheidung der oben beschriebenen Schichtstrukturen können noch eine HIL-Schicht (Lochinjektionsschicht) und nach dem Abscheiden der oben genannten Schichtstruktur noch eine EIL- Schicht (Elektroneninjektionsschicht) bzw. Kathodenschichten aufgebracht werden zur elektrischen Kontaktierung der beschriebenen Strukturen mit der Ansteuerelektronik. [0015] Es wird als besonders vorteilhaft angesehen, dass das erfindungsgemäße Verfahren das aus dem Stand der Technik her bekannte Aufdrucken einer lichtemittierenden Schicht und das Abscheiden von Blockier-/ Transportschichten im OVPD- Verfahren kombiniert, während beim Druckprozess Druckstempel verwendet werden können, kann beim OVPD- Verfahren eine Masken- anordnung zur Strukturierung verwendet werden. Der Minimaldruck beträgt bei beiden Verfahrensabschnitten bevorzugt mindestens 0,01 mbar, kann aber auch nur 0,1 mbar betragen. Es ist ferner von Vorteil, wenn der Totaldruck, bei dem das Aufdrucken erfolgt, größer ist, als der Totaldruck beim OVPD- Verfahren, wobei der Quotient der beiden Drucke mindestens 10, bevorzugt min- destens 100 ist. Es kann ferner vorgesehen sein, dass der Minimal druck beim Aufdrucken mindestens 900 mbar ist. [0014] The invention thus relates to a method for producing electroluminescent quantum dot layers with organic transport layers for transporting the electrons or the holes, in which the pressure difference between the deposited organic films and the quantum dot printed with liquid process Films no more than four orders of magnitude gene (0.1 mbar - 1000 mbar). However, it is also envisaged that the pressure difference is not more than six orders of magnitude (0.001 - 1000 mbar). Typically, however, the pressure difference is only three orders of magnitude (1-1000 mbar). In particular, the invention relates to a method for the production of electroluminescent quantum dot layers with organic transport layers, in which after the liquid process in which the quantum dot film is deposited, the process chamber in which a subsequent coating step is carried out under vacuum conditions , Is heated to selectively evaporate the solvent with which the quantum dot film has been deposited. By introducing a carrier gas into the PVD or CVD chamber, the solvent, which may preferably be an organic solvent, is removed. The evaporation of the solvent which is used in printing the light-emitting layers can be carried out in the same process chamber in which a PVD or CVD process is subsequently carried out. The trained in particular as a shower head gas inlet member is heated to up to 200 ° C or higher up to 500 ° C. In particular, the substrate holder can optionally not be cooled in this case. Furthermore, an attraction force between substrate and substrate holder may be modified such that the substrate temperature is higher than it is in the subsequent deposition. The substrate holder may for this purpose have an "electrostatic chuck" (ESC) or a magnetic device for attracting the substrate or a mask. The ESC can act directly or indirectly on the substrate. It is also envisaged to use a "BackSide Cooling Gas" (BSC) to increase the heat conduction from substrate to substrate holder. However, the coupling of the substrate to the substrate holder can also be modified in such a way that, for example, the gas composition in a gap between the substrate and the substrate holder is selectively changed in order to temporarily change the substrate temperature. If, following this drying process, a particular organic transport layer (ETL, HTL, HBL, EBL) is deposited, then the Substrate holder to a temperature of about in the range of 100 ° C to - 50 ° C, typically cooled from about 20 ° C, so that a gas entering through the gas inlet member, which is conveyed with an inert gas can condense on the substrate. However, it is also possible to heat the temperature of the gas inlet gate to the range of up to 500 ° C. in order to evaporate the solvent. The drying time is about 60 seconds. It is particularly preferred that all process steps in which a layer is deposited, ie the CVD or PVD deposition processes is carried out in a gas phase environment in which the mean free path is smaller than a characteristic length of the process chamber. The total pressures are preferably above 0.01 mbar or 0.1 mbar. The total pressures can also be in a range between 0.1 mbar to 10 mbar. Only for other process steps, for example. Drying steps, the total pressure in the process chamber can be set to lower values. Before the deposition of the layer structures described above, it is also possible to apply an HIL layer (hole injection layer) and, after deposition of the abovementioned layer structure, an EIL layer (electron injection layer) or cathode layers for electrically contacting the structures described with the control electronics. It is considered particularly advantageous that the inventive method combines the known from the prior art ago printing a light-emitting layer and the deposition of blocking / transport layers in the OVPD process while pressure stamp can be used in the printing process can OVPD method, a mask arrangement can be used for structuring. The minimum pressure in both process sections is preferably at least 0.01 mbar, but may also be only 0.1 mbar. It is also advantageous if the total pressure at which the printing takes place is greater than the total pressure in the OVPD method, wherein the quotient of the two pressures is at least 10, preferably min. at least 100 is. It may also be provided that the minimum pressure during printing is at least 900 mbar.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen Brief description of the drawings
[0016] Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen: In the following the invention will be explained in more detail with reference to embodiments. Show it:
Fig. 1 schematisch den Schnitt durch einen OVPD-Reaktor; Fig. 1 shows schematically the section through an OVPD reactor;
Fig. 2a -Fig. 2a -
Fig. 2c schematisch ein Verfahren zum Aufdrucken einer lichtemittierenden Schicht; Fig. 2c schematically shows a method of printing a light-emitting layer;
Fig. 3a eine aus mehreren OVPD-Reaktoren bzw. Druckeinrichtungen bestehende Anordnung; FIG. 3a shows an arrangement consisting of a plurality of OVPD reactors or pressure devices; FIG.
Fig. 3b ein zweites Ausführungsbeispiel einer aus mehreren Reaktoren bestehenden Anordnung; 3b shows a second embodiment of an arrangement consisting of several reactors;
Fig. 4 ein erstes Ausführungsbeispiel eines Schichtensystems 22; 4 shows a first embodiment of a layer system 22;
Fig. 5 ein zweites Ausführungsbeispiel eines Schichtensystems 22 und 5 shows a second embodiment of a layer system 22 and
Fig. 6 ein drittes Ausführungsbeispiel eines Schichtensystems 22. 6 shows a third exemplary embodiment of a layer system 22.
Beschreibung der Ausführungsformen Description of the embodiments
[0017] Die Figur 3a zeigt schematisch eine Anordnung aus sieben Prozesskammern 11 bis 17, die jeweils nicht dargestellte Be- und Entladeportale besitzen, durch die ein Substrat von einer nicht dargestellten Transportförderein- richtung von der Transferkammer 10 in die einzelnen Prozesskammern 11 bis 17 gefördert werden kann. In jeder der einzelnen Prozesskammern 11 bis 17 wird ein Abscheideprozess zum Abscheiden einer Schicht durchgeführt, so wird bspw. in der Prozesskammer 11 eine Löchertransportschicht HTL, in der Prozesskammer 12 eine Elektronenblockierschicht EBL, in der Prozesskammer 13 eine rotes Licht emittierende Schicht EML-R, in der Prozesskammer 14 eine grünes Licht emittierende Schicht EML-G, in der Prozesskammer 15 eine blaues Licht emittierende Schicht EML-B, in der Prozesskammer eine Löcherblockierschicht HBL und in der Prozesskammer 17 eine Elektronenschicht ETL abgeschieden. In den Prozesskammern 11, 12, 16 und 17 werden jeweils mittels eines OVPD-Reaktors, wie er in der Figur 1 schematisch dargestellt ist, unter Verwendung einer Maske Schichten auf ein Substrat 4 abgeschieden. Das Substrat 4 liegt auf einem mittels Kühlelementen 5 gekühlten Substrathalter 3. Oberhalb des Substrathalters 3 erstreckt sich ein Gaseinlassorgan 6 in Form ei- nes shower heads mit einer Gasaustrittsfläche 6, in die Gasaustrittsöffnungen 9 münden, durch die ein Dampf, insbesondere eines organischen Ausgangsstoffes in die Prozesskammer 1 zwischen Gaseinlassorgan 2 und Substrathalter 3 eintreten kann. Die Gasaustrittsplatte, deren Unterseite die Gasaustrittsfläche 6 bildet, wird mittels Heizelementen 8 auf Temperaturen oberhalb von 200°, aber auch auf höhere Temperaturen aufgeheizt. Es ist eine Zuleitung 7 vorgesehen, durch die ein Inertgas einen organischen Dampf transportiert, der in den Öffnungen der nicht dargestellten Maske auf dem Substrat 4 kondensiert. 3a shows schematically an arrangement of seven process chambers 11 to 17, each having loading and unloading portals, not shown, through which a substrate from a transport conveyor, not shown. direction of the transfer chamber 10 in the individual process chambers 11 to 17 can be promoted. In each of the individual process chambers 11 to 17, a deposition process for depositing a layer is carried out, for example in the process chamber 11 a hole transport layer HTL, in the process chamber 12 an electron blocking layer EBL, in the process chamber 13 a red light emitting layer EML-R, in the process chamber 14 a green light emitting layer EML-G, in the process chamber 15 a blue light emitting layer EML-B, in the process chamber a hole blocking layer HBL and in the process chamber 17 an electron layer ETL deposited. In the process chambers 11, 12, 16 and 17, layers are deposited on a substrate 4 using an OVPD reactor, as shown schematically in FIG. 1, using a mask. The substrate 4 lies on a substrate holder 3 cooled by means of cooling elements 5. Above the substrate holder 3 extends a gas inlet member 6 in the form of a shower head with a gas outlet surface 6, into which gas outlet openings 9 open, through which a vapor, in particular an organic starting material the process chamber 1 between gas inlet member 2 and substrate holder 3 can enter. The gas outlet plate, whose underside forms the gas outlet surface 6, is heated by means of heating elements 8 to temperatures above 200 °, but also to higher temperatures. A supply line 7 is provided, through which an inert gas transports an organic vapor which condenses in the openings of the mask, not shown, on the substrate 4.
[0018] Bei der Figur 3a sind die Prozesskammern 11 - 17 um eine Transferkammer angeordnet. Bei der Figur 3b sind die Prozesskammern 11, 12 bzw. 13, 14, 15 bzw. 16, 17 hintereinander in einer Linie angeordnet. Die einzelnen Prozesskammern sind durch Transferkammern 10 voneinander getrennt. In der Prozesskammer 11, 12 können zwei oder mehr voneinander verschiedene Schichten abgeschieden werden. In der Prozesskammer 13, 14, 15 werden die lichtemittierenden Schichten abgeschieden. In der Prozesskammer 16, 17 wer- den ebenfalls zwei oder mehr voneinander verschiedene Schichten oder nur eine Schicht abgeschieden. In the figure 3a, the process chambers 11 - 17 are arranged around a transfer chamber. In the figure 3b, the process chambers 11, 12 and 13, 14, 15 and 16, 17 are arranged one behind the other in a line. The individual process chambers are separated from one another by transfer chambers 10. In the process chamber 11, 12, two or more mutually different layers can be deposited. In the process chamber 13, 14, 15, the light-emitting layers are deposited. In the process chamber 16, 17 also deposited two or more mutually different layers or only one layer.
[0019] In den Prozesskammern 13, 14 und 15, in denen die rot leuchtenden, grün leuchtenden oder blau leuchtenden Schichten abgeschieden werden, fin- det ein Druckprozess statt. Als Druckvorrichtung kann eine Strahldruckvorrichtung verwendet werden, mit der in einem Lösemittel gelöste organische Partikel oder aber auch anorganische Partikel auf das Substrat 4 oder auf dem Substrat 4 zuvor abgeschiedene Schichten abgeschieden wird. Die Schritte 13, 14, 15 können auch in einer Kammer oder in einer oder mehreren Kammern durchgeführt werden. Ebenso können die Schritte 11, 12, 15, 16 auch in einer oder mehreren Kammern durchgeführt werden. Die Figuren 3a und 3b zeigen diesbezügliche Alternativen als Beispiele. [0019] In the process chambers 13, 14 and 15, in which the red-shining, green-shining or blue-shining layers are deposited, a printing process takes place. As a printing device, a jet printing device can be used with which dissolved in a solvent organic particles or inorganic particles but also on the substrate 4 or on the substrate 4 previously deposited layers is deposited. The steps 13, 14, 15 can also be carried out in one chamber or in one or more chambers. Likewise, the steps 11, 12, 15, 16 can also be carried out in one or more chambers. Figures 3a and 3b show alternatives in this regard as examples.
[0020] Die Figuren 2a bis 2c zeigen schematisch einen Druckprozess, bei dem ein Druckstempel 18 verwendet wird, der erhabene Zonen 19 aufweist. Die die erhabenen Zonen 19 aufweisende Seite des Druckstempels 18 weist in der Figur 2 nach oben und wird mit einer Flüssigkeit benetzt. Es handelt sich dabei um ein Lösemittel 21, in dem Quantum-Dots 20 enthalten sind. Mittels einer geeigneten Methode, bspw. einem Rotieren des Druckstempels 18, wird die Flüssigkeit derart auf der Oberfläche verteilt, dass sich auf den erhabenen Zo- nen 19 etwa eine Monolage der Quantum-Dots 20 ausbildet, wie es die Figur 2b zeigt. Figures 2a to 2c show schematically a printing process in which a plunger 18 is used, the raised zones 19 has. The raised zone 19 having the side of the plunger 18 has in the figure 2 upwards and is wetted with a liquid. This is a solvent 21 in which quantum dots 20 are contained. By means of a suitable method, for example a rotation of the plunger 18, the liquid is distributed on the surface in such a way that approximately one monolayer of the quantum dots 20 is formed on the raised zones 19, as shown in FIG. 2b.
[0021] Der Druckstempel 18 wird danach um 180° gedreht, so dass die erhabenen Zonen 19 nach unten weisen. Mit dem Druckstempel 18 wird dann das Substrat 4 oder eine auf das Substrat 4 abgeschiedene Schicht HTL strukturiert bedruckt. [0022] Die Figuren 4, 5 und 6 zeigen schematisch typische Schichtenfolgen 22, wie sie auf ein Substrat 4 in der in der Figur 3 dargestellten Vorrichtung aufgebracht werden können. Mit der Bezugsziffer 23 ist eine ein- oder mehrschichtige Anode bezeichnet. Die Bezugsziffer 24 bezeichnet eine ein- oder mehrschichtige Kathode. The plunger 18 is then rotated by 180 °, so that the raised zones 19 point downward. The substrate 4 or a layer deposited on the substrate 4 HTL layer is then printed structured with the plunger 18. Figures 4, 5 and 6 show schematically typical layer sequences 22, as they can be applied to a substrate 4 in the apparatus shown in Figure 3. The reference numeral 23 denotes a single-layer or multi-layer anode. Reference numeral 24 denotes a single-layer or multi-layered cathode.
[0023] Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinationen auch kombiniert sein können, nämlich: The above statements serve to explain the total of the application covered inventions that further develop the state of the art at least by the following feature combinations each independently, wherein two, several or all of these feature combinations can also be combined, namely:
[0024] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schichten ETL, HTL, HBL, EBL, EML-R, EML-G, EML-B jeweils in einer Gasatmosphäre mit einem Totaldruck von mindestens 0,001 mbar gefertigt werden. Die Gasatmosphäre steht bevorzugt zu mehr als 90% aus Stickstoff, Argon oder einem anderen Edelgas. Die Gasatmosphäre kann aber auch andere Zusammensetzungen aufweisen. A method which is characterized in that the layers ETL, HTL, HBL, EBL, EML-R, EML-G, EML-B are each made in a gas atmosphere with a total pressure of at least 0.001 mbar. The gas atmosphere is preferably more than 90% nitrogen, argon or another noble gas. The gas atmosphere may also have other compositions.
[0025] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass der Totaldruck größer ist als 0,01 mbar oder 0,1 mbar. A method which is characterized in that the total pressure is greater than 0.01 mbar or 0.1 mbar.
[0026] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die lichtemittierende Schicht EML-R, EML-G, EML-B aufgedruckt wird, insbesondere bei einem Druck zwischen 100 mbar und 1050 mbar aufgedruckt wird. A method which is characterized in that the light-emitting layer EML-R, EML-G, EML-B is printed, in particular at a pressure between 100 mbar and 1050 mbar is printed.
[0027] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das Aufdrucken unter Verwendung eines Druckstempels 18 oder eines Flüssigkeitsstrahles durchgeführt wird. [0028] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Elektronentrans- portschicht ETL, die Löchertransportschicht HTL, Löcherblockierschicht HBL und/ oder die Elektronenblockierschicht EBL in einem CVD- oder PVD-Prozess, insbesondere OVPD-Prozess, bei einem Totaldruck zwischen 0,1 mbar und 10 mbar durchgeführt wird. A method characterized in that the printing is performed using a plunger 18 or a liquid jet. [0028] A method which is characterized in that the electron transport layer ETL, the hole transport layer HTL, hole blocking layer HBL and / or the electron blocking layer EBL in a CVD or PVD process, in particular OVPD process, at a total pressure between 0, 1 mbar and 10 mbar is performed.
[0029] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass zum Abscheiden der lichtemittierenden Schicht EML-R, EML-G, EML-B in Lösemittel 21 enthaltene lichtemittierende Partikel 20 verwendet werden. A method which is characterized in that for the deposition of the light-emitting layer EML-R, EML-G, EML-B in solvent 21 contained light-emitting particles 20 are used.
[0030] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das Lösemittel 21 in einer CVD-Prozesskammer 1 oder einer Vakuumkammer 11- 17 vor der Durchführung eines nachfolgenden PVD- oder CVD-Prozesses durch Erwärmen des Substrates 4 verdampft wird. A method characterized in that the solvent 21 in a CVD process chamber 1 or a vacuum chamber 11-17 is evaporated by heating the substrate 4 before performing a subsequent PVD or CVD process.
[0031] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das Verdampfen des Lösemittels bei einem Totaldruck von < 10 mbar, insbesondere < 0, 01 mbar, durchgeführt wird. A method which is characterized in that the evaporation of the solvent at a total pressure of <10 mbar, in particular <0, 01 mbar, is performed.
[0032] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das Verfahren in einem System von Prozesskammern 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17 durchgeführt wird, wobei in jeder Prozesskammer 11 - 17 entweder ein PVD- oder CVD-Prozess oder ein Druckverfahren durchgeführt wird. [0033] Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender An- meidung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/ oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Erfindung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorstehenden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbeson- dere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden können. A method characterized in that the method is performed in a system of process chambers 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, wherein in each process chamber 11 - 17 either a PVD or CVD process or a printing process is performed. All disclosed features are essential to the invention (individually, but also in combination with one another). The disclosure content of the associated / attached priority documents (copy of the prior application) is hereby also incorporated in full in the disclosure of the application, also for the purpose of defining features of these documents in claims of the present application. to take with you. The subclaims characterize, even without the features of a claimed claim, with their features independent inventive developments of the prior art, in particular in order to make divisional applications based on these claims. The invention specified in each claim may additionally have one or more of the features described in the preceding description, in particular with reference numerals and / or given in the reference numerals. The invention also relates to design forms in which individual features mentioned in the above description are not realized, in particular insofar as they are recognizably dispensable for the respective intended use or can be replaced by other technically equivalent means.
Liste der Bezugszeichen List of reference numbers
1 Prozesskammer1 process chamber
2 Gaseinlassorgan2 gas inlet member
3 Substrathalter3 substrate holder
4 Substrat 4 substrate
5 Kühlelement 5 cooling element
6 Gasaustrittsfläche6 gas outlet surface
7 Gaseinlass 7 gas inlet
8 Heizelement 8 heating element
9 Öffnung 9 opening
10 Transferkammer 10 transfer chamber
11 Prozesskammer11 process chamber
12 Prozesskammer12 process chamber
13 Prozesskammer13 process chamber
14 Prozesskammer14 process chamber
15 Prozesskammer15 process chamber
16 Prozesskammer16 process chamber
17 Prozesskammer17 process chamber
18 Druckstempel18 plunger
19 erhabene Zonen19 sublime zones
20 Quantum-Dots20 quantum dots
21 Lösemittel21 solvents
22 Schichten 22 layers
23 Anode  23 anode
24 Kathode  24 cathode

Claims

Ansprüche  claims
Verfahren zur Herstellung von auf einem Substrat (4) aufgebrachten, beim Hindurchleiten von elektrischem Strom leuchtenden Pixeln, wobei die Pixel jeweils aufweisen: eine Elektronentransportschicht (ETL), eine Löchertransportschicht (HTL), eine Löcherblockierschicht (HBL) oder Elektronenblo- ckierschicht (EBL) und eine lichtemittierende Schicht (EML-R, EML-G, EML-B), wobei das Aufbringen sämtlicher Schichten (ETL, HTL, HBL, EBL, EML-R, EML-G, EML-B) in einer Gasatmosphäre bei einem Totaldruck von mindestens 0,001 mbar erfolgt, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektronentransportschicht (ETL), die Löchertransportschicht (HTL), Löcherblockierschicht (HBL) und/ oder die Elektronenblockierschicht (EBL) in einem CVD- oder PVD-Prozess, insbesondere OVPD-Prozess, bei einem Totaldruck von maximal 10 mbar abgeschieden wird und dass die lichtemittierende Schicht (EML-R, EML-G, EML-B) aufgedruckt wird, insbesondere bei einem Druck zwischen 100 mbar und 1050 mbar aufgedruckt wird. Method for producing pixels which are applied to a substrate (4) and radiate when passing electric current, the pixels each having: an electron transport layer (ETL), a hole transport layer (HTL), a hole blocking layer (HBL) or an electron blocking layer (EBL) and a light emitting layer (EML-R, EML-G, EML-B), wherein applying all layers (ETL, HTL, HBL, EBL, EML-R, EML-G, EML-B) in a gas atmosphere at a total pressure of at least 0.001 mbar, characterized in that the electron transport layer (ETL), the hole transport layer (HTL), hole blocking layer (HBL) and / or the electron blocking layer (EBL) in a CVD or PVD process, in particular OVPD process, at Total pressure of a maximum of 10 mbar is deposited and that the light-emitting layer (EML-R, EML-G, EML-B) is printed, in particular at a pressure between 100 mbar and 1050 mbar is printed.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Totaldruck größer ist als 0,01 mbar oder 0,1 mbar. A method according to claim 1, characterized in that the total pressure is greater than 0.01 mbar or 0.1 mbar.
3. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufdrucken bei einem Totaldruck von mindestens 200 mbar durchgeführt wird. 3. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the printing is carried out at a total pressure of at least 200 mbar.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufdrucken unter Verwendung eines Druckstempels (18) oder eines Flüssigkeitsstrahles durchgeführt wird. Method according to one of the preceding claims, characterized in that the printing is carried out using a plunger (18) or a liquid jet.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zum Aufdrucken der lichtemittierenden Schicht (EML-R, EML-G, EML-B) in Lösemittel (21) enthaltene lichtemittierende Partikel (20) verwendet werden. 5. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that for printing the light-emitting layer (EML-R, EML-G, EML-B) contained in solvent (21) light-emitting particles (20) can be used.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Lösemittel (21) in einer CVD-Prozesskammer (1) oder einer Vakuumkammer (11 - 17) vor der Durchführung eines nachfolgenden PVD- oder CVD-Prozesses durch Erwärmen des Substrates (4) verdampft wird. A method according to claim 5, characterized in that the solvent (21) in a CVD process chamber (1) or a vacuum chamber (11-17) is evaporated by heating the substrate (4) before performing a subsequent PVD or CVD process ,
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Lösemittel (21) in derselben CVD-Prozesskammer (1) durchgeführt wird, in der auch der nachfolgende CVD- oder CVD-Prozess durchgeführt wird. 7. The method according to claim 6, characterized in that the solvent (21) in the same CVD process chamber (1) is performed, in which also the subsequent CVD or CVD process is performed.
Verfahren nach einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Verdampfen des Lösemittels bei einem Total druck von < 10 mbar, insbesondere < 0,01 mbar durchgeführt wird. Method according to one of claims 6 or 7, characterized in that the evaporation of the solvent at a total pressure of <10 mbar, in particular <0.01 mbar is performed.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren in einem System von Prozesskammern (11, 12, 13, 14, 15, 16, 17) durchgeführt wird, wobei in jeder Prozesskammer (11 - 17) entweder ein PVD- oder CVD-Prozess oder ein Druckverfahren durchgeführt wird. Method according to one of the preceding claims, characterized in that the method is carried out in a system of process chambers (11, 12, 13, 14, 15, 16, 17), wherein in each process chamber (11 - 17) either a PVD or CVD process or a printing process is performed.
10. Verfahren, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche. 10. Method, characterized by one or more of the characterizing features of one of the preceding claims.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019128752A1 (en) 2019-10-24 2021-04-29 Apeva Se Process for the production of stacked OLEDs

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6903378B2 (en) 2003-06-26 2005-06-07 Eastman Kodak Company Stacked OLED display having improved efficiency
US20090243475A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 Toppan Printing Co., Ltd. Organic Electroluminescence Element, Manufacturing Method for An Organic Electroluminescence Element and Display Unit
US20120025225A1 (en) * 2010-07-27 2012-02-02 Seiko Epson Corporation Light-emitting element, display device, and electronic apparatus
US20160079316A1 (en) 2012-09-14 2016-03-17 Qd Vision, Inc. Light emitting device including tandem structure
DE102015118765A1 (en) 2014-11-20 2016-06-09 Aixtron Se Device for coating a large-area substrate
US20160164046A1 (en) 2013-07-11 2016-06-09 Konica Minolta, Inc. Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescent element, and organic electroluminescent module
US9385348B2 (en) 2013-08-29 2016-07-05 The Regents Of The University Of Michigan Organic electronic devices with multiple solution-processed layers
DE102016011319A1 (en) 2015-12-14 2017-06-14 Martin Sachse Solution principle and method and EUV laser processing system, in particular for the production of components with structures in the nanometer range such as organic electronics and electrical components

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020025918A (en) * 2002-02-15 2002-04-04 박병주 Organic semiconducting devices and organic electroluminescent devices produced by using wet process
CN101114698B (en) * 2007-08-21 2010-05-19 电子科技大学 Fluorine-carbazole co-polymer based organic electroluminescence device
CN101123298A (en) * 2007-09-11 2008-02-13 电子科技大学 A structure-optimized white light organic EL part
JP5808624B2 (en) * 2011-09-09 2015-11-10 株式会社Ｊｏｌｅｄ Display device and electronic device
CN102709488A (en) * 2012-01-13 2012-10-03 东莞宏威数码机械有限公司 Conveying mechanism for substrates
CN103413819B (en) * 2013-07-22 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 A kind of organic electroluminescence display panel, pixel define layer and preparation method thereof
US10683453B2 (en) * 2014-12-12 2020-06-16 Merck Patent Gmbh Organic compounds with soluble groups
CN106784202A (en) * 2017-02-28 2017-05-31 Tcl集团股份有限公司 QLED devices and preparation method thereof

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6903378B2 (en) 2003-06-26 2005-06-07 Eastman Kodak Company Stacked OLED display having improved efficiency
US20090243475A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 Toppan Printing Co., Ltd. Organic Electroluminescence Element, Manufacturing Method for An Organic Electroluminescence Element and Display Unit
US20120025225A1 (en) * 2010-07-27 2012-02-02 Seiko Epson Corporation Light-emitting element, display device, and electronic apparatus
US20160079316A1 (en) 2012-09-14 2016-03-17 Qd Vision, Inc. Light emitting device including tandem structure
US20160164046A1 (en) 2013-07-11 2016-06-09 Konica Minolta, Inc. Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescent element, and organic electroluminescent module
US9385348B2 (en) 2013-08-29 2016-07-05 The Regents Of The University Of Michigan Organic electronic devices with multiple solution-processed layers
DE102015118765A1 (en) 2014-11-20 2016-06-09 Aixtron Se Device for coating a large-area substrate
DE102016011319A1 (en) 2015-12-14 2017-06-14 Martin Sachse Solution principle and method and EUV laser processing system, in particular for the production of components with structures in the nanometer range such as organic electronics and electrical components

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HARTMANN S ET AL: "OVPD - AN ALTERNATIVE PROCESS FOR OLED PRODUCTION", ITG-FACHBERI; [ITG-FACHBERICHTE; ISSN 0932-6022; VOL. 183], VDE-VERLAG, DE, vol. 183, 3 May 2004 (2004-05-03) - 4 May 2004 (2004-05-04), pages 235 - 237, XP008035466, ISSN: 0932-6022 *
JIANG CONGBIAO ET AL: "Full-color quantum dots active matrix display fabricated by ink-jet printing", SCIENCE CHINA CHEMISTRY; THE FRONTIERS OF CHEMICAL BIOLOGY AND SYNTHESIS, SCIENCE CHINA PRESS, SIENCE CHINA PRESS, vol. 60, no. 10, 19 July 2017 (2017-07-19), pages 1349 - 1355, XP036406943, ISSN: 1674-7291, [retrieved on 20170719], DOI: 10.1007/S11426-017-9087-Y *
KREIS JUERGEN ET AL: "Organic Vapor Phase Deposition (OVPD) for efficient OLED manufacturing: the specific advantages and possibilities of carrier-gas enhanced vapor phase deposition for the manufacturing of organic thin film devices", VISUAL COMMUNICATIONS AND IMAGE PROCESSING; 20-1-2004 - 20-1-2004; SAN JOSE,, vol. 8476, 13 September 2012 (2012-09-13), pages 84761L - 84761L, XP060029354, ISBN: 978-1-62841-730-2, DOI: 10.1117/12.930502 *
LEEANN KIM ET AL: "Contact Printing of Quantum Dot Light-Emitting Devices", NANO LETTERS, vol. 8, no. 12, 10 December 2008 (2008-12-10), US, pages 4513 - 4517, XP055331136, ISSN: 1530-6984, DOI: 10.1021/nl8025218 *

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