DE102009041324A1 - Method for manufacturing microstructure for organic LED (OLED) for e.g. LCD, involves structuring materials deposited on base material to transfer microstructure on base material - Google Patents

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Abstract

The method involves depositing materials (6) on a base material (7) using intermediate support structure comprising intermediate support layer (2), light reflection layer (3), light absorption layer (4) and protective layer (5) which are sequentially stacked. The deposited materials are finely structured to transfer a microstructure on the base material. An independent claim is included for apparatus for manufacturing microstructure.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von organischen photoaktiven Bauelementen, insbesondere von organischen Leuchtdioden (OLEDs).The invention relates to a method and a device for producing organic photoactive components, in particular organic light-emitting diodes (OLEDs).

Aufgrund der überragenden Bildwiedergabe sowie des einfachen technischen Aufbaus wird die Verwendung organischer Leuchtdioden für Bildschirme als nachfolgende Technologie zu LCDs oder Plasmabildschirmen angesehen. Beispielsweise bestehen LCDs i. a. aus einer weißen Lichtquelle, einer Schicht aus Flüssigkristallen als Lichtschalter und einem nachgeschalteten Farbfilter. OLEDs hingegen leuchten selbst in einer bestimmten Farbe und benötigen weder externe Lichtquellen noch Farbfilter.Due to the superior image reproduction and the simple technical structure, the use of organic light emitting diodes for screens as a subsequent technology to LCDs or plasma screens is considered. For example, there are LCDs i. a. from a white light source, a layer of liquid crystals as a light switch and a downstream color filter. OLEDs, on the other hand, shine in a specific color and do not require external light sources or color filters.

Durch die Verwendung von biegsamen Trägermaterialien (flexible Substrate, Folien) eröffnen OLEDs die Möglichkeit, aufrollbare Bildschirme herzustellen und Bildschirme in Kleidungsstücke zu integrieren.By using flexible substrates (flexible substrates, films), OLEDs offer the ability to create roll-up screens and integrate screens into garments.

Durch ihre geringe Dicke von wenigen hundert Nanometern können OLEDs gut in kleinen, tragbaren Geräten eingesetzt werden, beispielsweise Notebooks, Handys und MP3-Playern.Due to their small thickness of a few hundred nanometers, OLEDs can be used well in small, portable devices, such as notebooks, cell phones and MP3 players.

Ein weiterer Vorteil ist die mehrfach höhere Schaltgeschwindigkeit von OLED-Bildschirmen gegenüber LCDs, welche eine realistische Wiedergabe von schnellen Video-Sequenzen ermöglicht. OLED-Bildschirme und OLED-TV-Geräte schneiden aufgrund des geringeren Volumens sowie des deutlich geringeren Gewichts auch im Bereich Transportkosten deutlich besser als aktuelle LCD- und Plasma-Geräte ab.Another advantage is the multiple switching speed of OLED screens compared to LCDs, which allows a realistic reproduction of fast video sequences. OLED screens and OLED TV sets cut significantly better than current LCD and plasma devices in terms of transport costs due to their lower volume and significantly lower weight.

Beim Einsatz sogenannter „Small Molecules” (organische Materialien mit einer Molekülmasse von ca. 100–1000 u) als organische Materialien in OLEDs ist zu beachten, dass diese sehr empfindlich gegenüber Sauerstoff und Wasser sind, sodass die in der Halbleiterelektronik typischen Verfahren zur Strukturierung, insbesondere die optische Lithographie, nicht eingesetzt werden können.When using so-called "small molecules" (organic materials with a molecular weight of about 100-1000 u) as organic materials in OLEDs, it should be noted that they are very sensitive to oxygen and water, so that the structuring, structuring, In particular, the optical lithography, can not be used.

Für die Massenproduktion von kleinen Displays mit SMOLEDs (Small Molecule Organic Light Emitting Diode) werden Schattenmasken als alternative Methode zur optischen Lithographie eingesetzt. Beispiele hierfür sind Funktelefone, MP3-Spieler oder Palmtops. Nachteilig sind dabei die hohen Herstellungskosten, der hohe Wartungsaufwand sowie die technisch noch nicht gelöste Skalierung auf große Displays oder allgemein Substrate (unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizient von Substrat und Maske, Durchbiegung der sehr dünnen Maske, etc.). Die Schwierigkeit auf große Substrate zu skalieren ist der Hauptgrund, dass es noch keine Massenproduktion von Computer-Monitoren oder Fernsehapparaten gibt.For the mass production of small displays with SMOLEDs (Small Molecule Organic Light Emitting Diode), shadow masks are used as an alternative method for optical lithography. Examples include cell phones, MP3 players or palmtops. Disadvantages are the high production costs, the high maintenance and the not yet technically solved scaling to large displays or general substrates (different thermal expansion coefficient of substrate and mask, deflection of the very thin mask, etc.). The difficulty of scaling to large substrates is the main reason that there is still no mass production of computer monitors or TVs.

Weitere Methoden wie z. B. LITI (Laser Induced Thermal Imaging) haben sich aufgrund der damit verbundenen technischen Schwierigkeiten und hohen Kosten bis dato nicht für die Massenproduktion als tauglich erwiesen.Other methods such. For example, LITI (Laser Induced Thermal Imaging) has not proved suitable for mass production due to the associated technical difficulties and high costs.

Insbesondere ist die Laserablation ein Rasterverfahren analog zum Tintenstrahlschreiber, welches einen nur wesentlich geringeren Durchsatz erreichen kann im Vergleich zu den meisten anderen parallelen Druckverfahren wie die optische Lithographie.In particular, the laser ablation is a scanning method analogous to the ink jet pen, which can achieve only a significantly lower throughput compared to most other parallel printing methods such as optical lithography.

Die US 2007/0151659 A1 offenbart ein Verfahren zur Herstellung eines Rasters auf einem Substrat mittels eines Druckverfahrens und anschließender LITI-Behandlung.The US 2007/0151659 A1 discloses a method for producing a grid on a substrate by means of a printing process and subsequent LITI treatment.

In der US 2009/0038550 A1 wird ein Verfahren beschrieben, welches kleine Heizquellen durch lokale Verdampfung einer großflächigen organischen Schicht beinhaltet. Dieses Verfahren besteht aus einer Maske, die wie ein Passiv-Matrix-Display aufgebaut ist. Die Herstellung dieser Maske ist sehr viel aufwendiger aufgrund der elektrischen Zuleitungen, die für die Heizquellen erforderlich sind. Insbesondere ist die Zuverlässigkeit bei hohen Temperaturen als kritisch einzuschätzen, da relativ hohe Energien zur Verdampfung erforderlich sind, Diffusionsvorgänge die Eigenschaften von Isolatoren oder elektrischen Widerständen verändern bzw. es zu Ablösungen von Filmen aufgrund von verschiedenen thermischen Ausdehnungskoeffizienten kommt. Erwähnte Materialien wie Polyamide können nur für relativ niedrige Verdampfungstemperaturen eingesetzt werden.In the US 2009/0038550 A1 describes a method which includes small heat sources by local evaporation of a large-area organic layer. This procedure consists of a mask, which is constructed like a passive matrix display. The preparation of this mask is much more expensive due to the electrical supply lines that are required for the heat sources. In particular, the reliability at high temperatures is critical, since relatively high energies are required for evaporation, diffusion processes change the properties of insulators or electrical resistors or films are detached due to different thermal expansion coefficients. Mentioned materials such as polyamides can only be used for relatively low evaporation temperatures.

Grundsätzlich ist es daher von großem Interesse eine kostengünstige Lithographie-Methode zu entwickeln, welche für SMOLEDs-, OSCs (Organic Solar Cells) und organischen TFTs (Thin Film Transistors) verwendet werden kann.In principle, therefore, it is of great interest to develop a cost-effective lithography method which can be used for SMOLEDs, OSCs (Organic Solar Cells) and organic TFTs (Thin Film Transistors).

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht daher darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung anzugeben, die die Nachteile der bekannten Herstellungsverfahren überwinden.The object of the present invention is therefore to provide a method and an apparatus which overcome the disadvantages of the known production methods.

Die Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den abhängigen Unteransprüchen angegeben.The object is achieved by a method according to claim 1. Advantageous embodiments are specified in the dependent subclaims.

Eine weitere Aufgabe wird durch eine Vorrichtung gemäß Anspruch 9 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den abhängigen Unteransprüchen angegeben.Another object is achieved by a device according to claim 9. Advantageous embodiments are specified in the dependent subclaims.

Erfindungsgemäß erfolgt zur lokalen Bedampfung eines Substrats mit organischen Materialien für die Herstellung organischer photoaktiver Bauelemente, insbesondere organischer Leuchtdioden eine lokale Verdampfung des organischen Materials von einem Zwischenträger mittels eines Energieeintrags durch eine Strahlung wobei das organische Material vom Zwischenträger auf ein Substrat mikrostrukturiert aufgedampft wird. According to the invention, for the local vapor deposition of a substrate with organic materials for the production of organic photoactive components, in particular organic light-emitting diodes, a local evaporation of the organic material from an intermediate carrier by means of an energy input by a radiation wherein the organic material is vapor-deposited microstructured from the intermediate carrier to a substrate.

In einer Ausführungsform der Erfindung erfolgt die lokale Verdampfung vom mikrostrukturierten Zwischenträger mittels Energieeintrag durch eine Strahlung von der dem organischen Material gegenüberliegenden Seite des Zwischenträgers, wobei die Mikrostrukturierung aus die Strahlung reflektierenden und absorbierenden Bereichen gebildet wird und die Verdampfung in den absorbierenden Bereichen des Zwischenträgers lokalisiert erfolgt. Die durch die reflektierenden und absorbierenden Bereiche gebildete Mikrostrukturierung kann dabei auf der zum Substrat zugewandten Seite des Zwischenträgers angeordnet sein als auch auf der vom Substrat abgewandten Seite. In jedem Fall wird in den reflektierenden Bereichen der mikrostrukturierten Oberfläche ein Energieeintrag durch die Strahlung unterbunden, wodurch eine lokale Verdampfung der auf dem Zwischenträger abgeschiedenen organischen Materialien verhindert wird. Nur in den absorbierenden Bereichen der Mikrostrukturierung erfolgt die lokale Verdampfung. Im Ergebnis wird das organische Material auf dem Substrat als eine invertierte Form der Mikrostrukturierung abgeschieden, wodurch ein negativer Stempeleffekt erzielt wird.In one embodiment of the invention, the local evaporation from the microstructured subcarrier by means of energy input by radiation from the opposite side of the organic material of the intermediate carrier, wherein the microstructure of the radiation reflecting and absorbing areas is formed and the evaporation is localized in the absorbent areas of the subcarrier , The microstructure formed by the reflecting and absorbing regions can be arranged on the side of the intermediate carrier facing the substrate as well as on the side facing away from the substrate. In any case, an energy input is prevented by the radiation in the reflective areas of the microstructured surface, whereby a local evaporation of the deposited on the intermediate carrier organic materials is prevented. Only in the absorbing areas of the microstructuring takes place the local evaporation. As a result, the organic material is deposited on the substrate as an inverted form of microstructuring, thereby achieving a negative stamping effect.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung erfolgt zuerst die Herstellung eines mikrostrukturierten Zwischenträgers. Dabei wird eine mikrostrukturierte strahlungsreflektierende Schicht auf einem Zwischenträger auf der dem Substrat zugewandten Seite abgeschieden. Aufgrund der partiellen Beschichtung der Oberfläche des Zwischenträgers ergibt sich eine Mikrostrukturierung mit Gräben und Erhebungen, wobei die Erhebungen durch die strahlungsreflektierende Schicht gebildet werden. Auf diese strahlungsreflektierende Schicht und die unbeschichtete mikrostrukturierte Oberfläche erfolgt eine zweite Abscheidung einer strahlungsabsorbierenden Schicht. Nachdem der mikrostrukturierte Zwischenträger fertig gestellt ist, erfolgt anschließend die Beschichtung der Schutzschicht mit dem abzuscheidenden organischen Material in einer Vakuumkammer. Abschließend erfolgt eine lokale Verdampfung des organischen Materials vom Zwischenträger auf das Substrat durch Energieeintrag mittels Strahlung von der der beschichteten Seite des Zwischenträger gegenüberliegenden Seite aus. Durch den Energieeintrag erfolgt die lokale Erwärmung und Verdampfung des organischen Materials in den nicht reflektierenden Bereichen der Mikrostrukturierung. Nach erfolgter Bedampfung des Substrats steht der mikrostrukturierte Zwischenträger weiteren Bedampfungsschritten zur Verfügung.In a further embodiment of the invention, the production of a microstructured intermediate carrier takes place first. In this case, a microstructured radiation-reflecting layer is deposited on an intermediate carrier on the side facing the substrate. Due to the partial coating of the surface of the intermediate carrier results in a microstructure with trenches and elevations, wherein the elevations are formed by the radiation-reflecting layer. On this radiation-reflecting layer and the uncoated microstructured surface, a second deposition of a radiation-absorbing layer takes place. After the microstructured intermediate carrier is completed, the coating of the protective layer with the organic material to be deposited then takes place in a vacuum chamber. Finally, there is a local evaporation of the organic material from the intermediate carrier to the substrate by energy input by means of radiation from the side opposite the coated side of the intermediate carrier. The energy input causes local heating and evaporation of the organic material in the non-reflective areas of the microstructure. After the substrate has been vapor-deposited, the microstructured intermediate carrier is available for further vapor deposition steps.

In einer Ausführungsform der Erfindung erfolgt die lokale Verdampfung vom mikrostrukturierten Zwischenträger mittels Energieeintrag durch eine Strahlung von der dem organischen Material gegenüberliegenden Seite des Zwischenträgers, wobei die Mikrostrukturierung aus die Strahlung reflektierenden Bereichen gebildet wird und die lokale Verdampfung des strahlungsabsorbierenden organischen Materials vom mikrostrukturierten Zwischenträger erfolgt, wodurch sich eine gerichtete Abscheidung der organischen Materialien entsprechend der Mikrostrukturierung auf dem Substrat ergibt.In one embodiment of the invention, the local evaporation from the microstructured subcarrier is carried out by energy input by a radiation from the opposite side of the organic substrate, the microstructuring is formed from the radiation reflecting areas and the local evaporation of the radiation absorbing organic material from the microstructured subcarrier, resulting in a directional deposition of the organic materials corresponding to the microstructuring on the substrate.

In einer Ausführungsform der Erfindung erfolgt die lokale Verdampfung vom mikrostrukturierten Zwischenträger mittels Energieeintrag durch eine Strahlung von der dem organischen Material gegenüberliegenden Seite des Zwischenträgers, wobei die Mikrostrukturierung aus die Strahlung absorbierenden Bereichen gebildet wird und die lokale Verdampfung des organischen Materials vom mikrostrukturierten Zwischenträger erfolgt, wodurch sich eine gerichtete Abscheidung der organischen Materialien entsprechend der Mikrostrukturierung auf dem Substrat ergibt.In one embodiment of the invention, the local evaporation from the microstructured subcarrier by means of energy input by radiation from the side opposite the organic material of the intermediate carrier, wherein the microstructuring of the radiation absorbing regions is formed and the local evaporation of the organic material takes place from the microstructured intermediate carrier, whereby there is a directional deposition of the organic materials corresponding to the microstructuring on the substrate.

In einer Ausführungsform der Erfindung erfolgt die lokale Verdampfung vom Zwischenträger mittels mikrostrukturiertem Energieeintrag durch eine Strahlung, etwa mittels eines Laserstrahls, von der dem organischen Material gegenüberliegenden Seite des Zwischenträgers, wobei entsprechend der mikrostrukturierten Strahlung eine lokale Verdampfung des organischen Materials vom Zwischenträger erfolgt, wodurch sich eine gerichtete Abscheidung der organischen Materialien entsprechend der Mikrostrukturierung auf dem Substrat ergibt. Das organische Material ist dabei über einer strahlungsabsorbierenden Schicht abgeschieden. Alternativ kann auch das organische Material strahlungsabsorbierend sein.In one embodiment of the invention, the local evaporation from the intermediate carrier by means of microstructured energy input by radiation, such as by means of a laser beam, from the opposite side of the organic material of the intermediate carrier, wherein according to the microstructured radiation, a local evaporation of the organic material takes place from the intermediate carrier, thereby results in a directional deposition of the organic materials according to the microstructuring on the substrate. The organic material is deposited over a radiation-absorbing layer. Alternatively, the organic material may also be radiation-absorbing.

In einer Ausführungsform der Erfindung erfolgt die Abscheidung einer Schutzschicht vor der Abscheidung des organischen Materials auf dem Zwischenträger. Diese Schutzschicht ist dabei transparent und zugleich chemisch inert gegenüber den abzuscheidenden organischen Materialien, wodurch mögliche Reaktionen des organischen Materials mit strahlungsreflektierenden oder absorbierenden Schichten auf dem Zwischenträger unterbunden werden.In one embodiment of the invention, the deposition of a protective layer takes place before the deposition of the organic material on the intermediate carrier. This protective layer is transparent and at the same time chemically inert to the organic materials to be deposited, whereby possible reactions of the organic material with radiation-reflecting or absorbing layers on the intermediate carrier are prevented.

In einer Ausführungsform der Erfindung wird das nach erfolgter Abscheidung des organischen Materials auf dem Substrat verbleibende organische Material durch eine Heizeinrichtung, welche auf der mit dem organischen Material beschichteten Seite der Oberfläche angeordnet ist, erwärmt und verdampft. Infolgedessen erfolgt eine homogene Dampfverteilung und abschließend eine homogene Abscheidung des verdampften organischen Materials auf dem mikrostrukturierten Zwischenträger. Dadurch wird eine neue Schicht des organischen Materials auf der gesamten Oberfläche des mikrostrukturierten Zwischenträgers realisiert. Nachfolgend steht diese Schicht für eine weitere Bedampfung des Substrats zur Verfügung. Dadurch wird das eingesetzte organische Material vollständig zur Bedampfung des Substrats genutzt.In one embodiment of the invention, the organic material remaining on the substrate after deposition of the organic material is heated by a heater is disposed on the organic material coated side of the surface, heated and evaporated. As a result, there is a homogeneous vapor distribution and finally a homogeneous deposition of the vaporized organic material on the microstructured intermediate carrier. As a result, a new layer of the organic material is realized on the entire surface of the microstructured intermediate carrier. Subsequently, this layer is available for further evaporation of the substrate. As a result, the organic material used is used completely for vapor deposition of the substrate.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die Heizeinrichtung, welche auf der mit dem organischen Material beschichteten Seite der Oberfläche angeordnet ist, als Wärmestrahler ausgeführt.In a further embodiment of the invention, the heating device, which is arranged on the side of the surface coated with the organic material, is designed as a heat radiator.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird das in den nicht reflektierenden Bereichen der Oberfläche des Zwischenträgers verbliebene organische Material durch eine Erwärmung des Zwischenträgers erwärmt und verdampft. Nach erfolgter Abkühlung des Zwischenträgers erfolgt die Abscheidung des verdampften organischen Materials als homogene Schicht auf dem Zwischenträger.In a further embodiment of the invention, the organic material remaining in the non-reflecting regions of the surface of the intermediate carrier is heated and evaporated by heating the intermediate carrier. After cooling of the intermediate carrier, the deposition of the vaporized organic material takes place as a homogeneous layer on the intermediate carrier.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird der Strahlungseintrag der Strahlungsquelle durch einen Shutter reguliert.In a further embodiment of the invention, the radiation input of the radiation source is regulated by a shutter.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird die Mikrostrukturierung des Zwischenträgers durch eine strukturierte Abscheidung der strahlungsreflektierenden Schicht erzeugt.In a further embodiment of the invention, the microstructuring of the intermediate carrier is produced by a structured deposition of the radiation-reflecting layer.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die mikrostrukturierte, strahlungsreflektierende Schicht auf der dem abgeschiedenen organischen Material gegenüberliegenden Seite des Zwischenträgers angeordnet.In a further embodiment of the invention, the microstructured, radiation-reflecting layer is arranged on the side of the intermediate carrier opposite the deposited organic material.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung erfolgt die strukturierte Abscheidung der strahlungsreflektierenden Schicht durch Lithographie.In a further embodiment of the invention, the structured deposition of the radiation-reflecting layer takes place by lithography.

In einer weiteren Ausführungsform ist der Zwischenträger beheizbar ausgeführt.In a further embodiment, the intermediate carrier is designed to be heatable.

In einer weiteren Ausführungsform wird der Zwischenträger durch eine Kühleinrichtung gekühlt.In a further embodiment, the intermediate carrier is cooled by a cooling device.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist der mikrostrukturierte Zwischenträger als mikrostrukturierter Zylinder ausgeführt.In a further embodiment of the invention, the microstructured intermediate carrier is designed as a microstructured cylinder.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist der als Zylinder aufgeführte mikrostrukturierte Zwischenträger in einer Vakuumkammer einer Durchlaufbeschichtungsanlage angeordnet, wobei die Vakuumkammer einen Verdampfer für die Erwärmung und Verdampfung des organischen Materials aufweist und weiterhin eine Abschirmung vorgesehen ist, die das Substrat vom Verdampfer separiert, wobei die Abschirmung den mikrostrukturierten Zwischenträger umfasst.In a further embodiment of the invention, the microstructured intermediate carrier in the form of a cylinder is arranged in a vacuum chamber of a continuous coating plant, wherein the vacuum chamber has an evaporator for heating and evaporating the organic material and furthermore a shield is provided which separates the substrate from the evaporator, wherein the Shielding comprises the microstructured intermediate carrier.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die Abschirmung beheizbar ausgeführt.In a further embodiment of the invention, the shield is made heatable.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die Strahlungsquelle im Inneren des mikrostrukturierten Zwischenträgers angeordnet.In a further embodiment of the invention, the radiation source is arranged in the interior of the microstructured intermediate carrier.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die Strahlungsquelle als Infrarotquelle ausgeführt.In a further embodiment of the invention, the radiation source is designed as an infrared source.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die Strahlungsquelle als Lichtquelle ausgeführt.In a further embodiment of the invention, the radiation source is designed as a light source.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die Lichtquelle aus Halogenlampen ausgeführt.In a further embodiment of the invention, the light source is made of halogen lamps.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die Strahlungsquelle als Mikrowellenquelle ausgeführt In a further embodiment of the invention, the radiation source is designed as a microwave source

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird zur Herstellung eines RGB-Displays in einem ersten Schritt ein grün emittierendes organisches Material nach dem oben beschriebenen Verfahren abgeschieden. Zur Komplettierung des RGB-Displays wird das gleiche Verfahren analog mit den für die Farben Rot und Blau emittierenden organischen Materialien wiederholt. Die Reihenfolge der Farben ist beliebig wählbar.In a further embodiment of the invention, in order to produce an RGB display, in a first step, a green-emitting organic material is deposited by the method described above. To complete the RGB display, the same procedure is repeated analogously with the organic materials emitting for the colors red and blue. The order of the colors is arbitrary.

Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung sind der folgenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsbeispielen sowie den anliegenden Zeichnungen zu entnehmen. Dabei zeigt:Further advantages and features of the invention will become apparent from the following detailed description of exemplary embodiments and the accompanying drawings. Showing:

1 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Verdampfungsvorrichtung, 1 a schematic representation of an evaporation device according to the invention,

2 eine schematische Darstellung der gezielten Verdampfung organischer Materialien und deren gerichtete Abscheidung auf einem Substrat, 2 a schematic representation of the targeted evaporation of organic materials and their directional deposition on a substrate,

3 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Verdampfung des verbliebenen organischen Materials und in 3 a schematic representation of an inventive evaporation of the remaining organic material and in

4 eine schematische Darstellung einer Durchlaufbeschichtungsanlage mit erfindungsgemäßen Verdampfungsvorrichtungen. 4 a schematic representation of a continuous coating plant with evaporation devices according to the invention.

Ausführungsbeispiel 1 Embodiment 1

In einem ersten Ausführungsbeispiel ist in 1 der mikrostrukturierte Zwischenträger 1 aus einem Quarzglassubstrat 2 mit Bereiche mit lichtreflektierenden 3 (z. B. 100 nm dickes Al) oder lichtabsorbierenden 4 (z. B. 100 nm dickes CrN), dünnen Schichten hergestellt, sodass eine Maske entsteht. Zusätzlich ist eine Schutzschicht 5 (z. B. 50 nm dickes SiO2) aufgebracht, um chemische Reaktionen des organischen Materials 6 (siehe 2) mit dem aufgebrachten Film 4 zu verhindern. Anschließend wird die Schutzschicht 5 des mikrostrukturierten Zwischenträgers 1 mit einem organischen Material 6, z. B. 40 nm grün emittierender Farbstoff Alq3, in einer Vakuumkammer 13 beschichtet.In a first embodiment is in 1 the microstructured subcarrier 1 from a quartz glass substrate 2 with areas with light-reflecting 3 (eg, 100 nm thick Al) or light absorbing 4 (eg, 100 nm thick CrN), thin films are made to form a mask. In addition, a protective layer 5 (eg, 50 nm thick SiO 2 ) applied to chemical reactions of the organic material 6 (please refer 2 ) with the applied film 4 to prevent. Subsequently, the protective layer 5 of the microstructured subcarrier 1 with an organic material 6 , z. B. 40 nm green emitting dye Alq 3 , in a vacuum chamber 13 coated.

Anschließend wird die mit dem organischen Material 6 beschichtete Oberfläche des mikrostrukturierten Zwischenträgers 1 relativ zu einem Substrat 7, z. B. einem TFT-Monitor, im Proximity-Abstand (typisch für optische Lithographie, beispielsweise 30 μm) oder direktem Kontakt platziert. Anschließend wird das organische Material 6 durch das Quarzglas 2 mit Hilfe von einer Strahlungsquelle 8, z. B. einer Halogenlampe, in einem anderen Segment der Vakuumkammer 13 belichtet. Hierbei erwärmen sich nur Bereiche mit der lichtabsorbierenden Schicht 4 ausreichend stark, sodass das organische Material 6 ausschließlich an diesen Stellen verdampft wird und sich auf den Bereichen der Oberfläche des Substrats 7 niederschlägt, welche diesen Stellen gegenüber liegen (2). Aufgrund der geringen Wärmekapazität der absorbierenden Schicht kann die Erhitzung auf Verdampfungstemperaturen im Subsekunden-Bereich erfolgen. Nach der Abschaltung der Strahlungsquelle durch den Shutter erfolgt eine rasche Abkühlung der absorbierenden Schicht durch die thermische Anbindung an den Zwischenträger, welcher eine relativ hohe Wärmekapazität hat.Subsequently, the with the organic material 6 coated surface of the microstructured subcarrier 1 relative to a substrate 7 , z. As a TFT monitor, in the proximity distance (typical for optical lithography, for example, 30 microns) or direct contact placed. Subsequently, the organic material 6 through the quartz glass 2 with the help of a radiation source 8th , z. As a halogen lamp, in another segment of the vacuum chamber 13 exposed. In this case, only areas with the light-absorbing layer heat up 4 strong enough so that the organic material 6 is vaporized exclusively at these locations and on the areas of the surface of the substrate 7 precipitates which lie opposite these places ( 2 ). Due to the low heat capacity of the absorbent layer, heating to sub-second evaporating temperatures may occur. After the shutdown of the radiation source by the shutter is a rapid cooling of the absorbent layer by the thermal connection to the intermediate carrier, which has a relatively high heat capacity.

Ähnlich wie bei der optischen Lithographie kann über einen Shutter 9 die Lichtquelle 8 ein- bzw. ausgeschaltet werden. Je kleiner der Abstand zwischen mikrostrukturierte Oberfläche des Zwischenträgers 1 und dem Substrat 7 ist, desto geringer sind die Streudampfanteile, d. h. die Menge an organischem Material 6, welches an nicht beabsichtigten Stellen kondensiert.Similar to the optical lithography can via a shutter 9 the light source 8th be switched on or off. The smaller the distance between the microstructured surface of the intermediate carrier 1 and the substrate 7 is, the lower the scattered vapor components, ie the amount of organic material 6 which condenses at unintended sites.

Da die Materialausbeute nur bei ungefähr 30% pro organischem Material 6 liegt für einen dreifarbigen Bildschirm, kann in einem weiteren Schritt in 3 das organische Material 6 von der beschichteten Oberfläche des mikrostrukturierten Zwischenträgers 1, also nicht durch einen Lichteintrag durch das Quarzglas 2 verdampft werden, sodass es zur Erwärmung der gesamten Oberfläche kommt. Hierzu kann eine Heizeinrichtung 10, etwa ein Wärmestrahler verwendet werden. Nach der Verdampfung der restlichen 70% in einer Beschichtungskammer wird die Heizeinrichtung 10 abgeschaltet, sodass sich erneut Dampf gleichmäßig auf der Oberfläche des mikrostrukturierten Zwischenträgers 1 niederschlagen kann.As the material yield is only about 30% per organic material 6 is for a tricolor screen, in a further step in 3 the organic material 6 from the coated surface of the microstructured subcarrier 1 , so not by a light input through the quartz glass 2 be evaporated so that it comes to heating the entire surface. For this purpose, a heating device 10 , about a heat radiator can be used. After evaporation of the remaining 70% in a coating chamber, the heater 10 shut off, so that steam again evenly on the surface of the microstructured subcarrier 1 can knock down.

Ausführungsbeispiel 2Embodiment 2

In 4 ist eine Abwandlung der erfindungsgemäßen Verdampfungsvorrichtung in einer Durchlaufbeschichtungsanlage dargestellt. Hierbei sind die mikrostrukturierten Zwischenträger als Quarztrommel ausgeführt. Die Mikrostrukturierung ist vorteilhafterweise auf der Oberfläche der Quarztrommel in Anlehnung an das Ausführungsbeispiel 1 aufgebracht. Die Durchlaufbeschichtungsanlage 11 zur Beschichtung eines Substrats 7, z. B. einer Folie, welche als Endlosrolle durch die Anlage 11 geführt wird, in einer ersten Vakuumkammer 13 mit einem organischen Material 6, welches einen rotemittierenden Farbstoff darstellt, beschichtet. Hierzu wird das organische Material 6 in einer Verdampfungseinrichtung 12 erwärmt und verdampft. Infolgedessen scheidet sich das organische Material 6 auf dem mikrostrukturierten Zwischenträger 1 ab. Der Bereich zwischen dem Verdampfer 12 und dem Substrat wird durch eine Abschirmung 14 getrennt, sodass kein ungewollter Eintrag von organischem Materials 6 aus dem Dampfraum 17 auf das Substrat 7 erfolgt. Die dem Verdampfer 12 zugewandte Seite der Abschirmung 14 wird dabei auf Verdampfungstemperatur gehalten, um eine Kondensierung des organischen Materials 6 an der Abschirmung 14 zu unterbinden.In 4 a modification of the evaporation device according to the invention is shown in a continuous coating plant. Here, the microstructured intermediate carrier are designed as a quartz drum. The microstructuring is advantageously applied to the surface of the quartz drum on the basis of the exemplary embodiment 1. The continuous coating plant 11 for coating a substrate 7 , z. B. a film, which as an endless roll through the plant 11 is guided, in a first vacuum chamber 13 with an organic material 6 , which is a red-emitting dye coated. This is the organic material 6 in an evaporation device 12 heated and evaporated. As a result, the organic material separates 6 on the microstructured subcarrier 1 from. The area between the evaporator 12 and the substrate is protected by a shield 14 separated, so no unwanted entry of organic material 6 from the steam room 17 on the substrate 7 he follows. The the evaporator 12 facing side of the shield 14 is kept at evaporation temperature to a condensation of the organic material 6 at the shield 14 to prevent.

Infolge einer kontinuierlichen Drehbewegung 15 des Zwischenträgers 1 wird das abgeschiedene organische Material 6 in Richtung des Substrats 7 bewegt, bis es in einer Position gegenüber dem Substrat 7 angelangt ist. An dieser Stelle wird das organische Material 6 durch die in Richtung des Substrats, auf die Oberfläche des Zwischenträgers fokussierte Lichtquelle 8, welche im Inneren des Zwischenträgers 1 angeordnet ist, erwärmt und verdampft. Analog des ersten Ausführungsbeispiels erfolgt auch hier die Erwärmung und Verdampfung nur in den Bereichen des Zwischenträgers 1, die keine lichtreflektierende Schicht 3 aufweisen. Als Ergebnis erfolgt eine Bedampfung des Substrats 7 mit dem organischen Material 6 in Abhängigkeit von der Mikrostrukturierung.As a result of a continuous rotational movement 15 of the subcarrier 1 becomes the deposited organic material 6 in the direction of the substrate 7 moves until it is in a position opposite the substrate 7 has arrived. At this point, the organic material becomes 6 by the focused in the direction of the substrate, on the surface of the intermediate carrier light source 8th which is inside the subcarrier 1 is arranged, heated and evaporated. Analogously to the first embodiment, the heating and evaporation takes place only in the areas of the intermediate carrier 1 which is not a light-reflecting layer 3 exhibit. As a result, evaporation of the substrate occurs 7 with the organic material 6 depending on the microstructuring.

Infolge der kontinuierlichen Drehbewegung 15 des Zwischenträgers 1 erfolgt eine Bewegung des auf dem Zwischenträger 1 in den lichtreflektierenden Bereichen 3 verbliebenen organischen Materials 6 in Richtung der Abschirmung 14. Dabei passiert der Zwischenträger 1 einen ersten Bereich im Dampfraum 17, bei dem durch auf eine Linie fokussierter Lichtstrahl die Oberfläche so stark erhitzt wird, dass das verbliebene organische Material abdämpft. Die Linie des Lichtstrahls ist dabei parallel zur Drehachse angeordnet. Anschließend kühlt sich der Zwischenträger 1 im Dampfraum so weit ab, dass erneut organisches Material auf dessen Oberfläche kondensiert. Die Strahlungsquelle zur Erzeugung der Linie könnte sich im Inneren des Zwischenträgers analog zur Strahlungsquelle 8 befinden und auf den Bereich in dem sich Zwischenträger 1 und Abschirmung 14 im Dampfraum 17 auf der rechten Seite treffen fokussiert sein. Auch die Strahlungsquelle 8 sollte auf die Oberfläche des Zwischenträgers 1 fokussiert sein, allerdings in Richtung der Normalen des Substrats.As a result of the continuous rotational movement 15 of the subcarrier 1 there is a movement of the on the intermediate carrier 1 in the light reflecting areas 3 remaining organic material 6 in the direction of the shield 14 , The intermediate carrier happens 1 a first area in the steam room 17 in which the surface is heated to such an extent by light beam focused on a line that the remaining organic material is attenuated. The Line of the light beam is arranged parallel to the axis of rotation. Subsequently, the intermediate carrier cools 1 in the vapor space so far that again condenses organic material on its surface. The radiation source for generating the line could be in the interior of the intermediate carrier analogous to the radiation source 8th are located and on the area in which there are subcarriers 1 and shielding 14 in the steam room 17 Be focused on the right side. Also the radiation source 8th should be on the surface of the subcarrier 1 be focused, but in the direction of the normal of the substrate.

Das Substrat 7 wird infolge seiner kontinuierlichen Bewegung 16 nunmehr zur nächsten Beschichtungsvorrichtung transportiert. Dort erfolgt analog der ersten Beschichtung einer weiteren Beschichtung mit einem grün-emittierenden organischen Material 6. Abschließend erfolgt in einem letzten Beschichtungsschritt eine Beschichtung mit einem blau-emittierenden organischen Material 6. Dadurch kann in einer Durchlaufbeschichtungsanlage 11 eine komplette RGB-Beschichtung durchgeführt werden.The substrate 7 is due to its continuous movement 16 now transported to the next coating device. There, analogously to the first coating of a further coating with a green-emitting organic material 6 , Finally, in a final coating step, a coating with a blue-emitting organic material takes place 6 , This can be done in a continuous coating plant 11 a complete RGB coating can be done.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
mikrostrukturierter Zwischenträgermicrostructured intermediate carrier
22
Zwischenträgersubcarrier
33
lichtreflektierende Schichtlight-reflecting layer
44
lichtabsorbierende Schichtlight absorbing layer
55
Schutzschichtprotective layer
66
organisches Materialorganic material
77
Substratsubstratum
88th
Strahlungsquelleradiation source
99
Shuttershutter
1010
Heizeinrichtungheater
1111
DurchlaufbeschichtungsanlageContinuous coating installation
1212
VerdampferEvaporator
1313
Vakuumkammervacuum chamber
1414
Abschirmungshielding
1515
Drehrichtung des ZwischenträgersDirection of rotation of the intermediate carrier
1616
SubstrattransportrichtungSubstrate transport direction
1717
Dampfraumsteam room
1818
Heizeinrichtung der AbschirmungHeating device of the shield

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

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Claims (18)

Verfahren zur lokalen Bedampfung eines Substrats mit organischen Materialien für die Herstellung organischer photoaktiver Bauelemente, insbesondere organischer Leuchtdioden, dadurch gekennzeichnet, dass eine lokale Verdampfung des organischen Materials (6) von einem Zwischenträger (1) mittels Energieeintrag durch eine Strahlung erfolgt, wobei das organische Material (6) vom Zwischenträger (1) auf ein Substrat (7) mikrostrukturiert aufgedampft wird.Process for the local vapor deposition of a substrate with organic materials for the production of organic photoactive components, in particular organic light-emitting diodes, characterized in that a local evaporation of the organic material ( 6 ) from an intermediate carrier ( 1 ) by means of energy input by a radiation, wherein the organic material ( 6 ) from the intermediate carrier ( 1 ) on a substrate ( 7 ) is vapor-deposited microstructured. Verfahren nach Anspruch 1 umfassend – die Herstellung eines mikrostrukturierten Zwischenträgers (1) mittels einer ersten Abscheidung einer mikrostrukturierten strahlungsreflektierenden Schicht (3) auf einem transparenten Zwischenträger (2), einer zweiten Abscheidung einer strahlungsabsorbierenden Schicht (4) auf der strahlungsreflektierenden Schicht (3) und der unbeschichteten mikrostrukturierten Oberfläche des Zwischenträgers (2), sowie – einer Abscheidung des organischem Materials (6) über der strahlungsabsorbierenden Schicht (4) und – eine lokale Verdampfung des organischen Materials (6), wodurch eine gerichtete Abscheidung der organischen Materialien (6) entsprechend der Mikrostrukturierung auf dem Substrat (7) erfolgt.Method according to claim 1 comprising - the production of a microstructured intermediate carrier ( 1 ) by means of a first deposition of a microstructured radiation-reflecting layer ( 3 ) on a transparent intermediate carrier ( 2 ), a second deposition of a radiation-absorbing layer ( 4 ) on the radiation-reflecting layer ( 3 ) and the uncoated microstructured surface of the intermediate carrier ( 2 ), and - a deposition of the organic material ( 6 ) over the radiation-absorbing layer ( 4 ) and - a local evaporation of the organic material ( 6 ), whereby a directed deposition of the organic materials ( 6 ) according to the microstructuring on the substrate ( 7 ) he follows. Verfahren nach Anspruch 1 umfassend – die Herstellung eines mikrostrukturierten Zwischenträgers (1) mittels einer ersten Abscheidung einer mikrostrukturierten strahlungsreflektierenden Schicht (3) auf einem transparenten Zwischenträger (2), sowie – einer zweiten Abscheidung eines strahlungsabsorbierenden organischen Materials (6) über der mikrostrukturierten strahlungsreflektierenden Schicht (3) und – eine lokale Verdampfung des strahlungsabsorbierenden organischen Materials (6), wodurch eine gerichtete Abscheidung der organischen Materialien (6) entsprechend der Mikrostrukturierung auf dem Substrat (7) erfolgt.Method according to claim 1 comprising - the production of a microstructured intermediate carrier ( 1 ) by means of a first deposition of a microstructured radiation-reflecting layer ( 3 ) on a transparent intermediate carrier ( 2 ), and - a second deposition of a radiation-absorbing organic material ( 6 ) over the microstructured radiation-reflecting layer ( 3 ) and - a local evaporation of the radiation-absorbing organic material ( 6 ), whereby a directed deposition of the organic materials ( 6 ) according to the microstructuring on the substrate ( 7 ) he follows. Verfahren nach Anspruch 1 umfassend – die Herstellung eines mikrostrukturierten Zwischenträgers (1) mittels einer ersten Abscheidung einer mikrostrukturierten strahlungsabsorbierenden Schicht (4) auf einem transparenten Zwischenträger (2), sowie – einer zweiten Abscheidung eines organischen Materials (6) über der mikrostrukturierten strahlungsabsorbierenden Schicht (4) und – eine lokale Verdampfung des organischen Materials (6) von der strahlungsabsorbierenden Schicht (4), wodurch eine gerichtete Abscheidung der organischen Materialien (6) entsprechend der Mikrostrukturierung auf dem Substrat (7) erfolgt.Method according to claim 1 comprising - the production of a microstructured intermediate carrier ( 1 ) by means of a first deposition of a microstructured radiation-absorbing layer ( 4 ) on a transparent intermediate carrier ( 2 ), and - a second deposition of an organic material ( 6 ) over the microstructured radiation absorbing layer ( 4 ) and - a local evaporation of the organic material ( 6 ) of the radiation-absorbing layer ( 4 ), whereby a directed deposition of the organic materials ( 6 ) according to the microstructuring on the substrate ( 7 ) he follows. Verfahren nach Anspruch 1 umfassend – die Herstellung eines Zwischenträgers (1) mittels einer ersten Abscheidung einer strahlungsabsorbierenden Schicht (4) auf einem transparenten Zwischenträger (2), sowie – einer zweiten Abscheidung eines organischen Materials (6) über der strahlungsabsorbierenden Schicht (4) und – eine lokale Verdampfung des organischen Materials (6) von der strahlungsabsorbierenden Schicht (4) mittels eines mikrostrukturierten Energieeintrags durch die Strahlungsquelle (8), wodurch eine gerichtete Abscheidung der organischen Materialien (6) entsprechend der Mikrostrukturierung auf dem Substrat (7) erfolgt.Method according to claim 1 comprising - the production of an intermediate carrier ( 1 ) by means of a first deposition of a radiation-absorbing layer ( 4 ) on a transparent intermediate carrier ( 2 ), and - a second deposition of an organic material ( 6 ) over the radiation-absorbing layer ( 4 ) and - a local evaporation of the organic material ( 6 ) of the radiation-absorbing layer ( 4 ) by means of a microstructured energy input through the radiation source ( 8th ), whereby a directed deposition of the organic materials ( 6 ) according to the microstructuring on the substrate ( 7 ) he follows. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass eine transparente Schutzschicht (5) vor der Abscheidung des organischen Materials (6) auf dem Zwischenträger (1) aufgebracht wird.Method according to one of claims 1 to 5, characterized in that a transparent protective layer ( 5 ) before the deposition of the organic material ( 6 ) on the intermediate carrier ( 1 ) is applied. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass nach erfolgter Abscheidung des organischen Materials (6) auf dem Substrat (7), das verbleibende organische Material (6) auf dem Zwischenträger (1) mittels einer Heizeinrichtung (10) erwärmt und verdampft wird und erneut auf dem Zwischenträger (1) abgeschieden wird, wobei das organische Material (6) als homogene Schicht abgeschieden wird.Method according to one of claims 1 to 6, characterized in that after the deposition of the organic material ( 6 ) on the substrate ( 7 ), the remaining organic material ( 6 ) on the intermediate carrier ( 1 ) by means of a heating device ( 10 ) is heated and evaporated and again on the intermediate carrier ( 1 ), the organic material ( 6 ) is deposited as a homogeneous layer. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, dass der Strahlungseintrag der Strahlungsquelle (8) durch einen Shutter (9) reguliert wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the radiation input of the radiation source ( 8th ) by a shutter ( 9 ) is regulated. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrostrukturierung des Zwischenträgers (1) durch eine strukturierte Abscheidung der strahlungsreflektierenden Schicht (3) erzeugt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the microstructuring of the intermediate carrier ( 1 ) by a structured deposition of the radiation-reflecting layer ( 3 ) is produced. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrostrukturierung der strahlungsreflektierenden Schicht (3) durch optische Lithographie erfolgt.A method according to claim 7, characterized in that the microstructuring of the radiation-reflecting layer ( 3 ) by optical lithography. Vorrichtung zur lokalen Bedampfung eines Substrats mit organischen Materialien für die Herstellung organischer photoaktiver Bauelemente, insbesondere organischer Leuchtdioden umfassend ein Schichtsystem bestehend aus einem transparenten Zwischenträger (2), einer mikrostrukturierten, strahlungsreflektierenden (3) und einer strahlungsabsorbierenden Schicht (4) sowie einer Schutzschicht (5), welche auf der strahlungsabsorbierenden Schicht (4) angeordnet ist und auf der das zu verdampfende organische Material (6) abgeschieden wird, sowie einer Strahlungsquelle (8) die auf der dem abgeschiedenen organischen Material (6) gegenüberliegenden Seite des Zwischenträgers (1) angeordnet ist.Device for local vapor deposition of a substrate with organic materials for the production of organic photoactive components, in particular organic light emitting diodes comprising a layer system consisting of a transparent intermediate carrier ( 2 ), a microstructured, radiation-reflecting ( 3 ) and a radiation-absorbing layer ( 4 ) as well as a protective layer ( 5 ), which on the radiation-absorbing layer ( 4 ) and on which the organic material to be evaporated ( 6 ) is deposited, and a radiation source ( 8th ) on the deposited organic material ( 6 ) opposite side of the intermediate carrier ( 1 ) is arranged. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die strahlungsabsorbierende Schicht (4) auf der mikrostrukturierten, strahlungsreflektierenden Schicht (3) angeordnet ist.Apparatus according to claim 11, characterized in that the radiation-absorbing layer ( 4 ) on the microstructured, radiation-reflecting layer ( 3 ) is arranged. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass eine Heizeinrichtung (10) auf der mit dem organischen Material (6) beschichteten Seite des Zwischenträgers (1) angeordnet ist.Device according to one of claims 11 to 12, characterized in that a heating device ( 10 ) on the with the organic material ( 6 ) coated side of the intermediate carrier ( 1 ) is arranged. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der mikrostrukturierte Zwischenträger (1) eine Kühleinrichtung aufweist.Device according to one of claims 11 to 13, characterized in that the microstructured intermediate carrier ( 1 ) has a cooling device. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass der mikrostrukturierte Zwischenträger (1) als Zylinder ausgeführt ist.Device according to one of claims 11 to 14, characterized in that the microstructured intermediate carrier ( 1 ) is designed as a cylinder. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der als Zylinder aufgeführte mikrostrukturierte Zwischenträger in einer Vakuumkammer (13) einer Durchlaufbeschichtungsanlage angeordnet ist, wobei die Vakuumkammer (13) einen Verdampfer (12) für die Erwärmung und Verdampfung des organischen Materials (6) aufweist und weiterhin eine Abschirmung (14) vorgesehen ist, die das Substrat (7) vom Verdampfer (12) separiert, wobei die Abschirmung (14) den mikrostrukturierten Zwischenträger (1) umfasst.Apparatus according to claim 15, characterized in that the listed as a cylinder microstructured intermediate carrier in a vacuum chamber ( 13 ) is arranged a continuous coating plant, wherein the vacuum chamber ( 13 ) an evaporator ( 12 ) for the heating and evaporation of the organic material ( 6 ) and further comprises a shield ( 14 ) is provided which the substrate ( 7 ) from the evaporator ( 12 ), whereby the shielding ( 14 ) the microstructured intermediate carrier ( 1 ). Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Abschirmung (14) beheizbar ist.Apparatus according to claim 16, characterized in that the shield ( 14 ) is heated. Vorrichtung nach den Ansprüchen 17 und 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlungsquelle (8) im Inneren des mikrostrukturierten Zwischenträgers (1) angeordnet ist.Device according to claims 17 and 16, characterized in that the radiation source ( 8th ) inside the microstructured intermediate carrier ( 1 ) is arranged.
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